EP3123154A1 - Ceramic carrier and sensor element, heating element and sensor module, each with a ceramic carrier and method for manufacturing a ceramic carrier - Google Patents

Ceramic carrier and sensor element, heating element and sensor module, each with a ceramic carrier and method for manufacturing a ceramic carrier

Info

Publication number
EP3123154A1
EP3123154A1 EP15713160.8A EP15713160A EP3123154A1 EP 3123154 A1 EP3123154 A1 EP 3123154A1 EP 15713160 A EP15713160 A EP 15713160A EP 3123154 A1 EP3123154 A1 EP 3123154A1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
carrier
thin
film structure
μιτι
intermediate layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
EP15713160.8A
Other languages
German (de)
French (fr)
Inventor
Thomas Loose
Stefan Dietmann
Alfred FLECKENSTEIN
Dieter Teusch
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yageo Nexensos GmbH
Original Assignee
Heraeus Sensor Technology GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Heraeus Sensor Technology GmbH filed Critical Heraeus Sensor Technology GmbH
Publication of EP3123154A1 publication Critical patent/EP3123154A1/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C1/00—Details
    • H01C1/01—Mounting; Supporting
    • H01C1/016—Mounting; Supporting with compensation for resistor expansion or contraction
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01D21/00—Measuring or testing not otherwise provided for
    • G01D21/02—Measuring two or more variables by means not covered by a single other subclass
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
    • G01F1/00—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
    • G01F1/68—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using thermal effects
    • G01F1/684—Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow
    • G01F1/688—Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow using a particular type of heating, cooling or sensing element
    • G01F1/69—Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow using a particular type of heating, cooling or sensing element of resistive type
    • G01F1/692—Thin-film arrangements
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/16—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
    • G01K7/18—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a linear resistance, e.g. platinum resistance thermometer
    • G01K7/183—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a linear resistance, e.g. platinum resistance thermometer characterised by the use of the resistive element
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
    • H01C17/065—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thick film techniques, e.g. serigraphy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
    • H01C17/065—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thick film techniques, e.g. serigraphy
    • H01C17/06506—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits
    • H01C17/06513—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component
    • H01C17/06526—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component composed of metals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
    • H01C17/075—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
    • H01C17/075—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques
    • H01C17/08—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques by vapour deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C3/00—Non-adjustable metal resistors made of wire or ribbon, e.g. coiled, woven or formed as grids
    • H01C3/10—Non-adjustable metal resistors made of wire or ribbon, e.g. coiled, woven or formed as grids the resistive element having zig-zag or sinusoidal configuration
    • H01C3/12—Non-adjustable metal resistors made of wire or ribbon, e.g. coiled, woven or formed as grids the resistive element having zig-zag or sinusoidal configuration lying in one plane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/006—Thin film resistors
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/02—Details
    • H05B3/03—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/10—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
    • H05B3/12—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
    • G01N15/06—Investigating concentration of particle suspensions
    • G01N15/0606—Investigating concentration of particle suspensions by collecting particles on a support
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
    • G01N15/06—Investigating concentration of particle suspensions
    • G01N15/0656—Investigating concentration of particle suspensions using electric, e.g. electrostatic methods or magnetic methods
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
    • G01N2015/0042—Investigating dispersion of solids
    • G01N2015/0046—Investigating dispersion of solids in gas, e.g. smoke

Definitions

  • Ceramic carrier and sensor element, heating element and sensor module each with a ceramic carrier and method for producing a ceramic carrier
  • the invention relates to a ceramic carrier, in particular to an Al 2 0 3 - carrier, having the features of the preamble of claim 1.
  • Such a carrier is known for example from JP 59 065 216 A. This carrier is coated with a thin-film structure of platinum and is called
  • Temperature measuring sensors are used. These are installed, for example, before diesel particulate filters to detect the exhaust gas temperature for the regeneration of the filter.
  • the platinum thin-film sensors are strong
  • Exposure cycles, strong vibration loads and the corrosive attack of the medium to be exposed Exposure cycles, strong vibration loads and the corrosive attack of the medium to be exposed.
  • the invention has for its object to provide a ceramic support on which a thin-film structure of platinum or a platinum alloy is arranged, wherein the carrier is improved in that the resistance drift is reduced at high thermal cycling stresses.
  • the invention is further based on the object to provide a sensor element, a heating element and a sensor module with such a carrier and a method for producing such a ceramic carrier.
  • the object with regard to the ceramic carrier by the subject of claim 1 with a view to the sensor element, the heating element and the sensor module by the subject of claim 16 and in view of the method by the subject of claim 18.
  • the invention is based on a ceramic carrier, in particular an Al 2 0 3 - specify carrier on which a thin-film structure of platinum or a Platinum alloy is arranged.
  • the carrier and / or the thin-film structure are adapted to reduce mechanical stresses due to different thermal expansion coefficients. This is inventively achieved by the following features of the carrier, each of which reduces the resistance drift. A combination of features enhances this effect.
  • the basic idea is to reduce or reduce mechanical stresses in the thin-film structure due to the different thermal expansion coefficients between the carrier and the thin-film structure. For this purpose, an at least partially relative movement between the carrier and the thin-film structure is permitted and / or the thin-film structure is modified so that differences in the thermally induced material expansion are compensated, so that the lowest possible mechanical stresses are induced in the thin-film structure.
  • this is achieved in the context of the invention in that the surface of the support in the region of the thin-film structure is at least partially smoothed to reduce the adhesion (feature a).
  • the thin-film structure adheres less strongly to the carrier surface, whereby a relative movement between the carrier and the thin-film structure is made possible.
  • the resulting mechanical decoupling reduces the risk of plastic deformation of the
  • the surface of the carrier has an intermediate layer on which the thin-film structure is arranged.
  • Expansion coefficient of the intermediate layer is from 8 * 10 "6 / K to 16 * 10 " 6 / K, in particular from 8.5 * 10 "6 / K to 14 * 10 " 6 / K (feature b).
  • Expansion coefficient of the intermediate layer in the aforementioned range can achieve an optimal connection between the ceramic substrate and the platinum thin-film structure, even with frequent Thermal cycling does not lead to a significant deformation of the platinum thin-film structure.
  • the intermediate layer thus provides an efficient transfer from the support to the platinum thin film structure which acts as a buffer and absorbs some of the mechanical stresses.
  • the thin-film structure has at least one at least sectionally wave-shaped conductor track which extends laterally along the surface of the carrier (feature c).
  • the waveform of the trace extends in a plane parallel to the surface of the carrier.
  • the waveform is thus lateral and not in the depth direction, i. formed in the surface of the carrier inside.
  • the waveform may extend in one and the same plane parallel to the surface of the carrier. This is the case when the
  • Depth direction of the carrier is superimposed. This results, for example, by the combination with the depth profile described below.
  • Main orientation of the waveform is in the lateral direction.
  • the amplitude of the wave-shaped track is from 0.2 * B to 2 * B, in particular from 0.4 * B to 1 * B.
  • the wavelength of the wave-shaped interconnect is from 3 * B to 10 * B, in particular from 4 * B to 7 * B. "B" is in each case the width of the interconnect.
  • the wave-shaped track builds mechanical through its geometry
  • the oxidic nanoparticles in particular of AL 2 0 3 and / or MgO, contains (feature d).
  • the first cover layer forms a passivation layer and protects the platinum thin film structure.
  • the oxidic nanoparticles cause a Volume change of the cover layer in the case of a temperature change, which is adapted to the expansion of the platinum thin-film structure.
  • the surface in the region of the thin-film structure forms at least one sliding section and at least one adhesive section.
  • the roughness of the surface in the region of the thin-film structure forms at least one sliding section and at least one adhesive section.
  • the adhesive portion is unsmoothed or less smooth than the sliding portion.
  • the thin-film structure remains connected to the surface of the carrier. This is the thin-film structure
  • the surface may be smoothed over the entire area of the thin film structure.
  • This variant has the advantage of easy production. The fixation of the thin-film structure is sufficiently given, because it comes to local thermally induced stresses due to the inhomogeneous temperature distribution typically occurring during operation and sections of the
  • Thin-film structure are subjected to different levels of stress.
  • the surface in the region of the thin-film structure has a, in particular strip-shaped, depth profile, which forms at least one depression, the surface of the depression being smoothed.
  • the surface of the depression has a lower roughness than the surface of the higher-lying regions of the depth profile, for example the unprofiled one
  • the thin-film structure can be released from the depression when it expands.
  • the thin-film structure is partially mechanically decoupled from the carrier.
  • the thin-film structure in the region of the depression can expand upon detachment, thereby changing its geometry, thereby reducing mechanical stresses in the thin-film structure.
  • At least one conductor track of the thin-film structure is arranged at an angle, in particular in the range of 30 ° to 90 °, to the strip-shaped depth profile.
  • the recess may have a trapezoidal cross-section with two inclined flanks and a bottom between the flanks.
  • the two flanks laterally delimit the bottom of the depression.
  • At least one, in particular both flanks rise at an angle of 10 ° to 80 °, in particular from 45 ° to 60 ° relative to the ground. The angle is measured between an imaginary plane that spans the ground and another imaginary plane that defines that edge.
  • This embodiment has the advantage that the thin-film structure can be easily detached from the depression. This is due to the inclined walls or flanks of the recess.
  • the flanks and the bottom of the depression are smoothed. As a result, the replacement is further facilitated.
  • the recess has a depth of 0.4 ⁇ to 1.2 ⁇ ,
  • the recess are u.a. chosen depending on the respective layer thickness of the structure.
  • the strip-shaped depth profile may have a plurality of parallel depressions, wherein the distance between the wells in each case from 5 ⁇ to 20 ⁇ , in particular from 10 ⁇ to 15 ⁇ .
  • the single trace or multiple traces cut the parallel recesses so that the
  • the thickness of the intermediate layer may be from ⁇ 0.2 ⁇ to 3 ⁇ , in particular from 1 ⁇ to 2.2 ⁇ . These thickness ranges have proven themselves in practice.
  • the intermediate layer may contain at least one electrically insulating metal oxide.
  • the intermediate layer may consist entirely of an electrically insulating metal oxide. Since the metal oxide is electrically isolated, continuous regions of the support with the metal oxide as
  • the intermediate layer contains MgO and / or BaO.
  • the intermediate layer may consist entirely of MgO and / or BaO and unavoidable impurity.
  • the intermediate layer may consist entirely of MgO and / or BaO and unavoidable impurity.
  • the intermediate layer containing a mixture of at least one electrically insulating metal oxide and Al 2 0 3 or completely consist of such a mixture.
  • the metal oxide of the mixture may be MgO and / or BaO.
  • the Blending with Al 2 0 3 has the advantage that the thermal expansion coefficient of the intermediate layer by adjusting the Al 2 0 3 content varies and so can be optimally adapted to the respective material pairing of the carrier and the platinum thin-film structure and to the thermal and mechanical requirements ,
  • the wave-shaped conductor can form a plurality of comb-like fingers of an electrode.
  • the strip conductor arrangement is constructed meander-shaped.
  • Ladder forms a superstructure.
  • the waveform of the trace forms a substructure that is integrated into the superstructure and extends along the
  • Strip sections extends between the arches of the superstructure.
  • the formation of the substructure and its effect on the resistance drift is essentially independent of the formation of the superstructure.
  • the term "bows” is to be understood broadly and may include rounded or rectangular changes in direction of the tracks.
  • the wave-shaped conductor track may be in the form of a sine wave and / or a saw-toothed wave and / or a trapezoidal wave.
  • the different geometry of the waves affects the
  • the first cover layer may be hermetically sealed by a second cover layer, in particular of glass. Thereby, the first cover layer or the entire platinum thin-film structure against the corrosive attack of
  • the carrier is integrated in a sensor element or heating element or in a sensor module.
  • a sensor element for example, temperature sensor elements, Flow sensors, soot sensors and the like in question.
  • the carrier according to the invention may be part of a heating element.
  • Sensor modules are multifunctional basic building blocks based on platinum thin-film technology. They consist, for example, of sensor / heater combinations and application-specific structured electrodes. Customer-sensitive layers can be applied to the electrodes.
  • various sensor structures are arranged on the carrier. It can the
  • Thin-film structure of platinum or platinum alloy at least one
  • Sensor structure and an electrode structure at least one more
  • the platinum thin film structure can be a
  • Temperature sensor / heater combination form
  • the method for producing a ceramic carrier according to claim 1 is based on removing the surface of the carrier at least in the region of the thin-film structure by etching, plasma ion etching and thereby smoothing it. Additionally or alternatively, the intermediate layer by a
  • Thin-film process in particular PVD or CVD method are applied to the surface of the carrier. Additionally or alternatively, the
  • wave-shaped conductor track by a thin-film method in particular PVD or CVD method or a lithographic method, are applied to the surface of the carrier.
  • FIG. 1 shows a section through a carrier according to an inventive
  • Figure 2 shows a section through a carrier after another
  • Embodiment of the invention the surface of which is structured as in Figure 1 and additionally coated with the platinum thin film structure;
  • Figure 3 is a plan view of the carrier of Figure 1;
  • Figure 4 shows a section through a carrier after another
  • Embodiment according to the invention in which an intermediate layer is arranged between the platinum thin-film structure and the carrier;
  • Figure 5 is a plan view of a wavy trace in comparison with a rectilinear trace
  • Figures 6a-6d are plan views of wavy tracks with different
  • Embodiment of the invention in which the platinum thin-film structure is protected with a cover layer, and
  • Embodiment of the invention are arranged.
  • FIG. 1 shows a section through a ceramic carrier according to FIG.
  • Ceramic support around an Al 2 0 3 support (alumina support).
  • the carrier serves as a substrate or as a ceramic substrate for a thin-film structure not shown in FIG.
  • Al 2 0 3 has proven, in particular with at least 96 weight percent and preferably over 99 weight percent Al 2 0 3rd
  • the carrier may be formed as platelets with a thickness in the range of 100 ⁇ to 1000 ⁇ , in particular 150 ⁇ to 650 ⁇ . Other platelet strengths are possible. With regard to the thermal response, the strength of the carrier should be as thin as possible.
  • the ceramic carrier may be formed as a rectangular plate. Other shapes of the carrier are possible.
  • the carrier according to Figure 1 is to reduce the mechanical stresses due to different thermal expansion coefficients of
  • the surface of the carrier is smoothed in the region of the thin-film structure.
  • the carrier is smoothed in the entire region of the thin-film structure, which is easy to realize in terms of production technology, or the carrier is partially smoothed in the region of the thin-film structure.
  • the smoothed surface 11 causes the adhesion of the thin film structure to be reduced so that it can slide on the surface 11 of the carrier to compensate for linear expansion differences.
  • the untreated surface areas ensure adhesion to the thin film structure.
  • Figure 1 An example of this is shown in Figure 1, in which the surface 11 has a strip-shaped depth profile which forms at least one recess 17, wherein the
  • the adhesion between the platinum thin-film structure shown in FIG. 2 and the carrier is reduced.
  • they may come off in the region of the depression 17.
  • the surface regions of the carrier adjoining the depression 17 are untreated, so that the roughness is higher in these regions than in the region of the depression 17.
  • the thus formed adhesive portions 16 cause a fixation of the platinum thin-film structure 10 between the sliding portions 15 and the recesses 17.
  • this dissolves in the region of the recess 17 and can stretch.
  • This change in the geometry of the platinum thin-film structure 10 together with the detachment from the carrier results in that deformation of the platinum thin-film structure 10 due to the different thermal expansion coefficients of the carrier and the structure 10 is largely avoided.
  • the detachment of the platinum thin-film structure 10 from the surface 11 is facilitated by the recess 17 having a trapezoidal cross-section.
  • the cross section is determined by two inclined flanks 18 which laterally delimit a bottom 19 of the recess 17.
  • the flanks 18 rise at an angle of 10 ° to 80 °, in particular from 45 ° to 60 °.
  • the angle is determined by a first imaginary plane passing through the base 19 and a second imaginary plane passing through the respective edge.
  • the depth of the recess 17 may be in the range of 0.4 ⁇ to 1.2 ⁇ , in particular in the range of 0.6 ⁇ to 1.0 ⁇ .
  • the width may be 5 ⁇ to 20 ⁇ , in particular 10 ⁇ to 15 ⁇ .
  • the strip-shaped depth profile has a plurality of parallel depressions 17 which extend along the surface 11 of the carrier.
  • the distance between the recesses 17 may be from 5 ⁇ to 20 ⁇ , in particular from 10 ⁇ to 15 ⁇ .
  • the depressions 17 are
  • the surface can be smoothed unprofiled. This means that the surface is smoothed evenly without forming a depth profile.
  • the smoothing can be done by removing the surface.
  • the removal can be done by ion etching, in particular plasma ion etching, with a removal depth of 0.2 ⁇ to 2 ⁇ .
  • the partial removal or the partial smoothing can be achieved by a resist mask which is applied before the ion etching and which comprises the
  • FIGS 2 and 3 show how the platinum thin film structure 10 conforms to the depth profile of the carrier.
  • Fig. 2 shows concretely that the shape of the depth profile is reflected in the shape of the platinum thin-film structure 10. Due to the method becomes a trapezoidal formation of the depth profiles achieved, avoiding the steps (stepless profiling).
  • the platinum thin-film structures 10 follow the depth profile over the entire substrate with an approximately constant layer thickness.
  • the track 13 may intersect the recess 17 at an angle in the range of 30 ° to 90 °.
  • FIG. 2 shows the layer structure above the platinum thin-film structure.
  • a first covering layer 14 a is applied, which serves to passivate the platinum thin-film structure 13.
  • a second cladding layer 14b is hermetically sealed, which hermetically seals the first cladding layer 14a.
  • FIG. 4 shows a further exemplary embodiment of the invention, in which an intermediate layer 12 is arranged between the carrier and the platinum thin-film structure 10.
  • the intermediate layer 12, also called interface layer, is formed from an electrically insulating metal oxide. This has the function of a buffer that absorbs the stresses caused by the mismatch and at least partially initiates the carrier.
  • the intermediate layer 12 has a larger thermal expansion coefficient than the ceramic carrier, in particular as Al 2 0 3 and can be up to 50% larger than the thermal
  • Coefficient of expansion is greater than the expansion coefficient of Al 2 O 3 at 6.5 * 10 -6 / K and platinum at 9.1 * 10 -6 / K.
  • magnesium oxide MgO
  • barium oxide BaO
  • a mixture of an electrically insulating metal oxide for example magnesium oxide and Al 2 O 3, may be used.
  • Expansion coefficient of the intermediate layer 12 changes depending on the Al 2 0 3 content.
  • a further embodiment in which the shape of the conductor track or the conductor tracks is modified is shown in FIGS. 5 and 6a-6d.
  • the underlying idea of this embodiment is based on the conductor 13 is not linear, as shown in Figure 5 above, but non-linear, in particular undulating, as shown in Figure 5 below, train.
  • the waveform extending in the lateral direction, ie along the surface 11 of the carrier, results in the length expansion differences of the platinum thin-film structures being divided into an X and Y component. It has been shown that this distribution has a positive effect on the stability of the platinum thin-film structures under strong thermal cycling loads.
  • the amplitude of the wave-shaped conductor 13 is from 0.2 * B to 2 * B, in particular from 0.4 * B to 1 * B.
  • the wavelength is from 3 * B to 10 * B, in particular from 4 * B to 7 * B.
  • B in this case means the width of the conductor 13.
  • the term amplitude or wavelength are usually those in the
  • the amplitude corresponds to the peak value relative to the zero line of the waveform.
  • the wavelength corresponds to a period of oscillation, also with reference to the zero line of the shaft.
  • the zero line is the symmetry axis in the wavelength direction.
  • the conductor track 13 may have a superordinate meandering shape which is to be distinguished from the wave shape of the conductor track 13.
  • the meandering shape of the conductor 13 forms a superstructure, which is superimposed by the waveform of the conductor 13.
  • the waveform of the trace 13 forms a substructure provided at least in the trace portions between the meandering arc (superstructure) arcs. It is also possible that the arches of the meandering shape itself are provided with in the substructure.
  • the term "arc” also means a rectangular directional change in the track, as shown in Figure 8.
  • the wave-shaped track 13 may also form the comb-like fingers of the electrode shown in Figure 8. In this case, the rectilinear finger shape forms the
  • FIGS. 6a to 6d show different geometries of the waveform, which are each juxtaposed to a rectilinear, wave-free conductor track, similar to FIG. 5.
  • FIG. 6a shows that the conductor track 13 takes the form of a Can have sine wave.
  • Figure 6b shows a wave-shaped conductor track 13, wherein the shaft is trapezoidal.
  • FIG. 6C shows a wave-shaped conductor track 13, wherein the shaft is trapezoidal.
  • the wave is sawtooth-shaped.
  • the change of direction of the conductor 13 takes place at an angle of 90 °.
  • FIG. 7 shows a further exemplary embodiment in which the first covering layer is modified by the addition of oxidic nanoparticles. This ensures that the volume of the first
  • Covering layer 14a changes, causing a reduction in resistance drift.
  • the first cover layer 14a is hermetically sealed by a second cover layer of glass.
  • Embodiment is shown in FIG 2. The combination of
  • the first capping layer 14a may be combined with the oxidic nanoparticles with all embodiments, because thereby the usually required passivation of the platinum thin film structure 10 can be made so that in addition to the passivation of the resistance drift is improved.
  • the first covering layer 14a is combined with the depth profile and the partially smoothed surface 11. It is also possible, as shown in Figure 4, the first cover layer 14a with the intermediate layer 12 to
  • the intermediate layer 12 may be used together with the wave-shaped conductor 13. It is also possible that
  • the carrier can be used to construct various sensors.
  • FIG. 1 Another example of the application of the invention is shown in FIG. 1
  • the sensor module forms a multi-sensor platform and has a carrier substrate 23.
  • the carrier substrate 23 may be modified according to one of the embodiments explained above. For example. can a strip-shaped depth profile (not shown) in
  • Support substrate may be formed. On the support substrate 23 is the
  • Intermediate layer 12 is arranged, which serves as a buffer for the arranged on the intermediate layer 12 platinum thin-film structure 10.
  • the platinum thin-film structure 10 may be a heater and / or sensor, each with contact terminals.
  • On the platinum structure 10 is an insulating layer
  • IDE Conductivity measurement
  • an active functional layer 22 which can be applied by the customer, for example.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Fluid Mechanics (AREA)
  • Measuring Volume Flow (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Resistance Heating (AREA)

Abstract

The present invention relates to a ceramic carrier, in particular an Al2O3 carrier, on which a thin-film structure (10) of platinum or a platinum alloy is arranged, wherein the carrier and/or the thin-film structure (10) are adapted in order to reduce mechanical stresses owing to different thermal expansion coefficients. The carrier and/or the thin-film structure (10) comprise the following: e) a surface (11) of the carrier in the region of the thin-film structure (10) is smoothed at least in sections to reduce the adhesion and/or f) a/the surface (11) of the carrier has an intermediate layer (12) on which the thin-film structure (10) is arranged, wherein the thermal expansion coefficient of the intermediate layer (12) is from 8*10-6/K to 16*10-6/K, in particular from 8.5*10-6/K to 14*10-6/K, and/or g) the thin-film structure (10) has at least one conductor path (13) that is undular at least in sections, said conductor path extending laterally along a/the surface (11) of the carrier, wherein the amplitude of the undular conductor path (13) is from 0.2*B to 2*B, in particular from 0.4*B to 1*B, and the wavelength of the undular conductor path (13) is from 3*B to 10*B, in particular from 4*B to 7*B, where "B" is the width of the conductor path (13), and/or h) a first coating (14a) is applied directly to the thin-film structure (10), said coating containing oxide nanoparticles, in particular of Al2O3 and/or MgO.

Description

Keramikträger sowie Sensorelement, Heizelement und Sensormodul jeweils mit einem Keramikträger und Verfahren zur Herstellung eines Keramikträgers  Ceramic carrier and sensor element, heating element and sensor module each with a ceramic carrier and method for producing a ceramic carrier
Beschreibung description
Die Erfindung bezieht sich auf einen Keramikträger, insbesondere auf einen Al203- Träger, der die Merkmale des Oberbegriffs des Anspruchs 1 aufweist. The invention relates to a ceramic carrier, in particular to an Al 2 0 3 - carrier, having the features of the preamble of claim 1.
Ein solcher Träger ist beispielsweise aus JP 59 065 216 A bekannt. Dieser Träger ist mit einer Dünnschichtstruktur aus Platin beschichtet und wird als Such a carrier is known for example from JP 59 065 216 A. This carrier is coated with a thin-film structure of platinum and is called
Strömungssensor zur Strömungsmessung verwendet. Flow sensor used for flow measurement.
Sensoren mit demselben Aufbauprinzip kommen in der Abgas-Sensorik als Sensors with the same design principle are used in the exhaust gas sensor technology
Temperaturmesssensoren zum Einsatz. Diese werden beispielsweise vor Diesel- Rußpartikelfiltern eingebaut, um die Abgastemperatur zur Regeneration der Filter zur erfassen. Dabei sind die Platin-Dünnschichtsensoren starken Temperature measuring sensors are used. These are installed, for example, before diesel particulate filters to detect the exhaust gas temperature for the regeneration of the filter. The platinum thin-film sensors are strong
Temperaturwechsel-Beanspruchungen ausgesetzt, die bei der Auslegung der Sensoren mit Blick auf die in der Automobilindustrie geforderte Lebensdauer berücksichtigt werden müssen. Dasselbe gilt für die Verwendung von Platin- Dünnschichtsensoren in der Automobilindustrie zur Überwachung des Zustandes von Motoröl, dessen tribologischen Eigenschaften stark von der Erwärmung abhängen. Für die Zustandsbestimmung des Motoröls ist die Summe der thermischen Belastungen eine entscheidende Messgröße, die durch Platin- Temperatursensoren ermittelt wird. Die Sensoren sind dabei vielen Temperature cycling stresses that must be taken into account when designing the sensors in view of the required service life in the automotive industry. The same applies to the use of platinum thin-film sensors in the automotive industry for monitoring the condition of engine oil, whose tribological properties are strongly dependent on heating. For the determination of the state of the engine oil, the sum of the thermal loads is a decisive parameter, which is determined by platinum temperature sensors. The sensors are many
Temperaturwechselzyklen, starken Vibrationsbelastungen sowie dem korrosiven Angriff des Messmediums ausgesetzt. Exposure cycles, strong vibration loads and the corrosive attack of the medium to be exposed.
Da sich der elektrische Widerstand eines Platinsensors exakt definiert mit der Temperatur ändert, kommt es zur Vermeidung von Messfehlern darauf an, andere Einflussgrößen, die den elektrischen Widerstand verändern, möglichst zu unterdrücken. Dieses Problem tritt bei starken Temperaturwechsel-Belastungen auf, wenn unterschiedliche Materialien gepaart werden, wie dies der Fall bei einem Keramikträger mit einer Platin-Dünnschichtstruktur ist. Die Since the electrical resistance of a platinum sensor changes exactly defined with the temperature, avoiding measuring errors, it is important to suppress as far as possible other factors that change the electrical resistance. This problem occurs with severe thermal cycling loads when mating different materials, as is the case with a ceramic substrate having a platinum thin film structure. The
unterschiedlichen Materialien weisen verschiedene Wärmeausdehnungskoeffizienten auf, was auch als Missmatch bezeichnet wird . Die unterschiedlichen thermischen Eigenschaften der Materialien fü hren bei Temperatu rwechsel- Beanspruchungen zur plastischen Verformung der Platinstrukturen und zum Wandern von Versetzungen im Gefüge. Dadurch ändern sich die different materials have different thermal expansion coefficients, which is also referred to as a mismatch. The different thermal properties of the materials lead to a change in tempera- Stresses on plastic deformation of platinum structures and migration of dislocations in the microstructure. This will change the
Materialeigenschaften. Die Folge hiervon sind Widerstandsdriften, also Material properties. The consequence of this are resistance drifts, ie
ungewollte, mechanisch bedingte Änderungen des Widerstandes. Bei starken mechanischen Spannungen in den Platinstrukturen können diese sogar beschädigt und unterbrochen werden. unwanted, mechanically induced changes in resistance. With strong mechanical stresses in the platinum structures, these can even be damaged and interrupted.
Man versucht diesem Problem bisher dadurch zu begegnen, dass Materialpaarungen verwendet werden, die ähnliche Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweisen. Beispielsweise werden Keramikträger aus Zirkoniumoxid in Verbindung mit Platin-Dünnschichtstrukturen eingesetzt. Diese haben jedoch den Nachteil, dass die so aufgebauten Bauelemente bei dem weiteren mechanischen Verbau auf Al203-Keramikhybridträgern oder -modulen bedingt durch die höhere Ausdehnung spätestens beim Abkühlen reißen und zerstört werden. To date, this problem has been addressed by using material pairings which have similar coefficients of thermal expansion. For example, zirconia ceramic supports are used in conjunction with platinum thin film structures. However, these have the disadvantage that the components thus constructed in the further mechanical shoring on Al 2 0 3 -Keramikhybridträgern or modules due to the higher extent tear at the latest during cooling and destroyed.
Bei dem eingangs genannten Stand der Technik wird ein anderer Weg In the above-mentioned prior art, another way
beschritten. Dabei wird versucht, durch eine Glasschicht zwischen dem Träger und der Platin-Dünnschicht thermisch bedingte Spannungen zu reduzieren. Ein derartig aufgebauter Sensor genügt nicht den von der Automobilindustrie geforderten hohen Anforderungen an die Stabilität und Haltbarkeit von trod. An attempt is made to reduce thermally caused stresses by means of a glass layer between the carrier and the thin platinum layer. Such a constructed sensor does not meet the high demands on the stability and durability required by the automotive industry
Dünnschichtsensoren. Thin film sensors.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zu Grunde, einen Keramikträger anzugeben, auf dem eine Dünnschichtstruktur aus Platin oder einer Platinlegierung angeordnet ist, wobei der Träger dahingehend verbessert ist, dass der Widerstandsdrift bei hohen Temperaturwechsel-Beanspruchungen verringert wird . Der Erfindung liegt ferner die Aufgabe zu Grunde, ein Sensorelement, ein Heizelement und ein Sensormodul mit einem derartigen Träger sowie ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Keramikträgers anzugeben. The invention has for its object to provide a ceramic support on which a thin-film structure of platinum or a platinum alloy is arranged, wherein the carrier is improved in that the resistance drift is reduced at high thermal cycling stresses. The invention is further based on the object to provide a sensor element, a heating element and a sensor module with such a carrier and a method for producing such a ceramic carrier.
Erfindungsgemäß wird die Aufgabe mit Blick auf den Keramikträger durch den Gegenstand des Anspruchs 1, mit Blick auf das Sensorelement, das Heizelement und das Sensormodul durch den Gegenstand des Anspruchs 16 und mit Blick auf das Verfahren durch den Gegenstand des Anspruchs 18 gelöst. According to the invention, the object with regard to the ceramic carrier by the subject of claim 1, with a view to the sensor element, the heating element and the sensor module by the subject of claim 16 and in view of the method by the subject of claim 18.
Die Erfindung beruht darauf, einen Keramikträger, insbesondere einen Al203- Träger anzugeben, auf dem eine Dünnschichtstruktur aus Platin oder einer Platinlegierung angeordnet ist. Der Träger und/oder die Dünnschichtstruktur sind zur Verringerung mechanischer Spannungen aufgrund unterschiedlicher thermischer Ausdehnu ngskoeffizienten angepasst. Dies wird erfindungsgemäß durch folgende Merkmale des Trägers erreicht, die jeweils für sich genommen den Widerstandsdrift verringern. Eine Kombination der Merkmale verstärkt diese Wirkung . The invention is based on a ceramic carrier, in particular an Al 2 0 3 - specify carrier on which a thin-film structure of platinum or a Platinum alloy is arranged. The carrier and / or the thin-film structure are adapted to reduce mechanical stresses due to different thermal expansion coefficients. This is inventively achieved by the following features of the carrier, each of which reduces the resistance drift. A combination of features enhances this effect.
Die nachfolgend angegebenen Merkmale verwirklichen jeweils den The following features each realize the
Grundgedanken, mechanische Spannungen in der Dünnschichtstruktur aufgrund der unterschiedlichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten zwischen dem Träger und der Dünnschichtstruktur zu verringern oder abzubauen. Dazu wird eine zumindest abschnittsweise relative Bewegung zwischen dem Träger und der Dünnschichtstruktur zugelassen und/oder die Dünnschichtstruktur so modifiziert, dass Unterschiede in der thermisch bedingten Materialausdehnung kompensiert werden, so dass in der Dünnschichtstruktur möglichst geringe mechanische Spannungen induziert werden. The basic idea is to reduce or reduce mechanical stresses in the thin-film structure due to the different thermal expansion coefficients between the carrier and the thin-film structure. For this purpose, an at least partially relative movement between the carrier and the thin-film structure is permitted and / or the thin-film structure is modified so that differences in the thermally induced material expansion are compensated, so that the lowest possible mechanical stresses are induced in the thin-film structure.
Konkret wird dies im Rahmen der Erfindung dadurch erreicht, dass die Oberfläche des Trägers im Bereich der Dünnschichtstruktur zur Verringerung der Haftung zumindest abschnittsweise geglättet ist (Merkmal a). Specifically, this is achieved in the context of the invention in that the surface of the support in the region of the thin-film structure is at least partially smoothed to reduce the adhesion (feature a).
Durch die Verringerung der Rauhigkeit haftet die Dünnschichtstruktur weniger stark an der Trägeroberfläche, wodurch eine Relativbewegung zwischen Träger und Dünnschichtstruktur ermöglicht wird. Die dadurch erreichte mechanische Entkopplung verringert das Risiko einer plastischen Verformung der By reducing the roughness, the thin-film structure adheres less strongly to the carrier surface, whereby a relative movement between the carrier and the thin-film structure is made possible. The resulting mechanical decoupling reduces the risk of plastic deformation of the
Dünnschichtstruktur auf Grund der unterschiedlichen Ausdehnung zwischen Träger und Dünnschichtstruktur. Thin-film structure due to the different expansion between carrier and thin-film structure.
Zusätzlich oder alternativ weist die Oberfläche des Trägers eine Zwischenschicht auf, auf der die Dünnschichtstruktur angeordnet ist. Der thermische Additionally or alternatively, the surface of the carrier has an intermediate layer on which the thin-film structure is arranged. The thermal
Ausdehnungskoeffizient der Zwischenschicht beträgt von 8* 10"6/K bis 16* 10"6/K, insbesondere von 8,5* 10"6/K bis 14* 10"6/K (Merkmal b). Expansion coefficient of the intermediate layer is from 8 * 10 "6 / K to 16 * 10 " 6 / K, in particular from 8.5 * 10 "6 / K to 14 * 10 " 6 / K (feature b).
Es hat sich gezeigt, dass sich durch die Einstellung des thermischen It has been shown that by adjusting the thermal
Ausdehnungskoeffizienten der Zwischenschicht in dem vorstehend genannten Bereich eine optimale Verbindung zwischen dem Keramikträger und der Platin- Dünnschichtstruktur erreichen erlässt, die selbst bei häufigen Temperaturwechselzyklen nicht zu einer signifikanten Verformung der Platin- Dünnschichtstruktur führt. Die Zwischenschicht schafft somit einen wirksamen Übergang vom Träger auf die Platin-Dünnschichtstruktur, der als Puffer wirkt und einen Teil der mechanischen Spannungen absorbiert. Expansion coefficient of the intermediate layer in the aforementioned range can achieve an optimal connection between the ceramic substrate and the platinum thin-film structure, even with frequent Thermal cycling does not lead to a significant deformation of the platinum thin-film structure. The intermediate layer thus provides an efficient transfer from the support to the platinum thin film structure which acts as a buffer and absorbs some of the mechanical stresses.
Zusätzlich oder alternativ weist die Dünnschichtstruktur wenigstens eine zumindest abschnittsweise wellenförmige Leiterbahn auf, die sich lateral entlang der Oberfläche des Trägers erstreckt (Merkmal c). Die Wellenform der Leiterbahn erstreckt sich in einer Ebene, die parallel zur Oberfläche des Trägers verläuft. Die Wellenform ist somit lateral und nicht in Tiefenrichtung, d.h. in die Oberfläche des Trägers hinein gebildet. Der Wellenform kann sich in ein und derselben Ebene parallel zur Oberfläche des Trägers erstrecken. Dies ist der Fall, wenn die Additionally or alternatively, the thin-film structure has at least one at least sectionally wave-shaped conductor track which extends laterally along the surface of the carrier (feature c). The waveform of the trace extends in a plane parallel to the surface of the carrier. The waveform is thus lateral and not in the depth direction, i. formed in the surface of the carrier inside. The waveform may extend in one and the same plane parallel to the surface of the carrier. This is the case when the
Oberfläche des Trägers unprofiliert, d.h. durchgehend gerade ist. Es ist auch möglich, dass die laterale Wellenform mit einer weiteren Wellenform in Surface of the carrier unprofiled, i. is straight all the time. It is also possible for the lateral waveform to have another waveform in
Tiefenrichtung des Trägers überlagert ist. Dies ergibt sich bspw. durch die Kombination mit dem weiter unten beschriebenen Tiefenprofil. Die Depth direction of the carrier is superimposed. This results, for example, by the combination with the depth profile described below. The
Hauptorientierung der Wellenform verläuft in lateraler Richtung. Main orientation of the waveform is in the lateral direction.
Die Amplitude der wellenförmigen Leiterbahn beträgt von 0,2*B bis 2*B, insbesondere von 0,4*B bis 1*B. Die Wellenlänge der wellenförmigen Leiterbahn beträgt von 3*B bis 10*B, insbesondere von 4*B bis 7*B.„B" ist dabei jeweils die Breite der Leiterbahn. The amplitude of the wave-shaped track is from 0.2 * B to 2 * B, in particular from 0.4 * B to 1 * B. The wavelength of the wave-shaped interconnect is from 3 * B to 10 * B, in particular from 4 * B to 7 * B. "B" is in each case the width of the interconnect.
Die wellenförmige Leiterbahn baut durch ihre Geometrie mechanische The wave-shaped track builds mechanical through its geometry
Spannungen ab, die durch die unterschiedliche Ausdehnung des Trägers und der Dünnschichtstruktur in der Dünnschichtstruktur erzeugt werden. Insgesamt kommt es zu einer geringeren Verformung der wellenförmigen Leiterbahn im Unterschied zu einer geraden, d.h. nicht wellenförmigen Leiterbahn. Durch die Geometrie der Wellenform lässt sich die Spannungskonzentration in der Strains that are generated by the different extent of the carrier and the thin-film structure in the thin-film structure. Overall, there is a lower deformation of the wavy strip as opposed to a straight, i. not wavy trace. Due to the geometry of the waveform, the stress concentration in the
Leiterbahn gezielt beeinflussen. Targeted track.
Zusätzlich oder alternativ ist eine erste Abdeckschicht auf der Additionally or alternatively, a first cover layer on the
Dünnschichtstruktur aufgebracht, die oxydische Nanopartikel, insbesondere aus AL203 und/oder MgO, enthält (Merkmal d). Thin-film structure applied, the oxidic nanoparticles, in particular of AL 2 0 3 and / or MgO, contains (feature d).
Die erste Abdeckschicht bildet eine Passivierungsschicht und schützt die Platin- Dünnschichtstruktur. Die oxydischen Nanopartikel bewirken eine Volumenänderung der Abdeckschicht im Fall eines Temperaturwechsels, der an die Ausdehnung der Platin-Dünnschichtstruktur angepasst ist. The first cover layer forms a passivation layer and protects the platinum thin film structure. The oxidic nanoparticles cause a Volume change of the cover layer in the case of a temperature change, which is adapted to the expansion of the platinum thin-film structure.
Es hat sich gezeigt, dass die folgenden Kombinationen der Merkmale a, b, c, d das Widerstandsdriften wirkungsvoll verringern. Andere Merkmalskombinationen, die sich aus Anspruch 1 ergeben, sind nicht ausgeschlossen. It has been found that the following combinations of features a, b, c, d effectively reduce drag drift. Other combinations of features resulting from claim 1 are not excluded.
- Merkmal d mit jeweils einem der Merkmale a, b, c; Feature d, each with one of the features a, b, c;
- Merkmale a und c und d;  Features a and c and d;
- Merkmale b und c und d;  Features b and c and d;
- Merkmale a und b und c und d;  Features a and b and c and d;
Bei einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung bildet die Oberfläche im Bereich der Dünnschichtstruktur wenigstens einen Gleitabschnitt und wenigstens einen Haftabschnitt. Im Bereich des Haftabschnitts ist die Rauhigkeit der In a preferred embodiment of the invention, the surface in the region of the thin-film structure forms at least one sliding section and at least one adhesive section. In the area of the adhesion section, the roughness of the
Oberfläche des Trägers höher als im Bereich des Gleitabschnitts. Mit anderen Worten ist der Gleitabschnitt geglättet. Der Haftabschnitt ist ungeglättet oder weniger stark geglättet als der Gleitabschnitt. Surface of the carrier higher than in the region of the sliding section. In other words, the sliding portion is smoothed. The adhesive portion is unsmoothed or less smooth than the sliding portion.
Dies hat den Vorteil, dass die gute Haftung der unbehandelten Oberfläche in unkritischen Bereichen der Dünnschichtstruktur bestehen bleibt (Haftabschnitt) und in Bereichen, in denen sich große Spannungen bei Temperaturwechseln einstellen, die Haftung gezielt verringert wird (Gleitabschnitt). Im Extremfall kommt es im Bereich des Gleitabschnitts zu einer relativen Bewegung zwischen der Oberfläche des Trägers und der Dünnschichtstruktur. Im Bereich des This has the advantage that the good adhesion of the untreated surface remains in noncritical regions of the thin-film structure (adhesive section) and in areas in which large stresses occur during temperature changes, the adhesion is deliberately reduced (sliding section). In extreme cases, in the area of the sliding section, there is a relative movement between the surface of the carrier and the thin-film structure. In the area of
Haftabschnitts bzw. der Haftabschnitte bleibt die Dünnschichtstruktur mit der Oberfläche des Trägers verbunden. Damit ist die Dünnschichtstruktur Adhesive portion or the adhesive portions, the thin-film structure remains connected to the surface of the carrier. This is the thin-film structure
abschnittsweise am Träger fixiert und abschnittsweise vom Träger insofern entkoppelt, als Relativbewegungen zwischen Oberfläche des Trägers und der Dünnschichtstruktur zugelassen werden. Sectionally fixed to the carrier and partially decoupled from the carrier insofar as relative movements between the surface of the carrier and the thin-film structure are allowed.
Alternativ kann die Oberfläche im gesamten Bereich der Dünnschichtstruktur geglättet sein. Diese Variante hat den Vorteil der einfachen Herstellung. Die Fixierung der Dünnschichtstruktur ist ausreichend gegeben, weil es auf Grund der im Betrieb typischerweise auftretenden inhomogenen Temperaturverteilung zu lokalen thermisch bedingten Spannungen kommt und Abschnitte der Alternatively, the surface may be smoothed over the entire area of the thin film structure. This variant has the advantage of easy production. The fixation of the thin-film structure is sufficiently given, because it comes to local thermally induced stresses due to the inhomogeneous temperature distribution typically occurring during operation and sections of the
Dünnschichtstruktur unterschiedlich stark belastet werden. Vorzugsweise weist die Oberfläche im Bereich der Dünnschichtstruktur ein, insbesondere streifenförmiges, Tiefenpofil auf, das wenigstens eine Vertiefung bildet, wobei die Oberfläche der Vertiefung geglättet ist. Die Oberfläche der Vertiefung weist eine geringere Rauhigkeit als die Oberfläche der höher gelegenen Bereiche des Tiefenprofils, bspw. der unprofilierten Thin-film structure are subjected to different levels of stress. Preferably, the surface in the region of the thin-film structure has a, in particular strip-shaped, depth profile, which forms at least one depression, the surface of the depression being smoothed. The surface of the depression has a lower roughness than the surface of the higher-lying regions of the depth profile, for example the unprofiled one
Oberflächenbereiche des Trägers auf. Surface areas of the carrier.
Dadurch wird erreicht, dass sich die Dünnschichtstruktur bei einer Ausdehnung aus der Vertiefung lösen kann. Damit wird die Dünnschichtstruktur mechanisch teilweise vom Träger entkoppelt. Außerdem kann sich die Dünnschichtstruktur im Bereich der Vertiefung beim Ablösen strecken und verändert so ihre Geometrie, so dass dadurch mechanische Spannungen in der Dünnschichtstruktur verringert werden. It is thereby achieved that the thin-film structure can be released from the depression when it expands. Thus, the thin-film structure is partially mechanically decoupled from the carrier. In addition, the thin-film structure in the region of the depression can expand upon detachment, thereby changing its geometry, thereby reducing mechanical stresses in the thin-film structure.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform ist wenigstens eine Leiterbahn der Dünnschichtstruktur in einem Winkel, insbesondere im Bereich von 30° bis 90°, zu dem streifenförmigen Tiefenprofil angeordnet. Diese Ausführungen bewirkt einen wirksamen Ausdehnungsausgleich im Zusammenhang mit einer typischen Leiterbahnstruktur. Bei mäandrierenden Leiterbahnen kreuzen diese das streifenförmige Tiefenprofil mehrfach, so dass der Ausdehnungsausgleich an mehreren Stellen der Leiterbahn zum Tragen kommt. Dies gilt auch für Träger mit mehreren einzelnen Leiterbahnen. In a preferred embodiment, at least one conductor track of the thin-film structure is arranged at an angle, in particular in the range of 30 ° to 90 °, to the strip-shaped depth profile. These embodiments provide effective expansion compensation in the context of a typical trace structure. In meandering strip conductors, these intersect the strip-shaped depth profile several times, so that the expansion compensation comes into play at several points of the strip conductor. This also applies to carriers with several individual tracks.
Die Vertiefung kann einen trapezförmigen Querschnitt mit zwei geneigten Flanken und einem Grund zwischen den Flanken aufweisen. Die beiden Flanken begrenzen seitlich den Grund der Vertiefung. Wenigstens eine, insbesondere beide Flanken steigen unter einem Winkel von 10° bis 80°, insbesondere von 45° bis 60° bezogen auf den Grund an. Der Winkel wird zwischen einer imaginären Ebene, die der Grund aufspannt, und einer weiteren imaginären Ebene gemessen, die die betreffende Flanke definiert. Diese Ausführung hat den Vorteil, dass sich die Dünnschichtstruktur leicht aus der Vertiefung lösen kann. Dies liegt an den geneigten Wänden bzw. Flanken der Vertiefung. Vorzugsweise sind die Flanken und der Grund der Vertiefung geglättet. Dadurch wird die Ablösung weiter erleichtert. Vorzugsweise weist die Vertiefung eine Tiefe von 0,4 μιτι bis 1,2 μιτι, The recess may have a trapezoidal cross-section with two inclined flanks and a bottom between the flanks. The two flanks laterally delimit the bottom of the depression. At least one, in particular both flanks rise at an angle of 10 ° to 80 °, in particular from 45 ° to 60 ° relative to the ground. The angle is measured between an imaginary plane that spans the ground and another imaginary plane that defines that edge. This embodiment has the advantage that the thin-film structure can be easily detached from the depression. This is due to the inclined walls or flanks of the recess. Preferably, the flanks and the bottom of the depression are smoothed. As a result, the replacement is further facilitated. Preferably, the recess has a depth of 0.4 μιτι to 1.2 μιτι,
insbesondere von 0,6 μιτι bis 1,0 μιτι und/oder eine Breite von 5 μιτι bis 20 μιτι, insbesondere von 10 μιτι bis 15 μιτι auf. Die Dimensionen der Vertiefung werden u.a. in Abhängigkeit von der jeweiligen Schichtdicke der Struktur gewählt. in particular from 0.6 μιτι to 1.0 μιτι and / or a width of 5 μιτι to 20 μιτι, in particular from 10 μιτι to 15 μιτι on. The dimensions of the recess are u.a. chosen depending on the respective layer thickness of the structure.
Das streifenförmige Tiefenprofil kann mehrere parallele Vertiefungen aufweisen, wobei der Abstand zwischen den Vertiefungen jeweils von 5 μιτι bis 20 μιτι, insbesondere von 10 μιτι bis 15 μιτι beträgt. Die einzelne Leiterbahn oder mehrere Leiterbahnen schneiden die parallelen Vertiefungen, so dass der The strip-shaped depth profile may have a plurality of parallel depressions, wherein the distance between the wells in each case from 5 μιτι to 20 μιτι, in particular from 10 μιτι to 15 μιτι. The single trace or multiple traces cut the parallel recesses so that the
Ausdehnungsausgleich entlang der Länge der Leiterbahn bzw. Leiterbahnen mehrfach erfolgt. Dadurch wird der Vorteil der Verringerung des Expansion compensation along the length of the conductor or conductor tracks takes place several times. This will have the advantage of reducing the
Widerstandsdrifts entlang der gesamten Leiterbahn und/oder in besonders kritischen Leiterbahnenabschnitten erreicht. Resistance drifts along the entire track and / or achieved in particularly critical trace sections.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform ist der thermische In a preferred embodiment, the thermal
Ausdehnungskoeffizient der Zwischenschicht maximal um den Faktor 1,5 größer als der thermische Ausdehnungskoeffizient der Dünnschichtstruktur. Es hat sich bewährt, die Obergrenze des thermischen Ausdehnungskoeffizienten der Expansion coefficient of the intermediate layer at most by a factor of 1.5 greater than the thermal expansion coefficient of the thin-film structure. It has been proven, the upper limit of the thermal expansion coefficient of
Zwischenschicht zu begrenzen, um die Pufferwirkung der Zwischenschicht zu optimieren. Limit intermediate layer to optimize the buffering effect of the intermediate layer.
Die Dicke der Zwischenschicht kann von 0,2 μιτι bis 3 μιτι, insbesondere von 1 μιτι bis 2,2 μιτι betragen. Diese Dickenbereiche haben sich in der Praxis bewährt. The thickness of the intermediate layer may be from μιτι 0.2 μιτι to 3 μιτι, in particular from 1 μιτι to 2.2 μιτι. These thickness ranges have proven themselves in practice.
Die Zwischenschicht kann wenigstens ein elektrisch isolierendes Metalloxid enthalten. Insbesondere kann die Zwischenschicht vollständig aus einem elektrisch isolierenden Metalloxid bestehen. Da das Metalloxid elektrisch isoliert ist, können durchgehende Bereiche des Trägers mit dem Metalloxid als The intermediate layer may contain at least one electrically insulating metal oxide. In particular, the intermediate layer may consist entirely of an electrically insulating metal oxide. Since the metal oxide is electrically isolated, continuous regions of the support with the metal oxide as
Zwischenschicht beschichtet werden, ohne dass dadurch die Funktion der Platin- Dünnschichtstruktur beeinträchtigt wird. Intermediate layer are coated, without affecting the function of the platinum thin-film structure is impaired.
Bei einer besonders bevorzugten Ausführungsform enthält die Zwischenschicht MgO und/oder BaO. Die Zwischenschicht kann vollständig aus MgO und/oder BaO und unvermeidbaren Verunreinigung bestehen. Alternativ kann die In a particularly preferred embodiment, the intermediate layer contains MgO and / or BaO. The intermediate layer may consist entirely of MgO and / or BaO and unavoidable impurity. Alternatively, the
Zwischenschicht eine Mischung aus wenigstens einem elektrisch isolierenden Metalloxid und Al203 enthalten oder aus einer solchen Mischung vollständig bestehen. Das Metalloxid der Mischung kann MgO und/oder BaO sein. Die Mischung mit Al203 hat den Vorteil, dass der thermische Ausdehnungskoeffizient der Zwischenschicht durch Einstellen des Al203-Gehaltes variiert und so optimal an die jeweilige Materialpaarung des Trägers und der Platin-Dünnschichtstruktur sowie an die thermischen und mechanischen Anforderungen angepasst werden kann. Intermediate layer containing a mixture of at least one electrically insulating metal oxide and Al 2 0 3 or completely consist of such a mixture. The metal oxide of the mixture may be MgO and / or BaO. The Blending with Al 2 0 3 has the advantage that the thermal expansion coefficient of the intermediate layer by adjusting the Al 2 0 3 content varies and so can be optimally adapted to the respective material pairing of the carrier and the platinum thin-film structure and to the thermal and mechanical requirements ,
Bei einer weiteren, besonders bevorzugten Ausführungsform weist die In a further, particularly preferred embodiment, the
wellenförmige Leiterbahn mehrere lateral entlang der Oberfläche sich wavy trace several lateral along the surface itself
erstreckende Bögen auf, wobei eine wellenförmige Substruktur wenigstens in den Leiterbahnenabschnitten zwischen den Bögen ausgebildet ist. Alternativ kann die wellenförmige Leiterbahn mehrere kammartig angeordnete Finger einer Elektrode bilden. extending arcs, wherein a wave-shaped substructure is formed at least in the conductor track portions between the sheets. Alternatively, the wave-shaped conductor can form a plurality of comb-like fingers of an electrode.
Bei einem typischen Sensorelement, bspw. zur Temperaturmessung, ist die Leiterbahnenanordnung mäanderförmig aufgebaut. Die Mäanderform der In a typical sensor element, for example for temperature measurement, the strip conductor arrangement is constructed meander-shaped. The meandering form of
Leiterbahn bildet eine Überstruktur. Die Wellenform der Leiterbahn bildet eine Substruktur, die in die Überstruktur integriert ist und sich entlang der Ladder forms a superstructure. The waveform of the trace forms a substructure that is integrated into the superstructure and extends along the
Leiterbahnenabschnitte zwischen den Bögen der Überstruktur erstreckt. Die Ausbildung der Substruktur und deren Wirkung auf den Widerstandsdrift ist im Wesentlichen unabhängig von der Ausbildung der Überstruktur. Insofern ist der Begriff„Bögen" weit zu verstehen und kann abgerundete oder rechteckige Richtungsänderungen der Leiterbahnen umfassen. Strip sections extends between the arches of the superstructure. The formation of the substructure and its effect on the resistance drift is essentially independent of the formation of the superstructure. In this respect, the term "bows" is to be understood broadly and may include rounded or rectangular changes in direction of the tracks.
Die wellenförmige Leiterbahn kann in der Form einer Sinuswelle und/oder einer sägezahnförmigen Welle und/oder einer trapezvermögen Welle ausgebildet sein. Die unterschiedliche Geometrie der Wellen wirkt sich auf die The wave-shaped conductor track may be in the form of a sine wave and / or a saw-toothed wave and / or a trapezoidal wave. The different geometry of the waves affects the
Spannungskonzentrationsverteilung in der Leiterbahn bei Temperaturwechsel- Belastungen aus. Die Geometriewahl erfolgt unter Berücksichtigung der jeweiligen Einsatzbedingungen des Trägers. Stress concentration distribution in the trace at temperature cycling loads off. The choice of geometry takes place taking into account the respective conditions of use of the carrier.
Die erste Abdeckschicht kann durch eine zweite Abdeckschicht, insbesondere aus Glas, hermetisch versiegelt sein. Dadurch wird die erste Abdeckschicht bzw. die gesamte Platin-Dünnschichtstruktur gegen den korrosiven Angriff des The first cover layer may be hermetically sealed by a second cover layer, in particular of glass. Thereby, the first cover layer or the entire platinum thin-film structure against the corrosive attack of
Messmediums sicher geschützt. Measuring medium safely protected.
Der Träger ist in ein Sensorelement oder Heizelement oder in ein Sensormodul integriert. Als Sensorelement kommen beispielsweise Temperatursensorelemente, Strömungssensoren, Ruß-Sensoren und dergleichen infrage. Der erfindungsgemäße Träger kann Bestandteil eines Heizelementes sein. The carrier is integrated in a sensor element or heating element or in a sensor module. As a sensor element, for example, temperature sensor elements, Flow sensors, soot sensors and the like in question. The carrier according to the invention may be part of a heating element.
Sensormodule sind multifunktional aufgebaute Grundbausteine auf der Basis von Platin-Dünnschichttechnologie. Sie bestehen beispielsweise aus Sensor/Heizer- Kombinationen und applikationsspezifisch strukturierten Elektroden. Auf die Elektroden können kundenseitig sensitive Schichten appliziert werden. Sensor modules are multifunctional basic building blocks based on platinum thin-film technology. They consist, for example, of sensor / heater combinations and application-specific structured electrodes. Customer-sensitive layers can be applied to the electrodes.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform des Sensormoduls sind verschiedene Sensorstrukturen auf dem Träger angeordnet. Dabei kann die In a preferred embodiment of the sensor module, various sensor structures are arranged on the carrier. It can the
Dünnschichtstruktur aus Platin oder der Platinlegierung wenigstens eine Thin-film structure of platinum or platinum alloy at least one
Sensorstruktur und eine Elektrodenstruktur wenigstens eine weitere Sensor structure and an electrode structure at least one more
Sensorstruktur bilden. Konkret kann die Platin-Dünnschichtstruktur eine Form sensor structure. Concretely, the platinum thin film structure can be a
Temperatursensor/Heizer-Kombination bilden. Temperature sensor / heater combination form.
Das Verfahren zur Herstellung eines Keramikträger nach Anspruch 1 beruht darauf, die Oberfläche des Trägers zumindest im Bereich der Dünnschichtstruktur durch Ätzen, besondere Plasma-Ionenätzen abzutragen und dadurch zu glätten. Zusätzlich oder alternativ kann die Zwischenschicht durch ein The method for producing a ceramic carrier according to claim 1 is based on removing the surface of the carrier at least in the region of the thin-film structure by etching, plasma ion etching and thereby smoothing it. Additionally or alternatively, the intermediate layer by a
Dünnschichtverfahren, insbesondere PVD- oder CVD-Verfahren auf die Oberfläche des Trägers aufgebracht werden. Zusätzlich oder alternativ kann die Thin-film process, in particular PVD or CVD method are applied to the surface of the carrier. Additionally or alternatively, the
wellenförmige Leiterbahn durch ein Dünnschichtverfahren, insbesondere PVD- oder CVD-Verfahren oder ein Lithographieverfahren, auf die Oberfläche des Trägers aufgebracht werden. wave-shaped conductor track by a thin-film method, in particular PVD or CVD method or a lithographic method, are applied to the surface of the carrier.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand von Ausführungsbeispielen unter Bezug auf die beigefügten Zeichnungen mit weiteren Einzelheiten näher erläutert. The invention will be explained in more detail by means of embodiments with reference to the accompanying drawings with further details.
In diesen zeigen in schematischer Weise In these show in a schematic way
Figur 1 einen Schnitt durch einen Träger nach einem erfindungsgemäßen 1 shows a section through a carrier according to an inventive
Ausführungsbeispiel, bei dem die Oberfläche durch ein Tiefenprofil strukturiert ist;  Embodiment in which the surface is structured by a depth profile;
Figur 2 einen Schnitt durch einen Träger nach einem weiteren Figure 2 shows a section through a carrier after another
erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiel, dessen Oberfläche wie in Figur 1 strukturiert und zusätzlich mit der Platin-Dünnschichtstruktur beschichtet ist; Figur 3 eine Draufsicht auf den Träger gemäß Figur 1; Embodiment of the invention, the surface of which is structured as in Figure 1 and additionally coated with the platinum thin film structure; Figure 3 is a plan view of the carrier of Figure 1;
Figur 4 einen Schnitt durch einen Träger nach einem weiteren Figure 4 shows a section through a carrier after another
erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiel, bei dem zwischen der Platin- Dünnschichtstruktur und dem Träger eine Zwischenschicht angeordnet ist;  Embodiment according to the invention, in which an intermediate layer is arranged between the platinum thin-film structure and the carrier;
Figur 5 eine Draufsicht auf eine wellenförmige Leiterbahn im Vergleich mit einer geradlinigen Leiterbahn; Figure 5 is a plan view of a wavy trace in comparison with a rectilinear trace;
Figuren 6a-6d Draufsichten auf wellenförmige Leiterbahnen mit unterschiedlichen Figures 6a-6d are plan views of wavy tracks with different
Geometrien;  geometries;
Figur 7 einen Schnitt durch einen Träger nach einem weiteren 7 shows a section through a carrier after another
erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiel, bei dem die Platin- Dünnschichtstruktur mit einer Abdeckschicht geschützt ist, und  Embodiment of the invention, in which the platinum thin-film structure is protected with a cover layer, and
Figur 8 eine Explosivdarstellung eines Sensormoduls mit verschiedenen 8 shows an exploded view of a sensor module with different
Dünnschichtstrukturen, die auf einem Träger nach einem  Thin film structures on a support after a
erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiel angeordnet sind.  Embodiment of the invention are arranged.
Figur 1 zeigt einen Schnitt durch einen Keramikträger nach einem FIG. 1 shows a section through a ceramic carrier according to FIG
erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiel. Konkret handelt es sich bei dem inventive embodiment. Specifically, it is the
Keramikträger um einen Al203-Träger (Aluminiumoxid-Träger). Der Träger dient als Substrat bzw. als keramische Unterlage für eine in Figur 1 nicht dargestellte Dünnschichtstruktur. Als Material für den keramischen Träger hat sich Al203 bewährt, insbesondere mit mindestens 96 Gewichtsprozent und vorzugsweise über 99 Gewichtsprozent Al203. Der Träger kann als Plättchen mit einer Dicke im Bereich von 100 μιτι bis 1000 μιτι, insbesondere 150 μιτι bis 650 μιτι ausgebildet sein. Andere Plättchenstärken sind möglich. In Hinblick auf das thermische Ansprechverhalten sollte die Stärke des Trägers möglichst dünn gewählt sein. Die mechanische Stabilität des Trägers gerade bei Anwendungen im Ceramic support around an Al 2 0 3 support (alumina support). The carrier serves as a substrate or as a ceramic substrate for a thin-film structure not shown in FIG. As the material for the ceramic support Al 2 0 3 has proven, in particular with at least 96 weight percent and preferably over 99 weight percent Al 2 0 3rd The carrier may be formed as platelets with a thickness in the range of 100 μιτι to 1000 μιτι, in particular 150 μιτι to 650 μιτι. Other platelet strengths are possible. With regard to the thermal response, the strength of the carrier should be as thin as possible. The mechanical stability of the carrier just in applications in the
Automobilbereich, bei denen es häufig zu starken Vibrationsbelastungen kommt, bestimmt die Untergrenze der Plättchenstärke. Der Keramikträger kann als rechteckiges Plättchen ausgebildet sein. Andere Formen des Trägers sind möglich. Die vorstehenden Ausführungen zur allgemeinen Form des Trägers bzw. zur Materialzusammensetzung gelten allgemein für die Erfindung und werden im Zusammenhang mit allen Ausführungsbeispielen offenbart. Automotive sector, where there are often strong vibration loads, determines the lower limit of platelet strength. The ceramic carrier may be formed as a rectangular plate. Other shapes of the carrier are possible. The above statements on the general form of the carrier or the material composition apply generally to the invention and are disclosed in connection with all embodiments.
Der Träger gemäß Figur 1 ist zur Verringerung der mechanischen Spannungen aufgrund unterschiedlicher thermischer Ausdehnungskoeffizienten der The carrier according to Figure 1 is to reduce the mechanical stresses due to different thermal expansion coefficients of
verwendeten Materialien angepasst. Dazu ist die Oberfläche des Trägers im Bereich der Dünnschichtstruktur geglättet. Hierbei bestehen zwei Möglichkeiten. Entweder ist der Träger im gesamten Bereich der Dünnschichtstruktur geglättet, was herstellungstechnisch einfach zu realisieren ist, oder der Träger ist partiell im Bereich der Dünnschichtstruktur geglättet. adapted materials used. For this purpose, the surface of the carrier is smoothed in the region of the thin-film structure. There are two possibilities. Either the carrier is smoothed in the entire region of the thin-film structure, which is easy to realize in terms of production technology, or the carrier is partially smoothed in the region of the thin-film structure.
Die geglättet Oberfläche 11 bewirkt, dass die Haftung der Dünnschichtstruktur verringert wird, so dass diese auf der Oberfläche 11 des Trägers gleiten kann, um Längenausdehnungsunterschiede auszugleichen. Wenn die Oberfläche 11 nur partiell in den kritischen Bereichen geglättet ist, stellen die unbehandelten Oberflächenbereiche die Haftung für die Dünnschichtstruktur sicher. Ein Beispiel hierfür ist in Figur 1 dargestellt, bei dem die Oberfläche 11 ein streifenförmiges Tiefenprofil aufweist, das wenigstens eine Vertiefung 17 bildet, wobei die The smoothed surface 11 causes the adhesion of the thin film structure to be reduced so that it can slide on the surface 11 of the carrier to compensate for linear expansion differences. When the surface 11 is only partially flattened in the critical areas, the untreated surface areas ensure adhesion to the thin film structure. An example of this is shown in Figure 1, in which the surface 11 has a strip-shaped depth profile which forms at least one recess 17, wherein the
Oberfläche 11 der Vertiefung 17 geglättet ist. Die Bereiche der Oberfläche 11, die unmittelbar an die Vertiefung 17 beidseitig angrenzen, sind unbehandelt. Dadurch bildet die Oberfläche 11 des Trägers einen Gleitabschnitt 15 im Bereich der Vertiefung 17, der jeweils von einem Haftabschnitt 16 seitlich begrenzt ist. Der Haftabschnitt 16 ist durch die an die Vertiefung 17 angrenzenden Surface 11 of the recess 17 is smoothed. The areas of the surface 11, which adjoin the depression 17 on both sides directly, are untreated. As a result, the surface 11 of the carrier forms a sliding portion 15 in the region of the recess 17, which is bounded laterally by an adhesive portion 16. The adhesive portion 16 is adjacent to the recess 17 by the
Oberflächenbereiche gebildet. Surface areas formed.
Im Bereich des Gleitabschnitts 15 bzw. der Vertiefung 17 ist die Haftung zwischen der in Figur 2 dargestellten Platin-Dünnschichtstruktur und dem Träger verringert. Dadurch kann es bei einer Längenausdehnung der Platin- Dünnschichtstruktur 10 zum Ablösen derselben im Bereich der Vertiefung 17 kommen. Die an die Vertiefung 17 angrenzenden Oberflächenbereiche des Trägers sind unbehandelt, so dass in diesen Bereichen die Rauhigkeit höher als im Bereich der Vertiefung 17 ist. Die so gebildeten Haftabschnitte 16 bewirken eine Fixierung der Platin-Dünnschichtstruktur 10 zwischen den Gleitabschnitten 15 bzw. den Vertiefungen 17. Bei einer Längenausdehnung der Platin- Dünnschichtstruktur löst sich diese im Bereich der Vertiefung 17 und kann sich strecken. Diese Änderung der Geometrie der Platin-Dünnschichtstruktur 10 zusammen mit der Ablösung vom Träger führt dazu, dass eine Verformung der Platin-Dünnschichtstruktur 10 aufgrund der unterschiedlichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten des Trägers und der Struktur 10 weitgehend vermieden wird. In the region of the sliding section 15 or the recess 17, the adhesion between the platinum thin-film structure shown in FIG. 2 and the carrier is reduced. As a result, in the case of a longitudinal expansion of the platinum thin-film structure 10, they may come off in the region of the depression 17. The surface regions of the carrier adjoining the depression 17 are untreated, so that the roughness is higher in these regions than in the region of the depression 17. The thus formed adhesive portions 16 cause a fixation of the platinum thin-film structure 10 between the sliding portions 15 and the recesses 17. In a linear expansion of the platinum thin-film structure, this dissolves in the region of the recess 17 and can stretch. This change in the geometry of the platinum thin-film structure 10 together with the detachment from the carrier results in that deformation of the platinum thin-film structure 10 due to the different thermal expansion coefficients of the carrier and the structure 10 is largely avoided.
Das Ablösen der Platin-Dünnschichtstruktur 10 von der Oberfläche 11 wird dadurch erleichtert, dass die Vertiefung 17 einen trapezförmigen Querschnitt aufweist. Der Querschnitt wird durch zwei geneigt angeordnete Flanken 18 bestimmt, die einen Grund 19 der Vertiefung 17 seitlich begrenzen. Die Flanken 18 steigen unter einem Winkel von 10° bis 80°, insbesondere von 45° bis 60° an. Der Winkel wird durch eine erste imaginäre Ebene, die durch den Grund 19 verläuft und eine zweite imaginäre Ebene, die durch die betreffende Flanke verläuft, bestimmt. Die Tiefe der Vertiefung 17 kann im Bereich von 0,4 μιτι bis 1,2 μιτι, insbesondere im Bereich von 0,6 μιτι bis 1,0 μιτι liegen. Die Breite kann 5 μιτι bis 20 μιτι, insbesondere 10 μιτι bis 15 μιτι betragen. The detachment of the platinum thin-film structure 10 from the surface 11 is facilitated by the recess 17 having a trapezoidal cross-section. The cross section is determined by two inclined flanks 18 which laterally delimit a bottom 19 of the recess 17. The flanks 18 rise at an angle of 10 ° to 80 °, in particular from 45 ° to 60 °. The angle is determined by a first imaginary plane passing through the base 19 and a second imaginary plane passing through the respective edge. The depth of the recess 17 may be in the range of 0.4 μιτι to 1.2 μιτι, in particular in the range of 0.6 μιτι to 1.0 μιτι. The width may be 5 μιτι to 20 μιτι, in particular 10 μιτι to 15 μιτι.
Wie in Figur 1 ferner zu erkennen, weist das streifenförmige Tiefenprofil mehrere parallele Vertiefungen 17 auf, die sich entlang der Oberfläche 11 des Trägers erstrecken. Der Abstand zwischen den Vertiefungen 17 kann von 5 μιτι bis 20 μιτι, insbesondere von 10 μιτι bis 15 μιτι betragen. Die Vertiefungen 17 sind As can also be seen in FIG. 1, the strip-shaped depth profile has a plurality of parallel depressions 17 which extend along the surface 11 of the carrier. The distance between the recesses 17 may be from 5 μιτι to 20 μιτι, in particular from 10 μιτι to 15 μιτι. The depressions 17 are
äquidistant und parallel beabstandet. equidistant and spaced in parallel.
Anstelle der partiell geglätteten Oberfläche durch Ausbildung des Tiefenprofils kann die Oberfläche unprofiliert geglättet werden. Dies bedeutet, dass die Oberfläche gleichmäßig, ohne Ausbildung eines Tiefenprofils geglättet wird. Instead of the partially smoothed surface by forming the depth profile, the surface can be smoothed unprofiled. This means that the surface is smoothed evenly without forming a depth profile.
Das Glätten kann durch Abtrag der Oberfläche erfolgen. Der Abtrag kann durch Ionenätzen, insbesondere Plasma-Ionenätzen, mit einer Abtragstiefe von 0,2 μιτι bis 2 μιτι erfolgen. Der partielle Abtrag bzw. das partielle Glätten kann durch eine vor dem Ionenätzen aufgebrachte Resistmaske erreicht werden, die die The smoothing can be done by removing the surface. The removal can be done by ion etching, in particular plasma ion etching, with a removal depth of 0.2 μιτι to 2 μιτι. The partial removal or the partial smoothing can be achieved by a resist mask which is applied before the ion etching and which comprises the
abgedeckten Bereiche während des Ätzvorgangs schützt. covers covered areas during the etching process.
Die Figuren 2 und 3 zeigen, wie sich die Platin-Dünnschichtstruktur 10 an das Tiefenprofil des Trägers angepasst. Dabei zeigt Fig. 2 konkret, dass die Form des Tiefenprofils sich in der Form der Platin-Dünnschichtstruktur 10 abbildet. Bedingt durch das Verfahren wird eine trapezförmige Ausbildung der Tiefenprofile erreicht, die Stufen vermeidet (stufenlose Profilierung). Die Platin- Dünnschichtstrukturen 10 folgen dem Tiefenprofil über den ganzen Untergrund mit einer annähernd konstanten Schichtdicke. Figures 2 and 3 show how the platinum thin film structure 10 conforms to the depth profile of the carrier. In this case, Fig. 2 shows concretely that the shape of the depth profile is reflected in the shape of the platinum thin-film structure 10. Due to the method becomes a trapezoidal formation of the depth profiles achieved, avoiding the steps (stepless profiling). The platinum thin-film structures 10 follow the depth profile over the entire substrate with an approximately constant layer thickness.
In der Draufsicht gemäß Figur 3 ist zu erkennen, dass die Leiterbahn 13 die Vertiefung 17 quer, d.h. unter einem Winkel von 90° kreuzt. Andere In the plan view according to FIG. 3, it can be seen that the conductor track 13 transverses the recess 17 transversely, i. crossed at an angle of 90 °. Other
Kreuzungswinkel, beispielsweise in Abhängigkeit von der Mäanderform der Leiterbahn 13 sind möglich. Die Leiterbahn 13 kann die Vertiefung 17 unter einem Winkel im Bereich von 30° bis 90° schneiden. Crossing angle, for example, depending on the meandering shape of the conductor 13 are possible. The track 13 may intersect the recess 17 at an angle in the range of 30 ° to 90 °.
In Figur 2 ist überdies der Schichtaufbau oberhalb der Platin-Dünnschichtstruktur dargestellt. Direkt auf der Platin-Dünnschichtstruktur ist eine erste Abdeckschicht 14a aufgebracht, die der Passivierung der Platin-Dünnschichtstruktur 13 dient. Auf der ersten Abdeckschicht 14a ist eine zweite Abdeckschicht 14b aufgebracht, die die erste Abdeckschicht 14a hermetisch versiegelt. In addition, FIG. 2 shows the layer structure above the platinum thin-film structure. Directly on the platinum thin-film structure, a first covering layer 14 a is applied, which serves to passivate the platinum thin-film structure 13. On the first cladding layer 14a, a second cladding layer 14b is hermetically sealed, which hermetically seals the first cladding layer 14a.
Figur 4 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung, bei dem zwischen dem Träger und der Platin-Dünnschichtstruktur 10 eine Zwischenschicht 12 angeordnet ist. Die Zwischenschicht 12, auch Interface-Layer genannt, ist aus einem elektrisch isolierenden Metalloxid gebildeten. Diese hat die Funktion eines Puffers, der die durch das Missmatch verursachten Spannungen aufnimmt und zumindest teilweise in den Träger einleitet. Die Zwischenschicht 12 hat einen größeren thermischen Ausdehnungskoeffizienten als der Keramikträger, insbesondere als Al203 und kann bis zu 50 % größer als der thermische FIG. 4 shows a further exemplary embodiment of the invention, in which an intermediate layer 12 is arranged between the carrier and the platinum thin-film structure 10. The intermediate layer 12, also called interface layer, is formed from an electrically insulating metal oxide. This has the function of a buffer that absorbs the stresses caused by the mismatch and at least partially initiates the carrier. The intermediate layer 12 has a larger thermal expansion coefficient than the ceramic carrier, in particular as Al 2 0 3 and can be up to 50% larger than the thermal
Ausdehnungskoeffizient von Platin sein. Bewährt hat sich in der Praxis eine in Dünnschichttechnik aufgebrachte Magnesiumoxidschicht (MgO) mit einer Expansion coefficient of platinum. Has proven in practice a thin-film applied magnesium oxide layer (MgO) with a
Schichtdicke im Bereich von 0,2 μιτι bis 3 μιτι. Der thermische Layer thickness in the range of 0.2 μιτι to 3 μιτι. The thermal
Ausdehnungskoeffizient von Magnesiumoxid beträgt 13*10"6/K. Dieser Coefficient of expansion of magnesium oxide is 13 * 10 "6 / K. This
Ausdehnungskoeffizient ist größer als der Ausdehnungskoeffizient von Al203 mit 6,5*10"6/K und von Platin mit 9,1*10"6/K. Anstelle von Magnesiumoxid (MgO) kann Bariumoxid (BaO) für die Zwischenschicht 12 verwendet werden. Zur Einstellung des thermischen Ausdehnungskoeffizienten der Zwischenschicht 12 kann eine Mischung aus einem elektrisch isolierenden Metalloxid, beispielsweise Magnesiumoxid und Al203 verwendet werden. Der thermische Coefficient of expansion is greater than the expansion coefficient of Al 2 O 3 at 6.5 * 10 -6 / K and platinum at 9.1 * 10 -6 / K. Instead of magnesium oxide (MgO), barium oxide (BaO) may be used for the intermediate layer 12. In order to adjust the thermal expansion coefficient of the intermediate layer 12, a mixture of an electrically insulating metal oxide, for example magnesium oxide and Al 2 O 3, may be used. The thermal
Ausdehnungskoeffizient der Zwischenschicht 12 ändert sich in Abhängigkeit vom Al203 Gehalt. Ein weiteres Ausführungsbeispiel, bei dem die Form der Leiterbahn bzw. der Leiterbahnen modifiziert wird, ist in den Figuren 5 und 6a-6d dargestellt. Der diesem Ausführungsbeispiel zu Grunde liegende Gedanke beruht darauf, die Leiterbahn 13 nicht linear, wie in Figur 5 oben dargestellt, sondern nichtlinear, insbesondere wellenförmig, wie in Figur 5 unten dargestellt, auszubilden. Die sich in lateraler Richtung, also entlang der Oberfläche 11 des Trägers erstreckende Wellenform führt dazu, dass die Längenausdehnungsunterschiede der Platin- Dünnschichtstrukturen in eine X- und Y-Komponente aufgeteilt werden. Es hat sich gezeigt, dass sich diese Aufteilung positiv auf die Stabilität der Platin- Dünnschichtstrukturen bei starken Temperaturwechsel-Belastungen auswirkt. Expansion coefficient of the intermediate layer 12 changes depending on the Al 2 0 3 content. A further embodiment in which the shape of the conductor track or the conductor tracks is modified is shown in FIGS. 5 and 6a-6d. The underlying idea of this embodiment is based on the conductor 13 is not linear, as shown in Figure 5 above, but non-linear, in particular undulating, as shown in Figure 5 below, train. The waveform extending in the lateral direction, ie along the surface 11 of the carrier, results in the length expansion differences of the platinum thin-film structures being divided into an X and Y component. It has been shown that this distribution has a positive effect on the stability of the platinum thin-film structures under strong thermal cycling loads.
Die Amplitude der wellenförmigen Leiterbahn 13 beträgt von 0,2*B bis 2*B, insbesondere von 0,4*B bis 1*B. Die Wellenlänge beträgt von 3*B bis 10*B, insbesondere von 4*B bis 7*B.„B" bedeutet dabei die Breite der Leiterbahn 13. Unter dem Begriff Amplitude bzw. Wellenlänge sind die üblicherweise im The amplitude of the wave-shaped conductor 13 is from 0.2 * B to 2 * B, in particular from 0.4 * B to 1 * B. The wavelength is from 3 * B to 10 * B, in particular from 4 * B to 7 * B. "B" in this case means the width of the conductor 13. The term amplitude or wavelength are usually those in the
Zusammenhang mit der Beschreibung von Schwingungen gebräuchlichen Größen zu verstehen. Die Amplitude entspricht dem Scheitelwert bezogen auf die Nulllinie der Wellenform. Die Wellenlänge entspricht einer Schwingungsperiode, ebenfalls bezogen auf die Nulllinie der Welle. Die Nulllinie ist die Symmetrieachse in Wellenlängsrichtung. To understand context with the description of vibrations of common sizes. The amplitude corresponds to the peak value relative to the zero line of the waveform. The wavelength corresponds to a period of oscillation, also with reference to the zero line of the shaft. The zero line is the symmetry axis in the wavelength direction.
Wie in Figur 8 gezeigt, kann die Leiterbahn 13 eine übergeordnete Mäanderform aufweisen, die von der Wellenform der Leiterbahn 13 zu unterscheiden ist. Die Mäanderform der Leiterbahn 13 bildet eine Überstruktur, die von der Wellenform der Leiterbahn 13 überlagert ist. Insofern bildet die Wellenform der Leiterbahn 13 eine Substruktur, die wenigstens in den Leiterbahnenabschnitten zwischen den Bögen der Mäanderform (Überstruktur) vorgesehen ist. Es ist auch möglich, dass die Bögen der Mäanderform selbst mit in der Substruktur versehen sind. Unter dem Begriff„Bogen" ist auch eine rechteckige Richtungsänderungen in der Leiterbahn zu verstehen, wie in Figur 8 dargestellt. Die wellenförmige Leiterbahn 13 kann auch die in Figur 8 gezeigten kammartig angeordneten Finger der Elektrode bilden. In diesem Fall bildet die geradlinige Fingerform die As shown in FIG. 8, the conductor track 13 may have a superordinate meandering shape which is to be distinguished from the wave shape of the conductor track 13. The meandering shape of the conductor 13 forms a superstructure, which is superimposed by the waveform of the conductor 13. In this respect, the waveform of the trace 13 forms a substructure provided at least in the trace portions between the meandering arc (superstructure) arcs. It is also possible that the arches of the meandering shape itself are provided with in the substructure. The term "arc" also means a rectangular directional change in the track, as shown in Figure 8. The wave-shaped track 13 may also form the comb-like fingers of the electrode shown in Figure 8. In this case, the rectilinear finger shape forms the
Überstruktur, der die Wellenform als Substruktur überlagert ist. Superstructure superimposed on the waveform as a substructure.
Die Figuren 6a bis 6d zeigen verschiedene Geometrien der Wellenform, die jeweils einer geradlinigen, wellenfreien Leiterbahn gegenübergestellt sind, ähnlich wie in Figur 5. So zeigt Figur 6a, dass die Leiterbahn 13 die Form einer Sinuswelle haben kann. Mehrere Leiterbahnen 13 sind phasengleich nebeneinander angeordnet. Figur 6b zeigt eine wellenförmige Leiterbahn 13, bei der die Welle trapezförmig ausgebildet ist. Ein weiteres Beispiel für die Welle ist in Figur 6C gezeigt. Bei diesem Beispiel ist die Welle sägezahnförmig ausgebildet. Man kann hier auch von einer rechteckigen Mäanderform als Substruktur entsprechen. Der Richtungswechsel der Leiterbahn 13 erfolgt unter einem Winkel von 90°. Eine Mischung aus der Sinuswelle gemäß Figur 6a und der FIGS. 6a to 6d show different geometries of the waveform, which are each juxtaposed to a rectilinear, wave-free conductor track, similar to FIG. 5. Thus, FIG. 6a shows that the conductor track 13 takes the form of a Can have sine wave. Several tracks 13 are arranged in phase next to each other. Figure 6b shows a wave-shaped conductor track 13, wherein the shaft is trapezoidal. Another example of the shaft is shown in FIG. 6C. In this example, the wave is sawtooth-shaped. One can here also correspond to a rectangular meander shape as a substructure. The change of direction of the conductor 13 takes place at an angle of 90 °. A mixture of the sine wave according to FIG. 6a and FIG
sägezahnförmigen Welle gemäß Figur 6c ist in Figur 6d dargestellt. Dabei sind in die Flanken der sägezahnförmigen Welle an die Sinusform angenähert und abgerundet. sawtooth-shaped shaft according to Figure 6c is shown in Figure 6d. In this case, the edges of the sawtooth wave are approximated to the sinusoidal shape and rounded.
Figur 7 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel, bei dem die erste Abdeckschicht durch den Zusatz von oxydischen Nanopartikel modifiziert ist. Dadurch wird erreicht, dass sich bei einer Temperaturänderung das Volumen der ersten FIG. 7 shows a further exemplary embodiment in which the first covering layer is modified by the addition of oxidic nanoparticles. This ensures that the volume of the first
Abdeckschicht 14a ändert, was eine Verringerung der Widerstandsdrift bewirkt. Die erste Abdeckschicht 14a ist durch eine zweite Abdeckschicht aus Glas hermetisch versiegelt. Covering layer 14a changes, causing a reduction in resistance drift. The first cover layer 14a is hermetically sealed by a second cover layer of glass.
Die vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispiele verbessern jeweils für sich genommen die Formstabilität der Platin-Dünnschichtstruktur 10 und wirken so der Widerstandsdrift entgegen. Die Ausführungsbeispiele werden deshalb jeweils unabhängig voneinander offenbart. Zusätzlich können die Ausführungsbeispiele auch miteinander kombiniert werden, wie dies beispielsweise anhand des The exemplary embodiments described above in each case individually improve the dimensional stability of the platinum thin-film structure 10 and thus counteract the resistance drift. The embodiments are therefore each disclosed independently. In addition, the embodiments can also be combined with each other, as for example with reference to
Ausführungsbeispiels gemäß Figur 2 gezeigt ist. Die Kombination der Embodiment is shown in FIG 2. The combination of
verschiedenen Ausführungsbeispiele führt zu einem Synergieeffekt, der sich in einer verstärkten Verringerung der Widerstandsdrift zeigt. various embodiments leads to a synergy effect, which manifests itself in an increased reduction of the resistance drift.
Konkret kann die erste Abdeckschicht 14a mit den oxydischen Nanopartikeln mit allen Ausführungsbeispielen kombiniert werden, weil dadurch die in der Regel erforderliche Passivierung der Platin Dünnschichtstruktur 10 so erfolgen kann, dass zusätzlich zur Passivierung der Widerstandsdrift verbessert wird. Wie in Figur 2 dargestellt, ist die erste Abdeckschicht 14a mit dem Tiefenprofil und der partiell geglätteten Oberfläche 11 kombiniert. Es ist auch möglich, wie in Figur 4 dargestellt, die erste Abdeckschicht 14a mit der Zwischenschicht 12 zu Specifically, the first capping layer 14a may be combined with the oxidic nanoparticles with all embodiments, because thereby the usually required passivation of the platinum thin film structure 10 can be made so that in addition to the passivation of the resistance drift is improved. As shown in FIG. 2, the first covering layer 14a is combined with the depth profile and the partially smoothed surface 11. It is also possible, as shown in Figure 4, the first cover layer 14a with the intermediate layer 12 to
kombinieren. Zusätzlich kann die Zwischenschicht 12 mit der wellenförmigen Leiterbahn 13 zusammen verwendet werden. Außerdem ist möglich das combine. In addition, the intermediate layer 12 may be used together with the wave-shaped conductor 13. It is also possible that
Tiefenprofil gemäß Figur 2 mit der Zwischenschicht gemäß Figur 4 sowie mit der wellenförmigen Leiterbahn 13 gemäß Figur 5 bzw. einer der Wellenformen gemäß Figuren 6a bis 6d zu kombinieren. Die Kombination aller Ausführungsbeispiele ist möglich. Depth profile according to Figure 2 with the intermediate layer according to Figure 4 and with the Wavy conductor 13 according to Figure 5 or one of the waveforms according to Figures 6a to 6d to combine. The combination of all embodiments is possible.
Der Träger kann zum Aufbau verschiedener Sensoren verwendet werden. The carrier can be used to construct various sensors.
Beispielsweise bietet es sich an, den Träger für einen Temperatursensor mit einer Platin-Dünnschichtstruktur einzusetzen. Die Verwendung eines For example, it makes sense to use the support for a temperature sensor with a platinum thin-film structure. The use of a
Strömungsmesssensor ist ebenfalls möglich, bei dem nach dem anemometrischen Prinzip ein Heizelement und ein Temperaturmesselement kombiniert werden. Ein weiteres Beispiel für die Anwendung der Erfindung ist in Figur 8 im Flow measuring sensor is also possible, in which according to the anemometric principle, a heating element and a temperature measuring element are combined. Another example of the application of the invention is shown in FIG
Zusammenhang mit einem Sensormodul gezeigt. Das Sensormodul bildet eine Multi-Sensor-Plattform und weist ein Trägersubstrat 23 auf. Das Trägersubstrat 23 kann nach einem der vorstehend erläuterten Ausführungsbeispiele modifiziert sein. Bspw. kann ein streifenförmiges Tiefenprofil (nicht dargestellt) im Shown connected with a sensor module. The sensor module forms a multi-sensor platform and has a carrier substrate 23. The carrier substrate 23 may be modified according to one of the embodiments explained above. For example. can a strip-shaped depth profile (not shown) in
Trägersubstrat ausgebildet sein. Auf dem Trägersubstrat 23 ist die Support substrate may be formed. On the support substrate 23 is the
Zwischenschicht 12 angeordnet, die als Puffer für die auf der Zwischenschicht 12 angeordnete Platin-Dünnschichtstruktur 10 dient. Bei der Platin- Dünnschichtstruktur 10 kann es sich um einen Heizer und/oder Sensor jeweils mit Kontaktanschlüssen handeln. Auf der Platinstruktur 10 ist eine IsolationsschichtIntermediate layer 12 is arranged, which serves as a buffer for the arranged on the intermediate layer 12 platinum thin-film structure 10. The platinum thin-film structure 10 may be a heater and / or sensor, each with contact terminals. On the platinum structure 10 is an insulating layer
20 aufgebracht, auf der eine interdigitale Elektrodenstruktur 21 zur 20 applied on the an interdigital electrode structure 21 for
Leitfähigkeitsmessung (IDE) angeordnet ist. Die interdigitale ElektrodenstrukturConductivity measurement (IDE) is arranged. The interdigital electrode structure
21 ist mit einer aktiven Funktionsschicht 22 versehen, die beispielsweise kundenseitig appliziert werden kann. 21 is provided with an active functional layer 22, which can be applied by the customer, for example.
Bezugszeichenliste LIST OF REFERENCE NUMBERS
10 Dünnschichtstruktur 10 thin-film structure
11 Oberfläche  11 surface
12 Zwischenschicht  12 intermediate layer
13 Leiterbahn  13 trace
14a erste Abdeckschicht  14a first cover layer
14b zweite Abdeckschicht  14b second cover layer
15 Gleitabschnitt  15 sliding section
16 Haftabschnitt  16 detention section
17 Vertiefung  17 deepening
18 Flanken Grund 18 flanks reason
Isolationsschicht Elektrodenstruktur Funktionsschicht Trägersubstrat Insulation layer Electrode structure Functional layer Carrier substrate

Claims

Ansprüche claims
1. Keramikträger, insbesondere Al203-Träger, auf dem eine 1. ceramic carrier, in particular Al 2 0 3 carrier, on the one
Dünnschichtstruktur (10) aus Platin oder einer Platinlegierung angeordnet ist, wobei der Träger und/oder die Dünnschichtstruktur (10) zur  Thin-film structure (10) of platinum or a platinum alloy is arranged, wherein the carrier and / or the thin-film structure (10) for
Verringerung mechanischer Spannungen auf Grund unterschiedlicher thermischer Ausdehnungskoeffizienten angepasst sind,  Are adjusted to reduce mechanical stresses due to different thermal expansion coefficients,
dad u rch g eken nzeich net, dass  dad u rch g eken nzeich net that
a) eine Oberfläche (11) des Trägers im Bereich der Dünnschichtstruktur (10) zur Verringerung der Haftung zumindest abschnittsweise geglättet ist und/oder  a) a surface (11) of the carrier in the region of the thin-film structure (10) is at least partially smoothed to reduce the adhesion and / or
b) eine/die Oberfläche (11) des Trägers eine Zwischenschicht (12)  b) a surface (11) of the carrier has an intermediate layer (12)
aufweist, auf der die Dünnschichtstruktur (10) angeordnet ist, wobei der thermische Ausdehnungskoeffizient der Zwischenschicht (12) von 8*10"6/K bis 16*10"6/K, insbesondere von 8,5*10-6/K bis 14*10-6/K, beträgt, und/oder on which the thin-film structure (10) is arranged, wherein the thermal expansion coefficient of the intermediate layer (12) of 8 * 10 "6 / K to 16 * 10 " 6 / K, in particular from 8.5 * 10-6 / K 14 * 10-6 / K, is, and / or
c) die Dünnschichtstruktur (10) wenigstens eine zumindest  c) the thin-film structure (10) at least one at least
abschnittsweise wellenförmige Leiterbahn (13) aufweist, die sich lateral entlang einer/der Oberfläche (11) des Trägers erstreckt, wobei die Amplitude der wellenförmigen Leiterbahn (13) von 0,2*B bis 2*B, insbesondere von 0,4*B bis 1*B, und die Wellenlänge der  Sectionally wavy strip conductor (13) extending laterally along a surface (11) of the carrier, wherein the amplitude of the wave-shaped strip conductor (13) of 0.2 * B to 2 * B, in particular of 0.4 * B to 1 * B, and the wavelength of the
wellenförmigen Leiterbahn (13) von 3*B bis 10*B, insbesondere von 4*B bis 7*B, betragen, wobei„B" die Breite der Leiterbahn (13) ist, und/oder  wavy strip conductor (13) of 3 * B to 10 * B, in particular from 4 * B to 7 * B, where "B" is the width of the conductor track (13), and / or
d) unmittelbar auf der Dünnschichtstruktur (10) eine erste Abdeckschicht (14a) aufgebracht ist, die oxydische Nanopartikel, insbesondere aus Al203 und/oder MgO, enthält. d) a first covering layer (14a) is applied directly on the thin-film structure (10), which contains oxidic nanoparticles, in particular of Al 2 O 3 and / or MgO.
2. Träger nach Anspruch 1, 2. Carrier according to claim 1,
dad u rch g eken nzeich net, dass  dad u rch g eken nzeich net that
die Oberfläche (11) im Bereich der Dünnschichtstruktur (10) wenigstens einen Gleitabschnitt (15) und wenigstens einen Haftabschnitt (16) bildet.  the surface (11) in the region of the thin-film structure (10) forms at least one sliding section (15) and at least one adhesive section (16).
3. Träger nach Anspruch 1, 3. Carrier according to claim 1,
dad u rch g eken nzeich net, dass  dad u rch g eken nzeich net that
die Oberfläche (11) im gesamten Bereich der Dünnschichtstruktur (10) geglättet ist. the surface (11) is smoothed in the entire region of the thin-film structure (10).
4. Träger nach einem der vorhergehenden Ansprüche, 4. Carrier according to one of the preceding claims,
dad u rch g eken nzeich net, dass  dad u rch g eken nzeich net that
die Oberfläche (11) im Bereich der Dünnschichtstruktur (10) ein, insbesondere streifenförmiges, Tiefenprofil aufweist, das wenigstens eine Vertiefung bildet, wobei die Oberfläche (11) der Vertiefung (17) geglättet ist.  the surface (11) in the region of the thin-film structure (10) has a, in particular strip-shaped, depth profile which forms at least one depression, wherein the surface (11) of the depression (17) is smoothed.
5. Träger nach Anspruch 4, 5. Carrier according to claim 4,
d ad u rch g eken nzeich net, dass  It is not possible that
wenigstens eine Leiterbahn (13) der Dünnschichtstruktur (10) in einem Winkel, insbesondere im Bereich von 30° bis 90°, zu dem streifenförmigen Tiefenprofil angeordnet ist.  at least one conductor track (13) of the thin-film structure (10) is arranged at an angle, in particular in the range of 30 ° to 90 °, to the strip-shaped depth profile.
6. Träger nach einem der Ansprüche 4 oder 5, 6. Carrier according to one of claims 4 or 5,
d ad u rch g eken nzeich net, dass  It is not possible that
die Vertiefung (17) einen trapezförmigen Querschnitt mit zwei geneigten Flanken (18) und einem Grund (19) zwischen den Flanken (18) aufweist, wobei wenigstens eine, insbesondere beide Flanken (18) unter einem Winkel von 10° bis 80°, insbesondere von 45° bis 60°, bezogen auf den Grund (19) ansteigen.  the recess (17) has a trapezoidal cross-section with two inclined flanks (18) and a base (19) between the flanks (18), wherein at least one, in particular both flanks (18) at an angle of 10 ° to 80 °, in particular from 45 ° to 60 ° relative to the ground (19).
7. Träger nach einem der Ansprüche 4 bis 6, 7. Support according to one of claims 4 to 6,
d ad u rch g eken nzeich net, dass  It is not possible that
die Vertiefung (17) eine Tiefe von 0,4 μιτι bis 1,2 μιτι, insbesondere von 0,6 μιτι bis 1,0 μιτι und/oder eine Breite von 5 μιτι bis 20 μιτι, insbesondere von 10 μιτι bis 15 μιτι aufweist.  the depression (17) has a depth of 0.4 μm to 1.2 μm, in particular of 0.6 μm to 1.0 μm, and / or a width of 5 μm to 20 μm, in particular of 10 μm to 15 μm.
8. Träger nach einem der Ansprüche 4 bis 7, 8. Carrier according to one of claims 4 to 7,
d ad u rch g eken nzeich net, dass  It is not possible that
das streifenförmige Tiefenprofil mehrere parallele Vertiefungen (17) aufweist, wobei der Abstand zwischen den Vertiefungen (17) jeweils von 5 μιτι bis 20 μιτι, insbesondere von 10 μιτι bis 15 μιτι beträgt.  the strip-shaped depth profile has a plurality of parallel depressions (17), wherein the distance between the depressions (17) is in each case from 5 μιτι to 20 μιτι, in particular from 10 μιτι to 15 μιτι.
9. Träger nach einem der vorhergehenden Ansprüche, 9. Support according to one of the preceding claims,
d ad u rch g eken nzeich net, dass der thermische Ausdehnungskoeffizient der Zwischenschicht (12) maximal um den Faktor 1,5 größer als der thermische Ausdehnungskoeffizient der Dünnschichtstruktur (10) ist. It is not possible that the thermal expansion coefficient of the intermediate layer (12) is at most a factor of 1.5 greater than the thermal expansion coefficient of the thin-film structure (10).
10. Träger nach einem der vorhergehenden Ansprüche, 10. Carrier according to one of the preceding claims,
dad u rch g eken nzeich net, dass  dad u rch g eken nzeich net that
die Dicke der Zwischenschicht (12) von 0,2 μιτι bis 3 μιτι, insbesondere von 1 μιτι bis 2,2 μιτι beträgt.  the thickness of the intermediate layer (12) of 0.2 μιτι to 3 μιτι, in particular from 1 μιτι to 2.2 μιτι amounts.
11. Träger nach einem der vorhergehenden Ansprüche, 11. Carrier according to one of the preceding claims,
dad u rch g eken nzeich net, dass  dad u rch g eken nzeich net that
die Zwischenschicht (12) wenigstens ein elektrisch isolierendes Metalloxid enthält.  the intermediate layer (12) contains at least one electrically insulating metal oxide.
12. Träger nach einem der vorhergehenden Ansprüche, 12. Carrier according to one of the preceding claims,
dad u rch g eken nzeich net, dass  dad u rch g eken nzeich net that
die Zwischenschicht (12) MgO und/oder BaO enthält, insbesondere aus MgO und/oder BaO besteht, oder eine Mischung aus wenigstens einem elektrisch isolierenden Metalloxid und Al203 enthält oder aus der Mischung besteht. the intermediate layer (12) contains MgO and / or BaO, in particular consisting of MgO and / or BaO, or contains a mixture of at least one electrically insulating metal oxide and Al 2 O 3 or consists of the mixture.
13. Träger nach einem der vorhergehenden Ansprüche, 13. A carrier according to one of the preceding claims,
dad u rch g eken nzeich net, dass  dad u rch g eken nzeich net that
die wellenförmige Leiterbahn (13) mehrere lateral entlang der Oberfläche (11) sich erstreckende Bögen aufweist, wobei eine wellenförmige  the wave-shaped conductor track (13) has a plurality of laterally along the surface (11) extending arcs, wherein a wave-shaped
Substruktur wenigstens in den Leiterbahnabschnitten zwischen den Bögen ausbildet ist, oder die wellenförmige Leiterbahn (13) mehrere kammartig angeordnete Finger einer Elektrode bildet.  Substructure is formed at least in the conductor track sections between the sheets, or the wave-shaped conductor track (13) forms a plurality of comb-like arranged fingers of an electrode.
14. Träger nach einem der vorhergehenden Ansprüche, 14. Carrier according to one of the preceding claims,
dad u rch g eken nzeich net, dass  dad u rch g eken nzeich net that
die wellenförmige Leiterbahn (13) in der Form einer Sinuswelle und/oder einer sägezahnförmigen Welle und/oder einer trapezförmigen Welle ausgebildet ist  the wave-shaped conductor track (13) is designed in the form of a sine wave and / or a sawtooth-shaped shaft and / or a trapezoidal shaft
15. Träger nach einem der vorhergehenden Ansprüche, 15. Carrier according to one of the preceding claims,
dad u rch g eken nzeich net, dass die erste Abdeckschicht (14a) durch eine zweite Abdeckschicht (14b), insbesondere aus Glas, hermetisch versiegelt ist. dad u rch g eken nzeich net that the first covering layer (14a) is hermetically sealed by a second covering layer (14b), in particular of glass.
16. Sensorelement, Heizelement oder Sensormodul mit einem Träger nach einem der vorhergehenden Ansprüche. 16. Sensor element, heating element or sensor module with a carrier according to one of the preceding claims.
17. Sensormodul nach Anspruch 16, 17. Sensor module according to claim 16,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass  d a d u r c h e c e n c i n e s that
verschiedene Sensorstrukturen auf dem Träger angeordnet sind, wobei die Dünnschichtstruktur (10) aus Platin oder einer Platinlegierung wenigstens eine Sensorstruktur und eine Elektrodenstruktur wenigstens eine weitere Sensorstruktur bildet.  various sensor structures are arranged on the carrier, wherein the thin-layer structure (10) of platinum or a platinum alloy forms at least one sensor structure and an electrode structure at least one further sensor structure.
18. Verfahren zur Herstellung eines Keramikträgers nach Anspruch 1, bei dem18. A method for producing a ceramic carrier according to claim 1, wherein
- die Oberfläche (11) des Trägers zumindest im Bereich der the surface (11) of the carrier at least in the region of
Dünnschichtstruktur (10) durch Ätzen, insbesondere Ionenätzen zum Glätten abgetragen wird und/oder  Thin-film structure (10) is removed by etching, in particular ion etching for smoothing and / or
- die Zwischenschicht (12) durch ein Dünnschichtverfahren, insbesondere PVD- oder CVD-Verfahren, auf die Oberfläche (11) des Trägers aufgebracht wird und/oder  - The intermediate layer (12) by a thin-film method, in particular PVD or CVD method, is applied to the surface (11) of the carrier and / or
- die wellenförmige Leiterbahn (13) durch ein Dünnschichtverfahren, insbesondere PVD- oder CVD-Verfahren oder Lithografieverfahren, auf die Oberfläche (11) des Trägers aufgebracht wird.  - The wavy strip conductor (13) by a thin-film method, in particular PVD or CVD method or lithographic method, is applied to the surface (11) of the carrier.
EP15713160.8A 2014-03-26 2015-03-25 Ceramic carrier and sensor element, heating element and sensor module, each with a ceramic carrier and method for manufacturing a ceramic carrier Withdrawn EP3123154A1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102014104219.0A DE102014104219B4 (en) 2014-03-26 2014-03-26 Ceramic carrier and sensor element, heating element and sensor module each with a ceramic carrier and method for producing a ceramic carrier
PCT/EP2015/056356 WO2015144748A1 (en) 2014-03-26 2015-03-25 Ceramic carrier and sensor element, heating element and sensor module, each with a ceramic carrier and method for manufacturing a ceramic carrier

Publications (1)

Publication Number Publication Date
EP3123154A1 true EP3123154A1 (en) 2017-02-01

Family

ID=52779626

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP15713160.8A Withdrawn EP3123154A1 (en) 2014-03-26 2015-03-25 Ceramic carrier and sensor element, heating element and sensor module, each with a ceramic carrier and method for manufacturing a ceramic carrier

Country Status (8)

Country Link
US (1) US10529470B2 (en)
EP (1) EP3123154A1 (en)
JP (1) JP6622711B2 (en)
KR (1) KR20160138039A (en)
CN (1) CN106104235B (en)
DE (1) DE102014104219B4 (en)
TW (1) TWI606558B (en)
WO (1) WO2015144748A1 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3409467B1 (en) * 2017-05-30 2019-07-03 Heraeus Nexensos GmbH Heater with a co-sintered multi-layer structure
WO2022210573A1 (en) * 2021-03-31 2022-10-06 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 Temperature sensor
CN115590521B (en) * 2022-12-15 2023-03-31 季华实验室 High-conductivity breathable hydrogel dry electrode and manufacturing method thereof

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19540194C1 (en) * 1995-10-30 1997-02-20 Heraeus Sensor Gmbh Resistance thermometer for accurately measuring temperatures between -200 and 500 deg. C

Family Cites Families (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2348589C2 (en) * 1973-09-27 1982-04-01 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Oxide ceramic resistor
JPS5168280A (en) * 1974-12-10 1976-06-12 Toshiba Ceramics Co HATSUKINSOKUONTEIKOTAI OYOBI SONOSEI ZOHOHO
US4146957A (en) * 1977-01-17 1979-04-03 Engelhard Minerals & Chemicals Corporation Thick film resistance thermometer
JPS55106740A (en) 1979-02-08 1980-08-15 Hiroo Hotta Manufacturing method of grater
JPS5729848A (en) 1980-07-25 1982-02-17 Hideo Kaji Stepless speed changer
JPS5729848U (en) * 1980-07-28 1982-02-17
JPS5965216A (en) 1982-10-06 1984-04-13 Hitachi Ltd Heat type flowmeter
JPS60209127A (en) 1984-04-03 1985-10-21 Yazaki Corp Detecting method of abnormal high temperature of body
JPS61188901A (en) 1985-02-16 1986-08-22 株式会社日本自動車部品総合研究所 Membrane type resistance for flow rate sensor
EP0193015A3 (en) 1985-02-26 1990-05-09 Novasina AG Probe for measuring electrical conductivity
JPS6283641A (en) * 1985-10-08 1987-04-17 Sharp Corp Sensor element
US5140393A (en) * 1985-10-08 1992-08-18 Sharp Kabushiki Kaisha Sensor device
JPS62284216A (en) * 1986-06-02 1987-12-10 Nippon Soken Inc Manufacture of film type resistance for flow rate sensor
JPH01185416A (en) * 1988-01-20 1989-07-25 Mitsubishi Electric Corp Thermal flowmeter for internal combustion engine
DE3924518A1 (en) 1989-07-25 1991-01-31 Haefele Umweltverfahrenstechik TEMPERATURE SENSOR AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
JPH03103721A (en) * 1989-09-18 1991-04-30 Mazda Motor Corp Flow rate detector
JPH04279831A (en) * 1991-03-08 1992-10-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd Platinum temperature sensor
JPH0666611A (en) * 1992-08-20 1994-03-11 Hitachi Ltd Thermal flowsensor
US5659127A (en) * 1996-08-26 1997-08-19 Opto Tech Corporation Substrate structure of monolithic gas sensor
DE19742696A1 (en) * 1997-09-26 1999-05-06 Siemens Matsushita Components Component with planar conductor track
EP0922682A1 (en) 1997-12-12 1999-06-16 FINMECCANICA S.p.A. AZIENDA ANSALDO Method of forming a joint between a ceramic substrate and a metal component
US6306315B1 (en) * 1998-02-27 2001-10-23 Denso Corporation Thermistor device thermistor device manufacturing method and temperature sensor
JP3867393B2 (en) * 1998-03-20 2007-01-10 株式会社デンソー Micro heater, method for manufacturing the same, and air flow sensor
DE19918003A1 (en) 1998-07-16 2000-01-20 Heraeus Electro Nite Int Multi-layer electrical temperature sensor
DE60037471T2 (en) * 1999-02-03 2008-12-04 NGK Spark Plug Co., Ltd., Nagoya-shi Solid electrolyte with insulating ceramic grains for gas sensors, and method for its production
DE19934109C1 (en) 1999-07-21 2001-04-05 Bosch Gmbh Robert Temperature sensor and process for its manufacture
DE10041554C2 (en) * 2000-08-24 2003-02-27 Heraeus Gmbh W C Laminate with an insulation layer
US20020142478A1 (en) * 2001-03-28 2002-10-03 Hiroyuki Wado Gas sensor and method of fabricating a gas sensor
GB0222656D0 (en) * 2002-10-01 2002-11-06 Bae Systems Plc Corrosion sensing microsensors
DE10331838B3 (en) * 2003-04-03 2004-09-02 Georg Bernitz Sensor element for detecting soot particles in an exhaust gas stream comprises a sensor body having a sensor surface, and a resistance structure for heating the sensor body and for acquiring the temperature of the sensor body
JP2004363264A (en) * 2003-06-04 2004-12-24 Hitachi Ltd Resistor element
GB0313703D0 (en) * 2003-06-13 2003-07-16 Ceramaspeed Ltd Temperature sensor assembly for an electrical heating arrangement
US7647844B2 (en) 2003-07-11 2010-01-19 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Device and method of detecting flow rate/liquid kind, and device and method of detecting liquid kind
US7224258B2 (en) * 2004-09-27 2007-05-29 Ohmcraft, Inc. Fine line thick film resistors by photolithography
DE102006012088B4 (en) * 2006-03-14 2008-02-14 Heraeus Sensor Technology Gmbh Use of an epitaxial resistance structure as a substance-sensitive sensor, method for operating the substance-sensitive sensor and substance-sensitive sensor
JP2007294870A (en) * 2006-03-30 2007-11-08 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd Thin-film sensor, thin-film sensor module, and method for manufacturing the thin-film sensor
JP2008032686A (en) * 2006-07-03 2008-02-14 Ngk Spark Plug Co Ltd Soot sensor
DE102007023434B4 (en) * 2007-05-16 2017-07-06 Innovative Sensor Technology Ist Ag RTD
DE102007046900C5 (en) * 2007-09-28 2018-07-26 Heraeus Sensor Technology Gmbh High-temperature sensor and a method for its production
US8513650B2 (en) * 2009-05-29 2013-08-20 Xerox Corporation Dielectric layer for an electronic device
TWI453400B (en) * 2010-09-29 2014-09-21 Univ Nat Taipei Technology Amperometric oxygen sensor
BR112013030334A2 (en) * 2011-05-26 2017-09-19 Stoneridge Inc soot sensor, soot sensor system and method for measuring the amount of soot deposited on a soot sensor
CA2813551C (en) * 2012-04-20 2018-10-30 Goodrich Corporation Printed heating element
JP5736348B2 (en) 2012-06-21 2015-06-17 立山科学工業株式会社 Thin film resistor temperature sensor and manufacturing method thereof
DE102012110210B4 (en) * 2012-10-25 2017-06-01 Heraeus Sensor Technology Gmbh High temperature chip with high stability
JP6297914B2 (en) * 2014-05-01 2018-03-20 日本特殊陶業株式会社 Temperature sensor and temperature sensor

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19540194C1 (en) * 1995-10-30 1997-02-20 Heraeus Sensor Gmbh Resistance thermometer for accurately measuring temperatures between -200 and 500 deg. C

Also Published As

Publication number Publication date
CN106104235A (en) 2016-11-09
TW201541573A (en) 2015-11-01
JP6622711B2 (en) 2019-12-18
TWI606558B (en) 2017-11-21
US20170110225A1 (en) 2017-04-20
DE102014104219A1 (en) 2015-10-01
DE102014104219B4 (en) 2019-09-12
JP2017516081A (en) 2017-06-15
CN106104235B (en) 2019-12-31
KR20160138039A (en) 2016-12-02
US10529470B2 (en) 2020-01-07
WO2015144748A1 (en) 2015-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1350078B1 (en) Micromechanical flow sensor with a tensile coating
EP3237880B1 (en) Sensor for detecting soot particles, sensor system, method for operating a sensor, method for producing a sensor of this type and use of a sensor of this type
DE4318241C2 (en) Metal coated substrate with improved resistance to thermal shock
DE10325020B4 (en) Method of sealing a semiconductor device and device made therewith
EP1061783A2 (en) Ceramic-metal substrate, particularly multiple substrate
EP1649270A1 (en) Gas sensor and method for the production thereof
EP1144968B1 (en) Platinum temperature sensor and method for producing same
DE102014104219B4 (en) Ceramic carrier and sensor element, heating element and sensor module each with a ceramic carrier and method for producing a ceramic carrier
DE4036109C2 (en) Resistance temperature sensor
EP2179426A2 (en) Multilayer system comprising contact elements, and method for the production of a contact element for a multilayer system
EP1476907B1 (en) Piezo actuator comprising a structured external electrode
DE2740021A1 (en) ELECTRICAL COMPONENTS
EP3132144B1 (en) Sensor element, sensor module, measuring assembly and exhaust-gas re-circulation system comprising a sensor element of this type, and production method
EP1821091B1 (en) Method of producing electronic components and pressure sensor
DE102008041808A1 (en) Particle sensor i.e. resistive particle sensor, for detecting soot particles in gas stream of vehicle, has electrodes with main surfaces that contact less than hundred percent of main surfaces of adjacent insulation layers
DE102019105116A1 (en) Component
DE102012109250B4 (en) Electrical component and method for producing contacting of an electrical component
EP1801548A2 (en) Device for determining a process parameter and method for manufacturing a corresponding sensor unit
DE19859998C2 (en) Gas sensor and method for its production
DE102019218444B4 (en) Method for producing a semiconductor device and semiconductor device
DE19606272C2 (en) Semiconductor gas sensor
EP3574532B1 (en) Metal-insulator-graphene diode
DE102012106641A1 (en) Sensor chip for use in instrumentation application areas, has functional layer applied on ceramic carrier, and carrier plate comprising recesses at side that is formed opposite to carrier, where recesses are produced by etching process
DE102022112386A1 (en) Flexible glass element and process for its production
EP4111819A1 (en) Heating device

Legal Events

Date Code Title Description
STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: THE INTERNATIONAL PUBLICATION HAS BEEN MADE

PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: REQUEST FOR EXAMINATION WAS MADE

17P Request for examination filed

Effective date: 20161026

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR

AX Request for extension of the european patent

Extension state: BA ME

DAV Request for validation of the european patent (deleted)
DAX Request for extension of the european patent (deleted)
STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: EXAMINATION IS IN PROGRESS

17Q First examination report despatched

Effective date: 20170927

RAP1 Party data changed (applicant data changed or rights of an application transferred)

Owner name: HERAEUS NEXENSOS GMBH

GRAP Despatch of communication of intention to grant a patent

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOSNIGR1

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: GRANT OF PATENT IS INTENDED

INTG Intention to grant announced

Effective date: 20201028

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: THE APPLICATION IS DEEMED TO BE WITHDRAWN

18D Application deemed to be withdrawn

Effective date: 20210310