EP2933850A1 - Metallkomplexe als Emittermaterialien - Google Patents

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EP2933850A1
EP2933850A1 EP14183851.6A EP14183851A EP2933850A1 EP 2933850 A1 EP2933850 A1 EP 2933850A1 EP 14183851 A EP14183851 A EP 14183851A EP 2933850 A1 EP2933850 A1 EP 2933850A1
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EP
European Patent Office
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group
optionally
atoms
radicals
aromatic
Prior art date
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Withdrawn
Application number
EP14183851.6A
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Daniel Volz
Jana Friedrichs
Daniel Zink
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Cynora GmbH
Original Assignee
Cynora GmbH
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Filing date
Publication date
Application filed by Cynora GmbH filed Critical Cynora GmbH
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Priority to EP15717151.3A priority patent/EP3132475B1/de
Priority to TW104111940A priority patent/TWI670274B/zh
Priority to PCT/EP2015/058034 priority patent/WO2015158693A1/de
Publication of EP2933850A1 publication Critical patent/EP2933850A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F1/00—Compounds containing elements of Groups 1 or 11 of the Periodic Table
    • C07F1/08—Copper compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/361—Polynuclear complexes, i.e. complexes comprising two or more metal centers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/371—Metal complexes comprising a group IB metal element, e.g. comprising copper, gold or silver
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/18—Metal complexes
    • C09K2211/188—Metal complexes of other metals not provided for in one of the previous groups
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/10—Triplet emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Definitions

  • the invention relates to metal complexes (emitter materials) and their use as emitters in optoelectronic components, in particular OLEDs (organic light-emitting diodes), and as sensors.
  • OLEDs organic light-emitting diodes
  • OLED Organic Light Emitting Diodes
  • the energy contained in the excitons can be emitted by the corresponding emitters in the form of light, in this case speaking of electroluminescence.
  • An overview of the function of OLEDs can be found, for example H. Yersin, Top. Curr. Chem. 2004, 241, 1 and H. Yersin, "Highly Efficient OLEDs with Phosphorescent Materials”; Wiley-VCH, Weinheim, Germany, 2008 ,
  • the object underlying the invention is to provide new emitter materials having improved properties.
  • the molecules according to the invention comprise binuclear metal complexes having a structure according to formula A or consisting of a structure according to formula A.
  • M / M ' independently selected from the group consisting of Cu, Ag, Au
  • X independently selected from the group consisting of Cl, Br, I, pseudohalides
  • E '/ E " independently selected from the group consisting of P, As
  • Z / Z ' independently selected from the group consisting of N or C; being between Z / Z 'and N is either a single bond or a double bond
  • B '/ B " bridge with at least 2 up to 17 members, the members may consist of CH 2 , CHR'", CR '"R"", O, S, Se, NR"', PR "', AsR"'whereinR''' is a radical selected from the group consisting of alkyl, aryl, hereroaryl, OR, SR, SeR, H, D;
  • the binuclear metal complexes of the formula A have a structure according to formula A ': where the same definitions apply as for formula A.
  • the ring system G1 / G2 is selected from the group consisting of an unsaturated or aromatic N-heterocyclic unit having 5 to 6 ring atoms, which is selected from the group consisting of pyridine, pyridazine, pyrimidine, pyrazine, triazine, Oxazole, thiazole, imidazole, pyrazole, isoxazole, isothiazole, 1,2,3-triazole, 1,2,4-triazole, 1,2,4-oxadiazole, 1,2,4-thiadiazole, tetrazole, 1,2, 3,4-Oxatriazole, 1,2,3,4-thiatriazole, which may be substituted by one or more radicals R, wherein two or more radicals R may be linked together and form a ring, wherein the radicals R together with the central 5- to 6-ring can also form fused ring systems, where the coordination to the M / M 'atom takes place via a nitrogen
  • R 3 is an organic radical independently selected from the group consisting of hydrogen, halogen, and substituents substituted directly or via oxygen (-OR), nitrogen (-NR 2 ), silicon (-SiR 3 ) or sulfur atoms (-SR) are bonded and alkyl (unbranched, branched or cyclic), heteroalkyl, aryl, heteroaryl, alkenyl, alkynyl groups or substituted alkyl (unbranched, branched or cyclic), heteroalkyl -, aryl, heteroaryl and alkenyl groups (with substituents such as halogens or deuterium, alkyl groups (unbranched, branched or cyclic), heteroalkyl, aryl, heteroaryl groups), and other well-known donor and acceptor groups, such as Amines, carboxylates and their esters, and CF 3 groups, which are optionally further substituted and / or fused.
  • the radicals R 3 optionally also lead to annelated ring systems
  • the complex structures may have two, three or four bridges.
  • the binuclear metal complexes of the formula A have two bridges: wherein the same definitions apply as for formula A, and in a preferred embodiment Z 1 to Z 4 are CR.
  • binuclear metal complexes of the formula A have three bridges: wherein the same definitions apply as for formula A, and in a preferred embodiment Z 1 to Z 4 are CR.
  • binuclear metal complexes of the formula A have four bridges: wherein the same definitions apply as for formula A, and wherein in a preferred embodiment Z 2 to Z 4 are CR.
  • binuclear metal complexes of the formula A have a structure according to formula B: wherein the same definitions apply as for formula A, and in a preferred embodiment Z 1 to Z 4 are CR.
  • binuclear metal complexes of the formula A have the following structures:
  • the ligands for complexes having 2 bridges have the following structures:
  • the ligands for complexes with 2 bridges can be varied at the following positions of the bridge:
  • the invention allows the use of the base-type complexes in OLEDs, in particular as blue emitters.
  • the complexes have the following structures:
  • the invention in another aspect, relates to a process for producing a binuclear metal complex of the type described herein, comprising the step of substituting at least one EandenD ligand having at least one charge carrier transport functional group selected from electron conductor and hole conductor.
  • the proportion of the metal complex at the emitter or absorber is 100% in one embodiment of the application. In an alternative embodiment, the proportion of metal complex at the emitter or absorber is 1% to 99%. In one embodiment of the invention, the proportion of the metal (I) complex as emitter in optical light-emitting components, in particular in OLEDs, is between 5% and 80%.
  • the invention relates to an optoelectronic component comprising a metal complex according to the invention of the type described here.
  • the optoelectronic component may be formed as a component selected from the group consisting of organic light emitting component, organic diode, organic solar cell, organic transistor, organic light emitting Diode, light emitting electrochemical cell, organic field effect transistor and organic laser.
  • the metal complex according to the invention is used as the emission material in an emission layer of the component, wherein it is used either as a pure layer or in combination with a matrix material.
  • the proportion of the metal complex as emission material in an emission layer in optical light-emitting components, in particular in OLEDs, in one embodiment is between 5% and 80%.
  • the matrix material for the metal complex according to the invention is selected from the group consisting of ketones, phosphine oxides, sulfoxides, sulfones, triarylamines, carbazole derivatives, phenoxazine derivatives, phenothiazine derivatives, indolocarbazole derivatives, azacarbazoles, bipolar matrix materials, silanes, azaboroles, boronic esters, triazine derivatives, zinc complexes, diazasilol or Tetraazasilol derivatives, benzophenone derivatives, diphenylmethane derivatives, ultra-high-energy gap matrix materials (UHG matrix materials or wide-gap matrix materials, wherein the energy gap S0-T1 of the matrix material is at least 10 meV, preferably 50 meV and more preferably at least 100 meV is greater than the energy gap S0-T1 of a doped metal complex.) or mixtures of two or more of these matrix materials.
  • the optoelectronic component has a substrate and at least one light-emitting layer which has a metal complex described here, wherein the light-emitting layer is applied to the substrate.
  • the optoelectronic component has a substrate, an anode, a cathode and at least one light-emitting layer which has a metal complex described here, the anode and the cathode being on the substrate is applied and the light-emitting layer between the anode and cathode is applied.
  • the optoelectronic component comprises a substrate, an anode, a cathode and at least one light-emitting layer which has exclusively a metal complex in 100% concentration, with the anode and the cathode being applied to the substrate, and the light-emitting layer between Anode and cathode is applied.
  • the optoelectronic device in one embodiment comprises a substrate, an anode, a cathode, and at least one light emitting layer comprising a metal complex of the type described herein and a host material whose triplet (T1) and singlet (S1) energy levels are higher in energy as the triplet (T1) and singlet (S1) energy levels of the metal complex with the anode and cathode deposited on the substrate and the light emitting layer deposited between the anode and cathode.
  • T1 and singlet (S1) energy levels are higher in energy as the triplet (T1) and singlet (S1) energy levels of the metal complex with the anode and cathode deposited on the substrate and the light emitting layer deposited between the anode and cathode.
  • the optoelectronic component has at least one hole- and electron-injecting layer, and at least one hole- and electron-transporting layer, wherein the hole- and electron-injecting layer between anode and cathode is applied, and the hole and electron-transporting layer between the hole- and the electron-injecting layer is applied, and the light-emitting layer is applied between hole- and electron-transporting layer.
  • the invention relates to a method of making an optoelectronic device using a metal complex of the type described herein.
  • the metal complex is applied to a support.
  • the application can be carried out wet-chemically, by means of colloidal suspension or by sublimation.
  • the invention relates to a method for changing the emission and / or absorption properties of an electronic component, wherein a metal (I) complex of the type described here is introduced into a matrix material for conducting electrons or holes of an optoelectronic component.
  • the invention relates to a method for producing an optoelectronic component of the type described in the form of an organic electroluminescent device.
  • One or more layers are coated with a sublimation process, or with an OVPD (Organic Vapor Phase Deposition) process, or with the aid of a carrier gas sublimation or with any printing process.
  • OVPD Organic Vapor Phase Deposition
  • the invention relates to the use of a metal complex according to the invention, in particular in an optoelectronic component, for converting UV radiation or blue light into visible light, in particular into green, yellow or red light (down conversion).
  • the invention relates to a composition
  • a composition comprising a metal complex according to the invention and a host material, wherein the triplet (T1) and singlet (S1) energy levels of the host material are higher in energy than the triplet (T1) and singlet (S1).
  • the invention relates to a method for changing the emission and / or absorption properties of an electronic component, characterized by introducing a metal complex according to the invention by means of vacuum evaporation.
  • AAV 2 Preparation of complexes without sonication (Cu 2 X 2 (N **, P **) 2
  • the corresponding copper salt (1.00 equiv., 1.00 mmol)
  • the ligands (1.50 equiv., 1.50 mmol;) under nitrogen in
  • the mixture is mixed with 10 mL of dry dichloromethane and the reaction is stirred until a clear, mostly yellow solution is obtained
  • the reaction mixture was filtered through a syringe filter (0.45 ⁇ m) and allowed to dry in at least 50 ml. excess volume of methanol, diethyl ether or n-hexane, the products were filtered off and dried under reduced pressure.
  • the complex was prepared according to the general procedure in MeCN and crystallized from hot MeCN. The complex was filtered and dried in vacuo. Yellow crystals (70% yield). FAB-MS m / z (%): 778 [M + ], 745 [M-Cl + ], 645 [M-Cl-L + ], 454 [ML-Cl + ], 389 [M-CuLCl + ], 354 [M-CuCl 2 L + ].
  • IR (ATR) 3044 (vw), 1593 (w), 1562 (vw), 1475 (m), 1448 (w), 1432 (s), 1310 (vw), 1262 (vw), 1184 (vw), 1096 (m), 1069 (w), 1025 (vw), 1009 (w), 898 (vw), 871 (m), 771 (s), 743 (vs), 694 (vs), 694 (vs), 675 (s), 636 (w), 522 (s), 503 (s), 478 (s), 414 (m) cm -1 .
  • C 38 H 36 N 2 P 2 Cu 2 Cl 2 : calc. C 58.47; H 4.65; N 3.59; gef. C 58.43, H 4.64, N 3.20.
  • C 38 H 36 N 2 P 2 Cu 2 Br 2 : calc. C 52.49; H 4.17; N 3.22; gef. C 52.40, H 4.17, N 3.01.
  • the complex was prepared according to the general procedure in MeCN and crystallized from hot MeCN. The complex was filtered and dried in vacuo. Colorless crystals (92% yield). FAB-MS m / z (%): 836 [MI + ], 645 [MIL + ], 4354 [M-CuI 2 L + ].
  • the complexes 10-Cl to 10-I behave analogously to the corresponding heteroleptic white complexes.
  • the HOMO energies of 10-Br and 10-I were determined to be -5.30 eV and -5.43 eV using PESA. This reflects the localization of the HOMO on the Cu 2 X 2 unit: the transition from iodine to bromine increases the HOMO energy accordingly by about 0.1 eV, which leads photophysically to a redshift of the emission.
  • DFT calculations show that the use of ligand 10 instead of pyridine A and triphenylphosphine a does not significantly affect the nature of the (M + X) LCT transition ( FIG. 2 ).
  • Table 1 Photophysical parameters of WhitePHOS complexes.
  • Table 1 contains important basic photophysical data for the complexes 10-Cl, 10-Br, and 10-I. Accordingly, as expected, the band gap and the energy of the emitted light increase from Cl to I. The quantum efficiency decreases at the same time, but still has a very high value of 35% for the deep blue iodo compound 10-I (430 nm). From the emission lifetime and the low-temperature behavior, it can be concluded that the WhitePHOS complexes, like the NHetPHOS complexes, are TADF emitters: the emission lifetime is relatively short, and it must be taken into account in the interpretation of the data that triexponential decay curves are obtained and the stated lifetimes Accordingly, means are.
  • the emission lifetime increases by almost two orders of magnitude.
  • the energy difference between excited singlet and triplet state, ⁇ E S 1 , T 1
  • the value decreases in the series Cl - Br - I from 1469 to 1178 cm -1 , but is for all compounds in the range of the thermal energy k b T at 300 K (about 240 cm -1 ).

Landscapes

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Molekül aufweisend eine Struktur der Formel A sowie dessen Verwendung in optoelektronischen Bauelementen, insbesondere OLEDs. wobei M/M' = unabhängig ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Cu, Ag, Au; X = unabhängig ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Cl, Br, I, Pseudohalogenide; E'/E" = unabhängig ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus P, As; Z/Z' = unabhängig ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus N oder C; wobei zwischen Z/Z' und N entweder eine Einfachbindung oder eine Doppelbindung vorhanden ist; B'/B" = Brücke mit mindestens 2 bis zu 17 Gliedern.

Description

  • Die Erfindung betrifft Metallkomplexe (Emittermaterialien) und deren Verwendung als Emitter in optoelektronischen Bauelementen, insbesondere OLEDs (organic light emitting diodes), sowie als Sensoren.
    • Einleitung
  • Die auf OLED (Organic Light Emitting Diodes) basierende Technologie hat sich in den letzten Jahren im Bereich von Beleuchtungs- und Displayapplikationen als kostengünstige und energieeffiziente Technik durchgesetzt. Entsprechende Produkte sind bereits heute kommerziell erhältlich und werden in verschiedensten Arten von opto-elektronischen Bauelementen eingesetzt.
  • In der Regel sind derartige Bauteile in Schichtstrukturen realisiert, welche überwiegend aus organischen Materialien bestehen. Zum besseren Verständnis ist in Figur 1A/B ein vereinfachter Aufbau exemplarisch dargestellt. Herzstück solcher Bauteile ist die Emitterschicht, welche typischerweise zwischen einer Anode und einer Kathode angeordnet ist und die in der Regel aus einem Hostmaterial besteht, in welches die emittierenden Moleküle eingebettet sind. Weitere Schichten, wie die Lochinjektionsschicht, die Lochtransportschicht, die Elektronenleitschicht und die Zwischenschicht bewirken im Allgemeinen eine dramatisch verbesserte Effizienz der Bauteile. Bei Anlegen eines Stroms/einer Spannung treffen sich negative Ladungsträger (Elektronen) und positive Ladungsträger (Löcher), die zu sogenannten Exzitonen (= angeregte Zustände) rekombinieren. Die in den Exzitonen enthaltene Energie kann von den entsprechenden Emittern in Form von Licht abgegeben werden, wobei man in diesem Fall von Elektrolumineszenz spricht. Einen Überblick über die Funktion von OLEDs findet sich beispielsweise bei H. Yersin, Top. Curr. Chem. 2004, 241, 1 und H. Yersin, "Highly Efficient OLEDs with Phosphorescent Materials"; Wiley-VCH, Weinheim, Germany, 2008.
  • Die der Erfindung zu Grunde liegende Aufgabe besteht in der Bereitstellung neuer Emittermaterialien mit verbesserten Eigenschaften.
    • Beschreibung
  • Es wurden überraschend neue Emittermaterialien gefunden.
  • Die erfindungsgemäßen Moleküle umfassen zweikernige Metallkomplexe, aufweisend eine Struktur gemäß Formel A oder bestehend aus einer Struktur gemäß Formel A
    Figure imgb0001
     wobei
    M/M' = unabhängig ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Cu, Ag, Au;
    X = unabhängig ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Cl, Br, I, Pseudohalogenide;
    E'/E" = unabhängig ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus P, As;
    Z/Z' = unabhängig ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus N oder C; wobei zwischen
    Z/Z' und N entweder eine Einfachbindung oder eine Doppelbindung vorhanden ist;
    B'/B" = Brücke mit mindestens 2 bis zu 17 Gliedern; die Glieder können bestehen aus CH2, CHR'", CR'"R"", O, S, Se, NR"', PR"', AsR"', wobei R'" ein Rest ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Alkyl, Aryl, Hereroaryl, OR, SR, SeR, H, D ist;
  • G1/G2 = fünf oder sechsgliedriges, heteroaromatisches Ringsystem, welches optional mit weiteren Resten wie R/R' substituiert oder mit weiteren aromatischen Ringen anneliert ist; einer der Reste an G1/G2 kann auch eine weitere Brücke sein, die eine Brücke wie B'/B" aufspannt; durch diese Brücke wird das Ringsystem G1 mit dem Donoratom E" und das Ringsystem G2 mit dem Donoratom E' verbunden;
    jedes R und R' ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden H, Deuterium, F, Cl, Br, I, N(R2)2, CN, CF3, NO2, OH, COOH, COOR2, CO(NR2)2, Si(R2)3, B(OR2)2, C(=O)R2, P(=O)(R2)2, S(=O)R2, S(=O)2R2, OSO2R2, eine lineare Alkyl-, Alkoxy- oder Thioalkoxygruppe mit 1 bis 40 C-Atomen oder eine lineare Alkenyl- oder Alkinylgruppe mit 2 bis 40 C-Atomen oder eine verzweigte oder cyclische Alkyl-, Alkenyl-, Alkinyl-, Alkoxy- oder Thioalkoxygruppe mit 3 bis 40 C-Atomen, die jeweils mit einem oder mehreren Resten R2 substituiert sein kann, wobei eine oder mehrere nicht benachbarte CH2-Gruppen durch R2C=CR2, C=C, Si(R2)2, Ge(R2)2, Sn(R2)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR2, P(=O)(R2), SO, SO2, NR2, O, S oder CONR2 ersetzt sein können und wobei ein oder mehrere H-Atome durch Deuterium, F, Cl, Br, I, CN, CF3 oder NO2 ersetzt sein können, oder ein aromatisches oder heteroaromatisches Ringsystem mit 5 bis 60 aromatischen Ringatomen, das jeweils durch einen oder mehrere Reste R2 substituiert sein kann, oder eine Aryloxy- oder Heteroaryloxygruppe mit 5 bis 60 aromatischen Ringatomen, die durch einen oder mehrere Reste R2 substituiert sein kann, oder eine Diarylaminogruppe, Diheteroarylaminogruppe oder Arylheteroarylaminogruppe mit 10 bis 40 aromatischen Ringatomen, welche durch einen oder mehrere Reste R2 substituiert sein kann, oder eine Kombination dieser Systeme; dabei können zwei oder mehrere dieser Substituenten R und R' auch miteinander ein mono- oder polycyclisches, aliphatisches, aromatisches und/oder benzoannelliertes Ringsystem bilden;
    R2 bei jedem Auftreten gleich oder verschieden ist H, Deuterium, F, Cl, Br, I, N(R3)2, CN, CF3, NO2, OH, COOH, COOR3, CO(NR3)2, Si(R3)3, B(OR3)2, C(=O)R3, P(=O)(R3)2, S(=O)R3, S(=O)2R3, OSO2R3, eine lineare Alkyl-, Alkoxy- oder Thioalkoxygruppe mit 1 bis 40 C-Atomen oder eine lineare Alkenyl- oder Alkinylgruppe mit 2 bis 40 C-Atomen oder eine verzweigte oder cyclische Alkyl-, Alkenyl-, Alkinyl-, Alkoxy- oder Thioalkoxygruppe mit 3 bis 40 C-Atomen, die jeweils mit einem oder mehreren Resten R3 substituiert sein kann, wobei eine oder mehrere nicht benachbarte CH2-Gruppen durch R3C=CR3, C=C, Si(R3)2, Ge(R3)2, Sn(R3)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR3, P(=O)(R3), SO, SO2, NR3, O, S oder CONR3 ersetzt sein können und wobei ein oder mehrere H-Atome durch Deuterium, F, Cl, Br, I, CN, CF3 oder NO2 ersetzt sein können, oder ein aromatisches oder heteroaromatisches Ringsystem mit 5 bis 60 aromatischen Ringatomen, das jeweils durch einen oder mehrere Reste R3 substituiert sein kann, oder eine Aryloxy- oder Heteroaryloxygruppe mit 5 bis 60 aromatischen Ringatomen, die durch einen oder mehrere Reste R3 substituiert sein kann, oder eine Diarylaminogruppe, Diheteroarylaminogruppe oder Arylheteroarylaminogruppe mit 10 bis 40 aromatischen Ringatomen, welche durch einen oder mehrere Reste R3 substituiert sein kann, oder eine Kombination dieser Systeme; dabei können zwei oder mehrere dieser Substituenten R2 auch miteinander ein mono- oder polycyclisches, aliphatisches, aromatisches und/oder benzoannelliertes Ringsystem bilden;
    R3 bei jedem Auftreten gleich oder verschieden ist H, Deuterium, F, CF3 oder ein aliphatischer, aromatischer und/oder heteroaromatischer Kohlenwasserstoffrest mit 1 bis 20 C-Atomen, in dem auch ein oder mehrere H-Atome durch F oder CF3 ersetzt sein können; dabei können zwei oder mehrere Substituenten R3 auch miteinander ein mono- oder polycyclisches, aliphatisches Ringsystem bilden.
  • In einer Ausführungsform ist B'/B" eine organische Brücke mit mindestens 2 bis zu 17 Gliedern, die eine substituierte oder unsubstituierte Alkylen-, Alkenylen-, Alkinylen- oder Arylen-Gruppe oder eine Kombination dieser, oder -O-, -NR-, -C=CR2, -C=NR, -SiR2- -S-,-S(O)-, -S(O)2-, durch O unterbrochene Alkyl- (auch verzweigt oder zyklisch), Heteroalkyl-, Aryl-, Heteroaryl-, Alkenyl-Gruppen, Phenyl- und substituierte Phenyleinheiten ist.
  • In einer weiteren Ausführungsform ist B'/B" eine bivalente organische Brücke, die eine substituierte oder unsubstituierte Alkylen- (auch verzweigt oder zyklisch), Alkenylen-, Alkinylen-, Arylen-, Heteroarylen-Gruppe, O, NR, C=CR2, C=NR, SiR2 S, S(O), S(O)2, BR, PR, P(O)R, oder eine Kombination dieser Einheiten ist (z.B. durch O unterbrochene Alkylen-(auch verzweigt oder zyklisch), Alkenylen-, Alkinylen-, Arylen- und Heteroarylen-Gruppen).
  • In einer Ausführungsform weisen die zweikernigen Metallkomplexe der Formel A eine Struktur gemäß Formel A' auf:
    Figure imgb0002
     wobei die gleichen Definitionen wie für Formel A gelten.
  • In einer weiteren Ausführungsform ist das Ringsystem G1/G2 ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus einer ungesättigten oder aromatischen N-heterozyklischen Einheit mit 5 bis 6 Ring-Atomen, die ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Pyridin, Pyridazin, Pyrimidin, Pyrazin, Triazin, Oxazol, Thiazol, Imidazol, Pyrazol, Isoxazol, Isothiazol, 1,2,3-Triazol, 1,2,4-Triazol, 1,2,4-Oxadiazol, 1,2,4-Thiadiazol, Tetrazol, 1,2,3,4-Oxatriazol, 1,2,3,4-Thiatriazol, die mit einem oder mehreren Resten R substituiert sein können, wobei zwei oder mehr Reste R miteinander verknüpft sein können und einen Ring bilden können, wobei die Reste R zusammen mit dem zentralen 5- bis 6-Ring auch anellierte Ringsysteme ausbilden können,
    wobei die Koordination an das M/M'-Atom über ein Stickstoffatom der N-heterozyklischen Einheit stattfindet:
    Figure imgb0003
     mit
    (Verknüpfung zu B und zu B' findet an der mit # gekennzeichneten Stelle statt, * kennzeichnet das Atom, das die Komplexbindung eingeht)
    Z1-Z4 = jeweils unabhängig voneinander ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus dem Fragment CR und N, mit R ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden H, Deuterium, F, Cl, Br, I, N(R2)2, CN, CF3, NO2, OH, COOH, COOR2, CO(NR2)2, Si(R2)3, B(OR2)2, C(=O)R2, P(=O)(R2)2, S(=O)R2, S(=O)2R2, OSO2R2, eine lineare Alkyl-, Alkoxy- oder Thioalkoxygruppe mit 1 bis 40 C-Atomen oder eine lineare Alkenyl- oder Alkinylgruppe mit 2 bis 40 C-Atomen oder eine verzweigte oder cyclische Alkyl-, Alkenyl-, Alkinyl-, Alkoxy- oder Thioalkoxygruppe mit 3 bis 40 C-Atomen, die jeweils mit einem oder mehreren Resten R2 substituiert sein kann, wobei eine oder mehrere nicht benachbarte CH2-Gruppen durch R2C=CR2, C=C, Si(R2)2, Ge(R2)2, Sn(R2)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR2, P(=O)(R2), SO, SO2, NR2, O, S oder CONR2 ersetzt sein können und wobei ein oder mehrere H-Atome durch Deuterium, F, Cl, Br, I, CN, CF3 oder NO2 ersetzt sein können, oder ein aromatisches oder heteroaromatisches Ringsystem mit 5 bis 60 aromatischen Ringatomen, das jeweils durch einen oder mehrere Reste R2 substituiert sein kann, oder eine Aryloxy- oder Heteroaryloxygruppe mit 5 bis 60 aromatischen Ringatomen, die durch einen oder mehrere Reste R2 substituiert sein kann, oder eine Diarylaminogruppe, Diheteroarylaminogruppe oder Arylheteroarylaminogruppe mit 10 bis 40 aromatischen Ringatomen, welche durch einen oder mehrere Reste R2 substituiert sein kann, oder eine Kombination dieser Systeme; dabei können zwei oder mehrere dieser Substituenten R auch miteinander ein mono- oder polycyclisches, aliphatisches, aromatisches und/oder benzoannelliertes Ringsystem bilden;
    R2 bei jedem Auftreten gleich oder verschieden ist H, Deuterium, F, Cl, Br, I, N(R3)2, CN, CF3, NO2, OH, COOH, COOR3, CO(NR3)2, Si(R3)3, B(OR3)2, C(=O)R3, P(=O)(R3)2, S(=O)R2, S(=O)2R3, OSO2R2, eine lineare Alkyl-, Alkoxy- oder Thioalkoxygruppe mit 1 bis 40 C-Atomen oder eine lineare Alkenyl- oder Alkinylgruppe mit 2 bis 40 C-Atomen oder eine verzweigte oder cyclische Alkyl-, Alkenyl-, Alkinyl-, Alkoxy- oder Thioalkoxygruppe mit 3 bis 40 C-Atomen, die jeweils mit einem oder mehreren Resten R3 substituiert sein kann, wobei eine oder mehrere nicht benachbarte CH2-Gruppen durch R3C=CR3, C=C, Si(R3)2, Ge(R3)2, Sn(R3)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR3, P(=O)(R3), SO, SO2, NR3, O, S oder CONR3 ersetzt sein können und wobei ein oder mehrere H-Atome durch Deuterium, F, Cl, Br, I, CN, CF3 oder NO2 ersetzt sein können, oder ein aromatisches oder heteroaromatisches Ringsystem mit 5 bis 60 aromatischen Ringatomen, das jeweils durch einen oder mehrere Reste R3 substituiert sein kann, oder eine Aryloxy- oder Heteroaryloxygruppe mit 5 bis 60 aromatischen Ringatomen, die durch einen oder mehrere Reste R3 substituiert sein kann, oder eine Diarylaminogruppe, Diheteroarylaminogruppe oder Arylheteroarylaminogruppe mit 10 bis 40 aromatischen Ringatomen, welche durch einen oder mehrere Reste R3 substituiert sein kann, oder eine Kombination dieser Systeme; dabei können zwei oder mehrere dieser Substituenten R2 auch miteinander ein mono- oder polycyclisches, aliphatisches, aromatisches und/oder benzoannelliertes Ringsystem bilden;
    R3 bei jedem Auftreten gleich oder verschieden ist H, Deuterium, F, CF3 oder ein aliphatischer, aromatischer und/oder heteroaromatischer Kohlenwasserstoffrest mit 1 bis 20 C-Atomen, in dem auch ein oder mehrere H-Atome durch F oder CF3 ersetzt sein können; dabei können zwei oder mehrere Substituenten R3 auch miteinander ein mono- oder polycyclisches, aliphatisches Ringsystem bilden.
  • In einer Ausführungsform ist R3 ein organischer Rest, der unabhängig voneinander ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Wasserstoff, Halogen und Substituenten, die direkt oder über Sauerstoff- (-OR), Stickstoff- (-NR2), Silizium- (-SiR3) oder Schwefelatome (-SR) gebunden sind sowie Alkyl- (unverzweigt, verzweigt oder zyklisch), Heteroalkyl-, Aryl-, Heteroaryl-, Alkenyl-, Alkinyl-Gruppen bzw. substituierte Alkyl- (unverzweigt, verzweigt oder zyklisch), Heteroalkyl-, Aryl-, Heteroaryl- und Alkenyl-Gruppen (mit Substituenten wie Halogene oder Deuterium, Alkylgruppen (unverzweigt, verzweigt oder zyklisch), Heteroalkyl-, Aryl-, Heteroarylgruppen), und weitere allgemein bekannte Donor- und Akzeptor-Gruppen, wie beispielsweise Amine, Carboxylate und deren Ester, und CF3-Gruppen, die optional weiter substituiert und/oder anneliert sind. Die Reste R3 führen optional auch zu annelierten Ringsystemen.
  • Die Komplexstrukturen können, zwei, drei oder vier Brücken aufweisen. In einer Ausführungsform weisen die zweikernigen Metallkomplexe der Formel A zwei Brücken auf:
    Figure imgb0004
     wobei die gleichen Definitionen wie für Formel A gelten, und wobei in einer bevorzugten Ausführungsform Z1 bis Z4 gleich CR sind.
  • In einer weiteren Ausführungsform weisen die zweikernigen Metallkomplexe der Formel A drei Brücken auf:
    Figure imgb0005
     wobei die gleichen Definitionen wie für Formel A gelten, und wobei in einer bevorzugten Ausführungsform Z1 bis Z4 gleich CR sind.
  • In einer weiteren Ausführungsform weisen die zweikernigen Metallkomplexe der Formel A vier Brücken auf:
    Figure imgb0006
     wobei die gleichen Definitionen wie für Formel A gelten, und wobei in einer bevorzugten Ausführungsform Z2 bis Z4 gleich CR sind.
  • In einer weiteren Ausführungsform weisen die zweikernigen Metallkomplexe der Formel A eine Struktur gemäß Formel B auf:
    Figure imgb0007
     wobei die gleichen Definitionen wie für Formel A gelten, und wobei in einer bevorzugten Ausführungsform Z1 bis Z4 gleich CR sind.
  • In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform weisen die zweikernigen Metallkomplexe der Formel A folgende Strukturen auf:
    Figure imgb0008
  • In einer weiteren Ausführungsform weisen die Liganden für Komplexe mit 2 Brücken folgende Strukturen auf:
    Figure imgb0009
    Figure imgb0010
    Figure imgb0011
  • In einer weiteren Ausführungsform können die Liganden für Komplexe mit 2 Brücken an folgenden Positionen der Brücke variiert werden:
    Figure imgb0012
  • Die Erfindung erlaubt die Verwendung der Basis-artigen Komplexe in OLEDs, insbesondere als blaue Emitter.
    In einer Ausführungsform der Erfindung weisen die Komplexe die nachfolgenden Strukturen auf:
    Figure imgb0013
  • Für die beiden obigen Strukturen wurden Dichtefunktionaltheorie basierte Rechnungen (DFT-Rechnungen) durchgeführt. Der Komplex mit m=2, n=2 und X=Br, sowie der Komplex mit m = 3, n=3 und X=Br ist laut DFT-Rechnungen intrinsisch stabil und zeigt einen dem Basis-System ähnlichen MXLCT-Übergang.
  • In einem weiteren Aspekt betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines zweikernigen Metallkomplexes der hier beschriebenen Art, aufweisend den Schritt der Substitution mindestens eines Liganden E∩D mit mindestens einer funktionellen Gruppe zur Verbesserung des Ladungsträgertransports, die ausgewählt ist aus Elektronenleiter und Lochleiter.
  • In einem weiteren Aspekt betrifft die Erfindung die Verwendung des erfindungsgemäßen Metallkomplexes 6 als Emitter oder Absorber in einem optoelektronischen Bauelement, das durch ein Vakuumverdampfungsverfahren oder aus Lösung hergestellt wird. Das optoelektronische Bauelement kann ausgewählt sein aus der Gruppe bestehend aus:
    • Organischen Licht-emittierenden Bauteilen (OLEDs),
    • Licht-emittierenden elektrochemischen Zellen,
    • OLED-Sensoren, insbesondere in nicht hermetisch nach außen abgeschirmten Gas- und Dampf-Sensoren,
    • Organischen Solarzellen,
    • Organischen Feldeffekttransistoren,
    • Organischen Lasern und
    • Down-Konversions-Elementen.
  • Der Anteil des Metallkomplexes am Emitter oder Absorber beträgt in einer Ausführungsform der Anwendung 100 %. In einer alternativen Ausführungsform beträgt der Anteil des Metallkomplexes am Emitter oder Absorber 1 % bis 99 %. In einer Ausführungsform der Erfindung beträgt der Anteil des Metall(I)komplexes als Emitter in optischen Licht emittierenden Bauelementen, insbesondere in OLEDs, zwischen 5 % und 80 %.
  • In einem weiteren Aspekt betrifft die Erfindung ein optoelektronisches Bauelement, aufweisend einen erfindungsgemäßen Metallkomplex der hier beschriebenen Art. Das optoelektronisches Bauelement kann ausgeformt sein als ein Bauelement ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus organischem lichtemittierendem Bauelement, organischer Diode, organischer Solarzelle, organischem Transistor, organischer lichtemittierender Diode, Lichtemittierender elektrochemischer Zelle, organischem Feldeffekttransistor und organischem Laser.
  • In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements wird der erfindungsgemäße Metallkomplex als Emissionsmaterial in einer Emissionsschicht des Bauelements eingesetzt, wobei er entweder als Reinschicht oder in Kombination mit einem Matrixmaterial eingesetzt ist.
  • Der Anteil des Metallkomplexes als Emissionsmaterial in einer Emissionsschicht in optischen Licht emittierenden Bauelementen, insbesondere in OLEDs, beträgt in einer Ausführungsform zwischen 5 % und 80 %.
  • Das Matrixmaterial für den erfindungsgemäßen Metallkomplex ist ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Ketonen, Phosphinoxiden, Sulfoxiden, Sulfonen, Triarylaminen, Carbazolderivaten, Phenoxazinderivaten, Phenothiazinderivaten, Indolocarbazolderivaten, Azacarbazolen, bipolaren Matrixmaterialien, Silanen, Azaborolen, Boronestern, Triazinderivaten, Zinkkomplexen, Diazasilol- bzw. Tetraazasilol-Derivaten, Benzophenonderivaten, Diphenylmethanderivate, Ultra-High-Energy-Gap-Matrixmatrialien (UHG-Matrixmaterialien oder Wide-Gap-Matrixmaterialien genannt, wobei der Energieabstand S0-T1 des Matrixmaterials mindesten 10 meV, bevorzugt 50 meV und besonders bevorzugt mindestens 100 meV größer ist als der Energieabstand S0-T1 eines eindotierten Metallkomplexes.) oder Mischungen aus zwei oder mehr dieser Matrixmaterialien.
  • In einer Ausführungsform weist das optoelektronische Bauelement ein Substrat und mindestens eine lichtemittierende Schicht auf, die einen hier beschriebenen Metallkomplex aufweist, wobei die lichtemittierende Schicht auf das Substrat aufgebracht ist.
  • In einer weiteren Ausführungsform weist das optoelektronische Bauelement ein Substrat, eine Anode, eine Kathode und mindestens eine lichtemittierende Schicht auf, die einen hier beschriebenen Metallkomplex aufweist, wobei die Anode und die Kathode auf das Substrat aufgebracht ist und die lichtemittierende Schicht zwischen Anode und Kathode aufgebracht ist.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist das optoelektronische Bauelement ein Substrat, eine Anode, eine Kathode und mindestens eine lichtemittierende Schicht auf, die ausschließlich einen Metallkomplex in 100 % Konzentration aufweist, wobei die Anode und die Kathode auf das Substrat aufgebracht ist, und die lichtemittierende Schicht zwischen Anode und Kathode aufgebracht ist.
  • Das optoelektronische Bauelement weist in einer Ausführungsform ein Substrat, eine Anode, eine Kathode und mindestens eine lichtemittierende Schicht auf, die einen Metallkomplex der hierin beschriebenen Art und ein Hostmaterial aufweist, dessen Triplett (T1)- und Singulett (S1)-Energieniveaus energetisch höher liegen als die Triplett (T1)- und Singulett (S1)-Energieniveaus des Metallkomplexes, wobei die Anode und die Kathode auf das Substrat aufgebracht sind und die lichtemittierende Schicht zwischen Anode und Kathode aufgebracht ist.
  • In einer weiteren Ausführungsform weist das optoelektronische Bauelement mindestens je eine löcher- und elektroneninjizierende Schicht, und mindestens je eine löcher- und elektronentransportierende Schicht auf, wobei die löcher- und elektroneninjizierende Schicht zwischen Anode und Kathode aufgebracht ist, und die löcher- und elektronentransportierende Schicht zwischen der löcher- und der elektroneninjizierenden Schicht aufgebracht ist, und die lichtemittierende Schicht zwischen löcher- und elektronentransportierende Schicht aufgebracht ist.
  • In einem weiteren Aspekt betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements, wobei ein Metallkomplex der hierin beschriebenen Art verwendet wird.
  • In einer Ausführungsform des Verfahrens wird der Metallkomplex auf einen Träger aufgebracht. Das Aufbringen kann nass-chemisch, mittels kolloidaler Suspension oder mittels Sublimation erfolgen.
  • In einem weiteren Aspekt betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Veränderung der Emissions- und/oder Absorptionseigenschaften eines elektronischen Bauelements, wobei ein Metall(I)komplex der hier beschriebenen Art in ein Matrixmaterial zur Leitung von Elektronen oder Löchern eines optoelektronischen Bauelements eingebracht wird.
  • In einem weiteren Aspekt betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements der beschriebenen Art in Form einer organischen Elektrolumineszenzvorrichtung. Dabei werden eine oder mehrere Schichten mit einem Sublimationsverfahren, oder mit einem OVPD (Organic Vapour Phase Deposition) Verfahren, oder mit Hilfe einer Trägergassublimation oder mit einem beliebigen Druckverfahren beschichtet.
  • In einem weiteren Aspekt betrifft die Erfindung die Verwendung eines erfindungsgemäßen Metallkomplexes, insbesondere in einem optoelektronischen Bauelement, zur Umwandlung von UV-Strahlung oder von blauem Licht in sichtbares Licht, insbesondere in grünes, gelbes oder rotes Licht (Down-Konversion).
  • In einem weiteren Aspekt betrifft die Erfindung eine Zusammensetzung, aufweisend einen erfindungsgemäßen Metallkomplex und ein Hostmaterial, wobei die Triplett (T1)- und Singulett (S1)-Energieniveaus des Hostmaterials energetisch höher liegen als die Triplett (T1)- und Singulett (S1)-Energieniveaus Metallkomplexes, und wobei der Metallkomplex Fluoreszenz oder thermisch aktivierte verzögerte Fluoreszenz zeigt, und einen deltaE(S1-T1)-Wert zwischen dem untersten angeregten Singulett (S1)- und dem darunter liegenden Triplett (T1)-Zustand von kleiner als 2000 cm-1 aufweist.
  • In einem weiteren Aspekt betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Veränderung der Emissions- und/oder Absorptionseigenschaften eines elektronischen Bauelements, gekennzeichnet durch Einbringen eines erfindungsgemäßen Metallkomplexes mittels Vakuumverdampfung.
    • Beispiele Allgemeine Synthesevorschrift:
  • AAV 2: Herstellung von Komplexen ohne Ultraschallbehandlung (Cu2X2(N**,P**)2 Das entsprechende Kupfersalz (1.00 Äquiv., 1.00 mmol), die Liganden (1.50 Äquiv., 1.50 mmol;) werden unter Stickstoff in einem 20 mL Crimp-Vial mit Rührfisch vorgelegt. Die Mischung wird mit 10 mL trockenem Dichlormethan versetzt. Die Reaktion wird gerührt bis eine klare, zumeist gelbe Lösung vorlag. Die Reaktionsmischung wurde über einen Spritzenfilter (0.45 µm) filtriert und in mind. 50-fachem Volumenüberschuss Methanol, Diethylether oder n-Hexan ausgefällt. Die Produkte wurden abfiltriert und unter vermindertem Druck getrocknet.
    • Beispiel 1 Synthese von (2-(2-Diphenylphosphino)-ethyl-pyridin)2Cu2Cl2 (10-Cl)
  • Der Komplex wurde nach der allgemeinen Synthesevorschrift in MeCN hergestellt und aus heißem MeCN kristallisiert. Der Komplex wurde filtriert und am Vakuum getrocknet. Gelbe Kristalle (70% Ausbeute). FAB-MS m/z (%): 778 [M+], 745 [M-Cl+], 645 [M-Cl-L+], 454 [M-L-Cl+], 389 [M-CuLCl+], 354 [M-CuCl2L+]. - IR (ATR) 3044 (vw), 1593 (w), 1562 (vw), 1475 (m), 1448 (w), 1432 (s), 1310 (vw), 1262 (vw), 1184 (vw), 1096 (m), 1069 (w), 1025 (vw), 1009 (w), 898 (vw), 871 (m), 771 (s), 743 (vs), 694 (vs), 694 (vs), 675 (s), 636 (w), 522 (s), 503 (s), 478 (s), 414 (m) cm-1. - C38H36N2P2Cu2Cl2: ber. C 58.47; H 4.65; N 3.59; gef. C 58.43, H 4.64, N 3.20.
    Figure imgb0014
    • Beispiel 2 Synthese von (2-(2-Diphenylphosphino)-ethyl-pyridin)2Cu2Br2 (10-Br)
  • Der Komplex wurde nach der allgemeinen Synthesevorschrift in MeCN hergestellt und aus heißem MeCN kristallisiert. Der Komplex wurde filtriert und am Vakuum getrocknet. Gelbe Kristalle (90% Ausbeute). - 1H NMR (500 MHz, Chloroform-d) 5 = 9.05 (d, J = 5.6 Hz, 2H), 7.67 (ddd, J = 9.9, 6.2, 4.2 Hz, 10H), 7.34 (dt, J = 29.8, 7.5 Hz, 13H), 7.22 (dd, J = 7.6, 5.2 Hz, 4H), 3.12 (dt, J = 21.4, 6.6 Hz, 4H), 2.57 (q, J = 5.9 Hz, 4H) ppm. - 13C NMR (126 MHz, Chloroform-d) 5 = 160.7, 138.0, 133.2, 132.9, 130.0, 128.7, 124.4, 122.6, 32.4, 26.5 ppm.-31P NMR (202 MHz, Chloroform-d) 5 = -12.2 ppm. - FAB-MS m/z (%): 870 [M+], 789 [M-Br+], 645 [M-Br-L+], 435 [M-CuLBr+], 354 [M-CuBr2L+]. - IR (ATR) 3049 (vw), 1593 (w), 1562 (vw), 1476 (m), 1430 (m), 1308 (w), 1263 (vw), 1182 (vw), 1095 (m), 1068 (w), 1024 (w), 1010 (w), 870 (m), 768 (s), 740 (vs), 692 (vs), 673 (s), 636 (m), 522 (s), 499 (s), 476 (s), 456 (m), 412 (m) cm-1. - C38H36N2P2Cu2Br2: ber. C 52.49; H 4.17; N 3.22; gef. C 52.40, H 4.17, N 3.01.
    Figure imgb0015
    • Beispiel 3 Synthese von (2-(2-Diphenylphosphino)-ethyl-pyridin)2Cu2I2 (10-I)
  • Figure imgb0016
  • Der Komplex wurde nach der allgemeinen Synthesevorschrift in MeCN hergestellt und aus heißem MeCN kristallisiert. Der Komplex wurde filtriert und am Vakuum getrocknet. Farblose Kristalle (92% Ausbeute). - FAB-MS m/z (%): 836 [M-I+], 645 [M-I-L+], 4354 [M-CuI2L+]. - IR (ATR) 3045 (vw), 1598 (w), 1565 (w), 1478 (m), 1431 (s), 1406 (w), 1322 (w), 1157 (w), 1099 (w), 1017 (w), 993 (w), 932 (w), 847 (w), 778 (w), 743 (vs), 718 (s), 693 (vs), 588 (w), 520 (vw), 499 (s), 475 (m), 443 (m), 413 (m) cm-1. - C38H36N2P2Cu2I2: ber. C 47.37; H 3.77; N 2.91; gef. C 47.40, H 3.74, N 2.78.
    Figure imgb0017
  • Die Komplexe 10-Cl bis 10-I verhalten sich analog zu den entsprechenden heteroleptischen White-Komplexen. Die HOMO-Energien von 10-Br und 10-I wurden mit Hilfe von PESA zu -5.30 eV und -5.43 eV bestimmt. Dies spiegelt die Lokalisierung des HOMOs auf der Cu2X2-Einheit wider: Durch den Übergang von lod zu Brom steigt die HOMO-Energie entsprechend um ca. 0.1 eV an, was photophysikalisch zu einer Rotverschiebung der Emission führt. DFT-Rechnungen zeigen, dass die Verwendung von Ligand 10 anstelle von Pyridin A und Triphenylphosphin a die Natur des (M+X)LCT-Übergangs nicht nennenswert beeinflusst (Figur 2). Tabelle 1: Photophysikalische Parameter von WhitePHOS-Komplexen.
    λem(r.t.) [nm] ΔE(S0,S1) [eV] PLQY Φ τa(r.t.) [µs] λem(77K) [nm] τa (77K) [µs] ΔE(S1,T1) [cm-1]
    10-Cl 562 2.54 0.95 0.49 590 32.62 1469
    10-Br 540 2.67 0.76 0.70 548 64.77 1247
    10-I 430 3.05 0.35 0.54 432 36.69 1178
  • Alle Emissionsdaten wurden an Pulverproben gemessen. Die Anregung erfolgte bei 350 nm (Emission) bzw. 377 nm (τ). ΔE(S0,S1) = Aus Excicationsspektren nach Tauc bestimmt. ΔE(S1,T1) = Aus der Differenz des Emissionsonsets r.t. - 77K a = Mittelwert, triexponentieller Fit.
  • Fehler! Verweisquelle konnte nicht gefunden werden.Tabelle 1 enthält wichtige photophysikalische Eckdaten zu den Komplexen 10-Cl, 10-Br und 10-I. Demnach steigen wie erwartet die Bandlücke sowie die Energie des emittierten Lichtes von Cl nach I an. Die Quanteneffizienz nimmt gleichzeitig ab, hat aber für die tiefblaue lodoverbindung 10-I (430 nm) noch einen sehr hohen Wert von 35 %. Aus der Emissionslebensdauer sowie dem Tieftemperaturverhalten lässt sich schließen, dass die WhitePHOS-Komplexe wie die NHetPHOS-Komplexe TADF-Emitter sind: Die Emissionslebensdauer ist relativ kurz, wobei bei der Interpretation der Daten beachtet werden muss, dass jeweils triexponentielle Abklingkurven erhalten und die angegebenen Lebendauern demnach Mittelwerte sind. Beim Abkühlen auf 77K steigt die Emissionslebensdauer um beinahe zwei Größenordnungen an. Nach der von Yersin vorgeschlagenen Methode wurde der Energieunterschied zwischen angeregtem Singulett und Triplett-Zustand, ΔE(S1,T1), aus dem Anstieg der Emissionsbande (kurzwelliger Bereich der Bande) der Emission bei Raumtemperatur und 77K bestimmt.1 Der Wert sinkt in der Reihe Cl - Br - I von 1469 auf 1178 cm-1, liegt aber für alle Verbindungen im Bereich der thermischen Energie kbT bei 300 K (ca. 240 cm-1).
    • Beispiel 4 Test-OLEDS von 10-I, 10-Br und 10-Cl.
  • Die Komplex 10-Cl bis 10-I wurden in einem OLED-Aufbau getestet, wobei ein Host-freier Reinfilm aus Kupfer(I)-komplex als EML verwendet wurde. Demnach steigt beim Übergang von Iodid nach Chlorid die HOMO-Energie von -5.3 auf -5.5 eV an. Da sich die Bandlücke näherungsweise nicht verändert, steigt die LUMO-Energie in einem vergleichbaren Umfang von -2.6 auf -2.4 eV (Figur 3).
  • Die Ergebnisse der Tests der erfindungsgemäßen Verbindungen 10-I, 10-Br und 10-Cl in einfachen OLEDs sind in Figur 4 und Tabelle 2 aufgeführt. Wie aufgrund der grundlegenden photophysikalischen Trends von CuX-Komplexen erwartet, verschiebt sich das Maximum des Elektrolumineszenzspektrums beim Übergang von Iodid nach Chlorid von 515 auf 560 nm. Die Effizienz ist beim Bromo-Komplex 10-Br mit 5.2 Im W-1 am höchsten in der Reihe. Tabelle 2: Bauteildaten für Komplexe 10-I, 10-Br und 10-Cl.
    Von (1 cd m-2) [V] ηCE a [cd A-1] ηCE a [lm W-1] Bb [cd m-2] λem(EL) [nm] λem(PL) [nm] ΦEQE a
    10-I 3.5 2.8 1.8 1120 515 500 1.0%
    10-Br 4.2 10.5 5.2 1830 550 550 2.2%
    10-Cl 4.5 3.1 1.6 145 560 555 8.0%
    a= gemessen für 1 mA cm-2. b= gemessen bei 12 V Einsatzspannung.
    Photolumineszenzspektroskopie: Anregung bei 350 nm.
    • Figuren
  • Es zeigen:
    • Figur 1A /B: Exemplarische Darstellung des Aufbaus einer organischen lichtemittierenden Diode (OLED).
    • Figur 2 : HOMO (links) und LUMO (rechts) des Komplexes 10-Br
    • Figur 3 : Energieniveau-Diagramm für das Bauteil ITO(130 nm)//PEDOT:PSS (30 nm)//Komplex (30 nm)//TSPO1 (15 nm)//TPBi (15 nm)//LiF(1 nm)//Al(100 nm).
    • Figur 4 : L-I-V Kurve (links; durchgezogene Linie = Stromdichte; gestrichelte Linie = Leuchtdichte) und Elektrolumineszenzspektrum für Komplex 10-Br.

Claims (22)

  1. Zweikerniger Metallkomplex, aufweisend eine Struktur gemäß Formel A
    Figure imgb0018
     wobei
    M/M' = unabhängig ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Cu, Ag, Au;
    X = unabhängig ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Cl, Br, I, Pseudohalogenide;
    E'/E" = unabhängig ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus P, As;
    Z/Z' = unabhängig ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus N oder C; wobei zwischen
    Z/Z' und N entweder eine Einfachbindung oder eine Doppelbindung vorhanden ist;
    B'/B" = Brücke mit mindestens 2 bis zu 17 Gliedern; die Glieder können bestehen aus CH2,
    CHR'", CR'"R"", O, S, Se, NR"', PR"', AsR"', wobei R'" ein Rest aus der Gruppe Alkyl, Aryl, Hereroaryl, OR, SR, SeR, H, D sein kann;
    G1/G2 = fünf oder sechsgliedriges, heteroaromatisches Ringsystem, welches optional mit weiteren Resten wie R/R' substituiert oder mit weiteren aromatischen Ringen anneliert ist; einer der Reste an G1/G2 kann auch eine weitere Brücke sein, die eine Brücke wie B'/B" aufspannt; durch diese Brücke wird das Ringsystem G1 mit dem Donoratom E" und das Ringsystem G2 mit dem Donoratom E' verbunden;
    jedes R und R' ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden H, Deuterium, F, Cl, Br, I, N(R2)2, CN, CF3, NO2, OH, COOH, COOR2, CO(NR2)2, Si(R2)3, B(OR2)2, C(=O)R2, P(=O)(R2)2, S(=O)R2, S(=O)2R2, OSO2R2, eine lineare Alkyl-, Alkoxy- oder Thioalkoxygruppe mit 1 bis 40 C-Atomen oder eine lineare Alkenyl- oder Alkinylgruppe mit 2 bis 40 C-Atomen oder eine verzweigte oder cyclische Alkyl-, Alkenyl-, Alkinyl-, Alkoxy- oder Thioalkoxygruppe mit 3 bis 40 C-Atomen, die jeweils mit einem oder mehreren Resten R2 substituiert sein kann, wobei optional eine oder mehrere nicht benachbarte CH2-Gruppen durch R2C=CR2, C=C, Si(R2)2, Ge(R2)2, Sn(R2)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR2, P(=O)(R2), SO, SO2, NR2, O, S oder CONR2 ersetzt sind und wobei optional ein oder mehrere H-Atome durch Deuterium, F, Cl, Br, I, CN, CF3 oder NO2 ersetzt sind, oder ein aromatisches oder heteroaromatisches Ringsystem mit 5 bis 60 aromatischen Ringatomen, das optional jeweils durch einen oder mehrere Reste R2 substituiert ist, oder eine Aryloxy- oder Heteroaryloxygruppe mit 5 bis 60 aromatischen Ringatomen, die optional durch einen oder mehrere Reste R2 substituiert ist, oder eine Diarylaminogruppe, Diheteroarylaminogruppe oder Arylheteroarylaminogruppe mit 10 bis 40 aromatischen Ringatomen, welche optional durch einen oder mehrere Reste R2 substituiert ist, oder eine Kombination dieser Systeme; dabei bilden optional zwei oder mehrere dieser Substituenten R und R' auch miteinander ein mono- oder polycyclisches, aliphatisches, aromatisches und/oder benzoannelliertes Ringsystem;
    R2 bei jedem Auftreten gleich oder verschieden ist H, Deuterium, F, Cl, Br, I, N(R3)2, CN, CF3, NO2, OH, COOH, COOR3, CO(NR3)2, Si(R3)3, B(OR3)2, C(=O)R3, P(=O)(R3)2, S(=O)R3, S(=O)2R3, OSO2R3, eine lineare Alkyl-, Alkoxy- oder Thioalkoxygruppe mit 1 bis 40 C-Atomen oder eine lineare Alkenyl- oder Alkinylgruppe mit 2 bis 40 C-Atomen oder eine verzweigte oder cyclische Alkyl-, Alkenyl-, Alkinyl-, Alkoxy- oder Thioalkoxygruppe mit 3 bis 40 C-Atomen, die optional jeweils mit einem oder mehreren Resten R3 substituiert ist, wobei optional eine oder mehrere nicht benachbarte CH2-Gruppen durch R3C=CR3, C=C, Si(R3)2, Ge(R3)2, Sn(R3)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR3, P(=O)(R3), SO, SO2, NR3, O, S oder CONR3 ersetzt sind und wobei optional ein oder mehrere H-Atome durch Deuterium, F, Cl, Br, I, CN, CF3 oder NO2 ersetzt sind, oder ein aromatisches oder heteroaromatisches Ringsystem mit 5 bis 60 aromatischen Ringatomen, das optional jeweils durch einen oder mehrere Reste R3 substituiert ist, oder eine Aryloxy- oder Heteroaryloxygruppe mit 5 bis 60 aromatischen Ringatomen, die optioanl durch einen oder mehrere Reste R3 substituiert ist, oder eine Diarylaminogruppe, Diheteroarylaminogruppe oder Arylheteroarylaminogruppe mit 10 bis 40 aromatischen Ringatomen, welche durch einen oder mehrere Reste R3 substituiert ist, oder eine Kombination dieser Systeme; dabei bilden optional zwei oder mehrere dieser Substituenten R2 auch miteinander ein mono- oder polycyclisches, aliphatisches, aromatisches und/oder benzoannelliertes Ringsystem;
    R3 bei jedem Auftreten gleich oder verschieden ist H, Deuterium, F, CF3 oder ein aliphatischer, aromatischer und/oder heteroaromatischer Kohlenwasserstoffrest mit 1 bis 20 C-Atomen, in dem optional ein oder mehrere H-Atome durch F oder CF3 ersetzt sind; dabei bilden optional zwei oder mehrere Substituenten R3 miteinander ein mono- oder polycyclisches, aliphatisches Ringsystem.
  2. Metallkomplex nach Anspruch 1, wobei das Ringsystem G1/G2 ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus einer ungesättigten oder aromatischen N-heterozyklischen Einheit mit 5 oder 6 Ring-Atomen, die ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Pyridin, Pyridazin, Pyrimidin, Pyrazin, Triazin, Oxazol, Thiazol, Imidazol, Pyrazol, Isoxazol, Isothiazol, 1,2,3-Triazol, 1,2,4-Triazol, 1,2,4-Oxadiazol, 1,2,4-Thiadiazol, Tetrazol, 1,2,3,4-Oxatriazol, 1,2,3,4-Thiatriazol, die optional mit einem oder mehreren Resten R substituiert ist, wobei optional zwei oder mehr Reste R miteinander verknüpft sind und optional ein Ring oder Ringsystem bilden, insbesondere ein mono- oder polycyclisches, aliphatisches, aromatisches und/oder benzoannelliertes Ringsystem, wobei die Reste R zusammen mit dem zentralen 5- bis 6-Ring optional anellierte Ringsysteme ausbilden, wobei die Koordination an das M/M'-Atom über ein Stickstoffatom der N-heterozyklischen Einheit stattfindet:
    Figure imgb0019
     wobei
    die Verknüpfung zu B oder zu B' an der mit # gekennzeichneten Stelle stattfindet und * das Atom kennzeichnet, das die Komplexbindung eingeht;
    Z1-Z4 = jeweils unabhängig voneinander ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus dem Fragment CR und N, mit R ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden H, Deuterium, F, Cl, Br, I, N(R2)2, CN, CF3, NO2, OH, COOH, COOR2, CO(NR2)2, Si(R2)3, B(OR2)2, C(=O)R2, P(=O)(R2)2, S(=O)R2, S(=O)2R2, OSO2R2, eine lineare Alkyl-, Alkoxy- oder Thioalkoxygruppe mit 1 bis 40 C-Atomen oder eine lineare Alkenyl- oder Alkinylgruppe mit 2 bis 40 C-Atomen oder eine verzweigte oder cyclische Alkyl-, Alkenyl-, Alkinyl-, Alkoxy- oder Thioalkoxygruppe mit 3 bis 40 C-Atomen, die optional jeweils mit einem oder mehreren Resten R2 substituiert ist, wobei optional eine oder mehrere nicht benachbarte CH2-Gruppen durch R2C=CR2, C=C, Si(R2)2, Ge(R2)2, Sn(R2)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR2, P(=O)(R2), SO, SO2, NR2, O, S oder CONR2 ersetzt sind und wobei optional ein oder mehrere H-Atome durch Deuterium, F, Cl, Br, I, CN, CF3 oder NO2 ersetzt sind, oder ein aromatisches oder heteroaromatisches Ringsystem mit 5 bis 60 aromatischen Ringatomen, das optional jeweils durch einen oder mehrere Reste R2 substituiert ist, oder eine Aryloxy- oder Heteroaryloxygruppe mit 5 bis 60 aromatischen Ringatomen, die optional durch einen oder mehrere Reste R2 substituiert ist, oder eine Diarylaminogruppe, Diheteroarylaminogruppe oder Arylheteroarylaminogruppe mit 10 bis 40 aromatischen Ringatomen, welche optional durch einen oder mehrere Reste R2 substituiert ist, oder eine Kombination dieser Systeme;
    R2 bei jedem Auftreten gleich oder verschieden ist H, Deuterium, F, Cl, Br, I, N(R3)2, CN, CF3, NO2, OH, COOH, COOR3, CO(NR3)2, Si(R3)3, B(OR3)2, C(=O)R3, P(=O)(R3)2, S(=O)R2, S(=O)2R3, OSO2R2, eine lineare Alkyl-, Alkoxy- oder Thioalkoxygruppe mit 1 bis 40 C-Atomen oder eine lineare Alkenyl- oder Alkinylgruppe mit 2 bis 40 C-Atomen oder eine verzweigte oder cyclische Alkyl-, Alkenyl-, Alkinyl-, Alkoxy- oder Thioalkoxygruppe mit 3 bis 40 C-Atomen, die optional jeweils mit einem oder mehreren Resten R3 substituiert sind, wobei optional eine oder mehrere nicht benachbarte CH2-Gruppen durch R3C=CR3, C=C, Si(R3)2, Ge(R3)2, Sn(R3)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR3, P(=O)(R3), SO, SO2, NR3, O, S oder CONR3 ersetzt sind und wobei optional ein oder mehrere H-Atome durch Deuterium, F, Cl, Br, I, CN, CF3 oder NO2 ersetzt sind, oder ein aromatisches oder heteroaromatisches Ringsystem mit 5 bis 60 aromatischen Ringatomen, das optional jeweils durch einen oder mehrere Reste R3 substituiert ist, oder eine Aryloxy- oder Heteroaryloxygruppe mit 5 bis 60 aromatischen Ringatomen, die optional durch einen oder mehrere Reste R3 substituiert ist, oder eine Diarylaminogruppe, Diheteroarylaminogruppe oder Arylheteroarylaminogruppe mit 10 bis 40 aromatischen Ringatomen, welche optional durch einen oder mehrere Reste R3 substituiert ist, oder eine Kombination dieser Systeme; dabei bilden optional zwei oder mehrere dieser Substituenten R2 auch miteinander ein mono- oder polycyclisches, aliphatisches, aromatisches und/oder benzoannelliertes Ringsystem;
    R3 bei jedem Auftreten gleich oder verschieden ist H, Deuterium, F, CF3 oder ein aliphatischer, aromatischer und/oder heteroaromatischer Kohlenwasserstoffrest mit 1 bis 20 C-Atomen, in dem optional ein oder mehrere H-Atome durch F oder CF3 ersetzt sind; dabei bilden optional zwei oder mehrere Substituenten R3 miteinander ein mono- oder polycyclisches, aliphatisches Ringsystem.
  3. Metallkomplex nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Brückenlänge der Brücke B/B' 2 bis 4 substituierte oder unsubstituierte Einheiten aufweist, insbesondere aus 2 bis 4 substituierte oder unsubstituierte Einheiten besteht.
  4. Metallkomplex nach Anspruch 1 bis 3, wobei
    E'/E" = P,
    M/M' = Cu und/oder
    X = unabhängig ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Cl, Br, I, Pseudohalogenide.
  5. Metallkomplex nach Anspruch 1 bis 4 mit einer der folgenden Strukturen
    Figure imgb0020
     wobei die Gruppen und Reste wie in Anspruch 1 bis 3 definiert sind, wobei bevorzugt Z1 bis Z4 gleich CR sind.
  6. Metallkomplex nach Anspruch 1 bis 4 mit einer der folgenden Strukturen
    Figure imgb0021
     wobei die angegebenen Gruppen und Reste wie in Anspruch 1 bis 3 definiert sind.
  7. Verfahren zur Herstellung eines zweikernigen Metallkomplexes nach Anspruch 1 bis 6, aufweisend den Schritt der Substitution mindestens eines Ligands E∩D mit mindestens einer funktionellen Gruppe zur Verbesserung des Ladungsträgertransports, die ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Elektronenleiter und Lochleiter.
  8. Verwendung eines Metallkomplexes nach Anspruch 1 bis 6 als Emitter oder Absorber in einem optoelektronischen Bauelement, insbesonder in einem optoelektronischen Bauelement, das durch ein Vakuumverdampfungsverfahren oder aus Lösung hergestellt wird.
  9. Verwendung nach Anspruch 8, wobei das optoelektronische Bauelement ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus:
    - Organischen Licht-emittierenden Bauteilen (OLEDs),
    - Licht-emittierenden elektrochemischen Zellen,
    - OLED-Sensoren, insbesondere in nicht hermetisch nach außen abgeschirmten Gas- und Dampf-Sensoren,
    - Organischen Solarzellen,
    - Organischen Feldeffekttransistoren,
    - Organischen Lasern und
    - Down-Konversions-Elementen.
  10. Optoelektronisches Bauelement, aufweisend einen Metall(I)komplex nach Anspruch 1 bis 6.
  11. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 10, ausgeformt als ein Bauelement ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus organischem lichtemittierendem Bauelement, organischer Diode, organischer Solarzelle, organischem Transistor, organischer lichtemittierender Diode, Licht-emittierender elektrochemischer Zelle, organischem Feldeffekttransistor und organischem Laser.
  12. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, dass der Metall(I)komplex als Emissionsmaterial in einer Emissionsschicht eingesetzt ist, wobei er entweder als Reinschicht oder in Kombination mit einem Matrixmaterial eingesetzt ist.
  13. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 12, insbesondere in Form einer organischen Elektrolumineszenzvorrichtung, dadurch gekennzeichnet, dass das Matrixmaterial ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Ketonen, Phosphinoxiden, Sulfoxiden, Sulfonen, Triarylaminen, Carbazolderivaten, Phenoxazinderivaten, Phenothiazinderivaten, Indolocarbazolderivaten, Azacarbazolen, bipolaren Matrixmaterialien, Silanen, Azaborolen, Boronestern, Triazinderivaten, Zinkkomplexen, Diazasilol- und Tetraazasilol-Derivaten, Benzophenonderivaten, Diphenylmethanderivate, Ultra-High-Energy-Gap-Matrixmatrialien und Mischungen aus zwei oder mehr der vorstehend genannten Matrixmaterialien.
  14. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 10 bis 13, aufweisend ein Substrat, eine Anode, eine Kathode und mindestens eine lichtemittierende Schicht, die einen Metallkomplex nach Anspruch 1 bis 6 und ein Hostmaterial aufweist, dessen Triplett (T1)-und Singulett (S1)-Energieniveaus energetisch höher liegen als die Triplett (T1)- und Singulett (S1)-Energieniveaus des Metallkomplexes nach Anspruch 1 bis 6, wobei die Anode und die Kathode auf das Substrat aufgebracht wird, und die lichtemittierende Schicht zwischen Anode und Kathode aufgebracht ist.
  15. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 14, weiterhin aufweisend
    - mindestens eine löcherinjizierende Schicht,
    - mindestens eine elektroneninjizierende Schicht,
    - mindestens eine löchertransportierende Schicht und
    - mindestens eine elektronentransportierende Schicht
    wobei
    - die löcherinjizierende Schicht zwischen der Anode und der löchertransportierenden Schicht
    - die elektroneninjizierende Schicht zwischen der Kathode und der elektronentransportierenden Schicht und
    - die lichtemittierende Schicht zwischen der löcher- und der elektronentransportierenden Schicht aufgebracht ist.
  16. Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements, wobei ein Metallkomplex nach Anspruch 1 bis 6 verwendet wird.
  17. Verfahren nach Anspruch 16, gekennzeichnet durch das Aufbringen eines Metallkomplexes nach Anspruch 1 bis 6 auf einen Träger.
  18. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass das Aufbringen nass-chemisch, mittels kolloidaler Suspension oder mittels Sublimation erfolgt.
  19. Verfahren zur Veränderung der Emissions- und/oder Absorptionseigenschaften eines elektronischen Bauelements, gekennzeichnet durch Einbringen eines Metall(I)komplexes nach Anspruch 1 bis 6 in ein Matrixmaterial zur Leitung von Elektronen oder Löchern in ein optoelektronisches Bauelement, insbesondere mittels Vakuumverdampfung.
  20. Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements nach Anspruch 10 bis 15 in Form einer organischen Elektrolumineszenzvorrichtung, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine Schicht mit einem Sublimationsverfahren beschichtet wird oder dass mindestens eine Schicht mit einem OVPD (Organic Vapour Phase Deposition) Verfahren oder mit Hilfe einer Trägergassublimation beschichtet wird oder dass mindestens eine Schicht aus Lösung oder mit einem beliebigen Druckverfahren hergestellt wird.
  21. Verwendung eines Metallkomplexes nach Anspruch 1 bis 6, insbesondere in einem optoelektronischen Bauelement zur Umwandlung von UV-Strahlung oder von blauem Licht in sichtbares Licht, insbesondere in grünes, gelbes oder rotes Licht (Down-Konversion).
  22. Zusammensetzung, aufweisend einen Metallkomplex nach Anspruch 1 bis 6 und ein Hostmaterial, wobei die Triplett (T1)- und Singulett (S1)-Energieniveaus des Hostmaterials energetisch höher liegen als die Triplett (T1)- und Singulett (S1)-Energieniveaus des Metallkomplexes, und wobei der Metallkomplex Fluoreszenz oder thermisch aktivierte verzögerte Fluoreszenz zeigt, und einen ΔE(S1-T1)-Wert zwischen dem untersten angeregten Singulett (S1)- und dem darunter liegenden Triplett (T1)-Zustand von kleiner als 2000 cm-1 aufweist.
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