EP2828220A2 - Verfahren zur herstellung von nanoteilchen mittels einer nicht-wässrige mikroemulsion sowei deren verwendung bei der herstellung von hochtemperatursupraleitern - Google Patents

Verfahren zur herstellung von nanoteilchen mittels einer nicht-wässrige mikroemulsion sowei deren verwendung bei der herstellung von hochtemperatursupraleitern

Info

Publication number
EP2828220A2
EP2828220A2 EP13710432.9A EP13710432A EP2828220A2 EP 2828220 A2 EP2828220 A2 EP 2828220A2 EP 13710432 A EP13710432 A EP 13710432A EP 2828220 A2 EP2828220 A2 EP 2828220A2
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
nanoparticles
phase
polar
htsc
precipitant
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
EP13710432.9A
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Thomas Freudenberg
Bernhard Holzapfel
Oliver Brunkahl
Michael BÄCKER
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BASF SE
Original Assignee
BASF SE
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BASF SE filed Critical BASF SE
Priority to EP13710432.9A priority Critical patent/EP2828220A2/de
Publication of EP2828220A2 publication Critical patent/EP2828220A2/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01F—COMPOUNDS OF THE METALS BERYLLIUM, MAGNESIUM, ALUMINIUM, CALCIUM, STRONTIUM, BARIUM, RADIUM, THORIUM, OR OF THE RARE-EARTH METALS
    • C01F17/00—Compounds of rare earth metals
    • C01F17/20—Compounds containing only rare earth metals as the metal element
    • C01F17/206—Compounds containing only rare earth metals as the metal element oxide or hydroxide being the only anion
    • C01F17/224—Oxides or hydroxides of lanthanides
    • C01F17/235—Cerium oxides or hydroxides
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B13/00—Oxygen; Ozone; Oxides or hydroxides in general
    • C01B13/14—Methods for preparing oxides or hydroxides in general
    • C01B13/32—Methods for preparing oxides or hydroxides in general by oxidation or hydrolysis of elements or compounds in the liquid or solid state or in non-aqueous solution, e.g. sol-gel process
    • C01B13/328—Methods for preparing oxides or hydroxides in general by oxidation or hydrolysis of elements or compounds in the liquid or solid state or in non-aqueous solution, e.g. sol-gel process by processes making use of emulsions, e.g. the kerosine process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G1/00—Methods of preparing compounds of metals not covered by subclasses C01B, C01C, C01D, or C01F, in general
    • C01G1/02—Oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G25/00—Compounds of zirconium
    • C01G25/02—Oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G27/00—Compounds of hafnium
    • C01G27/02—Oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G3/00—Compounds of copper
    • C01G3/006—Compounds containing, besides copper, two or more other elements, with the exception of oxygen or hydrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/45—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on copper oxide or solid solutions thereof with other oxides
    • C04B35/4504—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on copper oxide or solid solutions thereof with other oxides containing rare earth oxides
    • C04B35/4508—Type 1-2-3
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/62605—Treating the starting powders individually or as mixtures
    • C04B35/62625—Wet mixtures
    • C04B35/6264—Mixing media, e.g. organic solvents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/63—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B using additives specially adapted for forming the products, e.g.. binder binders
    • C04B35/632—Organic additives
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00—Superconducting devices
    • H10N60/01—Manufacture or treatment
    • H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
    • H10N60/0296—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers
    • H10N60/0324—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers from a solution
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00—Superconducting devices
    • H10N60/80—Constructional details
    • H10N60/85—Superconducting active materials
    • H10N60/855—Ceramic superconductors
    • H10N60/857—Ceramic superconductors comprising copper oxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/51—Particles with a specific particle size distribution
    • C01P2004/52—Particles with a specific particle size distribution highly monodisperse size distribution
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/60—Particles characterised by their size
    • C01P2004/64—Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/40—Electric properties
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/80—Compositional purity
    • C01P2006/82—Compositional purity water content
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3215—Barium oxides or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
    • C04B2235/3225—Yttrium oxide or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
    • C04B2235/3229—Cerium oxides or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/44—Metal salt constituents or additives chosen for the nature of the anions, e.g. hydrides or acetylacetonate
    • C04B2235/443—Nitrates or nitrites
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/44—Metal salt constituents or additives chosen for the nature of the anions, e.g. hydrides or acetylacetonate
    • C04B2235/444—Halide containing anions, e.g. bromide, iodate, chlorite
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/44—Metal salt constituents or additives chosen for the nature of the anions, e.g. hydrides or acetylacetonate
    • C04B2235/444—Halide containing anions, e.g. bromide, iodate, chlorite
    • C04B2235/445—Fluoride containing anions, e.g. fluosilicate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/44—Metal salt constituents or additives chosen for the nature of the anions, e.g. hydrides or acetylacetonate
    • C04B2235/449—Organic acids, e.g. EDTA, citrate, acetate, oxalate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/54—Particle size related information
    • C04B2235/5418—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
    • C04B2235/5454—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof nanometer sized, i.e. below 100 nm

Definitions

  • the invention relates to a process for the preparation of nano particles containing or preferably consisting of compounds of certain transition metals as well as the use of these particles in the production of high temperature superconductors (HTSC).
  • HTSC high temperature superconductors
  • particles of oxides of the metals can thus be obtained, which can be smaller than 1 ⁇ m.
  • a similar process for the production of nanoparticles for high-density ceramics is disclosed in DE 102 37 915 A1.
  • the formation of amorphous oxide particles is promoted by increasing the polarity of the O phase in the microemulsion.
  • a method for producing nanoparticles from cerium (IV) oxide is described by Masui et al. , Chem. Mat. 1997, 2197-2204.
  • a W / O microemulsion with hexane as the continuous phase, cerium nitrate solution as the aqueous phase, polyoxyethylene (10) octylphenyl ether as a surfactant and hexanol as a solubilizer for the surfactant is prepared.
  • This microemulsion is mixed with a second, which had been prepared in the same way with Ammoni ⁇ umhydroxidnaps as an aqueous phase.
  • particles could from cerium (IV) oxide 2-6 nm size, it ⁇ be generated.
  • the elaborate handle lo ⁇ environment is avoided by water-sensitive metal compounds such as alkoxides. It can not be transferred to other systems because mixing of the two emulsions can cause collision and breakup of individual micelles, thereby undesirably widening the particle size distribution.
  • DE 10 2006025 770 A1 discloses a method for producing a coating dispersion with nanoparticles, wherein a water-sensitive metal compound in alcoholic solution is mixed with an O / W microemulsion comprising a cationic surfactant.
  • the proportion of water in the microemulsion is preferably at least 5 to 15 percent by weight.
  • Such coating dispersions can be used to prepare thin ceramic coatings.
  • a molecular organometallic CSD solution can be added to the coating dispersion (hybrid solution).
  • HTSC high-temperature superconductors
  • the Lorenz force acts on the flow tubes and moves them through the superconductor. This movement is accompanied by an energy dissipation, which increases the resistance macroscopically and leads to the collapse of the superconducting phase.
  • the effect of energy dissipation by flow tube movement can be reduced or eliminated by incorporating pinning centers, allowing higher current densities.
  • the pinning centers can be placed in an yttrium-barium Copper oxide (YBCO) superconductors consist of, for example, barium-circonate (BZO) nanoparticles.
  • YBCO yttrium-barium Copper oxide
  • BZO barium-circonate
  • a method for producing thin HTSC layers of YBCO with built-in pinning centers from BZO is described by Molina-Luna (L. Molina-Luna, Dissertation, Tübingen 2010, p. 141). It is based on a solution of the trifluoroacetates of yttrium, barium and copper in methanol. BZO nanoparticles are prepared by adding alkoxides of barium and zirconium to a microemulsion of water in a mixture of cyclohexane and methanol with a cationic surfactant. This BZO dispersion is then mixed with the solution of the trifluoroacetates and used to coat a carrier.
  • the invention accordingly has for its object to provide a method by which nanoparticles of compounds of the Transition metals can be produced, which are largely free of interfering impurities and which are suitable for use in high-temperature superconductors with copper mixed oxides.
  • This object is achieved by a method according to claim 1, and by a method according to claim 12 for the production of a HTSC material.
  • the inventive method for producing Nanoteil- chen containing or consisting of compounds of transition metals Zr, Hf, Ti, Ta, Sc, Y, La, elements with the Trim ⁇ pay 58 (Ce) to 71 (Lu), and Mn Fe comprises the steps of: preparing a W / O microemulsion having at least one precursor of said metals in the disperse polar (W) phase with the aid of a surfactant,
  • a polar solvent having a water content of ⁇ 1 mol% and a precipitant in the nonpolar phase a base can be used.
  • microemulsion is meant here an emulsion whose inner disperse phase has a droplet size of less than 1 ⁇ m, preferably in the range of 1 to 100 nm, particularly preferably 2 to 30 nm. Since the droplets are separated from the continuous outer phase by a boundary layer of radially directed surfactant molecules, one also speaks of micelles.
  • the micelle size usually decreases with the Rw value.
  • suitable surfactant levels for example, correspond to a Rw 1 to 25, preferably Zvi ⁇ rule 2 and 15 °.
  • the polar solvent to be used according to the invention must not be miscible with the non-polar solvent of the outer phase of the microemulsion. On the other hand, it must have sufficient solvent power for the precursor. Furthermore, it must have only a very low miscibility with the surfactant, so that the formation of micelles with surfactant boundary layer is not prevented.
  • the choice of the polar solvent is thus determined by the type of precursor and the non-polar solvent. Suitable solvents and Rekurso ⁇ ren Maschinentube can be determined. Suitable examples of the polar solvent are ketones, e.g.
  • acetone lactones, for example, butyrolactone, nitriles, such as acetonitrile, nitro compounds such as nitromethane, dialkylcarboxamides such as dimethylformamide, sulfoxides such as dimethyl sulfoxide.
  • Particularly preferred ⁇ are the ketones, lactones, nitro compounds, amides, sulfoxides alkyl or aryl compounds Cl to C8 or Cl to C6 compounds, preferably Cl to C4 or Cl to C3 compounds, in the case of nitro compounds also Cl or C2 connections.
  • nitriles in particular alkyl or aryl nitriles, in particular C 1 to C 7 nitriles or C 1 to C 6 alkylnitriles, preferably C 1 to C 4 or C 1 to C 2 alkylnitriles.
  • nitriles in particular alkyl or aryl nitriles, in particular C 1 to C 7 nitriles or C 1 to C 6 alkylnitriles, preferably C 1 to C 4 or C 1 to C 2 alkylnitriles.
  • the polar solvent must invention practically what his ⁇ serrile. This means a water content of at most 1-2% by weight, preferably at most 0.75% by weight or at most 0.5% by weight.
  • the solubility of the precursor in the polar solvent must be sufficient in order to be able to form sufficiently large nanoparticles in the individual micelles.
  • Geeig ⁇ designated Recaynesen have, for example concentrations of 0.025 to 2 mol / 1, preferably 0.05 to 0.75 mol / 1 or more preferably 0.1 to 0.5 mol / 1 with respect to the Rekur ⁇ sor.
  • non-polar solvents are for example those geeig ⁇ net, which have already been used in the art for micro-emulsions with aqueous micelles.
  • alkanes examples are alkanes, alkenes, benzene and other aromatics, carboxylic esters, ethers, such as diethyl ether, halogenated hydrocarbons, such as tetrachloromethane or hexafluorobenzene.
  • alkanes in particular C 2 - to C 14 -alkanes or C 4 - to C 12 -alkanes or in each case to mixtures thereof.
  • these are hexane, heptane, octane, or their technical mixtures in Erdöldestilla ⁇ th.
  • the nonpolar solvent must have sufficient solvency for the precipitant.
  • phase volume ratio of W / O according to the invention used ⁇ th microemulsions is preferably during preparation between 2/98 and 20/80, or preferably between 4/96 and 15/85.
  • the target compounds of the transition metals are primarily oxides in all oxidation states of the respective metal.
  • precursors can first be formed in the micelles from the precursors under the influence of the precipitating agent, which precursors are converted into the target compound during a subsequent heat treatment.
  • Such precursors may be, for example, hydroxides for oxides.
  • the compounds may also contain other metals.
  • the metals of the precursor may be those of ⁇ selected from the group consisting of Zr, Hf, Ti, Ta, Sc, Y and La, and ele- ments with atomic numbers 58 (Ce) to 71 (Lu), Mn and Fe, in each case individually or in combination, be.
  • Rare earth metals in the context of this invention are the elements Sc, Y, La and the elements with the atomic numbers 58 (Ce) to 71 (Lu), which can be used individually or in combination as metals of precursors.
  • the metals of the precursor can also be those selected from the group Zr, Hf, Ti, Ta, Sc, Y and La and Ce, Sm, Eu, Gd, Tb, Yb, Lu, in particular selected from the group Zr, Hf Ti, Ta, Sc, Y, La, Ce, Sm, Eu, Gd, in particular from the group Zr, Hf, Ti, Ta, Y, La, Ce, Sm, Eu, Gd; in especially special from the group Zr, Hf, Ce.
  • the jewei ⁇ time groups of the metals used can in each case at least substantially be free of Hf and / or Fe.
  • Precursors are compounds of the respective metals, which can form a polar solvent unlösli ⁇ che compound un- ter influence of a base.
  • These can be simple water-soluble inorganic or organic, neutral or basic salts such as nitrates, halides, in particular chlorides, oxyhalides or the corresponding transition metals, so-far they have sufficient solubility in the polar complementary and have ⁇ tel.
  • surfactants can be used in the prior Tech ⁇ technology.
  • the surfactant is a ceremoniioni ⁇ ULTRASONIC surfactant.
  • Such surfactants are composed of organic radicals and contain no inorganic counterions. They are used in the final heat treatment of the coating composition to form the HTSC or other ceramic mik removed without residue from the layer.
  • Nonionic surfactants include fatty alcohol alkoxylates, alkylphenyl alkoxylates, sugar surfactants (fatty alcohol glycosides.
  • Fatty alcohols here are aliphatic monohydric primary alcohols having 8 to 22, preferably 12 to 18 carbon atoms. Particular preference is given to alkylphenyl alkoxylates (alkylphenyl polyglycol ethers).
  • the surfactant must be sufficiently soluble in the outer phase. Also, the balance between the non-polar and the polar part of the surfactant molecule must be appropriate for the non-polar and polar-phase system.
  • the ge for aqueous systems ⁇ b syndromechliche HLB system can not be surely transmitted to the OF INVENTION ⁇ to the invention water-free systems.
  • suitable surfactant series with a graded ratio between polar and non-polar fractions are available to the person skilled in the art, for example the alkylphenyl polyoxyalkylene ethers.
  • the selection of a suitable surfactant can be done without difficulty by preliminary experiments.
  • nonylphenyl poly (5) oxyethylene ether is useful.
  • any agent which is soluble in the continuous outer phase of the microemulsion permeates the surfactant shell of the micelles and is capable of reacting with the precursor to form the desired compound of the transition metal or a precursor compound therefor.
  • Bases such as ammonia or organic amines are particularly suitable for the formation of precipitation products from metal salts for the preparation of oxides.
  • Short-chain organic amines are advantageous because they introduce little carbon into the system, for example C 1 - to C 10 -alkyl- or arylamines or C 1 - to C 6 -alkylamines or preferably C 1 - to C 4 -alkyl or in particular C 2 - to C 4 -alkylamines.
  • Particular preference is given to using propylamine as precipitant.
  • the precipitating agent for addition to the outer phase is dissolved and / or diluted with a suitable solvent, for example that of the outer phase.
  • the precipitating agent is advantageously used in relation to refkur ⁇ sor in excess.
  • Preference is given to molar ratios of precipitant / precursor between 1 and 10 or 1.05 and 10, preferably between 1.05 and 5.
  • the said molar ratio may in each case also be> 1.1 or> 1.2, for example also> 1.5.
  • the direct addition of the precipitant to the outer phase has the advantage that the micelles of the microemulsion are not affected by the addition of another surfactant or surfactant in a different concentration. As a result, their size distribution is unaffected and the resulting nanoparticles are almost monodisperse. The rate of precipitation and thus the structure of the nanoparticles can also be controlled by the addition.
  • the inventive method produces nanoparticles that are far ⁇ largely free from accompanying substances. Therefore, they can be used inter alia to form pinning centers in HTSC coatings, without the coating being adversely affected by the incorporation of nanoparticles.
  • the invention also includes a process for producing HTSC materials comprising copper mixed oxides, wherein nanoparticles are incorporated into the copper mixed oxide of the HTSC phase, using the nanoparticles prepared according to the invention, and wherein the HTSC material is combined or separated by applying a solution of precursors of the mixed oxide components is formed with the nanoparticles on a support and heat treatment ⁇ treatment.
  • the copper mixed oxide is preferably produced in a third solvent on a support and heat treatment of the layer thus formed.
  • the mixed oxide is a rare earth-barium Kupfermischoxid, particularly preferably an yttrium-containing Kup ⁇ fermischoxid, in particular YBa 2 Cu 3 C> 7 (YBCO).
  • the precursor solution for the copper mixed oxide intended for the construction of the HTSC layer is mixed with the suspension of the nanoparticles in the non-polar phase to form a hybrid solution before application to the support.
  • a homogeneous distribution of the nano particles ⁇ in the HTSC layer is achieved, as is required for the effect of the particles as pinning centers.
  • the nonpolar solvent of the nanoparticle suspension is miscible with the third solvent of the coppermix oxide precursor solution.
  • the third solvent is preferably an aliphatic alcohol, a ketone and / or a carboxylic acid, each independently of ⁇ nen 4 to 12 carbon atoms, such as n-hexanol, n-heptanol, n-octanol, n-nonanol or n-decanol, individually or as a mixture used for the preparation of the precursor solution.
  • the precursor solution contains acid-reacting metal salts of strong acids such as trifluoroacetic acid
  • a base This can be, for example, diethanolamine.
  • the method according to the invention also includes that several different nanoparticle dispersions prepared according to the invention are incorporated in the HTSC layer of copper mixed oxide. This can be done, for example, by preparing different nanoparticle dispersions by the process according to the invention and adding to the coating solution. However, it is also possible to mix different microemulsions prior to the precipitation reaction so that a mixture of several nanoparticle dispersions is obtained after the precipitation.
  • the coating solution thus prepared is prepared by conventional methods (such as dipping, spinning, spraying, printing) used for coating carriers.
  • the layers are processed further as usual, for example by subjecting them to a stepwise heat treatment in which first the solvents are removed, then the organic salts are converted into oxides and finally the mixed oxide compound is produced. This may require a new optimization of the pro ⁇ program for heat treatment.
  • the so gewonne ⁇ NEN layer arrangements may still further layers, such as protective layers include adjacent the layer of HTSC material and the supporting layer.
  • the invention makes it possible to produce nanoparticles of transition metal compounds of narrow size distribution. These can be advantageously used for the production of HTSC layers based on copper mixed oxide. Such layers have excellent electrical properties. In contrast, unsatisfactory results are obtained by adding the metal compounds needed to form pinning centers directly to the coating solution. In contrast to the use of the prefabricated nanoparticles according to the invention, the size distribution of the pinning centers formed after the coating (eg during firing) can not be controlled and the formation of these precipitates can interfere with the epitaxial growth of the superconductor layer.
  • the invention relates to a process for the preparation of nanoparticles comprising or consisting of compounds of the transition metals Zr, Hf, Ti, Ta, Sc, Y, La, elements having the atomic numbers 58 (Ce) to 71 (Lu) and Fe, comprising the steps:
  • the embodiments of the invention thus also generally relate to a process for the preparation of nanoparticles containing or consisting of compounds of transition metals Zr, Hf, Ti, Ta, Sc , Y, La, ele ⁇ ments with the atomic numbers 58 (Ce) to 71 (Lu) and Fe.
  • the further features and measures of the invention, including selection of precursors also refer in particular to compounds of transition metals Zr, Hf, Ti, Ta, Sc, Y, La, elements having atomic numbers 58 (Ce) to 71 (Lu) and Fe.
  • n-heptane 50 g were mixed with the required amount of surfactant Marlophen NP5 (nonylphenol poly (5) ethylene glycol ether) to adjust the Rw value shown in Table 1.
  • the resulting mixture was stirred for 15 min by magnetic stirring at 600 rpm.
  • 5.0 g (1 mmol) of ent ⁇ speaking aqueous Cernitratandzugetropft were.
  • the preserver so ⁇ tene two-phase mixture was stirred for 60 min at 600 rev / min, as ⁇ homogenized with the micelles.
  • 1.59 g of an aqueous ammonia solution containing 2.5 percent by weight (2.3 mmol NH 3) as precipitant were added and stirred again at 600 rpm for 60 min.
  • Example 1 was repeated except that instead of water for the polar phase, acetonitrile having a water content of ⁇ 0.5 wt% was used.
  • the precipitant used was propylamine (10% by mass in n-heptane, 2.3 mmol). The results are also listed in Table 1.
  • Figure 2 shows the particle size distribution of IME at two different Rw.
  • Example 2 was repeated, but instead of cerium nitrate, either hafnium oxychloride or zirconium oxychloride was used in each case in the same molar amount.
  • the median values obtained at different ⁇ union Rw values D 5 o of the particle-size distribution are given in Table 2 below. Table 2
  • the solvents used were n-hexanol, n-heptanol or n-octanol to ensure miscibility with the outer phase (hexane) of the cerium-containing microemulsion.
  • the nanoparticle dispersion obtained in Example 2-1 was concentrated in vacuo and taken up with the YBCO precursor solution. With these solutions, layers of 80-400 nm thickness were applied to lanthanum aluminate support. The electrical properties of the layers are listed in Table 3.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geology (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
  • Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)

Abstract

Bekannte Verfahren zur Herstellung von Nanoteilchen aus Verbindungen der Übergangsmetalle Zr, Ti, Ta, seltene Erden (RE), Mn und Fe über Mikroemulsionen führen zu Produkten, die Verunreinigungen aus den Edukten, insbesondere Wasser, enthalten, welche die weitere Verwendung der Nanoteilchen, beispielsweise in Hochtemperatursupraleitern (HTSC), erschweren. Es wird vorgeschlagen, die Nanoteilchen über wasserfreie Mikroemulsionen mit einer äußeren Phase aus einem unpolaren Lösungsmittel und einer inneren Phase aus einem polaren wasserfreien Lösungsmittel herzustellen. Die erhaltenen Nanoteilchen haben gute Monodispersität und können bei der Herstellung von REBa2Cu307- Supraleitern durch Inkorporieren zur Präkursor-Beschichtungslösung verwendet werden.

Description

Verfahren zur Herstellung von Nanoteilchen sowie deren Verwendung bei der Herstellung von HochtemperaturSupraleitern
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Nano- teilchen enthaltendoder vorzugsweise bestehend aus Verbindungen von bestimmten Übergangsmetallen sowie die Verwendung dieser Teilchen bei der Herstellung von Hochtemperatursupraleitern (HTSC) .
Bekannt sind unterschiedliche Methoden zur Herstellung von Na- noteilchen aus Verbindungen der Übergangsmetalle, darunter auch das in EP 383 927 A2 beschriebene Verfahren. Dabei wird eine wässrige Phase, die das Metall in gelöster Form, z. B.als Salz, oder in Form eines Sols enthält, in einer organischen Flüssigkeit in Gegenwart eines Emulgators zu einer W/O-Emul- sion emulgiert und die Gegenionen durch Vermittlung eines Pha- sentransferkatalysators gegen Hydroxylionen ausgetauscht, bei¬ spielsweise mittels eines Ionenaustauschers. Nach Trocknung und Kalzinieren kann man so Teilchen von Oxiden der Metalle erhalten, die kleiner als 1 ym sein können. Ein ähnliches Verfahren zur Herstellung von Nanoteilchen für hochdichte Keramiken offenbart DE 102 37 915 AI. Hierbei wird die Bildung von amorphen Oxidteilchen durch Erhöhung der Polarität der O-Phase in der Mikroemulsion gefördert.
Ein Verfahren zur Herstellung von Nanoteilchen aus Cer(IV)- oxid beschreiben Masui et al . , Chem. Mat . 1997, 2197-2204. Dabei wird eine W/O-Mikroemulsion mit Hexan als kontinuierlicher Phase, Cernitratlösung als wässriger Phase, Polyoxyethylen ( 10 ) oktylphenylether als Tensid und Hexanol als Lösungsvermittler für das Tensid hergestellt. Diese Mikroemulsion wird mit einer zweiten gemischt, die auf gleiche Weise mit Ammoni¬ umhydroxidlösung als wässriger Phase hergestellt worden war. So konnten Teilchen aus Cer(IV)-Oxid von 2 bis 6 nm Größe er¬ zeugt werden. Bei diesem Verfahren wird die aufwändige Handha¬ bung von wasserempfindlichen Metallverbindungen wie Alkoxiden vermieden. Es lässt sich nicht auf andere Systeme übertragen, da es beim Mischen der beiden Emulsionen zum Kollidieren und Aufbrechen einzelner Mizellen kommen kann, wodurch sich die Verteilung der Teilchengrößen in unerwünschter Weise verbreitert .
In der DE 10 2006025 770 AI wird ein Verfahren zur Herstellung einer Beschichtungsdispersion mit Nanoteilchen offenbart, wobei eine wasserempfindliche Metallverbindung in alkoholischer Lösung mit einer O/W-Mikroemulsion vermischt wird, die ein kationisches Tensid umfasst. Der Wasseranteil in der Mikroemul- sion liegt dabei bevorzugt bei mindestens 5 bis 15 Gewichts- prozent. Solche Beschichtungsdispersionen können zur Herstellung dünner keramischer Beschichtungen verwendet werden. Um auch bei niedrigen Sinterungstemperaturen dichte Schichten zu erhalten, kann der Beschichtungsdispersion eine molekulare metallorganische CSD-Lösung zugesetzt werden (Hybridlösung) . Über die CSD-Lösung können Dotierungsmittel eingebracht wer¬ den. (CSD bedeutet chemische Abscheidung aus Lösung = chemical Solution deposition.)
Bekannt sind auch die so genannten Hochtemperatur-Supraleiter (HTSC) aus Verbindungen von Metalloxiden. In diesen dringt bei hohen äußeren Magnetfeldern magnetischer Fluss - in Form so genannter Flussschläuche - in den Supraleiter ein. Bei vorhandenem Stromfluss wirkt die Lorenzkraft auf die Flussschläuche und bewegt diese durch den Supraleiter. Mit dieser Bewegung geht eine Energiedissipation einher, die den Widerstand makro- skopisch erhöht und zum Zusammenbruch der supraleitenden Phase führt. Der Effekt der Energiedissipation durch Flussschlauchbewegung kann durch den Einbau von Pinning-Zentren vermindert bis vermieden werden, wodurch höhere Stromdichten möglich sind. Die Pinning-Zentren können in einem Yttrium-Barium- Kupferoxid (YBCO) -Supraleiter beispielsweise aus Bariumzirko- nat (BZO) -Nanoteilchen bestehen, oder von diesen hervorgerufen werden. Beispielsweise wird in DE 10 2008 04 818 AI offenbart, dass eine Beschichtung mit einem Pinning-Zentren aufweisenden HTSC auf einem Träger hergestellt werden kann, indem der Träger in eine Präkursorlösung eingetaucht wird, der oxidische Nanoteilchen zugegeben wurden.
Ein Verfahren zur Herstellung von dünnen HTSC-Schichten aus YBCO mit eingebauten Pinning-Zentren aus BZO wird von Molina- Luna beschrieben (L. Molina-Luna, Dissertation, Tübingen 2010, S. 141) . Dabei geht man von einer Lösung der Trifluoracetate von Yttrium, Barium und Kupfer in Methanol aus. Nanoteilchen von BZO werden hergestellt, indem einer Mikroemulsion von Wasser in einem Gemisch aus Cyclohexan und Methanol mit einem ka- tionischen Tensid Alkoxide von Barium und Zirkonium zugesetzt werden. Diese BZO-Dispersion wird dann mit der Lösung der Trifluoracetate vermischt und zur Beschichtung eines Trägers verwendet .
Bei den bekannten Verfahren bleiben unvermeidliche Begleit- Stoffe, wie Wasser und Verbindungen der Gegenionen ionischer Tenside, in der Beschichtungslösung . Diese Stoffe können die Ausbildung einer homogenen HTSC-Schicht stören, indem sie beispielsweise zu einem ungleichmäßigen Profil führen oder die Entmischung des supraleitenden Mischoxids unter lokaler Aus- Scheidung von unerwünschten Verbindungen der einzelnen Metalle im Mischoxid hervorrufen. Auch können mitgeführte Fremdionen, z.B. aus ionischen Tensiden, in das Gitter des HTSC eingebaut werden. Dadurch wird die Leistungsfähigkeit der HTSC-Schicht, beispielsweise die erreichbare kritische Stromdichte Jc, ver- schlechtert (Araki et al . , Supercond. Sei. Technol. 14 (2001), L21) .
Die Erfindung stellt sich demgemäß die Aufgabe, ein Verfahren anzugeben, mit dem sich Nanoteilchen von Verbindungen der Übergangsmetalle herstellen lassen, die weit gehend frei von störenden Begleitstoffen sind und die für die Verwendung in Hochtemperatur-Supraleitern mit Kupfermischoxiden geeignet sind . Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren nach Anspruch 1 gelöst, sowie durch ein Verfahren nach Anspruch 12 zur Herstellung eines HTSC-Materials .
Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung von Nanoteil- chen enthaltend oder bestehend aus Verbindungen der Übergangs- metalle Zr, Hf, Ti, Ta, Sc, Y, La, Elemente mit den Ordnungs¬ zahlen 58 (Ce) bis 71 (Lu) , Mn und Fe, umfasst die Schritte: - Herstellung einer W/O-Mikroemulsion mit mindestens einem Präkursor dergenannten Metalle in der dispersen polaren (W) Phase mit Hilfe eines Tensids,
- Zugabe eines Fällungsmittels zur kontinuierlichen unpolaren (0) Phase,
wobei als Lösungsmittel für den Präkursor in der polaren Phase ein polares Lösungsmittel mit einem Wassergehalt < 1 mol-% und als Fällungsmittel in der unpolaren Phase eine Base verwendet werden.
Unter Mikroemulsion wird hier eine Emulsion verstanden, deren innere disperse Phase eine Tropfengröße von weniger als 1 ym, bevorzugt im Bereich 1 bis 100 nm, besonders bevorzugt 2 - 30 nm, aufweist. Da die Tropfen von einer Grenzschicht aus radial gerichteten Tensidmolekülen von der kontinuierlichen äußeren Phase getrennt sind, spricht man auch von Mizellen. Diese Emulsion kann hergestellt werden, indem eine unpolare Flüssig¬ keit, eine ausreichende Menge Tensid und eine polare Flüssig¬ keit unter Aufwendung ausreichend hoher Scherkräfte miteinan- der vermischt werden. Durch die Menge des Tensids lässt sich die Größe der Mizellen beeinflussen. Es ist möglich, die Ten- sidmenge als Verhältnis der Molzahl der inneren Phase zur Mol¬ zahl des Tensids auszudrücken: Rw = n (innere Phase) /n (Tensid) .
Für eine bestimmte Kombination aus unpolarer und polarer Phase und Tensid nimmt in der Regel die Mizellengröße mit dem Rw- Wert ab. Erfindungsgemäß geeignete Tensidanteile entsprechen beispielsweise einem Rw zwischen 1 und 25, vorzugsweise zwi¬ schen 2 und 15.
Das erfindungsgemäß zu verwendende polare Lösungsmittel darf nicht mit dem unpolaren Lösungsmittel der äußeren Phase der Mikroemulsion mischbar sein. Andererseits muss es ein ausrei- chendes Lösungsvermögen für den Präkursor besitzen. Des Weiteren darf es nur eine sehr geringe Mischbarkeit mit dem Tensid haben, damit die Bildung von Mizellen mit Tensid-Grenzschicht nicht verhindert wird. Die Auswahl des polaren Lösungsmittels wird also durch die Art des Präkursors und die des unpolaren Lösungsmittels bestimmt. Geeignete Lösungsmittel und Präkurso¬ ren können durchVorversuche ermittelt werden. Geeignete Bei¬ spiele für das polare Lösungsmittel sind Ketone, z. B. Aceton, Lactone, z.B. Butyrolacton, Nitrile, wie Acetonitril, Nitroverbindungen wie Nitromethan, Dialkylcarbonsäureamide wie Di- methylformamid, Sulfoxide wie Dimethylsulfoxid . Besonders be¬ vorzugt sind die Ketone, Lactone, Nitroverbindungen, Amide, Sulfoxide Alkyl- oder Arylverbindungen Cl- bis C8- oder Cl- bis C6-Verbindungen, bevorzugt Cl- bis C4- oder Cl- bis C3 Verbindungen, im Fall von Nitroverbindungen auch Cl- oder C2- Verbindungen. Besonders bevorzugt sind insbesondere Nitrile, insbesondere Alkyl- oder Arylnitrile, im Speziellen Cl- bis C7-Nitrile oder Cl- bis C6-Alkylnitrile, bevorzugt Cl- bis C4- oder Cl- bis C2-Alkylnitrile . Im Speziellen bevorzugt ist Ace¬ tonitril . Das polare Lösungsmittel muss erfindungsgemäß praktisch was¬ serfrei sein. Das bedeutet einen Wassergehalt von höchstens 1- 2 Gewichtsprozent, bevorzugt höchstens 0,75 Gewichtsprozent oder höchstens 0,5 Gewichtsprozent. Die Löslichkeit des Präkursors im polaren Lösungsmittel muss ausreichend sein, um in den einzelnen Mizellen hinreichend große Nanoteilchen ausbilden zu können. Sie sollte beispielsweise 0,5 bis 10 Gewichtsprozent oder bis 20 Gewichtsprozent, bevorzugt mindestens 1 bis 5 Gewichtsprozent betragen. Geeig¬ nete Präkursorlösungen haben beispielsweise Konzentrationen von 0,025 bis 2 mol/1, vorzugsweise 0,05 bis 0,75 mol/1 oder besonders bevorzugt 0,1 bis 0,5 mol/1 in Bezug auf den Präkur¬ sor . Als unpolare Lösungsmittel sind beispielsweise solche geeig¬ net, die bereits im Stand der Technik für Mikroemulsionen mit wässrigen Mizellen verwendet wurden. Beispiele sind Alkane, Alkene, Benzol und andere Aromaten, Carbonsäureester, Ether wie Diethylether, Halogenkohlenwasserstoffe wie Tetrachlorme- than oder Hexafluorbenzol . Besonders bevorzugt sind Alkane, insbesondere C2- bis C14-Alkane oder C4- bis C12-Alkane oder jeweils deren Gemische. Beispielsweise sind dies Hexan, Hep- tan, Oktan, oder deren technische Gemische in Erdöldestilla¬ ten . Das unpolare Lösungsmittel muss ein ausreichendes Lösungsver¬ mögen für das Fällungsmittel haben.
Das Phasenvolumenverhältnis W/O der erfindungsgemäß verwende¬ ten Mikroemulsionen liegt während der Herstellung bevorzugt zwischen 2/98 und 20/80 oder vorzugsweise zwischen 4/96 und 15/85.
Als Zielverbindungen der Übergangsmetalle kommen in erster Linie Oxide in allen Oxidationsstufen des jeweiligen Metalls in- frage . Dabei können im erfindungsgemäßen Verfahren zunächst in den Mizellen aus den Präkursoren unter dem Einfluss des Fäl- lungsmittels Vorstufen entstehen, die bei einer nachfolgenden Wärmebehandlung in die Zielverbindung umgewandelt werden. Solche Vorstufen können für Oxide beispielsweise Hydroxide sein. Die Verbindungen können neben den genannten Übergangsmetallen auch noch andere Metalle enthalten.
Erfindungsgemäß können die Metalle des Präkursors solche aus¬ gewählt aus der Gruppe Zr, Hf, Ti, Ta, Sc, Y und La sowie Ele- mente mit den Ordnungszahlen 58 (Ce) bis 71 (Lu) , Mn und Fe, jeweils einzeln oder in Kombination, sein.
Seltene Erdmetalle im Sinne dieser Erfindung sind die Elemente Sc, Y, La sowie die Elemente mit den Ordnungszahlen 58 (Ce) bis 71 (Lu) , welche einzeln oder in Kombination als Metalle der Präkursoren eingesetzt werden können.
Erfindungsgemäß können die Metalle des Präkursors auch solche ausgewählt aus der Gruppe Zr, Hf, Ti, Ta, Sc, Y und La sowie Ce, Sm, Eu, Gd, Tb, Yb, Lu sein, im Besonderen ausgewählt aus der Gruppe Zr, Hf, Ti, Ta, Sc, Y, La, Ce, Sm, Eu, Gd, im spe- ziellen aus der Gruppe Zr, Hf, Ti, Ta, Y, La, Ce, Sm, Eu, Gd; im besonders speziellen aus der Gruppe Zr, Hf, Ce . Die jewei¬ ligen Gruppen der eingesetzten Metalle können jeweils zumindest im Wesentlichen frei von Hf und/oder Fe sein.
Präkursoren sind Verbindungen der jeweiligen Metalle, die un- ter Einfluss einer Base eine im polaren Lösungsmittel unlösli¬ che Verbindung bilden können. Dies können einfache wasserlösliche anorganische oder organische, neutrale oder basische Salze, wie Nitrate, Halogenide, insbesondere Chloride, oder Oxidhalogenide der entsprechenden Übergangsmetalle sein, so- fern sie eine ausreichende Löslichkeit im polaren Lösungsmit¬ tel aufweisen.
Erfindungsgemäß können übliche Tenside aus dem Stand der Tech¬ nik verwendet werden. Bevorzugt ist das Tensid ein nichtioni¬ sches Tensid. Solche Tenside sind aus organischen Resten auf- gebaut und enthalten keine anorganischen Gegenionen. Sie werden bei der abschließenden Wärmebehandlung der Beschichtungs- zusammensetzung zur Bildung des HTSC oder einer anderen Kera- mik ohne Rückstand aus der Schicht entfernt. Geeignete
nichtionische Tenside umfassen Fettalkoholalkoxylate, Al- kylphenylalkoxylate, Zuckertenside (Fettalkoholglykoside .
Fettalkohole sind hier aliphatische einwertige primäre Alkoho- le mit 8 bis 22, bevorzugt 12 bis 18 Kohlenstoffatomen . Besonders bevorzugt sind Alkylphenylalkoxylate (Alkylphenylpolygly- kolether) . Das Tensid muss in der äußeren Phase ausreichend löslich sein. Auch muss die Balance zwischen unpolarem und polarem Teil des Tensidmoleküls dem System aus unpolarer und po- larer Phase angemessen sein. Das für wässrige Systeme ge¬ bräuchliche HLB-System lässt sich nicht sicher auf die erfin¬ dungsgemäßen wasserfreien Systeme übertragen. Dem Fachmann stehen jedoch geeignete Tensidserien mit abgestuftem Verhältnis zwischen polaren und unpolaren Anteilen zur Verfügung, beispielsweise die Alkylphenylpolyoxyalkylenether . Die Auswahl eines geeigneten Tensids kann ohne Schwierigkeiten durch Vorversuche erfolgen. Für das System Heptan-Acetonitril ist beispielsweise Nonylphenylpoly ( 5 ) oxyethylenether brauchbar.
Als Fällungsmittel eignet sich jedes Agens, das in der konti- nuierlichen äußeren Phase der Mikroemulsion löslich ist, die Tensidhülle der Mizellen durchdringen und mit dem Präkursor unter Bildung der gewünschten Verbindung des Übergangsmetalls oder einer Vorläuferverbindung für diese reagieren kann. Für die Bildung von Fällungsprodukten aus Metallsalzen zur Her- Stellung von Oxiden eignen sich besonders Basen, wie Ammoniak oder organische Amine. Vorteilhaft sind kurzkettige organische Amine, weil sie nur wenig Kohlenstoff in das System eintragen, beispielsweise Cl- bis C10-Alkyl- oder Arylamine oder Cl- bis C6-Alkylamine oder bevorzugt Cl- bis C4- oder insbesondere C2- bis C4-Alkylamine . Besonders bevorzugt wird Propylamin als Fällungsmittel angewendet.
Bevorzugt wird das Fällungsmittel für die Zugabe zur äußeren Phase mit einem geeigneten Lösungsmittel, beispielsweise dem der äußeren Phase, gelöst und/oder verdünnt. Das Fällungsmittel wird vorteilhaft im Verhältnis zum Präkur¬ sor im Überschuss angewendet. Bevorzugt sind Molverhältnisse Fällungsmittel/Präkursor zwischen 1 und 10 oder 1,05 und 10, vorzugsweise zwischen 1,05 und 5. Das genannte Molverhältnis kann jeweils auch > 1,1 oder > 1,2 betragen, beispielsweise auch > 1,5.
Die direkte Zugabe des Fällungsmittels zur äußeren Phase hat den Vorteil, dass die Mizellen der Mikroemulsion nicht durch die Zugabe eines anderen Tensids oder desselben Tensids in an- derer Konzentration beeinträchtigt werden. Dadurch bleibt ihre Größenverteilung unbeeinflusst und die resultierenden Nanoteilchen sind nahezu monodispers. Auch lässt sich durch die Zugabe die Geschwindigkeit der Fällung und damit die Struktur der Nanoteilchen steuern. Das erfindungsgemäße Verfahren ergibt Nanoteilchen, die weit¬ gehend frei von Begleitstoffen sind. Daher können sie unter anderem zur Bildung von Pinning-Zentren in HTSC-Beschichtungen eingesetzt werden, ohne dass die Beschichtung durch die Beimischung der Nanoteilchen nachteilig verändert wird. Zur Erfindung gehört auch ein Verfahren zur Herstellung von Kupfermischoxide umfassenden HTSC-Materialien, wobei in das Kupfermischoxid der HTSC-Phase Nanoteilchen inkorporiert sind, unter Verwendung der erfindungsgemäß hergestellten Nanoteilchen und wobei das HTSC-Material durch Auftragen einer Lösung von Präkursoren der Mischoxidbestandteile zusammen oder getrennt mit den Nanoteilchen auf einen Träger und Wärmebehand¬ lung gebildet wird. Das Kupfermischoxid wird bevorzugt in ei¬ nem dritten Lösungsmittel auf einen Träger und Wärmebehandlung der so gebildeten Schicht erzeugt. Bevorzugt ist das Mischoxid ein Seltenerdmetall-Barium- Kupfermischoxid, besonders bevorzugt ein Yttrium-haltiges Kup¬ fermischoxid, insbesondere YBa2Cu3C>7 (YBCO) . In einer bevorzugten Ausführungsform wird die für den Aufbau der HTSC-Schicht vorgesehene Präkursorlösung für das Kupfermischoxid vor dem Auftragen auf den Träger mit der Suspension der Nanoteilchen in der unpolaren Phase zu einer Hybridlösung vermischt. Hierdurch wird eine homogene Verteilung der Nano¬ teilchen in der HTSC-Schicht erreicht, wie sie für die Wirkung der Teilchen als Pinning-Zentren erforderlich ist.
Für die Herstellung dieser Hybridlösung ist es nützlich, wenn das unpolare Lösungsmittel der Nanoteilchensuspension mit dem dritten Lösungsmittel der Kupfermischoxid-Präkursorlösung mischbar ist. Dies ist bei den im Stand der Technik beschrie¬ benen niedrigen Alkoholen wie Methanol und Hexan oder Heptan als unpolares Lösungsmittel nicht gegeben. Daher wird als drittes Lösungsmittel bevorzugt ein aliphatischer Alkohol, ein Keton und/oder eine Carbonsäure mit jeweils unabhängig vonei¬ nander 4 bis 12 Kohlenstoffatomen, wie n-Hexanol, n-Heptanol, n-Oktanol, n-Nonanol oder n-Dekanol, einzeln oder als Gemisch, für die Herstellung der Präkursorlösung verwendet.
Wenn die Präkursorlösung sauer reagierende Metallsalze starker Säuren wie Trifluoressigsäure enthält, kann es zur Stabilisie¬ rung der Nanoteilchensuspension notwendig sein, eine Base zuzusetzen. Dies kann beispielsweise Diethanolamin sein.
Das erfindungsgemäße Verfahren schließt auch ein, dass mehrere unterschiedliche erfindungsgemäß hergestellte Nanoteilchendis- persionen in die HTSC-Schicht aus Kupfermischoxid inkorporiert werden. Dies kann beispielsweise erfolgen, indem man unterschiedliche Nanoteilchendispersionen nach dem erfindungsgemäßen Verfahren herstellt und der Beschichtungslösung beimischt. Es ist aber auch möglich, verschiedene Mikroemulsionen vor der Fällungsreaktion zu vermischen, sodass man nach der Fällung ein Gemisch mehrerer Nanoteilchendispersionen erhält.
Die so hergestellte Beschichtungslösung wird nach üblichen Verfahren (wie Tauchen, Schleudern, Sprühen, Druckverfahren) zur Beschichtung von Trägern verwendet. Die Schichten werden wie üblich weiter verarbeitet, beispielsweise indem sie einer stufenweisen Wärmebehandlung unterzogen werden, bei der zunächst die Lösemittel entfernt werden, dann die organischen Salze in Oxide überführt und schließlich die Mischoxidverbindung erzeugt wird. Dabei kann eine neue Optimierung des Pro¬ gramms für die Wärmebehandlung notwendig sein. Die so gewonne¬ nen Schichtanordnungen können neben der Schicht aus HTSC- Material und der Trägerschicht noch weitere Schichten, wie Schutzschichten, umfassen.
Die Erfindung ermöglicht es, Nanoteilchen von Verbindungen der Übergangsmetalle mit enger Größenverteilung herzustellen. Diese lassen sich vorteilhaft für die Herstellung von HTSC- Schichten auf Basis Kupfermischoxid verwenden. Solche Schich- ten haben hervorragende elektrische Eigenschaften. Demgegenüber erhält man unbefriedigende Resultate, wenn man die für die Bildung von Pinning-Zentren benötigten Metallverbindungen direkt der Beschichtungslösung zufügt. Im Gegensatz zur Verwendung der erfindungsgemäß vorgefertigten Nanoteilchen lässt sich die Größenverteilung der erst nach der Beschichtung (z. B. beim Brennen) gebildeten Pinning-Zentren nicht kontrollieren und die Bildung dieser Ausscheidungen kann das epitaktische Wachstum der Supraleiterschicht stören.
Insbesondere betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstel- lung von Nanoteilchen enthaltend oder bestehend aus Verbindungen der Übergangsmetalle Zr, Hf, Ti, Ta, Sc, Y, La, Elemente mit den Ordnungszahlen 58 (Ce) bis 71 (Lu) und Fe, umfassend die Schritte:
- Herstellung einer W/O-Mikroemulsion mit mindestens einem Präkursor dergenannten Metalle in der dispersen polaren (W)
Phase mit Hilfe eines Tensids,
- Zugabe eines Fällungsmittels zur kontinuierlichen unpolaren (0) Phase,
wobei als Lösungsmittel für den Präkursor in der polaren Phase ein polares Lösungsmittel mit einem Wassergehalt < 1 mol-% und als Fällungsmittel in der unpolaren Phase eine Base verwendet werden. Die Ausführungen zur der Erfindung, auch in Bezug auf die Gegenstände der Ansprüche 12 bis 16 und 17 der Erfindung, beziehen sich somit allgemein auch auf ein Verfahren zur Herstellung von Nanoteilchen enthaltend oder bestehend aus Verbindungen der Übergangsmetalle Zr, Hf, Ti, Ta, Sc, Y, La, Ele¬ mente mit den Ordnungszahlen 58 (Ce) bis 71 (Lu) und Fe. Die weiteren Merkmale und Maßnahmen der Erfindung, einschließlich Auswahl der Präkursoren, beziehen sich ebenfalls im speziellen auf Verbindungen der Übergangsmetalle Zr, Hf, Ti, Ta, Sc, Y, La, Elemente mit den Ordnungszahlen 58 (Ce) bis 71 (Lu) und Fe.
Ausführungsbeispiele:
Beispiel 1 Herstellung der Nanoteilchen (Vergleich)
50g n-Heptan wurden mit der erforderlichen Menge des Tensids Marlophen NP5 (Nonylphenolpoly ( 5 ) ethylenglykolether) gemischt, um den in Tabelle 1 angegebenen Rw-Wert einzustellen. Die so erhaltene Mischung wurde für 15 min mittels Magnetrührer bei 600U/min gerührt. Anschließend wurden 5,0 g (1 mmol) der ent¬ sprechenden wässrigen Cernitratlösungzugetropft . Das so erhal¬ tene Zweiphasengemisch wurde 60 min bei 600 U/min gerührt, da¬ mit sich die Mizellen homogenisierten. Nachfolgend wurden 1,59 g einer wässrigen Ammoniaklösung mit 2,5 Gewichtsprozent (2,3 mmol NH3) als Fällungsmittel hinzugegeben und erneut 60 min bei 600 U/min gerührt.
Die so erhaltene IME (inverse Mikroemulsion) mit Fällungspro¬ dukt wurde mittels DLS (dynamische Lichtstreuung) gemessen und der D5o Wert bestimmt (Tabelle 1) . Figur 1 zeigt die Teilchen¬ größenverteilung der IME mit vier verschiedenen Rw-Werten. Beispiel 2 Herstellung der Nanoteilchen (Erfindung)
Beispiel 1 wurde wiederholt, jedoch wurde anstelle von Wasser für die polare Phase Acetonitril mit einem Wassergehalt von <0,5Gew.-% verwendet. Als Fällungsmittel wurde Propylamin (10 Masseprozent in n-Heptan, 2,3 mmol) verwendet. Die Ergebnisse sind ebenfalls in Tabelle 1 aufgeführt. Figur 2 zeigt die Teilchengrößenverteilung der IME bei zwei verschiedenen Rw.
Tabelle 1
Beispiel 3 Herstellung der Nanoteilchen (Erfindung)
Beispiel 2 wurde wiederholt, jedoch wurde anstelle von Cerni- trat entweder Hafniumoxidchlorid oder Zirkoniumoxidchlorid in jeweils gleicher molarer Menge verwendet. Die bei unterschied¬ lichen Rw-Werten erhaltenen Medianwerte D5o der Teilchengrößen- Verteilung sind in Tabelle 2 angegeben. Tabelle 2
Beispiel 4
Herstellung von HTSC-Schichten Es wurde eine YBCO-Präkursorlösung hergestellt, welche die
Trifluoracetate von Yttrium, Barium und Kupfer im Molverhält¬ nis 1:2:3 enthielt. Als Lösungsmittel dienten n-Hexanol, n- Heptanol oder n-Oktanol, um Mischbarkeit mit der äußeren Phase (Hexan) der cerhaltigen Mikroemulsion zu gewährleisten. Die im Beispiel 2-1 erhaltenen Nanoteilchendispersion wurde im Vakuum eingeengt und mit der YBCO-Präkursorlösung aufgenommen. Mit diesen Lösungen wurden Schichten von 80-400nm Dicke auf Lan- thanaluminatträger aufgetragen. Die elektrischen Eigenschaften der Schichten sind in Tabelle 3 aufgeführt.
Tabelle 2
Diese Ergebnisse zeigen, dass durch Verwendung der erfindungs¬ gemäß hergestellten Nanoteilchen aus CeÜ2 HTSC-Schichten mit sehr guten Eigenschaften erzeugt werden können.

Claims

Patentansprüche
Verfahren zur Herstellung von Nanoteilchen enthaltend oder bestehend aus Verbindungen der Übergangsmetalle Zr, Hf, Ti, Ta, Sc, Y, La, Elemente mit den Ordnungszahlen 58 (Ce) bis 71 (Lu) , Mn und Fe, umfassend die Schritte:
- Herstellung einer W/O-Mikroemulsion mit mindestens einem Präkursor der genannten Metalle in der dispersen polaren (W) Phase mit Hilfe eines Tensids,
- Zugabe eines Fällungsmittels zur kontinuierlichen unpo¬ laren (0) Phase,
dadurch gekennzeichnet, dass als Lösungsmittel für den Präkursor in der polaren Phase ein polares Lösungsmittel mit einem Wassergehalt < 1 mol-% und als Fällungsmittel in der unpolaren Phase eine Base verwendet werden.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Verbindungen der Übergangsmetalle Oxide und/oder Hyd¬ roxide sind.
Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die disperse Phase Präkursoren mehrerer Metalle um- fasst .
Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das polare Lösungsmittel ein Alkyl- oder Arylnitril ist.
Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Fällungsmittel in Form einer Lö¬ sung oder Verdünnung zugegeben wird.
Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Fällungsmittel ein kurzkettiges organisches Amin ist. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Fällungsmittel ein Cl- bis C6-Amin ist.
8. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das unpolare Lösungsmittel ein Alkan mit 6 bis 10 Kohlenstoffatomen umfasst.
9. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass als Präkursoren Nitrate, Chloride und/oder Oxidchloride der Übergangsmetalle verwendet wer¬ den . 10. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Nanoteilchen aus der kontinuierlichen Phase abgetrennt und getrocknet werden.
11. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass als Tensid ein nichtionisches Tensid verwendet wird.
12. Verfahren zur Herstellung eines ein Kupfermischoxid umfassenden HTSC-Materials , wobei in das Kupfermischoxid des HTSC Nanoteilchen inkorporiert sind, unter Verwendung der nach einem der vorangehenden Ansprüche hergestellten Nano- teilchen bei der Herstellung des das Kupfermischoxid um¬ fassenden HTSC-Materials, und wobei das HTSC-Material durch Auftragen einer Lösung von Präkursoren der Kupfermischoxidbestandteile zusammen oder getrennt mit den Nano¬ teilchen auf einen Träger und Wärmebehandlung gebildet wird.
13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Präkursoren der Kupfermischoxidbestandteile in einem dritten Lösungsmittel auf den Träger aufgebracht werden.
14. Verfahren nach Anspruch 12 oder 13, dadurch gekennzeich- net, dass das Kupfermischoxid ein Seltenerdmetall-Barium- Kupferoxid ist. Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass eine Präkursorlösung für das Kupfermischoxid mit mindestens einer Suspension der Nanoteilchen in der unpolaren Phase zu einer Hybridlösung vermischt wird .
Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass als drittes Lösungsmittel aliphatische Alkohole, Ketone und/oder Carbonsäuren mit jeweils 4 bis 12 Kohlenstoffatomen einzeln oder als Gemisch verwendet werden .
Schichtanordnung mit einer HTSC Schicht, hergestellt nach einem Verfahren der Ansprüche 12 bis 16.
EP13710432.9A 2012-03-21 2013-03-20 Verfahren zur herstellung von nanoteilchen mittels einer nicht-wässrige mikroemulsion sowei deren verwendung bei der herstellung von hochtemperatursupraleitern Withdrawn EP2828220A2 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP13710432.9A EP2828220A2 (de) 2012-03-21 2013-03-20 Verfahren zur herstellung von nanoteilchen mittels einer nicht-wässrige mikroemulsion sowei deren verwendung bei der herstellung von hochtemperatursupraleitern

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP12160545 2012-03-21
PCT/EP2013/055794 WO2013139843A2 (de) 2012-03-21 2013-03-20 Verfahren zur herstellung von nanoteilchen sowie deren verwendung bei der herstellung von hochtemperatursupraleitern
EP13710432.9A EP2828220A2 (de) 2012-03-21 2013-03-20 Verfahren zur herstellung von nanoteilchen mittels einer nicht-wässrige mikroemulsion sowei deren verwendung bei der herstellung von hochtemperatursupraleitern

Publications (1)

Publication Number Publication Date
EP2828220A2 true EP2828220A2 (de) 2015-01-28

Family

ID=47901129

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP13710432.9A Withdrawn EP2828220A2 (de) 2012-03-21 2013-03-20 Verfahren zur herstellung von nanoteilchen mittels einer nicht-wässrige mikroemulsion sowei deren verwendung bei der herstellung von hochtemperatursupraleitern

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9257628B2 (de)
EP (1) EP2828220A2 (de)
JP (1) JP2015520093A (de)
KR (1) KR20140143154A (de)
CN (1) CN104203869A (de)
CA (1) CA2867942A1 (de)
WO (1) WO2013139843A2 (de)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3265429B1 (de) 2015-03-02 2019-09-11 Basf Se Nanopartikel zur verwendung als haftzentren in supraleitern
DK3265430T3 (da) * 2015-03-02 2019-08-26 Basf Se Anvendelse af krystallinske tantaloxidpartikler som pinningcenter i superleder
JP7101051B2 (ja) * 2018-06-07 2022-07-14 東京インキ株式会社 ハフニアナノ粒子、その分散体、樹脂複合体および製造方法、
CN114534528B (zh) * 2022-03-23 2024-10-18 上海大学 一种将氧化物纳米晶分散于高温超导前驱体溶液的方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0280292A2 (de) * 1987-02-26 1988-08-31 Sumitomo Electric Industries Limited Verfahren zur Herstellung einer Schicht aus supraleitendem Oxidmaterial
US5112802A (en) * 1987-08-20 1992-05-12 Sumitomo Electric Co., Ltd. Superconducting ceramics elongated body and method of manufacturing the same

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5057198A (en) 1988-05-19 1991-10-15 Institut Gornogo Dela Sibirskogo Otdelenia Akademii Nauk Sssr Method and electrolyzer for softening water
DE10237915A1 (de) 2002-08-14 2004-03-11 Forschungszentrum Jülich GmbH Hochdichte Keramiken sowie Verfahren zur Herstellung derselben
DE102006025770A1 (de) 2006-05-31 2007-12-13 Jürgen Dr. Dornseiffer Herstellung von Beschichtungslösungen nebst hergestellten Produkten
DE102008004818B4 (de) 2008-01-17 2010-07-15 Zenergy Power Gmbh Nasschemisches Verfahren zur Herstellung eines Hochtemperatursupraleiters

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0280292A2 (de) * 1987-02-26 1988-08-31 Sumitomo Electric Industries Limited Verfahren zur Herstellung einer Schicht aus supraleitendem Oxidmaterial
US5112802A (en) * 1987-08-20 1992-05-12 Sumitomo Electric Co., Ltd. Superconducting ceramics elongated body and method of manufacturing the same

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
CHHABRA VISHAL ET AL: "Nanophase BaFe12O19 synthesized from a nonaqueous microemulsion with Ba- and Fe-containing surfactants", JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH, MATERIALS RESEARCH SOCIETY, WARRENDALE, PA, US, vol. 10, no. 11, 1 November 1995 (1995-11-01), pages 2689 - 2692, XP008161844, ISSN: 0884-2914, [retrieved on 20110303], DOI: 10.1557/JMR.1995.2689 *
See also references of WO2013139843A2 *

Also Published As

Publication number Publication date
JP2015520093A (ja) 2015-07-16
CA2867942A1 (en) 2013-09-26
US20150072863A1 (en) 2015-03-12
WO2013139843A2 (de) 2013-09-26
KR20140143154A (ko) 2014-12-15
US9257628B2 (en) 2016-02-09
WO2013139843A3 (de) 2014-03-20
CN104203869A (zh) 2014-12-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE60009089T2 (de) Organische kolloidale dispersion einkristalliner teilchen einer seltenerdverbindung
DE3877634T2 (de) Verfahren zur herstellung eines mischmetalloxidpulvers.
DE60125114T2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Oxid-Supraleiters
DE602004007187T3 (de) Verfahren zur Herstellung eines porösen Mischoxids
EP0249229B1 (de) Superparamagnetische Feststoffteilchen
WO2013139843A2 (de) Verfahren zur herstellung von nanoteilchen sowie deren verwendung bei der herstellung von hochtemperatursupraleitern
DE60020088T2 (de) Verfahren zur herstellung von feinem pulver aus metallischen nickel mit feinen spherischen teilchen
DE102006027133A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Granat-Leuchtstoffen in einem Pulsationsreaktor
DE102007009075A1 (de) Cer-Zirkonium-Mischoxid und Verfahren zu seiner Herstellung
EP1848663A2 (de) Verfahren zur herstellung von kugelförmigen mischoxid-pulvern in einem heisswandreaktor
DE112010004576T5 (de) Verfahren zur Herstellung eines gesinterten Seltenerdmagneten, gesinterter Seltenerdmagnet und Material dafür
DE2850108A1 (de) Hartferritpulver und verfahren zu seiner herstellung
DE60300173T2 (de) Verfahren zur Herstellung von kristallinem Mischoxidpulver
DE69719211T2 (de) Cerium und zirkonium oxide, mischoxide und feste lösungen mit verbesserte thermische stabilität fur katalyse von abgassysteme und verfahren zur herstellung
DE3806657C2 (de)
DE69513444T2 (de) Präparation von gemischten ultrafeinen Partikeln aus einer PFPE Mikroemulsion
DE60010021T2 (de) Verfahren zur Herstellung von copräzipitierten anorganischen Teilchen
EP1699864A1 (de) Epoxidharz mit erhöhter schlagbiegefestigkeit und bruchdehnung
WO2008037340A2 (de) Polykristalline korundfasern und verfahren zu deren herstellung
DE68924487T2 (de) Verfahren zur herstellung von supraleitern und deren vorläufern.
DE102017008779A1 (de) Particules du type coeur-écorce
EP0658165A1 (de) Dispergiermittel
DE3878334T2 (de) Verfahren zur darstellung zusammengesetzter metalloxide.
DE68909558T2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Materials aus gemischten Metalloxiden und eines Körpers aus diesem Material.
DE3854400T2 (de) Verfahren zur herstellung von supraleitenden oxyden.

Legal Events

Date Code Title Description
PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

17P Request for examination filed

Effective date: 20141015

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A2

Designated state(s): AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR

AX Request for extension of the european patent

Extension state: BA ME

DAX Request for extension of the european patent (deleted)
17Q First examination report despatched

Effective date: 20161104

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: THE APPLICATION IS DEEMED TO BE WITHDRAWN

18D Application deemed to be withdrawn

Effective date: 20170315