ES2359427T3 - METHOD FOR PREPARING MICRO-FLUID DEVICES AND RESULTING DEVICES. - Google Patents

METHOD FOR PREPARING MICRO-FLUID DEVICES AND RESULTING DEVICES. Download PDF

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ES2359427T3 ES06301197T ES06301197T ES2359427T3 ES 2359427 T3 ES2359427 T3 ES 2359427T3 ES 06301197 T ES06301197 T ES 06301197T ES 06301197 T ES06301197 T ES 06301197T ES 2359427 T3 ES2359427 T3 ES 2359427T3
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Abstract

A method of making a microfluidic device by providing first and second substrates and forming a first frit structure on the first substrate and a second frit structure on the second substrate and consolidating the first and second substrates together, with frit structures facing, so as to form a consolidated-frit-defined and consolidated-frit-surrounded recess between said first and second substrates, where the second substrate has at least one pre-formed through-hole therein, and where forming a second frit structure includes forming a frit layer within said through-hole covering the interior surface of the through-hole to a thickness sufficiently thin to produce, on consolidating the substrates and the first and second frit structures together, a through-hole having an interior surface of consolidated frit continuous with the consolidated frit surrounding the recess.

Description

Antecedentes Background

De manera general, la presente invención se refiere a dispositivos microfluídicos útiles en procesos químicos, y enparticular a dispositivos microfluídicos formados por una frita consolidada y estructurada que define rebajes oconductos en un volumen existente entre dos o más sustratos. In general, the present invention relates to microfluidic devices useful in chemical processes, and in particular to microfluidic devices formed by a consolidated and structured frit that defines recesses or conduits in a volume between two or more substrates.

Según se interpreta en el presente documento, los dispositivos microfluídicos son generalmente dispositivos que contienen conductos fluídicos o cámaras que típicamente presentan al menos una y generalmente más dimensionesen el intervalo de sub-milímetros a un milímetro. Los dispositivos microfluídicos pueden resultar útiles para quereacciones químicas y procesos difíciles, peligrosos o de otro modo imposible se puedan llevar a cabo de formasegura, eficaz y respetuosa con el medio ambiente. As interpreted herein, microfluidic devices are generally devices that contain fluidic conduits or chambers that typically have at least one and generally more dimensions in the range of sub-millimeters to one millimeter. Microfluidic devices can be useful for chemical reactions and difficult, dangerous or otherwise impossible processes can be carried out in a safe, efficient and environmentally friendly way.

Los dispositivos microfluídicos formados por una frita consolidada y estructurada que definen rebajes o conductos enun volumen existente entre dos o más sustratos han sido desarrollados en trabajos previos por parte de compañeros del presente inventor(es), como se desvela en la patente de Estados Unidos Nº 6.769.444, “Microfluidic Device andManufacture Thereof” y en las patentes o publicaciones de patente relacionadas. Los métodos desvelados en ellacomprenden varias etapas incluyendo proporcionar un primer sustrato, proporcionar un segundo sustrato, formar una primera estructura de frita sobre una de las superficies de apoyo de dicho primer sustrato, formar una segundaestructura de frita sobre una de las superficies de apoyo de dicho segundo sustrato, y consolidar dicho primersustrato, dicho segundo sustrato y dichas primera y segunda estructuras de frita todas juntas, con superficies deapoyo enfrentadas entre sí, para conformar un rebaje definido por una frita consolidada entre dichos primer y segundo sustratos. Mientras que los métodos de fabricación desvelados de este modo han resultado útiles paraproducir dispositivos del tipo descrito en el presente documento, resulta deseable incrementar la eficacia, en particular el rendimiento, de los procesos mediante los cuales se producen dichos dispositivos. Microfluidic devices formed by a consolidated and structured frit that define recesses or ducts in a volume between two or more substrates have been developed in previous work by partners of the present inventor (s), as disclosed in U.S. Patent No. 6,769,444, "Microfluidic Device and Manufactured Thereof" and in related patents or patent publications. The methods disclosed therein comprise several stages including providing a first substrate, providing a second substrate, forming a first frying structure on one of the support surfaces of said first substrate, forming a second frying structure on one of the support surfaces of said substrate. second substrate, and consolidate said first substrate, said second substrate and said first and second frit structures all together, with support surfaces facing each other, to form a recess defined by a consolidated frit between said first and second substrates. While the manufacturing methods disclosed in this way have proved useful for producing devices of the type described herein, it is desirable to increase the efficiency, in particular the performance, of the processes by which said devices are produced.

Sumario de la invención Summary of the invention

Un aspecto de la invención es un método para preparar un dispositivo microfluídico proporcionando un primer y segundo sustratos y formando una primera estructura de frita sobre el primer sustrato y una segunda estructura defrita sobre el segundo sustrato y consolidar el primer y el segundo sustratos juntos, con las estructuras de fritaorientadas, de manera que formen un rebaje definido por frita consolidada y rodeado por frita consolidada entre elprimer y segundo sustratos, en el que el segundo sustrato presenta al menos un orificio pre-conformado perforado, y en el que la formación de la segunda estructura de frita incluye formar una capa de frita en el interior de dicho orificiopasante que cubre la superficie interior del orificio pasante con un espesor suficientemente fino para producir, unavez que se produce la consolidación de los sustratos y de las estructuras de frita primera y segunda de manera conjunta, un orificio pasante que presenta una superficie interior de frita consolidada que se encuentra en contactocon la frita consolidada que rodea el rebaje. One aspect of the invention is a method for preparing a microfluidic device by providing a first and second substrates and forming a first frit structure on the first substrate and a second structure on the second substrate and consolidate the first and second substrates together, with the fritaorientadas structures, so that they form a recess defined by consolidated frit and surrounded by frit consolidated between the first and second substrates, in which the second substrate has at least one pre-formed perforated hole, and in which the formation of the The second frit structure includes forming a frit layer inside said pass-through hole that covers the inner surface of the through hole with a thickness thin enough to produce, once the consolidation of the substrates and the first and second frit structures is produced. together, a through hole that has an inner frit surface with solid that is in contact with the consolidated frit that surrounds the recess.

Otro aspecto de la invención se refiere a un dispositivo microfluídico que incluye una frita consolidada, un primersustrato y un segundo sustrato; la frita consolidada, el primer sustrato y el segundo sustrato se encuentran unidosjuntos por medio de la frita consolidada, la frita consolidada rodea al menos un primer rebaje entre el primer y segundo sustratos, el primer rebaje se encuentra en comunicación fluida con un orificio pasante que se extiende através de dicho segundo sustrato, y en el que el orificio pasante se encuentra recubierto interiormente con la fritaconsolidada que está en contacto con la frita consolidada que rodea el rebaje, proporcionando una única interfase dematerial en el interior del dispositivo. Another aspect of the invention relates to a microfluidic device that includes a consolidated frit, a first substrate and a second substrate; the consolidated frit, the first substrate and the second substrate are joined together by means of the consolidated frit, the consolidated frit surrounds at least a first recess between the first and second substrates, the first recess is in fluid communication with a through hole that it extends through said second substrate, and in which the through hole is internally coated with the consolidated frit that is in contact with the consolidated frit surrounding the recess, providing a single material interface inside the device.

La descripción detallada siguiente explica características adicionales y ventajas de la invención, y en parte éstasresultarán evidentes para los expertos en la materia a partir de esa descripción o podrán ser reconocidas mediantela práctica de la invención según se describe en el presente documento, incluyendo la descripción detallada siguiente, las reivindicaciones, así como también los dibujos adjuntos. The following detailed description explains additional features and advantages of the invention, and in part these will be apparent to those skilled in the art from that description or may be recognized by the practice of the invention as described herein, including the detailed description. Next, the claims, as well as the attached drawings.

Debe comprenderse que tanto la descripción general precedente como la descripción detallada siguiente presentanrealizaciones de la invención, y pretenden proporcionar una visión de conjunto o marco para la comprensión de lanaturaleza y carácter de la invención tal como se reivindica. Los dibujos adjuntos se incluyen para proporcionar unamejor comprensión de la invención, y quedan incorporados y constituyen parte de esta memoria descriptiva. Losdibujos ilustran varias realizaciones de la invención y, junto con la descripción, sirven para explicar los principios y operaciones de la invención. It should be understood that both the preceding general description and the following detailed description present embodiments of the invention, and are intended to provide an overview or framework for understanding the nature and character of the invention as claimed. The accompanying drawings are included to provide a better understanding of the invention, and are incorporated and constitute part of this specification. The drawings illustrate various embodiments of the invention and, together with the description, serve to explain the principles and operations of the invention.

Breve descripción de los dibujos Brief description of the drawings

Las Figuras 1A-1E son vistas en corte transversal de sustratos procesados de acuerdo con una realización delmétodo de la presente invención para formar una realización de un dispositivo de la presente invención. Figures 1A-1E are cross-sectional views of substrates processed in accordance with an embodiment of the method of the present invention to form an embodiment of a device of the present invention.

La Figura 2 es una vista en corte transversal de otra realización de un dispositivo de la presente invención quepuede producirse por medio de una realización del método de la presente invención. Figure 2 is a cross-sectional view of another embodiment of a device of the present invention that can be produced by means of an embodiment of the method of the present invention.

Las Figuras 3A-3C son vistas en corte transversal de sustratos procesados de acuerdo con un aspecto de unarealización del método de la presente invención. Figures 3A-3C are cross-sectional views of substrates processed in accordance with an aspect of an embodiment of the method of the present invention.

Las Figuras 4A-4B son vistas en corte transversal de sustratos procesados de acuerdo con otro aspecto de unarealización del método de la presente invención. Figures 4A-4B are cross-sectional views of substrates processed in accordance with another aspect of an embodiment of the method of the present invention.

La Figura 5 es una vista en corte transversal de una parte de otra realización de un dispositivo de la presenteinvención que puede producirse por medio del aspecto del método representado en las Figuras 3A-3C y/o 4A-4B. Figure 5 is a cross-sectional view of a part of another embodiment of a device of the present invention that can be produced by means of the aspect of the method depicted in Figures 3A-3C and / or 4A-4B.

Las Figuras 6A-6E son vistas en corte transversal de sustratos procesados de acuerdo con otros dos aspectos deuna realización del método de la presente invención. Figures 6A-6E are cross-sectional views of substrates processed in accordance with two other aspects of an embodiment of the method of the present invention.

Las Figuras 7A-7C son vistas en corte transversal de sustratos procesados de acuerdo con otro aspecto de unarealización del método de la presente invención. Figures 7A-7C are cross-sectional views of substrates processed in accordance with another aspect of an embodiment of the method of the present invention.

La Figura 8 es una vista en corte transversal que muestra los perfiles de consolidación antes y después de una capade frita suficientemente fina en un orificio pasante de un sustrato exterior. Figure 8 is a cross-sectional view showing the consolidation profiles before and after a sufficiently thin fried layer in a through hole of an outer substrate.

La Figura 9 es una vista en corte transversal que muestra los perfiles de consolidación antes y después de una capade frita ligeramente más gruesa en un orificio pasante de un sustrato exterior. Figure 9 is a cross-sectional view showing the consolidation profiles before and after a slightly thicker fried layer in a through hole of an outer substrate.

La Figura 10 es una vista en corte transversal que ilustra los perfiles de consolidación antes y después de una capade frita considerablemente más gruesa en un orificio pasante de un sustrato exterior. Figure 10 is a cross-sectional view illustrating the consolidation profiles before and after a considerably thicker fried layer in a through hole of an outer substrate.

La Figura 11 es una vista en corte transversal que muestra los perfiles de consolidación antes y después de unacapa de frita suficientemente fina en un orificio pasante de un sustrato interior. Figure 11 is a cross-sectional view showing the consolidation profiles before and after a sufficiently thin frying layer in a through hole of an inner substrate.

La Figura 12 es una vista en corte transversal que muestra los perfiles de consolidación antes y después de unacapa de frita ligeramente más gruesa en un orificio pasante de un sustrato interior. Figure 12 is a cross-sectional view showing the consolidation profiles before and after a slightly thicker frit layer in a through hole of an inner substrate.

La Figura 13 es una vista en corte transversal que ilustra los perfiles de consolidación antes y después de una capade frita considerablemente más gruesa en un orificio pasante de un sustrato interior. Figure 13 is a cross-sectional view illustrating the consolidation profiles before and after a considerably thicker fried layer in a through hole of an inner substrate.

La Figura 14 es una fotografía digital en escala de grises de un orificio pasante de un sustrato de un dispositivomicrofluídico producido de acuerdo con una realización de un método de la presente invención antes de la consolidación final o total. Figure 14 is a grayscale digital photograph of a through hole of a substrate of a microfluidic device produced in accordance with an embodiment of a method of the present invention before final or total consolidation.

La Figura 15 es una fotografía digital en escala de grises del orificio pasante de un dispositivo microfluídico de laFigura 14 después de la consolidación final o total. Figure 15 is a grayscale digital photograph of the through hole of a microfluidic device of Figure 14 after final or total consolidation.

Descripción detallada de las realizaciones preferidas  Detailed description of the preferred embodiments

A continuación se hará referencia con detalle a las realizaciones preferidas de la invención, cuyos ejemplos seilustran en los dibujos adjuntos. Siempre que sea posible, se emplean los mismos números de referencia en todoslos dibujos para referirse a la misma parte o partes. Reference will now be made in detail to the preferred embodiments of the invention, the examples of which are illustrated in the accompanying drawings. Whenever possible, the same reference numbers are used in all drawings to refer to the same part or parts.

Las Figuras 1A-1E son vistas en corte transversal de los sustratos 102 y 104 procesados de acuerdo con unarealización de un método de la presente invención para formar una realización de un dispositivo de la presenteinvención. Figures 1A-1E are cross-sectional views of the substrates 102 and 104 processed in accordance with an embodiment of a method of the present invention to form an embodiment of a device of the present invention.

La presente invención implica la conformación y el procesado de la frita ligada, que significa una frita que se encuentra adherida de algún modo antes y después del proceso de conformación, tal como mediante un aglutinanteorgánico u otro o a través de cualquier otro medio apropiado. La presente invención también implica la fritaconsolidada o la consolidación de la frita, lo que significa la densificación y solidificación final del material de frita, talcomo mediante sinterización o a través de cualquier otro medio apropiado. La consolidación parcial de la fritasignifica procesar la frita para llevarla solo de forma parcial hacia el estado consolidado final. The present invention involves the formation and processing of the bound frit, which means a frit that is adhered in some way before and after the forming process, such as by an organic binder or other or by any other appropriate means. The present invention also involves the frying or consolidation of the frit, which means the final densification and solidification of the frit material, such as by sintering or by any other appropriate means. The partial consolidation of the frits means to process the frit to take it only partially towards the final consolidated state.

La Figura 1A muestra un primer y segundo sustratos desnudos 102 y 104. De manera deseable, el primer y segundosustratos 102 y 104 son planos. Pueden ser de varios materiales apropiados, tal como materiales de vidrio, vidriocerámico y cerámico. De manera general, se desean valores bajos de CTE y valores elevados de conductividadtérmica, como obedece de forma razonable a una buena compatibilidad con el material de frita y con los procesos deconsolidación de la frita. También resultan deseables la transparencia para llevar a cabo la inspección, laapreciación y la flexibilidad de control. En el corte transversal particular de la figura, existe un orificio pasante 108que se extiende a través del sustrato 104. Figure 1A shows a first and second bare substrates 102 and 104. Desirably, the first and second substrates 102 and 104 are flat. They may be of various appropriate materials, such as glass, ceramic and ceramic materials. In general, low values of CTE and high values of thermal conductivity are desired, as reasonably due to good compatibility with the frit material and with the frit consolidation processes. Transparency for inspection, assessment and control flexibility is also desirable. In the particular cross-section of the figure, there is a through hole 108 that extends through the substrate 104.

La Figura 1B muestra un primer y segundo sustratos 102 y 104 después de se haya producido la conformación delas estructuras 202 y 204 de frita ligada sobre ellos, tal como mediante un proceso de moldeo. Las estructuras de frita ligada han sido conformadas sobre las superficies superiores 302 y 304 de los sustratos 102 y 104 con laorientación que se observa en la figura, pero la orientación puede variar durante la conformación o el procesadorelacionado según se desee. Las superficies 302 y 304 pueden denominarse superficies de apoyo de los sustratos 102 y 104, ya que las superficies 302 y 304 están orientadas una mirando la otra en la conformación final deldispositivo resultante. La primera estructura de frita 204 de la realización de la Figura 1 incluye una capa 308 de fritacolocada sobre la superficie interior del orificio pasante 108. Figure 1B shows a first and second substrates 102 and 104 after the formation of structures 202 and 204 of frit bonded on them has occurred, such as by a molding process. The linked frit structures have been shaped on the upper surfaces 302 and 304 of the substrates 102 and 104 with the orientation shown in the figure, but the orientation may vary during forming or related processing as desired. Surfaces 302 and 304 may be referred to as support surfaces of substrates 102 and 104, since surfaces 302 and 304 are oriented facing each other in the final conformation of the resulting device. The first frit structure 204 of the embodiment of Figure 1 includes a layer 308 of frit placed on the inner surface of the through hole 108.

La Figura 1C muestra las estructuras de frita 202 y 204 sobre los sustratos 102 y 104 después de desligar o desligar parcialmente o de la consolidación parcial de la frita. Figure 1C shows frit structures 202 and 204 on substrates 102 and 104 after partially detaching or detaching or partial consolidation of the frit.

La Figura 1D muestra las estructuras de frita 202 y 204 desligadas o desligadas parcialmente o consolidadasparcialmente apiladas en contacto una con la otra para llevar a cabo la consolidación final, tal como por medio desinterización. El desligado o desligado parcial u otra consolidación parcial, en condiciones apropiadas, puedemejorar la resistencia y la cohesividad de las estructuras de frita. De forma alternativa, no obstante, las estructurasde frita conformadas de este modo (no desligadas o consolidadas no parcialmente) se pueden apilar juntas y desligar y/o consolidar en un proceso o en procesos sucesivos. Figure 1D shows the structures of frit 202 and 204 partially dislodged or partially dislodged or consolidated in contact with one another to carry out the final consolidation, such as by means of deinterlination. Partially detached or unbound or other partial consolidation, under appropriate conditions, can improve the strength and cohesiveness of frit structures. Alternatively, however, the frying structures formed in this way (not partially unbound or consolidated) can be stacked together and detached and / or consolidated in one process or in successive processes.

La Figura 1E muestra los sustratos 102 y 104 y las estructuras de frita 202 y 204 después de la consolidación finaltal como mediante sinterización. Las estructuras de frita 202 y 204 se someten a consolidación con los sustratos 102y 104 y entre ellas para dar lugar a conformación en uno o más rebajes 110 definidos por frita consolidada existentesentre el primer y el segundo sustratos 102 y 104. El dispositivo microfluídico 10 resultante incluye una frita consolidada 202, 204 y un primer sustrato 102 y un segundo sustrato 104, todos ellos unidos de forma conjunta pormedio de la frita consolidada 202, 204. Al menos un rebaje 110 existente entre el primer y segundo sustratos 102 y 104, definido por la frita consolidada 202, 204, se encuentra en comunicación fluida con el orificio pasante 108 que se extiende a través del segundo sustrato 104, y la parte de la frita consolidada 202, 204 resultante de la capa 308se encuentra colocada de manera tal que las superficies interiores del primer rebaje 110 relevante y del orificiopasante 108 estén formadas por frita consolidada, y de manera tal que la frita consolidada que recubre interiormenteel orificio pasante 108 está en contacto con la frita consolidada que recubre interiormente el rebaje 110. Figure 1E shows substrates 102 and 104 and frit structures 202 and 204 after final consolidation as by sintering. The frit structures 202 and 204 are subjected to consolidation with the substrates 102 and 104 and between them to give rise to one or more recesses 110 defined by existing consolidated frit between the first and second substrates 102 and 104. The resulting microfluidic device 10 includes a consolidated frit 202, 204 and a first substrate 102 and a second substrate 104, all of them joined together by means of the consolidated frit 202, 204. At least one recess 110 existing between the first and second substrates 102 and 104, defined by the consolidated frit 202, 204, it is in fluid communication with the through hole 108 that extends through the second substrate 104, and the part of the consolidated frit 202, 204 resulting from the layer 308 is positioned such that the interior surfaces of the first relevant recess 110 and the through hole 108 are formed by consolidated frit, and in such a way that the consolidated frit lining inter The through hole 108 is in contact with the consolidated frit that internally covers the recess 110.

La Figura 2 es una vista en corte transversal de otra realización de un dispositivo de la presente invención quepuede producirse por medio de una realización del método de la presente invención. En particular, la Figura 2 ilustraque se puede emplear más de dos sustratos. En el dispositivo microfluídico 10 de la figura están presentes tressustratos 102, 104 y 106, y la frita consolidada resultante define un rebaje 110 existente entre el primer y segundosustratos 102, 104 y un segundo rebaje 111 existente entre el segundo y tercer sustratos 104, 106. El primer rebaje110 y el segundo rebaje 111 están en comunicación fluida a través del orificio pasante 108, y la parte de la frita consolidada resultante de una capa correspondiente a la capa 308 se encuentra colocada de tal manera que lassuperficies interiores del primer rebaje 110, el segundo rebaje 111 y del orificio pasante 108 están todas formadaspor frita consolidada continua. Las estructuras resultantes de los métodos de la presente invención pueden extenderse a varios sustratos en paralelo. Figure 2 is a cross-sectional view of another embodiment of a device of the present invention that can be produced by means of an embodiment of the method of the present invention. In particular, Figure 2 illustrates that more than two substrates can be used. In the microfluidic device 10 of the figure, three substrates 102, 104 and 106 are present, and the resulting consolidated frit defines a recess 110 existing between the first and second substrates 102, 104 and a second recess 111 existing between the second and third substrates 104, 106 The first recess 110 and the second recess 111 are in fluid communication through the through hole 108, and the part of the consolidated frit resulting from a layer corresponding to the layer 308 is positioned such that the interior surfaces of the first recess 110, the second recess 111 and the through hole 108 are all formed by continuous consolidated frit. The structures resulting from the methods of the present invention can be extended to several substrates in parallel.

De acuerdo con los métodos de la presente invención, el hecho de proporcionar sustratos que incluyan orificiosperforados mejora considerablemente el rendimiento de fabricación y el coste asociado a la producción dedispositivos microfluídicos del tipo de los de la invención. Proporcionando sustratos con orificios ya presentes, unode los riesgos más importantes de rotura, el producido mediante perforación por retención, se traslada justo antes oal momento mismo de la primera etapa del proceso. Por tanto, la inversión en procesos de conformación de fritassobre un sustrato dado no se encuentra sujeta a riesgo de pérdida por rotura del sustrato durante la perforación delorificio. Además, se elimina una fuente potencial de contaminación, no uniformidades e inclusiones, con respecto alproceso anterior, en el que no se producen virutas o fragmento de perforación en presencia de estructuras de frita verde o desligada pero no consolidada. In accordance with the methods of the present invention, providing substrates including perforated orifices greatly improves manufacturing performance and the cost associated with the production of microfluidic devices of the type of those of the invention. Providing substrates with holes already present, one of the most important risks of breakage, that produced by retention drilling, is moved just before or at the same time of the first stage of the process. Therefore, the investment in frits forming processes on a given substrate is not subject to the risk of loss due to substrate breakage during hole drilling. In addition, a potential source of contamination, non-uniformities and inclusions, with respect to the previous process is eliminated, in which no chips or drill fragment are produced in the presence of structures of green fritted or unbound but not consolidated.

Aun más, el proceso o el método de la invención también permite la producción de orificios perforados recubiertosinteriormente con frita consolidada, tanto en el exterior como en la Figura 1E como en el interior del dispositivo comoen la Figura 2. Esto permite la producción de un dispositivo microfluídico que comprende dos o más sustratos o pavimentos de materiales que se escogen entre vidrio, cerámico o vidrio-cerámico, o incluso otros materiales,permaneciendo los sustratos o pavimento por separado y uniéndose de forma conjunta por medio de una fritaconsolidada de vidrio o vidrio-cerámico existente entre los sustratos o pavimentos sucesivos, y formando la frita paredes que definen conductos en el interior de dicho dispositivo así como también formando un revestimiento talque las superficies interiores del dispositivo se encuentran recubiertas completamente con la frita consolidada. Así,en cierto modo, se pueden elegir los materiales y las propiedades del sustrato y de la frita de forma independiente, para producir dispositivos con mayor rendimiento que los dispositivos con materiales similares. Por ejemplo, sepuede escoger uno o más sustratos para obtener la mayor conductividad térmica, al tiempo que es posible optimizarla frita en cuanto a durabilidad química, en general, o en condiciones de reacción particulares. Furthermore, the process or method of the invention also allows the production of perforated holes coated internally with consolidated frit, both outside and in Figure 1E and inside the device as in Figure 2. This allows the production of a device. microfluidic comprising two or more substrates or pavements of materials that are chosen from glass, ceramic or ceramic-glass, or even other materials, the substrates or pavement remaining separately and joining together by means of a glass or glass-bound frit. ceramic existing between the substrates or successive pavements, and forming the fried walls that define ducts inside said device as well as forming a coating such that the interior surfaces of the device are completely covered with the consolidated frit. Thus, in a way, the materials and properties of the substrate and the frit can be chosen independently, to produce devices with higher performance than devices with similar materials. For example, one or more substrates can be chosen to obtain the highest thermal conductivity, while it is possible to optimize it fried in terms of chemical durability, in general, or in particular reaction conditions.

La capa 308 que recubre interiormente uno o más orificios perforados 108 se puede producir de varias formas. Porejemplo, como se muestra en las Figuras 3A y 3B, el orificio pasante 108 puede estar relleno con una frita desligadapara formar una estructura de frita 204. Se puede usar una película de adhesivo u otro material de refuerzo 120 paracontener la frita sobre el lado inverso del sustrato 104 durante el llenado del orificio pasante 108. Tras el conformado, si la frita conformada de este modo presenta suficiente resistencia, se puede perforar el orificio rellenoresultante, dando lugar a un sustrato 104 con una estructura de frita 204 sobre el mismo, en el que la estructura defrita incluye una capa 308 que recubre interiormente el orificio pasante 108 del sustrato 104, como se muestra en laFigura 3C. De manera alternativa, si la frita conformada de este modo no es lo suficientemente resistente, se puededesligar o desligar parcialmente la frita, o en caso contrario se puede consolidar parcialmente, dando lugar a unaestructura de frita 204 parcial o completamente desligada o parcialmente consolidada como se muestra en la Figura4A, que a continuación se puede perforar, dando lugar a la estructura de la Figura 4B. La re-apertura de los orificiosrellenos de frita, ya estén rellenos con frita conformada de este modo o con frita desligada o parcialmente desligadaThe layer 308 that internally covers one or more perforated holes 108 can be produced in several ways. For example, as shown in Figures 3A and 3B, the through hole 108 may be filled with a slit frit to form a frit structure 204. An adhesive film or other reinforcing material 120 may be used to contain the frit on the reverse side. of the substrate 104 during the filling of the through hole 108. After forming, if the frit formed in this way has sufficient strength, the resulting filling hole can be drilled, giving rise to a substrate 104 with a frit structure 204 thereon, in the one that the structure defines includes a layer 308 that internally covers the through hole 108 of the substrate 104, as shown in Figure 3C. Alternatively, if the frit formed in this way is not strong enough, the frit can be partially detached or detached, or otherwise it can be partially consolidated, resulting in a frying structure 204 partially or completely detached or partially consolidated as shown in Figure 4A, which can then be drilled, resulting in the structure of Figure 4B. The re-opening of the fried filler holes, whether filled with a frit shaped in this way or with a deep-grooved or partially unblocked frit

o parcialmente consolidada, es relativamente sencillo y se puede llevar a cabo de forma típica con una broca de acero de alta velocidad, generalmente sin refrigeración líquida, en contraste con la perforación directa sobre sustratos de vidrio o cerámicos. or partially consolidated, it is relatively simple and can typically be carried out with a high speed steel drill, generally without liquid cooling, in contrast to direct drilling on glass or ceramic substrates.

Pueden resultar deseables múltiples orificios perforados en un sustrato dado, y no se requiere que la estructura defrita con la que inicialmente se llenan los orificios perforados sea una estructura de frita simple o plana. Por ejemplo, pueden resultar deseables estructuras tales como las que se muestran en la Figura 5. Multiple perforated holes in a given substrate may be desirable, and it is not required that the structure set with which the perforated holes are initially filled be a simple or flat frit structure. For example, structures such as those shown in Figure 5 may be desirable.

Las Figuras 6A-6E muestran otras formas de producir la capa 308 que recubre internamente uno o más orificiosperforados 108. La Figura 6A muestra un sustrato 104 colocado en contacto con una placa de posicionamiento declavija o capa 404. La placa de posicionamiento de clavija o capa 404 alberga una estructura que contiene unconducto en forma de clavija 408, y está colocada con respecto al sustrato 104 de tal forma que la clavija 408 seencuentra ubicada en el centro o cerca del centro del orificio 108 en el sustrato 104, como se muestra en la Figura6A. De manera ventajosa, la clavija también puede sobresalir por encima de la superficie de apoyo 304 aproximadamente el espesor mínimo pretendido de la estructura de frita que debe llegar. Posteriormente, se forma laestructura de frita 204 sobre el sustrato 104 y en el interior de las partes abiertas restantes del orificio 108, tal comopor medio de moldeo de una frita y una mezcla aglutinante sobre el sustrato 104, como se muestra en la Figura 6B.Posteriormente, la retirada de la placa de posicionamiento de clavija o capa 404 con su clavija 408 que la acompañada lugar a la estructura que se muestra en la Figura 6C, que a continuación puede ser desligada o parcialmente desligada o parcialmente consolidada dando lugar al material 204 de frita estructurado de la Figura 6D. Figures 6A-6E show other ways of producing the layer 308 that internally covers one or more perforated holes 108. Figure 6A shows a substrate 104 placed in contact with a declavija or layer positioning plate 404. The pin or layer positioning plate 404 houses a structure that contains a plug-shaped plug 408, and is positioned with respect to the substrate 104 such that the plug 408 is located in the center or near the center of the hole 108 in the substrate 104, as shown in the Figure 6A. Advantageously, the plug can also project approximately the minimum intended thickness of the frit structure that must reach above the bearing surface 304. Subsequently, the frit structure 204 is formed on the substrate 104 and inside the remaining open parts of the hole 108, such as a medium for molding a frit and a binder mixture on the substrate 104, as shown in Figure 6B. Subsequently, the removal of the peg or layer 404 positioning plate with its pin 408 that accompanies it gives rise to the structure shown in Figure 6C, which can then be detached or partially detached or partially consolidated giving rise to material 204 of structured frit of Figure 6D.

Cuando se desea que la estructura de frita esté presente en ambos lados del sustrato 104, se puede re-insertar unaplaca adicional de posicionamiento de clavija o capa 405 con una clavija adicional 409, de forma que la placa de posicionamiento de clavija esté sobre el lado de la estructura 204 de frita formada previamente. Esta etapa puedellevarse a cabo con la estructura de frita 204 previa, en estado desligado o parcialmente desligado o parcialmenteconsolidado como se muestra, o incluso en estado conformado de esta manera, dependiendo de la robustezmecánica que la estructura 204 exhiba en el estado conformado de esta manera. Si la estructura 204 presenta unaforma más compleja que la forma plana simple que se muestra, la placa adicional de posicionamiento de clavija ocapa 405 puede ser más pequeña en cuanto a alcance lateral que la que se muestra en la Figura 6E, o incluso noplana, con el fin de favorecer el ajuste o la conformación sobre la forma compleja posible de la estructura 204. When it is desired that the frit structure be present on both sides of the substrate 104, an additional pin or layer positioning plate 405 can be re-inserted with an additional plug 409, so that the pin positioning plate is on the side of the previously formed frit structure 204. This step can be carried out with the previous frit structure 204, in an unlinked or partially unlinked or partially consolidated state as shown, or even in a shaped state in this way, depending on the mechanical strength that structure 204 exhibits in the shaped state in this way. . If the structure 204 has a more complex shape than the simple flat shape shown, the additional ocapa pin positioning plate 405 may be smaller in terms of lateral reach than that shown in Figure 6E, or even noplana, with in order to favor the adjustment or the conformation on the possible complex form of the structure 204.

La realización de los métodos de la presente invención relativos a las Figuras 3A-3C o a las Figuras 4A-4B empleaun sustrato 104 con un orificio pasante 108 que primero se rellena y luego es perforado, dando lugar a una capa deestructura de frita o material sobre las paredes del orificio original. Esta alternativa particular también puede adaptarse a sustratos que tienen una estructura de frita sobre ambos lados. Esto se muestra de forma breve en lasFiguras 7A-7C. Si se requiere por cuestión de resistencia, es posible desligar o desligar parcialmente o consolidarparcialmente la estructura de frita 204 conformada en primer lugar sobre el sustrato 104, como se muestra en laFigura 7A (representando el relleno más denso y oscuro de 204 de la figura un material desligado o parcialmentedesligado o parcialmente consolidado). Posteriormente, se puede conformar una segunda frita estructurada 205sobre la superficie principal abierta restante del sustrato 104 como se muestra en la Figura 7B. Posteriormente, elorificio relleno resultante se puede perforar al tiempo que la estructura 105 se mantiene en estado conformado deesta manera, como se muestra en la Figura 7C. The embodiment of the methods of the present invention relating to Figures 3A-3C or Figures 4A-4B employs a substrate 104 with a through hole 108 that is first filled and then drilled, resulting in a layer of frit structure or material on the walls of the original hole. This particular alternative can also be adapted to substrates that have a frit structure on both sides. This is briefly shown in Figures 7A-7C. If it is required due to resistance, it is possible to partially or partially unlink or partially consolidate the frit structure 204 formed firstly on the substrate 104, as shown in Figure 7A (representing the densest and darkest filling of 204 of Figure 1). unbound or partially unbound or partially consolidated material). Subsequently, a second structured frit 205 can be formed on the remaining open main surface of the substrate 104 as shown in Figure 7B. Subsequently, the resulting filled hole can be drilled while the structure 105 is maintained in a shaped state in this manner, as shown in Figure 7C.

Las Figuras 8-10 ilustran la sensibilidad del proceso de la invención al espesor de la capa 308 de la frita colocadasobre la superficie interior del orificio pasante 108, en el que la estructura de la frita se encuentra colocadaúnicamente sobre un lado del sustrato 104. Si la capa 308 es suficientemente fina, como en el caso de la Figura 8,los cambios en la forma global de la capa resultante del proceso de consolidación (representado por las flechasdescendentes en la figura) son mínimos, y se mantiene el recubrimiento de la frita consolidada sobre las superficies interiores del orificio pasante 108 del sustrato 104. Si la capa 308 es demasiado gruesa, el perfil consolidadoresultante, como se muestra en la Figura 9, puede dar lugar a la exposición de la superficie interna 904 del interiordel orificio pasante 108 del sustrato 104, o en otras palabras, se puede producir el repliegue del revestimiento defrita desde la superficie principal desnuda del sustrato 104. Cuando la capa 309 es demasiado gruesa, el perfilconsolidado resultante, como se muestra en la Figura 10, expone la superficie interna 904 del interior del orificiopasante 108 del sustrato 104 por encima y por debajo de la capa 308. Así, resulta deseable utilizar un revestimientofino apropiado de frita estructurada para la capa 308. Figures 8-10 illustrate the sensitivity of the process of the invention to the thickness of the layer 308 of the frit placed on the inner surface of the through hole 108, in which the structure of the frit is placed only on one side of the substrate 104. Yes layer 308 is thin enough, as in the case of Figure 8, changes in the overall shape of the layer resulting from the consolidation process (represented by the downward arrows in the figure) are minimal, and the fry coating is maintained consolidated on the inner surfaces of the through hole 108 of the substrate 104. If the layer 308 is too thick, the resulting consolidating profile, as shown in Figure 9, may result in the exposure of the inner surface 904 inside the through hole 108 of the substrate 104, or in other words, the defolding of the coating can occur from the bare main surface of the substrate 104. When the layer 309 e s too thick, the resulting consolidated profile, as shown in Figure 10, exposes the internal surface 904 of the interior of the through hole 108 of the substrate 104 above and below the layer 308. Thus, it is desirable to use an appropriate fine structured frying coating. for layer 308.

Las Figuras 11-13 ilustran la sensibilidad del proceso de la invención al espesor de la capa 308 de la frita colocadasobre la superficie interior del orificio pasante 108, en el que la estructura de frita se encuentra colocada en ambos lados del sustrato 104. Como se puede observar a partir de los perfiles de las Figuras 11 y 12, la superficie internadel orificio pasante 108 no se encuentra desprovista de recubrimiento durante el proceso de consolidación medianteel uso de una capa gruesa 308. Sin embargo, se prefieren capas finas para un mejor control de proceso y controldimensional global. Figures 11-13 illustrate the sensitivity of the process of the invention to the thickness of the layer 308 of the frit placed on the inner surface of the through hole 108, in which the frit structure is placed on both sides of the substrate 104. As It can be seen from the profiles of Figures 11 and 12, the internal surface of the through hole 108 is not devoid of coating during the consolidation process by using a thick layer 308. However, thin layers are preferred for better control of process and global counter-dimensional.

De manera deseable, la presente invención se puede utilizar con sustratos de vidrio, cerámicos y/o de vidriocerámicos. Los sustratos de metal también pueden resultar útiles. Mientras que el desajuste CTE entre la frita consolidada y el sustrato no debe ser muy grande para poder conservar la resistencia a los gradientes térmicos y alchoque térmico, la presente invención encuentra utilidad particular en permitir una optimización del sustrato y de losmateriales de frita por separado, ya que la presente invención permite la presencia de una superficie continua defrita consolidada sobre las superficies interiores de dispositivos microfluídicos. Por ejemplo, para muchasaplicaciones resulta deseable escoger el material de sustrato con el fin de mejorar la conductividad térmica porencima de la de la frita, y escoger y/o formular la frita con el fin de proporcionar los niveles deseados de resistenciaquímica o carácter inerte. Desirably, the present invention can be used with glass, ceramic and / or glass ceramic substrates. Metal substrates can also be useful. While the CTE mismatch between the consolidated frit and the substrate must not be very large in order to be able to retain resistance to thermal gradients and thermal bumper, the present invention finds particular utility in allowing an optimization of the substrate and the frit materials separately, since the present invention allows the presence of a consolidated continuous continuous surface on the inner surfaces of microfluidic devices. For example, for many applications it is desirable to choose the substrate material in order to improve the thermal conductivity above that of the frit, and to choose and / or formulate the frit in order to provide the desired levels of chemical resistance or inert character.

Se pueden apreciar algunos efectos beneficiosos adicionales de la invención a partir de las Figuras 14 y 15. LaFigura 14 es una fotografía digital en escala de grises de un orificio pasante de un sustrato de dispositivo microfluídico producido de acuerdo con una realización de un método de la presente invención antes de la consolidación final o global. La Figura 15 es una fotografía digital en escala de grises del orificio pasante de sustratode dispositivo microfluídico de la Figura 14 después de la consolidación final o global. Los defectos superficiales y larugosidad se pueden apreciar en la Figura 14 en forma de pequeños fragmentos de vidrio 602 y en forma deprotuberancias de superficie 604 y de manera general de esquinas agudas 606. En la Figura 15, se observa que elfragmento de vidrio 602 está cubierto e igualado por la frita consolidada, y la rugosidad superficial y los bordesagudos también han desaparecido. Así, los puntos potenciales de concentración de esfuerzo mecánico (puntos quetambién resultan más susceptibles de experimentar ataque químico) quedan eliminados o reducidos. Some additional beneficial effects of the invention can be seen from Figures 14 and 15. Figure 14 is a grayscale digital photograph of a through hole of a microfluidic device substrate produced in accordance with an embodiment of a method of the present invention before final or global consolidation. Figure 15 is a grayscale digital photograph of the through hole of microfluidic device substrate of Figure 14 after final or overall consolidation. The surface defects and largesity can be seen in Figure 14 in the form of small fragments of glass 602 and in the form of surface protuberances 604 and generally of sharp corners 606. In Figure 15, it is observed that the glass fragment 602 is covered and matched by the consolidated frit, and the surface roughness and bordesagudos have also disappeared. Thus, the potential points of mechanical stress concentration (points that are also more susceptible to chemical attack) are eliminated or reduced.

En general, la invención proporciona un dispositivo microfluídico que comprende dos o más sustratos o pavimentosseparados y unidos de forma conjunta por medio de una frita de vidrio o vidrio-cerámico entre los sustratos opavimentos sucesivos, formando la frita paredes que definen conductos o cámaras en el interior de dicho dispositivoy formando un revestimiento tal que las superficies interiores del dispositivo se encuentran completamenterecubiertas con la frita consolidada. Esto permite tanto (1) la fabricación flexible de varias geometrías de dispositivoya que los conductos o cámaras (excepto los orificios perforados) vienen determinados por un proceso aditivo deconformación de frita, y no mediante un proceso más respetuoso con el medio ambiente y/o un proceso sustractivomás difícil, como (2) la flexibilidad en la optimización de los materiales, ya que es posible optimizar las propiedadesdel material de frita en cuanto a contacto con los fluidos al tiempo que se optimizan las propiedades del sustrato encuanto a resistencia, conductividad térmica o aislamiento térmico y similares. Además, la utilización del método parapreparar dichos dispositivos desvelado en el presente documento reduce el coste de producción y aumenta elrendimiento comenzando el proceso de producción con sustratos que presentan orificios perforados, trasladandocualquier pérdida de producción durante la perforación o de otro modo durante la conformación de los orificios haciadelante en el ciclo de producción. In general, the invention provides a microfluidic device comprising two or more separate substrates or floorings and joined together by means of a glass or ceramic-glass frit between the successive opaviment substrates, the frit forming walls that define ducts or chambers in the interior of said device and forming a coating such that the interior surfaces of the device are completely covered with the consolidated frit. This allows both (1) the flexible manufacture of various device geometries and that the ducts or chambers (except the drilled holes) are determined by an additive fritting process, and not by a more environmentally friendly process and / or a more difficult subtractive process, such as (2) flexibility in the optimization of materials, since it is possible to optimize the properties of the frying material in terms of contact with fluids while optimizing the properties of the substrate as regards resistance, thermal conductivity or thermal insulation and the like. In addition, the use of the method to prepare said devices disclosed herein reduces the cost of production and increases the yield by starting the production process with substrates that have perforated holes, transferring any loss of production during drilling or otherwise during the formation of the holes forward in the production cycle.

5 5

10 10

15 fifteen

20 twenty

25 25

30 30

35 35

40 40

45 Four. Five

50 fifty

Claims (10)

REIVINDICACIONES 1. Un método para preparar un dispositivo microfluídico (10), que comprende: 1. A method for preparing a microfluidic device (10), comprising: proporcionar un primer sustrato (102); providing a first substrate (102); proporcionar un segundo sustrato (104) que tiene al menos un orificio pasante (108) en su interior; providing a second substrate (104) having at least one through hole (108) therein; formar una primera estructura de frita (202) sobre la superficie de apoyo (302) de dicho primer sustrato (102); forming a first frit structure (202) on the support surface (302) of said first substrate (102); formar una segunda estructura de frita (204) sobre la superficie de apoyo (304) de dicho segundo sustrato (104);forming a second frit structure (204) on the support surface (304) of said second substrate (104); y  Y consolidar dicho primer sustrato (102) y dicho segundo sustrato (104) y dichas primera y segunda estructurasde frita (202, 204) de forma conjunta, con las superficies de apoyo (302, 304) enfrentadas entre sí, de manera que formen un rebaje (110) rodeado de frita consolidada entre dichos primer y segundo sustratos (102, 104), consolidating said first substrate (102) and said second substrate (104) and said first and second fried structures (202, 204) together, with the supporting surfaces (302, 304) facing each other, so as to form a recess (110) surrounded by consolidated frit between said first and second substrates (102, 104), estando caracterizado el método por que: the method being characterized by: la formación de una segunda estructura de frita (204) incluye formar una capa de frita (308) en el interior delorificio pasante (108) de dicho segundo sustrato, cubriendo dicha capa de frita (308) en el interior de dicho orificiopasante (108) la superficie interior de dicho orificio pasante (108) hasta un espesor suficientemente fino como paraproducir, una vez consolidado dicho primer sustrato (102) y dicho segundo sustrato (104) y dichas primera y segundas estructuras de frita (202, 204) de forma conjunta, un orificio pasante (108) que tiene una superficie interiorde frita consolidada (308) que está en contacto con la frita consolidada (202, 204) que rodea a dicho rebaje (110). the formation of a second frit structure (204) includes forming a frit layer (308) inside the through hole (108) of said second substrate, covering said frit layer (308) inside said pass hole (108) the inner surface of said through hole (108) to a thickness thin enough to produce, once said first substrate (102) and said second substrate (104) and said first and second frit structures (202, 204) together , a through hole (108) having a consolidated inner frit surface (308) that is in contact with the consolidated frit (202, 204) surrounding said recess (110).
2. 2.
El método de acuerdo con la reivindicación 1, en el que la formación de la capa de frita (308) en el interior del orificio pasante (108) de dicho segundo sustrato comprende rellenar dicho orificio pasante (108) con una frita ligaday perforar a través del orificio relleno resultante. The method according to claim 1, wherein the formation of the frit layer (308) inside the through hole (108) of said second substrate comprises filling said through hole (108) with a fried ligand and piercing through of the resulting filled hole.
3. 3.
El método de acuerdo con la reivindicación 1, en el que la formación de la capa de frita (308) en el interior del orificio pasante (108) de dicho segundo sustrato comprende rellenar dicho orificio pasante (108) con una frita ligada,des-ligar dicha frita y posteriormente perforar a través del orificio relleno resultante. The method according to claim 1, wherein the formation of the frit layer (308) inside the through hole (108) of said second substrate comprises filling said through hole (108) with a bonded frit, from bind said frit and then drill through the resulting filled hole.
4. Four.
El método de acuerdo con la reivindicación 1, en el que la formación de la capa de frita (308) en el interior del orificio pasante (108) de dicho segundo sustrato comprende colocar una estructura de mantenimiento de conductos (408; 409) en el interior del orificio pasante (108), y rellenar el volumen resultante del orificio no ocupado mediante laestructura de mantenimiento de conductos (408; 409) con una frita ligada, y retirar la estructura de mantenimiento deconductos (408; 409). The method according to claim 1, wherein the formation of the frit layer (308) inside the through hole (108) of said second substrate comprises placing a duct maintenance structure (408; 409) in the inside the through hole (108), and fill the resulting volume of the unoccupied hole through the duct maintenance structure (408; 409) with a frit linked, and remove the duct maintenance structure (408; 409).
5. 5.
El método de acuerdo con cualquiera de las reivindicaciones 1-4, en el que proporcionar un primer sustrato The method according to any of claims 1-4, wherein providing a first substrate
(102) comprende proporcionar un sustrato de vidrio, cerámico o de vidrio-cerámico. (102) comprises providing a glass, ceramic or glass-ceramic substrate.
6. 6.
El método de acuerdo con cualquiera de las reivindicaciones 1-5, en el que dicho material a partir del cualestá formado el primer sustrato (102) o dicho segundo sustrato (204) se escoge entre un material que tiene uncoeficiente de conductividad térmica más elevado que el de dicha frita (202, 204). The method according to any of claims 1-5, wherein said material from which the first substrate (102) or said second substrate (204) is formed is chosen from a material having a higher coefficient of thermal conductivity than that of said frit (202, 204).
7. 7.
El método de acuerdo con cualquiera de las reivindicaciones 1-6, en el que dicha frita consolidada (202, 204)se escoge de forma que tenga un grado de resistencia al ataque químico mayor que el del material a partir del cual se forma dicho primer sustrato (102) o dicho segundo sustrato (104). The method according to any of claims 1-6, wherein said consolidated frit (202, 204) is chosen so as to have a degree of resistance to chemical attack greater than that of the material from which said first is formed. substrate (102) or said second substrate (104).
8. 8.
Un dispositivo microfluídico (10) que comprende; una frita consolidada (202 + 204); un primer sustrato (102);y un segundo sustrato (104); la frita consolidada (202 + 204), el primer sustrato (102) y el segundo sustrato (104) seunen de forma conjunta por medio de la frita consolidada (202 + 204), rodeando la frita consolidada (202 + 204) almenos un primer rebaje (110) existente entre el primer y el segundo sustratos (102, 104), estando dicho primer rebaje (110) en comunicación fluida con un orificio pasante (108) que se extiende a través de dicho segundo sustrato(104), A microfluidic device (10) comprising; a consolidated frit (202 + 204); a first substrate (102); and a second substrate (104); the consolidated frit (202 + 204), the first substrate (102) and the second substrate (104) are joined together by means of the consolidated frit (202 + 204), surrounding the consolidated frit (202 + 204) at least a first recess (110) existing between the first and second substrates (102, 104), said first recess (110) being in fluid communication with a through hole (108) extending through said second substrate (104),
estando caracterizado el dispositivo microfluídico (10) por que dicho orificio pasante (108) está recubiertointernamente con frita consolidada (308) que está en contacto con la frita consolidada (202 + 204) que rodea alrebaje (110). the microfluidic device (10) being characterized in that said through hole (108) is universally coated with consolidated frit (308) which is in contact with the consolidated frit (202 + 204) that surrounds around (110).
9. 9.
El dispositivo microfluídico (10) de la reivindicación 8, en el que además comprende un tercer sustrato (106)unido por medio de frita consolidada (202 + 204) al primer y segundo sustratos (102, 104), rodeando la fritaconsolidada (202 + 204) al menos a un segundo rebaje (111) existente entre el segundo y tercer sustratos (104,106), estando el primer rebaje (110) en comunicación con el segundo rebaje (111) por medio de un orificio pasante(108), estando el orificio pasante (108) recubierto internamente con frita consolidada (308) que está en contacto con la frita consolidada (202 + 204) que rodea a dichos primer y segundo rebajes (110, 111). The microfluidic device (10) of claim 8, wherein it further comprises a third substrate (106) attached by means of consolidated frit (202 + 204) to the first and second substrates (102, 104), surrounding the consolidated frit (202 + 204) at least one second recess (111) existing between the second and third substrates (104,106), the first recess (110) being in communication with the second recess (111) by means of a through hole (108), the through hole (108) internally coated with consolidated frit (308) that is in contact with the consolidated frit (202 + 204) surrounding said first and second recesses (110, 111).
10. 10.
El dispositivo microfluídico (10) de cualquiera de las reivindicaciones 8 y 9 en el que el material a partir delcual está formando uno o más de los sustratos (102, 104, 106) presenta una conductividad térmica mayor que la dela frita consolidada (202 + 204). The microfluidic device (10) of any one of claims 8 and 9 wherein the material from which it is forming one or more of the substrates (102, 104, 106) has a thermal conductivity greater than the consolidated fried dela (202 + 204).
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