FI105616B - Menetelmä ja järjestely tehopuolijohteen tilatiedon määrittämiseksi - Google Patents

Menetelmä ja järjestely tehopuolijohteen tilatiedon määrittämiseksi Download PDF

Info

Publication number
FI105616B
FI105616B FI981739A FI981739A FI105616B FI 105616 B FI105616 B FI 105616B FI 981739 A FI981739 A FI 981739A FI 981739 A FI981739 A FI 981739A FI 105616 B FI105616 B FI 105616B
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
power semiconductor
voltage
reference voltage
saturation
grid
Prior art date
Application number
FI981739A
Other languages
English (en)
Swedish (sv)
Other versions
FI981739A0 (fi
FI981739A (fi
Inventor
Erkki Miettinen
Original Assignee
Abb Industry Oy
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Abb Industry Oy filed Critical Abb Industry Oy
Priority to FI981739A priority Critical patent/FI105616B/fi
Publication of FI981739A0 publication Critical patent/FI981739A0/fi
Priority to US09/371,496 priority patent/US6252436B1/en
Priority to EP99660127A priority patent/EP0980142B1/en
Priority to JP11262531A priority patent/JP2000180497A/ja
Publication of FI981739A publication Critical patent/FI981739A/fi
Application granted granted Critical
Publication of FI105616B publication Critical patent/FI105616B/fi

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/18Modifications for indicating state of switch

Landscapes

  • Power Conversion In General (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Description

105616 i
Menetelmä ja järjestely tehopuolijohteen tilatiedon määrittämiseksi
Keksinnön tausta Tämän keksinnön kohteena on menetelmä tehopuolijohteen tilatie-5 don määrittämiseksi, tehopuolijohteen käsittäessä kollektorin, emitterin ja hilan, jolloin tehopuolijohteen hilalle on kytketty hilaohjain, joka käsittää apujän-nitesyötön.
Nykyaikaisissa tehoelektroniikkalaitteissa, kuten esimerkiksi oiko-sulkumoottoreiden pyörimisnopeuden säätöön käytettävissä taajuusmuuttajis-10 sa, sovelletaan nopeita puolijohteita. Tyypillisesti nämä ovat IGB-transistoreita, jotka kestävät oikosulkua tavallisimmin enintään 10 mikrosekunnin ajan. On siis tärkeää, että laitteesta saadaan mahdollisimman nopeasti ilmaisu sitä rasittavasta ylivirrasta, jotta tehopuolijohteet voidaan kytkeä johtamattomaan tilaan, ennen kuin ne tuhoutuvat ylikuumenemisen seurauksena.
15 IGB-transistorin kyllästysjännite, eli jännite kyseisen komponentin kollektorin ja emitterin yli kollektorivirran kulkiessa, on riippuvainen puolijohteen kautta kulkevan virran suuruudesta ja sen arvo normaalilla toiminta-alueella on 2 - 4 volttia. Kyllästysjännite kasvaa nopeasti, kun kollektorivirta ylittää nimellisvirran ja tätä seikkaa käytetäänkin yleisesti ylivirran ilmaisemi-20 seen. Esimerkiksi taajuusmuuttajissa kyllästysjännitteen maksimiarvo jäykässä oikosulkutilanteessa saattaa olla lähellä taajuusmuuttajan välipiirin jännitettä. Yleisesti ottaen kyllästysjännitteen maksimiarvo riippuukin oikosulun impedanssista. Tavallisesti ilmaisurajana on 10-20 voltin jännite, ja ilmaisun on !' kestettävä yhtämittaisesti vähintään kaksi mikrosekuntia, jotta tilanne tulkittai- 25 siin toimenpiteitä vaativaksi ylivinraksi.
On aikaisemmin tunnettua mitata tehopuolijohteen kyllästysjänni-tettä taajuusmuuttajissa käyttäen esimerkiksi vaihe- ja välipiirikohtaisia, nopeus- ja amplitudisovitettuja jännitteenjakajia taajuusmuuttajan miinuskisrkoa vastaan, ja vertaamalla vähennyslaskun avulla saatua arvoa tunnettuun refe-30 renssiin. Tällöin saatu digitaalinen tieto on miinuskiskon potentiaalissa, mutta se voidaan erottaa galvaanisesti käyttäen esimerkiksi optoisolaattoreita.
ψ
Keksinnön lyhyt selostus Tämän keksinnön tarkoituksena on aikaansaada menetelmä, joka välttää edellä mainitut epäkohdat ja edellä mainitun menetelmän tarvitsemat : 35 monet komponentit ja niiden viritystarpeen, ja mahdollistaa tehopuolijohteen 2 105616 kyllästysjännitetiedon ja sitä kautta vaihetilatiedon tuottamisen yksinkertaisemmalla, luotettavammalla ja edullisemmalla tavalla, referoituna haluttuun potentiaaliin. Tämä tarkoitus saavutetaan keksinnön mukaisella menetelmällä, jolle on tunnusomaista, että menetelmä käsittää vaiheet, joissa 5 käytetään hilaohjaimen apujännitettä referenssijännitteenä, verrataan tehopuolijohteen kyllästysjännitettä referenssijännittee-seen käyttäen optoisolaattoria, ja tuotetaan tilatiedon ilmaisusignaali kyllästysjännitteen ja referenssi-jännitteen suuruuksista riippuen.
10 Keksinnön mukainen menetelmä perustuu siihen, että jo muutenkin olemassa olevaa hilaohjaimen syöttöjännitettä käytetään sellaisenaan referenssijännitteenä ja että tehopuolijohteen kyllästysjännitettä ja referenssijän-nitettä vertailevana komparaattorina käytetään jo muutenkin olemassa olevaa, galvaanisen erotuksen muodostamiseen tarvittavaa optoisolaattoria. Ainoa 15 tarvittava lisäkomponentti on optoisolaattorin erottava diodi, jonka tulee kestää estosuunnassaan sama jännite, jonka itse tehopuolijohdekin kestää. Tämä diodi on kuitenkin erittäin edullinen, sillä sen kautta kulkee ainoastaan optoisolaattorin valodiodin myötäsuuntainen, vain muutaman milliampeerin suuruinen virta. Vertaamalla optoisolaattorin lähdöstä saatavaa kyllästysjännite-20 tietoa ja valvottavan tehopuolijohteen hilan ohjaustietoa, voidaan loogisesti päätellä, onko kyseessä vaarallinen ylivirtatilanne vai vain normaali ‘kytkin au-ki’-tilanne.
Keksinnön kohteena on myös järjestely tehopuolijohteen tilatiedon määrittämiseksi, tehopuolijohteen käsittäessä koilektorin, emitterin ja hilan, 25 jolloin tehopuolijohteen hilalle on kytketty hilaohjain, joka käsittää apujännite-syötön, jolloin järjestelylle on tunnusomaista, että järjestely käsittää tehopuolijohteen emitteripotentiaaliin referoidun referenssijännitteen ja sarjaan kytketyt erotusdiodin ja tehopuolijohteen tilaa ilmaisevan ilmaisimen, jonka sarjakyt-kennän ensimmäinen pää on kytketty referenssijännitteeseen ja toinen pää te-30 hopuolijohteen kollektoriin .Tällaisen järjestelyn avulla voidaan keksinnön mukaisen menetelmän tarjoamat edut saavuttaa yksinkertaisella ja luotettavalla rakenteella.
Kuvioiden lyhyt selostus
Keksintöä selostetaan nyt lähemmin edullisten suoritusmuotojen 35 yhteydessä, viitaten oheisiin piirroksiin, joissa: 3 105616
Kuvio 1 esittää keksinnön mukaisen menetelmän toteuttavaa piiri- järjestelyä;
Kuvio 2 esittää keksinnön mukaisen menetelmän toteuttavaa periaatteellista piirijärjestelyä taajuusmuuttajan yhteydessä; ja 5 Kuvio 3 esittää keksinnön erään suoritusmuodon mukaista kytken tää.
Keksinnön yksityiskohtainen selostus
Kuvio 1 esittää keksinnön mukaisen menetelmän toteuttavan järjestelyn, jossa tehopuolijohteena on esitetty esimerkinomaisesti IGB-transistori 10 (IGBT) 1. IGBT on varsin nopea komponentti, jolla voidaan kytkeä suuria jännitteitä ja virtoja suurella kytkentätaajuudella. IGBT:n kollektori C on kytketty jännitteessä Vd olevaan johdinkiskoon 2 ja hila G on kytketty hilaohjaimeen, joka tuottaa IGBT:lle sytytykseen ja sammutukseen tarvittavat virta- ja jännite-pulssit. IGBT:llä voidaan kytkeä kollektorilla vaikuttava jännite Vd emitterin E 15 ulostulojännitteeksi Vo.
Hilaohjain 3 on kytketty tehopuolijohteen emitteriin hilaohjaimen nollatason määrittämiseksi. Kytkennän ansiosta hilaohjain on emitterin potentiaalissa huolimatta itse emitterin potentiaalista maahan nähden. Hilaohjaimen tehopuolijohteen puoleisena apujännitteenä Vcc käytetään tyypillisesti 15 volt-20 tia. Apujännite Vcc on siis referoitu emitteripotentiaaliin nähden. Mainitun apujännitteen tehtävänä on olla tehokomponentin hilan tarvitseman jännitteen jännitelähde komponentin sytytyksen ja johtavuustilan aikana. Kuvion 1 kytkennässä on lisäksi diodin V1, sovitusvastuksen R1 ja valodiodin V2 sarjaankytkentä, joka on kytketty hilaohjaimen 3 apujännitteen Vcc ja tehopuolijohteen 25 kollektorin väliin. Diodin V1 tehtävänä on erottaa mahdollinen suuri kollektori-jännite muusta piiristä. Valodiodia V2 käytetään sen sijaan ilmaisimena piirissä kulkevasta virrasta, ja kuvion 1 mukaisesti valodiodi on osa optoisolaattoria 4, jolloin valodiodin signaali saadaan siirrettyä galvaanisesti erotettuna.
Keksinnön menetelmän mukaisesti käytetään hilaohjaimen apujän-'· 30 niteitä Vcc referenssijännitteenä kuvion 1 esittämällä tavalla. Tehopuolijohteen ollessa johtavassa tilassa normaalissa toimintatilanteessa, jolloin normaali ' kollektorivirta kulkee komponentin läpi, tyypillinen kyllästysjännite Vsat on 2 - 4 volttia tehopuolijohteen ollessa IGBT. Menetelmän mukaisesti verrataan kyl-lästysjännitettä Vsat referenssijännitteeseen Vcc käyttäen optoisolaattoria. Mi-35 käli kyllästysjännite on pienempi kuin referenssijännite, tuotetaan tilatiedon il-maisusignaali. Ilmaisusignaalin tuottaminen tapahtuu kuvion esittämällä tavalla 4 105616 siten, että valodiodin V2 kautta kulkee virtaa, jolloin valodiodi tuottaa signaalin palamalla. Reaalisessa tapauksessa kyllästysjännitettä verrataan referenssi-jännitteeseen, josta on vähennetty virtapiirissä olevien muiden komponenttien jännitehäviöt ja kynnysjännitteet. Esimerkiksi kuvion 1 esittämässä tapaukses-5 sa, jossa referenssijännitteenä on apujännite Vcc, joka on tyypillisesti 15 volttia, todellinen verrattava jännite on noin 12 volttia.
Mikäli tehopuolijohteen, kuten IGBT:n läpi kulkeva virta kasvaa yli kyseiselle komponentille määritetyn nimellisvirtarajan, kasvaa komponentin kyllästysjännite voimakkaasti. Tällöin indikaationa ylivirrasta kyllästysjännite on 10 suurempi kuin referenssijännite, jolloin virran kulkeminen valodiodin V2 kautta ei ole mahdollista. Koska virta ei kulje ilmaisuun käytettävän valodiodin läpi samalla kun tehopuolijohde on ohjattu johtavaan tilaan, tiedetään, että teho-puolijohteen kollektorivirta on kasvanut tai kasvamassa liian suureksi. Diodin V1 ja valodiodin V2 sarjakytkentä on kytketty järjestelyssä siten, että ne erot-15 tavat kollektorilla vaikuttavan jännitteen hilaohjaimesta.
Tehopuolijohteen 1 ollessa johtamattomassa tilassa kollektorilla C vaikuttava jännite Vd on tyypillisesti huomattavasti suurempi kuin emitterillä vaikuttava jännite Vo. Tällöin tehopuolijohde ottaa kaiken jännitteen ylitseen, ja koska kollektorin jännite emitteriin verrattuna on suurempi kuin referenssijän-20 riite ilmaisuun käytettävän valodiodin V2 kautta ei kulje virtaa. Ilmaisuun käytettävän valodiodin kautta kulkee virtaa, ja ilmaisu saadaan aikaiseksi ainoastaan silloin, kun tehopuolijohteen kollektorivirta on normaalilla virta-alueella.
Kuvion 2 esittää keksinnön mukaisen menetelmän toteuttavaa periaatteellista kytkentää taajuusmuuttajan yhteydessä, josta kuviossa on esitetty 25 yhden vaiheen kytkentä esimerkinomaisesti. Keksinnön mukaista menetelmää ja sitä toteuttavaa kytkentää voidaan hyödyntää eräiden moottorisäätömene-telmien, kuten suoraan vääntömomentin säätöön perustuvan DTC säädön, tarvitseman vaihetilatiedon tuottamiseen kyllästysjännitteen tarkkailemisen ohella. Vaihetilatiedolla tarkoitetaan loogista tietoa siitä, onko moottorille me-30 nevä vaihejännite taajuusmuuttajan plus- vai miinuskiskon potentiaalissa, vai ;; muutostilassa näiden välillä. Vaihetilatietoa ei voida suoraan saada tehopuoli- johteiden hilojen ohjaussignaaleista, sillä puolijohteiden kytkemis- ja katkaisu-viiveet ovat riippuvaisia niiden toimintaoloista. Tämä riippuvuussuhde voidaan kompensoida vaihetilatiedon avulla.
35 Kun vaihelähtö kytketään taajuusmuuttajan välipiirin joko plus- tai miinuskiskoon vastaavalla tehopuolijohteella, kuten esimerkiksi IGBT:llä, gene- t 5 105616 roi vastaava kyllästysindikaattori aktiivisen signaalin optoisolaattorin 4 lähtöön (Outu, Outi). Näistä kahdesta tiedosta voidaan helposti päätellä, onko vaihe-lähtö milnuskiskossa, jolloin Outi on aktiivinen, pluskiskössa, jolloin Outu on aktiivinen vai näiden välisessä potentiaalissa, jolloin kummankaan optoiso-5 laattorin lähtö ei ole aktiivinen. Ratkaisulla säästetään muuten tarvittavat kolme nopeaa vaihekohtaista jännitteenjakajaa ja lopputulos on lisäksi suoraan logiikkatasoinen ja galvaanisesti erotettu.
Keksinnön erään suoritusmuodon mukaan referenssijännitteeksi tuotetaan hilaohjaimen apujännitteestä kolmioaalto, jolloin tehopuolijohteen 10 kyllästysjännite voidaan mitata. Nopeaa kolmio- tai saha-aaltoa referenssijän-nitteenä käytettäessä komparaattorina toimivan optoisolaattorin aktiivinen lähtötila muuttuu pulssisuhdemoduloiduksi kyllästysjännitteen suuruuden mukaisesti kyllästysjännitteen ollessa pienempi kuin referenssijännitteen huippu-arvo. Käytettävän kolmioaallon minimiarvo on edullisesti nolla volttia referoitu-15 na tehopuolijohteen emitteripotentiaaliin ja maksimiarvo hilaohjaimen apujän- . .
nite Vcc. Käytettäessä kolmioaaltoa referenssijännitteenä optoisolaattorin lähtö muuttaa tilaansa jokaista kolmioaallon jaksoa kohti kahdesti, ja kyllästysjännitteen suuruuden muuttuessa optoisolaattorin lähtöön muodostuvien pulssien pulssisuhdekin muuttuu. . Optoisolaattorin 4 lähtöön muodostuvan 20 pulssijonon pulssisuhteesta voidaan edelleen päätellä kyllästysjännitteen suuruus. Edullisimmin referenssiaaltomuodon taajuus on noin 500 kHz, jolloin komparaattorina toimivina optoisolaattoreina voidaan käyttää sarjavalmisteisia halpoja optoisolaattoreita. Tällöin ylivirtailmaisu tapahtuu viimeistään kahden mikrosekunnin aikana ja modulointisuhteen määrittelyyn 1 % erotuskyvyllä 25 riittää 50 MHz:n kellotaajuus.
Sovellettaessa suoritusmuodon mukaista kyllästysjännitteen mittausta, on tunnettava tehopuolijohteen lämpötila mahdollisimman tarkasti, sillä se vaikuttaa oleellisesti kyllästysjännitteeseen. Lämpötila voidaan päätellä esimerkiksi mittaamalla jäähdyttimen lämpötila.
30 Keksinnön mukaista menetelmää toteuttavan laitteen ollessa taa- juusmuuttaja, tai muu vastaava laite, jossa on hyödyllistä tietää laitteen ohjaaman kuorman jännitteen suuruus, voidaan keksinnön erään suoritusmuodon mukaisesti summata eri tehopuolijohteiden kyllästysjännitteiden suuruudet tehopuolijohteiden yhdistetyn kyllästysjännitteen aikaansaamiseksi. Tällöin 35 esimerkiksi taajuusmuuttajissa summaamalla ylä- ja alahaaran tehopuolijohteiden, tyypillisesti IGBT:n, kyllästysjännitteet, saadaan tietoon kuinka paljon 6 105616 moottorinjännite on pienempi kuin välipiirin jännite. Tätä tietoa voidaan käyttää hyväksi, kun halutaan tietää mahdollisimman tarkka moottorijännite ilman vai-hevirrasta riippuvaa puolijohdemallia. Suoritusmuotoa hyödyntämällä säästetään prosessorikapasiteettiä ja voidaan valita hitaampi, ja samalla kustannuk-5 siltaan edullisempi prosessori.
Alan ammattilaiselle on ilmeistä, että keksinnön perusajatus voidaan toteuttaa monin eri tavoin. Keksintö ja sen suoritusmuodot eivät siten rajoitu yllä kuvattuihin esimerkkeihin vaan ne voivat vaihdella patenttivaatimusten puitteissa.
• m t

Claims (5)

  1. 7 105616
  2. 1. Menetelmä tehopuolijohteen (1) tilatiedon määrittämiseksi, teho-puolijohteen käsittäessä kollektorin (C), emitterin (E) ja hilan (G), jolloin teho-puolijohteen hilalle on kytketty hilaohjain (3), joka käsittää apujännitesyötön 5 tunnettu siitä, että menetelmä käsittää vaiheet, joissa käytetään hilaohjaimen (3) apujännitettä (Vcc) referenssijännittee-nä, verrataan tehopuolijohteen (1) kyllästysjännitettä (Vsat) referenssi-jännitteeseen käyttäen optoisolaattoria (4), ja 10 tuotetaan tilatiedon ilmaisusignaali kyllästysjännitteen ja referenssi- jännitteen suuruuksista riippuen.
  3. 2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että tuotetaan hilaohjaimen apujännitteestä kolmioaalto referenssijän- 15 nitteeksi, muodostetaan tehopuolijohteen kyllästysjännitteeseen verrannollinen pulssisuhdemoduloitu signaali tilatiedon ilmaisusignaaliksi, ja määritetään tehopuolijohteen kyllästysjännite pulssisuhdemodu-loidusta signaalista.
  4. 3. Patenttivaatimuksen 2 mukainen menetelmä, jolloin menetelmää hyödynnetään taajuusmuuttajan kaltaisessa käytössä, joka käsittää useita te-hopuolijohteita, tunnettu siitä, että menetelmä käsittää lisäksi vaiheen, jossa summataan ennalta määrättyjen tehopuolijohteiden kyllästysjännitteet yhdistetyn kyllästysjännitteen aikaansaamiseksi. 25 4. Järjestely tehopuolijohteen (1) tilatiedon määrittämiseksi, teho- puolijohteen käsittäessä kollektorin (C), emitterin (E) ja hilan (G), jolloin teho-puolijohteen hilalle on kytketty hilaohjain (3), joka käsittää apujännitesyötön, tunnettu siitä, että järjestely käsittää sarjaan kytketyt erotusdiodin (V1) ja tehopuolijohteen tilaa ilmaisevan optoisolaattorin (4) valodiodin (V2), jonka y 30 sarjakytkennän ensimmäinen pää on kytketty referenssijännitteenä käytettävään hilaohjaimen apujännitteeseen (Vcc) ja toinen pää tehopuolijohteen kol-' lektoriin (C).
  5. 5. Patenttivaatimuksen 4 mukainen järjestely, tunnettu siitä, että referenssijännite on hilaohjaimen apujännitteestä (Vcc) muodostettu kol- 35 mioaalto, jolloin optoisolaattorin (4) ulostulo käsittää tehopuolijohteen (1) kyllästysjännitteeseen (Vsat) verrannollisen pulssisuhdemoduloidun signaalin. r 105616
FI981739A 1998-08-12 1998-08-12 Menetelmä ja järjestely tehopuolijohteen tilatiedon määrittämiseksi FI105616B (fi)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI981739A FI105616B (fi) 1998-08-12 1998-08-12 Menetelmä ja järjestely tehopuolijohteen tilatiedon määrittämiseksi
US09/371,496 US6252436B1 (en) 1998-08-12 1999-08-10 Method and arrangement for determining state information of power semiconductor
EP99660127A EP0980142B1 (en) 1998-08-12 1999-08-10 Method and arrangement for determining state information of power semiconductor
JP11262531A JP2000180497A (ja) 1998-08-12 1999-08-12 電力用半導体の状態情報を判定するための方法と構成

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI981739 1998-08-12
FI981739A FI105616B (fi) 1998-08-12 1998-08-12 Menetelmä ja järjestely tehopuolijohteen tilatiedon määrittämiseksi

Publications (3)

Publication Number Publication Date
FI981739A0 FI981739A0 (fi) 1998-08-12
FI981739A FI981739A (fi) 2000-02-13
FI105616B true FI105616B (fi) 2000-09-15

Family

ID=8552295

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI981739A FI105616B (fi) 1998-08-12 1998-08-12 Menetelmä ja järjestely tehopuolijohteen tilatiedon määrittämiseksi

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6252436B1 (fi)
EP (1) EP0980142B1 (fi)
JP (1) JP2000180497A (fi)
FI (1) FI105616B (fi)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1800403B1 (de) * 2004-10-15 2012-01-18 Abb Research Ltd. Signalübertragungssystem zur ansteuerung eines leistungshalbleiterschalters sowie ein umrichter mit einem solchen signalübertragungssystem
US7733098B2 (en) * 2005-12-22 2010-06-08 Cambridge Semiconductor Limited Saturation detection circuits
DE102013105419B3 (de) * 2013-05-27 2014-07-17 Ebm-Papst Mulfingen Gmbh & Co. Kg EC-Motor mit dynamischer Bestimmung der Degradation der Optokoppler
US9575113B2 (en) * 2014-02-07 2017-02-21 Infineon Technologies Ag Insulated-gate bipolar transistor collector-emitter saturation voltage measurement
DE102014105719B4 (de) 2014-04-23 2015-11-26 Ge Energy Power Conversion Gmbh Schaltungsvorrichtung mit einer Thyristorschaltung sowie ein Verfahren zum Prüfen der Thyristorschaltung

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4591734A (en) 1984-04-27 1986-05-27 General Electric Company Integratable circuit for controlling turn-off voltage rate-of-change of non-regenerative voltage-controlled switching semiconductor devices
JPS63248206A (ja) * 1987-04-03 1988-10-14 Mitsubishi Electric Corp 電力増幅器保護装置
EP0431215A1 (de) 1989-12-08 1991-06-12 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum Schutz eines abschaltbaren Thyristors vor unzulässiger Überspannung und Schaltungsanordnung zur Durchführung des Verfahrens
DD300624A7 (de) 1989-12-04 1992-06-25 Regis Braunkohlenwerk Schaltungsanordnung zum schutz des leistungstransistors einer konstantstromquelle
JP2674355B2 (ja) 1991-05-15 1997-11-12 三菱電機株式会社 パワー素子の過電流保護装置
DE4428675A1 (de) 1994-08-12 1996-02-15 Siemens Ag Schaltungsanordnung zum Schutz eines abschaltbaren Leistungshalbleiter-Schalters vor Überspannungen
JP3302193B2 (ja) 1994-10-06 2002-07-15 株式会社東芝 電流検出回路
DE4439967B4 (de) 1994-11-09 2004-02-19 Continental Teves Ag & Co. Ohg Schaltungsanordnung zum Schutz vor energiereichen Überspannungen
JP3125622B2 (ja) 1995-05-16 2001-01-22 富士電機株式会社 半導体装置
US6094087A (en) 1997-07-30 2000-07-25 Lucent Technologies Inc. Gate drive circuit for isolated gate devices and method of operation thereof

Also Published As

Publication number Publication date
EP0980142A3 (en) 2003-06-11
FI981739A0 (fi) 1998-08-12
US6252436B1 (en) 2001-06-26
EP0980142A2 (en) 2000-02-16
EP0980142B1 (en) 2011-11-16
JP2000180497A (ja) 2000-06-30
FI981739A (fi) 2000-02-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0510527B1 (en) A monitoring circuit for a system for recharging a motor vehicle battery
KR102294347B1 (ko) 정션 온도 및 전류 감지 기법
US9935577B2 (en) Semiconductor device and fault detecting method
US8446700B2 (en) Overcurrent protection in a dimmer circuit
CN104620481B (zh) 半导体元件的驱动装置
EP2882103B1 (en) Method and apparatus for short circuit protection of power semiconductor switch
KR100709285B1 (ko) 전력변환장치
DK2887546T3 (en) Method and Device for Monitoring a Semiconductor Power Switch
US4675799A (en) Control system for power converter
CN104247245B (zh) 功率转换装置的控制装置
CN112242831A (zh) 栅极驱动器电路和检测逆变器支路中的短路事件的方法
JPH0340517A (ja) パワーデバイスの駆動・保護回路
US6060792A (en) Instantaneous junction temperature detection
EP0167592A1 (en) Detector for shorted rotating diode of a brushless alternator
FI105616B (fi) Menetelmä ja järjestely tehopuolijohteen tilatiedon määrittämiseksi
US20190089291A1 (en) Temperature monitoring
US6747458B2 (en) Method for monitoring the ground potential of a rectifier drive
US4651252A (en) Transistor fault tolerance method and apparatus
JP3733986B2 (ja) 出力電流方向判別方法およびその方法を用いたインバータ
JPH07297698A (ja) 半導体素子のオンオフ制御回路
US4486824A (en) PWM Converter with control circuit responsive to minimum holding current
CN100465655C (zh) 监测功率输出级的方法
KR19990006822A (ko) 충전발전기의 제어장치
JPH07108098B2 (ja) 電力用半導体モジュール
US20240272391A1 (en) Circuit arrangement, semiconductor module, electrical system, and method for optically outputting information with the aid of a mosfet

Legal Events

Date Code Title Description
MA Patent expired