EP4352652A1 - Method for manufacturing a smartcard module and smartcard module obtained using this method - Google Patents

Method for manufacturing a smartcard module and smartcard module obtained using this method

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EP4352652A1
EP4352652A1 EP22733905.8A EP22733905A EP4352652A1 EP 4352652 A1 EP4352652 A1 EP 4352652A1 EP 22733905 A EP22733905 A EP 22733905A EP 4352652 A1 EP4352652 A1 EP 4352652A1
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EP
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layer
dielectric material
smart card
conductive layer
card module
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Application number
EP22733905.8A
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German (de)
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Inventor
Eric Eymard
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Eyco SAS
Original Assignee
Eyco SAS
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Publication date
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Definitions

  • the present invention relates to a method of manufacturing a smart card module, as well as a smart card module obtained by said method. More generally, the invention relates to the manufacture of a smart card module integrating at least one component in the thickness of the printed circuit of said module.
  • the module of a card consists of a contact grid on which is connected an integrated circuit (also called a "chip"), said module being inserted into the card so that the integrated circuit is inside said card with the contacts flush with the surface of the card.
  • the contact grid is made using a single or double-sided flexible printed circuit manufacturing technique, one engraved side of which corresponds to the contact grid and the other side is used to receive and connect the chip to the contact grid.
  • the chip is connected to the printed circuit, according to a technique using a connection by gold wire (better known under the English term "Wire-Bonding") or according to a technique of direct soldering of the chip turned over on the printed circuit (better known under the English term "Flip-Chip").
  • the module thus produced corresponds to a rectangular printed circuit pad having a thickness of between 150 and 200 micrometers having a protrusion of the order of 300 to 400 micrometers in the center of the face opposite the contact grid.
  • application US 2004/256150 illustrates the production of a printed circuit for a chip card module intended to receive a chip according to the so-called Flip-Chip technique.
  • US Patent 6,319,827 discloses a technique for placement of an NFC antenna on a chip intended to be placed in a smart card module according to the so-called Wire-Bonding technique.
  • the module In order to place the module in a smart card, the latter must comprise a first cavity having the shape of the rectangular pad and the thickness of the printed circuit and a second cavity placed in the center of the first cavity to receive the protrusion of the module so that the contact grid is flush with the surface of the card.
  • first and second cavities can be made by machining or by molding.
  • the thickness of a smart card being 800 micrometers, this creates a fragile zone at the level of the module which can also present a perceptible deformation after assembly.
  • the production of the double cavity has a non-negligible cost.
  • the thickness of the smart card requires a printed circuit having a thickness of less than 200 micrometers in order to make it possible to receive the integrated circuit and its protective layer over a thickness of less than 400 micrometers.
  • the realization of such a thin printed circuit requires reducing all the thicknesses of the layers constituting the printed circuit, which makes it very flexible and limits the size of the chip to prevent it from breaking following a bending not supported by the silicon constituting the integrated circuit.
  • the invention proposes a method for manufacturing a smart card module which integrates a component, such as for example a silicon chip, in the thickness of its printed circuit. Thanks to such a method, it becomes possible to produce a chip card module of uniform thickness, without protuberance, the thickness of which is less than the thickness of a module of the state of the art. Since the printed circuit is thicker than the printed circuits of the state of the art, the latter can be less flexible and allow the use of chips with a larger surface area. In addition, since the chip is placed and connected during the manufacture of the printed circuit, the manufacturing costs of the module are thereby reduced. [0010] More particularly, the invention proposes a method for manufacturing a smart card module which comprises the steps of: - supply of a first metal sheet comprising at least one registration mark,
  • the steps of depositing the first and second conductive layers can be carried out simultaneously and comprise a step of depositing an ignition conductive material on the first layer of dielectric material and in the openings, followed by a step of electro-deposition of copper.
  • the step of depositing the first conductive layer can be done by depositing a second metal sheet prior to the hot rolling step and the step of making openings simultaneously creates openings in the first layer of dielectric material and in the second metal sheet.
  • the step of making openings can be done by laser.
  • the dielectric material can be chosen from one of the following materials: polyester, epoxy resin, polyimide.
  • the first layer of dielectric material may be a thermosetting material deposited in the liquid or pasty phase and in which the method comprises a hot rolling step in order to flatten and harden the first layer of dielectric material.
  • the hot rolling step can be carried out using a press having a control of the pressing height.
  • the step of etching the first metal sheet and the first conductive layer may include the steps of:
  • said method may comprise the following steps:
  • the step of etching the third conductive layer may include the steps of:
  • the invention proposes a smart card module comprising a first metal layer and a second metal layer enclosing a layer of dielectric material, the first metal layer defining a contact grid intended to be flush with the surface of a smart card, the second metal layer being etched with patterns defining metal conductors for connecting contact pads of an integrated circuit to the contact grid through openings made in the layer of dielectric material, characterized in that that the integrated circuit is placed between the first and second metal layers inside the layer of dielectric material.
  • the module may comprise a third metal layer separated from the second metal layer by a second dielectric layer, the second metal layer being between the first and third metal layers.
  • FIG.1 shows a copper strip serving as the basis for the production of a smart card module strip according to the method according to the invention
  • FIG.3a] and [Fig.3b] show a strip of smart card modules produced by the method according to the invention
  • [0027] [Fig.4a], [Fig.4b], [Fig.4c], [Fig.4d] and [Fig.4e] illustrate the steps of a second embodiment of the method according to the invention
  • smart card module refers to a module intended to be inserted into a cavity of a smart card body and which comprises at least one chip connected to a contact grid intended to be flush with the surface of said smart card.
  • the manufacturing method of the invention is particularly advantageous for the production of smart card modules continuously on strips of several meters, or even several tens of meters, the width of which is generally from 35 to 150 millimeters.
  • the description mainly refers to the manufacture of a smart card module on 35 millimeter tapes but can be implemented on wider tapes.
  • the method according to the invention begins with the supply of a metal foil.
  • the metal sheet is for example a copper strip 10 35 millimeters wide, shown in Figure 1.
  • the copper strip 10 has perforations 11 and 12 on the edges which are intended to allow a controlled advance on a production line. Some perforations 12 are wider in order to serve as registration marks making it possible to define the position of the modules on the strip metallic.
  • the registration marks 12 are used in particular in the method according to the invention to precisely define placement or machining positions.
  • all the perforations are registration marks.
  • the registration marks can also be distinct from the perforations used to advance the strip. According to the invention, it is important to have at least one registration mark on the metal strip from which the manufacturing process is implemented.
  • the metal strip 10 is for example a copper strip whose thickness is for example 35 ⁇ m to produce a smart card module.
  • a person skilled in the art may at leisure use a material other than copper, such as steel or aluminum for example, and the thickness of the metal strip 10 may vary depending on the applications for which the module is intended.
  • Figures 2a to 2h illustrate the different steps implemented according to a first embodiment of the method.
  • the metal strip 10 is positioned under a component placement tool.
  • the position of the strip being marked by the placement tool using the registration mark 12, the tool carries out a step of depositing and gluing an electronic component 20 at a location localized with respect to the mark of identification.
  • the electronic component 20 is an integrated circuit of the thinned silicon chip type cut directly from a wafer having a thickness for example of the order of 150 ⁇ m.
  • the bonding of the electronic component 20 is carried out according to a known technique using a thin layer adhesive 21 commonly used for the manufacture of smart card modules.
  • Other bonding techniques can be used provided the thickness of the adhesive layer is of the same order of magnitude.
  • Figure 2b illustrates a next step of depositing a layer of a dielectric material 30.
  • the dielectric material 30 can be epoxy resin, polyimide, polyester or any other material commonly used as a dielectric material.
  • the dielectric material 30 is deposited in the liquid or so-called pasty phase, that is to say that the liquid phase has a sufficient viscosity not to creep without stress, the viscosity depending on the thickness of the material. dielectric deposited.
  • the deposition of the dielectric material is carried out during the advance of the strip 10 with a flow rate of liquid material calculated to obtain a desired thickness.
  • the flow rate is controlled to obtain a thickness of the order of 200 ⁇ m on the part of the strip which does not include the chip and of the order of 35 ⁇ m on the electronic component.
  • the dielectric layer can then be UV cured or heat cured.
  • thermosetting type dielectric material In order to obtain better control of the thickness of the dielectric layer 30, it is preferred to use a thermosetting type dielectric material and to carry out hot rolling by controlling the pressing height in order to flatten and to harden said dielectric layer 30. As such, it is possible to deposit a release film on the dielectric layer in pasty phase and then to laminate the whole hot. The release film is removed after hot rolling.
  • the hot rolling can be done by moving the strip 10 covered with the dielectric layer 30 and the release film between cylinders separated by a predetermined distance corresponding to the desired distance for the dielectric layer 30.
  • the use of cylinders can create stress on a silicon chip which risks damaging it if the thickness of the dielectric material is low.
  • a hot rolling technique using a controlled height press such as for example described in the French patent application filed on March 29, 2021 under number 2103188.
  • a technique consists in stopping the scrolling of the strip 10 under a press which descends vertically to a predetermined height in order to apply pressure and heat to harden the dielectric material. The press is then opened and the strip 10 advances over a distance allowing the pressing zone to be changed.
  • a dielectric layer 30 of controlled thickness which is relatively flat.
  • the dielectric layer 30 having been hardened, a step of making openings 40 is then carried out, as illustrated in FIG. 2c.
  • the realization of the openings 40 is practiced for example using a YAG type laser which will vaporize the dielectric material at locations corresponding to contact locations.
  • the contact locations are located relative to the registration mark so that the openings correspond to the contact pads of the integrated circuit 20 and to locations where it is desired to make contact with the metal strip 10.
  • the location of the location of the contact terminals of the integrated circuit 20 can also be done by a position reading by X-rays.
  • a deposition of a conductive layer 50 is carried out as illustrated in Figure 2d.
  • the conductive layer 50 is deposited to cover the whole of the dielectric layer 30 and to fill the openings 40.
  • the conductive layer 50 is deposited in two stages. Initially, a deposit of conductive starter material is deposited over the entire surface then an electro-deposition of more conductive metal, for example copper, is then carried out on the layer of conductive starter material to improve the conductivity of the conductive layer 50.
  • the conductive primer material can be of different nature and the deposition method can vary depending on the material.
  • the initiating conductive material is for example carbon, graphite or palladium and the deposition is carried out by immersing the strip in a bath containing the initiating conductive material so that the latter is deposited on the dielectric layer 30. Once the dielectric layer 30 is covered with a thin layer of conductive material, the strip is taken into a second bath to carry out the electro-deposition until a copper layer thickness is obtained around 35pm.
  • the conductive layer 50 thus produced is connected to the metal strip 10 and to the contact areas of the chip 20.
  • the conductive layer 50 can be made by sputtering a metal under vacuum. Cathodic sputtering can be used for the deposition of a conductive seed layer or to completely deposit the conductive layer 50. However, the implementation of a deposition by cathodic sputtering is more expensive to implement, in particular if the amount of metal to be deposited is significant.
  • a step of etching the conductive layer 50 and the metal strip 10 is then carried out according to a known technique.
  • the etching step is carried out by photolithography and acid etching.
  • other etching methods could be used.
  • layers 60 of photosensitive material are deposited on the metal layer 50 and on the lower surface of the metal strip 10.
  • the parts 70 to be removed from the photosensitive layers 60 are then exposed to the UV using a mask, not shown, then these parts 70 are removed, as shown in FIG. 2f.
  • the strip is then passed through an acid bath in order to make openings 80 in the metal strip 10 and in the conductive layer 50.
  • the rest of the photosensitive layers 60 is then completely removed, leaving visible on the rear face of the module, shown in FIG. 3a, an antenna 90 and the metal conductors 91 which connect the contact pads of the integrated circuit to the contact grid. 92 of the front of the module, shown in Figure 3b.
  • the modules thus produced have a thickness which is for example 270 ⁇ m, which is much less than the thickness of the modules of the state of the art. Those skilled in the art can use greater thicknesses of metal and dielectric material if they wish to have a more rigid module, while being able to obtain a module thickness less than a module of the state of the art. In addition, the module being flat, the machining of the smart card is simplified.
  • FIG. 4a illustrates the removal and gluing of an integrated circuit 20 onto the metal strip 10, identically to what is produced in FIG. 2a. Then a layer of a dielectric material 30 is deposited in the liquid phase to cover the metal strip 10 and the integrated circuit 20, as shown in Figure 4b.
  • the dielectric material is a thermosetting material whose viscosity is high enough to prevent creep under the effect of its own weight.
  • a second metal strip 51 is deposited on the layer of dielectric material 30 before a hot rolling step.
  • the second metal strip 51 is for example a copper strip 35 mm thick which makes it possible to avoid the use of a release film.
  • the hot rolling is carried out using a press with a controlled pressing height to roll the two metal strips 10 and 51 enclosing the layer of dielectric material 30 and to heat the assembly until the dielectric layer crosslinks.
  • a step of making openings is carried out, as illustrated in FIG. 5d.
  • the production of openings 40 is carried out for example using a YAG type laser which will vaporize the metal of the second metal strip 51 and the dielectric material at locations corresponding to contact locations.
  • the contact locations are located relative to the registration mark so that the openings correspond to the contact pads of the integrated circuit 20 and to locations where it is desired to make contact with the metal strip 10.
  • a deposition of a conductive layer 52 is carried out as illustrated in Figure 5e.
  • the conductive layer 52 is deposited to fill the openings 40.
  • the conductive layer 52 is deposited locally by cathode sputtering of metal or by any other metallization method making it possible to control the location of the metal deposit.
  • a step of etching the metal strips 10 and 51 is then carried out according to a known technique.
  • the etching step is performed by photolithography and acid etching as illustrated using Figures 2e to 2h.
  • the second exemplary embodiment has fewer manufacturing steps, although the production of the metallization of the openings is more complex.
  • this second example allows to obtain a better surface finish for the conductors located on the rear part of the module.
  • the chip card module produced according to one of the two embodiments comprises a near-field antenna 90 whose size is limited at the center by the metal conductors 91.
  • this is connected to contacts C4 and C8 of the contact grid, which is only possible for modules with eight contacts.
  • the advantage of obtaining such a thin module also makes it possible to add a third conductive layer while having a thickness less than the thickness of a state-of-the-art module.
  • the use of a third conductive layer makes it possible to produce an antenna on the third layer without the latter being limited by the metallic conductors or requiring it to be connected to contact pads.
  • FIGs 5a to 5f illustrate an embodiment of a method for adding a third conductive layer to a module according to the invention.
  • an etched module obtained from one of the previous examples is provided as a strip.
  • Such a module has for example a thickness of 270 ⁇ m.
  • a layer of dielectric material 530 is deposited on the metal layer 50 in the liquid phase over a thickness of around 60 ⁇ m.
  • the dielectric layer is then hot rolled to be hardened in the same way as described in the first embodiment in relation to FIG. 2b.
  • the hot rolling height is set to reduce the layer to 50 ⁇ m in thickness so that the layer of dielectric material fills the openings 80 of the metallic layer 50 well.
  • openings 540 are then made in the dielectric layer 530
  • the realization of the openings 540 is performed for example using a YAG type laser which will vaporize the dielectric material at locations corresponding to contact locations.
  • the contact locations are located relative to the registration mark such that the openings correspond to conductor areas of the metal layer 50 for which electrical contact is desired with the third metal layer.
  • a deposition of a conductive layer 550 is performed as illustrated in Figure 5c.
  • the conductive layer 550 is deposited to completely cover the dielectric layer 530 and to fill the openings 540.
  • the conductive layer 550 is deposited in two stages. Initially, a starting conductive material is deposited over the entire surface then an electro-deposition of metal, for example copper, is then carried out on the carbon layer to improve the conductivity of the conductive layer 550. electro-deposition is carried out until a copper layer thickness of around 35 ⁇ m is obtained.
  • the conductive layer 550 thus produced is connected to conductor areas of the metal layer 50 which allow interconnection to the metal strip 10 and/or to the contact areas of the chip 20.
  • the conductive layer 550 is then etched, as shown in Figure 5d.
  • the step of etching the conductive layer 550 is carried out according to a known technique. As a preferred example, the etching step is carried out by photolithography and acid etching. Layers 560 of photosensitive material are deposited on the metal layer 550 and on the lower surface of the metal strip 10. However, only the photosensitive layer 560 deposited on the metal layer 550 is exposed to UV using a mask, the photosensitive layer 560 deposited on the metal strip serving only as protection for the metal strip 10 during the acid bath. During the passage of the strip in the acid bath, openings 580 are made in the conductive layer 550.
  • the photosensitive layers 560 are then completely removed using a solvent, as shown in Figure 5e.
  • the rear face of the module can include an antenna 590 connected to metal conductors 91 located on the metal layer 50.
  • the module thus produced although having three metal layers, has a thickness of 345 ⁇ m, which is very less than a state-of-the-art module.
  • the method of the invention is not limited to the manufacture of smart card module comprising a single chip.
  • One or more active or passive components can also be placed in the dielectric layer, it will be appropriate to adapt the thickness of the dielectric layer to the height of the thickest component.

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Abstract

The invention relates to a method for manufacturing a smartcard module wherein an electronic component (20) is mounted on an upper face of a metal foil (10) and then covered with a first layer of dielectric material (30). Openings are made in the first layer of hardened dielectric material (30) and then everything is covered with a conducting layer (50) that fills the openings. The metal foil (10) and the conducting layer (50) are etched so as to create patterns of conductors. The invention also relates to a smartcard module in which an integrated circuit (20) is placed between a first (10) and a second (50) metallic layer inside a layer of dielectric material (30). The invention also relates to the smartcard module thus obtained.

Description

Description Description
Titre de l'invention : Procédé de fabrication d’un module de carte à puce et module de carte à puce obtenu par ledit procédé. Title of the invention: Process for manufacturing a smart card module and smart card module obtained by said process.
[0001][Domaine Technique [0001][Technical Domain
[0002] La présente invention se rapporte à un procédé de fabrication d’un module de carte à puce, ainsi qu’un module de carte à puce obtenu par ledit procédé. Plus généralement, l’invention se rapporte à la fabrication de module de carte à puce intégrant au moins un composant dans l’épaisseur du circuit imprimé dudit module. The present invention relates to a method of manufacturing a smart card module, as well as a smart card module obtained by said method. More generally, the invention relates to the manufacture of a smart card module integrating at least one component in the thickness of the printed circuit of said module.
[0003] Arrière-Plan Technologique [0003] Technological Background
[0004] Dans le domaine des cartes à puce, le module d’une carte est constitué d’une grille de contacts sur laquelle est connectée un circuit intégré (également appelé « puce »), ledit module étant inséré dans la carte de sorte que le circuit intégré se trouve à l’intérieur de ladite carte avec les contacts affleurant sur la surface de la carte. La grille de contacts est réalisée selon une technique de fabrication de circuit imprimé flexible simple ou double face dont une face gravée correspond à la grille de contacts et l’autre face sert à recevoir et connecter la puce à la grille de contacts. La puce est connectée au circuit imprimé, selon une technique utilisant une connexion par fil d’or (plus connue sous le terme anglais « Wire- Bonding ») ou selon une technique de soudure directe de la puce retournée sur le circuit imprimé (plus connue sous le terme anglais « Flip-Chip »). Une fois la puce connectée, celle-ci est recouverte d’une résine afin de la protéger, selon une technique permettant de contrôler l’épaisseur de résine. Le module ainsi réalisé correspond à une pastille rectangulaire de circuit imprimé ayant une épaisseur comprise entre 150 et 200 micromètres disposant d’une protubérance de l’ordre de 300 à 400 micromètres au centre de la face opposée à la grille de contacts. [0004] In the field of smart cards, the module of a card consists of a contact grid on which is connected an integrated circuit (also called a "chip"), said module being inserted into the card so that the integrated circuit is inside said card with the contacts flush with the surface of the card. The contact grid is made using a single or double-sided flexible printed circuit manufacturing technique, one engraved side of which corresponds to the contact grid and the other side is used to receive and connect the chip to the contact grid. The chip is connected to the printed circuit, according to a technique using a connection by gold wire (better known under the English term "Wire-Bonding") or according to a technique of direct soldering of the chip turned over on the printed circuit (better known under the English term "Flip-Chip"). Once the chip is connected, it is covered with a resin to protect it, using a technique to control the thickness of the resin. The module thus produced corresponds to a rectangular printed circuit pad having a thickness of between 150 and 200 micrometers having a protrusion of the order of 300 to 400 micrometers in the center of the face opposite the contact grid.
[0005] A titre d’exemple, la demande US 2004/256150 illustre la réalisation d’un circuit imprimé pour module de carte à puce destiné à recevoir une puce selon la technique dite Flip-Chip. Le brevet US 6,319,827 divulgue une technique de placement d’antenne NFC sur une puce destiné à être placée dans un module de carte à puce selon la technique dite Wire-Bonding. [0005] By way of example, application US 2004/256150 illustrates the production of a printed circuit for a chip card module intended to receive a chip according to the so-called Flip-Chip technique. US Patent 6,319,827 discloses a technique for placement of an NFC antenna on a chip intended to be placed in a smart card module according to the so-called Wire-Bonding technique.
[0006] Afin de placer le module dans une carte à puce, celle-ci doit comprendre une première cavité ayant la forme de la pastille rectangulaire et l’épaisseur du circuit imprimé et une deuxième cavité placée au centre de la première cavité pour recevoir la protubérance du module de sorte que la grille de contacts affleure à la surface de la carte. De telles première et deuxième cavités peuvent être réalisées par usinage ou par moulage. L’épaisseur d’une carte à puce étant de 800 micromètres cela crée une zone fragile au niveau du module qui peut en outre présenter une déformation perceptible après assemblage. En outre, la réalisation de la double cavité présente un coût non négligeable. In order to place the module in a smart card, the latter must comprise a first cavity having the shape of the rectangular pad and the thickness of the printed circuit and a second cavity placed in the center of the first cavity to receive the protrusion of the module so that the contact grid is flush with the surface of the card. Such first and second cavities can be made by machining or by molding. The thickness of a smart card being 800 micrometers, this creates a fragile zone at the level of the module which can also present a perceptible deformation after assembly. In addition, the production of the double cavity has a non-negligible cost.
[0007] Par ailleurs, l’épaisseur de la carte à puce nécessite un circuit imprimé ayant une épaisseur inférieure à 200 micromètres afin de permettre de recevoir le circuit intégré et sa couche de protection sur une épaisseur inférieure à 400 micromètres. La réalisation d’un circuit imprimé aussi fin nécessite de réduire toutes les épaisseurs des couches constituant le circuit imprimé, ce qui le rend très flexible et limite la taille de la puce pour éviter que celle-ci casse suite à une flexion non supportée par le silicium constituant le circuit intégré. [0007] Furthermore, the thickness of the smart card requires a printed circuit having a thickness of less than 200 micrometers in order to make it possible to receive the integrated circuit and its protective layer over a thickness of less than 400 micrometers. The realization of such a thin printed circuit requires reducing all the thicknesses of the layers constituting the printed circuit, which makes it very flexible and limits the size of the chip to prevent it from breaking following a bending not supported by the silicon constituting the integrated circuit.
[0008] Résumé de l’Invention [0009] L’invention propose un procédé de fabrication d’un module de carte à puce qui intègre un composant, tel que par exemple une puce de silicium, dans l’épaisseur de son circuit imprimé. Grâce à un tel procédé, il devient possible de réaliser un module de carte à puce d’épaisseur homogène, sans protubérance, dont l’épaisseur est inférieure à l’épaisseur d’un module de l’état de la technique. Le circuit imprimé étant plus épais que les circuits imprimés de l’état de la technique, celui-ci peut être moins flexible et permettre l’utilisation de puce de plus grande surface. En outre la puce étant placée et connectée durant la fabrication du circuit imprimée, les coûts de fabrication du module s’en trouvent diminués. [0010] Plus particulièrement l’invention propose un procédé de fabrication d’un module de carte à puce qui comporte les étapes de : - fourniture d’une première feuille métallique comprenant au moins une marque de repérage, [0008] Summary of the Invention [0009] The invention proposes a method for manufacturing a smart card module which integrates a component, such as for example a silicon chip, in the thickness of its printed circuit. Thanks to such a method, it becomes possible to produce a chip card module of uniform thickness, without protuberance, the thickness of which is less than the thickness of a module of the state of the art. Since the printed circuit is thicker than the printed circuits of the state of the art, the latter can be less flexible and allow the use of chips with a larger surface area. In addition, since the chip is placed and connected during the manufacture of the printed circuit, the manufacturing costs of the module are thereby reduced. [0010] More particularly, the invention proposes a method for manufacturing a smart card module which comprises the steps of: - supply of a first metal sheet comprising at least one registration mark,
- dépose et collage d’au moins un composant électronique sur une face supérieure de ladite feuille métallique à un emplacement localisé par rapport à la au moins une marque de repérage, - depositing and gluing at least one electronic component on an upper face of said metal sheet at a localized location with respect to the at least one registration mark,
- dépôt d’une première couche de matériau diélectrique sur la face supérieure de la feuille métallique et sur le composant électronique, - deposition of a first layer of dielectric material on the upper face of the metal sheet and on the electronic component,
- réalisation d’ouvertures dans la première couche de matériau diélectrique durci,- creation of openings in the first layer of hardened dielectric material,
- dépôt d’une première couche conductrice recouvrant la totalité de la surface de la première couche de matériau diélectrique, - deposition of a first conductive layer covering the entire surface of the first layer of dielectric material,
- dépôt d’une deuxième couche conductrice remplissant les ouvertures, - deposition of a second conductive layer filling the openings,
- gravure de la première feuille métallique et de la première couche conductrice afin de réaliser des motifs de conducteurs, la gravure de la première feuille métallique formant une grille de contact de carte à puce. - etching of the first metal sheet and of the first conductive layer in order to produce patterns of conductors, the etching of the first metal sheet forming a chip card contact grid.
[0011] Selon un premier mode de réalisation, les étapes de dépôt des première et deuxième couches conductrices peuvent être réalisées simultanément et comprennent une étape de dépôt d’un matériau conducteur d’amorçage sur la première couche de matériau diélectrique et dans les ouvertures, suivie par une étape d’électro-dépôt de cuivre. [0011]According to a first embodiment, the steps of depositing the first and second conductive layers can be carried out simultaneously and comprise a step of depositing an ignition conductive material on the first layer of dielectric material and in the openings, followed by a step of electro-deposition of copper.
[0012] Selon un deuxième mode de réalisation, l’étape de dépôt de la première couche conductrice peut se faire par le dépôt d’une deuxième feuille métallique préalablement à l’étape de laminage à chaud et l’étape de réalisation d’ouvertures réalise simultanément des ouvertures dans la première couche de matériau diélectrique et dans la deuxième feuille métallique. According to a second embodiment, the step of depositing the first conductive layer can be done by depositing a second metal sheet prior to the hot rolling step and the step of making openings simultaneously creates openings in the first layer of dielectric material and in the second metal sheet.
[0013] Préférentiellement, l’étape de réalisation d’ouvertures peut se faire par laser. [0013]Preferably, the step of making openings can be done by laser.
[0014] Selon les choix de l’homme du métier, le matériau diélectrique peut être choisi parmi l’un des matériaux suivants : polyester, résine époxide, polyimide. [0014] Depending on the choice of those skilled in the art, the dielectric material can be chosen from one of the following materials: polyester, epoxy resin, polyimide.
[0015] Dans un mode de réalisation préféré, la première couche de matériau diélectrique peut être un matériau thermodurcissable déposé en phase liquide ou pâteuse et dans lequel le procédé comporte une étape de laminage à chaud afin d’aplanir et de durcir la première couche de matériau diélectrique. [0016] Afin de contrôler au mieux l’épaisseur du circuit imprimé, l’étape de laminage à chaud peut être réalisée à l’aide d’une presse disposant d’un contrôle de la hauteur de pressage. In a preferred embodiment, the first layer of dielectric material may be a thermosetting material deposited in the liquid or pasty phase and in which the method comprises a hot rolling step in order to flatten and harden the first layer of dielectric material. [0016] In order to better control the thickness of the printed circuit, the hot rolling step can be carried out using a press having a control of the pressing height.
[0017] Afin de graver le circuit imprimé par photolithographie, l’étape de gravure de la première feuille métallique et de la première couche conductrice peut comporter les étapes de : In order to etch the printed circuit by photolithography, the step of etching the first metal sheet and the first conductive layer may include the steps of:
- dépôt de couches photosensibles sur la première couche conductrice et sur la surface inférieure de la première feuille métallique, - deposition of photosensitive layers on the first conductive layer and on the lower surface of the first metal sheet,
- insolation des couches photosensibles avec un masque négatif des motifs définissant les parties à insoler, - exposure of the photosensitive layers with a negative pattern mask defining the parts to be exposed,
- retrait de la partie insolée des couches photosensibles, - removal of the exposed part of the photosensitive layers,
- attaque acide de la première couche conductrice et de la surface inférieure de la première feuille métallique sur les zones où les couches photosensibles insolées ont été retirées. - acid etching of the first conductive layer and of the lower surface of the first metal sheet on the areas where the exposed photosensitive layers have been removed.
[0018] Pour réaliser un ou plusieurs autres niveaux de métallisation à l’issue de l’étape de gravure de la première couche conductrice, ledit procédé peut comporter les étapes suivantes : To produce one or more other metallization levels after the step of etching the first conductive layer, said method may comprise the following steps:
- dépôt d’une deuxième couche de matériau diélectrique sur la première couche conductrice gravée, - deposition of a second layer of dielectric material on the first etched conductive layer,
- laminage à chaud afin d’aplanir et de durcir la deuxième couche de matériau diélectrique, - hot rolling to flatten and harden the second layer of dielectric material,
- réalisation d’ouvertures dans la deuxième couche de matériau diélectrique durci, - creation of openings in the second layer of hardened dielectric material,
- dépôt d’une troisième couche conductrice recouvrant la totalité de la surface la deuxième couche de matériau diélectrique, - deposition of a third conductive layer covering the entire surface of the second layer of dielectric material,
- dépôt d’une quatrième couche conductrice remplissant les ouvertures,- deposit of a fourth conductive layer filling the openings,
- gravure de la troisième couche conductrice afin de réaliser des motifs de conducteurs. - etching of the third conductive layer in order to produce patterns of conductors.
[0019] A l’image de la gravure des autres couches conductrices, l’étape de gravure de la troisième couche conductrice peut comporter les étapes de : Like the etching of the other conductive layers, the step of etching the third conductive layer may include the steps of:
- dépôt d’une couche photosensible sur la troisième couche conductrice,- depositing a photosensitive layer on the third conductive layer,
- insolation de la couche photosensible avec un masque définissant les parties à insoler, - exposure of the photosensitive layer with a mask defining the parts to be insolate,
- retrait de la partie insolée de la couche photosensible, - removal of the exposed part of the photosensitive layer,
- attaque acide de la troisième couche conductrice sur les zones où la couche photosensible insolée a été retirée. - acid etching of the third conductive layer on the areas where the exposed photosensitive layer has been removed.
[0020] Selon un autre aspect, l’invention propose un module de carte à puce comportant une première couche métallique et une deuxième couche métallique enserrant une couche de matériau diélectrique, la première couche métallique définissant une grille de contacts destinée à affleurer à la surface d’une carte à puce, la deuxième couche métallique étant gravée de motifs définissant des conducteurs métalliques pour relier des plots de contact d’un circuit intégré à la grille de contact à travers des ouvertures pratiquées dans la couche de matériau diélectrique, caractérisé en ce que le circuit intégré est placé entre les première et deuxième couches métalliques à l’intérieur de la couche de matériau diélectrique. According to another aspect, the invention proposes a smart card module comprising a first metal layer and a second metal layer enclosing a layer of dielectric material, the first metal layer defining a contact grid intended to be flush with the surface of a smart card, the second metal layer being etched with patterns defining metal conductors for connecting contact pads of an integrated circuit to the contact grid through openings made in the layer of dielectric material, characterized in that that the integrated circuit is placed between the first and second metal layers inside the layer of dielectric material.
[0021] Selon un mode de réalisation particulier, le module peut comporter une troisième couche métallique séparée de la deuxième couche métallique par une deuxième couche diélectrique, la deuxième couche métallique se trouvant entre les première et troisième couches métalliques. According to a particular embodiment, the module may comprise a third metal layer separated from the second metal layer by a second dielectric layer, the second metal layer being between the first and third metal layers.
[0022] Brève Description des figures [0022] Brief Description of Figures
[0023] L’invention sera mieux comprise et d’autres caractéristiques et avantages de celle-ci apparaîtront à la lecture de la description suivante de modes de réalisation particuliers de l’invention, donnés à titre d’exemples illustratifs et non limitatifs, et faisant référence aux dessins annexés, parmi lesquels : The invention will be better understood and other characteristics and advantages thereof will appear on reading the following description of particular embodiments of the invention, given by way of illustrative and non-limiting examples, and referring to the attached drawings, among which:
[0024] [Fig .1 ] montre une bande de cuivre servant de base à la réalisation d’une bande module de carte à puce selon le procédé selon l’invention, [0024] [Fig .1] shows a copper strip serving as the basis for the production of a smart card module strip according to the method according to the invention,
[0025] [Fig.2a], [Fig.2b], [Fig.2c], [Fig.2d], [Fig.2e], [Fig.2f], [Fig.2g] et [Fig.2h] illustrent les étapes d’un premier mode de réalisation du procédé selon l’invention, [0025] [Fig.2a], [Fig.2b], [Fig.2c], [Fig.2d], [Fig.2e], [Fig.2f], [Fig.2g] and [Fig.2h] illustrate the steps of a first embodiment of the method according to the invention,
[0026] [Fig.3a] et [Fig.3b] montrent une bande de modules de carte à puce réalisée par le procédé selon l’invention, [0027] [Fig.4a], [Fig.4b], [Fig.4c], [Fig.4d] et [Fig.4e] illustrent les étapes d’un deuxième mode de réalisation du procédé selon l’invention, [0026] [Fig.3a] and [Fig.3b] show a strip of smart card modules produced by the method according to the invention, [0027] [Fig.4a], [Fig.4b], [Fig.4c], [Fig.4d] and [Fig.4e] illustrate the steps of a second embodiment of the method according to the invention,
[0028] [Fig.5a], [Fig.5b], [Fig.5c], [Fig.5d] et [Fig.5e] illustrent les étapes d’une variante de réalisation du procédé selon l’invention, [0028] [Fig.5a], [Fig.5b], [Fig.5c], [Fig.5d] and [Fig.5e] illustrate the steps of an alternative embodiment of the method according to the invention,
[0029] Description détaillée [0029] Detailed Description
[0030] Dans la description qui va suivre plusieurs variantes de réalisation seront décrites. Afin de simplifier la description, les éléments se trouvant sur plusieurs figures utiliseront les mêmes repères et ne seront décrits qu’une seule fois. Dans les différentes variantes de réalisation il sera fait état uniquement des éléments modifiés par rapport à un exemple précédemment décrit. [0030] In the following description, several alternative embodiments will be described. In order to simplify the description, the elements found in several figures will use the same references and will only be described once. In the various variant embodiments, only the elements modified with respect to an example previously described will be mentioned.
[0031] Dans un but explicatif, les dessins ne sont pas faits à l’échelle afin de pouvoir représenter sur une même figure des détails qui ne pourraient pas être visibles si l’échelle était respectée. A cet effet, il convient de se reporter à la description pour avoir une idée plus précise des grandeurs représentées. [0031] For explanatory purposes, the drawings are not drawn to scale in order to be able to represent on the same figure details which could not be visible if the scale were respected. To this end, it is advisable to refer to the description to have a more precise idea of the quantities represented.
[0032] Afin de lever un éventuel doute d’interprétation, par module de carte à puce, le présent document fait référence à un module destiné à être inséré dans une cavité d’un corps de carte à puce et qui comporte au moins une puce reliée une grille de contact destinée à affleurer à la surface de ladite carte à puce. In order to remove any doubt of interpretation, by smart card module, this document refers to a module intended to be inserted into a cavity of a smart card body and which comprises at least one chip connected to a contact grid intended to be flush with the surface of said smart card.
[0033] Le procédé de fabrication de l’invention est particulièrement intéressant pour la réalisation de modules de carte à puce en continu sur des bandes de plusieurs mètres, voire plusieurs dizaines de mètres dont la largeur est généralement de 35 à 150 millimètres. Ainsi, la description fait principalement référence à la fabrication d’un module de carte à puce sur des bandes de 35 millimètres mais peut être mise en œuvre sur des bandes plus larges. The manufacturing method of the invention is particularly advantageous for the production of smart card modules continuously on strips of several meters, or even several tens of meters, the width of which is generally from 35 to 150 millimeters. Thus, the description mainly refers to the manufacture of a smart card module on 35 millimeter tapes but can be implemented on wider tapes.
[0034] Le procédé selon l’invention commence par la fourniture d’une feuille métallique. Afin de pouvoir produire une bande de modules, la feuille métallique est par exemple une bande de cuivre 10 de 35 millimètres de large, représentée sur la figure 1. La bande de cuivre 10 comporte des perforations 11 et 12 sur les bords qui sont destinées à permettre une avance contrôlée sur une chaîne de fabrication. Certaines perforations 12 sont plus larges afin de servir de marques de repérage permettant de définir la position des modules sur la bande métallique. Les marques de repérages 12 sont notamment utilisées dans le procédé selon l’invention pour définir avec précision des positions de placement ou d’usinage. The method according to the invention begins with the supply of a metal foil. In order to be able to produce a strip of modules, the metal sheet is for example a copper strip 10 35 millimeters wide, shown in Figure 1. The copper strip 10 has perforations 11 and 12 on the edges which are intended to allow a controlled advance on a production line. Some perforations 12 are wider in order to serve as registration marks making it possible to define the position of the modules on the strip metallic. The registration marks 12 are used in particular in the method according to the invention to precisely define placement or machining positions.
[0035] En variante, il est possible que toutes les perforations soient des marques de repérage. Notamment si les perforations sont espacées d’une distance correspondant à l’écart entre deux modules. A contrario, les marques de repérage peuvent également être distinctes des perforations servant à l’avancement de la bande. Selon l’invention, il est important de disposer d’au moins une marque de repérage sur la bande métallique à partir de laquelle le procédé de fabrication est mis en œuvre. [0035] Alternatively, it is possible that all the perforations are registration marks. In particular if the perforations are spaced by a distance corresponding to the gap between two modules. On the other hand, the registration marks can also be distinct from the perforations used to advance the strip. According to the invention, it is important to have at least one registration mark on the metal strip from which the manufacturing process is implemented.
[0036] La bande métallique 10 est par exemple une bande de cuivre dont l’épaisseur est par exemple de 35pm pour réaliser un module de carte à puce. L’homme du métier peut à loisir utiliser un autre matériau que le cuivre, tel que par exemple de l’acier ou de l’aluminium et l’épaisseur de la bande métallique 10 peut varier en fonction des applications auxquelles le module est destiné. [0036] The metal strip 10 is for example a copper strip whose thickness is for example 35 μm to produce a smart card module. A person skilled in the art may at leisure use a material other than copper, such as steel or aluminum for example, and the thickness of the metal strip 10 may vary depending on the applications for which the module is intended.
[0037] Les figures 2a à 2h illustrent les différentes étapes mises en œuvre selon un premier mode de réalisation du procédé. Sur la figure 2a, la bande métallique 10 est positionnée sous un outil de placement de composants. La position de la bande étant repérée par l’outil de placement à l’aide de la marque de repérage 12, l’outil réalise une étape de dépose et de collage d’un composant électronique 20 à un emplacement localisé par rapport à la marque de repérage. Dans le cas d’un module de carte à puce, le composant électronique 20 est un circuit intégré de type puce de silicium amincie directement découpée à partir d’un wafer ayant une épaisseur par exemple de l’ordre de 150pm. Le collage du composant électronique 20 est réalisé selon une technique connue utilisant un adhésif 21 en couche mince communément utilisé pour la fabrication de module de carte à puce. L’adhésif 21 , par exemple une goutte de colle époxy, est placé sur le composant 20 ou sur la bande 10, puis le composant 20 est placé sur la bande 10 et une pression est appliquée sur le composant réduisant la goutte de colle à une couche mince d’une épaisseur de l’ordre de 10pm à 20pm et assurant le collage sur la bande. D’autres techniques de collage peuvent être utilisées dès lors que l’épaisseur de la couche de colle est du même ordre de grandeur. [0038] La figure 2b illustre une étape suivante de dépôt d’une couche d’un matériau diélectrique 30. Le matériau diélectrique 30 peut être de la résine époxide, du polyimide, du polyester ou tout autre matériau communément utilisé comme matériau diélectrique. Selon un mode de réalisation préféré le matériau diélectrique 30 est déposé en phase liquide ou dite pâteuse, c’est-à-dire que la phase liquide présente une viscosité suffisante pour ne pas fluer sans contrainte, la viscosité dépendant de l’épaisseur de matériau diélectrique déposé. Le dépôt du matériau diélectrique est réalisé lors de l’avance de la bande 10 avec un débit de matériau liquide calculé pour obtenir une épaisseur désirée. Pour un module de carte à puce, le débit est contrôlé pour obtenir une épaisseur de l’ordre de 200pm sur la partie de la bande qui ne comporte pas la puce et de l’ordre de 35pm sur le composant électronique. La couche diélectrique peut ensuite être réticulée aux UV ou thermodurcie. Figures 2a to 2h illustrate the different steps implemented according to a first embodiment of the method. In Figure 2a, the metal strip 10 is positioned under a component placement tool. The position of the strip being marked by the placement tool using the registration mark 12, the tool carries out a step of depositing and gluing an electronic component 20 at a location localized with respect to the mark of identification. In the case of a chip card module, the electronic component 20 is an integrated circuit of the thinned silicon chip type cut directly from a wafer having a thickness for example of the order of 150 μm. The bonding of the electronic component 20 is carried out according to a known technique using a thin layer adhesive 21 commonly used for the manufacture of smart card modules. The adhesive 21, for example a drop of epoxy glue, is placed on the component 20 or on the strip 10, then the component 20 is placed on the strip 10 and pressure is applied to the component reducing the drop of glue to a thin layer with a thickness of the order of 10 μm to 20 μm and providing bonding to the strip. Other bonding techniques can be used provided the thickness of the adhesive layer is of the same order of magnitude. Figure 2b illustrates a next step of depositing a layer of a dielectric material 30. The dielectric material 30 can be epoxy resin, polyimide, polyester or any other material commonly used as a dielectric material. According to a preferred embodiment, the dielectric material 30 is deposited in the liquid or so-called pasty phase, that is to say that the liquid phase has a sufficient viscosity not to creep without stress, the viscosity depending on the thickness of the material. dielectric deposited. The deposition of the dielectric material is carried out during the advance of the strip 10 with a flow rate of liquid material calculated to obtain a desired thickness. For a chip card module, the flow rate is controlled to obtain a thickness of the order of 200 μm on the part of the strip which does not include the chip and of the order of 35 μm on the electronic component. The dielectric layer can then be UV cured or heat cured.
[0039] Afin d’obtenir un meilleur contrôle de l’épaisseur de la couche diélectrique 30, il est préféré d’utiliser un matériau diélectrique de type thermodurcissable et de réaliser un laminage à chaud en contrôlant la hauteur de pressage afin d’aplanir et de durcir ladite couche diélectrique 30. A ce titre, il est possible de déposer un film démoulant sur la couche diélectrique en phase pâteuse puis de laminer le tout à chaud. Le film démoulant est retiré après le laminage à chaud. [0040] Le laminage à chaud peut de faire en déplaçant la bande 10 recouverte de la couche diélectrique 30 et du film démoulant entre des cylindres séparés par une distance prédéterminée correspondant à la distance souhaitée pour la couche diélectrique 30. Cependant l’utilisation de cylindres peut créer une contrainte sur une puce de silicium qui risque de l’endommager si l’épaisseur de matériau diélectrique est faible. In order to obtain better control of the thickness of the dielectric layer 30, it is preferred to use a thermosetting type dielectric material and to carry out hot rolling by controlling the pressing height in order to flatten and to harden said dielectric layer 30. As such, it is possible to deposit a release film on the dielectric layer in pasty phase and then to laminate the whole hot. The release film is removed after hot rolling. The hot rolling can be done by moving the strip 10 covered with the dielectric layer 30 and the release film between cylinders separated by a predetermined distance corresponding to the desired distance for the dielectric layer 30. However, the use of cylinders can create stress on a silicon chip which risks damaging it if the thickness of the dielectric material is low.
[0041] Dans le cas d’un module de carte à puce, on souhaite avoir une épaisseur la plus faible possible. Aussi, il est préféré d’utiliser une technique de laminage à chaud utilisant une presse à hauteur contrôlée telle que par exemple décrite dans la demande de brevet français déposée le 29 mars 2021 sous le numéro 2103188. Une telle technique consiste à arrêter le défilement de la bande 10 sous une presse qui descend verticalement jusqu’à une hauteur prédéterminée afin d’appliquer pression et chaleur pour durcir le matériau diélectrique. La presse est ensuite ouverte et la bande 10 avance sur une distance permettant de changer de zone de pressage. Ainsi il est possible d’obtenir une couche diélectrique 30 d’une épaisseur contrôlée qui est relativement plane. In the case of a chip card module, it is desired to have the smallest possible thickness. Also, it is preferred to use a hot rolling technique using a controlled height press such as for example described in the French patent application filed on March 29, 2021 under number 2103188. Such a technique consists in stopping the scrolling of the strip 10 under a press which descends vertically to a predetermined height in order to apply pressure and heat to harden the dielectric material. The press is then opened and the strip 10 advances over a distance allowing the pressing zone to be changed. Thus it is possible to obtain a dielectric layer 30 of controlled thickness which is relatively flat.
[0042] La couche diélectrique 30 ayant été durcie, une étape de réalisation d’ouvertures 40 est ensuite pratiquée, comme illustré sur la figure 2c. La réalisation des ouvertures 40 est pratiquée par exemple à l’aide d’un laser de type YAG qui va vaporiser le matériau diélectrique à des endroits correspondant à des emplacements de contact. Les emplacements de contact sont localisés par rapport à la marque de repérage de sorte que les ouvertures correspondent à des plages de contact du circuit intégré 20 et à des emplacements où l’on souhaite réaliser un contact avec la bande métallique 10. Pour plus de précision ou de manière alternative, la localisation des emplacement des bornes de contact du circuit intégré 20 peut également se faire par une lecture de position par rayons X. The dielectric layer 30 having been hardened, a step of making openings 40 is then carried out, as illustrated in FIG. 2c. The realization of the openings 40 is practiced for example using a YAG type laser which will vaporize the dielectric material at locations corresponding to contact locations. The contact locations are located relative to the registration mark so that the openings correspond to the contact pads of the integrated circuit 20 and to locations where it is desired to make contact with the metal strip 10. For more precision or alternatively, the location of the location of the contact terminals of the integrated circuit 20 can also be done by a position reading by X-rays.
[0043] Puis un dépôt d’une couche conductrice 50 est réalisé comme illustré sur la figure 2d. La couche conductrice 50 est déposée pour recouvrir la totalité de la couche diélectrique 30 et pour remplir les ouvertures 40. A titre d’exemple, la couche conductrice 50 est déposée en deux temps. Dans un premier temps, un dépôt de matériau conducteur d’amorçage est déposé sur toute la surface puis un électro-dépôt de métal plus conducteur, par exemple du cuivre, est ensuite réalisé sur la couche de matériau conducteur d’amorçage pour améliorer la conductivité de la couche conductrice 50. Le matériau conducteur d’amorçage peut être de différente nature et la méthode de dépôt peut varier en fonction du matériau. Selon un mode préféré, le matériau conducteur d’amorçage est par exemple du carbone, du graphite ou du palladium et le dépôt est réalisé par immersion de la bande dans un bain contenant le matériau conducteur d’amorçage afin que celui-ci se dépose sur le couche diélectrique 30. Une fois la couche diélectrique 30 recouverte d’une fine couche de matériau conducteur, la bande est emmenée dans un deuxième bain pour réaliser l’électro-dépôt jusqu’à l’obtention d’une épaisseur de couche de cuivre de l’ordre de 35pm. La couche conductrice 50 ainsi réalisée est connectée à la bande métallique 10 et aux zones de contact de la puce 20. [0044] De manière alternative, la couche conductrice 50 peut être réalisée par pulvérisation cathodique sous vide d’un métal. La pulvérisation cathodique peut être utiliser pour le dépôt d’une couche conductrice d’amorçage ou pour déposer intégralement la couche conductrice 50. Cependant, la mise en œuvre d’un dépôt par pulvérisation cathodique est plus coûteux à mettre en œuvre, notamment si la quantité de métal à déposer est importante. Then a deposition of a conductive layer 50 is carried out as illustrated in Figure 2d. The conductive layer 50 is deposited to cover the whole of the dielectric layer 30 and to fill the openings 40. By way of example, the conductive layer 50 is deposited in two stages. Initially, a deposit of conductive starter material is deposited over the entire surface then an electro-deposition of more conductive metal, for example copper, is then carried out on the layer of conductive starter material to improve the conductivity of the conductive layer 50. The conductive primer material can be of different nature and the deposition method can vary depending on the material. According to a preferred embodiment, the initiating conductive material is for example carbon, graphite or palladium and the deposition is carried out by immersing the strip in a bath containing the initiating conductive material so that the latter is deposited on the dielectric layer 30. Once the dielectric layer 30 is covered with a thin layer of conductive material, the strip is taken into a second bath to carry out the electro-deposition until a copper layer thickness is obtained around 35pm. The conductive layer 50 thus produced is connected to the metal strip 10 and to the contact areas of the chip 20. Alternatively, the conductive layer 50 can be made by sputtering a metal under vacuum. Cathodic sputtering can be used for the deposition of a conductive seed layer or to completely deposit the conductive layer 50. However, the implementation of a deposition by cathodic sputtering is more expensive to implement, in particular if the amount of metal to be deposited is significant.
[0045] Pour obtenir le module, une étape de gravure de la couche conductrice 50 et de la bande métallique 10 est ensuite réalisée selon une technique connue. A titre d’exemple préféré, l’étape de gravure est réalisée par photolithographie et attaque acide. Cependant d’autres méthodes de gravure pourraient être utilisées. Dans l’exemple préféré, comme montré sur la figure 2e, des couches 60 de matériau photosensible sont déposées sur la couche métallique 50 et sur la surface inférieure de la bande métallique 10. Les parties 70 à enlever des couches photosensibles 60 sont ensuite insolées aux UV à l’aide d’un masque non représenté puis ces parties 70 sont retirées, comme montré sur la figure 2f. La bande est ensuite passée dans un bain acide afin de pratiquer des ouvertures 80 dans la bande métallique 10 et dans la couche conductrice 50. To obtain the module, a step of etching the conductive layer 50 and the metal strip 10 is then carried out according to a known technique. As a preferred example, the etching step is carried out by photolithography and acid etching. However, other etching methods could be used. In the preferred example, as shown in FIG. 2e, layers 60 of photosensitive material are deposited on the metal layer 50 and on the lower surface of the metal strip 10. The parts 70 to be removed from the photosensitive layers 60 are then exposed to the UV using a mask, not shown, then these parts 70 are removed, as shown in FIG. 2f. The strip is then passed through an acid bath in order to make openings 80 in the metal strip 10 and in the conductive layer 50.
[0046] Le reste des couches photosensibles 60 est ensuite complètement retiré laissant apparente sur la face arrière du module, montrée sur la figure 3a, une antenne 90 et les conducteurs métalliques 91 qui relient les plots de contacts du circuit intégré à la grille de contact 92 de la face avant du module, montrée sur la figure 3b. Les modules ainsi réalisés ont une épaisseur qui est par exemple de 270pm, ce qui est très inférieur à l’épaisseur des modules de l’état de la technique. L’homme du métier peut utiliser des épaisseurs de métal et de matériau diélectrique plus importantes s’il souhaite avoir un module plus rigide, tout en pouvant obtenir une épaisseur de module inférieure à un module de l’état de la technique. En outre le module étant plat, l’usinage de la carte à puce s’en trouve simplifié. The rest of the photosensitive layers 60 is then completely removed, leaving visible on the rear face of the module, shown in FIG. 3a, an antenna 90 and the metal conductors 91 which connect the contact pads of the integrated circuit to the contact grid. 92 of the front of the module, shown in Figure 3b. The modules thus produced have a thickness which is for example 270 μm, which is much less than the thickness of the modules of the state of the art. Those skilled in the art can use greater thicknesses of metal and dielectric material if they wish to have a more rigid module, while being able to obtain a module thickness less than a module of the state of the art. In addition, the module being flat, the machining of the smart card is simplified.
[0047] Les figures 4a à 4e illustrent un deuxième mode de réalisation du procédé selon l’invention. La figure 4a illustre la dépose et le collage d’un circuit intégré 20 sur la bande métallique 10, à l’identique de ce qui est réalisé sur la figure 2a. Puis une couche d’un matériau diélectrique 30 est déposée en phase liquide pour recouvrir la bande métallique 10 et le circuit intégré 20, comme montré sur la figure 4b. Dans ce deuxième exemple, le matériau diélectrique est un matériau thermodurcissable dont la viscosité est suffisamment importante pour éviter un fluage sous l’effet de son propre poids. Sur la figure 4c, une deuxième bande métallique 51 est déposée sur la couche de matériau diélectrique 30 avant une étape de laminage à chaud. La deuxième bande métallique 51 est par exemple une bande de cuivre de 35mm d’épaisseur qui permet d’éviter l’utilisation d’un film démoulant. Ainsi le laminage à chaud est réalisé en utilisant une presse à hauteur de pressage contrôlée pour laminer les deux bandes métalliques 10 et 51 enserrant la couche de matériau diélectrique 30 et pour chauffer l’ensemble jusqu’à réticulation de la couche diélectrique. Figures 4a to 4e illustrate a second embodiment of the method according to the invention. FIG. 4a illustrates the removal and gluing of an integrated circuit 20 onto the metal strip 10, identically to what is produced in FIG. 2a. Then a layer of a dielectric material 30 is deposited in the liquid phase to cover the metal strip 10 and the integrated circuit 20, as shown in Figure 4b. In this second example, the dielectric material is a thermosetting material whose viscosity is high enough to prevent creep under the effect of its own weight. In FIG. 4c, a second metal strip 51 is deposited on the layer of dielectric material 30 before a hot rolling step. The second metal strip 51 is for example a copper strip 35 mm thick which makes it possible to avoid the use of a release film. Thus the hot rolling is carried out using a press with a controlled pressing height to roll the two metal strips 10 and 51 enclosing the layer of dielectric material 30 and to heat the assembly until the dielectric layer crosslinks.
[0048] Une étape de réalisation d’ouvertures est réalisée, comme illustré sur la figure 5d. La réalisation d’ouvertures 40 est pratiquée par exemple à l’aide d’un laser de type YAG qui va vaporiser le métal de la deuxième bande métallique 51 et le matériau diélectrique à des endroits correspondant à des emplacements de contact. Les emplacements de contact sont localisés par rapport à la marque de repérage de sorte que les ouvertures correspondent à des plages de contact du circuit intégré 20 et à des emplacements où l’on souhaite réaliser un contact avec la bande métallique 10. A step of making openings is carried out, as illustrated in FIG. 5d. The production of openings 40 is carried out for example using a YAG type laser which will vaporize the metal of the second metal strip 51 and the dielectric material at locations corresponding to contact locations. The contact locations are located relative to the registration mark so that the openings correspond to the contact pads of the integrated circuit 20 and to locations where it is desired to make contact with the metal strip 10.
[0049] Puis un dépôt d’une couche conductrice 52 est réalisé comme illustré sur la figure 5e. La couche conductrice 52 est déposée pour remplir les ouvertures 40.Then a deposition of a conductive layer 52 is carried out as illustrated in Figure 5e. The conductive layer 52 is deposited to fill the openings 40.
A titre d’exemple, la couche conductrice 52 est déposée localement par pulvérisation cathodique de métal ou par toute autre méthode de métallisation permettant de contrôler l’emplacement du dépôt de métal. By way of example, the conductive layer 52 is deposited locally by cathode sputtering of metal or by any other metallization method making it possible to control the location of the metal deposit.
[0050] Pour terminer le circuit imprimé, une étape de gravure des bandes métalliques 10 et 51 est ensuite réalisée selon une technique connue. A titre d’exemple préféré, l’étape de gravure est réalisée par photolithographie et attaque acide tel qu’illustré à l’aide des figures 2e à 2h. To complete the printed circuit, a step of etching the metal strips 10 and 51 is then carried out according to a known technique. As a preferred example, the etching step is performed by photolithography and acid etching as illustrated using Figures 2e to 2h.
[0051] L’homme du métier appréciera que le deuxième exemple de réalisation présente moins d’étapes de fabrication bien que la réalisation de la métallisation des ouvertures soit plus complexe. En outre, ce deuxième exemple permet d’obtenir un meilleur état de surface pour les conducteurs situés sur la partie arrière du module. [0051] Those skilled in the art will appreciate that the second exemplary embodiment has fewer manufacturing steps, although the production of the metallization of the openings is more complex. In addition, this second example allows to obtain a better surface finish for the conductors located on the rear part of the module.
[0052] Le module de carte à puce réalisé selon l’un des deux exemples de réalisation comporte une antenne en champ proche 90 dont la taille est limitée au centre par les conducteurs métallique 91. En outre, pour pouvoir fermer l’antenne 90, celle-ci est reliée aux contacts C4 et C8 de la grille de contact, ce qui n’est possible que pour les modules disposant de huit contacts. L’avantage d’obtenir un module si fin permet en outre de pouvoir rajouter une troisième couche conductrice tout en ayant une épaisseur inférieure à l’épaisseur d’un module de l’état de la technique. L’utilisation d’une troisième couche conductrice permet de réaliser une antenne sur la troisième couche sans que celle-ci ne soit limitée par les conducteurs métalliques ni ne nécessite d’être reliée à des plages de contact. The chip card module produced according to one of the two embodiments comprises a near-field antenna 90 whose size is limited at the center by the metal conductors 91. In addition, to be able to close the antenna 90, this is connected to contacts C4 and C8 of the contact grid, which is only possible for modules with eight contacts. The advantage of obtaining such a thin module also makes it possible to add a third conductive layer while having a thickness less than the thickness of a state-of-the-art module. The use of a third conductive layer makes it possible to produce an antenna on the third layer without the latter being limited by the metallic conductors or requiring it to be connected to contact pads.
[0053] Les figures 5a à 5f illustrent un exemple de réalisation d’un procédé permettant de rajouter une troisième couche conductrice sur un module selon l’invention. Sur la figure 5a, un module gravé obtenu à partir de l’un des exemples précédents est fourni en bande. Un tel module dispose par exemple d’une épaisseur de 270pm. Figures 5a to 5f illustrate an embodiment of a method for adding a third conductive layer to a module according to the invention. In Figure 5a, an etched module obtained from one of the previous examples is provided as a strip. Such a module has for example a thickness of 270µm.
[0054] Une couche de matériau diélectrique 530 est déposée sur la couche métallique 50 en phase liquide sur une épaisseur de l’ordre de 60pm. La couche diélectrique est ensuite laminée à chaud pour être durcie de la même manière que ce qui est décrit dans le premier exemple de réalisation en relation avec la figure 2b. Toutefois la hauteur de laminage à chaud est fixée pour réduire la couche à 50pm d’épaisseur afin que la couche de matériau diélectrique remplisse bien les ouvertures 80 de la couche métallique 50. Après durcissement, des ouvertures 540 sont ensuite pratiquées dans la couche diélectrique 530. La réalisation des ouvertures 540 est pratiquée par exemple à l’aide d’un laser de type YAG qui va vaporiser le matériau diélectrique à des endroits correspondant à des emplacements de contact. Les emplacements de contact sont localisés par rapport à la marque de repérage de sorte que les ouvertures correspondent à des zones de conducteur de la couche métallique 50 pour lesquelles un contact électrique est souhaité avec la troisième couche métallique. [0055] Puis un dépôt d’une couche conductrice 550 est réalisé comme illustré sur la figure 5c. la couche conductrice 550 est déposée pour recouvrir la totalité de la couche diélectrique 530 et pour remplir les ouvertures 540. A titre d’exemple préféré, la couche conductrice 550 est déposée en deux temps. Dans un premier temps, un matériau conducteur d’amorçage est déposé sur toute la surface puis un électro-dépôt de métal, par exemple du cuivre, est ensuite réalisé sur la couche de carbone pour améliorer la conductivité de la couche conductrice 550. L’électro-dépôt est réalisé jusqu’à l’obtention d’une épaisseur de couche de cuivre de l’ordre de 35pm. La couche conductrice 550 ainsi réalisée est connectée à des zones de conducteur de la couche métallique 50 qui permettent une interconnexion à la bande métallique 10 et/ou aux zones de contact de la puce 20. A layer of dielectric material 530 is deposited on the metal layer 50 in the liquid phase over a thickness of around 60 μm. The dielectric layer is then hot rolled to be hardened in the same way as described in the first embodiment in relation to FIG. 2b. However, the hot rolling height is set to reduce the layer to 50 μm in thickness so that the layer of dielectric material fills the openings 80 of the metallic layer 50 well. After hardening, openings 540 are then made in the dielectric layer 530 The realization of the openings 540 is performed for example using a YAG type laser which will vaporize the dielectric material at locations corresponding to contact locations. The contact locations are located relative to the registration mark such that the openings correspond to conductor areas of the metal layer 50 for which electrical contact is desired with the third metal layer. Then a deposition of a conductive layer 550 is performed as illustrated in Figure 5c. the conductive layer 550 is deposited to completely cover the dielectric layer 530 and to fill the openings 540. As a preferred example, the conductive layer 550 is deposited in two stages. Initially, a starting conductive material is deposited over the entire surface then an electro-deposition of metal, for example copper, is then carried out on the carbon layer to improve the conductivity of the conductive layer 550. electro-deposition is carried out until a copper layer thickness of around 35 μm is obtained. The conductive layer 550 thus produced is connected to conductor areas of the metal layer 50 which allow interconnection to the metal strip 10 and/or to the contact areas of the chip 20.
[0056] La couche conductrice 550 est ensuite gravée, comme illustré sur la figure 5d. L’étape de gravure de la couche conductrice 550 est réalisée selon une technique connue. A titre d’exemple préféré, l’étape de gravure est réalisée par photolithographie et attaque acide. Des couches 560 de matériau photosensible sont déposées sur la couche métallique 550 et sur la surface inférieure de la bande métallique 10. Cependant, seule la couche photosensible 560 déposée sur la couche métallique 550 est insolée aux UV à l’aide d’un masque, la couche photosensible 560 déposée sur la bande métallique servant uniquement de protection à la bande métallique 10 lors du bain acide. Lors du passage de la bande dans le bain acide, des ouvertures 580 sont pratiquée dans la couche conductrice 550. The conductive layer 550 is then etched, as shown in Figure 5d. The step of etching the conductive layer 550 is carried out according to a known technique. As a preferred example, the etching step is carried out by photolithography and acid etching. Layers 560 of photosensitive material are deposited on the metal layer 550 and on the lower surface of the metal strip 10. However, only the photosensitive layer 560 deposited on the metal layer 550 is exposed to UV using a mask, the photosensitive layer 560 deposited on the metal strip serving only as protection for the metal strip 10 during the acid bath. During the passage of the strip in the acid bath, openings 580 are made in the conductive layer 550.
[0057] Les couches photosensibles 560 sont ensuite complètement retirées à l’aide d’un solvant, comme montré sur la figure 5e. Ainsi, la face arrière du module peut comporter une antenne 590 reliée à des conducteurs métalliques 91 situé sur la couche métallique 50. Le module ainsi réalisé, bien que disposant de trois couche métalliques, dispose d’une épaisseur de 345pm, ce qui est très inférieur à un module de l’état de la technique. The photosensitive layers 560 are then completely removed using a solvent, as shown in Figure 5e. Thus, the rear face of the module can include an antenna 590 connected to metal conductors 91 located on the metal layer 50. The module thus produced, although having three metal layers, has a thickness of 345 μm, which is very less than a state-of-the-art module.
[0058] Le procédé de l’invention n’est pas limité à la fabrication de module de carte à puce comportant une unique puce. Un ou plusieurs composants actifs ou passifs peuvent être également placés dans la couche diélectrique, il conviendra d’adapter l’épaisseur de la couche diélectrique à la hauteur du composant le plus épais. The method of the invention is not limited to the manufacture of smart card module comprising a single chip. One or more active or passive components can also be placed in the dielectric layer, it will be appropriate to adapt the thickness of the dielectric layer to the height of the thickest component.

Claims

Revendications Claims
[Revendication 1] [Procédé de fabrication d’un module de carte à puce caractérisé en ce qu’il comporte les étapes de : [Claim 1] [Method for manufacturing a smart card module characterized in that it comprises the steps of:
- fourniture d’une première feuille métallique (10) comprenant au moins une marque de repérage (12), - supply of a first metal sheet (10) comprising at least one registration mark (12),
- dépose et collage d’au moins un composant électronique (20) sur une face supérieure de ladite feuille métallique (10) à un emplacement localisé par rapport à la au moins une marque de repérage (12), - depositing and gluing at least one electronic component (20) on an upper face of said metal sheet (10) at a localized location relative to the at least one registration mark (12),
- dépôt d’une première couche de matériau diélectrique (30) sur la face supérieure de la feuille métallique (10) et sur le composant électronique,- deposition of a first layer of dielectric material (30) on the upper face of the metal sheet (10) and on the electronic component,
- réalisation d’ouvertures (40) dans la première couche de matériau diélectrique durci (30), - creation of openings (40) in the first layer of hardened dielectric material (30),
- dépôt d’une première couche conductrice (50, 51) recouvrant la totalité de la surface de la première couche de matériau diélectrique, - deposition of a first conductive layer (50, 51) covering the entire surface of the first layer of dielectric material,
- dépôt d’une deuxième couche conductrice (50, 52) remplissant les ouvertures, - deposition of a second conductive layer (50, 52) filling the openings,
- gravure de la première feuille métallique (10) et de la première couche conductrice (50, 51) afin de réaliser des motifs de conducteurs, la gravure de la première feuille métallique (10) formant une grille de contact (92) de carte à puce. - etching of the first metal sheet (10) and of the first conductive layer (50, 51) in order to produce patterns of conductors, the etching of the first metal sheet (10) forming a contact grid (92) of the circuit board chip.
[Revendication 2] Procédé de fabrication d’un module de carte à puce selon la revendication 1, dans lequel les étapes de dépôt des première et deuxième couches conductrices (50) sont réalisées simultanément et comprennent une étape de dépôt de d’un matériau conducteur d’amorçage sur la première couche de matériau diélectrique et dans les ouvertures, suivie par une étape d’électro-dépôt de cuivre. [Claim 2] A method of manufacturing a smart card module according to claim 1, wherein the steps of depositing the first and second conductive layers (50) are performed simultaneously and include a step of depositing a conductive material priming on the first layer of dielectric material and in the openings, followed by a stage of electro-deposition of copper.
[Revendication 3] Procédé de fabrication d’un module de carte à puce selon la revendication 1, dans lequel l’étape de dépôt de la première couche conductrice se fait par le dépôt d’une deuxième feuille métallique (51) préalablement à l’étape de laminage à chaud et l’étape de réalisation d’ouvertures réalise simultanément des ouvertures (40) dans la première couche de matériau diélectrique (30) et dans la deuxième feuille métallique (51). [Claim 3] A method of manufacturing a smart card module according to claim 1, wherein the step of depositing the first conductive layer is done by depositing a second metal foil (51) prior to the hot rolling step and the aperture forming step simultaneously makes apertures (40) in the first layer of dielectric material (30) and in the second metal sheet (51).
[Revendication 4] Procédé de fabrication d’un module de carte à puce selon l’une des revendications précédentes, dans lequel l’étape de réalisation d’ouvertures se fait par laser. [Claim 4] Method of manufacturing a smart card module according to one of the preceding claims, in which the step of producing openings is carried out by laser.
[Revendication 5] Procédé de fabrication d’un module de carte à puce selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le matériau diélectrique (30) est choisi parmi l’un des matériaux suivants : polyester, résine époxide, polyimide. [Claim 5] Method of manufacturing a smart card module according to one of the preceding claims, in which the dielectric material (30) is chosen from one of the following materials: polyester, epoxy resin, polyimide.
[Revendication 6] Procédé de fabrication d’un module de carte à puce selon l’une des revendications précédentes, dans lequel la première couche de matériau diélectrique (30) est un matériau thermodurcissable déposé en phase liquide ou pâteuse et dans lequel le procédé comporte une étape de laminage à chaud afin d’aplanir et de durcir la première couche de matériau diélectrique. [Claim 6] Method of manufacturing a smart card module according to one of the preceding claims, in which the first layer of dielectric material (30) is a thermosetting material deposited in the liquid or pasty phase and in which the method comprises a hot rolling step to flatten and harden the first layer of dielectric material.
[Revendication 7] Procédé de fabrication d’un module de carte à puce selon la revendication précédente, dans lequel l’étape de laminage à chaud est réalisée à l’aide d’une presse disposant d’un contrôle de la hauteur de pressage. [Claim 7] A method of manufacturing a smart card module according to the preceding claim, wherein the hot rolling step is carried out using a press having a control of the pressing height.
[Revendication 8] Procédé de fabrication d’un module de carte à puce selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le composant électronique (20) est un circuit intégré. [Claim 8] Method of manufacturing a smart card module according to one of the preceding claims, in which the electronic component (20) is an integrated circuit.
[Revendication 9] Procédé de fabrication d’un module de carte à puce selon l’une des revendications précédentes, dans lequel l’étape de gravure de la première feuille métallique (10) et de la première couche conductrice (50) comporte les étapes de : [Claim 9] A method of manufacturing a smart card module according to one of the preceding claims, in which the step of etching the first metal sheet (10) and the first conductive layer (50) comprises the steps of :
- dépôt de couches photosensibles (60) sur la première couche conductrice (50, 51) et sur la surface inférieure de la première feuille métallique (10),- deposition of photosensitive layers (60) on the first conductive layer (50, 51) and on the lower surface of the first metal sheet (10),
- insolation des couches photosensibles (60) avec un masque négatif des motifs définissant les parties à insoler, - exposure of the photosensitive layers (60) with a negative pattern mask defining the parts to be exposed,
- retrait de la partie insolée (70) des couches photosensibles (60), - removal of the exposed part (70) of the photosensitive layers (60),
- attaque acide de la première couche conductrice (50, 51) et de la surface inférieure de la première feuille métallique (10) sur les zones où les couches photosensibles insolées ont été retirées. - acid attack of the first conductive layer (50, 51) and of the surface bottom of the first metal sheet (10) on the areas where the exposed photosensitive layers have been removed.
[Revendication 10] Procédé de fabrication d’un module de carte à puce selon l’une des revendications précédentes, dans lequel, à l’issue de l’étape de gravure de la première couche conductrice, ledit procédé comporte les étapes suivantes : [Claim 10] Method for manufacturing a smart card module according to one of the preceding claims, in which, after the step of etching the first conductive layer, said method comprises the following steps:
- dépôt d’une deuxième couche de matériau diélectrique (530) sur la première couche conductrice gravée (50, 51), - deposition of a second layer of dielectric material (530) on the first etched conductive layer (50, 51),
- laminage à chaud afin d’aplanir et de durcir la deuxième couche de matériau diélectrique (530), - hot rolling to flatten and harden the second layer of dielectric material (530),
- réalisation d’ouvertures (540) dans la deuxième couche de matériau diélectrique durci (530), - creation of openings (540) in the second layer of hardened dielectric material (530),
- dépôt d’une troisième couche conductrice (550) recouvrant la totalité de la surface la deuxième couche de matériau diélectrique (530), - deposition of a third conductive layer (550) covering the entire surface of the second layer of dielectric material (530),
- dépôt d’une quatrième couche conductrice (550) remplissant les ouvertures,- deposition of a fourth conductive layer (550) filling the openings,
- gravure de la troisième couche conductrice (550) afin de réaliser des motifs de conducteurs. - etching of the third conductive layer (550) in order to produce patterns of conductors.
[Revendication 11] Procédé de fabrication d’un module de carte à puce selon la revendication précédente, dans lequel l’étape de gravure de la troisième couche conductrice (550) comporte les étapes de : [Claim 11] Method of manufacturing a smart card module according to the preceding claim, in which the step of etching the third conductive layer (550) comprises the steps of:
- dépôt d’une couche photosensible (560) sur la troisième couche conductrice, - deposition of a photosensitive layer (560) on the third conductive layer,
- insolation de la couche photosensible (560) avec un masque définissant les parties à insoler, - exposure of the photosensitive layer (560) with a mask defining the parts to be exposed,
- retrait de la partie insolée de la couche photosensible (560), - removal of the exposed part of the photosensitive layer (560),
- attaque acide de la troisième couche conductrice (550) sur les zones où la couche photosensible insolée a été retirée. - Acid etching of the third conductive layer (550) on the areas where the exposed photosensitive layer has been removed.
[Revendication 12] Module de carte à puce comportant une première couche métallique (10) et une deuxième couche métallique (50) enserrant une couche de matériau diélectrique (30), la première couche métallique (10) définissant une grille de contacts (92) destinée à affleurer à la surface d’une carte à puce, la deuxième couche métallique (50) étant gravée de motifs définissant des conducteurs métalliques (91) pour relier des plots de contact d’un circuit intégré à la grille de contacts (92) à travers des ouvertures pratiquées dans la couche de matériau diélectrique (30), caractérisé en ce qu’un circuit intégré (20) est placé entre les première (10) et deuxième (50) couches métalliques à l’intérieur de la couche de matériau diélectrique (30). [Claim 12] A smart card module comprising a first metal layer (10) and a second metal layer (50) sandwiching a layer of dielectric material (30), the first metal layer (10) defining a contact grid (92) intended to be flush with the surface of a smart card, the second metallic layer (50) being etched with patterns defining metallic conductors (91) for connecting contact pads of an integrated circuit to the contact grid (92) through openings made in the layer of dielectric material (30), characterized in that an integrated circuit (20) is placed between the first (10) and second ( 50) metallic layers inside the layer of dielectric material (30).
[Revendication 13] Module de carte à puce selon la revendication précédente, lequel comporte une troisième couche métallique (550) séparée de la deuxième couche métallique (50) par une deuxième couche diélectrique (530), la deuxième couche métallique (50) se trouvant entre les première (10) et troisième (550) couches métalliques. ] [Claim 13] Smart card module according to the preceding claim, which comprises a third metallic layer (550) separated from the second metallic layer (50) by a second dielectric layer (530), the second metallic layer (50) being between the first (10) and third (550) metal layers. ]
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