ES2425299B1 - Circuito sensor para la medida de temperatura en pequeña señal en circuitos integrados - Google Patents

Circuito sensor para la medida de temperatura en pequeña señal en circuitos integrados Download PDF

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Abstract

Circuito sensor para la medida de temperatura en pequeña señal en circuitos integrados.#La presente invención describe un circuito sensor para la medida de las variaciones de temperatura en pequeña señal a una frecuencia F provocadas por la potencia disipada por otro circuito, denominado circuito bajo medida, a la misma frecuencia F. El circuito sensor está compuesto por un transductor de temperatura acoplado térmicamente al circuito bajo medida a través del sustrato del mismo cristal semiconductor, un circuito de polarización y un filtro amplificador acoplado en alterna para eliminar los efectos de las variaciones lentas de temperatura. Por ejemplo, y sin que esta aplicación limite las reivindicaciones de la patente, la tensión de salida del circuito sensor, con una componente espectral a la frecuencia F amplificada, puede ser utilizada para determinar características eléctricas del circuito bajo medida sin necesidad de cargarlo eléctricamente.

Description

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variaciones de temperatura en pequeña señal a una frecuencia F = f2 – f1 que se acoplan térmicamente (2) al transductor de temperatura (3) a través del sustrato del mismo cristal semiconductor (4). El transductor (3) convierte estas variaciones de temperatura en pequeña señal en variaciones de una señal eléctrica en pequeña señal alrededor de un punto de trabajo determinado por el circuito de
polarización (5). La señal eléctrica (6) dependiente de la temperatura proporcionada por el transductor (3) es luego conectada al filtro amplificador (7) que amplifica la componente espectral de interés a la frecuencia F y atenúa/rechaza las otras componentes. De esta manera, a la salida (8) se obtiene una señal sinusoidal a una frecuencia F (por ejemplo, 1 kHz) que contiene información sobre las características eléctricas del circuito bajo medida (1) a alta frecuencia y que es insensible a variaciones lentas de temperatura provocadas, por ejemplo, por la temperatura ambiente o por la polarización del mismo circuito bajo medida.
La figura 2 muestra una realización preferente de la invención en la que el transductor de temperatura (3) es un transistor MOSFET (12) conectado en forma de diodo, el circuito de polarización (5) es una fuente de corriente constante (13) conectada a la tensión de alimentación (14), y el filtro amplificador (7) es un amplificador operacional (15) con un lazo de realimentación determinado por los condensadores (16) y (17). El circuito bajo medida (1) está sujeto a la técnica de caracterización heterodina, con una entrada igual a la suma (9) de dos señales sinusoidales de frecuencias f1 (10) y f2 (11), provocando variaciones de temperatura en pequeña señal a una frecuencia F = f2 – f1 que se acoplan térmicamente (2) al transistor MOSFET (12) a través del sustrato del mismo cristal semiconductor (4). El transistor MOSFET (12) convierte estas variaciones de temperatura en pequeña señal en variaciones de tensión en pequeña señal alrededor de un punto de trabajo determinado por las dimensiones del mismo transistor (12) y la fuente de corriente (13). La tensión (6) dependiente de la temperatura es posteriormente amplificada por un amplificador operacional (15) acoplado en alterna cuya ganancia depende de la relación existente entre los condensadores (16) y (17). La tensión de salida (8) del circuito sensor presenta necesidad de cargarlo eléctricamente y que además es independiente de las variaciones lentas de temperatura provocadas, por ejemplo, por la temperatura
ambiente o por la polarización del propio circuito bajo medida.
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ES2294888B1 (es) * 2005-06-16 2009-02-16 Universitat Politecnica De Catalunya Procedimiento para determinar las caracteristicas electricas de circuitos analogicos integrados.

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