EP2928265A1 - Induktionsheizvorrichtung und induktionskochfeld - Google Patents

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EP2928265A1
EP2928265A1 EP15161492.2A EP15161492A EP2928265A1 EP 2928265 A1 EP2928265 A1 EP 2928265A1 EP 15161492 A EP15161492 A EP 15161492A EP 2928265 A1 EP2928265 A1 EP 2928265A1
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EP
European Patent Office
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pole
supply
induction
transistor
resonant circuit
Prior art date
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EP15161492.2A
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English (en)
French (fr)
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EP2928265B1 (de
Inventor
Fabian Kern
Ulrich Waechter
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EGO Elektro Geratebau GmbH
Original Assignee
EGO Elektro Geratebau GmbH
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Publication date
Application filed by EGO Elektro Geratebau GmbH filed Critical EGO Elektro Geratebau GmbH
Priority to PL15161492T priority Critical patent/PL2928265T3/pl
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    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
    • H05B6/02—Induction heating
    • H05B6/06—Control, e.g. of temperature, of power
    • H05B6/062—Control, e.g. of temperature, of power for cooking plates or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B2213/00—Aspects relating both to resistive heating and to induction heating, covered by H05B3/00 and H05B6/00
    • H05B2213/03—Heating plates made out of a matrix of heating elements that can define heating areas adapted to cookware randomly placed on the heating plate

Definitions

  • the invention relates to an induction heating device, in particular for an induction hob, with a number of resonant circuits, each resonant circuit having a first pole and a second pole and an induction coil for heating.
  • the invention further relates to an induction hob with such induction heating device.
  • Generic induction heaters are used to heat hotplates of an induction hob.
  • a respective induction coil is then arranged below a hob plate of an induction hob and can electromagnetically transmit energy to a cookware, which is on the hob plate by swinging in a known manner.
  • a generic induction heating device is in the document DE 10017176 A1 shown.
  • a respective resonant circuit is operated by two respective supply transistors, which apply a pole of the resonant circuit to alternating potentials.
  • the resonant circuit is thus excited to oscillate, and the induction coil can transmit energy in the manner described above.
  • a high component demand arises on supply transistors, in particular when many resonant circuits are used. This is particularly the case when the induction heating is used for surface cooking, so can supply cookware at any point on a cooktop plate with energy.
  • a high component requirement arises for driver stages for driving the supply transistors.
  • the invention has for its object to provide an induction heater, which has a lower component requirements, especially in a high number of resonant circuits, as well as to provide an induction hob with such an improved induction heating.
  • the invention relates to an induction heating device with a number of resonant circuits, each having a first pole and a second pole, each resonant circuit having an induction coil for heating or induction heating coil. Furthermore, it has a supply line, with which the respective first poles of the oscillating circuits are connected, as well as a first supply transistor and a second supply transistor, each having a first pole and a second pole.
  • the first pole of the first supply transistor is connected to a source of an intermediate circuit voltage
  • the second pole of the first supply transistor and the first pole of the second supply transistor are connected to the supply line.
  • the second pole of the second supply transistor is connected to a reference terminal.
  • each resonant circuit is associated with a switching transistor and wherein the first pole of the switching transistor is connected to the second pole of the resonant circuit and the second pole of the switching transistor is connected to the reference terminal
  • each diodes or freewheeling diodes each having a first pole and a second pole, wherein each oscillating circuit is associated with a freewheeling diode.
  • the first pole of the freewheeling diode is connected to the source and the second pole of the freewheeling diode is connected to the second pole of the respective resonant circuit.
  • the induction heating device In the case of the induction heating device according to the invention, only one switching transistor is required per resonant circuit, whereas the two supply transistors act simultaneously for all oscillatory circuits. Already from a number of four resonant circuits thus results in a savings in the total number of transistors required. Especially with higher numbers of resonant circuits, the number of required transistors is reduced considerably. It should also be mentioned that cheaper driver components can be used for the supply transistors since, in contrast to the prior art, the respective resonant circuit instead of an active transistor has a passive freewheeling diode which does not require a driver stage.
  • the supply line and other connections in the induction heating device can be realized, for example, by conductive coatings of a circuit board, by wires, lines or other current-carrying elements.
  • the reference terminal is preferably a ground terminal, which can for example produce a ground, preferably a common ground.
  • the supply transistors serve to provide an alternating voltage for all resonant circuits simultaneously. This not only saves the number of components, it also ensures that all resonant circuits are excited identically. This can be avoided unwanted noise.
  • the supply transistors are typically designed with sufficient capacity to supply them accordingly when operating all oscillating circuits. For example, they can each have a power of a few kW.
  • the switching transistors serve to switch the respective resonant circuit to which the switching transistor is connected on and off. When the respective switching transistor is turned on, the respective resonant circuit is in operation. If the respective switching transistor is switched non-conductive, the resonant circuit is not in operation. This allows a separate control of all resonant circuits of the induction heater.
  • the switching transistors are preferably controlled by a respective switching driver circuit, which is designed to switch the respective switching transistor for activating the resonant circuit to turn on and switch to disable the resonant circuit non-conductive.
  • a respective switching driver circuit which is designed to switch the respective switching transistor for activating the resonant circuit to turn on and switch to disable the resonant circuit non-conductive.
  • a respective driver circuit is adapted to switch the switching transistor pulsed conductive, wherein a duty cycle is set in response to a desired power output of the resonant circuit.
  • a pulsed drive as described can be used with a certain duty cycle, allowing virtually infinite adjustability.
  • the driver circuits are connected to a control device, which is designed to generate an alternating voltage on the supply line by means of the supply transistors and / or to activate and deactivate oscillatory circuits by means of the switching transistors and / or to adjust their power output.
  • a control device can be embodied, for example, as a computer, as a microprocessor, as a microcontroller, as a programmable logic controller (PLC) or in another manner. It may comprise, for example, processor means and memory means, wherein instructions are stored in the memory means, in the execution of which the processor behaves in a defined manner.
  • PLC programmable logic controller
  • the control device enables overall control of the system and the execution of the functions already described above by means of only one device. It should be understood, however, that the controller may also be split, for example, into a part that controls the supply transistors and another part that controls the switching transistors.
  • a respective resonant circuit has exactly one induction coil and one capacitor connected thereto. This corresponds to a simple embodiment of a resonant circuit.
  • the induction coil and the capacitor are preferably connected in series. As a result, a series resonant circuit is formed.
  • the induction coil is connected to the supply line and the capacitor is connected to the first pole of the resonant circuit associated switching transistor. This arrangement has proven to be advantageous.
  • a diode or the aforementioned freewheeling diode is looped between the second pole of a respective resonant circuit and the source of the intermediate circuit voltage, whose anode is connected to the second pole of the resonant circuit.
  • the first supply transistor and the second supply transistor together form a half-bridge. This corresponds to a proven design for generating an alternating potential.
  • the source of the intermediate circuit voltage preferably has a pulsed voltage source and a DC link capacitor.
  • a pulsed voltage source may, for example, comprise means for rectifying a mains voltage.
  • the DC link capacitor ensures that the voltage is smoothed.
  • the supply transistors and / or the switching transistors are formed as IGBT transistors. These have proven to be advantageous for the present application.
  • the induction heating on at least four resonant circuits is mathematically an advantage in the number of required components to record.
  • oscillating circuits for example at least ten oscillating circuits.
  • the invention further relates to an induction hob with a hob plate, preferably made of glass ceramic, and arranged under the cooktop plate according to the invention induction heating device, as described above.
  • the advantages for an induction hob described with reference to the hob plate according to the invention can be utilized. there can be used on all described with reference to the induction heater and variants variants. Illustrated benefits apply accordingly.
  • the induction hob is designed as ceremoniesnindutationskochfeld.
  • Suchêtnindutationskochfelder usually require a very large number of resonant circuits, which results in a particularly high saving of components by the embodiment of the invention just in this case.
  • the respective first poles 211, 221, 231, 241, 251 of the oscillating circuits 21, 22, 23, 24, 25 are all connected to a common supply line 30. This provides a common, alternating supply voltage for all resonant circuits 21, 22, 23, 24, 25 ready.
  • the supply line 30 is connected to a first supply transistor TV1 and a second supply transistor TV2.
  • the first supply transistor TV1 is connected at its pole 30 opposite the supply line to a source 40 of an intermediate circuit voltage which provides a rectified and smoothed voltage.
  • the second supply transistor TV2 is connected to the supply line 30 opposite pole to the ground terminal.
  • the two supply transistors TV1, TV2 are connected to a supply driver circuit TR_V, which alternately alternately shadows them conducting and non-conducting. This means that always one of two supply transistors TV1, TV2 is conductive and the other is non-conductive. This generates a continuously changing potential at the supply line 30, which is suitable for the operation of the oscillating circuits 21, 22, 23, 24, 25, ie for their excitation.
  • the supply transistors TV1, TV2 are driven with a frequency which corresponds to the resonant frequency of the oscillating circuits 21, 22, 23, 24, 25. This resonance frequency is advantageously identical in all oscillating circuits 21, 22, 23, 24, 25.
  • the source 40 of the intermediate circuit voltage has a pulsed voltage source U1 and a DC link capacitor CZ.
  • the pulsed voltage source U1 supplies a rectified, but not yet smoothed pulsating voltage.
  • the DC link capacitor CZ smoothes this voltage, so that applied to the connected pole of the first supply transistor TV1 a smoothed voltage.
  • diodes or freewheeling diodes D1, D2, D3, D4, Dn are also connected with their respective cathode to the source 40 of the intermediate circuit voltage.
  • This voltage spikes which can occur in particular when switching off a respective switching transistor T1, T2, T3, T4, Tn due to the demagnetization of the coil can be derived and recycled in an advantageous manner. They are thus available again for operation of the induction heating device 10 and do not damage a component.
  • the supply driver circuit TR_V and the switch driver circuits TR1, TR2, TR3, TR4, TR_n are connected to an electronic controller 50 which receives instructions for operating the induction heater 10 from a user in a manner not shown but known in the art. Accordingly, the supply driver circuit TR_V and the switch drive circuits TR1, TR2, TR3, TR4, TR_n are driven such that the transistors TV1, TV2, T1, T2, T3, T4, Tn are switched to provide the desired power output to the inductors L1, Generate L2, L3, L4, Ln. In particular, for this purpose, the switching driver circuits TR1, TR2, TR3, TR4, TR_n are driven such that they switch the switching transistors T1, T2, T3, T4, Tn pulsed conductive. The desired power output can be adjusted by the duty cycle.
  • Fig. 2 shows an induction hob 100 with a hob plate 110 made of glass ceramic and an induction heater 10.
  • the induction heater 10 is designed as that which in Fig. 1 is shown and described in connection with this figure. At individual components are in Fig. 2 however, only the inductors L1, L2, L3, L4, Ln are shown, while the other components are not explicitly shown.
  • the induction coils L1, L2, L3, L4, Ln are arranged directly below the hob plate 110 and thus can be used for heating a set up on the hob plate 110 cookware.
  • the induction hob 100 can be advantageously equipped with means not shown for detecting a pot position on the hob plate 110, so that only those induction coils L1, L2, L3, L4, Ln are operated, which is actually a pot or other cookware. This energy can be saved and the cooking comfort can be increased because a cookware can be placed anywhere.

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Abstract

Die Erfindung betrifft eine Induktionsheizvorrichtung mit einer Anzahl von Schwingkreisen und einer gemeinsamen Versorgungsleitung für die Schwingkreise, welche von zwei Versorgungs-transistoren gespeist wird. Jedem Schwingkreis ist dabei ein eigener Schalttransistor zum Anund Abschalten des Schwingkreises zugeordnet. Die Erfindung betrifft des Weiteren ein Induktionskochfeld mit einer solchen Induktionsheizvorrichtung.

Description

    Anwendungsgebiet und Stand der Technik
  • Die Erfindung betrifft eine Induktionsheizvorrichtung, insbesondere für ein Induktionskochfeld, mit einer Anzahl von Schwingkreisen, wobei jeder Schwingkreis einen ersten Pol und einen zweiten Pol sowie eine Induktionsspule zum Heizen aufweist. Die Erfindung betrifft des Weiteren ein Induktionskochfeld mit einer solchen Induktionsheizvorrichtung.
  • Gattungsgemäße Induktionsheizvorrichtungen werden beispielsweise verwendet, um Kochstellen eines Induktionskochfelds zu beheizen. Beispielsweise ist dann eine jeweilige Induktionsspule unterhalb einer Kochfeldplatte eines Induktionskochfelds angeordnet und kann durch Schwingen auf bekannte Art und Weise elektromagnetisch Energie auf ein Kochgeschirr übertragen, welches auf der Kochfeldplatte steht.
  • Eine gattungsgemäße Induktionsheizvorrichtung ist in dem Dokument DE 10017176 A1 gezeigt. Dabei wird ein jeweiliger Schwingkreis durch jeweils zwei Versorgungstransistoren betrieben, welche einen Pol des Schwingkreises auf alternierende Potentiale legen. Der Schwingkreis wird somit zum Schwingen angeregt, und die Induktionsspule kann in oben beschriebener Weise Energie übertragen. Bei derartigen Induktionsheizvorrichtungen entsteht jedoch ein hoher Bauteilbedarf an Versorgungstransistoren, und zwar insbesondere dann, wenn viele Schwingkreise zum Einsatz kommen. Dies ist insbesondere dann der Fall, wenn die Induktionsheizvorrichtung zum Flächenkochen verwendet wird, also Kochgeschirr an beliebiger Stelle auf einer Kochfeldplatte mit Energie versorgen kann. Zudem entsteht ein hoher Bauteilbedarf an Treiberstufen zur Ansteuerung der Versorgungstransistoren.
    • Aufgabe und Lösung
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Induktionsheizvorrichtung zu schaffen, welche insbesondere bei einer hohen Anzahl von Schwingkreisen einen geringeren Bauteilbedarf hat, sowie ein Induktionskochfeld mit einer derart verbesserten Induktionsheizvorrichtung zu schaffen.
  • Dies wird erfindungsgemäß durch eine Induktionsheizvorrichtung mit den Merkmalen des Anspruchs 1 sowie ein Induktionskochfeld mit den Merkmalen des Anspruchs 13 gelöst. Vorteilhafte sowie bevorzugte Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand der weiteren Ansprüche und werden im Folgenden näher erläutert. Dabei werden manche der Merkmale nur für die Induktionsheizvorrichtung oder nur für das Induktionskochfeld genannt und beschrieben. Sie sollen jedoch unabhängig davon sowohl für die Induktionsheizvorrichtung als auch für das Induktionskochfeld selbstständig gelten können. Der Wortlaut der Ansprüche wird durch ausdrückliche Bezugnahme zum Inhalt der Beschreibung gemacht.
  • Die Erfindung betrifft eine Induktionsheizvorrichtung mit einer Anzahl von Schwingkreisen, jeweils mit einem ersten Pol und einem zweiten Pol, wobei jeder Schwingkreis eine Induktionsspule zum Heizen bzw. Induktionsheizspule aufweist. Des Weiteren weist sie eine Versorgungsleitung auf, mit welcher die jeweiligen ersten Pole der Schwingkreise verbunden sind, sowie einen ersten Versorgungstransistor und einen zweiten Versorgungstransistor mit jeweils einem ersten Pol und einem zweiten Pol. Der erste Pol des ersten Versorgungstransistors ist mit einer Quelle einer Zwischenkreisspannung verbunden, und der zweite Pol des ersten Versorgungstransistors und der erste Pol des zweiten Versorgungstransistors sind mit der Versorgungsleitung verbunden. Der zweite Pol des zweiten Versorgungstransistors ist mit einem Referenzanschluss verbunden. Es ist eine Anzahl von Schalttransistoren vorgesehen mit jeweils einem ersten Pol und einem zweiten Pol, wobei jedem Schwingkreis ein Schalttransistor zugeordnet ist und wobei der erste Pol des Schalttransistors mit dem zweiten Pol des Schwingkreises verbunden ist und der zweite Pol des Schalttransistors mit dem Referenzanschluss verbunden ist. Es ist vorteilhaft eine Anzahl von Dioden bzw. Freilaufdioden vorgesehen mit jeweils einem ersten Pol und einem zweiten Pol, wobei jedem Schwingkreis eine Freilaufdiode zugeordnet ist. Der erste Pol der Freilaufdiode ist dabei mit der Quelle und der zweite Pol der Freilaufdiode ist mit dem zweiten Pol des jeweiligen Schwingkreises verbunden.
  • Bei der erfindungsgemäßen Induktionsheizvorrichtung wird pro Schwingkreis lediglich ein Schalttransistor benötigt, wohingegen die beiden Versorgungstransistoren für alle Schwingkreise gleichzeitig wirken. Bereits ab einer Anzahl von vier Schwingkreisen ergibt sich somit eine Einsparung bei der Gesamtzahl an benötigten Transistoren. Gerade bei höheren Anzahlen von Schwingkreisen reduziert sich die Anzahl an benötigten Transistoren erheblich. Des Weiteren ist zu erwähnen, dass für die Versorgungstransistoren preisgünstigere Treiberbauteile verwendet werden können, da im Gegensatz zum Stand der Technik der jeweilige Schwingkreis anstelle eines aktiven Transistors über eine passive Freilaufdiode verfügt, welche keine Treiberstufe benötigt.
  • Die Versorgungsleitung und sonstige Verbindungen in der Induktionsheizvorrichtung können beispielsweise durch leitfähige Beschichtungen einer Platine, durch Drähte, Leitungen oder andere stromführende Elemente realisiert werden. Bei dem Referenzanschluss handelt es sich bevorzugt um einen Masseanschluss, welcher beispielsweise eine Erdung, bevorzugt eine gemeinsame Erdung, herstellen kann.
  • Die Versorgungstransistoren dienen dazu, eine alternierende Spannung für alle Schwingkreise gleichzeitig bereitzustellen. Damit kann nicht nur die Anzahl der Bauteile eingespart werden, es wird gleichzeitig auch dafür gesorgt, dass alle Schwingkreise identisch angeregt werden. Damit können unerwünschte Störgeräusche vermieden werden. Die Versorgungstransistoren sind dabei typischerweise mit ausreichender Leistungsfähigkeit ausgelegt, um bei Betrieb aller Schwingkreise diese entsprechend zu versorgen. Beispielsweise können diese eine Leistung von jeweils einigen kW haben.
  • Die Schalttransistoren dienen dazu, den jeweiligen Schwingkreis, mit welchem der Schalttransistor verbunden ist, an- und abzuschalten. Wenn der jeweilige Schalttransistor leitend geschalten ist, ist der jeweilige Schwingkreis in Betrieb. Wenn der jeweilige Schalttransistor nichtleitend geschaltet ist, ist der Schwingkreis nicht in Betrieb. Dies ermöglicht eine separate Ansteuerung aller Schwingkreise der Induktionsheizvorrichtung.
  • Bevorzugt sind die Versorgungstransistoren durch eine Versorgungstreiberschaltung angesteuert, welche dazu ausgebildet ist, die Versorgungstransistoren alternierend gegentaktend leitend und nichtleitend zu schalten. Dies kann beispielsweise bedeuten, dass sich die beiden folgenden Zustände kontinuierlich abwechseln:
    • Zustand 1: Der erste Versorgungstransistor ist leitend und der zweite Versorgungstransistor ist nichtleitend.
    • Zustand 2: Der erste Versorgungstransistor ist nichtleitend und der zweite Versorgungstransistor ist leitend.
  • Damit wird in vorteilhafter Weise ein alternierendes Potential an der Versorgungsleitung erreicht, mit welchem die Schwingkreise betrieben werden können.
  • Die Schalttransistoren sind bevorzugt durch eine jeweilige Schalttreiberschaltung angesteuert, welche dazu ausgebildet ist, den jeweiligen Schalttransistor zum Aktivieren des Schwingkreises leitend zu schalten und zum Deaktivieren des Schwingkreises nichtleitend zu schalten. Damit kann eine einzelne Aktivierung und Deaktivierung der Schwingkreise erreicht werden.
  • Bevorzugt ist eine jeweilige Treiberschaltung dazu ausgebildet, den Schalttransistor gepulst leitend zu schalten, wobei ein Tastgrad in Abhängigkeit einer gewünschten Leistungsabgabe des Schwingkreises eingestellt wird. Dies ermöglicht es, die Leistungsabgabe der jeweiligen Schwingkreise individuell zu regulieren, indem unterschiedliche Tastgrade verwendet werden. Zum Einstellen einer reduzierten Leistungsabgabe kann eine gepulste Ansteuerung wie beschrieben mit einem bestimmten Tastgrad verwendet werden, wobei eine praktisch stufenlose Einstellbarkeit ermöglicht wird.
  • Bevorzugt sind die Treiberschaltungen mit einer Steuerungseinrichtung verbunden, welche dazu ausgebildet ist, mittels der Versorgungstransistoren eine Wechselspannung an der Versorgungsleitung zu erzeugen und/oder mittels der Schalttransistoren Schwingkreise zu aktivieren und zu deaktivieren und/oder deren Leistungsabgabe einzustellen. Eine solche Steuerungseinrichtung kann beispielsweise als Computer, als Mikroprozessor, als Mikrocontroller, als speicherprogrammierbare Steuerung (SPS) oder in anderer Weise ausgeführt sein. Sie kann beispielsweise Prozessormittel und Speichermittel aufweisen, wobei in den Speichermitteln Instruktionen gespeichert sind, bei deren Ausführung sich der Prozessor in definierter Weise verhält. Die Steuerungseinrichtung ermöglicht eine Gesamtsteuerung des Systems und die Ausführung der bereits weiter oben beschriebenen Funktionen mittels nur einer Einrichtung. Es sei jedoch verstanden, dass die Steuerungseinrichtung auch aufgeteilt sein kann, beispielsweise in einen Teil, welcher die Versorgungstransistoren steuert, und einen anderen Teil, welcher die Schalttransistoren steuert.
  • Bevorzugt weist ein jeweiliger Schwingkreis genau eine Induktionsspule und einen damit verbundenen Kondensator auf. Dies entspricht einer einfachen Ausführung eines Schwingkreises.
  • Die Induktionsspule und der Kondensator sind dabei bevorzugt in Reihe geschaltet. Dadurch wird ein Serienschwingkreis ausgebildet.
  • Bevorzugt ist die Induktionsspule mit der Versorgungsleitung verbunden und der Kondensator ist mit dem ersten Pol des dem Schwingkreis zugeordneten Schalttransistors verbunden. Diese Anordnung hat sich als vorteilhaft herausgestellt.
  • Weiter bevorzugt ist zwischen dem zweiten Pol eines jeweiligen Schwingkreises und der Quelle der Zwischenkreisspannung eine Diode bzw. vorgenannte Freilaufdiode eingeschleift, deren Anode mit dem zweiten Pol des Schwingkreises verbunden ist. Durch eine solche Freilaufdiode können Spannungsspitzen, welche beispielsweise beim Deaktivieren des Schwingkreises mittels des zugeordneten Schalttransistors aufgrund der Entmagnetisierung der Spule auftreten können, abgeleitet und unschädlich gemacht werden. Einer Beschädigung jeweiliger Bauteile kann somit entgegengewirkt werden.
  • Bevorzugt bilden der ersten Versorgungstransistor und der zweite Versorgungstransistor zusammen eine Halbbrücke. Dies entspricht einer bewährten Ausführung zur Erzeugung eines alternierenden Potentials.
  • Die Quelle der Zwischenkreisspannung weist bevorzugt eine gepulste Spannungsquelle und einen Zwischenkreiskondensator auf. Eine solche gepulste Spannungsquelle kann beispielsweise Mittel zum Gleichrichten einer Netzspannung aufweisen. Der Zwischenkreiskondensator sorgt dafür, dass die Spannung geglättet wird.
  • Bevorzugt sind die Versorgungstransistoren und/oder die Schalttransistoren als IGBT-Transistoren ausgebildet. Diese haben sich für die vorliegende Anwendung als vorteilhaft erwiesen.
  • Weiter bevorzugt weist die Induktionsheizvorrichtung mindestens vier Schwingkreise auf. Ab dieser Anzahl von Schwingkreisen ist rechnerisch ein Vorteil bei der Anzahl der benötigten Bauelemente zu verzeichnen.
  • Noch weiter bevorzugt weist sie mehr, besonders bevorzugt deutlich mehr als vier Schwingkreise auf, beispielsweis mindestens zehn Schwingkreise. Je mehr Schwingkreise sie aufweist, desto größer wird der durch die erfindungsgemäße Ausgestaltung erzielte Vorteil.
  • Die Erfindung betrifft des Weiteren ein Induktionskochfeld mit einer Kochfeldplatte, vorzugsweise aus Glaskeramik, und einer unter der Kochfeldplatte angeordneten erfindungsgemäßen Induktionsheizvorrichtung, wie sie vorstehend beschrieben worden ist.
  • Durch das erfindungsgemäße Induktionskochfeld werden die mit Bezug auf die erfindungsgemäße Kochfeldplatte beschriebenen Vorteile für ein Induktionskochfeld nutzbar gemacht. Dabei kann auf alle mit Bezug auf die Induktionsheizvorrichtung beschriebenen Ausführungen und Varianten zurückgegriffen werden. Erläuterte Vorteile gelten entsprechend.
  • Weiter bevorzugt ist das Induktionskochfeld als Flächeninduktionskochfeld ausgebildet. Derartige Flächeninduktionskochfelder benötigen üblicherweise sehr viele Schwingkreise, wobei sich gerade in diesem Fall eine besonders hohe Einsparung an Bauteilen durch die erfindungsgemäße Ausgestaltung ergibt.
  • Diese und weitere Merkmale gehen außer aus den Ansprüchen auch aus der Beschreibung und den Zeichnungen hervor, wobei die einzelnen Merkmale jeweils für sich allein oder zu mehreren in Form von Unterkombinationen bei einer Ausführungsform der Erfindung und auf anderen Gebieten verwirklicht sein und vorteilhafte sowie für sich schutzfähige Ausführungen darstellen können, für die hier Schutz beansprucht wird. Die Unterteilung der Anmeldung in ZwischenÜberschriften und einzelne Abschnitte beschränkt die unter diesen gemachten Aussagen nicht in ihrer Allgemeingültigkeit.
    • Kurzbeschreibung der Zeichnungen
  • Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in den Zeichnungen schematisch dargestellt und wird im Folgenden näher erläutert. In den Zeichnungen zeigen:
    • Fig. 1:
    eine Induktionsheizvorrichtung und
    Fig. 2:
    ein Induktionskochfeld.
    Detaillierte Beschreibung der Ausführungsbeispiele
  • Fig. 1 zeigt eine Induktionsheizvorrichtung 10. Die Induktionsheizvorrichtung 10 weist eine Anzahl von Schwingkreisen auf, wobei in Fig. 1 lediglich fünf dieser Schwingkreise dargestellt sind. Im Einzelnen sind folgende Schwingkreise dargestellt:
    • Ein erster Schwingkreis 21 mit einer ersten Induktionsspule L1 und einem ersten Kondensator C1, welche zwischen einem ersten Pol 211 und einem zweiten Pol 212 des ersten Schwingkreises 21 verbunden sind. Des Weiteren ist an dem zweiten Pol 212 des ersten Schwingkreises 21 eine erste Diode D1 mit ihrer Anode angeschlossen, auf deren Bedeutung nachfolgend noch eingegangen wird. Der zweite Pol 212 ist ferner mit einem ersten Schalttransistor T1 verbunden, welcher wiederum an seinem gegenüberliegenden Pol mit einem Masseanschluss verbunden ist. Der erste Schalttransistor ist weiterhin mit einer ersten Schalttreiberschaltung TR1 verbunden, welche den ersten Schalttransistor T1 leitend oder nichtleitend schalten kann.
    • Ein zweiter Schwingkreis 22 mit einer zweiten Induktionsspule L2 und einem zweiten Kondensator C2, welche zwischen einem ersten Pol 221 und einem zweiten Pol 222 des zweiten Schwingkreises 22 verbunden sind. Des Weiteren ist an dem zweiten Pol 222 des zweiten Schwingkreises 22 eine zweite Diode D2 mit ihrer Anode angeschlossen, auf deren Bedeutung nachfolgend noch eingegangen wird. Der zweite Pol 222 ist ferner mit einem zweiten Schalttransistor T2 verbunden, welcher wiederum an seinem gegenüberliegenden Pol mit dem Masseanschluss verbunden ist. Der zweite Schalttransistor ist weiterhin mit einer zweiten Schalttreiberschaltung TR2 verbunden, welche den zweiten Schalttransistor T2 leitend oder nichtleitend schalten kann.
    • Ein dritter Schwingkreis 23 mit einer dritten Induktionsspule L3 und einem dritten Kondensator C3, welche zwischen einem ersten Pol 231 und einem zweiten Pol 232 des dritten Schwingkreises 23 verbunden sind. Des Weiteren ist an dem zweiten Pol 232 des dritten Schwingkreises 23 eine dritte Diode D3 mit ihrer Anode angeschlossen, auf deren Bedeutung nachfolgend noch eingegangen wird. Der zweite Pol 232 ist ferner mit einem dritten Schalttransistor T3 verbunden, welcher wiederum an seinem gegenüberliegenden Pol mit dem Masseanschluss verbunden ist. Der dritte Schalttransistor ist weiterhin mit einer dritten Schalttreiberschaltung TR3 verbunden, welche den dritten Schalttransistor T3 leitend oder nichtleitend schalten kann.
    • Ein vierter Schwingkreis 24 mit einer vierten Induktionsspule L4 und einem vierten Kondensator C4, welche zwischen einem ersten Pol 241 und einem zweiten Pol 242 des vierten Schwingkreises 24 verbunden sind. Des Weiteren ist an dem zweiten Pol 242 des vierten Schwingkreises 24 eine vierte Diode D4 mit ihrer Anode angeschlossen, auf deren Bedeutung nachfolgend noch eingegangen wird. Der zweite Pol 242 ist ferner mit einem vierten Schalttransistor T4 verbunden, welcher wiederum an seinem gegenüberliegenden Pol mit dem Masseanschluss verbunden ist. Der vierte Schalttransistor ist weiterhin mit einer vierten Schalttreiberschaltung TR4 verbunden, welche den vierten Schalttransistor T4 leitend oder nichtleitend schalten kann.
    • Ein fünfter Schwingkreis 25 mit einer fünften Induktionsspule Ln und einem fünften Kondensator Cn, welche zwischen einem ersten Pol 251 und einem zweiten Pol 252 des fünften Schwingkreises 25 verbunden sind. Des Weiteren ist an dem zweiten Pol 252 des fünften Schwingkreises 25 eine fünfte Diode Dn mit ihrer Anode angeschlossen, auf deren Bedeutung nachfolgend noch eingegangen wird. Der zweite Pol 252 ist ferner mit einem fünften Schalttransistor Tn verbunden, welcher wiederum an seinem gegenüberliegenden Pol mit dem Masseanschluss verbunden ist. Der fünfte Schalttransistor ist weiterhin mit einer fünften Schalttreiberschaltung TR_n verbunden, welche den fünften Schalttransistor Tn leitend oder nichtleitend schalten kann.
  • Es sei verstanden, dass zwischen dem gezeigten vierten Schwingkreis 24 und dem gezeigten fünften Schwingkreis 25 beliebig viele weitere Schwingkreise, welche in Fig. 1 nicht dargestellt sind, angeschlossen sein können. Auch nach dem fünften Schwingkreis 25 können weitere Schwingkreise angeschlossen sein.
  • Die jeweiligen ersten Pole 211, 221, 231, 241, 251 der Schwingkreise 21, 22, 23, 24, 25 sind alle mit einer gemeinsamen Versorgungsleitung 30 verbunden. Diese stellt eine gemeinsame, alternierende Versorgungsspannung für alle Schwingkreise 21, 22, 23, 24, 25 bereit.
  • Hierzu ist die Versorgungsleitung 30 mit einem ersten Versorgungstransistor TV1 und einem zweiten Versorgungstransistor TV2 verbunden. Dabei ist der erste Versorgungstransistor TV1 an seinem der Versorgungsleitung 30 gegenüberliegenden Pol mit einer Quelle 40 einer Zwischenkreisspannung verbunden, welche eine gleichgerichtete und geglättete Spannung bereitstellt. Der zweite Versorgungstransistor TV2 ist an seinem der Versorgungsleitung 30 gegenüberliegenden Pol mit dem Masseanschluss verbunden. Die beiden Versorgungstransistoren TV1, TV2 sind mit einer Versorgungstreiberschaltung TR_V verbunden, welche sie abwechselnd alternierend leitend und nichtleitend schattet. Dies bedeutet, dass immer einer von beiden Versorgungstransistoren TV1, TV2 leitend und der andere nichtleitend ist. Dies erzeugt ein kontinuierlich wechselndes Potential an der Versorgungsleitung 30, welches zum Betrieb der Schwingkreise 21, 22, 23, 24, 25, also zu deren Anregung, geeignet ist. Beispielsweise werden die Versorgungstransistoren TV1, TV2 mit einer Frequenz angesteuert, welche der Resonanzfrequenz der Schwingkreise 21, 22, 23, 24, 25 entspricht. Diese Resonanzfrequenz ist vorteilhafterweise bei allen Schwingkreisen 21, 22, 23, 24, 25 identisch.
  • Die Quelle 40 der Zwischenkreisspannung weist eine gepulste Spannungsquelle U1 und einen Zwischenkreiskondensator CZ auf. Die gepulste Spannungsquelle U1 liefert eine gleichgerichtete, aber noch nicht geglättete pulsierende Spannung. Der Zwischenkreiskondensator CZ glättet diese Spannung, so dass an dem angeschlossenen Pol des ersten Versorgungstransistors TV1 eine geglättete Spannung anliegt.
  • Die bereits erwähnten Dioden bzw. Freilaufdioden D1, D2, D3, D4, Dn sind mit ihrer jeweiligen Kathode ebenfalls an die Quelle 40 der Zwischenkreisspannung angeschlossen. Damit können Spannungsspitzen, welche insbesondere beim Ausschalten eines jeweiligen Schalttransistors T1, T2, T3, T4, Tn aufgrund der Entmagnetisierung der Spule auftreten können, in vorteilhafter Weise abgeleitet und rückgeführt werden. Sie stehen somit zum Betrieb der Induktionsheizvorrichtung 10 wieder zur Verfügung und beschädigen kein Bauteil.
  • Die Versorgungstreiberschaltung TR_V und die Schalttreiberschaltungen TR1, TR2, TR3, TR4, TR_n sind mit einer elektronischen Steuerungseinrichtung 50 verbunden, welche von einem Benutzer in nicht dargestellter, aber bekannter Weise Anweisungen zum Betrieb der Induktionsheizvorrichtung 10 empfängt. Dementsprechend werden die Versorgungstreiberschaltung TR_V und die Schalttreiberschaltungen TR1, TR2, TR3, TR4, TR_n derart angesteuert, dass die Transistoren TV1, TV2, T1, T2, T3, T4, Tn so geschaltet werden, dass sie die gewünschte Leistungsabgabe an den Induktionsspulen L1, L2, L3, L4, Ln erzeugen. Insbesondere werden hierzu die Schalttreiberschaltungen TR1, TR2, TR3, TR4, TR_n derart angesteuert, dass sie die Schalttransistoren T1, T2, T3, T4, Tn gepulst leitend schalten. Die gewünschte Leistungsabgabe kann dabei durch das Tastverhältnis eingestellt werden.
  • Fig. 2 zeigt ein Induktionskochfeld 100 mit einer Kochfeldplatte 110 aus Glaskeramik sowie einer Induktionsheizvorrichtung 10. Die Induktionsheizvorrichtung 10 ist dabei so ausgebildet wie diejenige, welche in Fig. 1 dargestellt ist und im Zusammenhang mit dieser Figur beschrieben wurde. An einzelnen Komponenten sind in Fig. 2 jedoch nur die Induktionsspulen L1, L2, L3, L4, Ln dargestellt, während die anderen Komponenten nicht explizit dargestellt sind. Die Induktionsspulen L1, L2, L3, L4, Ln sind dabei unmittelbar unterhalb der Kochfeldplatte 110 angeordnet und können somit zum Beheizen eines auf der Kochfeldplatte 110 aufgestellten Kochgeschirrs verwendet werden. Das Induktionskochfeld 100 kann vorteilhaft mit nicht dargestellten Mitteln zum Erkennen einer Topfposition auf der Kochfeldplatte 110 ausgerüstet sein, so dass jeweils nur diejenigen Induktionsspulen L1, L2, L3, L4, Ln betrieben werden, über welchen auch tatsächlich ein Topf oder ein anderes Kochgeschirr steht. Damit kann Energie eingespart werden und der Kochkomfort kann erhöht werden, da ein Kochgeschirr an beliebigen Stellen aufgestellt werden kann.

Claims (14)

  1. Induktionsheizvorrichtung (10), aufweisend:
    - eine Anzahl von Schwingkreisen (21, 22, 23, 24, 25), jeweils mit einem ersten Pol (211, 221, 231, 241, 251) und einem zweiten Pol (212, 222, 232, 242, 252), wobei jeder Schwingkreis eine Induktionsspule (L1, L2, L3, L4, Ln) zum Heizen aufweist,
    - eine Versorgungsleitung (30), mit welcher die jeweiligen ersten Pole (211, 221, 231, 241, 251) der Schwingkreise (21, 22, 23, 24, 25) verbunden sind,
    - einen ersten Versorgungstransistor (TV1) und einen zweiten Versorgungstransistor (TV2) mit jeweils einem ersten Pol und einem zweiten Pol, wobei
    - der erste Pol des ersten Versorgungstransistors (TV1) mit einer Quelle (40) einer Zwischenkreisspannung verbunden ist,
    - der zweite Pol des ersten Versorgungstransistors (TV1) und der erste Pol des zweiten Versorgungstransistors (TV2) mit der Versorgungsleitung (30) verbunden sind, und
    - der zweite Pol des zweiten Versorgungstransistors (TV2) mit einem Referenzanschluss verbunden ist,
    - eine Anzahl von Schalttransistoren (T1, T2, T3, T4, Tn) mit jeweils einem ersten Pol und einem zweiten Pol, wobei jedem Schwingkreis (21, 22, 23, 24, 25) ein Schalttransistor (T1, T2, T3, T4, Tn) zugeordnet ist, und wobei der erste Pol des Schalttransistors (T1, T2, T3, T4, Tn) mit dem zweiten Pol (212, 222, 232, 242, 252) des Schwingkreises (21, 22, 23, 24, 25) verbunden ist und der zweite Pol des Schalttransistors (T1, T2, T3, T4, Tn) mit dem Referenzanschluss verbunden ist, sowie
    - eine Anzahl von Freilaufdiode (D1, D2, D3, D4, Dn) mit jeweils einem ersten Pol und einem zweiten Pol, wobei jedem Schwingkreis (21, 22, 23, 24, 25) eine Freilaufdiode (D1, D2, D3, D4, Dn) zugeordnet ist, und wobei der erste Pol jeder Freilaufdiode (D1, D2, D3, D4, Dn) mit der Quelle (40) verbunden ist und der zweite Pol der Freilaufdiode (D1, D2, D3, D4, Dn) mit dem zweiten Pol (212, 222, 232, 242, 252) des jeweiligen Schwingkreises (21, 22, 23, 24, 25) und verbunden ist.
  2. Induktionsheizvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Versorgungstransistoren (TV1, TV2) durch eine Versorgungstreiberschaltung (TR_V) angesteuert sind, welche dazu ausgebildet ist, die Versorgungstransistoren (TV1, TV2) alternierend gegentaktig leitend und nichtleitend zu schalten.
  3. Induktionsheizvorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Schalttransistoren (T1, T2, T3, T4, Tn) durch eine jeweilige Schalttreiberschaltung (TR1, TR2, TR3, TR4, TR_n) angesteuert sind, welche dazu ausgebildet ist, den jeweiligen Schalttransistor (T1, T2, T3, T4, Tn) zum Aktivieren des Schwingkreises (21, 22, 23, 24, 25) leitend zu schalten und zum Deaktivieren des Schwingkreises (21, 22, 23, 24, 25) nichtleitend zu schalten.
  4. Induktionsheizvorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass eine jeweilige Schalttreiberschaltung (TR1, TR2, TR3, TR4, TR_n) dazu ausgebildet ist, den Schalttransistor (T1, T2, T3, T4, Tn) gepulst leitend zu schalten, wobei ein Tastgrad in Abhängigkeit einer gewünschten Leistungsabgabe des Schwingkreises (21, 22, 23, 24, 25) eingestellt wird.
  5. Induktionsheizvorrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Treiberschaltungen (TR_V, TR1, TR2, TR3, TR4, TR_n) mit einer Steuerungseinrichtung (50) verbunden sind, welche dazu ausgebildet ist, mittels der Versorgungstransistoren (TV1, TV2) eine Wechselspannung an der Versorgungsleitung (30) zu erzeugen und/oder mittels der Schalttransistoren (T1, T2, T3, T4, Tn) Schwingkreise (21, 22, 23, 24, 25) zu aktivieren und zu deaktivieren und/oder deren Leistungsabgabe einzustellen.
  6. Induktionsheizvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass ein jeweiliger Schwingkreises (21, 22, 23, 24, 25) genau eine Induktionsspule (L1, L2, L3, L4, Ln) und einen damit verbundenen Kondensator (C1, C2, C3, C4, Cn) aufweist.
  7. Induktionsheizvorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Induktionsspule (L1, L2, L3, L4, Ln) und der Kondensator (C1, C2, C3, C4, Cn) in Reihe geschaltet sind.
  8. Induktionsheizvorrichtung nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Induktionsspule (L1, L2, L3, L4, Ln) mit der Versorgungsleitung (30) verbunden ist und der Kondensator (C1, C2, C3, C4, Cn) mit dem ersten Pol (211, 221, 231, 241, 251) des dem Schwingkreises (21, 22, 23, 24, 25) zugeordneten Schalttransistors (T1, T2, T3, T4, Tn) verbunden ist.
  9. Induktionsheizvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Versorgungstransistor (TV1) und der zweite Versorgungstransistor (TV2) zusammen eine Halbbrücke bilden.
  10. Induktionsheizvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Quelle (40) der Zwischenkreisspannung eine gepulste Spannungsquelle (U1) und einen Zwischenkreiskondensator (CZ) aufweist.
  11. Induktionsheizvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Versorgungstransistoren (TV1, TV2) und/oder die Schalttransistoren (T1, T2, T3, T4, Tn) als IGBT-Transistoren ausgebildet sind.
  12. Induktionsheizvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass diese mindestens vier Schwingkreise (21, 22, 23, 24, 25) aufweist.
  13. Induktionskochfeld, aufweisend:
    - eine Kochfeldplatte (110), vorzugsweise aus Glaskeramik, und
    - eine unter der Kochfeldplatte (110) angeordnete Induktionsheizvorrichtung (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche.
  14. Induktionskochfeld nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass es als Flächeninduktionskochfeld ausgebildet ist.
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