EP4212966A1 - Procede de limitation de la deformation d'une piece d horlogerie en silicium - Google Patents

Procede de limitation de la deformation d'une piece d horlogerie en silicium Download PDF

Info

Publication number
EP4212966A1
EP4212966A1 EP23151601.4A EP23151601A EP4212966A1 EP 4212966 A1 EP4212966 A1 EP 4212966A1 EP 23151601 A EP23151601 A EP 23151601A EP 4212966 A1 EP4212966 A1 EP 4212966A1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
silicon
timepiece
wafer
thermal oxidation
hairsprings
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
EP23151601.4A
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Enrica MONTINARO
Nicolas Tille
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sigatec Sa
Richemont International SA
Original Assignee
Sigatec Sa
Richemont International SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sigatec Sa, Richemont International SA filed Critical Sigatec Sa
Publication of EP4212966A1 publication Critical patent/EP4212966A1/fr
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G04—HOROLOGY
    • G04B—MECHANICALLY-DRIVEN CLOCKS OR WATCHES; MECHANICAL PARTS OF CLOCKS OR WATCHES IN GENERAL; TIME PIECES USING THE POSITION OF THE SUN, MOON OR STARS
    • G04B17/00—Mechanisms for stabilising frequency
    • G04B17/04—Oscillators acting by spring tension
    • G04B17/06—Oscillators with hairsprings, e.g. balance
    • G04B17/066—Manufacture of the spiral spring
    • G—PHYSICS
    • G04—HOROLOGY
    • G04B—MECHANICALLY-DRIVEN CLOCKS OR WATCHES; MECHANICAL PARTS OF CLOCKS OR WATCHES IN GENERAL; TIME PIECES USING THE POSITION OF THE SUN, MOON OR STARS
    • G04B1/00—Driving mechanisms
    • G04B1/10—Driving mechanisms with mainspring
    • G04B1/14—Mainsprings; Bridles therefor
    • G04B1/145—Composition and manufacture of the springs
    • G—PHYSICS
    • G04—HOROLOGY
    • G04B—MECHANICALLY-DRIVEN CLOCKS OR WATCHES; MECHANICAL PARTS OF CLOCKS OR WATCHES IN GENERAL; TIME PIECES USING THE POSITION OF THE SUN, MOON OR STARS
    • G04B13/00—Gearwork
    • G04B13/02—Wheels; Pinions; Spindles; Pivots
    • G—PHYSICS
    • G04—HOROLOGY
    • G04B—MECHANICALLY-DRIVEN CLOCKS OR WATCHES; MECHANICAL PARTS OF CLOCKS OR WATCHES IN GENERAL; TIME PIECES USING THE POSITION OF THE SUN, MOON OR STARS
    • G04B15/00—Escapements
    • G04B15/14—Component parts or constructional details, e.g. construction of the lever or the escape wheel
    • G—PHYSICS
    • G04—HOROLOGY
    • G04B—MECHANICALLY-DRIVEN CLOCKS OR WATCHES; MECHANICAL PARTS OF CLOCKS OR WATCHES IN GENERAL; TIME PIECES USING THE POSITION OF THE SUN, MOON OR STARS
    • G04B17/00—Mechanisms for stabilising frequency
    • G04B17/04—Oscillators acting by spring tension
    • G04B17/045—Oscillators acting by spring tension with oscillating blade springs
    • G—PHYSICS
    • G04—HOROLOGY
    • G04B—MECHANICALLY-DRIVEN CLOCKS OR WATCHES; MECHANICAL PARTS OF CLOCKS OR WATCHES IN GENERAL; TIME PIECES USING THE POSITION OF THE SUN, MOON OR STARS
    • G04B17/00—Mechanisms for stabilising frequency
    • G04B17/04—Oscillators acting by spring tension
    • G04B17/06—Oscillators with hairsprings, e.g. balance
    • G04B17/063—Balance construction
    • G—PHYSICS
    • G04—HOROLOGY
    • G04B—MECHANICALLY-DRIVEN CLOCKS OR WATCHES; MECHANICAL PARTS OF CLOCKS OR WATCHES IN GENERAL; TIME PIECES USING THE POSITION OF THE SUN, MOON OR STARS
    • G04B17/00—Mechanisms for stabilising frequency
    • G04B17/20—Compensation of mechanisms for stabilising frequency
    • G04B17/22—Compensation of mechanisms for stabilising frequency for the effect of variations of temperature
    • G04B17/227—Compensation of mechanisms for stabilising frequency for the effect of variations of temperature composition and manufacture of the material used
    • G—PHYSICS
    • G04—HOROLOGY
    • G04D—APPARATUS OR TOOLS SPECIALLY DESIGNED FOR MAKING OR MAINTAINING CLOCKS OR WATCHES
    • G04D3/00—Watchmakers' or watch-repairers' machines or tools for working materials

Definitions

  • the present invention relates to the field of manufacturing parts for watchmaking.
  • the invention relates more particularly to a method for limiting the deformation of a silicon timepiece, in particular a silicon hairspring.
  • the movements of mechanical watches are regulated by means of a mechanical regulator comprising a resonator, that is to say an elastically deformable component whose oscillations determine the rate of the watch.
  • a mechanical regulator comprising a resonator, that is to say an elastically deformable component whose oscillations determine the rate of the watch.
  • Many watches include, for example, a regulator comprising a hairspring as a resonator, mounted on the axis of a balance wheel and set in oscillation by means of an escapement.
  • the natural frequency of the balance-spring couple makes it possible to regulate the watch and depends in particular on the stiffness of the balance-spring.
  • the stiffness of the hairspring also defines its intrinsic vibratory characteristics, such as the natural frequency and the resonant frequencies.
  • the natural frequency of an elastic system is the frequency at which this system oscillates when it is in free evolution, that is to say without exciting force.
  • a resonance frequency of an elastic system subjected to an exciting force is a frequency at which a local maximum of displacement amplitude can be measured for a given point of the elastic system.
  • the displacement amplitude follows an upward slope before this resonance frequency, and follows a downward slope afterwards, at any point that does not correspond to a vibration node.
  • the recording of the displacement amplitude as a function of the excitation frequency shows a displacement amplitude peak or resonance peak which is associated with or which characterizes the resonance frequency.
  • the natural frequency of the regulator member formed by the balance spring of stiffness R coupled to a balance wheel of inertia l is in particular proportional to the square root of the stiffness of the balance spring.
  • the main specification of a spiral spring is its stiffness, which must be within a well-defined range in order to be paired with a balance wheel, which forms the inertial element of the oscillator. This pairing operation is essential to precisely adjust the frequency of a mechanical oscillator.
  • silicon hairsprings can be manufactured on a single wafer using micro-fabrication technologies. It is in particular known to produce a plurality of hairsprings in silicon with very high precision by using photolithography and machining/etching processes in a silicon wafer.
  • the methods for producing these mechanical hairsprings generally use monocrystalline silicon wafers, but wafers made of other materials can also be used, for example polycrystalline or amorphous silicon, other semiconductor materials, glass, ceramic , carbon, carbon nanotubes or a composite comprising these materials.
  • monocrystalline silicon belongs to the cubic crystalline class m3m whose coefficient of thermal expansion (alpha) is isotropic.
  • Silicon has a very negative value of the first thermoelastic coefficient, and consequently the stiffness of a silicon resonator, and therefore its natural frequency, varies greatly according to the temperature.
  • the documents EP1422436 , EP2215531 And WO2016128694 describe a spiral-type mechanical resonator made from a core (or two cores in the case of WO2016128694 ) in monocrystalline silicon and whose variations in temperature of the Young's modulus are compensated by a layer of amorphous silicon oxide (SiO 2 ) surrounding the core (or cores), the latter being one of the rare materials having a thermoelastic coefficient positive.
  • SiO 2 amorphous silicon oxide
  • the document WO2019/180596 proposes to arrange the plates horizontally and on a support, making it possible to limit the deformations related to the own weight of the hairspring and to the heat.
  • the applicants have found another unexpected solution to this problem.
  • the solution identified can be generalized to other silicon timepieces for which it is essential to control the dimensions and manufacturing tolerances.
  • the invention relates to a process for limiting the deformation of a silicon timepiece formed in a wafer, during thermal oxidation, characterized in that the thermal oxidation is carried out on a highly doped silicon timepiece.
  • Another aspect of the invention relates to a use of a wafer comprising at least one layer of highly doped silicon, to limit the deformation of a timepiece formed in said highly doped silicon layer, during thermal oxidation.
  • Another aspect may relate to a process for the thermal oxidation of a silicon timepiece, comprising a preliminary step consisting in heavily doping the silicon timepiece, and in which the thermal oxidation step is free of reversal or modification of the orientation with respect to gravity of the highly doped silicon timepiece.
  • Another aspect may relate to a process for the thermal oxidation of a silicon timepiece, in which the thermal oxidation step is free from reversal or modification of the orientation with respect to gravity of the piece of silicon timepiece, and in which the method comprises a preliminary step consisting in heavily doping the silicon timepiece, so as to limit the deformation of the timepiece during thermal oxidation.
  • the method may include a step of etching the timepiece into a silicon wafer, leaving a portion attached to a base substrate and forming at least one free end of the substrate.
  • a free end will be retained by the rest of the timepiece and in particular by the portion attached to the base substrate, which could cause deformation of the timepiece during thermal oxidation, but the use highly doped silicon eliminates or reduces this risk of deformation, even without a reversal step.
  • WO2019/180596 describes the steps that make it possible to etch watch components, particularly hairsprings, in a wafer (also called a wafer) of silicon. These lithography steps are well known to those skilled in the art and are incorporated by reference into the present application.
  • This wafer can be of different types, comprising a single layer of silicon, or a layer of silicon arranged on a layer of silicon oxide (SOI), or several layers of silicon, with a layer of silicon oxide interposed between the silicon layers.
  • SOI silicon oxide
  • the component is etched in the silicon layer or in a group of silicon layers.
  • Silicon can be of different natures, monocrystalline, polycrystalline or even amorphous.
  • these oxidation steps are carried out in an oxidation furnace 10, at temperatures typically between 600° C. and 1300° C. and for example between 1000° C. and 1100° C., which makes it possible to form a layer of silicon oxide (SiO 2 ) which covers the wafer and the etched components, consuming silicon from the wafer.
  • a treatment time of between 30 minutes and 30 hours can be provided.
  • the wafers are loaded into the oven by being arranged horizontally.
  • this solution cannot work for wafers 12 arranged vertically, in particular in furnaces 10 with horizontal loading, as represented on the figure 1 .
  • the doping is high boron or phosphorus doping.
  • high doping we mean an average concentration of dopant within the same wafer greater than 1 ⁇ 10 18 , more particularly greater than 1 ⁇ 10 19 , even more particularly greater than 5 ⁇ 10 19 atoms per cm 3 .
  • a high doping can be defined as a doping corresponding to a resistivity smaller than 0.01 ohm.cm, or even a resistivity between 0.0045 and 0.0055 ohm.cm, even more particularly a resistivity of 0.005 ohm.cm.
  • a heavily doped silicon part will have a resistivity smaller than 0.01 ohm.cm, or even a resistivity of between 0.0045 and 0.0055 ohm.cm, even more particularly a resistivity of 0.005 ohm.cm.
  • Provision can be made, in a non-limiting manner, to carry out a negative N-type doping with phosphorus or redphosphorus, arsenic, antimony, or a positive P-type doping with boron.
  • the effects of doping are particularly sensitive with hairsprings made of monocrystalline silicon, in particular having crystalline orientations ⁇ 100> or ⁇ 110>. It is in fact the types of silicon which are particularly subject to deformation during a thermal oxidation operation.
  • FIG. 4 represents the results of measurements carried out on a batch A1 of hairsprings of a first geometry, in undoped silicon and having undergone an oxidation step in a vertical position and on a batch B1 of hairsprings in silicon, of the same first geometry and strongly doped, having undergone the same oxidation step in a vertical position.
  • the parts of batch A1 were made of undoped ⁇ 100> silicon, and have an electrical conductivity of between 1.2 and 6.7 ohm.cm.
  • the parts of batch B1 were made of heavily doped silicon ⁇ 100> (in this non-limiting example, it is phosphorus doping, N doping, negative), and have an electrical conductivity between 0.003 and 0 .01 ohm.cm.
  • All the parts of batch A1 and all the parts of batch B1 were engraved to present the same geometry, and were then subjected to the same thermal oxidation step in a vertical position (in this non-limiting example, it is exposure to a temperature of between 1000°C and 1100°C and for a period of between 1 hour and 30 hours depending on the desired thickness of silicon oxide). Before the thermal oxidation step, all the parts (lots A1 and B1) have a conforming geometry.
  • There figure 4 represents the results of measurements of the radius of the terminal curve of the hairsprings, carried out on the parts of batch A1 and the parts of batch B1, after the thermal oxidation step.
  • There figure 4 represents: the minimum and maximum tolerances respectively R m and R M that the radius of the terminal curve must respect, the number of parts for each class of radius values, and the Gaussian curves constructed from the measured populations.
  • the parts of batch A1 present a large dispersion (standard deviation measured of 0.072 mm), with a little more than half of the parts outside the range of tolerances [R m -R M ], while the parts of batch B1 have low dispersion (standard deviation of 0.027 mm) and are all within the tolerance range [R m -R M ].
  • These data show that the use of highly doped silicon makes it possible to significantly reduce the deformations during the thermal oxidation step, with in the example above, a reduction by three of the variability of the value of the radius of the terminal curve of the hairsprings, and parts that all remain within the tolerance range after thermal oxidation.
  • the parts of batch A and batch B were made of undoped ⁇ 111> silicon, and have an electrical conductivity of between 1.0 and 10.0 ohm.cm.
  • the parts of batch C were made of heavily doped ⁇ 111> silicon (in this non-limiting example, it is doping with phosphorus, N doping, negative), and have an electrical conductivity of between 0.001 and 0.005 ohm.cm.
  • the parts of batch A were subjected to a thermal oxidation step carried out in one go (in this non-limiting example, it is an exposure to a temperature between 1000°C and 1100°C and for a duration between 1h and 30h depending on the desired thickness of silicon oxide), in a vertical position.
  • the parts of batch B were subjected to a thermal oxidation stage in vertical position, with an intermediate reversal with respect to gravity.
  • the parts of lot C were subjected to a thermal oxidation step carried out in one go, in a vertical position, like the parts of lot A.
  • Lot A parts have an end curve radius of approximately 3.205 mm
  • Lot B parts have an end curve radius of approximately 3.147 mm
  • Lot C parts have an end curve radius of approximately 3.147 mm. terminal curve of about 3.107 mm.
  • the use of a highly doped silicon wafer makes it possible to avoid the deformations encountered with undoped silicon wafers, during thermal oxidation steps during which the wafers are arranged vertically, without having to flip or change the orientation of the wafers between successive oxidation steps.
  • the effect is also obtained when the wafers are arranged horizontally, even if this deformation is less noticeable, the fact remains that the hairsprings can deform outside the plane of the wafer, under the effect of their weight, and that such deformation is also limited with heavily doped hairsprings.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

L'invention concerne un procédé de limitation de la déformation d'une pièce d'horlogerie en silicium ménagée dans une plaquette, au cours d'une oxydation thermique, caractérisé par le fait que l'oxydation thermique est effectuée sur une pièce d'horlogerie en silicium fortement dopé. L'invention concerne également une utilisation d'un wafer comprenant au moins une couche de silicium fortement dopé, pour limiter la déformation d'une pièce d'horlogerie ménagée dans ladite couche de silicium fortement dopé, au cours d'une oxydation thermique.

Description

    Domaine technique
  • La présente invention se rapporte au domaine de la fabrication de pièces pour l'horlogerie. L'invention concerne plus particulièrement un procédé de limitation de la déformation d'une pièce d'horlogerie en silicium, notamment un spiral en silicium.
    • Etat de la technique
  • Les mouvements de montres mécaniques sont régulés au moyen d'un régulateur mécanique comprenant un résonateur, c'est-à-dire un composant déformable élastiquement et dont les oscillations déterminent la marche de la montre. De nombreuses montres comportent par exemple un régulateur comprenant un spiral comme résonateur, monté sur l'axe d'un balancier et mis en oscillation grâce à un échappement. La fréquence propre du couple balancier-spiral permet de réguler la montre et dépend notamment de la raideur du spiral.
  • En effet, la fréquence f de l'organe régulateur formé par le spiral de raideur R accouplé à un balancier d'inertie l est donnée par la formule : f = 1 2 π R I
    Figure imgb0001
  • La raideur du spiral définit également ses caractéristiques vibratoires intrinsèques, comme la fréquence propre et les fréquences de résonance. Dans la présente demande, la fréquence propre d'un système élastique (un résonateur seul ou un couple résonateur - balancier) est la fréquence à laquelle oscille ce système lorsqu'il est en évolution libre, c'est-à-dire sans force excitatrice. Par ailleurs, une fréquence de résonance d'un système élastique soumis à une force excitatrice est une fréquence à laquelle on peut mesurer un maximum local d'amplitude de déplacement pour un point donné du système élastique. En d'autres termes, si le système élastique est excité avec une source d'excitation de fréquence variable au cours du temps, l'amplitude de déplacement suit une pente ascendante avant cette fréquence de résonance, et suit une pente descendante après, en tout point qui ne correspond pas à un noeud de vibration. Typiquement, lors d'un tel essai, l'enregistrement de l'amplitude de déplacement en fonction de la fréquence d'excitation présente un pic d'amplitude de déplacement ou pic de résonance qui est associé ou qui caractérise la fréquence de résonance.
  • La raideur d'un résonateur de type spiral dépend typiquement des caractéristiques du matériau dans lequel il est réalisé, ainsi que de ses dimensions et en particulier de l'épaisseur (c'est-à-dire de la largeur) de ses spires le long de son barreau. La raideur est donnée plus spécifiquement par : R = M ϕ
    Figure imgb0002
     avec :
    • ϕ, l'angle de torsion du ressort, et
    • M, le couple de rappel du ressort spiral,
    • où M, pour un barreau de section constante constitué d'un matériau spécifique, est donné par : M = E e 3 h 12 ϕ L
      Figure imgb0003
    avec :
    • E, le module d'Young du matériau employé pour le barreau,
    • L, la longueur du barreau,
    • h, la hauteur du barreau, et
    • e, l'épaisseur ou la largeur du barreau.
  • La fréquence propre de l'organe régulateur formé par le spiral de raideur R accouplé à un balancier d'inertie l est notamment proportionnelle à la racine carrée de la raideur du spiral. La spécification principale d'un ressort spiral est sa raideur, qui doit se trouver dans un intervalle bien défini pour pouvoir être appairé avec un balancier, qui forme l'élément inertiel de l'oscillateur. Cette opération d'appairage est indispensable pour régler précisément la fréquence d'un oscillateur mécanique.
  • Il est très important que les caractéristiques de l'oscillateur soient aussi stables que possible, afin d'avoir une marche de la montre qui soit également stable. L'importance des champs magnétiques dans l'environnement moderne, a poussé les horlogers à utiliser depuis quelques années, des spiraux en silicium, moins sensible aux perturbations magnétiques que des spiraux métalliques.
  • Très avantageusement, on peut fabriquer plusieurs centaines de spiraux en silicium sur une seule plaquette (en anglais « wafer ») en utilisant les technologies de micro-fabrication. Il est notamment connu de réaliser une pluralité de spiraux en silicium avec une très haute précision en utilisant des procédés de photolithographie et d'usinage / gravure dans une plaquette en silicium. Les procédés de réalisation de ces spiraux mécaniques utilisent généralement des plaquettes de silicium monocristallin, mais des plaquettes en d'autres matériaux sont également utilisables, par exemple en silicium polycristallin ou amorphe, en d'autres matériaux semi-conducteurs, en verre, en céramique, en carbone, en nanotubes de carbone ou en un composite comprenant ces matériaux. Pour sa part, le silicium monocristallin appartient à la classe cristalline cubique m3m dont le coefficient d'expansion thermique (alpha) est isotrope.
  • Le silicium présente une valeur du premier coefficient thermoélastique très négative, et par conséquent, la raideur d'un résonateur en silicium, et donc sa fréquence propre, varie fortement selon la température. Afin de compenser au moins partiellement cet inconvénient, les documents EP1422436 , EP2215531 et WO2016128694 décrivent un résonateur mécanique de type spiral réalisé à partir d'une âme (ou de deux âmes dans le cas de WO2016128694 ) en silicium monocristallin et dont les variations en température du module d'Young sont compensées par une couche en oxyde de silicium (SiO2) amorphe entourant l'âme (ou les âmes), ce dernier étant un des rares matériaux présentant un coefficient thermoélastique positif.
  • Il est connu d'ajuster les dimensions des spiraux après gravure, notamment pour réduire la dispersion de raideurs que l'on observe entre les spiraux, selon leur positionnement sur la plaquette dans laquelle ils sont réalisés. Cet ajustement se fait par une succession d'oxydation et de désoxydation, qui permet de modifier avec précision la dimension des spiraux, mais également de lisser les flancs de ces spiraux. L'opération d'oxydation est effectuée thermiquement, par une opération de chauffage typiquement effectuée entre 600 et 1300°C.
  • On observe que ces opérations induisent des déformations sur les spiraux, particulièrement les spiraux présentant des orientations cristallographiques isotropes, c'est-à-dire particulièrement les spiraux réalisés dans du silicium <100> et <110>. Une telle déformation peut notamment se traduire par une élongation du spiral et donc un déplacement de son extrémité extérieure. On observe également une déformation sous l'influence du propre poids du spiral, particulièrement lorsque l'oxydation est effectuée dans un four horizontal, dans lequel les plaquettes sont disposées verticalement. Les spires sont alors déformées par la gravité et ne sont plus enroulées régulièrement. Pour prévenir et/ou limiter de telles déformations, il est connu de retourner les plaquettes en cours de fabrication.
  • Le document WO2019/180596 propose de disposer les plaquettes horizontalement et sur un support, permettant de limiter les déformations liées au propre poids du spiral et à la chaleur.
  • Pour des wafers disposés verticalement, il est jusqu'alors nécessaire de procéder à N étapes d'oxydation, et d'effectuer entre chacun d'elles une rotation du wafer dans son support de 360/N°, afin d'obtenir une compensation entre les différentes déformations. Cela impose des manipulations qui ralentissent le flux de production et qui créent autant d'occasions de casse ou de pollution des wafers.
  • Les demanderesses ont trouvé une autre solution inattendue permettant de résoudre ce problème. La solution identifiée peut être généralisée à d'autres pièces d'horlogerie en silicium pour lesquelles il est primordial de contrôler les dimensions et tolérances de fabrication.
    • Divulguation de l'invention
  • De façon plus précise, l'invention concerne un procédé de limitation de la déformation d'une pièce d'horlogerie en silicium ménagée dans une plaquette, au cours d'une oxydation thermique, caractérisé par le fait que l'oxydation thermique est effectuée sur une pièce d'horlogerie en silicium fortement dopé.
  • Un autre aspect de l'invention concerne une utilisation d'un wafer comprenant au moins une couche de silicium fortement dopé, pour limiter la déformation d'une pièce d'horlogerie ménagée dans ladite couche de silicium fortement dopé, au cours d'une oxydation thermique.
  • Selon ces deux aspects, il est possible de limiter, voire de supprimer les déformations subies par une pièce d'horlogerie en silicium, lorsqu'elle est soumise à une oxydation thermique, entre 600 et 1300°C, sans devoir manipuler les plaquettes. En conséquence, l'utilisation de pièces en silicium fortement dopé permet de conduire les opérations d'oxydation en une seule étape, il n'est plus nécessaire de prévoir d'arrêts pour retourner ou pivoter les plaquettes ou les pièces.
  • Un autre aspect peut concerner un procédé d'oxydation thermique d'une pièce d'horlogerie en silicium, comprenant une étape préliminaire consistant à fortement doper la pièce d'horlogerie en silicium, et dans lequel l'étape d'oxydation thermique est exempte de retournement ou de modification de l'orientation par rapport à la gravité de la pièce d'horlogerie en silicium fortement dopé.
  • Un autre aspect peut concerner un procédé d'oxydation thermique d'une pièce d'horlogerie en silicium, dans lequel l'étape d'oxydation thermique est exempte de retournement ou de modification de l'orientation par rapport à la gravité de la pièce d'horlogerie en silicium, et dans lequel le procédé comprend une étape préliminaire consistant à fortement doper la pièce d'horlogerie en silicium, de sorte à limiter la déformation de la pièce d'horlogerie lors de l'oxydation thermique.
  • Avant l'oxydation thermique, le procédé peut comprendre une étape consistant à graver la pièce d'horlogerie dans une plaquette en silicium, en laissant une portion attachée à un substrat de base et en formant au moins une extrémité libre du substrat. Une telle extrémité libre sera retenue par le reste de la pièce d'horlogerie et notamment par la portion attachée au substrat de base, ce qui pourrait provoquer une déformation de la pièce d'horlogerie au cours de l'oxydation thermique, mais l'utilisation de silicium fortement dopé supprime ou réduit ce risque de déformation, même sans étape de retournement.
    • Brève description des dessins
  • D'autres détails de l'invention apparaîtront plus clairement à la lecture de la description qui suit, faite en référence au dessin annexé dans lequel :
    • la figure 1 est une représentation schématique d'une installation d'oxydation de plaquettes de silicium dans un four à chargement horizontal, les plaquettes étant disposées verticalement,
    • la figure 2 représente un spiral non dopé, déformé après une oxydation thermique dans un four, selon la disposition de la figure 1,
    • la figure 3 représente un spiral dopé, après une oxydation thermique dans un four, selon la disposition de la figure 1,
    • la figure 4 représente des résultats de mesures effectuées sur un lot de spiraux d'une première géométrie, en silicium non dopé et ayant subi une étape d'oxydation en position verticale et sur un lot de spiraux en silicium, de la même première géométrie et fortement dopés, ayant subi la même étape d'oxydation en position verticale,
    • la figure 5 représente des résultats de mesures effectuées sur un lot de spiraux d'une deuxième géométrie, en silicium non dopé et ayant subi une étape d'oxydation en position verticale, sur un lot de spiraux en silicium, de la même deuxième géométrie en silicium non dopé, ayant subi la même étape d'oxydation en position verticale et avec un retournement intermédiaire, et sur un lot de spiraux en silicium, de la même deuxième géométrie et fortement dopés, ayant subi l'étape d'oxydation en position verticale, sans retournement intermédiaire.
    Mode de réalisation de l'invention
  • Le document WO2019/180596 décrit les étapes qui permettent de graver des composants horlogers, particulièrement des spiraux, dans une plaquette (également appelée wafer) de silicium. Ces étapes de lithographie sont bien connues de l'homme du métier et sont intégrées par référence à la présente demande.
  • Cette plaquette peut être de différents types, comprenant une simple couche de silicium, ou une couche de silicium disposée sur une couche d'oxyde de silicium (SOI), ou plusieurs couches de silicium, avec une couche d'oxyde de silicium intercalée entre les couches de silicium. Selon les configurations, le composant est gravé dans la couche de silicium ou dans un groupe de couches de silicium.
  • Le silicium peut être de différentes natures, monocristallin, polycristallin ou encore amorphe.
  • Parmi les étapes de fabrication, on effectue une voire plusieurs étapes d'oxydation thermique. Ces étapes d'oxydation peuvent avoir différents buts :
    • ajustement dimensionnel ou lissage des flancs lorsque l'étape d'oxydation est suivie d'une désoxydation,
    • ajustement du coefficient thermique d'élasticité du spiral, grâce au fait que l'oxyde de silicium présente un coefficient thermique d'élasticité de signe opposé à celui du silicium,
    • renforcement mécanique du composant.
  • Comme illustré à la figure 1, ces étapes d'oxydation sont effectuées dans un four d'oxydation 10, à des températures comprises typiquement entre 600°C et 1300°C et par exemple entre 1000°C et 1100°C, ce qui permet de former une couche d'oxyde de silicium (SiO2) qui recouvre la plaquette et les composants gravés, en consommant du silicium de la plaquette. Selon l'épaisseur d'oxyde visée et le matériel utilisé, on peut prévoir une durée de traitement comprise entre 30 minutes et 30 heures.
  • Dans certains process, les wafers sont chargés dans le four en étant disposé horizontalement. Comme dans le document WO2019/180596 , il est proposé de disposer les wafers sur des supports munis d'entretoises, pour empêcher ou du moins limiter la déformation des spiraux sous l'effet de la gravité. Cependant, cette solution ne peut fonctionner pour des wafers 12 disposés verticalement, notamment dans des fours 10 à chargement horizontal, tel que représenté sur la figure 1.
  • Les demanderesses ont remarqué avec surprise, que les déformations subies par les composants lors des opérations d'oxydation thermique, sous l'effet de la chaleur et du propre poids des composants, étaient très limitées, voire quasi nulles, en utilisant une plaquette dont la ou les couche(s) de silicium est/sont en silicium dopé. De préférence, le dopage est un dopage élevé au bore ou au phosphore. Par dopage élevé (cette expression étant équivalente à « fortement dopé »), on entend une concentration moyenne de dopant au sein du même wafer plus grande que 1×1018, plus particulièrement plus grande que 1×1019, encore plus particulièrement plus grande que 5×1019 atomes par cm3. On peut alternativement définir un dopage élevé comme un dopage correspondant à une résistivité plus petite que 0.01 ohm.cm, ou encore une résistivité comprise entre 0.0045 et 0.0055 ohm.cm, encore plus particulièrement une résistivité de 0.005 ohm.cm. Autrement dit, une pièce en silicium fortement dopé présentera une résistivité plus petite que 0.01 ohm.cm, ou encore une résistivité comprise entre 0.0045 et 0.0055 ohm.cm, encore plus particulièrement une résistivité de 0.005 ohm.cm. On peut prévoir de manière non limitative d'effectuer un dopage de type N, négatif, avec du phosphore ou redphosphore, de l'arsenic, de l'antimoine, ou un dopage de type P, positif, avec du bore.
  • De manière avantageuse, les effets du dopage sont particulièrement sensibles avec des spiraux en silicium monocristallin, présentant notamment des orientations cristallines <100> ou <110>. Ce sont en effet les typologies de silicium qui sont particulièrement sujettes à une déformation lors d'une opération d'oxydation thermique.
  • Il est connu d'utiliser du silicium dopé, voire fortement dopé, pour réaliser des composant horlogers. Cependant, les effets connus d'un tel dopage concernent les propriétés mécaniques du silicium, telles que sa dureté et son module de Young. Il a également été proposé de doper une portion d'un spiral en silicium pour obtenir une thermo-compensation de la raideur du spiral, en d'autres termes pour limiter les variations du couple élastique du spiral en fonction de la température. Les effets d'un dopage sur la déformation thermique du silicium n'ont jusqu'à présent pas été identifiés ou décrits.
  • Pour illustrer ces effets, on a représenté sur la figure 2 un spiral non dopé réalisé dans un wafer <100> ayant subi une oxydation thermique en étant positionné verticalement dans un four d'oxydation. La flèche symbolise l'orientation du champ gravitationnel lors de l'étape d'oxydation. On constate que les spires sont décalées progressivement par rapport à leur position nominale sous l'effet de leur poids. Après l'opération d'oxydation, la déformation induite est définitive et le spiral au repos et à plat reste déformé. Pour quantifier la déformation, un segment a été disposé radialement et parallèlement au champ gravitationnel sur la figure 2. Il arrive au niveau de la 7ème spire sur le spiral non dopé, en partant du centre.
  • On a représenté sur la figure 3 un spiral réalisé dans un wafer <100> présentant un dopage élevé, au sens des paragraphes ci-dessus, ayant subi une oxydation thermique en étant positionné verticalement dans un four d'oxydation. Dans sa géométrie, il est très proche de sa forme avant oxydation. On a représenté un segment de même longueur que celui représenté sur la figure 2 et positionné de manière identique. On constate qu'il se termine au niveau de la 5ème spire, soit un décalage de 2 spires entre un spiral en silicium non dopé (figure 2) et un spiral fortement dopé (figure 3).
  • On a également mesuré le pas entre l'avant dernière-spire et la dernière spire de spiraux réalisés dans un wafer <100> fortement dopé (échantillon A), et de spiraux réalisés dans un wafer<100> non dopé (échantillon B), les spiraux ayant subi une oxydation thermique dans un four à chargement horizontal, en étant positionnés verticalement.
  • Sur des échantillons de 20 spiraux, le pas moyen depuis le centre et dans la direction de la gravité mesuré pour l'échantillon B s'est réduit de plus de 15%, tandis que le pas moyen depuis le centre et dans la direction de la gravité pour l'échantillon A ne s'est réduit que d'une valeur inférieure à 3%, par rapport aux spiraux avant l'étape d'oxydation thermique. Les autres paramètres (temps d'oxydation, température d'oxydation, position du wafer dans le four, position de l'attache, géométrie du spiral etc..) étant par ailleurs constants, cette amélioration du comportement du spiral à l'oxydation est dû au dopage.
  • La figure 4 représente des résultats de mesures effectuées sur un lot A1 de spiraux d'une première géométrie, en silicium non dopé et ayant subi une étape d'oxydation en position verticale et sur un lot B1 de spiraux en silicium, de la même première géométrie et fortement dopés, ayant subi la même étape d'oxydation en position verticale.
  • Dans le détail, les pièces du lot A1 ont été réalisées en silicium <100> non dopé, et présentent une conductivité électrique comprise entre 1,2 et 6,7 ohm.cm. Les pièces du lot B1 ont été réalisées en silicium <100> fortement dopé (dans cet exemple non limitatif, il s'agit d'un dopage par du phosphore, dopage N, négatif), et présentent une conductivité électrique comprise entre 0,003 et 0,01 ohm.cm.
  • Toutes les pièces du lot A1 et toutes les pièces du lot B1 ont été gravées pour présenter la même géométrie, et ont ensuite été soumises à une même étape d'oxydation thermique en position verticale (dans cet exemple non limitatif, il s'agit d'une exposition à une température comprise entre 1000°C et 1100°C et pendant une durée comprise entre 1h et 30h en fonction de l'épaisseur désirée d'oxyde de silicium). Avant l'étape d'oxydation thermique, toutes les pièces (lot A1 et B1) présentent une géométrie conforme. La figure 4 représente des résultats de mesures du rayon de la courbe terminale des spiraux, effectuées sur les pièces du lot A1 et les pièces du lot B1, après l'étape d'oxydation thermique. La figure 4 représente : les tolérances minimale et maximale respectivement Rm et RM que doit respecter le rayon de la courbe terminale, le nombre de pièces pour chaque classe de valeurs de rayon, et les courbes de Gauss construites à partir des populations mesurées.
  • On peut noter que les pièces du lot A1 présentent une grande dispersion (écart type mesuré de 0.072 mm), avec un peu plus de la moitié des pièces en dehors de la plage de tolérances [Rm-RM], tandis que les pièces du lot B1 présentent une faible dispersion (écart type de 0.027 mm) et sont toutes dans la plage de tolérances [Rm-RM]. Ces données montrent que l'utilisation de silicium fortement dopé permet de réduire notablement les déformations lors de l'étape d'oxydation thermique, avec dans l'exemple ci-dessus, une réduction par trois de la variabilité de la valeur du rayon de la courbe terminale des spiraux, et des pièces qui restent toutes dans la plage de tolérance après l'oxydation thermique.
  • La figure 5 représente des résultats de mesures effectuées :
    • sur un lot A de spiraux d'une deuxième géométrie, en silicium non dopé et ayant subi une étape d'oxydation en position verticale sans retournement intermédiaire,
    • sur un lot B de spiraux en silicium, de la même deuxième géométrie en silicium non dopé, ayant subi la même étape d'oxydation en position verticale mais avec un retournement intermédiaire, et
    • sur un lot C de spiraux en silicium, de la même deuxième géométrie et fortement dopés, ayant subi l'étape d'oxydation en position verticale, sans retournement intermédiaire.
  • Dans le détail, les pièces du lot A et du lot B ont été réalisées en silicium <111 > non dopé, et présentent une conductivité électrique comprise entre 1,0 et 10,0 ohm.cm. Les pèces du lot C ont quant à elles été réalisées en silicium <111 > fortement dopé (dans cet exemple non limitatif, il s'agit d'un dopage par du phosphore, dopage N, négatif), et présentent une conductivité électrique comprise entre 0,001 et 0,005 ohm.cm.
  • Les pièces du lot A ont été soumises à une étape d'oxydation thermique conduite en une seule fois (dans cet exemple non limitatif, il s'agit d'une exposition à une température comprise entre 1000°C et 1100°C et pendant une durée comprise entre 1h et 30h en fonction de l'épaisseur désirée d'oxyde de silicium), en position verticale. Les pièces du lot B ont été soumises à une étape d'oxydation thermique en position verticale, avec un retournement intermédiaire par rapport à la gravité. Les pièces du lot C ont été soumises à une étape d'oxydation thermique conduite en une seule fois, en position verticale, comme les pièces du lot A.
  • Toutes les pièces des lots A, B et C ont été gravées pour présenter la même géométrie, et ont ensuite été soumises à l'étape d'oxydation thermique comme indiqué ci-dessus (lots A et C en une seule fois en position verticale, lot B en position verticale avec un retournement intermédiaire). La figure 5 représente des résultats de mesures du rayon de la courbe terminale des spiraux, effectuées sur les pièces des lots A, B et C. La valeur cible du rayon de la courbe terminale des spiraux est de 3,100 mm.
  • La figure 5 montre que les trois lots A, B, et C présentent des rayons de courbe terminale clairement distincts. En particulier, les pièces du lot A présentent un rayon de la courbe terminale d'environ 3,205 mm, les pièces du lot B présentent un rayon de la courbe terminale d'environ 3,147 mm, et les pièces du lot C présentent un rayon de la courbe terminale d'environ 3,107 mm. Ces données montrent que les pièces du lot A (silicium non dopé, sans retournement) sont les plus déformées après l'étape d'oxydation thermique, les pièces du lot B (silicium non dopé, avec retournement intermédiaire) sont un peu moins déformées, et que les pièces du lot C (silicium fortement dopé, sans retournement) sont les moins déformées. Ainsi, l'utilisation de silicium fortement dopé permet de limiter la déformation lors de l'oxydation thermique d'une manière encore plus efficace qu'un retournement de pièces en silicium non dopé.
  • Ainsi, on constate que l'utilisation d'un wafer en silicium fortement dopé permet d'éviter les déformations rencontrées avec des wafers en silicium non dopé, lors d'étapes d'oxydation thermique au cours desquelles les wafers sont disposés verticalement, cela sans devoir retourner ou modifier l'orientation des wafers entre des étapes d'oxydation successives. L'effet est également obtenu lorsque les plaquettes sont disposées horizontalement, même si cette déformation est moins sensible, il n'en demeure pas moins que les spiraux peuvent se déformer en-dehors du plan du wafer, sous l'effet de leur poids, et qu'une telle déformation est également limitée avec des spiraux fortement dopés.
  • Si les effets découlant de l'invention ont pu être montrés sur des spiraux, on les retrouve de manière identique avec d'autres pièces horlogères en silicium, pour lesquelles il est primordial de contrôler les dimensions et tolérances de fabrication. Il est effet connu de l'homme de l'art, qu'une étape d'oxydation thermique est présente dans quasiment tous les procédés de mise en oeuvre d'une pièce en silicium, au moins dans l'un des buts cités ci-dessus (ajustement dimensionnel, lissage, ajustement du coefficient thermique, renforcement mécanique). On pourra notamment viser des ancres, des roues, des systèmes à pivot virtuel tels que des ancres, des balanciers ou des oscillateurs complets, c'est-à-dire comprenant un organe de rappel et une masse inertielle.

Claims (20)

  1. Procédé de limitation de la déformation d'une pièce d'horlogerie en silicium ménagée dans une plaquette, au cours d'une oxydation thermique, caractérisé par le fait que l'oxydation thermique est effectuée sur une pièce d'horlogerie en silicium fortement dopé.
  2. Procédé de limitation selon la revendication 1, caractérisé en ce que la pièce d'horlogerie est réalisée en silicium monocristallin.
  3. Procédé de limitation selon la revendication 2, caractérisé en ce que la pièce d'horlogerie est réalisée en silicium monocristallin d'orientation <100> ou <110>.
  4. Procédé de limitation selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comprend une étape de fourniture d'une plaquette en silicium fortement dopé.
  5. Procédé de limitation selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le silicium présente une concentration de dopant plus grande que 1×1018, plus particulièrement plus grande que 1×1019, encore plus particulièrement plus grande que 5×1019 atomes par cm3.
  6. Procédé de limitation selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le silicium présente une résistivité plus petite que 0.01 ohm.cm, plus particulièrement une résistivité de 0.005 ohm.cm.
  7. Procédé de limitation selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le dopant est choisi parmi du bore ou du phosphore.
  8. Procédé de limitation selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il est effectué avec des pièces d'horlogerie formées dans une plaquette disposée verticalement dans un four d'oxydation.
  9. Procédé de limitation selon la revendication 8, caractérisé en ce qu'il ne comprend pas d'étape de retournement ou de rotation de la plaquette.
  10. Procédé de limitation selon l'une des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que la pièce d'horlogerie est choisie parmi un spiral, une ancre, une roue, un système à pivot virtuel tels que qu'une ancre, qu'un balancier ou un oscillateur.
  11. Utilisation d'un wafer comprenant au moins une couche de silicium fortement dopé, pour limiter la déformation d'une pièce d'horlogerie ménagée dans ladite couche de silicium fortement dopé, au cours d'une oxydation thermique.
  12. Utilisation selon la revendication 11, caractérisée en ce que la pièce d'horlogerie est réalisée en silicium monocristallin.
  13. Utilisation selon la revendication 12, caractérisée en ce que la pièce d'horlogerie est réalisée en silicium monocristallin d'orientation <100> ou <110>.
  14. Utilisation selon l'une des revendications 11 à 13, caractérisée en ce qu'il comprend une étape de fourniture d'une plaquette en silicium fortement dopé.
  15. Utilisation selon l'une des revendications 11 à 14, caractérisée en ce que le silicium présente une concentration de dopant plus grande que 1×1018, plus particulièrement plus grande que 1×1019, encore plus particulièrement plus grande que 5×1019 atomes par cm3.
  16. Utilisation de réalisation selon l'une des revendications 11 à 15, caractérisée en ce que le silicium présente une résistivité plus petite que 0.01 ohm.cm, plus particulièrement une résistivité comprise entre 0.0045 et 0.0055 ohm.cm, encore plus particulièrement une résistivité de 0.005 ohm.cm.
  17. Utilisation selon l'une des revendications 11 à 16, caractérisée en ce que le dopant est choisi parmi du bore ou du phosphore.
  18. Utilisation selon l'une des revendications 11 à 17, caractérisée en ce qu'il est effectué avec des pièces d'horlogerie formées dans une plaquette disposée verticalement dans un four d'oxydation.
  19. Utilisation selon la revendication 18, caractérisée en ce qu'il ne comprend pas d'étape de retournement ou de rotation de la plaquette
  20. Utilisation selon l'une des revendications 11 à 19, dans laquelle la pièce d'horlogerie est choisie parmi un spiral, une ancre, une roue, un système à pivot virtuel tels que qu'une ancre, qu'un balancier ou un oscillateur.
EP23151601.4A 2022-01-14 2023-01-13 Procede de limitation de la deformation d'une piece d horlogerie en silicium Pending EP4212966A1 (fr)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP22151563.8A EP4212965A1 (fr) 2022-01-14 2022-01-14 Procede de limitation de la deformation d'une piece d'horlogerie en silicium

Publications (1)

Publication Number Publication Date
EP4212966A1 true EP4212966A1 (fr) 2023-07-19

Family

ID=79730216

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP22151563.8A Pending EP4212965A1 (fr) 2022-01-14 2022-01-14 Procede de limitation de la deformation d'une piece d'horlogerie en silicium
EP23151601.4A Pending EP4212966A1 (fr) 2022-01-14 2023-01-13 Procede de limitation de la deformation d'une piece d horlogerie en silicium

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP22151563.8A Pending EP4212965A1 (fr) 2022-01-14 2022-01-14 Procede de limitation de la deformation d'une piece d'horlogerie en silicium

Country Status (1)

Country Link
EP (2) EP4212965A1 (fr)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1422436A1 (fr) 2002-11-25 2004-05-26 CSEM Centre Suisse d'Electronique et de Microtechnique SA Ressort spiral de montre et son procédé de fabrication
EP2215531A1 (fr) 2007-11-28 2010-08-11 Manufacture et fabrique de montres et chronomètres Ulysse Nardin Le Locle SA Oscillateur mécanique présentant un coefficient thermoélastique optimisé
WO2016128694A1 (fr) 2015-02-13 2016-08-18 Tronic's Microsystems Oscillateur mécanique et procédé de réalisation associe
EP3159746A1 (fr) * 2015-10-19 2017-04-26 Rolex Sa Spiral en silicium fortement dopé pour pièce d'horlogerie
WO2019180596A1 (fr) 2018-03-20 2019-09-26 Patek Philippe Sa Geneve Procede de fabrication de composants horlogers en silicium
EP3709098A1 (fr) * 2019-03-14 2020-09-16 Seiko Epson Corporation Composant de montre, mouvement de montre et montre
CH716696A2 (fr) * 2019-10-15 2021-04-15 Sigatec Sa Procédé de fabrication de spiraux horlogers.

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1422436A1 (fr) 2002-11-25 2004-05-26 CSEM Centre Suisse d'Electronique et de Microtechnique SA Ressort spiral de montre et son procédé de fabrication
EP2215531A1 (fr) 2007-11-28 2010-08-11 Manufacture et fabrique de montres et chronomètres Ulysse Nardin Le Locle SA Oscillateur mécanique présentant un coefficient thermoélastique optimisé
WO2016128694A1 (fr) 2015-02-13 2016-08-18 Tronic's Microsystems Oscillateur mécanique et procédé de réalisation associe
EP3159746A1 (fr) * 2015-10-19 2017-04-26 Rolex Sa Spiral en silicium fortement dopé pour pièce d'horlogerie
WO2019180596A1 (fr) 2018-03-20 2019-09-26 Patek Philippe Sa Geneve Procede de fabrication de composants horlogers en silicium
EP3709098A1 (fr) * 2019-03-14 2020-09-16 Seiko Epson Corporation Composant de montre, mouvement de montre et montre
CH716696A2 (fr) * 2019-10-15 2021-04-15 Sigatec Sa Procédé de fabrication de spiraux horlogers.

Also Published As

Publication number Publication date
EP4212965A1 (fr) 2023-07-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0886195B1 (fr) Spiral autocompensateur pour oscillateur mécanique balancier-spiral de mouvement d&#39;horlogerie et procédé de fabrication de ce spiral
EP2514094B1 (fr) Résonateur thermocompense au moins aux premier et second ordres
EP3502785B1 (fr) Ressort spiral pour mouvement d&#39;horlogerie et son procédé de fabrication
EP3181940B2 (fr) Procede de fabrication d&#39;un spiral d&#39;une raideur predeterminee par retrait localise de matiere
CH707554A2 (fr) Résonateur thermocompensé par un métal à mémoire de forme.
EP3181938A1 (fr) Procede de fabrication d&#39;un spiral d&#39;une raideur predeterminee par retrait de matiere
EP1258786B1 (fr) Spiral auto-compensateur pour oscillateur mécanique balancier-spiral
WO2015189278A2 (fr) Oscillateur pour un ensemble de balancier-spiral d&#39;une pièce d&#39;horlogerie
EP2520984B1 (fr) Barillet comportant des moyens élastiques d&#39;accumulation d&#39;énergie supplémentaires
EP3181939A1 (fr) Procede de fabrication d&#39;un spiral d&#39;une raideur predeterminee par ajout de matiere
EP1519250A1 (fr) Résonateur balancier-spiral thermocompensé
EP3159746B1 (fr) Spiral en silicium fortement dopé pour pièce d&#39;horlogerie
WO2017220672A1 (fr) Pièce pour mouvement horloger, mouvement horloger, pièce d&#39;horlogerie et procédé de fabrication d&#39;une telle pièce pour mouvement horloger
EP4212966A1 (fr) Procede de limitation de la deformation d&#39;une piece d horlogerie en silicium
EP1654597B1 (fr) Balancier thermocompense
CH719361A2 (fr) Procédé de limitation de la déformation d&#39;une pièce d&#39;horlogerie en silicium au cours d&#39;une oxydation thermique.
EP2703910B1 (fr) Résonateur balancier - spiral appairé
WO2016199039A1 (fr) Résonateur horloger thermocompensé et méthode pour réaliser un tel résonateur
EP3285124A1 (fr) Résonateur mécanique pour pièce d&#39;horlogerie ainsi que procédé de réalisation d&#39;un tel résonateur
EP3047337B1 (fr) Oscillateur mecanique pour mouvement horloger et procede de fabrication correspondant
EP3534222A1 (fr) Procédé de réalisation d&#39;un oscillateur thermo-compensé
CH710308A2 (fr) Résonateur en silicium thermocompensé.
WO2021170473A1 (fr) Composant horloger en silicium pour pièce d&#39;horlogerie
CH710603A2 (fr) Ressort-spiral d&#39;horlogerie à fréquence ajustable.
CH716696A2 (fr) Procédé de fabrication de spiraux horlogers.

Legal Events

Date Code Title Description
PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: THE APPLICATION HAS BEEN PUBLISHED

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC ME MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: REQUEST FOR EXAMINATION WAS MADE

17P Request for examination filed

Effective date: 20240112

RBV Designated contracting states (corrected)

Designated state(s): AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC ME MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR