EP2483909B1 - Radiation detectors and autoradiographic imaging devices comprising such detectors - Google Patents

Radiation detectors and autoradiographic imaging devices comprising such detectors Download PDF

Info

Publication number
EP2483909B1
EP2483909B1 EP10771801.7A EP10771801A EP2483909B1 EP 2483909 B1 EP2483909 B1 EP 2483909B1 EP 10771801 A EP10771801 A EP 10771801A EP 2483909 B1 EP2483909 B1 EP 2483909B1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
electrons
anode
space
amplification
detector according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Not-in-force
Application number
EP10771801.7A
Other languages
German (de)
French (fr)
Other versions
EP2483909A1 (en
Inventor
Dominique Thers
Romain Berny
Hervé CARDUNER
Jérôme DONNARD
Patrick Le Ray
Eric Morteau
Noël SERVAGENT
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Association pour la Recherche et le Developpement des Methodes et Processus Industriels
Universite de Nantes
Institut Mines Telecom IMT
Original Assignee
Association pour la Recherche et le Developpement des Methodes et Processus Industriels
Universite de Nantes
Institut Mines Telecom IMT
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Association pour la Recherche et le Developpement des Methodes et Processus Industriels, Universite de Nantes, Institut Mines Telecom IMT filed Critical Association pour la Recherche et le Developpement des Methodes et Processus Industriels
Publication of EP2483909A1 publication Critical patent/EP2483909A1/en
Application granted granted Critical
Publication of EP2483909B1 publication Critical patent/EP2483909B1/en
Not-in-force legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J47/00Tubes for determining the presence, intensity, density or energy of radiation or particles
    • H01J47/02Ionisation chambers

Definitions

  • the diffusion space D has a dimension perpendicular to the input and output electrodes 8 of between 2 mm and 3 cm, for example equal to 2 cm.
  • the cathode 5 consists of a conductive adhesive, for example a copper adhesive, bonded to one side of a microscope glass slide. Sample S being disposed on the opposite side of the microscope slide.
  • a conductive adhesive for example a copper adhesive
  • the energy loss of an electron of 100 keV crossing 1 cm of gas is 3.5 keV and that of a 300 keV electron is 1.9 keV. This results in the respective creation of 97 and 52 electron-ion pairs along their path.
  • the creation of primary ionization charges along the trajectory can then be used to characterize the trace of the electron in the detector by a trajectory tracking method according to the invention.
  • the inner layers of the anode 6 are formed of cross-conducting tracks 18.
  • the tracks 18 extend parallel to the first rows of blocks 15.
  • the tracks 18 extend parallel to second rows of blocks 15, perpendicular to the first.
  • the tiles 15 of a row associated with the X coordinate are located on an inner layer different from that connected to the pavers arranged on a row corresponding to the Y coordinate.
  • the tracks 18 are separated from the pavers 15 by an insulator.
  • each pixel is connected to its track by a metallized hole made by laser drilling. With the placement of the tracks diagonally to the pixels, the playback pitch of the tracks is thus 282.84 microns. This pixel pitch is one of the best granularities realized to date in view of the surface for this type of gas detector.
  • a detector according to the invention may comprise more than two amplifying structures.

Landscapes

  • Measurement Of Radiation (AREA)

Description

La présente invention concerne un détecteur de radiations et un dispositif d'imagerie auto radiographique comprenant un tel détecteur.The present invention relates to a radiation detector and an auto radiographic imaging device comprising such a detector.

L'invention concerne plus particulièrement un détecteur de radiation β.The invention more particularly relates to a β radiation detector.

L'intérêt des pharmacologues, médecins ou biologistes pour l'utilisation de l'autoradiographie β est l'obtention, dans un temps relativement court, d'une image précise et bien quantifiée de la répartition de la radioactivité dans un organisme entier pour la biodistribution ou dans un organe pour la réceptologie ou l'hybridation in-situ. L'utilisation d'une large palette de radioéléments émetteurs β permet, aujourd'hui, de réaliser des autoradiographies de quasiment toutes les molécules ou médicaments existants. Les biologistes peuvent également remonter à l'activité volumique en trois dimensions en superposant les différentes images de coupes obtenues.The interest of pharmacologists, physicians or biologists in the use of β-autoradiography is to obtain, in a relatively short time, a precise and well-quantified image of the distribution of radioactivity in an entire organism for biodistribution. or in an organ for receptor or in situ hybridization. The use of a wide range of β-emitting radioelements makes it possible today to perform autoradiographies of virtually all existing molecules or drugs. Biologists can also go back to the volume activity in three dimensions by superimposing the different images of sections obtained.

Il existe dans l'état de la technique des diapositifs de films et d'écrans phosphores permettant de réaliser des études autoradiographiques β.In the state of the art, film slides and phosphor screens are available for performing autoradiographic β studies.

Ces deux techniques sont dites à exposition en aveugle, c'est-à-dire que l'image ne sera obtenue qu'après révélation du support. Cette révélation se fait soit par un laser pour les écrans phosphores soit par un bain chimique pour les films photographiques. Ces techniques présentent l'inconvénient de ne pas permettre de réaliser les études en temps réel.These two techniques are said to blind exposure, that is to say that the image will be obtained after revelation of the support. This revelation is done either by a laser for phosphor screens or by a chemical bath for photographic films. These techniques have the disadvantage of not making it possible to carry out studies in real time.

La demande FR 2 837 000 décrit un détecteur de radiations β permettant une étude en temps réel. Ce détecteur comprend :

  • une enceinte contenant un mélange gazeux de Néon et d'isobutane pour générer des électrons sous l'effet de radiations,
  • une cathode par laquelle pénètrent les radiations à détecter,
  • une anode pour générer des signaux en fonction d'un courant généré par le déplacement de charges au voisinage de cette anode, ces charges correspondent à des électrons dont les radiations sont directement ou indirectement à l'origine,
  • des moyens de polarisation générant un champ électrique adapté pour entraîner des électrons dans une direction allant de la cathode vers l'anode,
  • une structure amplificatrice, située entre la cathode et l'anode, comprenant un espace d'amplification des électrons entre une électrode d'entrée et une électrode de sortie, les électrodes d'entrée et de sortie étant configurées pour que dans l'espace d'amplification règne un premier champ électrique adapté à ce que des électrons soient générés par avalanche dans l'espace d'amplification, l'espace d'amplification débouchant sur au moins une ouverture de l'électrode de sortie, pour laisser passer au moins une partie des électrons générés par avalanche,
  • un espace de dérive situé entre l'électrode de sortie et l'anode, dans lequel règne un deuxième champ électrique adapté à une diffusion, dans des directions perpendiculaires à ce champ, des électrons par diffusion sur les atomes et molécules du milieu contenu dans l'enceinte.
Requirement FR 2,837,000 describes a β radiation detector for real-time study. This detector includes:
  • an enclosure containing a gaseous mixture of neon and isobutane to generate electrons under the effect of radiation,
  • a cathode through which the radiation to be detected penetrates,
  • an anode for generating signals as a function of a current generated by the displacement of charges in the vicinity of this anode, these charges correspond to electrons whose radiation is directly or indirectly at the origin,
  • polarization means generating an electric field adapted to drive electrons in a direction from the cathode to the anode,
  • an amplifying structure, located between the cathode and the anode, comprising an electron amplification gap between an input electrode and an output electrode, the input and output electrodes being configured so that in the space of amplification reigns a first electric field adapted so that electrons are generated by avalanche in the amplification space, the amplification space opening on at least one opening of the output electrode, to let through at least one part of the electrons generated by avalanche,
  • a drift space located between the output electrode and the anode, in which there is a second electric field suitable for diffusion, in directions perpendicular to this field, of electrons by diffusion on the atoms and molecules of the medium contained in the 'pregnant.

Le détecteur décrit dans FR 2 837 000 permet de détecter des émetteurs de basse énergie comme le tritium 3H correspondant à un rayonnement β d'environ 18 keV avec une bonne résolution. Cependant de tel dispositif présente des signaux qui ne sont pas satisfaisants pour des émetteurs de haute énergie.The detector described in FR 2,837,000 can detect low energy emitters such as tritium 3 H corresponding to a β radiation of about 18 keV with a good resolution. However, such a device has signals that are unsatisfactory for high energy transmitters.

Il existe donc un besoin pour un détecteur de rayonnement β qui ne présente pas les inconvénients de l'art antérieur, en particulier qui permet une détection satisfaisante du rayonnement d'émetteurs de hautes énergies en temps réel.There is therefore a need for a β radiation detector which does not have the drawbacks of the prior art, in particular which allows a satisfactory detection of the radiation of high energy emitters in real time.

On connait, d'après le document US-6 011 265 , un détecteur de radiations qui comprend notamment une enceinte, une électrode d'entrée et une électrode de sortie et où la distance entre ces deux électrodes est comprise entre 25 µm et 500 µm. Le document « Parallel ionization multiplier : A gaseous detector dedicated to the tracking of minimum ionization particles » de Beucher et al, divulgue un détecteur dont l'espace d'amplification présente une épaisseur comprise entre 50 µm et 125 µm.We know from the document US-6,011,265 , a radiation detector which notably comprises an enclosure, an input electrode and an output electrode and wherein the distance between these two electrodes is between 25 μm and 500 μm. The document " Parallel ionization multiplier: A gaseous detector dedicated to the tracking of minimum ionization particles " by Beucher et al discloses a detector whose amplification space has a thickness of between 50 .mu.m and 125 .mu.m.

Un but de la présente invention est de proposer un nouveau détecteur de radiations offrant des possibilités d'observation élargies et un dispositif d'imagerie auto radiographique comprenant un tel détecteur.An object of the present invention is to provide a new radiation detector offering expanded viewing possibilities and an auto radiographic imaging device comprising such a detector.

L'invention propose ainsi un détecteur de radiations comprenant:

  • une enceinte contenant un milieu adapté pour générer des électrons sous l'effet de radiations,
  • une cathode par laquelle pénètrent les radiations à détecter,
  • une anode pour générer des signaux en fonction d'un courant généré par le déplacement de charges au voisinage de cette anode, ces charges correspondent à des électrons dont les radiations sont directement ou indirectement à l'origine,
  • des moyens de polarisation générant un champ électrique adapté pour entraîner des électrons dans une direction allant de la cathode vers l'anode,
  • une structure amplificatrice, située entre la cathode et l'anode, comprenant un espace d'amplification des électrons délimité entre une électrode d'entrée et une électrode de sortie, les électrodes d'entrée et de sortie étant configurées pour que dans l'espace d'amplification règne un premier champ électrique E1 adapté à ce que des électrons soient générés par avalanche dans l'espace d'amplification, l'espace d'amplification débouchant sur au moins une ouverture de l'électrode de sortie, pour laisser passer au moins une partie des électrons générés par avalanche,
  • un espace de dérive D situé entre l'électrode de sortie et l'anode, dans lequel règne un deuxième champ électrique E2 adapté à une diffusion, dans des directions perpendiculaires à ce champ E2, des électrons par diffusion sur les atomes et molécules du milieu contenu dans l'enceinte,
où le milieu adapté pour générer des électrons sous l'effet de radiations comprend un gaz comprenant un mélange d'au moins 50% d'un gaz rare et de dioxyde de carbone, par exemple ininflammable, l'espace d'amplification est constitué d'au moins 90% en volume par ledit gaz, et que la distance (e) séparant les électrodes d'entrée (8) et de sortie (9) est supérieure ou égale à 500 µm et inférieure ou égale à 1,5 mm.The invention thus proposes a radiation detector comprising:
  • an enclosure containing a medium adapted to generate electrons under the effect of radiation,
  • a cathode through which the radiation to be detected penetrates,
  • an anode for generating signals as a function of a current generated by the displacement of charges in the vicinity of this anode, these charges correspond to electrons whose radiation is directly or indirectly at the origin,
  • polarization means generating an electric field adapted to drive electrons in a direction from the cathode to the anode,
  • an amplifying structure, located between the cathode and the anode, comprising an electron amplification gap delimited between an input electrode and an output electrode, the input and output electrodes being configured so that in the space of amplification reigns a first electric field E1 adapted so that electrons are generated by avalanche in the amplification space, the amplification space opening on at least one opening of the output electrode, to let pass to least part of the electrons generated by avalanche,
  • a drift space D located between the output electrode and the anode, in which there is a second electric field E2 adapted for diffusion, in directions perpendicular to this field E2, electrons by diffusion on the atoms and molecules of the medium contained in the enclosure,
wherein the medium adapted to generate electrons under the effect of radiation comprises a gas comprising a mixture of at least 50% of a rare gas and carbon dioxide, for example non-flammable, the amplification space consists of at least 90% by volume by said gas, and that the distance (e) separating the input (8) and output (9) electrodes is greater than or equal to 500 μm and less than or equal to 1.5 mm.

Avantageusement, l'utilisation d'un mélange gazeux de Néon et de dioxyde de carbone combiné avec un espace d'amplification d'au moins 500 microns permet d'obtenir un détecteur adapté aux émetteurs de haute énergie.Advantageously, the use of a gaseous mixture of neon and carbon dioxide combined with an amplification space of at least 500 microns makes it possible to obtain a detector adapted to high energy emitters.

Un détecteur selon l'invention peut en outre comporter l'une ou plusieurs des caractéristiques optionnelles suivantes, considérées individuellement ou selon toutes les combinaisons possibles :

  • l'électrode d'entrée de la structure amplificatrice correspond à la cathode ;
  • l'électrode d'entrée est formée d'une face au moins partiellement conductrice d'un échantillon S émetteur de radiations ;
  • le milieu adapté pour générer des électrons sous l'effet de radiations comprend un gaz comprenant un mélange Néon et de dioxyde de carbone, le Néon représentant au moins 85% et au plus 95% en volume du mélange ;
  • la structure amplificatrice est configurée de sorte qu'entre l'électrode d'entrée et de sortie règne un champ électrique d'au moins 2,5 kV/cm ;
  • une deuxième structure amplificatrice, située entre l'espace de dérive et l'anode, comprenant une électrode d'entrée et une seconde électrode, comportant au moins un espace d'amplification des électrons, l'électrode d'entrée et la seconde électrode étant configurées pour que des électrons soient générés par avalanche dans l'espace d'amplification, l'espace de dérive débouchant sur au moins une ouverture de l'électrode d'entrée, la deuxième structure amplificatrice étant configurée de sorte que son gain soit supérieur ou égal à 5000 ;
  • la seconde électrode correspond à l'anode ;
  • l'espace d'amplification situé entre l'électrode d'entrée et l'électrode de sortie est constitué d'au moins 99% en volume par ledit gaz, par exemple 99.97% ;
  • les électrodes d'entrée (8) et de sortie (9) sont constituées de microgrilles ayant une résolution comprise entre 500 et 2000 lpi ; et
  • les microgrilles ont un paramètre de maille compris entre 30 et 50 µm.
A detector according to the invention may further comprise one or more of the following optional features, considered individually or according to all possible combinations:
  • the input electrode of the amplifying structure corresponds to the cathode;
  • the input electrode is formed of an at least partially conductive face of a radiation emitting sample S;
  • the medium adapted to generate electrons under the effect of radiation comprises a gas comprising a Neon mixture and carbon dioxide, the neon representing at least 85% and at most 95% by volume of the mixture;
  • the amplifying structure is configured such that between the input and output electrode an electric field of at least 2.5 kV / cm prevails;
  • a second amplifying structure, located between the drift space and the anode, comprising an input electrode and a second electrode, having at least one electron amplification gap, the input electrode and the second electrode being configured so that electrons are generated by avalanche in the amplification space, the drift space opening on at least one opening of the input electrode, the second amplifying structure being configured so that its gain is greater or equal to 5000;
  • the second electrode corresponds to the anode;
  • the amplification gap between the input electrode and the output electrode is at least 99% by volume by said gas, for example 99.97%;
  • the input (8) and output (9) electrodes consist of microgrits having a resolution between 500 and 2000 lpi; and
  • the microgrids have a mesh parameter of between 30 and 50 μm.

L'invention se rapporte également à un dispositif d'imagerie auto-radiographique comprenant un détecteur et un porte-échantillon, dans lequel la cathode est constituée par un échantillon au moins partiellement conducteur disposé sur le porte échantillon.The invention also relates to a device self-radiographic imaging system comprising a detector and a sample holder, wherein the cathode is constituted by an at least partially conductive sample disposed on the sample holder.

L'invention concerne également une méthode de détermination de la position d'émission des électrons détectés par l'anode d'un détecteur qui comprend les étapes suivantes :

  • détermination des coordonnées d'un point A correspondant aux interactions moyennes des électrons dans l'espace de dérive,
  • détermination des coordonnées d'un point B correspondant aux interactions moyennes des électrons dans l'espace d'amplification de la structure amplificatrice,
  • détermination du point d'émission comme étant le point représentant l'intersection de la droite D passant par les points A et B et le plan d'altitude de référence.
The invention also relates to a method for determining the emission position of the electrons detected by the anode of a detector which comprises the following steps:
  • determination of the coordinates of a point A corresponding to the average interactions of the electrons in the drift space,
  • determination of the coordinates of a point B corresponding to the average interactions of the electrons in the amplification space of the amplifying structure,
  • determining the point of emission as being the point representing the intersection of line D passing through points A and B and the reference altitude plane.

L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui va suivre, donnée uniquement à titre d'exemple et faite en se référant aux dessins annexés dans lesquels :

  • la figure 1 est une coupe schématique perpendiculaire à ses faces principales, d'un premier mode de réalisation d'un détecteur selon l'invention ;
  • la figure 2 est une coupe schématique, dans un plan analogue à celui de la figure 1, d'une partie de l'anode du détecteur représenté sur la figure 1 ;
  • la figure 3 représente schématiquement en perspective les pavés constitutifs de l'anode représentée sur la figure 2 ;
  • la figure 4 représente schématiquement une vue de dessus, l'agencement des pistes croisées de l'anode représentée sur les figures 2 et 3 ;
  • la figure 5 représente schématiquement le mode de connexion des pavés aux pistes de l'anode représentée sur les figures 2, 3 et 4 ;
  • la figure 6 représente schématiquement le détail du multiplexage des pistes d'une anode d'un détecteur selon un mode de réalisation de l'invention,
  • la figure 7 illustre le principe de reconstruction de la position d'émission avec extrapolation de trajectoire,
  • la figure 8 est une coupe schématique, perpendiculaire à ses faces principales, d'un mode de réalisation d'un détecteur selon l'invention.
The invention will be better understood on reading the description which follows, given solely by way of example and with reference to the appended drawings in which:
  • the figure 1 is a schematic section perpendicular to its main faces, a first embodiment of a detector according to the invention;
  • the figure 2 is a schematic section, in a plane similar to that of the figure 1 of a part of the anode of the detector represented on the figure 1 ;
  • the figure 3 schematically represents in perspective the constituent blocks of the anode shown in FIG. figure 2 ;
  • the figure 4 schematically represents a view of above, the arrangement of the crossed tracks of the anode shown on the Figures 2 and 3 ;
  • the figure 5 schematically represents the connection mode of the blocks to the tracks of the anode shown on the Figures 2, 3 and 4 ;
  • the figure 6 schematically represents the detail of the multiplexing of the tracks of an anode of a detector according to one embodiment of the invention,
  • the figure 7 illustrates the principle of reconstruction of the emission position with trajectory extrapolation,
  • the figure 8 is a schematic section, perpendicular to its main faces, of an embodiment of a detector according to the invention.

Pour des raisons de clarté, les différents éléments représentés sur les figures ne sont pas nécessairement à l'échelle.For the sake of clarity, the different elements shown in the figures are not necessarily to scale.

On entend par « émetteurs à haute énergie » au sens de l'invention un émetteur de radiation β dont l'énergie moyenne est supérieure ou égale à 100 keV.The term "high energy emitters" in the sense of the invention means a β radiation emitter whose average energy is greater than or equal to 100 keV.

Selon le premier mode de réalisation, représenté sur la figure 1, le détecteur 1 comporte une enceinte 2 aplatie avec deux faces principales 2a et 2b opposées et parallèles entre elles. Cette enceinte 2 contient un milieu adapté pour émettre des électrons primaires sous l'effet de radiations ionisantes émises par un échantillon S disposé à proximité de l'une des faces principales 2a de l'enceinte 2. Avantageusement, le milieu est constitué d'un mélange gazeux circulant dans l'enceinte 2 entre une entrée 3 et une sortie 4.According to the first embodiment, shown in the figure 1 , the detector 1 comprises a flattened enclosure 2 with two main faces 2a and 2b opposite and parallel to each other. This chamber 2 contains a medium adapted to emit primary electrons under the effect of ionizing radiation emitted by a sample S disposed near one of the main faces 2a of the enclosure 2. Advantageously, the medium consists of a gas mixture circulating in the chamber 2 between an inlet 3 and an outlet 4.

Ce mélange gazeux comprend au moins 50% d'un gaz rare et au moins 5 à 15% de dioxyde de carbone. Les molécules de dioxyde de carbone sont destinées à contrôler le processus d'amplification par avalanche.This gaseous mixture comprises at least 50% of a rare gas and at least 5 to 15% of carbon dioxide. The carbon dioxide molecules are intended for control the avalanche amplification process.

Selon un mode de réalisation de l'invention, le mélange gazeux est choisit de manière à être ininflammable. Avantageusement, la manipulation du détecteur selon l'invention s'en trouve simplifié.According to one embodiment of the invention, the gaseous mixture is chosen so as to be non-flammable. Advantageously, the manipulation of the detector according to the invention is simplified.

Dans le cas particulier de la détection des particules β, ce mélange gazeux est avantageusement à une pression comprise entre 0,5 et 2 bars, par exemple entre 0,9 et 1,1 bars, et comporte un gaz rare dont la densité électronique moyenne est proche de 10 électrons par atome, comme par exemple du néon.In the particular case of the detection of β particles, this gaseous mixture is advantageously at a pressure of between 0.5 and 2 bar, for example between 0.9 and 1.1 bar, and comprises a rare gas whose average electron density is close to 10 electrons per atom, such as neon.

L'enceinte 2 renferme une cathode 5, une anode 6 et une structure amplificatrice 7.The chamber 2 encloses a cathode 5, an anode 6 and an amplifying structure 7.

Dans le mode de réalisation représenté à la figure 1, la cathode 5, l'anode 6 et la structure amplificatrice 7 sont parallèles entre elles et parallèles aux deux faces principales 2a, 2b de l'enceinte 2.In the embodiment shown at figure 1 , the cathode 5, the anode 6 and the amplifying structure 7 are parallel to each other and parallel to the two main faces 2a, 2b of the enclosure 2.

L'anode 6 est située à proximité de la face 2b de l'enceinte 2 opposée à celle 2a à proximité de laquelle se trouve l'échantillon S.The anode 6 is located near the face 2b of the chamber 2 opposite that 2a near which is the sample S.

La structure amplificatrice 7 est située entre la cathode 5 et l'anode 6. L'espace de l'enceinte 2 situé entre la cathode 5 et la structure amplificatrice 6 constitue un espace de conversion C. Les radiations ionisantes émises par l'échantillon S pénètrent dans l'espace de conversion C par la cathode 5.The amplifying structure 7 is situated between the cathode 5 and the anode 6. The space of the enclosure 2 situated between the cathode 5 and the amplifying structure 6 constitutes a conversion space C. The ionizing radiations emitted by the sample S enter the conversion space C through the cathode 5.

L'espace de l'enceinte 2 situé entre la structure amplificatrice 7 et l'anode 6 constitue un espace de diffusion D.The space of the chamber 2 located between the amplifying structure 7 and the anode 6 constitutes a diffusion space D.

La structure amplificatrice 7 comporte une électrode d'entrée 8 et une électrode de sortie 9 sensiblement parallèles à la cathode 5 et l'anode 6 et délimitant un espace d'amplification A.The amplifying structure 7 comprises an input electrode 8 and an output electrode 9 substantially parallel to the cathode 5 and the anode 6 and delimiting an amplification space A.

Selon un mode de réalisation de l'invention, l'espace d'amplification situé entre l'électrode d'entrée et l'électrode de sortie est constitué d'au moins 99% en volume par ledit gaz, par exemple 99.97%.According to one embodiment of the invention, the amplification gap between the input electrode and the output electrode is at least 99% by volume by said gas, for example 99.97%.

Le document US 6 011 265 présente un compteur à trou. Ce type de microstructure souffre d'une limitation intrinsèque provenant de la densité limitée de canaux d'amplifications. Ainsi ces types de microstructures présentent un étage d'amplification principalement composé de matériaux isolants et solides permettant de délimiter les trous au sein desquels sont confinées les avalanches.The document US 6,011,265 has a hole counter. This type of microstructure suffers from an intrinsic limitation arising from the limited density of amplification channels. Thus, these types of microstructures have an amplification stage consisting mainly of insulating and solid materials for delimiting the holes in which the avalanches are confined.

De tels détecteurs de radiation ne peuvent en aucun cas être utilisés pour générer des électrons par un autre principe que celui des avalanches. Ce faisant, ils ne peuvent être utilisés par exemple pour générer les électrons issus de l'interaction de la particule ionisante avec le gaz comme selon la présente invention.Such radiation detectors can in no way be used to generate electrons by another principle than that of avalanches. In doing so, they can not be used for example to generate the electrons resulting from the interaction of the ionizing particle with the gas as according to the present invention.

Des moyens de polarisation 10 sont reliés à la cathode 5, à l'anode 6 et aux électrodes d'entrée 8 et de sortie 9. Ils permettent de porter la cathode 5 à un potentiel V1, l'anode 6 à un potentiel V2, l'électrode d'entrée 8 à un potentiel V3 et l'électrode de sortie 9 à un potentiel V4.Polarization means 10 are connected to the cathode 5, to the anode 6 and to the input and output electrodes 8 and 8. They enable the cathode 5 to be carried at a potential V1, the anode 6 at a potential V2, the input electrode 8 at a potential V3 and the output electrode 9 at a potential V4.

Selon un mode de réalisation de l'invention, ces potentiels vérifient V2 > V4 > V3 > V1.According to one embodiment of the invention, these potentials satisfy V2> V4> V3> V1.

Dans un mode de réalisation de l'invention, les électrodes d'entrée 8 et de sortie 9 sont espacées d'une distance e supérieure ou égale à 500 µm et inférieure ou égale à 1.5 mm.In one embodiment of the invention, the input and output electrodes 8 and 8 are spaced apart by a distance greater than or equal to 500 μm and less than or equal to 1.5 mm.

L'espace de diffusion D a une dimension perpendiculaire aux électrodes d'entrée 8 et de sortie 9 comprise entre 2 mm et 3 cm, par exemple égale à 2 cm.The diffusion space D has a dimension perpendicular to the input and output electrodes 8 of between 2 mm and 3 cm, for example equal to 2 cm.

Selon un mode de réalisation de l'invention, l'anode 6 est reliée à la masse. La cathode 5, l'électrode d'entrée 8 et l'électrode de sortie 9 sont portées à des potentiels négatifs.According to one embodiment of the invention, the anode 6 is connected to ground. The cathode 5, the input electrode 8 and the output electrode 9 are brought to negative potentials.

Les moyens de polarisation 10 permettent ainsi de créer des champs électriques E1, E2, E3 respectivement dans l'espace de conversion C dans l'espace d'amplification A et dans l'espace de diffusion D. Les moyens de polarisation 10 entraînent les électrons de la cathode 5 vers l'anode 6.The polarization means 10 thus make it possible to create electric fields E1, E2, E3 respectively in the conversion space C in the amplification space A and in the diffusion space D. The polarization means 10 drive the electrons from the cathode 5 to the anode 6.

Selon un mode de réalisation, l'électrode d'entrée 8 de la structure amplificatrice 7 est confondue avec la cathode 5. L'électrode d'entrée 8 est formée d'une face au moins partiellement conductrice de l'échantillon S.According to one embodiment, the input electrode 8 of the amplifying structure 7 coincides with the cathode 5. The input electrode 8 is formed of an at least partially conductive face of the sample S.

Selon un mode de réalisation, la cathode 5 peut être constituée d'une plaque mince électriquement conductrice d'une épaisseur sensiblement égale à 5 µm.According to one embodiment, the cathode 5 may consist of an electrically conductive thin plate with a thickness substantially equal to 5 microns.

Selon un mode de réalisation de l'invention, la cathode 5 est constituée d'un adhésif conducteur, par exemple un adhésif en cuivre, collé sur une face d'une lame de verre pour microscope. L'échantillon S étant disposé sur la face opposée de la lame de microscope.According to one embodiment of the invention, the cathode 5 consists of a conductive adhesive, for example a copper adhesive, bonded to one side of a microscope glass slide. Sample S being disposed on the opposite side of the microscope slide.

Les électrodes d'entrée 8 et de sortie 9 peuvent être constituées de microgrilles de type MICROMEGAS.The input electrodes 8 and output 9 may consist of microgrids MICROMEGAS type.

Avantageusement, les microgrilles présentent une épaisseur inférieure ou égale à 10 µm, par exemple égale à 5 µm permettant des transitions de champs électriques très rapides.Advantageously, the microgrids have a thickness less than or equal to 10 microns, for example equal to 5 microns allowing very fast electric field transitions.

Il existe principalement deux types de microgrilles : les microgrilles électroformées et les microgrilles gravées par procédé chimique.There are two main types of microgrids: electroformed microgrids and chemically etched microgrits.

Les microgrilles électroformées sont à l'origine utilisées comme filtres de haute précision mais leurs bonnes caractéristiques, en particulier leurs motifs fins, réguliers et de faible épaisseur, en font des candidates très intéressantes pour une utilisation dans les détecteurs selon l'invention. Elles sont généralement en nickel d'une épaisseur voisine de 5 µm et possèdent des trous carrés de 39 µm de côté séparés par des barreaux de 11 µm qui leur confèrent un pas de 51 µm pour une grille de 500 lpi (Line per Inch). Il existe cependant toutes sortes de géométries et de tailles allant de 100 à 2 000 lpi avec des tailles allant de 7 à 11 pouces. Le procédé d'électroformage ne permet cependant pas de contrôler précisément l'épaisseur de la microgrille en particulier sur les bords où elle peut varier du simple au double. Cependant, pour le centre de la microgrille, l'épaisseur est bien maîtrisée.Electroformed microgrids are originally used as high precision filters but their good characteristics, in particular their thin, regular and thin patterns, make them very attractive candidates for use in detectors according to the invention. They are usually in nickel with a thickness of about 5 microns and have square holes of 39 microns apart separated by bars of 11 microns which give them a pitch of 51 microns for a grid of 500 lpi (Line per Inch). However, there are all kinds of geometries and sizes ranging from 100 to 2000 lpi with sizes ranging from 7 to 11 inches. The electroforming method, however, does not allow precise control of the thickness of the microgrid, in particular on the edges where it can vary from single to double. However, for the center of the microgrid, the thickness is well controlled.

Les microgrilles gravées par procédé chimique ont une surface de 25x25 cm2 et une épaisseur de 5 µm, elles possèdent des trous circulaires de 30 µm de diamètre disposés en mailles triangulaires équilatérales au pas de 60 µm. Le procédé de fabrication autorise l'incorporation directe de l'espaceur isolant à la grille sous la forme de plots en Kapton™ de 80 µm de diamètre disposés tous les 3 mm. Du fait de leur faible surface, ils permettent de réduire drastiquement la zone morte entre la grille et le support à environ 0,05 % de la surface de la grille. L'avantage de ce procédé de gravure chimique est la maîtrise de l'épaisseur de la grille sur toute sa surface contrairement aux grilles électroformées.The microgrits etched by a chemical process have a surface of 25x25 cm 2 and a thickness of 5 μm, they have circular holes 30 μm in diameter arranged in equilateral triangular mesh at a pitch of 60 μm. The manufacturing process allows direct incorporation of the insulating spacer to the grid in the form of Kapton ™ pads of 80 μm in diameter arranged every 3 mm. Due to their small surface area, they make it possible to drastically reduce the dead zone between the grid and the support to approximately 0.05% of the surface of the grid. The advantage of this chemical etching process is the control of the thickness of the grid over its entire surface unlike the electroformed grids.

Selon un mode de réalisation, les électrodes d'entrée 8 et de sortie 9 sont respectivement chacune constituées d'une plaque mince électriquement conductrice, de faible épaisseur et percée d'ouvertures de faibles tailles. A titre d'exemple, les ouvertures ont une forme de carré de 35 µm de côté espacées les unes des autres avec un pas de 50 µm qui correspond sensiblement à un nombre d'ouverture par pouce linéaire de 500 lpi. On peut aussi utiliser les électrodes d'entrée 8 et de sortie 9 de 2 500 lpi ce qui correspond sensiblement à des ouvertures de 8 µm espacées de 10 µm. De telles électrodes d'entrée 8 et de sortie 9 forment chacune une grille, qui compte-tenu de la faible taille des ouvertures, peut être désignée « microgrille ». De telles microgrilles ont été décrites par exemple dans le document EP855086 .According to one embodiment, the input and output electrodes 8 and 8 respectively consist of an electrically conductive thin plate, of small thickness and pierced with small openings. For example, the apertures have a square shape of 35 μm spaced from each other with a pitch of 50 microns which corresponds substantially to an opening number per linear inch of 500 lpi. It is also possible to use the input and output electrodes 8 of 2500 lpi, which corresponds substantially to 8 μm openings spaced 10 μm apart. Such input electrodes 8 and output 9 each form a gate, which given the small size of the openings, can be called "microgrid". Such microgrids have been described for example in the document EP855086 .

La distance e séparant les électrodes d'entrée 8 et de sortie 9 est supérieure ou égale à 500 µm et inférieure ou égale à 1,5 mm.The distance e separating the input electrode 8 and output electrode 9 is greater than or equal to 500 μm and less than or equal to 1.5 mm.

En effet, les contraintes associées aux électrons de haute énergie sont différentes de celles associées aux électrons de basse énergie. Les électrons de haute énergie parcourent des distances beaucoup plus importantes dans le gaz. Leur parcours pratique Rp est relativement important puisqu'il est de l'ordre de 20 cm. Un électron de 300 keV parcourra près d'un mètre dans du gaz avant d'être arrêté.Indeed, the constraints associated with high energy electrons are different from those associated with low energy electrons. High energy electrons travel much larger distances in the gas. Their practical path R p is relatively important since it is of the order of 20 cm. An electron of 300 keV will travel nearly a meter in gas before being shut down.

Les inventeurs ont mesuré l'altitude de la première interaction et l'énergie déposée lors de la première interaction avec le gaz pour du 46SC (Emax = 356 keV) et du 32P (Emax = 1710 keV) . L'émission est supposée isotrope dans l'espace. La première interaction engendre un dépôt d'énergie moyen de 49,83 eV pour le phosphore et de 61,93 eV pour le scandium à une altitude respective de 589 et 157 µm. Ces interactions ont lieu à des distances importantes du point d'émission ce qui se traduit par la création de peu de paires électron-ion dans l'espace d'amplification 7 au contact de la source S.The inventors measured the altitude of the first interaction and the energy deposited during the first interaction with the gas for 46 SC (E max = 356 keV) and 32 P (E max = 1710 keV). The emission is supposed to be isotropic in space. The first interaction generates an average energy deposit of 49.83 eV for phosphorus and 61.93 eV for scandium at a respective altitude of 589 and 157 μm. These interactions take place at significant distances from the emission point which results in the creation of few electron-ion pairs in the amplification space 7 in contact with the source S.

Pour gagner en efficacité et en statistique de création de paires, les inventeurs proposent d'utiliser un espace d'amplification relativement important.To gain efficiency and statistics of pair creation, the inventors propose using a relatively large amplification space.

La perte d'énergie d'un électron de 100 keV traversant 1 cm de gaz est de 3,5 keV et celle d'un électron de 300 keV est de 1,9 keV. Cela se traduit par la création respective de 97 et 52 paires électron-ion le long de leur parcours. La création de charges d'ionisation primaire le long de la trajectoire peut alors être mise à profit pour caractériser la trace de l'électron dans le détecteur par une méthode de suivi de la trajectoire selon l'invention.The energy loss of an electron of 100 keV crossing 1 cm of gas is 3.5 keV and that of a 300 keV electron is 1.9 keV. This results in the respective creation of 97 and 52 electron-ion pairs along their path. The creation of primary ionization charges along the trajectory can then be used to characterize the trace of the electron in the detector by a trajectory tracking method according to the invention.

Les potentiels V3 et V4 des électrodes d'entrée 8 et de sortie 9 sont choisis de manière à ce que dans l'espace d'amplification A règne un champ électrique E2 adapté à ce que des électrons soient générés par avalanche dans l'espace d'amplification A.The potentials V3 and V4 of the input and output electrodes 8 and 9 are chosen so that in the amplification space A an electric field E2 is present, adapted to the fact that electrons are generated by avalanche in the space d amplification A.

Le phénomène d'avalanche électronique se produit lorsque des électrons arrivent dans une zone de fort champ électrique typiquement de quelques dizaines de kV/cm. L'énergie qu'ils vont acquérir entre deux collisions va devenir suffisamment importante pour qu'ils produisent à leur tour des interactions ionisantes. Les électrons d'ionisation ainsi créés vont alors être accélérés et donner lieu à d'autres ionisations.The phenomenon of electronic avalanche occurs when electrons arrive in an area of strong electric field typically of a few tens of kV / cm. The energy they will acquire between two collisions will become important enough that they in turn produce ionizing interactions. The ionization electrons thus created will then be accelerated and give rise to other ionizations.

Dans le cas de microgrilles de type MICROMEGAS, il est possible de considérer que les lignes de champ sont parallèles. Par conséquent, l'augmentation du nombre d'électrons dn après un parcours dx se traduit par : d n = n α T d x

Figure imgb0001
où :

  • n : nombre d'électrons à une position donnée,
  • αT : premier coefficient de Townsend défini comme étant la probabilité de faire une interaction ionisante par unité de longueur : αT = 1/λ,
  • λ : libre parcours moyen (distance moyenne que doit parcourir un électron avant de faire une interaction ionisante).
En intégrant sur la distance x parcourue, on obtient : n = n 0 e α T x
Figure imgb0002
où :
  • n 0 : nombre initial d'électrons créés par l'ionisation,
  • x : distance parcourue.
Le gain G du détecteur est alors défini comme le rapport entre le nombre d'électrons présents après une longueur x sur le nombre d'électrons initial. Ce qui se traduit par : G = n n 0 = e α T x
Figure imgb0003
Pour un mélange gazeux donné αT dépend uniquement de la valeur du champ électrique et de la pression du gaz. Il est nécessaire que αT soit alors plus grand que le coefficient d'attachement électronique ηe pour constater l'amplification. αT et ηe représentent respectivement le nombre de paires électron-ion créées et le nombre d'électrons recapturés par unité de longueur. Les inventeurs ont observé que le champ électrique doit être supérieur à 2,5 kV/cm dans un mélange gazeux de type Néon+10% CO2 pour amorcer le phénomène d'amplification.In the case of microgrids of the MICROMEGAS type, it is possible to consider that the field lines are parallel. Therefore, the increase in the number of electrons after a dx path results in: d not = not α T d x
Figure imgb0001
or :
  • n : number of electrons at a given position,
  • α T : Townsend's first coefficient defined as the probability of doing an ionizing interaction per unit length: α T = 1 / λ,
  • λ : average free path (average distance traveled by an electron before making an ionizing interaction).
By integrating on the x distance traveled, we obtain: not = not 0 e α T x
Figure imgb0002
or :
  • n 0 : initial number of electrons created by the ionization,
  • x : distance traveled.
The gain G of the detector is then defined as the ratio between the number of electrons present after a length x on the initial number of electrons. Which results in: BOY WUT = not not 0 = e α T x
Figure imgb0003
For a given gas mixture α T depends only on the value of the electric field and the pressure of the gas. It is necessary that α T is then greater than the electronic attachment coefficient η e to observe the amplification. α T and η e represent respectively the number of electron-ion pairs created and the number of electrons recaptured per unit length. The inventors have observed that the electric field must be greater than 2.5 kV / cm in a Neon-type gas mixture + 10% CO 2 to initiate the amplification phenomenon.

Comme représenté sur la figure 2, l'anode 6 présente une structure multicouche planaire. Elle comporte une couche externe 15 et deux couches internes 16, et un plan de masse 17, le tout reposant sur un substrat 28 isolant.As shown on the figure 2 , the anode 6 has a planar multilayer structure. It comprises an outer layer 15 and two inner layers 16, and a ground plane 17, all resting on an insulating substrate 28.

Comme représenté sur la figure 3, la couche externe 16 est segmentée en anodes élémentaires ou pavés 15 formant un réseau bidimensionnel en damier dont les rangées sont alignées selon des axes de coordonnées X et Y. Chaque pavé 15 forme un carré de moins d'un millimètre de côté, par exemple de 650 µm. Les pavés 15 sont alternativement affectés à la lecture de l'une ou l'autre des coordonnées X et Y. Deux pavés 15 voisins ne mesurent pas la position selon la même coordonnée. L'espace entre les pavés 15 est le plus faible possible, mais doit permettre de conserver une parfaite isolation entre eux. Avantageusement, cet espace est inférieur ou égal à 100 um.As shown on the figure 3 the outer layer 16 is segmented into elementary anodes or blocks 15 forming a two-dimensional checkerboard network whose rows are aligned along X and Y coordinate axes. Each block 15 forms a square of less than one millimeter on a side, for example of 650 μm. The blocks 15 are alternately assigned to reading one or the other X and Y coordinates. Two neighboring tiles do not measure the position according to the same coordinate. The space between the pavers 15 is as small as possible, but must allow to maintain a perfect insulation between them. Advantageously, this space is less than or equal to 100 μm.

Comme représenté sur la figure 4, les couches internes de l'anode 6 sont formées de pistes 18 conductrices croisées. Sur l'une des couches internes 16, les pistes 18 s'étendent parallèlement à des premières rangées de pavés 15. Sur l'autre des couches internes 16, les pistes 18 s'étendent parallèlement à des deuxièmes rangées de pavés 15, perpendiculaires aux premières. Selon cet exemple, les pavés 15 d'une rangée associée à la coordonnée X sont situés sur une couche interne différente de celle reliée aux pavés disposés sur une rangée correspondant à la coordonnée Y. Les pistes 18 sont séparées des pavés 15 par un isolant à travers lequel sont percés des trous de liaison 19 (connus de l'homme du métier sous l'expression anglo-saxonne « via hole »), tapissés d'un matériau conducteur électrique afin d'assurer la connexion électrique des pavés 15 avec les pistes 18 de l'une ou l'autre des couches internes 16 (voir figure 2). Les trous de liaison 19 ont par exemple un diamètre de 100 microns.As shown on the figure 4 the inner layers of the anode 6 are formed of cross-conducting tracks 18. On one of the inner layers 16, the tracks 18 extend parallel to the first rows of blocks 15. On the other of the inner layers 16, the tracks 18 extend parallel to second rows of blocks 15, perpendicular to the first. According to this example, the tiles 15 of a row associated with the X coordinate are located on an inner layer different from that connected to the pavers arranged on a row corresponding to the Y coordinate. The tracks 18 are separated from the pavers 15 by an insulator. through which are drilled connecting holes 19 (known to those skilled in the art under the term "Via Hole"), lined with an electrically conductive material to ensure the electrical connection of the pavers 15 with the tracks 18 of one or the other of the inner layers 16 (see figure 2 ). The connecting holes 19 have for example a diameter of 100 microns.

Les pistes 18 sont séparées les unes des autres d'une distance la plus faible possible tout en conservant une parfaite isolation entre elles. Le fait de disposer les pistes en couches superposées isolées les unes des autres permet de gagner en intégration tout en conservant la qualité d'isolation requise.The tracks 18 are separated from each other by as little distance as possible while maintaining perfect insulation between them. Laying the tracks in overlapping layers isolated from each other allows to gain integration while maintaining the required quality of insulation.

Les pavés 15, grâce aux pistes 18, sont reliés à des amplificateurs rapides 20 eux-mêmes reliés, via des voies électroniques de lecture, à des moyens électroniques de traitement 21 (voir figure 4).The blocks 15, thanks to the tracks 18, are connected to fast amplifiers 20 themselves connected, via electronic reading channels, to electronic processing means 21 (see FIG. figure 4 ).

Pour limiter le nombre de voies électroniques de lecture, et par conséquent le coût du détecteur 1, plusieurs pavés 15 appartenant à une même rangée peuvent être reliés à une même piste 18. Le nombre de pavés 15 séparant deux pavés connectés entre eux dépend de leur taille et de la technologie utilisée pour les réaliser.To limit the number of electronic reading channels, and therefore the cost of the detector 1, several tiles belonging to the same row can be connected to the same track 18. The number of tiles 15 separating two blocks connected to each other depends on their size and the technology used to achieve them.

A titre d'exemple, ainsi que représenté sur la figure 5, chaque piste 18 relie de manière périodique, dans une rangée, un pavé 15 sur quatre. Comme deux pavés voisins sont reliés respectivement à des pistes 18 s'étendant selon les axes X et Y, une piste X1 relie deux pavés espacés de trois pavés, ces trois pavés comprenant deux pavés voisins des deux pavés reliés à la piste X1, eux-mêmes reliés respectivement aux piste Y1 et Y7, séparés par un pavé relié à une piste X2, cet agencement étant reproduit sur l'ensemble du damier constitué des pavés 15 (sur la figure 5, deux pavés 15 connectés entre eux sont représentés par des motifs identiques).For example, as shown on the figure 5 each track 18 periodically connects, in a row, one of four pavers. As two neighboring blocks are respectively connected to tracks 18 extending along the X and Y axes, a track X1 connects two blocks spaced from three blocks, these three blocks comprising two adjacent blocks of the two blocks connected to the track X1, themselves. they are respectively connected to the tracks Y1 and Y7, separated by a block connected to a track X2, this arrangement being reproduced on the whole of the checkerboard consisting of the blocks 15 (on the figure 5 two blocks 15 connected to each other are represented by identical patterns).

Selon un mode de réalisation, l'anode 9 peut être divisée en 32 400 pixels élémentaires de 170x170 µm2 réalisés par découpe laser dans un plan de cuivre. Cette technologie permet de réduire la distance isolante interpiste à 30 µm contrairement à la gravure chimique dont la distance isolante minimale est de 75 µm. Le pas des pixels est ainsi de 200 µm dans les deux directions X et Y. Les pistes de lecture auxquelles sont reliés les pixels sont sur deux plans différents. Le plancher comporte 128 pistes en X et 128 pistes en Y. Elles sont placées diagonalement par rapport aux pixels comme le montre la figure 6 et multiplexées géométriquement à la façon d'un échiquier. Un pixel sur deux est relié à une piste X et les autres à une piste Y. Pour une direction de lecture considérée, 64 pistes sont lues d'un côté et les 64 autres sont lues de l'autre côté. Chaque pixel est relié à sa piste par un trou métallisé réalisé par perçage laser. Avec le placement des pistes en diagonale par rapport aux pixels, le pas de lecture des pistes est ainsi de 282,84 µm. Ce pas de pixelisation est l'une des meilleures granularités réalisées à ce jour au vue de la surface pour ce type de détecteur gazeux.According to one embodiment, the anode 9 can be divided into 32 400 elementary pixels of 170 × 170 μm 2 made by laser cutting in a copper plane. This technology makes it possible to reduce the interpolation insulating distance to 30 μm unlike chemical etching whose minimum insulating distance is 75 μm. The pitch of the pixels is thus 200 μm in the two directions X and Y. The reading tracks to which the pixels are connected are in two different planes. The floor has 128 tracks in X and 128 tracks in Y. They are placed diagonally with respect to the pixels as the figure 6 and geometrically multiplexed like a chessboard. Every second pixel is connected to one X track and the other one to a Y track. For a given playback direction, 64 tracks are played on one side and the other 64 are played on the other side. Each pixel is connected to its track by a metallized hole made by laser drilling. With the placement of the tracks diagonally to the pixels, the playback pitch of the tracks is thus 282.84 microns. This pixel pitch is one of the best granularities realized to date in view of the surface for this type of gas detector.

La planéité de l'anode est assurée par un collage sur un plan de référence en aluminium de 8 mm d'épaisseur.The flatness of the anode is ensured by gluing on an 8 mm thick aluminum reference plane.

En référence à la figure 1, lorsqu'une particule ionisante I est émise par l'échantillon S et qu'elle pénètre dans un détecteur 1 par la face 2a de celui-ci à l'opposé de celle voisine de l'anode 6, elle traverse l'espace de conversion C dans laquelle elle interagit avec le mélange gazeux et génère des électrons primaires. Ces électrons primaires, sous l'effet du champ électrique E1 gagnent l'espace d'amplification A dans lequel ils sont multipliés par le phénomène d'avalanche électronique pour former un nuage d'électrons 23.With reference to the figure 1 when an ionizing particle I is emitted by the sample S and it enters a detector 1 by the face 2a thereof opposite to that adjacent to the anode 6, it passes through the space of C conversion in which it interacts with the gas mixture and generates primary electrons. These primary electrons, under the effect of the electric field E1, gain the amplification space A in which they are multiplied by the electronic avalanche phenomenon to form an electron cloud 23.

Une partie de ce nuage d'électrons 23 traverse ensuite l'électrode de sortie 9 et pénètre dans l'espace de diffusion D. Le champ électrique E3 régnant dans l'espace de diffusion D est modéré, par exemple inférieur ou égal à 10 kV/cm et propice à un étalement latéral du nuage d'électrons 23 par diffusion des électrons qui le constitue sur les atomes et molécules du gaz.Part of this cloud of electrons 23 then passes through the output electrode 9 and enters the diffusion space D. The electric field E3 prevailing in the diffusion space D is moderate, for example less than or equal to 10 kV / cm and conducive to a lateral spread of the electron cloud 23 by diffusion of the electrons which constitutes it on the atoms and molecules of the gas.

Le suivi d'une particule β consiste, à partir du parcours de l'électron dans le gaz, à remonter par une reconstitution géométrique au point d'émission dans l'échantillon S. Cette méthode de suivi suppose que la trajectoire des électrons de haute énergie s'effectue en ligne droite sans déviation d'angle importante et que les coordonnées de la droite extrapolant le parcours de l'électron puisse être déterminé à partir de deux points caractéristiques de la trajectoire mesurée. Le premier point se situant dans l'espace d'amplification A et le second dans l'espace de diffusion D.The tracking of a particle β consists, starting from the path of the electron in the gas, to go up by a geometric reconstruction at the emission point in the sample S. This tracking method assumes that the trajectory of the electrons of high energy is made in a straight line without significant angle deviation and that the coordinates of the line extrapolating the path of the electron can be determined from two points characteristic of the measured trajectory. The first point lying in the amplification space A and the second in the diffusion space D.

Comme explicité ci-dessus, la perte d'énergie d'un électron de 100 keV traversant 1 cm de gaz est d'environ 3,5 keV. Cette perte d'énergie est négligeable devant l'énergie incidente de la particule β. De ce fait, il peut être considéré que la particule ne sera pas ou très peu déviée en traversant 1 cm de gaz et que sa trajectoire sera une ligne droite.As explained above, the energy loss of an electron of 100 keV crossing 1 cm of gas is about 3.5 keV. This loss of energy is negligible compared to the incident energy of the β particle. Therefore, it can be considered that the particle will not be or very little deflected through 1 cm of gas and that its trajectory will be a straight line.

Comme expliqué précédemment, un électron qui arrive sur l'anode aura traversé l'espace d'amplification A et l'espace de diffusion D. Les deux espaces différents traversés par l'électron permettent de remonter aux deux points caractéristiques de la droite constituant la trajectoire de l'électron.As explained previously, an electron that arrives on the anode will have crossed the amplification space A and the diffusion space D. The two different spaces crossed by the electron make it possible to go up to the two characteristic points of the straight line constituting the trajectory of the electron.

Le premier point correspondant au point moyen des interactions dans l'espace d'amplification Λ, est déterminé à partir des interactions de l'électron dans l'espace d'amplification A. La faible perte d'énergie associée à la petite épaisseur de gaz traversé permet de déterminer la position moyenne dans cet espace en utilisant une méthode dite du barycentre.The first point corresponding to the mean point of the interactions in the amplification space Λ, is determined from the interactions of the electron in the amplification space A. The low energy loss associated with the small thickness of gas traversed makes it possible to determine the average position in this space using a so-called barycenter method.

Le second point de la droite extrapolant le parcours de l'électron, est déterminé à partir des interactions de l'électron dans l'espace de diffusion D. Le fait que la particule dépose son énergie de manière quasi continue dans le milieu qu'elle traverse, permet de considérer que l'altitude moyenne des interactions se situe au milieu de la hauteur de l'espace de diffusion.The second point of the line extrapolating the path of the electron is determined from the interactions of the electron in the diffusion space D. The fact that the particle deposits its energy almost continuously in the medium it through, allows to consider that the average altitude of the interactions is in the middle of the height of the space of diffusion.

Cela permet alors de déterminer le second point caractéristique de la droite.This then makes it possible to determine the second characteristic point of the line.

La figure 7 illustre le principe de reconstitution d'émission par la méthode d'extrapolation de la trajectoire. La courbe TR représentée sur la figure 7 représente la trajectoire réelle d'un électron projetée dans la direction X, et la droite TC la droite représentant la trajectoire calculée de l'électron projetée dans la direction X.The figure 7 illustrates the principle of reconstruction of emission by the method of extrapolation of the trajectory. The curve TR represented on the figure 7 represents the real trajectory of an electron projected in the X direction, and the line TC the line representing the calculated trajectory of the projected electron in the X direction.

La moyenne de la distribution spatiale de la charge dans l'espace de diffusion D nous donne le point A correspondant à l'altitude moyenne des interactions dans cet espace de diffusion D. La même méthode appliquée pour l'espace d'amplification A nous conduit au point B. La méthode de reconstruction par extrapolation géométrique consiste alors à assimiler la trajectoire de la particule β à une droite TD passant par ces deux points. La position d'émission extrapolée est alors donnée comme le point représentant l'intersection de cette droite avec la droite correspondant à une altitude nulle. De la même manière on peut évaluer la position d'émission dans la direction Y.The average of the spatial distribution of the charge in the diffusion space D gives us the point A corresponding to the average altitude of the interactions in this diffusion space D. The same method applied for the amplification space A leads us in point B. The geometric extrapolation reconstruction method then consists of assimilating the trajectory of the β particle to a line TD passing through these two points. The extrapolated emission position is then given as the point representing the intersection of this line with the line corresponding to a zero altitude. In the same way it is possible to evaluate the emission position in the Y direction.

Nous obtenons alors : X e m = X m A Z c A X m A X m D Z c A Z c D

Figure imgb0004
et Y e m = Y m A Z c A Y m A Y m D Z c A Z c D
Figure imgb0005

  • avec (Xem, Yem, 0) les coordonnées du point d'émission, et (XmA, YmA, ZcA) les coordonnées du point correspondant à la moyenne de la distribution spatiale de charge dans l'espace d'amplification A,
  • (XmD, YmD, ZcD) les coordonnées du point correspondant à la moyenne de la distribution spatiale de charge dans l'espace de diffusion D,
avec dans le cas du 46Sc, d'un espace d'amplification de 50 µm et d'un espace de dérive de 1 cm :
  • ZcA -123µm,
  • ZcD =5 500µm
We then get: X e m = X m AT - Z vs AT X m AT - X m D Z vs AT - Z vs D
Figure imgb0004
and Y e m = Y m AT - Z vs AT Y m AT - Y m D Z vs AT - Z vs D
Figure imgb0005
  • with (X em , Y em , 0) the coordinates of the point of emission, and (X mA , Y mA , Z cA ) the coordinates of the point corresponding to the mean of the spatial distribution of charge in the amplification space AT,
  • (X MD , Y MD , Z CD ) the coordinates of the point corresponding to the mean of the spatial distribution of charge in the diffusion space D,
with in the case of 46 Sc, an amplification space of 50 μm and a drift space of 1 cm:
  • Z cA -123 μm ,
  • Z cD = 5,500 μm

Ces coefficients sont définis en fonction de l'émetteur en particulier pour la composante de l'espace d'amplification, et de la géométrie.These coefficients are defined according to the emitter in particular for the component of the amplification space, and the geometry.

Selon un mode de réalisation représenté à la figure 8, le détecteur comprend en outre une deuxième structure amplificatrice 30 située entre l'espace de diffusion D et l'anode 6. Cette deuxième structure amplificatrice 30 comprenant une électrode d'entrée 31 et une électrode de sortie 32, par exemple confondues avec l'anode 6, comportant au moins un espace d'amplification A2 des électrons. L'électrode d'entrée 31 et l'électrode de sortie 32 étant configurées pour que les électrons soient générés par avalanche dans l'espace d'amplification A2, l'espace de diffusion D débouchant sur au moins une ouverture de l'électrode d'entrée 31, la deuxième structure amplificatrice 30 étant configurée de sorte que son gain soit supérieur ou égal à 5 000.According to an embodiment shown in figure 8 , the detector further comprises a second amplifying structure 30 located between the diffusion space D and the anode 6. This second amplifying structure 30 comprising an input electrode 31 and an output electrode 32, for example merged with the anode 6, comprising at least one A2 amplification gap of the electrons. The input electrode 31 and the output electrode 32 are configured so that the electrons are generated by avalanche in the amplification space A2, the diffusion space D opening on at least one opening of the electrode. input 31, the second amplifier structure 30 being configured such that its gain is greater than or equal to 5000.

La distance e2 séparant les électrodes d'entrée 31 et de sortie 32 de la deuxième structure amplificatrice 30 est supérieure ou égale à 100 µm et inférieure ou égale à 200 µm par exemple égale à 125 µm.The distance e2 separating the input and output electrodes 32 from the second amplifying structure 30 is greater than or equal to 100 μm and less than or equal to 200 μm, for example equal to 125 μm.

Le signal issu de l'ionisation primaire dans l'espace de diffusion doit être suffisamment amplifié pour être extrait du bruit électronique. Les inventeurs ont observé qu'il est avantageux d'avoir un gain de la deuxième structure amplificatrice au moins égal à 4 400 de préférence au moins égal à 5 000, pour pouvoir extraire le signal dû aux ionisations dans l'espace de diffusion quelque soit la direction de la particule incidente et quelque soit le plan de projection considéré pour un électron de 100 keV. De la même manière, les inventeurs ont observé que dans le cas d'une particule β, partant avec une énergie de 300 keV, le gain minimum à appliquer dans la deuxième structure amplificatrice pour ne pas privilégier les directions par rapport aux autres est de 8 000, de préférence de 9 500. A titre d'exemple, les inventeurs ont considéré un électron de 100 keV traversant l'espace de diffusion avec un angle de 45° suivant la direction X. En supposant sa trajectoire rectiligne, l'électron traverse alors 5,7 mm le long de l'axe de lecture X ce qui correspond à une perte d'énergie de 2 keV. Cela engendre la création de 55 paires d'électro-ions. En supposant un pas de lecture du plancher de 282,84 micromètres, le signal s'étale alors sur 20 pistes en supposant une transparence parfaite des microgrilles, la charge récoltée par piste et le gain minimum à appliquer dans ce cas sont donnés par : q p i s t e e = g a i n × n o m b r e d e p a i r e s n o m b r e d e p i s t e s

Figure imgb0006
g a i n min = n o m b r e d e p i s t e s n o m b r e d e p a i r e s × 2 × l e s e u i l
Figure imgb0007
The signal from the primary ionization in the diffusion space must be sufficiently amplified to be extracted from the electronic noise. The inventors have observed that it is advantageous to have a gain of the second amplifying structure at least equal to 4,400, preferably at least 5,000, in order to be able to extract the signal due to the ionizations in the diffusion space, whatever it may be. the direction of the incident particle and whatever the projection plane considered for an electron of 100 keV. In the same way, the inventors have observed that in the case of a particle β , leaving with an energy of 300 keV, the minimum gain to be applied in the second amplifying structure in order not to favor the directions relative to the others is 8,000, preferably 9,500. By way of example, the inventors have considered an electron of 100 keV crossing the diffusion space with an angle of 45 ° in the X direction. Assuming its straight trajectory, the electron then passes 5.7 mm along the X reading axis, which corresponds to a loss of energy of 2 keV. This creates 55 pairs of electro-ions. Assuming a floor reading pitch of 282.84 micrometers, the signal then spreads on 20 tracks assuming perfect transparency of the microgrids, the load collected per track and the minimum gain to be applied in this case are given by: q p i s t e e - = boy Wut at i not × not o m b r e d e p at i r e s not o m b r e d e p i s t e s
Figure imgb0006
boy Wut at i not min = not o m b r e d e p i s t e s not o m b r e d e p at i r e s × 2 × l e s e u i l
Figure imgb0007

Le facteur 2 provient du fait que le nuage électronique s'étale sur un plancher de pixels multiplexés. Ainsi la moitié de la charge est récoltée par les pistes de lecture en X et l'autre moitié par les pistes de lecture en Y.The factor 2 comes from the fact that the electronic cloud spreads on a multiplexed pixel floor. Thus, half of the load is collected by the X reading tracks and the other half by the Y reading tracks.

Pour un seuil par piste de 6 000 électrons, cela entraîne un gain minimum de 4 400 dans l'espace d'amplification au contact de l'anode pour extraire le signal du bruit électronique. Dans le cas d'un électron de 300 keV le gain minimum sera de 8 000 et dans selon d'un électron de 1 MeV, le gain minimum sera de 32 000.For a threshold per track of 6,000 electrons, this results in a gain of at least 4,400 in the amplification space in contact with the anode to extract the signal from the electronic noise. In the case of an electron of 300 keV the minimum gain will be 8000 and in according to an electron of 1 MeV, the minimum gain will be 32 000.

L'invention ne se limite pas aux modes de réalisations décrits et ne sera pas interprétée de façon limitative, et englobe tout mode de réalisation équivalent. En particulier un détecteur selon l'invention peut comprendre plus de deux structures amplificatrices.The invention is not limited to the embodiments described and will not be interpreted in a limiting manner, and encompasses any equivalent embodiment. In particular a detector according to the invention may comprise more than two amplifying structures.

Claims (11)

  1. Radiation detector comprising:
    - a chamber (2) containing an environment adapted for generating electrons under the effect of radiations,
    - a cathode (5) by which radiations to be detected enter,
    - an anode (6) for generating signals according to a current generated by the movement of charges near this anode (6), these charges correspond to electrons from which the radiations directly or indirectly originate,
    - polarisation means (10) generating an electrical field adapted for leading electrons in a direction going from the cathode (5) to the anode (6),
    - an amplifying structure (7), situated between the cathode (5) and the anode (6), comprising a space for amplifying (A) electrons, delimited between an input electrode (8) and an output electrode (9), the input electrodes (8) and output electrodes (9) being configured such that in the amplification space, a first electrical field (E2) prevails, adapted such that electrons are generated by flooding into the amplification space, the amplification space leading to at least one opening (12) of the output electrode (9), to let at least some of the electrons generated by flooding pass,
    - a diffusion space (D) situated between the output electrode (9) and the anode (6), wherein a second electrical field (E3) prevails, adapted to a diffusion, in directions perpendicular to this field (E3), of electrons by diffusion on atoms and molecules of the environment contained in the chamber (2),
    the environment adapted for generating electrons under the effect of radiations comprising a gas, comprising a mixture of at least 50% of a rare gas and of carbon dioxide, the amplification space being constituted of at least 90% by volume by said gas, characterised in that the distance (e) separating the input electrodes (8) and output electrodes (9) is greater than 500µm and less than or equal to 1.5mm.
  2. Detector according to claim 1, wherein the input electrode of the amplifying structure (7) corresponds to the cathode (5).
  3. Detector according to one of claims 1 or 2, wherein the input electrode (8) is formed of a face, at least partially conductive, of a radiation-emitting sample (S).
  4. Detector according to one of the preceding claims, wherein the environment adapted for generating electrons under the effect of radiations comprises a gas, comprising a Neon and carbon dioxide mixture, the Neon representing at least 85% and at the most, 95% by volume of the mixture.
  5. Detector according to one of the preceding claims, wherein the amplifying structure is configured such that between the input electrode and output electrode, an electrical field of at least 2.5kV/cm prevails.
  6. Detector according to one of the preceding claims, further comprising a second amplifying structure (30), situated between the diffusion space (D) and the anode (6), comprising a second input electrode (31) and a second output electrode (32), comprising at least one space for amplifying (A2) electrons, the second input electrode (31) and the second output electrode (32) being configured such that electrons are generated by flooding in the amplification space (A2), the diffusion space (D) leading to at least one opening of the input electrode (31), the second amplifying structure being configured such that the gain thereof is greater than or equal to 5000.
  7. Detector according to claim 6, wherein the second output electrode (32) corresponds to the anode (6).
  8. Detector according to one of the preceding claims, wherein the input electrodes (8) and output electrodes (9) are constituted of microgrids having a resolution of between 500 and 2000 lpi (between 19.7 lines per mm and 78.7 lines per mm).
  9. Detector according to claim 8, wherein the microgrids have a mesh parameter of between 30 and 50µm.
  10. Autoradiographic imaging device comprising a detector according to one of the preceding claims and a sample holder, wherein the cathode is constituted by a sample, at least partially conductive, disposed on the sample holder.
  11. Method for determining the position for emitting electrons detected by the anode of a detector according to any one of claims 1 to 9, comprising the following steps:
    - determining the coordinates of a point A corresponding to the average interactions of the electrons in the diffusion space (D),
    - determining the coordinates of a point B corresponding to the average interactions of the electrons in the amplification space (A) of the amplifying structure (7),
    - determining the emission point as being the point representing the intersection of the straight line (TC) passing through the points A and B and the reference altitude plane.
EP10771801.7A 2009-09-29 2010-09-29 Radiation detectors and autoradiographic imaging devices comprising such detectors Not-in-force EP2483909B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR0956745A FR2950731B1 (en) 2009-09-29 2009-09-29 RADIATION DETECTORS AND AUTORADIOGRAPHIC IMAGING DEVICES COMPRISING SUCH DETECTORS
PCT/FR2010/052049 WO2011039473A1 (en) 2009-09-29 2010-09-29 Radiation detectors and autoradiographic imaging devices comprising such detectors

Publications (2)

Publication Number Publication Date
EP2483909A1 EP2483909A1 (en) 2012-08-08
EP2483909B1 true EP2483909B1 (en) 2018-09-05

Family

ID=42169291

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP10771801.7A Not-in-force EP2483909B1 (en) 2009-09-29 2010-09-29 Radiation detectors and autoradiographic imaging devices comprising such detectors

Country Status (3)

Country Link
EP (1) EP2483909B1 (en)
FR (1) FR2950731B1 (en)
WO (1) WO2011039473A1 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013184020A1 (en) * 2012-06-08 2013-12-12 Siemens Aktiengesellschaft A detector for radiation, particularly high energy electromagnetic radiation
FR3075980B1 (en) 2017-12-22 2020-07-31 Areva Mines ANALYSIS PROCESS USING AN ALPHA PARTICLE DETECTOR

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2739941B1 (en) 1995-10-11 1997-11-14 Commissariat Energie Atomique HIGH RESOLUTION POSITION DETECTOR FOR HIGH IONIZING PARTICLE FLOWS
US6011265A (en) * 1997-10-22 2000-01-04 European Organization For Nuclear Research Radiation detector of very high performance
US6429578B1 (en) * 1999-01-26 2002-08-06 Mats Danielsson Diagnostic and therapeutic detector system for imaging with low and high energy X-ray and electrons
FR2837000B1 (en) * 2002-03-08 2004-07-02 Biospace Instr RADIATION DETECTORS AND SELF-RADIOGRAPHIC IMAGING DEVICES INCLUDING SUCH SENSORS
FR2912837B1 (en) * 2007-02-20 2009-05-22 Ensmse ELECTRON MULTIPLICATION DEVICE AND IONIZING RADIATION DETECTION SYSTEM

Also Published As

Publication number Publication date
FR2950731B1 (en) 2012-04-13
EP2483909A1 (en) 2012-08-08
WO2011039473A1 (en) 2011-04-07
FR2950731A1 (en) 2011-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0742954B1 (en) Ionising radiation detector having proportional microcounters
EP0855086B1 (en) High-resolution position detector for high-flux ionising particle streams
EP0678896B1 (en) Low dose ionizing X- or gamma-ray medical imaging device
EP0810631A1 (en) High resolution radiographic imaging device
EP2483909B1 (en) Radiation detectors and autoradiographic imaging devices comprising such detectors
FR2591036A1 (en) DEVICE FOR DETECTING AND LOCATING NEUTRAL PARTICLES, AND APPLICATIONS
WO1993003495A1 (en) Ionizing radiation gas detector
EP0046125B1 (en) Radiation detector
EP1343194A1 (en) Radiation detectors and autoradiographic imaging devices comprising such detectors
EP0929908A1 (en) Sensor with ionising radiation gas with high counting rate for a radioactive tracer
EP3912183B1 (en) Elementary particle detector
FR2827966A1 (en) IONIZING RADIATION DETECTOR, WITH A SOLID RADIATION CONVERSION BLADE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THIS DETECTOR
EP0441853B1 (en) Method and device for the bimensional localization of neutral particles, particularly for low counting ratios
EP2402788A2 (en) Radiation detection device and method for manufacturing same
Avenel et al. Development and characterization of a 3D CdTe: Cl semiconductor detector for medical imaging
EP3729143B1 (en) Analysing method using a detector of alpha particles
EP3749981B1 (en) System for characterizing a beam of charged particles and machine for producing a beam of charged particles comprising such a system
EP2997399B1 (en) X-ray detector
WO2000030150A1 (en) Gas-filled photon detector
JP2019502099A (en) Pixel volume configuration method
FR2638536A1 (en) Method and device for locating neutral particles under low counting rates
FR2638567A1 (en) Method and device for two-dimensional locating of neutral particles

Legal Events

Date Code Title Description
PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

17P Request for examination filed

Effective date: 20120425

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO SE SI SK SM TR

RAP1 Party data changed (applicant data changed or rights of an application transferred)

Owner name: UNIVERSITE DE NANTES

Owner name: ASSOCIATION POUR LA RECHERCHE ET LE DEVELOPPEMENT

Owner name: ECOLE DES MINES DE NANTES

DAX Request for extension of the european patent (deleted)
STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: EXAMINATION IS IN PROGRESS

17Q First examination report despatched

Effective date: 20170802

GRAP Despatch of communication of intention to grant a patent

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOSNIGR1

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: GRANT OF PATENT IS INTENDED

INTG Intention to grant announced

Effective date: 20180409

GRAS Grant fee paid

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOSNIGR3

GRAA (expected) grant

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009210

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: THE PATENT HAS BEEN GRANTED

RAP1 Party data changed (applicant data changed or rights of an application transferred)

Owner name: ASSOCIATION POUR LA RECHERCHE ET LE DEVELOPPEMENT

Owner name: INSTITUT MINES-TELECOM

Owner name: UNIVERSITE DE NANTES

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: B1

Designated state(s): AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO SE SI SK SM TR

REG Reference to a national code

Ref country code: GB

Ref legal event code: FG4D

Free format text: NOT ENGLISH

REG Reference to a national code

Ref country code: CH

Ref legal event code: EP

REG Reference to a national code

Ref country code: AT

Ref legal event code: REF

Ref document number: 1038834

Country of ref document: AT

Kind code of ref document: T

Effective date: 20180915

REG Reference to a national code

Ref country code: IE

Ref legal event code: FG4D

Free format text: LANGUAGE OF EP DOCUMENT: FRENCH

REG Reference to a national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: R096

Ref document number: 602010053356

Country of ref document: DE

REG Reference to a national code

Ref country code: FR

Ref legal event code: PLFP

Year of fee payment: 9

REG Reference to a national code

Ref country code: NL

Ref legal event code: MP

Effective date: 20180905

REG Reference to a national code

Ref country code: LT

Ref legal event code: MG4D

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: LT

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20180905

Ref country code: SE

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20180905

Ref country code: GR

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20181206

Ref country code: FI

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20180905

Ref country code: NO

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20181205

Ref country code: BG

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20181205

REG Reference to a national code

Ref country code: AT

Ref legal event code: MK05

Ref document number: 1038834

Country of ref document: AT

Kind code of ref document: T

Effective date: 20180905

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: LV

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20180905

Ref country code: HR

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20180905

Ref country code: AL

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20180905

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: CZ

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20180905

Ref country code: IT

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20180905

Ref country code: ES

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20180905

Ref country code: RO

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20180905

Ref country code: NL

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20180905

Ref country code: PL

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20180905

Ref country code: IS

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20190105

Ref country code: AT

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20180905

Ref country code: EE

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20180905

REG Reference to a national code

Ref country code: CH

Ref legal event code: PL

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: SK

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20180905

Ref country code: SM

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20180905

Ref country code: PT

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20190105

REG Reference to a national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: R097

Ref document number: 602010053356

Country of ref document: DE

REG Reference to a national code

Ref country code: BE

Ref legal event code: MM

Effective date: 20180930

REG Reference to a national code

Ref country code: IE

Ref legal event code: MM4A

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: LU

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20180929

PLBE No opposition filed within time limit

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009261

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: NO OPPOSITION FILED WITHIN TIME LIMIT

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: MC

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20180905

Ref country code: DK

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20180905

Ref country code: IE

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20180929

26N No opposition filed

Effective date: 20190606

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: CH

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20180930

Ref country code: SI

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20180905

Ref country code: LI

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20180930

Ref country code: BE

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20180930

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: MT

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20180905

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: TR

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20180905

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: HU

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT; INVALID AB INITIO

Effective date: 20100929

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: MK

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20180905

Ref country code: CY

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20180905

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: GB

Payment date: 20200921

Year of fee payment: 11

Ref country code: FR

Payment date: 20200728

Year of fee payment: 11

Ref country code: DE

Payment date: 20200910

Year of fee payment: 11

REG Reference to a national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: R119

Ref document number: 602010053356

Country of ref document: DE

GBPC Gb: european patent ceased through non-payment of renewal fee

Effective date: 20210929

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: GB

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20210929

Ref country code: FR

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20210930

Ref country code: DE

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20220401