EP3335250A1 - Production method for producing an electromechanical actuator and electromechanical actuator - Google Patents

Production method for producing an electromechanical actuator and electromechanical actuator

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EP3335250A1
EP3335250A1 EP16730355.1A EP16730355A EP3335250A1 EP 3335250 A1 EP3335250 A1 EP 3335250A1 EP 16730355 A EP16730355 A EP 16730355A EP 3335250 A1 EP3335250 A1 EP 3335250A1
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EP
European Patent Office
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layer
stack
insulating layer
insulation layer
laser
Prior art date
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Application number
EP16730355.1A
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French (fr)
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EP3335250B1 (en
Inventor
Thomas Heinze
Jörg Haubold
Udo Kreissig
Andreas Lenk
Andreas MEINER
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Vitesco Technologies GmbH
Original Assignee
Continental Automotive GmbH
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Publication date
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Publication of EP3335250A1 publication Critical patent/EP3335250A1/en
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Publication of EP3335250B1 publication Critical patent/EP3335250B1/en
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    • H10N30/01—Manufacture or treatment
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    • H10N30/063—Forming interconnections, e.g. connection electrodes of multilayered piezoelectric or electrostrictive parts
    • H—ELECTRICITY
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    • H10N30/80—Constructional details
    • H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
    • H10N30/872—Connection electrodes of multilayer piezoelectric or electrostrictive devices, e.g. external electrodes

Definitions

  • the invention relates to a manufacturing method for producing an electromechanical actuator and an electromechanical actuator, which has been produced in particular with such a manufacturing method.
  • Electromechanical actuators are often used, for example in the form of piezo stacks, as actuators, for example in injection valves of various types of motor vehicle engines.
  • Such electromechanical actuators generally have a plurality of piezoceramic layers which react with a longitudinal extent when an electric field is applied, and moreover comprise a plurality of electrode layers, wherein piezoceramic layers and electrode layers are arranged stacked alternately along a longitudinal axis.
  • a stack is electrically contacted on two opposite side surfaces in order to be able to control the electrode layers in the stack, so that an electric field forms within the stack, to which the piezoceramic layers react by expansion.
  • a Isola ⁇ tion layer which is then selectively removed in such a stack constructions are utilized to each second electrode layer to contact targeted.
  • DE 10 2006 003 070 B3 describes, for example, that the insulation layer is removed at predetermined positions for contacting the electrode layers in a corresponding stack.
  • Such an insulation layer on side surfaces of the stack usually has no continuous layer thickness, but has, especially when special coatings are used as insulation layers, across the side surfaces of the stack away a fluctuating layer thickness.
  • electrode layers which are arranged under a greater layer thickness of the insulating layer, may not be completely exposed and thus a contact is not reliably possible.
  • underlying insulation layer regions with a low layer thickness in turn damaged by an excessive erosion of the insulation layer, which is also undesirable.
  • the object of the invention is therefore to propose an improved manufacturing process in this regard. This object is achieved with a production method with the feature combination of claim 1.
  • An electromechanical actuator which has been produced in particular with such a manufacturing method, is the subject of the independent claim.
  • an electrical component designed as a stack is first of all provided, which is formed from a plurality of piezoceramic layers and from a plurality of electrode layers, which are alternately stacked along a longitudinal axis of the stack. Then, an arranged parallel to the longitudinal axis of the stack Be ⁇ ten Design applied to at least an insulating layer, in such a manner that the electrode layers and the piezoelectric ceramic layers are covered by the insulating layer on the side surface. Subsequently, at least one of the electrode layers on the side surface of the stack is exposed by locally ablating a localized insulation layer region adjacent to the electrode layer to be exposed.
  • a layer thickness of the ablated, localized insulation layer region is first detected perpendicular to the longitudinal axis, and then set a removal rate for removing the insulation ⁇ layer region of the detected film thickness of the insulating layer to be ablated area locally limited.
  • the layer thickness of the insulating layer region which is located right next to the Elect ⁇ clear layer that should be exposed measured.
  • a removal device in their Abtragungsparametern that is, in particular in the removal rate, be adjusted so that only the measured layer thickness of the insulation layer area is removed.
  • the underlying electrode layer is reliably exposed, but not damaged, and also arranged adjacent to the exposed electrode layer
  • Piezoceramic layers only slightly or not at all damaged.
  • locally restricted is to be understood that there is a region of the insulation layer which is arranged directly be ⁇ nachbart to the electrode layer to be exposed. Along the longitudinal axis of the stack, this insulating layer region extends up to a maximum 30% in those adjacent to the electrode layer to be exposed
  • the removal rate is also set locally limited, areas in which the layer thickness of the insulating layer is relatively large, can be reliably removed from the insulating layer, while other areas in which the layer thickness of the insulating layer is particularly small, in the
  • Piezoceramic layers and the electrode layers are not damaged. That is, in insulating layers with widely varying layer thickness, as is typical for commonly used coatings, a removal method is used with a locally modulatable removal rate, so that the local ablation rate can be adapted to the local layer thickness.
  • the parameters which determine the removal rate are locally resolved, that is to say adapted to the layer thickness of the insulation layer present at each location at which it is to be removed.
  • the stack provided is preferably a fully active stack in which all electrode layers are advantageously brought to all side surfaces of the stack.
  • the layer thicknesses of a plurality of locally limited insulation layer regions on the side surface are detected stepwise individually and the plurality of insulation layer regions are removed stepwise individually, the stepwise detection and the stepwise removal of the individual layer thicknesses being carried out directly in succession.
  • the necessary local layer thickness information is preferably determined simultaneously to a stepwise removal of the insulation layer.
  • the layer thicknesses can be detected in such a simultaneous operation by means of the so-called plasma spectroscopy.
  • the insulating layer in the insulation ⁇ layer region wherein a plasma of the removed material is formed.
  • the optical spectrum of plasma light includes spectral lines that allow one to deduce the material. As soon as the electromagnetic radiation strikes the piezoceramic layers or the electrode layers, the spectral lines change, so that it can be detected at which point the ablation process has to be stopped in order to prevent the piezoceramic layers or the electrode layers from being damaged.
  • the layer thicknesses of a plurality of locally delimited insulation layer regions on the side surface of the stack are detected step by step and the plurality of insulation layer regions are removed step by step, wherein firstly all layer thicknesses of the plurality of insulation layer regions are detected step by step without removal steps therebetween and then the removal of the plurality of insulation layer regions step by step without detection steps in between.
  • Layer thickness is determined in particular optically, for example ⁇ using an optical sensor device with an autofocus system. If the layer thickness of the respective insulation layer regions can be determined non-destructively, this is advantageous since more precisely the electrode layer to be exposed can be placed freely in the ⁇ ⁇ From transmission method.
  • a material which is optically transparent in a predetermined wavelength range is used as the insulating layer material.
  • This may be, for example, a polyimide.
  • an optical path length of an electromagnetic radiation having a wavelength in the predetermined wavelength range is advantageously determined.
  • the refractive index of the electromagnetic radiation in the known insulation layer material is advantageously known, so that the layer thickness of the insulation layer in the measured area can be calculated from the known refractive index and the detected optical path length of the electromagnetic radiation. If the insulation layer material is optically transparent, not only the insulation layer surface but also the surface of an underlying substrate can be detected, and the layer thickness can be determined from this difference using the known refractive index.
  • a laser in particular ⁇ sondere an ultra short pulse laser, preferably used is advantageously a as a removing unit for removing the ablated insulating layer region
  • Ultrashort pulse lasers have the advantage that due to their pulsed electromagnetic radiation, the laser parameters, on which the ablation rate depends, can be changed quite quickly and thus be adapted locally.
  • the laser used can also be used as a sensor that emits electromagnetic radiation with which the layer thickness of isolati
  • a modulatable optical mask and its image for structuring the insulation layer areas.
  • a Intensi ⁇ tiquessmuster is generated by mapping in the form of a projection mask.
  • a scanning device for stepwise guiding a laser radiation of the laser over an insulating layer surface is used for removing the insulation layer region.
  • the ablation method is advantageously a scanning ablation method, since the ablation rate of the laser is rapidly modulated at each step and is thus adapted to the layer thickness of the insulation layer. The local removal can be adjusted at each position.
  • the scanning device is not only used to guide the laser radiation of the laser, but in particular also for stepwise guiding a sensor device on the insulating layer surface for detecting the layer thickness of the insulation ⁇ layer region to be removed.
  • the Sensorein ⁇ direction, the surface profile of the insulating layer in a scanning scan and determine the layer thickness for each step.
  • the removal rate for removing the insulation layer area is advantageously set by changing a laser pulse number of the laser per area.
  • the laser pulse rate can be the pitch adjusted by a scanning speed of the laser radiation on the insulating layer surface, that is the feed of the laser radiation, but also by a number of crossings over the same position on the insulating layer surface, or by a combination of both at ⁇ .
  • the scanning speed of the scanning device moves before ⁇ geous in a range of 1.3 m / s to 2.0 m / s and can be varied in this area.
  • the number of crossings can be set via one and the same point, so that a total of a predetermined number of laser pulses hits a point and ablates the insulating layer according to their layer thickness at this point.
  • An electromechanical actuator which is produced in particular with the above-described manufacturing method, has an electrical component designed as a stack, which is formed from a plurality of piezoceramic layers and from a plurality of electrode layers which are arranged along one
  • Longitudinal axis of the stack are alternately stacked.
  • the stack has an iso ⁇ lations slaughter on at least one side surface.
  • a trench is formed which extends entirely through the insulating layer of the electrical insulation layer adjacent ⁇ den slaughter region and in Electrode layer adjacent piezoceramic layers extends such that the electrode layer protrudes into the trench.
  • the trench has trench walls arranged obliquely perpendicular to the longitudinal axis of the stack, wherein the trench tapers from the insulation layer surface in the direction of a stack center.
  • Obliquely arranged trench walls have the advantage that a conductive adhesive chosen, for example, for contact can flow well into the trench from the outside, and thus an advantageous good contacting of the exposed electrode layer can be realized.
  • the trench has ⁇ ben Scheme in the insulating layer a first Gra.
  • Piezoceramic layers which are arranged along the longitudinal axis of the stack in each case adjacent to the exposed electrode layer, a second or third trench region.
  • the trench walls in the first, second and third trench regions are each arranged obliquely perpendicular to the longitudinal axis of the stack. Overall, therefore, the trench in the longitudinal section through the stack advantageously has a W-shape.
  • Fig. 1 shows a perspective view of an electromechanical actuator having an electrical component designed as a stack
  • Fig. 2 is a longitudinal sectional view of the electrical component of FIG 1, which has in each case on two opposite side surfaces of an insulation layer ⁇
  • Fig. 3 is a cut-tion layer of the electrical component of Figure 2 in the area of the side surface with the Isola ⁇ .
  • Is available from insulating layer sections 4 is a longitudinal sectional view of the electrical component according to FIG 2, wherein a sensor ⁇ means for detecting a thickness of the insulating layer and a separate laser for parting wear..;
  • FIG. 5 shows a longitudinal sectional illustration of the electrical component according to FIG. 2, wherein a laser is present, which is designed both as a sensor device for detecting the layer thickness of the insulation layer and as an ablation device;
  • Fig. 6 is a schematic representation a) of detecting the
  • FIG. 7 is a flow chart showing the steps involved in the FIG.
  • Fig. 8 is an illustration of detecting the layer thickness
  • Fig. 10 is a schematic sectional view, one from the
  • Stack of the electrical component of FIG. 2 represents.
  • Fig. 1 shows an electromechanical actuator 10, which has an electrical component 12, which is formed as a stack 14 ⁇ .
  • a plurality of piezoceramic layers 16 that react with application of an electric field and a plurality of electrode layers 18 are alternately stacked in the stack 14 in such a way that each electrode layer 18 is arranged between two piezoceramic layers 16.
  • the electrode layers 18 extend completely up to all side surfaces 20 of the stack 14, so that the electrical component 12 is a so-called fully active stack 14.
  • At least one external contact in the form of an outer electrode 22 is applied, which electrically via a contacting element 24 with a
  • Contacting pin 26 is connected. Via the contacting pin 26 and the contacting element 24 and the outer electrode 22, an electrical potential can be forwarded to the respective contacted electrode layer 18. Since mutually adjacent electrode layers 18 are to be subjected to different electrical potentials so as to generate an electric field in the stack 14 so that the piezoceramic layers 16 can change in length, two contacting pins 26 are present, each of which has a different electrical potential Potential is brought to the stack 14.
  • an insulating layer 30 is usually applied to the side faces 20 to which an outer electrode 22 is applied.
  • a stack 14 having such an insulating layer 30 on at least two side surfaces 20 extending parallel to a longitudinal axis 32 of the stack 14 is shown in FIG. 2 in a longitudinal section along the longitudinal axis 32 of the stack 14 of FIG.
  • FIG. 3 shows a detail of the stack 14 in FIG. 2 in the region of the side surface 20 with the insulation layer 30 on a the piezoceramic layers 16, wherein it can be seen that a layer thickness D of the insulation layer 30 varies greatly locally along the longitudinal axis 32.
  • a layer thickness D of the insulation layer 30 varies greatly locally along the longitudinal axis 32.
  • Partial areas namely localized isolation layer areas 34, therefore, a laser 36, in particular a picosecond laser, is advantageously used, which emits a laser radiation 40 on the insulating layer 30 and thus ablates them, so that the underlying electrode layer 18 is exposed.
  • the laser radiation 38 is guided over the insulating layer 30 by means of a scanning process by means of a scanning device 40, so that it is removed in regions.
  • first device via a sensor prior to the removal of the insulating layer 30 is 42, the local layer thickness D layer region in the insulation ⁇ 34, which is to be removed, measured.
  • the sensor device 42 is preferably an optical sensor device 42 having an autofocus system which emits an electromagnetic radiation EM, which, like the laser radiation 38, is guided stepwise over the insulation layer 30 on the side surface 20 via the scanning device 40.
  • FIG. 4 the stack 14 of FIG. 2 together with a laser 36 and a sensor device 42 are shown, which are formed separately from each other, and their electromagnetic
  • EM radiations are guided via a common scanning device 40 over the insulating layer 30 on one of the side surfaces 20 of the stack 14.
  • Fig. 5 is an alternative Embodiment shown in which the laser 36 simultaneously forms the sensor device 42 and an ablation device 44 for removing the insulation layer region 34.
  • the detection of the layer thickness D of the insulating layer 30 is advantageously carried out nondestructive. This is play as possible with ⁇ when an optically transparent material, such as polyimide 48 is used as the insulating layer material 46th
  • the laser radiation 38 can penetrate the complete insulation layer 30 and thus also irradiate a surface of the piezoceramic layers 16 or of the electrode layers 18.
  • an optical path length of the laser radiation 38 in the insulation layer material 46 can be detected, and then calculated back to the layer thickness D by the known refractive index.
  • FIG. 7 is a corresponding flow chart illustrating the individual steps involved in exposing the exposed electrode layer 18 according to the procedure illustrated in FIG. 6.
  • the stack 14 is provided and in a subsequent step, the insulation layer 30 is applied to at least one side face 20 of the stack 14. Thereafter, the insulating layer surface is completely scanned 50 in n steps with the sensor device 42, so as to detect all the layer thicknesses D of the insulation layer ⁇ 30th Only after the complete Isola ⁇ tion layer surface is scanned 50, the laser ⁇ radiation 38 is guided in n steps over the insulating layer surface 50, wherein the pulse number is set at every n-th step, the removal rate of the laser radiation 38, that is, and only then the insulation layer 30 is removed. The last two steps of setting and removing for each n-th step are thereby repeated until the isolati ⁇ onstikober Structure 50 is completely scanned.
  • FIG. 8 shows an alternative procedure in which the detection of the layer thickness D at the individual insulation layer regions 34 as well as the removal of the insulation layer 30 at the insulation layer regions 34 are performed simultaneously.
  • the layer thickness D is in each scanning step first measured and then directly ablating over the laser radiation 38 carried out, and then the electrostatic ⁇ magnetic radiation EM of the laser 36 and the sensor device conducted to the next position 42 where then also initially measured and then removed directly.
  • FIG. 9 shows a corresponding flowchart which schematically illustrates the steps of such an approach.
  • the stack 14 is provided and applied subsequently in a further step the insulation ⁇ layer 30 on at least one side surface 20 of the stack fourteenth
  • the sensor device 42 under Using the scanning device 40 made a first step to measure a localized insulation layer region 34 according to its layer thickness D.
  • the removal rate of the laser 36 is set to this measured layer thickness D and subsequently immediately the insulation ⁇ layer region 34, which has just been measured, removed.
  • the last three steps, detecting a localized area, adjusting the removal rate corresponding to the detected value and immediate removal, are performed until the entire insulation layer surface 50 is scanned.
  • FIG. 10 shows a section of the stack 14 from FIG. 2 after the insulation layer 30 has been removed in a locally limited insulation layer area 34 as described above.
  • a trench 52 has been created which extends completely through the insulation layer 30.
  • the trench 52 further extends very slightly into the piezoceramic layers 16 adjacent to the electrode layer 18 along the longitudinal axis 32, in such a way that the electrode layer 18 protrudes into the trench.
  • Trench walls 54 of the trench 52 are arranged obliquely perpendicular to the longitudinal axis 32 of the stack 14, so that the trench 52, starting from the insulation layer surface 50, tapers towards a stack center 56.
  • the trench 52 has a plurality of trench regions, namely a first trench region in the insulation layer 30, and a second or third trench region in each case in the adjacent to the electrode layer 18 piezoceramic layers 16. All trench walls 54 of the individual trench regions are arranged perpendicular to the longitudinal axis 82 obliquely. Therefore, a conductive adhesive used, for example, for contacting can flow well into the entire trench 52 and thus realize good contacting of the exposed electrode layer 18.
  • the trench 52 has a shape corresponding to a W.
  • This W-shape can be generated by the fact that the laser radiation 38, which removes the insulating layer 30 in the insulating layer region 34, as selectively adjusted, for example, in terms of their energy, that the insulating layer 30 there completely and the piezoceramic layers 16 are removed very slightly.
  • the protrusion of the electrode layer 18 can be achieved, whereby a contacting of the electrode layer 18 can be realized not only on the side surface 20, but also on end faces 58 of the electrode layer 18, which is normally from the adjacent
  • Piezoceramic layers 16 are covered.
  • the removal rate can be set precisely and quickly. If the local layer thickness D of the polyimide 48 is known, the local ablation rate can be correspondingly adapted and an adaptive ablation can be realized by a correspondingly fast modulation of the laser or scan parameters.

Abstract

The invention relates to a production method for producing an electromechanical actuator (10), wherein an electrical component (12) formed as a stack (14) of piezoceramic layers (16) and electrode layers (18) is provided, to at least one lateral surface (20) of which electrical component an insulation layer (30) is applied, wherein an electrode layer (18) is exposed in that first a layer thickness (D) of a locally limited insulation layer region (34) to be removed is sensed and then a removal rate for removing the insulation layer region (34) is adapted to the sensed layer thickness (D).

Description

Beschreibung description
Herstellungsverfahren zum Herstellen eines elektromechanischen Aktors und elektromechanischer Aktor. Manufacturing method for manufacturing an electromechanical actuator and electromechanical actuator.
Die Erfindung betrifft ein Herstellungsverfahren zum Herstellen eines elektromechanischen Aktors sowie einen elektromechanischen Aktor, der insbesondere mit einem solchen Herstellungsverfahren hergestellt worden ist. The invention relates to a manufacturing method for producing an electromechanical actuator and an electromechanical actuator, which has been produced in particular with such a manufacturing method.
Elektromechanische Aktoren werden häufig, beispielsweise in Form von Piezostapeln, als Betätigungselemente verwendet, zum Beispiel in Einspritzventilen der verschiedensten Motortypen für Kraftfahrzeuge . Electromechanical actuators are often used, for example in the form of piezo stacks, as actuators, for example in injection valves of various types of motor vehicle engines.
Solche elektromechanischen Aktoren weisen zumeist eine Mehrzahl von Piezokeramikschichten auf, die beim Anlegen eines elektrischen Feldes mit einer Längenausdehnung reagieren, und umfassen zudem eine Mehrzahl von Elektrodenschichten, wobei Piezokeramikschichten und Elektrodenschichten alternierend entlang einer Längsachse aufeinander gestapelt angeordnet sind. Zumeist wird ein solcher Stapel an zwei sich gegenüberliegenden Seitenflächen elektrisch kontaktiert, um die Elektrodenschichten in dem Stapel ansteuern zu können, sodass sich ein elektrisches Feld innerhalb des Stapels ausbildet, auf das die Piezokeramikschichten durch Ausdehnung reagieren. Such electromechanical actuators generally have a plurality of piezoceramic layers which react with a longitudinal extent when an electric field is applied, and moreover comprise a plurality of electrode layers, wherein piezoceramic layers and electrode layers are arranged stacked alternately along a longitudinal axis. In most cases, such a stack is electrically contacted on two opposite side surfaces in order to be able to control the electrode layers in the stack, so that an electric field forms within the stack, to which the piezoceramic layers react by expansion.
Um das elektrische Feld ausbilden zu können, werden zwei be¬ nachbarte Elektrodenschichten mit unterschiedlichen Potentialen angesteuert, das heißt die Kontaktierung nach außen endet an unterschiedlichen Kontaktierungsanschlüssen . Um diese unterschiedliche Kontaktierung realisieren zu können, ist es beispielsweise bekannt, nur jede zweite Elektrodenschicht bis an die jeweilige Seitenfläche heranzuführen, während sich die jeweils andere Elektrodenschicht nicht bis zu dieser Seitenfläche hin erstreckt . Es ist jedoch auch bekannt, alle Elektrodenschichten allseitig bis an die Seitenflächen des Stapels heranzuführen, was große Vorteile hinsichtlich der Betätigung, Raumbeanspruchung und des gesamten Betriebsverhaltens des elektromechanischen Aktors hat. Solche Stapel, bei denen sämtliche Elektrodenschichten bis an die Seitenflächen des Stapels herangeführt sind, werden als so¬ genannte vollaktive Stapel bezeichnet. Hier ist jedoch die elektrische Kontaktierung der jeweiligen Elektrodenschichten schwieriger, da eine Isolierung jeder zweiten Elektrodenschicht von einer Außenkontaktierung schwieriger umzusetzen ist. In order to form the electric field, two be ¬ neighboring electrode layers are driven with different potentials, that is the contact to the outside ends at different Kontaktierungsanschlüssen. In order to be able to realize this different contacting, it is known, for example, to introduce only every second electrode layer as far as the respective side face, while the respective other electrode layer does not extend up to this side face. However, it is also known to bring all the electrode layers on all sides to the side surfaces of the stack, which has great advantages in terms of the operation, space stress and the entire performance of the electromechanical actuator. Such stacks, in which all the electrode layers are brought up to the side faces of the stack are referred to as so-called ¬ fully active stack. Here, however, the electrical contacting of the respective electrode layers is more difficult, since an isolation of every second electrode layer from an external contact is more difficult to implement.
Beispielsweise wird bei solchen Stapelaufbauten eine Isola¬ tionsschicht verwendet, die dann selektiv entfernt wird, um jede zweite Elektrodenschicht gezielt zu kontaktieren. In DE 10 2006 003 070 B3 ist beispielsweise beschrieben, dass zur Kontaktierung der Elektrodenschichten in einem entsprechenden Stapel die Isolationsschicht an vorbestimmten Positionen entfernt wird. Eine solche Isolationsschicht an Seitenflächen des Stapels weist zumeist keine kontinuierliche Schichtdicke auf, sondern hat, insbesondere wenn spezielle Lacke als Isolationsschichten verwendet werden, über die Seitenflächen des Stapels hinweg eine schwankende Schichtdicke. Dadurch besteht die Problematik, dass Elektrodenschichten, die unter einer größeren Schichtdicke der Isolationsschicht angeordnet sind, möglicherweise nicht vollständig freigelegt werden und so eine Kontaktierung nicht zuverlässig möglich ist. Gleichzeitig können Elektroden¬ schichten, die unter Isolationsschichtbereichen mit einer geringen Schichtdicke liegen, durch einen zu starken Abtrag der Isolationsschicht ihrerseits beschädigt werden, was ebenfalls unerwünscht ist. For example, a Isola ¬ tion layer which is then selectively removed in such a stack constructions are utilized to each second electrode layer to contact targeted. DE 10 2006 003 070 B3 describes, for example, that the insulation layer is removed at predetermined positions for contacting the electrode layers in a corresponding stack. Such an insulation layer on side surfaces of the stack usually has no continuous layer thickness, but has, especially when special coatings are used as insulation layers, across the side surfaces of the stack away a fluctuating layer thickness. As a result, there is the problem that electrode layers, which are arranged under a greater layer thickness of the insulating layer, may not be completely exposed and thus a contact is not reliably possible. At the same electrode layers can ¬, underlying insulation layer regions with a low layer thickness, in turn damaged by an excessive erosion of the insulation layer, which is also undesirable.
Bislang ist es daher offen, wie es gelingt, die Elektroden- schichten trotz einer schwankenden Schichtdicke der Isolationsschicht zuverlässig freizulegen, ohne dabei die freizulegende Elektrodenschicht oder benachbarte Piezokeramikschichten zu beschädigen . Aufgabe der Erfindung ist es daher, ein in dieser Hinsicht verbessertes Herstellungsverfahren vorzuschlagen. Diese Aufgabe wird gelöst mit einem Herstellungsverfahren mit der Merkmalskombination des Anspruches 1. Up to now it has been unclear how it is possible to reliably expose the electrode layers despite a varying layer thickness of the insulating layer, without damaging the electrode layer or adjacent piezoceramic layers to be exposed. The object of the invention is therefore to propose an improved manufacturing process in this regard. This object is achieved with a production method with the feature combination of claim 1.
Ein elektromechanischer Aktor, der insbesondere mit einem solchen Herstellungsverfahren hergestellt worden ist, ist Gegenstand des nebengeordneten Anspruches. An electromechanical actuator, which has been produced in particular with such a manufacturing method, is the subject of the independent claim.
Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche. Bei einem Herstellungsverfahren zum Herstellen eines elekt- romechanischen Aktors wird zunächst ein als Stapel ausgebildetes elektrisches Bauelement bereitgestellt, das aus einer Mehrzahl von Piezokeramikschichten und aus einer Mehrzahl von Elektrodenschichten gebildet ist, die entlang einer Längsachse des Stapels abwechselnd übereinander gestapelt sind. Dann wird auf wenigstens eine parallel zu der Längsachse angeordnete Sei¬ tenfläche des Stapels eine Isolationsschicht aufgebracht, und zwar derart, dass an der Seitenfläche die Elektrodenschichten und die Piezokeramikschichten von der Isolationsschicht bedeckt sind. Darauffolgend wird wenigstens eine der Elektrodenschichten an der Seitenfläche des Stapels durch lokales Abtragen eines der freizulegenden Elektrodenschicht benachbarten, lokal begrenzten Isolationsschichtbereiches freigelegt. Dazu wird zunächst eine Schichtdicke des abzutragenden, lokal begrenzten Isolations- Schichtbereiches senkrecht zu der Längsachse erfasst, und daraufhin eine Abtragungsrate zum Abtragen des Isolations¬ schichtbereiches der erfassten Schichtdicke des abzutragenden Isolationsschichtbereiches lokal begrenzt eingestellt. Bei dem Herstellungsverfahren wird demgemäß die Schichtdicke des Isolationsschichtbereiches, der sich direkt neben der Elekt¬ rodenschicht, die freigelegt werden soll, befindet, vermessen. Mithilfe dieser Information kann eine Abtragungseinrichtung in ihren Abtragungsparametern, das heißt insbesondere in der Abtragungsrate, so eingestellt werden, dass nur die vermessene Schichtdicke des Isolationsschichtbereiches abgetragen wird. Dadurch wird die darunter liegende Elektrodenschicht zuverlässig freigelegt, jedoch nicht beschädigt, und auch die benachbart zu der freigelegten Elektrodenschicht angeordneten Advantageous embodiments of the invention are the subject of the dependent claims. In a manufacturing method for producing an electro-mechanical actuator, an electrical component designed as a stack is first of all provided, which is formed from a plurality of piezoceramic layers and from a plurality of electrode layers, which are alternately stacked along a longitudinal axis of the stack. Then, an arranged parallel to the longitudinal axis of the stack Be ¬ tenfläche applied to at least an insulating layer, in such a manner that the electrode layers and the piezoelectric ceramic layers are covered by the insulating layer on the side surface. Subsequently, at least one of the electrode layers on the side surface of the stack is exposed by locally ablating a localized insulation layer region adjacent to the electrode layer to be exposed. For this purpose, a layer thickness of the ablated, localized insulation layer region is first detected perpendicular to the longitudinal axis, and then set a removal rate for removing the insulation ¬ layer region of the detected film thickness of the insulating layer to be ablated area locally limited. In the preparation process is accordingly the layer thickness of the insulating layer region, which is located right next to the Elect ¬ clear layer that should be exposed measured. With the help of this information, a removal device in their Abtragungsparametern, that is, in particular in the removal rate, be adjusted so that only the measured layer thickness of the insulation layer area is removed. As a result, the underlying electrode layer is reliably exposed, but not damaged, and also arranged adjacent to the exposed electrode layer
Piezokeramikschichten nur in geringem Maße oder sogar gar nicht beschädigt . Unter „lokal begrenzt" soll verstanden werden, dass es sich um einen Bereich der Isolationsschicht handelt, der direkt be¬ nachbart zu der Elektrodenschicht angeordnet ist, die freigelegt werden soll. Entlang der Längsachse des Stapels erstreckt sich dieser Isolationsschichtbereich maximal bis zu 30% in die der freizulegenden Elektrodenschicht benachbarten Piezoceramic layers only slightly or not at all damaged. By "locally restricted" is to be understood that there is a region of the insulation layer which is arranged directly be ¬ nachbart to the electrode layer to be exposed. Along the longitudinal axis of the stack, this insulating layer region extends up to a maximum 30% in those adjacent to the electrode layer to be exposed
Piezokeramikschichten bezüglich ihrer Dicke entlang der  Piezoceramic layers with respect to their thickness along the
Längsachse des Stapels. Longitudinal axis of the stack.
Da die Abtragungsrate ebenfalls lokal begrenzt eingestellt wird, können Bereiche, in denen die Schichtdicke der Isolationsschicht relativ groß ist, zuverlässig von der Isolationsschicht befreit werden, während andere Bereiche, in denen die Schichtdicke der Isolationsschicht besonders klein ist, im Bereich der Since the removal rate is also set locally limited, areas in which the layer thickness of the insulating layer is relatively large, can be reliably removed from the insulating layer, while other areas in which the layer thickness of the insulating layer is particularly small, in the
Piezokeramikschichten und der Elektrodenschichten nicht be- schädigt werden. Das heißt bei Isolationsschichten mit stark schwankender Schichtdicke, wie sie für üblicherweise verwendete Lacke typisch ist, wird ein Abtragungsverfahren mit einer lokal modulierbaren Abtragungsrate eingesetzt, sodass die lokale Abtragungsrate an die lokale Schichtdicke angepasst werden kann. Die Parameter, die die Abtragungsrate bestimmen, werden örtlich aufgelöst, das heißt an jedem Ort, an dem abgetragen werden soll, auf die dort vorliegende Schichtdicke der Isolationsschicht angepasst . Bei dem bereitgestellten Stapel handelt es sich vorzugsweise um einen vollaktiven Stapel, bei dem sämtliche Elektrodenschichten vorteilhaft bis an alle Seitenflächen des Stapels herangeführt sind . In vorteilhafter Ausgestaltung werden bei dem Herstellungsverfahren die Schichtdicken mehrerer lokal begrenzter Isolationsschichtbereiche auf der Seitenfläche schrittweise einzeln erfasst und die mehreren Isolationsschichtbereiche schrittweise einzeln abgetragen, wobei das schrittweise Erfassen und das schrittweise Abtragen der einzelnen Schichtdicken unmittelbar aufeinanderfolgend durchgeführt wird. Das bedeutet, dass die nötige lokale Schichtdickeninformation vorzugsweise simultan zu einer schrittweisen Abtragung der Isolationsschicht ermittelt wird . Piezoceramic layers and the electrode layers are not damaged. That is, in insulating layers with widely varying layer thickness, as is typical for commonly used coatings, a removal method is used with a locally modulatable removal rate, so that the local ablation rate can be adapted to the local layer thickness. The parameters which determine the removal rate are locally resolved, that is to say adapted to the layer thickness of the insulation layer present at each location at which it is to be removed. The stack provided is preferably a fully active stack in which all electrode layers are advantageously brought to all side surfaces of the stack. In an advantageous embodiment, in the manufacturing method, the layer thicknesses of a plurality of locally limited insulation layer regions on the side surface are detected stepwise individually and the plurality of insulation layer regions are removed stepwise individually, the stepwise detection and the stepwise removal of the individual layer thicknesses being carried out directly in succession. This means that the necessary local layer thickness information is preferably determined simultaneously to a stepwise removal of the insulation layer.
Beispielsweise können die Schichtdicken bei einer solchen simultanen Arbeitsweise mittels der sogenannten Plasmaspekt- roskopie erfasst werden. Dabei wird mit einer elektromagne¬ tischen Strahlung die Isolationsschicht in dem Isolations¬ schichtbereich abgetragen, wobei ein Plasma aus dem abgetragenen Material entsteht. Das optische Spektrum des Plasmaleuchtens beinhaltet Spektrallinien, durch die man auf das Material schließen kann . Sobald demgemäß die elektromagnetische Strahlung auf die Piezokeramikschichten bzw. die Elektrodenschichten trifft, ändern sich die Spektrallinien, sodass erkannt werden kann, an welchem Punkt das Abtragungsverfahren abgebrochen werden muss, um zu verhindern, dass die Piezokeramikschichten bzw. die Elektrodenschichten beschädigt werden. For example, the layer thicknesses can be detected in such a simultaneous operation by means of the so-called plasma spectroscopy. In this case is removed with an electromagnetic radiation ¬ schematically, the insulating layer in the insulation ¬ layer region, wherein a plasma of the removed material is formed. The optical spectrum of plasma light includes spectral lines that allow one to deduce the material. As soon as the electromagnetic radiation strikes the piezoceramic layers or the electrode layers, the spectral lines change, so that it can be detected at which point the ablation process has to be stopped in order to prevent the piezoceramic layers or the electrode layers from being damaged.
In einer alternativen Ausgestaltung werden die Schichtdicken mehrerer lokal begrenzter Isolationsschichtbereiche auf der Seitenfläche des Stapels schrittweise erfasst und die mehreren Isolationsschichtbereiche schrittweise abgetragen, wobei zu¬ nächst alle Schichtdicken der mehreren Isolationsschichtbe¬ reiche schrittweise ohne Abtragungsschritte dazwischen erfasst werden und dann das Abtragen der mehreren Isolationsschichtbereiche schrittweise ohne Erfassungsschritte dazwischen durchgeführt wird. In an alternative refinement, the layer thicknesses of a plurality of locally delimited insulation layer regions on the side surface of the stack are detected step by step and the plurality of insulation layer regions are removed step by step, wherein firstly all layer thicknesses of the plurality of insulation layer regions are detected step by step without removal steps therebetween and then the removal of the plurality of insulation layer regions step by step without detection steps in between.
Das bedeutet, sämtliche Schichtdicken der Isolationsschicht¬ bereiche auf einer Seitenfläche des Stapels, alternativ auch auf allen Seitenflächen des Stapels, werden vollständig vermessen und beispielsweise zwischengespeichert, und dann das Abtragen der einzelnen Isolationsschichtbereiche direkt in einem Zug durchgeführt . This means that all layer thicknesses of the insulation layer regions on one side surface of the stack, alternatively also on All side surfaces of the stack are completely measured and cached, for example, and then carried out the removal of the individual insulation layer areas directly in one go.
Vorteilhaft wird die Schichtdicke des abzutragenden Isolati¬ onsschichtbereiches zerstörungsfrei erfasst, wobei die The layer thickness is of the detected ablated isolati ¬ onsschichtbereiches nondestructive Advantageously, the
Schichtdicke insbesondere optisch ermittelt wird, beispiels¬ weise unter Verwendung einer optischen Sensoreinrichtung mit einem Autofokus-System. Wenn die Schichtdicke der jeweiligen Isolationsschichtbereiche zerstörungsfrei ermittelt werden kann, ist dies vorteilhaft, da so noch genauer bei dem Ab¬ tragungsverfahren die freizulegende Elektrodenschicht frei¬ gelegt werden kann. Layer thickness is determined in particular optically, for example ¬ using an optical sensor device with an autofocus system. If the layer thickness of the respective insulation layer regions can be determined non-destructively, this is advantageous since more precisely the electrode layer to be exposed can be placed freely in the ¬ ¬ From transmission method.
Vorteilhaft wird als Isolationsschichtmaterial ein in einem vorbestimmten Wellenlängenbereich optisch transparentes Material verwendet. Dies kann beispielsweise ein Polyimid sein. Zum Erfassen der Schichtdicke des abzutragenden Isolations- Schichtbereiches wird dabei vorteilhaft eine optische Weglänge einer elektromagnetischen Strahlung mit einer Wellenlänge in dem vorbestimmten Wellenlängenbereich ermittelt. Vorteilhaft ist der Brechungsindex der elektromagnetischen Strahlung in dem bekannten Isolationsschichtmaterial bekannt, sodass man aus dem bekannten Brechungsindex und der erfassten optischen Weglänge der elektromagnetischen Strahlung die Schichtdicke der Isolationsschicht in dem vermessenen Bereich berechnen kann. Wenn das Isolationsschichtmaterial optisch transparent ist, kann nicht nur die Isolationsschichtoberfläche, sondern auch die Oberfläche eines darunter liegenden Substrates erfasst werden, und aus dieser Differenz mithilfe des bekannten Brechungsindex die Schichtdicke ermittelt werden. Wenn vorteilhaft als Sen¬ soreinrichtung, mithilfe derer die Schichtdicke optisch ermittelt wird, ein Autofokus-System verwendet wird, können auch Unebenheiten in dem der Isolationsschicht zugrundeliegenden Substrat ausgeglichen werden. Vorteilhaft wird als Abtragungseinrichtung zum Abtragen des abzutragenden Isolationsschichtbereiches ein Laser, insbe¬ sondere ein Ultrakurzpulslaser, bevorzugt ein Advantageously, a material which is optically transparent in a predetermined wavelength range is used as the insulating layer material. This may be, for example, a polyimide. For detecting the layer thickness of the insulating layer region to be removed, an optical path length of an electromagnetic radiation having a wavelength in the predetermined wavelength range is advantageously determined. The refractive index of the electromagnetic radiation in the known insulation layer material is advantageously known, so that the layer thickness of the insulation layer in the measured area can be calculated from the known refractive index and the detected optical path length of the electromagnetic radiation. If the insulation layer material is optically transparent, not only the insulation layer surface but also the surface of an underlying substrate can be detected, and the layer thickness can be determined from this difference using the known refractive index. If advantageous as Sen ¬ soreinrichtung the help of which the layer thickness is determined optically, an autofocus system is used, unevenness in the underlying layer of the insulating substrate can be compensated. A laser, in particular ¬ sondere an ultra short pulse laser, preferably used is advantageously a as a removing unit for removing the ablated insulating layer region
Pikosekundenlaser, oder eine optische Maske verwendet. Ult- rakurzpulslaser haben den Vorteil, dass aufgrund ihrer gepulsten elektromagnetischen Strahlung die Laserparameter, von denen die Abtragungsrate abhängt, recht schnell verändert und somit lokal angepasst werden können. Gleichzeitig kann der verwendete Laser auch als Sensor verwendet werden, der die elektromagnetische Strahlung ausstrahlt, mit der die Schichtdicke der Isolati¬ onsschichtbereiche vermessen werden kann. Picosecond laser, or an optical mask used. Ultrashort pulse lasers have the advantage that due to their pulsed electromagnetic radiation, the laser parameters, on which the ablation rate depends, can be changed quite quickly and thus be adapted locally. At the same time, the laser used can also be used as a sensor that emits electromagnetic radiation with which the layer thickness of isolati ¬ onsschichtbereiche can be measured.
Alternativ zu einem Laser kann auch eine modulierbare optische Maske und deren Abbildung zur Strukturierung der Isolations- Schichtbereiche verwendet werden. Hierbei wird ein Intensi¬ tätsmuster durch Abbildung in Form einer Maskenprojektion erzeugt . As an alternative to a laser, it is also possible to use a modulatable optical mask and its image for structuring the insulation layer areas. Here, a Intensi ¬ tätsmuster is generated by mapping in the form of a projection mask.
In vorteilhafter Ausgestaltung wird zum Abtragen des Isola- tionsschichtbereiches eine Scaneinrichtung zum schrittweisen Führen einer Laserstrahlung des Lasers über eine Isolationsschichtoberfläche verwendet. Dadurch ist das Abtragungsver¬ fahren vorteilhaft ein scannendes Abtragungsverfahren, da bei jedem Schritt die Abtragungsrate des Lasers schnell moduliert wird, und so an die Schichtdicke der Isolationsschicht angepasst ist. Der lokale Abtrag kann dadurch an jeder Position eingestellt werden. Bei jedem Scanschritt ist es möglich, die Laserparameter neu an die vorhandene Schichtdicke der Isolationsschicht an¬ zupassen, das heißt ein Laser weist eine genügend schnelle Modulationsfähigkeit der Abtragungsrate auf. In an advantageous embodiment, a scanning device for stepwise guiding a laser radiation of the laser over an insulating layer surface is used for removing the insulation layer region. As a result, the ablation method is advantageously a scanning ablation method, since the ablation rate of the laser is rapidly modulated at each step and is thus adapted to the layer thickness of the insulation layer. The local removal can be adjusted at each position. At each scanning step, it is possible to match the laser parameters new to the existing layer thickness of the insulation layer of ¬, that is a laser has a sufficiently high speed modulation capability of the erosion rate.
In einer besonders bevorzugten Ausgestaltung wird die Scaneinrichtung nicht nur zum Führen der Laserstrahlung des Lasers, sondern insbesondere auch zum schrittweisen Führen einer Sensoreinrichtung über die Isolationsschichtoberfläche zum Erfassen der Schichtdicke des abzutragenden Isolations¬ schichtbereiches verwendet. Somit kann auch die Sensorein¬ richtung das Oberflächenprofil der Isolationsschicht scannend abtasten und so die Schichtdicke für jeden einzelnen Schritt ermitteln . In a particularly preferred embodiment, the scanning device is not only used to guide the laser radiation of the laser, but in particular also for stepwise guiding a sensor device on the insulating layer surface for detecting the layer thickness of the insulation ¬ layer region to be removed. Thus, the Sensorein ¬ direction, the surface profile of the insulating layer in a scanning scan and determine the layer thickness for each step.
Vorteilhaft wird die Abtragungsrate zum Abtragen des Isola- tionsschichtbereiches durch Veränderung einer Laserpulszahl des Lasers pro Fläche eingestellt. Die Laserpulszahl kann bei¬ spielsweise durch eine Scangeschwindigkeit der Laserstrahlung über die Isolationsschichtoberfläche, das heißt den Vorschub der Laserstrahlung, aber auch durch eine Anzahl von Überfahrten über die gleiche Position an der Isolationsschichtoberfläche oder auch durch eine Kombination beider Möglichkeiten eingestellt werden. Alternativ wäre es auch möglich, eine Pulsenergie, eine Pulsfolgefrequenz bzw. eine Fokussierung des Lasers zu modulieren, jedoch nur unter der Voraussetzung, dass diese schnell genug erfolgen kann, dass bei jedem Scanschritt diese Parameter verändert werden können. The removal rate for removing the insulation layer area is advantageously set by changing a laser pulse number of the laser per area. The laser pulse rate can be the pitch adjusted by a scanning speed of the laser radiation on the insulating layer surface, that is the feed of the laser radiation, but also by a number of crossings over the same position on the insulating layer surface, or by a combination of both at ¬. Alternatively, it would also be possible to modulate a pulse energy, a pulse repetition frequency or a focusing of the laser, but only under the condition that this can be done fast enough that these parameters can be changed during each scanning step.
Die Scangeschwindigkeit der Scaneinrichtung bewegt sich vor¬ teilhaft in einem Bereich von 1,3 m/s bis 2,0 m/s und kann in diesem Bereich variiert werden. Zusätzlich kann die Anzahl der Überfahrten über ein und dieselbe Stelle eingestellt werden, sodass insgesamt eine vorbestimmte Anzahl an Laserpulsen auf eine Stelle trifft und die Isolationsschicht entsprechend ihrer Schichtdicke an dieser Stelle abträgt. The scanning speed of the scanning device moves before ¬ geous in a range of 1.3 m / s to 2.0 m / s and can be varied in this area. In addition, the number of crossings can be set via one and the same point, so that a total of a predetermined number of laser pulses hits a point and ablates the insulating layer according to their layer thickness at this point.
Ein elektromechanischer Aktor, der insbesondere hergestellt ist mit dem oben beschriebenen Herstellungsverfahren, weist ein als Stapel ausgebildetes elektrisches Bauelement auf, das aus einer Mehrzahl von Piezokeramikschichten und aus einer Mehrzahl von Elektrodenschichten gebildet ist, welche entlang einer An electromechanical actuator, which is produced in particular with the above-described manufacturing method, has an electrical component designed as a stack, which is formed from a plurality of piezoceramic layers and from a plurality of electrode layers which are arranged along one
Längsachse des Stapels abwechselnd übereinander gestapelt sind. Der Stapel weist an wenigstens einer Seitenfläche eine Iso¬ lationsschicht auf. Zum Freilegen wenigstens einer Elektro¬ denschicht an der Seitenfläche des Stapels senkrecht zu der Längsachse des Stapels ist ein Graben gebildet, der sich vollständig durch die Isolationsschicht eines der Elektro¬ denschicht benachbarten Isolationsschichtbereiches und in der Elektrodenschicht benachbarten Piezokeramikschichten derart erstreckt, dass die Elektrodenschicht in den Graben hervorsteht. Longitudinal axis of the stack are alternately stacked. The stack has an iso ¬ lationsschicht on at least one side surface. To expose at least one electrical ¬ denschicht on the side face of the stack perpendicular to the longitudinal axis of the stack, a trench is formed which extends entirely through the insulating layer of the electrical insulation layer adjacent ¬ denschicht region and in Electrode layer adjacent piezoceramic layers extends such that the electrode layer protrudes into the trench.
So kann eine zuverlässige Kontaktierung der freigelegten Elektrodenschicht von außen durch die Isolationsschicht hindurch gewährleistet werden, wobei die vollaktiven Eigenschaften des Stapels erhalten bleiben. Thus, a reliable contacting of the exposed electrode layer can be ensured from the outside through the insulating layer, wherein the fully active properties of the stack are maintained.
Vorteilhaft weist der Graben senkrecht zu der Längsachse des Stapels schräg angeordnete Grabenwände auf, wobei sich der Graben von der Isolationsschichtoberfläche in Richtung auf eine Stapelmitte hin verjüngt. Schräg angeordnete Grabenwände haben den Vorteil, dass ein beispielsweise zur Kontaktierung gewählter Leitkleber gut von außen in den Graben hineinfließen kann und so eine vorteilhaft gute Kontaktierung der freigelegten Elektrodenschicht realisiert werden kann. Advantageously, the trench has trench walls arranged obliquely perpendicular to the longitudinal axis of the stack, wherein the trench tapers from the insulation layer surface in the direction of a stack center. Obliquely arranged trench walls have the advantage that a conductive adhesive chosen, for example, for contact can flow well into the trench from the outside, and thus an advantageous good contacting of the exposed electrode layer can be realized.
Der Graben weist in der Isolationsschicht einen ersten Gra¬ benbereich auf. Weiter weist der Graben in The trench has ¬ benbereich in the insulating layer a first Gra. Next, the ditch in
Piezokeramikschichten, die entlang der Längsachse des Stapels jeweils benachbart zu der freizulegenden Elektrodenschicht angeordnet sind, einen zweiten bzw. dritten Grabenbereich auf. Die Grabenwände in dem ersten, dem zweiten und in dem dritten Grabenbereich sind jeweils senkrecht zu der Längsachse des Stapels schräg angeordnet. Insgesamt weist daher der Graben im Längsschnitt durch den Stapel vorteilhaft eine W-Form auf. Piezoceramic layers, which are arranged along the longitudinal axis of the stack in each case adjacent to the exposed electrode layer, a second or third trench region. The trench walls in the first, second and third trench regions are each arranged obliquely perpendicular to the longitudinal axis of the stack. Overall, therefore, the trench in the longitudinal section through the stack advantageously has a W-shape.
Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung werden nachfolgend anhand der beigefügten Zeichnungen näher erläutert. Darin zeigt: Advantageous embodiments of the invention will be explained in more detail with reference to the accompanying drawings. It shows:
Fig. 1 eine perspektivische Darstellung eines elektrome- chanischen Aktors, der ein als Stapel ausgebildetes elektrisches Bauelement aufweist; Fig. 2 eine Längsschnittdarstellung des elektrischen Bauelementes aus Fig. 1, das an zwei sich gegenüberliegenden Seitenflächen jeweils eine Isolations¬ schicht aufweist; Fig. 3 einen Ausschnitt des elektrischen Bauelementes aus Fig. 2 im Bereich der Seitenfläche mit der Isola¬ tionsschicht ; 1 shows a perspective view of an electromechanical actuator having an electrical component designed as a stack; Fig. 2 is a longitudinal sectional view of the electrical component of FIG 1, which has in each case on two opposite side surfaces of an insulation layer ¬. Fig. 3 is a cut-tion layer of the electrical component of Figure 2 in the area of the side surface with the Isola ¬.
Fig. 4 eine Längsschnittdarstellung des elektrischen Bauelementes entsprechend Fig. 2, wobei eine Sensor¬ einrichtung zum Erfassen einer Schichtdicke der Isolationsschicht und ein getrennter Laser zum Ab- tragen von Isolationsschichtbereichen vorhanden ist; Is available from insulating layer sections 4 is a longitudinal sectional view of the electrical component according to FIG 2, wherein a sensor ¬ means for detecting a thickness of the insulating layer and a separate laser for parting wear..;
Fig. 5 eine Längsschnittdarstellung des elektrischen Bauelementes entsprechend Fig. 2, wobei ein Laser vorhanden ist, der sowohl als Sensoreinrichtung zum Erfassen der Schichtdicke der Isolationsschicht als auch als Abtragungseinrichtung ausgebildet ist; 5 shows a longitudinal sectional illustration of the electrical component according to FIG. 2, wherein a laser is present, which is designed both as a sensor device for detecting the layer thickness of the insulation layer and as an ablation device;
Fig. 6 eine schematische Darstellung a) eines Erfassens der Fig. 6 is a schematic representation a) of detecting the
Schichtdicke der Isolationsschicht und b) eines Abtragens von Isolationsschichtbereichen, zeitlich getrennt voneinander;  Layer thickness of the insulating layer and b) a removal of insulating layer regions, separated from each other in time;
Fig. 7 ein Flussdiagramm, das die Schritte, die bei dem 7 is a flow chart showing the steps involved in the FIG
Verfahren entsprechend Fig. 6 durchgeführt werden, schematisch darstellt;  Method be performed in accordance with Figure 6, schematically represents;
Fig. 8 eine Darstellung eines Erfassens der Schichtdicke und Fig. 8 is an illustration of detecting the layer thickness and
Abtragens der Isolationsschicht simultan; Fig. 9 ein Flussdiagramm, das die Schritte, die bei dem  Removing the insulating layer simultaneously; 9 is a flowchart showing the steps involved in the
Verfahren entsprechend Fig. 8 durchgeführt werden, schematisch darstellt; und  Method be performed in accordance with Figure 8, schematically represents; and
Fig. 10 eine schematische Schnittansicht, die einen aus dem Fig. 10 is a schematic sectional view, one from the
Abtragungsverfahren resultierenden Graben in dem Removal process resulting trench in the
Stapel des elektrischen Bauelementes gemäß Fig. 2 darstellt . Fig. 1 zeigt einen elektromechanischen Aktor 10, der ein elektrisches Bauelement 12 aufweist, das als Stapel 14 aus¬ gebildet ist. Eine Mehrzahl von auf Anlegen eines elektrischen Feldes reagierenden Piezokeramikschichten 16 und eine Mehrzahl von Elektrodenschichten 18 sind in dem Stapel 14 abwechselnd derart aufeinander gestapelt, dass jede Elektrodenschicht 18 zwischen zwei Piezokeramikschichten 16 angeordnet ist. Die Elektrodenschichten 18 erstrecken sich dabei vollständig bis zu allen Seitenflächen 20 des Stapels 14, sodass es sich bei dem elektrischen Bauelement 12 um einen sogenannten vollaktiven Stapel 14 handelt. Stack of the electrical component of FIG. 2 represents. Fig. 1 shows an electromechanical actuator 10, which has an electrical component 12, which is formed as a stack 14 ¬ . A plurality of piezoceramic layers 16 that react with application of an electric field and a plurality of electrode layers 18 are alternately stacked in the stack 14 in such a way that each electrode layer 18 is arranged between two piezoceramic layers 16. In this case, the electrode layers 18 extend completely up to all side surfaces 20 of the stack 14, so that the electrical component 12 is a so-called fully active stack 14.
Auf einer der Seitenflächen 20 des Stapels 14 ist wenigstens eine Außenkontaktierung in Form einer Außenelektrode 22 aufgebracht, die elektrisch über ein Kontaktierungselement 24 mit einemOn one of the side surfaces 20 of the stack 14 at least one external contact in the form of an outer electrode 22 is applied, which electrically via a contacting element 24 with a
Kontaktierungspin 26 verbunden ist. Über den Kontaktierungspin 26 und das Kontaktierungselement 24 sowie die Außenelektrode 22 kann ein elektrisches Potential an die jeweils kontaktierte Elektrodenschicht 18 weitergeleitet werden. Da jeweils zuei- nander benachbarte Elektrodenschichten 18 mit unterschiedlichen elektrischen Potentialen beaufschlagt werden sollen, um so ein elektrisches Feld in dem Stapel 14 zu erzeugen, damit sich die Piezokeramikschichten 16 in ihrer Länge verändern können, sind zwei Kontaktierungspins 26 vorhanden, über die jeweils ein unterschiedliches Potential an den Stapel 14 herangeführt wird. Contacting pin 26 is connected. Via the contacting pin 26 and the contacting element 24 and the outer electrode 22, an electrical potential can be forwarded to the respective contacted electrode layer 18. Since mutually adjacent electrode layers 18 are to be subjected to different electrical potentials so as to generate an electric field in the stack 14 so that the piezoceramic layers 16 can change in length, two contacting pins 26 are present, each of which has a different electrical potential Potential is brought to the stack 14.
Um einen Überschlag zwischen den über die beiden Kontaktierungspins 26 aufgebrachten unterschiedlichen Potentialen zu vermeiden, wird gewöhnlich auf die Seitenflächen 20, auf die eine Außenelektrode 22 aufgebracht wird, eine Isolationsschicht 30 aufgebracht. Ein Stapel 14, der an wenigstens zwei Seitenflächen 20, die sich parallel zu einer Längsachse 32 des Stapels 14 erstrecken, eine solche Isolationsschicht 30 aufweist, ist in Fig. 2 in einer Längsschnittdarstellung entlang der Längsachse 32 des Stapels 14 aus Fig. 1 gezeigt. In order to avoid a flashover between the different potentials applied via the two contacting pins 26, an insulating layer 30 is usually applied to the side faces 20 to which an outer electrode 22 is applied. A stack 14 having such an insulating layer 30 on at least two side surfaces 20 extending parallel to a longitudinal axis 32 of the stack 14 is shown in FIG. 2 in a longitudinal section along the longitudinal axis 32 of the stack 14 of FIG.
Fig. 3 zeigt einen Ausschnitt aus dem Stapel 14 in Fig. 2 im Bereich der Seitenfläche 20 mit der Isolationsschicht 30 auf eine der Piezokeramikschichten 16, wobei zu sehen ist, dass eine Schichtdicke D der Isolationsschicht 30 entlang der Längsachse 32 lokal stark schwankt. Um die Elektrodenschichten 18 von außen kontaktieren zu können, ist es nötig, die Isolationsschicht 30 in Teilbereichen, das heißt dort, wo die Elektrodenschicht 18, die jeweils kontaktiert werden soll, an die Seitenfläche 20 hervortritt, zu entfernen. Zum Abtragen der Isolationsschicht 30 in diesen genanntenFIG. 3 shows a detail of the stack 14 in FIG. 2 in the region of the side surface 20 with the insulation layer 30 on a the piezoceramic layers 16, wherein it can be seen that a layer thickness D of the insulation layer 30 varies greatly locally along the longitudinal axis 32. In order to be able to contact the electrode layers 18 from the outside, it is necessary to remove the insulation layer 30 in partial regions, that is to say where the electrode layer 18, which is to be contacted in each case, emerges from the side surface 20. For removing the insulating layer 30 in these mentioned
Teilbereichen, nämlich lokal begrenzten Isolationsschichtbereichen 34, wird daher vorteilhaft ein Laser 36, insbesondere ein Pikosekundenlaser, verwendet, der eine Laserstrahlung 40 auf die Isolationsschicht 30 aussendet und diese somit abträgt, sodass die darunter liegende Elektrodenschicht 18 freigelegt wird. Vorteilhaft wird die Laserstrahlung 38 über ein scannendes Verfahren mithilfe einer Scaneinrichtung 40 über die Isolationsschicht 30 geführt, sodass diese bereichsweise abgetragen wird . Partial areas, namely localized isolation layer areas 34, therefore, a laser 36, in particular a picosecond laser, is advantageously used, which emits a laser radiation 40 on the insulating layer 30 and thus ablates them, so that the underlying electrode layer 18 is exposed. Advantageously, the laser radiation 38 is guided over the insulating layer 30 by means of a scanning process by means of a scanning device 40, so that it is removed in regions.
Um sicherzustellen, dass durch den Laser 36 nur die Schichtdicke D der Isolationsschicht 30 abgetragen wird, die in dem lokal begrenzten Isolationsschichtbereich 34 vorliegt, wird vor dem Abtragen der Isolationsschicht 30 zunächst über eine Sensor- einrichtung 42 die lokale Schichtdicke D in dem Isolations¬ schichtbereich 34, der abgetragen werden soll, vermessen. Die Sensoreinrichtung 42 ist vorzugsweise eine optische Sensor¬ einrichtung 42 mit einem Autofokus-System, die eine elektromagnetische Strahlung EM aussendet, welche ebenfalls wie die Laserstrahlung 38 über die Scaneinrichtung 40 schrittweise über die Isolationsschicht 30 auf der Seitenfläche 20 geführt wird. To ensure that only the layer thickness D of the insulation layer is removed 30 by the laser 36, which is present in the localized insulation layer region 34, first device via a sensor prior to the removal of the insulating layer 30 is 42, the local layer thickness D layer region in the insulation ¬ 34, which is to be removed, measured. The sensor device 42 is preferably an optical sensor device 42 having an autofocus system which emits an electromagnetic radiation EM, which, like the laser radiation 38, is guided stepwise over the insulation layer 30 on the side surface 20 via the scanning device 40.
In Fig. 4 ist der Stapel 14 aus Fig. 2 zusammen mit einem Laser 36 und einer Sensoreinrichtung 42 dargestellt, die getrennt voneinander gebildet sind, und deren elektromagnetische In Fig. 4, the stack 14 of FIG. 2 together with a laser 36 and a sensor device 42 are shown, which are formed separately from each other, and their electromagnetic
Strahlungen EM jedoch über eine gemeinsame Scaneinrichtung 40 über die Isolationsschicht 30 auf einer der Seitenflächen 20 des Stapels 14 geführt werden. In Fig. 5 ist eine alternative Ausführungsform dargestellt, bei der der Laser 36 gleichzeitig die Sensoreinrichtung 42 sowie eine Abtragungseinrichtung 44 zum Abtragen des Isolationsschichtbereiches 34 bildet. Das Erfassen der Schichtdicke D der Isolationsschicht 30 wird vorteilhaft zerstörungsfrei durchgeführt. Dies ist bei¬ spielsweise möglich, wenn als Isolationsschichtmaterial 46 ein optisch transparentes Material, wie beispielsweise Polyimid 48, verwendet wird. Wird dann die Wellenlänge der Laserstrahlung 38 entsprechend gewählt, kann die Laserstrahlung 38 die komplette Isolationsschicht 30 durchdringen und so auch eine Oberfläche der Piezokeramikschichten 16 bzw. der Elektrodenschichten 18 bestrahlen. Dadurch kann eine optische Weglänge der Laserstrahlung 38 in dem Isolationsschichtmaterial 46 erfasst werden, und durch den bekannten Brechungsindex dann auf die Schichtdicke D zurück gerechnet werden. However, EM radiations are guided via a common scanning device 40 over the insulating layer 30 on one of the side surfaces 20 of the stack 14. In Fig. 5 is an alternative Embodiment shown in which the laser 36 simultaneously forms the sensor device 42 and an ablation device 44 for removing the insulation layer region 34. The detection of the layer thickness D of the insulating layer 30 is advantageously carried out nondestructive. This is play as possible with ¬ when an optically transparent material, such as polyimide 48 is used as the insulating layer material 46th If the wavelength of the laser radiation 38 is then selected accordingly, the laser radiation 38 can penetrate the complete insulation layer 30 and thus also irradiate a surface of the piezoceramic layers 16 or of the electrode layers 18. As a result, an optical path length of the laser radiation 38 in the insulation layer material 46 can be detected, and then calculated back to the layer thickness D by the known refractive index.
Es gibt zwei Möglichkeiten, das Erfassen der Schichtdicke D und das Abtragen der Isolationsschichtbereiche 34 durchzuführen. Einerseits ist es möglich, diese beiden Arbeitsschritte zeitlich getrennt voneinander durchzuführen, wie es beispielsweise in Fig. 6 und mit Bezug auf das Flussdiagramm in Fig. 7 dargestellt ist. Fig. 6a) zeigt dabei die Laserstrahlung 38 , die, geführt über die Scaneinrichtung 40, eine Isolationsschichtoberfläche 50 zunächst vollständig abtastet, sodass die Schichtdicken D sämtlicher lokal begrenzter Isolationsschichtbereiche 34 vollständig bekannt sind. Erst in einem darauffolgenden Ar¬ beitsschritt, dargestellt in Fig. 6b) wird dann die Laser¬ strahlung 38 mittels der Scaneinrichtung 40 über die Isola- tionsschichtoberfläche 50 schrittweise geführt, und an den jeweiligen Stellen der Isolationsschichtbereiche 34 lokal moduliert, um so die dort vorhandene Schichtdicke D der Iso¬ lationsschicht 30 abzutragen. Die lokale Modulierung erfolgt dabei über die Scangeschwindigkeit, mit der die Laserstrahlung 38 über die Isolationsschichtoberfläche 50 geführt wird. Al¬ ternativ oder zusätzlich ist es auch möglich, die Modulation durch eine verschiedene Anzahl an Überfahrten über die betreffenden Stellen zu realisieren. Fig. 7 zeigt ein entsprechendes Flussdiagramm, das die einzelnen Schritte darstellt, die zum Freilegen der freizulegenden Elektrodenschicht 18 gemäß der Vorgehensweise, die in Fig. 6 dargestellt ist, zeigt. Zunächst wird dabei der Stapel 14 bereitgestellt und in einem nachfolgenden Schritt auf wenigstens eine Seitenfläche 20 des Stapels 14 die Isolationsschicht 30 aufgebracht. Danach wird die Isolationsschichtoberfläche 50 vollständig in n Schritten mit der Sensoreinrichtung 42 abgescannt, um so sämtliche Schichtdicken D der Isolations¬ schicht 30 zu erfassen. Erst nachdem die vollständige Isola¬ tionsschichtoberfläche 50 abgescannt ist, wird die Laser¬ strahlung 38 in n Schritten über die Isolationsschichtoberfläche 50 geführt, wobei bei jedem n-ten Schritt die Abtragungsrate der Laserstrahlung 38, das heißt die Pulszahl, eingestellt wird, und erst danach die Isolationsschicht 30 abgetragen wird. Die letzten beiden Schritte Einstellen und Abtragen für den jeweils n-ten Schritt werden dabei so lange wiederholt, bis die Isolati¬ onsschichtoberfläche 50 vollständig abgescannt ist. There are two ways to perform the detection of the layer thickness D and the removal of the insulating layer regions 34. On the one hand, it is possible to carry out these two steps separately in terms of time, as illustrated, for example, in FIG. 6 and with reference to the flowchart in FIG. 7. 6a) shows the laser radiation 38, which, guided by the scanning device 40, initially completely scans an insulation layer surface 50, so that the layer thicknesses D of all locally limited insulation layer regions 34 are completely known. ¬ beitsschritt only in a subsequent Ar, shown in Fig. 6b), the laser ¬ radiation is then tion layer surface by means of the scanning device 40 via the Isola- out 38 50 progressively and locally modulated at the respective positions of the insulating layer portions 34, so the existing there Layer thickness D of Iso ¬ lationsschicht 30 abzutragen. The local modulation takes place via the scanning speed, with which the laser radiation 38 is guided over the insulating layer surface 50. Al ¬ tively or additionally, it is also possible to implement the modulation by a different number of passes over the affected areas. FIG. 7 is a corresponding flow chart illustrating the individual steps involved in exposing the exposed electrode layer 18 according to the procedure illustrated in FIG. 6. Initially, the stack 14 is provided and in a subsequent step, the insulation layer 30 is applied to at least one side face 20 of the stack 14. Thereafter, the insulating layer surface is completely scanned 50 in n steps with the sensor device 42, so as to detect all the layer thicknesses D of the insulation layer ¬ 30th Only after the complete Isola ¬ tion layer surface is scanned 50, the laser ¬ radiation 38 is guided in n steps over the insulating layer surface 50, wherein the pulse number is set at every n-th step, the removal rate of the laser radiation 38, that is, and only then the insulation layer 30 is removed. The last two steps of setting and removing for each n-th step are thereby repeated until the isolati ¬ onsschichtoberfläche 50 is completely scanned.
In Fig. 8 ist eine alternative Vorgehensweise dargestellt, bei der das Erfassen der Schichtdicke D an den einzelnen Isolationsschichtbereichen 34 sowie das Abtragen der Isolationsschicht 30 an den Isolationsschichtbereichen 34 simultan durchgeführt wird. Hierbei wird bei jedem Scanschritt zuerst die Schichtdicke D vermessen und dann direkt das Abtragen über die Laserstrahlung 38 durchgeführt, und erst dann die elektro¬ magnetische Strahlung EM des Lasers 36 bzw. der Sensoreinrichtung 42 auf die nächste Position geführt, wo dann ebenfalls zunächst gemessen und dann direkt abgetragen wird. FIG. 8 shows an alternative procedure in which the detection of the layer thickness D at the individual insulation layer regions 34 as well as the removal of the insulation layer 30 at the insulation layer regions 34 are performed simultaneously. Here, the layer thickness D is in each scanning step first measured and then directly ablating over the laser radiation 38 carried out, and then the electrostatic ¬ magnetic radiation EM of the laser 36 and the sensor device conducted to the next position 42 where then also initially measured and then removed directly.
Fig. 9 zeigt ein entsprechendes Flussdiagramm, welches die Schritte einer solchen Vorgehensweise schematisch darstellt. In einem ersten Schritt wird dabei der Stapel 14 bereitgestellt und darauf folgend in einem weiteren Schritt die Isolations¬ schicht 30 auf wenigstens eine Seitenfläche 20 des Stapels 14 aufgebracht. Danach wird mit der Sensoreinrichtung 42 unter Verwendung der Scaneinrichtung 40 ein erster Schritt gemacht, um einen lokal begrenzten Isolationsschichtbereich 34 gemäß seiner Schichtdicke D zu vermessen. Direkt darauf folgend wird die Abtragungsrate des Lasers 36 auf diese vermessene Schichtdicke D eingestellt und darauf folgend sofort der Isolations¬ schichtbereich 34, der gerade vermessen worden ist, abgetragen. Die letzten drei Schritte, Erfassen eines lokal begrenzten Bereiches, Einstellen der Abtragungsrate entsprechend des erfassten Wertes und sofortiges Abtragen, werden so lange durchgeführt, bis die gesamte Isolationsschichtoberfläche 50 abgescannt ist. FIG. 9 shows a corresponding flowchart which schematically illustrates the steps of such an approach. In a first step, the stack 14 is provided and applied subsequently in a further step the insulation ¬ layer 30 on at least one side surface 20 of the stack fourteenth Thereafter, with the sensor device 42 under Using the scanning device 40 made a first step to measure a localized insulation layer region 34 according to its layer thickness D. Immediately following, the removal rate of the laser 36 is set to this measured layer thickness D and subsequently immediately the insulation ¬ layer region 34, which has just been measured, removed. The last three steps, detecting a localized area, adjusting the removal rate corresponding to the detected value and immediate removal, are performed until the entire insulation layer surface 50 is scanned.
Fig. 10 zeigt einen Ausschnitt des Stapels 14 aus Fig. 2, nachdem in einem lokal begrenzten Isolationsschichtbereich 34 die Isolationsschicht 30 wie oben beschrieben abgetragen worden ist. Durch das Abtragen und damit durch das Freilegen der unter dem lokalen Isolationsschichtbereich 34 angeordneten Elektrodenschicht 18 ist ein Graben 52 entstanden, der sich vollständig durch die Isolationsschicht 30 erstreckt. Der Graben 52 erstreckt sich weiter sehr geringfügig in die der Elektrodenschicht 18 entlang der Längsachse 32 benachbarten Piezokeramikschichten 16, und zwar derart, dass die Elektrodenschicht 18 in den Graben hervorsteht. Grabenwände 54 des Grabens 52 sind senkrecht zu der Längsachse 32 des Stapels 14 schräg angeordnet, sodass sich der Graben 52 ausgehend von der Isolationsschichtoberfläche 50 auf eine Stapelmitte 56 hin verjüngt. Der Graben 52 weist mehrere Grabenbereiche auf, nämlich einen ersten Grabenbereich in der Isolationsschicht 30, und einen zweiten bzw. dritten Grabenbereich jeweils in den zu der Elektrodenschicht 18 benachbarten Piezokeramikschichten 16. Alle Grabenwände 54 der einzelnen Grabenbereiche sind senkrecht zu der Längsachse 82 schräg angeordnet. Daher kann ein beispielsweise zur Kontaktierung verwendeter Leitkleber gut in den gesamten Graben 52 einfließen und somit eine gute Kontaktierung der freigelegten Elektro- denschicht 18 realisieren. FIG. 10 shows a section of the stack 14 from FIG. 2 after the insulation layer 30 has been removed in a locally limited insulation layer area 34 as described above. As a result of the removal, and thus the exposure of the electrode layer 18 arranged below the local insulation layer region 34, a trench 52 has been created which extends completely through the insulation layer 30. The trench 52 further extends very slightly into the piezoceramic layers 16 adjacent to the electrode layer 18 along the longitudinal axis 32, in such a way that the electrode layer 18 protrudes into the trench. Trench walls 54 of the trench 52 are arranged obliquely perpendicular to the longitudinal axis 32 of the stack 14, so that the trench 52, starting from the insulation layer surface 50, tapers towards a stack center 56. The trench 52 has a plurality of trench regions, namely a first trench region in the insulation layer 30, and a second or third trench region in each case in the adjacent to the electrode layer 18 piezoceramic layers 16. All trench walls 54 of the individual trench regions are arranged perpendicular to the longitudinal axis 82 obliquely. Therefore, a conductive adhesive used, for example, for contacting can flow well into the entire trench 52 and thus realize good contacting of the exposed electrode layer 18.
Insgesamt weist der Graben 52 eine Form entsprechend eines W auf. Diese W-Form kann dadurch erzeugt werden, dass die Laserstrahlung 38, die die Isolationsschicht 30 in dem Isolationsschichtbereich 34 abträgt, so selektiv beispielsweise hinsichtlich ihrer Energie eingestellt wird, dass die Isolationsschicht 30 dort komplett und die Piezokeramikschichten 16 sehr geringfügig abgetragen werden. Dadurch kann das Hervorstehen der Elektrodenschicht 18 erzielt werden, wodurch eine Kontaktierung der Elektrodenschicht 18 nicht nur an der Seitenfläche 20, sondern auch an Stirnflächen 58 der Elektrodenschicht 18 realisiert werden kann, welche normalerweise von den benachbarten Overall, the trench 52 has a shape corresponding to a W. This W-shape can be generated by the fact that the laser radiation 38, which removes the insulating layer 30 in the insulating layer region 34, as selectively adjusted, for example, in terms of their energy, that the insulating layer 30 there completely and the piezoceramic layers 16 are removed very slightly. As a result, the protrusion of the electrode layer 18 can be achieved, whereby a contacting of the electrode layer 18 can be realized not only on the side surface 20, but also on end faces 58 of the electrode layer 18, which is normally from the adjacent
Piezokeramikschichten 16 bedeckt sind. Piezoceramic layers 16 are covered.
Durch Abtragen der Isolationsschicht 30 mit einem Ultrakurzpulslaser 36 und der Wahl geeigneter Laser- bzw. Scanparameter kann die Abtragungsrate präzise und schnell eingestellt werden. Wenn die lokale Schichtdicke D des Polyimids 48 bekannt ist, kann durch eine entsprechend schnelle Modulation der Laser- bzw. Scanparameter die lokale Abtragungsrate entsprechend angepasst werden und ein adaptives Abtragen realisiert werden. By removing the insulation layer 30 with an ultrashort pulse laser 36 and the choice of suitable laser or scanning parameters, the removal rate can be set precisely and quickly. If the local layer thickness D of the polyimide 48 is known, the local ablation rate can be correspondingly adapted and an adaptive ablation can be realized by a correspondingly fast modulation of the laser or scan parameters.

Claims

Patentansprüche claims
1. Herstellungsverfahren zum Herstellen eines elektrome- chanischen Aktors (10), aufweisend die Schritte: 1. A manufacturing method for producing an electromechanical actuator (10), comprising the steps of:
a) Bereitstellen eines als Stapel (14) ausgebildeten elektrischen Bauelements (12), das aus einer Mehrzahl von Piezokeramikschichten (16) und aus einer Mehrzahl von Elektrodenschichten (18) gebildet ist, die entlang einer Längsachse (32) des Stapels (14) abwechselnd übereinander gestapelt sind; b) Aufbringen einer Isolationsschicht (30) auf wenigstens eine parallel zu der Längsachse (32) angeordnete Seitenfläche (20) des Stapels (14) derart, dass an der Seitenfläche (20) die a) providing an electrical component (12) formed as a stack (14), which is formed from a plurality of piezoceramic layers (16) and from a plurality of electrode layers (18) alternating along a longitudinal axis (32) of the stack (14) stacked on top of each other; b) applying an insulating layer (30) on at least one parallel to the longitudinal axis (32) arranged side surface (20) of the stack (14) such that on the side surface (20) the
Elektrodenschichten (18) und die Piezokeramikschichten (16) von der Isolationsschicht (30) bedeckt sind; Electrode layers (18) and the piezoceramic layers (16) are covered by the insulating layer (30);
c) Freilegen wenigstens einer der Elektrodenschichten (18) an der Seitenfläche (20) des Stapels (14) durch lokales Abtragen eines der freizulegenden Elektrodenschicht (18) benachbarten, lokal begrenzten Isolationsschichtbereiches (34), c) exposing at least one of the electrode layers (18) to the side surface (20) of the stack (14) by local removal of a locally limited insulation layer region (34) adjacent to the electrode layer (18) to be exposed,
wobei eine Schichtdicke (D) des abzutragenden, lokal begrenzten Isolationsschichtbereiches (34) senkrecht zu der Längsachse (32) erfasst wird, und wobei eine Abtragungsrate zum Abtragen des Isolationsschichtbereiches (34) der erfassten Schichtdicke (D) des abzutragenden Isolationsschichtbereichs (34) lokal begrenzt eingestellt wird. wherein a layer thickness (D) of the ablated, localized insulation layer region (34) perpendicular to the longitudinal axis (32) is detected, and wherein a removal rate for removing the insulation layer region (34) of the detected layer thickness (D) of the ablated insulation layer region (34) locally limited is set.
2. Herstellungsverfahren nach Anspruch 1, 2. Production method according to claim 1,
dadurch gekennzeichnet, dass die Schichtdicken (D) mehrerer lokal begrenzter Isolationsschichtbereiche (34) auf der Sei¬ tenfläche (20) schrittweise einzeln erfasst und die mehreren Isolationsschichtbereiche (32) schrittweise einzeln abgetragen werden, wobei das schrittweise Erfassen und das schrittweise Abtragen der einzelnen Schichtdicken (D) unmittelbar aufeinanderfolgend durchgeführt werden. characterized in that the layer thicknesses (D) of a plurality of locally delimited insulation layer regions (34) on the Be ¬ tenfläche (20) gradually detected individually and the plurality of insulating layer regions (32) are gradually removed individually, wherein the stepwise detection and the gradual removal of the individual layer thicknesses (D) are carried out immediately after each other.
3. Herstellungsverfahren nach Anspruch 2, 3. Production method according to claim 2,
dadurch gekennzeichnet, dass die Schichtdicken (D) mittels Plasmaspektroskopie erfasst werden. characterized in that the layer thicknesses (D) are detected by means of plasma spectroscopy.
4. Herstellungsverfahren nach Anspruch 1, 4. Manufacturing method according to claim 1,
dadurch gekennzeichnet, dass die Schichtdicken (D) mehrerer lokal begrenzter Isolationsschichtbereiche (34) auf der Sei¬ tenfläche (20) des Stapels (14) schrittweise erfasst und die mehreren Isolationsschichtbereiche (34) schrittweise abgetragen werden, wobei zunächst alle Schichtdicken (D) der mehreren Isolationsschichtbereiche (34) schrittweise ohne Abtragungs¬ schritte dazwischen erfasst werden und dann das Abtragen der mehreren Isolationsschichtbereiche (34) schrittweise ohne Erfassungsschritte dazwischen durchgeführt wird. characterized in that the layer thicknesses (D) detects stepwise multiple localized insulation layer regions (34) on the Be ¬ tenfläche (20) of the stack (14) and the plurality of insulating layer portions (34) to be removed progressively, initially all the layer thicknesses (D) of the a plurality of insulating layer regions (34) are detected stepwise without ablation ¬ steps in between and then the removal of the plurality of insulating layer regions (34) is performed stepwise without detection steps in between.
5. Herstellungsverfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2 oder 4, 5. Manufacturing method according to one of claims 1 or 2 or 4,
dadurch gekennzeichnet, dass die Schichtdicke (D) des abzu- tragenden Isolationsschichtbereiches (34) zerstörungsfrei erfasst wird, wobei die Schichtdicke (D) insbesondere optisch ermittelt wird, wobei bevorzugt eine optische Sensoreinrichtung (42) mit einem Autofokus-System verwendet wird. characterized in that the layer thickness (D) of the insulating layer region (34) to be removed is detected nondestructively, wherein the layer thickness (D) is determined in particular optically, whereby preferably an optical sensor device (42) with an autofocus system is used.
6. Herstellungsverfahren nach Anspruch 5, 6. Production method according to claim 5,
dadurch gekennzeichnet, dass als Isolationsschichtmaterial (46) ein in einem vorbestimmten Wellenlängenbereich optisch transparentes Material, insbesondere ein Polyimid (48), ver¬ wendet wird, wobei zum Erfassen der Schichtdicke (D) des ab- zutragenden Isolationsschichtbereiches (34) eine optischecharacterized in that is used as insulating layer material (46) an optically transparent in a predetermined wavelength range material, in particular a polyimide (48), ver ¬ turns, wherein for detecting the thickness (D) of the off zutragenden insulation layer region (34) has an optical
Weglänge einer elektromagnetischen Strahlung (EM) mit einer Wellenlänge in dem vorbestimmten Wellenlängenbereich ermittelt wird . Path length of an electromagnetic radiation (EM) having a wavelength in the predetermined wavelength range is determined.
7. Herstellungsverfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass als Abtragungseinrichtung (44) zum Abtragen des abzutragenden Isolationsschichtbereiches (34) ein Laser (36) , insbesondere ein Ultrakurzpulslaser, bevorzugt ein Pikosekundenlaser, oder eine optische Maske verwendet wird. 7. A manufacturing method according to any one of claims 1 to 6, characterized in that as ablation means (44) for ablating the ablated insulating layer region (34), a laser (36), in particular an ultrashort pulse laser, preferably a picosecond laser, or an optical mask is used.
8. Herstellungsverfahren nach Anspruch 7, 8. Production method according to claim 7,
dadurch gekennzeichnet, dass zum Abtragen des Isolations¬ schichtbereiches (34) eine Scaneinrichtung (40) zum schritt- weisen Führen einer Laserstrahlung (38) des Lasers (36) über eine Isolationsschichtoberfläche (50) verwendet wird, wobei die Scaneinrichtung (40) insbesondere zum schrittweisen Führen einer Sensoreinrichtung (42) über die Isolationsschichtoberfläche (50) zum Erfassen der Schichtdicke (D) des abzutragenden Isolationsschichtbereiches (34) verwendet wird. characterized in that for removing the insulation ¬ layer region (34), a scanning device (40) for gradually guiding a laser radiation (38) of the laser (36) over an insulation layer surface (50) is used, wherein the scanning device (40) in particular for stepwise guiding a sensor device (42) over the insulation layer surface (50) for detecting the layer thickness (D) of to be removed insulating layer region (34) is used.
9. Herstellungsverfahren nach einem der Ansprüche 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Abtragungsrate zum Abtragen des Isolationsschichtbereiches (34) durch Veränderung einer La¬ serpulszahl des Lasers (36) pro Fläche eingestellt wird, wobei die Laserpulszahl pro Fläche insbesondere durch eine Scange¬ schwindigkeit der Scaneinrichtung (40) und/oder durch eine Anzahl an Überfahrten der Laserstrahlung (38) über die Iso- lationsschichtoberfläche (50) des abzutragenden Isolations¬ schichtbereiches (34) eingestellt wird. 9. Manufacturing method according to one of claims 7 or 8, characterized in that the removal rate for removing the insulation layer region (34) by changing a La ¬ serpulszahl of the laser (36) per area is set, the laser pulse per surface in particular by a scan ¬ Speed of the scanning device (40) and / or by a number of crossings of the laser radiation (38) on the Iso- lationsschichtoberfläche (50) of the ablated insulating ¬ layer region (34) is set.
10. Elektromechanischer Aktor (10), insbesondere hergestellt mit einem Herstellungsverfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, mit einem als Stapel (14) ausgebildeten elektrischen Bauelement (12), das aus einer Mehrzahl von Piezokeramikschichten (16) und aus einer Mehrzahl von Elektrodenschichten (18) gebildet ist, die entlang einer Längsachse (32) des Stapels (14) ab¬ wechselnd übereinander gestapelt sind, wobei der Stapel (14) an wenigstens einer Seitenfläche (20) eine Isolationsschicht (30) aufweist, wobei zum Freilegen wenigstens einer Elektrodenschicht (18) an der Seitenfläche (20) des Stapels (14) senkrecht zu der Längsachse (32) des Stapels (14) ein Graben (52) gebildet ist, der sich vollständig durch die Isolationsschicht (30) eines der Elektrodenschicht (18) benachbarten Isolationsschichtbereiches (34) und in der Elektrodenschicht (18) benachbarte 10. Electromechanical actuator (10), in particular produced by a manufacturing method according to one of claims 1 to 9, with a stack (14) formed electrical component (12) consisting of a plurality of piezoceramic layers (16) and of a plurality of electrode layers (18) is formed along a longitudinal axis (32) of the stack (14) are stacked one above the other from ¬ partly, wherein the stack (14) on at least one side surface (20) comprises an insulating layer (30), to expose at least one Electrode layer (18) on the side surface (20) of the stack (14) perpendicular to the longitudinal axis (32) of the stack (14) a trench (52) is formed, which extends completely through the insulating layer (30) of one of the electrode layer (18). adjacent insulating layer region (34) and in the electrode layer (18) adjacent
Piezokeramikschichten (16) derart erstreckt, dass die Elekt¬ rodenschicht (18) in den Graben (52) hervorsteht. Piezoceramic layers (16) extends such that the Elekt ¬ rodenschicht (18) protrudes into the trench (52).
11. Elektromechanischer Aktor (10) nach Anspruch 10, 11. Electromechanical actuator (10) according to claim 10,
dadurch gekennzeichnet, dass der Graben (52) senkrecht zu der Längsachse (32) des Stapels (14) schräg angeordnete Grabenwände (54) aufweist, wobei der Graben (52) von der Isolations- Schichtoberfläche (50) in Richtung auf eine Stapelmitte (56) sich verjüngend ausgebildet ist, wobei der Graben (52) in einem Längsschnitt des Stapels (14) entlang der Längsachse (32) eine W-Form aufweist. characterized in that the trench (52) has trench walls (54) arranged obliquely perpendicular to the longitudinal axis (32) of the stack (14), the trench (52) being separated from the insulation layer (54). Layer surface (50) towards a stack center (56) is tapered, wherein the trench (52) in a longitudinal section of the stack (14) along the longitudinal axis (32) has a W-shape.
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