EP3980797A1 - Device and method for using diamond nanocrystals having nv colour centres in cmos circuits - Google Patents

Device and method for using diamond nanocrystals having nv colour centres in cmos circuits

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EP3980797A1
EP3980797A1 EP20756754.6A EP20756754A EP3980797A1 EP 3980797 A1 EP3980797 A1 EP 3980797A1 EP 20756754 A EP20756754 A EP 20756754A EP 3980797 A1 EP3980797 A1 EP 3980797A1
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EP
European Patent Office
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radiation
diamond
paramagnetic
centers
sensor system
Prior art date
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Pending
Application number
EP20756754.6A
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German (de)
French (fr)
Inventor
Jan Meijer
Robert STAACKE
Bernd Burchard
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Quantum Technologies GmbH
Original Assignee
Quantum Technologies GmbH
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Filing date
Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/032—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using magneto-optic devices, e.g. Faraday or Cotton-Mouton effect
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N24/00—Investigating or analyzing materials by the use of nuclear magnetic resonance, electron paramagnetic resonance or other spin effects
    • G01N24/006—Investigating or analyzing materials by the use of nuclear magnetic resonance, electron paramagnetic resonance or other spin effects using optical pumping
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    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
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    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
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    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
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    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/65—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing carbon
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    • G01R33/20—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables involving magnetic resonance
    • G01R33/24—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables involving magnetic resonance for measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/26—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables involving magnetic resonance for measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using optical pumping

Definitions

  • the invention relates, inter alia, to a method and a device for generating acoustically equivalent electrical and digital signals by means of sensors based on quantum mechanical effects as microphones or pickups for musical instruments and other technical and medical instruments.
  • the present invention thus relates in particular to the detection of magnetic flux densities B, electrical flux densities D, pressures P, movement speeds v, position coordinates, distances, electrical currents, forces on atomic nuclei afflicted with a magnetic moment, accelerations a,
  • Rotational speeds co, temperatures q, intensities of ionizing radiation using sensors based on quantum mechanical effects can be used, for example, in musical instruments to generate tones.
  • the assessment of the amplitude and frequency of mechanical vibrations can also be used for quality control of motors or other regularly moving components.
  • a fundamental disadvantage of this method is that the induction voltage is determined by the change in the magnetic field over time, in particular by changing the magnetic flux B, that is to say it is a differential filter with a corresponding noise gain.
  • the induction of the coil in the measuring system also represents a low-pass filter and leads to non-linear transmissions of different mechanically composed vibrations
  • the invention is also directed to a housing with a sensor system and / or quantum technology system.
  • the sensor system has a sensor element with a paramagnetic center (NV1) in the material of a sensor element. All sub-devices of the sensor system are preferably not designed to be ferromagnetic. This applies in particular to the lead frame for mounting the sensor system within an open-cavity housing.
  • the paramagnetic center (NV1) is preferably an NV center in a diamond crystal, which serves as a sensor element, with diamond then at least in part
  • the invention is also directed to a corresponding sensor system and / or quantum technology system, the optical transmitter (PLI) of the sensor system being chopped, ie pulse-modulated, and all remnants of the chopper frequency spectrum from the spectrum of the Sensor output signal (out) must be removed.
  • PKI optical transmitter
  • Modulation methods such as pulse amplitude modulation (PAM), pulse code modulation (PCM), pulse frequency modulation (PFM), pulse width modulation (PWM), pulse pause modulation (PPM), pulse phase modulation (PPM) and pulse position modulation (PPM).
  • PAM pulse amplitude modulation
  • PCM pulse code modulation
  • PFM pulse frequency modulation
  • PWM pulse width modulation
  • PPM pulse pause modulation
  • PPM pulse phase modulation
  • PPM pulse position modulation
  • Sensors based on quantum mechanical effects are preferably based on paramagnetic spin states and generate no or an extremely low magnetic field themselves. They allow magnetic fields of up to several hundred kHz to be determined independent of frequency. Compared to magnetic field measuring methods based on induction, the measuring system does not act on the possibly oscillating system to be measured and thus allows an uninfluenced measurement of the system to be measured. Due to the measuring principle based on quantum mechanical effects, the detection principle is largely insensitive to temperature.
  • FIG. 1 shows a quantum dot-based measuring system according to the prior art, schematically as a greatly simplified block diagram. In the prior art, one emits
  • Pump radiation source with a pump radiation wavelength (l rGhr ) as a function of a transmission signal (S5) pump radiation (LB) into a first transmission path (II).
  • a pump radiation wavelength l rGhr
  • S5 transmission signal
  • LB pump radiation
  • II first transmission path
  • hO describes an offset value that is specific for the pump radiation source (PLI).
  • hRa describes a noise that is independent of intensity.
  • hl describes a proportionality factor that applies to the pump radiation source (PLI) at the selected operating point with a linear approximation.
  • s5w represents the instantaneous value of the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5).
  • s5g represents the instantaneous value of the direct component (S5g) of the transmission signal (S5).
  • hRb stands for the amplified input noise of the pump radiation source (PLI).
  • the pump radiation source (PLI) is modulated with the transmission signal (S5).
  • the sensor element is preferably one or more diamonds and the paramagnetic center (NV1) in this case is then preferably one or more NV centers.
  • the pump radiation (LB) from the first transmission link (II) irradiates the one or the other
  • paramagnetic centers (NV1) of the sensor element thus with pump radiation (LB).
  • the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) convert a second portion a2 of the received pump radiation (LB) into fluorescence radiation (FL) with an intensity i2.
  • i2 al * a2 * [hO + hRa + hl * (s5w + s5g + hRb)]
  • the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) thus radiate the fluorescence radiation (FL) into a second transmission path (12) with the intensity i2.
  • the sensor element also reflects or transmits a third component a3 of the pump radiation (LB) into the second transmission path (12).
  • i2 al * a2 * [h0 + hRa + hl * (s5w + s5g + hRb)] + al * a3 * [h0 + hRa + hl * (s5w + s5g + hRb)]
  • An optical filter (Fl) which is assumed to be ideal here, transmits the fluorescence radiation (FL) and absorbs or reflects the pump radiation (LB) so that only a fourth part a4 of the fluorescence radiation (FL) reaches the radiation receiver (PD).
  • i2 ' a4 * al * a2 * [hO + hRa + hl * (s5w + s5g + hRb)]
  • the radiation receiver (PD) receives this portion of the fluorescence radiation (FL) with the intensity i2 'at the end of the second transmission path (12) and converts it into a receiver output signal (SO) with the value (sO).
  • s0 d0 + dRa + dl * (l2 '+ dRb)
  • sO dO + dRa + dl * (a4 * al * a2 * [hO + hRa + hl * (s5w + s5g + hRb)] + dRb)
  • dO describes an offset value that is specific for the radiation receiver (PD).
  • dRa describes a noise of the radiation receiver (PD), which is independent of the intensity.
  • dl describes a proportionality factor that applies to the radiation receiver (PD) in the selected operating point with linear approximation.
  • dRb stands for the amplified input noise of the radiation receiver (PD).
  • the filter function F [X1] is then a linear filter if (Equation XIII):
  • This filter input signal (S3) is then filtered in a low-pass filter as a loop filter (TP) in the prior art.
  • This loop filter (TP) is a linear filter with the filter function F [s3] according to equation XIII, with the value (s3) of the filter input signal (S3) being the input variable of the filter function F [].
  • the structure of the loop filter (TP) is typically chosen so that the following applies at least approximately:
  • the noise is reduced by using higher-frequency
  • Noise components are mixed down with the transmission signal (S5). Since the noise levels of these noise components are smaller with regard to 1 / f smoking, which is dominant at low frequencies, there is an improvement in the noise behavior. However, the noise, especially the white noise, does not go away.
  • the instantaneous value (sO) of the receiver output signal (SO) is multiplied by the instantaneous value (s5) of the transmission signal (S5) and the resulting value of the filter input signal is then filtered in a loop filter (TP).
  • the prior art does not disclose any methods for setting diamonds with a high density of NV centers, which are necessary to achieve a good measurement signal.
  • a method for reducing the color of diamonds is known from EP 0 014 528 B1.
  • This is a process for weakening the color of diamonds of type 1b, which is characterized in EP 0 014 528 B1 in that the diamond is exposed to such an energy flow and that at least 1018 gaps per cm 3 can be generated in the diamond. Lt.
  • the irradiated diamond is then heat-treated at a temperature of 1600 ° C. to 2200 ° C. under a pressure at which the diamond is crystallographically stable at the temperature used.
  • a method for generating a high NV center density in diamond is known from EP 0 275 063 A2, in which the dimant is irradiated with high-energy electrons and then annealed at a temperature between 500 ° C. and a pressure less than 1 Torr.
  • EP 0 615 954 A1 A method for producing a red diamond is known from EP 0 615 954 A1.
  • the method of EP 0 615 954 A1 comprises the steps:
  • a red dimension produced in this way has an absorption coefficient for type Ib nitrogen at a wavelength of 500 nm of at least 0.1 cm -1 and less than 0.2 cm -1 and an absorption coefficient caused by an NV center at 570nm, which is at least 0m05 cm -1 and less than 1 cm -1 .
  • the absorption coefficient of the GR1 center, the H2 center, the H3 center and the H4 center in the visible region are in the case of a red diamond which, according to the technical teaching of
  • EP 0 615 954 A1 typically smaller than 0.2 cm -1 .
  • RU 2 145 365 CI describes a process for refining diamonds through the action of electron beams and annealing over a period of 30 minutes to several hours before the diamonds acquire certain color shades.
  • the process of RU 2 145 365 CI is characterized according to RU 2 145 365 CI in that the diamonds are subjected to a treatment with electron beams with an integrated electron flow in the range of 5 x 10 ls -5 x 10 18 cm 2 and that the Annealing is carried out either at atmospheric pressure or at atmospheric pressure or in a vacuum or in an atmosphere of inert gases at 300 - 1900 ° C.
  • the sequence irradiation - tempering is preferably repeated several times in order to prevent the agglomeration of radiation damage to agglomerations that are no longer dissolvable.
  • Tempering process at a temperature of 800 - 1100 ° C is subjected.
  • the process is characterized in that the tempering process is carried out in a vacuum of less than 1.33 Pa (IO -2 Torr) for more than 25 hours, that is to say for a very long time.
  • IO -2 Torr 1.33 Pa
  • further irradiation with electrons and further tempering steps can follow, if necessary, after the curing by means of a tempering step.
  • a method for forming color centers in diamond is known from RU 2015 132 335 A.
  • the procedure of RU 2015 132 335 A includes the irradiation of the diamonds. Lt.
  • the diamonds should have a uniform volume distribution of A-aggregates with a concentration of at least 10 18 cm 3 .
  • the ionizing radiation used for irradiation should have an energy of at least 1 MeV at a dose of 100-120 ppm / cm 2 per A unit.
  • the technical teaching of RU 2015 132 335 A is characterized by the fact that the irradiation with intermediate annealing at a temperature of 850-900 K is carried out repeatedly until the desired concentration of color centers is achieved, followed by tempering Diamonds in an inert medium at a temperature of 1200-2000 K for 0.5-2 hours. The intermediate tempering already improves the healing of the radiation damage, but cannot prevent the damage from accumulating and the diamond becoming cloudy.
  • EP 1 645 664 A1 a method for producing fancy red diamonds with stable coloring centers which absorb in the range of wavelengths from 400 to 640 nm is known.
  • the method of EP 1 645 664 A1 is based on irradiating the diamonds with a
  • EP 1 645 664 A1 Electron flow and curing at a temperature of at least 1100 ° C in a vacuum.
  • the method of EP 1 645 664 A1 is distinguished, according to EP 1 645 664 A1, in that
  • Natural diamonds of the type la are used and that isolated nitrogen atoms are formed in the substitution position of the depletion type C in the crystal lattice of these natural diamonds. According to the technical teaching of EP 1 645 664 A1, this is done by high-temperature processing in a high-pressure device at a temperature of more than 2150 ° C.
  • a method for producing NV centers in CVD diamond material is known from US Pat. No. 8,986,646 B2.
  • the method of US 8 986 646 B2 comprises according to the technical teaching of
  • Diamond material according to US Pat. No. 8,986,646 B2 has an absorption spectrum with an integrated total absorption in the visible range from 350 nm to 750 nm, in which at least 10% of the integrated absorption is due to absorption by N s 0.
  • the irradiation occurs to create isolated voids V in the CVD diamond material.
  • the concentration of the isolated voids in the irradiated diamond material after the irradiation according to US Pat. No. 8,986,646 B2 is at least 0.05 ppm and at most 1 ppm, on the one hand to provide sufficient voids for the formation of the NV centers and on the other hand to agglomerate the voids to avoid larger complexes.
  • the technical teaching of US 8 986 646 B2 provides a
  • the treated CVD diamond material has the following properties after the irradiation and annealing steps (i) and (ii):
  • a method for changing the color of a diamond is known from US Pat. No. 8,961,920 B1.
  • the method of US Pat. No. 8,961,920 B1 begins with the identification of a nitrogen content of a
  • the diamond is tempered at a temperature of less than 1100 ° C. and under vacuum or a pressure of not more than about 500 kPa in order to change the color of the diamond from the third color change a fourth color which is red, pink, or purple. Irradiation with the electron beam causes radiation damage to the Diamonds that cannot be removed even with the subsequent tempering. Therefore, diamonds treated in this way are typically slightly tarnished.
  • a method for producing luminescent diamond particles is known from US Pat. No. 8,168,413 B2 which comprises irradiating diamond particles with an ion beam.
  • the diamond particles have a diameter of 1 nm to 1 mm and 5 ppm to 1000 ppm of color centers.
  • the ion beam has a kinetic energy of 1 keV to 900 MeV.
  • the irradiation is followed by heating of the irradiated diamond particles in a non-oxidizing atmosphere to a temperature between 600 and 1000 ° C. and the surface of the luminescent diamond particles to be oxidized.
  • Electron beams cause radiation damage in the diamond, which can no longer be removed even with the subsequent tempering. Therefore, diamonds treated in this way are typically slightly tarnished.
  • a method for changing the color of a diamond is known from EP 1 097 107 B1.
  • the method comprises exposing the diamond to radiation with an energy that is suitable for photonuclear
  • this energy is selected in such a way that a giant dipole resonance (GDR) is excited in the diamond.
  • the irradiation is such that either: (1) transmutations of carbon atoms to boron atoms are caused, giving the diamond a blue color or (2) in the case of a nitrogen-containing, yellow diamond, that it causes transmutations from nitrogen atoms to carbon atoms, thereby reducing the yellow color of the diamond.
  • EP 1 097 107 B1 the reduction of radiation damage in the diamond by cooling the diamond in order to restore the diamond crystal lattice, the change in color due to the transmutation of EP 1 097 107 B1 remaining unaffected. A red color was not reported here in EP 1 097 107 B1.
  • JPH 0 536 399 B2 discloses a method for coloring diamonds blue by means of a
  • Electron energy from 3 MeV to 5 MeV is Electron energy from 3 MeV to 5 MeV.
  • CN 107 840 331 A is characterized in that the method of CN 107 840 331 A comprises treating the diamond with a radiation beam comprising protons, wherein the energy difference between the highest energy and the lowest energy of the protons comprises at least 5 MeV. Lt.
  • cosmic radiation is used as a radiation source at a height of at least 20 km.
  • a healing process is known from US 2009 0 110 626 A1 in which the diamond is very quickly brought to a high temperature of approx. 2200 ° C. under high pressure.
  • the dimensions of the resonator are 5.5 cm in the order of magnitude of the wavelength of the microwave radiation to be coupled in.
  • the microwave resonator is by means of
  • NV1 paramagnetic centers
  • NV1 paramagnetic centers
  • NV1 paramagnetic centers
  • Known microwave control From US 9 541 610 B2 a magnetic field sensor is also known which uses microwaves to control the quantum dots. From US 9 551 763 B1 a magnetic field sensor with a 4-sided antenna is known, which also uses microwaves. From US 10 408 889 B2 a controller for a magnetic field sensor for controlling the microwaves is known. US Pat. No. 10 120 039 B2 also discloses a magnetic field sensor with microwave control known. From US 10 168 393 B2 a magnetic field sensor with microwave control with the aid of a bias magnet is known. A magnetic field sensor with microwave control is also known from US 10 241 158 B2. From US 10 345 396 B2, US 10 359 479 B2, US 8 547 090 B2, US 9 557 391 B2, US 9 829 545 B2, US 9 910 104 B2 and the
  • US Pat. No. 9 222 887 B2 discloses a magnetic field sensor with nanoparticles and a microwave control. Magnetic field sensors with microwave control are also known from US Pat. No. 9,632,045 B2 and US Pat. No. 9,658,301 B2. From US Pat. No. 9,664,767 B2, a method for manipulating NV center spins with Walsh reconstruction based on microwave control is known. From US 10 007 885 B1 a measurement by means of entanglement and pertubation pulses is known. A magnetic field measurement with an AFM tip is known from WO 2018 169 997 A1.
  • a magnetic field sensor with two photodetectors is known from US 10 006 973 B2.
  • the device of US 10 006 973 B2 comprises according to its technical teaching a diamond arrangement with a diamond with one or more nitrogen vacancies, a light-emitting diode which is configured to emit light in the direction of the diamond, a first photosensor which is configured to a first Detect a portion of the light emitted by the light emitting diode, a second photosensor configured to detect a second portion of the light emitted by the light emitting diode, and a processor operatively coupled to the first photosensor and a second photosensor.
  • the first part of the light does not migrate through the diamond, while the second part of the light migrates through the diamond according to the technical teaching of US 10 006 973 B2.
  • the processor is configured to compare a first signal received from the first photosensor with a second signal received from the second photosensor and, based on the comparison of the first signal and the second signal, to determine the strength of a signal applied to the diamond
  • US 10 012 704 B2 a magnetic field measurement with an inductive conductor loop with resistance is known.
  • the technical teaching of US 10 012 704 B2 discloses a diamond nitrogen vacancy sensor, a diamond with one or more nitrogen vacancies, a loop of conductive material, which is positioned next to a part of the diamond and a resistor that is connected to a first End of the loop and a second end of the loop is coupled comprises wherein the loop and the resistor form a low pass filter for the DNV sensor.
  • the resistance can be modified by a control device or a regulator.
  • a nanoparticle-diamond-metal compound is known from US Pat. No. 9 599 562 B2 which comprises a diamond nanoparticle with a nitrogen vacancy center and a metallic nanostructure.
  • the diamond nanoparticle has a predetermined radius and is preferably at least partially bound directly to a layer of the metallic nanostructure.
  • the nitrogen vacancy center is arranged at a distance that is based at least in part on the predetermined radius of the diamond nanoparticle.
  • the invention comprises all essential components of a quantum sensor system based on one or more NV centers or one or more groups of NV centers and methods for its production and operation.
  • an oscillating system for example, suggests the method presented here, the object, for example the mechanically oscillating system (MS), with a magnetic field in the form of the magnetic flux density B or an electric field in the form of the electric field strength E. to couple and to determine the instantaneous value of the magnetic flux density B or an electrical flux density D which changes over time by means of a sensor based on quantum mechanical effects.
  • MS mechanically oscillating system
  • Sensor systems which are preferably based on the measurement of the fluorescence radiation (FL) of paramagnetic centers (NV1), are typically also suitable for the measurement of an electric field with an electric field strength E, in particular changing over time, if the source of the electric field strength E is opposite the paramagnetic centers ( NV1) of the sensor system is moved.
  • Such a movement results in a rotation and distortion of the four-dimensional electromagnetic field strength tensor Fy in the four-dimensional Minkowski space, which transforms the electrical field strength E into a magnetic flux density B and thus for makes such sensor systems based on the detection of the magnetic flux density B detectable.
  • the sensor element or parts of the sensor element are preferably diamonds with a preferably at least locally very high density of paramagnetic centers (NV1) in the form of NV centers in order to ensure a high signal-to-noise ratio and a quantum mechanical coupling between these paramagnetic centers ( NV1).
  • NV1 paramagnetic centers
  • Such FID-NV diamonds with a high density of paramagnetic centers (NV1), especially NV centers, are discussed below. For example, the diffusion constant for foreign atoms in diamond is almost zero.
  • These sensor systems with sensor elements that include diamond thus have the advantage that no aging phenomena are to be expected for the paramagnetic centers (NV1).
  • the high hardness of diamond ensures the possibility of high mechanical stress without having to fear damage to the sensor element through abrasion, etc.
  • the diamond sensor element can thus be brought into direct contact with mechanically wearing materials.
  • direct, permanent contact with a hot salt water / gas / oil / sand mixture under high pressure, as occurs in boreholes is possible.
  • a high density of paramagnetic centers (NV1), here NV centers typically gives a diamond in question, which is particularly suitable as a sensor element, a red to deep red or black color. If such an HD-NV diamond is illuminated, for example, with green light as pump radiation (LB), the diamond glows due to the fluorescence radiation (FL)
  • NV1 paramagnetic NV centers
  • Such a diamond of such a sensor system can be made with a brilliant cut as a gemstone.
  • the sensor system structure is preferably designed in such a way that only the diamond, which shines red during operation, is clearly visible in order to evoke a corresponding emotional, positive experience in a viewer.
  • the invention therefore firstly comprises a method for producing diamonds or a diamond with an at least locally high concentration of NV centers for later use as a sensor element in the sensor systems to be produced. This method is therefore of great importance
  • the term "local” is intended to denote a spatial volume as a reference volume within the diamond that is greater than half the pump radiation wavelength (1 rGhr ) Pump radiation (LB) to the third power, since otherwise any concentration could be achieved with a single NV center.
  • Such diamonds are referred to here and below as HD-NV diamonds.
  • the sensor element is a very important part of the sensor system and thus its foundation.
  • the method first comprises the step of providing the diamond as a diamond blank or the diamonds as diamond blanks. It can be a single diamond or a multitude of diamonds.
  • the diamonds can be large or small.
  • the diamonds can also be in powder form or as granules.
  • the diamonds can also be nanocrystalline.
  • Electron irradiation with 2MeV electrons at 710 ° C can be increased by a factor of 2.
  • HD-NV diamonds are referred to below as HD-NV diamonds. It has been shown that a content greater than 20ppm is better. The content can be determined, for example, by means of EPR (electromagnetic parametric resonance) measurement.
  • EPR electromagnetic parametric resonance
  • M. Capelli A.H. Heffernan, T. Ohshima, H. Abe, J. Jeske, A. Hope, A.D. Greentree, P. Reineck, B.C. Gibson, Increased nitrogen-vacancy center creation yield in diamond through electron beam Irradiation at high temperature, Carbon (2018), doi: https://doi.Org/10.1016/ j.carbon.2018.ll.051.
  • a sensor system with a sensor element can be constructed, in which the sensor element comprises a substrate (D) or can be the same as this substrate (D).
  • a spatial volume can be selected in the substrate (D), the substrate (D) comprising a group (NVC) of paramagnetic centers (NV1) with at least two paramagnetic centers (NV1) in this spatial volume.
  • the sensor system includes first means (G, PLI), explained in more detail later, for exciting fluorescence radiation (FL) of this group (NVC) of paramagnetic centers (NV1).
  • Fluorescence radiation (FL) has a fluorescence wavelength (lh).
  • the sensor system also includes second means (G, Fl, PD, Ml, TP) for detecting and evaluating the Fluorescence radiation (FL). When assessing whether an FID-NV diamond is used, the external dimensions of the selected volume should not exceed twice the fluorescence wavelength (lh).
  • the sensor system uses the first and second means (G, PLI, Fl, PD, Ml, TP), the sensor system generates one or more measured values and / or maintains or holds these values as a function of the fluorescence radiation (FL) of this group (NVC) of paramagnetic centers (NV1) this ready.
  • Fluorescence radiation depends on a physical parameter. This can include the magnetic flux density B, the electrical flux density D, the acceleration a, the
  • Gravitational field strength g the speed of rotation co, oscillation frequencies co, the modulation of electromagnetic radiation, the intensity of ionizing radiation, the temperature q and the like, as well as their simple and multiple time integrals and derivatives.
  • the measured value then also depends on the physical parameter. Therefore, this determined measured value can then be used as the measured value of this physical parameter.
  • the device proposed here is characterized by the fact that the concentration of the paramagnetic centers (NV1) of this group (NVC) in the volume is on average greater than 100 ppm and / or 50 ppm and / or 20 ppm and / or 10 ppm and / or 5 ppm and / or 2ppm and / or lppm and / or 0.5ppm and / or 0.2ppm and / or 0, lppm and / or greater than 0.01ppm and / or greater than 0.001ppm and / or greater than 0.0001ppm and / or is greater than 0.0001ppm based on the number of atoms of the substrate (D) per unit volume in this volume of space. It is particularly preferably greater than 10 ppm or, better still, 20 ppm.
  • Such a sensor system with electronic readout comprises a sensor element, wherein the sensor element again comprises a substrate (D) or can be the same as this substrate (D) and wherein the spatial volume in the substrate (D) can again be selected and the substrate (D) in this volume of space comprises a group (NVC) of paramagnetic centers (NV1).
  • the sensor system comprises first means (G, PLI) for exciting a photocurrent of the photoelectrons of this group (NVC) of paramagnetic centers (NV1) by means of a pump radiation (LB) with a
  • the sensor system comprises the sensor system second means (G, Ml, TP) for detecting and evaluating the photocurrent of the photoelectrons of this group (NVC) of paramagnetic centers (NV1).
  • NVC photoelectrons of this group
  • NV1 paramagnetic centers
  • the sensor system uses the first and second means (G, PLI, Ml, TP) to generate a measured value or several measured values as a function of the photocurrent and / or keeps them ready.
  • the photocurrent also depends on a physical parameter here. This can include the magnetic flux density B, the electrical flux density D, the acceleration a, the gravitational field strength g, the
  • the measured value therefore also depends on the physical parameter. As before, the measured value is preferably used as the measured value of this physical parameter.
  • the device is characterized by the fact that the concentration of the paramagnetic centers (NV1) of this group (NVC) in the volume of space is on average 100 ppm and / or 50 ppm and / or 20 ppm and / or 10 ppm and / or 5 ppm and / or 2 ppm and / or lppm and / or 0.5ppm and / or 0.2ppm and / or greater than 0, lppm and / or greater than 0.01ppm and / or greater than 0.001ppm and / or greater than
  • it is particularly preferably greater than 10 ppm or, better, 20 ppm.
  • the diamonds should have nitrogen atoms, preferably in the form of PI centers.
  • the diamonds should preferably be yellow or yellowish.
  • the diamonds should therefore preferably have a yellow color before irradiation, preferably the color "fancy yellow” or “fancy deep yellow” according to the GIA standard by John M. King "Colored Diamonds, colored reference chart”.
  • Diamonds of the GIA classification or "fancy light yellow” are less preferred, as they contain less nitrogen and accordingly lead to diamonds with a lower density of NV centers. The stronger the yellowish color, the more densely the NV centers are later concentrated in the diamonds.
  • the diamond blank or the diamond blanks less preferably comprise nitrogen atoms together with hydrogen, since this has a compensating effect. Such diamonds can also be used if necessary will. N-doping with sulfur can also lead to an increase in the yield of NV centers.
  • the diamonds used here are preferably synthetic HPHT diamond.
  • HPHT stands for High Pressure High Temperature, which means high pressure and high temperature. It is therefore clear to the person skilled in the art that such diamonds were not produced in a metastable manner, for example not by plasma deposition (CVD diamond).
  • Such HPHT diamonds contain little hydrogen, which experience has shown is typically not helpful for the formation of NV centers.
  • the method described here has the advantage that the diamonds can be ground before the process of generating NV centers. If an error occurs, this material can be discarded inexpensively before treatment.
  • a proposed diamond can therefore have at least one or more ground surfaces, for example an optical surface in the form of a first surface (OGL1) for the entry and / or exit of radiation, even before the irradiation.
  • the diamond material irradiated in an irradiation pass described below can be a single diamond as well as a plurality of
  • the diamonds can be large or small.
  • the diamonds can be in
  • the diamonds can also be nanocrystalline.
  • the use of synthetic CVD diamonds is also possible.
  • diamonds have a larger amount of hydrogen, which hinders the formation of NV centers.
  • this variant is also claimed here, although it is not optimal.
  • the diamond or diamonds then comprise nitrogen atoms together with hydrogen. Typically they are then not yellow in color, but are often transparent because the hydrogen changes the spectral colors.
  • the central step in processing the diamonds is irradiation with high-energy particles.
  • High-energy electrons are preferably used. Irradiation with protons, neutrons and helium nuclei is also conceivable and possible.
  • this irradiation preferably does not take place in air or oxygen during the irradiation, since the diamond would then oxidize to CO 2 .
  • the irradiation is preferably carried out in a vacuum with a residual pressure of less than 10 s mbar. Instead, however, such irradiations have already been carried out in a protective gas atmosphere, in particular in an agon atmosphere, but this is not preferred.
  • the diamond blanks are thermally coupled to a heat sink via a thermal resistor.
  • the diamond blanks are kept at the desired process temperature by a temperature control device by a controller that is part of the temperature control device.
  • the controller for regulating the temperature of the diamonds during the irradiation can be, for example, a PI controller or the like.
  • the temperature control device preferably takes into account all energy inputs during the irradiation.
  • the temperature control device can preferably have one or more
  • the temperature control device thus preferably regulates the total energy input into the diamond blanks and possibly the total energy dissipation in such a way that the one temperature probe located in the vicinity of the
  • Diamond blanks is placed during the irradiation, an average irradiation temperature of the diamond blanks of greater than 600 ° C and / or greater than 700 ° C and / or greater than 800 ° C and less than 900 ° C and / or less than 1000 ° C and / or less than 1100 ° C and / or less than 1200 ° C, very particularly preferably between 800 ° C and 900 ° C.
  • an average irradiation temperature of the diamond blanks of greater than 600 ° C and / or greater than 700 ° C and / or greater than 800 ° C and less than 900 ° C and / or less than 1000 ° C and / or less than 1100 ° C and / or less than 1200 ° C, very particularly preferably between 800 ° C and 900 ° C.
  • an average irradiation temperature of the diamond blanks of greater than 600 ° C and / or greater than 700 ° C and / or greater than 800 ° C and less than
  • Temperature control device a PD, P or better PID controller.
  • the total energy input is preferably not constant.
  • the the total energy input is preferably not constant.
  • Total energy input into the diamond blanks has a temporal constant component and, in contrast to the prior art, a temporally pulsed component with a temporal pulse interval and a pulse height of the total energy input pulses.
  • the total energy pulses can also be just a single pulse.
  • the temperature control device can then use the constant component and / or the pulse height of the total energy input pulses of the total energy input and / or the time interval between the total energy input pulses to regulate the mean irradiation temperature detected by the temperature probe. If necessary, a heater can thus be provided, for example, which for the pulse duration of a total energy input pulse
  • Total energy input increases, which results in a rise in temperature and improves the healing of radiation damage.
  • the total energy input is made up of the energy from a possibly active heating device, the thermal energy derived via the thermal discharge resistor and the more or less permanent beam power of the electron beam during the irradiation.
  • the temperature control device must do this when setting the middle Consider target temperature.
  • Each of the aforementioned components of the total energy input can be used for the proposed regulation.
  • Such a diamond can, for example, have one of the following cuts before irradiation: Pointed stone cut, table stone cut, rose cut cut, Mazarin cut, brilliant cut, pear cut, princess cut, oval cut, heart cut, marquise cut, emerald cut, Asscher cut, cushion cut, radiant -Cut, old diamond cut, emerald cut or baguette cut.
  • the diamonds are preferably smaller than 1mm and / or smaller than 0.5mm and / or smaller than 0.2mm and / or smaller than 0.1mm and / or smaller than 50pm and / or smaller than 20pm and / or less than 10pm and / or less than 5pm and / or less than 2pm and / or less than 1pm and / or less than 0.5pm and / or less than 0.2pm and / or less than 0.1pm, with which the granules then is a powder.
  • the diamonds of such granules can also be on average smaller than 1mm and / or smaller than 0.5mm and / or smaller than 0.2mm and / or smaller than 0.1mm and / or smaller than 50pm and / or smaller than 20pm and / or less than 10pm and / or less than 5pm and / or less than 2pm and / or less than 1pm and / or less than 0.5pm and / or less than 0.2pm and / or less than 0.1pm. If a sensor element is to consist of a large number of diamonds, then very small dimensions make sense, since the properties of such a diamond powder are usually isotropic, i.e. not direction-dependent, which can be intended in order to obtain a direction-independent sensitivity of the sensor system. In order to manufacture the sensor element, the diamonds are then combined with a
  • the carrier material (TM) is typically transparent to the pump radiation (LB) and the fluorescent radiation (FL). If, for example, a magnetic flux density B is to be detected by means of the intensity (l fl ) of the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic centers (NV1), the carrier material (TM) shields the
  • paramagnetic centers (NV1) of the sensor element preferably not against the action of this physical variable to be detected, here the magnetic flux B.
  • NV1 paramagnetic centers
  • the preferred method for producing diamonds with a high NV center density is to irradiate the diamond and / or the diamonds with particles of high energy.
  • the irradiation preferably takes place in a quartz vessel in which the diamonds are then placed in the form of diamond blanks for the irradiation.
  • the quartz vessel is preferably open at the top for the entry of the particle beam.
  • a temperature sensor for example a thermocouple, is preferably introduced into the diamonds or on the diamonds during the irradiation, in order to obtain an actual temperature value for regulating the processing temperature of the diamonds during the irradiation.
  • the diamond or the diamonds are preferably irradiated with electrons, since these can penetrate the diamonds completely and fairly homogeneously with a sufficiently high energy.
  • the energy of the electrons of the electron beam is preferably greater than 500keV and / or greater than IMeV and / or greater than 3MeV and / or greater than 4MeV and / or greater than 5MeV and / or greater than 6 MeV and / or greater than 7 MeV and / or greater than 9 MeV and / or greater than 10 MeV and / or greater than 10 MeV, an energy of IOMeV currently being clearly most preferred as the optimum in the system used to develop the invention.
  • the irradiation dose for this irradiation with electrons is preferably between 5 * 10 17 cm 2 and 2 * 10 18 cm 2 , but at least below 10 19 cm 2 . It is important that the temperature of the diamond or diamonds during the irradiation with these electrons is controlled by temperature control at a temperature greater than 600 ° C. and / or greater than 700 ° C. and / or greater than 800 ° C. and less than 900 ° C. and / or less 1000 ° C and / or less than 1100 ° C and / or less than 1200 ° C.
  • the optimum temperature is between 800 ° C and 900 ° C. With other temperatures, other centers in the diamond are preferred.
  • the heating must be powered by the first heating energy flow of a typically existing external heating and the second Heating energy flow of the typically neglected heating by the
  • Electron beam current must be observed.
  • the heating by these heating energy flows is offset by the cooling energy flow of the cooling by heat dissipation into a heat sink.
  • the beam current of the electric current of these electrons of the electron beam is now preferably set or regulated in such a way that the irradiation time to achieve the above irradiation dose is at least 0.05 days and / or at least 0.5 days and / or at least 1 day and / or at least 2 Days and / or at least 4 days and / or at least 8 days.
  • 2 days of irradiation time were used for very successful experiments.
  • a pulsed linear accelerator (Linac for "linear accelerator") is used for irradiation with a pulsed electron stream due to the design.
  • the heating energy of the electron beam is determined by the energy of the electrons and the mean beam current.
  • the heating energy supplied during the irradiation is above said thermal
  • the total heating energy supplied is preferably controlled by means of a thermal sensor, which detects the temperature of the diamond blanks during the irradiation, and by means of a regulator, which controls one, preferably the essential, heating energy flow so that a desired processing temperature of the diamonds is within a target temperature range around the target temperature around for the diamond blanks during the
  • the regulated flow of heating energy which heats the diamond blanks during the irradiation, is preferably pulse-modulated in whole or in part, at least temporarily, in whole or in part. This means that it is supplied in heating pulses. This means that it fluctuates, pulsed over time, between a first energy flow value, which is supplied to the diamond blanks in a first period of a temporal pulse period of the pulse modulation, and a second energy flow value, which is supplied to the diamond blanks in a second period of the temporal pulse period of the pulse modulation during the irradiation.
  • the first energy flow value is preferably different from the second energy flow value. Regulation is preferably carried out by setting the
  • Heating pulse amplitude, the heating pulse width, the heating pulse interval or the duty cycle of the pulse modulation of the heating pulses i.e. by a method of pulse modulation.
  • the duty cycle is also known as the duty cycle.
  • Diamond blanks before irradiation Diamond with a NV center density of more than 500ppm and / or of more than 200ppm and / or of more than 100ppm and / or of more than 50ppm and / or of more than 20ppm and / or of more than lOppm and / or greater than 5ppm and / or of more than 2ppm and / or of more than 1ppm and / or more than 0, lppm and / or more than 0.01ppm and / or of more than 10 3 ppm and / or of more than 10 4 ppm and / or of more than 10 5 ppm and / or of more than 10 6 ppm based on the number of carbon atoms per unit volume.
  • Such diamonds are particularly suitable as sensor elements of the proposed devices and for other quantum technological devices.
  • the pulsation of the electron beam which is typically unavoidable specifically for LINAC, and thus also its fleece energy, is preferably stabilized by a control system in order to achieve predictable results.
  • the pulsation of the electron beam which is typically unavoidable specifically for LINAC, and thus also its fleece energy, is preferably stabilized by a control system in order to achieve predictable results.
  • the diamond provided or an epitaxial layer of sufficient thickness on at least one surface of the diamond is preferably isotopically pure.
  • “isotopically pure” in the sense of this document means that more than 99.5% of the atoms of the diamond can be assigned to a carbon isotope, preferably the nuclear spin-free 12 C isotope. This leads to fewer disruptive nuclear spins of C 13 atoms
  • the thickness of an epitaxial layer is sufficient if the paramagnetic centers (NV1) in this layer behave as if the diamond surrounding them were completely isotopically pure.
  • Diamonds with a high density of NV centers, as described, are hereinafter referred to as HD NV diamonds.
  • the high density of the paramagnetic centers (NV1) is preferably only realized in a small volume within the sensor element, for example the diamond, with preferably a high intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB), since the non-linearity of the intensity (l f
  • the irradiation can only take place locally.
  • the nitrogen atoms in a diamond are only in If a thin plane has been introduced, the electron beam can only penetrate the crystal along transmission axes which are spaced apart from one another. The same is true for others
  • paramagnetic centers in diamond, paramagnetic centers (NV1) then only form at the crossing points between these transmission axes and the layer of implanted nitrogen atoms if the parameters are correctly selected.
  • superlattices can be formed from groups (NVC) of paramagnetic centers (NVC). Each group (NVC) of paramagnetic centers (NV1) in this
  • Superlattices represent a material that has a high density of paramagnetic centers (NV1) within the respective group.
  • NV1 paramagnetic centers
  • the material of the groups of NV centers is thus preferably HD-NV diamond, which preferably has a density of NV centers of more than 10 ppm or better within the respective group than 20ppm.
  • the proposed sensor system now preferably uses the HD-NV diamonds produced in this way, each with a high density of NV centers, for example in the form of red jewelry diamonds, as sensor elements for the sensor systems presented below, which measure the intensity (l fl ) of the fluorescence radiation ( FL) of the NV centers when irradiated with green light as pump radiation (LB).
  • the green light is given in the technical teaching of this document for pumping the
  • paramagnetic centers here typically the NV centers in diamond
  • NV1 paramagnetic centers
  • LB green pump radiation
  • the pump radiation (LB) has a pump radiation wavelength (A pmp ) of this "green light”.
  • the pump radiation (LB) causes the respective paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) or the group or groups (NVC)
  • NV1 paramagnetic centers for the emission of fluorescent radiation (FL) with a
  • NV centers in diamond are used as paramagnetic centers (NV1)
  • the fluorescence wavelength ( ⁇ fl ) of the fluorescence radiation (FL) of the NV centers is such that they appear red. It has been shown that in connection with NV centers in diamond as paramagnetic centers, in principle light with a pump radiation wavelength ( ⁇ pmp ) of the pump radiation (LB) of at most 700 nm and at least 500 nm, especially as pump radiation (LB) ie is suitable as a "green light”.
  • NV centers represent only one example of an embodiment of such a paramagnetic center (NV1).
  • green light or “green pump radiation (LB)” should be understood here as a function definition, the function being understood as being equivalent to the function in the system using NV centers in diamond as paramagnetic centers (NV1) in a sensor element shall be.
  • the “green light” or the “green pump radiation” should have a pump radiation wavelength (l r , hr ) in a wavelength range of 400 nm to 700 nm and / or better 450 nm to 650 nm and / or better 500 nm to 550 nm and / or better 515 nm to 540 nm.
  • a wavelength of 532 nm is clearly preferred as the pump radiation wavelength (1 rGhr ).
  • Light or electromagnetic pump radiation (LB) which when using other
  • paramagnetic centers as used by NV centers in diamond to carry out the same functions is also referred to in this document as "green light” or “green pump radiation”. To this extent, such embodiments are encompassed by claims in those of "green light” or “green pump radiation”, even if this radiation does not appear to be colored green to a person.
  • the proposed sensor system is therefore also suitable for other suitable paramagnetic centers, such as STI center, SiV center, GeV center, TRI center etc.
  • the NV center in diamond is particularly suitable and particularly good to manufacture, for example as described above, and in high density with a high production yield.
  • the pump radiation (LB) of the pump radiation source (PLI), preferably a laser, is expediently pulsed as a function of a pulsed alternating component (S5w) of a transmission signal (S5).
  • the pulsed alternating component (S5w) of a transmission signal (S5) is used as a measurement signal (M ES) i.e. as a reference signal for a look-in amplifier to convert the modulated electrical currents, in particular photoelectron currents or voltages, for example a
  • Receiver output signal (SO) converted modulation of the intensity (l fl ) of the
  • the pulsed pulse modulation of the pump radiation (LB) and thus the pulsed pulse modulation of the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) preferably does not 50% duty cycle (English duty cycle) should have.
  • the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) has an amplitude (S5w A ) of the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5).
  • the value of the transmission signal (S5) is the value of the direct component (S5g) of the transmission signal (S5) minus the value of the amplitude (S5w A ) of the alternating component (S5w.
  • the value of the transmission signal (S5) increases then to the value from the sum of the value of the amplitude (S5w A ) of the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) plus the value of the direct component (S5g) of the transmission signal (S5). Then pauses for a transmission signal plateau time (T S Pmpp ) the value of the transmission signal (S5) essentially at this value level, then with a transmission signal fall time (T S Pmpd ) to the value from the difference value of the direct component (S5g) of the transmission signal (S5) minus the value of the amplitude (S5w A ) des AC component (S5w) of the transmission signal (S5).
  • the value of the transmission signal (S5) then essentially remains at this value until the end of the transmission signal period (T P ) the value of the transmission signal (S5) then again with a transmission signal rise time (T S5pmpr ) on the value the sum of the amplitude (S5w A ) of the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) plus the value of the direct component (S5g) of the transmission signal (S5) increases.
  • the maximum value of the pulses of the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) is preferred in the form of the sum of the amplitude (S5w A ) of the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) plus the value of the direct component (S5g) of the transmission signal (S5) maximized in order to achieve a maximum intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB) at the times in which the pump radiation source (PLI) emits pump radiation (LB).
  • the purpose of this is that the contrast (KT) (see FIG.
  • the pulse duty factor of the transmission signal (S5) and thus the modulated transmission signal (S5w) is defined here as the transmission signal pulse duration (T S5pmp ) divided by the transmission signal period (T P ).
  • Transmission signal pulse duration (T S5pmp ) plus transmission signal complementary time (T S5c ) are here equal to the transmission signal period (T P ).
  • the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) and thus the transmission signal (S5) with a pulse duty factor of the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) is preferably less than 50% and / or better less 40% and / or better less 30% and / or better less than 20% and / or better less than 10% pulse modulated. It is therefore preferably an ultra-short pulse with the highest possible amplitude.
  • the modulated transmission signal (S5w) is preferably pulse-modulated with a pulse duty factor of less than 50% and / or better less 40% and / or better less 30% and / or better less 20% and / or better less 10%. It is therefore preferably an ultra-short pulse. This ultrashort pulse is preferably converted with the greatest possible amplification into a corresponding short, as intense as possible intensity pulse of the intensity (I pmp ) of the pump radiation (LB).
  • the pump radiation source (PLI) is controlled with the transmission signal (S5), it typically reproduces the transmission signal (S5) with a delay by a transmission delay (At
  • pmp ) to Os can be used for the calculation of many applications
  • pmp ) is defined here such that the intensity pulse of the intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB) has a pump radiation intensity maximum (l pmpmax ) and that the pump radiation pulse duration (T
  • the existing bias value (l pmp0ff ) of the intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB) ends.
  • pmpr ) of the intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB) is defined here in such a way that the pump radiation rise time (T
  • pmpd ) of the intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB) is defined here in such a way that the pump radiation decay time (T
  • pmp ) can be set to Os and / or the pump radiation fall time (T
  • pmp ) is then equal to the transmission signal pulse duration (T S5p m P )
  • pmp ) and the transmission signal pulse duration are then equal to the first times (TI) at which the transmission signal (S5) is active and the pump radiation source (PLI) pump radiation (LB) emitted.
  • the transmit signal complementary time (T S5c ) and the pump radiation complementary time (T) are, among these simplifications, equal to the second times (T2) at which the transmission signal (S5) is not active and the pump radiation source (PLI) does not emit any pump radiation (LB).
  • first times (TI) and the second times (T2) in FIGS. 6, 11, 13, 19, 23 and 26 only represent a simplification for better understanding.
  • the levels of FIGS. 6, 11, 13, 19, 23 and 26 are therefore only exemplary and are only used for better understanding.
  • pmpr ) should not exceed 25%, better not more than 10%, better not more than 5%. , better not more than 2% of the time duration of an intensity pulse of the pump radiation (LB), that is to say the pump radiation pulse duration (T
  • the duration of the transmission signal fall time 0 " s5 P mpd) and / or the transmission signal rise time (T S 5 Pm pr) should not be more than 25%, better not more than 10%, better not more than 5%, better not more than 2% of the temporal transmit signal pulse duration (Tsspmp).
  • a driver circuit for an LED is known from DE 10 2009 060 873 A1. From the
  • DE 10 2016 116 368 A1 is a driver circuit for light-emitting optoelectronic
  • DE 10 2016 116 368 Al connects this star point to the reference potential (reference symbol GND of DE 10 2016 116 368 Al) if one or more of the light-emitting optoelectronic components is to emit light.
  • the buffer capacitor (reference number 9 of the DE 10 2016 116 368 A1) is used to quickly charge the actual energy reserves
  • Control switches are connected in parallel so that they can generate pulses with a time delay and can cool down between the pulses, while the other control switches can generate the further pulses.
  • Control switches are known from DE 10 2017 121 713 A1, which consist of sub-units in which each sub-unit has its own capacitor for providing the switching energy.
  • Control devices for a gas laser are known from DE 19 914 362 A1 and DE 19 514 062 A1.
  • control switch is connected between the supply voltage and the anode of the laser diode.
  • DE 10 2016 116 875 A1 describes a driver circuit (e.g. FIG. 12 of DE 10 2016 116 875 A1) with a common control switch (reference symbol S3 of DE 10 2016 116 875 A1) for several lasers (reference symbols Dl, D7 of DE 10 2016 116 875 Al), in which the common
  • Control switch (reference number S3 of DE 10 2016 116 875 A1) on the cathodes of the laser is connected and can connect it to the reference potential.
  • the energy for the laser pulse comes from a common storage capacity (reference symbol C of
  • the lasers are selected via separate switches (reference number S2 of DE 10 2016 116 875 A1).
  • a laser driver circuit is known from DE 10 2006 036 167 B4, in which the resonances of the parasitic inductances and the capacitances are matched in such a way that they are predetermined
  • US Pat. No. 6,697,402 B2 discloses a laser driver with laser current detection via a shunt resistor between the cathode connection and the reference potential.
  • a single driver circuit is known from US Pat. No. 9,368,936 B1.
  • a coil is called a
  • a driver circuit is known in which the charging circuit is disconnected by an inductance from the laser diode for the short time of the light pulse emission when the control transistor initiates the light emission.
  • pmp ) should preferably be used in order to avoid thermal overloading of the
  • Pump radiation source so for example a semiconductor laser, to avoid less than 50% of the transmission signal period (T p ) of the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5).
  • the transmission signal pulse duration (T S5pmp ) should preferably be less than 50% of the transmission signal period (T p ) of the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5).
  • Pump radiation source (PLI) should be proportional to the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5), it can be assumed in the context of this document that the above conditions for the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) also apply to the time profile of the intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB) apply if the time course of the electrical current and / or the electrical voltage of the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) has the same 10% or 90% or 50% conditions with regard to pulse duration, Rise time and fall time are sufficient.
  • Diamond crystal of an HD-NV diamond has a sufficiently high density of paramagnetic centers (NV1), for example NV centers in diamond. If the mean distances between paramagnetic centers (NV1) excited with pump radiation (LB), for example between the NV centers, are small enough, they couple and increase the dependence of the intensity (l fl ) of their fluorescent radiation (FL) on the magnetic flux density B or other physical parameters influencing the fluorescence radiation (FL) at the location of the paramagnetic centers (NV1).
  • An exemplary diamond crystal in the form of an HD-NV diamond preferably has an NV center density of more than 0.01 ppm based on the number of carbon atoms per unit volume of the diamond crystal.
  • NV1 paramagnetic centers
  • NV centers such as for example of more than 0.01 ppm and / or of more than 10 3 ppm and / or of more than 10 4 ppm and / or of more than 10 5 ppm and / or more than 10 6 ppm based on the atoms of the substrate (D) in the sensor element per volume unit.
  • ) of the fluorescence radiation (FL) then weakens more and more as the concentration of the NV centers in the diamond crystal decreases, so that ever higher demands are placed on the electronic signal processing.
  • the aforementioned density of paramagnetic centers (NV1) does not need everywhere in the
  • the spins of the electron configurations of the excited NV centers i.e. the paramagnetic centers (NV1)
  • NV1 paramagnetic centers
  • microwave antennas and transmitters makes sense if the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers or a group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) is to be additionally modulated or diamonds with a lower density paramagnetic centers (NV1) should be used.
  • FL fluorescence radiation
  • NVC group or groups
  • Microwave radiation which massively restricts the use of sensors with microwave de-excitation of the excited paramagnetic centers to an intermediate level for such purposes.
  • the sensor element with an anti-reflective coating and / or matching layer (ASv) for radiation of the pump radiation wavelength (l rGT ⁇ r ) of the pump radiation (LB) is preferred.
  • the first surface (OFL1) of the diamond that is irradiated with the pump radiation (LB) is preferably provided with an anti-reflective coating or an adaptation layer (ASv) and / or a
  • the shape of the sensor element can thus be selected more or less freely. Large sensor element areas are also possible.
  • the core of the proposed sensor system is a sensor element with an at least locally high density of paramagnetic centers (NV1), for example an HD-NV diamond.
  • NV1 paramagnetic centers
  • a pump radiation source is provided for this in a proposed sensor system suitable to emit pump radiation (LB) that can excite the selected paramagnetic center (NV1) to emit fluorescent radiation (FL).
  • LB pump radiation
  • NV1 paramagnetic center
  • FL fluorescent radiation
  • a laser diode from Osram of the PLT5 520B type for example, is available as
  • Pump radiation source with 520nm pump radiation wavelength (l rigir ) suitable.
  • pump radiation (LB) from the pump radiation source (PLI) should have a pump radiation wavelength in a wavelength range from 400 nm to 700 nm and / or better 450 nm to 650 nm and / or better 500 nm to 550 nm and / or better to have 515 nm to 540 nm. Pump radiation of this function is referred to here as "green" pump radiation (LB).
  • a wavelength of 532 nm is clearly preferred as the pump radiation wavelength (l rGT ⁇ r ) of the pump radiation (LB). 520nm were also used successfully.
  • the pump radiation source (PLI) is preferably a light-emitting diode or a laser, which in the following are also referred to collectively for simplicity as an LED. It is conceivable to use other lighting means, for example organic light-emitting diodes (OLEDs) or electroluminescent devices, as pump radiation sources (PLI). The use of LEDs as pump radiation sources (PLI) is currently clearly more advantageous.
  • the paramagnetic center (NV1) in the material of the sensor element emits the said fluorescence radiation (FL) when irradiated with this, in the case of NV centers as paramagnetic centers (NV1) typically green, pump radiation (LB).
  • the fluorescence radiation (FL) is typically red when NV centers are used as paramagnetic centers (NV1).
  • the NV center radiates in the negatively charged state NV with a
  • Fluorescence radiation with a fluorescence radiation wavelength (lh) of 637nm.
  • the NV centers do not fluoresce.
  • the position of the Fermi level at the location of the relevant paramagnetic center (NV1), here an NV center determines the preferred state of charge of the paramagnetic center, here the NV center.
  • the preferred charge state of the paramagnetic center for example an NV center, can be predetermined.
  • a paramagnetic center for example an NV center
  • the paramagnetic center (NV1) is brought into a fluorescent state, for example the N_ state or is brought into another, non-fluorescent state.
  • a fluorescent state the paramagnetic one in question emits Center (NV1) when irradiated with pump radiation (LB) of the pump radiation wavelength (l rGT ⁇ r ) fluorescent radiation of the fluorescent radiation wavelength (l ⁇ ).
  • LB pump radiation
  • l rGT ⁇ r the pump radiation wavelength
  • the paramagnetic center (NV1) in question emits NO fluorescent radiation when irradiated with pump radiation (LB) of the pump radiation wavelength (l rGT ⁇ r )
  • This fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic center or centers (NV1) or of the group of the groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) is detected by the radiation receiver (PD).
  • the radiation receiver (PD) is, for example, a photodiode, which is also preferably used for radiation with a compensation radiation wavelength (l ⁇ ), which is explained later, from a compensation radiation source (PLK), which is also explained later, or is also preferably for the compensation fluorescence wavelength (1 M! ) Explained later, which is also explained later
  • KFL Compensation fluorescence radiation of one or more paramagnetic reference centers (NV1) or a group or groups (NVC) of paramagnetic reference centers (NV2) also explained later (NVC).
  • the radiation receiver (PD) for example the said photodiode, is sensitive to radiation of the fluorescence radiation wavelength (1h) of the fluorescence radiation (FL).
  • a PIN photodiode of the type BPW 34 FA from Osram was used as a photodiode, as a radiation receiver (PD).
  • the radiation receiver (PD) is therefore preferred for radiation with a
  • Fluorescence radiation wavelength (lh) of 637nm sensitive For example through a
  • upstream optical filter (F1) is preferably the combination of optical filter (F1) and radiation receiver (PD) not sensitive to radiation with the pump radiation wavelength
  • the pump radiation source (PLI) generates the pump radiation (LB) depending on the current value of a transmission signal (S5).
  • the sensor system is preferably designed such that the pump radiation (LB) at least partially falls on the paramagnetic center or centers (NV1).
  • optical functional elements such as optical waveguides, Reflectors, lenses, prisms, open-air sections, vacuum sections, diaphragms, mirrors, beam parts, grids, etc. are used, which optically couple the pump radiation source (PLI) with the paramagnetic center or centers (NV1) of the sensor element.
  • the sensor system is preferably designed so that the fluorescence radiation (FL) at least partially the fluorescence radiation (FL) at least partially the
  • Radiation receiver (PD) irradiated. This can also be ensured by means of the said optical functional elements mentioned in this document, which optically couple the paramagnetic center or centers (NV1) of the sensor element with the radiation receiver (PD).
  • the radiation receiver (PD) generates a receiver output signal (SO), the instantaneous value of which (sO), as a function of the intensity value of the intensity of the entire irradiation and thus also as a function of the intensity value of the intensity (l f
  • An evaluation circuit converts the sequence of instantaneous values (sO) of the receiver output signal (SO) into a measured value for the amplitude and / or intensity (l f
  • This measured value is output as an instantaneous value (s4) of the sensor output signal (out) or made available for use.
  • the intensity (l fl ) of the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic centers (NV1) depends on physical parameters such as the magnetic flux density B at the location of these paramagnetic centers (NV1), a simple spatially and / or temporally high-resolution magnetometer, for example be built as an example of a sensor system for detecting a physical parameter by means of a paramagnetic center (NV1), the sensor element of which has little noise and which has a high sensitivity. Further physical parameters in addition to the magnetic flux density B, which may be determined by means of the
  • Intensity (l fl ) of the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic center (NV1) could be measured in this way, would be, for example, electrical flux density D, acceleration a, gravitational field strength g, pressure P, temperature q, speed of rotation co, vibration frequency of mechanical parts (bars) Position, intensity of ionizing radiation etc.
  • Such a sensor system preferably uses one or more HD-NV diamonds with a high density of NV centers, as described above.
  • the sensor system can, for example, use a single, monocrystalline diamond with a high density of NV centers or a powder or granules of nanodiamonds or diamonds with NV centers use a transparent material, whereby these characteristics represent extreme cases of a wide range of possible designs between these extremes.
  • the NV centers can also be used as individual, isolated NV centers or used in such a high density that two or preferably more NV centers couple with one another and create collective effects become possible.
  • NV center density HD NV diamonds is preferred here.
  • a sensor system can have one or more crystals of a different material with a high density of suitable alternative paramagnetic centers.
  • the sensor system can, for example, use a single, monocrystalline crystal with a high density of paramagnetic centers (NV1) or a granulate or a powder, for example made of nanocrystals or crystals with a high density of paramagnetic centers (NV1) in a transparent material, with these characteristics again represent the two extreme cases of the said wide range of implementation possibilities.
  • NV1 paramagnetic centers
  • NV1 paramagnetic center
  • NVC group or groups
  • Fluorescence radiation FL is used as the basis of the measured value, suction and capture of the photoelectrons in the form of a photo current of the photoelectrons of the paramagnetic center (NV! Or the paramagnetic centers (NV1) or the group or groups (NVC) paramagnetic centers (NV1) and the use of mine these
  • Photoelectrons as the basis for determining measured values directly from the sensor element are always included in the description and stress.
  • the performance of a quantum mechanical sensor system can be severely restricted by an unfavorable housing.
  • a housing with ferromagnetic subcomponents can cause distortions or shielding of magnetic fields and thus limit the usability of the sensor system.
  • An unfavorable housing can also significantly increase the production costs of such a sensor device.
  • the proposal therefore also includes a particularly suitable housing for the cost-effective production of sensor systems with a paramagnetic center (NV1) in the material of a sensor element and / or in the material of a quantum technological device element that is part of the sensor system and / or quantum technological system.
  • the proposed housing which has already been processed into a sensor system, typically has such a sensor system with a paramagnetic center (NV1) after the housing has been opened. It is preferably a Sensor system as described above with one or more HD-NV diamonds with a high density of NV centers, as described above, as sensor element.
  • the proposed housing can furthermore comprise first means as first optical functional elements, for example a reflector (RE), which direct the pump radiation (LB) of the pump radiation source (PLI) onto the paramagnetic center (NV1) and thus the pump radiation source (PLI), for example optically couple an LED with the paramagnetic center (NV1).
  • first optical functional elements such as optical waveguides, reflectors, lenses, prisms, open air sections, vacuum sections, diaphragms, mirrors, beam parts, grids, etc. can be used for the optical coupling, some of which can also be manufactured as housing parts.
  • the use of the housing cover (DE) for this purpose is preferred.
  • the proposed housing can furthermore have second means as second optical means
  • a reflector which direct the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic center or centers (NV1) onto the radiation receiver (PD) and thus the radiation receiver (PD), for example a photodiode, with the paramagnetic center or centers (NV1) couple.
  • second optical functional elements such as optical waveguides, reflectors, lenses, prisms,
  • Open-air sections vacuum sections, diaphragms, mirrors, beam parts, grids, etc. can be used, some of which can also be manufactured as housing parts.
  • the use of the vacuum sections can be used, some of which can also be manufactured as housing parts.
  • Housing cover (DE) also for this purpose.
  • an optical filter that does not attenuate the fluorescence radiation (FL) or only slightly attenuates it in relation to the application and thus transmits the Pump radiation (LB) attenuates sufficiently in relation to the application and thus absorbed or reflected and not transmitted.
  • the fluorescence radiation (FL) with fluorescence radiation wavelength (lh) can reach the radiation receiver (PD) and radiation with pump radiation wavelength (l rGhr ), the pump radiation (LB), cannot reach the radiation receiver (PD).
  • first means and / or second means are part of the housing itself.
  • the inside of a cover (DE) of the housing can optionally also be structured by polishing and / or one or more layers Coating can be designed as a specular reflector (RE) for directing the pump radiation (LB) and / or the fluorescent radiation (FL).
  • RE specular reflector
  • a mirror coating of surfaces of the housing, in particular parts of the housing cover (DE) is better.
  • An additional focusing curvature of the inside of the cover (DE) is particularly favorable and preferred.
  • Patent application DE 10 2018 127 394 A1 the publication date of which is after the claimed days of the priorities of this application.
  • the sensor system can, however, also expressly differ from the German patent application DE 10 2018 127 394 A1
  • NV1 paramagnetic center
  • NVC group or groups
  • All sub-devices of the housing and of the sensor system are preferably made non-ferromagnetic in order to minimize the influence on the paramagnetic center (NV1).
  • “Non-ferromagnetic” is understood here to mean a permeability number less than 100.
  • All components of the housing and of the sensor system and / or of the quantum technological system are preferably diamagnetic, which in this document refers to a permeability number of the materials with p r ⁇ 1 (typically 1-7 * 10 s ... 1-2 * 10 4 ) is, and / or paramagnetic, which is understood here as a permeability number of the materials with p r > 1 (typically 1 + 1 * 10 8 ... 1+ 4 * 10 4 ).
  • a shielding (MAS) made of soft magnetic material between the radiation receiver (PD1) and the evaluation circuit, i.e. the integrated circuit (IC).
  • a shield (MAS) can also be provided around the paramagnetic center (NV1) or the
  • a housing with such a shield (MAS) is considered to be made of non-ferromagnetic materials for the purposes of this disclosure, since it exhibits this property after the shield (MAS) has been removed.
  • the housing with the functionalized paramagnetic center (NV1) in the material of a sensor element is thus preferably designed in such a way that all sub-devices of the sensor system, including the housing, apart from a soft magnetic shielding (MAS), consist of one
  • MAS soft magnetic shielding
  • a soft magnetic material and / or except for parts of a magnetic circuit are not made of a ferromagnetic material, but preferably of a paramagnetic and / or diamagnetic material.
  • a soft magnetic material is a material with a
  • sensor element is used as a synonym for a in this document
  • a very cost-effective method for producing a sensor system comprises the following steps, also in a different order:
  • the method also prefers the introduction of the radiation receiver (PD1) into the cavity (CAV) of the open-cavity housing through the mounting opening (MO) in a typically separate step;
  • NV1 paramagnetic centers
  • NVC paramagnetic centers
  • a first method is presented for testing a housing with a sensor system that is at least partially manufactured in the housing, in accordance with the proposals above and below.
  • the test procedure is preferably carried out before the mounting opening (MO) is closed.
  • the mounting opening (MO) is used here to feed the test signals.
  • the idea is to open the mounting opening (MO) for the supply of a well-controlled, preferably calibrated and adjustable test pump radiation (TLB), which corresponds to the pump radiation (LB), and the extraction of a well-controlled, preferably calibrated and adjustable test radiation (TFL), which corresponds to the Fluorescence radiation (FL) corresponds to using out of the housing and the electrical and / or physical reaction of the device components
  • test procedure includes, for example, the following steps:
  • Fluorescence radiation FL
  • Fluorescence radiation FL
  • Fluorescence radiation is detected as a function of the intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB) and / or as a function of the value of one or more physical parameters, for example the value of the magnetic flux density B and / or the temperature and / or can act a pressure etc;
  • Combination of the same correspond with at least one of the respective Measurement parameter configuration assigned threshold.
  • the housing with the sensor system is preferably discarded or reworked if this comparison does not correspond to an expected value.
  • a second method for testing a housing with a sensor system in accordance with the above proposal is also proposed.
  • the second proposed test method is also preferably carried out before the mounting opening (MO) is closed.
  • the basic idea is the same as for the first test procedure presented above. This second test procedure comprises the steps:
  • Measurement parameter configurations each of which contains one or more predetermined values of the physical parameters influencing the pump radiation source (PLI) (e.g.
  • Operating voltage or temperature or a combination thereof, with at least one threshold value assigned to the respective measurement parameter configuration.
  • the housing with the sensor system and / or the sensor system is preferably discarded or reworked if this comparison does not correspond to an expected value.
  • a third method for testing a housing with a sensor system in accordance with the above proposal is proposed.
  • the third proposed test method is also preferably carried out before the mounting opening (MO) of the housing is closed.
  • the basic idea is the same as for the first and second test procedures presented above.
  • This third test procedure comprises the steps: • Operating a pump radiation source (PLI) in the sensor system with an open housing with an open mounting opening (MO);
  • Fluorescence radiation is detected as a function of the intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB) and / or as a function of the value of one or more physical parameters, for example the value of the magnetic flux density B and / or the temperature and / or can act a pressure etc;
  • Measurement parameter configuration assigned threshold The housing with the sensor system and / or the sensor system is preferably discarded or reworked if this comparison does not correspond to an expected value.
  • the first method, the second method and the third method can be combined with one another.
  • a sensor system and / or quantum technology system - also referred to in this document as a sensor system in a simplified manner - is proposed in which the sensor system in one Housing is housed and in which the sensor system has a paramagnetic center (NV1) or several paramagnetic centers (NV1) or a group or several groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) in the material of a sensor element and / or
  • the sensor system of the current sensor comprises said pump radiation source (PLI) for pump radiation (LB), which is preferably an LED.
  • PHI pump radiation source
  • LB pump radiation
  • the pump radiation (LB) causes the paramagnetic center or the paramagnetic centers (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) to emit fluorescence radiation (FL).
  • the above-described components of the housing and / or of the sensor system can also be present.
  • the housing now additionally comprises at least one line through which the electrical current to be detected and measured flows. This line is preferably galvanically separated from the other device parts of the sensor system. The only exception can be the sensor element with the paramagnetic center (NV1).
  • the diamond can be in direct electrical high-resistance contact and mechanical contact with the conductor and one or more NV centers of the diamond can be optically coupled to the rest of the sensor system.
  • the fact that diamond is generally electrically insulating can be used here.
  • the magnetic field of the line in the form of the generated magnetic flux density B at the location of the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) influences the intensity (l fl ) of the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers or the group or groups (NVC) of the paramagnetic centers (NV1) in the material of a sensor element and / or of the quantum technology
  • r is the distance between the paramagnetic center (NV1) or the several paramagnetic centers (NV1) or the group or groups (NVC) paramagnetic centers (NV1) from the current-carrying conductor (LTG, LH, LV).
  • the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) are preferably located at a first distance (r) of less than 1pm, better less than 500 nm, better less than 200 nm, better less than 100 nm, better less than 50 nm, better less than 20 nm away from the exemplary horizontal line (LH).
  • a first distance (r) of less than 1pm, better less than 500 nm, better less than 200 nm, better less than 100 nm, better less than 50 nm, better less than 20 nm away from the exemplary horizontal line (LH).
  • the line (LH) is particularly preferably less than 50 nm away from the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1). Due to this small distance (r), even with very low electrical currents (IH) in the line (LH,
  • paramagnetic centers (NV1) or the group (NVC) or the groups (NVC) paramagnetic centers (NV1) are generated, which the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) or the group (NVC) or the groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1), possibly in parallel with other possibly relevant physical parameters.
  • FL fluorescence radiation
  • NV1 or the paramagnetic centers (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) or the group (NVC) or the groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) possibly in parallel with other possibly relevant physical parameters.
  • LH lines
  • the contrast (KT) of the respective paramagnetic centers (NV1) assigned to the respective respective lines (LH) or of the respective respective lines ( LH) assigned to the respective groups (NVC) of the paramagnetic centers (NV1) by the resulting
  • different respective magnetic flux density B at the location of the respective paramagnetic center (NV1) or at the location of the respective group (NVC) of paramagnetic centers can be set differently.
  • a method and a device are thus disclosed here which allow the contrast (KT) of different paramagnetic centers (NV1) and / or different groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) to be set differently.
  • the multiple lines (LH) can be provided with a mutually different electrical potential compared to the electrical potential of the substrate (D).
  • Such an electrical potential of a line (LH) assigns the Fermi level at the location of a paramagnetic center (NV1) assigned to this line (LH) and located in the vicinity of the line (LH) or at the location of one of this line (LH) , group (NVC) of paramagnetic centers (NV1) located in the vicinity of the line (LH), whereby proximity here refers to the above values for the distance (r) between a line (LH) and the paramagnetic center (NV1) assigned to this line or the group (NVC) of paramagnetic centers (NV1) assigned to this line (LH).
  • Pump radiation wavelength (l rigir ) and smaller than the fluorescence radiation wavelength (lh) can be used in this way to produce a sensor system whose spatial resolution is smaller than that without such a selection structure.
  • individual paramagnetic centers (NV1) or individual groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) can be sequentially created by applying a suitable potential to the line (LH) assigned to this paramagnetic center (NV1) or to this group (NVC) of paramagnetic centers (NV1).
  • NV1 paramagnetic centers
  • NVC groups
  • the line assigned to an NV center is preferably positively charged compared to the substrate (D) for the activation of the NV center, so that the nearby NV center changes to the negatively charged, fluorescent one NV state passes over, and is preferably negatively charged compared to the substrate (D) for the deactivation of the NV center, so that the nearby NV center leaves the negatively charged, fluorescent NV state and thus no longer fluoresces.
  • This method can also be used to apply a modulation to the intensity (l fl ) of the fluorescent radiation (FL).
  • the modulations can be specific for the line (LH), so that in the frequency spectrum of the modulation of the intensity (l f
  • Synchronous demodulators, bandpass filters or the like can be separated again if the distances between these modulation frequencies in the frequency spectrum are selected appropriately. In this way, a spatial resolution below the fluorescence radiation wavelength (l ⁇ ) and below the pump radiation wavelength (l rigir ) is possible.
  • the sensor system determines, for example with the said radiation receiver (PD1) and for example the said integrated circuit (IC) by means of the evaluation circuit, a value for the intensity (l f
  • Fluorescence radiation (FL) of a paramagnetic center (NV1) depends on the magnetic flux density B at the location of the paramagnetic center (NV1), a value for the intensity (l fl ) of the fluorescence radiation (FL) and thus the value of the sensor output signal (out) is a possible measure for the magnetic flux density B at the location of the paramagnetic center and thus for the current value of the electric current through the conductor, which causes this magnetic flux density B. It is thus possible to build a current measuring system with the help of a paramagnetic center (NV1) or several paramagnetic centers or a group (NVC) of paramagnetic centers (NV1) or several groups of paramagnetic centers (NV1) without the aid of microwaves.
  • paramagnetic centers NV1 or several paramagnetic centers (NV1) or a group (NVC) of paramagnetic centers (NV1) or several groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) in a substrate (D), im
  • NV1 paramagnetic center
  • Sensor system comprises first means (G, PLI, Fl, PD, Ml, TP) for the excitation and detection and evaluation of the fluorescence radiation (FL) of these paramagnetic centers (NV1) and wherein the
  • the sensor system preferably comprises an electrical conductor (LH, LV, LTG).
  • the electrical conductor (LH, LV, LTG) is preferably mechanically connected to the substrate (D) with the
  • the electrical conductor (LH, LV, LTG) is preferred by an electric current (IH, IV) flows through it. Said electric current (IH, IV) now generates a magnetic flux B, which influences the fluorescence radiation (FL) of these paramagnetic centers (NV1).
  • shortest distance (r) between the center of gravity of the paramagnetic centers (NV1) and the conductor (LH, LV, LTG) is shorter than lpm, better less than 500nm, better less than 200nm, better less than 100nm, better less than 50nm, better less than 20nm or is the shortest distance (r) between a paramagnetic center (NV1) of the
  • Evaluation unit (LIV) is preferably an integrated circuit. Only parts of the control and evaluation unit (LIV) can also be part of an integrated circuit (IC).
  • the integrated circuit (IC) can have further functional elements, such as the radiation receiver (PD), the pump radiation source (PLI) - for example in the form of a center (PZ) emitting pump radiation (LB) - the compensation radiation source (PLK), the first filter (Fl) - for example as a functional element of diffractive or digital optics / photonics - the paramagnetic center (NV1) - for example as a G center in silicon or V center in SiC -, the transmission links - for example as a micro-integrated
  • Fiber optic cables Fiber optic cables, a computer system (PC) and, if necessary, other control devices,
  • the integrated circuit (IC) for use with one or more paramagnetic centers (NV1) or a group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) in the material of a sensor element is therefore also proposed here.
  • the integrated circuit (IC) preferably comprises a driver for operating a pump radiation source (PLI), preferably one
  • Radiation receiver (PD1) for the detection of the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic centers (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1), an evaluation circuit for generating a sensor output signal (out) that is generated by the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic center (NV1) in the material of a
  • the Sensor element preferably on the intensity (l fl ) of the fluorescent radiation (FL) depends.
  • the sensor element is preferably a diamond crystal.
  • paramagnetic centers are preferably an NV center or NV centers or one or more groups of NV centers in the diamond crystal or in several diamond crystals.
  • the radiation receiver (PD) does not necessarily have to be part of the integrated circuit (IC). It can be external to the integrated circuit.
  • the sensor system and / or the housing of the sensor system preferably has a magnetic circuit or parts of such a magnetic circuit, also referred to below as magnetic circuit elements.
  • a deformation of the sensitivity field is possible so that preferred directions and / or a direction-dependent sensitivity can be achieved.
  • a means for deforming the magnetic field can be, for example, ferromagnetic device parts that are brought into the vicinity of the paramagnetic centers (NV1) and / or the vicinity of groups (NVC) of such paramagnetic centers (NV1) and then the field lines of the magnetic flux B there deform.
  • NV1 paramagnetic centers
  • NV1 paramagnetic centers
  • the magnetic flux density B if it is arranged perpendicular to the surface normal of the ferromagnetic sheet, is concentrated in the sheet and reduced in the slot, so that the intensity (l fl ) of the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic centers (NV1) has only a small amount of the magnetic flux B is influenced.
  • the magnetic flux density B becomes when it is arranged parallel to the surface normal of the ferromagnetic sheet and perpendicular to the slot direction, concentrated in the sheet and thus also concentrated in the slot with these orientations, so that the intensity (l f
  • ) of the fluorescence radiation (FL) on the magnitude of the magnetic flux density B is now anisotropic and thus depends on the spatial direction.
  • a device for measuring a magnetic flux density B is thus described here, which firstly comprises at least one of the other sensor systems described in this document, which by means of detection and evaluation of parameters of the fluorescence radiation (FL) of one or more paramagnetic centers (NV1) and / or one or more groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) to determine a value for the magnetic flux density b and which, secondly, additionally comprises a ferromagnetic functional element which deforms the field profile of the magnetic flux density B so that the measured value from the device for Measurement of a magnetic flux density B with the help of said other sensor systems described in this document as a function of the magnetic flux density B of this magnetic field deformed by means of said ferromagnetic functional element is determined, from the direction of the external impact on the device for measuring an m magnetic flux density B acting flux density B depends.
  • Thick receivers are known from radio astronomy. More information can be found on the Internet under the keyword “Dicke receiver”. At this point, reference is made to the publication U. Klein, “Radio astronomy: tools, applications and impacts; Course astro 841", Argelander Institute for Astronomy Bonn, 2011 edition. The font can be downloaded at the time of international registration under the link https://hera.phl.uni-koeln.de/ftpspace/simonr/Pablo/Radioastronomy.pdf. Chapter 6.4.2 on page 82 ff. Describes the basic construction of a thickness receiver.
  • Such a thickness amplifier is used to detect static, constant sources in extremely noisy environments.
  • the noise that can be eliminated is the thermal 1 / f noise in the measuring channel.
  • the amplitude of which is below the noise level is switched back and forth between the noisy input signal of the antenna and the noise signal of an equivalent noise source of the same temperature as the noise background of the received signal. This happens with a sufficiently high frequency. If, for example, the static signal of a stellar object is part of the received signal, this object signal can be raised above the background noise by multiplying the resulting signal with the switching signal.
  • a compensation radiation source which is preferably designed as a light-emitting diode, called LED for short, or as a laser, serves as the comparison noise source.
  • the compensation radiation (KS) of the compensation radiation source (PLK) has a
  • System noise therefore essentially originates from the pump radiation source (PLI), the radiation receiver (PD) or the first amplifier stages, which typically have the lowest signal-to-noise ratio.
  • the noise of the pump radiation source (PLI) is thus impressed on the noise of the intensity (l fl ) of the fluorescent radiation (FL) of the paramagnetic center (NV1).
  • fluorescence radiation FL
  • FL fluorescence radiation
  • the system is preferably constructed in such a way that a pump radiation source (PLI) emits the pump radiation (LB), which is then applied to the sensor element with the paramagnetic center (NV1) or with a large number of paramagnetic centers (NV1) with possibly at least local high density of paramagnetic centers (NV1) is directed.
  • PLI pump radiation source
  • LB pump radiation
  • a locally high density of paramagnetic centers can be found in a group (NVC) of paramagnetic centers, the one
  • paramagnetic centers (Nvl) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) then emit the fluorescence radiation (FL) as a function of the intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB) and as a function of other physical parameters, for example the current value of the magnetic flux density B or the electrical flux density D or the pressure P or the temperature q or the acceleration a or the gravitational field strength g or the rotational speed o or of time integrals or derivatives of these quantities or of frequencies of the fluctuations of these quantities at the location of the respective paramagnetic center (NV1). Since the pump radiation (LB), for example in the case of using a
  • the temperature of the pump radiation source (PLI) is preferably detected, for example via a thermal sensor.
  • a pump radiation source controller then preferably readjusts one of the control parameters of the pump radiation source (PLI).
  • the actual size of the pump radiation source controller is the temperature value that the thermal sensor has determined for the temperature of the pump radiation source (PLI).
  • the target size is usually a
  • Temperature reference value It is preferably a PID controller.
  • the possible controllable control parameters of the driver stage of the pump radiation source (PLI) are the pulse height, the pulse repetition frequency and the pulse duration. So it is obvious that it is beneficial if the PLI parameter.
  • Pump radiation source regulator intervenes in the signal generator (G), which generates some of these variables. It is also conceivable to provide a heater or a cooling device and a heater and to readjust the heater and / or the cooling so that the temperature of the
  • the inventive idea is to compare the noisy signal of the intensity (l fl ) of the fluorescent radiation (FL) with a reference noise source by means of the same, better the identical, subsequent signal path, as in a thickness receiver.
  • the reference noise source becomes preferably executed like the pump radiation source (PLI). This reference noise source is referred to below as a compensation radiation source (PLK).
  • the compensation radiation source (PLK) is designed in the same way as the pump radiation source (PLI), then it noises approximately in the same way at the same thermal and electrical operating point.
  • a compensation with a differently constructed compensation radiation source (PLK) is expressly less preferably also possible. Is preferred
  • Compensation radiation source (PLK) selected so that the compensation radiation wavelength (l ⁇ ) of the compensation radiation (KS) of the compensation radiation source (PLK) is equal to or similar to the pump radiation wavelength (l rigir ) of the pump radiation (LB) of the pump radiation source (PLI). If the pump radiation source (PLI), as in the case of NV centers as paramagnetic centers (NV1), is green, for example, the compensation radiation source (PLK) is preferably also green.
  • the compensation radiation wavelength (l ⁇ ) is chosen so that it does not excite the relevant paramagnetic center (NV1) or the
  • the compensation radiation wavelength (l ⁇ ) can, for example, be greater than the fluorescence radiation wavelength (l ⁇ ) - e.g. of 637 nm for NV centers - in order to reliably excite the fluorescence of the paramagnetic center (NV1) by means of compensation radiation (KS) prevent.
  • KS compensation radiation
  • an optical attenuation of the compensation radiation (KS) before it hits the radiation receiver (PD) will be necessary in order to reduce the intensity of the portion of the radiation that hits the radiation receiver (PD)
  • the pump radiation wavelength (l r , hr ) is generally chosen to be smaller than the fluorescence radiation wavelength (lh) - for example 637 nm for NV centers. This is done, for example, in that the pump radiation source (PLI) of the pump radiation (LB) is preferably a green, blue or ultraviolet LED or a corresponding laser.
  • the pump radiation wavelength (l rGhr ) is preferably 532 nm as described in the case of NV centers as paramagnetic centers.
  • a laser with a pump radiation wavelength (l r , hr ) of 520 nm as pump radiation source (PLI) is also described here.
  • NV1 paramagnetic center
  • NVC group or groups
  • the paramagnetic center or centers (NV1) are NV centers in diamond
  • two green lasers with, for example, preferably 532 nm or 520 nm pump radiation wavelength (1 rGhr ) can be used.
  • a first laser is then used, for example, as a pump radiation source (PLI).
  • this pump radiation source (PLI) in the form of the first laser can also be a first laser diode from Osram of the PLT5 520B type with 520 nm pump radiation wavelength (1 rGhr ), which is available from specialist dealers.
  • a second laser is then used, for example, as a compensation radiation source (PLK).
  • this compensation radiation source (PLK) in the form of the second laser can also be a second laser diode from Osram of the PLT5 520B type with 520 nm pump radiation wavelength (l rGT ⁇ r ), which is available from specialist retailers.
  • Reduce compensation radiation source This can be done electrically or, better still, optically through an absorption filter, for example a screen or a gray wedge.
  • the compensation radiation (KS) and the fluorescence radiation (FL) are then superimposed, adding up approximately linearly.
  • the thickness switch for switching between the noisy signal and the reference noise source which is switched with a so-called chopper signal, is now implemented in such a way that the pump radiation source (PLI) is switched on and off with a transmit signal (S5) as a chopper signal and the compensation radiation source (PLK) is switched on complementarily with a compensation transmission signal (S7) which is complementary to the transmission signal (S5).
  • the compensation radiation source (PLK) is always switched on when the
  • ⁇ 5 ) in the spectrum of their radiation which is not suitable for exciting the fluorescent radiation (FL) of the paramagnetic centers (NV1).
  • the compensation radiation source (PLK) can be an infrared LED.
  • the NV centers as paramagnetic centers (NV1) then the
  • Compensation radiation wavelength (l ⁇ ) chosen so that it is in the infrared range.
  • the compensation radiation (KS) can not excite the fluorescence radiation (FL) of the NV center or the NV centers or the group or groups (NVC) of NV centers and thus no fluorescence radiation (FL) of the NV center or . of NV centers or the group or groups (NVC) of NV centers.
  • the transmission signal (S5) is modulated.
  • Pump radiation (LB) emitted by the pump radiation source (PLI) typically depends on the value of the transmission signal (S5).
  • hRa stands for the noise of the pump radiation source (PLI) at the operating point, which is independent of the value of the transmission signal (S5) and thus independent of the value of the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) and independent of the value of the direct component (S5g) of the transmission signal (S5) is.
  • hRb stands for the noise of the pump radiation source (PLI), which is dependent on the value of the transmission signal (S5) and thus depending on the value of the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) and depending on the value of the direct component (S5g) of the transmission signal (S5) is.
  • hO is an offset value for the value of the intensity (I pmp ) of the pump radiation (LB) emitted into the first transmission path (II) by the pump radiation source (PLI), which at the operating point is independent of the value of the transmission signal (S5) and thus independent of the value of the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) and independent of the The value of the direct component (S5g) of the transmission signal (S5) is.
  • hl is a proportionality factor for the value of the intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB) emitted into the first transmission path (II) by the pump radiation source (PLI), which at the operating point depends on the value of the
  • the value (s5) of the transmission signal (S5) thus comprises a constant DC component value (s5g) of the transmission signal (S5) and a transmission signal alternating component value (s5w).
  • a first portion al of this pump radiation (LB) hits the sensor element and the paramagnetic centers (NV1) contained therein.
  • the paramagnetic centers (NV1) convert a second portion a2 of this pump radiation (LB) into fluorescence radiation (FL) with an intensity ifl which reaches a first optical filter (F1).
  • the intensity id of the pump radiation (LB) is reduced to a third component a3 which reaches the first optical filter (F1).
  • kO stands for an offset constant
  • kl stands for a proportionality factor
  • kRa stands for a noise component that is independent of the alternating component s7w of the compensation transmission signal (S7).
  • s7w for the value of the alternating component of the compensation transmission signal (S7).
  • Equation VI then describes the portion ik of the intensity (I ⁇ ) of the compensation radiation (KS) that reaches the radiation receiver (PD).
  • ik a5 * (kO + kRa + kl * s7w + kRb * s7w)
  • the radiation receiver (PD) now generates the ig depending on the intensity
  • sO stands for the value of the receiver output signal (SO).
  • dO stands for an offset constant dl stands for a proportionality factor.
  • dRa stands for a noise of the radiation receiver (PD) that does not depend on the value of the total intensity ig of the radiation that hits the radiation receiver (PD).
  • dRb stands for a noise of the radiation receiver (PD), which depends on the value of the total intensity ig of the radiation that hits the radiation receiver (PD). Insertion gives equation IX:
  • a first multiplier (Ml) performs this multiplication of the value (sO) des
  • This value (s3) des
  • a filter with the filter function F [X1] is a linear filter in the sense of this disclosure if (Equation XIII):
  • TP loop filter
  • the structure of the loop filter (TP) is chosen so that at least approximately applies
  • Receive compensation transmission signal (S7).
  • a second multiplier (M2) is used for the multiplication.
  • the second multiplier (M2) preferably multiplies the value (s4) of the filter output signal (S4) by the value (s5c) of the complementary transmission signal (S5c).
  • Radiation receiver (PD) achieved if the proportions a4, a2 and al are kept constant. Furthermore, the value (s4) of the filter output signal (S4) can be used as a measure for the second component a2 of the pump radiation (LB) that the paramagnetic centers (NV1) in
  • the second portion a2 is of particular interest because, for example, in the case of using an NV center in diamond as the paramagnetic center (NV1), it depends on the magnetic flux density B at the location of the paramagnetic center (NV1) or on another physical parameter. This is then the current value (s4) des
  • Filter output signal (S4) a measure of the current value of the magnetic flux density B at the location of the paramagnetic center (NV1) or another parameter influencing the fluorescence radiation (FL) if the proportions a1, a4 and a5 are kept constant.
  • the filter output signal (S4) can possibly already be used as a sensor output signal (out) of the sensor system.
  • the value of the sensor output signal (out) is then a measure of the intensity (l f
  • These physical parameters can be the magnetic flux density B, the electrical flux density D, the pressure, the temperature, the irradiation intensity with ionizing radiation, the acceleration a, a movement speed v, the
  • Gravitational field strength g the rotation speed o etc. and their time integrals and time derivatives and spatial gradients etc. and other variables derived from these.
  • Loop filter shows a large gain v, but also that the driver of the
  • Compensation radiation source for example a second matching circuit (OF2), also shows a large gain kl. It is only their combination that reliably suppresses both the noise of the pump radiation source (PLI) and the noise of the compensation radiation source (OLK), which in itself is very surprising and is nowhere described in the prior art.
  • This can easily be achieved in integrated circuits by a so-called "matching" construction of the driver of the compensation radiation source (PLK) and the driver of the pump radiation source (PLI).
  • the noise-optimized sensor system thus comprises a radiation receiver (PD) and a controller (Ml, TP, M2, OF).
  • the radiation receiver (PD) then generates a receiver output signal (SO) that is typically essentially the sum of the
  • the sensor system is preferably designed so that the compensation radiation (KS) of one of the compensation radiation sources (PLK) irradiates the radiation receiver (PD) in a cumulative manner superimposed on the fluorescence radiation (FL), so that the total irradiation intensity of the
  • Radiation receiver (PD), on which the receiver output signal (SO) depends, is preferably at least partially composed of the sum of the intensity of the intensity (l f
  • third means which are typically optical functional elements, which optically couple said compensation radiation source (PLK) to the radiation receiver (PD).
  • Such optical functional elements that are used as third means can be, for example, optical waveguides, reflectors, lenses, prisms, open air lines, vacuum lines, diaphragms, mirrors, beam parts, grids, etc., which the compensation radiation source (PLI) with the
  • Housing parts can again be reflectors or diffusers that are incorporated into the inner surface of a housing cover (DE) of an open-cavity housing (German: upwardly open housing for microtechnical devices).
  • DE housing cover
  • open-cavity housing German: upwardly open housing for microtechnical devices
  • the controller (Ml, TP, S&H, M2, OF) consists of the first multiplier (Ml), the loop filter (TP), the holding circuit (S&H), the second multiplier (M2) and an offset circuit (OF ), which adds the constant B0 to the output signal of the second multiplier (M2), the control signal (S6).
  • the first multiplier (Ml) multiplies that
  • Receiver output signal (SO) with the transmit signal (S5) to the filter input signal (S3).
  • Loop filter filters the filter input signal (S3) with a filter function (F [S3]).
  • Holding circuit samples the output of the loop filter (TP), preferably phase-synchronously Transmission signal period (T p ) and thus generates the filter output signal (S4).
  • the folding circuit (S&FI) forwards this sample as a filter output signal (S4) to the second multiplier (M2).
  • the second multiplier (M2) multiplies the filter output signal (S4) by the complementary transmission signal (1-S5) for the feedback signal (S6).
  • the offset circuit (OF) adds a constant B0 to the feedback signal (S6) to form that
  • the feedback signal (S6) is used directly as a compensation transmission signal (S7).
  • the controller (Ml, TP, S&FI, M2, OF) then generates a compensation transmission signal (S7) as a function of the receiver output signal (SO).
  • the compensation radiation source (PLK) the
  • the controller (M l, TP, M2, OF) generates the compensation transmission signal (S7) as a function of the transmission signal (S5), preferably in such a way that the receiver output signal (SO), except for control errors and system noise and possibly a constant DC component, is preferably essentially no signal components of the
  • Transmission signal (S5) has more. This can be done, for example, in such a way that the controller has a first multiplier (Ml), a loop filter (TP), in particular designed as a low-pass filter, and a second multiplier (M2).
  • the first multiplier (Ml) multiplies that
  • Receiver output signal (SO) or a signal derived from it e.g. a filtered or amplified signal or a signal supplemented by further signal components (e.g. S1) with the transmit signal (S5) or a signal derived from it (e.g. S5 ') to a filter input signal (S3).
  • a scalar product is formed here between the transmission signal (S5) and the receiver output signal (SO) or the respective derived signals. The result of this scalar product formation is that
  • Filter output signal (S4) When working out the invention, it was recognized that a low-pass filter as a loop filter (TP) can only realize an indefinite integral. It is therefore not possible to comply with equation X and equations XIVa to XIVc with a low pass as a loop filter (TP). If the transmission signal (S5) has a transmission signal period (T p ) for which equation X applies, an integration of the transmission signal (S5), which stops at times t with 0 ⁇ t ⁇ T p , results in a value F [S5] ⁇ 0. This is then done in the energy spectrum of the filter output signal (S4) and thus in that of the
  • Sensor output signal (out) with a massive penetration of the chopper frequency i.e. the frequency of the transmission signal (S5) on the filter output signal (S4) or the sensor output signal (out).
  • the filter output signal (S4) in the case of a periodic transmission signal (S5) at the respective end of the transmission signal period
  • T p Transmission signal period
  • M2 second multiplier
  • the loop filter (TP) which is, for example, a low-pass filter, filters the filter input signal (S3) into the filter output signal (S4).
  • the second multiplier (M2) multiplies the value (s4) des
  • s5w A - stands for the value of the amplitude of the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5).
  • the second multiplier (M2) thus forms the feedback signal (S6) and / or directly the compensation transmission signal (S7).
  • a second matching circuit (OF2) which can be part of the second multiplier (M2), adds an offset B0 as a constant value to the feedback signal (S6) and thus forms the compensation transmission signal (S7).
  • the filter output signal (S4) and the input of the second multiplier (M2) further circuit parts such as the said folded circuit (S&FI) (sample & flold circuit) are inserted, the claims are to be understood that such constructions are expressly included.
  • a second matching circuit (OF2) forms the compensation transmission signal (S7) from the feedback signal (S6).
  • the filter output signal (S4) is then typically used as the sensor output signal (out).
  • Its value is a measure of the intensity (l fl ) of the fluorescence radiation (FL) and thus a measure of the physical variable to be recorded, for example the magnetic flux density B at the location of the paramagnetic center (NV1) or another physical variable that the Fluorescence radiation (FL) des
  • a quantum sensor system is thus proposed here for detecting a relative value of a physical parameter with a sensor element and with evaluation means (G, PD, VI, Ml, TP).
  • the sensor element comprises, as a quantum dot, a paramagnetic center (NV1) which is influenced by the physical parameter, or several paramagnetic centers (NV1) which are influenced by the physical parameters, or a group (NVC) of paramagnetic centers (NV1) which are influenced by the physical parameter is influenced, or several groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) that are influenced by the physical parameter.
  • the quantum dot is irradiated with pump radiation (LB) with pump radiation wavelength (l r [gir ). Basically, there are two methods of evaluation.
  • evaluation means detect a first photocurrent of the quantum dot of the sensor element. This can be done, for example, by a quantum bit construction according to FIGS. 78, 79 and 81. The evaluation means then generate a receiver output signal (SO) depending on the value of this first photocurrent.
  • evaluation means (PD) detect fluorescence radiation (FL) of the
  • Quantum dot of the sensor element The intensity (l f
  • the evaluation means (PD) in question then typically generate a receiver output signal (SO) in
  • Evaluation means typically the receiver output signal (SO) as a function of the intensity (l fl ) of the fluorescent radiation (FL).
  • the sensor system proposed in this section additionally includes a reference element, the reference element being a paramagnetic reference center (NV2), which is influenced by the physical parameter, or several paramagnetic reference centers (NV2), which is influenced by the physical parameter, as the reference quantum point or a group (NVC2) of paramagnetic reference centers (NV2) that is influenced by the physical parameter, or multiple groups (NVC2) of paramagnetic reference centers (NV2) that is influenced by the physical parameter.
  • NV2 paramagnetic reference center
  • NVC2 paramagnetic reference centers
  • the reference quantum dot is irradiated with compensation radiation (KS).
  • KS compensation radiation
  • evaluation means (VI) When using the first method, evaluation means (VI) now detect a second photocurrent of the reference quantum dot of the reference element in addition to the first photocurrent and generate the receiver output signal (SO) as a function of the first photocurrent and now, in deviation from the prior art, also as a simultaneous function of the second Photocurrent.
  • evaluation means (PD) now accordingly detect an intensity (I kfl ) of a in addition to the intensity (l f
  • KFL Compensation fluorescence radiation
  • SO receiver output signal
  • Evaluation means (Ml, TP) then generate from the
  • Receiver output signal (SO) a measured value in the form of the value of a sensor output signal (out) for the difference between the value of the physical parameter at the location of the quantum dot and the value of the physical parameter at the location of the reference quantum dot, which is or will be used as a measured value for this measured value can.
  • the reference quantum dot serves as the reference noise source for the noise of the quantum dot.
  • a chopper signal here typically the transmit signal (S5), is used to switch between these two
  • Noise sources namely the quantum dot and the reference quantum dot switched back and forth.
  • this is not done by means of a so-called thickness receiver Switch, but by modulating the intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB) over time and modulation of the compensation radiation (KS) that is complementary in time, this modulation being dependent on the said transmission signal (S5) as a chopper signal.
  • LS pmp the intensity of the pump radiation
  • KS compensation radiation
  • Pump radiation source (PLI) and the compensation radiation source (PLK) continuous operation of the pump radiation source (PLI) and the compensation radiation source (PLK) with evaluation of the fluorescence radiation (FL) and the compensation fluorescence radiation (KFL) is also conceivable, in which case, for example, by means of an oscillating mirror that is connected to the Transmission signal (S5) is linked as a control signal of the oscillating mirror, alternately the fluorescence radiation (FL) of the quantum dot and the compensation fluorescence radiation (KFL) of the reference quantum dot on the
  • Radiation receiver (PD) are steered. If the method of extracting the photocurrents is provided, the pump radiation source (PLI) and the pump radiation source (PLI) will also operate continuously
  • TAG trigger circuit
  • S&H synchronization signal
  • pseudo-random sequences as the transmission signal (S5) by means of feedback shift registers. These are then not monofrequency. They have a frequency bandwidth other than zero and can be used for spreading. A spreading code of infinite length can then also be used as the transmission signal (S5).
  • S5 synchronization signal
  • Fluorescence radiation (FL) depends on external physical parameters, such as the magnetic flux density B, but also the phase delay. If the magnetic flux density B at the location of a paramagnetic center (NV1) is lower, so is the Phase delay between the temporal course of the intensity (l f
  • Fluorescence radiation (FL) and the leading time course of the intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB) are longer in time.
  • the sensor system proposed here for the exemplary analysis of this phase delay between the fluorescence radiation (FL) and the pump radiation (LB) uses a second one
  • the sensor system expanded to include phase measurement includes a further transmission signal (S5 1 ).
  • This further transmission signal (S5 1 ) is also referred to below as an orthogonal reference signal (S5 1 ), since it is only used for analysis and compensation.
  • the other transmission signal (S5 1 ) is also referred to below as an orthogonal reference signal (S5 1 ), since it is only used for analysis and compensation.
  • the transmission signal (S5 1 ) is preferably different from the transmission signal (S5).
  • the transmission signal (S5) is preferably periodic.
  • the further transmission signal (S5 1 ) is also preferably periodic. However, it is also conceivable, for example, to use non-periodic signals, as described above.
  • the transmission signal (S5) can also be a random signal that is based on a first random process.
  • the second, further transmission signal (S5 ′) can also be a second random signal that is based on a second random process that
  • the first transmission signal (S5) can also be based on a first spreading code and the second transmission signal (S5 1 ) on a second spreading code, which is preferably independent of the first spreading code.
  • the trigger signal (STR) preferably activates the holding circuit (S&H) at such times.
  • one signal is orthogonal to the other if it is orthogonal to the other signal with regard to the scalar product used, that is to say if the filter output signal (S4) would result in 0.
  • the scalar product of the receiver output signal (SO) and the transmission signal (S5) is given by the formula
  • ⁇ S0; S5> stands for the scalar product.
  • the filter function F [S0 * S5] here preferably also includes the function of the hold circuit, so that the scalar product here for high frequencies of the product S0 * S5 corresponds to a specific integral and thus to an L2 product.
  • the further transmission signal (S5 1 ) or the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) is therefore particularly preferably selected so that it is orthogonal to the transmission signal (S5) or to the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5). If, for example, the transmission signal (S5) is a square-wave signal with a pulse duty factor of 50%, then the further transmission signal (S5 1 ) can increase by a quarter
  • Period duration T p be shifted square wave signal with 50% duty cycle.
  • the transmission signal (S5) and the further transmission signal (S5 1 ) then represent something similar to sine and cosine.
  • the controller generates the compensation transmission signal (S7) preferably as a function of the
  • Receiver output signal (SO) to Rule errors and system noise and possibly a constant DC component does not signal components of the transmitted signal (S5) and simultaneously no signal portions of the other transmission signal (S5 1), in particular of the orthogonal reference signal (S5 1) comprises more.
  • said second scalar product unit is preferably used, which is preferably constructed in the same way as the first scalar product unit.
  • An additional first multiplier (Ml ') multiplies the further transmission signal (S5 1 ) with the
  • Receiver output signal (SO) or a signal derived therefrom (eg with the reduced receiver output signal S1) and thus forms the further filter input signal (S3 1 ) for the further filter, which is preferably a further loop filter (TP 1 ).
  • This further filter generated from the additional filter input signal (S3 1) the further filter output signal (S4 1) as a further
  • Sensor output signal (out 1 ) can be used.
  • the sensor output signal (out 1 ) then for example in relation to the further sensor output signal (out 1 ) can indicate the phase shift as arctan of this ratio or in the form of a fluorescence phase shift time (ATFL) if, for example, the further transmission signal (S5 1 ) corresponds to a transmission signal phase shifted by 90 ° ( S5).
  • the further transmission signal (S5 1 ) corresponds to a transmission signal phase shifted by 90 ° ( S5).
  • phase angle depends on the magnetic flux density B at the location of the paramagnetic center or centers (NV1) in the sensor element
  • the values of the phase signal can be used as a measure of the temporal progression of the magnetic flux density B at the location of the paramagnetic center or centers (NV1) and thus for Measurement of magnetic flux density can be used.
  • the magnetic flux density B instead of or with the magnetic flux density B, other values of other physical parameters can also be used
  • phase shift of the fluorescence radiation (FL) compared to the pump radiation (LB) in the form of the fluorescence phase shift time (ATFL) can be detected.
  • Such physical parameters can be, for example, the pressure P, the temperature q, the acceleration a, the
  • this two-dimensional measured value system can include, for example, a simple matrix multiplication on two of the determinable values using a simple linear mapping physical quantities, for example the magnetic flux density B and the electrical flux density D, are mapped, so that these can be determined. This enables the values of these two physical parameters to be determined. It is assumed, however, that the other physical parameters are approximately constant and thus do not influence the measurement. Measurement by means of a complementary analysis signal with 180 ° phase shift If the transmission signal (S5) is, for example, a PWM signal with a 50% duty cycle
  • the transmission signal (S5) amplitude-modulates the pump radiation (LB), then in this variant, for example, the further transmission signal (S5 1 ) is preferably 180 ° to the
  • the further sensor output signal (out 1 ) then gives the intensity (l fl ) of the afterglow of the
  • the construction has the advantage that a first optical filter (F1) is no longer necessary and that this can then be saved.
  • the compensation control via the compensation transmitter (PLK) always keeps the radiation receiver (PD) in the same optical operating point.
  • a compensation transmitter (PLK) with a large one is preferred for this construction
  • Fluorescence radiation (FL) is caused because the long-wave compensation radiation (KS) then cannot stimulate the paramagnetic centers (NV1) to emit fluorescence radiation (FL), but is received by the radiation receiver (PD). This has the disadvantage that the compensation transmitter (PLK) is then no longer a reference noise source.
  • the controller thus forms an additional sensor output signal (out 1 ) as a function of the further transmission signal (S5 1 ).
  • the sensor system and / or quantum technology system comprises a first filter (F1) with special properties.
  • F1 first filter
  • the sensor system has at least one sensor element and / or quantum technological device element and a paramagnetic center (NV1) in the material of this sensor element and / or
  • the pump radiation (LB) has a pump radiation wavelength (1 rGhr ).
  • the radiation receiver (PD) is preferred for the fluorescence radiation wavelength (lh) Fluorescence radiation (FL) - eg 637nm at NV centers - sensitive.
  • the pump radiation source (PLI) generates the pump radiation (LB).
  • the sensor system is preferably designed so that the
  • the said optical functional elements can also be used here.
  • the sensor system is preferably designed in such a way that the fluorescence radiation (FL) irradiates the radiation receiver (PD).
  • the said optical functional elements can also be used here.
  • the first filter (Fl) is designed in such a way that it is suitable for radiation with the fluorescence radiation wavelength (lp) of the fluorescence radiation (FL) - e.g. 637nm for NV centers - and thus for the fluorescence radiation wavelength (lp) of the fluorescence radiation (FL) - e.g. 637nm for NV centers - and thus for the fluorescence radiation wavelength (lp) of the fluorescence radiation (FL) - e.g. 637nm for NV centers - and thus for the
  • Fluorescent radiation (FL) is essentially transparent.
  • the first filter (F1) is preferably designed in such a way that it is essentially not transparent for radiation with the pump radiation wavelength (I rigir ) of the pump radiation (LB) and thus for the pump radiation (LB).
  • the first filter (F1) is then essentially transparent to the fluorescence radiation (FL) when the functionality of the sensor system for the intended purpose is achieved, that is to say the errors generated by the unavoidable attenuation in this wavelength range are sufficiently small.
  • the filter (F1) is then essentially not transparent for the pump radiation (LB) when the functionality of the system is achieved for the intended purpose, that is to say that due to the inevitable
  • the sensor system is in this variant (but also in some of the previously discussed), in which the radiation receiver (PD) is part of the integrated circuit (IC), preferably designed so that radiation that is received by the radiation receiver (PD) is previously the first Filter (Fl) must pass.
  • the first filter (F1) is particularly preferably a metal-optical filter, which is preferably part of the integrated circuit and is preferably attached in the metallization stack of the integrated circuit (IC) above the photodiode, which can be used, for example, as a radiation receiver (PD).
  • a sensor element with one or more paramagnetic centers and / or one or more groups of paramagnetic centers (NV1) is thus described here, in which the
  • Sensor element comprises at least one wave-optical functional element. At least one of the wave-optical functional elements is a grating and / or a photonic crystal.
  • the sensor element preferably comprises a substrate (D) in which at least part of the
  • the wave-optical functional element is preferably firmly connected to the substrate (D) and attached to its surface.
  • the substrate (D) or a part of the substrate (D) is preferably designed as a wave-optical resonator for the pump radiation wavelength (1 rGhr ) and / or the fluorescence radiation wavelength (1 ⁇ ).
  • PD Radiation receiver
  • IC integrated circuit
  • PKI pump radiation source
  • LB paramagnetic centers
  • the sensor element is preferably not irradiated. It has been shown that it is particularly advantageous if the sensor element has a first surface (OFL1) over which the
  • NV1 paramagnetic centers
  • the paramagnetic centers (NV1) can in particular be arranged in groups (NVC) within the sensor element.
  • the groups of paramagnetic centers typically have a center of gravity that is derived from the coordinates of the individual paramagnetic centers.
  • the groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) can be arranged in a one-, two-, or three-dimensional grid within the sensor element. Such a grid can be a translatory and / or rotary grid. In the case of a translational grating, it typically has a unit cell. Depending on the direction of the unit cell of the lattice, the lattice of the groups (NVC) of the paramagnetic centers shows a lattice spacing from group (NVC) to group (NVC).
  • the grid spacing can, however, be modulated over the course of the grid.
  • the grid spacing of the clusters is preferably an integral multiple of an integral fraction of the
  • the sensor element is preferably a diamond and the paramagnetic center or centers (NV1) are preferably one or more NV centers in this diamond as a crystal.
  • the concentration of the NV centers in the diamond is preferably at least in a locally limited area, for example a group (NVC) of NV centers, on average preferably greater than 0.1 ppm and / or greater than 0.01 ppm and / or greater than 0.001ppm and / or greater than 0.0001ppm and / or greater than 0.0001ppm based on the number of carbon atoms in the diamond per unit volume. Therefore, higher concentrations are better.
  • NVC group
  • Device element one or more crystals, each with a crystal axis. It is preferably one or more diamonds. Suitable crystals have one or more paramagnetic centers (NV1) and / or one or more groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) in the crystals. It is the one or more paramagnetic
  • NV1 preferably around one or more NV centers in diamond.
  • Nitrogen vacancy, or NV centers in diamond for short, are preferably used as paramagnetic centers (NV1) with diamond as a material of the sensor element in order to detect magnetic flux densities B or electrical flux densities D that change over time.
  • ) of the red fluorescent radiation (FL) is preferred
  • paramagnetic NV centers as a signal in the case of magnetic flux densities B not aligned with the NV axis of the NV centers or changing electrical flux densities D.
  • the paramagnetic center (NV1) is aligned in a first direction with respect to one of the following relevant crystal axes of the crystal, the relevant crystal axes being the Crystal axes [100], [010], [001], [111] of the crystal and their equivalents (such as [-100], [-1, -1, -1] etc.) are.
  • the paramagnetic center (NV1) When excited by the pump radiation (LB), the paramagnetic center (NV1) emits a fluorescent radiation (FL) which, depending on a magnetic field with a magnetic flux density B or a magnetic field strength Fl and / or a time-changing electrical flux density D, has a have second direction, is modulated.
  • the second direction preferably deviates from the first direction.
  • the second direction preferably deviates from the first direction in such a way that the GSLAC extremum at a total magnetic flux density B at the location of the paramagnetic center at 102.4mT by no more than 2% and / or no more than 1% and / or does not deviate by more than 0.5% from the standardized 1-value of the intensity (l f
  • a quantum technological device with a sensor element with a crystal with a crystal axis.
  • the sensor system preferably has the option of, for example, in the form of a pump radiation source (PLI) for pump radiation (LB), such as an LED or a laser, or means, for example in the form of an optical window, the paramagnetic center (NV1) by means of pump radiation ( LB).
  • PHI pump radiation source
  • LB pump radiation
  • NV1 paramagnetic center
  • the second direction should preferably deviate from the first direction, since then the fluorescence intensity of the intensity (l fl ) of the fluorescence radiation (FL) with increasing amount of the magnetic flux density B at the location of the paramagnetic center (NV1) im From a certain minimum flux density of approx. 10mT, the crystal drops with a strictly monotonous decrease. This is not the case if, as is customary in the prior art, the crystals are aligned in order to be able to use microwave radiation.
  • FIG. 27 shows the intensity (l fl ) of the fluorescence radiation (FL) when the two directions are tilted relative to one another.
  • a first advantage is that the resulting dependency is a function of the magnetic flux density B and is therefore reversible.
  • the crystals are always aligned, so that the dependency in the case of the alignment of FIG. 2a of the publication by A.
  • Wickenbrock et. AI "Microwave-free magnetometry with nitrogen-vacancy centers in diamond” Appl. Phys.Lett, 109, 053505 (2016), August 02, 2016, because the first and second directions coincide.
  • the housing used is a housing such as, for example, in German patent application DE 10 2019 120 076.8, which was still unpublished at the time of filing this disclosure suggested.
  • the disclosure content of the German patent application DE 10 2019 120 076.8, which was still unpublished at the time of filing this disclosure, is a full part of this disclosure, insofar as the later nationalization of this application states in the
  • a prerequisite is a high density of NV centers in the area of the sensor element irradiated with pump radiation (LB), for example in an HD NV diamond.
  • An additional magnetic field is applied, the magnetic flux density vector of which does not point in the direction of the first direction of the crystal axis, but in a different second direction.
  • Quantum sensor systems are very complicated and expensive.
  • FIG. 27 shows the course that results when the alignment is decalibrated (that is, a different first and second direction). Only then is any orientation of the magnetic field possible. As can easily be seen in FIG. 27, this is the relationship between the Magnetic flux density B and the intensity (l f
  • a magnetic bias field of, for example, 20mT bias flux density B 0 can be superimposed on the field to be measured, thereby increasing the sensitivity of the intensity (l fl ) of the fluorescence radiation (FL) to changes in the magnetic Flux density B is maximized.
  • a non-alignment of the first direction in relation to the second direction can be recognized by the fact that no resonances (e.g. GSLAC) occur. Of course, you can always align the magnetic field so that these resonances occur. However, if a device is intended and suitable for measuring magnetic fields in which the first and second directions do not match, then it is also in the stress range of the
  • the sensor element preferably comprises a diamagnetic material, the diamagnetic material preferably comprising one or more diamond crystals, and the paramagnetic center or centers (NV1) preferably including one or more NV centers.
  • the use of centers other than paramagnetic centers (NV1) is also conceivable.
  • SiV centers, GeV centers, TRI centers, STI centers etc. in diamond would be conceivable. If silicon is used instead of diamond as the material of a substrate (D) of the sensor element, the use of G centers is conceivable, for example. If silicon carbide (SiC) is used instead of diamond as the material of a substrate (D) of the sensor element, the use of V-centers is conceivable, for example.
  • SiC silicon carbide
  • NV1 paramagnetic center
  • this disclosure includes the use of a sensor system as described above for determining the position and / or the change in position and / or acceleration and / or rotation of a measurement object (O). It can also be deformations of
  • the measurement object (O) generates and / or modifies and / or modulates a magnetic field in the form of the magnetic flux density B of this field. This modulation is detected by the proposed sensor system.
  • the proposed sensor system generates or provides at least one sensor output signal (out). This provision can take place, for example, in a memory or register of the integrated circuit or as a digital or analog output signal of the integrated circuit.
  • the value of this sensor output signal (out) depends on the value of the magnetic field - more precisely the magnetic flux B or another physical parameter influencing the fluorescence radiation (FL) - at the location of the paramagnetic center (NV1) or the
  • NV1 paramagnetic centers
  • NVC group or groups
  • Device parts for control elements, machines, robots, electric motors or Internal combustion engines can be periodic.
  • the periodicity can be attributed to an electrical and / or mechanical oscillation and / or a mechanical movement along a closed path.
  • an alternating magnetic flux density B generated by a mechanically oscillating system or an electric field strength E is scanned by a preferred sensor system that is fixed to the alternating magnetic flux density B or to the electric field E, as is proposed here in various variants.
  • the invention also comprises an operating element, the change in position of which, for the purpose of operating a device, results in a change in a magnetic flux density B at the location of one or more paramagnetic centers (NV1) of the sensor system.
  • a permanent magnet attached to a lever can cause such a change in the magnetic flux density B at the location of the paramagnetic center (NVl) when operated, for example when the position of the lever is changed, which can be recognized by the proposed sensor system and output via the sensor output signal (out) can.
  • the sensor systems proposed in this document can be used to determine the position of a measurement object (O) and / or a variable derived from the position of the measurement object (O), in particular the speed and / or acceleration and / or the vibration and / or the rotation of the Object to be measured (O). It is also used to measure the
  • Magnetization of the measuring object (O) possible the magnetization of the measuring object (O) being caused by a current flow in the measuring object (O) or by ferromagnetic properties of the
  • the sensor systems proposed here it is also possible to determine a variable derived from the magnetization of a measurement object (O) and / or a magnetization direction of the object relative to the
  • the measurement object (O) generates, for example, a magnetic flux density B and / or modifies and / or modulates the magnetic flux density B at the location of the
  • paramagnetic centers (NV1) of the sensor system This generation and / or modification and / or modulation of the magnetic field is recorded by the sensor system and held ready as a measured value or output.
  • the sensor system preferably generates at least one sensor output signal (out) or preferably provides this.
  • the value of the The sensor output signal (out) then depends on the value of the magnetic flux B at the location of the paramagnetic center (NV1) and / or at the location of the paramagnetic centers (NV1) in the sensor system, this magnetic flux B being generated by the measurement object (O) / or modified and / or modulated.
  • an alternating magnetic field generated for example by a mechanically oscillating system in the form of the value of the magnetic flux density B or an alternating electric field in the form of the electric flux density D can be generated by a sensor system with one or more paramagnetic centers, which is fixed, for example, to the alternating magnetic field or electric alternating field (NV1) are scanned.
  • alternating field portion of the electrical flux density D which are present at the location of the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) of the sensor system, by means of a
  • paramagnetic centers (NV1) by means of the intensity (l fl ) of the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic center or centers (NV1) in different wavelengths or by means of the
  • an electrostatic field can also be measured by one or more moving paramagnetic centers (NV1) that the flux density B caused by the movement of the or of the paramagnetic centers (NV1)
  • the transformed electrical flux density D is detected and converted into an intensity value of the intensity (l fl ) of its fluorescent radiation (FL), which is detected by a radiation receiver (PD) and converted into a sensor output signal (out) by an evaluation circuit (VI, Ml, TP) , the value of which then depends on the mean electrical flux density D at the mean location of the paramagnetic center (NV1) in the acquisition period. For example, this can
  • NV1 paramagnetic centers
  • a vibratory mechanical device e.g. a vibrating string or a vibrating beam, for example an oscillating crystal
  • the result is mixed frequencies that can be found in the spectrum of the sensor output signal (out) at a characteristic point and, for example, by means of a bandpass and a subsequent one
  • Synchronous demodulator can be filtered out.
  • a device such as that of FIG. 15, for example, in which the signal of the intensity (l f
  • ) of the fluorescence radiation (FL) of one or more paramagnetic reference centers (NV2) is compared. If the shielding (AS) is not used in the device, the same values of the intensity (l KFL ) of the compensating fluorescence radiation (KLF) should be obtained in both measuring channels via the paramagnetic center or centers (NV1) and via the paramagnetic reference center (s) (NV2) ) the paramagnetic
  • NV2 Reference centers (NV2) and the intensity (l f
  • paramagnetic centers housed on a mechanically oscillatable component, such as a beam or a string or oscillating crystals, this leads to an additional mixing frequency based exclusively on the transformation of the magnetic flux density B and the electric field E. If the magnetic flux density B and the electrical flux density D are to be separated, a device as in FIG. 25 is recommended, which then delivers a value as the sensor output signal (out) that primarily depends on the magnetic flux density B, while with a strong electrostatic flux density D the value of the additional sensor signal (out 1 ) then essentially depends on the value of the
  • electrostatic flux density D depends. Since the paramagnetic centers (NV1) and the paramagnetic reference centers (NV2) show a time delay (t d ), this must
  • Delay (t d ) can still be corrected out of the result by a matrix multiplication.
  • this matrix are device-specific and should be determined type-specifically or, better, device-specifically before using the device for measurements.
  • the prerequisite for recording the electrical flux density D is that the electrical flux density D is not constant and so the law of induction applies. According to the proposal, this can be achieved by a linear and / or preferably oscillating movement of the field source and / or the
  • NV1 paramagnetic centers
  • NV2 paramagnetic reference centers
  • paramagnetic centers NV1 or the group or groups (NVC) paramagnetic Centers (NV1) and / or with the paramagnetic reference center (s) (NV2) or the group or groups (NVC2) of paramagnetic reference centers (NV2), for example by gluing a sensor element to the surface of the typically piezoelectric
  • Oscillating element for example an oscillating crystal (Ql, Q2), be attached so that the oscillating element, for example the oscillating crystal (Ql, Q2) with one or more paramagnetic centers (NV1) or with one or more groups (NVC) of paramagnetic centers (NVC) is provided.
  • the oscillating element for example the oscillating crystal (Ql, Q2) with one or more paramagnetic centers (NV1) or with one or more groups (NVC) of paramagnetic centers (NVC)
  • J.Cai, F. Jelezko, MB Pleniol, "Signal transduction and conversion with color centers in diamond and piezo-elements" arXiv: 1404.6393v2 [quant-ph] 30 Oct 2017 is the coupling of piezoelectric substrates with individual paramagnetic centers (NV1) known.
  • the combination of a polycrystalline diamond film with a piezoelectric micromechanical transducer is known from US Pat. No. 7,812,692
  • paramagnetic centers for example based on HD-NV diamonds
  • the oscillating element of the quartz crystal then forms the mechanical oscillatory oscillating element (MS).
  • paramagnetic centers depends in states of the oscillating element of the quartz oscillator with a speed of about 0m / s and a maximum acceleration essentially, for example, on the magnitude of the magnetic flux density (B) at the location of the paramagnetic centers (NV1) and in states of the
  • the oscillating element of the quartz oscillator with a maximum speed and a negligible acceleration also depends, for example, on the amount of the electric field strength E at the location of the paramagnetic centers (NV1).
  • Oscillating element for example an oscillating crystal, disclosed that at least one
  • the piezoelectric oscillating element preferably comprises one or more paramagnetic centers (NV1) and / or one or more groups (NVC) of paramagnetic centers.
  • the piezoelectric vibrating element preferably comprises an HD-NV diamond or a device area which comprises HD-NV diamond. This device corresponds to a method for operating a quantum technological device comprising the step of providing a sensor element, wherein the sensor element has a crystal with a crystal axis and wherein the crystal has one or more paramagnetic centers (NV1) in the crystal.
  • the proposed method comprises irradiating the or the paramagnetic centers (NV1) with pump radiation (LB) with a pump radiation wavelength (l r , hr ) and the emission of fluorescent radiation (FL) depending on the pump radiation (LB) and depending on the value of a total magnetic flux density B at the location of the or . of the paramagnetic centers (NV1).
  • NV1 paramagnetic centers moving relative to an electromagnetic field
  • parts of the electric field with the electric field strength E are transformed into a magnetic field with a magnetic flux density B resulting therefrom.
  • the corresponding device is when moving
  • Device relative to the field source is also able to detect electrostatic fields or more complex electromagnetic fields.
  • the method comprises the acquisition of at least part of the fluorescence radiation (FL) and the determination of a value of the intensity (l f
  • paramagnetic centers are aligned in a first direction with respect to one of the following relevant crystal axes, the relevant crystal axes being the crystal axes [100], [010], [001], [111] of the crystal and their equivalents (such as [ -100], [-1, -1, -1] etc.), and that the vector of the magnetic flux density B points in a second direction and that this second direction deviates from the first direction.
  • the crystal or the sensor element is preferably a diamond crystal with one or more NV centers (NV1) as paramagnetic centers (NV1).
  • the pump radiation source (PLI), the sensor element (eg a diamond), the first filter (F1) and the radiation receiver (PD) form a preferably common microsystem unit.
  • This unit can be miniaturized and attached, for example, underneath an in particular mechanically oscillating system, for example as a pickup.
  • a ferromagnetic material for example a ferromagnetic string, for example the string of an electric guitar or an electric bass, is preferably used as the mechanically oscillating system for the detection of mechanical vibrations by a stationary sensor system according to the sensor systems proposed here.
  • the position, a movement of a measuring object (O), its acceleration or rotation or another method can, for example, modulate the magnetic flux density B at the location of the paramagnetic center or centers (NV1) by the respective measuring object (O ), which can then be detected using the methods and devices described here.
  • the paramagnetic centers can also be on the measurement object (O), for example a
  • the proposed method comprises the generation of a first
  • Modulation signal by means of a mechanical system with which the magnetic flux density B at the location of the paramagnetic center or centers (NV1) or the group or groups
  • paramagnetic centers (NV1) is modulated.
  • the mechanical cause can lie in the position, movement, rotation or acceleration of a measurement object (O) that interacts with the magnetic flux density B at the location of the paramagnetic centers (NV1).
  • the mechanical cause can also be in the position, the movement of the rotation or the
  • this is equivalent to generating the modulated optical signal by means of a modulated fluorescence radiation (FL) from the paramagnetic center or centers (NV1), the modulation of the modulated fluorescence radiation (FL) being dependent on the modulation of the magnetic flux density B at the location of the paramagnetic centers ( NV1) depends.
  • the paramagnetic center or centers show a change in the fluorescence radiation (FL) they emit, depending on the change in magnetic flux density B, and / or a change in the amount of photoelectrons they generate after irradiation, which is dependent on the change in magnetic flux density B of the diamagnetic material with
  • Pump radiation (LB) in the form of green visual light, it being possible for this irradiation with pump radiation (LB) to take place with or without superimposed microwave radiation.
  • the photoelectrons that do that or the paramagnetic centers (NV1) can be generated by electric fields in the
  • Material of the crystal of the sensor element to be sucked off to contacts are preferably ohmic contacts to the relevant material of the sensor element.
  • ohmic contacts to the relevant material of the sensor element.
  • titanium contacts can be involved.
  • the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic centers (NV1) or an amount of photoelectrons generated by paramagnetic centers (NV1) in a diamond with an at least local NV center concentration of at least 0.0001 ppm and / or at least is preferred 0.001 ppm and / or preferably of at least 0.01 ppm and / or preferably of at least 0.1 ppm and / or preferably of at least 1 ppm and / or preferably of at least 10 ppm and / or preferably of at least 20 ppm and / or preferably of at least 50 ppm and / or preferably of at least 100 ppm and / or preferably of at least 200 ppm and / or preferably of at least 500 ppm and / or preferably of at least 1000 ppm and / or preferably of at least 2000 ppm and / or preferably of at least 5000 ppm based on the amount of diamond carbon atoms.
  • the concentration can preferably be determined by means of an EPR measurement.
  • EPR EPR measurement
  • Photoelectrons of the paramagnetic centers are preferably modulated pump radiation (LB) which is amplitude-modulated by means of an alternating component (S5w) of a transmission signal (S5)
  • Pump radiation source in particular a pulsed laser or a pulsed LED, with a lower modulation frequency of the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) of at least 1 kHz and / or at least 10 kHz and / or at least 100 kHz and / or at least 1 MHz and / or at least 10MHz used.
  • the paramagnetic centers (NV1) then typically emit a modulated one
  • the modulated fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic centers (NV1) is then preferably detected with a light-sensitive electronic component, in particular a photodiode, as a radiation receiver (PD) and / or via photoelectrons and converted into a modulated one
  • the modulated receiver output signal (SO) is then preferably converted by means of a synchronous demodulator and / or a lock-in amplifier and / or by means of another
  • an orthogonal reference signal (S5 1 ) is generated from the
  • Alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) e.g. due to phase shift.
  • the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) has a non-zero spectral frequency component with a lower frequency range limit frequency of less than 1 kHz and / or better less 100 Hz and / or better less 10 Hz and / or better less 1 Hz of at least 1 Hz and with an upper frequency range limit frequency of better greater than 1M Hz and / or better greater 10M Hz and / or better greater 100MHz and / or better greater 1 GHz and / or better greater 10 GHz.
  • Sensor system with spatially separated sensor element and musical instrument Another embodiment results from the use of an optical waveguide (LWL) or other light-guiding structures to remove the sensor element with the paramagnetic center or centers (NV1), for example a diamond with NV centers, from the pump radiation source ( PLI), the radiation receiver (PD) and the evaluation circuit (VI, M l, TP, G) to operate spatially separated.
  • LWL optical waveguide
  • NV1 paramagnetic center or centers
  • an HD-NV diamond in the form of a red diamond can be visibly attached to an acoustic resonance body, for example the body of an electric guitar while the pump radiation source (PLI) and the radiation receiver (PD) and at least part of the evaluation circuit (VI, Ml, TP, G) are located within the body of the guitar or below the fingerboard of the guitar spatially separated from the sensor element. All that is required is a small hole for attaching the optical waveguide (LWL) in order to optically couple the sensor element with the pump radiation source (PLI) and with the radiation receiver (PD) and thus operate the sensor system.
  • LWL optical waveguide
  • the coupling of several sensor elements is preferably carried out to a pump radiation source (PLI).
  • the pump radiation source (PLI) can be located outside the musical instrument or the relevant device and can be coupled to the musical instrument or the relevant device with an optical waveguide (LWL). It is also possible to use a radiation receiver (PD) for receiving the
  • FL fluorescence radiation
  • the radiation receiver (PD) can thus take place outside the musical instrument or the relevant device.
  • a preferred variant is the pump radiation (LB) of the pump radiation source (PLI) with the sensor element and the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic centers (NV1) of the
  • LWL common optical waveguide
  • LB pump radiation
  • LWL2 second optical waveguide
  • LS1 fluorescence radiation wavelength
  • LB pump radiation
  • FL fluorescence radiation
  • NV1 paramagnetic centers
  • Optical waveguides take place, which separates both an excitation and a fluorescence branch, for example via a wave coupler.
  • Microphones and musical instruments with quantum technology pickups can therefore also relate to a ferromagnetically coated string as an example of a mechanically oscillatory system (MS) for string instruments, the oscillations of which are detected with a first modulation of a first modulation frequency by a sensor system proposed here.
  • a magnetic membrane or a ferromagnetic membrane in a magnetic circuit with an excitation by a permanent magnet or other mechanically movable or oscillatable device parts that are coupled to a mechanically oscillating system via air or another medium can also be considered as an oscillating system.
  • a magnetic membrane or a ferromagnetic membrane in a magnetic circuit when used together with one or more of the sensor systems presented here, can represent a microphone and be used in this way.
  • Position change information of, for example, a ferromagnetic measurement object in optical signals and / or digital electrical signals and / or analog electrical signals is proposed that includes the following steps, among others:
  • a first step is the generation of a magnetic flux density B modulated with a first modulation signal, which can also be constant.
  • the cause of this modulation with a first modulation signal and a first modulation spectrum at first modulation frequencies can also be a mechanical oscillation with a first oscillation spectrum at first
  • the first modulation spectrum being the first
  • Modulation frequencies of the first oscillation spectrum at first oscillation frequencies typically depends.
  • the vibration spectrum can have a constant component.
  • a second step is to acquire this with the first modulation spectrum at the first
  • Modulation frequencies modulated magnetic flux density B by means of a paramagnetic Centers (NV1) in a device based on diamagnetic material and conversion of the detected value of the modulated magnetic flux density B into an optical signal and / or an electrical, for example digital signal, in particular a receiver output signal (SO) or a sensor output signal (out), and / or an analog electrical signal, in particular into an analog and / or digital sensor output signal (out) by means of this device.
  • NV1 paramagnetic Centers
  • Modulation signal modulated flux density component B m of the magnetic flux density B by means of a first field source (MGI) of an electric and / or magnetic field, which with the
  • the generation of a further, first flux density component B 0 of the magnetic flux density B, which is superimposed on the second flux density component B 0 of the magnetic flux density B modulated with the first modulation signal, is preferably generated by means of a second source (MG2) of an electric and / or magnetic field, that is not linked to the mechanical system.
  • This second magnetic field source (MG2) preferably brings the sensor system into the optimum operating point range of FIG. 28, the magnetic flux density B of the operating point typically corresponding to the first flux density component B 0 .
  • the second magnetic field source (MQ2) is preferably a permanent magnet or an electrically energized compensation coil (LC).
  • the first flux density component B 0 is preferably generated by means of a permanent magnet and / or an electrically energized compensation coil (LC). With the electrically powered
  • Compensation coil can be a single line. Is preferred
  • Compensation coil energized with an electric current through a controller (RG), which depends on the sensor output signal (out) and / or the filter output signal (S4) and from a controller (RG) depending on the value of the deviation determined by the device the detected magnetic flux density B is generated from an operating point value, for example the value of the first flux density component (B 0 ).
  • the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) are preferably placed so close to this line, which can also be a straight line, that they are in the magnetic near field of the line, which decreases by 1 / r, where r stands for the distance between the respective paramagnetic center (NV1) and a conductor, which may form the compensation coil (LC).
  • the setting of the operating point for using the paramagnetic center or centers (NV1) is by using a second one Field source (MG2) in combination with a first source (MGI) is a very important step towards optimizing the sensitivity.
  • This setting can be made as already described by
  • Permanent magnets and / or electromagnets so for example energized coils (LI to L7, LC) and / or lines take place.
  • a pump radiation source for example a laser and / or an LED
  • a diamagnetic material MPZ
  • PD radiation receiver
  • this exemplary device comprises a mechanical system (MS) and a first field source (MQ1).
  • the diamagnetic material (M PZ) again has one or more paramagnetic centers (NV1).
  • the pump radiation source (PLI) emits a pump radiation (LB) suitable for the paramagnetic center or centers (NV1) with a pump radiation suitable for exciting the paramagnetic center or centers (NV1)
  • the paramagnetic center or centers (NV1) are irradiated by the pump radiation (LB) and therefore emit fluorescence radiation (FL) with a fluorescence radiation wavelength (1h).
  • the first field source (MQ1) is preferably mechanically coupled to the mechanical system (MS).
  • the first field source (MGI) can be, for example, the ferromagnetic material of a guitar string or a rotor of an electrical machine or another vibratory device element made of ferromagnetic material of another mechanical device and possibly a permanent magnetic device.
  • a first field source (MGI) means a non-restricted source of a modification of the magnetic flux density B at the location of the paramagnetic center or centers (NV1).
  • the mechanical system (MS) allows a movement and / or acceleration and / or rotation of the first field source (MQ1) relative to the
  • MMW diamagnetic material
  • Radiation receiver detects the fluorescence radiation (FL), typically the intensity (l fl ) of the fluorescence radiation (FL) and converts the detected intensity value (In) of the fluorescence radiation (FL) into a receiver output signal (SO), which is in particular digital and / or can be analog. It can also be a memory value in a
  • Acting signal processing device for retrieval and / or further use
  • the device preferably comprises a first filter (Fl), the first filter (Fl) im
  • the first filter (Fl) essentially does not prevent fluorescence radiation (FL) from being
  • the pump radiation (LB) preferably has a pump radiation wavelength (l rGhr ) between 500-600 nm
  • Sensor element comprises around diamond and around NV centers in this diamond material for the paramagnetic center or centers.
  • the paramagnetic center (s) (NV1) is preferably one or more NV centers in one or more diamonds and the diamond (s) is a diamond with an at least local content of NV centers in a region from 0.1 ppm to 500 ppm and possibly more, i.e. around one HD-NV diamond in the sense of this document.
  • the paramagnetic center or centers are preferably one or more NV centers in one or more diamonds and the diamond or diamonds are artificially produced by means of a high-pressure-high-temperature process.
  • the movement of the first field source (MQ1) relative to the sensor element with the diamagnetic material (M PZ) is periodic. This applies, for example, to the said exemplary steel side of the exemplary guitar (GT). Analogously, this can also be understood as a periodic movement of the first field source (MQ1) relative to the sensor element with the diamagnetic material (MPZ), which is based on a mechanical oscillation and / or a rotation of at least one device part of the mechanical system (MS), for example the said string of said exemplary guitar (GT).
  • This device part and / or the mechanical system (MS) is, for example, a vibrating side of a musical instrument or a rotating and / or vibrating test specimen of a measuring device (for example a rotary position sensor) or a rotating and / or vibrating wheel or gear or a rotating and / or vibrating circular disk or a rotating and / or vibrating rotor or other device part of a motor, in particular an electric motor or an internal combustion engine or a turbine or a rocket engine, or another rotating and / or vibrating device part of an engine, in particular an electric motor or an internal combustion engine or a turbine or a rocket engine, or a rotating and / or vibrating device part of a vehicle or a rotating and / or
  • the invention thus also relates to microphones, seismometers, geophones, tachometers, rotor position sensors for motors and their control devices, vibration measuring devices, etc.
  • a translational movement in the sense of this document is a rotation with an infinite radius.
  • a sensor system as proposed here can be used for
  • a particular advantage here is the spatial separation of the sensor element, for example diamond, by means of one or more optical waveguides and the electronic evaluation and irradiation unit. This enables the use of the sensor element to detect the
  • Intensity (l fl ) of the fluorescence radiation (FL) influencing physical parameters are used. This can also be done, for example, in boreholes, in particular under high pressure and / or high temperature and / or in environments with caustic and / or abrasive
  • Liquids such as hot salt water / oil / sand / gas mixtures occur at great depths, for example as part of a borehole probe.
  • a proposed sensor system can be used to detect sudden pressure differences, for example to trigger airbag systems.
  • Another embodiment is to use a proposed sensor system for monitoring medical parameters.
  • the sensor element is attached to an optical waveguide, the sensor element with the paramagnetic centers (NV1) can be brought into the vicinity of the organ to be measured, for example the heart or the brain, via the vessels, and there it can detect bioelectrical signals or irradiating radiation, in particular ionizing radiation Detect radiation such as neutrons, electrons and positrons, elementary particles, ions, alpha radiation, gamma and X-ray photons and, if necessary, use them for dose measurement, for example within a living body, for example in medicine.
  • a sensor system as proposed can also be used can be used to control a pacemaker.
  • a wide application is the use of a proposed sensor system in the microphone variant as a hearing aid.
  • the low weight and the direct conversion of the acoustic signals into digital signals result in a low-noise recording.
  • LWL2 is biocompatible and the sensor element of the detection unit comprising the
  • the sensor element can be used as an at least temporarily invasive implant in the inner ear or at other parts of the body, e.g. with the aid of one or more optical waveguides (LWL1, LWL2) can be used.
  • LWL1, LWL2 optical waveguides
  • the sensor system can comprise means, in particular a controller (RG) and / or in particular a compensation coil (LC) and / or a permanent magnet, to detect the change in the intensity (l fl ) of the To maximize fluorescence radiation (FL) with a change in the magnetic flux density B at the location of the paramagnetic center or centers (NV1) based on the respective application. Ie by subtracting or adding a quasi-static component of the magnetic flux B, the total magnetic flux density B at the location of the paramagnetic center is shifted in the direction of an operating point which is at an optimized distance from the point of maximum sensitivity (see FIG. 28b).
  • paramagnetic centers in the case of FIG. 28b, these are NV centers in diamond
  • NV centers in diamond couple with a sufficiently high local NV center density, such as in an FID-NV diamond, and thus generate collective effects of groups of paramagnetic centers .
  • Compensation coil (LC) made, it makes sense to energize it with an electric current, which is derived from the measured value of the magnetic flux density B, i.e. the filter output signal (S4) of the filter, for example the loop filter (TP), so that the magnetic field of the compensation coil (LC) such a change in the magnetic flux density B at the location of the paramagnetic centers (NV1) and / or at the location of the groups (NVC) of para-magnetic centers (NV1) by means of a current supply to the compensation coil (LC) by a controller (RG ), whose actual value signal depends on the filter output signal (S4) or a functionally equivalent signal, is compensated.
  • the filter output signal (S4) of the filter for example the loop filter (TP)
  • a controller (RG) preferably derives the corresponding operating point control signal (S9) from the filter output signal (S4). This stabilizes the magnetic working point setting of a magnetic working point flux density in the form of a bias flux density (B 0 ).
  • the regulator (RG) preferably has a low-pass characteristic or, better, an integrating characteristic.
  • the regulation by the controller (RG) takes place preferably with a first time constant Xi, while the compensation regulation by means of the loop filter (TP) takes place with a second time constant x 2 . That is, a first sensor output signal (out) reflects the short-term changes in an alternating magnetic flux density field, while a second sensor output signal (out ”) reflects the long-term changes or the current quasi-static operating point of the sensor system.
  • the first time constant Xi is preferably greater than the second time constant t 2 (xi> x 2 ) .
  • the controller is preferably a PI controller or another suitable controller, but other controllers can be used.
  • the coupling of the paramagnetic centers (NV1), in particular the NV centers, leads to a sensitivity of the intensity (l fi ) of the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic centers (NV1) to a change even when the crystal alignment is decalibrated the magnetic flux density B at the location of the paramagnetic center or centers (NV1). It is therefore important that at least two, better at least 4, better at least 4, better at least 8, better at least 20, better at least 40, better at least 100, better at least 200, better at least 400, better at least 1000 paramagnetic centers (NV1) with each other are coupled to achieve this effect.
  • the previously described methods include one or more additional steps to couple at least two, better at least 4, better at least 4, better at least 8, better at least 20, better at least 40, better at least 100, better at least 200, better Include at least 400, better at least 1000 paramagnetic centers (NV1).
  • the device is preferred for a
  • This coupling can also take place via optical functional elements of the integrated circuit (IC), for example optical waveguides, which are manufactured in micro-optics on or in the integrated circuit (IC), and / or via optical functional elements of the housing.
  • IC integrated circuit
  • optical waveguides which are manufactured in micro-optics on or in the integrated circuit (IC)
  • IC integrated circuit
  • the contrast (KT) is here as the maximum intensity (l fl ) of the fluorescent radiation (FL) at the magnetic flux density B of this maximum intensity (l fl ) of the fluorescent radiation (FL) divided by the limit value of the intensity (l f
  • the contrast (KT) depends non-linearly on the intensity (I pmp ) of the pump radiation (LB). In order to achieve maximum contrast (KT), the following measures are therefore important and useful: i. Maximizing the pump radiation power of the pump radiation source (PLI),
  • Pump radiation source (PLI) when switching on the pump radiation source (PLI) in order to avoid low pump radiation intensities (l pmp ) of the pump radiation (LB) that differ from zero, iii. Maximizing the rate of decay of the pump radiant power
  • Pump radiation source (PLI) when switching off the pump radiation source (PLI) in order to avoid low pump radiation intensities (l pmp ) of the pump radiation (LB) that differ from zero,
  • Pump radiation (LB) by means of a collimator optics preferably on a focal point the size of less than 100, better less than 50, better less than 20, better less than 10, better less than 5, better less than two, better less than one, better less than half a pump radiation wavelength (l rirr ) of the pump radiation (LB),
  • NV1 paramagnetic centers
  • NVC groups of paramagnetic centers
  • Anti-reflective measures and / or wave resistance adjustments and, if necessary, by taking into account interference from reflections within the sensor element.
  • the pump radiation sources (PLI) are preferably pulse-modulated, that is to say pulsed, operated.
  • the limiting operating parameters of the pump radiation source (PLI) are a maximum mean power and a maximum operating voltage, which, if exceeded, lead to various types of damage to the pump radiation source (PLI).
  • LB pump radiation power of the pump radiation
  • KT contrast
  • Pump radiation (LB) in the material of the sensor element for example in an HD-NV diamond, in order to further maximize the contrast (KT), it is advantageous to carry out an optical adjustment.
  • This optical adaptation can manipulate the polarization of the pump radiation (LB), for example by a l r [gir / 4-R ⁇ 0 ⁇ oI ⁇ qh, but also the angle of incidence (0 e ) of the pump radiation (LB) relative to the
  • Such an anti-reflective coating or matching layer (ASv, ASr) in the sense of this disclosure can also have a structuring of the surface (OFL1, OFL2) with structures smaller than that
  • the sensor element is, for example, an HD-NV diamond in the form of a flat plate, in the upper side of which the pump radiation (LB) of the pump radiation source (PLI) is incident vertically over its first surface (OFL1), for example, and if the first surface (OFL1) of the upper side is optically plane-parallel to the second surface (OFL2) of the underside, it is particularly advantageous if the thickness of the plate is selected so that the plate of the resulting Fabry-Perrot interferometer has a maximum transmission of the first surface (OFL1) for Radiation of the pump radiation wavelength (l rirr ), since then the entire pump radiation power or at least a maximum of the pump radiation power penetrates into the plate.
  • the paramagnetic centers (NV1) in the case of an HD-NV diamond, these are NV centers, are preferably in a thin, preferably layered group (NVC) of paramagnetic centers in the plane of the maximum pump radiation amplitude within the resonator thus formed in the form of the example here Fabry-Perrot resonator arranged.
  • NVC preferably layered group
  • the sensor element plate here an exemplary diamond plate, has a greater thickness, so
  • several levels of maximum pump radiation intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB) can also be located in this irradiation situation of perpendicular incidence of the pump radiation (LB) on the first surface (OFL1) of the sensor element plate within the Fabry-Perot resonator of the sensor element plate.
  • the paramagnetic centers (NV1) in the case of an FID-NV diamond, these are NV centers, are then preferably in several thin, preferably layered groups (NVC) (clusters) of paramagnetic centers (NV1) and preferably over an extent d of such groups (NVC) paramagnetic centers (NVC) arranged in this plane of the maximum pump radiation amplitude within the Fabry-Perrot resonator.
  • NVC thin, preferably layered groups
  • NVC paramagnetic centers
  • NVC paramagnetic centers
  • the coupling of the pump radiation (LB) of the pump radiation source (PLI) is optimized with respect to the losses through the anti-reflective layer or front matching layer (ASv) of the first surface (OFL1) on the upper side of the sensor element plate. Since the fluorescence radiation (FL) must also be decoupled, the transmission of the Fabry-Perrot interferrometer must be set up in such a way that it can leave the sensor element plate, for example the HD-NV diamond plate, at a predetermined angle with good transmission.
  • the high density of the paramagnetic centers (NV1) is preferably only generated in a thin layer under the first surface (OFL1) of the sensor element, for example in a thin layer in an HD-NV diamond, while the remaining volume preferably has no paramagnetic centers (NV1) or only a few paramagnetic centers (NV1).
  • the same first surface (OFLl) of the sensor element for example an HD-NV diamond, is preferably used for the exit of the fluorescence radiation (FL), via which the pump radiation (LB) also enters the Sensor element (for example, into the HD-NV diamond, took place.
  • Sensor system with hold circuit
  • the proposal presented here therefore includes an integrated circuit (IC) for use with a paramagnetic center (NV1) in the material of a sensor element with a driver for operating a pump radiation source (PLI) for pump radiation (LB) and with a receiver (PD1), for the detection of fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) and with a control and evaluation unit (LIV) for generating a sensor output signal ( out), which depends on the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic center (NV1) in the material of a sensor element.
  • the sensor element is preferably a diamond crystal.
  • the paramagnetic center or centers (NV1) are preferably one or more NV centers and / or one or more groups of NV centers in one or more
  • the radiation receiver (PD) is preferably provided and suitable for essentially not detecting the pump radiation (LB) in the sense of said selectivity.
  • the integrated circuit (IC) furthermore preferably comprises a control and evaluation unit (LIV) (Ml, TP, M2, G) for generating a sensor output signal (out) which is generated by the fluorescence radiation (FL) of the
  • NV1 paramagnetic center in the material of a sensor element and / or
  • the integrated circuit (IC) now preferably also has the aforementioned holding circuit (S&H).
  • the hold circuit (S&H) has an input and an output.
  • the holding circuit (S&H) is preferably connected in the signal path between the radiation receiver (PD) and the sensor output signal (out).
  • a holding circuit (S&H) is preferably inserted into the signal path between the first multiplier (M 1) and the loop filter (TP), which can also be designed as an integrator, and / or after the loop filter (TP) and / or integrator.
  • the holding circuit (S&H) holds its output signal at its output essentially constant for the first time, i.e. it virtually freezes it.
  • the holding circuit (S&H) changes in second time periods, which are different from the first time periods, its output signal at its output as a function of the signal at its input in such a way that it then a
  • Has output signal the output value of which is essentially preferably in the form of a linear one Mapping depends linearly on the input value at the input of the hold circuit. So it is more or less transparent in these second periods.
  • the sensor element and / or quantum technological device element is preferably a diamond crystal, the paramagnetic center (NV1) preferably being an NV center and / or an ST1 center in the diamond crystal.
  • NV1 paramagnetic center
  • KS Compensation radiation (KS) of the compensation radiation source (PLK) readjusted so that the receiver output signal (SO) of the radiation receiver (PD) no longer had any components of the transmission signal (S5) apart from signal noise and a control error.
  • Radiation receiver has no more components of the compensation transmission signal (S7) apart from signal noise and a control error and possibly a direct component.
  • the sensor system and / or quantum technological system comprises one or more paramagnetic centers (NV1) or one or more groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) in the material of a sensor element and / or
  • quantum technological device element that is part of the sensor system and / or
  • the method comprises the modulated transmission of a modulated compensation radiation (KS) by the compensation transmitter (PLK), this modulation of the intensity (l ks ) of the compensation radiation (KS) of the compensation transmitter (PLK) being modulated by means of a compensation transmission signal (S7) which controls the compensation transmitter (PLK).
  • this method now regulates by means of the transmission signal (S5) and not by means of the compensation transmission signal (S7).
  • Compensation transmission signal (S7) is thus operated quasi-statically unchanged in this method. Both basic procedures can, however, be combined, whereby a rule must be specified in which way the compensation transmission signal (S7) and / or the transmission signal (S5) are to be regulated. In the example discussed here in this section, the transmit signal (S5) is used instead of the
  • Compensation transmission signal (S7) regulated. These control methods can be mixed. Regulation of the transmission signal is useful when the intensity (l fl ) of the fluorescence radiation (FL) is high, while regulation of the intensity (l ks ) of the compensation radiation (KS) is useful when the intensity is low
  • the method discussed here in this section comprises the generation of modulated fluorescence radiation (FL) by means of one or more paramagnetic centers (NV1) or by means of a group or more groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) in a material of a sensor element and / or quantum technology Device element that depends on a modulated pump radiation (LB) and possibly other parameters, in particular the magnetic flux density B.
  • NV1 paramagnetic centers
  • NVC group or more groups of paramagnetic centers
  • LB modulated pump radiation
  • B quantum technology Device
  • KS Compensation radiation
  • SO receiver output signal
  • SD radiation receiver
  • a correlation of the receiver output signal (SO) with the compensation transmission signal (S7) is now carried out in an analogous manner, in particular with the aid of a synchronous demodulator (Ml, TP), to form a filter output signal (S4).
  • the filter output signal (S4) is now preferably sampled, in particular by means of a hold circuit (S&H), with the determination of a sequence of sampled values.
  • S&H hold circuit
  • a complex feedback signal (S8) modulated with the compensation transmission signal (S7) is now generated with the aid of this sensor output signal (out) and the transmission signal (S5) is formed from the feedback signal (S8), in particular by offset addition and / or power amplification.
  • a pump radiation source (PLI) is then controlled with the transmission signal (S5) formed in this way and a complementary one is sent out
  • the correlation is preferably carried out with the steps of multiplying the
  • (54) can be multiplied by a factor of -1.
  • the complex feedback signal (S8) is preferably formed by multiplying the filter output signal (S4) with the compensation transmission signal (S7) to form the complex feedback signal
  • Parts of the device, the control circuit, are chosen so that stability is achieved.
  • the generation and / or modification and / or modulation of the magnetic field in the form of the magnetic flux density B can be periodic.
  • the periodicity can be attributed to an electrical and / or mechanical oscillation and / or a mechanical movement along a closed path.
  • sensor system in this description also includes systems that make use of quantum properties in general. This particularly applies to systems that make use of quantum properties in general. This particularly applies to systems that make use of quantum properties in general. This particularly applies to systems that make use of quantum properties in general. This particularly applies to systems that make use of quantum properties in general. This particularly applies to systems that make use of quantum properties in general. This particularly applies to systems that make use of quantum properties in general. This particularly applies to systems that make use of quantum properties in general. This particularly applies to systems that
  • the detection and recording of acoustic mechanical vibrations can be carried out achromatically without influencing the mechanical vibrations.
  • the sensors show no signs of aging, are in harsh environments such as air with high
  • Salt water concentrations can be used with ionizing radiation or at high temperatures.
  • the sensors can be miniaturized to a volume of 10 ⁇ m 3 and the sensor is separated from the electrical evaluation unit by a light guide so that it can be used for medical purposes, for example.
  • a housing, as proposed here, and the sensor built on it, enables, at least in some implementations, the compact structure and the combination of conventional ones
  • FIG. 1 shows an evaluation circuit according to the state of the art (SdT) and largely corresponds to FIG. 1 with the difference that the sensor system does not include a first adapter circuit (OF1) and the signal generator (G) generates the transmission signal directly.
  • SdT state of the art
  • OF1 first adapter circuit
  • G signal generator
  • FIG. 1 shows the sensor system of FIG. 1 with the difference that a sensor element is now used that has a high density of paramagnetic centers (NV1) at least locally in part of the sensor element.
  • NV1 paramagnetic centers
  • FIG. 2 shows the sensor system of FIG. 2 with the difference that a sensor element is now used that has a high density of paramagnetic centers (NV1) at least locally in part of the sensor element.
  • Figure 5 shows the sensor system of FIG. 2 with the difference that a sensor element is now used that has a high density of paramagnetic centers (NV1) at least locally in part of the sensor element.
  • Radiation receiver (PD1) is evaluated in relation to the activity of the pump radiation source (PL).
  • Figure 7
  • FIG. 7 corresponds to FIG. 7 and is supplemented by the flip circuit (S&FI) and the trigger signal (STR), which is generated by the signal generator (G) preferably in phase synchronization with the transmission signal (S5), preferably at the end of the signal period (T p ).
  • S&FI flip circuit
  • STR trigger signal
  • FIG. 8 shows the system of FIG. 8 with the difference that the feedback signal (S6) is not fed back electrically via a first adder (A1), but via a reference noise source (PLK, KS) in order to implement a thickness amplifier.
  • FIG. 9 shows, in an analogous manner to the difference between FIG. 7 and FIG. 8, the system of FIG. 9 supplemented by the fold circuit (S&FI) and the trigger signal (STR).
  • S&FI fold circuit
  • STR trigger signal
  • FIGS. 9 and 10 shows an exemplary signal scheme that matches FIGS. 9 and 10 with exemplary levels for clarification that are chosen completely arbitrarily. In reality, other levels are likely to occur, depending on the selected gains, offsets, etc.
  • the intensity (l s ) of the compensation radiation (KS) of the compensation radiation source (PLK) is not regulated and the intensity (l pmp ) of the pump radiation source (PLK) is kept constant, but the intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB) of the pump radiation source (PLI) is regulated and the intensity (1 ⁇ ) of the compensation radiation source (PLK) is kept constant.
  • FIG. 12 shows an exemplary signal scheme matching FIG. 12 with exemplary levels for
  • FIG. 10 corresponds to FIG. 10 with the difference analogous to the difference between FIGS. 6 and 7, with a flip circuit (S&FI) being inserted again, which is controlled by the signal generator (G) by means of a trigger signal (STR).
  • S&FI flip circuit
  • Compensation path is designed in the same way as the transmission path and now the compensation transmitter (PLK) pumps one or more paramagnetic reference centers (NV2) and / or a group or groups (NVC2) of paramagnetic reference centers (NV2), which then emit compensation fluorescence radiation (KFL) which are then used for compensation instead of the compensation radiation (KL) by irradiating the radiation receiver (PD) with this compensation fluorescence radiation (KFL) and for a typically summed-over reception of this overlay of the compensation fluorescence radiation (KFL) and the compensation transmitter (PLK) pumps one or more paramagnetic reference centers (NV2) and / or a group or groups (NVC2) of paramagnetic reference centers (NV2), which then emit compensation fluorescence radiation (KFL) which are then used for compensation instead of the compensation radiation (KL) by irradiating the radiation receiver (PD) with this compensation fluorescence radiation (KFL) and for a typically summed-over reception of this overlay of the compensation fluorescence radiation (KFL) and
  • Fluorescence radiation (FL) in the radiation receiver (PD) leads, so that a thickness amplifier system is created.
  • FIG. 17 corresponds to an expanded system of FIG. 7, the system of FIG. 17 having a second analysis path which can be used, for example, to determine the fluorescence phase shift time (ATFL).
  • ATFL fluorescence phase shift time
  • FIG. 17 shows the exemplary sensor system structure of FIG. 17 with one holding circuit in each control branch.
  • FIG. 17 shows exemplary signal profiles with exemplary signals for a sensor system corresponding in its structure to that of FIGS. 17 and 18.
  • Figure 20 shows exemplary signal profiles with exemplary signals for a sensor system corresponding in its structure to that of FIGS. 17 and 18.
  • FIG. 20 shows the exemplary sensor system structure of FIG. 20 with one folding circuit in each control branch.
  • FIG. 21 a first filter (F1) now being inserted by way of example.
  • the first filter (Fl) is.
  • FIGS. 20 to 22 shows exemplary signals for the sensor systems of FIGS. 20 to 22.
  • FIG. 24 shows the exemplary sensor system structure of FIG. 24 with a folding circuit in each control branch.
  • FIG. 27 shows exemplary signals for the sensor systems of FIGS. 24 to 25.
  • FIG. 27 shows exemplary signals for the sensor systems of FIGS. 24 to 25.
  • FIG. 29 shows the system of FIG. 29 supplemented by the folding circuit (S&FI) and the trigger signal (STR).
  • S&FI folding circuit
  • STR trigger signal

Abstract

The invention relates to a sensor system on the basis of diamonds with a high density of NV centres. The description comprises a) methods for producing the necessary diamonds with high NV centre density, b) features of such diamonds, c) sensor elements for the use of the fluorescence radiation of such diamonds, d) sensor elements for the use of the photocurrent of such diamonds, e) systems for evaluating these variables, f) systems with reduced noise for evaluating these systems, g) housing for the use of such systems in automatic placement systems, g) method for testing these systems, and h) a musical instrument as an example of a final use of all of these devices and methods.

Description

NV-Zentrum basierender mikrowellenfreier Quantensensor und dessen Anwendungen und NV center based microwave-free quantum sensor and its applications and
Ausprägungen Expressions
Prioritäten priorities
Diese internationale Anmeldung nimmt folgende Prioritäten der folgenden deutschen This international application takes the following priorities from the following German ones
Patenanmeldungen in Anspruch: DE 10 2019 009 153.1 vom 25.07.2019, DE 10 2019 009 155.8 vom 05.08.2019, DE 10 2019 005 484.9 vom 05.08.2019, DE 10 2019 129 092.9 vom 28.10.2019,Patent applications in claim: DE 10 2019 009 153.1 from July 25, 2019, DE 10 2019 009 155.8 from August 5, 2019, DE 10 2019 005 484.9 from August 5, 2019, DE 10 2019 129 092.9 from October 28, 2019,
DE 10 2019 130 115.7 vom 07.11.2019, DE 10 2020 003 532.9 vom 05.04.2020 in Anspruch. Des Weiteren wird hier die Priorität der beim Deutschen Patentamt beantragten Teilung aus der DE 10 2020 107 831.5 in Anspruch genommen, deren Anmeldetag der 22.03.2020 ist. DE 10 2019 130 115.7 dated 07/11/2019, DE 10 2020 003 532.9 dated 05/04/2020. Furthermore, the priority of the division requested from the German Patent Office from DE 10 2020 107 831.5, the filing date of which is March 22, 2020, is claimed.
Gebiet der Erfindung Field of invention
Die Erfindung betrifft unter anderem ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Erzeugung von akustisch äquivalenten elektrischen und digitalen Signalen mittels auf quantenmechanischen Effekten beruhenden Sensoren als Mikrophone oder Tonabnehmer für Musikinstrumente sowie weitere technische und medizinische Instrumente. Die vorliegende Erfindung betrifft somit insbesondere die Detektion von magnetischen Flussdichten B, elektrischen Flussdichten D, Drücken P, Bewegungsgeschwindigkeiten v, Positionskoordinaten, Abständen, elektrischen Strömen, Kräften auf mit einem magnetischen Moment behaftete Atomkerne, Beschleunigungen a, The invention relates, inter alia, to a method and a device for generating acoustically equivalent electrical and digital signals by means of sensors based on quantum mechanical effects as microphones or pickups for musical instruments and other technical and medical instruments. The present invention thus relates in particular to the detection of magnetic flux densities B, electrical flux densities D, pressures P, movement speeds v, position coordinates, distances, electrical currents, forces on atomic nuclei afflicted with a magnetic moment, accelerations a,
Gravitationsfeldstärken g, mechanischen und elektromagnetischen Schwingungen, Gravitational field strengths g, mechanical and electromagnetic vibrations,
Rotationsgeschwindigkeiten co, Temperaturen q, Intensitäten ionisierender Strahlungen mittels auf quantenmechanischen Effekten beruhenden Sensoren. Die mechanischen Schwingungen können beispielsweise in Musikinstrumenten zur Erzeugung von Tönen dienen. Die Bewertung der Amplitude und der Frequenz von mechanischen Schwingungen können aber auch zur Qualitätskontrolle von Motoren oder andere sich regelmäßig bewegende Bauelemente genutzt werden. Weitere Rotational speeds co, temperatures q, intensities of ionizing radiation using sensors based on quantum mechanical effects. The mechanical vibrations can be used, for example, in musical instruments to generate tones. The assessment of the amplitude and frequency of mechanical vibrations can also be used for quality control of motors or other regularly moving components. Further
Anwendungen liegen in der Nutzung als Seismograph oder für medizinische Untersuchungen. Gattungsgemäße Verfahren um Positionen, Bewegungen, Beschleunigungen, Applications are in use as a seismograph or for medical examinations. Generic methods for positions, movements, accelerations,
Rotationsgeschwindigkeiten oder Schwingungen in elektrisch oder digital äquivalente Signale umzuwandeln sind auf Druck basierende Sensoren, thermoelastische oder auf magnetische Induktion basierende Verfahren. Letzteres ist insbesondere für elektrische (E-) Gitarren und Bässe Converting rotational speeds or vibrations into electrically or digitally equivalent signals are pressure-based sensors, thermoelastic or magnetic induction-based methods. The latter is especially useful for electric (electric) guitars and basses
gebräuchlich. Nach dem Stand der Technik ist beispielsweise bekannt, dass E-Gitarren oder E-Bässe mit Tonabnehmern (Pick-Ups) ausgestattet sind, um die Schwingungen einer angeschlagenen Saite in akustische Signale umzuwandeln. Dabei wird die Induktion von Spannungen mittels zeitlicher Feldänderungen in einer Spule nach dem Faraday'schen Gesetz genutzt. Die Bestimmung von Schwingungen durch Geophone nutz ebenfalls eine Ankopplung von Erdschwingungen an eine Spule in dem sich ein freibeweglicher Magnet befindet. common. According to the prior art, it is known, for example, that electric guitars or electric basses are equipped with pickups in order to convert the vibrations of a struck string into acoustic signals. The induction of voltages by means of temporal field changes in a coil is used according to Faraday's law. The determination of vibrations by geophones also uses a coupling of earth vibrations to a coil in which a freely movable magnet is located.
Ein wesentlicher prinzipieller Nachteil dieser Verfahren ist, dass die Induktionsspannung durch die zeitliche Änderung des magnetischen Feldes insbesondere durch Änderung des magnetischen Flusses B bestimmt wird, also einen Differentialfilter darstellt mit einer entsprechenden Rauschverstärkung. Ebenfalls stellt die Induktion der Spule in dem Messsystem einen Tiefpass dar und führt zu nicht linearen Übertragungen mechanisch zusammengesetzter Schwingungen unterschiedlicher A fundamental disadvantage of this method is that the induction voltage is determined by the change in the magnetic field over time, in particular by changing the magnetic flux B, that is to say it is a differential filter with a corresponding noise gain. The induction of the coil in the measuring system also represents a low-pass filter and leads to non-linear transmissions of different mechanically composed vibrations
Frequenzen. Ähnliche Nachteile besitzen auf Druck basierende Sensoren. Flerkömmliche magnetische Sensoren besitzen zudem den Nachteil, dass sie eine geringe Empfindlichkeit besitzen oder eine starke Temperaturabhängigkeit zeigen oder beides. Beispielsweise weisen Flall-Sensorelemente einen hohen Innenwiderstand auf, der die Messgeschwindigkeit begrenzt. Die Übertragung der mechanischen Schwingungen in akustisch äquivalente elektrische oder digitale Signale ist somit nur bedingt mit der derzeitigen Technik möglich. Die Erfindung richtet sich des Weiteren auf ein Gehäuse mit einem Sensorsystem und/oder quantentechnologischen System. Das Sensorsystem weist ein Sensorelement mit einem paramagnetischen Zentrum (NV1) im Material eines Sensorelements auf. Alle Teilvorrichtungen des Sensorsystems sind bevorzugt nicht ferromagnetisch ausgeführt. Dies betrifft insbesondere das Lead-Frame für die Montage des Sensorsystems innerhalb eines Open- Cavity-Gehäuses. Das paramagnetische Zentrum (NV1) ist bevorzugt ein NV-Zentrum in einem Diamantkristall, der als Sensorelement dient, wobei dann Diamant zumindest in Teilen das Frequencies. Pressure-based sensors have similar disadvantages. Conventional magnetic sensors also have the disadvantage that they have a low sensitivity or show a strong temperature dependency or both. For example, fall sensor elements have a high internal resistance which limits the measuring speed. The transmission of the mechanical vibrations into acoustically equivalent electrical or digital signals is therefore only possible to a limited extent with the current technology. The invention is also directed to a housing with a sensor system and / or quantum technology system. The sensor system has a sensor element with a paramagnetic center (NV1) in the material of a sensor element. All sub-devices of the sensor system are preferably not designed to be ferromagnetic. This applies in particular to the lead frame for mounting the sensor system within an open-cavity housing. The paramagnetic center (NV1) is preferably an NV center in a diamond crystal, which serves as a sensor element, with diamond then at least in part
Sensorelementmaterial darstellt. Die Verwendung anderer Zentren, wie beispielsweise des ST1- Zentrums oder des SiV-Zentrums oder des GeV-Zentrums ist denkbar. Die Erfindung richtet sich auch auf ein entsprechendes Sensorsystem und/oder quantentechnologischen System, wobei der optische Sender (PLI) des Sensorsystems gechoppert, d.h. pulsmoduliert wird und durch eine spezielle Maßnahme alle Reste des Chopper-Frequenz-Spektrums aus dem Spektrum des Sensorausgangssignals (out) entfernt werden. Insbesondere wird eine spezielle Art der Rauschunterdrückung beansprucht. Mit Pulsmodulation werden hier verschiedene Represents sensor element material. The use of other centers such as the ST1 center or the SiV center or the GeV center is conceivable. The invention is also directed to a corresponding sensor system and / or quantum technology system, the optical transmitter (PLI) of the sensor system being chopped, ie pulse-modulated, and all remnants of the chopper frequency spectrum from the spectrum of the Sensor output signal (out) must be removed. In particular, a special type of noise suppression is claimed. With pulse modulation, different
Modulationsverfahren wie Pulsamplitudenmodulation (PAM), Puls-Code-Modulation (PCM), Pulsfrequenzmodulation (PFM), Pulsweitenmodulation (PWM), Puls-Pausen-Modulation (PPM), Pulsphasenmodulation (PPM) und Puls-Position-Modulation (PPM) zusammengefasst. Auf https://de.wiki'pedia.org/wiki/Pulsmoduiation wird verwiesen. Modulation methods such as pulse amplitude modulation (PAM), pulse code modulation (PCM), pulse frequency modulation (PFM), pulse width modulation (PWM), pulse pause modulation (PPM), pulse phase modulation (PPM) and pulse position modulation (PPM). Reference is made to https://de.wiki ' pedia.org/wiki/Pulsmoduiation.
Vorbemerkungen Preliminary remarks
Die im Folgenden beschriebenen Merkmale und die Merkmale der Ansprüche können typischerweise miteinander kombiniert werden, auch wenn solche Kombinationen in den Ansprüchen der The features described below and the features of the claims can typically be combined with one another, even if such combinations are in the claims of
Erstanmeldung nicht miteinander kombiniert sind, da z. T. aus Platzmangel nur bevorzugte und/oder beispielhafte Kombinationen in den Ansprüchen und der Beschreibung Niederschlag fanden. First registration are not combined with each other, as z. Sometimes only preferred and / or exemplary combinations were reflected in the claims and the description due to lack of space.
Voraussetzung einer solchen, hier ggf. nicht ausdrücklich beschriebenen Kombination ist die Sinnhaftigkeit und Funktionstüchtigkeit der Kombination, die ggf. durch den Fachmann erprobt werden kann. Die Offenbarung umfasst ausdrücklich auch diese Kombinationen. A prerequisite for such a combination, which may not be expressly described here, is the usefulness and functionality of the combination, which can possibly be tested by a person skilled in the art. The disclosure expressly also includes these combinations.
Allgemeine Einleitung General introduction
ln letzter Zeit werden sehr viele Publikationen zur Verwendung von NV-Zentren als Quantenpunkten für Quantum-Sensing, Quantum-Computing und Quantum-Kryptografie getätigt. Recently, a great many publications have been made on the use of NV centers as quantum dots for quantum sensing, quantum computing, and quantum cryptography.
Auf quantenmechanischen Effekten basierende Sensoren beruhen bevorzugt auf paramagnetischen Spin-Zuständen und erzeugen selbst kein oder ein extrem geringes Magnetfeld. Sie erlauben es, Magnetfelder mit bis zu mehreren hundert kHz frequenzunabhängig zu bestimmen. Gegenüber Magnetfeldmessverfahren, die auf Induktion basieren, wirkt das Messsystem somit nicht auf das zu vermessende ggf. schwingende System ein und erlaubt somit eine unbeeinflusste Messung des zu vermessenden Systems. Durch das auf quantenmechanischen Effekten beruhende Messprinzip ist das Detektionsprinzip weitgehend temperaturunempfindlich. Sensors based on quantum mechanical effects are preferably based on paramagnetic spin states and generate no or an extremely low magnetic field themselves. They allow magnetic fields of up to several hundred kHz to be determined independent of frequency. Compared to magnetic field measuring methods based on induction, the measuring system does not act on the possibly oscillating system to be measured and thus allows an uninfluenced measurement of the system to be measured. Due to the measuring principle based on quantum mechanical effects, the detection principle is largely insensitive to temperature.
Figur 1 zeigt ein Quantenpunkt basierendes Messsystem entsprechend dem Stand der Technik schematisch als stark vereinfachtes Blockschaltbild. Im Stand der Technik emittiert eine FIG. 1 shows a quantum dot-based measuring system according to the prior art, schematically as a greatly simplified block diagram. In the prior art, one emits
Pumpstrahlungsquelle (PLI) mit einer Pumpstrahlungswellenlänge (lrGhr) in Abhängigkeit von einem Sendesignal (S5) Pumpstrahlung (LB) in eine erste Übertragungsstrecke (II) hinein. Für die Intensität il der in die erste Übertragungsstrecke (II) hineingestrahlten Pumpstrahlung (LB) finden wir die Gleichung I in linearer Näherung: Pump radiation source (PLI) with a pump radiation wavelength (l rGhr ) as a function of a transmission signal (S5) pump radiation (LB) into a first transmission path (II). For the intensity il of the pump radiation (LB) radiated into the first transmission path (II) we find equation I in a linear approximation:
H=hO+hRa+hl*(s5w+s5g+hRb) H = hO + hRa + hl * (s5w + s5g + hRb)
Hierbei beschreibt hO einen Offset-Wert, der für die Pumpstrahlungsquelle (PLI) spezifisch ist. hRa beschreibt ein Rauschen, das intensitätsunabhängig ist. hl beschreibt einen Proportionalitätsfaktor, der für die Pumpstrahlungsquelle (PLI) in dem gewählten Arbeitspunkt bei linearer Näherung gilt. s5w stellt den momentanen Wert des Wechselanteils (S5w) des Sendesignals (S5) dar. s5g stellt den momentanen Wert des Gleichanteilsanteils (S5g) des Sendesignals (S5) dar. hRb steht für das mitverstärkte Eingangsrauschen der Pumpstrahlungsquelle (PLI). Somit wird im Stand der Technik die Pumpstrahlungsquelle (PLI) mit dem Sendesignal (S5) moduliert. Here, hO describes an offset value that is specific for the pump radiation source (PLI). hRa describes a noise that is independent of intensity. hl describes a proportionality factor that applies to the pump radiation source (PLI) at the selected operating point with a linear approximation. s5w represents the instantaneous value of the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5). s5g represents the instantaneous value of the direct component (S5g) of the transmission signal (S5). hRb stands for the amplified input noise of the pump radiation source (PLI). Thus, in the prior art, the pump radiation source (PLI) is modulated with the transmission signal (S5).
Nur ein erster Anteil al der Pumpstrahlung (LB), der sich in der ersten Übertragungsstrecke (II) befindet, erreicht das Sensorelement mit dem paramagnetischen Zentrum (NV1) oder den paramagnetischen Zentren (NV1). Bevorzugt handelt es sich bei dem Sensorelement um einen oder mehrere Diamanten und bei dem paramagnetischen Zentrum (NV1) in diesem Falle dann bevorzugt um ein oder mehrere NV-Zentren. Only a first portion al of the pump radiation (LB), which is located in the first transmission path (II), reaches the sensor element with the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1). The sensor element is preferably one or more diamonds and the paramagnetic center (NV1) in this case is then preferably one or more NV centers.
Die Pumpstrahlung (LB) aus der ersten Übertragungsstrecke (II) bestrahlt das oder die The pump radiation (LB) from the first transmission link (II) irradiates the one or the other
paramagnetischen Zentren (NV1) des Sensorelements somit mit Pumpstrahlung (LB). Das paramagnetische Zentrum (NV1) oder die paramagnetischen Zentren (NV1) wandeln einen zweiten Anteil a2 der empfangenen Pumpstrahlung (LB) in eine Fluoreszenzstrahlung (FL) mit einer Intensität i2 um. i2=al*a2*[hO+hRa+hl*(s5w+s5g+hRb)] paramagnetic centers (NV1) of the sensor element thus with pump radiation (LB). The paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) convert a second portion a2 of the received pump radiation (LB) into fluorescence radiation (FL) with an intensity i2. i2 = al * a2 * [hO + hRa + hl * (s5w + s5g + hRb)]
Das paramagnetische Zentrum (NV1) bzw. die paramagnetischen Zentren (NV1) strahlen somit die Fluoreszenzstrahlung (FL) in eine zweite Übertragungsstrecke (12) mit der Intensität i2 ein. Einen dritten Anteil a3 der Pumpstrahlung (LB) reflektiert oder transmittiert das Sensorelement ebenfalls in die zweite Übertragungsstrecke (12) hinein. i2=al*a2*[h0+hRa+hl*(s5w+s5g+hRb)]+al*a3*[h0+hRa+hl*(s5w+s5g+hRb)] The paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) thus radiate the fluorescence radiation (FL) into a second transmission path (12) with the intensity i2. The sensor element also reflects or transmits a third component a3 of the pump radiation (LB) into the second transmission path (12). i2 = al * a2 * [h0 + hRa + hl * (s5w + s5g + hRb)] + al * a3 * [h0 + hRa + hl * (s5w + s5g + hRb)]
Ein optischer Filter (Fl), der hier als ideal angenommen wird, transmittiert die Fluoreszenzstrahlung (FL) und absorbiert oder reflektiert die Pumpstrahlung (LB), sodass nur ein vierter Anteil a4 der Fluoreszenzstrahlung (FL) den Strahlungsempfänger (PD) erreicht. i2'=a4*al*a2*[hO+hRa+hl*(s5w+s5g+hRb)] An optical filter (Fl), which is assumed to be ideal here, transmits the fluorescence radiation (FL) and absorbs or reflects the pump radiation (LB) so that only a fourth part a4 of the fluorescence radiation (FL) reaches the radiation receiver (PD). i2 '= a4 * al * a2 * [hO + hRa + hl * (s5w + s5g + hRb)]
Der Strahlungsempfänger (PD) empfängt am Ende der zweiten Übertragungsstrecke (12) diesen Anteil der Fluoreszenzstrahlung (FL) mit der Intensität i2' und wandelt ihn in ein Empfängerausgangssignal (SO) mit dem Wert (sO) um. s0=d0+dRa+dl*(l2'+dRb) sO= dO+dRa+dl*(a4*al*a2*[hO+hRa+hl*(s5w+s5g+hRb)]+dRb) The radiation receiver (PD) receives this portion of the fluorescence radiation (FL) with the intensity i2 'at the end of the second transmission path (12) and converts it into a receiver output signal (SO) with the value (sO). s0 = d0 + dRa + dl * (l2 '+ dRb) sO = dO + dRa + dl * (a4 * al * a2 * [hO + hRa + hl * (s5w + s5g + hRb)] + dRb)
Hierbei beschreibt dO einen Offset-Wert, der für den Strahlungsempfänger (PD) spezifisch ist. dRa beschreibt ein Rauschen des Strahlungsempfängers (PD), das von der Intensität unabhängig ist. dl beschreibt einen Proportionalitätsfaktor, der für den Strahlungsempfänger (PD) in dem gewählten Arbeitspunkt bei linearer Näherung gilt. dRb steht für das mitverstärkte Eingangsrauschen des Strahlungsempfängers (PD). Ausmultiplizieren ergibt: s0= d0+dRa+ dl*a4*al*a2*h0+ dl*a4*al*a2*hRa+ dl*a4*al*a2*hl*s5w + dl*a4*al*a2*hl*s5g + dl*a4*al*a2*hl*hRb+ dl*a4*al*a2*dRb Here, dO describes an offset value that is specific for the radiation receiver (PD). dRa describes a noise of the radiation receiver (PD), which is independent of the intensity. dl describes a proportionality factor that applies to the radiation receiver (PD) in the selected operating point with linear approximation. dRb stands for the amplified input noise of the radiation receiver (PD). Multiplying results in: s0 = d0 + dRa + dl * a4 * al * a2 * h0 + dl * a4 * al * a2 * hRa + dl * a4 * al * a2 * hl * s5w + dl * a4 * al * a2 * hl * s5g + dl * a4 * al * a2 * hl * hRb + dl * a4 * al * a2 * dRb
Im Stand der Technik erfolgt dann die Multiplikation mit dem Momentanwert (s5w) des In the prior art, it is then multiplied by the instantaneous value (s5w) des
Wechselanteils (S5w) des Sendesignals (S5) zum Filtereingangssignal (S3): s3= d0*s5w +dRa*s5w + dl*a4*al*a2*h0*s5w + dl*a4*al*a2*hRa*s5w + dl*a4*al*a2*hl*s5w*s5w + dl*a4*al*a2*hl*s5g*s5w + dl*a4*al*a2*hl*hRb*s5w + dl*a4*al*a2*dRb*s5w Alternating portion (S5w) of the transmission signal (S5) to the filter input signal (S3): s3 = d0 * s5w + dRa * s5w + dl * a4 * al * a2 * h0 * s5w + dl * a4 * al * a2 * hRa * s5w + dl * a4 * al * a2 * hl * s5w * s5w + dl * a4 * al * a2 * hl * s5g * s5w + dl * a4 * al * a2 * hl * hRb * s5w + dl * a4 * al * a2 * dRb * s5w
Wir verwenden nun ein lineares Schleifenfilter (TP) mit der Filterfunktion F[X1] XI und XI seien die zwei Werte zweier beliebige Signale x sei ein beliebiger reeller Faktor. Ein Filter mit der We now use a linear loop filter (TP) with the filter function F [X1] XI and XI let the two values of any two signals x be any real factor. A filter with the
Filterfunktion F[X1] ist im Sinne dieser Offenlegung dann ein lineares Filter, wenn gilt (Gleichung XIII): For the purposes of this disclosure, the filter function F [X1] is then a linear filter if (Equation XIII):
F[X1+X2]=F[X1]+F[X2] F [X1 + X2] = F [X1] + F [X2]
F[x*Xl]=x*F[Xl] F [x * Xl] = x * F [Xl]
Dieses Filtereingangssignal (S3) wird sodann in einem Tiefpassfilter als Schleifenfilter (TP) im Stand der Technik gefiltert. This filter input signal (S3) is then filtered in a low-pass filter as a loop filter (TP) in the prior art.
Dieses Schleifenfilter (TP) ist ein lineares Filter mit der Filterfunktion F[s3] gemäß Gleichung XIII, wobei also der Wert (s3) des Filtereingangssignals (S3) die Eingangsvariable der Filterfunktion F[] sein soll. This loop filter (TP) is a linear filter with the filter function F [s3] according to equation XIII, with the value (s3) of the filter input signal (S3) being the input variable of the filter function F [].
Die Struktur des Schleifenfilters (TP) wird typischerweise so gewählt, dass zumindest näherungsweise gilt: The structure of the loop filter (TP) is typically chosen so that the following applies at least approximately:
F[s5w]=0 F[s5w*s5w]=l F [s5w] = 0 F [s5w * s5w] = l
F[l]=l F [l] = l
Für das Filterausgangssignal (S4) erhalten wir dann: s4= dO*F[s5w] + F[dRa*s5w] + dl*a4*al*a2*h0* F[s5w] + dl*a4*al*a2* F[hRa*s5w] For the filter output signal (S4) we then get: s4 = dO * F [s5w] + F [dRa * s5w] + dl * a4 * al * a2 * h0 * F [s5w] + dl * a4 * al * a2 * F [hRa * s5w]
+ dl*a4*al*a2*hl* F[s5w*s5w] + dl*a4*al*a2*hl*s5g* F[s5w] + dl * a4 * al * a2 * hl * F [s5w * s5w] + dl * a4 * al * a2 * hl * s5g * F [s5w]
+ dl*a4*al*a2*hl* F[hRb*s5w] + dl*a4*al*a2* F[dRb*s5w] + dl * a4 * al * a2 * hl * F [hRb * s5w] + dl * a4 * al * a2 * F [dRb * s5w]
Mit F[s5w]=0 und F[s5w*s5f]=l finden wir dann: s4= dl*a4*al*a2*hl + F[dRa*s5w] + dl*a4*al*a2* F[hRa*s5w] + dl*a4*al*a2*hl* F[hRb*s5w] With F [s5w] = 0 and F [s5w * s5f] = l we then find: s4 = dl * a4 * al * a2 * hl + F [dRa * s5w] + dl * a4 * al * a2 * F [hRa * s5w] + dl * a4 * al * a2 * hl * F [hRb * s5w]
+ dl*a4*al*a2* F[dRb*s5w] + dl * a4 * al * a2 * F [dRb * s5w]
Wie leicht zu erkennen ist, wird das Rauschen dadurch reduziert, dass höher-frequente As can be easily seen, the noise is reduced by using higher-frequency
Rauschanteile mit dem Sendesignal (S5) nach unten gemischt werden. Da die Rauschpegel dieser Rauschanteile hinsichtlich des 1/f-Rauchens, das bei niedrigen Frequenzen dominant ist, kleiner sind, kommt es zwar zu einer Verbesserung des Rauschverhaltens. Das Rauschen, insbesondere das weiße Rauschen, verschwindet jedoch nicht. Noise components are mixed down with the transmission signal (S5). Since the noise levels of these noise components are smaller with regard to 1 / f smoking, which is dominant at low frequencies, there is an improvement in the noise behavior. However, the noise, especially the white noise, does not go away.
Der Momentanwert (sO) des Empfängerausgangssignals (SO) wird mit dem Momentanwert (s5) des Sendesignals (S5) multipliziert und der sich ergebende Wert des Filtereingangssignals anschließend in einem Schleifenfilter (TP) gefiltert. The instantaneous value (sO) of the receiver output signal (SO) is multiplied by the instantaneous value (s5) of the transmission signal (S5) and the resulting value of the filter input signal is then filtered in a loop filter (TP).
Dieses Problem wird durch die hier offengelegte Vorrichtung und das hier offengelegte Verfahren signifikant reduziert. Eine vollständige Beseitigung des Rauschens ist aus physikalischen Gründen bekanntermaßen nicht möglich. This problem is significantly reduced by the device and method disclosed here. A complete elimination of the noise is known not to be possible for physical reasons.
Des Weiteren sind aus dem Stand der Technik keine Methoden zur Fierstellung von Diamanten mit einer hohen Dichte an NV-Zentren bekannt, die zur Erzielung eines guten Messsignals notwendig sind. Furthermore, the prior art does not disclose any methods for setting diamonds with a high density of NV centers, which are necessary to achieve a good measurement signal.
Außerdem sind aus dem Stand der Technik keine Methoden zur Steigerung des Kontrasts (KT) bekannt. Zum Stand der Technik der Herstellung von Diamanten mit einer hohen Dichte an NV-Zentren und zur Herstellung roter Diamanten In addition, no methods for increasing the contrast (KT) are known from the prior art. On the state of the art in the production of diamonds with a high density of NV centers and in the production of red diamonds
Bereits aus der US 4 124 690 A ist das Ausheilen von Kristallschäden und die Änderung des The healing of crystal damage and the change of the
Erscheinungsbildes von Diamanten bekannt, ohne, dass die Herstellung roter Diamanten offenbart würde. The appearance of diamonds is known without revealing the production of red diamonds.
Aus der EP 0 014 528 Bl ist ein Verfahren zur Reduktion der Farbe von Diamanten bekannt. Es handelt sich dabei um ein Verfahren zum Abschwächen der Farbe von Diamanten der Type 1 b, das It. der EP 0 014 528 Bl dadurch gekennzeichnet ist, dass der Diamant einer Bestrahlung mit einem derartigen Energiestrom ausgesetzt wird und dass wenigstens 1018 Gitterlücken pro cm3 im Diamant erzeugt werden. Lt. der technischen Lehre der EP 0 014 528 Bl wird der bestrahlte Diamant anschließend bei einer Temperatur von 1600°C bis 2200°C unter einem Druck warmbehandelt, bei welchem der Diamant bei der angewendeten Temperatur kristallografisch stabil ist. A method for reducing the color of diamonds is known from EP 0 014 528 B1. This is a process for weakening the color of diamonds of type 1b, which is characterized in EP 0 014 528 B1 in that the diamond is exposed to such an energy flow and that at least 1018 gaps per cm 3 can be generated in the diamond. Lt. According to the technical teaching of EP 0 014 528 B1, the irradiated diamond is then heat-treated at a temperature of 1600 ° C. to 2200 ° C. under a pressure at which the diamond is crystallographically stable at the temperature used.
Aus der EP 0 275 063 A2 ist ein Verfahren zur Erzeugung einer hohen NV-Zentrumsdichte in Diamant bekannt, bei dem der Dimant mit Elektronen hoher Energie bestrahlt wird und anschließend bei einer Temperatur zwischen 500°C und einem Druck kleiner als 1 Torr ausgeheilt wird. A method for generating a high NV center density in diamond is known from EP 0 275 063 A2, in which the dimant is irradiated with high-energy electrons and then annealed at a temperature between 500 ° C. and a pressure less than 1 Torr.
Aus der EP 0 615 954 Al ist ein Verfahren zur Herstellung eines roten Diamanten bekannt. Das Verfahren der EP 0 615 954 Al, umfasst dabei die Schritte: A method for producing a red diamond is known from EP 0 615 954 A1. The method of EP 0 615 954 A1 comprises the steps:
1. Herstellung eines synthetischen Diamantkristalls, der mindestens 1 x 1017 und weniger als 4 x 1018 Atome/cm3 vom Typ Ib Stickstoff und weniger als 1 x 1018 Atome/cm3 Bor enthält;1. Production of a synthetic diamond crystal which contains at least 1 × 10 17 and less than 4 × 10 18 atoms / cm 3 of type Ib nitrogen and less than 1 × 10 18 atoms / cm 3 boron;
2. Bestrahlung des Diamantkristalls mit einem Elektronenstrahl bei einer Energie von 1 bis 10 MeV in einem Dichtebereich von 2 x 1015 bis 5 x 1016 Elektronen/cm2 oder mit einem 2. Irradiation of the diamond crystal with an electron beam at an energy of 1 to 10 MeV in a density range of 2 × 10 15 to 5 × 10 16 electrons / cm 2 or with a
Neutronenstrahl in einem Dichtebereich von 2 x 1015 bis 8 x 1017 / cm2 und Neutron beam in a density range from 2 x 10 15 to 8 x 10 17 / cm 2 and
3. Tempern des Diamantkristalls, der mit dem Elektronenstrahl oder dem Neutronenstrahl bestrahlt wird, in einer Vakuumatmosphäre oder einer Inertgasatmosphäre von nicht mehr als 10 1 Torr bei einer Temperatur von mindestens 600QC und weniger als 800QC für mindestens 3 Stunden. 3. Annealing the diamond crystal, which is irradiated with the electron beam or the neutron beam, in a vacuum atmosphere or an inert gas atmosphere of not more than 10 1 Torr at a temperature of at least 600 ° C. and less than 800 ° C. for at least 3 hours.
Durch die Bestrahlung mit dem Elektronenstrahl bzw. Neutronenstrahl entstehen Strahlenschäden im Diamanten, die auch mit der nachfolgenden Temperung nicht mehr beseitigt werden können. Daher sind solchermaßen behandelte Diamanten typischerweise leicht getrübt. Entsprechend der technischen Lehre der EP 0 615 954 Al weist ein dermaßen hergestellter roter Dimant einen Absorptionskoeffizienten für Typ Ib Stickstoff bei 500 nm Wellenlänge von mindestens 0,1 cm-1 und weniger al 0,2 cm-1 und einen NV-Zentrum verursachten Absorptionskoeffizienten bei 570nm auf, der mindestens 0m05 cm-1 und weniger als 1 cm-1 beträgt. Der Absorptionskoeffizient des GRl-Zentrums, des H2-Zentrums, des H3-Zentrums und des H4-Zentrums in der sichtbaren Region sind bei einem roten Diamanten, der entsprechend der technischen Lehre der Irradiation with the electron beam or neutron beam causes radiation damage in the diamond, which can no longer be removed even with the subsequent tempering. Therefore, diamonds treated in this way are typically slightly tarnished. According to the technical teaching of EP 0 615 954 A1, a red dimension produced in this way has an absorption coefficient for type Ib nitrogen at a wavelength of 500 nm of at least 0.1 cm -1 and less than 0.2 cm -1 and an absorption coefficient caused by an NV center at 570nm, which is at least 0m05 cm -1 and less than 1 cm -1 . The absorption coefficient of the GR1 center, the H2 center, the H3 center and the H4 center in the visible region are in the case of a red diamond which, according to the technical teaching of
EP 0 615 954 Al gefertigt wurde, typischerweise kleiner als 0,2 cm-1. EP 0 615 954 A1, typically smaller than 0.2 cm -1 .
Aus der RU 2 145 365 CI ist ein Verfahren zur Verfeinerung von Diamanten durch Einwirkung von Elektronenstrahlen und Einglühen über einen Zeitraum von 30 Minuten bis zu mehreren Stunden, bevor die Diamanten bestimmte Farbtöne erhalten. Das Verfahren der RU 2 145 365 CI zeichnet sich laut der RU 2 145 365 CI dadurch aus, dass die Diamanten einer Behandlung mit Elektronenstrahlen mit einem integriertem Elektronenfluss im Bereich von 5 x 10ls-5 x 1018 cm 2 unterzogen werden und dass das Tempern entweder bei atmosphärischem Druck oder bei Atmosphärendruck oder im Vakuum oder in einer Atmosphäre von Inertgasen bei 300 - 1900°C durchgeführt wird. Auch in der technischen Lehre der RU 2 145 365 CI wird die Abfolge Bestrahlung - Temperung bevorzugt mehrfach wiederholt, um die Agglomeration von Strahlenschäden zu nicht mehr auflösbaren Agglomerationen zu verhindern. RU 2 145 365 CI describes a process for refining diamonds through the action of electron beams and annealing over a period of 30 minutes to several hours before the diamonds acquire certain color shades. The process of RU 2 145 365 CI is characterized according to RU 2 145 365 CI in that the diamonds are subjected to a treatment with electron beams with an integrated electron flow in the range of 5 x 10 ls -5 x 10 18 cm 2 and that the Annealing is carried out either at atmospheric pressure or at atmospheric pressure or in a vacuum or in an atmosphere of inert gases at 300 - 1900 ° C. In the technical teaching of RU 2 145 365 CI, the sequence irradiation - tempering is preferably repeated several times in order to prevent the agglomeration of radiation damage to agglomerations that are no longer dissolvable.
Aus der EP 0 316 856 Bl sind purpurrote Diamanten bekannt, die Absorptionskoeffizienten von 0,2 - 2 cm-1 des Stickstoffs des Ib-Typs bei 500 nm und von 0,3 - 10 cm-1 des N-V Zentrums bei 570 nm aufweisen, wobei diese Diamanten einen Absorptionskoeffizienten von weniger als 0,2 cm-1 der GR1- , H2-, H3- und H4-Zentren im sichtbaren Bereich aufweisen. Bei dem Verfahren gemäß der technischen Lehre der EP 0 316 856 Bl zur Herstellung von purpurroten Diamanten wird ein künstlicher synthetischer Diamantenkristall des Ib-Typs mit einem Ib Stickstoffgehalt des Kristalls im Bereich von 8 x 1017 bis 1.4 x 1019 Atomen/cm3 verwendet, wobei der Kristall einer From EP 0 316 856 B1 purple diamonds are known which have absorption coefficients of 0.2-2 cm -1 of nitrogen of the Ib type at 500 nm and 0.3-10 cm -1 of the NV center at 570 nm, these diamonds have an absorption coefficient of less than 0.2 cm -1 of the GR1, H2, H3 and H4 centers in the visible range. In the method according to the technical teaching of EP 0 316 856 B1 for the production of purple diamonds, an artificial synthetic diamond crystal of the Ib type with an Ib nitrogen content of the crystal in the range from 8 × 10 17 to 1.4 × 10 19 atoms / cm 3 is used , the crystal being one
Elektronenbestrahlung von 5 x 1016 - 2 x 1018 Elektronen/cm2 bei 2 - 4 MeV und einem Electron irradiation of 5 x 10 16 - 2 x 10 18 electrons / cm 2 at 2 - 4 MeV and one
Temperverfahren bei einer Temperatur von 800 - 1100 °C unterzogen wird. Laut der technischen Lehre der EP 0 316 856 Bl zeichnet sich das Verfahren, dadurch aus, dass das Temperverfahren im einem Vakuum von weniger als 1,33 Pa (IO-2 Torr) über mehr als 25 Stunden, also sehr lange, durchgeführt wird. Aus der EP 0 316 856 Bl ist auch bekannt, dass ggf. nach dem Ausheilen durch einen Temperschritt weitere Bestrahlungen mit Elektronen und weitere Temperschritte folgen können. Aus der RU 2015 132 335 A ist ein Verfahren zur Bildung von Farbzentren in Diamant bekannt. Das Verfahren der RU 2015 132 335 A umfasst die Bestrahlung der Diamanten. Lt. der technischen Lehre der RU 2015 132 335 A sollten die Diamanten eine gleichmäßige Volumenverteilung von A- Aggregaten mit einer Konzentration von mindestens 1018 cm 3 aufweisen. Die zur Bestrahlung benutzte ionisierende Strahlung sollte lt. der RU 2015 132 335 A eine Energie von mindestens 1 MeV bei einer Dosis von 100-120 ppm / cm2 pro A-Einheit aufweisen. Lt. der RU 2015 132 335 A zeichnet sich die technische Lehre der RU 2015 132 335 A dadurch aus, dass die Bestrahlung mit einem Zwischenglühen bei einer Temperatur von 850-900 K wiederholt bis zur gewünschten Konzentration an Farbzentren durchgeführt wird, es folgt dann ein Tempern des Diamanten in einem inerten Medium bei einer Temperatur von 1200-2000 K für 0,5-2 Stunden. Die Zwischentemperungen verbessen bereits die Ausheilung der Strahlenschäden, können aber eine Zusammenballung der Schäden und eine Trübung des Diamanten nicht verhindern. Tempering process at a temperature of 800 - 1100 ° C is subjected. According to the technical teaching of EP 0 316 856 B1, the process is characterized in that the tempering process is carried out in a vacuum of less than 1.33 Pa (IO -2 Torr) for more than 25 hours, that is to say for a very long time. It is also known from EP 0 316 856 B1 that further irradiation with electrons and further tempering steps can follow, if necessary, after the curing by means of a tempering step. A method for forming color centers in diamond is known from RU 2015 132 335 A. The procedure of RU 2015 132 335 A includes the irradiation of the diamonds. Lt. According to the technical teaching of RU 2015 132 335 A, the diamonds should have a uniform volume distribution of A-aggregates with a concentration of at least 10 18 cm 3 . According to RU 2015 132 335 A, the ionizing radiation used for irradiation should have an energy of at least 1 MeV at a dose of 100-120 ppm / cm 2 per A unit. Lt. of RU 2015 132 335 A, the technical teaching of RU 2015 132 335 A is characterized by the fact that the irradiation with intermediate annealing at a temperature of 850-900 K is carried out repeatedly until the desired concentration of color centers is achieved, followed by tempering Diamonds in an inert medium at a temperature of 1200-2000 K for 0.5-2 hours. The intermediate tempering already improves the healing of the radiation damage, but cannot prevent the damage from accumulating and the diamond becoming cloudy.
Aus der EP 1 645 664 Al ist ein Verfahren zur Fierstellung von Fancy-Red-Diamanten mit stabilen Färbezentren, die im Bereich von Wellenlängen von 400 bis 640 nm absorbieren, bekannt. Das Verfahren der EP 1 645 664 Al basiert auf der Bestrahlung der Diamanten mit einem From EP 1 645 664 A1 a method for producing fancy red diamonds with stable coloring centers which absorb in the range of wavelengths from 400 to 640 nm is known. The method of EP 1 645 664 A1 is based on irradiating the diamonds with a
Elektronenstrom und dem Härten bei einer Temperatur von mindestens 1100°C im Vakuum. Das Verfahren der EP 1 645 664 Al zeichnet sich laut der EP 1 645 664 Al dadurch aus, dass Electron flow and curing at a temperature of at least 1100 ° C in a vacuum. The method of EP 1 645 664 A1 is distinguished, according to EP 1 645 664 A1, in that
Naturdiamanten des Typs la verwendet werden und dass im Kristallgitter dieser Naturdiamanten isolierte Stickstoffatome in der Substitutionsposition vom Verarmungstyp C gebildet werden. Dies geschieht lt. der technischen Lehre der EP 1 645 664 Al durch eine Hochtemperatur-Bearbeitung in einem Hochdruckgerät bei einer Temperatur von mehr als 2150°C und bei einem stabilisierten Druck von 6, 0-7,0 Gpa, die vor der Bestrahlung durch einen hochenergetischen Elektronenstrom mit einer Dosis von 5xl015 - 5xl018cm 2 bei 2-4 MV unter Verwendung von Diamanten, die den Verarmungstyp A enthalten, oder durch einen hochenergetischen Elektronenstrom mit einer Dosis von mehr als 1019cm 2 unter Verwendung von Naturdiamanten mit einem hohen Stickstoffgehalt ausgeübt wird, die mehr als 800 ppm Stickstoffbeimischung als Verarmungstyp A und B 1 enthalten Natural diamonds of the type la are used and that isolated nitrogen atoms are formed in the substitution position of the depletion type C in the crystal lattice of these natural diamonds. According to the technical teaching of EP 1 645 664 A1, this is done by high-temperature processing in a high-pressure device at a temperature of more than 2150 ° C. and at a stabilized pressure of 6.0-7.0 Gpa, which is carried out before the irradiation a high-energy electron flow with a dose of 5xl0 15 - 5xl0 18 cm 2 at 2-4 MV using diamonds that contain depletion type A, or by a high-energy electron flow with a dose of more than 10 19 cm 2 using natural diamonds a high nitrogen content, which contain more than 800 ppm nitrogen admixture as depletion types A and B 1
Stickstoffbeimischung als Verarmungstyp A und B 1 enthalten. Contained nitrogen admixture as depletion types A and B 1.
Aus der US 8 986 646 B2 ist ein Verfahren zur Erzeugung von NV-Zentren in CVD-Diamantmaterial bekannt. Das Verfahren der US 8 986 646 B2 umfasst gemäß der technischen Lehre der A method for producing NV centers in CVD diamond material is known from US Pat. No. 8,986,646 B2. The method of US 8 986 646 B2 comprises according to the technical teaching of
US 8 986 646 B2 das Bestrahlen des Diamantmaterials und das anschließende Tempern des Diamantmaterials. Lt. der technischen Lehre der US 8 986 646 B2 handelt es sich bei dem Diamantmaterial, das bestrahlt wird, um Einkristall-Diamantmaterial, das mittels eines CVD- Verfahrens gezüchtet wurde und einzelne Substitutionsstickstoffatome (Ns0) enthält. Das No. 8,986,646 B2 the irradiation of the diamond material and the subsequent tempering of the diamond material. Lt. of the technical teaching of US Pat. No. 8,986,646 B2 is the Diamond material which is irradiated to be single crystal diamond material which has been grown by means of a CVD process and contains individual substitution nitrogen atoms (N s 0). The
Diamantmaterial gemäß der US 8 986 646 B2 weist ein Absorptionsspektrum mit einer integrierten Gesamtabsorption im sichtbaren Bereich von 350 nm bis 750 nm auf, bei der mindestens 10% der integrierten Absorption auf eine Absorption durch Ns0 zurückzuführen ist. Die Bestrahlung erfolgt, um isolierte Leerstellen V in dem CVD-Diamantmaterials zu erzeugen. Die Konzentration der isolierten Leerstellen in dem bestrahlten Diamantmaterial beträgt nach der Bestrahlung laut der US 8 986 646 B2 mindestens 0,05 ppm und höchstens 1 ppm, um zum einen genügend Fehlstellen für die Bildung der NV-zentren bereitzustellen und zum anderen eine Agglomeration der Leerstellen zu größeren Komplexen zu vermeiden. Die technische Lehre der US 8 986 646 B2 sieht ein Diamond material according to US Pat. No. 8,986,646 B2 has an absorption spectrum with an integrated total absorption in the visible range from 350 nm to 750 nm, in which at least 10% of the integrated absorption is due to absorption by N s 0. The irradiation occurs to create isolated voids V in the CVD diamond material. The concentration of the isolated voids in the irradiated diamond material after the irradiation according to US Pat. No. 8,986,646 B2 is at least 0.05 ppm and at most 1 ppm, on the one hand to provide sufficient voids for the formation of the NV centers and on the other hand to agglomerate the voids to avoid larger complexes. The technical teaching of US 8 986 646 B2 provides a
anschließendes Tempern des bestrahlten Diamantmaterials zur Bildung von NV-Zentren aus mindestens einigen der einzelnen Substitutionsstickstoffdefekte (Ns0) und den eingeführten isolierten Leerstellen vor. Laut der technischen Lehre der US 8 986 646 B2 weist das behandelte CVD- Diamantmaterial nach den Bestrahlungs- und Glühschritten (i) und (ii) die folgenden Eigenschaften auf: subsequent annealing of the irradiated diamond material to form NV centers from at least some of the individual substitution nitrogen defects (N s 0) and the introduced isolated voids. According to the technical teaching of US Pat. No. 8,986,646 B2, the treated CVD diamond material has the following properties after the irradiation and annealing steps (i) and (ii):
[V° GR1<0,3 ppm, [V] ND1 <0,3 ppm, [NS0]<1,5 ppm, [V-Ketten]<20 cm _1 bei 250 nm, [V ° GR1 <0.3 ppm, [V] ND1 <0.3 ppm, [N S 0] <1.5 ppm, [V-chains] <20 cm _1 at 250 nm,
[NV] > 10 12 cm-3. Die technische Lehre der US 8 986 646 B2 sieht eine Tempertemperatur von 1600°C vor. [NV]> 10 12 cm -3 . The technical teaching of US Pat. No. 8,986,646 B2 provides a tempering temperature of 1600 ° C.
Aus der US 8 961 920 Bl ist ein Verfahren zum Ändern der Farbe eines Diamanten bekannt. Das Verfahren der US 8 961 920 Bl beginnt mit dem Identifizieren eines Stickstoffgehalts eines A method for changing the color of a diamond is known from US Pat. No. 8,961,920 B1. The method of US Pat. No. 8,961,920 B1 begins with the identification of a nitrogen content of a
Diamanten vom Typ laß, wobei der Diamant anfänglich eine erste Farbe aufweist. Es folgt laut der technischen Lehre der US 8 961 920 Bl das Verarbeiten des Diamanten in einer Hochdruck- / Hochtemperaturpresse ("HPHT") unter diamantstabilen Bedingungen, um die Farbe des Diamanten von der ersten Farbe in eine zweite Farbe zu ändern, die aus Gelb besteht. Laut der technischen Lehre der US 8 961 920 Bl erfolgt dann das Bestrahlen des Diamanten mit Elektronen mit einer Energie zwischen ungefähr 1 MeV und ungefähr 20 MeV, um die Farbe des Diamanten von der zweiten Farbe in eine dritte Farbe zu ändern, die bläulich-grünlich ist. Abschließend erfolgt dann entsprechend der technischen Lehre der US 8 961 920 Bl das Tempern des Diamanten bei einer Temperatur von weniger als 1100 ° C und unter Vakuum oder einem Druck von nicht mehr als etwa 500 kPa, um die Farbe des Diamanten von der dritten Farbe in eine vierte Farbe zu ändern, die rot, rosa oder lila ist. Durch die Bestrahlung mit dem Elektronenstrahl entstehen Strahlenschäden im Diamanten, die auch mit der nachfolgenden Temperung nicht mehr beseitigt werden können. Daher sind solchermaßen behandelte Diamanten typischerweise leicht getrübt. Let diamonds of the type wherein the diamond is initially of a first color. According to the technical teaching of US Pat. No. 8,961,920 B1, the diamond is processed in a high pressure / high temperature press ("HPHT") under diamond-stable conditions in order to change the color of the diamond from the first color to a second color, that of yellow consists. According to the technical teaching of US Pat. No. 8,961,920 B1, the diamond is then irradiated with electrons with an energy between approximately 1 MeV and approximately 20 MeV in order to change the color of the diamond from the second color to a third color, the bluish-greenish color is. Finally, in accordance with the technical teaching of US Pat. No. 8,961,920 B1, the diamond is tempered at a temperature of less than 1100 ° C. and under vacuum or a pressure of not more than about 500 kPa in order to change the color of the diamond from the third color change a fourth color which is red, pink, or purple. Irradiation with the electron beam causes radiation damage to the Diamonds that cannot be removed even with the subsequent tempering. Therefore, diamonds treated in this way are typically slightly tarnished.
Aus der US 8 168 413 B2 ist ein Verfahren zur Herstellung von lumineszierenden Diamantpartikeln, bekannt, das das Bestrahlen von Diamantpartikeln mit einem lonenstrahl umfasst. Entsprechend der technischen Lehre der US 8 168 413 B2 haben die Diamantpartikel einen Durchmesser von 1 nm bis 1 mm und 5 ppm bis 1000 ppm Farbzentren. Der lonenstrahl hat nach der technischen Lehre der US 8 168 413 B2 eine kinetische Energie von 1 keV bis 900 MeV. Gemäß der technischen Lehre der US 8 168 413 B2 erfolgt auf das Bestrahlen ein Erhitzen der bestrahlten Diamantteilchen in einer nicht oxidierenden Atmosphäre auf eine Temperatur zwischen 600 und 1000 ° C und ein Oxidieren der Oberfläche der lumineszierenden Diamantteilchen. Durch die Bestrahlung mit dem A method for producing luminescent diamond particles is known from US Pat. No. 8,168,413 B2 which comprises irradiating diamond particles with an ion beam. According to the technical teaching of US Pat. No. 8,168,413 B2, the diamond particles have a diameter of 1 nm to 1 mm and 5 ppm to 1000 ppm of color centers. According to the technical teaching of US Pat. No. 8,168,413 B2, the ion beam has a kinetic energy of 1 keV to 900 MeV. According to the technical teaching of US Pat. No. 8,168,413 B2, the irradiation is followed by heating of the irradiated diamond particles in a non-oxidizing atmosphere to a temperature between 600 and 1000 ° C. and the surface of the luminescent diamond particles to be oxidized. By irradiating with the
Elektronenstrahl entstehen Strahlenschäden im Diamanten, die auch mit der nachfolgenden Temperung nicht mehr beseitigt werden können. Daher sind solchermaßen behandelte Diamanten typischerweise leicht getrübt. Electron beams cause radiation damage in the diamond, which can no longer be removed even with the subsequent tempering. Therefore, diamonds treated in this way are typically slightly tarnished.
Aus der EP 1 097 107 Bl ist ein Verfahren zum Verändern der Farbe eines Diamanten bekannt. Entsprechend der technischen Lehre der EP 1 097 107 Bl umfasst das Verfahren das Aussetzen des Diamanten einer Bestrahlung mit einer Energie, die geeignet ist, um eine fotonukleare A method for changing the color of a diamond is known from EP 1 097 107 B1. According to the technical teaching of EP 1 097 107 B1, the method comprises exposing the diamond to radiation with an energy that is suitable for photonuclear
Transmutation von ausgewählten Atomen zu anderen Atomen zu verursachen. Gemäß der technischen Lehre der EP 1 097 107 Bl ist diese Energie so gewählt, dass eine Riesendipolresonanz (GDR) in dem Diamanten angeregt wird. Die Bestrahlung ist gemäß der technischen Lehre der EP 1 097 107 Bl dergestalt ist, dass entweder: (1) Transmutationen von Kohlenstoffatomen zu Boratomen verursacht werden, wobei dem Diamanten eine blaue Farbe verliehen wird oder (2) im Falle eines stickstoffhaltigen, gelben Diamanten, dass Transmutationen von Stickstoffatomen zu Kohlenstoffatomen verursacht werden, wobei die gelbe Farbe des Diamanten verringert wird. Des Weiteren umfasst gemäß der technischen Lehre der EP 1 097 107 Bl das Verfahren der To cause transmutation of selected atoms to other atoms. According to the technical teaching of EP 1 097 107 B1, this energy is selected in such a way that a giant dipole resonance (GDR) is excited in the diamond. According to the technical teaching of EP 1 097 107 B1, the irradiation is such that either: (1) transmutations of carbon atoms to boron atoms are caused, giving the diamond a blue color or (2) in the case of a nitrogen-containing, yellow diamond, that it causes transmutations from nitrogen atoms to carbon atoms, thereby reducing the yellow color of the diamond. Furthermore, according to the technical teaching of EP 1 097 107 B1, the method of
EP 1 097 107 Bl das Verringern von Strahlungsschäden in dem Diamanten durch Kühlen des Diamanten, um das Diamantkristallgitter wiederherzustellen, wobei die Farbänderung aufgrund der Transmutation It. der EP 1 097 107 Bl unbeeinflusst bleibt. Eine rote Farbe wurde hier in der EP 1 097 107 Bl nicht berichtet. EP 1 097 107 B1 the reduction of radiation damage in the diamond by cooling the diamond in order to restore the diamond crystal lattice, the change in color due to the transmutation of EP 1 097 107 B1 remaining unaffected. A red color was not reported here in EP 1 097 107 B1.
Aus der JPH 0 536 399 B2 ist ein Verfahren zur Blaueinfärbung von Diamanten mittels eines JPH 0 536 399 B2 discloses a method for coloring diamonds blue by means of a
Elektronenstrahls und Wasserkühlung während der Bestrahlung bekannt. Aus der US 5 637 878 A ist ein Verfahren zur Einfärbung von Schmuckdiamanten bekannt, bei dem die Schmuckdiamantrohlinge mit einem Elektronenstrahl bestrahlt werden. Das Verfahren der US 5 637 878 A zur Elektronenstrahlbestrahlung von Edelsteinen zur Farbverbesserung umfasst die Schritte: Electron beam and water cooling known during irradiation. From US Pat. No. 5,637,878 A, a method for coloring jewelry diamonds is known in which the jewelry diamond blanks are irradiated with an electron beam. The method of US 5 637 878 A for electron beam irradiation of gemstones for color improvement comprises the steps:
1. Platzieren der Edelsteine in einem Schwingmittel, das mit einem Kühlmittel versehen ist;1. placing the gemstones in a vibrating means provided with a coolant;
2. Zirkulieren eines Kühlmittels durch die Kühlmitteleinrichtung; 2. circulating a coolant through the coolant device;
3. Initiieren einer oszillierenden Bewegung entlang einer horizontalen y-Achse in den 3. Initiate an oscillating movement along a horizontal y-axis in the
oszillierenden Mitteln; oscillating means;
4. Richten eines oszillierenden Elektronenstrahls, der von einer Elektronenstrahlquelle mit einer Leistung von etwa 10 kW bis etwa 500 kW erzeugt wird, auf die Edelsteine, wobei der oszillierende Elektronenstrahl entlang einer z-Achse verläuft; 4. Directing an oscillating electron beam generated by an electron beam source with a power of about 10 kW to about 500 kW at the gemstones, the oscillating electron beam running along a z-axis;
5. Aufrechterhaltung der Kühlmittelzirkulation durch das Kühlmittel, bis die Edelsteine auf Umgebungstemperatur abgekühlt sind; und 5. Maintaining coolant circulation through the coolant until the gemstones have cooled to ambient temperature; and
6. Entfernen der gleichmäßig gefärbten Edelsteine. 6. Remove the evenly colored gemstones.
Die technische Lehre der US 5 637 878 A offenbart darüber hinaus noch eine bevorzugte The technical teaching of US Pat. No. 5,637,878 A also discloses a preferred one
Elektronenenergie von 3 MeV bis 5 MeV. Electron energy from 3 MeV to 5 MeV.
Aus der CN 107 840 331 A ist ein Verfahren zur Diamantmodifikation bekannt, dass laut der From CN 107 840 331 A a method for diamond modification is known that according to the
CN 107 840 331 A dadurch gekennzeichnet ist, dass das Verfahren der CN 107 840 331 A die Behandlung des Diamanten mit einem Strahlungsstrahl umfasst, der Protonen umfasst, worin die Energiedifferenz zwischen der höchsten Energie und der niedrigsten Energie der Protonen mindestens 5 MeV umfasst. Lt. der technischen Lehre der CN 107 840 331 A wird als Strahlungsquelle Höhenstrahlung in einer Höhe von mindestens 20km genutzt. CN 107 840 331 A is characterized in that the method of CN 107 840 331 A comprises treating the diamond with a radiation beam comprising protons, wherein the energy difference between the highest energy and the lowest energy of the protons comprises at least 5 MeV. Lt. According to the technical teaching of CN 107 840 331 A, cosmic radiation is used as a radiation source at a height of at least 20 km.
Aus der US 2009 0 110 626 Al ist ein Ausheilverfahren bekannt, bei dem unter hohem Druck der Diamant sehr schnell auf eine hohe Temperatur von ca. 2200°C gebracht wird. A healing process is known from US 2009 0 110 626 A1 in which the diamond is very quickly brought to a high temperature of approx. 2200 ° C. under high pressure.
Aus der US 7 604 846 B2 ist eine Umfärbung von Diamanten mittels lonenbeschuss und From US 7 604 846 B2 is a color change of diamonds by means of ion bombardment and
anschließender Temperung bekannt, die die bereits besprochenen Probleme des Stands der Technik aufweist. subsequent annealing known, which has the problems of the prior art already discussed.
Den Verfahren zur künstlichen Herstellung roter Diamanten ist gemeinsam, dass in der Regel eine Bestrahlung mit ionisierender Strahlung stattfindet und dann in einem n a c h f o l g e n d e n Schritt versucht wird, durch eine ggf. auch unter hohem Druck stattfindende Wärmebehandlung die Strahlenschäden im Diamantrohling wieder zu beheben. Dieses Vorgehen hat den massiven Nachteil, dass sich Fehlstellen im Diamantkristall bei der hochenergetischen Bestrahlung bilden. Diese tendieren dazu, sich zu größeren Komplexen zusammenzuballen, die dann auch mit der The processes for the artificial production of red diamonds have in common that they are usually irradiated with ionizing radiation and then in a subsequent step an attempt is made to repair the radiation damage in the diamond blank again by means of a heat treatment which may also take place under high pressure. This procedure has the massive disadvantage that defects form in the diamond crystal during high-energy radiation. These tend to aggregate into larger complexes, which then go along with the
nachfolgenden Wärmebehandlung nicht mehr aufgelöst werden können. subsequent heat treatment can no longer be resolved.
Zwar wurde, wie oben beschreiben, versucht, durch zyklisch wiederholtes Bestrahlen und anschließendes Ausheilen, diese Agglomeration der Fehlstellen zu größeren Komplexen zu verhindern. Dies kann aber nur zum Teil mit Erfolg durchgeführt werden. As described above, attempts have been made to prevent this agglomeration of the defects into larger complexes by cyclically repeated irradiation and subsequent curing. However, this can only be partially successful.
Diese Zusammenballungen der Fehlstellen führen zu einer Trübung der Schmuckdiamanten und damit zu einem Mangel hinsichtlich der sogenannten "Clarity" der Schmuckdiamanten. Solche Steine werden als "cloudy" bezeichnet und sind in ihrem Wert aufgrund der geminderten optischen Brillanz gemindert. Aus der Schrift M. Capelli, A.H. Heffernan, T. Ohshima, H. Abe, J. Jeske, A. Hope, A.D. Greentree, P. Reineck, B.C. Gibson, Increased nitrogen-vacancy centre creation yield in diamond through electron beam Irradiation at high temperature, Carbon (2018), doi: https://doi.org/10.1016/ j. carbon.2018.11.051 ist eine Erhöhung der Ausbeute an NV-Zentren bekannt, die aber noch nicht ausreichend ist. This agglomeration of the imperfections leads to a clouding of the jewelry diamonds and thus to a deficiency with regard to the so-called "clarity" of the jewelry diamonds. Such stones are called "cloudy" and their value is reduced due to the reduced optical brilliance. From the text M. Capelli, A.H. Heffernan, T. Ohshima, H. Abe, J. Jeske, A. Hope, A.D. Greentree, P. Reineck, B.C. Gibson, Increased nitrogen-vacancy center creation yield in diamond through electron beam Irradiation at high temperature, Carbon (2018), doi: https://doi.org/10.1016/ j. carbon.2018.11.051 an increase in the yield of NV centers is known, but this is not yet sufficient.
Zum Stand der Technik des Auslesens und Ansteuern von Quantenbits On the state of the art of reading out and controlling quantum bits
Aus der Schrift Gurudev Dutt, Liang Jiang, Jeronimo R. Maze, A. S. Zibrov„Quantum Register Based on Individual Electronic and Nuclear Spin Qubits in Diamond", Science, Vol. 316, 1312-1316, 01.06.2007, DOI: 10.1126/science.1139831 ist ein Verfahren zur Kopplung des nuklearen Spins von C13 Kernen mit den Elektronenspins der Elektronenkonfiguration von NV-Zentren bekannt. From the text Gurudev Dutt, Liang Jiang, Jeronimo R. Maze, AS Zibrov "Quantum Register Based on Individual Electronic and Nuclear Spin Qubits in Diamond", Science, Vol. 316, 1312-1316, June 01, 2007, DOI: 10.1126 / science .1139831 a method for coupling the nuclear spin of C 13 nuclei with the electron spins of the electron configuration of NV centers is known.
Aus der Schrift Thiago P. Mayer Alegre, Antonio C. Torrezan de Souza, Gilberto Medeiros-Ribeiro, „Microstrip resonator for microwaves with controllable polarization", arXiv:0708.0777v2 [cond- mat.other] 11.10.2007 ist ein kreuzförmiger elektrisch leitfähiger Mikrowellenresonator bekannt. Hierzu sei auf deren Figur 2 verwiesen. Eine von den Autoren im ersten Abschnitt der Arbeit benannte Anwendung des kreuzförmigen Mikrowellenresonators ist die Ansteuerung von paramagnetischen Zentren mittels optisch detektierter magnetischer Resonanz (OMDR). Eine dediziert genannte Anwendung ist Quanteninformationsverarbeitung (QIP). Das Substrat des elektrisch leitfähigen Mikrowellenresonators ist dabei ein PCB (=printed Circuit board). Die From the text Thiago P. Mayer Alegre, Antonio C. Torrezan de Souza, Gilberto Medeiros-Ribeiro, "Microstrip resonator for microwaves with controllable polarization", arXiv: 0708.0777v2 [condmat.other] 11.10.2007 is a cruciform electrically conductive one Reference is made to Figure 2. One application of the cross-shaped microwave resonator named by the authors in the first section of the work is the control of paramagnetic centers by means of optically detected magnetic resonance (OMDR). A dedicated application is quantum information processing (QIP). The substrate of the The electrically conductive microwave resonator is a PCB (= printed circuit board). The
Dimensionen des Resonators liegen mit 5,5cm in der Größenordnung der Wellenlänge der einzukoppelnden Mikrowellenstrahlung. Der Mikrowellenresonator wird mittels The dimensions of the resonator are 5.5 cm in the order of magnitude of the wavelength of the microwave radiation to be coupled in. The microwave resonator is by means of
Spannungsansteuerung gespeist. Die beiden Balken des Resonatorkreuzes sind elektrisch Voltage control fed. The two bars of the resonator cross are electrical
miteinander verbunden. Eine selektive Ansteuerung einzelner paramagnetischer Zentren (NV1) bei gleichzeitiger Nichtansteuerung anderer paramagnetischer Zentren (NV1) ist mit der technischen Lehre der Schrift Thiago P. Mayer Alegre, Antonio C. Torrezan de Souza, Gilberto Medeiros-Ribeiro, „Microstrip resonator for microwaves with controllable polarization", arXiv:0708.0777v2 [cond- mat.other] 11.10.2007 nicht möglich. connected with each other. A selective control of individual paramagnetic centers (NV1) with simultaneous non-control of other paramagnetic centers (NV1) is with the technical teaching of Thiago P. Mayer Alegre, Antonio C. Torrezan de Souza, Gilberto Medeiros-Ribeiro, "Microstrip resonator for microwaves with controllable polarization ", arXiv: 0708.0777v2 [cond- mat.other] 11.10.2007 not possible.
Aus der Schrift Benjamin Smeltzer, Jean Mclntyre, Lilian Childress„Robust control of individual nuclear spins in diamond", Phys. Rev. A 80, 050302(R) - 25 November 2009 ist ein Verfahren zum Zugriff auf einzelne nukleare 13C-Spins mittels NV-Zenten in Diamant bekannt. From the publication Benjamin Smeltzer, Jean McIntyre, Lilian Childress "Robust control of individual nuclear spins in diamond", Phys. Rev. A 80, 050302 (R) - 25 November 2009 is a method for accessing individual nuclear 13 C spins by means of NV cents known in diamond.
Aus der Schrift Petr Siyushev, Milos Nesladek, Emilie Bourgeois, Michal Gulka, Jaroslav Hruby, Takashi Yamamoto, Michael Trupke, Tokuyuki Teraji, Junichi Isoya, Fedor Jelezko,„Photoelectrical imaging and coherent spin-state readout of single nitrogen-vacancy centers in diamond" Science 15 Feb 2019, Vol. 363, Issue 6428, pp. 728-731, DOI: 10.1126/science. aav2789 ist das elektronische Auslesen von Spin-Zuständen der NV-Zentren bekannt. From the text Petr Siyushev, Milos Nesladek, Emilie Bourgeois, Michal Gulka, Jaroslav Hruby, Takashi Yamamoto, Michael Trupke, Tokuyuki Teraji, Junichi Isoya, Fedor Jelezko, “Photoelectrical imaging and coherent spin-state readout of single nitrogen-vacancy centers in diamond "Science 15 Feb 2019, Vol. 363, Issue 6428, pp. 728-731, DOI: 10.1126 / science. Aav2789, the electronic readout of spin states of NV centers is known.
Aus der Schrift Timothy J. Proctor, Erika Andersson, Viv Kendon„Universal quantum computation by the unitary control of ancilla qubits and using a fixed ancilla-register interaction", Phys. Rev. A 88, 042330 -24 Okt. 2013 ist ein Verfahren zur Nutzung sogenannter Ancilla Quantenbits bekannt, um einen ersten nuklearen Spin mit einem zweiten nuklearen Spin mittels Ancilla-Bits zu verschränken. From the text Timothy J. Proctor, Erika Andersson, Viv Kendon "Universal quantum computation by the unitary control of ancilla qubits and using a fixed ancilla-register interaction", Phys. Rev. A 88, 042330 -24 Oct. 2013 is a method known for the use of so-called Ancilla quantum bits in order to entangle a first nuclear spin with a second nuclear spin by means of Ancilla bits.
Zum Stand der Technik der Magnetometer mit NV-Zentren On the state of the art of magnetometers with NV centers
Aus der WO 2016 083 140 Al ist eine Methode zur Messung des Magnetfelds mit einer From WO 2016 083 140 Al a method for measuring the magnetic field with a
Rampenmethode und mit Ansteuerung des Quantenbits mittels Mikrowelle bekannt. Aus der US 9 910 105 B2 ist die Messung von Magnetfeldern mit Zeeman Aufspaltung und Ramp method and with control of the quantum bit by means of microwave known. From US 9 910 105 B2 is the measurement of magnetic fields with Zeeman splitting and
Mikrowellenansteuerung bekannt. Aus der US 9 541 610 B2 ist ebenfalls ein Magnetfeldsensor bekannt, der Mikrowellen für die Kontrolle der Quantenpunkte benutzt. Aus der US 9 551 763 Bl ist ein Magnetfeldsensor mit einer 4-Seiten Antenne bekannt, der ebenfalls Mikrowellen benutzt. Aus der US 10 408 889 B2 ist ein Controller für einen Magnetfeldsensor zur Steuerung der Mikrowellen bekannt. Auch aus der US 10 120 039 B2 ist ein Magnetfeldsensor mit Mikrowellenansteuerung bekannt. Aus der US 10 168 393 B2 ist ein Magnetfeldsensor mit Mikrowellenansteuerung unter Zuhilfenahme eines Bias Magneten bekannt. Auch aus der US 10 241 158 B2 ist ein Magnetfeldsensor mit Mikrowellenansteuerung bekannt. Aus der US 10 345 396 B2, der US 10 359 479 B2, der US 8 547 090 B2, der US 9 557 391 B2, der US 9 829 545 B2, der US 9 910 104 B2 und der Known microwave control. From US 9 541 610 B2 a magnetic field sensor is also known which uses microwaves to control the quantum dots. From US 9 551 763 B1 a magnetic field sensor with a 4-sided antenna is known, which also uses microwaves. From US 10 408 889 B2 a controller for a magnetic field sensor for controlling the microwaves is known. US Pat. No. 10 120 039 B2 also discloses a magnetic field sensor with microwave control known. From US 10 168 393 B2 a magnetic field sensor with microwave control with the aid of a bias magnet is known. A magnetic field sensor with microwave control is also known from US 10 241 158 B2. From US 10 345 396 B2, US 10 359 479 B2, US 8 547 090 B2, US 9 557 391 B2, US 9 829 545 B2, US 9 910 104 B2 and the
US 10 408 890 B2 sind Magnetfeldsensoren mit Radiowellenansteuerung bekannt. Aus der Magnetic field sensors with radio wave control are known from US 10 408 890 B2. From the
US 9 222 887 B2 ist ein Magnetfeldsensor mit Nanopartikeln und einer Mikrowellenansteuerung bekannt. Auch aus der US 9 632 045 B2 und der US 9 658 301 B2 sind Magnetfeldsensoren mit Mikrowellenansteuerung bekannt. Aus der US 9 664 767 B2 ist ein Verfahren zur Manipulation von NV-Center-Spins mit Walsh Reconstruction auf Basis einer Mikrowellenansteuerung bekannt. Aus der US 10 007 885 Bl ist eine Messung mittels Verschränkung und Pertubation Pulsen bekannt. Aus der WO 2018 169 997 Al ist eine Magnetfeldmessung mit einer AFM Spitze bekannt. US Pat. No. 9 222 887 B2 discloses a magnetic field sensor with nanoparticles and a microwave control. Magnetic field sensors with microwave control are also known from US Pat. No. 9,632,045 B2 and US Pat. No. 9,658,301 B2. From US Pat. No. 9,664,767 B2, a method for manipulating NV center spins with Walsh reconstruction based on microwave control is known. From US 10 007 885 B1 a measurement by means of entanglement and pertubation pulses is known. A magnetic field measurement with an AFM tip is known from WO 2018 169 997 A1.
Aus der US 10 006 973 B2 ist ein Magnetfeldsensor mit zwei Fotodetektoren bekannt. Die A magnetic field sensor with two photodetectors is known from US 10 006 973 B2. The
Vorrichtung der US 10 006 973 B2 umfasst gemäß ihrer technischen Lehre eine Diamantanordnung mit einem Diamanten mit einem oder mehreren Stickstoffleerstellen, eine Leuchtdiode, die konfiguriert ist, um Licht in Richtung des Diamanten zu emittieren, einen ersten Fotosensor, der konfiguriert ist, um einen ersten Teil des von der Leuchtdiode emittierten Lichts zu erfassen, einen zweiten Fotosensor, der konfiguriert ist, um einen zweiten Teil des von der Leuchtdiode emittierten Lichts zu erfassen, und einen Prozessor, der betriebsmäßig mit dem ersten Fotosensor und einem zweiten Fotosensor gekoppelt ist. Der erste Teil des Lichts wandert gemäß der technischen Lehre der US 10 006 973 B2 nicht durch den Diamanten, währen der der zweite Teil des Lichts gemäß der technischen Lehre der US 10 006 973 B2 durch den Diamanten wandert. In der US 10 006 973 B2 ist der Prozessor konfiguriert, um ein vom ersten Fotosensor empfangenes erstes Signal mit einem vom zweiten Fotosensor empfangenen zweiten Signal vergleichen und um basierend auf dem Vergleich des ersten Signals und des zweiten Signals die Stärke eines an den Diamanten angelegten The device of US 10 006 973 B2 comprises according to its technical teaching a diamond arrangement with a diamond with one or more nitrogen vacancies, a light-emitting diode which is configured to emit light in the direction of the diamond, a first photosensor which is configured to a first Detect a portion of the light emitted by the light emitting diode, a second photosensor configured to detect a second portion of the light emitted by the light emitting diode, and a processor operatively coupled to the first photosensor and a second photosensor. According to the technical teaching of US 10 006 973 B2, the first part of the light does not migrate through the diamond, while the second part of the light migrates through the diamond according to the technical teaching of US 10 006 973 B2. In US 10 006 973 B2 the processor is configured to compare a first signal received from the first photosensor with a second signal received from the second photosensor and, based on the comparison of the first signal and the second signal, to determine the strength of a signal applied to the diamond
Magnetfelds zu bestimmen. Ähnliche Konstruktionen sind aus der US 9 720 055 Bl, der To determine the magnetic field. Similar constructions are from US 9 720 055 Bl, the
US 9 817 081 B2 und der US 9 823 314 B2 bekannt, die drei optischen Sensoren nutzen. US 9 817 081 B2 and US 9 823 314 B2 are known which use three optical sensors.
Aus der US 10 012 704 B2 ist eine Magnetfeldmessung mit einer induktiven Leiterschleife mit Widerstand bekannt. Die technische Lehre der US 10 012 704 B2 offenbart einen Diamant-Stickstoff- Leerstellen-Sensor, der einen Diamanten mit einer oder mehreren Stickstoffleerstellen, eine Schleife aus leitendem Material, die neben einem Teil des Diamanten positioniert ist und einen Widerstand, der mit einem ersten Ende der Schleife und einem zweiten Ende der Schleife gekoppelt ist umfasst, wobei die Schleife und der Widerstand ein Tiefpassfilter für den DNV-Sensor bilden. Der Widerstand kann durch eine Kontrollvorrichtung bzw. einen Regler modifiziert werden. From US 10 012 704 B2 a magnetic field measurement with an inductive conductor loop with resistance is known. The technical teaching of US 10 012 704 B2 discloses a diamond nitrogen vacancy sensor, a diamond with one or more nitrogen vacancies, a loop of conductive material, which is positioned next to a part of the diamond and a resistor that is connected to a first End of the loop and a second end of the loop is coupled comprises wherein the loop and the resistor form a low pass filter for the DNV sensor. The resistance can be modified by a control device or a regulator.
Aus der US 8 947 080 B2 ist ein Magnetfeldsensor bekannt, der die Zeeman-Shift erfasst. From US 8 947 080 B2 a magnetic field sensor is known that detects the Zeeman shift.
Aus der US 9 599 562 B2 ist eine Nanopartikel-Diamant-Metall-Verbindung bekannt, die einen Diamantnanopartikel mit einem Stickstoffleerstellenzentrum und eine metallische Nanostruktur umfasst. Der Diamantnanopartikel weist dabei einen vorbestimmten Radius auf und ist bevorzugt zumindest teilweise direkt an eine Schicht der metallischen Nanostruktur gebunden. Das A nanoparticle-diamond-metal compound is known from US Pat. No. 9 599 562 B2 which comprises a diamond nanoparticle with a nitrogen vacancy center and a metallic nanostructure. The diamond nanoparticle has a predetermined radius and is preferably at least partially bound directly to a layer of the metallic nanostructure. The
Stickstoffleerstellenzentrum ist in der technischen Lehre der US 9 599 562 B2 in einem Abstand angeordnet, der zumindest teilweise auf dem vorbestimmten Radius des Diamantnanopartikels basiert. In the technical teaching of US Pat. No. 9 599 562 B2, the nitrogen vacancy center is arranged at a distance that is based at least in part on the predetermined radius of the diamond nanoparticle.
Aus der US 9 638 821 B2 ist ein Verfahren zur Vermessung eines Bohrlochs bekannt. A method for measuring a borehole is known from US Pat. No. 9,638,821 B2.
Keine der oben aufgeführten Schriften ermöglicht sie Nutzung eines mikrowellenfreien und radiowellenfreien Sensorsystems das keine Ausrichtung des Diamantkristalls erfordert. None of the documents listed above allow the use of a microwave-free and radio-wave-free sensor system that does not require alignment of the diamond crystal.
Die Kombination von Merkmalen der in der hier vorgelegten Schrift mit Merkmalen der in dieser Schrift genannten Patentliteratur und Nichtpatenliteratur ist ausdrücklicher Teil der Offenlegung und, soweit im jeweiligen Rechtssystem des späteren Nationalisierungsstaates dieser internationalen Anmeldung zulässig, Teil der Beanspruchung. The combination of features of the document presented here with features of the patent literature and non-patent literature mentioned in this document is an express part of the disclosure and, insofar as this is permissible in the legal system of the later nationalization state of this international application, part of the claim.
Aufgabe task
Dem Vorschlag liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Lösung zu schaffen die die obigen Nachteile des Stands der Technik nicht aufweist und weitere Vorteile aufweist. The proposal is therefore based on the object of creating a solution which does not have the above disadvantages of the prior art and has further advantages.
Diese Schrift legt verschiedene Maßnahmen offen, die in Summe zu einer signifikanten Verbesserung beitragen. This document reveals various measures which, taken together, contribute to a significant improvement.
Diese Aufgabe wird durch eine Vorrichtung nach Anspruch 1 und 2 gelöst. Weitere Ausprägungen der Erfindung und angrenzender Themengebiete sind Gegenstand der nebengeordneten und untergeordneten Ansprüche. This object is achieved by a device according to claims 1 and 2. Further developments of the invention and related subject areas are the subject of the independent and subordinate claims.
Lösung der Aufgabe Solution of the task
Die Erfindung umfasst alle wesentlichen Komponenten eines auf einem oder mehreren NV-Zentren bzw. einer oder mehrerer Gruppen von NV-Zentren basierenden Quantensensorsystems und Verfahren zu dessen Herstellung und Betrieb. The invention comprises all essential components of a quantum sensor system based on one or more NV centers or one or more groups of NV centers and methods for its production and operation.
Allgemeine Idee General idea
Zur Erfassung von Objektpositionen und/oder -positionsänderungen, beispielsweise von To detect object positions and / or changes in position, for example from
mechanischer Schwingungen eines schwingungsfähigen Systems (MS), schlägt beispielsweise das hier vorgelegte Verfahren vor, das Objekt, also beispielsweise das mechanisch schwingende System (MS), mit einem magnetischen Feld in Form der magnetischen Flussdichte B oder einem elektrischen Feld in Form der elektrischen Feldstärke E zu koppeln und den momentanen Wert der magnetischen Flussdichte B bzw. einer sich zeitlich ändernden elektrischen Flussdichte D mittels eines auf quantenmechanische Effekte beruhenden Sensors zu bestimmen. mechanical oscillations of an oscillating system (MS), for example, suggests the method presented here, the object, for example the mechanically oscillating system (MS), with a magnetic field in the form of the magnetic flux density B or an electric field in the form of the electric field strength E. to couple and to determine the instantaneous value of the magnetic flux density B or an electrical flux density D which changes over time by means of a sensor based on quantum mechanical effects.
Erfindungsgemäß wurde insbesondere erkannt, dass sich solche quantenmechanischen According to the invention, it was recognized in particular that such quantum mechanical
Sensorsysteme, die bevorzugt auf der Vermessung der Fluoreszenzstrahlung (FL) paramagnetischer Zentren (NV1) beruhen, sich typischerweise auch zur Vermessung eines sich insbesondere zeitlich ändernden elektrischen Feldes mit einer elektrischen Feldstärke E eignen, wenn die Quelle der elektrischen Feldstärke E gegenüber den paramagnetischen Zentren (NV1) des Sensorsystems bewegt ist. Durch eine solche Bewegung kommt es zu einer Drehung und Verzerrung des vierdimensionalen elektromagnetischen Feldstärketensors Fy im vierdimensionalen Minkowski- Raum, der die elektrische Feldstärke E in eine magnetische Flussdichte B transformiert und damit für solche auf der Erfassung der magnetischen Flussdichte B basierenden Sensorsystemen erfassbar macht. Sensor systems, which are preferably based on the measurement of the fluorescence radiation (FL) of paramagnetic centers (NV1), are typically also suitable for the measurement of an electric field with an electric field strength E, in particular changing over time, if the source of the electric field strength E is opposite the paramagnetic centers ( NV1) of the sensor system is moved. Such a movement results in a rotation and distortion of the four-dimensional electromagnetic field strength tensor Fy in the four-dimensional Minkowski space, which transforms the electrical field strength E into a magnetic flux density B and thus for makes such sensor systems based on the detection of the magnetic flux density B detectable.
Bevorzugt werden als Sensorelement oder Teile des Sensorelements Diamanten mit einer bevorzugt zumindest lokal sehr hohen Dichte an paramagnetischen Zentren (NV1) in Form von NV-Zentren genutzt, um ein hohes Signal- u-Rauschverhältnis zu gewährleisten und eine quantenmechanische Kopplung zwischen diesen paramagnetischen Zentren (NV1) auszunutzen. Solche FID-NV-Diamanten mit einer hohen Dichte an paramagnetischen Zentren (NV1), insbesondere an NV-Zentren, werden im Folgenden behandelt. Die Diffusionskonstante für Fremdatome in Diamant ist beispielsweise nahezu Null. Diese Sensorsysteme mit Sensorelementen, die Diamant umfassen, besitzen somit den Vorteil, dass keine Alterungserscheinungen für die paramagnetischen Zentren (NV1) zu erwarten sind. Die hohe Härte von Diamant gewährleistet die Möglichkeit des der hohen mechanischen Belastung ohne eine Beschädigung des Sensorelements durch Abrieb etc. befürchten zu müssen. Das Diamant-Sensorelement kann also in direktem Kontakt mit mechanisch verschleißenden Materialien gebracht werden. Beispielsweise ist ein direkter permanenter Kontakt zu einem unter hohem Druck stehenden, heißen Salzwasser/Gas/Öl/Sandgemisch, wie es in Bohrlöchern vorkommt, möglich. Eine hohe Dichte an paramagnetischen Zentren (NV1), hier NV-Zentren, verleiht einem besonders als Sensorelement geeigneten betreffenden Diamanten typischerweise eine rote bis tiefrote oder schwarze Farbe. Wird ein solcher HD-NV-Diamant beispielsweise mit grünem Licht als Pumpstrahlung (LB) angestrahlt, so leuchtet der Diamant aufgrund der Fluoreszenzstrahlung (FL) der The sensor element or parts of the sensor element are preferably diamonds with a preferably at least locally very high density of paramagnetic centers (NV1) in the form of NV centers in order to ensure a high signal-to-noise ratio and a quantum mechanical coupling between these paramagnetic centers ( NV1). Such FID-NV diamonds with a high density of paramagnetic centers (NV1), especially NV centers, are discussed below. For example, the diffusion constant for foreign atoms in diamond is almost zero. These sensor systems with sensor elements that include diamond thus have the advantage that no aging phenomena are to be expected for the paramagnetic centers (NV1). The high hardness of diamond ensures the possibility of high mechanical stress without having to fear damage to the sensor element through abrasion, etc. The diamond sensor element can thus be brought into direct contact with mechanically wearing materials. For example, direct, permanent contact with a hot salt water / gas / oil / sand mixture under high pressure, as occurs in boreholes, is possible. A high density of paramagnetic centers (NV1), here NV centers, typically gives a diamond in question, which is particularly suitable as a sensor element, a red to deep red or black color. If such an HD-NV diamond is illuminated, for example, with green light as pump radiation (LB), the diamond glows due to the fluorescence radiation (FL)
paramagnetischen NV-Zentren (NV1) rot. Ein solcher Diamant eines solchen Sensorsystems kann mit einem Brillantschliff als Schmuckstein ausgeführt werden. Für Musikinstrumente wie beispielsweise E-Gitarren ist der Sensorsystemaufbau vorzugweise so gestaltet, dass nur der im Betrieb rot leuchtende Diamant gut sichtbar angebracht ist, um ein entsprechendes emotionales, positives Erlebnis bei einem Betrachter hervorzurufen. Die Verwendung von Schmuckdiamanten als paramagnetic NV centers (NV1) red. Such a diamond of such a sensor system can be made with a brilliant cut as a gemstone. For musical instruments such as electric guitars, the sensor system structure is preferably designed in such a way that only the diamond, which shines red during operation, is clearly visible in order to evoke a corresponding emotional, positive experience in a viewer. The use of jewelry diamonds as a
Sensorelemente ist Teil dieser Offenlegung. Sensor elements is part of this disclosure.
Herstellung von HD-NV-Diamanten mit einer hohen Dichte an NV-Zentren Manufacture of HD NV diamonds with a high density of NV centers
Die Erfindung umfasst daher als erstes ein Verfahren zur Herstellung von Diamanten oder eines Diamanten mit einer zumindest lokal hohen Konzentration an NV Zentren zur späteren Nutzung als Sensorelement im herzustellenden Sensorsystemen. Dieses Verfahren ist somit von großer The invention therefore firstly comprises a method for producing diamonds or a diamond with an at least locally high concentration of NV centers for later use as a sensor element in the sensor systems to be produced. This method is therefore of great importance
Bedeutung. Der Begriff„lokal" soll hierbei ein Raumvolumen als Bezugsvolumen innerhalb des Diamanten bezeichnen, das größer als die halbe Pumpstrahlungswellenlänge (lrGhr) der Pumpstrahlung (LB) zur dritten Potenz ist, da ansonsten bereits mit einem einzigen NV-Zentrum eine beliebige Konzentration erreicht werden könnte. Solche Diamanten werden hier und im Folgenden als HD-NV-Diamanten bezeichnet. Das Sensorelement ist ein ganz wesentlicher Bestandteil des Sensorsystems und damit quasi sein Fundament. Das Verfahren umfasst als erstes den Schritt der Bereitstellung des Diamanten als Diamantrohling oder der Diamanten als Diamantrohlinge. Es kann sich dabei um einen einzelnen Diamanten als auch um eine Vielzahl von Diamanten handeln. Die Diamanten können groß oder klein sein. Die Diamanten können auch in Pulverform oder als Granulat vorliegen. Die Diamanten können auch nanokristallin sein. Importance. The term "local" is intended to denote a spatial volume as a reference volume within the diamond that is greater than half the pump radiation wavelength (1 rGhr ) Pump radiation (LB) to the third power, since otherwise any concentration could be achieved with a single NV center. Such diamonds are referred to here and below as HD-NV diamonds. The sensor element is a very important part of the sensor system and thus its foundation. The method first comprises the step of providing the diamond as a diamond blank or the diamonds as diamond blanks. It can be a single diamond or a multitude of diamonds. The diamonds can be large or small. The diamonds can also be in powder form or as granules. The diamonds can also be nanocrystalline.
Aus M. Capelli, A.H. Fleffernan, T. Ohshima, H. Abe, J. Jeske, A. Flope, A.D. Greentree, P. Reineck, B.C. Gibson, Increased nitrogen-vacancy centre creation yield in diamond through electron beam From M. Capelli, A.H. Fleffernan, T. Ohshima, H. Abe, J. Jeske, A. Flope, A.D. Greentree, P. Reineck, B.C. Gibson, Increased nitrogen-vacancy center creation yield in diamond through electron beam
Irradiation at high temperature, Carbon (2018), doi: https://doi.Org/10.1016/ j.carbon.2018.ll.051 ist bekannt, dass die NV-Zentrumsausbeute in CVD-Diamant durch Heizen während einer Irradiation at high temperature, Carbon (2018), doi: https://doi.Org/10.1016/ j.carbon.2018.ll.051 it is known that the NV center yield in CVD diamond can be increased by heating during a
Elektronenbestrahlung mit 2MeV Elektronen bei 710°C um einen Faktor 2 erhöht werden kann. Electron irradiation with 2MeV electrons at 710 ° C can be increased by a factor of 2.
Die technische Lehre der zum Zeitpunkt der Anmeldung noch unveröffentlichten The technical teaching of the as yet unpublished at the time of registration
DE 10 2019 117 423.6 beschreibt ein Verfahren zur weiteren Steigerung der Ausbeute an NV- Zentren, das eine Möglichkeit der Herstellung der HD-NV-Diamanten beschreibt. Diese Diamanten insbesondere solche mit einer NV-Zentrendichte von mehr als 10 ppm pro Volumeneinheit werden im Folgenden als HD-NV-Diamanten bezeichnet. Es hat sich gezeigt, dass ein Gehalt von mehr als 20ppm besser ist. Der Gehalt kann beispielsweise mittels EPR-Messung (electromagnetic parametric resonance) ermittelt werden. Auch hier verweisen wir auf M. Capelli, A.H. Heffernan, T. Ohshima, H. Abe, J. Jeske, A. Hope, A.D. Greentree, P. Reineck, B.C. Gibson, Increased nitrogen-vacancy centre creation yield in diamond through electron beam Irradiation at high temperature, Carbon (2018), doi: https://doi.Org/10.1016/ j.carbon.2018.ll.051. DE 10 2019 117 423.6 describes a method for further increasing the yield of NV centers, which describes a way of producing the HD-NV diamonds. These diamonds, in particular those with an NV center density of more than 10 ppm per unit volume, are referred to below as HD-NV diamonds. It has been shown that a content greater than 20ppm is better. The content can be determined, for example, by means of EPR (electromagnetic parametric resonance) measurement. Again, we refer to M. Capelli, A.H. Heffernan, T. Ohshima, H. Abe, J. Jeske, A. Hope, A.D. Greentree, P. Reineck, B.C. Gibson, Increased nitrogen-vacancy center creation yield in diamond through electron beam Irradiation at high temperature, Carbon (2018), doi: https://doi.Org/10.1016/ j.carbon.2018.ll.051.
Mit solchen Diamanten lässt sich ein Sensorsystem mit einem Sensorelement aufbauen, bei dem das Sensorelement ein Substrat (D) umfasst oder gleich diesem Substrat (D) sein kann. In dem Substrat (D) kann ein Raumvolumen ausgewählt werden, wobei das Substrat (D) in diesem Raumvolumen eine Gruppe (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) mit mindestens zwei paramagnetischen Zentren (NV1) umfasst. Das Sensorsystem umfasst später näher erläuterte erste Mittel (G, PLI) zur Anregung einer Fluoreszenzstrahlung (FL) dieser Gruppe (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1). Die With such diamonds, a sensor system with a sensor element can be constructed, in which the sensor element comprises a substrate (D) or can be the same as this substrate (D). A spatial volume can be selected in the substrate (D), the substrate (D) comprising a group (NVC) of paramagnetic centers (NV1) with at least two paramagnetic centers (NV1) in this spatial volume. The sensor system includes first means (G, PLI), explained in more detail later, for exciting fluorescence radiation (FL) of this group (NVC) of paramagnetic centers (NV1). The
Fluoreszenzstrahlung (FL) weist dabei eine Fluoreszenzwellenlänge (lh) auf. Das Sensorsystem umfasst des Weiteren zweite Mittel (G, Fl, PD, Ml, TP) zur Erfassung und zur Auswertung der Fluoreszenzstrahlung (FL). Die äußeren Abmessungen des gewählten Raumvolumens sollen bei der Beurteilung, ob ein FID-NV-Diamant verwendet wird, die zweifache Fluoreszenzwellenlänge (lh) nicht überschreiten. Das Sensorsystem erzeugt mittels der ersten und zweiten Mittel (G, PLI, Fl, PD, Ml, TP) in Abhängigkeit von der Fluoreszenzstrahlung (FL) dieser Gruppe (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) einen oder mehrere Messwerte und/oder hält diesen bzw. diese bereit. Die Fluorescence radiation (FL) has a fluorescence wavelength (lh). The sensor system also includes second means (G, Fl, PD, Ml, TP) for detecting and evaluating the Fluorescence radiation (FL). When assessing whether an FID-NV diamond is used, the external dimensions of the selected volume should not exceed twice the fluorescence wavelength (lh). Using the first and second means (G, PLI, Fl, PD, Ml, TP), the sensor system generates one or more measured values and / or maintains or holds these values as a function of the fluorescence radiation (FL) of this group (NVC) of paramagnetic centers (NV1) this ready. The
Fluoreszenzstrahlung (FL) hängt von einem physikalischen Parameter ab. Dabei kann es sich u.a. um die magnetische Flussdichte B, die elektrische Flussdichte D, die Beschleunigung a, die Fluorescence radiation (FL) depends on a physical parameter. This can include the magnetic flux density B, the electrical flux density D, the acceleration a, the
Gravitationsfeldstärke g, die Rotationsgeschwindigkeit co, Schwingungsfrequenzen co, die Modulation elektromagnetischer Strahlung, die Intensität ionisierender Strahlung, die Temperatur q und dergleichen sowie deren einfachen und mehrfachen zeitlichen Integrale und Ableitungen handeln. Somit hängt der Messwert dann auch von dem physikalischen Parameter ab. Daher kann dann dieser ermittelte Messwert als Messwert dieses physikalischen Parameters benutzt werden. Die hier an dieser Stelle vorgeschlagene Vorrichtung zeichnet sich dadurch aus, dass die Konzentration der paramagnetischen Zentren (NV1) dieser Gruppe (NVC) in dem Raumvolumen im Mittel größer als lOOppm und/oder 50ppm und/oder 20ppm und/oder lOppm und/oder 5ppm und/oder 2ppm und/oder lppm und/oder 0,5ppm und/oder 0,2ppm und/oder 0,lppm und/oder größer als 0,01ppm und/oder größer als 0,001ppm und/oder größer als 0,0001ppm und/oder größer als 0,0001ppm bezogen auf die Anzahl der Atome des Substrats (D) pro Volumeneinheit in diesem Raumvolumen ist. Besonders bevorzugt ist sie größer als lOppm oder besser 20ppm. Gravitational field strength g, the speed of rotation co, oscillation frequencies co, the modulation of electromagnetic radiation, the intensity of ionizing radiation, the temperature q and the like, as well as their simple and multiple time integrals and derivatives. The measured value then also depends on the physical parameter. Therefore, this determined measured value can then be used as the measured value of this physical parameter. The device proposed here is characterized by the fact that the concentration of the paramagnetic centers (NV1) of this group (NVC) in the volume is on average greater than 100 ppm and / or 50 ppm and / or 20 ppm and / or 10 ppm and / or 5 ppm and / or 2ppm and / or lppm and / or 0.5ppm and / or 0.2ppm and / or 0, lppm and / or greater than 0.01ppm and / or greater than 0.001ppm and / or greater than 0.0001ppm and / or is greater than 0.0001ppm based on the number of atoms of the substrate (D) per unit volume in this volume of space. It is particularly preferably greater than 10 ppm or, better still, 20 ppm.
Statt der optischen Auslesung über die Fluoreszenzstrahlung (FL) ist stets auch eine elektronische Auslesung über Fotoelektronen möglich. Instead of optical readout using fluorescence radiation (FL), electronic readout using photoelectrons is always possible.
Für diesen Zweck der elektronischen Auslesung der durch die Bestrahlung mit Pumpstrahlung (LB) erzeugten Fotoelektronen wird die folgende alternative Sensorvorrichtung vorgeschlagen. For this purpose of electronically reading out the photoelectrons generated by the irradiation with pump radiation (LB), the following alternative sensor device is proposed.
Ein solches Sensorsystem mit elektronischer Auslesung umfasst ein Sensorelement, wobei wieder das Sensorelement ein Substrat (D) umfasst oder gleich diesem Substrat (D) sein kann und wobei in dem Substrat (D) wieder das Raumvolumen ausgewählt werden kann und wobei das Substrat (D) in diesem Raumvolumen eine Gruppe (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) umfasst. Wieder umfasst das Sensorsystem erste Mittel (G, PLI) zur Anregung eines Fotostroms der Fotoelektronen dieser Gruppe (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) mittels einer Pumpstrahlung (LB) mit einer Such a sensor system with electronic readout comprises a sensor element, wherein the sensor element again comprises a substrate (D) or can be the same as this substrate (D) and wherein the spatial volume in the substrate (D) can again be selected and the substrate (D) in this volume of space comprises a group (NVC) of paramagnetic centers (NV1). Again, the sensor system comprises first means (G, PLI) for exciting a photocurrent of the photoelectrons of this group (NVC) of paramagnetic centers (NV1) by means of a pump radiation (LB) with a
Pumpstrahlungswellenlänge (lrigir). Im Gegensatz zum unmittelbar zuvor vorgeschlagenen Sensorsystem umfasst das Sensorsystem zweite Mittel (G, Ml, TP) zur Erfassung und zur Auswertung des Fotostroms der Fotoelektronen dieser Gruppe (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1). Die äußeren Abmessungen des gewählten Raumvolumens sollen nun die zweifache Pump radiation wavelength (l rigir ). In contrast to what was proposed immediately before The sensor system comprises the sensor system second means (G, Ml, TP) for detecting and evaluating the photocurrent of the photoelectrons of this group (NVC) of paramagnetic centers (NV1). The external dimensions of the chosen room volume should now double
Pumpstrahlungswellenlänge (lrigir) nicht überschreiten. Das Sensorsystem erzeugt mittels der der ersten und zweiten Mittel (G, PLI, Ml, TP) in Abhängigkeit von dem Fotostrom einen Messwert oder mehrere Messwerte und/oder hält diese bereit. Der Fotostrom hängt auch hier von einem physikalischen Parameter ab. Dabei kann es sich u.a. um die magnetische Flussdichte B, die elektrische Flussdichte D, die Beschleunigung a, die Gravitationsfeldstärke g, die Do not exceed the pump radiation wavelength (l rigir ). The sensor system uses the first and second means (G, PLI, Ml, TP) to generate a measured value or several measured values as a function of the photocurrent and / or keeps them ready. The photocurrent also depends on a physical parameter here. This can include the magnetic flux density B, the electrical flux density D, the acceleration a, the gravitational field strength g, the
Rotationsgeschwindigkeit co, Schwingungsfrequenzen co, die Modulation elektromagnetischer Strahlung, die Intensität ionisierender Strahlung, die Temperatur q und dergleichen sowie deren einfachen und mehrfachen zeitlichen Integrale und Ableitungen handeln. Damit hängt auch der Messwert von dem physikalischen Parameter ab. Wie zuvor wird bevorzugt der Messwert als Messwert dieses physikalischen Parameters benutzt. Auch hier zeichnet sich die Vorrichtung dadurch aus, dass die Konzentration der paramagnetischen Zentren (NV1) dieser Gruppe (NVC) in dem Raumvolumen im Mittel lOOppm und/oder 50ppm und/oder 20ppm und/oder lOppm und/oder 5ppm und/oder 2ppm und/oder lppm und/oder 0,5ppm und/oder 0,2ppm und/oder größer als 0,lppm und/oder größer als 0,01ppm und/oder größer als 0,001ppm und/oder größer als Rotation speed co, oscillation frequencies co, the modulation of electromagnetic radiation, the intensity of ionizing radiation, the temperature q and the like, as well as their simple and multiple time integrals and derivatives. The measured value therefore also depends on the physical parameter. As before, the measured value is preferably used as the measured value of this physical parameter. Here, too, the device is characterized by the fact that the concentration of the paramagnetic centers (NV1) of this group (NVC) in the volume of space is on average 100 ppm and / or 50 ppm and / or 20 ppm and / or 10 ppm and / or 5 ppm and / or 2 ppm and / or lppm and / or 0.5ppm and / or 0.2ppm and / or greater than 0, lppm and / or greater than 0.01ppm and / or greater than 0.001ppm and / or greater than
0,0001ppm und/oder größer als 0,0001ppm bezogen auf die Anzahl der Atome des Substrats (D) pro Volumeneinheit in diesem Raumvolumen ist. Besonders bevorzugt ist sie auch hier größer als lOppm oder besser 20ppm. 0.0001ppm and / or greater than 0.0001ppm based on the number of atoms of the substrate (D) per unit volume in this volume of space. Here, too, it is particularly preferably greater than 10 ppm or, better, 20 ppm.
Damit später die Diamanten NV-Zentren ausbilden können, sollten sie Stickstoffatome, bevorzugt in Form von Pl-Zentren aufweisen. Einfacher gesagt: Die Diamanten sollten vorzugsweise gelb oder gelblich sein. Die Diamanten sollten somit bevorzugt vor der Bestrahlung eine gelbe Farbe, vorzugsweise die Farbe "fancy yellow" oder "fancy deep yellow" entsprechend der GIA-Norm von John M. King "Colored Diamonds, colored reference Chart" besitzen. Weniger bevorzugt sind Diamanten der GIA Klassifikation oder " fancy light yellow", da sie weniger Stickstoff enthalten und dementsprechend zu Diamanten mit einer geringeren Dichte an NV-Zentren führen. Je kräftiger die gelbliche Farbe desto dichter sind später die NV-Zentren in den Diamanten konzentriert. Weniger bevorzugt umfassen der Diamantrohling oder die Diamantrohlinge Stickstoffatome zusammen mit Wasserstoff, da dieser kompensierend wirkt. Solche Diamanten können zur Not aber auch verwendet werden. Eine n-Dotierung mit Schwefel kann ebenfalls zur Erhöhung der Ausbeute an NV-Zentren führen. So that the diamonds can later develop NV centers, they should have nitrogen atoms, preferably in the form of PI centers. To put it simply, the diamonds should preferably be yellow or yellowish. The diamonds should therefore preferably have a yellow color before irradiation, preferably the color "fancy yellow" or "fancy deep yellow" according to the GIA standard by John M. King "Colored Diamonds, colored reference chart". Diamonds of the GIA classification or "fancy light yellow" are less preferred, as they contain less nitrogen and accordingly lead to diamonds with a lower density of NV centers. The stronger the yellowish color, the more densely the NV centers are later concentrated in the diamonds. The diamond blank or the diamond blanks less preferably comprise nitrogen atoms together with hydrogen, since this has a compensating effect. Such diamonds can also be used if necessary will. N-doping with sulfur can also lead to an increase in the yield of NV centers.
Bevorzugt sind die hier verwendeten Diamanten synthetischer HPHT-Diamant. HPHT steht hierbei für englisch: High Pressure High Temperature, was hoher Druck und hohe Temperatur bedeutet. Für den Fachmann ist damit klar, dass solche Diamanten nicht metastabil, also beispielsweise eben nicht durch Plasmaabscheidung (CVD-Diamant), erzeugt wurden. Solche HPHT Diamanten enthalten wenig Wasserstoff, der für die Ausbildung der NV-Zentren erfahrungsgemäß typischerweise nicht hilfreich ist. Das hier beschriebene Verfahren hat den Vorteil, dass die Diamanten vor dem Prozess der NV- Zentren-Erzeugung geschliffen werden können. Tritt dabei ein Fehler auf, so kann dieses Material bereits vor der Behandlung kostengünstig verworfen werden. Ein vorgeschlagener Diamant kann daher zumindest eine oder mehr geschliffene Fläche, beispielsweise eine optische Fläche in Form einer ersten Oberfläche (OGL1) zum Ein- und/oder Austritt von Strahlung, bereits vor dem Bestrahlen aufweisen. Es kann sich bei dem in einem im Folgenden beschriebenen Bestrahlungsdurchgang bestrahlten Diamantmaterial um einen einzelnen Diamanten als auch um eine Vielzahl von The diamonds used here are preferably synthetic HPHT diamond. HPHT stands for High Pressure High Temperature, which means high pressure and high temperature. It is therefore clear to the person skilled in the art that such diamonds were not produced in a metastable manner, for example not by plasma deposition (CVD diamond). Such HPHT diamonds contain little hydrogen, which experience has shown is typically not helpful for the formation of NV centers. The method described here has the advantage that the diamonds can be ground before the process of generating NV centers. If an error occurs, this material can be discarded inexpensively before treatment. A proposed diamond can therefore have at least one or more ground surfaces, for example an optical surface in the form of a first surface (OGL1) for the entry and / or exit of radiation, even before the irradiation. The diamond material irradiated in an irradiation pass described below can be a single diamond as well as a plurality of
Diamanten handeln. Die Diamanten können groß oder klein sein. Die Diamanten können in Trade diamonds. The diamonds can be large or small. The diamonds can be in
Pulverform oder als Granulat oder aber auch einzeln vorliegen. Die Diamanten können auch nanokristallin sein. Die Verwendung synthetischer CVD-Diamanten ist ebenso möglich. CVD Powder form or as granules or else individually. The diamonds can also be nanocrystalline. The use of synthetic CVD diamonds is also possible. CVD
Diamanten weisen aber eine größere Menge an Wasserstoff auf, was die Bildung der NV-Zentren behindert. Es war im Rahmen der Ausarbeitung der Erfindung möglich, solche NV-Zentren auch in CVD-Diamanten mittels des vorgeschlagenen Bestrahlungsverfahrens zu erzeugen. Insofern wird diese Variante hier auch beansprucht, obwohl sie nicht optimal ist. In dieser Variante umfassen dann der oder die Diamanten Stickstoffatome zusammen mit Wasserstoff. Typischerweise haben sie dann keine gelbe Farbe, sondern sind oft transparent, da der Wasserstoff die spektralen Farben verändert. However, diamonds have a larger amount of hydrogen, which hinders the formation of NV centers. When working out the invention, it was possible to produce such NV centers in CVD diamonds by means of the proposed irradiation process. In this respect, this variant is also claimed here, although it is not optimal. In this variant, the diamond or diamonds then comprise nitrogen atoms together with hydrogen. Typically they are then not yellow in color, but are often transparent because the hydrogen changes the spectral colors.
Der zentrale Schritt der Bearbeitung der Diamanten ist eine Bestrahlung mit hochenergetischen Partikeln. Vorzugsweise werden hochenergetische Elektronen benutzt. Eine Bestrahlung mit Protonen, Neutronen und Helium-Kernen ist ebenso denkbar und möglich. The central step in processing the diamonds is irradiation with high-energy particles. High-energy electrons are preferably used. Irradiation with protons, neutrons and helium nuclei is also conceivable and possible.
Diese Bestrahlung findet wegen der hohen Temperatur der Diamanten während der Bestrahlung bevorzugt nicht in Luft oder Sauerstoff statt, da der Diamant dann zu C02 oxidieren würde. Bevorzugt wird die Bestrahlung in einem Vakuum mit einem Restdruck von kleiner als 10 smBar durchgeführt. Stattdessen wurden solche Bestrahlungen allerdings auch schon in einer Schutzgasatmosphäre, insbesondere in einer Agon-Atmosphäre durchgeführt, was aber nicht bevorzugt ist. Die Diamantrohlinge sind während der Bestrahlung mit Partikeln, bevorzugt Elektronen, über einen Wärmewiderstand an eine Wärmesenke thermisch angekoppelt. Die Diamantrohlinge werden während der Bestrahlung durch eine Temperiervorrichtung auf der angestrebten Prozesstemperatur durch einen Regler, der Teil der Temperiervorrichtung ist, gehalten. Der Regler zur Regelung der Temperatur der Diamanten während der Bestrahlung kann beispielsweise ein PI Regler oder dergleichen sein. Dabei berücksichtigt die Temperiervorrichtung bevorzugt alle Energieeinträge während der Bestrahlung. Bevorzugt kann die Temperiervorrichtung einen oder mehrere Because of the high temperature of the diamonds, this irradiation preferably does not take place in air or oxygen during the irradiation, since the diamond would then oxidize to CO 2 . The irradiation is preferably carried out in a vacuum with a residual pressure of less than 10 s mbar. Instead, however, such irradiations have already been carried out in a protective gas atmosphere, in particular in an agon atmosphere, but this is not preferred. During the irradiation with particles, preferably electrons, the diamond blanks are thermally coupled to a heat sink via a thermal resistor. During the irradiation, the diamond blanks are kept at the desired process temperature by a temperature control device by a controller that is part of the temperature control device. The controller for regulating the temperature of the diamonds during the irradiation can be, for example, a PI controller or the like. The temperature control device preferably takes into account all energy inputs during the irradiation. The temperature control device can preferably have one or more
Wärmeenergieströme in die Menge der zu bearbeitenden Diamantrohlinge hinein und/oder aus der Menge der Diamantrohlinge heraus in Abhängigkeit von der angestrebten und gemessenen mittleren Bestrahlungstemperatur der Diamantrohlinge regeln. Regulate thermal energy flows into the amount of diamond blanks to be machined and / or out of the amount of diamond blanks depending on the target and measured mean irradiation temperature of the diamond blanks.
Die Temperiervorrichtung regelt somit bevorzugt den Gesamtenergieeintrag in die Diamantrohlinge und ggf. die Gesamtenergieabfuhr so, dass der eine Temperatursonde, die in der Nähe der The temperature control device thus preferably regulates the total energy input into the diamond blanks and possibly the total energy dissipation in such a way that the one temperature probe located in the vicinity of the
Diamantrohlinge während der Bestrahlung platziert ist, eine mittlere Bestrahlungstemperatur der Diamantrohlinge von größer 600°C und/oder größer 700°C und/oder größer 800°C und kleiner 900°C und/oder kleiner 1000°C und/oder kleiner 1100°C und/oder kleiner 1200°C, ganz besonders bevorzugt zwischen 800°C und 900°C erfasst. Bevorzugt umfasst für diese Regelung die Diamond blanks is placed during the irradiation, an average irradiation temperature of the diamond blanks of greater than 600 ° C and / or greater than 700 ° C and / or greater than 800 ° C and less than 900 ° C and / or less than 1000 ° C and / or less than 1100 ° C and / or less than 1200 ° C, very particularly preferably between 800 ° C and 900 ° C. Preferably includes for this scheme
Temperiervorrichtung einen PD-, P- oder besser PID-Regler. Temperature control device a PD, P or better PID controller.
Bevorzugt ist der Gesamtenergieeintrag nicht konstant. Bevorzugt weist der der The total energy input is preferably not constant. Preferably the the
Gesamtenergieeintrag in die Diamantrohlinge einen zeitlichen Gleichanteil und im Gegensatz zum Stand der Technik einen zeitlich gepulsten Anteil mit einem zeitlichen Pulsabstand und einer Pulshöhe der Gesamtenergieeintragspulse auf. Es kann sich bei den Gesamtenergiepulsen auch nur um einen einzigen Puls handeln. Die Temperiervorrichtung kann dann den Gleichanteil und/oder die Pulshöhe der Gesamtenergieeintragspulse des Gesamtenergieeintrags und/oder den zeitlichen Pulsabstand der Gesamtenergieeintragspulse zur Regelung der von der Temperatursonde erfassten mittleren Bestrahlungstemperatur verwenden. Ggf. kann also beispielsweise eine Heizung vorgesehen werden, die für die Pulsdauer eines Gesamtenergieeintragspulses den Total energy input into the diamond blanks has a temporal constant component and, in contrast to the prior art, a temporally pulsed component with a temporal pulse interval and a pulse height of the total energy input pulses. The total energy pulses can also be just a single pulse. The temperature control device can then use the constant component and / or the pulse height of the total energy input pulses of the total energy input and / or the time interval between the total energy input pulses to regulate the mean irradiation temperature detected by the temperature probe. If necessary, a heater can thus be provided, for example, which for the pulse duration of a total energy input pulse
Gesamtenergieeintrag erhöht, was eine Temperaturerhöhung zur Folge hat und die Ausheilung von Strahlenschäden verbessert. Der Gesamtenergieeintrag setzt sich zusammen aus der Energie aus einer ggf. aktiven Heizvorrichtung, der über den thermischen Ableitwiderstand abgeleiteten thermischen Energie und der mehr oder weniger permanenten Strahlleistung des Elektronenstrahls während der Bestrahlung. Die Temperiervorrichtung muss dies bei der Einstellung der mittleren Zieltemperatur berücksichtigen. Jede der zuvor erwähnten Komponenten des Gesamtenergieeintrags kann für die vorgeschlagene Regelung verwendet werden. Total energy input increases, which results in a rise in temperature and improves the healing of radiation damage. The total energy input is made up of the energy from a possibly active heating device, the thermal energy derived via the thermal discharge resistor and the more or less permanent beam power of the electron beam during the irradiation. The temperature control device must do this when setting the middle Consider target temperature. Each of the aforementioned components of the total energy input can be used for the proposed regulation.
Es ist sinnvoll, die Diamanten in einen bekannten Schliff zu bringen, da sie dann dem Sensor ein edleres Erscheinungsbild in Form eines Schmuckdiamanten zur Nutzung als Sensorelement in Consumer-Anwendungen verleihen. Ein solcher Diamant kann beispielsweise einen der folgenden Schliffe vor dem Bestrahlen aufweisen: Spitzsteinschliff, Tafelsteinschliff, Rose Cut Schliff, Mazarin Schliff, Brillantschliff, Tropfenschliff, Prinzessschliff, Ovalschliff, Herzschliff, Marquise-Schliff, Smaragdschliff, Asscher-Schliff, Cushion-Schliff, Radiant-Schliff, Diamant-Altschliff, Smaragdschliff oder Baguetteschliff. Im Falle eines Granulats sind die Diamanten bevorzugt kleiner als 1mm und/oder kleiner als 0,5mm und/oder kleiner als 0,2mm und/oder kleiner als 0,1mm und/oder kleiner als 50pm und/oder kleiner als 20pm und/oder kleiner als lOpm und/oder kleiner als 5pm und/oder kleiner als 2pm und/oder kleiner als lpm und/oder kleiner als 0,5pm und/oder kleiner als 0,2pm und/oder kleiner als 0,lpm, womit das Granulat dann ein Pulver ist. Die Diamanten eines solchen Granulats können auch im Mittel kleiner als 1mm und/oder kleiner als 0,5mm und/oder kleiner als 0,2mm und/oder kleiner als 0,1mm und/oder kleiner als 50pm und/oder kleiner als 20pm und/oder kleiner als lOpm und/oder kleiner als 5pm und/oder kleiner als 2pm und/oder kleiner als lpm und/oder kleiner als 0,5pm und/oder kleiner als 0,2pm und/oder kleiner als 0,lpm sein. Soll ein Sensorelement aus einer Vielzahl von Diamanten bestehen, so sind sehr kleine Dimensionen sinnvoll, da die Eigenschaften eines solchen Diamantpulvers in der Regel isotrop, d.h. nicht richtungsabhängig sind, was beabsichtigt sein kann, um eine richtungsunabhängige Empfindlichkeit des Sensorsystems zu erhalten. Um das Sensorelement herzustellen, werden die Diamanten dann mit einem It makes sense to give the diamonds a familiar cut, as they then give the sensor a more noble appearance in the form of a jewelery diamond for use as a sensor element in consumer applications. Such a diamond can, for example, have one of the following cuts before irradiation: Pointed stone cut, table stone cut, rose cut cut, Mazarin cut, brilliant cut, pear cut, princess cut, oval cut, heart cut, marquise cut, emerald cut, Asscher cut, cushion cut, radiant -Cut, old diamond cut, emerald cut or baguette cut. In the case of granules, the diamonds are preferably smaller than 1mm and / or smaller than 0.5mm and / or smaller than 0.2mm and / or smaller than 0.1mm and / or smaller than 50pm and / or smaller than 20pm and / or less than 10pm and / or less than 5pm and / or less than 2pm and / or less than 1pm and / or less than 0.5pm and / or less than 0.2pm and / or less than 0.1pm, with which the granules then is a powder. The diamonds of such granules can also be on average smaller than 1mm and / or smaller than 0.5mm and / or smaller than 0.2mm and / or smaller than 0.1mm and / or smaller than 50pm and / or smaller than 20pm and / or less than 10pm and / or less than 5pm and / or less than 2pm and / or less than 1pm and / or less than 0.5pm and / or less than 0.2pm and / or less than 0.1pm. If a sensor element is to consist of a large number of diamonds, then very small dimensions make sense, since the properties of such a diamond powder are usually isotropic, i.e. not direction-dependent, which can be intended in order to obtain a direction-independent sensitivity of the sensor system. In order to manufacture the sensor element, the diamonds are then combined with a
transparenten Trägermaterial (TM) vermischt, dass sich dann zu dem Sensorelement verfestigt. Wir verweisen hier auf die noch unveröffentlichte internationale Patentanmeldung PCT DE 2020 100 430. Als beispielhafte Trägermaterialien werden hier beispielhaft UHU und Gelatine und Glas, insbesondere ein Glas-Fritt, genannt. Typischerweise ist das Trägermaterial (TM) im verfestigten Zustand für die Pumpstrahlung (LB) und die Fluoreszenzstrahlung (FL) transparent. Soll beispielsweise eine magnetische Flussdichte B mittels der Intensität (lfl) der Fluoreszenzstrahlung (FL) der paramagnetischen Zentren (NV1) erfasst werden, so schirmt das Trägermaterial (TM) die mixed with transparent carrier material (TM), which then solidifies to form the sensor element. We refer here to the as yet unpublished international patent application PCT DE 2020 100 430. UHU and gelatine and glass, in particular a glass frit, are mentioned here as exemplary carrier materials. In the solidified state, the carrier material (TM) is typically transparent to the pump radiation (LB) and the fluorescent radiation (FL). If, for example, a magnetic flux density B is to be detected by means of the intensity (l fl ) of the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic centers (NV1), the carrier material (TM) shields the
paramagnetischen Zentren (NV1) des Sensorelements vorzugsweise nicht gegen die Einwirkung dieser zu erfassenden physikalischen Größe, hier den magnetischen Fluss B, ab. Anders kann es gewünscht sein, einen einzelnen Kristall, beispielsweise einen Diamantkristall, als Sensorelement zu verwenden und diesen Einkristall zur Erfassung besonderer Resonanzen (z.B. GSLAC) präzise im Gehäuse des Sensorsystems auszurichten, um diese besonderen Merkmale messbar zu machen. In dem Fall kann es sinnvoll sein, einen größeren Kristall als einzelnes paramagnetic centers (NV1) of the sensor element preferably not against the action of this physical variable to be detected, here the magnetic flux B. In another way, it may be desirable to use a single crystal, for example a diamond crystal, as a sensor element and to align this single crystal precisely in the housing of the sensor system to detect special resonances (eg GSLAC) in order to make these special features measurable. In that case it can be useful to have a larger crystal than a single one
Sensorelement zu verwenden. Use sensor element.
Die bevorzugte Methode zur Herstellung von Diamanten mit hoher NV-Zentrumsdichte ist, wie bereits angedeutet, das Bestrahlen des Diamanten und/oder der Diamanten mit Teilchen hoher Energie. As already indicated, the preferred method for producing diamonds with a high NV center density is to irradiate the diamond and / or the diamonds with particles of high energy.
Bevorzugt findet die Bestrahlung in einem Quarzgefäß statt, in dem dann die Diamanten in Form der Diamantrohlinge für die Bestrahlung platziert werden. Das Quarzgefäß ist bevorzugt oben für den Eintritt des Partikelstrahls geöffnet. In die Diamanten oder an den Diamanten wird während der Bestrahlung bevorzugt ein Temperaturfühler, beispielsweise ein Thermoelement, eingebracht bzw. eingebracht, um einen Ist-Temperaturwert für die Regelung der Prozessierungstemperatur der Diamanten während der Bestrahlung zu erhalten. The irradiation preferably takes place in a quartz vessel in which the diamonds are then placed in the form of diamond blanks for the irradiation. The quartz vessel is preferably open at the top for the entry of the particle beam. A temperature sensor, for example a thermocouple, is preferably introduced into the diamonds or on the diamonds during the irradiation, in order to obtain an actual temperature value for regulating the processing temperature of the diamonds during the irradiation.
Bevorzugt werden der Diamant bzw. die Diamanten mit Elektronen bestrahlt, da diese bei ausreichend hoher Energie die Diamanten komplett einigermaßen homogen durchdringen können. Dabei ist bevorzugt die Energie der Elektronen des Elektronenstrahls größer als 500keV und/oder größer als IMeV und/oder größer als 3MeV und/oder größer als 4MeV und/oder größer als 5MeV und/oder größer als 6 MeV und/oder größer als 7 MeV und/oder größer als 9 MeV und/oder größer als 10 MeV und/oder größer als 10 MeV, wobei eine Energie von lOMeV derzeit als Optimum in der zur Ausarbeitung der Erfindung benutzten Anlage eindeutig am stärksten bevorzugt ist. Eine Energie der Partikel von mehr als 20MeV sollte vermieden werden, da ansonsten eine radioaktive Aktivierung des Diamantmaterials erfolgen kann. Die Bestrahlungsdosis für diese Bestrahlung mit Elektronen liegt bevorzugt zwischen 5*1017 cm 2 und 2*1018cm 2, zumindest aber unter 1019cm 2. Wichtig ist, dass dabei die Temperatur des oder der Diamanten während der Bestrahlung mit diesen Elektronen durch eine Temperaturregelung bei einer Temperatur größer 600°C und/oder größer 700°C und/oder größer 800°C und kleiner 900°C und/oder kleiner 1000°C und/oder kleiner 1100°C und/oder kleiner 1200°C liegt. Bevorzugt liegt die optimale Temperatur jedoch gemäß den Erfahrungen bei der Ausarbeitung dieser Erfindung zwischen 800°C und 900°C. Mit anderen Temperaturen stellen sich andere Zentren im Diamant bevorzugt ein. Bei der Temperaturregelung muss die Heizung durch den ersten Heizenergiestrom einer typischerweise vorhandenen externen Heizung und den zweiten Heizenergiestrom der typischerweise allerdings vernachlässigten Aufheizung durch den The diamond or the diamonds are preferably irradiated with electrons, since these can penetrate the diamonds completely and fairly homogeneously with a sufficiently high energy. The energy of the electrons of the electron beam is preferably greater than 500keV and / or greater than IMeV and / or greater than 3MeV and / or greater than 4MeV and / or greater than 5MeV and / or greater than 6 MeV and / or greater than 7 MeV and / or greater than 9 MeV and / or greater than 10 MeV and / or greater than 10 MeV, an energy of IOMeV currently being clearly most preferred as the optimum in the system used to develop the invention. An energy of the particles of more than 20 MeV should be avoided, as otherwise radioactive activation of the diamond material can occur. The irradiation dose for this irradiation with electrons is preferably between 5 * 10 17 cm 2 and 2 * 10 18 cm 2 , but at least below 10 19 cm 2 . It is important that the temperature of the diamond or diamonds during the irradiation with these electrons is controlled by temperature control at a temperature greater than 600 ° C. and / or greater than 700 ° C. and / or greater than 800 ° C. and less than 900 ° C. and / or less 1000 ° C and / or less than 1100 ° C and / or less than 1200 ° C. Preferably, however, based on experience in working out this invention, the optimum temperature is between 800 ° C and 900 ° C. With other temperatures, other centers in the diamond are preferred. In the case of temperature control, the heating must be powered by the first heating energy flow of a typically existing external heating and the second Heating energy flow of the typically neglected heating by the
Elektronenstrahlstrom beachtet werden. Der Heizung durch diese Heizenergieströme steht der Kühlenergiestrom der Kühlung durch Wärmeableitung in eine Wärmesenke gegenüber. Der Strahlstrom des elektrischen Stroms dieser Elektronen des Elektronenstrahls wird nun bevorzugt so eingestellt bzw. eingeregelt, dass die Bestrahlungsdauer zum Erreichen der obigen Bestrahlungsdosis mindestens 0,05 Tage und/oder mindestens 0,5 Tage und/oder mindestens 1 Tag und/oder mindestens 2 Tage und/oder mindestens 4 Tage und/oder mindestens 8 Tage. Bei der Ausarbeitung wurden für sehr erfolgreiche Versuche 2 Tage Bestrahlungsdauer verwendet. Bevorzugt wird wg. der Kosten einer solchen Anlage ein gepulster Linearbeschleuniger (Linac für " linear accelerator") für die Bestrahlung mit einem bauartbedingt gepulsten Elektronenstrom verwendet. Die Heizenergie des Elektronenstrahls wird durch die Energie der Elektronen und den mittleren Strahlstrom bestimmt.Electron beam current must be observed. The heating by these heating energy flows is offset by the cooling energy flow of the cooling by heat dissipation into a heat sink. The beam current of the electric current of these electrons of the electron beam is now preferably set or regulated in such a way that the irradiation time to achieve the above irradiation dose is at least 0.05 days and / or at least 0.5 days and / or at least 1 day and / or at least 2 Days and / or at least 4 days and / or at least 8 days. During the elaboration, 2 days of irradiation time were used for very successful experiments. Preference is given to the cost of such a system, a pulsed linear accelerator (Linac for "linear accelerator") is used for irradiation with a pulsed electron stream due to the design. The heating energy of the electron beam is determined by the energy of the electrons and the mean beam current.
Die während der Bestrahlung zugeführte Heizenergie wird über den besagten thermischen The heating energy supplied during the irradiation is above said thermal
Ableitwiderstand in eine Wärmesenke abgeleitet. Die zugeführte Gesamtheizenergie wird bevorzugt mittels eines Thermofühlers, der die Temperatur der der Diamantrohlinge während der Bestrahlung erfasst, und mittels eines Reglers, der einen, bevorzugt den wesentlichen Heizenergiestrom steuert, so geregelt, dass sich eine gewünschte Prozessierungstemperatur der Diamanten innerhalb eines Zieltemperaturbandes um die Zieltemperatur herum für die Diamantrohlinge während der Leak resistance derived into a heat sink. The total heating energy supplied is preferably controlled by means of a thermal sensor, which detects the temperature of the diamond blanks during the irradiation, and by means of a regulator, which controls one, preferably the essential, heating energy flow so that a desired processing temperature of the diamonds is within a target temperature range around the target temperature around for the diamond blanks during the
Bestrahlung einstellt. Bevorzugt wird der geregelte Heizenergiestrom, der die Diamantrohlinge während der Bestrahlung heizt, ganz oder in Teilen zumindest zeitweise zur Gänze oder in Teilen pulsmoduliert. D.h. er wird in Heizpulsen zugeführt. D.h. er schwankt über die Zeit gepulst zwischen einem ersten Energiestromwert, der den Diamantrohlingen in einem ersten Zeitraum einer zeitlichen Pulsperiode der Pulsmodulation zugeführt wird, und einem zweiten Energiestromwert, der den Diamantrohlingen in einem zweiten Zeitraum der zeitlichen Pulsperiode der Pulsmodulation während der Bestrahlung zugeführt wird. Der erste Energiestromwert ist dabei bevorzugt von dem zweiten Energiestromwert verschieden. Bevorzugt erfolgt die Regelung über die Einstellung der Exposure ceases. The regulated flow of heating energy, which heats the diamond blanks during the irradiation, is preferably pulse-modulated in whole or in part, at least temporarily, in whole or in part. This means that it is supplied in heating pulses. This means that it fluctuates, pulsed over time, between a first energy flow value, which is supplied to the diamond blanks in a first period of a temporal pulse period of the pulse modulation, and a second energy flow value, which is supplied to the diamond blanks in a second period of the temporal pulse period of the pulse modulation during the irradiation. The first energy flow value is preferably different from the second energy flow value. Regulation is preferably carried out by setting the
Heizpulsamplitude, der Heizpulsweite, des Heizpulsabstands oder des Tastverhältnisses (Duty-Cycle) der Pulsmodulation der Heizpulse, also durch eine Methode der Pulsmodulation. Der Duty-Cycle wird auch als Tastgrad bezeichnet. Heating pulse amplitude, the heating pulse width, the heating pulse interval or the duty cycle of the pulse modulation of the heating pulses, i.e. by a method of pulse modulation. The duty cycle is also known as the duty cycle.
Mit dem oben beschriebenen Verfahren kann je nach Stickstoff- und Wasserstoffgehalt der With the method described above, depending on the nitrogen and hydrogen content, the
Diamantrohlinge vor der Bestrahlung Diamant mit einer NV-Zentren-Dichte von mehr als 500ppm und/oder von mehr als 200ppm und/oder von mehr als lOOppm und/oder von mehr als 50ppm und/oder von mehr als 20ppm und/oder von mehr als lOppm und/oder von mehr als 5ppm und/oder von mehr als 2ppm und/oder von mehr als lppm und/oder mehr als 0,lppm und/oder mehr als 0,01ppm und/oder von mehr als 103ppm und/oder von mehr als 104ppm und/oder von mehr als 105ppm und/oder von mehr als 10 6ppm bezogen auf die Anzahl der Kohlenstoffatome pro Volumeneinheit hergestellt werden. Solche Diamanten eignen sich besonders als Sensorelemente der vorgeschlagenen Vorrichtungen und für andere quantentechnologische Vorrichtungen. Diamond blanks before irradiation Diamond with a NV center density of more than 500ppm and / or of more than 200ppm and / or of more than 100ppm and / or of more than 50ppm and / or of more than 20ppm and / or of more than lOppm and / or greater than 5ppm and / or of more than 2ppm and / or of more than 1ppm and / or more than 0, lppm and / or more than 0.01ppm and / or of more than 10 3 ppm and / or of more than 10 4 ppm and / or of more than 10 5 ppm and / or of more than 10 6 ppm based on the number of carbon atoms per unit volume. Such diamonds are particularly suitable as sensor elements of the proposed devices and for other quantum technological devices.
Bevorzugt wird bei der Bestrahlung die typischerweise LINAC spezifisch unvermeidliche Pulsation des Elektronenstrahls und damit auch dessen Fleizenergie durch eine Regelung stabilisiert, um vorhersagbare Ergebnisse zu erzielen. Statt der Bestrahlung mit Elektronen kann auch die During irradiation, the pulsation of the electron beam, which is typically unavoidable specifically for LINAC, and thus also its fleece energy, is preferably stabilized by a control system in order to achieve predictable results. Instead of irradiation with electrons, the
Bestrahlung mit Protonen oder Flelium-Kernen oder anderen Partikeln, z.B. Neutronen Irradiation with protons or flelium nuclei or other particles, e.g. neutrons
vorgenommen werden, die den Diamanten dann ggf. wegen der geringeren Eindringtiefe nur oberflächlich mit NV-Zentren versehen, was vorteilhaft sein kann. Ein solcher Diamant zeigt dann unabhängig von der Art der verwendeten Partikel dann Spuren einer Bestrahlung mit Partikeln, insbesondere mit Elektronen und/oder Protonen und/oder Flelium. In einer Ausprägung ist bevorzugt der bereitgestellte Diamant oder eine epitaktische Schicht ausreichender Dicke auf zumindest einer Oberfläche des Diamanten isotopenrein. Hierbei bedeutet„isotopenrein" im Sinne dieser Schrift, dass mehr als 99,5% der Atome des Diamanten einem Kohlenstoffisotop, vorzugsweise dem Kernspin freien 12C-lsotop, zugeordnet werden können. Dies führt zu wenigen störenden Kernspins von C13- Atomen. Die Dicke einer epitaktischen Schicht ist dann ausreichend, wenn sich die paramagnetischen Zentren (NV1) in dieser Schicht so verhalten, als wäre der sie umgebende Diamant zur Gänze isotopenrein. be made, which then only superficially provide the diamond with NV centers because of the lower penetration depth, which can be advantageous. Such a diamond then shows, regardless of the type of particles used, traces of irradiation with particles, in particular with electrons and / or protons and / or flelium. In one embodiment, the diamond provided or an epitaxial layer of sufficient thickness on at least one surface of the diamond is preferably isotopically pure. In this context, “isotopically pure” in the sense of this document means that more than 99.5% of the atoms of the diamond can be assigned to a carbon isotope, preferably the nuclear spin-free 12 C isotope. This leads to fewer disruptive nuclear spins of C 13 atoms The thickness of an epitaxial layer is sufficient if the paramagnetic centers (NV1) in this layer behave as if the diamond surrounding them were completely isotopically pure.
Diamanten mit einer hohen Dichte an NV-Zentren, wie beschrieben, werden im Folgenden als HD- NV-Diamanten bezeichnet. Diamonds with a high density of NV centers, as described, are hereinafter referred to as HD NV diamonds.
Bevorzugt wird die hohe Dichte der paramagnetischen Zentren (NV1) nur in einem kleinen Volumen innerhalb des Sensorelements, beispielsweise des Diamanten, mit bevorzugt hoher Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB) realisiert, da die Nichtlinearität der Intensität (lf|) der Fluoreszenzstrahlung (FL) der paramagnetischen Zentren (NV1), ansonsten zu einer Verringerung des Kontrasts (KT) führten würde. The high density of the paramagnetic centers (NV1) is preferably only realized in a small volume within the sensor element, for example the diamond, with preferably a high intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB), since the non-linearity of the intensity (l f | ) of the Fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic centers (NV1), otherwise would lead to a decrease in the contrast (KT).
Abschließend sollte noch erwähnt werden, dass die Bestrahlung auch nur lokal erfolgen kann. Sind in einem Diamanten beispielsweise die Stickstoffatome beispielsweise durch Ionenimplantation nur in einer dünnen Ebene eingebracht worden, so kann der Elektronenstrahl nur längs voneinander beabstandeter Durchstrahlungsachsen den Kristall durchstrahlen. Ähnliches ist für andere Finally, it should be mentioned that the irradiation can only take place locally. For example, if the nitrogen atoms in a diamond are only in If a thin plane has been introduced, the electron beam can only penetrate the crystal along transmission axes which are spaced apart from one another. The same is true for others
Materialien und Zentren möglich, wenn diese durch Ionenimplantation gefolgt von Elektronen- oder Partikelbestrahlung hergestellt werden können. Nur an den Kreuzungspunkten zwischen diesen Durchstrahlungsachsen und der Schicht implantierter Stickstoffatome bilden sich im Beispiel von NV- Zentren in Diamant dann paramagnetische Zentren (NV1) bei richtiger Wahl der Parameter. Auf diese Wiese können beispielsweise Übergitter aus Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NVC) gebildet werden. Dabei kann jede Gruppe (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) in diesem Materials and centers are possible if these can be produced by ion implantation followed by electron or particle irradiation. In the example of NV centers in diamond, paramagnetic centers (NV1) then only form at the crossing points between these transmission axes and the layer of implanted nitrogen atoms if the parameters are correctly selected. In this way, for example, superlattices can be formed from groups (NVC) of paramagnetic centers (NVC). Each group (NVC) of paramagnetic centers (NV1) in this
Übergitter ein Material darstellen, dass eine hohe Dichte an paramagnetischen Zentren (NV1) innerhalb der jeweiligen Gruppe aufweist. Im Fall von Gruppen von NV-Zentren in Diamant handelt es sich bei dem Material der Gruppen der NV-Zentren somit bevorzugt um HD-NV-Diamant, der bevorzugt innerhalb der jeweiligen Gruppe eine Dichte an NV-Zentren von mehr als lOppm oder besser mehr als 20ppm aufweist. Superlattices represent a material that has a high density of paramagnetic centers (NV1) within the respective group. In the case of groups of NV centers in diamond, the material of the groups of NV centers is thus preferably HD-NV diamond, which preferably has a density of NV centers of more than 10 ppm or better within the respective group than 20ppm.
Definition der Pumpstrahlung Definition of pump radiation
Das vorgeschlagene Sensorsystem nutzt nun bevorzugt die so hergestellten HD-NV-Diamanten mit einer jeweiligen hohen Dichte an NV-Zentren, beispielsweise in Form roter Schmuckdiamanten, als Sensorelemente für die hier im Folgenden vorgestellten Sensorsysteme, die die Intensität (lfl) der Fluoreszenzstrahlung (FL) der NV-Zentren bei Bestrahlung mit grünem Licht als Pumpstrahlung (LB) erfassen. Grünes Licht wird in der technischen Lehre dieser Schrift für das Pumpen der The proposed sensor system now preferably uses the HD-NV diamonds produced in this way, each with a high density of NV centers, for example in the form of red jewelry diamonds, as sensor elements for the sensor systems presented below, which measure the intensity (l fl ) of the fluorescence radiation ( FL) of the NV centers when irradiated with green light as pump radiation (LB). The green light is given in the technical teaching of this document for pumping the
paramagnetischen Zentren (NV1), hier typischerweise der NV-Zentren in Diamant, verwendet. Statt dem Begriff "grünes Licht" wird in dieser Schrift auch der äquivalente Begriff "grüne Pumpstrahlung (LB)" verwendet. Die Pumpstrahlung (LB) weist eine Pumpstrahlungswellenlänge (Äpmp) dieses "grünen Lichts" auf. Die Pumpstrahlung (LB) veranlasst das jeweilige paramagnetische Zentrum (NV1) oder die paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. die Gruppe oder die Gruppen (NVC) paramagnetic centers (NV1), here typically the NV centers in diamond, are used. Instead of the term “green light”, the equivalent term “green pump radiation (LB)” is also used in this document. The pump radiation (LB) has a pump radiation wavelength (A pmp ) of this "green light". The pump radiation (LB) causes the respective paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) or the group or groups (NVC)
paramagnetischer Zentren (NV1) zur Abgabe von Fluoreszenzstrahlung (FL) mit einer paramagnetic centers (NV1) for the emission of fluorescent radiation (FL) with a
Fluoreszenzwellenlänge (Äfl) bei Bestrahlung mit der Pumpstrahlung (LB) der Fluorescence wavelength (Ä fl ) when irradiated with the pump radiation (LB) of the
Pumpstrahlungswellenlänge (Äpmp). Typischerweise ist bei Verwendung von NV-Zentren in Diamant als paramagnetische Zentren (NV1) die Fluoreszenzwellenlänge (Äfl) der Fluoreszenzstrahlung (FL) der NV-Zentren so, dass diese rot erscheinen. Es hat sich gezeigt, dass in Verbindung mit NV-Zentren in Diamant als paramagnetischen Zentren prinzipiell Licht mit einer Pumpstrahlungswellenlänge (Äpmp) der Pumpstrahlung (LB) von höchstens 700nm und mindestens 500nm besonders als Pumpstrahlung (LB) d.h. als "grünes Licht" geeignet ist. Im Zusammenhang mit der Verwendung anderer Materialien für das Sensorelement und entsprechend anderer paramagnetischer Zentren können ganz andere Wellenlängenbereiche der Pumpstrahlungswellenlänge (lrGhr) der Pumpstrahlung (LB) die gleichen Funktionen in dem dann so modifizierten Sensorsystem erfüllen. Daher stellen die NV-Zentren hier nur ein Beispiel einer Ausführungsform eines solchen paramagnetischen Zentrums (NV1) dar. Pump radiation wavelength (A pmp ). Typically, when NV centers in diamond are used as paramagnetic centers (NV1), the fluorescence wavelength (Ä fl ) of the fluorescence radiation (FL) of the NV centers is such that they appear red. It has been shown that in connection with NV centers in diamond as paramagnetic centers, in principle light with a pump radiation wavelength (Ä pmp ) of the pump radiation (LB) of at most 700 nm and at least 500 nm, especially as pump radiation (LB) ie is suitable as a "green light". In connection with the use of other materials for the sensor element and correspondingly different paramagnetic centers, completely different wavelength ranges of the pump radiation wavelength (l rGhr ) of the pump radiation (LB) can fulfill the same functions in the sensor system then modified in this way. Therefore, the NV centers here represent only one example of an embodiment of such a paramagnetic center (NV1).
Insofern soll "grünes Licht" bzw. "grüne Pumpstrahlung (LB)" hier als Funktionsdefinition verstanden werden, wobei die Funktion als äquivalent zu der Funktion in dem System unter Verwendung von NV-Zentren in Diamant als paramagnetische Zentren (NV1) in einem Sensorelement verstanden werden soll. Insbesondere bei der Verwendung eines NV-Zentrums als paramagnetisches Zentrum (NV1) sollte das "grüne Licht" bzw. die "grüne Pumpstrahlung" eine Pumpstrahlungswellenlänge (lr,hr) in einem Wellenlängenbereich von 400 nm bis 700 nm Wellenlänge und/oder besser 450 nm bis 650 nm und/oder besser 500 nm bis 550 nm und/oder besser 515 nm bis 540 nm aufweisen. Bevorzugt ist dabei eindeutig eine Wellenlänge von 532 nm als Pumpstrahlungswellenlänge (lrGhr). Licht bzw. elektromagnetische Pumpstrahlung (LB), die bei der Verwendung anderer In this respect, “green light” or “green pump radiation (LB)” should be understood here as a function definition, the function being understood as being equivalent to the function in the system using NV centers in diamond as paramagnetic centers (NV1) in a sensor element shall be. In particular when using an NV center as a paramagnetic center (NV1), the “green light” or the “green pump radiation” should have a pump radiation wavelength (l r , hr ) in a wavelength range of 400 nm to 700 nm and / or better 450 nm to 650 nm and / or better 500 nm to 550 nm and / or better 515 nm to 540 nm. A wavelength of 532 nm is clearly preferred as the pump radiation wavelength (1 rGhr ). Light or electromagnetic pump radiation (LB), which when using other
paramagnetischer Zentren (NV1) als von NV-Zentren in Diamant zur Ausführung gleicher Funktionen verwendet wird, wird in dieser Schrift ebenfalls als„grünes Licht" oder "grüner Pumpstrahlung" bezeichnet. Insofern sind solche Ausführungen von Ansprüchen umfasst in denen von "grünem Licht" oder "grüner Pumpstrahlung" die Rede ist, auch wenn einem Menschen diese Strahlung nicht als grün eingefärbt erscheint. Das vorgeschlagene Sensorsystem ist somit auch für andere geeignete paramagnetische Zentren, wie z.B. STl-Zentrum, SiV-Zentrum, GeV-zentrum, TRl-Zentrum etc., anwendbar. Das NV-Zentrum in Diamant ist aber besonders geeignet und besonders gut, z.B. wie oben beschrieben, und in hoher Dichte mit hoher Fertigungsausbeute herzustellen. paramagnetic centers (NV1) as used by NV centers in diamond to carry out the same functions is also referred to in this document as "green light" or "green pump radiation". To this extent, such embodiments are encompassed by claims in those of "green light" or "green pump radiation", even if this radiation does not appear to be colored green to a person. The proposed sensor system is therefore also suitable for other suitable paramagnetic centers, such as STI center, SiV center, GeV center, TRI center etc. However, the NV center in diamond is particularly suitable and particularly good to manufacture, for example as described above, and in high density with a high production yield.
Zweckmäßigerweise wird die Pumpstrahlung (LB) der Pumpstrahlungsquelle (PLI), vorzugsweise ein Laser, gepulst in Abhängigkeit von einem gepulsten Wechselanteil (S5w) eines Sendesignals (S5) gepulst. Das gepulsten Wechselanteil (S5w) eines Sendesignals (S5) wird als Messsignal (M ES) d.h. als Referenzsignal für einen Look-In-Verstärker genutzt, um die in modulierte elektrische Ströme, insbesondere Fotoelektronenströme oder Spannungen beispielsweise eines The pump radiation (LB) of the pump radiation source (PLI), preferably a laser, is expediently pulsed as a function of a pulsed alternating component (S5w) of a transmission signal (S5). The pulsed alternating component (S5w) of a transmission signal (S5) is used as a measurement signal (M ES) i.e. as a reference signal for a look-in amplifier to convert the modulated electrical currents, in particular photoelectron currents or voltages, for example a
Empfängerausgangssignals (SO) umgewandelte Modulation der Intensität (lfl) der Receiver output signal (SO) converted modulation of the intensity (l fl ) of the
Fluoreszenzstrahlung (FL) rauscharm zu verstärken. To amplify fluorescence radiation (FL) with low noise.
Erfindungsgemäß wurde erkannt, dass die gepulste Pulsmodulation der Pumpstrahlung (LB) und damit die gepulste Pulsmodulation des Wechselanteils (S5w) des Sendesignals (S5) bevorzugt kein 50% Tastverhältnis (Englisch Duty-Cycle) aufweisen sollte. (Siehe Figur 91) Der Wechselanteil (S5w) des Sendesignals (S5) besitzt eine Amplitude (S5wA) des Wechselanteils (S5w) des Sendesignals (S5). Zu Beginn einer Sendesignalperiode (TP) liegt der Wert des Sendesignals (S5) beim Wert des Gleichanteils (S5g) des Sendesignals (S5) minus dem Werts der Amplitude (S5wA) des Wechselanteils (S5w. Der Wert des Sendesignals (S5) steigt dann auf den Wert aus der Summe des Werts der Amplitude (S5wA) des Wechselanteils (S5w) des Sendesignals (S5) plus dem Wert des Gleichanteils (S5g) des Sendesignals (S5) an. Für eine Sendesignalplateauzeit (TS Pmpp) verharrt dann der Wert des Sendesignals (S5) im Wesentlichen auf diesem Werteniveau, um dann mit einer Sendesignalabfallszeit (TS Pmpd) auf den Wert aus der Differenz Wert des Gleichanteils (S5g) des Sendesignals (S5) minus dem Wert der Amplitude (S5wA) des Wechselanteils (S5w) des Sendesignals (S5) abzufallen. Auf diesem Wert verharrt dann im Wesentlichen der Wert des Sendesignals (S5) bis zum Ende der Sendesignal Periode (TP) der Wert des Sendesignals (S5) dann wieder mit einer Sendesignalanstiegszeit (TS5pmpr) auf den Wert aus der Summe der Amplitude (S5wA) des Wechselanteils (S5w) des Sendesignals (S5) plus dem Wert des Gleichanteils (S5g) des Sendesignals (S5) ansteigt. Bevorzugt wird der maximale Wert der Pulse des Wechselanteils (S5w) des Sendesignals (S5) in Form der Summe der Amplitude (S5wA) des Wechselanteils (S5w) des Sendesignals (S5) plus dem Wert des Gleichanteils (S5g) des Sendesignals (S5) maximiert, um eine maximale Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB) zu den Zeiten zu erreichen, in denen die Pumpstrahlungsquelle (PLI) Pumpstrahlung (LB) aussendet. Dies hat den Zweck, dass der Kontrast (KT) (siehe Figur 28) nicht linear von der Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB), die die paramagnetischen Zentren (NV1) erreicht, abhängt und zu großen Intensitäten (lpmp) Pumpstrahlung (LB) hin zunimmt. Dies ist für einzelne NV-Zentren in Diamant, also nicht für HD-NV-Diamanten, wie sie hier beschrieben sind, beispielsweise aus der Schrift Staacke, R., John, R., Wunderlich, R., Horsthemke, L., Knolle, W., Laube, C., Glösekötter, P., Burchard, B., Abel, B., Meijer, J. (2020), "Isotropie Scalar Quantum Sensing of Magnetic Fields for Industrial Application", Adv. Quantum Technol., doi:10.1002/qute.202000037, bekannt. Wir verweisen insbesondere auf die Figuren 3b und 3d jener Schrift. Durch eine hohe Dichte an paramagnetischen Zentren (NV1), wie beispielsweise durch eine hohe Dichte an NV-Zentren wie in einem HD-NV-Diamanten, wie er in dieser Schrift beschrieben wird, kann der Kontrast (KT) über das in jener Schrift gezeigte Maß hinaus gesteigert werden, was neu gegenüber dem Stand der Technik ist. According to the invention, it was recognized that the pulsed pulse modulation of the pump radiation (LB) and thus the pulsed pulse modulation of the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) preferably does not 50% duty cycle (English duty cycle) should have. (See FIG. 91) The alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) has an amplitude (S5w A ) of the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5). At the beginning of a transmission signal period (T P ), the value of the transmission signal (S5) is the value of the direct component (S5g) of the transmission signal (S5) minus the value of the amplitude (S5w A ) of the alternating component (S5w. The value of the transmission signal (S5) increases then to the value from the sum of the value of the amplitude (S5w A ) of the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) plus the value of the direct component (S5g) of the transmission signal (S5). Then pauses for a transmission signal plateau time (T S Pmpp ) the value of the transmission signal (S5) essentially at this value level, then with a transmission signal fall time (T S Pmpd ) to the value from the difference value of the direct component (S5g) of the transmission signal (S5) minus the value of the amplitude (S5w A ) des AC component (S5w) of the transmission signal (S5). The value of the transmission signal (S5) then essentially remains at this value until the end of the transmission signal period (T P ) the value of the transmission signal (S5) then again with a transmission signal rise time (T S5pmpr ) on the value the sum of the amplitude (S5w A ) of the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) plus the value of the direct component (S5g) of the transmission signal (S5) increases. The maximum value of the pulses of the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) is preferred in the form of the sum of the amplitude (S5w A ) of the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) plus the value of the direct component (S5g) of the transmission signal (S5) maximized in order to achieve a maximum intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB) at the times in which the pump radiation source (PLI) emits pump radiation (LB). The purpose of this is that the contrast (KT) (see FIG. 28) does not depend linearly on the intensity (I pmp ) of the pump radiation (LB) that reaches the paramagnetic centers (NV1) and on high intensities (I pmp ) of the pump radiation (LB) increases. This is for individual NV centers in diamond, that is not for HD-NV diamonds as described here, for example from the publication Staacke, R., John, R., Wunderlich, R., Horsthemke, L., Knolle , W., Laube, C., Glösekötter, P., Burchard, B., Abel, B., Meijer, J. (2020), "Isotropie Scalar Quantum Sensing of Magnetic Fields for Industrial Application", Adv. Quantum Technol. , doi: 10.1002 / qute.202000037, known. We refer in particular to Figures 3b and 3d of that document. With a high density of paramagnetic centers (NV1), such as, for example, with a high density of NV centers such as in an HD-NV diamond, as described in this document, the contrast (KT) can exceed that shown in that document Measure beyond what is new compared to the state of the art.
Das Tastverhältnis des Sendesignals (S5) und damit des modulierten Sendesignals (S5w) wird hierbei als Sendesignalpulsdauer (TS5pmp) dividiert durch die Sendesignalperiode (TP) definiert. Sendesignalpulsdauer (TS5pmp) plus Sendesignalkomplementärzeit (TS5c) sind hier gleich der Sendesignalperiode (TP). The pulse duty factor of the transmission signal (S5) and thus the modulated transmission signal (S5w) is defined here as the transmission signal pulse duration (T S5pmp ) divided by the transmission signal period (T P ). Transmission signal pulse duration (T S5pmp ) plus transmission signal complementary time (T S5c ) are here equal to the transmission signal period (T P ).
Bevorzugt ist der Wechselanteil (S5w) des Sendesignals (S5) und damit das Sendesignal (S5) mit einem Tastverhältnis des Wechselanteils (S5w) des Sendesignals (S5) kleiner 50% und/oder besser kleiner 40% und/oder besser kleiner 30% und/oder besser kleiner 20% und/oder besser kleiner 10% pulsmoduliert. Bevorzugt handelt es sich also um einen ultrakurzen Puls mit möglichst hoher Amplitude. The alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) and thus the transmission signal (S5) with a pulse duty factor of the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) is preferably less than 50% and / or better less 40% and / or better less 30% and / or better less than 20% and / or better less than 10% pulse modulated. It is therefore preferably an ultra-short pulse with the highest possible amplitude.
Bevorzugt ist dementsprechend das modulierte Sendesignal (S5w) mit einem Tastverhältnis kleiner 50% und/oder besser kleiner 40% und/oder besser kleiner 30% und/oder besser kleiner 20% und/oder besser kleiner 10% pulsmoduliert. Bevorzugt handelt es sich also um einen ultrakurzen Puls. Dieser ultrakurze Puls wird bevorzugt mit möglichst große Verstärkung in einen entsprechenden kurzen, möglichst intensiven Intensitätspuls der Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB) gewandelt. Accordingly, the modulated transmission signal (S5w) is preferably pulse-modulated with a pulse duty factor of less than 50% and / or better less 40% and / or better less 30% and / or better less 20% and / or better less 10%. It is therefore preferably an ultra-short pulse. This ultrashort pulse is preferably converted with the greatest possible amplification into a corresponding short, as intense as possible intensity pulse of the intensity (I pmp ) of the pump radiation (LB).
Da die Pumpstrahlungsquelle (PLI) mit dem Sendesignal (S5) angesteuert wird, reproduziert sie typischerweise verzögert um eine Sendverzögerung (At|pmp) im Wesentlichen das Sendesignal (S5). Für die Berechnung vieler Anwendungen kann diese Sendverzögerung (At|pmp) zu Os zur Since the pump radiation source (PLI) is controlled with the transmission signal (S5), it typically reproduces the transmission signal (S5) with a delay by a transmission delay (At | pmp ). This send delay (At | pmp ) to Os can be used for the calculation of many applications
Vereinfachung angenommen werden. Simplification will be adopted.
Dabei wird die Pumpstrahlungspulsdauer (T|pmp) hier so definiert, dass der Intensitätspuls der Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB) ein Pumpstrahlungsintensitätsmaximum (lpmpmax) aufweist und dass die Pumpstrahlungsimpulsdauer (T|pmp) eines Intensitätspulses der Pumpstrahlung (LB) mit dem ersten Zeitpunkt des Überschreitens von 50% des Intensitätswerts des The pump radiation pulse duration (T | pmp ) is defined here such that the intensity pulse of the intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB) has a pump radiation intensity maximum (l pmpmax ) and that the pump radiation pulse duration (T | pmp ) of an intensity pulse of the pump radiation (LB) with the first point in time when 50% of the intensity value of the
Pumpstrahlungsintensitätsmaximums ( lpmpmax) minus dem ggf. vorhandenen Bias-Wert ( l pmpoff) der Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB), durch die momentane Intensität (lpmp) des Intensitätspulses der Pumpstrahlung (LB) minus dem ggf. vorhandenen Bias-Wert (lpmp0ff) der Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB) beginnt und dass die Pumpstrahlungsimpulsdauer (T|pmp) eines Intensitätspulses der Pumpstrahlung (LB) mit dem zweiten Zeitpunkt des Unterschreitens von 50% des Pump radiation intensity maximum (l pmpm ax) minus the possibly existing bias value (l pmp off) of the intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB), through the current intensity (l pmp ) of the intensity pulse of the pump radiation (LB) minus the possibly existing bias value (l pmp0ff ) of the intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB) begins and that the pump radiation pulse duration (T | pmp ) of an intensity pulse of the pump radiation (LB) with the second point in time of falling below 50% of the
Intensitätswerts des Pumpstrahlungsintensitätsmaximums (l pmpmax) minus dem ggf. vorhandenen Bias-Wert (lpmp0ff) der Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB), durch die momentane Intensität (lpmp) des Intensitätspulses der Pumpstrahlung (LB) minus dem ggf. vorhandenen Bias-Wert (lpmp0ff) der Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB) endet. Die Pumpstrahlungsanstiegszeit (T|pmpr) der Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB) wird hier so definiert, dass die Pumpstrahlungsanstiegszeit (T|pmpr) eines Intensitätspulses der Pumpstrahlung (LB) mit dem ersten Zeitpunkt des Überschreitens von 10% des Intensitätswerts des Intensity value of the pump radiation intensity maximum (l pmpm ax) minus the possibly existing bias value (l pmp0ff ) of the intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB), through the current intensity (l pmp ) of the intensity pulse of the pump radiation (LB) minus the, if applicable The existing bias value (l pmp0ff ) of the intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB) ends. The pump radiation rise time (T | pmpr ) of the intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB) is defined here in such a way that the pump radiation rise time (T | pmpr ) of an intensity pulse of the pump radiation (LB) starts with the first point in time when 10% of the intensity value is exceeded
Pumpstrahlungsintensitätsmaximums (lpmpmax) minus dem ggf. vorhandenen Bias-Wert (lpmpoff) der Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB), durch die momentane Intensität (lpmp) des Intensitätspulses der Pumpstrahlung (LB) minus dem ggf. vorhandenen Bias-Wert (lpmp0ff) der Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB) beginnt und dass die Pumpstrahlungsanstiegszeit (T|pmpr) eines Intensitätspulses der Pumpstrahlung (LB) mit dem dritten Zeitpunkt des Überschreitens von 90% des Intensitätswerts des Pumpstrahlungsintensitätsmaximums (lpmpmax) minus dem ggf. vorhandenen Bias-Wert (lpmp0ff) der Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB), durch die momentane Intensität (lpmp) des Pump radiation intensity maximum (l pmpma x) minus the possibly existing bias value (l pmpoff ) of the intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB), through the current intensity (l pmp ) of the intensity pulse of the pump radiation (LB) minus the possibly existing The bias value (l pmp0ff ) of the intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB) begins and that the pump radiation rise time (T | pmpr ) of an intensity pulse of the pump radiation (LB) starts at the third point in time when 90% of the intensity value of the pump radiation intensity maximum (l pmpma x) minus the possibly existing bias value (l pmp0ff ) of the intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB), through the instantaneous intensity (l pmp ) of the
Intensitätspulses der Pumpstrahlung (LB) minus dem ggf. vorhandenen Bias-Wert (lpmp0ff) der Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB) endet. Intensity pulse of the pump radiation (LB) minus the possibly existing bias value (l pmp0ff ) of the intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB) ends.
Die Pumpstrahlungsabfallszeit (T|pmpd) der Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB) wird hier so definiert, dass die Pumpstrahlungsabfallszeit (T|pmpd) eines Intensitätspulses der Pumpstrahlung (LB) mit dem ersten Zeitpunkt des Unterschreitens von 90% des Intensitätswerts des The pump radiation decay time (T | pmpd ) of the intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB) is defined here in such a way that the pump radiation decay time (T | pmpd ) of an intensity pulse of the pump radiation (LB) starts with the first point in time when the intensity value falls below 90% of the
Pumpstrahlungsintensitätsmaximums (lpmpmax) minus dem ggf. vorhandenen Bias-Wert (lpmp0ff) der Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB), durch die momentane Intensität (lpmp) des Intensitätspulses der Pumpstrahlung (LB) minus dem ggf. vorhandenen Bias-Wert (lpmp0ff) der Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB) beginnt und dass die Pumpstrahlungsabfallszeit (T|pmpd) eines Intensitätspulses der Pumpstrahlung (LB) mit dem dritten Zeitpunkt des Unterschreitens von 10% des Intensitätswerts des Pumpstrahlungsintensitätsmaximums (lpmpmax) minus dem ggf. vorhandenen Bias-Wert (lpmp0ff) der Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB), durch die momentane Intensität (lpmp) des Pump radiation intensity maximum (l pmpma x) minus the possibly existing bias value (l pmp0ff ) of the intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB), through the current intensity (l pmp ) of the intensity pulse of the pump radiation (LB) minus the possibly existing Bias value (l pmp0ff ) of the intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB) begins and that the pump radiation decay time (T | pmpd ) of an intensity pulse of the pump radiation (LB) with the third point in time at which the intensity value of the pump radiation intensity maximum (l pmpma x) minus the possibly existing bias value (l pmp0ff ) of the intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB), through the instantaneous intensity (l pmp ) of the
Intensitätspulses der Pumpstrahlung (LB) minus dem ggf. vorhandenen Bias-Wert (lpmp0ff) der Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB) endet. Intensity pulse of the pump radiation (LB) minus the possibly existing bias value (l pmp0ff ) of the intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB) ends.
Für die Berechnung vieler Anwendungen kann die Sendverzögerung (At|pmp) zu Os und/oder die Pumpstrahlungsabfallszeit (T|pmpd) zu Os und/oder die Sendesignalabfallszeit (TS5pmpd) zu Os und/oder die Pumpstrahlungsanstiegszeit (T|pmpr) zu Os und/oder die Sendesignalanstiegszeit (TS5pmpr) zu Os zur Vereinfachung angenommen werden. Die Pumpstrahlungspulsdauer (T|pmp) ist dann gleich der Sendesignalpulsdauer (TS5pmP)· Die Pumpstrahlungspulsdauer (T|pmp) und die Sendesignalpulsdauer sind dann gleich den ersten Zeiten (TI) zu denen das Sendesignal (S5) aktiv ist und die Pumpstrahlungsquelle (PLI) Pumpstrahlung (LB) emittiert. Die Sendesignalkomplementärzeit (TS5c) und die Pumpstrahlungskomplementärzeit (T ) sind unter diesen Vereinfachungen gleich den zweiten Zeiten (T2) zu denen das Sendesignal (S5) nicht aktiv ist und die Pumpstrahlungsquelle (PLI) keine Pumpstrahlung (LB) emittiert. For the calculation of many applications, the transmission delay (At | pmp ) can be set to Os and / or the pump radiation fall time (T | pmpd ) to Os and / or the transmit signal fall time (T S5pmpd ) to Os and / or the pump radiation rise time (T | pmpr ) to Os and / or the transmit signal rise time (T S5pmpr ) can be assumed to be Os for simplification. The pump radiation pulse duration (T | pmp ) is then equal to the transmission signal pulse duration (T S5p m P ) The pump radiation pulse duration (T | pmp ) and the transmission signal pulse duration are then equal to the first times (TI) at which the transmission signal (S5) is active and the pump radiation source (PLI) pump radiation (LB) emitted. The transmit signal complementary time (T S5c ) and the pump radiation complementary time (T) are, among these simplifications, equal to the second times (T2) at which the transmission signal (S5) is not active and the pump radiation source (PLI) does not emit any pump radiation (LB).
Somit stellen die ersten Zeiten (TI) und die zweiten Zeiten (T2) in den Figuren 6, 11, 13,19, 23 und 26 nur eine Vereinfachung zum besseren Verständnis dar. Die Pegel der Figuren 6, 11, 13, 19, 23 und 26 sind somit nur beispielhaft uns dienen nur dem besseren Verständnis. Thus, the first times (TI) and the second times (T2) in FIGS. 6, 11, 13, 19, 23 and 26 only represent a simplification for better understanding. The levels of FIGS. 6, 11, 13, 19, 23 and 26 are therefore only exemplary and are only used for better understanding.
Um den Kontrast (KT) zu maximieren, sollte die zeitliche Dauer der Pumpstrahlungsabfallszeit (T|pmpd) und/oder der Pumpstrahlungsanstiegszeit (T|pmpr) jeweils nicht mehr als 25%, besser nicht mehr als 10%, besser nicht mehr als 5%, besser nicht mehr als 2% der zeitlichen Dauer eines Intensitätspulses der Pumpstrahlung (LB), also der Pumpstrahlungspulsdauer (T|pmp), betragen. In order to maximize the contrast (KT), the duration of the pump radiation decay time (T | pmpd ) and / or the pump radiation rise time (T | pmpr ) should not exceed 25%, better not more than 10%, better not more than 5%. , better not more than 2% of the time duration of an intensity pulse of the pump radiation (LB), that is to say the pump radiation pulse duration (T | pmp ).
Um den Kontrast (KT) zu maximieren, sollte somit die zeitliche Dauer der Sendesignalabfallszeit 0"s5Pmpd) und/oder der Sendesignalanstiegszeit (TS5Pmpr) jeweils nicht mehr als 25%, besser nicht mehr als 10%, besser nicht mehr als 5%, besser nicht mehr als 2% der zeitlichen Sendesignalpulsdauer (Tsspmp), betragen. In order to maximize the contrast (KT), the duration of the transmission signal fall time 0 " s5 P mpd) and / or the transmission signal rise time (T S 5 Pm pr) should not be more than 25%, better not more than 10%, better not more than 5%, better not more than 2% of the temporal transmit signal pulse duration (Tsspmp).
Um solche kurzen Anstiegs- und Abfallszeiten zu erreichen sind aus dem Stand der Technik verschiedene Schriften bekannt, die hier nur aufzählend erwähnt werden und deren technische Lehre hier Verwendung finden kann. In order to achieve such short rise and fall times, various documents are known from the prior art, which are only mentioned here and whose technical teaching can be used here.
Aus der DE 10 2009 060 873 Al ist eine Treiberschaltung für eine LED bekannt. Aus der A driver circuit for an LED is known from DE 10 2009 060 873 A1. From the
DE 10 2016 116 368 Al ist ein Treiberschalkreis für lichtemittierende optoelektronische DE 10 2016 116 368 A1 is a driver circuit for light-emitting optoelectronic
Komponenten bekannt (siehe Figur 1 der DE 10 2016 116 368 Al), bei der der Ladeschaltkreis (Bezugszeichen 2, 3, 4, 5, 9, 10, 11, 12, 13, 14 der DE 10 2016 116 368 Al) einen Kondensator (Bezugszeichen 18-21 der DE 10 2016 116 368 Al) über einen Serienwiderstand (Bezugszeichen 3 der DE 10 2016 116 368 Al) lädt. Die lichtemittierenden optoelektronischen Komponenten Components known (see Figure 1 of DE 10 2016 116 368 A1), in which the charging circuit (reference numbers 2, 3, 4, 5, 9, 10, 11, 12, 13, 14 of DE 10 2016 116 368 A1) has a capacitor (Reference number 18-21 of DE 10 2016 116 368 A1) charges via a series resistor (reference number 3 of DE 10 2016 116 368 A1). The light-emitting optoelectronic components
(Bezugszeichen 22 bis 25 der DE 10 2016 116 368 Al) sind mit ihren Kathoden zu einem ersten Sternpunkt zusammengeschaltet. Ein Ansteuerschalter (Bezugszeichen 26 der (Reference numbers 22 to 25 of DE 10 2016 116 368 A1) are connected together with their cathodes to form a first star point. A control switch (reference number 26 of
DE 10 2016 116 368 Al) verbindet diesen Sternpunkt mit dem Bezugspotenzial (Bezugszeichen GND der DE 10 2016 116 368 Al), wenn eine oder mehrere der lichtemittierenden optoelektronischen Komponenten Licht emittieren soll. Der Pufferkondensator (Bezugszeichen 9 der DE 10 2016 116 368 Al) dient zu einer schnellen Ladung der eigentlichen Energiereserven DE 10 2016 116 368 Al) connects this star point to the reference potential (reference symbol GND of DE 10 2016 116 368 Al) if one or more of the light-emitting optoelectronic components is to emit light. The buffer capacitor (reference number 9 of the DE 10 2016 116 368 A1) is used to quickly charge the actual energy reserves
(Bezugszeichen 18 bis 21 der DE 10 2016 116 368 Al). (Reference numbers 18 to 21 of DE 10 2016 116 368 A1).
Aus der US 10 193 304 B2 ist eine Treiberschaltung bekannt, bei der die Ladung der Kondensatoren so erfolgt, dass der Strom unter der Ansprechschwelle der Laser bleibt. From US 10 193 304 B2 a driver circuit is known in which the capacitors are charged in such a way that the current remains below the response threshold of the laser.
Aus der EP 3 301 473 Al ist eine Ansteuerschaltung für eine einzelne LED bekannt, die zur From EP 3 301 473 A1 a control circuit for a single LED is known, which for
Aussendung kurzer Impulse geeignet ist. Sending short impulses is suitable.
Aus der DE 10 2016 116 369 Al ist eine LED Treiberschaltung bekannt, bei der jede LED über einen eigenen Ansteuerschalter verfügt. From DE 10 2016 116 369 A1, an LED driver circuit is known in which each LED has its own control switch.
Aus der DE 10 2008 021 588 Al ist eine Laseransteuerschaltung bekannt, bei der mehrere From DE 10 2008 021 588 A1 a laser control circuit is known in which several
Ansteuerschalter parallelgeschaltet sind, sodass diese zeitversetzt zueinander Pulse generieren können und zwischen den Pulsen abkühlen können, während die anderen Ansteuerschalter die weiteren Pulse erzeugen können. Control switches are connected in parallel so that they can generate pulses with a time delay and can cool down between the pulses, while the other control switches can generate the further pulses.
Aus der DE 10 2017 121 713 Al sind Ansteuerschalter bekannt, die aus Untereinheiten bestehen, bei denen jede Untereinheit einen eigenen Kondensator zur Bereitstellung der Schaltenergie aufweist. Control switches are known from DE 10 2017 121 713 A1, which consist of sub-units in which each sub-unit has its own capacitor for providing the switching energy.
Aus der DE 19 914 362 Al und der DE 19 514 062 Al sind Steuereinrichtungen für einen Gas-Laser bekannt. Control devices for a gas laser are known from DE 19 914 362 A1 and DE 19 514 062 A1.
Aus der US 9 185 762 B2 (DE 10 2014 105 482 Al) ist eine Schaltung zur Verringerung der From US 9 185 762 B2 (DE 10 2014 105 482 A1) is a circuit for reducing the
Ausschaltzeit einer Laser-Diode bekannt. Known switch-off time of a laser diode.
Aus der DE 10 2017 100 879 Al ist eine Schaltung zum schnellen Ein- und Ausschalten einer einzelnen Laser-Diode bekannt. From DE 10 2017 100 879 A1 a circuit for quickly switching a single laser diode on and off is known.
Aus der DE 10 2018 106 860 Al ist die direkte Verbindung zwischen einem Laser-Die eines From DE 10 2018 106 860 Al the direct connection between a laser die is a
Einzellasers und dem Die eines integrierten Ansteuerschalters bekannt. Der Ansteuerschalter ist dabei zwischen Versorgungsspannung und Anode der Laser-Diode geschaltet. Known single laser and the die of an integrated control switch. The control switch is connected between the supply voltage and the anode of the laser diode.
Aus der DE 10 2016 116 875 Al ist eine Treiberschaltung (z.B. Fig. 12 der DE 10 2016 116 875 Al) mit einem gemeinsamen Ansteuerschalter (Bezugszeichen S3 der DE 10 2016 116 875 Al) für mehrere Laser (Bezugszeichen Dl, D7 der DE 10 2016 116 875 Al) bekannt, bei der der gemeinsame DE 10 2016 116 875 A1 describes a driver circuit (e.g. FIG. 12 of DE 10 2016 116 875 A1) with a common control switch (reference symbol S3 of DE 10 2016 116 875 A1) for several lasers (reference symbols Dl, D7 of DE 10 2016 116 875 Al), in which the common
Ansteuerschalter (Bezugszeichen S3 der DE 10 2016 116 875 Al) an die Kathoden der Laser angeschlossen ist und diese mit dem Bezugspotenzial verbinden kann. Die Energie für den Laserpuls kommt dabei aus einer gemeinsamen Speicherkapazität (Bezugszeichen C der Control switch (reference number S3 of DE 10 2016 116 875 A1) on the cathodes of the laser is connected and can connect it to the reference potential. The energy for the laser pulse comes from a common storage capacity (reference symbol C of
DE 10 2016 116 875 Al). Die Laser werden über separate Schalter selektiert (Bezugszeichen S2 der DE 10 2016 116 875 Al). DE 10 2016 116 875 A1). The lasers are selected via separate switches (reference number S2 of DE 10 2016 116 875 A1).
Aus der DE 10 2006 036 167 B4 ist eine Lasertreiberschaltung bekannt, bei der die Resonanzen der parasitären Induktivitäten und der Kapazitäten so abgestimmt sind, dass sie vorbestimmte A laser driver circuit is known from DE 10 2006 036 167 B4, in which the resonances of the parasitic inductances and the capacitances are matched in such a way that they are predetermined
Eigenschaften der zu erzeugenden Lichtpulse unterstützen. Support properties of the light pulses to be generated.
Aus der US 6 697 402 B2 ist ein Lasertreiber mit einer Laserstromerfassung über einen Shunt- Widerstand zwischen Kathodenanschluss und Bezugspotenzial bekannt. US Pat. No. 6,697,402 B2 discloses a laser driver with laser current detection via a shunt resistor between the cathode connection and the reference potential.
Aus der US 9 368 936 Bl ist eine einzelne Treiberschaltung bekannt. Eine Spule wird als A single driver circuit is known from US Pat. No. 9,368,936 B1. A coil is called a
Energiespeicher verwendet. Energy storage used.
Aus der DE 10 2018 106 861 Al ist die Ansteuerung einer Laser-Diode mit einer H-Brücke bekannt. The control of a laser diode with an H-bridge is known from DE 10 2018 106 861 A1.
Aus der DE 19 546 563 C2 ist eine Treiberschaltung bekannt, bei der der Ladeschaltkreis durch eine Induktivität von der Laser-Diode für die kurze Zeit der Lichtpulsemission abgeklemmt wird, wenn der Ansteuertransistor die Lichtemission initiiert. From DE 19 546 563 C2 a driver circuit is known in which the charging circuit is disconnected by an inductance from the laser diode for the short time of the light pulse emission when the control transistor initiates the light emission.
Bevorzugt sollte die Pumpstrahlungspulsdauer (T|pmp), um eine thermisch Überlastung der The pump radiation pulse duration (T | pmp ) should preferably be used in order to avoid thermal overloading of the
Pumpstrahlungsquelle (PLI), also beispielsweise eines Halbleiter-Lasers, zu vermeiden, weniger als 50% der Sendesignalperiode (Tp) des Wechselanteils (S5w) des Sendesignals (S5) betragen. Pump radiation source (PLI), so for example a semiconductor laser, to avoid less than 50% of the transmission signal period (T p ) of the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5).
Somit sollte die Sendesignalpulsdauer (TS5pmp) bevorzugt weniger als 50% der Sendesignalperiode (Tp) des Wechselanteils (S5w) des Sendesignals (S5) betragen. Thus the transmission signal pulse duration (T S5pmp ) should preferably be less than 50% of the transmission signal period (T p ) of the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5).
Da in erster Näherung der Wechselanteil der Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB) der Since in a first approximation the alternating component of the intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB) of the
Pumpstrahlungsquelle (PLI) proportional zum Wechselanteil (S5w) des Sendesignals (S5) sein dürfte kann im Sinne dieser Schrift angenommen werden, dass die vorstehenden Bedingungen für den Wechselanteil (S5w) des Sendesignals (S5) auch für den zeitlichen Verlauf der Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB) gelten, wenn bei einer Messung der zeitliche Verlauf des elektrischen Stromes und/oder der elektrischen Spannung des Wechselanteils (S5w) des Sendesignals (S5) den gleichen 10% bzw. 90% bzw. 50% Bedingungen hinsichtlich Pulsdauer, Anstiegszeit und Abfallzeit genügt. Sensorelemente mit einer hohen Dichte an paramagnetischen Zentren Es wurde erfindungsgemäß des Weiteren erkannt, dass im Gegensatz zum Stand der Technik keine Mikrowellenstrahlung zum Betrieb der hier vorgeschlagenen Sensorsysteme notwendig ist, damit die so auf ein hohes Niveau angeregten paramagnetischen Zentren (NV1) auf ein Zwischenniveau abfallen. Vielmehr ist es ausreichend, wenn das Sensorelement, also beispielsweise der Pump radiation source (PLI) should be proportional to the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5), it can be assumed in the context of this document that the above conditions for the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) also apply to the time profile of the intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB) apply if the time course of the electrical current and / or the electrical voltage of the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) has the same 10% or 90% or 50% conditions with regard to pulse duration, Rise time and fall time are sufficient. Sensor elements with a high density of paramagnetic centers According to the invention, it was also recognized that, in contrast to the prior art, no microwave radiation is necessary to operate the sensor systems proposed here, so that the paramagnetic centers (NV1) excited to a high level fall to an intermediate level . Rather, it is sufficient if the sensor element, so for example the
Diamantkristall eines HD-NV-Diamanten, eine ausreichend hohe Dichte an paramagnetischen Zentren (NV1), also beispielsweise NV-Zentren in Diamant, aufweist. Sind die mittleren Abstände zwischen mit Pumpstrahlung (LB) angeregten paramagnetischen Zentren (NV1), also beispielsweise zwischen den NV-Zentren, klein genug, so koppeln diese und verstärken die Abhängigkeit der Intensität (lfl) ihrer Fluoreszenzstrahlung (FL) von der magnetischen Flussdichte B oder anderer die Fluoreszenzstrahlung (FL) beeinflussenden physikalischen Parametern am Ort der paramagnetischen Zentren (NV1). Bevorzugt weist ein beispielhafter Diamantkristall in Form eines HD-NV-Diamanten eine NV-Zentrendichte von mehr als 0,01ppm bezogen auf die Anzahl der Kohlenstoffatome pro Volumeneinheit des Diamantkristalls auf. Natürlich können auch geringere Konzentrationen an paramagnetischen Zentren (NV1), hier beispielhaft an NV-Zentren, wie beispielsweise von mehr als 0,01ppm und/oder von mehr als 103ppm und/oder von mehr als 104ppm und/oder von mehr als 10 5ppm und/oder von mehr als 106ppm bezogen auf die Atome des Substrats (D) im Sensorelement pro Volumeneinheit verwendet werden. Die Intensität (lf|) der Fluoreszenzstrahlung (FL) schwächt sich dann aber mit sinkender Konzentration der NV-Zentren in dem Diamantkristall immer mehr ab, sodass immer höhere Anforderungen an die elektronische Signalnachverarbeitung gestellt werden müssen. Die besagte Dichte an paramagnetischen Zentren (NV1) braucht nicht überall im Diamond crystal of an HD-NV diamond, has a sufficiently high density of paramagnetic centers (NV1), for example NV centers in diamond. If the mean distances between paramagnetic centers (NV1) excited with pump radiation (LB), for example between the NV centers, are small enough, they couple and increase the dependence of the intensity (l fl ) of their fluorescent radiation (FL) on the magnetic flux density B or other physical parameters influencing the fluorescence radiation (FL) at the location of the paramagnetic centers (NV1). An exemplary diamond crystal in the form of an HD-NV diamond preferably has an NV center density of more than 0.01 ppm based on the number of carbon atoms per unit volume of the diamond crystal. Of course, lower concentrations of paramagnetic centers (NV1), here for example NV centers, such as for example of more than 0.01 ppm and / or of more than 10 3 ppm and / or of more than 10 4 ppm and / or of more than 10 5 ppm and / or more than 10 6 ppm based on the atoms of the substrate (D) in the sensor element per volume unit. The intensity (l f | ) of the fluorescence radiation (FL) then weakens more and more as the concentration of the NV centers in the diamond crystal decreases, so that ever higher demands are placed on the electronic signal processing. The aforementioned density of paramagnetic centers (NV1) does not need everywhere in the
Sensorelement, also dem beispielhaften Diamanten, erreicht werden. Es wurde im Zuge der Sensor element, so the exemplary diamond, can be achieved. It was in the wake of the
Erfindung erkannt, dass es vielmehr bevorzugt ausreichend, ja vorteilhaft ist, wenn diese Dichte nur lokal überschritten wird und die Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB) bevorzugt nur dort in diesem Bereich hoher NV-Zentrendichte, als dem Bereich hoher Dichte der paramagnetischen Zentren (NV1), maximiert wird. Bevorzugt werden also mehr als 100, besser noch mehr als 1000, besser mehr als 104, besser mehr als 105, besser mehr als 106, besser mehr als 107 paramagnetische Zentren (NV1) innerhalb eines Sensorelements parallel und bevorzugt untereinander gekoppelt für den Betrieb des Sensorsystems verwendet. Durch die hohe Dichte der paramagnetischen Zentren (NV1) im Substrat (D) innerhalb des Sensorelements also beispielsweise der NV-Zentren eines HD-NV-Diamanten, beeinflussen sich die Spins der Elektronenkonfigurationen der angeregten NV-Zentren, also der paramagnetischen Zentren (NV1), sodass sich kollektive Effekte, ähnlich wie, aber nicht identisch wie in einem Ferromagneten einstellen. Durch spontane Emission nehmen dann immer einige der paramagnetischen Zentren (NV1) spontan nach einer Übergangszeit td aus dem angeregten Zustand kommend einen energetisch niedrigeren Zwischenzustand ein, der im Stand der Technik Invention recognized that it is rather sufficient, even advantageous, if this density is exceeded only locally and the intensity (I pmp ) of the pump radiation (LB) is preferred only there in this area of high NV center density than the area of high density of the paramagnetic Centers (NV1), is maximized. More than 100, better still more than 1000, better more than 10 4 , better more than 10 5 , better than 10 6 , better more than 10 7 paramagnetic centers (NV1) within a sensor element are preferably coupled in parallel and preferably with one another for used to operate the sensor system. Due to the high density of the paramagnetic centers (NV1) in the substrate (D) within the sensor element, e.g. the NV centers of an HD-NV diamond, the spins of the electron configurations of the excited NV centers, i.e. the paramagnetic centers (NV1), influence each other. so that collective effects similar to but not identical to how set in a ferromagnet. As a result of spontaneous emission, some of the paramagnetic centers (NV1) then spontaneously assume an energetically lower intermediate state after a transition time t d , which is the case in the prior art
typischerweise erst durch die Verwendung von Mikrowellenstrahlung erreicht wird. is typically only achieved through the use of microwave radiation.
Es wurde, wie zuvor beschrieben, somit erfindungsgemäß erkannt, dass durch die hohe Dichte an paramagnetischen Zentren (NV1) - bei Verwendung von HD-NV-Diamant durch eine hohe Dichte an NV-Zentren - die Notwendigkeit von Vorrichtungsteilen zur Erzeugung und Einbringung der As described above, it was thus recognized according to the invention that due to the high density of paramagnetic centers (NV1) - when using HD-NV diamond due to a high density of NV centers - the need for device parts for generating and introducing the
Mikrowellenstrahlung überflüssig macht und somit einspart. Nichtsdestotrotz ist die Verwendung von Mikrowellenantennen und Sendern dann sinnvoll, wenn die Fluoreszenzstrahlung (FL) des paramagnetischen Zentrums (NV1) oder der paramagnetischen Zentren oder einer Gruppe oder von Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) zusätzlich moduliert werden soll oder Diamanten mit niedrigerer Dichte paramagnetischer Zentren (NV1) verwendet werden sollen. Durch den Verzicht auf die Mikrowellenstrahlung werden solche Sensorsysteme, wie die hier vorgestellten erst für die Verwendung in biologischen und insbesondere medizinischen Anwendungen brauchbar. Ansonsten kommt es zu einer Strahlenbelastung des umliegenden Gewebes durch die Makes microwave radiation superfluous and thus saves. Nevertheless, the use of microwave antennas and transmitters makes sense if the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers or a group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) is to be additionally modulated or diamonds with a lower density paramagnetic centers (NV1) should be used. By dispensing with microwave radiation, sensor systems such as those presented here can only be used for use in biological and, in particular, medical applications. Otherwise the surrounding tissue will be exposed to radiation
Mikrowellenstrahlung, was die Verwendung von Sensoren mit Mikrowellenabregung der angeregten paramagnetischen Zentren auf ein Zwischenniveau für solche Zwecke massiv einschränkt. Microwave radiation, which massively restricts the use of sensors with microwave de-excitation of the excited paramagnetic centers to an intermediate level for such purposes.
Bevorzugt wird das Sensorelement mit einer Anti-Reflexbeschichtung und/oder Anpassschicht (ASv) für Strahlung der Pumpstrahlungswellenlänge (lrGTΐr) der Pumpstrahlung (LB) der The sensor element with an anti-reflective coating and / or matching layer (ASv) for radiation of the pump radiation wavelength (l rGTΐr ) of the pump radiation (LB) is preferred
Pumpstrahlungsquelle (PLI) versehen. Im Falle eines HD-NV-Diamanten als Sensorelement wird bevorzugt die erste Oberfläche (OFL1) des Diamanten, die mit der Pumpstrahlung (LB) bestrahlt wird, mit einer Anti-Reflex-Beschichtung oder einer Anpassschicht (ASv) und/oder einer Pump radiation source (PLI) provided. In the case of an HD-NV diamond as the sensor element, the first surface (OFL1) of the diamond that is irradiated with the pump radiation (LB) is preferably provided with an anti-reflective coating or an adaptation layer (ASv) and / or a
funktionsäquivalenten Mikrostrukturierung und/oder Beschichtung gleicher Wirkung versehen. functionally equivalent microstructuring and / or coating with the same effect.
Die Form des Sensorelements kann somit mehr oder weniger frei gewählt werden. Ebenfalls sind große Sensorelementflächen möglich. The shape of the sensor element can thus be selected more or less freely. Large sensor element areas are also possible.
Basisstruktur eines Sensorsystems auf Basis von HD-NV-Diamanten Basic structure of a sensor system based on HD-NV diamonds
Kern des vorgeschlagenen Sensorsystems ist ein Sensorelement mit einer zumindest lokal hohen Dichte an paramagnetischen Zentren (NV1), beispielsweise ein HD-NV-Diamant. Dieses The core of the proposed sensor system is a sensor element with an at least locally high density of paramagnetic centers (NV1), for example an HD-NV diamond. This
Sensorelement unterscheidet u.a. die hier vorgelegten Vorschläge wesentlich vom Stand der Technik. In einem vorgeschlagenen Sensorsystem ist eine Pumpstrahlungsquelle (PLI) dazu vorgesehen und geeignet, eine Pumpstrahlung (LB) zu emittieren, die das gewählte paramagnetische Zentrum (NV1) zur Abgabe einer Fluoreszenzstrahlung (FL) anregen kann. Im Falle von NV-Zentren in Diamant oder in Diamanten ist eine Laser-Diode der Fa. Osram vom Typ PLT5 520B beispielsweise als Sensor element distinguishes, among other things, the proposals presented here significantly from the prior art. A pump radiation source (PLI) is provided for this in a proposed sensor system suitable to emit pump radiation (LB) that can excite the selected paramagnetic center (NV1) to emit fluorescent radiation (FL). In the case of NV centers in diamond or in diamonds, a laser diode from Osram of the PLT5 520B type, for example, is available as
Pumpstrahlungsquelle (PLI) mit 520nm Pumpstrahlungswellenlänge ( lrigir) geeignet. Die Pump radiation source (PLI) with 520nm pump radiation wavelength (l rigir ) suitable. The
Pumpstrahlung (LB) der Pumpstrahlungsquelle (PLI) sollte bei der Verwendung von NV-Zentren eine Pumpstrahlungswellenlänge in einem Wellenlängenbereich von 400 nm bis 700 nm Wellenlänge und/oder besser 450 nm bis 650 nm und/oder besser 500 nm bis 550 nm und/oder besser 515 nm bis 540 nm aufweisen. Pumpstrahlung dieser Funktion wird hier als "grüne" Pumpstrahlung (LB) bezeichnet. Bevorzugt ist bei der Verwendung von NV-Zentren eindeutig eine Wellenlänge von 532 nm als Pumpstrahlungswellenlänge (lrGTΐr) der Pumpstrahlung (LB). 520nm wurden auch erfolgreich verwendet. Die Pumpstrahlungsquelle (PLI) ist aus Kostengründen bevorzugt eine lichtemittierende Diode oder ein Laser, die im Folgenden auch gemeinschaftlich vereinfachend als LED bezeichnet werden. Es ist denkbar, andere Leuchtmittel, z.B. organische lichtemittierende Dioden (OLEDs) oder elektrolumineszierende Vorrichtungen, als Pumpstrahlungsquellen (PLI) einzusetzen. Der Einsatz von LEDs als Pumpstrahlungsquellen (PLI) ist derzeit aber eindeutig vorteilhafter. When using NV centers, pump radiation (LB) from the pump radiation source (PLI) should have a pump radiation wavelength in a wavelength range from 400 nm to 700 nm and / or better 450 nm to 650 nm and / or better 500 nm to 550 nm and / or better to have 515 nm to 540 nm. Pump radiation of this function is referred to here as "green" pump radiation (LB). When using NV centers, a wavelength of 532 nm is clearly preferred as the pump radiation wavelength (l rGTΐr ) of the pump radiation (LB). 520nm were also used successfully. For reasons of cost, the pump radiation source (PLI) is preferably a light-emitting diode or a laser, which in the following are also referred to collectively for simplicity as an LED. It is conceivable to use other lighting means, for example organic light-emitting diodes (OLEDs) or electroluminescent devices, as pump radiation sources (PLI). The use of LEDs as pump radiation sources (PLI) is currently clearly more advantageous.
Das paramagnetische Zentrum (NV1) im Material des Sensorelements emittiert bei der Bestrahlung mit dieser, im Falle von NV-Zentren als paramagnetischen Zentren (NV1) typischerweise grünen, Pumpstrahlung (LB) die besagte Fluoreszenzstrahlung (FL). Die Fluoreszenzstrahlung (FL) ist im Falle der Verwendung von NV-Zentren als paramagnetischen Zentren (NV1) typischerweise rot. The paramagnetic center (NV1) in the material of the sensor element emits the said fluorescence radiation (FL) when irradiated with this, in the case of NV centers as paramagnetic centers (NV1) typically green, pump radiation (LB). The fluorescence radiation (FL) is typically red when NV centers are used as paramagnetic centers (NV1).
Typischerweise strahlt das NV-Zentrum im negativ geladenen Zustand NV mit einer Typically, the NV center radiates in the negatively charged state NV with a
Fluoreszenzstrahlung (FL) mit einer Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (lh) von 637nm. Im nicht negativ geladenen Zustand fluoreszieren die NV-Zentren nicht. Die Lage des Fermi-Niveaus am Ort des betreffenden paramagnetischen Zentrums (NV1) hier eines NV-Zentrums, bestimmt den bevorzugten Ladezustand des paramagnetischen Zentrums, hier des NV-Zentrums. Durch Einbettung des paramagnetischen Zentrums (NV1) in ein elektrisches Feld, das beispielsweise von einer Leitung (LH) erzeugt wird, kann der bevorzugte Ladungszustand des paramagnetischen Zentrums, also beispielsweise eines NV-Zentrums, vorbestimmt werden. Somit ist es möglich, die Intensität (lfl) der Fluoreszenzstrahlung (FL) eines paramagnetischen Zentrums, beispielsweise eines NV-Zentrums, dadurch zu modulieren, dass das paramagnetische Zentrum (NV1) gezielt in einen fluoreszierenden Zustand, beispielsweise den N_Zustand gebracht wird bzw. in einen anderen, nicht fluoreszierenden Zustand gebracht wird. In einem fluoreszierenden Zustand sendet das betreffende paramagnetische Zentrum (NV1) bei Bestrahlung mit Pumpstrahlung (LB) der Pumpstrahlungswellenlänge ( lrGTΐr) Fluoreszenzstrahlung der Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (l^) aus. In einem nicht fluoreszierenden Zustand sendet das betreffende paramagnetische Zentrum (NV1) bei Bestrahlung mit Pumpstrahlung (LB) der Pumpstrahlungswellenlänge (lrGTΐr) KEINE Fluoreszenzstrahlung der Fluorescence radiation (FL) with a fluorescence radiation wavelength (lh) of 637nm. In the non-negatively charged state, the NV centers do not fluoresce. The position of the Fermi level at the location of the relevant paramagnetic center (NV1), here an NV center, determines the preferred state of charge of the paramagnetic center, here the NV center. By embedding the paramagnetic center (NV1) in an electric field that is generated, for example, by a line (LH), the preferred charge state of the paramagnetic center, for example an NV center, can be predetermined. It is thus possible to modulate the intensity (l fl ) of the fluorescence radiation (FL) of a paramagnetic center, for example an NV center, in that the paramagnetic center (NV1) is brought into a fluorescent state, for example the N_ state or is brought into another, non-fluorescent state. In a fluorescent state, the paramagnetic one in question emits Center (NV1) when irradiated with pump radiation (LB) of the pump radiation wavelength (l rGTΐr ) fluorescent radiation of the fluorescent radiation wavelength (l ^). In a non-fluorescent state, the paramagnetic center (NV1) in question emits NO fluorescent radiation when irradiated with pump radiation (LB) of the pump radiation wavelength (l rGTΐr )
Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (l^) aus. Fluorescence radiation wavelength (l ^).
Diese Fluoreszenzstrahlung (FL) des oder der paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der Gruppe der der Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) wird von dem Strahlungsempfänger (PD) erfasst. Der Strahlungsempfänger (PD) ist beispielsweise eine Fotodiode, die bevorzugt außerdem für Strahlung mit einer später erläuterten Kompensationsstrahlungswellenlänge (l^) einer ebenfalls später erläuterten Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) oder bevorzugt außerdem für die später erläuterte Kompensationsfluoreszenzwellenlänge (lM!) der ebenfalls später erläuterten This fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic center or centers (NV1) or of the group of the groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) is detected by the radiation receiver (PD). The radiation receiver (PD) is, for example, a photodiode, which is also preferably used for radiation with a compensation radiation wavelength (l ^), which is explained later, from a compensation radiation source (PLK), which is also explained later, or is also preferably for the compensation fluorescence wavelength (1 M! ) Explained later, which is also explained later
Kompensationsfluoreszenzstrahlung (KFL) eines oder mehrerer paramagnetischer Referenzzentren (NV1) bzw. einer ebenfalls später erläuterten Gruppe oder ebenfalls später erläuterten Gruppen (NVC) paramagnetischer Referenzzentren (NV2) empfindlich. Compensation fluorescence radiation (KFL) of one or more paramagnetic reference centers (NV1) or a group or groups (NVC) of paramagnetic reference centers (NV2) also explained later (NVC).
Der Strahlungsempfänger (PD), also beispielsweise die besagte Fotodiode, ist für Strahlung der Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (lh) der Fluoreszenzstrahlung (FL) empfindlich. Als Fotodiode, als Strahlungsempfänger (PD), wurde bei der Ausarbeitung der Erfindung beispielsweise eine PIN Fotodiode des Typs BPW 34 FA der Fa. Osram benutzt. Im Falle der Verwendung von NV-Zentren ist somit der Strahlungsempfänger (PD) bevorzugt für Strahlung mit einer The radiation receiver (PD), for example the said photodiode, is sensitive to radiation of the fluorescence radiation wavelength (1h) of the fluorescence radiation (FL). When working out the invention, a PIN photodiode of the type BPW 34 FA from Osram was used as a photodiode, as a radiation receiver (PD). In the case of using NV centers, the radiation receiver (PD) is therefore preferred for radiation with a
Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (lh) von 637nm empfindlich. Beispielsweise durch ein Fluorescence radiation wavelength (lh) of 637nm sensitive. For example through a
vorgeschaltetes optisches Filter (Fl) ist bevorzugt die Kombination aus optischem Filter (Fl) und Strahlungsempfänger (PD) nicht empfindlich für Strahlung mit der Pumpstrahlungswellenlänge upstream optical filter (F1) is preferably the combination of optical filter (F1) and radiation receiver (PD) not sensitive to radiation with the pump radiation wavelength
(lr,,,r), die z.B. vom Sensorelement transmittiert oder reflektiert wird. Im Falle von NV-Zentren in Diamant als paramagnetischen Zentren (NV1) wäre das beispielsweise optimal eine (lr ,,, r), which is e.g. transmitted or reflected by the sensor element. In the case of NV centers in diamond as paramagnetic centers (NV1), for example, this would be optimally one
Pumpstrahlungswellenlänge (lrigir) von 532 nm für die der Strahlungsempfänger (PD) in Kombination mit dem ersten Filter (Fl) dann nicht empfindlich wäre. Pump radiation wavelength (l rigir ) of 532 nm to which the radiation receiver (PD) in combination with the first filter (F1) would then not be sensitive.
Die Pumpstrahlungsquelle (PLI) erzeugt die Pumpstrahlung (LB) in Abhängigkeit vom aktuellen Wert eines Sendesignals (S5). Das Sensorsystem ist dabei bevorzugt so gestaltet, dass die Pumpstrahlung (LB) zumindest teilweise auf das oder die paramagnetischen Zentren (NV1) fällt. Wie oben beschrieben, können hierzu optische Funktionselemente wie beispielsweise Lichtwellenleiter, Reflektoren, Linsen, Prismen, Freiluftstrecken, Vakuumstrecken, Blenden, Spiegel, Strahlteile, Gitter etc. benutzt werden, die die Pumpstrahlungsquelle (PLI) mit dem oder den paramagnetischen Zentren (NV1) des Sensorelements optisch koppeln. In gleicher Weise wird das Sensorsystem bevorzugt so gestaltet, dass die Fluoreszenzstrahlung (FL) zumindest teilweise den The pump radiation source (PLI) generates the pump radiation (LB) depending on the current value of a transmission signal (S5). The sensor system is preferably designed such that the pump radiation (LB) at least partially falls on the paramagnetic center or centers (NV1). As described above, optical functional elements such as optical waveguides, Reflectors, lenses, prisms, open-air sections, vacuum sections, diaphragms, mirrors, beam parts, grids, etc. are used, which optically couple the pump radiation source (PLI) with the paramagnetic center or centers (NV1) of the sensor element. In the same way, the sensor system is preferably designed so that the fluorescence radiation (FL) at least partially the
Strahlungsempfänger (PD) bestrahlt. Auch dies kann mittels der besagten, in dieser Schrift genannten, optischen Funktionselemente sichergestellt werden, die das oder die paramagnetischen Zentren (NV1) des Sensorelements mit dem Strahlungsempfänger (PD) optisch koppeln. Radiation receiver (PD) irradiated. This can also be ensured by means of the said optical functional elements mentioned in this document, which optically couple the paramagnetic center or centers (NV1) of the sensor element with the radiation receiver (PD).
Der Strahlungsempfänger (PD) erzeugt in Abhängigkeit von dem Intensitätswert der Intensität der gesamten Bestrahlung und somit u.a. auch in Abhängigkeit von dem Intensitätswert der Intensität (lf|) der auf ihn einfallenden Fluoreszenzstrahlung (FL) ein Empfängerausgangssignal (SO), dessen Momentanwert (sO) von dem Momentanwert der Intensität der gesamten einfallenden Strahlung und damit von dem Momentanwert der Intensität (lf|) der Fluoreszenzstrahlung (FL) abhängt. Ein Auswerteschaltkreis wandelt die Folge von Momentanwerten (sO) des Empfängerausgangssignals (SO) in einen Messwert für die Amplitude und/oder Intensität (lf|) der Fluoreszenzstrahlung (FL) um. Dieser Messwert wird als Momentanwert (s4) des Sensorausgangssignals (out) ausgegeben oder für die Nutzung bereitgestellt. Da die Intensität (lfl) der Fluoreszenzstrahlung (FL) der paramagnetischen Zentren (NV1) von physikalischen Parametern wie beispielsweise der magnetischen Flussdichte B am Ort dieser paramagnetischen Zentren (NV1) abhängt, kann somit beispielsweise ein einfaches räumlich und/oder zeitlich hoch auflösendes Magnetometer als Beispiel eines Sensorsystems zur Erfassung eines physikalischen Parameters mittels eines paramagnetischen Zentrums (NV1) aufgebaut werden, dessen Sensorelement wenig rauscht und das eine hohe Empfindlichkeit besitz. Weitere physikalische Parameter neben der magnetischen Flussdichte B, die ggf. mittels der The radiation receiver (PD) generates a receiver output signal (SO), the instantaneous value of which (sO), as a function of the intensity value of the intensity of the entire irradiation and thus also as a function of the intensity value of the intensity (l f | ) of the fluorescent radiation (FL) incident on it ) depends on the instantaneous value of the intensity of the total incident radiation and thus on the instantaneous value of the intensity (l f | ) of the fluorescent radiation (FL). An evaluation circuit converts the sequence of instantaneous values (sO) of the receiver output signal (SO) into a measured value for the amplitude and / or intensity (l f | ) of the fluorescent radiation (FL). This measured value is output as an instantaneous value (s4) of the sensor output signal (out) or made available for use. Since the intensity (l fl ) of the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic centers (NV1) depends on physical parameters such as the magnetic flux density B at the location of these paramagnetic centers (NV1), a simple spatially and / or temporally high-resolution magnetometer, for example be built as an example of a sensor system for detecting a physical parameter by means of a paramagnetic center (NV1), the sensor element of which has little noise and which has a high sensitivity. Further physical parameters in addition to the magnetic flux density B, which may be determined by means of the
Intensität (lfl) der Fluoreszenzstrahlung (FL) des paramagnetischen Zentrums (NV1) auf diese Weise gemessen werden könnten, wären beispielsweise elektrische Flussdichte D, Beschleunigung a, Gravitationsfeldstärke g, Druck P, Temperatur q, Rotationsgeschwindigkeit co, Schwingfrequenz mechanischer Teile (Balken), Position, Intensität ionisierender Strahlung etc. Intensity (l fl ) of the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic center (NV1) could be measured in this way, would be, for example, electrical flux density D, acceleration a, gravitational field strength g, pressure P, temperature q, speed of rotation co, vibration frequency of mechanical parts (bars) Position, intensity of ionizing radiation etc.
Im Folgenden werden konkretere Beispiele für die Realisierung eines solchen Sensorsystems angegeben. Bevorzugt verwendet ein solches Sensorsystem einen oder mehrere HD-NV-Diamanten mit einer hohen Dichte an NV-Zentren, wie sie oben beschrieben wurden. Das Sensorsystem kann beispielsweise einen einzelnen, einkristallinen Diamanten mit einer hohen Dichte von NV-Zentren verwenden oder ein Pulver oder ein Granulat aus Nanodiamanten oder Diamanten mit NV-Zentren in einem transparenten Material verwenden, wobei diese Ausprägungen Extremfälle einer breiten Palette von Ausführungsmöglichkeiten zwischen diesen Extremen darstellen. Wir verweisen hier auf die noch unveröffentlichte internationale Patentanmeldung PCT DE 2020 100430. Auch können die NV-Zentren als einzelne, isolierte NV-Zentren verwendet werden oder in so hoher Dichte verwendet werden, dass zwei oder bevorzugt mehr NV-Zentren miteinander koppeln und kollektive Effekte möglich werden. Die Verwendung von HD-NV-Diamanten hoher NV-Zentrumsdichte ist hier bevorzugt. Alternativ kann ein solches Sensorsystem einen oder mehrere Kristalle aus anderem Material mit einer hohen Dichte an geeigneten alternativen paramagnetischen Zentren aufweisen. Das Sensorsystem kann beispielsweise einen einzelnen, einkristallinen Kristall mit einer hohen Dichte an paramagnetischen Zentren (NV1) verwenden oder ein Granulat oder ein Pulver beispielsweise aus Nanokristallen oder Kristallen mit einer hohen Dichte an paramagnetischen Zentren (NV1) in einem transparenten Material verwenden, wobei diese Ausprägungen wieder die beiden Extremfälle der besagten breiten Palette von Ausführungsmöglichkeiten darstellen. More specific examples for the implementation of such a sensor system are given below. Such a sensor system preferably uses one or more HD-NV diamonds with a high density of NV centers, as described above. The sensor system can, for example, use a single, monocrystalline diamond with a high density of NV centers or a powder or granules of nanodiamonds or diamonds with NV centers use a transparent material, whereby these characteristics represent extreme cases of a wide range of possible designs between these extremes. We refer here to the as yet unpublished international patent application PCT DE 2020 100430. The NV centers can also be used as individual, isolated NV centers or used in such a high density that two or preferably more NV centers couple with one another and create collective effects become possible. The use of high NV center density HD NV diamonds is preferred here. Alternatively, such a sensor system can have one or more crystals of a different material with a high density of suitable alternative paramagnetic centers. The sensor system can, for example, use a single, monocrystalline crystal with a high density of paramagnetic centers (NV1) or a granulate or a powder, for example made of nanocrystals or crystals with a high density of paramagnetic centers (NV1) in a transparent material, with these characteristics again represent the two extreme cases of the said wide range of implementation possibilities.
Als alternatives Verfahren wird neben dem Pumpen des paramagnetischen Zentrums oder der paramagnetischen Zentren (NV1) mit Pumpstrahlung (LB) einer Pumpstrahlungsquelle (PLI) ein Sensorelement und/oder ein lokaler Teil des Sensorelements mit dem bzw. den paramagnetischen Zentren (NV1) gleichzeitig mit Mikrowellen bestrahlt, um so den Spin-Übergang selektiv zu treiben.As an alternative method, in addition to pumping the paramagnetic center or the paramagnetic centers (NV1) with pump radiation (LB) from a pump radiation source (PLI), a sensor element and / or a local part of the sensor element with the paramagnetic center or centers (NV1) simultaneously with microwaves irradiated so as to drive the spin transition selectively.
Es ist denkbar bei mehreren paramagnetischen Zentren (NV1) innerhalb des Sensorelements ein einzelnes paramagnetisches Zentrum (NV1) oder nur eine erste Teilmenge der parametrischen Zentren (NV1) mit der Pumpstrahlung (LB) zu bestrahlen und mindestens ein paramagnetisches Zentrum (NV1) der paramagnetischen Zentren des Sensorelements oder eine zweite Teilmenge der paramagnetischen Zentren (NV1) des Sensorelements nicht mit Pumpstrahlung (LB) zu bestrahlen. Hierdurch stammt die Fluoreszenzstrahlung (FL) dann nur von den mit Pumpstrahlung (LB) bestrahlten paramagnetischen Zentren (NV1). Da die Bereiche des Sensorelements, die mit If there are several paramagnetic centers (NV1) within the sensor element, it is conceivable to irradiate a single paramagnetic center (NV1) or only a first subset of the parametric centers (NV1) with the pump radiation (LB) and at least one paramagnetic center (NV1) of the paramagnetic centers of the sensor element or a second subset of the paramagnetic centers (NV1) of the sensor element not to be irradiated with pump radiation (LB). As a result, the fluorescence radiation (FL) then only comes from the paramagnetic centers (NV1) irradiated with pump radiation (LB). Since the areas of the sensor element with
Pumpstrahlung (LB) bestrahlt werden, und die Bereiche des Sensorelements, die nicht mit Pump radiation (LB) are irradiated, and the areas of the sensor element that are not with
Pumpstrahlung (LB) bestrahlt werden, bekannt sind, wird somit eine Ortsauflösung der Bestimmung des Werts der physikalischen Parameter erreicht, deren Wert bestimmt werden soll. Die Frequenz der überlagerten Mikrowellenstrahlung und die Stärke der zu messenden magnetischen Flussdichte B können hierdurch lokal aufgelöst korreliert werden. Dies kann in dieser Weise auch für die Ermittlung von Messwerten anderer, das paramagnetische Zentrum (NV1) bzw. die paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. die Gruppe oder Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) beeinflussender, physikalischer Größen wie beispielsweise Druck P, Temperatur q, Beschleunigung a, Gravitationsfeldstärke g, Rotationsgeschwindigkeit o und Intensität der Bestrahlung mit Pump radiation (LB) are irradiated, are known, thus a spatial resolution of the determination of the value of the physical parameters is achieved, the value of which is to be determined. The frequency of the superimposed microwave radiation and the strength of the magnetic flux density B to be measured can thus be correlated locally resolved. In this way, this can also be used to determine the measured values of other physical quantities influencing the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1), such as pressure P, Temperature q, acceleration a, Gravitational field strength g, rotation speed o and intensity of the irradiation with
ionisierender Strahlung und deren zeitlichen Integrale und Ableitungen in gleicher Weise erfolgen.ionizing radiation and their time integrals and derivatives take place in the same way.
Als Messgröße für die magnetische Flussdichte B und/oder die der elektrischen Flussdichte D und oder anderer das paramagnetische Zentrum (NV1) bzw. die paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. die Gruppe oder Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) beeinflussender physikalischer Größen wie beispielsweise Druck P, Temperatur ü, Beschleunigung a, Gravitationsfeldstärke g, Rotationsgeschwindigkeit o und Intensität der Bestrahlung mit ionisierender Strahlung und deren zeitlichen Integrale und Ableitungen dienen wiederum bevorzugt die Änderungen der Intensität (lfl) der Fluoreszenzstrahlung (FL) des paramagnetischen Zentrums (NV1) bzw. der paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der Gruppe oder Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) oder die Menge der erzeugten und abgesaugten Fotoelektronen des paramagnetischen Zentrums (NV1) bzw. der paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der Gruppe oder Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) oder beides. Auch wenn in dieser Schrift in der Regel die Intensität (lfl) der As a measured variable for the magnetic flux density B and / or that of the electrical flux density D and / or other physical quantities influencing the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) such as For example, pressure P, temperature ü, acceleration a, gravitational field strength g, rotation speed o and intensity of the irradiation with ionizing radiation and their time integrals and derivatives, in turn, the changes in the intensity (l fl ) of the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic center (NV1) are preferably used. or the paramagnetic centers (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) or the amount of generated and extracted photoelectrons of the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) or the group or groups (NVC) paramagnetic centers (NV1) or both. Even if the intensity (l fl ) of the
Fluoreszenzstrahlung (FL) als Basis des Messwerts herangezogen wird, so ist grundsätzlich eine Absaugung und Erfassung der Fotoelektronen in Form eines Fotostromes der Fotoelektronen des paramagnetischen Zentrums (NV!) bzw. der paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der Gruppe oder Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) und die Verwendung der Meine dieser Fluorescence radiation (FL) is used as the basis of the measured value, suction and capture of the photoelectrons in the form of a photo current of the photoelectrons of the paramagnetic center (NV!) Or the paramagnetic centers (NV1) or the group or groups (NVC) paramagnetic centers (NV1) and the use of mine these
Fotoelektronen als Basis der Messwertbestimmung direkt aus dem Sensorelement stets mit von der Beschreibung und Beanspruchung mitumfasst. Photoelectrons as the basis for determining measured values directly from the sensor element are always included in the description and stress.
Gehäuse für das Sensorsystem Housing for the sensor system
Die Leistungsfähigkeit eines quantenmechanischen Sensorsystems kann durch ein ungünstiges Gehäuse massiv eingeschränkt werden. Insbesondere kann beispielsweise ein Gehäuse mit ferromagnetischen Teilkomponenten Verzerrungen oder Abschirmungen magnetischer Felder hervorrufen und so die Brauchbarkeit des Sensorsystems einschränken. Auch kann ein ungünstiges Gehäuse die Produktionskosten einer solchen Sensorvorrichtung entscheidend erhöhen. The performance of a quantum mechanical sensor system can be severely restricted by an unfavorable housing. In particular, for example, a housing with ferromagnetic subcomponents can cause distortions or shielding of magnetic fields and thus limit the usability of the sensor system. An unfavorable housing can also significantly increase the production costs of such a sensor device.
Der Vorschlag umfasst daher des Weiteren ein besonders geeignetes Gehäuse für die kostengünstige Produktion von Sensorsystemen mit einem paramagnetischen Zentrum (NV1) im Material eines Sensorelements und/oder im Material eines quantentechnologischen Vorrichtungselements, das Teil des Sensorsystems und/oder quantentechnologischen Systems ist. Das vorgeschlagene, bereits zum Sensorsystem verarbeitete Gehäuse weist nach dem Öffnen des Gehäuses typischerweise ein solches Sensorsystem mit einem paramagnetischen Zentrum (NV1) auf. Bevorzugt handelt es sich um ein Sensorsystem, wie es oben beschrieben wurde, mit einem oder mehreren HD-NV-Diamanten mit einer hohen Dichte an NV-Zentren, wie er oben beschrieben wurde, als Sensorelement. The proposal therefore also includes a particularly suitable housing for the cost-effective production of sensor systems with a paramagnetic center (NV1) in the material of a sensor element and / or in the material of a quantum technological device element that is part of the sensor system and / or quantum technological system. The proposed housing, which has already been processed into a sensor system, typically has such a sensor system with a paramagnetic center (NV1) after the housing has been opened. It is preferably a Sensor system as described above with one or more HD-NV diamonds with a high density of NV centers, as described above, as sensor element.
Das vorgeschlagene Gehäuse kann des Weiteren erste Mittel als erste optische Funktionselemente, beispielsweise einen Reflektor (RE), umfassen, die die Pumpstrahlung (LB) der Pumpstrahlungsquelle (PLI) auf das paramagnetische Zentrum (NV1) lenken und so die Pumpstrahlungsquelle (PLI), beispielsweise eine LED, mit dem paramagnetischen Zentrum (NV1) optisch koppeln. Wie bereits erläutert, können für die optische Kopplung erste optische Funktionselemente wie beispielsweise Lichtwellenleiter, Reflektoren, Linsen, Prismen, Freiluftstrecken, Vakuumstrecken, Blenden, Spiegel, Strahlteile, Gitter etc. benutzt werden, die zum Teil auch als Gehäuseteile hergestellt werden können. Bevorzugt ist die Benutzung des Gehäusedeckels (DE) für diesen Zweck. The proposed housing can furthermore comprise first means as first optical functional elements, for example a reflector (RE), which direct the pump radiation (LB) of the pump radiation source (PLI) onto the paramagnetic center (NV1) and thus the pump radiation source (PLI), for example optically couple an LED with the paramagnetic center (NV1). As already explained, first optical functional elements such as optical waveguides, reflectors, lenses, prisms, open air sections, vacuum sections, diaphragms, mirrors, beam parts, grids, etc. can be used for the optical coupling, some of which can also be manufactured as housing parts. The use of the housing cover (DE) for this purpose is preferred.
Das vorgeschlagene Gehäuse kann des Weiteren zweite Mittel als zweite optische The proposed housing can furthermore have second means as second optical means
Funktionselemente, beispielsweise einen Reflektor (RE), umfassen, die die Fluoreszenzstrahlung (FL) des oder der paramagnetischen Zentren (NV1) auf den Strahlungsempfänger (PD) lenken und so den Strahlungsempfänger (PD), beispielsweise eine Fotodiode, mit dem oder den paramagnetischen Zentren (NV1) koppeln. Wie bereits erläutert, können für die optische Kopplung zweite optische Funktionselemente wie beispielsweise Lichtwellenleiter, Reflektoren, Linsen, Prismen, Functional elements, for example a reflector (RE), which direct the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic center or centers (NV1) onto the radiation receiver (PD) and thus the radiation receiver (PD), for example a photodiode, with the paramagnetic center or centers (NV1) couple. As already explained, second optical functional elements such as optical waveguides, reflectors, lenses, prisms,
Freiluftstrecken, Vakuumstrecken, Blenden, Spiegel, Strahlteile, Gitter etc. benutzt werden, die zum Teil auch als Gehäuseteile hergestellt werden können. Bevorzugt ist die Benutzung des Open-air sections, vacuum sections, diaphragms, mirrors, beam parts, grids, etc. can be used, some of which can also be manufactured as housing parts. The use of the
Gehäusedeckels (DE) auch für diesen Zweck. Housing cover (DE) also for this purpose.
Bevorzugt befindet sich in diesem Strahlengang zwischen dem oder den parametrischen Zentren (NV1) und dem Strahlungsempfänger (PD) ein optischer Filter (Fl), der die Fluoreszenzstrahlung (FL) in Bezug auf den Anwendungsfall nicht oder nur unwesentlich dämpft und somit transmittiert und der die Pumpstrahlung (LB) in Bezug auf den Anwendungsfall ausreichend dämpft und somit absorbiert oder reflektiert und eben nicht transmittiert. Dadurch kann nur die Strahlung, die Fluoreszenzstrahlung (FL), mit Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (lh) zum Strahlungsempfänger (PD) gelangen und Strahlung mit Pumpstrahlungswellenlänge (lrGhr), die Pumpstrahlung (LB), kann nicht zum Strahlungsempfänger (PD) gelangen. In this beam path between the parametric center or centers (NV1) and the radiation receiver (PD) there is preferably an optical filter (Fl) that does not attenuate the fluorescence radiation (FL) or only slightly attenuates it in relation to the application and thus transmits the Pump radiation (LB) attenuates sufficiently in relation to the application and thus absorbed or reflected and not transmitted. As a result, only the radiation, the fluorescence radiation (FL), with fluorescence radiation wavelength (lh) can reach the radiation receiver (PD) and radiation with pump radiation wavelength (l rGhr ), the pump radiation (LB), cannot reach the radiation receiver (PD).
Bevorzugt aber nicht notwendiger Weise sind diese unmittelbar zuvor erwähnten ersten Mittel und/oder zweiten Mittel Teil des Gehäuses selbst. Beispielsweise kann die Innenseite eines Deckels (DE) des Gehäuses beispielsweise durch Politur und/oder ein- oder mehrlagige ggf. auch strukturierte Beschichtung als spiegelnder Reflektor (RE) zur Lenkung der Pumpstrahlung (LB) und/oder der Fluoreszenzstrahlung (FL) ausgebildet sein. Besser ist eine Verspiegelung von Oberflächen des Gehäuses, insbesondere von Teilen des Gehäusedeckels (DE). Besonders günstig und bevorzugt ist eine zusätzliche fokussierende Wölbung der Innenseite des Deckels (DE). Preferably, but not necessarily, these immediately previously mentioned first means and / or second means are part of the housing itself. For example, the inside of a cover (DE) of the housing can optionally also be structured by polishing and / or one or more layers Coating can be designed as a specular reflector (RE) for directing the pump radiation (LB) and / or the fluorescent radiation (FL). A mirror coating of surfaces of the housing, in particular parts of the housing cover (DE), is better. An additional focusing curvature of the inside of the cover (DE) is particularly favorable and preferred.
Ein exemplarisches Beispiel eines solchen Sensorsystem ist beispielsweise in der deutschen An exemplary example of such a sensor system is for example in the German
Patentanmeldung DE 10 2018 127 394 Al beschrieben, deren Veröffentlichungstag nach den beanspruchten Tagen der Prioritäten dieser Anmeldeschrift liegt. Das Sensorsystem kann aber ausdrücklich auch anders, als in der deutschen Patentanmeldung DE 10 2018 127 394 Al Patent application DE 10 2018 127 394 A1, the publication date of which is after the claimed days of the priorities of this application. The sensor system can, however, also expressly differ from the German patent application DE 10 2018 127 394 A1
beschrieben, ausgeführt sein. Das vorgeschlagene Gehäuse ist daher ganz allgemein ein described, be executed. The proposed housing is therefore very general
vorgeschlagenes, kostengünstiges Gehäuse für Sensorsysteme, die ein paramagnetisches Zentrum (NV1) als Funktionselement umfassen, ohne dass die konkrete Messaufgabe hier bezüglich des Gehäuses eine Rolle spielt. Wichtig ist, dass der zu erfassende physikalische Parameter das paramagnetische Zentrum (NV) bzw. die paramagnetischen Zentren bzw. die Gruppe oder die Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) innerhalb des Gehäuses erreichen kann. Bei der Auswahl der Materialien des Gehäuses und dessen Konstruktion ist dies zu berücksichtigen. Soll beispielsweise eine magnetische Flussdichte B erfasst werden, so ist es sinnvoll, das Gehäuse bevorzugt aus nicht magnetischen Materialien zu fertigen, um zum Ersten die zu erfassende physikalische Größe nicht zu verzerren oder zu modifizieren und zum Zweiten keine abschirmende Wirkung hervorzurufen. Das Gleiche gilt für andere verwendete Materialien, wie beispielsweise Befestigungsmittel und -materialien. Proposed, cost-effective housing for sensor systems that include a paramagnetic center (NV1) as a functional element, without the specific measurement task playing a role here with regard to the housing. It is important that the physical parameter to be recorded can reach the paramagnetic center (NV) or the paramagnetic centers or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) within the housing. This must be taken into account when choosing the materials for the housing and its construction. If, for example, a magnetic flux density B is to be recorded, it makes sense to manufacture the housing preferably from non-magnetic materials in order firstly not to distort or modify the physical variable to be recorded and secondly not to cause a shielding effect. The same applies to other materials used, such as fasteners and materials.
Bevorzugt werden alle Teilvorrichtungen des Gehäuses und des Sensorsystems nicht ferromagnetisch ausgeführt, um die Beeinflussung des paramagnetischen Zentrums (NV1) zu minimieren. Unter "nicht ferromagnetisch" wird hier eine Permeabilitätszahl kleiner als 100 verstanden. Bevorzugt sind alle Komponenten des Gehäuses und des Sensorsystems und/oder des quantentechnologischen Systems diamagnetisch, worunter in dieser Schrift eine Permeabilitätszahl der Materialien mit pr < 1 (typisch wären 1 - 7*10 s...l- 2*104) verstanden wird, und/oder paramagnetisch, worunter hier eine Permeabilitätszahl der Materialien mit pr > 1 (typisch wären 1 + 1*108...1+ 4*104) verstanden wird. Im Sinne dieser Offenbarung gelten aber auch Stoffe mit einer Permeabilitätszahl pr < 100 als nicht ferromagnetisch. Somit sind paramagnetische und diamagnetische Stoffe im Sinne dieser Offenlegung nicht ferromagnetisch. Ganz besonders bevorzugt werden alle Lead-Frame-Flächen (LF1 bis LF6) des Gehäuses nicht ferromagnetisch ausgeführt. In dem Gehäuse, das das paramagnetische Zentrum (NV1) im Material eines Sensorelements aufnimmt, sind daher bevorzugt alle Teilvorrichtungen des Sensorsystems nicht ferromagnetisch. All sub-devices of the housing and of the sensor system are preferably made non-ferromagnetic in order to minimize the influence on the paramagnetic center (NV1). “Non-ferromagnetic” is understood here to mean a permeability number less than 100. All components of the housing and of the sensor system and / or of the quantum technological system are preferably diamagnetic, which in this document refers to a permeability number of the materials with p r <1 (typically 1-7 * 10 s ... 1-2 * 10 4 ) is, and / or paramagnetic, which is understood here as a permeability number of the materials with p r > 1 (typically 1 + 1 * 10 8 ... 1+ 4 * 10 4 ). In the context of this disclosure, however, substances with a permeability number p r <100 are also considered non-ferromagnetic. Thus paramagnetic and diamagnetic substances are not ferromagnetic in the sense of this disclosure. Most preferably, all lead frame surfaces (LF1 to LF6) of the housing are not made ferromagnetic. In the housing that accommodates the paramagnetic center (NV1) in the material of a sensor element, therefore, all sub-devices of the sensor system are preferably not ferromagnetic.
Es kann ggf. sinnvoll sein, bei Verwendung eines integrierten Schaltkreises (IC) eine magnetische Schirmung (MAS) aus weichmagnetischem Material zwischen dem Strahlungsempfänger (PD1) und der Auswerteschaltung, also der integrierten Schaltung (IC), vorzusehen. Eine solche Schirmung (MAS) kann auch vorgesehen werden, um das paramagnetische Zentrum (NV1) oder die If an integrated circuit (IC) is used, it may be useful to provide magnetic shielding (MAS) made of soft magnetic material between the radiation receiver (PD1) and the evaluation circuit, i.e. the integrated circuit (IC). Such a shield (MAS) can also be provided around the paramagnetic center (NV1) or the
paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. die Gruppe oder die Gruppen paramagnetischer Zentren (NV1) magnetisch gegenüber der integrierten Schaltung (IC) und/oder anderen potenziell stromdurchflossenen Vorrichtungsteilen abzuschirmen. Ein solches Gehäuse mit einer solchen Schirmung (MAS) gilt im Sinne dieser Offenlegung als hergestellt aus nicht ferromagnetischen Materialien, da es diese Eigenschaft nach Wegnahme der Schirmung (MAS) zeigt. paramagnetic centers (NV1) or the group or groups of paramagnetic centers (NV1) to be magnetically shielded from the integrated circuit (IC) and / or other potentially current-carrying device parts. Such a housing with such a shield (MAS) is considered to be made of non-ferromagnetic materials for the purposes of this disclosure, since it exhibits this property after the shield (MAS) has been removed.
Das Gehäuse mit dem funktionalisierten paramagnetischen Zentrum (NV1) im Material eines Sensorelements ist somit bevorzugt so gestaltet, das alle Teilvorrichtungen des Sensorsystems inklusive des Gehäuses bis auf eine weich magnetische Schirmung (MAS) aus einem The housing with the functionalized paramagnetic center (NV1) in the material of a sensor element is thus preferably designed in such a way that all sub-devices of the sensor system, including the housing, apart from a soft magnetic shielding (MAS), consist of one
weichmagnetischen Werkstoff und/oder bis auf Teile eines magnetischen Kreises nicht aus einem ferromagnetischen Werkstoff, sondern vorzugsweise aus einem paramagnetischen und/oder diamagnetischen Werkstoff gefertigt sind. Unter einem weichmagnetischen Werkstoff wird im Sinne dieser Offenlegung entsprechend DIN EN 60404-1:2017-08 ein Werkstoff mit einer soft magnetic material and / or except for parts of a magnetic circuit are not made of a ferromagnetic material, but preferably of a paramagnetic and / or diamagnetic material. In the context of this disclosure in accordance with DIN EN 60404-1: 2017-08, a soft magnetic material is a material with a
Koerzitivfeldstärke <= 1 000 A/m verstanden. Bevorzugt sind noch kleinere Koerzitivfeldstärken. Understand coercive field strength <= 1 000 A / m. Even smaller coercive field strengths are preferred.
Herstellung des vorgeschlagenen, gehausten Sensorsystems Manufacture of the proposed housed sensor system
Zur Vereinfachung wird in dieser Schrift der Begriff Sensorelement als Synonym für ein For the sake of simplicity, the term sensor element is used as a synonym for a in this document
Sensorelement und/oder ein quantentechnologisches Vorrichtungselement verwendet. Sensor element and / or a quantum technological device element used.
Es wird hier ein sehr kosteneffizientes Verfahren zur Herstellung eines Sensorsystems vorgeschlagen, das folgende Schritte, auch in abweichender Reihenfolge, umfasst: A very cost-effective method for producing a sensor system is proposed here, which comprises the following steps, also in a different order:
• Bereitstellen eines Open-Cavity-Gehäuses mit Anschlüssen und mit einer Kavität (CAV) die eine Montageöffnung (MO) zur Einbringung von Systemkomponenten aufweist; • Provision of an open-cavity housing with connections and with a cavity (CAV) which has a mounting opening (MO) for introducing system components;
• Einbringen der Pumpstrahlungsquelle (PLI) in die Kavität (CAV) des Open-Cavity-Gehäuses durch die Montageöffnung (MO); • Einbringen einer integrierten Schaltung (IC) mit der Auswerteschaltung in die Kavität (CAV) des Open-Cavity-Gehäuses unter Nutzung der Montageöffnung (MO), wobei die integrierte Schaltung (IC) bevorzugt den Strahlungsempfänger (PD1) umfasst; • Introducing the pump radiation source (PLI) into the cavity (CAV) of the open-cavity housing through the mounting opening (MO); • Introducing an integrated circuit (IC) with the evaluation circuit into the cavity (CAV) of the open-cavity housing using the mounting opening (MO), the integrated circuit (IC) preferably comprising the radiation receiver (PD1);
• Sofern die integrierte Schaltung (IC) nicht den Strahlungsempfänger (PD1) umfasst, • If the integrated circuit (IC) does not include the radiation receiver (PD1),
bevorzugt das Verfahren auch das Einbringen des Strahlungsempfängers (PD1) in die Kavität (CAV) des Open-Cavity-Gehäuses durch die Montageöffnung (MO) in einem typischerweise separaten Schritt; the method also prefers the introduction of the radiation receiver (PD1) into the cavity (CAV) of the open-cavity housing through the mounting opening (MO) in a typically separate step;
• Elektrisches Verbinden von integrierter Schaltung (IC), Anschlüssen des Open-Cavity- Gehäuses, Pumpstrahlungsquelle (PLI) und ggf. separatem Strahlungsempfänger (PD1) insbesondere mittels Bondverbindungen (BDI bis BD4); • Electrical connection of integrated circuit (IC), connections of the open-cavity housing, pump radiation source (PLI) and, if necessary, separate radiation receiver (PD1), in particular by means of bond connections (BDI to BD4);
• Einbringen eines Sensorelements mit einem paramagnetischen Zentrum (NV1) oder • Introducing a sensor element with a paramagnetic center (NV1) or
mehreren paramagnetischen Zentren (NV1) oder einer oder mehrerer Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) im Material des Sensorelements, beispielsweise eines Sensorelements mit einem oder mehreren Diamanten mit einem oder mehreren NV-Zentren und oder einer oder mehreren Gruppen von NV-Zentren, bevorzugt ein oder mehrere HD- NV-Diamanten mit einer zumindest lokal hohen Dichte an NV-Zentren, über die several paramagnetic centers (NV1) or one or more groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) in the material of the sensor element, for example a sensor element with one or more diamonds with one or more NV centers and / or one or more groups of NV centers, preferably one or more HD NV diamonds with an at least locally high density of NV centers over which
Montageöffnung (MO) in die Kavität (CAV) des Open-Cavity-Gehäuses; Mounting opening (MO) in the cavity (CAV) of the open-cavity housing;
• Befestigen des Sensorelements mittels eines Befestigungsmittels (Ge), wobei bevorzugt das Befestigungsmittel (GE) so ausgeformt wird und/oder so ausgewählt und/oder so angebracht ist, dass die Pumpstrahlung (LB) das paramagnetische Zentrum (NV1) bzw. die • Fastening the sensor element by means of a fastening means (Ge), wherein the fastening means (GE) is preferably shaped and / or selected and / or attached so that the pump radiation (LB) the paramagnetic center (NV1) or the
paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. die Gruppe oder Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) erreichen kann und dass die Fluoreszenzstrahlung (FL) des paramagnetischen Zentrums (NV1) bzw. der paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der Gruppe oder der Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) den Strahlungsempfänger (PD1) erreichen kann; paramagnetic centers (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) and that the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) or the group or groups ( NVC) paramagnetic centers (NV1) can reach the radiation receiver (PD1);
• Herstellen erster Mittel zur Lenkung der Pumpstrahlung (LB) und/oder zweiter Mittel zur Lenkung der Fluoreszenzstrahlung (FL), wobei diese Mittel bevorzugt, aber nicht notwendiger Weise, Teil des Gehäuses sind und ggf. Befestigen der ersten Mittel und/oder der zweiten Mittel an dem Gehäuse oder Gehäuseteilen sofern das jeweilige Mittel nicht Teil des Gehäuses oder eines Gehäuseteils des Gehäuses ist und/oder als solches hergestellt werden kann; • Verschließen des Gehäuses, insbesondere der Montageöffnung (MO), mit einem Deckel (DE), der in dieser Schrift als Gehäuseteil betrachtet wird. • Manufacture first means for directing the pump radiation (LB) and / or second means for directing the fluorescence radiation (FL), these means preferably, but not necessarily, being part of the housing and, if necessary, fastening the first means and / or the second Means on the housing or housing parts if the respective means is not part of the housing or a housing part of the housing and / or can be manufactured as such; • Closing the housing, in particular the mounting opening (MO), with a cover (DE), which in this document is regarded as a housing part.
Test des Gehäuses mit dem zuvor vorgeschlagenen Sensorsystem vor dem Test the housing with the previously proposed sensor system before
Verschließen Closing
Es wird ein erstes Verfahren zum Test eines Gehäuses mit einem in dem Gehäuse zumindest in Teilen gefertigtem Sensorsystem entsprechend dem vorstehenden und nachfolgenden Vorschlägen vorgestellt. Das Testverfahren wird bevorzugt vor dem Verschließen der Montageöffnung (MO) durchgeführt. Die Montageöffnung (MO) wird hier zum Zuführen der Testsignale verwendet. A first method is presented for testing a housing with a sensor system that is at least partially manufactured in the housing, in accordance with the proposals above and below. The test procedure is preferably carried out before the mounting opening (MO) is closed. The mounting opening (MO) is used here to feed the test signals.
Insbesondere ist die Idee, die Montageöffnung (MO) für die Zuführung einer wohlkontrollierten, bevorzugt kalibrierten und einstellbaren Testpumpstrahlung (TLB), die der Pumpstrahlung (LB) entspricht, und der Extraktion einer wohlkontrollierten, bevorzugt kalibrierten und einstellbaren Teststrahlung (TFL), die der Fluoreszenzstrahlung (FL) entspricht, aus dem Gehäuse heraus zu nutzen und die elektrische und/oder physikalische Reaktion von Vorrichtungsbestandteilen des In particular, the idea is to open the mounting opening (MO) for the supply of a well-controlled, preferably calibrated and adjustable test pump radiation (TLB), which corresponds to the pump radiation (LB), and the extraction of a well-controlled, preferably calibrated and adjustable test radiation (TFL), which corresponds to the Fluorescence radiation (FL) corresponds to using out of the housing and the electrical and / or physical reaction of the device components
Sensorsystems im Gehäuse messtechnisch zu erfassen. Ein solches Testverfahren umfasst beispielsweise die Schritte: To record the sensor system in the housing. Such a test procedure includes, for example, the following steps:
• Bestrahlen des offenen Gehäuses durch die Montageöffnung (MO) mit Pumpstrahlung (LB);• Irradiating the open housing through the mounting opening (MO) with pump radiation (LB);
• Vermessung der durch das Gehäuse über die offene Montageöffnung (MO) emittierten • Measurement of the emissions emitted by the housing via the open mounting opening (MO)
Fluoreszenzstrahlung (FL), wobei diese Vermessung durch das Sensorsystem selbst und/oder eine Messvorrichtung außerhalb des Gehäuses bevorzugt über die Montageöffnung (MO) oder einen anderen Messpfad erfolgen kann. Bevorzugt wird die Intensität (lf|) der Fluorescence radiation (FL), whereby this measurement can take place by the sensor system itself and / or a measuring device outside the housing, preferably via the mounting opening (MO) or another measuring path. The intensity (l f | ) is preferred
Fluoreszenzstrahlung (FL) in Abhängigkeit von der Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB) und/oder in Abhängigkeit vom Wert eines oder mehrerer physikalischer Parameter erfasst, wobei es sich beispielsweise um den Wert der magnetischen Flussdichte B und/oder die Temperatur und/oder einen Druck etc. handeln kann; Fluorescence radiation (FL) is detected as a function of the intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB) and / or as a function of the value of one or more physical parameters, for example the value of the magnetic flux density B and / or the temperature and / or can act a pressure etc;
• Bewerten des oder der gemessenen Werte der Fluoreszenzstrahlung (FL), insbesondere bevorzugt des gemessenen Werts der Intensität (lfl) der Fluoreszenzstrahlung (FL), durch einen Vergleich des oder der gemessenen Werte der Fluoreszenzstrahlung (FL) bei einer oder mehrerer Messparameterkonfigurationen, die jeweils einem oder mehreren vorbestimmten Intensitätswerten (lpmp) der Pumpstrahlung (LB) und/oder einem oder mehreren • Assessment of the measured value or values of the fluorescence radiation (FL), particularly preferably the measured value of the intensity (l fl ) of the fluorescence radiation (FL), by comparing the measured value or values of the fluorescence radiation (FL) with one or more measurement parameter configurations that each one or more predetermined intensity values (I pmp ) of the pump radiation (LB) and / or one or more
vorbestimmten Werten der beeinflussenden physikalischen Parameter oder eine predetermined values of the influencing physical parameters or a
Kombination derselben entsprechen, mit zumindest einem der jeweiligen Messparameterkonfiguration zugeordneten Schwellwert. Bevorzugt wird das Gehäuse mit dem Sensorsystem verworfen oder nachgearbeitet, wenn dieser Vergleich nicht einem Erwartungswert entspricht. Combination of the same correspond with at least one of the respective Measurement parameter configuration assigned threshold. The housing with the sensor system is preferably discarded or reworked if this comparison does not correspond to an expected value.
Es wird des Weiteren ein zweites Verfahren zum Test eines Gehäuses mit einem Sensorsystem entsprechend dem vorstehenden Vorschlag vorgeschlagen. Das zweite vorgeschlagene Testverfahren wird ebenfalls bevorzugt vor dem Verschließen der Montageöffnung (MO) durchgeführt. Die Grundidee ist die gleiche, wie bei dem zuvor vorgestellten ersten Testverfahren. Dieses zweite Testverfahren umfasst die Schritte: A second method for testing a housing with a sensor system in accordance with the above proposal is also proposed. The second proposed test method is also preferably carried out before the mounting opening (MO) is closed. The basic idea is the same as for the first test procedure presented above. This second test procedure comprises the steps:
• Betreiben Pumpstrahlungsquelle (PLI) im Sensorsystem innerhalb des Gehäuses mit einem geöffneten Gehäuse mit geöffneter Montageöffnung (MO) ohne Gehäusedeckel (DE); • Operating the pump radiation source (PLI) in the sensor system within the housing with an open housing with an open mounting opening (MO) without a housing cover (DE);
• Vermessung der typischerweise über die Montageöffnung (MO) des offenen Gehäuses durch das oder die paramagnetischen Zentren (NV1) von der Pumpstrahlungsquelle (PLI) emittierten Pumpstrahlung (LB), wobei beispielsweise ein oder mehrere Messwerte für die Intensität (lpmp) und/oder ggf. die Intensitätsverteilung der Pumpstrahlung (LB) ermittelt werden; • Measurement of the pump radiation (LB) typically emitted by the pump radiation source (PLI) via the mounting opening (MO) of the open housing through the paramagnetic center or centers (NV1), for example one or more measured values for the intensity (l pmp ) and / or if necessary, the intensity distribution of the pump radiation (LB) can be determined;
• Bewerten des oder der gemessenen Werte der Pumpstrahlung (LB), insbesondere bevorzugt des gemessenen Werts der Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB), durch einen Vergleich des oder der gemessenen Werte der Pumpstrahlung (LB) bei einer oder mehrerer Evaluation of the measured value or values of the pump radiation (LB), particularly preferably the measured value of the intensity (I pmp ) of the pump radiation (LB), by comparing the measured value or values of the pump radiation (LB) for one or more
Messparameterkonfigurationen, die jeweils einem oder mehreren vorbestimmten Werten der die Pumpstrahlungsquelle (PLI) beeinflussenden physikalischen Parameter (z.B. Measurement parameter configurations, each of which contains one or more predetermined values of the physical parameters influencing the pump radiation source (PLI) (e.g.
Betriebsspannung oder Temperatur) oder eine Kombination derselben entsprechen, mit zumindest einem der jeweiligen Messparameterkonfiguration zugeordneten Schwellwert. Bevorzugt wird das Gehäuse mit dem Sensorsystem und/oder das Sensorsystem verworfen oder nachgearbeitet, wenn dieser Vergleich nicht einem Erwartungswert entspricht. Operating voltage or temperature) or a combination thereof, with at least one threshold value assigned to the respective measurement parameter configuration. The housing with the sensor system and / or the sensor system is preferably discarded or reworked if this comparison does not correspond to an expected value.
Es wird ein drittes Verfahren zum Test eines Gehäuses mit einem Sensorsystem entsprechend dem vorstehenden Vorschlag vorgeschlagen. Das dritte vorgeschlagene Testverfahren wird ebenfalls bevorzugt vor dem Verschließen der Montageöffnung (MO) des Gehäuses durchgeführt. Die Grundidee ist die gleiche, wie bei den zuvor vorgestellten ersten und zweiten Testverfahren. Dieses dritte Testverfahren umfasst die Schritte: • Betreiben Pumpstrahlungsquelle (PLI) im Sensorsystem mit einem geöffneten Gehäuse mit geöffneter Montageöffnung (MO); A third method for testing a housing with a sensor system in accordance with the above proposal is proposed. The third proposed test method is also preferably carried out before the mounting opening (MO) of the housing is closed. The basic idea is the same as for the first and second test procedures presented above. This third test procedure comprises the steps: • Operating a pump radiation source (PLI) in the sensor system with an open housing with an open mounting opening (MO);
• Lenkung der von der Pumpstrahlungsquelle (PLI) emittierten Pumpstrahlung (LB) mittels optischer Funktionskomponenten, beispielsweise einem Test-Spiegel, auf den • Steering of the pump radiation (LB) emitted by the pump radiation source (PLI) by means of optical functional components, for example a test mirror, onto the
Strahlungsempfänger (PD1); Radiation receiver (PD1);
• Vermessung der durch das Gehäuse bevorzugt über die Montageöffnung (MO) emittierten Fluoreszenzstrahlung (FL), wobei diese Vermessung durch das Sensorsystem selbst und/oder eine Messvorrichtung außerhalb des Gehäuses bevorzugt über die Montageöffnung (MO) oder einen anderen Messpfad erfolgen kann. Bevorzugt wird die Intensität (lf|) der • Measurement of the fluorescence radiation (FL) emitted by the housing preferably via the mounting opening (MO), this measurement being carried out by the sensor system itself and / or a measuring device outside the housing, preferably via the mounting opening (MO) or another measuring path. The intensity (l f | ) is preferred
Fluoreszenzstrahlung (FL) in Abhängigkeit von der Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB) und/oder in Abhängigkeit vom Wert eines oder mehrerer physikalischer Parameter erfasst, wobei es sich beispielsweise um den Wert der magnetischen Flussdichte B und/oder die Temperatur und/oder einen Druck etc. handeln kann; Fluorescence radiation (FL) is detected as a function of the intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB) and / or as a function of the value of one or more physical parameters, for example the value of the magnetic flux density B and / or the temperature and / or can act a pressure etc;
• Bewerten des oder der gemessenen Werte der Fluoreszenzstrahlung (FL), insbesondere bevorzugt des gemessenen Werts der Intensität (lfl) der Fluoreszenzstrahlung (FL), durch einen Vergleich des oder der gemessenen Werte der Fluoreszenzstrahlung (FL) bei einer oder mehrerer Messparameterkonfigurationen, die jeweils einem oder mehreren vorbestimmten Intensitätswerten (lpmp) der Pumpstrahlung (LB) und/oder einem oder mehreren • Assessment of the measured value or values of the fluorescence radiation (FL), particularly preferably the measured value of the intensity (l fl ) of the fluorescence radiation (FL), by comparing the measured value or values of the fluorescence radiation (FL) with one or more measurement parameter configurations that each one or more predetermined intensity values (I pmp ) of the pump radiation (LB) and / or one or more
vorbestimmten Werten der beeinflussenden physikalischen Parameter oder eine predetermined values of the influencing physical parameters or a
Kombination derselben entsprechen, mit zumindest einem der jeweiligen Combination of the same correspond with at least one of the respective
Messparameterkonfiguration zugeordneten Schwellwert. Bevorzugt wird das Gehäuse mit dem Sensorsystem und/oder das Sensorsystem verworfen oder nachgearbeitet, wenn dieser Vergleich nicht einem Erwartungswert entspricht. Measurement parameter configuration assigned threshold. The housing with the sensor system and / or the sensor system is preferably discarded or reworked if this comparison does not correspond to an expected value.
Das erste Verfahren, das zweite Verfahren und das dritte Verfahren können miteinander kombiniert werden. The first method, the second method and the third method can be combined with one another.
Stromsensor Current sensor
Für die Realisierung eines Stromsensors werden nun zwei Dinge vorgeschlagen, die beide zusätzlich zu dem oben beschriebenen bevorzugt erfüllt werden sollten: For the implementation of a current sensor, two things are proposed, both of which should preferably be fulfilled in addition to the one described above:
Als erstes wird ein Sensorsystem und/oder quantentechnologisches System - in dieser Schrift auch nur vereinfacht als Sensorsystem bezeichnet - vorgeschlagen, bei dem das Sensorsystem in einem Gehäuse untergebracht ist und bei dem das Sensorsystem ein paramagnetisches Zentrum (NV1) oder mehrere paramagnetische Zentren (NV1) oder eine Gruppe oder mehrerer Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) im Material eines Sensorelements und/oder First of all, a sensor system and / or quantum technology system - also referred to in this document as a sensor system in a simplified manner - is proposed in which the sensor system in one Housing is housed and in which the sensor system has a paramagnetic center (NV1) or several paramagnetic centers (NV1) or a group or several groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) in the material of a sensor element and / or
quantentechnologischen Vorrichtungselements, das Teil des Sensorsystems ist, umfasst. Das Sensorsystem des Stromsensors umfasst die besagte Pumpstrahlungsquelle (PLI) für Pumpstrahlung (LB), die bevorzugt eine LED ist. Die Pumpstrahlung (LB) veranlasst, wie oben beschrieben, das paramagnetische Zentrum oder die paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. die Gruppe oder die Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) zur Abgabe von Fluoreszenzstrahlung (FL). Des Weiteren können die weiter oben beschriebenen Komponenten des Gehäuses und/oder des Sensorsystems ebenfalls vorhanden sein. Im Gegensatz zur obigen Beschreibung umfasst das Gehäuse nun zusätzlich mindestens eine Leitung, die von dem zu erfassenden und zu vermessenden elektrischen Strom durchflossen wird. Bevorzugt ist diese Leitung galvanisch von den anderen Vorrichtungsteilen des Sensorsystems getrennt. Die einzige Ausnahme kann das Sensorelement mit dem paramagnetischen Zentrum (NV1) bilden. Wird ein NV-Zentrum in Diamant verwendet, so kann der Diamant in direktem elektrischem hochohmigen Kontakt und mechanischen Kontakt mit dem Leiter sein und ein oder mehrere NV-Zentren des Diamanten können optisch mit dem Rest des Sensorsystems gekoppelt werden. Hierbei kann ausgenutzt werden, dass Diamant in der Regel elektrisch isolierend ist. Das magnetische Feld der Leitung in Form der erzeugten magnetischen Flussdichte B am Ort des paramagnetischen Zentrums (NV1) bzw. der paramagnetischen Zentren bzw. der Gruppe oder der Gruppen (NVC) der paramagnetischen Zentren (NV1) beeinflusst die Intensität (lfl) der Fluoreszenzstrahlung (FL) des paramagnetischen Zentrums (NV1) bzw. der paramagnetischen Zentren bzw. der Gruppe oder der Gruppen (NVC) der paramagnetischen Zentren (NV1) im Material eines Sensorelements und/oder des quantentechnologischen quantum technological device element which is part of the sensor system. The sensor system of the current sensor comprises said pump radiation source (PLI) for pump radiation (LB), which is preferably an LED. As described above, the pump radiation (LB) causes the paramagnetic center or the paramagnetic centers (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) to emit fluorescence radiation (FL). Furthermore, the above-described components of the housing and / or of the sensor system can also be present. In contrast to the above description, the housing now additionally comprises at least one line through which the electrical current to be detected and measured flows. This line is preferably galvanically separated from the other device parts of the sensor system. The only exception can be the sensor element with the paramagnetic center (NV1). If an NV center is used in diamond, the diamond can be in direct electrical high-resistance contact and mechanical contact with the conductor and one or more NV centers of the diamond can be optically coupled to the rest of the sensor system. The fact that diamond is generally electrically insulating can be used here. The magnetic field of the line in the form of the generated magnetic flux density B at the location of the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) influences the intensity (l fl ) of the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers or the group or groups (NVC) of the paramagnetic centers (NV1) in the material of a sensor element and / or of the quantum technology
Vorrichtungselements. Hierbei kann dann ausgenutzt werden, dass die magnetische Flussdichte B um einen stromdurchflossenen Leiter mit 1/r abfällt, wobei r der Abstand des paramagnetischen Zentrums (NV1) bzw. der mehreren paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der Gruppe oder der Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) vom stromdurchflossenen Leiter (LTG, LH, LV) ist. Bevorzugt befinden sich das paramagnetische Zentrum (NV1) bzw. die paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. die Gruppe oder die Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) in einem ersten Abstand (r) von weniger als lpm, besser weniger als 500nm, besser weniger als 200nm, besser weniger als lOOnm, besser weniger als 50nm, besser weniger als 20nm von der beispielhaft horizontalen Leitung (LH) entfernt. Bei der Ausarbeitung der Erfindung wurde davon ausgegangen, dass die Leitung (LH) besonders bevorzugt weniger als 50nm von dem paramagnetischen Zentrum (NV1) bzw. den paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der Gruppe oder den Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) entfernt ist. Durch diesen geringen Abstand (r) können bereits mit betragsmäßig sehr geringen elektrischen Strömen (IH) in der Leitung (LH, LV, LTG) erhebliche magnetische Flussdichten B am Ort des paramagnetischen Zentrums (NV1) bzw. der Device element. The fact that the magnetic flux density B falls around a current-carrying conductor with 1 / r can be used, where r is the distance between the paramagnetic center (NV1) or the several paramagnetic centers (NV1) or the group or groups (NVC) paramagnetic centers (NV1) from the current-carrying conductor (LTG, LH, LV). The paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) are preferably located at a first distance (r) of less than 1pm, better less than 500 nm, better less than 200 nm, better less than 100 nm, better less than 50 nm, better less than 20 nm away from the exemplary horizontal line (LH). When developing the invention, it was assumed that the line (LH) is particularly preferably less than 50 nm away from the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1). Due to this small distance (r), even with very low electrical currents (IH) in the line (LH, LV, LTG), considerable magnetic flux densities B at the location of the paramagnetic center (NV1) or the
paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der Gruppe (NVC) oder der Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) erzeugt werden, die die Fluoreszenzstrahlung (FL) des paramagnetischen Zentrums (NV1) bzw. der paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der Gruppe (NVC) oder der Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) ggf. zeitlich parallel mit anderen möglicherweise relevanten physikalischen Parametern beeinflussen. Das besonders vorteilhaft, wenn auf dem Substrat (D) mehrere Leitungen (LH) gefertigt sind, den jeweils ein paramagnetisches Zentrum (NV1) aus einer Gesamtmenge paramagnetischer Zentren (NV1) oder eine Gruppe (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) aus einer Gesamtmenge mehrerer Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) zugeordnet ist. Vorteilhafter Weise kann dann durch eine Einstellung der magnetischen Flussdichte B mittels unterschiedlichen elektrische Ströme in den unterschiedlichen Leitungen (LH) der Kontrast (KT) der den betreffenden jeweiligen Leitungen (LH) zugeordneten jeweiligen paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der den betreffenden jeweiligen Leitungen (LH) zugeordneten jeweiligen Gruppen (NVC) der paramagnetischen Zentren (NV1) durch die sich daraus ergebende paramagnetic centers (NV1) or the group (NVC) or the groups (NVC) paramagnetic centers (NV1) are generated, which the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) or the group (NVC) or the groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1), possibly in parallel with other possibly relevant physical parameters. This is particularly advantageous if several lines (LH) are manufactured on the substrate (D), each of which has a paramagnetic center (NV1) from a total of paramagnetic centers (NV1) or a group (NVC) of paramagnetic centers (NV1) from a total of several Groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) is assigned. Advantageously, by setting the magnetic flux density B by means of different electrical currents in the different lines (LH), the contrast (KT) of the respective paramagnetic centers (NV1) assigned to the respective respective lines (LH) or of the respective respective lines ( LH) assigned to the respective groups (NVC) of the paramagnetic centers (NV1) by the resulting
unterschiedliche jeweilige magnetische Flussdichte B am Ort des jeweiligen paramagnetischen Zentrums (NV1) bzw. am Ort der jeweiligen Gruppe (NVC) paramagnetischer Zentren unterschiedlich eingestellt werden. Somit wird hier eine Methode und eine Vorrichtung offenbart, die es erlaubt, den Kontrast(KT) unterschiedlicher paramagnetischer Zentren (NV1) und/oder unterschiedlicher Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) unterschiedlich einzustellen. In Ähnlicher Weise können die mehreren Leitungen (LH) mit einem untereinander unterschiedlichen elektrischen Potenzial gegenüber dem elektrischen Potenzial des Substrats (D) versehen werden. Durch ein solches elektrisches Potenzial einer Leitung (LH) wird das Fermi-Niveau am Ort eines dieser Leitung (LH) zugeordneten, in der Nähe der Leitung (LH) liegenden paramagnetischen Zentrums (NV1) bzw. am Ort einer dieser Leitung (LH) zugeordneten, in der Nähe der Leitung (LH) liegenden Gruppe (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) verändert, wobei Nähe sich hier auf die obigen Werte zum Abstand (r) zwischen einer Leitung (LH) und dem dieser Leitung zugeordneten paramagnetischen Zentrum (NV1) bzw. der dieser Leitung (LH) zugeordneten Gruppe (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) bezieht. Hierdurch kann der Ladungszustand der mehreren paramagnetischen Zentren (NV1) in der Nähe der mehreren Leitungen (LH) in jeweils unterschiedlicher Weise durch Wahl und unterschiedliche Einstellung der elektrischen Potenziale der Leitungen (LH) unterschiedlich eingestellt werden. Im Falle von NV-Zentren als paramagnetischen Zentren (NV1) können auf diese Weise einige NV-Zentren in den fluoreszierenden NV_Zustand gezwungen werden und somit leuchten, während andere NV-Zentren in andere Zustände gezwungen werden und somit nicht fluoreszieren und somit nicht leuchten. Da der Abstand der Leitungen (LH) untereinander und auch der in deren Nähe liegenden paramagnetischen Zentren (NV1) kleiner als die different respective magnetic flux density B at the location of the respective paramagnetic center (NV1) or at the location of the respective group (NVC) of paramagnetic centers can be set differently. A method and a device are thus disclosed here which allow the contrast (KT) of different paramagnetic centers (NV1) and / or different groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) to be set differently. In a similar way, the multiple lines (LH) can be provided with a mutually different electrical potential compared to the electrical potential of the substrate (D). Such an electrical potential of a line (LH) assigns the Fermi level at the location of a paramagnetic center (NV1) assigned to this line (LH) and located in the vicinity of the line (LH) or at the location of one of this line (LH) , group (NVC) of paramagnetic centers (NV1) located in the vicinity of the line (LH), whereby proximity here refers to the above values for the distance (r) between a line (LH) and the paramagnetic center (NV1) assigned to this line or the group (NVC) of paramagnetic centers (NV1) assigned to this line (LH). This allows the charge state of the multiple paramagnetic centers (NV1) in the Proximity of the several lines (LH) can be set differently in each case by choosing and different setting of the electrical potentials of the lines (LH). In the case of NV centers as paramagnetic centers (NV1), in this way some NV centers can be forced into the fluorescent NV _ state and thus glow, while other NV centers are forced into other states and thus do not fluoresce and thus do not glow . Since the distance between the lines (LH) and the paramagnetic centers (NV1) in their vicinity is smaller than the
Pumpstrahlungswellenlänge (lrigir) und kleiner als die Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (lh) kann auf diese Weise ein Sensorsystem hergestellt werden, dessen Ortsauflösung kleiner ist, als die ohne eines solche Selektionsstruktur. Beispielsweise können nacheinander einzelne paramagnetische Zentren (NV1) oder einzelne Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) durch Anlegen eines geeigneten Potenzials an die diesem paramagnetischen Zentrum (NV1) bzw. dieser Gruppe (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) zugeordneten Leitung (LH) aktiviert, d.h. in einen fluoreszierenden Zustand gebracht werden wobei zeitgleich vorzugsweise alle anderen oder zumindest die meisten anderen paramagnetische Zentren (NV1) bzw. anderen Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) bevorzugt zeitgleich deaktiviert, also in einen nicht fluoreszierenden Zustand gebracht werden. Bei NV-Zentren als paramagnetischen Zentren (NV1) ist die einem NV-Zentrum zugeordnete Leitung bevorzugt gegenüber dem Substrat (D) positiv für die Aktivierung des NV-Zentrums geladen, sodass das in der Nähe liegende NV-Zentrum in den negativ geladenen, fluoreszierenden NV -Zustand übergeht, und bevorzugt gegenüber dem Substrat (D) negativ für die Deaktivierung des NV-Zentrums geladen, sodass das in der Nähe liegende NV-Zentrum den negativ geladenen, fluoreszierenden NV - Zustand verlässt und somit nicht mehr fluoresziert. Diese Methode kann auch zur Aufprägung einer Modulation auf die Intensität (lfl) der Fluoreszenzstrahlung (FL) genutzt werden. Die Modulationen können im Falle von mehreren Leitungen und mehreren, diesen Leitungen (LH) jeweils zugeordneten paramagnetischen Zentren (NV1) spezifisch für die Leitung (LH) sein, sodass im Frequenzspektrum der Modulation der Intensität (lf|) der Fluoreszenzstrahlung (FL) sich diese unterschiedlichen Pump radiation wavelength (l rigir ) and smaller than the fluorescence radiation wavelength (lh) can be used in this way to produce a sensor system whose spatial resolution is smaller than that without such a selection structure. For example, individual paramagnetic centers (NV1) or individual groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) can be sequentially created by applying a suitable potential to the line (LH) assigned to this paramagnetic center (NV1) or to this group (NVC) of paramagnetic centers (NV1). activated, ie brought into a fluorescent state at the same time preferably all other or at least most of the other paramagnetic centers (NV1) or other groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) preferably deactivated at the same time, ie brought into a non-fluorescent state. In the case of NV centers as paramagnetic centers (NV1), the line assigned to an NV center is preferably positively charged compared to the substrate (D) for the activation of the NV center, so that the nearby NV center changes to the negatively charged, fluorescent one NV state passes over, and is preferably negatively charged compared to the substrate (D) for the deactivation of the NV center, so that the nearby NV center leaves the negatively charged, fluorescent NV state and thus no longer fluoresces. This method can also be used to apply a modulation to the intensity (l fl ) of the fluorescent radiation (FL). In the case of several lines and several paramagnetic centers (NV1) assigned to these lines (LH), the modulations can be specific for the line (LH), so that in the frequency spectrum of the modulation of the intensity (l f | ) of the fluorescent radiation (FL) these different
Modulationen wiederfinden. Es ist beispielsweise denkbar, die Modulationen der unterschiedlichen Leitungen monofrequent vorzunehmen und für jede Leitung (LH) eine andere leitungsspezifische Modulationsfrequenz zu wählen. Damit wird die Intensität (lf|) der Fluoreszenzstrahlung (FL) der paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren entsprechend der leitungsspezifischen Modulationsfrequenz entsprechend der ihnen jeweils nahe liegenden Leitung (LH) moduliert, sodass das Spektrum der Intensität (lf|) der Fluoreszenzstrahlung, die den Strahlungsempfänger (PD) erreicht und damit das Spektrum des Empfängerausgangssignals (SO) eine Überlagerung dieser Modulationsfrequenzen aufweist, die durch Optimalfilter, Find modulations again. It is conceivable, for example, to undertake the modulations of the different lines at monofrequency and to select a different line-specific modulation frequency for each line (LH). This modulates the intensity (l f | ) of the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic centers (NV1) or the groups (NVC) of paramagnetic centers according to the line-specific modulation frequency according to the line (LH) close to them, so that the spectrum of the intensity (l f | ) of the fluorescence radiation that the Radiation receiver (PD) is reached and thus the spectrum of the receiver output signal (SO) has a superposition of these modulation frequencies, which are determined by optimal filters,
Synchrondemodulatoren, Bandpassfilter oder dergleichen wieder getrennt werden können, wenn die Abstände dieser Modulationsfrequenzen im Frequenzspektrum geeignet gewählt sind. Auf diese Weise ist eine Ortsauflösung unterhalb der Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (l^) und unterhalb der Pumpstrahlungswellenlänge (lrigir) möglich. Synchronous demodulators, bandpass filters or the like can be separated again if the distances between these modulation frequencies in the frequency spectrum are selected appropriately. In this way, a spatial resolution below the fluorescence radiation wavelength (l ^) and below the pump radiation wavelength (l rigir ) is possible.
Das Sensorsystem ermittelt beispielsweise mit dem besagten Strahlungsempfänger (PD1) und beispielsweise der besagten integrierten Schaltung (IC) mittels des Auswerteschaltkreises einen Wert für die Intensität (lf|) der Fluoreszenzstrahlung (FL) und stellt diesen Wert für die Intensität (lf|) der Fluoreszenzstrahlung (FL) in digitaler und/oder analoger Form beispielsweise als The sensor system determines, for example with the said radiation receiver (PD1) and for example the said integrated circuit (IC) by means of the evaluation circuit, a value for the intensity (l f | ) of the fluorescent radiation (FL) and sets this value for the intensity (l f | ) the fluorescence radiation (FL) in digital and / or analog form, for example as
Sensorausgangssignal (out) bereit und/oder gibt ihn aus. Da die Intensität (lf|) der Sensor output signal (out) ready and / or outputs it. Since the intensity (l f | ) of the
Fluoreszenzstrahlung (FL) eines paramagnetischen Zentrums (NV1) von der magnetischen Flussdichte B am Ort des paramagnetischen Zentrums (NV1) abhängt, ist ein Wert für die Intensität (lfl) der Fluoreszenzstrahlung (FL) und damit der Wert des Sensorausgangssignals (out) ein mögliches Maß für die magnetische Flussdichte B am Ort des paramagnetischen Zentrums und damit für den Stromwert des elektrischen Stromes durch den Leiter, der diese magnetische Flussdichte B hervorruft. Somit ist es möglich, mit Hilfe eines paramagnetischen Zentrums (NV1) oder mehrerer paramagnetischer Zentren oder einer Gruppe (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) oder mehrerer Gruppen paramagnetischer Zentren (NV1) ohne Zuhilfenahme von Mikrowellen ein Strommesssystem zu bauen. Fluorescence radiation (FL) of a paramagnetic center (NV1) depends on the magnetic flux density B at the location of the paramagnetic center (NV1), a value for the intensity (l fl ) of the fluorescence radiation (FL) and thus the value of the sensor output signal (out) is a possible measure for the magnetic flux density B at the location of the paramagnetic center and thus for the current value of the electric current through the conductor, which causes this magnetic flux density B. It is thus possible to build a current measuring system with the help of a paramagnetic center (NV1) or several paramagnetic centers or a group (NVC) of paramagnetic centers (NV1) or several groups of paramagnetic centers (NV1) without the aid of microwaves.
Diese Schrift beschreibt somit ein Sensorsystem mit einem paramagnetischen Zentrum (NV1) oder mehreren paramagnetischen Zentren (NV1) oder einer Gruppe (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) oder mehreren Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) in einem Substrat (D), im Folgenden vereinfachend auch als paramagnetische Zentren (NV1) bezeichnet, wobei das This document therefore describes a sensor system with a paramagnetic center (NV1) or several paramagnetic centers (NV1) or a group (NVC) of paramagnetic centers (NV1) or several groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) in a substrate (D), im For the sake of simplicity, also referred to below as paramagnetic centers (NV1), where
Sensorsystem ersten Mittel (G, PLI, Fl, PD, Ml, TP) zur Anregung und Erfassung und Auswertung der Fluoreszenzstrahlung (FL) dieser paramagnetischen Zentren (NV1) umfasst und wobei das Sensor system comprises first means (G, PLI, Fl, PD, Ml, TP) for the excitation and detection and evaluation of the fluorescence radiation (FL) of these paramagnetic centers (NV1) and wherein the
Sensorsystem mittels der ersten Mittel (G, PLI, Fl, PD, Ml, TP) in Abhängigkeit von der Sensor system by means of the first means (G, PLI, Fl, PD, Ml, TP) depending on the
Fluoreszenzstrahlung (FL) dieser paramagnetischen Zentren (NV1) einen Messwert erzeugt und/oder bereithält. Das Sensorsystem umfasst bevorzugt einen elektrischen Leiter (LH, LV, LTG). Der elektrische Leiter (LH, LV, LTG) ist bevorzugt mechanisch mit dem Substrat (D) mit den Fluorescence radiation (FL) of these paramagnetic centers (NV1) generates and / or holds a measured value. The sensor system preferably comprises an electrical conductor (LH, LV, LTG). The electrical conductor (LH, LV, LTG) is preferably mechanically connected to the substrate (D) with the
paramagnetischen Zentren (D) verbunden. Der elektrische Leiter (LH, LV, LTG) ist bevorzugt von einem elektrischen Strom (IH, IV) durchströmt. Der besagte elektrische Strom (IH, IV) erzeugt nun einen magnetischen Fluss B, der die Fluoreszenzstrahlung (FL) dieser paramagnetischen Zentren (NV1) beeinflusst. Ist der kürzeste Abstand (r) zwischen dem Schwerpunkt der paramagnetischen Zentren (NV1) und dem Leiter (LH, LV, LTG) kürzer als lpm, besser weniger als 500nm, besser weniger als 200nm, besser weniger als lOOnm, besser weniger als 50nm, besser weniger als 20nm oder ist der kürzeste Abstand (r) zwischen einem paramagnetischen Zentrum (NV1) der paramagnetic centers (D) connected. The electrical conductor (LH, LV, LTG) is preferred by an electric current (IH, IV) flows through it. Said electric current (IH, IV) now generates a magnetic flux B, which influences the fluorescence radiation (FL) of these paramagnetic centers (NV1). If the shortest distance (r) between the center of gravity of the paramagnetic centers (NV1) and the conductor (LH, LV, LTG) is shorter than lpm, better less than 500nm, better less than 200nm, better less than 100nm, better less than 50nm, better less than 20nm or is the shortest distance (r) between a paramagnetic center (NV1) of the
paramagnetischen Zentren (NV1) und dem Leiter (LH, LV, LTG) kürzer als lpm, besser weniger als 500nm, besser weniger als 200nm, besser weniger als lOOnm, besser weniger als 50nm, besser weniger als 20nm, so ist die magnetische Flussdichte B , die auf die paramagnetischen Zentren (NV1) einwirkt sehr groß, was die Empfindlichkeit der Strommessung erhöht. paramagnetic centers (NV1) and the conductor (LH, LV, LTG) shorter than lpm, better less than 500nm, better less than 200nm, better less than 100nm, better less than 50nm, better less than 20nm, then the magnetic flux density is B. that acts on the paramagnetic centers (NV1) is very large, which increases the sensitivity of the current measurement.
Integrierte Ansteuerschaltung als Ansteuer- und Auswerteeinheit (LIV) Integrated control circuit as control and evaluation unit (LIV)
Wie bereits bei der Erläuterung der Basisstruktur des Sensorsystems angegeben, wird eine Ansteuer- und Auswerteeinheit (LIV) zum Betrieb des Sensorsystems benötigt. Diese Ansteuer- und As already stated in the explanation of the basic structure of the sensor system, a control and evaluation unit (LIV) is required to operate the sensor system. This control and
Auswerteeinheit (LIV) ist bevorzugt eine integrierte Schaltung. Es können auch nur Teile der Ansteuer- und Auswerteeinheit (LIV) Teil einer integrierten Schaltung (IC) sein. Die integrierte Schaltung (IC) kann neben der Ansteuer- und Auswerteeinheit (LIV) weitere Funktionselemente, wie beispielsweise den Strahlungsempfänger (PD), die Pumpstrahlungsquelle (PLI) -beispielsweise in Form eines Pumpstrahlung (LB) abstrahlenden Zentrums (PZ) - , die Kompensationsstrahlungsquelle (PLK), den ersten Filter (Fl) - beispielsweise als ein Funktionselement der diffraktiven oder digitalen Optik / Photonik - , das paramagnetische Zentrum (NV1) - beispielsweise als G-Zentrum in Silizium oder V-Zentrum in SiC - , die Übertragungsstrecken - beispielsweise als mikrointegrierte Evaluation unit (LIV) is preferably an integrated circuit. Only parts of the control and evaluation unit (LIV) can also be part of an integrated circuit (IC). In addition to the control and evaluation unit (LIV), the integrated circuit (IC) can have further functional elements, such as the radiation receiver (PD), the pump radiation source (PLI) - for example in the form of a center (PZ) emitting pump radiation (LB) - the compensation radiation source (PLK), the first filter (Fl) - for example as a functional element of diffractive or digital optics / photonics - the paramagnetic center (NV1) - for example as a G center in silicon or V center in SiC -, the transmission links - for example as a micro-integrated
Lichtwellenleiter, ein Rechnersystem (pC) und ggf. weitere Steuervorrichtungen, Fiber optic cables, a computer system (PC) and, if necessary, other control devices,
Datenbusschnittstellen etc. Auf die zum Zeitpunkt der Anmeldung dieser Schrift noch Data bus interfaces, etc. To those at the time of registration of this document
unveröffentlichte Anmeldung PCT / DE 2020 / 100 430 wird hier verwiesen. unpublished application PCT / DE 2020/100 430 is referenced here.
Daher wird hier auch eine integrierte Schaltung (IC) zur Verwendung mit einem oder mehreren paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. einer Gruppe oder Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) im Material eines Sensorelements vorgeschlagen. Die integrierte Schaltung (IC) umfasst bevorzugt einen Treiber zum Betreiben einer Pumpstrahlungsquelle (PLI), bevorzugt einen An integrated circuit (IC) for use with one or more paramagnetic centers (NV1) or a group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) in the material of a sensor element is therefore also proposed here. The integrated circuit (IC) preferably comprises a driver for operating a pump radiation source (PLI), preferably one
Strahlungsempfänger (PD1), zur Detektion der Fluoreszenzstrahlung (FL) des oder der paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der Gruppe oder der Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1), einen Auswerteschaltkreis zur Erzeugung eines Sensorausgangssignals (out), das von der Fluoreszenzstrahlung (FL) des paramagnetischen Zentrums (NV1) im Material eines Radiation receiver (PD1), for the detection of the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic centers (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1), an evaluation circuit for generating a sensor output signal (out) that is generated by the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic center (NV1) in the material of a
Sensorelements und zwar bevorzugt von der Intensität (lfl) der Fluoreszenzstrahlung (FL) abhängt. Dabei ist das Sensorelement bevorzugt ein Diamantkristall. Das paramagnetische Zentrum (NV1) bzw. die paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. die Gruppe oder die Gruppen (NVC) Sensor element, preferably on the intensity (l fl ) of the fluorescent radiation (FL) depends. The sensor element is preferably a diamond crystal. The paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) or the group or groups (NVC)
paramagnetischer Zentren (NV1) sind bevorzugt ein NV-Zentrum bzw. NV-Zentren bzw. eine oder mehrere Gruppen von NV-Zentren in dem Diamantkristall oder in mehreren Diamantkristallen. Der Strahlungsempfänger (PD) muss nicht unbedingt Teil der integrierten Schaltung (IC) sein. Er kann sich außerhalb der integrierten Schaltung befinden. paramagnetic centers (NV1) are preferably an NV center or NV centers or one or more groups of NV centers in the diamond crystal or in several diamond crystals. The radiation receiver (PD) does not necessarily have to be part of the integrated circuit (IC). It can be external to the integrated circuit.
Magnetischer Kreis Magnetic circle
Bevorzugt weist das Sensorsystem und/oder das Gehäuse des Sensorsystems einen magnetischen Kreis oder Teile eines solchen magnetischen Kreises, im Folgenden auch Magnetkreiselemente genannt, auf. The sensor system and / or the housing of the sensor system preferably has a magnetic circuit or parts of such a magnetic circuit, also referred to below as magnetic circuit elements.
Es kann beispielsweise sinnvoll sein, den zu vermessenden magnetischen Fluss B in der Nähe des paramagnetischen Zentrums (NV1) durch zusätzliche bevorzugt weichmagnetische For example, it can be useful to measure the magnetic flux B in the vicinity of the paramagnetic center (NV1) by additional, preferably soft magnetic
Magnetkreiselemente zu verändern, um das Empfindlichkeitsfeld des Sensorsystems und/oder der quantentechnologischen Vorrichtung gegenüber externen magnetischen Feldern zu verändern. Insbesondere ist eine Deformation des Empfindlichkeitsfeldes möglich, sodass Vorzugsrichtungen und/oder eine richtungsabhängige Empfindlichkeit erzielt werden kann. Beispielsweise ist es möglich, mittels eines Mittels zum Deformieren des magnetischen Feldes eine solche Deformation zu erreichen. Ein solches Mittel zur Deformation des magnetischen Feldes können beispielsweise ferromagnetische Vorrichtungsteile sein, die in die Nähe der paramagnetischen Zentren (NV1) und oder die Nähe von Gruppen (NVC) solcher paramagnetischen Zentren (NV1) gebracht werden und dann dort die Feldlinien des magnetischen Flusses B deformieren. Beispielsweise ist es denkbar, in ein Blech aus Ferromagnetischen Material einen Schlitz einzubringen und die paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. Gruppen paramagnetischer Zentren (NV1) in dem Schlitz zu platzieren. Die magnetische Flussdichte B wird, wenn sie senkrecht zur Flächennormale des ferromagnetischen Blechs angeordnet ist, in dem Blech aufkonzentriert und in dem Schlitz vermindert, sodass die Intensität (lfl) der Fluoreszenzstrahlung (FL) der paramagnetischen Zentren (NV1) nur wenig von dem Betrag des magnetischen Flusses B beeinflusst wird. Die magnetische Flussdichte B wird, wenn sie parallel zur Flächennormale des ferromagnetischen Blechs und senkrecht zur Schlitzrichtung angeordnet ist, in dem Blech aufkonzentriert und damit bei dieser Orientierungen aber auch in dem Schlitz aufkonzentriert, sodass die Intensität (lf|) der Fluoreszenzstrahlung (FL) der paramagnetischen Zentren (NV1) nun sehr stark von dem Betrag des magnetischen Flusses B beeinflusst wird. Flierdurch verhält sich die Abhängigkeit der Intensität (lf|) der Fluoreszenzstrahlung (FL) von dem Betrag der magnetischen Flussdichte B nun anisotrop und hängt somit dann von der Raumrichtung ab. To change magnetic circuit elements in order to change the sensitivity field of the sensor system and / or the quantum technological device to external magnetic fields. In particular, a deformation of the sensitivity field is possible so that preferred directions and / or a direction-dependent sensitivity can be achieved. For example, it is possible to achieve such a deformation by means of a means for deforming the magnetic field. Such a means for deforming the magnetic field can be, for example, ferromagnetic device parts that are brought into the vicinity of the paramagnetic centers (NV1) and / or the vicinity of groups (NVC) of such paramagnetic centers (NV1) and then the field lines of the magnetic flux B there deform. For example, it is conceivable to make a slot in a sheet of ferromagnetic material and to place the paramagnetic centers (NV1) or groups of paramagnetic centers (NV1) in the slot. The magnetic flux density B, if it is arranged perpendicular to the surface normal of the ferromagnetic sheet, is concentrated in the sheet and reduced in the slot, so that the intensity (l fl ) of the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic centers (NV1) has only a small amount of the magnetic flux B is influenced. The magnetic flux density B becomes when it is arranged parallel to the surface normal of the ferromagnetic sheet and perpendicular to the slot direction, concentrated in the sheet and thus also concentrated in the slot with these orientations, so that the intensity (l f | ) of the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic centers (NV1) is now very high is strongly influenced by the amount of magnetic flux B. As a result, the dependence of the intensity (l f | ) of the fluorescence radiation (FL) on the magnitude of the magnetic flux density B is now anisotropic and thus depends on the spatial direction.
Es wird somit hier eine Vorrichtung zur Messung einer magnetischen Flussdichte B beschrieben, die zum Ersten mindestens eines der anderen in dieser Schrift beschriebenen Sensorsysteme umfasst, die mittels Erfassung und Auswertung von Paramatern der Fluoreszenzstrahlung (FL) eines oder mehrerer paramagnetischer Zentren (NV1) und/oder einer Gruppe oder mehrerer Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) einen Wert für die magnetische Flussdichte b ermitteln und die zweitens zusätzlich ein ferromagnetisches Funktionselement umfasst, welches den Feldverlauf der magnetischen Flussdichte B so deformiert, dass der Messwert, der von der Vorrichtung zur Messung einer magnetischen Flussdichte B mit Hilfe der besagten anderen in dieser Schrift beschriebenen Sensorsysteme in Abhängigkeit von der magnetischen Flussdichte B dieses mittels des besagten ferromagnetischen Funktionselements deformierten Magnetfeldes ermittelt wird, von der Richtung der von außen auf die Vorrichtung zur Messung einer magnetischen Flussdichte B einwirkende Flussdichte B abhängt. A device for measuring a magnetic flux density B is thus described here, which firstly comprises at least one of the other sensor systems described in this document, which by means of detection and evaluation of parameters of the fluorescence radiation (FL) of one or more paramagnetic centers (NV1) and / or one or more groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) to determine a value for the magnetic flux density b and which, secondly, additionally comprises a ferromagnetic functional element which deforms the field profile of the magnetic flux density B so that the measured value from the device for Measurement of a magnetic flux density B with the help of said other sensor systems described in this document as a function of the magnetic flux density B of this magnetic field deformed by means of said ferromagnetic functional element is determined, from the direction of the external impact on the device for measuring an m magnetic flux density B acting flux density B depends.
Grundprinzipien eines rauscharmen Sensorsystems mit Dicke-Verstärker Basic principles of a low-noise sensor system with a thickness amplifier
Aus der Radioastronomie sind Dicke-Empfänger bekannt. Nähere Informationen können unter dem Stichwort "Dicke receiver" im Internet gefunden werden. An dieser Stelle sei auf die Schrift U. Klein, "Radio astronomy:tools, applications and impacts; Course astro 841" Argelander-Institut für Astronomie Bonn, Ausgabe 2011 verwiesen. Die Schrift kann zum Zeitpunkt der internationalen Anmeldung unter dem Link https://hera.phl.uni-koeln.de/ftpspace/simonr/Pablo/Radioastronomy.pdf heruntergeladen werden. Kapitel 6.4.2 auf Seite 82 ff. beschreibt die grundsätzliche Konstruktion eines Dicke-Receivers. Thick receivers are known from radio astronomy. More information can be found on the Internet under the keyword "Dicke receiver". At this point, reference is made to the publication U. Klein, "Radio astronomy: tools, applications and impacts; Course astro 841", Argelander Institute for Astronomy Bonn, 2011 edition. The font can be downloaded at the time of international registration under the link https://hera.phl.uni-koeln.de/ftpspace/simonr/Pablo/Radioastronomy.pdf. Chapter 6.4.2 on page 82 ff. Describes the basic construction of a thickness receiver.
Ein solcher Dicke-Verstärker dient der Detektion statischer, konstanter Quellen in stark verrauschten Umgebungen. Das eliminierbare Rauschen ist dabei das thermische 1/f Rauschen im Messkanal. Um die Quelle, deren Amplitude unter dem Rauschpegel liegt, detektieren zu können, wird zwischen dem verrauschten Eingangssignal der Antenne und dem Rauschsignal einer Äquivalenzrauschquelle gleicher Temperatur, wie der Raushintergrund des Empfangssignals, hin- und hergeschaltet. Dies geschieht mit einer ausreichend hohen Frequenz. Sofern beispielsweise das statische Signal eines stellaren Objekts Teil des Empfangssignals ist, kann durch Multiplikation des resultierenden Signals mit dem Umschaltsignal dieses Objektsignal über den Rauschuntergrund gehoben werden. Such a thickness amplifier is used to detect static, constant sources in extremely noisy environments. The noise that can be eliminated is the thermal 1 / f noise in the measuring channel. Around To be able to detect the source, the amplitude of which is below the noise level, is switched back and forth between the noisy input signal of the antenna and the noise signal of an equivalent noise source of the same temperature as the noise background of the received signal. This happens with a sufficiently high frequency. If, for example, the static signal of a stellar object is part of the received signal, this object signal can be raised above the background noise by multiplying the resulting signal with the switching signal.
Dieses Prinzip wird nun auf die Vermessung der paramagnetischen Zentren (NV1), also bevorzugt der NV-Zentren, angewendet. Als Vergleichsrauschquelle dient eine Kompensationsstrahlungsquelle (PLK), die bevorzugt als lichtemittierende Diode, kurz LED genannt, oder als Laser ausgeführt wird.This principle is now applied to the measurement of the paramagnetic centers (NV1), i.e. preferably the NV centers. A compensation radiation source (PLK), which is preferably designed as a light-emitting diode, called LED for short, or as a laser, serves as the comparison noise source.
Bei richtiger Ausführung wird auch hier der Rauschpegel gegenüber dem Signalpegel abgesenkt. Die Kompensationsstrahlung (KS) der Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) weist eine If executed correctly, the noise level is also reduced here compared to the signal level. The compensation radiation (KS) of the compensation radiation source (PLK) has a
Kompensationsstrahlungswellenlänge (Äks) auf. Compensation radiation wavelength (Ä ks ).
Erfindungsgemäß wurde somit erkannt, dass das grundsätzliche Problem der Radioastronomie, ein sehr kleines Signal vor einem thermisch verrauschten Rauschhintergrund zu erfassen, das gleiche Problem ist, das bei Quantensensoren auftritt. Die Bestrahlung mit Pumpstrahlung (LB) führt zu einer massiven Reduktion der Spin-Temperatur eines paramagnetischen Zentrums (NV1). In der hier vorgelegten Schrift werden bevorzugt Sensorelemente mit einer hohen Dichte an paramagnetischen Zentren (NV1), beispielsweise umfassend HD-NV-Diamanten, verwendet. Diese hohe Dichte und die geringe Spin-Temperatur lassen das Rauschen der Fluoreszenzstrahlung (FL) des Sensorelements selbst praktisch verschwinden. Dies ist bei anderen Systemen, die vereinzelte paramagnetische Zentren (NV1), also z.B. einzelne oder wenige NV-Zentren, nutzen eben nicht der Fall. Das According to the invention, it was thus recognized that the fundamental problem in radio astronomy of detecting a very small signal in front of a thermally noisy background noise is the same problem that occurs with quantum sensors. Irradiation with pump radiation (LB) leads to a massive reduction in the spin temperature of a paramagnetic center (NV1). In the document presented here, sensor elements with a high density of paramagnetic centers (NV1), for example comprising HD-NV diamonds, are preferably used. This high density and the low spin temperature make the noise of the fluorescence radiation (FL) of the sensor element itself practically disappear. This is not the case with other systems that use isolated paramagnetic centers (NV1), e.g. single or a few NV centers. The
Systemrauschen stammt demzufolge im Wesentlichen aus der Pumpstrahlungsquelle (PLI), dem Strahlungsempfänger (PD) oder den ersten Verstärkerstufen, die typischerweise das geringste Signal- zu-Rausch-Verhältnis aufweisen. Das Rauschen der Pumpstrahlungsquelle (PLI) wird somit dem Rauschen der Intensität (lfl) der Fluoreszenzstrahlung (FL) des paramagnetischen Zentrums (NV1) aufgeprägt. System noise therefore essentially originates from the pump radiation source (PLI), the radiation receiver (PD) or the first amplifier stages, which typically have the lowest signal-to-noise ratio. The noise of the pump radiation source (PLI) is thus impressed on the noise of the intensity (l fl ) of the fluorescent radiation (FL) of the paramagnetic center (NV1).
Im Gegensatz zur Radioastronomie kann die Fluoreszenzstrahlung (FL) moduliert werden. Es bedarf also nicht des Dicke-Schalters der Radio-Astronomie. Im Rahmen der Ausarbeitung der Erfindung wurde erkannt, dass das System bevorzugt so aufgebaut wird, dass eine Pumpstrahlungsquelle (PLI) die Pumpstrahlung (LB) emittiert, die dann auf das Sensorelement mit dem paramagnetischen Zentrum (NV1) bzw. mit einer Vielzahl von paramagnetischen Zentren (NV1) mit ggf. zumindest lokaler hoher Dichte an paramagnetischen Zentren (NV1) gelenkt wird. Eine lokal hohe Dichte paramagnetischer Zentren kann in einer Gruppe (NVC) paramagnetischer Zentren, die eine In contrast to radio astronomy, fluorescence radiation (FL) can be modulated. So there is no need for the thickness switch of radio astronomy. As part of the elaboration of the invention, it was recognized that the system is preferably constructed in such a way that a pump radiation source (PLI) emits the pump radiation (LB), which is then applied to the sensor element with the paramagnetic center (NV1) or with a large number of paramagnetic centers (NV1) with possibly at least local high density of paramagnetic centers (NV1) is directed. A locally high density of paramagnetic centers can be found in a group (NVC) of paramagnetic centers, the one
Ausdehnung d innerhalb des Sensorelements bzw. innerhalb eines Substrats (D) innerhalb des Sensorelements hat erreicht werden. Das paramagnetische Zentrum (NV1) bzw. die Expansion d within the sensor element or within a substrate (D) within the sensor element has been achieved. The paramagnetic center (NV1) or the
paramagnetischen Zentren (Nvl) bzw. die Gruppe oder die Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) emittieren dann die Fluoreszenzstrahlung (FL) in Abhängigkeit von der Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB) und in Abhängigkeit von weiteren physikalischen Parametern, beispielsweise dem aktuellen Wert der magnetischen Flussdichte B oder der elektrischen Flussdichte D oder dem Druck P oder der Temperatur q oder der Beschleunigung a oder der Gravitationsfeldstärke g oder von der Rotationsgeschwindigkeit o oder von zeitlichen Integralen oder Ableitungen dieser Größen oder von Frequenzen der Schwankung dieser Größen am Ort des jeweiligen paramagnetischen Zentrums (NV1). Da die Pumpstrahlung (LB) beispielsweise im Falle der Nutzung eines paramagnetic centers (Nvl) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) then emit the fluorescence radiation (FL) as a function of the intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB) and as a function of other physical parameters, for example the current value of the magnetic flux density B or the electrical flux density D or the pressure P or the temperature q or the acceleration a or the gravitational field strength g or the rotational speed o or of time integrals or derivatives of these quantities or of frequencies of the fluctuations of these quantities at the location of the respective paramagnetic center (NV1). Since the pump radiation (LB), for example in the case of using a
Halbleiterlasers als Pumpstrahlungsquelle (PLI) infolge der relativ hohen Temperatur des lichtemittierenden PN-Übergangs im Laser der Pumpstrahlungsquelle (PLI) verrauscht ist, findet sich diese Modulation der Pumpstrahlung (LB) mit einem Pumprauschsignalanteil der Modulation der Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB) auch als Fluoreszenzrauschsignalanteil der Semiconductor laser as pump radiation source (PLI) is noisy due to the relatively high temperature of the light-emitting PN junction in the laser of the pump radiation source (PLI), this modulation of the pump radiation (LB) is found with a pump noise signal component of the modulation of the intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB) ) also as the fluorescence noise signal component of the
Fluoreszenzstrahlung (FL) wieder. Bevorzugt wird die Temperatur der Pumpstrahlungsquelle (PLI) beispielsweise über einen Thermosensor erfasst. Ein Pumpstrahlungsquellenregler regelt dann bevorzugt einen der Ansteuerparameter der Pumpstrahlungsquelle (PLI) nach. Die Ist-Größe des Pumpstrahlungsquellenreglers ist der Temperaturwert, den der Thermosensor für die Temperatur der Pumpstrahlungsquelle (PLI) ermittelt hat. Die Soll-Größe ist in der Regel ein Fluorescence radiation (FL) again. The temperature of the pump radiation source (PLI) is preferably detected, for example via a thermal sensor. A pump radiation source controller then preferably readjusts one of the control parameters of the pump radiation source (PLI). The actual size of the pump radiation source controller is the temperature value that the thermal sensor has determined for the temperature of the pump radiation source (PLI). The target size is usually a
Temperaturreferenzwert. Bevorzugt Handelt es sich um einen PID-Regler. Die möglichen regelbaren Ansteuerungsparameter der Treiberstufe der Pumpstrahlungsquelle (PLI) sind die Pulshöhe, die Pulsfolgefrequenz und die Pulsdauer. Damit ist offenbar, dass es günstig ist, wenn der Temperature reference value. It is preferably a PID controller. The possible controllable control parameters of the driver stage of the pump radiation source (PLI) are the pulse height, the pulse repetition frequency and the pulse duration. So it is obvious that it is beneficial if the
Pumpstrahlungsquellenregler ggf. in den Signalgenerator (G) eingreift, der einen Teil dieser Größen erzeugt. Auch ist es Denkbar, einen Heizer oder eine Kühlvorrichtung und einen Heizer vorzusehen und den Heizer und/oder die Kühlung so nachzuregeln, dass die Temperatur der Pump radiation source regulator intervenes in the signal generator (G), which generates some of these variables. It is also conceivable to provide a heater or a cooling device and a heater and to readjust the heater and / or the cooling so that the temperature of the
Pumpstrahlungsquelle bis auf wenige mK konstant bleibt. Pump radiation source remains constant up to a few mK.
Es ist nun die erfindungsgemäße Idee, wie in einem Dicke-Receiver, das verrauschte Signal der Intensität (lfl) der Fluoreszenzstrahlung (FL) mit einer Referenzrauschquelle mittels des gleichen, besser des identischen nachfolgenden Signalpfades zu vergleichen. Die Referenzrauschquelle wird bevorzugt gleich der Pumpstrahlungsquelle (PLI) ausgeführt. Im Folgenden wird diese Referenzrauschquelle als Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) bezeichnet. The inventive idea is to compare the noisy signal of the intensity (l fl ) of the fluorescent radiation (FL) with a reference noise source by means of the same, better the identical, subsequent signal path, as in a thickness receiver. The reference noise source becomes preferably executed like the pump radiation source (PLI). This reference noise source is referred to below as a compensation radiation source (PLK).
Wird die Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) in gleicher Weise wie die Pumpstrahlungsquelle (PLI) ausgeführt, so rauscht sie im gleichen thermischen und elektrischen Arbeitspunkt näherungsweise in gleicher Weise. Eine Kompensation mit einer anders gebauten Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) ist aber ausdrücklich weniger bevorzugt auch möglich. Bevorzugt ist die If the compensation radiation source (PLK) is designed in the same way as the pump radiation source (PLI), then it noises approximately in the same way at the same thermal and electrical operating point. A compensation with a differently constructed compensation radiation source (PLK) is expressly less preferably also possible. Is preferred
Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) so gewählt, dass die Kompensationsstrahlungswellenlänge (l^) der Kompensationsstrahlung (KS) der Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) gleich oder ähnlich der Pumpstrahlungswellenlänge (lrigir) der Pumpstrahlung (LB) der Pumpstrahlungsquelle (PLI) ist. Ist die Pumpstrahlungsquelle (PLI), wie im Falle von NV-Zentren als paramagnetischen Zentren (NV1), beispielsweise grün, so ist die Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) bevorzugt ebenfalls grün. Compensation radiation source (PLK) selected so that the compensation radiation wavelength (l ^) of the compensation radiation (KS) of the compensation radiation source (PLK) is equal to or similar to the pump radiation wavelength (l rigir ) of the pump radiation (LB) of the pump radiation source (PLI). If the pump radiation source (PLI), as in the case of NV centers as paramagnetic centers (NV1), is green, for example, the compensation radiation source (PLK) is preferably also green.
Alternativ, aber nicht bevorzugt ist die Kompensationsstrahlungswellenlänge (l^) so gewählt, dass sie nicht zum Anregen des betreffenden paramagnetischen Zentrums (NV1) bzw. der Alternatively, but not preferably, the compensation radiation wavelength (l ^) is chosen so that it does not excite the relevant paramagnetic center (NV1) or the
paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der Gruppe oder der Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) geeignet ist. Die Kompensationsstrahlungswellenlänge (l^) kann also für diesen Zweck beispielsweise größer als die Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (l^) - z.B. von 637nm bei NV-Zentren -sein, um eine solche Anregung der Fluoreszenz des paramagnetischen Zentrums (NV1) durch Kompensationsstrahlung (KS) zuverlässig zu verhindern. In der Realität wird eine optische Dämpfung der Kompensationsstrahlung (KS) vor dem Auftreffen auf dem Strahlungsempfänger (PD) notwendig sein, um die Intensität des den Strahlungsempfänger (PD) treffenden Anteils der paramagnetic centers (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) is suitable. For this purpose, the compensation radiation wavelength (l ^) can, for example, be greater than the fluorescence radiation wavelength (l ^) - e.g. of 637 nm for NV centers - in order to reliably excite the fluorescence of the paramagnetic center (NV1) by means of compensation radiation (KS) prevent. In reality, an optical attenuation of the compensation radiation (KS) before it hits the radiation receiver (PD) will be necessary in order to reduce the intensity of the portion of the radiation that hits the radiation receiver (PD)
Kompensationsstrahlung (KS) an die Intensität, des den Strahlungsempfänger (PD) treffenden Anteils der Fluoreszenzstrahlung (FL) für einen gewählten optischen Arbeitspunkt hinsichtlich der Intensität, des den Strahlungsempfänger (PD) in diesem Arbeitspunkt treffenden Anteils der Compensation radiation (KS) to the intensity of the portion of the fluorescence radiation (FL) that hits the radiation receiver (PD) for a selected optical operating point with regard to the intensity, of the portion of the radiation receiver (PD) that hits the radiation receiver (PD) in this operating point
Arbeitspunktintensität der Fluoreszenzstrahlung (FL), anzupassen. Die Pumpstrahlungswellenlänge (lr,hr) wird in der Regel kleiner als die Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (lh)- z.B. 637nm bei NV- Zentren - gewählt. Dies geschieht beispielsweise dadurch, dass die Pumpstrahlungsquelle (PLI) der Pumpstrahlung (LB) bevorzugt eine grüne, blaue oder ultraviolette LED oder ein entsprechender Laser ist. Bevorzugt liegt die Pumpstrahlungswellenlänge (lrGhr) wie beschrieben im Falle von NV- Zentren als paramagnetischen Zentren bei 532 nm. Ein Laser mit einer Pumpstrahlungswellenlänge (lr,hr) von 520nm als Pumpstrahlungsquelle (PLI) wird hier auch beschrieben. Hierdurch kann ein paramagnetisches Zentrum (NV1), das bevorzugt ein NV-Zentrum in Diamant ist, auf ein höheres Energie-Niveau angeregt werden. Die Absorptionseigenschaften des paramagnetischen Zentrums (NV1) bzw. der paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der Gruppe oder der Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) müssen dabei beachtet werden. Adjust the working point intensity of the fluorescence radiation (FL). The pump radiation wavelength (l r , hr ) is generally chosen to be smaller than the fluorescence radiation wavelength (lh) - for example 637 nm for NV centers. This is done, for example, in that the pump radiation source (PLI) of the pump radiation (LB) is preferably a green, blue or ultraviolet LED or a corresponding laser. The pump radiation wavelength (l rGhr ) is preferably 532 nm as described in the case of NV centers as paramagnetic centers. A laser with a pump radiation wavelength (l r , hr ) of 520 nm as pump radiation source (PLI) is also described here. As a result, a paramagnetic center (NV1), which is preferably an NV center in diamond, can be increased to a higher one Energy levels are stimulated. The absorption properties of the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) must be observed.
Wenn wir beispielsweise annehmen, dass das oder die paramagnetischen Zentren (NV1) NV-Zentren in Diamant sind, so können beispielsweise zwei grüne Laser mit beispielsweise bevorzugt 532nm oder 520nm Pumpstrahlungswellenlänge (lrGhr) verwendet werden. Ein erster Laser wird dann beispielweise als Pumpstrahlungsquelle (PLI) verwendet. Beispielsweise kann es sich bei dieser Pumpstrahlungsquelle (PLI) in Form des ersten Lasers auch um eine erste Laser-Diode der Fa. Osram vom Typ PLT5 520B mit 520nm Pumpstrahlungswellenlänge (lrGhr) handeln, die im Fachhandel erhältlich ist. Ein zweiter Laser wird dann beispielweise als Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) verwendet. Beispielsweise kann es sich bei dieser Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) in Form des zweiten Lasers ebenfalls um eine zweite Laser-Diode der Fa. Osram vom Typ PLT5 520B mit 520nm Pumpstrahlungswellenlänge (lrGTΐr) handeln, die im Fachhandel erhältlich ist. If we assume, for example, that the paramagnetic center or centers (NV1) are NV centers in diamond, for example two green lasers with, for example, preferably 532 nm or 520 nm pump radiation wavelength (1 rGhr ) can be used. A first laser is then used, for example, as a pump radiation source (PLI). For example, this pump radiation source (PLI) in the form of the first laser can also be a first laser diode from Osram of the PLT5 520B type with 520 nm pump radiation wavelength (1 rGhr ), which is available from specialist dealers. A second laser is then used, for example, as a compensation radiation source (PLK). For example, this compensation radiation source (PLK) in the form of the second laser can also be a second laser diode from Osram of the PLT5 520B type with 520 nm pump radiation wavelength (l rGTΐr ), which is available from specialist retailers.
Wenn ggf. nur ein Anteil der Lichtleistung des ersten Lasers, die der Intensität (lpmp) der If only a proportion of the light output of the first laser that corresponds to the intensity (l pmp ) of the
Pumpstrahlung (LB) entspricht, in Intensität (Ifi)der Fluoreszenzstrahlung (FL) umgesetzt wird, wird dringend empfohlen, die Leuchtintensität (lks) der Kompensationsstrahlung (KS) der Pump radiation (LB) corresponds to the intensity (I fi ) of the fluorescence radiation (FL) being converted, it is strongly recommended that the luminous intensity (l ks ) of the compensation radiation (KS) be used
Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) zu reduzieren. Dies kann elektrisch oder besser optisch durch ein Absorptionsfilter, beispielsweise eine Blende oder einen Graukeil erfolgen. Reduce compensation radiation source (PLK). This can be done electrically or, better still, optically through an absorption filter, for example a screen or a gray wedge.
In dem Strahlungsempfänger (PLI) überlagern sich dann die Kompensationsstrahlung (KS) und die Fluoreszenzstrahlung (FL) in etwa linear summierend. In the radiation receiver (PLI), the compensation radiation (KS) and the fluorescence radiation (FL) are then superimposed, adding up approximately linearly.
Der Dicke-Switch zum Umschalten zwischen dem verrauschten Signal und der Referenzrauschquelle, der mit einem sogenannten Chopper-Signal umgeschaltet wird, wird nun so realisiert, dass stattdessen die Pumpstrahlungsquelle (PLI) mit einem Sendesignal (S5) als Chopper-Signal ein- und ausgeschaltet wird und die Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) komplementär dazu mit einem zum Sendesignal (S5) komplementären Kompensationssendesignal (S7) eingeschaltet wird. Im einfachsten Falle ist die Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) also immer dann eingeschaltet, wenn die The thickness switch for switching between the noisy signal and the reference noise source, which is switched with a so-called chopper signal, is now implemented in such a way that the pump radiation source (PLI) is switched on and off with a transmit signal (S5) as a chopper signal and the compensation radiation source (PLK) is switched on complementarily with a compensation transmission signal (S7) which is complementary to the transmission signal (S5). In the simplest case, the compensation radiation source (PLK) is always switched on when the
Pumpstrahlungsquelle (PLI) ausgeschaltet ist und umgekehrt. Hierdurch wird, wie beim Dicke- Receiver, zwischen dem verrauschten Fluoreszenzsignal der Intensität (lf|) der Fluoreszenzstrahlung (FL) und dem Referenzrauschsignal in Form der Intensität (lks) der Kompensationsstrahlung (KS) der Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) hin und hergeschaltet. Es ist denkbar, als Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) abweichende Strahlungsquellen Pump radiation source (PLI) is switched off and vice versa. As with the thickness receiver, this switches back and forth between the noisy fluorescence signal of the intensity (l f | ) of the fluorescent radiation (FL) and the reference noise signal in the form of the intensity (l ks ) of the compensation radiation (KS) of the compensation radiation source (PLK). It is conceivable to use different radiation sources as the compensation radiation source (PLK)
einzusetzen. Dies kann auch Kostengründe haben. Es ist denkbar, statt Lasern für die to use. This can also have cost reasons. It is conceivable instead of lasers for that
Pumpstrahlungsquelle (PLI) und die Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) lichtemittierende Dioden, im Folgenden auch LEDs genannt einzusetzen. Es ist denkbar, dass die Use pump radiation source (PLI) and the compensation radiation source (PLK) light-emitting diodes, also referred to below as LEDs. It is conceivable that the
Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) eine Schwerpunktswellenlänge als Compensation radiation source (PLK) as a center of gravity wavelength
Kompensationsstrahlungswellenlänge (l|<5) im Spektrum ihrer Abstrahlung aufweist, die nicht zum Anregen der Fluoreszenzstrahlung (FL) der paramagnetischen Zentren (NV1) geeignet ist. Es kann sich beispielsweise bei der Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) um eine Infrarot-LED handeln. In dem Fall eines oder mehrerer NV-Zentren als paramagnetischen Zentren (NV1) wird dann die Compensation radiation wavelength (l | <5 ) in the spectrum of their radiation, which is not suitable for exciting the fluorescent radiation (FL) of the paramagnetic centers (NV1). For example, the compensation radiation source (PLK) can be an infrared LED. In the case of one or more NV centers as paramagnetic centers (NV1) then the
Kompensationsstrahlungswellenlänge (l^) so gewählt, dass sie im infraroten Bereich liegt. Hierdurch kann die Kompensationsstrahlung (KS) die Fluoreszenzstrahlung (FL) des NV-Zentrums bzw. der NV- Zentren bzw. der Gruppe oder der Gruppen (NVC) von NV-Zentren nicht anregen und somit keine Fluoreszenzstrahlung (FL) des NV-Zentrums bzw. der NV-Zentren bzw. der Gruppe oder der Gruppen (NVC) von NV-Zentren erzeugen. Compensation radiation wavelength (l ^) chosen so that it is in the infrared range. As a result, the compensation radiation (KS) can not excite the fluorescence radiation (FL) of the NV center or the NV centers or the group or groups (NVC) of NV centers and thus no fluorescence radiation (FL) of the NV center or . of NV centers or the group or groups (NVC) of NV centers.
Das Sendesignal (S5) ist moduliert. Die momentane Intensität (lpmp) der von der The transmission signal (S5) is modulated. The current intensity (l pmp ) of the
Pumpstrahlungsquelle (PLI) emittierten Pumpstrahlung (LB) hängt typischerweise von dem Wert des Sendesignals (S5) ab. Pump radiation (LB) emitted by the pump radiation source (PLI) typically depends on the value of the transmission signal (S5).
Dies kann durch die folgende Gleichung I beschrieben werden: il=hO'+hRa'+hl*s5w+hl*s5g +hRb*s5w+hRb*s5g il steht hier für den Momentanwert der in die erste Übertragungsstrecke (II) durch die This can be described by the following equation I: il = hO '+ hRa' + hl * s5w + hl * s5g + hRb * s5w + hRb * s5g il stands for the instantaneous value in the first transmission path (II) through the
Pumpstrahlungsquelle (PLI) hinein emittierten Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB). hRa' steht für das Rauschen der Pumpstrahlungsquelle (PLI) im Arbeitspunkt, das unabhängig von dem Wert des Sendesignals (S5) und damit unabhängig vom Wert des Wechselanteils (S5w) des Sendesignals (S5) und unabhängig vom Wert des Gleichanteils (S5g) des Sendesignals (S5) ist. hRb steht für das Rauschen der Pumpstrahlungsquelle (PLI), das abhängig von dem Wert des Sendesignals (S5) und damit abhängig vom Wert des Wechselanteils (S5w) des Sendesignals (S5) und abhängig vom Wert des Gleichanteils (S5g) des Sendesignals (S5) ist. hO' ist ein Offset-Wert für den Wert der in die erste Übertragungsstrecke (II) durch die Pumpstrahlungsquelle (PLI) hinein emittierten Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB), die im Arbeitspunkt unabhängig von dem Wert des Sendesignals (S5) und damit unabhängig vom Wert des Wechselanteils (S5w) des Sendesignals (S5) und unabhängig vom Wert des Gleichanteils (S5g) des Sendesignals (S5) ist. hl ein Proportionalitätsfaktor für den Wert der in die erste Übertragungsstrecke (II) durch die Pumpstrahlungsquelle (PLI) hinein emittierten Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB), die im Arbeitspunkt abhängig von dem Wert des Pump radiation source (PLI) in emitted intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB). hRa 'stands for the noise of the pump radiation source (PLI) at the operating point, which is independent of the value of the transmission signal (S5) and thus independent of the value of the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) and independent of the value of the direct component (S5g) of the transmission signal (S5) is. hRb stands for the noise of the pump radiation source (PLI), which is dependent on the value of the transmission signal (S5) and thus depending on the value of the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) and depending on the value of the direct component (S5g) of the transmission signal (S5) is. hO 'is an offset value for the value of the intensity (I pmp ) of the pump radiation (LB) emitted into the first transmission path (II) by the pump radiation source (PLI), which at the operating point is independent of the value of the transmission signal (S5) and thus independent of the value of the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) and independent of the The value of the direct component (S5g) of the transmission signal (S5) is. hl is a proportionality factor for the value of the intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB) emitted into the first transmission path (II) by the pump radiation source (PLI), which at the operating point depends on the value of the
Sendesignals (S5) und damit abhängig vom Wert des Wechselanteils (S5w) des Sendesignals (S5) und abhängig vom Wert des Gleichanteils (S5g) des Sendesignals (S5) ist. Wir gehen im Folgenden davon aus, dass das der Wert (s5) des Sendesignals (S5) somit einen konstanten Gleichanteilswert (s5g) des Sendeisignals (S5) und einen Sendesignalwechselanteilswert (s5w) umfasst. Die folgende Gleichung beschreibt dies: s5=s5g+s5w Transmission signal (S5) and thus dependent on the value of the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) and dependent on the value of the direct component (S5g) of the transmission signal (S5). In the following, we assume that the value (s5) of the transmission signal (S5) thus comprises a constant DC component value (s5g) of the transmission signal (S5) and a transmission signal alternating component value (s5w). The following equation describes this: s5 = s5g + s5w
Damit erhalten wir: il=hO'+hRa'+hl+ hRb +hl*s5g+hl*s5w+hRb*s5w+hRb*s5g So we get: il = hO '+ hRa' + hl + hRb + hl * s5g + hl * s5w + hRb * s5w + hRb * s5g
Wir fassen die konstanten Terme h0'+hl+hl*s5g =h0 und hRa'+hRb+hRb*s5g =hRa zusammen und erhalten: il=hO+hRa+hl*s5w+hRb*s5w We summarize the constant terms h0 '+ hl + hl * s5g = h0 and hRa' + hRb + hRb * s5g = hRa and get: il = hO + hRa + hl * s5w + hRb * s5w
Ein erster Anteil al dieser Pumpstrahlung (LB) trifft das Sensorelement und die darin enthaltenen paramagnetischen Zentren (NV1). Die paramagnetischen Zentren (NV1) setzen einen zweiten Anteil a2 dieser Pumpstrahlung (LB) in Fluoreszenzstrahlung (FL) mit einer Intensität ifl um, der einen ersten optischen Filter (Fl) erreicht. Die Intensität id der Pumpstrahlung (LB) ist nach der Wechselwirkung mit dem Sensorelement auf einen dritten Anteil a3 reduziert, der den ersten optischen Filter (Fl) erreicht. A first portion al of this pump radiation (LB) hits the sensor element and the paramagnetic centers (NV1) contained therein. The paramagnetic centers (NV1) convert a second portion a2 of this pump radiation (LB) into fluorescence radiation (FL) with an intensity ifl which reaches a first optical filter (F1). After the interaction with the sensor element, the intensity id of the pump radiation (LB) is reduced to a third component a3 which reaches the first optical filter (F1).
Die Intensität ifi der Strahlung in der ersten Übertragungsstrecke (II), die den ersten optischen Filter (Fl) erreicht, ist dann in der folgenden Gleichung II beschrieben: ifi = a2*al*(hO+hRa+hl*s5w+hRb*s5w)+ a3*al*(hO+hRa+hl*s5w+hRb*s5w) The intensity ifi of the radiation in the first transmission path (II) that reaches the first optical filter (F1) is then described in the following equation II: ifi = a2 * al * (hO + hRa + hl * s5w + hRb * s5w ) + a3 * al * (hO + hRa + hl * s5w + hRb * s5w)
Wir gehen hier zur Vereinfachung von einer idealen optischen Transmission der Fluoreszenzstrahlung (FL) durch das erste optische Filter (Fl) und eine ideale Sperrung der optischen Transmission der Pumpstrahlung (LB) durch das erste optische Filter (Fl) aus. Die Intensität ift der Strahlung in der ersten Übertragungsstrecke (II), die den ersten optischen Filter (Fl) passiert, ist dann in der folgenden Gleichung III beschrieben: ift = a2*al*(hO+hRa+hl*s5w+hRb*s5w) To simplify matters, we assume an ideal optical transmission of the fluorescence radiation (FL) through the first optical filter (F1) and an ideal blocking of the optical transmission of the pump radiation (LB) through the first optical filter (F1). The intensity ift of the radiation in the first transmission path (II) which passes the first optical filter (F1) is then described in the following equation III: ift = a2 * al * (hO + hRa + hl * s5w + hRb * s5w)
Im Idealfall erreicht also nur Fluoreszenzstrahlung (FL) den Strahlungsempfänger (PD). Dies ist eine der Realität nahekommende Näherung. Die Intensität ifd der Fluoreszenzstrahlung (FL), die den Strahlungsempfänger (PD) erreicht, ist noch einmal auf einen vierten Anteil a4 reduziert. Dies beschreibt Gleichung IV: ifd = a4*a2*al*(hO+hRa+hl*s5w+hRb*s5w) In the ideal case, only fluorescence radiation (FL) reaches the radiation receiver (PD). This is an approximation that is close to reality. The intensity ifd of the fluorescence radiation (FL) that reaches the radiation receiver (PD) is again reduced to a fourth component a4. This describes equation IV: ifd = a4 * a2 * al * (hO + hRa + hl * s5w + hRb * s5w)
Gleichzeitig erreicht den Strahlungsempfänger (PD) nur ein fünfter Anteil a5 der von der At the same time, only a fifth part a5 of the reaches the radiation receiver (PD)
Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) emittierten Intensität (lks) der Kompensationsstrahlung (KS). Diese Strahlungsintensität i2 in der zweiten Übertragungsstrecke (12) hängt vom Wert des Compensation radiation source (PLK) emitted intensity (l ks ) of the compensation radiation (KS). This radiation intensity i2 in the second transmission link (12) depends on the value of the
Kompensationssendesignals (S7) ab. Die folgende Gleichung V beschreibt die Strahlungsintensität i2, die von der Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) ausgesendet wird. i2=kO+kRa+kl*s7w+kRb*s7w Compensation transmission signal (S7). The following equation V describes the radiation intensity i2 that is emitted by the compensation radiation source (PLK). i2 = kO + kRa + kl * s7w + kRb * s7w
Hierbei steht kO für eine Offset-Konstante kl steht für einen Proportionalitätsfaktor. kRa steht für einen Rauschanteil, der von dem Wechselanteil s7w des Kompensationssendesignals (S7) unabhängig ist. s7w für den Wert des Wechselanteils des Kompensationssendesignals (S7). Wir nehmen hier in dieser Schrift zwar ausdrücklich an, dass das Rauschen der Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) ähnlich der der Pumpstrahlungsquelle (PLI) ist, nehmen zunächst aber zur Verdeutlichung eine potenzielle Unterschiedlichkeit mit, da Ähnlichkeit ein dehnbarer Begriff ist Here kO stands for an offset constant, kl stands for a proportionality factor. kRa stands for a noise component that is independent of the alternating component s7w of the compensation transmission signal (S7). s7w for the value of the alternating component of the compensation transmission signal (S7). We expressly assume here in this document that the noise of the compensation radiation source (PLK) is similar to that of the pump radiation source (PLI), but we initially include a potential difference for clarification, since similarity is a flexible term
Die Gleichung VI beschreibt dann den Anteil ik der Intensität (I^) der Kompensationsstrahlung (KS), die den Strahlungsempfänger (PD) erreicht. ik=a5*(kO+kRa+kl*s7w+kRb*s7w) Equation VI then describes the portion ik of the intensity (I ^) of the compensation radiation (KS) that reaches the radiation receiver (PD). ik = a5 * (kO + kRa + kl * s7w + kRb * s7w)
Die Intensität der Gesamtstrahlung ig, die den Strahlungsempfänger (PD) erreicht, berechnet sich nun gemäß der Gleichung VII: lg=ik+ifd= a5*(kO+kRa+kl*s7w+kRb*s7w)+ a4*a2*al*(hO+hRa+hl*s5w+hRb*s5w) The intensity of the total radiation ig that reaches the radiation receiver (PD) is now calculated according to equation VII: lg = ik + ifd = a5 * (kO + kRa + kl * s7w + kRb * s7w) + a4 * a2 * al * (hO + hRa + hl * s5w + hRb * s5w)
Der Strahlungsempfänger (PD) erzeugt nun in Abhängigkeit von der Intensität ig der The radiation receiver (PD) now generates the ig depending on the intensity
Gesamtstrahlung, die ihn erreicht, ein Empfängerausgangssignal (SO). Gleichung VIII beschreibt dies: s0=d0+dRs+dl*ig+dRb*ig Hierbei steht sO für den Wert des Empfängerausgangssignals (SO). dO steht für eine Offset-Konstante dl steht für einen Proportionalitätsfaktor. dRa steht für ein Rauschen des Strahlungsempfängers (PD), das von dem Wert der Gesamtintensität ig der Strahlung, die den Strahlungsempfänger (PD) trifft, nicht abhängt. dRb steht für ein Rauschen des Strahlungsempfängers (PD), das von dem Wert der Gesamtintensität ig der Strahlung, die den Strahlungsempfänger (PD) trifft, abhängt. Einsetzen ergibt Gleichung IX: Total radiation that reaches it, a receiver output signal (SO). Equation VIII describes this: s0 = d0 + dRs + dl * ig + dRb * ig Here sO stands for the value of the receiver output signal (SO). dO stands for an offset constant dl stands for a proportionality factor. dRa stands for a noise of the radiation receiver (PD) that does not depend on the value of the total intensity ig of the radiation that hits the radiation receiver (PD). dRb stands for a noise of the radiation receiver (PD), which depends on the value of the total intensity ig of the radiation that hits the radiation receiver (PD). Insertion gives equation IX:
S0=d0+dRa+dl*a5*( kO+kRa+kl*s7w+kRb*s7w)+ dl*a4*a2*al*(hO+hRa+hl*s5w+hRb*s5w) +dRb*a5*( kO+kRa+kl*S7+kRb*s7w)+ dRb*a4*a2*al*(hO+hRa+hl*s5w+hRb*s5w) S0 = d0 + dRa + dl * a5 * (kO + kRa + kl * s7w + kRb * s7w) + dl * a4 * a2 * al * (hO + hRa + hl * s5w + hRb * s5w) + dRb * a5 * (kO + kRa + kl * S7 + kRb * s7w) + dRb * a4 * a2 * al * (hO + hRa + hl * s5w + hRb * s5w)
Wir fordern, dass der Wechselanteil (s5w) des Sendesignals (S5) zumindest zeitweise eine We demand that the alternating component (s5w) of the transmission signal (S5) at least temporarily
Sendesignalperiode (Tp) mit einer Sendesignalperiodendauer (Tp) aufweist, wobei das Integral des Werts des Wechselanteils (s5w) des Werts (s5) des Sendesignals (S5) über diese Transmission signal period (T p ) with a transmission signal period duration (T p ), the integral of the value of the alternating component (s5w) of the value (s5) of the transmission signal (S5) over this
Sendesignalperiodendauer (Tp) verschwindet. Dies drücken wir in Gleichung X aus: Transmission signal period (T p ) disappears. We express this in equation X:
Diese Periodizitätsbedingung wird später noch sehr wichtig werden. Wir multiplizieren den Wert (s5w) des Wechselanteils (S5w) des Sendesignals (S5) nun mit dem Wert (sO) des This periodicity condition will become very important later. We multiply the value (s5w) of the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) by the value (sO) of the
Empfängerausgangssignals (SO) und erhalten den Wert (s3) des Filtereingangssignals (S3). In dem Sensorsystem führt ein erster Multiplizierer (Ml) diese Multiplikation des Werts (sO) des Receiver output signal (SO) and receive the value (s3) of the filter input signal (S3). In the sensor system, a first multiplier (Ml) performs this multiplication of the value (sO) des
Empfängerausgangssignals (SO) mit dem Wert (s5w) des Wechselanteils (S5w) des Sendesignals (S5) zum Wert (s3) des Filtereingangssignals (S3) bevorzugt durch. Dieser Wert (s3) des Receiver output signal (SO) with the value (s5w) of the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) to the value (s3) of the filter input signal (S3) preferably through. This value (s3) des
Filtereingangssignals (S3) wird durch Gleichung XI beschrieben: s3=[dO+dRa+dl*a5*( kO+kRa+kl*s7w+kRb*s7w)+ dl*a4*a2*al*(hO+hRa+hl*s5w+hRb*s5w) +dRb*a5*( kO+kRa+kl*s7w+kRb*s7w)+ dRb*a4*a2*al*(hO+hRa+hl*s5w+hRb*s5w)]*s5w Filter input signal (S3) is described by equation XI: s3 = [dO + dRa + dl * a5 * (kO + kRa + kl * s7w + kRb * s7w) + dl * a4 * a2 * al * (hO + hRa + hl * s5w + hRb * s5w) + dRb * a5 * (kO + kRa + kl * s7w + kRb * s7w) + dRb * a4 * a2 * al * (hO + hRa + hl * s5w + hRb * s5w)] * s5w
Ausmultiplizieren der Gleichung XI ergibt die Gleichung XII: s3=dO*s5w+dRa*s5w Multiplying equation XI results in equation XII: s3 = dO * s5w + dRa * s5w
+ dl*A5*kO*s5w+ dl*A5*kRa*s5w + dl*A5*kl*s7w*s5w+ dl*A5*kRb*s7w*s5w + dl*A4*A2*Al*hO*s5w+ dl*A4*A2*Al*hRa*s5w+ dl*A4*A2*Al*hl*s5w*s5w+ + dl * A5 * kO * s5w + dl * A5 * kRa * s5w + dl * A5 * kl * s7w * s5w + dl * A5 * kRb * s7w * s5w + dl * A4 * A2 * Al * hO * s5w + dl * A4 * A2 * Al * hRa * s5w + dl * A4 * A2 * Al * hl * s5w * s5w +
dl*A4*A2*Al*hRb*s5w*s5w dl * A4 * A2 * Al * hRb * s5w * s5w
+ A5*kO*dRb*s5w+A5*dRb*kRa*s5w+ A5*kl*dRb*s7w*s5w+ A5*dRb*kRb*s7w*s5w + dRb*A4*A2*Al*hO*s5w+ dRb*A4*A2*Al*hRa*s5w+ dRb*A4*A2*Al*hl*s5w*s5w+ + A5 * kO * dRb * s5w + A5 * dRb * kRa * s5w + A5 * kl * dRb * s7w * s5w + A5 * dRb * kRb * s7w * s5w + dRb * A4 * A2 * Al * hO * s5w + dRb * A4 * A2 * Al * hRa * s5w + dRb * A4 * A2 * Al * hl * s5w * s5w +
dRb*A4*A2*Al*hRb*s5w*s5w dRb * A4 * A2 * Al * hRb * s5w * s5w
Wir verwenden nun ein lineares Filter mit der Filterfunktion F[X1] XI und XI seien die zwei Werte zweier beliebige Signale x sei ein beliebiger reeller Faktor. Ein Filter mit der Filterfunktion F[X1] ist im Sinne dieser Offenlegung dann ein lineares Filter, wenn gilt (Gleichung XIII): We now use a linear filter with the filter function F [X1] XI and XI are the two values of any two signals x is any real factor. A filter with the filter function F [X1] is a linear filter in the sense of this disclosure if (Equation XIII):
F[X1+X2]=F[X1]+F[X2] F [X1 + X2] = F [X1] + F [X2]
F[x*Xl]=x*F[Xl] F [x * Xl] = x * F [Xl]
Wir verwenden nun ein Schleifenfilter (TP), das ein lineares Filter mit der Filterfunktion F[s3] sein soll, zur Filterung des Filtereingangssignals (S3) zum Filterausgangssignal (S4), wobei also der Wert (s3) des Filtereingangssignals (S3) die Variable der Filterfunktion F[s3] ein soll. We now use a loop filter (TP), which should be a linear filter with the filter function F [s3], to filter the filter input signal (S3) to the filter output signal (S4), with the value (s3) of the filter input signal (S3) being the variable the filter function F [s3] should be.
Die Struktur des Schleifenfilters (TP) ist so gewählt, dass zumindest näherungsweise gilt The structure of the loop filter (TP) is chosen so that at least approximately applies
(Gleichungen XlVa bis XIVc): (Equations XlVa to XIVc):
F[s5w]=0 F [s5w] = 0
F[s5w*s5w]=l F [s5w * s5w] = l
F[l]=l F [l] = l
Diese Bedingungen beschreiben typischerweise ein Tiefpassfilter. Auf diese Struktur werden wir später noch genauer eingehen. Wir gehen hier zunächst davon aus, das die Gleichungen XlVa bis XIVc für das Schleifenfilter (TP) gelten. These conditions typically describe a low pass filter. We will go into this structure in more detail later. We initially assume that equations XlVa to XIVc apply to the loop filter (TP).
Für den Wert (s4) des Filterausgangssignals (S4) des Schleifenfilters (TP) finden wir dann mit einer positiven Verstärkung v des Schleifenfilters (TP9 oder eines dem Schleifenfilter (TP) nachfolgenden Verstärkers (Gleichung XV): s4=v*dO*F[s5w]+v*F[dRa*s5w] For the value (s4) of the filter output signal (S4) of the loop filter (TP) we then find with a positive gain v of the loop filter (TP9 or an amplifier following the loop filter (TP) (equation XV): s4 = v * dO * F [ s5w] + v * F [dRa * s5w]
+v*dl*a5*k0* F[s5w] +v*dl*a5* F[kRa*s5w]+ v*dl*a5*kl* F[s7w*s5w] + v * dl * a5 * k0 * F [s5w] + v * dl * a5 * F [kRa * s5w] + v * dl * a5 * kl * F [s7w * s5w]
+v*dl*a5* F[kRb*s7w*s5w] + v * dl * a5 * F [kRb * s7w * s5w]
+v*dl*a4*a2*al*h0* F[s5w] +v*dl*a4*a2*al* F[hRa*s5w] +v*dl*a4*a2*al*hl* F[s5w*s5w] +v*dl*a4*a2*al* F[hRb*s5w*s5w] +v*a5*k0* F[dRb*s5w] +v*a5* F[dRb*kRa*s5w] +v*a5*kl* F[dRb*s7w*s5w]+v*a5* F[dRb*kRb*s7w*s5w] +v*a4*a2*al*h0* F[dRb*s5w] +v*a4*a2*al* F[dRb*hRa*s5w]+v*a4*a2*al*hl* F[dRb*s5w*s5w] + v * dl * a4 * a2 * al * h0 * F [s5w] + v * dl * a4 * a2 * al * F [hRa * s5w] + v * dl * a4 * a2 * al * hl * F [s5w * s5w] + v * dl * a4 * a2 * al * F [hRb * s5w * s5w] + v * a5 * k0 * F [dRb * s5w] + v * a5 * F [dRb * kRa * s5w] + v * a5 * kl * F [dRb * s7w * s5w] + v * a5 * F [dRb * kRb * s7w * s5w] + v * a4 * a2 * al * h0 * F [dRb * s5w] + v * a4 * a2 * al * F [dRb * hRa * s5w] + v * a4 * a2 * al * hl * F [dRb * s5w * s5w]
+v*a4*a2*al* F[dRb*hRb*s5w*s5w] + v * a4 * a2 * al * F [dRb * hRb * s5w * s5w]
Wir nehmen an, dass die Multiplikation zweier Rauschterme vernachlässigt werden kann und wenden die Gleichungen XIV an (Gleichung XVI): s4=+v*F[dRa*s5w] We assume that the multiplication of two noise terms can be neglected and apply equations XIV (equation XVI): s4 = + v * F [dRa * s5w]
+v*dl*a5* F[kRa*s5w] +v*dl*a5*kl* F[s7w*s5w] +v*dl*a5* F[kRb*s7w*s5w] + v * dl * a5 * F [kRa * s5w] + v * dl * a5 * kl * F [s7w * s5w] + v * dl * a5 * F [kRb * s7w * s5w]
+v*dl*a4*a2*al* F[hRa*s5w] +v*dl*a4*a2*al*hl + v * dl * a4 * a2 * al * F [hRa * s5w] + v * dl * a4 * a2 * al * hl
+v*dl*a4*a2*al* F[hRb*s5w*s5w] +v*a5*k0* F[dRb*s5w] + v * dl * a4 * a2 * al * F [hRb * s5w * s5w] + v * a5 * k0 * F [dRb * s5w]
+v*a5*kl* F[dRb*s7w*s5w] +v*a4*a2*al*h0* F[dRb*s5w] + v * a5 * kl * F [dRb * s7w * s5w] + v * a4 * a2 * al * h0 * F [dRb * s5w]
+v*a4*a2*al*hl* F[dRb*s5w*s5w] + v * a4 * a2 * al * hl * F [dRb * s5w * s5w]
Wir multiplizieren nun den Wert (s4) des Filterausgangssignals (S4) mit dem Wert (s5c) des komplementären Sendesignals (S5c) mittels Multiplikation. Hierbei soll gelten: s5c=l-S5w, wobei wir annehmen, dass der Maximalwert des Werts (s5w) des Wechselanteils (S5w) des Sendesignals (S5) einen beispielhaft vereinfachenden Betrag von 1 hat. Wir versehen den Wert (s6) des so erhaltenen Rückkoppelsignals (S6) noch mit einem Offset (bO), um den Wert (s7) des We now multiply the value (s4) of the filter output signal (S4) by the value (s5c) of the complementary transmission signal (S5c) by means of multiplication. The following should apply here: s5c = 1-S5w, where we assume that the maximum value of the value (s5w) of the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) has an exemplary simplifying amount of 1. We provide the value (s6) of the feedback signal (S6) obtained in this way with an offset (bO) to the value (s7) des
Kompensationssendesignals (S7) zu erhalten. Voraussetzung ist, dass die L2-Norm F[s5w*s5w]=l gilt: s7=[(l-s5w)*s4+b0] Receive compensation transmission signal (S7). The prerequisite is that the L2 norm F [s5w * s5w] = l applies: s7 = [(l-s5w) * s4 + b0]
Wir haben hier zur Vereinfachung angenommen, dass für die Amplitude (s5wA) des zeitlichen Wertverlaufs des Wechselanteils (S5w) des Sendesignals (S5) gilt, dass s5wA=l gilt. Ansonsten müsste hier F[s5w*s5w]= s5wA 2 verwendet werden. For the sake of simplicity, we have assumed here that for the amplitude (s5w A ) of the temporal value curve of the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5), s5w A = 1 applies. Otherwise F [s5w * s5w] = s5w A 2 would have to be used here.
In unserem Sensorsystem wird für die Multiplikation ein zweiter Multiplizierer (M2) benutzt. Der zweite Multiplizierer (M2) multipliziert bevorzugt den Wert (s4) des Filterausgangssignals (S4) mit dem Wert (s5c) des komplementären Sendesignals (S5c). In our sensor system, a second multiplier (M2) is used for the multiplication. The second multiplier (M2) preferably multiplies the value (s4) of the filter output signal (S4) by the value (s5c) of the complementary transmission signal (S5c).
Einsetzen ergibt: s4=+v*F[dRa*s5w] Insertion results in: s4 = + v * F [dRa * s5w]
+v*dl*a5* F[kRa*s5w]+v*dl*a5*kl* F[((l-s5w)*s4+bO)*S5] + v * dl * a5 * F [kRa * s5w] + v * dl * a5 * kl * F [((l-s5w) * s4 + bO) * S5]
+v*dl*a5* F[kRb*((l-s5w)*s4+bO)*s5w] + v * dl * a5 * F [kRb * ((l-s5w) * s4 + bO) * s5w]
+v*dl*a4*a2*al* F[hRa*s5w]+v*dl*a4*a2*al*hl +v*dl*a4*a2*al* F[hRb*s5w*s5w]+v*a5*kO* F[dRb*s5w]+ v * dl * a4 * a2 * al * F [hRa * s5w] + v * dl * a4 * a2 * al * hl + v * dl * a4 * a2 * al * F [hRb * s5w * s5w] + v * a5 * kO * F [dRb * s5w]
+v*a5*kl* F[dRb*((l-s5w)*s4+bO)*s5w]+v*a4*a2*al*hO* F[dRb*s5w] + v * a5 * kl * F [dRb * ((l-s5w) * s4 + bO) * s5w] + v * a4 * a2 * al * hO * F [dRb * s5w]
+v*a4*a2*al*hl* F[dRb*s5w*s5w] + v * a4 * a2 * al * hl * F [dRb * s5w * s5w]
Auflösen der Klammern und Anwendung der Filtereigenschaften der Filterfunktion F[] ergibt: s4=+v*F[dRa*s5w] Dissolving the brackets and applying the filter properties of the filter function F [] results in: s4 = + v * F [dRa * s5w]
+v*dl*a5*F[kRa*s5w]+v*dl*a5*kl*F[s4*s5w]-v*dl*a5*kl*F[S4* s5w*s5w] + v * dl * a5 * F [kRa * s5w] + v * dl * a5 * kl * F [s4 * s5w] -v * dl * a5 * kl * F [S4 * s5w * s5w]
+v*dl*a5*kl*bO*F[s5w] + v * dl * a5 * kl * bO * F [s5w]
+v*dl*a5*F[kRb*S4*s5w] -v*dl*a5*F[kRb*s4* s5w*s5w] +v*dl*a5*F[bO* kRb*s5w] + v * dl * a5 * F [kRb * S4 * s5w] -v * dl * a5 * F [kRb * s4 * s5w * s5w] + v * dl * a5 * F [bO * kRb * s5w]
+v*dl*a4*a2*al* F[hRa*s5w]+v*dl*a4*a2*al*hl +v*dl*a4*a2*al* F[hRb*s5w*s5w]+v*a5*kO* F[dRb*s5w] + v * dl * a4 * a2 * al * F [hRa * s5w] + v * dl * a4 * a2 * al * hl + v * dl * a4 * a2 * al * F [hRb * s5w * s5w] + v * a5 * kO * F [dRb * s5w]
+v*a5*kl* F[dRb*s4*s5w]-v*a5*kl* F[dRb*s4* s5w*s5w] +v*a5*kl* bO*F[dRb*s5w] + v * a5 * kl * F [dRb * s4 * s5w] -v * a5 * kl * F [dRb * s4 * s5w * s5w] + v * a5 * kl * bO * F [dRb * s5w]
+v*a4*a2*al*h0* F[dRb*s5w] + v * a4 * a2 * al * h0 * F [dRb * s5w]
+v*a4*a2*al*hl* F[dRb*s5w*s5w] + v * a4 * a2 * al * hl * F [dRb * s5w * s5w]
Außerdem nehmen wir den Wert (s4) des Filterausgangssignals (S4) im eingeschwungenen Zustand als nahezu konstant an und können daher dann den Faktor s4 als Konstante behandeln. Wir nutzen außerdem F[s5w]=0 und F[s5w*s5w]=l wobei wir für die Amplitude s5wA des Wechselanteils s5w des Sendesignals (S5) vereinfachend s5wA=l annehmen. s4=+v*F[dRa*s5w] In addition, we assume the value (s4) of the filter output signal (S4) in the steady state as almost constant and can therefore treat the factor s4 as a constant. We also use F [s5w] = 0 and F [s5w * s5w] = l, where we assume s5w A = l for the amplitude s5w A of the alternating component s5w of the transmission signal (S5). s4 = + v * F [dRa * s5w]
+v*dl*a5*F[kRa*s5w]-v*dl*a5*kl*s4 + v * dl * a5 * F [kRa * s5w] -v * dl * a5 * kl * s4
+v*dl*a5*s4*F[kRb*s5w] -v*dl*a5*s4*F[kRb*s5w*s5w] +v*dl*a5*bO*F[kRb*s5w] + v * dl * a5 * s4 * F [kRb * s5w] -v * dl * a5 * s4 * F [kRb * s5w * s5w] + v * dl * a5 * bO * F [kRb * s5w]
+v*dl*a4*a2*al*F[hRa*s5w]+v*dl*a4*a2*al*hl + v * dl * a4 * a2 * al * F [hRa * s5w] + v * dl * a4 * a2 * al * hl
+v*dl*a4*a2*al*F[hRb*s5w*s5w]+v*a5*k0*F[dRb*s5w] + v * dl * a4 * a2 * al * F [hRb * s5w * s5w] + v * a5 * k0 * F [dRb * s5w]
+v*a5*kl*s4*F[dRb*s5w]-v*a5*kl*S4*F[dRb*s5w*s5w] +v*a5*kl*bO*F[dRb*s5w] + v * a5 * kl * s4 * F [dRb * s5w] -v * a5 * kl * S4 * F [dRb * s5w * s5w] + v * a5 * kl * bO * F [dRb * s5w]
+v*a4*a2*al*h0* F[dRb*s5w] + v * a4 * a2 * al * h0 * F [dRb * s5w]
+v*a4*a2*al*hl* F[dRb*s5w*s5w] + v * a4 * a2 * al * hl * F [dRb * s5w * s5w]
Wir nehmen an, dass der konstante Signalanteil des Produkts s5w*s5w sich im Schleifenfilter (TP) durchsetzt und nutzen auf Basis dieser Annahme die dann geltenden Gleichungen We assume that the constant signal component of the product s5w * s5w prevails in the loop filter (TP) and on the basis of this assumption we use the equations then applicable
F[kRb* s5w*s5w]= F[kRb], F[dRb* s5w*s5w]=F[dRb] und F[hRb*s5w*s5w]= F[hRb]: s4=+v*F[dRa*s5w] F [kRb * s5w * s5w] = F [kRb], F [dRb * s5w * s5w] = F [dRb] and F [hRb * s5w * s5w] = F [hRb]: s4 = + v * F [dRa * s5w]
+v*dl*a5*F[kRa*s5w]-v*dl*a5*kl*s4 + v * dl * a5 * F [kRa * s5w] -v * dl * a5 * kl * s4
+v*dl*a5*s4*F[kRb*s5w] -v*dl*a5*s4*F[kRb] +v*dl*a5*bO*F[kRb*s5w] + v * dl * a5 * s4 * F [kRb * s5w] -v * dl * a5 * s4 * F [kRb] + v * dl * a5 * bO * F [kRb * s5w]
+v*dl*a4*a2*al*F[hRa*s5w]+v*dl*a4*a2*al*hl + v * dl * a4 * a2 * al * F [hRa * s5w] + v * dl * a4 * a2 * al * hl
+v*dl*a4*a2*al*F[hRb]+v*a5*kO*F[dRb*s5w] + v * dl * a4 * a2 * al * F [hRb] + v * a5 * kO * F [dRb * s5w]
+v*a5*kl*s4*F[dRb*s5w]-v*a5*kl*s4*F[dRb] +v*a5*kl*bO*F[dRb*s5w] + v * a5 * kl * s4 * F [dRb * s5w] -v * a5 * kl * s4 * F [dRb] + v * a5 * kl * bO * F [dRb * s5w]
+v*a4*a2*al*h0* F[dRb*s5w] + v * a4 * a2 * al * h0 * F [dRb * s5w]
+v*a4*a2*al*hl* F[dRb] + v * a4 * a2 * al * hl * F [dRb]
Dies ist äquivalent zu: s4(l+v*dl*a5*kl-v*dl*a5*F[kRb*s5w]-v*a5*kl*F[dRb*s5w]+v*a5*kl*F[dRb]+v*dl*a5*F[kRb])= This is equivalent to: s4 (l + v * dl * a5 * kl-v * dl * a5 * F [kRb * s5w] -v * a5 * kl * F [dRb * s5w] + v * a5 * kl * F [dRb] + v * dl * a5 * F [kRb]) =
+v*F[dRa*s5w]+v*dl*a5*F[kRa*s5w] +v*dl*a5*B0*F[kRb*s5w] +v*dl*a4*a2*al*F[hRa*s5w]+v*dl*a4*a2*al*hl+v*dl*a4*a2*al*F[hRb]+v*a5*k0*F[dRb*s5w] +v*a5*kl*bO*F[dRb*s5w]+v*a4*a2*al*hO* F[dRb*s5w]+v*a4*a2*al*hl* F[dRb] + v * F [dRa * s5w] + v * dl * a5 * F [kRa * s5w] + v * dl * a5 * B0 * F [kRb * s5w] + v * dl * a4 * a2 * al * F [ hRa * s5w] + v * dl * a4 * a2 * al * hl + v * dl * a4 * a2 * al * F [hRb] + v * a5 * k0 * F [dRb * s5w] + v * a5 * kl * bO * F [dRb * s5w] + v * a4 * a2 * al * hO * F [dRb * s5w] + v * a4 * a2 * al * hl * F [dRb]
Dies ist äquivalent zu: s4(l/(v*dl*a5*{kl- F[kRb*s5w]-kl/dl*F[dRb*s5w]+kl/dl*F[dRb]+ F[kRb]})+l)= This is equivalent to: s4 (l / (v * dl * a5 * {kl- F [kRb * s5w] -kl / dl * F [dRb * s5w] + kl / dl * F [dRb] + F [kRb] }) + l) =
+ F[dRa*s5w]/(dl*a5)*l/{kl- F[kRb*s5w]-kl/dl*F[dRb*s5w]+kl/dl*F[dRb]+ F[kRb]} + F [dRa * s5w] / (dl * a5) * l / {kl- F [kRb * s5w] -kl / dl * F [dRb * s5w] + kl / dl * F [dRb] + F [kRb] }
+F[kRa*s5w]/{kl- F[kRb*s5w]-kl/dl*F[dRb*s5w]+kl/dl*F[dRb]+ F[kRb]} +bO*F[kRb*s5w]/{kl- F[kRb*s5w]-kl/dl*F[dRb*s5w]+kl/dl*F[dRb]+ F[kRb]} +(a4*a2*al/a5)*F[hRa*s5w]/{kl- F[kRb*s5w]-kl/dl*F[dRb*s5w]+kl/dl*F[dRb]+ F[kRb]} + F [kRa * s5w] / {kl- F [kRb * s5w] -kl / dl * F [dRb * s5w] + kl / dl * F [dRb] + F [kRb]} + bO * F [kRb * s5w] / {kl- F [kRb * s5w] -kl / dl * F [dRb * s5w] + kl / dl * F [dRb] + F [kRb]} + (a4 * a2 * al / a5) * F [hRa * s5w] / {kl- F [kRb * s5w] -kl / dl * F [dRb * s5w] + kl / dl * F [dRb] + F [kRb]}
+ (a4*a2*al/a5)*hl/{kl- F[kRb*s5w]-kl/dl*F[dRb*s5w]+kl/dl*F[dRb]+ F[kRb]} + (a4 * a2 * al / a5) * hl / {kl- F [kRb * s5w] -kl / dl * F [dRb * s5w] + kl / dl * F [dRb] + F [kRb]}
+(a4*a2*al/a5)*F[hRb]/{kl- F[kRb*s5w]-kl/dl*F[dRb*s5w]+kl/dl*F[dRb]+ F[kRb]} + (a4 * a2 * al / a5) * F [hRb] / {kl- F [kRb * s5w] -kl / dl * F [dRb * s5w] + kl / dl * F [dRb] + F [kRb] }
+ kO/dl*F[dRb*s5w]/{kl- F[kRb*s5w]-kl/dl*F[dRb*s5w]+kl/dl*F[dRb]+ F[kRb]} + kO / dl * F [dRb * s5w] / {kl- F [kRb * s5w] -kl / dl * F [dRb * s5w] + kl / dl * F [dRb] + F [kRb]}
+kl/dl*B0*F[dRb*s5w]/{kl- F[kRb*s5w]-kl/dl*F[dRb*s5w]+kl/dl*F[dRb]+ F[kRb]} + kl / dl * B0 * F [dRb * s5w] / {kl- F [kRb * s5w] -kl / dl * F [dRb * s5w] + kl / dl * F [dRb] + F [kRb]}
+ (a4*a2*al/a5)*hO/dl*F[dRb*s5w]/{kl- F[kRb*s5w]-kl/dl*F[dRb*s5w]+kl/dl*F[dRb]+ F[kRb]}+ (a4 * a2 * al / a5) * hO / dl * F [dRb * s5w] / {kl- F [kRb * s5w] -kl / dl * F [dRb * s5w] + kl / dl * F [dRb ] + F [kRb]}
+ (a4*a2*al/a5)*hl/dl* F[dRb]/{kl- F[kRb*s5w]-kl/dl*F[dRb*s5w]+kl/dl*F[dRb]+ F[kRb]} + (a4 * a2 * al / a5) * hl / dl * F [dRb] / {kl- F [kRb * s5w] -kl / dl * F [dRb * s5w] + kl / dl * F [dRb] + F [kRb]}
Für große Verstärkung v des Schleifenfilters (TP) oder eines diesem ggf. nachfolgenden Verstärkers und große Eingangsverstärkung dl des Strahlungsempfängers (PD) bzw. des diesem nachfolgenden ersten Verstärkers (VI) und große Verstärkung kl des Treibers der Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) erhalten wir: s4=+ F[dRa*s5w]/(kl*dl*a5)+F[kRa*s5w]/kl+b0*F[kRb*s5w]/kl+(a4*a2*al/a5)*F[hRa*s5w]/kl For a large gain v of the loop filter (TP) or an amplifier that follows it, if applicable, and a large input gain dl of the radiation receiver (PD) or of the first amplifier (VI) following it and a large gain kl of the driver of the compensation radiation source (PLK), we get: s4 = + F [dRa * s5w] / (kl * dl * a5) + F [kRa * s5w] / kl + b0 * F [kRb * s5w] / kl + (a4 * a2 * al / a5) * F [hRa * s5w] / kl
+ (a4*a2*al/a5)*hl/kl+(a4*a2*al/a5)*F[hRb]/kl + (a4 * a2 * al / a5) * hl / kl + (a4 * a2 * al / a5) * F [hRb] / kl
+ kO/dl*F[dRb*s5w]/kl+kl/dl*bO*F[dRb*s5w]/kl + kO / dl * F [dRb * s5w] / kl + kl / dl * bO * F [dRb * s5w] / kl
+ (a4*a2*al/a5)*hO/dl*F[dRb*s5w]/kl+ (A4*A2*Al/A5)*hl/dl* F[dRb]/kl + (a4 * a2 * al / a5) * hO / dl * F [dRb * s5w] / kl + (A4 * A2 * Al / A5) * hl / dl * F [dRb] / kl
Für den Fall einer baugleichen Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) und Pumpstrahlungsquelle (PLI) erhalten wir mit kRa=hRa und kRb=hRb und hl=kl und h0=k0 und mit der Wahl b0=-(a4*a2*al/a5): s4=+ (a4*a2*al/a5)+l/(kl*dl)*l/a5*F[dRa*s5w] +(l+a4*a2*al/a5)/kl*F[hRa*s5w]For the case of a structurally identical compensation radiation source (PLK) and pump radiation source (PLI) we get with kRa = hRa and kRb = hRb and hl = kl and h0 = k0 and with the choice b0 = - (a4 * a2 * al / a5): s4 = + (a4 * a2 * al / a5) + l / (kl * dl) * l / a5 * F [dRa * s5w] + (l + a4 * a2 * al / a5) / kl * F [hRa * s5w ]
+ (l+a4*a2*al/a5)*hO/(dl*kl)*F[dRb*s5w]+ (a4*a2*al/a5)/dl*(F[dRb]-F[dRb*s5w]) + (l + a4 * a2 * al / a5) * hO / (dl * kl) * F [dRb * s5w] + (a4 * a2 * al / a5) / dl * (F [dRb] -F [dRb * s5w])
Für große Verstärkung v und große Eingangsverstärkung dl und große Verstärkung kl und hl=kl erhalten wir somit: s4= (a4*a2*al/a5) Die Vorrichtung ist also im Gegensatz zu den im Stand der Technik benutzten Messsystemen für die Fluoreszenzstrahlung (FL) paramagnetischer Zentren (NV1) in der Lage, den Rauschpegel auf ein Minimum zu drücken. DIES IST EIN WESENTLICHER UNTERSCHIED ZUM STAND DER TECHNIK. Wie in der Einleitung gezeigt wurde, ist das bei der Kombination aus Multiplikator und einfachem Tiefpass als Schleifenfilter (TP) ohne Rückkopplung nicht der Fall. Die Verwendung einer Referenzrauschquelle in Form einer Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) und die zusätzlichen Verstärker verbessern das Rauschverhalten signifikant. For large gain v and large input gain dl and large gain kl and hl = kl we get: s4 = (a4 * a2 * al / a5) In contrast to the measurement systems used in the prior art for the fluorescence radiation (FL) of paramagnetic centers (NV1), the device is able to reduce the noise level to a minimum. THIS IS A SIGNIFICANT DIFFERENCE FROM THE PRIOR ART. As was shown in the introduction, this is not the case with the combination of multiplier and simple low-pass as a loop filter (TP) without feedback. The use of a reference noise source in the form of a compensation radiation source (PLK) and the additional amplifiers significantly improve the noise behavior.
Aus der Gleichung s4= (a4*a2*al/a5) ergibt sich, dass der Wert (s4) des Filterausgangssignals (S4) als Maß für den Kehrwert des fünften Anteils a5 der von der Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) emittierten Intensität (1^) der Kompensationsstrahlung (KS) genutzt werden kann, die den From the equation s4 = (a4 * a2 * al / a5) it follows that the value (s4) of the filter output signal (S4) as a measure for the reciprocal value of the fifth component a5 of the intensity (1 ^) emitted by the compensation radiation source (PLK) the compensation radiation (KS) can be used, which the
Strahlungsempfänger (PD) erreicht, wenn die Anteile a4, a2 und al konstant gehalten werden. Des Weiteren kann der Wert (s4) des Filterausgangssignals (S4) als Maß für den zweiten Anteil a2 der Pumpstrahlung (LB) genutzt werden, den die paramagnetischen Zentren (NV1) in Radiation receiver (PD) achieved if the proportions a4, a2 and al are kept constant. Furthermore, the value (s4) of the filter output signal (S4) can be used as a measure for the second component a2 of the pump radiation (LB) that the paramagnetic centers (NV1) in
Fluoreszenzstrahlung (FL) mit einer Intensität ifl (lfl) umsetzen, wenn die Anteile al, a4 und a5 konstant gehalten werden. Außerdem kann der Wert (s4) des Filterausgangssignals (S4) als Maß für den ersten Anteil al der Pumpstrahlung (LB) genutzt werden, der das Sensorelement und die darin enthaltenen paramagnetischen Zentren (NV1) trifft, wenn die Anteile a4, a2 und a5 konstant gehalten werden. Schließlich kann der Wert (s4) des Filterausgangssignals (S4) als Maß für den vierten Anteil a4 genutzt werden, der den Intensitätsanteil ifl der Fluoreszenzstrahlung (FL), die den Strahlungsempfänger (PD) erreicht, beschreibt, wenn die Anteile al, a2 und a5 konstant gehalten werden. Implement fluorescence radiation (FL) with an intensity ifl (l fl ) if the proportions a1, a4 and a5 are kept constant. In addition, the value (s4) of the filter output signal (S4) can be used as a measure for the first component al of the pump radiation (LB) that hits the sensor element and the paramagnetic centers (NV1) contained therein if the components a4, a2 and a5 are constant being held. Finally, the value (s4) of the filter output signal (S4) can be used as a measure for the fourth component a4, which describes the intensity component ifl of the fluorescence radiation (FL) that reaches the radiation receiver (PD) if the components a1, a2 and a5 be kept constant.
Typischerweise ist der zweite Anteil a2 von besonderem Interesse, da er beispielsweise im Falle der Verwendung eines NV-Zentrums in Diamant als paramagnetisches Zentrum (NV1) von der magnetischen Flussdichte B am Ort des paramagnetischen Zentrums (NV1) bzw. einem anderen physikalischen Parameter abhängt. Damit ist dann der momentane Wert (s4) des Typically, the second portion a2 is of particular interest because, for example, in the case of using an NV center in diamond as the paramagnetic center (NV1), it depends on the magnetic flux density B at the location of the paramagnetic center (NV1) or on another physical parameter. This is then the current value (s4) des
Filterausgangssignals (S4) ein Maß für den momentanen Wert der magnetischen Flussdichte B am Ort des paramagnetischen Zentrums (NV1) oder eines anderen die Fluoreszenzstrahlung (FL) beeinflussenden Parameters, wenn die Anteile al, a4 und a5 konstant gehalten werden. Somit kann das Filterausgangssignal (S4) u.U. bereits als Sensorausgangssignal (out) des Sensorsystems genutzt werden. Der Wert des Sensorausgangssignals (out) ist dann ein Maß für die Intensität (lf|) der Fluoreszenzstrahlung (FL) des oder der paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der Gruppe oder der Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) und damit ein Maß für den Wert der physikalischen Parameter am Ort des oder der paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der Gruppe oder der Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1). Diese physikalischen Paramater können die magnetische Flussdichte B, die elektrische Flussdichte D, der Druck, die Temperatur, die Bestrahlungsintensität mit ionisierender Strahlung, die Beschleunigung a, eine Bewegungsgeschwindigkeit v, die Filter output signal (S4) a measure of the current value of the magnetic flux density B at the location of the paramagnetic center (NV1) or another parameter influencing the fluorescence radiation (FL) if the proportions a1, a4 and a5 are kept constant. Thus the filter output signal (S4) can possibly already be used as a sensor output signal (out) of the sensor system. The value of the sensor output signal (out) is then a measure of the intensity (l f | ) of the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic center or centers (NV1) or of the group or of the Groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) and thus a measure of the value of the physical parameters at the location of the paramagnetic center or centers (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1). These physical parameters can be the magnetic flux density B, the electrical flux density D, the pressure, the temperature, the irradiation intensity with ionizing radiation, the acceleration a, a movement speed v, the
Gravitationsfeldstärke g, die Rotationsgeschwindigkeit o etc. und deren zeitliche Integrale und zeitlichen Ableitungen und räumliche Gradienten etc. und weitere aus diesen abgeleitete Größen sein. Gravitational field strength g, the rotation speed o etc. and their time integrals and time derivatives and spatial gradients etc. and other variables derived from these.
Für die Unterdrückung des Rauschens ist somit eine zweite große Verstärkung kl vor der For the suppression of the noise there is thus a second large gain kl before the
Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) oder in der Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) und eine Verstärkung dl zwischen dem Strahlungsempfänger (PD) und dem Multiplizierer (Ml) in einem ersten Verstärker (VI) oder im Strahlungsempfänger (PD) erforderlich, der das Compensation radiation source (PLK) or in the compensation radiation source (PLK) and a gain dl between the radiation receiver (PD) and the multiplier (Ml) in a first amplifier (VI) or in the radiation receiver (PD) required, which
Empfängerausgangssignal (SO) zum reduzierten Empfängerausgangssignal (Sl) verstärkt und der Teil des Strahlungsempfängers (PD) sein kann. Receiver output signal (SO) to the reduced receiver output signal (Sl) amplified and which can be part of the radiation receiver (PD).
Im Gegensatz zum Stand der Technik wird somit nicht nur gefordert, dass der Ausgang des In contrast to the prior art, it is not only required that the output of the
Schleifenfilters (TP) eine große Verstärkung v zeigt, sondern auch, dass der Treiber der Loop filter (TP) shows a large gain v, but also that the driver of the
Kompensationsstrahlungsquelle (PLK), beispielsweise eine zweite Anpassschaltung (OF2), ebenfalls eine große Verstärkung kl zeigt. Erst deren Kombination unterdrückt sowohl das Rauschen der Pumpstrahlungsquelle (PLI) als auch das Rauschen der Kompensationsstrahlungsquelle (OLK) zuverlässig, was an sich sehr überraschend und im Stand der Technik nirgends beschrieben ist. Compensation radiation source (PLK), for example a second matching circuit (OF2), also shows a large gain kl. It is only their combination that reliably suppresses both the noise of the pump radiation source (PLI) and the noise of the compensation radiation source (OLK), which in itself is very surprising and is nowhere described in the prior art.
Erst wenn die Faktoren kl, dl und v groß sind, wird das Rauschen vollumfassend unterdrückt. Im Übrigen sollte die Verstärkung hl des Treibers der Pumpstrahlungsquelle (PLI), beispielsweise eine erste Anpassschaltung (OF1) in etwa gleich der Verstärkung kl der zweiten Anpassschaltung (OF2) sein. Dies kann in integrierten Schaltungen leicht durch eine sogenannte "matchende" Konstruktion der Treiber der Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) und des Treibers der Pumpstrahlungsquelle (PLI) erreicht werden. Hier sei auf die einschlägige Fachliteratur, beispielsweise ur zur Information auf die die WO 2001 073 617 A2, zur Konstruktion matchender Schaltungen in integrierten Only when the factors kl, dl and v are large is the noise completely suppressed. In addition, the gain hl of the driver of the pump radiation source (PLI), for example a first matching circuit (OF1), should be approximately equal to the gain kl of the second matching circuit (OF2). This can easily be achieved in integrated circuits by a so-called "matching" construction of the driver of the compensation radiation source (PLK) and the driver of the pump radiation source (PLI). Reference is made here to the relevant specialist literature, for example, for information on WO 2001 073 617 A2, for the construction of matching circuits in integrated
Schaltungen verwiesen. Rauschoptimiertes Sensorsystem Referenced circuits. Noise-optimized sensor system
Das rauschoptimierte Sensorsystem umfasst somit einen Strahlungsempfänger (PD) und einen Regler (Ml, TP, M2, OF). Der Strahlungsempfänger (PD) erzeugt in dieser bevorzugten Variante dann ein Empfängerausgangssignal (SO), dass typischerweise im Wesentlichen von der Summe der The noise-optimized sensor system thus comprises a radiation receiver (PD) and a controller (Ml, TP, M2, OF). In this preferred variant, the radiation receiver (PD) then generates a receiver output signal (SO) that is typically essentially the sum of the
Intensitäten der sich überlagernden Kompensationsstrahlung (KS) der Intensities of the overlapping compensation radiation (KS) of the
Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) und der Fluoreszenzstrahlung (FL) des oder der Compensation radiation source (PLK) and the fluorescence radiation (FL) of the or the
paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. von der Gruppe oder den Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) sowie einem Signalanteil beispielsweise dem Wechselanteil (S5w) des Sendesignals (S5) oder einem daraus abgeleiteten Signal abhängt, was typischerweise vorteilhaft ist. paramagnetic centers (NV1) or on the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) and a signal component, for example the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) or a signal derived therefrom, which is typically advantageous.
Das Sensorsystem ist bevorzugt so gestaltet, dass die Kompensationsstrahlung (KS) einer der Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) den Strahlungsempfänger (PD) summierend überlagernd zur Fluoreszenzstrahlung (FL) bestrahlt, so dass die Gesamtbestrahlungsintensität des The sensor system is preferably designed so that the compensation radiation (KS) of one of the compensation radiation sources (PLK) irradiates the radiation receiver (PD) in a cumulative manner superimposed on the fluorescence radiation (FL), so that the total irradiation intensity of the
Strahlungsempfängers (PD), von der das Empfängerausgangssignal (SO) abhängt, sich bevorzugt zumindest teilweise aus der Summe der Intensität der Intensität (lf|) der Fluoreszenzstrahlung (FL) und der Intensität (1^) der Kompensationsstrahlung (KS) zusammensetzt. Auch dies kann mittels dritten Mitteln, die typischerweise optische Funktionselemente sind, sichergestellt werden, die die besagte Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) mit dem Strahlungsempfänger (PD) optisch koppeln. Solche optischen Funktionselemente, die als dritte Mittel verwendet werden, können beispielsweise Lichtwellenleiter, Reflektoren, Linsen, Prismen, Freiluftstrecken, Vakuumstrecken, Blenden, Spiegel, Strahlteile, Gitter etc. sein, die die Kompensationsstrahlungsquelle (PLI) mit dem Radiation receiver (PD), on which the receiver output signal (SO) depends, is preferably at least partially composed of the sum of the intensity of the intensity (l f | ) of the fluorescent radiation (FL) and the intensity (1 ^) of the compensation radiation (KS). This can also be ensured by means of third means, which are typically optical functional elements, which optically couple said compensation radiation source (PLK) to the radiation receiver (PD). Such optical functional elements that are used as third means can be, for example, optical waveguides, reflectors, lenses, prisms, open air lines, vacuum lines, diaphragms, mirrors, beam parts, grids, etc., which the compensation radiation source (PLI) with the
Strahlungsempfänger (PD) optisch koppeln. Bevorzugt sind diese dritten Mittel ebenfalls Optically couple the radiation receiver (PD). These third agents are also preferred
Gehäuseteile. Beispielsweise kann es sich wieder um Reflektoren oder Diffusoren handeln, die in die innere Oberfläche eines Gehäusedeckels (DE) eines Open-Cavity-Gehäuses (Deutsch: nach oben offenes Gehäuse für mikrotechnische Vorrichtungen) eingearbeitet sind. Housing parts. For example, it can again be reflectors or diffusers that are incorporated into the inner surface of a housing cover (DE) of an open-cavity housing (German: upwardly open housing for microtechnical devices).
In unserem Beispiel besteht der Regler (Ml, TP, S&H, M2, OF) aus dem ersten Multiplizierer (Ml), dem Schleifenfilter (TP), der Halteschaltung (S&H), dem zweiten Multiplizierer (M2) und einem Offset-Schaltkreis (OF), der die Konstante B0 zu dem Ausgangssignal des zweiten Multiplizierers (M2), dem Regelsignal (S6), addiert. Der erste Multiplizierer (Ml) multipliziert das In our example, the controller (Ml, TP, S&H, M2, OF) consists of the first multiplier (Ml), the loop filter (TP), the holding circuit (S&H), the second multiplier (M2) and an offset circuit (OF ), which adds the constant B0 to the output signal of the second multiplier (M2), the control signal (S6). The first multiplier (Ml) multiplies that
Empfängerausgangssignal (SO) mit dem Sendesignal (S5) zum Filtereingangssignal (S3). Der Receiver output signal (SO) with the transmit signal (S5) to the filter input signal (S3). The
Schleifenfilter (TP) filtert das Filtereingangssignal (S3) mit einer Filterfunktion (F[S3]). Eine Loop filter (TP) filters the filter input signal (S3) with a filter function (F [S3]). A
Halteschalung (S&H) tastet den Ausgang des Schleifenfilters (TP) bevorzugt phasensynchron zur Sendesignalperiode (Tp) ab und erzeugt so das Filterausgangssignal (S4). Die Abtastung erfolgt dabei bevorzugt zu solchen Zeitpunkten, dass die Bedingung F[S5]=0 zu diesen Abtastzeitpunkten erfüllt ist. Holding circuit (S&H) samples the output of the loop filter (TP), preferably phase-synchronously Transmission signal period (T p ) and thus generates the filter output signal (S4). The sampling takes place preferably at such times that the condition F [S5] = 0 is fulfilled at these sampling times.
Es hat sich herausgestellt, dass das Abtasten des Filterausgangssignals (S4), insbesondere mittels der besagten Flalteschaltung (S&FI), unter Ermittlung einer Folge von Abtastwerten und die Verwendung der Folge der Abtastwerte als Sensorausgangssignal (out) besonders vorteilhaft sind, da dieses Verfahren in der Lage ist, die Spuren des Chopper-Signals in Form des Sendesignals (S5) im Spektrum des Sensorausgangssignals (out) fast vollständig zu entfernen. It has been found that the sampling of the filter output signal (S4), in particular by means of the said folded circuit (S&FI), with the determination of a sequence of sampled values and the use of the sequence of sampled values as the sensor output signal (out) are particularly advantageous, since this method in the It is able to almost completely remove the traces of the chopper signal in the form of the transmit signal (S5) in the spectrum of the sensor output signal (out).
Die Flalteschaltung (S&FI) gibt diesen Abtastwert als Filterausgangssignal (S4) an den zweiten Multiplizierer (M2) weiter. Der zweite Multiplizierer (M2) multipliziert das Filterausgangssignal (S4) mit dem komplementären Sendesignal (1-S5) zum Rückkoppelsignal (S6). Der Offsetschaltkreis (OF) addiert eine Konstante B0 zu dem Rückkoppelsignal (S6) und bildet so das The folding circuit (S&FI) forwards this sample as a filter output signal (S4) to the second multiplier (M2). The second multiplier (M2) multiplies the filter output signal (S4) by the complementary transmission signal (1-S5) for the feedback signal (S6). The offset circuit (OF) adds a constant B0 to the feedback signal (S6) to form that
Kompensationssendesignal(S7). In einigen Anwendungen wird das Rückkoppelsignal (S6) direkt als Kompensationssendesignal (S7) benutzt. Compensation transmission signal (S7). In some applications, the feedback signal (S6) is used directly as a compensation transmission signal (S7).
Der Regler (Ml, TP, S&FI, M2, OF), erzeugt dann in Abhängigkeit von dem Empfängerausgangssignal (SO) ein Kompensationssendesignal (S7). Die Kompensationsstrahlungsquelle (PLK), die The controller (Ml, TP, S&FI, M2, OF) then generates a compensation transmission signal (S7) as a function of the receiver output signal (SO). The compensation radiation source (PLK), the
beispielsweise eine Infrarot-LED oder eine "grüne" LED oder ein "grüner" Laser ist, erzeugt die Kompensationsstrahlung (KS) in Abhängigkeit von dem Kompensationssendesignal (S7). Der Regler (M l, TP, M2, OF) erzeugt das Kompensationssendesignal (S7) in Abhängigkeit vom Sendesignal (S5) bevorzugt in der Art, dass das Empfängerausgangssignal (SO) bis auf Regelfehler und Systemrauschen und ggf. einen konstanten Gleichanteil bevorzugt im Wesentlichen keine Signalanteile des is for example an infrared LED or a "green" LED or a "green" laser, generates the compensation radiation (KS) as a function of the compensation transmission signal (S7). The controller (M l, TP, M2, OF) generates the compensation transmission signal (S7) as a function of the transmission signal (S5), preferably in such a way that the receiver output signal (SO), except for control errors and system noise and possibly a constant DC component, is preferably essentially no signal components of the
Sendesignals (S5) mehr aufweist. Dies kann beispielsweise so geschehen, dass der Regler einen ersten Multiplizierer (Ml), einen Schleifenfilter (TP), insbesondere ausgeführt als Tiefpassfilter, und einen zweiten Multiplizierer (M2) aufweist. Der erste Multiplizierer (Ml) multipliziert das Transmission signal (S5) has more. This can be done, for example, in such a way that the controller has a first multiplier (Ml), a loop filter (TP), in particular designed as a low-pass filter, and a second multiplier (M2). The first multiplier (Ml) multiplies that
Empfängerausgangssignal (SO) oder ein daraus abgeleitetes Signal, z.B. ein gefiltertes oder verstärktes oder um weitere Signalanteile ergänztes Signal (z.B. Sl), mit dem Sendesignal (S5) oder einem daraus abgeleiteten Signal (z.B. S5') zu einem Filtereingangssignal (S3). Im Prinzip wird hier ein Skalar-Produkt zwischen dem Sendesignal (S5) und dem Empfängerausgangssignal (SO) bzw. den jeweils abgeleiteten Signalen gebildet. Das Ergebnis dieser Skalar-Produktbildung ist das Receiver output signal (SO) or a signal derived from it, e.g. a filtered or amplified signal or a signal supplemented by further signal components (e.g. S1) with the transmit signal (S5) or a signal derived from it (e.g. S5 ') to a filter input signal (S3). In principle, a scalar product is formed here between the transmission signal (S5) and the receiver output signal (SO) or the respective derived signals. The result of this scalar product formation is that
Filterausgangssignal (S4). Es wurde bei der Ausarbeitung der Erfindung erkannt, dass ein Tiefpass als Schleifenfilter (TP) nur ein unbestimmtes Integral realisieren kann. Daher ist mit einem Tiefpass als Schleifenfilter (TP) eine Einhaltung der Gleichung X und der Gleichungen XlVa bis XIVc nicht möglich. Weist das Sendesignal (S5) eine Sendesignalperiode (Tp) auf, für die die Gleichung X gilt, so führt eine Integration des Sendesignals (S5), die zu Zeiten t mit 0<t<Tp stoppt zu einem Wert F[S5]^0. Dies macht sich dann im Energiespektrum des Filterausgangssignals (S4) und damit in dem des Filter output signal (S4). When working out the invention, it was recognized that a low-pass filter as a loop filter (TP) can only realize an indefinite integral. It is therefore not possible to comply with equation X and equations XIVa to XIVc with a low pass as a loop filter (TP). If the transmission signal (S5) has a transmission signal period (T p ) for which equation X applies, an integration of the transmission signal (S5), which stops at times t with 0 <t <T p , results in a value F [S5] ^ 0. This is then done in the energy spectrum of the filter output signal (S4) and thus in that of the
Sensorausgangssignals (out) mit einem massiven Durchgriff der Chopper-Frequenz, also der Frequenz des Sendesignals (S5) auf das Filterausgangssignal (S4) bzw. das Sensorausgangssignal (out) bemerkbar. Sensor output signal (out) with a massive penetration of the chopper frequency, i.e. the frequency of the transmission signal (S5) on the filter output signal (S4) or the sensor output signal (out).
Um nun das erste Schleifenfilter (TP) eine bestimmte Integration statt einer unbestimmten To now the first loop filter (TP) a certain integration instead of an indefinite one
Integration ohne Integrationsgrenzen ausführen zu lassen ist es daher sinnvoll, wenn nach dem Schleifenfilter (TP), der bevorzugt ein Tiefpassfilter ist, eine Flalteschaltung (englisch Sample & Hold) (S&FI) vorgesehen oder eine funktionsäquivalente Teilvorrichtung (bei digitaler Realisierung beispielsweise ein Latch oder ein Register etc.) vorgesehen ist, das das Filterausgangssignal (S4) im Falle eines periodischen Sendesignals (S5) am jeweiligen Sendesignalperiodenende der To allow integration to be carried out without integration limits, it makes sense if, after the loop filter (TP), which is preferably a low-pass filter, a flap circuit (Sample & Hold) (S&FI) or a functionally equivalent sub-device (for example a latch or a Register etc.) is provided that the filter output signal (S4) in the case of a periodic transmission signal (S5) at the respective end of the transmission signal period
Sendesignalperiode (Tp) des Sendesignals (S5), also zum Zeitpunkt Tp abspeichert und nur diesen Wert bis zum nächsten Sendesignalperiodenende des Sendesignals (S5) bei t=Tp an den zweiten Multiplizierer (M2) weitergibt. Hierbei sei willkürlich t am Beginn der Sendesignalperiode (Tp) des Sendesignals (S5) zur Vereinfachung mit t=0 angenommen. Diese Flalteschaltung (S&FI) ist in der Praxis für eine sehr gute Auflösung unbedingt notwendig. Sie stellt einen weiteren Unterschied zum Stand der Technik dar. Den Autoren dieser Schrift ist keine Auswertung der Intensität (lfl) einer Fluoreszenzstrahlung (FL) aus dem Stand der Technik bekannt, die eine Flalteschaltung (S&FI) zur Unterdrückung der Frequenz des Sendesignals (S5) im Filterausgangssignal (S4) einsetzt. Sending signal period (T p ) of the sending signal (S5), that is, at time T p and only passes this value on to the second multiplier (M2) until the next sending signal period end of the sending signal (S5) at t = T p . Here, let us arbitrarily assume t at the beginning of the transmission signal period (T p ) of the transmission signal (S5) for simplification with t = 0. This flat circuit (S&FI) is absolutely necessary in practice for a very good resolution. It represents a further difference to the prior art. The authors of this document are not aware of any evaluation of the intensity (l fl ) of fluorescent radiation (FL) from the prior art that uses a flip circuit (S&FI) to suppress the frequency of the transmission signal (S5 ) in the filter output signal (S4).
Der Schleifenfilter (TP), der beispielsweise ein Tiefpassfilter ist, filtert das Filtereingangssignal (S3) zum Filterausgangssignal (S4). Der zweite Multiplizierer (M2) multipliziert den Wert (s4) des The loop filter (TP), which is, for example, a low-pass filter, filters the filter input signal (S3) into the filter output signal (S4). The second multiplier (M2) multiplies the value (s4) des
Filterausgangssignals (S4) mit dem Wert (s5c) des bevorzugt komplementären Sendesignals (S5c).Filter output signal (S4) with the value (s5c) of the preferably complementary transmission signal (S5c).
Das komplementäre Sendesignal (S5c) wird bevorzugt gemäß der Formel s5c=s5g-s5w oder gemäß der Formel s5c=s5wA-s5w gebildet. Hierbei steht s5wA- für Wert der Amplitude des Wechselanteils (S5w) des Sendesignals (S5). Der zweite Multiplizierer (M2) bildet auf diese Weise somit das Rückkoppelsignal (S6) und/oder direkt das Kompensationssendesignal (S7). Ggf. addiert eine zweite Anpassschaltung (OF2), die Teil des zweiten Multiplizierers (M2) sein kann, einen Offset B0 als konstanten Wert zu dem Rückkoppelsignal (S6) und bildet so das Kompensationssendesignal (S7). Sofern zwischen Filterausgangssignal (S4) und dem Eingang des zweiten Multiplizierers (M2) weitere Schaltungsteile wie beispielsweise die besagte Flalteschaltung (S&FI) (Sample & Flold-Schaltung) eingefügt sind, sind die Ansprüche so zu verstehen, dass solche Konstruktionen ausdrücklich mit umfasst sind. Sofern das Rückkoppelsignal (S6) verwendet wird, bildet eine zweite Anpassschaltung (OF2) aus dem Rückkoppelsignal (S6) das Kompensationssendesignal (S7). Das Filterausgangssignal (S4) wird dann typischerweise als Sensorausgangssignal (out) verwendet. Sein Wert ist ein Maß für die Intensität (lfl) der Fluoreszenzstrahlung (FL) und damit ein Maß für die zu erfassende physikalische Größe, also beispielsweise die magnetische Flussdichte B am Ort des paramagnetischen Zentrums (NV1) oder einer anderen physikalischen Größe, die die Fluoreszenzstrahlung (FL) des The complementary transmission signal (S5c) is preferably formed according to the formula s5c = s5g-s5w or according to the formula s5c = s5w A -s5w. Here s5w A - stands for the value of the amplitude of the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5). In this way, the second multiplier (M2) thus forms the feedback signal (S6) and / or directly the compensation transmission signal (S7). If necessary, a second matching circuit (OF2), which can be part of the second multiplier (M2), adds an offset B0 as a constant value to the feedback signal (S6) and thus forms the compensation transmission signal (S7). Provided that between the filter output signal (S4) and the input of the second multiplier (M2) further circuit parts such as the said folded circuit (S&FI) (sample & flold circuit) are inserted, the claims are to be understood that such constructions are expressly included. If the feedback signal (S6) is used, a second matching circuit (OF2) forms the compensation transmission signal (S7) from the feedback signal (S6). The filter output signal (S4) is then typically used as the sensor output signal (out). Its value is a measure of the intensity (l fl ) of the fluorescence radiation (FL) and thus a measure of the physical variable to be recorded, for example the magnetic flux density B at the location of the paramagnetic center (NV1) or another physical variable that the Fluorescence radiation (FL) des
paramagnetischen Zentrums (NV11) beeinflusst. paramagnetic center (NV11).
Dicke-Quanten-Messsystem Thickness quantum measurement system
Somit wird hier ein Quantensensorsystem zur Erfassung eines relativen Werts eines physikalischen Parameters mit einem Sensorelement und mit Auswertemitteln (G, PD, VI, Ml, TP) vorgeschlagen. Das Sensorelement umfasst als Quantenpunkt ein paramagnetisches Zentrum (NV1), das durch den physikalischen Parameter beeinflusst wird, oder mehrere paramagnetische Zentren (NV1), die durch die physikalischen Parameter beeinflusst werden, oder eine Gruppe (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1), die durch den physikalischen Parameter beeinflusst wird, oder mehrere Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1), die durch den physikalischen Parameter beeinflusst werden. Wie zuvor wird der Quantenpunkt mit Pumpstrahlung (LB) mit Pumpstrahlungswellenlänge (lr[gir) bestrahlt. Grundsätzlich eröffnen sich zwei Methoden der Auswertung. A quantum sensor system is thus proposed here for detecting a relative value of a physical parameter with a sensor element and with evaluation means (G, PD, VI, Ml, TP). The sensor element comprises, as a quantum dot, a paramagnetic center (NV1) which is influenced by the physical parameter, or several paramagnetic centers (NV1) which are influenced by the physical parameters, or a group (NVC) of paramagnetic centers (NV1) which are influenced by the physical parameter is influenced, or several groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) that are influenced by the physical parameter. As before, the quantum dot is irradiated with pump radiation (LB) with pump radiation wavelength (l r [gir ). Basically, there are two methods of evaluation.
Bei der ersten Methode erfassen Auswertemittel (VI) einen ersten Fotostrom des Quantenpunkts des Sensorelements. Dies kann beispielsweise durch eine Quantenbit-Konstruktion entsprechend der Figuren 78,79 und 81 erfolgen. Die Auswertemittel erzeugen dann ein Empfängerausgangssignal (SO) in Abhängigkeit vom Wert dieses ersten Fotostroms. In the first method, evaluation means (VI) detect a first photocurrent of the quantum dot of the sensor element. This can be done, for example, by a quantum bit construction according to FIGS. 78, 79 and 81. The evaluation means then generate a receiver output signal (SO) depending on the value of this first photocurrent.
Bei der zweiten Methode erfassen Auswertemittel (PD) eine Fluoreszenzstrahlung (FL) des In the second method, evaluation means (PD) detect fluorescence radiation (FL) of the
Quantenpunkts des Sensorelements. Bevorzugt wird die Intensität (lf|) einer Fluoreszenzstrahlung (FL) des Quantenpunkts des Sensorelements durch Auswertmittel (PD) erfasst. Die betreffenden Auswertemittel (PD) erzeugen dann typischerweise ein Empfängerausgangssignal (SO) in Quantum dot of the sensor element. The intensity (l f | ) of a fluorescence radiation (FL) of the quantum dot of the sensor element is preferably detected by evaluation means (PD). The evaluation means (PD) in question then typically generate a receiver output signal (SO) in
Abhängigkeit von der Fluoreszenzstrahlung (FL). Bevorzugt erzeugen die betreffenden Dependence on the fluorescence radiation (FL). Preferably generate the relevant
Auswertemittel (PD) typischerweise das Empfängerausgangssignal (SO) in Abhängigkeit von der Intensität (lfl) der Fluoreszenzstrahlung (FL). Im Gegensatz zum Stand der Technik umfasst das in diesem Anschnitt vorgeschlagene Sensorsystem zusätzlich ein Referenzelement, wobei das Referenzelement als Referenzquantenpunkt ein paramagnetisches Referenzzentrum (NV2), das durch den physikalischen Parameter beeinflusst wird, oder mehrere paramagnetische Referenzzentren (NV2), die durch den physikalischen Parameter beeinflusst werden, oder eine Gruppe (NVC2) paramagnetischer Referenzzentren (NV2), die durch den physikalischen Parameter beeinflusst wird, oder mehrere Gruppen (NVC2) paramagnetischer Referenzzentren (NV2), die durch den physikalischen Parameter beeinflusst wird, umfasst. Evaluation means (PD) typically the receiver output signal (SO) as a function of the intensity (l fl ) of the fluorescent radiation (FL). In contrast to the prior art, the sensor system proposed in this section additionally includes a reference element, the reference element being a paramagnetic reference center (NV2), which is influenced by the physical parameter, or several paramagnetic reference centers (NV2), which is influenced by the physical parameter, as the reference quantum point or a group (NVC2) of paramagnetic reference centers (NV2) that is influenced by the physical parameter, or multiple groups (NVC2) of paramagnetic reference centers (NV2) that is influenced by the physical parameter.
Der Referenzquantenpunkt wird mit Kompensationsstrahlung (KS) bestrahlt. Nun erfassen bevorzugt die gleichen Auswertemittel (PD, VI), die die ausgewertete Größe des Quantenpunkts erfassen die ausgewertete Größe des Referenzquantenpunkts. The reference quantum dot is irradiated with compensation radiation (KS). Now preferably the same evaluation means (PD, VI) that record the evaluated size of the quantum dot detect the evaluated size of the reference quantum dot.
Bei Anwendung der ersten Methode erfassen Auswertemittel (VI) nun dementsprechend zusätzlich zum ersten Fotostrom einen zweiten Fotostrom des Referenzquantenpunkts des Referenzelements und erzeugen das Empfängerausgangssignal (SO) in Abhängigkeit vom ersten Fotostrom und nun in Abweichung vom Stand der Technik zusätzlich auch in gleichzeitiger Abhängigkeit vom zweiten Fotostrom. When using the first method, evaluation means (VI) now detect a second photocurrent of the reference quantum dot of the reference element in addition to the first photocurrent and generate the receiver output signal (SO) as a function of the first photocurrent and now, in deviation from the prior art, also as a simultaneous function of the second Photocurrent.
Bei Anwendung der zweiten Methode erfassen Auswertemittel (PD) nun dementsprechend zusätzlich zur Intensität (lf|) der Fluoreszenzstrahlung (FL) darüber hinaus eine Intensität (lkfl) einer When the second method is used, evaluation means (PD) now accordingly detect an intensity (I kfl ) of a in addition to the intensity (l f | ) of the fluorescent radiation (FL)
Kompensationsfluoreszenzstrahlung (KFL) des Referenzquantenpunkts des Referenzelements und ein aus den Werten dieser beiden, sich typischerweise zu einer Gesamtintensität überlagernden Intensitäten ein Empfängerausgangssignal (SO), in Abhängigkeit von der Intensität (lfl) der Compensation fluorescence radiation (KFL) of the reference quantum dot of the reference element and a receiver output signal (SO) based on the values of these two intensities, which typically overlap to form a total intensity, depending on the intensity (l fl ) of the
Fluoreszenzstrahlung (FL) und nun zusätzlich über den Stand der Technik hinaus auch in gleichzeitiger Abhängigkeit von der Intensität (lkf|) einer Kompensationsfluoreszenzstrahlung (KFL) der Fluorescence radiation (FL) and now additionally beyond the prior art also in a simultaneous dependence on the intensity (l kf | ) of a compensation fluorescence radiation (KFL) of the
Referenzquantenzentren. Auswertemittel (Ml, TP) erzeugen dann aus dem Reference quantum centers. Evaluation means (Ml, TP) then generate from the
Empfängerausgangssignal (SO) einen Messwert in Form des Werts eines Sensorausgangssignals (out) für die Differenz zwischen dem Wert des physikalischen Parameters am Ort des Quantenpunkts und dem Wert des physikalischen Parameters am Ort des Referenzquantenpunkts, der als Messwert für diesen Messwert verwendet wird oder verwendet werden kann. In dieser Konfiguration dient der Referenzquantenpunkt als Referenzrauschquelle für das Rauschen des Quantenpunkts. Durch ein Chopper-Signal, hier typischerweise das Sendesignal (S5), wird zwischen diesen beiden Receiver output signal (SO) a measured value in the form of the value of a sensor output signal (out) for the difference between the value of the physical parameter at the location of the quantum dot and the value of the physical parameter at the location of the reference quantum dot, which is or will be used as a measured value for this measured value can. In this configuration, the reference quantum dot serves as the reference noise source for the noise of the quantum dot. A chopper signal, here typically the transmit signal (S5), is used to switch between these two
Rauschquellen, nämlich dem Quantenpunkt und dem Referenzquantenpunkt hin- und hergeschaltet. Im Gegensatz zum Dicke Receiver geschieht dies aber nicht mittels eines sogenannten Dicke- Schalters, sondern durch zeitliche Modulation der Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB) und dazu zeitlich komplementärer Modulation der Kompensationsstrahlung (KS), wobei diese Modulation von dem besagten Sendesignal (S5) als Chopper-Signal abhängt. Statt dieser Modulation der Noise sources, namely the quantum dot and the reference quantum dot switched back and forth. In contrast to the thickness receiver, this is not done by means of a so-called thickness receiver Switch, but by modulating the intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB) over time and modulation of the compensation radiation (KS) that is complementary in time, this modulation being dependent on the said transmission signal (S5) as a chopper signal. Instead of this modulation of the
Pumpstrahlungsquelle (PLI) und der Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) ist auch ein Dauerbetrieb der Pumpstrahlungsquelle (PLI) und der Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) mit Auswertung der Fluoreszenzstrahlung (FL) und der Kompensationsfluoreszenzstrahlung (KFL) denkbar, wobei dann beispielsweise mittels eines Schwingspiegels, der mit dem Sendesignal (S5) als Steuersignal des Schwingspiegels verknüpft ist, abwechselnd die Fluoreszenzstrahlung (FL) des Quantenpunkts und die Kompensationsfluoreszenzstrahlung (KFL) des Referenzquantenpunkts auf den Pump radiation source (PLI) and the compensation radiation source (PLK), continuous operation of the pump radiation source (PLI) and the compensation radiation source (PLK) with evaluation of the fluorescence radiation (FL) and the compensation fluorescence radiation (KFL) is also conceivable, in which case, for example, by means of an oscillating mirror that is connected to the Transmission signal (S5) is linked as a control signal of the oscillating mirror, alternately the fluorescence radiation (FL) of the quantum dot and the compensation fluorescence radiation (KFL) of the reference quantum dot on the
Strahlungsempfänger (PD) gelenkt werden. Wird die Methode der Extraktion der Fotoströme vorgesehen, so ist auch ein Dauerbetrieb der Pumpstrahlungsquelle (PLI) und der Radiation receiver (PD) are steered. If the method of extracting the photocurrents is provided, the pump radiation source (PLI) and the pump radiation source (PLI) will also operate continuously
Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) mit Auswertung der Fotoströme des Quantenpunkts und des Referenzquantenpunkts möglich, wobei dann mit Hilfe eines Schalters, der von dem Sendesignal (S5) gesteuert wird, zwischen dem Fotostrom des Quantenpunkts und dem Fotostrom des Compensation radiation source (PLK) with evaluation of the photocurrents of the quantum dot and the reference quantum dot possible, with the help of a switch that is controlled by the transmission signal (S5) between the photocurrent of the quantum dot and the photocurrent of the
Referenzquantenpunkts hin- und hergeschaltet wird. Reference quantum dot is switched back and forth.
Messung mit einem nicht periodischen Sendesignal (S5) Measurement with a non-periodic transmission signal (S5)
Es ist möglich, ein nichtperiodisches Sendesignal (S5) zu verwenden. In dem Fall ist dann ein Trigger- Schaltkreis (TRIG) erforderlich, der das Sendesignal (S5) analysiert und immer, wenn die Bedingung F[S5]=0 erfüllt ist, mittels eines Synchronisationssignals (Sync) die Halteschaltung (S&H) betätigt. Beispielsweise ist es denkbar, mittels rückgekoppelter Schieberegister Pseudozufallsfolgen als Sendesignal (S5) zu verwenden. Diese sind dann nicht monofrequent. Sie haben eine von null verschiedene Frequenzbandbreite und können zur Spreizung verwendet werden. Als Sendesignal (S5) kann dann somit auch ein Spreiz-Code unendlicher Länge verwendet werden. Die Verwendung allzu langer Spreiz-Codes zur Modulation des Sendesignals (S5) führt aber zu langen Latenzzeiten und wird typischerweise ab einer Anwendungsbestimmten Spreiz-Code-Länge contra produktiv. It is possible to use a non-periodic transmission signal (S5). In this case, a trigger circuit (TRIG) is required which analyzes the transmission signal (S5) and, whenever the condition F [S5] = 0 is met, actuates the hold circuit (S&H) by means of a synchronization signal (Sync). For example, it is conceivable to use pseudo-random sequences as the transmission signal (S5) by means of feedback shift registers. These are then not monofrequency. They have a frequency bandwidth other than zero and can be used for spreading. A spreading code of infinite length can then also be used as the transmission signal (S5). The use of excessively long spreading codes for modulating the transmission signal (S5) leads to long latency times and is typically contra-productive from an application-specific spreading code length.
Messung der Phasenverzögerung der Fluoreszenzstrahlung (FL) gegenüber der Pumpstrahlung (LB) Measurement of the phase delay of the fluorescence radiation (FL) compared to the pump radiation (LB)
Bei der Ausarbeitung der Erfindung wurde erkannt, dass nicht nur die Intensität (lfl) der When working out the invention it was recognized that not only the intensity (l fl ) of the
Fluoreszenzstrahlung (FL) von externen physikalischen Parametern, wie beispielsweise der magnetischen Flussdichte B abhängt, sondern auch die Phasenverzögerung. Ist die magnetische Flussdichte B am Ort eines paramagnetischen Zentrums (NV1) geringer, so ist auch die Phasenverzögerung zwischen dem zeitlichen Verlauf der Intensität (lf|) der Fluoreszenzstrahlung (FL) und dem vorauseilenden zeitlichen Verlauf der Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB) zeitlich kürzer. Ist die magnetische Flussdichte B am Ort eines paramagnetischen Zentrums (NV1) größer, so ist auch die Phasenverzögerung zwischen dem zeitlichen Verlauf der Intensität (lf|) Fluorescence radiation (FL) depends on external physical parameters, such as the magnetic flux density B, but also the phase delay. If the magnetic flux density B at the location of a paramagnetic center (NV1) is lower, so is the Phase delay between the temporal course of the intensity (l f | ) of the fluorescence radiation (FL) and the leading temporal course of the intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB) shorter in time. If the magnetic flux density B at the location of a paramagnetic center (NV1) is greater, the phase delay between the time course of the intensity (l f | )
Fluoreszenzstrahlung (FL) und dem vorauseilenden zeitlichen Verlauf der Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB) zeitlich länger. Fluorescence radiation (FL) and the leading time course of the intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB) are longer in time.
Das hier vorgeschlagene Sensorsystem zur beispielhaften Analyse dieser Phasenverzögerung zwischen der Fluoreszenzstrahlung (FL) und der Pumpstrahlung (LB) nutzt einen zweiten The sensor system proposed here for the exemplary analysis of this phase delay between the fluorescence radiation (FL) and the pump radiation (LB) uses a second one
Analysesignalpfad für die Analyse des Empfängerausgangssignals (SO). Analysis signal path for analyzing the receiver output signal (SO).
Hierzu umfasst das auf Phasenmessung erweiterte Sensorsystem ein weiteres Sendesignal (S51). Dieses weitere Sendesignal (S51) wird im Folgenden auch als orthogonales Referenzsignal (S51) bezeichnet, da es nur für die Analyse und die Kompensation verwendet wird. Das weitere For this purpose, the sensor system expanded to include phase measurement includes a further transmission signal (S5 1 ). This further transmission signal (S5 1 ) is also referred to below as an orthogonal reference signal (S5 1 ), since it is only used for analysis and compensation. The other
Sendesignal (S51) ist bevorzugt vom Sendesignal (S5) verschieden. Bevorzugt ist das Sendesignal (S5) periodisch. Ebenso bevorzugt ist das weitere Sendesignal (S51) bevorzugt periodisch. Es ist aber beispielsweise auch denkbar, nichtperiodische Signale, wie oben beschrieben, zu verwenden. The transmission signal (S5 1 ) is preferably different from the transmission signal (S5). The transmission signal (S5) is preferably periodic. The further transmission signal (S5 1 ) is also preferably periodic. However, it is also conceivable, for example, to use non-periodic signals, as described above.
Beispielsweise kann es sich bei dem Sendesignal (S5) auch um ein Zufallssignal handeln, dass auf einem ersten Zufallsprozess beruht. Ebenso kann es sich bei dem zweiten, weiteren Sendesignal (S5') um ein zweites Zufallssignal handeln, dass auf einem zweiten Zufallsprozess beruht, der For example, the transmission signal (S5) can also be a random signal that is based on a first random process. The second, further transmission signal (S5 ′) can also be a second random signal that is based on a second random process that
beispielsweise von dem ersten Zufallsprozess vollkommen unabhängig ist. Auch kann das erste Sendesignal (S5) auf einem ersten Spreiz-Code basieren und das zweite Sendesignal (S51) auf einem zweiten Spreiz-Code, der bevorzugt von dem ersten Spreiz-Code unabhängig ist. Bevorzugt gilt zu bestimmten Zeitpunkten F[S5, S5]=0 oder zumindest F[S5w, S5w]=0. Bevorzugt betätigt das Trigger- Signal (STR) die Halteschaltung (S&H) zu solchen Zeitpunkten. for example, is completely independent of the first random process. The first transmission signal (S5) can also be based on a first spreading code and the second transmission signal (S5 1 ) on a second spreading code, which is preferably independent of the first spreading code. Preferably, at certain times, F [S5, S5] = 0 or at least F [S5w, S5w] = 0. The trigger signal (STR) preferably activates the holding circuit (S&H) at such times.
Zunächst beschreiben wir nochmals der Vollständigkeit halber den ersten Analysepfad, der den bisher erläuterten Sensorsystemen entspricht. First of all, for the sake of completeness, we describe the first analysis path again, which corresponds to the sensor systems explained so far.
Wie zuvor beschrieben, bilden der erste Multiplizierer (Ml) und der Schleifenfilter (TP) eine beispielhafte Skalar-Produkteinheit, die das Skalarprodukt zwischen dem Sendesignal (S5) und dem Empfängerausgangssignal (SO) bildet, wobei diese Signale durch Signale ersetzt werden können, die beispielsweise durch Filterung oder Phasenverschiebung oder andere Signalmodifikationsmethoden aus diesen Signalen (SO, S5) abgeleitet wurden oder abgeleitet werden können. Das bedeutet, dass diese Skalar-Produkteinheit ein Skalarprodukt in einer ganz bestimmten Art und Weise bildet. Somit können im mathematischen Sinne in den Extremfällen Signale in Bezug auf dieses Skalarprodukt orthogonal oder parallel = synchron zueinander sein. Somit ist ein Signal im Sinne dieser Schrift dann orthogonal zu dem anderen, wenn es bezüglich des verwendeten Skalarprodukts orthogonal zu dem anderen Signal ist, also das Filterausgangssignal (S4) 0 ergeben würde. In den zuvor beschriebenen Abschnitten wird das Skalarprodukt aus dem Empfängerausgangssignal (SO) und dem Sendesignal (S5) durch die Formel As described above, the first multiplier (Ml) and the loop filter (TP) form an exemplary scalar product unit that forms the scalar product between the transmission signal (S5) and the receiver output signal (SO), these signals being able to be replaced by signals that for example by filtering or phase shifting or other signal modification methods have been or can be derived from these signals (SO, S5). It means that this scalar product unit forms a scalar product in a very specific way. Thus, in the mathematical sense, in the extreme cases, signals with respect to this scalar product can be orthogonal or parallel = synchronous with one another. Thus, for the purposes of this document, one signal is orthogonal to the other if it is orthogonal to the other signal with regard to the scalar product used, that is to say if the filter output signal (S4) would result in 0. In the sections described above, the scalar product of the receiver output signal (SO) and the transmission signal (S5) is given by the formula
<S0, S5>=F[S0*S5]=S4 gebildet. Hierbei steht "<S0;S5>" für das Skalarprodukt. Die Filterfunktion F[S0*S5] umfasst hierbei bevorzugt auch die Funktion der Halteschaltung, sodass das Skalarprodukt hier für hohe Frequenzen des Produkts S0*S5 einem bestimmten Integral und damit einem L2-Produkt entspricht. <S0, S5> = F [S0 * S5] = S4 is formed. "<S0; S5>" stands for the scalar product. The filter function F [S0 * S5] here preferably also includes the function of the hold circuit, so that the scalar product here for high frequencies of the product S0 * S5 corresponds to a specific integral and thus to an L2 product.
Ein beliebiges Signal XI ist im Sinne dieser Schrift zu einem anderen beliebigen Signal X2 dann orthogonal, wenn gilt: Any signal XI in the sense of this document is orthogonal to any other signal X2 if:
<X1, X2>=0 <X1, X2> = 0
Bezogen auf das in unserem Sensorsystem verwendete System bedeutet dies, dass gelten muss: In relation to the system used in our sensor system, this means that:
F[X1*X2]=0 F [X1 * X2] = 0
Besonders bevorzugt wird daher das weitere Sendesignal (S51) bzw. der Wechselanteil (S5w) des Sendesignals (S5) so gewählt, dass es orthogonal zu dem Sendesignal (S5) bzw. zu dem Wechselanteil (S5w) des Sendesignals (S5) ist. Ist beispielsweise das Sendesignal (S5) ein Rechtecksignal mit einem Tastverhältnis von 50%, so kann das weitere Sendesignal (S51) ein dazu um eine viertel The further transmission signal (S5 1 ) or the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) is therefore particularly preferably selected so that it is orthogonal to the transmission signal (S5) or to the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5). If, for example, the transmission signal (S5) is a square-wave signal with a pulse duty factor of 50%, then the further transmission signal (S5 1 ) can increase by a quarter
Periodendauer Tp verschobenes Rechtecksignal mit 50% Tastverhältnis sein. Das Sendesignal (S5) und das weitere Sendesignals (S51) stellen dann also etwas Ähnliches, wie Sinus und Cosinus dar. Der Regler erzeugt das Kompensationssendesignal (S7) bevorzugt in Abhängigkeit von dem Period duration T p be shifted square wave signal with 50% duty cycle. The transmission signal (S5) and the further transmission signal (S5 1 ) then represent something similar to sine and cosine. The controller generates the compensation transmission signal (S7) preferably as a function of the
Empfängerausgangssignal (SO), dem Sendesignal (S5) und zwar bevorzugt dem Wechselanteil (S5w) des Sendesignals (S5) im Speziellen und dem weiteren Sendesignal (S51) und zwar hier bevorzugt dem Wechselanteil (S5w') des weiteren Sendesignals (S5') im Speziellen in der Art, dass das Receiver output signal (SO), the transmission signal (S5) and preferably the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) in particular and the further transmission signal (S5 1 ), namely here preferably the alternating component (S5w ') of the further transmission signal (S5') especially in the way that that
Empfängerausgangssignal (SO) bis auf Regelfehler und Systemrauschen und ggf. einen konstanten Gleichanteil keine Signalanteile des Sendesignals (S5) und gleichzeitig keine Signalanteile des weiteren Sendesignals (S51), insbesondere des orthogonalen Referenzsignals (S51) mehr aufweist. Für die Bildung des Skalarprodukts wird bevorzugt die besagte zweite Skalar-Produkteinheit verwendet, die bevorzugt gleich der ersten Skalar-Produkteinheit konstruiert ist. Ein zusätzlicher erster Multiplizierer (Ml') multipliziert das weitere Sendesignal (S51) mit dem Receiver output signal (SO) to Rule errors and system noise and possibly a constant DC component does not signal components of the transmitted signal (S5) and simultaneously no signal portions of the other transmission signal (S5 1), in particular of the orthogonal reference signal (S5 1) comprises more. For the formation of the scalar product, said second scalar product unit is preferably used, which is preferably constructed in the same way as the first scalar product unit. An additional first multiplier (Ml ') multiplies the further transmission signal (S5 1 ) with the
Empfängerausgangssignal (SO) oder einem daraus abgeleiteten Signal (z.B. mit dem reduzierten Empfängerausgangssignal Sl) und bildet so das weitere Filtereingangssignal (S31) für den weiteren Filter, der bevorzugt ein weiterer Schleifenfilter (TP1) ist. Dieser weitere Filter erzeugt aus dem weiteren Filtereingangssignal (S31) das weitere Filterausgangssignal (S41), das als weiteres Receiver output signal (SO) or a signal derived therefrom (eg with the reduced receiver output signal S1) and thus forms the further filter input signal (S3 1 ) for the further filter, which is preferably a further loop filter (TP 1 ). This further filter generated from the additional filter input signal (S3 1) the further filter output signal (S4 1) as a further
Sensorausgangssignal (out1) verwendet werden kann. Das Sensorausgangssignal (out1) dann beispielsweise im Verhältnis zum weiteren Sensorausgangssignal (out1) kann die Phasenverschiebung als arctan dieses Verhältnisses oder in Form einer Fluoreszenzphasenverschiebungszeit (ATFL) angeben, wenn beispielsweise das weitere Sendesignal (S51) einem um 90° phasenverschobenen Sendesignal (S5) entspricht. Beispielsweise ist es denkbar, den arctan Wert des Verhältnisses zu jedem Wert-Paar der Werte des Filterausgangssignals (S4) und des weiteren Filterausgangssignals (S41) bei einem monofrequenten Sendesignal (S5) zu bilden. Auf diese Weise lässt sich dann ein Phasensignal bilden, dass den zeitlichen Verlauf des Phasenwinkels angibt. Da dieser Phasenwinkel von der magnetischen Flussdichte B am Ort des oder der paramagnetischen Zentren (NV1) im Sensorelement abhängt, können die Werte des Phasensignals als Maße für den zeitlichen Verlauf der magnetischen Flussdichte B am Ort des oder der paramagnetischen Zentren (NV1) und damit zur Messung der magnetischen Flussdichte verwendet werden. Statt oder mit der magnetischen Flussdichte B können auch andere Werte anderer physikalischer Parameter, die die Sensor output signal (out 1 ) can be used. The sensor output signal (out 1 ) then for example in relation to the further sensor output signal (out 1 ) can indicate the phase shift as arctan of this ratio or in the form of a fluorescence phase shift time (ATFL) if, for example, the further transmission signal (S5 1 ) corresponds to a transmission signal phase shifted by 90 ° ( S5). For example, it is conceivable to form the arctan value of the ratio to each value pair of the values of the filter output signal (S4) and of the further filter output signal (S4 1 ) for a monofrequency transmission signal (S5). In this way, a phase signal can then be formed that indicates the time profile of the phase angle. Since this phase angle depends on the magnetic flux density B at the location of the paramagnetic center or centers (NV1) in the sensor element, the values of the phase signal can be used as a measure of the temporal progression of the magnetic flux density B at the location of the paramagnetic center or centers (NV1) and thus for Measurement of magnetic flux density can be used. Instead of or with the magnetic flux density B, other values of other physical parameters can also be used
Phasenverschiebung der Fluoreszenzstrahlung (FL) gegenüber der Pumpstrahlung (LB) in Form der Fluoreszenzphasenverschiebungszeit (ATFL) beeinflussen, erfasst werden. Solche physikalischen Parameter können beispielsweise der Druck P, die Temperatur q, die Beschleunigung a, die The phase shift of the fluorescence radiation (FL) compared to the pump radiation (LB) in the form of the fluorescence phase shift time (ATFL) can be detected. Such physical parameters can be, for example, the pressure P, the temperature q, the acceleration a, the
Gravitationsbeschleunigung g und die elektrische Feldstärke E sein. Durch die Bestimmung von zwei Paramatern, nämlich eines Werts für die Intensität (lf|) der Fluoreszenzstrahlung (FL) und eines Werts für die Fluoreszenzphasenverschiebungszeit (ATFL) kann dieses zweidimensionale Messwertsystem durch eine einfache lineare Abbildung umfassend beispielsweise eine einfache Matrixmultiplikation auf zwei der ermittelbaren physikalischen Größen, beispielsweise die magnetische Flussdichte B und die elektrische Flussdichte D abgebildet werden, wodurch diese ermittelt werden können. Hierdurch ist eine Ermittlung der Werte dieser zwei physikalischen Parameter möglich. Vorausgesetzt wird dabei allerdings, dass die anderen physikalischen Parameter annähernd konstant sind und so die Messung nicht beeinflussen. Messung mittels komplementärem Analysesignal mit 180° Phasenverschiebung Ist das Sendesignal (S5) beispielsweise ein PWM-Signal mit einem 50% Duty-Cycle, also ein Gravitational acceleration g and the electric field strength E. By determining two parameters, namely a value for the intensity (l f | ) of the fluorescence radiation (FL) and a value for the fluorescence phase shift time (ATFL), this two-dimensional measured value system can include, for example, a simple matrix multiplication on two of the determinable values using a simple linear mapping physical quantities, for example the magnetic flux density B and the electrical flux density D, are mapped, so that these can be determined. This enables the values of these two physical parameters to be determined. It is assumed, however, that the other physical parameters are approximately constant and thus do not influence the measurement. Measurement by means of a complementary analysis signal with 180 ° phase shift If the transmission signal (S5) is, for example, a PWM signal with a 50% duty cycle
Rechtecksignal, und amplitudenmoduliert das Sendesignal (S5) die Pumpstrahlung (LB), so ist in dieser Variante beispielsweise das weitere Sendesignal (S51) bevorzugt ein um 180° zu dem Square-wave signal, and the transmission signal (S5) amplitude-modulates the pump radiation (LB), then in this variant, for example, the further transmission signal (S5 1 ) is preferably 180 ° to the
Sendesignal (S5) phasenverschobenes, also bevorzugt invertiert-komplementäres Sendesignal (S5). Das weitere Sensorausgangssignal (out1) gibt dann die Intensität (lfl) des Nachleuchtens der Transmission signal (S5) phase-shifted, that is, preferably inverted-complementary transmission signal (S5). The further sensor output signal (out 1 ) then gives the intensity (l fl ) of the afterglow of the
Fluoreszenzstrahlung (FL) nach dem Ausschalten der Pumpstrahlung (LB) an. eine solche Fluorescence radiation (FL) on after switching off the pump radiation (LB). such
Konstruktion hat den Vorteil, dass dann kein erster optischer Filter (Fl) mehr notwendig ist und dass dieser dann eingespart werden kann. Die Kompensationsregelung über den Kompensationssender (PLK) hält den Strahlungsempfänger (PD) immer im gleichen optischen Arbeitspunkt. Für diese Konstruktion wird bevorzugt ein Kompensationssender (PLK) mit einer großen The construction has the advantage that a first optical filter (F1) is no longer necessary and that this can then be saved. The compensation control via the compensation transmitter (PLK) always keeps the radiation receiver (PD) in the same optical operating point. A compensation transmitter (PLK) with a large one is preferred for this construction
Kompensationsstrahlungswellenlänge (l|<5), die größer ist als die Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (lp) verwendet. Dies hat den Vorteil, dass durch die Kompensationsstrahlung (KS) keine Compensation radiation wavelength (l | <5 ), which is greater than the fluorescence radiation wavelength (lp) used. This has the advantage that due to the compensation radiation (KS) no
Fluoreszenzstrahlung (FL) hervorgerufen wird, da die langwellige Kompensationsstrahlung (KS) dann die paramagnetischen Zentren (NV1) nicht zur Abgabe von Fluoreszenzstrahlung (FL) anregen kann, sehr wohl aber vom Strahlungsempfänger (PD) empfangen wird. Dies hat den Nachteil, dass der Kompensationssender (PLK) dann keine Referenzrauschquelle mehr ist. Der Regler bildet somit in Abhängigkeit von dem weiteren Sendesignal (S51) ein zusätzliches Sensorausgangssignal (out1). Fluorescence radiation (FL) is caused because the long-wave compensation radiation (KS) then cannot stimulate the paramagnetic centers (NV1) to emit fluorescence radiation (FL), but is received by the radiation receiver (PD). This has the disadvantage that the compensation transmitter (PLK) is then no longer a reference noise source. The controller thus forms an additional sensor output signal (out 1 ) as a function of the further transmission signal (S5 1 ).
Positionierung des optischen Filters (Fl) Positioning the optical filter (Fl)
ln einer weiteren Variante umfasst das Sensorsystem und/oder quantentechnologischen System, im dieser Schrift in der Regel auch nur vereinfacht als Sensorsystem bezeichnet, einen ersten Filter (Fl) mit speziellen Eigenschaften. Zur besseren Klarheit sei noch einmal erwähnt, dass das Sensorsystem zumindest wieder ein Sensorelement und/oder quantentechnologisches Vorrichtungselement und ein paramagnetisches Zentrum (NV1) im Material dieses Sensorelements und/oder In a further variant, the sensor system and / or quantum technology system, generally also referred to in this document as a sensor system in a simplified manner, comprises a first filter (F1) with special properties. For better clarity it should be mentioned again that the sensor system has at least one sensor element and / or quantum technological device element and a paramagnetic center (NV1) in the material of this sensor element and / or
quantentechnologischen Vorrichtungselements und des Weiteren in dieser Variante eine quantum technological device element and furthermore in this variant one
Pumpstrahlungsquelle (PLI), einen Strahlungsempfänger (PD) und den besagten ersten Filter (Fl) umfasst. Die Pumpstrahlung (LB) weist eine Pumpstrahlungswellenlänge (lrGhr) auf. Die Pump radiation source (PLI), a radiation receiver (PD) and said first filter (F1). The pump radiation (LB) has a pump radiation wavelength (1 rGhr ). The
Pumpstrahlung (LB) veranlasst das paramagnetisches Zentrum (NV1) zur Abgabe von Pump radiation (LB) causes the paramagnetic center (NV1) to emit
Fluoreszenzstrahlung (FL) mit einer Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (lh), wenn sie vom paramagnetischen Zentrum (NV1) unter Anregung des paramagnetischen Zentrums (NV1) absorbiert wird. Der Strahlungsempfänger (PD) ist bevorzugt für die Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (lh) der Fluoreszenzstrahlung (FL) - z.B. 637nm bei NV-Zentren - empfindlich. Die Pumpstrahlungsquelle (PLI) erzeugt die Pumpstrahlung (LB). Das Sensorsystem ist bevorzugt dabei so gestaltet, dass die Fluorescence radiation (FL) with a fluorescence radiation wavelength (lh) when it is absorbed by the paramagnetic center (NV1) with excitation of the paramagnetic center (NV1). The radiation receiver (PD) is preferred for the fluorescence radiation wavelength (lh) Fluorescence radiation (FL) - eg 637nm at NV centers - sensitive. The pump radiation source (PLI) generates the pump radiation (LB). The sensor system is preferably designed so that the
Pumpstrahlung (LB) auf das paramagnetische Zentrum (NV1) fällt. Auch hier können, wie zuvor beschrieben, die besagten optischen Funktionselemente genutzt werden. Ebenso ist bevorzugt das Sensorsystem so gestaltet, dass die Fluoreszenzstrahlung (FL) den Strahlungsempfänger (PD) bestrahlt. Auch hier können, wie zuvor beschrieben, die besagten optischen Funktionselemente genutzt werden. Pump radiation (LB) falls on the paramagnetic center (NV1). As described above, the said optical functional elements can also be used here. Likewise, the sensor system is preferably designed in such a way that the fluorescence radiation (FL) irradiates the radiation receiver (PD). As described above, the said optical functional elements can also be used here.
Der erste Filter (Fl) ist so gestaltet, dass er für Strahlung mit der Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (lp) der Fluoreszenzstrahlung (FL) - z.B. 637nm bei NV-Zentren - und damit für die The first filter (Fl) is designed in such a way that it is suitable for radiation with the fluorescence radiation wavelength (lp) of the fluorescence radiation (FL) - e.g. 637nm for NV centers - and thus for the
Fluoreszenzstrahlung (FL) im Wesentlichen transparent ist. Der erste Filter (Fl) ist bevorzugt so gestaltet, dass er für Strahlung mit der Pumpstrahlungswellenlänge ( lrigir) der Pumpstrahlung (LB) und damit für die Pumpstrahlung (LB) im Wesentlichen nicht transparent ist. Der erste Filter (Fl) ist dann für die Fluoreszenzstrahlung (FL) im Wesentlichen transparent, wenn die Funktionstüchtigkeit des Sensorsystems für den beabsichtigten Zweck erreicht wird, also die durch die unvermeidliche Dämpfung in diesem Wellenlängenbereich erzeugten Fehler ausreichend klein sind. Der Filter (Fl) ist dann für die Pumpstrahlung (LB) im Wesentlichen nicht transparent, wenn die Funktionstüchtigkeit des Systems für den beabsichtigten Zweck erreicht wird, also die durch die unvermeidliche Fluorescent radiation (FL) is essentially transparent. The first filter (F1) is preferably designed in such a way that it is essentially not transparent for radiation with the pump radiation wavelength (I rigir ) of the pump radiation (LB) and thus for the pump radiation (LB). The first filter (F1) is then essentially transparent to the fluorescence radiation (FL) when the functionality of the sensor system for the intended purpose is achieved, that is to say the errors generated by the unavoidable attenuation in this wavelength range are sufficiently small. The filter (F1) is then essentially not transparent for the pump radiation (LB) when the functionality of the system is achieved for the intended purpose, that is to say that due to the inevitable
Transparenz in diesem Wellenlängenbereich erzeugten Fehler ausreichend klein sind. Transparency in this wavelength range generated errors are sufficiently small.
Das Sensorsystem ist in dieser Variante (aber auch in einigen der vorbesprochenen), in der der Strahlungsempfänger (PD) Teil der integrierten Schaltung (IC) ist, bevorzugt so gestaltet, dass Strahlung, die vom Strahlungsempfänger (PD) empfangen wird, zuvor den ersten Filter (Fl) passieren muss. Besonders bevorzugt ist der erste Filter (Fl) ein metalloptischer Filter, der bevorzugt Teil der integrierten Schaltung ist und bevorzugt im Metallisierungsstapel der integrierten Schaltung (IC) oberhalb der Fotodiode, die beispielsweise als Strahlungsempfänger (PD) verwendet werden kann, angebracht ist. Hier wird beispielhaft auf die Schriften US 9 958 320 B2, US 2006 0 044 429 Al,The sensor system is in this variant (but also in some of the previously discussed), in which the radiation receiver (PD) is part of the integrated circuit (IC), preferably designed so that radiation that is received by the radiation receiver (PD) is previously the first Filter (Fl) must pass. The first filter (F1) is particularly preferably a metal-optical filter, which is preferably part of the integrated circuit and is preferably attached in the metallization stack of the integrated circuit (IC) above the photodiode, which can be used, for example, as a radiation receiver (PD). The documents US 9 958 320 B2, US 2006 0 044 429 A1,
US 2010 0 176 280 Al, WO 2009 106 316 A2, US 2008 0 170 143 Al und EP 2 521 179 Bl wird in diesem Zusammenhang als Beispiele mikrointegrierter wellenoptischer Filter und Funktionselemente hingewiesen. Auf die Bücher B. Kress, P. Meyrueis, "Digital Diffractive Optics" J. Wiley & Sons, London, 2000 und B. Kress, P. Meyrueis, "Applied Digital Diffractive Optics", J. Wiley & Sons, London, 2009 und B. E.A. Saleh, M.C. Teich„Grundlagen der Photonik" Wiley-VCH, Weinheim, 2. Auflage,US 2010 0 176 280 A1, WO 2009 106 316 A2, US 2008 0 170 143 A1 and EP 2 521 179 B1 are referred to in this context as examples of micro-integrated wave-optical filters and functional elements. To the books B. Kress, P. Meyrueis, "Digital Diffractive Optics" J. Wiley & Sons, London, 2000 and B. Kress, P. Meyrueis, "Applied Digital Diffractive Optics", J. Wiley & Sons, London, 2009 and BEA Saleh, M.C. Pond "Fundamentals of Photonics" Wiley-VCH, Weinheim, 2nd edition,
2008 wird hingewiesen. Grundprinzip eines metalloptischen Filters in einem mikrointegrierten optischen System ist die Fertigung von mehr oder weniger regelmäßigen Strukturen unterschiedlicher Dielektrizitätskonstante und/oder Leitfähigkeit in der Größenordnung der jeweiligen Wellenlänge oder kleiner, so dass sich durch konstruktive und destruktive Interferenzen die beabsichtigten Effekte ergeben. Die technische Lehre dieser Schriften in Kombination mit der technischen Lehre dieser internationalen Anmeldung ist vollumfänglicher Teil dieser Offenlegung, soweit bei der späteren Nationalisierung dieser Anmeldung das jeweilige nationale Recht des Staates, in dem die Nationalisierung erfolgt, dies zulässt. 2008 is pointed out. Basic principle of a metal optical filter in a micro-integrated optical system is the production of more or less regular structures with different dielectric constants and / or conductivity in the order of magnitude of the respective wavelength or smaller, so that the intended effects result from constructive and destructive interference. The technical teaching of these documents in combination with the technical teaching of this international application is a complete part of this disclosure, insofar as the national law of the country in which the nationalization takes place allows this for the later nationalization of this application.
Es wird hier somit ein Sensorelement mit einem oder mehreren paramagnetischen Zentren und/oder einer oder mehreren Gruppen paramagnetischer Zentren (NV1) beschrieben, bei dem das A sensor element with one or more paramagnetic centers and / or one or more groups of paramagnetic centers (NV1) is thus described here, in which the
Sensorelement zumindest ein wellenoptisches Funktionselement umfasst. Zumindest eines der wellenoptischen Funktionselemente ist dabei ein Gitter und/oder ein photonischer Kristall. Sensor element comprises at least one wave-optical functional element. At least one of the wave-optical functional elements is a grating and / or a photonic crystal.
Bevorzugt umfast das Sensorelement ein Substrat (D) in dem sich zumindest ein Teil der The sensor element preferably comprises a substrate (D) in which at least part of the
paramagnetischen Zentren (NV1) und/oder eine oder mehrere Gruppen paramagnetischer Zentren (NV1) befinden. Bevorzugt ist das wellenoptische Funktionselement fest mit dem Substrat (D) verbunden und auf dessen Oberfläche befestigt. Bevorzugt ist das Substrat (D) oder ein Teil des Substrats (D) als wellenoptischer Resonator für die Pumpstrahlungswellenlänge (lrGhr) und/oder die Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (l^) ausgelegt. paramagnetic centers (NV1) and / or one or more groups of paramagnetic centers (NV1). The wave-optical functional element is preferably firmly connected to the substrate (D) and attached to its surface. The substrate (D) or a part of the substrate (D) is preferably designed as a wave-optical resonator for the pump radiation wavelength (1 rGhr ) and / or the fluorescence radiation wavelength (1 ^).
Es hat sich gezeigt, dass der Einfluss einer magnetischen Flussdichte auf die Intensität (lf|) der Fluoreszenzstrahlung (FL) eines paramagnetischen Zentrums (NV1), hier eines NV-Zentrums, dann besonders stark ist, wenn die Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB) maximiert wird. In dem Fall koppeln mehrere paramagnetische Zentren (NV1) miteinander, wenn deren Dichte wie It has been shown that the influence of a magnetic flux density on the intensity (l f | ) of the fluorescence radiation (FL) of a paramagnetic center (NV1), here an NV center, is particularly strong when the intensity (l pmp ) of Pump radiation (LB) is maximized. In this case, several paramagnetic centers (NV1) couple with each other if their density is like
beispielsweise in einem HD-NV-Diamanten hoch genug ist. Daher ist es besonders günstig, wenn statt der unmittelbar zuvor erwähnten Konstruktion, bei der das Sensorelement auf dem is high enough in an HD-NV diamond, for example. It is therefore particularly advantageous if instead of the construction mentioned immediately above, in which the sensor element on the
Strahlungsempfänger (PD) als Teil einer integrierten Schaltung (IC) platziert wird, das Sensorelement möglichst nahe an der Pumpstrahlungsquelle (PLI) platziert wird, sodass ein Maximum an Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB) zur Beleuchtung der paramagnetischen Zentren (NV1) mit Radiation receiver (PD) is placed as part of an integrated circuit (IC), the sensor element is placed as close as possible to the pump radiation source (PLI) so that a maximum of intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB) for illuminating the paramagnetic centers (NV1) With
Pumpstrahlung (LB) erreicht wird. Pump radiation (LB) is achieved.
Bevorzugt wird das Sensorelement dabei nicht durchstrahlt. Es hat sich gezeigt, dass es besonders günstig ist, wenn das Sensorelement eine erste Oberfläche (OFL1) aufweist, über die die The sensor element is preferably not irradiated. It has been shown that it is particularly advantageous if the sensor element has a first surface (OFL1) over which the
Pumpstrahlung (LB) in das Sensorelement eindringt und wenn die Fluoreszenzstrahlung (FL), die über diese erste Oberfläche (OFL1) das Sensorelement wieder verlässt für die weitere Messung verwendet wird, da deren Fluoreszenzstrahlungsintensität (lfl) und ihr Kontrast (KT) erheblich höher sind. Durch eine solche Konstruktion wird eine Absorption der Fluoreszenzstrahlung (FL) und eine Abschwächung der Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB) im Innern des Sensorelements verringert, wodurch die Empfindlichkeit gegenüber der Flussdichte B magnetischer Felder maximiert wird. Pump radiation (LB) penetrates the sensor element and when the fluorescence radiation (FL), which leaves the sensor element via this first surface (OFL1), is used for the further measurement because their fluorescence radiation intensity (l fl ) and their contrast (KT) are considerably higher. Such a construction reduces the absorption of the fluorescent radiation (FL) and an attenuation of the intensity (I pmp ) of the pump radiation (LB) in the interior of the sensor element, whereby the sensitivity to the flux density B of magnetic fields is maximized.
Überstrukturen aus paramagnetischen Zentren (NV-Zentren) Superstructures from paramagnetic centers (NV centers)
Es ist nicht notwendig, dass das Sensorelement homogen mit paramagnetischen Zentren (NV1) durchsetzt ist. Es reicht vielmehr aus, wenn das Sensorelement eine lokal erhöhte Dichte an paramagnetischen Zentren (NV1) aufweist. Bevorzugt wird in diesen Bereichen innerhalb des Sensorelements die besagte bevorzugt sehr hohe Dichte an paramagnetischen Zentren (NV1) erreicht. Beispielsweise kann es ausreichend sein, wenn eine sehr hohe Dichte an NV-Zentren, bei deren Nutzung als paramagnetische Zentren (NV1), nur an oder in der Nähe der Oberfläche (OFL1) eines als Sensorelement genutzten FID-NV-Diamanten erreicht wird. It is not necessary that the sensor element is homogeneously interspersed with paramagnetic centers (NV1). Rather, it is sufficient if the sensor element has a locally increased density of paramagnetic centers (NV1). The said preferably very high density of paramagnetic centers (NV1) is preferably achieved in these areas within the sensor element. For example, it can be sufficient if a very high density of NV centers, when they are used as paramagnetic centers (NV1), is only achieved on or near the surface (OFL1) of an FID NV diamond used as a sensor element.
Die paramagnetischen Zentren (NV1) können insbesondere in Gruppen (NVC) innerhalb des Sensorelements angeordnet sein. Die Gruppen paramagnetischer Zentren weisen typischerweise einen Schwerpunkt auf, der sich aus den Koordinaten der einzelnen paramagnetischen Zentren herleitet. Die Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) können in einem ein-, zwei-, oder dreidimensionalen Gitter innerhalb des Sensorelements angeordnet sein. Ein solches Gitter kann ein translatorisches und/oder rotatorisches Gitter sein. Im Falle eines translatorischen Gitters, weist es typischerweise eine Einheitszelle auf. Je Richtung der Einheitszelle des Gitters zeigt das Gitter der Gruppen (NVC) der paramagnetischen Zentren einen Gitterabstand von Gruppe (NVC) zu Gruppe (NVC). Der Gitterabstand kann aber über den Verlauf des Gitters moduliert sein. Bevorzugt ist der Gitterabstand der Cluster ein ganzzahliges Vielfaches eines ganzzahligen Bruchteils der The paramagnetic centers (NV1) can in particular be arranged in groups (NVC) within the sensor element. The groups of paramagnetic centers typically have a center of gravity that is derived from the coordinates of the individual paramagnetic centers. The groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) can be arranged in a one-, two-, or three-dimensional grid within the sensor element. Such a grid can be a translatory and / or rotary grid. In the case of a translational grating, it typically has a unit cell. Depending on the direction of the unit cell of the lattice, the lattice of the groups (NVC) of the paramagnetic centers shows a lattice spacing from group (NVC) to group (NVC). The grid spacing can, however, be modulated over the course of the grid. The grid spacing of the clusters is preferably an integral multiple of an integral fraction of the
Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (lh) - z.B. 637nm bei NV-Zentren - oder der Fluorescence radiation wavelength (lh) - e.g. 637nm for NV centers - or the
Pumpstrahlungswellenlänge (lrirr). Pump radiation wavelength (l rirr ).
Befindet sich das Sensorelement in einem optischen Resonator oder ist das Sensorelement selbst ein optischer Resonator, so kommt es zu einer stehenden optischen Welle innerhalb des If the sensor element is located in an optical resonator or if the sensor element itself is an optical resonator, a standing optical wave occurs within the
Sensorelements. Auf diese Weise kann die Wechselwirkung zwischen den paramagnetischen Zentren (NV1) und der Pumpstrahlung (LB) bzw. der Fluoreszenzstrahlung (FL) gesteuert werden. Eine solche Wechselwirkung kann z.B. eine Absorption sein. Bei dem Sensorelement handelt es sich bevorzugt um einen Diamanten und bei dem oder den paramagnetischen Zentren (NV1) bevorzugt um ein oder mehrere NV-Zentrum in diesem Diamanten als Kristall. Bevorzugt ist die Konzentration der NV-Zentren in dem Diamanten zumindest in einem lokal begrenzten Bereich, also beispielsweise einem Gruppen (NVC) aus NV-Zentren, im Mittel bevorzugt größer als 0,lppm und/oder größer als 0,01ppm und/oder größer als 0,001ppm und/oder größer als 0,0001ppm und/oder größer als 0,0001ppm bezogen auf die Anzahl der Kohlenstoffatome im Diamanten pro Volumeneinheit. Daher sind höhere Konzentrationen besser. Sensor element. In this way, the interaction between the paramagnetic centers (NV1) and the pump radiation (LB) or the fluorescence radiation (FL) can be controlled. Such an interaction can be an absorption, for example. The sensor element is preferably a diamond and the paramagnetic center or centers (NV1) are preferably one or more NV centers in this diamond as a crystal. The concentration of the NV centers in the diamond is preferably at least in a locally limited area, for example a group (NVC) of NV centers, on average preferably greater than 0.1 ppm and / or greater than 0.01 ppm and / or greater than 0.001ppm and / or greater than 0.0001ppm and / or greater than 0.0001ppm based on the number of carbon atoms in the diamond per unit volume. Therefore, higher concentrations are better.
Ausrichtung der Sensorelemente Alignment of the sensor elements
ln einer weiteren Variante weist das Sensorelement und/oder das quantentechnologische In a further variant, the sensor element and / or the quantum technology
Vorrichtungselement einen oder mehrere Kristalle mit jeweils einer Kristallachse auf. Bevorzugt handelt es sich um einen oder mehrere Diamanten. Geeignete Kristalle weisen einen oder mehrere paramagnetische Zentren (NV1) und/oder eine oder mehrere Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) in den Kristallen auf. Es handelt sich bei dem oder den paramagnetischen Device element one or more crystals, each with a crystal axis. It is preferably one or more diamonds. Suitable crystals have one or more paramagnetic centers (NV1) and / or one or more groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) in the crystals. It is the one or more paramagnetic
Zentren(NVl) bevorzugt um ein oder mehrere NV-Zentren in Diamant. Centers (NV1) preferably around one or more NV centers in diamond.
Vorzugsweise werden Stickstoff-Fehlstellen (engl nitrogen vacancy), kurz NV-Zentren in Diamant als paramagnetische Zentren (NV1) mit Diamant als ein Material des Sensorelements genutzt, um magnetische Flussdichten B oder sich zeitlich ändernde elektrische Flussdichten D zu detektieren. Bevorzugt wird die Änderung der Intensität (lf|) der roten Fluoreszenzstrahlung (FL) der Nitrogen vacancy, or NV centers in diamond for short, are preferably used as paramagnetic centers (NV1) with diamond as a material of the sensor element in order to detect magnetic flux densities B or electrical flux densities D that change over time. The change in the intensity (l f | ) of the red fluorescent radiation (FL) is preferred
paramagnetischen NV-Zentren als Signal bei nicht zur NV-Achse der NV-Zentren ausgerichteten magnetischen Flussdichten B oder sich ändernden elektrischen Flussdichten D verwandt. Nicht ausgerichtete magnetische Flussdichten B führen zu einem Vermischen der Spin-Zustände m_s=0, m_s =1 und m_s =-l im Grundzustand und angeregten Zustand. Die mittlere Photonenausbeute des Sensorsystems bei Anregung mit einer geeigneten Pumpstrahlungsquelle (PLI) mit einer paramagnetic NV centers as a signal in the case of magnetic flux densities B not aligned with the NV axis of the NV centers or changing electrical flux densities D. Non-aligned magnetic flux densities B lead to a mixing of the spin states m_s = 0, m_s = 1 and m_s = -l in the ground state and the excited state. The mean photon yield of the sensor system when excited by a suitable pump radiation source (PLI) with a
Pumpstrahlungswellenlänge (Äpmp) zwischen 300-700 nm, vorzugsweise 500-600 nm in einen Zustand mit m_s=0 ist höher als bei Anregung in m_s=l oder m_s=-l. Werden die paramagnetischen NV- Zentren (NV1) zusätzlich einer Mikrowellenstrahlung ausgesetzt, so kann eine zusätzlich Pump radiation wavelength (A pmp ) between 300-700 nm, preferably 500-600 nm in a state with m_s = 0 is higher than with excitation in m_s = 1 or m_s = -l. If the paramagnetic NV centers (NV1) are additionally exposed to microwave radiation, one can additionally
überlagernde Mikrowellenstrahlung den Übergang zwischen m_s=0, m_s=l und m_s=-l bei einer abgestimmten magnetischen Flussdichte B direkt treiben. superimposed microwave radiation drive the transition between m_s = 0, m_s = 1 and m_s = -l at a matched magnetic flux density B.
Das paramagnetische Zentrum (NV1) ist in Bezug zu einer der folgenden betreffenden Kristallachse des Kristalls in einer ersten Richtung ausgerichtet, wobei die betreffenden Kristallachsen die Kristallachsen [100], [010], [001], [111] des Kristalls und deren Äquivalente (wie z.B. [-100], [-1,-1,-1] etc.) sind. Das paramagnetische Zentrum (NV1) emittiert bei Anregung durch die Pumpstrahlung (LB) eine Fluoreszenzstrahlung (FL), die in Abhängigkeit von einem Magnetfeld mit einer magnetischen Flussdichte B oder einer magnetischen Feldstärke Fl und/oder einer sich zeitlich ändernden elektrischen Flussdichte D , die eine zweite Richtung aufweisen, moduliert wird. Die zweite Richtung weicht bevorzugt von der ersten Richtung ab. Die zweite Richtung weicht bevorzugt von der ersten Richtung in der Art ab, dass das GSLAC-Extremum bei einer magnetischen Gesamtflussdichte B am Ort des paramagnetischen Zentrums bei 102, 4mT um nicht mehr als 2% und/oder nicht mehr als 1% und/oder nicht mehr als 0,5% vom normierten 1-Wert der Intensität (lf|) der Fluoreszenzstrahlung (FL) abweicht. Im Kern der hier vorgelegten Beschreibung steht somit eine quantentechnologische Vorrichtung mit einem Sensorelement mit einem Kristall mit einer Kristallachse. Das Sensorsystem weist bevorzugt die Möglichkeit, beispielsweise in Form einer Pumpstrahlungsquelle (PLI) für Pumpstrahlung (LB), wie beispielsweise einer LED oder eines Lasers, oder Mittel, beispielsweise in Form eines optischen Fensters, auf, das paramagnetische Zentrum (NV1) mittels Pumpstrahlung (LB) anzuregen. The paramagnetic center (NV1) is aligned in a first direction with respect to one of the following relevant crystal axes of the crystal, the relevant crystal axes being the Crystal axes [100], [010], [001], [111] of the crystal and their equivalents (such as [-100], [-1, -1, -1] etc.) are. When excited by the pump radiation (LB), the paramagnetic center (NV1) emits a fluorescent radiation (FL) which, depending on a magnetic field with a magnetic flux density B or a magnetic field strength Fl and / or a time-changing electrical flux density D, has a have second direction, is modulated. The second direction preferably deviates from the first direction. The second direction preferably deviates from the first direction in such a way that the GSLAC extremum at a total magnetic flux density B at the location of the paramagnetic center at 102.4mT by no more than 2% and / or no more than 1% and / or does not deviate by more than 0.5% from the standardized 1-value of the intensity (l f | ) of the fluorescent radiation (FL). At the heart of the description presented here is a quantum technological device with a sensor element with a crystal with a crystal axis. The sensor system preferably has the option of, for example, in the form of a pump radiation source (PLI) for pump radiation (LB), such as an LED or a laser, or means, for example in the form of an optical window, the paramagnetic center (NV1) by means of pump radiation ( LB).
Vorschlagsgemäß wurde nun erkannt, dass für eine Sensorvorrichtung zur According to the proposal it has now been recognized that for a sensor device for
raumrichtungsunabhängigen Erfassung des Betrags der magnetischen Flussdichte B bevorzugt die zweite Richtung von der ersten Richtung abweichen sollte, da dann die Fluoreszenzintensität der Intensität (lfl) der Fluoreszenzstrahlung (FL) mit steigendem Betrag der magnetischer Flussdichte B am Ort des paramagnetischen Zentrums (NV1) im Kristall ab einer gewissen Mindestflussdicht von ca. lOmT streng monoton fallend sinkt. Dies ist nicht der Fall, wenn, wie im Stand der Technik üblich, die Kristalle ausgerichtet werden, um Mikrowellenstrahlung einsetzen zu können. Figur 2a der Schrift von A. Wickenbrock et. AI.„Microwave-free magnetometry with nitrogen-vacancy centers in diamond" Appl. Phys.Lett, 109, 053505 (2016), 02.08.2016 zeigt die Fluoreszenzkurve der Intensität (Ifi) der Fluoreszenzstrahlung (FL) eines einzelnen NV-Zentrums. Regardless of the spatial direction-independent detection of the amount of the magnetic flux density B, the second direction should preferably deviate from the first direction, since then the fluorescence intensity of the intensity (l fl ) of the fluorescence radiation (FL) with increasing amount of the magnetic flux density B at the location of the paramagnetic center (NV1) im From a certain minimum flux density of approx. 10mT, the crystal drops with a strictly monotonous decrease. This is not the case if, as is customary in the prior art, the crystals are aligned in order to be able to use microwave radiation. Figure 2a of the writing by A. Wickenbrock et. AI. "Microwave-free magnetometry with nitrogen-vacancy centers in diamond" Appl. Phys.Lett, 109, 053505 (2016), 02.08.2016 shows the fluorescence curve of the intensity (I fi ) of the fluorescence radiation (FL) of a single NV center .
In der Figur 2a der Schrift von A. Wickenbrock et. AI.„Microwave-free magnetometry with nitrogen- vacancy centers in diamond" Appl. Phys.Lett, 109, 053505 (2016), 02.08.2016 stimmen die erste Richtung und die zweite Richtung überein. In Figure 2a of the publication by A. Wickenbrock et. AI. "Microwave-free magnetometry with nitrogen-vacancy centers in diamond" Appl. Phys.Lett, 109, 053505 (2016), 08/02/2016, the first direction and the second direction coincide.
Durch die hier abweichend vom Stand der Technik vorgeschlagene Richtungsverstimmung bzw. De- Kalibrierung zwischen erster und zweiter Richtung wird eine schlechte Quantenzahl zugrunde gelegt, die zu einer Mischung der Quantenzustände und damit zu einer Abnahme der Intensität (lf|) der Fluoreszenzstrahlung (FL) mit steigender magnetischen Flussdichte B führt. Es wird daher bevorzugt als zu vermessende magnetische Flussdichte B eine zusätzliche magnetische Flussdichte B angelegt, deren Vektor, der die zweite Richtung aufweist, nicht in Richtung der besagten ersten Richtung der Kristallachse zeigt. As a result of the misalignment or de-calibration between the first and second directions proposed here, which differs from the prior art, a poor quantum number is used as a basis, which leads to a mixture of the quantum states and thus to a decrease in the intensity (l f | ) of the Fluorescence radiation (FL) with increasing magnetic flux density B leads. An additional magnetic flux density B is therefore preferably applied as the magnetic flux density B to be measured, the vector of which, which has the second direction, does not point in the direction of said first direction of the crystal axis.
Figur 27 zeigt die Intensität (lfl) der Fluoreszenzstrahlung (FL) bei Verkippung der beiden Richtungen gegeneinander. Ein erster Vorteil ist, dass die sich ergebende Abhängigkeit eine Funktion der magnetischen Flussdichte B ist und damit umkehrbar ist. Im Stand der Technik werden die Kristalle immer ausgerichtet, so dass die Abhängigkeit im Falle der Ausrichtung der der Figur 2a der Schrift von A. Wickenbrock et. AI.„Microwave-free magnetometry with nitrogen-vacancy centers in diamond" Appl. Phys.Lett, 109, 053505 (2016), 02.08.2016 entspricht, weil die erste und zweite Richtung übereinstimmen. Der Graph der Figur 2a der Schrift von A. Wickenbrock et. AL„Microwave- free magnetometry with nitrogen-vacancy centers in diamond" Appl. Phys.Lett, 109, 053505 (2016), 02.08.2016 ist keine Funktion und damit nicht umkehrbar. Dies wird in den Offenlegungen des Stands der Technik benutzt, um in den Resonanzpunkten mittels Mikrowellenbestrahlung die Spins manipulieren zu können. Der Nachteil des hier vorgeschlagenen Verfahrens im Gegensatz zu den Verfahren und Vorrichtungen des Stands der Technik ist somit, dass eine solche FIG. 27 shows the intensity (l fl ) of the fluorescence radiation (FL) when the two directions are tilted relative to one another. A first advantage is that the resulting dependency is a function of the magnetic flux density B and is therefore reversible. In the prior art, the crystals are always aligned, so that the dependency in the case of the alignment of FIG. 2a of the publication by A. Wickenbrock et. AI. "Microwave-free magnetometry with nitrogen-vacancy centers in diamond" Appl. Phys.Lett, 109, 053505 (2016), August 02, 2016, because the first and second directions coincide. The graph in FIG. 2a of the A . Wickenbrock et. AL "Microwave-free magnetometry with nitrogen-vacancy centers in diamond" Appl. Phys.Lett, 109, 053505 (2016), 08/02/2016 is not a function and therefore cannot be reversed. This is used in the disclosures of the prior art in order to be able to manipulate the spins in the resonance points by means of microwave irradiation. The disadvantage of the method proposed here in contrast to the methods and devices of the prior art is therefore that such
Mikrowellenmanipulation dann bei Nutzung dieser Verkippung der Richtungen nicht mehr möglich ist. Somit ist eine teure und aufwendige Kristallausrichtung in der technischen Lehre des Stands der Technik notwendig. Microwave manipulation is then no longer possible when using this tilting of the directions. Thus, an expensive and complex crystal alignment is necessary in the technical teaching of the prior art.
Dieser Nachteil wird jedoch aufgewogen dadurch, dass dann Montageverfahren, wie sie in den noch unveröffentlichten Anmeldungen PCT /DE 2020 / 100 430, DE 10 2019 114 032.3, However, this disadvantage is outweighed by the fact that assembly processes as described in the as yet unpublished applications PCT / DE 2020/100 430, DE 10 2019 114 032.3,
DE 10 2019 121 028.3 und DE 10 2019 121 029.1 vorgeschlagen werden, angewandt werden können. Der Offenbarungsgehalt der zum Zeitpunkt der Anmeldung dieser Offenlegung noch unveröffentlichten deutschen Patentanmeldungen PCT /DE 2020 / 100 430, DE 10 2019 114 032.3 und DE 10 2019 121 028.3 und DE 10 2019 121 029.1 ist vollumfänglicher Teil dieser Offenlegung. , soweit bei der späteren Nationalisierung dieser Anmeldung das in dem Rechtssystem des betreffenden Staates, in dem die Nationalisierung erfolgt zulässig ist DE 10 2019 121 028.3 and DE 10 2019 121 029.1 can be proposed. The disclosure content of the German patent applications PCT / DE 2020/100 430, DE 10 2019 114 032.3 and DE 10 2019 121 028.3 and DE 10 2019 121 029.1, which were still unpublished at the time of filing this disclosure, is an integral part of this disclosure. , insofar as this is permissible in the legal system of the country in which the nationalization takes place when this application is later nationalized
Auch kann das in der hier vorgelegten Offenlegung offenbarte Gehäuse verwendet werden. The housing disclosed in the disclosure presented here can also be used.
Als Gehäuse wird ein Gehäuse wie beispielsweise in der zum Zeitpunkt der Anmeldung dieser Offenlegung noch unveröffentlichten deutschen Patentanmeldung DE 10 2019 120 076.8 vorgeschlagen. Der Offenbarungsgehalt der zum Zeitpunkt der Anmeldung dieser Offenlegung noch unveröffentlichten deutschen Patentanmeldung DE 10 2019 120 076.8 ist vollumfänglicher Teil dieser Offenlegung, soweit bei der späteren Nationalisierung dieser Anmeldung das in dem The housing used is a housing such as, for example, in German patent application DE 10 2019 120 076.8, which was still unpublished at the time of filing this disclosure suggested. The disclosure content of the German patent application DE 10 2019 120 076.8, which was still unpublished at the time of filing this disclosure, is a full part of this disclosure, insofar as the later nationalization of this application states in the
Rechtssystem des betreffenden Staates, in dem die Nationalisierung erfolgt zulässig ist. Legal system of the state in question in which nationalization is permitted.
Durch diese Richtungsverstimmung bzw. De-Kalibrierung in der Form, dass die zweite Richtung von der ersten Richtung in der Art abweicht, dass das GSLAC-Extremum (siehe Figur 2a der Schrift von A. Wickenbrock et. AI.„Microwave-free magnetometry with nitrogen-vacancy centers in diamond"As a result of this misalignment or de-calibration in such a way that the second direction deviates from the first direction in such a way that the GSLAC extremum (see FIG. 2a of the publication by A. Wickenbrock et. AI. “Microwave-free magnetometry with nitrogen vacancy centers in diamond "
Appl. Phys.Lett, 109, 053505 (2016), 02.08.2016) bei einer magnetischen Gesamtflussdichte B am Ort des paramagnetischen Zentrums bei 102, 4mT um nicht mehr als 2% und/oder nicht mehr als 1% und/oder nicht mehr als 0,5% vom normierten 1-Wert der Intensität (lf|) der Fluoreszenzstrahlung (FL) (siehe Figur 2a der Schrift von A. Wickenbrock et. AI.„Microwave-free magnetometry with nitrogen-vacancy centers in diamond" Appl. Phys.Lett, 109, 053505 (2016), 02.08.2016 und Appl. Phys.Lett, 109, 053505 (2016), 02.08.2016) with a total magnetic flux density B at the location of the paramagnetic center at 102.4mT by not more than 2% and / or not more than 1% and / or not more than 0 , 5% of the normalized 1-value of the intensity (l f | ) of the fluorescence radiation (FL) (see Figure 2a of the paper by A. Wickenbrock et. AI. "Microwave-free magnetometry with nitrogen-vacancy centers in diamond" Appl. Phys .Lett, 109, 053505 (2016), 02.08.2016 and
DE 10 2018 127 394 Al) abweicht, wird eine schlechte Quantenzahl zugrunde gelegt, die zu einer Mischung der Quantenzustände und damit zu einer Abnahme der Intensität (lfl) der DE 10 2018 127 394 A1) deviates, a poor quantum number is used as a basis, which leads to a mixture of the quantum states and thus to a decrease in the intensity (l fl ) of the
Fluoreszenzstrahlung (FL) mit steigendem Betrag der magnetischen Flussdichte B oberhalb einer gewissen Mindestflussdichte (ca. lOmT bei NV-Zentren) führt. Voraussetzung ist eine hohe Dichte an NV-Zentren im mit Pumpstrahlung (LB) bestrahlten Bereich des Sensorelements, wie beispielsweise in einem HD-NV-Diamanten. Es wird ein zusätzliches Magnetfeld angelegt, dessen magnetischer Flussdichtevektor nicht in Richtung der ersten Richtung der Kristallachse zeigt, sondern in eine abweichende zweite Richtung. Das Verhalten der Intensität (lf|) der Fluoreszenzstrahlung (FL) der Figur 2a der Schrift von A. Wickenbrock et. AI.„Microwave-free magnetometry with nitrogen- vacancy centers in diamond" Appl. Phys.Lett, 109, 053505 (2016), 02.08.2016 in Abhängigkeit von der magnetischen Flussdichte B kann also nur bei Ausrichtung der Kristalle beobachtet werden. Insbesondere die in der Figur 2a der Schrift von A. Wickenbrock et. AI.„Microwave-free Fluorescence radiation (FL) with increasing magnitude of the magnetic flux density B leads above a certain minimum flux density (approx. 10mT for NV centers). A prerequisite is a high density of NV centers in the area of the sensor element irradiated with pump radiation (LB), for example in an HD NV diamond. An additional magnetic field is applied, the magnetic flux density vector of which does not point in the direction of the first direction of the crystal axis, but in a different second direction. The behavior of the intensity (l f | ) of the fluorescent radiation (FL) of Figure 2a of the publication by A. Wickenbrock et. AI. "Microwave-free magnetometry with nitrogen vacancy centers in diamond" Appl. Phys.Lett, 109, 053505 (2016), 02.08.2016 as a function of the magnetic flux density B can therefore only be observed when the crystals are aligned 2a of the publication by A. Wickenbrock et. AI. “Microwave-free
magnetometry with nitrogen-vacancy centers in diamond" Appl. Phys.Lett, 109, 053505 (2016), 02.08.2016 erkennbaren Resonanzpunkte (Peaks) sind nur bei Ausrichtung der Magnetfeldrichtung zur Kristallachse erkennbar. Dies macht eine Produktion mikrowellenbasierender Magnetometry with nitrogen-vacancy centers in diamond "Appl. Phys.Lett, 109, 053505 (2016), 02.08.2016 recognizable resonance points (peaks) are only recognizable when the direction of the magnetic field is aligned with the crystal axis. This makes production microwave-based
Quantensensorsysteme sehr kompliziert und teuer. Quantum sensor systems are very complicated and expensive.
Figur 27 zeigt den sich ergebenden Verlauf bei Dekalibrierung der Ausrichtung (also einer unterschiedlichen ersten und zweiten Richtung). Erst dann ist eine beliebige Ausrichtung des Magnetfeldes möglich. Wie leicht in der Figur 27 erkennbar ist, ist die die Abhängigkeit zwischen der Magnetischen Flussdichte B und der Intensität (lf|) der Fluoreszenzstrahlung (FL) in einem optimalen Arbeitspunktbereich am größten. Durch einen zusätzlichen Permanentmagneten und/oder eine bestromte elektrische Spule kann dem zu messenden Feld ein magnetisches Bias-Feld von beispielsweise 20mT Bias-Flussdichte B0 überlagert werden, wodurch die Empfindlichkeit der Intensität (lfl) der Fluoreszenzstrahlung (FL) gegenüber Änderungen der magnetischen Flussdichte B maximiert wird. FIG. 27 shows the course that results when the alignment is decalibrated (that is, a different first and second direction). Only then is any orientation of the magnetic field possible. As can easily be seen in FIG. 27, this is the relationship between the Magnetic flux density B and the intensity (l f | ) of the fluorescence radiation (FL) are greatest in an optimal operating point range. With an additional permanent magnet and / or an energized electric coil, a magnetic bias field of, for example, 20mT bias flux density B 0 can be superimposed on the field to be measured, thereby increasing the sensitivity of the intensity (l fl ) of the fluorescence radiation (FL) to changes in the magnetic Flux density B is maximized.
Eine Nichtausrichtung der ersten Richtung gegenüber der zweiten Richtung lässt sich daran erkennen, dass keine Resonanzen (wie z.B. GSLAC) auftreten. Natürlich kann man jederzeit das magnetische Feld so ausrichten, dass diese Resonanzen auftreten. Wenn eine Vorrichtung aber dazu bestimmt und geeignet ist, auch Magnetfelder zu vermessen, bei denen die erste und zweite Richtung nicht übereinstimmen, so liegt sie auch dann im Beanspruchungsbereich der A non-alignment of the first direction in relation to the second direction can be recognized by the fact that no resonances (e.g. GSLAC) occur. Of course, you can always align the magnetic field so that these resonances occur. However, if a device is intended and suitable for measuring magnetic fields in which the first and second directions do not match, then it is also in the stress range of the
entsprechenden Ansprüche, sofern deren übrige Merkmale zutreffen, und zwar auch dann, wenn sie bei einer bestimmten Magnetfeldrichtung die besagten Resonanzen aufweist. corresponding claims, insofar as the other features thereof apply, even if it has said resonances in a certain magnetic field direction.
Grundsätzlich sind bei der Verwendung von Diamant als Sensorelement oder als Sensorelementteil alle Formen von Diamant mit einem Gehalt an paramagnetischen Zentren (NV1), insbesondere mit einem Gehalt an NV-Zentren als paramagnetische Zentren (NV1), möglich, da eine Ausrichtung der paramagnetischen Zentren (VI), insbesondere der NV-Zentren zu dem Vektor einer magnetischen Flussdichte B nicht notwendig ist. Dies unterscheidet in einem weiteren Punkt die hier vorgestellten Sensorsysteme von den bisherigen auf Diamant basierenden Sensorsystemen, die eine präzise Ausrichtung der Diamantkristalle benötigen. In principle, when using diamond as a sensor element or as a sensor element part, all forms of diamond with a content of paramagnetic centers (NV1), in particular with a content of NV centers as paramagnetic centers (NV1), are possible, since an alignment of the paramagnetic centers ( VI), in particular the NV centers to the vector of a magnetic flux density B is not necessary. This differentiates the sensor systems presented here from the previous diamond-based sensor systems, which require a precise alignment of the diamond crystals.
Durch das Vermeiden der Resonanzfälle der Figur 2b der Schrift A. Wickenbrock et. AI.„Microwave- free magnetometry with nitrogen-vacancy centers in diamond" Appl. Phys.Lett, 109, 053505 (2016), 02.08.2016 ergibt sich somit die streng monoton fallende Kurve der Figur 27, die dann auch abschnittsweise bijektiv und damit kalibrierbar ist. Erst dann wird es möglich in einer By avoiding the resonance cases of Figure 2b of A. Wickenbrock et. AI. "Microwave-free magnetometry with nitrogen-vacancy centers in diamond" Appl. Phys.Lett, 109, 053505 (2016), August 02, 2016 thus results in the strictly monotonically falling curve of FIG. 27, which is then also bijective in sections and thus can be calibrated. Only then is it possible in one
Massenproduktion ein Messsystem zu produzieren. Mass production of a measuring system.
Wie zuvor umfasst bevorzugt das Sensorelement ein diamagnetisches Material, wobei das diamagnetische Material bevorzugt einen oder mehrere Diamantkristalle umfasst und wobei das oder die paramagnetischen Zentren (NV1) bevorzugt ein oder mehrere NV-Zentren umfassen. Es ist aber auch die Verwendung andere Zentren als paramagnetischen Zentren (NV1) denkbar. As before, the sensor element preferably comprises a diamagnetic material, the diamagnetic material preferably comprising one or more diamond crystals, and the paramagnetic center or centers (NV1) preferably including one or more NV centers. The use of centers other than paramagnetic centers (NV1) is also conceivable.
Beispielsweise wären SiV-Zentren, GeV-Zentren, TRl-Zentren, STl-Zentren etc. in Diamant denkbar. Sofern Silizium an Stelle von Diamant als Material eines Substrats (D) des Sensorelements verwendet wird, ist beispielsweise die Nutzung von G-Zentren denkbar. Sofern Siliziumcarbid (SiC) an Stelle von Diamant als Material eines Substrats (D) des Sensorelements verwendet wird, ist beispielsweise die Nutzung von V-Zentren denkbar. For example, SiV centers, GeV centers, TRI centers, STI centers etc. in diamond would be conceivable. If silicon is used instead of diamond as the material of a substrate (D) of the sensor element, the use of G centers is conceivable, for example. If silicon carbide (SiC) is used instead of diamond as the material of a substrate (D) of the sensor element, the use of V-centers is conceivable, for example.
Ganz allgemein wird daher die Verwendung eines Farbzentrums bzw. Fehlstellen oder The use of a color center or flaws or
Substitutionszentrums in einem Kristall als paramagnetisches Zentrum (NV1) für Messung magnetischer Flussdichten B bzw. ggf. weiterer physikalischer Parameter wie Beschleunigung a, Gravitationsfeldstärke g, elektrischer Flussdichte D, Rotationsgeschwindigkeit co, Intensität der Bestrahlung mit ionisierender Strahlung etc. und deren zeitliche Integrale und Ableitungen beansprucht, wobei die Kristallachse des Farbzentrums im Gegensatz zum Stand der Technik gegenüber dem Vektor der magnetischen Flussdichte B verdreht ist. Substitution center in a crystal as a paramagnetic center (NV1) for measuring magnetic flux densities B or possibly other physical parameters such as acceleration a, gravitational field strength g, electrical flux density D, rotation speed co, intensity of the irradiation with ionizing radiation etc. and their time integrals and derivatives claimed, the crystal axis of the color center being rotated in contrast to the prior art with respect to the vector of the magnetic flux density B.
Positionssensorik Position sensors
Des Weiteren umfasst diese Offenlegung die Verwendung eines Sensorsystems wie zuvor beschrieben zur Ermittlung der Position und/oder der Positionsänderung und/oder Beschleunigung und/oder Rotation eines Messobjekts (O). Dabei kann es sich auch um Verformungen von Furthermore, this disclosure includes the use of a sensor system as described above for determining the position and / or the change in position and / or acceleration and / or rotation of a measurement object (O). It can also be deformations of
Oberflächen und/oder Dichtschwankungen handeln. Das Messobjekt (O) erzeugt und/oder modifiziert und/oder moduliert ein magnetisches Feld in Form der magnetischen Flussdichte B dieses Feldes. Diese Modulation wird durch das vorgeschlagene Sensorsystem erfasst. Das vorgeschlagene Sensorsystem erzeugt zumindest ein Sensorausgangssignal (out) oder stellt dieses bereit. Dieses Bereitstellen kann beispielsweise in einem Speicher oder Register der integrierten Schaltung oder als digitales oder analoges Ausgangssignal der integrierten Schaltung erfolgen. Der Wert dieses Sensorausgangssignals (out) hängt dabei von dem Wert des magnetischen Feldes- genauer des magnetischen Flusses B oder einem anderen, die Fluoreszenzstrahlung (FL) beeinflussenden physikalischen Parameter- am Ort des paramagnetischen Zentrums (NV1) oder der Act surfaces and / or density fluctuations. The measurement object (O) generates and / or modifies and / or modulates a magnetic field in the form of the magnetic flux density B of this field. This modulation is detected by the proposed sensor system. The proposed sensor system generates or provides at least one sensor output signal (out). This provision can take place, for example, in a memory or register of the integrated circuit or as a digital or analog output signal of the integrated circuit. The value of this sensor output signal (out) depends on the value of the magnetic field - more precisely the magnetic flux B or another physical parameter influencing the fluorescence radiation (FL) - at the location of the paramagnetic center (NV1) or the
paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der Gruppe oder der Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) ab, der durch das Messobjekt (O) erzeugt und/oder modifiziert und/oder moduliert wird. paramagnetic centers (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1), which is generated and / or modified and / or modulated by the measurement object (O).
In wichtigen Anwendungsfällen, wie beispielsweise der Vermessung der Position von In important use cases, such as measuring the position of
Vorrichtungsteilen bei Bedienelementen, Maschinen, Robotern, Elektromotoren oder Verbrennungsmotoren, kann die Erzeugung und/oder Modifikation und/oder Modulation des magnetischen Feldes in Form der magnetischen Flussdichte B periodisch sein. Dabei kann wobei die Periodizität auf eine elektrische und/oder mechanische Schwingung und/oder eine mechanische Bewegung längs einer geschlossenen Bahn zurückzuführen sein. Device parts for control elements, machines, robots, electric motors or Internal combustion engines, the generation and / or modification and / or modulation of the magnetic field in the form of the magnetic flux density B can be periodic. The periodicity can be attributed to an electrical and / or mechanical oscillation and / or a mechanical movement along a closed path.
Bei dem vorgeschlagenen Verfahren wird somit eine durch ein mechanisch schwingendes System erzeugte alternierende magnetische Flussdichte B oder eine elektrische Feldstärke E durch ein bevorzugten zur alternierenden magnetischen Flussdichte B oder zum elektrischen Feld E ortfestes Sensorsystem, wie es in verschiedenen Varianten hier vorgeschlagen wird, abgetastet. In the proposed method, an alternating magnetic flux density B generated by a mechanically oscillating system or an electric field strength E is scanned by a preferred sensor system that is fixed to the alternating magnetic flux density B or to the electric field E, as is proposed here in various variants.
Die Erfindung umfasst auch ein Bedienelement, dessen Positionsänderung zum Zweck der Bedienung einer Vorrichtung die Änderung einer magnetischen Flussdichte B am Ort eines oder mehrerer paramagnetischen Zentren (NV1) des Sensorsystems zur Folge hat. Ein an einem Hebel befestigter Permanentmagnet, kann bei Bedienung beispielsweise bei einer Positionsänderung des Flebels eine solche Änderung der magnetischen Flussdichte B am Ort des paramagnetischen Zentrums(NVl) hervorrufen, was durch das vorgeschlagene Sensorsystem erkannt werden kann und über das Sensorausgangssignal (out) ausgegeben werden kann. The invention also comprises an operating element, the change in position of which, for the purpose of operating a device, results in a change in a magnetic flux density B at the location of one or more paramagnetic centers (NV1) of the sensor system. A permanent magnet attached to a lever can cause such a change in the magnetic flux density B at the location of the paramagnetic center (NVl) when operated, for example when the position of the lever is changed, which can be recognized by the proposed sensor system and output via the sensor output signal (out) can.
Die in dieser Schrift vorgeschlagenen Sensorsysteme können zur Ermittlung der Position eines Messobjekts(O) und/oder einer aus der Position des Messobjekts (O) abgeleiteten Größe, insbesondere der Geschwindigkeit und/oder Beschleunigung und/oder der Schwingung und/oder der Rotation, des Messobjekts (O), eingesetzt werden. Auch ist ein Einsatz zur Vermessung der The sensor systems proposed in this document can be used to determine the position of a measurement object (O) and / or a variable derived from the position of the measurement object (O), in particular the speed and / or acceleration and / or the vibration and / or the rotation of the Object to be measured (O). It is also used to measure the
Magnetisierung des Messobjekts (O) möglich, wobei die Magnetisierung des Messobjekts (O) durch einen Stromfluss in dem Messobjekt (O) oder durch ferromagnetische Eigenschaften des Magnetization of the measuring object (O) possible, the magnetization of the measuring object (O) being caused by a current flow in the measuring object (O) or by ferromagnetic properties of the
Messobjekts (O) oder von Teilen des Messobjekts (O) verursacht sein kann. Auch ist mit den hier vorgeschlagenen Sensorsystemen die Bestimmung einer aus der Magnetisierung eines Messobjekts (O) abgeleiteten Größe und/oder einer Magnetisierungsrichtung des Objekts relativ zum Measurement object (O) or parts of the measurement object (O). With the sensor systems proposed here it is also possible to determine a variable derived from the magnetization of a measurement object (O) and / or a magnetization direction of the object relative to the
Sensorsystem und/oder einer aus der Magnetisierungsrichtung des Messobjekts (O) abgeleiteten Größe möglich. Dabei erzeugt das Messobjekt (O) beispielsweise eine magnetische Flussdichte B und/oder modifiziert und/oder moduliert die magnetische Flussdichte B am Ort der Sensor system and / or a variable derived from the magnetization direction of the measurement object (O) possible. The measurement object (O) generates, for example, a magnetic flux density B and / or modifies and / or modulates the magnetic flux density B at the location of the
paramagnetischen Zentren (NV1) des Sensorsystems. Diese Erzeugung und/oder Modifikation und/oder Modulation des magnetischen Feldes wird durch das Sensorsystem erfasst und als Messwert bereitgehalten oder ausgegeben. Flierzu erzeugt das Sensorsystem bevorzugt zumindest ein Sensorausgangssignal (out) oder stellt dieses bevorzugt bereit. Der Wert des Sensorausgangssignals (out) hängt dabei dann von dem Wert des magnetischen Flusses B am Ort des paramagnetischen Zentrums (NV1) und/oder am Ort der paramagnetischen Zentren (NV1) im Sensorsystem ab, wobei dieser magnetische Fluss B durch das Messobjekt (O) erzeugt und/oder modifiziert und/oder moduliert wird. paramagnetic centers (NV1) of the sensor system. This generation and / or modification and / or modulation of the magnetic field is recorded by the sensor system and held ready as a measured value or output. For this purpose, the sensor system preferably generates at least one sensor output signal (out) or preferably provides this. The value of the The sensor output signal (out) then depends on the value of the magnetic flux B at the location of the paramagnetic center (NV1) and / or at the location of the paramagnetic centers (NV1) in the sensor system, this magnetic flux B being generated by the measurement object (O) / or modified and / or modulated.
Bei dem vorgeschlagenen Verfahren kann ein beispielsweise durch ein mechanisch schwingendes System erzeugtes alternierendes Magnetfeld in Form des Werts der magnetischen Flussdichte B oder ein elektrisches Wechselfeld in Form der elektrischen Flussdichte D durch einen beispielsweise zum alternierenden Magnetfeld oder elektrischen Wechselfeld ortfesten Sensorsystem mit einem oder mehreren paramagnetischen Zentren (NV1) abgetastet werden. In the proposed method, an alternating magnetic field generated for example by a mechanically oscillating system in the form of the value of the magnetic flux density B or an alternating electric field in the form of the electric flux density D can be generated by a sensor system with one or more paramagnetic centers, which is fixed, for example, to the alternating magnetic field or electric alternating field (NV1) are scanned.
Vorzugweise wird der alternierende Feldanteil der magnetischen Flussdichte B oder der The alternating field component of the magnetic flux density B or the
alternierende Feldanteil der elektrischen Flussdichte D, die am Ort des paramagnetischen Zentrums (NV1) bzw. der paramagnetischen Zentren (NV1) des Sensorsystems vorliegen, mittels einer alternating field portion of the electrical flux density D, which are present at the location of the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) of the sensor system, by means of a
Zustandsänderung elektrischer Spins der Elektronenkonfigurationen des bzw. der paramagnetischen Zentren (NV1) bestimmt. Hierbei wird die Änderung von Spin-Zuständen des bzw. der Change in state of electrical spins of the electron configurations of the paramagnetic center or centers (NV1) is determined. Here, the change in spin states of the
paramagnetischen Zentren (NV1) mittels der Intensität (lfl) der Fluoreszenzstrahlung (FL) des oder der paramagnetischen Zentren (NV1) in unterschiedlichen Wellenlängen oder mittels der paramagnetic centers (NV1) by means of the intensity (l fl ) of the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic center or centers (NV1) in different wavelengths or by means of the
unterschiedlichen Anzahl von Fotoelektronen, die aus dem Sensorelement extrahiert werden können, oder mittels des unterschiedlichen Betrags elektrischer Fotoströme oder mittels beider Methoden detektiert. different numbers of photoelectrons that can be extracted from the sensor element, or detected by means of the different amount of electrical photocurrents or by means of both methods.
Analog zur Bestimmung einer magnetischen Flussdichte B und einer sich ändernden elektrischen Flussdichte D kann ein elektrostatisches Feld, genauer dessen elektrische Flussdichte D, auch durch ein oder mehrere sich bewegende paramagnetische Zentren (NV1) vermessen werden, dass die Flussdichte B der durch die Bewegung des oder der paramagnetischen Zentren (NV1) Analogous to the determination of a magnetic flux density B and a changing electric flux density D, an electrostatic field, more precisely its electric flux density D, can also be measured by one or more moving paramagnetic centers (NV1) that the flux density B caused by the movement of the or of the paramagnetic centers (NV1)
transformierten elektrischen Flussdichte D erfasst und in einen Intensitätswert der Intensität (lfl) seiner Fluoreszenzstrahlung (FL) wandelt, der durch einen Strahlungsempfänger (PD) erfasst und durch einen Auswerteschaltkreis (VI, Ml, TP) in ein Sensorausgangssignal (out) gewandelt werden kann, dessen Wert dann von der mittleren elektrischen Flussdichte D am mittleren Ort des paramagnetischen Zentrums (NV1) im Erfassungszeitraum abhängt. Beispielsweise kann das The transformed electrical flux density D is detected and converted into an intensity value of the intensity (l fl ) of its fluorescent radiation (FL), which is detected by a radiation receiver (PD) and converted into a sensor output signal (out) by an evaluation circuit (VI, Ml, TP) , the value of which then depends on the mean electrical flux density D at the mean location of the paramagnetic center (NV1) in the acquisition period. For example, this can
Sensorelement mit dem einem paramagnetischen Zentrum (NV1) oder den mehreren Sensor element with one paramagnetic center (NV1) or several
paramagnetischen Zentren (NV1) an einer schwingungsfähigen mechanischen Vorrichtung, z.B. einer schwingenden Saite oder einem schwingenden Balken, beispielsweise einem Schwingquarz, angebracht sein. Ist die Schwingfrequenz dieser mechanischen Vorrichtung bekannt, so ergeben sich Mischfrequenzen, die im Spektrum des Sensorausgangssignals (out) an charakteristischer Stelle zu finden sind und beispielsweise mittels eines Bandpasses und einem nachfolgenden paramagnetic centers (NV1) on a vibratory mechanical device, e.g. a vibrating string or a vibrating beam, for example an oscillating crystal, to be appropriate. If the oscillation frequency of this mechanical device is known, the result is mixed frequencies that can be found in the spectrum of the sensor output signal (out) at a characteristic point and, for example, by means of a bandpass and a subsequent one
Synchrondemodulator herausgefiltert werden können. Ganz besonders bevorzugt ist für eine solche Messung eine Vorrichtung wie beispielsweise die der Figur 15 bei der das Signal der Intensität (lf|) der Fluoreszenzstrahlung (FL) eines oder mehrerer paramagnetischer Zentren (NV1) eines Synchronous demodulator can be filtered out. A device such as that of FIG. 15, for example, in which the signal of the intensity (l f | ) of the fluorescent radiation (FL) of one or more paramagnetic centers (NV1) of one or more paramagnetic centers is particularly preferred
Sensorelements mit der Intensität (lf|) der Fluoreszenzstrahlung (FL) eines oder mehrerer paramagnetischer Referenzzentren (NV2) verglichen wird. Wird auf die Abschirmung (AS) in der Vorrichtung verzichtet, so sollten in beiden Messkanälen über das bzw. die paramagnetischen Zentren (NV1) und über das oder die paramagnetischen Referenzzentren (NV2) die gleichen Werte der Intensität (lKFL) der Kompensationsfluoreszenzstrahlung (KLF) der paramagnetischen Sensor element with the intensity (l f | ) of the fluorescence radiation (FL) of one or more paramagnetic reference centers (NV2) is compared. If the shielding (AS) is not used in the device, the same values of the intensity (l KFL ) of the compensating fluorescence radiation (KLF) should be obtained in both measuring channels via the paramagnetic center or centers (NV1) and via the paramagnetic reference center (s) (NV2) ) the paramagnetic
Referenzzentren (NV2) und der Intensität (lf|) der Fluoreszenzstrahlung (FL) der paramagnetischen Zentren (NV1) erfasst werden. Ist beispielsweise das Sensorelement mit dem bzw. den Reference centers (NV2) and the intensity (l f | ) of the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic centers (NV1) are recorded. If, for example, the sensor element with the
paramagnetischen Zentren (NV1) auf einem mechanisch schwingungsfähigen Bauelement, wie beispielsweise einem Balken oder einer Saite oder Schwingquarze untergebracht, so führt dies zu einer zusätzlichen Mischfrequenz, die ausschließlich auf der Transformation der magnetischen Flussdichte B und des elektrischen Feldes E beruht. Sofern die magnetische Flussdichte B und die elektrische Flussdichte D getrennt werden sollen, ist hier eine Vorrichtung wie in Figur 25 zu empfehlen, die als Sensorausgangssignal (out) dann einen Wert liefert, der in erster Linie von der magnetischen Flussdichte B abhängt, während bei einer starken elektrostatischen Flussdichte D der Wert des zusätzlichen Sensorsignals (out1) dann im Wesentlichen von dem Wert der paramagnetic centers (NV1) housed on a mechanically oscillatable component, such as a beam or a string or oscillating crystals, this leads to an additional mixing frequency based exclusively on the transformation of the magnetic flux density B and the electric field E. If the magnetic flux density B and the electrical flux density D are to be separated, a device as in FIG. 25 is recommended, which then delivers a value as the sensor output signal (out) that primarily depends on the magnetic flux density B, while with a strong electrostatic flux density D the value of the additional sensor signal (out 1 ) then essentially depends on the value of the
elektrostatischen Flussdichte D abhängt. Da die paramagnetischen Zentren (NV1) und die paramagnetischen Referenzzentren (NV2) eine zeitliche Verzögerung (td) zeigen, muss diese electrostatic flux density D depends. Since the paramagnetic centers (NV1) and the paramagnetic reference centers (NV2) show a time delay (t d ), this must
Verzögerung (td) noch aus dem Ergebnis durch eine Matrixmultiplikation herauskorrigiert werden.Delay (t d ) can still be corrected out of the result by a matrix multiplication.
Die Werte dieser Matrix sind vorrichtungsspezifisch und sollten vor Verwendung der Vorrichtung für Messungen typspezifisch oder besser vorrichtungsspezifisch ermittelt werden. Voraussetzung für eine Erfassung der elektrischen Flussdichte D ist, dass die elektrische Flussdichte D nicht konstant ist und so das Induktionsgesetz zum Tragen kommt. Dies kann vorschlagsgemäß durch eine lineare und/oder vorzugsweise oszillierende Bewegung der Feldquelle und/oder des bzw. der The values of this matrix are device-specific and should be determined type-specifically or, better, device-specifically before using the device for measurements. The prerequisite for recording the electrical flux density D is that the electrical flux density D is not constant and so the law of induction applies. According to the proposal, this can be achieved by a linear and / or preferably oscillating movement of the field source and / or the
paramagnetischen Zentren (NV1) und/oder des bzw. der paramagnetischen Referenzzentren (NV2) erreicht werden. Hierzu können beispielsweise das Sensorelement mit dem oder den paramagnetic centers (NV1) and / or the or the paramagnetic reference centers (NV2) can be achieved. For this purpose, for example, the sensor element with the
paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der Gruppe oder den Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) und/oder mit dem oder den paramagnetischen Referenzzentren (NV2) bzw. der Gruppe oder den Gruppen (NVC2) paramagnetischer Referenzzentren (NV2) beispielsweise durch ankleben eines Sensorelements an die Oberfläche des typischerweise piezoelektrischen paramagnetic centers (NV1) or the group or groups (NVC) paramagnetic Centers (NV1) and / or with the paramagnetic reference center (s) (NV2) or the group or groups (NVC2) of paramagnetic reference centers (NV2), for example by gluing a sensor element to the surface of the typically piezoelectric
Schwingelements, beispielsweise eines Schwingquarzes (Ql, Q2), befestigt sein, sodass das Schwingelement, beispielsweise des Schwingquarzes (Ql, Q2) mit einem oder mehreren paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. mit einer oder mehreren Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NVC) versehen ist. Aus der Schrift J.Cai, F. Jelezko, M. B. Pleniol, "Signal transduction and conversion with color centers in diamond and piezo-elements" arXiv:1404.6393v2 [quant-ph] 30 Oct 2017 ist die Kopplung piezoelektrischer Substrate mit einzelnen paramagnetischen Zentren (NV1) bekannt. Aus der US 7 812 692 B2 ist die Kombination eines polykristallinen Diamantfilms mit einem piezoelektrischen mikromechanischen Transducer bekannt. Mit Hilfe der hier vorgestellten mikrowellenfreien Methodik auf Basis von Sensorelementen mit einer hohen Dichte Oscillating element, for example an oscillating crystal (Ql, Q2), be attached so that the oscillating element, for example the oscillating crystal (Ql, Q2) with one or more paramagnetic centers (NV1) or with one or more groups (NVC) of paramagnetic centers (NVC) is provided. From the publication J.Cai, F. Jelezko, MB Pleniol, "Signal transduction and conversion with color centers in diamond and piezo-elements" arXiv: 1404.6393v2 [quant-ph] 30 Oct 2017 is the coupling of piezoelectric substrates with individual paramagnetic centers (NV1) known. The combination of a polycrystalline diamond film with a piezoelectric micromechanical transducer is known from US Pat. No. 7,812,692 B2. With the help of the microwave-free methodology presented here based on sensor elements with a high density
paramagnetischer Zentren (NV1), beispielsweise auf Basis von HD-NV-Diamanten, kann der Aufbau solcher Systeme massiv vereinfacht werden. Der das Schwingelement des Schwingquarzes bildet dann das mechanische schwingungsfähige Schwingelement (MS). Die Fluoreszenzstrahlung (FL) des oder der paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der Gruppe oder der Gruppen (NVC) paramagnetic centers (NV1), for example based on HD-NV diamonds, the structure of such systems can be massively simplified. The oscillating element of the quartz crystal then forms the mechanical oscillatory oscillating element (MS). The fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic center or centers (NV1) or the group or groups (NVC)
paramagnetischer Zentren (NV1) hängt in Zuständen des Schwingelements des Schwingquarzes mit einer Geschwindigkeit von in etwa 0m/s und einer maximalen Beschleunigung im Wesentlichen beispielsweise von dem Betrag der magnetischen Flussdichte (B) am Ort der paramagnetischen Zentren (NV1) ab und in Zuständen des Schwingelements des Schwingquarzes mit einer maximalen Geschwindigkeit und einer verschwindenden Beschleunigung zusätzlich beispielsweise von dem Betrag der elektrischen Feldstärke E am Ort der paramagnetischen Zentren (NV1) ab. In dieser Schrift wird somit ein piezoelektrisches, insbesondere piezoelektrisch angetriebenes paramagnetic centers (NV1) depends in states of the oscillating element of the quartz oscillator with a speed of about 0m / s and a maximum acceleration essentially, for example, on the magnitude of the magnetic flux density (B) at the location of the paramagnetic centers (NV1) and in states of the The oscillating element of the quartz oscillator with a maximum speed and a negligible acceleration also depends, for example, on the amount of the electric field strength E at the location of the paramagnetic centers (NV1). In this document, a piezoelectric, in particular piezoelectrically driven
Schwingelement, beispielsweise eines Schwingquarzes, offengelegt, das mindestens ein Oscillating element, for example an oscillating crystal, disclosed that at least one
paramagnetisches Zentrum (NV1) umfasst. Bevorzugt umfasst das piezoelektrische Schwingelement ein oder mehrere paramagnetische Zentren (NV1) und/oder ein oder mehrere Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren. Bevorzugt umfasst das piezoelektrische Schwingelement einen HD-NV- Diamanten oder einen Vorrichtungsbereich, der HD-NV-Diamant umfasst. Dieser Vorrichtung entspricht ein Verfahren zum Betrieb einer quantentechnologischen Vorrichtung umfassend den Schritt des Bereitstellens eines Sensorelements, wobei das Sensorelement einen Kristall mit einer Kristallachse aufweist und wobei der Kristall ein oder mehrere paramagnetische Zentren (NV1) in dem Kristall aufweist. Des Weiteren umfasst das vorgeschlagene Verfahren das Bestrahlen des oder der paramagnetischen Zentren (NV1) mit Pumpstrahlung (LB) mit einer Pumpstrahlungswellenlänge (lr,hr) und das Emittieren von Fluoreszenzstrahlung (FL) in Abhängigkeit von der Pumpstrahlung (LB) und in Abhängigkeit von dem Wert einer magnetischen Gesamtflussdichte B am Ort des bzw. der paramagnetischen Zentren (NV1). Im Falle von sich relativ zu einem elektromagnetischen Feld bewegenden paramagnetischen Zentren (NV1) werden Teile des elektrischen Feldes mit der elektrischen Feldstärke E in ein magnetisches Feld mit einer daraus resultierenden magnetischen Flussdichte B umtransformiert. Somit ist die entsprechende Vorrichtung bei Bewegung der paramagnetic center (NV1). The piezoelectric oscillating element preferably comprises one or more paramagnetic centers (NV1) and / or one or more groups (NVC) of paramagnetic centers. The piezoelectric vibrating element preferably comprises an HD-NV diamond or a device area which comprises HD-NV diamond. This device corresponds to a method for operating a quantum technological device comprising the step of providing a sensor element, wherein the sensor element has a crystal with a crystal axis and wherein the crystal has one or more paramagnetic centers (NV1) in the crystal. Furthermore, the proposed method comprises irradiating the or the paramagnetic centers (NV1) with pump radiation (LB) with a pump radiation wavelength (l r , hr ) and the emission of fluorescent radiation (FL) depending on the pump radiation (LB) and depending on the value of a total magnetic flux density B at the location of the or . of the paramagnetic centers (NV1). In the case of paramagnetic centers (NV1) moving relative to an electromagnetic field, parts of the electric field with the electric field strength E are transformed into a magnetic field with a magnetic flux density B resulting therefrom. Thus, the corresponding device is when moving
Vorrichtung relativ zur Feldquelle in der Lage auch elektrostatische Felder bzw. komplexere elektromagnetische Felder zu detektieren. Device relative to the field source is also able to detect electrostatic fields or more complex electromagnetic fields.
Zur Vereinfachung bezieht sich alles zuvor und später geschriebene im Wesentlichen auf den Fall ruhender Koordinatensysteme mit einem Koordinatenursprung in dem oder den paramagnetischen Zentren (NV1). Sich bewegende, rotierende und/oder beschleunigte Fälle werden mitbeansprucht. Die Beanspruchung umfasst aber eben auch die Erfassung elektrostatischer Felder durch Nutzung einer Lorenztransformation. Als weiteren Schritt umfasst das Verfahren das Erfassen zumindest eines Teils der Fluoreszenzstrahlung (FL) und die Ermittlung eines Werts der Intensität (lf|) der For the sake of simplicity, everything written before and later essentially relates to the case of stationary coordinate systems with a coordinate origin in the paramagnetic center or centers (NV1). Moving, rotating and / or accelerated cases are also claimed. The stress also includes the acquisition of electrostatic fields by using a Lorenz transformation. As a further step, the method comprises the acquisition of at least part of the fluorescence radiation (FL) and the determination of a value of the intensity (l f | ) of the
Fluoreszenzstrahlung (FL). Besonderes Kennzeichen des vorgeschlagenen Verfahrens ist, dass das oder die paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. die Gruppe oder die Gruppen (NVC) Fluorescence radiation (FL). A special feature of the proposed method is that the paramagnetic center or centers (NV1) or the group or groups (NVC)
paramagnetischer Zentren (NV1) in Bezug zu einer der folgenden betreffenden Kristallachse in einer ersten Richtung ausgerichtet sind, wobei die betreffenden Kristallachsen die Kristallachsen [100], [010], [001], [111] des Kristalls und deren Äquivalente (wie z.B. [-100], [-1,-1,-1] etc.) sind, und dass der Vektor der magnetischen Flussdichte B in eine zweite Richtung weist und dass diese zweite Richtung von der ersten Richtung abweicht. Wie zuvor handelt es sich es sich bei dem Kristall bzw. dem Sensorelement bevorzugt um einen Diamantkristall mit einem oder mehreren NV-Zentren (NV1) als paramagnetische Zentren (NV1). paramagnetic centers (NV1) are aligned in a first direction with respect to one of the following relevant crystal axes, the relevant crystal axes being the crystal axes [100], [010], [001], [111] of the crystal and their equivalents (such as [ -100], [-1, -1, -1] etc.), and that the vector of the magnetic flux density B points in a second direction and that this second direction deviates from the first direction. As before, the crystal or the sensor element is preferably a diamond crystal with one or more NV centers (NV1) as paramagnetic centers (NV1).
Besondere Vorzüge ergeben sich, wenn Pumpstrahlungsquelle (PLI), das Sensorelement (z.B. ein Diamant), das erste Filter (Fl) und der Strahlungsempfänger (PD) eine vorzugsweise gemeinsame mikrosystemtechnische Einheit bilden. Diese Einheit kann miniaturisiert und beispielswiese unterhalb eines insbesondere mechanisch schwingenden Systems beispielsweise als Tonabnehmer angebracht werden. Auf das hier vorgestellte Gehäuse wird in diesem Zusammenhang verwiesen. Vorzugsweise wird bei der Detektion mechanischer Schwingungen durch ein ortsfestet Sensorsystem entsprechend den hier vorgeschlagenen Sensorsystemen als mechanisch schwingendes System ein ferromagnetisches Material genutzt, beispielsweise eine ferromagnetische Saite, beispielsweise die Saite einer E-Gitarre oder ein E-Bass genutzt. Particular advantages result when the pump radiation source (PLI), the sensor element (eg a diamond), the first filter (F1) and the radiation receiver (PD) form a preferably common microsystem unit. This unit can be miniaturized and attached, for example, underneath an in particular mechanically oscillating system, for example as a pickup. In this context, reference is made to the housing presented here. A ferromagnetic material, for example a ferromagnetic string, for example the string of an electric guitar or an electric bass, is preferably used as the mechanically oscillating system for the detection of mechanical vibrations by a stationary sensor system according to the sensor systems proposed here.
Positions-. Geschwindigkeits- und Beschleunigungs- und Rotationssensorik Die Position, eine Bewegung eines Messobjekts (O), dessen Beschleunigung oder Rotation oder eine andere Methode können beispielsweise eine Modulation der magnetischen Flussdichte B am Ort des oder der paramagnetischen Zentren (NV1) durch das betreffende Messobjekt (O) verursachen, die dann mittels der hier beschriebenen Verfahren und Vorrichtungen erfasst werden kann. Die paramagnetischen Zentren können sich auch an dem Messobjekt (O), beispielsweise einer Positional. Speed, acceleration and rotation sensors The position, a movement of a measuring object (O), its acceleration or rotation or another method can, for example, modulate the magnetic flux density B at the location of the paramagnetic center or centers (NV1) by the respective measuring object (O ), which can then be detected using the methods and devices described here. The paramagnetic centers can also be on the measurement object (O), for example a
Gitarrensaite, befinden und dort durch das Sensorsystem vermessen werden. Guitar string, and are measured there by the sensor system.
Ganz allgemein umfasst daher das vorgeschlagene Verfahren das Erzeugen eines ersten In general, therefore, the proposed method comprises the generation of a first
Modulationssignals mittels eines mechanischen Systems, mit dem die magnetische Flussdichte B am Ort des oder der paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der Gruppe oder der Gruppen Modulation signal by means of a mechanical system with which the magnetic flux density B at the location of the paramagnetic center or centers (NV1) or the group or groups
paramagnetischer Zentren (NV1) moduliert ist. Die mechanische Ursache kann in der Position, der Bewegung, der Rotation oder der Beschleunigung eines Messobjekts (O) liegen, das mit der magnetischen Flussdichte B am Ort der paramagnetischen Zentren (NV1) zusammenwirkt. Die mechanische Ursache kann aber auch in der Position, der Bewegung der Rotation oder der paramagnetic centers (NV1) is modulated. The mechanical cause can lie in the position, movement, rotation or acceleration of a measurement object (O) that interacts with the magnetic flux density B at the location of the paramagnetic centers (NV1). The mechanical cause can also be in the position, the movement of the rotation or the
Beschleunigung des Sensorelements mit den paramagnetischen Zentren (NV1) liegen, die mit der magnetischen Flussdichte B am Ort der paramagnetischen Zentren (NV1) Zusammenwirken. Acceleration of the sensor element with the paramagnetic centers (NV1), which interact with the magnetic flux density B at the location of the paramagnetic centers (NV1).
Dies ist im Ergebnis äquivalent mit dem Erzeugen des modulierten optischen Signals mittels einer modulierten Fluoreszenzstrahlung (FL) des oder der paramagnetischen Zentren (NV1), wobei die Modulation der modulierten Fluoreszenzstrahlung (FL) von der Modulation der magnetischen Flussdichte B am Ort der paramagnetischen Zentren (NV1) abhängt. As a result, this is equivalent to generating the modulated optical signal by means of a modulated fluorescence radiation (FL) from the paramagnetic center or centers (NV1), the modulation of the modulated fluorescence radiation (FL) being dependent on the modulation of the magnetic flux density B at the location of the paramagnetic centers ( NV1) depends.
Dabei zeigen das oder die paramagnetischen Zentren (NV1) eine von der Änderung der magnetischen Flussdichte B abhängige Änderung einer von ihnen emittierten Fluoreszenzstrahlung (FL) und/oder eine von der Änderung der magnetischen Flussdichte B abhängige Änderung der Menge der von Ihnen erzeugten Fotoelektronen nach Bestrahlung des diamagnetischen Materials mit The paramagnetic center or centers (NV1) show a change in the fluorescence radiation (FL) they emit, depending on the change in magnetic flux density B, and / or a change in the amount of photoelectrons they generate after irradiation, which is dependent on the change in magnetic flux density B of the diamagnetic material with
Pumpstrahlung (LB) in Form von grünem visuellem Licht, wobei diese Bestrahlung mit Pumpstrahlung (LB) mit oder ohne überlagerter Mikrowellenstrahlung erfolgen kann. Die Fotoelektronen, die das oder die paramagnetischen Zentren (NV1) erzeugen, können durch elektrische Felder in dem Pump radiation (LB) in the form of green visual light, it being possible for this irradiation with pump radiation (LB) to take place with or without superimposed microwave radiation. The photoelectrons that do that or the paramagnetic centers (NV1) can be generated by electric fields in the
Material des Kristalls des Sensorelements zu Kontakten hin abgesaugt werden. Bevorzugt handelt es sich um ohmsche Kontakte zu dem betreffenden Material des Sensorelements. Beispielsweise kann es sich im Falle eines Diamanten um Titan-Kontakte handeln. Material of the crystal of the sensor element to be sucked off to contacts. These are preferably ohmic contacts to the relevant material of the sensor element. For example, in the case of a diamond, titanium contacts can be involved.
Bevorzugt wird die Fluoreszenzstrahlung (FL) der paramagnetischen Zentren (NV1) oder eine Menge an Photoelektronen, die durch paramagnetische Zentren (NV1) erzeugt werden, in einem Diamanten mit einer zumindest lokalen NV Zentrumskonzentration von mindestens 0,0001 ppm, und/oder von mindestens 0,001 ppm und/oder bevorzugt von mindestens 0,01 ppm und/oder bevorzugt von mindestens 0,1 ppm und/oder bevorzugt von mindestens 1 ppm und/oder bevorzugt von mindestens 10 ppm und/oder bevorzugt von mindestens 20 ppm und/oder bevorzugt von mindestens 50 ppm und/oder bevorzugt von mindestens 100 ppm und/oder bevorzugt von mindestens 200 ppm und/oder bevorzugt von mindestens 500 ppm und/oder bevorzugt von mindestens 1000 ppm und/oder bevorzugt von mindestens 2000 ppm und/oder bevorzugt von mindestens 5000 ppm bezogen auf die Menge der Diamantkohlenstoffatome erzeugt. Bei der Ausarbeitung dieser internationalen Anmeldung und ihrer prioritätsbegründenden Voranmeldungen wurden The fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic centers (NV1) or an amount of photoelectrons generated by paramagnetic centers (NV1) in a diamond with an at least local NV center concentration of at least 0.0001 ppm and / or at least is preferred 0.001 ppm and / or preferably of at least 0.01 ppm and / or preferably of at least 0.1 ppm and / or preferably of at least 1 ppm and / or preferably of at least 10 ppm and / or preferably of at least 20 ppm and / or preferably of at least 50 ppm and / or preferably of at least 100 ppm and / or preferably of at least 200 ppm and / or preferably of at least 500 ppm and / or preferably of at least 1000 ppm and / or preferably of at least 2000 ppm and / or preferably of at least 5000 ppm based on the amount of diamond carbon atoms. During the preparation of this international application and its priority filings,
Konzentrationen von lOppm und 20ppm benutzt. Bevorzugt kann die Konzentration mittels einer EPR-Messung bestimmt werden. Flierzu verweisen wir auf M. Capelli, A.H. Heffernan, T. Ohshima, H. Abe, J. Jeske, A. Hope, A.D. Greentree, P. Reineck, B.C. Gibson, Increased nitrogen-vacancy centre creation yield in diamond through electron beam Irradiation at high temperature, Carbon (2018), doi: https://doi.Org/10.1016/ j.carbon.2018.ll.051 Concentrations of lOppm and 20ppm used. The concentration can preferably be determined by means of an EPR measurement. For more information, we refer to M. Capelli, A.H. Heffernan, T. Ohshima, H. Abe, J. Jeske, A. Hope, A.D. Greentree, P. Reineck, B.C. Gibson, Increased nitrogen-vacancy center creation yield in diamond through electron beam Irradiation at high temperature, Carbon (2018), doi: https://doi.Org/10.1016/ j.carbon.2018.ll.051
Zur Erzeugung der Fluoreszenzstrahlung (FL) der paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der To generate the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic centers (NV1) or the
Fotoelektronen der paramagnetischen Zentren (NV1) wird bevorzugt modulierte Pumpstrahlung (LB) einer mittels eines Wechselanteils (S5w) eines Sendesignals (S5) amplitudenmodulierten Photoelectrons of the paramagnetic centers (NV1) are preferably modulated pump radiation (LB) which is amplitude-modulated by means of an alternating component (S5w) of a transmission signal (S5)
Pumpstrahlungsquelle (PLI), insbesondere ein gepulster Laser oder eine gepulste LED, mit einer unteren Modulationsfrequenz des Wechselanteils (S5w) des Sendesignals (S5) von mindestens 1 kHz und/oder mindestens 10kHz und/oder mindestens 100kHz und/oder mindestens 1MHz und/oder mindestens 10MHz genutzt. Pump radiation source (PLI), in particular a pulsed laser or a pulsed LED, with a lower modulation frequency of the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) of at least 1 kHz and / or at least 10 kHz and / or at least 100 kHz and / or at least 1 MHz and / or at least 10MHz used.
Die paramagnetischen Zentren (NV1) emittieren dann typischerweise eine modulierte The paramagnetic centers (NV1) then typically emit a modulated one
Fluoreszenzstrahlung (FL), die von der modulierten Pumpstrahlung (LB) der Pumpstrahlungsquelle (PLI) als modulierte Pumpstrahlung (LB) abhängt. Die modulierte Fluoreszenzstrahlung (FL) der paramagnetischen Zentren (NV1) wird dann bevorzugt mit einem lichtempfindlichen elektronischen Bauelement, insbesondere einer Fotodiode, als Strahlungsempfänger (PD) und/oder über Fotoelektronen erfasst und in ein moduliertes Fluorescence radiation (FL), which depends on the modulated pump radiation (LB) of the pump radiation source (PLI) as modulated pump radiation (LB). The modulated fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic centers (NV1) is then preferably detected with a light-sensitive electronic component, in particular a photodiode, as a radiation receiver (PD) and / or via photoelectrons and converted into a modulated one
Empfängerausgangssignal (SO) gewandelt. Receiver output signal (SO) converted.
Es folgt dann bevorzugt die Wandlung des modulierten Empfängerausgangssignals (SO) mittels eines Synchrondemodulators und/oder eines Lock-In-Verstärkers und/oder mittels einer anderen The modulated receiver output signal (SO) is then preferably converted by means of a synchronous demodulator and / or a lock-in amplifier and / or by means of another
Vorrichtung, die ein Pegelsignal mittels Skalar-Produktbildung zwischen einerseits dem Wechselanteil (S5w) des Sendesignals (S5) oder einem aus dem Wechselanteil (S5w) des Sendesignals (S5) abgeleiteten Signal (S5, S5c) und andererseits dem Empfängerausgangssignal (SO) oder einem daraus abgeleiteten Signal (z.B. Sl) bildet, und die Verwendung des Filterausgangssignals (S4) oder eines daraus abgeleiteten Signals als Sensorsignal (out). Device that generates a level signal by means of scalar product formation between the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) or a signal (S5, S5c) derived from the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) and the receiver output signal (SO) or a signal derived therefrom (eg S1), and the use of the filter output signal (S4) or a signal derived therefrom as a sensor signal (out).
In einer Variante erfolgt die Erzeugung eines orthogonalen Referenzsignals (S51) aus dem In one variant, an orthogonal reference signal (S5 1 ) is generated from the
Wechselanteil (S5w) des Sendesignals (S5) u.a. durch Phasenverschiebung. Alternating component (S5w) of the transmission signal (S5), e.g. due to phase shift.
Es ist möglich, dass der Wechselanteil (S5w) des Sendesignals (S5) einen von Null verschiedenen spektralen Frequenzanteil mit einer unteren Frequenzbereichsgrenzfrequenz von kleiner 1kHz und/oder besser kleiner 100Hz und/oder besser kleiner 10Hz und/oder besser kleiner 1Hz von mindestens 1 Hz und mit einer oberen Frequenzbereichsgrenzfrequenz von besser größer 1M Hz und/oder besser größer 10M Hz und/oder besser größer 100MHz und/oder besser größer 1GHz und/oder besser größer 10GHz aufweist. It is possible that the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) has a non-zero spectral frequency component with a lower frequency range limit frequency of less than 1 kHz and / or better less 100 Hz and / or better less 10 Hz and / or better less 1 Hz of at least 1 Hz and with an upper frequency range limit frequency of better greater than 1M Hz and / or better greater 10M Hz and / or better greater 100MHz and / or better greater 1 GHz and / or better greater 10 GHz.
Bei den Versuchen bei der Ausarbeitung der Erfindung wurden meistens 10kHz benutzt. Most of the time 10kHz was used in the attempts to develop the invention.
Sensorsystem mit räumlich getrenntem Sensorelement und Musikinstrument Eine weitere Ausführung ergibt sich durch die Verwendung eines Lichtwellenleiters (LWL) oder anderer lichtführender Strukturen, um das Sensorelement mit dem oder den paramagnetischen Zentren (NV1), beispielsweise einen Diamanten mit NV-Zentren, von der Pumpstrahlungsquelle (PLI), dem Strahlungsempfänger (PD) und der Auswerteschaltung (VI, M l, TP, G) räumlich getrennt zu betreiben. Hier wird als beispielhafte Vorrichtung für eine Klasse möglicher Vorrichtungen ein Musikinstrument diskutiert. Beispielsweise kann ein HD-NV-Diamant in Form eines roter Brillanten sichtbar an einemakustischen Resonanzkörper, beispielsweise der Korpus einer E-Gitarre, angebracht werden, während die Pumpstrahlungsquelle (PLI) und der Strahlungsempfänger (PD) und zumindest ein Teil der Auswerteschaltung (VI, Ml, TP, G) sich innerhalb des Korpus der Gitarre oder unterhalb des Griffbretts der Gitarre räumlich getrennt vom Sensorelement befinden. Lediglich eine kleine Bohrung zum Anbringen des Lichtwellenleiters (LWL) ist notwendig, um das Sensorelement optisch mit der Pumpstrahlungsquelle (PLI) und mit dem Strahlungsempfänger (PD) zu koppeln und so das Sensorsystem betreiben zu können. Hierdurch ergeben sich neue Gestaltungsmöglichkeiten im Aussehen einer Gitarre oder anderer Saiteninstrumente wie Harfen, Streichinstrumenten, Klavieren und anderer Musikinstrumente etc. Sensor system with spatially separated sensor element and musical instrument Another embodiment results from the use of an optical waveguide (LWL) or other light-guiding structures to remove the sensor element with the paramagnetic center or centers (NV1), for example a diamond with NV centers, from the pump radiation source ( PLI), the radiation receiver (PD) and the evaluation circuit (VI, M l, TP, G) to operate spatially separated. A musical instrument is discussed here as an exemplary device for a class of possible devices. For example, an HD-NV diamond in the form of a red diamond can be visibly attached to an acoustic resonance body, for example the body of an electric guitar while the pump radiation source (PLI) and the radiation receiver (PD) and at least part of the evaluation circuit (VI, Ml, TP, G) are located within the body of the guitar or below the fingerboard of the guitar spatially separated from the sensor element. All that is required is a small hole for attaching the optical waveguide (LWL) in order to optically couple the sensor element with the pump radiation source (PLI) and with the radiation receiver (PD) and thus operate the sensor system. This results in new design options for the appearance of a guitar or other stringed instruments such as harps, string instruments, pianos and other musical instruments, etc.
Vorzugsweise wird die Ankopplung mehrerer Sensorelemente beispielsweise mehrerer Diamanten mit NV-Zentren an eine Pumpstrahlungsquelle (PLI) durchgeführt. Die Pumpstrahlungsquelle (PLI) kann sich außerhalb des Musikinstrumentes bzw. der betreffenden Vorrichtung befinden und mit einem Lichtwellenleiter (LWL) an das Musikinstrument bzw. die betreffende Vorrichtung gekoppelt werden. Ebenfalls ist es möglich, einen Strahlungsempfänger (PD) für den Empfang der The coupling of several sensor elements, for example several diamonds with NV centers, is preferably carried out to a pump radiation source (PLI). The pump radiation source (PLI) can be located outside the musical instrument or the relevant device and can be coupled to the musical instrument or the relevant device with an optical waveguide (LWL). It is also possible to use a radiation receiver (PD) for receiving the
Fluoreszenzstrahlung (FL) der paramagnetischen Zentren (NV1) mehrerer voneinander räumlich getrennter Sensorelemente mit paramagnetischen Zentren (NV1), vorzugweise mehrerer Diamanten mit NV-Zentren, zu nutzen. Der Empfang der Fluoreszenzstrahlung (FL) durch das oder die To use fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic centers (NV1) of several spatially separated sensor elements with paramagnetic centers (NV1), preferably several diamonds with NV centers. The reception of fluorescent radiation (FL) by the or the
Strahlungsempfänger (PD) kann somit außerhalb des Musikinstruments bzw. der betreffenden Vorrichtung erfolgen. The radiation receiver (PD) can thus take place outside the musical instrument or the relevant device.
Eine bevorzugte Variante ist die Pumpstrahlung (LB) der Pumpstrahlungsquelle (PLI) mit dem Sensorelement und die Fluoreszenzstrahlung (FL) der paramagnetischen Zentren (NV1) des A preferred variant is the pump radiation (LB) of the pump radiation source (PLI) with the sensor element and the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic centers (NV1) of the
Sensorelements mit dem Strahlungsempfänger (PD) über einen gemeinsamen Lichtwellenleiter (LWL), beispielsweise eine Glasfaser, miteinander zu koppeln. Statt der Kopplung über einen einzelnen Lichtwellenleiter (LWL) ist es auch denkbar, die Pumpstrahlung (LB) der To couple the sensor element with the radiation receiver (PD) via a common optical waveguide (LWL), for example a glass fiber. Instead of coupling via a single optical waveguide (LWL), it is also conceivable to use the pump radiation (LB) of the
Pumpstrahlungsquelle (PLI) mit dem Sensorelement mittels einer ggf. auf die Pump radiation source (PLI) with the sensor element by means of a possibly on the
Pumpstrahlungswellenlänge (lr[gir) der Pumpstrahlung (LB) der Pumpstrahlungsquelle (PLI) hin optimierten ersten Lichtwellenleiter (LWL1), beispielsweise eine erste Glasfaser, zu koppeln und die Fluoreszenzstrahlung (FL) der paramagnetischen Zentren (NV1) des Sensorelements mit dem Pump radiation wavelength (l r [gir ) of the pump radiation (LB) of the pump radiation source (PLI) optimized first optical waveguide (LWL1), for example a first glass fiber, to couple and the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic centers (NV1) of the sensor element with the
Strahlungsempfänger (PD) über einen zweiten, ggf. auf die Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (l^) der Fluoreszenzstrahlung (FL) der paramagnetischen Zentren (NV1) optimierten zweiten Lichtwellenleiter (LWL2), beispielsweise eine zweite Glasfaser, miteinander zu koppeln Bevorzugt werden die Anregung durch Pumpstrahlung (LB) und die Detektion der Fluoreszenzstrahlung (FL) durch den Strahlungsempfänger (PD) über einen photonischen To couple the radiation receiver (PD) via a second optical waveguide (LWL2), for example a second glass fiber, optimized to the fluorescence radiation wavelength (l ^) of the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic centers (NV1) Excitation by pump radiation (LB) and detection of fluorescence radiation (FL) by the radiation receiver (PD) via a photonic are preferred
Lichtwellenleiter erfolgen, der sowohl einen Anregungs- als auch einen Fluoreszenzzweig beispielsweise über einen Wellenkoppler separiert. Optical waveguides take place, which separates both an excitation and a fluorescence branch, for example via a wave coupler.
Mikrofone und Musikinstrumente mit quantentechnologischem Tonabnehmer Die hier vorgelegten Vorschläge können somit auch eine ferromagnetisch beschichtete Saite als beispielhaftes mechanisch schwingungsfähiges System (MS) für Streichinstrumente betreffen, deren Schwingungen mit einer ersten Modulation einer ersten Modulationsfrequenz durch ein hier vorgeschlagenes Sensorsystem erfasst werden. Als schwingendes System kommt auch eine magnetische Membran oder eine ferromagnetische Membrane in einem magnetischen Kreis mit einer Anregung durch einen Permanentmagneten oder andere mechanisch bewegliche oder schwingungsfähige Vorrichtungsteile in Betracht, die mit einem mechanisch schwingenden System über Luft oder eine anderes Medium gekoppelt werden. Beispielsweise kann eine magnetische Membran oder eine ferromagnetische Membrane in einem magnetischen Kreis bei Verwendung zusammen mit einem oder mehreren der hier vorgestellten Sensorsystem ein Mikrofon darstellen und so verwendet werden. Microphones and musical instruments with quantum technology pickups The proposals presented here can therefore also relate to a ferromagnetically coated string as an example of a mechanically oscillatory system (MS) for string instruments, the oscillations of which are detected with a first modulation of a first modulation frequency by a sensor system proposed here. A magnetic membrane or a ferromagnetic membrane in a magnetic circuit with an excitation by a permanent magnet or other mechanically movable or oscillatable device parts that are coupled to a mechanically oscillating system via air or another medium can also be considered as an oscillating system. For example, a magnetic membrane or a ferromagnetic membrane in a magnetic circuit, when used together with one or more of the sensor systems presented here, can represent a microphone and be used in this way.
Im Rahmen dieser Offenlegung wird somit ein Verfahren zur Wandlung von akustischen oder anderen mechanischen Schwingungen und/oder Positionsinformationen und/oder In the context of this disclosure, a method for converting acoustic or other mechanical vibrations and / or position information and / or
Positionsänderungsinformationen eines beispielsweise ferromagnetischen Messobjekts in optische Signale und/oder digitale elektrische Signale und/oder analoge elektrische Signale vorgeschlagen, dass u.a. folgende Schritte umfasst: Position change information of, for example, a ferromagnetic measurement object in optical signals and / or digital electrical signals and / or analog electrical signals is proposed that includes the following steps, among others:
Ein erster Schritt ist das Erzeugen einer mit einem ersten Modulationssignal, das auch konstant sein kann, modulierten magnetischen Flussdichte B. Die Ursache dieser Modulation mit einem ersten Modulationssignal einem ersten Modulationsspektrum an ersten Modulationsfrequenzen kann auch eine mechanische Schwingung mit einem ersten Schwingungsspektrum an ersten A first step is the generation of a magnetic flux density B modulated with a first modulation signal, which can also be constant. The cause of this modulation with a first modulation signal and a first modulation spectrum at first modulation frequencies can also be a mechanical oscillation with a first oscillation spectrum at first
Schwingungsfrequenzen sein, wobei das ersten Modulationsspektrum der ersten Be oscillation frequencies, the first modulation spectrum being the first
Modulationsfrequenzen von dem ersten Schwingungsspektrum an ersten Schwingungsfrequenzen typischerweise abhängt. Das Schwingungsspektrum kann einen Gleichanteil aufweisen. Ein zweiter Schritt ist das Erfassen dieser mit dem ersten Modulationsspektrum an ersten Modulation frequencies of the first oscillation spectrum at first oscillation frequencies typically depends. The vibration spectrum can have a constant component. A second step is to acquire this with the first modulation spectrum at the first
Modulationsfrequenzen modulierten magnetischen Flussdichte B mittels einer auf paramagnetischen Zentren (NV1) in einem diamagnetischen Material beruhenden Vorrichtung und Wandlung des erfassten Werts der modulierten magnetischen Flussdichte B in ein optisches Signal und/oder ein elektrisches, beispielsweise digitales Signal, insbesondere ein Empfängerausgangssignal (SO) oder ein Sensorausgangssignal (out), und/oder ein analoges elektrisches Signal, insbesondere in ein analoges und/oder digitales Sensorausgangssignal (out) mittels dieser Vorrichtung. Modulation frequencies modulated magnetic flux density B by means of a paramagnetic Centers (NV1) in a device based on diamagnetic material and conversion of the detected value of the modulated magnetic flux density B into an optical signal and / or an electrical, for example digital signal, in particular a receiver output signal (SO) or a sensor output signal (out), and / or an analog electrical signal, in particular into an analog and / or digital sensor output signal (out) by means of this device.
Bei einem Musikinstrument, wie beispielsweise einer Gitarre als Beispiel für ein mechanisches schwingendes System, kann beispielsweise die Erzeugung eines zweiten, mit dem ersten In the case of a musical instrument such as a guitar as an example of a mechanical oscillating system, for example, the generation of a second, with the first
Modulationssignal modulierten Flussdichteanteils Bm der magnetischen Flussdichte B mittels einer ersten Feldquelle (MGI) eines elektrischen und/oder magnetischen Feldes, das mit dem Modulation signal modulated flux density component B m of the magnetic flux density B by means of a first field source (MGI) of an electric and / or magnetic field, which with the
mechanischen System gekoppelt ist erfolgen. mechanical system is coupled.
Bevorzugt erfolgt die Erzeugung einer weiteren, ersten Flussdichteanteils B0 der magnetischen Flussdichte B, der dem zweiten mit dem ersten Modulationssignal modulierten Flussdichteanteil B0 der magnetischen Flussdichte B summierend überlagert ist, mittels einer zweiten Quelle (MG2) eines elektrischen und/oder magnetischen Feldes, das mit dem mechanischen System nicht gekoppelt ist. Bevorzugt bringt diese zweite magnetische Feldquelle (MG2) das Sensorsystem in den optimalen Arbeitspunktbereich der Figur 28, wobei die magnetische Flussdichte B des Arbeitspunkts typischerweise dem ersten Flussdichteanteil B0 entspricht. Bevorzugt ist die zweite magnetische Feldquelle (MQ2) ein Permanentmagnet oder eine elektrisch bestromte Kompensationsspule (LC). Bevorzugt wird der erste Flussdichteanteil B0 mittels eines Permanentmagneten und/oder einer elektrisch bestromten Kompensationsspule (LC) erzeugt. Bei der elektrisch bestromten The generation of a further, first flux density component B 0 of the magnetic flux density B, which is superimposed on the second flux density component B 0 of the magnetic flux density B modulated with the first modulation signal, is preferably generated by means of a second source (MG2) of an electric and / or magnetic field, that is not linked to the mechanical system. This second magnetic field source (MG2) preferably brings the sensor system into the optimum operating point range of FIG. 28, the magnetic flux density B of the operating point typically corresponding to the first flux density component B 0 . The second magnetic field source (MQ2) is preferably a permanent magnet or an electrically energized compensation coil (LC). The first flux density component B 0 is preferably generated by means of a permanent magnet and / or an electrically energized compensation coil (LC). With the electrically powered
Kompensationsspule (LC) kann es sich um eine einzelne Leitung handeln. Bevorzugt wird die Compensation coil (LC) can be a single line. Is preferred
Kompensationsspule (LC) mit einem elektrischen Strom durch einen Regler (RG) bestromt, der von dem Sensorausgangssignal (out) und/oder dem Filterausgangssignal (S4) abhängt und von einem Regler (RG) in Abhängigkeit von dem durch die Vorrichtung ermittelten Wert der Abweichung der erfassten magnetischen Flussdichte B von einem Arbeitspunktwert, beispielsweise dem Wert des ersten Flussdichteanteils (B0), erzeugt wird. Bevorzugt sind das paramagnetische Zentrum (NV1) bzw. die paramagnetischen Zentren (NV1) so dicht an dieser Leitung, die auch eine gerade Leitung sein kann, platziert, dass sie sich im mit 1/r abfallenden magnetischen Nahfeld der Leitung befinden, wobei r für den Abstand zwischen dem jeweiligen paramagnetischen Zentrum (NV1) und einem Leiter steht, der ggf. die Kompensationsspule (LC) bildet. Somit ist das Einstellen des Arbeitspunktes zur Nutzung des oder der paramagnetischen Zentren (NV1) durch Verwendung einer zweiten Feldquelle (MG2) in Kombination mit einer ersten Quelle (MGI) ein ganz wesentlicher Schritt zur Optimierung der Empfindlichkeit. Diese Einstellung kann wie, bereits beschrieben durch Compensation coil (LC) energized with an electric current through a controller (RG), which depends on the sensor output signal (out) and / or the filter output signal (S4) and from a controller (RG) depending on the value of the deviation determined by the device the detected magnetic flux density B is generated from an operating point value, for example the value of the first flux density component (B 0 ). The paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) are preferably placed so close to this line, which can also be a straight line, that they are in the magnetic near field of the line, which decreases by 1 / r, where r stands for the distance between the respective paramagnetic center (NV1) and a conductor, which may form the compensation coil (LC). Thus, the setting of the operating point for using the paramagnetic center or centers (NV1) is by using a second one Field source (MG2) in combination with a first source (MGI) is a very important step towards optimizing the sensitivity. This setting can be made as already described by
Permanentmagneten und/oder Elektromagneten, also beispielsweise bestromte Spulen (LI bis L7, LC) und/oder Leitungen, erfolgen. Permanent magnets and / or electromagnets, so for example energized coils (LI to L7, LC) and / or lines take place.
Eine andere Variante der Vorrichtung umfasst eine Pumpstrahlungsquelle (PLI), also beispielsweise einen Laser und/oder eine LED, und ein diamagnetisches Material (MPZ) als Sensorelement, sowie einen Strahlungsempfänger (PD). Des Weiteren umfasst diese beispielhafte Vorrichtung ein mechanisches System (MS) und eine erste Feldquelle (MQ1). Das diamagnetische Material (M PZ) weist wieder ein oder mehrere paramagnetische Zentren (NV1) auf. Die Pumpstrahlungsquelle (PLI) emittiert eine für das bzw. die paramagnetischen Zentren (NV1) geeignete Pumpstrahlung (LB) mit einer zur Anregung des bzw. der paramagnetischen Zentren (NV1) geeigneten Another variant of the device comprises a pump radiation source (PLI), for example a laser and / or an LED, and a diamagnetic material (MPZ) as a sensor element, as well as a radiation receiver (PD). Furthermore, this exemplary device comprises a mechanical system (MS) and a first field source (MQ1). The diamagnetic material (M PZ) again has one or more paramagnetic centers (NV1). The pump radiation source (PLI) emits a pump radiation (LB) suitable for the paramagnetic center or centers (NV1) with a pump radiation suitable for exciting the paramagnetic center or centers (NV1)
Pumpstrahlungswellenlänge (lrigir). Das bzw. die paramagnetischen Zentren (NV1) werden von der Pumpstrahlung (LB) bestrahlt und emittiert deshalb eine Fluoreszenzstrahlung (FL) mit einer Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (lh) . Die erste Feldquelle (MQ1) ist bevorzugt mit dem mechanischen System (MS) mechanisch gekoppelt. Es kann sich bei der ersten Feldquelle (MGI) beispielsweise um das ferromagnetische Material einer Gitarrensaite oder eines Rotors einer elektrischen Maschine oder um ein anderes schwingungsfähiges Vorrichtungselement aus ferromagnetischem Material einer sonstigen mechanischen Vorrichtung und ggf. eine permanent magnetische Vorrichtung handeln. Ganz allgemein ist mit einer ersten Feldquelle (MGI) eine nicht weiter eingeschränkte Quelle einer Modifikation der magnetischen Flussdichte B am Ort des bzw. der paramagnetischen Zentren (NV1) gemeint. Dabei lässt das mechanische System (MS) eine Bewegung und/oder Beschleunigung und/oder Rotation der ersten Feldquelle (MQ1) relativ zum Pump radiation wavelength (l rigir ). The paramagnetic center or centers (NV1) are irradiated by the pump radiation (LB) and therefore emit fluorescence radiation (FL) with a fluorescence radiation wavelength (1h). The first field source (MQ1) is preferably mechanically coupled to the mechanical system (MS). The first field source (MGI) can be, for example, the ferromagnetic material of a guitar string or a rotor of an electrical machine or another vibratory device element made of ferromagnetic material of another mechanical device and possibly a permanent magnetic device. Quite generally, a first field source (MGI) means a non-restricted source of a modification of the magnetic flux density B at the location of the paramagnetic center or centers (NV1). The mechanical system (MS) allows a movement and / or acceleration and / or rotation of the first field source (MQ1) relative to the
diamagnetischen Material (MPZ) im Sensorelement zu und/oder verursacht diese. Der diamagnetic material (MPZ) in the sensor element and / or causes it. The
Strahlungsempfänger (PD) erfasst die Fluoreszenzstrahlung (FL) und zwar typischerweise die Intensität (lfl) der Fluoreszenzstrahlung (FL) und wandelt den erfassten Intensitätswert der Intensität (In) der Fluoreszenzstrahlung (FL) in ein Empfängerausgangssignal (SO) um, das insbesondere digital und/oder analog sein kann. Es kann sich auch um einen Speicherwert in einer Radiation receiver (PD) detects the fluorescence radiation (FL), typically the intensity (l fl ) of the fluorescence radiation (FL) and converts the detected intensity value (In) of the fluorescence radiation (FL) into a receiver output signal (SO), which is in particular digital and / or can be analog. It can also be a memory value in a
Signalverarbeitungseinrichtung handeln, der zum Abruf und/oder Weiterbenutzung durch Acting signal processing device for retrieval and / or further use
Vorrichtungsteile, Benutzer oder von extern, beispielsweise über einen Datenbus zugreifende Vorrichtungen bereitgehalten wird. Die Vorrichtung umfasst bevorzugt einen ersten Filter (Fl), wobei der erste Filter (Fl) im Device parts, users or externally, for example via a data bus accessing devices is kept ready. The device preferably comprises a first filter (Fl), the first filter (Fl) im
Wesentlichen verhindert, dass Pumpstrahlung (LB) den Strahlungsempfänger (PD) erreicht. Der erste Filter (Fl) verhindert im Wesentlichen nicht, dass Fluoreszenzstrahlung (FL) den Essentially prevents pump radiation (LB) from reaching the radiation receiver (PD). The first filter (Fl) essentially does not prevent fluorescence radiation (FL) from being
Strahlungsempfänger (PD) erreicht. Im Wesentlichen bedeutet im Zusammenhang mit dem ersten Filter (Fl) in dieser Schrift das, dass die typischerweise trotzdem auftretende geringe Dämpfung der Fluoreszenzstrahlung (FL) die Funktionstüchtigkeit der jeweiligen Vorrichtung nicht beeinträchtigt. Bevorzugt besitzt bei Verwendung von NV-Zentren als paramagnetischen Zentren (NV1) die Pumpstrahlung (LB) eine Pumpstrahlungswellenlänge (lrGhr) zwischen 500-600 nm. Die Radiation receiver (PD) reached. In connection with the first filter (F1) in this document, this essentially means that the low attenuation of the fluorescent radiation (FL) that typically occurs nevertheless does not impair the functionality of the respective device. When using NV centers as paramagnetic centers (NV1), the pump radiation (LB) preferably has a pump radiation wavelength (l rGhr ) between 500-600 nm
Pumpstrahlung ist als bevorzugt eine grüne Pumpstrahlung im Sinne der Funktion dieser Strahlung in dieser Schrift. Hier sei auf die anderen Bemerkungen zu diesem Punkt in dieser Schrift ausdrücklich verwiesen. Bevorzugt handelt es sich bei dem diamagnetischen Material (MPZ), das das Pump radiation is preferred as green pump radiation in the sense of the function of this radiation in this document. Reference is expressly made to the other remarks on this point in this document. It is preferably the diamagnetic material (MPZ) that the
Sensorelement umfasst, um Diamant und bei dem bzw. den paramagnetischen Zentren um NV- Zentren in diesem Diamant-Material. Sensor element comprises around diamond and around NV centers in this diamond material for the paramagnetic center or centers.
Bevorzugt handelt es sich im Speziellen bei dem bzw. den paramagnetischen Zentren (NV1) um ein oder mehrere NV-Zentren in einem oder mehreren Diamanten und bei dem bzw. den Diamanten um einen Diamanten mit einem zumindest lokalen Gehalt von NV-Zentren in einem Bereich von 0.1 ppm bis 500 ppm und ggf. darüber hinaus, also um einen HD-NV-Diamanten im Sinne dieser Schrift. In particular, the paramagnetic center (s) (NV1) is preferably one or more NV centers in one or more diamonds and the diamond (s) is a diamond with an at least local content of NV centers in a region from 0.1 ppm to 500 ppm and possibly more, i.e. around one HD-NV diamond in the sense of this document.
Bevorzugt handelt es sich im Speziellen bei dem oder den paramagnetischen Zentren (NV1) um ein oder mehrere NV-Zentren in einem oder mehreren Diamanten und bei dem oder den Diamanten um einen mittels eines High-Pressure-High-Temperature Verfahrens künstlich hergestellten Diamanten. In particular, the paramagnetic center or centers (NV1) are preferably one or more NV centers in one or more diamonds and the diamond or diamonds are artificially produced by means of a high-pressure-high-temperature process.
In einigen Anwendungen ist die Bewegung der ersten Feldquelle (MQ1) relativ zum Sensorelement mit dem diamagnetischen Material (M PZ) periodisch. Dies trifft beispielsweise auf die besagte, beispielhafte Stahlseite der beispielhaften Gitarre (GT) zu. Analog kann das auch als eine periodische Bewegung der ersten Feldquelle (MQ1) relativ zum Sensorelement mit dem diamagnetischen Material (MPZ) begriffen werden, die auf einer mechanischen Schwingung und/oder einer Rotation zumindest eines Vorrichtungsteils des mechanischen Systems (MS), also beispielsweise der besagten Saite der besagten beispielhaften Gitarre (GT), beruht. Es handelt sich dann um eine Bewegung der ersten Feldquelle (MQ1) relativ zum Sensorelement mit dem diamagnetischen Material (MPZ), die periodisch ist und die auf einer mechanischen Schwingung und/oder Rotation zumindest eines Vorrichtungsteils des mechanischen Systems (MS) beruht. Dabei ist dieser Vorrichtungsteil und/oder das mechanische System (MS) beispielsweise eine schwingende Seite eines Musikinstruments oder ein rotierender und/oder schwingender Probekörper einer Messvorrichtung (beispielsweise eines Drehpositionssensors) oder ein rotierendes und/oder schwingendes Rad oder Zahnrad oder eine rotierende und/oder schwingende kreisförmige Scheibe oder ein rotierender und/oder schwingender Rotor oder anderer Vorrichtungsteil eines Motors, insbesondere eines Elektromotors oder eines Verbrennungsmotors oder einer Turbine oder eines Raketentriebwerks, oder ein anderer rotierender und/oder schwingender Vorrichtungsteil eines Motors, insbesondere eines Elektromotors oder eines Verbrennungsmotors oder einer Turbine oder eines Raketentriebwerks, oder ein rotierender und/oder schwingender Vorrichtungsteil eines Fahrzeugs oder ein rotierender und/oder In some applications, the movement of the first field source (MQ1) relative to the sensor element with the diamagnetic material (M PZ) is periodic. This applies, for example, to the said exemplary steel side of the exemplary guitar (GT). Analogously, this can also be understood as a periodic movement of the first field source (MQ1) relative to the sensor element with the diamagnetic material (MPZ), which is based on a mechanical oscillation and / or a rotation of at least one device part of the mechanical system (MS), for example the said string of said exemplary guitar (GT). It then involves a movement of the first field source (MQ1) relative to the sensor element with the diamagnetic material (MPZ), which is periodic and which is based on a mechanical oscillation and / or rotation of at least one device part of the mechanical system (MS). This device part and / or the mechanical system (MS) is, for example, a vibrating side of a musical instrument or a rotating and / or vibrating test specimen of a measuring device (for example a rotary position sensor) or a rotating and / or vibrating wheel or gear or a rotating and / or vibrating circular disk or a rotating and / or vibrating rotor or other device part of a motor, in particular an electric motor or an internal combustion engine or a turbine or a rocket engine, or another rotating and / or vibrating device part of an engine, in particular an electric motor or an internal combustion engine or a turbine or a rocket engine, or a rotating and / or vibrating device part of a vehicle or a rotating and / or
schwingender Vorrichtungsteile einer Maschine oder die rotierende und/oder schwingende vibrating device parts of a machine or the rotating and / or vibrating
Messscheibe einer Winkelmessvorrichtung und/oder eine schwingende Membrane und/oder ein schwingender Gebäudeteil und/oder ein schwingender Erdbodenteil. Die Erfindung betrifft also auch Mikrophone, Seismometer, Geophone, Tachometer, Rotorpositionssensoren für Motoren sowie deren Regelvorrichtungen, Schwingungsmessvorrichtungen etc. Eine translatorische Bewegung ist im Sinne dieser Schrift eine Rotation mit einem unendlichen Radius. Measuring disk of an angle measuring device and / or a vibrating membrane and / or a vibrating part of a building and / or a vibrating part of the ground. The invention thus also relates to microphones, seismometers, geophones, tachometers, rotor position sensors for motors and their control devices, vibration measuring devices, etc. A translational movement in the sense of this document is a rotation with an infinite radius.
Überwachung mechanischer System in extremen Umgebungen Monitoring mechanical systems in extreme environments
Als weitere Ausführung kann ein Sensorsystem, wie es hier vorgeschlagen wurde, zur As a further embodiment, a sensor system as proposed here can be used for
Qualitätskontrolle mechanischer Systeme wie Getriebeeinheiten oder Motoren genutzt werden. Quality control of mechanical systems such as gear units or motors can be used.
Ein besonderer Vorteil liegt hierbei in der räumlichen Trennung des Sensorelements, beispielsweise Diamant, mittels eines oder mehrerer Lichtwellenleiter sowie der elektronischen Auswerte- und Bestrahlungseinheit. Dies ermöglicht den Einsatz des Sensorelements zur Erfassung der A particular advantage here is the spatial separation of the sensor element, for example diamond, by means of one or more optical waveguides and the electronic evaluation and irradiation unit. This enables the use of the sensor element to detect the
magnetischen Flussdichte B in für elektronische Bauelemente nicht anwendbare Umgebungen wie bei höheren als extremen Temperaturen oder einem hohen ionisierenden Strahlungspegel. Auch können die Sensorelemente zur Erfassung der magnetischen Flussdichte B oder anderer, die magnetic flux density B in environments that cannot be used for electronic components, such as at higher than extreme temperatures or a high ionizing radiation level. The sensor elements for detecting the magnetic flux density B or other, the
Intensität (lfl) der Fluoreszenzstrahlung (FL) beeinflussenden physikalischen Parameter eingesetzt werden. Dies kann beispielsweise auch in Bohrlöchern, insbesondere auch unter hohem Druck und/oder hoher Temperatur und/oder in Umgebungen mit ätzenden und/oder abrasiven Intensity (l fl ) of the fluorescence radiation (FL) influencing physical parameters are used. This can also be done, for example, in boreholes, in particular under high pressure and / or high temperature and / or in environments with caustic and / or abrasive
Flüssigkeiten, wie beispielsweise heißen Salzwasser/Öl/Sand/Gas-Gemischen in großen Tiefen z.B. Als Teil einer Bohrlochsonde geschehen. Als weitere Ausführung der Mikrofon-Variante kann ein vorschlagsgemäßes Sensorsystem zur Detektion von plötzlichen Druckunterschieden, beispielsweise zur Auslösung von Airbag-Systemen genutzt werden. Liquids such as hot salt water / oil / sand / gas mixtures occur at great depths, for example as part of a borehole probe. As a further embodiment of the microphone variant, a proposed sensor system can be used to detect sudden pressure differences, for example to trigger airbag systems.
Eine weitere Ausführung ist, ein vorschlagsgemäßes Sensorsystem zur Überwachung von medizinischen Parametern zu nutzten. Wird das Sensorelement an einem Lichtwellenleiter angebracht, kann das Sensorelement mit den paramagnetischen Zentren (NV1) über die Gefäße in die Nähe des zu messenden Organs, beispielsweise das Herz oder das Gehirn, gebracht werden und dort bioelektrische Signale detektieren oder dort einstrahlende Strahlung, insbesondere ionisierende Strahlung wie Neutronen, Elektronen und Positronen, Elementarteilchen, Ionen, Alpha-Strahlung, Gamma- und Röntgen-Photonen, detektieren und ggf. zur Dosismessung beispielsweise innerhalb eines lebenden Körpers, also beispielsweise in der Medizin, verwendet werden.. Auch kann ein vorschlagsgemäßes Sensorsystem zur Steuerung eines Herzschrittmachers genutzt werden. Another embodiment is to use a proposed sensor system for monitoring medical parameters. If the sensor element is attached to an optical waveguide, the sensor element with the paramagnetic centers (NV1) can be brought into the vicinity of the organ to be measured, for example the heart or the brain, via the vessels, and there it can detect bioelectrical signals or irradiating radiation, in particular ionizing radiation Detect radiation such as neutrons, electrons and positrons, elementary particles, ions, alpha radiation, gamma and X-ray photons and, if necessary, use them for dose measurement, for example within a living body, for example in medicine. A sensor system as proposed can also be used can be used to control a pacemaker.
Eine weite Anwendung liegt in der Nutzung eines vorschlagsgemäßen Sensorsystems in der Mikrofon-Variante als Hörgerät. Durch das geringe Gewicht und die direkte Umsetzung der akustischen Signale in digitale Signale ergibt sich eine rauscharme Aufnahme. A wide application is the use of a proposed sensor system in the microphone variant as a hearing aid. The low weight and the direct conversion of the acoustic signals into digital signals result in a low-noise recording.
Da Diamant bei der Verwendung ebenso wie das Material der meisten Lichtwellenleiter (LWL1,Since diamond is used just like the material of most fiber optic cables (LWL1,
LWL2) biokompatibel ist und das Sensorelement von der Detektionseinheit umfassend die LWL2) is biocompatible and the sensor element of the detection unit comprising the
Pumpstrahlungsquelle (PLI), den Strahlungsempfänger (PD) und die Auswerteschaltung (G, VI, Ml, TP) getrennt betrieben werden kann, kann das Sensorelement als zumindest zeitweises invasives Implantat im Innenohr oder an anderen Stellen des Körpers z.B. unter Zuhilfenahme eines oder mehrerer Lichtwellenleiter (LWL1, LWL2) eingesetzt werden. Pump radiation source (PLI), the radiation receiver (PD) and the evaluation circuit (G, VI, Ml, TP) can be operated separately, the sensor element can be used as an at least temporarily invasive implant in the inner ear or at other parts of the body, e.g. with the aid of one or more optical waveguides (LWL1, LWL2) can be used.
Sensorsystem mit Kompensationsspule (LC) Sensor system with compensation coil (LC)
Das Besondere an der hier vorgestellten Variante des Sensorsystems ist, dass das Sensorsystem Mittel, insbesondere einen Regler (RG) und/oder insbesondere eine Kompensationsspule (LC) und/oder einen Permanentmagneten, umfassen kann, um die Änderung der Intensität (lfl) der Fluoreszenzstrahlung (FL) bei einer Änderung der magnetischen Flussdichte B am Ort des oder der paramagnetischen Zentren (NV1) bezogen auf die jeweilige Anwendung zu maximieren. D.h. durch Subtraktion oder Addition eines quasistatischen Anteils des magnetischen Flusses B wird die magnetische Gesamtflussdichte B am Ort des paramagnetischen Zentrums in Richtung eines Arbeitspunktes verlagert, der einen optimierten Abstand zum Punkt der maximalen Empfindlichkeit (siehe Figur 28b) hat. Dabei wird ausgenutzt, dass die paramagnetischen Zentren (im Falle der Figur 28b sind dies NV-Zentren in Diamant) bei ausreichend hoher lokaler NV-Zentrumsdichte, wie beispielsweise in einem FID-NV-Diamanten, koppeln und somit kollektive Effekte von Gruppen paramagnetischer Zentren erzeugen. Diese führen zu der Modulation der Empfindlichkeit auch bei Dekalibrierung der ersten und zweiten Richtung. The special feature of the variant of the sensor system presented here is that the sensor system can comprise means, in particular a controller (RG) and / or in particular a compensation coil (LC) and / or a permanent magnet, to detect the change in the intensity (l fl ) of the To maximize fluorescence radiation (FL) with a change in the magnetic flux density B at the location of the paramagnetic center or centers (NV1) based on the respective application. Ie by subtracting or adding a quasi-static component of the magnetic flux B, the total magnetic flux density B at the location of the paramagnetic center is shifted in the direction of an operating point which is at an optimized distance from the point of maximum sensitivity (see FIG. 28b). This makes use of the fact that the paramagnetic centers (in the case of FIG. 28b, these are NV centers in diamond) couple with a sufficiently high local NV center density, such as in an FID-NV diamond, and thus generate collective effects of groups of paramagnetic centers . These lead to the modulation of the sensitivity even when the first and second directions are decalibrated.
Wird diese Arbeitspunkteinstellung B0 der magnetischen Flussdichte B mittels einer If this working point setting B 0 of the magnetic flux density B by means of a
Kompensationsspule (LC) vorgenommen, so ist es sinnvoll, diese mit einem elektrischen Strom zu bestromen, der aus dem Messwert der magnetischen Flussdichte B, also dem Filterausgangssignal (S4) des Filters, beispielsweise des Schleifenfilters (TP), so abgeleitet wird, dass das magnetische Feld der Kompensationsspule (LC) eine solche Änderung der magnetischen Flussdichte B am Ort der paramagnetischen Zentren (NV1) und/oder am Ort der Gruppen (NVC) paraamagnetischer Zentren (NV1) mittels einer Bestromung der Kompensationsspule (LC) durch einen Regler (RG), dessen Ist- Wert-Signal von dem Filterausgangssignal (S4) oder einem funktionsäquivalenten Signal abhängt, kompensiert . Das entsprechende Arbeitspunktregelsignal (S9) leitet ein Regler (RG) bevorzugt aus dem Filterausgangssignal (S4) ab. Dadurch wird die magnetische Arbeitspunkteinstellung einer magnetischen Arbeitspunktflussdichte in Form einer Bias-Flussdichte (B0) stabilisiert. Bevorzugt hat der Regler (RG) eine Tiefpasscharakteristik oder besser eine integrierende Charakteristik. Die Regelung durch den Regler (RG) erfolgt bevorzugt mit einer ersten Zeitkonstante Xi, während die Kompensationsregelung mittels des Schleifenfilters (TP) mit einer zweiten Zeitkonstante x2 erfolgt. D.h. ein erstes Sensorausgangssignal (out) gibt die kurzfristigen Änderungen eines magnetischen Flussdichtewechselfeldes wieder während ein zweites Sensorausgangssignal (out") die langfristigen Änderungen bzw. den aktuellen quasistatischen Arbeitspunkt des Sensorsystems wiedergibt. Damit dies möglich ist, ist bevorzugt die erste Zeitkonstante Xi größer als die zweite Zeitkonstante t2 (xi>x2). Der Regler ist bevorzugt ein PI-Regler oder ein anderer geeigneter Regler. Die Verwendung anderer Regler ist aber möglich. Compensation coil (LC) made, it makes sense to energize it with an electric current, which is derived from the measured value of the magnetic flux density B, i.e. the filter output signal (S4) of the filter, for example the loop filter (TP), so that the magnetic field of the compensation coil (LC) such a change in the magnetic flux density B at the location of the paramagnetic centers (NV1) and / or at the location of the groups (NVC) of para-magnetic centers (NV1) by means of a current supply to the compensation coil (LC) by a controller (RG ), whose actual value signal depends on the filter output signal (S4) or a functionally equivalent signal, is compensated. A controller (RG) preferably derives the corresponding operating point control signal (S9) from the filter output signal (S4). This stabilizes the magnetic working point setting of a magnetic working point flux density in the form of a bias flux density (B 0 ). The regulator (RG) preferably has a low-pass characteristic or, better, an integrating characteristic. The regulation by the controller (RG) takes place preferably with a first time constant Xi, while the compensation regulation by means of the loop filter (TP) takes place with a second time constant x 2 . That is, a first sensor output signal (out) reflects the short-term changes in an alternating magnetic flux density field, while a second sensor output signal (out ") reflects the long-term changes or the current quasi-static operating point of the sensor system. In order for this to be possible, the first time constant Xi is preferably greater than the second time constant t 2 (xi> x 2 ) . The controller is preferably a PI controller or another suitable controller, but other controllers can be used.
Anzahl an gekoppelten NV-Zentren Number of coupled NV centers
Wie zuvor beschrieben, führt die Kopplung der paramagnetischen Zentren (NV1), insbesondere der NV-Zentren, auch bei Dekalibrierung der Kristallausrichtung zu einer Empfindlichkeit der Intensität (lfi) der Fluoreszenzstrahlung (FL) der paramagnetischen Zentren (NV1) gegenüber einer Änderung der magnetischen Flussdichte B am Ort des oder der paramagnetischen Zentren (NV1). Es ist daher wichtig, dass mindestens zwei, besser mindestens 4, besser mindestens 4, besser mindestens 8, besser mindestens 20, besser mindestens 40, besser mindestens 100, besser mindestens 200, besser mindestens 400, besser mindestens 1000 paramagnetische Zentren (NV1) miteinander gekoppelt sind, um diesen Effekt zu erreichen. Entsprechend ist es sinnvoll, wenn die zuvor beschriebenen Verfahren einen oder mehrere zusätzliche Schritte zur Kopplung von mindestens zwei, besser mindestens 4, besser mindestens 4, besser mindestens 8, besser mindestens 20, besser mindestens 40, besser mindestens 100, besser mindestens 200, besser mindestens 400, besser mindestens 1000 paramagnetische Zentren (NV1) umfassen. Die Vorrichtung wird dabei bevorzugt bei einer As described above, the coupling of the paramagnetic centers (NV1), in particular the NV centers, leads to a sensitivity of the intensity (l fi ) of the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic centers (NV1) to a change even when the crystal alignment is decalibrated the magnetic flux density B at the location of the paramagnetic center or centers (NV1). It is therefore important that at least two, better at least 4, better at least 4, better at least 8, better at least 20, better at least 40, better at least 100, better at least 200, better at least 400, better at least 1000 paramagnetic centers (NV1) with each other are coupled to achieve this effect. Accordingly, it makes sense if the previously described methods include one or more additional steps to couple at least two, better at least 4, better at least 4, better at least 8, better at least 20, better at least 40, better at least 100, better at least 200, better Include at least 400, better at least 1000 paramagnetic centers (NV1). The device is preferred for a
Temperatur > -40°C und/oder > -0°C und/oder > 20°C betrieben, um Kühleinrichtungen zu vermeiden. Temperature> -40 ° C and / or> -0 ° C and / or> 20 ° C in order to avoid cooling devices.
Eine solche Kopplung sehr vieler NV-Zentren ist in HD-NV-Diamanten mit einer hohen Dichte an NV- Zentren sehr leicht möglich. Such a coupling of a large number of NV centers is very easily possible in HD-NV diamonds with a high density of NV centers.
Diese Kopplung kann auch über optische Funktionselemente der integrierten Schaltung (IC), beispielsweise Lichtwellenleiter, die in Mikrooptik auf oder in der integrierten Schaltung (IC) gefertigt sind, und/oder über optische Funktionselemente des Gehäuses erfolgen. This coupling can also take place via optical functional elements of the integrated circuit (IC), for example optical waveguides, which are manufactured in micro-optics on or in the integrated circuit (IC), and / or via optical functional elements of the housing.
Nichtlinearität des Kontrasts (KT) Contrast Nonlinearity (KT)
Der Kontrast (KT) wir hier als maximale Intensität (lfl) der Fluoreszenzstrahlung (FL) bei der magnetischen Flussdichte B dieser maximalen Intensität (lfl) der Fluoreszenzstrahlung (FL) geteilt durch Grenzwert der Intensität (lf|) der Fluoreszenzstrahlung (FL) hin zu großen magnetischen Flussdichten B verstanden (Siehe Figur 28). The contrast (KT) is here as the maximum intensity (l fl ) of the fluorescent radiation (FL) at the magnetic flux density B of this maximum intensity (l fl ) of the fluorescent radiation (FL) divided by the limit value of the intensity (l f | ) of the fluorescent radiation (FL ) to large magnetic flux densities B (see Figure 28).
Der Kontrast (KT) hängt nichtlinear von der Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB) ab. Um einen maximalen Kontrast (KT) zu erreichen, sind daher folgende Maßnahmen wichtig und sinnvoll: i. Maximierung der Pumpstrahlungsleistung der Pumpstrahlungsquelle (PLI), The contrast (KT) depends non-linearly on the intensity (I pmp ) of the pump radiation (LB). In order to achieve maximum contrast (KT), the following measures are therefore important and useful: i. Maximizing the pump radiation power of the pump radiation source (PLI),
ii. Maximierung der Geschwindigkeit des Anstiegs der Pumpstrahlungsleistung der ii. Maximizing the rate of increase in the pump radiant power
Pumpstrahlungsquelle (PLI) beim Einschalten der Pumpstrahlungsquelle (PLI), um niedrige, von null verschiedene Pumpstrahlungsintensitäten (lpmp) der Pumpstrahlung (LB) zu vermeiden, iii. Maximierung der Geschwindigkeit des Abfalls der Pumpstrahlungsleistung der Pump radiation source (PLI) when switching on the pump radiation source (PLI) in order to avoid low pump radiation intensities (l pmp ) of the pump radiation (LB) that differ from zero, iii. Maximizing the rate of decay of the pump radiant power
Pumpstrahlungsquelle (PLI) beim Ausschalten der Pumpstrahlungsquelle (PLI), um niedrige, von Null verschiedene Pumpstrahlungsintensitäten (lpmp) der Pumpstrahlung (LB) zu vermeiden, Pump radiation source (PLI) when switching off the pump radiation source (PLI) in order to avoid low pump radiation intensities (l pmp ) of the pump radiation (LB) that differ from zero,
iv. Minimierung des bestrahlten Sensorelement-Volumens durch eine Fokussierung der iv. Minimizing the irradiated sensor element volume by focusing the
Pumpstrahlung (LB) mittels einer Kollimator-Optik bevorzugt auf einen Fokuspunkt in der Größe von weniger als 100 besser weniger als 50, besser weniger als 20, besser weniger als 10, besser weniger als 5, besser weniger als zwei besser weniger als eine, besser weniger als eine halbe Pumpstrahlungswellenlänge (lrirr) der Pumpstrahlung (LB), Pump radiation (LB) by means of a collimator optics preferably on a focal point the size of less than 100, better less than 50, better less than 20, better less than 10, better less than 5, better less than two, better less than one, better less than half a pump radiation wavelength (l rirr ) of the pump radiation (LB),
v. Minimierung des bestrahlten Sensorelement-Volumens durch Minimierung der Dicke des mit paramagnetischen Zentren (NV1) oder Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) gefüllten Volumens des Sensorelements auf weniger als zwei besser weniger als eine, besser eine halbe Pumpstrahlungswellenlänge (lrirr) der Pumpstrahlung (LB) als Dicke eines solchen Volumens, v. Minimization of the irradiated sensor element volume by minimizing the thickness of the volume of the sensor element filled with paramagnetic centers (NV1) or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) to less than two, better less than one, better half a pump radiation wavelength (l rirr ) of the pump radiation (LB) as the thickness of such a volume,
vi. Maximierung der Dichte der paramagnetischen Zentren (NV1) im bestrahlten vi. Maximizing the density of paramagnetic centers (NV1) in the irradiated
Sensorelement-Volumen z.B. durch die Verwendung von HD-NV-Diamanten, Sensor element volume e.g. through the use of HD-NV diamonds,
vii. Maximierung der Einkopplung der Pumpstrahlungsleistung (lpmp) der Pumpstrahlung(LB) der Pumpstrahlungsquelle (PLI) bevorzugt durch günstige Wahl des Einfallswinkels gegenüber der Oberfläche (OFL1) des Sensorelements, insbesondere der Oberfläche (OFL1) eines Diamanten im Fall der Nutzung eines Diamanten als Sensorelement, und ggf. durch vii. Maximizing the coupling of the pump radiation power (l pmp ) of the pump radiation (LB) of the pump radiation source (PLI), preferably through a favorable choice of the angle of incidence with respect to the surface (OFL1) of the sensor element, in particular the surface (OFL1) of a diamond if a diamond is used as a sensor element , and if necessary by
Entspiegelungsmaßnahmen und/oder Wellenwiderstandsanpassungen und ggf. durch Berücksichtigung von Interferenzen durch Spiegelungen innerhalb des Sensorelements. Anti-reflective measures and / or wave resistance adjustments and, if necessary, by taking into account interference from reflections within the sensor element.
Die Pumpstrahlungsquellen (PLI) werden bevorzugt pulsmoduliert, also gepulst, betrieben. Als begrenzende Betriebsparameter der Pumpstrahlungsquelle (PLI) sind in der Regel eine maximale mittlere Leistung und eine maximale Betriebsspannung vorgegeben, deren Überschreitungen zu unterschiedlichen Beschädigungen an der Pumpstrahlungsquelle (PLI) führen. Um eine maximale Pumpstrahlungsleistung der Pumpstrahlung (LB) während der Bestrahlung der paramagnetischen Zentren (NV1) zu erreichen, wurde erkannt, dass es zur weiteren Maximierung des Kontrasts (KT) sinnvoll ist, die Pumpstrahlungsquelle (PLI) mit maximaler Betriebsspannung für kurze Zeit gepulst zu betreiben und dafür den Abstand zwischen den Pulsen soweit zu vergrößern, dass die maximale mittlere Leistung der Pumpstrahlungsquelle (PLI) wieder unterschritten wird. Somit wurde erkannt, dass im Gegensatz zu den Figuren dieser Schrift, ein Abweichen von einem 50% Tastgrad (Duty-Cycle) des Wechselanteils (S5w) des Sendesignals (S5) zugunsten strahlungsintensiverer und kürzerer Pumpstrahlungspulse der Pumpstrahlungsquelle (PLI) sinnvoll und hilfreich ist. The pump radiation sources (PLI) are preferably pulse-modulated, that is to say pulsed, operated. As a rule, the limiting operating parameters of the pump radiation source (PLI) are a maximum mean power and a maximum operating voltage, which, if exceeded, lead to various types of damage to the pump radiation source (PLI). In order to achieve a maximum pump radiation power of the pump radiation (LB) during the irradiation of the paramagnetic centers (NV1), it was recognized that, in order to further maximize the contrast (KT), it is useful to pulse the pump radiation source (PLI) with maximum operating voltage for a short time operate and to increase the distance between the pulses so that the maximum mean power of the pump radiation source (PLI) is again undercut. Thus it was recognized that, in contrast to the figures of this document, a deviation of a 50% duty cycle of the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) in favor of more radiation-intensive and shorter pump radiation pulses of the pump radiation source (PLI) is useful and helpful.
Des Weiteren wurde erkannt, dass es zur Optimierung der Pumpstrahlungseinkopplung der In addition, it was recognized that the
Pumpstrahlung (LB) in das Material des Sensorelements, beispielsweise in einen HD-NV-Diamanten, zur weiteren Maximierung des Kontrasts (KT) günstig ist, eine optische Anpassung vorzunehmen. Diese optische Anpassung kann eine Manipulation der Polarisation der Pumpstrahlung (LB) z.B. durch ein lr[gir/4-Rΐ0ΐΐoIΐqh, aber auch den Einfallswinkel (0e) der Pumpstrahlung (LB) relativ zum Pump radiation (LB) in the material of the sensor element, for example in an HD-NV diamond, in order to further maximize the contrast (KT), it is advantageous to carry out an optical adjustment. This optical adaptation can manipulate the polarization of the pump radiation (LB), for example by a l r [gir / 4-Rΐ0ΐΐoIΐqh, but also the angle of incidence (0 e ) of the pump radiation (LB) relative to the
Normalenvektor (J^) der Oberfläche (OFL1, OFL2) des Sensorelements, aber auch eine Anti- Reflexbeschichtung oder Anpassschicht (ASv, ASr) der Oberfläche (OFL1, OFL2) des Sensorelement, beispielsweise der Oberfläche (OFL1, OFL2) eines HD-NV-Diamanten, umfassen. Eine solche Anti- Reflexbeschichtung oder Anpassschicht (ASv, ASr) im Sinne dieser Offenlegung kann auch eine Strukturierung der Oberfläche (OFL1, OFL2) mit Strukturen kleiner als die Normal vector (J ^) of the surface (OFL1, OFL2) of the sensor element, but also an anti-reflective coating or matching layer (ASv, ASr) of the surface (OFL1, OFL2) of the sensor element, for example the surface (OFL1, OFL2) of an HD-NV - diamonds, include. Such an anti-reflective coating or matching layer (ASv, ASr) in the sense of this disclosure can also have a structuring of the surface (OFL1, OFL2) with structures smaller than that
Pumpstrahlungswellenlänge (lrigir) umfassen, die zu einer lokalen Veränderung des effektiv wirkenden, mittleren Brechungsindexes der Oberfläche (OFL1, OFL2) des HD-NV-Diamanten führen können und so für diese Anpassung genutzt werden können. Pump radiation wavelength (l rigir ) which can lead to a local change in the effective mean refractive index of the surface (OFL1, OFL2) of the HD-NV diamond and can thus be used for this adaptation.
Auch ist es sinnvoll, wenn bei Spiegelungen der Pumpstrahlung (LB) innerhalb des Sensorelements eine konstruktive Interferenz insbesondere durch einen Resonator im Bereich der höchsten Dichte der paramagnetischen Zentren (NV1) erreicht wird. Ist das Sensorelement beispielsweise ein HD-NV- Diamant in Form eines flachen Plättchens, in dessen Oberseite über deren erster Oberfläche (OFL1) die Pumpstrahlung (LB) der Pumpstrahlungsquelle (PLI) beispielsweise senkrecht einfällt, und wenn die erste Oberfläche (OFL1) der Oberseite zu der zweiten Oberfläche (OFL2) der Unterseite optisch gesehen planparallel ist, so ist es besonders günstig, wenn die Dicke des Plättchens so gewählt ist, dass das Plättchen des so entstehenden Fabry-Perrot-Interferrometers eine maximale Transmission der ersten Oberfläche (OFL1) für Strahlung der Pumpstrahlungswellenlänge (lrirr) besitzt, da dann die gesamte Pumpstrahlungsleistung oder zumindest ein Maximum der Pumpstrahlungsleistung in das Plättchen eindringt. Die paramagnetischen Zentren (NV1), im Falle eines HD-NV-Diamanten sind dies NV-Zentren, sind bevorzugt in einem dünnen bevorzugt schichtförmigen Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren in der Ebene der maximalen Pumpstrahlungsamplitude innerhalb des so gebildeten Resonators in Form des hier beispielhaften Fabry-Perrot-Resonators angeordnet. Besitzt das Sensorelementplättchen, hier ein beispielhaftes Diamantplättchen, eine größere Dicke, so können sich beispielsweise auch mehrere Ebenen maximaler Pumpstrahlungsintensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB) in dieser Bestrahlungssituation eines senkrechten Einfalls der Pumpstrahlung (LB) auf die erste Oberfläche (OFL1) des Sensorelementplättchens innerhalb des Fabry-Perot- Resonators des Sensorelementplättchens befinden. Die paramagnetischen Zentren(NVl), im Falle eines FID-NV-Diamanten sind dies NV-Zentren, sind dann bevorzugt in mehreren dünnen, bevorzugt schichtförmigen Gruppen (NVC) (Clustern) paramagnetischer Zentren (NV1) und bevorzugt auf eine Ausdehnung d solcher Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NVC) in diesen Ebene der maximalen Pumpstrahlungsamplitude innerhalb des Fabry-Perrot-Resonators angeordnet. Um die ausgenutzte Pumpstrahlungsleistung (lpmp) der Pumpstrahlungsquelle (PLI) zu verdoppeln oder besser zu vervielfachen, ist es sinnvoll, die zweite Oberfläche (OFL2) an der Unterseite des It is also useful if, when the pump radiation (LB) is reflected within the sensor element, constructive interference is achieved, in particular by a resonator in the area of the highest density of paramagnetic centers (NV1). If the sensor element is, for example, an HD-NV diamond in the form of a flat plate, in the upper side of which the pump radiation (LB) of the pump radiation source (PLI) is incident vertically over its first surface (OFL1), for example, and if the first surface (OFL1) of the upper side is optically plane-parallel to the second surface (OFL2) of the underside, it is particularly advantageous if the thickness of the plate is selected so that the plate of the resulting Fabry-Perrot interferometer has a maximum transmission of the first surface (OFL1) for Radiation of the pump radiation wavelength (l rirr ), since then the entire pump radiation power or at least a maximum of the pump radiation power penetrates into the plate. The paramagnetic centers (NV1), in the case of an HD-NV diamond, these are NV centers, are preferably in a thin, preferably layered group (NVC) of paramagnetic centers in the plane of the maximum pump radiation amplitude within the resonator thus formed in the form of the example here Fabry-Perrot resonator arranged. If the sensor element plate, here an exemplary diamond plate, has a greater thickness, so For example, several levels of maximum pump radiation intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB) can also be located in this irradiation situation of perpendicular incidence of the pump radiation (LB) on the first surface (OFL1) of the sensor element plate within the Fabry-Perot resonator of the sensor element plate. The paramagnetic centers (NV1), in the case of an FID-NV diamond, these are NV centers, are then preferably in several thin, preferably layered groups (NVC) (clusters) of paramagnetic centers (NV1) and preferably over an extent d of such groups (NVC) paramagnetic centers (NVC) arranged in this plane of the maximum pump radiation amplitude within the Fabry-Perrot resonator. In order to double or even better multiply the utilized pump radiation power (l pmp ) of the pump radiation source (PLI), it makes sense to place the second surface (OFL2) on the underside of the
Sensorelementplättchens zu verspiegeln und so eine Totalreflexion hervorzurufen. Durch die Anti- Reflexschicht bzw. vorderen Anpassschicht (ASv) der ersten Oberfläche (OFL1) an der Oberseite des Sensorelementplättchens wird die Einkopplung der Pumpstrahlung (LB) der Pumpstrahlungsquelle (PLI) gegenüber den Verlusten optimiert. Da die Fluoreszenzstrahlung (FL) ebenfalls ausgekoppelt werden muss, muss die Transmission des Fabry-Perrot-Interferrometers so aufgebaut werden, dass diese das Sensorelementplättchen, also beispielsweise das HD-NV-Diamantplättchen in einem vorgegebenen Winkel mit guter Transmission wieder verlassen kann. To mirror the sensor element plate and thus cause a total reflection. The coupling of the pump radiation (LB) of the pump radiation source (PLI) is optimized with respect to the losses through the anti-reflective layer or front matching layer (ASv) of the first surface (OFL1) on the upper side of the sensor element plate. Since the fluorescence radiation (FL) must also be decoupled, the transmission of the Fabry-Perrot interferrometer must be set up in such a way that it can leave the sensor element plate, for example the HD-NV diamond plate, at a predetermined angle with good transmission.
Für eine Minimierung der Anstiegs- und Abfallszeiten der Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB) von geschalteten Laser-Dioden zur weiteren Maximierung des Kontrasts (KT) sei hier besonders auf die Reduktion parasitärer Induktivitäten und Kapazitäten die Erhöhung der Betriebsspannung und die kontrollierte, schnelle Einregelung des Diodenstromes des als Pumpstrahlungslichtquelle(PLl) dienenden Diodenlasers bei der Ansteuerung der Pumpstrahlungsquelle (PLI) hingewiesen. To minimize the rise and fall times of the intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB) from switched laser diodes to further maximize the contrast (KT), the increase in the operating voltage and the controlled, rapid regulation of the diode current of the diode laser serving as pump radiation light source (PLI) when controlling the pump radiation source (PLI).
Bevorzugt wird zur weiteren Maximierung des Kontrasts (KT) die hohe Dichte der paramagnetischen Zentren (NV1) nur in einer dünnen Schicht unter der ersten Oberfläche (OFL1) des Sensorelements, also beispielsweise in einer dünnen Schicht in einem HD-NV-Diamanten, erzeugt, während das übrige Volumen vorzugsweise keine paramagnetischen Zentren (NV1) oder nur wenige paramagnetischen Zentren (NV1) aufweist. To further maximize the contrast (KT), the high density of the paramagnetic centers (NV1) is preferably only generated in a thin layer under the first surface (OFL1) of the sensor element, for example in a thin layer in an HD-NV diamond, while the remaining volume preferably has no paramagnetic centers (NV1) or only a few paramagnetic centers (NV1).
Zur weiteren Maximierung des Kontrasts (KT) wird für den Austritt der Fluoreszenzstrahlung (FL) bevorzugt die gleiche erste Oberfläche(OFLl) des Sensorelements, beispielsweise eines HD-NV- Diamanten, genutzt, über die auch der Eintritt der Pumpstrahlung (LB) in das Sensorelement (also beispielsweise in den HD-NV-Diamanten hinein, erfolgte. Sensorsystem mit Halteschaltung To further maximize the contrast (KT), the same first surface (OFLl) of the sensor element, for example an HD-NV diamond, is preferably used for the exit of the fluorescence radiation (FL), via which the pump radiation (LB) also enters the Sensor element (for example, into the HD-NV diamond, took place. Sensor system with hold circuit
Die zuvor bereits erläuterte Halteschaltung (S&H) kann für sich alleine bereits zu einer erheblichen Verbesserung führen. The holding circuit (S&H) already explained above can in itself lead to a considerable improvement.
Des Weiteren umfasst der hier vorgelegte Vorschlag daher eine integrierte Schaltung (IC) zur Verwendung mit einem paramagnetischen Zentrum (NV1) im Material eines Sensorelements mit einem Treiber zum Betreiben einer Pumpstrahlungsquelle (PLI) für Pumpstrahlung (LB) und mit einem Empfänger (PD1), zur Detektion von Fluoreszenzstrahlung (FL) des paramagnetischen Zentrums (NV1) bzw. der paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der Gruppe oder Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) und mit einer Ansteuer- und Auswerteeinheit (LIV) zur Erzeugung eines Sensorausgangssignals (out), das von der Fluoreszenzstrahlung (FL) des paramagnetischen Zentrums (NV1) im Material eines Sensorelements abhängt. Dabei ist das Sensorelement bevorzugt ein Diamantkristall. Das bzw. die paramagnetischen Zentren (NV1) sind bevorzugt ein oder mehrere NV-Zentren und/oder ein oder mehrere Gruppen von NV-Zentren in einem oder mehreren Furthermore, the proposal presented here therefore includes an integrated circuit (IC) for use with a paramagnetic center (NV1) in the material of a sensor element with a driver for operating a pump radiation source (PLI) for pump radiation (LB) and with a receiver (PD1), for the detection of fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) and with a control and evaluation unit (LIV) for generating a sensor output signal ( out), which depends on the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic center (NV1) in the material of a sensor element. The sensor element is preferably a diamond crystal. The paramagnetic center or centers (NV1) are preferably one or more NV centers and / or one or more groups of NV centers in one or more
Diamantkristallen. Diamond crystals.
Der Strahlungsempfänger (PD) ist bevorzugt dazu vorgesehen und geeignet, im Sinne der besagten Selektivität die Pumpstrahlung (LB) im Wesentlichen nicht zu detektieren. Die integrierte Schaltung (IC) umfasst des Weiteren bevorzugt einem Ansteuer- und Auswerteeinheit (LIV) (Ml, TP, M2, G) zur Erzeugung eines Sensorausgangssignals (out), das von der Fluoreszenzstrahlung (FL) des The radiation receiver (PD) is preferably provided and suitable for essentially not detecting the pump radiation (LB) in the sense of said selectivity. The integrated circuit (IC) furthermore preferably comprises a control and evaluation unit (LIV) (Ml, TP, M2, G) for generating a sensor output signal (out) which is generated by the fluorescence radiation (FL) of the
paramagnetischen Zentrums (NV1) im Material eines Sensorelements und/oder paramagnetic center (NV1) in the material of a sensor element and / or
quantentechnologischen Vorrichtungselements abhängt. Der integrierte Schaltkreis (IC) verfügt nun bevorzugt zusätzlich über die besagte Halteschaltung (S&H). Die Halteschaltung (S&H) weist dabei einen Eingang und einen Ausgang auf. Die Halteschaltung (S&H) ist dabei bevorzugt in den Signalpfad zwischen Strahlungsempfänger (PD) und Sensorausgangssignal (out) geschaltet. Bevorzugt wird eine Halteschaltung (S&H) zwischen ersten Multiplizierer (M l) und Schleifenfilter (TP), der auch als Integrator ausgeführt sein kann, und/oder nach dem Schleifenfilter (TP) und/oder Integrator in den Signalpfad eingefügt. Die Halteschaltung (S&H) hält dabei in ersten Zeiträumen ihr Ausgangssignal an ihrem Ausgang im Wesentlichen konstant, friert es also quasi ein. Die Halteschaltung (S&H) ändert in zweiten Zeiträumen, die von den ersten Zeiträumen verschieden sind, ihr Ausgangssignal an ihrem Ausgang in Abhängigkeit von dem Signal an ihrem Eingang in der Art, dass sie dann ein quantum technological device element depends. The integrated circuit (IC) now preferably also has the aforementioned holding circuit (S&H). The hold circuit (S&H) has an input and an output. The holding circuit (S&H) is preferably connected in the signal path between the radiation receiver (PD) and the sensor output signal (out). A holding circuit (S&H) is preferably inserted into the signal path between the first multiplier (M 1) and the loop filter (TP), which can also be designed as an integrator, and / or after the loop filter (TP) and / or integrator. The holding circuit (S&H) holds its output signal at its output essentially constant for the first time, i.e. it virtually freezes it. The holding circuit (S&H) changes in second time periods, which are different from the first time periods, its output signal at its output as a function of the signal at its input in such a way that it then a
Ausgangssignal aufweist, dessen Ausgangswert im Wesentlichen bevorzugt in Form einer linearen Abbildung von dem Eingangswert am Eingang der Halteschaltung linear abhängt. Sie ist in diesen zweiten Zeiträumen also quasi transparent. Has output signal, the output value of which is essentially preferably in the form of a linear one Mapping depends linearly on the input value at the input of the hold circuit. So it is more or less transparent in these second periods.
Bevorzugt ist das Sensorelement und/oder quantentechnologische Vorrichtungselement ein Diamantkristall, wobei bevorzugt das paramagnetische Zentrum (NV1) ein NV-Zentrum und/oder ein STl-Zentrum in dem Diamantkristall ist. The sensor element and / or quantum technological device element is preferably a diamond crystal, the paramagnetic center (NV1) preferably being an NV center and / or an ST1 center in the diamond crystal.
Regelung der Strahlungsquelle (H) Control of the radiation source (H)
Bisher wurde die Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB) der Pumpstrahlungsquelle (PLI) konstant gehalten und die Intensität (1^) der zur Pumpstrahlung (LB) komplementär modulierten So far, the intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB) of the pump radiation source (PLI) has been kept constant and the intensity (1 ^) of the pumping radiation (LB) modulated complementarily
Kompensationsstrahlung (KS) der Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) so nachgeregelt, dass das Empfängerausgangssignal (SO) des Strahlungsempfängers (PD) bis auf Signalrauschen und einen Regelfehler keine Anteile des Sendesignals (S5) mehr aufwies. Compensation radiation (KS) of the compensation radiation source (PLK) readjusted so that the receiver output signal (SO) of the radiation receiver (PD) no longer had any components of the transmission signal (S5) apart from signal noise and a control error.
Im Gegensatz dazu wird nun die Intensität (lks) der Kompensationsstrahlung (KS) der In contrast to this, the intensity (l ks ) of the compensation radiation (KS) is now the
Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) konstant gehalten und die Intensität (lpmp) der zur Compensation radiation source (PLK) kept constant and the intensity (l pmp ) of the for
Kompensationsstrahlung (KS) komplementär modulierten Pumpstrahlung (LB) der Compensation radiation (KS) complementary modulated pump radiation (LB) of the
Pumpstrahlungsquelle (PLI) so nachgeregelt, dass das Empfängerausgangssignal (SO) des Pump radiation source (PLI) readjusted so that the receiver output signal (SO) of the
Strahlungsempfängers (PD) bis auf Signalrauschen und einen Regelfehler und ggf. einen Gleichanteil keine Anteile des Kompensationssendesignals (S7) mehr aufweist. Radiation receiver (PD) has no more components of the compensation transmission signal (S7) apart from signal noise and a control error and possibly a direct component.
Bei dem hier zuvor vorgestellten Verfahren zum Betreiben eines Sensorsystems und/oder quantentechnologischen Systems umfasst das Sensorsystem und/oder quantentechnologischen System ein oder mehrere paramagnetische Zentren (NV1) oder ein oder mehrere Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) im Material eines Sensorelements und/oder In the previously presented method for operating a sensor system and / or quantum technological system, the sensor system and / or quantum technological system comprises one or more paramagnetic centers (NV1) or one or more groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) in the material of a sensor element and / or
quantentechnologischen Vorrichtungselements, das Teil des Sensorsystems und/oder quantum technological device element that is part of the sensor system and / or
quantentechnologischen Systems ist. Das Verfahren umfasst als Schritt das modulierte Aussenden einer modulierten Kompensationsstrahlung (KS) durch den Kompensationssender (PLK), wobei diese Modulation der Intensität (lks) der Kompensationsstrahlung (KS) des Kompensationssenders (PLK) mittels eines Kompensationssendesignals (S7) moduliert wird, das den Kompensationssender (PLK) steuert. Dieses Verfahren regelt also nun im Gegensatz zu dem zuvor vorgestellten Verfahren mittels des Sendesignals (S5) und nicht mittels des Kompensationssendesignals (S7). Das quantum technological system is. As a step, the method comprises the modulated transmission of a modulated compensation radiation (KS) by the compensation transmitter (PLK), this modulation of the intensity (l ks ) of the compensation radiation (KS) of the compensation transmitter (PLK) being modulated by means of a compensation transmission signal (S7) which controls the compensation transmitter (PLK). In contrast to the previously presented method, this method now regulates by means of the transmission signal (S5) and not by means of the compensation transmission signal (S7). The
Kompensationssendesignal (S7) wird bei diesem Verfahren also unverändert quasistatisch betrieben. Beide Grundverfahren können aber kombiniert werden, wobei eine Regel festgelegt werden muss, in welcher Weise das Kompensationssendesignal (S7) und/oder das Sendesignal (S5) zu regeln sind. In dem hier nun in diesem Abschnitt besprochenen Beispiel wird das Sendesignal (S5) statt des Compensation transmission signal (S7) is thus operated quasi-statically unchanged in this method. Both basic procedures can, however, be combined, whereby a rule must be specified in which way the compensation transmission signal (S7) and / or the transmission signal (S5) are to be regulated. In the example discussed here in this section, the transmit signal (S5) is used instead of the
Kompensationssendesignals (S7) geregelt. Diese Regelungsmethoden können gemischt werden. Eine Regelung des Sendesignals ist bei starker Intensität (lfl) der Fluoreszenzstrahlung (FL) sinnvoll, während eine Regelung der Intensität (lks) der Kompensationsstrahlung (KS) bei niedrigen Compensation transmission signal (S7) regulated. These control methods can be mixed. Regulation of the transmission signal is useful when the intensity (l fl ) of the fluorescence radiation (FL) is high, while regulation of the intensity (l ks ) of the compensation radiation (KS) is useful when the intensity is low
Intensitäten (lfl) der Fluoreszenzstrahlung (FL) typischerweise sinnvoll ist. Der Wechsel zwischen diesen Beiden Regelungsmodi erfolgt typischerweise in Abhängigkeit von der Intensität (lfl) der Fluoreszenzstrahlung (FL) und von der Intensität (lks) der Kompensationsstrahlung (KS). Daher umfasst das hier in diesem Abschnitt besprochene Verfahren das Erzeugen einer modulierten Fluoreszenzstrahlung (FL) mittels eines oder mehrerer paramagnetischer Zentren (NV1) oder mittels einer Gruppe oder mehrerer Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) in einem Material eines Sensorelements und/oder quantentechnologischen Vorrichtungselements, die von einer modulierten Pumpstrahlung (LB) und ggf. weiteren Parameter, insbesondere der magnetischen Flussdichte B, abhängt. Es erfolgen nun auch hier ein überlagerndes, insbesondere summierend überlagerndes, Empfangen der modulierten Fluoreszenzstrahlung (FL) und der Intensities (l fl ) of the fluorescence radiation (FL) typically makes sense. The change between these two control modes typically takes place as a function of the intensity (l fl ) of the fluorescence radiation (FL) and of the intensity (l ks ) of the compensation radiation (KS). Therefore, the method discussed here in this section comprises the generation of modulated fluorescence radiation (FL) by means of one or more paramagnetic centers (NV1) or by means of a group or more groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) in a material of a sensor element and / or quantum technology Device element that depends on a modulated pump radiation (LB) and possibly other parameters, in particular the magnetic flux density B. Here, too, there is a superimposed, in particular a summing superimposed, reception of the modulated fluorescence radiation (FL) and the
Kompensationsstrahlung (KS) und das Erzeugen eines Empfängerausgangssignals (SO) in Abhängigkeit von dieser Überlagerung im Strahlungsempfänger (SD). In analoger Weise wird nun eine Korrelation des Empfängerausgangssignals (SO) mit dem Kompensationssendesignal (S7), insbesondere unter Zuhilfenahme eines Synchrondemodulators (Ml, TP), zur Bildung eines Filterausgangssignals (S4) durchgeführt. Es folgt nun bevorzugt das Abtasten des Filterausgangssignals (S4), insbesondere mittels einer Halteschaltung (S&H), unter Ermittlung einer Folge von Abtastwerten. Hierdurch werden die Spuren des Kompensationssendesignals (S7) im Sensorausgangssignal (out) getilgt oder massiv unterdrückt. Es folgt die Verwendung der so bereinigten Folge der Abtastwerte als Compensation radiation (KS) and the generation of a receiver output signal (SO) as a function of this superposition in the radiation receiver (SD). A correlation of the receiver output signal (SO) with the compensation transmission signal (S7) is now carried out in an analogous manner, in particular with the aid of a synchronous demodulator (Ml, TP), to form a filter output signal (S4). The filter output signal (S4) is now preferably sampled, in particular by means of a hold circuit (S&H), with the determination of a sequence of sampled values. As a result, the traces of the compensation transmission signal (S7) in the sensor output signal (out) are erased or massively suppressed. The following is the use of the sequence of sample values adjusted in this way as
Sensorausgangssignal (out). Nun erfolgen das Erzeugen eines mit dem Kompensationssendesignals (S7) modulierten komplexen Rückkoppelsignals (S8) mit Hilfe dieses Sensorausgangssignals (out) und das Bilden des Sendesignals (S5) aus dem Rückkoppelsignal (S8), insbesondere durch Offsetaddition und/oder Leistungsverstärkung. Sodann erfolgen das Ansteuern einer Pumpstrahlungsquelle (PLI) mit dem so gebildeten Sendesignal (S5) und das Aussenden einer komplementär zum Sensor output signal (out). A complex feedback signal (S8) modulated with the compensation transmission signal (S7) is now generated with the aid of this sensor output signal (out) and the transmission signal (S5) is formed from the feedback signal (S8), in particular by offset addition and / or power amplification. A pump radiation source (PLI) is then controlled with the transmission signal (S5) formed in this way and a complementary one is sent out
Kompensationssendesignal (S7) modulierten und in der Intensität (lpmp) geregelten Pumpstrahlung (LB) durch die Pumpstrahlungsquelle (PLI) für Pumpstrahlung (LB), insbesondere durch eine LED oder durch einen Laser, in Abhängigkeit von dem Sendesignal (S5). Bevorzugt erfolgt dabei die Korrelation mit den Schritten der Multiplikation des Compensation transmission signal (S7) modulated and in intensity (I pmp ) regulated pump radiation (LB) by the pump radiation source (PLI) for pump radiation (LB), in particular by an LED or by a laser, depending on the transmission signal (S5). The correlation is preferably carried out with the steps of multiplying the
Empfängerausgangssignals (SO) mit dem Kompensationssendesignal (S7) zum FiltereingangssignalReceiver output signal (SO) with the compensation transmission signal (S7) to the filter input signal
(53) und des Filterns und/oder Integrierens des Filtereingangssignals (S3) mit einem Schleifenfilter (TP) und/oder Integrator zum Filterausgangssignal (S4), wobei insbesondere das Filterausgangssignal(53) and filtering and / or integrating the filter input signal (S3) with a loop filter (TP) and / or integrator for the filter output signal (S4), in particular the filter output signal
(54) mit einem Faktor -1 multipliziert sein kann. (54) can be multiplied by a factor of -1.
Bevorzugt erfolgt die Bildung des komplexen Rückkoppelsignals (S8) durch Multiplikation des Filterausgangssignals (S4) mit dem Kompensationssendesignal (S7) zum komplexen RückkoppelsignalThe complex feedback signal (S8) is preferably formed by multiplying the filter output signal (S4) with the compensation transmission signal (S7) to form the complex feedback signal
(55). (55).
Die Verstärkung, die Frequenzgänge der Komponenten im Signalpfad und die Vorzeichen innerhalb der jeweiligen Übertragungsfunktionen der Signalverarbeitungskomponenten, also der The gain, the frequency responses of the components in the signal path and the signs within the respective transfer functions of the signal processing components, i.e. the
Vorrichtungsteile, des Regelkreises, werden so gewählt, dass sich Stabilität einstellt. Parts of the device, the control circuit, are chosen so that stability is achieved.
Anwendungen Applications
ln wichtigen Anwendungsfällen, wie beispielsweise der Vermessung der Position von In important applications, such as measuring the position of
Vorrichtungsteilen bei Bedienelementen, Maschinen, Robotern, Elektromotoren oder Device parts for control elements, machines, robots, electric motors or
Verbrennungsmotoren, kann die Erzeugung und/oder Modifikation und/oder Modulation des magnetischen Feldes in Form der magnetischen Flussdichte B periodisch sein. Dabei kann wobei die Periodizität auf eine elektrische und/oder mechanische Schwingung und/oder eine mechanische Bewegung längs einer geschlossenen Bahn zurückzuführen sein. Internal combustion engines, the generation and / or modification and / or modulation of the magnetic field in the form of the magnetic flux density B can be periodic. The periodicity can be attributed to an electrical and / or mechanical oscillation and / or a mechanical movement along a closed path.
Sonstiges Others
Mit dem Begriff Sensorsystem sind in dieser Beschreibung auch solche Systeme umfasst, die Quanteneigenschaften ganz allgemein ausnutzen. Dies betrifft insbesondere Systeme die The term sensor system in this description also includes systems that make use of quantum properties in general. This particularly applies to systems that
Modifikationen an Quantenzuständen der paramagnetischen Zentren ausführen und/oder auswerten und/oder erfassen und ausgeben. Diese Systeme sind Teil der hier offengelegten technischen Lehre. Carry out and / or evaluate and / or detect and output modifications to quantum states of the paramagnetic centers. These systems are part of the technical teaching disclosed here.
Die in dieser Offenlegung genannten Prinzipien und Merkmale können miteinander kombiniert werden, soweit das Ergebnis sinnvoll ist. Vorteil The principles and features mentioned in this disclosure can be combined with one another, provided the result is meaningful. advantage
Die Detektion und Aufzeichnung akustisch mechanischer Schwingungen kann achromatisch durchgeführt werden ohne die mechanischen Schwingungen zu beeinflussen. Zudem zeigen die Sensoren keine Alterungserscheinungen, sind in rauen Umgebungen wie Luft mit hohen The detection and recording of acoustic mechanical vibrations can be carried out achromatically without influencing the mechanical vibrations. In addition, the sensors show no signs of aging, are in harsh environments such as air with high
Salzwasserkonzentrationen, bei ionisierender Strahlung oder bei hoher Temperatur einsetzbar. Die Sensoren können auf ein Volumen von 10 pm3 miniaturisiert werden und der Sensor ist durch einen Lichtleiter von der elektrischen Auswerteinheit getrennt, so dass er beispielsweise für medizinische Zwecke eingesetzt werden kann. Ein Gehäuse, wie hier vorgeschlagen, und der darauf aufgebaute Sensor ermöglicht zumindest in einigen Realisierungen den kompakten Aufbau und die Kombination konventioneller Salt water concentrations, can be used with ionizing radiation or at high temperatures. The sensors can be miniaturized to a volume of 10 μm 3 and the sensor is separated from the electrical evaluation unit by a light guide so that it can be used for medical purposes, for example. A housing, as proposed here, and the sensor built on it, enables, at least in some implementations, the compact structure and the combination of conventional ones
Schaltungstechnik mit Quantensensorik. Die Vorteile sind hierauf aber nicht beschränkt. Circuit technology with quantum sensors. The advantages are not limited to this.
Liste der Figuren List of figures
Die Merkmale und weiteren Vorteile der vorliegenden Erfindung werden im Folgenden anhand der Beschreibung bevorzugter Ausführungsbeispiele in Zusammenhang mit den Figuren deutlich. Dabei zeigen rein schematisch: The features and further advantages of the present invention will become clear below on the basis of the description of preferred exemplary embodiments in connection with the figures. Purely schematically show:
Figur 1 Figure 1
zeigt eine Auswerteschaltung entsprechend dem Stand der Technik (SdT). shows an evaluation circuit according to the prior art (SdT).
Figur 2 Figure 2
zeigt eine Auswerteschaltung entsprechend dem Stand der Technik (SdT) und entspricht weitest gehend der Figur 1 mit dem Unterschied, dass das Sensorsystem keine erste Anpassschaltung (OF1) umfasst und der Signalgenerator (G) direkt das Sendesignal erzeugt. shows an evaluation circuit according to the state of the art (SdT) and largely corresponds to FIG. 1 with the difference that the sensor system does not include a first adapter circuit (OF1) and the signal generator (G) generates the transmission signal directly.
Figur 3 Figure 3
zeigt das Sensorsystem der Figur 1 mit dem Unterschied, dass nun ein Sensorelement verwendet wird, dass zumindest lokal in einem Teil des Sensorelements eine hohe Dichte an paramagnetischen Zentren (NV1) aufweist. FIG. 1 shows the sensor system of FIG. 1 with the difference that a sensor element is now used that has a high density of paramagnetic centers (NV1) at least locally in part of the sensor element.
Figur 4 Figure 4
zeigt das Sensorsystem der Figur 2 mit dem Unterschied, dass nun ein Sensorelement verwendet wird, dass zumindest lokal in einem Teil des Sensorelements eine hohe Dichte an paramagnetischen Zentren (NV1) aufweist. Figur 5 FIG. 2 shows the sensor system of FIG. 2 with the difference that a sensor element is now used that has a high density of paramagnetic centers (NV1) at least locally in part of the sensor element. Figure 5
zeigt ein hier beanspruchtes grundlegendes Sensorsystem, dass dann in nachfolgenden Figuren weiter verfeinert wird. shows a basic sensor system claimed here, which is then further refined in the following figures.
Figur 6 Figure 6
stellt mittels des Messsignals (M ES) dar, wann das Empfängerausgangssignal (SO) des uses the measurement signal (M ES) to show when the receiver output signal (SO) of the
Strahlungsempfängers (PD1) in Relation zur Aktivität der Pumpstrahlungsquelle (PL) ausgewertet wird. Figur 7 Radiation receiver (PD1) is evaluated in relation to the activity of the pump radiation source (PL). Figure 7
zeigt ein beispielhaftes einfaches System für eine beispielhafte Teilfunktion einer integrierten Schaltung (IC) zum Betrieb der vorgestellten Sensorsysteme, wobei die Kompensation und shows an exemplary simple system for an exemplary partial function of an integrated circuit (IC) for operating the sensor systems presented, with the compensation and
Rückkopplung im Regelkreis über einen ersten Addierer (Al) elektronisch erfolgt.. Feedback in the control loop takes place electronically via a first adder (A1).
Figur 8 Figure 8
entspricht der Figur 7 und ist um die Flalteschaltung (S&FI) und das Trigger-Signal (STR) ergänzt, der vom Signalgenerator (G) bevorzugt phasensynchron zum Sendesignal (S5) bevorzugt am Ende der Signalperiode (Tp) erzeugt wird. corresponds to FIG. 7 and is supplemented by the flip circuit (S&FI) and the trigger signal (STR), which is generated by the signal generator (G) preferably in phase synchronization with the transmission signal (S5), preferably at the end of the signal period (T p ).
Figur 9 Figure 9
zeigt das System der Figur 8 mit dem Unterschied, dass die Rückspeisung des Rückkoppelsignals (S6) nun nicht über einen ersten Addierer (Al) elektrisch erfolgt, sondern über eine Referenzrauschquelle (PLK, KS), um einen Dicke-Verstärker zu realisieren. 8 shows the system of FIG. 8 with the difference that the feedback signal (S6) is not fed back electrically via a first adder (A1), but via a reference noise source (PLK, KS) in order to implement a thickness amplifier.
Figur 10 Figure 10
zeigt in analoger Weise zum Unterschied von Figur 7 zu Figur 8 das System der Figur 9 ergänzt um die Flalteschaltung (S&FI) und das Trigger-Signal (STR). shows, in an analogous manner to the difference between FIG. 7 and FIG. 8, the system of FIG. 9 supplemented by the fold circuit (S&FI) and the trigger signal (STR).
Figur 11 Figure 11
zeigt ein beispielhaftes Signalschema passend zu den Figuren 9 und 10 mit beispielhaften Pegeln zur Verdeutlichung, die vollkommen willkürlich gewählt sind. In der Realität dürften sich andere Pegel einstellen, die von den gewählten Verstärkungen, Offsets etc. abhängen. shows an exemplary signal scheme that matches FIGS. 9 and 10 with exemplary levels for clarification that are chosen completely arbitrarily. In reality, other levels are likely to occur, depending on the selected gains, offsets, etc.
Figur 12 Figure 12
entspricht im Wesentlichen der Figur 11, wobei im Unterschied zur Figur 11 nun jedoch nicht die Intensität (l s) der Kompensationsstrahlung (KS) der Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) geregelt wird und die Intensität (lpmp) der Pumpstrahlungsquelle (PLK) konstant gehalten wird, sondern die Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB) der Pumpstrahlungsquelle (PLI) geregelt wird und die Intensität (1^) der Kompensationsstrahlungsquelle(PLK) konstant gehalten wird. corresponds essentially to FIG. 11, but in contrast to FIG. 11, the intensity (l s ) of the compensation radiation (KS) of the compensation radiation source (PLK) is not regulated and the intensity (l pmp ) of the pump radiation source (PLK) is kept constant, but the intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB) of the pump radiation source (PLI) is regulated and the intensity (1 ^) of the compensation radiation source (PLK) is kept constant.
Figur 13 Figure 13
zeigt ein beispielhaftes Signalschema passend zu Figur 12 mit beispielhaften Pegeln zur shows an exemplary signal scheme matching FIG. 12 with exemplary levels for
Verdeutlichung, wobei die Pegel vollkommen willkürlich gewählt sind In der Realität dürften sich andere Pegel einstellen, die von den gewählten Verstärkungen, Offsets etc. abhängen. Figur 14 Clarification, whereby the levels are chosen completely arbitrarily. In reality, other levels are likely to occur, depending on the selected gains, offsets, etc. Figure 14
entspricht der Figur 10 mit dem Unterschied analog zum Unterschied zwischen den Figuren 6 und 7, wobei wieder eine Flalteschaltung (S&FI) eingefügt ist, die mittels eines Trigger-Signals (STR) durch den Signalgenerator (G) gesteuert wird. corresponds to FIG. 10 with the difference analogous to the difference between FIGS. 6 and 7, with a flip circuit (S&FI) being inserted again, which is controlled by the signal generator (G) by means of a trigger signal (STR).
Figur 15 Figure 15
entspricht weitestgehend der Figur 10, wobei im Unterschied zur Figur 10 nun die corresponds largely to FIG. 10, with the difference from FIG
Kompensationsstrecke in gleicher Weise wie die Sendestrecke ausgeführt ist und wobei nun der Kompensationssender (PLK) ein oder mehrere paramagnetische Referenzzentren (NV2) und/oder eine Gruppe oder mehrere Gruppen (NVC2) paramagnetischer Referenzzentren (NV2) pumpt, die daraufhin Kompensationsfluoreszenzstrahlung (KFL) emittieren, die dann zur Kompensation anstelle der Kompensationsstrahlung (KL) mittels Bestrahlung des Strahlungsempfängers (PD) mit dieser Kompensationsfluoreszenzstrahlung (KFL) und zu einem typischerweise summierend überlagerten Empfang dieser Überlagerung der Kompensationsfluoreszenzstrahlung (KFL) und der Compensation path is designed in the same way as the transmission path and now the compensation transmitter (PLK) pumps one or more paramagnetic reference centers (NV2) and / or a group or groups (NVC2) of paramagnetic reference centers (NV2), which then emit compensation fluorescence radiation (KFL) which are then used for compensation instead of the compensation radiation (KL) by irradiating the radiation receiver (PD) with this compensation fluorescence radiation (KFL) and for a typically summed-over reception of this overlay of the compensation fluorescence radiation (KFL) and the
Fluoreszenzstrahlung (FL) im Strahlungsempfänger (PD) führt, sodass ein Dicke-Verstärkersystem entsteht. Fluorescence radiation (FL) in the radiation receiver (PD) leads, so that a thickness amplifier system is created.
Figur 16 Figure 16
zeigt die Regelung der Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB), wobei der Unterschied zwischen Figur 15 und Figur 16 dem Unterschied zwischen Figur 10 und Figur 12 entspricht, sodass Während in Figur 15 die Intensität (1^) der Kompensationsstrahlung (KS) geregelt wird, in Figur 16 die Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB) geregelt wird. shows the regulation of the intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB), the difference between Figure 15 and Figure 16 corresponding to the difference between Figure 10 and Figure 12, so that while in Figure 15 the intensity (1 ^) of the compensation radiation (KS) is regulated, in Figure 16 the intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB) is regulated.
Figur 17 Figure 17
entspricht einem erweiterten System der Figur 7, wobei das System der Figur 17 einen zweiten Analysepfad aufweist, der beispielsweise zur Ermittlung der Fluoreszenzphasenverschiebungszeit (ATFL) verwendet werden kann.. corresponds to an expanded system of FIG. 7, the system of FIG. 17 having a second analysis path which can be used, for example, to determine the fluorescence phase shift time (ATFL).
Figur 18 Figure 18
zeigt die beispielhafte Sensorsystemstruktur der Figur 17 mit je einer Halteschaltung in jedem Regelzweig. shows the exemplary sensor system structure of FIG. 17 with one holding circuit in each control branch.
Figur 19 Figure 19
zeigt beispielhafte Signalverläufe mit beispielhaften Signalen für ein Sensorsystem entsprechend in seiner Struktur dem den Figuren 17 und 18. Figur 20 shows exemplary signal profiles with exemplary signals for a sensor system corresponding in its structure to that of FIGS. 17 and 18. Figure 20
entspricht ebenfalls einem erweiterten System der Figur 7, wobei nun die Rückkopplung nicht optisch, sondern elektrisch erfolgt. also corresponds to an expanded system of FIG. 7, the feedback now not taking place optically but electrically.
Figur 21 Figure 21
zeigt die beispielhafte Sensorsystemstruktur der Figur 20 mit je einer Flalteschaltung in jedem Regelzweig. FIG. 20 shows the exemplary sensor system structure of FIG. 20 with one folding circuit in each control branch.
Die Figur 22 The figure 22
entspricht der Figur 21 wobei nun beispielhaft ein erster Filter (Fl) eingefügt ist. Der erste Filter (Fl) ist. Figur 23 corresponds to FIG. 21, a first filter (F1) now being inserted by way of example. The first filter (Fl) is. Figure 23
zeigt beispielhafte Signale für die Sensorsysteme der Figuren 20 bis 22. shows exemplary signals for the sensor systems of FIGS. 20 to 22.
Figur 24 Figure 24
entspricht der Figur 20 mit dem Unterschied, dass der erste Filter (Fl) vorgesehen ist und dass der Kompensationspfad (PLK, KS, NV2, KFL, Fl, PD) als ideale Referenzrauschquelle ausgeführt ist. Figur 25 corresponds to FIG. 20 with the difference that the first filter (F1) is provided and that the compensation path (PLK, KS, NV2, KFL, F1, PD) is designed as an ideal reference noise source. Figure 25
zeigt die beispielhafte Sensorsystemstruktur der Figur 24 mit je einer Flalteschaltung in jedem Regelzweig. FIG. 24 shows the exemplary sensor system structure of FIG. 24 with a folding circuit in each control branch.
Figur 26 Figure 26
zeigt beispielhafte Signale für die Sensorsysteme der Figuren 24 bis 25. Figur 27 shows exemplary signals for the sensor systems of FIGS. 24 to 25. FIG. 27
zeigt die Abhängigkeit der Intensität (lfl) der Fluoreszenzstrahlung (FL) von der magnetischen Flussdichte B bei Verkippung der beiden Richtungen - Achse des NV-Zentrums und Achse der magnetischen Flussdichte B gegeneinander. shows the dependence of the intensity (l fl ) of the fluorescence radiation (FL) on the magnetic flux density B when the two directions are tilted - the axis of the NV center and the axis of the magnetic flux density B relative to one another.
Figur 28a Figure 28a
zeigt den sich ergebenden Verlauf der Intensität (lfl) der Fluoreszenzstrahlung (FL) des shows the resulting course of the intensity (l fl ) of the fluorescent radiation (FL) of the
paramagnetischen Zentrums (NV1) bei Dekalibrierung der Ausrichtung paramagnetic center (NV1) when decalibrating the alignment
Figur 28b Figure 28b
zeigt die Ableitung der Kurve der Figur 28a nach dem Wert der magnetischen Flussdichte B. Figur 29 shows the derivation of the curve in FIG. 28a according to the value of the magnetic flux density B. Figure 29
zeigt die Einstellung und Nachregelung des optimalen Arbeitspunktes eines Sensorsystems in Form eines konstanten magnetischen Bias-Flusses B0. shows the setting and readjustment of the optimal operating point of a sensor system in the form of a constant magnetic bias flow B 0 .
Figur 30 Figure 30
zeigt das System der Figur 29 ergänzt um die Flalteschaltung (S&FI) und das Trigger-Signal (STR). shows the system of FIG. 29 supplemented by the folding circuit (S&FI) and the trigger signal (STR).
Figur 31 Figure 31
entspricht weitestgehend der Figur 10 mit dem Unterschied, dass nun der besagte Regler (RG) im Zusammenwirken mit einer Kompensationsspule (LC) den magnetischen Arbeitspunkt des corresponds largely to FIG. 10 with the difference that the said controller (RG) now controls the magnetic operating point of the in cooperation with a compensation coil (LC)
Sensorsystems nachregelt. Figur 32 Readjusts the sensor system. Figure 32
entspricht der beispielhaften Kombination aus Figur 31 und Figur 25, wobei der Regler (RG) auch eine weitere Kompensationsspule (LC) zur Nachregelung der magnetischen Flussdichte B am Ort des oder der paramagnetischen Referenzzentren (NV2) nutzt. corresponds to the exemplary combination of FIG. 31 and FIG. 25, the controller (RG) also using a further compensation coil (LC) to readjust the magnetic flux density B at the location of the paramagnetic reference center or centers (NV2).
Figur 33 zeigt einen möglichen mechanischen Aufbau eines vorgeschlagenen kompakten Systems. FIG. 33 shows a possible mechanical structure of a proposed compact system.
Figur 34 Figure 34
zeigt ein geeignetes, sogenanntes Open-Cavity-Gehäuse in der Aufsicht. shows a suitable, so-called open-cavity housing from above.
Figur 35 Figure 35
zeigt das beispielhafte Gehäuse der Figur 34 im Querschnitt. Figuren 36 bis 46 shows the exemplary housing of Figure 34 in cross section. Figures 36 to 46
beschreiben einen beispielhaften Montageprozess für ein vorgeschlagenes Sensorsystem in einem vorgeschlagenen Gehäuse. describe an exemplary assembly process for a proposed sensor system in a proposed housing.
Figur 47 Figure 47
entspricht weitest gehend der Figur 46 mit dem Unterschied, dass das Sensorelement mit dem oder den paramagnetischen Zentren (NV1) nicht auf dem Strahlungsempfänger (PD), sondern auf der Pumpstrahlungsquelle (PLI) direkt befestigt wird, um den Kontrast (KT) zu erhöhen. Figur 48 corresponds largely to FIG. 46 with the difference that the sensor element with the paramagnetic center or centers (NV1) is not attached to the radiation receiver (PD), but rather to the pump radiation source (PLI) in order to increase the contrast (KT). Figure 48
zeigt als eine weitere beispielhafte alternative Platzierungsmöglichkeit für das Sensorelement mit den paramagnetischen Zentren (NV1) die Innenseite des Gehäusedeckels (DE). shows the inside of the housing cover (DE) as a further exemplary alternative placement option for the sensor element with the paramagnetic centers (NV1).
Figur 49 Figure 49
zeigt den Test eines vorgeschlagenen Sensorsystems. shows the test of a proposed sensor system.
Figur 50 Figure 50
zeigt einen grundsätzlichen Verfahrensablauf zur Herstellung eines Sensorsystems. shows a basic process sequence for producing a sensor system.
Figur 51 zeigt den beispielhaften Ablauf der Figur 50a noch einmal mit verschiedenen Zusatzschritten. Figur 52 FIG. 51 shows the exemplary sequence of FIG. 50a once again with various additional steps. Figure 52
zeigt ein Sensorsystem entsprechend Figur 46 ohne den ersten Filter (Fl) und ohne den ersten Kleber (GL1) beispielsweise zum Betrieb mit einem System nach den Figuren 20 bis 21 oder 25. shows a sensor system according to FIG. 46 without the first filter (F1) and without the first adhesive (GL1), for example for operation with a system according to FIGS. 20 to 21 or 25.
Figur 53 Figure 53
zeigt das beispielhafte Gehäuse mit dem Sensorsystem aus Figur 52 mit Schirmung (MAS) und einem separierten Strahlungsempfänger (PD). shows the exemplary housing with the sensor system from FIG. 52 with shielding (MAS) and a separate radiation receiver (PD).
Figur 54 Figure 54
zeigt das beispielhafte Gehäuse mit dem Sensorsystem aus Figur 34 mit einer zusätzlichen Leitung (LTG), deren elektrischer Strom gemessen werden soll, in der Aufsicht vor der Montage; shows the exemplary housing with the sensor system from FIG. 34 with an additional line (LTG), the electrical current of which is to be measured, in a top view before assembly;
Figur 55 Figure 55
zeigt das beispielhafte Gehäuse mit dem Sensorsystem aus Figur 52 mit der gegenüber Figur 52 zusätzlichen Leitung (LTG), deren Strom gemessen werden soll; shows the exemplary housing with the sensor system from FIG. 52 with the additional line (LTG) compared to FIG. 52, the current of which is to be measured;
Figur 56 Figure 56
zeigt einen Lead-Frame in der Aufsicht. shows a lead frame from above.
Figur 57 Figure 57
zeigt den beispielhaften Leadframe der Figur 56 im Querschnitt. Der Rahmen des Leadframes ist zur Vereinfachung hier und im Folgenden nicht gezeichnet. Figuren 58 bis 68 shows the exemplary lead frame of FIG. 56 in cross section. For the sake of simplicity, the frame of the lead frame is not drawn here and below. Figures 58 to 68
beschreiben einen beispielhaften Montageprozess für das weitere vorgeschlagene System. describe an exemplary assembly process for the further proposed system.
Figur 69 Figure 69
zeigt beispielhafte Schritte für den Montageprozess der Figuren 58 bis 68. Figur 70 shows exemplary steps for the assembly process of FIGS. 58 to 68. FIG. 70
zeigt eine beispielhafte Zusammenstellung mehrerer Flachspulen, wie sie bevorzugt in dem integrierten Schaltkreis (IC) beispielsweise als dessen Teilvorrichtung zur Erzeugung magnetischer Felder mit Multipolmomenten und/oder zur Modifikation der Richtung des magnetischen Flusses B am Ort des paramagnetischen Zentrums (NV1) eingesetzt werden. Figur 71 shows an exemplary combination of several flat coils, as they are preferably used in the integrated circuit (IC), for example as its sub-device for generating magnetic fields with multipole moments and / or for modifying the direction of the magnetic flux B at the location of the paramagnetic center (NV1). Figure 71
zeigt ein beispielhaftes Sensorelement, das hinsichtlich der Einkoppeleigenschaften der shows an exemplary sensor element which, with regard to the coupling properties, of
Pumpstrahlung (LB) und des Kontrasts (KT) optimiert ist. Pump radiation (LB) and the contrast (KT) is optimized.
Figur 72 Figure 72
zeigt ein System der Figur 1, wobei nun jedoch in dem Material des Sensorelements die shows a system of Figure 1, but now in the material of the sensor element
Pumpstrahlungsquelle (PLI) gefertigt ist. Pump radiation source (PLI) is made.
Figur 73 Figure 73
zeigt ein Sensorelement beispielsweise für eine Verwendung in Systemen wie in Figur 72 bei dem in dem Material des Sensorelements die Pumpstrahlungsquelle (PLI) gefertigt ist shows a sensor element, for example for use in systems such as in FIG. 72, in which the pump radiation source (PLI) is manufactured in the material of the sensor element
Figur 74 Figure 74
zeigt ein Sensorelement mit einem Substrat (D), das im Falle von NV-Zentren als paramagnetischen Zentren (NV1) bevorzugt Diamant ist, mit einem oder mehreren paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. einer oder mehrerer Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) in dem Substrat (D), wobei diese mit einer Leitung (LH), die auf der Oberfläche (OFL1) des Substrats (D) angebracht und befestigt ist und die bevorzugt von dem Substrat (D) beispielsweise durch eine Isolation (IS) elektrisch isoliert ist, aufgrund eines sehr geringen ersten Abstands (dl) von bevorzugt weniger als lOOnm mit dem magnetischen Feld dieser Leitung (LH) wechselwirken, wenn die Leitung (LH) von einem elektrischen Strom (IH) durchströmt wird. shows a sensor element with a substrate (D), which in the case of NV centers as paramagnetic centers (NV1) is preferably diamond, with one or more paramagnetic centers (NV1) or one or more groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) in the substrate (D), this being connected to a line (LH) which is attached and fastened on the surface (OFL1) of the substrate (D) and which is preferably electrically insulated from the substrate (D), for example by an insulation (IS) is, due to a very small first distance (dl) of preferably less than 100 nm interact with the magnetic field of this line (LH) when the line (LH) is traversed by an electric current (IH).
Figur 75 Figure 75
zeigt ein Sensorelement mit einem Substrat (D), das im Falle von NV-Zentren als paramagnetischen Zentren (NV1) bevorzugt Diamant ist, mit einem oder mehreren paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. einer oder mehrerer Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) in dem Substrat (D), wobei diese mit einer horizontalen Leitung (LH), die auf der Oberfläche (OFL1) des Substrats (D) angebracht und befestigt ist und die bevorzugt von dem Substrat (D) beispielsweise durch eine Isolation (IS) elektrisch isoliert ist, und mit einer vertikalen Leitung (LV), die auf der Oberfläche (OFL1) des Substrats (D) angebracht und befestigt ist und die bevorzugt von dem Substrat (D) und der vertikalen Leitung (LV) beispielsweise durch eine Isolation (IS) elektrisch isoliert ist, aufgrund eines sehr geringen ersten Abstands (dl) von bevorzugt weniger als lOOnm mit dem magnetischen Feld dieser vertikalen Leitung (LV) und/oder dieser horizontalen Leitung (LH) wechselwirken, wenn die horizontale Leitung (LH) von einem elektrischen horizontalen Strom (IH) durchströmt wird und/oder wenn die vertikale Leitung (LV) von einem elektrischen vertikalen Strom (IV) durchströmt wird. shows a sensor element with a substrate (D), which in the case of NV centers as paramagnetic Centers (NV1) is preferably diamond, with one or more paramagnetic centers (NV1) or one or more groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) in the substrate (D), these with a horizontal line (LH), which on the surface (OFL1) of the substrate (D) is attached and fastened and which is preferably electrically isolated from the substrate (D), for example by an insulation (IS), and with a vertical line (LV), which is on the surface (OFL1) of the substrate (D) is attached and fixed and which is preferably electrically isolated from the substrate (D) and the vertical line (LV), for example by an insulation (IS), due to a very small first distance (dl) of preferably less than 100 nm interact with the magnetic field of this vertical line (LV) and / or this horizontal line (LH) when the horizontal line (LH) is traversed by an electrical horizontal current (IH) and / or when the vertical line (LV ) is traversed by an electric vertical current (IV).
Figur 76 Figure 76
zeigt ein Sensorelement mit einem Substrat (D), das im Falle von NV-Zentren als paramagnetischen Zentren (NV1) bevorzugt Diamant ist, mit einem oder mehreren paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. einer oder mehrerer Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) in dem Substrat (D) und gleichzeitig mit einem oder mehreren Kernzentren (CI) bzw. einer oder mehrerer Gruppen (CIC) von Kernzentren (CI) in dem Substrat (D), wobei diese beiden mit einer horizontalen Leitung (LH), die auf der Oberfläche (OFL1) des Substrats (D) angebracht und befestigt ist und die bevorzugt von dem Substrat (D) beispielsweise durch eine Isolation (IS) elektrisch isoliert ist, und mit einer vertikalen Leitung (LV), die auf der Oberfläche (OFL1) des Substrats (D) angebracht und befestigt ist und die bevorzugt von dem Substrat (D) und der vertikalen Leitung (LV) beispielsweise durch eine Isolation (IS) elektrisch isoliert ist, aufgrund eines sehr geringen ersten Abstands (dl) von bevorzugt weniger als lOOnm mit dem magnetischen Feld dieser vertikalen Leitung (LV) und/oder dieser horizontalen Leitung (LH) wechselwirken, wenn die horizontale Leitung (LH) von einem elektrischen horizontalen Strom (IH) durchströmt wird und/oder wenn die vertikale Leitung (LV) von einem elektrischen vertikalen Strom (IV) durchströmt wird. shows a sensor element with a substrate (D), which in the case of NV centers as paramagnetic centers (NV1) is preferably diamond, with one or more paramagnetic centers (NV1) or one or more groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) in the substrate (D) and simultaneously with one or more core centers (CI) or one or more groups (CIC) of core centers (CI) in the substrate (D), these two with a horizontal line (LH), which on the surface (OFL1) of the substrate (D) is attached and fastened and which is preferably electrically isolated from the substrate (D), for example by an insulation (IS), and with a vertical line (LV), which is on the surface (OFL1) of the substrate (D) is attached and fixed and which is preferably electrically isolated from the substrate (D) and the vertical line (LV), for example by an insulation (IS), due to a very small first distance (dl) of preferably less than 100 nm with the m agnetic field of this vertical line (LV) and / or this horizontal line (LH) interact when the horizontal line (LH) is traversed by an electrical horizontal current (IH) and / or when the vertical line (LV) by an electrical vertical Stream (IV) flows through.
Figur 77 Figure 77
zeigt ein Sensorelement mit einem Substrat (D), das im Falle von NV-Zentren als paramagnetischen Zentren (NV1) bevorzugt Diamant ist, mit einem oder mehreren paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. einer oder mehrerer Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) in dem Substrat (D), wobei diese mit einer horizontalen Leitung (LH), die auf der Oberfläche (OFL1) des Substrats (D) angebracht und befestigt ist und die bevorzugt von dem Substrat (D) beispielsweise durch eine Isolation (IS) elektrisch isoliert ist, und mit einer vertikalen Leitung (LV), die auf der Oberfläche (OFL1) des Substrats (D) angebracht und befestigt ist und die bevorzugt von dem Substrat (D) und der vertikalen Leitung (LV) beispielsweise durch eine Isolation (IS) elektrisch isoliert ist, aufgrund eines sehr geringen ersten Abstands (dl) von bevorzugt weniger als lOOnm mit dem magnetischen Feld dieser vertikalen Leitung (LV) und/oder dieser horizontalen Leitung (LH) wechselwirken, wenn die horizontale Leitung (LH) von einem elektrischen horizontalen Strom (IH) durchströmt wird und/oder wenn die vertikale Leitung (LV) von einem elektrischen vertikalen Strom (IV) durchströmt wird Im Gegensatz zur Figur 75 sind die vertikale Leitung (LV) über einen vertikalen Kontakt (KV) und die horizontale Leitung (LH) über einen oder mehrere horizontalen Kontakte (KH) elektrisch mit dem Material des Substrats (D) verbunden, um Fotoelektronen absaugen zu können.. shows a sensor element with a substrate (D), which in the case of NV centers as paramagnetic centers (NV1) is preferably diamond, with one or more paramagnetic centers (NV1) or one or more groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) in the substrate (D), this with a horizontal line (LH), which is on the surface (OFL1) of the substrate (D) is attached and fastened and which is preferably electrically isolated from the substrate (D), for example by an insulation (IS), and with a vertical line (LV) which is attached and fastened on the surface (OFL1) of the substrate (D) and which is preferably electrically isolated from the substrate (D) and the vertical line (LV), for example by an insulation (IS), due to a very small first distance (dl) of preferably less than 100 nm with the magnetic field of this vertical line (LV) and / or interact with this horizontal line (LH) when the horizontal line (LH) is traversed by an electrical horizontal current (IH) and / or when the vertical line (LV) is traversed by an electric vertical current (IV) In relation to FIG. 75, the vertical line (LV) via a vertical contact (KV) and the horizontal line (LH) via one or more horizontal contacts (KH) are electrically connected to the material of the substrate ts (D) connected to suction photoelectrons.
Figur 78 Figure 78
dient der Veranschaulichung einer optimalen Bestromung am Beispiels eines Quantenbits (QUB) mit einer ersten vertikalen Abschirmleitung (SV1) und einer zweiten vertikalen Abschirmleitung (SV2). Figur 79 serves to illustrate an optimal current supply using the example of a quantum bit (QUB) with a first vertical shielding line (SV1) and a second vertical shielding line (SV2). Figure 79
dient der Veranschaulichung einer optimalen Bestromung am Beispiels eines Quantenbits (QUB) mit einer ersten horizontalen Abschirmleitung (SH1) und einer zweiten horizontalen Abschirmleitung (SH2). serves to illustrate an optimal current supply using the example of a quantum bit (QUB) with a first horizontal shielding line (SH1) and a second horizontal shielding line (SH2).
Figur 80 Figure 80
zeigt ein Ansteuersystem für eine Mehrzahl von parametrischen Zentren (NV1) bzw. einer Mehrzahl von Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1). Figur 80 zeigt das Blockdiagramm eines beispielhaften Quantensensorsystems mit einem beispielhaften schematisch angedeuteten Drei-Bit Quantenregister. shows a control system for a plurality of parametric centers (NV1) or a plurality of groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1). FIG. 80 shows the block diagram of an exemplary quantum sensor system with an exemplary schematically indicated three-bit quantum register.
Figur 81 Figure 81
zeigt ein Substrat mit zwei voneinander beabstandeten paramagnetischen Zentren (NV11, NV12) Figur 82 FIG. 82 shows a substrate with two spaced-apart paramagnetic centers (NV11, NV12)
zeigt das System der Figur 1 angepasst auf eine direkte Auslesung der Fotoelektronen der paramagnetischen Zentren (NV1) und/oder der Gruppe oder der Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) Fig. 83 shows the system of Figure 1 adapted to a direct reading of the photoelectrons of the paramagnetic centers (NV1) and / or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) Fig. 83
zeigt den beispielhaften Aufbau des Schwingungssensorsystems nach dem vorgeschlagenen Verfahren mit einem an ein schwingendes mechanisches System (MS) (Saite) gekoppelten shows the exemplary structure of the vibration sensor system according to the proposed method with one coupled to a vibrating mechanical system (MS) (string)
Magnetfeld, das durch das Sensorsystem (Tonabnehmer) erfasst wird. Magnetic field that is detected by the sensor system (pickup).
Figur 84 Figure 84
zeigt die Ausführung eines beispielhaften Sensorsystems (Tonabnehmers) gekoppelt an ein mechanisch schwingendes System (MS) (Saite) mit ortsfesten Feldquellen (MQ1, MQ2) des magnetischen Feldes und mechanisch schwingenden Vorrichtungsteilen des magnetischen Kreises. shows the implementation of an exemplary sensor system (pickup) coupled to a mechanically oscillating system (MS) (string) with stationary field sources (MQ1, MQ2) of the magnetic field and mechanically oscillating device parts of the magnetic circuit.
Figur 85 Figure 85
zeigt die Ausführung eines beispielhaften Sensorsystems mit direkter Auslesung der Photoelektronen über einen Kontakt (KNT). shows the implementation of an exemplary sensor system with direct reading of the photoelectrons via a contact (KNT).
Figur 86 Figure 86
zeigt das Sensorsystem, in dem das Sensorelement mit dem diamagnetischen Material (MPZ) und dem oder den darin enthaltenen paramagnetischen Zentren (NV1) von der Pumpstrahlungsquelle (PLI) und dem lichtempfindlichem Strahlungsempfänger (PD), sowie der Auswerteschaltung (LIV) durch einen ersten optischen Lichtwellenleiter (LWL1) und einen zweiten optischen Lichtwellenleiter (LWL2) getrennt ist. Figur 86 zeigt das Material (MPZ) mit paramagnetischen Zentren (NV1) getrennt durch einen ersten Lichtwellenleiter (LWL1) von der Pumpstrahlungsquelle (PLI) mit dem optionalen zweiten Filter (F2) und getrennt durch einen zweiten Lichtwellenleiter (LWL2) von dem shows the sensor system in which the sensor element with the diamagnetic material (MPZ) and the paramagnetic center (s) contained therein (NV1) from the pump radiation source (PLI) and the light-sensitive radiation receiver (PD), as well as the evaluation circuit (LIV) through a first optical Optical fiber (LWL1) and a second optical fiber (LWL2) is separated. FIG. 86 shows the material (MPZ) with paramagnetic centers (NV1) separated by a first optical waveguide (LWL1) from the pump radiation source (PLI) with the optional second filter (F2) and separated from the second optical waveguide (LWL2)
Strahlungsempfänger (PD) mit einem ersten Filter (Fl). Radiation receiver (PD) with a first filter (Fl).
Figur 87 Figure 87
zeigt ein vorgeschlagenes Sensorsystem, in dem das Sensorelement mit dem diamagnetischen Material (MPZ) mit dem oder den paramagnetischen Zentren (NV1) von der Strahlungsquelle (PLI) und dem lichtempfindlichen Strahlungsempfänger (PD) durch einen gemeinsamen optischen Lichtwellenleiter (LWL2) getrennt ist. shows a proposed sensor system in which the sensor element with the diamagnetic material (MPZ) with the paramagnetic center or centers (NV1) is separated from the radiation source (PLI) and the light-sensitive radiation receiver (PD) by a common optical waveguide (LWL2).
Figur 88 Figure 88
zeigt eine Ausführung eines beispielhaften Sensorsystems mit mehreren Messsystemen und einer elektronischen Auswerteinheit (LIV). Figur 88 zeigt die Ausführung nach dem vorgeschlagenen Verfahren mit einer Anzahl n schwingender Teilsysteme (MSI, MS2...MSn) eines mechanischen schwingungsförmigen Systems (MS) mit n entsprechend an das jeweilige Teilsystem der n Teilsysteme (MSI bis MSn) gekoppelten ersten Feldquellen für magnetische oder elektrostatische Felder (MG11, MG12, MGin) und n Sensorelementen mit einem jeweiligen diamagnetisches Material (MPZ1, MPZ2, . , MPZn) mit jeweiligen paramagnetischen Zentren (NV1). shows an embodiment of an exemplary sensor system with several measuring systems and an electronic evaluation unit (LIV). FIG. 88 shows the embodiment according to the proposed method with a number n oscillating subsystems (MSI, MS2 ... MSn) of a mechanical oscillating system (MS) with n corresponding to the respective subsystem of the n Subsystems (MSI to MSn) coupled first field sources for magnetic or electrostatic fields (MG11, MG12, MGin) and n sensor elements with a respective diamagnetic material (MPZ1, MPZ2,., MPZn) with respective paramagnetic centers (NV1).
Figur 89 Figure 89
zeigt den Aufbau eines Tonabnehmers (PU) einer Gitarre (GT) gemäß dem Vorschlag. Figur 89 zeigt eine beispielhafte E-Gitarre (GT) als Anwendung eines vorschlagsgemäßen Sensorsystems. shows the structure of a pickup (PU) of a guitar (GT) according to the proposal. FIG. 89 shows an exemplary electric guitar (GT) as an application of a sensor system according to the proposal.
Figur 90 Figure 90
zeigt das bei Raumtemperatur aufgenommene Absorptionsspektrum eines erfindungsgemäßen Diamanten. Figur 91 shows the absorption spectrum of a diamond according to the invention recorded at room temperature. Figure 91
veranschaulicht die Definition der Zeiten. illustrates the definition of times.
Figur 92 zeigt den typischen Verlauf des Kontrasts (KT) in Abhängigkeit von der Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB) am Beispiel dieser Abhängigkeit bei der Bestrahlung von NV-Zentren als paramagnetischen Zentren (NV1) mit„grüner" Pumpstrahlung (LB); Figur 93 FIG. 92 shows the typical course of the contrast (KT) as a function of the intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB) using the example of this dependency when irradiating NV centers as paramagnetic centers (NV1) with "green" pump radiation (LB) ; Figure 93
zeigt ein Substrat (D), bei dem die Fluoreszenzstrahlung (FL) über eine zweite Oberfläche (OFL2) entnommen wird. shows a substrate (D) in which the fluorescence radiation (FL) is removed via a second surface (OFL2).
Figur 94 Figure 94
zeigt die Kombination eines paramagnetischen Zentrums (NV1) bzw. mehrerer paramagnetischer Zentren (NV1) bzw. einer Gruppe oder Gruppen (NV1) paramagnetischer Zentren in einem shows the combination of a paramagnetic center (NV1) or several paramagnetic centers (NV1) or a group or groups (NV1) of paramagnetic centers in one
Halbleitermaterial eines halbleitenden Substrats (D), beispielsweise aus Silizium oder Siliziumcarbid, mit einem MOS-Transistor in diesem Material, wobei die Schirmleitungen die Source- und Drain- Kontakte darstellen, während die Leitung das Gate bildet und durch das Gate-Oxid von dem Material des Substrats (D) isoliert ist. Die Pumpstrahlung (LB) wird durch ein Zentrum (PZ) erzeugt. Figur 95 Semiconductor material of a semiconducting substrate (D), for example made of silicon or silicon carbide, with a MOS transistor in this material, the shield lines representing the source and drain contacts, while the line forms the gate and through the gate oxide of the material of the substrate (D) is isolated. The pump radiation (LB) is generated by a center (PZ). Figure 95
zeigt einen Dicke-Verstärker mit einer referenzrauschquelle auf Basis eines paramagnetischen Zentrums (NV1) bzw. mehrerer paramagnetischer Zentren (NV1) bzw. einer Gruppe oder Gruppen (NV1) paramagnetischer Zentren (NV1) Figur 96 shows a thickness amplifier with a reference noise source based on a paramagnetic center (NV1) or several paramagnetic centers (NV1) or a group or groups (NV1) of paramagnetic centers (NV1) Figure 96
zeigt das System der Figur 95 wobei eine einzige Pumpstrahlungsquelle (PLI) das Referenzelement und das Sensorelement gemeinsam bestrahlt. shows the system of FIG. 95, with a single pump radiation source (PLI) irradiating the reference element and the sensor element together.
Figur 97 Figure 97
zeigt eine Struktur eines Substrats (D) für ein Sensorelement zum Auslesen des Fotostroms eines paramagnetischen Zentrums (NV1) bzw. mehrerer paramagnetischer Zentren (NV1) bzw. einer Gruppe oder Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1). shows a structure of a substrate (D) for a sensor element for reading out the photocurrent of a paramagnetic center (NV1) or several paramagnetic centers (NV1) or a group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1).
Figur 98 Figure 98
zeigt eine Struktur eines Substrats (D) für ein Referenzelement zum Auslesen des Fotostroms eines paramagnetischen Referenzzentrums (NV2) bzw. mehrerer paramagnetischer Referenzzentren (NV2) bzw. einer Gruppe oder Gruppen (NVC2) paramagnetischer Referenzzentren (NV2). shows a structure of a substrate (D) for a reference element for reading out the photocurrent of a paramagnetic reference center (NV2) or several paramagnetic reference centers (NV2) or a group or groups (NVC2) of paramagnetic reference centers (NV2).
Figur 99 Figure 99
zeigt eine Methode zur Erzeugung einer Richtungsabhängigkeit des Fotostroms bzw. der Intensität (In) der Fluoreszenzstrahlung von der Richtung der magnetischen Flussdichte B. Beschreibung der Figuren shows a method for generating a directional dependence of the photocurrent or the intensity (In) of the fluorescent radiation on the direction of the magnetic flux density B. Description of the figures
Die Figuren zeigen ausgewählte Beispiele in schematischer und vereinfachter Weise. Sie dienen der Verdeutlichung. Die Merkmale der Beschreibung und der Figuren können, soweit sinnvoll miteinander kombiniert werden. Die Beanspruchung ergibt sich aus dem jeweils gültigen The figures show selected examples in a schematic and simplified manner. They are used for clarification. The features of the description and the figures can be combined with one another as far as this makes sense. The load results from the respectively valid one
Anspruchssatz. Figu r 1 Claim set. Figu r 1
Figur 1 zeigt schematisch vereinfacht eine Auswerteschaltung entsprechend dem Stand der Technik (SdT). Eine Pumpstrahlungsquelle (PLI) bestrahlt das Sensorelement aus Diamant mit dem NV- Zentrum als paramagnetischem Zentrum (NV1) mit Pumpstrahlung (LB). Diese Pumpstrahlung (LB) veranlasst das paramagnetische Zentrum (NV1) zur Emission von Fluoreszenzstrahlung (FL). Die Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB) der Pumpstrahlungsquelle (PLI) ist moduliert. Diese FIG. 1 shows, in a schematically simplified manner, an evaluation circuit according to the prior art (SdT). A pump radiation source (PLI) irradiates the diamond sensor element with the NV center as the paramagnetic center (NV1) with pump radiation (LB). This pump radiation (LB) causes the paramagnetic center (NV1) to emit fluorescent radiation (FL). The intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB) from the pump radiation source (PLI) is modulated. These
Modulation der Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB) der Pumpstrahlungsquelle (PLI) hängt von einem Sendesignal (S5) ab. Bevorzugt ist die Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB) der Modulation of the intensity (I pmp ) of the pump radiation (LB) of the pump radiation source (PLI) depends on a transmission signal (S5). The intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB) is preferably the
Pumpstrahlungsquelle (PLI) in einem gewissen Arbeitsbereich im Wesentlichen proportional zum Wert (s5) des Sendesignals (S5). Das Sendesignal (S5) weist bevorzugt einen Gleichanteil (S5g) und einen Wechselanteil (S5w) auf (S5=S5g+S5w). Ein Signalgenerator (G) erzeugt den Wechselanteil (S5w) des Sendesignals (S5). Eine erste Anpassschaltung (OF1) addiert ggf. einen Gleichanteil (S5g) des Sendesignals (S5) zu dem Wechselanteil (S5w) des Sendesignals (S5) und bildet so das Pump radiation source (PLI) in a certain working range essentially proportional to Value (s5) of the transmission signal (S5). The transmission signal (S5) preferably has a direct component (S5g) and an alternating component (S5w) (S5 = S5g + S5w). A signal generator (G) generates the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5). A first matching circuit (OF1) optionally adds a direct component (S5g) of the transmission signal (S5) to the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) and thus forms it
Sendesignal (S5). Ggf. verstärkt die erste Anpassschaltung (OF1) die Summe aus Gleichanteil (S5g) und Wechselanteil (S5w) zum Sendesignal (S5). Die erste Anpassschaltung (OF1) führt also bevorzugt eine lineare Abbildung des Wechselanteils (S5W) des Sendesignals (S5) auf das Sendesignal (S5) durch. Transmission signal (S5). If necessary, the first matching circuit (OF1) amplifies the sum of the direct component (S5g) and the alternating component (S5w) for the transmission signal (S5). The first matching circuit (OF1) therefore preferably performs a linear mapping of the alternating component (S5W) of the transmission signal (S5) onto the transmission signal (S5).
In der Realität ist die Modulation der Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB) der In reality, the modulation of the intensity (I pmp ) of the pump radiation (LB) is the
Pumpstrahlungsquelle (PLI) gegenüber der Modulation des Sendesignals (S5) insbesondere aufgrund von Verzögerungszeiten, parasitären elektrischen Komponenten etc. verzerrt. Pump radiation source (PLI) with respect to the modulation of the transmission signal (S5) is distorted in particular due to delay times, parasitic electrical components, etc.
Die Fluoreszenzstrahlung (FL) strahlt in einen Strahlungsempfänger (PD) ein. Der The fluorescence radiation (FL) radiates into a radiation receiver (PD). The
Strahlungsempfänger (PD) wandelt die Intensität (lfl) der Fluoreszenzstrahlung (FL) in ein Radiation receiver (PD) converts the intensity (l fl ) of the fluorescent radiation (FL) into
Empfängerausgangssignal (SO). Der momentane Wert (sO) des Empfängerausgangssignals (SO) hängt von der Intensität (lf|) der Fluoreszenzstrahlung (FL) ab. Bevorzugt ist der Wert (sO) des Receiver output signal (SO). The instantaneous value (sO) of the receiver output signal (SO) depends on the intensity (l f | ) of the fluorescence radiation (FL). The value (sO) des is preferred
Empfängerausgangssignals (SO) in einem gewissen Arbeitsbereich im Wesentlichen proportional zur Intensität (lfl) der Fluoreszenzstrahlung (FL). Ein erster Verstärker (VI) verstärkt das Receiver output signal (SO) in a certain working range essentially proportional to the intensity (l fl ) of the fluorescence radiation (FL). A first amplifier (VI) amplifies this
Empfängerausgangssignal (SO) zum reduzierten Empfängerausgangssignal (Sl). Der erste Verstärker (VI) hat bevorzugt einen derartigen Frequenzgang, dass er bevorzugt im Wesentlichen nur den Wechselanteil (S5w) des Sendesignals (S5), der eine von 0Hz verschiedene Frequenz besitzt, und Signalanteile mit ggf. auftretenden erlaubten Mischsignalfrequenzen durchlässt und verstärkt, die bei der Mischung der Frequenzen des Sendesignals (S5) mit erwarteten Frequenzen der Modulation einer physikalischen Größe auftreten, die die Intensität (lf|) der Fluoreszenzstrahlung (FL) moduliert. Der erste Verstärker (VI) kann auch als Teil des Strahlungsempfängers (PD) aufgefasst werden, weshalb er in den folgenden Figuren in der Regel nicht gesondert eingezeichnet ist. Receiver output signal (SO) to the reduced receiver output signal (Sl). The first amplifier (VI) preferably has a frequency response such that it preferably essentially only lets through and amplifies the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5), which has a frequency other than 0Hz, and signal components with possibly occurring permitted mixed signal frequencies that when the frequencies of the transmission signal (S5) are mixed with expected frequencies of the modulation of a physical quantity that modulates the intensity (l f | ) of the fluorescent radiation (FL). The first amplifier (VI) can also be regarded as part of the radiation receiver (PD), which is why it is usually not shown separately in the following figures.
Ein erster Multiplizierer (Ml) mischt das reduzierte Empfängerausgangssignal (Sl) mit dem A first multiplier (Ml) mixes the reduced receiver output signal (Sl) with the
Wechselanteil (S5w) des Sendesignals (S5) zum Filtereingangssignal (S3). Ein Schleifenfilter (TP) lässt bevorzugt nur den Gleichanteil des Filtereingangssignals (S3) und einen Nutzfrequenzbereich um 0Hz herum passieren. Der Schleifenfilter (TP) lässt bevorzugt die Frequenz des Wechselanteils (S5w) des Sendesignals (S5) im Wesentlichen nicht passieren. Typischerweise umfasst der Schleifenfilter (TP) einen Verstärker. Das Filterausgangssignal (S4) des Schleifenfilters (TP) wird als Sensorausgangssignal (out) genutzt. Da die Intensität (lf|) der Fluoreszenzstrahlung (FL) des paramagnetischen Zentrums (NV1) von dem Wert des physikalischen Parameters, beispielsweise der magnetischen Flussdichte B und/oder der Temperatur und/oder dem Druck, am Ort des paramagnetischen Zentrums (NV1) abhängt, hängt auch der Wert der Amplitude der Modulation der Intensität (lfl) der Alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) for the filter input signal (S3). A loop filter (TP) preferably only allows the direct component of the filter input signal (S3) and a useful frequency range around 0 Hz to pass. The loop filter (TP) preferably does not essentially allow the frequency of the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) to pass. Typically the loop filter (TP) comprises an amplifier. The filter output signal (S4) of the loop filter (TP) is used as the sensor output signal (out) used. Since the intensity (l f | ) of the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic center (NV1) depends on the value of the physical parameter, for example the magnetic flux density B and / or the temperature and / or the pressure, at the location of the paramagnetic center (NV1) depends, the value of the amplitude of the modulation of the intensity (l fl ) also depends
Fluoreszenzstrahlung (FL) mit der Modulation des Wechselanteils (S5w) des Sendesignals (S5) von dem Wert dieses physikalischen Parameters ab. Damit hängt dann auch der Wert der Amplitude der Modulation des Wertes des Empfängerausgangssignals (SO) mit der Modulation des Wechselanteils (S5W) des Sendesignals (S5) von dem Wert dieses physikalischen Parameters ab. In Folge dessen hängt der Wert des Gleichsignalanteils des Filtereingangssignals (S3) von dem Wert dieses physikalischen Parameters ab. Somit hängt auch der Wert des Filterausgangssignals (S4) und damit der Wert des Sensorausgangssignals (out) von dem Wert dieses physikalischen Parameters ab, wodurch sich das System als Sensorsystem verwenden lässt, da der Wert des Sensorausgangssignals (out) als Messwert für den Wert dieses physikalischen Parameters verwendet werden kann, wenn andere beeinflussende Parameter konstant gehalten werden oder nur in vorbestimmter Weise moduliert werden. Fluorescence radiation (FL) with the modulation of the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) from the value of this physical parameter. The value of the amplitude of the modulation of the value of the receiver output signal (SO) with the modulation of the alternating component (S5W) of the transmission signal (S5) then also depends on the value of this physical parameter. As a result, the value of the direct signal component of the filter input signal (S3) depends on the value of this physical parameter. Thus, the value of the filter output signal (S4) and thus the value of the sensor output signal (out) also depend on the value of this physical parameter, which means that the system can be used as a sensor system, since the value of the sensor output signal (out) is used as a measured value for the value of this physical parameters can be used when other influencing parameters are kept constant or only modulated in a predetermined manner.
F ig u r 2 Fig. 2
Figur 2 aus dem Stand der Technik entspricht weitest gehend der Figur 1 mit dem Unterschied, dass das Sensorsystem keine erste Anpassschaltung (OF1) umfasst und der Signalgenerator (G) direkt das Sendesignal (S5) erzeugt. Diese Konstruktion ist dann funktionstüchtig, wenn die FIG. 2 from the prior art largely corresponds to FIG. 1 with the difference that the sensor system does not include a first matching circuit (OF1) and the signal generator (G) generates the transmission signal (S5) directly. This construction is functional if the
konstruktionsbedingte Interpretation der Pegel des Sendesignals (S5) durch den Multiplizierer (Ml) so erfolgt, dass lediglich der Wechselsignalanteil (S5w) des Sendesignals (S5) berücksichtigt wird. Im Folgenden wird daher an verschiedenen Stellen auf die Darstellung der Anpassschaltung (OF1) zur besseren Klarheit verzichtet. The construction-related interpretation of the level of the transmission signal (S5) by the multiplier (Ml) takes place in such a way that only the alternating signal component (S5w) of the transmission signal (S5) is taken into account. In the following, the adaptation circuit (OF1) is therefore omitted at various points for better clarity.
F ig u r 3 Fig. 3
Figur 3 zeigt das Sensorsystem der Figur 1 mit dem Unterschied, dass nun ein Sensorelement verwendet wird, dass zumindest lokal in einem Teil des Sensorelements eine hohe Dichte an paramagnetischen Zentren (NV1) aufweist. Bevorzugt ist dieser Teil ein Substrat (D) mit einer zumindest lokalen Dichte von mehr als lOppm, besser mehr als 20ppm paramagnetischer Zentren (NV1) bezogen auf die Anzahl der Atome in dem betrachteten Raumvolumen. Das Substrat (D) umfasst bevorzugt eine oder mehrere Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1), wobei bevorzugt innerhalb der jeweiligen Gruppe (NVC) die Dichte paramagnetischer Zentren (NV1) von mehr als lOppm, besser mehr als 20ppm überschritten wird. Auch kann das ganzen Substrat (D) eine Dichte paramagnetischer Zentren (NV1) von mehr als lOppm, besser mehr als 20ppm FIG. 3 shows the sensor system of FIG. 1 with the difference that a sensor element is now used that has a high density of paramagnetic centers (NV1) at least locally in part of the sensor element. This part is preferably a substrate (D) with an at least local density of more than 10 ppm, better than 20 ppm of paramagnetic centers (NV1) based on the number of atoms in the spatial volume under consideration. The substrate (D) preferably comprises one or more groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1), where preferably within the respective group (NVC) the density of paramagnetic centers (NV1) is exceeded by more than 10 ppm, better than 20 ppm. The entire substrate (D) can also have a density of paramagnetic centers (NV1) of more than 10 ppm, better than 20 ppm
paramagnetischer Zentren (NV1) aufweisen. Im Falle von NV-Zentren in Diamant als Substrat (D) handelt es sich bevorzugt um einen HD-NV-Diamanten (HD-NV). paramagnetic centers (NV1). In the case of NV centers in diamond as the substrate (D), it is preferably an HD-NV diamond (HD-NV).
F ig u r 4 Fig. 4
Figur 4 zeigt das Sensorsystem der Figur 2 mit dem Unterschied, dass nun ein Sensorelement verwendet wird, dass zumindest lokal in einem Teil des Sensorelements eine hohe Dichte an paramagnetischen Zentren (NV1) aufweist. Bevorzugt ist dieser Teil ein Substrat (D) mit einer zumindest lokalen Dichte von mehr als lOppm, besser mehr als 20ppm paramagnetischer Zentren (NV1) bezogen auf die Anzahl der Atome in dem betrachteten Raumvolumen. Das Substrat (D) umfasst bevorzugt eine oder mehrere Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1), wobei bevorzugt innerhalb der jeweiligen Gruppe (NVC) die Dichte paramagnetischer Zentren (NV1) von mehr als lOppm, besser mehr als 20ppm überschritten wird. Auch kann das ganzen Substrat (D) eine Dichte paramagnetischer Zentren (NV1) von mehr als lOppm, besser mehr als 20ppm FIG. 4 shows the sensor system of FIG. 2 with the difference that a sensor element is now used that has a high density of paramagnetic centers (NV1) at least locally in part of the sensor element. This part is preferably a substrate (D) with an at least local density of more than 10 ppm, better than 20 ppm of paramagnetic centers (NV1) based on the number of atoms in the spatial volume under consideration. The substrate (D) preferably comprises one or more groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1), the density of paramagnetic centers (NV1) preferably being exceeded by more than 10 ppm, better than 20 ppm, within the respective group (NVC). The entire substrate (D) can also have a density of paramagnetic centers (NV1) of more than 10 ppm, better than 20 ppm
paramagnetischer Zentren (NV1) aufweisen. Im Falle von NV-Zentren in Diamant als Substrat (D) handelt es sich bevorzugt um einen FID-NV-Diamanten (HD-NV). paramagnetic centers (NV1). In the case of NV centers in diamond as the substrate (D), it is preferably an FID-NV diamond (HD-NV).
F ig u r 5 Fig. 5
Figur 5 zeigt ein hier beanspruchtes, grundlegendes Sensorsystem, dass dann in den folgenden Figuren weiter verfeinert wird. Die Pumpstrahlungsquelle (PLI) emittiert Pumpstrahlung (LB) mit einer Pumpstrahlungswellenlänge (lrGhr) in Abhängigkeit von einem Sendesignal (S5), das sich aus einem Gleichanteil (S5g) und einem Wechselanteil (S5w) zusammensetzt. Ein Signalgenerator (G) erzeugt den Wechselanteil (S5w) des Sendesignals (S5). Eine erste Anpassschaltung (OF1) addiert ggf. einen Gleichanteil (S5g) des Sendesignals (S5) zu dem Wechselanteil (S5w) des Sendesignals (S5) und bildet so das eigentliche Sendesignal (S5). Ggf. verstärkt die erste Anpassschaltung (OF1) die Summe aus Gleichanteil (S5g) und Wechselanteil (S5w) zum Sendesignal (S5). FIG. 5 shows a basic sensor system claimed here, which is then further refined in the following figures. The pump radiation source (PLI) emits pump radiation (LB) with a pump radiation wavelength (l rGhr ) as a function of a transmission signal (S5) which is composed of a direct component (S5g) and an alternating component (S5w). A signal generator (G) generates the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5). A first matching circuit (OF1) optionally adds a direct component (S5g) of the transmission signal (S5) to the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) and thus forms the actual transmission signal (S5). If necessary, the first matching circuit (OF1) amplifies the sum of the direct component (S5g) and the alternating component (S5w) for the transmission signal (S5).
Pumpstrahlung (LB) der Pumpstrahlungsquelle (PLI) trifft auf das paramagnetische Zentrum (NV1) innerhalb des Sensorelements. Das paramagnetische Zentrum (NV1) wird in Abhängigkeit von der Intensität (lfl) der Pumpstrahlung (LB) und dem Betrag des magnetischen Feldes B am Ort des paramagnetischen Zentrums (NV1) zur Abgabe von Fluoreszenzstrahlung (FL) veranlasst. Dabei weist die Fluoreszenzstrahlung (FL) typischerweise eine Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (lh)- z.B. 637nm bei NV-Zentren - auf, die typischerweise von der Pumpstrahlungswellenlänge (lrGhr) der Pump radiation (LB) from the pump radiation source (PLI) strikes the paramagnetic center (NV1) within the sensor element. The paramagnetic center (NV1) is caused to emit fluorescent radiation (FL) as a function of the intensity (l fl ) of the pump radiation (LB) and the magnitude of the magnetic field B at the location of the paramagnetic center (NV1). It points the fluorescence radiation (FL) typically has a fluorescence radiation wavelength (lh) - for example 637nm at NV centers - which typically depends on the pump radiation wavelength (l rGhr ) of the
Pumpstrahlung (LB) abweicht. Bevorzugt handelt es sich bei dem paramagnetischen Zentrum (NV1) um ein NV-Zentrum in Diamant. Ein Sensorelement kann ein solcher Diamant sein. Es kann sich aber auch um mehrere Diamanten und/oder Diamantpulver und/oder Nanodiamanten handeln. Pump radiation (LB) deviates. The paramagnetic center (NV1) is preferably an NV center in diamond. A sensor element can be such a diamond. However, there can also be several diamonds and / or diamond powder and / or nanodiamonds.
Bevorzugt umfasst das Sensorelement mehrere paramagnetische Zentren (NV1). Bevorzugt liegen die paramagnetischen Zentren (NV1) in einer besonders hohen Dichte beispielsweise in einem oder mehreren FID-NV-Diamanten vor. The sensor element preferably comprises several paramagnetic centers (NV1). The paramagnetic centers (NV1) are preferably present in a particularly high density, for example in one or more FID-NV diamonds.
Ein erster Filter (Fl) ist bevorzugt für Strahlung mit der Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (lh) der Fluoreszenzstrahlung (FL) - z.B. 637nm bei NV-Zentren - in dem Maße transparent, dass seine Absorptionswirkung bezogen auf die Fluoreszenzstrahlung (FL) hinsichtlich der zu erzielenden technischen Wirkung vernachlässigt werden kann. A first filter (F1) is preferred for radiation with the fluorescence radiation wavelength (lh) of the fluorescence radiation (FL) - e.g. 637nm for NV centers - transparent to the extent that its absorption effect is based on the fluorescence radiation (FL) with regard to the technical effect to be achieved can be neglected.
Ein erster Filter (Fl) ist bevorzugt für Strahlung mit der Pumpstrahlungswellenlänge ( lrGTΐr) der Pumpstrahlung (LB) in dem Maße nicht transparent, dass seine Transmissionswirkung bezogen auf die Pumpstrahlung (LB) hinsichtlich der zu erzielenden technischen Wirkung vernachlässigt werden kann. A first filter (F1) is preferably not transparent for radiation with the pump radiation wavelength (l rGTΐr ) of the pump radiation (LB) to the extent that its transmission effect in relation to the pump radiation (LB) can be neglected with regard to the technical effect to be achieved.
Somit erreicht im Wesentlichen nur noch die Fluoreszenzstrahlung (FL) des bzw. der Thus, essentially only the fluorescence radiation (FL) reaches the
paramagnetischen Zentren (NV1) den Strahlungsempfänger (PD1). Der Strahlungsempfänger (PD1) wandelt die Amplitudenmodulation der Intensität (lf|) der Fluoreszenzstrahlung (FL) in ein paramagnetic centers (NV1) the radiation receiver (PD1). The radiation receiver (PD1) converts the amplitude modulation of the intensity (l f | ) of the fluorescence radiation (FL) into
Empfängerausgangssignal (SO) um, das entsprechend der Modulation der Intensität (lfl) der Receiver output signal (SO) around, corresponding to the modulation of the intensity (l fl ) of the
Fluoreszenzstrahlung (FL) moduliert ist. Ein erster Multiplizierer (M l) mischt bevorzugt durch Multiplikation das Empfängerausgangssignal (SO) mit dem Wechselanateil (S5w) des Sendesignals (S5) oder mit einem aus dem Sendesignal (S5) oder aus dem Wechselanteil (S5w) des Sendesignals (S5), beispielsweise durch Verzögerung, abgeleiteten Signal zum Filtereingangssignal (S3). Ein Filter, der bevorzugt ein Schleifenfilter (TP) und/oder Integrator ist, filtert das Filtereingangssignal (S3) nun nur indirekt zu einem Filterausgangssignal (S4). Der Schleifenfilter (TP) filtert das Filtereingangssignal (S3) zum Halteschaltungseingangssignal (S10). Im Gegensatz zur Figur 1 ist nun eine Halteschaltung (S&H) vorgesehen, deren Eingang das Halteschaltungseingangssignal (S10) ist und deren Ausgang das Filterausgangssignal (S4) ist und die durch das Trigger-Signal (STR) gesteuert wird. Der Signalgenerator (G) erzeugt den Wechselanteil (S5w) des Sendesignals (S5). Beim Sendesignal (S5) kann es sich beispielsweise um ein PWM-Signal mit 50% Taktverhältnis (englisch: Duty-Cycle) handeln. Bevorzugt ist das Tastverhältnis kleiner. Das Sendesignal (S5) besitzt bei der Verwendung von Lasern oder LEDs als Pumpstrahlungsquellen typischerweise einen Gleichsignalanteil (S5g), der aber auch 0 sein kann. Das Sendesignal (S5) besitzt eine Sendesignalperiode (Tp). Bevorzugt am Ende der Sendesignalperiode (Tp) bevorzugt vor dem Auftreten einer Flanke des Sendesignals (S5) erzeugt der Signalgenerator (G) ein Trigger-Signal (STR). Das Trigger-Signal (STR) weist bevorzugt einen ersten Signalzustand und einen zweiten Signalzustand auf. Das Trigger-Signal (STR) befindet sich während einer Sendesignalperiode (Tp) im ersten Signalzustand, dem inaktiven Signalzustand des Trigger- Signals (STR). Nur am Ende der Sendesignalperiode (Tp) des Sendesignals (S5) bringt der Fluorescence radiation (FL) is modulated. A first multiplier (M l) preferably mixes the receiver output signal (SO) with the changeable component (S5w) of the transmission signal (S5) or with one of the transmission signal (S5) or the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5), for example by multiplying by delay, derived signal to filter input signal (S3). A filter, which is preferably a loop filter (TP) and / or integrator, now only filters the filter input signal (S3) indirectly to form a filter output signal (S4). The loop filter (TP) filters the filter input signal (S3) to the hold circuit input signal (S10). In contrast to FIG. 1, a hold circuit (S&H) is now provided, the input of which is the hold circuit input signal (S10) and the output of which is the filter output signal (S4) and which is controlled by the trigger signal (STR). The signal generator (G) generates the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5). The transmission signal (S5) can be, for example, a PWM signal with a 50% duty cycle. The pulse duty factor is preferably smaller. When lasers or LEDs are used as pump radiation sources, the transmission signal (S5) typically has a direct signal component (S5g), but this can also be zero. The transmission signal (S5) has a transmission signal period (T p ). The signal generator (G) generates a trigger signal (STR), preferably at the end of the transmission signal period (T p ), preferably before the occurrence of an edge of the transmission signal (S5). The trigger signal (STR) preferably has a first signal state and a second signal state. The trigger signal (STR) is in the first signal state, the inactive signal state of the trigger signal (STR), during a transmission signal period (T p ). Only at the end of the transmission signal period (T p ) of the transmission signal (S5) does the
Signalgenerator (G) das Trigger-Signal (STR) kurzzeitig in den zweiten Signalzustand, dem aktiven Signalzustand des Trigger-Signals (STR). Signal generator (G) briefly changes the trigger signal (STR) to the second signal state, the active signal state of the trigger signal (STR).
Die Halteschaltung (S&H) (englisch Sample&Hold) speichert den während der Phase des sich im ersten, inaktiven Signalzustand befindenden Trigger-Signals (STR) den zuletzt im zweiten, aktiven Signalzustand des Trigger-Signals (STR) anliegenden Wert des Halteschaltungeingangssignals (S10) für die Dauer des nachfolgend anliegenden ersten, inaktiven Signalzustands des Trigger-Signals (STR).The hold circuit (S&H) (English Sample & Hold) stores the value of the hold circuit input signal (S10) that was last in the second, active signal state of the trigger signal (STR) during the phase of the trigger signal (STR) in the first, inactive signal state the duration of the following first, inactive signal state of the trigger signal (STR).
Erst mit dem Übergang des Trigger-Signals (STR) vom ersten, inaktiven Signalzustand in den zweiten, aktiven Signalzustand des Trigger-Signals (STR) wird typischerweise die Halteschaltung (S&H) wieder transparent und das Filterausgangssignal (S4) und damit das Sensorausgangssignal (out) folgt dann typischerweise in dieser Phase eines im zweiten, aktiven Signalzustand befindlichen Trigger-Signals (STR) dem Halteschaltungseingangssignal (S10). Mit dem Übergang des Trigger-Signals (STR) vom zweiten, aktiven Signalzustand in den ersten, inaktiven Signalzustand friert die Halteschaltung (S&H) den Pegel des Filterausgangssignals (S4) und damit des Sensorausgangssignals (out) ein, bis wieder ein Übergang vom ersten, inaktiven Signalzustand in den zweiten, aktiven Signalzustand des Trigger- Signals (STR) eintritt. Hierdurch wird die Chopper-Frequenz, d.h. die Frequenz des Wechselanteils (S5w) des Sendesignals (S5), massiv unterdrückt. Diese Unterdrückung kann bis zu 60dB betragen. Ohne diese Halteschaltung (S&H), wäre somit ein Filter 10-ter Ordnung als Schleifenfilter (TP) und/oder Integrator notwendig, um die gleiche Wirkung zu erzielen. Die Verwendung von Only with the transition of the trigger signal (STR) from the first, inactive signal state to the second, active signal state of the trigger signal (STR), does the hold circuit (S&H) become transparent again and the filter output signal (S4) and thus the sensor output signal (out ) then typically follows the holding circuit input signal (S10) in this phase of a trigger signal (STR) in the second, active signal state. With the transition of the trigger signal (STR) from the second, active signal state to the first, inactive signal state, the hold circuit (S&H) freezes the level of the filter output signal (S4) and thus of the sensor output signal (out) until a transition from the first, inactive signal state enters the second, active signal state of the trigger signal (STR). This massively suppresses the chopper frequency, i.e. the frequency of the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5). This suppression can be up to 60dB. Without this holding circuit (S&H), a 10th order filter would be necessary as a loop filter (TP) and / or integrator to achieve the same effect. The usage of
Halteschaltungen (S&H) im Zusammenhang mit der Vermessung parametrischer Zentren (NV1) ist aus dem Stand der Technik nicht bekannt. Die Unterdrückung ist umso stärker, je kürzer die zeitliche Dauer der Phase des zweiten Signalzustands des Trigger-Signals (STR) relativ zur Sendesignalperiode (Tp) ist. Bevorzugt befindet sich die Phase des zweiten Signalzustands des Trigger-Signals (STR) am Ende oder fast am Ende einer Sendesignalperiode (Tp). Diese zeitliche Platzierung der Phase des zweiten Signalzustands des Trigger-Signals (STR) am Ende oder fast am Ende einer Holding circuits (S&H) in connection with the measurement of parametric centers (NV1) is not known from the prior art. The suppression is stronger the shorter the duration of the phase of the second signal state of the trigger signal (STR) relative to the transmission signal period (T p ). The phase of the second signal state of the trigger signal (STR) is preferably at End or almost at the end of a transmission signal period (T p ). This temporal placement of the phase of the second signal state of the trigger signal (STR) at the end or almost at the end of a
Sendesignalperiode (Tp) hat den Vorteil, dass eine unvermeidliche Tiefpass-Charakteristik der Pumpstrahlungsquelle (PLI), des paramagnetischen Zentrums (NV1) und des Strahlungsempfängers (PD) und ggf. weiterer im Signalpfad befindlichen Elemente sich zum Ende einer Sendesignalperiode geringer auswirkt. Ist der Schleifenfilter (TP) ein Integrator, so sorgt die Halteschaltung dafür, dass aus dem unbestimmten Integral, das der Integrator aus dem Filtereingangssignal (S3) bildet, ein bestimmtes Integral wird, wobei bei einer zeitlichen Platzierung der Phase des zweiten The transmission signal period (T p ) has the advantage that an unavoidable low-pass characteristic of the pump radiation source (PLI), the paramagnetic center (NV1) and the radiation receiver (PD) and possibly other elements in the signal path have a smaller effect at the end of a transmission signal period. If the loop filter (TP) is an integrator, the holding circuit ensures that the indefinite integral that the integrator forms from the filter input signal (S3) becomes a specific integral, with the phase of the second being placed in time
Signalzustands des Trigger-Signals (STR) am Ende oder fast am Ende einer Sendesignalperiode (Tp) die Integration dann in etwa von 0 bis 2p über eine Sendesignalperiode (Tp) läuft. Es kann beispielsweise leicht nachgerechnet werden, dass das Integral von sin(o)cos(K>) nur dann verschwindet, wenn immer nur über eine ganze Periode integriert wird. Der Fehler, der ansonsten auftritt, führt zu einem massiv verringerten Störabstand und einem Verlust von bis zu 60dB Genauigkeit. Signal state of the trigger signal (STR) at the end or almost at the end of a transmission signal period (T p ) the integration then runs roughly from 0 to 2p over a transmission signal period (T p ). For example, it can easily be calculated that the integral of sin (o) cos (K>) only disappears if integration is only ever carried out over a whole period. The error that otherwise occurs leads to a massively reduced signal-to-noise ratio and a loss of up to 60dB accuracy.
F ig u r 6 Fig. 6
Figur 6 stellt dar, wann das Empfängerausgangssignal (SO) des Strahlungsempfängers (PD1) in Relation zur Aktivität der Pumpstrahlungsquelle (PL) ausgewertet wird. Hierbei soll ein Pegel von 0,5 des beispielhaften Messsignals (MES) bedeuten, dass das Empfängerausgangssignal (SO) des Strahlungsempfängers (PD1) positiv eingeht, und ein Pegel von -0,5 des beispielhaften Messsignals (M ES) bedeuten, dass das Empfängerausgangssignal (SO) des Strahlungsempfängers (PD1) negativ eingeht. Das in der Figur 5a gezeichnete Messsignal (MES) dient nur zur Erläuterung. In der FIG. 6 shows when the receiver output signal (SO) of the radiation receiver (PD1) is evaluated in relation to the activity of the pump radiation source (PL). Here, a level of 0.5 of the exemplary measurement signal (MES) should mean that the receiver output signal (SO) of the radiation receiver (PD1) is positive, and a level of -0.5 of the exemplary measurement signal (MES) means that the receiver output signal (SO) of the radiation receiver (PD1) is negative. The measurement signal (MES) shown in FIG. 5a serves only for explanation. In the
Realisierung des Vorschlags kann ggf. die technische Realisierung abweichen, ohne inhaltlich hinsichtlich des technischen Effekts abzuweichen. Implementation of the proposal may differ from the technical implementation without deviating in terms of content with regard to the technical effect.
Die Pumpstrahlungsquelle (PL) ist in dem Beispiel der Figur 5 zu ersten Zeiten (TI) aktiv, wenn das Sendesignal (S5) aktiv (=1) ist, und sendet dann Pumpstrahlung (LB) aus. Hier soll ein Wert von 1 bedeuten, dass Pumpstrahlung (LB) durch die Pumpstrahlungsquelle (PLI) ausgesendet wird. Ein Wert von 0 bedeutet, dass keine Pumpstrahlung (LB) durch die Pumpstrahlungsquelle (PLI) ausgesendet wird. Dies ist durch einen beispielhaften logischen Wert von 1 in der Figur 6 für die Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB) verdeutlicht. Die Pumpstrahlungsquelle (PL) ist in dem Beispiel der Figur 5 zu zweiten Zeiten (T2) nicht aktiv und sendet keine Pumpstrahlung (LB) aus. Dies ist durch einen beispielhaften logischen Wert von 0 in der Figur 6 für die Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB) verdeutlicht. In the example in FIG. 5, the pump radiation source (PL) is active at the first times (TI) when the transmission signal (S5) is active (= 1), and then emits pump radiation (LB). A value of 1 should mean here that pump radiation (LB) is emitted by the pump radiation source (PLI). A value of 0 means that no pump radiation (LB) is emitted by the pump radiation source (PLI). This is illustrated by an exemplary logic value of 1 in FIG. 6 for the intensity (1 pmp ) of the pump radiation (LB). In the example in FIG. 5, the pump radiation source (PL) is not active at second times (T2) and does not emit any pump radiation (LB). This is illustrated by an exemplary logic value of 0 in FIG. 6 for the intensity (1 pmp ) of the pump radiation (LB).
Die Pumpstrahlung (LB) bestrahlt zumindest teilweise das paramagnetische Zentrum (NV1) des Sensorelements. Daher emittiert das paramagnetische Zentrum (NV1) Fluoreszenzstrahlung (FL). Dies geschieht mit einer zeitlichen Verzögerung der Fluoreszenzphasenverschiebungszeit (ATFL). Bei einem NV-Zentrum in Diamant als paramagnetisches Zentrum (NV1) in einem Sensorelement liegt diese Verzögerung in Form der Fluoreszenzphasenverschiebungszeit (ATFL). in der Größenordnung von Ins. Daher ist das Signal der Intensität (lfl) der Fluoreszenzstrahlung (FL, FL1) zeitlich gegenüber dem Signal der Pumpstrahlung (LB) um eine Fluoreszenzphasenverschiebungszeit (ATFL) The pump radiation (LB) at least partially irradiates the paramagnetic center (NV1) of the sensor element. Therefore the paramagnetic center (NV1) emits fluorescent radiation (FL). This happens with a time delay of the fluorescence phase shift time (ATFL). With an NV center in diamond as the paramagnetic center (NV1) in a sensor element, this delay is in the form of the fluorescence phase shift time (ATFL). on the order of ins. Therefore, the signal of the intensity (l fl ) of the fluorescence radiation (FL, FL1) is temporally relative to the signal of the pump radiation (LB) by a fluorescence phase shift time (ATFL)
phasenverschoben. Die Fluoreszenzphasenverschiebungszeit (ATFL) hängt wie auch die out of phase. The fluorescence phase shift time (ATFL) depends as well as that
Fluoreszenzstrahlung (FL) an sich typischerweise von der magnetischen Flussdichte B und ggf. Fluorescence radiation (FL) itself typically depends on the magnetic flux density B and possibly
weiteren physikalischen Paramatern, wie Druck P, Temperatur q, Beschleunigung a, further physical parameters such as pressure P, temperature q, acceleration a,
Gravitationsfeldstärke g, elektrischer Feldstärke E, der Bestrahlung mit ionisierender Strahlung etc. ab. Die hier vorgestellten Sensorsysteme ermitteln daher als Werte ihrer Sensorausgangssignale (out) Messwerte, die den Werten dieser physikalischen Parameter entsprechen, wenn die Abhängigkeiten von anderen Parametern z.B. durch Abschirmungen reduziert werden. Gravitational field strength g, electric field strength E, exposure to ionizing radiation, etc. The sensor systems presented here therefore determine measured values as values of their sensor output signals (out) that correspond to the values of these physical parameters if the dependencies on other parameters are reduced, e.g. by shielding.
Das paramagnetische Zentrum (NV1) ist in dem Beispiel der Figur 6 somit zeitlich um die The paramagnetic center (NV1) in the example of FIG. 6 is thus around in time
Fluoreszenzphasenverschiebungszeit (ATFL) verschoben zu den ersten Zeiten (TI) aktiv und sendet dann erst die Fluoreszenzstrahlung (FL) aus, wobei die Pumpstrahlungsquelle (PLI) zu den ersten Zeiten aktiv ist. Dies ist durch einen beispielhaften, willkürlichen logischen Wert von 1 in der Figur 6 für die Intensität (lf|) der Fluoreszenzstrahlung (FL) beispielhaft verdeutlicht. Fluorescence phase shift time (ATFL) shifted to the first times (TI) active and only then emits the fluorescence radiation (FL), the pump radiation source (PLI) being active at the first times. This is exemplified by an exemplary, arbitrary logical value of 1 in FIG. 6 for the intensity (l f | ) of the fluorescence radiation (FL).
Das paramagnetische Zentrum (NV1) ist in dem Beispiel der Figur 6 somit zeitlich um die The paramagnetic center (NV1) in the example of FIG. 6 is thus around in time
Fluoreszenzphasenverschiebungszeit (ATFL) verschoben zu den zweiten Zeiten (T2) nicht aktiv und sendet dann keine Fluoreszenzstrahlung (FL) aus. Dies ist durch einen beispielhaften, willkürlichen logischen Wert von 0 in der Figur 6 für die Intensität (lf|) der Fluoreszenzstrahlung (FL) beispielhaft verdeutlicht. Fluorescence phase shift time (ATFL) shifted to the second times (T2) not active and then does not emit any fluorescence radiation (FL). This is exemplified by an exemplary, arbitrary logic value of 0 in FIG. 6 for the intensity (l f | ) of the fluorescence radiation (FL).
In dem Beispiel der Figuren 4 bis 6 erfolgt die Auswertung des Empfängerausgangssignals (SO) des Strahlungsempfängers (PD) zu den ersten Zeiten (TI). Das der Verdeutlichung dienende Messsignal (M ES) hat zu diesen ersten Zeiten (TI) den willkürlichen Wert 0,5. Daher kann bei Messsystemen mit diesem Zeitschema der Figur 6 eine Trennung des Signals der Pumpstrahlung (LB) vom Signal der Fluoreszenzstrahlung (FL) nur durch einen ersten Filter (Fl) oder durch eine Filterwirkung des Sensorelements mit den paramagnetischen Zentren (NV1) erreicht werden. In the example of FIGS. 4 to 6, the receiver output signal (SO) of the radiation receiver (PD) is evaluated at the first times (TI). The measurement signal (M ES) used for clarification has the arbitrary value 0.5 at these first times (TI). Therefore, with measuring systems with 6, a separation of the signal of the pump radiation (LB) from the signal of the fluorescence radiation (FL) can only be achieved by a first filter (F1) or by a filter effect of the sensor element with the paramagnetic centers (NV1).
In Figur 6 ist ein beispielhaftes Trigger-Signal (STR) eingezeichnet, das beispielhaft immer am Ende der Sendesignalperiode (Tp) vom ersten, inaktiven Signalzustand, hier beispielhaft mit dem Pegel 0 markiert, kurzzeitig in den zweiten, aktiven Signalzustand, hier beispielhaft mit dem Pegel 1 markiert, versetzt wird. In Figure 6 an exemplary trigger signal (STR) is shown, which is always at the end of the transmission signal period (T p ) from the first, inactive signal state, here for example marked with the level 0, briefly in the second, active signal state, here as an example the level 1 is marked.
Die Signale sind zur Verdeutlichung vereinfacht und nur schematisch mit beispielhaftem Pegeln gezeichnet. The signals are simplified for the sake of clarity and are only shown schematically with exemplary levels.
F ig u r 7 Fig. 7
Figur 7 zeigt ein beispielhaftes einfaches System für eine beispielhafte Teilfunktion einer integrierten Schaltung (IC) zum Betrieb der vorgestellten Sensorsysteme. Ein Signalgenerator (G) erzeugt wieder den Wechselanteil (S5w) des Sendesignals (S5). Die erste Anpassschaltung (OF1) erzeugt aus dem Wechselanteil (S5w) des Sendesignals (S5) das Sendesignal (S5) bevorzugt durch eine lineare Abbildung. Die erste Anpassschaltung (OF1) addiert ggf. einen Gleichanteil (S5g) des Sendesignals (S5) zu dem Wechselanteil (S5W) des Sendesignals (S5) und bildet so das eigentliche Sendesignal (S5). Ggf. verstärkt die erste Anpassschaltung (OF1) die Summe aus Gleichanteil (S5g) und FIG. 7 shows an exemplary simple system for an exemplary partial function of an integrated circuit (IC) for operating the sensor systems presented. A signal generator (G) again generates the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5). The first matching circuit (OF1) generates the transmission signal (S5) from the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5), preferably by means of a linear mapping. The first matching circuit (OF1) optionally adds a direct component (S5g) of the transmission signal (S5) to the alternating component (S5W) of the transmission signal (S5) and thus forms the actual transmission signal (S5). If necessary, the first matching circuit (OF1) amplifies the sum of the direct component (S5g) and
Wechselanteil (S5w) zum Sendesignal (S5). Alternating component (S5w) to the transmission signal (S5).
Die Pumpstrahlungsquelle (PLI) wandelt das Sendesignal (S5) in eine modulierte Pumpstrahlung (LB) um, die direkt oder wie zuvor beschrieben indirekt auf das Sensorelement mit dem paramagnetisch en Zentrum (NV) trifft. The pump radiation source (PLI) converts the transmission signal (S5) into a modulated pump radiation (LB) which hits the sensor element with the paramagnetic center (NV) directly or, as described above, indirectly.
Dort regt diese reflektierte Pumpstrahlung (LB) die paramagnetischen Zentren (NV1) im Material des Sensorelements zu Abgabe einer Fluoreszenzstrahlung (FL) an. Das erste Filter (Fl) lässt Strahlung mit der Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (l^) der Fluoreszenzstrahlung (FL) - z.B. 637nm bei NV- Zentren - passieren, während es die modulierte Pumpstrahlung (LB) aufgrund ihrer There, this reflected pump radiation (LB) excites the paramagnetic centers (NV1) in the material of the sensor element to emit fluorescence radiation (FL). The first filter (Fl) lets radiation with the fluorescence radiation wavelength (l ^) of the fluorescence radiation (FL) - e.g. 637nm at NV centers - pass, while the modulated pump radiation (LB) due to its
Pumpstrahlungswellenlänge (lrigir) nicht passieren lässt. Die Fluoreszenzstrahlung (FL) ist aufgrund des Wirkungspfades korreliert zur Pumpstrahlung (LB) moduliert. Die modulierte Pump radiation wavelength (l rigir ) does not let pass. The fluorescence radiation (FL) is modulated due to the path of action correlated to the pump radiation (LB). The modulated
Fluoreszenzstrahlung (FL) wird nach dem Passieren des ersten Filters (Fl) vom Strahlungsempfänger (PD) empfangen und in ein moduliertes Empfängerausgangssignal (SO) umgewandelt. Ggf. umfasst der Strahlungsempfänger (PD) weitere Verstärker und Filter. Ein erster Addierer (Al) subtrahiert ein Rückkoppelsignal (S6) von dem Empfängerausgangssignal (SO). Es ergibt sich das reduzierte Fluorescence radiation (FL) is emitted by the radiation receiver after passing through the first filter (Fl) (PD) and converted into a modulated receiver output signal (SO). The radiation receiver (PD) may include further amplifiers and filters. A first adder (A1) subtracts a feedback signal (S6) from the receiver output signal (SO). The result is the reduced one
Empfängerausgangssignal (Sl). Dieses reduzierte Empfängerausgangssignal (Sl) wird in einem Synchrondemodulator weiterverarbeitet. Dazu multipliziert ein erster Multiplizierer (Ml) das reduzierte Empfängerausgangssignal (Sl) mit dem Wechselanteil (S5w) des Sendesignals (S5) und bildet so das Filtereingangssignal (S3). In einem im Signalpfad nachfolgenden Schleifenfilter (TP) wird der Gleichanteil des Filtereingangssignals (S3) durchgelassen. Auf diese Weise bildet das Receiver output signal (Sl). This reduced receiver output signal (S1) is processed further in a synchronous demodulator. For this purpose, a first multiplier (Ml) multiplies the reduced receiver output signal (Sl) by the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) and thus forms the filter input signal (S3). The DC component of the filter input signal (S3) is let through in a loop filter (TP) following in the signal path. In this way that forms
Schleifenfilter (TP) das Filterausgangssignal (S4) als Ausgangssignal des Schleifenfilters (TP). Formal bildet der erste Multiplizierer (M l) und der Schleifenfilter (TP) ein Skalarprodukt als Signal aus dem reduzierten Empfängerausgangssignal (Sl) und dem Sendesignal (S5). Der Wert des Loop filter (TP) the filter output signal (S4) as the output signal of the loop filter (TP). Formally, the first multiplier (M l) and the loop filter (TP) form a scalar product as a signal from the reduced receiver output signal (S1) and the transmission signal (S5). The value of the
Filterausgangssignals (S4) gibt dann an, wieviel vom Sendesignal (S5) anteilig im reduzierten The filter output signal (S4) then indicates how much of the transmission signal (S5) is proportionately in the reduced
Empfängerausgangssignal (Sl) vorhanden ist. Dieses Filterausgangssignal (S4) kann man mit einem Fourier-Koeffizienten in seiner Funktion vergleichen. Ein zweiter Multiplizierer (M2) multipliziert das Filterausgangssignal (S4) mit dem Sendesignal (S5) und bildet so das Rückkoppelsignal (S6). Ist die Verstärkung v des Schleifenfilters (TP) sehr groß, so enthält das reduzierte Empfängerausgangssignal (Sl) typischerweise bis auf einen Regelfehler und ggf. einem Gleichanteil bei Stabilität keinen Anteil des Wechselanteils (S5w) des Sendesignals (S5) mehr. Der Wert des Filterausgangssignals (S4) ist dann ein Maß für die Intensität (lf|) der Fluoreszenzstrahlung (FL), die den Strahlungsempfänger (PD) erreicht. Dieses Empfängerausgangssignal (S4) wird dann bevorzugt als Sensorausgangssignal (out) über eine der Lead-Frame-Flächen des Gehäuses mittels eines Bond-Drahtes ausgegeben. Receiver output signal (Sl) is present. The function of this filter output signal (S4) can be compared with a Fourier coefficient. A second multiplier (M2) multiplies the filter output signal (S4) with the transmission signal (S5) and thus forms the feedback signal (S6). If the gain v of the loop filter (TP) is very high, the reduced receiver output signal (S1) typically no longer contains a proportion of the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) apart from a control error and possibly a constant component with stability. The value of the filter output signal (S4) is then a measure of the intensity (l f | ) of the fluorescent radiation (FL) that reaches the radiation receiver (PD). This receiver output signal (S4) is then preferably output as a sensor output signal (out) via one of the lead frame surfaces of the housing by means of a bond wire.
F ig u r 8 Fig. 8
Figur 8 entspricht der Figur 7. Die Figur 7 ist in der Figur 8 um die Halteschaltung (S&H) und das Trigger-Signal (STR) ergänzt. Die Figur 8 entspricht auch der Figur 5. Die Figur 5 ist um den zweiten Multiplizierer (M2) ergänzt. Der zweite Multiplizierer (M2) mischt das Sensorausgangssignal (out) mit dem Wechselanteil (S5w) des Sendesignals (S5) zum Rückkoppelsignal (S6). Das Rückkoppelsignal ist dabei bevorzugt komplementär zum Sendesignal (S5) gebildet. Dies kann durch Hinzunahme der Multiplikation mit einem geeigneten Vorzeichen und mit einer großen Verstärkung v und einem geeigneten Offset geschehen im Schleifenfilter (TP), was zur Vereinfachung nicht eingezeichnet ist, sondern nur durch den Kreis am Ausgang des Schleifenfilters (TP) symbolisiert wird. Das Rückkoppelsignal (S6) wird in dem ersten Addierer (Al) vom dem Empfängerausgangssignal (SO) abgezogen. Der erste Addierer (Al) bildet so das reduzierte Empfängerausgangssignal (Sl), dass als Eingangssignal für den ersten Multiplizierer (M l) anstelle des Empfängerausgangssignals (SO) in den Figuren 4 und 5 nun verwendet wird. Durch die komplementäre Gestaltung der Rückkopplung mittels des Rückkoppelsignals (S6) ergibt sich im eingeschwungenen Zustand der Regelung bevorzugt im Wesentlichen ein Gleichsignal als reduziertes Empfängerausgangssignal (Sl). Die Störungen durch die besagten Tiefpasseigenschaften der Pumpstrahlungsquelle (PLI), des Strahlungsempfängers (PD) und des paramagnetischen Zentrums können bei dieser Betrachtung zunächst vernachlässigt werden. FIG. 8 corresponds to FIG. 7. In FIG. 8, FIG. 7 is supplemented by the hold circuit (S&H) and the trigger signal (STR). FIG. 8 also corresponds to FIG. 5. FIG. 5 is supplemented by the second multiplier (M2). The second multiplier (M2) mixes the sensor output signal (out) with the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) to form the feedback signal (S6). The feedback signal is preferably formed complementary to the transmission signal (S5). This can be done in the loop filter (TP) by adding the multiplication with a suitable sign and with a large gain v and a suitable offset, which is not shown for the sake of simplicity, but is only symbolized by the circle at the output of the loop filter (TP). The The feedback signal (S6) is subtracted from the receiver output signal (SO) in the first adder (A1). The first adder (A1) forms the reduced receiver output signal (S1) in such a way that it is now used as the input signal for the first multiplier (M l) instead of the receiver output signal (SO) in FIGS. 4 and 5. Due to the complementary design of the feedback by means of the feedback signal (S6), in the steady state of the control there is preferably essentially a constant signal as a reduced receiver output signal (S1). The disturbances caused by the said low-pass properties of the pump radiation source (PLI), the radiation receiver (PD) and the paramagnetic center can initially be neglected in this consideration.
Bevorzugt setzt der Signalgenerator (G) das Trigger-Signal (STR) dann in einen zweiten, aktiven Signalzustand, sodass die Bedingung F[S5w]=0 erfüllt ist. Ist der Wechselanteil (S5w) des The signal generator (G) then preferably sets the trigger signal (STR) to a second, active signal state so that the condition F [S5w] = 0 is met. If the change portion (S5w) of the
Sendesignals (S5) beispielsweise ein PWM-Signal mit einem 50% Tastverhältnis und mit einer PWM- Periode von einer Sendesignalperiode (Tp) des Wechselanteils (S5w) des Sendesignals (S5), so setzt der Signalgenerator (G) das Trigger-Signal (STR) bevorzugt kurz vor Ende der Sendesignalperiode (Tp) bevorzugt für eine Dauer von beispielsweise 2% der zeitlichen Dauer der Sendesignalperiode (Tp) in den zweiten, aktiven Signalzustand und ansonsten in den ersten, inaktiven Signalzustand. Transmission signal (S5), for example, a PWM signal with a 50% duty cycle and with a PWM period of one transmission signal period (T p ) of the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5), the signal generator (G) sets the trigger signal ( STR) preferably shortly before the end of the transmission signal period (T p ), preferably for a duration of, for example, 2% of the time duration of the transmission signal period (T p ) in the second, active signal state and otherwise in the first, inactive signal state.
Die Flalteschaltung (S&FI) (englisch Sample&Flold) speichert den während der Phase des sich im ersten, inaktiven Signalzustand befindenden Trigger-Signals (STR) den zuletzt im zweiten, aktiven Signalzustand des Trigger-Signals (STR) anliegenden Wert des Flalteschaltungeingangssignals (S10) für die Dauer des nachfolgend anliegenden ersten, inaktiven Signalzustands des Trigger-Signals (STR).The folded circuit (S&FI) (English Sample & Flold) stores the value of the folded circuit input signal (S10) that was last in the second, active signal state of the trigger signal (STR) during the phase of the trigger signal (STR) in the first, inactive signal state the duration of the following first, inactive signal state of the trigger signal (STR).
Erst mit dem Übergang des Trigger-Signals (STR) vom ersten, inaktiven Signalzustand in den zweiten, aktiven Signalzustand des Trigger-Signals (STR) wird typischerweise die Flalteschaltung (S&FI) wieder transparent und das Filterausgangssignal (S4) und damit das Sensorausgangssignal (out) folgt dann typischerweise in dieser Phase eines im zweiten, aktiven Signalzustand befindlichen Trigger-Signals (STR) dem Halteschaltungseingangssignal (S10). Mit dem Übergang des Trigger-Signals (STR) vom zweiten, aktiven Signalzustand in den ersten, inaktiven Signalzustand friert die Halteschaltung (S&H) den Pegel des Filterausgangssignals (S4) und damit des Sensorausgangssignals (out) ein, bis wieder ein Übergang vom ersten, inaktiven Signalzustand in den zweiten, aktiven Signalzustand des Trigger- Signals (STR) eintritt. F ig u r 9 Only with the transition of the trigger signal (STR) from the first, inactive signal state to the second, active signal state of the trigger signal (STR), does the folded circuit (S&FI) become transparent again and the filter output signal (S4) and thus the sensor output signal (out ) then typically follows the holding circuit input signal (S10) in this phase of a trigger signal (STR) in the second, active signal state. With the transition of the trigger signal (STR) from the second, active signal state to the first, inactive signal state, the hold circuit (S&H) freezes the level of the filter output signal (S4) and thus of the sensor output signal (out) until a transition from the first, inactive signal state enters the second, active signal state of the trigger signal (STR). Fig. 9
Figur 9 zeigt das System der Figur 8 mit dem Unterschied, dass die Rückspeisung des Figure 9 shows the system of Figure 8 with the difference that the recovery of the
Rückkoppelsignals (S6) nun nicht über einen ersten Addierer (Al) elektrisch erfolgt, sondern über eine Referenzrauschquelle, um einen Dicke-Verstärker zu realisieren. Als Referenzrauschquelle agiert hier eine Kompensationsstrahlungsquelle (PLK), die eine Kompensationsstrahlung (KS) mit einer Kompensationsstrahlungswellenlänge (l^) abstrahlt. Die Kompensationsstrahlung (KS) bestrahlt den Strahlungsempfänger (PD) typischerweise summierend überlagernd mit der Fluoreszenzstrahlung (FL) des paramagnetischen Zentrums (NV1) oder der paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der Gruppe oder Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) des Sensorelements. The feedback signal (S6) is now not carried out electrically via a first adder (A1), but via a reference noise source in order to implement a thickness amplifier. A compensation radiation source (PLK) acts here as the reference noise source, which emits a compensation radiation (KS) with a compensation radiation wavelength (l ^). The compensation radiation (KS) irradiates the radiation receiver (PD), typically summing up with the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) of the sensor element.
Für die Rückkopplung wird der Pegel und der Offset des Rückkopplungssignals (S6) durch eine zweite Anpassschaltung (OF2) geeignet, typischerweise durch eine lineare Abbildung (s7=al*s6+s70) angepasst. Hierbei sind s7 der aktuelle Wert des gebildeten Kompensationssendesignals (S7), al eine reelle Konstante und s70 ein reeller feststehender und/oder einstellbarer Offsetwert. Es ergibt sich das Kompensationssendesignal (S7) als Ausgangssignal der zweiten Anpassschaltung (OF2). Es wird hier vorgeschlagen, mit diesem Kompensationssendesignal (S7) die Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) als Referenzrauschquelle des Dicke-Verstärkers zu betreiben. Die For the feedback, the level and the offset of the feedback signal (S6) are suitably adapted by a second matching circuit (OF2), typically by a linear mapping (s7 = a1 * s6 + s7 0 ). Here, s7 is the current value of the generated compensation transmission signal (S7), al is a real constant and s7 0 is a real, fixed and / or adjustable offset value. The result is the compensation transmission signal (S7) as the output signal of the second matching circuit (OF2). It is proposed here to operate the compensation radiation source (PLK) as a reference noise source of the thickness amplifier with this compensation transmission signal (S7). The
Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) strahlt dann mit ihrer Kompensationsstrahlung (KS) über eine dritte, vorzugsweise bekannte Übertragungsstrecke (13) in den Strahlungsempfänger (PD) vorzugsweise überlagernd und summierend zur Fluoreszenzstrahlung (FL) der paramagnetischen Zentren (NV1) ein. Um die Subtraktion des Rückkoppelsignals (S6) der Figur 8 zu reproduzieren, wird nun vorgesehen, dass der dem Wechselanteil (S5w) des Sendesignals (S5) entsprechende Compensation radiation source (PLK) then radiates its compensation radiation (KS) via a third, preferably known transmission path (13) into the radiation receiver (PD), preferably superimposing and adding to the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic centers (NV1). In order to reproduce the subtraction of the feedback signal (S6) of FIG. 8, it is now provided that the component corresponding to the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5)
Wechselanteil (S7w) des Kompensationssendesignals (S7) mit einem negativen Faktor multipliziert ist. Dies kann beispielsweise dadurch erreicht werden, dass der Ausgang des Schleifenfilters (TP) invertierend verstärkend ausgeführt wird. Es kommt also ausdrücklich nicht darauf an, an welcher Stelle diese Inversion im Regelkries ausgeführt wird, sondern nur, dass sie überhaupt stattfindet, um Stabilität im Regelkreis zu erreichen. In diesem Zusammenhang kann diese Ausbildung des komplementären Charakters auch durch Modifikation des im zweiten Multiplexer (M2) mit dem Filterausgangssignal (S4) gemischten Signals erfolgen. Wenn wir beispielsweise annehmen, dass der Wert (s5w) des Wechselanteils (S5w) des Sendesignals (S5) zwischen 0,5 und -0,5 schwankt, so kann beispielsweise ein zum Wechselanteil (S5w) des Sendesignals (S5) komplementärer Wechselanteil (S5c) des Sendesignals (S5) durch Multiplikation mit -1 durch eine dritte Anpassschaltung (OF3) erzeugt werden. Es gilt dann bevorzugt für den Wert (s5w) des Wechselanteils (S5w) des AC component (S7w) of the compensation transmission signal (S7) is multiplied by a negative factor. This can be achieved, for example, by designing the output of the loop filter (TP) to be inverting and amplifying. It is therefore expressly not a matter of where this inversion is carried out in the control loop, but only that it takes place at all in order to achieve stability in the control loop. In this context, this development of the complementary character can also take place by modifying the signal mixed with the filter output signal (S4) in the second multiplexer (M2). If we assume, for example, that the value (s5w) of the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) fluctuates between 0.5 and -0.5, for example an alternating component (S5c ) the transmission signal (S5) by multiplying by -1 by a third matching circuit (OF3) be generated. It then preferably applies to the value (s5w) of the alternating component (S5w) des
Sendesignals (S5) und für den Wert (s5c) des komplementären Sendesignals (S5c) im Wesentlichen die Gleichung s5w+s5c=0, wobei hier„im Wesentlichen bedeutet", dass die Summe um einen Betrag von bis zu 10%, besser sehr viel weniger, des Betrags der Amplitude des Wechselanteils (S5w) des Sendesignals (S5) von dem Wert 0 abweichen kann. Bei der Ausarbeitung wurden Werte der Abweichung von weniger als IO 4 benutzt. Transmission signal (S5) and for the value (s5c) of the complementary transmission signal (S5c) essentially the equation s5w + s5c = 0, where "essentially" means here that the sum increases by an amount of up to 10%, better a lot less, the amount of the amplitude of the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) can deviate from the value 0. In the elaboration, values of the deviation of less than IO 4 were used.
Darüber hinaus sollte sichergestellt werden, dass die Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) keine Strahlung in den Strahlen- und Signalpfad der Pumpstrahlungsquelle (PLI) einspeist. In addition, it should be ensured that the compensation radiation source (PLK) does not feed any radiation into the radiation and signal path of the pump radiation source (PLI).
Bevorzugt ist die Vorrichtung zu diesem Zweck mit einer ersten Barriere (BAI) versehen, die verhindert, dass die Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) die paramagnetischen Zentren (NV1) im Material des Sensorelements bestrahlen und damit zur Abgabe einer Fluoreszenzstrahlung (FL) anregen kann. Es handelt sich also um eine erste Barriere (BAI) für elektromagnetische Strahlung und/oder Licht. Dies ist dann von besonderer Wichtigkeit, wenn die Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) um eine perfekte Referenzrauschquelle sein zu können, baugleich zur Pumpstrahlungsquelle (PLI) ausgeführt wird. For this purpose, the device is preferably provided with a first barrier (BAI) which prevents the compensation radiation source (PLK) from irradiating the paramagnetic centers (NV1) in the material of the sensor element and thus stimulating them to emit fluorescent radiation (FL). It is therefore a first barrier (BAI) for electromagnetic radiation and / or light. This is of particular importance if the compensation radiation source (PLK) is designed to be identical to the pump radiation source (PLI) in order to be able to be a perfect reference noise source.
Bevorzugt ist die Vorrichtung mit einer zweiten Barriere (BA2) versehen, die verhindert, dass die Pumpstrahlungsquelle (PLI) den Strahlungsempfänger (PD) direkt mit Pumpstrahlung (LB) bestrahlen kann. Es handelt sich also auch hier um eine zweite Barriere (BA2) für elektromagnetische Strahlung und/oder Licht. Aus regelungstechnischen Gründen kann eine gewisse direkte Bestrahlung in sehr geringem Umfang aber ggf. gewünscht sein, um den Fangbereich der Regelung zu verbessern. The device is preferably provided with a second barrier (BA2) which prevents the pump radiation source (PLI) from being able to irradiate the radiation receiver (PD) directly with pump radiation (LB). This is also a second barrier (BA2) for electromagnetic radiation and / or light. For control reasons, a certain amount of direct irradiation may be required to a very limited extent, in order to improve the control's capture range.
Insofern ist es denkbar, z.B. durch Blendenöffnungen und/oder dämpfende Filter eine solche optische Grundkopplung zu zulassen. Die Grundkopplung kann allerdings auch elektronisch erreicht werden. Hierzu verweisen wir auf die US 8 766 154 B2, deren technische Lehre in Kombination mit der hier vorgestellten technischen Lehre vollumfänglicher Teil dieser Offenlegung ist, soweit bei der späteren Nationalisierung dieser Anmeldung das in dem Rechtssystem des betreffenden Staates, in dem die Nationalisierung erfolgt zulässig ist. In this respect, it is conceivable to allow such a basic optical coupling, e.g. by means of aperture openings and / or damping filters. The basic coupling can, however, also be achieved electronically. In this regard, we refer to US Pat. No. 8,766,154 B2, the technical teaching of which, in combination with the technical teaching presented here, is a full part of this disclosure, insofar as this is permissible in the legal system of the relevant state in which the nationalization takes place when this application is later nationalized .
Figu r 10 Fig. 10
In analoger Weise zum Unterschied von Figur 7 zu Figur 8 zeigt Figur 10 das System der Figur 9 ergänzt um die Halteschaltung (S&H) und das Trigger-Signal (STR). An dieser Stelle sei auf die Ausführungen zur Halteschaltung (S&H) im Text zu Figur 6 verwiesen, die hier ebenfalls gelten. Figu r 11 In a manner analogous to the difference between FIG. 7 and FIG. 8, FIG. 10 shows the system of FIG. 9 supplemented by the hold circuit (S&H) and the trigger signal (STR). At this point, reference is made to the statements on the hold circuit (S&H) in the text of FIG. 6, which also apply here. Fig. 11
Figur 11 zeigt ein beispielhaftes Signalschema passend zu den Figuren 9 und 10 mit beispielhaften Pegeln zur Verdeutlichung, die vollkommen willkürlich gewählt sind In der Realität dürften sich andere Pegel einstellen, die von den gewählten Verstärkungen, Offsets etc. abhängen. Auch die Signalformen sind rein beispielhaft. Die Signale sind zur Verdeutlichung vereinfacht und nur schematisch gezeichnet. FIG. 11 shows an exemplary signal scheme corresponding to FIGS. 9 and 10 with exemplary levels for clarification that are selected completely arbitrarily. In reality, other levels are likely to occur that depend on the selected gains, offsets, etc. The signal forms are also purely exemplary. The signals are simplified for clarity and only shown schematically.
Figu r 12 Fig. 12
Die Figur 12 entspricht im Wesentlichen der Figur 9. Im Unterschied zur Figur 9 wird nun jedoch nicht die Intensität (1^) der Kompensationsstrahlung (KS) der Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) geregelt und die Intensität (1^) der Pumpstrahlung (LB) der Pumpstrahlungsquelle (PLK) konstant gehalten, sondern es wird die Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB) der Pumpstrahlungsquelle (PLI) geregelt und die Intensität (lks) der Kompensationsstrahlung (KS) der FIG. 12 essentially corresponds to FIG. 9. In contrast to FIG. 9, however, the intensity (1 ^) of the compensation radiation (KS) of the compensation radiation source (PLK) and the intensity (1 ^) of the pump radiation (LB) of the pump radiation source are not regulated (PLK) kept constant, but the intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB) of the pump radiation source (PLI) and the intensity (l ks ) of the compensation radiation (KS) of the
Kompensationsstrahlungsquelle(PLK) konstant gehalten. Compensation radiation source (PLK) kept constant.
Figur 12 dient zum Verdeutlichen des Verfahrens bei optischer Kompensation über eine geregelte Kompensationsstrahlungsquelle (PLK). Das Sensorsystem umfasst wieder ein paramagnetisches Zentrum (NV1) oder mehrere paramagnetische Zentren (NV1) oder eine oder mehrere Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) im Material eines Sensorelements, das Teil des FIG. 12 serves to illustrate the method in the case of optical compensation via a regulated compensation radiation source (PLK). The sensor system again comprises a paramagnetic center (NV1) or several paramagnetic centers (NV1) or one or more groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) in the material of a sensor element that is part of the
Sensorsystems ist. Das Sensorsystem arbeitet dann beispielsweise so, dass der Signalgenerator (G) einen Wechselanteil (S7w) des Kompensationssendesignals (S7) erzeugt. Bevorzugt weist der Wechselanteil (S7w) des Kompensationssendesignal (S7) eine Kompensationssendeperiode auf, die typischerweise gleich der Sendesignalperiode (Tp) ist. Eine zweite Anpassschaltung (OF2) versieht den Wechselanteil (S7w) des Kompensationssendesignals (S7) mit einem Gleichanteil (S7g) des Sensor system is. The sensor system then works, for example, in such a way that the signal generator (G) generates an alternating component (S7w) of the compensation transmission signal (S7). The alternating component (S7w) of the compensation transmission signal (S7) preferably has a compensation transmission period which is typically equal to the transmission signal period (T p ). A second matching circuit (OF2) provides the alternating component (S7w) of the compensation transmission signal (S7) with a direct component (S7g) of the
Kompensationssendesignals (S7) sodass für die zugehörigen Momentanwerte gilt: s7=s7w+s7g. Compensation transmission signal (S7) so that the following applies to the associated instantaneous values: s7 = s7w + s7g.
Eine vierte Anpassschaltung (OF4) erzeugt bevorzugt aus dem Wechselanteil (S7w) des A fourth matching circuit (OF4) preferably generates from the alternating component (S7w) of the
Kompensationssendesignals (S7) den komplementären Wechselanteil (S7c) des Compensation transmission signal (S7) the complementary alternating component (S7c) of the
Kompensationssendesignals (S7), sodass für die entsprechenden Momentanwerte typischerweise und bevorzugt gilt: s7w+s7c=0. Compensation transmission signal (S7), so that the following typically and preferably applies to the corresponding instantaneous values: s7w + s7c = 0.
Mittels dieses Kompensationssendesignals (S7) erfolgt ein moduliertes Aussenden einer modulierten Kompensationsstrahlung (KS) durch die moduliert betriebene Kompensationsstrahlungsquelle (PLK). Eine modulierte Fluoreszenzstrahlung (FL) wird mittels eines paramagnetischen Zentrums (NV1) in einem Material eines Sensorelements durch eine modulierte Pumpstrahlung (LB) verursacht. Der Ursprung der modulierten Pumpstrahlung (LB) wird in diesem Anschnitt später beschrieben. Im Strahlungsempfänger (PD) erfolgt ein vorzugsweise linear summierend überlagerndes Empfangen der modulierten Fluoreszenzstrahlung (FL) und der modulierten Kompensationsstrahlung (KS) und das Erzeugen eines Empfängerausgangssignals (SO), dass von der empfangenen Gesamtintensität der Intensität (lfl) der Fluoreszenzstrahlung (FL) und der Intensität (lks) der Kompensationsstrahlung (KS) bevorzugt zumindest um den Arbeitspunkt herum linear abhängt. Ist die im Folgenden beschriebene Regelung bei Abwesenheit von Störern eingeschwungen, so enthält das Empfängerausgangssignal (SO) bevorzugt abgesehen von ggf. vorhandenen Gleichanteilen keine Modulation mehr in Form von Signalanteilen des Empfängerausgangssignals (SO), die mit dem Wechselanteil (S7w) des By means of this compensation transmission signal (S7) there is a modulated transmission of a modulated compensation radiation (KS) by the compensation radiation source (PLK) operated in a modulated manner. A modulated fluorescence radiation (FL) is caused by a paramagnetic center (NV1) in a material of a sensor element by a modulated pump radiation (LB). The origin of the modulated pump radiation (LB) is described later in this section. In the radiation receiver (PD), the modulated fluorescence radiation (FL) and the modulated compensation radiation (KS) are preferably received in a linearly summing manner and a receiver output signal (SO) is generated that depends on the received total intensity of the intensity (l fl ) of the fluorescence radiation (FL) and the intensity (l ks ) of the compensation radiation (KS) is preferably linearly dependent at least around the operating point. If the control described in the following has settled in the absence of interferers, the receiver output signal (SO) preferably no longer contains any modulation in the form of signal components of the receiver output signal (SO) that match the alternating component (S7w) of the
Kompensationssendesignals (S7) korrelieren. Es wird sodann eine Korrelation des Correlate compensation transmission signal (S7). A correlation of the
Empfängerausgangssignals (SO) mit dem modulierten Kompensationssendesignal (S7), insbesondere unter Zuhilfenahme eines Synchrondemodulators, und die Bildung eines Ausgangssignals (out) durchgeführt, um den entsprechend dem Wechselanteil (S7w) des Kompensationssendesignals (S7) modulierten Anteil im Empfängerausgangssignal (SO) zu detektieren und dann mittels des Receiver output signal (SO) with the modulated compensation transmission signal (S7), in particular with the aid of a synchronous demodulator, and the formation of an output signal (out) is carried out in order to detect the component in the receiver output signal (SO) that is modulated according to the alternating component (S7w) of the compensation transmission signal (S7) and then using the
Sendesignals (S5) und in Folge dessen mittels der Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB) und daraus folgend der Intensität (lfl) der Fluoreszenzstrahlung (FL) zu kompensieren. Das vorgeschlagene Alternativverfahren umfasst das Erzeugen eines mit dem Kompensationssendesignal (S7) modulierten Sendesignals (S5) mit Hilfe des Filterausgangssignals (S4) und somit mittels des To compensate for the transmission signal (S5) and consequently by means of the intensity (I pmp ) of the pump radiation (LB) and, consequently, the intensity (I fl ) of the fluorescent radiation (FL). The proposed alternative method comprises generating a transmission signal (S5) modulated with the compensation transmission signal (S7) using the filter output signal (S4) and thus using the
Sensorausgangssignals (out). Dabei hängt das Sensorausgangssignal (out) von der Intensität der Korrelation der Modulation der Fluoreszenzstrahlung (FL) mit dem Kompensationssendesignal (S7) ab. Sensor output signal (out). The sensor output signal (out) depends on the intensity of the correlation between the modulation of the fluorescence radiation (FL) and the compensation transmission signal (S7).
Die Korrelation erfolgt bevorzugt mit den Schritten The correlation is preferably carried out with the steps
• Multiplikation des Empfängerausgangssignals (SO) mit dem Wechselanteil (S7w) des • Multiplication of the receiver output signal (SO) with the alternating component (S7w) of the
Kompensationssendesignals (S7) zum Filtereingangssignal (S3); Compensation transmission signal (S7) for the filter input signal (S3);
• Filtern des Filtereingangssignals (S3) mit einem Schleifenfilter (TP) zum Filterausgangssignal (S4); • Filtering the filter input signal (S3) with a loop filter (TP) to the filter output signal (S4);
• Multiplikation des Filterausgangssignals (S4) mit dem komplementären Wechselanteil (S7c) des Kompensationssendesignals (S7) zum Rückkoppelsignal (S8); • Multiplication of the filter output signal (S4) with the complementary alternating component (S7c) of the compensation transmission signal (S7) to form the feedback signal (S8);
• Bilden des Sendesignals (S5) aus dem Rückkoppelsignal (S8); • Ansteuern einer Pumpstrahlungsquelle (PLI) mit dem Sendesignal (S5); • Forming the transmission signal (S5) from the feedback signal (S8); • Controlling a pump radiation source (PLI) with the transmission signal (S5);
• Aussenden einer Pumpstrahlung (LB) durch die Pumpstrahlungsquelle (PLI) in Abhängigkeit von dem Sendesignal (S5); • Sending a pump radiation (LB) by the pump radiation source (PLI) as a function of the transmission signal (S5);
• Verwendung des Filterausgangssignals (S4) zur Bildung des Ausgangssignals (out), wobei das Ausgangssignal (out) im Sinne dieses Merkmals gleich dem Filterausgangssignal (S4) sein kann. • Use of the filter output signal (S4) to generate the output signal (out), whereby the output signal (out) for the purposes of this feature can be the same as the filter output signal (S4).
Soll für die Rücktransformation kein komplementärer Wechselanteil (S7c) des Should no complementary change component (S7c) of the
Kompensationssendesignals (S7), sondern der Wechselanteil (S7w) des Kompensationssendesignals (S7) verwendet werden, also die vierte Anpassschaltung (OF4) entfallen, so sollte der Schleifenfilter (TP) das Filterausgangssignal (S4) so bilden, dass es mit einem Faktor -1 multipliziert ist. Compensation transmission signal (S7), but the alternating component (S7w) of the compensation transmission signal (S7) are used, i.e. the fourth matching circuit (OF4) is omitted, the loop filter (TP) should form the filter output signal (S4) so that it has a factor of -1 is multiplied.
Die erste Anpassschaltung (OF1) bildet das Sendesignal (S5) aus dem Rückkoppelsignal (S8) durch eine bevorzugt lineare Abbildung analog zur Funktion der zweiten Anpassschaltung (OF2) in den Figuren 9 und 10. The first matching circuit (OF1) forms the transmission signal (S5) from the feedback signal (S8) by means of a preferably linear mapping analogous to the function of the second matching circuit (OF2) in FIGS. 9 and 10.
Das Prinzip der Regelung dieser Figur 12 über die Pumpstrahlungsquelle (PLI) statt der Regelung über die Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) kann auch auf die anderen Sensorsysteme dieser Schrift angewendet werden, bei denen eine Regelung über die Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) erfolgt. Diese sind somit ausdrücklich von der Beanspruchung und Offenbarung umfasst. The principle of regulation in FIG. 12 using the pump radiation source (PLI) instead of regulation using the compensation radiation source (PLK) can also be applied to the other sensor systems in this document, in which regulation takes place using the compensation radiation source (PLK). These are therefore expressly included in the claim and disclosure.
Die Regelprinzipien der Figuren 9 und 12 können auch miteinander kombiniert werden. Bevorzugt erfolgt bei einer sehr hohen Intensität (lfl) und einem hohen Kontrast (KT) der Fluoreszenzstrahlung (FL) die Regelung des Regelkreises über eine Regelung der Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB). Umgekehrt erfolgt bei einer niedrigen Intensität (lfl) oder einem niedrigen Kontrast (KT) der Fluoreszenzstrahlung (FL) die Regelung des Regelkreises über eine Regelung der Intensität (l s) der Kompensationsstrahlung (KS) bei maximaler Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB). The control principles of FIGS. 9 and 12 can also be combined with one another. In the case of a very high intensity (I fl ) and a high contrast (KT) of the fluorescence radiation (FL), the control loop is preferably regulated by regulating the intensity (I pmp ) of the pump radiation (LB). Conversely, with a low intensity (l fl ) or a low contrast (KT) of the fluorescence radiation (FL), the control circuit is regulated by regulating the intensity (l s ) of the compensation radiation (KS) at maximum intensity (l pmp ) of the pump radiation ( LB).
F ig u r 13 Fig. 13
Figur 13 zeigt ein beispielhaftes Signalschema passend zu Figur 12 mit beispielhaften Pegeln zur Verdeutlichung, wobei die Pegel vollkommen willkürlich gewählt sind In der Realität dürften sich andere Pegel einstellen, die von den gewählten Verstärkungen, Offsets etc. abhängen. Auch die Signalformen sind rein beispielhaft. Die Signale sind zur Verdeutlichung vereinfacht und nur schematisch gezeichnet. Figu r 14 FIG. 13 shows an exemplary signal scheme corresponding to FIG. 12 with exemplary levels for clarification, the levels being chosen completely arbitrarily. In reality, other levels are likely to occur which depend on the selected gains, offsets, etc. The signal forms are also purely exemplary. The signals are simplified for clarity and only shown schematically. Fig. 14
Figur 14 entspricht der Figur 12 mit dem Unterschied, dass wieder eine Halteschaltung (S&H) eingefügt ist, die mittels eines Trigger-Signals (STR) durch den Signalgenerator (G) gesteuert wird. FIG. 14 corresponds to FIG. 12 with the difference that a hold circuit (S&H) is again inserted, which is controlled by the signal generator (G) by means of a trigger signal (STR).
Auf die Ausführungen zu Figur 8 und Figur 10 wird hier verwiesen. Reference is made here to the statements relating to FIG. 8 and FIG. 10.
Figu r 15 Fig. 15
Die Figur 15 entspricht weitestgehend der Figur 10. Im Unterschied zur Figur 10 ist nun die FIG. 15 largely corresponds to FIG. 10. In contrast to FIG
Kompensationsstrecke anders ausgeführt. Bevorzugt ist in dieser Variante die Compensation section designed differently. In this variant is preferred
Kompensationsstrahlungsquelle (PKL) gleich der Pumpstrahlungsquelle (PLI) ausgeführt, um einen Dicke-Verstärker zu realisieren. Beispielsweise kann es sich bei der Pumpstrahlungsquelle (PLI) um eine Laser-Diode der Fa. Osram vom Typ PLT5 520B handeln und bei dem Compensation radiation source (PKL) designed like the pump radiation source (PLI) in order to realize a thickness amplifier. For example, the pump radiation source (PLI) can be a laser diode from Osram of the PLT5 520B type and the
Kompensationsstrahlungssender (PKL) ebenfalls um eine Laser-Diode der Fa. Osram vom Typ PLT5 520B handeln. Bevorzugt sind die Kompensationsstrahlungsquelle (PKL) und die Compensation radiation transmitter (PKL) also involve a laser diode from Osram of the type PLT5 520B. The compensation radiation source (PKL) and the
Pumpstrahlungsquelle (PLI) thermisch gekoppelt. Bevorzugt befinden sich daher zu diesem Zweck die Pumpstrahlungsquelle (PLI) und die Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) auf dem gleichen Hableitersubstrat oder auf einer gemeinsamen Wärmesenke oder einem gemeinsamen thermisch gut leitenden Träger. Bevorzugt weisen die Pumpstrahlungsquelle (PLI) und die Pump radiation source (PLI) thermally coupled. For this purpose, the pump radiation source (PLI) and the compensation radiation source (PLK) are therefore preferably located on the same semiconductor substrate or on a common heat sink or a common, thermally highly conductive carrier. The pump radiation source (PLI) and the
Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) im Falle der Realisierung auf einem gemeinsamen Compensation radiation source (PLK) in the case of implementation on a common
Halbleitersubstrat einen gemeinsamen Bezugspotenzialanschluss auf. Bevorzugt strahlt nun in dieser Variante auch die Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) die Kompensationsstrahlung (KS) nicht direkt in den Strahlungsempfänger (PD) wie in Figur 10 ein. Stattdessen dient die Kompensationsstrahlung (KS) als Pumpstrahlung für ein zusätzliches Referenzsensorelement mit zusätzlichen Semiconductor substrate on a common reference potential connection. In this variant, the compensation radiation source (PLK) also preferably does not radiate the compensation radiation (KS) directly into the radiation receiver (PD) as in FIG. Instead, the compensation radiation (KS) serves as pump radiation for an additional reference sensor element with additional ones
paramagnetischen Referenzzentren (NV2). Bevorzugt handelt es sich bei den paramagnetischen Referenzzentren (NV2) um NV-Zentren in Diamant. Bevorzugt umfasst das Referenzsensorelement einen oder mehrere Diamanten mit einem oder mehreren Referenz-NV-Zentren, also NV-Zentren, als paramagnetische Referenzzentren (NV2). paramagnetic reference centers (NV2). The paramagnetic reference centers (NV2) are preferably NV centers in diamond. The reference sensor element preferably comprises one or more diamonds with one or more reference NV centers, that is to say NV centers, as paramagnetic reference centers (NV2).
Um nun einen magnetischen Fluss B erfassen zu können ist es sinnvoll, wenn die paramagnetischen Referenzzentren (NV2) des Referenzsensorelements durch eine Abschirmung (AS) oder In order to be able to detect a magnetic flux B, it makes sense if the paramagnetic reference centers (NV2) of the reference sensor element are covered by a shield (AS) or
funktionsäquivalente Maßnahmen oder Vorrichtungssteile von der magnetischen Flussdichte B abgeschirmt sind. Letztlich ist diese Abschirmung jedoch nicht erforderlich, wenn die functionally equivalent measures or device parts are shielded from the magnetic flux density B. Ultimately, however, this shielding is not required if the
paramagnetischen Referenzzentren (NV2) des Referenzsensorelements einer anderen magnetischen Flussdichte B ausgesetzt sind als die paramagnetischen Zentren (NV1) des Sensorelements. In jedem Fall wird die Differenz der Beträge der magnetischen Flussdichte B am Ort des oder der paramagnetic reference centers (NV2) of the reference sensor element of another magnetic Flux density B are exposed as the paramagnetic centers (NV1) of the sensor element. In any case, the difference in the magnitudes of the magnetic flux density B at the location of the
paramagnetischen Zentren (NV1) und am Ort des oder der paramagnetischen Referenzzentren (NV2) erfasst uns als Sensorausgangssignal (out) ausgegeben. paramagnetic centers (NV1) and at the location of the paramagnetic reference center (s) (NV2) recorded and output as a sensor output signal (out).
Die paramagnetischen Referenzzentren (NV2) wandeln im Beispiel der Figur 15 die The paramagnetic reference centers (NV2) convert in the example of FIG
Kompensationsstrahlung (KS) der Kompensationsstrahlungsquelle (PLK), die eine Compensation radiation (KS) of the compensation radiation source (PLK), the one
Kompensationsstrahlungswellenlänge (l^) besitzt, in eine Kompensationsfluoreszenzstrahlung (KFL) um, deren Intensität (lkf|) von der Intensität der Bestrahlung der paramagnetischen Referenzzentren (NV2) mit Kompensationsstrahlung (KS) abhängt. Bevorzugt ist die Natur der paramagnetischen Referenzzentren (NV2) gleich der Natur der paramagnetischen Zentren (NV1), um einer idealen Referenzrauschquelle im Sinne des Dicke-Prinzips nahe zu kommen. Somit ist eine besonders bevorzugte Ausführung die, dass die paramagnetischen Zentren (NV1) NV-Zentren in Diamant sind und dass die paramagnetischen Referenzzentren (NV2) bevorzugt ebenfalls NV-Zentren in Diamant sind. Compensation radiation wavelength (l ^) into a compensation fluorescence radiation (KFL), the intensity (l kf | ) of which depends on the intensity of the irradiation of the paramagnetic reference centers (NV2) with compensation radiation (KS). The nature of the paramagnetic reference centers (NV2) is preferably the same as the nature of the paramagnetic centers (NV1) in order to approximate an ideal reference noise source in the sense of the thickness principle. Thus, a particularly preferred embodiment is that the paramagnetic centers (NV1) are NV centers in diamond and that the paramagnetic reference centers (NV2) are preferably also NV centers in diamond.
Bevorzugt ist zumindest eine lokale Dichte der paramagnetischen Zentren (NV1), die At least one local density of the paramagnetic centers (NV1) is preferred
Fluoreszenzstrahlung (FL) mit einer Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (lh) emittieren, zumindest etwa gleich der Dichte einer lokalen Dichte der paramagnetischen Referenzzentren (NV2), die Kompensationsfluoreszenzstrahlung (KFL) mit einer Kompensationsfluoreszenzwellenlänge (l^) emittieren. Emit fluorescence radiation (FL) with a fluorescence radiation wavelength (lh), at least approximately equal to the density of a local density of the paramagnetic reference centers (NV2), which emit compensating fluorescence radiation (KFL) with a compensation fluorescence wavelength (l ^).
Bevorzugt handelt es sich bei den paramagnetischen Zentren (NV1) um NV-Zentren in einem oder mehreren HD-NV-Diamanten mit einer hohen NV-Zentren-Dichte. The paramagnetic centers (NV1) are preferably NV centers in one or more HD-NV diamonds with a high NV center density.
Bevorzugt handelt es sich bei den paramagnetischen Referenzzentren (NV2) um NV-Zentren in einem oder mehreren HD-NV-Diamanten mit einer hohen NV-Zentren-Dichte. Die paramagnetischen Referenzzentren (NV2) können in einer oder mehreren Gruppen (NVC2) paramagnetischer The paramagnetic reference centers (NV2) are preferably NV centers in one or more HD-NV diamonds with a high NV center density. The paramagnetic reference centers (NV2) can be paramagnetic in one or more groups (NVC2)
Referenzzentren (NVC2) angeordnet sein. Der Bereich einer Gruppe (NVC2) paramagnetischer Referenzzentren (NV2) im Referenzelement weist bevorzugt eine sehr hohe Dichte an Reference centers (NVC2) be arranged. The area of a group (NVC2) of paramagnetic reference centers (NV2) in the reference element preferably has a very high density
Referenzzentren (NV2) auf. Im Falle von NV-Zentren als Referenzzentren (NV2) in Diamant ist der Bereich der Gruppe der Referenzzentren (NV2) bevorzugt HD-NV-Diamant im Sinne dieser Schrift.Reference centers (NV2). In the case of NV centers as reference centers (NV2) in diamond, the area of the group of reference centers (NV2) is preferably HD-NV diamond within the meaning of this document.
Der Bereich einer Gruppe (NVC2) von paramagnetischen Referenzzentren (NV2) weist bevorzugt eine Dichte an Referenzzentren, beispielsweise NV-Zentren, von mehr als 0,01ppm und/oder von mehr als 10-3ppm und/oder von mehr als 10-4ppm und/oder von mehr als 10-5ppm und/oder von mehr als 10-6ppm bezogen auf die Anzahl der Atome des Substrats (D) im betrachteten Volumen innerhalb des Substrats (D), also im Fall von NV-Zentren in Diamant von Kohlenstoffatome pro Volumeneinheit, auf. Dabei ist eine Dichte von mehr als 0,01ppm und/oder noch besser 0,lppm eindeutig für die Verwendung in dem Referenzelement bevorzugt. The area of a group (NVC2) of paramagnetic reference centers (NV2) preferably has a density of reference centers, for example NV centers, of more than 0.01 ppm and / or more than 10-3ppm and / or more than 10-4ppm and / or more than 10-5ppm and / or more than 10-6ppm based on the number of atoms of the substrate (D) in the volume under consideration within the substrate (D) , i.e. in the case of NV centers in diamond of carbon atoms per unit volume. A density of more than 0.01 ppm and / or even better 0.1 ppm is clearly preferred for use in the reference element.
Auf Figur 71 nebst zugehöriger Beschreibung wird hier ausdrücklich verwiesen, wobei die dortigen Beschreibungen betreffend paramagnetische Zentren (NV1) und Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) auf paramagnetischer Referenzzentren (NV2) und Gruppen (NVC2) paramagnetischer Referenzzentren (NV2) dadurch übertragen werden können, dass in der Figur 71 die Reference is here expressly made to FIG. 71 and the associated description, the descriptions there relating to paramagnetic centers (NV1) and groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) on paramagnetic reference centers (NV2) and groups (NVC2) of paramagnetic reference centers (NV2) being transferred as a result can that in Figure 71 the
paramagnetischen Zentren (NV1) durch paramagnetische Referenzzentren (NV2) und die Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) durch Gruppen (NVC2) paramagnetischer Referenzzentren (NV2) und die Pumpstrahlung (LB) durch die Kompensationsstrahlung (KS) und die paramagnetic centers (NV1) through paramagnetic reference centers (NV2) and the groups (NVC) paramagnetic centers (NV1) through groups (NVC2) paramagnetic reference centers (NV2) and the pump radiation (LB) through the compensation radiation (KS) and the
Fluoreszenzstrahlung (FL) durch die Kompensationsfluoreszenzstrahlung (KFL) und die Fluorescence radiation (FL) through the compensation fluorescence radiation (KFL) and the
Pumpstrahlungswellenlänge (lrigir) durch die Kompensationsstrahlungswellenlänge (l|<5) ersetzt werden. Auch diese Gruppen (NVC2) paramagnetischer Referenzzentren (NV2) weisen dann eine Ausdehnung (d) der Gruppe (NVC2) paramagnetischer Referenzzentren (NV2) auf, auf die das dort gesagte ebenfalls zutrifft und die bevorzugt ebenfalls einen Abstand von l|<5/2 der Pump radiation wavelength (l rigir ) can be replaced by the compensation radiation wavelength (l | <5 ). These groups (NVC2) of paramagnetic reference centers (NV2) then also have an extension (d) of the group (NVC2) of paramagnetic reference centers (NV2), to which the statements made there also apply and which preferably also have a distance of l | < 5/2 the
Kompensationsstrahlungswellenlänge (l|<5) in Richtung des Pointing-Vektors der Compensation radiation wavelength (l | <5 ) in the direction of the pointing vector of
Kompensationsstrahlung (KS) haben. Have compensation radiation (KS).
Bevorzugt ist daher diese Ausdehnung (d) einer Gruppe (NVC2) von paramagnetischen This extension (d) of a group (NVC2) of paramagnetic is therefore preferred
Referenzzentren (NV2) senkrecht zum Pointing-Vektor der einfallenden Kompensationsstrahlung (KS) innerhalb eines Sensorelements kleiner als h*l|<5/2 der Kompensationsstrahlungswellenlänge (l^) mit n als ganzer positiver Zahl. Bevorzugt gilt d^ks/2 und/oder besser d^^ /4 und/oder besser d^^ /10 und/oder besser d^ks /20 und/oder besser d^ks /40 und/oder besser d^ks /100. Reference centers (NV2) perpendicular to the pointing vector of the incident compensation radiation (KS) within a sensor element smaller than h * l | < 5/2 of the compensation radiation wavelength (l ^) with n as a whole positive number. Preferably, d ^ ks / 2 and / or better d ^^ / 4 and / or better d ^^ / 10 and / or better d ^ ks / 20 and / or better d ^ ks / 40 and / or better d ^ ks / 100.
In analoger Weise weist der Bereich einer Gruppe (NVC) von paramagnetischen Zentren (NV1) im Sensorelement bevorzugt ebenfalls eine möglichst zur der Dichte an paramagnetischen In an analogous manner, the area of a group (NVC) of paramagnetic centers (NV1) in the sensor element preferably likewise has a region that is as close as possible to the density of paramagnetic centers
Referenzzentren (NV2) im Referenzelement gleiche Dichte an paramagnetischen Zentren, beispielsweise NV-Zentren, im Sensorelement von mehr als 0,01ppm und/oder von mehr als 10- 3ppm und/oder von mehr als 10-4ppm und/oder von mehr als 10-5ppm und/oder von mehr als 10- 6ppm bezogen auf die Anzahl der Atome des Substrats (D) im betrachteten Volumen innerhalb des Substrats (D) , also im Fall von NV-Zentren in Diamant von Kohlenstoffatome pro Volumeneinheit, auf. Dabei ist eine Dichte von mehr als 0,01ppm und/oder noch besser 0,lppm eindeutig für die Verwendung in dem Sensorelement bevorzugt. Reference centers (NV2) in the reference element the same density of paramagnetic centers, for example NV centers, in the sensor element of more than 0.01 ppm and / or of more than 10-3 ppm and / or of more than 10-4 ppm and / or of more than 10 -5ppm and / or more than 10-6ppm based on the number of atoms of the substrate (D) in the volume under consideration within the Substrate (D), so in the case of NV centers in diamond of carbon atoms per unit volume on. A density of more than 0.01 ppm and / or even better 0.1 ppm is clearly preferred for use in the sensor element.
Auf Figur 71 nebst zugehöriger Beschreibung wird hier ausdrücklich verwiesen. Auch diese Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NVl)weisen dann eine Ausdehnung (d) der Gruppe (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) auf, auf die das dort gesagte zutrifft und die bevorzugt einen Abstand von lr[gir/2 der Pumpstrahlungswellenlänge (lrirr) in Richtung des Pointing-Vektors der Pumpstrahlung (LB) haben. Bevorzugt ist daher diese Ausdehnung (d) einer Gruppe (NVC) von paramagnetischen Zentren (NV1) senkrecht zum Pointing-Vektor der einfallenden Pumpstrahlung (LB) innerhalb eines Sensorelements kleiner als h*lrpir/2 der Pumpstrahlungswellenlänge (lrirr) mit n als ganzer positiver Zahl. Bevorzugt gilt d^pmp/2 und/oder besser d^pmp /4 und/oder besser d^pmp /10 und/oder besser d^pmp/20 und/oder besser d^pmp/40 und/oder besser d^pmp/100. Reference is expressly made here to FIG. 71 and the associated description. These groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) then also have an extension (d) of the group (NVC) of paramagnetic centers (NV1) to which the statements made there apply and which preferably have a distance of l r [gir / 2 of the pump radiation wavelength (l rirr ) in the direction of the pointing vector of the pump radiation (LB). Therefore, this extension (d) of a group (NVC) of paramagnetic centers (NV1) perpendicular to the pointing vector of the incident pump radiation (LB) within a sensor element is less than h * l rpir / 2 of the pump radiation wavelength (l rirr ) with n as whole positive number. Preferably d ^ pmp / 2 and / or better d ^ pmp / 4 and / or better d ^ pmp / 10 and / or better d ^ pmp / 20 and / or better d ^ pmp / 40 and / or better d ^ pmp / 100.
Durch Amorphisierung durch Teilchenbeschuss und der gleichen kann Diamant graphitisiert werden. Es ist daher denkbar, dass sich die paramagnetischen Zentren (NV1) und die paramagnetischen Referenzzentren (NV2) im gleichen Diamantkristall befinden und die erste Barriere (BAI) oder eine andere optische Barriere aus Graphit oder amorphisierten Diamant oder sonst wie eingeschwärztem Diamant innerhalb dieses Diamantkristalls besteht. Diamond can be graphitized by amorphization by particle bombardment and the like. It is therefore conceivable that the paramagnetic centers (NV1) and the paramagnetic reference centers (NV2) are in the same diamond crystal and that the first barrier (BAI) or another optical barrier consists of graphite or amorphized diamond or otherwise blackened diamond within this diamond crystal .
Bevorzugt ist die Kompensationsstrahlungswellenlänge (l^) gleich der Pumpstrahlungswellenlänge (lr,,,r) wenn die Natur der paramagnetischen Referenzzentren (NV2) gleich der Natur der paramagnetischen Zentren (NV1) ist. Im Falle von NV-Zentren liegt die The compensation radiation wavelength (l ^) is preferably equal to the pump radiation wavelength (l r ,,, r ) if the nature of the paramagnetic reference centers (NV2) is the same as the nature of the paramagnetic centers (NV1). In the case of NV centers, the
Kompensationsstrahlungswellenlänge (l|<5) bevorzugt in einem Bereich zwischen 500nm und 6000nm. Erfolgreich wurde Kompensationsstrahlung (KS) mit einer Compensation radiation wavelength (l | <5 ) preferably in a range between 500 nm and 6000 nm. Compensation radiation (KS) was successful with a
Kompensationsstrahlungswellenlänge (l|<5) von 520nm angewendet. Compensation radiation wavelength (l | <5 ) of 520nm applied.
Bevorzugt ist die Kompensationsfluoreszenzstrahlungswellenlänge (l^) der Preferably, the compensation fluorescence radiation wavelength (l ^) is the
Kompensationsfluoreszenzstrahlung (KFL) der paramagnetischen Referenzzentren (NV2) gleich der Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (lh) der Fluoreszenzstrahlung (FL) der paramagnetischen Zentren (NV1) - z.B. 637nm bei NV-Zentren Im Falle der Verwendung von NV-Zentren als paramagnetische Zentren (NV1) und als paramagnetische Referenzzentren (NV2) sind die Compensation fluorescence radiation (KFL) of the paramagnetic reference centers (NV2) equal to the fluorescence radiation wavelength (lh) of the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic centers (NV1) - e.g. 637nm for NV centers In the case of using NV centers as paramagnetic Centers (NV1) and as paramagnetic reference centers (NV2) are the
Kompensationsfluoreszenzstrahlung (KFL) und die Fluoreszenzstrahlung (FL) rot. Compensation fluorescence radiation (KFL) and the fluorescence radiation (FL) red.
In dem beispielhaften Fall der Figur 15 trifft bevorzugt das auf die Pumpstrahlung (LB) im Abschnitt „Definition der Pumpstrahlung" geschriebene auch auf die Kompensationsstrahlung (KS) zu. In the exemplary case in FIG. 15, what is written about the pump radiation (LB) in the section “Definition of the pump radiation” also applies to the compensation radiation (KS).
Der erste Filter (Fl) ist bevorzugt nicht transparent für Strahlung der Pumpstrahlungswellenlänge (lr,hr) der Pumpstrahlung (LB) der Pumpstrahlungsquelle (PLI). The first filter (F1) is preferably not transparent to radiation of the pump radiation wavelength (l r , hr ) of the pump radiation (LB) from the pump radiation source (PLI).
Der erste Filter (Fl) ist im Falle der Vorrichtung Figur 15 bevorzugt nicht transparent für Strahlung der Kompensationsstrahlungswellenlänge (l^) der Kompensationsstrahlung (KS) der In the case of the device in FIG. 15, the first filter (F1) is preferably not transparent to radiation of the compensation radiation wavelength (I ^) of the compensation radiation (KS)
Kompensationsstrahlungsquelle (PLK). Compensation radiation source (PLK).
Der erste Filter (Fl) ist bevorzugt transparent für Strahlung der Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (lp) der Fluoreszenzstrahlung (FL) der paramagnetischen Zentren (NV1) - z.B. 637nm bei NV-Zentren - The first filter (Fl) is preferably transparent for radiation of the fluorescence radiation wavelength (lp) of the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic centers (NV1) - e.g. 637 nm for NV centers -
Der erste Filter (Fl) ist im Falle der Vorrichtung der Figur 15 bevorzugt transparent für Strahlung der Kompensationsfluoreszenzstrahlungswellenlänge (l^) der Kompensationsfluoreszenzstrahlung (KFL) der paramagnetischen Referenzzentren (NV2). In the case of the device of FIG. 15, the first filter (F1) is preferably transparent to radiation of the compensation fluorescence radiation wavelength (I ^) of the compensation fluorescence radiation (KFL) of the paramagnetic reference centers (NV2).
Dadurch überlagert sich die Intensität (lkf|) der Kompensationsfluoreszenzstrahlung (KFL) der paramagnetischen Referenzzentren (NV2) mit der Intensität (lfl) der Fluoreszenzstrahlung (FL) der paramagnetischen Zentren (NV1) im Strahlungsempfänger (PD) zu einer Gesamtintensität. As a result, the intensity (l kf | ) of the compensation fluorescence radiation (KFL) of the paramagnetic reference centers (NV2) and the intensity (l fl ) of the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic centers (NV1) in the radiation receiver (PD) are superimposed to form a total intensity.
Der Strahlungsempfänger (PD) wandelt diese Gesamtintensität wieder in ein The radiation receiver (PD) converts this total intensity back into
Empfängerausgangssignal (SO) um, dessen Wert von dem Wert der Gesamtintensität aus der Überlagerung der Intensität (lkf|) der Kompensationsfluoreszenzstrahlung (KFL) der paramagnetischen Referenzzentren (NV2) mit der Intensität (lf|) der Fluoreszenzstrahlung (FL) der paramagnetischen Zentren (NV1) im Strahlungsempfänger (PD) abhängt. Receiver output signal (SO), the value of which depends on the value of the total intensity from the superposition of the intensity (l kf | ) of the compensation fluorescence radiation (KFL) of the paramagnetic reference centers (NV2) with the intensity (l f | ) of the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic centers (NV1) in the radiation receiver (PD) depends.
Im Übrigen wird auf die vorausgegangenen und ggf. nachfolgenden Ausführungen der anderen Vorrichtungen zum Funktionsprinzip der Regelung verwiesen und zu möglichen anderen For the rest, reference is made to the preceding and, if applicable, subsequent explanations of the other devices on the functional principle of the control and on possible others
Realisierungen der Regelung verwiesen. Figu r 16 Realizations of the scheme referenced. Fig. 16
Der Unterschied zwischen Figur 15 und Figur 14 entspricht dem Unterschied zwischen Figur 10 und Figur 12. Während in Figur 15 die Intensität (lks) der Kompensationsstrahlung (KS) geregelt wird, wird in Figur 16 die Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB) geregelt. Auf die Ausführung zu den Figuren 10, 12 und 15 wird daher hier verwiesen, da hier gleiche Prinzipien Anwendung finden. The difference between FIG. 15 and FIG. 14 corresponds to the difference between FIG. 10 and FIG. 12. While in FIG. 15 the intensity (I ks ) of the compensation radiation (KS) is regulated, in FIG. 16 the intensity (I pmp ) of the pump radiation (LB ) regulated. Reference is therefore made here to the description of FIGS. 10, 12 and 15, since the same principles are used here.
Figu r 17 Fig. 17
Figur 17 entspricht einem erweiterten System der Figur 7. Die Figuren 9 und 12 lassen sich in analoger Weise erweitern. Auch Figur 17 zeigt ein einfaches System für eine beispielhafte FIG. 17 corresponds to an expanded system of FIG. 7. FIGS. 9 and 12 can be expanded in an analogous manner. FIG. 17 also shows a simple system for an exemplary one
Teilfunktion einer integrierten Schaltung (IC) zur Vermessung der Intensität (lfl) der Sub-function of an integrated circuit (IC) for measuring the intensity (l fl ) of the
Fluoreszenzstrahlung (FL) paramagnetischer Zentren (NV1), um hierüber einen beeinflussenden, physikalischen Paramater, wie beispielsweise die magnetische Flussdichte B am Ort der Fluorescence radiation (FL) from paramagnetic centers (NV1) to use an influencing, physical parameter, such as the magnetic flux density B at the location of the
paramagnetischen Zentren (NV1) zu ermitteln. Ein Signalgenerator (G) erzeugt wieder einen to determine paramagnetic centers (NV1). A signal generator (G) generates another
Wechselanteil (S5w) des Sendesignals (S5). In dem System sind ein Schleifenfilter (TP) und ein zusätzlicher Schleifenfilter (TR') verbaut. Der Schleifenfilter (TP) und der zusätzliche Schleifenfilter (TR') weisen bezüglich eines beliebigen Signals XI bevorzugt eine gleiche Filtercharakteristik mit einer gleichen Filterfunktion F[X1] auf. Der Schleifenfilter (TP) und der zusätzliche Schleifenfilter (TP1) sind lineare Filter. D.h. für die gemeinsame Filterfunktion F[X1] gilt für eine beliebige reelle Zahl a und zwei beliebige Signals XI und X2: Alternating component (S5w) of the transmission signal (S5). A loop filter (TP) and an additional loop filter (TR ') are built into the system. The loop filter (TP) and the additional loop filter (TR ') preferably have the same filter characteristic with the same filter function F [X1] with respect to any signal XI. The loop filter (TP) and the additional loop filter (TP 1 ) are linear filters. That means for the common filter function F [X1] for any real number a and any two signals XI and X2:
F[a*Xl]=a*F[Xl] F[X1+X2]=F[X1]+F[X2] F [a * Xl] = a * F [Xl] F [X1 + X2] = F [X1] + F [X2]
Wir fordern folgende beispielhafte Bedingungen: We require the following exemplary conditions:
F[l]=l F [l] = l
F[S5w]«0 F [S5w] «0
F[S5w*S5w]«l Der Generator (G) erzeugt darüber hinaus den Wechselanteil (S5w') eines orthogonalen F [S5w * S5w] «l The generator (G) also generates the alternating component (S5w ') of an orthogonal
Referenzsignals (S5'). Für den Wechselanteil (S5w') des orthogonalen Referenzsignals (S5') soll beispielhaft gelten: F[S5w']«0 Reference signal (S5 '). For the alternating component (S5w ') of the orthogonal reference signal (S5'), the following should apply as an example: F [S5w '] «0
F[S5w'*S5w']«l F [S5w '* S5w'] «l
Darüber hinaus erheben wir die beispielhafte Forderung, dass das der Wechselanteil (S5w) des Sendesignals (S5) orthogonal zum Wechselanteil (S5w') eines orthogonalen Referenzsignals (S5') sein soll, das der Generator (G) ebenfalls erzeugt. In addition, we raise the exemplary requirement that the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) should be orthogonal to the alternating component (S5w ') of an orthogonal reference signal (S5') that the generator (G) also generates.
F[S5w*S5'w]«0 F [S5w * S5'w] «0
Zur Vereinfachung nehmen wir beispielhaft an, dass das Sendesignal (S5) und das orthogonale Referenzsignal (S5 ) periodisch mit der Sendesignalperiode (Tp) sind. Ein zusätzlicher erste For the sake of simplicity, we assume as an example that the transmission signal (S5) and the orthogonal reference signal (S5) are periodic with the transmission signal period (T p ). An additional first
Multiplizierer (Ml') multipliziert das reduzierte Empfängerausgangssignal (Sl) mit dem zusätzlichen Wechselanteil (S5w') zum zusätzlichen Filtereingangssignal (S3'). Der zusätzliche Schleifenfilter (TR') filtert das Filtereingangssignal (S3') zum zusätzlichen Filterausgangssignal (S4'). Hier wird zur beispielhaften Vereinfachung angenommen, dass der zusätzliche erste Multiplizierer (Ml ) die gleichen Eigenschaften hat wie der erste Multiplizierer (Ml). Des Weiteren wird beispielhaft angenommen, dass der zusätzliche der zusätzliche Schleifenfilter (TP ) die gleichen Eigenschaften hat wie der Schleifenfilter (TP). Eine erste Anpassschaltung addiert zum Wechselanteil (S5w) des Sendesignals (S5) wie zuvor beschrieben wieder einen Gleichanteil (S5g) des Sendesignals (S5) und führt ggf. eine weitere notendige Verstärkung mit geeigneter Verstärkung und geeignetem Offset, also mittels einer im Wesentlichen linearen Abbildung, durch. Multiplier (Ml ') multiplies the reduced receiver output signal (Sl) with the additional alternating component (S5w') for the additional filter input signal (S3 '). The additional loop filter (TR ') filters the filter input signal (S3') to the additional filter output signal (S4 '). For the sake of simplicity, it is assumed here that the additional first multiplier (Ml) has the same properties as the first multiplier (Ml). Furthermore, it is assumed by way of example that the additional loop filter (TP) has the same properties as the loop filter (TP). A first matching circuit adds a direct component (S5g) of the transmission signal (S5) to the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) as described above and, if necessary, performs a further necessary amplification with suitable amplification and suitable offset, i.e. by means of an essentially linear mapping , by.
Die Pumpstrahlungsquelle (PLI) wandelt das Sendesignal (S5) wieder in eine modulierte The pump radiation source (PLI) converts the transmission signal (S5) back into a modulated one
Pumpstrahlung (LB) um, die direkt oder wie zuvor beschrieben indirekt auf das Sensorelement und damit das paramagnetische Zentrum (NV1) oder die paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. die Gruppe oder die Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) im Sensorelement trifft. Dort regt diese Pumpstrahlung (LB) das paramagnetische Zentrum (NV1) oder die paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. die Gruppe (NVC) oder die Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) im Material des Sensorelements zur Emission einer Fluoreszenzstrahlung (FL) an. Das erste Filter (Fl) lässt Strahlung mit der Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (lp) der Fluoreszenzstrahlung (FL) - z.B. 637nm bei NV-Zentren - passieren, während es die Strahlung mit der Pumpstrahlungswellenlänge (lr gir) der Pumpstrahlung (LB) der Pumpstrahlungsquelle (PLI) und somit die modulierte Pumpstrahlung (LB) im Wesentlichen nicht passieren lässt. Die Fluoreszenzstrahlung (FL) ist korreliert, aber typischerweise definiert phasenverschoben zur Pumpstrahlung (LB) moduliert. Dies kann nun ausgenutzt werden.Pump radiation (LB) that hits the sensor element directly or, as described above, indirectly and thus the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) in the sensor element. There this pump radiation (LB) excites the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) or the group (NVC) or the groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) in the material of the sensor element to emit fluorescent radiation (FL) . The first filter (Fl) allows radiation with the fluorescence radiation wavelength (lp) of the fluorescence radiation (FL) - e.g. 637 nm at NV centers - to pass, while the radiation with the pump radiation wavelength (l r gir ) of the pump radiation (LB) from the pump radiation source (PLI ) and thus essentially does not allow the modulated pump radiation (LB) to pass. The fluorescence radiation (FL) is correlated, but typically defined phase-shifted to the pump radiation (LB) modulated. This can now be exploited.
Die modulierte Fluoreszenzstrahlung (FL) wird nach dem Passieren des ersten Filters (Fl) vom Strahlungsempfänger (PD) empfangen und in ein moduliertes Empfängerausgangssignal (SO) umgewandelt. Ggf. umfasst der Strahlungsempfänger (PD) weitere Verstärker und Filter. Ein erster Addierer (Al) subtrahiert ein komplexes Rückkoppelsignal (S8) von dem Empfängerausgangssignal (SO). Es ergibt sich das reduzierte Empfängerausgangssignal (Sl). Dieses reduzierte The modulated fluorescence radiation (FL) is received by the radiation receiver (PD) after passing through the first filter (F1) and converted into a modulated receiver output signal (SO). The radiation receiver (PD) may include further amplifiers and filters. A first adder (A1) subtracts a complex feedback signal (S8) from the receiver output signal (SO). The result is the reduced receiver output signal (S1). This reduced
Empfängerausgangssignal (Sl) wird in nunmehr zwei unabhängigen Schaltungsteilen Receiver output signal (S1) is now in two independent circuit parts
weiterverarbeitet. further processed.
Erster Schaltungsteil First circuit part
Ein erster Multiplizierer (Ml) multipliziert das reduzierte Empfängerausgangssignal (Sl) mit dem Wechselanteil (S5w) des Sendesignals (S5) und bildet so das Filtereingangssignal (S3). Der A first multiplier (Ml) multiplies the reduced receiver output signal (Sl) by the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) and thus forms the filter input signal (S3). The
Schleifenfilter (TP) lässt bevorzugt im Wesentlichen den Gleichanteil des Filtereingangssignals (S3) durch. Es ergibt sich das Filterausgangssignal (S4) als Ausgangssignal des Schleifenfilters (TP). Formal bildet der erste Multiplizierer (M l) und der Tiefpass des Schleifenfilters (TP) ein Skalarprodukt des reduzierten Empfängerausgangssignals (Sl) und des Wechselanteils (S5w) des Sendesignals (S5). Der Wert des Filterausgangssignals (S4) gibt dann an, wieviel vom Wechselanteil (S5w) des Sendesignals (S5) anteilig im reduzierten Empfängerausgangssignal (Sl) vorhanden ist. Dieses Filterausgangssignal (S4) kann man mit einem Fourier-Koeffizienten in seiner Funktion vergleichen. Eine dritte Loop filter (TP) preferably allows essentially the direct component of the filter input signal (S3) to pass through. The result is the filter output signal (S4) as the output signal of the loop filter (TP). Formally, the first multiplier (M l) and the low-pass filter of the loop filter (TP) form a scalar product of the reduced receiver output signal (S1) and the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5). The value of the filter output signal (S4) then indicates how much of the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) is proportionally present in the reduced receiver output signal (S1). The function of this filter output signal (S4) can be compared with a Fourier coefficient. A third
Anpassschaltung (OF3) erzeugt in diesem Beispiel aus dem Wechselanteil (S5w) des Sendesignals (S5) einen komplementären Wechselanteil (S5c) des Sendesignals (S5). Auf die alternativen In this example, the adapter circuit (OF3) generates a complementary alternating component (S5c) of the transmission signal (S5) from the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5). On the alternatives
Ausführungen, die vorausgehend und nachfolgend erwähnt sind, und funktionsergebnisgleich sind wird hingewiesen. Letztlich geht es darum, dass das Rückkoppelsignal (S6) komplementär zum Sendesignal (S5) moduliert sein soll. Ein zweiter Multiplizierer (M2) multipliziert das Versions that are mentioned above and below and have the same functional results are pointed out. Ultimately, the point is that the feedback signal (S6) should be modulated complementarily to the transmission signal (S5). A second multiplier (M2) multiplies that
Filterausgangssignal (S4) mit dem komplementären Wechselanteil (S5c) des Sendesignals (S5) und bildet so das Rückkoppelsignal (S6). Sind die Verstärkung v des Schleifenfilters (TP) sehr groß und vorzeichenrichtig und des komplementären Wechselanteils (S5c) des Sendesignals (S5) und des weiteren komplementären Wechselanteils (S5c') des orthogonalen Sendesignals (S5') in der geeigneten Weise gebildet, so enthält das reduzierte Empfängerausgangssignal (Sl) typischerweise bis auf einen Regelfehler bei Stabilität keine wesentlichen Anteile des Sendesignals (S5) mehr. Hat der Wechselanateil (S5w) des Sendesignals (S5) beispielsweise die Amplitude (S5wa), so kann beispielsweise der komplementäre Wechselanteil (S5c) des Sendesignals (S5) durch die Gleichung s5c=s5wa-s5w gebildet werden. Hat der Wechselanateil (S5w') des orthogonalen Sendesignals (S51) beispielsweise die Amplitude (S5wa'), so kann beispielsweise der komplementäre Wechselanteil (S5c') des orthogonalen Referenzsignals (S5') durch die Gleichung s5c'=s5wa'-s5w' gebildet werden. Der Wert des Filterausgangssignals (S4) ist dann ein Maß für die Intensität (lfl) der Filter output signal (S4) with the complementary alternating component (S5c) of the transmission signal (S5) and thus forms the feedback signal (S6). If the gain v of the loop filter (TP) is very large and with the correct sign and the complementary alternating component (S5c) of the transmission signal (S5) and the further complementary alternating component (S5c ') of the orthogonal transmission signal (S5') are formed in the appropriate manner, this includes reduced receiver output signal (S1) typically no more significant components of the transmission signal (S5) apart from a control error with stability. If the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) has the amplitude (S5w a ), for example, the complementary alternating component (S5c) of the transmission signal (S5) can be given by the equation s5c = s5w a -s5w are formed. If the alternating component (S5w ') of the orthogonal transmission signal (S5 1 ) has the amplitude (S5w a '), for example, the complementary alternating component (S5c ') of the orthogonal reference signal (S5') can be given by the equation s5c '= s5w a ' - s5w '. The value of the filter output signal (S4) is then a measure of the intensity (l fl ) of the
Fluoreszenzstrahlung (FL), die den Strahlungsempfänger (PD) erreicht. Fluorescence radiation (FL) reaching the radiation receiver (PD).
Zweiter Schaltungsteil Second part of the circuit
Ein zusätzlicher erster Multiplizierer (Ml1) multipliziert das reduzierte Empfängerausgangssignal (Sl) mit dem Wechselanteil (S5w') des orthogonalen Referenzsignals (S51) und bildet so das zusätzliche Filtereingangssignal (S31). Der zusätzliche Schleifenfilter (TP1) lässt im Wesentlichen den Gleichanteil des zusätzlichen Filtereingangssignals (S31) durch. Es ergibt sich das zusätzliche Filterausgangssignal (S41) als Ausgangssignal des zusätzlichen Schleifenfilters (TP1). Formal bildet der zusätzliche erste Multiplizierer (Ml1) und der zusätzliche Tiefpass des zusätzlichen Schleifenfilters (TP1) ein An additional first multiplier (Ml 1 ) multiplies the reduced receiver output signal (Sl) by the alternating component (S5w ') of the orthogonal reference signal (S5 1 ) and thus forms the additional filter input signal (S3 1 ). The additional loop filter (TP 1 ) essentially lets through the DC component of the additional filter input signal (S3 1 ). The additional filter output signal (S4 1 ) results as the output signal of the additional loop filter (TP 1 ). Formally, the additional first multiplier (Ml 1 ) and the additional low-pass filter of the additional loop filter (TP 1 ) form
Skalarprodukt des reduzierten Empfängerausgangssignals (Sl) und des Wechselanteils (S5w') des orthogonalen Referenzsignals (S51). Bevorzugt geschieht dies in formal gleicher Weise wie im ersten Schaltungsteil. Der Wert des zusätzlichen Filterausgangssignals (S41) gibt dann an, wieviel vom Wechselanteil (S5w') des orthogonalen Referenzsignals (S51) anteilig im reduzierten Scalar product of the reduced receiver output signal (S1) and the alternating component (S5w ') of the orthogonal reference signal (S5 1 ). This is preferably done in the same way as in the first circuit part. The value of the additional filter output signal (S4 1 ) then indicates how much of the alternating component (S5w ') of the orthogonal reference signal (S5 1 ) proportionally in the reduced
Empfängerausgangssignal (Sl) vorhanden ist. Dieses zusätzliche Filterausgangssignal (S41) kann man mit einem weiteren Fourier-Koeffizienten in seiner Funktion vergleichen. Eine zusätzliche dritte Anpassschaltung (OF3') erzeugt in diesem Beispiel aus dem zusätzlichen Wechselanteil (S5w') des orthogonalen Referenzsignals (S5') einen zusätzlichen komplementären Wechselanteil (S5c') des orthogonalen Referenzsignals (S5'). Auf die alternativen Ausführungen, die vorausgehend und nachfolgend erwähnt sind, und funktionsergebnisgleich sind, wird hingewiesen. Letztlich geht es darum, dass das zusätzliche Rückkoppelsignal (S6') komplementär zum zusätzlichen Wechselanteil (S5w') des orthogonalen Referenzsignals (S5') moduliert sein soll. Ein zusätzlicher zweiter Receiver output signal (Sl) is present. The function of this additional filter output signal (S4 1 ) can be compared with another Fourier coefficient. In this example, an additional, third matching circuit (OF3 ') generates an additional, complementary alternating component (S5c') of the orthogonal reference signal (S5 ') from the additional alternating component (S5w') of the orthogonal reference signal (S5 '). Reference is made to the alternative designs which are mentioned above and below and have the same functional results. Ultimately, the point is that the additional feedback signal (S6 ') should be modulated complementarily to the additional alternating component (S5w') of the orthogonal reference signal (S5 '). Another second
Multiplizierer (M21) multipliziert das zusätzliche Filterausgangssignal (S41) mit dem zusätzlichen komplementären Wechselanteil (S5c') des orthogonalen Referenzsignals (S5') und bildet so das zusätzliche Rückkoppelsignal (S61). Sind die Verstärkung v' des zusätzlichen Schleifenfilters (TP1) sehr groß und vorzeichenrichtig und das komplementäre Sendesignal (S5c) und das weitere Multiplier (M2 1 ) multiplies the additional filter output signal (S4 1 ) with the additional complementary alternating component (S5c ') of the orthogonal reference signal (S5') and thus forms the additional feedback signal (S6 1 ). If the gain v 'of the additional loop filter (TP 1 ) is very large and has the correct sign and the complementary transmission signal (S5c) and the rest
komplementäre Sendesignal (S5c') in der geeigneten Weise gebildet, so enthält das reduzierte Empfängerausgangssignal (Sl) typischerweise bis auf einen Regelfehler bei Stabilität keinen Anteil des Wechselanteils (S5w') des orthogonalen Referenzsignals (S5') mehr. Der Wert des zusätzlichen Filterausgangssignals (S4) ist dann ein Maß für die Amplitude der Fluoreszenzstrahlung (FL), die den Strahlungsempfänger (PD) phasenverschoben gegenüber der Pumpstrahlung (LB) der If complementary transmission signal (S5c ') is formed in the appropriate manner, the reduced receiver output signal (S1) typically no longer contains any portion of the alternating component (S5w') of the orthogonal reference signal (S5 ') apart from a control error with stability. The value of the additional The filter output signal (S4) is then a measure of the amplitude of the fluorescence radiation (FL), which the radiation receiver (PD) is out of phase with respect to the pump radiation (LB)
Pumpstrahlungsquelle (PLI) erreicht. Auf diese Weise kann der Phasenwinkel der Pump radiation source (PLI) reached. In this way, the phase angle of the
Fluoreszenzstrahlung (FL) zur Pumpstrahlung (LB) oder zum Sendesignals (S5) bestimmt werden. Versuche haben gezeigt, dass der Phasenwinkel in Form des zeitlichen Werts der Fluorescence radiation (FL) for pump radiation (LB) or for transmission signal (S5) can be determined. Tests have shown that the phase angle in the form of the time value of the
Fluoreszenzverschiebungszeit (ATFL) der Fluoreszenzstrahlung (FL) gegenüber der Pumpstrahlung (LB) bzw. dem Sendesignal (S5) von der magnetischen Flussdichte B am Ort der paramagnetischen Zentren (NV1) und ggf. weiteren physikalischen Parametern, wie der elektrischen Feldstärke E, der Temperatur q, dem Druck P, der Beschleunigung a, der Rotationsgeschwindigkeit o und ggf. der Gravitationsfeldstärke g etc. sowie deren zeitlichen Ableitung und Integralen abhängig ist. Auf diese Weise lässt sich die Fluoreszenzphasenverschiebungszeit (ATFL) bestimmen. Die Fluorescence shift time (ATFL) of the fluorescence radiation (FL) compared to the pump radiation (LB) or the transmission signal (S5) from the magnetic flux density B at the location of the paramagnetic centers (NV1) and possibly other physical parameters such as the electric field strength E, the temperature q, the pressure P, the acceleration a, the rotational speed o and possibly the gravitational field strength g etc. as well as their time derivative and integrals are dependent. In this way the fluorescence phase shift time (ATFL) can be determined. The
Fluoreszenzphasenverschiebungszeit (ATFL) ist die Verzögerung des Wechselanteils (FLw) der Intensität (lfl) der Fluoreszenzstrahlung (FL) gegenüber dem Wechselanteil (S5w) des Sendesignals (S5). Fluorescence phase shift time (ATFL) is the delay of the alternating component (FLw) of the intensity (l fl ) of the fluorescent radiation (FL) compared to the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5).
Somit realisiert dieses System dann ein Verfahren zum Betreiben eines Sensorsystems und/oder quantentechnologischen Systems wobei das Sensorsystem und/oder quantentechnologischen System ein paramagnetisches Zentrum (NV1) oder mehrere paramagnetische Zentren (NV1), die auch in einer oder mehreren Gruppen (NVC) solcher paramagnetischen Zentren (NV1) angeordnet sein können, im Material eines Sensorelements und/oder quantentechnologischen This system then implements a method for operating a sensor system and / or quantum technological system, the sensor system and / or quantum technological system having a paramagnetic center (NV1) or several paramagnetic centers (NV1), which are also in one or more groups (NVC) of such paramagnetic Centers (NV1) can be arranged in the material of a sensor element and / or quantum technology
Vorrichtungselements, das Teil des Sensorsystems und/oder quantentechnologischen Systems ist, umfasst. Mittels eines Sendesignals (S5) erfolgt ein moduliertes Aussenden einer modulierten Pumpstrahlung (LB) insbesondere durch die Pumpstrahlungsquelle (PLI). Ein oder mehrere paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. eine oder mehrere Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) in einem Material eines Sensorelements und/oder quantentechnologischen Device element that is part of the sensor system and / or quantum technology system, comprises. A modulated transmission of a modulated pump radiation (LB), in particular by the pump radiation source (PLI), takes place by means of a transmission signal (S5). One or more paramagnetic centers (NV1) or one or more groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) in a material of a sensor element and / or quantum technology
Vorrichtungselements erzeugen eine modulierte Fluoreszenzstrahlung (FL) die von der modulierten Pumpstrahlung (LB) abhängt. Wie bereits beschrieben, handelt es sich bei dem oder den Device elements generate modulated fluorescence radiation (FL) which depends on the modulated pump radiation (LB). As already described, it is the one or the other
paramagnetischen Zentren bzw. der Gruppe oder der Gruppe (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) bevorzugt um ein oder mehrere NV-Zentren, die ggf. in einer oder mehreren Gruppen (NVC) angeordnet sind, in einem Diamanten als Sensorelement. Wie ebenfalls erwähnt, ist die modulierte Fluoreszenzstrahlung (FL) typischerweise gegenüber der modulierten Pumpstrahlung (LB) zeitlich um eine Fluoreszenzphasenverschiebungszeit (ATFL) phasenverschoben. Das oder die paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. die Gruppe oder die Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) in dem Material des Sensorelements und/oder quantentechnologischen Vorrichtungselements leuchten also nach der Anregung durch die modulierte Pumpstrahlung (LB) nach und geben auch dann noch modulierte Fluoreszenzstrahlung (FL) ab, wenn schon keine modulierte Pumpstrahlung (LB) mehr auf das oder die paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. die Gruppe oder die Gruppen (NVC) paramagnetic centers or the group or group (NVC) of paramagnetic centers (NV1) preferably around one or more NV centers, which are optionally arranged in one or more groups (NVC), in a diamond as a sensor element. As also mentioned, the modulated fluorescence radiation (FL) is typically phase-shifted in relation to the modulated pump radiation (LB) by a fluorescence phase shift time (ATFL). That or the paramagnetic Centers (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) in the material of the sensor element and / or quantum technological device element therefore continue to glow after the excitation by the modulated pump radiation (LB) and then also emit modulated fluorescence radiation ( FL) when there is already no more modulated pump radiation (LB) on the paramagnetic center or centers (NV1) or the group or groups (NVC)
paramagnetischer Zentren (NV1) in dem Material des Sensorelements und/oder paramagnetic centers (NV1) in the material of the sensor element and / or
quantentechnologischen Vorrichtungselements einstrahlt. Dieses Nachleuchten wird durch das zusätzliche Sensorausgangssignal (out1) hier repräsentiert und messbar. Es erfolgt somit das Empfangen der modulierten Fluoreszenzstrahlung (FL) und das Erzeugen eines quantum technological device element irradiates. This afterglow is represented and measurable here by the additional sensor output signal (out 1 ). The modulated fluorescence radiation (FL) is thus received and a is generated
Empfängerausgangssignals (SO). Zur Bestimmung des Nachleuchtens erfolgt das Bestimmen der Intensität (lfl) der modulierten Fluoreszenzstrahlung (FL) des paramagnetischen Zentrums (NV1) in dem Material des Sensorelements zu Zeiten, wenn das modulierte Aussenden der modulierten Pumpstrahlung (LB) insbesondere durch die Pumpstrahlungsquelle (PLI) nicht stattfindet. Das entsprechende Maß ist jeweils der Wert des zusätzlichen Sensorausgangssignals (out1) Receiver output signal (SO). To determine the afterglow, the intensity (l fl ) of the modulated fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic center (NV1) in the material of the sensor element is determined at times when the modulated emission of the modulated pump radiation (LB) in particular by the pump radiation source (PLI) not taking place. The corresponding dimension is the value of the additional sensor output signal (out 1 )
Dieses Nachleuchten in Form der zeitlichen Fluoreszenzverschiebungszeit (ATFL) hängt This afterglow in the form of the temporal fluorescence shift time (ATFL) depends
typischerweise von der magnetischen Flussdichte B und ggf. weiteren physikalischen Parametern, wie der elektrischen Feldstärke E, der Temperatur q, dem Druck P, der Beschleunigung a, der Rotationsgeschwindigkeit o und ggf. der Gravitationsfeldstärke g etc. sowie deren zeitlichen Ableitung und Integralen ab. Dies gilt in der Regel auch für die Fluoreszenzstrahlung (FL) und insbesondere die Intensität (lf|) der Fluoreszenzstrahlung (FL). typically on the magnetic flux density B and possibly other physical parameters such as the electric field strength E, the temperature q, the pressure P, the acceleration a, the rotational speed o and possibly the gravitational field strength g etc. as well as their time derivatives and integrals. As a rule, this also applies to the fluorescence radiation (FL) and in particular the intensity (l f | ) of the fluorescence radiation (FL).
Ein zweiter Addierer (A2) summiert das Rückkoppelsignal (S6) und das zusätzliche Rückkoppelsignal (S61) zum komplexen Rückkoppelsignal (S8) wodurch der Regelkreis geschlossen wird. Die Vorzeichen und die Verstärkung der Schleifenfilter (TP und TP') sowie die Regel zur Bildung des komplementären Sendesignals (S5c) und des Weiteren, komplementären Sendesignals (S5c') in der dritten A second adder (A2) sums the feedback signal (S6) and the additional feedback signal (S6 1 ) to form the complex feedback signal (S8), thereby closing the control loop. The sign and the gain of the loop filters (TP and TP ') as well as the rule for the formation of the complementary transmission signal (S5c) and the further, complementary transmission signal (S5c') in the third
Anpassschaltung (OF3) bzw. der weiteren dritten Anpassschaltung (OF3') werden so gewählt, dass sich Stabilität im Regelkreis einstellt und im Wesentlichen das reduzierte Empfängerausgangssignal (Sl) keine Komponenten des komplexen Rückkoppelsignals (S8) und des Wechselanteils (S5w) des Sendesignals (S5) und des Wechselanteils (S5w') des orthogonalen Referenzsignals (S5') bis auf Systemrauschen und Regelfehler mehr enthält. F ig u r 18 Adaptation circuit (OF3) or the further third adaptation circuit (OF3 ') are selected so that stability is established in the control loop and essentially the reduced receiver output signal (S1) does not contain any components of the complex feedback signal (S8) and the alternating component (S5w) of the transmission signal ( S5) and the alternating component (S5w ') of the orthogonal reference signal (S5') apart from system noise and control errors. Fig. 18
Figur 18 zeigt die beispielhafte Sensorsystemstruktur der Figur 17 mit je einer Flalteschaltung (S&FI, S&FI') in jedem Regelzweig. FIG. 18 shows the exemplary sensor system structure of FIG. 17 with one folded circuit (S&FI, S&FI ') in each control branch.
F ig u r 19 Fig. 19
Figur 19 zeigt beispielhafte Signalverläufe mit beispielhaften Signalen für ein Sensorsystem entsprechend in seiner Struktur dem den Figuren 17 und 18. Der Wechselanteil (S5w') des orthogonalen Referenzsignals (S51) ist gegenüber dem Wechselanteil (S5w) des Sendesignals (S5) beispielhaft um p/2 phasenverschoben. Der Wechselanteil (S5w) des Sendesignals (S5) ist beispielhaft mit einem Tastverhältnis von 50% PWM-moduliert. Die Signale sind zur Verdeutlichung vereinfacht und nur schematisch mit beispielhaften Pegeln gezeichnet. Diese können infolge der Vereinfachung im Detail etwas in der Realität abweichen. Eine detaillierte Systemsimulation wird daher empfohlen. 19 shows exemplary signal curves with exemplary signals for a sensor system corresponding in its structure to that of FIGS. 17 and 18. The alternating component (S5w ') of the orthogonal reference signal (S5 1 ) is, for example, by p compared to the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) / 2 out of phase. The alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) is, for example, PWM-modulated with a pulse duty factor of 50%. The signals are simplified for clarity and only shown schematically with exemplary levels. Due to the simplification in detail, these may differ somewhat in reality. A detailed system simulation is therefore recommended.
F ig u r 20 Fig. 20
Figur 20 entspricht ebenfalls einem erweiterten System der Figur 7. Die Figuren 9 und 12 lassen sich in analoger Weise erweitern. Auch Figur 20 zeigt ein einfaches System für eine beispielhafte FIG. 20 also corresponds to an expanded system from FIG. 7. FIGS. 9 and 12 can be expanded in an analogous manner. FIG. 20 also shows a simple system for an exemplary one
Teilfunktion einer integrierten Schaltung (IC) zur Vermessung der Intensität (lfl) der Sub-function of an integrated circuit (IC) for measuring the intensity (l fl ) of the
Fluoreszenzstrahlung (FL) paramagnetischer Zentren (NV1), um hierüber einen beeinflussenden, physikalischen Paramater, wie beispielsweise die magnetische Flussdichte B am Ort der Fluorescence radiation (FL) from paramagnetic centers (NV1) to use an influencing, physical parameter, such as the magnetic flux density B at the location of the
paramagnetischen Zentren (NV1) zu ermitteln. Ein Signalgenerator (G) erzeugt wieder einen to determine paramagnetic centers (NV1). A signal generator (G) generates another
Wechselanteil (S5w) des Sendesignals (S5). In dem System sind ein Schleifenfilter (TP) und ein zusätzlicher Schleifenfilter (TR') verbaut. Der Schleifenfilter (TP) und der zusätzliche Schleifenfilter (TR') weisen bezüglich eines beliebigen Signals XI bevorzugt eine gleiche Filtercharakteristik mit einer gleichen Filterfunktion F[X1] auf. Der Schleifenfilter (TP) und der zusätzliche Schleifenfilter (TP1) sind lineare Filter. D.h. für die gemeinsame Filterfunktion F[X1] gilt für eine beliebige reelle Zahl a und zwei beliebige Signals XI und X2: Alternating component (S5w) of the transmission signal (S5). A loop filter (TP) and an additional loop filter (TR ') are built into the system. The loop filter (TP) and the additional loop filter (TR ') preferably have the same filter characteristic with the same filter function F [X1] with respect to any signal XI. The loop filter (TP) and the additional loop filter (TP 1 ) are linear filters. That means for the common filter function F [X1] for any real number a and any two signals XI and X2:
F[a*Xl]=a*F[Xl] F [a * Xl] = a * F [Xl]
F[X1+X2]=F[X1]+F[X2] F [X1 + X2] = F [X1] + F [X2]
Wir fordern folgende Bedingungen: F[l]=l We require the following conditions: F [l] = l
F[S5w]«0 F [S5w] «0
F[S5w*S5w]«l F [S5w * S5w] «l
Zur Vereinfachung nehmen wir an, dass das Sendesignal (S5) periodisch mit der Sendesignalperiode (Tp) ist. Ein zusätzlicher erste Multiplizierer (M l') multipliziert das reduzierte For the sake of simplicity we assume that the transmission signal (S5) is periodic with the transmission signal period (T p ). An additional first multiplier (M 1 ') multiplies the reduced one
Empfängerausgangssignal (Sl) mit dem komplementären Wechselanteil (S5c) zum zusätzlichen Filtereingangssignal (S3'). Der zusätzliche Schleifenfilter (TR') filtert das Filtereingangssignal (S3') zum zusätzlichen Filterausgangssignal (S4'). Hier wird zur Vereinfachung angenommen, dass der zusätzliche erste Multiplizierer (Ml1) die gleichen Eigenschaften hat wie der erste Multiplizierer (Ml). Des Weiteren wird angenommen, dass der zusätzliche der zusätzliche Schleifenfilter (TP1) die gleichen Eigenschaften hat wie der Schleifenfilter (TP). Eine erste Anpassschaltung (OF1) addiert zum Wechselanteil (S5w) des Sendesignals (S5) wie zuvor beschrieben wieder einen Gleichanteil (S5g) des Sendesignals (S5) und führt ggf. eine weitere notendige Verstärkung (hl) durch. Receiver output signal (S1) with the complementary alternating component (S5c) to the additional filter input signal (S3 '). The additional loop filter (TR ') filters the filter input signal (S3') to the additional filter output signal (S4 '). For the sake of simplicity, it is assumed here that the additional first multiplier (Ml 1 ) has the same properties as the first multiplier (Ml). It is also assumed that the additional loop filter (TP 1 ) has the same properties as the loop filter (TP). A first matching circuit (OF1) adds a direct component (S5g) of the transmission signal (S5) to the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) as described above and, if necessary, carries out a further necessary amplification (hl).
Die Pumpstrahlungsquelle (PLI) wandelt das Sendesignal (S5) wieder in eine modulierte The pump radiation source (PLI) converts the transmission signal (S5) back into a modulated one
Pumpstrahlung (LB) um, die direkt oder wie zuvor beschrieben indirekt auf das Sensorelement und damit die paramagnetischen Zentren (NV1) im Sensorelement trifft. Dort regt diese Pumpstrahlung (LB) die paramagnetischen Zentren (NV1) im Material des Sensorelements zur Emission einer Fluoreszenzstrahlung (FL) an. Das erste Filter (Fl) lässt Strahlung mit der Fluoreszenzwellenlänge (lh) der Fluoreszenzstrahlung (FL) - z.B. 637nm bei NV-Zentren - passieren, während es die Strahlung mit der Pumpstrahlungswellenlänge (lrGhr) der Pumpstrahlung (LB) der Pumpstrahlungsquelle (PLI) und somit die modulierte Pumpstrahlung (LB) nicht passieren lässt. Die Fluoreszenzstrahlung (FL) ist korreliert, aber typischerweise definiert phasenverschoben zur Pumpstrahlung (LB) moduliert. Dies kann nun ausgenutzt werden. Die modulierte Fluoreszenzstrahlung (FL) wird nach dem Passieren des ersten Filters (Fl) vom Strahlungsempfänger (PD) empfangen und in ein moduliertes Pump radiation (LB) that hits the sensor element directly or, as described above, indirectly and thus the paramagnetic centers (NV1) in the sensor element. There, this pump radiation (LB) excites the paramagnetic centers (NV1) in the material of the sensor element to emit fluorescent radiation (FL). The first filter (F1) allows radiation with the fluorescence wavelength (l h ) of the fluorescence radiation (FL) - e.g. 637 nm for NV centers - to pass, while the radiation with the pump radiation wavelength (l rGhr ) of the pump radiation (LB) from the pump radiation source (PLI ) and thus does not allow the modulated pump radiation (LB) to pass. The fluorescence radiation (FL) is correlated, but typically modulated in a defined phase shifted from the pump radiation (LB). This can now be exploited. The modulated fluorescence radiation (FL) is received by the radiation receiver (PD) after passing through the first filter (F1) and converted into a modulated one
Empfängerausgangssignal (SO) umgewandelt. Ggf. umfasst der Strahlungsempfänger (PD) weitere Verstärker und Filter. Ein erster Addierer (Al) subtrahiert ein komplexes Rückkoppelsignal (S8) von dem Empfängerausgangssignal (SO). Es ergibt sich das reduzierte Empfängerausgangssignal (Sl). Dieses reduzierte Empfängerausgangssignal (Sl) wird in nunmehr zwei unabhängigen Receiver output signal (SO) converted. The radiation receiver (PD) may include further amplifiers and filters. A first adder (A1) subtracts a complex feedback signal (S8) from the receiver output signal (SO). The result is the reduced receiver output signal (S1). This reduced receiver output signal (Sl) is now in two independent
Schaltungsteilen weiterverarbeitet. Erster Schaltungsteil Circuit parts further processed. First circuit part
Ein erster Multiplizierer (Ml) multipliziert das reduzierte Empfängerausgangssignal (Sl) mit dem Wechselanteil (S5w) des Sendesignals (S5) und bildet so das Filtereingangssignal (S3). Der A first multiplier (Ml) multiplies the reduced receiver output signal (Sl) by the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) and thus forms the filter input signal (S3). The
Schleifenfilter (TP) lässt typischerweise den Gleichanteil des Filtereingangssignals (S3) durch. Es ergibt sich das Filterausgangssignal (S4) als Ausgangssignal des Schleifenfilters (TP). Formal bildet der erste Multiplizierer (Ml) und der Tiefpass des Schleifenfilters (TP) ein Skalarprodukt des reduzierten Empfängerausgangssignals (Sl) und des Wechselanteils (S5w) des Sendesignals (S5). Der Wert des Filterausgangssignals (S4) gibt dann an, wieviel vom Wechselanteil (S5w) des Sendesignals (S5) anteilig im reduzierten Empfängerausgangssignal (Sl) vorhanden ist. Dieses Filterausgangssignal (S4) kann man mit einem Fourier-Koeffizienten in seiner Funktion vergleichen. Eine dritte Loop filter (TP) typically lets the DC component of the filter input signal (S3) through. The result is the filter output signal (S4) as the output signal of the loop filter (TP). Formally, the first multiplier (Ml) and the low-pass filter of the loop filter (TP) form a scalar product of the reduced receiver output signal (Sl) and the alternating component (S5w) of the transmitted signal (S5). The value of the filter output signal (S4) then indicates how much of the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) is proportionally present in the reduced receiver output signal (S1). The function of this filter output signal (S4) can be compared with a Fourier coefficient. A third
Anpassschaltung (OF3) erzeugt in diesem Beispiel aus dem Wechselanteil (S5w) des Sendesignals (S5) einen komplementären Wechselanteil (S5c) des Sendesignals (S5). Auf die alternativen In this example, the adapter circuit (OF3) generates a complementary alternating component (S5c) of the transmission signal (S5) from the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5). On the alternatives
Ausführungen, die oben erwähnt sind und funktionsergebnisgleich sind, wird hingewiesen. Letztlich geht es darum, dass das Rückkoppelsignal (S6) komplementär zum Sendesignal (S5) moduliert sein soll. Ein zweiter Multiplizierer (M2) multipliziert das Filterausgangssignal (S4) mit dem Designs that are mentioned above and have the same functional results are pointed out. Ultimately, the point is that the feedback signal (S6) should be modulated complementarily to the transmission signal (S5). A second multiplier (M2) multiplies the filter output signal (S4) by the
komplementären Wechselanteil (S5c) des Sendesignals (S5) und bildet so das Rückkoppelsignal (S6). Ist die Verstärkung des Schleifenfilters (TP) sehr groß, so enthält das reduzierte complementary alternating component (S5c) of the transmission signal (S5) and thus forms the feedback signal (S6). If the gain of the loop filter (TP) is very large, the reduced
Empfängerausgangssignal (Sl) typischerweise bis auf einen Gleichanteil und einen Regelfehler bei Stabilität keine wesentlichen Anteile des Sendesignals (S5) mehr. Der Wert des Filterausgangssignals (S4) ist dann ein Maß für die Intensität (lfl) der Fluoreszenzstrahlung (FL), die den Receiver output signal (S1) typically no longer significant components of the transmission signal (S5) apart from a direct component and a control error with stability. The value of the filter output signal (S4) is then a measure of the intensity (l fl ) of the fluorescent radiation (FL) that the
Strahlungsempfänger (PD) erreicht. Radiation receiver (PD) reached.
Zweiter Schaltungsteil Second part of the circuit
Ein zusätzlicher erster Multiplizierer (Ml') multipliziert das reduzierte Empfängerausgangssignal (Sl) mit dem komplementären Wechselanteil (S5c) des Sendesignals (S5) und bildet so das zusätzliche Filtereingangssignal (S31). Der zusätzliche Schleifenfilter (TP1) lässt den Gleichanteil des zusätzlichen Filtereingangssignals (S31) durch. Es ergibt sich das zusätzliche Filterausgangssignal (S41) als An additional first multiplier (Ml ') multiplies the reduced receiver output signal (S1) by the complementary alternating component (S5c) of the transmission signal (S5) and thus forms the additional filter input signal (S3 1 ). The additional loop filter (TP 1 ) lets the direct component of the additional filter input signal (S3 1 ) through. The additional filter output signal (S4 1 ) results as
Ausgangssignal des zusätzlichen Schleifenfilters (TP1). Formal bildet der zusätzliche erste Output signal of the additional loop filter (TP 1 ). Formally, the additional first forms
Multiplizierer (Ml') und der zusätzliche Tiefpass des zusätzlichen Schleifenfilters (TP1) ein Multiplier (Ml ') and the additional low pass of the additional loop filter (TP 1 )
Skalarprodukt des reduzierten Empfängerausgangssignals (Sl) und komplementären Wechselanteils (S5c) des Sendesignals (S5). Bevorzugt geschieht dies in formal gleicher Weise wie im ersten Scalar product of the reduced receiver output signal (S1) and complementary alternating component (S5c) of the transmission signal (S5). This is preferably done in the same way as in the first
Schaltungsteil. Der Wert des zusätzlichen Filterausgangssignals (S41) gibt dann an, wieviel vom komplementären Wechselanteil (S5c) des Sendesignals (S5) anteilig im reduzierten Empfängerausgangssignal (Sl) vorhanden ist. Dieses zusätzliche Filterausgangssignal (S41) kann man mit einem weiteren Fourier-Koeffizienten in seiner Funktion vergleichen. Auf die alternativen Ausführungen, die oben erwähnt sind, und funktionsergebnisgleich sind wird hingewiesen. Ein zusätzlicher zweiter Multiplizierer (M21) multipliziert das zusätzliche Filterausgangssignal (S41) mit dem Wechselanteil (S5w) des Sendesignals (S5) und bildet so das zusätzliche Rückkoppelsignal (S61). Ist die Verstärkung des zusätzlichen Schleifenfilters (TP1) sehr groß, so enthält das reduzierte Empfängerausgangssignal (Sl) typischerweise bis auf einen Gleichanteil und einen Regelfehler bei Stabilität keinen Anteil des komplementären Wechselanteils (S5c) des Sendesignals (S5) mehr. Der Wert des zusätzlichen Filterausgangssignals (S4) ist dann ein Maß für die Amplitude der Circuit part. The value of the additional filter output signal (S4 1 ) then indicates how much of the complementary alternating component (S5c) of the transmission signal (S5) is proportionally present in the reduced receiver output signal (Sl). The function of this additional filter output signal (S4 1 ) can be compared with another Fourier coefficient. Reference is made to the alternative designs which are mentioned above and which have the same functional results. An additional second multiplier (M2 1 ) multiplies the additional filter output signal (S4 1 ) by the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) and thus forms the additional feedback signal (S6 1 ). If the gain of the additional loop filter (TP 1 ) is very high, the reduced receiver output signal (S1) typically no longer contains a portion of the complementary alternating portion (S5c) of the transmitted signal (S5), apart from a direct component and a control error. The value of the additional filter output signal (S4) is then a measure of the amplitude of the
Fluoreszenzstrahlung (FL), die den Strahlungsempfänger (PD) zu Zeiten erreicht, in denen keine Pumpstrahlung (LB) von der Pumpstrahlungsquelle (PLI) ausgesendet wird. Auch auf diese Weise kann der Phasenwinkel des zeitlichen Verlaufs beispielsweise der Intensität (lf|) der Fluorescence radiation (FL) that reaches the radiation receiver (PD) at times when no pump radiation (LB) is emitted by the pump radiation source (PLI). In this way, too, the phase angle of the time profile, for example the intensity (l f | ) of the
Fluoreszenzstrahlung (FL) zum zeitlichen Verlauf des Werts (s5w) des Wechselanteils (S5w) des Sendesignals (S5) als zeitlicher Wert der Fluoreszenzverschiebungszeit (ATFL) bestimmt werden. Versuche haben gezeigt, dass der Phasenwinkel der Fluoreszenzstrahlung (FL) gegenüber der Pumpstrahlung (LB) von der magnetischen Flussdichte B und/oder ggf. anderen physikalischen Parametern wie Druck P, Temperatur q, elektrische Feldstärke E, Beschleunigung a oder Fluorescence radiation (FL) can be determined for the temporal course of the value (s5w) of the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) as the temporal value of the fluorescence shift time (ATFL). Tests have shown that the phase angle of the fluorescence radiation (FL) with respect to the pump radiation (LB) depends on the magnetic flux density B and / or possibly other physical parameters such as pressure P, temperature q, electric field strength E, acceleration a or
Rotationsgeschwindigkeit o und deren zeitlichen Ableitungen und Integralen am Ort der paramagnetischen Zentren (NV1) abhängig ist. Auf diese Weise lässt sich die Rotation speed o and its time derivatives and integrals at the location of the paramagnetic centers (NV1) is dependent. In this way, the
Fluoreszenzphasenverschiebungszeit (ATFL) bestimmen. Die Fluoreszenzphasenverschiebungszeit (ATFL) ist die Verzögerung des Wechselanteils (FLw) der Intensität (lf|) der Fluoreszenzstrahlung (FL) gegenüber dem Wechselanteil (S5w) des Sendesignals (S5). Determine fluorescence phase shift time (ATFL). The fluorescence phase shift time (ATFL) is the delay of the alternating component (FLw) of the intensity (l f | ) of the fluorescent radiation (FL) compared to the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5).
Der Vorteil dieser Anordnung ist, dass bei einer Messung über das zusätzliche Sensorausgangssignal (out1) der Filter (Fl) sowie ein entsprechender erster Kleber (GL1) zur Befestigung des ersten Filters (Fl) an dem Strahlungsempfänger (PD) oder dem Sensorelement entfallen kann, was die Kosten des Systems weiter signifikant senkt. The advantage of this arrangement is that when measuring via the additional sensor output signal (out 1 ), the filter (Fl) and a corresponding first adhesive (GL1) for attaching the first filter (Fl) to the radiation receiver (PD) or the sensor element can be omitted which further significantly reduces the cost of the system.
Somit realisiert dieses System dann ein Verfahren zum Betreiben eines Sensorsystems und/oder quantentechnologischen Systems wobei das Sensorsystem und/oder quantentechnologischen System ein oder mehrere paramagnetische Zentren (NV1) oder eine oder mehrere Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) im Material eines Sensorelements und/oder quantentechnologischen Vorrichtungselements, das Teil des Sensorsystems und/oder quantentechnologischen Systems ist, umfasst. Mittels eines Sendesignals (S5) erfolgt ein moduliertes Aussenden einer modulierten Pumpstrahlung (LB) insbesondere durch die Pumpstrahlungsquelle (PLI). Ein oder mehrere paramagnetische Zentren (NV1) bzw. eine oder mehrere Gruppen paramagnetischer Zentren (NV1) in einem Material eines Sensorelements und/oder This system then implements a method for operating a sensor system and / or quantum technological system, the sensor system and / or quantum technological system having one or more paramagnetic centers (NV1) or one or more groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) in the material of a sensor element and /or quantum technological device element which is part of the sensor system and / or quantum technological system comprises. A modulated transmission of a modulated pump radiation (LB), in particular by the pump radiation source (PLI), takes place by means of a transmission signal (S5). One or more paramagnetic centers (NV1) or one or more groups of paramagnetic centers (NV1) in a material of a sensor element and / or
quantentechnologischen Vorrichtungselements erzeugt eine modulierte Fluoreszenzstrahlung (FL) die von der modulierten Pumpstrahlung (LB) abhängt. Wie bereits beschrieben, handelt es sich bei dem oder den paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der Gruppe oder den Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) bevorzugt um ein oder mehrere NV-Zentren in einem Diamanten als Sensorelement, die ggf. auch in Gruppen angeordnet sind. Wie ebenfalls erwähnt, ist die modulierte Fluoreszenzstrahlung (FL) typischerweise gegenüber der modulierten Pumpstrahlung (LB) zeitlich um eine Fluoreszenzphasenverschiebungszeit (ATFL) phasenverschoben. Das oder die paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. die Gruppe oder die Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) in dem Material des Sensorelements und/oder quantentechnologischen quantum technological device element generates a modulated fluorescence radiation (FL) which depends on the modulated pump radiation (LB). As already described, the paramagnetic center or centers (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) are preferably one or more NV centers in a diamond as a sensor element, which may also be in Groups are arranged. As also mentioned, the modulated fluorescence radiation (FL) is typically phase-shifted in relation to the modulated pump radiation (LB) by a fluorescence phase shift time (ATFL). The one or more paramagnetic centers (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) in the material of the sensor element and / or quantum technological
Vorrichtungselements leuchten also nach der Anregung durch die modulierte Pumpstrahlung (LB) nach und geben auch dann noch modulierte Fluoreszenzstrahlung (FL) ab, wenn keine modulierte Pumpstrahlung (LB) mehr auf das oder die paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. die Gruppe oder die Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) in dem Material des Sensorelements und/oder quantentechnologischen Vorrichtungselements einstrahlt. Dieses Nachleuchten wird durch das zusätzliche Sensorausgangssignal (out1) hier repräsentiert. Es erfolgt somit das Empfangen der modulierten Fluoreszenzstrahlung (FL) und das Erzeugen eines Empfängerausgangssignals (SO). Zur Bestimmung des Nachleuchtens erfolgt das Bestimmen der Intensität (lf|) der modulierten Device elements shine after the excitation by the modulated pump radiation (LB) and then still emit modulated fluorescence radiation (FL) when there is no more modulated pump radiation (LB) on the paramagnetic center or centers (NV1) or the group or groups (NVC) paramagnetic centers (NV1) in the material of the sensor element and / or quantum technological device element irradiates. This afterglow is represented here by the additional sensor output signal (out 1 ). The modulated fluorescence radiation (FL) is thus received and a receiver output signal (SO) is generated. To determine the afterglow, the intensity (l f | ) of the modulated ones is determined
Fluoreszenzstrahlung (FL) des paramagnetischen Zentrums (NV1) in dem Material des Fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic center (NV1) in the material of the
Sensorelements zu Zeiten, wenn das modulierte Aussenden der modulierten Pumpstrahlung (LB) insbesondere durch die Pumpstrahlungsquelle (PLI) und damit die Anregung des paramagnetischen Zentrums (NV1) bzw. der paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der Gruppe oder der Gruppen (NVC) der paramagnetischen Zentren (NV1) nicht mehr stattfindet. Das entsprechende Maß für das Nachleuchten der Fluoreszenzstrahlung (FL) um die Fluoreszenzphasenverschiebungszeit (ATFL) bezogen auf die fallenden Flanken der Pumpstrahlung (LB) ist jeweils der Wert des zusätzlichen Sensorausgangssignals (out1) Ein zweiter Addierer (A2) summiert das Rückkoppelsignal (S6) und das zusätzliche Rückkoppelsignal (S61) zum komplexen Rückkoppelsignal (S8) wodurch der Regelkreis geschlossen wird. Die Vorzeichen und die Verstärkungen der Schleifenfilter (TP und TP') und die Bildungsregel für das komplementäre Sendesignal (S5c) werden typischerweise so gewählt, dass sich Stabilität im Regelkreis einstellt und im Wesentlichen das reduzierte Empfängerausgangssignal (Sl) keine Komponenten des komplexen Rückkoppelsignals (S8) und des Wechselanteils (S5w) des Sendesignals (S5) und des komplementären Wechselanteils (S5c) des Sendesignals (S5) bis auf Systemrauschen und Regelfehler mehr enthält. Die Verstärkungen der Schleifenfilter (TP und TP') und deren Frequenzgang und sonstigen Eigenschaften werden bevorzugt gleich ausgeführt. Dies kann beispielsweise, wenn sie Teile eines integrierten Schaltkreises sind, durch eine matchende Ausführung erfolgen. Sensor element at times when the modulated emission of the modulated pump radiation (LB) in particular by the pump radiation source (PLI) and thus the excitation of the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) or the group or groups (NVC) of the paramagnetic centers (NV1) no longer takes place. The corresponding measure for the afterglow of the fluorescence radiation (FL) around the fluorescence phase shift time (ATFL) based on the falling edges of the pump radiation (LB) is the value of the additional sensor output signal (out 1 ). A second adder (A2) sums the feedback signal (S6) and the additional feedback signal (S6 1 ) to form the complex feedback signal (S8), thereby closing the control loop. The signs and the gains of the loop filters (TP and TP ') and the formation rule for the complementary transmission signal (S5c) are typically selected in such a way that stability is established in the control loop and essentially the reduced receiver output signal (S1) does not contain any components of the complex feedback signal (S8 ) and the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) and the complementary alternating component (S5c) of the transmission signal (S5) apart from system noise and control errors. The gains of the loop filters (TP and TP ') and their frequency response and other properties are preferably designed to be the same. If they are part of an integrated circuit, for example, this can be done by a matching design.
F ig u r 21 Fig. 21
Figur 21 zeigt die beispielhafte Sensorsystemstruktur der Figur 20 mit je einer Flalteschaltung in jedem Regelzweig. Auf die vorausgegangenen und nachfolgenden Figuren mit Flalteschaltungen (S&FI) und deren Beschreibungen wird hier verwiesen. F ig u r 22 FIG. 21 shows the exemplary sensor system structure of FIG. 20 with one folding circuit in each control branch. Reference is made here to the preceding and following figures with folded circuits (S&FI) and their descriptions. Fig. 22
Die Figur 22 entspricht der Figur 21 wobei nun beispielhaft ein erster Filter (Fl) eingefügt ist. Der erste Filter (Fl) ist bevorzugt wieder für Strahlung mit der Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (lh) der Fluoreszenzstrahlung (FL) der paramagnetischen Zentren (NV1) - z.B. 637nm bei NV-Zentren - transparent und für Strahlung mit der Pumpstrahlungswellenlänge ( lrGTΐr) der Pumpstrahlung (LB) der Pumpstrahlungsquelle (PLI) bevorzugt nicht transparent. FIG. 22 corresponds to FIG. 21, a first filter (F1) now being inserted by way of example. The first filter (Fl) is preferably again for radiation with the fluorescence radiation wavelength (lh) of the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic centers (NV1) - e.g. 637nm for NV centers - transparent and for radiation with the pump radiation wavelength (l rGTΐr ) of the pump radiation ( LB) of the pump radiation source (PLI) is preferably not transparent.
F ig u r 23 Fig. 23
Figur 23 zeigt beispielhafte Signale für die Sensorsysteme der Figuren 20 bis 22. Das komplexe Rückkoppelsignal (S8) hat nicht die volle Amplitude. Sollte die Fluoreszenzphasenverschiebungszeit (ATFL) ein Viertel der Sendesignalperiode (Tp) betragen so wäre es ein Konstantwert-Signal. Die Signale sind zur Verdeutlichung vereinfacht und nur schematisch mit beispielhaften Amplituden gezeichnet. FIG. 23 shows exemplary signals for the sensor systems of FIGS. 20 to 22. The complex feedback signal (S8) does not have the full amplitude. If the fluorescence phase shift time (ATFL) is a quarter of the transmission signal period (T p ), it would be a constant value signal. The signals are simplified for clarity and are only shown schematically with exemplary amplitudes.
F ig u r 24 Fig. 24
Figur 24 entspricht der Figur 20 mit dem Unterschied, dass der erste Filter (Fl) vorgesehen ist und dass der Kompensationspfad als ideale Referenzrauschquelle zur Realisierung eines Dicke- Verstärkers ausgeführt ist. Um gleiche Rauscheigenschaften wie der Sendepfad über die FIG. 24 corresponds to FIG. 20 with the difference that the first filter (F1) is provided and that the compensation path is the ideal reference noise source for realizing a thickness Amplifier is executed. In order to have the same noise characteristics as the transmission path via the
Pumpstrahlungsquelle (PLI, LB, NV1, FL, Fl, PD1) aufzuweisen ist der Kompensationspfad (PLK, KS, NV2, KFL, Fl, PD) in gleicher Weise wie der Sendepfad über die Pumpstrahlungsquelle (PLI, LB, NV1, FL, Fl, PD1) ausgeführt. Bevorzugt ist die Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) in dem Beispiel der Figur 24 typgleich der Pumpstrahlungsquelle (PLI). Bevorzugt sind die Pumpstrahlungsquelle (PLI) und die Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) in dem Beispiel der Figur 24 thermisch gekoppelt. Bevorzugt werden die Pumpstrahlungsquelle (PLI) und die Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) nicht nur gleich ausgeführt sondern bevorzugt auch im gleichen elektrischen, thermischen und optischen Arbeitspunkt, u.a. gekennzeichnet durch im Wesentlichen gleichen Betriebsstromverlauf, im Wesentlichen gleichen Betriebsspannungsverlauf, im wesentlichen gleiche Betriebstemperatur und eine im Wesentlichen gleiche Ausführung des nachfolgenden optischen Systems , was insbesondere die Rückreflektion des emittierten Lichts der Pumpstrahlungsquelle (PLI) in die Pumpstrahlungsquelle (PLI) zurück und die Rückreflektion des emittierten Lichts der Pump radiation source (PLI, LB, NV1, FL, Fl, PD1) must have the compensation path (PLK, KS, NV2, KFL, Fl, PD) in the same way as the transmission path via the pump radiation source (PLI, LB, NV1, FL, Fl , PD1). The compensation radiation source (PLK) in the example in FIG. 24 is preferably of the same type as the pump radiation source (PLI). The pump radiation source (PLI) and the compensation radiation source (PLK) are preferably thermally coupled in the example in FIG. The pump radiation source (PLI) and the compensation radiation source (PLK) are preferably not only designed in the same way, but preferably also at the same electrical, thermal and optical operating point, characterized, among other things, by essentially the same operating current curve, essentially the same operating voltage curve, essentially the same operating temperature and essentially one same design of the following optical system, which in particular the back reflection of the emitted light of the pump radiation source (PLI) back into the pump radiation source (PLI) and the back reflection of the emitted light of the
Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) in die Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) zurück und deren Wechselwirkung untereinander betrifft. Bevorzugt werden alle, weniger bevorzugt weniger der vorstehenden Bedingungen erfüllt. Bevorzugt sind die Pumpstrahlungsquelle (PLI) und die Compensation radiation source (PLK) back into the compensation radiation source (PLK) and their interaction with each other. Preferably all, less preferably less of the above conditions are met. The pump radiation source (PLI) and the
Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) in dem Beispiel der Figur 24 Teil des gleichen Compensation radiation source (PLK) in the example of Figure 24 part of the same
Halbleitersubstrats (Englisch Chip, Die). Bevorzugt ist das Referenzsensorelement mit den paramagnetischen Referenzzentren (NV2) in dem Beispiel der Figur 24 in gleicher Weise gefertigt, wie das Sensorelement mit den paramagnetischen Zentren (NV1). Bevorzugt ist die Dichte der durch die Kompensationsstrahlung (KS) bestrahlten paramagnetischen Referenzzentren (NV2) gleich der Dichte der durch die Pumpstrahlung (LB) bestrahlten paramagnetischen Zentren (NV1). Bevorzugt ist im Beispiel der Figur 24 im typischen Arbeitspunkt des Sensorsystems die Intensität (1^) und die Intensitätsdichte der die paramagnetischen Referenzzentren (NV2) bestrahlenden Semiconductor substrate (English Chip, Die). The reference sensor element with the paramagnetic reference centers (NV2) in the example in FIG. 24 is preferably manufactured in the same way as the sensor element with the paramagnetic centers (NV1). The density of the paramagnetic reference centers (NV2) irradiated by the compensation radiation (KS) is preferably equal to the density of the paramagnetic centers (NV1) irradiated by the pump radiation (LB). In the example in FIG. 24, the intensity (1 ^) and the intensity density of the paramagnetic reference centers (NV2) irradiating at the typical working point of the sensor system are preferred
Kompensationsstrahlung (KS) gleich der Intensität (lpmp) und der Intensitätsdichte der die paramagnetischen Zentren (NV1) bestrahlenden Pumpstrahlung (LB). Bevorzugt werden zu deren Einstellung in gleicher weise konstruktive Vorrichtungsteile und optische Funktionselemente genutzt. Der erste Filter (Fl) ist im Beispiel der Figur 24 bevorzugt transparent für die Compensation radiation (KS) equal to the intensity (I pmp ) and the intensity density of the pump radiation (LB) irradiating the paramagnetic centers (NV1). For their adjustment, structural device parts and optical functional elements are preferably used in the same way. The first filter (F1) is preferably transparent for the in the example of FIG
Fluoreszenzstrahlung (FL) der paramagnetischen Zentren (NV1) und für die Fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic centers (NV1) and for the
Kompensationsfluoreszenzstrahlung (KFL) der paramagnetischen Referenzzentren. Der erste Filter (Fl) ist im Beispiel der Figur 24 bevorzugt nicht transparent für die Pumpstrahlung (LB) der Pumpstrahlungsquelle (PLI) und für die Kompensationsstrahlung (KS) der Compensation fluorescence radiation (KFL) of the paramagnetic reference centers. In the example of FIG. 24, the first filter (F1) is preferably not transparent to the pump radiation (LB) Pump radiation source (PLI) and for the compensation radiation (KS) the
Kompensationsstrahlungsquelle (PLK). Compensation radiation source (PLK).
Eine bevorzugt vorhandene erste Barriere (BAI) verhindert im Beispiel der Figur 24 das A preferably present first barrier (BAI) prevents this in the example in FIG. 24
Übersprechen der Kompensationsstrahlung (KS) in den Sendepfad (PLI, LB, NV1, FL, Fl, PD). Crosstalk of the compensation radiation (KS) in the transmission path (PLI, LB, NV1, FL, Fl, PD).
Die bevorzugt vorhandene erste Barriere (BAI) verhindert im Beispiel der Figur 24 das Übersprechen der Pumpstrahlung (LB) in den Kompensationspfad (PLK, KS, NV2, KFL, Fl, PD). Die bevorzugt vorhandene zweite Barriere (BA2) verhindert im Beispiel der Figur 24 das direkte Übersprechen der Pumpstrahlung (LB) in den Strahlungsempfänger (PD). Die bevorzugt vorhandene dritte Barriere (BA3) verhindert im Beispiel der Figur 24 das direkte Übersprechen der Kompensationsstrahlung (LB) in den Strahlungsempfänger (PD). Typischerweise sind die Barrieren (BAI, BA2, BA3) so ausgeführt, dass sie ineinander übergehen. The preferably present first barrier (BAI) prevents the crosstalk of the pump radiation (LB) into the compensation path (PLK, KS, NV2, KFL, F1, PD) in the example in FIG. The second barrier (BA2) which is preferably present prevents direct crosstalk of the pump radiation (LB) into the radiation receiver (PD) in the example in FIG. The third barrier (BA3) which is preferably present prevents, in the example in FIG. 24, the direct crosstalk of the compensation radiation (LB) into the radiation receiver (PD). The barriers (BAI, BA2, BA3) are typically designed in such a way that they merge into one another.
Die Intensität (lkf|) der Kompensationsfluoreszenzstrahlung (KFL) und die Intensität (lfl) der The intensity (l kf | ) of the compensation fluorescence radiation (KFL) and the intensity (l fl ) of the
Fluoreszenzstrahlung (FL) überlagern sich im Strahlungsempfänger (PD) zur Fluorescence radiation (FL) are superimposed in the radiation receiver (PD)
Gesamtstrahlungsintensität. Der Strahlungsempfänger (PD) erzeugt in Abhängigkeit von dieser Gesamtstrahlungsintensität das Empfängerausgangssignal (SO). Ein erster Verstärker (VI) verstärkt das Empfängerausgangssignal (SO) zum reduzierten Empfängerausgangssignal (Sl). Die weitere Verarbeitung verläuft analog zur Beschreibung der Figur 20. Statt des komplexen Total radiation intensity. The radiation receiver (PD) generates the receiver output signal (SO) as a function of this total radiation intensity. A first amplifier (VI) amplifies the receiver output signal (SO) to the reduced receiver output signal (Sl). Further processing is analogous to the description of FIG. 20. Instead of the complex one
Rückkopplungssignals wird in der bereits zuvor erläuterten Art und Weise mittels einer zweiten Anpassschaltung (OF2) bevorzugt als lineare Abbildung das Kompensationssendesignal (S7) als Wert (s7) des Kompensationssendesignals (S7) aus der Summe des Werts (s6) des Rückkoppelsignals (S6) und des Werts (s6') des weiteren Rückkoppelsignals (S61) gebildet, welches wieder die Feedback signal is in the manner already explained by means of a second matching circuit (OF2), preferably as a linear mapping, the compensation transmission signal (S7) as the value (s7) of the compensation transmission signal (S7) from the sum of the value (s6) of the feedback signal (S6) and of the value (s6 ') of the further feedback signal (S6 1 ) formed which again the
Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) steuert. Das Sensorsystem der Figur 24 ist in der Lage, beispielsweise eine Änderung der magnetischen Flussdichte B sowohl mit Hilfe der Änderung der Intensität (lfl) der Fluoreszenzstrahlung (FL) relativ zur Intensität (lkf|) der Compensation radiation source (PLK) controls. The sensor system of FIG. 24 is able, for example, to change the magnetic flux density B both with the aid of the change in the intensity (l fl ) of the fluorescent radiation (FL) relative to the intensity (l kf | ) of the
Kompensationsfluoreszenzstrahlung (KFL) zu bestimmen, als auch eine Änderung der magnetischen Flussdichte B mit Hilfe der Änderung der Fluoreszenzphasenverschiebungszeit (ATFL ) der To determine compensation fluorescence radiation (KFL), as well as a change in the magnetic flux density B with the help of the change in the fluorescence phase shift time (ATFL) of the
Fluoreszenzstrahlung (FL) relativ zur Kompensationsfluoreszenzphasenverschiebungszeit (AKTFL ) der Kompensationsfluoreszenzstrahlung (KFL) zu bestimmen. Die Fluoreszenzphasenverschiebungszeit (ATFL) der Fluoreszenzstrahlung (FL) der paramagnetischen Zentren (NV1) hängt typischerweise von der magnetischen Feldstärke und weiteren physikalischen Parametern ab, wie sie hier in dieser Schrift an anderer Stelle genannt wurden. Insbesondere hängt sie typischerweise auch von den Isotopen im Umfeld des oder der paramagnetischen Zentren bzw. Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) ab. Somit wird durch die vorgeschlagene Vorrichtung eine vollkommen neue To determine fluorescence radiation (FL) relative to the compensation fluorescence phase shift time (AKTFL) of the compensation fluorescence radiation (KFL). The fluorescence phase shift time (ATFL) of the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic centers (NV1) typically depends on the magnetic field strength and other physical parameters, as here in this one Scripture mentioned elsewhere. In particular, it typically also depends on the isotopes in the vicinity of the paramagnetic center or centers or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1). Thus, the proposed device is a completely new one
Messvorrichtung und Messmethode für die Wechselwirkung von nuklearen Spins, z.B. von 13C- Kohlenstoffisotopen in ansonsten isotopenreinen Diamanten, mit ihrer Umgebung und der diese beeinflussenden physikalischen Parameter möglich. Beispielsweise können auch kleinste Measuring device and measuring method for the interaction of nuclear spins, for example of 13 C carbon isotopes in otherwise isotopically pure diamonds, with their environment and the physical parameters influencing them are possible. For example, even the smallest
Verschiebungen der GSLAC-Resonanz durch die hier vorgeschlagene Vorrichtung erfasst werden. Handelt es sich beispielsweise bei dem Material des Referenzelements mit den Referenzzentren (NV2) um einen zumindest in der Umgebung der Referenzzentren (N2) isotopenreinen 12C- Diamanten und bei dem Material des Sensorelements mit den paramagnetischen Zentren (NV1) um einen zumindest in der Umgebung der paramagnetischen Zentren (N2) in erster Näherung isotopenreinen 12C-Diamanten, der jedoch im Bereich der paramagnetischen Zentren (NV1) mit 13C- Kohlenstoffisotopen, beispielsweise durch gezielte fokussierte Ionenimplantation modifiziert ist, so ist im Falle von NV-Zentren als paramagnetischen Zentren (NV1) und on NV-Zentren als Shifts in the GSLAC resonance can be detected by the device proposed here. For example, if the material of the reference element with the reference centers (NV2) is at least one isotope-pure 12 C diamond in the vicinity of the reference centers (N2) and the material of the sensor element with the paramagnetic centers (NV1) is at least one in the vicinity of the paramagnetic centers (N2) in a first approximation isotopically pure 12 C-diamonds, which, however, in the area of the paramagnetic centers (NV1) is modified with 13 C-carbon isotopes, for example by targeted, focused ion implantation, is in the case of NV centers as paramagnetic centers (NV1) and on NV centers as
Referenzzentren (NV2) die GSLAC-Resonanz der paramagnetischen Zentren (NV1) gegenüber der GSLAC-Resonanz der paramagnetischen Referenzzentren (NV2) leicht verändert, was durch das beispielhaft vorgeschlagene System dieser Figur 24 erfasst werden kann. Das beispielhaft vorgeschlagene System, der Figur 24 erfasst hierzu die Intensität (lfl) der Fluoreszenzstrahlung (FL) der paramagnetischen Zentren (NV1) und die Intensität (lkf|) der Kompensationsfluoreszenzstrahlung (KFL) der paramagnetischen Referenzzentren (NV2) und ermittelt einen Wert für den Unterschied zwischen der Intensität (lf|) der Fluoreszenzstrahlung (FL) der paramagnetischen Zentren (NV1) und der Intensität (lkf|) der Kompensationsfluoreszenzstrahlung (KFL) in Form des Sensorausgangssignals (out), der im Beispiel der Figur 24 dem Sensorausgangssignal (out) entspricht, während das weitere Sensorausgangssignal (out1) der Figur 24 die Verzögerung des zeitlichen Verlaufs der Intensität (lf|) der Fluoreszenzstrahlung (FL) der paramagnetischen Zentren (NV1) gegenüber dem zeitlichen Verlauf der Intensität (lkf|) der Kompensationsfluoreszenzstrahlung (KFL) repräsentiert, wobei es noch einen Amplitudenanteil umfasst, der ggf. noch herauskorrigiert werden muss.. Reference centers (NV2) slightly changes the GSLAC resonance of the paramagnetic centers (NV1) compared to the GSLAC resonance of the paramagnetic reference centers (NV2), which can be detected by the system proposed by way of example in FIG. The system proposed by way of example, in FIG. 24, detects the intensity (l fl ) of the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic centers (NV1) and the intensity (l kf | ) of the compensation fluorescence radiation (KFL) of the paramagnetic reference centers (NV2) and determines a value for the difference between the intensity (l f | ) of the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic centers (NV1) and the intensity (l kf | ) of the compensation fluorescence radiation (KFL) in the form of the sensor output signal (out), which in the example in FIG Sensor output signal (out) corresponds, while the further sensor output signal (out 1 ) of FIG. 24 shows the delay in the time profile of the intensity (l f | ) of the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic centers (NV1) compared to the time profile of the intensity (l kf | ) of the compensation fluorescence radiation (KFL), whereby it also includes an amplitude component that may still have to be corrected.
Figu r 25 Fig. 25
Figur 25 zeigt die beispielhafte Sensorsystemstruktur der Figur 24 mit je einer Halteschaltung in jedem Regelzweig. Auf die Ausführungen zu den anderen Figuren von Sensorsystemen mit FIG. 25 shows the exemplary sensor system structure of FIG. 24 with one holding circuit in each control branch. On the comments on the other figures of sensor systems with
Halteschaltungen (S&H) wird hier verwiesen. F ig u r 26 Hold circuits (S&H) are referenced here. Fig. 26
Figur 26 zeigt beispielhafte Signale für die Sensorsysteme der Figuren 24 bis 25. Das FIG. 26 shows exemplary signals for the sensor systems of FIGS. 24 to 25. The
Kompensationssendesignal (S7) hat nicht die volle Amplitude. Sollte die Compensation transmission signal (S7) does not have the full amplitude. Should the
Fluoreszenzphasenverschiebungszeit (ATFL) ein Viertel der Sendesignalperiode (Tp) betragen so wäre es ein Konstantwert-Signal. Aus dem Sensorausgangssignal (out) und dem zusätzliche Fluorescence phase shift time (ATFL) are a quarter of the transmission signal period (T p ) so it would be a constant value signal. From the sensor output signal (out) and the additional
Sensorausgangssignal (out') lässt sich auf das Verhältnis der Intensität (lkf|) der Sensor output signal (out ') can be based on the ratio of the intensity (l kf | ) of the
Kompensationsfluoreszenzstrahlung (KFL) der paramagnetischen Referenzzentren (NV2) zur Intensität (lfl) der Fluoreszenzstrahlung (FL) der paramagnetischen Zentren (NV1) schließen und auf das Verhältnis der Kompensationsfluoreszenzphasenverschiebungszeit (AKTFL) der Compensation fluorescence radiation (KFL) of the paramagnetic reference centers (NV2) to the intensity (l fl ) of the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic centers (NV1) and the ratio of the compensation fluorescence phase shift time (AKTFL) of the
Kompensationsfluoreszenzstrahlung (KFL) der paramagnetischen Referenzzentren (NV2) zur Fluoreszenzphasenverschiebungszeit (ATFL) der Fluoreszenzstrahlung (FL) der paramagnetischen Zentren (NV1). Die Signale sind zur Verdeutlichung vereinfacht und nur schematisch gezeichnet. Die Fluoreszenzphasenverschiebungszeit (ATFL) der Fluoreszenzstrahlung (FL) der paramagnetischen Zentren (NV1) hängt typischerweise von der magnetischen Feldstärke und weiteren physikalischen Parametern ab, wie sie hier in dieser Schrift an anderer Stelle genannt wurden. Insbesondere hängt sie typischerweise auch von den Isotopen im Umfeld des oder der paramagnetischen Zentren bzw. Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) ab. Somit wird durch die vorgeschlagene Compensation fluorescence radiation (KFL) of the paramagnetic reference centers (NV2) to the fluorescence phase shift time (ATFL) of the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic centers (NV1). The signals are simplified for clarity and only shown schematically. The fluorescence phase shift time (ATFL) of the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic centers (NV1) typically depends on the magnetic field strength and other physical parameters, as mentioned elsewhere in this document. In particular, it typically also depends on the isotopes in the vicinity of the paramagnetic center or centers or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1). Thus, by the proposed
Vorrichtung eine vollkommen neue Messvorrichtung und Messmethode für die Wechselwirkung von nuklearen Spins, z.B. von 13C-Kohlenstoffisotopen in ansonsten isotopenreinen Diamanten, mit ihrer Umgebung und der diese beeinflussenden physikalischen Parameter möglich. Beispielsweise werden auch kleinste Verschiebungen der GSLAC-Resonanz möglich. Handelt es sich beispielsweise bei dem Material des Referenzelements mit den Referenzzentren (NV2) um einen zumindest in der Device a completely new measuring device and measuring method for the interaction of nuclear spins, eg of 13 C-carbon isotopes in otherwise isotopically pure diamonds, with their environment and the physical parameters influencing them. For example, even the smallest shifts in the GSLAC resonance are possible. If, for example, the material of the reference element with the reference centers (NV2) is at least one in the
Umgebung der Referenzzentren (N2) isotopenreinen 12C-Diamanten und bei dem Material des Sensorelements mit den paramagnetischen Zentren (NV1) um einen zumindest in der Umgebung der paramagnetischen Zentren (N2) in erster Näherung isotopenreinen 12C-Diamanten, der jedoch im Bereich der paramagnetischen Zentren (NV1) mit 13C-Kohlenstoffisotopen, beispielsweise durch gezielte fokussierte Ionenimplantation modifiziert ist, so ist im Falle von NV-Zentren als Around the reference centers (N2) isotopically pure 12 C diamonds and, in the case of the material of the sensor element with the paramagnetic centers (NV1), around one at least in the vicinity of the paramagnetic centers (N2) in a first approximation isotopically pure 12 C diamond, which, however, is in the area of paramagnetic centers (NV1) is modified with 13 C-carbon isotopes, for example by targeted focused ion implantation, so is in the case of NV centers as
paramagnetischen Zentren (NV1) und als Referenzzentren (NV2) die GSLAC-Resonanz der paramagnetischen Zentren (NV1) gegenüber der GSLAC-Resonanz der paramagnetischen paramagnetic centers (NV1) and as reference centers (NV2) the GSLAC resonance of the paramagnetic centers (NV1) compared to the GSLAC resonance of the paramagnetic
Referenzzentren (NV2) verändert, was durch das beispielhaft vorgeschlagene System der Figur 25 erfasst werden kann. Das beispielhaft vorgeschlagene System, der Figur 25 erfasst hierzu die Intensität (lfl) der Fluoreszenzstrahlung (FL) der paramagnetischen Zentren (NV1) und die Intensität (lkfi) der Kompensationsfluoreszenzstrahlung (KFL) der paramagnetischen Referenzzentren (NV2) und ermittelt einen Wert für den Unterschied zwischen der Intensität (lf|) der Fluoreszenzstrahlung (FL) der paramagnetischen Zentren (NV1) und der Intensität (lkf|) der Kompensationsfluoreszenzstrahlung (KFL) in Form des Sensorausgangssignals (out), der im Beispiel der Figur 25 dem Reference centers (NV2) changed, which can be detected by the system of FIG. 25 proposed by way of example. The system proposed by way of example, in FIG. 25, detects the intensity (l fl ) of the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic centers (NV1) and the intensity (l kfi ) of the compensation fluorescence radiation (KFL) of the paramagnetic reference centers (NV2) and determines a value for the difference between the intensity (l f | ) of the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic centers (NV1) and the intensity (l kf | ) of the Compensation fluorescence radiation (KFL) in the form of the sensor output signal (out), which in the example of FIG
Sensorausgangssignal (out) entspricht, während das weitere Sensorausgangssignal (out1) der Figur 25 die Verzögerung des zeitlichen Verlaufs der Intensität (lfl) der Fluoreszenzstrahlung (FL) der paramagnetischen Zentren (NV1) gegenüber dem zeitlichen Verlauf der Intensität (lkf|) der Sensor output signal (out), while the further sensor output signal (out 1 ) of FIG. 25 shows the delay in the time profile of the intensity (l fl ) of the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic centers (NV1) compared to the time profile of the intensity (l kf | ) the
Kompensationsfluoreszenzstrahlung (KFL) repräsentiert, wobei es noch einen Amplitudenanteil umfasst, der ggf. noch herauskorrigiert werden muss.. Compensation fluorescence radiation (KFL), whereby it also includes an amplitude component that may still need to be corrected.
F ig u r 27 Fig. 27
Aus der Schrift von A. Wickenbrock et. AL„Microwave-free magnetometry with nitrogen-vacancy centers in diamond" Appl. Phys.Lett, 109, 053505 (2016), 02.08.2016 ist in deren Figur 2a eine Darstellung der Fluoreszenzintensität der Intensität (lfl) der Fluoreszenzstrahlung (FL) eines einzelnen NV-Zentrums in Abhängigkeit von der magnetischen Flussdichte B bekannt. In der betreffenden Darstellung stimmen die erste Richtung der NV-Zentren-Achse und die zweite Richtung der magnetischen Flussdichte B überein. Demgegenüber zeigt Figur 27 der hier vorgelegten Schrift die Abhängigkeit der Intensität (lf|) der Fluoreszenzstrahlung (FL) von der magnetischen Flussdichte B bei Verkippung der ersten Richtungen gegenüber der zweiten Richtung - d. h. der Achse des NV- Zentrums als erster Richtung gegenüber der Achse der magnetischen Flussdichte Bals zweiter Richtung gegeneinander. Bevorzugt umfasst das Sensorelement, um dies zu erreichen, beispielsweise eine Vielzahl zufällig ausgerichteter HD-NV-Diamanten mit jeweils einer hohen Dichte an NV-Zentren. Dies hat zur Folge, dass zum Ersten die Spikes der paramagnetischen Zentren (NV-Pl, NV-VM und GSLAC) in der Kurve der Abhängigkeit der Intensität (lf|) der Fluoreszenzstrahlung (FL) von der magnetischen Flussdichte (B) verschwinden und die Abhängigkeit der Intensität (lf|) der From the text by A. Wickenbrock et. AL "Microwave-free magnetometry with nitrogen-vacancy centers in diamond" Appl. Phys.Lett, 109, 053505 (2016), 02.08.2016 is in Figure 2a a representation of the fluorescence intensity of the intensity (l fl ) of the fluorescence radiation (FL) of an individual NV center is known as a function of the magnetic flux density B. In the relevant illustration, the first direction of the NV center axis and the second direction of the magnetic flux density B. In contrast, FIG. 27 of the document presented here shows the dependence of the intensity (l f | ) of the fluorescence radiation (FL) from the magnetic flux density B when the first directions are tilted relative to the second direction - ie the axis of the NV center as the first direction relative to the axis of the magnetic flux density B as the second direction In order to achieve this, for example, a large number of randomly oriented HD-NV diamonds, each with a high density NV centers. As a result, first of all the spikes of the paramagnetic centers (NV-Pl, NV-VM and GSLAC) in the curve of the dependence of the intensity (l f | ) of the fluorescence radiation (FL) on the magnetic flux density (B) disappear and the dependence of the intensity (l f | ) of the
Fluoreszenzstrahlung (FL) vom Betrag der magnetischen Flussdichte B oberhalb eines Offset-Betrags der Bias-Flussdichte (B0) von ca. 5mT bis lOmT monoton fallend ist. Des Weiteren kann durch die hohe Dichte an NV-Zentren beispielsweise in HD-NV-Diamanten der Kontrast von 4,5% in der Publikation von A. Wickenbrock et. AI.„Microwave-free magnetometry with nitrogen-vacancy centers in diamond" Appl. Phys.Lett, 109, 053505 (2016), 02.08.2016 auf bis zu 50% bei hoher Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB), also intensiver Pumpstrahlungsleistung der Pumpstrahlung (LB), und geeigneter Verteilung der NV-Zentren gesteigert werden. Hier sei auf Figur 71 verwiesen, die ein beispielhaftes Substrat (D) für die Verwendung als Sensorelement oder in einem Fluorescence radiation (FL) of the magnitude of the magnetic flux density B above an offset amount of the bias flux density (B 0 ) of approx. 5mT to 10mT is monotonically falling. Furthermore, due to the high density of NV centers, for example in HD-NV diamonds, the contrast of 4.5% in the publication by A. Wickenbrock et. AI. "Microwave-free magnetometry with nitrogen-vacancy centers in diamond" Appl. Phys.Lett, 109, 053505 (2016), 08/02/2016 to up to 50% at high intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB), i.e. intensive pump radiation power of the pump radiation (LB), and suitable distribution of the NV centers. Reference is made here to Figure 71, an exemplary substrate (D) for use as a sensor element or in a
Sensorelement zeigt, Die Vorrichtung der Figur 71 zeigt Mittel und Verfahren zur weiteren Steigerung des Kontrasts. Insbesondere sind die paramagnetischen Zentren (NV1) in der Figur 71 in Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NVC) angeordnet, die im Falle von NV-Zentren in Diamant als paramagnetischen Zentren (NV1) bevorzugt Bereiche von FID_NV-Diamant darstellen. Diese Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NVC) stellen bevorzugt Bereiche mit einer sehr hohen Dichte von NV-Zentren und Bereiche, in denen die NV-Zentren bevorzugt miteinander koppeln, dar. Sensor element shows. The device in FIG. 71 shows means and methods for further increasing the contrast. In particular, the paramagnetic centers (NV1) in FIG. 71 are arranged in groups (NVC) of paramagnetic centers (NVC) which, in the case of NV centers in diamond, preferably represent areas of FID_NV diamond as paramagnetic centers (NV1). These groups (NVC) of paramagnetic centers (NVC) preferably represent areas with a very high density of NV centers and areas in which the NV centers preferentially couple with one another.
Durch eine Richtungsverstimmung bzw. De-Kalibrierung der Figur 2a der Publikation A. Wickenbrock et. AI.„Microwave-free magnetometry with nitrogen-vacancy centers in diamond" Appl. Phys.Lett, 109, 053505 (2016), 02.08.2016 wird eine schlechte Quantenzahl zugrunde gelegt, die zu einer Mischung der Quantenzustände und damit zu einer Abnahme der Intensität (lfl) der A misalignment or de-calibration of Figure 2a of the publication A. Wickenbrock et. AI. "Microwave-free magnetometry with nitrogen-vacancy centers in diamond" Appl. Phys.Lett, 109, 053505 (2016), August 02, 2016 is based on a poor quantum number that leads to a mixture of the quantum states and thus to a decrease in the Intensity (l fl ) der
Fluoreszenzstrahlung (FL) mit steigendem Betrag der magnetischen Flussdichte B führt. Es wird ein zusätzliches Magnetfeld in Form einer zusätzlichen magnetischen Flussdichte B angelegt, das nicht in Richtung der ersten Richtung der Kristallachse zeigt. Das Lumineszenzverhalten der Figur 2a der Schrift A. Wickenbrock et. AI.„Microwave-free magnetometry with nitrogen-vacancy centers in diamond" Appl. Phys.Lett, 109, 053505 (2016), 02.08.2016 in Abhängigkeit vom Betrag der magnetischen Flussdichte B kann also nur bei präziser Ausrichtung der Dimantkristalle beobachtet werden. Eine Verdrehung um Bruchteile eines Grades lässt die Resonanzen verschwinden. Fluorescence radiation (FL) with increasing magnitude of the magnetic flux density B leads. An additional magnetic field is applied in the form of an additional magnetic flux density B, which does not point in the direction of the first direction of the crystal axis. The luminescence behavior of Figure 2a of A. Wickenbrock et. AI. "Microwave-free magnetometry with nitrogen-vacancy centers in diamond" Appl. Phys.Lett, 109, 053505 (2016), 02.08.2016 as a function of the magnitude of the magnetic flux density B can therefore only be observed when the dimensional crystals are precisely aligned. A twist of a fraction of a degree makes the resonances disappear.
Insbesondere die in der Figur 2a der Schrift A. Wickenbrock et. AI.„Microwave-free magnetometry with nitrogen-vacancy centers in diamond" Appl. Phys.Lett, 109, 053505 (2016), 02.08.2016 erkennbaren Resonanzpunkte (Peaks) sind nur bei Ausrichtung der Magnetfeldrichtung zur In particular, the in Figure 2a of A. Wickenbrock et. AI. "Microwave-free magnetometry with nitrogen-vacancy centers in diamond" Appl. Phys.Lett, 109, 053505 (2016), 02.08.2016 recognizable resonance points (peaks) are only possible when the magnetic field is aligned with the
Kristallachse erkennbar. Crystal axis recognizable.
Figur 27 zeigt den sich ergebenden Verlauf bei Dekalibrierung der Ausrichtung (also einer unterschiedlichen ersten und zweiten Richtung). Erst dann ist eine Vermessung des Betrags der magnetischen Flussdichte B bei beliebiger Ausrichtung des Magnetfeldes möglich. Wie leicht in der Figur 27 erkennbar ist, ist die die Abhängigkeit zwischen dem Betrag der magnetischen Flussdichte B und der Intensität (lfl) der Fluoreszenzstrahlung (FL) in einem optimalen Arbeitspunktbereich am größten. Durch einen zusätzlichen Permanentmagneten und/oder eine bestromte elektrische Kompensationsspule (LC) kann der zu messenden magnetischen Flussdichte B eine magnetische Bias- Flussdichte (B0) überlagert werden, wodurch die Änderung der Intensität (if|) der Fluoreszenzstrahlung (FL) bei Änderungen der von außen einwirkenden magnetischen Flussdichte B maximiert wird. FIG. 27 shows the course that results when the alignment is decalibrated (that is, a different first and second direction). Only then is it possible to measure the amount of the magnetic flux density B with any orientation of the magnetic field. As can easily be seen in FIG. 27, the relationship between the magnitude of the magnetic flux density B and the intensity (l fl ) of the fluorescent radiation (FL) is greatest in an optimal operating point range. By means of an additional permanent magnet and / or a powered electrical compensation coil (LC), a magnetic bias flux density (B 0 ) can be superimposed on the magnetic flux density B to be measured, whereby the change in the intensity (i f | ) of the Fluorescence radiation (FL) is maximized with changes in the external magnetic flux density B.
Durch eine Regelung mittels eines Reglers (RG) kann die magnetische Flussdichte B am Ort des paramagnetischen Zentrums (NV1) bzw. der paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der Gruppe oder Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) betragsmäßig oberhalb einer magnetischen Mindestflussdichte (Bm) und in der Nähe der optimalen magnetischen Flussdichte (Bopt) gehalten werden. Hierfür nutzt bevorzugt der Regler einen Messwert, z.B. den Wert (s4) des The magnetic flux density B at the location of the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) can be regulated by means of a controller (NV1) above a minimum magnetic flux density ( B m ) and kept close to the optimal magnetic flux density (B opt ). For this purpose, the controller preferably uses a measured value, e.g. the value (s4) des
Filterausgangssignals (S4) und regelt in Abhängigkeit von diesem Wert (s4) des Filterausgangssignals (S4) als Ist-Wert den Spulenstrom einer Kompensationsspule (LC) beispielsweise mittels eines Arbeitspunktregelsignals (S9) langsam nach. Die Verwendung anderer, z.B. mechanischer und/oder mikromechanischer Stellglieder ist möglich. Ist das System eingeregelt, so repräsentiert der momentane Wert des Ausgangssignals des Reglers (RG), also beispielsweise der momentane Wert (s9) des Arbeitspunktregelsignals (S9), den momentanen Messwert der magnetischen Flussdichte (B). Filter output signal (S4) and, depending on this value (s4) of the filter output signal (S4) as an actual value, slowly readjusts the coil current of a compensation coil (LC), for example by means of an operating point control signal (S9). The use of other, e.g. mechanical and / or micromechanical actuators is possible. Once the system has been adjusted, the current value of the output signal from the controller (RG), for example the current value (s9) of the operating point control signal (S9), represents the current measured value of the magnetic flux density (B).
Eine Nichtausrichtung der ersten Richtung gegenüber der zweiten Richtung lässt sich daran erkennen, dass keine Resonanzen auftreten. Natürlich kann man jederzeit das magnetische Feld so ausrichten, dass diese Resonanzen auftreten. Wenn eine Vorrichtung aber dazu bestimmt und geeignet ist, auch Magnetfelder zu vermessen, bei denen die erste und zweite Richtung nicht übereinstimmen, so liegt sie auch dann im Beanspruchungsbereich der entsprechenden Ansprüche sofern deren übrige Merkmale zutreffen und zwar auch dann, wenn sie bei einer bestimmten Magnetfeldrichtung die besagten Resonanzen aufweist. A non-alignment of the first direction with respect to the second direction can be recognized from the fact that no resonances occur. Of course, you can always align the magnetic field so that these resonances occur. However, if a device is intended and suitable for measuring magnetic fields in which the first and second directions do not coincide, then it is also within the scope of the corresponding claims if their other features apply, even if they are in a specific one Magnetic field direction has said resonances.
Durch das Vermeiden der Resonanzfälle der Figur 2a der Schrift A. Wickenbrock et. AI.„Microwave- free magnetometry with nitrogen-vacancy centers in diamond" Appl. Phys.Lett, 109, 053505 (2016), 02.08.2016 ergibt sich somit betragsmäßig oberhalb einer Mindestflussdichte (Bm) die streng monoton fallende Kurve der Figur 27 für die Abhängigkeit der Intensität (lfl) der Fluoreszenzstrahlung (FL) von der magnetischen Flussdichte B am Ort des paramagnetischen Zentrums (NV1) bzw. der paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der Gruppe oder Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1), wobei die Kurve dann auch bijektiv und damit kalibrierbar ist. Erst dann wird es möglich in einer Massenproduktion ein robustes Sensorsystem kostengünstig zu produzieren. Figu r 28 By avoiding the resonance cases of Figure 2a of the A. Wickenbrock et. AI. "Microwave-free magnetometry with nitrogen-vacancy centers in diamond" Appl. Phys.Lett, 109, 053505 (2016), August 02, 2016 thus results in the strictly monotonically falling curve in FIG. 27 above a minimum flux density (B m ) for the dependence of the intensity (l fl ) of the fluorescence radiation (FL) on the magnetic flux density B at the location of the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1), The curve is then also bijective and can therefore be calibrated. Only then will it be possible to mass-produce a robust sensor system cost-effectively. Fig. 28
Figur 28a zeigt wieder den sich ergebenden Verlauf der Intensität (lf|) der Fluoreszenzstrahlung (FL) des paramagnetischen Zentrums (NV1) bei Dekalibrierung der Ausrichtung (also einer FIG. 28a again shows the resulting course of the intensity (l f | ) of the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic center (NV1) when the alignment is decalibrated (i.e. one
unterschiedlichen ersten und zweiten Richtung). Die Figur 28a entspricht der Figur 27. Erst dann ist eine beliebige Ausrichtung des Magnetfeldes möglich. Wie leicht in der Figur 28a erkennbar ist, ist die die Abhängigkeit zwischen der magnetischen Flussdichte B und der Intensität (lfl) der different first and second directions). FIG. 28a corresponds to FIG. 27. Only then is any orientation of the magnetic field possible. As can easily be seen in FIG. 28a, the relationship between the magnetic flux density B and the intensity (l fl ) is the
Fluoreszenzstrahlung (FL) in einem optimalen Arbeitspunktbereich am größten. Durch einen zusätzlichen Permanentmagneten und/oder eine bestromte elektrische Kompensationsspule (LC) kann dem zu messenden Feld ein Bias-Feld überlagert werden, wodurch die Änderung der Intensität (Ifi) der Fluoreszenzstrahlung (FL) maximiert wird. Fluorescence radiation (FL) is greatest in an optimal operating point range. A bias field can be superimposed on the field to be measured by means of an additional permanent magnet and / or an energized electrical compensation coil (LC), whereby the change in the intensity (I fi ) of the fluorescence radiation (FL) is maximized.
Eine Nichtausrichtung der ersten Richtung gegenüber der zweiten Richtung lässt sich daran erkennen, dass keine Resonanzen auftreten. Natürlich kann man jederzeit das magnetische Feld so ausrichten, dass diese Resonanzen auftreten. Wenn eine Vorrichtung aber dazu bestimmt und geeignet ist, auch Magnetfelder zu vermessen, bei denen die erste und zweite Richtung nicht übereinstimmen, so liegt sie auch dann im Beanspruchungsbereich der entsprechenden Ansprüche sofern deren übrige Merkmale zutreffen und zwar auch dann, wenn sie bei einer bestimmten Magnetfeldrichtung die besagten Resonanzen aufweist. A non-alignment of the first direction with respect to the second direction can be recognized from the fact that no resonances occur. Of course, you can always align the magnetic field so that these resonances occur. However, if a device is intended and suitable for measuring magnetic fields in which the first and second directions do not coincide, then it is also within the scope of the corresponding claims if their other features apply, even if they are in a specific one Magnetic field direction has said resonances.
Durch das Vermeiden der Resonanzfälle der Figur 2a der Schrift von A. Wickenbrock et. AI. By avoiding the resonance cases in FIG. 2a of the A. Wickenbrock et. AI.
„Microwave-free magnetometry with nitrogen-vacancy centers in diamond" Appl. Phys.Lett, 109, 053505 (2016), 02.08.2016 ergibt sich somit die streng monoton fallende Kurve der Figur 28a, die dann auch bijektiv und damit kalibrierbar ist. Erst dann wird es möglich in einer Massenproduktion ein Messsystem zu produzieren. "Microwave-free magnetometry with nitrogen-vacancy centers in diamond" Appl. Phys.Lett, 109, 053505 (2016), August 02, 2016 thus results in the strictly monotonically falling curve of FIG. 28a, which is then also bijective and can therefore be calibrated. Only then will it be possible to mass-produce a measuring system.
Eine Differentiation der Kurve der Figur 28a nach der magnetischen Flussdichte B ergibt die Kurve der Figur 28b, die die Empfindlichkeit der Intensität (lf|) der Fluoreszenzstrahlung (FL) in Abhängigkeit von der magnetischen Flussdichte B wiedergibt. Der optimale Arbeitspunkt mit einer optimalen magnetischen Flussdichte (Bopt), bei der die Änderung der Intensität (lf|) in Abhängigkeit vom Wert der magnetischen Flussdichte B maximal wird, wird deutlich erkennbar. A differentiation of the curve in FIG. 28a according to the magnetic flux density B results in the curve in FIG. 28b, which reproduces the sensitivity of the intensity (l f | ) of the fluorescent radiation (FL) as a function of the magnetic flux density B. The optimal working point with an optimal magnetic flux density (B opt ), at which the change in intensity (l f | ) becomes a maximum as a function of the value of the magnetic flux density B, can be clearly seen.
Bevorzugt wird der eigentliche Arbeitspunkt eines Sensorsystems in Form eines konstanten magnetischen Bias-Flusses B0, der beispielsweise durch einen Permanentmagneten und/oder eine Kompensationsspule (LC) erzeugt wird und einer externen zu messen magnetischen Flussdichte B überlagert wird, oberhalb einer Mindestflussdichte (Bm) gelegt, um sicherzustellen, dass die Regelung stets vorzeichenrichtig reagiert. Der Abstand zwischen dem gewählten Arbeitspunkt der The actual operating point of a sensor system in the form of a constant magnetic bias flux B 0 , which is generated for example by a permanent magnet and / or a compensation coil (LC) and an external magnetic flux density B to be measured, is preferred is superimposed, placed above a minimum flux density (B m ) to ensure that the control always reacts with the correct sign. The distance between the selected working point of the
magnetischen Bias-Flussdichte (B0) und der Mindestflussdichte (Bm) wird bevorzugt in Abhängigkeit von der jeweiligen Anwendung so gewählt, dass ein Sprung des momentanen Systemzustands von dem Bereich rechts der Mindestflussdichte (Bm) zu einem neuen Systemzustand links der magnetic bias flux density (B 0 ) and the minimum flux density (B m ) is preferably selected depending on the application in question so that a jump in the current system state from the area on the right of the minimum flux density (B m ) to a new system state on the left
Mindestflussdichte (Bm) durch einen Sprung einer von außen zusätzlich überlagerten magnetischen Flussdichte B unwahrscheinlich ist. Minimum flux density (B m ) due to a jump in an externally superimposed magnetic flux density B is unlikely.
Wie leicht in der Figur 28 erkennbar ist, ist die die Abhängigkeit zwischen der magnetischen As can easily be seen in FIG. 28, this is the relationship between the magnetic
Flussdichte B und der Intensität (lf|) der Fluoreszenzstrahlung (FL) in dem optimalen Flux density B and the intensity (l f | ) of the fluorescence radiation (FL) in the optimal
Arbeitspunktbereich um eine optimale magnetische Flussdichte (Bopt) herum am größten. Durch einen zusätzlichen Permanentmagneten und/oder eine bestromte elektrische Kompensationsspule (LC) kann dem zu messenden magnetischen Fluss B ein Bias-Feld (B0) überlagert werden, wodurch die Empfindlichkeit des Sensorsystems durch optimale Einstellung des Arbeitspunks maximiert wird. Bevorzugt ist der Wert der magnetischen Flussdichte B0 des magnetischen Bias-Feldes gleich dem Wert der optimalen magnetischen Flussdichte (Bopt). Working point area around an optimal magnetic flux density (B opt ) largest. A bias field (B 0 ) can be superimposed on the magnetic flux B to be measured by an additional permanent magnet and / or an energized electrical compensation coil (LC), whereby the sensitivity of the sensor system is maximized by optimal setting of the working point. The value of the magnetic flux density B 0 of the magnetic bias field is preferably equal to the value of the optimal magnetic flux density (B opt ).
F ig u r 29 Fig. 29
Figur 29 zeigt die Einstellung des optimalen Arbeitspunktes eines Sensorsystems in Form eines konstanten magnetischen Bias-Flusses B0, der beispielsweise durch eine Kompensationsspule (LC) erzeugt wird und einer externen zu messen magnetischen Flussdichte B überlagert wird. Bevorzugt ist der Wert der magnetischen Flussdichte B0 des magnetischen Bias-Feldes gleich dem Wert der optimalen magnetischen Flussdichte (Bopt). Ein Regler (RG) bestromt mittels eines FIG. 29 shows the setting of the optimal working point of a sensor system in the form of a constant magnetic bias flux B 0 , which is generated, for example, by a compensation coil (LC) and is superimposed on an external magnetic flux density B to be measured. The value of the magnetic flux density B 0 of the magnetic bias field is preferably equal to the value of the optimal magnetic flux density (B opt ). A regulator (RG) energizes by means of a
Arbeitspunktregelsignals (S9) die Kompensationsspule (LC). Der Regler (RG) regelt das Operating point control signal (S9) the compensation coil (LC). The controller (RG) regulates this
Arbeitspunktregelsignals (S9) zur Bestromung einer Kompensationsspule (LC) und damit die magnetische Flussdichte B am Ort des paramagnetischen Zentrums (NV1) langsam auf Basis des Filterausgangssignals (S4) nach. Bevorzugt ist der Sollwert der magnetischen Flussdichte B gleich dem Wert der optimalen magnetischen Flussdichte (Bopt) bei dem die größte Abhängigkeit der Intensität (In) der Fluoreszenzstrahlung (FL) von der magnetischen Flussdichte B auftritt. Dabei vergleicht der Regler (RG) bevorzugt den aktuellen Wert des Filterausgangssignals (S4) als Ist-Wert der Regelung mit einem in der Figur 31 nicht eingezeichneten Regler internen oder Regler externen Referenzwert, der bevorzugt zur Einstellung der optimalen magnetischen Flussdichte (Bopt) oder eines nahe bei liegenden Werts der magnetischen Flussdichte B führt. Die Regelung durch den Regler (RG) erfolgt bevorzugt mit einer ersten Zeitkonstante Xi, während die Kompensationsregelung mittels des Schleifenfilters (TP) mit einer zweiten Zeitkonstante x2 erfolgt. D.h. ein erstes Sensorausgangssignal (out) gibt die kurzfristigen Änderungen eines magnetischen Flussdichtewechselfeldes wieder während ein zweites Sensorausgangssignal (out") die langfristigen Änderungen bzw. den aktuellen quasistatischen Arbeitspunkt des Sensorsystems wiedergibt. Damit dies möglich ist, ist bevorzugt die erste Zeitkonstante größer als die zweite Zeitkonstante x2. Das heist, es gilt bevorzugt Ci>t2. Der Regler ist bevorzugt ein PI-Regler. Die Verwendung anderer Regler ist aber möglich. Operating point control signal (S9) for energizing a compensation coil (LC) and thus the magnetic flux density B at the location of the paramagnetic center (NV1) slowly based on the filter output signal (S4). The nominal value of the magnetic flux density B is preferably equal to the value of the optimal magnetic flux density (B opt ) at which the greatest dependence of the intensity (In) of the fluorescent radiation (FL) on the magnetic flux density B occurs. The controller (RG) preferably compares the current value of the filter output signal (S4) as the actual value of the control with an internal controller or external controller reference value (not shown in FIG. 31), which is preferably used to set the optimal magnetic flux density (B opt ) or a value of the magnetic flux density B close to it. Regulation by the controller (RG) takes place preferably with a first time constant Xi, while the compensation control by means of the loop filter (TP) takes place with a second time constant x 2 . That is, a first sensor output signal (out) reflects the short-term changes in an alternating magnetic flux density field, while a second sensor output signal (out ") reflects the long-term changes or the current quasi-static operating point of the sensor system. In order for this to be possible, the first time constant is preferably greater than the second Time constant x 2. This means that Ci> t 2. The controller is preferably a PI controller, but other controllers can be used.
Die Figur 29 entspricht im Wesentlichen der Figur 7 bis auf die Nachregelung der FIG. 29 essentially corresponds to FIG. 7 except for the readjustment of FIG
Arbeitspunkteinstellung durch den Regler (RG). Operating point setting by the controller (RG).
Das zweite Sensorausgangssignal (out") kann nun zur Erfassung eines wesentlich größeren The second sensor output signal (out ") can now be used to detect a much larger
Messbereichs genutzt werden. Die Vorrichtung entspricht dann beispielsweise einem Fluxgate. Wir weisen hier beispielhaft auf die US 8 952 680 B2, deren technische Lehre in Kombination mit der hier vorgestellten technischen Lehre vollumfänglicher Teil dieser Offenlegung ist, soweit bei der späteren Nationalisierung dieser Anmeldung das in dem Rechtssystem des betreffenden Staates, in dem die Nationalisierung erfolgt zulässig ist. Im Falle der Verwendung von NV-Zentren als paramagnetischen Zentren (NV1) reicht der Messbereich ohne diese Regelung typischerweise von ca. lOmT bis ca. 40mT und u.U. noch ein wenig über diesen Bereich hinaus. Durch die kompensatorische Gegenregelung wird dieser Messbereich massiv vergrößert. Dies ist insbesondere für Stromsensoren mit einem großen Strommessbereich insbesondere in Flug- und Schwimmkörpern, Fahrzeugen und Measuring range can be used. The device then corresponds to a fluxgate, for example. As an example, we refer to US 8 952 680 B2, the technical teaching of which, in combination with the technical teaching presented here, is a full part of this disclosure, insofar as this is permissible in the legal system of the relevant country in which the nationalization takes place when this application is later nationalized is. If NV centers are used as paramagnetic centers (NV1), the measuring range without this control typically extends from approx. 10mT to approx. 40mT and possibly even a little beyond this range. This measuring range is massively enlarged by the compensatory counter-regulation. This is especially true for current sensors with a large current measuring range, especially in missiles and floating objects, vehicles and
Elektrofahrzeugen oder in Energieerzeugungs- und Energieverteilungsanlagen sowie elektrischen Maschinen notwendig. Electric vehicles or in power generation and power distribution systems as well as electrical machines.
F ig u r 30 Fig. 30
In analoger Weise zeigt Figur 30 das System der Figur 9 ergänzt um die Halteschaltung (S&H) und das Trigger-Signal (STR). Auf die Beschreibungen der Figuren 5, 8, 10, 14, 15, 18, 21, 22, 25 hinsichtlich der Funktionsweise der Halteschaltung (S&H) und des Trigger-Signals (STR) wird hingewiesen. In an analogous manner, FIG. 30 shows the system of FIG. 9 supplemented by the hold circuit (S&H) and the trigger signal (STR). Reference is made to the descriptions of FIGS. 5, 8, 10, 14, 15, 18, 21, 22, 25 with regard to the functioning of the holding circuit (S&H) and the trigger signal (STR).
F ig u r 31 Fig. 31
Die Figur 31 entspricht weitestgehend der Figur 10 mit dem Unterschied, dass nun der besagte Regler (RG) im Zusammenwirken mit einer Kompensationsspule (LC) den magnetischen Arbeitspunkt des Sensorsystems nachregelt. Figur 31 zeigt dabei, wie Figur 29 die Einstellung des optimalen magnetischen Arbeitspunktes eines Sensorsystems in Form eines konstanten magnetischen Bias- Flusses B0, der beispielsweise durch eine Kompensationsspule (LC) erzeugt wird und einer externen zu messen magnetischen Flussdichte B überlagert wird. Der besagte Regler (RG) bestromt mittels eines Arbeitspunktregelsignals (S9) die Kompensationsspule (LC). Der Regler (RG) regelt das FIG. 31 largely corresponds to FIG. 10 with the difference that the said controller (RG) now readjusts the magnetic operating point of the sensor system in cooperation with a compensation coil (LC). FIG. 31 shows, like FIG. 29, the setting of the optimum magnetic operating point of a sensor system in the form of a constant magnetic bias flux B 0 , which is generated for example by a compensation coil (LC) and an external magnetic flux density B to be measured is superimposed. Said controller (RG) energizes the compensation coil (LC) by means of an operating point control signal (S9). The controller (RG) regulates this
Arbeitspunktregelsignals (S9) zur Bestromung einer Kompensationsspule (LC) und damit die magnetische Flussdichte B am Ort des paramagnetischen Zentrums (NV1) langsam auf Basis des Filterausgangssignals (S4) nach. Dabei vergleicht der Regler (RG) bevorzugt den Aktuellen Wert des Filterausgangssignals (S4) als Ist-Wert der Regelung mit einem in der Figur 31 nicht eingezeichneten Regler internen oder Regler externen Referenzwert, der bevorzugt der optimalen Flussdichte (Bopt) entspricht. Die Regelung durch den Regler (RG) erfolgt bevorzugt wieder mit der ersten Zeitkonstante Xi, während die Kompensationsregelung mittels des Schleifenfilters (TP) mit der zweiten Operating point control signal (S9) for energizing a compensation coil (LC) and thus the magnetic flux density B at the location of the paramagnetic center (NV1) slowly based on the filter output signal (S4). The controller (RG) preferably compares the current value of the filter output signal (S4) as the actual value of the control with an internal controller or external controller reference value, not shown in FIG. 31, which preferably corresponds to the optimal flux density (B opt ). The regulation by the controller (RG) is preferably carried out again with the first time constant Xi, while the compensation regulation by means of the loop filter (TP) with the second
Zeitkonstante x2 erfolgt. D.h. ein erstes Sensorausgangssignal (out) gibt die kurzfristigen Änderungen eines magnetischen Flussdichtewechselfeldes wieder während ein zweites Sensorausgangssignal (out") die langfristigen Änderungen bzw. den aktuellen quasistatischen Arbeitspunkt des Time constant x 2 takes place. That is to say, a first sensor output signal (out) reflects the short-term changes in an alternating magnetic flux density field, while a second sensor output signal (out ") reflects the long-term changes or the current quasi-static operating point of the
Sensorsystems wiedergibt. Damit dies möglich ist, ist bevorzugt die erste Zeitkonstante Xi größer als die zweite Zeitkonstante x2 D.h. es gilt bevorzugt die Ungleichung Ci>t2. Der Regler ist bevorzugt ein PI-Regler. Die Verwendung anderer Regler ist aber möglich. Sensor system reproduces. So that this is possible, the first time constant Xi is preferably greater than the second time constant x 2, ie the inequality Ci> t 2 preferably applies . The controller is preferably a PI controller. However, it is possible to use other controllers.
Der Strom durch die Kompensationsspule (LC) verändert die magnetische Flussdichte B am Ort der paramagnetischen Zentren (NV1) des Sensorelements und damit die Intensität (lf|) der The current through the compensation coil (LC) changes the magnetic flux density B at the location of the paramagnetic centers (NV1) of the sensor element and thus the intensity (l f | ) of the
Fluoreszenzstrahlung (FL) der paramagnetischen Zentren (NV1) bei Bestrahlung mit der Fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic centers (NV1) when irradiated with the
Pumpstrahlung (LB) mit Pumpstrahlungswellenlänge (Äpmp) der Pumpstrahlungsquelle (PLI). Dies wird zur Rückkopplung genutzt. Pump radiation (LB) with pump radiation wavelength (Ä pmp ) of the pump radiation source (PLI). This is used for feedback.
Die Figur 31 entspricht im Wesentlichen der Figur 10 bis auf die Nachregelung der FIG. 31 essentially corresponds to FIG. 10 except for the readjustment of FIG
Arbeitspunkteinstellung. Operating point setting.
Das zweite Sensorausgangssignal (out") kann nun zur Erfassung eines wesentlich größeren The second sensor output signal (out ") can now be used to detect a much larger
Messbereichs genutzt werden. Im Falle der Verwendung von NV-Zentren als paramagnetischen Zentren (NV1) ohne diese Regelung reicht der Messbereich typischerweise von ca. lOmT bis ca. 40mT und u.U. noch ein wenig über diesen Bereich hinaus. Durch die kompensatorische Gegenregelung wird dieser Messbereich massiv vergrößert. Dies ist insbesondere für Stromsensoren mit einem großen Strommessbereich insbesondere in Flug- und Schwimmkörpern, Fahrzeugen und Elektrofahrzeugen oder in Energieerzeugungs- und Energieverteilungsanlagen sowie elektrischen Maschinen notwendig. Measuring range can be used. In the case of using NV centers as paramagnetic centers (NV1) without this regulation, the measuring range typically extends from approx. 10mT to approx. 40mT and possibly a little beyond this range. This measuring range is massively enlarged by the compensatory counter-regulation. This is especially true for current sensors with a large current measuring range, especially in missiles and floating objects, vehicles and Electric vehicles or in power generation and power distribution systems as well as electrical machines.
F ig u r 32 Fig. 32
Figur 32 entspricht der beispielhaften Kombination aus Figur 31 und Figur 25. Im Gegensatz zu Figur 25 weist das Sensorsystem der Figur 32 nicht nur den Regler (RG) auf, der auf Basis des FIG. 32 corresponds to the exemplary combination of FIG. 31 and FIG. 25. In contrast to FIG. 25, the sensor system of FIG. 32 not only has the controller (RG), which is based on the
Filterausgangssignals (S4) als Ist-Wert ein Arbeitspunktregelsignal (S9) erzeugt, mit dem die Filter output signal (S4) generates an operating point control signal (S9) as the actual value, with which the
Kompensationsspule (LC) bestromt wird, womit dann der Bias-Wert B0 für den magnetischen Arbeitspunkt des Systems eingestellt wird. Compensation coil (LC) is energized, which then sets the bias value B 0 for the magnetic operating point of the system.
Das Sensorsystem weist über die Komponenten der Figur 31 hinaus noch ein weiteres In addition to the components of FIG. 31, the sensor system has another one
Arbeitspunktregelsignal (Sil) auf, dass eine weitere Kompensationsspule (LCK) bestromt. Bevorzugt ist die weitere Kompensationsspule (LCK) gleich zur Kompensationsspule (LC) gefertigt und in der gleichen Weise gegenüber den paramagnetischen Referenzzentren (NV2) angeordnet wie die Kompensationsspule (LC) gegenüber den paramagnetischen Zentren (NV1) angeordnet ist. Bevorzugt wird die weitere Kompensationsspule (LCK) in der gleichen Weise durch das weitere The operating point control signal (Sil) indicates that another compensation coil (LCK) is energized. The further compensation coil (LCK) is preferably manufactured in the same way as the compensation coil (LC) and is arranged opposite the paramagnetic reference centers (NV2) in the same way as the compensation coil (LC) is arranged opposite the paramagnetic centers (NV1). The further compensation coil (LCK) is preferred in the same way by the further
Arbeitspunktregelsignal (Sil) bestromt, wie die Kompensationsspule (LC) durch das Operating point control signal (Sil) energized, like the compensation coil (LC) by the
Arbeitspunktregelsignal (S9) bestromt wird. Dadurch befinden sich vorzugsweise die Operating point control signal (S9) is energized. This is preferably the
paramagnetischen Referenzzentren (NV2) im gleichen magnetischen Arbeitspunkt mit der gleichen magnetischen Bias-Flussdichte B0 wie die paramagnetischen Zentren (NV1). Diese Erweiterung des Sensorsystems erweitert den Messbereich des Sensorsystems der Figur 15. Mit Hilfe eines komplexeren Spulensystems, wie es in der beispielhaften Figur 72 dieser Schrift gezeigt ist, kann die Richtung der magnetischen Flussdichte so eingestellt werden, dass Resonanzen paramagnetischer Zentren gemessen werden können. Deren Lage in Form von vorbestimmbaren magnetischen Flussdichten B an denen sie auftreten ist wohlbekannt. Hierdurch kann ein vorschlagsgemäßes Sensorsystem sich selbst kalibrieren, da es den Offset-Wert des permanent anliegenden paramagnetic reference centers (NV2) in the same magnetic working point with the same magnetic bias flux density B 0 as the paramagnetic centers (NV1). This extension of the sensor system extends the measuring range of the sensor system of FIG. 15. With the aid of a more complex coil system, as shown in the exemplary FIG. 72 of this document, the direction of the magnetic flux density can be set so that resonances of paramagnetic centers can be measured. Their position in the form of predeterminable magnetic flux densities B at which they occur is well known. As a result, a sensor system according to the proposal can calibrate itself, since it uses the offset value of the permanently applied
Magnetfeldes präzise bestimmen kann. Beispielsweise kann hierdurch eine Rotation eines Can precisely determine the magnetic field. For example, a rotation of a
Magnetfeldes um wenige Nanorad exakt bestimmt werden. Hierfür dreht die Sensorvorrichtung mit Hilfe eines Spulensystems wie in Figur 72 das auf das paramagnetische Zentrum (NV1) oder die paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. auf die Gruppe oder die Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren einwirkende magnetisches Feld beispielsweise durch Änderung der Bestromung der Spulenpaare des Spulensystems der Figur 72, bis eine solche Resonanz, beispielsweise die GSLAC- Resonanz bei NV-Zentren als paramagnetischen Zentren, auftritt. Sofern das Material eines Substrats (D) des Sensorelements isotopenrein ist, liegt diese Resonanz an einer ganz bestimmten Stelle der magnetischen Flussdichte. In der Regel bestehen beispielsweise Diamanten hauptsächlich aus 12C- Isotopen ohne Kernspin. Das 13C-Kohlenstoffisotop besitzt aber einen Kernspin, der zu einer Magnetic field can be determined exactly by a few nanorad. For this purpose, the sensor device rotates the magnetic field acting on the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) or on the group or groups (NVC) of paramagnetic centers with the aid of a coil system as in Figure 72, for example by changing the current supply to the coil pairs of the coil system of FIG. 72 until such a resonance, for example the GSLAC resonance in NV centers as paramagnetic centers, occurs. Unless the material of a substrate (D) of the sensor element is isotopically pure, this resonance lies at a very specific point in the magnetic flux density. As a rule, for example, diamonds consist mainly of 12 C isotopes without nuclear spin. The 13 C-carbon isotope has a nuclear spin that leads to a
Aufspaltung dieser Resonanz führt. Durch gezielte Kopplung solcher 13C-Kohlenstoffisotope als Kernzentren mit NV-Zentren als paramagnetischen Zentren können nun Gravitationsfelder und andere Parameter, die diese Kopplung beeinflussen, gemessen werden. Auch kann natürlich aus dem Anstand der Aufspaltung zwischen den Peaks auf physikalische Parameter, die diese Aufspaltung beeinflussen wie beispielsweise die magnetische Flussdichte B, geschlossen werden. Splitting this resonance leads. By specifically coupling such 13 C-carbon isotopes as core centers with NV centers as paramagnetic centers, gravitational fields and other parameters that influence this coupling can now be measured. From the decency of the splitting between the peaks, it is of course also possible to infer physical parameters that influence this splitting, such as the magnetic flux density B.
Figu r 33 Fig. 33
Figur 33 zeigt eine mögliche mechanische Anordnung der wichtigsten Vorrichtungsteile eines vorgeschlagenen Systems zueinander. Es umfasst eine integrierte Schaltung (IC), die beispielsweise den Empfänger (PD) und den Signalgenerator (G) und die Auswerteschaltung (VI, Ml, TP) umfasst. Der Empfänger (PD) kann natürlich auch separat von der integrierten Schaltung (IC) gefertigt sein. Im Folgenden werden weitere Komponenten beschrieben, die auch Teil der integrierten Schaltung (IC) sein können. Insbesondere kann die integrierte Schaltung die oben beschriebenen Komponenten des Sensorsystems, soweit integrierbar, umfassen oder diese z.B. in Form eines Signalprozessors mit einem Signalprozessorprogramm emulieren. Oberhalb des Empfängers ist ein erster Filter (Fl), der bevorzugt ein optischer Filter ist, angeordnet. Dieser erste Filter (Fl) ist in dem Beispiel der Figur 33 beispielhaft auf die Oberfläche der integrierten mikroelektronischen Schaltung (IC) mittels eines Befestigungsmittels (Ge) z. B. mittels eines transparenten Klebers aufgeklebt. Hier haben sich UHU und Gelatine als Befestigungsmittel (Ge) bewährt. Die Klebung mittels des Befestigungsmittels (Ge) ist dabei bevorzugt transparent für die Strahlung mit der Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (lh) - z.B. 637nm bei NV-Zentren - der Fluoreszenzstrahlung (FL) des paramagnetischen Zentrums (NV1) oder der paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der Gruppe oder der Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) im Material eines Sensorelements, das auf der dem Strahlungsempfänger (PD) abgewandten Seite des ersten Filters (Fl) mittels eines Befestigungsmittels (Ge) z.B. mittels Klebung montiert ist. Auch hier haben sich UHU und Gelatine als Befestigungsmittel (Ge) bewährt. Die integrierte mikroelektronische Schaltung (IC) ist bevorzugt ein vereinzelter Kristall, auch Chip oder Die genannt. Bevorzugt ist die integrierte mikroelektronische Schaltung (IC) eine CMOS-Schaltung, eine bipolare Schaltung oder eine BiCMOS-Schaltung. Das Material der mikroelektronischen FIG. 33 shows a possible mechanical arrangement of the most important device parts of a proposed system with respect to one another. It comprises an integrated circuit (IC) which, for example, comprises the receiver (PD) and the signal generator (G) and the evaluation circuit (VI, Ml, TP). The receiver (PD) can of course also be manufactured separately from the integrated circuit (IC). Further components that can also be part of the integrated circuit (IC) are described below. In particular, the integrated circuit can include the above-described components of the sensor system, insofar as they can be integrated, or emulate them, for example, in the form of a signal processor with a signal processor program. A first filter (F1), which is preferably an optical filter, is arranged above the receiver. In the example in FIG. 33, this first filter (F1) is attached to the surface of the integrated microelectronic circuit (IC) by means of a fastening means (Ge), e.g. B. glued on by means of a transparent adhesive. Here UHU and gelatine have proven themselves as fasteners (Ge). The bonding by means of the fastening means (Ge) is preferably transparent for the radiation with the fluorescence radiation wavelength (l h ) - e.g. 637 nm for NV centers - the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) in the material of a sensor element which is mounted on the side of the first filter (F1) facing away from the radiation receiver (PD) by means of a fastening means (Ge), for example by means of adhesive bonding. Here, too, UHU and gelatine have proven their worth as fasteners (Ge). The integrated microelectronic circuit (IC) is preferably a separated crystal, also called a chip or die. The integrated microelectronic circuit (IC) is preferably a CMOS circuit, a bipolar circuit or a BiCMOS circuit. The material of the microelectronic
Schaltung (IC) ist bevorzugt Silizium. Wird ein lll/V Material als Trägermaterial der integrierten mikroelektronischen Schaltung (IC) verwendet, so ist ein Co-Integration einer lichtemittierenden Struktur - z.B. einer LED oder z.B. eines Lasers- als Pumpstrahlungsquelle (PLI) mit der Circuit (IC) is preferably silicon. If an III / V material is used as the carrier material for the integrated microelectronic circuit (IC) is used, a co-integration of a light-emitting structure - eg an LED or eg a laser - as a pump radiation source (PLI) with the
mikroelektronischen Schaltung (IC) und mit dem Strahlungsempfänger (PD) denkbar. An dieser Stelle wird auf die anhängige, zum Zeitpunkt der Anmeldung dieser internationalen Anmeldung noch nicht veröffentlichte internationale Anmeldung PCT / DE 2020 / 100 430 hingewiesen, deren technische Lehre in Kombination mit der hier vorgestellten technischen Lehre vollumfänglicher Teil dieser Offenlegung ist, soweit bei der späteren Nationalisierung dieser Anmeldung das in dem microelectronic circuit (IC) and with the radiation receiver (PD) conceivable. At this point, reference is made to the pending international application PCT / DE 2020/100 430, which has not yet been published at the time of filing this international application, the technical teaching of which in combination with the technical teaching presented here is a full part of this disclosure, insofar as the later Nationalization of this application that in the
Rechtssystem des betreffenden Staates, in dem die Nationalisierung erfolgt zulässig ist. Statt der vertikalen Anordnung ist dann eine laterale Anordnung sinnvoll. In dem Fall der Figur 2 gehen wir zur Vereinfachung davon aus, dass die Pumpstrahlungsquelle (PLI) nicht Co-integriert ist, sondern separat aufgebaut wird. In dem Beispiel der Figur 33 ist das Sensorelement mit dem Legal system of the state in question in which nationalization is permitted. Instead of a vertical arrangement, a lateral arrangement makes sense. In the case of FIG. 2, for the sake of simplicity, we assume that the pump radiation source (PLI) is not co-integrated, but is constructed separately. In the example of Figure 33, the sensor element is with the
paramagnetischen Zentrum (NV1) oder den paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der Gruppe oder der Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) mittels eines Befestigungsmittels (Ge) mit dem ersten Filter (Fl) mechanisch verbunden. Bevorzugt handelt es sich um verfestigte Gelatine oder Uhu-Kleber (siehe auch Datenblatt 63646 - UHU ALLESKLEBER Faltschachtel 35 g DE - 45015). Die Pumpstrahlungsquelle (PLI), die bevorzugt eine LED oder ein Laser ist, bestrahlt das paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) mechanically connected to the first filter (Fl) by means of a fastening means (Ge). Preferably it is solidified gelatine or eagle owl glue (see also data sheet 63646 - UHU ALLESKLEBER folding box 35 g DE - 45015). The pump radiation source (PLI), which is preferably an LED or a laser, irradiates this
paramagnetische Zentrum (NV1) oder die paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. die Gruppe oder die Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) im Material des Sensorelements mit Pumpstrahlung (LB). Diese Pumpstrahlung (LB) regt das paramagnetische Zentrum (NV1) oder die paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. die Gruppe oder die Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) im Material des Sensorelements zur Emission einer Fluoreszenzstrahlung (FL) an. Das Befestigungsmaterial (Ge) ist bevorzugt im Wesentlichen transparent für die Strahlung mit der Pumpstrahlungswellenlänge (lr,hr) der Pumpstrahlung (LB) der Pumpstrahlungsquelle (PLI), also der LED oder des Lasers, und im Wesentlichen transparent für Strahlung mit der Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (lh) der paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) in the material of the sensor element with pump radiation (LB). This pump radiation (LB) excites the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) in the material of the sensor element to emit fluorescent radiation (FL). The fastening material (Ge) is preferably essentially transparent for the radiation with the pump radiation wavelength (l r , hr ) of the pump radiation (LB) of the pump radiation source (PLI), i.e. the LED or the laser, and essentially transparent for radiation with the fluorescence radiation wavelength ( lh) the
Fluoreszenzstrahlung (FL) der paramagnetischen Zentren (NV1) - z.B. 637nm bei NV-Zentren - . Der erste Filter (Fl) ist bevorzugt im Wesentlichen transparent für Strahlung mit der Fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic centers (NV1) - e.g. 637nm for NV centers -. The first filter (F1) is preferably essentially transparent to radiation with the
Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (lh) der Fluoreszenzstrahlung (FL) der paramagnetischen Zentren (NV1) im Material des Sensorelements. Der erste Filter (Fl) ist bevorzugt im Wesentlichen nicht transparent für Strahlung mit der Pumpstrahlungswellenlänge (lrGhr) der Pumpstrahlung (LB) der Pumpstrahlungsquelle (PLI), also der LED oder des Lasers. Im Wesentlichen bedeutet hier, dass gewisse geringe Abweichungen von der betreffenden Aussage zulässig sind, die sich auf die Funktion des Sensorsystems nicht so auswirken, dass eine spezifikationsgemäße Funktion verletzt wird, also nicht funktioniert. Letztlich bildet der Strahlungsempfänger (PD) zusammen mit dem ersten Filter (Fl) einen Strahlungsempfänger, der im Wesentlichen nur für Strahlung mit der Fluorescence radiation wavelength (lh) of the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic centers (NV1) in the material of the sensor element. The first filter (F1) is preferably essentially not transparent to radiation with the pump radiation wavelength (l rGhr ) of the pump radiation (LB) of the pump radiation source (PLI), that is to say the LED or the laser. Essentially, this means that certain slight deviations from the relevant statement are permissible which do not affect the function of the sensor system in such a way that a function according to the specification is violated, i.e. not working. Ultimately, the radiation receiver (PD) together with the first filter (F1) forms a radiation receiver that is essentially only used for radiation with the
Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (l^) der Fluoreszenzstrahlung (FL) des paramagnetischen Fluorescence radiation wavelength (l ^) of the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic
Zentrums (NV1) oder der paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der Gruppe oder der Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) im Material des Sensorelements empfindlich ist und im Center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) in the material of the sensor element is sensitive and in the
Wesentlichen nicht für die Strahlung mit der Pumpstrahlungswellenlänge (lrGhr) der Pumpstrahlung (LB) der Pumpstrahlungsquelle (PLI) empfindlich ist. Die integrierte Schaltung (IC) erzeugt nun mittels des von ihr erzeugten und modulierten Sendesignals (S5) bevorzugt eine der Modulation des Wechselanteils (S5w) des Sendesignals (S5) entsprechende Modulation der Pumpstrahlung (LB) der Pumpstrahlungsquelle (PLI). Diese mit dem Sendesignal (S5) modulierte Pumpstrahlung (LB) trifft das paramagnetische Zentrums (NV1) oder die paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. die Gruppe oder Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) im Material des Sensorelements. In Is essentially not sensitive to the radiation with the pump radiation wavelength (1 rGhr ) of the pump radiation (LB) of the pump radiation source (PLI). The integrated circuit (IC) now uses the transmit signal (S5) it generates and modulates, preferably to modulate the pump radiation (LB) from the pump radiation source (PLI) corresponding to the modulation of the alternating component (S5w) of the transmit signal (S5). This pump radiation (LB) modulated with the transmission signal (S5) hits the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) in the material of the sensor element. In
Abhängigkeit vom magnetischen Fluss B am Ort der paramagnetischen Zentren (NV1) im Material des Sensorelements und/oder ggf. in Abhängigkeit anderer physikalischer Parameter, die die Depending on the magnetic flux B at the location of the paramagnetic centers (NV1) in the material of the sensor element and / or possibly depending on other physical parameters that the
Fluoreszenzstrahlung (FL) des paramagnetischen Zentrums (NV1) oder der paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der Gruppe oder der Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) beeinflussen, emittieren diese dann eine modulierte Fluoreszenzstrahlung (FL) deren Modulation von der Modulation der eintreffenden Pumpstrahlung (LB) und damit von der Modulation des Fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1), they then emit a modulated fluorescence radiation (FL) whose modulation depends on the modulation of the incoming Pump radiation (LB) and thus the modulation of the
Sendesignals (S5) abhängt. Transmission signal (S5) depends.
Diese Modulation der Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB) hat somit eine damit korrelierte Modulation der Intensität (lf|) der Fluoreszenzstrahlung (FL) zur Folge. Daher wird das This modulation of the intensity (I pmp ) of the pump radiation (LB) thus results in a correlated modulation of the intensity (I f | ) of the fluorescence radiation (FL). Hence the
Empfängerausgangssignal (SO) des Strahlungsempfängers (PD) der integrierten Schaltung (IC), der von der modulierten Fluoreszenzstrahlung (FL) getroffen wird, ebenfalls moduliert. Da die Intensität (In) der Fluoreszenzstrahlung (FL) vom Wert des magnetischen Flusses B am Ort des Receiver output signal (SO) of the radiation receiver (PD) of the integrated circuit (IC), which is hit by the modulated fluorescence radiation (FL), also modulated. Since the intensity (In) of the fluorescence radiation (FL) depends on the value of the magnetic flux B at the location of the
paramagnetischen Zentrums (NV1) oder der paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der Gruppe oder der Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) im Material des Sensorelements und/oder von den Werten anderer physikalischer Größen wie beispielsweise Druck und Temperatur abhängt, hängt die Modulation des Empfängerausgangssignals (SO) ebenfalls vom magnetischen Fluss B am Ort des bzw. der paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der Gruppe oder Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) im Material des Sensorelements und/oder den besagten anderen physikalischen Größen, beispielsweise dem magnetischen Fluss B ab. Die integrierte Schaltung (IC) kann nun diese Modulation des Empfängerausgangssignals (SO) auswerten und in Abhängigkeit vom Ergebnis dieser Auswertung Aktoren betätigen oder deren Tätigkeit verändern. Beispielsweise kann die integrierte Schaltung (IC) eine erste Spule (LI) zur Verwendung als Kompensationsspule (LC) aufweisen und diese erste Spule (LI) in Abhängigkeit vom Ergebnis dieser Auswertung anders bestromen. Hier sei auf die Figuren 29 bis 32 und deren zugehörige Beschreibung verwiesen. Bei geeigneter Positionierung des Sensorelements mit dem paramagnetischen Zentrums (NV1) oder den paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der Gruppe oder der Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) relativ zu der ersten Spule (LI) kann die integrierte Schaltung (IC1) auf diese Weise so eine Änderung der magnetischen Flussdichte B am Ort des paramagnetischen Zentrums (NV1) oder der paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der Gruppe oder der Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) z.B. mittels eines Reglers (RG) als Teil der integrierten Schaltung (IC) bewirken. Somit kann die integrierte Schaltung (IC) eine Änderung der magnetischen Flussdichte B am Ort des paramagnetischen Zentrums (NV1) oder der The modulation depends on the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) in the material of the sensor element and / or on the values of other physical quantities such as pressure and temperature of the receiver output signal (SO) also from the magnetic flux B at the location of the paramagnetic center or centers (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) in the material of the sensor element and / or said other physical quantities, for example the magnetic flux B. The integrated circuit (IC) can now evaluate this modulation of the receiver output signal (SO) and, depending on the result of this evaluation, actuate actuators or change their activity. For example, the integrated circuit (IC) can have a first coil (LI) for use as a compensation coil (LC) and this first coil (LI) can be energized differently depending on the result of this evaluation. Reference is made here to FIGS. 29 to 32 and their associated description. With suitable positioning of the sensor element with the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) relative to the first coil (LI), the integrated circuit (IC1) can this way a change in the magnetic flux density B at the location of the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) e.g. by means of a controller (RG) as part of the integrated Effect circuit (IC). Thus, the integrated circuit (IC) can change the magnetic flux density B at the location of the paramagnetic center (NV1) or the
paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der Gruppe oder der Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) als Modulationsänderung des Empfängerausgangssignals (SO) erfassen und über einen Regler (RG) innerhalb der integrierten Schaltung (IC) durch Änderung der Bestromung der ersten Spule (LI) in ihrer Funktion als Kompensationsspule (LC) kompensieren. Bevorzugt ist die besagte erste Spule (LI) ebenfalls Teil der integrierten Schaltung (IC). Sie kann dann beispielsweise als ein- oder mehrlagige Spule und/oder als Flachspule gefertigt werden. Die erste Spule (LI) kann aber auch getrennt gefertigt werden. paramagnetic centers (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) as a modulation change of the receiver output signal (SO) and recorded via a controller (RG) within the integrated circuit (IC) by changing the current supply to the first coil ( LI) in their function as compensation coil (LC). Said first coil (LI) is preferably also part of the integrated circuit (IC). It can then be manufactured, for example, as a single or multi-layer coil and / or as a flat coil. The first coil (LI) can also be manufactured separately.
F ig u r 34 Fig. 34
Figur 34 zeigt ein sogenanntes Open-Cavity-Gehäuse in der Aufsicht. Das Gehäuse umfasst einen Gehäuseboden (BO). Dieser Gehäuseboden (BO) ist von einer umlaufenden Wandung (WA) umfasst, so dass der Gehäuseboden (BO) zusammen mit dieser Wandung (WA) eine nach oben offene Kavität (CAV) mit einer nach oben offenen Montageöffnung (MO) bildet. In die Kavität (CAV) können im Folgenden Bauteile montiert werden. Die Figur 34 ist ganz grob vereinfacht, sodass der wesentliche Gedanke des hier offengelegten Vorschlags transparent wird. In dem Beispiel der Figur 34 sind vier beispielhafte Kontakte (LF1, LF5, LF6, LF4) vorgesehen. Die Anzahl der Kontakte und deren Form können variieren. Bevorzugt entspricht die finale äußere Form des fertig montierten und verschlossenen Gehäuses (Figur 46) nach Aufsetzen des Deckels (DE) von außen betrachtet einem Standardgehäuse, wie beispielsweise einem QFN-Gehäuse, sodass vollautomatische Bestückungsmaschinen für die Montage des finalen, verschlossenen Gehäuses auf Leiterplatten benutzt werden können. Die Verwendung eines Open-Cavity-Gehäuses zur Herstellung eines quantenoptischen Bauelements ist neu. Bevorzugt sind der Gehäuseboden (BO) und die Wandung (WA) des Open-Cavity-Gehäuses und ebenso der später aufgesetzte Deckel (DE) aus Duroplast gefertigt, sodass das Gehäuse mit den darin enthaltenen Bauteilen beispielsweise in einem üblichen Lötprozess für Halbleiterkomponenten verwendet und auf einer gedruckten Schaltung (englisch PCB) befestigt werden kann. In den Gehäuseboden (BO) sind bevorzugt Montageflächen (LF2, LF3) eingearbeitet. Diese bestehen bevorzugt oberflächlich aus Metall. Dieses Metall ist bevorzugt beschichtet um eine besser Haftung der Bond-Drähte zu gewährleisten. Im Folgenden werden diese Montageflächen als Lead-Frame-Fläche bezeichnet. FIG. 34 shows a so-called open cavity housing in plan view. The housing comprises a housing base (BO). This housing base (BO) is surrounded by a circumferential wall (WA) so that the housing base (BO) together with this wall (WA) forms an upwardly open cavity (CAV) with an upwardly open assembly opening (MO). In the following, components can be installed in the cavity (CAV). FIG. 34 is very roughly simplified so that the essential idea of the proposal disclosed here becomes transparent. In the example in FIG. 34, four exemplary contacts (LF1, LF5, LF6, LF4) are provided. The number of contacts and their shape can vary. Preferably, the final outer shape of the fully assembled and closed housing (FIG. 46) after the cover (DE) has been put on, when viewed from the outside, corresponds to a standard housing, such as a QFN housing, so that fully automatic Pick and place machines can be used to assemble the final, sealed housing on printed circuit boards. The use of an open-cavity housing to manufacture a quantum optical component is new. The housing base (BO) and the wall (WA) of the open-cavity housing and also the cover (DE) attached later are preferably made of thermosetting plastic, so that the housing with the components contained therein is used, for example, in a conventional soldering process for semiconductor components a printed circuit (English PCB) can be attached. Mounting surfaces (LF2, LF3) are preferably incorporated into the housing base (BO). These are preferably made of metal on the surface. This metal is preferably coated in order to ensure better adhesion of the bond wires. These mounting surfaces are referred to below as the lead frame surface.
In dem Beispiel der Figur 34 sind eine dritte Lead-Frame-Fläche (LF3) und eine zweite Lead-Frame- Fläche (LF2) in den Gehäuseboden (BO) eingearbeitet. Ihre Oberflächen liegen aber bevorzugt innerhalb der Kavität (CAV) des Open-Cavity-Gehäuses frei. In dem Beispiel der Figur 34 sind die Kontakte des Gehäuses als solche Leadframe-Flächen (LF1, LF5, LF4, LF6) gearbeitet, die die umlaufende Wandung (WA) durchdringen und so einen elektrischen Kontakt durch die Wandung (WA) hindurch ermöglichen. In dem Beispiel der Figur 34 durchstößt eine erste Lead-Frame-Fläche (LF1) die umlaufende Wandung (WA). In dem Beispiel der Figur 34 durchstößt eine vierte Lead- Frame-Fläche (LF4) die umlaufende Wandung (WA). In dem Beispiel der Figur 34 durchstößt eine fünfte Lead-Frame-Fläche (LF5) die umlaufende Wandung (WA). In dem Beispiel der Figur 34 durchstößt eine sechste Lead-Frame-Fläche (LF6) die umlaufende Wandung (WA). In the example in FIG. 34, a third lead frame area (LF3) and a second lead frame area (LF2) are incorporated into the housing base (BO). However, their surfaces are preferably exposed within the cavity (CAV) of the open-cavity housing. In the example in FIG. 34, the contacts of the housing are made as leadframe surfaces (LF1, LF5, LF4, LF6) that penetrate the circumferential wall (WA) and thus enable electrical contact through the wall (WA). In the example in FIG. 34, a first lead frame area (LF1) penetrates the circumferential wall (WA). In the example in FIG. 34, a fourth lead frame area (LF4) penetrates the circumferential wall (WA). In the example in FIG. 34, a fifth lead frame area (LF5) penetrates the circumferential wall (WA). In the example in FIG. 34, a sixth lead frame area (LF6) penetrates the circumferential wall (WA).
Besonders bevorzugt weist das vorgeschlagene Gehäuse mindestens drei Anschlüsse, besser genau drei Anschlüsse auf: Eine positive Versorgungsspannungsleitung (Vdd), eine Bezugspotenzialleitung (GND), im Folgenden Masse genannt, und eine Ein- Ausgabeleitung als Sensorausgangssignal (out). Eine Beschränkung auf diese drei Anschlüsse ist besonders kostengünstig. Die integrierte Schaltung (IC) wird durch die Versorgungsspannungsleitung (Vdd) und die Bezugspotenzialleitung (GND) mit elektrischer Energie versorgt. Das Sensorausgangssignal (out) kann digital und/oder analog sein. Im Beispiel der Sensorsysteme der vorausgegangenen Figuren ist der Ausgang (out) typischerweise analog. Die Sensorsysteme der vorausgegangenen Figuren können aber sinngemäß durch Einfügung von Analog-zu-Digital-Wandlern und Digital-zu-Analog-Wandlern auch digital realisiert werden. Bevorzugt weist ein Sensorsystem auch eine Rechnereinheit, beispielsweise einen Signalprozessor, auf, die das Sensorsystem Steuert und die Kommunikation mit der Außenwelt herstellt. Eine solche Rechnereinheit umfasst bevorzugt auch eine Datenschnittstelle als Sensorausgangssignal (out). The proposed housing particularly preferably has at least three connections, better precisely three connections: a positive supply voltage line (Vdd), a reference potential line (GND), hereinafter referred to as ground, and an input / output line as a sensor output signal (out). A restriction to these three connections is particularly cost-effective. The integrated circuit (IC) is supplied with electrical energy by the supply voltage line (Vdd) and the reference potential line (GND). The sensor output signal (out) can be digital and / or analog. In the example of the sensor systems in the previous figures, the output (out) is typically analog. The sensor systems of the preceding figures can, however, also be implemented digitally by inserting analog-to-digital converters and digital-to-analog converters. A sensor system preferably also has a computer unit, for example a signal processor, which controls the sensor system and establishes communication with the outside world. Such Computer unit preferably also includes a data interface as a sensor output signal (out).
Bevorzugt ist der Ein-/Ausgang des Gehäuses dann ein bidirektionaler Eindrahtdatenbus der The input / output of the housing is then preferably a bidirectional single-wire data bus
Datenbusschnittstelle des Rechnersystems des Sensorsystems. Besonders geeignet sind bekannte automobile Datenbusse wie beispielsweise der CAN-Bus, LIN-Datenbus, der DSI3-Datenbus oder der PSI5-Datenbus. Andere Datenbusse im Sinne dieser Schrift können beispielsweise ein Ethernet- Datenbus, ein SPI-Datenbus, Sensordatenbusse gern. IEEE P1451, Feldbusse z.B. gemäß IEC 61158 oder IEC 61784 oder der KNX-Datenbus für Smart-Home-Anwendungen oder eine PWM- Signalisierung oder eine andere pulsmodulierte Signalisierung oder auch Funkschnittstellen wie beispielsweise ZigBee, Bluetooth, WLAN, Mobilfunkschnittstellen wie GSM, UMTS etc. sein, um einige Beispiele zu nennen. Beispielsweise im Falle des LIN-Datenbusses und/oder des DSI-3 Data bus interface of the computer system of the sensor system. Known automotive data buses such as the CAN bus, LIN data bus, the DSI3 data bus or the PSI5 data bus are particularly suitable. Other data buses within the meaning of this document can, for example, be an Ethernet data bus, an SPI data bus, or sensor data buses. IEEE P1451, field buses e.g. according to IEC 61158 or IEC 61784 or the KNX data bus for smart home applications or PWM signaling or other pulse-modulated signaling or even radio interfaces such as ZigBee, Bluetooth, WLAN, mobile radio interfaces such as GSM, UMTS etc. to name a few examples. For example in the case of the LIN data bus and / or the DSI-3
Datenbusses kann ein vierter Anschluss als Fortsetzung des Datenbusses vorgesehen werden. Data bus, a fourth connection can be provided as a continuation of the data bus.
Bevorzugt weist also das Rechnersystem des Sensorsystems eine erste Datenbusschnittstelle auf, die mit einem ersten Anschluss des Gehäuses (z.B. LF5) verbunden ist und eine zweite The computer system of the sensor system therefore preferably has a first data bus interface which is connected to a first connection of the housing (e.g. LF5) and a second
Datenbusschnittstelle, die mit einem zweiten Anschluss des Gehäuses (z.B. LF6) verbunden ist, der dem ersten Anschluss (z.B. LF5) gegenüber angeordnet ist. Die Versorgungsspannung ist dann bevorzugt mit einem dritten Anschluss des Gehäuses (z.B. LF1) verbunden. Das Bezugspotenzial (GND) ist dann bevorzugt mit einem vierten Anschluss des Gehäuses (z.B. LF4) verbunden. In dem Fall ist es möglich, mittels eines Autoadressierungsverfahrens aus dem Stand der Technik die Position des Gehäuses mit dem Sensorsystem im Datenbus festzustellen und so eine Software-Ad resse zu bestimmen, die eine Adressierung jedes verbauten Sensorsystems mit einer individuellen, durch die physikalische Position vorbestimmbaren Sensoradresse erlaubt. Als Schriften für solche Data bus interface that is connected to a second connection of the housing (e.g. LF6), which is arranged opposite the first connection (e.g. LF5). The supply voltage is then preferably connected to a third connection on the housing (e.g. LF1). The reference potential (GND) is then preferably connected to a fourth connection of the housing (e.g. LF4). In this case, it is possible to use an auto-addressing method from the prior art to determine the position of the housing with the sensor system in the data bus and thus determine a software address that allows each built-in sensor system to be addressed with an individual, predetermined by the physical position Sensor address allowed. As fonts for such
Autoadressierungsverfahren und Datenbusarchitekturen seinen hier beispielhaft die folgenden Schriften genannt: EP 1 490 772 Bl, DE 10 2017 122 365 B3, deren technische Lehre in Kombination mit der hier vorgestellten technischen Lehre vollumfänglicher Teil dieser Offenlegung ist, soweit bei der späteren Nationalisierung dieser Anmeldung das in dem Rechtssystem des betreffenden Staates, in dem die Nationalisierung erfolgt zulässig ist. Auto-addressing methods and data bus architectures are cited here by way of example: EP 1 490 772 Bl, DE 10 2017 122 365 B3, the technical teaching of which in combination with the technical teaching presented here is a full part of this disclosure, insofar as in the later nationalization of this application the in the legal system of the state in which the nationalization is permitted.
Dies ist insbesondere für biometrische und/oder medizinische Anwendungen mit sehr vielen This is especially true for biometric and / or medical applications with very many
Sensoren sehr wünschenswert, da hierdurch die Kosten gesenkt werden. Sensors are very desirable because they reduce costs.
F ig u r 35 Fig. 35
Figur 35 zeigt das beispielhafte Gehäuse der Figur 34 im Querschnitt. Die Kavität (CAV) und die Montageöffnung (MO) sind markiert. F ig u re n 36 b i s 46 FIG. 35 shows the exemplary housing of FIG. 34 in cross section. The cavity (CAV) and the mounting opening (MO) are marked. Figs. 36 to 46
Die Figuren 36 bis 46 beschreiben einen beispielhaften Montageprozess für ein vorgeschlagenes Sensorsystem in einem vorgeschlagenen Gehäuse. Die Beschreibung erfolgt stark vereinfacht, um die Zeichnungen übersichtlich zu halten und das Grundprinzip in einer nacharbeitsfähigen Weise darzustellen. Die Zeichnungen offenbaren daher nicht das volle Funktionsprinzip des Sensorsystems wie die vorausgegangenen Figuren, sondern nur die Methodik des Aufbaus eines solchen FIGS. 36 to 46 describe an exemplary assembly process for a proposed sensor system in a proposed housing. The description is greatly simplified in order to keep the drawings clear and to present the basic principle in a way that can be reworked. The drawings therefore do not reveal the full functional principle of the sensor system as in the previous figures, but only the methodology of the construction of such
Sensorsystems in einem geeigneten Gehäuse und dieses Gehäuse. Der Aufbau eines konkreten Sensorsystems ergibt sich somit nur aus der gemeinsamen Betrachtung der Figuren 36 bis 46 mit der Beschreibung und den vorausgegangenen und ggf. nachfolgenden Figuren nebst Beschreibung. Sensor system in a suitable housing and this housing. The structure of a specific sensor system thus only results from the joint consideration of FIGS. 36 to 46 with the description and the preceding and possibly following figures together with the description.
F ig u r 36 Fig. 36
In Figur36 wird zunächst beispielsweise mit Hilfe eines Dispensers auf die dritte Lead-Frame-Fläche (LF3) ein dritter Kleber (GL3) aufgetragen. Mit Hilfe eines Dispensers wird auf die zweite Lead-Frame- Fläche (LF2) ein zweiter Kleber (GL2) aufgetragen. In FIG. 36, a third adhesive (GL3) is first applied to the third lead frame area (LF3), for example with the aid of a dispenser. With the aid of a dispenser, a second adhesive (GL2) is applied to the second lead frame surface (LF2).
F ig u r 37 Fig. 37
In Figur 37 wird in den dritten Kleber (GL3) auf der dritten Lead-Frame-Fläche (LF3) die In Figure 37, the third adhesive (GL3) on the third lead frame surface (LF3) is the
Pumpstrahlungsquelle (PLI), beispielsweise eine grüne LED (PLI) gesetzt und damit an der dritten Lead-Frame-Fläche (LF3) befestigt. Als Pumpstrahlungsquelle (PLI) wurden bereits eine LED vom Typ VLDTG1232R (Öffnungswinkel +/-9°; 525nm Wellenlänge) und eine Laser-Diode der Fa. Osram vom Typ PLT5 520B erfolgreich genutzt. Pump radiation source (PLI), for example a green LED (PLI) set and thus attached to the third lead frame surface (LF3). An LED of the type VLDTG1232R (opening angle +/- 9 °; 525 nm wavelength) and a laser diode from Osram of the type PLT5 520B have already been successfully used as the pump radiation source (PLI).
Bevorzugt ist der dritte Kleber (GL3) elektrisch leitfähig. In dem Fall entsteht eine elektrische und thermische Verbindung zwischen der Pumpstrahlungsquelle (PLI) und der dritten Lead-Frame-Fläche (LF3). The third adhesive (GL3) is preferably electrically conductive. In this case, there is an electrical and thermal connection between the pump radiation source (PLI) and the third lead frame area (LF3).
F ig u r 38 Fig. 38
In Figur 38 wird eine integrierte Schaltung (IC) in den zweiten Kleber (GL2) gesetzt und damit an der zweiten Lead-Frame-Fläche (LF2) befestigt. Bevorzugt ist der zweite Kleber (GL2) elektrisch leitfähig. In dem Fall entsteht eine elektrische Verbindung zwischen der Rückseite der integrierten Schaltung (IC) und der weiten Lead-Frame-Fläche (LF2). Die integrierte Schaltung (IC) umfasst in dem Beispiel den Strahlungsempfänger (PD) und die erste Spule (LI) als Kompensationsspule (LC), die in dem Beispiel der Figur 38 den Strahlungsempfänger (PD) umgibt. An dieser Stelle wird auf die anhängige, zum Zeitpunkt der Anmeldung dieser internationalen Anmeldung noch nicht veröffentlichte internationale Anmeldung PCT / DE 2020 / 100 430 hingewiesen, deren technische Lehre in In FIG. 38, an integrated circuit (IC) is placed in the second adhesive (GL2) and thus attached to the second lead frame surface (LF2). The second adhesive (GL2) is preferably electrically conductive. In this case, an electrical connection is created between the back of the integrated circuit (IC) and the wide lead frame area (LF2). In the example, the integrated circuit (IC) comprises the radiation receiver (PD) and the first coil (LI) as a compensation coil (LC), which in the example in FIG. 38 surrounds the radiation receiver (PD). Reference is made at this point to the pending international application PCT / DE 2020/100 430, which was not yet published at the time of filing this international application, the technical teaching of which is given in
Kombination mit der hier vorgestellten technischen Lehre vollumfänglicher Teil dieser Offenlegung ist, soweit bei der späteren Nationalisierung dieser Anmeldung das in dem Rechtssystem des betreffenden Staates, in dem die Nationalisierung erfolgt zulässig ist. Combination with the technical teaching presented here is a full part of this disclosure, insofar as this is permitted in the legal system of the country in which the nationalization takes place in the subsequent nationalization of this application.
F ig u r 39 Fig. 39
Dieser Schritt ist notwendig, sofern der erste Filter (Fl) nicht schon Teil der integrierten Schaltung (IC) ist und z.B. als metalloptischer Filter im Metallisierungsstapel der integrierten Schaltung (IC) realisiert ist und falls die Notwendigkeit des ersten Filters (Fl) nicht durch andere Maßnahmen, wie beispielsweise eine Messung des Nachleuchtens der Fluoreszenzstrahlung (FL) zu Zeiten, in denen die Pumpstrahlung (LB) abgeschaltet und/oder abgeklungen ist, obsolet ist. In Figur 39 wird ein erster Kleber (GL1) auf die Oberfläche der integrierten Schaltung (IC) im Bereich des Strahlungsempfängers (PD) aufgetragen. Der erste Kleber (GL1) ist bevorzugt im Wesentlichen transparent für die This step is necessary if the first filter (F1) is not already part of the integrated circuit (IC) and is implemented, for example, as a metal-optical filter in the metallization stack of the integrated circuit (IC) and if the first filter (F1) is not required by others Measures such as measuring the afterglow of the fluorescence radiation (FL) at times when the pump radiation (LB) has been switched off and / or has faded is obsolete. In FIG. 39, a first adhesive (GL1) is applied to the surface of the integrated circuit (IC) in the area of the radiation receiver (PD). The first adhesive (GL1) is preferably essentially transparent to the
Fluoreszenzstrahlung (FL) der paramagnetischen Zentren (NV1) im Material des Sensorelements.Fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic centers (NV1) in the material of the sensor element.
Statt eines ersten Klebers (GL1) können natürlich auch andere funktionsäquivalente Instead of a first adhesive (GL1), other functionally equivalent ones can of course also be used
Befestigungsmethoden für den im Folgenden in Figur 40 beschriebenen ersten Filter (Fl) verwendet werden. Fastening methods for the first filter (F1) described below in FIG. 40 can be used.
F ig u r 40 Fig u r 40
Dieser Schritt ist notwendig, sofern der erste Filter (Fl) nicht schon Teil der integrierten Schaltung (IC) ist und z.B. als metalloptischer Filter im Metallisierungsstapel der integrierten Schaltung (IC) realisiert ist und falls die Notwendigkeit des ersten Filters (Fl) nicht durch andere Maßnahmen, wie beispielsweise eine Messung des Nachleuchtens der Fluoreszenzstrahlung (FL) zu Zeiten, in denen die Pumpstrahlung (LB) abgeschaltet und/oder abgeklungen ist, obsolet ist. Der erste Filter (Fl) ist somit für eine optische quantentechnologische Vorrichtung, nämlich das besagte Sensorsystem This step is necessary if the first filter (F1) is not already part of the integrated circuit (IC) and is implemented, for example, as a metal-optical filter in the metallization stack of the integrated circuit (IC) and if the first filter (F1) is not required by others Measures such as measuring the afterglow of the fluorescence radiation (FL) at times when the pump radiation (LB) has been switched off and / or has faded is obsolete. The first filter (F1) is thus for an optical quantum technological device, namely the said sensor system
vorgesehen, wobei die quantentechnologische Vorrichtung ein oder mehrere paramagnetische Zentren (NV1) und/oder ein oder mehrere Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) umfasst und wobei in dem Sensorsystem elektromagnetische Strahlung auftritt oder benutzt wird und wobei der erste Filter (Fl) dazu bestimmt ist, vorbestimmte Anteile dieser Strahlung passieren zu lassen und andere Teile der elektromagnetischen Strahlung nicht passieren zu lassen und wobei der Filter aus Metallisierungsstücken des Metallisierungsstapels einer integrierten mikroelektronischen Schaltung aufgebaut ist. Hier wird beispielhaft auf die Schriften US 9 958 320 B2, provided, the quantum technological device being one or more paramagnetic Centers (NV1) and / or one or more groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) and wherein electromagnetic radiation occurs or is used in the sensor system and wherein the first filter (F1) is intended to allow predetermined proportions of this radiation to pass and not to allow other parts of the electromagnetic radiation to pass through, and wherein the filter is constructed from metallization pieces of the metallization stack of an integrated microelectronic circuit. Reference is made here to the documents US 9 958 320 B2,
US 2006 0 044429 Al, US 2010 0 176 280 Al, WO 2009 106 316 A2, US 2008 0 170 143 Al und EP 2 521 179 Bl wird in diesem Zusammenhang als Beispiele mikrointegrierter wellenoptischer Filter und Funktionselemente hingewiesen. Die technische Lehre dieser Schriften in Kombination mit der technischen Lehre dieser internationalen Anmeldung ist vollumfänglicher Teil dieser Offenlegung, soweit bei der späteren Nationalisierung dieser Anmeldung das jeweilige nationale Recht des Staates, in dem die Nationalisierung erfolgt, dies zulässt. Auf die Bücher B. Kress, P. Meyrueis, US 2006 0 044429 A1, US 2010 0 176 280 A1, WO 2009 106 316 A2, US 2008 0 170 143 A1 and EP 2 521 179 B1 are referred to in this context as examples of micro-integrated wave-optical filters and functional elements. The technical teaching of these documents in combination with the technical teaching of this international application is a complete part of this disclosure, insofar as the national law of the country in which the nationalization takes place allows this for the later nationalization of this application. On the books B. Kress, P. Meyrueis,
"Digital Diffractive Optics" J. Wiley & Sons, London, 2000 und B. Kress, P. Meyrueis, "Applied Digital Diffractive Optics", J. Wiley & Sons, London, 2009 wird hingewiesen. Grundprinzip eines "Digital Diffractive Optics", J. Wiley & Sons, London, 2000 and B. Kress, P. Meyrueis, "Applied Digital Diffractive Optics", J. Wiley & Sons, London, 2009 are noted. Basic principle of a
metalloptischen Filters in einem mikrointegrierten optischen System ist die Fertigung von mehr oder weniger regelmäßigen Strukturen unterschiedlicher Dielektrizitätskonstante und/oder Leitfähigkeit in der Größenordnung der jeweiligen Wellenlänge oder kleiner, so dass sich durch konstruktive und destruktive Interferenzen die beabsichtigten Effekte ergeben. Metal-optical filters in a micro-integrated optical system is the production of more or less regular structures with different dielectric constants and / or conductivity in the order of magnitude of the respective wavelength or less, so that the intended effects result from constructive and destructive interference.
In Figur 40 wird in den ersten Kleber (GL1) der erste Filter (Fl) gesetzt. Der erste Filter (Fl) ist bevorzugt im Wesentlichen transparent für die Fluoreszenzstrahlung (FL) der paramagnetischen Zentren (NV1) im Material des Sensorelements. Der erste Filter (Fl) ist bevorzugt im Wesentlichen nicht transparent für Strahlung mit der Pumpstrahlungswellenlänge (lr[gir) der Pumpstrahlung (LB) der Pumpstrahlungsquelle (PLI). Der erste Filter (Fl) und der erste Kleber (GL1) können entfallen, wenn der Strahlungsempfänger (PD) von vornherein so ausgeführt wird, dass er für die In FIG. 40, the first filter (F1) is placed in the first adhesive (GL1). The first filter (F1) is preferably essentially transparent to the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic centers (NV1) in the material of the sensor element. The first filter (F1) is preferably essentially not transparent to radiation with the pump radiation wavelength (I r [gir ) of the pump radiation (LB) of the pump radiation source (PLI). The first filter (F1) and the first adhesive (GL1) can be omitted if the radiation receiver (PD) is designed from the outset so that it is suitable for the
Fluoreszenzstrahlung (FL) der paramagnetischen Zentren (NV1) im Material des Sensorelements im Wesentlichen empfindlich ist und für die Pumpstrahlung (LB) der Pumpstrahlungsquelle (PLI) nicht empfindlich ist. Insofern kann die gemeinsame Funktionalität aus Strahlungsempfänger (PD), erstem Kleber (GL1) und erstem Filter (Fl) auch als ein Strahlungsempfänger (PD) betrachtet werden, der für die Fluoreszenzstrahlung (FL) der paramagnetischen Zentren (NV1) im Material des Sensorelements im Wesentlichen empfindlich ist und für die Pumpstrahlung (LB) der Pumpstrahlungsquelle (PLI) nicht empfindlich ist. Figu r 41 Fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic centers (NV1) in the material of the sensor element is essentially sensitive and is not sensitive to the pump radiation (LB) of the pump radiation source (PLI). In this respect, the common functionality of the radiation receiver (PD), the first adhesive (GL1) and the first filter (Fl) can also be regarded as a radiation receiver (PD) that is responsible for the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic centers (NV1) in the material of the sensor element Is essentially sensitive and is not sensitive to the pump radiation (LB) of the pump radiation source (PLI). Fig. 41
In Figur 41 wird das Sensorelement mit dem oder den paramagnetischen Zentren (NV1) auf dem ersten Filter (Fl) platziert. Dieser Schritt kann auch mit dem folgenden Schritt der Figur 42 zusammen erfolgen. Das Sensorelement umfasst die paramagnetischen Zentren (NV1) im Material des Sensorelements. Bevorzugt umfasst das Sensorelement einen oder mehrere Kristalle mit paramagnetischen Zentren (NV1). Bevorzugt handelt es sich um einen oder mehrere Diamantkristalle mit einem oder mehreren NV-Zentren. Bevorzugt sind ein oder mehrere Diamanten mit einer hohen Dichte an NV-Zentren. In FIG. 41 the sensor element with the paramagnetic center or centers (NV1) is placed on the first filter (F1). This step can also be carried out together with the following step in FIG. The sensor element comprises the paramagnetic centers (NV1) in the material of the sensor element. The sensor element preferably comprises one or more crystals with paramagnetic centers (NV1). It is preferably one or more diamond crystals with one or more NV centers. One or more diamonds with a high density of NV centers are preferred.
Figu r 42 Fig. 42
In Figur 42 wird das Befestigungsmittel (Ge) zur Befestigung des Sensorelements mit den paramagnetischen Zentren (NV1) im Material des Sensorelements an dem ersten Filter (Fl) eingebracht. Bevorzugt handelt es sich Gelatine. UHU hat sich ebenfalls bewährt. Bevorzugt wird die Gelatine mit den Sensorelementen vermischt und wird zusammen mittels eines Dispensers zusammenaufgebracht. In der hier vorgelegten Offenlegung wird hierbei ausdrücklich Bezug auf die DE 10 2019 114 032.3 und der zum Zeitpunkt der Anmeldung dieser Schrift noch unveröffentlichten internationalen Patentanmeldung PCT / DE 2020 / 100430 genommen, deren Offenbarungsgehalt in Kombination mit dem Offenbarungsgehalt dieser Schrift vollumfänglicher Teil dieser Offenbarung ist, soweit das Rechtssystem des Landes, in dem die Nationalisierung der hier vorgelegten, In FIG. 42, the fastening means (Ge) for fastening the sensor element with the paramagnetic centers (NV1) in the material of the sensor element is introduced on the first filter (F1). It is preferably gelatin. UHU has also proven itself. The gelatin is preferably mixed with the sensor elements and is applied together by means of a dispenser. In the disclosure presented here, reference is expressly made to DE 10 2019 114 032.3 and the international patent application PCT / DE 2020/100430, which was still unpublished at the time of filing for this document, the disclosure content of which in combination with the disclosure content of this document is a full part of this disclosure as far as the legal system of the country in which the nationalization of the
internationalen Anmeldeschrift erfolgt, dies erlaubt. international filing, this is permitted.
Figu r 43 Fig. 43
In Figur 43 werden weitere elektrische Verbindungen durch Bonddrähte hergestellt. Hier stellen der erste Bonddraht (BDI), der zweite Bonddraht (BD2), der dritte Bonddraht (BD3) nur Beispiele dar. In der Realität ist die Anzahl der Bonddrähte signifikant höher. Die hier gezeichneten Bonddrähte dienen nur der Verdeutlichung. In FIG. 43, further electrical connections are made by bonding wires. Here the first bonding wire (BDI), the second bonding wire (BD2), and the third bonding wire (BD3) are only examples. In reality, the number of bonding wires is significantly higher. The bonding wires drawn here are only for illustration.
Figu r 44 Fig. 44
In Figur 44 wird ein vierter Kleber (GL4) auf den Oberkanten der Wandungen (WA) aufgetragen. Statt eines vierten Klebers (GL4) kann auch ein äquivalentes Verbindungsmittel bzw. In FIG. 44, a fourth adhesive (GL4) is applied to the upper edges of the walls (WA). Instead of a fourth adhesive (GL4), an equivalent connecting means or
Verbindungsverfahren eingesetzt werden. Sind die Wandungen (WA) beispielsweise aus einem bevorzugt optisch nicht transparentem Glas oder Keramik oder Metall, so ist beispielsweise die Verwendung eines Glas-Lots denkbar. Figu r 45 Connection methods are used. If the walls (WA) are, for example, made of a preferably optically non-transparent glass or ceramic or metal, the use of a glass solder is conceivable, for example. Fig. 45
In Figur 45 wird der mit einem reflektierenden Material (RE) (beispielsweise einem Anstrich mit Titanoxid oder einem Spiegelmaterial) als Reflektor (RE) versehene Deckel (DL) auf die Oberkannte der Wandung (WA) aufgesetzt. Der Reflektor (RE) ist ein beispielhaftes optisches Funktionselement für die mögliche optische Kopplung der Pumpstrahlungsquelle (PLI), der In FIG. 45, the cover (DL) provided with a reflective material (RE) (for example a paint with titanium oxide or a mirror material) as a reflector (RE) is placed on the upper edge of the wall (WA). The reflector (RE) is an exemplary optical functional element for the possible optical coupling of the pump radiation source (PLI), the
Kompensationsstrahlungsquelle (PLK), des Strahlungsempfängers (PD), des Sensorelements mit dem oder den paramagnetischen Zentren bzw. mit der Gruppe (NC) oder den Gruppen (NVC) Compensation radiation source (PLK), the radiation receiver (PD), the sensor element with the paramagnetic center or centers or with the group (NC) or groups (NVC)
paramagnetischer Zentren (NV1) und ggf. den später erläuterten Referenzelement mit dem oder den Referenzzentren (NV2) bzw. der Gruppe oder den Gruppen (NVC2) der Referenzzentren (NV2), wobei je nach Konstruktion ggf. nur ein Teil dieser Kopplungsmöglichkeiten genutzt wird. Bevorzugt geschieht dieses Aufsetzen des Deckels (DE) in einer kontrollierten Atmosphäre, beispielsweise in einem Schutzgas oder Edelgas und/oder in einem Vakuum und/oder in einer Atmosphäre mit reduziertem Druck. Dies vermeidet im späteren Betrieb die Bildung von Kondenswasser auf den optischen Funktionselementen bei Kälte. paramagnetic centers (NV1) and, if applicable, the reference element explained later with the reference center or centers (NV2) or the group or groups (NVC2) of the reference centers (NV2), whereby, depending on the design, only some of these coupling options may be used. The lid (DE) is preferably placed in a controlled atmosphere, for example in a protective gas or noble gas and / or in a vacuum and / or in an atmosphere with reduced pressure. This avoids the formation of condensation on the optical functional elements during operation when it is cold.
Figu r 46 Fig. 46
Nach dem Aufsetzen und Verkleben oder Verschweißen oder Verlöten des Deckels (DE) kann der Reflektor (RE) die Pumpstrahlung (LB) der Pumpstrahlungsquelle (PLI) als reflektierte Pumpstrahlung (LB) in das Sensorelement einstrahlen. Dort regt diese reflektierte Pumpstrahlung (LB) die paramagnetischen Zentren (NV1) im Material des Sensorelements zu Abgabe der After the cover (DE) has been put on and glued or welded or soldered, the reflector (RE) can radiate the pump radiation (LB) from the pump radiation source (PLI) as reflected pump radiation (LB) into the sensor element. There this reflected pump radiation (LB) stimulates the paramagnetic centers (NV1) in the material of the sensor element to emit the
Fluoreszenzstrahlung (FL) an. Diese Fluoreszenzstrahlung (FL) wird von dem Strahlungsempfänger (PD), der hier beispielhaft Teil der integrierten Schaltung (IC) ist, empfangen und verarbeitet. Der Reflektor (RE) dient also als optisches Funktionselement des Gehäuses, dass das die Fluorescence radiation (FL). This fluorescence radiation (FL) is received and processed by the radiation receiver (PD), which is part of the integrated circuit (IC) here by way of example. The reflector (RE) thus serves as an optical functional element of the housing that the
paramagnetischen Zentren (NV1) im Material des Sensorelements mit der Pumpstrahlungsquelle (PLI) optisch koppelt. paramagnetic centers (NV1) in the material of the sensor element with the pump radiation source (PLI) optically coupled.
Figu r 47 Fig. 47
Figur 47 entspricht weitestgehend der Figur 46 mit dem Unterschied, dass das Sensorelement mit dem Substrat (D) mit dem oder den paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. mit der Gruppe oder den Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) nicht auf dem Strahlungsempfänger (PD), sondern auf der Pumpstrahlungsquelle (PLI) direkt befestigt wird. Dies hat den Vorteil der Steigerung des Kontrasts (KT). Der erste Filter (Fl) wird bevorzugt unmittelbar auf dem Sensorelement mit dem oder den paramagnetischen Zentren (NV1) und/oder der Gruppe oder den Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) aufgesetzt und befestigt. Bevorzugt wird für die Befestigung des Sensorelements, das ein Substrat (D)mit einem oder mehreren paramagnetischen Zentren (NV1) und/oder eine oder mehrere Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) umfasst, und des ersten Filters (Fl) wieder ein Befestigungsmittel (GE), beispielsweise Gelatine oder Uhu, verwendet. Flierdurch entsteht ein lichtemittierendes Bauelement, bestehend aus der Pumpstrahlungsquelle (PLI), die die Pumpstrahlung (LB) direkt in ein Substrat (D) des Sensorelements mit dem oder den paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. mit der oder den Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) hineinstrahlt, und dem Sensorelement mit dem paramagnetischen Zentrum (NV1) bzw. den paramagnetischen Zentren (NV1) oder der Gruppe oder den Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1), die bevorzugt zumindest lokal innerhalb des Sensorelements eine hohe Dichte aufweisen, und dem ersten Filter, der bevorzugt für Strahlung mit der Pumpstrahlungswellenlänge (lr,hr) der Pumpstrahlung (LB) der Pumpstrahlungsquelle (PLI) nicht transparent ist und der bevorzugt für Strahlung mit der Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (lh) der Fluoreszenzstrahlung (FL) - z.B. 637nm bei NV-Zentren - transparent ist. Da die Intensität (lf|) der Fluoreszenzstrahlung (FL) der paramagnetischen Zentren (NV1) des Sensorelements von der magnetischen Flussdichte B am Ort der paramagnetischen Zentren abhängt, ergibt sich somit ein lichtemittierendes elektronisches Bauelement, bei dem die Intensität (lfl) der abgestrahlten Fluoreszenzstrahlung (FL) von der magnetischen Flussdichte B abhängt, die das lichtemittierende Bauteil (Fl, NV1, PLI) durchflutet, oder von anderen Parametern, wie der elektrischen Feldstärke E oder der Temperatur oder der Beschleunigung oder der Rotationsgeschwindigkeit o oder der Gravitationsbeschleunigung g abhängt. Wir verweisen auf die Schriften G. Balasubramanian, I. Y. Chan, R. Kolesov, M. Al-Hmoud, J. Tisler, C. Shin, C. Kim, A. Wojcik, P.R. Hemmer, A. Krueger, T. Hanke, A.Leitenstorfer, R. Bratschitsch, F. Jeletzko, J. Wrachtrup,„nanoscale imaging magnetometry with diamond spins under ambient conditions", Natur 455, 648 (2008) bezüglich der Magnetfeldmessung mit NV-Zentren und G. Kucsko, P.C. Maurer, N. Y. Yao, M. Kubo, H. J. Noh, P.K. Lo, H. Park, M.D. Lukin,„Nanometre-scale thermometry in a living cell", Nature 500, 54-58 (2013) bezüglich der Thermometrie mit NV-Zentren und F. Dole, H. Fedder, M. W. Doherty, T. Nöbauer, F. Rempp, G. Balasubramanian, T. Wolf, F. 47 largely corresponds to FIG. 46, with the difference that the sensor element with the substrate (D) with the paramagnetic center or centers (NV1) or with the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) is not on the radiation receiver ( PD), but is attached directly to the pump radiation source (PLI). This has the advantage of increasing the contrast (KT). The first filter (F1) is preferably directly on the sensor element with the or the paramagnetic centers (NV1) and / or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) placed and attached. A fastening means is preferred for fastening the sensor element, which comprises a substrate (D) with one or more paramagnetic centers (NV1) and / or one or more groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1), and the first filter (F1) (GE), for example gelatine or eagle owl, is used. This creates a light-emitting component, consisting of the pump radiation source (PLI), which sends the pump radiation (LB) directly into a substrate (D) of the sensor element with the paramagnetic center or centers (NV1) or with the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) radiates in, and the sensor element with the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1), which preferably have a high density at least locally within the sensor element, and the first filter, which is preferably not transparent for radiation with the pump radiation wavelength (l r , hr ) of the pump radiation (LB) of the pump radiation source (PLI) and which is preferred for radiation with the fluorescence radiation wavelength (lh) of the fluorescence radiation (FL) - e.g. 637nm at NV centers - is transparent. Since the intensity (l f | ) of the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic centers (NV1) of the sensor element depends on the magnetic flux density B at the location of the paramagnetic centers, the result is a light-emitting electronic component in which the intensity (l fl ) of the The emitted fluorescence radiation (FL) depends on the magnetic flux density B flowing through the light-emitting component (Fl, NV1, PLI), or on other parameters such as the electric field strength E or the temperature or the acceleration or the rotational speed o or the gravitational acceleration g . We refer to the publications G. Balasubramanian, IY Chan, R. Kolesov, M. Al-Hmoud, J. Tisler, C. Shin, C. Kim, A. Wojcik, PR Hemmer, A. Krueger, T. Hanke, A .Leitenstorfer, R. Bratschitsch, F. Jeletzko, J. Wrachtrup, "nanoscale imaging magnetometry with diamond spins under ambient conditions", Natur 455, 648 (2008) with regard to magnetic field measurements with NV centers and G. Kucsko, PC Maurer, NY Yao, M. Kubo, HJ Noh, PK Lo, H. Park, MD Lukin, "Nanometre-scale thermometry in a living cell", Nature 500, 54-58 (2013) regarding thermometry with NV centers and F. Dole , H. Fedder, MW Doherty, T. Nöbauer, F. Rempp, G. Balasubramanian, T. Wolf, F.
Reinhard, L.C.L. Hollenberg, F. Jeletzko, J. Wrachtup,„Electric-field sensing using single diamond spins", Nat. Phs. 7, 459-463 (2011) bezüglich der Messung elektrischer Felder mit NV-Zentren und A. Albrecht, A. Retzker, M. Plenio,„Nanodiamond interferometry meets quantum gravity" arXiv:1403.6038vl [quant-ph] 24 Mar 2014 bezüglich der Messung gravitativer Felder mit NV- Zentren. Reinhard, LCL Hollenberg, F. Jeletzko, J. Wrachtup, "Electric-field sensing using single diamond spins", Nat. Phs. 7, 459-463 (2011) regarding the measurement of electric fields with NV centers and A. Albrecht, A. Retzker, M. Plenio, "Nanodiamond interferometry meets quantum gravity" arXiv: 1403.6038vl [quant-ph] 24 Mar 2014 regarding the measurement of gravitational fields with NV centers.
Bevorzugt wird bei Bedarf ein Austritt der Pumpstrahlung (LB) über strahlungsundurchlässige Barrieren (BA2) an den Seiten des Sensorelements verhindert. Diese können beispielsweise mittels eines Dispensers als lichtundurchlässiger Kleber oder dergleichen aufgebracht werden. If necessary, the pump radiation (LB) is preferably prevented from exiting via radiation-opaque barriers (BA2) on the sides of the sensor element. These can be applied, for example, as opaque glue or the like by means of a dispenser.
F ig u r 48 Fig. 48
Eine weitere alternative Platzierungsmöglichkeit für das Sensorelement mit den paramagnetischen Zentren (NV1) ist beispielsweise die Innenseite des Gehäusedeckels (DE). Another alternative placement option for the sensor element with the paramagnetic centers (NV1) is, for example, the inside of the housing cover (DE).
F ig u r 49 Fig. 49
Figur 49 zeigt den Test eines vorgeschlagenen Sensorsystems. Der Test wird bevorzugt vor dem verschließen der Montageöffnung (MO) des Gehäuses mit dem Gehäusedeckel (DE) durchgeführt. Bevorzugt wird die integrierte Schaltung (IC) durch Kontaktieren des Gehäuses und Anlegen geeigneter Pattern, das sind zeitliche Signalmuster zu Ansteuerung der Kontakte des Sensorsystems, z.B. mittels eines elektrischen Testsystems in Betrieb gesetzt. Eine erste Test-Strahlungsquelle (LED1), die bevorzugt eine LED oder ein Laser ist, emittiert Test-Pumpstrahlung (TLB) mit einer Test- Pumpstrahlungswellenlänge (lίrit1r) die typischerweise gleich der Pumpstrahlungswellenlänge ( lrigir) der Pumpstrahlungsquelle (PLI) ist, und bestrahlt mit dieser die paramagnetischen Zentren (NV1) im Material des Sensorelements. Diese Bestrahlung mit Test-Pumpstrahlung (TLB) der FIG. 49 shows the test of a proposed sensor system. The test is preferably carried out before the assembly opening (MO) of the housing is closed with the housing cover (DE). The integrated circuit (IC) is preferably put into operation by contacting the housing and applying suitable patterns, which are temporal signal patterns for controlling the contacts of the sensor system, for example by means of an electrical test system. A first test radiation source (LED1), which is preferably an LED or a laser, emits test pump radiation (TLB) with a test pump radiation wavelength (l rit1r ) which is typically equal to the pump radiation wavelength (l rigir ) of the pump radiation source (PLI), and with this irradiates the paramagnetic centers (NV1) in the material of the sensor element. This irradiation with test pump radiation (TLB) of the
Pumpstrahlungswellenlänge (lrirr) regt das paramagnetische Zentrum (NV1) bzw. die Pump radiation wavelength (l rirr ) excites the paramagnetic center (NV1) or the
paramagnetischen Zentren (NV1) und/oder die Gruppe bzw. die Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) im Material des Sensorelements zur Emission einer Fluoreszenzstrahlung (FL) mit der Fluoreszenzstrahlungswellenlänge^fi)- z.B. mit einer Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (lh) von lί|=637hiti bei NV-Zentren an. Diese Fluoreszenzstrahlung (FL) kann durch einen ersten paramagnetic centers (NV1) and / or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) in the material of the sensor element for emission of fluorescence radiation (FL) with fluorescence radiation wavelength ^ fi ) - e.g. with a fluorescence radiation wavelength (lh) of l ί | = 637hiti at NV centers. This fluorescence radiation (FL) can through a first
Testempfänger (TD1), der mit einem Testfilter (TF1) versehen ist, der für Strahlung mit der Test receiver (TD1), which is provided with a test filter (TF1), which for radiation with the
Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (l^) der Fluoreszenzstrahlung (FL) - z.B. 637nm bei NV-Zentren - transparent ist und der bevorzugt für Strahlung der Pumpstrahlungswellenlänge (lrirr) der Fluorescence radiation wavelength (l ^) of the fluorescence radiation (FL) - for example 637nm at NV centers - is transparent and is preferred for radiation of the pump radiation wavelength (l rirr )
Pumpstrahlung (LB) und der Test-Pumpstrahlung (TLB) nicht transparent ist, empfangen werden. Die Intensität (lfl) der Fluoreszenzstrahlung (FL) wird mit Hilfe des Testempfängers (TD1) erfasst und in einen Messwert gewandelt. Dieser Messwert wird durch eine nicht gezeichnete Testvorrichtung mit einem Sollwert verglichen. Verläuft der Vergleich negativ, so ist das Sensorsystem fehlerhaft. In einem anderen Testschritt wird die Pumpstrahlungsquelle (PLI) des Sensorsystems durch die integrierte Schaltung (IC) aufgrund eines Befehls der externen Testvorrichtung an die integrierte Schaltung (IC) zur Abgabe von Pumpstrahlung (LB) der Pumpstrahlungswellenlänge (lrGhr) veranlasst. Diese emittierte Pumpstrahlung (LB) fällt teilweise auf die paramagnetischen Zentren (NV1) im Material des Sensorelements. Ggf. wird hierfür ein externer Spiegel (EMI), der bevorzugt Teil der Testvorrichtung ist, vorgesehen. Damit werden die paramagnetischen Zentren (NV1) im Material des Sensorelements zur Abgabe der Fluoreszenzstrahlung (FL) angeregt. Diese Fluoreszenzstrahlung (FL) kann durch den ersten Testempfänger (TD1), der mit dem besagten Testfilter (TF1) versehen ist, detektiert werden. Die Intensität (lfl) der Fluoreszenzstrahlung (FL) wird mit Hilfe dieses Pump radiation (LB) and the test pump radiation (TLB) is not transparent, can be received. The intensity (l fl ) of the fluorescence radiation (FL) is recorded with the aid of the test receiver (TD1) and converted into a measured value. This measured value is compared with a nominal value by a test device (not shown). If the comparison is negative, the sensor system is faulty. In another test step, the pump radiation source (PLI) of the sensor system is caused by the integrated circuit (IC) on the basis of a command from the external test device to the integrated circuit (IC) to emit pump radiation (LB) of the pump radiation wavelength (l rGhr ). This emitted pump radiation (LB) partially falls on the paramagnetic centers (NV1) in the material of the sensor element. If necessary, an external mirror (EMI), which is preferably part of the test device, is provided for this. This stimulates the paramagnetic centers (NV1) in the material of the sensor element to emit the fluorescent radiation (FL). This fluorescence radiation (FL) can be detected by the first test receiver (TD1), which is provided with said test filter (TF1). The intensity (l fl ) of the fluorescence radiation (FL) is determined with the help of this
Testempfängers (TD1) wieder erfasst und in einen Messwert gewandelt. Dieser Messwert wird durch eine nicht gezeichnete Testvorrichtung mit einem zweiten Sollwert verglichen. Verläuft der Vergleich negativ, so ist das System fehlerhaft. Test receiver (TD1) recorded again and converted into a measured value. This measured value is compared with a second target value by a test device (not shown). If the comparison is negative, the system is faulty.
Die Pumpstrahlung (LB) der Pumpstrahlungsquelle (PLI) kann durch einen zweiten Testempfänger (TD2) detektiert werden. Die Pumpstrahlung (LB) wird mit Hilfe dieses Testempfängers (TD2) erfasst und in einen Messwert gewandelt. Dieser Messwert wird durch eine nicht gezeichnete The pump radiation (LB) from the pump radiation source (PLI) can be detected by a second test receiver (TD2). The pump radiation (LB) is recorded with the aid of this test receiver (TD2) and converted into a measured value. This measured value is replaced by a not drawn
Testvorrichtung mit einem dritten Sollwert verglichen. Verläuft der Vergleich negativ, so ist das getestete Sensorsystem fehlerhaft. Ist das System nicht fehlerhaft, so kann die Montageöffnung des Gehäuses verschlossen werden. Ist das getestete Sensorsystem fehlerhaft, so wird es verworfen oder einer Nacharbeit zugeführt. Test device compared with a third target value. If the comparison is negative, the tested sensor system is faulty. If the system is not defective, the mounting opening of the housing can be closed. If the tested sensor system is defective, it is discarded or reworked.
F ig u r 50 Fig. 50
Figur 50 zeigt einen grundsätzlichen Verfahrensablauf zur Herstellung eines Sensorsystems. Der vorgeschlagene Herstellungsprozess umfasst die folgenden Schritte, wobei die Reihenfolge der Schritte leicht variieren kann, zusätzliche Schritte können ausgeführt werden und Schritte können zusammengefasst werden. Ein erster Schritt ist das Bereitstellen (1) eines sogenannten pre-molded Open-Cavity-Gehäuses mit Anschlüssen. Das bedeutet, dass es sich bevorzugt um ein vorgeformtes Gehäuse handelt, das eine Kavität (CAV) mit einer Montageöffnung (MO) aufweist, in die die Komponenten montiert werden. Das Gehäuse ist in den Figuren 34 in der Aufsicht und 35 im FIG. 50 shows a basic process sequence for producing a sensor system. The proposed manufacturing process comprises the following steps, wherein the order of the steps can vary slightly, additional steps can be carried out and steps can be combined. A first step is to provide (1) a so-called pre-molded open-cavity housing with connections. This means that it is preferably a preformed housing that has a cavity (CAV) with a mounting opening (MO) into which the components are mounted. The housing is in the figures 34 in the plan and 35 in the
Schnittbild von der Seite dargestellt. Als zweiter Schritt erfolgt das Einbringen (2) einer Sectional view shown from the side. The second step is the introduction (2) of a
Pumpstrahlungsquelle (PLI). Als dritter Schritt erfolgt das Einbringen (3) einer integrierten Schaltung (IC) mit einem Strahlungsempfänger (PD1), der vorzugsweise bereits wellenlängensensitiv ist. D.h. bevorzugt ist er für Strahlung mit der Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (lh) - z.B. 637nm bei NV- Zentren - der Fluoreszenzstrahlung (FL) eines paramagnetischen Zentrums (NV1) des Materials des Sensorelements im Wesentlichen empfindlich und für Strahlung mit der Pumpstrahlungswellenlänge (lr,hr) der Pumpstrahlung (LB) der Pumpstrahlungsquelle (PLI), mit der das paramagnetische Zentrum (NV1) zur Emission der Fluoreszenzstrahlung (FL) veranlasst wird, im Wesentlichen nicht empfindlich. Es folgt der Schritt des elektrischen Verbindens (4) der integrierten Schaltung (IC) und der Anschlüsse (LF1, LF2, LF4, LF5, LF6) und der Pumpstrahlungsquelle (PLI) für die Pumpstrahlung (LB). Ggf. werden weitere Bauteile im Gehäuse platziert und angeschlossen. Es erfolgt das Einbringen (5) eines Sensorelements mit einem paramagnetischen Zentrum (NV1) im Material des Pump radiation source (PLI). The third step is the introduction (3) of an integrated circuit (IC) with a radiation receiver (PD1), which is preferably already wavelength-sensitive. That means it is preferred for radiation with the fluorescence radiation wavelength (lh) - e.g. 637nm for NV- Centers - the fluorescence radiation (FL) of a paramagnetic center (NV1) of the material of the sensor element and essentially sensitive to radiation with the pump radiation wavelength (l r , hr ) of the pump radiation (LB) of the pump radiation source (PLI) with which the paramagnetic center (NV1 ) is caused to emit the fluorescent radiation (FL), essentially not sensitive. This is followed by the step of electrically connecting (4) the integrated circuit (IC) and the connections (LF1, LF2, LF4, LF5, LF6) and the pump radiation source (PLI) for the pump radiation (LB). If necessary, additional components are placed in the housing and connected. A sensor element with a paramagnetic center (NV1) is introduced (5) in the material of the
Sensorelements und das Befestigen (6) des Sensorelements mittels eines Befestigungsmittels (Ge). Diese beiden letztgenannten Schritte können auch gemeinsam erfolgen. Als weiterer Schritt erfolgt das Herstellen (7) eines Mittels zur Lenkung der Pumpstrahlung (LB) und/oder der Sensor element and the fastening (6) of the sensor element by means of a fastening means (Ge). These last two steps can also be carried out together. A further step is the production (7) of a means for directing the pump radiation (LB) and / or the
Fluoreszenzstrahlung (FL). Hierbei handelt es sich beispielsweise um den Reflektor (RE). Bei dem Reflektor (RE) kann es sich auch ganz einfach um die unbehandelte Seite des Deckels (DE) handeln, der in Richtung auf die Kavität (CAV) weist. Diese Deckelseite des Deckels (DE) kann beschichtet sein, mit einem optischen Funktionselement versehen sein, mikrostrukturiert sein und mit einer Wölbung, die moduliert sein kann, versehen sein, um beispielsweise die Pumpstrahlungsquelle (PLI) optisch mit dem paramagnetischen Zentrum (NV1) oder den paramagnetischen Zentren (NV1) und/oder der Gruppe oder den Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) im vorzugsweise diamagnetischen Material (MPZ) eines Substrats (D) des Sensorelements optisch zu koppeln und/ oder beispielsweise das paramagnetische Zentrum (NV1) oder die paramagnetischen Zentren (NV1) und/oder die Gruppe oder die Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) im vorzugsweise diamagnetischen Material (M PZ) eines Substrats (D) des Sensorelements mit dem Strahlungsempfänger (PD) optisch zu koppeln. Das Verschließen (8) der Montageöffnung (MO) des Gehäuses mit dem besagten Deckel (DE) schließt das Verfahren in seiner Grundform ab. In der Figur 50a ist der Ablauf grundsätzlich dargestellt, während in der Figur 50b die Schritte fünf und 6 gemeinsam ausgeführt werden. Fluorescence radiation (FL). This is, for example, the reflector (RE). The reflector (RE) can also very simply be the untreated side of the cover (DE) which points in the direction of the cavity (CAV). This top side of the cover (DE) can be coated, provided with an optical functional element, be microstructured and provided with a curvature that can be modulated, for example to optically connect the pump radiation source (PLI) with the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) and / or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) in the preferably diamagnetic material (MPZ) of a substrate (D) of the sensor element and / or, for example, the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) and / or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) in the preferably diamagnetic material (M PZ) of a substrate (D) of the sensor element with the radiation receiver (PD). The closing (8) of the mounting opening (MO) of the housing with the said cover (DE) completes the process in its basic form. The sequence is shown in principle in FIG. 50a, while steps five and 6 are carried out together in FIG. 50b.
Abwandlungen dieser Prozessabfolge, um z.B. einen separaten Strahlungsempfänger (PD) und/oder eine Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) zu montieren und anzuschließen sind möglich. Modifications of this process sequence, e.g. to mount and connect a separate radiation receiver (PD) and / or a compensation radiation source (PLK) are possible.
F ig u r 51 Fig. 51
In der Figur 51a ist der Ablauf der Figur 50a noch einmal dargestellt. Zwischen dem Schritt des Befestigens (6) des Sensorelements mittels eines Befestigungsmittels (Ge) und dem Schritt der Herstellung (7) eines Mittels zur Lenkung der Pumpstrahlung (LB) und/oder Fluoreszenzstrahlung (FL) ist ein Schritt zum Test der Systemfunktion (9) eingefügt, in dem ein Messwert ermittelt wird. Dieser Messwert wird in einem weiteren Schritt (10) mit einem Schwellwert verglichen. Ist der Vergleich positiv (p), so folgt der bekannte Schritt der Herstellung (7) eines Mittels zur Lenkung der The sequence of FIG. 50a is shown once again in FIG. 51a. Between the step of fastening (6) the sensor element by means of a fastening means (Ge) and the step of producing (7) a means for directing the pump radiation (LB) and / or fluorescence radiation (FL) a step for testing the system function (9) is added, in which a measured value is determined. This measured value is compared with a threshold value in a further step (10). If the comparison is positive (p), the known step of producing (7) a means for controlling the follows
Pumpstrahlung (LB) und/oder Fluoreszenzstrahlung (FL). Ist der Vergleich negativ (n) so folgt ein Verwurf (11) oder eine Nacharbeit des Systems. Pump radiation (LB) and / or fluorescence radiation (FL). If the comparison is negative (n), this is rejected (11) or the system is reworked.
In der Figur 51b ist der Ablauf der Figur 50a noch einmal dargestellt. Zwischen dem Schritt des Befestigens (6) des Sensorelements mittels eines Befestigungsmittels (Ge) und dem Schritt der Herstellung (7) eines Mittels zur Lenkung der Pumpstrahlung (LB) und/oder Fluoreszenzstrahlung (FL) ist ein Schritt (12) zum Aufbringen des ersten Klebers (GL1) auf die integrierte mikroelektronische Schaltung (IC) und ein Schritt (13) zum Aufsetzen des ersten Filters (Fl) in den ersten Kleber (GL1) vorgesehen. Diese Schritte sind notwendig, wenn der Empfänger nicht im Wesentlichen selektiv für Strahlung mit der Fluoreszenzwellenlänge (l^) der Fluoreszenzstrahlung (FL) des paramagnetischen Zentrums des Materials des Sensorelements gegenüber Strahlung mit der The sequence of FIG. 50a is shown once again in FIG. 51b. Between the step of fastening (6) the sensor element by means of a fastening means (Ge) and the step of producing (7) a means for directing the pump radiation (LB) and / or fluorescence radiation (FL) is a step (12) for applying the first Adhesive (GL1) on the integrated microelectronic circuit (IC) and a step (13) for placing the first filter (F1) in the first adhesive (GL1) is provided. These steps are necessary if the receiver is not essentially selective for radiation with the fluorescence wavelength (l ^) of the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic center of the material of the sensor element versus radiation with the
Pumpstrahlungswellenlänge (lrigir) der Pumpstrahlung (LB) der Pumpstrahlungsquelle (PLI) ist. Pump radiation wavelength (l rigir ) of the pump radiation (LB) of the pump radiation source (PLI).
Weitere Schritte sind möglich. Die Schritte können auch miteinander kombiniert werden, sofern dies sinnvoll ist. Die Reihenfolge kann ggf. abweichen, wenn sinnvoll. Es ist auch möglich, mehr als einen Testschritt (10) durchzuführen. Further steps are possible. The steps can also be combined with one another if this makes sense. The order may differ if it makes sense. It is also possible to carry out more than one test step (10).
Ein Testschritt (9) kann beispielsweise die Abgabe von Fluoreszenzstrahlung (FL) durch das paramagnetische Zentrum (NV1) des Materials des Sensorelements durch Bestrahlung mit A test step (9) can, for example, emit fluorescence radiation (FL) through the paramagnetic center (NV1) of the material of the sensor element by means of irradiation
Pumpstrahlung (LB) prüfen. Check pump radiation (LB).
Ein Testschritt (9) kann beispielsweise die Abgabe von Fluoreszenzstrahlung (FL) durch das paramagnetische Zentrum (NV1) des Materials des Sensorelements durch Veranlassung der Pumpstrahlungsquelle (LED1) zur Abgabe von Pumpstrahlung (LB) prüfen, wobei dann vorzugsweise auch die durch die Pumpstrahlungsquelle (PLI) abgegebene Pumpstrahlung (LB) geprüft werden kann. A test step (9) can, for example, check the emission of fluorescence radiation (FL) by the paramagnetic center (NV1) of the material of the sensor element by causing the pump radiation source (LED1) to emit pump radiation (LB), in which case the pump radiation source (LB) PLI) emitted pump radiation (LB) can be checked.
In Testschritt (9) kann beispielsweise die Abgabe von Fluoreszenzstrahlung (FL) durch das paramagnetische Zentrum (NV1) des Materials des Sensorelements durch Bestrahlung mit In test step (9), for example, the emission of fluorescence radiation (FL) through the paramagnetic center (NV1) of the material of the sensor element by irradiation with
Pumpstrahlung (LB) in Abhängigkeit von einem extern erzeugten magnetischen Fluss B geprüft werden. Dies ist insbesondere zu Kalibrationszwecken sinnvoll. Die dann ggf. ermittelten Pump radiation (LB) can be checked as a function of an externally generated magnetic flux B. This is particularly useful for calibration purposes. The then possibly determined
Kalibrationsdaten können in einem Speicher der mikroelektronischen Schaltung (IC) hinterlegt werden. Ein solcher Test und eine solche Kalbration sind selbstverständlich nach dem Aufsetzen desCalibration data can be stored in a memory of the microelectronic circuit (IC) will. Such a test and such a calibration are, of course, after the
Deckels (DE) auf das Gehäuse besonders sinnvoll. Cover (DE) on the housing particularly useful.
F ig u r 52 Fig. 52
Figur 52 zeigt ein Sensorsystem entsprechend Figur 46 ohne den ersten Filter (Fl) und ohne den ersten Kleber (GL1) beispielsweise zum Betrieb mit einem System nach den Figuren 20 bis 21 oder 25. FIG. 52 shows a sensor system corresponding to FIG. 46 without the first filter (F1) and without the first adhesive (GL1), for example for operation with a system according to FIGS. 20 to 21 or 25.
Bei dem System der Figur 52 handelt es sich somit um ein Sensorsystem und/oder The system of FIG. 52 is thus a sensor system and / or
quantentechnologisches System, wobei das Sensorsystem und/oder quantentechnologisches System ein oder mehrere paramagnetische Zentren (NV1) im Material eines Sensorelements und/oder quantentechnologischen Vorrichtungselements, das Teil des Sensorsystems und/oder quantum technological system, the sensor system and / or quantum technological system having one or more paramagnetic centers (NV1) in the material of a sensor element and / or quantum technological device element that is part of the sensor system and / or
quantentechnologisches System ist, umfasst und wobei das Sensorsystem und/oder quantum technological system is, comprises and wherein the sensor system and / or
quantentechnologische System eine Strahlungsquelle (PLI) für Pumpstrahlung (LB) umfasst. Die von der Pumpstrahlungsquelle (PLI) zu ersten Zeiten (TI) emittierte Pumpstrahlung (LB) veranlasst das bzw. die paramagnetischen Zentren (NV1) zur Abgabe von Fluoreszenzstrahlung (FL). Diese ist phasenverschoben um eine Fluoreszenzphasenverschiebungszeit (ATFL) gegenüber der quantum technological system comprises a radiation source (PLI) for pump radiation (LB). The pump radiation (LB) emitted by the pump radiation source (PLI) at the first times (TI) causes the paramagnetic center or centers (NV1) to emit fluorescence radiation (FL). This is phase shifted by a fluorescence phase shift time (ATFL) with respect to the
Pumpstrahlung (LB). Das Sensorsystem und/oder quantentechnologisches System umfasst daher Mittel (PD1, Al, Ml, TP, M2, A2, G, Ml', TR', M2'), beispielsweise die der Figur 12, die zu zweiten Zeiten (T2), die von den ersten Zeiten (TI) verschieden sind, die Fluoreszenzstrahlung (FL) des oder der paramagnetischen Zentren (NV1) erfassen, um auf die Phasenverschiebung in Form des Werts der Fluoreszenzphasenverschiebungszeit (ATFL) zu schließen und einen Wert in Form eines Sensorausgangssignals (out) bereitzustellen, der diesem Wert entspricht oder von ihm abhängt. Beispielsweise kann die Pumpstrahlung (LB) durch ein PWM-Signal als Sendesignal (S5) mit einem beispielshaften Duty-Cycle von 50% moduliert sein. Das orthogonale Referenzsignal (S51) ist dann beispielsweise ebenfalls bevorzugt ein PWM-Signal mit 50% Duty-Cycle, das bevorzugt um 90° gegenüber dem Sendesignal (S5) bzw. dem Wechselanteil (s5w) des Sendesignals (S5) Pump radiation (LB). The sensor system and / or quantum technology system therefore includes means (PD1, A1, Ml, TP, M2, A2, G, Ml ', TR', M2 '), for example those of FIG. 12, which are used at second times (T2) are different from the first times (TI), the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic center or centers (NV1) are detected in order to infer the phase shift in the form of the value of the fluorescence phase shift time (ATFL) and a value in the form of a sensor output signal (out) that corresponds to or depends on this value. For example, the pump radiation (LB) can be modulated by a PWM signal as a transmission signal (S5) with an exemplary duty cycle of 50%. The orthogonal reference signal (S5 1 ) is then, for example, also preferably a PWM signal with a 50% duty cycle, which is preferably 90 ° relative to the transmission signal (S5) or the alternating component (s5w) of the transmission signal (S5)
phasenverschoben ist, wenn die Pegel des Sendesignals (S5) und des orthogonalen Referenzsignals (S51) symmetrisch um 0 angelegt sind, also beispielsweise zwischen 1 und -1 hin und herspringen. Sind die Pegel mit 1 und 0 angelegt, so ist das orthogonale Referenzsignal (S51) bevorzugt 180° gegen das Sendesignal (S5) verschoben, also gegenüber dem Sendesignal (S5) invertiert. Andere is phase shifted when the levels of the transmission signal (S5) and the orthogonal reference signal (S5 1 ) are applied symmetrically around 0, so for example jump back and forth between 1 and -1. If the levels with 1 and 0 are applied, the orthogonal reference signal (S5 1 ) is preferably shifted 180 ° relative to the transmission signal (S5), that is to say inverted relative to the transmission signal (S5). Other
Orthogonalitätskombinationen (z.B. unterschiedliche Frequenzen) sind denkbar. Im Falle der Pegeldefinition mit 0 und 1 ist der Betrieb von LEDs als Pumpstrahlungsquelle (PLI) besonders vorteilhaft. Das beispielsweise entsprechend Figur 17 gebildete zusätzlichen Sensorausgangssignals (out1) repräsentiert dann einen Wert für die Fluoreszenzstrahlung (FL) des paramagnetischen Zentrum s(NVl) zu Zeiten, da keine Pumpstrahlung (LB) ausgesendet wird. Dies sind typischerweise die zweiten Zeiten (T2). Da der zeitliche Verlauf des Nachleuchtens der paramagnetischen Zentren (NV1) bekannt und da damit die Phasenverschiebung vorbestimmt ist, hängt dieser Wert, der durch das zusätzliche Sensorausgangssignal (out1) repräsentiert wird, dann von der Fluoreszenzstrahlung (FL) des paramagnetischen Zentrums (NV1) und damit beispielsweise von dem diese Combinations of orthogonality (eg different frequencies) are conceivable. In the case of the level definition with 0 and 1, the operation of LEDs as a pump radiation source (PLI) is special advantageous. The additional sensor output signal (out 1 ) formed, for example, in accordance with FIG. 17 then represents a value for the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic center (NV1) at times when no pump radiation (LB) is emitted. These are typically the second times (T2). Since the time course of the afterglow of the paramagnetic centers (NV1) is known and since the phase shift is thus predetermined, this value, which is represented by the additional sensor output signal (out 1 ), then depends on the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic center (NV1) and thus, for example, of this
Fluoreszenzstrahlung (FL) des paramagnetischen Zentrums (NV1) beeinflussenden magnetischen Fluss B am Ort des paramagnetischen Zentrums (NV1) ab. Der Vorteil ist, dass auf diese Weise nur noch drei Komponenten in das Gehäuse montiert werden müssen. Fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic center (NV1) influencing magnetic flux B at the location of the paramagnetic center (NV1). The advantage is that in this way only three components have to be installed in the housing.
F ig u r 53 Fig. 53
Figur 53 zeigt das beispielhafte Gehäuse mit dem Sensorsystem aus Figur 52 mit Schirmung (MAS) und einem separierten Strahlungsempfänger (PD). Die Schirmung (MAS) ist bevorzugt aus elektrisch leitfähigem und/oder weichmagnetischen Material gefertigt. F ig u r 54 FIG. 53 shows the exemplary housing with the sensor system from FIG. 52 with shielding (MAS) and a separate radiation receiver (PD). The shielding (MAS) is preferably made of electrically conductive and / or soft magnetic material. Fig. 54
Figur 54 zeigt das beispielhafte Gehäuse mit dem Sensorsystem aus Figur 34 mit einer zusätzlichen Leitung (LTG) in der Aufsicht vor der Montage. In dem hier willkürlich diskutierten Beispiel soll der elektrische Strom durch Ermittlung eines Stromwertes für diesen Strom in der Leitung (LTG) gemessen werden; F ig u r 55 FIG. 54 shows the exemplary housing with the sensor system from FIG. 34 with an additional line (LTG) in a plan view before assembly. In the example arbitrarily discussed here, the electrical current is to be measured by determining a current value for this current in the line (LTG); Fig. 55
Figur 55 zeigt das beispielhafte Gehäuse mit dem Sensorsystem aus Figur 52 mit der gegenüber Figur 52 zusätzlichen Leitung (LTG), deren Strom gemessen werden soll; FIG. 55 shows the exemplary housing with the sensor system from FIG. 52 with the additional line (LTG) compared to FIG. 52, the current of which is to be measured;
F ig u r 56 Fig. 56
Figur 56 zeigt einen beispielhaften Lead-Frame für die beispielhaften Gehäuse der Figur 46 in der Aufsicht. In den Leadframe sind bevorzugt Montageflächen eingearbeitet. Diese bestehen bevorzugt aus Metall. Dieses Metall ist bevorzugt beschichtet um eine besser Haftung der Bond-Drähte zu gewährleisten. Im Folgenden werden diese Montageflächen als Lead-Frame-Fläche bezeichnet. Die erste Leadframe-Fläche (LF1), die fünfte Leadframe-Fläche (LF5), die sechste Leadframe-Fläche (LF6) und die vierte Leadframe-Fläche (LF4) werden später die Kontakte bilden. FIG. 56 shows an exemplary lead frame for the exemplary housing of FIG. 46 in a top view. Mounting surfaces are preferably incorporated into the leadframe. These are preferably made of metal. This metal is preferably coated in order to ensure better adhesion of the bond wires. These mounting surfaces are referred to below as the lead frame surface. The first leadframe area (LF1), the fifth leadframe area (LF5), the sixth leadframe area (LF6) and the fourth leadframe area (LF4) will later form the contacts.
Die zweite Leadframe-Fläche (LF2) und die dritte Leadframe-Fläche (LF3) dienen später zur Montage der integrierten Schaltung (IC) und der Pumpstrahlungsquelle (PLI) für die Pumpstrahlung (LB) Figu r 57 The second leadframe area (LF2) and the third leadframe area (LF3) are later used to mount the integrated circuit (IC) and the pump radiation source (PLI) for the pump radiation (LB) Fig. 57
Figur 57 zeigt den beispielhaften Leadframe der Figur 56 im Querschnitt. Der Rahmen des FIG. 57 shows the exemplary lead frame of FIG. 56 in cross section. The framework of the
Leadframes ist zur Vereinfachung hier und im Folgenden nicht gezeichnet. For the sake of simplicity, leadframes are not drawn here and below.
Figu re n 58 bi s 69 Figu re n 58 to 69
Die Figuren 58 bis 69 beschreiben einen beispielhaften Montageprozess für das weitere Figures 58 to 69 describe an exemplary assembly process for the rest
vorgeschlagene System. proposed system.
Figu r 58 Fig. 58
In Figur 58 wird zunächst beispielsweise mit Hilfe eines Dispensers auf die dritte Lead-Frame-Fläche (LF3) ein dritter Kleber (GL3) aufgetragen. Mit Hilfe eines Dispensers wird auf die zweite Lead-Frame- Fläche (LF2) ein zweiter Kleber (GL2) aufgetragen. Figu r 59 In FIG. 58, a third adhesive (GL3) is first applied to the third lead frame area (LF3), for example with the aid of a dispenser. With the aid of a dispenser, a second adhesive (GL2) is applied to the second lead frame surface (LF2). Fig. 59
In Figur 59 wird in den dritten Kleber (GL3) auf der dritten Lead-Frame-Fläche (LF3) die In Figure 59, in the third adhesive (GL3) on the third lead frame area (LF3) the
Pumpstrahlungsquelle (PLI) gesetzt und damit an der dritten Lead-Frame-Fläche (LF3) befestigt. Bevorzugt ist der dritte Kleber (GL3) elektrisch und thermisch leitfähig. In dem Fall entsteht eine elektrische und thermische Verbindung zwischen der Pumpstrahlungsquelle (PLI) und der dritten Lead-Frame-Fläche (LF3). Bevorzugt ist die dritte Leadframe-Fläche (LF3) ein sogenanntes Exposed- Die-Pad, das eine thermische Kontaktierung der dritten Lead-Frame-Fläche von der Unterseite des Bodens (BO) des Gehäuses erlaubt und somit eine bessere Wärmeabfuhr und damit Pump radiation source (PLI) set and thus attached to the third lead frame surface (LF3). The third adhesive (GL3) is preferably electrically and thermally conductive. In this case, there is an electrical and thermal connection between the pump radiation source (PLI) and the third lead frame area (LF3). The third leadframe area (LF3) is preferably a so-called exposed die pad, which allows thermal contacting of the third leadframe area from the underside of the bottom (BO) of the housing and thus better heat dissipation and thus better heat dissipation
Temperaturregelung für die Pumpstrahlungsquelle (PLI) erlaubt. Bevorzugt wird die Außenfläche der somit nach außen freiliegenden dritten Lead-Frame-Fläche (LF3) thermisch, z.B. mittels Lötung oder Klebung mit einem thermisch leitfähigen Kleber mit einer Wärmesenke thermisch gekoppelt. Durch diese Maßnahme wird die Pumpstrahlungsquelle (PLI) mit dieser Wärmesenke, beispielsweise einem Kühlkörper gekoppelt. Bevorzugt erfasst ein Temperatursensor die Temperatur der Temperature control for the pump radiation source (PLI) allowed. The outer surface of the third lead frame surface (LF3), which is thus exposed to the outside, is preferably thermally coupled to a heat sink, e.g. by means of soldering or gluing with a thermally conductive adhesive. As a result of this measure, the pump radiation source (PLI) is coupled to this heat sink, for example a heat sink. A temperature sensor preferably detects the temperature of the
Pumpstrahlungsquelle (PLI). Bevorzugt regelt ein Regler mit Hilfe eines Heizelements, dass der Wärmesenke entgegenarbeitet, die Temperatur der Pumpstrahlungsquelle (PLI) in Abhängigkeit von dem Wert, der von dem Temperatursensor erfassten Temperatur so nach, dass diese bis auf Regelfehler im Wesentlichen stabil ist. Ggf. kommt auch eine Regelung der Kühlung in Frage. Pump radiation source (PLI). A controller preferably regulates with the help of a heating element that the Heat sink counteracts the temperature of the pump radiation source (PLI) as a function of the value of the temperature detected by the temperature sensor so that it is essentially stable except for control errors. If necessary, regulation of the cooling can also be considered.
Bevorzugt wird also die Pumpstrahlungsquelle (PLI) temperaturstabilisiert betrieben. The pump radiation source (PLI) is therefore preferably operated in a temperature-stabilized manner.
F ig u r 60 Fig. 60
In Figur 60 wird eine integrierte Schaltung (IC) in den zweiten Kleber (GL2) gesetzt und damit an der zweiten Lead-Frame-Fläche (LF2) befestigt. Bevorzugt ist der zweite Kleber (GL2) elektrisch leitfähig. In FIG. 60, an integrated circuit (IC) is placed in the second adhesive (GL2) and thus attached to the second lead frame area (LF2). The second adhesive (GL2) is preferably electrically conductive.
In dem Fall entsteht eine elektrische Verbindung zwischen der Rückseite der integrierten Schaltung (IC) und der weiten Lead-Frame-Fläche (LF2). Die integrierte Schaltung (IC) umfasst in dem Beispiel den Strahlungsempfänger (PD1) und die erste Spule (LI), die in dem Beispiel der Figur 60 den Strahlungsempfänger (PD1) umgibt. Es kann sich aber auch um eine einzelne Leitung (LH) handeln.In this case, an electrical connection is created between the back of the integrated circuit (IC) and the wide lead frame area (LF2). In the example, the integrated circuit (IC) comprises the radiation receiver (PD1) and the first coil (LI), which in the example in FIG. 60 surrounds the radiation receiver (PD1). However, it can also be a single line (LH).
Die erste Spule (LI) kann aber beispielsweise auch auf oder in einem Substrat (D) des The first coil (LI) can, for example, also on or in a substrate (D) of the
Sensorelements gefertigt sein. Es kann sich auch um eine oder mehrere insbesondere gerade Leitungen auf oder in dem Substrat oder dem Sensorelement handeln. Diese erste Spule (LI) kann beispielsweise als Kompensationsspule (LC) eingesetzt werden. Bevorzugt handelt es sich um eine Flachspule im Metallisierungsstapel der integrierten Schaltung (IC). Auf die technische Lehre der PCT / DE 2020 / 100 430, die zum Zeitpunkt der Anmeldung dieser Schrift unveröffentlicht ist, deren Technische Lehre in Kombination mit der technischen Lehre dieser Schrift vollumfänglicher Teil dieser Offenbarung ist, soweit das Rechtssystem des Landes, in dem die Nationalisierung der hier vorgelegten, internationalen Anmeldeschrift erfolgt, dies erlaubt. Sensor element be manufactured. It can also be one or more, in particular, straight lines on or in the substrate or the sensor element. This first coil (LI) can be used, for example, as a compensation coil (LC). It is preferably a flat coil in the metallization stack of the integrated circuit (IC). To the technical teaching of PCT / DE 2020/100 430, which is unpublished at the time of registration of this document, whose technical teaching in combination with the technical teaching of this document is a full part of this disclosure, insofar as the legal system of the country in which the nationalization the international registration document presented here, this allows.
F ig u r 61 Fig. 61
Dieser Schritt ist notwendig, sofern der erste Filter (Fl) nicht schon Teil der integrierten Schaltung (IC) ist und z.B. als metalloptischer Filter im Metallisierungsstapel des integrierten Schaltkreises realisiert ist und falls die Notwendigkeit des ersten Filters (Fl) nicht durch andere Maßnahmen, wie beispielsweise eine Messung des Nachleuchtens der Fluoreszenzstrahlung (FL) zu Zeiten, in denen die Pumpstrahlung (LB) abgeschaltet und/oder abgeklungen ist, obsolet ist. In Figur 61 wird ein erster Kleber (GL1) auf die Oberfläche der integrierten Schaltung (IC) im Bereich des Strahlungsempfängers (PD1) aufgetragen. Der erste Kleber (GL1) ist bevorzugt im Wesentlichen transparent für die Fluoreszenzstrahlung (FL) der paramagnetischen Zentren (NV1) im Material des Sensorelements. This step is necessary if the first filter (F1) is not already part of the integrated circuit (IC) and is implemented, for example, as a metal-optical filter in the metallization stack of the integrated circuit and if the need for the first filter (F1) is not made by other measures, such as For example, a measurement of the afterglow of the fluorescence radiation (FL) at times when the pump radiation (LB) has been switched off and / or has faded is obsolete. In FIG. 61, a first adhesive (GL1) is applied to the surface of the integrated circuit (IC) in the area of the radiation receiver (PD1). The first adhesive (GL1) is preferably essentially transparent to the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic centers (NV1) in the material of the sensor element.
Statt eines ersten Klebers (GL1) können natürlich auch andere funktionsäquivalente Befestigungsmethoden für den im Folgenden in Figur 62 beschriebenen ersten Filter (Fl) verwendet werden. Instead of a first adhesive (GL1), other functionally equivalent ones can of course also be used Fastening methods for the first filter (F1) described below in FIG. 62 can be used.
F ig u r 62 Fig. 62
Dieser Schritt ist notwendig, sofern der erste Filter (Fl) nicht schon Teil der integrierten Schaltung (IC) ist und z.B. als metalloptischer Filter im Metallisierungsstapel des integrierten Schaltkreises realisiert ist und falls die Notwendigkeit des ersten Filters (Fl) nicht durch andere Maßnahmen, wie beispielsweise eine Messung des Nachleuchtens der Fluoreszenzstrahlung (FL) für eine This step is necessary if the first filter (F1) is not already part of the integrated circuit (IC) and is implemented, for example, as a metal-optical filter in the metallization stack of the integrated circuit and if the need for the first filter (F1) is not made by other measures, such as for example a measurement of the afterglow of the fluorescence radiation (FL) for a
Fluoreszenzphasenverschiebungszeit (ATFL) zu Zeiten, in denen die Pumpstrahlung (LB) abgeschaltet und/oder abgeklungen ist, obsolet ist. In Figur 62 wird in den ersten Kleber (GL1) der erste Filter (Fl) gesetzt. Der erste Filter (Fl) ist bevorzugt im Wesentlichen transparent für Strahlung mit der Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (lh) der Fluoreszenzstrahlung (FL) der paramagnetischen Zentren (NV1) im Material des Sensorelements. Der erste Filter (Fl) ist bevorzugt im Wesentlichen nicht transparent für Strahlung mit der Pumpstrahlungswellenlänge (lrGhr) der Pumpstrahlung (LB) der Pumpstrahlungsquelle (PLI). Der erste Filter (Fl) und der erste Kleber (GL1) können entfallen, wenn der Strahlungsempfänger (PD1) von vornherein so ausgeführt wird, dass er für Strahlung mit der Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (lh) der Fluoreszenzstrahlung (FL) der paramagnetischen Zentren (NV1) im Material des Sensorelements im Wesentlichen empfindlich ist und für Strahlung der Pumpstrahlungswellenlänge (lrigir) der Pumpstrahlung (LB) der Pumpstrahlungsquelle (PLI) nicht empfindlich ist. Insofern kann die gemeinsame Funktionalität aus Empfänger (PD1), erstem Kleber (GL1) und erstem Filter (Fl) auch als ein Strahlungsempfänger (PD) betrachtet werden, der für Strahlung mit der Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (lh) der Fluoreszenzstrahlung (FL) der paramagnetischen Zentren (NV1) im Material des Sensorelements im Wesentlichen empfindlich ist und für Strahlung mit der Pumpstrahlungswellenlänge (lrGhr) der Pumpstrahlung (LB) der Fluorescence phase shift time (ATFL) is obsolete at times when the pump radiation (LB) has been switched off and / or has decayed. In FIG. 62, the first filter (F1) is placed in the first adhesive (GL1). The first filter (F1) is preferably essentially transparent to radiation with the fluorescence radiation wavelength (lh) of the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic centers (NV1) in the material of the sensor element. The first filter (F1) is preferably essentially not transparent to radiation with the pump radiation wavelength (l rGhr ) of the pump radiation (LB) of the pump radiation source (PLI). The first filter (F1) and the first adhesive (GL1) can be omitted if the radiation receiver (PD1) is designed from the outset in such a way that it is suitable for radiation with the fluorescence radiation wavelength (lh) of the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic centers (NV1) in the The material of the sensor element is essentially sensitive and is not sensitive to radiation of the pump radiation wavelength (I rigir ) of the pump radiation (LB) of the pump radiation source (PLI). In this respect, the common functionality of receiver (PD1), first adhesive (GL1) and first filter (Fl) can also be viewed as a radiation receiver (PD), which is responsible for radiation with the fluorescence radiation wavelength (lh) of the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic centers ( NV1) in the material of the sensor element is essentially sensitive and for radiation with the pump radiation wavelength (l rGhr ) of the pump radiation (LB)
Pumpstrahlungsquelle (PLI) nicht empfindlich ist. Pump radiation source (PLI) is not sensitive.
F ig u r 63 Fig. 63
In Figur 63 wird das Sensorelement mit dem oder den paramagnetischen Zentren (NV1) auf dem ersten Filter (Fl) platziert. Dieser Schritt kann auch mit dem folgenden Schritt der Figur 63 zusammen erfolgen. Das Sensorelement umfasst das oder die paramagnetischen Zentren (NV1) im Material des Sensorelements. Figu r 64 In FIG. 63, the sensor element with the paramagnetic center or centers (NV1) is placed on the first filter (F1). This step can also take place together with the following step in FIG. The sensor element comprises the paramagnetic center or centers (NV1) in the material of the sensor element. Fig. 64
In Figur 64 wird das Befestigungsmittel (Ge) zur Befestigung des Sensorelements mit den paramagnetischen Zentren (NV1) im Material des Sensorelements an dem ersten Filter (Fl) eingebracht. Bevorzugt handelt es sich Gelatine. Bevorzugt wird die Gelatine mit den In FIG. 64, the fastening means (Ge) for fastening the sensor element with the paramagnetic centers (NV1) in the material of the sensor element is introduced on the first filter (F1). It is preferably gelatin. The gelatin with the
Sensorelementen vermischt und zusammenaufgebracht. In der hier vorgelegten Offenlegung wird hierbei ausdrücklich Bezug auf die DE 10 2019 114 032.3 und auf die zum Zeitpunkt der Anmeldung unveröffentlichte PCT / DE 2020 / 100430 genommen, deren Offenbarungsgehalt in Kombination mit dem Offenbarungsgehalt dieser Schrift vollumfänglicher Teil dieser Offenbarung ist, soweit das Rechtssystem des Landes, in dem die Nationalisierung der hier vorgelegten internationalen Anmeldeschrift erfolgt, dies erlaubt. Sensor elements mixed and applied together. In the disclosure presented here, express reference is made to DE 10 2019 114 032.3 and to PCT / DE 2020/100430, which was unpublished at the time of registration, the disclosure content of which in combination with the disclosure content of this document is a full part of this disclosure, insofar as the legal system of the country in which the international application document presented here is nationalized allows this.
Figu r 65 Fig. 65
In Figur 65 werden weitere elektrische Verbindungen durch Bonddrähte hergestellt. Hier stellen der erste Bonddraht (BDI), der zweite Bonddraht (BD2), der dritte Bonddraht (BD3) nur Beispiele dar. In FIG. 65, further electrical connections are made by bonding wires. The first bonding wire (BDI), the second bonding wire (BD2), and the third bonding wire (BD3) are only examples here.
Figu r 66 Fig. 66
In Figur 66 wird ein transparentes Vergusshilfsmittel (GLT) auf die soweit gefertigte Teilvorrichtung aufgetragen. Bevorzugt wird dabei darauf geachtet, dass die Oberfläche dieses Vergusshilfsmittels (GLT) eine vorbestimmte Qualität und Form annimmt. Bevorzugt wird dies durch Einstellung der Oberflächenspannung erreicht. Das Vergusshilfsmittel (GLT) ist bevorzugt transparent für Strahlung mit der Pumpstrahlungswellenlänge (lrGhr) der Pumpstrahlung (LB) der Pumpstrahlungsquelle (PLI) und/oder für die Strahlung mit der Fluoreszenzwellenlänge (l^) der Fluoreszenzstrahlung (FL) der paramagnetischen Zentren (NV1) des Sensorelements. In FIG. 66, a transparent casting aid (GLT) is applied to the partial device that has been manufactured so far. It is preferable to ensure that the surface of this casting aid (GLT) assumes a predetermined quality and shape. This is preferably achieved by adjusting the surface tension. The casting aid (GLT) is preferably transparent for radiation with the pump radiation wavelength (l rGhr ) of the pump radiation (LB) of the pump radiation source (PLI) and / or for radiation with the fluorescence wavelength (l ^) of the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic centers (NV1 ) of the sensor element.
Figu r 67 Fig. 67
In Figur 67 wird die bisherige Teilkonstruktion der Figur 66 mit einem Vergussmittel, beispielsweise Duroplast umformt. Das Vergusshilfsmittel (GLT) formt dann an der Oberfläche automatisch den Reflektor (RE). Ggf. ist es sinnvoll, unter Zuhilfenahme einer Schattenmaske das Vergusshilfsmittel (GLT) mit einer optisch reflektierenden Schicht vor dem Umspritzen mit dem Vergussmittel reflektierend zu beschichten. Figu r 68 In FIG. 67, the previous partial construction of FIG. 66 is reshaped with a potting agent, for example duroplast. The casting aid (GLT) then automatically forms the reflector (RE) on the surface. If necessary, it makes sense, with the aid of a shadow mask, to give the casting aid a reflective coating with an optically reflective layer before it is encapsulated with the casting agent. Fig. 68
Nach dem Aushärten alles Stoffe und der Restbearbeitung (z.B. De-Flashen) ist das System einsatzbereit. Die von der Pumpstrahlungsquelle (PLI) ausgesendete Pumpstrahlung (LB) wird in einer Ausprägung an der Grenzfläche zwischen dem Vergusshilfsmittel (GLT) und dem Vergussmittel bevorzugt in das oder die parametrischen Zentren (NV1) in dem vorzugsweise diamagnetischen Material (MPZ) eines Substrats (D) im Sensorelement gespiegelt oder gestreut. Auch kann beispielsweise die von dem oder den paramagnetischen Zentren (NV1) oder der Gruppe oder den Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) ausgesendete Fluoreszenzstrahlung (LB) an der Grenzfläche zwischen dem Vergusshilfsmittel (GLT) und dem Vergussmittel bevorzugt in den Strahlungsdetektor (PD) gespiegelt oder gestreut werden. Die Grenzfläche stellt somit im Sinne dieser Offenlegung ein optisches Funktionselement dar, dass ggf. die Pumpstrahlungsquelle (PLI) der Pumpstrahlung (LB) mit dem oder den parametrischen Zentren (NV1) bzw. der Gruppe oder den Gruppen (NVC) paramagnetischen Zentren (NV1) des Sensorelements und ggf. das oder die parametrischen Zentren (NV1) bzw. die Gruppe oder die Gruppen (NVC) paramagnetischen Zentren (NV1) mittels der von diesen ausgesendeten Fluoreszenzstrahlung (FL) mit dem Strahlungsempfänger (PD) koppelt. Dieses optische Funktionselement kann auch genutzt werden, um die After all the materials have hardened and the remaining processing (e.g. de-flashing), the system is ready for use. The pump radiation (LB) emitted by the pump radiation source (PLI) is, in one form at the interface between the potting aid (GLT) and the potting agent, preferably into the parametric center or centers (NV1) in the preferably diamagnetic material (MPZ) of a substrate (D ) reflected or scattered in the sensor element. For example, the fluorescent radiation (LB) emitted by the paramagnetic center or centers (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) at the interface between the potting aid (GLT) and the potting agent can preferably be fed into the radiation detector (PD ) be reflected or scattered. In the sense of this disclosure, the interface thus represents an optical functional element that, if necessary, the pump radiation source (PLI) of the pump radiation (LB) with the parametric center or centers (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) of the sensor element and possibly the parametric center or centers (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) by means of the fluorescence radiation (FL) emitted by them with the radiation receiver (PD). This optical functional element can also be used for the
Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) mittels der Kompensationsstrahlung (KS) mit dem Compensation radiation source (PLK) by means of the compensation radiation (KS) with the
Strahlungsempfänger (PD) zu koppeln oder die Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) mittels der Kompensationsstrahlung (KS) mit einem Referenzelement mit einem oder mehreren Referenzzentren (NV2) und/oder einer Gruppe oder mehreren Gruppen (NVC2) von Referenzzentren (NV2) und mittels der Kompensationsfluoreszenzstrahlung (KFL) das Referenzzentrum (NV2) oder die To couple the radiation receiver (PD) or the compensation radiation source (PLK) by means of the compensation radiation (KS) with a reference element with one or more reference centers (NV2) and / or a group or groups (NVC2) of reference centers (NV2) and by means of the compensation fluorescence radiation ( KFL) the reference center (NV2) or the
Referenzzentren (NV2) und/oder die Gruppe oder Gruppen (NVC2) von Referenzzentren (NV2) mit dem Strahlungsempfänger (PD) zu koppeln. Reference centers (NV2) and / or the group or groups (NVC2) of reference centers (NV2) to couple with the radiation receiver (PD).
Figu r 69 Fig. 69
Figur 69 zeigt ein weiteres Verfahren zur Herstellung eines Sensorsystems und/oder FIG. 69 shows a further method for producing a sensor system and / or
quantentechnologischen Systems. Es umfasst die Schritte quantum technological system. It covers the steps
• Bereitstellen (14) eines Leadframes mit Anschlüssen und • Provision (14) of a lead frame with connections and
• Montieren (15) einer Pumpstrahlungsquelle (PLI) auf dem Leadframe und • Mount (15) a pump radiation source (PLI) on the leadframe and
• Montieren (16) einer integrierten Schaltung (IC) mit einem Strahlungsempfänger (PD) auf dem Leadframe und • Elektrisches Verbinden (17) der integrierten Schaltung (IC) und der Anschlüsse und der Pumpstrahlungsquelle (PLI) und • Mount (16) an integrated circuit (IC) with a radiation receiver (PD) on the leadframe and • Electrical connection (17) of the integrated circuit (IC) and the connections and the pump radiation source (PLI) and
• Montieren (18) eines Sensorelements und/oder quantentechnologischen • Mount (18) a sensor element and / or quantum technology
Vorrichtungselements mit einem oder mehreren paramagnetischen Zentren (NV1) im Material des Sensorelements und/oder quantentechnologischen Vorrichtungselements und Device element with one or more paramagnetic centers (NV1) in the material of the sensor element and / or quantum technological device element and
• Befestigen (19) des Sensorelements und/oder quantentechnologischen • Attaching (19) the sensor element and / or quantum technology
Vorrichtungselements mittels eines Befestigungsmittels (Ge) und Device element by means of a fastening means (Ge) and
• Überdecken (20) der Teilvorrichtung mit einem transparenten Vergusshilfsmittel (GLT) und • Covering (20) the sub-device with a transparent casting aid (GLT) and
• Verguss (21) der Teilvorrichtung mit einer Vergussmasse. • Potting (21) the part device with a potting compound.
Die Pumpstrahlungsquelle (PLI) ist dabei dazu vorgesehen, die Pumpstrahlung (LB) zu emittieren.The pump radiation source (PLI) is provided to emit the pump radiation (LB).
Das oder die paramagnetischen Zentren (NV1) im Material des Sensorelements und/oder quantentechnologischen Vorrichtungselements emittiert bei Bestrahlung mit dieser Pumpstrahlung (LB) die Fluoreszenzstrahlung (FL). Das Vergusshilfsmittel (GLT) ist bevorzugt im Wesentlichen für die Pumpstrahlung (LB) und/oder für die Fluoreszenzstrahlung (FL) transparent. The paramagnetic center or centers (NV1) in the material of the sensor element and / or quantum technological device element emits the fluorescence radiation (FL) when irradiated with this pump radiation (LB). The casting aid (GLT) is preferably essentially transparent for the pump radiation (LB) and / or for the fluorescent radiation (FL).
Die Schritte des Montierens (18) eines Sensorelements und/oder quantentechnologischen The steps of mounting (18) a sensor element and / or quantum technology
Vorrichtungselements mit einem oder mehreren paramagnetischen Zentren (NV1) im Material des Sensorelements und/oder quantentechnologischen Vorrichtungselements und des Befestigens (19) des Sensorelements und/oder quantentechnologischen Vorrichtungselements mittels eines Befestigungsmittels (Ge) werden bevorzugt als ein Schritt ausgeführt. Device elements with one or more paramagnetic centers (NV1) in the material of the sensor element and / or quantum technological device element and the fastening (19) of the sensor element and / or quantum technological device element by means of a fastening means (Ge) are preferably carried out as one step.
F ig u r 70 Fig. 70
Figur 70 zeigt eine beispielhafte Zusammenstellung mehrerer Flachspulen, wie sie bevorzugt in dem integrierten Schaltkreis (IC) zur Erzeugung magnetischer Felder mit Multipolmomenten und/oder zur Modifikation der Richtung des magnetischen Flusses B am Ort des oder der paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der Gruppe oder der Gruppe (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) beispielsweise als Kompensationsspule (LC) eingesetzt werden. Die Darstellung zeigt vereinfach und schematisch die beispielhafte Anordnung mehrerer Spulen in Aufsicht. Dies beispielhafte FIG. 70 shows an exemplary combination of several flat coils, as they are preferably used in the integrated circuit (IC) for generating magnetic fields with multipole moments and / or for modifying the direction of the magnetic flux B at the location of the paramagnetic center or centers (NV1) or the group or the group (NVC) of paramagnetic centers (NV1), for example as a compensation coil (LC). The illustration shows in a simplified and schematic manner the exemplary arrangement of several coils in a plan view. This exemplary
Kombination von Flachspulen umfasst eine erste Spule (LI) ausgeführt als Flachspule. Diese ist symmetrisch um den Mittelpunkt angeordnet und erzeugt daher kein Multipolmoment bezüglich eines oder mehrerer paramagnetischer Zentren (NV1) und/oder einer oder mehrerer Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NVC), wobei die paramagnetischen Zentren (NV1) bevorzugt NV-Zentren in Diamant sind. Im Gegensatz dazu sind symmetrisch um das Zentrum mit dem paramagnetischen Zentrum (NV1) in diesem Beispiel beispielhaft drei Paare von Flachspulen ([L2, L5], [L3, L6], [L4, L7]) angeordnet. Statt dreier Paare können auch andere Paaranzahlen statt 3, wie in diesem Beispiel, verwendet werden. Combination of flat coils comprises a first coil (LI) designed as a flat coil. This is arranged symmetrically around the center point and therefore does not generate a multipole moment with respect to one or more paramagnetic centers (NV1) and / or one or more groups (NVC) of paramagnetic centers (NVC), the paramagnetic centers (NV1) preferably NV centers are in diamond. In contrast to this, three pairs of flat coils ([L2, L5], [L3, L6], [L4, L7]) are arranged symmetrically around the center with the paramagnetic center (NV1) in this example. Instead of three pairs, other numbers of pairs can be used instead of 3, as in this example.
Eine zweite Flachspulte (L2) bildet mit einer fünften Flachspule (L5) ein erstes Spulenpaar. A second flat coil (L2) and a fifth flat coil (L5) form a first coil pair.
Bevorzugt wird die zweite Flachspule (L2) vom betragsmäßig gleichen Strom durchflossen, wie die fünfte Flachspule (L5). Bevorzugt sind die Vorzeichen der Ströme in diesen beiden Spulen unterschiedlich, sodass sich die Richtung des magnetischen Flusses B am Ort des oder der paramagnetischen Zentren (NV1) und/oder der Gruppe oder der Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) ändert. The second flat coil (L2) preferably has the same amount of current flowing through it as the fifth flat coil (L5). The signs of the currents in these two coils are preferably different, so that the direction of the magnetic flux B changes at the location of the paramagnetic center or centers (NV1) and / or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1).
Eine dritte Flachspulte (L3) bildet mit einer sechsten Flachspule (L6) ein zweites Spulenpaar. A third flat coil (L3) forms a second pair of coils with a sixth flat coil (L6).
Bevorzugt wird die dritte Flachspule (L3) vom betragsmäßig gleichen Strom durchflossen, wie die sechste Flachspule (L6). Bevorzugt sind die Vorzeichen der Ströme in diesen beiden Spulen unterschiedlich, sodass sich die Richtung des magnetischen Flusses B am Ort des oder der paramagnetischen Zentren (NV1) und/oder der Gruppe oder der Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) ändert. The third flat coil (L3) preferably has the same amount of current flowing through it as the sixth flat coil (L6). The signs of the currents in these two coils are preferably different, so that the direction of the magnetic flux B changes at the location of the paramagnetic center or centers (NV1) and / or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1).
Eine vierte Flachspulte (L4) bildet mit einer siebten Flachspule (L7) ein drittes Spulenpaar. A fourth flat coil (L4) and a seventh flat coil (L7) form a third pair of coils.
Bevorzugt wird die vierte Flachspule (L4) vom betragsmäßig gleichen Strom durchflossen, wie die siebte Flachspule (L7). Bevorzugt sind die Vorzeichen der Ströme in diesen beiden Spulen unterschiedlich, sodass sich die Richtung des magnetischen Flusses B am Ort des oder der paramagnetischen Zentren (NV1) und/oder der Gruppe oder der Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) ändert. The fourth flat coil (L4) preferably has the same amount of current flowing through it as the seventh flat coil (L7). The signs of the currents in these two coils are preferably different, so that the direction of the magnetic flux B changes at the location of the paramagnetic center or centers (NV1) and / or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1).
Figur 70a zeigt die Spulenanordnung ohne Sensorelement mit einem oder mehreren FIG. 70a shows the coil arrangement without a sensor element with one or more
paramagnetischen Zentren (NV1) und/oder einer oder mehreren Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1). paramagnetic centers (NV1) and / or one or more groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1).
Figur 70b zeigt die Spulenanordnung mit Sensorelement mit einem oder mehreren FIG. 70b shows the coil arrangement with a sensor element with one or more
paramagnetischen Zentren (NV1) und/oder einer oder mehreren Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1). Es ergibt sich dann ein Sensorsystem und/oder quantentechnologisches System, im Folgenden auch nur vereinfacht als Sensorsystem bezeichnet, bei dem das Sensorsystem ein Sensorelement und/oder quantentechnologisches Vorrichtungselement umfasst und bei dem das Sensorsystem ein oder mehrere paramagnetisches Zentrum (NV1) oder eine Gruppe oder mehrere Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) im vorzugsweise diamagnetischen Material (MPZ) eines Substrats (D) dieses Sensorelements und/oder quantentechnologischen Vorrichtungselements umfasst. Das Sensorsystem weist wieder eine Pumpstrahlungsquelle (PLI) für Pumpstrahlung (LB) auf. Das Sensorsystem umfasst einen Strahlungsempfänger (PD1). Die Pumpstrahlung (LB) weist eine Pumpstrahlungswellenlänge (lrigir) auf, die wieder im Falle von NV-Zentren als paramagnetische Zentren (NV1) bevorzugt grün ist und bevorzugt in einem Wellenlängenbereich von 500nm bis 600nm z.B. bei 520nm liegt. Die Pumpstrahlung (LB) veranlasst das oder die paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. die Gruppe oder die Gruppen paramagnetischer Zentren (NV1) zur Abgabe von Fluoreszenzstrahlung (FL) mit einer Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (Äfl), die bevorzugt im Falle von NV-Zentren in Diamant als paramagnetische Zentren (NV1), rot ist und typischer Weise ca. 637nm beträgt. Der Strahlungsempfänger (PD) ist wieder für Strahlung mit einer Wellenlänge der Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (lrGTΐr) - z.B. 637nm bei NV-Zentren - empfindlich. Die paramagnetic centers (NV1) and / or one or more groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1). This then results in a sensor system and / or quantum technological system, also referred to in the following simply as a sensor system, in which the sensor system comprises a sensor element and / or quantum technological device element and in which the sensor system has one or more paramagnetic centers (NV1) or a group or comprises several groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) in the preferably diamagnetic material (MPZ) of a substrate (D) of this sensor element and / or quantum technological device element. The sensor system again has a pump radiation source (PLI) for pump radiation (LB). The sensor system comprises a radiation receiver (PD1). The pump radiation (LB) has a pump radiation wavelength (l rigir ), which again in the case of NV centers as paramagnetic centers (NV1) is preferably green and is preferably in a wavelength range from 500 nm to 600 nm, for example 520 nm. The pump radiation (LB) causes the paramagnetic center or centers (NV1) or the group or groups of paramagnetic centers (NV1) to emit fluorescence radiation (FL) with a fluorescence radiation wavelength (Ä fl ), which is preferred in the case of NV centers in Diamond as paramagnetic centers (NV1), is red and is typically about 637nm. The radiation receiver (PD) is again sensitive to radiation with a wavelength of the fluorescence radiation wavelength (l rGTΐr ) - for example 637 nm at NV centers. The
Pumpstrahlungsquelle (PLI) erzeugt die Pumpstrahlung (LB). Das Sensorsystem ist so gestaltet, dass die die Pumpstrahlung (LB) auf das paramagnetische Zentrum (NV1) fällt. Das Sensorsystem ist so gestaltet, dass die Fluoreszenzstrahlung (FL) des oder der paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der Gruppe oder der Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) den Strahlungsempfänger (PD) bestrahlt. Das Sensorsystem weist nun darüber hinaus noch Mittel, insbesondere die besagte Spulenanordnung (LI, 12, 13, 14, L5), auf, die geeignet ist eine Änderung der magnetischen Flussdichte B in Amplitude und Richtung am Ort des oder der paramagnetischen Zentren (NV1) und/oder der Gruppe oder der Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) in der Art hervorzurufen. Diese Änderung der magnetischen Flussdichte B in Amplitude und Richtung am Ort des oder der paramagnetischen Zentren (NV1) und/oder der Gruppe oder der Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) beeinflusst dann die Intensität (lfl) der Fluoreszenzstrahlung (FL) des oder der paramagnetischen Zentren (NV1) und oder der Gruppe oder der Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1). Zu diesem Zweck wird dann bevorzugt eine integrierte Schaltung (IC) mit einer ersten Spule (LI) und mit zumindest einem weiteren Spulenpaar ([L2, L5], [L3, L6], [L4, L7]) und/oder einer weiteren Spule (L2, L3, L4, L5, L6, L7) verwendet. Die erste Spule (LI) und/oder das zumindest eine weitere Spulenpaar ([L2, L5], [L3, L6], [L4, L7]) und/oder die weitere Spule (L2, L3, L4, L5, L6, L7) werden bevorzugt im Metallisierungsstapel der integrierten Schaltung (IC) oder als Teil des Lead frames oder einer gedruckten Schaltung in der Nähe des Gehäuses realisiert. Die erste Spule (LI) und/oder das zumindest eine weitere Spulenpaar ([L2, L5], [L3, L6], [L4, L7]) und/oder die weitere Spule (L2, L3, L4, L5, L6, L7) sind dabei bevorzugt dazu geeignet und vorgesehen, z.B. mittels der durch ihren jeweiligen Spulenstrom erzeugten magnetischen Flussdichten B die Erzeugung von Fluoreszenzstrahlung (FL) des paramagnetischen Zentrums (NV1) im Zentrum der Anordnung zu beeinflussen. Bevorzugt umgibt die Spulenanordnung eine lichtempfindliche Teilvorrichtung des integrierten Schaltkreises (IC), beispielsweise einen Strahlungsempfänger (PD), sodass das Strahlung ungehindert durch die Spulenanordnung hindurch auf das lichtempfindliche Bauelement, den Strahlungsempfänger (PD), fallen kann. Pump radiation source (PLI) generates the pump radiation (LB). The sensor system is designed so that the pump radiation (LB) falls on the paramagnetic center (NV1). The sensor system is designed in such a way that the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic center or centers (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) irradiates the radiation receiver (PD). The sensor system now also has means, in particular the said coil arrangement (LI, 12, 13, 14, L5), which is suitable for a change in the magnetic flux density B in amplitude and direction at the location of the paramagnetic center or centers (NV1) and / or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) in the manner. This change in the magnetic flux density B in amplitude and direction at the location of the paramagnetic center or centers (NV1) and / or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) then influences the intensity (l fl ) of the fluorescence radiation (FL) of the or the paramagnetic centers (NV1) and / or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1). For this purpose, an integrated circuit (IC) with a first coil (LI) and with at least one further pair of coils ([L2, L5], [L3, L6], [L4, L7]) and / or one further coil is then preferred (L2, L3, L4, L5, L6, L7) are used. The first coil (LI) and / or the at least one further coil pair ([L2, L5], [L3, L6], [L4, L7]) and / or the further coil (L2, L3, L4, L5, L6, L7) are preferably implemented in the metallization stack of the integrated circuit (IC) or as part of the lead frame or a printed circuit near the housing. The first coil (LI) and / or the at least one further coil pair ([L2, L5], [L3, L6], [L4, L7]) and / or the further coil (L2, L3, L4, L5, L6, L7) are preferably suitable and provided for influencing the generation of fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic center (NV1) in the center of the arrangement, for example by means of the magnetic flux densities B generated by their respective coil current. The coil arrangement preferably surrounds a light-sensitive sub-device of the integrated circuit (IC), for example a radiation receiver (PD), so that the radiation can fall unhindered through the coil arrangement onto the light-sensitive component, the radiation receiver (PD).
F ig u r 71 Fig. 71
Figur 71 zeigt eine bevorzugte, beispielhafte Ausführung eines beispielhaften Sensorelements mit diamagnetischen Material (MPZ) mit in diesem Beispiel mehreren Gruppen (NVC) (englisch: Cluster) mit jeweils einem oder mehreren paramagnetischen Zentren (NV1) und/oder bevorzugt mit einer oder mehreren Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentrum (NV1), wobei bevorzugt jede Gruppe (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) und zuvor bevorzugt jede solche Gruppe für sich eine Mehrzahl paramagnetischer Zentren (NV1) umfasst. Die paramagnetischen Zentren (NV1) einer solchen Gruppe (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) bestimmen den Schwerpunkt einer solchen Gruppe (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1). Bevorzugt weist das Sensorelement eine erste Oberfläche (OFL1) und eine zweite Oberfläche (OFL2) auf. Beispielsweise kann es sich bei dem Sensorelement um ein Diamantplättchen mit einer solchen ersten Oberfläche (OF1) und einer solchen zweiten Oberfläche (OF2) handeln. Figure 71 shows a preferred, exemplary embodiment of an exemplary sensor element with diamagnetic material (MPZ) with, in this example, several groups (NVC) (English: clusters) each with one or more paramagnetic centers (NV1) and / or preferably with one or more groups (NVC) paramagnetic center (NV1), each group (NVC) of paramagnetic centers (NV1) and, previously, preferably each such group comprising a plurality of paramagnetic centers (NV1). The paramagnetic centers (NV1) of such a group (NVC) of paramagnetic centers (NV1) determine the center of gravity of such a group (NVC) of paramagnetic centers (NV1). The sensor element preferably has a first surface (OFL1) and a second surface (OFL2). For example, the sensor element can be a diamond plate with such a first surface (OF1) and such a second surface (OF2).
Bevorzugt sind bilden die erste Oberfläche (OFL1) und die zweite Oberfläche (OFL2) einen optischen Resonator. In dem Beispiel der Figur 71 fällt die Pumpstrahlung (LB) der Pumpstrahlungsquelle (PLI) ein einem bespielhaften senkrechten Winkel zur ersten Oberfläche (OF1) als Einfallswinkel (0e) auf diese erste Oberfläche (OF1) des Sensorelements. Andere Winkel sind denkbar. Bevorzugt ist der Einfallswinkel 0e zwischen der Oberflächensenkrechten (üi) der ersten Oberfläche (OFL1) und dem Pointing-Vektor der Pumpstrahlung (LB) so gewählt, dass die Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB) an zumindest einem Punkt innerhalb des Sensorelements maximal wird. Das bedeutet, der The first surface (OFL1) and the second surface (OFL2) preferably form an optical resonator. In the example in FIG. 71, the pump radiation (LB) from the pump radiation source (PLI) falls at an exemplary perpendicular angle to the first surface (OF1) as an angle of incidence (0 e ) on this first surface (OF1) of the sensor element. Other angles are possible. The angle of incidence 0 e between the surface perpendicular (üi) of the first surface (OFL1) and the pointing vector of the pump radiation (LB) is preferably selected so that the intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB) is at at least one point within the sensor element becomes maximum. That means that
Einfallswinkel 0e wird bevorzugt so eingestellt, dass ein Maximum an Pumpstrahlungsleistung (lpmp) der Pumpstrahlung (LB) in den Resonator aus erster Oberfläche (OFL1) und zweiter Oberfläche (OFL2) eintritt, oder mit anderen Worten der Einfallswinkel 0e wird bevorzugt so eingestellt, dass ein Maximum an Pumpstrahlungsleistung der Pumpstrahlung (LB) der Pumpstrahlungsquelle (PLI) in ein Substrat (D) innerhalb der Sensorelements eintritt. Beispielsweise kann es sich bei der ersten Oberfläche (OFL1) und der zweiten Oberfläche (OFL2) um zwei planparallele Oberflächen des Sensorelements handeln. Die erste Oberfläche (OFL1) und die zweite Oberfläche (OFL2) bilden dann einen Fabry-Perot-Resonator. Innerhalb des Resonators ist die Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB) insbesondere infolge von konstruktiver und destruktiver Interferenz betragsmäßig nicht überall gleich groß. Innerhalb des Resonators bildet die Pumpstrahlung (LB) eine stehende Welle aus, die Bäuche und Knoten, also Stellen konstruktiver und destruktiver Interferenz, aufweist. Die Intensität (lpmp) dieser stehenden Welle ist an den Knoten im Wesentlichen null und an den Bäuchen maximal. Bevorzugt werden die Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) an den Positionen dieser Bäuche, also der Maxima der betragsmäßigen konstruktiven Interferenz der Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB) innerhalb eines Substrats (D) des Sensorelements platziert. Bevorzugt werden an den Knoten der stehenden Welle der Pumpstrahlung (LB) innerhalb des Resonators keine paramagnetischen Zentren (NV1) platziert. Dies hat den Vorteil, dass der Kontrast (KT) (siehe auch Figur 28), der nicht linear von der Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB) und der Dichte der paramagnetischen Zentren (NV1) abhängt maximiert wird, da bevorzugt nur in den Bereichen maximaler Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB) eine erhöhte Dichte der paramagnetischen Zentren (NV1) vorhanden ist, während in den Bereichen geringer Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB) möglichst keine oder nur wenige paramagnetische Zentren (NV1) vorhanden sind. In dem Beispiel der Figur 71 sind beispielhaft 5 Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) vorgesehen, die jeweils von einander einen Abstand von lrpir/2 der Pumpstrahlungswellenlänge (lrirr) in Richtung des Pointing-Vektors der Pumpstrahlung (LB) haben. Dies hat den Grund, dass die Maximal der stehenden Welle der Pumpstrahlung (LB) innerhalb des Resonators aus erster Oberfläche (OFL1) und zweiter Oberfläche (OFL2) einen Abstand von lrpir/2 bei einem senkrechten Einfall der Angle of incidence 0 e is preferably set so that a maximum of pump radiation power (I pmp ) of the pump radiation (LB) into the resonator from the first surface (OFL1) and the second surface (OFL2) occurs, or in other words the angle of incidence 0 e is preferably set so that a maximum of pump radiation power of the pump radiation (LB) from the pump radiation source (PLI) enters a substrate (D) within the sensor element. For example, the first surface (OFL1) and the second surface (OFL2) can be two plane-parallel surfaces of the sensor element. The first surface (OFL1) and the second surface (OFL2) then form a Fabry-Perot resonator. Within the resonator, the intensity (I pmp ) of the pump radiation (LB) is not the same everywhere in terms of amount, particularly as a result of constructive and destructive interference. Within the resonator, the pump radiation (LB) forms a standing wave that has bulges and nodes, i.e. points of constructive and destructive interference. The intensity (l pmp ) of this standing wave is essentially zero at the nodes and maximum at the bellies. The groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) are preferably placed at the positions of these bulges, i.e. the maxima of the structural interference of the amount (l pmp ) of the pump radiation (LB) within a substrate (D) of the sensor element. Preferably, no paramagnetic centers (NV1) are placed at the nodes of the standing wave of the pump radiation (LB) within the resonator. This has the advantage that the contrast (KT) (see also FIG. 28), which does not depend linearly on the intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB) and the density of the paramagnetic centers (NV1), is maximized, since preferably only in In the areas of maximum intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB) there is an increased density of paramagnetic centers (NV1), while in the areas of low intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB) there are as few or as few paramagnetic centers (NV1) as possible available. In the example in FIG. 71, 5 groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) are provided, each of which is at a distance of l rpir / 2 of the pump radiation wavelength (l rirr ) in the direction of the pointing vector of the pump radiation (LB). The reason for this is that the maximum of the standing wave of the pump radiation (LB) within the resonator of the first surface (OFL1) and the second surface (OFL2) is at a distance of l rpir / 2 at a perpendicular incidence of the
Pumpstrahlung (LB) mit 0e=O° haben. Hierbei ist lrpir die Pumpstrahlungswellenlänge (lrirr) der Pumpstrahlung (LB). Have pump radiation (LB) with 0 e = 0 °. Here l rpir is the pump radiation wavelength (l rirr ) of the pump radiation (LB).
Bevorzugt ist die Ausdehnung (d) einer Gruppe (NVC) von paramagnetischen Zentren (NV1) senkrecht zum Pointing-Vektor der einfallenden Pumpstrahlung (LB) innerhalb eines Sensorelements so gestaltet, dass alle oder im Wesentlichen alle paramagnetischen Zentren (NV1) einer solchen Gruppe (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) eine maximale Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB) empfangen. Bevorzugt ist daher diese Ausdehnung (d) einer Gruppe (NVC) von paramagnetischen Zentren (NV1) senkrecht zum Pointing-Vektor der einfallenden Pumpstrahlung (LB) innerhalb eines Sensorelements kleiner als h*lr[gir/2 der Pumpstrahlungswellenlänge (lrirr) mit n als ganzer positiver Zahl. Bevorzugt gilt d^pmp/2 und/oder besser d^pmp /4 und/oder besser d^pmp /10 und/oder besser d^pmp/20 und/oder besser d^pmp/40 und/oder besser d^pmp/100. Bevorzugt liegt der Schwerpunkt der Gruppe (NVC) der paramagnetischen Zentren (NV1) dann möglichst exakt an der Stelle der maximalen Intensität (lpmp) der stehenden Welle der Pumpstrahlung (LB) innerhalb des Sensorelements. Dies hat den Vorteil, dass der Kontrast (KT) (siehe Figur 28) maximiert wird, da im Wesentlichen nur Bereiche mit hoher Dichte an paramagnetischen Zentren (NV1), das sind typischerweise die besagten Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1), mit Bereichen hoher Intensität (lpmp) der stehenden Welle der Pumpstrahlung (LB) zur Fluoreszenzstrahlung (FL) beitragen. Preferably, the extension (d) of a group (NVC) of paramagnetic centers (NV1) perpendicular to the pointing vector of the incident pump radiation (LB) within a sensor element is designed in such a way that all or essentially all paramagnetic centers (NV1) of such a group ( NVC) paramagnetic centers (NV1) a maximum intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB) received. This extension (d) of a group (NVC) of paramagnetic centers (NV1) perpendicular to the pointing vector of the incident pump radiation (LB) within a sensor element is therefore preferably less than h * l r [gir / 2 of the pump radiation wavelength (l rirr ) with n as a whole positive number. Preferably d ^ pmp / 2 and / or better d ^ pmp / 4 and / or better d ^ pmp / 10 and / or better d ^ pmp / 20 and / or better d ^ pmp / 40 and / or better d ^ pmp / 100. The focus of the group (NVC) of the paramagnetic centers (NV1) then preferably lies as precisely as possible at the point of the maximum intensity (I pmp ) of the standing wave of the pump radiation (LB) within the sensor element. This has the advantage that the contrast (KT) (see FIG. 28) is maximized, since essentially only areas with a high density of paramagnetic centers (NV1), which are typically the said groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) Areas of high intensity (l pmp ) of the standing wave of the pump radiation (LB) contribute to the fluorescence radiation (FL).
Der Resonator wird in dem Beispiel der Figur 71 durch die erste Oberfläche (OFL1) des In the example in FIG. 71, the resonator is formed by the first surface (OFL1) of the
Sensorelements und die zweite Oberfläche (OFL2) des Sensorelements gebildet. Bevorzugt bilden sowohl die Pumpstrahlung (LB) als auch die Fluoreszenzstrahlung (FL) innerhalb des Resonators einen Gaußschen Strahl aus. Hierzu verweisen wir auf J.R. Leger, D. Chen, G. Mowry, "Design and performance of diffractive optics for custom laser resonators", PPLIED OPTICS@Vol. 34, No. 14@10 May 1995, p. 2498-2509 Sensor element and the second surface (OFL2) of the sensor element formed. Both the pump radiation (LB) and the fluorescence radiation (FL) preferably form a Gaussian beam within the resonator. We refer to J.R. Leger, D. Chen, G. Mowry, "Design and performance of diffractive optics for custom laser resonators," PPLIED OPTICS @ Vol. 34, No. 14 @ 10 May 1995, p. 2498-2509
In dem Beispiel der Figur 71 befindet sich an der ersten Oberfläche (OFL1) des Sensorelements eine vorderseitige Antireflexschicht als vordere Anpassschicht (ASv) zur Anpassung der In the example in FIG. 71, on the first surface (OFL1) of the sensor element there is a front-side antireflection layer as a front matching layer (ASv) for matching the
Reflexionseigenschaften der ersten Oberfläche (OFL1) an die Pumpstrahlungswellenlänge (lrirr) der Pumpstrahlung (LB) und die Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (lh) der Fluoreszenzstrahlung (FL). Bei der vorderseitigen Anpassschicht (ASv) kann es sich um eine aufgedampfte oder sonst wie abgeschiedene Schicht auf dem Sensorelement handeln. Als vorderseitige Anpassschicht (ASv) eignet sich aber auch eine Strukturierung der ersten Oberfläche (OFL1) durch Stege und Nuten, sodass dich ein mittlerer Brechungsindex dieser vorderseitigen Anpassschicht (ASv) ergibt, der von dem Reflection properties of the first surface (OFL1) on the pump radiation wavelength (l rirr ) of the pump radiation (LB) and the fluorescence radiation wavelength (lh) of the fluorescence radiation (FL). The front-side matching layer (ASv) can be a vapor-deposited or otherwise deposited layer on the sensor element. A structuring of the first surface (OFL1) by means of webs and grooves is also suitable as a front-side matching layer (ASv), so that you get an average refractive index of this front-side matching layer (ASv) that corresponds to the
Brechungsindex im ersten Medium (ME19 oberhalb der vorderseitige Anpassschicht (ASv) und von dem Brechungsindex im zweiten Medium (M E2) unterhalb der vorderseitigen Anpassschicht (ASv) abweicht. Durch diese Mikrostrukturierung der ersten Oberfläche (OFL1) können die Transmissions und Reflexionseigenschaften der ersten Oberfläche (OFL1) mit Mitteln der diffraktiven Optik so eingestellt werden, dass der Kontrast (KT) der Intensität (lfl) bzw. Intensitäten (lf|) der Refractive index in the first medium (ME19 above the front-side matching layer (ASv) and from the refractive index in the second medium (M E2) below the front-side matching layer (ASv). This microstructuring of the first surface (OFL1) allows the transmission and reflection properties of the first surface (OFL1) can be adjusted by means of diffractive optics so that the contrast (KT) of the intensity (l fl ) or intensities (l f | ) of the
Fluoreszenzstrahlung (FL) in Abhängigkeit von der magnetischen Flussdichte B am Ort des paramagnetischen Zentrums (NV1) oder der paramagnetischen Zentren (NV1) und/oder der oder den Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren und in Abhängigkeit von der Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB) maximiert wird bzw. werden. Solche Mittel der diffraktiven Optik können u.a. sein: Linsen Spiegel, photonische Kristalle, Gitter und Sub-Wellenlängen-Gitter, Hologramme, Fresnel-Linsen, Prismen, Resonatoren, Morie-Strukturen, Linsen mit einer von der Wellenlänge des durchstrahlenden Lichts abhängigen Brennweite, Gitter und Anordnungen mehrerer solcher Funktionselemente der diffraktiven Optik, Koppelelemente zwischen dem Substrat (D) und einem aufliegend gefertigten Wellenleiter (LWL) beispielsweise zur Auskoppelung von Pumpstrahlung (LB) aus dem Wellenleiter (LWL) und zur Einkopplung dieser ausgekoppelten Pumpstrahlung (LB) in das vorzugsweise diamagnetische Material (MPZ) eines Substrats (D) des Sensorelements und/oder zur Auskoppelung von Fluoreszenzstrahlung (FL) eines oder mehrerer paramagnetischer Zentren (NV1) und/oder einer oder mehrerer Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) aus dem Fluorescence radiation (FL) as a function of the magnetic flux density B at the location of the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) and / or the or groups (NVC) of paramagnetic centers and depending on the intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB) is or are maximized. Such means of diffractive optics can include: lenses, mirrors, photonic crystals, grids and sub-wavelength grids, holograms, Fresnel lenses, prisms, resonators, Morie structures, lenses with a focal length that depends on the wavelength of the transmitted light, grids and arrangements of several such functional elements of diffractive optics, coupling elements between the substrate (D) and an overlying waveguide (LWL), for example for coupling out pump radiation (LB) from the waveguide (LWL) and for coupling this coupled out pump radiation (LB) into the preferably diamagnetic material (MPZ) of a substrate (D) of the sensor element and / or for coupling out fluorescent radiation (FL) from one or more paramagnetic centers (NV1) and / or one or more groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) from the
vorzugsweise diamagnetische Material (MPZ) eines Substrats (D) des Sensorelements in den preferably diamagnetic material (MPZ) of a substrate (D) of the sensor element in the
Wellenleiter (LWL). Auf die Schriften B. Kress, P. Meyrueis, "Digital Diffractive Optics" J. Wiley & Sons, London, 2000 und B. Kress, P. Meyrueis, "Applied Digital Diffractive Optics", J. Wiley & Sons, London, 2009 wird in diesem Zusammenhang hingewiesen. Waveguide (LWL). To B. Kress, P. Meyrueis, "Digital Diffractive Optics" J. Wiley & Sons, London, 2000 and B. Kress, P. Meyrueis, "Applied Digital Diffractive Optics", J. Wiley & Sons, London, 2009 is pointed out in this context.
In dem Beispiel der Figur 71 werden für diese Mikrostrukturierung Nuten mit einer Breite (NBR) dieser Nuten und Stege mit einer Breite (SBR) dieser Stege verwendet. Bevorzugt ist die Breite (NBR) dieser Nuten kleine als eine Pumpstrahlungswellenlänge (lrirr) und/oder besser kleiner als eine halbe Pumpstrahlungswellenlänge (lrirr) und/oder noch besser kleiner als eine viertel In the example of FIG. 71, grooves with a width (NBR) of these grooves and webs with a width (SBR) of these webs are used for this microstructuring. The width (NBR) of these grooves is preferably smaller than a pump radiation wavelength (l rirr ) and / or better smaller than half a pump radiation wavelength (l rirr ) and / or even better smaller than a quarter
Pumpstrahlungswellenlänge (lrirr). Bevorzugt ist die Breite (SBR) dieser Stege kleiner als eine Pumpstrahlungswellenlänge (lrirr) und/oder besser kleiner als eine halbe Pump radiation wavelength (l rirr ). The width (SBR) of these webs is preferably smaller than a pump radiation wavelength (l rirr ) and / or better smaller than half a length
Pumpstrahlungswellenlänge (lrirr) und/oder noch besser kleiner als eine viertel Pump radiation wavelength (l rirr ) and / or even better less than a quarter
Pumpstrahlungswellenlänge (lrirr). Pump radiation wavelength (l rirr ).
In dem Beispiel der Figur 71 befindet sich an der zweiten Oberfläche (OFL2) des Sensorelements eine rückseitige Anpassschicht (ASr) zur Anpassung der Reflexionseigenschaften der zweiten Oberfläche (OFL2) an die Pumpstrahlungswellenlänge (lrirr) der Pumpstrahlung (LB) und die In the example in FIG. 71, there is a rear-side matching layer (ASr) on the second surface (OFL2) of the sensor element for matching the reflection properties of the second surface (OFL2) to the pump radiation wavelength ( Irirr ) of the pump radiation (LB) and the
Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (lh) der Fluoreszenzstrahlung (FL). Bei der rückseitigen Fluorescence radiation wavelength (lh) of the fluorescence radiation (FL). At the back
Anpassschicht (ASr) kann es sich um eine aufgedampfte oder sonst wie abgeschiedene Schicht auf dem Sensorelement handeln. Als rückseitige Anpassschicht (ASr) eignet sich aber auch wie bei der vorderseitigen Anpassschicht (ASv) eine Strukturierung der zweiten Oberfläche (OFL2) durch Stege und Nuten, sodass sich ein mittlerer Brechungsindex dieser rückseitigen Anpassschicht (ASr) ergibt, der von dem Brechungsindex im zweiten Medium (ME2) oberhalb der rückseitigen Anpassschicht (ASr) und von dem Brechungsindex im dritten Medium (ME3) unterhalb der rückseitigen Adaptation layer (ASr) can be a vapor-deposited or otherwise deposited layer on the sensor element. A structuring of the second surface (OFL2) by webs is also suitable as the rear adaptation layer (ASr), as is the case with the front adaptation layer (ASv) and grooves, so that a mean refractive index of this rear-side matching layer (ASr) results from the refractive index in the second medium (ME2) above the rear-side matching layer (ASr) and from the refractive index in the third medium (ME3) below the rear-side
Anpassschicht (ASr) abweicht. Durch diese Mikrostrukturierung der zweiten Oberfläche (OFL2) können die Reflexionseigenschaften der zweiten Oberfläche (OFL2) so eingestellt werden, dass der Kontrast (KT) der Intensität (lf|) der Fluoreszenzstrahlung (FL) in Abhängigkeit von der magnetischen Flussdichte B am Ort der paramagnetischen Zentren (NV1) und in Abhängigkeit von der Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB) maximiert wird. In dem Beispiel der Figur 71 werden für diese Mikrostrukturierung Nuten mit einer Breite (NBR) dieser Nuten und Stege mit einer Breite (SBR) dieser Stege verwendet. Bevorzugt ist die Breite (NBR) dieser Nuten kleine als eine Adaptation layer (ASr) deviates. This microstructuring of the second surface (OFL2) allows the reflection properties of the second surface (OFL2) to be adjusted so that the contrast (KT) of the intensity (l f | ) of the fluorescent radiation (FL) is dependent on the magnetic flux density B at the location of the paramagnetic centers (NV1) and depending on the intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB) is maximized. In the example of FIG. 71, grooves with a width (NBR) of these grooves and webs with a width (SBR) of these webs are used for this microstructuring. Preferably, the width (NBR) of these grooves is smaller than one
Pumpstrahlungswellenlänge (lrirr) und/oder besser kleiner als eine halbe Pump radiation wavelength (l rirr ) and / or better less than half a
Pumpstrahlungswellenlänge (lrirr) und/oder noch besser kleiner als eine viertel Pump radiation wavelength (l rirr ) and / or even better less than a quarter
Pumpstrahlungswellenlänge (lrirr) verwendet. Bevorzugt ist die Breite (SBR) dieser Stege kleiner als eine Pumpstrahlungswellenlänge (lrirr) und/oder besser kleiner als eine halbe Pump radiation wavelength (l rirr ) used. The width (SBR) of these webs is preferably smaller than a pump radiation wavelength (l rirr ) and / or better smaller than half a length
Pumpstrahlungswellenlänge (lrirr) und/oder noch besser kleiner als eine viertel Pump radiation wavelength (l rirr ) and / or even better less than a quarter
Pumpstrahlungswellenlänge (lrirr). Das zu der vorderseitigen Anpassschicht (ASv) hinsichtlich der diffraktiven Optik und deren Mitteln geschriebene trifft in typischerweise ähnlicher Weise auch auf die rückseitige Anpassschicht (ASr) zu. Die entsprechenden Mittel der diffraktiven Optik können daher wieder u.a. sein: Linsen, Spiegel, photonische Kristalle, optische Filter, Gitter und Sub- Wellenlängen-Gitter, Hologramme, Fresnel-Linsen, Prismen, Resonatoren, Morie-Strukturen, Linsen mit einer von der Wellenlänge des durchstrahlenden Lichts abhängigen Brennweite, Gitter und Anordnungen mehrerer solcher Funktionselemente der diffraktiven Optik, Koppelelemente zwischen dem Substrat (D) und einem aufliegend gefertigten Wellenleiter (LWL) beispielsweise zur Pump radiation wavelength (l rirr ). What is written about the front-side matching layer (ASv) with regard to the diffractive optics and its means also applies in a typically similar manner to the rear-side matching layer (ASr). The corresponding means of diffractive optics can therefore again be among others: lenses, mirrors, photonic crystals, optical filters, gratings and sub-wavelength gratings, holograms, Fresnel lenses, prisms, resonators, Morie structures, lenses with one of the wavelength the focal length depending on the transmitted light, grating and arrangements of several such functional elements of diffractive optics, coupling elements between the substrate (D) and an overlying waveguide (LWL) for example
Auskoppelung von Pumpstrahlung (LB) aus dem Wellenleiter (LWL) und zur Einkopplung dieser ausgekoppelten Pumpstrahlung (LB) in das vorzugsweise diamagnetische Material (MPZ) eines Substrats (D) des Sensorelements und/oder zur Auskoppelung von Fluoreszenzstrahlung (FL) eines oder mehrerer paramagnetischer Zentren (NV1) und/oder einer oder mehrerer Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) aus dem vorzugsweise diamagnetische Material (M PZ) eines Substrats (D) des Sensorelements in den Wellenleiter (LWL). Auf die Schriften B. Kress, P. Meyrueis, "Digital Diffractive Optics" J. Wiley & Sons, London, 2000 und B. Kress, P. Meyrueis, "Applied Digital Diffractive Optics", J. Wiley & Sons, London, 2009 wird in diesem Zusammenhang hingewiesen. Die Reflexionseigenschaften der vorderseitigen Anpassschicht (ASv) weichen typischerweise von den Reflexionseigenschaften der rückseitigen Anpassschicht (ASr) ab. Decoupling of pump radiation (LB) from the waveguide (LWL) and for coupling this decoupled pump radiation (LB) into the preferably diamagnetic material (MPZ) of a substrate (D) of the sensor element and / or for coupling out fluorescent radiation (FL) of one or more paramagnetic Centers (NV1) and / or one or more groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) from the preferably diamagnetic material (M PZ) of a substrate (D) of the sensor element in the waveguide (LWL). To B. Kress, P. Meyrueis, "Digital Diffractive Optics" J. Wiley & Sons, London, 2000 and B. Kress, P. Meyrueis, "Applied Digital Diffractive Optics", J. Wiley & Sons, London, 2009 is pointed out in this context. The reflective properties of the front matching layer (ASv) typically differ from the reflective properties of the rear matching layer (ASr).
Beispielsweise kann es gewünscht sein, dass die zweite Oberfläche (OFL2) sämtliche Pumpstrahlung (LB) reflektiert und dass die erste Oberfläche (OFL1) 95% der Pumpstrahlung (LB) die in Richtung aus dem Sensorelement hinaus auf die erste Oberfläche (OFL1) trifft wieder zurück reflektiert wird. For example, it may be desired that the second surface (OFL2) reflects all the pump radiation (LB) and that the first surface (OFL1) hits the first surface (OFL1) again in the direction out of the sensor element by 95% of the pump radiation (LB) is reflected back.
Die Fluoreszenzstrahlung (FL) weist ja eine Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (lh) auf, die typischerweise von der Pumpstrahlungswellenlänge (lrigir) der Pumpstrahlung (LB) abweicht und typischerweise langwelliger ist. Sie tritt daher in dem Beispiel bevorzugt in einem zweiten Winkel q2 aus dem Sensorelement aus. Daher sollte in dieser Richtung bevorzugt der Strahlungsempfänger (PD) platziert werden. The fluorescence radiation (FL) has a fluorescence radiation wavelength (lh) which typically deviates from the pump radiation wavelength (l rigir ) of the pump radiation (LB) and is typically longer-wave. In the example, it therefore preferably emerges from the sensor element at a second angle q 2 . The radiation receiver (PD) should therefore preferably be placed in this direction.
Durch die unterschiedlichen Reflexionseigenschaften der ersten Oberfläche (OFL1) und der zweiten Oberfläche (OFL2) treten typischerweise unterschiedliche Phasensprünge an diesen Oberflächen auf. Dies ist durch die unterschiedlichen Abstände zwischen der einer jeweiligen einer dieser beiden Oberflächen jeweils nächstgelegenen Gruppe (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) zu der betreffenden Oberfläche (OFL1, OFL2) schematisch angedeutet. Due to the different reflection properties of the first surface (OFL1) and the second surface (OFL2), different phase jumps typically occur on these surfaces. This is indicated schematically by the different distances between the group (NVC) of paramagnetic centers (NV1) closest to one of these two surfaces and the relevant surface (OFL1, OFL2).
Es wird zur optimalen Anordnung der Gruppen (NVC) der paramagnetischen Zentren (NV1) und zur Bestimmung der optimalen Eigenschaften der vorderen Anpassschicht (ASv) und der rückseitigen Anpassschicht (ASr) eine Simulation, beispielsweise eine FDTD-Simulation, und sorgfältige For the optimal arrangement of the groups (NVC) of the paramagnetic centers (NV1) and to determine the optimal properties of the front matching layer (ASv) and the rear matching layer (ASr), a simulation, for example an FDTD simulation, and careful
Berechnung durchzuführen, deren Paramater sich im Wesentlichen aus der jeweiligen Anwendung bestimmen. To carry out a calculation, the parameters of which are essentially determined by the respective application.
In dem Beispiel der Figur 71 wird angenommen, dass das Sensorelement an einer Halterung (HA) befestigt ist. Ist die zweite Oberfläche (OFL2) totalreflektierend für die Pumpstrahlung (LB) ausgeführt, so entsteht keine Wechselwirkung zwischen der Halterung (HA) und der Pumpstrahlung (LB). In dem Beispiel der Figur 71 wird die Pumpstrahlung (LB) mehrfach zwischen der ersten Oberfläche (OFL1) und der zweiten Oberfläche (OFL2) hin und her reflektiert bevor sie das In the example in FIG. 71, it is assumed that the sensor element is attached to a holder (HA). If the second surface (OFL2) is designed to be totally reflective for the pump radiation (LB), there is no interaction between the holder (HA) and the pump radiation (LB). In the example in FIG. 71, the pump radiation (LB) is reflected back and forth several times between the first surface (OFL1) and the second surface (OFL2) before it
Sensorelement über die erste Oberfläche (OFL2) in einem Ausfallswinkel (0a) zur Flächennormale (ü) der ersten Oberfläche (OFL1) verlässt oder innerhalb des Sensorelements absorbiert wird oder innerhalb des Sensorelements durch paramagnetische Zentren (NV1) in Fluoreszenzstrahlung (FL) umgewandelt wird. Natürlich ist es denkbar, die Vorrichtung so zu gestalten, dass der Austritt der Fluoreszenzstrahlung (FL) statt über die erste Oberfläche (OFL1) über die zweite Oberfläche (OFL2) in einem Ausfallswinkel (0a) zur Flächennormale (Ü ) der zweiten Oberfläche (OFL2) erfolgt, wobei dann die vordere Anpassschicht (ASv) und die hintere Anpassschicht (ASr) anders gestaltet werden müssen. The sensor element leaves the first surface (OFL2) at an angle of reflection (0 a ) to the surface normal (ü) of the first surface (OFL1) or is absorbed within the sensor element or is converted into fluorescence radiation (FL) within the sensor element by paramagnetic centers (NV1) . Of course, it is conceivable to design the device so that the exit of the Fluorescence radiation (FL) instead of the first surface (OFL1) takes place over the second surface (OFL2) at an angle of reflection (0 a ) to the surface normal (Ü) of the second surface (OFL2), with the front matching layer (ASv) and the rear Adaptation layer (ASr) must be designed differently.
Der Einfluss interferometrischer Strukturen ist aus der Schrift James L. Webb, Joshua D. Clement,The influence of interferometric structures is from the text James L. Webb, Joshua D. Clement,
Luca Troise, Sepehr Ahmadi, Gustav Juhl Johansen, Alexander Flucka and Ulrik L. Andersen, Luca Troise, Sepehr Ahmadi, Gustav Juhl Johansen, Alexander Flucka and Ulrik L. Andersen,
"Nanotesla sensitivity magnetic field sensing using a compact diamond nitrogen-vacancy "Nanotesla sensitivity magnetic field sensing using a compact diamond nitrogen-vacancy
magnetometer", Appl. Phys. Lett. 114, 231103 (2019), https://doi.Org/10.1063/l.5095241 für OFDM die Vermessung einzelner NV-Zentren mit Mikrowelle bekannt. Eine solche Ansteuerung mit Mikrowellensignalen ist nicht für Gruppen paramagnetischer Zentren bekannt. Insbesondere ist dies nicht für Gruppen (NVC) von NV-Zentren bekannt, die dann auch noch typischerweise die hier verwendeten Merkmale von FID-NV-Diamant zeigen. Neu sind hier insbesondere die Verwendung von Bereichen hoher Dichte an paramagnetischen Zentren (NV1), die räumlich begrenzt sind und an vorbestimmten Stellen im Sensorelement platziert sind und die gleichzeitige Verwendung von Mikrostukturen zur Anpassung des Sprungs des elektromagnetischen Wellenwiderstands an den Oberflächen sowie die richtungsoptimierte Einkopplung der Pumpstrahlung (LB), die mit einem Pointing-Vektor aus Richtung eines Einfallswinkels (0e) gegenüber der Flächennormale (üi) zu einer Oberfläche (OFL1) eingestrahlt wird, und die ggf. ebenfalls richtungsoptimierte Auskopplung der Fluoreszenzstrahlung (FL) entsprechend einem Ausfallswinkel (0a) der Fluoreszenzstrahlung (FL), die mit einem Pointing-Vektor aus Richtung eines Ausfallswinkels (0a) gegenüber der Flächennormale Cüi, Ü ) zu einer Oberfläche (OFL1, OFL2) das Substrat (D) innerhalb des Sensorelements verlässt. Bei der Fertigung der Anpassschicht kommen bevorzugt Methoden der Dünnschichttechnik und/oder Methoden der Diffraktiven Optik zum Einsatz. In diesem Zusammenhang weisen wir auf die Bücher B. Kress, P. Meyrueis, "Digital Diffractive Optics" J. Wiley & Sons, London, 2000 und B. Kress, P. magnetometer ", Appl. Phys. Lett. 114, 231103 (2019), https://doi.Org/10.1063/l.5095241 for OFDM the measurement of individual NV centers with microwaves is known. Such control with microwave signals is not for groups In particular, this is not known for groups (NVC) of NV centers, which then typically also show the features of FID-NV diamond used here. The use of areas of high density at paramagnetic centers ( NV1), which are spatially limited and placed at predetermined points in the sensor element and the simultaneous use of microstructures to adapt the jump in the electromagnetic wave resistance on the surfaces as well as the direction-optimized coupling of the pump radiation (LB), which with a pointing vector from the direction of a Angle of incidence (0 e ) relative to the surface normal (üi) to a surface (OFL1) is irradiated, and which may also be directed gsoptimierte decoupling of the fluorescence radiation (FL) corresponding to an angle of reflection (0 a ) of the fluorescence radiation (FL), which with a pointing vector from the direction of an angle of reflection (0 a ) with respect to the surface normal Cüi, Ü) to a surface (OFL1, OFL2) Leaves substrate (D) within the sensor element. In the production of the matching layer, methods of thin-film technology and / or methods of diffractive optics are preferably used. In this context we refer to the books B. Kress, P. Meyrueis, "Digital Diffractive Optics" J. Wiley & Sons, London, 2000 and B. Kress, P.
Meyrueis, "Applied Digital Diffractive Optics", J. Wiley & Sons, London, 2009 hin, deren technische Lehre in Kombination mit der technischen Lehre dieser Schrift und der technischen Lehren der zitierten Schriften vollumfänglicher Bestandteil dieser Offenlegung ist, soweit das Rechtssystem des Landes in dem die Nationalisierung der hier vorgelegten internationalen Anmeldeschrift erfolgt, dies erlaubt. Die Strukturierung der Oberflächen (OFL1, OFL2) muss also nicht unbedingt homogen sein. Diese Strukturierung der Stegbreite (SBR) und/oder Nutbreite (NBR) und/oder Steghöhe bzw. Meyrueis, "Applied Digital Diffractive Optics", J. Wiley & Sons, London, 2009, whose technical teaching in combination with the technical teaching of this document and the technical teaching of the cited documents form an integral part of this disclosure, insofar as the legal system of the country in nationalization of the international application document presented here allows this. The structuring of the surfaces (OFL1, OFL2) does not necessarily have to be homogeneous. This structuring of the web width (SBR) and / or groove width (NBR) and / or web height or
Nuttiefe kann eine Funktion der Koordinate auf der jeweiligen Oberfläche (OFL1, OFL2) sein, wobei verschiedene Oberflächen (OFL1, OFL2) unterschiedlich moduliert sein können. Keine Strukturierung einer Oberfläche (OFL1, OFL2) ist dabei auch eine Form der Modulation. Es wird vorgeschlagen, durch diese Strukturierung eine Erhöhung der Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (FL) an dem oder den Orten des paramagnetischen Zentrums (NV1) und/oder der Gruppe (NVC) und/oder der Gruppen (NVC) der paramagnetischen Zentren (NV1) herbeizuführen. Beispielsweise ist es Denkbar, die Anpassschichten (ASv, ASr) als Fresnel-Linsen und/oder Arrays von Fresnel-Linsen auszuführen, sodass beispielsweise im Fokus einer bevorzugt jeden dieser Fresnel-Linsen ein oder mehrere paramagnetischen Zentren (NV1) und/oder eine Gruppe (NVC) oder mehrere Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) liegen. Groove depth can be a function of the coordinate on the respective surface (OFL1, OFL2), where different surfaces (OFL1, OFL2) can be modulated differently. No structuring of a surface (OFL1, OFL2) is also a form of modulation. It is proposed that this structuring increase the intensity (I pmp ) of the pump radiation (FL) at the location or locations of the paramagnetic center (NV1) and / or the group (NVC) and / or the groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) to bring about. For example, it is conceivable to design the matching layers (ASv, ASr) as Fresnel lenses and / or arrays of Fresnel lenses so that, for example, one or more paramagnetic centers (NV1) and / or a group in the focus of each of these Fresnel lenses (NVC) or several groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1).
Figu r 72 Fig. 72
In dem Beispiel der Figur 72 werden die paramagnetischen Zentren (NV1), die die relevante In the example of FIG. 72, the paramagnetic centers (NV1) which are the relevant
Fluoreszenzstrahlung (FL) erzeugen, in dem gleichen Material realisiert, wie die Generate fluorescent radiation (FL), realized in the same material as the
Pumpstrahlungsquelle (PLI). Aus der DE 4 322 830 Al ist beispielsweise eine Diodenstruktur aus Dimant bekannt, bei der H3-Zentren in Diamant im grünen Bereich zum Leuchten angeregt werden können. Auch sind solche Anregungen aus B. Burchard "Elektronische und optoelektronische Bauelemente und Bauelementstrukturen auf Diamantbasis", Dissertation, Hagen Oktober 1994 bekannt. Solche H3-Zentren als Zentren (PZ) innerhalb des vorzugsweise diamagnetischen Materials (MPZ) eines Substrats (D) innerhalb des Sensorelements können für die Anregung der Pump radiation source (PLI). From DE 4 322 830 A1, for example, a diode structure made of Dimant is known, in which H3 centers in diamond in the green area can be excited to glow. Such suggestions are also known from B. Burchard "Electronic and Optoelectronic Components and Diamond-Based Component Structures", dissertation, Hagen October 1994. Such H3 centers as centers (PZ) within the preferably diamagnetic material (MPZ) of a substrate (D) within the sensor element can be used for the excitation of the
Fluoreszenzstrahlung (FL) eines oder mehrerer paramagnetischer Zentren (NV1) und/oder einer oder mehrerer Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) genutzt werden, wobei dann das vorzugsweise diamagnetische Material (MPZ) des vorzugsweise diesen gemeinsamen Substrats (D) innerhalb des Sensorelements als optisches Funktionselement, hier eines Lichtwellenleiters, zur optischen Kopplung des oder der paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der Gruppe (NVC) oder Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) mit dem oder den Zentren (PZ) bzw. der oder den Gruppen (PZC) von Zentren (PZ) zur Emission der Pumpstrahlung (LB) als Pumpstrahlungsquellen (PLI) dient. Fluorescence radiation (FL) of one or more paramagnetic centers (NV1) and / or one or more groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) are used, in which case the preferably diamagnetic material (MPZ) of the preferably common substrate (D) within the sensor element as an optical functional element, here an optical waveguide, for the optical coupling of the paramagnetic center or centers (NV1) or the group (NVC) or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) with the center or centers (PZ) or the group or groups (PZC) of centers (PZ) for the emission of the pump radiation (LB) serves as pump radiation sources (PLI).
Es ist auch denkbar, die paramagnetischen Zentren durch einen Stromfluss direkt zu beeinflussen und/oder anzuregen. Ein solcher Stromfluss kann mittels ohmscher Kontakte, also ohmsch, oder mittels Elektroden kapazitiv oder induktiv hervorgerufen werden. It is also conceivable to directly influence and / or excite the paramagnetic centers by a current flow. Such a current flow can be brought about by means of ohmic contacts, that is to say ohmic, or capacitively or inductively by means of electrodes.
Ein solches Verfahren umfasst dann die Schritte Erzeugen eines Wechselanteils (S5w) eines Sendesignals (S5) durch einen Generator (G); Such a method then comprises the steps Generating an alternating component (S5w) of a transmission signal (S5) by a generator (G);
Erzeugen eines Stromflusses in einem Sensorelement mit paramagnetischen (NV1) in Abhängigkeit von dem Wechselanteil (S5w) des Sendesignals (S5) oder einem daraus abgeleiteten Signal, insbesondere dem Sendesignal (S5); Generating a current flow in a paramagnetic (NV1) sensor element as a function of the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) or a signal derived therefrom, in particular the transmission signal (S5);
Erzeugen einer Fluoreszenzstrahlung (FL) in Abhängigkeit von dem Stromfluss und typischerweise damit in Abhängigkeit von dem Wechselanteil (S5w) des Sendesignals (S5) oder einem daraus abgeleiteten Signal, insbesondere dem Sendesignal (S5) und der magnetischen Flussdichte B und/oder eines anderen physikalischen Parameters, beispielsweise dem Druck und/oder der Temperatur, wobei die Modulation der Intensität (lfl) der Fluoreszenzstrahlung (FL) von der Modulation des Wechselanteils (S5w) des Sendesignals (S5) oder eines daraus abgeleiteten Signals, insbesondere des Sendesignals (S5) und der magnetischen Flussdichte B und/oder des anderen physikalischen Parameters abhängt; Generating fluorescence radiation (FL) as a function of the current flow and thus typically as a function of the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) or a signal derived therefrom, in particular the transmission signal (S5) and the magnetic flux density B and / or another physical one Parameters, for example the pressure and / or the temperature, the modulation of the intensity (l fl ) of the fluorescent radiation (FL) being dependent on the modulation of the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) or a signal derived therefrom, in particular the transmission signal (S5) and the magnetic flux density B and / or the other physical parameter depends;
Erfassen zumindest eines Teils dieser Fluoreszenzstrahlung (FL) durch einen Strahlungsempfänger (PD) und Erzeugung eines Empfängerausgangssignals (SO) in Abhängigkeit von dieser Detection of at least part of this fluorescence radiation (FL) by a radiation receiver (PD) and generation of a receiver output signal (SO) as a function of this
Fluoreszenzstrahlung (FL), wobei diese Abhängigkeit bevorzugt eine Abhängigkeit von der Intensität (Ifi) der Fluoreszenzstrahlung (FL) ist. Fluorescence radiation (FL), this dependence preferably being a dependence on the intensity (I fi ) of the fluorescence radiation (FL).
Korrelieren des zeitlichen Verlaufs der Momentanwerte (sO) des Empfängerausgangssignals (SO) mit den Momentanwerten eines Messsignals (MES), wobei es sich bei dem Messsignal (MES) bevorzugt um den Wechselanteil (S5w) des Sendesignals (S5) oder ein daraus abgeleitetes Signal oder ein mit diesem in einem vorbestimmten funktionalen Zusammenhang stehendes Signal handelt. Correlating the temporal course of the instantaneous values (sO) of the receiver output signal (SO) with the instantaneous values of a measurement signal (MES), the measurement signal (MES) preferably being the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) or a signal derived therefrom or a signal which is functionally related in a predetermined manner is acting.
Beispielsweise kann der funktionale Zusammenhang so aussehen, dass es sich um ein gegenüber dem Wechselanteil (S5w) des Sendesignals (S5) phasenverschobenes Messsignal (M ES) handelt und dass diese Phasenverschiebung durch eine Regelung angepasst wird. Eine solche Anpassung der Phasenverschiebung ist beispielsweise aus der Schrift WO 2017 148 772 Al bekannt. For example, the functional relationship can be such that it is a measurement signal (M ES) that is phase-shifted with respect to the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) and that this phase shift is adapted by a control. Such an adaptation of the phase shift is known, for example, from the document WO 2017 148 772 A1.
In dem Beispiel der Figur 72 verstärkt ein erster Verstärker (VI) das Empfängerausgangssignal (SO) zum reduzierten Empfängerausgangssignal (Sl). Der Verstärker (VI) kann auch Teil des In the example in FIG. 72, a first amplifier (VI) amplifies the receiver output signal (SO) to form the reduced receiver output signal (S1). The amplifier (VI) can also be part of the
Strahlungsempfängers (PD) sein. Ein erster Multiplizierer (Ml) multipliziert das reduzierte Be radiation receiver (PD). A first multiplier (Ml) multiplies the reduced one
Empfängerausgangssignal (Sl) mit dem Wechselanteil (S5w) des Sendesignals (S5) zum Receiver output signal (Sl) with the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) to
Filtereingangssignal (S3). Ein Schleifenfilter (TP), der bevorzugt ein Tiefpassfilter ist, filtert das Filtereingangssignal (S3) zum Filterausgangssignal (S4), das in dem Beispiel der Figur 72 das Sensorausgangssignal (out) ist. Typischerweise ist dann der Wert des Sensorausgangssignals (out) ein Maß für den Wert der magnetische Flussdichte B oder einer anderen physikalischen Größe, die die Intensität (lfl) der Fluoreszenzstrahlung (FL) der paramagnetischen Zentren (NV1) beeinflusst. Filter input signal (S3). A loop filter (TP), which is preferably a low-pass filter, filters the filter input signal (S3) to the filter output signal (S4), which in the example in FIG Sensor output signal (out). The value of the sensor output signal (out) is then typically a measure of the value of the magnetic flux density B or another physical variable that influences the intensity (l fl ) of the fluorescent radiation (FL) of the paramagnetic centers (NV1).
Der erste Filter (Fl) ist nur notwendig, wenn die paramagnetischen Zentren (NV1) nicht direkt durch den elektrischen Stromfluss im Sensorelement, sondern über zweite optische Zentren angeregt werden. Beispielsweise können in einem als Sensorelement dienen Diamanten mit NV-Zentren als paramagnetischen Zentren (NV1) und FI3-Zentren als Pumpstrahlungsquellen (PLI) durch den elektrischen Stromfluss die H3-Zentren zur Abgabe grüner Pumpstrahlung (LB) direkt im The first filter (F1) is only necessary if the paramagnetic centers (NV1) are not excited directly by the flow of electrical current in the sensor element, but rather via second optical centers. For example, diamonds with NV centers as paramagnetic centers (NV1) and FI3 centers as pump radiation sources (PLI) can serve as a sensor element in one of the H3 centers for emitting green pump radiation (LB) directly in the electrical current flow
vorzugsweise diamagnetischen Material (MPZ) eines Substrats (D) innerhalb des Sensorelements veranlasst werden. Die Pumpstrahlung (LB) der als Pumpstrahlungsquellen (PLI) dienenden H3- Zentren trifft auf die als paramagnetischen Zentren (NV1) dienenden NV-Zentren, die in Abhängigkeit von der magnetischen Flussdichte B Fluoreszenzstrahlung (FL) und ggf. weiteren physikalischen Parametern abgeben. Diese kann dann, wie oben beschrieben, weiterverarbeitet werden. Das Materials des Sensorelements, in diesem Beispiel Diamant, dient dann als Lichtwellenleiter und damit optisches Funktionselement, dass die Pumpstrahlungsquelle (PLI), nämlich das H3-Zentrum in diesem Beispiel, mit dem oder den paramagnetischen Zentren (NV1) und oder mit der oder den Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1), in diesem Beispiel mit einem oder mehreren NV- Zentren (NV1) und/oder mit einer oder mehrerer Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) koppelt. preferably diamagnetic material (MPZ) of a substrate (D) are caused within the sensor element. The pump radiation (LB) of the H3 centers serving as pump radiation sources (PLI) hits the NV centers serving as paramagnetic centers (NV1), which emit fluorescence radiation (FL) and possibly other physical parameters depending on the magnetic flux density B. This can then be further processed as described above. The material of the sensor element, in this example diamond, then serves as an optical waveguide and thus an optical functional element that the pump radiation source (PLI), namely the H3 center in this example, with the paramagnetic center or centers (NV1) and / or with the Groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1), in this example with one or more NV centers (NV1) and / or with one or more groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1).
F ig u r 73 Fig. 73
In dem Beispiel der Figur 73 injiziert ein Anoden-Kontakt (AN) einen elektrischen Strom in das diamagnetischen Material (MPZ) des Sensorelements, beispielsweise einen Diamanten. Auf B. In the example in FIG. 73, an anode contact (AN) injects an electrical current into the diamagnetic material (MPZ) of the sensor element, for example a diamond. On B.
Burchard "Elektronische und optoelektronische Bauelemente und Bauelementstrukturen auf Diamantbasis", Dissertation, Hagen 1994 wird in diesem Zusammenhang hingewiesen. Ein Kathoden- Kontakt (KTH) extrahiert diesen elektrischen Strom wieder aus dem Sensorelement. Ein im Burchard "Electronic and Optoelectronic Components and Diamond-Based Component Structures", dissertation, Hagen 1994 is referred to in this context. A cathode contact (KTH) extracts this electrical current from the sensor element. An im
Strompfad innerhalb des Sensorelements liegendes Zentrum (PZ), dient als Pumpstrahlungsquelle (PLI). Beispielsweise kann es sich bei diesem Zentrum (PZ) um H3-Zentrum in dem beispielhaften Diamanten, der als Sensorelement dient, handeln Das Zentrum (PZ) emittiert in diesem Beispiel grüne Pumpstrahlung (LB) bei einem Stromfluss in dem Sensorelement, also bei einem Stromfluss in dem Diamanten von dem Anoden-Kontakt (AN) zum Kathoden-Kontakt (KTH). Diese grüne Current path within the sensor element located center (PZ), serves as a pump radiation source (PLI). For example, this center (PZ) can be an H3 center in the exemplary diamond that serves as a sensor element. In this example, the center (PZ) emits green pump radiation (LB) when there is a current flow in the sensor element, i.e. when there is a current flow in the diamond from the anode contact (AN) to the cathode contact (KTH). This green one
Pumpstrahlung (LB) des Zentrums (PZ), beispielsweise des besagten H3-Zentrums, kann dann dazu benutzt werden, ein oder mehrere paramagnetische Zentren (NV1) und/oder eine oder mehrere Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1), beispielsweise ein oder mehrere NV-Zentren und/oder ein oder mehrere Gruppen von NV-Zentren in dem beispielhaften Diamanten, zur Emission von Fluoreszenzstrahlung (FL) anzuregen. Statt eines einzelnen Zentrums (PZ) können auch eine Gruppe (PZC) von Zentren (PZ) und/oder Gruppen (PZC) von Zentren (PZ) verwendet werden. Die Zentren (PZ) und/oder die Gruppen (PZC) der Zentren (PZ) können ein ein- oder zwei- oder dreidimensionales Gitter innerhalb des Substrats (D) bilden, das wiederum das Sensorelement sein kann oder Teil des Sensorelements sein kann. Im Falle eines eindimensionalen Gitters können die Zentren (PZ) beispielsweise kreisförmig um einen gemeinsamen Mittelpunkt herum angeordnet sein, wobei sich in dem Mittelpunkt dann bevorzugt ein paramagnetisches Zentrum (NV1) oder mehrere Paramagnetische Zentren (NV1) oder eine Gruppe (NVC) oder mehrere Gruppen (NVC) Pump radiation (LB) from the center (PZ), for example the said H3 center, can then be added one or more paramagnetic centers (NV1) and / or one or more groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1), for example one or more NV centers and / or one or more groups of NV centers in the exemplary diamond, are used, to stimulate the emission of fluorescent radiation (FL). Instead of a single center (PZ), a group (PZC) of centers (PZ) and / or groups (PZC) of centers (PZ) can also be used. The centers (PZ) and / or the groups (PZC) of the centers (PZ) can form a one-, two- or three-dimensional grid within the substrate (D), which in turn can be the sensor element or can be part of the sensor element. In the case of a one-dimensional grid, the centers (PZ) can, for example, be arranged in a circle around a common center point, with a paramagnetic center (NV1) or several paramagnetic centers (NV1) or a group (NVC) or several groups in the center (NVC)
paramagnetischer Zentren (NV1) befinden. Bevorzugt bildet in einer Variante die Anordnung der Zentren PZ bzw. der Gruppen (PZC) der Zentren (PZ) zusammen mit der Anordnung der paramagnetic centers (NV1). In one variant, the arrangement of the centers PZ or the groups (PZC) of the centers (PZ) together with the arrangement of the
paramagnetischen Zentren (NV1) und/oder der Anordnung der Gruppen (NVC) der paramagnetic centers (NV1) and / or the arrangement of groups (NVC) of the
paramagnetischen Zentren (NV1) ein ein- zwei oder dreidimensionales Gitter, wobei die paramagnetic centers (NV1) a one-two or three-dimensional grid, where the
Elementarzelle des Gitters dann ein oder mehrere Zentren (PZ) und/oder eine oder mehrere Gruppen (PZC) von Zentren (PZ) einerseits und ein oder mehrere paramagnetische Zentren (NV1) und/oder eine oder mehrere Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren umfasst. Es kann sich um ein translatorisches und/oder rotatorisches Gitter um eine gemeinsame Symmetrieachse oder einen Symmetriepunkt handeln. The elementary cell of the grid then comprises one or more centers (PZ) and / or one or more groups (PZC) of centers (PZ) on the one hand and one or more paramagnetic centers (NV1) and / or one or more groups (NVC) of paramagnetic centers. It can be a translatory and / or rotary grid around a common axis of symmetry or a point of symmetry.
Zum Schluss sollte noch erwähnt werden, dass die Struktur der Figur 73 geeignet ist, das Zentrum (PZ) mit dem paramagnetischen Zentrum (NV1) zu verschränken. Ggf. kann der optische Pfad zwischen Zentrum (PZ) und paramagnetischem Zentrum (NV1) noch mit optischen Finally, it should be mentioned that the structure of FIG. 73 is suitable for entangling the center (PZ) with the paramagnetic center (NV1). If necessary, the optical path between the center (PZ) and the paramagnetic center (NV1) can also be optical
Funktionselementen, wie sie an derer Stelle in dieser Schrift bereits aufgezählt sind, ergänzt und ggf. modifiziert werden. Functional elements, as they are already listed elsewhere in this document, supplemented and, if necessary, modified.
F ig u r 74 Fig u r 74
Bei der Ausarbeitung der Erfindung wurde erkannt, dass eine Kompensationsspule (LC), wie beispielsweise in Figur 29 gezeichnet, nicht notwendigerweise eine Windung oder einen Bogen aufweisen muss. Vielmehr ist es so, dass eine Leitung beispielsweise als mikrostrukturierte Leitung (LH, LV) beispielsweise auf der ersten Oberfläche (OFL1) des Sensorelements gefertigt sein kann. Das paramagnetische Zentrum (NV1) kann wenige nm unter der ersten Oberfläche (OFL1) des Sensorelements gefertigt sein. Dadurch kann sich das paramagnetische Zentrum (NV1) im magnetischen Nahfeld der Leitung (LH, LV) befinden. Bevorzugt befinden sich das paramagnetische Zentrum (NV1) bzw. die paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. die Gruppe oder die Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) in einem ersten Abstand (r) von weniger als lpm, besser weniger als 500nm, besser weniger als 200nm, besser weniger als lOOnm, besser weniger als 50nm, besser weniger als 20nm von der beispielhaft horizontalen Leitung (LH) entfernt. Bei der Ausarbeitung der Erfindung wurde davon ausgegangen, dass die Leitung (LH) besonders bevorzugt weniger als 50nm von dem paramagnetischen Zentrum (NV1) bzw. den paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der Gruppe oder den Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) entfernt ist. Durch diesen geringen Abstand können bereits mit betragsmäßig sehr geringen elektrischen Strömen (IH) in der Leitung (LH) erhebliche magnetische Flussdichten B am Ort des paramagnetischen Zentrums (NV1) bzw. der paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der Gruppe (NVC) oder der Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) erzeugt werden, die diese neben anderen möglicherweise relevanten physikalischen Parametern beeinflussen. When working out the invention, it was recognized that a compensation coil (LC), as shown for example in FIG. 29, does not necessarily have to have a turn or an arc. Rather, it is the case that a line can be manufactured, for example, as a microstructured line (LH, LV), for example on the first surface (OFL1) of the sensor element. The paramagnetic center (NV1) can be a few nm below the first surface (OFL1) of the Sensor element be manufactured. This means that the paramagnetic center (NV1) can be in the magnetic near field of the line (LH, LV). The paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) are preferably located at a first distance (r) of less than 1pm, better less than 500 nm, better less than 200 nm, better less than 100 nm, better less than 50 nm, better less than 20 nm away from the exemplary horizontal line (LH). When developing the invention, it was assumed that the line (LH) is particularly preferably less than 50 nm from the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) away. Due to this small distance, even with very low electrical currents (IH) in the line (LH), considerable magnetic flux densities B at the location of the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) or the group (NVC) or the Groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) are generated, which influence them along with other possibly relevant physical parameters.
In dem Beispiel der Figur 74 wird eine horizontale Leitung (LH) mit einem horizontalen Strom (IH) bestromt, wobei das Wort horizontal hier in diesem Zusammenhang zur Unterscheidung des Stroms (LH) und der Leitung (LH) von später eingeführten Leitungen (LV) und Strömen (IV) dient. In der Figur 74 ist die horizontale Leitung (LH) vorzugsweise gegenüber dem Substrat (D) aus diamagnetischem Material (MPZ) isoliert. Bevorzugt befindet sich das paramagnetische Zentrum (NV1) bzw. eine Gruppe (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) direkt unter der horizontalen Leitung (LH) in einem ersten Abstand (dal) unter der Oberfläche (OFL1) des Substrats (D) aus bevorzugt diamagnetischem Material (MPZ) - beispielsweise Diamant - in dem sich das paramagnetische Zentrum (NV1) bzw. die paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. die Gruppe (NVC) oder Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) befindet. In einer Variante ist der erste Abstand (dal) bevorzugt sehr klein gewählt. Bevorzugt ist der erste Abstand (dal) kleiner als lpm, besser kleiner als 500nm, besser kleiner als 250nm, besser kleiner als lOOnm, besser kleiner als 50nm, besser kleiner als 25nm, ggf. kleiner als lOnm. Mit geringer werdenden Abständen (dal) zur Oberfläche (OF1L1) steigt der Einfluss der Oberflächenzustände. Es hat sich daher bewährt Abstände (dal) kleiner als 20nm möglichst nicht zu unterschreiten und ggf. insbesondere im Falle von Diamanten als Substrat (D) die Oberfläche (DFL1) mittels der Abscheidung einer epitaktischen Schicht nach der Fertigung der paramagnetischen Zentren (NV1) wieder anzuheben, sodass der Abstand (dal) einen solchen Substratmaterial spezifischen Mindestabstand (dal) wieder überschreitet. Die horizontale Leitung (LH) ist bevorzugt in der in der Figur 74 dargestellten Weise auf der Oberfläche (OFL1) des Substrats (D) gefertigt und an diesem befestigt und gegen das Substrat (D) isoliert. Insbesondere können Modulationen des horizontalen Ansteuerstromes (IH) zur Manipulation des Spins des paramagnetischen Zentrums (NV1) bzw. der Spins von paramagnetischen Zentren (NV1) der Gruppe (NVC) oder Gruppen (NVC) der paramagnetischen Zentren (NV1) verwendet werden. Bevorzugt ist die horizontale Leitung (LH) fest mit dem Substrat (D) verbunden und bildet typischerweise eine Einheit mit dieser. Die horizontale Leitung (LH) wird typischerweise bevorzugt durch Elektronenstrahllithografie oder ähnlich hochauflösende Lithografiemethoden auf dem Substrat (D) gefertigt, wenn unter unterschiedlichen horizontalen Leitungen (LH) liegende paramagnetische Zentren (NV1) und/oder dort liegende unterschiedliche Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) miteinander koppeln sollen. Ist eine solche Kopplung nicht beabsichtigt, so können weniger hochauflösende In the example in Figure 74, a horizontal line (LH) is energized with a horizontal current (IH), the word horizontal here in this context to distinguish the current (LH) and the line (LH) from lines (LV) introduced later. and stream (IV). In FIG. 74, the horizontal line (LH) is preferably insulated from the substrate (D) made of diamagnetic material (MPZ). The paramagnetic center (NV1) or a group (NVC) of paramagnetic centers (NV1) is preferably located directly below the horizontal line (LH) at a first distance (d a l) below the surface (OFL1) of the substrate (D) preferably diamagnetic material (MPZ) - for example diamond - in which the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) or the group (NVC) or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) is located. In one variant, the first distance (d a l) is preferably selected to be very small. The first distance (d a 1) is preferably smaller than 1pm, better smaller than 500 nm, better smaller than 250 nm, better smaller than 100 nm, better smaller than 50 nm, better smaller than 25 nm, possibly smaller than 10 nm. With decreasing distances (d a l) to the surface (OF1L1) the influence of the surface conditions increases. It has therefore proven to be useful not to go below distances (d a l) smaller than 20 nm and, if possible, especially in the case of diamonds as substrate (D), the surface (DFL1) by means of the deposition of an epitaxial layer after the production of the paramagnetic centers (NV1) ) to be raised again so that the distance (d a l) exceeds such a substrate material-specific minimum distance (d a l) again. The horizontal line (LH) is preferred in in the manner shown in Figure 74 on the surface (OFL1) of the substrate (D) and attached to this and isolated from the substrate (D). In particular, modulations of the horizontal control current (IH) can be used to manipulate the spin of the paramagnetic center (NV1) or the spins of paramagnetic centers (NV1) of the group (NVC) or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1). The horizontal line (LH) is preferably firmly connected to the substrate (D) and typically forms a unit with it. The horizontal line (LH) is typically preferably produced by electron beam lithography or similar high-resolution lithography methods on the substrate (D) if paramagnetic centers (NV1) and / or different groups (NVC) of paramagnetic centers (NVC) located under different horizontal lines (LH) NV1) should couple with each other. If such a coupling is not intended, less high-resolution images can be used
Lithografiemethoden Verwendung finden. Werden elektrostatische Potenziale zwischen dem Substrat (D) und dieser Leitung (LH, LV) durch eine Ansteuervorrichtung (AH) dieser Leitung (LH) angelegt, so lassen sich die optischen Eigenschaften und die Fluoreszenzstrahlung (LB), insbesondere die Intensität (lfl) der Fluoreszenzstrahlung (FL) des paramagnetischen Zentrums (NV1) bzw. der paramagnetischen Zentren (NV1) der Gruppe (NVC) der paramagnetischen Zentren (NV1) unterhalb der betreffenden Leitung (LH) manipulieren und beeinflussen. Auf diese Weise können Find lithography methods use. If electrostatic potentials are applied between the substrate (D) and this line (LH, LV) by a control device (AH) of this line (LH), the optical properties and the fluorescent radiation (LB), in particular the intensity (l fl ) manipulate and influence the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) of the group (NVC) of paramagnetic centers (NV1) below the relevant line (LH). That way you can
beispielsweise bei der Verwendung von NV-Zentren in Diamant als paramagnetische Zentren (NV1) einzelne NV-Zentren durch lokale Verschiebung des Fermi-Niveaus gezwungen werden, den fluoreszierenden NV -Zustand zu verlassen und damit dunkel zu werden. Mit Hilfe dieser For example, when using NV centers in diamond as paramagnetic centers (NV1), individual NV centers are forced to leave the fluorescent NV state and thus become dark due to a local shift in the Fermi level. With the help of this
Konstruktion ist es somit möglich beispielsweise in einem ein-dimensionalen Gitter von Construction is thus possible, for example, in a one-dimensional grid of
paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. in einem ein-dimensionalen Gitter von Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) die Fluoreszenzstrahlung (LB) einzelner paramagnetischer Zentren (NV1) bzw. die Fluoreszenzstrahlung (LB) einzelner Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) selektiv durch geeignete Einstellung eines leitungsspezifischen elektrischen Potenziale der betreffenden horizontalen Leitung (LH), die sich oberhalb des einzelnen paramagnetischen Zentrums (NV1) bzw. der betreffenden einzelnen Gruppe (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) auf der Oberfläche des Substrats (D) befindet, an- und auszuschalten und so eine linienhafte Auflösung durch selektive Aktivierung und Deaktivierung der Fluoreszenzstrahlung (FL) einzelner paramagnetischer Zentren (NV1) oder von Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) zu erreichen, die beispielsweise die eindimensional ortsaufgelöste Messung von Strömen in integrierten Schaltkreisen erlaubt. Somit kann die Intensität (lfl) einzelner paramagnetischer Zentren (NV1) innerhalb mehrerer paramagnetischer Zentren (NV1) und/oder einzelner Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) innerhalb mehrerer Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) mittels einer Modulation des leitungsspezifischen elektrischen Potenzials der betreffenden horizontalen Leitung (LH), die sich oberhalb des einzelnen paramagnetischen Zentrums (NV1) bzw. der betreffenden einzelnen Gruppe (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) auf der Oberfläche des Substrats (D) befindet, selektiv gegenüber anderen paramagnetischen Zentren (NV1) und/oder Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) in dem gleichen Substrat (D) moduliert werden. Die anderen paramagnetischen Zentren (NV1) und/oder Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) in dem gleichen Substrat (D) dann nämlich ggf. nicht moduliert. Somit schlagen wir hier ein Sensorsystem vor, dessen paramagnetic centers (NV1) or in a one-dimensional grid of groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) the fluorescence radiation (LB) of individual paramagnetic centers (NV1) or the fluorescence radiation (LB) of individual groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) ) selectively by suitable setting of a line-specific electrical potential of the relevant horizontal line (LH), which is located above the individual paramagnetic center (NV1) or the relevant individual group (NVC) of paramagnetic centers (NV1) on the surface of the substrate (D) , to switch on and off and thus achieve a linear resolution through selective activation and deactivation of the fluorescence radiation (FL) of individual paramagnetic centers (NV1) or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1), which for example integrate the one-dimensional spatially resolved measurement of currents in Circuits allowed. Thus the intensity (l fl ) of individual paramagnetic centers (NV1) can be within several paramagnetic centers (NV1) and / or individual groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) within several groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) by means of a modulation of the line-specific electrical potential of the horizontal line (LH) in question, which is located above the individual paramagnetic Center (NV1) or the relevant individual group (NVC) of paramagnetic centers (NV1) is located on the surface of the substrate (D), selectively with respect to other paramagnetic centers (NV1) and / or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) in the same substrate (D) can be modulated. The other paramagnetic centers (NV1) and / or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) in the same substrate (D) then possibly not modulated. So we propose a sensor system here, whose
Sensorelement ein Substrat (D) aufweist, dass ein oder mehrere erste Mittel (LH), und ein oder mehrere zweite Mittel (AVH) aufweist, um z.B. mittels statischer Potenziale der ersten Mittel (LH) gegenüber dem Potenzial des Sensorelements (D) das Fermi-Niveau am Ort einzelner Sensor element has a substrate (D) that has one or more first means (LH) and one or more second means (AVH), for example by means of static potentials of the first means (LH) against the potential of the sensor element (D), the Fermi -Level at the place of individual
paramagnetischer Zentren (NV1) und/oder mehrerer paramagnetischer Zentren (NV1) und am Ort einer oder mehrerer Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) so zu beeinflussen, dass diese einzelnen paramagnetischen Zentren (NV1) und/oder mehreren paramagnetischen Zentren (NV1) und eine oder mehreren Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) aktiviert wird bzw. paramagnetic centers (NV1) and / or several paramagnetic centers (NV1) and at the location of one or more groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) so that these individual paramagnetic centers (NV1) and / or several paramagnetic centers (NV1) and one or more groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) are activated or
deaktiviert werden, wobei aktiviert bei NV-Zentren bedeutet, dass diese bevorzugt den N -Zustand annehmen und fluoreszieren - also Fluoreszenzstrahlung (FL) bei Bestrahlung mit Pumpstrahlung (LB) abgeben -, und wobei deaktiviert bedeutet, dass diese bevorzugt einen vom N -Zustand verschiedenen Zustand annehmen oder nicht fluoreszieren- also KEINE Fluoreszenzstrahlung (FL) bei Bestrahlung mit Pumpstrahlung (LB) abgeben -. Bei Anordnung der horizontalen Leitungen (LH) in einem ein-dimensionalen Gitter mit einem darunter im bevorzugt diamagnetischen Material (MPZ) des Substrats (D) befindlichen entsprechenden ein-dimensionalen Gitter aus paramagnetischen Zentren (NV1) oder aus Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) wird somit eine linienhaft hochaufgelöste bildgebende Messung beispielsweise der magnetischen Flussdichte B mit einer Auflösung unterhalb der Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (lh) von wenigen nm möglich, wenn zeitlich hintereinander einzelne paramagnetische Zentren (NV1) und/oder Gruppen (NVC) von paramagnetischen Zentren mittels Wahl der geeigneten Potenziale der horizontalen Leitungen (LH) relativ zum Potenzial des Substrats (D) sukzessive einzeln aktiviert und dann nach der Bestimmung der magnetischen Flussdichte B wieder deaktiviert werden, sodass die Fluoreszenzstrahlung (FL) stets nur vorzugsweise von wenigen, besser nur genau einem aktivierten paramagnetischen Zentrum (NV1) und/oder wenigen Gruppen besser nur genau einer Gruppe (NVC) aktivierter paramagnetischer Zentren (NV1) stammt, sodass jedem der Orte der paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der Ort der Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren nach Aktivierung, Messung der magnetischen Flussdichte B und Deaktivierung aller paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) für jeden dieser Orte ein Messwert aufgrund der eines erfassten Werts der erfassten Fluoreszenzstrahlung (FL) zum Zeitpunkt der Aktivierung des oder der paramagnetischen Zentren (NV1) und/oder der Gruppe oder Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren dieses Ortes vorliegt. Diese Messwerte können dann beispielsweise mittels eines deactivated, whereby activated in NV centers means that they preferentially adopt the N state and fluoresce - that is, emit fluorescence radiation (FL) when irradiated with pump radiation (LB) - and deactivated means that these preferably have an N state assume different states or do not fluoresce - do NOT emit fluorescence radiation (FL) when exposed to pump radiation (LB) -. When the horizontal lines (LH) are arranged in a one-dimensional grid with a corresponding one-dimensional grid of paramagnetic centers (NV1) or groups (NVC) of paramagnetic centers (NVC) located underneath in the preferably diamagnetic material (MPZ) of the substrate (D) NV1), a linear high-resolution imaging measurement, for example of the magnetic flux density B with a resolution below the fluorescence radiation wavelength (lh) of a few nm, is possible if individual paramagnetic centers (NV1) and / or groups (NVC) of paramagnetic centers are selected one after the other Suitable potentials of the horizontal lines (LH) relative to the potential of the substrate (D) are successively activated individually and then deactivated again after the magnetic flux density B has been determined, so that the fluorescence radiation (FL) is always preferably only from a few, better just one, activated paramagnetic Center (NV1) and / ode r a few groups better just one group (NVC) activated paramagnetic centers (NV1), so that each of the locations of the paramagnetic centers (NV1) or the location of the groups (NVC) of paramagnetic centers after activation, measurement of the magnetic flux density B and deactivation of all paramagnetic centers (NV1) or groups (NVC) paramagnetic centers (NV1) for each of these locations a measured value is available based on a recorded value of the recorded fluorescence radiation (FL) at the time of activation of the paramagnetic center or centers (NV1) and / or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers of this location. These measured values can then for example by means of a
Rechnersystems (pC) als Bild dargestellt werden. Bevorzugt wird die horizontale Leitung (LH) zu diesem Zweck aus einem optisch transparenten Material, beispielsweise Indium-Zinn-Oxid (Englische Abkürzung: ITO) hergestellt. Aus der Schrift Marcel Manheller, Stefan Trellenkamp, Rainer Waser, Silvia Karthäuser,„Reliable fabrication of 3 nm gaps between nanoelectrodes by electron-beam lithography", Nanotechnology, Vol. 23, No. 12, Mar. 2012, DOI: 10.1088/0957-4484/23/12/125302 ist bekannt, dass die horizontalen Leitungen (LH) in sehr geringem Abstand (z.B. 5nm und kleiner, z.B. 5nm) zueinander hergestellt werden können. Aus der Schrift J. Meijer, B. Burchard, M. Domhan, C. Wittmann, T. Gaebel, I. Popa, F. Jelezko, J. Wrachtrup,„Generation of single color centers by focused nitrogen Implantation" Appl. Phys. Lett. 87, 261909 (2005); https://doi.Org/10.1063/l.2103389 ist eine hochgenaue Platzierung der Stickstoffatome zur Erzeugung der NV-Zentren bekannt. Computer system (pC) as an image. For this purpose, the horizontal line (LH) is preferably made from an optically transparent material, for example indium tin oxide (English abbreviation: ITO). From the publication Marcel Manheller, Stefan Trellenkamp, Rainer Waser, Silvia Karthäuser, "Reliable fabrication of 3 nm gaps between nanoelectrodes by electron-beam lithography", Nanotechnology, Vol. 23, No. 12, Mar. 2012, DOI: 10.1088 / 0957 -4484/23/12/125302 it is known that the horizontal lines (LH) can be produced with a very small spacing (for example 5 nm and smaller, for example 5 nm) from one another, from J. Meijer, B. Burchard, M. Domhan , C. Wittmann, T. Gaebel, I. Popa, F. Jelezko, J. Wrachtrup, "Generation of single color centers by focused nitrogen implantation" Appl. Phys. Lett. 87: 261909 (2005); https://doi.Org/10.1063/l.2103389 a highly precise placement of the nitrogen atoms to generate the NV centers is known.
Maßnahmen zur Ausbeutesteigerung bei der Fertigung der NV-Zentren, z.B. eine Measures to increase the yield in the manufacture of the NV centers, e.g. a
Schwefelimplantation oder eine n-Dotierung des Substrats (D), werden in der hier vorgelegten Schrift genannt. Insofern ist eine präzise, ausbeutesichere Platzierung der paramagnetischen Zentren (NV1) unter den horizontalen Leitungen (LH) mittels fokussierter Ionenimplantation ohne Probleme möglich. Die örtlich hochaufgelöste Fertigung der horizontalen Leitungen (LH) ist mittels Sulfur implantation or n-doping of the substrate (D) are mentioned in the document presented here. In this respect, a precise, yield-safe placement of the paramagnetic centers (NV1) under the horizontal lines (LH) by means of focused ion implantation is possible without problems. The locally high-resolution production of the horizontal lines (LH) is by means of
Elektronenstrahllithografie möglich. Die Platzierung kann so dicht beieinander erfolgen, das zwei benachbarte paramagnetische Zentren (NV1), insbesondere innerhalb einer Gruppe (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) unter unterschiedlichen horizontalen Leitungen (LH1, LH2) miteinander wechselwirken können und ein Quantenregister auf Basis der Kopplung der Electron beam lithography possible. The placement can be so close together that two neighboring paramagnetic centers (NV1), in particular within a group (NVC) of paramagnetic centers (NV1) under different horizontal lines (LH1, LH2) can interact with each other and a quantum register based on the coupling of the
Elektronenkonfigurationen bilden können, das über die horizontalen Leitungen (LH) mittels Electron configurations can form via the horizontal lines (LH) by means of
Mikrowellensignalen angesteuert werden kann. Microwave signals can be controlled.
Durch gezielte deterministische und/oder fokussiert Ionenimplantation ggf. einzelner oder mehrerer Fremdatome in das Material (MPZ) des Substrats (D) des Sensorelements ist eine ausreichend koordinatentreue Fertigung einzelner oder mehrerer paramagnetischer Zentren (NV1) und/oder einer oder mehrerer Gruppen (NVC) von paramagnetischen Zentren (NV1) möglich. Auf die Schrift J. Meijer, B. Burchard, M. Domhan, C. Wittmann, T. Gaebel, I. Popa, F. Jelezko, J. Wrachtrup, „Generation of single color centers by focused nitrogen Implantation" Appl. Phys. Lett. 87, 261909 (2005); https://doi.Org/10.1063/l.2103389 wird hier verwiesen. Bei Verwendung eines Diamanten als Substrat (D) kann durch eine n-Dotierung, beispielsweise mit Schwefel, die Ausbeute an NV- Zentren gesteigert werden. Somit ist eine genaue Platzierung der paramagnetischen Zentren (NV1) und/oder Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) in einer vorhersagbaren Weise räumlich relativ zu der horizontalen Leitung (LH) möglich und damit ausführbar. Targeted deterministic and / or focused ion implantation, if necessary, of individual or more foreign atoms in the material (MPZ) of the substrate (D) of the sensor element is sufficient to ensure that individual or more paramagnetic centers (NV1) and / or one or more groups (NVC) are manufactured with sufficient accuracy. of paramagnetic centers (NV1) possible. On the font J. Meijer, B. Burchard, M. Domhan, C. Wittmann, T. Gaebel, I. Popa, F. Jelezko, J. Wrachtrup, "Generation of single color centers by focused nitrogen Implantation" Appl. Phys. Lett. 87, 261909 (2005); https://doi.Org/10.1063/l.2103389, if a diamond is used as substrate (D), the yield of NV centers can be increased by n-doping, for example with sulfur. Thus, an exact placement of the paramagnetic centers (NV1) and / or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) in a predictable manner spatially relative to the horizontal line (LH) is possible and can therefore be carried out.
Beispielsweise kann es sich bei dem Sensorelement um einen Diamanten handeln, auf dessen Oberfläche (OF1) die besagte Leitungen (LH) aufgebracht ist und wobei unterhalb der Leitung (LH) sich eine Gruppe (NVC) von NV-Zentren mit einer so hohen Dichte der NV-Zentren unterhalb der Leitung (LH) im Nahbereich der magnetischen Flussdichte B des von dem Stromfluss (IH, IV) in den beiden sich kreuzenden Leitungen (LV, LH) erzeugten magnetischen Feldes befinden, dass der Bereich dieser Gruppe von NV-Zentren als HD-NV-Diamant im Sinne dieser Schrift anzusehen ist. Dass eine Platzierung einer Gruppe (NVC) von NV-Zentren bzw. paramagnetischen Zentren (NV1) im Nahbereich, also besonders bevorzugt näher als 50nm also näher als lOOpm und/oder besser näher als 50pm und/oder besser näher als 20pm und/oder besser näher als lOpm und/oder besser näher als 5pm und/oder besser näher als 2pm und/oder besser näher als lpm und/oder besser näher als 500nm und/oder besser näher als 200nm und/oder besser näher als lOOnm und/oder besser näher als 50nm und/oder besser näher als 20nm und/oder besser näher als lOnm und/oder besser näher als 5nm und/oder besser näher als 2nm, des magnetischen Feldes einer stromdurchflossenen, insbesondere geraden und/oder linienförmigen Leiters (LH) günstig ist, wurde im Rahmen der Ausarbeitung dieser Erfindung erkannt. Bevorzugt ist die Leitung (LH) aus einem bei der For example, the sensor element can be a diamond, on the surface (OF1) of which the said lines (LH) is applied and where below the line (LH) there is a group (NVC) of NV centers with such a high density of NV centers below the line (LH) are in the vicinity of the magnetic flux density B of the magnetic field generated by the current flow (IH, IV) in the two intersecting lines (LV, LH) that the area of this group of NV centers as HD-NV-Diamant is to be regarded in the sense of this document. That a group (NVC) of NV centers or paramagnetic centers (NV1) can be placed in the near range, i.e. particularly preferably closer than 50 nm, i.e. closer than 100 pm and / or better closer than 50 pm and / or better closer than 20 pm and / or better closer than 10pm and / or better closer than 5pm and / or better closer than 2pm and / or better closer than 1pm and / or better closer than 500nm and / or better closer than 200nm and / or better closer than 100nm and / or better closer than 50nm and / or better closer than 20nm and / or better closer than 10nm and / or better closer than 5nm and / or better closer than 2nm, the magnetic field of a current-carrying, in particular straight and / or linear conductor (LH) is favorable, was recognized in the preparation of this invention. The line (LH) is preferably made of one at the
Pumpstrahlungswellenlänge (lrGTΐr) der Pumpstrahlung (LB) optisch transparenten Material und/oder aus einem bei der Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (l^) der Fluoreszenzstrahlung (FL) optisch transparenten Material. Beispielsweise kann dieses Material der Leitung (LH) Indium-Zinn-Oxid, kurz ITO genannt, oder ein ähnliches, optisch transparentes und elektrisch nichtleitendes Material sein. Beispielsweise können, wenn doch Mikrowellen benutzt werden sollen, diese über diese Pump radiation wavelength (l rGTΐr ) of the pump radiation (LB) optically transparent material and / or of a material that is optically transparent at the fluorescence radiation wavelength (l ^) of the fluorescence radiation (FL). For example, this material of the line (LH) can be indium tin oxide, called ITO for short, or a similar, optically transparent and electrically non-conductive material. For example, if microwaves are to be used, they can use them
Konstruktion eingespeist und genutzt werden. Construction can be fed in and used.
F ig u r 75 Fig. 75
In dem Beispiel der Figur 75 wird eine horizontale Leitung (LH) mit einem horizontalen Strom (IH) bestromt und eine vertikale Leitung (LV) mit einem vertikalen Strom (IV) bestromt, wobei die Worte horizontal und vertikal hier in diesem Zusammenhang zur Unterscheidung der Ströme und Leitungen dienen. In der Figur 75 sind die vertikale Leitung (LV) und die horizontale Leitung (LH) gegeneinander beispielhaft und vorzugsweise gegenüber dem Substrat (D) aus diamagnetischem Material (MPZ) isoliert. Die Konstruktion der Figur 75 unterscheidet sich dadurch von der Konstruktion in Thiago P. Mayer Alegre, Antonio C. Torrezan de Souza, Gilberto Medeiros-Ribeiro,„Microstrip resonator for microwaves with controllable polarization", arXiv:0708.0777v2 [cond-mat.other] 11.10.2007. In the example in FIG. 75, a horizontal line (LH) is energized with a horizontal current (IH) and a vertical line (LV) is energized with a vertical current (IV), the words horizontal and vertical serve here in this context to differentiate the currents and lines. In FIG. 75, the vertical line (LV) and the horizontal line (LH) are insulated from one another by way of example and preferably from the substrate (D) made of diamagnetic material (MPZ). The construction of Figure 75 differs from the construction in Thiago P. Mayer Alegre, Antonio C. Torrezan de Souza, Gilberto Medeiros-Ribeiro, "Microstrip resonator for microwaves with controllable polarization", arXiv: 0708.0777v2 [cond-mat.other ] 10/11/2007.
Bevorzugt schneiden sich die horizontale Leitung (LH) und die vertikale Leitung in einem Punkt auf der Oberfläche (OFL1) des Sensorelements, wobei die horizontale Leitung (LH) und die vertikale Leitung (LV) bevorzugt gegeneinander elektrisch durch einen Isolator (IS) isoliert sind. Bevorzugt befindet sich das paramagnetische Zentrum (NV1) bzw. eine Gruppe (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) direkt unter dem Kreuzungspunkt der beiden Leitungen (LH, LV) in einem ersten Abstand (dal) unter der Oberfläche (OFL1) des Substrats (D) aus bevorzugt diamagnetischem Material (MPZ) - beispielsweise Diamant - in dem sich das paramagnetische Zentrum (NV1) bzw. die Gruppe (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) befindet. In einer Variante ist der erste Abstand (dal) bevorzugt sehr klein gewählt. Bevorzugt ist der erste Abstand (dal) kleiner als lpm, besser kleiner als 500nm, besser kleiner als 250nm, besser kleiner als lOOnm, besser kleiner als 50nm, besser kleiner als 25nm, ggf. kleiner als lOnm.Mit geringer werdenden Abständen (dal) zur Oberfläche (OF1L1) steigt der Einfluss der Oberflächenzustände. Es hat sich daher bewährt Abstände (dal) kleiner als 20nm möglichst nicht zu unterschreiten und ggf. insbesondere im Falle von Diamanten als Substrat (D) die Oberfläche (DFL1) mittels der Abscheidung einer epitaktischen Schicht nach der Fertigung der paramagnetischen Zentren (NV1) wieder anzuheben, sodass der Abstand (dal) einen solchen Substratmaterial spezifischen Mindestabstand (dal) wieder überschreitet. Die vertikale Leitung (LV) und die horizontale Leitung (LH) sind bevorzugt in der in der Figur 75 dargestellten Weise auf der Oberfläche (OFL1) des Substrats (D) gefertigt und gegen das Substrat (D) und bevorzugt The horizontal line (LH) and the vertical line preferably intersect at a point on the surface (OFL1) of the sensor element, the horizontal line (LH) and the vertical line (LV) preferably being electrically isolated from one another by an insulator (IS) . The paramagnetic center (NV1) or a group (NVC) of paramagnetic centers (NV1) is preferably located directly below the intersection of the two lines (LH, LV) at a first distance (d a l) below the surface (OFL1) of the substrate (D) made of preferably diamagnetic material (MPZ) - for example diamond - in which the paramagnetic center (NV1) or the group (NVC) of paramagnetic centers (NV1) is located. In one variant, the first distance (d a l) is preferably selected to be very small. The first distance (d a l) is preferably smaller than 1pm, better smaller than 500 nm, better smaller than 250 nm, better smaller than 100 nm, better smaller than 50 nm, better smaller than 25 nm, possibly smaller than 10 nm. With increasing distances ( d a l) to the surface (OF1L1) the influence of the surface conditions increases. It has therefore proven to be useful not to go below distances (d a l) smaller than 20 nm and, if possible, especially in the case of diamonds as substrate (D), the surface (DFL1) by means of the deposition of an epitaxial layer after the production of the paramagnetic centers (NV1) ) to be raised again so that the distance (d a l) exceeds such a substrate material-specific minimum distance (d a l) again. The vertical line (LV) and the horizontal line (LH) are preferably produced in the manner shown in FIG. 75 on the surface (OFL1) of the substrate (D) and against the substrate (D) and preferably
gegeneinander isoliert. Damit unterscheidet sich die Konstruktion der Figur 75 von der Konstruktion der Schrift Thiago P. Mayer Alegre, Antonio C. Torrezan de Souza, Gilberto Medeiros-Ribeiro, „Microstrip resonator for microwaves with controllable polarization", arXiv:0708.0777v2 [cond- mat.other] 11.10.2007 in der ein einzelner kreuzförmiger Leiter als Mikrowellenresonator benutzt wird. Durch diese Konstruktion kann die Drehrichtung des magnetischen Feldes und damit der elektrischen Flussdichte B exakt kontrolliert werden. Insbesondere sind Phasenmodulationen des vertikalen Ansteuerstromes (IV) in der vertikalen Leitung (LV) und des horizontalen Ansteuerstromes (IH) zur Manipulation des Spins des paramagnetischen Zentrums (NV1) bzw. der Spins von paramagnetischen Zentren (NV1) der Gruppe (NVC) der paramagnetischen Zentren (NV1) möglich. Bevorzugt sind die vertikale Leitung (LV) und die horizontale Leitung (LH) fest mit dem Substrat (D) verbunden und bilden typischerweise eine Einheit. Die vertikale Leitung (LH) und/oder die horizontale Leitung (LH) werden typischerweise bevorzugt durch Elektronenstrahllithografie oder ähnlich hochauflösende Lithografiemethoden auf dem Substrat (D) gefertigt, wenn unter unterschiedlichen Leitungen (LH, LV) liegende paramagnetische Zentren (NV1) und/oder dort liegende unterschiedliche Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) miteinander koppeln sollen. Ist eine solche Kopplung nicht beabsichtigt, so können weniger hochauflösende isolated from each other. The construction of Figure 75 thus differs from the construction of the font Thiago P. Mayer Alegre, Antonio C. Torrezan de Souza, Gilberto Medeiros-Ribeiro, "Microstrip resonator for microwaves with controllable polarization", arXiv: 0708.0777v2 [cond-mat. other] October 11, 2007 in which a single cross-shaped conductor is used as a microwave resonator. This construction allows the direction of rotation of the magnetic field and thus the electrical flux density B to be precisely controlled. In particular, there are phase modulations of the vertical control current (IV) in the vertical line (LV ) and the horizontal control current (IH) to manipulate the spin of the paramagnetic center (NV1) or the spins of paramagnetic centers (NV1) of the group (NVC) of paramagnetic centers (NV1) possible. The vertical line (LV) and the horizontal line (LH) are preferably firmly connected to the substrate (D) and typically form a unit. The vertical line (LH) and / or the horizontal line (LH) are typically preferably produced by electron beam lithography or similar high-resolution lithography methods on the substrate (D) if paramagnetic centers (NV1) and / or under different lines (LH, LV) Different groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) lying there are supposed to couple with one another. If such a coupling is not intended, less high-resolution images can be used
Lithografiemethoden Verwendung finden. Werden elektrostatische Potenziale zwischen dem Substrat (D) und diesen Leitungen (LH, LV) durch eine Ansteuervorrichtung (AH, AV) dieser Leitungen (LH, LV) angelegt, so lassen sich die optischen Eigenschaften und die Fluoreszenzstrahlung (LB) des paramagnetischen Zentrums (NV1) bzw. der paramagnetischen Zentren (NV1) der Gruppe (NVC) der paramagnetischen Zentren (NV1) manipulieren und beeinflussen. Auf diese Weise können beispielsweise bei der Verwendung von NV-Zentren in Diamant als paramagnetische Zentren (NV1) einzelne NV-Zentren durch lokale Verschiebung des Fermi-Niveaus gezwungen werden, den fluoreszierenden NV -Zustand zu verlassen und damit dunkel zu werden. Mit Hilfe dieser Find lithography methods use. If electrostatic potentials are applied between the substrate (D) and these lines (LH, LV) by a control device (AH, AV) of these lines (LH, LV), the optical properties and the fluorescence radiation (LB) of the paramagnetic center ( NV1) or the paramagnetic centers (NV1) of the group (NVC) of paramagnetic centers (NV1) manipulate and influence. In this way, for example when NV centers in diamond are used as paramagnetic centers (NV1), individual NV centers can be forced to leave the fluorescent NV state and thus become dark by locally shifting the Fermi level. With the help of this
Konstruktion ist es somit möglich beispielsweise in einem ein- oder zweidimensionalen Gitter von paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. in einem ein- oder zweidimensionalen Gitter von Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) die Fluoreszenzstrahlung (LB) einzelner paramagnetischer Zentren (NV1) bzw. die Fluoreszenzstrahlung (LB) einzelner Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) selektiv durch geeignete Einstellung eines leitungsspezifischen elektrischen Potenziale der betreffenden horizontalen Leitung (LH) und/oder der betreffenden vertikalen Leitung (LV), die sich oberhalb des einzelnen paramagnetischen Zentrums (NV1) bzw. der betreffenden einzelnen Gruppe (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) auf der Oberfläche des Substrats (D) kreuzen, an- und auszuschalten und so eine räumliche Auflösung durch selektive Aktivierung und Deaktivierung der Fluoreszenzstrahlung (FL) einzelner paramagnetischer Zentren (NV1) oder von Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) zu erreichen, die beispielsweise die ortsaufgelöste Messung von Strömen in integrierten Schaltkreisen erlaubt. Somit schlagen wir hier ein Sensorsystem vor, dessen Sensorelement ein Substrat (D) aufweist, dass ein oder mehrere erste Mittel (LH, LV), und ein oder mehrere zweite Mittel (AVH, AVV) aufweist, um z.B. mittels statischer Potenziale der ersten Mittel (LH, LV) gegenüber dem Potenzial des Sensorelements (D) das Fermi-Niveau am Ort einzelner paramagnetischer Zentren (NV1) und/oder mehrerer paramagnetischer Zentren (NV1) und am Ort einer oder mehrerer Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) so zu beeinflussen, dass diese einzelnen paramagnetischen Zentren (NV1) und/oder mehreren paramagnetischen Zentren (NV1) und eine oder mehreren Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) aktiviert wird bzw. Construction is thus possible, for example, in a one or two-dimensional grid of paramagnetic centers (NV1) or in a one or two-dimensional grid of groups (NVC) paramagnetic centers (NV1) the fluorescence radiation (LB) of individual paramagnetic centers (NV1) or . the fluorescence radiation (LB) of individual groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) selectively through suitable setting of a line-specific electrical potential of the relevant horizontal line (LH) and / or the relevant vertical line (LV), which is located above the individual paramagnetic center ( NV1) or the relevant individual group (NVC) of paramagnetic centers (NV1) on the surface of the substrate (D), toggle them on and off and thus achieve spatial resolution through selective activation and deactivation of the fluorescent radiation (FL) of individual paramagnetic centers (NV1 ) or from groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) that be For example, the spatially resolved measurement of currents in integrated circuits is possible. We therefore propose a sensor system whose sensor element has a substrate (D) that has one or more first means (LH, LV) and one or more second means (AVH, AVV), for example by means of static potentials of the first means (LH, LV) compared to the potential of the sensor element (D) the Fermi level at the location of individual paramagnetic centers (NV1) and / or several paramagnetic centers (NV1) and at the location to influence one or more groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) in such a way that these individual paramagnetic centers (NV1) and / or several paramagnetic centers (NV1) and one or more groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) are activated or
deaktiviert werden, wobei aktiviert bei NV-Zentren bedeutet, dass diese bevorzugt den N -Zustand annehmen und fluoreszieren, und wobei deaktiviert bedeutet, dass diese bevorzugt einen vom N - Zustand verschiedenen Zustand annehmen oder nicht fluoreszieren. Bei Anordnung der horizontalen und vertikalen Leitungen (LH, LV) in einem ein- oder zweidimensionalen Gitter mit einem darunter im Material des Substrats (D) befindlichen entsprechenden ein- oder zweidimensionalen Gitter aus paramagnetischen Zentren (NV1) oder aus Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NVl)wird somit eine hochaufgelöste bildgebende Messung beispielsweise der magnetischen Flussdichte B mit einer Auflösung unterhalb der Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (lh) von wenigen nm möglich, wenn zeitlich hintereinander einzelne paramagnetische Zentren (NV1) und/oder Gruppen (NVC) von paramagnetischen Zentren mittels Wahl der geeigneten Potenziale der horizontalen Leitungen (LH) und/oder vertikalen Leitungen (LV) relativ zum Potenzial des Substrats (D) sukzessive einzeln aktiviert und dann nach der Bestimmung der magnetischen Flussdichte B wieder deaktiviert werden, sodass die Fluoreszenzstrahlung (FL) stets nur vorzugsweise von wenigen, besser nur genau einem aktivierten paramagnetischen Zentrum (NV1) und/oder wenigen Gruppen besser nur genau einer Gruppe (NVC) aktivierter paramagnetischer Zentren (NVl)stammt, sodass jedem der Orte der paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der Ort der Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren nach Aktivierung, Messung uns der magnetischen Flussdichte B und Deaktivierung aller paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) für jeden dieser Orte ein Messwert aufgrund der eines erfassten Werts der erfassten Fluoreszenzstrahlung (FL) zum Zeitpunkt der Aktivierung des oder der paramagnetischen Zentren (NV1) und/oder der Gruppe oder Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren dieses Ortes vorliegt. Diese Messwerte können dann beispielsweise mittels eines Rechnersystems als Bild dargestellt werden. Bevorzugt werden die vertikale Leitung (LV) und/oder die horizontale Leitung (LH) zu diesem Zweck aus einem optisch transparenten Material, beispielsweise Indium-Zinn-Oxid (Englische Abkürzung: ITO) hergestellt. Aus der Schrift Marcel Manheller, Stefan Trellenkamp, Rainer Waser, Silvia Karthäuser,„Reliable fabrication of 3 nm gaps between nanoelectrodes by electron-beam lithography", Nanotechnology, Vol. 23, No. 12, Mar. 2012, DOI: 10.1088/0957-4484/23/12/125302 ist bekannt, dass die vertikalen Leitungen (LV) und die horizontalen Leitungen (LH) in sehr geringem Abstand (z.B. 5nm und kleiner, z.B. 5nm) zueinander hergestellt werden können. Aus der Schrift J. Meijer, B. Burchard, M. Domhan, C. Wittmann, T. Gaebel, I. Popa, F. Jelezko, J. Wrachtrup,„Generation of single color centers by focused nitrogen Implantation" Appl. Phys. Lett. 87, 261909 (2005); https://doi.Org/10.1063/l.2103389 ist eine hochgenaue Platzierung der Stickstoffatome zur Erzeugung der NV-Zentren bekannt. Maßnahmen zur Ausbeutesteigerung, z.B. eine Schwefelimplantation oder eine n-Dotierung des Substrats (D) werden in der hier vorgelegten Schrift genannt. Insofern ist eine präzise Platzierung der deactivated, whereby activated in NV centers means that they preferably adopt the N state and fluoresce, and deactivated means that they preferably assume a state different from the N state or do not fluoresce. When the horizontal and vertical lines (LH, LV) are arranged in a one or two-dimensional grid with a corresponding one or two-dimensional grid of paramagnetic centers (NV1) or groups (NVC) of paramagnetic centers located underneath in the material of the substrate (D) (NVl), a high-resolution imaging measurement, for example of the magnetic flux density B with a resolution below the fluorescence radiation wavelength (lh) of a few nm, is possible if individual paramagnetic centers (NV1) and / or groups (NVC) of paramagnetic centers are selected one after the other Suitable potentials of the horizontal lines (LH) and / or vertical lines (LV) relative to the potential of the substrate (D) are successively activated individually and then deactivated again after determining the magnetic flux density B, so that the fluorescence radiation (FL) is always preferably only from few, better just one activated paramagn etic center (NV1) and / or a few groups, better just one group (NVC) of activated paramagnetic centers (NVl), so that each of the locations of the paramagnetic centers (NV1) or the location of the groups (NVC) of paramagnetic centers after activation, Measurement of the magnetic flux density B and deactivation of all paramagnetic centers (NV1) or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) for each of these locations, a measured value based on a recorded value of the recorded fluorescence radiation (FL) at the time of activation of the paramagnetic center (s) Centers (NV1) and / or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers of this location is present. These measured values can then be displayed as an image, for example by means of a computer system. For this purpose, the vertical line (LV) and / or the horizontal line (LH) are preferably made of an optically transparent material, for example indium tin oxide (English abbreviation: ITO). From the publication Marcel Manheller, Stefan Trellenkamp, Rainer Waser, Silvia Karthäuser, "Reliable fabrication of 3 nm gaps between nanoelectrodes by electron-beam lithography", Nanotechnology, Vol. 23, No. 12, Mar. 2012, DOI: 10.1088 / 0957 -4484/23/12/125302 it is known that the vertical lines (LV) and the horizontal lines (LH) can be produced with a very small distance (eg 5 nm and smaller, eg 5 nm) from one another. From the publication J. Meijer, B. Burchard, M. Domhan, C. Wittmann, T. Gaebel, I. Popa, F. Jelezko, J. Wrachtrup, "Generation of single color centers by focused nitrogen Implantation" Appl. Phys. Lett. 87, 261909 (2005); https://doi.Org/10.1063/l. A highly precise placement of the nitrogen atoms to generate the NV centers is known in 2103389. Measures to increase the yield, eg a sulfur implantation or an n-doping of the substrate (D) are mentioned in the document presented here
paramagnetischen Zentren (NV1) unter den Kreuzungspunkten der Leitungen (LV, LH) mittels fokussierter Ionenimplantation ohne Probleme möglich. Die örtlich hochaufgelöste Fertigung der Leitungen (LH, LV) ist mittels Elektronenstrahllithografie möglich. Die Platzierung kann so dicht beieinander erfolgen, das zwei benachbarte paramagnetische Zentren (NV1, NV2), insbesondere innerhalb einer Gruppe (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) unter unterschiedlichen paramagnetic centers (NV1) under the crossing points of the lines (LV, LH) by means of focused ion implantation without problems. The locally high-resolution production of the lines (LH, LV) is possible using electron beam lithography. The placement can be so close to one another that two neighboring paramagnetic centers (NV1, NV2), in particular within a group (NVC) of paramagnetic centers (NV1) under different
Kreuzungspunkten von zwei vertikalen Leitung (LV) und einer horizontalen Leitung (LH1, LH2) oder von einer vertikalen Leitung (LV) und zwei horizontalen Leitungen miteinander wechselwirken können und ein Quantenregister auf Basis der Kopplung der Elektronenkonfigurationen bilden können, das über die Leitungen (LH, LV) mittels Mikrowellensignalen angesteuert werden kann. Crossing points of two vertical lines (LV) and one horizontal line (LH1, LH2) or of a vertical line (LV) and two horizontal lines can interact with one another and form a quantum register based on the coupling of the electron configurations, which can be accessed via the lines (LH , LV) can be controlled by means of microwave signals.
Durch gezielte deterministische und/oder fokussiert Ionenimplantation ggf. einzelner oder mehrerer Fremdatome in das Material (MPZ) des Substrats (D) des Sensorelements ist eine ausreichend koordinatentreue Fertigung einzelner oder mehrerer paramagnetischer Zentren (NV1) und/oder einer oder mehrerer Gruppen (NVC) von paramagnetischen Zentren (NV1) möglich. Auf die Schrift J. Meijer, B. Burchard, M. Domhan, C. Wittmann, T. Gaebel, I. Popa, F. Jelezko, J. Wrachtrup, „Generation of single color centers by focused nitrogen Implantation" Appl. Phys. Lett. 87, 261909 (2005); https://doi.Org/10.1063/l.2103389 wird hier verwiesen. Bei Verwendung eines Diamanten als Substrat (D) kann durch eine n-Dotierung, beispielsweise mit Schwefel, die Ausbeute an NV- Zentren gesteigert werden. Somit ist eine genaue Platzierung der paramagnetischen Zentren (NV1) und/oder Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) in einer vorhersagbaren Weise räumlich relativ zu den Leitungen (LH, LV) möglich und damit ausführbar. Targeted deterministic and / or focused ion implantation, if necessary, of individual or more foreign atoms in the material (MPZ) of the substrate (D) of the sensor element is sufficient to ensure that individual or more paramagnetic centers (NV1) and / or one or more groups (NVC) are manufactured with sufficient accuracy. of paramagnetic centers (NV1) possible. To the text J. Meijer, B. Burchard, M. Domhan, C. Wittmann, T. Gaebel, I. Popa, F. Jelezko, J. Wrachtrup, "Generation of single color centers by focused nitrogen implantation" Appl. Phys. Lett. 87, 261909 (2005); https://doi.Org/10.1063/l.2103389, if a diamond is used as substrate (D), the yield of NV can be reduced by n-doping, for example with sulfur - Centers are increased.Thus, an exact placement of the paramagnetic centers (NV1) and / or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) in a predictable way spatially relative to the lines (LH, LV) is possible and thus feasible.
Beispielsweise kann es sich bei dem Sensorelement um einen Diamanten handeln, auf dessen Oberfläche (OF1) die besagten Leitungen (LV, LH) aufgebracht sind und wobei unterhalb des Kreuzungspunkts der Leitungen (LH, LV) sich eine Gruppe (NVC) von NV-Zentren in einer so hohen Dichte unterhalb des Kreuzungspunkts der beiden Leitungen im Nachbereich der magnetischen Flussdichte B des von dem Stromfluss (IH, IV) in den beiden sich kreuzenden Leitungen (LV, LH) erzeugten magnetischen Feldes befinden, dass der Bereich dieser Gruppe von NV-Zentren als HD-NV- Diamant im Sinne dieser Schrift anzusehen ist. Dass eine Platzierung einer Gruppe (NVC) von NV- zentren bzw. paramagnetischen Zentren (NV1) im Nahbereich, also besonders bevorzugt näher als 50nm also näher als lOOpm und/oder besser näher als 50pm und/oder besser näher als 20pm und/oder besser näher als lOpm und/oder besser näher als 5pm und/oder besser näher als 2pm und/oder besser näher als lpm und/oder besser näher als 500nm und/oder besser näher als 200nm und/oder besser näher als lOOnm und/oder besser näher als 50nm und/oder besser näher als 20nm und/oder besser näher als lOnm und/oder besser näher als 5nm und/oder besser näher als 2nm, des magnetischen Feldes eines oder mehrerer stromdurchflossener, insbesondere geraden und/oder linienförmigen Leiters (LH, LV) günstig ist, wurde im Rahmen der Ausarbeitung dieser Erfindung erkannt. Bevorzugt sind die Leitungen (LH, LV) aus einem bei der Pumpstrahlungswellenlänge der Pumpstrahlung (LB) optisch transparenten Material und/oder aus einem bei der For example, the sensor element can be a diamond, on the surface (OF1) of which said lines (LV, LH) are applied and a group (NVC) of NV centers below the intersection of the lines (LH, LV) are in such a high density below the crossing point of the two lines in the downstream area of the magnetic flux density B of the magnetic field generated by the current flow (IH, IV) in the two crossing lines (LV, LH) that the area of this group of NV- Centers as HD-NV- Diamond is to be regarded in the sense of this document. That a group (NVC) of NV centers or paramagnetic centers (NV1) can be placed in the near range, i.e. particularly preferably closer than 50 nm, i.e. closer than 100 pm and / or better closer than 50 pm and / or better closer than 20 pm and / or better closer than 10pm and / or better closer than 5pm and / or better closer than 2pm and / or better closer than 1pm and / or better closer than 500nm and / or better closer than 200nm and / or better closer than 100nm and / or better closer than 50nm and / or better closer than 20nm and / or better closer than 10nm and / or better closer than 5nm and / or better closer than 2nm to the magnetic field of one or more current-carrying, in particular straight and / or linear conductors (LH, LV ) is favorable, was recognized in the preparation of this invention. The lines (LH, LV) are preferably made from a material which is optically transparent at the pump radiation wavelength of the pump radiation (LB) and / or from a material
Fluoreszenzstrahlungswellenlänge ^fl)der Fluoreszenzstrahlung (FL) optisch transparenten Material. Beispielsweise kann dieses Material der Leitungen (LV, LH) Indium-Zinn-Oxid, kurz ITO genannt, oder ein ähnliches, optisch transparentes und elektrisch nichtleitendes Material sein. Wenn der horizontale Strom (IH) moduliert ist und der vertikale Strom (IV) in gleicher Weise, aber zum horizontalen Strom (IH) phasenverschoben, bevorzugt +/- 90° phasenverschoben, moduliert ist, ergibt sich in dem Beispiel der Figur 75 am Ort des paramagnetischen Zentrums (NV1) bzw. am Ort der Gruppe (NVC) der paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. am Ort der Gruppen (NVC) Fluorescence radiation wavelength ^ fl ) of the fluorescence radiation (FL) optically transparent material. For example, this material of the lines (LV, LH) can be indium tin oxide, or ITO for short, or a similar, optically transparent and electrically non-conductive material. If the horizontal current (IH) is modulated and the vertical current (IV) is modulated in the same way, but phase-shifted with respect to the horizontal current (IH), preferably +/- 90 ° out of phase, this results in the example of FIG. 75 at the location of the paramagnetic center (NV1) or at the location of the group (NVC) of the paramagnetic centers (NV1) or at the location of the groups (NVC)
paramagnetischer Zentren (NV1) eine sich drehende magnetische Flussdichte B, die je nach der Frequenz der elektrischen Ströme (IH, IV) Resonanzen des paramagnetischen Zentrums (NV1) bzw. der Gruppe (NVC) der paramagnetischen Zentren (NV1) treffen kann und diese einer NMR-Analyse zugänglich macht. Beispielsweise können, wenn doch Mikrowellen benutzt werden sollen, diese über diese Konstruktion eingespeist und genutzt werden. paramagnetic centers (NV1) a rotating magnetic flux density B, which, depending on the frequency of the electrical currents (IH, IV), can hit resonances of the paramagnetic center (NV1) or the group (NVC) of paramagnetic centers (NV1) and this one Makes NMR analysis accessible. For example, if microwaves are to be used, they can be fed in and used via this construction.
Figu r 76 Fig. 76
Figur 76 entspricht weitestgehend der Figur 75 mit dem Unterschied, dass nun zusätzlich in der Nähe des oder der paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der Gruppe (NVC) oder der Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) sich ein oder mehrere Atomkerne oder ein oder mehrere Gruppen von Atomkernen befinden, die beispielhaft einen Kernspin aufweisen, der beispielsweise ein magnetische Moment aufweist und die mit dem oder den paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der oder den Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NVC) wechselwirken, während die übrigen Atome des Materials eines Substrats (D) des Sensorelements bevorzugt keinen Kernspin aufweisen. Beispielsweise kann es sich bei dem Sensorelement um einen Diamanten handeln, der bevorzugt aus dem Kohlenstoffisotop C12 besteht, dass kein magnetisches Moment aufweist und nicht wesentlich mit NV-Zentren als paramagnetischen Zentren (NV1) wechselwirkt. Somit ist es denkbar, das Sensorelement isotopenreinbeispielsweise durch Abscheidung einer isotopenreinen Epitaxie-Schicht zu gestalten, sodass in erster Näherung keine oder nur eine für den Anwendungszweck in erster Näherung unwesentliche Wechselwirkung zwischen den Majoritätsatomen eines Materials des Substrats (D) des Sensorelements und dem oder den paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der oder den Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) stattfindet. In dem Beispiel eines FIG. 76 largely corresponds to FIG. 75, with the difference that one or more atomic nuclei or one or more atomic nuclei are now also in the vicinity of the paramagnetic center or centers (NV1) or the group (NVC) or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) or several groups of atomic nuclei are located which, for example, have a nuclear spin which, for example, has a magnetic moment and which interact with the paramagnetic center or centers (NV1) or with the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NVC), while the remaining atoms of the material of a substrate (D) of the sensor element preferably do not have a nuclear spin. For example, the sensor element can be a diamond, which preferably consists of the carbon isotope C 12, has no magnetic moment and does not significantly interact with NV centers as paramagnetic centers (NV1). It is therefore conceivable to make the sensor element isotopically pure, for example by depositing an isotopically pure epitaxial layer, so that in a first approximation there is no or only an interaction between the majority atoms of a material of the substrate (D) of the sensor element and the or the paramagnetic centers (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) takes place. In the example one
Sensorelements in Form eines Diamanten aus C12 Kohlenstoffisotopen können nun einzelne und/oder mehrere Kernzentren (CI) und/oder eine oder mehrere Gruppen (CIC) von Kernzentren (CI) mit einem Kernspin dadurch erzeugt werden, dass einzelne der C12 Kohlenstoffisotope der Atome des Sensormaterials des beispielhaften Diamanten durch C13 Kohlenstoffisotope ersetzt sind. Diese C13 Kohlenstoffisotope können mittels fokussierter Ionenimplantation lokalisiert exakt platziert werden. Auf J. Meijer, B. Burchard, M. Domhan, C. Wittmann, T. Gaebel, I. Popa, F. Jelezko, J. Wrachtrup, „Generation of single color centers by focused nitrogen Implantation" Appl. Phys. Lett. 87, 261909 (2005); https://doi.Org/10.1063/l.2103389 wird hier verwiesen. Diese Technik kann in leicht abgewandelter Weise hier verwendet werden. Diese C13 Kohlenstoffisotope bilden dann aufgrund ihres Kernspins im Diamant Kernzentren (CI). Diese Kernzentren (CI) können auch einzelne oder mehrere Gruppen (CIC) solcher Kernzentren (CI) sein. Das Kernzentrum (CI) oder die Kernzentren (CI) oder die Gruppe (CIC) von Kernzentren (CI) oder die Gruppen (CIC) von Kernzentren (CI) befinden sich in einem zweiten Abstand (da2) unter der Oberfläche (OFL1) des Substrats (D) des Sensorelements und können, wie zuvor für das paramagnetische Zentrum (NV1) bzw. die paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. die Gruppe oder Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) in der Beschreibung der Figur 75 beschrieben, in analoger Weise mittels der horizontalen Leitung (LH) und der vertikalen Leitung (LV) angesteuert werden und mit den paramagnetischen Zentren (NV1) gekoppelt werden. Die Ansteuerung kann auch nur mittels einer dieser Leitungen (LH, LV) mit eingeschränkter Sensor element in the form of a diamond made of C 12 carbon isotopes can now be single and / or several nuclear centers (CI) and / or one or several groups (CIC) of nuclear centers (CI) with a nuclear spin produced by the fact that individual of the C 12 carbon isotopes of the atoms of the sensor material of the exemplary diamond are replaced by C 13 carbon isotopes. These C 13 carbon isotopes can be precisely localized by means of focused ion implantation. On J. Meijer, B. Burchard, M. Domhan, C. Wittmann, T. Gaebel, I. Popa, F. Jelezko, J. Wrachtrup, "Generation of single color centers by focused nitrogen Implantation" Appl. Phys. Lett. 87, 261909 (2005); https://doi.Org/10.1063/l.2103389 is referred to here. This technique can be used here in a slightly modified manner. These C 13 carbon isotopes then form core centers (CI) in the diamond due to their nuclear spin These core centers (CI) can also be single or multiple groups (CIC) of such core centers (CI). The core center (CI) or the core centers (CI) or the group (CIC) of core centers (CI) or the groups (CIC) of core centers (CI) are at a second distance (d a 2) below the surface (OFL1) of the substrate (D) of the sensor element and can, as before for the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) or The group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) are described in the description of FIG Way by means of the horizontal line (LH) and the vertical line (LV) can be controlled and coupled with the paramagnetic centers (NV1). The control can also only be done using one of these lines (LH, LV) with restricted
Ansteuerungsmöglichkeit erfolgen. Control option take place.
Hierbei werden andere Kopplungsfrequenzen für die Kopplung der paramagnetischen Zentren (NV1) mit den Kernzentren (CI) verwendet als für die Kopplung der paramagnetischen Zentren (NV1) untereinander. In dem Fall kann das Sensorausgangssignal (out) vom Zustand eines oder mehrerer Kernzentren (CI) und/oder einer oder mehrerer Gruppen (CIC) von Kernzentren (CI) abhängen. Dies hat den Vorteil, dass die Kernzentren (CI) jeweils eine größere Masse aufweisen und anders auf Änderungen des magnetischen Flusses B oder der anderen möglicherweise erfassbaren physikalischen Parameter an ihrem Ort reagieren als die paramagnetischen Zentren (NV1) diese Differenz kann beispielsweise dazu genutzt werden, um Beschleunigungssensoren, Schallsensoren, Gravimeter und ggf. In this case, different coupling frequencies are used for the coupling of the paramagnetic centers (NV1) with the core centers (CI) than for the coupling of the paramagnetic centers (NV1) with one another. In that case, the sensor output signal (out) can depend on the state of one or more core centers (CI) and / or one or more groups (CIC) of core centers (CI). This has the advantage that the core centers (CI) each have a greater mass and react differently to changes in the magnetic flux B or the other possibly detectable physical parameters at their location than the paramagnetic centers (NV1) this difference can be used, for example, to to include acceleration sensors, sound sensors, gravimeters and possibly
Seismometer zu bauen. So kann es sich beispielsweise bei den paramagnetischen Referenzzentren (NV2) in Figur 32 um paramagnetische Zentren (NV1) handeln, die nicht von Kernzentren (CI) beeinflusst werden, während es sich bei dem oder den paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der Gruppe (NVC) oder den Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) in Figur 32 um ein oder mehrere paramagnetische Zentren (NV1) oder eine Gruppe (NVC) oder Gruppen (NVC) Build seismometers. For example, the paramagnetic reference centers (NV2) in FIG. 32 can be paramagnetic centers (NV1) that are not influenced by core centers (CI), while the paramagnetic center or centers (NV1) or the group ( NVC) or the groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) in Figure 32 around one or more paramagnetic centers (NV1) or a group (NVC) or groups (NVC)
paramagnetischer Zentren (NV1) handeln kann, die von einem Kernzentrum (CI) oder einer Mehrzahl von Kernzentren (CI) oder einer Gruppe (CIC) von Kernzentren (CI) oder einer Mehrzahl von paramagnetic centers (NV1) can act from a core center (CI) or a plurality of core centers (CI) or a group (CIC) of core centers (CI) or a plurality of
Gruppen(CIC) von Kernzentren (CI) beeinflusst werden. Beispielsweise kann es sich bei dem Groups (CIC) are influenced by core centers (CI). For example, the
Sensorelement der Figur 32 um isotopenreinen Diamant aus C12-Kohlenstoffisotopen handeln in dem das paramagnetische Zentrum (NV1) bzw. die paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. die Gruppe oder Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) in Form von NV-Zentren gefertigt sind, wobei im Einwirkungsbereich, also im Abstand von wenigen nm, zu dem paramagnetischen Zentrum (NV1) bzw. den paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der Gruppe (NVC) oder der Gruppe (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1), also in unserem Beispiel NV-Zentren, ein Kernzentrum (CI) bzw. Kernzentren (CI) bzw. eine Gruppe (CIC) oder Gruppen (CIC) von Kernzentren (CI) in Form von C13- Kohlenstoffisotopen vorhanden oder platziert sind. Beispielsweise kann es sich bei dem The sensor element of FIG. 32 is an isotopically pure diamond made of C 12 carbon isotopes in which the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) are manufactured in the form of NV centers are in the area of action, i.e. at a distance of a few nm, to the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) or the group (NVC) or the group (NVC) of paramagnetic centers (NV1), i.e. in ours Example NV centers, a core center (CI) or core centers (CI) or a group (CIC) or groups (CIC) of core centers (CI) are present or placed in the form of C 13 carbon isotopes. For example, the
Referenzsensorelement der Figur 32 ebenso um isotopenreinen Diamant aus C12-Kohlenstoffisotopen handeln in dem das paramagnetische Referenzzentrum (NV2) und/oder die paramagnetischen Referenzzentren (NV2) bzw. die Gruppe oder Gruppen paramagnetischer Referenzzentren (NV2) ebenfalls in Form von NV-Zentren gefertigt sind, wobei nun aber im Einwirkungsbereich dieses paramagnetischen Referenzzentrums (NV2) und/oder dieser paramagnetischen Referenzzentren (NV2) bzw. der Gruppe oder Gruppen paramagnetischer Referenzzentren (NV2), also in unserem Beispiel NV-Zentren bzw. Gruppen von NV-Zentren, KEINE oder im Wesentlichen kein Kernzentrum (CI) bzw. keine Kernzentren (CI) bzw. Gruppen (CIC) von Kernzentren (CI) in Form weniger C13- Kohlenstoffisotope vorhanden oder platziert sind, so dass solche Kernzentren (CI) bzw. Gruppen (CIC) von Kernzentren (CI) die Fluoreszenzstrahlung (KFL) der paramagnetischen Referenzzentren (NV2) für den anwendungsgemäßen Zweck nicht oder nur in tolerabler Weise beeinflussen. Die Platzierung der die Kernzentren bildendenden Isotope kann mittels fokussierte Ionenimplantation diese Isotope, beispielsweise von der C13-Kohlenstoffatomen in Diamant, analog zur Methode der Platzierung einzelner Stickstoffatome bei der Bildung von NV-Zentren erfolgen. Auf die Schrift J. Meijer, B. The reference sensor element of FIG. 32 is also an isotopically pure diamond made of C 12 carbon isotopes in which the paramagnetic reference center (NV2) and / or the paramagnetic reference centers (NV2) or the group or groups of paramagnetic reference centers (NV2) are also manufactured in the form of NV centers are, but now in the area of action of this paramagnetic reference center (NV2) and / or these paramagnetic reference centers (NV2) or the group or groups of paramagnetic reference centers (NV2), i.e. in our example NV centers or groups of NV centers, NONE or essentially no core center (CI) or no core centers (CI) or groups (CIC) of core centers (CI) in the form of a few C 13 carbon isotopes are present or placed, so that such core centers (CI) or groups (CIC ) of core centers (CI) the fluorescence radiation (KFL) of the paramagnetic reference centers (NV2) for the intended purpose not or only in a tolerable manner. The isotopes forming the core centers can be placed by means of focused ion implantation of these isotopes, for example from the C 13 carbon atoms in diamond, analogously to the method of placing individual nitrogen atoms in the formation of NV centers. On the writing J. Meijer, B.
Burchard, M. Domhan, C. Wittmann, T. Gaebel, I. Popa, F. Jelezko, J. Wrachtrup,„Generation of single color centers by focused nitrogen Implantation" Appl. Phys. Lett. 87, 261909 (2005); Burchard, M. Domhan, C. Wittmann, T. Gaebel, I. Popa, F. Jelezko, J. Wrachtrup, "Generation of single color centers by focused nitrogen implantation" Appl. Phys. Lett. 87, 261909 (2005);
https://doi.Org/10.1063/l.2103389 wird in diesem Zusammenhang nochmals hingewiesen. Dies hat den Vorteil, dass nun Kernzustände, nämlich die des oder der Kernzentren (CI) bzw. der Gruppe oder Gruppen (NVC) aus NV-Zentren als paramagnetischen Zentren (NV1) - hier in dem Beispiel der C13- Kohlenstoffatome als Kernzentren (CI) im Sendepfad in der Nähe des oder der paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der Gruppe oder Gruppen (NVC) aus NV-Zentren als paramagnetischen Zentren (NV1) (siehe Figur 32) - mittels einer einfachen Schaltung messbar werden. Die Vorrichtung der Figur 32 zeichnet sich bei einer derartigen Ausführung dann dadurch aus, das das Sensorausgangssignal (out) von Zuständen des Kernspins von Atomen nämlich dem des Kernzentrums (CI) bzw. der Kernzentren (CI) bzw. der oder den Gruppen von Kernzentren (CIC) abhängt, die sich im https://doi.Org/10.1063/l.2103389 is pointed out again in this context. This has the advantage that core states, namely those of the core center (s) (CI) or the group or groups (NVC) of NV centers as paramagnetic centers (NV1) - here in the example of the C 13 - carbon atoms as core centers ( CI) in the transmission path in the vicinity of the paramagnetic center or centers (NV1) or the group or groups (NVC) of NV centers as paramagnetic centers (NV1) (see FIG. 32) - can be measured by means of a simple circuit. In such an embodiment, the device of FIG. 32 is characterized in that the sensor output signal (out) of states of the nuclear spin of atoms, namely that of the nuclear center (CI) or the nuclear centers (CI) or the group or groups of nuclear centers ( CIC), which is located in the
Einwirkungsbereich eines paramagnetischen Zentrums (NV1) bzw. der paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der Gruppe oder Gruppen (NVC) aus NV-Zentren als paramagnetischen Zentren (NV1) befinden. Area of influence of a paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) or the group or groups (NVC) of NV centers as paramagnetic centers (NV1).
Figur 77 Figure 77
Durch die Bestrahlung mit Pumpstrahlung (LB) entstehen in der Elektronenkonfiguration des paramagnetischen Zentrums (NV1) bzw. der paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der Gruppe oder Gruppen (NVC) aus NV-Zentren als paramagnetischen Zentren (NV1), beispielsweise von NV-Zentren in Diamant, Fotoelektronen, die abgesaugt werden können. Flierzu sei auf Petr Siyushev, Milos Nesladek, Emilie Bourgeois, Michal Gulka, Jaroslav Hruby, Takashi Yamamoto, Michael Trupke, Tokuyuki Teraji, Junichi Isoya, Fedor Jelezko,„Photoelectrical imaging and coherent spin-state readout of single nitrogen-vacancy centers in diamond" Science 15 Feb 2019, Vol. 363, Issue 6428, pp. 728-731, DOI: 10.1126/science. aav2789 verwiesen. Diese Fotoelektronen der paramagnetischen Zentren (NV1) werden bei fortdauernder Bestrahlung mit der Pumpstrahlung (LB) nachgeliefert und erzeugen so einen Fotostrom, der von der magnetischen Flussdichte B am Ort des paramagnetischen Zentrums (NV1) und ggf. weiteren physikalischen Paramatern abhängt. So ist aus G. Balasubramanian, I. Y. Chan, R. Kolesov, M. Al-Hmoud, J. Tisler, C. Shin, C. Kim, A. Wojcik, P.R. Hemmer, A. Krueger, T. Hanke, A.Leitenstorfer, R. Bratschitsch, F. Jeletzko, J. Wrachtrup, „nanoscale imaging magnetometry with diamond spins under ambient conditions", Natur 455, 648 (2008) die lokal hochaufgelöste Magnetfeldmessung mit NV-Zentren bekannt. Aus G. Kucsko, P.C. Maurer, N. Y. Yao, M. Kubo, H. J. Noh, P.K. Lo, H. Park, M.D. Lukin,„Nanometre-scale thermometry in a living cell", Nature 500, 54-58 (2013) ist die Thermometrie mit NV-Zentren bekannt. Aus F. Dole, H. Fedder, M. W. Doherty, T. Nöbauer, F. Rempp, G. Balasubramanian, T. Wolf, F. Reinhard, L.C.L. Irradiation with pump radiation (LB) results in the electron configuration of the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) or the group or groups (NVC) from NV centers as paramagnetic centers (NV1), for example from NV- Centers in diamond, photoelectrons that can be sucked out. Flierzu: Petr Siyushev, Milos Nesladek, Emilie Bourgeois, Michal Gulka, Jaroslav Hruby, Takashi Yamamoto, Michael Trupke, Tokuyuki Teraji, Junichi Isoya, Fedor Jelezko, “Photoelectrical imaging and coherent spin-state readout of single nitrogen-vacancy centers in diamond "Science 15 Feb 2019, Vol. 363, Issue 6428, pp. 728-731, DOI: 10.1126 / science. Aav2789. These photoelectrons of the paramagnetic centers (NV1) are replenished with continued exposure to the pump radiation (LB) and thus generate a photocurrent that depends on the magnetic flux density B at the location of the paramagnetic center (NV1) and possibly other physical parameters. Thus, from G. Balasubramanian, IY Chan, R. Kolesov, M. Al-Hmoud, J. Tisler, C. Shin, C. Kim, A. Wojcik, PR Hemmer, A. Krueger, T. Hanke, A. Leitenstorfer , R. Bratschitsch, F. Jeletzko, J. Wrachtrup, "nanoscale imaging magnetometry with diamond spins under ambient conditions", Natur 455, 648 (2008) the locally high-resolution magnetic field measurement with NV centers known. From G. Kucsko, PC Maurer, NY Yao, M. Kubo, HJ Noh, PK Lo, H. Park, MD Lukin, "Nanometre-scale thermometry in a living cell", Nature 500, 54-58 (2013), thermometry with NV centers is known. From F. Dole, H. Fedder, MW Doherty, T. Nöbauer, F. Rempp, G. Balasubramanian, T. Wolf, F. Reinhard, LCL
Hollenberg, F. Jeletzko, J. Wrachtup,„Electric-field sensing using single diamond spins", Nat. Phs. 7, 459-463 (2011 ist die Messung elektrischer Felder mit NV-Zentren bekannt. Aus A. Albrecht, A. Hollenberg, F. Jeletzko, J. Wrachtup, "Electric-field sensing using single diamond spins", Nat. Phs. 7, 459-463 (in 2011 the measurement of electric fields with NV centers is known. From A. Albrecht, A.
Retzker, M. Plenio,„Nanodiamond interferometry meets quantum gravity" arXiv:1403.6038vl Retzker, M. Plenio, "Nanodiamond interferometry meets quantum gravity" arXiv: 1403.6038vl
[quant-ph] 24 Mar 2014 ist die Messung von Gravitationsfeldern mit NV-Zentren bekannt. Daraus ergibt sich unmittelbar, dass somit die Messung von Rotationsbewegungen und von [quant-ph] 24 Mar 2014 the measurement of gravitational fields with NV centers is known. It follows directly from this that the measurement of rotational movements and of
Beschleunigungen mit NV-Zentren sowie von der Möglichkeit der Konstruktion von Accelerations with NV centers as well as the possibility of construction of
Navigationssystemen mit NV-Zentren und paramagnetischen Zentren (NV1) besteht. Voraussetzung für solche Systeme ist die Verfügbarkeit von Diamanten mit einer hohen Dichte an paramagnetischen Zentren (NV1), also bevorzugt die Verfügbarkeit von HD-NV-Diamanten. Somit ist die Messung der magnetischen Flussdichte B, der elektrischen Feldstärke E, der Beschleunigung g, der Navigation systems with NV centers and paramagnetic centers (NV1) exist. The prerequisite for such systems is the availability of diamonds with a high density of paramagnetic centers (NV1), i.e. preferably the availability of HD-NV diamonds. Thus the measurement of the magnetic flux density B, the electric field strength E, the acceleration g, the
Rotationsgeschwindigkeit cor und der Temperatur q aus dem Stand der Technik bekannt und kann mit den hier vorgestellten Systemen durchgeführt werden. The speed of rotation co r and the temperature q are known from the prior art and can be carried out with the systems presented here.
Zu diesem Zweck kann beispielsweise die Vorrichtung der Figur 75 mit Kontakten (KH, KV) versehen werden, die eine oder mehrere Leitungen (LH, LV) ohmsch mit dem Material des Sensorelements, beispielsweise in dem Substrat (D) also beispielsweise Diamant, verbinden und so eine Absaugung ermöglichen. Somit wird eine Verwendung dieses Fotostromes anstelle der Fluoreszenzstrahlung (FL) möglich. Dabei hängt der Wert dieses Fotostromes von der Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB) und der magnetischen Flussdichte B und ggf. weiteren physikalischen Parametern ab. For this purpose, for example, the device in FIG. 75 can be provided with contacts (KH, KV) which connect one or more lines (LH, LV) ohmically to the material of the sensor element, for example in the substrate (D), for example diamond enable such an extraction. This makes it possible to use this photocurrent instead of fluorescent radiation (FL). The value of this photocurrent depends on the intensity (I pmp ) of the pump radiation (LB) and the magnetic flux density B and possibly other physical parameters.
F ig u r 78 u n d 79 Fig. 78 and 79
Figur 78 und 79 dienen der Veranschaulichung einer optimalen Bestromung. Zunächst wird hier auf Figur 78 eingegangen. Am Beispiel eines Quantenbits (QUB) mit einer ersten vertikalen FIGS. 78 and 79 serve to illustrate an optimal energization. First, FIG. 78 will be discussed here. Using the example of a quantum bit (QUB) with a first vertical one
Abschirmleitung (SV1) und einer zweiten vertikalen Abschirmleitung (SV2) wird das Prinzip dargestellt. Die Zeichnung entspricht im Wesentlichen der Figur 76. Zusätzlich sind eine erste vertikale Abschirmleitung (SV1) und eine zweite vertikale Abschirmleitung (SV2) und eine erste horizontale Abschirmleitung (SH1) eingezeichnet. Eine zweite horizontale Abschrimleitung (SH2) kann vor dem Quantenpunkt liegend im durch den Schnitt des Schnittbildes nicht dargestellten Bereich vor der Schnittebene liegend angenommen werden. Auf die nachfolgende Figur 79 mit einer um 90° gedrehten Lage der Schnittebene wird hier hingewiesen. Parallel zu einem ersten Lot (LOT) durch den Quantenpunkt mit dem paramagnetischen Zentrum (NV1) oder der Gruppe oder den Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) können eine erste weitere Lot-Line (VLOT1) und eine zweite weitere Lot-Linie (VLOT2) durch die jeweiligen Kreuzungspunkte der entsprechenden vertikalen Abschirmleitungen (SV1, SV2) mit der horizontalen Leitung (LH) gezeichnet werden. In dem Abstand (dal) des Quantenpunkts mit dem paramagnetischen Zentrum (NV1) oder der Gruppe oder den Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) von der Oberfläche (OFL1) können dann ein erster virtueller vertikaler Quantenpunkt (VVNV1) und ein zweiter virtueller Quantenpunkt (VVNV2) definiert werden. Der erste vertikale elektrische Abschirmstrom (ISV1) durch die erste vertikale Abschirmleitung (SV1) und der zweite vertikale elektrische Abschirmstrom (ISV2) durch die zweite vertikale Abschirmleitung (SV2) und der erste horizontale elektrische Abschirmstrom (ISH1) durch die erste horizontale Abschirmleitung (SH1) und der nicht eingezeichnete zweite horizontale elektrische Abschirmstrom (ISH2) durch die nicht eingezeichnete zweite horizontale Abschirmleitung (SH2) sowie der horizontale Strom (IH) durch die horizontale Leitung (IH) und der vertikale Strom (IV) durch die vertikale Leitung ergeben zusammen sechs Parameter, die frei gewählt werden können. Nun kann die Flussdichte (BNV) eines zirkular polarisierten elektromagnetischen Wellenfelds zur Manipulation des Quantenpunkts mit dem paramagnetischen Zentrum (NV1) oder der Gruppe oder den Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) am Ort des Quantenpunkts mit dem paramagnetischen Zentrum (NV1) oder der Gruppe oder den Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) vorgegeben werden und verlangt werden, dass die erste virtuelle horizontale magnetische Flussdichte ( BVHNVI) am Ort des ersten virtuellen horizontalen Quantenpunkts (VHNV1) und die zweite virtuelle horizontale magnetische Flussdichte (BVH V2) am Ort des zweiten virtuellen horizontalen Quantenpunkts (VHNV2) und die erste virtuelle vertikale magnetische Flussdichte (BWNV) am Ort des ersten virtuellen vertikalen Quantenpunkts (VVNV1) und die zweite virtuelle vertikale magnetische Flussdichte (BWNV2) am Ort des zweiten virtuellen vertikalen Quantenpunkts (VVNV2) verschwinden. Der erste virtuelle horizontale Quantenpunkt (VHNV1) und der zweite virtuelle horizontale Quantenpunkt (VHNV2) sind in der Figur nicht eingezeichnet, da die Figur einen Querschnitt darstellt und für die Sichtbarkeit die Schnittfläche um 90° um die LOT-Achse gedreht werden muss. Figur 79 stellt diesen Schnitt dar. Figur 79 dient der Veranschaulichung einer optimalen Bestromung am Beispiels eines Quantenbits (QUB) mit einer ersten horizontalen Shielding line (SV1) and a second vertical shielding line (SV2), the principle is shown. The drawing corresponds essentially to FIG. 76. In addition, there are a first vertical shielding line (SV1) and a second vertical shielding line (SV2) and a first horizontal shielding cable (SH1) is shown. A second horizontal shielding line (SH2) can be assumed to be located in front of the quantum dot in the area not shown by the section of the sectional image in front of the sectional plane. Reference is made here to the following FIG. 79 with a position of the cutting plane rotated by 90 °. Parallel to a first perpendicular (LOT) through the quantum dot with the paramagnetic center (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1), a first further perpendicular line (VLOT1) and a second further perpendicular line ( VLOT2) through the respective intersection points of the corresponding vertical shielding lines (SV1, SV2) with the horizontal line (LH). At the distance (d a l) of the quantum dot with the paramagnetic center (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) from the surface (OFL1) a first virtual vertical quantum dot (VVNV1) and a second virtual quantum dot (VVNV2). The first vertical electrical shielding current (ISV1) through the first vertical shielding line (SV1) and the second vertical electrical shielding current (ISV2) through the second vertical shielding line (SV2) and the first horizontal electrical shielding current (ISH1) through the first horizontal shielding line (SH1) and the second horizontal electrical shielding current (ISH2), not shown, through the second horizontal shielding line (SH2), not shown, and the horizontal current (IH) through the horizontal line (IH) and the vertical current (IV) through the vertical line together result in six parameters that can be freely chosen. Now the flux density (B NV ) of a circularly polarized electromagnetic wave field can be used to manipulate the quantum dot with the paramagnetic center (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) at the location of the quantum dot with the paramagnetic center (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) are specified and it is required that the first virtual horizontal magnetic flux density (B V HNVI) at the location of the first virtual horizontal quantum dot (VHNV1) and the second virtual horizontal magnetic flux density (B VH V 2) at the location of the second virtual horizontal quantum dot (VHNV2) and the first virtual vertical magnetic flux density (B W NV) at the location of the first virtual vertical quantum dot (VVNV1) and the second virtual vertical magnetic flux density (B WNV2 ) at the location of second virtual vertical quantum dot (VVNV2) disappear. The first virtual horizontal quantum dot (VHNV1) and the second virtual horizontal quantum dot (VHNV2) are not shown in the figure, since the figure shows a cross section and the cut surface has to be rotated by 90 ° around the LOT axis for visibility. FIG. 79 shows this section. FIG. 79 serves to illustrate one optimal current supply using the example of a quantum bit (QUB) with a first horizontal
Abschirmleitung (SH1) und einer zweiten horizontalen Abschirmleitung (SH2). Durch diese ausgewogene Bestromung kann das unbeabsichtigte Ansprechen von Quantenpunkten minimiert werden. Der Kreuzungswinkel (ak) ist bevorzugt ein rechter Winkel von 90°. Shielding line (SH1) and a second horizontal shielding line (SH2). This balanced energization can minimize the unintentional response of quantum dots. The crossing angle (a k ) is preferably a right angle of 90 °.
F ig u r 80 Fig u r 80
Figur 80 zeigt das Blockdiagramm eines beispielhaften Quantensensorsystems mit einem beispielhaften schematisch angedeuteten Drei-Bit-Quantenregister mit einem ersten Quantenbit (QUB11) und einem zweiten Quantenbit (QUB12) und einem dritten Quantenbit (QUB13), die hier beispielhafte jeweils einem Quantenbit (QUB) der Figur 78 und der Figur 79 entsprechen sollen. FIG. 80 shows the block diagram of an exemplary quantum sensor system with an exemplary schematically indicated three-bit quantum register with a first quantum bit (QUB11) and a second quantum bit (QUB12) and a third quantum bit (QUB13), each of which has one quantum bit (QUB) in this example Figure 78 and Figure 79 should correspond.
Der Kern der beispielhaften Ansteuervorrichtung der Figur 80 ist eine Steuervorrichtung (pC) die bevorzugt ein Steuerrechner (pC) oder ein Signalprozessor oder ein endlicher Automat (Englisch Finite State Machine) oder dergleichen ist. Bevorzugt weist die Gesamtvorrichtung eine The core of the exemplary control device in FIG. 80 is a control device (pC) which is preferably a control computer (pC) or a signal processor or a finite state machine or the like. The overall device preferably has a
Magnetfeldkontrolle (MFC) auf, die ihre Betriebsparameter bevorzugt von der besagten Magnetic Field Control (MFC) on which their operating parameters are preferred from the said
Steuervorrichtung (pC) erhält und bevorzugt Betriebsstatusdaten an diese Steuervorrichtung (pC) zurückgibt. Die Magnetfeldkontrolle (MFC) ist bevorzugt ein Regler, dessen Aufgabe es ist, ein externes magnetisches Feld durch aktive Gegenregelung beispielsweise mittels einer gemeinsamen Kompensationsspule (LC) für die gesamte Vorrichtung zu kompensieren. Bevorzugt nutzt die Magnetfeldkontrolle (MFC) hierfür einen Magnetfeldsensor (M FS), der bevorzugt den magnetischen Fluss B in der Vorrichtung bevorzugt in der Nähe der Quantenpunkte der paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) erfasst. Bevorzugt handelt es sich bei dem Magnetfeldsensor (MFS) selbst auch um einen Quantensensor. Hier sei auf die Control device (pC) receives and preferably returns operating status data to this control device (pC). The magnetic field control (MFC) is preferably a regulator, the task of which is to compensate for an external magnetic field for the entire device by means of active counter-regulation, for example by means of a common compensation coil (LC). The magnetic field control (MFC) preferably uses a magnetic field sensor (M FS) for this, which preferably detects the magnetic flux B in the device, preferably in the vicinity of the quantum dots of the paramagnetic centers (NV1) or the groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1). The magnetic field sensor (MFS) itself is preferably also a quantum sensor. Here be on the
Anmeldungen DE 10 2018 127 394.0, DE 10 2019 130 1 14.9, DE 10 2019 120 076.8 und DE 10 2019 121 137.9 verwiesen. Mit Hilfe einer Magnetfeldkontrollvorrichtung (M FK) regelt die Registrations DE 10 2018 127 394.0, DE 10 2019 130 1 14.9, DE 10 2019 120 076.8 and DE 10 2019 121 137.9 referenced. With the help of a magnetic field control device (M FK) regulates the
Magnetfeldkontrolle (MFC) die magnetische Flussdichte B nach. Bevorzugt wird ein Quantensensor verwendet, da dieser die höhere Genauigkeit aufweist, um die magnetische Flussdichte B des Magnetfeldes ausreichend zu stabilisieren. Magnetic field control (MFC) the magnetic flux density B. A quantum sensor is preferably used because it has the higher accuracy in order to sufficiently stabilize the magnetic flux density B of the magnetic field.
Die Steuervorrichtung steuert bevorzugt über eine Kontrolleinheit A (CBA) die horizontalen The control device preferably controls the horizontal ones via a control unit A (CBA)
Treiberstufen (HD1, HD2, HD3) und vertikalen Treiberstufen (VD1) an, die bevorzugt die horizontalen Leitungen (LH1, LH2, LH3) und vertikalen Leitungen (LV1) mit den jeweiligen horizontalen Strömen und vertikalen Strömen bestromen und die richtigen Frequenzen und zeitlichen Burst-Dauern erzeugen für die Spin-Ansteuerung der Spins der paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der Gruppen paramagnetischer Zentren (NVC) erzeugen. Sofern in der Nähe der paramagnetischen Zentren (NV1) Kernzentren (CI) im Substrat (D) sich befinden, können auf diese Weise auch die Kernzentren (CI), sowie die Paarungen aus paramagnetischem Zentrum (NV1) und Kernzentrum (CI) angesprochen werden. Die Steuervorrichtung steuert dann ebenso bevorzugt über eine Kontrolleinheit A (CBA) die horizontalen Treiberstufen (HD1, HD2, HD3) und vertikalen Treiberstufen (VD1) an, die bevorzugt die horizontalen Leitungen (LH1, LH2, LH3) und vertikalen Leitungen (LV1) mit den jeweiligen horizontalen Strömen und vertikalen Strömen bestromen und die richtigen Frequenzen und zeitlichen Burst-Dauern für die Spin-Ansteuerung der Spins der paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der Gruppen paramagnetischer Zentren (NVC) bei Kopplung mit den Kern-Pins eines Driver stages (HD1, HD2, HD3) and vertical driver stages (VD1) that preferably supply the horizontal lines (LH1, LH2, LH3) and vertical lines (LV1) with the respective horizontal and vertical currents and the correct frequencies and temporal burst -Duration generate for the spin control of the spins of the paramagnetic centers (NV1) or the groups of paramagnetic centers (NVC). If there are core centers (CI) in the substrate (D) near the paramagnetic centers (NV1), the core centers (CI) as well as the pairings of paramagnetic center (NV1) and core center (CI) can be addressed in this way. The control device then also preferably controls the horizontal driver stages (HD1, HD2, HD3) and vertical driver stages (VD1) via a control unit A (CBA), which preferably also include the horizontal lines (LH1, LH2, LH3) and vertical lines (LV1) energize the respective horizontal currents and vertical currents and the correct frequencies and temporal burst durations for the spin control of the spins of the paramagnetic centers (NV1) or the groups of paramagnetic centers (NVC) when coupled with the core pins of a
Kernzentrums (CI) oder mehrerer Kernzentren (CI) oder einer Gruppe oder Gruppen (CIC) von Kernzentren (CI) erzeugen. In der Konsequenz können auf diese Weise die jeweiligen Core center (CI) or several core centers (CI) or a group or groups (CIC) of core centers (CI). As a consequence, the respective
paramagnetischen Zentren (NV1) mit den jeweiligen Kernzentren (CI) verschränkt werden. Sind die paramagnetischen Zentren (NV1) zweier benachbarter Quantenbits (QUB11, QUB12, QUB13) dicht genug beieinander platziert, so können auch diese miteinander verschränkt werden. Die paramagnetic centers (NV1) are entangled with the respective core centers (CI). If the paramagnetic centers (NV1) of two neighboring quantum bits (QUB11, QUB12, QUB13) are placed close enough to one another, they can also be entangled with one another. The
Steuervorrichtung steuert in diesem Fall ebenso bevorzugt über die Kontrolleinheit A (CBA) die horizontalen Treiberstufen (HD1, HD2, HD3) und vertikalen Treiberstufen (VD1) an, die bevorzugt die horizontalen Leitungen (LH1, LH2, LH3) und vertikalen Leitungen (LV1) mit den jeweiligen horizontalen Strömen und vertikalen Strömen bestromen und die richtigen Frequenzen und zeitlichen Burst-Dauern für die Spin-Ansteuerung der Spins der zu koppelnden paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der Gruppen paramagnetischer Zentren (NVC) erzeugen. In this case, the control device also preferably controls the horizontal driver stages (HD1, HD2, HD3) and vertical driver stages (VD1) via the control unit A (CBA), which preferably control the horizontal lines (LH1, LH2, LH3) and vertical lines (LV1). energize with the respective horizontal currents and vertical currents and generate the correct frequencies and temporal burst durations for the spin control of the spins of the paramagnetic centers to be coupled (NV1) or the groups of paramagnetic centers (NVC).
Die Kontrolleinheit A (CBA) stellt entsprechend den Vorgaben der Steuervorrichtung (pC) die Frequenz und die Pulsdauer des ersten horizontalen Abschirmstromes (ISH1) für die erste horizontale Abschirmleitung (SH1) in der ersten horizontalen Treiberstufe (HD1) ein. The control unit A (CBA) sets the frequency and the pulse duration of the first horizontal shielding current (ISH1) for the first horizontal shielding line (SH1) in the first horizontal driver stage (HD1) according to the specifications of the control device (pC).
Die Kontrolleinheit A (CBA) stellt entsprechend den Vorgaben der Steuervorrichtung (pC) die Frequenz und die Pulsdauer des ersten horizontalen Stromes (IH1) für die erste horizontale Leitung (LH1) in der ersten horizontalen Treiberstufe (HD1) ein. The control unit A (CBA) sets the frequency and the pulse duration of the first horizontal current (IH1) for the first horizontal line (LH1) in the first horizontal driver stage (HD1) according to the specifications of the control device (pC).
Die Kontrolleinheit A (CBA) stellt entsprechend den Vorgaben der Steuervorrichtung (pC) die Frequenz und die Pulsdauer des zweiten horizontalen Abschirmstromes (ISH2) für die zweite horizontale Abschirmleitung (SH2) in der ersten horizontalen Treiberstufe (HD1) und der in der zweiten horizontalen Treiberstufe (HD2) ein. Die Kontrolleinheit A (CBA) stellt entsprechend den Vorgaben der Steuervorrichtung (pC) die Frequenz und die Pulsdauer des zweiten horizontalen Stromes (IH2) für die zweite horizontale Leitung (LH2) in der zweiten horizontalen Treiberstufe (HD2) ein. The control unit A (CBA) sets the frequency and the pulse duration of the second horizontal shielding current (ISH2) for the second horizontal shielding line (SH2) in the first horizontal driver stage (HD1) and that in the second horizontal driver stage in accordance with the specifications of the control device (pC) (HD2) a. The control unit A (CBA) sets the frequency and the pulse duration of the second horizontal current (IH2) for the second horizontal line (LH2) in the second horizontal driver stage (HD2) according to the specifications of the control device (pC).
Die Kontrolleinheit A (CBA) stellt entsprechend den Vorgaben der Steuervorrichtung (pC) die Frequenz und die Pulsdauer des dritten horizontalen Abschirmstromes (ISH3) für die dritte horizontale Abschirmleitung (SH3) in der zweiten horizontalen Treiberstufe (HD2) und der in der dritten horizontalen Treiberstufe (HD3) ein. The control unit A (CBA) sets the frequency and the pulse duration of the third horizontal shielding current (ISH3) for the third horizontal shielding line (SH3) in the second horizontal driver stage (HD2) and that in the third horizontal driver stage in accordance with the specifications of the control device (pC) (HD3) a.
Die Kontrolleinheit A (CBA) stellt entsprechend den Vorgaben der Steuervorrichtung (pC) die Frequenz und die Pulsdauer des dritten horizontalen Stromes (IH3) für die dritte horizontale Leitung (LH3) in der dritten horizontalen Treiberstufe (HD3) ein. The control unit A (CBA) sets the frequency and the pulse duration of the third horizontal current (IH3) for the third horizontal line (LH3) in the third horizontal driver stage (HD3) according to the specifications of the control device (pC).
Die Kontrolleinheit A (CBA) stellt entsprechend den Vorgaben der Steuervorrichtung (pC) die Frequenz und die Pulsdauer des vierten horizontalen Abschirmstromes (ISH4) für die vierte horizontale Abschirmleitung (SH4) in der dritten horizontalen Treiberstufe (HD2) und in der vierten horizontalen Treiberstufe (HD4), die aus Platzmangel nur angedeutet ist, ein. The control unit A (CBA) sets the frequency and the pulse duration of the fourth horizontal shielding current (ISH4) for the fourth horizontal shielding line (SH4) in the third horizontal driver stage (HD2) and in the fourth horizontal driver stage (HD2) according to the specifications of the control device (pC). HD4), which is only indicated due to lack of space.
Die Kontrolleinheit A (CBA) stellt entsprechend den Vorgaben der Steuervorrichtung (pC) die Frequenz und die Pulsdauer des ersten vertikalen Abschirmstromes (ISV1) für die erste vertikale Abschirmleitung (SV1) in der ersten vertikalen Treiberstufe (HV1) ein. The control unit A (CBA) sets the frequency and the pulse duration of the first vertical shielding current (ISV1) for the first vertical shielding line (SV1) in the first vertical driver stage (HV1) according to the specifications of the control device (pC).
Die Kontrolleinheit A (CBA) stellt entsprechend den Vorgaben der Steuervorrichtung (pC) die Frequenz und die Pulsdauer des ersten vertikalen Stromes (IV1) für die erste vertikale Leitung (LV1) in der ersten vertikalen Treiberstufe (VD1) ein. The control unit A (CBA) sets the frequency and the pulse duration of the first vertical current (IV1) for the first vertical line (LV1) in the first vertical driver stage (VD1) according to the specifications of the control device (pC).
Synchronisiert durch die Kontrolleinheit A (CBA) speisen diese Treiberstufen (VD1, HD1, HD2, HD3, HD4) ihren Strom in einem festen Phasenverhältnis bezogen auf einen gemeinsamen Synchronized by the control unit A (CBA), these driver stages (VD1, HD1, HD2, HD3, HD4) feed their current in a fixed phase relationship with respect to a common one
Synchronisationszeitpunkt in die Leitungen (SV1, LV1, SV2, SH1, LH1, SH2, LH2, SH3, LH3, SH4) ein. Synchronization time in the lines (SV1, LV1, SV2, SH1, LH1, SH2, LH2, SH3, LH3, SH4).
Zuvor konfiguriert eine Kontrolleinheit B (CBB) eine erste horizontale Empfängerstufe (HS1) in der Art, dass sie die von der ersten horizontalen Treiberstufe (HD1) eingespeisten Ströme auf der anderen Seite der Leitungen wieder entnimmt. Statt einer konfigurierbaren ersten horizontalen Empfängerstufe (HS1) kann die erste horizontale Leitung (LH1) auch mit einem geeigneten Before this, a control unit B (CBB) configures a first horizontal receiver stage (HS1) in such a way that it takes the currents fed in from the first horizontal driver stage (HD1) on the other side of the lines. Instead of a configurable first horizontal receiver stage (HS1), the first horizontal line (LH1) can also be connected to a suitable
Abschlusswiderstand beispielsweise gegen Masse versehen werden. Zuvor konfiguriert die Kontrolleinheit B (CBB) eine zweite horizontale Empfängerstufe (HS2) in der Art, dass sie die von der zweiten horizontalen Treiberstufe (HD2) eingespeisten Ströme auf der anderen Seite der Leitungen wieder entnimmt. Statt einer konfigurierbaren zweiten horizontalen Empfängerstufe (HS2) kann die erste horizontale Leitung (LH2) auch mit einem geeigneten Terminating resistor can be provided to ground, for example. Before this, the control unit B (CBB) configures a second horizontal receiver stage (HS2) in such a way that it takes the currents fed in from the second horizontal driver stage (HD2) on the other side of the lines. Instead of a configurable second horizontal receiver stage (HS2), the first horizontal line (LH2) can also be connected to a suitable
Abschlusswiderstand beispielsweise gegen Masse versehen werden. Terminating resistor can be provided to ground, for example.
Zuvor konfiguriert die Kontrolleinheit B (CBB) eine dritte horizontale Empfängerstufe (HS3) in der Art, dass sie die von der dritten horizontalen Treiberstufe (HD3) eingespeisten Ströme auf der anderen Seite der Leitungen wieder entnimmt. Statt einer konfigurierbaren dritten horizontalen Before this, the control unit B (CBB) configures a third horizontal receiver stage (HS3) in such a way that it takes the currents fed in from the third horizontal driver stage (HD3) on the other side of the lines. Instead of a configurable third horizontal
Empfängerstufe (HS1) kann die dritte horizontale Leitung (LH3) auch mit einem geeigneten Receiver stage (HS1) can also use a suitable third horizontal line (LH3)
Abschlusswiderstand beispielsweise gegen Masse versehen werden. Terminating resistor can be provided to ground, for example.
Zuvor konfiguriert die Kontrolleinheit B (CBB) eine erste vertikale Empfängerstufe (VS1) in der Art, dass sie die von der ersten vertikalen Treiberstufe (VD1) eingespeisten Ströme auf der anderen Seite der Leitungen wieder entnimmt. Statt einer konfigurierbaren ersten vertikalen Empfängerstufe (VS1) kann die erste vertikale Leitung (Lvl) auch mit einem geeigneten Abschlusswiderstand beispielsweise gegen Masse versehen werden. Before this, the control unit B (CBB) configures a first vertical receiver stage (VS1) in such a way that it takes the currents fed in from the first vertical driver stage (VD1) again on the other side of the lines. Instead of a configurable first vertical receiver stage (VS1), the first vertical line (Lvl) can also be provided with a suitable terminating resistor, for example to ground.
Bevorzugt bilden die erste horizontale Abschirmleitung (SH1), die erste horizontale Leitung (LH1) und die zweite horizontale Abschirmleitung (SH2) eine möglichst stoßstellenfreie Tri-Plate-Leitung. Die Kontrolleinheit B (CBB) konfiguriert die erste horizontale Empfängerstufe (HS1) bevorzugt während der Erzeugung des zirkularpolarisierten Magnetfelds am Ort des ersten Quantenpunkts (NV11) bevorzugt in der Art, dass die Triplate-Leitung aus erster horizontaler Abschirmleitung (SH1), erster horizontaler Leitung (LH1) und zweiter horizontaler Abschirmleitung (SH2) durch die erste horizontale Empfängerstufe (HS1) mit dem Wellenwiderstand der Triplate-Leitung abgeschlossen wird, um Rückreflexionen zu vermeiden. Soll der Fotostrom des ersten Quantenpunkts (NV11) über die horizontalen Leitungen ausgelesen werden, so konfiguriert beispielsweise die Kontrolleinheit B (CBB) die erste horizontale Empfängerstufe (HS1) so, dass der Abschlusswiderstand möglichst hoch ist. Die erste horizontale Treiberstufe (HD1) legt dann die Extraktionsspannung (Vext) zwischen der ersten horizontalen Schirmleitung (SH1) und der zweiten horizontalen Schirmleitung (SH2) an und erfasst den Wert des fließenden Fotostromes des ersten Quantenpunkts (NV11) und gibt typischerweise den so ermittelten Wert an die Steuervorrichtung (pC) weiter, die den Wert verarbeitet und ggf. das Ergebnis dieser Weiterverarbeitung beispielsweise über einen Datenbus (DB) zur Verfügung stellt. Bevorzugt bilden die zweite horizontale Abschirmleitung (SH2), die zweite horizontale Leitung (LH2) und die dritte horizontale Abschirmleitung (SH3) eine möglichst stoßstellenfreie Tri-Plate-Leitung. Die Kontrolleinheit B (CBB) konfiguriert die zweite horizontale Empfängerstufe (HS2) bevorzugt während der Erzeugung des zirkularpolarisierten Magnetfelds am Ort des zweiten Quantenpunkts (NV12) bevorzugt in der Art, dass die Triplate-Leitung aus zweiter horizontaler Abschirmleitung (SH2), zweiter horizontaler Leitung (LH2) und dritter horizontaler Abschirmleitung (SH3) durch die zweite horizontale Empfängerstufe (HS2) mit dem Wellenwiderstand der Triplate-Leitung abgeschlossen wird, um Rückreflexionen zu vermeiden. Soll der Fotostrom des zweiten Quantenpunkts (NV12) über die horizontalen Leitungen ausgelesen werden, so konfiguriert beispielsweise die Kontrolleinheit B (CBB) die zweite horizontale Empfängerstufe (HS2) so, dass der Abschlusswiderstand möglichst hoch ist. Die zweite horizontale Treiberstufe (HD2) legt dann die Extraktionsspannung (Vext) zwischen der zweiten horizontalen Schirmleitung (SH2) und der dritten horizontalen Schirmleitung (SH3) an und erfasst den Wert des fließenden Fotostromes des zweiten Quantenpunkts (NV11) und gibt typischerweise den so ermittelten Wert an die Steuervorrichtung (pC) weiter, die den Wert verarbeitet und ggf. das Ergebnis dieser Weiterverarbeitung beispielsweise über einen Datenbus (DB) zur Verfügung stellt. The first horizontal shielding line (SH1), the first horizontal line (LH1) and the second horizontal shielding line (SH2) preferably form a tri-plate line that is as free as possible from joints. The control unit B (CBB) configures the first horizontal receiver stage (HS1) preferably during the generation of the circularly polarized magnetic field at the location of the first quantum dot (NV11), preferably in such a way that the triplate line consists of the first horizontal shielding line (SH1), the first horizontal line (LH1) and second horizontal shielding line (SH2) is terminated by the first horizontal receiver stage (HS1) with the characteristic impedance of the triplate line in order to avoid back reflections. If the photocurrent of the first quantum dot (NV11) is to be read out via the horizontal lines, the control unit B (CBB), for example, configures the first horizontal receiver stage (HS1) so that the terminating resistance is as high as possible. The first horizontal driver stage (HD1) then applies the extraction voltage (V ext ) between the first horizontal shield line (SH1) and the second horizontal shield line (SH2) and detects the value of the flowing photocurrent of the first quantum dot (NV11) and typically gives the so determined value to the control device (pC), which processes the value and possibly makes the result of this further processing available, for example via a data bus (DB). The second horizontal shielding line (SH2), the second horizontal line (LH2) and the third horizontal shielding line (SH3) preferably form a tri-plate line that is as free as possible from joints. The control unit B (CBB) configures the second horizontal receiver stage (HS2) preferably during the generation of the circularly polarized magnetic field at the location of the second quantum dot (NV12), preferably in such a way that the triplate line consists of the second horizontal shielding line (SH2), the second horizontal line (LH2) and third horizontal shielding line (SH3) is terminated by the second horizontal receiver stage (HS2) with the characteristic impedance of the triplate line in order to avoid back reflections. If the photocurrent of the second quantum dot (NV12) is to be read out via the horizontal lines, the control unit B (CBB), for example, configures the second horizontal receiver stage (HS2) so that the terminating resistance is as high as possible. The second horizontal driver stage (HD2) then applies the extraction voltage (V ext ) between the second horizontal shield line (SH2) and the third horizontal shield line (SH3) and detects the value of the flowing photocurrent of the second quantum dot (NV11) and typically outputs the so determined value to the control device (pC), which processes the value and possibly makes the result of this further processing available, for example via a data bus (DB).
Bevorzugt bilden die dritte horizontale Abschirmleitung (SH3), die dritte horizontale Leitung (LH3) und die vierte horizontale Abschirmleitung (SH4) eine möglichst stoßstellenfreie Tri-Plate-Leitung.The third horizontal shielding line (SH3), the third horizontal line (LH3) and the fourth horizontal shielding line (SH4) preferably form a tri-plate line that is as free as possible from joints.
Die Kontrolleinheit B (CBB) konfiguriert die dritte horizontale Empfängerstufe (HS3) bevorzugt während der Erzeugung des zirkularpolarisierten Magnetfelds am Ort des dritten Quantenpunkts (NV13) bevorzugt in der Art, dass die Triplate-Leitung aus dritter horizontaler Abschirmleitung (SH3), dritter horizontaler Leitung (LH2) und vierter horizontaler Abschirmleitung (SH4) durch die dritte horizontale Empfängerstufe (HS3) mit dem Wellenwiderstand der Triplate-Leitung abgeschlossen wird, um Rückreflexionen zu vermeiden. Soll der Fotostrom des dritten Quantenpunkts (NV11) über die horizontalen Leitungen ausgelesen werden, so konfiguriert beispielsweise die Kontrolleinheit B (CBB) die dritte horizontale Empfängerstufe (HS3) so, dass der Abschlusswiderstand möglichst hoch ist. Die dritte horizontale Treiberstufe (HD3) legt dann die Extraktionsspannung (Vext) zwischen der dritten horizontalen Schirmleitung (SH3) und der vierten horizontalen Schirmleitung (SH4) an und erfasst den Wert des fließenden Fotostromes des dritten Quantenpunkts (NV13) und gibt typischerweise den so ermittelten Wert an die Steuervorrichtung (pC) weiter, die den Wert verarbeitet und ggf. das Ergebnis dieser Weiterverarbeitung beispielsweise über einen Datenbus (DB) zur Verfügung stellt. Bevorzugt bilden die erste vertikale Abschirmleitung (SV1), die erste vertikale Leitung (LV1) und die zweite vertikale Abschirmleitung (SV2) eine möglichst stoßstellenfreie Tri-Plate-Leitung. Die The control unit B (CBB) configures the third horizontal receiver stage (HS3) preferably during the generation of the circularly polarized magnetic field at the location of the third quantum dot (NV13), preferably in such a way that the triplate line consists of the third horizontal shielding line (SH3) and the third horizontal line (LH2) and fourth horizontal shielding line (SH4) through the third horizontal receiver stage (HS3) with the characteristic impedance of the triplate line in order to avoid back reflections. If the photocurrent of the third quantum dot (NV11) is to be read out via the horizontal lines, the control unit B (CBB), for example, configures the third horizontal receiver stage (HS3) so that the terminating resistance is as high as possible. The third horizontal driver stage (HD3) then applies the extraction voltage (V ext ) between the third horizontal shield line (SH3) and the fourth horizontal shield line (SH4) and detects the value of the flowing photocurrent of the third quantum dot (NV13) and typically gives the so determined value to the control device (pC), which processes the value and possibly makes the result of this further processing available, for example via a data bus (DB). The first vertical shielding line (SV1), the first vertical line (LV1) and the second vertical shielding line (SV2) preferably form a tri-plate line that is as free as possible from joints. The
Kontrolleinheit B (CBB) konfiguriert die erste vertikale Empfängerstufe (VS1) bevorzugt während der Erzeugung des zirkularpolarisierten Magnetfelds am Ort eines oder mehrerer der Quantenpunkte (NV11, NV12, NV13) bevorzugt in der Art, dass die Triplate-Leitung aus erster vertikaler Control unit B (CBB) configures the first vertical receiver stage (VS1) preferably during the generation of the circularly polarized magnetic field at the location of one or more of the quantum dots (NV11, NV12, NV13), preferably in such a way that the triplate line from the first vertical
Abschirmleitung (SV1), erster vertikaler Leitung (LV1) und zweiter vertikaler Abschirmleitung (SV2) durch die erste vertikale Empfängerstufe (VS1) mit dem Wellenwiderstand der Triplate-Leitung abgeschlossen wird, um Rückreflexionen zu vermeiden. Soll der Fotostrom eines oder mehrerer der Quantenpunkte (NV11, NV12, NV13) über die vertikalen Leitungen ausgelesen werden, so konfiguriert beispielsweise die Kontrolleinheit B (CBB) die erste vertikale Empfängerstufe (VS1) so, dass der Abschlusswiderstand möglichst hoch ist. Die erste vertikale Treiberstufe (VD1) legt dann die Extraktionsspannung (Vext) zwischen der ersten vertikalen Schirmleitung (SV1) und der zweiten vertikalen Schirmleitung (SV2) an und erfasst den Wert des fließenden Fotostromes der aktiven Quantenpunkte der Quantenpunkte (NV11, NV12, NV13) und gibt typischerweise den so ermittelten Wert an die Steuervorrichtung (pC) weiter, die den Wert verarbeitet und ggf. das Ergebnis dieser Weiterverarbeitung beispielsweise über einen Datenbus (DB) zur Verfügung stellt. Shielding line (SV1), first vertical line (LV1) and second vertical shielding line (SV2) through the first vertical receiver stage (VS1) is terminated with the characteristic impedance of the triplate line in order to avoid back reflections. If the photocurrent of one or more of the quantum dots (NV11, NV12, NV13) is to be read out via the vertical lines, the control unit B (CBB), for example, configures the first vertical receiver stage (VS1) so that the terminating resistance is as high as possible. The first vertical driver stage (VD1) then applies the extraction voltage (V ext ) between the first vertical shield line (SV1) and the second vertical shield line (SV2) and records the value of the flowing photo current of the active quantum dots of the quantum dots (NV11, NV12, NV13) ) and typically forwards the value determined in this way to the control device (PC), which processes the value and, if necessary, provides the result of this further processing, for example via a data bus (DB).
Des Weiteren weist das beispielhafte System der Figur 80 eine Pumpstrahlungsquelle (PLI) für Pumpstrahlung (LB) mit der Pumpstrahlungswellenlänge (lrGhr) auf. Mittels eines Lichtquellentreibers (LEDDR) und der Pumpstrahlungsquelle (PLI) kann die Steuervorrichtung (pC) die paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) der Quantenpunkte (NV11, NV12, NV13) mit Pumpstrahlung (LB) der Pumpstrahlungswellenlänge (lrGhr) bestrahlen. Bei dieser Bestrahlung mit dieser mit Pumpstrahlung (LB) der Pumpstrahlungswellenlänge (lrGhr) werden in den paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. den Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) der der Quantenpunkte (NV11, NV12, NV13) Fotoelektronen in Abhängigkeit von dem lokalen Wert der magnetischen Flussdichte B und/oder in Abhängigkeit von dem lokalen Wert der bereits erwähnten weiteren Paramater wie Druck P, Temperatur q, Beschleunigung a, Gravitationsfeldstärke g, elektrische Flussdichte D, Intensität der Bestrahlung mit ionisierender Strahlung etc. oder deren Integrale und/oder zeitlichen Ableitungen erzeugt, die durch die erste horizontale Empfängerstufe (HS1) und/oder die zweite horizontale Empfängerstufe (HS2) und/oder die dritte horizontale Empfängerstufe (HS3) und/oder die erste vertikale Empfängerstufe (VS1) durch Anlegen eines Extraktionsfeldes als jeweiliger Fotostrom eines Quantenbits (QUB11, QUB12, QUB13) beispielsweise über die angeschlossenen Abschirmleitungen abgesaugt werden können. Im Folgenden beschreiben wir beispielhaft, wie z.B. der Fotostrom des paramagnetischen Zentrums (NV1) bzw. der Furthermore, the exemplary system in FIG. 80 has a pump radiation source (PLI) for pump radiation (LB) with the pump radiation wavelength (1 rGhr ). By means of a light source driver (LEDDR) and the pump radiation source (PLI), the control device (pC) can control the paramagnetic centers (NV1) or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) of the quantum dots (NV11, NV12, NV13) with pump radiation (LB) of the Irradiate pump radiation wavelength (l rGhr ). During this irradiation with this with pump radiation (LB) of the pump radiation wavelength (l rGhr ), photoelectrons are generated in the paramagnetic centers (NV1) or the groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) of the quantum dots (NV11, NV12, NV13) depending on the local value of the magnetic flux density B and / or depending on the local value of the other parameters already mentioned such as pressure P, temperature q, acceleration a, gravitational field strength g, electrical flux density D, intensity of the irradiation with ionizing radiation etc. or their integrals and / or time derivatives generated by the first horizontal receiver stage (HS1) and / or the second horizontal receiver stage (HS2) and / or the third horizontal receiver stage (HS3) and / or the first vertical receiver stage (VS1) by applying an extraction field as respective photocurrent of a quantum bit (QUB11, QUB12, QUB13) for example can be extracted via the connected shielding lines. In the following we describe as an example, such as the photocurrent of the paramagnetic center (NV1) or the
paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der Gruppe oder der Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) des ersten Quantenbits (QUB11) erzeugt und abgesaugt werden kann. Die paramagnetic centers (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) of the first quantum bit (QUB11) can be generated and extracted. The
Steuereinheit (pC) veranlasst die Pumpstrahlungsquelle (PLI) zur Emission von Pumpstrahlung (LB) mit der Pumpstrahlungswellenlänge (lrGhr), die bevorzugt auf die paramagnetischen Zentrums (NV1) bzw. der paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der Gruppe oder der Gruppen (NVC) Control unit (pC) causes the pump radiation source (PLI) to emit pump radiation (LB) with the pump radiation wavelength (l rGhr ), which is preferably directed to the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) or the group or groups ( NVC)
paramagnetischer Zentren (NV1) des ersten Quantenbits (QUB11) und des zweiten Quantenbits (QUB12) und des dritten Quantenbits (QUB13) fällt. Wir nehmen beispielhaft zu paramagnetic centers (NV1) of the first quantum bit (QUB11) and of the second quantum bit (QUB12) and of the third quantum bit (QUB13) falls. We are increasing by way of example
Erläuterungszwecken an, dass das Substrat (D) aus Diamant ist und dass die paramagnetischen Zentren (NV1) NV-Zentren sind. Damit ist der fluoreszierende Zustand der NV-Zentren der NV- Zustand. Eine erste Selektionsmöglichkeit entsteht nun dadurch, dass die Steuervorrichtung (pC) mittels der Kontrolleinheit A (CBA) und mittels der ersten horizontalen Treiberstufe (HD1) die erste horizontale Leitung (LH1) auf einem positiven Potenzial gegenüber dem Substrat (D) der Quantenbits (QUB11, QUB12, QUB13) legt. Die Steuervorrichtung (pC) veranlasst mittels der Kontrolleinheit A (CBA) und mittels der ersten vertikalen Treiberstufe (VD1), dass die erste vertikale Leitung (LV1) auf einem positiven Potenzial gegenüber dem Substrat (D) der Quantenbits (QUB11, QUB12, QUB13) liegt. Dadurch wird der N_Zustand der bevorzugte Zustand des paramagnetischen Zentrums (NV1) bzw. der paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der Gruppe oder Gruppen paramagnetischer Zentren (NV1) des ersten Quantenbits (QUB11). Die Steuervorrichtung (pC) veranlasst mittels der For purposes of illustration, indicate that the substrate (D) is made of diamond and that the paramagnetic centers (NV1) are NV centers. Thus the fluorescent state of the NV centers is the NV state. A first selection option arises from the fact that the control device (pC) by means of the control unit A (CBA) and by means of the first horizontal driver stage (HD1) has the first horizontal line (LH1) at a positive potential compared to the substrate (D) of the quantum bits (QUB11 , QUB12, QUB13). The control device (pC) uses the control unit A (CBA) and the first vertical driver stage (VD1) to ensure that the first vertical line (LV1) has a positive potential with respect to the substrate (D) of the quantum bits (QUB11, QUB12, QUB13) lies. This makes the N _ state the preferred state of the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) or the group or groups of paramagnetic centers (NV1) of the first quantum bit (QUB11). The control device (pC) causes by means of the
Kontrolleinheit A (CBA) und mittels der zweiten horizontalen Treiberstufe (HD2), dass die zweite horizontale Leitung (LH2) auf einem stark negativen Potenzial gegenüber dem Substrat (D) der Quantenbits (QUB11, QUB12, QUB13) liegt. Die Steuervorrichtung (pC) veranlasst mittels der Kontrolleinheit A (CBA) und mittels der dritten horizontalen Treiberstufe (HD3), dass die dritte horizontale Leitung (LH3) auf einem stark negativen Potenzial gegenüber dem Substrat (D) der Quantenbits (QUB11, QUB12, QUB13) liegt. Auf diese Weise werden die zweite horizontale Leitung (LH2) und die dritte horizontale Leitung (LH3) werden auf ein stark negatives Potenzial gegenüber dem Substrat (D) gebracht. Hierdurch verlassen die paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. die Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) des zweiten Quantenbits (QUB12) und des dritten Quantenbits (QUB13) bevorzugt den N -Zustand. Damit wird die Produktion von Fotoelektronen durch die die paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. die Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) des zweiten Quantenbits (QUB12) und des dritten Quantenbits (QUB13) behindert der ggf. ganz verhindert. Um die Fotoelektronen des paramagnetischen Zentrums (NV1) bzw. der Control unit A (CBA) and by means of the second horizontal driver stage (HD2) that the second horizontal line (LH2) is at a strongly negative potential compared to the substrate (D) of the quantum bits (QUB11, QUB12, QUB13). The control device (pC) uses the control unit A (CBA) and the third horizontal driver stage (HD3) to ensure that the third horizontal line (LH3) has a strongly negative potential compared to the substrate (D) of the quantum bits (QUB11, QUB12, QUB13 ) lies. In this way, the second horizontal line (LH2) and the third horizontal line (LH3) are brought to a strongly negative potential with respect to the substrate (D). As a result, the paramagnetic centers (NV1) or the groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) of the second quantum bit (QUB12) and the third quantum bit (QUB13) preferably leave the N state. This hampers the production of photoelectrons through the paramagnetic centers (NV1) or the groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) of the second quantum bit (QUB12) and the third quantum bit (QUB13). completely prevented. To get the photoelectrons of the paramagnetic center (NV1) or the
paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der Gruppe oder der Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) des ersten Quantenbits (QUB11) absaugen zu können, veranlasst die To be able to suck off paramagnetic centers (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) of the first quantum bit (QUB11), causes the
Steuervorrichtung (pC) beispielsweise die erste vertikale Empfängerstufe (VS1) zwischen erster vertikaler Abschirmleitung (SV1) und zweiter vertikaler Abschirmleitung (SV2) eine Control device (pC), for example, the first vertical receiver stage (VS1) between the first vertical shielding line (SV1) and the second vertical shielding line (SV2)
Extraktionsspannung anzulegen, die von 0V verschieden ist, hierdurch beginnt ein Fotostrom in Form der extrahierten Fotoelektronen des paramagnetischen Zentrums (NV1) bzw. der paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der Gruppe oder der Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) des ersten Quantenbits (QUB11) über die erste horizontale Abschirmleitung (SV1) und die zweite horizontale Abschirmleitung (SV2) zu fließen. Der Betragswert dieses Fotostromes hängt typischerweise von der magnetischen Flussdichte B am Ort des paramagnetischen Zentrums (NV1) bzw. der Apply an extraction voltage that differs from 0V, thereby starting a photo current in the form of the extracted photoelectrons of the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) of the first quantum bit (QUB11) to flow through the first horizontal shielding line (SV1) and the second horizontal shielding line (SV2). The magnitude of this photocurrent typically depends on the magnetic flux density B at the location of the paramagnetic center (NV1) or the
paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der Gruppe oder der Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) des ersten Quantenbits (QUB11) und/oder von anderen physikalischen paramatern, wie elektrischer Flussdichte D, Beschleunigung a, Gravitationsfeldstärke g, Rotationsgeschwindigkeit o, Intensität einer Bestrahlung mit ionisierender Strahlung etc. ab. Die paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. die Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) des zweiten Quantenbits (Q.UB12) und des dritten Quantenbits (QUB13) tragen nicht wesentlich zu diesem Fotostrom bei, da der bevorzugte Zustand dieser paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) des zweiten Quantenbits (Q.UB12) bzw. des dritten Quantenbits (Q.UB13) nicht der NV -Zustand ist, da die zweite horizontale Leitung (LH2) und die dritte horizontale Leitung (LH3) negativ geladen sind. Die erste vertikale Empfängerstufe (VS1) ist bevorzugt mit Mitteln, beispielsweise eine Strommessvorrichtung, zur Erfassung des Fotostromes und zur Umwandlung des Wertes des Fotostromes in ein Empfängerausgangssignal (SO) versehen, dass dann in den Sensorvorrichtungen, wie Sie hier dargestellt wurden, zu einem Sensorausgangssignal (out) weiterverarbeitet werden kann. Die Steuereinheit (pC) kann die hier vorgestellten Sensorsysteme beispielsweise emulieren und den Wert (sO) des Sensorausgangssignals über einen Datenbus (DB) an eine übergeordnete Einheit übertragen. paramagnetic centers (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) of the first quantum bit (QUB11) and / or of other physical parameters, such as electrical flux density D, acceleration a, gravitational field strength g, rotational speed o, intensity a Exposure to ionizing radiation etc. The paramagnetic centers (NV1) or the groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) of the second quantum bit (Q.UB12) and of the third quantum bit (QUB13) do not contribute significantly to this photocurrent, since the preferred state of these paramagnetic centers (NV1 ) or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) of the second quantum bit (Q.UB12) or the third quantum bit (Q.UB13) is not the NV state, since the second horizontal line (LH2) and the third horizontal line (LH3) are negatively charged. The first vertical receiver stage (VS1) is preferably provided with means, for example a current measuring device, for detecting the photocurrent and for converting the value of the photocurrent into a receiver output signal (SO), which then turns into a sensor output signal in the sensor devices as shown here (out) can be further processed. The control unit (pC) can, for example, emulate the sensor systems presented here and transmit the value (sO) of the sensor output signal to a higher-level unit via a data bus (DB).
F ig u r 81 Fig. 81
Figur 82 zeigt ein beispielhaftes zwei Bit Quantenregister mit einer gemeinsamen ersten horizontalen Leitung (LH1), beispielhaft drei vertikalen Abschirmleitungen (SV1, SV2, SV3) und einer horizontalen Abschirmleitung (SH1) und zwei Quantenpunkten (NV11, NV12) mit jeweils einem paramagnetischen Zentrum (NV1) oder mehreren paramagnetischen Zentren (NV1) oder einer Gruppe oder mehreren Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1). Bei genügend geringem Abstand der zwei FIG. 82 shows an exemplary two-bit quantum register with a common first horizontal line (LH1), for example three vertical shielding lines (SV1, SV2, SV3) and one horizontal shielding line (SH1) and two quantum dots (NV11, NV12) each with a paramagnetic one Center (NV1) or several paramagnetic centers (NV1) or a group or several groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1). If the distance between the two is sufficiently small
Quantenpunkte (NV11, NV12) bilden diese ein beispielhaftes Quantenregister mit einer zweiten vertikalen Abschirmleitung (SV2) und mit einer ersten vertikalen Abschirmleitung (SV1) und mit einer dritten vertikalen Abschirmleitung (SV3). Insofern sind hier die Rollen der horizontalen und vertikalen Funktionsteile gegenüber der vorausgegangenen Figur 81 vertauscht. Quantum dots (NV11, NV12) form an exemplary quantum register with a second vertical shielding line (SV2) and with a first vertical shielding line (SV1) and with a third vertical shielding line (SV3). In this respect, the roles of the horizontal and vertical functional parts are reversed compared to the previous FIG. 81.
Ein homogenes Quantenregister (QUREG) oder kurz nur Quantenregister (QUREG) umfasst nur Quantenpunkte (NV11, NV12) eines Quantenpunkttyps. Ein solches Quantenregister umfasst bevorzugt ein erstes Quantenbit (QUB11) und mindestens ein zweites Quantenbit (QUB12). Eine Kette aus solchen Quantenregistern (QUB) ist der wesentliche Teil des im Folgenden erläuterten Quantenbusses (QUBUS), der den Transport von Abhängigkeiten erlaubt. Die Eigenschaft der Flomogenität des Quantenregisters (QUREG) drückt sich vorschlagsgemäß so aus, dass der erste Quantenpunkttyp des ersten Quantenpunkts (NV11) des ersten Quantenbits (QUB11) des A homogeneous quantum register (QUREG) or just quantum register (QUREG) for short only comprises quantum dots (NV11, NV12) of one quantum dot type. Such a quantum register preferably comprises a first quantum bit (QUB11) and at least one second quantum bit (QUB12). A chain of such quantum registers (QUB) is the essential part of the quantum bus (QUBUS) explained below, which allows the transport of dependencies. The property of the flomogeneity of the quantum register (QUREG) is expressed according to the proposal such that the first quantum dot type of the first quantum dot (NV11) of the first quantum bit (QUB11) of the
Quantenregisters (QUREG) gleich dem zweiten Quantenpunkttyp des zweiten Quantenpunkts (NV12) des zweiten Quantenbits (QUB12) des Quantenregisters (QUREG) ist. Beispielsweise kann es sich bei dem ersten Quantenpunkttyp um ein NV-Zentrum in Diamant als Substrat handeln und bei dem zweiten Quantenpunkttyp ebenfalls um ein NV-Zentrum im gleichen Substrat handeln. Quantum register (QUREG) is equal to the second quantum dot type of the second quantum dot (NV12) of the second quantum bit (QUB12) of the quantum register (QUREG). For example, the first quantum dot type can be an NV center in diamond as a substrate and the second quantum dot type can likewise be an NV center in the same substrate.
Typischerweise ist das Substrat (D) dem ersten Quantenbit (QUB11) des Quantenregisters (QUREG) und dem zweiten Quantenbit (QUB12) des Quantenregisters (QUREG) gemeinsam. Im Folgenden wird zur besseren Klarheit der Quantenpunkt (NV1) des ersten Quantenbits (QUB11) des Typically, the substrate (D) is common to the first quantum bit (QUB11) of the quantum register (QUREG) and the second quantum bit (QUB12) of the quantum register (QUREG). In the following, the quantum dot (NV1) of the first quantum bit (QUB11) of the
Quantenregisters (QUREG) der erste Quantenpunkt (NV11) genannt und der Quantenpunkt (NV1) des zweiten Quantenbits (QUB12) des Quantenregisters (QUREG) der zweite Quantenpunkt (NV12) genannt. Der erste Quantenpunkt (NV11) umfasst ein paramagnetisches Zentrum (NV1) oder mehrere paramagnetische Zentren (NV1) oder eine Gruppe oder Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1). Der zweite Quantenpunkt (NV12) umfasst ein paramagnetisches Zentrum (NV1) oder mehrere paramagnetische Zentren (NV1) oder eine Gruppe oder Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1). Analog wird zur besseren Klarheit im Folgenden die horizontale Leitung (LH) des ersten Quantenbits (QUB11) des Quantenregisters (QUREG) im Folgenden als erste horizontale Leitung (LH1) bezeichnet und die horizontale Leitung (LH) des zweiten Quantenbits (QUB12) des Quantenregisters (QUREG) als die zweite horizontale Leitung (LH2) bezeichnet. Ebenso wird im Folgenden die vertikale Leitung (LV) des ersten Quantenbits (QUB1) im Folgenden als erste vertikale Leitung (LV1) bezeichnet und die vertikale Leitung (LV) des zweiten Quantenbits (QUB2) im Quantum register (QUREG) called the first quantum dot (NV11) and the quantum dot (NV1) of the second quantum bit (QUB12) of the quantum register (QUREG) called the second quantum dot (NV12). The first quantum dot (NV11) comprises a paramagnetic center (NV1) or several paramagnetic centers (NV1) or a group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1). The second quantum dot (NV12) comprises a paramagnetic center (NV1) or several paramagnetic centers (NV1) or a group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1). Similarly, for better clarity, the horizontal line (LH) of the first quantum bit (QUB11) of the quantum register (QUREG) is referred to below as the first horizontal line (LH1) and the horizontal line (LH) of the second quantum bit (QUB12) of the quantum register ( QUREG) referred to as the second horizontal line (LH2). Likewise, the vertical line (LV) of the first quantum bit (QUB1) is hereinafter referred to as the first vertical Line (LV1) and the vertical line (LV) of the second quantum bit (QUB2) in the
Folgenden als zweite vertikale Leitung (LV2) bezeichnet. Es ist sinnvoll, wenn z.B. die erste horizontale Leitung (LH1) identisch mit der zweiten horizontalen Leitung (LH2) ist. Alternativ ist es sinnvoll, wenn z.B. die erste vertikale Leitung (LV1) identisch mit der zweiten vertikalen Leitung (LV2) ist. Hereinafter referred to as the second vertical line (LV2). It makes sense if, for example, the first horizontal line (LH1) is identical to the second horizontal line (LH2). Alternatively, it makes sense if, for example, the first vertical line (LV1) is identical to the second vertical line (LV2).
Das Quantenregister (QUREG) sollte zur Erfüllung der bestimmungsgemäßen Funktion so klein gebaut werden, dass das Magnetfeld des zweiten Quantenpunkts (NV12) des zweiten Quantenbits (QUB12) des Quantenregisters (QUREG) das Verhalten des ersten Quantenpunkts (NV11) des ersten Quantenbits (QUB11) des Quantenregisters (QUREG) zumindest zeitweise beeinflusst und/oder dass das Magnetfeld des ersten Quantenpunkts (NV11) des ersten Quantenbits (QUB11) das Verhalten des zweiten Quantenpunkts (NV12) des zweiten Quantenbits (QUB12) zumindest zeitweise beeinflusst. To fulfill the intended function, the quantum register (QUREG) should be built so small that the magnetic field of the second quantum dot (NV12) of the second quantum bit (QUB12) of the quantum register (QUREG) has the behavior of the first quantum dot (NV11) of the first quantum bit (QUB11) of the quantum register (QUREG) at least temporarily and / or that the magnetic field of the first quantum dot (NV11) of the first quantum bit (QUB11) influences the behavior of the second quantum dot (NV12) of the second quantum bit (QUB12) at least temporarily.
Bevorzugt ist hierzu der räumliche Abstand (spl2) zwischen dem ersten Quantenpunkt (NV11) des ersten Quantenbits (QUB11) des Quantenregisters (QUREG) und dem zweiten Quantenpunkt (NV12) des zweiten Quantenbits (QUB12) des Quantenregisters (QUREG) so klein, dass das Magnetfeld des zweiten Quantenpunkts (NV12) des zweiten Quantenbits (QUB12) des Quantenregisters (QUREG) das Verhalten des ersten Quantenpunkts (NV11) des ersten Quantenbits (QUB11) des Quantenregisters (QUREG) zumindest zeitweise beeinflusst, und/oder dass das Magnetfeld des ersten Quantenpunkts (NV12) des ersten Quantenbits (QUB11) des Quantenregisters (QUREG) das Verhalten des zweiten Quantenpunkts (NV12) des zweiten Quantenbits (QUB12) des Quantenregisters (QUREG) zumindest zeitweise beeinflusst. Bevorzugt beträgt hierzu der zweite Abstand (spl2) zwischen dem ersten Quantenpunkt (NV11) des ersten Quantenbits (QUB11) des Quantenregisters (QUREG) und dem zweiten Quantenpunkt (NV12) des zweiten Quantenbits (QUB12) des Quantenregisters (QUREG) weniger als 50 nm und/oder weniger als 30 nm und/oder weniger als 20 nm und/oder weniger als 10 nm beträgt und/oder weniger als 10 nm und/oder weniger als 5 nm und/oder weniger als 2 nm, und/oder der zweite Abstand (spl2) zwischen dem ersten Quantenpunkt (NV11) des ersten For this purpose, the spatial distance (spl2) between the first quantum dot (NV11) of the first quantum bit (QUB11) of the quantum register (QUREG) and the second quantum dot (NV12) of the second quantum bit (QUB12) of the quantum register (QUREG) is so small that the Magnetic field of the second quantum dot (NV12) of the second quantum bit (QUB12) of the quantum register (QUREG) influences the behavior of the first quantum dot (NV11) of the first quantum bit (QUB11) of the quantum register (QUREG) at least temporarily, and / or that the magnetic field of the first quantum dot (NV12) of the first quantum bit (QUB11) of the quantum register (QUREG) influences the behavior of the second quantum dot (NV12) of the second quantum bit (QUB12) of the quantum register (QUREG) at least temporarily. For this purpose, the second distance (spl2) between the first quantum dot (NV11) of the first quantum bit (QUB11) of the quantum register (QUREG) and the second quantum dot (NV12) of the second quantum bit (QUB12) of the quantum register (QUREG) is less than 50 nm and / or less than 30 nm and / or less than 20 nm and / or less than 10 nm and / or less than 10 nm and / or less than 5 nm and / or less than 2 nm, and / or the second distance ( spl2) between the first quantum dot (NV11) of the first
Quantenbits (QUB11) des Quantenregisters (QUREG) und dem zweiten Quantenpunkt (NV12) des zweiten Quantenbits (QUB12) des Quantenregisters (QUREG) zwischen 30 nm und 2 nm und/oder weniger als 10 nm und/oder weniger als 5 nm und/oder weniger als 2 nm. Quantum bits (QUB11) of the quantum register (QUREG) and the second quantum dot (NV12) of the second quantum bit (QUB12) of the quantum register (QUREG) between 30 nm and 2 nm and / or less than 10 nm and / or less than 5 nm and / or less than 2 nm.
Ein solches Quantenregister kann verkettet werden. Das zuvor beschriebene Zwei-Bit- Quantenregister wurde längs der horizontalen Leitung (LH) aufgereiht, die den beiden Quantenbits (QUB11, QUB12) gemeinsam ist. Statt der horizontalen Aneinanderreihung ist eine vertikale Aneinanderreihung längs der vertikalen Leitung ebenso denkbar. Die horizontale und die vertikale Leitung tauschen dann die Funktion. Auch ist eine zweidimensionale Aneinanderreihung denkbar, was einer Kombination dieser Möglichkeiten entspricht. Such a quantum register can be chained. The previously described two-bit quantum register was lined up along the horizontal line (LH), the two quantum bits (QUB11, QUB12) is common. Instead of a horizontal line-up, a vertical line-up along the vertical line is also conceivable. The horizontal and vertical lines then swap functions. A two-dimensional stringing together is also conceivable, which corresponds to a combination of these possibilities.
Statt eines Zweibit-Quantenregisters (QUREG) ist auch die Aneinanderreihung von n Quantenbits (QUB11 bis QUBln) denkbar. Beispielhaft wird hier ein Dreibit-Quantenregister beschrieben, das längs der horizontalen Leitung (LH) beispielhaft fortgesetzt wird. Für folgende Quantenbits (QUB14 bis QUBln) gilt dann entsprechendes. Das Quantenregister kann natürlich auch in die andere Richtung um m Quantenbits (QUB0 bis QUB(m-l)) erweitert werden. Zur Vereinfachung der Beschreibung beschränkt sich der hier vorgelegte Text auf positive Werte der Indices von 1 bis n. Die im Folgenden beschriebenen Prinzipien für ein Dreibit-Quantenregister können daher auf ein Quantenregister mit mehr als drei Quantenbits übertragen werden. Daher werden diese Prinzipien für ein Mehrbitquantenregister nicht mehr ausgeführt, da sie sich für den Fachmann aus der folgenden Beschreibung eines Dreibit-Quantenregisters leicht ergeben. Solche Instead of a two-bit quantum register (QUREG), it is also conceivable to string n quantum bits (QUB11 to QUBln). A three-bit quantum register is described here as an example, which is continued along the horizontal line (LH) as an example. The same applies to the following quantum bits (QUB14 to QUBln). The quantum register can of course also be expanded in the other direction by m quantum bits (QUB0 to QUB (m-l)). To simplify the description, the text presented here is limited to positive values of the indices from 1 to n. The principles described below for a three-bit quantum register can therefore be transferred to a quantum register with more than three quantum bits. Therefore, these principles are no longer carried out for a multi-bit quantum register, since they will be readily apparent to those skilled in the art from the following description of a three-bit quantum register. Such
Mehrbitquantenregister sind von der Beanspruchung ausdrücklich mit umfasst. Multi-bit quantum registers are expressly included in the claim.
Ein Dreibit-Quantenregister ist dann ein Quantenregister, wie es zuvor beschrieben wurde, mit mindestens einem dritten Quantenbit (QUB13) entsprechend der vorhergehenden Beschreibung. Bevorzugt sind dann der erste Quantenpunkttyp des ersten Quantenpunkts (NV11) des ersten Quantenbits (QUB11) und der zweite Quantenpunkttyp des zweiten Quantenpunkts (NV12) des zweiten Quantenbits (QUB12) gleich dem dritten Quantenpunkttyp des dritten Quantenpunkts (NV13) des dritten Quantenbits (QUB13). A three-bit quantum register is then a quantum register, as has been described above, with at least one third quantum bit (QUB13) in accordance with the preceding description. The first quantum dot type of the first quantum dot (NV11) of the first quantum bit (QUB11) and the second quantum dot type of the second quantum dot (NV12) of the second quantum bit (QUB12) are then preferably the same as the third quantum dot type of the third quantum dot (NV13) of the third quantum bit (QUB13) .
Bevorzugt ist bei einem solchen beispielhaften Dreibit-Quantenregister das Substrat (D) dem ersten Quantenbit (QUB11) und dem zweiten Quantenbit (QUB12) und dem dritten Quantenbit (QUB13) gemeinsam. Der Quantenpunkt (NV1) des dritten Quantenbits (QUB13) wird im Folgenden als dritter Quantenpunkt (NV13) bezeichnet. Bevorzugt ist die horizontale Leitung (LH) des dritten Quantenbits (QUB13) die besagte erste horizontale Leitung (LH1) und damit gemeinsam mit der horizontalen Leitung (LH) des zweiten Quantenbits (QUB12) und der horizontalen Leitung (LH) des ersten Quantenbits (QUB11). Die vertikale Leitung (LV) des dritten Quantenbits (QUB13) wird im Folgenden als dritte vertikale Leitung (LV3) bezeichnet. Statt dieser Aufreihung der Quantenbits längs der ersten horizontalen Leitung (LH1) sind, wie bereits erwähnt andere Aufreihungen denkbar. Um nun einen Transport von Abhängigkeiten von Quanteninformationen zu ermöglichen, ist es sinnvoll, wenn das Magnetfeld des zweiten Quantenpunkts (NV12) des zweiten Quantenbits (QUB12) das Verhalten des dritten Quantenpunkts (NV13) des dritten Quantenbits (QUB13) zumindest zeitweise beeinflussen kann und/oder wenn das Magnetfeld des dritten Quantenpunkts (NV13) des dritten Quantenbits (QUB13) das Verhalten des zweiten Quantenpunkts (NV12) des zweiten In such an exemplary three-bit quantum register, the substrate (D) is preferably common to the first quantum bit (QUB11) and the second quantum bit (QUB12) and the third quantum bit (QUB13). The quantum dot (NV1) of the third quantum bit (QUB13) is referred to below as the third quantum dot (NV13). The horizontal line (LH) of the third quantum bit (QUB13) is preferably the said first horizontal line (LH1) and thus together with the horizontal line (LH) of the second quantum bit (QUB12) and the horizontal line (LH) of the first quantum bit (QUB11 ). The vertical line (LV) of the third quantum bit (QUB13) is referred to below as the third vertical line (LV3). Instead of this alignment of the quantum bits along the first horizontal line (LH1), as already mentioned, other alignments are conceivable. In order to enable the transport of dependencies on quantum information, it makes sense if the magnetic field of the second quantum dot (NV12) of the second quantum bit (QUB12) can at least temporarily influence the behavior of the third quantum dot (NV13) of the third quantum bit (QUB13) and / or if the magnetic field of the third quantum dot (NV13) of the third quantum bit (QUB13) has the behavior of the second quantum dot (NV12) of the second
Quantenbits (QUB12) zumindest zeitweise beeinflussen kann. Hierdurch entsteht dabei das, was im Folgenden als Quantenbus bezeichnet wird und zum Transport von Abhängigkeiten der Quantum bits (QUB12) can at least temporarily influence. This creates what is referred to below as the quantum bus and is used to transport dependencies of the
Quanteninformationen der Quantenpunkte des so entstehenden Quantenbusses (QUBUS) dient. Quantum information of the quantum dots of the resulting quantum bus (QUBUS) is used.
Um diese Abhängigkeiten zu ermöglichen, ist es sinnvoll, wenn der räumliche Abstand (sp23) zwischen dem dritten Quantenpunkt (NV13) des dritten Quantenbits (QUB13) und dem zweiten Quantenpunkt (NV12) des zweiten Quantenbits (QUB12) so klein ist, dass das Magnetfeld des zweiten Quantenpunkts (NV12) des zweiten Quantenbits (QUB12) das Verhalten des dritten To enable these dependencies, it makes sense if the spatial distance (sp23) between the third quantum dot (NV13) of the third quantum bit (QUB13) and the second quantum dot (NV12) of the second quantum bit (QUB12) is so small that the magnetic field of the second quantum dot (NV12) of the second quantum bit (QUB12) the behavior of the third
Quantenpunkts (NV13) des dritten Quantenbits (QUB13) zumindest zeitweise beeinflussen kann, und/oder dass das Magnetfeld des dritten Quantenpunkts (NV13) des dritten Quantenbits (QUB13) das Verhalten des zweiten Quantenpunkts (NV12) des zweiten Quantenbits (QUB12) zumindest zeitweise beeinflussen kann. Quantum dot (NV13) of the third quantum bit (QUB13) can at least temporarily influence, and / or that the magnetic field of the third quantum dot (NV13) of the third quantum bit (QUB13) influence the behavior of the second quantum dot (NV12) of the second quantum bit (QUB12) at least temporarily can.
Um diese Kopplung zu erreichen, ist es wieder sinnvoll, wenn der räumliche Abstand (sp23) zwischen dem dritten Quantenpunkt (NV13) des dritten Quantenbits (QUB13) und dem zweiten Quantenpunkt (NV12) des zweiten Quantenbits (QUB12) weniger als 50 nm und/oder weniger als 30 nm und/oder weniger als 20 nm und/oder weniger als 10 nm beträgt und/oder weniger als 10 nm und/oder weniger als 5 nm und/oder weniger als 2 nm beträgt und/oder wenn der räumliche Abstand (sp23) zwischen dem dritten Quantenpunkt (NV13) des dritten Quantenbits (QUB13) und dem zweiten Quantenpunkt (NV12) des zweiten Quantenbits (QUB12) zwischen 30 nm und 2 nm und/oder weniger als 10 nm und/oder weniger als 5 nm und/oder weniger als 2 nm, beträgt. To achieve this coupling, it makes sense again if the spatial distance (sp23) between the third quantum dot (NV13) of the third quantum bit (QUB13) and the second quantum dot (NV12) of the second quantum bit (QUB12) is less than 50 nm and / or less than 30 nm and / or less than 20 nm and / or less than 10 nm and / or less than 10 nm and / or less than 5 nm and / or less than 2 nm and / or if the spatial distance ( sp23) between the third quantum dot (NV13) of the third quantum bit (QUB13) and the second quantum dot (NV12) of the second quantum bit (QUB12) between 30 nm and 2 nm and / or less than 10 nm and / or less than 5 nm and / or less than 2 nm.
Wie oben bereits erläutert, sind die Quantenbits (QUB) des Quantenregisters (QUREG) bevorzugt in einem eindimensionalen Gitter angeordnet. Eine Anordnung in einem zweidimensionalen Gitter ist möglich, aber nicht so vorteilhaft, da dann die Stromgleichungen nicht mehr ohne Weiteres eindeutig gelöst werden können. As already explained above, the quantum bits (QUB) of the quantum register (QUREG) are preferably arranged in a one-dimensional grid. An arrangement in a two-dimensional grid is possible, but not so advantageous, since the current equations can then no longer be solved clearly without further ado.
Bevorzugt sind somit die Quantenbits (QUB) des Quantenregisters (QUREG) in einem ein- oder zweidimensionalen Gitter aus Elementarzellen von Anordnungen von einem oder mehreren Quantenpunkten (NV1) mit einem zweiten Abstand (spl2) als Gitterkonstante für den Abstand zwischen den jeweiligen Elementarzellen angeordnet. The quantum bits (QUB) of the quantum register (QUREG) are therefore preferred in a one- or two-dimensional grid of unit cells of arrangements of one or more Quantum dots (NV1) arranged with a second distance (spl2) as a lattice constant for the distance between the respective unit cells.
Die zusätzlichen Abschirmleitungen (SV1, SV2, SV3, SH1) ermöglichen die Einspeisung weiterer Ströme zur Verbesserung der Selektion der Quantenpunkte während der Ausführung der The additional shielding lines (SV1, SV2, SV3, SH1) enable further currents to be fed in to improve the selection of the quantum dots while the
Operationen durch Bestromung der vertikalen Leitungen (LV1, LV2) und der horizontalen Leitung (LH1). Nun ist zusätzlich zur Erläuterung des Ausleseprozesses eine erste horizontale Abschrimleitung (SH1) parallel zu der ersten horizontalen Leitung (LH1) eingezeichnet. Da es sich um ein Operations by energizing the vertical lines (LV1, LV2) and the horizontal line (LH1). Now, in addition to explaining the readout process, a first horizontal screen line (SH1) is drawn in parallel to the first horizontal line (LH1). Since it is a
Querschnittsbild handelt ist die entsprechende zweite horizontale Abschirmleitung (SH2) die auf der anderen Seite der ersten horizontalen Leitung (LH1) ebenfalls parallel zu dieser verläuft, nicht eingezeichnet. Durch Kontakte (KV11, KH11, KV12, KH12, KV13) sind die Abschirmleitungen in diesem Beispiel mit dem Substrat (D) elektrisch verbunden. Wird nun ein Extraktionsfeld zwischen zwei parallellaufende Abschirmleitungen durch Anlegen einer Extraktionsspannung zwischen diesen angelegt, so kommt es zu einem messbaren Stromfluss, wenn die Quantenpunkte (NV1, NV2) mit Pumpstrahlung (LB) bestrahlt werden und wenn die paramagnetischen Zentren (NV1) dieser Quantenpunkte (NV11, NV12) sich im richtigen Quantenzustand befinden, der ja durch die Potenziale der ersten horizontalen Leitung (LH1), der ersten vertikalen Leitung (LV1) und der zweiten vertikalen Leitung (LV2) maßgeblich beeinflusst wird. Weiteres kann in Petr Siyushev, Milos Nesladek, Emilie Bourgeois, Michal Gulka, Jaroslav Hruby, Takashi Yamamoto, Michael Trupke, Tokuyuki Teraji, Junichi Isoya, Fedor Jelezko, "Photoelectrical imaging and coherent spin-state readout of single nitrogen- vacancy centers in diamond", Science 363, 728-731 (2019) 15 February 2019 gefunden werden. The cross-sectional image is the corresponding second horizontal shielding line (SH2) which on the other side of the first horizontal line (LH1) also runs parallel to this, not shown. The shielding lines are electrically connected to the substrate (D) in this example by means of contacts (KV11, KH11, KV12, KH12, KV13). If an extraction field is now applied between two parallel shielding lines by applying an extraction voltage between them, a measurable current flow occurs when the quantum dots (NV1, NV2) are irradiated with pump radiation (LB) and when the paramagnetic centers (NV1) of these quantum dots ( NV11, NV12) are in the correct quantum state, which is significantly influenced by the potentials of the first horizontal line (LH1), the first vertical line (LV1) and the second vertical line (LV2). Further information can be found in Petr Siyushev, Milos Nesladek, Emilie Bourgeois, Michal Gulka, Jaroslav Hruby, Takashi Yamamoto, Michael Trupke, Tokuyuki Teraji, Junichi Isoya, Fedor Jelezko, "Photoelectrical imaging and coherent spin-state readout of single nitrogen-vacancy centers in diamond ", Science 363, 728-731 (2019) February 15, 2019.
In der Figur 81 sind die paramagnetischen Zentren (NV1) der Quantenpunkte (NV11, NV12) jeweils Teil mehrerer Kern-Elektron-Quantenregister. Das bedeutet, dass jeweils die paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) der Quantenpunkte (NV11, NV12) ist in dem Beispiel der Figur 81 jeweils mit einem Kernzentrum (CI) oder mehreren In FIG. 81, the paramagnetic centers (NV1) of the quantum dots (NV11, NV12) are each part of several nuclear electron quantum registers. This means that the paramagnetic centers (NV1) or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) of the quantum dots (NV11, NV12) each have one or more core centers (CI) in the example in FIG. 81
Kernzentren (CI) oder einer Gruppe oder mehreren Gruppen (CIC) von Kernzentren (CI) gekoppelt, d.h. verschränkt werden kann. Die hierzu notwendigen Signale werden auch hier über die erste horizontale Leitung (LH) und über die vertikalen Leitungen (LV1, LV2, LV3) zugeführt. Da die Core centers (CI) or a group or groups (CIC) of core centers (CI) can be coupled, i.e. interlocked. The signals required for this are also fed in via the first horizontal line (LH) and the vertical lines (LV1, LV2, LV3). Since the
Verschränkungsreichweite der paramagnetischen Zentren (NV1) in der Regel größer ist als die der Kernzentren (CI) können beispielsweise zwei Kernzentren (CI) unterschiedlicher Kern-Elektron- Quantenregister (CEQUREG1, CEQUREG2) unter Nutzung der paramagnetischen Zentren (NV1) als Ancilla-Quantenbits miteinander verschränkt werden. In diesem Zusammenhang wird auf die deutsche Patentanmeldung DE 10 2020 101 784.7 mit einer gleichen Priorität wie die hier vorgelegte Anmeldung hingewiesen, die zum Zeitpunkt der Anmeldung dieser Schrift noch nicht veröffentlicht ist. Der erste Quantenpunkt (NV11) der ersten QuantenALU (QUALU1) kann im Beispiel der Figur 81 mit einem ersten Kernquantenpunkt (Clli) der ersten QuantenALU (QUALU1) wechselwirken, wenn die erste vertikale Leitung (LV1) und die erste horizontale Leitung (LH1) mit einem ersten vertikalen Strom (IV1) und einem ersten horizontalen Strom (IH1) bestromt werden, die mit einer ersten Elektron-Kern-Radiowellenresonanzfrequenz (fRwEci_i) für die erste QuantenALU (QUALU1) oder einer ersten Kern-Elektron- Mikrowellenresonanzfrequenz (fMwcEi_i) für die erste QuantenALU (QUALU1) moduliert sind. Diese erste Elektron-Kern-Radiowellenresonanzfrequenz (fRwEci_i) für die erste QuantenALU (QUALU1) und diese erste Kern-Elektron- Mikrowellenresonanzfrequenz (fMwcEi_i) für die erste QuantenALU (QUALU1) werden bevorzugt in einem Initialisierungsschritt einmalig durch eine OM DR Messung gemessen. Die Messwerte werden in einem Speicher des Steuerrechners (pC) abgelegt, die dieser abruft, wenn das entsprechende Kern-Elektron-Quantenregister (CEQUREG1, CEQUREG1) angesteuert werden soll. Der Steuerrechner (pC) stellt dann die Frequenzen Entanglement range of the paramagnetic centers (NV1) is usually greater than that of the core centers (CI), for example, two core centers (CI) of different core-electron quantum registers (CEQUREG1, CEQUREG2) using the paramagnetic centers (NV1) as ancilla quantum bits with each other be entangled. In this context, the German patent application DE 10 2020 101 784.7 with the same priority as the application presented here, which has not yet been published at the time of this application. The first quantum dot (NV11) of the first quantum ALU (QUALU1) can interact in the example of Figure 81 with a first nuclear quantum dot (Clli) of the first quantum ALU (QUALU1) if the first vertical line (LV1) and the first horizontal line (LH1) with a first vertical current (IV1) and a first horizontal current (IH1) are energized, which with a first electron-nuclear radio wave resonance frequency (f R w E ci_i) for the first quantum ALU (QUALU1) or a first nuclear-electron microwave resonance frequency ( f M wc Ei _i) are modulated for the first quantum ALU (QUALU1). This first electron nuclear radio wave resonance frequency (f R w E ci_i) for the first quantum ALU (QUALU1) and this first nuclear electron microwave resonance frequency (f M wc Ei _i) for the first quantum ALU (QUALU1) are preferably performed once in an initialization step measured an OM DR measurement. The measured values are stored in a memory of the control computer (pC), which it retrieves when the corresponding core electron quantum register (CEQUREG1, CEQUREG1) is to be controlled. The control computer (pC) then sets the frequencies
entsprechend ein. accordingly.
Der erste Quantenpunkt (NV11) der ersten QuantenALU (QUALU1) kann in dem Beispiel der Figur 81 mit einem zweiten Kernquantenpunkt (Cll2) der ersten QuantenALU (QUALU1) wechselwirken, wenn die erste vertikale Leitung (LV1) und die erste horizontale Leitung (LH1) mit einem ersten vertikalen Strom (IV1) und einem ersten horizontalen Strom (IH1) bestromt werden, die mit einer zweiten Elektron-Kern-Radiowellenresonanzfrequenz (fR EC2_i) für die erste QuantenALU (QUALU1) oder einer zweiten Kern-Elektron- Mikrowellenresonanzfrequenz (fMwcE2_i) für die erste QuantenALU (QUALU1) moduliert sind. Diese zweite Elektron-Kern-Radiowellenresonanzfrequenz (fR EC2_i) für die erste QuantenALU (QUALU1) und diese zweite Kern-Elektron- Mikrowellenresonanzfrequenz (fMwcE2_i) für die erste QuantenALU (QUALU1) werden bevorzugt in dem besagten The first quantum dot (NV11) of the first quantum ALU (QUALU1) can interact in the example of FIG. 81 with a second nuclear quantum dot (Cll 2 ) of the first quantum ALU (QUALU1) if the first vertical line (LV1) and the first horizontal line (LH1 ) are energized with a first vertical current (IV1) and a first horizontal current (IH1) which have a second electron-nuclear radio wave resonance frequency (f R EC2_i) for the first quantum ALU (QUALU1) or a second nuclear-electron microwave resonance frequency ( f M wcE2_i) are modulated for the first quantum ALU (QUALU1). This second electron-nuclear radio wave resonance frequency (f R EC2_i) for the first quantum ALU (QUALU1) and this second nuclear-electron microwave resonance frequency (f M wcE2_i) for the first quantum ALU (QUALU1) are preferred in said
Initialisierungsschritt einmalig durch eine weitere OMDR Messung gemessen. Die Messwerte werden in einem Speicher des Steuerrechners (pC) abgelegt, die dieser abruft, wenn das entsprechende Kern-Elektron-Quantenregister (CEQUREG) angesteuert werden soll. Der Steuerrechner (pC) stellt dann die Frequenzen entsprechend ein. Initialization step measured once by another OMDR measurement. The measured values are stored in a memory of the control computer (pC), which it calls up when the corresponding core electron quantum register (CEQUREG) is to be controlled. The control computer (pC) then sets the frequencies accordingly.
Der erste Quantenpunkt (NV11) der ersten QuantenALU (QUALU1) kann in dem Beispiel der Figur 83 mit einem dritten Kernquantenpunkt (Cll3) der ersten QuantenALU (QUALU1) wechselwirken, wenn die erste vertikale Leitung (LV1) und die erste horizontale Leitung (LH1) mit einem ersten vertikalen Strom (IV1) und einem ersten horizontalen Strom (IH1) bestromt werden, die mit einer dritten Elektron-Kern-Radiowellenresonanzfrequenz (fR EC3_i) für die erste QuantenALU (QUALU1) oder einer dritte Kern-Elektron- Mikrowellenresonanzfrequenz (fMwcE3_i) für die erste QuantenALU (QUALU1) moduliert sind. Diese dritte Elektron-Kern-Radiowellenresonanzfrequenz (fRwEC3_i) für die erste QuantenALU (QUALU1) und diese dritte Kern-Elektron- Mikrowellenresonanzfrequenz (fMwcE3_i) für die erste QuantenALU (QUALU1) werden bevorzugt in dem besagten Initialisierungsschritt einmalig durch eine weitere OMDR Messung gemessen. Die Messwerte werden in einem Speicher des Steuerrechners (pC) abgelegt, die dieser abruft, wenn das entsprechende Kern-Elektron- Quantenregister (CEQUREG) angesteuert werden soll. Der Steuerrechner (pC) stellt dann die Frequenzen entsprechend ein. The first quantum dot (NV11) of the first quantum ALU (QUALU1) can interact in the example of FIG. 83 with a third nuclear quantum dot (Cll 3 ) of the first quantum ALU (QUALU1) if the first vertical line (LV1) and the first horizontal line (LH1 ) with a first vertical Current (IV1) and a first horizontal current (IH1) are energized, which have a third electron-nuclear radio wave resonance frequency (f RE C3_i) for the first quantum ALU (QUALU1) or a third nuclear-electron microwave resonance frequency (f M wc E 3_i ) are modulated for the first quantum ALU (QUALU1). This third electron nuclear radio wave resonance frequency (f R w E C3_i) for the first quantum ALU (QUALU1) and this third nuclear electron microwave resonance frequency (f M wc E 3_i) for the first quantum ALU (QUALU1) are preferably unique in the aforementioned initialization step measured by another OMDR measurement. The measured values are stored in a memory of the control computer (pC), which it calls up when the corresponding core electron quantum register (CEQUREG) is to be controlled. The control computer (pC) then sets the frequencies accordingly.
Der zweite Quantenpunkt (NV12) der zweiten QuantenALU (QUALU2) kann Beispiel der Figur 83 mit einem ersten Kernquantenpunkt (CI2i) der zweiten QuantenALU (QUALU2) wechselwirken, wenn die zweite vertikale Leitung (LV2) und die erste horizontale Leitung (LH1) mit einem zweiten vertikalen Strom (IV2) und einem ersten horizontalen Strom (IH1) bestromt werden, die mit einer ersten Elektron-Kern-Radiowellenresonanzfrequenz (fRwEci_2) für die zweite QuantenALU (QUALU2) oder einer ersten Kern-Elektron- Mikrowellenresonanzfrequenz (fMwcEi_2) für die zweite QuantenALU (QUALU2) moduliert sind. Diese erste Elektron-Kern-Radiowellenresonanzfrequenz (fRwEci_2) für die zweite QuantenALU (QUALU2) und diese erste Kern-Elektron- Mikrowellenresonanzfrequenz (fMwcEi_2) für die zweite QuantenALU (QUALU2) werden bevorzugt in einem Initialisierungsschritt einmalig durch eine OMDR Messung gemessen. Die Messwerte werden in einem Speicher des Steuerrechners (pC) abgelegt, die dieser abruft, wenn das entsprechende Kern-Elektron- Quantenregister (CEQUREG) angesteuert werden soll. Der Steuerrechner (pC) stellt dann die Frequenzen entsprechend ein. The second quantum dot (NV12) of the second quantum ALU (QUALU2) can interact with a first nuclear quantum dot (CI2i) of the second quantum ALU (QUALU2) if the second vertical line (LV2) and the first horizontal line (LH1) with a second vertical current (IV2) and a first horizontal current (IH1) are energized, which with a first electron-nuclear radio wave resonance frequency (f R w E ci_2) for the second quantum ALU (QUALU2) or a first nuclear-electron microwave resonance frequency (f M wc E i_2) are modulated for the second quantum ALU (QUALU2). This first electron nuclear radio wave resonance frequency (f R w E ci_2) for the second quantum ALU (QUALU2) and this first nuclear electron microwave resonance frequency (f M wc Ei _2) for the second quantum ALU (QUALU2) are preferably performed once in an initialization step measured an OMDR measurement. The measured values are stored in a memory of the control computer (pC), which it calls up when the corresponding core electron quantum register (CEQUREG) is to be controlled. The control computer (pC) then sets the frequencies accordingly.
Der zweite Quantenpunkt (NV12) der zweiten QuantenALU (Q.UALU2) kann in dem Beispiel der Figur 83 mit einem zweiten Kernquantenpunkt (CI22) der zweiten QuantenALU (Q.UALU2) wechselwirken, wenn die zweite vertikale Leitung (LV2) und die erste horizontale Leitung (LH1) mit einem zweiten vertikalen Strom (IV2) und einem ersten horizontalen Strom (IH1) bestromt werden, die mit einer zweiten Elektron-Kern-Radiowellenresonanzfrequenz (fR EC2_2) für die zweite QuantenALU (Q.UALU2) oder einer zweiten Kern-Elektron- Mikrowellenresonanzfrequenz (fMwcE2_2) für die zweite The second quantum dot (NV12) of the second quantum ALU (Q.UALU2) can interact in the example of FIG. 83 with a second nuclear quantum dot (CI2 2 ) of the second quantum ALU (Q.UALU2) if the second vertical line (LV2) and the first horizontal line (LH1) with a second vertical current (IV2) and a first horizontal current (IH1) are energized, which with a second electron-nucleus radio wave resonance frequency (f R EC 2_2) for the second quantum ALU (Q.UALU2) or a second nuclear electron microwave resonance frequency (f M wc E 2_2) for the second
QuantenALU (Q.UALU2) moduliert sind. Diese zweite Elektron-Kern-Radiowellenresonanzfrequenz (fRWEC2_2) für die zweite QuantenALU (Q.UALU2) und diese zweite Kern-Elektron- Mikrowellenresonanzfrequenz (fMwcE2_2) für die zweite QuantenALU (QUALU2) werden bevorzugt in dem besagten Initialisierungsschritt einmalig durch eine weitere OMDR Messung gemessen. Die Messwerte werden in einem Speicher des Steuerrechners (pC) abgelegt, die dieser abruft, wenn das entsprechende Kern-Elektron-Quantenregister (CEQUREG) angesteuert werden soll. Der Quantum ALU (Q.UALU2) are modulated. This second electron-nuclear radio wave resonance frequency (f RWEC 2_2) for the second quantum ALU (Q.UALU2) and this second nuclear-electron Microwave resonance frequencies (f M wc E 2_2) for the second quantum ALU (QUALU2) are preferably measured once in the aforementioned initialization step by a further OMDR measurement. The measured values are stored in a memory of the control computer (pC), which it calls up when the corresponding core electron quantum register (CEQUREG) is to be controlled. The
Steuerrechner (pC) stellt dann die Frequenzen entsprechend ein. The control computer (pC) then sets the frequencies accordingly.
Der zweite Quantenpunkt (NV12) der zweiten QuantenALU (QUALU2) kann in dem Beispiel der Figur 20 mit einem dritten Kernquantenpunkt (CI23) der zweiten QuantenALU (QUALU2) wechselwirken, wenn die zweite vertikale Leitung (LV2) und die erste horizontale Leitung (LH1) mit einem zweiten vertikalen Strom (IV2) und einem ersten horizontalen Strom (IH1) bestromt werden, die mit einer dritten Elektron-Kern-Radiowellenresonanzfrequenz (fR EC3_2) für die zweite QuantenALU (QUALU2) oder einer dritten Kern-Elektron- Mikrowellenresonanzfrequenz (fMwcE3_2) für die zweite QuantenALU (QUALU2) moduliert sind. Diese dritte Elektron-Kern-Radiowellenresonanzfrequenz (fRwEC3_2) für die zweite QuantenALU (QUALU2) und diese dritte Kern-Elektron- Mikrowellenresonanzfrequenz (fiviwcE3_2) für die zweite QuantenALU (QUALU2) werden bevorzugt in dem besagten The second quantum dot (NV12) of the second quantum ALU (QUALU2) can interact in the example of FIG. 20 with a third nuclear quantum dot (CI2 3 ) of the second quantum ALU (QUALU2) if the second vertical line (LV2) and the first horizontal line (LH1 ) are energized with a second vertical current (IV2) and a first horizontal current (IH1) which have a third electron-nuclear radio wave resonance frequency (f R EC 3_2) for the second quantum ALU (QUALU2) or a third nuclear-electron microwave resonance frequency (f M wc E 3_2) are modulated for the second quantum ALU (QUALU2). This third electron-nuclear radio wave resonance frequency (f R w EC 3_2) for the second quantum ALU (QUALU2) and this third nuclear-electron microwave resonance frequency (fiviwc E 3_2) for the second quantum ALU (QUALU2) are preferred in said
Initialisierungsschritt einmalig durch eine weitere OMDR Messung gemessen. Die Messwerte werden in einem Speicher des Steuerrechners (pC) abgelegt, die dieser abruft, wenn das entsprechende Kern-Elektron-Quantenregister (CEQUREG) angesteuert werden soll. Der Steuerrechner (pC) stellt dann die Frequenzen entsprechend ein. Initialization step measured once by another OMDR measurement. The measured values are stored in a memory of the control computer (pC), which it calls up when the corresponding core electron quantum register (CEQUREG) is to be controlled. The control computer (pC) then sets the frequencies accordingly.
Da die Reichweite der Kopplung der Quantenpunkte (NV11, NV12) größer ist, können diese miteinander gekoppelt werden. Der zweite Quantenpunkt (NV12) der zweiten QuantenALU Since the range of the coupling of the quantum dots (NV11, NV12) is greater, they can be coupled with one another. The second quantum dot (NV12) of the second quantum ALU
(Q.UALU2) kann in dem Beispiel der Figur 81 mit dem ersten Quantenpunkt (NV1) der ersten QuantenALU (QUALU1) wechselwirken, wenn die erste vertikale Leitung (LV1) und die die zweite vertikale Leitung (LV2) und die erste horizontale Leitung (LH1) mit einem ersten vertikalen Strom (I VI) und einem zweiten vertikalen Strom (IV2) und einem ersten horizontalen Strom (IH1) bestromt werden, die mit einer Elektronl-Elektron2- Mikrowellenresonanzfrequenz (fMwEEi2) für die Kopplung des ersten Quantenpunkts (NV1) der ersten QuantenALU (QUALU1) mit dem zweiten Quantenpunkt (NV2) der zweiten QuantenALU (Q.UALU2) moduliert sind. Diese Elektronl-Elektron2- Mikrowellenresonanzfrequenz (fMwEEi2) für die Kopplung des ersten Quantenpunkts (NV1) der ersten QuantenALU (QUALU1) wird bevorzugt in dem besagten Initialisierungsschritt einmalig durch eine weitere OMDR Messung gemessen. Die Messwerte werden in einem Speicher des Steuerrechners (pC) abgelegt, die dieser abruft, wenn das entsprechende Elektron-Elektron-Quantenregister (QUREG) umfassend den ersten Quantenpunkt (NV1) und den zweiten Quantenpunkt (NV2) angesteuert werden soll. Der Steuerrechner (pC) stellt dann die Frequenzen entsprechend ein. In the example in FIG. 81, (Q.UALU2) can interact with the first quantum dot (NV1) of the first quantum ALU (QUALU1) if the first vertical line (LV1) and the second vertical line (LV2) and the first horizontal line ( LH1) with a first vertical current (I VI) and a second vertical current (IV2) and a first horizontal current (IH1) are energized, which with an Elektronl-Elektron2- microwave resonance frequency (f M w EEi 2) for the coupling of the first Quantum dot (NV1) of the first quantum ALU (QUALU1) are modulated with the second quantum dot (NV2) of the second quantum ALU (Q.UALU2). This electron / electron2 microwave resonance frequency (f M w EEi 2) for the coupling of the first quantum dot (NV1) of the first quantum ALU (QUALU1) is preferably measured once in the aforementioned initialization step by a further OMDR measurement. The measured values are stored in a memory of the control computer (pC), which this calls up when the corresponding electron-electron quantum register (QUREG) including the first quantum dot (NV1) and the second quantum dot (NV2) should be controlled. The control computer (pC) then sets the frequencies accordingly.
Durch die Verschränkung der Kernzentren miteinander bzw. der paramagnetischen Zentren (NV1) miteinander bzw. der paramagnetischen Zentren (NV1) mit den Kernzentren (CI) können ganz neue Parameter der Messung zugänglich gemacht werden, da hierdurch der Fotostrom und/oder die Fluoreszenzstrahlung der paramagnetischen Zentren (NV1) von diesen Paramatern in ganz neu erfassbarer Weise und Empfindlichkeit abhängen. By entangling the core centers with each other or the paramagnetic centers (NV1) with each other or the paramagnetic centers (NV1) with the core centers (CI), completely new parameters of the measurement can be made accessible, since this allows the photocurrent and / or the fluorescence radiation of the paramagnetic Centers (NV1) depend on these parameters in a completely new way and sensitivity.
F ig u r 82 Fig. 82
Figur 82 entspricht der Figur 4 mit dem Unterschied, dass nun statt der Fluoreszenzstrahlung (FL) der paramagnetischen Zentren (NV1) des Sensorelements nun der Fotostrom, der durch das oder die paramagnetischen Zentren (NV1) bei Bestrahlung mit Pumpstrahlung (LB) in Abhängigkeit von der Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB) und in Abhängigkeit von der magnetischen Flussdichte B und ggf. in Abhängigkeit von weiteren physikalischen Parametern erzeugt wird, über Kontakte zu dem Substrat (D) mit dem paramagnetischen Zentrum (NV1) bzw. den paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der Gruppe oder den Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) erfasst und ausgewertet wird. Im Gegensatz zur Figur 4 ist daher nun das Substrat (D) des Sensorelements direkt mit dem ersten Verstärker (VI) über das Empfängerausgangssignal (SO) verbunden, wobei der erste 82 corresponds to FIG. 4 with the difference that instead of the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic centers (NV1) of the sensor element, the photocurrent that flows through the paramagnetic center or centers (NV1) when irradiated with pump radiation (LB) is dependent on the intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB) and is generated as a function of the magnetic flux density B and possibly as a function of further physical parameters, via contacts to the substrate (D) with the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic center Centers (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) is recorded and evaluated. In contrast to FIG. 4, the substrate (D) of the sensor element is now connected directly to the first amplifier (VI) via the receiver output signal (SO), the first
Verstärker (VI) den von den paramagnetischen Zentren (VI) erzeugten Fotostrom absaugt. Die Auswertungs- und Regel-Methoden, die in dieser Schrift an verschiedenen Stellen erläutert wurden können mit dieser Art der Auslesung der paramagnetischen Zentren (NV1) kombiniert werden. Zur Vereinfachung werden sie hier nicht weiter erläutert. Auf die Figuren 78, 79 und 81 wird hier hingewiesen. Amplifier (VI) sucks off the photocurrent generated by the paramagnetic centers (VI). The evaluation and control methods that have been explained in various places in this document can be combined with this type of reading out of the paramagnetic centers (NV1). For the sake of simplicity, they are not explained further here. Reference is made here to Figures 78, 79 and 81.
F ig u r 83 Fig. 83
In der Figur 83 wird der beispielhafte Aufbau eines weiteren vorgeschlagenen Sensorsystems gezeigt. Sie umfasst ein Sendesignal (S5) und eine Pumpstrahlungsquelle (PLI). Diese Pumpstrahlungsquelle (PLI) erzeugt vorzugsweise eine für ein oder mehrere paramagnetischen Zentren (NV1) in einem diamagnetischen Material (MPZ) eines Sensorelements optimale Anregung insbesondere in FIG. 83 shows the exemplary structure of a further proposed sensor system. It comprises a transmission signal (S5) and a pump radiation source (PLI). This pump radiation source (PLI) preferably generates an optimal excitation for one or more paramagnetic centers (NV1) in a diamagnetic material (MPZ) of a sensor element, in particular in
Abhängigkeit von dem Sendesignal (S5), ohne das oder die paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. die Gruppe oder Gruppen (NVC) aus NV-Zentren als paramagnetischen Zentren (NV1) zu zerstören, umzuladen oder in einen metastabilen Zustand zu versetzen. Vorzugsweise besitzt die Pumpstrahlung (LB) im Falle von NV-Zentren als paramagnetischen Zentren (NV1) eine Pumpstrahlungswellenlänge (lrGTΐr) zwischen 500-600 nm, um die NV-Zentren in dem oder den Diamanten als Material (MPS) des Sensorelements anzuregen. Alternativ kann ein zweiter Filter (F2) genutzt werden, um aus einem breiteren elektromagnetischen Spektrum der Pumpstrahlungsquelle (PLI) die für die Anregung optimalen Wellenlängen heraus zu filtern. Die Pumpstrahlung (LB) wird dann bevorzugt zu dem diamagnetischen Material (MPZ) innerhalb des Sensorelements, das im Übrigen das diamagnetische Material (MPZ) sein kann oder umfassen kann, mit dem bzw. den darin enthaltenen paramagnetischen Zentren (NV1) und/oder einer oder mehrerer Gruppen (NVC) aus NV- Zentren als paramagnetischen Zentren (NV1) geleitet. Vorzugweise handelt es sich bei dem Dependence on the transmission signal (S5) without destroying, reloading or putting the paramagnetic center or centers (NV1) or the group or groups (NVC) of NV centers as paramagnetic centers (NV1) into a metastable state. Preferably has the Pump radiation (LB) in the case of NV centers as paramagnetic centers (NV1) a pump radiation wavelength (l rGTΐr ) between 500-600 nm in order to excite the NV centers in the diamond or diamonds as material (MPS) of the sensor element. Alternatively, a second filter (F2) can be used to filter out the optimal wavelengths for the excitation from a broader electromagnetic spectrum of the pump radiation source (PLI). The pump radiation (LB) is then preferably to the diamagnetic material (MPZ) within the sensor element, which may otherwise be or may include the diamagnetic material (MPZ), with the paramagnetic center (s) (NV1) and / or a or several groups (NVC) of NV centers as paramagnetic centers (NV1). It is preferably the
Sensorelement um einen HD-NV-Diamanten mit hoher NV-Zentrumsdichte. Vorzugsweise handelt es sich um einen mittels hohem Druck und hoher Temperatur künstlich erzeugter Diamant mit einem Gehalt von NV-Zentren in einem Bereich von O.lppm bis 500 ppm. Diamanten, die mit hohem Druck und hoher Temperatur erzeugt wurden heißen auch HPHT-Diamanten für englisch High-Pressure- High-Temperature. In einer weiteren Ausführungsform kann beispielsweise auch eine polykristalline Diamantkonfiguration mit einem oder mehreren NV Zentren als paramagnetischen Zentren (NV1) und/oder einer oder mehrerer Gruppen (NVC) aus NV-Zentren als paramagnetischen Zentren (NV1) genutzt werden. Des Weiteren kann jede Ansammlung von kleinem diamanthaltigen Material, beispielsweise nanokristalline Diamantpulver oder Diamantgranulat, die jeweils in einem optisch transparenten Trägermaterial wie beispielsweise Glas oder Kunststoff eingebettet sind und die bevorzugt alle oder teilweise HD-NV-Diamanten sind, genutzt werden. Voraussetzung ist, dass die Menge an paramagnetischen Zentren (NV1) in ausreichender Form vorhanden ist, so dass eine Fluoreszenzstrahlung (FL) mit ausreichender Intensität (lfl) der Fluoreszenzstrahlung (FL) erzeugt wird, um beispielsweise die Detektion der Schwingungen eines schwingungsfähigen mechanischen Systems und/oder um beispielsweise die Position eines beweglichen mechanischen Systems festzustellen. Der Vorteil einer Verwendung von Granulat oder nanokristallinem Pulver ist die stochastische Verteilung der Ausrichtungen der Kristalle, die zu der Empfindlichkeitskurve der Figur 28 führt. Die mechanischen und/oder elektromechanischen Schwingungen können dabei sehr hohe Frequenzen betreffen, da die mögliche Abtastrate bei der Erfassung mit paramagnetischen Zentren (NV1) sehr hoch ist. Die Fluoreszenzstrahlung (FL) wird vorzugsweise mit Hilfe eines ersten Filters (Fl) von der Pumpstrahlung (LB) getrennt und in einem der Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (lh) der Fluoreszenzstrahlung (FL) angepassten Strahlungsempfänger (PD) in ein elektrisches Sensor element around an HD NV diamond with high NV center density. It is preferably a diamond artificially produced by means of high pressure and high temperature with a content of NV centers in a range from 0.1 ppm to 500 ppm. Diamonds that were created with high pressure and high temperature are also called HPHT diamonds for high-pressure-high-temperature. In a further embodiment, for example, a polycrystalline diamond configuration with one or more NV centers as paramagnetic centers (NV1) and / or one or more groups (NVC) of NV centers as paramagnetic centers (NV1) can be used. Furthermore, any accumulation of small diamond-containing material, for example nanocrystalline diamond powder or diamond granules, which are each embedded in an optically transparent carrier material such as glass or plastic and which are preferably all or some of the HD-NV diamonds, can be used. The prerequisite is that the amount of paramagnetic centers (NV1) is available in sufficient form so that fluorescence radiation (FL) with sufficient intensity (l fl ) of fluorescence radiation (FL) is generated, for example to detect the vibrations of a vibratory mechanical system and / or, for example, to determine the position of a movable mechanical system. The advantage of using granules or nanocrystalline powder is the stochastic distribution of the orientations of the crystals, which leads to the sensitivity curve in FIG. The mechanical and / or electromechanical vibrations can affect very high frequencies, since the possible sampling rate when recording with paramagnetic centers (NV1) is very high. The fluorescence radiation (FL) is preferably separated from the pump radiation (LB) with the aid of a first filter (F1) and converted into an electrical radiation receiver (PD) which is adapted to the fluorescence radiation wavelength (1h) of the fluorescence radiation (FL)
Empfängerausgangssignal (SO) gewandelt. Die Anordnung der Pumpstrahlungsquelle (PLI) und des Strahlungsempfängers (PD) zum Sensorelement mit dem Material (MPZ) mit dem bzw. den paramagnetischen Zentren (NV1) ist dabei vorzugsweise so gewählt, dass eine optimale Einkopplung der Pumpstrahlung (LB) in das paramagnetische Zentrum (NV1) bzw. die paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. die Grippe (NVC) oder Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) erfolgen kann. Es kann auch eine Anordnung mit Pumpstrahlungsquelle (PLI) und Strahlungsempfänger (PD) auf einer Seite und dem Sensorelement mit dem Material (MPZ) mit dem oder den paramagnetischen Zentren (NV1) auf der anderen Seite genutzt werden. Vorzugsweise wird die Anordnung so gewählt, dass eine optimale Ausleuchtung des Sensorelements mit dem Material (MPZ) mit dem oder den Receiver output signal (SO) converted. The arrangement of the pump radiation source (PLI) and the The radiation receiver (PD) to the sensor element with the material (MPZ) with the paramagnetic center (s) (NV1) is preferably selected so that an optimal coupling of the pump radiation (LB) into the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers ( NV1) or the flu (NVC) or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) can occur. An arrangement with a pump radiation source (PLI) and radiation receiver (PD) on one side and the sensor element with the material (MPZ) with the paramagnetic center or centers (NV1) on the other side can also be used. The arrangement is preferably chosen so that optimal illumination of the sensor element with the material (MPZ) with the
paramagnetischen Zentren (NV1) durch eine hohe Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB) und eine optimale Detektion der Fluoreszenzstrahlung (FL) erreicht wird bei gleichzeitiger hoher Variation eines Feldes aufgrund des schwingenden Systems (MQ1+MS). Optional kann eine zweite ortsfeste Feldquelle (MQ2) genutzt werden, um die Empfindlichkeit des Sensorsystems für Änderungen der Fluoreszenzstrahlung (FL) beispielsweise durch eine magnetische Bias-Flussdichte (B0) zu verstärken und einen Arbeitspunkt in Nähe der magnetischen Flussdichte (Bopt) mit der maximalen Abhängigkeit der Intensität (lf|) der Fluoreszenzstrahlung (FL) von der magnetischen Flussdichte (B) einzustellen. Vorzugsweise wird im Sensorelement als Material mit paramagnetischen Zentren (NV1), Diamant mit NV Zentren verwendet und der magnetische Systemarbeitspunkt in Form der magnetischen paramagnetic centers (NV1) by a high intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB) and an optimal detection of the fluorescence radiation (FL) is achieved with simultaneous high variation of a field due to the oscillating system (MQ1 + MS). Optionally, a second stationary field source (MQ2) can be used to increase the sensitivity of the sensor system to changes in the fluorescence radiation (FL), for example through a magnetic bias flux density (B 0 ) and an operating point near the magnetic flux density (B opt ) the maximum dependence of the intensity (l f | ) of the fluorescence radiation (FL) on the magnetic flux density (B). The material with paramagnetic centers (NV1), diamond with NV centers and the magnetic system operating point in the form of the magnetic ones are preferably used in the sensor element
Flussdichte B in Form der mittleren Summe der magnetischen Flussdichte Bi der ersten Feldquelle (MQ1) und der magnetischen Flussdichte B2 der zweiten Feldquelle (MQ2) in einem Bereich von 0.1 mT- 50mT gelegt. Das Empfängerausgangssignal (SO), dass der Strahlungsempfänger (PD) in Flux density B in the form of the mean sum of the magnetic flux density Bi of the first field source (MQ1) and the magnetic flux density B 2 of the second field source (MQ2) in a range from 0.1 mT- 50mT. The receiver output signal (SO) that the radiation receiver (PD) in
Abhängigkeit von der Fluoreszenzstrahlung (FL) erzeugt, wird zu der Ansteuer- und Auswerteinheit (LIV) geführt. Vorzugsweise umfasst die Ansteuer- und Auswerteinheit (LIV) einer Vorrichtung, wie sie hier vorgestellt wurde. Generated as a function of the fluorescence radiation (FL), is fed to the control and evaluation unit (LIV). The control and evaluation unit (LIV) preferably comprises a device as presented here.
Figu r 84 Fig. 84
In Figur 84 wird ein alternativer Aufbau eines beispielhaften Sensorsystems mit elektronischer statt optischer Auslesung beschrieben, in dem die Sensoreinheit bestehend aus dem Sensorelement mit dem Material (MPZ) mit dem oder den paramagnetischen Zentren (NV1), der Pumpstrahlungsquelle (PLI) und erstem Filter (Fl) und Strahlungsempfänger (PD) mit optionalem zweiten Filter (F2) an das ein schwingendes mechanisches System (MS), beispielsweise eine schwingende Saite eines FIG. 84 describes an alternative structure of an exemplary sensor system with electronic instead of optical readout, in which the sensor unit consisting of the sensor element with the material (MPZ) with the paramagnetic center or centers (NV1), the pump radiation source (PLI) and the first filter ( Fl) and radiation receiver (PD) with an optional second filter (F2) to which a vibrating mechanical system (MS), for example a vibrating string of a
Musikinstruments, gekoppelt ist. Vorzugsweise wird eine erste ortsfeste Feldquelle (MQ1) für ein elektronisches oder magnetisches Feld mit einer im gleichen Bezugsystem wie das Sensorelement befindlichen zweiten Feldquelle (MQ2) für ein weiteres überlagerndes elektrisches oder magnetisches Feld kombiniert, um eine Fluoreszenzstrahlung (FL) in Bezug zu dem schwingenden mechanischen System (MS) zu optimieren. Die Auswertung des Empfängerausgangssignals (SO) des Strahlungsempfängers (PD) wird vorzugsweise im einfachsten Fall wieder über einen Lock-In Verstärker erreicht. Musical instrument, is coupled. A first stationary field source (MQ1) for an electronic or magnetic field with a reference system in the same reference system as the sensor element is preferably used located second field source (MQ2) for a further superimposed electric or magnetic field combined in order to optimize a fluorescence radiation (FL) in relation to the oscillating mechanical system (MS). The evaluation of the receiver output signal (SO) of the radiation receiver (PD) is preferably achieved again in the simplest case via a lock-in amplifier.
Die ortsfeste erste Feldquelle (MQ1) erregt in dem beispielhaften Fall der Figur 84 das schwingende mechanische System (MS), das beispielsweise ferromagnetisch sein kann, mit einer elektrischen Feldstärke H. In dem Beispiel der Figur 84 stellt dann die zweite Feldquelle (MQ2) das Bias-Feld mit der Bias-Flussdichte B0 so ein, dass sich der magnetische Arbeitspunkt des Sensorelements bei der Flussdichte (Bopt) des optimalen magnetischen Arbeitspunkts des Sensorelements mit den paramagnetischen Zentren (NV1) und/oder der Gruppe (NVC) paramagnetische Zentren (NV1) und oder den Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren befindet (Siehe Figur 28). Die in Figur 27 und 28 dargestellte Charakteristik der Intensität (lf|) der Fluoreszenzstrahlung (FL) in Abhängigkeit von der magnetischen Flussdichte B besteht in analoger ähnlicher Weise auch für die Abhängigkeit des durch das paramagnetische Zentrum (NV1) und/oder die paramagnetischen Zentren (NV1) und/oder die Gruppe (NVC) der paramagnetischen Zentren (NV1) und/oder der Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) von der magnetischen Flussdichte B. Aus diesem Grunde wurden die Figuren 27 und 28 nicht dupliziert. The stationary first field source (MQ1) excites the oscillating mechanical system (MS), which can be ferromagnetic, for example, with an electrical field strength H. In the example of FIG. 84, the second field source (MQ2) then provides this Bias field with the bias flux density B 0 so that the magnetic working point of the sensor element at the flux density (B opt ) of the optimal magnetic working point of the sensor element with the paramagnetic centers (NV1) and / or the group (NVC) paramagnetic centers (NV1) and / or the groups (NVC) of paramagnetic centers (see Figure 28). The characteristic of the intensity (l f | ) of the fluorescence radiation (FL) as a function of the magnetic flux density B shown in FIGS. 27 and 28 also exists in an analogous manner for the dependence of the paramagnetic center (NV1) and / or the paramagnetic centers (NV1) and / or the group (NVC) of paramagnetic centers (NV1) and / or the groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) of the magnetic flux density B. For this reason, FIGS. 27 and 28 have not been duplicated.
Im beispielhaften Falle von elektrostatischen Feldern wären die erste Feldquelle (MQ1) und die zweite Feldquelle (MQ2) dann Kombinationen aus jeweils einer Elektrode und jeweils einer Spannungsquelle, wobei mit Hilfe einer zweiten Spannungsquelle und einer zweiten Elektrode, die die zweite Feldquelle (MQ2) in diesem beispielhaften Fall bilden, das Sensorelement auf ein zweites Potenzial gegenüber einem Referenzpotenzial, z.B. Masse, gelegt wird und wobei mit Hilfe einer ersten Spannungsquelle und einer ersten Elektrode, die zusammen die erste Feldquelle (MQ1) bilden, das beispielhafte mechanische Schwingelement (MS) auf ein erstes Potenzial gegenüber einem Referenzpotenzial, z.B. Masse, gelegt wird. Bevorzugt ist das mechanische Schwingelement (MS) in diesem Fall elektrisch leitend. Durch eine Schwingung des mechanischen Schwingelements (MS) wird dann eine modulierte elektrische Feldstärke E erzeugt, deren modulierte magnetische Erregung H beispielsweise dann als modulierte magnetischer Fluss B durch das paramagnetische Zentrum (NV1) bzw. die paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. die Gruppe bzw. die Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) mittels einer Modulation ihrer Fluoreszenzstrahlung (FL) und/oder einer Modulation ihres Fotoelektonenstromes messbar wird. In the exemplary case of electrostatic fields, the first field source (MQ1) and the second field source (MQ2) would then be combinations of one electrode and one voltage source each, with the aid of a second voltage source and a second electrode that the second field source (MQ2) in In this exemplary case, the sensor element is placed on a second potential with respect to a reference potential, e.g. ground, and with the aid of a first voltage source and a first electrode, which together form the first field source (MQ1), the exemplary mechanical oscillating element (MS) a first potential is placed against a reference potential, for example ground. The mechanical oscillating element (MS) is preferably electrically conductive in this case. A modulated electric field strength E is then generated by an oscillation of the mechanical oscillating element (MS), the modulated magnetic excitation H of which, for example, then as a modulated magnetic flux B through the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) or the group or . the groups (NVC) paramagnetic centers (NV1) can be measured by modulating their fluorescence radiation (FL) and / or modulating their photoelectron flow.
Figu r 85 Fig. 85
In Figur 85 ist beispielhaft eine Anwendung eines vorgeschlagenen Verfahrens dargestellt in dem der lichtempfindliche Strahlungsempfänger (PD) ersetzt wird durch eine leitende Schicht, die mit einem Kontakt (KNT) auf dem Material mit paramagnetischen Zentren (NV1) des Sensorelements aufgebracht wird und in der Lage ist, die Photoelektronen des paramagnetischen Zentrums (NV1) bzw. der paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der Gruppe (NVC) oder der Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) abzusaugen, zu sammeln und zu bestimmen. Besondere Vorzüge ergeben sich, wenn die Schicht einen ohmschen Widerstand zu einem diamagnetischen Material (MPZ) mit einem hohen Schichtwiderstand, vorzugsweise Diamant mit NV-Zentren, besitzt. Besitzt das Material einen geringen Widerstand wird vorzugsweise eine pn-Struktur oder ein Metall mit einem Schottky-Übergang zur Isolierung der Schicht gegenüber dem Material genutzt. Bevorzugt werden dünne Diamantschichten oder kleine Diamantstrukturen genutzt, um eine Abschirmung durch geladene Defektzentren zu minimieren. Um Photoelektronen durch eine doppelte Anregung zu erzeugen, wird die Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB) in einem gepulsten Strahl der FIG. 85 shows an example of an application of a proposed method in which the light-sensitive radiation receiver (PD) is replaced by a conductive layer that is applied with a contact (KNT) to the material with paramagnetic centers (NV1) of the sensor element and is capable of is to extract, collect and determine the photoelectrons of the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) or the group (NVC) or the groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1). Particular advantages result when the layer has an ohmic resistance to a diamagnetic material (MPZ) with a high sheet resistance, preferably diamond with NV centers. If the material has a low resistance, a pn structure or a metal with a Schottky junction is preferably used to isolate the layer from the material. Thin diamond layers or small diamond structures are preferably used in order to minimize shielding from charged defect centers. In order to generate photoelectrons by double excitation, the intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB) in a pulsed beam is the
Pumpstrahlung (LB) bevorzugt dadurch erreicht, dass bei gleichbleibender Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB) die Pulslängen der Pumpstrahlungspulse verringert werden und gleichzeitig die Amplitude der Intensität (lpmp) der Pumpstrahlungspulse soweit wie möglich erhöht wird. Pump radiation (LB) preferably achieved by reducing the pulse lengths of the pump radiation pulses while maintaining the same intensity (I pmp ) of the pump radiation (LB) and at the same time increasing the amplitude of the intensity (I pmp ) of the pump radiation pulses as much as possible.
Figu r 86 Fig. 86
Figur 86 zeigt das Material (MPZ) mit paramagnetischen Zentren (NV1) getrennt durch einen ersten Lichtwellenleiter (LWL1) von der Pumpstrahlungsquelle (PLI) mit dem optionalen zweiten Filter (F2) und getrennt durch einen zweiten Lichtwellenleiter (LWL2) von dem Strahlungsempfänger (PD) mit einem ersten Filter (Fl). Vorzugsweise werden die jeweiligen Lichtwellenleiter (LW1, LW2) so ausgewählt, dass sie eine optimale Übertragungsleistung für die jeweiligen unterschiedlichen Aufgaben und Wellenlängen, für die Pumpstrahlung (LB) der Pumpstrahlungsquelle (PLI) bei einer Pumpstrahlungswellenlänge lrpir und für die Fluoreszenzstrahlung (FL) des bzw. der FIG. 86 shows the material (MPZ) with paramagnetic centers (NV1) separated by a first optical waveguide (LWL1) from the pump radiation source (PLI) with the optional second filter (F2) and separated by a second optical waveguide (LWL2) from the radiation receiver (PD ) with a first filter (Fl). The respective optical waveguides (LW1, LW2) are preferably selected in such a way that they provide an optimal transmission power for the respective different tasks and wavelengths, for the pump radiation (LB) of the pump radiation source (PLI) at a pump radiation wavelength l rpir and for the fluorescence radiation (FL) des or the
paramagnetischen Zentren (NV1) bei der Fluoreszenzstrahlungswellenlänge lh, zeigen. F ig u r 87 paramagnetic centers (NV1) at the fluorescence radiation wavelength lh. Fig. 87
Figur 87 entspricht dem Aufbau von Figur 83 mit nur einem gemeinsamen Lichtwellenleiter (LWL). Bevorzugt wird in diesem Aufbau ein Lichtwellenleiter (LWL) mit einer großen Übertragungsleistung in einem Wellenlängenbereich, der die Strahlung für die Pumpstrahlung (LB) und die FIG. 87 corresponds to the structure of FIG. 83 with only one common optical waveguide (LWL). In this construction, an optical waveguide (LWL) with a high transmission power in a wavelength range that covers the radiation for the pump radiation (LB) and the
Fluoreszenzstrahlung (FL) einschließt. Bevorzugt wird in diesem Aufbau ein dichroitischer Spiegel (DCS) genutzt, um die Auskopplung der Fluoreszenzstrahlung (FL) und die Einkopplung der Includes fluorescent radiation (FL). A dichroic mirror (DCS) is preferably used in this structure to decouple the fluorescence radiation (FL) and to couple the
Pumpstrahlung (LB) in den gemeinsamen Lichtwellenleiter (LWL) zu ermöglichen. To enable pump radiation (LB) in the common optical fiber (LWL).
F ig u r 88 Fig. 88
Figur 88 zeigt die Ausführung nach dem erfindungsgemäßen Verfahren mit einer Anzahl n schwingender Teilsysteme (MS!, MS2...MSn) eines mechanischen schwingungsförmigen Systems (MS) mit n entsprechend an das jeweilige Teilsystem der n Teilsysteme (MSi bis MSn) gekoppelten ersten Feldquellen für magnetische oder elektrostatische Felder (MGli, MG12, ...., MGln) und n FIG. 88 shows the embodiment according to the method according to the invention with a number n oscillating subsystems (MS !, MS 2 ... MS n ) of a mechanical oscillating system (MS) with n corresponding to the respective subsystem of the n subsystems (MSi to MS n ) coupled first field sources for magnetic or electrostatic fields (MGli, MG1 2 , ...., MGl n ) and n
Sensorelementen mit einem jeweiligen diamagnetisches Material (MPZi, MPZ2, . , MPZn) mit jeweiligen paramagnetischen Zentren (NV1). Die n Sensorelemente mit den paramagnetischen Zentren (NV1) und/oder Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren sind mittels eines ersten Lichtwellenleiters (LWL1) mit einer Pumpstrahlungsquelle (PLI) zur Erzeugung der Pumpstrahlung (LB) gekoppelt und mittels eines zweiten Lichtwellenleiters (LWL2) zum Auslesen der Sensor elements with a respective diamagnetic material (MPZi, MPZ 2 ,., MPZ n ) with respective paramagnetic centers (NV1). The n sensor elements with the paramagnetic centers (NV1) and / or groups (NVC) of paramagnetic centers are coupled to a pump radiation source (PLI) for generating the pump radiation (LB) by means of a first optical waveguide (LWL1) and by means of a second optical waveguide (LWL2) for Reading out the
Fluoreszenzstrahlung (FL) gekoppelt. Erste Wellenkoppler (LWK1) koppeln jeweils Pumpstrahlung (LB) aus den ersten Lichtwellenleiter (LWL1) aus und leiten diese jeweils ausgekoppelte Fluorescence radiation (FL) coupled. First wave couplers (LWK1) each couple pump radiation (LB) out of the first optical waveguide (LWL1) and guide these respectively decoupled
Pumpstrahlung über ein jeweiliges Lichtwellenleiterabzweigstück des ersten Lichtwellenleiters (LWL1) zu einem diesem betreffenden jeweiligen ersten Wellenkoppler (LWK1) zugeordneten jeweiligen Sensorelement der n Sensorelemente. Über ein jeweiligen Lichtwellenleiterabzweigstück des zweiten Lichtwellenleiters (LWL) und einen diesem jeweiligen Lichtwellenleiterabzweigstück des zweiten Lichtwellenleiters (LWL) zugeordneten zweiten jeweiligen Wellenkoppler (LWK2) wird die Fluoreszenzstrahlung (FL) des diesem jeweiligen Lichtwellenleiterabzweigstück des zweiten Pump radiation via a respective optical waveguide branch piece of the first optical waveguide (LWL1) to a respective sensor element of the n sensor elements assigned to this respective first wave coupler (LWK1). The fluorescence radiation (FL) of the respective optical waveguide branch of the second is transmitted via a respective optical waveguide branch piece of the second optical waveguide (LWL) and a second respective wave coupler (LWK2) assigned to this respective optical waveguide branch piece of the second optical waveguide (LWL)
Lichtwellenleiters (LWL) zugeordneten jeweiligen Sensorelements der n Sensorelemente erfasst und in den zweiten Lichtwellenleiter (LWL2) eingespeist, wo sie sich mit der Fluoreszenzstrahlung (FL) der auf analoge Weise erfassten Fluoreszenzstrahlung (FL) der anderen Sensorelemente typischerweise summierend überlagert und dem Strahlungsempfänger (PD) im Wesentlichen gemeinsam über das erste Filter (Fl) zugeführt. Die Strahlungsquelle (PLI) und der Strahlungsempfänger (PD) werden wie beispielsweise in Figur 85 beschrieben durch eine Ansteuerungs- und Ausleseeinheit (LIV) angesteuert bzw. ausgelesen. The respective sensor element of the n sensor elements assigned to the optical waveguide (LWL) is detected and fed into the second optical waveguide (LWL2), where it is typically summed up with the fluorescence radiation (FL) of the fluorescence radiation (FL) of the other sensor elements, recorded in an analog manner, and the radiation receiver (PD ) are essentially fed together via the first filter (F1). The radiation source (PLI) and the radiation receiver (PD) are controlled or read out by a control and readout unit (LIV) as described, for example, in FIG.
Bevorzugt werden, um eine optimale Ansteuerung der jeweiligen Sensorelemente zu erreichen, zusätzlich zu den durch die schwingenden mechanischen Teilsysteme (MSi, MS2,.... MSn) erzeugten alternierenden ersten Feldern, elektrostatische und/oder magnetische zweite Felder aus In order to achieve optimal control of the respective sensor elements, preference is given to electrostatic and / or magnetic second fields in addition to the alternating first fields generated by the oscillating mechanical subsystems (MSi, MS 2 , .... MS n )
typischerweise n zusätzlichen zweiten Feldquellen (MQ2i, MQ22, .... MG2n) überlagert. Dabei wird die magnetische Flussdichte B bevorzugt jeweils so abgestimmt, dass das Sensorsystem ein optimales Auslesen der Signale der akustischen und/oder anderer mechanischer Schwingungen des mechanisch schwingenden Systems (MS) bzw. der mechanisch schwingenden Teilsysteme (MSi, MS2,.... MSn) erlaubt. typically n additional second field sources (MQ2i, MQ2 2 , .... MG2 n ) superimposed. The magnetic flux density B is preferably adjusted so that the sensor system optimally reads out the signals of the acoustic and / or other mechanical vibrations of the mechanically oscillating system (MS) or the mechanically oscillating subsystems (MSi, MS 2 , .... MS n ) allowed.
F ig u r 89 Fig. 89
Figur 89 zeigt eine beispielhafte E-Gitarre (GT) als Anwendung einer vorschlagsgemäßen Vorrichtung. Vorzugsweise wird das Sensorelement mit den paramagnetischen Zentren (NV1) unterhalb der Saiten der E-Gitarre (GT) angebracht. Vorzugsweise wird als Material der Sensorelemente mit den paramagnetischen Zentren (NV1) HD-NV-Diamant mit einem hohen Gehalt an NV-Zentren eingesetzt. Vorzugweise ist der Diamant als Schmucksten, beispielsweise als Brillant, geschliffen und zeigt durch den hohen NV-Zentrumsgehalt typischerweise während des Betriebs eine leuchtende, tiefrote Farbe. Vorzugsweise ist der betreffende Diamant erhaben in den Gitarren -Korpus eingelassen. FIG. 89 shows an exemplary electric guitar (GT) as an application of a proposed device. The sensor element with the paramagnetic centers (NV1) is preferably attached below the strings of the electric guitar (GT). HD-NV diamond with a high content of NV centers is preferably used as the material of the sensor elements with the paramagnetic centers (NV1). The diamond is preferably cut as the most beautiful, for example a brilliant, and, due to the high NV center content, typically shows a bright, deep red color during operation. The diamond in question is preferably let into the guitar body.
Vorzugsweise werden ein oder mehrere, beispielsweise zwei Lichtleiter (LWL, LWL1, LWL2) zum Einbringen der Pumpstrahlung (LB) in die Sensorelemente und dem Auslesen der One or more, for example two, light guides (LWL, LWL1, LWL2) are preferably used for introducing the pump radiation (LB) into the sensor elements and for reading out the
Fluoreszenzstrahlung (FL) zum Beispiel unterhalb der betreffenden Sensorelemente, als hier des betreffenden Diamanten, durch den Korpus der E-Gitarre (GT) in einem Hohlraum geführt. In diesem Hohlraum befinden sich bevorzugt die Pumpstrahlungsquelle(n) (PLI) und der oder die Fluorescence radiation (FL), for example, guided below the relevant sensor elements, as here the relevant diamond, through the body of the electric guitar (GT) in a cavity. The pump radiation source (s) (PLI) and the one or more are preferably located in this cavity
lichtempfindlichen Strahlungsempfänger (PD). Beispielsweise ist ein Sensorsystemkonzept entsprechend einem der vorstehenden Ausführungen denkbar. Bevorzugt werden die akustisch äquivalenten Sensorausgangssignale (SO) oder daraus abgeleitete Signale vorzugsweise zu einem Signal zusammengemischt über eine 6mm Klinkenbuchse an der Oberseite des Korpus der E-Gitarre (GT) herausgeführt und für eine weitere Signalverarbeitung und ggf -aufbereitung zur Verfügung gestellt. In einer optionalen Ausführung werden können die akustisch äquivalenten Informationen dieser Sensorausgangssignale oder aus diesen abgeleitete Informationen über eine elektromagnetische Welle nach gängigen Standards (WLAN, Bluetooth) drahtlos übertragen werden. Eine solche E-Gitarre ist nur ein Beispiel für eine Anwendung der hier vorgestellten Konzepte. Die hier vorgestellten Prinzipien sind in der Regel auch auf die anderen Anwendungsfälle in analoger Weise übertragbar und von der Beschreibung und Beanspruchung mit umfasst. light-sensitive radiation receiver (PD). For example, a sensor system concept corresponding to one of the preceding statements is conceivable. The acoustically equivalent sensor output signals (SO) or signals derived therefrom are preferably mixed together to form a signal via a 6mm jack socket on the top of the body of the electric guitar (GT) and made available for further signal processing and, if necessary, processing. In an optional embodiment, the acoustically equivalent information of these sensor output signals or information derived from them via a electromagnetic waves can be transmitted wirelessly according to common standards (WLAN, Bluetooth). Such an electric guitar is just one example of an application of the concepts presented here. The principles presented here can generally also be transferred to the other applications in an analogous manner and are included in the description and use.
Figu r 90 Fig. 90
zeigt das bei Raumtemperatur aufgenommene Absorptionsspektrum eines vorschlagsgemäßen Diamanten. Die Absorption ist in einer willkürlichen Einheit bezogen auf eine frei gewählte shows the absorption spectrum of a proposed diamond recorded at room temperature. The absorption is in an arbitrary unit related to a freely chosen one
Bezugstransmission in Abhängigkeit von der Wellenlänge in nm dargestellt. Reference transmission shown as a function of the wavelength in nm.
Die Kernidee, die hier bezüglich der Herstellung von HD-NV-Diamanten und Schmuckdiamanten vorgestellt wird, ist, die Verhinderung der Zusammenballung der Fehlstellen von vornherein schon während der Bestrahlung in situ zu verhindern. The core idea that is presented here with regard to the production of HD-NV diamonds and jewelry diamonds is to prevent the flaws from agglomerating in situ during the irradiation.
Eine erste Maßnahme ist die Verwendung von n-dotiertem Diamant. Diese n-Dotierung kann beispielsweise durch eine Schwefeldotierung des Diamanten erreicht werden. Eine ähnliche Wirkung einer n-Dotierung wird erzielt, wenn der oder die Diamantrohlinge Stickstoffatome in Form von Pi- Zentren umfassen. Dies äußert sich typischerweise in einer gelben Farbe der Diamantrohlinge. Es hat sich gezeigt, dass die Intensität der gelben Farbe eher schwach ausgeprägt sein sollte. Eine Färbung der Diamantrohlinge vor der Bestrahlung entsprechend der GIA-Norm "fancy yellow" ist aber bereits wesentlich zu stark und führt zu praktisch schwarzen Steinen, wobei die Schwärze die Folge einer zu extremen Rotfärbung ist. A first measure is the use of n-doped diamond. This n-doping can be achieved, for example, by doping the diamond with sulfur. A similar effect of an n-doping is achieved if the diamond blank (s) comprise nitrogen atoms in the form of pi centers. This typically manifests itself in a yellow color of the diamond blanks. It has been shown that the intensity of the yellow color should be rather weak. Coloring the diamond blanks prior to irradiation according to the GIA standard "fancy yellow" is, however, much too strong and leads to practically black stones, the blackness being the result of an excessively extreme red color.
Die GIA Bestimmungsregeln für die Färbung von Schmuckdiamanten können beispielsweise zum Zeitpunkt der Anmeldung dieser Patentanmeldung unter https://www.gia.edu/fancy-color-diamond- quality-factor im Internet gefunden werden. The GIA determination rules for the coloring of jewelery diamonds can be found on the internet at https://www.gia.edu/fancy-color-diamond- quality-factor, for example, at the time of filing this patent application.
Bevorzugt haben die gelben Diamantrohlinge den GIA-Färbegrad "fancy" oder besser "fancy light oder noch besser " light" oder noch besser "very light". Der Grad der späteren Rötung nimmt dann bei Verwendung von Diamantrohlingen mit einer Gelbfärbung entsprechend der GIA-Tönung "fancy" zu Diamantrohlingen mit einer Gelbfärbung entsprechend der GIA-Tönung "very light" ab. Dabei sind die gelben Diamantrohlinge den GIA-Färbegrad "fancy" nach der Durchführung des Färbeverfahrens so stark rot gefärbt, dass sie praktisch schwarz erscheinen. Sie eignen sich dann nur für The yellow diamond blanks preferably have the GIA color grade “fancy” or better “fancy light” or even better “light” or even better “very light.” The degree of later reddening then decreases when using diamond blanks with a yellow coloration corresponding to the GIA shade "fancy" to diamond blanks with a yellow coloration corresponding to the GIA tint "very light". The yellow diamond blanks are colored so strongly red according to the GIA coloring level "fancy" after the coloring process that they appear practically black then only for
Sensorelemente in Vorrichtungen, bei denen die durch die Vorrichtung ausgewertete Fluoreszenzstrahlung (FL) das Sensorelement über die gleiche Oberfläche (OFL1) verlässt, über die auch die Pumpstrahlung (LB) in das Sensorelement eingestrahlt wird. Bei Verwendung von Sensor elements in devices, in which the evaluated by the device Fluorescence radiation (FL) leaves the sensor element via the same surface (OFL1) via which the pump radiation (LB) is also radiated into the sensor element. When using
Diamantrohlingen mit einer Gelbfärbung entsprechend der GIA-Tönung "very light" oder vielleicht sogar des GIA-Färbegrades "faint" wird die Rotfärbung sehr gering oder verschwindet ggf. sogar. Geringe Rotfärbungen erscheinen dabei eher rosa bis pink. Diamond blanks with a yellow coloring corresponding to the GIA tint "very light" or perhaps even the GIA coloring grade "faint", the red coloring is very slight or possibly even disappears. Slight red tints appear more pink to pink.
Der Stickstoff in den Pl-Zentren der gelben Diamanten dient dabei als Donator, der eine n-Dotierung der Diamanten hervorruft. Wie bereits erwähnt, können andere Donatoren, wie beispielsweise Schwefel, für die Unterstützung ebenfalls eingesetzt werden. The nitrogen in the PI centers of the yellow diamonds serves as a donor, which causes the diamonds to be n-doped. As already mentioned, other donors, such as sulfur, can also be used for the support.
Es wurde erfindungsgemäß erkannt, dass die n-Dotierung zu einer Verschiebung des Fermi-Niveaus innerhalb des Diamantkristalls führt. Diese Verschiebung des Fermi-Niveaus führt zu einer It was recognized according to the invention that the n-doping leads to a shift in the Fermi level within the diamond crystal. This shift in the Fermi level leads to a
Ionisierung der durch die Bestrahlung erzeugten Fehlstellen, die dann negativ geladen sind. Ionization of the defects produced by the irradiation, which are then negatively charged.
Flierdurch stoßen sich die gebildeten Fehlstellen sich während des Implantationsprozesses ab und ordnen sich in mehr oder weniger ähnlichen Abständen zueinander an, wenn gleichzeitig dafür gesorgt wird, dass die Fehlstellen bei ihrer Bildung sich bewegen können. As a result, the flaws formed repel each other during the implantation process and are arranged at more or less similar distances from one another, if at the same time it is ensured that the flaws can move during their formation.
Aus diesem Grund wird der Diamantrohling bei der Bestrahlung mit Elektronen beheizt. Dies Erhöht zum einen den lonisierungsgrad der Donatoren und damit die Menge der zur Verfügung stehenden Elektronen im Leitungsband und zum anderen die Beweglichkeit der Fehlstellen. For this reason, the diamond blank is heated with electrons when it is irradiated. On the one hand, this increases the degree of ionization of the donors and thus the amount of electrons available in the conduction band and, on the other hand, the mobility of the defects.
Von Diamanten ist bekannt, dass ab einer Temperatur von ca. 750°C Graphitisierungserscheinungen an ihren Oberflächen auftreten. It is known that diamonds show signs of graphitization on their surfaces from a temperature of approx. 750 ° C.
Um eine Oxidation des Diamanten zu verhindern, muss die Bestrahlungsanlage und die To prevent the diamond from oxidizing, the irradiation system and the
Prozesskammer während der Erhitzung und der Bestrahlung evakuiert sein. Bei den verwendeten Elektronenenergien ist aber auch eine Bestrahlung in einer mit Schutzgas gefüllten Prozesskammer denkbar. Process chamber must be evacuated during heating and irradiation. With the electron energies used, however, irradiation in a process chamber filled with protective gas is also conceivable.
Durch die Erhitzung und die n-Dotierung ordnen sich zum Ersten die Fehlstellen im jeweiligen Diamantkristall in Entfernung zueinander an und zum Zweiten wird die Bildung von Agglomerationen verhindert, die eine Trübung des Diamanten zur Folge hätte, und zum Dritten werden eine große Menge von NV-Zentren gebildet, die rot fluoreszieren und somit bei Bestrahlung mit Pumpstrahlung (LB) (z.B. Tageslicht) Fluoreszenzstrahlung (FL) mit der Fluoreszenzstrahlungswellenlänge lp und die ggf. rote Farbe des Diamanten bei der Verwendung als Schmuckdiamant unterstreichen. Eine gegenteilige Wirkung hat die Dotierung des Diamanten mit Wasserstoff. Dieser lagert sich in die Fehlstellen ein, wodurch deren negative Ladung neutralisiert wird. Erst wenn aller Wasserstoff gebunden ist. (z.B. als H3-Zentrum) kann sich eine rote Farbe herausbilden. CVD-Diamantsubstrate sind daher weniger geeignet. Der Prozess funktioniert zwar auch für diese Substrate, ist aber nicht so effizient, wie bei der Verwendung von FIPFIT-Diamanten, die unter hohem Druck und hoher Temperatur gezüchtet worden sind. Als Diamantrohlinge werden daher bevorzugt FIPFIT-Diamanten mit Stickstoffatomen und mit einem möglichst geringen Wasserstoffgehalt verwendet. Due to the heating and the n-doping, firstly the defects in the respective diamond crystal are arranged at a distance from each other and secondly the formation of agglomerations is prevented, which would result in a clouding of the diamond, and thirdly a large amount of NV- Centers are formed that fluoresce red and thus underline when irradiated with pump radiation (LB) (eg daylight) fluorescent radiation (FL) with the fluorescent radiation wavelength lp and the possibly red color of the diamond when used as a jewelry diamond. Doping the diamond with hydrogen has the opposite effect. This is stored in the flaws, which neutralizes their negative charge. Only when all hydrogen is bound. (e.g. as an H3 center) a red color can develop. CVD diamond substrates are therefore less suitable. While the process works for these substrates, it is not as efficient as using FIPFIT diamonds, which are grown under high pressure and temperature. FIPFIT diamonds with nitrogen atoms and with the lowest possible hydrogen content are therefore preferred as diamond blanks.
Sofern CVD-Diamant, also ein metastabil erzeugter Diamant, verwendet werden soll, der typischerweise infolge des Abscheideverfahrens einen erhöhten Anteil an Wasserstoff eingelagert hat, wird vorgeschlagen, vor oder während des hier vorgeschlagenen Verfahrens z.B. durch If CVD diamond, i.e. a metastable diamond, is to be used, which typically has an increased proportion of hydrogen incorporated as a result of the deposition process, it is proposed, before or during the process proposed here, e.g. by
Bestrahlung mit Partikeln und Temperaturbehandlung den eingelagerten Wasserstoff in seiner Wirkung zu neutralisieren. Irradiation with particles and temperature treatment to neutralize the effect of the stored hydrogen.
Das vorgeschlagene Verfahren zur Herstellung von eines oder mehrerer roter Schmuckdiamanten umfasst daher die Schritte: The proposed method for producing one or more red jewelry diamonds therefore comprises the steps:
• Schritt 1: Bereitstellung des oder der Diamantrohlinge. Für die Merkmale des • Step 1: Provision of the diamond blank (s). For the characteristics of the
Diamantrohlings können hier vier verschiedene Regeln angegeben werden: Diamond blanks can be given four different rules:
a) Dass der oder die Diamantrohlinge Stickstoffatome in Form von Pl-Zentren umfasst und/oder a) That the diamond blank (s) comprises nitrogen atoms in the form of PI centers and / or
b) dass der oder die Diamantrohlinge eine gelbe Farbe besitzen und/oder b) that the diamond blank (s) have a yellow color and / or
c) dass der oder die Diamantrohlinge n-dotiert sind und/oder c) that the diamond blank (s) are n-doped and / or
d) dass der oder die Diamantrohlinge Stickstoffatome zusammen mit Wasserstoff umfassen, wobei hier zumindest eine der drei vorangegangenen Regeln a bis c erfüllt sein sollte. d) that the diamond blank (s) comprise nitrogen atoms together with hydrogen, in which case at least one of the three preceding rules a to c should be fulfilled.
• Schritt 2: Bestrahlen des oder der Diamantrohlinge mit Elektronen. Die Energie der • Step 2: irradiating the diamond blank (s) with electrons. The energy of
Elektronen sollte dabei bevorzugt über 2 MeV liegen, um genügend Fehlstellen im Electrons should preferably be above 2 MeV in order to have enough defects in the
Diamanten hervorzurufen und den Diamanten auch sicher zu durchdringen. Die Energie der Elektronen sollte dabei bevorzugt unter 20 MeV liegen, um möglichst keine To evoke diamonds and also to penetrate the diamond safely. The energy of the electrons should preferably be below 20 MeV, preferably none
Sekundärradioaktivität zu erzeugen. Es hat sich gezeigt, dass eine Elektronen Energie von lOMeV besonders geeignet ist. Die Energie der Elektronen sollte somit größer als 500keV und/oder besser größer als IMeV und/oder besser größer als 3MeV und/oder besser größer als 4MeV und/oder besser größer als 5MeV und/oder besser größer als 6 MeV und/oder besser größer als 7 MeV und/oder besser größer als 8 MeV und/oder besser größer als 9 MeV und/oder größer als 10 MeV sein, wobei eine Energie von lOMeV bevorzugt ist. Die Bestrahlungsdosis sollte bevorzugt zwischen 5*1017 cm 2 und 2*1018cm 2, zumindest aber unter 1019cm 2 liegen, um eine Graphitisierung zu vermeiden. Der entscheidende Unterschied zum Stand der Technik neben der n-Dotierung des Diamantkristalls ist, dass während der Bestrahlung die Temperatur des oder der Diamanten bei einer Bestrahlungstemperatur größer 600°C und/oder besser größer 700°C und/oder größer 800°C und kleiner 900°C und/oder weniger gut kleiner 1000°C und/oder weniger gut kleiner 1100°C und/oder weniger gut kleiner 1200°C, bevorzugt also zwischen 800°C und 900°C liegt. Hierdurch wird die Auseinanderdiffusion der negativ geladenen Fehlstellen unterstützt und die Elektronendichte im Leitungsband erhöht. Der Strahlstrom des elektrischen Stroms dieser zur Bestrahlung der Diamantrohlinge benutzten Elektronen wird bevorzugt so eingestellt, dass die Generate secondary radioactivity. It has been shown that an electron energy of IOMeV is particularly suitable. The energy of the electrons should therefore be greater than 500 keV and / or better greater than IMeV and / or better greater than 3 MeV and / or better greater than 4 MeV and / or better greater than 5 MeV and / or better greater than 6 MeV and / or better greater than 7 MeV and / or better than 8 MeV and / or better than 9 MeV and / or greater than 10 MeV, an energy of IOMeV being preferred. The radiation dose should preferably be between 5 * 10 17 cm 2 and 2 * 10 18 cm 2 , but at least below 10 19 cm 2 , in order to avoid graphitization. The decisive difference to the prior art, besides the n-doping of the diamond crystal, is that during the irradiation the temperature of the diamond or diamonds at an irradiation temperature greater than 600 ° C. and / or better greater than 700 ° C. and / or greater than 800 ° C. and lower 900 ° C and / or less well less than 1000 ° C and / or less well less than 1100 ° C and / or less well less than 1200 ° C, preferably between 800 ° C and 900 ° C. This supports the diffusion of the negatively charged defects and increases the electron density in the conduction band. The beam current of the electrical current of these electrons used for irradiating the diamond blanks is preferably adjusted so that the
Bestrahlungsdauer zum Erreichen der obigen Bestrahlungsdosis mindestens 0,05 Tage und/oder besser mindestens 0,5 Tage und/oder besser mindestens 1 Tag und/oder besser mindestens 2 Tage und/oder mindestens besser 4 Tage und/oder besser mindestens 8 Tage dauert. Da Wirtschaftlichkeit auch ein wichtiger Faktor ist, hat sich in Versuchen Irradiation duration to achieve the above irradiation dose is at least 0.05 days and / or better at least 0.5 days and / or better at least 1 day and / or better at least 2 days and / or at least better 4 days and / or better at least 8 days. Since economy is also an important factor, trials
herausgestellt, dass eine wirtschaftlich bevorzugte Bestrahlungsdauer 2 Tage beträgt. found that an economically preferred exposure time is 2 days.
Die Diamantrohlinge sind während der Bestrahlung über einen Wärmewiderstand an eine During the irradiation, the diamond blanks are connected to a thermal resistance
Wärmesenke thermisch angekoppelt. Die Diamantrohlinge werden während der Bestrahlung durch eine Temperiervorrichtung auf der angestrebten Prozesstemperatur durch einen Regler, der Teil der Temperiervorrichtung ist, gehalten. Dabei berücksichtigt die Temperiervorrichtung alle Thermally coupled heat sink. During the irradiation, the diamond blanks are kept at the desired process temperature by a temperature control device by a controller that is part of the temperature control device. The temperature control device takes all of them into account
Energieeinträge. Bevorzugt kann die Temperiervorrichtung einen oder mehrere Wärmeströme in die Menge der zu bearbeitenden Diamantrohlinge hinein und/oder aus der Menge der Diamantrohlinge heraus in Abhängigkeit von der mittleren Bestrahlungstemperatur der Diamantrohlinge regeln. Energy inputs. The temperature control device can preferably regulate one or more heat flows into the quantity of diamond blanks to be processed and / or out of the quantity of diamond blanks as a function of the mean irradiation temperature of the diamond blanks.
Die Temperiervorrichtung regelt den Gesamtenergieeintrag durch Regelung zumindest eines die Diamantrohlinge während der Bestrahlung heizenden Energiestromes in die Diamantrohlinge und ggf. die Gesamtenergieabfuhr so, dass der eine Temperatursonde, die in der Nähe der The temperature control device regulates the total energy input by regulating at least one energy flow into the diamond blanks that heats the diamond blanks during the irradiation and, if necessary, the total energy dissipation so that the one temperature probe located in the vicinity of the
Diamantrohlinge während der Bestrahlung platziert ist, eine mittlere Bestrahlungstemperatur der Diamantrohlinge von größer 600°C und/oder größer 700°C und/oder größer 800°C und kleiner 900°C und/oder kleiner 1000°C und/oder kleiner 1100°C und/oder kleiner 1200°C, bevorzugt zwischen 800°C und 900°C erfasst. Bevorzugt umfasst für diese Regelung die Temperiervorrichtung einen PI-,Diamond blanks is placed during the irradiation, an average irradiation temperature of the diamond blanks of greater than 600 ° C and / or greater than 700 ° C and / or greater than 800 ° C and less than 900 ° C and / or less than 1000 ° C and / or less than 1100 ° C and / or less than 1200 ° C, preferably between 800 ° C and 900 ° C. For this regulation, the temperature control device preferably comprises a PI,
P- oder besser PID-Regler oder einen anderen geeigneten Regler. Bevorzugt ist der Gesamtenergieeintrag nicht konstant. Bevorzugt weist der der P or better PID controller or another suitable controller. The total energy input is preferably not constant. Preferably the the
Gesamtenergieeintrag in die Diamantrohlinge einen zeitlichen Gleichanteil und einen zeitlich gepulsten Anteil mit einem zeitlichen Pulsabstand und einer Pulshöhe der Total energy input into the diamond blanks a temporal constant component and a temporally pulsed component with a temporal pulse interval and a pulse height of
Gesamtenergieeintragspulse auf. Es kann sich auch nur um einen einzigen Heizenergiepuls handeln. Die Temperiervorrichtung kann dann den Gleichanteil und/oder die Pulshöhe der Total energy input pulses. It can also be just a single heating energy pulse. The temperature control device can then use the constant component and / or the pulse height of the
Gesamtenergieeintragspulse des Gesamtenergieeintrags und/oder den zeitlichen Pulsabstand der Gesamtenergieeintragspulse zur Regelung der von der Temperatursonde erfassten mittleren Bestrahlungstemperatur verwenden. Ggf. kann also beispielsweise eine Heizung vorgesehen werden, die für die Pulsdauer eines Gesamtenergieeintragspulses den Gesamtenergieeintrag erhöht, was eine Temperaturerhöhung zur Folge hat und die Ausheilung von Strahlenschäden verbessert. Der Gesamtenergieeintrag setzt sich zusammen aus der Energie aus einer ggf. aktiven Heizvorrichtung, der über den thermischen Ableitwiderstand abgeleiteten thermischen Energie und der mehr oder weniger permanenten Strahlleistung des Elektronenstrahls während der Bestrahlung. Die Use total energy input pulses of the total energy input and / or the time interval between the total energy input pulses to regulate the mean irradiation temperature detected by the temperature probe. If necessary, a heater can thus be provided, for example, which increases the total energy input for the pulse duration of a total energy input pulse, which results in a temperature increase and improves the healing of radiation damage. The total energy input is made up of the energy from a possibly active heating device, the thermal energy derived via the thermal discharge resistor and the more or less permanent beam power of the electron beam during the irradiation. The
Temperiervorrichtung muss dies bei der Einstellung der mittleren Zieltemperatur berücksichtigen. The temperature control device must take this into account when setting the average target temperature.
Neben natürlichen Diamanten können bevorzugt auch synthetische HPHT-Diamanten als In addition to natural diamonds, synthetic HPHT diamonds are also preferred
Diamantrohlinge eingesetzt werden. Auch die Verwendung von synthetischem CVD-Diamant ist denkbar, aber nicht bevorzugt. Diamond blanks are used. The use of synthetic CVD diamond is also conceivable, but not preferred.
Ein weiterer Vorteil des Verfahrens im Vergleich zu den Methoden, die eine Temperung der bestrahlten Diamanten nach der Bestrahlung bei hohem Druck vorsehen, ist, dass die Another advantage of the method compared to the methods that provide for annealing of the irradiated diamonds after the irradiation at high pressure is that the
Diamantrohlinge bereits vor dem Bestrahlen mit ihrem endgültigen Schliff versehen werden können. Ein vorschlagsgemäß verwendeter Diamantrohling weist somit bevorzugt zumindest eine geschliffene Fläche vor dem Bestrahlen auf. Diamond blanks can be given their final cut before they are blasted. A diamond blank used according to the proposal thus preferably has at least one ground surface before the irradiation.
Um eine Beschädigung der polierten Oberflächen des Diamantrohlings durch Oxidation bei hoher Prozesstemperatur zu vermeiden findet die Bestrahlung mit Elektronen in einem Vakuum mit einem Restdruck von kleiner als 104mBar und/oder besser von kleiner als 105mBar und/oder besser von kleiner als 10 smBar und/oder besser von kleiner als 107mBar und/oder besser von kleiner als 108mBar und/oder besser von kleiner als 109mBar und/oder besser von kleiner als 10 10mBar statt. Aufgrund wirtschaftlicher Überlegungen und aufgrund von Experimenten wurde im Rahmen der Ausarbeitung der Erfindung ermittelt, dass ein Restdruck von kleiner als 10 smBar vollkommen ausreichend ist. Die Bestrahlung in einer Schutzgasatmosphäre, insbesondere in einer Agon- Atmosphäre, ist eine alternative, weniger bevorzugte Möglichkeit. Ein Diamantrohling kann beispielsweise einen der folgenden Schliffe vor dem Bestrahlen aufweisen: Spitzsteinschliff, Tafelsteinschliff, Rose Cut Schliff, Mazarin Schliff, Brillantschliff, Tropfenschliff, Prinzessschliff, Ovalschliff, Herzschliff, Marquise-Schliff, Smaragdschliff, Asscher-Schliff, Cushion- Schliff, Radiant-Schliff, Diamant-Altschliff, Smaragdschliff, Baguetteschliff. Dieser Schliff wird durch die Bestrahlung nicht verändert. Die hohe Prozesstemperatur während der Bestrahlung verhindert eine Beschädigung der optischen Flächen. Die Diamanten können nach oder vor der Bestrahlung geschliffen werden. Ein Schliff vor der Bestrahlung ist typischerweise möglich aber nicht zwingend erforderlich. In order to avoid damage to the polished surfaces of the diamond blank through oxidation at a high process temperature, the irradiation with electrons takes place in a vacuum with a residual pressure of less than 10 4 mBar and / or better of less than 10 5 mBar and / or better of less than 10 s mBar and / or better of less than 10 7 mBar and / or better of less than 10 8 mBar and / or better of less than 10 9 mBar and / or better of less than 10 10 mBar. On the basis of economic considerations and on the basis of experiments, it was determined in the context of the development of the invention that a residual pressure of less than 10 s mbar is completely sufficient. Irradiation in a protective gas atmosphere, in particular in an agon atmosphere, is an alternative, less preferred option. A diamond blank can, for example, have one of the following cuts before blasting: Pointed stone cut, table stone cut, rose cut cut, Mazarin cut, brilliant cut, pear cut, princess cut, oval cut, heart cut, marquise cut, emerald cut, Asscher cut, cushion cut, radiant cut Cut, old diamond cut, emerald cut, baguette cut. This cut is not changed by the irradiation. The high process temperature during irradiation prevents damage to the optical surfaces. The diamonds can be cut after or before the irradiation. A cut before the irradiation is typically possible but not absolutely necessary.
Ein geeigneter Diamantrohling besitzt bevorzugt eine Größe größer als 0,lct und/oder besser größer als 0,2ct und/oder besser größer als 0,5ct und/oder besser größer als lct und/oder besser größer als l,5ct und/oder besser größer als 2ct. Die Bestrahlung und Behandlung von Diamant-Granulaten und Stäuben, z.B. von Diamant in Form von Nanodiamanten ist aber in der zuvor vorgestellten Weise zur Fertigung roter Diamanten und/oder zur Fertigung von HD-NV-Diamanten auch möglich. A suitable diamond blank preferably has a size greater than 0.1 ct and / or better greater than 0.2 ct and / or better greater than 0.5 ct and / or better greater than 1 ct and / or better greater than 1.5 ct and / or better larger than 2ct. The irradiation and treatment of diamond granules and dusts, e.g. diamond in the form of nanodiamonds, is also possible in the manner described above for the production of red diamonds and / or for the production of HD-NV diamonds.
Der oder die Diamantrohlinge befinden sich bei der Bestrahlung in einer temperaturgeregelten Prozesskammer auf der besagten Prozesskammertemperatur oder in einem temperaturgeregelten Gefäß auf einer Prozesskammertemperatur innerhalb der Prozesskammer, die bevorzugt evakuiert ist. Die Prozesskammertemperatur weicht dabei bevorzugt, nicht mehr als 200°C und/oder besser nicht mehr als 100°C und/oder besser nicht mehr als 50°C und/oder besser nicht mehr als 20°C und/oder besser nicht mehr als 10°C von der Bestrahlungstemperatur ab. Die Heizleistung des Elektronenstrahls selbst spielt hier auch eine Rolle. Da die Eigenschaften des Elektronenstrahls von Anlage zu Anlage variieren, wird dringend die Durchführung eines DoEs (Design of Experiment) zur Bestimmung der optimalen Prozessparameter für die Paarung aus Bestrahlungsanlage und During the irradiation, the diamond blank (s) are located in a temperature-controlled process chamber at said process chamber temperature or in a temperature-controlled vessel at a process chamber temperature within the process chamber, which is preferably evacuated. The process chamber temperature here preferably deviates from not more than 200 ° C. and / or better not more than 100 ° C. and / or better not more than 50 ° C. and / or better not more than 20 ° C. and / or better not more than 10 ° C from the irradiation temperature. The heating power of the electron beam itself also plays a role here. Since the properties of the electron beam vary from system to system, the implementation of a DoEs (Design of Experiment) to determine the optimal process parameters for the pairing of irradiation system and
Diamantrohlingen empfohlen. Bevorzugt werden die Diamantrohlinge während der bevorzugt gepulsten Bestrahlung mit dem typischerweise gepulsten Elektronenstrahl beispielsweise eines Linac in einem Quarzgefäß gelagert und dort auf die Prozesstemperatur gebracht und auf dieser Diamond blanks recommended. The diamond blanks are preferably stored in a quartz vessel during the preferably pulsed irradiation with the typically pulsed electron beam, for example a linac, and brought there to the process temperature and on this
Prozesstemperatur während der Bestrahlung gehalten. Process temperature maintained during irradiation.
S C H M U C K D I A M A N T S C H M U C K D I A M A N T
Ein mit dem zuvor beschriebenen Verfahren hergestellter Diamant, insbesondere ein roter A diamond produced using the method described above, especially a red one
Schmuckdiamant, unterscheidet sich von den im Stand der Technik bekannten künstlichen roten Schmuckdiamanten durch seine Brillanz, Klarheit und Farbe, die bei geeigneter Vorauswahl der Diamantrohlinge insbesondere keine grünen oder blauen Farbbeimengungen aufweist. Farben wie "pink" und "orange" sind möglich. Jewelery diamond differs from the artificial red jewelery diamonds known in the prior art by its brilliance, clarity and color, which with a suitable pre-selection of the Diamond blanks in particular have no green or blue color additions. Colors like "pink" and "orange" are possible.
Der Diamant entspricht dann in der Regel der Gia-Farbe "fancy red", was ihn besonders auszeichnet. The diamond then usually corresponds to the Gia color "fancy red", which makes it particularly special.
Darüber hinaus weist er einige Eigenheiten in seinem Absorptionsspektrum auf, die eindeutige Spuren der Anwendung der zuvor beschriebenen Verfahren sind. Ein solcher Schmuckdiamant ist zunächst einmal ein Diamant-Einkristall, der durch ein Einfärbeverfahren gefärbt ist und zwar konkret rot gefärbt ist. Der Schmuckdiamant erscheint also einem menschlichen Betrachter bei einer Beleuchtung mit weißem Licht rot. Die GIA Bestimmungsregeln für die Färbung von In addition, it has some peculiarities in its absorption spectrum, which are clear traces of the application of the methods described above. Such a jewelry diamond is first and foremost a diamond single crystal that is colored by a coloring process, specifically colored red. The jewelry diamond appears red to a human observer when illuminated with white light. The GIA rules of determination for the coloring of
Schmuckdiamanten können beispielsweise zum Zeitpunkt der Anmeldung dieser Patentanmeldung unter https://www.gia.edu/fancy-color-diamond-quality-factor im Internet gefunden werden. For example, jewelery diamonds can be found on the Internet at the time of filing this patent application at https://www.gia.edu/fancy-color-diamond-quality-factor.
Eine sehr einfache Darstellung der Diamantfarben findet sich beispielsweise unter A very simple representation of the diamond colors can be found under, for example
https://www.ninasjewellery.com.au/fancy-coloured-diamonds. Die GIA-Norm wird beispielsweise in der Schrift von John M. King "GIA Colored Diamonds, Color Reference Charts", Gemological Institute of America, 2006 beschrieben. Diese Schrift kann unter dem den Bestellinformationen ISBN-10: 0873110536, ISBN-13: 978-0873110532 beschafft werden. Alle auf Seite 13 dieser hier zitierten Schrift beschriebenen Tönungen zeigen im Sinne dieser Offenlegung rote Schmuckdiamanten. https://www.ninasjewellery.com.au/fancy-coloured-diamonds. The GIA standard is described, for example, in the publication by John M. King "GIA Colored Diamonds, Color Reference Charts", Gemological Institute of America, 2006. This publication can be obtained from the ordering information ISBN-10: 0873110536, ISBN-13: 978-0873110532. All the tints described on page 13 of this publication cited here show red jewelry diamonds in the sense of this disclosure.
Um einen nach den obigen Verfahren hergestellten Diamanten, der ein FID-NV-Diamant ist, von Diamanten aus dem Stand der Technik zu unterscheiden, wird die Lichtabsorption bei fünf unterschiedlichen Lichtwellenlängen betrachtet. In order to distinguish a diamond produced by the above method, which is an FID-NV diamond, from diamonds from the prior art, the light absorption at five different light wavelengths is considered.
Ein erster Absorptionskoeffizienten (oti) des Schmuckdiamanten bzw. des Diamanten wird bei einer Durchstrahlung mit Licht mit einer Wellenlänge von 437nm in zumindest einer für den jeweiligen Schmuckdiamanten möglichen Durchstrahlungsrichtung bei Raumtemperatur bestimmt. Die Wellenlänge von 437nm ist so gewählt, dass sie auf der zu kürzeren Wellenlängen hin bis zur totalen Absorption ansteigenden Absorptionskante des Schmuckdiamanten in etwa in der Mitte liegt und diesen gut von künstlich eingefärbten roten Schmuckdiamanten aus dem Stand der Technik differenziert. Einige der anderen Einfärbemethoden zeigen nämlich bei genau dieser Wellenlänge noch eine ungenügende Absorption, was zu einer blau-grünen Beimengung in der Absorptionsfarbe führt. Ein zweiter Absorptionskoeffizient (a2) des Schmuckdiamanten bzw. des Diamanten wird bei einer Durchstrahlung mit Licht mit einer Wellenlänge von 500nm in zumindest dieser für den jeweiligen Schmuckdiamanten möglichen Durchstrahlungsrichtung bei Raumtemperatur bestimmt. Die A first absorption coefficient (oti) of the jewelery diamond or diamond is determined when light with a wavelength of 437 nm is irradiated in at least one direction of irradiation possible for the respective jewelery diamond at room temperature. The wavelength of 437 nm is chosen so that it lies roughly in the middle of the absorption edge of the jewelry diamond, which increases to shorter wavelengths up to total absorption and differentiates it well from artificially colored red jewelry diamonds from the prior art. Some of the other coloring methods show insufficient absorption at precisely this wavelength, which leads to a blue-green admixture in the absorption color. A second absorption coefficient (a 2 ) of the jewelery diamond or the diamond is determined when light with a wavelength of 500 nm is irradiated in at least this direction of irradiation possible for the respective jewelery diamond at room temperature. The
Wellenlänge von 500nm ist so gewählt, dass sie am Fuß eines ggf. vorhandenen Absorptions-Peaks eines H3-Zentrums in dem betreffenden Schmuckdiamanten liegt. A wavelength of 500 nm is chosen so that it lies at the foot of any absorption peak of an H3 center in the jewelry diamond concerned.
Ein dritter Absorptionskoeffizient (a3) des Schmuckdiamanten bzw. des Diamanten wird bei einer Durchstrahlung mit Licht mit einer Wellenlänge von 570nm in zumindest dieser für den jeweiligen Schmuckdiamanten möglichen Durchstrahlungsrichtung bei Raumtemperatur bestimmt. Die A third absorption coefficient (a 3 ) of the jewelery diamond or the diamond is determined when irradiated with light with a wavelength of 570 nm in at least this direction of irradiation possible for the respective jewelery diamond at room temperature. The
Wellenlänge von 570nm ist so gewählt, dass sie am Fuß eines ggf. vorhandenen Absorptions-Peaks eines NV°-Zentrums in dem betreffenden Schmuckdiamanten liegt. Typischerweise ist es das Maximum des stark verbreiterten NV-Absorptionsbereiches. Wavelength of 570nm is chosen so that it lies at the foot of any absorption peak of a NV ° center in the relevant jewelry diamond. Typically it is the maximum of the greatly broadened NV absorption range.
Ein vierter Absorptionskoeffizient (a4) des Schmuckdiamanten bzw. des Diamanten wird bei einer Durchstrahlung mit Licht mit einer Wellenlänge von 800nm in zumindest dieser für den jeweiligen Schmuckdiamanten möglichen Durchstrahlungsrichtung bei Raumtemperatur bestimmt. Die A fourth absorption coefficient (a 4 ) of the jewelery diamond or the diamond is determined when irradiated with light with a wavelength of 800 nm in at least this direction of irradiation possible for the respective jewelery diamond at room temperature. The
Wellenlänge von 800nm ist so gewählt, dass sie oberhalb des GRl-zentrums liegt. Einige Diamanten aus dem Stand der Technik zeigen nach der Bestrahlung hier eine streng monoton zu größeren Wellenlängen hin ansteigende Absorption durch nicht ausgeheilte Strahlenschäden. The wavelength of 800 nm is chosen so that it lies above the GR1 center. After irradiation, some diamonds from the prior art show here a strictly monotonous increase in absorption towards larger wavelengths due to radiation damage that has not healed.
Ein einen fünfter Absorptionskoeffizient (a5) des Schmuckdiamanten bzw. des Diamanten wird bei einer Durchstrahlung mit Licht mit einer Wellenlänge zwischen 200nm und 400nm in zumindest dieser möglichen Durchstrahlungsrichtung bei Raumtemperatur bestimmt. Der Wellenlängenbereich von 200nm bis 400nm ist so gewählt, dass hier ein mittels des hier vorgestellten Verfahrens eingefärbter roter Diamant nicht oder nur unwesentlich transparent ist. A fifth absorption coefficient (a 5 ) of the jewelery diamond or diamond is determined when light is irradiated with a wavelength between 200 nm and 400 nm in at least this possible direction of irradiation at room temperature. The wavelength range from 200 nm to 400 nm is selected so that a red diamond colored by means of the method presented here is not or only insignificantly transparent.
Diese fünf Absorptionskoeffizienten stehen nun bei einem Schmuckdiamanten bzw. Diamanten, insbesondere HD-NV-Diamanten, der mittels eines der hier angegebenen Verfahren gefertigt wurde typischerweise in bestimmten Verhältnissen zueinander. Da nur eine begrenzte Zahl von In the case of a jewelery diamond or diamond, in particular HD-NV diamond, which was manufactured by means of one of the methods specified here, these five absorption coefficients are typically in certain ratios to one another. Because only a limited number of
Schmuckdiamanten bzw. Diamanten bis zum Zeitpunkt der Anmeldung rot eingefärbt wurde, kann nicht ausgeschlossen werden, dass es Ausnahmen von dieser Regel geben kann, da eine nur mit einer unendlichen Probenanzahl beseitigbare statistische Unsicherheit immer besteht. Solche If jewelery diamonds or diamonds were colored red up to the time of registration, it cannot be ruled out that there may be exceptions to this rule, as there is always a statistical uncertainty that can only be eliminated with an infinite number of samples. Such
Schmuckdiamanten können insbesondere mit einem entsprechenden Schliff auch als Jewelry diamonds can also be used, in particular with an appropriate cut
Sensorelemente eingesetzt werden. Ganz generell können solche Diamanten auch ohne Schmucksteinschliff, beispielsweise nur mit einer oder zwei polierten Oberflächen (OFL1, OFL2) versehen als Sensorelemente eingesetzt werden. Als Sensorelemente eingesetzte FID-NV-Diamanten und/oder Diamanten mit anderen Farbzentren bevorzugt hoher Dichte können daher auch diese oder ähnliche spektrale optischen Eigenschaften aufweisen. Sensor elements are used. In general, such diamonds can also be used without Gemstone cut, for example only provided with one or two polished surfaces (OFL1, OFL2) can be used as sensor elements. FID-NV diamonds and / or diamonds with other color centers, preferably high density, used as sensor elements can therefore also have these or similar spectral optical properties.
Bei den bei der Ausarbeitung der Anmeldung gefertigten Diamanten war der fünfte Among the diamonds produced when the application was drawn up was the fifth
Absorptionskoeffizient (a5) größer ist als der erste Absorptionskoeffizient (oti), der erste The absorption coefficient (a 5 ) is greater than the first absorption coefficient (oti), the first
Absorptionskoeffizient (a,!) größer ist als der dritte Absorptionskoeffizient (a3), der dritte Absorption coefficient (a ,! ) Is greater than the third absorption coefficient (a 3 ), the third
Absorptionskoeffizient (a3) größer ist als der zweite Absorptionskoeffizient (a2) und der zweite Absorptionskoeffizient (a2) größer ist als der vierte Absorptionskoeffizient (a4). Die Differenz aus dem dritten Absorptionskoeffizient (a3) minus dem zweiten Absorptionskoeffizient (a2) war außerdem kleiner als die Differenz aus dem zweiten Absorptionskoeffizient (a2) minus dem vierten Absorptionskoeffizient (a4). The absorption coefficient (a 3 ) is greater than the second absorption coefficient (a 2 ) and the second absorption coefficient (a 2 ) is greater than the fourth absorption coefficient (a 4 ). The difference between the third absorption coefficient (a 3 ) minus the second absorption coefficient (a 2 ) was also smaller than the difference between the second absorption coefficient (a 2 ) minus the fourth absorption coefficient (a 4 ).
Bevorzugt wurde der Diamantrohling des rot eingefärbten Schmuckdiamanten durch ein The diamond blank of the red colored jewelry diamond was preferred by a
Kristallzuchtverfahren hergestellt. Insbesondere handelt es sich bevorzugt um einen HPHT- Diamanten. Crystal growing process produced. In particular, it is preferably an HPHT diamond.
Ein solcher Schmuckdiamant weist bevorzugt einen der folgenden Schliffe aufweist: Spitzsteinschliff, Tafelsteinschliff, Rose Cut Schliff, Mazarin Schliff, Brillantschliff, Tropfenschliff, Prinzessschliff, Ovalschliff, Herzschliff, Marquise-Schliff, Smaragdschliff, Asscher-Schliff, Cushion-Schliff, Radiant- Schliff, Diamant-Altschliff, Smaragdschliff oder Baguetteschliff. Such a jewelry diamond preferably has one of the following cuts: Pointed stone cut, table stone cut, rose cut cut, Mazarin cut, brilliant cut, pear cut, princess cut, oval cut, heart cut, marquise cut, emerald cut, Asscher cut, cushion cut, radiant cut, Diamond old cut, emerald cut or baguette cut.
Aufgrund der Bestrahlung unter Temperatur ist der erfindungsgemäße Schmuckdiamant klarer und weniger trüb (cloudy) als künstlich eingefärbte rote Schmuckdiamanten aus dem Stand der Technik. Ein solcher Schmuckdiamant weist daher typischerweise bei Verwendung eines entsprechend hochqualitativen Diamantrohlings einen Qualitätsgrad von Sil oder besser VS2 oder besser VS1 oder besser VVS2 oder besser VVS1 oder besser "internally flawless" oder besser "flawless" auf. Because of the irradiation at temperature, the jewelry diamond according to the invention is clearer and less cloudy than artificially colored red jewelry diamonds from the prior art. Such a jewelry diamond therefore typically has a quality grade of Sil or better VS2 or better VS1 or better VVS2 or better VVS1 or better "internally flawless" or better "flawless" when using a correspondingly high quality diamond blank.
Informationen über den Qualitätsgrad können beispielsweise unter dem Web-Link Information about the quality level can for example under the web link
https://www.koenigjewellery.com/diamanten/die-welt-der-diamanten/gia-die-4-c-s/ gefunden werden. Der beste Qualitätsgrad nach der GIA-Norm ist dabei die Qualität "flawless". Der schlechteste Qualitätsgrad nach GIA-Norm ist dabei der Qualitätsgrad l3. Die Farbe des sich bei Anwendung des offenbarten Verfahrens typischerweise ergebenden roten Diamanten kann je nach Intensität von einem leichten Farbhauch zu einem tief, fast schwarz eingefärbten Stein variieren. Ausschlaggebend ist die Stärke der gelblichen Färbung des https://www.koenigjewellery.com/diamanten/die-welt-der-diamanten/gia-die-4-cs/. The best quality grade according to the GIA standard is the "flawless" quality. The worst quality grade according to the GIA standard is quality grade l 3 . The color of the red diamond that typically results when using the disclosed method can vary, depending on the intensity, from a slight hint of color to a deep, almost black colored stone. The decisive factor is the strength of the yellowish color of the
Diamantrohlings. Die Farbe kann mit einer RAL-Farbe assoziiert werden. Ein vorschlagsgemäßer Schmuckdiamant erscheint bei der Beleuchtung mit weißem Licht vor weißem Flintergrund dem menschlichen Betrachter in einer Farbe entsprechend RAL 3020 und/oder RAL3024 und/oder RAL 3026 und/oder einer anderen RAL-Farbe 3XXX, wobei XXX für eine dreistellige Zahl zwischen 000 und 999 steht. Diamond blank. The color can be associated with a RAL color. When illuminated with white light in front of a white background, a proposed jewelry diamond appears to the human observer in a color corresponding to RAL 3020 and / or RAL3024 and / or RAL 3026 and / or another RAL color 3XXX, where XXX is a three-digit number between 000 and 999 stands.
Die GIA hat sich bemüht, die Färbung von Diamanten zu systematisieren. Daher wird hier erneut auf die Schrift John M. King "GIA Colored Diamonds, Color Reference Charts", Gemological Institute of America, 2006, ISBN-10: 0873110536, ISBN-13: 978-0873110532 hingewiesen. Ein The GIA has tried to systematize the coloring of diamonds. Therefore, reference is again made here to the John M. King "GIA Colored Diamonds, Color Reference Charts", Gemological Institute of America, 2006, ISBN-10: 0873110536, ISBN-13: 978-0873110532. A
vorschlagsgemäßer Schmuckdiamant weist nach dem Durchführen des vorschlagsgemäßen Proposed jewelry diamond shows after performing the proposed
Verfahrens die rote Farbe "fancy-red" oder die rote Farbe "fancy-deep" oder die rote Farbe "fancy- vivid" oder die rote Farbe "fancy-dark" oder die rote Farbe "fancy-intense" oder die rote Farbe "fancy light" oder die rote Farbe "light" nach GIA-Norm. Zusammengefasst kann man sagen, dass der Schmuckdiamant bei kompletter Umfärbung eine rote Farbe entsprechend den Bildern der Procedure the red color "fancy-red" or the red color "fancy-deep" or the red color "fancy-vivid" or the red color "fancy-dark" or the red color "fancy-intense" or the red color " fancy light "or the red color" light "according to GIA standards. In summary, it can be said that the jewelry diamond has a red color when it is completely re-colored according to the pictures of
Diamanten auf Seite 13 der Schrift von John M. King "GIA Colored Diamonds, Color Reference Charts", Gemological Institute of America, 2006, ISBN-10: 0873110536, ISBN-13: 978-0873110532 zeigt. Werden die gelben Farbzentren nicht komplett umgefärbt so kann der Schmuckdiamant auch Orange-Töne aufweisen. Ein erfindungsgemäßer Schmuckdiamant kann dann die orange-rosa Farbe "fancy-red" oder die orange-rosa Farbe "fancy-deep" oder die orange-rosa Farbe "fancy-vivid" oder die orange-rosa Farbe "fancy-dark" oder die orange-rosa Farbe "fancy-intense" oder die orange-rosa Farbe "fancy light" oder die orange-rosa Farbe "light" nach GIA-Norm zeigen. Alternativ kann dies auch so zusammengefasst werden, dass bei verbleibenden gelben Farbzentren der Schmuckdiamant eine orange-rosa Farbe entsprechend der Bilder der Diamanten auf Seite 12 der Schrift von John M. King "GIA Colored Diamonds, Color Reference Charts", Gemological Institute of America, 2006, ISBN- 10: 0873110536, ISBN-13: 978-0873110532 zeigt. Andere Farben sind möglich. Shows diamonds on page 13 of John M. King's pamphlet "GIA Colored Diamonds, Color Reference Charts", Gemological Institute of America, 2006, ISBN-10: 0873110536, ISBN-13: 978-0873110532. If the yellow color centers are not completely recolored, the jewelry diamond can also have orange tones. A jewelry diamond according to the invention can then have the orange-pink color “fancy-red” or the orange-pink color “fancy-deep” or the orange-pink color “fancy-vivid” or the orange-pink color “fancy-dark” or the show the orange-pink color "fancy-intense" or the orange-pink color "fancy light" or the orange-pink color "light" according to the GIA standard. Alternatively, this can also be summarized in such a way that, with the remaining yellow color centers, the jewelery diamond has an orange-pink color according to the pictures of the diamonds on page 12 of the text by John M. King "GIA Colored Diamonds, Color Reference Charts", Gemological Institute of America, 2006, ISBN- 10: 0873110536, ISBN-13: 978-0873110532 shows. Other colors are possible.
Bei dem vorgeschlagenen Verfahren zur Einfärbung der Diamantrohlinge werden große Mengen an NV-Zentren im Material des Schmuckdiamanten gefertigt, wodurch der Schmuckdiamant bei der Beleuchtung mit weißem Licht vor weißem Hintergrund mit einer Farbe im Bereich von 637nm +/- lOnm fluoresziert, was den Eindruck der Brillanz des Schmuckdiamanten verstärkt. Bevorzugt weist der Schmuckdiamant eine Fluoreszenz mit einer Farbtemperatur kleiner als 1000K auf, was einem tiefen Rot entspricht. Wird eine gelbe Farbe des Diamantrohlings nicht vollständig in einen roten Farbton umgewandelt, so kann der Schmuckdiamant auch eine Farbe mit einer In the proposed method for coloring the diamond blanks, large amounts of NV centers are produced in the material of the jewelry diamond, whereby the jewelry diamond fluoresces with a color in the range of 637nm +/- 10nm when illuminated with white light against a white background, which gives the impression of The brilliance of the jewelry diamond is enhanced. The jewelry diamond preferably has a fluorescence with a color temperature of less than 1000K, which corresponds to a deep red. If a yellow color of the diamond blank is not completely converted into a red color, the jewelry diamond can also have a color with a
Farbtemperatur kleiner 2000K aufweisen. Der Schmuckdiamanten weist somit bei Durchstrahlung mit weißem Licht in zumindest einer Durchstrahlungsrichtung eine Farbtemperatur kleiner als 1000K auf. Have a color temperature of less than 2000K. The decorative diamond thus has a color temperature of less than 1000K when exposed to white light in at least one transmission direction.
Der Schmuckdiamantweist, wenn er fluoreszieren soll, bevorzugt eine Dichte an NV-Zentren von mehr als 0,01ppm und/oder von mehr als 10-3ppm und/oder von mehr als 10-4ppm und/oder von mehr als 10-5ppm und/oder von mehr als 10-6ppm bezogen auf die Anzahl der Kohlenstoffatome pro Volumeneinheit auf. Soll eine Fluoreszenz vermieden werden, so weist der Schmuckdiamant bevorzugt eine Dichte der NV-Zentren auf, die weniger als lOppm und/oder weniger als 2ppm und/oder weniger als lppm und/oder weniger als 0,5ppm und/oder weniger als 0,2ppm und/oder von als 0,lppm und/oder von als 0,05ppm und/oder weniger als 0,02ppm und/oder weniger als 0,01ppm und/oder weniger als 0,005ppm und/oder weniger als 0,002ppm und/oder weniger als 0,001ppm und/oder weniger als 5*104 ppm und/oder weniger als 2*104 ppm und/oder weniger als 105ppm und/oder von weniger als 5*105 ppm und/oder weniger als 2*105 ppm und/oder weniger als 10 6ppm und/oder weniger als 5*10 6 ppm und/oder weniger als 2*10 6 ppm und/oder weniger als 107ppm bezogen auf die Anzahl der Kohlenstoffatome pro Volumeneinheit beträgt. The jewelry diamond, if it is to fluoresce, preferably has a density of NV centers of more than 0.01ppm and / or of more than 10-3ppm and / or of more than 10-4ppm and / or of more than 10-5ppm and / or of more than 10-6ppm based on the number of carbon atoms per unit volume. If fluorescence is to be avoided, the jewelry diamond preferably has a density of NV centers that is less than 10 ppm and / or less than 2 ppm and / or less than 1 ppm and / or less than 0.5 ppm and / or less than 0, 2ppm and / or less than 0, lppm and / or less than 0.05ppm and / or less than 0.02ppm and / or less than 0.01ppm and / or less than 0.005ppm and / or less than 0.002ppm and / or less than 0.001ppm and / or less than 5 * 10 4 ppm and / or less than 2 * 10 4 ppm and / or less than 10 5 ppm and / or less than 5 * 10 5 ppm and / or less than 2 * 10 5 ppm and / or less than 10 6 ppm and / or less than 5 * 10 6 ppm and / or less than 2 * 10 6 ppm and / or less than 10 7 ppm based on the number of carbon atoms per unit volume.
Naturgemäß weist der erfindungsgemäße Schmuckdiamant typischerweise Spuren einer Bestrahlung mit Partikeln, insbesondere mit Elektronen und/oder Protonen, auf. Naturally, the jewelry diamond according to the invention typically has traces of irradiation with particles, in particular with electrons and / or protons.
Um das zuvor beschriebene Verfahren zur roten Einfärbung eines Schmuckdiamanten durchführen zu können ist eine entsprechende Vorrichtung notwendig. Sie umfasst bevorzugt einen In order to be able to carry out the process described above for coloring a jewelery diamond red, an appropriate device is necessary. It preferably includes one
Elektronenbeschleuniger, der Elektronen mit einer Energie zwischen 2MeV und lOMeV in eine Prozesskammer liefert, und ein Vakuumsystem, das dazu geeignet und bestimmt ist, die Electron accelerator that delivers electrons with an energy between 2MeV and IOMeV into a process chamber, and a vacuum system that is suitable and intended for that
Prozesskammer zu evakuieren, und im Gegensatz zum Stand der Technik zusätzlich eine To evacuate the process chamber, and in contrast to the prior art, additionally one
Fleizvorrichtung. Diese Fleizvorrichtung ist bevorzugt dazu geeignet und bestimmt, die Meat device. This meat frying device is preferably suitable and intended for the
Prozesskammer und/oder ein Gefäß innerhalb der Prozesskammer auf eine Prozesstemperatur zu heizen. Die Vorrichtung um fasst des Weiteren bevorzugt einen Temperatursensor, der dazu geeignet und bestimmt ist, die Temperatur der Prozesskammer und/oder die Temperatur des Gefäßes und/oder die Temperatur eines oder mehrerer Diamantrohlinge innerhalb des Gefäßes oder innerhalb der Prozesskammer als Temperaturmesswert zu erfassen. Ein Regler, der dazu geeignet und bestimmt ist, die Heizvorrichtung in Abhängigkeit vom erfassten Temperaturmesswert zu steuern, ist bevorzugt ebenfalls ein Teil der Vorrichtung. Typischerweise weist die Vorrichtung elektronenoptische Vorrichtungsteile wie magnetische Linsen, Wien-Filter, Blenden und To heat the process chamber and / or a vessel within the process chamber to a process temperature. The device furthermore preferably comprises a temperature sensor which is suitable and intended to detect the temperature of the process chamber and / or the temperature of the vessel and / or the temperature of one or more diamond blanks within the vessel or within the process chamber as a temperature measurement. A regulator that is suitable for this and it is intended to control the heating device as a function of the measured temperature value detected, is preferably also part of the device. Typically, the device has electron-optical device parts such as magnetic lenses, Wien filters, diaphragms and
Ablenkeinheiten auf. Typischerweise werden die Ablenkeinheiten benutzt, um den Elektronenstrahl während der Bestrahlung über die Diamantrohlinge wandern zu lassen. (Englisch: zu scannen) Wodurch die Elektronen im wesentliche Homogen über die Diamantrohlinge in der Prozesskammer verteilt werden. Deflection units on. Typically, the deflection units are used to make the electron beam travel over the diamond blanks during the irradiation. (English: to be scanned) As a result of which the electrons are distributed essentially homogeneously over the diamond blanks in the process chamber.
Die Erfindung umfasst somit auch die Verwendung des oben beschriebenen Verfahrens zur The invention thus also includes the use of the method described above for
Herstellung eines oder mehrerer roter Schmuckdiamanten, die typischerweise auch als Making one or more red jewelry diamonds, typically also called
Sensorelemente verwendet werden können, mittels einer Vorrichtung, wie sie zuvor beschrieben wurde. Hinsichtlich der Farbe Rot sei auf die vorausgehenden Ausführungen verwiesen. Sensor elements can be used by means of a device as described above. With regard to the color red, reference is made to the preceding explanations.
Insofern ist der Begriff "Schmuckdiamant" in dieser Schrift auch als Synonym für das Wort In this respect, the term "jewelry diamond" is also used as a synonym for the word in this document
"Sensorelement" zu verstehen. To understand "sensor element".
F ig u r 91 Fig. 91
Figur 91 veranschaulicht die Definition der Zeiten. Figure 91 illustrates the definition of times.
F ig u r 92 Fig. 92
Figur 92 zeigt die Nichtlinearität der Abhängigkeit des Kontrasts (KT) (siehe auch Figur 28) von der Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB), die das paramagnetische Zentrum (NV1) bzw. die paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. die Gruppe (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) bzw. die Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) erreicht. Der Kontrast nimmt zu großen Intensitäten (lpmp) der Pumpstrahlung (LB) hinzu. Dies ist für einzelne NV-Zentren in Dimant, also nicht für HD-NV- Diamanten, wie sie hier beschrieben sind, aus der Schrift Staacke, R., John, R., Wunderlich, R., Horsthemke, L., Knolle, W., Laube, C., Glösekötter, P., Burchard, B., Abel, B. and Meijer, J. (2020), "Isotropie Scalar Quantum Sensing of Magnetic Fields for Industrial Application", Adv. Quantum Technol., doi:10.1002/qute.202000037, bekannt, deren Publikationsdatum nach dem FIG. 92 shows the non-linearity of the dependence of the contrast (KT) (see also FIG. 28) on the intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB), which is the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) or the group (NVC) paramagnetic centers (NV1) or the groups (NVC) paramagnetic centers (NV1) reached. The contrast increases to high intensities (1 pmp ) of the pump radiation (LB). This is in Dimant for individual NV centers, i.e. not for HD NV diamonds as described here, from the text Staacke, R., John, R., Wunderlich, R., Horsthemke, L., Knolle, W., Laube, C., Glösekötter, P., Burchard, B., Abel, B. and Meijer, J. (2020), "Isotropie Scalar Quantum Sensing of Magnetic Fields for Industrial Application", Adv. Quantum Technol., doi: 10.1002 / qute.202000037, known whose publication date is after
Prioritätsdatum der prioritätsgebenden Schriften dieser Schrift liegt. Wir verweisen insbesondere auf die Figuren 3b und 3d jener Schrift. Durch eine hohe Dichte an paramagnetischen Zentren, wie beispielsweise durch eine hohe Dichte an NV-Zentren wie in einem HD-NV-Diamant, wie er in dieser Schrift beschrieben wurde, kann der Kontrast (KT) über das in jener Schrift gezeigte Maß hinaus insbesondere auf 25% und sogar 30% und sogar 40% und mehr gesteigert werden, was neu gegenüber dem Stand der Technik ist. Theoretisch können Werte des Kontrasts (KT) von 50% und mehr erreicht werden. In diesem Zusammenhang verweisen wir auf die Schrift L. Horsthemke, C. Bischoff, P. Glösekötter, B. Burchard, R. Staacke, J. Meijer "Highly Sensitive Compact Room Priority date of the priority-giving fonts of this font is. We refer in particular to Figures 3b and 3d of that document. As a result of a high density of paramagnetic centers, such as, for example, a high density of NV centers as in an HD-NV diamond, as described in this document, the contrast (KT) can exceed that shown in that document in particular can be increased to 25% and even 30% and even 40% and more, which is new compared to the prior art. Theoretically, values of contrast (KT) of 50% and more can be achieved. In this context we refer to the publication L. Horsthemke, C. Bischoff, P. Glösekötter, B. Burchard, R. Staacke, J. Meijer "Highly Sensitive Compact Room
Temperature Quantum Scalar Magnetometer" SMSI 2020, Pages 47 - 48, DOI Temperature Quantum Scalar Magnetometer "SMSI 2020, Pages 47 - 48, DOI
10.5162/SM SI2020/A1.4, ISBN 978-3-9819376-2-6, deren Publikationsdatum nach dem 10.5162 / SM SI2020 / A1.4, ISBN 978-3-9819376-2-6, whose publication date is after
Prioritätsdatum der prioritätsgebenden Schriften dieser Schrift liegt. Priority date of the priority-giving fonts of this font is.
Mit steigender Pumpstrahlungsintensitätsdichte (lpmp) steigt der Kontrast (KT) in etwa wurzelförmig in Abhängigkeit von der Dichte der Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB) an. Unter Intensität (lpmp, Ifi, I kfu lks) wird dabei in dieser Schrift die auf einen Probekörper eingebrachte Leistung (Energie / Zeiteinheit) verstanden. Ist die Dichte der paramagnetischen Zentren (NV1) im Sensorelement hoch, steigt durch die höhere Pumpstrahlungsintensitätsdichte (lpmp) die Dichte der angeregten paramagnetischen Zentren (NV1) und damit die Wahrscheinlichkeit für die Kopplung As the pump radiation intensity density (I pmp ) increases, the contrast (KT) rises approximately root-like depending on the density of the intensity (I pmp ) of the pump radiation (LB). Intensity (I pmp , I fi , I kf ul ks ) is understood in this document to mean the power (energy / time unit) applied to a test specimen. If the density of the paramagnetic centers (NV1) in the sensor element is high, the higher pump radiation intensity density (l pmp ) increases the density of the excited paramagnetic centers (NV1) and thus the probability of the coupling
paramagnetischer Zentren (NV1) untereinander und damit die Wahrscheinlichkeit von kollektiven Effekten der so gekoppelten, möglicherweise großen Anzahl an gekoppelten paramagnetischen Zentren (NV1) an. Im Falle von NV-Zentren (NV1) steigt durch die Verwendung eines HD-NV- Diamanten und einer hohen Maximalintensität ( lpmpmax) der Pumpstrahlung (LB) die Dichte der angeregten NV-Zentren (NV1) und damit der Kontrast (KT). Somit ist das Verfahren zur Herstellung solcher Diamanten ein Kernbestandteil des hier vorgelegten Vorschlags. Damit der Kontrast (KT) auch im mittel hoch ist, sollte die Zeit in der die Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB) vom Offset-Wert (Ipmpoff) der Pumpstrahlungsintensität (lpmp) und gleichzeitig vom Maximalwert (lpmpmax) der paramagnetic centers (NV1) with one another and thus the probability of collective effects of the possibly large number of coupled paramagnetic centers (NV1) coupled in this way. In the case of NV centers (NV1), the use of an HD-NV diamond and a high maximum intensity (l pmpm ax) of the pump radiation (LB) increases the density of the excited NV centers (NV1) and thus the contrast (KT) . The process for producing such diamonds is thus a key element of the proposal presented here. So that the contrast (KT) is also medium-high, the time in which the intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB) from the offset value (Ipmpoff) of the pump radiation intensity (l pmp ) and at the same time from the maximum value (l pmpmax ) should be
Pumpstrahlungsintensität (lpmp) verschieden ist, minimiert werden. Aus dem gleichen Grund sollte der Raumbereich innerhalb des Sensorelements, in dem die Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB) vom Offset-Wert (lpmp0ff) der Pumpstrahlungsintensität (lpmp) und gleichzeitig vom Maximalwert (lpmpmax) der Pumpstrahlungsintensität (lpmp) verschieden ist, räumlich minimiert werden. Dies kann durch eine Fokussierung der Pumpstrahlung (LB) z.B. durch optische Funktionselemente, wie Linsen und/oder gekrümmter Spiegel und/oder spiegelnder Flächen und/oder photonischen Kristallen etc., geschehen. Des Weiteren sollten die paramagnetischen Zentren (NV1), also im Beispiel eines NV-HD- Diamanten, nur in solchen Raumbereichen innerhalb des Sensorelements in signifikanter Menge und Dichte Vorkommen in denen im Wesentlichen eine Pumpstrahlungsintensität (lpmp) der Pump radiation intensity (l pmp ) is different, can be minimized. For the same reason, the spatial area within the sensor element in which the intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB) depends on the offset value (l pmp0ff ) of the pump radiation intensity (l pmp ) and at the same time from the maximum value (lpmpmax) of the pump radiation intensity (l pmp ) is different, be spatially minimized. This can be done by focusing the pump radiation (LB), for example using optical functional elements such as lenses and / or curved mirrors and / or reflective surfaces and / or photonic crystals, etc. Furthermore, the paramagnetic centers (NV1), i.e. in the example of an NV-HD diamond, should only occur in a significant amount and density in those spatial areas within the sensor element in which there is essentially a pump radiation intensity (l pmp )
Pumpstrahlung (LB) in der Nähe der maximalen Pumpstrahlungsintensität ( l pmpmax) erreicht wird. Auf die Ausführungen zum Fabry-Perot-Interferometer und optischen Resonatoren im Zusammenhang mit Figur 71 sei an dieser Stelle explizit verwiesen. Bevorzugt wird ein solcher Bereich durch die zumindest zeitweise erfüllte Bedingung lpmp>50%*lpmpma)< und/oder besser lpmp>75%*lpmpma)< und/oder besser lPmp>90%*lpmpma)< und/oder besser lPmp>95%*lpmpma)< und/oder besser lPmp>98%*lpmpma)< erfüllt. Pump radiation (LB) in the vicinity of the maximum pump radiation intensity (1 pm pmax) is achieved. Related to the comments on the Fabry-Perot interferometer and optical resonators Reference is made explicitly to FIG. 71 at this point. Such a range is preferred by the at least temporarily fulfilled condition l pmp > 50% * l pmpma) < and / or better l pmp > 75% * l pmpma) < and / or better l P m p > 90% * l pmpma) < and / or better l P m p > 95% * l pmpma) < and / or better l P m p > 98% * l pmpma) < fulfilled.
Für die Konstruktion des Sensorelements wird ausdrücklich eine Multiphysics-Simulation auf Basis einer FDTD-Simulation empfohlen. Dabei sind die komplexen optischen Zusammenhänge (siehe Figur 71) zu beachten. Unter der FDTD-Methode versteht man eine Finite Difference Time Domain Simulation, was die englische Bezeichnung für Finite-Differenzen-Methode im Zeitbereich ist. Das Verfahren wird auch Yee-Verfahren bzw. -Methode genannt. Es handelt sich um ein mathematisches Verfahren zur direkten Integration zeitabhängiger Differentialgleichungen, das vor allem zur Berechnung der Lösungen der Maxwell-Gleichungen wie in diesem Fall eingesetzt wird. A multiphysics simulation based on an FDTD simulation is expressly recommended for the construction of the sensor element. The complex optical relationships (see Figure 71) must be observed. The FDTD method is a finite difference time domain simulation, which is the English name for finite difference method in the time domain. The procedure is also called the Yee procedure or method. It is a mathematical method for the direct integration of time-dependent differential equations, which is mainly used to calculate the solutions of Maxwell's equations, as in this case.
Figu r 93 Fig. 93
Figur 93 zeigt eine vereinfachte Struktur eines Substrats (D) für die Messung in Durchstrahlung. Im Gegensatz zur Figur 71 tritt nun die Fluoreszenzstrahlung (FL) nicht über die erste Oberfläche (OFL) aus dem Substrat (D) aus, über die die Pumpstrahlung (LB) in das Substrat (D) eintritt. Vielmehr tritt die Fluoreszenzstrahlung (FL) nun über eine zweite Oberfläche (OFL2) auf. Um nun die Absorption und Abschwächung des Kontrasts (KT) zu vermeiden, wurde im Zuge der Ausarbeitung der hier vorgelegten Schrift erkannt, dass die Dicke (dNVc) der Gruppe (NVC) parametrischer Zentren (NV1) für die Durchstrahlungskonfiguration der Figur 93 begrenzt werden muss. Bevorzugt ist die Dicke (dNVc) der Gruppe (NVC) parametrischer Zentren (NV1) nicht größer als das 10000-fache der FIG. 93 shows a simplified structure of a substrate (D) for the measurement in transmission. In contrast to FIG. 71, the fluorescence radiation (FL) does not exit the substrate (D) via the first surface (OFL) via which the pump radiation (LB) enters the substrate (D). Rather, the fluorescence radiation (FL) now occurs over a second surface (OFL2). In order to avoid the absorption and weakening of the contrast (KT), it was recognized in the course of the elaboration of the document presented here that the thickness (d NV c) of the group (NVC) of parametric centers (NV1) for the radiation configuration of FIG. 93 is limited must become. The thickness (d NV c) of the group (NVC) of parametric centers (NV1) is preferably not greater than 10,000 times that
Pumpstrahlungswellenlänge (lrGTΐr) und/oder besser nicht größer als das 5000-fache der Pump radiation wavelength (l rGTΐr ) and / or better not greater than 5000 times that
Pumpstrahlungswellenlänge (lrigir) und/oder besser nicht größer als das 2000-fache der Pump radiation wavelength (l rigir ) and / or better not greater than 2000 times that
Pumpstrahlungswellenlänge (lrGTΐr) und/oder besser nicht größer als das 1000-fache der Pump radiation wavelength (l rGTΐr ) and / or better not greater than 1000 times that
Pumpstrahlungswellenlänge (lrigir) und/oder besser nicht größer als das 500-fache der Pump radiation wavelength (l rigir ) and / or better not greater than 500 times the
Pumpstrahlungswellenlänge (lrGTΐr) und/oder besser nicht größer als das 200-fache der Pump radiation wavelength (l rGTΐr ) and / or better not greater than 200 times the
Pumpstrahlungswellenlänge (lrigir) und/oder besser nicht größer als das 100-fache der Pump radiation wavelength (l rigir ) and / or better not greater than 100 times the
Pumpstrahlungswellenlänge (lrGTΐr) und/oder besser nicht größer als das 50-fache der Pump radiation wavelength (l rGTΐr ) and / or better not greater than 50 times the
Pumpstrahlungswellenlänge (lrigir) und/oder besser nicht größer als das 20-fache der Pump radiation wavelength (l rigir ) and / or better not greater than 20 times the
Pumpstrahlungswellenlänge (lrGTΐr) und/oder besser nicht größer als das 10-fache der Pump radiation wavelength (l rGTΐr ) and / or better not greater than 10 times the
Pumpstrahlungswellenlänge (lrGTΐr) und/oder besser nicht größer als das 5-fache der Pump radiation wavelength (l rGTΐr ) and / or better not greater than 5 times the
Pumpstrahlungswellenlänge (lrigir) und/oder besser nicht größer als das 2-fache der Pumpstrahlungswellenlänge (lrGTΐr) und/oder besser nicht größer als das 1-fache der Pumpstrahlungswellenlänge (lrigir). Ein guter Kontrast wurde mit einer Dicke (dNVc) der Gruppe (NVC) parametrischer Zentren (NV1) nicht größer als das 50-fache der Pumpstrahlungswellenlänge ( lrGTΐr) erzielt. Im Übrigen wird auf die Ausführungen zur Figur 71 verwiesen. Pump radiation wavelength (l rigir ) and / or better not greater than 2 times the Pump radiation wavelength (l rGTΐr ) and / or better not greater than 1 times the pump radiation wavelength (l rigir ). A good contrast was achieved with a thickness (d NV c) of the group (NVC) of parametric centers (NV1) not greater than 50 times the pump radiation wavelength (l rGTΐr ). For the rest, reference is made to the statements relating to FIG. 71.
F ig u r 94 Fig. 94
Figur 94 basiert auf Figur 73. Im Gegensatz zur Figur 73 erfolgt nun jedoch die Auslesung des paramagnetischen Zentrums (NV1) bzw. der paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der Gruppe oder der Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) nicht über die Fluoreszenzstrahlung (FL), sondern über den Wert des Fotostromes. In dem Beispiel der Figur 94 steuern eine horizontale Leitung (LH), eine erste horizontale Schirmleitung (SH1) und eine zweite horizontale Schrimleitung (SH2) diesen Prozess. Ein Zentrum (PZ) dient wieder als Pumpstrahlungsquelle (PLI). Das Zentrum (PZ) wird durch einen Stromfluss zwischen einem Kathodenkontakt (KTH) und einem Anodenkontakt (AN) gepumpt, sodass das Zentrum PZ Pumpstrahlung (LB) mit einer Pumpstrahlungswellenlänge (lr,hr) aussendet. Das Zentrum (PZ) dient hier somit als beispielhafte Pumpstrahlungsquelle (PLI).FIG. 94 is based on FIG. 73. In contrast to FIG. 73, however, the readout of the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) does not take place via the fluorescence radiation (FL), but about the value of the photo current. In the example of Figure 94, a horizontal line (LH), a first horizontal screen line (SH1) and a second horizontal screen line (SH2) control this process. A center (PZ) again serves as a pump radiation source (PLI). The center (PZ) is pumped by a current flow between a cathode contact (KTH) and an anode contact (AN), so that the center PZ emits pump radiation (LB) with a pump radiation wavelength (l r , hr ). The center (PZ) thus serves as an exemplary pump radiation source (PLI).
Das Substrat (D) dient hier als optisches Funktionselement und koppelt diese Pumpstrahlung an das paramagnetische Zentrum (NV1) bzw. die paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. die Gruppe oder die Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1). Im Falle von NV-Zentren in Diamant als paramagnetischen Zentren (NV1) im Substrat (D) kann die horizontale Leitung (LH) positiv gegenüber dem Substrat (D) geladen sein. Das elektrische Feld der horizontalen Leitung (LH) führt dann dazu, dass der bevorzugte Zustand des NV-Zentrums der NV_Zustand ist. Das NV-Zentrum erzeugt dann Fotoelektronen. Diese können durch die erste horizontale Schirmleitung (SH1) und die zweite horizontale Schirmleitung (SH2) dann abgezogen werden, wenn eine geeignete Spannung zwischen diesen angelegt wird. Es fließt dann ein Fotostrom in der ersten horizontalen Schirmleitung (SH1) und der zweiten horizontalen Schirmleitung (SH2), der von der magnetischen Flussdichte B oder anderen physikalischen Parametern wie elektrischer Flussdichte D, Temperatur q, Beschleunigung a, Gravitationsfeldstärke g, Rotationsgeschwindigkeit co, Intensität der ionisierenden Strahlung etc. am Ort des paramagnetischen Zentrums (NV1) bzw. der paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der Gruppe oder der Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) abhängen kann. Dieser Fotostrom kann durch eine Ansteuer- und Auswerteeinheit (LIV), wie sie hier beispielhaft vorgestellt wurden, erfasst werden und in einen Messwert für den betreffenden, den Fotostrom beeinflussenden Parameter umgewandelt werden. Dieser Messwert des Fotostromes hängt dann von einem oder mehreren dieser physikalischen Parameter ab und kann somit als Messwert für diese The substrate (D) serves here as an optical functional element and couples this pump radiation to the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1). In the case of NV centers in diamond as paramagnetic centers (NV1) in the substrate (D), the horizontal line (LH) can be positively charged with respect to the substrate (D). The electric field of the horizontal line (LH) then leads to that the preferred state of the NV center of the NV _ state. The NV center then generates photoelectrons. These can then be withdrawn through the first horizontal shield line (SH1) and the second horizontal shield line (SH2) if a suitable voltage is applied between them. A photocurrent then flows in the first horizontal shield line (SH1) and the second horizontal shield line (SH2), which is dependent on the magnetic flux density B or other physical parameters such as electrical flux density D, temperature q, acceleration a, gravitational field strength g, rotation speed co, intensity the ionizing radiation etc. at the location of the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1). This photocurrent can be detected by a control and evaluation unit (LIV), as presented here as an example, and converted into a measured value for the relevant, influencing the photocurrent Parameters are converted. This measured value of the photocurrent then depends on one or more of these physical parameters and can thus be used as a measured value for these
weiterverwendet werden. Wie leicht erkennbar ist, ähnelt die Struktur einem MOS-Transistor. Für den Fall, dass paramagnetische Zentren in Halbleiterkristallen, also beispielsweise G-Zentren in Silizium oder V-Zentren in SiC für die Messung eingesetzt werden, ist es sinnvoll, wenn die horizontale Leitung (LH), die hier durch einen Isolator (IS) von dem Substrat (D) getrennt ist, aus dem gleichen Material, beispielsweise polykristallinem Silizium im Falle von Silizium als Substrat (D) besteht. In diesem Zusammenhang weisen wir beispielsweise auf die Schrift C. Beaufils, W. Redjem,can be reused. As can be easily seen, the structure is similar to a MOS transistor. In the event that paramagnetic centers in semiconductor crystals, for example G centers in silicon or V centers in SiC, are used for the measurement, it makes sense if the horizontal line (LH), which is here through an insulator (IS), is the substrate (D) is separated from the same material, for example polycrystalline silicon in the case of silicon as the substrate (D). In this context we refer, for example, to the font C. Beaufils, W. Redjem,
E. Rousseau, V. Jacques, A. Yu. Kuznetsov, C. Raynaud, C. Voisin, A. Benali, T. Herzig, S. Pezzagna, J. Meijer, M. Abbarchi, G. Cassabois "Optical properties of an ensemble of G-centers in Silicon", Phys. Rev. B 97, 035303 09.01.2018 und die Schrift S. Castelletto, A. Boretti, "Silicon Carbide color centers for quantum applications", J. Phys. Photonics 2 022001, 2020 hin. Bevorzugt ist der Isolator (IS) dann ein Gate-Oxid. Besonders bevorzugt umfass in einem solchen Fall eines Halbleiterkristalls als Substrat (D) der Halbleiterkristall dann auch elektronische Bauelemente, die mit dem betreffenden paramagnetischen Zentrum (NV1) oder den paramagnetischen Zentren (NV1) oder der Gruppe oder den Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) in einem einzigen Substrat (D) ko-integriert sind. Bevorzugt umfasst das Substrat (D) dann auch die Ansteuer- und Auswerteschaltung (LIV) ganz oder in Teilen, sodass es denkbar wird eine Ein-Chip-Lösung komplett aus Silizium zu fertigen. Für die Pumpstrahlungsquelle kommen dann aber auch andere Möglichkeiten in Betracht. In diesem Zusammenhang verweisen wir beispielhaft auf L. W. Snyman, J-L. Polleux, K. A. Ogudo, C. Viana, S. Wahle, "High Intensity 100 nW 5 GHz Silicon Avalanche LED utilizing carrier energy and momentum engineering", Conference Paper in Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering · Februar 2014, DOI: 10.1117/12.2038195. Auch weisen wir auf die noch E. Rousseau, V. Jacques, A. Yu. Kuznetsov, C. Raynaud, C. Voisin, A. Benali, T. Herzig, S. Pezzagna, J. Meijer, M. Abbarchi, G. Cassabois "Optical properties of an ensemble of G-centers in Silicon", Phys. Rev. B 97, 035303 01/09/2018 and the text S. Castelletto, A. Boretti, "Silicon Carbide color centers for quantum applications", J. Phys. Photonics 2 022001, 2020. The insulator (IS) is then preferably a gate oxide. Particularly preferably in such a case of a semiconductor crystal as substrate (D) the semiconductor crystal then also includes electronic components that are associated with the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1 ) are co-integrated in a single substrate (D). The substrate (D) then preferably also comprises the control and evaluation circuit (LIV) in whole or in part, so that it is conceivable to manufacture a one-chip solution completely from silicon. However, other possibilities then also come into consideration for the pump radiation source. In this context we refer, for example, to L. W. Snyman, J-L. Polleux, KA Ogudo, C. Viana, S. Wahle, "High Intensity 100 nW 5 GHz Silicon Avalanche LED utilizing carrier energy and momentum engineering", Conference Paper in Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering · February 2014, DOI: 10.1117 / 12.2038195. We also point out that
unveröffentlichte Anmeldung PCT / DE 2020 / 100 430 hin, dies sich ebenfalls mit der unpublished application PCT / DE 2020/100 430, this also relates to the
Komplettintegration von Quantensystemen befasst. Complete integration of quantum systems.
F ig u r 95 Fig. 95
Figur 95 zeigt das System der Figur 5 nun aber mit Auswertung des Fotostromes und FIG. 95 now shows the system of FIG. 5 with evaluation of the photocurrent and
Referenzrauschquelle und Dicke-Schalter (DS). Reference noise source and thickness switch (DS).
Die Pumpstrahlungsquelle (PLI) wird in diesem Beispiel dauerhaft und nicht moduliert betrieben. Die Pumpstrahlungsquelle (PLI) bestrahlt das paramagnetische Zentrum (NV1) oder die paramagnetischen Zentren (NV1) oder die Gruppe oder die Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) im Substrat (D) des Sensorelements. In this example, the pump radiation source (PLI) is operated continuously and not in a modulated manner. The pump radiation source (PLI) irradiates the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) in the substrate (D) of the sensor element.
Die Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) wird in diesem Beispiel dauerhaft und nicht moduliert betrieben. Die Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) bestrahlt das paramagnetische The compensation radiation source (PLK) is operated permanently and not modulated in this example. The compensation radiation source (PLK) irradiates the paramagnetic
Referenzzentrum (NV2) oder die paramagnetischen Referenzzentren (NV2) oder die Gruppe oder die Gruppen (NVC2) paramagnetischer Referenzzentren (NV2) im Substrat (D) des Referenzelements. Reference center (NV2) or the paramagnetic reference centers (NV2) or the group or groups (NVC2) of paramagnetic reference centers (NV2) in the substrate (D) of the reference element.
Das Sensorelement kann beispielsweise eine Anordnung entsprechend den Figur 78 sein, wobei diese dann beispielsweise die vertikale Leitung (LH) und die horizontale Leitung (LH) und die erste horizontale Schirmleitung (LH1) der Figur 78 nicht aufweisen muss. Somit müssen nur The sensor element can, for example, be an arrangement according to FIG. 78, in which case it does not have to have the vertical line (LH) and the horizontal line (LH) and the first horizontal shield line (LH1) of FIG. 78, for example. So only have to
Vorrichtungsteile ähnlich der ersten vertikalen Schirmleitung (SV1) und der zweiten vertikalen Schirmleitung (SV2) der Figur 78 zusammen mit Kontakten, die in der Figur 78 zu Vereinfachung nicht eingezeichnet sind, vorhanden sein. Mindestens ein erster Kontakt verbindet dann die erste vertikale Schirmleitung (SV1) mit dem Substrat (D). Mindestens ein zweiter Kontakt verbindet dann die zweite vertikale Schirmleitung (SV2) mit dem Substrat (D). Bevorzugt sind die der erste Kontakt und der zweite Kontakt so gegenüber dem Quantenpunkt (NV1/NVC) platziert, dass dieser bei Anlegen einer Extraktionsspannung (Vext) zwischen der ersten vertikalen Schirmleitung (SV1) und der zweiten vertikalen Schirmleitung (SV2) ein möglichst homogenes elektrisches Extraktionsfeld um den Quantenpunkt herum erzeugt, sodass der Fotostrom bei Bestrahlung des Quantenpunkts (NV1/NVC) mit Pumpstrahlung (LB) aus dem Quantenpunkt (NV1/NVC) extrahiert wird und über die beiden Schirmleitungen (SV1, SV2) fließt. Figur 97 zeigt einen solchen Vorschlag für ein Sensorelement. Device parts similar to the first vertical shield line (SV1) and the second vertical shield line (SV2) of FIG. 78 may be present together with contacts that are not shown in FIG. 78 for the sake of simplicity. At least one first contact then connects the first vertical shield line (SV1) to the substrate (D). At least one second contact then connects the second vertical shield line (SV2) to the substrate (D). The first contact and the second contact are preferably placed opposite the quantum dot (NV1 / NVC) in such a way that it is as homogeneous as possible when an extraction voltage (V ext ) is applied between the first vertical shield line (SV1) and the second vertical shield line (SV2) An electric extraction field is generated around the quantum dot, so that the photocurrent when the quantum dot (NV1 / NVC) is irradiated with pump radiation (LB) is extracted from the quantum dot (NV1 / NVC) and flows over the two shield lines (SV1, SV2). FIG. 97 shows such a proposal for a sensor element.
Auch das Referenzelement kann beispielsweise eine Anordnung entsprechend den Figur 78 sein, wobei diese dann beispielsweise die vertikale Leitung (LH) und die horizontale Leitung (LH) und die erste horizontale Schirmleitung (LH1) der Figur 78 nicht aufweisen muss. Somit müssen auch hier nur Vorrichtungsteile ähnlich der ersten vertikalen Schirmleitung (SV1) und der zweiten vertikalen Schirmleitung (SV2) der Figur 78 zusammen mit Kontakten, die in der Figur 78 zu Vereinfachung nicht eingezeichnet sind, vorhanden sein. Mindestens ein erster Kontakt verbindet dann die erste vertikale Schirmleitung (SV1) mit dem Substrat (D) des Referenzelements. Mindestens ein zweiter Kontakt verbindet dann die zweite vertikale Schirmleitung (SV2) mit dem Substrat (D) des Referenzelements. Bevorzugt sind die der erste Kontakt und der zweite Kontakt so gegenüber dem The reference element can also be, for example, an arrangement according to FIG. 78, in which case this does not have to have the vertical line (LH) and the horizontal line (LH) and the first horizontal shield line (LH1) of FIG. Thus, only device parts similar to the first vertical shield line (SV1) and the second vertical shield line (SV2) of FIG. 78 together with contacts, which are not shown in FIG. 78 for the sake of simplicity, have to be present here as well. At least one first contact then connects the first vertical shield line (SV1) to the substrate (D) of the reference element. At least one second contact then connects the second vertical shield line (SV2) to the substrate (D) of the reference element. The first contact and the second contact are preferred as opposed to this
Referenzquantenpunkt (NV2/NVC2) platziert, dass dieser bei Anlegen einer Extraktionsspannung (Vext) zwischen der ersten vertikalen Schirmleitung (SV1) und der zweiten vertikalen Schirmleitung (SV2) ein möglichst homogenes elektrisches Extraktionsfeld um den Referenzquantenpunkt herum erzeugt, sodass der Fotostrom bei Bestrahlung des Referenzquantenpunkts (NV2/NVC2) mit Kompensationsstrahlung (KS) aus dem Referenzquantenpunkt (NV2/NVC2) extrahiert wird und über die beiden Schirmleitungen (SV1, SV2) fließt. Figur 98 zeigt einen solchen Vorschlag für ein Reference quantum dot (NV2 / NVC2) is placed between the first vertical shield line (SV1) and the second vertical shield line when an extraction voltage (V ext ) is applied (SV2) generates an electrical extraction field that is as homogeneous as possible around the reference quantum dot, so that the photocurrent when the reference quantum dot (NV2 / NVC2) is irradiated with compensation radiation (KS) is extracted from the reference quantum dot (NV2 / NVC2) and via the two shield lines (SV1, SV2 ) flows. Figure 98 shows such a proposal for a
Sensorelement. Sensor element.
Mittels eines Dickeschalters (DS) wird nun in Abhängigkeit von dem Sendesignal (S5) zwischen dem Fotostrom des Sensorelements und dem Fotostrom des Referenzelements hin- und hergeschaltet. Der Ausgang des Dicke-Schalters (DS) ist das Empfängeraufgangssignal (SO). Der erste Verstärker (VI) verstärkt das Empfängerausgangssignal (SO) zum reduzierten Empfängerausgangssignal (Sl). A thickness switch (DS) is used to switch back and forth between the photocurrent of the sensor element and the photocurrent of the reference element as a function of the transmission signal (S5). The output of the thickness switch (DS) is the receiver rise signal (SO). The first amplifier (VI) amplifies the receiver output signal (SO) to the reduced receiver output signal (Sl).
Bevorzugt ist in diesem Fall der erste Verstärker (VI) ein Verstärker mit einem stromgeführten Eingang, um den jeweiligen Fotostrom verstärken zu können. In einem nachfolgenden In this case, the first amplifier (VI) is preferably an amplifier with a current-guided input in order to be able to amplify the respective photocurrent. In a subsequent one
Synchrondemodulator (Ml, TP) wird ein Empfängerausgangssignal (S4) erzeugt, das wieder dem Wert der Differenz zwischen dem Betrag des Fotostroms des Sensorelements und dem Betrag des Fotostromes des Referenzelements entspricht. In dem Beispiel der Figur 95 tastet eine Synchronous demodulator (Ml, TP) a receiver output signal (S4) is generated, which again corresponds to the value of the difference between the amount of the photocurrent of the sensor element and the amount of the photocurrent of the reference element. In the example of Figure 95, one is scanning
Flalteschaltung (S&FI) wieder das Filterausgangssignal (S4) synchron zur Sendesignalperiode (Tp) des Sendesignals (S5) ab, um sicherzustellen, dass der Schleifenfilter (TP) ein bestimmtes und kein unbestimmtes Integral bildet. Der Synchrondemodulator besteht in dem Beispiel der Figur 95 aus einem ersten Mischer (Ml), der das Sendesignal mit dem reduzierten Empfängerausgangssignal (SO) multipliziert und dem Schleifenfilter (TP). Bevorzugt sind das Sensorelement und das Flalteschaltung (S&FI) again the filter output signal (S4) synchronously with the transmission signal period (T p ) of the transmission signal (S5) to ensure that the loop filter (TP) forms a specific and not an indefinite integral. In the example in FIG. 95, the synchronous demodulator consists of a first mixer (Ml), which multiplies the transmission signal with the reduced receiver output signal (SO), and the loop filter (TP). The sensor element and the are preferred
Referenzelement in gleicher Weise ausgeführt. Das Referenzelement ist ggf. durch eine Abschirmung (AS) gegenüber physikalischen Parametern, die den Fotostrom des Referenzelements beeinflussen können, abgeschirmt. Eine solche Abschirmung (AS) kann beispielsweise das Material eines Leiters sein, in dessen Innerem sich das Referenzelement befindet. Der Wert des Sensorausgangssignals (out), das das Ausgangssignal der Flalteschaltung (S&FI) in diesem Beispiel ist, kann dann als Reference element executed in the same way. If necessary, the reference element is shielded from physical parameters that can influence the photocurrent of the reference element by a shield (AS). Such a shield (AS) can be, for example, the material of a conductor, inside of which the reference element is located. The value of the sensor output signal (out), which is the output signal of the folded circuit (S&FI) in this example, can then be used as
Messwert für einen solchen Parameter genutzt werden, der die Fotoströme des Sensorelements und des Referenzelements beeinflusst. Genau genommen stellt dieser Messwert einen Messwert für die Differenz zwischen dem Wert eines solchen beeinflussenden Parameters am Ort des Sensorelements und dem Wert des betreffenden, beeinflussenden Parameters am Ort des Referenzelements dar. Der Schleifenfilter (TP) wird wieder so ausgeführt, dass er ein Gleichsignal passieren lässt und das Sendesignal (S5) sperrt. F ig u r 96 Measured value can be used for such a parameter that influences the photo currents of the sensor element and the reference element. Strictly speaking, this measured value represents a measured value for the difference between the value of such an influencing parameter at the location of the sensor element and the value of the relevant influencing parameter at the location of the reference element. The loop filter (TP) is again designed so that it passes a constant signal and blocks the transmission signal (S5). Fig. 96
Die Figur 96 entspricht weitestgehend der Figur 95 mit dem Unterschied, dass die The figure 96 largely corresponds to the figure 95 with the difference that the
Pumpstrahlungsquelle (PLI) sowohl das Sensorelement bestrahlt und somit den darin enthaltenen Quantenpunkt anregt als auch das Referenzelement bestrahlt und somit den darin enthaltenen Referenzquantenpunkt anregt. Pump radiation source (PLI) both irradiates the sensor element and thus excites the quantum dot contained therein and also irradiates the reference element and thus excites the reference quantum dot contained therein.
F ig u r 97 Fig. 97
Figur 97 enzspricht der Figur 78, wobei die Funktion auf die Extraktion des Fotostromes begrenzt ist. Hierzu befinden sich auf der Oberfläche (OFL1) des Substrats (D) isoliert durch eine elektrische Isolation (IS) von dem Substrat (D) eine erste vertikale Schirmleitung (SV1) und eine zweite vertikale Schirmleitung (SV2). Die erste vertikale Schirmleitung (SV1) ist über einen ersten Kontakt (KV11) mit dem Substrat (D) elektrisch verbunden. Die zweite vertikale Schirmleitung (SV2) ist über einen zweiten Kontakt (KV12) mit dem Substrat (D) elektrisch verbunden. Anders als in der Figur aus Verständnisgründen gezeichnet, ist es vorteilhaft, wenn die Kontakte längs der jeweiligen FIG. 97 corresponds to FIG. 78, the function being limited to the extraction of the photocurrent. For this purpose, a first vertical shield line (SV1) and a second vertical shield line (SV2) are located on the surface (OFL1) of the substrate (D), insulated from the substrate (D) by electrical insulation (IS). The first vertical shield line (SV1) is electrically connected to the substrate (D) via a first contact (KV11). The second vertical shield line (SV2) is electrically connected to the substrate (D) via a second contact (KV12). Unlike in the figure drawn for reasons of understanding, it is advantageous if the contacts along the respective
Schirmleitung (SV1, SV2) länglich gestreckt und nicht wie gezeichnet quadratisch ausgeführt werden, da dann das elektrische Feld im Bereich der des paramagnetischen Zentrums (NV1) bzw. der paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der Gruppe oder der Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) homogener ausfällt. In dem Beispiel der Figur 97 fließt bei einem Anlegen einer Extraktionsspannung (Vext) ein Fotostrom (lph) von der ersten vertikalen Schirmleitung (SV1) über das paramagnetische Zentrum (NV1) bzw. die paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. die Gruppe oder die Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) zur zweiten vertikalen Schirmleitung (SV2), wenn das paramagnetische Zentrum (NV1) bzw. die paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. die Gruppe oder die Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) mit Pumpstrahlung (LB) der The shielding line (SV1, SV2) should be elongated and not square as shown, because then the electric field in the area of the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) is more homogeneous. In the example in FIG. 97, when an extraction voltage (V ext ) is applied, a photocurrent (I ph ) flows from the first vertical shield line (SV1) via the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) or the group or the groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) to the second vertical shield line (SV2) when the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) with pump radiation (LB) the
Pumpstrahlungswellenlänge (lrGTΐr) bestrahlt werden. In dem Beispiel der Figur 97 befinden sich das paramagnetische Zentrum (NV1) bzw. die paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. die Gruppe oder die Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) in einer epitaktisch aufgetragenen, bevorzugt isotopenreinen Epitaxieschicht (DEPI). Im Falle eines Diamanten als Substrat (D) ist diese Pump radiation wavelength (l rGTΐr ) are irradiated. In the example of FIG. 97, the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) are located in an epitaxially applied, preferably isotopically pure epitaxial layer (DEPI). In the case of a diamond as the substrate (D), this is
Epitaxieschicht bevorzugt aus isotopenreinem Diamant hergestellt. Eine Vorrichtung der Figur 97 ist beispielsweise als Sensorelement in einem Sensorsystem entsprechend Figur 95 oder 96 geeignet. Figu r 98 Epitaxial layer preferably made of isotopically pure diamond. A device from FIG. 97 is suitable, for example, as a sensor element in a sensor system according to FIG. 95 or 96. Fig. 98
Figur 98 zeigt die Struktur der Figur 97, wobei an Stelle des paramagnetischen Zentrums (NV1) bzw. der paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der Gruppe oder der Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) sich nun das paramagnetische Referenzzentrum (NV2) bzw. die paramagnetischen Referenzzentren (NV2) bzw. die Gruppe oder die Gruppen (NVC2) paramagnetischer Referenzzentren (NV2) befinden. Das zu Figur 97 geschriebene lässt sich somit eins zu eins übertragen. Eine FIG. 98 shows the structure of FIG. 97, where instead of the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1), the paramagnetic reference center (NV2) or . the paramagnetic reference centers (NV2) or the group or groups (NVC2) of paramagnetic reference centers (NV2) are located. What was written about FIG. 97 can thus be transferred one to one. A
Vorrichtung der Figur 97 ist beispielsweise als Referenzelement in einem Sensorsystem entsprechend Figur 95 oder 96 geeignet. Da bevorzugt das Referenzelement in der gleichen Weise wir das Sensorelement ausgeführt wird ist der Unterschied zwischen Figur 98 und Figur 97 eher theoretisch sodass sich ein Sensorelement in der Regel als Referenzelement einsetzen lässt und umgekehrt. The device of FIG. 97 is suitable, for example, as a reference element in a sensor system corresponding to FIG. 95 or 96. Since the reference element is preferably designed in the same way as the sensor element, the difference between FIG. 98 and FIG. 97 is more theoretical so that a sensor element can usually be used as a reference element and vice versa.
Figu r 99 Fig. 99
Figur 99 zeigt eine Möglichkeit bei einem Sensorelement mit einer richtungsunabhängigen FIG. 99 shows one possibility in the case of a sensor element with a direction-independent one
Empfindlichkeit der Intensität (lf|) der Fluoreszenzstrahlung (FL) durch Platzierung des Sensitivity of the intensity (l f | ) of the fluorescent radiation (FL) by placing the
Sensorelements mit dem paramagnetischen Zentrum (NV1) bzw. den paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der Gruppe oder den Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) beispielsweise in einem Schlitz in einem Blech aus ferromagnetischen Material (FeM), eine Richtungsabhängigkeit hervorzurufen. Ein solches Sensorelement mit einer richtungsunabhängigen Empfindlichkeit der Intensität (lfl) der Fluoreszenzstrahlung (FL) kann beispielsweise eine größere Anzahl statistisch gleichverteilt unterschiedlich orientierter Diamantkristalle eines Diamantpulvers umfassen in einer Glas- oder Kunststoffmatrix umfassen, wobei diese Diamanten des Diamantpulvers bevorzugt HD- NV-Diamanten sind. Bei Verwendung eines Sensorsystems mit einem Sensorelement und einem Referenzelement ist es denkbar, dass eines dieser Elemente (Sensorelement oder Referenzelement) mit einem solchen ferromagnetischen Material (FeM), also einem Funktionselement eines magnetischen Kreises, so zusammenwirkt, dass ich für die Empfindlichkeit des Fotostroms oder der Fluoreszenzstrahlung gegenüber der magnetischen Flussdichte B eine Richtungsabhängigkeit ergibt. Bezugszeichenliste und Liste der Abkürzungen Sensor element with the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1), for example in a slot in a sheet of ferromagnetic material (FeM), to cause a directional dependency. Such a sensor element with a direction-independent sensitivity of the intensity (l fl ) of the fluorescent radiation (FL) can for example comprise a larger number of statistically uniformly distributed differently oriented diamond crystals of a diamond powder in a glass or plastic matrix, these diamonds of the diamond powder preferably being HD-NV diamonds are. When using a sensor system with a sensor element and a reference element, it is conceivable that one of these elements (sensor element or reference element) interacts with such a ferromagnetic material (FeM), i.e. a functional element of a magnetic circuit, in such a way that I am responsible for the sensitivity of the photocurrent or of the fluorescence radiation versus the magnetic flux density B results in a directional dependence. List of reference symbols and list of abbreviations
ak Kreuzungswinkel zwischen der horizontalen Leitung (LH) und der vertikalen a k Angle of intersection between the horizontal line (LH) and the vertical line
Leitung (LV) eines Quantenbits (QUB) umfassend ein paramagnetisches Zentrum (NV1) bzw. mehrere paramagnetische Zentren (NV1) bzw. eine Gruppe (NVC) oder Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren. al Anteil des Werts il der Pumpstrahlung (LB) in der ersten Line (LV) of a quantum bit (QUB) comprising a paramagnetic center (NV1) or several paramagnetic centers (NV1) or a group (NVC) or groups (NVC) of paramagnetic centers. al fraction of the value il of the pump radiation (LB) in the first
Übertragungsstrecke (II), der das Sensorelement und die darin enthaltenen paramagnetischen Zentren (NV1) trifft. Transmission path (II) that hits the sensor element and the paramagnetic centers (NV1) contained therein.
Al erster Addierer; a2 zweiter Anteil der Pumpstrahlung (LB), die das oder die paramagnetischen Al first adder; a2 second component of the pump radiation (LB), the one or more paramagnetic
Zentren (NV1) in Fluoreszenzstrahlung (FL) mit einer Intensität ifl umsetzen und, der den ersten optischen Filter (Fl) erreicht; Convert centers (NV1) into fluorescence radiation (FL) with an intensity ifl and which reaches the first optical filter (F1);
A2 zweiter Addierer; a3 dritten Anteil der Pumpstrahlung (LB), auf den die Intensität (lpmp) der A2 second adder; a3 third portion of the pump radiation (LB) on which the intensity (l pmp ) of the
Pumpstrahlung (LB) nach der Wechselwirkung mit dem Sensorelement reduziert ist, wenn sie den ersten optischen Filter (Fl) erreicht; a4 Anteil des Werts der Fluoreszenzstrahlung (FL), die den Pump radiation (LB) is reduced after the interaction with the sensor element when it reaches the first optical filter (F1); a4 Proportion of the value of the fluorescence radiation (FL), which the
Strahlungsempfänger (PD) erreicht, um den die Fluoreszenzstrahlung (FL) nach dem Passieren des ersten Filters (Fl) ist noch einmal reduziert ist; a5 fünfter Anteil der von der Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) emittierten Radiation receiver (PD) reached by which the fluorescence radiation (FL) is reduced again after passing through the first filter (Fl); a5 fifth part of the emitted by the compensation radiation source (PLK)
Strahlungsintensität, die den Strahlungsempfänger (PD) erreicht; Radiation intensity reaching the radiation receiver (PD);
AK Absorptionskoeffizient (in Figur 90 bezogen auf 1=100% Absorption); AK absorption coefficient (in FIG. 90 based on 1 = 100% absorption);
AS magnetische Abschirmung; AS magnetic shield;
ASv vorderseitige Anpassschicht (Antireflexschicht); ASv front matching layer (anti-reflective layer);
ASr rückseitige Anpassschicht (Antireflexschicht); AN Anodenkontakt; bO Offset Wert; ASr rear matching layer (anti-reflective layer); AN anode contact; bO offset value;
B0 Bias-Flussdichte; B 0 bias flux density;
BAI erste Barriere; BAI first barrier;
BA2 zweite Barriere; BA2 second barrier;
BA3 dritte Barriere; BA3 third barrier;
BDI erster Bonddraht; BDI first bond wire;
BD2 zweiter Bonddraht; BD2 second bond wire;
BD3 dritter Bonddraht; BD3 third bond wire;
BD4 vierter Bonddraht; BD4 fourth bond wire;
Bm magnetische Mindestflussdichte für die Flussdichte B am Ort des B m minimum magnetic flux density for the flux density B at the location of the
paramagnetischen Zentrums (NV1) bzw. der paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der Gruppe oder Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) oberhalb derer sich die monoton fallende Kurve der Figur 27 für die Abhängigkeit der Intensität (lf|) der Fluoreszenzstrahlung (FL) von der magnetischen Flussdichte B ergibt, wobei diese Kurve dann auch bijektiv und damit kalibrierbar ist. paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) above which the monotonically falling curve of FIG. 27 for the dependence of the intensity (l f | ) of the fluorescence radiation ( FL) from the magnetic flux density B, this curve then also being bijective and thus calibratable.
BNV Flussdichtevektor des zirkular polarisierten elektromagnetischen B NV Flux density vector of the circularly polarized electromagnetic
Wellenfelds zur Manipulation des Quantenpunkts mit dem Wave field for manipulating the quantum dot with the
paramagnetischen Zentrum (NV1) oder der Gruppe oder den Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) am Ort des Quantenpunkts mit dem paramagnetischen Zentrum (NV1) oder der Gruppe oder den Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1). In Figur 75 ist zum besseren Verständnis die Rotation dieses Flussdichtevektors eingezeichnet. In der Figur 75 wird die Rotation des Flussdichtevektors durch Ansteuerung der horizontalen Leitung (LH) mit einem horizontalen Stromanteil (IH), der mit einer horizontalen Elektron- Elektron-Mikrowellenfrequenz (fMwhi) mit einer horizontalen paramagnetic center (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) at the location of the quantum dot with the paramagnetic center (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1). For a better understanding, the rotation of this flux density vector is shown in FIG. In Figure 75, the rotation of the flux density vector is controlled by controlling the horizontal line (LH) with a horizontal current component (IH), which is generated with a horizontal electron- Electron microwave frequency (f M w hi ) with a horizontal
Modulation moduliert ist, und durch Ansteuerung der vertikalen Leitung (LV) mit einem vertikalen Stromanteil (IV), der mit einer vertikalen Elektron-Elektron-Mikrowellenfrequenz (fMwv) mit einer vertikalen Modulation moduliert, die um +/- p/2 in der Phase gegenüber der horizontalen Modulation verschoben ist. Die vertikale Elektron-Elektron-Mikrowellenfrequenz (fMwv) und die horizontale Elektron-Elektron-Mikrowellenfrequenz (fMwhi) sind typischerweise zueinander gleich und damit typischerweise gleich einer gemeinsamen Elektron-Elektron-Mikrowellenfrequenz (fMw)· Damit ist die Modulation des horizontalen Stromes (IH) in der horizontalen Leitung (LH) bei Ansteuerung des Quantenbits (QUB) für die Dauer der Ansteuerung, also z.B. während eines p/4- oder eines p/2- oder eines p-Pulses phasenstarr gegenüber der Modulation des vertikalen Stromes (IV) in der vertikalen Leitung (LH); Modulation is modulated, and by controlling the vertical line (LV) with a vertical current component (IV) that modulates with a vertical electron-electron-microwave frequency (f M wv) with a vertical modulation that is +/- p / 2 in the phase is shifted from the horizontal modulation. The vertical electron-electron-microwave frequency (f M wv) and the horizontal electron-electron-microwave frequency (f M w hi ) are typically equal to one another and thus typically equal to a common electron-electron microwave frequency (f M w) Modulation of the horizontal current (IH) in the horizontal line (LH) when the quantum bit (QUB) is activated for the duration of the activation, for example during a p / 4 or a p / 2 or a p pulse, phase-locked to the modulation of the vertical flow (IV) in the vertical line (LH);
Biwi Flussdichtevektor des zirkular polarisierten elektromagnetischen Biwi flux density vector of circularly polarized electromagnetic
Wellenfelds zur Manipulation des ersten Quantenpunkts (NV1) am Ort des ersten Quantenpunkts (NV1); Wave field for manipulating the first quantum dot (NV1) at the location of the first quantum dot (NV1);
BO Gehäuseboden; BO case back;
Bopt Flussdichte des optimalen magnetischen Arbeitspunkts des Sensorelements mit den paramagnetischen Zentren (NV1) und/oder der Gruppe (NVC) paramagnetische Zentren (NV1) und oder den Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren. Bei diesem Wert der optimalen Bopt flux density of the optimal magnetic working point of the sensor element with the paramagnetic centers (NV1) and / or the group (NVC) paramagnetic centers (NV1) and / or the groups (NVC) paramagnetic centers. With this value the optimal
magnetischen Flussdichte (Bopt) ist die Abhängigkeit der Intensität (lfl) der Fluoreszenzstrahlung (FL) von der magnetischen Flussdichte B am größten; erster virtueller horizontaler magnetischer Flussdichtevektor am Ort des ersten virtuellen horizontalen Quantenpunkts (VHNV1); zweiter virtueller horizontaler magnetischer Flussdichtevektor am Ort des zweiten virtuellen horizontalen Quantenpunkts (VHNV2); Bwiwi erster virtueller vertikaler magnetischer Flussdichtevektors am Ort des ersten virtuellen vertikalen Quantenpunkts (VVNV1); zweiter virtueller vertikaler magnetischer Flussdichtevektors am Ort des zweiten virtuellen vertikalen Quantenpunkts (VVNV2); magnetic flux density (B opt ) the dependence of the intensity (l fl ) of the fluorescence radiation (FL) on the magnetic flux density B is greatest; first virtual horizontal magnetic flux density vector at the location of the first virtual horizontal quantum dot (VHNV1); second virtual horizontal magnetic flux density vector at the location of the second virtual horizontal quantum dot (VHNV2); Bwiwi first virtual vertical magnetic flux density vector at the location of the first virtual vertical quantum dot (VVNV1); second virtual vertical magnetic flux density vector at the location of the second virtual vertical quantum dot (VVNV2);
CAV Kavität, die von Boden (BO) und umlaufender Wandung (WA) gebildet wird und ohne Deckel (DE) nach oben über die Montageöffnung (MO) geöffnet ist; CAV cavity, which is formed by the base (BO) and circumferential wall (WA) and is open without a cover (DE) upwards via the assembly opening (MO);
CBA Kontrolleinheit A; CBA control unit A;
CBB Kontrolleinheit B; CBB control unit B;
CI Kernzentrum. Im Falle eines isotopenreinen 12C-Diamanten kann ein CI core center. In the case of an isotopically pure 12 C diamond, a
Kernzentrum dadurch gebildet werden, dass z.B. ein 13C-lsotop in den Diamanten eingebracht wird, das ein magnetisches Kernmoment aufweist. Core center are formed in that, for example, a 13 C isotope is introduced into the diamond, which has a magnetic core moment.
CÜ! erster Kernquantenpunkt (CI li) der ersten QuantenALU (QUALU1); CÜ! first nuclear quantum dot (CI li) of the first quantum ALU (QUALU1);
Cll2 zweiter Kernquantenpunkt (Cll2) der ersten QuantenALU (QUALU1); Cll 2 second nuclear quantum dot (Cll 2 ) of the first quantum ALU (QUALU1);
Cll3 dritter Kernquantenpunkt (Cll3) der ersten QuantenALU (QUALU1); Cll 3 third nuclear quantum dot (Cll 3 ) of the first quantum ALU (QUALU1);
CI2i erster Kernquantenpunkt (02^ der zweiten QuantenALU (QUALU2); CI2i first nuclear quantum dot (02 ^ the second quantum ALU (QUALU2);
CI22 zweiter Kernquantenpunkt (CI22) der zweiten QuantenALU (QUALU2); CI2 2 second nuclear quantum dot (CI2 2 ) of the second quantum ALU (QUALU2);
CI23 dritter Kernquantenpunkt (CI23) der zweiten QuantenALU (QUALU2); CI2 3 third nuclear quantum dot (CI2 3 ) of the second quantum ALU (QUALU2);
CIC Gruppe (Cluster) von Kernzentren (CI). Eine solche Gruppe umfasst CIC group (cluster) of core centers (CI). Such a group includes
mindesten ein Kernzentrum (CI). Bevorzugt umfasst eine solche Gruppe jedoch eine Mehrzahl von Kernzentren (NV1). Die Kernzentren (CI) einer Gruppe von Kernzentren (CI) sind in der Regel so dicht in der Nähe zu einem paramagnetischen Zentrum (NV1) oder mehreren paramagnetischen Zentren (NV1) oder einer Gruppe oder mehreren Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) angeordnet, dass die Kernzentren (CI) mit dem paramagnetischen Zentrum (NV1) bzw. den paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. der Gruppe oder den Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) koppeln können und somit verschränkt werden können. Durch Nutzung des paramagnetischen Zentrums (NV1) bzw. der paramagnetischen Zentren (NV1) als Ancilla- Bits, können die Kernzentren (CI) einer Gruppe von Kernzentren (CI) miteinander indirekt gekoppelt und damit verschränkt werden. Sie können somit innerhalb der Gruppe miteinander koppeln und ggf. bevorzugt gemischte Zustände ausbilden. Da die Reichweite der Kopplung der paramagnetischen Zentren (NV1) größer ist, als die Reichweite der Kernzentren (CI) können unter Zuhilfenahme von Ketten paramagnetischer Zentren als Ancilla-Bits auch voneinander entfernte Gruppen von Kernzentren (CI) miteinander gekoppelt und verschränkt werden. Ganz besonders bevorzugt ist die Dichte der at least one core center (CI). However, such a group preferably comprises a plurality of core centers (NV1). The core centers (CI) of a group of core centers (CI) are usually as close to a paramagnetic center (NV1) or several paramagnetic centers (NV1) or a group or several groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) , that the Nuclear centers (CI) with the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) can be coupled and thus be entangled. By using the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) as ancilla bits, the core centers (CI) of a group of core centers (CI) can be indirectly coupled with one another and thus entangled. You can thus couple with one another within the group and, if necessary, develop preferably mixed states. Since the range of the coupling of the paramagnetic centers (NV1) is greater than the range of the core centers (CI), with the help of chains of paramagnetic centers as ancilla bits, groups of core centers (CI) that are distant from one another can also be coupled and entangled. The density of the is very particularly preferred
paramagnetischen Zentren (NV1) in der Nähe einer solchen Gruppe so hoch, dass die paramagnetischen Zentren (NV1) kollektives Verhalten zeigen und mit den Kernzentren (CI) kollektiv koppeln. Die Ausdehnung der Gruppe der Kernzentren (CI) ist typischerweise durch die paramagnetic centers (NV1) in the vicinity of such a group are so high that the paramagnetic centers (NV1) show collective behavior and couple collectively with the core centers (CI). The extension of the group of core centers (CI) is typically through the
Reichweite ihrer Wechselwirkung mit dem zugehörigen Range of their interaction with the associated
paramagnetischen Zentrum bestimmt.; paramagnetic center determined .;
AKTFL Kompensationsfluoreszenzphasenverschiebungszeit: Dies ist die AKTFL Compensation Fluorescence Phase Shift Time: This is the
Verzögerung der Aussendung der Kompensationsfluoreszenzstrahlung (KFL) gegenüber dem Anlegen des Kompensationssendesignals (S7); Delaying the emission of the compensation fluorescence radiation (KFL) compared to the application of the compensation transmission signal (S7);
ATFL Fluoreszenzphasenverschiebungszeit: Dies ist die Verzögerung der ATFL fluorescence phase shift time: This is the delay in the
Aussendung der Fluoreszenzstrahlung (FL) a) gegenüber dem Anlegen des Sendesignals (S5) bzw. b) gegenüber der Pumpstrahlung (LB), wobei die erste Definition a) bevorzugt ist; Emission of the fluorescent radiation (FL) a) compared to the application of the transmission signal (S5) or b) compared to the pump radiation (LB), the first definition a) being preferred;
Atipmp Sendeverzögerung: Dies ist die Verzögerung der Aussendung der Ati pmp send delay: This is the delay in sending the
Pumpstrahlung (LB) durch die Pumpstrahlungsquelle (PLI) gegenüber dem Anlegen des Sendesignals (S5) an die Pumpstrahlungsquelle (PLI). In vielen Anwendungen kann diese Sendeverzögerung zur Pump radiation (LB) through the pump radiation source (PLI) compared to the application of the transmission signal (S5) to the pump radiation source (PLI). In many applications, this transmission delay can be used
Vereinfachung der Berechnungen mit einem Wert von Os angenähert werden; Simplification of the calculations can be approximated with a value of Os;
D Substrat. Das Substrat kann eines von mehreren Substraten innerhalb des D substrate. The substrate can be one of several substrates within the
Sensorelements sein. Das Substrat (D) kann aber auch das Be sensor element. The substrate (D) can also do that
Sensorelement selbst sein. Bei der Verwendung von NV-Zentren als paramagnetischen Zentren (NV1) ist das Material des Substrats (D) Diamant. Bevorzugt ist das Substrat in den meisten hier beschriebenen Fällen ein HD-NV-Diamant; d Ausdehnung einer Gruppe (NVC) von paramagnetischen Zentren (NV1) senkrecht zum Pointing-Vektor der einfallenden Pumpstrahlung (LB) innerhalb eines Sensorelements. dO Offset-Konstante des Empfängerausgangssignals (SO), die unabhängig von dem Wert der Gesamtstrahlung ig ist, der den Strahlungsempfänger (PD) erreicht; dl Proportionalitätsfaktor mit dem der Wert (sO) des Be the sensor element itself. When using NV centers as paramagnetic centers (NV1), the material of the substrate (D) is diamond. In most of the cases described here, the substrate is preferably an HD-NV diamond; d Expansion of a group (NVC) of paramagnetic centers (NV1) perpendicular to the pointing vector of the incident pump radiation (LB) within a sensor element. dO offset constant of the receiver output signal (SO), which is independent of the value of the total radiation ig that reaches the radiation receiver (PD); dl proportionality factor with which the value (sO) des
Empfängerausgangssignals (SO) vom Wert (ig) der Intensität der Gesamtstrahlung, die den Empfänger (PD) trifft, abhängt; dal erster Abstand in dem sich ein paramagnetisches Zentrum (NV1) oder eine Receiver output signal (SO) on the value (ig) of the intensity of the total radiation that hits the receiver (PD) depends; d a l first distance in which a paramagnetic center (NV1) or a
Gruppe (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) unter der Oberfläche (OFL1) des Substrats (D) im Sensorelement befindet; da2 erster Abstand in dem sich ein Kernzentrum (CI) oder eine Gruppe von Group (NVC) of paramagnetic centers (NV1) located under the surface (OFL1) of the substrate (D) in the sensor element; d a 2 first distance in which a core center (CI) or a group of
Kernzentren (CI) sich unter der Oberfläche (OFL1) des Substrats (D) im Sensorelement befindet; Core centers (CI) are located below the surface (OFL1) of the substrate (D) in the sensor element;
DCS Dichroitischer Spiegel zur selektiven Auswahl der Pumpstrahlung (LB) und der Fluoreszenzstrahlung (FL); DCS dichroic mirror for the selective selection of the pump radiation (LB) and the fluorescence radiation (FL);
DE Deckel; dNvc Ausdehnung einer Gruppe (NVC) von paramagnetischen Zentren (NV1) parallel zum Pointing-Vektor der einfallenden Pumpstrahlung (LB) innerhalb eines Sensorelements. Es handelt sich somit um die Dicke der Gruppe (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) im Substrat (D); d IM vc2 Ausdehnung einer Gruppe (NVC2) von paramagnetischen Referenzzentren DE lid; d N vc Extension of a group (NVC) of paramagnetic centers (NV1) parallel to the pointing vector of the incident pump radiation (LB) within a sensor element. It is therefore the thickness of the group (NVC) of paramagnetic centers (NV1) in the substrate (D); d IM vc2 Extension of a group (NVC2) of paramagnetic reference centers
(NV2) senkrecht zum Pointing-Vektor der einfallenden (NV2) perpendicular to the pointing vector of the incident
Kompensationsstrahlung (KS) innerhalb eines Sensorelements. dpZC Ausdehnung einer Gruppe (PZC) von Zentren (PZ), die Pumpstrahlung (LB) aussenden, innerhalb eines Sensorelements. dRa Wert des Rauschens des Werts (sO) des Empfängerausgangssignals (SO) des Compensation radiation (KS) within a sensor element. dp ZC Expansion of a group (PZC) of centers (PZ) that emit pump radiation (LB) within a sensor element. dRa value of the noise of the value (sO) of the receiver output signal (SO) des
Strahlungsempfängers (PD), der von dem Wert der Gesamtintensität ig der Strahlung, die den Strahlungsempfänger (PD) trifft, nicht abhängt. dRb Wert des Rauschens des Werts (sO) des Empfängerausgangssignals (SO) des Radiation receiver (PD), which does not depend on the value of the total intensity ig of the radiation that hits the radiation receiver (PD). dRb value of the noise of the value (sO) of the receiver output signal (SO) des
Strahlungsempfängers (PD), der von dem Wert der Gesamtintensität ig der Strahlung, die den Strahlungsempfänger (PD) trifft, abhängt. Radiation receiver (PD), which depends on the value of the total intensity ig of the radiation that hits the radiation receiver (PD).
DS Dicke-Schalter; DS thickness switch;
EMI externer Spiegel; EMI external mirror;
F[] lineare Filterfunktion des Schleifenfilters (TP) und des zusätzlichen F [] linear filter function of the loop filter (TP) and the additional one
Schleifenfilters (TP1). Die Filterfunktion genügt den Gleichungen F[X1+X2]=F[X1]+F[X2] und F[x*Xl]=x*F[Xl], womit besagte Loop filter (TP 1 ). The filter function satisfies the equations F [X1 + X2] = F [X1] + F [X2] and F [x * Xl] = x * F [Xl], whereby said
Schleifenfilter (TP, TP') lineare Filter sind. (XI und XI seien die zwei Werte zweier beliebige Signale x sei ein beliebiger reeller Faktor.); Loop filters (TP, TP ') are linear filters. (Let XI and XI be the two values of any two signals x be any real factor.);
Fl erster Filter. Der erste Filter ist transparent für die Fluoreszenzstrahlung Fl first filter. The first filter is transparent to the fluorescence radiation
(FL) der paramagnetischen Zentren (NV1) im Material des (FL) of the paramagnetic centers (NV1) in the material of the
Sensorelements. Bevorzugt handelt es sich dabei um die Sensor element. It is preferably the
Fluoreszenzstrahlung (FL) eines NV-Zentrums, wobei das Sensorelement bevorzugt ein Nano-Diamant mit Diamant und/oder ein HD-NV- Diamant als Material ist; F2 optionaler zweiter Filter zur Auswahl einer für die Anregung des oder der paramagnetischen Zentren (NV1) optimal gewählten Wellenlänge aus einem breiteren Strahlungsspektrum. Bevorzugt ist der zweite Filter im Wesentlichen nicht transparent für die Fluorescence radiation (FL) from an NV center, the sensor element preferably being a nano-diamond with diamond and / or an HD-NV diamond as material; F2 optional second filter for selecting a wavelength optimally selected for the excitation of the paramagnetic center or centers (NV1) from a broader radiation spectrum. Preferably, the second filter is essentially not transparent to the
Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (l^) der Fluoreszenzstrahlung (FL). Der zweite Filter ist in den meisten Figuren nicht eingezeichnet, das eine schmalbandige Pumpstrahlungsquelle (PLI), wie beispielsweise ein LASER, bevorzugt keine Strahlung im Bereich der Fluorescence radiation wavelength (l ^) of the fluorescence radiation (FL). The second filter is not shown in most of the figures, since a narrow-band pump radiation source (PLI), such as a LASER, preferably does not have any radiation in the region of the
Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (lh) ausstrahlt. Der zweite Filter ist aber zwingend erforderlich, wenn die Pumpstrahlungsquelle (PLI) in ihrem Pumpstrahlungsspektrum einen Strahlungsanteil mit der Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (lh) der Fluoreszenzstrahlung (FL) aufweist. In dem Fall würde das Sendesignal (S5) ohne den zweiten Filter direkt in den Empfangspfad übersprechen und so das Messsignal verfälschen. Fluorescence radiation wavelength (lh) emits. However, the second filter is absolutely necessary if the pump radiation source (PLI) has a radiation component with the fluorescence radiation wavelength (1h) of the fluorescence radiation (FL) in its pump radiation spectrum. In this case, the transmission signal (S5) would crosstalk directly into the reception path without the second filter and thus falsify the measurement signal.
FeM ferromagnetisches Material; FeM ferromagnetic material;
FL Fluoreszenzstrahlung der paramagnetischen Zentren (NV1) im Material des FL fluorescence radiation of the paramagnetic centers (NV1) in the material of the
Sensorelements. Bevorzugt handelt es sich dabei um die Sensor element. It is preferably the
Fluoreszenzstrahlung eines oder mehrerer paramagnetischer Zentren (NV1) und/oder einer oder mehrerer Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1). Bevorzugt handelt es sich dabei um die Fluorescence radiation from one or more paramagnetic centers (NV1) and / or one or more groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1). It is preferably the
Fluoreszenzstrahlung eines oder mehrerer NV-Zentren und/oder einer oder mehrerer Gruppen von NV-Zentren, wobei das Referenzelement bevorzugt ein oder mehrere Diamanten und/oder Nano-Diamant mit Diamant als Material sind; Fluorescence radiation from one or more NV centers and / or one or more groups of NV centers, the reference element preferably being one or more diamonds and / or nano-diamond with diamond as material;
FLw Wechselanteil der Intensität (lfl) der Fluoreszenzstrahlung (FL); fMW gemeinsame Elektron-Elektron-Mikrowellenfrequenz (fMw); fMWH horizontale Elektron-Elektron-Mikrowellenfrequenz. Die vertikale Elektron-FLw Alternating component of the intensity (l fl ) of the fluorescence radiation (FL); f MW common electron-electron microwave frequency (f M w); f MWH horizontal electron-electron microwave frequency. The vertical electron
Elektron-Mikrowellenfrequenz (fMwv) und die horizontale Elektron- Elektron-Mikrowellenfrequenz (fMwhi) sind typischerweise zueinander gleich und damit typischerweise gleich einer gemeinsamen Elektron- Elektron-Mikrowellenfrequenz (fMw); Electron microwave frequency (f M wv) and the horizontal electron Electron-microwave frequencies (f M w hi ) are typically equal to one another and therefore typically equal to a common electron-electron microwave frequency (f M w);
fiviwv vertikale Elektron-Elektron-Mikrowellenfrequenz. Die vertikale Elektron- Elektron-Mikrowellenfrequenz (fMwv) und die horizontale Elektron- Elektron-Mikrowellenfrequenz (fMwhi) sind typischerweise zueinander gleich und damit typischerweise gleich einer gemeinsamen Elektron- Elektron-Mikrowellenfrequenz (fMw); fiviwv vertical electron-electron microwave frequency. The vertical electron-electron microwave frequency (f M wv) and the horizontal electron-electron microwave frequency (f M w hi ) are typically equal to each other and thus typically equal to a common electron-electron microwave frequency (f M w);
G Signalgenerator; G signal generator;
Ge Befestigungsmittel, mit dem das Sensorelement mit den paramagnetischen Ge fastening means with which the sensor element with the paramagnetic
Zentren (NV1) im Material des Sensorelements an dem ersten Filter (Fl) und/oder an der integrierten Schaltung (IC) befestigt ist. Das Befestigungsmittel ist vorzugsweise transparent für Strahlung mit der Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (lh) der Fluoreszenzstrahlung (FL) der paramagnetischen Zentren (NV1) im Material des Sensorelements. Das Befestigungsmittel ist bevorzugt transparent für Strahlung mit der Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (lh) der Fluoreszenzstrahlung (FL) der paramagnetischen Zentren (NV1) im Material des Sensorelements. Das Befestigungsmittel ist bevorzugt transparent für die Strahlung mit der Pumpstrahlungswellenlänge (lrGhr) der Pumpstrahlung der Pumpstrahlungsquelle (PLI); Centers (NV1) in the material of the sensor element on the first filter (F1) and / or on the integrated circuit (IC) is attached. The fastening means is preferably transparent to radiation with the fluorescence radiation wavelength (lh) of the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic centers (NV1) in the material of the sensor element. The fastening means is preferably transparent to radiation with the fluorescence radiation wavelength (lh) of the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic centers (NV1) in the material of the sensor element. The fastening means is preferably transparent to the radiation with the pump radiation wavelength (1 rGhr ) of the pump radiation from the pump radiation source (PLI);
GL1 erster Kleber zur Befestigung des Sensorelements am ersten Filter (Fl); GL1 first adhesive for fastening the sensor element to the first filter (F1);
GL2 zweiter Kleber, der auf die zweite Lead-Frame-Fläche (LF2) aufgetragen wird; GL2 second adhesive that is applied to the second lead frame surface (LF2);
GL3 dritter Kleber, der auf die dritte Lead-Frame-Fläche (LF3) aufgetragen wird; GL3 third adhesive that is applied to the third lead frame surface (LF3);
GL4 vierter Kleber zur Befestigung des Deckels (DL); GL4 fourth adhesive for fastening the lid (DL);
GT Korpus einer E-Gitarre als Beispiel eines Musikinstruments; HA Halterung; hO erfüllt h0'+hl+hl*s5g =h0; h0' Offset-Wert für den Wert der in die erste Übertragungsstrecke (II) durch die Pumpstrahlungsquelle (PLI) hinein emittierte Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB), der im Arbeitspunkt unabhängig von dem Wert des Sendesignals (S5) und damit unabhängig vom Wert des Wechselanteils (S5w) des Sendesignals (S5) und unabhängig vom Wert des GT body of an electric guitar as an example of a musical instrument; HA bracket; hO fulfills h0 '+ hl + hl * s5g = h0; h0 'Offset value for the value of the intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB) emitted into the first transmission path (II) by the pump radiation source (PLI), which at the operating point is independent of the value of the transmission signal (S5) and thus independent on the value of the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) and independent of the value of the
Gleichanteils (S5g) des Sendesignals (S5) ist; hl Proportionalitätsfaktor für den Wert der in die erste Übertragungsstrecke The direct component (S5g) of the transmission signal (S5); hl proportionality factor for the value in the first transmission link
(II) durch die Pumpstrahlungsquelle (PLI) hinein emittierten Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB), die im Arbeitspunkt abhängig von dem Wert des Sendesignals (S5) und damit abhängig vom Wert des (II) by the pump radiation source (PLI) emitted intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB), which at the operating point depends on the value of the transmission signal (S5) and thus dependent on the value of the
Wechselanteils (S5w) des Sendesignals (S5) und abhängig vom Wert des Gleichanteils (S5g) des Sendesignals (S5) ist; AC component (S5w) of the transmission signal (S5) and is dependent on the value of the DC component (S5g) of the transmission signal (S5);
HD1 erste horizontale Treiberstufe (HD1) zur Ansteuerung der ersten HD1 first horizontal driver stage (HD1) to control the first
horizontalen Leitung (LH1) des ersten anzusteuernden Quantenbits (QUB11) und zur Ansteuerung der ersten Schirmleitung (SH1) und zur Ansteuerung der zweiten Schirmleitung (SH2); horizontal line (LH1) of the first quantum bit to be controlled (QUB11) and for controlling the first shield line (SH1) and for controlling the second shield line (SH2);
HD2 zweite horizontale Treiberstufe (HD2) zur Ansteuerung der zweiten HD2 second horizontal driver stage (HD2) to control the second
horizontalen Leitung (LH2) des zweiten anzusteuernden Quantenbits (QUB12) und zur Ansteuerung der zweiten Schirmleitung (SH2) und zur Ansteuerung der dritten Schirmleitung (SH3); horizontal line (LH2) of the second quantum bit (QUB12) to be controlled and for controlling the second shield line (SH2) and for controlling the third shield line (SH3);
HD3 dritte horizontale Treiberstufe (HD3) zur Ansteuerung der dritten HD3 third horizontal driver stage (HD3) to control the third
horizontalen Leitung (LH3) des dritten anzusteuernden Quantenbits (QUB13) und zur Ansteuerung der dritten Schirmleitung (SH3) und zur Ansteuerung der vierten Schirmleitung (SH4); horizontal line (LH3) of the third quantum bit to be controlled (QUB13) and for controlling the third shield line (SH3) and for controlling the fourth shield line (SH4);
HD-NV Sensorelement, das zumindest lokal in einem Teil des Sensorelements eine hohe Dichte an paramagnetischen Zentren (NV1) aufweist. Bevorzugt ist dieser Teil ein Substrat (D) mit einer zumindest lokalen Dichte von mehr als lOppm, besser mehr als 20ppm paramagnetischer Zentren (NV1) bezogen auf die Anzahl der Atome in dem betrachteten HD-NV sensor element which has a high density of paramagnetic centers (NV1) at least locally in part of the sensor element. This part is preferably a substrate (D) with an at least local density of more than 10ppm, better than 20ppm of paramagnetic centers (NV1) based on the number of atoms in the considered
Raumvolumen. Das Substrat (D) umfasst bevorzugt eine oder mehrere Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1), wobei bevorzugt innerhalb der jeweiligen Gruppe (NVC) die Dichte paramagnetischer Zentren (NV1) von mehr als lOppm, besser mehr als 20ppm Room volume. The substrate (D) preferably comprises one or more groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1), the density of paramagnetic centers (NV1) of more than 10 ppm, preferably more than 20 ppm, preferably within the respective group (NVC)
überschritten wird. Auch kann das ganzen Substrat (D) eine Dichte paramagnetischer Zentren (NV1) von mehr als lOppm, besser mehr als 20ppm paramagnetischer Zentren (NV1) aufweisen. Im Falle von NV- Zentren in Diamant als Substrat (D) handelt es sich bevorzugt um einen HD-NV-Diamanten (HD-NV). hRa erfüllt hRa'+hRb+hRb*s5g =hRa; hRa' Wert des Rauschens der Pumpstrahlungsquelle (PLI) im Arbeitspunkt, der unabhängig von dem Wert des Sendesignals (S5) und damit unabhängig vom Wert des Wechselanteils (S5w) des Sendesignals (S5) und unabhängig vom Wert des Gleichanteils (S5g) des Sendesignals (S5) ist; hRb Wert des Rauschens der Pumpstrahlungsquelle (PLI), der abhängig von dem Wert des Sendesignals (S5) und damit abhängig vom Wert des Wechselanteils (S5w) des Sendesignals (S5) und abhängig vom Wert des Gleichanteils (S5g) des Sendesignals (S5) ist. is exceeded. The entire substrate (D) can also have a density of paramagnetic centers (NV1) of more than 10 ppm, better than 20 ppm of paramagnetic centers (NV1). In the case of NV centers in diamond as the substrate (D), it is preferably an HD-NV diamond (HD-NV). hRa fulfills hRa '+ hRb + hRb * s5g = hRa; hRa 'Value of the noise of the pump radiation source (PLI) at the operating point, which is independent of the value of the transmission signal (S5) and thus independent of the value of the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) and independent of the value of the direct component (S5g) of the transmission signal ( S5) is; hRb Value of the noise of the pump radiation source (PLI), which is dependent on the value of the transmission signal (S5) and thus dependent on the value of the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) and dependent on the value of the direct component (S5g) of the transmission signal (S5) .
S1 erste horizontale Empfängerstufe (HS1), die mit der ersten horizontalen S1 first horizontal receiver stage (HS1), the one with the first horizontal
Treiberstufe (HD1) eine Einheit bilden kann, zur Ansteuerung des ersten anzusteuernden Quantenbits (QUB11); Driver stage (HD1) can form a unit for controlling the first quantum bit to be controlled (QUB11);
HS2 zweite horizontale Empfängerstufe (HS2), die mit der zweiten horizontalen HS2 second horizontal receiver stage (HS2) that corresponds to the second horizontal receiver stage
Treiberstufe (HD2) eine Einheit bilden kann, zur Ansteuerung des zweiten anzusteuernden Quantenbits (QUB12); Driver stage (HD2) can form a unit for controlling the second quantum bit to be controlled (QUB12);
HS3 dritte horizontale Empfängerstufe (HS3), die mit der dritten horizontalen HS3 third horizontal receiver stage (HS3) that corresponds to the third horizontal receiver stage
Treiberstufe (HD3) eine Einheit bilden kann, zur Ansteuerung des dritten anzusteuernden Quantenbits (QUB13); il Momentanwert der in die erste Übertragungsstrecke (II) durch die Driver stage (HD3) can form a unit for controlling the third quantum bit to be controlled (QUB13); il Instantaneous value in the first transmission link (II) through the
Pumpstrahlungsquelle (PLI) hinein emittierte Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB); Pump radiation source (PLI) emitted intensity (I pmp ) of the pump radiation (LB);
11 erste Übertragungsstrecke; 11 first transmission link;
\2 Wert der Strahlungsintensität, die von der Kompensationsstrahlungsquelle \ 2 Value of the radiation intensity emitted by the compensation radiation source
(PLK) ausgesendet wird; (PLK) is sent out;
12 zweite Übertragungsstrecke; 12 second transmission link;
13 dritte Übertragungsstrecke; 13 third transmission link;
14 vierte Übertragungsstrecke; 14 fourth transmission path;
IC integrierte Schaltung; id Intensität der Pumpstrahlung (LB) nach der Wechselwirkung mit dem IC integrated circuit; id intensity of the pump radiation (LB) after interaction with the
Sensorelement, die den ersten optischen Filter (Fl) erreicht ifd Wert der Intensität der Fluoreszenzstrahlung (FL), die den Sensor element that reaches the first optical filter (Fl) ifd the value of the intensity of the fluorescence radiation (FL) that the
Strahlungsempfänger (PD) erreicht; ifl Wert der Intensität (lfl) der Fluoreszenzstrahlung (FL) die den ersten Radiation receiver (PD) reached; ifl value of the intensity (l fl ) of the fluorescence radiation (FL) which is the first
optischen Filter (Fl) erreicht; optical filter (F1) achieved;
Ifl Intensität der Fluoreszenzstrahlung (FL); ift Wert der Intensität der Strahlung in der ersten Übertragungsstrecke (II), die den ersten optischen Filter (Fl) passiert ig Wert der Gesamtstrahlung, die den Strahlungsempfänger (PD) erreicht; Ifl intensity of the fluorescence radiation (FL); ift value of the intensity of the radiation in the first transmission path (II) that passes the first optical filter (F1) ig value of the total radiation that reaches the radiation receiver (PD);
IH horizontaler elektrischer Strom; IH horizontal electric current;
IH1 erster horizontaler Strom. Der erste horizontale Strom ist der elektrische IH1 first horizontal stream. The first horizontal current is the electrical one
Strom, der die erste horizontale Leitung (LH1) durchströmt. Current flowing through the first horizontal line (LH1).
IH2 zweiter horizontaler Strom. Der zweite horizontale Strom ist der elektrische IH2 second horizontal stream. The second horizontal stream is the electrical one
Strom, der die zweite horizontale Leitung (LH2) durchströmt. IH3 dritter horizontaler Strom. Der dritte horizontale Strom ist der elektrische Strom, der die dritte horizontale Leitung (LH3) durchströmt. Current flowing through the second horizontal line (LH2). IH3 third horizontal stream. The third horizontal stream is the electrical current that flows through the third horizontal line (LH3).
IH4 vierter horizontaler Strom. Der vierte horizontale Strom ist der elektrische IH4 fourth horizontal stream. The fourth horizontal stream is the electrical one
Strom, der die vierte horizontale Leitung (LH4) durchströmt. ik Anteilswert der Intensität der Kompensationsstrahlung (KS), die den Current flowing through the fourth horizontal line (LH4). ik Proportional value of the intensity of the compensation radiation (KS), which the
Strahlungsempfänger (PD) erreicht; Radiation receiver (PD) reached;
Intensität der Kompensationsfluoreszenzstrahlung (KFL); lks Intensität der Kompensationsstrahlung (KS); lpmp Intensität der Pumpstrahlung (LB); Intensity of compensation fluorescence radiation (KFL); lks intensity of the compensation radiation (KS); lpmp intensity of the pump radiation (LB);
Ipmpmax Pumpstrahlungsintensitätsmaximum; Ipmpmax pump radiation intensity maximum;
Ipmpoff Bias-Wert der Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB); Ipmpoff Bias value of the intensity (I pmp ) of the pump radiation (LB);
IS Isolation, z.B. Spin-On-Glas; IS insulation, e.g., spin-on glass;
ISH1 erster horizontaler Abschirmstrom, der durch die erste horizontale ISH1 first horizontal shielding current passing through the first horizontal
Abschirmleitung (SH1) fließt; Shielding line (SH1) flows;
ISH2 zweiter horizontaler Abschirmstrom Strom, der durch die zweite ISH2 second horizontal shielding current Current flowing through the second
horizontale Abschirmleitung (SH2) fließt; horizontal shield line (SH2) flows;
ISH3 dritter horizontaler Abschirmstrom Strom, der durch die dritte horizontale ISH3 third horizontal shielding current Current passing through the third horizontal
Abschirmleitung (SH3) fließt; Shielding line (SH3) flows;
ISH4 vierter horizontaler Abschirmstrom Strom, der durch die vierte horizontale ISH4 fourth horizontal shielding current Current passing through the fourth horizontal
Abschirmleitung (SH3) fließt; Shielding line (SH3) flows;
ISV1 erster vertikaler Abschirmstrom, der durch die erste vertikale ISV1 first vertical shielding current through the first vertical
Abschirmleitung (SV1) fließt; Shielding line (SV1) flows;
ISV2 zweiter vertikaler Abschirmstrom, der durch die zweite vertikale ISV2 second vertical shielding current passing through the second vertical
Abschirmleitung (SV2) fließt; IV vertikaler elektrischer Strom. Der vertikale Strom ist der elektrische Strom, der die vertikale Leitung (LV) durchströmt; Shielding line (SV2) flows; IV vertical electric current. The vertical current is the electrical current that flows through the vertical line (LV);
IV1 erster vertikaler Strom. Der erste vertikale Strom ist der elektrische Strom, der die erste vertikale Leitung (LV1) durchströmt; IV1 first vertical stream. The first vertical current is the electrical current flowing through the first vertical line (LV1);
IV2 zweiter vertikaler Strom. Der zweite vertikale Strom ist der elektrische IV2 second vertical stream. The second vertical current is the electrical one
Strom, der die zweite vertikale Leitung (LV2) durchströmt; Current flowing through the second vertical line (LV2);
IV3 dritter vertikaler Strom. Der dritte vertikale Strom ist der elektrische Strom, der die dritte vertikale Leitung (LV3) durchströmt; IV3 third vertical stream. The third vertical current is the electrical current flowing through the third vertical line (LV3);
IV4 vierter vertikaler Strom. Der vierte vertikale Strom ist der elektrische Strom, der die vierte vertikale Leitung (LV4) durchströmt; kO Offset-Konstante für den Wert der Intensität der durch die IV4 fourth vertical stream. The fourth vertical stream is the electrical current that flows through the fourth vertical line (LV4); kO Offset constant for the value of the intensity of the
Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) emittierten Compensation radiation source (PLK) emitted
Kompensationsstrahlung (KS), der unabhängig von dem Wert des Kompensationssendesignals (S7) ist; Compensation radiation (KS) which is independent of the value of the compensation transmission signal (S7);
KFL Kompensationsfluoreszenzstrahlung der paramagnetischen KFL compensating fluorescence radiation of the paramagnetic
Referenzzentren (NV2) im Material des Referenzelements. Bevorzugt handelt es sich dabei um die Kompensationsfluoreszenzstrahlung eines oder mehrerer paramagnetischer Referenzzentren (NV2) und/oder einer oder mehrerer Gruppen (NVC2) paramagnetischer Reference centers (NV2) in the material of the reference element. This is preferably the compensation fluorescence radiation of one or more paramagnetic reference centers (NV2) and / or one or more groups (NVC2) of paramagnetic
Referenzzentren (NV2). Bevorzugt handelt es sich dabei um die Kompensationsfluoreszenzstrahlung eines oder mehrerer NV-Zentren und/oder einer oder mehrerer Gruppen von NV-Zentren, wobei das Referenzelement bevorzugt ein oder mehrere Diamanten und/oder Nano-Diamant mit Diamant als Material sind; Reference centers (NV2). This is preferably the compensation fluorescence radiation from one or more NV centers and / or one or more groups of NV centers, the reference element preferably being one or more diamonds and / or nano-diamond with diamond as the material;
KH Kontakt zwischen horizontaler Leitung (LH) und Substrat (D). Ein solcher KH Contact between horizontal line (LH) and substrate (D). Such a
Kontakt ist zwar möglich, aber den anderen in dieser Schrift offengelegten Kontakten (KH11, KH22, KH33, KH44) zu separaten horizontalen Schirmleitungen (SH1, SH2, SH3, SH4) unterlegen. KH11 erster horizontaler Kontakt des ersten Quantenbits (QUB1). Der erste horizontale Kontakt des ersten Quantenbits (QUB1) verbindet die erste horizontale Abschirmleitung (SH1) im ersten Quantenbit (QUB1) elektrisch mit dem Substrat (D) bzw. einer epitaktischen Schicht (DEPI). Bevorzugt handelt es sich im Falle von Diamant als Substratmaterial um einen Kontakt, der Titan umfasst oder aus Titan gefertigt ist; Contact is possible, but it is inferior to the other contacts disclosed in this document (KH11, KH22, KH33, KH44) to separate horizontal shield lines (SH1, SH2, SH3, SH4). KH11 first horizontal contact of the first quantum bit (QUB1). The first horizontal contact of the first quantum bit (QUB1) electrically connects the first horizontal shielding line (SH1) in the first quantum bit (QUB1) to the substrate (D) or an epitaxial layer (DEPI). In the case of diamond, the substrate material is preferably a contact that comprises titanium or is made of titanium;
KH22 zweiter horizontaler Kontakt des ersten Quantenbits (QUB11) und erster horizontaler Kontakt des zweiten Quantenbits (QUB12). Das erste Quantenbit (QUB11) und das zweite Quantenbit (QUB12) nutzen in dem Beispiel der Figur 82 diesen Kontakt gemeinsam. Der Kontakt verbindet die zweite horizontale Abschirmleitung (SH2) im ersten Quantenbit (QUB11) bzw. zweiten Quantenbit (QUB12) elektrisch mit dem Substrat (D) bzw. einer epitaktischen Schicht (DEPI). Bevorzugt handelt es sich im Falle von Diamant als Substratmaterial um einen Kontakt, der Titan umfasst oder aus Titan gefertigt ist; KH22 second horizontal contact of the first quantum bit (QUB11) and first horizontal contact of the second quantum bit (QUB12). The first quantum bit (QUB11) and the second quantum bit (QUB12) share this contact in the example in FIG. The contact electrically connects the second horizontal shielding line (SH2) in the first quantum bit (QUB11) or second quantum bit (QUB12) to the substrate (D) or an epitaxial layer (DEPI). In the case of diamond, the substrate material is preferably a contact that comprises titanium or is made of titanium;
KH33 zweiter horizontaler Kontakt des zweiten Quantenbits (QUB12) und erster horizontaler Kontakt des dritten Quantenbits (QUB13). Das zweite Quantenbit (QUB12) und das dritte Quantenbit (QUB13) nutzen in dem Beispiel der Figur 82 diesen Kontakt gemeinsam. Der Kontakt verbindet die dritte horizontale Abschirmleitung (SH3) im zweiten Quantenbit (QUB12) bzw. dritten Quantenbit (QUB13) elektrisch mit dem Substrat (D) bzw. einer epitaktischen Schicht (DEPI). Bevorzugt handelt es sich im Falle von Diamant als Substratmaterial um einen Kontakt, der Titan umfasst oder aus Titan gefertigt ist; KH33 second horizontal contact of the second quantum bit (QUB12) and first horizontal contact of the third quantum bit (QUB13). The second quantum bit (QUB12) and the third quantum bit (QUB13) share this contact in the example in FIG. The contact electrically connects the third horizontal shielding line (SH3) in the second quantum bit (QUB12) or third quantum bit (QUB13) to the substrate (D) or an epitaxial layer (DEPI). In the case of diamond, the substrate material is preferably a contact that comprises titanium or is made of titanium;
KH44 zweiter horizontaler Kontakt des dritten Quantenbits (QUB13). Der zweite horizontale Kontakt des dritten Quantenbits (QUB13) verbindet die vierte horizontale Abschirmleitung (SH4) im dritten Quantenbit (QUB13) elektrisch mit dem Substrat (D) bzw. einer epitaktischen Schicht (DEPI). Bevorzugt handelt es sich im Falle von Diamant als Substratmaterial um einen Kontakt, der Titan umfasst oder aus Titan gefertigt ist; KNT Kontakt oder entsprechende Struktur zum Aufsammeln von KH44 second horizontal contact of the third quantum bit (QUB13). The second horizontal contact of the third quantum bit (QUB13) electrically connects the fourth horizontal shielding line (SH4) in the third quantum bit (QUB13) to the substrate (D) or an epitaxial layer (DEPI). In the case of diamond, the substrate material is preferably a contact that comprises titanium or is made of titanium; KNT contact or corresponding structure for collecting
Photoelektronen in einem Material des Sensorelements; kRa Wert des Rauschanteils des Werts der Intensität der durch die Photoelectrons in a material of the sensor element; kRa value of the noise component of the value of the intensity of the
Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) emittierten Compensation radiation source (PLK) emitted
Kompensationsstrahlung (KS), der unabhängig von dem Wert des Kompensationssendesignals (S7) ist und insbesondere unabhängig vom Wechselanteil s7w des Kompensationssendesignals (S7) ist Compensation radiation (KS) which is independent of the value of the compensation transmission signal (S7) and in particular is independent of the alternating component s7w of the compensation transmission signal (S7)
KS Kompensationsstrahlung; KS compensation radiation;
KT Kontrast. Der Kontrast (KT) wir hier als maximale Intensität (lfl) der KT contrast. The contrast (KT) is used here as the maximum intensity (l fl )
Fluoreszenzstrahlung (FL) bei der magnetischen Flussdichte B dieser maximalen Intensität geteilt durch Grenzwert der Intensität (lf|) der Fluoreszenzstrahlung (FL) hin zu großen magnetischen Flussdichten B verstanden (Siehe Figur 28); Fluorescence radiation (FL) at the magnetic flux density B of this maximum intensity divided by the limit value of the intensity (l f | ) of the fluorescence radiation (FL) up to high magnetic flux densities B (see FIG. 28);
KTH Kathodenkontakt; KTH cathode contact;
KV Kontakt zwischen vertikaler Leitung (LV) und Substrat (D). Ein solcher KV contact between vertical line (LV) and substrate (D). Such a
Kontakt ist zwar möglich, aber den anderen in dieser Schrift offengelegten Kontakten (KV11, KH21, KH31, KV12, KH22, KH32) zu separaten vertikalen Schirmleitungen (SV1, SV2) unterlegen. Contact is possible, but it is subordinate to the other contacts disclosed in this document (KV11, KH21, KH31, KV12, KH22, KH32) to separate vertical shielding lines (SV1, SV2).
KV11 erster vertikaler Kontakt des ersten Quantenbits (QUB11). Der erste KV11 first vertical contact of the first quantum bit (QUB11). The first
vertikale Kontakt des ersten Quantenbits (QUB11) verbindet die erste vertikale Abschirmleitung (SV1) im ersten Quantenbit (QUB11) elektrisch mit dem Substrat (D) bzw. einer epitaktischen Schicht (DEPI). Bevorzugt handelt es sich im Falle von Diamant als Substratmaterial um einen Kontakt, der Titan umfasst oder aus Titan gefertigt ist; vertical contact of the first quantum bit (QUB11) electrically connects the first vertical shielding line (SV1) in the first quantum bit (QUB11) to the substrate (D) or an epitaxial layer (DEPI). In the case of diamond, the substrate material is preferably a contact that comprises titanium or is made of titanium;
KV21 erster vertikaler Kontakt des zweiten Quantenbits (QUB12). Der erste vertikale Kontakt des zweiten Quantenbits (QUB12) verbindet die erste vertikale Abschirmleitung (SV1) im zweiten Quantenbit (QUB12) elektrisch mit dem Substrat (D) bzw. einer epitaktischen Schicht (DEPI). Bevorzugt handelt es sich im Falle von Diamant als Substratmaterial um einen Kontakt, der Titan umfasst oder aus Titan gefertigt ist; KV21 first vertical contact of the second quantum bit (QUB12). The first vertical contact of the second quantum bit (QUB12) electrically connects the first vertical shielding line (SV1) in the second quantum bit (QUB12) to the substrate (D) or an epitaxial layer (DEPI). In the case of diamond, the substrate material is preferably a contact that comprises titanium or is made of titanium;
KV31 erster vertikaler Kontakt des dritten Quantenbits (QUB13). Der erste KV31 first vertical contact of the third quantum bit (QUB13). The first
vertikale Kontakt des dritten Quantenbits (QUB13) verbindet die erste vertikale Abschirmleitung (SV1) im dritten Quantenbit (QUB13) elektrisch mit dem Substrat (D) bzw. einer epitaktischen Schicht (DEPI). Bevorzugt handelt es sich im Falle von Diamant als Substratmaterial um einen Kontakt, der Titan umfasst oder aus Titan gefertigt ist; vertical contact of the third quantum bit (QUB13) electrically connects the first vertical shielding line (SV1) in the third quantum bit (QUB13) to the substrate (D) or an epitaxial layer (DEPI). In the case of diamond, the substrate material is preferably a contact that comprises titanium or is made of titanium;
KV12 zweiter vertikaler Kontakt des ersten Quantenbits (QUB11). Der zweite vertikale Kontakt des ersten Quantenbits (QUB11) verbindet die zweite vertikale Abschirmleitung (SV2) im ersten Quantenbit (QUB11) elektrisch mit dem Substrat (D) bzw. einer epitaktischen Schicht (DEPI). Bevorzugt handelt es sich im Falle von Diamant als Substratmaterial um einen Kontakt, der Titan umfasst oder aus Titan gefertigt ist; KV12 second vertical contact of the first quantum bit (QUB11). The second vertical contact of the first quantum bit (QUB11) electrically connects the second vertical shielding line (SV2) in the first quantum bit (QUB11) to the substrate (D) or an epitaxial layer (DEPI). In the case of diamond, the substrate material is preferably a contact that comprises titanium or is made of titanium;
KV22 zweiter vertikaler Kontakt des zweiten Quantenbits (QUB12). Der zweite vertikale Kontakt des zweiten Quantenbits (QUB12) verbindet die zweite vertikale Abschirmleitung (SV2) im zweiten Quantenbit (QUB12) elektrisch mit dem Substrat (D) bzw. einer epitaktischen Schicht (DEPI). Bevorzugt handelt es sich im Falle von Diamant als Substratmaterial um einen Kontakt, der Titan umfasst oder aus Titan gefertigt ist; KV22 second vertical contact of the second quantum bit (QUB12). The second vertical contact of the second quantum bit (QUB12) electrically connects the second vertical shielding line (SV2) in the second quantum bit (QUB12) to the substrate (D) or an epitaxial layer (DEPI). In the case of diamond, the substrate material is preferably a contact that comprises titanium or is made of titanium;
KV32 zweiter vertikaler Kontakt des dritten Quantenbits (QUB13). Der zweite vertikale Kontakt des dritten Quantenbits (QUB13) verbindet die zweite vertikale Abschirmleitung (SV2) im dritten Quantenbit (QUB13) elektrisch mit dem Substrat (D) bzw. einer epitaktischen Schicht (DEPI). Bevorzugt handelt es sich im Falle von Diamant als Substratmaterial um einen Kontakt, der Titan umfasst oder aus Titan gefertigt ist; KV32 second vertical contact of the third quantum bit (QUB13). The second vertical contact of the third quantum bit (QUB13) electrically connects the second vertical shielding line (SV2) in the third quantum bit (QUB13) to the substrate (D) or an epitaxial layer (DEPI). In the case of diamond, the substrate material is preferably a contact that comprises titanium or is made of titanium;
Fluoreszenzstrahlungswellenlänge der Fluoreszenzstrahlung (FL) des Fluorescence radiation wavelength of fluorescence radiation (FL) des
paramagnetischen Zentrums (NV1) und/oder der paramagnetischen Zentren (NV1) und/oder der Gruppe (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1). Bei NV-Zentren in Diamant als paramagnetische Zentren (NV1) liegt diese Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (lh) typischerweise bei ca. paramagnetic center (NV1) and / or the paramagnetic centers (NV1) and / or the group (NVC) of paramagnetic centers (NV1). For NV centers in diamond as paramagnetic centers (NV1) this fluorescence radiation wavelength (lh) is typically approx.
637nm, ist also typischerweise rot; l^i Kompensationsfluoreszenzstrahlungswellenlänge der 637nm, so it is typically red; l ^ i compensation fluorescence radiation wavelength of the
Kompensationsfluoreszenzstrahlung (KFL) des paramagnetischen Referenzzentrums (NV2) und/oder der paramagnetischen Compensation fluorescence radiation (KFL) of the paramagnetic reference center (NV2) and / or the paramagnetic
Referenzzentren (NV2) und/oder der Gruppe (NVC2) paramagnetischer Referenzzentren (NV2). Bei NV-Zentren in Diamant als paramagnetische Referenzzentren (NV2) liegt diese Reference centers (NV2) and / or the group (NVC2) of paramagnetic reference centers (NV2). For NV centers in diamond as paramagnetic reference centers (NV2) this lies
Kompensationsfluoreszenzstrahlungswellenlänge typischerweise bei ca. 637nm, ist also typischerweise rot; Compensation fluorescence radiation wavelength typically around 637 nm, so it is typically red;
Kompensationsstrahlungswellenlänge der Kompensationsstrahlung (KS). Compensation radiation wavelength of the compensation radiation (KS).
Soll die Kompensationsstrahlung nicht direkt den Strahlungsempfänger (PD) bestrahlen, sondern ein Referenzelement mit einem Should the compensation radiation not directly irradiate the radiation receiver (PD), but a reference element with a
Referenzzentrum (NV2) oder mehreren Referenzzentren (NV2) oder eine oder mehrere Gruppen (NVC2) von Referenzzentren (NV2), um diese zur Emission von Kompensationsfluoreszenzstrahlung (KFL) zu veranlassen, die dann anstelle der Kompensationsstrahlung (KS) auf den Strahlungsempfänger (PD) trifft, so wird die Reference center (NV2) or several reference centers (NV2) or one or more groups (NVC2) of reference centers (NV2), in order to induce them to emit compensating fluorescence radiation (KFL), which then instead of compensating radiation (KS) on the radiation receiver (PD) hits, it will
Kompensationsstrahlungswellenlänge so gewählt, dass sie das paramagnetische Referenzzentrum (NV2) und/oder die Compensation radiation wavelength chosen so that it is the paramagnetic reference center (NV2) and / or the
paramagnetischen Referenzzentren (NV2) und/oder die Gruppe (NVC2) paramagnetischer Referenzzentren (NV2) und/oder die Gruppen (NVC2) paramagnetischer Referenzzentren (NV2) zur Abgabe von Kompensationsfluoreszenzstrahlung (KFL) mit einer paramagnetic reference centers (NV2) and / or the group (NVC2) paramagnetic reference centers (NV2) and / or the groups (NVC2) paramagnetic reference centers (NV2) for emitting compensating fluorescence radiation (KFL) with a
Kompensationsfluoreszenzwellenlänge (lM) anregen kann. Bei NV- Zentren in Diamant als paramagnetischen Referenzzentren (NV2) liegt diese Kompensationsstrahlungswellenlänge dann bevorzugt in einem Wellenlängenbereich von 500-600 nm. Vorzugsweise wird als Can excite compensation fluorescence wavelength (l M ). In the case of NV centers in diamond as paramagnetic reference centers (NV2), this compensation radiation wavelength is then preferably in a wavelength range of 500-600 nm
Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) dann eine Laserdiode mit einer Wellenlänge von 550 nm oder 520nm genutzt. lr[gir Pumpstrahlungswellenlänge der Pumpstrahlung (LB). Die A compensation radiation source (PLK) then uses a laser diode with a wavelength of 550 nm or 520 nm. l r [gir pump radiation wavelength of the pump radiation (LB). The
Pumpstrahlungswellenlänge wird so gewählt dass sie das Pump radiation wavelength is chosen to be that
paramagnetische Zentrums (NV1) und/oder die paramagnetischen Zentren (NV1) und/oder die Gruppe (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) und/oder die Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) zur Abgabe von Fluoreszenzstrahlung (FL) mit einer paramagnetic center (NV1) and / or the paramagnetic centers (NV1) and / or the group (NVC) of paramagnetic centers (NV1) and / or the groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) for emitting fluorescent radiation (FL) with a
Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (lh) anregen kann. Bei NV-Zentren in Diamant als paramagnetischen Zentren (NV1) liegt diese Can excite fluorescence radiation wavelength (lh). In the case of NV centers in diamond as paramagnetic centers (NV1) this lies
Pumpstrahlungswellenlänge bevorzugt in einem Wellenlängenbereich von 500-600 nm. Vorzugsweise wird als Pumpstrahlungsquelle (PLI) eine Laserdiode mit einer Wellenlänge von 550 nm oder 520nm genutzt; Pump radiation wavelength preferably in a wavelength range of 500-600 nm. A laser diode with a wavelength of 550 nm or 520 nm is preferably used as the pump radiation source (PLI);
LI erste Spule. Die erste Spule ist ein optionales Element, das bevorzugt ein LI first coil. The first coil is an optional item that is preferably a
Teil der integrierten Schaltung (IC) ist und ein magnetisches Feld erzeugen kann. Bevorzugt wird die erste Spule von dem integrierten Schaltkreis (IC) bestromt; Is part of the integrated circuit (IC) and can generate a magnetic field. The first coil is preferably energized by the integrated circuit (IC);
L2 zweite Spule. Die zweite Spule ist ein weiteres optionales Element, das bevorzugt ein Teil der integrierten Schaltung (IC) ist und ein magnetisches Feld erzeugen kann. Bevorzugt wird die zweite Spule von dem integrierten Schaltkreis (IC) bestromt; L2 second coil. The second coil is a further optional element which is preferably part of the integrated circuit (IC) and can generate a magnetic field. The second coil is preferably energized by the integrated circuit (IC);
L3 dritte Spule. Die dritte Spule ist ein weiteres optionales Element, das L3 third coil. The third coil is another optional item that
bevorzugt ein Teil der integrierten Schaltung (IC) ist und ein magnetisches Feld erzeugen kann. Bevorzugt wird die dritte Spule von dem integrierten Schaltkreis (IC) bestromt; is preferably part of the integrated circuit (IC) and can generate a magnetic field. The third coil is preferably energized by the integrated circuit (IC);
L4 vierte Spule. Die vierte Spule ist ein weiteres optionales Element, das bevorzugt ein Teil der integrierten Schaltung (IC) ist und ein magnetisches Feld erzeugen kann. Bevorzugt wird die vierte Spule von dem integrierten Schaltkreis (IC) bestromt; L4 fourth coil. The fourth coil is a further optional element which is preferably part of the integrated circuit (IC) and can generate a magnetic field. The fourth coil is preferably energized by the integrated circuit (IC);
L5 fünfte Spule. Die fünfte Spule ist ein weiteres optionales Element, das bevorzugt ein Teil der integrierten Schaltung (IC) ist und ein magnetisches Feld erzeugen kann. Bevorzugt wird die fünfte Spule von dem integrierten Schaltkreis (IC) bestromt; L5 fifth coil. The fifth coil is another optional element that is preferably part of the integrated circuit (IC) and is a can generate magnetic field. The fifth coil is preferably energized by the integrated circuit (IC);
L6 sechste Spule. Die sechste Spule ist ein weiteres optionales Element, das bevorzugt ein Teil der integrierten Schaltung (IC) ist und ein magnetisches Feld erzeugen kann. Bevorzugt wird die sechste Spule von dem integrierten Schaltkreis (IC) bestromt. L6 sixth coil. The sixth coil is a further optional element that is preferably part of the integrated circuit (IC) and can generate a magnetic field. The sixth coil is preferably energized by the integrated circuit (IC).
L7 siebte Spule. Die siebte Spule ist ein weiteres optionales Element, das bevorzugt ein Teil der integrierten Schaltung (IC) ist und ein magnetisches Feld erzeugen kann. Bevorzugt wird die siebte Spule von dem integrierten Schaltkreis (IC) bestromt; L7 seventh spool. The seventh coil is a further optional element which is preferably part of the integrated circuit (IC) and can generate a magnetic field. The seventh coil is preferably energized by the integrated circuit (IC);
LB Pumpstrahlung; LB pump radiation;
LC Kompensationsspule. Die Kompensationsspule kann beispielsweise nur eine erste Spule (LI) oder eine Vielzahl von ggf. auch unterschiedlich beispielsweise von verschiedenen Regelsignalen abhängig bestromte Zusammenstellung mehrerer, ggf. unterschiedlicher Spulen (LI bis L7) oder auch nur eine einzelne Leitung (LH), in deren Nähe sich das betreffende paramagnetische Zentrum (NV1) bzw. die LC compensation coil. The compensation coil can, for example, only have a first coil (LI) or a large number of, possibly differently energized, for example a combination of several, possibly different coils (LI to L7) or even just a single line (LH), in their vicinity, depending on different control signals the relevant paramagnetic center (NV1) or the
paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. die Gruppe oder die Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) befinden, oder die paramagnetic centers (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1), or the
Zusammenstellung solcher Leitungen (LH, LV) sein; Compilation of such lines (LH, LV);
LCK weitere Kompensationsspule; LCK further compensation coil;
LED1 erste Test-LED; LED1 first test LED;
LEDDR Lichtquellentreiber für die Pumpstrahlungsquelle (PLI); LEDDR light source driver for the pump radiation source (PLI);
LF1 erste Lead-Frame-Fläche; LF1 first lead frame area;
LF2 zweite Lead-Frame-Fläche; LF2 second lead frame area;
LF3 dritte Lead-Frame-Fläche; LF3 third lead frame area;
LF4 vierte Lead-Frame-Fläche; LF5 fünfte Lead-Frame-Fläche; LF4 fourth lead frame area; LF5 fifth lead frame area;
LF6 sechste Lead-Frame-Fläche; LF6 sixth lead frame area;
LF7 siebte Lead-Frame-Fläche; LF7 seventh lead frame area;
LH horizontale Leitung. Bevorzugt wird die horizontale Leitung aus einem für LH horizontal pipe. Preferred is the horizontal line from one for
Strahlung der Pumpstrahlungswellenlänge (lrGhr) der Pumpstrahlung (LB) transparentem Material, beispielsweise ITO gefertigt. Bevorzugt ist die horizontale Leitung auf der Oberfläche (OFL1) des Substrats (D) gefertigt und mit dieser fest verbunden; Radiation of the pump radiation wavelength (l rGhr ) of the pump radiation (LB) made of transparent material, for example ITO. The horizontal line is preferably produced on the surface (OFL1) of the substrate (D) and is firmly connected to it;
LH1 erste horizontale Leitung. Bevorzugt wird die erste horizontale Leitung aus einem für Strahlung der Pumpstrahlungswellenlänge (lrigir) der Pumpstrahlung (LB) transparentem Material, beispielsweise ITO gefertigt. Bevorzugt ist die erste horizontale Leitung auf der Oberfläche (OFL1) des Substrats (D) gefertigt und mit dieser fest verbunden; LH1 first horizontal line. The first horizontal line is preferably made from a material that is transparent to radiation of the pump radiation wavelength (I rigir ) of the pump radiation (LB), for example ITO. The first horizontal line is preferably produced on the surface (OFL1) of the substrate (D) and is firmly connected to it;
LH2 zweite horizontale Leitung. Bevorzugt wird die zweite horizontale Leitung aus einem für Strahlung der Pumpstrahlungswellenlänge (lrGhr) der Pumpstrahlung (LB) transparentem Material, beispielsweise ITO gefertigt. Bevorzugt ist die zweite horizontale Leitung auf der LH2 second horizontal line. The second horizontal line is preferably made of a material that is transparent to radiation of the pump radiation wavelength (1 rGhr ) of the pump radiation (LB), for example ITO. Preferably the second horizontal line is on the
Oberfläche (OFL1) des Substrats (D) gefertigt und mit dieser fest verbunden; Surface (OFL1) of the substrate (D) manufactured and firmly connected to this;
LH3 dritte horizontale Leitung. Bevorzugt wird die dritte horizontale Leitung aus einem für Strahlung der Pumpstrahlungswellenlänge (lrGTΐr) der Pumpstrahlung (LB) transparentem Material, beispielsweise ITO gefertigt. Bevorzugt ist die dritte horizontale Leitung auf der Oberfläche (OFL1) des Substrats (D) gefertigt und mit dieser fest verbunden; LH3 third horizontal line. The third horizontal line is preferably made of a material that is transparent to radiation of the pump radiation wavelength (l rGTΐr ) of the pump radiation (LB), for example ITO. The third horizontal line is preferably produced on the surface (OFL1) of the substrate (D) and is firmly connected to it;
LH4 vierte horizontale Leitung. Bevorzugt wird die vierte horizontale Leitung aus einem für Strahlung der Pumpstrahlungswellenlänge (lrGTΐr) der Pumpstrahlung (LB) transparentem Material, beispielsweise ITO gefertigt. Bevorzugt ist die vierte horizontale Leitung auf der Oberfläche (OFL1) des Substrats (D) gefertigt und mit dieser fest verbunden; LH4 fourth horizontal line. The fourth horizontal line is preferably made of a material that is transparent to radiation of the pump radiation wavelength (l rGTΐr ) of the pump radiation (LB), for example ITO manufactured. The fourth horizontal line is preferably produced on the surface (OFL1) of the substrate (D) and is firmly connected to it;
UV Ansteuer- und Auswerteeinheit zur Ansteuerung der Pumpstrahlungsquelle UV control and evaluation unit for controlling the pump radiation source
(PLI) mittels eines Sendesignals (S5) und Auslesens des (PLI) by means of a transmission signal (S5) and reading out the
Strahlungsempfängers (PD) oder der Fotoelektronen der Radiation receiver (PD) or the photoelectrons of the
paramagnetischen Zentren (NV1) mittels eines Fotostromes beispielsweise über einen Kontakt (KNT). Vorzugsweise wird ein Lock-In Verstärker (Figur 1) als Teil der Ansteuer- und Auswerteinheit zur Aufbereitung des Empfängerausgangssignals (SO) genutzt. paramagnetic centers (NV1) by means of a photo current, for example via a contact (KNT). A lock-in amplifier (FIG. 1) is preferably used as part of the control and evaluation unit for processing the receiver output signal (SO).
Typischerweise wird die Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB) der Pumpstrahlungsquelle (PLI) mittels eines Wechselanteils (S5w) des Sendesignals (S5) mit einer Frequenz von 1Hz bis zu 100 M Hz moduliert. Bevorzugt wird dieser Wechselanteil (S5w) des Sendesignals (S5) als Trägerfrequenz des Messsignals (MES) für den Lock-In Verstärker genutzt und als Sensoraufgangssignal (out) ausgegeben. Im Falle eines Tonabnehmers wird dann dieses Sensorausgangssignal (out) mittels geeigneter elektronischer Einheiten in akustisch äquivalente Signale umgewandelt. Bevorzugt kann dies in einer allgemein üblichen standardisierten digitalen Form (z.B. als MP3-Stream) oder als analoges elektrisches Signal erfolgen. Typically, the intensity (I pmp ) of the pump radiation (LB) of the pump radiation source (PLI) is modulated by means of an alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) with a frequency of 1 Hz up to 100 M Hz. This alternating component (S5w) of the transmission signal (S5) is preferably used as the carrier frequency of the measurement signal (MES) for the lock-in amplifier and is output as a sensor rise signal (out). In the case of a pickup, this sensor output signal (out) is then converted into acoustically equivalent signals by means of suitable electronic units. This can preferably take place in a generally customary standardized digital form (for example as an MP3 stream) or as an analog electrical signal.
LOT Lot-Linie (LOT) des Lots vom Ort des Quantenpunkts des paramagnetischen LOT Plumb line (LOT) of the solder from the location of the quantum dot of the paramagnetic
Zentrums (NV1) bzw. dem Schwerpunkt der paramagnetischen Zentren (NV1) bzw. dem Schwerpunkt der Gruppe (NVC) oder der Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) zur Oberfläche (OFL1) des Substrats (D) und/oder der ggf. vorhandenen epitaktischen Schicht (DEPI). Es handelt sich um eine gedachte Linie; Center (NV1) or the focus of the paramagnetic centers (NV1) or the focus of the group (NVC) or the groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) to the surface (OFL1) of the substrate (D) and / or the possibly existing epitaxial layer (DEPI). It is an imaginary line;
LTG Leitung, deren Strom gemessen werden soll; LTG line whose current is to be measured;
LV vertikale Leitung. Bevorzugt wird die vertikale Leitung aus einem für LV vertical line. Preferred is the vertical line from one for
Strahlung der Pumpstrahlungswellenlänge (lrirr) der Pumpstrahlung (LB) transparentem Material, beispielsweise ITO gefertigt. Bevorzugt ist die vertikale Leitung auf der Oberfläche (OFL1) des Substrats (D) gefertigt und mit dieser fest verbunden; Radiation of the pump radiation wavelength (l rirr ) of the pump radiation (LB) made of transparent material, for example ITO. Is preferred the vertical line is made on the surface (OFL1) of the substrate (D) and firmly connected to it;
LV1 erste vertikale Leitung. Bevorzugt wird die erste vertikale Leitung aus einem für Strahlung der Pumpstrahlungswellenlänge (lr[gir) der Pumpstrahlung (LB) transparentem Material, beispielsweise ITO gefertigt. Bevorzugt ist die erste vertikale Leitung auf der Oberfläche (OFL1) des Substrats (D) gefertigt und mit dieser fest verbunden; LV1 first vertical line. The first vertical line is preferably made of a material that is transparent to radiation of the pump radiation wavelength (I r [gir ) of the pump radiation (LB), for example ITO. The first vertical line is preferably produced on the surface (OFL1) of the substrate (D) and is firmly connected to it;
LV2 zweite vertikale Leitung. Bevorzugt wird die zweite vertikale Leitung aus einem für Strahlung der Pumpstrahlungswellenlänge (lrGTΐr) der Pumpstrahlung (LB) transparentem Material, beispielsweise ITO gefertigt. Bevorzugt ist die zweite vertikale Leitung auf der Oberfläche (OFL1) des Substrats (D) gefertigt und mit dieser fest verbunden; LV2 second vertical line. The second vertical line is preferably made of a material that is transparent to radiation of the pump radiation wavelength (l rGTΐr ) of the pump radiation (LB), for example ITO. The second vertical line is preferably produced on the surface (OFL1) of the substrate (D) and is firmly connected to it;
LV3 dritte vertikale Leitung. Bevorzugt wird die dritte vertikale Leitung aus einem für Strahlung der Pumpstrahlungswellenlänge (lrGTΐr) der Pumpstrahlung (LB) transparentem Material, beispielsweise ITO gefertigt. Bevorzugt ist die dritte vertikale Leitung auf der Oberfläche (OFL1) des Substrats (D) gefertigt und mit dieser fest verbunden; LV3 third vertical line. The third vertical line is preferably made from a material that is transparent to radiation of the pump radiation wavelength (l rGTΐr ) of the pump radiation (LB), for example ITO. The third vertical line is preferably produced on the surface (OFL1) of the substrate (D) and is firmly connected to it;
LV4 vierte vertikale Leitung. Bevorzugt wird die vierte vertikale Leitung aus einem für Strahlung der Pumpstrahlungswellenlänge (lrGTΐr) der Pumpstrahlung (LB) transparentem Material, beispielsweise ITO gefertigt. Bevorzugt ist die vierte vertikale Leitung auf der Oberfläche (OFL1) des Substrats (D) gefertigt und mit dieser fest verbunden; LV4 fourth vertical line. The fourth vertical line is preferably made from a material that is transparent to radiation of the pump radiation wavelength (l rGTΐr ) of the pump radiation (LB), for example ITO. The fourth vertical line is preferably produced on the surface (OFL1) of the substrate (D) and is firmly connected to it;
LWK1 erste Wellenkopplung; LWK1 first shaft coupling;
LWK2 zweiter Wellenkoppler; LWK2 second shaft coupler;
LWL Lichtwellenleiter zum Transport der elektromagnetischen Pumpstrahlung LWL Fiber optic cable for transporting the electromagnetic pump radiation
(LB) und/oder der Fluoreszenzstrahlung (FL). Vorzugsweise ist der Lichtwellenleiter den Umgebungsbedingungen wie hohen (LB) and / or the fluorescence radiation (FL). The optical waveguide is preferably the environmental conditions such as high
Temperaturen oder Strahlungsfeldern anzupassen und erreicht sowohl für die Pumpstrahlung (LB) als auch für die Fluoreszenzstrahlung (FL) eine optimale Übertragungsleistung in Form einer möglichst geringen Dämpfung. Als Material des Lichtwellenleiters kommen Gläser, Si02 und dessen Verbindungen, Diamant, ITO (Indium-Zinn-Oxid) und anderer optisch in den betreffenden Spektralen Bereichen der Pumpstrahlungswellenlänge (lrigir) und/oder Fluoreszenzwellenlänge (lp) transparenten Materialien, wie beispielsweise Kunststoffen, in Frage. Adapt temperatures or radiation fields and achieve both for the pump radiation (LB) as well as for the fluorescence radiation (FL) an optimal transmission power in the form of the lowest possible attenuation. Glass, Si02 and its compounds, diamond, ITO (indium tin oxide) and other materials that are optically transparent in the relevant spectral ranges of the pump radiation wavelength (l rigir ) and / or fluorescence wavelength (lp), such as plastics, are used as the material of the optical waveguide. in question.
LWL1 erster Lichtwellenleiter zum Transport der elektromagnetischen LWL1 first fiber optic cable to transport the electromagnetic
Pumpstrahlung (LB). Vorzugsweise ist der erste Lichtwellenleiter den Umgebungsbedingungen wie hohen Temperaturen oder Pump radiation (LB). The first optical waveguide is preferably the environmental conditions such as high temperatures or
Strahlungsfeldern anzupassen und erreicht für die Pumpstrahlung (LB) eine optimale Übertragungsleistung in Form einer möglichst geringen Dämpfung. Als Material des ersten Lichtwellenleiters kommen Gläser, Si02 und dessen Verbindungen, Diamant, ITO (Indium-Zinn-Oxid) und anderer optisch in den betreffenden spektralen Bereich der Adapt radiation fields and achieve an optimal transmission power in the form of the lowest possible attenuation for the pump radiation (LB). Glasses, SiO2 and its compounds, diamond, ITO (indium tin oxide) and others optically come into the relevant spectral range as the material of the first optical waveguide
Pumpstrahlungswellenlänge (lrigir) transparenten Materialien, wie beispielsweise Kunststoffe, in Frage. Pump radiation wavelength (l rigir ) transparent materials, such as plastics, in question.
LWL2 zweiter Lichtwellenleiter zum Transport der elektromagnetischen LWL2 second fiber optic cable for transporting the electromagnetic
Fluoreszenzstrahlung (FL). Vorzugsweise ist der zweite Lichtwellenleiter den Umgebungsbedingungen wie hohen Temperaturen oder Fluorescence radiation (FL). The second optical waveguide is preferably the environmental conditions such as high temperatures or
Strahlungsfeldern anzupassen und erreicht sowohl für die Adapt to radiation fields and achieved for both
Fluoreszenzstrahlung (FL) eine optimale Übertragungsleistung in Form einer möglichst geringen Dämpfung. Vorzugsweise erreicht der zweite Lichtwellenleiter für die Pumpstrahlung (LB) eine möglichst geringe Übertragungsleistung in Form einer möglichst großen Dämpfung, sodass dann ggf. der erste Filter (Fl) entfallen kann, da dann der zweite Lichtwellenleiter diese Funktion wahrnehmen kann. Sofern der zweite Lichtwellenleiter diese Eigenschaften hat, ist der erste Filter (Fl) im Sinne dieser Offenlegung vorhanden und von den Ansprüchen ggf. umfasst. Als Material des zweiten Lichtwellenleiters kommen Gläser, Si02 und dessen Verbindungen, Diamant, ITO (Indium-Zinn-Oxid) und anderer optisch in den betreffenden spektralen Bereichen der Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (l^) transparenten Materialien, wie beispielsweise Kunststoffen, in Frage. iC Steuervorrichtung; Fluorescence radiation (FL) an optimal transmission performance in the form of the lowest possible attenuation. The second optical waveguide for the pump radiation (LB) preferably achieves the lowest possible transmission power in the form of the greatest possible attenuation, so that the first filter (F1) can then be omitted, since the second optical waveguide can then perform this function. If the second optical waveguide has these properties, the first filter (F1) is present in the sense of this disclosure and possibly covered by the claims. Glasses are used as the material of the second optical waveguide, Si02 and its compounds, diamond, ITO (indium tin oxide) and other materials that are optically transparent in the relevant spectral ranges of the fluorescence radiation wavelength (l ^), such as plastics, are in question. iC control device;
Ml erster Multiplizierer; Ml first multiplier;
Ml' zusätzlicher erster Multiplizierer; Ml 'additional first multiplier;
M2 zweiter Multiplizierer; M2 second multiplier;
M2' zusätzlicher zweiter Multiplizierer; M2 'additional second multiplier;
MAS Schirmung; MAS shielding;
ME1 erstes Medium (z.B. Luft oder Vakuum oder das Material eines ME1 first medium (e.g. air or vacuum or the material of a
Lichtwellenleiters (LWL) oder eines anderen optischen Optical fiber (LWL) or another optical
Funktionselements) Functional element)
MES Messsignal. Das Messsignal ist das Referenzsignal mit dem der erste MES measurement signal. The measurement signal is the reference signal with which the first
Multiplizierer (Ml) und der Schleifenfilter (TP) das Multiplier (Ml) and the loop filter (TP) that
Empfängerausgangssignal (SO) vergleichen und mir Hilfe der Compare receiver output signal (SO) and use the
Flalteschaltung (S&FI) das Filterausgangssignal (S4) bilden. In vielen Beispielen ist hier das Messsignal gleich dem Wechselanteil (s5w) des Sendesignals (S5); Flalteschaltung (S&FI) form the filter output signal (S4). In many examples, the measurement signal here is equal to the alternating component (s5w) of the transmission signal (S5);
MFC Magnetfeldkontrolle. Die Magnetfeldkontrolle (MFC) ist bevorzugt ein MFC magnetic field control. The magnetic field control (MFC) is preferred
Regler (RG), dessen Aufgabe es ist, ein externes magnetisches Feld mit einer externen magnetischen Flussdichte B durch aktive Gegenregelung beispielsweise mittels einer Kompensationsspule (LC) global für die gesamte Vorrichtung zu kompensieren; Controller (RG), the task of which is to globally compensate for an external magnetic field with an external magnetic flux density B through active counter-regulation, for example by means of a compensation coil (LC);
MFK Magnetfeldkontrollvorrichtung; MFK magnetic field control device;
MFS Magnetfeldsensor; MO Montageöffnung; MFS magnetic field sensor; MO assembly opening;
MPZ diamagnetisches Material mit einem paramagnetischen Zentrum (NV1) oder mehreren paramagnetischen Zentren (NV1) des Sensorelements. Bevorzugt handelt es sich bei dem diamagnetischen Material um Diamant und dem bzw. den paramagnetischen Zentren (NV1) um NV- Zentren. Das bzw. die paramagnetischen Zentren (NV1) strahlen bei Bestrahlung mit Pumpstrahlung (LB) der Pumpstrahlungsquelle (PLI) Fluoreszenzstrahlung (FL) mit einer Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (lp) ab. Diese Fluoreszenzstrahlung (FL) des oder der parametrischen Zentren (NV1) hängt dabei vorzugsweise von der magnetischen Flussdichte B am Ort des jeweiligen paramagnetischen Zentrums (NV1) und ggf. weiteren Paramatern wie Druck und/oder Temperatur ab. Die Kristallausrichtung des Materials des Sensorelements kann typischerweise diese Abstrahlung und die Abhängigkeit dieser Abstrahlung der Fluoreszenzstrahlung (FL) vom magnetischen Fluss B beeinflussen. Bei dem bzw. den paramagnetischen Zentren (NV1) handelt es sich bevorzugt um ein bzw. mehrere NV Zentren. Bei dem Material handelt es sich bevorzugt um Diamant. MPZ diamagnetic material with one paramagnetic center (NV1) or several paramagnetic centers (NV1) of the sensor element. The diamagnetic material is preferably diamond and the paramagnetic center or centers (NV1) are NV centers. The paramagnetic center or centers (NV1) emit fluorescence radiation (FL) with a fluorescence radiation wavelength (lp) when irradiated with pump radiation (LB) from the pump radiation source (PLI). This fluorescence radiation (FL) from the parametric center or centers (NV1) preferably depends on the magnetic flux density B at the location of the respective paramagnetic center (NV1) and possibly other parameters such as pressure and / or temperature. The crystal alignment of the material of the sensor element can typically influence this emission and the dependence of this emission of the fluorescence radiation (FL) on the magnetic flux B. The paramagnetic center or centers (NV1) are preferably one or more NV centers. The material is preferably diamond.
MPZi diamagnetisches Material mit einem oder mehreren paramagnetischen MPZi diamagnetic material with one or more paramagnetic
Zentren (NV1), die bevorzugt ein oder mehrere NV-Zentren in Diamant sind. Das diamagnetische Material wird in diesem Fall von dem ersten von n Sensorelementen eines beispielhaften Systems zur Erfassung der Schwingung von n diesen n Sensorelementen jeweils zugeordneten mechanisch schwingungsfähigen Teilsystemen (MS1; MS2,... MSn) umfasst; Centers (NV1), which are preferably one or more NV centers in diamond. In this case, the diamagnetic material is comprised of the first of n sensor elements of an exemplary system for detecting the vibration of n mechanically vibratable subsystems (MS 1; MS 2 ,... MS n ) assigned to these n sensor elements;
MPZ2 diamagnetisches Material mit einem oder mehreren paramagnetischen MPZ 2 diamagnetic material with one or more paramagnetic
Zentren (NV1), die bevorzugt ein oder mehrere NV-Zentren in Diamant sind. Das diamagnetische Material wird in diesem Fall von dem zweiten von n Sensorelementen eines beispielhaften Systems zur Erfassung der Schwingung von n diesen n Sensorelementen jeweils zugeordneten mechanisch schwingungsfähigen Teilsystemen (MS!, MS2,... MSn) Centers (NV1), which are preferably one or more NV centers in diamond. In this case, the diamagnetic material is assigned by the second of n sensor elements of an exemplary system for detecting the vibration of n of these n sensor elements mechanically vibrating subsystems (MS !, MS 2 , ... MS n )
umfasst; includes;
MPZn diamagnetisches Material mit einem oder mehreren paramagnetischen MPZ n diamagnetic material with one or more paramagnetic
Zentren (NV1), die bevorzugt ein oder mehrere NV-Zentren in Diamant sind. Das diamagnetische Material wird in diesem Fall von dem n-ten von n Sensorelementen eines beispielhaften Systems zur Erfassung der Schwingung von n diesen n Sensorelementen jeweils zugeordneten mechanisch schwingungsfähigen Teilsystemen (MS1; MS2,... MSn) umfasst; Centers (NV1), which are preferably one or more NV centers in diamond. In this case, the diamagnetic material is comprised of the nth of n sensor elements of an exemplary system for detecting the vibration of n mechanically vibratable subsystems (MS 1; MS 2 ,... MS n ) assigned to these n sensor elements;
MQ1 erste Feldquelle zur Erzeugung eines magnetischen oder elektrischen MQ1 first field source for generating a magnetic or electric
Feldes, das sich nicht im Bezugsystem des Sensorelements befindet, so dass beispielsweise in Kombination mit einem schwingenden System (MS) ein alternierendes elektromagnetisches Feld erzeugt wird. Bei der ersten Feldquelle kann es sich beispielweise um ein magnetisiertes ferromagnetisches Material, eine Gitarrensaite oder einen Field that is not in the reference system of the sensor element, so that, for example, in combination with an oscillating system (MS), an alternating electromagnetic field is generated. The first field source can be, for example, a magnetized ferromagnetic material, a guitar string or a
Permanentmagnet oder dergleichen handeln. In einer weiteren Ausführungsform kann es sich auch ggf. auch zusätzlich um eine elektrisch geladene Struktur handeln. Vorzugweise erzeugt die Feldquelle ein statisches magnetisches Feld, wenn das Gesamtsystem nicht in mechanische Schwingungen versetzt wird und besitzt am Ort des Sensorelements, beispielsweise eines Diamanten mit NV-Zentren als paramagnetischen Zentren (NV1), zusammen mit der zweiten Felsquelle (MQ2) eine magnetische Gesamtflussdichte B von bevorzugt 1-20 mT, weniger bevorzugt von 0,lmT bis 50mT, in einer zur Achse der paramagnetischen Zentren (NV1), bevorzugt zur Achse der bevorzugt verwendeten NV-Zentren, unterschiedlichen Richtung. Act permanent magnet or the like. In a further embodiment, it may also be an electrically charged structure, if necessary. The field source preferably generates a static magnetic field if the entire system is not set into mechanical vibrations and has a total magnetic flux density at the location of the sensor element, for example a diamond with NV centers as paramagnetic centers (NV1), together with the second rock source (MQ2) B from preferably 1-20 mT, less preferably from 0.1 mT to 50 mT, in a direction different from the axis of the paramagnetic centers (NV1), preferably from the axis of the NV centers that are preferably used.
MQli erste Feldquelle, die dem ersten von n Sensorelementen eines MQli first field source, which is the first of n sensor elements of a
beispielhaften Systems zur Erfassung der Schwingung von n diesen n Sensorelementen jeweils zugeordneten mechanisch exemplary system for detecting the vibration of n these n sensor elements each assigned mechanically
schwingungsfähigen Teilsystemen (MS1; MS2,... MSn) zugeordnet ist; MQ12 erste Feldquelle, die dem zweiten von n Sensorelementen eines oscillatory subsystems (MS 1; MS 2 , ... MS n ) is assigned; MQ1 2 first field source, the second of n sensor elements one
beispielhaften Systems zur Erfassung der Schwingung von n diesen n Sensorelementen jeweils zugeordneten mechanisch exemplary system for detecting the vibration of n these n sensor elements each assigned mechanically
schwingungsfähigen Teilsystemen (MS!, MS2,... MSn) zugeordnet ist; vibratory subsystems (MS !, MS 2 , ... MS n ) is assigned;
MQln erste Feldquelle, die dem n-ten von n Sensorelementen eines MQl n first field source, the nth of n sensor elements of a
beispielhaften Systems zur Erfassung der Schwingung von n diesen n Sensorelementen jeweils zugeordneten mechanisch exemplary system for detecting the vibration of n these n sensor elements each assigned mechanically
schwingungsfähigen Teilsystemen (MSi, MS2,... MSn) zugeordnet ist; oscillatable subsystems (MSi, MS 2 , ... MS n ) is assigned;
MQ2 optionale zweite Feldquelle zur Erzeugung eines magnetischen oder MQ2 optional second field source for generating a magnetic or
elektrischen Feldes, das sich im Bezugsystem des Sensorelements bevorzugt in Ruhe befindet. Es dient bevorzugt der electric field, which is preferably at rest in the reference system of the sensor element. It preferably serves the
Arbeitspunkteinstellung zur Maximierung der Empfindlichkeit des Sensorsystems und ggf. zur Linearisierung des Messbereiches. Es kann sich bei der zweiten Feldquelle beispielweise um ein magnetisiertes ferromagnetisches Material oder einen Permanentmagneten oder eine von elektrischem Strom durchflossene Kompensationsspule (LC) handeln. Vorzugweise erzeugt die Feldquelle ein statisches oder in Bezug auf eine langsame Nachregelung mittels einer Working point setting to maximize the sensitivity of the sensor system and, if necessary, to linearize the measuring range. The second field source can be, for example, a magnetized ferromagnetic material or a permanent magnet or a compensation coil (LC) through which an electric current flows. The field source preferably generates a static or slow readjustment by means of a
Kompensationsspule (LC) quasistatisches magnetisches Feld, wenn das Gesamtsystem nicht in mechanische Schwingungen versetzt wird. Die magnetische Flussdichte der zweiten Feldquelle wird bevorzugt so gewählt, dass zusammen mit der von der ersten magnetischen Feldquelle (MQ1) erzeugten magnetischen ersten Flussdichte sich eine magnetische Gesamtflussdichte am Ort der paramagnetischen Zentren (NV1) ergibt, die eine optimale Empfindlichkeit der Compensation coil (LC) quasi-static magnetic field when the entire system is not set into mechanical vibrations. The magnetic flux density of the second field source is preferably chosen so that, together with the first magnetic flux density generated by the first magnetic field source (MQ1), a total magnetic flux density at the location of the paramagnetic centers (NV1) results, which results in an optimal sensitivity of the
Fluoreszenzstrahlung (FL) bezogen auf eine Änderung der Fluorescence radiation (FL) based on a change in
Fluoreszenzstrahlung (FL) bei einer Änderung der magnetischen Flussdichte B am Ort des paramagnetischen Zentrums (NV1) bzw. der paramagnetischen Zentren (NV1) erreicht wird. Vorzugsweise wird die magnetische zweite Flussdichte B0, die durch die zweite Feldquelle am Ort des bzw. der paramagnetischen Zentren (NV1) erzeugt wird, so gewählt, das am Ort des bzw. der paramagnetischen Zentren (NV1) eine magnetische Gesamtflussdichte von 1-20 mT in einer zur Achse des bzw. der paramagnetischen Zentren (NV1), also beispielsweise zur Achse des bzw. der NV-Zentren unterschiedlichen Richtung aufweist. Fluorescence radiation (FL) with a change in the magnetic flux density B at the location of the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) is achieved. The magnetic second flux density B 0 , which is generated by the second field source at the location of the paramagnetic center or centers (NV1), is preferably as follows selected that at the location of the paramagnetic center or centers (NV1) has a total magnetic flux density of 1-20 mT in a direction different from the axis of the paramagnetic center or centers (NV1), for example to the axis of the NV center or centers .
MQ2i zweite Feldquelle, die dem ersten von n Sensorelementen eines MQ2i second field source, which is the first of n sensor elements of a
beispielhaften Systems zur Erfassung der Schwingung von n diesen n Sensorelementen jeweils zugeordneten mechanisch exemplary system for detecting the vibration of n these n sensor elements each assigned mechanically
schwingungsfähigen Teilsystemen (MSi, MS2,... MSn) zugeordnet ist; oscillatable subsystems (MSi, MS 2 , ... MS n ) is assigned;
MQ22 zweite Feldquelle, die dem zweiten von n Sensorelementen eines MQ2 2 second field source, the second of n sensor elements one
beispielhaften Systems zur Erfassung der Schwingung von n diesen n Sensorelementen jeweils zugeordneten mechanisch exemplary system for detecting the vibration of n these n sensor elements each assigned mechanically
schwingungsfähigen Teilsystemen (MS1; MS2,... MSn) zugeordnet ist; oscillatory subsystems (MS 1; MS 2 , ... MS n ) is assigned;
MQ2n zweite Feldquelle, die dem n-ten von n Sensorelementen eines MQ2 n second field source, which is the nth of n sensor elements of a
beispielhaften Systems zur Erfassung der Schwingung von n diesen n Sensorelementen jeweils zugeordneten mechanisch exemplary system for detecting the vibration of n these n sensor elements each assigned mechanically
schwingungsfähigen Teilsystemen (MSi, MS2,... MSn) zugeordnet ist; oscillatable subsystems (MSi, MS 2 , ... MS n ) is assigned;
MS Schematische Darstellung eines mechanisch schwingenden Systems in einem bevorzugten beispielhaften Frequenzbereich von 1 Hz bis zu 100 MFIz. Beispielsweise kann es sich um einen schwingenden MS Schematic representation of a mechanically oscillating system in a preferred exemplary frequency range from 1 Hz to 100 MFIz. For example, it can be a vibrating one
Vorrichtungsteil einer mechanischen Vorrichtung wie beispielsweise einen Resonanzkörper eines Musikinstrumentes oder einer schwingenden gespannten Saite handeln. Andere Ausführungen sind z.B. ein schwingendes mechanisches Bauelement oder organisch bewegliches Körperteil. Vorzugweise besitzen die Schwingungen einen harmonischen Anteil. Act device part of a mechanical device such as a sound box of a musical instrument or a vibrating tensioned string. Other designs are e.g. a vibrating mechanical component or an organically movable body part. The vibrations preferably have a harmonic component.
MSX erstes mechanisch schwingendes Teilsystem von n Teilsystemen eines mechanisch schwingungsfähigen Systems (MS), beispielsweise einer E- Gitarre (GT), wobei n für eine ganze positive Zahl steht; MS2 zweites mechanisch schwingendes Teilsystem von n Teilsystemen eines mechanisch schwingungsfähigen Systems (MS), beispielsweise einer E- Gitarre (GT), wobei n für eine ganze positive Zahl steht; MS X first mechanically oscillating subsystem of n subsystems of a mechanically oscillating system (MS), for example an electric guitar (GT), where n stands for a whole positive number; MS 2 second mechanically oscillating subsystem of n subsystems of a mechanically oscillating system (MS), for example an electric guitar (GT), where n stands for a whole positive number;
MSX drittes mechanisch schwingendes Teilsystem von n Teilsystemen eines mechanisch schwingungsfähigen Systems (MS), beispielsweise einer E- Gitarre (GT), wobei n für eine ganze positive Zahl steht; n in Figur 51: Verzeigungspfad bei Verneinung der Frage. An anderen Stelle dieser Schrift: eine positive ganze Zahl; MS X third mechanically oscillating subsystem of n subsystems of a mechanically oscillating system (MS), for example an electric guitar (GT), where n stands for a whole positive number; n in Figure 51: Branch path if the question is answered in the negative. Elsewhere in this document: a positive whole number;
Flächennormale der ersten Oberfläche (OFL1) des Substrats (D); Surface normals of the first surface (OFL1) of the substrate (D);
Mi Flächennormale der zweiten Oberfläche (OFL2) des Substrats (D); Mi surface normal of the second surface (OFL2) of the substrate (D);
NBR Nutbreite; NBR groove width;
NV11 Quantenpunkt mit einem paramagnetischen Zentrum (NV1) oder mehreren paramagnetischen Zentren (NV1) oder einer Gruppe oder Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) des Quantenbits (QUB11) in der ersten vertikalen Spalte und in der ersten horizontalen Zeile eines eindimensionalen Quantenregisters mit mehreren Quantenbits (QUB) oder eines zweidimensionalen Quantenregisters mit mehreren Quantenbits (QUB); NV11 quantum dot with one paramagnetic center (NV1) or several paramagnetic centers (NV1) or a group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) of the quantum bit (QUB11) in the first vertical column and in the first horizontal row of a one-dimensional quantum register with several Quantum bits (QUB) or a two-dimensional quantum register with several quantum bits (QUB);
NV12 Quantenpunkt mit einem paramagnetischen Zentrum (NV1) oder mehreren paramagnetischen Zentren (NV1) oder einer Gruppe oder Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) des Quantenbits (QUB11) in der ersten vertikalen Spalte und in der zweiten horizontalen Zeile eines eindimensionalen Quantenregisters mit mehreren Quantenbits (QUB) oder eines zweidimensionalen Quantenregisters mit mehreren Quantenbits (QUB); NV12 quantum dot with one paramagnetic center (NV1) or several paramagnetic centers (NV1) or a group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) of the quantum bit (QUB11) in the first vertical column and in the second horizontal row of a one-dimensional quantum register with several Quantum bits (QUB) or a two-dimensional quantum register with several quantum bits (QUB);
NV13 Quantenpunkt mit einem paramagnetischen Zentrum (NV1) oder mehreren paramagnetischen Zentren (NV1) oder einer Gruppe oder Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) des Quantenbits (QUB11) in der ersten vertikalen Spalte und in der dritten horizontalen Zeile eines eindimensionalen Quantenregisters mit mehreren Quantenbits (QUB) oder eines zweidimensionalen Quantenregisters mit mehreren NV13 Quantum dot with one paramagnetic center (NV1) or several paramagnetic centers (NV1) or a group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) of the quantum bit (QUB11) in the first vertical column and in the third horizontal row of a one-dimensional quantum register with several quantum bits (QUB) or a two-dimensional quantum register with several
Quantenbits (QUB); Quantum bits (QUB);
NV21 Quantenpunkt mit einem paramagnetischen Zentrum (NV1) oder mehreren paramagnetischen Zentren (NV1) oder einer Gruppe oder Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) des Quantenbits (QUB11) in der zweiten vertikalen Spalte und in der ersten horizontalen Zeile eines zweidimensionalen Quantenregisters mit mehreren Quantenbits (QUB); NV21 quantum dot with one paramagnetic center (NV1) or several paramagnetic centers (NV1) or a group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) of the quantum bit (QUB11) in the second vertical column and in the first horizontal row of a two-dimensional quantum register with several Quantum bits (QUB);
NV22 Quantenpunkt mit einem paramagnetischen Zentrum (NV1) oder mehreren paramagnetischen Zentren (NV1) oder einer Gruppe oder Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) des Quantenbits (QUB11) in der zweiten vertikalen Spalte und in der zweiten horizontalen Zeile eines zweidimensionalen Quantenregisters mit mehreren Quantenbits (QUB); NV22 quantum dot with one paramagnetic center (NV1) or several paramagnetic centers (NV1) or a group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) of the quantum bit (QUB11) in the second vertical column and in the second horizontal row of a two-dimensional quantum register with several Quantum bits (QUB);
NV23 Quantenpunkt mit einem paramagnetischen Zentrum (NV1) oder mehreren paramagnetischen Zentren (NV1) oder einer Gruppe oder Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) des Quantenbits (QUB11) in der zweiten vertikalen Spalte und in der dritten horizontalen Zeile eines zweidimensionalen Quantenregisters mit mehreren Quantenbits (QUB); NV23 quantum dot with one paramagnetic center (NV1) or several paramagnetic centers (NV1) or a group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) of the quantum bit (QUB11) in the second vertical column and in the third horizontal row of a two-dimensional quantum register with several Quantum bits (QUB);
NVC Gruppe (Cluster) paramagnetischer Zentren (NV1). Eine solche Gruppe umfasst mindesten ein paramagnetisches Zentrum (NV1). Bevorzugt umfasst eine solche Gruppe jedoch eine Mehrzahl paramagnetischer Zentren (NV1). Bevorzugt ist die Dichte der paramagnetischen Zentren (NV1) innerhalb der Gruppe höher als lOppm, besser höher als 20ppm bezogen auf die Anzahl der Atome im Raumvolumen der Gruppe. NVC group (cluster) of paramagnetic centers (NV1). Such a group includes at least one paramagnetic center (NV1). However, such a group preferably comprises a plurality of paramagnetic centers (NV1). The density of the paramagnetic centers (NV1) within the group is preferably higher than 10 ppm, better higher than 20 ppm, based on the number of atoms in the volume of the group.
Bevorzugt ist das Gebiet einer solchen Gruppe paramagnetischer Zentren HD-NV-Diamant, d.h. das Material ist bevorzugt Diamant und die Dichte der paramagnetischen Zentren, die dann NV-Zentren sind, ist so hoch, dass die in dieser Schrift benannten Kriterien für HD-NV- Diamant erfüllt sind. D.h. die Dichte sollte innerhalb der Gruppe über lOppm, besser 20ppm liegen. Werden andere Zentren als NV-Zentren und/oder andere Materialien als Diamant verwendet, so gilt dies entsprechend. Die Dichte der paramagnetischen Zentren (NV1) innerhalb dieser Gruppe ist bevorzugt so hoch, dass die The area of such a group of paramagnetic centers is preferably HD-NV diamond, ie the material is preferably diamond and the density of the paramagnetic centers, which are then NV centers, is so high that the criteria for HD-NV specified in this document - Diamond are met. Ie the density should be about within the group lOppm, better 20ppm. If centers other than NV centers and / or materials other than diamond are used, this applies accordingly. The density of the paramagnetic centers (NV1) within this group is preferably so high that the
paramagnetischen Zentren (NV1) innerhalb der Gruppe miteinander koppeln und ggf. bevorzugt gemischte Zustände ausbilden. Ganz besonders bevorzugt ist die Dichte der paramagnetischen Zentren (NV1) innerhalb einer solchen Gruppe so hoch, dass die Coupling paramagnetic centers (NV1) with one another within the group and, if necessary, preferably developing mixed states. The density of the paramagnetic centers (NV1) within such a group is very particularly preferably so high that the
paramagnetischen Zentren (NV1) kollektives Verhalten zeigen. Die Gruppe hat eine Ausdehnung (d) der Ansammlung paramagnetischer Zentren (NV1) senkrecht zum Pointing-Vektor der einfallenden Pumpstrahlung (LB) innerhalb eines Sensorelements und eine Dicke (dNVc)der Gruppe (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) im Substrat (D) parallel zum Pointing-Vektor der einfallenden Pumpstrahlung (LB). Bevorzugt ist die Dicke (dNVc) der Gruppe (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) in der Größenordnung weniger paramagnetic centers (NV1) show collective behavior. The group has an extension (d) of the collection of paramagnetic centers (NV1) perpendicular to the pointing vector of the incident pump radiation (LB) within a sensor element and a thickness (d NV c) of the group (NVC) of paramagnetic centers (NV1) in the substrate ( D) parallel to the pointing vector of the incident pump radiation (LB). The thickness (d NV c) of the group (NVC) of paramagnetic centers (NV1) is preferably in the order of magnitude less
Pumpstrahlungswellenlängen (lrGhr) der Pumpstrahlung. Mit dem Bezugszeichen NVC werden in dieser Schrift eine einzelne Gruppe aber auch mehrere Gruppen als Gesamtheit bezeichnet. Die Maximale Dichte einer Gruppe berechnet sich aus dem Inversen deskleinsten sphärischen Raumvolumen, dass mindestens zwei paramagnetische Zentren (NV1) innerhalb der Gruppe einnehmen. Multipliziert mit der Anzahl der paramagnetischen Zentren in diesem Raumvolumen. Die Gruppe wird durch das ellipsoide Volumen begrenzt, das zu einer Reduktion der Dichte auf 50% führt. Die Hauptachsen werden dabei so bestimmt, dass das Volumen minimal wird und trotzdem alle paramagnetischen Zentren (NV1) der Gruppe umfasst sind; Pump radiation wavelengths (l rGhr ) of the pump radiation. In this document, the reference symbol NVC denotes a single group, but also several groups as a whole. The maximum density of a group is calculated from the inverse of the smallest spherical volume that at least two paramagnetic centers (NV1) occupy within the group. Multiplied by the number of paramagnetic centers in this volume of space. The group is limited by the ellipsoidal volume, which leads to a reduction in density to 50%. The main axes are determined in such a way that the volume is minimal and nevertheless all paramagnetic centers (NV1) of the group are included;
NVC2 Gruppe (Cluster) paramagnetischer Referenzzentren (NV2). Eine solche NVC2 Group (cluster) of paramagnetic reference centers (NV2). Such
Gruppe umfasst mindesten ein paramagnetisches Referenzzentrum (NV2). Bevorzugt umfasst eine solche Gruppe jedoch eine Mehrzahl paramagnetischer Referenzzentren (NV2). Bevorzugt ist die Dichte der paramagnetischen Referenzzentren (NV2) innerhalb der Gruppe höher als lOppm, besser höher als 20ppm bezogen auf die Anzahl der Atome im Raumvolumen der Gruppe. Bevorzugt ist das Gebiet einer solchen Gruppe paramagnetischer Zentren HD-NV-Diamant, d.h. das Material ist bevorzugt Diamant und die Dichte der paramagnetischen Zentren (NV1), die dann NV-Zentren sind, ist so hoch, dass die in dieser Schrift benannten Kriterien für HD-NV-Diamant erfüllt sind. D.h. die Dichte sollte innerhalb der Gruppe über lOppm, besser 20ppm liegen. Werden andere Zentren als NV-Zentren und/oder andere Materialien als Diamant verwendet, so gilt dies entsprechend. Die Dichte der paramagnetischen Referenzzentren (NV2) innerhalb dieser Gruppe ist bevorzugt so hoch, dass die paramagnetischen Referenzzentren (NV2) innerhalb der Gruppe miteinander koppeln und ggf. bevorzugt gemischte Zustände ausbilden. Ganz besonders bevorzugt ist die Dichte der paramagnetischen Referenzzentren (NV2) innerhalb einer solchen Gruppe so hoch, dass die paramagnetischen Referenzzentren (NV2) kollektives Verhalten zeigen. Die Gruppe hat eine Ausdehnung (d) der Ansammlung paramagnetischer Referenzzentren (NV2) senkrecht zum Pointing-Vektor der einfallenden Kompensationsstrahlung (KS) innerhalb eines Sensorelements und eine Dicke (dNVc2) der Gruppe (NVC2) paramagnetischer Referenzzentren (NV2) im Substrat (D) parallel zum Pointing-Vektor der einfallenden Kompensationsstrahlung (KS). Bevorzugt ist die Dicke (dNVc2) der Gruppe (NVC2) The group includes at least one paramagnetic reference center (NV2). However, such a group preferably comprises a plurality of paramagnetic reference centers (NV2). The density of paramagnetic reference centers (NV2) within the group is preferably higher than lOppm, better higher than 20ppm based on the number of atoms in the volume of the group. The area of such a group of paramagnetic centers is preferred HD-NV diamond, ie the material is preferably diamond and the density of the paramagnetic centers (NV1), which are then NV centers, is so high that the criteria named in this document for HD-NV-Diamant are met. In other words, the density within the group should be over lOppm, better 20 ppm. If centers other than NV centers and / or materials other than diamond are used, this applies accordingly. The density of the paramagnetic reference centers (NV2) within this group is preferably so high that the paramagnetic reference centers (NV2) within the group couple with one another and, if necessary, preferably develop mixed states. Very particularly preferably, the density of the paramagnetic reference centers (NV2) within such a group is so high that the paramagnetic reference centers (NV2) show collective behavior. The group has an extension (d) of the collection of paramagnetic reference centers (NV2) perpendicular to the pointing vector of the incident compensation radiation (KS) within a sensor element and a thickness (d NV c2) of the group (NVC2) of paramagnetic reference centers (NV2) in the substrate ( D) parallel to the pointing vector of the incident compensation radiation (KS). The thickness (d NV c2) of the group (NVC2) is preferred
paramagnetischer Referenzzentren (NV2) in der Größenordnung weniger Kompensationsstrahlungswellenlängen (l^) der paramagnetic reference centers (NV2) in the order of magnitude of a few compensation radiation wavelengths (l ^) the
Kompensationsstrahlung (KS). Mit dem Bezugszeichen NVC2 werden in dieser Schrift eine einzelne Gruppe aber auch mehrere Gruppen als Gesamtheit bezeichnet. Die Maximale Dichte einer Gruppe berechnet sich aus dem Inversen des kleinsten, sphärischen Raumvolumens, dass mindestens zwei paramagnetische Referenzzentren (NV2) innerhalb der Gruppe einnehmen. Multipliziert mit der Anzahl der paramagnetischen Referenzzentren (NV2) in diesem Raumvolumen. Die Gruppe wird durch das ellipsoide Volumen begrenzt, das zu einer Reduktion der Dichte auf 50% führt. Die Hauptachsen werden dabei so bestimmt, dass das Compensation radiation (KS). In this document, the reference symbol NVC2 denotes a single group, but also several groups as a whole. The maximum density of a group is calculated from the inverse of the smallest, spherical volume that at least two paramagnetic reference centers (NV2) occupy within the group. Multiplied by the number of paramagnetic reference centers (NV2) in this volume of space. The group is limited by the ellipsoidal volume, which leads to a reduction in density 50% leads. The main axes are determined so that the
Volumen minimal wird und trotzdem alle paramagnetischen Volume becomes minimal and still all paramagnetic
Referenzzentren (NV2) der Gruppe umfasst sind; Reference centers (NV2) of the group are included;
NV1 paramagnetisches Zentrum bzw. paramagnetische Zentren im Material des NV1 paramagnetic center or paramagnetic centers in the material of the
Sensorelements. Die paramagnetischen Zentren strahlen bei Sensor element. The paramagnetic centers radiate
Bestrahlung mit Pumpstrahlung (LB) der Pumpstrahlungsquelle (PLI) mit einer pumpstrahlungswellenlänge (lh) Fluoreszenzstrahlung (FL) ab. Diese Fluoreszenzstrahlung (FL) eines oder mehrerer parametrischer Zentren hängt dabei typischerweise von der magnetischen Flussdichte B am Ort des jeweiligen paramagnetischen Zentrums und weiteren physikalischen Parametern, wie beispielsweise Druck P, Beschleunigung a, Gravitationsfeldstärke Geschwindigkeit v, elektrischer Flussdichte D, Temperatur q, Intensität ionisierender Strahlung ab. Die Irradiation with pump radiation (LB) from the pump radiation source (PLI) with a pump radiation wavelength (lh) fluorescent radiation (FL). This fluorescence radiation (FL) from one or more parametric centers typically depends on the magnetic flux density B at the location of the respective paramagnetic center and other physical parameters, such as pressure P, acceleration a, gravitational field strength velocity v, electrical flux density D, temperature q, ionizing intensity Radiation. The
Kristallausrichtung des Materials des Sensorelements kann diese Abstrahlung typischerweise und die Abhängigkeit der Intensität (lf|) dieser Abstrahlung der Fluoreszenzstrahlung (FL) vom magnetischen Fluss B oder von den anderen physikalischen Parametern am Ort des oder der paramagnetischen Zentren beeinflussen. Bei dem bzw. den paramagnetischen Zentren handelt es sich bevorzugt um ein oder mehrere NV Zentren in einem oder mehreren Diamanten. Bei dem Material handelt es sich bevorzugt um Diamant. Bei dem The crystal alignment of the material of the sensor element can typically influence this emission and the dependence of the intensity (l f | ) of this emission of the fluorescence radiation (FL) on the magnetic flux B or on the other physical parameters at the location of the paramagnetic center or centers. The paramagnetic center or centers are preferably one or more NV centers in one or more diamonds. The material is preferably diamond. In which
Sensorelement handelt es sich bevorzugt um einen oder mehrere Diamant-Kristalle, noch mehr bevorzugt um einen oder mehrere Diamant-Nanokristalle mit bevorzugt einer sehr hohen Dicht an NV- Zentren. Bevorzugt liegen die paramagnetischen Zentren im The sensor element is preferably one or more diamond crystals, even more preferably one or more diamond nanocrystals with preferably a very high density of NV centers. The paramagnetic centers are preferably located in
Sensorelement zumindest lokal in sehr großer Dichte vor, so dass sie miteinander koppeln können und kollektive Effekte erzeugen können, die die Abhängigkeit der Intensität (lfl) der Fluoreszenzstrahlung (FL) der paramagnetischen Zentren von der magnetischen Flussdichte B bzw. den anderen physikalischen Parametern noch erhöhen. Bevorzugt liegen die paramagnetischen Zentren in zumindest lokal hoher Dichte in dem Kristall, beispielsweise in einem HD-NV-Diamanten als NV-Zentren, vor. Die Verwendung anderer Zentren als NV-Zentren als Sensor element at least locally in a very high density, so that they can couple with each other and generate collective effects that make the intensity (l fl ) of the fluorescent radiation (FL) of the paramagnetic centers dependent on the magnetic flux density B or the other physical parameters increase. The paramagnetic centers are preferably located in at least a locally high density the crystal, for example in an HD-NV diamond as NV centers. The use of centers other than NV centers as
paramagnetische Referenzzentren, z.B. der TRl-Zentren, SiV-Zentren, des GeV-Zentren etc. ist denkbar. Auf das Buch von A.M. Zaitsev „Optical Properties of Diamond, A Data Handbook", Springer 2001 ISBN 978-3-662-04548-0 wird hier verwiesen. Auch ist die Verwendung anderer Materialien wie Silizium (Si) oder Siliziumcarbid (SiC) denkbar. Geeignete Zentren in Silizium sind die sogenannten G-Zentren. Paramagnetic reference centers, e.g. the TRI centers, SiV centers, the GeV centers, etc. are conceivable. On the book by A.M. Reference is made here to Zaitsev "Optical Properties of Diamond, A Data Handbook", Springer 2001 ISBN 978-3-662-04548-0. The use of other materials such as silicon (Si) or silicon carbide (SiC) is also conceivable. Suitable centers in silicon are the so-called G centers.
Geeignete Zentren in SiC sind sogenannte V-Zentren. Die Suitable centers in SiC are so-called V centers. The
Pumpstrahlungswellenlänge (lrGTΐr) für G-Zentren in Silizium und V- Zentren in SiC liegt typischerweise im infraroten Bereich, da Silizium und SiC nur dort transparent sind. Für diese konkreten Beispiele ist die grüne Pumpstrahlung also in Wirklichkeit infrarot. Eine Auslesung der G-Zentren bzw. der V-Zentren erfolgt entweder mittels der Pump radiation wavelength (l rGTΐr ) for G centers in silicon and V centers in SiC is typically in the infrared range, since silicon and SiC are only transparent there. For these specific examples, the green pump radiation is actually infrared. The G centers or the V centers are either read out using the
Fluoreszenzstrahlung (FL) der G-Zentren oder V-Zentren, wobei die Fluoreszenzwellenlänge (l^) der G-Zentren in Silizium bzw. der V- Zentren in SiC jeweils im Infraroten liegt. Eine andere Möglichkeit der Auslesung der G-Zentren bzw. V-Zentren ist eine elektronische Fluorescence radiation (FL) of the G centers or V centers, the fluorescence wavelength (l ^) of the G centers in silicon or the V centers in SiC being in the infrared. Another option for reading out the G centers or V centers is electronic
Auslesung wie in dieser Schrift beispielhaft mit Hilfe der Figuren 77 und 79 und 83 dargestellt; Readout as shown by way of example in this document with the aid of FIGS. 77 and 79 and 83;
NV2 paramagnetisches Referenzzentrum im Material des NV2 paramagnetic reference center in the material of the
Referenzsensorelements. Die paramagnetischen Referenzzentren (NV2) strahlen bei Bestrahlung mit Kompensationsstrahlung (KS) der Reference sensor element. The paramagnetic reference centers (NV2) radiate when irradiated with compensation radiation (KS)
Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) Compensation radiation source (PLK)
Kompensationsfluoreszenzstrahlung (KFL) mit einer Compensation fluorescence radiation (KFL) with a
Kompensationsfluoreszenzstrahlungswellenlänge (l^) ab. Diese Kompensationsfluoreszenzstrahlung (KFL) eines parametrischen Referenzzentrums (NV2) hängt dabei typischerweise von der magnetischen Flussdichte B am Ort des jeweiligen paramagnetischen Referenzzentrums und weiteren physikalischen Parametern, wie beispielsweise Druck P, Beschleunigung a, Gravitationsfeldstärke Geschwindigkeit v, elektrischer Flussdichte D, Temperatur q, Intensität ionisierender Strahlung ab. Daher werden die paramagnetischen Referenzzentren bevorzugt an einem Ort definierter magnetischer Flussdichte B bzw. an einem Ort definierter Werte der weiteren physikalischen Parametern, wie beispielsweise Druck P, Beschleunigung a, Gravitationsfeldstärke Geschwindigkeit v, elektrischer Flussdichte D, Temperatur q, Intensität ionisierender Strahlung platziert oder mit einer Abschirmung (AS) versehen. Beispielsweise kann sich dieser Ort im Innern eines röhrenförmigen Leiters, beispielsweise eines Kuper oder Metallrohrs, befinden, wobei der elektrische Strom, der diesen Leiter durchfließt mit Hilfe des Sensorelements mit dem oder den paramagnetischen Zentren (NV1) erfasst werden soll. In dem Fall erzeugt das Referenzelement mit Hilfe der paramagnetischen Compensation fluorescence radiation wavelength (l ^). This compensation fluorescence radiation (KFL) of a parametric reference center (NV2) typically depends on the magnetic flux density B at the location of the respective paramagnetic reference center and other physical parameters such as pressure P, acceleration a, gravitational field strength Velocity v, electrical flux density D, temperature q, intensity of ionizing radiation. Therefore, the paramagnetic reference centers are preferably placed at a location of defined magnetic flux density B or at a location of defined values of the other physical parameters, such as pressure P, acceleration a, gravitational field strength velocity v, electrical flux density D, temperature q, intensity of ionizing radiation or with a shield (AS). For example, this location can be inside a tubular conductor, for example a copper or metal pipe, where the electrical current flowing through this conductor is to be detected with the aid of the sensor element with the paramagnetic center or centers (NV1). In that case, the reference element is generated using the paramagnetic
Referenzzentren eine Kompensationsreferenzstrahlung (KFL), die beispielsweise den Wert des das Sensorelement und das Reference centers a compensation reference radiation (KFL), which, for example, the value of the sensor element and the
Referenzelement gemeinsam durchströmenden magnetischen Reference element flowing through together magnetic
Flussdichteanteils der magnetischen Flussdichte B wiedergibt. Die Kristallausrichtung des Materials des Referenzsensorelements kann diese Abstrahlung typischerweise und die Abhängigkeit dieser Flux density portion of the magnetic flux density B reproduces. The crystal alignment of the material of the reference sensor element can typically cause this radiation and the dependence of it
Abstrahlung der Kompensationsfluoreszenzstrahlung (KFL) vom magnetischen Fluss B und von den weiteren physikalischen Parametern, wie beispielsweise Druck P, Beschleunigung a, Gravitationsfeldstärke Geschwindigkeit v, elektrischer Flussdichte D, Temperatur q, Intensität ionisierender Strahlung, am Ort des paramagnetischen Radiation of the compensation fluorescence radiation (KFL) from the magnetic flux B and from the other physical parameters, such as pressure P, acceleration a, gravitational field strength velocity v, electrical flux density D, temperature q, intensity of ionizing radiation, at the location of the paramagnetic
Referenzzentrums beeinflussen. Bei dem paramagnetischen Influence the reference center. With the paramagnetic
Referenzzentrum handelt es sich bevorzugt um ein NV Zentrum. Bei dem Material handelt es sich bevorzugt um Diamant. Bei dem The reference center is preferably an NV center. The material is preferably diamond. In which
Referenzsensorelement handelt es sich bevorzugt um einen Diamant- Kristall, noch mehr bevorzugt um einen oder mehrere Diamant- Nanokristalle. Bevorzugt weist das Referenzsensorelement mehr als ein paramagnetisches Referenzzentrum auf. Bevorzugt ist der Typ der paramagnetisch en Referenzzentren gleich dem Typ der paramagnetischen Zentren (NV2). Beispielsweise sind die The reference sensor element is preferably a diamond crystal, even more preferably one or more diamond nanocrystals. The reference sensor element preferably has more than one paramagnetic reference center. The type of paramagnetic reference centers is preferably the same as the type of paramagnetic centers (NV2). For example, the
paramagnetischen Referenzzentren bevorzugt NV-Zentren in Diamant, wenn die paramagnetischen Zentren (NV1) NV-Zentren sind. In dem Fall der Gleichheit der Zentren-Typen ist die paramagnetic reference centers prefer NV centers in diamond when the paramagnetic centers (NV1) are NV centers. In the case of equality of the types of centers, this is
Kompensationsstrahlungswellenlänge (l|<5) der Kompensationsstrahlung (KS) bevorzugt gleich der Pumpstrahlungswellenlänge (lrGhr) der Pumpstrahlung (LB). Die Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (lh) der Fluoreszenzstrahlung (FL) der paramagnetischen Zentren (NV1) - z.B. 637nm bei NV-Zentren - ist dann gleich der Compensation radiation wavelength (l | <5 ) of the compensation radiation (KS) preferably equal to the pump radiation wavelength (l rGhr ) of the pump radiation (LB). The fluorescence radiation wavelength (l h ) of the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic centers (NV1) - eg 637nm for NV centers - is then equal to
Kompensationsfluoreszenzwellenlänge (lM|) der Compensation fluorescence wavelength (l M | ) der
Kompensationsfluoreszenzstrahlung (KFL) der paramagnetischen Referenzzentren. Bevorzugt umfasst das Referenzsensorelement Nanokristalle mit bevorzugt einer sehr hohen Dichte an NV-Zentren. Bevorzugt liegen die paramagnetischen Zentren im Compensation fluorescence radiation (KFL) of the paramagnetic reference centers. The reference sensor element preferably comprises nanocrystals with preferably a very high density of NV centers. The paramagnetic centers are preferably located in
Referenzsensorelement zumindest lokal in sehr großer Dichte vor, so dass sie miteinander koppeln können und kollektive Effekte erzeugen können, die die Abhängigkeit der Intensität (lkf|) der Reference sensor element, at least locally, in a very high density, so that they can couple with one another and can generate collective effects that the dependence of the intensity (l kf | ) of
Kompensationsfluoreszenzstrahlung (KFL) der paramagnetischen Referenzzentren von der magnetischen Flussdichte B und ggf. weiteren physikalischen Parametern, wie beispielsweise Druck P, Beschleunigung a, Gravitationsfeldstärke Geschwindigkeit v, elektrischer Flussdichte D, Temperatur q, Intensität ionisierender Strahlung, noch erhöhen. Compensation fluorescence radiation (KFL) of the paramagnetic reference centers from the magnetic flux density B and possibly other physical parameters, such as pressure P, acceleration a, gravitational field strength velocity v, electrical flux density D, temperature q, intensity of ionizing radiation, still increase.
Bevorzugt liegen die paramagnetischen Referenzzentren in zumindest lokal hoher Dichte in dem jeweiligen Kristall, beispielsweise als NV- Zentren in einem HD-NV-Diamanten, vor Die Verwendung anderer Zentren als NV-Zentren als paramagnetische Referenzzentren, z.B. der TRl-Zentren, SiV-Zentren, des GeV-Zentren etc. ist denkbar. Auf das Buch von A.M. Zaitsev„Optical Properties of Diamond, A Data The paramagnetic reference centers are preferably in at least locally high density in the respective crystal, for example as NV centers in an HD-NV diamond. The use of centers other than NV centers as paramagnetic reference centers, for example the TR1 centers, SiV centers , the GeV centers etc. is conceivable. On the book by A.M. Zaitsev "Optical Properties of Diamond, A Data
Handbook", Springer 2001 ISBN 978-3-662-04548-0 wird hier verwiesen. Auch ist die Verwendung anderer Materialien wie Silizium (Si) oder Siliziumcarbid (SiC) denkbar. Geeignete Zentren in Silizium sind die sogenannten G-Zentren. Geeignete Zentren in SiC sind sogenannte V-Zentren. Die Pumpstrahlungswellenlänge (lrGhr) für G-Zentren in Silizium und V-Zentren in SiC liegt typischerweise im infraroten Bereich, da Silizium und SiC nur dort transparent sind. Für diese konkreten Beispiele ist die grüne Pumpstrahlung also in Wirklichkeit infrarot. Eine Auslesung der G-Zentren bzw. der V-Zentren erfolgt entweder mittels der Fluoreszenzstrahlung (FL) der G-Zentren oder V-Zentren, wobei die Fluoreszenzwellenlänge (lh) der G-Zentren in Silizium bzw. der V- Zentren in SiC jeweils im Infraroten liegt. Eine andere Möglichkeit der Auslesung der G-Zentren bzw. V-Zentren ist eine elektronische Handbook ", Springer 2001 ISBN 978-3-662-04548-0 is referred to here. The use of other materials such as silicon (Si) or silicon carbide (SiC) is also conceivable. Suitable centers in silicon are the so-called G centers. Suitable centers in SiC are so-called V centers. The pump radiation wavelength (l rGhr ) for G centers in silicon and V centers in SiC is typically in the infrared range, since silicon and SiC are only transparent there. For these specific examples, the green pump radiation is actually infrared. The G centers or the V centers are read out either by means of the fluorescence radiation (FL) from the G centers or V centers, the fluorescence wavelength (lh) of the G centers in silicon or the V centers in SiC in each case lies in the infrared. Another option for reading out the G centers or V centers is electronic
Auslesung wie in dieser Schrift beispielhaft mit Hilfe der Figuren 77 und 79 und 83 dargestellt; Readout as shown by way of example in this document with the aid of FIGS. 77 and 79 and 83;
O Messobjekt; O measurement object;
OF1 erste Anpassschaltung; OF1 first matching circuit;
OF2 zweite Anpassschaltung; OF2 second matching circuit;
OF3 dritte Anpassschaltung; OF3 third matching circuit;
OF3' weitere dritte Anpassschaltung; OF3 'another third matching circuit;
OF4 vierte Anpassschaltung; OF4 fourth matching circuit;
OFL1 erste Oberfläche des Sensorelements, die bevorzugt planparallel zu einer gegenüberliegenden zweiten Oberfläche (OFL2) des Sensorelements ist. OFL1 first surface of the sensor element, which is preferably plane-parallel to an opposite second surface (OFL2) of the sensor element.
OFL2 zweite Oberfläche des Sensorelements, die bevorzugt planparallel zu einer gegenüberliegenden ersten Oberfläche (OFL1) des Sensorelements ist. out Sensorausgangssignal; out1 zusätzliches Sensorausgangssignal; out" zweites Sensorausgangssignal; OFL2 second surface of the sensor element, which is preferably plane-parallel to an opposite first surface (OFL1) of the sensor element. out sensor output signal; out 1 additional sensor output signal; out "second sensor output signal;
P in Figur 51 dieser Schrift: positiver Verzeigungspfad bei Bejahung der P in Figure 51 of this document: positive branching path if the
Fragestellung; PD1 Strahlungsempfänger. Der Strahlungsempfänger ist für die Question; PD1 radiation receiver. The radiation receiver is for the
Fluoreszenzstrahlung (FL) der paramagnetischen Zentren (NV1) im Material des Sensorelements empfindlich. Bevorzugt handelt es sich dabei um die Fluoreszenzstrahlung (FL) eines oder mehrerer NV- Zentren, wobei das Sensorelement bevorzugt ein oder mehrere Nano- Diamant mit Diamant als Material umfasst. Bevorzugt ist der Empfänger ein Teil der integrierten Schaltung (IC). Bevorzugt handelt es sich um eine Fotodiode. Es kann sich beispielsweise um eine Fotodiode oder eine APD (avalanche photo diode) oder eine SPAD (single photo avalanche diode) und/oder einem anderen fotoempfindlichen Detektor handeln, die eine Bestrahlungsintensität mit elektromagnetischer Strahlung im Wellenlängenbereich der Fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic centers (NV1) in the material of the sensor element is sensitive. This is preferably the fluorescence radiation (FL) from one or more NV centers, the sensor element preferably comprising one or more nano-diamond with diamond as the material. The receiver is preferably part of the integrated circuit (IC). It is preferably a photodiode. It can be, for example, a photodiode or an APD (avalanche photo diode) or a SPAD (single photo avalanche diode) and / or another photosensitive detector which has an irradiation intensity with electromagnetic radiation in the wavelength range of
Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (lh) der Fluoreszenzstrahlung (FL) der paramagnetischen Zentren (NV1) in elektrische Signale und zwar Strom- oder/und Spannungssignale transformiert. Besondere Vorzüge ergeben sich, wenn man die paramagnetischen Zentren (NV1) und damit die Sensorelemente selbst als Strahlungsempfänger (PD) verwendet, indem die Fotoelektronen der paramagnetischen Zentren (NV1) des Materials des Sensorelements abgesaugt und detektiert werden. In diesem Fall wird der separate Strahlungsempfänger (PD)durch das Sensorelement ersetzt. Die Ansprüche sind in jedem Fall so zu verstehen, dass die gleichzeitige Verwendung des Sensorelements als Strahlungsempfänger (PD) von den Ansprüchen mit umfasst ist. Dies gilt insbesondere auch dann, wenn das Absaugen der Ladungsträger die Emission der Fluoreszenzstrahlung (FL) verhindert, dies also nur virtuell ist. Als alternative Detektionsverfahren können neben der Erfassung der Intensität (lf|) der Fluoreszenzstrahlung (FL) auch durch den Photoeffekt erzeugte Elektronen im Sensorelement direkt detektiert und ausgewertet werden; Fluorescence radiation wavelength (lh) of the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic centers (NV1) transformed into electrical signals, namely current or / and voltage signals. Particular advantages result if the paramagnetic centers (NV1) and thus the sensor elements themselves are used as radiation receivers (PD) in that the photoelectrons of the paramagnetic centers (NV1) of the material of the sensor element are sucked out and detected. In this case, the separate radiation receiver (PD) is replaced by the sensor element. The claims are to be understood in each case in such a way that the simultaneous use of the sensor element as a radiation receiver (PD) is also covered by the claims. This also applies in particular when the suction of the charge carriers prevents the emission of fluorescent radiation (FL), i.e. this is only virtual. As an alternative detection method, in addition to recording the intensity (l f | ) of the fluorescence radiation (FL), electrons generated in the sensor element by the photo effect can also be detected and evaluated directly;
PLI Pumpstrahlungsquelle. Die Pumpstrahlungsquelle kann auch eine PLI pump radiation source. The pump radiation source can also be a
Laserdiode oder eine andere geeignete Lichtquelle sein. Die Be a laser diode or another suitable light source. The
Pumpstrahlungsquelle strahlt Pumpstrahlung (LB) aus, die die paramagnetischen Zentren (NV1) im Material des Sensorelements zur Abstrahlung von Fluoreszenzstrahlung (FL) anregt. Beispielsweise kann es sich bei dieser Pumpstrahlungsquelle (PLI) in Form des ersten Lasers um eine erste Laser-Diode der Fa. Osram vom Typ PLT5 520B mit 520nm zur Verwendung mit NV-Zentren als paramagnetische Zentren (NV1) handeln, die im Fachhandel erhältlich ist. Bevorzugt werden jedoch zirkular polarisierte Pumpstrahlungsquellen verwendet. Pump radiation source emits pump radiation (LB), which the paramagnetic centers (NV1) in the material of the sensor element to emit fluorescent radiation (FL) stimulates. For example, this pump radiation source (PLI) in the form of the first laser can be a first laser diode from Osram of the PLT5 520B type with 520 nm for use with NV centers as paramagnetic centers (NV1), which is available from specialist retailers . However, circularly polarized pump radiation sources are preferably used.
Bevorzugt wird die Pumpstrahlungsquelle (PLI) so gegenüber der Materialoberfläche des Sensorelements, beispielsweise der Oberfläche eines HD-NV-Diamanten, angeordnet, dass ein Maximum der The pump radiation source (PLI) is preferably arranged opposite the material surface of the sensor element, for example the surface of an HD-NV diamond, that a maximum of
Pumpstrahlungsleistung in das Material des Sensorelements eintritt Typischerweise bedeutet dies eine bevorzugt senkrechte Anordnung der Sensorelementoberfläche, beispielsweise der Oberfläche eines HD- NV-Diamanten, gegenüber dem Strahl der Pumpstrahlung (LB) der Pumpstrahlungsquelle. Besondere Vorzüge ergeben sich, wenn man die Anregung des oder der paramagnetischen Zentren (NV1) mittels eines elektrischen Stromes durch das Sensorelement erreicht. In diesem Zusammenhang sei beispielsweise auf die DE 4 322 830 Al Pump radiation power enters the material of the sensor element Typically, this means a preferably vertical arrangement of the sensor element surface, for example the surface of an HD-NV diamond, opposite the pump radiation beam (LB) from the pump radiation source. Particular advantages result if the excitation of the paramagnetic center or centers (NV1) is achieved by means of an electric current through the sensor element. In this connection, reference is made, for example, to DE 4 322 830 A1
hingewiesen, die eine solche Anregung beschreibt. In diesem Fall wird auf die Pumpstrahlungsquelle (PLI) durch das Sensorelement selbst ersetzt. Die Ansprüche sind in jedem Fall so zu verstehen, dass die gleichzeitige Verwendung des Sensorelements als Strahlungsquelle (PLI) von den Ansprüchen mit umfasst ist. Dies gilt insbesondere auch dann, wenn keine Pumpstrahlung (LB) auftritt, diese also nur virtuell ist. Die Pumpstrahlung (LB) der Pumpstrahlungsquelle dient zur Anregung magnetischer oder elektrischer sensitiver paramagnetischer Zentren (NV1), vorzugsweise von NV Zentren in Diamant. Die pointed out that describes such a suggestion. In this case, the pump radiation source (PLI) is replaced by the sensor element itself. The claims are to be understood in any case in such a way that the simultaneous use of the sensor element as a radiation source (PLI) is also covered by the claims. This also applies in particular when no pump radiation (LB) occurs, that is to say it is only virtual. The pump radiation (LB) from the pump radiation source is used to excite magnetic or electrically sensitive paramagnetic centers (NV1), preferably NV centers in diamond. The
Pumpstrahlungswellenlänge (lrGTΐr) der Pumpstrahlungsquelle (PLI) ist vorzugsweise so gewählt, dass das oder die paramagnetischen Zentren (NV1) eine fotostabile optimale Fluoreszenzstrahlung (FL) erzeugen, um beispielweise die mechanischen Schwingungen des mechanisch schwingenden Systems (MS) zu detektieren. Die Pumpstrahlungswellenlänge (lrGTΐr) liegt für eine optimale Anregung von NV-Zentren in Diamant bevorzugt in einem Wellenlängenbereich von 500-600 nm. Vorzugsweise wird als Pumpstrahlungsquelle eine Laserdiode mit einer Wellenlänge von 550 nm oder 520nm genutzt. The pump radiation wavelength (l rGTΐr ) of the pump radiation source (PLI) is preferably selected so that the paramagnetic center or centers (NV1) generate a photostable optimal fluorescence radiation (FL), for example to detect the mechanical oscillations of the mechanically oscillating system (MS). The Pump radiation wavelength (l rGTΐr ) is preferably in a wavelength range of 500-600 nm for optimal excitation of NV centers in diamond. A laser diode with a wavelength of 550 nm or 520 nm is preferably used as the pump radiation source.
PLK Kompensationsstrahlungsquelle. Die Kompensationsstrahlungsquelle kann auch eine Laserdiode oder eine andere geeignete Lichtquelle sein. Bevorzugt ist die Kompensationsstrahlungsquelle in der gleichen Weise konstruiert wie die Pumpstrahlungsquelle (PLI). Beispielsweise kann es sich bei dieser Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) in Form des zweiten Lasers um eine zweite Laser-Diode der Fa. Osram vom Typ PLT5 520B handeln, die im Fachhandel erhältlich ist.; PLK compensation radiation source. The compensation radiation source can also be a laser diode or another suitable light source. The compensation radiation source is preferably constructed in the same way as the pump radiation source (PLI). For example, this compensation radiation source (PLK) in the form of the second laser can be a second laser diode from Osram of the PLT5 520B type, which is available from specialist dealers.
PU beispielhafter Tonabnehmer der beispielhaften E-Gitarre (GT) mit PU exemplary pickup of the exemplary electric guitar (GT) with
beispielhaft sichtbaren Diamanten als beispielhafte Quantensensor- Sensorelemente, wobei die beispielhaft gewählten Diamanten bevorzugt einen der in dieser Schrift aufgeführten Schliffe haben und als Schmuckdiamanten ausgeführt sind und wobei die Diamanten bevorzugt eine rote Farbe ausweisen und wobei die Diamanten bevorzugt paramagnetische Zentren (NV1) und zwar bevorzugt NV- Zentren als paramagnetische Zentren (NV1) aufweisen und wobei die Diamanten während des Musikinstrumentenbetriebs bevorzugt mit grüner Pumpstrahlung (LB) bestrahlt werden und wobei bevorzugt die rote Fluoreszenzstrahlung (FL) der beispielhaften NV-Zentren während dieses Betriebs für einen menschlichen Betrachter mit normaler Sehfähigkeit sichtbar ist und wobei eine Ansteuer- und Exemplary visible diamonds as exemplary quantum sensor sensor elements, the diamonds selected by way of example preferably have one of the cuts listed in this document and are designed as jewelry diamonds and the diamonds preferably have a red color and the diamonds preferably paramagnetic centers (NV1), specifically preferred NV centers as paramagnetic centers (NV1) and where the diamonds are preferably irradiated with green pump radiation (LB) during musical instrument operation and where preferably the red fluorescent radiation (FL) of the exemplary NV centers during this operation for a human observer with normal vision is visible and with a control and
Auswerteschaltung (LIV) Schwingungen von Vorrichtungsteilen des Musikinstruments in insbesondere elektrische Signale umsetzt, die weiterverarbeitet werden.; Evaluation circuit (LIV) converts vibrations from device parts of the musical instrument into electrical signals in particular, which are further processed.
PWM Pulsweitenmodulation; PWM pulse width modulation;
PZ Zentrum, das als Pumpstrahlungsquelle (PLI) dient. Beispielsweise kann es sich um H3-Zentrum in einem Diamanten als Sensorelement handeln, das grüne Pumpstrahlung (LB) bei einem Stromfluss in dem Diamanten emittiert. Dies grüne Pumpstrahlung des beispielhaften H3-Zentrums kann dann dazu benutzt werden ein paramagnetisches Zentrum (NV1), beispielsweise ein NV-Zentrum in dem beispielhaften Diamanten, zur Emission von Fluoreszenzstrahlung (FL) anzuregen. PZ center that serves as a pump radiation source (PLI). For example, it can be an H3 center in a diamond as a sensor element, that emits green pump radiation (LB) when a current flows in the diamond. This green pump radiation from the exemplary H3 center can then be used to excite a paramagnetic center (NV1), for example an NV center in the exemplary diamond, to emit fluorescence radiation (FL).
PZC Gruppe (Cluster) von Zentren (PZ), die als Pumpstrahlungsquelle (PLI) dienen. Eine solche Gruppe umfasst mindesten Zentrum (PZ). Bevorzugt umfasst eine solche Gruppe jedoch eine Mehrzahl solcher Zentren (PZ). Bevorzugt ist die Dichte der Zentren (PZ) innerhalb der Gruppe höher als lOppm, besser höher als 20ppm bezogen auf die Anzahl der Atome im Raumvolumen der Gruppe. Die Dichte der Zentren (PZ) innerhalb dieser Gruppe ist bevorzugt so hoch, dass die Zentren (PZ) innerhalb der Gruppe miteinander koppeln und ggf. bevorzugt gemischte Zustände ausbilden. Ganz besonders bevorzugt ist die Dichte der Zentren (PZ) innerhalb einer solchen Gruppe so hoch, dass die Zentren (PZ) kollektives Verhalten zeigen. Bevorzugt ist die Dicke (dPZC) der Gruppe (PZC) dieser Zentren (PZ) in der Größenordnung weniger Pumpstrahlungswellenlängen (lrGhr) der Pumpstrahlung (LB). Mit dem Bezugszeichen PZ werden in dieser Schrift eine einzelne Gruppe aber auch mehrere Gruppen als Gesamtheit bezeichnet. Die Maximale Dichte einer Gruppe berechnet sich aus dem Inversen deskleinsten sphärischen Raumvolumen, dass mindestens zwei dieser Zentren (PZ) innerhalb der Gruppe einnehmen. Multipliziert mit der Anzahl der Zentren (PZ) in diesem Raumvolumen. Die Gruppe wird durch das ellipsoide Volumen begrenzt, das zu einer Reduktion der Dichte auf 50% führt. Die Hauptachsen werden dabei so bestimmt, dass das Volumen minimal wird und trotzdem alle Zentren (PZ) der Gruppe umfasst sind; PZC Group (cluster) of centers (PZ) that serve as pump radiation sources (PLI). Such a group includes at least the center (PZ). However, such a group preferably comprises a plurality of such centers (PZ). The density of the centers (PZ) within the group is preferably higher than 10 ppm, better higher than 20 ppm, based on the number of atoms in the volume of the group. The density of the centers (PZ) within this group is preferably so high that the centers (PZ) within the group couple with one another and, if necessary, preferably develop mixed states. Very particularly preferably the density of the centers (PZ) within such a group is so high that the centers (PZ) show collective behavior. The thickness (d PZC ) of the group (PZC) of these centers (PZ) is preferably in the order of magnitude of a few pump radiation wavelengths (1 rGhr ) of the pump radiation (LB). In this document, the reference symbol PZ denotes a single group but also several groups as a whole. The maximum density of a group is calculated from the inverse of the smallest spherical volume that at least two of these centers (PZ) occupy within the group. Multiplied by the number of centers (PZ) in this volume of space. The group is limited by the ellipsoidal volume, which leads to a reduction in density to 50%. The main axes are determined in such a way that the volume is minimal and nevertheless all centers (PZ) of the group are included;
Ql erster Schwingquarz; Ql first quartz crystal;
Q2 zweiter Schwingquarz; QUALU1 erste QuantenALU. Eine beispielhafte erste QuantenALU besteht in dieser Schrift aus einem ersten Quantenpunkt (NV11) und mindestens einem ersten Kernquantenpunkt (Clli). Die beispielhafte erste QuantenALU der Figur 81 besteht aus einem ersten Quantenpunkt (NV1) und einem ersten Kernquantenpunkt (Clli) der ersten QuantenALU und einem zweiten Kernquantenpunkt (CI 12) der ersten QuantenALU und einem dritten Kernquantenpunkt (Cll3) der ersten QuantenALU (Figur 81); Q2 second quartz crystal; QUALU1 first quantum ALU. An exemplary first quantum ALU in this document consists of a first quantum dot (NV11) and at least one first nuclear quantum dot (Clli). The exemplary first quantum ALU of Figure 81 consists of a first quantum dot (NV1) and a first nuclear quantum dot (Clli) of the first quantum ALU and a second nuclear quantum dot (CI 1 2 ) of the first quantum ALU and a third nuclear quantum dot (Cll 3 ) of the first quantum ALU (FIG 81);
QUALU2' zweite QuantenALU. Eine beispielhafte zweite QuantenALU besteht in dieser Schrift aus einem zweiten Quantenpunkt (NV12) und mindestens einem zweiten Kernquantenpunkt (C^). Die beispielhafte zweite QuantenALU der Figur 81 Die beispielhafte zweite QuantenALU besteht aus einem zweiten Quantenpunkt (NV12) und einem ersten QUALU2 'second quantum ALU. An exemplary second quantum ALU in this document consists of a second quantum dot (NV12) and at least one second nuclear quantum dot (C ^). The exemplary second quantum ALU of FIG. 81 The exemplary second quantum ALU consists of a second quantum dot (NV12) and a first
Kernquantenpunkt (CI2i) der zweiten QuantenALU und einem zweiten Kernquantenpunkt (CI22) der zweiten QuantenALU und einem dritten Kernquantenpunkt (CI23) der zweiten QuantenALU (Figur 81); Nuclear quantum dot (CI2i) of the second quantum ALU and a second nuclear quantum dot (CI2 2 ) of the second quantum ALU and a third nuclear quantum dot (CI2 3 ) of the second quantum ALU (FIG. 81);
QUB Quantenbit; QUB quantum bit;
QUB11 erstes Quantenbit in der ersten vertikalen Spalte und der ersten QUB11 first quantum bit in the first vertical column and the first
horizontalen Zeile eines Quantenregisters; horizontal line of a quantum register;
QUB12 zweites Quantenbit in der ersten vertikalen Spalte und der zweiten QUB12 second quantum bit in the first vertical column and the second
horizontalen Zeile eines Quantenregisters; horizontal line of a quantum register;
QUB13 drittes Quantenbit in der ersten vertikalen Spalte und der dritten QUB13 third quantum bit in the first vertical column and the third
horizontalen Zeile eines Quantenregisters; r Abstand zwischen einer Leitung (LH, LV, LTG) und dem paramagnetischen horizontal line of a quantum register; r Distance between a line (LH, LV, LTG) and the paramagnetic one
Zentrum (NV1) oder den paramagnetischen Zentren (NV1) oder der Gruppe oder den Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1); Center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) or the group or groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1);
RE Reflektor; RE reflector;
RG Regler. Der Regler hat bevorzugt eine Tiefpasscharakteristik, die eine obere RG controller. The regulator preferably has a low-pass characteristic, which is an upper one
Grenzfrequenz, die kleiner ist als die Grenzfrequenz des bevorzugt als Tiefpassfilter ausgeführten Schleifenfilters (TP), aufweist. Bevorzugt regelt der Regler (RG) den Strom durch die Kompensationsspule (LC) in der Art, dass sich am Ort des paramagnetischen Zentrums (NV1), das bevorzugt ein NV-Zentrum in Diamant ist, ein Arbeitspunkt durch eine entsprechende mittlere magnetische Flussdichte B am Ort des paramagnetischen Zentrums (NV1) einstellt, der sich im optimalen Arbeitsbereich (siehe Figur 27) befindet; sO momentaner Wert des Empfängerausgangssignals (SO); Cutoff frequency that is less than the cutoff frequency of the preferred than Low-pass filter executed loop filter (TP). The controller (RG) preferably regulates the current through the compensation coil (LC) in such a way that at the location of the paramagnetic center (NV1), which is preferably an NV center in diamond, there is an operating point through a corresponding average magnetic flux density B am Sets the location of the paramagnetic center (NV1) which is located in the optimal working range (see FIG. 27); sO current value of the receiver output signal (SO);
SO Empfängerausgangssignal; sl momentaner Wert des reduzierten Empfängerausgangssignals; SO receiver output signal; sl current value of the reduced receiver output signal;
S1 reduziertes Empfängerausgangssignal; s3 momentaner Wert des Filtereingangssignals (S3); S1 reduced receiver output signal; s3 current value of the filter input signal (S3);
S3 Filtereingangssignal; S3 filter input signal;
S31 zusätzliches Filtereingangssignal; s4 momentaner Wert des Filterausgangssignals (S4); S3 1 additional filter input signal; s4 current value of the filter output signal (S4);
54 Filterausgangssignal; 54 filter output signal;
S4' zusätzliches Filterausgangssignal; s5 momentaner Wert des Sendesignals (S5); S4 'additional filter output signal; s5 current value of the transmission signal (S5);
55 Sendesignal; s5c momentaner Wert des komplementären Wechselanteils (S5c) des 55 transmit signal; s5c current value of the complementary change component (S5c) of the
Sendesignals (S5); Transmission signal (S5);
S5c komplementärer Wechselanteil des Sendesignals (S5); s5c' momentaner Wert des komplementären Wechselanteils (S5c') des S5c complementary alternating component of the transmission signal (S5); s5c 'current value of the complementary change component (S5c') of the
orthogonalen Referenzsignals (S5'); S5c' komplementärer Wechselanteil des orthogonalen Referenzsignals (S5'); orthogonal reference signal (S5 '); S5c 'complementary alternating component of the orthogonal reference signal (S5');
S5g Gleichanteilswert des Sendesignals (S5); S5g DC component value of the transmission signal (S5);
S5g' Gleichanteilswert des orthogonalen Referenzsignals (S5'); s5w Wechselanteilswert des Sendesignals (S5). Die ist der momentane Wert des S5g 'DC component value of the orthogonal reference signal (S5'); s5w AC component value of the transmission signal (S5). This is the current value of the
Wechselanteils des Sendesignals (S5); s5w' Wechselanteilswert des orthogonalen Referenzsignals (S5'). Die ist der momentane Wert des Wechselanteils des orthogonalen Referenzsignals (S5'); AC component of the transmission signal (S5); s5w 'AC component value of the orthogonal reference signal (S5'). This is the current value of the alternating component of the orthogonal reference signal (S5 ');
S5w Wechselanteil des Sendesignals (S5); S5WA' Wert der Amplitude des Wechselanteils (S5w) des Sendesignals (S5); S5Wa'· Wert der Amplitude des Wechselanteils (S5w') des zusätzlichen S5w alternating component of the transmission signal (S5); S5W A 'value of the amplitude of the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5); S5W a '· Value of the amplitude of the alternating component (S5w') of the additional
Sendesignals (S5'); Transmission signal (S5 ');
S5WA Amplitude des Wechselanteils (S5w) des Sendesignals (S5); S5W A amplitude of the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5);
S51 orthogonales Referenzsignal auch als weiteres Sendesignal (S51) bezeichnet; s6 momentaner Wert des Rückkoppelsignals (S6); S5 1 orthogonal reference signal also referred to as a further transmission signal (S5 1 ); s6 current value of the feedback signal (S6);
S6 Rückkoppelsignal; S6 feedback signal;
S61 zusätzliches Rückkoppelsignal; s7 momentaner Wert des Kompensationssendesignals (S7); s7g momentaner Wert des konstanten Gleichanteils S6 1 additional feedback signal; s7 current value of the compensation transmission signal (S7); s7g instantaneous value of the constant direct component
Kompensationssendesignals (S7); s7w momentaner Wert des Wechselanteils des Kompensationssendesignals Compensation transmission signal (S7); s7w current value of the alternating component of the compensation transmission signal
(S7); s70 reeller Offsetwert, der auf den momentanen Wert (s6) des (S7); s7 0 real offset value based on the current value (s6) of the
Rückkoppelsignals (S6) durch die zweite Anpassschaltung (OF2) addiert wird; The feedback signal (S6) is added by the second matching circuit (OF2);
57 Kompensationssendesignal; S7c komplementärer Wechselanteil des Kompensationssendesignals (S7); 57 compensation transmission signal; S7c complementary alternating component of the compensation transmission signal (S7);
S7g konstanter Gleichanteil des Kompensationssendesignal s (S7); S7w Wechselanteil des Kompensationssendesignals (S7); s8 momentaner Wert des komplexen Rückkoppelsignals(S8); S7g constant direct component of the compensation transmission signal s (S7); S7w alternating component of the compensation transmission signal (S7); s8 current value of the complex feedback signal (S8);
58 komplexes Rückkoppelsignal; s9 momentaner Wert des Arbeitspunktregelsignals (S9); 58 complex feedback signal; s9 current value of the operating point control signal (S9);
59 Arbeitspunktregelsignal; slO momentaner Wert des Halteschaltungseingangssignals (SlO); 59 operating point control signal; slO current value of the hold circuit input signal (SlO);
S10 Halteschaltungseingangssignal; S10 hold circuit input signal;
SlO' zusätzliches Halteschaltungseingangssignal; Sil weiteres Arbeitspunktregelsignal; SlO 'additional hold circuit input signal; Sil further operating point control signal;
S&H Halteschaltung. Die Halteschaltung dient bevorzugt vor allem der S&H hold circuit. The hold circuit is preferably used above all
Unterdrückung der Chopper-Frequenz des Wechselanteils (S5w) des Sendesignals (S5). Sie ist für die grundsätzliche Funktionstüchtigkeit der hier dargestellten Sensorsysteme nicht unbedingt erforderlich, verbessert aber deren Signal zu Rauschverhältnis signifikant; Suppression of the chopper frequency of the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5). It is not absolutely necessary for the basic functionality of the sensor systems shown here, but improves their signal-to-noise ratio significantly;
S&H1 zusätzliche Halteschaltung. Die zusätzliche Halteschaltung dient bevorzugt vor allem der Unterdrückung der Chopper-Frequenz des Wechselanteils (S5w) des Sendesignals (S5). Sie ist für die grundsätzliche S&H 1 additional hold circuit. The additional hold circuit preferably serves primarily to suppress the chopper frequency of the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5). She is for the fundamental
Funktionstüchtigkeit der hier dargestellten Sensorsysteme nicht unbedingt erforderlich, verbessert aber deren Signal zu The sensor systems shown here are not functional absolutely necessary, but improves their signal too
Rauschverhältnis signifikant; Noise ratio significant;
SBR Stegbreite; SBR web width;
SdT Stand der Technik; SdT state of the art;
SH1 erste horizontale Abschirmleitung. Die erste horizontale Abschirmleitung ist bevorzugt auf der Oberfläche (OFL1) des Substrats (D) gefertigt und von dieser elektrisch isoliert und mit dieser mechanisch direkt verbunden. Ggf. stellen jedoch abweichend hiervon Kontakte, beispielsweise der erste horizontale Kontakt (KH11) des ersten Quantenbits (QUB11), an vorbestimmten Stellen eine elektrische Verbindung zum Substrat (D) her, um den Fotostrom extrahieren zu können. Bevorzugt wird die erste horizontale Abschirmleitung aus einem für Strahlung der SH1 first horizontal shielding line. The first horizontal shielding line is preferably manufactured on the surface (OFL1) of the substrate (D) and is electrically insulated from it and mechanically directly connected to it. However, if necessary, contacts, for example the first horizontal contact (KH11) of the first quantum bit (QUB11), establish an electrical connection to the substrate (D) at predetermined points in order to be able to extract the photocurrent. The first horizontal shielding line is preferably made of one for radiation
Pumpstrahlungswellenlänge (lrGTΐr) der Pumpstrahlung (LB) transparentem Material, beispielsweise ITO gefertigt. Bevorzugt ist die erste horizontale Abschrimleitung auf der Oberfläche (OFL1) des Substrats (D) gefertigt und mit dieser fest verbunden; Pump radiation wavelength (l rGTΐr ) of the pump radiation (LB) made of transparent material, for example ITO. The first horizontal shielding line is preferably produced on the surface (OFL1) of the substrate (D) and is firmly connected to it;
SH2 zweite horizontale Abschirmleitung. Die zweite horizontale Abschirmleitung ist bevorzugt auf der Oberfläche (OFL1) des Substrats (D) gefertigt und von dieser elektrisch isoliert und mit dieser mechanisch direkt verbunden. Ggf. stellen jedoch abweichend hiervon Kontakte, beispielsweise der erste horizontale Kontakt (KH22) des zweiten Quantenbits (QUB12), an vorbestimmten Stellen eine elektrische Verbindung zum Substrat (D) her, um den Fotostrom extrahieren zu können. Bevorzugt wird die zweite horizontale Abschirmleitung aus einem für Strahlung der Pumpstrahlungswellenlänge (lrigir) der Pumpstrahlung (LB) transparentem Material, beispielsweise ITO gefertigt. Bevorzugt ist die zweite horizontale Abschrimleitung auf der Oberfläche (OFL1) des Substrats (D) gefertigt und mit dieser fest verbunden; SH3 dritte horizontale Abschirmleitung. Die dritte horizontale Abschirmleitung ist bevorzugt auf der Oberfläche (OFL1) des Substrats (D) gefertigt und von dieser elektrisch isoliert und mit dieser mechanisch direkt verbunden. Ggf. stellen jedoch abweichend hiervon Kontakte, beispielsweise der erste horizontale Kontakt (KH33) des dritten Quantenbits (QUB13), an vorbestimmten Stellen eine elektrische Verbindung zum Substrat (D) her, um den Fotostrom extrahieren zu können. Bevorzugt wird die dritte horizontale Abschirmleitung aus einem für Strahlung der Pumpstrahlungswellenlänge (lrigir) der Pumpstrahlung (LB) transparentem Material, beispielsweise ITO gefertigt. Bevorzugt ist die dritte horizontale Abschrimleitung auf der Oberfläche (OFL1) des Substrats (D) gefertigt und mit dieser fest verbunden; SH2 second horizontal shielding cable. The second horizontal shielding line is preferably produced on the surface (OFL1) of the substrate (D) and is electrically insulated from it and mechanically directly connected to it. If necessary, however, contacts, for example the first horizontal contact (KH22) of the second quantum bit (QUB12), establish an electrical connection to the substrate (D) at predetermined points in order to be able to extract the photocurrent. The second horizontal shielding line is preferably made from a material that is transparent to radiation of the pump radiation wavelength (I rigir ) of the pump radiation (LB), for example ITO. The second horizontal shielding line is preferably produced on the surface (OFL1) of the substrate (D) and is firmly connected to it; SH3 third horizontal shielding line. The third horizontal shielding line is preferably produced on the surface (OFL1) of the substrate (D) and is electrically isolated from it and mechanically directly connected to it. However, if necessary, contacts, for example the first horizontal contact (KH33) of the third quantum bit (QUB13), establish an electrical connection to the substrate (D) at predetermined points in order to be able to extract the photocurrent. The third horizontal shielding line is preferably made from a material that is transparent to radiation of the pump radiation wavelength (I rigir ) of the pump radiation (LB), for example ITO. The third horizontal shielding line is preferably produced on the surface (OFL1) of the substrate (D) and is firmly connected to it;
SH4 vierte horizontale Abschirmleitung. Die vierte horizontale Abschirmleitung ist bevorzugt auf der Oberfläche (OFL1) des Substrats (D) gefertigt und von dieser elektrisch isoliert und mit dieser mechanisch direkt verbunden. Ggf. stellen jedoch abweichend hiervon Kontakte, beispielsweise der zweite horizontale Kontakt (KFI44) des dritten Quantenbits (QUB13), an vorbestimmten Stellen eine elektrische Verbindung zum Substrat (D) her, um den Fotostrom extrahieren zu können. Bevorzugt wird die vierte horizontale Abschirmleitung aus einem für Strahlung der Pumpstrahlungswellenlänge (lrigir) der Pumpstrahlung (LB) transparentem Material, beispielsweise ITO gefertigt. Bevorzugt ist die vierte horizontale Abschrimleitung auf der Oberfläche (OFL1) des Substrats (D) gefertigt und mit dieser fest verbunden; SH4 fourth horizontal shielding line. The fourth horizontal shielding line is preferably produced on the surface (OFL1) of the substrate (D) and is electrically isolated from it and mechanically directly connected to it. If necessary, however, contacts, for example the second horizontal contact (KFI44) of the third quantum bit (QUB13), establish an electrical connection to the substrate (D) at predetermined points in order to be able to extract the photocurrent. The fourth horizontal shielding line is preferably made from a material that is transparent to radiation of the pump radiation wavelength (I rigir ) of the pump radiation (LB), for example ITO. The fourth horizontal shielding line is preferably produced on the surface (OFL1) of the substrate (D) and is firmly connected to it;
STR Trigger-Signal. Der Signalgenerator (G) erzeugt bevorzugt am Ende einer STR trigger signal. The signal generator (G) preferably generates at the end of a
Sendesignalperiode des Sendesignals (S5) eine Signalisierung über dieses Trigger-Signal, dass die Flalteschaltungen (S&FI) veranlasst, das Ausgangssignal des jeweiligen Filters, beispielsweise des Schleifenfilters (TP), abzutasten und so den momentanen Abtastwert zu gewinnen. Die jeweilige Halteschaltung (S&H) gibt dann diesen Abtastwert als Transmission signal period of the transmission signal (S5) a signaling via this trigger signal that causes the folding circuits (S&FI) to sample the output signal of the respective filter, for example the loop filter (TP), and thus obtain the current sample value. The respective holding circuit (S&H) then outputs this sample value as a
Filterausgangssignal (S4) aus, bis die nächste Signalisierung über das Trigger-Signal erfolgt; Filter output signal (S4) off until the next signaling occurs via the trigger signal;
SV1 erste vertikale Abschirmleitung. Die erste vertikale Abschirmleitung ist bevorzugt auf der Oberfläche (OFL1) des Substrats (D) gefertigt und von dieser elektrisch isoliert und mit dieser mechanisch direkt verbunden. Ggf. stellen jedoch abweichend hiervon Kontakte, beispielsweise der erste vertikale Kontakt (KV11) des ersten Quantenbits (QUB11), an vorbestimmten Stellen eine elektrische Verbindung zum Substrat (D) her, um den Fotostrom extrahieren zu können. Bevorzugt wird die erste vertikale Abschirmleitung aus einem für Strahlung der SV1 first vertical shield cable. The first vertical shielding line is preferably produced on the surface (OFL1) of the substrate (D) and electrically insulated from it and mechanically directly connected to it. However, if necessary, contacts, for example the first vertical contact (KV11) of the first quantum bit (QUB11), establish an electrical connection to the substrate (D) at predetermined points in order to be able to extract the photocurrent. The first vertical shielding line is preferably made of one for radiation
Pumpstrahlungswellenlänge (lrigir) der Pumpstrahlung (LB) transparentem Material, beispielsweise ITO gefertigt. Bevorzugt ist die erste vertikale Abschrimleitung auf der Oberfläche (OFL1) des Substrats (D) gefertigt und mit dieser fest verbunden; Pump radiation wavelength (l rigir ) of the pump radiation (LB) made of transparent material, for example ITO. The first vertical shielding line is preferably produced on the surface (OFL1) of the substrate (D) and is firmly connected to it;
SV2 zweite vertikale Abschirmleitung. Die zweite vertikale Abschirmleitung ist bevorzugt auf der Oberfläche (OFL1) des Substrats (D) gefertigt und von dieser elektrisch isoliert und mit dieser mechanisch direkt verbunden. Ggf. stellen jedoch abweichend hiervon Kontakte, beispielsweise der zweite vertikale Kontakt (KV12) des ersten Quantenbits (QUB11), an vorbestimmten Stellen eine elektrische Verbindung zum Substrat (D) her, um den Fotostrom extrahieren zu können. Bevorzugt wird die erste vertikale Abschirmleitung aus einem für Strahlung der SV2 second vertical shielding cable. The second vertical shielding line is preferably manufactured on the surface (OFL1) of the substrate (D) and is electrically isolated from it and mechanically directly connected to it. If necessary, however, contacts, for example the second vertical contact (KV12) of the first quantum bit (QUB11), establish an electrical connection to the substrate (D) at predetermined points in order to be able to extract the photocurrent. The first vertical shielding line is preferably made of one for radiation
Pumpstrahlungswellenlänge (lrGTΐr) der Pumpstrahlung (LB) transparentem Material, beispielsweise ITO gefertigt. Bevorzugt ist die erste vertikale Abschrimleitung auf der Oberfläche (OFL1) des Substrats (D) gefertigt und mit dieser fest verbunden; Pump radiation wavelength (l rGTΐr ) of the pump radiation (LB) made of transparent material, for example ITO. The first vertical shielding line is preferably produced on the surface (OFL1) of the substrate (D) and is firmly connected to it;
Ausfallswinkel der Fluoreszenzstrahlung (FL); Angle of reflection of the fluorescence radiation (FL);
Q, Einfallswinkel der Pumpstrahlung (LB); t Zeit; Q, angle of incidence of the pump radiation (LB); t time;
Xi erste Zeitkonstante; Xi first time constant;
TI erste Zeiten zu denen das Sendesignal (S5) aktiv ist und die TI first times at which the transmission signal (S5) is active and the
Pumpstrahlungsquelle (PLI) Pumpstrahlung (LB) emittiert; x2 zweite Zeitkonstante; Pump radiation source (PLI) emits pump radiation (LB); x 2 second time constant;
T2 zweite Zeiten zu denen das Sendesignal (S5) nicht aktiv ist und die T2 second times at which the transmission signal (S5) is not active and the
Pumpstrahlungsquelle (PLI) keine Pumpstrahlung (LB) emittiert; td Übergangszeit eines paramagnetischen Zentrums, beispielsweise eines Pump radiation source (PLI) does not emit pump radiation (LB); t d transition time of a paramagnetic center, for example one
NV-Zentrums, aus einem angeregten Zustand kommend in einen energetisch niedrigeren Zwischenzustand; NV center, coming from an excited state into an energetically lower intermediate state;
TFL Teststrahlung, die der Fluoreszenzstrahlung (FL) entspricht, aus dem TFL test radiation that corresponds to the fluorescence radiation (FL) from the
Gehäuse heraus; Housing out;
T|C Pumpstrahlungskomplementärzeit; T | C pump radiation complementary time;
T|pmp Pumpstrahlungspulsdauer; T | pmp pump radiation pulse duration ;
T,pmpd Pumpstrahlungsabfallszeit der Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB); T, pmpd pump radiation decay time of the intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB);
T,pmpr Pumpstrahlungsanstiegszeit der Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB); T, pmpr pump radiation rise time of the intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB);
TLP Testpumpstrahlung; TLP test pump radiation;
TP Schleifenfilter. Der Schleifenfilter ist bevorzugt als Tiefpassfilter und/oder TP loop filter. The loop filter is preferred as a low-pass filter and / or
Integrator ausgeführt; Integrator running;
Tp Sendesignalperiode des Wechselanteils (S5w) des Sendesignals (S5); T p transmission signal period of the alternating component (S5w) of the transmission signal (S5);
TP' zusätzlicher zweiter Schleifenfilter. Der zusätzliche Schleifenfilter ist TP 'additional second loop filter. The additional loop filter is
bevorzugt als Tiefpassfilter entsprechend dem Schleifenfilter(TP) ausgeführt; preferably designed as a low-pass filter corresponding to the loop filter (TP);
Ts5c Sendesignalkomplementärzeit. Die Definition der Ts5c transmit signal complementary time. The definition of
Sendesignalkomplementärzeit kann der Figur 91 entnommen werden; Tsspmp Sendesignalpulsdauer. Die Definition der Sendesignalpulsdauer kann der Figur 91 entnommen werden; Transmission signal complementary time can be seen in FIG. 91; Tsspmp transmission signal pulse duration. The definition of the transmission signal pulse duration can be seen in FIG. 91;
Ts5pmpd Sendesignalabfallszeit. Die Definition der Sendesignalabfallszeit kann der Ts5pmpd transmit signal fall time. The definition of the transmission signal fall time can be
Figur 91 entnommen werden; Fig. 91 can be seen;
Tsspmpp Sendesignalplateauzeit. Die Definition der Sendesignalplateauzeit kann der Tsspmpp transmit signal plateau time. The definition of the transmission signal plateau time can be
Figur 91 entnommen werden; Fig. 91 can be seen;
Tsspi mpr Sendesignalanstiegszeit. Die Definition der Sendesignalanstiegszeit kann der Tsspi mpr transmit signal rise time. The definition of the transmit signal rise time can be
Figur 91 entnommen werden; Fig. 91 can be seen;
V Verstärkung des Schleifenfilters (TP); V gain of the loop filter (TP);
VD1 ersten vertikale Treiberstufe zur Ansteuerung der ersten vertikalen Leitung VD1 first vertical driver stage for driving the first vertical line
(LV1) des ersten anzusteuernden Quantenbits (QUB11) und des zweiten anzusteuernden Quantenbits (QUB12) und des dritten anzusteuernden Quantenbits (QUB13); (LV1) the first quantum bit to be controlled (QUB11) and the second quantum bit to be controlled (QUB12) and the third quantum bit to be controlled (QUB13);
Vext Extraktionsspannung zur Extraktion des Fotostromes; Vext extraction voltage for extraction of the photocurrent;
VLOTP1 erster weiterer vertikaler Lotpunkt; VLOTP1 first further vertical plumb point;
VLOTP2 zweiter weiterer vertikaler Lotpunkt; VLOTP2 second further vertical plumb point;
VHNV1 erster virtueller horizontaler Quantenpunkt; VHNV1 first virtual horizontal quantum dot;
VHNV2 zweiter virtueller horizontaler Quantenpunkt; VHNV2 second virtual horizontal quantum dot;
VS1 erste vertikale Empfängerstufe, die mit der ersten vertikalen Treiberstufe VS1 first vertical receiver stage that is connected to the first vertical driver stage
(VD1) eine Einheit bilden kann, beispielsweise zur Auslesung des ersten anzusteuernden Quantenbits (QUB11) und ggf. zur Auslesung des zweiten anzusteuernden Quantenbits (QUB12) und ggf. zur Auslesung des dritten anzusteuernden Quantenbits (QUB13) der ersten Spalte der Quantenbits; (VD1) can form a unit, for example for reading out the first quantum bit to be controlled (QUB11) and possibly for reading out the second quantum bit to be controlled (QUB12) and possibly for reading out the third quantum bit to be controlled (QUB13) of the first column of quantum bits;
VS2 zweite vertikale Empfängerstufe, die mit der zweiten vertikalen VS2 second vertical receiver stage that is connected to the second vertical
Treiberstufe (VD2) eine Einheit bilden kann, beispielsweise zur Auslesung des ersten anzusteuernden Quantenbits (QUB21) und ggf. zur Auslesung des zweiten anzusteuernden Quantenbits (QUB22) und ggf. zur Auslesung des dritten anzusteuernden Quantenbits (QUB23) der zweiten Spalte der Quantenbits; VS3 dritte vertikale Empfängerstufe, die mit der dritten vertikalen Treiberstufe Driver stage (VD2) can form a unit, for example for Reading out the first quantum bit to be controlled (QUB21) and possibly for reading out the second quantum bit to be controlled (QUB22) and possibly for reading out the third quantum bit to be controlled (QUB23) of the second column of quantum bits; VS3 third vertical receiver stage, the one with the third vertical driver stage
(VD3) eine Einheit bilden kann, beispielsweise zur Auslesung des ersten anzusteuernden Quantenbits (QUB31) und ggf. zur Auslesung des zweiten anzusteuernden Quantenbits (QUB32) und ggf. zur Auslesung des dritten anzusteuernden Quantenbits (QUB33) der dritten Spalte der Quantenbits; (VD3) can form a unit, for example for reading out the first quantum bit to be controlled (QUB31) and possibly for reading out the second quantum bit to be controlled (QUB32) and possibly for reading out the third quantum bit to be controlled (QUB33) of the third column of the quantum bits;
VVNV1 erster virtueller vertikaler Quantenpunkt; VVNV1 first virtual vertical quantum dot;
VVNV2 zweiter virtueller vertikaler Quantenpunkt; VVNV2 second virtual vertical quantum dot;
WA umlaufende Wandung des Gehäuses; WA circumferential wall of the housing;
Liste der zitierten Schriften List of scriptures cited
Patentliteratur Patent literature
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DE 10 2017 122 365 B3, DE 10 2018 106 860 Al, DE 10 2018 106 861 Al, DE 10 2018 127 394 .0,DE 10 2017 122 365 B3, DE 10 2018 106 860 Al, DE 10 2018 106 861 Al, DE 10 2018 127 394 .0,
DE 10 2019 114 032.3, DE 10 2019 117 423.6, DE 10 2019 120 076.8, DE 10 2019 121 028.3,DE 10 2019 114 032.3, DE 10 2019 117 423.6, DE 10 2019 120 076.8, DE 10 2019 121 028.3,
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JPH 0 536 399 B2, PCT / DE 2020 / 100 430, RU 2015 132 335 A, RU 2 145 365 CI, US 4 124 690 A, JPH 0 536 399 B2, PCT / DE 2020/100 430, RU 2015 132 335 A, RU 2 145 365 CI, US 4 124 690 A,
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US 8 547 090 B2, US 8 766 154 B2, US 8 947 080 B2, US 8 961 920 Bl, US 8 986 646 B2, US 8 547 090 B2, US 8 766 154 B2, US 8 947 080 B2, US 8 961 920 B1, US 8 986 646 B2,
US 9 185 762 B2, US 9 222 887 B2, US 9 368 936 Bl, US 9 541 610 B2, US 9 551 763 Bl, US 9 185 762 B2, US 9 222 887 B2, US 9 368 936 Bl, US 9 541 610 B2, US 9 551 763 Bl,
US 9 557 391 B2, US 9 599 562 B2, US 9 632 045 B2, US 9 638 821 B2, US 9 658 301 B2, US 9 557 391 B2, US 9 599 562 B2, US 9 632 045 B2, US 9 638 821 B2, US 9 658 301 B2,
US 9 664 767 B2, US 9 720 055 Bl, US 9 817 081 B2, US 9 823 314 B2, US 9 829 545 B2, US 9 664 767 B2, US 9 720 055 Bl, US 9 817 081 B2, US 9 823 314 B2, US 9 829 545 B2,
US 9 910 104 B2, US 9 910 105 B2, US 9 958 320 B2, US 10 006 973 B2, US 10 007 885 Bl, US 9 910 104 B2, US 9 910 105 B2, US 9 958 320 B2, US 10 006 973 B2, US 10 007 885 B1,
US 10 012 704 B2, US 10 120 039 B2, US 10 168 393 B2, US 10 193 304 B2, US 10 241 158 B2, US 10 012 704 B2, US 10 120 039 B2, US 10 168 393 B2, US 10 193 304 B2, US 10 241 158 B2,
US 10 345 396 B2, US 10 359 479 B2, US 10 408 889 B2, US 10 408 890 B2, US 2006 0 044 429 Al, US 2008 0 170 143 Al, US 2009 0 110 626 Al, US 2010 0 176 280 Al, WO 2001 073 617 A2,US 10 345 396 B2, US 10 359 479 B2, US 10 408 889 B2, US 10 408 890 B2, US 2006 0 044 429 Al, US 2008 0 170 143 Al, US 2009 0 110 626 Al, US 2010 0 176 280 A1, WO 2001 073 617 A2,
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Nicht Patent-Literatur Not patent literature
GIA-Norm von John M. King "Colored Diamonds, colored reference Chart" GIA standard by John M. King "Colored Diamonds, colored reference chart"
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B. Kress, P. Meyrueis, "Digital Diffractive Optics" J. Wiley & Sons, London, 2000 B. Kress, P. Meyrueis, "Digital Diffractive Optics" J. Wiley & Sons, London, 2000
B. Kress, P. Meyrueis, "Applied Digital Diffractive Optics", J. Wiley & Sons, London, 2009 B. E.A. Saleh, M.C. Teich„Grundlagen der Photonik" Wiley-VCH, Weinheim, 2. Auflage, 2008 B. Kress, P. Meyrueis, "Applied Digital Diffractive Optics", J. Wiley & Sons, London, 2009 B. E.A. Saleh, M.C. Teich "Fundamentals of Photonics" Wiley-VCH, Weinheim, 2nd edition, 2008
L. W. Snyman, J-L. Polleux, K. A. Ogudo , C. Viana, S. Wahle, "High Intensity 100 nW 5 GHz Silicon Avalanche LED utilizing carrier energy and momentum engineering", Conference Paper in L. W. Snyman, J-L. Polleux, K. A. Ogudo, C. Viana, S. Wahle, "High Intensity 100 nW 5 GHz Silicon Avalanche LED utilizing carrier energy and momentum engineering", Conference Paper in
Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering · Februar 2014, DOI: Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering February 2014, DOI:
10.1117/12.2038195 C. Beaufils, W. Redjem, E. Rousseau, V. Jacques, A. Yu. Kuznetsov, C. Raynaud, C. Voisin, A. Benali, T. Herzig, S. Pezzagna, J. Meijer, M. Abbarchi, G. Cassabois "Optical properties of an ensemble of G- centers in Silicon", Phys. Rev. B 97, 035303 09.01.2018 10.1117 / 12.2038195 C. Beaufils, W. Redjem, E. Rousseau, V. Jacques, A. Yu. Kuznetsov, C. Raynaud, C. Voisin, A. Benali, T. Herzig, S. Pezzagna, J. Meijer, M. Abbarchi, G. Cassabois "Optical properties of an ensemble of G-centers in Silicon", Phys. Rev. B 97, 035303 01/09/2018
S. Castelletto, A. Boretti, "Silicon Carbide color centers for quantum applications", J. Phys. Photonics 2 022001, 2020 h J.R. Leger, D. Chen, G. Mowry, "Design and performance ofdiffractive optics for custom laser resonators", PPLIED OPTICS@Vol. 34, No. 14@10 May 1995, p. 2498-2509 S. Castelletto, A. Boretti, "Silicon Carbide color centers for quantum applications," J. Phys. Photonics 2 022001, 2020 h J.R. Leger, D. Chen, G. Mowry, "Design and performance of diffractive optics for custom laser resonators", PPLIED OPTICS @ Vol. 34, No. 14 @ 10 May 1995, p. 2498-2509
J.Cai, F. Jelezko, M. B. Pleniol, "Signal transduction and conversion with color centers in diamond and piezo-elements" arXiv:1404.6393v2 [quant-ph] 30 Oct 2017 J.Cai, F. Jelezko, M. B. Pleniol, "Signal transduction and conversion with color centers in diamond and piezo-elements" arXiv: 1404.6393v2 [quant-ph] 30 Oct 2017

Claims

Patentansprüche Haupt-Patentansprüche Claims Main claims
1. Sensorsystem 1. Sensor system
mit einem Sensorelement with a sensor element
wobei das Sensorelement ein Substrat (D) umfasst oder gleich diesem Substrat (D) sein kann und wherein the sensor element comprises a substrate (D) or can be the same as this substrate (D) and
wobei in dem Substrat (D) ein Raumvolumen ausgewählt werden kann und wherein a volume of space can be selected in the substrate (D) and
wobei das Substrat (D) in diesem Raumvolumen eine Gruppe (NVC) paramagnetischer wherein the substrate (D) in this volume of space has a group (NVC) paramagnetic
Zentren (NV1) mit mindestens zwei paramagnetischen Zentren (NV1) umfasst und wobei das Sensorsystem ersten Mittel (G, PLI) zur Anregung einer Fluoreszenzstrahlung (FL) dieser Gruppe (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) umfasst und wobei die Fluoreszenzstrahlung (FL) eine Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (l^) aufweist und Centers (NV1) with at least two paramagnetic centers (NV1) and wherein the sensor system comprises first means (G, PLI) for exciting a fluorescent radiation (FL) of this group (NVC) of paramagnetic centers (NV1) and wherein the fluorescent radiation (FL) comprises a Fluorescence radiation wavelength (l ^) and
wobei das Sensorsystem zweite Mittel (G, Fl, PD, Ml, TP) zur Erfassung und zur wherein the sensor system second means (G, Fl, PD, Ml, TP) for detection and for
Auswertung der Fluoreszenzstrahlung (FL) umfasst und Evaluation of the fluorescence radiation (FL) includes and
wobei die äußeren Abmessungen des gewählten Raumvolumens die zweifache where the external dimensions of the chosen volume of space are twice
Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (lh) nicht überschreiten und wobei das Sensorsystem mittels der ersten und zweiten Mittel (G, PLI, Fl, PD, Ml, TP) in Abhängigkeit von der Fluoreszenzstrahlung (FL) dieser Gruppe (NVC) Do not exceed fluorescence radiation wavelength (lh) and the sensor system using the first and second means (G, PLI, Fl, PD, Ml, TP) as a function of the fluorescence radiation (FL) of this group (NVC)
paramagnetischer Zentren (NV1) einen Messwert erzeugt und/oder bereithält, und wobei die Fluoreszenzstrahlung (FL) von einem physikalischen Parameter abhängt und und wobei somit der Messwert von dem physikalischen Parameter abhängt und wobei der Messwert als Messwert dieses physikalischen Parameters benutzt wird, g e k e n n z e i c h n e t d a d u r c h, paramagnetic centers (NV1) generates and / or holds a measured value, and wherein the fluorescence radiation (FL) depends on a physical parameter and and thus the measured value depends on the physical parameter and wherein the measured value is used as a measured value of this physical parameter, g e n z e i c h n e t d a d u r c h,
dass die Konzentration der paramagnetischen Zentren (NV1) dieser Gruppe (NVC) in dem Raumvolumen im Mittel größer als lOOppm und/oder 50ppm und/oder 20ppm und/oder lOppm bezogen auf die Anzahl der Atome des Substrats (D) pro Volumeneinheit in diesem Raumvolumen ist. that the concentration of the paramagnetic centers (NV1) of this group (NVC) in the volume of space is on average greater than 100 ppm and / or 50 ppm and / or 20 ppm and / or 10 ppm based on the number of atoms of the substrate (D) per unit volume in this volume of space is.
2. Sensorsystem 2. Sensor system
mit einem Sensorelement with a sensor element
wobei das Sensorelement ein Substrat (D) umfasst oder gleich diesem Substrat (D) sein kann und wobei in dem Substrat (D) ein Raumvolumen ausgewählt werden kann und wobei das Substrat (D) in diesem Raumvolumen eine Gruppe (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) umfasst und wherein the sensor element comprises a substrate (D) or can be the same as this substrate (D) and wherein a spatial volume can be selected in the substrate (D) and wherein the substrate (D) comprises a group (NVC) of paramagnetic centers (NV1) in this spatial volume and
wobei das Sensorsystem ersten Mittel (G, PLI) zur Anregung eines Fotostroms der wherein the sensor system first means (G, PLI) for exciting a photocurrent of the
Fotoelektronen dieser Gruppe (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) mittels einer Pumpstrahlung (LB) mit einer Pumpstrahlungswellenlänge (lrGhr) umfasst und wobei das Sensorsystem zweite Mittel (G, Ml, TP) zur Erfassung und zur Auswertung des Fotostroms der Fotoelektronen dieser Gruppe (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) umfasst und Photoelectrons of this group (NVC) of paramagnetic centers (NV1) by means of a pump radiation (LB) with a pump radiation wavelength (l rGhr ) and the sensor system second means (G, Ml, TP) for detecting and evaluating the photocurrent of the photoelectrons of this group ( NVC) of paramagnetic centers (NV1) and
wobei die äußeren Abmessungen des gewählten Raumvolumens die zweifache where the external dimensions of the chosen volume of space are twice
Pumpstrahlungswellenlänge (lrigir) nicht überschreiten und Do not exceed the pump radiation wavelength (l rigir ) and
wobei das Sensorsystem mittels der der ersten und zweiten Mittel (G, PLI, Ml, TP) in Abhängigkeit von dem Fotostrom einen Messwert erzeugt und/oder bereithält, und wobei der Fotostrom von einem physikalischen Parameter abhängt und wherein the sensor system generates and / or holds ready a measured value by means of the first and second means (G, PLI, Ml, TP) as a function of the photocurrent, and wherein the photocurrent depends on a physical parameter and
und wobei somit der Messwert von dem physikalischen Parameter abhängt und wobei der Messwert als Messwert dieses physikalischen Parameters benutzt wird, g e k e n n z e i c h n e t d a d u r c h, and the measured value thus depends on the physical parameter and the measured value is used as the measured value of this physical parameter, g e k e n n n z e i h n e t d a d u r c h,
dass die Konzentration der paramagnetischen Zentren (NV1) dieser Gruppe (NVC) in dem Raumvolumen im Mittel lOOppm und/oder 50ppm und/oder 20ppm und/oder lOppm bezogen auf die Anzahl der Atome des Substrats (D) pro Volumeneinheit in diesem Raumvolumen ist. that the concentration of the paramagnetic centers (NV1) of this group (NVC) in the volume of space is on average 100 ppm and / or 50 ppm and / or 20 ppm and / or 10 ppm based on the number of atoms of the substrate (D) per unit volume in this volume of space.
Patentansprüche Gehäuse Claims housing
3. Gehäuse mit einem Sensorsystem, 3. Housing with a sensor system,
wobei das Sensorsystem ein Sensorelement umfasst und wherein the sensor system comprises a sensor element and
wobei das Sensorelement ein oder mehrere paramagnetische Zentren (NV1) im Material des Sensorelements umfasst und wherein the sensor element comprises one or more paramagnetic centers (NV1) in the material of the sensor element and
wobei das Sensorsystem eine Pumpstrahlungsquelle (PLI) umfasst und wherein the sensor system comprises a pump radiation source (PLI) and
wobei die Pumpstrahlungsquelle (PLI) dafür geeignet und vorgesehen ist Pumpstrahlung (LB) mit einer Pumpstrahlungswellenlänge (lrigir) auszusenden und wobei die Pumpstrahlung (LB) das oder die paramagnetischen Zentren (NV1) bei wherein the pump radiation source (PLI) is suitable and intended to emit pump radiation (LB) with a pump radiation wavelength (l rigir ) and wherein the pump radiation (LB) has the paramagnetic center or centers (NV1)
Bestrahlung dieses oder dieser paramagnetischen Zentren (NV1) mit dieser Pumpstrahlung (LB) zur Abgabe von Fluoreszenzstrahlung (FL) mit einer Irradiation of this or these paramagnetic centers (NV1) with this one Pump radiation (LB) for emitting fluorescence radiation (FL) with a
Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (lh) veranlasst und Fluorescence radiation wavelength (lh) caused and
wobei die Intensität (lfl) der Fluoreszenzstrahlung (FL) von der Intensität (lpmp) der where the intensity (l fl ) of the fluorescence radiation (FL) depends on the intensity (l pmp ) of the
Pumpstrahlung (LB), mit der das oder die paramagnetischen Zentren (NV1) bestrahlt werden, und einem Wert eines externen physikalischen Parameters und/oder einem Wert der magnetischen Flussdichte B am Ort des oder der paramagnetischen Zentren (NV1) abhängt und Pump radiation (LB), with which the paramagnetic center or centers (NV1) are irradiated, and a value of an external physical parameter and / or a value of the magnetic flux density B at the location of the paramagnetic center or centers (NV1) and
wobei das Sensorsystem einen Strahlungsempfänger (PD) umfasst und wherein the sensor system comprises a radiation receiver (PD) and
wobei das Sensorsystem Auswertehilfsmittel (VI, Ml, TP, S&H, G, M2, OF2, OF1) umfasst wobei Fluoreszenzstrahlung (FL) des oder der paramagnetischen Zentren (NV1) den the sensor system comprising evaluation aids (VI, Ml, TP, S&H, G, M2, OF2, OF1) where fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic center or centers (NV1) denotes
Strahlungsempfänger (PD) bestrahlt und Radiation receiver (PD) irradiated and
wobei der Strahlungsempfänger (PD) und Auswertehilfsmittel (VI, Ml, TP, S&H, G, M2,whereby the radiation receiver (PD) and evaluation tools (VI, Ml, TP, S&H, G, M2,
OF2, OF1) einen Messwert ermitteln, der von der Intensität (lfl) der OF2, OF1) determine a measured value that depends on the intensity (l fl ) of the
Fluoreszenzstrahlung (FL) abhängt und Fluorescence radiation (FL) depends and
wobei das Sensorsystem den Messwert bereitstellt und/oder als Sensorausgangssignal (out) ausgibt und wherein the sensor system provides the measured value and / or outputs it as a sensor output signal (out) and
wobei das Gehäuse eine Kavität (CAV) umfasst und wherein the housing comprises a cavity (CAV) and
wobei das Sensorelement mit dem oder den paramagnetischen Zentren (NV1) sich in der Kavität (CAV) befindet und wherein the sensor element with the paramagnetic center or centers (NV1) is located in the cavity (CAV) and
wobei sich die Pumpstrahlungsquelle (PLI) in der Kavität (CAV) befindet und wherein the pump radiation source (PLI) is located in the cavity (CAV) and
wobei sich der Strahlungsempfänger (PD) in der Kavität (CAV) befindet und wherein the radiation receiver (PD) is in the cavity (CAV) and
wobei sich die Auswertehilfsmittel (VI, Ml, TP, S&H, G, M2, OF2, OF1) in der Kavität where the evaluation tools (VI, Ml, TP, S&H, G, M2, OF2, OF1) are in the cavity
befinden und located and
wobei das Material des Gehäuses die Beeinflussung der Intensität (lfl) der the material of the housing influencing the intensity (l fl ) of the
Fluoreszenzstrahlung (FL) des oder der paramagnetischen Zentren (NV1) durch externe physikalische Parameter wie Druck und/oder Temperatur und/oder magnetische Flussdichte B zulässt, Fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic center or centers (NV1) through external physical parameters such as pressure and / or temperature and / or magnetic flux density B,
gekennzeichnet dadurch, characterized by
dass das Gehäuse Mittel (RE) umfasst, that the housing comprises means (RE),
die ein Gehäuseteil oder ein Teil eines Gehäuseteils sind und die die Pumpstrahlung (LB) auf das oder die paramagnetischen Zentren which are a housing part or a part of a housing part and the pump radiation (LB) on the paramagnetic center or centers
(NV1) lenken und die so die Pumpstrahlungsquelle (PLI) mit dem oder den paramagnetischen Zentren (NV1) optisch koppeln und/oder die Fluoreszenzstrahlung (LB) des oder der paramagnetischen Zentren (NV1) auf den Strahlungsempfänger (PD) lenken und die so den Strahlungsempfänger (PLI) mit dem oder den paramagnetischen Zentren (NV1) optisch koppeln und (NV1) and thus optically couple the pump radiation source (PLI) with the paramagnetic center or centers (NV1) and / or direct the fluorescence radiation (LB) of the paramagnetic center or centers (NV1) onto the radiation receiver (PD) and thus the Optically couple the radiation receiver (PLI) with the paramagnetic center or centers (NV1) and
dass es sich bei dem oder den Mitteln (RE) that the means (RE)
um eine reflektierende Fläche und/oder around a reflective surface and / or
um eine gekrümmte reflektierende Fläche und/oder around a curved reflective surface and / or
um einen photonischen Kristall und/oder around a photonic crystal and / or
um einen Strahlteiler und/oder around a beam splitter and / or
um einen Lichtwellenleiter und/oder around an optical fiber and / or
um ein Gitter und/oder around a grid and / or
um eine metallisierte Fläche und/oder around a metallized surface and / or
um einen dielektrischen Spiegel und/oder around a dielectric mirror and / or
um ein anderes optisches Funktionselement handelt. is another optical functional element.
4. Gehäuse nach Anspruch 3 4. Housing according to claim 3
wobei das Sensorsystem über eine Rechnereinheit verfügt und wobei die Rechnereinheit in der Kavität (CAV) untergebracht ist und wobei die Rechnereinheit die Auswertehilfsmittel (VI, M l, TP, S&H, G, M2, OF2, OF1) steuert und wherein the sensor system has a computer unit and wherein the computer unit is accommodated in the cavity (CAV) and wherein the computer unit controls the evaluation tools (VI, M l, TP, S&H, G, M2, OF2, OF1) and
wobei die Rechnereinheit eine erste Datenbusschnittstelle aufweist und wobei das Gehäuse genau drei Anschlüsse verfügt wherein the computer unit has a first data bus interface and wherein the housing has exactly three connections
und zwar über einen ersten Anschluss und über einen zweiten namely via a first connection and a second
Anschluss und über einen dritten Anschluss verfügt und Connection and has a third connection and
wobei der erste Anschluss der Anschluss der Versorgungsspannung wherein the first connection is the connection of the supply voltage
(Vdd) ist und (Vdd) is and
wobei der zweite Anschluss der Anschluss des Bezugspotenzials (GND) ist und where the second connection is the connection of the reference potential (GND) and
wobei der dritte Anschluss eine Datenbusbusleitung der ersten Datenbusschnittstelle des Rechnersystems ist. wherein the third connection is a data bus line of the first data bus interface of the computer system.
5. Gehäuse nach Anspruch 3 5. Housing according to claim 3
wobei das Sensorsystem über eine Rechnereinheit verfügt und wobei die Rechnereinheit in der Kavität (CAV) untergebracht ist und wobei die Rechnereinheit die Auswertehilfsmittel (VI, M l, TP, S&H, G, M2, 0F2, 0F1) steuert und wherein the sensor system has a computer unit and wherein the computer unit is accommodated in the cavity (CAV) and wherein the computer unit controls the evaluation tools (VI, M l, TP, S&H, G, M2, 0F2, 0F1) and
wobei die Rechnereinheit eine erste Datenbusschnittstelle aufweist und wobei die Rechnereinheit eine zweite Datenbusschnittstelle aufweist und wherein the computer unit has a first data bus interface and wherein the computer unit has a second data bus interface and
wobei das Gehäuse in der Aufsicht rechteckig oder quadratisch ist und wobei das Gehäuse genau vier Anschlüsse verfügt wherein the housing is rectangular or square in plan view and the housing has exactly four connections
und zwar über einen ersten Anschluss und über einen zweiten namely via a first connection and a second
Anschluss und über einen dritten Anschluss und über einen vierten Anschluss verfügt und Connection and has a third connection and a fourth connection and
wobei der erste Anschluss der Anschluss der Versorgungsspannung (Vdd) ist und wherein the first connection is the connection of the supply voltage (Vdd) and
wobei der zweite Anschluss der Anschluss des Bezugspotenzials (GND) ist und where the second connection is the connection of the reference potential (GND) and
wobei der dritte Anschluss eine Datenbusbusleitung der ersten wherein the third connection is a data bus line of the first
Datenbusschnittstelle des Rechnersystems ist und The data bus interface of the computer system is and
wobei der vierte Anschluss eine Datenbusbusleitung der zweiten the fourth connection being a data bus line of the second
Datenbusschnittstelle des Rechnersystems ist und The data bus interface of the computer system is and
wobei der dritte Anschluss an einer ersten Seite des Gehäuses angeordnet ist und wherein the third connection is arranged on a first side of the housing and
wobei der dritte Anschluss an einer zweiten Seite des Gehäuses angeordnet ist, die der ersten Seite gegenüberliegt und wherein the third connection is arranged on a second side of the housing which is opposite to the first side and
wobei die Rechnereinheit dazu vorgesehen und geeignet ist, an einem Verfahren zur automatischen Vergabe von Busknotenadressen an die Busteilnehmer eines Datenbusses mit mehreren Busteilnehmern und einem Busmaster, der die Busknotenadressen vergibt, teilzunehmen. wherein the computer unit is provided and suitable to participate in a method for the automatic assignment of bus node addresses to the bus subscribers of a data bus with several bus subscribers and a bus master that assigns the bus node addresses.
Patentansprüche Sensorsystem mit Dicke-Verstärker und NV-Zentren Sensor system with a thickness amplifier and NV centers
6. Sensorsystem, 6. sensor system,
wobei das Sensorsystem ein Sensorelement umfasst und wobei das Sensorelement ein oder mehrere paramagnetisches Zentren (NV1) umfasst und wobei das Sensorsystem eine Pumpstrahlungsquelle (PLI) umfasst und wherein the sensor system comprises a sensor element and wherein the sensor element comprises one or more paramagnetic centers (NV1) and wherein the sensor system comprises a pump radiation source (PLI) and
wobei die Pumpstrahlungsquelle (PLI) dafür geeignet und vorgesehen ist Pumpstrahlung (LB) mit einer Pumpstrahlungswellenlänge (lr[gir) auszusenden und wherein the pump radiation source (PLI) is suitable and intended to emit pump radiation (LB) with a pump radiation wavelength (l r [gir ) and
wobei die Pumpstrahlung (LB) das paramagnetische Zentrum (NV1) oder die where the pump radiation (LB) is the paramagnetic center (NV1) or the
paramagnetischen Zentren (NV1) bei Bestrahlung dieses paramagnetischen Zentrums (NV1) mit dieser Pumpstrahlung (LB) bzw. bei Bestrahlung dieser paramagnetischen Zentren (NV1) mit dieser Pumpstrahlung (LB) zur Abgabe von Fluoreszenzstrahlung (FL) mit einer Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (lh) veranlasst und paramagnetic centers (NV1) when this paramagnetic center (NV1) is irradiated with this pump radiation (LB) or when these paramagnetic centers (NV1) are irradiated with this pump radiation (LB) to emit fluorescence radiation (FL) with a fluorescence radiation wavelength (lh) and
wobei die Intensität (lfl) der Fluoreszenzstrahlung (FL) von der Intensität (lpmp) der where the intensity (l fl ) of the fluorescence radiation (FL) depends on the intensity (l pmp ) of the
Pumpstrahlung (LB), mit der das paramagnetische Zentrum (NV1) bzw. die paramagnetischen Zentren (NV1) bestrahlt werden, und einem Wert eines externen physikalischen Parameters und/oder einem Wert der magnetischen Flussdichte B am Ort des paramagnetischen Zentrums (NV1) bzw. am Ort der paramagnetischen Zentren (NV1) abhängt und Pump radiation (LB), with which the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) are irradiated, and a value of an external physical parameter and / or a value of the magnetic flux density B at the location of the paramagnetic center (NV1) or depends on the location of the paramagnetic centers (NV1) and
wobei das Sensorsystem einen Strahlungsempfänger (PD) umfasst und wherein the sensor system comprises a radiation receiver (PD) and
wobei das Sensorsystem Auswertehilfsmittel (VI, Ml, TP, S&H, G, M2, OF2, OF1) umfasst wobei Fluoreszenzstrahlung (FL) des paramagnetischen Zentrums (NV1) bzw. der the sensor system comprising evaluation aids (VI, Ml, TP, S&H, G, M2, OF2, OF1), where fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic center (NV1) or the
paramagnetischen Zentren (NV1) den Strahlungsempfänger (PD) bestrahlt und wobei das Sensorsystem den Messwert bereitstellt und/oder als Sensorausgangssignal (out) ausgibt und paramagnetic centers (NV1) irradiate the radiation receiver (PD) and wherein the sensor system provides the measured value and / or outputs it as a sensor output signal (out) and
gekennzeichnet dadurch, characterized by
dass das Sensorsystem eine Referenzrauschquelle (PLK, NV2) aufweist und that the sensor system has a reference noise source (PLK, NV2) and
dass die Referenzrauschquelle (PLK, NV2) den Strahlungsempfänger (PD) mit Strahlung (KS, KFL) bestrahlt und that the reference noise source (PLK, NV2) irradiates the radiation receiver (PD) with radiation (KS, KFL) and
dass der Strahlungsempfänger (PD) und Auswertehilfsmittel (VI, M l, TP, S&H, G, M2, OF2, OF1) einen Messwert ermitteln, der von der Gesamtintensität der Überlagerung der Fluoreszenzstrahlung (FL) und der Strahlung (KS, KFL) der Referenzrauschquelle (PLK, NV2) abhängt und that the radiation receiver (PD) and evaluation tools (VI, M l, TP, S&H, G, M2, OF2, OF1) determine a measured value that is based on the total intensity of the superimposition of the fluorescence radiation (FL) and the radiation (KS, KFL) of the Reference noise source (PLK, NV2) depends and
dass die Intensität (lkf|, lks) der Strahlung (KS, KFL) der Referenzrauschquelle (PLK, NV2) von diesem Messwert so abhängt, dass eine Verminderung der Intensität der Bestrahlung des Strahlungsempfängers (PD) mit Fluoreszenzstrahlung (FL) eine Erhöhung der Intensität (lkfl, 1^) der Bestrahlung mit Strahlung (KS, KFL) der Referenzrauschquelle (PLK, NV2) zur Folge hat. that the intensity (l kf | , l ks ) of the radiation (KS, KFL) of the reference noise source (PLK, NV2) depends on this measured value so that a reduction in the intensity of the Irradiation of the radiation receiver (PD) with fluorescent radiation (FL) results in an increase in the intensity (l kfl , 1 ^) of the irradiation with radiation (KS, KFL) from the reference noise source (PLK, NV2).
7. Sensorsystem nach Anspruch 6, 7. Sensor system according to claim 6,
dadurch gekennzeichnet, characterized,
dass die Referenzrauschquelle (PLK, NV2) im Wesentlichen baugleich mit der Kombination aus Pumpstrahlungsquelle (PLI) und Sensorelement mit dem paramagnetischen Zentrum (NV1) bzw. den paramagnetischen Zentren (NV1) ist that the reference noise source (PLK, NV2) is essentially identical to the combination of pump radiation source (PLI) and sensor element with the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1)
8. Sensorsystem nach einem oder mehreren der Ansprüche 6 bis 7 8. Sensor system according to one or more of claims 6 to 7
wobei der Strahlungsempfänger (PD) die Pumpstrahlung (LB) im Wesentlichen nicht wherein the radiation receiver (PD) essentially does not receive the pump radiation (LB)
empfängt und receives and
wobei der Strahlungsempfänger (PD) die Fluoreszenzstrahlung (FL) des paramagnetischen Zentrums (NV1) bzw. der paramagnetischen Zentren (NV1) empfängt. wherein the radiation receiver (PD) receives the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1).
9. Sensorsystem nach einem oder mehreren der Ansprüche 6 bis 8 9. Sensor system according to one or more of claims 6 to 8
wobei das Sensorsystem einen ersten Filter (Fl) umfasst, wherein the sensor system comprises a first filter (Fl),
der Pumpstrahlung (LB) im Wesentlichen nicht passieren lässt und der Fluoreszenzstrahlung (FL) des paramagnetischen Zentrums (NV1) bzw. der paramagnetischen Zentren (NV1) im Wesentlichen passieren lässt und essentially does not allow the pump radiation (LB) to pass and the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) essentially allows it to pass and
wobei das erste Filter (Fl) mit dem Strahlungsempfänger (PD) zusammenwirkt, sodass der Strahlungsempfänger (PD1) die wherein the first filter (Fl) interacts with the radiation receiver (PD) so that the radiation receiver (PD1) the
Pumpstrahlung (LB) im Wesentlichen nicht empfängt und Pump radiation (LB) essentially does not receive and
wobei das erste Filter (Fl) mit dem Strahlungsempfänger (PD) zusammenwirkt, sodass der Strahlungsempfänger (PD) die wherein the first filter (Fl) interacts with the radiation receiver (PD), so that the radiation receiver (PD) the
Fluoreszenzstrahlung (FL) des paramagnetischen Zentrums (NV1) bzw. der paramagnetischen Zentren (NV1) empfängt. Receives fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1).
10. Sensorsystem nach einem oder mehreren der Ansprüche 6 bis 9 10. Sensor system according to one or more of claims 6 to 9
wobei das Sensorelement einen Kristall mit einer Kristallachse aufweist und wherein the sensor element comprises a crystal with a crystal axis and
wobei der Kristall das paramagnetische Zentrum (NV1) oder die paramagnetischen Zentren where the crystal has the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers
(NV1) aufweist, wobei das paramagnetische Zentrum (NV1) oder die paramagnetischen Zentren (NV1) in Bezug zu einer der folgenden betreffenden Kristallachse in einer ersten Richtung ausgerichtet ist und (NV1), wherein the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) is aligned in a first direction with respect to one of the following relevant crystal axes, and
wobei die betreffenden Kristallachsen die Kristallachsen [100], [010], [001], [111] des Kristalls und deren Äquivalente (wie z.B. [-100], [-1,-1,-1] etc.) sind und where the respective crystal axes are the crystal axes [100], [010], [001], [111] of the crystal and their equivalents (such as [-100], [-1, -1, -1] etc.) and
wobei das paramagnetische Zentrum (NV1) oder die paramagnetischen Zentren (NV1) bei Anregung durch die Pumpstrahlung (LB) eine Fluoreszenzstrahlung (FL) emittieren und wherein the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) emit fluorescence radiation (FL) when excited by the pump radiation (LB) and
wobei die Fluoreszenzstrahlung (FL) in Abhängigkeit von einem Magnetfeld mit einer wherein the fluorescence radiation (FL) as a function of a magnetic field with a
magnetischen Flussdichte B, deren Vektor eine zweite Richtung aufweist, moduliert wird und magnetic flux density B, the vector of which has a second direction, is modulated and
wobei die zweite Richtung von der ersten Richtung abweicht. the second direction deviating from the first direction.
Patentansprüche Verfahren zur Herstellung auf Basis eines Open-Cavity-Claims method for manufacturing based on an open cavity
Gehäuses mit einem vorgeschlagenen Sensorsystem Housing with a proposed sensor system
11. Verfahren zur Herstellung eines Sensorsystems umfassend die Schritte 11. A method for producing a sensor system comprising the steps
Bereitstellen (1) eines Open-Cavity-Gehäuses mit Anschlüssen und mit einer Kavität (CAV) und Providing (1) an open cavity housing with connections and with a cavity (CAV) and
Einbringen (2) einer Pumpstrahlungsquelle (PLI) in die Kavität (CAV) und Introducing (2) a pump radiation source (PLI) into the cavity (CAV) and
Einbringen (3) einer integrierten Schaltung (IC), die ggf. eine Rechnereinheit umfasst, mit einem Strahlungsempfänger (PD) in die Kavität (CAV) und Introducing (3) an integrated circuit (IC), which may include a computer unit, with a radiation receiver (PD) in the cavity (CAV) and
Elektrisches Verbinden (4) von integrierter Schaltung (IC) und ggf. Strahlungsempfänger (PD) und Anschlüssen und Pumpstrahlungsquelle (PLI) und Electrical connection (4) of integrated circuit (IC) and possibly radiation receiver (PD) and connections and pump radiation source (PLI) and
Einbringen (5) eines Sensorelements mit einem oder mehreren paramagnetischen Zentren (NV1) in die Kavität (CAV) und Introducing (5) a sensor element with one or more paramagnetic centers (NV1) into the cavity (CAV) and
Befestigen (6) des Sensorelements mittels eines Befestigungsmittels (Ge) in der Kavität (CAV), Fastening (6) the sensor element by means of a fastening means (Ge) in the cavity (CAV),
gekennzeichnet durch die Schritte: characterized by the steps:
Herstellen (7) von Mitteln (RE), Manufacture (7) of funds (RE),
die ein Gehäuseteil oder ein Teil eines Gehäuseteils sind und die die Pumpstrahlung (LB) auf das paramagnetische Zentrum (NV1) lenken und die so die Pumpstrahlungsquelle (PLI) mit dem oder den paramagnetischen Zentren (NV1) optisch koppeln und/oder die Fluoreszenzstrahlung (LB) des oder der paramagnetischen Zentren (NV1) auf den Strahlungsempfänger (PD) lenken und die so den Strahlungsempfänger (PLI) mit dem oder den paramagnetischen Zentren (NV1) optisch koppeln, which are a housing part or a part of a housing part and which direct the pump radiation (LB) onto the paramagnetic center (NV1) and thus optically couple the pump radiation source (PLI) with the paramagnetic center or centers (NV1) and / or the fluorescent radiation (LB ) direct the paramagnetic center or centers (NV1) onto the radiation receiver (PD) and thus optically couple the radiation receiver (PLI) with the paramagnetic center (s) (NV1),
und and
Verschließen (8) des Gehäuses mit einem Deckel (DE), Close (8) the housing with a cover (DE),
wobei die Pumpstrahlungsquelle (PLI) dazu vorgesehen und geeignet ist, eine Pumpstrahlung (LB) zu emittieren und wherein the pump radiation source (PLI) is provided and suitable for emitting pump radiation (LB) and
wobei das paramagnetische Zentrum (NV1) im Material des where the paramagnetic center (NV1) is in the material of the
Sensorelements bei Bestrahlung mit dieser Pumpstrahlung (LB) eine Fluoreszenzstrahlung (FL) emittiert und wobei das Befestigungsmittel (Ge) im Wesentlichen für die When exposed to this pump radiation (LB), the sensor element emits fluorescent radiation (FL) and wherein the fastening means (Ge) essentially for the
Pumpstrahlung (LB) und für die Fluoreszenzstrahlung (FL) transparent ist; Pump radiation (LB) and transparent to fluorescent radiation (FL);
Patentansprüche Schmuckdiamant Claims jewelry diamond
12. Schmuckdiamant 12. Jewelry diamond
wobei der Schmuckdiamant ein Einkristall ist und wherein the jewelry diamond is a single crystal and
wobei der Schmuckdiamant durch ein Einfärbeverfahren gefärbt ist und wherein the jewelry diamond is colored by a coloring process and
wobei der Schmuckdiamant einem menschlichen Betrachter bei einer Beleuchtung mit weißem Licht rot erscheint und wherein the jewelry diamond appears red to a human observer when illuminated with white light and
wobei der Schmuckdiamant einen ersten Absorptionskoeffizienten (oti) bei einer wherein the jewelry diamond has a first absorption coefficient (oti) at a
Durchstrahlung mit Licht mit einer Wellenlänge von 437nm in zumindest einer möglichen Durchstrahlungsrichtung bei Raumtemperatur aufweist und Has irradiation with light with a wavelength of 437 nm in at least one possible direction of irradiation at room temperature and
wobei der Schmuckdiamant einen zweiten Absorptionskoeffizienten (a2) bei einer wherein the jewelry diamond has a second absorption coefficient (a 2 ) at a
Durchstrahlung mit Licht mit einer Wellenlänge von 500nm in zumindest einer möglichen Durchstrahlungsrichtung bei Raumtemperatur aufweist und Having irradiation with light with a wavelength of 500 nm in at least one possible direction of irradiation at room temperature and
wobei der Schmuckdiamant einen dritten Absorptionskoeffizienten (a3) bei einer wherein the jewelry diamond has a third absorption coefficient (a 3 ) at a
Durchstrahlung mit Licht mit einer Wellenlänge von 570nm in zumindest einer möglichen Durchstrahlungsrichtung bei Raumtemperatur aufweist und Has irradiation with light with a wavelength of 570 nm in at least one possible direction of irradiation at room temperature and
wobei der Schmuckdiamant einen vierten Absorptionskoeffizienten (a4) bei einer wherein the jewelry diamond has a fourth absorption coefficient (a 4 ) at a
Durchstrahlung mit Licht mit einer Wellenlänge von 800nm in zumindest einer möglichen Durchstrahlungsrichtung bei Raumtemperatur aufweist und Has irradiation with light with a wavelength of 800 nm in at least one possible direction of irradiation at room temperature and
wobei der Schmuckdiamant einen fünften Absorptionskoeffizienten (a5) bei einer wherein the jewelry diamond has a fifth absorption coefficient (a 5 ) at a
Durchstrahlung mit Licht mit einer Wellenlänge zwischen 200nm und 400nm in zumindest einer möglichen Durchstrahlungsrichtung bei Raumtemperatur aufweist, gekennzeichnet dadurch, Has irradiation with light with a wavelength between 200 nm and 400 nm in at least one possible direction of irradiation at room temperature, characterized in that
dass der fünfte Absorptionskoeffizient (a5) größer ist als der erste Absorptionskoeffizient (oti) und that the fifth absorption coefficient (a 5 ) is greater than the first absorption coefficient (oti) and
dass der erste Absorptionskoeffizient (oti) größer ist als der dritte Absorptionskoeffizient (a3) und that the first absorption coefficient (oti) is greater than the third absorption coefficient (a 3 ) and
dass der dritte Absorptionskoeffizient (a3) größer ist als der zweite Absorptionskoeffizientthat the third absorption coefficient (a 3 ) is greater than the second absorption coefficient
(a2) und dass der zweite Absorptionskoeffizient (a2) größer ist als der vierte Absorptionskoeffizient (a4) und (a 2 ) and that the second absorption coefficient (a 2 ) is greater than the fourth absorption coefficient (a 4 ) and
dass die Differenz aus dem dritten Absorptionskoeffizient (a3) minus dem zweiten that the difference between the third absorption coefficient (a 3 ) minus the second
Absorptionskoeffizient (a2) kleiner ist als die Differenz aus dem zweiten Absorption coefficient (a 2 ) is smaller than the difference from the second
Absorptionskoeffizient (a2) minus dem vierten Absorptionskoeffizient (a4). Absorption coefficient (a 2 ) minus the fourth absorption coefficient (a 4 ).
13. Schmuckdiamant 13. Jewelry diamond
wobei der Schmuckdiamant durch ein Einfärbeverfahren gefärbt ist und wherein the jewelry diamond is colored by a coloring process and
wobei der Kristall des Schmuckdiamanten durch ein Kristallzuchtverfahren hergestellt wurde ist und wherein the crystal of the jewelry diamond is made by a crystal growing process and
wobei der Schmuckdiamant einem menschlichen Betrachter bei einer Beleuchtung mit weißem Licht rot erscheint und wherein the jewelry diamond appears red to a human observer when illuminated with white light and
wobei der Schmuckdiamant einen ersten Absorptionskoeffizienten (oti) bei einer wherein the jewelry diamond has a first absorption coefficient (oti) at a
Durchstrahlung mit Licht mit einer Wellenlänge von 437nm in zumindest einer möglichen Durchstrahlungsrichtung bei Raumtemperatur aufweist und Has irradiation with light with a wavelength of 437 nm in at least one possible direction of irradiation at room temperature and
wobei der Schmuckdiamant einen zweiten Absorptionskoeffizienten (a2) bei einer wherein the jewelry diamond has a second absorption coefficient (a 2 ) at a
Durchstrahlung mit Licht mit einer Wellenlänge von 500nm in zumindest einer möglichen Durchstrahlungsrichtung bei Raumtemperatur aufweist und Having irradiation with light with a wavelength of 500 nm in at least one possible direction of irradiation at room temperature and
wobei der Schmuckdiamant einen dritten Absorptionskoeffizienten (a3) bei einer wherein the jewelry diamond has a third absorption coefficient (a 3 ) at a
Durchstrahlung mit Licht mit einer Wellenlänge von 570nm in zumindest einer möglichen Durchstrahlungsrichtung bei Raumtemperatur aufweist und Has irradiation with light with a wavelength of 570 nm in at least one possible direction of irradiation at room temperature and
wobei der Schmuckdiamant einen vierten Absorptionskoeffizienten (a4) bei einer wherein the jewelry diamond has a fourth absorption coefficient (a 4 ) at a
Durchstrahlung mit Licht mit einer Wellenlänge von 800nm in zumindest einer möglichen Durchstrahlungsrichtung bei Raumtemperatur aufweist und Has irradiation with light with a wavelength of 800 nm in at least one possible direction of irradiation at room temperature and
wobei der Schmuckdiamant einen fünften Absorptionskoeffizienten (a5) bei einer wherein the jewelry diamond has a fifth absorption coefficient (a 5 ) at a
Durchstrahlung mit Licht mit einer Wellenlänge zwischen 200nm und 400nm in zumindest einer möglichen Durchstrahlungsrichtung bei Raumtemperatur aufweist, gekennzeichnet dadurch, Has irradiation with light with a wavelength between 200 nm and 400 nm in at least one possible direction of irradiation at room temperature, characterized in that
dass der fünfte Absorptionskoeffizient (a5) größer ist als der erste Absorptionskoeffizient (a4) und that the fifth absorption coefficient (a 5 ) is greater than the first absorption coefficient (a 4 ) and
dass der erste Absorptionskoeffizient (oti) größer ist als der dritte Absorptionskoeffizient that the first absorption coefficient (oti) is greater than the third absorption coefficient
(a3) und dass der dritte Absorptionskoeffizient (a3) größer ist als der zweite Absorptionskoeffizient (a2) und (a 3 ) and that the third absorption coefficient (a 3 ) is greater than the second absorption coefficient (a 2 ) and
dass der zweite Absorptionskoeffizient (a2) größer ist als der vierte Absorptionskoeffizient (a4) und that the second absorption coefficient (a 2 ) is greater than the fourth absorption coefficient (a 4 ) and
dass die Differenz aus dem dritten Absorptionskoeffizient (a3) minus dem zweiten that the difference between the third absorption coefficient (a 3 ) minus the second
Absorptionskoeffizient (a2) kleiner ist als die Differenz aus dem zweiten Absorption coefficient (a 2 ) is smaller than the difference from the second
Absorptionskoeffizient (a2) minus dem vierten Absorptionskoeffizient (a4). Absorption coefficient (a 2 ) minus the fourth absorption coefficient (a 4 ).
14. Schmuckdiamant nach einem oder mehreren der Ansprüche 12 bis 13 14. Jewelry diamond according to one or more of claims 12 to 13
• wobei der Schmuckdiamant einen der folgenden Schliffe aufweist: • where the jewelry diamond has one of the following cuts:
o Spitzsteinschliff o Pointed stone cut
o Tafelsteinschliff o Table stone cut
o Rose Cut Schliff o Rose Cut
o Mazarin Schliff o Mazarin cut
o Brillantschliff o brilliant cut
o Tropfenschliff o pear-shaped cut
o Prinzessschliff o princess cut
o Ovalschliff o oval cut
o Herzschliff o heart cut
o Marquise-Schliff o Marquise cut
o Smaragdschliff o emerald cut
o Asscher-Schliff o Asscher cut
o Cushion-Schliff o Cushion cut
o Radiant-Schliff o Radiant cut
o Diamant-Altschliff o Old European cut
o Smaragdschliff o emerald cut
o Baguetteschliff o Baguette cut
15. Schmuckdiamant nach einem oder mehreren der Ansprüche 12 bis 14 15. Jewelry diamond according to one or more of claims 12 to 14
mit einer Qualitätsgrad von Sil oder VS1 oder besser. with a quality grade of Sil or VS1 or better.
16. Schmuckdiamant nach einem oder mehreren der Ansprüche 12 bis 15 16. Jewelry diamond according to one or more of claims 12 to 15
wobei der Schmuckdiamant bei der Beleuchtung mit weißem Licht vor weißem Hintergrund dem menschlichen Betrachter eine Farbe entsprechend RAL 3020 und/oder RAL3024 und/oder RAL 3026 und/oder eine andere RAL-Farbe 3XXX zeigt, wobei XXX für eine dreistellige Zahl zwischen 000 und 999 steht. the jewelry diamond when illuminated with white light in front of a white background gives the human observer a color corresponding to RAL 3020 and / or RAL3024 and / or RAL 3026 and / or another RAL color shows 3XXX, where XXX stands for a three-digit number between 000 and 999.
17. Schmuckdiamant nach einem oder mehreren der Ansprüche 12 bis 16 17. Jewelry diamond according to one or more of claims 12 to 16
wobei der Schmuckdiamant die rote Farbe "fancy-red" nach GIA-Norm zeigt oder wobei der Schmuckdiamant die rote Farbe "fancy-deep" nach GIA-Norm zeigt oder wobei der Schmuckdiamant die rote Farbe "fancy-vivid" nach GIA-Norm zeigt oder wobei der Schmuckdiamant die rote Farbe "fancy-dark" nach GIA-Norm zeigt oder wobei der Schmuckdiamant die rote Farbe "fancy-intense" nach GIA-Norm zeigt oder wobei der Schmuckdiamant die rote Farbe "fancy light" nach GIA-Norm zeigt oder wobei der Schmuckdiamant die rote Farbe "light" nach GIA-Norm zeigt oder wherein the jewelry diamond shows the red color "fancy-red" according to the GIA standard or the jewelry diamond shows the red color "fancy-deep" according to the GIA standard or the jewelry diamond shows the red color "fancy-vivid" according to the GIA standard or where the jewelry diamond shows the red color "fancy dark" according to the GIA standard or where the jewelry diamond shows the red color "fancy intense" according to the GIA standard or where the jewelry diamond shows the red color "fancy light" according to the GIA standard or where the jewelry diamond shows the red color "light" according to the GIA standard or
wobei der Schmuckdiamant eine rote Farbe entsprechend der Bilder der Diamanten auf Seite 13 der Schrift von John M. King "GIA Colored Diamonds, Color Reference Charts", Gemological Institute of America, 2006, ISBN-10: 0873110536, ISBN-13: 978-0873110532 zeigt oder where the jewelry diamond is a red color corresponding to the pictures of the diamonds on page 13 of John M. King's "GIA Colored Diamonds, Color Reference Charts", Gemological Institute of America, 2006, ISBN-10: 0873110536, ISBN-13: 978- 0873110532 shows or
wobei der Schmuckdiamant die orange-rosa Farbe "fancy-red" nach GIA-Norm zeigt oder wobei der Schmuckdiamant die orange-rosa Farbe "fancy-deep" nach GIA-Norm zeigt oder wobei der Schmuckdiamant die orange-rosa Farbe "fancy-vivid" nach GIA-Norm zeigt oder wobei der Schmuckdiamant die orange-rosa Farbe "fancy-dark" nach GIA-Norm zeigt oder wobei der Schmuckdiamant die orange-rosa Farbe "fancy-intense" nach GIA-Norm zeigt oder wherein the jewelry diamond shows the orange-pink color "fancy-red" according to the GIA standard or the jewelry diamond shows the orange-pink color "fancy-deep" according to the GIA standard or the jewelry diamond the orange-pink color "fancy-vivid" "shows according to the GIA standard or wherein the jewelry diamond shows the orange-pink color" fancy-dark "according to the GIA standard or wherein the jewelry diamond shows the orange-pink color" fancy-intense "according to the GIA standard or
wobei der Schmuckdiamant die orange-rosa Farbe "fancy light" nach GIA-Norm zeigt oder wobei der Schmuckdiamant die orange-rosa Farbe "light" nach GIA-Norm zeigt oder wobei der Schmuckdiamant eine orange-rosa Farbe entsprechend der Bilder der Diamanten auf Seite 12 der Schrift von John M. King "GIA Colored Diamonds, Color Reference Charts", Gemological Institute of America, 2006, ISBN-10: 0873110536, ISBN-13: 978-0873110532 zeigt. where the jewelry diamond shows the orange-pink color "fancy light" according to the GIA standard or where the jewelry diamond shows the orange-pink color "light" according to the GIA standard or where the jewelry diamond has an orange-pink color according to the pictures of the diamonds on page Figure 12 of John M. King's GIA Colored Diamonds, Color Reference Charts, Gemological Institute of America, 2006, ISBN-10: 0873110536, ISBN-13: 978-0873110532 shows.
18. Schmuckdiamant nach einem oder mehreren der Ansprüche 12 bis 17 18. Jewelry diamond according to one or more of claims 12 to 17
wobei der Schmuckdiamant bei der Beleuchtung mit weißem Licht vor weißem Flintergrund mit einer Farbe im Bereich von 637nm +/-10nm fluoresziert. whereby the jewelery diamond fluoresces with a color in the range of 637nm +/- 10nm when illuminated with white light against a white background.
19. Schmuckdiamant nach einem oder mehreren der Ansprüche 12 bis 18 wobei der Schmuckdiamant eine Fluoreszenz mit einer Farbtemperatur kleiner als 2000K und/oder kleiner als 1000K aufweist. 19. Jewelry diamond according to one or more of claims 12 to 18 wherein the jewelry diamond has a fluorescence with a color temperature of less than 2000K and / or less than 1000K.
20. Schmuckdiamant nach einem oder mehreren der Ansprüche 12 bis 19 20. Jewelry diamond according to one or more of claims 12 to 19
wobei der Schmuckdiamanten bei Durchstrahlung mit weißem Licht in zumindest einer Durchstrahlungsrichtung eine Farbtemperatur kleiner als 1000K aufweist. wherein the jewelry diamond has a color temperature of less than 1000K when exposed to white light in at least one direction of transmission.
21. Schmuckdiamant nach einem oder mehreren der Ansprüche 12 bis 20 21. Jewelry diamond according to one or more of claims 12 to 20
• wobei er eine Dichte an NV-Zentren von mehr als 0,01ppm und/oder von mehr als 10-3ppm und/oder von mehr als 10-4ppm und/oder von mehr als 10-5ppm und/oder von mehr als 10-6ppm bezogen auf die Anzahl der Kohlenstoffatome pro Volumeneinheit aufweist. • having a density of NV centers of more than 0.01ppm and / or of more than 10-3ppm and / or of more than 10-4ppm and / or of more than 10-5ppm and / or of more than 10- 6ppm based on the number of carbon atoms per unit volume.
22. Schmuckdiamant nach einem oder mehreren der Ansprüche 12 bis 21 22. Jewelry diamond according to one or more of claims 12 to 21
• wobei die Dichte der NV-Zentren weniger als lOppm und/oder von weniger als 2ppm und/oder von weniger als lppm und/oder von weniger als 0,5ppm und/oder von weniger als 0,2ppm und/oder von weniger als 0,lppm und/oder von weniger als 0,05ppm und/oder von weniger als 0,02ppm und/oder von weniger als 0,01ppm und/oder von weniger als 0,005ppm und/oder von weniger als 0,002ppm und/oder von weniger als 0,001ppm und/oder von weniger als 5*104 ppm und/oder von weniger als 2*104 ppm und/oder von weniger als 105ppm und/oder von weniger als 5*105 ppm und/oder von weniger als 2*105 ppm und/oder von weniger als 10 6ppm und/oder von weniger als 5*10 6 ppm und/oder von weniger als 2*10 6 ppm und/oder von weniger als 107ppm bezogen auf die Anzahl der Kohlenstoffatome pro Volumeneinheit beträgt. The density of the NV centers is less than 10 ppm and / or less than 2 ppm and / or less than 1 ppm and / or less than 0.5 ppm and / or less than 0.2 ppm and / or less than 0 , lppm and / or less than 0.05ppm and / or less than 0.02ppm and / or less than 0.01ppm and / or less than 0.005ppm and / or less than 0.002ppm and / or less than 0.001 ppm and / or less than 5 * 10 4 ppm and / or less than 2 * 10 4 ppm and / or less than 10 5 ppm and / or less than 5 * 10 5 ppm and / or less than 2 * 10 5 ppm and / or less than 10 6 ppm and / or less than 5 * 10 6 ppm and / or less than 2 * 10 6 ppm and / or less than 10 7 ppm based on the number of Carbon atoms per unit volume.
23. Schmuckdiamant nach einem oder mehreren der Ansprüche 12 bis 22 23. Jewelry diamond according to one or more of claims 12 to 22
• wobei der Schmuckdiamant Spuren einer Bestrahlung mit Partikeln, insbesondere mit Elektronen und/oder Protonen, aufweist. • wherein the jewelry diamond has traces of irradiation with particles, in particular with electrons and / or protons.
24. Verfahren zur Fierstellung von eines oder mehrerer roter Schmuckdiamanten, insbesondere nach einem oder mehreren der Ansprüche 12 bis 23: 24. A method for setting one or more red jewelry diamonds, in particular according to one or more of claims 12 to 23:
• Bereitstellung des oder der Diamantrohlinge, • Provision of the diamond blank (s),
wobei der oder die Diamantrohlinge Stickstoffatome in Form von Pi- Zentren umfassen und/oder wherein the diamond blank (s) comprise nitrogen atoms in the form of pi centers and / or
wobei der oder die Diamantrohlinge eine gelbe Farbe besitzen und/oder wobei der oder die Diamantrohlinge Stickstoffatome zusammen mit wherein the diamond blank (s) have a yellow color and / or wherein the diamond blank or blanks nitrogen atoms together with
Wasserstoff umfassen; Include hydrogen;
• Bestrahlen des oder der Diamantrohlinge mit Elektronen, • irradiating the diamond blank (s) with electrons,
wobei die Energie der Elektronen größer als 500keV und/oder größer als IMeV ist und/oder größer als 3MeV ist und/oder größer als 4MeV ist und/oder größer als 5MeV ist und/oder größer als 6 MeV ist und/oder größer als 7 MeV ist und/oder größer als 8 MeV ist und/oder größer als 9 MeV ist und/oder größer als 10 MeV ist, wobei eine Energie von lOMeV bevorzugt ist the energy of the electrons being greater than 500keV and / or greater than IMeV and / or greater than 3MeV and / or greater than 4MeV and / or greater than 5MeV and / or greater than 6 MeV and / or greater than 7 MeV is and / or is greater than 8 MeV and / or is greater than 9 MeV and / or is greater than 10 MeV, an energy of IOMeV being preferred
wobei die Bestrahlungsdosis bevorzugt zwischen 5*1017 cm 2 und 2*1018cm 2, zumindest aber unter 1019cm 2 liegt und wherein the radiation dose is preferably between 5 * 10 17 cm 2 and 2 * 10 18 cm 2 , but at least below 10 19 cm 2 and
wobei die Temperatur des oder der Diamanten während der the temperature of the diamond or diamonds during the
Bestrahlung bei einer Bestrahlungstemperatur größer 600°C und/oder größer 700°C und/oder größer 800°C und kleiner 900°C und/oder kleiner 1000°C und/oder kleiner 1100°C und/oder kleiner 1200°C, bevorzugt zwischen 800°C und 900°C liegt und Irradiation at an irradiation temperature greater than 600 ° C. and / or greater than 700 ° C. and / or greater than 800 ° C. and less than 900 ° C. and / or less than 1000 ° C. and / or less than 1100 ° C. and / or less than 1200 ° C. is preferred is between 800 ° C and 900 ° C and
wobei der Strahlstrom des elektrischen Stroms dieser Elektronen so eingestellt wird, dass die Bestrahlungsdauer zum Erreichen der obigen Bestrahlungsdosis mindestens 0,05 Tage und/oder mindestens 0,5 Tage und/oder mindestens 1 Tag und/oder mindestens 2 Tage und/oder mindestens 4 Tage und/oder mindestens 8 Tage, bevorzugt aber 2 Tage beträgt. wherein the beam current of the electric current of these electrons is adjusted so that the irradiation time to achieve the above irradiation dose at least 0.05 days and / or at least 0.5 days and / or at least 1 day and / or at least 2 days and / or at least 4 Days and / or at least 8 days, but preferably 2 days.
25. Verfahren nach Anspruch 24. 25. The method of claim 24.
• wobei ein Diamantrohling ein synthetischer HPHT-Diamant ist oder • where a diamond blank is a synthetic HPHT diamond or
• wobei ein Diamantrohling ein synthetischer CVD-Diamant ist. • where a diamond blank is a synthetic CVD diamond.
26. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche 24 bis 25, 26. The method according to one or more of the preceding claims 24 to 25,
• wobei ein Diamantrohling zumindest eine geschliffene Fläche vor dem Bestrahlen aufweist. • wherein a diamond blank has at least one ground surface before irradiation.
27. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche 24 bis 26, 27. The method according to one or more of the preceding claims 24 to 26,
• wobei die Bestrahlung in einem Vakuum mit einem Restdruck von kleiner als 10- 4m Bar und/oder von kleiner als 105mBar und/oder von kleiner als 10 smBar und/oder von kleiner als 107mBar und/oder von kleiner als 108mBar und/oder von kleiner als 109mBar und/oder von kleiner als 10 10mBar und/oder stattfindet, wobei ein Restdruck von kleiner als 10 smBar bevorzugt ist oder • the irradiation in a vacuum with a residual pressure of less than 10-4 mBar and / or less than 10 5 mBar and / or less than 10 s mBar and / or less than 10 7 mBar and / or less than 10 8 mBar and / or from less than 10 9 mBar and / or less than 10 10 mBar and / or takes place, a residual pressure of less than 10 s mBar being preferred or
• wobei die Bestrahlung in einer Schutzgasatmosphäre, insbesondere in einer Agon- Atmosphäre stattfindet. • where the irradiation takes place in a protective gas atmosphere, in particular in an agon atmosphere.
28. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche 24 bis 27, 28. The method according to one or more of the preceding claims 24 to 27,
• wobei ein Diamantrohling einen der folgenden Schliffe vor dem Bestrahlen aufweist. • where a diamond blank has one of the following cuts before blasting.
Spitzsteinschliff Pointed stone cut
Tafelsteinschliff Table stone cut
Rose Cut Schliff Rose cut finish
Mazarin Schliff Mazarin cut
Brillantschliff Brilliant cut
Tropfenschliff Pear cut
Prinzessschliff Princess cut
Ovalschliff Oval cut
Herzschliff Heart cut
Marquise-Schliff Marquise cut
Smaragdschliff Emerald cut
Asscher-Schliff Asscher cut
Cushion-Schliff Cushion cut
Radiant-Schliff Radiant cut
Diamant-Altschliff Diamond old cut
Smaragdschliff Emerald cut
Baguetteschliff Baguette cut
29. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche 24 bis 28, 29. The method according to one or more of the preceding claims 24 to 28,
• wobei ein Diamantrohling eine Größe größer als 0,lct und/oder größer als 0,2ct und/oder größer als 0,5ct und/oder größer als lct und/oder größer als l,5ct und/oder größer als 2ct aufweist. • where a diamond blank has a size greater than 0.1 ct and / or greater than 0.2 ct and / or greater than 0.5 ct and / or greater than 1 ct and / or greater than 1.5 ct and / or greater than 2 ct.
30. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche 24 bis 29, 30. The method according to one or more of the preceding claims 24 to 29,
wobei der oder die Diamantrohlinge sich bei der Bestrahlung in einer temperaturgeregelten Prozesskammer auf einer Prozesskammertemperatur oder wobei der oder die Diamantrohlinge sich bei der Bestrahlung in einem temperaturgeregelten Gefäß auf einer Prozesskammertemperatur befinden oder wobei die Prozesskammertemperatur befinden, nicht mehr als 200°C und/oder nicht mehr als 100°C und/oder nicht mehr als 50°C und/oder nicht mehr als 20°C und/oder nicht mehr als 10°C von der Bestrahlungstemperatur abweicht. wherein the diamond blank (s) are at a process chamber temperature during the irradiation in a temperature-controlled process chamber or wherein the diamond blank (s) are at a process chamber temperature during the irradiation in a temperature-controlled vessel or where the process chamber temperature is not more than 200 ° C and / or not more than 100 ° C and / or not more than 50 ° C and / or not more than 20 ° C and / or not more than 10 ° C from the irradiation temperature deviates.
31. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche 24 bis 30, 31. The method according to one or more of the preceding claims 24 to 30,
• wobei der oder die Diamantrohlinge sich bei der Bestrahlung in einem Quarzgefäß befinden. • the diamond blank (s) being in a quartz vessel during the irradiation.
32. Vorrichtung zur Durchführung eines Verfahrens nach einem oder mehreren der vorhergehenden 32. Device for carrying out a method according to one or more of the preceding
Ansprüche 24 bis 31, umfassend Claims 24 to 31 comprising
einen Elektronenbeschleuniger, der Elektronen mit einer Energie zwischen 2MeV und lOMeV in eine Prozesskammer liefert, an electron accelerator that delivers electrons with an energy between 2MeV and IOMeV into a process chamber,
ein Vakuumsystem, das dazu geeignet und bestimmt ist, die Prozesskammer zu evakuieren, a vacuum system that is suitable and intended to evacuate the process chamber,
eine Heizvorrichtung a heater
wobei die Heizvorrichtung dazu geeignet und bestimmt ist, die Prozesskammer und/oder ein Gefäß innerhalb der Prozesskammer auf eine Prozesstemperatur zu heizen und wherein the heating device is suitable and intended to heat the process chamber and / or a vessel within the process chamber to a process temperature and
einen Temperatursensor, der dazu geeignet und bestimmt ist, die Temperatur der Prozesskammer und/oder die Temperatur des Gefäßes und/oder die Temperatur eines oder mehrerer Diamantrohlinge innerhalb des Gefäßes oder innerhalb der Prozesskammer als Temperaturmesswert zu erfassen und a temperature sensor which is suitable and intended to detect the temperature of the process chamber and / or the temperature of the vessel and / or the temperature of one or more diamond blanks within the vessel or within the process chamber as a temperature measurement value and
einen Regler, der dazu geeignet und bestimmt ist, die Heizvorrichtung in a controller that is suitable and intended to turn the heating device into
Abhängigkeit vom erfassten Temperaturmesswert zu steuern. To be controlled depending on the measured temperature value.
33. Verwendung eines Verfahrens nach einem oder mehreren der Ansprüche 24 bis 32 zur 33. Use of a method according to one or more of claims 24 to 32 for
Herstellung von eines oder mehrerer roter Schmuckdiamanten, insbesondere eines Schmuckdiamanten nach einem oder mehreren der Ansprüche 12 bis 23. Production of one or more red jewelry diamonds, in particular a jewelry diamond according to one or more of claims 12 to 23.
34. Verwendung eines Verfahrens nach einem oder mehreren der Ansprüche 24 bis 32 und einer 34. Use of a method according to one or more of claims 24 to 32 and one
Vorrichtung nach Anspruch 32 zur Herstellung von eines oder mehrerer roter Device according to claim 32 for the production of one or more red ones
Schmuckdiamanten, insbesondere eines Schmuckdiamanten nach einem oder mehreren der Ansprüche 12 bis 23 Patentansprüche Verfahren zum Testen eines Gehäuses Decorative diamonds, in particular a decorative diamond according to one or more of Claims 12 to 23 Method for testing a housing
35. Verfahren zum Test eines Gehäuses nach einem oder mehreren Ansprüchen der Ansprüche 3 bis 35. A method for testing a housing according to one or more of claims 3 to
5 mit den Schritten 5 with the steps
Bestrahlen des noch offenen Gehäuses vor dem Verschließen mit einem Deckel (DE) mit Pumpstrahlung (LB); Irradiating the still open housing with pump radiation (LB) before closing it with a cover (DE);
Vermessung (9) der durch das paramagnetische Zentrum (NV1) des Sensorsystems in der Kavität (CAV) des Gehäuses emittierten Fluoreszenzstrahlung (FL); Measurement (9) of the fluorescence radiation (FL) emitted by the paramagnetic center (NV1) of the sensor system in the cavity (CAV) of the housing;
Bewerten (10) der gemessenen Fluoreszenzstrahlung (FL) durch Vergleich (10) des Assess (10) the measured fluorescence radiation (FL) by comparing (10) the
Messwerts der Fluoreszenzstrahlung (FL) mit einem Schwellwert. Measured value of the fluorescence radiation (FL) with a threshold value.
36. Verfahren zum Test eines Gehäuses nach einem oder mehreren Ansprüchen der Ansprüche 3 bis 36. A method for testing a housing according to one or more of claims 3 to
5 mit den Schritten 5 with the steps
Betreiben der Pumpstrahlungsquelle (PLI) für Pumpstrahlung (LB); Operating the pump radiation source (PLI) for pump radiation (LB);
Vermessung (9) der durch das Gehäuse emittierten Pumpstrahlung (LB); Measurement (9) of the pump radiation (LB) emitted by the housing;
Bewerten (10) der gemessenen Pumpstrahlung (LB) durch Vergleich (10) des Messwerts der Pumpstrahlung (LB) mit einem Schwellwert. Assess (10) the measured pump radiation (LB) by comparing (10) the measured value of the pump radiation (LB) with a threshold value.
37. Verfahren zum Test eines Gehäuses nach einem oder mehreren Ansprüchen der Ansprüche 3 bis 37. A method for testing a housing according to one or more of claims 3 to
5 mit den Schritten 5 with the steps
Betreiben der Pumpstrahlungsquelle (PLI) für Pumpstrahlung (LB); Operating the pump radiation source (PLI) for pump radiation (LB);
Vermessung (9) der durch das Gehäuse emittierten Fluoreszenzstrahlung (FL); Measurement (9) of the fluorescence radiation (FL) emitted by the housing;
Bewerten (10) der gemessenen Fluoreszenzstrahlung (FL) durch Vergleich (10) des Assess (10) the measured fluorescence radiation (FL) by comparing (10) the
Messwerts der Fluoreszenzstrahlung (FL) mit einem Schwellwert. Measured value of the fluorescence radiation (FL) with a threshold value.
Patentansprüche Verfahren zum Betreiben eines Sensorsystems mit einem A method for operating a sensor system with a
Sensorelement mit einer hohen Dichte an paramagnetischen Zentren und Sensor element with a high density of paramagnetic centers and
Regelung über Kompensationspfad Regulation via compensation path
38. Verfahren zum Betreiben eines Sensorsystems 38. Method of operating a sensor system
wobei das Sensorsystem ein Sensorelement umfasst und wherein the sensor system comprises a sensor element and
wobei das Sensorelement mehrere paramagnetische Zentren (NV1) umfasst, wherein the sensor element comprises several paramagnetic centers (NV1),
umfassend die Schritte comprehensive the steps
moduliertes Aussenden einer modulierten Pumpstrahlung (LB) in Abhängigkeit von einem modulierten Sendesignal (S5w); Erzeugen einer modulierten Fluoreszenzstrahlung (FL) mittels des paramagnetischen Zentrums (NV1) die von der modulierten Pumpstrahlung (LB) und mindestens einem weiteren physikalischen Parameter abhängt; modulated transmission of a modulated pump radiation (LB) as a function of a modulated transmission signal (S5w); Generating a modulated fluorescence radiation (FL) by means of the paramagnetic center (NV1) which depends on the modulated pump radiation (LB) and at least one further physical parameter;
Empfangen der modulierten Fluoreszenzstrahlung (FL) und Erzeugen eines Receiving the modulated fluorescent radiation (FL) and generating one
Empfängerausgangssignals (SO); Receiver output signal (SO);
Korrelation des Empfängerausgangssignals (SO) mit dem modulierten Sendesignal (S5w) und Bildung eines Sensorausgangssignals (out), wobei das Sensorausgangssignals (out) von der Intensität der Korrelation der Modulation der Fluoreszenzstrahlung (FL) mit dem modulierten Sendesignal (S5w) abhängt; Correlation of the receiver output signal (SO) with the modulated transmission signal (S5w) and formation of a sensor output signal (out), the sensor output signal (out) depending on the intensity of the correlation of the modulation of the fluorescence radiation (FL) with the modulated transmission signal (S5w);
Verwendung des Werts des Sensorausgangssignals (out) als Messwert für den mindestens einen weiteren physikalischen Parameter; Using the value of the sensor output signal (out) as a measured value for the at least one further physical parameter;
gekennzeichnet dadurch, characterized by
dass die Dichte der paramagnetischen Zentren (NV1) in dem Sensorelement höher ist als 10 6 ppm und/oder höher ist als 0,01 ppm. that the density of the paramagnetic centers (NV1) in the sensor element is higher than 10 6 ppm and / or higher than 0.01 ppm.
39. Verfahren nach Anspruch 38 39. The method according to claim 38
wobei die Korrelation erfolgt mit den Schritten where the correlation takes place with the steps
Subtraktion eines Rückkoppelsignals (S6) vom Empfängerausgangssignal (SO) zum Subtract a feedback signal (S6) from the receiver output signal (SO) to the
reduzierten Empfängerausgangssignal (Sl); reduced receiver output signal (Sl);
Multiplikation des reduzierten Empfängerausgangssignals (Sl) oder eines daraus Multiplication of the reduced receiver output signal (Sl) or one of them
abgeleiteten Signals mit dem modulierten Sendesignal (S5w) zum Filtereingangssignal (S3); derived signal with the modulated transmission signal (S5w) to the filter input signal (S3);
Filtern des Filtereingangssignals (S3) mit einem Schleifenfilter (TP) zum Filterausgangssignal (S4); Filtering the filter input signal (S3) with a loop filter (TP) to form the filter output signal (S4);
Bilden eines komplementären Sendesignals (S5c) aus dem modulierten Sendesignal (S5w) und Multiplikation des Filterausgangssignals (S4) mit dem komplementären Sendesignal (S5c) zum Rückkoppelsignal (S6) oder Ausführen einer ergebnisgleichen Verknüpfung von Filterausgangssignal (S4) und moduliertem Sendesignal (S5); Formation of a complementary transmission signal (S5c) from the modulated transmission signal (S5w) and multiplication of the filter output signal (S4) by the complementary transmission signal (S5c) for the feedback signal (S6) or execution of a resultant combination of the filter output signal (S4) and the modulated transmission signal (S5);
Verwendung des Filterausgangssignals (S4) zur Bildung des Sensorausgangssignals (out), wobei das Sensorausgangssignal (out) im Sinne dieses Merkmals gleich dem Filterausgangssignal (S4) sein kann. Use of the filter output signal (S4) to form the sensor output signal (out), the sensor output signal (out) in the sense of this feature being able to be the same as the filter output signal (S4).
40. Verfahren nach Anspruch 38 40. The method according to claim 38
wobei die Korrelation erfolgt mit den Schritten Multiplikation des Empfängerausgangssignals (SO) oder eines daraus abgeleiteten Signals mit dem modulierten Sendesignal (S5w) zum Filtereingangssignal (S3); where the correlation takes place with the steps Multiplication of the receiver output signal (SO) or a signal derived therefrom by the modulated transmission signal (S5w) to form the filter input signal (S3);
Filtern des Filtereingangssignals (S3) mit einem Schleifenfilter (TP) zum Filterausgangssignal (S4); Filtering the filter input signal (S3) with a loop filter (TP) to form the filter output signal (S4);
Bilden eines komplementären Sendesignals (S5c) aus dem modulierten Sendesignal (S5w) und Multiplikation des Filterausgangssignals (S4) mit dem komplementären Sendesignal (S5c) zum Rückkoppelsignal (S6) oder Ausführen einer ergebnisgleichen Verknüpfung von Filterausgangssignal (S4) und moduliertem Sendesignal (S5); Ansteuern einer Referenzrauschquelle in Form einer Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) mit dem Rückkoppelsignal (S6); Formation of a complementary transmission signal (S5c) from the modulated transmission signal (S5w) and multiplication of the filter output signal (S4) by the complementary transmission signal (S5c) for the feedback signal (S6) or execution of a resultant combination of the filter output signal (S4) and the modulated transmission signal (S5); Driving a reference noise source in the form of a compensation radiation source (PLK) with the feedback signal (S6);
Aussenden einer Kompensationsstrahlung (KS) durch die Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) in Abhängigkeit von dem Rückkoppelsignal (S6) oder einem daraus abgeleiteten Kompensationssendesignal (S7); Emitting a compensation radiation (KS) by the compensation radiation source (PLK) as a function of the feedback signal (S6) or a compensation transmission signal (S7) derived therefrom;
Einstrahlen von Kompensationsstrahlung (KS) in den Strahlungsempfänger (PD); Radiation of compensation radiation (KS) into the radiation receiver (PD);
Überlagerndes Empfangen der Fluoreszenzstrahlung (FL) und der Kompensationsstrahlung im Strahlungsempfänger (PD1); Superimposing reception of the fluorescence radiation (FL) and the compensation radiation in the radiation receiver (PD1);
Verwendung des Filterausgangssignals (S4) zur Bildung des Sensorausgangssignals (out), wobei das Sensorausgangssignal (out) im Sinne dieses Merkmals gleich dem Filterausgangssignal (S4) sein kann. Use of the filter output signal (S4) to form the sensor output signal (out), the sensor output signal (out) in the sense of this feature being able to be the same as the filter output signal (S4).
Patentansprüche Verfahren zum Betreiben eines Sensorsystems mit einem A method for operating a sensor system with a
Sensorelement mit einer hohen Dichte an paramagnetischen Zentren und Sensor element with a high density of paramagnetic centers and
Regelung über Sendepfad Regulation via transmission path
41. Verfahren zum Betreiben eines Sensorsystems 41. Method of operating a sensor system
wobei das Sensorsystem ein Sensorelement umfasst und wherein the sensor system comprises a sensor element and
wobei das Sensorelement mehrere paramagnetische Zentren (NV1) umfasst, wherein the sensor element comprises several paramagnetic centers (NV1),
umfassend die Schritte comprehensive the steps
moduliertes Aussenden einer modulierten Kompensationsstrahlung (KS) in Abhängigkeit von einem modulierten Kompensationssendesignals (S7w); modulated transmission of a modulated compensation radiation (KS) as a function of a modulated compensation transmission signal (S7w);
Erzeugen einer modulierten Fluoreszenzstrahlung (FL) mittels der paramagnetischen Generating a modulated fluorescence radiation (FL) by means of the paramagnetic
Zentren (NV1) die von einer modulierten Pumpstrahlung (LB) und mindestens einem weiteren physikalischen Parameter abhängt; Überlagerndes Empfangen der modulierten Fluoreszenzstrahlung (FL) und der Centers (NV1) which depend on a modulated pump radiation (LB) and at least one further physical parameter; Overlaying reception of the modulated fluorescence radiation (FL) and the
Kompensationsstrahlung (KS) und Erzeugen eines Empfängerausgangssignals (SO); Korrelation des Empfängerausgangssignals (SO) mit dem modulierten Compensation radiation (KS) and generating a receiver output signal (SO); Correlation of the receiver output signal (SO) with the modulated
Kompensationssendesignal (S7w) und Bildung eines Sensorausgangssignals (out), Verwendung des Werts des Sensorausgangssignals (out) als Messwert für den mindestens einen weiteren physikalischen Parameter; Compensation transmission signal (S7w) and formation of a sensor output signal (out), using the value of the sensor output signal (out) as a measured value for the at least one further physical parameter;
gekennzeichnet dadurch, characterized by
dass die Dichte der paramagnetischen Zentren (NV1) in dem Sensorelement höher ist als 10 6 ppm und/oder höher als 0,01 ppm. that the density of the paramagnetic centers (NV1) in the sensor element is higher than 10 6 ppm and / or higher than 0.01 ppm.
42. Verfahren nach Anspruch 41 42. The method according to claim 41
wobei die Korrelation erfolgt mit den Schritten where the correlation takes place with the steps
Multiplikation des Empfängerausgangssignals (SO) oder eines daraus abgeleiteten Signals mit dem modulierten Kompensationssendesignal (S7w) zum Filtereingangssignal Multiplication of the receiver output signal (SO) or a signal derived therefrom by the modulated compensation transmission signal (S7w) to form the filter input signal
(53); (53);
Filtern des Filtereingangssignals (S3) mit einem Schleifenfilter (TP) zum Filterausgangssignal Filtering the filter input signal (S3) with a loop filter (TP) to the filter output signal
(54); (54);
Bilden eines komplementären Kompensationssendesignals (S7c) aus dem modulierten Formation of a complementary compensation transmission signal (S7c) from the modulated
Kompensationssendesignal (S7w) und Multiplikation des Filterausgangssignals (S4) mit dem komplementären Kompensationssendesignal (S7c) zum komplexen Rückkoppelsignal (S8) oder Ausführen einer ergebnisgleichen Verknüpfung von Filterausgangssignal (S4) und moduliertem Sendesignal (S5) zur Bildung des komplexen Rückkoppelsignals (S8); Compensation transmission signal (S7w) and multiplication of the filter output signal (S4) with the complementary compensation transmission signal (S7c) for the complex feedback signal (S8) or execution of a resultant combination of filter output signal (S4) and modulated transmission signal (S5) to form the complex feedback signal (S8)
Ansteuern einer Pumpstrahlungsquelle (PLI) mit dem komplexen Rückkoppelsignal (S8) oder einem daraus abgeleiteten Sendesignal (S5); Driving a pump radiation source (PLI) with the complex feedback signal (S8) or a transmission signal (S5) derived therefrom;
Aussenden einer Pumpstrahlung (LB) durch die Strahlungsquelle (PLI) in Abhängigkeit von dem komplexen Rückkoppelsignal (S8) oder einem daraus abgeleiteten Sendesignal Emission of a pump radiation (LB) by the radiation source (PLI) as a function of the complex feedback signal (S8) or a transmission signal derived therefrom
(55); (55);
Patentansprüche Verfahren zum Betreiben eines Sensorsystems Vermessung des Nachleuchtens der paramagnetischen Zentren Claims Method for operating a sensor system measuring the afterglow of the paramagnetic centers
43. Verfahren zum Betreiben eines Sensorsystems 43. Method of operating a sensor system
wobei das Sensorsystem ein Sensorelement umfasst und wherein the sensor system comprises a sensor element and
wobei das Sensorelement mehrere paramagnetische Zentren (NV1) umfasst, umfassend die Schritte wherein the sensor element comprises several paramagnetic centers (NV1), comprehensive the steps
Mittels eines modulierten Sendesignals (S5w) moduliertes Aussenden einer modulierten Pumpstrahlung (LB); A modulated transmission of a modulated pump radiation (LB) is modulated by means of a modulated transmission signal (S5w);
Erzeugen einer modulierten Fluoreszenzstrahlung (FL) mittels der paramagnetischen Generating a modulated fluorescence radiation (FL) by means of the paramagnetic
Zentren (NV1) die von der modulierten Pumpstrahlung (LB) und mindestens einem weiteren physikalischen Parameter abhängt; Centers (NV1) which depend on the modulated pump radiation (LB) and at least one further physical parameter;
Empfangen der modulierten Fluoreszenzstrahlung (FL) und Erzeugen eines Receiving the modulated fluorescent radiation (FL) and generating one
Empfängerausgangssignals (SO); Receiver output signal (SO);
gekennzeichnet durch das characterized by the
Bestimmen eines Werts der Intensität (lf|) der modulierten Fluoreszenzstrahlung (FL) der paramagnetischen Zentren (NV1) zu Zeiten, zu denen das modulierte Aussenden der modulierten Pumpstrahlung (LB) nicht stattfindet; Determining a value of the intensity (l f | ) of the modulated fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic centers (NV1) at times when the modulated emission of the modulated pump radiation (LB) does not take place;
Ausgeben oder Bereithalten dieses Werts als Maß für den mindestens einen weiteren Outputting or keeping this value ready as a measure for the at least one other
physikalischen Parameter physical parameters
Verwenden dieses Werts als Maß für den mindestens einen weiteren physikalischen Use this value as a measure for the at least one further physical
Parameter. Parameter.
Patentansprüche Sensorsystem dass die Fluoreszenzphasenverschiebungszeit (ÄTFL) aus wertet Sensor system that evaluates the fluorescence phase shift time (ÄTFL)
44. Sensorsystem 44. Sensor system
wobei das Sensorsystem ein Sensorelement umfasst und wherein the sensor system comprises a sensor element and
wobei das Sensorelement mehrere paramagnetische Zentren (NV1) umfasst, wherein the sensor element comprises several paramagnetic centers (NV1),
wobei das Sensorsystem eine Pumpstrahlungsquelle (PLI) für Pumpstrahlung (LB) umfasst und wherein the sensor system comprises a pump radiation source (PLI) for pump radiation (LB) and
wobei die Intensität (lpmp) der Pumpstrahlung (LB) moduliert ist und where the intensity (l pmp ) of the pump radiation (LB) is modulated and
wobei die Pumpstrahlung (LB) die paramagnetischen Zentren (NV1) zur Abgabe von wherein the pump radiation (LB) the paramagnetic centers (NV1) for the release of
Fluoreszenzstrahlung (FL) veranlasst und Fluorescence radiation (FL) causes and
wobei die Fluoreszenzstrahlung (FL) von mindestens einem physikalischen Parameter wherein the fluorescence radiation (FL) of at least one physical parameter
abhängig ist und is dependent and
gekennzeichnet dadurch, characterized by
dass das Sensorsystem Mittel umfasst, um eine Fluoreszenzphasenverschiebungszeit (ATFL) zwischen einer Modulation der Pumpstrahlung (LB) und der damit korrespondierenden Modulation der Fluoreszenzstrahlung (FL) in Form eines oder mehrerer Messwerte zu erfassen und that the sensor system comprises means to set a fluorescence phase shift time (ATFL) between a modulation of the pump radiation (LB) and the therewith to detect corresponding modulation of the fluorescence radiation (FL) in the form of one or more measured values and
dass das Sensorsystem diesen einen Messwert oder die mehreren Messwerte als Messwert oder Messwerte für den mindestens einen physikalischen Paramater ausgibt oder bereithält. that the sensor system outputs or keeps this one measured value or the multiple measured values as measured value or measured values for the at least one physical parameter.
Patentansprüche Sensorsystem Amperemeter Ammeter sensor system claims
45. Sensorsystem 45. Sensor system
wobei das Sensorsystem ein Sensorelement umfasst und wherein the sensor system comprises a sensor element and
wobei das Sensorelement ein oder mehrere paramagnetisches Zentren (NV1) umfasst und wobei das Sensorsystem ein Gehäuse aufweist und wherein the sensor element comprises one or more paramagnetic centers (NV1) and wherein the sensor system has a housing and
wobei das Sensorsystem eine Pumpstrahlungsquelle (PLI) umfasst und wherein the sensor system comprises a pump radiation source (PLI) and
wobei die Pumpstrahlungsquelle (PLI) dafür geeignet und vorgesehen ist Pumpstrahlung (LB) mit einer Pumpstrahlungswellenlänge (lr[gir) auszusenden und wobei die Pumpstrahlung (LB) das paramagnetische Zentrum (NV1) oder die wherein the pump radiation source (PLI) is suitable and intended to emit pump radiation (LB) with a pump radiation wavelength (l r [gir ) and wherein the pump radiation (LB) is the paramagnetic center (NV1) or the
paramagnetischen Zentren (NV1) bei Bestrahlung dieses paramagnetischen Zentrums (NV1) bzw. der paramagnetischen Zentren (NV1) mit dieser paramagnetic centers (NV1) when this paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) are irradiated with this
Pumpstrahlung (LB) zur Abgabe von Fluoreszenzstrahlung (FL) mit einer Pump radiation (LB) for emitting fluorescence radiation (FL) with a
Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (lh) veranlasst und Fluorescence radiation wavelength (lh) caused and
wobei das Gehäuse mindestens eine Leitung umfasst wherein the housing comprises at least one conduit
wobei die Leitung von einem elektrischen Strom durchflossen wird und wherein the line is traversed by an electric current and
wobei dieser elektrische Strom eine magnetische Flussdichte B erzeugt und wherein this electric current generates a magnetic flux density B and
wobei diese magnetische Flussdichte B die Fluoreszenzstrahlung (FL) des oder der where this magnetic flux density B is the fluorescence radiation (FL) of the or the
paramagnetischen Zentren (NV1) beeinflusst und paramagnetic centers (NV1) influenced and
wobei das Sensorsystem einen Wert für die Fluoreszenzstrahlung (FL) ermittelt und wobei das Sensorsystem diesen Wert für die Fluoreszenzstrahlung (FL) in digitaler und/oder analoger Form als Messwert für den elektrischen Strom in der Leitung bereitstellt und/oder ausgibt. wherein the sensor system determines a value for the fluorescence radiation (FL) and wherein the sensor system provides and / or outputs this value for the fluorescence radiation (FL) in digital and / or analog form as a measured value for the electrical current in the line.
46. Sensorsystem nach Anspruch 45 46. Sensor system according to Claim 45
Wobei die Konzentration der NV-Zentren in dem Diamanten größer ist als 0,01ppm. Patentansprüche Sensorsystem mit gegenüber dem Magnetfeld verkipptenThe concentration of the NV centers in the diamond is greater than 0.01 ppm. Sensor system with tilted relative to the magnetic field
Kristallachse Crystal axis
47. Sensorsystem, 47.Sensor system,
wobei das Sensorsystem ein Sensorelement umfasst und wherein the sensor system comprises a sensor element and
wobei das Sensorelement ein oder mehrere paramagnetisches Zentren (NV1) umfasst und wobei das Sensorsystem eine Pumpstrahlungsquelle (PLI) aufweist und wherein the sensor element comprises one or more paramagnetic centers (NV1) and wherein the sensor system has a pump radiation source (PLI) and
wobei das Sensorsystem einen Strahlungsempfänger (PD) umfasst und wherein the sensor system comprises a radiation receiver (PD) and
wobei die Pumpstrahlungsquelle (PLI) Pumpstrahlung (LB) aussendet und wherein the pump radiation source (PLI) emits pump radiation (LB) and
wobei die Pumpstrahlung (LB) eine Pumpstrahlungswellenlänge (lrGhr) aufweist und wobei die Pumpstrahlung (LB) das paramagnetische Zentrum (NV1) oder die wherein the pump radiation (LB) has a pump radiation wavelength (l rGhr ) and wherein the pump radiation (LB) has the paramagnetic center (NV1) or the
paramagnetischen Zentren (NV1) bei Bestrahlung dieses paramagnetischen Zentrums (NV1) bzw. der paramagnetischen Zentren (NV1) mit dieser paramagnetic centers (NV1) when this paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) are irradiated with this
Pumpstrahlung (LB) zur Abgabe von Fluoreszenzstrahlung (FL) mit einer Pump radiation (LB) for emitting fluorescence radiation (FL) with a
Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (Äfl) veranlasst und Fluorescence radiation wavelength (Ä fl ) caused and
wobei die Fluoreszenzstrahlung (LB) eine Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (Äfl) aufweist und wherein the fluorescence radiation (LB) has a fluorescence radiation wavelength (Ä fl ) and
wobei der Strahlungsempfänger (PD) für die Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (Äf|) wherein the radiation receiver (PD) for the fluorescence radiation wavelength (Ä f | )
empfindlich ist und is sensitive and
wobei die Fluoreszenzstrahlung (FL) den Strahlungsempfänger (PD) bestrahlt und wobei das Sensorelement und/oder das quantentechnologische Vorrichtungselement einen Kristall mit einer Kristallachse aufweist und wherein the fluorescence radiation (FL) irradiates the radiation receiver (PD) and wherein the sensor element and / or the quantum technological device element has a crystal with a crystal axis and
wobei der Kristall das paramagnetische Zentrum (NV1) oder die paramagnetischen Zentren (NV1) aufweist, wherein the crystal has the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1),
wobei das paramagnetische Zentrum (NV1) oder die paramagnetischen Zentren (NV1) in Bezug zu einer der folgenden betreffenden Kristallachse in einer ersten Richtung ausgerichtet sind und wherein the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) are aligned in a first direction with respect to one of the following relevant crystal axes, and
wobei die betreffenden Kristallachsen die Kristallachsen [100], [010], [001], [111] des Kristalls und deren Äquivalente (wie z.B. [-100], [-1,-1,-1] etc.) sind und where the respective crystal axes are the crystal axes [100], [010], [001], [111] of the crystal and their equivalents (such as [-100], [-1, -1, -1] etc.) and
wobei die Fluoreszenzstrahlung (FL) in Abhängigkeit von einem Magnetfeld mit einer wherein the fluorescence radiation (FL) as a function of a magnetic field with a
magnetischen Flussdichte B, die einem Vektor in einer zweiten Richtung aufweist, moduliert wird und magnetic flux density B having a vector in a second direction is modulated and
gekennzeichnet dadurch, dass die zweite Richtung von der ersten Richtung abweicht. characterized by that the second direction deviates from the first direction.
48. Sensorsystem nach Anspruch 47, 48. Sensor system according to claim 47,
wobei es sich bei dem Kristall um einen Diamantkristall mit einem NV-Zentrum als wherein the crystal is a diamond crystal with an NV center as
paramagnetisches Zentrum handelt und paramagnetic center acts and
wobei die zweite Richtung von der ersten Richtung in der Art abweicht, dass das GSLAC- Extremum bei einer magnetischen Gesamtflussdichte am Ort des paramagnetischen Zentrums bei 102, 4mT um nicht mehr als 2% und/oder nicht mehr als 1% und/oder nicht mehr als 0,5% vom normierten 1-Wert der Intensität (In) der Fluoreszenzstrahlung (FL) abweicht. wherein the second direction deviates from the first direction in such a way that the GSLAC extremum with a total magnetic flux density at the location of the paramagnetic center at 102.4mT by not more than 2% and / or not more than 1% and / or not more deviates more than 0.5% from the standardized 1-value of the intensity (In) of the fluorescence radiation (FL).
49. Sensorsystem nach Anspruch 47 und/oder 48, 49. Sensor system according to claim 47 and / or 48,
wobei das Sensorelement eine Vielzahl von Diamanten unterschiedlicher Kristallausrichtung aufweist. wherein the sensor element has a plurality of diamonds with different crystal orientations.
Patentansprüche Sensorsystem mit Einstellung und Nachregelung des Sensor system with adjustment and readjustment of the
magnetischen Arbeitspunktes magnetic working point
50. Sensorsystem, 50. sensor system,
wobei das Sensorsystem ein Sensorelement umfasst und wherein the sensor system comprises a sensor element and
wobei das Sensorelement ein oder mehrere paramagnetisches Zentren (NV1) umfasst und wobei das Sensorsystem eine Pumpstrahlungsquelle (PLI) aufweist und wherein the sensor element comprises one or more paramagnetic centers (NV1) and wherein the sensor system has a pump radiation source (PLI) and
wobei das Sensorsystem einen Strahlungsempfänger (PD) umfasst und wherein the sensor system comprises a radiation receiver (PD) and
wobei die Pumpstrahlungsquelle (PLI) Pumpstrahlung (LB) aussendet und wherein the pump radiation source (PLI) emits pump radiation (LB) and
wobei die Pumpstrahlung (LB) eine Pumpstrahlungswellenlänge (lrGhr) aufweist und wobei die Pumpstrahlung (LB) das paramagnetische Zentrum (NV1) oder die wherein the pump radiation (LB) has a pump radiation wavelength (l rGhr ) and wherein the pump radiation (LB) has the paramagnetic center (NV1) or the
paramagnetischen Zentren (NV1) bei Bestrahlung dieses paramagnetischen Zentrums (NV1) bzw. der paramagnetischen Zentren (NV1) mit dieser paramagnetic centers (NV1) when this paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) are irradiated with this
Pumpstrahlung (LB) zur Abgabe von Fluoreszenzstrahlung (FL) mit einer Pump radiation (LB) for emitting fluorescence radiation (FL) with a
Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (l^) in Abhängigkeit vom magnetischen Fluss B am Ort dieses paramagnetischen Zentrums (NV1) bzw. der paramagnetischen Zentren (NV1) veranlasst und Fluorescence radiation wavelength (l ^) as a function of the magnetic flux B at the location of this paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) and
wobei der Strahlungsempfänger (PD) für die Fluoreszenzstrahlungswellenläng (lίΐ)q wherein the radiation receiver (PD) for the fluorescence radiation wavelength (l ίΐ ) q
empfindlich ist und is sensitive and
wobei die Fluoreszenzstrahlung (FL) den Strahlungsempfänger (PD) bestrahlt und wobei der Strahlungsempfänger (PD) ein Empfängerausgangssignal (SO) in Abhängigkeit von der Fluoreszenzstrahlung (FL) erzeugt und wherein the fluorescence radiation (FL) irradiates the radiation receiver (PD) and wherein the radiation receiver (PD) generates a receiver output signal (SO) as a function of the fluorescence radiation (FL) and
wobei das Sensorsystem Mittel, insbesondere einen Regler (RG) und/oder insbesondere eine Kompensationsspule (LC) und/oder einen Permanentmagneten, umfasst, um die Änderung der Intensität (lfl) der Fluoreszenzstrahlen (FL) bei einer Änderung der magnetischen Flussdichte B am Ort des paramagnetischen Zentrums oder der paramagnetischen Zentren (NV1) bezogen auf die jeweilige Anwendung zu maximieren oder wherein the sensor system comprises means, in particular a controller (RG) and / or in particular a compensation coil (LC) and / or a permanent magnet, to the change in the intensity (l fl ) of the fluorescent rays (FL) with a change in the magnetic flux density B am To maximize location of the paramagnetic center or the paramagnetic centers (NV1) related to the respective application or
um einen magnetischen Arbeitspunkt in Form einer magnetischen Bias- Flussdichte B0 am Ort des paramagnetischen Zentrums oder der paramagnetischen Zentren (NV1) einzustellen. to set a magnetic operating point in the form of a magnetic bias flux density B 0 at the location of the paramagnetic center or the paramagnetic centers (NV1).
Patentansprüche Verwendung des Sensorsystems zur Positionsbestimmung Use of the sensor system for position determination
51. Verwendung eines Sensorsystems nach einem der vorausgehenden Ansprüche 6 bis 10 und/oder51. Use of a sensor system according to one of the preceding claims 6 to 10 and / or
42 bis 47 zur Ermittlung der Position eines Objekts, 42 to 47 to determine the position of an object,
wobei das Objekt ein magnetisches Feld in Form einer magnetischen Flussdichte B erzeugt und/oder modifiziert und/oder moduliert und wherein the object generates and / or modifies and / or modulates and / or modulates a magnetic field in the form of a magnetic flux density B
wobei diese Modulation durch das Sensorsystem erfasst wird und this modulation being detected by the sensor system and
wobei das Sensorsystem zumindest einen Wert, beispielsweise in Form eines wherein the sensor system has at least one value, for example in the form of a
Sensorausgangssignals (out), erzeugt oder bereitstellt, der von dem Wert des magnetischen Flusses B am Ort des paramagnetischen Zentrums (NV1) oder der paramagnetischen Zentren (NV1) abhängt, der durch das Objekt erzeugt und/oder modifiziert und/oder moduliert wird. Sensor output signal (out), generated or provided, which depends on the value of the magnetic flux B at the location of the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1), which is generated and / or modified and / or modulated by the object.
52. Verwendung eines Sensorsystems nach Anspruch 51 52. Use of a sensor system according to claim 51
wobei die Erzeugung und/oder Modifikation und/oder Modulation periodisch ist. the generation and / or modification and / or modulation being periodic.
53. Verwendung nach Anspruch 52 53. Use according to claim 52
wobei die Periodizität auf eine elektrische und/oder mechanische Schwingung und/oder eine mechanische Bewegung längs einer geschlossenen Bahn zurückzuführen ist. the periodicity being due to an electrical and / or mechanical oscillation and / or a mechanical movement along a closed path.
Patentansprüche Vorrichtung mit mehreren gekoppelten paramagnetischenClaims device with several coupled paramagnetic
Zentren Centers
54. Vorrichtung, wobei die Vorrichtung insbesondere ein Sensorsystem nach einem der vorausgehenden Ansprüche 6 bis 10 und/oder 44 bis 49 sein kann und 54. device, wherein the device can in particular be a sensor system according to one of the preceding claims 6 to 10 and / or 44 to 49 and
wobei die Vorrichtung mehrere paramagnetische Zentren (NV1) umfasst und wherein the device comprises several paramagnetic centers (NV1) and
wobei die Vorrichtung eine Pumpstrahlungsquelle (PLI) aufweist und wherein the device comprises a pump radiation source (PLI) and
wobei die Vorrichtung einen Strahlungsempfänger (PD) umfasst und wherein the device comprises a radiation receiver (PD) and
wobei die Pumpstrahlungsquelle (PLI) Pumpstrahlung (LB) aussendet und wherein the pump radiation source (PLI) emits pump radiation (LB) and
wobei die Pumpstrahlung (LB) eine Pumpstrahlungswellenlänge (lrGhr) aufweist und wobei die Pumpstrahlung (LB) das paramagnetische Zentrum (NV1) oder die wherein the pump radiation (LB) has a pump radiation wavelength (l rGhr ) and wherein the pump radiation (LB) has the paramagnetic center (NV1) or the
paramagnetischen Zentren (NV1) bei Bestrahlung der paramagnetischen Zentren (NV1) mit dieser Pumpstrahlung (LB) zur Abgabe von Fluoreszenzstrahlung (FL) mit einer Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (lh) veranlasst und paramagnetic centers (NV1) when the paramagnetic centers (NV1) are irradiated with this pump radiation (LB) to emit fluorescence radiation (FL) with a fluorescence radiation wavelength (lh) and
wobei der Strahlungsempfänger (PD) für die Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (lh) where the radiation receiver (PD) for the fluorescence radiation wavelength (lh)
empfindlich ist und is sensitive and
wobei die Fluoreszenzstrahlung (FL) den Strahlungsempfänger (PD) bestrahlt und wobei der Strahlungsempfänger (PD) ein Empfängerausgangssignal (SO) in Abhängigkeit von der Fluoreszenzstrahlung (FL) erzeugt und wherein the fluorescence radiation (FL) irradiates the radiation receiver (PD) and wherein the radiation receiver (PD) generates a receiver output signal (SO) as a function of the fluorescence radiation (FL) and
wobei mindestens zwei paramagnetische Zentren (NV1) der paramagnetischen Zentren (NV1) miteinander gekoppelt sind und wherein at least two paramagnetic centers (NV1) of the paramagnetic centers (NV1) are coupled to one another and
wobei die Vorrichtung bei einer Temperatur > -40°C und/oder > -0°C und/oder > 20°C betrieben wird. wherein the device is operated at a temperature> -40 ° C and / or> -0 ° C and / or> 20 ° C.
55. Verfahren nach einem oder mehreren der vorausgehenden Verfahrensansprüche 55. Method according to one or more of the preceding method claims
Umfassend den Schritt der Kopplung mindestens zweier paramagnetischer Zentren (NV1). Comprehensive the step of coupling at least two paramagnetic centers (NV1).
Patentansprüche Verfahren zur Herstellung durch Verguss mit Globe-Top-MasseClaims Process for manufacturing by casting with globe-top compound
56. Verfahren zur Herstellung eines Sensorsystems und/oder quantentechnologischen System 56. Method for producing a sensor system and / or a quantum technological system
umfassend die Schritte comprehensive the steps
Bereitstellen (14) eines Leadframes mit Anschlüssen und Providing (14) a leadframe with connections and
Montieren (15) einer Pumpstrahlungsquelle (PLI) auf dem Leadframe und Mount (15) a pump radiation source (PLI) on the leadframe and
Montieren (16) einer integrierten Schaltung (IC) mit einem Strahlungsempfänger (PD1) auf dem Leadframe und Mounting (16) an integrated circuit (IC) with a radiation receiver (PD1) on the leadframe and
Elektrisches Verbinden (17) der integrierten Schaltung (IC) und des Strahlungsempfängers (PD1) und der Pumpstrahlungsquelle (PLI) und der Anschlüsse und Montieren (18) eines Sensorelements mit einem paramagnetischen Zentrum (NV1) oder mit mehreren paramagnetischen Zentren (NV1) und Electrical connection (17) of the integrated circuit (IC) and the radiation receiver (PD1) and the pump radiation source (PLI) and the connections and Mounting (18) a sensor element with a paramagnetic center (NV1) or with several paramagnetic centers (NV1) and
Befestigen (19) des Sensorelements und/oder quantentechnologischen Attaching (19) the sensor element and / or quantum technology
Vorrichtungselements mittels eines Befestigungsmittels (Ge) und Überdecken (20) der Teilvorrichtung mit einem Vergusshilfsmittel (GLT) und Device element by means of a fastening means (Ge) and covering (20) of the device part with a casting aid (GLT) and
Verguss (21) der Teilvorrichtung mit einer Vergussmasse, Potting (21) the part device with a potting compound,
wobei Q Pumpstrahlungsquelle (PLI) dazu vorgesehen ist, eine Pumpstrahlung (LB) mit einer Pumpstrahlungswellenlänge (lrGhr) zu emittieren und wherein Q pump radiation source (PLI) is provided to emit pump radiation (LB) with a pump radiation wavelength (l rGhr ) and
wobei das paramagnetische Zentrum (NV1) bzw. die paramagnetischen Zentren (NV1) bei Bestrahlung mit dieser Pumpstrahlung (LB) eine Fluoreszenzstrahlung (FL) mit einer Fluoreszenzstrahlungswellenlänge ^Remittieren the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) remitting fluorescence radiation (FL) with a fluorescence radiation wavelength ^ when irradiated with this pump radiation (LB)
dadurch gekennzeichnet, characterized,
dass das Vergusshilfsmittel (GLT) im Wesentlichen für Strahlung der that the casting aid (GLT) is essentially for radiation of the
Pumpstrahlungswellenlänge (lrGTΐr) der Pumpstrahlung (LB) und für Strahlung der Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (lh) der Fluoreszenzstrahlung (FL) transparent ist; Pump radiation wavelength (l rGTΐr ) of the pump radiation (LB) and for radiation of the fluorescence radiation wavelength (lh) of the fluorescence radiation (FL) is transparent;
Patentansprüche Sensorsystem mit Spulenanordnung Sensor system with coil arrangement
57. Sensorsystem, 57. sensor system,
wobei das Sensorsystem ein Sensorelement umfasst und wherein the sensor system comprises a sensor element and
wobei das Sensorelement ein oder mehrere paramagnetisches Zentren (NV1) umfasst und wobei das Sensorsystem eine Pumpstrahlungsquelle (PLI) aufweist und wherein the sensor element comprises one or more paramagnetic centers (NV1) and wherein the sensor system has a pump radiation source (PLI) and
wobei das Sensorsystem einen Strahlungsempfänger (PD) umfasst und wherein the sensor system comprises a radiation receiver (PD) and
wobei die Pumpstrahlungsquelle (PLI) Pumpstrahlung (LB) aussendet und wherein the pump radiation source (PLI) emits pump radiation (LB) and
wobei die Pumpstrahlung (LB) eine Pumpstrahlungswellenlänge (lrGhr) aufweist und wobei die Pumpstrahlung (LB) das paramagnetische Zentrum (NV1) oder die wherein the pump radiation (LB) has a pump radiation wavelength (l rGhr ) and wherein the pump radiation (LB) has the paramagnetic center (NV1) or the
paramagnetischen Zentren (NV1) bei Bestrahlung dieses paramagnetischen Zentrums (NV1) bzw. der paramagnetischen Zentren (NV1) mit dieser paramagnetic centers (NV1) when this paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) are irradiated with this
Pumpstrahlung (LB) zur Abgabe von Fluoreszenzstrahlung (FL) mit einer Pump radiation (LB) for emitting fluorescence radiation (FL) with a
Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (lh) in Abhängigkeit vom magnetischen Fluss B am Ort dieses paramagnetischen Zentrums (NV1) bzw. der paramagnetischen Zentren (NV1) veranlasst und wobei der Strahlungsempfänger (PD) für die Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (Äfl) empfindlich ist und Fluorescence radiation wavelength (lh) as a function of the magnetic flux B at the location of this paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) and wherein the radiation receiver (PD) is sensitive to the fluorescence radiation wavelength (Ä fl ) and
wobei die Fluoreszenzstrahlung (FL) den Strahlungsempfänger (PD) bestrahlt und wobei der Strahlungsempfänger (PD) ein Empfängerausgangssignal (SO) in Abhängigkeit von der Fluoreszenzstrahlung (FL) erzeugt und wherein the fluorescence radiation (FL) irradiates the radiation receiver (PD) and wherein the radiation receiver (PD) generates a receiver output signal (SO) as a function of the fluorescence radiation (FL) and
wobei das Sensorsystem Mittel, insbesondere eine Spulenanordnung (LI, 12, 13, L4, L5) umfasst, die geeignet ist, eine Änderung der magnetischen Flussdichte B in Amplitude und Richtung am Ort des paramagnetischen Zentrums (NV1) bzw. am Ort der paramagnetischen Zentren (NV1) in der Art hervorzurufen, dass diese Änderung der magnetischen Flussdichte B in Amplitude und Richtung am Ort des paramagnetischen Zentrums (NV1) bzw. der paramagnetischen Zentren (NV1) die Fluoreszenzstrahlung (FL) des paramagnetischen Zentrums (NV1) bzw. der paramagnetischen Zentren (NV1) beeinflusst. wherein the sensor system comprises means, in particular a coil arrangement (LI, 12, 13, L4, L5) which is suitable for a change in the magnetic flux density B in amplitude and direction at the location of the paramagnetic center (NV1) or at the location of the paramagnetic centers (NV1) to cause this change in magnetic flux density B in amplitude and direction at the location of the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic Centers (NV1) influenced.
Patentansprüche integrierte Schaltung mit Flachspule Integrated circuit with flat coil
58. Integrierte Schaltung (IC) 58. Integrated circuit (IC)
mit einer ersten Spule (LI) und with a first coil (LI) and
mit zumindest einem weiteren Spulenpaar ([L2, L5], [L3, L6], [L4, L7]) und/oder einer with at least one further pair of coils ([L2, L5], [L3, L6], [L4, L7]) and / or one
weiteren Spule (L2, L3, L4, L5, L6, L7) und further coil (L2, L3, L4, L5, L6, L7) and
dadurch gekennzeichnet, characterized,
dass die erste Spule (LI) und das zumindest eine weitere Spulenpaar ([L2, L5], [L3, L6], [L4, L7]) und/oder die weitere Spule (L2, L3, L4, L5, L6, L7) dazu geeignet und vorgesehen sind, die Erzeugung von Fluoreszenzstrahlung (FL) eines paramagnetischen Zentrums (NV1) oder mehrerer paramagnetischer Zentren (NV1) zu beeinflussen. that the first coil (LI) and the at least one further coil pair ([L2, L5], [L3, L6], [L4, L7]) and / or the further coil (L2, L3, L4, L5, L6, L7 ) are suitable and intended to influence the generation of fluorescence radiation (FL) of a paramagnetic center (NV1) or several paramagnetic centers (NV1).
Patentansprüche Auswerteschaltung mit Halteschaltung Claims evaluation circuit with hold circuit
59. Schaltung, insbesondere integrierte Schaltung (IC), zur Verwendung mit einem paramagnetischen 59. Circuit, particularly integrated circuit (IC), for use with a paramagnetic
Zentrum (NV1) oder mehreren paramagnetischen Zentren (NV1) Center (NV1) or several paramagnetic centers (NV1)
mit einem Treiber zum Betreiben einer Pumpstrahlungsquelle (PLI), with a driver for operating a pump radiation source (PLI),
wobei die Pumpstrahlungsquelle (PLI) zumindest zeitweise Pumpstrahlung (LB) aussendet; mit einem Strahlungsempfänger (PD1), wherein the pump radiation source (PLI) emits pump radiation (LB) at least temporarily; with a radiation receiver (PD1),
zur selektiven Detektion von Fluoreszenzstrahlung (FL) des paramagnetischen Zentrums (NV1) oder der paramagnetischen Zentren (NV1), wobei der Strahlungsempfänger (PD1), dazu vorgesehen ist, im Sinne der besagten Selektivität die Pumpstrahlung (LB) im Wesentlichen nicht zu detektieren, und mit einem Auswerteschaltkreis (M l, TP, M2, S&H, G) for the selective detection of fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1), wherein the radiation receiver (PD1) is provided to essentially not detect the pump radiation (LB) in terms of said selectivity, and with an evaluation circuit (M l, TP, M2, S&H, G)
zur Erzeugung eines Sensorausgangssignals (out), for generating a sensor output signal (out),
das von der Fluoreszenzstrahlung (FL) des paramagnetischen Zentrums (NV1) oder der paramagnetischen Zentren (NV1) abhängt und which depends on the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) and
dessen Wert zumindest zeitweise den zu detektierenden Messwert widerspiegelt, wobei dieser Wert des Sensorausgangssignals (out) von der Fluoreszenzstrahlung (FL) des paramagnetischen Zentrums (NV1) oder der paramagnetischen Zentren (NV1) und ggf. weiteren physikalischen Parametern abhängt, the value of which at least temporarily reflects the measured value to be detected, this value of the sensor output signal (out) being dependent on the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) and possibly other physical parameters,
gekennzeichnet durch marked by
eine Halteschaltung (S&H), a hold circuit (S&H),
wobei die Halteschaltung einen Eingang und einen Ausgang aufweist und wobei die Halteschaltung (S&H) in den Signalpfad zwischen dem wherein the hold circuit has an input and an output and wherein the hold circuit (S&H) in the signal path between the
Empfängerausgangssignal (SO) des Strahlungsempfängers (PD1) und das Receiver output signal (SO) of the radiation receiver (PD1) and the
Sensorausgangssignal (out) eingefügt ist und Sensor output signal (out) is inserted and
wobei die Halteschaltung (S&H) in ersten Zeiträumen ihr Ausgangssignal an ihrem Ausgang im Wesentlichen konstant hält und wherein the holding circuit (S&H) holds its output signal at its output essentially constant in first time periods and
wobei die Halteschaltung (S&H) in zweiten Zeiträumen, die von den ersten Zeiträumen verschieden sind, ihr Ausgangssignal an ihrem Ausgang in Abhängigkeit von dem Signal an ihrem Eingang ändert. wherein the holding circuit (S&H) changes its output signal at its output as a function of the signal at its input in second time periods which are different from the first time periods.
Patentansprüche Verfahren mit Halteschaltung und Korrelation mit Sendesignal Claims method with hold circuit and correlation with transmit signal
60. Verfahren zum Betreiben eines Sensorsystems 60. Method of operating a sensor system
wobei das Sensorsystem ein Sensorelement umfasst und wherein the sensor system comprises a sensor element and
wobei das Sensorelement ein oder mehrere paramagnetisches Zentren (NV1) umfasst und umfassend die Schritte wherein the sensor element comprises one or more paramagnetic centers (NV1) and comprising the steps
Mittels eines modulierten Sendesignals (S5w) moduliertes Aussenden einer modulierten Pumpstrahlung (LB); A modulated transmission of a modulated pump radiation (LB) is modulated by means of a modulated transmission signal (S5w);
Erzeugen einer modulierten Fluoreszenzstrahlung (FL) mittels des paramagnetischen Generating a modulated fluorescence radiation (FL) by means of the paramagnetic
Zentrums (NV1) oder der paramagnetischen Zentren (NV1) die von der modulierten Pumpstrahlung (LB) abhängt; Empfangen der modulierten Fluoreszenzstrahlung (FL) und Erzeugen eines modulierten Empfängerausgangssignals (SO) in Abhängigkeit von der modulierten Center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) which depends on the modulated pump radiation (LB); Receiving the modulated fluorescence radiation (FL) and generating a modulated receiver output signal (SO) as a function of the modulated
Fluoreszenzstrahlung (FL); Fluorescent radiation (FL);
Korrelation des modulierten Empfängerausgangssignals (SO) mit dem modulierten Correlation of the modulated receiver output signal (SO) with the modulated one
Sendesignal (S5w) und Bildung eines Filterausgangssignals (S4), wobei das Filterausgangssignal (S4) von der Intensität der Korrelation der Modulation der Fluoreszenzstrahlung (FL) mit dem modulierten Sendesignal (S5w) abhängt; Transmission signal (S5w) and formation of a filter output signal (S4), the filter output signal (S4) depending on the intensity of the correlation of the modulation of the fluorescence radiation (FL) with the modulated transmission signal (S5w);
gekennzeichnet durch die Schritte: characterized by the steps:
Abtasten des Filterausgangssignals (S4), insbesondere mittels einer Halteschaltung (S&H), unter Ermittlung einer Folge von Abtastwerten und Sampling of the filter output signal (S4), in particular by means of a hold circuit (S&H), while determining a sequence of sampling values and
Verwendung der Folge der Abtastwerte als Sensorausgangssignal (out); Use of the sequence of the sampled values as the sensor output signal (out);
61. Verfahren nach Anspruch 60 61. The method according to claim 60
wobei die Korrelation erfolgt mit den Schritten where the correlation takes place with the steps
Bildung eines Rückkoppelsignals (S6) in Abhängigkeit von dem Sensorausgangssignal (out) und dem modulierten Sendesignal (S5w), Formation of a feedback signal (S6) depending on the sensor output signal (out) and the modulated transmission signal (S5w),
wobei das Rückkoppelsignal (S6) einen Signalanteil aufweist, der komplementär (S5c) zu einem Signalanteil des modulierten Sendesignals (S5w) moduliert ist; wherein the feedback signal (S6) has a signal component which is complementarily modulated (S5c) to a signal component of the modulated transmission signal (S5w);
Subtraktion des Rückkoppelsignals (S6) vom Empfängerausgangssignals (SO) zum Subtract the feedback signal (S6) from the receiver output signal (SO) to the
reduzierten Empfängerausgangssignals (Sl); reduced receiver output signal (Sl);
Multiplikation des reduzierten Empfängerausgangssignals (Sl) mit dem modulierten Multiplication of the reduced receiver output signal (Sl) with the modulated
Sendesignal (S5w) zum modulierten Filtereingangssignal (S3); Transmission signal (S5w) to the modulated filter input signal (S3);
Filtern des modulierten Filtereingangssignals (S3) mit einem Schleifenfilter (TP) zum Filtering the modulated filter input signal (S3) with a loop filter (TP) for
Filterausgangssignal (S4). Filter output signal (S4).
62. Verfahren nach Anspruch 61, 62. The method according to claim 61,
wobei die Bildung eines Rückkoppelsignals (S6) in Abhängigkeit von dem wherein the formation of a feedback signal (S6) as a function of the
Sensorausgangssignal (out) und dem modulierten Sendesignal (S5w) durch Multiplikation des Sensorausgangssignals (out) mit dem modulierten Sendesignal (S5w) zum Rückkoppelsignal (S6) ggf. verbunden mit der Multiplikation eines geeigneten Vorzeichens und ggf. verbunden mit der Hinzufügung eines geeigneten Offsets erfolgt. Sensor output signal (out) and the modulated transmission signal (S5w) by multiplying the sensor output signal (out) with the modulated transmission signal (S5w) for the feedback signal (S6), possibly combined with the multiplication of a suitable sign and possibly combined with the addition of a suitable offset .
63. Verfahren Anspruch 61 und/oder 62 wobei die Korrelation erfolgt mit den Schritten 63. The method of claim 61 and / or 62 where the correlation takes place with the steps
Multiplikation des Empfängerausgangssignals (SO) mit dem modulierten Sendesignal (S5w) zum Filtereingangssignal (S3); Multiplication of the receiver output signal (SO) by the modulated transmission signal (S5w) to form the filter input signal (S3);
Filtern und/oder integrieren des Filtereingangssignals (S3) mit einem Schleifenfilter (TP) zum Filterausgangssignal (S4), wobei das Filterausgangssignal ggf. mit einem Faktor -1 multipliziert ist; Filtering and / or integrating the filter input signal (S3) with a loop filter (TP) to form the filter output signal (S4), the filter output signal possibly being multiplied by a factor of -1;
Abtasten des Filterausgangssignals (S4), insbesondere mittels einer Flalteschaltung (S&FI), unter Ermittlung einer Folge von Abtastwerten und Sampling of the filter output signal (S4), in particular by means of a folded circuit (S&FI), with determination of a sequence of sampling values and
Verwendung der Folge der Abtastwerte als Sensorausgangssignal (out); Use of the sequence of the sampled values as the sensor output signal (out);
Multiplikation Sensorausgangssignals (out) mit dem modulierten Sendesignal (S5w) zum Rückkoppelsignal (S6); Multiplication of the sensor output signal (out) with the modulated transmission signal (S5w) to form the feedback signal (S6);
Ansteuern einer Kompensationsstrahlungsquelle(PLK) mit dem Rückkoppelsignal (S6) oder einem daraus abgeleiteten Kompensationssendesignal (S7); Driving a compensation radiation source (PLK) with the feedback signal (S6) or a compensation transmission signal (S7) derived therefrom;
Aussenden einer Kompensationsstrahlung (KS) durch die Kompensationsstrahlungsquelle (PLK) in Abhängigkeit von dem Rückkoppelsignal (S6) oder einem daraus abgeleiteten Kompensationssendesignal (S7); Emitting a compensation radiation (KS) by the compensation radiation source (PLK) as a function of the feedback signal (S6) or a compensation transmission signal (S7) derived therefrom;
Einstrahlen von Kompensationsstrahlung (KS) in den Strahlungsempfänger (PD1); Radiation of compensation radiation (KS) into the radiation receiver (PD1);
Überlagerndes, insbesondere summierend überlagerndes, Empfangen der Overlaying, in particular adding overlaying, receiving the
Fluoreszenzstrahlung (FL) und der Kompensationsstrahlung (KS) im Strahlungsempfänger (PD1) und Bildung des Empfängerausgangssignals (SO) in Abhängigkeit von dieser Überlagerung. Fluorescence radiation (FL) and the compensation radiation (KS) in the radiation receiver (PD1) and formation of the receiver output signal (SO) as a function of this superposition.
Patentansprüche Verfahren mit Halteschaltung und Korrelation mit Claims method with hold circuit and correlation with
Kompensationssendesignal Compensation transmission signal
64. Verfahren zum Betreiben eines 64. Procedure for operating a
wobei das Sensorsystem und/oder quantentechnologischen System ein paramagnetisches Zentrum (NV1) im Material eines Sensorelements und/oder wherein the sensor system and / or quantum technology system has a paramagnetic center (NV1) in the material of a sensor element and / or
quantentechnologischen Vorrichtungselements, das Teil des Sensorsystems und/oder quantentechnologischen Systems ist, umfasst, quantum technological device element which is part of the sensor system and / or quantum technological system,
umfassend die Schritte comprehensive the steps
Mittels eines modulierten Kompensationssendesignals (S7w) moduliertes Aussenden einer modulierten Kompensationsstrahlung (KS), insbesondere durch eine Kompensationsstrahlungsquelle (PLK); Erzeugen einer modulierten Fluoreszenzstrahlung (FL) mittels eines paramagnetischenBy means of a modulated compensation transmission signal (S7w), modulated transmission of a modulated compensation radiation (KS), in particular by a compensation radiation source (PLK); Generating a modulated fluorescence radiation (FL) by means of a paramagnetic
Zentrums (NV1) oder mittels mehrerer paramagnetischer Zentren (NV1) in einem Material eines Sensorelements, die von einer modulierten Pumpstrahlung (LB) und ggf. weiteren Parameter, insbesondere der magnetischen Flussdichte B, abhängt;Center (NV1) or by means of several paramagnetic centers (NV1) in a material of a sensor element, which depends on a modulated pump radiation (LB) and possibly other parameters, in particular the magnetic flux density B;
Überlagerndes, insbesondere summierend überlagerndes, Empfangen der moduliertenOverlaying, in particular adding overlaying, receiving of the modulated
Fluoreszenzstrahlung (FL) und der Kompensationsstrahlung (KS) und Erzeugen eines Empfangssignals (SO) in Abhängigkeit von dieser Überlagerung; Fluorescence radiation (FL) and the compensation radiation (KS) and generating a received signal (SO) as a function of this superposition;
Korrelation des Empfangssignals (SO) mit dem modulierten Kompensationssendesignal (S7w) und Bildung eines Filterausgangssignals (S4); Correlation of the received signal (SO) with the modulated compensation transmission signal (S7w) and formation of a filter output signal (S4);
Erzeugen eines mit dem modulierten Kompensationssendesignals (S7w) modulierten Generating a modulated with the modulated compensation transmission signal (S7w)
komplexen Rückkoppelsignals (S8) mit Hilfe eines Sensorausgangssignals (out). complex feedback signal (S8) with the aid of a sensor output signal (out).
Bilden des Sendesignals (S5) aus dem Sendevorsignal (S8), insbesondere durch Forming the transmission signal (S5) from the transmission pre-signal (S8), in particular by
Offsetaddition und/oder Leistungsverstärkung; Offset addition and / or power gain;
Ansteuern einer Pumpstrahlungsquelle (PLI) mit dem Sendesignal (S5); Controlling a pump radiation source (PLI) with the transmission signal (S5);
Aussenden einer Pumpstrahlung (LB) durch die Pumpstrahlungsquelle (PLl)in Abhängigkeit von dem Sendesignal (S5); Sending a pump radiation (LB) through the pump radiation source (PL1) as a function of the transmission signal (S5);
gekennzeichnet durch die Schritte: characterized by the steps:
Abtasten des Filterausgangssignals (S4), insbesondere mittels einer Halteschaltung (S&H), unter Ermittlung einer Folge von Abtastwerten und Sampling of the filter output signal (S4), in particular by means of a hold circuit (S&H), while determining a sequence of sampling values and
Verwendung der Folge der Abtastwerte als Sensorausgangssignal (out). Use of the sequence of sampled values as the sensor output signal (out).
65. Verfahren nach Anspruch 64 65. The method according to claim 64
wobei die Korrelation erfolgt mit den Schritten where the correlation takes place with the steps
Multiplikation des Empfängerausgangssignals (SO) mit dem modulierten Multiplication of the receiver output signal (SO) with the modulated
Kompensationssendesignal (S7w) zum Filtereingangssignal (S3); Compensation transmission signal (S7w) for the filter input signal (S3);
Filtern und/oder integrieren des Filtereingangssignals (S3) mit einem Schleifenfilter (TP) zum Filterausgangssignal (S4), wobei insbesondere das Filterausgangssignal mit einem Faktor -1 multipliziert sein kann. Filtering and / or integrating the filter input signal (S3) with a loop filter (TP) to form the filter output signal (S4), it being possible in particular for the filter output signal to be multiplied by a factor of -1.
66. Verfahren nach Anspruch 64 und/oder 65 66. The method according to claim 64 and / or 65
wobei die Bildung des komplexen Rückkoppelsignals (S8) durch Multiplikation des wherein the formation of the complex feedback signal (S8) by multiplying the
Filterausgangssignals (S4) mit dem modulierten Kompensationssendesignal (S7w) oder mit einem zum modulierten Kompensationssendesignal (S7w) komplementären Kompensationssendesignal (S7c) zum Sendevorsignal (S8) erfolgt.Filter output signal (S4) with the modulated compensation transmission signal (S7w) or with a compensation transmission signal (S7c) complementary to the modulated compensation transmission signal (S7w) for the transmission pre-signal (S8).
Patentansprüche Verfahren mit Halteschaltung Claims method with hold circuit
67. Verfahren zum Betreiben eines Sensorsystems 67. Method of operating a sensor system
wobei das Sensorsystem ein paramagnetisches Zentrum (NV1) oder mehrere wherein the sensor system has one paramagnetic center (NV1) or more
paramagnetische Zentren (NV1) umfasst, includes paramagnetic centers (NV1),
umfassend die Schritte comprehensive the steps
Mittels eines modulierten Sendesignals (S5w) moduliertes Aussenden einer modulierten Pumpstrahlung (LB); A modulated transmission of a modulated pump radiation (LB) is modulated by means of a modulated transmission signal (S5w);
Erzeugen einer modulierten Fluoreszenzstrahlung (FL) mittels der paramagnetischen Generating a modulated fluorescence radiation (FL) by means of the paramagnetic
Zentrums (NV1) bzw. mittels der paramagnetischen Zentren (NV1), die von der modulierten Pumpstrahlung (LB) und mindestens einem weiteren physikalischen Parameter abhängt; Center (NV1) or by means of the paramagnetic centers (NV1), which depends on the modulated pump radiation (LB) and at least one further physical parameter;
Empfangen der modulierten Fluoreszenzstrahlung (FL) und Erzeugen eines Empfangssignals Empfängerausgangssignals (SO); Receiving the modulated fluorescence radiation (FL) and generating a received signal, receiver output signal (SO);
gekennzeichnet durch die Schritte: characterized by the steps:
Bestimmen der Intensität (lf|) der modulierten Fluoreszenzstrahlung (FL) des Determining the intensity (l f | ) of the modulated fluorescence radiation (FL) of the
paramagnetischen Zentrums (NV1) bzw. der paramagnetischen Zentren (NV1) in Form eines Filterausgangssignals (S4) zu Zeiten, wenn das modulierte Aussenden der modulierten Pumpstrahlung (LB) insbesondere durch die Pumpstrahlungsquelle (PLI) für Pumpstrahlung (LB) nicht stattfindet; paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) in the form of a filter output signal (S4) at times when the modulated emission of the modulated pump radiation (LB) in particular by the pump radiation source (PLI) for pump radiation (LB) does not take place;
Abtasten des Filterausgangssignals (S4), insbesondere mittels einer Halteschaltung (S&H), unter Ermittlung einer Folge von Abtastwerten; Sampling the filter output signal (S4), in particular by means of a hold circuit (S&H), while determining a sequence of sampled values;
Verwendung der Folge der Abtastwerte als Sensorausgangssignal (out). Use of the sequence of sampled values as the sensor output signal (out).
Patentansprüche Sensorsystem mit Bestimmung der Sensor system with determination of the
Fluoreszenzphasenverschiebungszeit und Halteschaltung Fluorescence phase shift time and hold circuit
68. Sensorsystem 68. Sensor system
wobei das Sensorsystem ein Sensorelement umfasst und wherein the sensor system comprises a sensor element and
wobei das Sensorelement ein oder mehrere paramagnetisches Zentren (NV1) umfasst und wobei das Sensorsystem eine Pumpstrahlungsquelle (PLI) aufweist und wobei die Pumpstrahlung (LB) zu ersten Zeiten das paramagnetisches Zentrum (NV1) oder die paramagnetischen Zentren (NV1) zur Abgabe von Fluoreszenzstrahlung (FL) veranlasst und wherein the sensor element comprises one or more paramagnetic centers (NV1) and wherein the sensor system has a pump radiation source (PLI) and wherein the pump radiation (LB) initially causes the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) to emit fluorescent radiation (FL) and
wobei das Sensorsystem Mittel (PD1, Al, Ml, TP, S&H, M2, A2, G, M l', TP', S&FT, M2') umfasst, die zu zweiten Zeiten, die von den ersten Zeiten verschieden sind, wherein the sensor system comprises means (PD1, Al, Ml, TP, S&H, M2, A2, G, M l ', TP', S&FT, M2 ') which at second times, which are different from the first times,
die Fluoreszenzstrahlung (FL) des paramagnetischen Zentrums (NV1) bzw. der paramagnetischen Zentren (NV1) in Form eines zusätzlichen Filterausgangssignals (S4') erfassen und the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) detect in the form of an additional filter output signal (S4 ') and
gekennzeichnet dadurch characterized by
dass die Mittel (PD1, Al, Ml, TP, S&H, M2, A2, G, Ml', TP', S&H', M2') zu den zweiten Zeiten that means (PD1, Al, Ml, TP, S&H, M2, A2, G, Ml ', TP', S&H ', M2') to the second times
das zusätzliche Filterausgangssignal (S4') in Form einer zusätzlichen Folge von zusätzlichen Abtastwerten abtasten und sample the additional filter output signal (S4 ') in the form of an additional sequence of additional sample values and
diese zusätzliche Folge zusätzlicher Abtastwerte als ein zusätzliches Sensorausgangssignal (out1), das von der Fluoreszenzstrahlung (FL) des paramagnetischen Zentrums (NV1) zu diesen zweiten Zeiten abhängt und this additional sequence of additional sampled values as an additional sensor output signal (out 1 ) which depends on the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic center (NV1) at these second times and
dass das Sensorsystem weitere Mittel (S&H') umfasst, um im Signalpfad zwischen dem that the sensor system comprises further means (S&H ') to in the signal path between the
Empfangssignal (SO) und dem zusätzlichen Sensorausgangssignal (out') das jeweilige Signal an der Stelle der Einfügung dieser weiteren Mittel (S&H') abzutasten, um die zusätzliche Folge von zusätzlichen Abtastwerten zu erhalten. Received signal (SO) and the additional sensor output signal (out ') sample the respective signal at the point of insertion of these further means (S&H') in order to obtain the additional sequence of additional samples.
Patentansprüche zur Herstellung von Diamanten mit einer hohen Konzentration an NV-Zentren Claims for the production of diamonds with a high concentration of NV centers
69. Verfahren zur Herstellung von Diamanten oder eines Diamanten mit einer hohen Konzentration an NV Zentren 69. Process for the production of diamonds or a diamond with a high concentration of NV centers
Bereitstellung des oder der Diamanten, Provision of the diamond (s),
wobei der oder die Diamanten bei der Bereitstellung Stickstoffatome in Form von Pl-Zentren umfassen und/oder wherein the diamond or diamonds when provided comprise nitrogen atoms in the form of PI centers and / or
wobei der oder die Diamanten bei der Bereitstellung eine gelbe Farbe aufweisen und/oder wobei der oder die Diamanten bei der Bereitstellung die GIA-Farben wherein the diamond or diamonds have a yellow color when provided and / or the diamond or diamonds in providing the GIA colors
"fancy yellow" oder "fancy deep yellow" oder " fancy light yellow" oder " fancy intense yellow" aufweisen "fancy yellow" or "fancy deep yellow" or "fancy light yellow" or "fancy intense yellow"
wobei der oder die Diamanten bei der Bereitstellung Stickstoffatome zusammen mit Wasserstoff umfassen; wherein the diamond or diamonds when provided comprise nitrogen atoms together with hydrogen;
Bestrahlen des oder der Diamanten mit Partikeln, Irradiating the diamond (s) with particles,
wobei die Energie der Partikeln größer als 500keV und/oder größer als IMeV ist und/oder größer als 3MeV ist und/oder größer als 4MeV ist und/oder größer als 5MeV ist und/oder größer als 6 MeV ist und/oder größer als 7 MeV ist und/oder größer als 9 MeV ist und/oder größer als 9 MeV ist und/oder größer als 10 MeV ist, wobei eine Energie von lOMeV bevorzugt ist, und wherein the energy of the particles is greater than 500keV and / or greater than IMeV and / or is greater than 3MeV and / or is greater than 4MeV and / or is greater than 5MeV and / or is greater than 6 MeV and / or greater than 7 MeV is and / or is greater than 9 MeV and / or is greater than 9 MeV and / or is greater than 10 MeV, an energy of IOMeV being preferred, and
wobei die Bestrahlungsdosis bevorzugt zwischen 5*1017 cm 2 und 2*1018cm 2, zumindest aber unter 1019cm 2 liegt und wherein the radiation dose is preferably between 5 * 10 17 cm 2 and 2 * 10 18 cm 2 , but at least below 10 19 cm 2 and
wobei die Temperatur des oder der Diamanten während der the temperature of the diamond or diamonds during the
Bestrahlung bei einer Temperatur größer 600°C und/oder größer 700°C und/oder größer 800°C und kleiner 900°C und/oder kleiner 1000°C und/oder kleiner 1100°C und/oder kleiner 1200°C, besonders bevorzugt aber zwischen 800°C und 900°C liegt und Irradiation at a temperature greater than 600 ° C. and / or greater than 700 ° C. and / or greater than 800 ° C. and less than 900 ° C. and / or less than 1000 ° C. and / or less than 1100 ° C. and / or less than 1200 ° C., particularly but is preferably between 800 ° C and 900 ° C and
wobei der Strahlstrom des elektrischen Stroms dieser Partikeln so eingestellt wird, dass die Bestrahlungsdauer zum Erreichen der obigen Bestrahlungsdosis mindestens 0,05 Tage und/oder mindestens 0,5 Tage und/oder mindestens 1 Tag und/oder mindestens 2 Tage und/oder mindestens 4 Tage und/oder mindestens 8 Tage, bevorzugt aber 2 Tage beträgt. wherein the beam current of the electric current of these particles is adjusted so that the irradiation time to achieve the above irradiation dose at least 0.05 days and / or at least 0.5 days and / or at least 1 day and / or at least 2 days and / or at least 4 Days and / or at least 8 days, but preferably 2 days.
70. Verfahren Nach Anspruch 69 70. The method according to claim 69
wobei es sich bei den Partikeln um Elektronen und/oder weniger bevorzugt um Protonen handelt. wherein the particles are electrons and / or, less preferably, protons.
71. Verfahren nach Anspruch 69 oder 70 71. The method according to claim 69 or 70
wobei die Temperatur der Diamanten während der Bestrahlung als Temperaturwert erfasst wird und wobei eine Heizenergie gepulst oder PWM-moduliert oder sonst wie pulsmoduliert mittels Heizenergiepulsen zugeführt wird und wherein the temperature of the diamonds is recorded as a temperature value during the irradiation and wherein a heating energy is pulsed or PWM-modulated or otherwise pulse-modulated by means of heating energy pulses and
wobei die Temperatur der Diamanten durch Steuerung der Heizenergiepulshöhe und/oder des Tastfaktors und/oder des zeitlichen Heizenergiepulsabstandes und/oder der Heizenergiepulsbreite erfolgt und wherein the temperature of the diamonds takes place by controlling the heating energy pulse height and / or the duty factor and / or the temporal heating energy pulse interval and / or the heating energy pulse width and
wobei diese Steuerung in Abhängigkeit vom Temperaturwert erfolgt. this control being carried out as a function of the temperature value.
72. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 69 bis 71. wobei ein Diamant ein synthetischer HPHT-Diamant ist oder 72. The method according to one or more of claims 69 to 71. wherein a diamond is a synthetic HPHT diamond or
wobei ein Diamant ein synthetischer CVD-Diamant ist. wherein a diamond is a synthetic CVD diamond.
73. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 69 bis 72, wobei ein Diamant zumindest eine geschliffene Fläche vor dem Bestrahlen aufweist. 73. The method according to one or more of claims 69 to 72, wherein a diamond has at least one ground surface prior to irradiation.
74. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 69 bis 73, wobei die Bestrahlung in einem Vakuum mit einem Restdruck von kleiner als 10 smBar stattfindet und/oder 74. The method according to one or more of claims 69 to 73, wherein the irradiation takes place and / or in a vacuum with a residual pressure of less than 10 s mbar
wobei die Bestrahlung in einer Schutzgasatmosphäre, insbesondere in einer Agon- Atmosphäre stattfindet. the irradiation taking place in a protective gas atmosphere, in particular in an agon atmosphere.
75. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche 69 bis 74, wobei ein Diamant einen der folgenden Schliffe vor dem Bestrahlen aufweist: 75. The method according to one or more of the preceding claims 69 to 74, wherein a diamond has one of the following cuts before irradiation:
Spitzsteinschliff, Pointed stone cut,
Tafelsteinschliff, Table stone cut,
Rose Cut Schliff, Rose cut,
Mazarin Schliff, Mazarin cut,
Brillantschliff, Brilliant cut,
Tropfenschliff, Pear cut,
Prinzessschliff, Princess cut,
Ovalschliff, Oval cut,
Herzschliff, Heart cut,
Marquise-Schliff, Marquise cut,
Smaragdschliff, Emerald cut,
Asscher-Schliff, Cushion-Schliff, Asscher cut, Cushion cut,
Radiant-Schliff, Radiant cut,
Diamant-Altschliff, Old European cut,
Smaragdschliff, Emerald cut,
Baguetteschliff, Baguette cut,
76. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 69 bis 75, 76. The method according to one or more of claims 69 to 75,
wobei die Diamanten kleiner oder im Mittel kleiner als 1mm und/oder kleiner als 0,5mm und/oder kleiner als 0,2mm und/oder kleiner als 0,1mm und/oder kleiner als 50pm und/oder kleiner als 20pm und/oder kleiner als lOpm und/oder kleiner als 5pm und/oder kleiner als 2pm und/oder kleiner als lpm und/oder kleiner als 0,5pm und/oder kleiner als 0,2pm und/oder kleiner als O,ΐmiti sind. wherein the diamonds are smaller or on average smaller than 1mm and / or smaller than 0.5mm and / or smaller than 0.2mm and / or smaller than 0.1mm and / or smaller than 50pm and / or smaller than 20pm and / or smaller than 10pm and / or less than 5pm and / or less than 2pm and / or less than 1pm and / or less than 0.5pm and / or less than 0.2pm and / or less than 0. miti.
77 Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 69 bis 76, 77 The method according to one or more of claims 69 to 76,
wobei der oder die Diamanten sich bei der Bestrahlung in einem Quarzgefäß befinden. the diamond or diamonds being in a quartz vessel during the irradiation.
Patentansprüche Synthetischer HD-NV-Diamant mit hoher NV-Zentren-DichtePatent claims Synthetic HD-NV diamond with high NV center density
78. Synthetischer Diamant, in dieser Schrift auch HD-NV-Diamant genannt, 78.Synthetic diamond, also called HD-NV diamond in this document,
mit einer zumindest lokalen NV-Zentren-Dichte mehr als lOOppm und/oder mehr als with an at least local NV center density of more than 100 ppm and / or more than
50ppm und/oder von mehr als 20ppm und/oder mehr als lOppm u bezogen auf die Anzahl der Kohlenstoffatome pro Volumeneinheit, 50ppm and / or more than 20ppm and / or more than 10ppm u based on the number of carbon atoms per unit volume,
wobei hier der Begriff„lokal" ein Bezugsvolumen bezeichnet, das größer als die halbe Pumpstrahlungswellenlänge (lrGTΐr) zur dritten Potenz ist. the term "local" here denotes a reference volume that is greater than half the pump radiation wavelength (l rGTΐr ) to the third power.
79. Diamant nach Anspruch 78 wobei der Diamant mit einem Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 69 bis 77 hergestellt worden ist. 79. Diamond according to claim 78, the diamond having been produced using a method according to one or more of claims 69 to 77.
80. Diamant nach einem oder mehreren der Ansprüche 78 bis 79 wobei der Diamant isotopenrein ist und 80. Diamond according to one or more of claims 78 to 79, wherein the diamond is isotopically pure and
wobei isotopenrein bedeutet, dass mehr als 99,5% der Atome des Diamanten einem where isotopically pure means that more than 99.5% of the atoms of the diamond are one
Kohlenstoffisotop zugeordnet werden können. Carbon isotope can be assigned.
Ansprüche Sensorsystem mit HD-NV-Diamant Claims sensor system with HD-NV diamond
81 Sensorsystem nach einem oder mehreren der obigen Ansprüche betreffend ein Sensorsystem wobei das Sensorelement ein Diamant nach einem oder mehreren der Ansprüche 78 bis 80 ist und/oder wobei das Sensorsystem einen Diamanten nach einem oder mehreren der Ansprüche 78 bis 80 umfasst. 81 Sensor system according to one or more of the above claims relating to a sensor system, wherein the sensor element is a diamond according to one or more of claims 78 to 80 and / or wherein the sensor system comprises a diamond according to one or more of claims 78 to 80.
Patentansprüche Sensorsystem mit Positionsbestimmung etc. Patent claims sensor system with position determination etc.
82 Sensorsystem nach einem oder mehreren der obigen Ansprüche betreffend ein Sensorsystem zur Ermittlung 82 Sensor system according to one or more of the above claims relating to a sensor system for determining
der Position des Objekts und/oder the position of the object and / or
einer aus der Position abgeleiteten Größe, insbesondere der a variable derived from the position, in particular the
Geschwindigkeit und/oder Beschleunigung und/oder der Schwingung, eines Objekts, und/oder Speed and / or acceleration and / or the oscillation of an object and / or
der Magnetisierung des Objekts, wobei die Magnetisierung des Objekts durch einen Stromfluss in dem Objekt oder durch ferromagnetische Eigenschaften des Objekts oder von Teilen des Objekts verursacht sein kann, und/oder the magnetization of the object, the magnetization of the object being caused by a current flow in the object or by ferromagnetic properties of the object or parts of the object, and / or
einer aus der Magnetisierung des Objekts abgeleiteten Größe und/oder einer Magnetisierungsrichtung des Objekts relativ zum Sensorsystem und/oder a variable derived from the magnetization of the object and / or a magnetization direction of the object relative to the sensor system and / or
einer aus der Magnetisierungsrichtung des Objekts abgeleiteten Größe wobei das Objekt ein magnetisches Feld erzeugt und/oder modifiziert und/oder moduliert und a variable derived from the direction of magnetization of the object, the object generating and / or modifying and / or modulating a magnetic field and
wobei diese Erzeugung und/oder Modifikation und/oder Modulation durch das this generation and / or modification and / or modulation by the
Sensorsystem erfasst wird und Sensor system is detected and
wobei das Sensorsystem zumindest ein Sensorausgangssignal (out) erzeugt oder wherein the sensor system generates or at least one sensor output signal (out)
bereitstellt, dessen Wert von dem Wert des magnetischen Flusses B am Ort des paramagnetischen Zentrums (NV1) und/oder am Ort der paramagnetischen Zentren (NV1) abhängt, der durch das Objekt erzeugt und/oder modifiziert und/oder moduliert wird. provides, the value of which depends on the value of the magnetic flux B at the location of the paramagnetic center (NV1) and / or at the location of the paramagnetic centers (NV1), which is generated and / or modified and / or modulated by the object.
Patentansprüche Integrierte Schaltung mit HD-NV-Diamant Claims Integrated circuit with HD-NV diamond
83. Integrierte Schaltung (IC) 83. Integrated circuit (IC)
mit einer ersten Spule (LI) und with a first coil (LI) and
mit zumindest einem weiteren Spulenpaar ([L2, L5], [L3, L6], [L4, L7j) und/oder einer with at least one further pair of coils ([L2, L5], [L3, L6], [L4, L7j) and / or one
weiteren Spule (L2, L3, L4, L5, L6, L7) und wobei die erste Spule (LI) und das zumindest eine weitere Spulenpaar ([L2, L5], [L3, L6],further coil (L2, L3, L4, L5, L6, L7) and wherein the first coil (LI) and the at least one further pair of coils ([L2, L5], [L3, L6],
[L4, L7]) und/oder die weitere Spule (L2, L3, L4, L5, L6, L7) dazu geeignet und vorgesehen sind die Erzeugung von Fluoreszenzstrahlung (FL) eines paramagnetischen Zentrums (NV1) oder mehrerer paramagnetischer Zentren (NV1) zu beeinflussen, [L4, L7]) and / or the further coil (L2, L3, L4, L5, L6, L7) are suitable and provided for the generation of fluorescence radiation (FL) of a paramagnetic center (NV1) or several paramagnetic centers (NV1) to influence,
wobei es sich bei dem paramagnetischen Zentrum (NV1) oder den paramagnetischen where it is the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic
Zentren (NV1) um ein NV-Zentrum oder mehrere NV-Zentren in einem Diamanten nach einem oder mehreren der Ansprüche 78 bis 80 handelt. Centers (NV1) is one NV center or several NV centers in a diamond according to one or more of Claims 78 to 80.
Patentansprüche Verwendung der HD-NV-Diamanten für Sensorsysteme Claims Use of HD-NV diamonds for sensor systems
84. Verfahren zum Betreiben eines Sensorsystems 84. Method of operating a sensor system
wobei das Sensorsystem ein paramagnetisches Zentrum (NV1) oder mehrere wherein the sensor system has one paramagnetic center (NV1) or more
paramagnetische Zentren (NV1) umfasst und includes paramagnetic centers (NV1) and
umfassend die Schritte comprehensive the steps
Aussenden einer Pumpstrahlung (LB); Emitting a pump radiation (LB);
Erzeugen einer Fluoreszenzstrahlung (FL) mittels des paramagnetischen Zentrums (NV1) oder mittels der paramagnetischen Zentren (NV1), die von der modulierten Pumpstrahlung (LB) und einem weiteren physikalischen Parameter abhängt; Generating a fluorescence radiation (FL) by means of the paramagnetic center (NV1) or by means of the paramagnetic centers (NV1), which depends on the modulated pump radiation (LB) and a further physical parameter;
Empfangen der Fluoreszenzstrahlung (FL) und Erzeugen eines Sensorausgangssignals (out), wobei das Sensorausgangssignal (out) von der Fluoreszenzstrahlung (FL) abhängt, wobei der Wert des Sensorausgangssignals (out) einen Messwert für den Wert des Receiving the fluorescence radiation (FL) and generating a sensor output signal (out), the sensor output signal (out) depending on the fluorescence radiation (FL), the value of the sensor output signal (out) being a measured value for the value of the
weiteren physikalischen Parameters und/oder der Intensität (lf|) der Fluoreszenzstrahlung (FL) darstellt represents further physical parameters and / or the intensity (l f | ) of the fluorescence radiation (FL)
gekennzeichnet dadurch, characterized by
dass es sich bei dem paramagnetischen Zentrum (NV1) oder den paramagnetischen Zentren (NV1) um ein NV-Zentrum oder mehrere NV-Zentren in einem Diamanten nach einem oder mehreren der Ansprüche 78 bis 80 handelt. that the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) is an NV center or several NV centers in a diamond according to one or more of claims 78 to 80.
Patentansprüche Vorrichtung mit Ausrichtung und Fluoreszenzmessung Claims device with alignment and fluorescence measurement
85. Quantentechnologische Vorrichtung aufweisend 85. Having a quantum technological device
ein Sensorelement, a sensor element,
wobei das Sensorelement einen Kristall mit einer Kristallachse aufweist und wherein the sensor element comprises a crystal with a crystal axis and
wobei der Kristall ein paramagnetisches Zentrum (NV1) in dem Kristall aufweist, wobei die quantentechnologische Vorrichtung die Möglichkeit oder Mittel aufweist, das paramagnetische Zentrum (NV1) mittels Pumpstrahlung (LB) anzuregen und wobei das paramagnetische Zentrum (NV1) in Bezug zu einer der folgenden betreffenden Kristallachse in einer ersten Richtung ausgerichtet ist und wherein the crystal has a paramagnetic center (NV1) in the crystal, wherein the quantum technological device has the possibility or means of exciting the paramagnetic center (NV1) by means of pump radiation (LB) and wherein the paramagnetic center (NV1) is oriented in a first direction with respect to one of the following relevant crystal axes and
wobei die betreffenden Kristallachsen die Kristallachsen [100], [010], [001], [111] des where the relevant crystal axes are the crystal axes [100], [010], [001], [111] des
Kristalls und deren Äquivalente (wie z.B. [-100], [-1,-1,-1] etc.) sind und Crystal and its equivalents (such as [-100], [-1, -1, -1] etc.) and
wobei das paramagnetische Zentrum (NV1) bei Anregung durch die Pumpstrahlung (LB) eine Fluoreszenzstrahlung (FL) emittiert und wherein the paramagnetic center (NV1) emits fluorescence radiation (FL) when excited by the pump radiation (LB) and
wobei die Fluoreszenzstrahlung (FL) in Abhängigkeit von einem Magnetfeld mit einer wherein the fluorescence radiation (FL) as a function of a magnetic field with a
magnetischen Flussdichte B in einer zweiten Richtung moduliert wird und wobei die zweite Richtung von der ersten Richtung abweicht. magnetic flux density B is modulated in a second direction and wherein the second direction deviates from the first direction.
86. Vorrichtung nach Anspruch 85 86. Device according to claim 85
wobei es sich bei der quantentechnologischen Vorrichtung um ein Sensorsystem handelt und wherein the quantum technological device is a sensor system and
wobei das Sensorsystem über Mittel (PLI, Fl, PD, LIV [VI, Ml, TP]) verfügt, whereby the sensor system has means (PLI, Fl, PD, LIV [VI, Ml, TP]),
um die Pumpstrahlung (LB) zu beeinflussen und to influence the pump radiation (LB) and
um Fluoreszenzstrahlung (FL) zu erfassen und to detect fluorescence radiation (FL) and
um in Abhängigkeit von der erfassten Fluoreszenzstrahlung (FL) einen Wert zu ermitteln, wobei dieser Wert ein Maß für die magnetische Flussdichte B am Ort der paramagnetischen Zentren (NV1) oder für einen anderen die Fluoreszenzstrahlung (FL) beeinflussenden physikalischen Parameters ist und to determine a value as a function of the detected fluorescence radiation (FL), this value being a measure for the magnetic flux density B at the location of the paramagnetic centers (NV1) or for another physical parameter influencing the fluorescence radiation (FL) and
wobei das Sensorsystem diesen Wert ausgibt und/oder für die weitere Verwendung whereby the sensor system outputs this value and / or for further use
abrufbar bereithält und/oder zu anderen Zwecken weiterverarbeitet. made available for retrieval and / or further processed for other purposes.
Patentansprüche Vorrichtung mit Ausrichtung und Fotostrommessung Claims device with alignment and photocurrent measurement
87 Quantentechnologische Vorrichtung aufweisend 87 having a quantum technological device
ein Sensorelement, a sensor element,
wobei das Sensorelement einen Kristall mit einer Kristallachse aufweist und wherein the sensor element comprises a crystal with a crystal axis and
wobei der Kristall ein paramagnetisches Zentrum (NV1) in dem Kristall aufweist, wobei die quantentechnologische Vorrichtung die Möglichkeit oder Mittel aufweist, das paramagnetische Zentrum (NV1) mittels Pumpstrahlung (LB) anzuregen und wobei das paramagnetische Zentrum (NV1) in Bezug zu einer der folgenden betreffenden Kristallachse in einer ersten Richtung ausgerichtet ist und wobei die betreffenden Kristallachsen die Kristallachsen [100], [010], [001], [111] des Kristalls und deren Äquivalente (wie z.B. [-100], [-1,-1,-1] etc.) sind und wherein the crystal has a paramagnetic center (NV1) in the crystal, wherein the quantum technological device has the possibility or means to excite the paramagnetic center (NV1) by means of pump radiation (LB) and wherein the paramagnetic center (NV1) in relation to one of the following relevant crystal axis is aligned in a first direction and where the relevant crystal axes are the crystal axes [100], [010], [001], [111] of the crystal and their equivalents (such as [-100], [-1, -1, -1] etc.) and
wobei das paramagnetische Zentrum (NV1) bei Anregung durch die Pumpstrahlung (LB) einen Elektronenstrom erzeugt und whereby the paramagnetic center (NV1) generates an electron current when excited by the pump radiation (LB) and
wobei der Elektronenstrom in Abhängigkeit von einem Magnetfeld mit einer magnetischen Flussdichte B in einer zweiten Richtung moduliert ist und wherein the electron current is modulated as a function of a magnetic field with a magnetic flux density B in a second direction and
wobei die zweite Richtung von der ersten Richtung abweicht. the second direction deviating from the first direction.
88 Vorrichtung nach Anspruch 87 88 The apparatus of claim 87
wobei es sich bei der quantentechnologischen Vorrichtung um ein Sensorsystem handelt und wherein the quantum technological device is a sensor system and
wobei das Sensorsystem über Mittel (PLI, KNT, LIV [VI, Ml, TP]) verfügt, where the sensor system has means (PLI, KNT, LIV [VI, Ml, TP]),
um die Pumpstrahlung (LB) zu beeinflussen und to influence the pump radiation (LB) and
um den Elektronenstrom abzusaugen und zu erfassen und to suck up and capture the flow of electrons and
um in Abhängigkeit von dem erfassten Elektronenstrom einen Wert zu ermitteln, wobei dieser Wert ein Maß für die magnetische Flussdichte B am Ort der paramagnetischen Zentren (NV1) oder für einen anderen den Elektronenstrom beeinflussenden physikalischen Parameters ist und in order to determine a value as a function of the electron flow detected, this value being a measure for the magnetic flux density B at the location of the paramagnetic centers (NV1) or for another physical parameter influencing the electron flow and
wobei das Sensorsystem diesen Wert ausgibt und/oder für die weitere Verwendung whereby the sensor system outputs this value and / or for further use
abrufbar bereithält und/oder zu anderen Zwecken weiterverarbeitet. made available for retrieval and / or further processed for other purposes.
Patentansprüche Verfahren mit Ausrichtung und Fluoreszenzmessung Method with alignment and fluorescence measurement
89. Verfahren zum Betrieb einer quantentechnologischen Vorrichtung 89. Method for operating a quantum technological device
umfassend die Schritte: comprehensive the steps:
Bereitstellen eines Sensorelements, Providing a sensor element,
wobei das Sensorelement einen Kristall mit einer Kristallachse aufweist und wobei der Kristall ein paramagnetisches Zentrum (NV1) in dem Kristall aufweist Bestrahlen des paramagnetischen Zentrums (NV1) mit Pumpstrahlung (LB) mit einer wherein the sensor element has a crystal with a crystal axis and wherein the crystal has a paramagnetic center (NV1) in the crystal. Irradiating the paramagnetic center (NV1) with pump radiation (LB) with a
Pumpstrahlungswellenlänge (Äpmp); Pump radiation wavelength (A pmp );
Emittieren von Fluoreszenzstrahlung (FL) in Abhängigkeit von der Pumpstrahlung (LB) und in Abhängigkeit von dem Wert einer magnetischen Gesamtflussdichte B am Ort des paramagnetischen Zentrums (NV1) bezogen auf ein ruhendes Koordinatensystem mit Koordinatenursprung in dem paramagnetischen Zentrum (NV1); Erfassen zumindest eines Teils der Fluoreszenzstrahlung (FL) und Ermittlung eines Werts der Fluoreszenzstrahlung (FL); Emitting fluorescence radiation (FL) as a function of the pump radiation (LB) and as a function of the value of a total magnetic flux density B at the location of the paramagnetic center (NV1) based on a coordinate system at rest with the coordinate origin in the paramagnetic center (NV1); Detecting at least part of the fluorescence radiation (FL) and determining a value of the fluorescence radiation (FL);
gekennzeichnet dadurch characterized by
dass das paramagnetische Zentrum (NV1) in Bezug zu einer der folgenden betreffenden Kristallachse in einer ersten Richtung ausgerichtet ist, wobei die betreffenden Kristallachsen die Kristallachsen [100], [010], [001], [111] des Kristalls und deren Äquivalente (wie z.B. [-100], [-1,-1,-1] etc.) sind, und that the paramagnetic center (NV1) is aligned in a first direction with respect to one of the following respective crystal axes, the respective crystal axes being the crystal axes [100], [010], [001], [111] of the crystal and their equivalents (such as e.g. [-100], [-1, -1, -1] etc.) are, and
dass der Vektor der magnetischen Flussdichte B in eine zweite Richtung weist wird und dass diese zweite Richtung von der ersten Richtung abweicht. that the vector of the magnetic flux density B points in a second direction and that this second direction deviates from the first direction.
90. Vorrichtung nach Anspruch 89 90. Apparatus according to claim 89
wobei es sich bei der quantentechnologischen Vorrichtung um ein Sensorsystem handelt und wherein the quantum technological device is a sensor system and
wobei das Sensorsystem über Mittel (PLI, Fl, PD, LIV [VI, Ml, TP]) verfügt, whereby the sensor system has means (PLI, Fl, PD, LIV [VI, Ml, TP]),
um die Pumpstrahlung (LB) zu beeinflussen und to influence the pump radiation (LB) and
um Fluoreszenzstrahlung (FL) zu erfassen und to detect fluorescence radiation (FL) and
um in Abhängigkeit von der erfassten Fluoreszenzstrahlung (FL) einen Wert zu ermitteln, wobei dieser Wert ein Maß für die magnetische Flussdichte B am Ort der paramagnetischen Zentren (NV1) oder für einen anderen die Fluoreszenzstrahlung (FL) beeinflussenden physikalischen Parameters ist und to determine a value as a function of the detected fluorescence radiation (FL), this value being a measure for the magnetic flux density B at the location of the paramagnetic centers (NV1) or for another physical parameter influencing the fluorescence radiation (FL) and
wobei das Sensorsystem diesen Wert ausgibt und/oder für die weitere Verwendung whereby the sensor system outputs this value and / or for further use
abrufbar bereithält und/oder zu anderen Zwecken weiterverarbeitet. made available for retrieval and / or further processed for other purposes.
Patentansprüche Verfahren mit Ausrichtung und Elektronenstrommessung Method with alignment and electron current measurement
91. Verfahren zum Betrieb einer quantentechnologischen Vorrichtung 91. Method for operating a quantum technological device
umfassend die Schritte: comprehensive the steps:
Bereitstellen eines Sensorelements, Providing a sensor element,
wobei das Sensorelement einen Kristall mit einer Kristallachse aufweist und wobei der Kristall ein paramagnetisches Zentrum (NV1) in dem Kristall aufweist Bestrahlen des paramagnetischen Zentrums (NV1) mit Pumpstrahlung (LB) mit einer wherein the sensor element has a crystal with a crystal axis and wherein the crystal has a paramagnetic center (NV1) in the crystal. Irradiating the paramagnetic center (NV1) with pump radiation (LB) with a
Pumpstrahlungswellenlänge (Äpmp); Pump radiation wavelength (A pmp );
Erzeugen eines Elektronenstroms in Abhängigkeit von der Pumpstrahlung (LB) und in Generating an electron current as a function of the pump radiation (LB) and in
Abhängigkeit von dem Wert einer magnetischen Gesamtflussdichte B am Ort des paramagnetischen Zentrums (NV1) bezogen auf ein ruhendes Koordinatensystem mit Koordinatenursprung in dem paramagnetischen Zentrum (NV1);Dependence on the value of a total magnetic flux density B at the location of the paramagnetic center (NV1) based on a system of coordinates at rest with the origin of coordinates in the paramagnetic center (NV1);
Erfassen zumindest eines Teils des Elektronenstromes und Ermittlung eines Werts des Elektronenstromes; Detecting at least a part of the electron flow and determining a value of the electron flow;
gekennzeichnet dadurch characterized by
dass das paramagnetische Zentrum (NV1) in Bezug zu einer der folgenden betreffenden Kristallachse in einer ersten Richtung ausgerichtet ist, wobei die betreffenden Kristallachsen die Kristallachsen [100], [010], [001], [111] des Kristalls und deren Äquivalente (wie z.B. [-100], [-1,-1,-1] etc.) sind, und that the paramagnetic center (NV1) is aligned in a first direction with respect to one of the following respective crystal axes, the respective crystal axes being the crystal axes [100], [010], [001], [111] of the crystal and their equivalents (such as e.g. [-100], [-1, -1, -1] etc.) are, and
dass der Vektor der magnetischen Flussdichte B in eine zweite Richtung weist wird und dass diese zweite Richtung von der ersten Richtung abweicht. that the vector of the magnetic flux density B points in a second direction and that this second direction deviates from the first direction.
92 Vorrichtung nach Anspruch 91 92 Apparatus according to claim 91
wobei es sich bei der quantentechnologischen Vorrichtung um ein Sensorsystem handelt und wherein the quantum technological device is a sensor system and
wobei das Sensorsystem über Mittel (PLI, Fl, PD, LIV [VI, Ml, TP]) verfügt, whereby the sensor system has means (PLI, Fl, PD, LIV [VI, Ml, TP]),
um die Pumpstrahlung (LB) zu beeinflussen und to influence the pump radiation (LB) and
um den Elektronenstrom zu erfassen und to record the electron flow and
um in Abhängigkeit von dem erfassten Elektronenstrom einen Wert zu ermitteln, wobei dieser Wert ein Maß für die magnetische Flussdichte B am Ort der paramagnetischen Zentren (NV1) oder für einen anderen den Elektronenstrom beeinflussenden physikalischen Parameters ist und in order to determine a value as a function of the electron flow detected, this value being a measure for the magnetic flux density B at the location of the paramagnetic centers (NV1) or for another physical parameter influencing the electron flow and
wobei das Sensorsystem diesen Wert ausgibt und/oder für die weitere Verwendung whereby the sensor system outputs this value and / or for further use
abrufbar bereithält und/oder zu anderen Zwecken weiterverarbeitet. made available for retrieval and / or further processed for other purposes.
Patentansprüche grundlegendes Messverfahren Claims basic measurement method
93. Verfahren 93. Procedure
zur Wandlung von akustischen oder anderen mechanischen Schwingungen und/oder for converting acoustic or other mechanical vibrations and / or
Positionsinformationen und/oder Positionsänderungsinformationen und/oder Positionsänderungsbeschleunigungsinformationen in optische Signale und/oder digitale elektrische Signale und/oder analoge elektrische Signale, mit den Schritten, Position information and / or position change information and / or position change acceleration information in optical signals and / or digital electrical signals and / or analog electrical signals, with the steps
Erzeugen einer mit einem ersten Modulationssignal, das konstant sein kann, modulierten magnetischen Flussdichte B; Erfassen dieser modulierten magnetischen Flussdichte B mittels einer auf paramagnetischen Zentren (NV1) in einem diamagnetischen Material, beruhenden Vorrichtung und Generating a magnetic flux density B modulated with a first modulation signal, which may be constant; Detection of this modulated magnetic flux density B by means of a device based on paramagnetic centers (NV1) in a diamagnetic material, and
Wandlung des erfassten Werts der modulierten magnetischen Flussdichte B in ein optisches Signal und/oder ein digitales elektrisches Signal und/oder ein analoges elektrisches Signal mit einem Signalwert, der von dem Wert der modulierten magnetischen Flussdichte B abhängt. Conversion of the detected value of the modulated magnetic flux density B into an optical signal and / or a digital electrical signal and / or an analog electrical signal with a signal value that depends on the value of the modulated magnetic flux density B.
Patentansprüche Vorrichtung mit Messung einer Saitenschwingung Device with measurement of a string vibration
94. Vorrichtung, insbesondere zur Vermessung der Fluoreszenzstrahlung (FL) paramagnetischer Zentren (NV1) und der diese beeinflussenden physikalischen Parameter, 94. Device, in particular for measuring the fluorescence radiation (FL) of paramagnetic centers (NV1) and the physical parameters influencing them,
mit einer Pumpstrahlungsquelle (PLI) und with a pump radiation source (PLI) and
mit einem diamagnetischen Material (MPZ) und with a diamagnetic material (MPZ) and
mit einem Strahlungsempfänger (PD) und with a radiation receiver (PD) and
mit einem mechanischen System (MS) und with a mechanical system (MS) and
mit einer ersten Feldquelle (MQ1), with a first field source (MQ1),
wobei das diamagnetischen Material (MPZ) ein paramagnetisches Zentrum (NV1) und/oder mehrere paramagnetische Zentren (NV1) aufweist und wherein the diamagnetic material (MPZ) has a paramagnetic center (NV1) and / or several paramagnetic centers (NV1) and
wobei die Pumpstrahlungsquelle (PLI) eine für die Anregung des paramagnetischen wherein the pump radiation source (PLI) is one for the excitation of the paramagnetic
Zentrums bzw. der paramagnetischen Zentren (NV1) geeignete Pumpstrahlung (LB) abstrahlt und Center or the paramagnetic centers (NV1) emits suitable pump radiation (LB) and
wobei das paramagnetische Zentrum (NV1) bzw. die paramagnetischen Zentren (NV1) von Pumpstrahlung (LB) bestrahlt werden the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) being irradiated by pump radiation (LB)
wobei das paramagnetische Zentrum bzw. die paramagnetischen Zentren (NV1) where the paramagnetic center or the paramagnetic centers (NV1)
Fluoreszenzstrahlung (FL) ausstrahlen und Emit fluorescent radiation (FL) and
wobei die erste Feldquelle (MQ1) mit dem mechanischen System (MS) mechanisch wherein the first field source (MQ1) with the mechanical system (MS) mechanically
gekoppelt ist und is coupled and
wobei das mechanische System (MS) eine Bewegung der ersten Feldquelle (MQ1) relativ zum diamagnetischen Material (MPZ) zulässt und/oder verursacht und wherein the mechanical system (MS) allows and / or causes a movement of the first field source (MQ1) relative to the diamagnetic material (MPZ) and
wobei der Strahlungsempfänger (PD) die Fluoreszenzstrahlung (FL) erfasst und in ein wherein the radiation receiver (PD) detects the fluorescence radiation (FL) and converts it into a
Empfängerausgangssignal (SO) und/oder ein aus diesem abgeleiteten Signal (Sl) wandelt, das von der Fluoreszenzstrahlung (FL) des paramagnetischen Zentrums (NV1) bzw. der paramagnetischen Zentren (NV1) oder von einem diese beeinflussenden physikalischen Parameter abhängt, Receiver output signal (SO) and / or a signal (S1) derived therefrom that converts from the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) or depends on a physical parameter influencing them,
wobei insbesondere der Wert des Empfängerausgangssignals (SO) und/oder der Wert eines aus diesem abgeleiteten Signals (Sl) von der Fluoreszenzstrahlung (FL) des paramagnetischen Zentrums (NV1) bzw. der paramagnetischen Zentren (NV1) oder von einem diese beeinflussenden physikalischen Parameter abhängt und somit zumindest wertbereichsweise ein Maß für die Fluoreszenzstrahlung (FL) des paramagnetischen Zentrums (NV1) bzw. der paramagnetischen Zentren (NV1) oder für den diese beeinflussenden physikalischen Parameter darstellt. where in particular the value of the receiver output signal (SO) and / or the value of a signal (Sl) derived therefrom depends on the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) or on a physical parameter influencing them and thus represents a measure for the fluorescence radiation (FL) of the paramagnetic center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) or for the physical parameters influencing these, at least in terms of value ranges.
Patentansprüche Schmuckdiamanten Claims jewelry diamonds
95. Schmuckdiamant 95. Jewelry diamond
wobei der Schmuckdiamant ein Einkristall ist und wherein the jewelry diamond is a single crystal and
wobei der Schmuckdiamant durch ein Einfärbeverfahren gefärbt ist und wherein the jewelry diamond is colored by a coloring process and
wobei der Schmuckdiamant einem menschlichen Betrachter bei einer Beleuchtung mit weißem Licht rot erscheint und wherein the jewelry diamond appears red to a human observer when illuminated with white light and
wobei der Schmuckdiamant einen ersten Absorptionskoeffizienten (a,!) bei einer where the jewelry diamond has a first absorption coefficient (a ,! ) at a
Durchstrahlung mit Licht mit einer Wellenlänge von 437nm in zumindest einer möglichen Durchstrahlungsrichtung bei Raumtemperatur aufweist und wobei der Schmuckdiamant einen zweiten Absorptionskoeffizienten (a2) bei einer Has irradiation with light with a wavelength of 437 nm in at least one possible direction of irradiation at room temperature and wherein the jewelry diamond has a second absorption coefficient (a 2 ) at a
Durchstrahlung mit Licht mit einer Wellenlänge von 500nm in zumindest einer möglichen Durchstrahlungsrichtung bei Raumtemperatur aufweist und wobei der Schmuckdiamant einen dritten Absorptionskoeffizienten (a3) bei einer Has irradiation with light with a wavelength of 500 nm in at least one possible direction of irradiation at room temperature and wherein the jewelry diamond has a third absorption coefficient (a 3 ) at a
Durchstrahlung mit Licht mit einer Wellenlänge von 570nm in zumindest einer möglichen Durchstrahlungsrichtung bei Raumtemperatur aufweist und wobei der Schmuckdiamant einen vierten Absorptionskoeffizienten (a4) bei einer Has irradiation with light with a wavelength of 570nm in at least one possible direction of irradiation at room temperature and wherein the jewelry diamond has a fourth absorption coefficient (a 4 ) at a
Durchstrahlung mit Licht mit einer Wellenlänge von 800nm in zumindest einer möglichen Durchstrahlungsrichtung bei Raumtemperatur aufweist und wobei der Schmuckdiamant einen fünften Absorptionskoeffizienten (a5) bei einer Has irradiation with light with a wavelength of 800 nm in at least one possible direction of irradiation at room temperature and wherein the jewelry diamond has a fifth absorption coefficient (a 5 ) at a
Durchstrahlung mit Licht mit einer Wellenlänge zwischen 200nm und 400nm in zumindest einer möglichen Durchstrahlungsrichtung bei Raumtemperatur aufweist und wobei der fünfte Absorptionskoeffizient (a5) größer ist als der erste Absorptionskoeffizient (a ) und Has irradiation with light with a wavelength between 200 nm and 400 nm in at least one possible direction of irradiation at room temperature and wherein the fifth absorption coefficient (a 5 ) is greater than the first absorption coefficient (a) and
wobei der erste Absorptionskoeffizient (oti) größer ist als der dritte Absorptionskoeffizient (a3) und wherein the first absorption coefficient (oti) is greater than the third absorption coefficient (a 3 ) and
wobei der dritte Absorptionskoeffizient (a3) größer ist als der zweite Absorptionskoeffizient (a2) und wherein the third absorption coefficient (a 3 ) is greater than the second absorption coefficient (a 2 ) and
wobei der zweite Absorptionskoeffizient (a2) größer ist als der vierte Absorptionskoeffizient (a4) und wherein the second absorption coefficient (a 2 ) is greater than the fourth absorption coefficient (a 4 ) and
wobei die Differenz aus dem dritten Absorptionskoeffizient (a3) minus dem zweiten where the difference between the third absorption coefficient (a 3 ) minus the second
Absorptionskoeffizient (a2) kleiner ist als die Differenz aus dem zweiten Absorption coefficient (a 2 ) is smaller than the difference from the second
Absorptionskoeffizient (a2) minus dem vierten Absorptionskoeffizient (a4). Absorption coefficient (a 2 ) minus the fourth absorption coefficient (a 4 ).
96. Schmuckdiamant 96. Jewelry diamond
wobei der Schmuckdiamant durch ein Einfärbeverfahren gefärbt ist und wherein the jewelry diamond is colored by a coloring process and
wobei der Kristall des Schmuckdiamanten durch ein Kristallzuchtverfahren hergestellt wurde ist und wherein the crystal of the jewelry diamond is made by a crystal growing process and
wobei der Schmuckdiamant einem menschlichen Betrachter bei einer Beleuchtung mit weißem Licht rot erscheint und wherein the jewelry diamond appears red to a human observer when illuminated with white light and
wobei der Schmuckdiamant einen ersten Absorptionskoeffizienten (a4) bei einer wherein the jewelry diamond has a first absorption coefficient (a 4 ) at a
Durchstrahlung mit Licht mit einer Wellenlänge von 437nm in zumindest einer möglichen Durchstrahlungsrichtung bei Raumtemperatur aufweist und Has irradiation with light with a wavelength of 437 nm in at least one possible direction of irradiation at room temperature and
wobei der Schmuckdiamant einen zweiten Absorptionskoeffizienten (a2) bei einer wherein the jewelry diamond has a second absorption coefficient (a 2 ) at a
Durchstrahlung mit Licht mit einer Wellenlänge von 500nm in zumindest einer möglichen Durchstrahlungsrichtung bei Raumtemperatur aufweist und Having irradiation with light with a wavelength of 500 nm in at least one possible direction of irradiation at room temperature and
wobei der Schmuckdiamant einen dritten Absorptionskoeffizienten (a3) bei einer wherein the jewelry diamond has a third absorption coefficient (a 3 ) at a
Durchstrahlung mit Licht mit einer Wellenlänge von 570nm in zumindest einer möglichen Durchstrahlungsrichtung bei Raumtemperatur aufweist und Has irradiation with light with a wavelength of 570 nm in at least one possible direction of irradiation at room temperature and
wobei der Schmuckdiamant einen vierten Absorptionskoeffizienten (a4) bei einer wherein the jewelry diamond has a fourth absorption coefficient (a 4 ) at a
Durchstrahlung mit Licht mit einer Wellenlänge von 800nm in zumindest einer möglichen Durchstrahlungsrichtung bei Raumtemperatur aufweist und Has irradiation with light with a wavelength of 800 nm in at least one possible direction of irradiation at room temperature and
wobei der Schmuckdiamant einen fünften Absorptionskoeffizienten (a5) bei einer wherein the jewelry diamond has a fifth absorption coefficient (a 5 ) at a
Durchstrahlung mit Licht mit einer Wellenlänge zwischen 200nm und 400nm in zumindest einer möglichen Durchstrahlungsrichtung bei Raumtemperatur aufweist und Radiation with light with a wavelength between 200nm and 400nm in has at least one possible radiation direction at room temperature and
wobei der fünfte Absorptionskoeffizient (a5) größer ist als der erste Absorptionskoeffizient (oti) und wherein the fifth absorption coefficient (a 5 ) is greater than the first absorption coefficient (oti) and
wobei der erste Absorptionskoeffizient (a,!) größer ist als der dritte Absorptionskoeffizient (a3) und where the first absorption coefficient (a ,! ) is greater than the third absorption coefficient (a 3 ) and
wobei der dritte Absorptionskoeffizient (a3) größer ist als der zweite Absorptionskoeffizient (a2) und wherein the third absorption coefficient (a 3 ) is greater than the second absorption coefficient (a 2 ) and
wobei der zweite Absorptionskoeffizient (a2) größer ist als der vierte Absorptionskoeffizient (a4) und wherein the second absorption coefficient (a 2 ) is greater than the fourth absorption coefficient (a 4 ) and
wobei die Differenz aus dem dritten Absorptionskoeffizient (a3) minus dem zweiten where the difference between the third absorption coefficient (a 3 ) minus the second
Absorptionskoeffizient (a2) kleiner ist als die Differenz aus dem zweiten Absorption coefficient (a 2 ) is smaller than the difference from the second
Absorptionskoeffizient (a2) minus dem vierten Absorptionskoeffizient (a4). Absorption coefficient (a 2 ) minus the fourth absorption coefficient (a 4 ).
97. Schmuckdiamant nach einem oder mehreren der Ansprüche 95 bis 96 97. Jewelry diamond according to one or more of claims 95 to 96
• wobei der Schmuckdiamant einen der folgenden Schliffe aufweist: • where the jewelry diamond has one of the following cuts:
o Spitzsteinschliff o Pointed stone cut
o Tafelsteinschliff o Table stone cut
o Rose Cut Schliff o Rose Cut
o Mazarin Schliff o Mazarin cut
o Brillantschliff o brilliant cut
o Tropfenschliff o pear-shaped cut
o Prinzessschliff o princess cut
o Ovalschliff o oval cut
o Herzschliff o heart cut
o Marquise-Schliff o Marquise cut
o Smaragdschliff o emerald cut
o Asscher-Schliff o Asscher cut
o Cushion-Schliff o Cushion cut
o Radiant-Schliff o Radiant cut
o Diamant-Altschliff o Old European cut
o Smaragdschliff o emerald cut
o Baguetteschliff o Baguette cut
98. Schmuckdiamant nach einem oder mehreren der Ansprüche 95 bis 97 98. Jewelry diamond according to one or more of claims 95 to 97
mit einer Qualitätsgrad von Sil oder VS1 oder besser. with a quality grade of Sil or VS1 or better.
99. Schmuckdiamant nach einem oder mehreren der Ansprüche 96 bis 98 99. Jewelry diamond according to one or more of claims 96 to 98
wobei der Schmuckdiamant bei der Beleuchtung mit weißem Licht vor weißem Hintergrund dem menschlichen Betrachter eine Farbe entsprechend RAL 3020 und/oder RAL3024 und/oder RAL 3026 und/oder eine andere RAL-Farbe 3XXX zeigt, wobei XXX für eine dreistellige Zahl zwischen 000 und 999 steht. The decorative diamond when illuminated with white light in front of a white background shows the human observer a color corresponding to RAL 3020 and / or RAL3024 and / or RAL 3026 and / or another RAL color 3XXX, where XXX is a three-digit number between 000 and 999 stands.
100. Schmuckdiamant nach einem oder mehreren der Ansprüche 97 bis 99 100. Jewelry diamond according to one or more of claims 97 to 99
wobei der Schmuckdiamant die rote Farbe "fancy-red" nach GIA-Norm zeigt oder wobei der Schmuckdiamant die rote Farbe "fancy-deep" nach GIA-Norm zeigt oder wobei der Schmuckdiamant die rote Farbe "fancy-vivid" nach GIA-Norm zeigt oder wobei der Schmuckdiamant die rote Farbe "fancy-dark" nach GIA-Norm zeigt oder wobei der Schmuckdiamant die rote Farbe "fancy-intense" nach GIA-Norm zeigt oder wobei der Schmuckdiamant die rote Farbe "fancy light" nach GIA-Norm zeigt oder wobei der Schmuckdiamant die rote Farbe "light" nach GIA-Norm zeigt oder wherein the jewelry diamond shows the red color "fancy-red" according to the GIA standard or the jewelry diamond shows the red color "fancy-deep" according to the GIA standard or the jewelry diamond shows the red color "fancy-vivid" according to the GIA standard or where the jewelry diamond shows the red color "fancy dark" according to the GIA standard or where the jewelry diamond shows the red color "fancy intense" according to the GIA standard or where the jewelry diamond shows the red color "fancy light" according to the GIA standard or where the jewelry diamond shows the red color "light" according to the GIA standard or
wobei der Schmuckdiamant eine rote Farbe entsprechend der Bilder der Diamanten auf Seite 13 der Schrift von John M. King "GIA Colored Diamonds, Color Reference Charts", Gemological Institute of America, 2006, ISBN-10: 0873110536, ISBN-13: 978-0873110532 zeigt oder where the jewelry diamond is a red color corresponding to the pictures of the diamonds on page 13 of John M. King's "GIA Colored Diamonds, Color Reference Charts", Gemological Institute of America, 2006, ISBN-10: 0873110536, ISBN-13: 978- 0873110532 shows or
wobei der Schmuckdiamant die orange-rosa Farbe "fancy-red" nach GIA-Norm zeigt oder wobei der Schmuckdiamant die orange-rosa Farbe "fancy-deep" nach GIA-Norm zeigt oder wobei der Schmuckdiamant die orange-rosa Farbe "fancy-vivid" nach GIA-Norm zeigt oder wobei der Schmuckdiamant die orange-rosa Farbe "fancy-dark" nach GIA-Norm zeigt oder wobei der Schmuckdiamant die orange-rosa Farbe "fancy-intense" nach GIA-Norm zeigt oder wherein the jewelry diamond shows the orange-pink color "fancy-red" according to the GIA standard or the jewelry diamond shows the orange-pink color "fancy-deep" according to the GIA standard or the jewelry diamond the orange-pink color "fancy-vivid" "shows according to the GIA standard or wherein the jewelry diamond shows the orange-pink color" fancy-dark "according to the GIA standard or wherein the jewelry diamond shows the orange-pink color" fancy-intense "according to the GIA standard or
wobei der Schmuckdiamant die orange-rosa Farbe "fancy light" nach GIA-Norm zeigt oder wobei der Schmuckdiamant die orange-rosa Farbe "light" nach GIA-Norm zeigt oder wobei der Schmuckdiamant eine orange-rosa Farbe entsprechend der Bilder der Diamanten auf Seite 12 der Schrift von John M. King "GIA Colored Diamonds, Color Reference Charts", Gemological Institute of America, 2006, ISBN-10: 0873110536, ISBN-13: 978-0873110532 zeigt. where the jewelry diamond shows the orange-pink color "fancy light" according to the GIA standard or where the jewelry diamond shows the orange-pink color "light" according to the GIA standard or where the jewelry diamond has an orange-pink color according to the pictures of the diamonds on page Figure 12 of John M. King's GIA Colored Diamonds, Color Reference Charts, Gemological Institute of America, 2006, ISBN-10: 0873110536, ISBN-13: 978-0873110532 shows.
101. Schmuckdiamant nach einem oder mehreren der Ansprüche 95 bis 100 wobei der Schmuckdiamant bei der Beleuchtung mit weißem Licht vor weißem Hintergrund mit einer Farbe im Bereich von 637nm +/-10nm fluoresziert. 101. Jewelry diamond according to one or more of claims 95 to 100 whereby the jewelry diamond fluoresces with a color in the range of 637nm +/- 10nm when illuminated with white light against a white background.
102. Schmuckdiamant nach einem oder mehreren der Ansprüche 95 bis 101 102. Jewelry diamond according to one or more of claims 95 to 101
wobei der Schmuckdiamant eine Fluoreszenz mit einer Farbtemperatur kleiner als 2000K und/oder kleiner als 1000K aufweist. wherein the jewelry diamond has a fluorescence with a color temperature of less than 2000K and / or less than 1000K.
103. Schmuckdiamant nach einem oder mehreren der Ansprüche 95 bis 102 103. Jewelry diamond according to one or more of claims 95 to 102
wobei der Schmuckdiamanten bei Durchstrahlung mit weißem Licht in zumindest einer Durchstrahlungsrichtung eine Farbtemperatur kleiner als 1000K aufweist. wherein the jewelry diamond has a color temperature of less than 1000K when exposed to white light in at least one direction of transmission.
104. Schmuckdiamant nach einem oder mehreren der Ansprüche 95 bis 103 104. Jewelry diamond according to one or more of claims 95 to 103
• wobei er eine Dichte an NV-Zentren von mehr als 0,01ppm und/oder von mehr als 10-3ppm und/oder von mehr als 10-4ppm und/oder von mehr als 10-5ppm und/oder von mehr als 10-6ppm bezogen auf die Anzahl der Kohlenstoffatome pro Volumeneinheit aufweist. • having a density of NV centers of more than 0.01ppm and / or of more than 10-3ppm and / or of more than 10-4ppm and / or of more than 10-5ppm and / or of more than 10- 6ppm based on the number of carbon atoms per unit volume.
105. Schmuckdiamant nach einem oder mehreren der Ansprüche 96 bis 104 105. Jewelry diamond according to one or more of claims 96 to 104
• wobei die Dichte der NV-Zentren weniger als lOppm und/oder von weniger als 2ppm und/oder von weniger als lppm und/oder von weniger als 0,5ppm und/oder von weniger als 0,2ppm und/oder von weniger als 0,lppm und/oder von weniger als 0,05ppm und/oder von weniger als 0,02ppm und/oder von weniger als 0,01ppm und/oder von weniger als 0,005ppm und/oder von weniger als 0,002ppm und/oder von weniger als 0,001ppm und/oder von weniger als 5*10-4 ppm und/oder von weniger als 2*10-4 ppm und/oder von weniger als 10-5ppm und/oder von weniger als 5*10-5 ppm und/oder von weniger als 2*10-5 ppm und/oder von weniger als 10-6ppm und/oder von weniger als 5*10-6 ppm und/oder von weniger als 2*10-6 ppm und/oder von weniger als 10-7ppm bezogen auf die Anzahl der Kohlenstoffatome pro Volumeneinheit beträgt. The density of the NV centers is less than 10 ppm and / or less than 2 ppm and / or less than 1 ppm and / or less than 0.5 ppm and / or less than 0.2 ppm and / or less than 0 , lppm and / or less than 0.05ppm and / or less than 0.02ppm and / or less than 0.01ppm and / or less than 0.005ppm and / or less than 0.002ppm and / or less than 0.001ppm and / or less than 5 * 10-4 ppm and / or less than 2 * 10-4 ppm and / or less than 10-5ppm and / or less than 5 * 10-5 ppm and / or less than 2 * 10-5 ppm and / or less than 10-6 ppm and / or less than 5 * 10-6 ppm and / or less than 2 * 10-6 ppm and / or less than 10 -7ppm based on the number of carbon atoms per unit volume.
106. Schmuckdiamant nach einem oder mehreren der Ansprüche 95 bis 105 106. Jewelry diamond according to one or more of claims 95 to 105
• wobei der Schmuckdiamant Spuren einer Bestrahlung mit Partikeln, insbesondere mit Elektronen und/oder Protonen, aufweist. • wherein the jewelry diamond has traces of irradiation with particles, in particular with electrons and / or protons.
107. Verfahren zur Herstellung von eines oder mehrerer roter Schmuckdiamanten, insbesondere nach einem oder mehreren der Ansprüche 95 bis 106: 107. A method for the production of one or more red jewelry diamonds, in particular according to one or more of claims 95 to 106:
• Bereitstellung des oder der Diamantrohlinge, wobei der oder die Diamantrohlinge Stickstoffatome in Form von Pi- Zentren umfassen und/oder • Provision of the diamond blank (s), wherein the diamond blank (s) comprise nitrogen atoms in the form of pi centers and / or
wobei der oder die Diamantrohlinge eine gelbe Farbe besitzen und/oder wherein the diamond blank (s) have a yellow color and / or
wobei der oder die Diamantrohlinge Stickstoffatome zusammen mit Wasserstoff umfassen; wherein the diamond blank (s) comprise nitrogen atoms together with hydrogen;
• Bestrahlen des oder der Diamantrohlinge mit Elektronen, • irradiating the diamond blank (s) with electrons,
wobei die Energie der Elektronen größer als 500keV und/oder größer als IMeV ist und/oder größer als 3MeV ist und/oder größer als 4MeV ist und/oder größer als 5MeV ist und/oder größer als 6 MeV ist und/oder größer als 7 MeV ist und/oder größer als 8 MeV ist und/oder größer als 9 MeV ist und/oder größer als 10 MeV ist, wobei eine Energie von lOMeV bevorzugt ist the energy of the electrons being greater than 500keV and / or greater than IMeV and / or greater than 3MeV and / or greater than 4MeV and / or greater than 5MeV and / or greater than 6 MeV and / or greater than 7 MeV is and / or is greater than 8 MeV and / or is greater than 9 MeV and / or is greater than 10 MeV, an energy of IOMeV being preferred
wobei die Bestrahlungsdosis bevorzugt zwischen 5*1017 cm 2 undwherein the radiation dose is preferably between 5 * 10 17 cm 2 and
2*1018cm 2, zumindest aber unter 1019cm 2 liegt und 2 * 10 18 cm 2 , but at least less than 10 19 cm 2 and
wobei die Temperatur des oder der Diamantrohlinge während der wherein the temperature of the diamond blank (s) during the
Bestrahlung bei einer Bestrahlungstemperatur größer 600°C und/oder größer 700°C und/oder größer 800°C und kleiner 900°C und/oder kleiner 1000°C und/oder kleiner 1100°C und/oder kleiner 1200°C, bevorzugt zwischen 800°C und 900°C liegt und Irradiation at an irradiation temperature greater than 600 ° C. and / or greater than 700 ° C. and / or greater than 800 ° C. and less than 900 ° C. and / or less than 1000 ° C. and / or less than 1100 ° C. and / or less than 1200 ° C. is preferred is between 800 ° C and 900 ° C and
wobei der Strahlstrom des elektrischen Stroms dieser Elektronen so eingestellt wird, dass die Bestrahlungsdauer zum Erreichen der obigen wherein the beam current of the electric current of these electrons is adjusted so that the irradiation time to achieve the above
Bestrahlungsdosis mindestens 0,05 Tage und/oder mindestens 0,5 Tage und/oder mindestens 1 Tag und/oder mindestens 2 Tage und/oder mindestens 4 Tage und/oder mindestens 8 Tage, bevorzugt aber 2 Tage beträgt. Irradiation dose is at least 0.05 days and / or at least 0.5 days and / or at least 1 day and / or at least 2 days and / or at least 4 days and / or at least 8 days, but preferably 2 days.
108. Verfahren nach Anspruch 107, 108. The method according to claim 107,
• wobei die Diamantrohlinge während der Bestrahlung über einen Wärmewiderstand an eine Wärmesenke thermisch angekoppelt sind. • The diamond blanks are thermally coupled to a heat sink via a thermal resistor during the irradiation.
109. Verfahren nach Anspruch 107 oder 108, 109. The method according to claim 107 or 108,
wobei der Gesamtenergieeintrag in die Diamantrohlinge so geregelt wird, dass der eine Temperatursonde, die in der Nähe der Diamantrohlinge während der Bestrahlung platziert ist, eine mittlere Bestrahlungstemperatur der Diamantrohlinge von größer 600°C und/oder größer 700°C und/oder größer 800°C und kleiner 900°C und/oder kleiner 1000°C und/oder kleiner 1100°C und/oder kleiner 1200°C, bevorzugt zwischen 800°C und 900°C erfasst. wherein the total energy input into the diamond blanks is regulated so that the one temperature probe that is in the vicinity of the diamond blanks during the Irradiation is placed, an average irradiation temperature of the diamond blanks of greater than 600 ° C and / or greater than 700 ° C and / or greater than 800 ° C and less than 900 ° C and / or less than 1000 ° C and / or less than 1100 ° C and / or less than 1200 ° C, preferably between 800 ° C and 900 ° C.
110. Verfahren nach Anspruch 109, 110. The method according to claim 109,
• wobei der Gesamtenergieeintrag in die Diamantrohlinge einen zeitlichen • where the total energy input into the diamond blanks is temporal
Gleichanteil und einen zeitlich gepulsten Anteil mit einem zeitlichen Pulsabstand und einer Pulshöhe der Gesamtenergieeintragspulse aufweist, wobei die Pulshöhe der Gesamtenergieeintragspulse des Gesamtenergieeintrags und/oder der zeitliche Pulsabstand der Gesamtenergieeintragspulse zur Regelung der von der Has a constant component and a temporally pulsed component with a temporal pulse interval and a pulse height of the total energy input pulses, the pulse height of the total energy input pulses of the total energy input and / or the temporal pulse interval of the total energy input pulses for regulating the from the
Temperatursonde erfassten mittleren Bestrahlungstemperatur verwendet wird. Temperature probe detected mean irradiation temperature is used.
111. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 107 bis 110, 111. The method according to one or more of claims 107 to 110,
• wobei ein Diamantrohling ein synthetischer HPHT-Diamant ist oder • where a diamond blank is a synthetic HPHT diamond or
• wobei ein Diamantrohling ein synthetischer CVD-Diamant ist. • where a diamond blank is a synthetic CVD diamond.
112. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche 108 bis 111, 112. The method according to one or more of the preceding claims 108 to 111,
• wobei ein Diamantrohling zumindest eine geschliffene Fläche vor dem Bestrahlen aufweist. • wherein a diamond blank has at least one ground surface before irradiation.
113. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche 108 bis 112, 113. The method according to one or more of the preceding claims 108 to 112,
• wobei die Bestrahlung in einem Vakuum mit einem Restdruck von kleiner als 10- 4m Bar und/oder von kleiner als 105mBar und/oder von kleiner als 10 smBar und/oder von kleiner als 107mBar und/oder von kleiner als 108mBar und/oder von kleiner als 109mBar und/oder von kleiner als 10 10mBar und/oder stattfindet, wobei ein Restdruck von kleiner als 10 smBar bevorzugt ist oder • the irradiation in a vacuum with a residual pressure of less than 10-4 mBar and / or less than 10 5 mBar and / or less than 10 s mBar and / or less than 10 7 mBar and / or less than 10 8 mBar and / or less than 10 9 mBar and / or less than 10 10 mBar and / or takes place, with a residual pressure of less than 10 s mBar being preferred or
• wobei die Bestrahlung in einer Schutzgasatmosphäre, insbesondere in einer Agon- Atmosphäre stattfindet. • where the irradiation takes place in a protective gas atmosphere, in particular in an agon atmosphere.
114. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche 108 bis 113, 114. The method according to one or more of the preceding claims 108 to 113,
• wobei ein Diamantrohling einen der folgenden Schliffe vor dem Bestrahlen aufweist. • where a diamond blank has one of the following cuts before blasting.
Spitzsteinschliff Pointed stone cut
Tafelsteinschliff Table stone cut
Rose Cut Schliff Rose cut finish
Mazarin Schliff Mazarin cut
Brillantschliff Tropfenschliff Brilliant cut Pear cut
Prinzessschliff Princess cut
Ovalschliff Oval cut
Herzschliff Heart cut
Marquise-Schliff Marquise cut
Smaragdschliff Emerald cut
Asscher-Schliff Asscher cut
Cushion-Schliff Cushion cut
Radiant-Schliff Radiant cut
Diamant-Altschliff Diamond old cut
Smaragdschliff Emerald cut
Baguetteschliff Baguette cut
115. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche 108 bis 114, 115. The method according to one or more of the preceding claims 108 to 114,
• wobei ein Diamantrohling eine Größe größer als 0,lct und/oder größer als 0,2ct und/oder größer als 0,5ct und/oder größer als lct und/oder größer als l,5ct und/oder größer als 2ct aufweist. • where a diamond blank has a size greater than 0.1 ct and / or greater than 0.2 ct and / or greater than 0.5 ct and / or greater than 1 ct and / or greater than 1.5 ct and / or greater than 2 ct.
116. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche 108 bis 115, 116. The method according to one or more of the preceding claims 108 to 115,
wobei der oder die Diamantrohlinge sich bei der Bestrahlung in einer temperaturgeregelten Prozesskammer auf einer Prozesskammertemperatur oder wobei der oder die Diamantrohlinge sich bei der Bestrahlung in einem temperaturgeregelten Gefäß auf einer Prozesskammertemperatur befinden oder wobei die Prozesskammertemperatur befinden, nicht mehr als 200°C und/oder nicht mehr als 100°C und/oder nicht mehr als 50°C und/oder nicht mehr als 20°C und/oder nicht mehr als 10°C von der Bestrahlungstemperatur abweicht. wherein the diamond blank (s) are at a process chamber temperature during the irradiation in a temperature-controlled process chamber or wherein the diamond blank (s) are at a process chamber temperature during the irradiation in a temperature-controlled vessel or the process chamber temperature is not more than 200 ° C and / or not deviates more than 100 ° C and / or not more than 50 ° C and / or not more than 20 ° C and / or not more than 10 ° C from the irradiation temperature.
117. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche 108 bis 116, 117. The method according to one or more of the preceding claims 108 to 116,
• wobei der oder die Diamantrohlinge sich bei der Bestrahlung in einem Quarzgefäß befinden. • the diamond blank (s) being in a quartz vessel during the irradiation.
118. Vorrichtung zur Durchführung eines Verfahrens nach einem oder mehreren der vorhergehenden 118. Device for carrying out a method according to one or more of the preceding
Ansprüche 108 bis 117, umfassend Claims 108 to 117, comprising
einen Elektronenbeschleuniger, der Elektronen mit einer Energie zwischen 2MeV und lOMeV in eine Prozesskammer liefert, ein Vakuumsystem, das dazu geeignet und bestimmt ist, die Prozesskammer zu evakuieren, an electron accelerator that delivers electrons with an energy between 2MeV and IOMeV into a process chamber, a vacuum system that is suitable and intended to evacuate the process chamber,
eine Heizvorrichtung a heater
wobei die Heizvorrichtung dazu geeignet und bestimmt ist, die Prozesskammer und/oder ein Gefäß innerhalb der Prozesskammer auf eine Prozesstemperatur zu heizen und wherein the heating device is suitable and intended to heat the process chamber and / or a vessel within the process chamber to a process temperature and
einen Temperatursensor, der dazu geeignet und bestimmt ist, die Temperatur der Prozesskammer und/oder die Temperatur des Gefäßes und/oder die Temperatur eines oder mehrerer Diamantrohlinge innerhalb des Gefäßes oder innerhalb der Prozesskammer als Temperaturmesswert zu erfassen und a temperature sensor which is suitable and intended to detect the temperature of the process chamber and / or the temperature of the vessel and / or the temperature of one or more diamond blanks within the vessel or within the process chamber as a temperature measurement value and
einen Regler, der dazu geeignet und bestimmt ist, die Heizvorrichtung in a controller that is suitable and intended to turn the heating device into
Abhängigkeit vom erfassten Temperaturmesswert zu steuern. To be controlled depending on the measured temperature value.
119. Verwendung eines Verfahrens nach einem oder mehreren der Ansprüche 108 bis 117 zur 119. Use of a method according to one or more of claims 108 to 117 for
Herstellung von eines oder mehrerer roter Schmuckdiamanten, insbesondere eines Production of one or more red jewelry diamonds, especially one
Schmuckdiamanten nach einem oder mehreren der Ansprüche 95 bis 106. Decorative diamonds according to one or more of Claims 95 to 106.
120. Verwendung eines Verfahrens nach einem oder mehreren der Ansprüche 108 bis 117 und einer 120. Use of a method according to one or more of claims 108 to 117 and one
Vorrichtung nach Anspruch 118 zur Herstellung von eines oder mehrerer roter Device according to claim 118 for the production of one or more red ones
Schmuckdiamanten, insbesondere eines Schmuckdiamanten nach einem oder mehreren der Ansprüche 95 bis 106 Decorative diamonds, in particular a decorative diamond according to one or more of Claims 95 to 106
Patentansprüche Verfahren mit Kurzpuls Method with short pulse
121. Verfahren zum Betreiben eines Sensorsystems 121. Method of operating a sensor system
wobei das Sensorsystem ein Sensorelement umfasst und wherein the sensor system comprises a sensor element and
wobei das Sensorelement ein oder mehrere paramagnetisches Zentren (NV1) umfasst und umfassend die Schritte wherein the sensor element comprises one or more paramagnetic centers (NV1) and comprising the steps
Erzeugen eines modulierten Sendesignals (S5w); Generating a modulated transmission signal (S5w);
Aussenden einer modulierten Pumpstrahlung (LB) in Abhängigkeit von dem modulierten Sendesignal (S5w), Emitting a modulated pump radiation (LB) depending on the modulated transmission signal (S5w),
Erzeugen einer modulierten Fluoreszenzstrahlung (FL) mittels des paramagnetischen Generating a modulated fluorescence radiation (FL) by means of the paramagnetic
Zentrums (NV1) oder der paramagnetischen Zentren (NV1) die von der modulierten Pumpstrahlung (LB) abhängt, Center (NV1) or the paramagnetic centers (NV1) which depends on the modulated pump radiation (LB),
wobei der Wert eines physikalischen Parameters die modulierte Fluoreszenzstrahlung (FL) beeinflusst und/oder wobei der Wert der magnetischen Flussdichte B am Ort des paramagnetischen Zentrums (NV1) die modulierte Fluoreszenzstrahlung (FL) beeinflusst; wherein the value of a physical parameter influences the modulated fluorescence radiation (FL) and / or wherein the value of the magnetic flux density B at the location of the paramagnetic center (NV1) influences the modulated fluorescence radiation (FL);
Empfangen der modulierten Fluoreszenzstrahlung (FL) und Erzeugen eines modulierten Empfängerausgangssignals (SO) in Abhängigkeit von der modulierten Fluoreszenzstrahlung (FL); Receiving the modulated fluorescence radiation (FL) and generating a modulated receiver output signal (SO) as a function of the modulated fluorescence radiation (FL);
Korrelation des modulierten Empfängerausgangssignals (SO) mit dem modulierten Correlation of the modulated receiver output signal (SO) with the modulated one
Sendesignal (S5w) oder einem daraus abgeleiteten Signal und Bildung eines Filterausgangssignals (S4), wobei das Filterausgangssignal (S4) von der Intensität der Korrelation der Modulation der Fluoreszenzstrahlung (FL) mit dem modulierten Sendesignal (S5w) abhängt; Transmission signal (S5w) or a signal derived therefrom and formation of a filter output signal (S4), the filter output signal (S4) depending on the intensity of the correlation of the modulation of the fluorescence radiation (FL) with the modulated transmission signal (S5w);
Verwendung des Filterausgangssignals (S4) als Messwert für den Wert eines physikalischen Parameters, der die modulierte Fluoreszenzstrahlung (FL) beeinflusst, und/oder den Wert der magnetischen Flussdichte B am Ort des paramagnetischen Zentrums (NV1), Use of the filter output signal (S4) as a measured value for the value of a physical parameter that influences the modulated fluorescence radiation (FL) and / or the value of the magnetic flux density B at the location of the paramagnetic center (NV1),
gekennzeichnet dadurch characterized by
dass das modulierte Sendesignal (S5w) mit einem Tastverhältnis kleiner 50% PWM- moduliert oder sonst wie pulsmoduliert ist und that the modulated transmission signal (S5w) is PWM-modulated with a duty cycle of less than 50% or otherwise pulse-modulated and
dass das Tastverhältnis modulierten Sendesignals (S5w) hierbei als Sendesignalpulsdauer (Ts Pmp) dividiert durch die Sendesignalperiode (TP) definiert ist. that the duty cycle of the modulated transmission signal (S5w) is defined as the transmission signal pulse duration (Ts Pmp ) divided by the transmission signal period (T P ).
Patentansprüche LWL mit HD-NV-Diamant Claims fiber optic with HD-NV diamond
122. Lichtwellenleiter 122. Optical fiber
dadurch gekennzeichnet characterized
dass der Lichtwellenleiter optisch mit einem HD-NV-Diamanten, d.h. einem Diamanten nach einem oder mehreren der Ansprüche 78 bis 80, gekoppelt ist. that the optical waveguide is optically coupled to an HD-NV diamond, i.e. a diamond according to one or more of claims 78 to 80.
123. Optisches Funktionselement 123. Optical functional element
dadurch gekennzeichnet characterized
dass das optische Funktionselement einen HD-NV-Diamanten, d.h. einem Diamanten nach einem oder mehreren der Ansprüche 78 bis 80, umfasst. that the optical functional element comprises an HD-NV diamond, i.e. a diamond according to one or more of claims 78 to 80.
Patentansprüche LED mit HD-NV-Diamant Claims LED with HD-NV diamond
124. Fluoreszenzlichtquelle 124. Fluorescent light source
dadurch gekennzeichnet dass sie eine Pumplichtquelle (PLI) umfasst, die Pumpstrahlung (LB) mit einer characterized that it comprises a pump light source (PLI), the pump radiation (LB) with a
Pumpstrahlungswellenlänge (lrGTΐr) erzeugt, und Pump radiation wavelength (l rGTΐr ) generated, and
dass sie einen HD-NV-Diamanten, d.h. einem Diamanten nach einem oder mehreren der Ansprüche 78 bis 80, umfasst, that it comprises an HD-NV diamond, i.e. a diamond according to one or more of claims 78 to 80,
wobei der HD-NV-Diamant mit der Pumpstrahlung (LB) bestrahlt wird und wherein the HD-NV diamond is irradiated with the pump radiation (LB) and
Fluoreszenzstrahlung (FL) mit einer Fluoreszenzstrahlungswellenlänge (lh) aussendet, Emits fluorescence radiation (FL) with a fluorescence radiation wavelength (lh),
wobei die Fluoreszenzstrahlung (FL) die Fluoreszenzlichtquelle verlässt. wherein the fluorescent radiation (FL) leaves the fluorescent light source.
125. Fluoreszenzlichtquelle nach Anspruch 124 125. Fluorescence light source according to claim 124
mit einem ersten Filter (Fl), with a first filter (Fl),
der für Strahlung mit der Pumpstrahlungswellenlänge (lrGhr) im Wesentlichen nicht that for radiation with the pump radiation wavelength (l rGhr ) is essentially not
transparent ist und is transparent and
der für Strahlung mit der Fluoreszenzwellenlänge (l^) im Wesentlichen transparent ist, sodass im Wesentlichen nur die Fluoreszenzstrahlung (FL) die Fluoreszenzlichtquelle which is essentially transparent for radiation with the fluorescence wavelength (l ^), so that essentially only the fluorescence radiation (FL) is the fluorescence light source
verlässt. leaves.
126. Fluoreszenzlichtquelle nach Anspruch 124 oder 125 126. Fluorescent light source according to claim 124 or 125
wobei die Fluoreszenzstrahlung (FL) von einem physikalischen Parameter und/oder der magnetischen Flussdichte B abhängt. wherein the fluorescence radiation (FL) depends on a physical parameter and / or the magnetic flux density B.
127. Filter (Fl) für eine optische quantentechnologische Vorrichtung 127. Filter (F1) for an optical quantum technological device
wobei die quantentechnologische Vorrichtung ein oder mehrere paramagnetische Zentren (NV1) und/oder ein oder mehrere Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) umfasst und wherein the quantum technological device comprises one or more paramagnetic centers (NV1) and / or one or more groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) and
wobei in dem Sensorsystem elektromagnetische Strahlung auftritt oder benutzt wird und wobei der Filter (Fl) dazu bestimmt ist, vorbestimmte Anteile dieser Strahlung passieren zu lassen und andere Teile der elektromagnetischen Strahlung nicht passieren zu lassen und wherein electromagnetic radiation occurs or is used in the sensor system and wherein the filter (F1) is intended to allow predetermined portions of this radiation to pass and other portions of the electromagnetic radiation not to pass and
wobei der Filter aus Metallisierungsstücken des Metallisierungsstapels einer integrierten mikroelektronischen Schaltung aufgebaut ist. wherein the filter is constructed from metallization pieces of the metallization stack of an integrated microelectronic circuit.
Patentansprüche geringer Abstand Claims close spacing
128. Sensorsystem mit einem paramagnetischen Zentrum (NV1) oder mehreren paramagnetischen 128. Sensor system with one paramagnetic center (NV1) or several paramagnetic centers
Zentren (NV1) oder einer Gruppe (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) oder mehreren Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1) in einem Substrat (D), im Folgenden als paramagnetische Zentren (NV1) bezeichnet, Centers (NV1) or a group (NVC) of paramagnetic centers (NV1) or more Groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1) in a substrate (D), hereinafter referred to as paramagnetic centers (NV1),
wobei das Sensorsystem ersten Mittel (G, PLI, Fl, PD, Ml, TP) zur Anregung und Erfassung und Auswertung der Fluoreszenzstrahlung (FL) dieser paramagnetischen Zentren (NV1) umfasst und wherein the sensor system comprises first means (G, PLI, Fl, PD, Ml, TP) for the excitation and detection and evaluation of the fluorescence radiation (FL) of these paramagnetic centers (NV1) and
wobei das Sensorsystem mittels der ersten Mittel (G, PLI, Fl, PD, Ml, TP) in Abhängigkeit von der Fluoreszenzstrahlung (FL) dieser paramagnetischen Zentren (NV1) einen Messwert erzeugt und/oder bereithält und the sensor system using the first means (G, PLI, F1, PD, Ml, TP) as a function of the fluorescence radiation (FL) of these paramagnetic centers (NV1) generates and / or keeps and
wobei das Sensorsystem einen elektrischen Leiter (LH, LV, LTG) umfasst und wherein the sensor system comprises an electrical conductor (LH, LV, LTG) and
wobei der elektrische Leiter (LH, LV, LTG) mechanisch mit dem Substrat (D) mit den wherein the electrical conductor (LH, LV, LTG) mechanically with the substrate (D) with the
paramagnetischen Zentren (D) verbunden ist und paramagnetic centers (D) is connected and
wobei der elektrische Leiter (LH, LV, LTG) von einem elektrischen Strom (IH, IV) durchströmt wird, whereby the electrical conductor (LH, LV, LTG) is traversed by an electrical current (IH, IV),
gekennzeichnet dadurch, characterized by
dass der besagte elektrische Strom (IH, IV) einen magnetischen Fluss B erzeugt, der die that said electric current (IH, IV) generates a magnetic flux B, which the
Fluoreszenzstrahlung (FL) dieser paramagnetischen Zentren (NV1) beeinflusst und dass der kürzeste Abstand (r) zwischen dem Schwerpunkt der paramagnetischen Zentren (NV1) und dem Leiter (LH, LV, LTG) kürzer als lpm, besser weniger als 500nm, besser weniger als 200nm, besser weniger als lOOnm, besser weniger als 50nm, besser weniger als 20nm ist oder Fluorescence radiation (FL) influences these paramagnetic centers (NV1) and that the shortest distance (r) between the center of gravity of the paramagnetic centers (NV1) and the conductor (LH, LV, LTG) is shorter than lpm, better less than 500nm, better less than 200nm, better less than 100nm, better less than 50nm, better less than 20nm or
dass der kürzeste Abstand (r) zwischen einem paramagnetischen Zentrum (NV1) der that the shortest distance (r) between a paramagnetic center (NV1) of the
paramagnetischen Zentren (NV1) und dem Leiter (LH, LV, LTG) kürzer als lpm, besser weniger als 500nm, besser weniger als 200nm, besser weniger als lOOnm, besser weniger als 50nm, besser weniger als 20nm ist. paramagnetic centers (NV1) and the conductor (LH, LV, LTG) is shorter than lpm, better less than 500nm, better less than 200nm, better less than 100nm, better less than 50nm, better less than 20nm.
Patentansprüche Dicke-Verstärker Claims thickness amplifier
129. Quantensensorsystem zur Erfassung eines relativen Werts eines physikalischen Parameters mit einem Sensorelement und 129. Quantum sensor system for detecting a relative value of a physical parameter with a sensor element and
mit Auswertemitteln (G, PD, VI, Ml, TP), with evaluation tools (G, PD, VI, Ml, TP),
wobei das Sensorelement als Quantenpunkt where the sensor element is a quantum dot
ein paramagnetisches Zentrum (NV1), das durch den physikalischen Parameter beeinflusst wird, oder mehrere paramagnetische Zentren (NV1), die durch die physikalischen Parameter beeinflusst werden, oder a paramagnetic center (NV1), which is influenced by the physical parameter, or several paramagnetic centers (NV1), which are influenced by the physical parameters, or
eine Gruppe (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1), die durch den physikalischen Parameter beeinflusst wird, oder a group (NVC) of paramagnetic centers (NV1) which is influenced by the physical parameter, or
mehrere Gruppen (NVC) paramagnetischer Zentren (NV1), die durch den physikalischen Parameter beeinflusst werden, umfasst und comprises several groups (NVC) of paramagnetic centers (NV1), which are influenced by the physical parameter, and
wobei der Quantenpunkt mit Pumpstrahlung (LB) bestrahlt wird und wherein the quantum dot is irradiated with pump radiation (LB) and
wobei die Auswertemittel (PD, VI) entweder wherein the evaluation means (PD, VI) either
einen ersten Fotostrom des Quantenpunkts des Sensorelements erfassen und ein Empfängerausgangssignal (SO) in Abhängigkeit vom ersten Fotostrom erzeugen detect a first photocurrent of the quantum dot of the sensor element and generate a receiver output signal (SO) as a function of the first photocurrent
oder or
eine Intensität (lfl) einer Fluoreszenzstrahlung (FL) des Quantenpunkts des Sensorelements erfassen und ein Empfängerausgangssignal (SO) in Abhängigkeit von der Intensität (lfl) einer Fluoreszenzstrahlung (FL) erzeugen und g e k e n n z e i c h n e t d a d u r c h an intensity (l fl) of a fluorescence (FL) capture of the quantum dot of the sensor element and generate a receiver output signal (SO) depending on the intensity (l fl) of a fluorescence (FL), and characterized
mit einem Referenzelement und with a reference element and
wobei das Referenzelement als Referenzquantenpunkt where the reference element is used as the reference quantum dot
ein paramagnetisches Referenzzentrum (NV2), das durch den physikalischen Parameter beeinflusst wird, oder a paramagnetic reference center (NV2), which is influenced by the physical parameter, or
mehrere paramagnetische Referenzzentren (NV2), die durch den physikalischen Parameter beeinflusst werden, oder eine Gruppe (NVC2) paramagnetischer Referenzzentren (NV2), die durch den physikalischen Parameter beeinflusst wird, oder mehrere Gruppen (NVC2) paramagnetischer Referenzzentren (NV2), die durch den physikalischen Parameter beeinflusst wird, umfasst und several paramagnetic reference centers (NV2) which are influenced by the physical parameter, or a group (NVC2) of paramagnetic reference centers (NV2) which is influenced by the physical parameter, or several groups (NVC2) of paramagnetic reference centers (NV2) which are influenced by the physical parameters is influenced, includes and
wobei der Referenzquantenpunkt mit Kompensationsstrahlung (KS) bestrahlt wird und wobei die Auswertemittel (PD, VI, Ml, TP) entweder zusätzlich einen zweiten Fotostrom des Referenzquantenpunkts des Referenzelements erfassen und ein Empfängerausgangssignal (SO) in Abhängigkeit vom ersten Fotostrom und nun zusätzlich auch in gleichzeitiger Abhängigkeit vom zweiten Fotostrom erzeugen oder whereby the reference quantum dot is irradiated with compensation radiation (KS) and the evaluation means (PD, VI, Ml, TP) either additionally detect a second photocurrent of the reference quantum dot of the reference element and generate a receiver output signal (SO) as a function of the first photocurrent and now additionally also as a function of the second photocurrent at the same time or
zusätzlich eine Intensität (lkf|) einer Kompensationsfluoreszenzstrahlung (KFL) des Referenzquantenpunkts des Referenzelements erfassen und ein Empfängerausgangssignal (SO) in Abhängigkeit von der Intensität (lfl) einer Fluoreszenzstrahlung (FL) und nun zusätzlich auch in gleichzeitiger Abhängigkeit von der Intensität (lkf|) einer additionally detect an intensity (l kf | ) of a compensation fluorescence radiation (KFL) of the reference quantum dot of the reference element and a receiver output signal (SO) as a function of the intensity (l fl ) of a fluorescence radiation (FL) and now additionally as a function of the intensity (l kf | ) one
Kompensationsfluoreszenzstrahlung (KFL) erzeugen und Generate compensation fluorescence radiation (KFL) and
wobei die Auswertemittel (Ml, TP) aus dem Empfängerausgangssignal (SO) einen Messwert in Form des Werts eines Sensorausgangssignals (out) für die Differenz zwischen dem Wert des physikalischen Parameters am Ort des Quantenpunkts und dem Wert des physikalischen Parameters am Ort des Referenzquantenpunkts erzeugt, der als Messwert für diesen Messwert verwendet wird oder verwendet werden kann. the evaluation means (Ml, TP) generating a measured value in the form of the value of a sensor output signal (out) for the difference between the value of the physical parameter at the location of the quantum dot and the value of the physical parameter at the location of the reference quantum dot from the receiver output signal (SO), which is or can be used as a measured value for this measured value.
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