WO2009121988A4 - Procedimiento heterodino para la realización de mediciones de temperatura - Google Patents

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Abstract

Procedimiento para la observación de la amplitud y fase de componentes espectrales del aumento de temperatura en regiones (3) de un circuito integrado (5) provocado por el funcionamiento de un circuito dispositivo (2) ubicado en el cristal semiconductor (1). Dicho circuito o dispositivo (2) se activa con una señal eléctrica (4) que contiene la suma de dos funciones sinusoidales de frecuencias f 1 y f 2. La frecuencia de la componente espectral de la temperatura medida e F=f 2- f 1. La temperatura sensada dependerá de las señales eléctricas (tensiones y corrientes) presentes en el circuito o dispositivo (2) a las frecuencias f 1 y f 2, pudiendo ser utilizada, sin que este ejemplo limite la aplicación de la presente, para detectar niveles anormalmente elevados de tensión y de corriente a estas frecuencias.

Claims

REIVINDICACIONES MODIFICADAS [Recibidas por Ia Oficina Internacional el 21 de septiembre de 2009 (21.09.2009)]
1. Un procedimiento heterodino para Ia realización de mediciones de temperatura de baja frecuencia en régimen permanente sinusoidal en circuitos integrados activados con señales de alta frecuencia caracterizado por: i) Polarizar el circuito o dispositivo que se desea que genere el incremento de temperatura de forma que por su través circule una corriente que pueda expresarse como Ia suma dos funciones sinusoidales de frecuencias f1 y f2. Debido a las no linealidades del efecto Joule, Ia potencia disipada por el circuito o dispositivo tendrá una componente espectral a Ia frecuencia f2-f1 cuyo módulo y fase dependerá del valor de las corrientes y tensiones existentes en el circuito a las frecuencias f1 y f2. ii) El valor de f2-f1 se tiene que seleccionar de forma que su valor esté dentro del ancho de banda del acoplo térmico existente en el circuito integrado particular y dentro del ancho de banda del sensor de temperatura utilizado. No hay restricción para el valor absoluto de f1 y f2. iii) Realizar Ia medición del módulo y fase de Ia componente espectral del incremento de temperatura en el circuito integrado a Ia frecuencia f2-f1 , donde f2 sea mayor que f 1.
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