EP2356700A1 - Verfahren zur bearbeitung der oberfläche eines wafers zur herstellung einer solarzelle und wafer - Google Patents

Verfahren zur bearbeitung der oberfläche eines wafers zur herstellung einer solarzelle und wafer

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EP2356700A1
EP2356700A1 EP09765105A EP09765105A EP2356700A1 EP 2356700 A1 EP2356700 A1 EP 2356700A1 EP 09765105 A EP09765105 A EP 09765105A EP 09765105 A EP09765105 A EP 09765105A EP 2356700 A1 EP2356700 A1 EP 2356700A1
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EP
European Patent Office
Prior art keywords
wafer
doped layer
solar cell
disturbances
region
Prior art date
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Withdrawn
Application number
EP09765105A
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English (en)
French (fr)
Inventor
Dirk Habermann
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Gebrueder Schmid GmbH and Co
Original Assignee
Gebrueder Schmid GmbH and Co
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Filing date
Publication date
Application filed by Gebrueder Schmid GmbH and Co filed Critical Gebrueder Schmid GmbH and Co
Publication of EP2356700A1 publication Critical patent/EP2356700A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

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    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Definitions

  • the invention relates to a method for treating the surface of a wafer for producing a solar cell according to the preamble of claim 1 and to a wafer treated with such a method for producing a solar cell.
  • a major problem in the metallization of these layers is the so-called parasitic coating of individual areas with defects on the antireflection and passivation layer. This results in the deposition of metal in the range of e.g. Scratches, pinholes and inhomogeneous areas in the antireflective and passivation layer as well as simple surface defects such as fingerprints from manual handling.
  • the invention has for its object to provide an aforementioned method for surface treatment of a wafer and a corresponding wafer with which the problem of parasitic metal deposition on the surface of a wafer for solar cells in the contact metallization can be avoided.
  • an antireflection and passivation layer is applied to the p-doped layer of the silicon wafer at a certain point in the process sequence. This is known, for example, from DE 102007012268.5 of March 8, 2007, to which reference is expressly made.
  • This antireflection and passivation layer improves the light irradiation into the finished solar cell in order to increase the efficiency and the energy yield.
  • the aforementioned metallization or application of contacts made of metal then takes place on this antireflection and passivation layer for electrical contacting of the solar cell.
  • the surface is treated in a processing step for passivation or removal of the p-doped layer in the range of disturbances such as scratches, defects, pinholes or inhomogeneous regions or the like
  • disturbances referred to in the antireflective and passivation layers could otherwise cause metal deposits thereon. This causes on the one hand a unwanted shading of the solar cell and thus a reduction of the energy yield and could lead to other unwanted conductive compounds.
  • passivation or removal of the p-doped layer in this range of disturbances not only a possibly undesired electrically conductive contact can be avoided, but a metal deposition on this disturbance at all.
  • Such passivation prevents the deposition of metal on this disturbance due to the then present neutral electrical properties. Namely, there are no suitable surface charges for metal addition. Similarly, removing the p-doped layer in the region of a disturbance, since then also no suitable or necessary surface charge for the disruptive deposition of metal is present.
  • a subsequent metallization can advantageously be carried out galvanically, as is known per se and is customary. Maybe it can even be done with some light assistance.
  • a galvanic metal deposition can be done advantageously as so-called Ag-LIP.
  • a known electroless metallization can take place, in particular as a known chemical metallization.
  • a treatment according to the invention of the surface of the wafer in the region of disturbances, in particular for the local removal of the p-doped layer, can be carried out with etching solution in an etching step.
  • the duration of such an etching step can vary and be between several seconds and several minutes.
  • a possible and advantageous etching solution is H 2 SO 4 , alternatively also H 2 O 2 . With these etching solutions, successful experiments have been carried out within the scope of the invention.
  • the etching solution is chosen such that it only negligibly attacks the antireflection and passivation layer of the solar cell, thus producing no further aforementioned disturbances, which then act in a similar way as scratches or defect spots a subsequent application the metallic contacts.
  • the etching solution is chosen so that it leaves undamaged the antireflection and passivation layer, so virtually does not attack. This can advantageously also be set via process parameters during the etching step, for example duration and / or temperature.
  • An etching solution may also be selected from the point of selectively etching the p-doped layer to locally remove it in the region of the perturbation. Also conceivable here is an advantageously automated method for applying the etching solution, if possible only in the region of such disturbances that have previously been detected and localized via analysis methods, in particular automatically. Thus, not only the consumption of etching solution can be greatly reduced, but an unnecessary and damaging effect on the antireflective and passivation layer is avoided in the other areas where there are no disturbances.
  • the surface of the wafer can be exposed to a strongly oxidizing gaseous medium in general or, again locally, in the region of the disturbances alone.
  • a strongly oxidizing medium By means of a strongly oxidizing medium, the surface of the wafer can be oxidized and passivated, especially in the region of the disturbances, ie, if possible, not in the other area of the desired antireflection and passivation layer. So also the aforementioned surface charges can be eliminated.
  • this medium can also be dissolved in an aqueous solution and then the treatment of the wafer surface with the aqueous solution and with the oxidizing gas take place therein.
  • the advantage of such an oxidizing medium dissolved in an aqueous solution can lie in the fact that it can be better applied locally exclusively or as limited as possible to areas of disturbance than with a gas which, after application, has generally mine spreads over the wafer surface.
  • a strong oxidizing gas by means of suitable suction also a locally highly limited effect can be achieved.
  • the duration of the oxidation of the wafer surface can vary widely and range from a few seconds to several minutes. This depends above all on the oxidation effect of the gas, but at the same time also on a possibly precisely recognized and determined strength of the disturbance, which possibly requires a differentiated or intensive oxidation.
  • optical systems for example cameras
  • known systems of this type can be used, which then supply the data to a controller, which in turn controls the step of deliberately eliminating the disturbance at this point.
  • metal deposition is thus advantageously carried out for producing the contacts.
  • a cleaning step takes place therebetween, so that after the removal or passivation of the wafer surface, it is firstly thoroughly cleaned before the metallization then takes place.
  • FIG. 1 shows a wafer for producing a solar cell with a scratch in the antireflection and passivation layer down to the p-doped layer
  • FIG. 2 shows an etching process in the region of the scratch corresponding to FIG. 1
  • FIG. 3 shows the wafer after the etching process as shown in FIG. 2 by the
  • Etching removed p-doped layer in the area of the scratch.
  • a wafer 11 is shown during the manufacturing process of a solar cell.
  • the wafer 11 has a silicon substrate 12 with a p-doped layer 14 on its upper side.
  • the p-doped layer 14 in turn is covered by a conventional antireflection and passivation layer 16.
  • the wafer 11 corresponds to a conventional wafer after the application of the antireflection and passivation layer, in particular before the step of a subsequent metallization or metal deposition.
  • 16 metallic contacts are generated on the antireflection and passivation layer.
  • a scratch 18 is recognizable, which may be obstructed, for example, by handling errors. may have arisen. It could also be another aforementioned disorder.
  • the scratch 18 goes down to the p-doped layer 14, so that this has an exposed area 15 in the region of the scratch 18.
  • metal would deposit here, as has been described initially, but this is undesirable.
  • an optical scanning system 20 is shown, which is advantageously movable or can detect and evaluate the entire top of the wafer 11 at the same time.
  • the optical scanning system 20 detects the scratch 18 and its size, its course and also whether it goes down to the p-doped layer 14, so it must be made harmless.
  • a controllable nozzle 22 can now be approached according to FIG.
  • This nozzle 22 applies etching liquid 23 in the region of the scratch 18.
  • the etching liquid 23 is applied directly to the exposed region 15 of the p-doped layer 14.
  • the etching liquid may be an aforementioned acid.
  • the duration of the etching process or of the action of the etching solution 23 depends both on its own composition and on the type and structure of the antireflection and passivation layer 16.
  • FIG. 3 shows how the wafer 11 looks after the etching step according to FIG. 2 and a possibly subsequent cleaning step, which is not shown here, since it is very easy to carry out. It can be seen how in the region of the scratcher 18 the anti-reflection and passivation layer 16 is not attacked, but the p-doped layer 14 or the exposed region 15 is removed. Here it is only possible that a region 25 of the silicon substrate 12 itself may also have been slightly etched or removed, as indicated in the drawing. However, this is not considered disturbing for the function and performance of the finished solar cell. At the now exposed area 25 of the silicon substrate 12 may be at a deposit no metal following the subsequent metallization step. Thus, this problem can be eliminated.

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Abstract

Bei einem Verfahren zur Behandlung der Oberfläche eines Wafers (11) zur Herstellung einer Solarzelle, auf den in einem dem Verfahren vorausgehenden Schritt eine Antireflex- und Passivierungsschicht (16) auf eine p-dotierte Schicht (14) aufgebracht worden ist, wird vor einer nachfolgenden Metallisierung auf der Oberfläche des Wafers zur Herstellung von Kontakten für die Solarzelle die Oberfläche in einem Bearbeitungsschritt behandelt. Dies dient zur Passivierung bzw. zum Entfernen der p-dotierten Schicht (14) im Bereich von Störungen (18) wie Kratzern, Defektstellen, Pinholes und inhomogenen Bereichen in der Antireflex- und Passivierungsschicht (16). So können Metallabscheidungen an diesen Störungen vermieden werden.

Description

Beschreibung
Verfahren zur Bearbeitung der Oberfläche eines Wafers zur Herstellung einer Solarzelle und Wafer
Anwendungsgebiet und Stand der Technik
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Behandlung der Oberfläche eines Wafers zur Herstellung einer Solarzelle gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1 sowie einen mit einem solchen Verfahren behandelten Wafer zur Herstellung einer Solarzelle.
Bei der Metallisierung von Solarzellen zur Herstellung eines metallischen ohmschen Kontaktes werden neben Siebdruckverfahren auch galvanische und chemische stromlose Metallisierungen eingesetzt. Diese metallischen Kontakte bestehen häufig aus Metallisierungsschichten mit Ag, Cu, Ni und Zinn sowie Kombinationen dieser.
Ein wesentliches Problem bei der Metallisierung dieser Schichten ist die sogenannte parasitäre Beschichtung von einzelnen Bereichen mit Defekten an der Antireflex- und Passivierungsschicht. Hierbei kommt es zur Deposition von Metall im Bereich von z.B. Kratzern, Pinholes und inhomogenen Bereichen in der Antireflex- und Passivierungsschicht sowie einfachen Oberflächendefekten wie beispielsweise Fingerabdrücken von einer manuellen Handhabung.
Diese parasitären Metallabscheidungen verringern die optisch aktive Oberfläche von Solarzellen und setzen somit die Leistungsfähigkeit der Solarzelle herab. Hinzu kommt, dass diese parasitären Abscheidungen auch das Erscheinungsbild der Solarzellen qualitativ deutlich herabsetzen. Aufgabe und Lösung
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein eingangs genanntes Verfahren zur Oberflächenbehandlung eines Wafers sowie einen entsprechenden Wafer zu schaffen, mit denen das Problem parasitärer Metall- abscheidung an der Oberfläche eines Wafers für Solarzellen bei der Kontaktmetallisierung vermieden werden kann.
Gelöst wird diese Aufgabe durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 1 sowie durch einen Wafer mit den Merkmalen des Anspruchs 1 1. Vorteilhafte sowie bevorzugte Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand der weiteren Ansprüche und werden im folgenden näher erläutert. Der Wortlaut der Ansprüche wird durch ausdrückliche Bezugnahme zum Inhalt der Beschreibung gemacht.
Bei dem Verfahren zur Oberflächenbehandlung eines Wafers beim Herstellungsvorgang zu einer Solarzelle wird an einem bestimmten Punkt des Verfahrensablaufs auf die p-dotierte Schicht des Siliziumwafers eine Antireflex- und Passivierungsschicht aufgebracht. Dies ist beispielsweise aus der DE 102007012268.5 vom 8. März 2007 bekannt, auf die ausdrücklich verwiesen wird. Diese Antireflex- und Passivierungsschicht verbessert die Lichteinstrahlung in die fertige Solarzelle hinein zur Erhöhung des Wirkungsgrades und der Energieausbeute. Üblicherweise erfolgt danach die vorgenannte Metallisierung bzw. Aufbringung von Kontakten aus Metall auf diese Antireflex- und Passivierungsschicht zur elektrischen Kontaktierung der Solarzelle. Erfindungsgemäß wird vor einer solchen Metallisierung bzw. Metallabscheidung auf der Oberfläche des Wafers die Oberfläche in einem Bearbeitungsschritt behandelt zur Passivierung bzw. zum Entfernen der p-dotierten Schicht im Bereich von Störungen wie Kratzern, Defektstellen, Pinholes oder inhomogenen Bereichen odgl.. Diese allgemein als Störungen bezeichneten Problemstellen in der Antireflex- und Passivierungsschicht könnten nämlich ansonsten Metallabscheidungen daran bewirken. Dies bewirkt zum einen eine ungewünschte Abschattung der Solarzelle und somit eine Reduzierung der Energieausbeute und könnte zum anderen ungewünscht leitende Verbindungen ergeben. Durch eine Passivierung bzw. ein Entfernen der p-dotierten Schicht in diesem Bereich von Störungen kann nicht nur ein möglicherweise ungewünschter elektrisch leitender Kontakt vermieden werden, sondern eine Metallabscheidung an dieser Störung überhaupt. Eine solche Passivierung verhindert aufgrund der dann vorliegenden neutralen elektrischen Eigenschaften die Abscheidung von Metall an dieser Störung. Es sind nämlich keine geeigneten Oberflächenladungen zur Metallanlagerung vorhanden. Ähnlich wirkt ein Entfernen der p- dotierten Schicht im Bereich einer Störung, da dann ebenfalls keine geeignete bzw. notwendige Oberflächenladung für die störende Abscheidung von Metall vorhanden ist.
Eine anschließende Metallisierung kann vorteilhaft galvanisch erfolgen, wie es an sich bekannt ist und üblich ist. Möglicherweise kann sie sogar mit gewisser Lichtunterstützung erfolgen. Eine galvanische Metallabscheidung kann vorteilhaft als sogenannte Ag-LlP erfolgen. Alternativ kann auch eine bekannte stromlose Metallisierung erfolgen, insbesondere als bekannte chemische Metallisierung.
Eine erfindungsgemäße Behandlung der Oberfläche des Wafers im Bereich von Störungen, insbesondere zur lokalen Entfernung der p-dotierten Schicht, kann mit Ätzlösung in einem Ätzschritt erfolgen. Die Dauer eines solchen Ätzschrittes kann variieren und zwischen mehreren Sekunden und mehreren Minuten liegen. Eine mögliche und vorteilhafte Ätzlösung ist H2SO4, alternativ auch H2O2. Mit diesen Ätzlösungen sind im Rahmen der Erfindung erfolgreiche Versuche durchgeführt worden. Als weiterer Aspekt bei einer Auswahl der Ätzlösung sollte beachtet werden, dass die Ätzlösung so gewählt ist, dass sie die Antireflex- und Pas- sivierungsschicht der Solarzelle nur vernachlässigbar angreift, also keine weiteren vorgenannten Störungen erzeugt, die dann ähnlich wie Kratzer oder Defektstellen wirken bei einer anschließenden Aufbringung der metallischen Kontakte. Vorteilhaft ist die Ätzlösung so gewählt, dass sie die Antireflex- und Passivierungsschicht unbeschädigt lässt, also quasi gar nicht angreift. Dies kann vorteilhaft auch über Prozessparameter während des Ätzschrittes eingestellt werden, beispielsweise Dauer und/oder Temperatur.
Eine Ätzlösung kann auch unter dem Aspekt ausgewählt werden, dass sie die p-dotierte Schicht nur selektiv ätzt, um sie im Bereich der Störung lokal zu entfernen. Denkbar ist hier auch ein vorteilhaft automatisiertes Verfahren zum Aufbringen der Ätzlösung möglichst nur im Bereich solcher Störungen, die vorher über Analyseverfahren, insbesondere automatisiert, erkannt und lokalisiert worden sind. So lässt sich nicht nur der Verbrauch von Ätzlösung stark senken, sondern eine unnötige und schädigende Beeinträchtigung der Antireflex- und Passivierungsschicht wird in den übrigen Bereichen, in denen sich keine Störungen befinden, vermieden.
Alternativ zur Behandlung in einem Ätzschritt mit Ätzlösung kann die Oberfläche des Wafers allgemein oder, wiederum lokal, im Bereich der Störungen alleine, einem stark oxidierenden gasförmigen Medium ausgesetzt werden. Durch ein stark oxidierendes Medium kann die Oberfläche des Wafers gerade im Bereich der Störungen, also möglichst nicht im sonstigen Bereich der gewünschten Antireflex- und Passivierungsschicht, aufoxidiert und dabei passiviert werden. So können ebenfalls die vorgenannten Oberflächenladungen beseitigt werden. Dazu kann alternativ zu einer Behandlung mit einem gasförmigen Medium, welches stark oxidierend wirkt, dieses Medium auch in einer wässrigen Lösung gelöst werden und dann die Behandlung der Waferoberfläche mit der wässrigen Lösung sowie mit dem oxidierenden Gas darin erfolgen. Der Vorteil eines solchen in einer wässrigen Lösung gelösten oxidierenden Mediums kann darin liegen, dass eine Aufbringung lokal ausschließlich oder möglichst begrenzt auf Störungsbereiche besser vorgenommen werden kann als mit einem Gas, welches sich nach Aufbringen allge- mein über die Waferoberfläche ausbreitet. Alternativ kann bei Verwendung eines stark oxidierenden Gases durch geeignete Absaugung ebenfalls einen lokal stark begrenzte Wirkung erreicht werden.
Ähnlich wie zuvor für den Ätzschritt beschrieben, kann auch die Dauer der Oxidation der Waferoberfläche stark variieren und von wenigen Sekunden bis zu mehreren Minuten reichen. Dies hängt vor allem von der Oxidationswirkung des Gases ab, gleichzeitig aber auch von einer möglicherweise genau erkannten und bestimmten Stärke der Störung, die möglicherweise eine unterschiedlich starke bzw. intensive Oxidation erfordert.
Vorteilhaft kann vorgesehen sein, zur Erkennung von genannten Störungen optische Systeme, beispielsweise Kameras, zu verwenden, und damit die Oberfläche bereichsweise oder insgesamt durch Scannen abzusuchen. Hier können an sich bekannte System dieser Art verwendet werden, die dann die Daten an eine Steuerung geben, die wiederum den Schritt des gezielten Beseitigens der Störung an dieser Stelle steuert.
Nach dem erfindungsgemäßen Schritt zum Entfernen oder Passivieren der p-dotierten Schicht im Bereich von Störungen erfolgt also vorteilhaft eine Metallabscheidung zur Herstellung der Kontakte. Besonders vorteilhaft erfolgt dazwischen ein Reinigungsschritt, so dass nach dem Entfernen oder Passivieren der Waferoberfläche diese erst einmal gründlich gereinigt wird, bevor dann die Metallisierung erfolgt.
Diese und weitere Merkmale gehen außer aus den Ansprüchen auch aus der Beschreibung und den Zeichnungen hervor, wobei die einzelnen Merkmale jeweils für sich allein oder zu mehreren in Form von Unterkombinationen bei einer Ausführungsform der Erfindung und auf anderen Gebieten verwirklicht sein und vorteilhafte sowie für sich schutzfähige Ausführungen darstellen können, für die hier Schutz beansprucht wird. Die Unterteilung der Anmeldung in einzelne Abschnitte sowie Zwi- schen-Überschriften beschränken die unter diesen gemachten Aussagen nicht in ihrer Allgemeingültigkeit.
Kurzbeschreibung der Zeichnungen
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in den Zeichnungen schematisch dargestellt und wird im folgenden näher erläutert. In den Zeichnungen zeigen:
Fig. 1 einen Wafer zur Herstellung einer Solarzelle mit einem Kratzer in der Antireflex- und Passivierungsschicht bis hinunter zur p-do- tierten Schicht, Fig. 2 einen Ätzvorgang im Bereich des Kratzers entsprechend Fig. 1 und Fig. 3 den Wafer nach dem Ätzvorgang gemäß Fig. 2 mit durch das
Ätzen entfernter p-dotierter Schicht im Bereich des Kratzers.
Detaillierte Beschreibung des Ausführungsbeispiels
In Fig. 1 ist ein Wafer 11 während des Herstellungsprozesses einer Solarzelle dargestellt. Der Wafer 1 1 weist ein Silizium-Substrat 12 auf mit einer p-dotierten Schicht 14 an seiner Oberseite. Die p-dotierte Schicht 14 wiederum wird von einer üblichen Antireflex- und Passivierungsschicht 16 bedeckt. In dieser Hinsicht entspricht der Wafer 11 einem üblichen Wafer nach dem Aufbringen der Antireflex- und Passivierungsschicht, insbesondere vor dem Schritt einer nachfolgenden Metallisierung bzw. Metallabscheidung. Damit werden auf der Antireflex- und Passivierungsschicht 16 metallische Kontakte erzeugt.
In der Antireflex- und Passivierungsschicht 16 ist erkennbar ein Kratzer 18 dargestellt, der beispielsweise durch Handhabungsfehler odgl. entstanden sein kann. Es könnte auch eine sonstige vorgenannte Störung sein. Der Kratzer 18 geht bis auf die p-dotierte Schicht 14 hinunter, so dass diese im Bereich des Kratzers 18 einen freiliegenden Bereich 15 aufweist. Bei einem üblicherweise nun folgenden Metallisierungsschritt würde sich hier, wie eingangs beschrieben worden ist, Metall anlagern, was jedoch unerwünscht ist.
In Fig. 1 ist ein optisches Abtastsystem 20 dargestellt, welches vorteilhaft beweglich ist oder aber die gesamte Oberseite des Wafers 11 gleichzeitig erfassen und auswerten kann. Das optische Abtastsystem 20 erkennt den Kratzer 18 sowie seine Größe, seinen Verlauf und auch, ob er bis auf die p-dotierte Schicht 14 hinunter geht, also unschädlich gemacht werden muss.
Anhand der von dem optischen Abtastsystem 20 an ein nicht dargestelltes Steuerungssystem gesandten Informationen kann nun gemäß Fig. 2 eine steuerbare Düse 22 herangefahren werden. Diese Düse 22 bringt Ätzflüssigkeit 23 im Bereich des Kratzers 18 auf. Insbesondere wird die Ätzflüssigkeit 23 direkt auf den freiliegenden Bereich 15 der p-dotierten Schicht 14 aufgebracht. Die Ätzflüssigkeit kann eine vorstehend genannte Säure sein. Die Dauer des Ätzvorgangs bzw. des Einwirkens der Ätzlösung 23 hängt sowohl von ihrer eigenen Zusammensetzung als auch Art und Aufbau der Antireflex- und Passivierungsschicht 16 ab.
In Fig. 3 ist dargestellt, wie der Wafer 11 nach dem Ätzschritt gemäß Fig. 2 und einem möglicherweise darauf folgenden Reinigungsschritt aussieht, der hier nicht dargestellt ist, da er sehr leicht durchzuführen ist. Es ist zu erkennen, wie im Bereich des Kratzers 18 die Antireflex- und Passivierungsschicht 16 nicht angegriffen ist, dafür aber die p-dotierte Schicht 14 bzw. der freiliegende Bereich 15 entfernt ist. Hier ist es nur möglich, dass ein Bereich 25 des Silizium-Substrats 12 selbst möglicherweise, wie zeichnerisch angedeutet ist, ebenfalls etwas angeätzt bzw. entfernt worden ist. Dies wird jedoch nicht als störend angesehen für die Funktion und Leistungsfähigkeit der fertigen Solarzelle. An den nun freiliegenden Bereich 25 des Silizium-Substrats 12 kann sich bei einem nachfolgenden Metallisierungsschritt kein Metall ablagern. Somit kann dieses Problem beseitigt werden.
Es ist leicht zu erkennen, wie anhand der Fig. 1 bis 3 das erfindungsgemäße Verfahren abgewandelt werden kann. Anstelle einer Ätzlösung 23 samt feiner Düse 22 kann ein großflächiges Besprühen mit Ätzlösung erfolgen. Des weiteren kann anstelle einer flüssigen Ätzlösung ein oxidie- rendes Gas ausgebracht werden, das unter Umständen genauso zielgerichtet auf Kratzer oder die anderen vorgenannten Defekte gerichtet werden kann. Bei einem Oxidieren wird in der Regel die p-dotierte Schicht bzw. der freiliegende Bereich 15 dann nicht entfernt, sondern passiviert, so dass sich ebenfalls kein Metall anlagern kann bei einer nachfolgenden Metallisierung.

Claims

Patentansprüche
1. Verfahren zur Behandlung der Oberfläche eines Wafers zur Herstellung einer Solarzelle, wobei auf den Wafer in einem dem Verfahren vorausgehenden Schritt eine Antireflex- und Passivierungs- schicht auf die p-dotierte Schicht aufgebracht worden ist, dadurch gekennzeichnet, dass vor einer nachfolgenden Metallisierung bzw. Metallabscheidung auf der Oberfläche des Wafers zur Herstellung von Kontakten für die Solarzelle die Oberfläche in einem Bearbeitungsschritt behandelt wird zur Passivierung bzw. zum Entfernen der p-dotierten Schicht im Bereich von Störungen wie Kratzern, Defektstellen, Pinholes und inhomogenen Bereichen in der Antireflex- und Passivierungsschicht zur Vermeidung von Metallabschei- dungen an diesen Störungen.
2. Verfahren nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die Behandlung der Oberfläche des Wafers im Bereich von Störungen in einem Ätzschritt mit Ätzlösung vorgenommen wird, wobei vorzugsweise der Ätzschritt mehrere Sekunden bis mehrere Minuten dauert.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Ätzlösung H2SO4 ist oder H2O2.
4. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Ätzlösung so gewählt ist, dass sie die Antireflex- und Passivierungsschicht der Solarzelle nur vernachlässigbar angreift oder vorzugsweise unbeschädigt lässt.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Ätzlösung so ausgewählt ist, dass die p-dotierte Schicht selektiv geätzt wird zur Entfernung der p-dotierten Schicht lokal im Bereich der Störung.
6. Verfahren nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass zur Behandlung der Oberfläche des Wafers im Bereich von Störungen der Wafer einem stark oxidierenden gasförmigen Medium ausgesetzt wird, gegebenenfalls einem in einer wässrigen Lösung gelösten oxidierenden Gas.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Dauer der Oxidation der Oberfläche des zu behandelnden Wafers wenige Sekunden bis mehrere Minuten dauert.
8. Verfahren nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, dass durch das stark oxidierende Medium die Oberfläche des Wafers im Bereich der Störungen aufoxidiert und passiviert wird.
9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Schritt zum Entfernen oder Pas- sivieren der p-dotierten Schicht im Bereich der Störung eine Me- tallabscheidung erfolgt, vorzugsweise mit einem dazwischen geschalteten Reinigungsschritt als Zwischenschritt.
10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Metallabscheidung galvanisch erfolgt, vorzugsweise als Ag-LIP.
11. Wafer zur Herstellung einer Solarzelle, dadurch gekennzeichnet, dass eine auf seine Oberfläche aufgebrachte Antireflex- und Pas- sivierungsschicht auf einer p-dotierten Schicht mit einem Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche behandelt worden ist.
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