ES2354949T5 - Dispositivo para la cirugía láser - Google Patents

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Description

DESCRIPCIÓN
Dispositivo para la cirugía láser
[001] La invención se refiere a un dispositivo para la cirugía láser con un dispositivo láser y medios para acoplar la 5 luz del láser a una fibra óptica.
[002] Dispositivos de este tipo para la cirugía láser se conocen, por ejemplo, por la patente DE 91 162 16 U. También la patente DE 44 08 746 C2 muestra un catéter de láser para la cirugía de bypass. Se hace referencia, por ejemplo, a láseres Nd:YAG. Estos láseres presentan una línea láser de 1064 nm. Por el documento US 5.910.140 se 10 conoce un dispositivo de láser médico con un cristal de láser Nd:YAIO3.
[003] Por el documento WO0174230 se conoce un láser semiconductor para la terapia tumoral.
[004] El objetivo de la presente invención es mejorar un dispositivo para cirugía láser. Este objetivo se consigue 15 mediante un dispositivo, según la reivindicación 1.
[005] Para la cirugía láser de tejidos en general, pero especialmente para la cirugía de tejido pulmonar, se ha mostrado que resulta ventajosa una longitud de onda entre 1100 nm y 1400 nm. En esta franja de longitud de onda se produce una absorción de rayos láser en tejido acuoso, por tanto, también en tejido pulmonar, que permite 20 seccionar o cortar rápidamente el tejido y provocar simultáneamente una coagulación extensa en un tejido muy vascular. En tejidos pulmonares se consigue asimismo simultáneamente otro efecto muy importante, que es la soldadura de fístulas de aire. En esta franja de longitud de onda existen dos sistemas láser, pero generalmente son muy poco manejables, ya que, por ejemplo, láseres de gas necesitan generalmente un sistema costoso de refrigeración por agua, de manera que un aparato de este tipo resulta muy pesado, o bien las potencias de salida 25 disponibles son demasiado bajas.
[006] Para la cirugía láser en la franja de longitud de onda mencionada anteriormente resulta deseable un láser con una potencia de salida de, como mínimo, 25 W.
30
[007] Debido a recientes desarrollos en el ámbito de los materiales es posible poner a disposición láseres de estado sólido tales como, por ejemplo, láseres semiconductores y/o láseres de fibras con estas potencias de salida, como las que se necesitan para la cirugía láser, en especial, la cirugía pulmonar con láser, y generar una longitud de onda en una franja de 1100 hasta 1400 nm.
35
[008] Resulta muy preferente una franja de longitud de onda por encima de 1250, 1275, 1300, 1308 ó 1310 nm. En esta franja de longitud de onda la absorción de agua muestra una dependencia no demasiado grande de la longitud de onda, de manera que determinadas oscilaciones de la longitud de ondas en esta franja no provocan automáticamente un cambio en el comportamiento quirúrgico de los rayos láser. Por otro lado, la radiación láser debería situarse también por debajo de una longitud de onda de 1325, 1300, 1275, 1250, 1225 ó 1200 nm, ya que 40 de lo contrario se abandona la zona plana. En esta zona plana se consigue una absorción relativamente favorable y un relación ventajosa entre absorción y dispersión en tejidos con un alto contenido en agua y, por lo tanto, también en tejidos pulmonares.
[009] Asimismo resultan ventajosos los láseres con una luz que presenta una determinada anchura a media altura 45 (FWHM, full width at half maximum) espectral. Se determina la anchura del espectro a la mitad de la intensidad máxima. La anchura a media altura puede ser, por ejemplo, como mínimo, 2, 3, 4, 5, 7, 10, 12 ó 15 nm. El límite superior para la anchura a media altura puede ser, por ejemplo, 2, 3, 4, 5, 7, 10, 12, 15, 20, 25, 30 ó 40 nm. Al cubrir una franja espectral más amplia, el dispositivo es menos sensible a pequeñas oscilaciones de la longitud de ondas, de manera que se garantiza un comportamiento quirúrgico constante de la luz del láser durante una operación. Por 50 otro lado, el espectro tampoco debe ser demasiado ancho para que no haya porciones espectrales con una absorción demasiado alta en el tejido.
[0010] La potencia de salida del láser es superior a 50 W. En este caso, resulta preferente, por ejemplo, una potencia de, como mínimo, 80 W. 55
[0011] El láser puede ser de onda continua o un láser pulsado.
[0012] Asimismo resulta ventajoso un láser que comprende varios elementos láser. Pueden ser como mínimo o exactamente 15, 19, 20, 25, 30, 35, 38, 40, 50, 60, 70, 80, 90, 100, 150 elementos láser. Los elementos láser 60 individuales pueden ser accionados de esta manera con una potencia inferior a la potencia de salida total deseada, lo cual aumenta la vida útil de estos elementos láser o hace posible potencias de salida más elevadas.
[0013] Además, están dispuestos a tal efecto de forma ventajosa medios con los que los rayos láser de estos elementos láser individuales pueden ser acoplados a una fibra óptica común. En sí también es concebible disponer una fibra óptica individual para cada elemento láser. Estas fibras individuales pueden formar a continuación un haz y la luz de las mismas se junta solamente al final de la fibra óptica, mediante un conjunto óptico. Estos medios para el acoplamiento de la luz del láser pueden comprender una o varias lentes y/o espejos, pudiéndose disponer también 5 lentes o un conjunto de lentes cilíndricas y/o espejos.
[0014] Los elementos láser individuales y/o los láseres son o comprenden láseres semiconductores. De modo no conforme con la invención, láseres de fibra individuales pueden estar, por ejemplo, dispuestos en forma de haz, a efectos de entregar la luz a una fibra óptica de salida común. En este caso, también se pueden prever uno o varios 10 acopladores de fibra, con los que se acopla la luz de dos o más fibras a una sola fibra.
[0015] También con láseres semiconductores se puede conseguir la potencia de salida necesaria en la franja de longitud de onda deseada. A tal efecto, se acopla la luz de varios elementos láser a una fibra óptica generalmente a través de una óptica de rayos. 15
[0016] Los láseres semiconductores pueden ser bombeados eléctrica u ópticamente. Un bombeo óptico puede realizarse, por ejemplo, con otros láseres semiconductores con una longitud de onda inferior a 1100 nm. Los láseres de fibra son bombeados generalmente de forma óptica, por ejemplo, con diodos de láseres semiconductores tales como se describen en el presente documento. En general, los láseres de bombeo tendrán una longitud de onda de 20 menos de 1100 nm y, como mínimo, por debajo de la longitud de onda del láser de fibra.
[0017] Ventajosamente, el láser es un láser de punto cuántico o un láser de pozo cuántico. Con estos elementos láser es posible proporcionar con un número razonable de elementos láser la potencia de salida necesaria en la franja de longitud de onda deseada. Estos láseres de punto cuántico pueden estar basados en el sistema de 25 material GaAs-AlGaAs. Los puntos cuánticos del láser de punto cuántico pueden estar dispuestos en capas cuánticas (también denominadas pozos cuánticos), de manera que el confinamiento de los portadores de carga en la zona de los puntos cuánticos es mejorado por el confinamiento de los portadores de carga en el pozo cuántico.
[0018] Sin embargo, los puntos cuánticos pueden estar dispuestos también sin pozos cuánticos o en el exterior de 30 eventuales pozos cuánticos.
[0019] Los puntos cuánticos pueden comprender GaInAs, GaInAsN y/o GaInSb, o estar compuestos de los mismos. Los puntos cuánticos tienen un vacío energético que es inferior que aquel del material circundante. Debido a ello, los portadores de carga se elevan a niveles de energía que están predeterminados, entro otros, por la magnitud del 35 punto cuántico, de manera que también en este caso son factibles longitudes de onda láser que no corresponden al vacío energético del material de los puntos cuánticos.
[0020] El guía-ondas del láser semiconductor determina la conducción de luz dentro del material semiconductor. A tal efecto, es preferente un guía-ondas relativamente ancho para el láser para el dispositivo para la cirugía láser, ya 40 que de esta manera la luz se extiende a través de una amplia zona en el material del láser semiconductor, y las inhomogeneidades debido a la formación de puntos cuánticos, pozos cuánticos u otras superficies límite no dificultan altas potencias, por ejemplo, debido a la difusión en las superficies limite o debido a defectos en las superficies límite o en los puntos cuánticos.
45
[0021] El guía-ondas tiene una anchura de, como mínimo, 200, 250, 300, 400, 500 ó 600 nm. El guía-ondas se define por una diferencia del índice de fracción entre el interior del guía-ondas y el exterior del guía-ondas. El guía-ondas está realizado preferentemente de tal manera que sólo se ajusta un modo de luz transversal. Pero también puede haber dos o tres modos transversales, dado que de esta manera se pueden conseguir potencias más altas sin perder, sin embargo, un perfil de radiación bien definido. 50
[0022] El guía-ondas puede comprender GaxIn(1-x)AsuPvNwSb(1-u-v-w) o bien estar compuesto por el mismo, donde (x), (u), (v) y (w) pueden adoptar los valores 0 a 1, así como todos los valores intermedios o valores de todos los intervalos intermedios posibles, y donde u+v+w es inferior o igual a 1.
55
[0023] El láser semiconductor también puede ser un láser de pozo cuántico con un pozo cuántico que comprende GauIn(1-u) AsxNyP(1-x-y), o está compuesto por el mismo, donde (u), (x) y (y) pueden adoptar los valores 0 a 1, o bien todos los valores intermedios o valores de todos los intervalos intermedios posibles, mientras x + y ≤ 1. Con materiales de este tipo se pueden conseguir las potencias de salida deseadas en la franja de longitud de onda predeterminada. Esto se realiza recogiendo un número relativamente grande de elementos láser, por lo que la 60 potencia de salida total que necesita el láser parece alcanzable.
[0024] De manera no conforme a la invención, para la fabricación de láseres de alta potencia en la franja de longitud de onda deseada también son factibles de forma ventajosa láseres de disco de estado sólido. En estos láseres un cristal tiene la forma de disco que presenta en un lado un acabado especular. La luz del láser sale del lado opuesto. Estos discos pueden ser muy bien refrigerados, de manera que altas potencias son posibles.
5
[0025] En cualquier caso resultan ventajosas lentes y/o conjuntos de lentes cilíndricas y/o espejos para el acoplamiento de la luz procedente de varios elementos láser.
[0026] El dispositivo presenta un acoplamiento al que se pueden conectar de forma desmontable las fibras ópticas. Durante una operación las fibras ópticas se ensucian fácilmente, de manera que deberían poder cambiarse. 10
[0027] Las fibras ópticas presentan ventajosamente una empuñadura, ya que esto simplifica la manipulación de la fibra óptica. En la empuñadura también se puede prever una óptica con la que se focaliza la luz que emite la fibra óptica. Sin embargo, esto no es imprescindible, ya que una zona de irradiación de un diámetro de varios milímetros también se puede conseguir sin óptica. 15
[0028] Ventajosamente, la óptica asimismo puede ser cambiada. Por un lado, la óptica también se ensucia fácilmente y, por otro lado, con diferentes ópticas se pueden conseguir diferentes distancias de trabajo y diferentes tamaños de foco.
20
[0029] El dispositivo presenta, además, un dispositivo de refrigeración por aire para refrigerar el láser o el dispositivo. Una refrigeración por agua no se prevé en este caso, ya que la refrigeración por aire frío debería ser suficiente en un láser semiconductor. Pero tampoco se excluye una refrigeración por agua.
[0030] Asimismo, el dispositivo puede presentar un dispositivo de regulación térmica con el que se puede ajustar la 25 temperatura del láser semiconductor. Esto puede comprender, por ejemplo, un elemento Peltier. Éste sirve, por un lado, para evacuar el calor. Por otro lado, también se puede ajustar la longitud de onda de la luz emitida mediante la temperatura. El elemento Peltier puede ser refrigerado por agua y/o por aire. También es posible que haya sólo una refrigeración por agua sin elemento Peltier. La refrigeración por agua también puede ser muy pequeña, en este caso. 30
[0031] Formas de realización preferentes de la invención se explicarán en relación con los dibujos que se acompañan. Estos muestran:
En la figura 1, un dispositivo para la cirugía láser;
En la figura 2, el extremo distal de la fibra óptica, en una vista esquemática en sección; 35
En la figura 3, la disposición de un láser semiconductor, una óptica de acoplamiento y un extremo de fibra en una vista esquemática tridimensional;
En la figura 4, vistas esquemáticas tridimensionales de un dispositivo láser;
En la figura 5, la estructura de un láser semiconductor de puntos cuánticos, en una vista esquemática, y
En la figura 6, un espectro del láser, a título de ejemplo. 40
[0032] En la figura 1 se muestra un dispositivo (1) para la cirugía láser. El dispositivo comprende un cuerpo envolvente (2) con un acoplamiento (8) en el que se puede acoplar la fibra óptica (3) con una clavija (9). La fibra óptica (3) tiene un extremo con una empuñadura (4). El cuerpo envolvente (2) dispone, además, de un aireador (5) para la refrigeración por aire. 45
[0033] El extremo de la fibra óptica (3) con la empuñadura (4) está representado esquemáticamente en la figura 2 en una vista en sección. La fibra óptica (3) termina en un soporte (6) desmontable en el que está dispuesta la óptica (7) mostrada a título simbólico mediante una lente individual (7). Mediante esta óptica se focaliza la luz emitida de la fibra óptica (3), de manera que se forma un foco con una anchura a media altura (b) a una distancia de trabajo (d). 50 La fibra óptica (3) tiene un núcleo que conduce la luz, así como una envolvente. La distancia de trabajo preferente (d) es de unos centímetros. Resulta muy preferente una distancia de trabajo de 1 a 5 cm, así como aproximadamente 1,5 cm (± 0,5 cm), o bien 2,5 cm (± 1,0 cm), o bien 3,5 cm (± 1,0 cm), o bien 4,5 cm (± 0,5 cm). La anchura a media altura (b) en la zona focal es de unos milímetros. El diámetro del rayo en el foco puede ser, por ejemplo, de 0,5 mm. 55
[0034] En la figura 3 se muestra una parte del cuerpo envolvente (2) con el acoplamiento (8). En este caso se muestra esquemáticamente un extremo de fibra (11) de una fibra óptica interna (10), a la que se acopla la luz del láser (13). El láser (13) está realizado como barra de láser. Entre la barra de láser (13) y el extremo (11) de la fibra óptica (10) está dispuesta una óptica de acoplamiento (12) con la que se focaliza la luz que sale de forma divergente 60 de la barra (13) sobre el extremo (11) de la fibra óptica. La óptica de acoplamiento puede comprender una lente cilíndrica o un espejo cilíndrico. También resulta preferente, por ejemplo, un grupo de lentes cilíndricas (19),
teniendo cada elemento láser preferentemente asignado un elemento de lente cilíndrica del grupo de lentes cilíndricas.
[0035] La barra (13) se muestra en la figura 4a de forma esquemática. En ella están dispuestos diferentes elementos láser semiconductores (14), emitiendo cada elemento (14) un rayo de luz láser (15) que puede ser muy divergente. 5
[0036] En la barra (13) de la figura 4a los elementos láser (14) están dispuestos uno al lado de otro. Una barra de láser de este tipo puede comprender hasta 20, 25, 30, 35, 40, 45 ó 50 elementos láser (14).
[0037] En las figuras 4b y 4c se muestran dispositivos en una vista desde arriba y desde delante, con los que se 10 puede focalizar la luz que proviene de diferentes barras de láser. Dos barras (13a) y (13b) están dispuesta de forma desplazada entre sí en altura. Emiten la luz (15) a sendos espejos (16a) y (16b) que asimismo están desplazados entre sí en altura. Entre las barras (13a, 13b) y los espejos (16a) y (16b) pueden estar dispuestos sendos grupos de lentes cilíndricas, a efectos de obtener un rayo colimado (15) (al menos aproximadamente). Los rayos reflejados por los espejos (16a, 16b) se extienden en paralelo entre sí uno por encima de otro, de manera que pueden ser 15 focalizados por la única óptica de acoplamiento (12). Ventajosamente, la trayectoria óptica entre la óptica de acoplamiento (12) y la barra de láser (13a, 13b), respectivamente, tienen aproximadamente la misma longitud.
[0038] Una representación esquemática de la estructura de capas del láser semiconductor se muestra en la figura 5. Sobre un substrato (20) se aplica una capa de protección de cera (“cladding”) (21). Sobre ésta se constituye el guía-20 ondas. El guía-ondas tiene un índice de refracción que es superior al de la capa de recubrimiento (“cladding”). Debido a ello, el guía-ondas conduce el modo de luz en el material semiconductor. Dentro del guía-ondas hay dispuestas diferentes capas (23) que pueden ser pozos cuánticos. En estos pozos cuánticos (23) pueden estar dispuestos los puntos cuánticos que determinan la longitud de onda del láser.
25
[0039] También es posible disponer puntos cuánticos sin pozos cuánticos.
[0040] Los puntos cuánticos también pueden tener la forma de hilos cuánticos. En este caso, se trata de puntos cuánticos que tienen una forma alargada como, por ejemplo, un hexágono estirado o similar.
30
[0041] Sobre el guía-ondas se aplica otra capa de “cladding” (24) y, eventualmente, se dispone otra capa de recubrimiento (25). El substrato (20) y la capa de “cladding” (21) presentan preferentemente la misma dotación. La capa de “cladding” (24) y la capa de recubrimiento (25) presentan una dotación contraria. El guía-ondas tiene, por ejemplo, una anchura de 500 nm y puede denominarse, por lo tanto, LOC (Large Optical Cavity (“Cavidad óptica ancha”)). Las capas de “cladding” pueden comprender o estar compuestas, por ejemplo, de AlxGa(1-x)As. El 35 contenido en aluminio y el grosor de estas capas se pueden adaptar adecuadamente. El grosor puede ser, por ejemplo, de 1,6 micrometros.
[0042] En general, se pueden prever también capas dotadas de δ (δ-doped layers) en la zona activada, para conseguir altas potencias de láser. 40
[0043] El guía-ondas puede ser o comprender, por ejemplo, GaAs. También se le puede añadir aluminio, indio, fósforo o similares. Su vacío energético es inferior a la capa de “cladding” (21, 24). El material del guía-ondas (23a, 23b) es preferentemente de tipo no dotado.
45
[0044] Si los puntos cuánticos están formados, por ejemplo, por InGaAs, también podrán estar formados dentro de pozos cuánticos de InGaAs, siempre que el contenido en indio sea muy superior en los puntos.
[0045] Los pozos cuánticos (23) también pueden estar conformados sin puntos cuánticos. Por ejemplo, se puede prever en este caso GaInAsN como material de la capa. Estas capas de material pueden estar dispuestas entre 50 GaAs y/o GaInAs. Tanto los materiales de los pozos cuánticos, como también las barreras intermedias, pueden estar adaptados con antimonio (Sb) o fósforo. Debido a ello, se puede ajustar más exactamente la longitud de onda deseada.
[0046] En lugar de GaInAsN también se puede utilizar GaInAsP como pozo cuántico o material de punto cuántico. 55
[0047] En la figura 6 se muestra un espectro típico de la luz que emite el dispositivo de láser. En la figura 6 se ha aplicado la intensidad en unidades arbitrarias a través de la longitud de ondas en nanómetros. El espectro allí mostrado tiene una semianchura de 10 nanómetros y una longitud de onda central de 1320 nm.
60

Claims (22)

  1. REIVINDICACIONES
    1. Dispositivo para la cirugía láser que comprende:
    un láser (13) y medios (12, 8) para acoplar la luz del láser (13) en una fibra óptica (11, 3), caracterizado porque el 5 láser (13) es un láser de estado sólido que puede emitir luz de láser (15) que tiene a la máxima intensidad una longitud de onda en la franja entre 1200 y 1330 nm, teniendo el láser como mínimo una potencia de salida de 50 W y siendo el láser de estado sólido un láser semiconductor.
  2. 2. Dispositivo, según la reivindicación 1, caracterizado porque la franja de longitud de onda a la máxima intensidad 10 se sitúa por encima de 1250, 1275, 1300, 1308 ó 1310 nm.
  3. 3. Dispositivo, según la reivindicación 1 ó 2, caracterizado porque a la máxima intensidad la franja de longitud de onda se sitúa por debajo de 1325, 1300, 1275, 1250, ó 1225 nm.
    15
  4. 4. Dispositivo, según una de las reivindicaciones 1 a 3, caracterizado porque la anchura a media altura espectral de la luz del láser es, como mínimo, de 2, 3, 4, 5, 7, 10, 12 ó 15 nm.
  5. 5. Dispositivo, según una de las reivindicaciones 1 a 4, caracterizado porque la anchura a media altura espectral de la luz del láser es, como máximo, de 2, 3, 4, 5, 7, 10, 12, 15, 20, 25, 30, ó 40 nm. 20
  6. 6. Dispositivo, según una de las reivindicaciones 1 a 5, caracterizado porque la potencia de salida del láser (13) es, como mínimo, de 60, 70, 80, 90 ó 100 W.
  7. 7. Dispositivo, según una de las reivindicaciones 1 a 6, caracterizado porque el láser (13) es un láser de onda 25 continua o un láser pulsado (13).
  8. 8. Dispositivo, según una de las reivindicaciones 1 a 7, caracterizado porque el láser (13) comprende varios elementos láser (14), tal como al menos o exactamente 15, 19, 20, 25, 30, 35, 38, 40, 50, 60, 70, 80, 90, 100, 120 ó 150 elementos láser. 30
  9. 9. Dispositivo, según la reivindicación 8, caracterizado porque hay medios (12) destinados para acoplar la luz del láser de cada uno de los elementos láser (14) en una fibra óptica común (10).
  10. 10. Dispositivo, según una de las reivindicaciones 1 a 9, caracterizado porque el láser (13) o los elementos láser (14) 35 son o comprenden láseres de punto cuántico y/o láseres de pozo cuántico.
  11. 11. Dispositivo, según la reivindicación 10, caracterizado porque los láseres de punto cuántico comprenden GaAs y AlGaAs, o bien comprenden InP y AlGaAsP.
    40
  12. 12. Dispositivo, según la reivindicación 10 ó 11, caracterizado porque el láser o los láseres de punto cuántico comprenden puntos cuánticos dentro de un pozo cuántico (23) o en el exterior de un pozo cuántico o dentro de un material de guía-ondas sin pozo cuántico.
  13. 13. Dispositivo, según una de las reivindicaciones 10 a 12, caracterizado porque los puntos cuánticos comprenden 45 GaxIn(1-x)As, GaxIn(1-x)Asy P(1-y), GaxIn(1-x)AsyN(1-y) y/o GaxIn(1-x)Sb o están formados por ellos, donde (x) y/o (y) pueden adoptar valores de 0 hasta 1.
  14. 14. Dispositivo, según una de las reivindicaciones 1 a 13, caracterizado porque el guía-ondas (22) del láser semiconductor tiene una anchura de, como mínimo, 200, 250, 300, 400, 500 ó 600 nm. 50
  15. 15. Dispositivo, según una de las reivindicaciones 1 a 14, caracterizado porque el guía-ondas (22) comprende GaxIn(1-x)AsuPvNwSb(1-u-v-w) o está formado por los mismos, donde (x), (u), (v) y (w) pueden adoptar los valores 0 hasta 1, y todos los valores intermedios o valores de todos los intervalos intermedios posibles, y donde u+v+w es inferior o igual a 1. 55
  16. 16. Dispositivo, según la reivindicación 10, caracterizado porque el láser de pozo cuántico comprende un pozo cuántico (23) que comprende GauIn(1-u)AsxNyP(1-x-y) o está formado por éste, donde (y) puede adoptar los valores 0 hasta 1, o todos los valores intermedios o valores de todos los intervalos intermedios posibles, mientras se cumpla x+y ≤ 1. 60
  17. 17. Dispositivo, según una de las reivindicaciones 1 a 16, caracterizado porque se prevé un acoplamiento (8) para conectar de forma desmontable una fibra óptica (3).
  18. 18. Dispositivo, según una de las reivindicaciones 1 a 17, caracterizado porque el dispositivo comprende una fibra óptica desmontable (3).
  19. 19. Dispositivo, según la reivindicación 18, caracterizado porque la fibra óptica (3) comprende una empuñadura (4). 5
  20. 20. Dispositivo, según una de las reivindicaciones 18 o 19, caracterizado porque en el extremo distal de la fibra óptica (3) se prevé una óptica (7) con la que se puede crear un foco de luz a una distancia (d) de 1 hasta 6 cm, preferentemente de 1 hasta 5 cm, y más preferentemente de 1,5 a 3 cm, del extremo de la fibra óptica, siendo la óptica preferentemente intercambiable. 10
  21. 21. Dispositivo, según la reivindicación 20, caracterizado porque la óptica genera un foco con una anchura a media altura (b) de 0,2 hasta 0,7 mm, preferentemente de 0,3 hasta 0,6 mm y más preferentemente de 0,4 hasta 0,5 mm.
  22. 22. Dispositivo, según una de las reivindicaciones 1 a 21, caracterizado porque se prevé un dispositivo de 15 refrigeración por aire (5) para refrigerar el láser con aire frío.
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