ES2360992A1 - Mejoras a la patente principal n. p200701577 por" planta de concentración solar para producción de vapor sobrecalentado.". - Google Patents
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Abstract
Mejoras a la patente principal n° P200701577 por "planta de concentración solar para producción de vapor sobrecalentado".Mejoras en la patente principal nº P 200701577 referida a una planta de concentración solar que utiliza como fluido caloportador agua/vapor, que comprende un subsistema receptor evaporador con un evaporador (4) y un subsistema receptor sobrecalentador con dos o mas sobrecalentadores (6, 7), separados físicamente y conectados entre sí por un calderín (5) en el cual se produce la separación agua-vapor, y en la que se realiza un control de estrategias de apunte del campo de heliostatos (1) de manera que controlen conjuntamente tanto la presión del calderín (5) como la temperatura de salida del vapor sobrecalentado, en el que se incluye sistema de atemperación (10) entre el sobrecalentador primario (6) y el sobrecalentador secundario o final (7).
Description
Mejoras a la patente principal nº P 200701577
por: "Planta de concentración solar para producción de vapor
sobrecalentado".
La presente invención se refiere a una mejora
introducida la patente principal nº P 200701577 en la que se divulga
una planta de concentración solar con separación física del
evaporador y el sobrecalentador y con control dinámico adaptativo
del campo de heliostatos.
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Si bien la radiación solar es una fuente térmica
de elevada temperatura y elevada energía en origen, la utilización
de la misma en las condiciones del flujo que llega a la superficie
terrestre destruye prácticamente todo su potencial de convertirse en
trabajo, por la drástica reducción de la temperatura disponible en
el fluido. Por esta razón, se hace uso en las centrales solares
termoeléctricas (CST), de sistemas de concentración óptica, que
permiten lograr mayores densidades de flujo y con ello temperaturas
más elevadas.
En la actualidad existen principalmente tres
tecnologías diferentes desarrolladas para su uso en Plantas Solares
denominadas: de receptor central, colectores
cilindro-parabólicos y discos Stirling. Todas ellas
hacen uso solamente de la componente directa de la radiación solar,
lo que les obliga a tener dispositivos de seguimiento solar:
1. Los sistemas de receptor central (3D)
utilizan espejos de gran superficie (40-125 m^{2}
por unidad) denominados heliostatos, que están dotados de un sistema
de control para reflejar la radiación solar directa sobre un
receptor central situado en la parte superior de una torre. En esta
tecnología, la radiación solar concentrada calienta en el receptor
un fluido a temperaturas de hasta 1000ºC, cuya energía térmica puede
después utilizarse para la generación de electri-
cidad.
cidad.
2. En los colectores
cilindro-parabólicos (2D), la radiación solar
directa es reflejada por espejos
cilindro-parabólicos que la concentran en un tubo
receptor o absorbedor por el que circula un fluido que se calienta
como consecuencia de la radiación solar concentrada que incide sobre
él a temperaturas máximas de 400ºC. De este modo, la radiación solar
es convertida en energía térmica que se utiliza posteriormente para
generar electricidad mediante un ciclo Rankine de agua/vapor.
Una variación de esta tecnología son los
sistemas lineales de concentración fresnel, en los que el espejo
parabólico se sustituye por una discretización fresnel con espejos
de menores dimensiones que pueden ser ya planos o disponer de una
leve curvatura en su eje axial, y que mediante el control de su
orientación axial permiten concentrar radiación solar sobre el tubo
absorbedor, que en este tipo de aplicaciones suele permanecer
fijo.
3. Los sistemas de discos parabólicos Stirling
(3D) utilizan una superficie de espejos montados sobre una parábola
de revolución que reflejan y concentran los rayos del Sol en un foco
puntual, donde se sitúa el receptor en el que se calienta el fluido
de trabajo de un motor Stirling que, a su vez, acciona un pequeño
generador eléctrico.
En los sistemas de receptor central la
tecnología agua-vapor es actualmente la más
convencional. El vapor es producido y sobrecalentado en el receptor
solar a temperaturas de unos 500ºC y 10 MPa (100 bar) y enviado
directamente a la turbina. Para reducir el impacto de los
transitorios (paso de nubes etc.) se utiliza un sistema de
almacenamiento (sales fundidas o una termoclina aceite/rocas). Este
concepto fue el primero en ser probado por permitir la transposición
de las técnicas habituales de las centrales térmicas y permitir el
acceso directo del vapor que sale del receptor solar a la
turbina.
El uso de vapor sobrecalentado puede permitir la
implementación de ciclos termodinámicos de mayor eficiencia en las
plantas.
La dificultad de la tecnológica solar para la
producción de vapor sobrecalentado radica en las exigentes
condiciones de temperatura a las que se hace trabajar el receptor.
Las paredes de sus tubos se someten a ciclos térmicos de forma
continuada entre la temperatura ambiente, la temperatura del vapor
con que se alimenta este receptor, (250 a 310ºC), y la temperatura
necesaria en pared para la generación de vapor sobrecalentado a
540ºC próxima a 600ºC. A diferencia de los receptores generadores de
vapor saturado que trabajan a una temperatura casi común para todas
sus partes (330ºC), los receptores de vapor sobrecalentado
incrementan la temperatura de sus tubos conforme mayor es la
proximidad a la zona de salida de vapor.
Las Dificultades encontradas en las experiencias
de los años 80, en los receptores de vapor sobrecalentado se
centraron principalmente en dos aspectos:
- \bullet
- Falta de controlabilidad del sistema especialmente ante transitorios, paso de nubes etc. debido principalmente a las malas propiedades térmicas del vapor sobrecalentado. En ambos receptores el fallo estructural más frecuente fue la aparición de grietas. La tensión térmica debida a las grandes diferencias de temperatura provocó la aparición de grietas en la soldadura intersticial entre subpaneles. Esta situación se daba fundamentalmente en las paradas, cuando el agua en un subpanel, a la temperatura de saturación, fluía hacia la parte superior, donde la temperatura era todavía la del vapor sobrecalentado, mientras que en el subpanel adyacente no se daba este fenómeno.
- \bullet
- Problema de trabajar a altas presiones, lo cual exige espesores de pared de tubo mayores, que a la hora de transferir altas densidades de potencia, al fluido caloportador, implica necesariamente altos gradientes térmicos.
\vskip1.000000\baselineskip
La invención que divulga la patente principal
P200701577, en relación a otras propuestas anteriores que ubicaban
los módulos del receptor sobrecalentador físicamente muy próximos
(cuando no superpuestos) a los módulos del receptor evaporador, se
basa en separar de forma físicamente independiente evaporador y
sobrecalentador.
El hecho de separar la etapa de evaporación de
la de sobrecalentamiento reduce el riesgo tecnológico ya que al no
existir cambio de fase en el mismo receptor, tampoco existen los
problemas de altos gradientes térmicos derivados de los diferentes
coeficientes de película de ambas fases. Además de separar de manera
físicamente independiente evaporador y sobrecalentador mediante la
incursión de un calderín intermedio, incluye el hecho de llevar
acabo un control de estrategias de apunte del campo de heliostatos
independiente para ambos subsistemas, subsistema evaporador y
subsistema sobrecalentador. Esta estrategia de control consiste en
un control dinámico adaptativo del campo de heliostatos, con el fin
de que tras su aporte de energía se consigan mantener estables las
condiciones de presión y temperatura óptimas para la entrada en la
turbina. Para ello el campo de heliostatos se apunta a uno u otro
receptor (evaporador o sobrecalentador) dependiendo de las
necesidades existentes. De esta manera parte del campo de
heliostatos se enfocará al evaporador y otra parte al
sobrecalentador, consiguiendo así un mayor control de la planta y
una mayor estabilidad en ésta.
\vskip1.000000\baselineskip
La presente invención se refiere a mejoras
introducidas en la patente principal P200701577, que divulga la
utilización como fluido caloportador agua/vapor para la obtención de
vapor sobrecalentado en cualquier ciclo termodinámico o sistema de
aprovechamiento de calor de proceso, que comprende un subsistema
evaporador dónde se produce vapor saturado en las condiciones de
presión del sistema y un subsistema sobrecalentador a partir del
cual el vapor alcanza las condiciones de presión y temperatura
requeridas a la entrada de la turbina.
Para conseguir un control mas preciso de las
condiciones de vapor sobrecalentado en presión y temperatura a la
salida del subsistema sobrecalentador, la presente adición a la
patente principal P200701577 propone añadir, a la planta y
procedimiento de obtención de calor sobrecalentado, una serie de
atemperadores o un sistema de atemperación entre el sobrecalentador
primario y el sobrecalentador secundario o final en plantas solares
compuestas por un sistema de concentración solar tridimensional con
una torre central que incluye:
- a)
- Un subsistema receptor de evaporación con un evaporador para la evaporación de agua.
- b)
- Un subsistema receptor de sobrecalentamiento con varios sobrecalentadores (primario y secundario o final) para el sobrecalentamiento del vapor producido, situados en la misma o en distintas cavidades y situados físicamente de forma independiente respecto a los evaporadores.
- c)
- Un calderín a modo de conexión entre los dos subsistemas de evaporación y de sobrecalentamiento.
- d)
- Un control de estrategias de apunte del campo de heliostatos hacia los receptores evaporadores y receptores sobrecalentadores.
\vskip1.000000\baselineskip
La estrategia de control consiste en un control
dinámico adaptativo del campo de heliostatos, con el fin de que tras
su aporte de energía se consigan mantener estables las condiciones
de presión y temperatura óptimas para la entrada en la turbina. Para
ello el campo de heliostatos se apunta a uno u otro receptor
(evaporador o sobrecalentador) dependiendo de las necesidades
existentes. Entendiendo con esto, la posibilidad de realizar un
apunte individual o por grupos de heliostatos ya sea al receptor
evaporador o al receptor sobrecalentado de manera que controlen
conjuntamente tanto la presión del calderín como la temperatura de
salida del sobrecalentador. De esta manera parte del campo de
heliostatos se enfocará al evaporador y otra parte al
sobrecalentador, consiguiendo así un mayor control de la planta y
una mayor estabilidad en ésta.
En la tecnología de receptor Central, el
receptor se sitúa en lo alto de la torre, y los heliostatos
concentran la energía solar sobre éste. En el receptor se produce el
intercambio energético transfiriéndose la energía fotónica del haz
de luz concentrado proveniente del campo de heliostatos a un fluido
caloportador aumentando su entalpía. Hay muchas maneras diferentes
de clasificar los receptores. Si clasificamos los receptores de
acuerdo a su geometría, podemos definir los receptores de tipo
"Cavidad" como aquellos que se sitúan en lo alto de la torre
dentro de un "hueco o cavidad", de esta manera se minimizan las
pérdidas térmicas por radiación y convección. Los receptores pueden
estar constituidos de diferentes maneras, siendo los de paneles de
tubos los más comunes para la generación directa de vapor en
sistemas de receptor central.
Este receptor se diseña de acuerdo a una
configuración geométrica determinada definida generalmente por una
serie de subpaneles constituidos por el propio haz de tubos que
forman el evaporador o el sobrecalentador.
Para complementar la descripción que antecede y
con objeto de ayudar a una mejor comprensión de las características
de la invención, se va a realizar una descripción detallada de una
realización preferida, en base a un juego de dibujos que se
acompañan a esta memoria descriptiva y en donde con carácter
meramente orientativo y no limitativo se ha representado lo
siguiente:
La Figura 1 muestra un esquema de una Torre con
dos cavidades, la primera cavidad con un evaporador y en la segunda
cavidad con dos sobrecalentadores.
La Figura 2 muestra un esquema de una Torre con
una cavidad con un evaporador y un sobrecalentador.
La Figura 3 muestra un esquema de una torre con
una cavidad con un evaporador y dos o más sobrecalentadores.
La Figura 4, muestra un esquema del sistema de
atemperación para controlar la temperatura de vapor a la salida del
sobrecalentador final.
La Figura 5, muestra un esquema de una Torre con
dos cavidades, la primera cavidad con un evaporador y en la segunda
cavidad con un sobrecalentador.
En esta figura, las referencias numéricas
corresponden a las siguientes partes y elementos.
- 1.-
- Heliostatos.
- 2.-
- Torre Central.
- 3.-
- Cavidad.
- 4.-
- Evaporador.
- 5.-
- Calderín.
- 6.-
- Sobrecalentador primario.
- 7.-
- Sobrecalentador secundario.
- 9.-
- Vapor saturado procedente del calderín.
- 10.-
- Sistema de atemperación.
- 11.-
- Vapor sobrecalentado.
\vskip1.000000\baselineskip
En la aplicación del concepto de planta de la
invención se emplea tecnología de torre y receptor central para
llevar acabo un proceso de sobrecalentamiento solar de un vapor que
está húmedo o saturado.
Como puede verse en la figura 1, esta planta
solar está compuesta por un sistema de concentración solar
tridimensional con una torre central (2) que incluye dos cavidades
(3) una de ellas con un evaporador (4) para la evaporación de agua y
otra con dos sobrecalentadores, uno primario (6) y otro secundario o
final (7) para el sobrecalentamiento del vapor producido, y un campo
de heliostatos (1) que está regulado por un control de estrategias
de apunte del campo de heliostatos (1) a uno u otro subsistema
receptor (evaporador (4) o sobrecalentador (6, 7)) con un apunte de
los heliostatos individual o por grupos, de manera que controlan
conjuntamente tanto la presión del calderín (5) como la temperatura
de salida del vapor sobrecalentado.
En las Figuras 2 y 3 se muestra una torre (2)
con una sola cavidad en la que se encuentran los dos subsistemas,
evaporador y sobrecalentador. En el caso de la Figura 3 se incluyen
dos sobrecalentadores, primario (6) y secundario (7), y un
evaporador (4).
La figura 2 al igual que la figura 5, son el
caso mas simple en el que contiene un solo sobrecalentador (6) y un
evaporador (4).
En los casos en los que la torre contiene dos o
mas sobrecalentadores (Figuras 1 y 3), el vapor saturado (9)
procedente del calderín (5), una vez pasa por el sobrecalentador
primario (6), es sometido a un proceso de control de presión y
temperatura a través de una sistema de atemperación (10), tal y como
puede verse en la Figura 4. A continuación pasa por el
sobrecalentador secundario o final (7) obteniéndose así vapor
sobrecalentado (11) con unas condiciones de presión y temperatura
mas controladas.
Esta instalación anteriormente descrita pretende
un resultado más eficiente y menos costoso de las actuales
tecnologías de concentración solar mejorando claramente la
controlabilidad de la planta ante transitorios, la durabilidad y la
estabilidad de ésta. El control final de la planta contempla tanto
el uso combinado de todas estas estrategias de control como el uso
independiente de las mismas según el modo de operación que se
trate.
Su aplicación está especialmente indicada en los
campos de la producción de electricidad, calor de proceso, y
combustibles solares, así como en los procesos térmicos.
Claims (7)
1. Planta de concentración solar que utiliza
como fluido caloportador agua/vapor, y que cuenta con dos
subsistemas receptores, uno de evaporación (4) y otro de
sobrecalentamiento (6, 7), situados físicamente de forma
independiente, que incluye entre ambos un calderín (5) a modo de
conexión entre los dos subsistemas y un control de estrategias de
apunte del campo de heliostatos (1) independiente para ambos
subsistemas caracterizada por tener un subsistema
sobrecalentador con dos o mas sobrecalentadores, con un sistema de
atemperación (10) intermedio con el fin de controlar la temperatura
del vapor a la salida del sobrecalentador final.
2. Planta de concentración solar según
reivindicación 1 caracterizada por encontrarse los dos
subsistemas de evaporación y sobrecalentamiento en cavidades
diferentes.
3. Planta de concentración solar según
reivindicación 1 caracterizado por encontrarse los dos
subsistemas de evaporación y sobrecalentamiento en una única
cavidad.
4. Procedimiento de obtención de vapor
sobrecalentado caracterizado por consistir en sobrecalentar
agua/vapor a través de un sistema de concentración solar
tridimensional en una torre central (2) que incluye:
- a)
- Un subsistema receptor de evaporación.
- b)
- Un subsistemas receptor de sobrecalentamiento con dos o mas sobrecalentadores (6, 7) para el sobrecalentamiento del vapor producido, situados físicamente de forma independiente respecto al subsistema evaporador.
- c)
- Un calderín (5) a modo de conexión entre los dos subsistemas de evaporación y de sobrecalentamiento.
- d)
- Un control de estrategias de apunte del campo de heliostatos (1) a uno u otro subsistema (evaporador o sobrecalentador) con un apunte de los heliostatos individual o por grupos, de manera que controlen conjuntamente tanto la presión del calderín (5) como la temperatura de salida del vapor sobrecalentado (11).
- e)
- Sistema de atemperación (10) entre el sobrecalentador primario (6) y el sobrecalentador secundario o final (7).
\vskip1.000000\baselineskip
5. Procedimiento de obtención de vapor
sobrecalentado según reivindicación 4 caracterizado por
encontrarse los dos subsistemas de evaporación y sobrecalentamiento
en cavidades diferentes.
6. Procedimiento de obtención de vapor
sobrecalentado según reivindicación 4 caracterizado por
encontrarse los dos subsistemas de evaporación y sobrecalentamiento
en una única cavidad.
7. Uso de vapor sobrecalentado obtenido a partir
del procedimiento descrito en la reivindicación 4, para la
producción de electricidad, calor de proceso, y combustibles
solares, así como en los procesos térmicos.
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| ES200801471A ES2360992B1 (es) | 2008-05-20 | 2008-05-20 | Mejoras a la patente principal n. p200701577 por: "planta de concentración solar para producción de vapor sobrecalentado". |
| ES08380170.4T ES2547359T3 (es) | 2007-06-07 | 2008-06-04 | Planta de concentración solar para producción de vapor sobrecalentado |
| EP08380170.4A EP2000669B1 (en) | 2007-06-07 | 2008-06-04 | Solar concentration plant for the production of superheated steam |
| US12/156,816 US8181641B2 (en) | 2007-06-07 | 2008-06-05 | Solar concentration plant for the production of superheated steam |
| US13/200,762 US8365720B2 (en) | 2007-06-07 | 2011-09-30 | Solar concentration plant for the production of superheated steam |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| ES200801471A ES2360992B1 (es) | 2008-05-20 | 2008-05-20 | Mejoras a la patente principal n. p200701577 por: "planta de concentración solar para producción de vapor sobrecalentado". |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| ES2360992A1 true ES2360992A1 (es) | 2011-06-13 |
| ES2360992B1 ES2360992B1 (es) | 2012-02-22 |
Family
ID=44067688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| ES200801471A Expired - Fee Related ES2360992B1 (es) | 2007-06-07 | 2008-05-20 | Mejoras a la patente principal n. p200701577 por: "planta de concentración solar para producción de vapor sobrecalentado". |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| ES (1) | ES2360992B1 (es) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4117682A (en) * | 1976-11-01 | 1978-10-03 | Smith Otto J M | Solar collector system |
| US4320663A (en) * | 1979-05-17 | 1982-03-23 | Giovanni Francia | Control system and method for controlling a solar energy plant |
-
2008
- 2008-05-20 ES ES200801471A patent/ES2360992B1/es not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4117682A (en) * | 1976-11-01 | 1978-10-03 | Smith Otto J M | Solar collector system |
| US4320663A (en) * | 1979-05-17 | 1982-03-23 | Giovanni Francia | Control system and method for controlling a solar energy plant |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ES2360992B1 (es) | 2012-02-22 |
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Legal Events
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Ref document number: 2360992 Country of ref document: ES Kind code of ref document: B1 Effective date: 20120222 |
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