EP3037717B1 - Motor vehicle headlamp with hollow mirror reflectors - Google Patents

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EP3037717B1
EP3037717B1 EP15194483.2A EP15194483A EP3037717B1 EP 3037717 B1 EP3037717 B1 EP 3037717B1 EP 15194483 A EP15194483 A EP 15194483A EP 3037717 B1 EP3037717 B1 EP 3037717B1
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EP
European Patent Office
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reflector
light source
generate
light distribution
semiconductor
Prior art date
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EP15194483.2A
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French (fr)
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EP3037717A1 (en
EP3037717B8 (en
Inventor
Henning Hogrefe
Doris Boebel
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Marelli Automotive Lighting Reutlingen Germany GmbH
Original Assignee
Automotive Lighting Reutlingen GmbH
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Publication date
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Publication of EP3037717B1 publication Critical patent/EP3037717B1/en
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    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21SNON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S41/00Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps
    • F21S41/10Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps characterised by the light source
    • F21S41/14Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps characterised by the light source characterised by the type of light source
    • F21S41/141Light emitting diodes [LED]
    • F21S41/147Light emitting diodes [LED] the main emission direction of the LED being angled to the optical axis of the illuminating device
    • F21S41/148Light emitting diodes [LED] the main emission direction of the LED being angled to the optical axis of the illuminating device the main emission direction of the LED being perpendicular to the optical axis
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21SNON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
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    • F21S41/141Light emitting diodes [LED]
    • F21S41/151Light emitting diodes [LED] arranged in one or more lines
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21SNON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S41/00Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps
    • F21S41/30Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps characterised by reflectors
    • F21S41/32Optical layout thereof
    • F21S41/36Combinations of two or more separate reflectors
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21SNON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S41/00Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps
    • F21S41/60Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps characterised by a variable light distribution
    • F21S41/65Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps characterised by a variable light distribution by acting on light sources
    • F21S41/663Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps characterised by a variable light distribution by acting on light sources by switching light sources

Definitions

  • the present invention relates to a motor vehicle headlight according to the preamble of claim 1.
  • a headlight is from the EP 2 363 320 A1 known.
  • Such headlights implemented using reflection technology and working with light-emitting diodes as semiconductor light sources, are known from various publications. So reveals the EP 2 532 951 a reflection system with a reflector chamber, wherein the light source is moved when switching between the low beam light function, in which a low beam light distribution is generated, and the high beam light function, in which a high beam light distribution is generated.
  • the object of the present invention is to provide a headlamp for dipped and high beam which works with semiconductor light sources such as LEDs, which is inexpensive and which has a good level with regard to the volume of light it provides and the quality of the light distributions it generates.
  • the motor vehicle headlight has an arrangement of a first semiconductor light source and a first concave mirror reflector, a second semiconductor light source and a second concave mirror reflector and a third semiconductor light source and a third concave mirror reflector.
  • Each semiconductor light source consists of at least two separate semiconductor chips.
  • the second semiconductor light source consists of a first group of semiconductor chips and a second group of semiconductor chips.
  • the term “chip” always refers to a coherent, continuous light-emitting semiconductor surface (which is normally coated with phosphor), in particular a light-emitting diode (LED).
  • Each chip initially represents an element that is separate from other chips. In one embodiment, several such elements are combined to form a coherent, inherently rigid component.
  • the headlight has a control circuit which is set up to operate either the first semiconductor light source without the third semiconductor light source or the third semiconductor light source without the first semiconductor light source when the headlight is switched on, and exclusively to a first part of the semiconductor chips of the second semiconductor light source together with the first semiconductor light source operate and operate at least a second part of the semiconductor chips of the second semiconductor light source together with the third semiconductor light source.
  • the first semiconductor light source illuminates the first reflector; the second semiconductor light source illuminates the second reflector, and the third semiconductor light source illuminates the third reflector.
  • the arrangement of the first reflector and the first semiconductor light source thus forms a first reflection module.
  • the arrangement of the second reflector and the second semiconductor light source thus forms a second reflection module.
  • the arrangement of the third reflector and the third semiconductor light source thus forms a third reflection module.
  • the combination of three reflection modules makes it possible to generate the light distributions to be generated by superimposing partial light distributions, each partial light distribution is generated by a reflection module composed of a concave mirror reflector and a semiconductor light source and with an advantageously large luminous flux overall.
  • the individual reflection modules can be optimized so that each reflection module fulfills a specific function particularly well.
  • At least one of the reflection modules is set up by the shape of its concave mirror reflector to generate a basic light distribution.
  • Another of the reflection modules is preferably set up to generate a concentrated spot light distribution, preferably for high beam.
  • Another reflection module is preferably set up to generate a medium-wide light distribution.
  • the basic light distribution is preferably wider than the medium-wide light distribution, and this is preferably wider than the spot light distribution.
  • the different widths are generated, for example, by different shapes of the concave mirror reflectors, the width depending in particular on the shape in the horizontal direction when used as intended.
  • one reflection module or two reflection modules are preferably set up to generate a cut-off line required for generating a rule-compliant low beam distribution.
  • a cut-off line required for generating a rule-compliant low beam distribution.
  • semiconductor light sources with 1 x 2, 1 x 3, 1 x 4 or 1 x 5 LEDs per row are installed on a common carrier substrate in LED headlights used.
  • semiconductor light sources which consist of at least two separate semiconductor chips (that is to say not arranged on a common carrier substrate), that is to say of single-chip light sources, results in a cost saving.
  • a preferred embodiment is characterized in that each reflector forms a reflection module with a light source and that two reflection modules each form a first pair of reflection modules that can be activated to generate a low beam light distribution, and that two reflection modules each have a second pair of Form reflection modules that can be activated to generate a high beam light distribution.
  • At least one reflection module is set up to generate a light-dark boundary required for generating a rule-compliant low beam distribution.
  • the light exit surfaces of the reflectors are of the same size and that the reflectors are arranged in such a way that their light exit surfaces adjoin one another.
  • each semiconductor light source consists of at least two separate semiconductor chips.
  • the semiconductor chips are each arranged along a row, which row is arranged with its longitudinal extent transverse to the main emission direction of the reflector in a horizontal plane.
  • one of the three semiconductor light sources has a row of semiconductor chips which is arranged obliquely in a horizontal plane when the headlight is used as intended.
  • Another preferred embodiment is characterized in that one of the reflection modules is set up to generate both part of a low beam light distribution and part of a high beam light distribution, and that this reflection module has two groups of semiconductor chips that are arranged in lines.
  • two reflection modules are set up to generate a high beam light distribution.
  • a first reflection module is set up through the shape of the first reflector to generate a partial low beam distribution with a light / dark boundary for a rule-compliant low beam distribution.
  • the shape of the sections of the reflector which are vertically aligned when used as intended, is particularly important. Whenever a vertical or horizontal arrangement is mentioned in the following, this should always relate to intended use.
  • a second reflection module is a bifunctional module that is involved both in the generation of the low beam and in the generation of the high beam.
  • a third reflection module is set up to generate a partial high beam light distribution without a cut-off line that occurs when a proper use of the headlight protrudes above the horizon in front of the vehicle.
  • At least one of the reflection modules is set up through the shape of its concave mirror reflector to generate a basic light distribution, another reflection module is set up to generate a concentrated spot light distribution, and yet another reflection module is set up to provide a to generate medium-wide light distribution, the basic light distribution being wider than the medium-wide light distribution, and this being wider than the spot light distribution.
  • a shape of a reflector in essentially vertical sections of the reflector is also referred to below as a vertical shape.
  • a shape of a reflector in essentially horizontal sections of the reflector is also referred to below as a horizontal shape.
  • Another preferred embodiment is characterized in that a first reflection module is set up through the one vertical shape of its reflector to generate the light-dark boundary, and through its horizontal shape is set up to generate a medium-wide light distribution during a second reflection module is set up by the horizontal shape of its reflector to generate a wide basic light distribution.
  • the second reflection module is set up by the vertical shape of its reflector to generate a light-dark boundary, and by the horizontal shape of its reflector is set up to to generate a medium-wide light distribution, while the first reflection module is set up by a horizontal shape of its reflector to generate a wide light distribution.
  • both the first reflection module and the second reflection module are set up by the vertical shape of the respective reflector to generate the cut-off line, and the second reflection module is set up by the horizontal shape of its reflector to have a medium width To generate light distribution, while the first reflection module is set up by the horizontal shape of its reflector focal length to generate a wide light distribution.
  • Another preferred embodiment is characterized in that both the first reflection module and the second reflection module are set up by the vertical shape of the respective reflector to generate the cut-off line, and the first reflection module by the horizontal shape of its reflector is set up to generate a medium-wide light distribution, while the second reflection module is set up by the horizontal shape of its reflector to generate a wide light distribution.
  • At least one of the semiconductor light sources has a single-chip light source or a double-chip light source.
  • a semiconductor light source having a single-chip light source or a double-chip light source can be any semiconductor light source from the group of the first semiconductor light source, the second semiconductor light source and the third semiconductor light source act.
  • the Figure 1 shows in detail a view of an exemplary embodiment of a motor vehicle headlight 10 according to the invention from the front.
  • the headlight 10 has a housing 12, the light exit opening of which is covered by a transparent cover plate 14.
  • the x direction lies parallel to the transverse axis of the vehicle.
  • the y-direction is parallel to the vertical axis and the z-direction is parallel to the longitudinal axis and indicates the main radiation direction of the headlight.
  • the headlight 10 has an arrangement of a first semiconductor light source 16 and a first concave mirror reflector 18, a second semiconductor light source 20 and a second concave mirror reflector 22 and a third semiconductor light source 24 and a third reflector 26.
  • the first semiconductor light source 16 together with the first concave mirror reflector 18 forms a first reflection module 28.
  • the second semiconductor light source 20 together with the second concave mirror reflector 22 forms a second reflection module 30, and the third semiconductor light source 24 together with the third reflector 26 forms a third reflection module 32.
  • a reflection module with the light source switched on is also referred to below as an active reflection module.
  • FIG. 11 shows a cross section of the article of FIG Figure 1 along the line II-II in the Figure 1 .
  • Light 34 radiated downward from the semiconductor light source 16 into the half-space is collected by the concave mirror reflector 18 and radiated into the area in front of the headlamp, bundled around a main radiation direction z.
  • the light sources are at the subject of Figure 1 and 2 arranged in the reflectors above.
  • the reflection modules can also be used in a position pivoted through 180 ° around the horizontal, so that the light sources are arranged at the bottom in the headlight. This applies both to each reflection module individually and in conjunction with one or both of the other reflection modules. All light sources can be arranged above or all light sources below or at least one light source above and one light source below.
  • the light exit surfaces of the reflectors are preferably of the same size, and the reflectors are preferably arranged in such a way that the light exit surfaces merge into one another, so that a coherent appearance results for the viewer.
  • FIG. 11 shows a plan view of the semiconductor light sources 16, 20, 24 from FIG Figure 1 .
  • the Figure 3 is intended to illustrate a possible arrangement and composition of these semiconductor light sources from separate semiconductor chips in schematic form and is not to scale to FIG Figure 1 based.
  • Each semiconductor light source 16, 20, 24 consists of at least two separate semiconductor chips.
  • the values of n, m, k and l are not limited to the specified values. However, they are preferably each greater than or equal to 2.
  • semiconductor light sources with 1 x 2, 1 x 3, 1 x 4 or 1 x 5 LEDs per row on a common carrier substrate are normally used in LED headlights.
  • the headlight manufacturer then has to use the mass-produced semiconductor light source that best meets his requirements.
  • High-power semiconductor light sources are now also available that have single chips or double chips that are suitable for low beam light distributions and for high beam light distributions.
  • the carrier for example carrier 24.3, may only protrude slightly beyond the light-emitting surface of the chip so that a total luminous area can be put together from several single-chip LEDs, which has only small non-luminous spacing areas between the luminous light exit areas .
  • LEDs implemented as a single chip are less expensive than multi-chip LEDs on a common carrier.
  • a further advantage of single-chip and double-chip LEDs over multiple chips results from greater flexibility in the arrangement of the light exit surfaces in the reflector and the coordination of the luminous fluxes in different applications and the individual components with one another. In particular, LEDs with two chips packed closely together as a double chip come into consideration as double chips.
  • Such a double chip is the Oslon Black Flat 1 X 2.
  • Such a double chip then replaces two single chips.
  • the double chips can also be flexibly grouped to form larger light sources. This is also advantageous because the shape of the reflectors and the exact spatial division of the three reflector areas can differ from one headlight type to another, i.e. in the case of headlights for different vehicle types.
  • the semiconductor chips are arranged on a common circuit board 40.
  • the common circuit board is preferably thermally coupled to a heat sink, which absorbs and dissipates the heat released during operation of the semiconductor light sources.
  • One of the three semiconductor light sources preferably one that is involved in generating the low beam and high beam, has, in a preferred embodiment, a row of semiconductor chips that are inclined in the horizontal plane when used as intended, which is the xz plane here is.
  • Homogenization measures can be provided to compensate for the interruptions in the luminous area caused by the distances between the light exit areas of the individual semiconductor chips.
  • An example of such a measure is the arrangement of front optics directly in front of the light exit surfaces of the semiconductor chips. A coherent light exit surface and thus, so to speak, a substitute light source are preferably generated with the auxiliary optics.
  • Another example of a homogenization measure consists in modulation of the reflector surfaces, in which the reflector surfaces are designed in such a way that they blur inhomogeneities in the appearance.
  • a control circuit 42 is also arranged on the board.
  • the control circuit can also be arranged separately from the circuit board in the headlight or on the inside or outside of the headlight. It is set up, in particular programmed, to control the luminous flux of the individual semiconductor light sources, which in particular switches on and off and controls the Includes brightness.
  • This control circuit is part of the invention regardless of its arrangement.
  • the control circuit for its part is preferably controlled by a higher-level control device 44 of the vehicle, which for this purpose receives, for example, a driver's request signal from a light switch 46.
  • the higher-level control device 44 signals to the control circuit 42 whether and, if so, which light distribution is to be generated, and the control circuit 42 then controls the individual semiconductor chips in such a way that the desired light distribution results.
  • the Figure 4 shows the control circuit 42 together with the three semiconductor light sources 16, 20 and 24 and two switches 48, 50 with which the control device 44 controls the light emission of the three semiconductor light sources in a further embodiment.
  • the first switch 48 is used to switch on a power supply for the semiconductor light sources and the second switch 50 is used to switch on either the first semiconductor light source together with a first group 36 of semiconductor chips of the second semiconductor light source 20, or to switch on the third semiconductor light source 24 together with a second group 38 of semiconductor chips of the second semiconductor light sources.
  • either the first 16 or the third semiconductor light source 24 is connected to the first switch 48 via the second switch 50.
  • the first group 36 of semiconductor chips of the second semiconductor light source 20 is always connected to the first semiconductor light source 16 in this exemplary embodiment.
  • the second group 38 of semiconductor chips of the second semiconductor light source 20 is always connected to the third semiconductor light source 24 in this exemplary embodiment.
  • the first switch 48 When the first switch 48 is closed, either the first semiconductor light source 16 emits light together with the first group 36 of semiconductor chips of the second semiconductor light source 20, with the third semiconductor light source 24 remaining switched off, or there is the third semiconductor light source 24 together with the second group 38 of semiconductor chips the second semiconductor light source 20 from light, wherein the first semiconductor light source 16 remains switched off.
  • the Figure 4 shows the first alternative, in which a current flows from a supply potential (+) via the first switch 48, the second switch 50 and the first semiconductor light source 16 to ground and with a further current path from the supply potential via the first switch, the second switch and the first group of semiconductor chips of the second semiconductor light source leads to ground.
  • the two groups of semiconductor chips of the second semiconductor light source are controlled separately from one another.
  • the Figure 5 shows a control circuit 42 together with the three semiconductor light sources 16, 20 and 24 and three switches 48, 50 and 52 with which the control device 44 controls the light emission of the three semiconductor light sources in a further embodiment.
  • the first switch 48 is used to switch on a power supply for the semiconductor light sources and the second switch 50 is used to switch on the first semiconductor light source 16 alternatively, the third semiconductor light source 24 being switched off or the third semiconductor light source 24 turn on, wherein the first semiconductor light source 16 is turned off.
  • the second group 38 of semiconductor chips of the second semiconductor light source 20 is here always electrically connected to the third semiconductor light source 24 and is therefore switched on and off together with it.
  • the first group 36 of semiconductor chips of the second semiconductor light source 20 is optionally connected to the first semiconductor light source 16 or the second group 38 of semiconductor chips of the second semiconductor light source 20 via the third switch 52.
  • the second switch 50 is actuated together with the third switch 52.
  • the first group 36 of semiconductor chips of the second semiconductor light source 20 is always switched on when the first switch 48 is closed.
  • the first semiconductor light source 16 When the first switch 48 is closed, either the first semiconductor light source 16 emits light together with the first group 36 of semiconductor chips of the second semiconductor light source, the second group 38 of semiconductor chips of the second semiconductor light source 20 and the third semiconductor light source 24 remaining switched off, or there is the third Semiconductor light source 24 together with the first group 36 and the second group 38 of semiconductor chips from the second semiconductor light source 20, the first semiconductor light source 16 remaining switched off.
  • the first alternative is used to generate a low beam light distribution
  • the second alternative is used to generate a high beam light distribution.
  • the Figure 5 shows the first alternative, in which a current from a supply potential via the first switch 48, the second switch 50, and in parallel via the first semiconductor light source 16 and via the third switch 52 and the first group 36 of semiconductor chips of the second semiconductor light source 20 to ground.
  • the third switch 52 connects the first group 36 of semiconductor chips of the second semiconductor light source 20 to the second group 38 of semiconductor chips of the second semiconductor light source 20, and the second switch 50 connects the combination of the second semiconductor light source 20 and the third Semiconductor light source 24 with the side of the first switch 48, which is connected to the semiconductor light sources.
  • the two groups of semiconductor chips of the second semiconductor light source are controlled separately from one another.
  • Figure 6 shows an embodiment in which a fourth switch 54 together with the first semiconductor light source 16 lies in a first current path between ground and the supply potential, a fifth switch 56 together with the first group 36 of semiconductor chips of the second semiconductor light source 20 in a second current path between ground and the supply potential, a sixth switch 58 together with the second group 38 of semiconductor chips of the second semiconductor light source 20 lies in a third current path between ground and the supply potential, and a seventh switch 60 together with the third semiconductor light source 24 in a fourth current path between ground and the Supply potential lies.
  • the four switches in this embodiment are only to distinguish them from the three switches from the Figures 4 and 5 referred to as fourth through seventh switches.
  • the switches 54 - 60 mentioned can be switched independently of one another, so that any combinations of switch-on states and switch-off states of the first semiconductor light source 16, the first group 36 of semiconductor chips of the second semiconductor light source 20, the second group 38 of semiconductor chips of the second semiconductor light source 20, and the third semiconductor light source 24 can be adjusted.
  • the switching states of these switches 54 - 60 are controlled by the control device 44.
  • the Figures 4 to 6 represent configurations of headlights, with two reflection modules each forming a first pair of reflection modules that can be activated to generate a low beam light distribution, and two reflection modules each forming a second pair of reflection modules that can be activated to generate a high beam light distribution.
  • One of the reflection modules here the second reflection module 30, is involved in both the generation of a low beam light distribution and the generation of a high beam light distribution and has two groups 36, 38 of semiconductor chips, which are in particular arranged in lines. A first of these groups is switched on in addition to the first semiconductor light source for generating the low beam. A second of these groups is switched on in addition to the third semiconductor light source for generating the high beam. To generate the high beam, in one embodiment both of these groups are switched on in addition to the third semiconductor light source.
  • the headlight 10 has a reflection system with three reflectors 18, 22, 26.
  • a semiconductor light source 16, 20, 24 is assigned to each reflector, so that each reflector forms a reflection module 28, 30, 32 with a light source.
  • Two of the three reflection modules are used to generate a low beam light distribution.
  • the subject of Figures 1 to 3 these are the first reflection module which is formed by the first reflector and the first semiconductor light source, and the second reflection module which is formed by the second reflector and the second semiconductor light source.
  • the first reflection module is preferably arranged closer to the outside of the vehicle.
  • the third reflection module 32 is arranged closer to a central longitudinal axis of the vehicle.
  • the second reflection module is arranged between the first reflection module and the second reflection module.
  • Two reflection modules are also used to generate high beam light distribution.
  • the subject of Figures 1 to 3 these are the second reflection module formed by the second reflector and the second semiconductor light source, and the third reflection module formed by the third reflector and the third semiconductor light source.
  • One of the three reflection modules is used both to generate the low beam light distribution and to generate the high beam light distribution and thus represents a bifunctional module Figures 1 to 3 this is the second reflection module which is formed by the second reflector and the second semiconductor light source.
  • This bifunctional module has two groups of semiconductor light sources.
  • the groups consist of single chips or double chips, which are arranged along a line within each group.
  • the line lies with its longitudinal extent transversely to the main emission direction in a horizontal plane.
  • the two lines are preferably offset from one another in the z direction (main emission direction of the reflector).
  • the distance between the light-emitting surfaces is as small as possible, preferably smaller than a shortest side length of the light-emitting surfaces, but greater than zero, so that the light-emitting surfaces do not touch.
  • the light exit surfaces are therefore arranged in the manner of a transverse helix.
  • the shape of the first reflector means that the first reflection module is preferably set up to generate a partial low beam distribution with a light-dark boundary for a rule-compliant low beam distribution. This is achieved in that the first reflector is shaped in such a way that its helical images, i.e. the images of the chip areas that the reflector projects into its area in front of it, do not extend beyond a certain line. Each surface element of the reflector creates such a helical image, for example can be made visible on a screen. The position of the spiral pattern on the screen can be predetermined by the shape of the reflector.
  • the third reflection module preferably generates a partial high beam light distribution without a light / dark boundary.
  • the high beam light distribution protrudes above the horizon in front of the vehicle.
  • the second reflection module generates switchable partial light distributions for a low beam light distribution or a high beam light distribution. Only one of the three reflection modules is preferably switchable. The invention is not limited to the fact that only one of three reflection modules generates different partial light distributions in a switchable manner.
  • each of the three reflection modules generates a partial light distribution that is different from the partial light distribution of each of the two other reflection modules.
  • the second reflection module is a bifunctional module in the sense described, that is, it is involved in both the generation of the low beam and the generation of the high beam.
  • the spot light distribution is generated by the third reflection module.
  • the first reflection module is essentially by a shape of its reflector vertical sections of the reflector set up to generate a cut-off line, and set up by a shape of its reflector in substantially horizontal sections of the reflector to generate a medium-wide light distribution, while the second reflection module is set up by a shape of its reflector substantially horizontal sections of the reflector is set up to produce a wide light distribution.
  • the second reflection module is set up by a shape of its reflector in essentially vertical sections of the reflector to generate the cut-off line, and it is set up by a shape of its reflector in essentially horizontal sections of the reflector, to generate a medium-wide light distribution, while the first reflection module is set up by a shape of its reflector in substantially horizontal sections of the reflector focal length to generate a wide light distribution.
  • both the first reflection module and the second reflection module are set up by a shape of their respective reflector in substantially vertical sections of the respective reflector to generate the light-dark boundary, and the second reflection module is designed by a shape of its reflector set up in essentially horizontal sections of the reflector to generate a medium-wide light distribution, while the first reflection module is set up by a shape of its reflector in essentially horizontal sections of the reflector to generate a wide light distribution.
  • both the first reflection module and the second reflection module are set up by a shape of their respective reflector in essentially vertical sections of the respective reflector to generate the light-dark boundary, and the first reflection module is designed by a shape of its reflector set up in essentially horizontal sections of the reflector to generate a medium-wide light distribution, while the second reflection module is set up by a shape of its reflector in essentially horizontal sections of the reflector to generate a wide light distribution.
  • a reflection module generates a somewhat more broadly scattered basic light. In the exemplary embodiments and configurations presented here, this is the first reflection module.
  • a reflection module generates a concentrated spot light distribution, preferably for high beam. In the exemplary embodiments and configurations presented here, this is the third reflection module.
  • a reflection module generates a medium-wide light distribution. In the exemplary embodiments and configurations presented here, this is the second reflection module.
  • One or two modules generate the the light-dark border. These are preferably the first reflection module and the second reflection module.
  • All alternatives preferably have in common that a reflection module involved in the generation of the low-beam light distribution, which does not generate a light-dark boundary, distributes its light up to a few tenths of a degree below the light-dark boundary, so that this module is not tolerance-critical.
  • One of the reflection modules preferably the reflection module serving as a spot module, is implemented as a partial high beam module that has a vertical light-dark border in its part of the light distribution above the horizon, whereby a high beam with an adaptively masked zone for road users is made possible in advance of your own motor vehicle.
  • This vertical light-dark boundary separates, for example, a light area of the light distribution lying on the own traffic side from a dark area of the light distribution lying on the opposite traffic side.

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Description

Die vorliegende Erfindung betrifft einen Kraftfahrzeugscheinwerfer nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1. Ein solcher Scheinwerfer ist aus der EP 2 363 320 A1 bekannt.The present invention relates to a motor vehicle headlight according to the preamble of claim 1. Such a headlight is from the EP 2 363 320 A1 known.

Solche, in Reflexionstechnik ausgeführte und mit Leuchtdioden als Halbleiterlichtquellen arbeitende Scheinwerfer sind aus verschiedenen Druckschriften bekannt. So offenbart die EP 2 532 951 ein Reflexionssystem mit einer Reflektorkammer, wobei die Lichtquelle beim Umschalten zwischen der Abblendlicht-Lichtfunktion, in der eine Abblendlichtverteilung erzeugt wird, und der Fernlicht-Lichtfunktion, in der eine Fernlicht-Lichtverteilung erzeugt wird, bewegt wird.Such headlights, implemented using reflection technology and working with light-emitting diodes as semiconductor light sources, are known from various publications. So reveals the EP 2 532 951 a reflection system with a reflector chamber, wherein the light source is moved when switching between the low beam light function, in which a low beam light distribution is generated, and the high beam light function, in which a high beam light distribution is generated.

Darüber hinaus ist aus der JP 2011129283 ein mit LED als Halbleiterlichtquellen mit einer Reflektorkammer arbeitendes Reflexionssystem mit feststehender Lichtquelle bekannt. Entsprechende Systeme mit mehreren Reflektorkammern sind aus der DE 103 40 432 oder US 2014/198 517 A1 bekannt.In addition, from the JP 2011129283 a reflection system with a fixed light source working with LEDs as semiconductor light sources with a reflector chamber known. Corresponding systems with several reflector chambers are from the DE 103 40 432 or US 2014/198 517 A1 known.

Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht in der Angabe eines mit Halbleiterlichtquellen wie zum Beispiel LED arbeitenden Scheinwerfers für Abblendlicht und Fernlicht, der kostengünstig ist und der ein gutes Niveau in Bezug auf das von ihm bereitgestellte Lichtvolumen und die Qualität der von ihm erzeugten Lichtverteilungen besitzt.The object of the present invention is to provide a headlamp for dipped and high beam which works with semiconductor light sources such as LEDs, which is inexpensive and which has a good level with regard to the volume of light it provides and the quality of the light distributions it generates.

Diese Aufgabe wird mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst.This object is achieved with the features of claim 1.

Der erfindungsgemäße Kraftfahrzeugscheinwerfer weist eine Anordnung aus einer ersten Halbleiterlichtquelle und einem ersten Hohlspiegelreflektor, einer zweiten Halbleiterlichtquelle und einem zweiten Hohlspiegelreflektor und einer dritten Halbleiterlichtquelle und einem dritten Hohlspiegelreflektor auf. Jede Halbleiterlichtquelle besteht aus mindestens zwei separaten Halbleiterchips. Die zweite Halbleiterlichtquelle besteht aus einer ersten Gruppe von Halbleiterchips und aus einer zweiten Gruppe von Halbleiterchips. Der Begriff des Chips bezeichnet in dieser Anmeldung immer eine zusammenhängende, durchgehend lichtemittierende Halbleiterfläche (die normalerweise mit Leuchtstoff beschichtet ist), insbesondere eine Leuchtdiode (LED). Jeder Chip stellt zunächst für sich ein von anderen Chips separates Element dar. In einer Ausgestaltung sind mehrere solcher Elemente zu einem zusammenhängenden, in sich starren Bauelement zusammengefasst. Zur Unterscheidung von einem solchen, mehrere Elemente zusammenfassenden Bauelement werden Bauelemente, die nur einen Chip enthalten, im Folgenden auch als Einzelchip-Lichtquelle und Bauelemente, die genau zwei Chips enthalten, als Doppelchip-Lichtquelle bezeichnet. Der Scheinwerfer weist eine Steuerschaltung auf, die dazu eingerichtet ist, bei eingeschaltetem Scheinwerfer entweder die erste Halbleiterlichtquelle ohne die dritte Halbleiterlichtquelle oder die dritte Halbleiterlichtquelle ohne die erste Halbleiterlichtquelle zu betreiben, und ausschließlich einen ersten Teil der Halbleiterchips der zweiten Halbleiterlichtquelle gemeinsam mit der ersten Halbleiterlichtquelle zu betreiben und wenigstens einen zweiten Teil der Halbleiterchips der zweiten Halbleiterlichtquelle gemeinsam mit der dritten Halbleiterlichtquelle zu betreiben.The motor vehicle headlight according to the invention has an arrangement of a first semiconductor light source and a first concave mirror reflector, a second semiconductor light source and a second concave mirror reflector and a third semiconductor light source and a third concave mirror reflector. Each semiconductor light source consists of at least two separate semiconductor chips. The second semiconductor light source consists of a first group of semiconductor chips and a second group of semiconductor chips. In this application, the term “chip” always refers to a coherent, continuous light-emitting semiconductor surface (which is normally coated with phosphor), in particular a light-emitting diode (LED). Each chip initially represents an element that is separate from other chips. In one embodiment, several such elements are combined to form a coherent, inherently rigid component. To distinguish it from such a component combining several elements, components that contain only one chip are also referred to below as single-chip light sources and components that contain exactly two chips are referred to as double-chip light sources. The headlight has a control circuit which is set up to operate either the first semiconductor light source without the third semiconductor light source or the third semiconductor light source without the first semiconductor light source when the headlight is switched on, and exclusively to a first part of the semiconductor chips of the second semiconductor light source together with the first semiconductor light source operate and operate at least a second part of the semiconductor chips of the second semiconductor light source together with the third semiconductor light source.

Die erste Halbleiterlichtquelle beleuchtet den ersten Reflektor; die zweite Halbleiterlichtquelle beleuchtet den zweiten Reflektor, und die dritte Halbleiterlichtquelle beleuchtet den dritten Reflektor. Die Anordnung aus dem ersten Reflektor und der ersten Halbleiterlichtquelle bildet insofern ein erstes Reflexionsmodul. Die Anordnung aus dem zweiten Reflektor und der zweiten Halbleiterlichtquelle bildet insofern ein zweites Reflexionsmodul. Die Anordnung aus dem dritten Reflektor und der dritten Halbleiterlichtquelle bildet insofern ein drittes Reflexionsmodul. Die Zusammensetzung aus drei Reflexionsmodulen erlaubt es, die zu erzeugenden Lichtverteilungen durch eine Überlagerung von Teil-Lichtverteilungen zu erzeugen, wobei jede Teil-Lichtverteilung durch ein Reflexionsmodul aus einem Hohlspiegelreflektor und einer Halbleiterlichtquelle erzeugt wird und wobei sich insgesamt ein vorteilhaft großer Lichtstrom ergibt. Die einzelnen Reflexionsmodule können dabei jeweils so optimiert werden, dass jedes Reflexionsmodul jeweils eine spezifische Funktion besonders gut erfüllt.The first semiconductor light source illuminates the first reflector; the second semiconductor light source illuminates the second reflector, and the third semiconductor light source illuminates the third reflector. The arrangement of the first reflector and the first semiconductor light source thus forms a first reflection module. The arrangement of the second reflector and the second semiconductor light source thus forms a second reflection module. The arrangement of the third reflector and the third semiconductor light source thus forms a third reflection module. The combination of three reflection modules makes it possible to generate the light distributions to be generated by superimposing partial light distributions, each partial light distribution is generated by a reflection module composed of a concave mirror reflector and a semiconductor light source and with an advantageously large luminous flux overall. The individual reflection modules can be optimized so that each reflection module fulfills a specific function particularly well.

Mindestens eines der Reflexionsmodule ist durch die Form seines Hohlspiegelreflektors dazu eingerichtet, eine Grundlicht-Lichtverteilung zu erzeugen. Ein weiteres der Reflexionsmodule ist bevorzugt dazu eingerichtet, eine konzentrierte Spot-Lichtverteilung, vorzugsweise für Fernlicht, zu erzeugen. Ein weiteres Reflexionsmodul ist bevorzugt dazu eingerichtet, eine mittelbreite Lichtverteilung zu erzeugen. Die Grundlichtverteilung ist bevorzugt breiter als die mittelbreite Lichtverteilung, und diese ist bevorzugt breiter als die Spot-Lichtverteilung. Die unterschiedlichen Breiten werden zum Beispiel durch unterschiedliche Formgebungen der Hohlspiegelreflektoren erzeugt, wobei die Breite insbesondere von der Formgebung in bei bestimmungsgemäßer Verwendung horizontaler Richtung abhängt.At least one of the reflection modules is set up by the shape of its concave mirror reflector to generate a basic light distribution. Another of the reflection modules is preferably set up to generate a concentrated spot light distribution, preferably for high beam. Another reflection module is preferably set up to generate a medium-wide light distribution. The basic light distribution is preferably wider than the medium-wide light distribution, and this is preferably wider than the spot light distribution. The different widths are generated, for example, by different shapes of the concave mirror reflectors, the width depending in particular on the shape in the horizontal direction when used as intended.

Ein Reflexionsmodul oder auch zwei Reflexionsmodule sind darüber hinaus bevorzugt dazu eingerichtet, eine zur Erzeugung einer regelkonformen Abblendlichtverteilung erforderliche Hell-Dunkel-Grenze zu erzeugen. Eine solche Hell-Dunkel-Grenze verläuft bei einer bestimmungsgemäßen Verwendung des Scheinwerfers zumindest teilweise horizontal.In addition, one reflection module or two reflection modules are preferably set up to generate a cut-off line required for generating a rule-compliant low beam distribution. Such a light-dark boundary runs at least partially horizontally when the headlight is used as intended.

Normalerweise werden bei LED-Scheinwerfern Halbleiterlichtquellen mit 1 x 2, 1 x 3, 1 x 4 oder 1 x 5 LEDs pro Zeile auf einem gemeinsamen Trägersubstrat verwendet. Dadurch, dass bei der vorliegenden Erfindung Halbleiterlichtquellen Verwendung finden, die aus mindestens zwei separaten (d.h. nicht auf einem gemeinsamen Trägersubstrat angeordneten) Halbleiterchips, also aus Einzelchip-Lichtquellen bestehen, ergibt sich eine Kostenersparnis.Normally, semiconductor light sources with 1 x 2, 1 x 3, 1 x 4 or 1 x 5 LEDs per row are installed on a common carrier substrate in LED headlights used. The fact that the present invention uses semiconductor light sources which consist of at least two separate semiconductor chips (that is to say not arranged on a common carrier substrate), that is to say of single-chip light sources, results in a cost saving.

Eine bevorzugte Ausgestaltung zeichnet sich damit dadurch aus, dass jeweils ein Reflektor mit einer Lichtquelle ein Reflexionsmodul bildet und dass jeweils zwei Reflexionsmodule ein erstes Paar von Reflexionsmodulen bilden, das zur Erzeugung einer Abblendlicht-Lichtverteilung aktivierbar ist, und dass jeweils zwei Reflexionsmodule ein zweites Paar von Reflexionsmodulen bilden, das zur Erzeugung einer Fernlicht-Lichtverteilung aktivierbar sind.A preferred embodiment is characterized in that each reflector forms a reflection module with a light source and that two reflection modules each form a first pair of reflection modules that can be activated to generate a low beam light distribution, and that two reflection modules each have a second pair of Form reflection modules that can be activated to generate a high beam light distribution.

Bevorzugt ist auch, dass wenigstens ein Reflexionsmodul dazu eingerichtet ist, eine zur Erzeugung einer regelkonformen Abblendlichtverteilung erforderliche Hell-Dunkel-Grenze zu erzeugen.It is also preferred that at least one reflection module is set up to generate a light-dark boundary required for generating a rule-compliant low beam distribution.

Ferner ist bevorzugt, dass die Lichtaustrittsflächen der Reflektoren gleich groß sind und dass die Reflektoren so angeordnet sind, dass ihre Lichtaustrittsflächen aneinander angrenzen.It is also preferred that the light exit surfaces of the reflectors are of the same size and that the reflectors are arranged in such a way that their light exit surfaces adjoin one another.

Eine weitere bevorzugte Ausgestaltung zeichnet sich dadurch aus, dass jede Halbleiterlichtquelle aus mindestens zwei separaten Halbleiterchips besteht.Another preferred embodiment is characterized in that each semiconductor light source consists of at least two separate semiconductor chips.

Bevorzugt ist auch, dass die Halbleiterchips jeweils längs einer Zeile angeordnet sind, welche Zeile mit ihrer Längserstreckung quer zur Hauptabstrahlrichtung des Reflektors in einer horizontalen Ebene angeordnet ist.It is also preferred that the semiconductor chips are each arranged along a row, which row is arranged with its longitudinal extent transverse to the main emission direction of the reflector in a horizontal plane.

Ferner ist bevorzugt, dass eine der drei Halbleiterlichtquellen eine Zeile von Halbleiterchips aufweist, die in einer bei bestimmungsgemäßer Verwendung des Scheinwerfers horizontalen Ebene schräg angeordnet ist.It is also preferred that one of the three semiconductor light sources has a row of semiconductor chips which is arranged obliquely in a horizontal plane when the headlight is used as intended.

Eine weitere bevorzugte Ausgestaltung zeichnet sich dadurch aus, dass eines der Reflexionsmodule dazu eingerichtet ist, sowohl einen Teil einer Abblendlicht-Lichtverteilung als auch einen Teil einer Fernlicht-Lichtverteilung zu erzeugen, und dass dieses Reflexionsmodul zwei Gruppen von Halbleiterchips aufweist, die zeilenförmig angeordnet sind.Another preferred embodiment is characterized in that one of the reflection modules is set up to generate both part of a low beam light distribution and part of a high beam light distribution, and that this reflection module has two groups of semiconductor chips that are arranged in lines.

Bevorzugt ist auch, dass zwei Reflexionsmodule zur Erzeugung einer Fernlicht-Lichtverteilung eingerichtet sind.It is also preferred that two reflection modules are set up to generate a high beam light distribution.

Ferner ist bevorzugt, dass ein erstes Reflexionsmodul durch die Form des ersten Reflektors dazu eingerichtet ist, eine Teil-Abblendlichtverteilung mit Hell-Dunkel-Grenze für eine regelkonforme Abblendlichtverteilung zu erzeugen. Dabei kommt es für die Erzeugung der Hell-Dunkel-Grenze insbesondere auf die Form von Schnitten des Reflektors an, die bei einer bestimmungsgemäßen Verwendung vertikal ausgerichtet sind. Wenn im Folgenden von einer vertikalen oder horizontalen Anordnung die Rede ist, soll sich dies immer auf eine bestimmungsgemäße Verwendung beziehen.Furthermore, it is preferred that a first reflection module is set up through the shape of the first reflector to generate a partial low beam distribution with a light / dark boundary for a rule-compliant low beam distribution. For the generation of the cut-off line, the shape of the sections of the reflector, which are vertically aligned when used as intended, is particularly important. Whenever a vertical or horizontal arrangement is mentioned in the following, this should always relate to intended use.

Eine weitere bevorzugte Ausgestaltung zeichnet sich dadurch aus, dass ein zweites Reflexionsmodul ein Bifunktionsmodul ist, das sowohl an der Erzeugung des Abblendlichts als auch an der Erzeugung des Fernlichts beteiligt ist.Another preferred embodiment is characterized in that a second reflection module is a bifunctional module that is involved both in the generation of the low beam and in the generation of the high beam.

Bevorzugt ist auch, dass ein drittes Reflexionsmodul dazu eingerichtet ist, eine Teil-Fernlicht-Lichtverteilung ohne Hell-Dunkel-Grenze zu erzeugen, die bei einer bestimmungsgemäßer Verwendung des Scheinwerfers über die Höhe des Horizonts vor dem Fahrzeug hinausragt.It is also preferred that a third reflection module is set up to generate a partial high beam light distribution without a cut-off line that occurs when a proper use of the headlight protrudes above the horizon in front of the vehicle.

Ferner ist bevorzugt, dass mindestens eines der Reflexionsmodule durch die Form seines Hohlspiegelreflektors dazu eingerichtet ist, eine Grundlicht-Lichtverteilung zu erzeugen, ein weiteres Reflexionsmodul dazu eingerichtet ist, eine konzentrierte Spot-Lichtverteilung zu erzeugen, und noch ein weiteres Reflexionsmodul dazu eingerichtet ist, eine mittelbreite Lichtverteilung zu erzeugen, wobei die Grundlichtverteilung breiter als die mittelbreite Lichtverteilung ist, und diese breiter als die Spot-Lichtverteilung ist.Furthermore, it is preferred that at least one of the reflection modules is set up through the shape of its concave mirror reflector to generate a basic light distribution, another reflection module is set up to generate a concentrated spot light distribution, and yet another reflection module is set up to provide a to generate medium-wide light distribution, the basic light distribution being wider than the medium-wide light distribution, and this being wider than the spot light distribution.

Eine Form eines Reflektors in im Wesentlichen vertikalen Schnitten des Reflektors wird im Folgenden auch als vertikale Form bezeichnet. Eine Form eines Reflektors in im Wesentlichen horizontalen Schnitten des Reflektors wird im Folgenden auch als horizontale Form bezeichnet.A shape of a reflector in essentially vertical sections of the reflector is also referred to below as a vertical shape. A shape of a reflector in essentially horizontal sections of the reflector is also referred to below as a horizontal shape.

Eine weitere bevorzugte Ausgestaltung zeichnet sich dadurch aus, dass ein erstes Reflexionsmodul durch die eine vertikale Form seines Reflektors dazu eingerichtet ist, die Hell-Dunkel-Grenze zu erzeugen, und durch dessen horizontale Form dazu eingerichtet ist, eine mittelbreite Lichtverteilung zu erzeugen, während ein zweites Reflexionsmodul durch die horizontale Form seines Reflektors dazu eingerichtet ist, eine breite Grundlichtverteilung zu erzeugen.Another preferred embodiment is characterized in that a first reflection module is set up through the one vertical shape of its reflector to generate the light-dark boundary, and through its horizontal shape is set up to generate a medium-wide light distribution during a second reflection module is set up by the horizontal shape of its reflector to generate a wide basic light distribution.

Bevorzugt ist auch, dass das zweite Reflexionsmodul durch die vertikale Form seines Reflektors dazu eingerichtet ist, eine Hell-Dunkel-Grenze zu erzeugen, und durch die horizontale Form seines Reflektors dazu eingerichtet ist, eine mittelbreite Lichtverteilung zu erzeugen, während das erste Reflexionsmodul durch eine horizontale Form seines Reflektors dazu eingerichtet ist, eine breite Lichtverteilung zu erzeugen.It is also preferred that the second reflection module is set up by the vertical shape of its reflector to generate a light-dark boundary, and by the horizontal shape of its reflector is set up to to generate a medium-wide light distribution, while the first reflection module is set up by a horizontal shape of its reflector to generate a wide light distribution.

Ferner ist bevorzugt, dass sowohl das erste Reflexionsmodul als auch das zweite Reflexionsmodul durch die vertikale Form des jeweiligen Reflektors dazu eingerichtet sind, die Hell-Dunkel-Grenze zu erzeugen, und das zweite Reflexionsmodul durch die horizontale Form seines Reflektors dazu eingerichtet ist, eine mittelbreite Lichtverteilung zu erzeugen, während das erste Reflexionsmodul durch die horizontale Form seines Reflektors Brennweite dazu eingerichtet ist, eine breite Lichtverteilung zu erzeugen.Furthermore, it is preferred that both the first reflection module and the second reflection module are set up by the vertical shape of the respective reflector to generate the cut-off line, and the second reflection module is set up by the horizontal shape of its reflector to have a medium width To generate light distribution, while the first reflection module is set up by the horizontal shape of its reflector focal length to generate a wide light distribution.

Eine weitere bevorzugte Ausgestaltung zeichnet sich dadurch aus, dass sowohl das erste Reflexionsmodul als auch das zweite Reflexionsmodul durch die vertikale Form des jeweiligen Reflektors dazu eingerichtet sind, die Hell-Dunkel-Grenze zu erzeugen, und das erste Reflexionsmodul durch die horizontale Form seines Reflektors dazu eingerichtet ist, eine mittelbreite Lichtverteilung zu erzeugen, während das zweite Reflexionsmodul durch die horizontale Form seines Reflektors dazu eingerichtet ist, eine breite Lichtverteilung zu erzeugen.Another preferred embodiment is characterized in that both the first reflection module and the second reflection module are set up by the vertical shape of the respective reflector to generate the cut-off line, and the first reflection module by the horizontal shape of its reflector is set up to generate a medium-wide light distribution, while the second reflection module is set up by the horizontal shape of its reflector to generate a wide light distribution.

Bevorzugt ist auch, dass wenigstens eine der Halbleiterlichtquellen eine Einzelchip-Lichtquelle oder eine Doppelchip-Lichtquelle aufweist. Bei einer solchen, eine Einzelchip-Lichtquelle oder eine Doppelchip-Lichtquelle aufweisenden Halbleiterlichtquelle kann es sich dabei um jede Halbleiterlichtquelle aus der Gruppe der ersten Halbleiterlichtquelle, der zweiten Halbleiterlichtquelle und der dritten Halbleiterlichtquelle handeln.It is also preferred that at least one of the semiconductor light sources has a single-chip light source or a double-chip light source. Such a semiconductor light source having a single-chip light source or a double-chip light source can be any semiconductor light source from the group of the first semiconductor light source, the second semiconductor light source and the third semiconductor light source act.

Weitere Vorteile ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung, den Zeichnungen und den Unteransprüchen. Es versteht sich, dass die vorstehend genannten und die nachstehend noch zu erläuternden Merkmale nicht nur in der jeweils angegebenen Kombination, sondern auch in anderen Kombinationen oder in Alleinstellung verwendbar sind, ohne den Rahmen der vorliegenden Erfindung zu verlassen.Further advantages emerge from the following description, the drawings and the subclaims. It goes without saying that the features mentioned above and those yet to be explained below can be used not only in the respectively specified combination, but also in other combinations or alone, without departing from the scope of the present invention.

Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und werden in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert.Exemplary embodiments of the invention are shown in the drawings and are explained in more detail in the following description.

Dabei zeigen, jeweils in schematischer Form:

Figur 1
eine Ansicht eines Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen Kraftfahrzeugscheinwerfers von vorne;
Figur 2
einen Querschnitt des Gegenstands der Figur 1;
Figur 3
eine Draufsicht auf die Halbleiterlichtquellen aus der Figur 1, zusammen mit zur Steuerung der Halbleiterlichtquellen dienenden Vorrichtungen wie einer Steuerschaltung;
Figur 4
eine Steuerschaltung, welche zwei Gruppen von Halbleiterchips der zweiten Halbleiterlichtquelle gemeinsam steuert;
Figur 5
eine Steuerschaltung zusammen mit drei Halbleiterlichtquellen in einer weiteren Ausgestaltung steuert; und
Figur 6
eine Ausgestaltung, bei der die Halbleiterlichtquellen und Gruppen von Halbleiterchips jeweils einzeln und unabhängig voneinander eingeschaltet und ausgeschaltet werden können, die nicht unter die vorliegende Erfindung fällt.
Show, each in schematic form:
Figure 1
a view of an embodiment of a motor vehicle headlight according to the invention from the front;
Figure 2
a cross section of the object of Figure 1 ;
Figure 3
a plan view of the semiconductor light sources from FIG Figure 1 , together with devices such as a control circuit for controlling the semiconductor light sources;
Figure 4
a control circuit which controls two groups of semiconductor chips of the second semiconductor light source in common;
Figure 5
controls a control circuit together with three semiconductor light sources in a further embodiment; and
Figure 6
a configuration in which the semiconductor light sources and groups of semiconductor chips can each be switched on and off individually and independently of one another, which does not fall under the present invention.

Die Figur 1 zeigt im Einzelnen eine Ansicht eines Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen Kraftfahrzeugscheinwerfers 10 von vorne. Der Scheinwerfer 10 weist ein Gehäuse 12 auf, dessen Lichtaustrittsöffnung durch eine transparente Abdeckscheibe 14 abgedeckt ist. Die x-Richtung liegt bei einer bestimmungsgemäßen Verwendung des Scheinwerfers in einem Kraftfahrzeug parallel zu der Querachse des Fahrzeugs. Die y-Richtung ist parallel zur Hochachse und die z-Richtung ist parallel zur Längsachse und gibt die Hauptabstrahlrichtung des Scheinwerfers an.The Figure 1 shows in detail a view of an exemplary embodiment of a motor vehicle headlight 10 according to the invention from the front. The headlight 10 has a housing 12, the light exit opening of which is covered by a transparent cover plate 14. When the headlight is used as intended in a motor vehicle, the x direction lies parallel to the transverse axis of the vehicle. The y-direction is parallel to the vertical axis and the z-direction is parallel to the longitudinal axis and indicates the main radiation direction of the headlight.

Der Scheinwerfer 10 weist eine Anordnung aus einer ersten Halbleiterlichtquelle 16 und einem ersten Hohlspiegelreflektor 18, einer zweiten Halbleiterlichtquelle 20 und einem zweiten Hohlspiegelreflektor 22 und einer dritten Halbleiterlichtquelle 24 und einem dritten Reflektor 26 auf.The headlight 10 has an arrangement of a first semiconductor light source 16 and a first concave mirror reflector 18, a second semiconductor light source 20 and a second concave mirror reflector 22 and a third semiconductor light source 24 and a third reflector 26.

Die erste Halbleiterlichtquelle 16 bildet zusammen mit dem ersten Hohlspiegelreflektor 18 ein erstes Reflexionsmodul 28. Analog dazu bildet die zweite Halbleiterlichtquelle 20 zusammen mit dem zweiten Hohlspiegelreflektor 22 ein zweites Reflexionsmodul 30, und die dritte Halbleiterlichtquelle 24 bildet zusammen mit dem dritten Reflektor 26 ein drittes Reflexionsmodul 32. Ein Reflexionsmodul mit eingeschalteter Lichtquelle wird im Folgenden auch als aktives Reflexionsmodul bezeichnet.The first semiconductor light source 16 together with the first concave mirror reflector 18 forms a first reflection module 28. Analogously, the second semiconductor light source 20 together with the second concave mirror reflector 22 forms a second reflection module 30, and the third semiconductor light source 24 together with the third reflector 26 forms a third reflection module 32 A reflection module with the light source switched on is also referred to below as an active reflection module.

Die Figur 2 zeigt einen Querschnitt des Gegenstands der Figur 1 längs der Linie II-II in der Figur 1. Von der Halbleiterlichtquelle 16 in den Halbraum nach unten abgestrahltes Licht 34 wird von dem Hohlspiegelreflektor 18 gesammelt und um eine Hauptabstrahlrichtung z gebündelt in das Vorfeld des Scheinwerfers abgestrahlt.The Figure 2 FIG. 11 shows a cross section of the article of FIG Figure 1 along the line II-II in the Figure 1 . Light 34 radiated downward from the semiconductor light source 16 into the half-space is collected by the concave mirror reflector 18 and radiated into the area in front of the headlamp, bundled around a main radiation direction z.

Die Lichtquellen sind beim Gegenstand der Figur 1 und 2 in den Reflektoren oben angeordnet. In einer alternativen Ausgestaltung kann können die Reflexionsmodule auch in einer um 180° um die Horizontale herum geschwenkten Lage verwendet werden, so dass die Lichtquellen im Scheinwerfer unten angeordnet sind. Dies gilt sowohl für jedes Reflexionsmodul einzeln als auch in Verbindung mit einem oder auch mit beiden anderen Reflexionsmodulen. Es könne also alle Lichtquellen oben oder alle Lichtquellen unten oder wenigstens eine Lichtquelle oben und eine Lichtquelle unten angeordnet sein.The light sources are at the subject of Figure 1 and 2 arranged in the reflectors above. In an alternative embodiment, the reflection modules can also be used in a position pivoted through 180 ° around the horizontal, so that the light sources are arranged at the bottom in the headlight. This applies both to each reflection module individually and in conjunction with one or both of the other reflection modules. All light sources can be arranged above or all light sources below or at least one light source above and one light source below.

Die Lichtaustrittsflächen der Reflektoren sind bevorzugt gleich groß, und die Reflektoren sind bevorzugt so angeordnet, dass die Lichtaustrittsflächen ineinander übergehen, so dass sich für den Betrachter ein zusammenhängendes Erscheinungsbild ergibt.The light exit surfaces of the reflectors are preferably of the same size, and the reflectors are preferably arranged in such a way that the light exit surfaces merge into one another, so that a coherent appearance results for the viewer.

Die Figur 3 zeigt eine Draufsicht auf die Halbleiterlichtquellen 16, 20, 24 aus der Figur 1. Die Figur 3 soll eine mögliche Anordnung und Zusammensetzung dieser Halbleiterlichtquellen aus separaten Halbleiterchips in schematischer Form veranschaulichen und ist nicht maßstäblich auf die Figur 1 bezogen.The Figure 3 FIG. 11 shows a plan view of the semiconductor light sources 16, 20, 24 from FIG Figure 1 . The Figure 3 is intended to illustrate a possible arrangement and composition of these semiconductor light sources from separate semiconductor chips in schematic form and is not to scale to FIG Figure 1 based.

Jede Halbleiterlichtquelle 16, 20, 24 besteht aus mindestens zwei separaten Halbleiterchips. Im dargestellten Ausführungsbeispiel besteht die erste Halbleiterlichtquelle 16 aus n = 2 Halbleiterchips 16.1, 16.2. Die zweite Halbleiterlichtquelle 20 besteht aus einer ersten Gruppe 36 von m = 4 Halbleiterchips 36.i und aus einer zweiten Gruppe 38 von k = 4 Halbleiterchips 38.j. Die dritte Halbleiterlichtquelle 24 besteht aus l = 2 Halbleiterchips 24.1, 24.2. Die Werte von n, m, k und l sind nicht auf die angegebenen Werte beschränkt. Sie sind aber bevorzugt jeweils größer oder gleich 2.Each semiconductor light source 16, 20, 24 consists of at least two separate semiconductor chips. In the illustrated embodiment, there is the first semiconductor light source 16 from n = 2 semiconductor chips 16.1, 16.2. The second semiconductor light source 20 consists of a first group 36 of m = 4 semiconductor chips 36.i and a second group 38 of k = 4 semiconductor chips 38.j. The third semiconductor light source 24 consists of l = 2 semiconductor chips 24.1, 24.2. The values of n, m, k and l are not limited to the specified values. However, they are preferably each greater than or equal to 2.

Wie bereits erwähnt, werden bei LED-Scheinwerfern normalerweise Halbleiterlichtquellen mit 1 x 2, 1 x 3, 1 x 4 oder 1 x 5 LEDs pro Zeile auf einem gemeinsamen Trägersubstrat verwendet. Der Scheinwerferhersteller muss dann die aus der Massenproduktion erhältliche Halbleiterlichtquelle nehmen, die seine Anforderungen am ehesten erfüllt.As already mentioned, semiconductor light sources with 1 x 2, 1 x 3, 1 x 4 or 1 x 5 LEDs per row on a common carrier substrate are normally used in LED headlights. The headlight manufacturer then has to use the mass-produced semiconductor light source that best meets his requirements.

Es sind jetzt auch schon Hochleistungshalbleiterlichtquellen erhältlich, die Einzelchips oder Doppelchips aufweisen, die für Abblendlicht-Lichtverteilungen und für Fernlicht-Lichtverteilungen geeignet sind. Um solche Einzelchips und Doppelchips einsetzen zu können, darf der Träger, zum Beispiel der Träger 24.3 nur geringfügig über die lichtemittierende Fläche des Chips hinausragen, damit man aus mehreren Einzelchip-LEDs eine Gesamtleuchtfläche zusammensetzen kann, die nur kleine nichtleuchtende Abstandsbereiche zwischen den leuchtenden Lichtaustrittsflächen aufweist.High-power semiconductor light sources are now also available that have single chips or double chips that are suitable for low beam light distributions and for high beam light distributions. In order to be able to use such single chips and double chips, the carrier, for example carrier 24.3, may only protrude slightly beyond the light-emitting surface of the chip so that a total luminous area can be put together from several single-chip LEDs, which has only small non-luminous spacing areas between the luminous light exit areas .

Der Erfüllung dieser Anforderung stehen technische bedingte Beschränkungen im Weg, die sich aus Anforderungen an die Positioniergenauigkeit des Chips auf dem Träger und dem Wärmeverhalten des Chips auf dem Träger ergeben. Eine Halbleiterlichtquelle, die zur Verwirklichung der Erfindung geeignet erscheint ist die Oslon compact von Osram. Vorteile der Verwendung von solchen Einzel- oder Doppelchip-Leuchtdioden ergeben sich insbesondere durch deren vergleichsweise günstigere Preise. Als Einzelchip verwirklichte LEDs sind weniger teuer als Mehrfach-Chip LEDS auf einem gemeinsamen Träger. Ein weiterer Vorteil der Einzelchip- und Doppelchip-LEDs gegenüber Mehrfachchips ergibt sich aus einer größeren Flexibilität bei der Anordnung der Lichtaustrittsflächen im Reflektor und der Abstimmung der Lichtströme in verschiedenen Einsatzfällen und der einzelnen Komponenten zueinander. Als Doppelchips kommen insbesondere LEDs mit zwei dicht aneinander gepackten Chips als Doppelchip in Frage. Ein Beispiel eines solchen Doppel-Chips ist der Oslon Black Flat 1 X 2. Ein solcher Doppelchip ersetzt dann zwei Einzelchips. Die Doppelchips lassen sich bedarfsweise ebenfalls flexibel zu größeren Lichtquellen gruppieren. Dies ist auch deshalb von Vorteil, weil die Form der Reflektoren und die genaue räumliche Aufteilung der drei Reflektorbereiche von Scheinwerfertyp zu Scheinwerfertyp, also bei Scheinwerfern für verschiedene Fahrzeugtypen, voneinander abweichen kann. Auswirkungen dieser Unterschiede auf die von den verschiedenen Scheinwerfern erzeugten Lichtverteilungen können bei der Verwendung von Einzelchips oder Doppelchips leichter ausgeglichen werden als bei einer Verwendung von Bauelementen, die mehr als zwei Lichtaustrittsflächen aufweisen, weil die Möglichkeit, die genaue Anordnung und/oder Zahl der Einzel- und/oder Doppelchips relativ zueinander zu variieren, weitere Freiheitsgrade bereitstellt, die bei einer Beschränkung auf eine Verwendung von Bauelementen mit mehr als zwei räumlich zueinander unveränderlich angeordneten Lichtaustrittsflächen nicht bestehen.The fulfillment of this requirement is hampered by technical restrictions that result from requirements for the positioning accuracy of the chip on the carrier and the thermal behavior of the chip on the carrier. A semiconductor light source used to implement the invention The Oslon compact from Osram appears to be suitable. Advantages of using such single or double chip light emitting diodes result in particular from their comparatively lower prices. LEDs implemented as a single chip are less expensive than multi-chip LEDs on a common carrier. A further advantage of single-chip and double-chip LEDs over multiple chips results from greater flexibility in the arrangement of the light exit surfaces in the reflector and the coordination of the luminous fluxes in different applications and the individual components with one another. In particular, LEDs with two chips packed closely together as a double chip come into consideration as double chips. An example of such a double chip is the Oslon Black Flat 1 X 2. Such a double chip then replaces two single chips. If necessary, the double chips can also be flexibly grouped to form larger light sources. This is also advantageous because the shape of the reflectors and the exact spatial division of the three reflector areas can differ from one headlight type to another, i.e. in the case of headlights for different vehicle types. Effects of these differences on the light distributions generated by the different headlights can be compensated more easily when using single or double chips than when using components that have more than two light exit surfaces, because the possibility of determining the exact arrangement and / or number of the individual and / or to vary double chips relative to one another, provides further degrees of freedom which do not exist in the case of a restriction to the use of components with more than two light exit surfaces which are arranged spatially invariably to one another.

Die Halbleiterchips sind auf einer gemeinsamen Platine 40 angeordnet. Die gemeinsame Platine ist bevorzugt thermisch an einen Kühlkörper angekoppelt, der die im Betrieb der Halbleiterlichtquellen freiwerdende Wärme aufnimmt und abführt.The semiconductor chips are arranged on a common circuit board 40. The common circuit board is preferably thermally coupled to a heat sink, which absorbs and dissipates the heat released during operation of the semiconductor light sources.

Eine der drei Halbleiterlichtquellen, vorzugsweise eine, die an der Erzeugung des Abblendlichts und des Fernlichts beteiligt ist, weist in einer bevorzugten Ausgestaltung eine Zeile von Halbleiterchips auf, die in der bei bestimmungsgemäßer Verwendung horizontalen Ebene, die hier die x-z-Ebene ist, schräg angeordnet ist.One of the three semiconductor light sources, preferably one that is involved in generating the low beam and high beam, has, in a preferred embodiment, a row of semiconductor chips that are inclined in the horizontal plane when used as intended, which is the xz plane here is.

Zur Kompensation der durch die Abstände der Lichtaustrittsflächen der einzelnen Halbleiterchips entstehenden Unterbrechungen der Leuchtfläche können Homogenisierungsmaßnahmen vorgesehen sein. Ein Beispiel einer solchen Maßnahme ist das Anordnen von Vorsatzoptiken direkt vor den Lichtaustrittsflächen der Halbleiterchips. Mit den Vorsatzoptiken wird bevorzugt eine zusammenhängende Lichtaustrittsfläche und damit gewissermaßen eine Ersatzlichtquelle erzeugt. Ein anderes Beispiel einer Homogenisierungsmaßnahme besteht in einer Modulation der Reflektorflächen, bei der die Reflektorflächen so gestaltet sind, dass sie Inhomogenitäten im Erscheinungsbild verwischen.Homogenization measures can be provided to compensate for the interruptions in the luminous area caused by the distances between the light exit areas of the individual semiconductor chips. An example of such a measure is the arrangement of front optics directly in front of the light exit surfaces of the semiconductor chips. A coherent light exit surface and thus, so to speak, a substitute light source are preferably generated with the auxiliary optics. Another example of a homogenization measure consists in modulation of the reflector surfaces, in which the reflector surfaces are designed in such a way that they blur inhomogeneities in the appearance.

In dem dargestellten Ausführungsbeispiel ist auf der Platine auch noch eine Steuerschaltung 42 angeordnet. Die Steuerschaltung kann auch getrennt von der Platine im Scheinwerfer oder innen oder außen am Scheinwerfer angeordnet sein. Sie ist dazu eingerichtet, insbesondere dazu programmiert, den Lichtstrom der einzelnen Halbleiterlichtquellen zu steuern, was insbesondere das Einschalten und das Ausschalten und das Steuern der Helligkeit umfasst. Diese Steuerschaltung ist unabhängig von ihrer Anordnung ein Bestandteil der Erfindung. Die Steuerschaltung wird ihrerseits bevorzugt durch ein übergeordnetes Steuergerät 44 des Fahrzeugs gesteuert, das dazu zum Beispiel ein Fahrerwunschsignal eines Lichtschalters 46 erhält. Das übergeordnete Steuergerät 44 signalisiert der Steuerschaltung 42, ob und gegebenenfalls welche Lichtverteilung erzeugt werden soll, und die Steuerschaltung 42 steuert daraufhin die einzelnen Halbleiterchips so an, dass sich die gewünschte Lichtverteilung ergibt.In the illustrated embodiment, a control circuit 42 is also arranged on the board. The control circuit can also be arranged separately from the circuit board in the headlight or on the inside or outside of the headlight. It is set up, in particular programmed, to control the luminous flux of the individual semiconductor light sources, which in particular switches on and off and controls the Includes brightness. This control circuit is part of the invention regardless of its arrangement. The control circuit for its part is preferably controlled by a higher-level control device 44 of the vehicle, which for this purpose receives, for example, a driver's request signal from a light switch 46. The higher-level control device 44 signals to the control circuit 42 whether and, if so, which light distribution is to be generated, and the control circuit 42 then controls the individual semiconductor chips in such a way that the desired light distribution results.

Die Figur 4 zeigt die Steuerschaltung 42 zusammen mit den drei Halbleiterlichtquellen 16, 20 und 24 und zwei Schaltern 48, 50, mit denen das Steuergerät 44 die Lichtemission der drei Halbleiterlichtquellen in einer weiteren Ausgestaltung steuert. Der erste Schalter 48 dient zum Einschalten einer Stromversorgung für die Halbleiterlichtquellen und der zweite Schalter 50 dient zum Einschalten von entweder der ersten Halbleiterlichtquelle zusammen mit einer ersten Gruppe 36 von Halbleiterchips der zweiten Halbleiterlichtquelle 20, oder zum Einschalten der dritten Halbleiterlichtquelle 24 zusammen mit einer zweiten Gruppe 38 von Halbleiterchips der zweiten Halbleiterlichtquellen.The Figure 4 shows the control circuit 42 together with the three semiconductor light sources 16, 20 and 24 and two switches 48, 50 with which the control device 44 controls the light emission of the three semiconductor light sources in a further embodiment. The first switch 48 is used to switch on a power supply for the semiconductor light sources and the second switch 50 is used to switch on either the first semiconductor light source together with a first group 36 of semiconductor chips of the second semiconductor light source 20, or to switch on the third semiconductor light source 24 together with a second group 38 of semiconductor chips of the second semiconductor light sources.

Dazu wird entweder die erste 16 oder die dritte Halbleiterlichtquelle 24 über den zweiten Schalter 50 mit dem ersten Schalter 48 verbunden. Die erste Gruppe 36 von Halbleiterchips der zweiten Halbleiterlichtquelle 20 ist bei diesem Ausführungsbeispiel immer mit der ersten Halbleiterlichtquelle 16 verbunden.For this purpose, either the first 16 or the third semiconductor light source 24 is connected to the first switch 48 via the second switch 50. The first group 36 of semiconductor chips of the second semiconductor light source 20 is always connected to the first semiconductor light source 16 in this exemplary embodiment.

Die zweite Gruppe 38 von Halbleiterchips der zweiten Halbleiterlichtquelle 20 ist bei diesem Ausführungsbeispiel immer mit der dritten Halbleiterlichtquelle 24 verbunden.The second group 38 of semiconductor chips of the second semiconductor light source 20 is always connected to the third semiconductor light source 24 in this exemplary embodiment.

Bei geschlossenem erstem Schalter 48 gibt damit entweder die erste Halbleiterlichtquelle 16 zusammen mit der ersten Gruppe 36 von Halbleiterchips der zweiten Halbleiterlichtquelle 20 Licht ab, wobei die dritte Halbleiterlichtquelle 24 ausgeschaltet bleibt, oder es gibt die dritte Halbleiterlichtquelle 24 zusammen mit der zweiten Gruppe 38 von Halbleiterchips der zweiten Halbleiterlichtquelle 20 Licht ab, wobei die erste Halbleiterlichtquelle 16 ausgeschaltet bleibt.When the first switch 48 is closed, either the first semiconductor light source 16 emits light together with the first group 36 of semiconductor chips of the second semiconductor light source 20, with the third semiconductor light source 24 remaining switched off, or there is the third semiconductor light source 24 together with the second group 38 of semiconductor chips the second semiconductor light source 20 from light, wherein the first semiconductor light source 16 remains switched off.

Die Figur 4 zeigt die erste Alternative, bei der ein Strom von einem Versorgungspotenzial (+) über den ersten Schalter 48, den zweiten Schalter 50 und die erste Halbleiterlichtquelle 16 nach Masse fließt und wobei ein weiterer Strompfad vom Versorgungspotenzial über den ersten Schalter, den zweiten Schalter und die erste Gruppe von Halbleiterchips der zweiten Halbleiterlichtquelle nach Masse führt. Bei dieser Ausgestaltung werden die beiden Gruppen von Halbleiterchips der zweiten Halbleiterlichtquelle getrennt voneinander gesteuert.The Figure 4 shows the first alternative, in which a current flows from a supply potential (+) via the first switch 48, the second switch 50 and the first semiconductor light source 16 to ground and with a further current path from the supply potential via the first switch, the second switch and the first group of semiconductor chips of the second semiconductor light source leads to ground. In this configuration, the two groups of semiconductor chips of the second semiconductor light source are controlled separately from one another.

Die Figur 5 zeigt eine Steuerschaltung 42 zusammen mit den drei Halbleiterlichtquellen 16, 20 und 24 und drei Schaltern 48, 50 und 52, mit denen das Steuergerät 44 die Lichtemission der drei Halbleiterlichtquellen in einer weiteren Ausgestaltung steuert. Der erste Schalter 48 dient zum Einschalten einer Stromversorgung für die Halbleiterlichtquellen und der zweite Schalter 50 dient dazu, alternativ die erste Halbleiterlichtquelle 16 einzuschalten, wobei die dritte Halbleiterlichtquelle 24 ausgeschaltet ist, oder die dritte Halbleiterlichtquelle 24 einzuschalten, wobei die erste Halbleiterlichtquelle 16 ausgeschaltet ist. Die zweite Gruppe 38 von Halbleiterchips der zweiten Halbleiterlichtquelle 20 ist hier immer mit der dritten Halbleiterlichtquelle 24 elektrisch verbunden und wird daher gemeinsam mit dieser eingeschaltet und ausgeschaltet. Die erste Gruppe 36 von Halbleiterchips der zweiten Halbleiterlichtquelle 20 wird über den dritten Schalter 52 wahlweise mit der ersten Halbleiterlichtquelle 16 oder der zweiten Gruppe 38 von Halbleiterchips der zweiten Halbleiterlichtquelle 20 verbunden. Der zweite Schalter 50 wird gemeinsam mit dem dritten Schalter 52 betätigt.The Figure 5 shows a control circuit 42 together with the three semiconductor light sources 16, 20 and 24 and three switches 48, 50 and 52 with which the control device 44 controls the light emission of the three semiconductor light sources in a further embodiment. The first switch 48 is used to switch on a power supply for the semiconductor light sources and the second switch 50 is used to switch on the first semiconductor light source 16 alternatively, the third semiconductor light source 24 being switched off or the third semiconductor light source 24 turn on, wherein the first semiconductor light source 16 is turned off. The second group 38 of semiconductor chips of the second semiconductor light source 20 is here always electrically connected to the third semiconductor light source 24 and is therefore switched on and off together with it. The first group 36 of semiconductor chips of the second semiconductor light source 20 is optionally connected to the first semiconductor light source 16 or the second group 38 of semiconductor chips of the second semiconductor light source 20 via the third switch 52. The second switch 50 is actuated together with the third switch 52.

Die erste Gruppe 36 von Halbleiterchips der zweiten Halbleiterlichtquelle 20 ist bei diesem Ausführungsbeispiel immer eingeschaltet, wenn der erste Schalter 48 geschlossen ist.In this exemplary embodiment, the first group 36 of semiconductor chips of the second semiconductor light source 20 is always switched on when the first switch 48 is closed.

Bei geschlossenem erstem Schalter 48 gibt damit entweder die erste Halbleiterlichtquelle 16 zusammen mit der ersten Gruppe 36 von Halbleiterchip der zweiten Halbleiterlichtquelle Licht ab, wobei die zweite Gruppe 38 von Halbleiterchips der zweiten Halbleiterlichtquelle 20 und die dritte Halbleiterlichtquelle 24 ausgeschaltet bleiben, oder es gibt die dritte Halbleiterlichtquelle 24 zusammen mit der ersten Gruppe 36 und der zweiten Gruppe 38 von Halbleiterchips der zweiten Halbleiterlichtquelle 20 Licht ab, wobei die erste Halbleiterlichtquelle 16 ausgeschaltet bleibt. Die erste Alternative dient zur Erzeugung einer Abblendlicht-Lichtverteilung, und die die zweite Alternative dient zur Erzeugung einer Fernlicht-Lichtverteilung.When the first switch 48 is closed, either the first semiconductor light source 16 emits light together with the first group 36 of semiconductor chips of the second semiconductor light source, the second group 38 of semiconductor chips of the second semiconductor light source 20 and the third semiconductor light source 24 remaining switched off, or there is the third Semiconductor light source 24 together with the first group 36 and the second group 38 of semiconductor chips from the second semiconductor light source 20, the first semiconductor light source 16 remaining switched off. The first alternative is used to generate a low beam light distribution, and the second alternative is used to generate a high beam light distribution.

Die Figur 5 zeigt die erste Alternative, bei der ein Strom von einem Versorgungspotenzial über den ersten Schalter 48, den zweiten Schalter 50, sowie parallel über die erste Halbleiterlichtquelle 16 und über den dritten Schalter 52 und die erste Gruppe 36 von Halbleiterchips der zweiten Halbleiterlichtquelle 20 nach Masse fließt.The Figure 5 shows the first alternative, in which a current from a supply potential via the first switch 48, the second switch 50, and in parallel via the first semiconductor light source 16 and via the third switch 52 and the first group 36 of semiconductor chips of the second semiconductor light source 20 to ground.

In der nicht dargestellten Schaltstellung für Fernlicht verbindet der dritte Schalter 52 die erste Gruppe 36 von Halbleiterchips der zweiten Halbleiterlichtquelle 20 mit der zweiten Gruppe 38 von Halbleiterchips der zweiten Halbleiterlichtquelle 20, und der zweite Schalter 50 verbindet den Verbund aus der zweiten Halbleiterlichtquelle 20 und der dritten Halbleiterlichtquelle 24 mit der Seite des ersten Schalters 48, die mit den Halbleiterlichtquellen verbunden ist.In the switching position for high beam, not shown, the third switch 52 connects the first group 36 of semiconductor chips of the second semiconductor light source 20 to the second group 38 of semiconductor chips of the second semiconductor light source 20, and the second switch 50 connects the combination of the second semiconductor light source 20 and the third Semiconductor light source 24 with the side of the first switch 48, which is connected to the semiconductor light sources.

Auch bei dieser Ausgestaltung werden die beiden Gruppen von Halbleiterchips der zweiten Halbleiterlichtquelle getrennt voneinander gesteuert.In this embodiment, too, the two groups of semiconductor chips of the second semiconductor light source are controlled separately from one another.

Figur 6 zeigt eine Ausgestaltung, bei der ein vierter Schalter 54 zusammen mit der ersten Halbleiterlichtquelle 16 in einem ersten Strompfad zwischen Masse und dem Versorgungspotenzial liegt, ein fünfter Schalter 56 zusammen mit der ersten Gruppe 36 von Halbleiterchips der zweiten Halbleiterlichtquelle 20 in einem zweiten Strompfad zwischen Masse und dem Versorgungspotenzial liegt, ein sechster Schalter 58 zusammen mit der zweiten Gruppe 38 von Halbleiterchips der zweiten Halbleiterlichtquelle 20 in einem dritten Strompfad zwischen Masse und dem Versorgungspotenzial liegt, und ein siebter Schalter 60 zusammen mit der dritten Halbleiterlichtquelle 24 in einem vierten Strompfad zwischen Masse und dem Versorgungspotenzial liegt. Die vier Schalter dieser Ausgestaltung sind lediglich zur Unterscheidung von den drei Schaltern aus den Figuren 4 und 5 als vierte bis siebte Schalter bezeichnet. Figure 6 shows an embodiment in which a fourth switch 54 together with the first semiconductor light source 16 lies in a first current path between ground and the supply potential, a fifth switch 56 together with the first group 36 of semiconductor chips of the second semiconductor light source 20 in a second current path between ground and the supply potential, a sixth switch 58 together with the second group 38 of semiconductor chips of the second semiconductor light source 20 lies in a third current path between ground and the supply potential, and a seventh switch 60 together with the third semiconductor light source 24 in a fourth current path between ground and the Supply potential lies. The four switches in this embodiment are only to distinguish them from the three switches from the Figures 4 and 5 referred to as fourth through seventh switches.

Die genannten Schalter 54 - 60 sind bei dieser Ausgestaltung unabhängig voneinander schaltbar, so dass sich beliebige Kombinationen an Einschaltzuständen und Ausschaltzuständen der ersten Halbleiterlichtquelle 16, der ersten Gruppe 36 von Halbleiterchips der zweiten Halbleiterlichtquelle 20, der zweiten Gruppe 38 von Halbleiterchips der zweiten Halbleiterlichtquelle 20, und der dritten Halbleiterlichtquelle 24 einstellen lassen. Die Schaltzustände dieser Schalter 54 - 60 werden von dem Steuergerät 44 gesteuert.In this embodiment, the switches 54 - 60 mentioned can be switched independently of one another, so that any combinations of switch-on states and switch-off states of the first semiconductor light source 16, the first group 36 of semiconductor chips of the second semiconductor light source 20, the second group 38 of semiconductor chips of the second semiconductor light source 20, and the third semiconductor light source 24 can be adjusted. The switching states of these switches 54 - 60 are controlled by the control device 44.

Die Figuren 4 bis 6 repräsentieren damit Ausgestaltungen von Scheinwerfern, wobei jeweils zwei Reflexionsmodule ein erstes Paar von Reflexionsmodulen bilden, das zur Erzeugung einer Abblendlicht-Lichtverteilung aktivierbar ist, und wobei jeweils zwei Reflexionsmodule ein zweites Paar von Reflexionsmodulen bilden, das zur Erzeugung einer Fernlicht-Lichtverteilung aktivierbar sind. Eines der Reflexionsmodule, hier das zweite Reflexionsmodul 30, ist bei sowohl an der Erzeugung einer Abblendlicht-Lichtverteilung als auch an der Erzeugung einer Fernlicht-Lichtverteilung beteiligt und weist zwei Gruppen 36, 38 von Halbleiterchips auf, die insbesondere zeilenförmig angeordnet sind. Eine erste dieser Gruppen wird zusätzlich zu der ersten Halbleiterlichtquelle zur Erzeugung des Abblendlichts eingeschaltet. Eine zweite dieser Gruppen wird zusätzlich zur dritten Halbleiterlichtquelle zur Erzeugung des Fernlichts eingeschaltet. Zur Erzeugung des Fernlichts werden in einer Ausgestaltung beide dieser Gruppen zusätzlich zur dritten Halbleiterlichtquelle eingeschaltet.The Figures 4 to 6 represent configurations of headlights, with two reflection modules each forming a first pair of reflection modules that can be activated to generate a low beam light distribution, and two reflection modules each forming a second pair of reflection modules that can be activated to generate a high beam light distribution. One of the reflection modules, here the second reflection module 30, is involved in both the generation of a low beam light distribution and the generation of a high beam light distribution and has two groups 36, 38 of semiconductor chips, which are in particular arranged in lines. A first of these groups is switched on in addition to the first semiconductor light source for generating the low beam. A second of these groups is switched on in addition to the third semiconductor light source for generating the high beam. To generate the high beam, in one embodiment both of these groups are switched on in addition to the third semiconductor light source.

Für die weitere Erläuterung wird zunächst erneut auf die Figuren 1 bis 3 Bezug genommen:
Der Scheinwerfer 10 weist ein Reflexionssystem mit drei Reflektoren 18, 22, 26 auf. Jedem Reflektor ist eine Halbleiterlichtquelle 16, 20, 24 zugeordnet, so dass jeweils ein Reflektor mit einer Lichtquelle ein Reflexionsmodul 28, 30, 32 bildet. Zwei der drei Reflexionsmodule dienen zur Erzeugung einer Abblendlicht-Lichtverteilung. Beim Gegenstand der Figuren 1 bis 3 sind diese das erste Reflexionsmodul, das von dem ersten Reflektor und der ersten Halbleiterlichtquelle gebildet wird, und das zweite Reflexionsmodul, das von dem zweiten Reflektor und der zweiten Halbleiterlichtquelle gebildet wird.
For further explanation, reference is first made again to the Figures 1 to 3 Referred to:
The headlight 10 has a reflection system with three reflectors 18, 22, 26. A semiconductor light source 16, 20, 24 is assigned to each reflector, so that each reflector forms a reflection module 28, 30, 32 with a light source. Two of the three reflection modules are used to generate a low beam light distribution. The subject of Figures 1 to 3 these are the first reflection module which is formed by the first reflector and the first semiconductor light source, and the second reflection module which is formed by the second reflector and the second semiconductor light source.

Das erste Reflexionsmodul ist bei der bestimmungsgemäßen Verwendung bevorzugt näher an der Außenseite des Fahrzeugs angeordnet. Das dritte Reflexionsmodul 32 ist näher an einer zentralen Längsachse des Fahrzeugs angeordnet. Das zweite Reflexionsmodul ist zwischen dem ersten Reflexionsmodul und dem zweiten Reflexionsmodul angeordnet.When used as intended, the first reflection module is preferably arranged closer to the outside of the vehicle. The third reflection module 32 is arranged closer to a central longitudinal axis of the vehicle. The second reflection module is arranged between the first reflection module and the second reflection module.

Ebenfalls zwei Reflexionsmodule dienen zur Erzeugung einer Fernlicht-Lichtverteilung. Beim Gegenstand der Figuren 1 bis 3 sind diese das zweite Reflexionsmodul, das von dem zweiten Reflektor und der zweiten Halbleiterlichtquelle gebildet wird, und das dritte Reflexionsmodul, das von dem dritten Reflektor und der dritten Halbleiterlichtquelle gebildet wird.Two reflection modules are also used to generate high beam light distribution. The subject of Figures 1 to 3 these are the second reflection module formed by the second reflector and the second semiconductor light source, and the third reflection module formed by the third reflector and the third semiconductor light source.

Eines der drei Reflexionsmodule dient sowohl zur Erzeugung der Abblendlicht-Lichtverteilung als auch zur Erzeugung der Fernlicht-Lichtverteilung und stellt insofern ein Bifunktionsmodul dar. Beim Gegenstand der Figuren 1 bis 3 ist dies das zweite Reflexionsmodul, das von dem zweiten Reflektor und der zweiten Halbleiterlichtquelle gebildet wird.One of the three reflection modules is used both to generate the low beam light distribution and to generate the high beam light distribution and thus represents a bifunctional module Figures 1 to 3 this is the second reflection module which is formed by the second reflector and the second semiconductor light source.

Dieses Bifunktionsmodul weist zwei Gruppen von Halbleiterlichtquellen auf. Die Gruppen bestehen aus Einzelchips oder Doppelchips, die innerhalb jeder Gruppe jeweils längs einer Zeile angeordnet sind. Die Zeile liegt dabei mit ihrer Längserstreckung quer zur Hauptabstrahlrichtung in einer horizontalen Ebene. Die beiden Zeilen sind bevorzugt in z-Richtung (Hauptabstrahlrichtung des Reflektors) zueinander versetzt. Dabei ist der Abstand der lichtemittierenden Flächen möglichst klein, bevorzugt kleiner als eine kürzeste Seitenlänge der lichtemittierenden Flächen, jedoch größer als Null, so dass sich die lichtemittierenden Flächen nicht berühren. Die Lichtaustrittsflächen sind daher nach Art einer Querwendel angeordnet.This bifunctional module has two groups of semiconductor light sources. The groups consist of single chips or double chips, which are arranged along a line within each group. The line lies with its longitudinal extent transversely to the main emission direction in a horizontal plane. The two lines are preferably offset from one another in the z direction (main emission direction of the reflector). The distance between the light-emitting surfaces is as small as possible, preferably smaller than a shortest side length of the light-emitting surfaces, but greater than zero, so that the light-emitting surfaces do not touch. The light exit surfaces are therefore arranged in the manner of a transverse helix.

Das erste Reflexionsmodul ist durch die Form des ersten Reflektors bevorzugt dazu eingerichtet, eine Teil-Abblendlichtverteilung mit Hell-Dunkel-Grenze für eine regelkonforme Abblendlichtverteilung zu erzeugen. Dies wird dadurch erreicht, dass der erste Reflektor so geformt ist, dass seine Wendelbilder, also die Bilder der Chipflächen, die der Reflektor in sein Vorfeld projiziert, nicht über eine bestimmte Linie hinausreichen, Jedes Flächenelement des Reflektor entwirft ein solches Wendelbild, das zum Beispiel auf einem Schirm sichtbar gemacht werden kann. Die Lage des Wendelbildes auf dem Schirm lässt sich durch die Formgebung des Reflektors vorbestimmen. Dabei lässt sich z.B. auch festlegen, dass alle oder zumindest die allermeisten solcher Wendelbilder auf einer Seite einer bestimmten Linie auf dem Schirm liegen, woraus sich dann in der Summe sämtlicher Wendelbilder die Hell-Dunkel-Grenze ergibt. Bei bestimmungsgemäßer Verwendung des Scheinwerfers liegt die im Wesentlichen horizontal verlaufende Hell-Dunkel-Grenze etwa auf der Höhe des Horizonts vor dem Fahrzeug.The shape of the first reflector means that the first reflection module is preferably set up to generate a partial low beam distribution with a light-dark boundary for a rule-compliant low beam distribution. This is achieved in that the first reflector is shaped in such a way that its helical images, i.e. the images of the chip areas that the reflector projects into its area in front of it, do not extend beyond a certain line. Each surface element of the reflector creates such a helical image, for example can be made visible on a screen. The position of the spiral pattern on the screen can be predetermined by the shape of the reflector. It can also be established, for example, that all or at least the vast majority of such spiral images lie on one side of a specific line on the screen, from which the light-dark boundary then results in the sum of all spiral images results. When the headlight is used as intended, the essentially horizontal cut-off line is roughly level with the horizon in front of the vehicle.

Das dritte Reflexionsmodul erzeugt bevorzugt eine Teil-Fernlicht-Lichtverteilung ohne Hell-Dunkel-Grenze. Bei bestimmungsgemäßer Verwendung des Scheinwerfers ragt die Fernlicht-Lichtverteilung über die Höhe des Horizonts vor dem Fahrzeug hinaus.The third reflection module preferably generates a partial high beam light distribution without a light / dark boundary. When the headlight is used as intended, the high beam light distribution protrudes above the horizon in front of the vehicle.

Das zweite Reflexionsmodul erzeugt umschaltbar Teil-Lichtverteilungen für eine Abblendlicht-Lichtverteilung oder eine Fernlicht-Lichtverteilung. Bevorzugt ist nur eines der drei Reflexionsmodule umschaltbar. Dabei ist die Erfindung nicht darauf beschränkt, dass nur eines von drei Reflexionsmodulen umschaltbar verschiedene Teil-Lichtverteilungen erzeugt.The second reflection module generates switchable partial light distributions for a low beam light distribution or a high beam light distribution. Only one of the three reflection modules is preferably switchable. The invention is not limited to the fact that only one of three reflection modules generates different partial light distributions in a switchable manner.

Insgesamt erzeugt jedes der drei Reflexionsmodule jeweils eine Teil-Lichtverteilung, die von der Teil-Lichtverteilung von jedem der beiden anderen Reflexionsmodule unterschiedlich ist.Overall, each of the three reflection modules generates a partial light distribution that is different from the partial light distribution of each of the two other reflection modules.

Dabei sind insgesamt vier Alternativen bevorzugt. Diesen vier Alternativen ist gemeinsam, dass das zweite Reflexionsmodul ein Bifunktionsmodul im beschriebenen Sinne ist, also sowohl an der Erzeugung des Abblendlichts als auch an der Erzeugung des Fernlichts beteiligt ist. Eine weitere Gemeinsamkeit liegt darin, dass die Spot-Lichtverteilung jeweils von dem dritten Reflexionsmodul erzeugt wird.A total of four alternatives are preferred. What these four alternatives have in common is that the second reflection module is a bifunctional module in the sense described, that is, it is involved in both the generation of the low beam and the generation of the high beam. Another common feature is that the spot light distribution is generated by the third reflection module.

In einer ersten Alternative ist das erste Reflexionsmodul durch eine Form seines Reflektors in im Wesentlichen vertikalen Schnitten des Reflektors dazu eingerichtet, eine Hell-Dunkel-Grenze zu erzeugen, und durch eine Form seines Reflektors in im Wesentlichen horizontalen Schnitten des Reflektors dazu eingerichtet, eine mittelbreite Lichtverteilung zu erzeugen, während das zweite Reflexionsmodul durch eine Form seines Reflektors in im Wesentlichen horizontalen Schnitten des Reflektors dazu eingerichtet ist, eine breite Lichtverteilung zu erzeugen.In a first alternative, the first reflection module is essentially by a shape of its reflector vertical sections of the reflector set up to generate a cut-off line, and set up by a shape of its reflector in substantially horizontal sections of the reflector to generate a medium-wide light distribution, while the second reflection module is set up by a shape of its reflector substantially horizontal sections of the reflector is set up to produce a wide light distribution.

In einer zweiten Alternative ist das zweite Reflexionsmodul durch eine Form seines Reflektors in im Wesentlichen vertikalen Schnitten des Reflektors dazu eingerichtet, die Hell-Dunkel-Grenze zu erzeugen, und es ist durch eine Form seines Reflektors in im Wesentlichen horizontalen Schnitten des Reflektors dazu eingerichtet, eine mittelbreite Lichtverteilung zu erzeugen, während das erste Reflexionsmodul durch eine Form seines Reflektors in im Wesentlichen horizontalen Schnitten des Reflektors Brennweite dazu eingerichtet ist, eine breite Lichtverteilung zu erzeugen.In a second alternative, the second reflection module is set up by a shape of its reflector in essentially vertical sections of the reflector to generate the cut-off line, and it is set up by a shape of its reflector in essentially horizontal sections of the reflector, to generate a medium-wide light distribution, while the first reflection module is set up by a shape of its reflector in substantially horizontal sections of the reflector focal length to generate a wide light distribution.

In einer dritten Alternative sind sowohl das erste Reflexionsmodul als auch das zweite Reflexionsmodul durch eine Form ihres jeweiligen Reflektors in im Wesentlichen vertikalen Schnitten des jeweiligen Reflektors dazu eingerichtet, die Hell-Dunkel-Grenze zu erzeugen, und das zweite Reflexionsmodul ist durch eine Form seines Reflektors in im Wesentlichen horizontalen Schnitten des Reflektors dazu eingerichtet, eine mittelbreite Lichtverteilung zu erzeugen, während das erste Reflexionsmodul durch eine Form seines Reflektors in im Wesentlichen horizontalen Schnitten des Reflektors dazu eingerichtet ist, eine breite Lichtverteilung zu erzeugen.In a third alternative, both the first reflection module and the second reflection module are set up by a shape of their respective reflector in substantially vertical sections of the respective reflector to generate the light-dark boundary, and the second reflection module is designed by a shape of its reflector set up in essentially horizontal sections of the reflector to generate a medium-wide light distribution, while the first reflection module is set up by a shape of its reflector in essentially horizontal sections of the reflector to generate a wide light distribution.

In einer vierten Alternative sind sowohl das erste Reflexionsmodul als auch das zweite Reflexionsmodul durch eine Form ihres jeweiligen Reflektors in im Wesentlichen vertikalen Schnitten des jeweiligen Reflektors dazu eingerichtet, die Hell-Dunkel-Grenze zu erzeugen, und das erste Reflexionsmodul ist durch eine Form seines Reflektors in im Wesentlichen horizontalen Schnitten des Reflektors dazu eingerichtet, eine mittelbreite Lichtverteilung zu erzeugen, während das zweite Reflexionsmodul durch eine Form seines Reflektors in im Wesentlichen horizontalen Schnitten des Reflektors dazu eingerichtet ist, eine breite Lichtverteilung zu erzeugen.In a fourth alternative, both the first reflection module and the second reflection module are set up by a shape of their respective reflector in essentially vertical sections of the respective reflector to generate the light-dark boundary, and the first reflection module is designed by a shape of its reflector set up in essentially horizontal sections of the reflector to generate a medium-wide light distribution, while the second reflection module is set up by a shape of its reflector in essentially horizontal sections of the reflector to generate a wide light distribution.

Bei dieser Auflistung von vier Alternativen ist nur ein Reflexionsmodul als umschaltbares Bifunktionsmodul verwirklicht. Es wäre auch möglich, ein weiteres Reflexionsmodul als Bifunktionsmodul zu verwirklichen, was dann weitere Alternativen ermöglicht.With this list of four alternatives, only one reflection module is implemented as a switchable bifunction module. It would also be possible to implement a further reflection module as a bifunctional module, which then enables further alternatives.

Bevorzugt ist, dass ein Reflexionsmodul ein etwas breiter gestreutes Grundlicht erzeugt. Dies ist bei den hier vorgestellten Ausführungsbeispielen und Ausgestaltungen das erste Reflexionsmodul.It is preferred that a reflection module generates a somewhat more broadly scattered basic light. In the exemplary embodiments and configurations presented here, this is the first reflection module.

Bevorzugt ist auch, dass ein Reflexionsmodul eine konzentrierte Spot-Lichtverteilung, vorzugsweise für Fernlicht erzeugt. Dies ist bei den hier vorgestellten Ausführungsbeispielen und Ausgestaltungen das dritte Reflexionsmodul.It is also preferred that a reflection module generates a concentrated spot light distribution, preferably for high beam. In the exemplary embodiments and configurations presented here, this is the third reflection module.

Bevorzugt ist auch, dass ein Reflexionsmodul eine mittelbreite Lichtverteilung erzeugt. Dies ist bei den hier vorgestellten Ausführungsbeispielen und Ausgestaltungen das zweite Reflexionsmodul. Ein oder zwei Module erzeugen die die Hell-Dunkelgrenze. Dies sind bevorzugt das erste Reflexionsmodul und das zweite Reflexionsmodul.It is also preferred that a reflection module generates a medium-wide light distribution. In the exemplary embodiments and configurations presented here, this is the second reflection module. One or two modules generate the the light-dark border. These are preferably the first reflection module and the second reflection module.

Allen Alternativen ist bevorzugt gemeinsam, dass ein an der Erzeugung der Abblendlichtverteilung beteiligtes Reflexionsmodul, das keine Hell-Dunkel-Grenze erzeugt, sein Licht bis einige Zehntel Grad unterhalb der Hell-Dunkel-Grenze verteilt, so dass dieses Modul toleranzunkritisch ist.All alternatives preferably have in common that a reflection module involved in the generation of the low-beam light distribution, which does not generate a light-dark boundary, distributes its light up to a few tenths of a degree below the light-dark boundary, so that this module is not tolerance-critical.

Eines der Reflexionsmodule, bevorzugt das als Spot-Modul dienende Reflexionsmodul, ist in einer Ausgestaltung als Teilfernlichtmodul verwirklicht, das eine vertikale Hell-Dunkel-Grenze in seinem oberhalb des Horizonts liegenden Teils der Lichtverteilung aufweist, wodurch ein Fernlicht mit einer adaptiv ausgeblendeten Zone für Verkehrsteilnehmer im Vorfeld des eigenen Kraftfahrzeugs ermöglicht wird. Diese vertikale Hell-Dunkel-Grenze trennt zum Beispiel einen auf der eigenen Verkehrsseite liegenden hellen Bereich der Lichtverteilung von einem auf der Gegenverkehrsseite liegenden dunklen Bereich der Lichtverteilung.One of the reflection modules, preferably the reflection module serving as a spot module, is implemented as a partial high beam module that has a vertical light-dark border in its part of the light distribution above the horizon, whereby a high beam with an adaptively masked zone for road users is made possible in advance of your own motor vehicle. This vertical light-dark boundary separates, for example, a light area of the light distribution lying on the own traffic side from a dark area of the light distribution lying on the opposite traffic side.

Claims (16)

  1. A motor vehicle headlamp (10) having an assembly comprising a first semiconductor light source (16), a second semiconductor light source (20), a first concave mirror reflector (18), a second concave mirror reflector (22), a third semiconductor light source (24) and a third concave mirror reflector (26), wherein each semiconductor light source is composed of at least two separate semiconductor chips (16.1, 16.2, 36.i, 38.j, 24.1, 24.2), characterised in that the second semiconductor light source (20) is composed of a first group (36) of semiconductor chips and a second group of (38) of semiconductor chips, and having a control circuit (42) configured for operating, when the headlamp is switched on, either the first semiconductor light source without the third semiconductor light source, or the third semiconductor light source without the first semiconductor light source, and to operate exclusively the first group (36) of semiconductor chips of the second semiconductor light source together with the first semiconductor light source, and to operate at least the second group (38) of semiconductor chips of the second semiconductor light source together with the third semiconductor light source.
  2. The headlamp (10) according to Claim 1, characterized in that, in each case, one reflector with a light source forms a reflection module (28, 30, 32), and in that, in each case, two reflection modules (28, 30) form a first pair of reflection modules, which can be activated for generating a low-beam light distribution, and in that, in each case, two reflection modules (30, 32) form a second pair of reflection modules, which can be activated for generating a high-beam light distribution.
  3. The headlamp (10) according to one of the preceding Claims, characterized in that at least one reflection module is configured to generate a light/dark border necessary for generating a low-beam light distribution conforming to regulations.
  4. The headlamp (10) according to one of the preceding Claims, characterized in that the light exit surfaces of the reflectors are the same size and in that the reflectors are disposed such that their light exit surfaces border on one another.
  5. The headlamp (10) according to one of the preceding Claims, characterized in that each semiconductor light source has semiconductor chips that are each disposed along a row, which row is disposed such that its longitudinal extension is transverse to the main beam direction of the reflector in a horizontal plane.
  6. The headlamp (10) according to one of the preceding Claims, characterized in that one of the three semiconductor light sources has a row of semiconductor chips that is disposed slantwise in a horizontal plane with an intended use of the headlight.
  7. The headlamp (10) according to one of the preceding Claims, characterized in that two reflection modules (30, 32) are configured for generating a high-beam light distribution.
  8. The headlamp (10) according to one of the preceding Claims, characterized in that a first reflection module (28) is configured, by the shape of the first reflector, to generate a partial low-beam light distribution having a light/dark border for a low-beam light distribution conforming to regulations.
  9. The headlamp (10) according to Claim 8, characterized in that a second reflection module (30) is a bi-functional module, which is configured to generate both a portion of a low-beam light distribution as well as a portion of a high-beam light distribution, and in that this reflection module has two groups (36, 38) of semiconductor chips, which are disposed in rows.
  10. The headlamp (10) according to one of the Claims 8 to 9, characterized in that a third reflection module (32) is configured to generate a partial high-beam light distribution without a light/dark border, which extends beyond the height of the horizon in front of the vehicle with an intended use of the headlamp.
  11. The headlamp (10) according to one of the Claims 8 to 10, characterized in that at least one reflection module is configured, by the shape of its concave mirror reflector, to generate a fundamental light distribution, another of the pair is configured to generate a concentrated spot light distribution, and another pair is configured to generate a medium-wide light distribution, wherein the fundamental light distribution is wider than the medium-wide light distribution, and this is wider than the spot light distribution.
  12. The headlamp (10) according to Claim 11, characterized in that a first reflection module (28) is configured, by the vertical shape of its reflector, to generate the light/dark border, and by the horizontal shape of its reflector, to generate a medium-wide light distribution, while the second reflection module (30) is configured, by the horizontal shape of its reflector, to generate a wide fundamental light distribution.
  13. The headlamp (10) according to Claim 11, characterized in that a second reflection module (30) is configured, by the vertical shape of its reflector, to generate the light/dark border, and by the horizontal shape of its reflector, to generate a medium-wide light distribution, while the first reflection module (28) is configured, by the horizontal shape of its reflector, to generate a wide light distribution.
  14. The headlamp (10) according to Claim 11, characterized in that both the first reflection module (28) as well as a second reflection module (30) are configured, by the vertical shape of the respective reflector, to generate the light/dark border, and the second reflection module is configured, by the horizontal shape of its reflector, to generate a medium-wide light distribution, while the first reflection module is configured, by the horizontal shape of its reflector, to generate a wide light distribution.
  15. The headlamp according to Claim 11, characterized in that both the first reflection module (28) as well as a second reflection module (30) are configured, by the vertical shape of their respective reflector, to generate the light/dark border, and the first reflection module is configured, by the horizontal shape of its reflector, to generate a medium-wide light distribution, while the second reflection module is configured, by the horizontal shape of its reflector, to generate a wide light distribution.
  16. The headlamp (10) according to one of the preceding Claims, characterized in that at least one of the semiconductor light sources (16, 20, 24) has a single chip light source or a double chip light source.
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