EP2132772A2 - Heat sink, and assembly or module unit comprising a heat sink - Google Patents

Heat sink, and assembly or module unit comprising a heat sink

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Publication number
EP2132772A2
EP2132772A2 EP07846389A EP07846389A EP2132772A2 EP 2132772 A2 EP2132772 A2 EP 2132772A2 EP 07846389 A EP07846389 A EP 07846389A EP 07846389 A EP07846389 A EP 07846389A EP 2132772 A2 EP2132772 A2 EP 2132772A2
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
layer
heat sink
cooling
ceramic
compensating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
EP07846389A
Other languages
German (de)
French (fr)
Inventor
Ernst Hammel
Jürgen SCHULZ-HARDER
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rogers Germany GmbH
Original Assignee
Electrovac AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Electrovac AG filed Critical Electrovac AG
Publication of EP2132772A2 publication Critical patent/EP2132772A2/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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    • H05K3/0058Laminating printed circuit boards onto other substrates, e.g. metallic substrates
    • H05K3/0061Laminating printed circuit boards onto other substrates, e.g. metallic substrates onto a metallic substrate, e.g. a heat sink

Definitions

  • the invention relates to a heat sink according to the preamble of claim 1 or 3 and to a modular unit according to claim 22.
  • Heat sinks are also known for this purpose, in the heat sink of which at least one, preferably highly branched cooling channel structure is formed, which can be flowed through by a liquid and / or gaseous and / or vaporous heat transport medium or cooling medium, for example water.
  • solder joint between the component or assembly and the heat sink has u.a. also the advantage that both components can be prepared separately and are connected to each other after their production.
  • DCB method direct copper bond technology
  • metal layers or sheets eg copper sheets or sheets
  • metal sheets eg copper sheets or sheets
  • copper sheets or metal or copper foils which have on their surface sides a layer or coating (reflow layer) of a chemical compound of the metal and a reactive gas, preferably oxygen, in this example in US-PS 3,744,120 or in US Pat DE-PS 23 19 854 described method
  • this layer or coating forms a eutectic having a melting temperature below the melting temperature of the metal (eg copper), so that by placing the film on the ceramic and by heating all layers connected to each other can be, by melting the metal or copper substantially only in the range of Aufsc melt layer or oxide layer.
  • This DCB method then indicates e.g. the following process steps:
  • active soldering process for example for joining metal layers or metal foils forming metallizations, in particular also copper layers or copper foils with ceramic material.
  • active soldering process which is also used especially for the production of metal-ceramic substrates, at a temperature between about 800 - 1000 0 C, a connection between a metal foil, such as copper foil, and a ceramic substrate, such as aluminum nitride ceramic, using a brazing filler metal, which also contains an active metal in addition to a main component such as copper, silver and / or gold.
  • This active metal which is, for example, at least one element of the group Hf, Ti, Zr, Nb, Ce, establishes a connection between the solder and the ceramic by chemical reaction, while the connection between the solder and the metal is a metallic braze joint ,
  • the object of the invention is to provide a heat sink, which avoids the aforementioned disadvantages.
  • a heat sink according to claim 1 or 3 is formed.
  • a building or module unit with a heat sink is the subject of claim 22.
  • a module or module is achieved, in particular also between the metallic heat sink and one with this over the Solder connection connected metal-ceramic substrate or with another substrate or intermediate carrier, which consists of a deviating from the heat sink material, for example of a material or metal, which or has a relation to the heat sink reduced thermal expansion coefficient.
  • FIG. 1 shows a schematic representation of an arranged on a heat sink of a heat sink electronic power module.
  • 2 and 3 show the temperature profile of the power module as a function of time when switching on or activating the module ( Figure 2) and when switching off or deactivating the module ( Figure 3), and at different
  • Fig. 4 is a schematic representation of the structure of the module according to the
  • FIG. 5-7 in a schematic representation of further embodiments of the invention.
  • 1 electrical or electronic power module is essentially composed of a ceramic-metal substrate 2, namely a DCB substrate made of a ceramic layer 3, which is provided with a metallization 4 on both sides.
  • the metallizations 4 and 5, for example, each formed of copper foils, with Help the DCB technology are applied flat on the relevant surface side of the ceramic layer 3.
  • the ceramic layer 3 consists, for example, of an aluminum oxide ceramic (AbOs ceramic) or an aluminum nitride ceramic (AlN ceramic).
  • the thickness of the ceramic layer 3 is for example in the range between 0.2 and 2 mm.
  • the metallization 4 on the upper side of the ceramic layer 3 is structured to form conductor tracks, contact surfaces, etc.
  • a power device 6 e.g. In the form of an electronic switching element (IGBT) and other, serving for driving components 7.
  • the components 6 and 7 are housed in a closed housing 8, which, for example. made of plastic.
  • the interior 9 of the housing 8 is potted with a suitable material.
  • corresponding terminals 10 are led out at the top of the housing.
  • heatsink 11 which serves as a heat sink for dissipating the heat loss generated by the module 1 and to which the metallization 5 is connected in a good heat transfer ensuring manner
  • the heat sink 1 1 is plate-shaped or cuboidal, with an upper side 11.1, a bottom 11.2, with two longitudinal sides 1 1.3 and with end faces 11.4 and 11.5, which together with the longitudinal sides 11.3 of the peripheral surface of the heat sink 1 1 form.
  • Figures 2 and 3 initially show in principle the temperature / time profile of the module 1 and thus also the base of this module 1 forming ceramic metal substrate 2 when activating or switching on the module ( Figure 2) and when switching off or deactivating of the module 1 ( Figure 3), each for a air-cooled heat sink 12 (curve LK) and a liquid- or water-cooled heat sink 1 1 (curve VVK).
  • LK air-cooled heat sink 12
  • VVK liquid- or water-cooled heat sink 1
  • the temperature T slows down to the operating temperature with time t, while with a water-cooled heat sink 11, a relatively steep temperature rise occurs, the temperature gradient, i.e., the temperature gradient.
  • the change in temperature with time t is relatively abrupt.
  • the temperature T decreases relatively slowly and steadily after deactivation, while in a liquid-cooled heat sink 1 1 a very abrupt temperature change occurs, so even when deactivating the temperature gradient (change in temperature as a function of time t) much larger is than in an air-cooled heat sink 11, wherein the absolute cooling capacity in a water-cooled heat sink 1 1 is of course much higher.
  • the thermal expansion coefficient given in e -10 "6 / K 0 is given for different materials, namely of aluminum, silicon, copper, aluminum nitride ceramics (AlN), alumina ceramics (Al2O3), for DCB Substrates with alumina ceramic (Al 2O3-DC B substrates) and for DCB substrates with an aluminum nitride ceramic (AIN-DCB substrates).
  • heat sink according to the heat sink 1 1 usually metals with high thermal conductivity, ie copper or aluminum are used, it can be seen from the illustration of Figure 4, that in the module structure or the module unit of Figure 1 consisting of the module 1 and the heat sink 1 1 alone due to the different thermal expansion coefficient e of the substrate 2 and the example consisting of copper heatsink 1 1 significant voltages within the module unit occur, which act (voltages) substantially in the solder layer 12, that is taken from this s partly compensated.
  • the solder layer 12 is as thin as possible. The thickness of the solder layer 12 is as thin as possible. The thickness
  • the module 1 is not in continuous operation, but in switching mode or intermittently operated, as is the case, for example, in a module for controlling or switching drives, etc., so occur in the solder layer 12 quite significant, constantly changing mechanical stresses on, in particular in a water- or liquid-cooled heat sink 11 cause a high shock load of the solder layer 12. This can lead to a destruction of the solder joint between the module 1 and the heat sink 11 and thus ultimately to a destruction of the module 1 due to the lack of sufficient cooling.
  • the load of the solder layer 12 by the different thermal expansion coefficient of the adjacent ceramic-metal substrate 2 and the heat sink 11 increases with the reduction of the thickness of this solder layer and is also dependent on the composition of the solder of the solder layer 12. Particularly high is the load of the solder layer 12 when a lead-free solder is used for this layer, as is increasingly required for reasons of environmental relief.
  • lead-free solders are, for example, SnAg5, SnCu3.
  • the heat sink 11 is provided on its upper side 11.1 or cooling surface to be connected to the substrate 1 with a leveling layer 13 which consists of a material with high thermal conductivity and a thermal coefficient of thermal expansion which is reduced compared to copper and aluminum e consists, ie of a material with a thermal expansion coefficient e less than 10 x 10 ⁇ 6 / ° K.
  • the leveling layer 13 which has a thermal conductivity greater than 100 W / mK and whose thickness is for example in the range between 0.05 and 2 mm, is without any intermediate layer, that is applied directly to the heat sink 11 and to the metal (for example copper) of this heat sink 11 and consists for example of Mo, W, Mo-Cu, W-Cu, Cu-diamond and / or Cu-CNF (copper with Carbon nanotubes or carbon nanofibers).
  • the thickness of the compensating layer 13 to the thickness of the ceramic layer 3 is preferably adjusted so that the ratio "thickness of the compensation layer 13 / thickness of the ceramic layer 3" is in the range between 1.3 and 0.25 , In a preferred embodiment of the invention, the thickness of the leveling layer 13 is in the range between 0.05 and 3 mm.
  • the application of the leveling layer 3 on the metallic surface of the heat sink 1 1 is carried out by suitable surface methods, for example by plating, e.g. Explosion plating, by metal cold spraying, by thermal metal spraying, for example molten bath spraying, flame spraying, flame spraying, arc spraying, plasma spraying, etc.
  • plating e.g. Explosion plating
  • metal cold spraying by metal cold spraying
  • thermal metal spraying for example molten bath spraying, flame spraying, flame spraying, arc spraying, plasma spraying, etc.
  • an adjustment of the thermal expansion coefficient takes place on both sides of the solder layer 12 provided components and thus a relief of the solder layer 12 in particular during a stop and go operation of the module 1 and the resulting permanent change in temperature of the module 1 and the ceramic and metal substrate 2.
  • This relief is particularly advantageous because of the high temperature gradient in an active heat sink, ie, in a heat sink, within its Heatsink 11 with flowed through by a gaseous and / or vaporous and / or liquid medium cooling channels and which are designed for optimum cooling as possible, for example, that the inner, with the cooling medium in contact heat exchange or cooling surface is substantially larger, for example by at least a factor of 2 or a factor of 4 is greater than the outer, with the module 1 related cooling surface.
  • a symmetrical with respect to the temperature behavior training of the heat sink 1 1 is also provided on its module 1 side facing away from the underside with a compensation layer 13 corresponding additional layer 13 a, which then preferably a larger compared to the thickness of the compensation layer 13 Thickness.
  • FIG. 6 shows, in a simplified representation, an arrangement 14, which in turn is made of the ceramic-metal substrate 2, which is, for example, a component of a module (not shown in detail in this figure) and of the ceramic-metal substrate 2 via a soldered connection (FIG. Lot für 12) connected heat sink 11 is made, which is made at least at its surface connected to the ceramic-metal substrate surface side of copper.
  • the intermediate or compensation layer 13 is applied on the heat sink 1 1, in turn.
  • a further intermediate layer 15 of nickel or a nickel alloy for example of a nickel-silver alloy or another alloy, which contains at least one metal, which also forms part of the solder of the solder layer 12, is applied to the layer 13 is, which adjoins the intermediate layer 15 and connects this intermediate layer and thus the heat sink 1 1 with the ceramic-metal substrate.
  • FIG. 7 shows, in an enlarged partial view, the heat sink 11 together with a laser bar 12 which, with its longitudinal extension, is perpendicular to the plane of the drawing 7 is oriented and has a plurality of laser light-emitting emitters, which are provided longitudinally offset in laser bars against each other.
  • the heat sink 1 1 is again plate or cuboid running, with the top 1.1, the bottom 11.2, the longitudinal sides 1 1.3 and the end faces 11.4 and 11.5.
  • the laser bar 12 is provided on the upper side 11.1 in the region of an end face 1 1.5, in such a way that it is oriented with its longitudinal extent parallel to this end face and the upper side 11.1, ie perpendicular to the plane of the figure 7 and with its laser light exit side in is approximately flush with the front side 11.5.
  • a compensation layer 13 is applied to the upper side 11.1 and to the lower side 11.2.
  • laser bar 16 is soldered, via the provided between the leveling layer 13 and the intermediate carrier 17 (Submount) solder layer 18.
  • the connection between the laser bar 16 and the intermediate carrier 17 is likewise formed by a solder layer 19, in such a way that the laser bar with its laser light exit side is flush with a longitudinal side or longitudinal edge of the over the entire length of the laser bar 16 extending intermediate carrier 17, the latter but with its other longitudinal side on the back of the laser bar 16 stands.
  • the compensation layer 13 By means of the compensation layer 13, an alignment between the different coefficients of thermal expansion of the heat sink 1 1 made of copper or aluminum and the intermediate support 17 made of Cu-Mo is achieved in this embodiment as well, thus relieving the solder layer 18.
  • the compensation layer 13 opposite to the underside 11.2 a corresponding layer 13a is applied, in such a way that the thickness of the layer 13a is greater than the thickness of the compensation layer 13, but is smaller than the sum of the thicknesses of the compensation layer 13 and the intermediate carrier 17th
  • compensation layer 13 and / or counter-layer 13a those made of sputtered ceramics or high-strength metals are also possible.
  • the compensation layer 13 and / or counter-layer 13a as composite layers, in one or more layers or layers, wherein e.g. each layer of several different materials, e.g. is made of different metals or alloys of different metals, or e.g. different layers of different materials or material mixtures (for example, metal alloys) exist, which are then applied, for example, with different methods.
  • a metallic layer e.g., Cu layer
  • another layer e.g., ceramic layer
  • layers or layers of diamond, carbon, and / or carbon nanofibers may be used e.g. be applied by CVD (Chemical Vapor Deposition), these layers or layers can then be coated with Cu powder cold gas.
  • CVD Chemical Vapor Deposition
  • the heat sink 11 may also be part of a so-called heat pipe, in which case the layers 13 and / or 13a also serve to seal risk zones with respect to leaks and contribute to an improvement in the life of a building or modular unit alone. LIST OF REFERENCE NUMBERS
  • ceramic-metal substrate in particular ceramic-copper substrate

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Abstract

Disclosed is a heat sink for cooling parts, subassemblies, modules, or similar components, particularly for cooling electrical or electronic components. Said heat sink comprises at least one cooling element which forms at least one cooling area for connecting the component that is to be cooled and which is made of a metallic material in said cooling area.

Description

Wärmesenke sowie Bau- oder Moduleinheit mit einer Wärmesenke Heat sink and building or module unit with a heat sink
Die Erfindung bezieht sich auf eine Wärmesenke gemäß Oberbegriff Patentanspruch 1 oder 3 sowie auf eine Bau- oder Moduleinheit entsprechend dem Patentanspruch 22.The invention relates to a heat sink according to the preamble of claim 1 or 3 and to a modular unit according to claim 22.
Es ist allgemein üblich und notwendig, elektrische oder elektronische Bauelemente oder Baugruppen und dabei insbesondere auch Leistungsbauelemente oder - baugruppen bzw. -module zum Abführen von Verlustwärme zu kühlen, und zwar jeweils über wenigstens eine zumindest einen Kühlkörper aufweisende Wärmesenke (Kühler). Bekannt sind für diesen Zweck insbesondere auch Wärmesenken, in deren Kühlkörper wenigstens eine, vorzugsweise stark verzweigte Kühlkanalstruktur ausgebildet ist, die von einen flüssigen und/oder gasförmigen und/oder dampfförmigen Wärme transportierenden Medium oder Kühlmedium, beispielsweise von Wasser durchströmbar ist.It is common practice and necessary to cool electrical or electronic components or assemblies and in particular also power components or modules for dissipating heat loss, in each case via at least one heat sink (cooler) having at least one heat sink. Heat sinks are also known for this purpose, in the heat sink of which at least one, preferably highly branched cooling channel structure is formed, which can be flowed through by a liquid and / or gaseous and / or vaporous heat transport medium or cooling medium, for example water.
Für eine möglichst optimale Kühlung ist es hierbei in vielen Fällen zumindest zweckmäßig, derartige Bauelemente oder Baugruppen über eine Lötverbindung mit einer äußeren Kühlfläche des Kühlkörpers der Wärmesenke zu verbinden. Der Kühlkörper besteht dann zumindest im Bereich seiner äußeren Kühlfläche aus einem metallischen Werkstoff hoher Wärmeleitfähigkeit, insbesondere aus Kupfer oder Aluminium. Die Lötverbindung zwischen dem Bauelement bzw. der Baugruppe und dem Kühlkörper hat u.a. auch den Vorteil, dass beide Komponenten getrennt hergestellt werden können und erst nach ihrer Herstellung miteinander verbunden werden.For the best possible cooling, it is in many cases at least expedient to connect such components or assemblies via a solder joint with an outer cooling surface of the heat sink of the heat sink. The heat sink then consists, at least in the region of its outer cooling surface, of a metallic material of high thermal conductivity, in particular of copper or aluminum. The solder joint between the component or assembly and the heat sink has u.a. also the advantage that both components can be prepared separately and are connected to each other after their production.
Problematisch ist aber, dass die Lötverbindung bzw. Lötschicht zwischen dem jeweiligen Kühlkörper und dem das wenigstens eine elektrische Bauelement aufweisenden Teil einer Bau- oder Moduleinheit wegen der in der Regel sehr unterschiedlichen thermischen Wärmeausdehnungskoeffizienten der über die Lötschicht an einander anschließenden Komponenten erheblichen, thermisch bedingten mechanischen Belastungen ausgesetzt ist. Diese sind besonders ausgeprägt bei häufigen Temperaturänderungen, wie sie z.B. bei einem ständigen Lastwechsel an dem elektrischen Bauelement oder an der elektrischen Baugruppe auftreten, wie dies z.B. bei elektrischen Antriebssteuerungen der Fall ist. Diese thermisch bedingte mechanische Belastung führt zu einer frühzeitigen Alterung der Lötverbindung und im Extremfall zu einem teilweisen oder vollständigen Lösen dieser Lötverbindung und damit zu einem Verlust der erforderlichen Kühlung des Bauelementes oder der Baugruppe.The problem, however, is that the solder joint or solder layer between the respective heat sink and the at least one electrical component having part of a module or module because of the usually very different thermal expansion coefficients over the Solder layer is exposed to adjacent components considerable, thermally induced mechanical stresses. These are particularly pronounced in the case of frequent temperature changes, as occur, for example, in the case of a constant load change on the electrical component or on the electrical assembly, as is the case, for example, with electric drive controls. This thermally induced mechanical stress leads to premature aging of the solder joint and in extreme cases to a partial or complete release of this solder joint and thus to a loss of the required cooling of the component or assembly.
Bekannt ist das sogenannten „DCB-Verfahrens" (Direct-Copper-Bond-Technology) beispielsweise zum Verbinden von Metallschichten oder -blechen (z.B. Kupferblechen oder -folien) mit einander und/oder mit Keramik oder Keramikschichten, und zwar unter Verwendung von Metall- bzw. Kupferblechen oder Metall- bzw. Kupferfolien, die an ihren Oberflächenseiten eine Schicht oder einen Überzug (Aufschmelzschicht) aus einer chemischen Verbindung aus dem Metall und einem reaktiven Gas , bevorzugt Sauerstoff aufweisen. Bei diesem beispielsweise in der US-PS 3744 120 oder in der DE-PS 23 19 854 beschriebenen Verfahren bildet diese Schicht oder dieser Überzug (Aufschmelzschicht) ein Eutektikum mit einer Schmelztemperatur unter der Schmelztemperatur des Metalls (z.B. Kupfers), so dass durch Auflegen der Folie auf die Keramik und durch Erhitzen sämtlicher Schichten diese miteinander verbunden werden können, und zwar durch Aufschmelzen des Metalls bzw. Kupfers im wesentlichen nur im Bereich der Aufschmelzschicht bzw. Oxidschicht.For example, the so-called "DCB method" (direct copper bond technology) is known for connecting metal layers or sheets (eg copper sheets or sheets) to one another and / or to ceramic or ceramic layers, using metal sheets. or copper sheets or metal or copper foils which have on their surface sides a layer or coating (reflow layer) of a chemical compound of the metal and a reactive gas, preferably oxygen, in this example in US-PS 3,744,120 or in US Pat DE-PS 23 19 854 described method, this layer or coating (melting layer) forms a eutectic having a melting temperature below the melting temperature of the metal (eg copper), so that by placing the film on the ceramic and by heating all layers connected to each other can be, by melting the metal or copper substantially only in the range of Aufsc melt layer or oxide layer.
Dieses DCB-Verfahren weist dann z.B. folgende Verfahrensschritte auf:This DCB method then indicates e.g. the following process steps:
• Oxidieren einer Kupferfolie derart, dass sich eine gleichmäßige Kupferoxidschicht ergibt;• Oxidizing a copper foil so that a uniform copper oxide layer results;
• Auflegen des Kupferfolie auf die Keramikschicht; • Erhitzen des Verbundes auf eine Prozesstemperatur zwischen etwa 1025 bis 10830C, z.B. auf ca. 1071 0C;• placing the copper foil on the ceramic layer; • Heating the composite to a process temperature between about 1025 to 1083 0 C, for example to about 1071 0 C;
• Abkühlen auf Raumtemperatur.• Cool to room temperature.
Bekannt ist weiterhin das sogenannte Aktivlot-Verfahren (DE 22 13 115; EP-A-153 618) z.B. zum Verbinden von Metallisierungen bildenden Metallschichten oder Metallfolien, insbesondere auch von Kupferschichten oder Kupferfolien mit Keramikmaterial. Bei diesem Verfahren, welches speziell auch zum Herstellen von Metall-Keramik-Substraten verwendet wird, wird bei einer Temperatur zwischen ca. 800 - 10000C eine Verbindung zwischen einer Metallfolie, beispielsweise Kupferfolie, und einem Keramiksubstrat, beispielsweise Aluminiumnitrid-Keramik, unter Verwendung eines Hartlots hergestellt, welches zusätzlich zu einer Hauptkomponente, wie Kupfer, Silber und/oder Gold auch ein Aktivmetall enthält. Dieses Aktivmetall, welches beispielsweise wenigstens ein Element der Gruppe Hf, Ti, Zr, Nb, Ce ist, stellt durch chemische Reaktion eine Verbindung zwischen dem Lot und der Keramik her, während die Verbindung zwischen dem Lot und dem Metall eine metallische Hartlot- Verbindung ist.Also known is the so-called active soldering process (DE 22 13 115, EP-A-153 618), for example for joining metal layers or metal foils forming metallizations, in particular also copper layers or copper foils with ceramic material. In this method, which is also used especially for the production of metal-ceramic substrates, at a temperature between about 800 - 1000 0 C, a connection between a metal foil, such as copper foil, and a ceramic substrate, such as aluminum nitride ceramic, using a brazing filler metal, which also contains an active metal in addition to a main component such as copper, silver and / or gold. This active metal, which is, for example, at least one element of the group Hf, Ti, Zr, Nb, Ce, establishes a connection between the solder and the ceramic by chemical reaction, while the connection between the solder and the metal is a metallic braze joint ,
Aufgabe der Erfindung ist es, eine Wärmesenke aufzuzeigen, die die vorgenannten Nachteile vermeidet. Zur Lösung dieser Aufgabe ist eine Wärmesenke entsprechend dem Patentanspruch 1 oder 3 ausgebildet. Eine Bau- oder Moduleinheit mit einer Wärmesenke ist Gegenstands des Patentanspruchs 22.The object of the invention is to provide a heat sink, which avoids the aforementioned disadvantages. To solve this problem, a heat sink according to claim 1 or 3 is formed. A building or module unit with a heat sink is the subject of claim 22.
Durch die an der wenigstens einen Kühlfläche des Kühlkörpers vorgesehene Ausgleichsschicht, die unmittelbar auf das Metall des Kühlkörpers aufgebracht ist, wird ein wirksamer Ausgleich der unterschiedlichen Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen dem Kühlkörper und den mit diesen Kühlkörper über die Lötverbindung verbundenen Funktionselementen eine Bau- oder Moduleinheit erreicht, insbesondere auch zwischen dem metallischen Kühlkörper und einem mit diesem über die Lötverbindung verbundenen Metall-Keramik-Substrat oder mit einem anderen Substrat oder Zwischenträger, der aus einem von dem Kühlkörper abweichenden Werkstoff besteht, beispielsweise aus einem Werkstoff oder Metall, welcher bzw. welches einen gegenüber dem Kühlkörper reduzierten Wärmeausdehnungskoeffizienten besitzt.By provided on the at least one cooling surface of the heat sink compensating layer, which is applied directly to the metal of the heat sink, an effective compensation of the different thermal expansion coefficients between the heat sink and the heat sink connected via the solder connection functional elements a module or module is achieved, in particular also between the metallic heat sink and one with this over the Solder connection connected metal-ceramic substrate or with another substrate or intermediate carrier, which consists of a deviating from the heat sink material, for example of a material or metal, which or has a relation to the heat sink reduced thermal expansion coefficient.
Weiterbildungen, Vorteile und Anwendungsmöglichkeiten der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen und aus den Figuren. Dabei sind alle beschriebenen und/oder bildlich dargestellten Merkmale für sich oder in beliebiger Kombination grundsätzlich Gegenstand der Erfindung, unabhängig von ihrer Zusammenfassung in den Ansprüchen oder deren Rückbeziehung. Auch wird der Inhalt der Ansprüche zu einem Bestandteil der Beschreibung gemacht.Further developments, advantages and applications of the invention will become apparent from the following description of exemplary embodiments and from the figures. In this case, all described and / or illustrated features alone or in any combination are fundamentally the subject of the invention, regardless of their summary in the claims or their dependency. Also, the content of the claims is made an integral part of the description.
Die Erfindung wird im Folgenden anhand der Figuren an Ausführungsbeispielen näher erläutert. Es zeigen:The invention will be explained in more detail below with reference to the figures of exemplary embodiments. Show it:
Fig. 1 in schematischer Darstellung ein auf einem Kühlkörper einer Wärmesenke angeordnetes elektronisches Leistungsmodul; Fig. 2 und 3 den Temperaturverlauf des Leistungsmoduls in Abhängigkeit von der Zeit beim Einschalten bzw. Aktivieren des Moduls (Figur 2) und beim Ausschalten bzw. Deaktivieren des Moduls (Figur 3), und zwar bei unterschiedlichen1 shows a schematic representation of an arranged on a heat sink of a heat sink electronic power module. 2 and 3 show the temperature profile of the power module as a function of time when switching on or activating the module (Figure 2) and when switching off or deactivating the module (Figure 3), and at different
Kühlmethoden; Fig. 4 in einer schematischen Darstellung den Aufbau des Moduls entsprechend derCooling methods; Fig. 4 is a schematic representation of the structure of the module according to the
Erfindung; Fig. 5 - 7 in schematischer Darstellung weitere Ausführungen der Erfindung.Invention; Fig. 5-7 in a schematic representation of further embodiments of the invention.
In Figur 1 ist 1 elektrisches bzw. elektronisches Leistungsmodul im Wesentlichen bestehend aus einem Keramik-Metall-Substrat 2, nämlich aus einem DCB-Substrat aus einer Keramikschicht 3, die beidseitig mit einer Metallisierung 4 bzw. versehen ist. Die Metallisierungen 4 und 5 sind beispielsweise jeweils von Kupferfolien gebildet, die mit Hilfe der DCB-Technik flächig auf die betreffende Oberflächenseite der Keramikschicht 3 aufgebracht sind. Die Keramikschicht 3 besteht beispielsweise aus einer Aluminiumoxid-Keramik (AbOs-Keramik) oder einer Aluminiumnitrid-Keramik (AlN- Keramik). Die Dicke der Keramikschicht 3 liegt beispielsweise im Bereich zwischen 0,2 und 2 mm.In FIG. 1, 1 electrical or electronic power module is essentially composed of a ceramic-metal substrate 2, namely a DCB substrate made of a ceramic layer 3, which is provided with a metallization 4 on both sides. The metallizations 4 and 5, for example, each formed of copper foils, with Help the DCB technology are applied flat on the relevant surface side of the ceramic layer 3. The ceramic layer 3 consists, for example, of an aluminum oxide ceramic (AbOs ceramic) or an aluminum nitride ceramic (AlN ceramic). The thickness of the ceramic layer 3 is for example in the range between 0.2 and 2 mm.
Die Metallisierung 4 an der Oberseite der Keramikschicht 3 ist zur Bildung von Leiterbahnen, Kontaktflächen usw. strukturiert. Auf der Metallisierung 4 sind u.a. elektronische Bauelemente aufgebracht, und zwar beispielsweise ein Leistungs- Bauelement 6 z.B. in Form eines elektronischen Schaltelementes (IGBT) sowie weitere, zur Ansteuerung dienende Bauelemente 7. Die Bauelemente 6 und 7 sind in einem geschlossenen Gehäuse 8 untergebracht, welches z.B. aus Kunststoff besteht. Der Innenraum 9 des Gehäuses 8 ist mit einem geeigneten Material vergossen. Für die Stromversorgung und Ansteuerung des Moduls 1 sind an der Oberseite des Gehäuses 8 entsprechende Anschlüsse 10 herausgeführt.The metallization 4 on the upper side of the ceramic layer 3 is structured to form conductor tracks, contact surfaces, etc. On the metallization 4 u.a. applied electronic components, for example, a power device 6, e.g. In the form of an electronic switching element (IGBT) and other, serving for driving components 7. The components 6 and 7 are housed in a closed housing 8, which, for example. made of plastic. The interior 9 of the housing 8 is potted with a suitable material. For the power supply and control of the module 1 8 corresponding terminals 10 are led out at the top of the housing.
Zur Kühlung des Moduls 1 ist dieses auf einem in der Figur 1 allgemein mit 11 bezeichneten Kühlkörper 11 angeordnet, der als Wärmesenke zum Abführen der von dem Modul 1 erzeugten Verlustwärme dient und mit dem die Metallisierung 5 in einer eine gute Wärmeübertragung sicherstellenden Weise verbunden ist, und zwar über eine Lotschicht 12. Der Kühlkörper 1 1 ist platten- oder quaderförmig ausgeführt, und zwar mit einer Oberseite 11.1 , einer Unterseite 11.2, mit zwei Längsseiten 1 1.3 und mit Stirnseiten 11.4 bzw. 11.5, die zusammen mit den Längsseiten 11.3 der Umfangsfläche des Kühlkörpers 1 1 bilden.For cooling the module 1, this is arranged on a generally designated 11 in Figure 1 heatsink 11, which serves as a heat sink for dissipating the heat loss generated by the module 1 and to which the metallization 5 is connected in a good heat transfer ensuring manner, The heat sink 1 1 is plate-shaped or cuboidal, with an upper side 11.1, a bottom 11.2, with two longitudinal sides 1 1.3 and with end faces 11.4 and 11.5, which together with the longitudinal sides 11.3 of the peripheral surface of the heat sink 1 1 form.
Die Figuren 2 und 3 zeigen zunächst prinzipiell den Temperatur/Zeit-Verlauf des Moduls 1 und damit auch des die Basis dieses Moduls 1 bildenden Keramik-Metall- Substrats 2 beim Aktivieren bzw. Einschalten des Moduls (Figur 2) und beim Abschalten bzw. Deaktivieren des Moduls 1 (Figur 3), und zwar jeweils für einen luftgekühlten Kühlkörper 12 (Kurve LK) und einen flüssigkeits- oder wassergekühlten Kühlkörper 1 1 (Kurve VVK).Figures 2 and 3 initially show in principle the temperature / time profile of the module 1 and thus also the base of this module 1 forming ceramic metal substrate 2 when activating or switching on the module (Figure 2) and when switching off or deactivating of the module 1 (Figure 3), each for a air-cooled heat sink 12 (curve LK) and a liquid- or water-cooled heat sink 1 1 (curve VVK).
Wie in der Figur 2 dargestellt ist, steigt bei einem luftgekühlten Kühlkörper 1 1 die Temperatur T mit der Zeit t verlangsamt auf die Betriebstemperatur an, während bei einem wassergekühlten Kühlkörper 11 ein relativ steiler Temperaturanstieg erfolgt, der Temperaturgradient, d.h. die Änderung der Temperatur mit der Zeit t (Temperatur/Zeit- Differential) relativ abrupt ist. Analog ist der Temperaturverlauf beim Deaktivieren des Moduls 1 , d.h. bei einem luftgekühlten Kühlkörper 12 nimmt die Temperatur T nach dem Deaktivieren relativ langsam und stetig ab, während bei einem flüssigkeitsgekühlten Kühlkörper 1 1 eine sehr abrupte Temperaturänderung eintritt, also auch beim Deaktivieren der Temperaturgradient (Änderung der Temperatur in Abhängigkeit von der Zeit t) wesentlich größer ist als bei einem luftgekühlten Kühlkörper 11 , wobei die absolute Kühlleistung bei einem wassergekühlten Kühlkörper 1 1 selbstverständlich wesentlich höher ist.As shown in FIG. 2, in an air-cooled heat sink 11, the temperature T slows down to the operating temperature with time t, while with a water-cooled heat sink 11, a relatively steep temperature rise occurs, the temperature gradient, i.e., the temperature gradient. the change in temperature with time t (temperature / time differential) is relatively abrupt. Similarly, the temperature profile when deactivating the module 1, i. in an air-cooled heat sink 12, the temperature T decreases relatively slowly and steadily after deactivation, while in a liquid-cooled heat sink 1 1 a very abrupt temperature change occurs, so even when deactivating the temperature gradient (change in temperature as a function of time t) much larger is than in an air-cooled heat sink 11, wherein the absolute cooling capacity in a water-cooled heat sink 1 1 is of course much higher.
In der Figur 4 ist für verschiedene Materialien der thermische Ausdehnungskoeffizient, angegeben in e -10"6/0 K angegeben, und zwar für Aluminium, Silizium, Kupfer, Aluminiumnitrid-Keramik (AlN), Aluminiumoxid-Keramik (AI2O3), für DCB-Substrate mit Aluminiumoxid-Keramik (Al 2O3-DC B-Substrate) und für DCB-Substrate mit einer Aluminiumnitrid-Keramik (AIN-DCB-Substrate). Da für Kühlkörper entsprechend dem Kühlkörper 1 1 in der Regel Metalle mit hoher Wärmeleitfähigkeit, d.h. Kupfer oder Aluminium verwendet werden, ist aus der Darstellung der Figur 4 erkennbar, dass bei dem Modul-Aufbau oder der Moduleinheit der Figur 1 bestehend aus dem Modul 1 und dem Kühlkörper 1 1 allein schon aufgrund des unterschiedlichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten e des Substrates 2 und des beispielsweise aus Kupfer bestehenden Kühlkörper 1 1 erhebliche Spannungen innerhalb der Moduleinheit auftreten, die (Spannungen) im Wesentlichen in der Lotschicht 12 wirken, d.h. von dieser aufgenommen sowie teilweise ausgeglichen werden. Zur Erzielung einer optimalen Kühlwirkung ist die Lotschicht 12 möglichst dünn. Die Dicke der Lotschicht beträgt beispielsweise nur 0 bis 300 mμ.In the figure 4, the thermal expansion coefficient, given in e -10 "6 / K 0 is given for different materials, namely of aluminum, silicon, copper, aluminum nitride ceramics (AlN), alumina ceramics (Al2O3), for DCB Substrates with alumina ceramic (Al 2O3-DC B substrates) and for DCB substrates with an aluminum nitride ceramic (AIN-DCB substrates)., As for heat sink according to the heat sink 1 1 usually metals with high thermal conductivity, ie copper or aluminum are used, it can be seen from the illustration of Figure 4, that in the module structure or the module unit of Figure 1 consisting of the module 1 and the heat sink 1 1 alone due to the different thermal expansion coefficient e of the substrate 2 and the example consisting of copper heatsink 1 1 significant voltages within the module unit occur, which act (voltages) substantially in the solder layer 12, that is taken from this s partly compensated. To achieve a optimal cooling effect, the solder layer 12 is as thin as possible. The thickness of the solder layer is for example only 0 to 300 mμ.
Wird nun das Modul 1 nicht im Dauerbetrieb, sondern im Schaltbetrieb oder intermittierend betrieben, wie dies beispielsweise bei einem Modul zur Ansteuerung oder Schaltung von Antrieben usw. in der Regel der Fall ist, so treten in der Lotschicht 12 ganz erhebliche, ständig wechselnde mechanische Spannungen auf, die insbesondere auch bei einem wasser- oder flüssigkeitsgekühlten Kühlkörper 11 eine hohe Schockbelastung der Lotschicht 12 bedingen. Dies kann zu einer Zerstörung der Lötverbindung zwischen den Modul 1 und dem Kühlkörper 11 und damit wegen des Fehlens einer ausreichenden Kühlung letztlich zu einer Zerstörung des Moduls 1 führen.Now, if the module 1 is not in continuous operation, but in switching mode or intermittently operated, as is the case, for example, in a module for controlling or switching drives, etc., so occur in the solder layer 12 quite significant, constantly changing mechanical stresses on, in particular in a water- or liquid-cooled heat sink 11 cause a high shock load of the solder layer 12. This can lead to a destruction of the solder joint between the module 1 and the heat sink 11 and thus ultimately to a destruction of the module 1 due to the lack of sufficient cooling.
Die Belastung der Lotschicht 12 durch den unterschiedlichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten des angrenzenden Keramik-Metall-Substrats 2 und des Kühlkörpers 11 nimmt mit der Reduzierung der Dicke dieser Lotschicht zu und ist auch von der Zusammensetzung des Lotes der Lotschicht 12 abhängig. Besonders hoch ist die Belastung der Lotschicht 12 dann, wenn für diese Schicht ein bleifreies Lot verwendet wird, wie dies aus Gründen der Umweltentlastung zunehmend gefordert wird. Derartige bleifreie Lote sind beispielsweise SnAg5, SnCu3.The load of the solder layer 12 by the different thermal expansion coefficient of the adjacent ceramic-metal substrate 2 and the heat sink 11 increases with the reduction of the thickness of this solder layer and is also dependent on the composition of the solder of the solder layer 12. Particularly high is the load of the solder layer 12 when a lead-free solder is used for this layer, as is increasingly required for reasons of environmental relief. Such lead-free solders are, for example, SnAg5, SnCu3.
Um diesen Nachteil zu vermeiden, ist entsprechend der Figur 5 der Kühlkörper 1 1 an seiner mit dem Substrat 1 zu verbindenden Oberseite 1 1.1 oder Kühlfläche mit einer Ausgleichsschicht 13 versehen, die aus einem Material mit hoher Wärmeleitfähigkeit und einem gegenüber Kupfer und Aluminium reduzierten thermischen Wärmeausdehnungskoeffizienten e besteht, d.h. aus einem Material mit einem thermischen Ausdehnungskoeffizienten e kleiner als 10 x 10~6/°K. Die Ausgleichsschicht 13, die eine Wärmeleitfähigkeit größer 100 W/mK aufweist und deren Dicke beispielsweise im Bereich zwischen 0,05 und 2 mm liegt, ist ohne jegliche Zwischenschicht, d.h. unmittelbar auf den Kühlkörper 11 bzw. auf das Metall (beispielsweise Kupfer) dieses Kühlkörpers 11 aufgebracht und besteht beispielsweise aus Mo, W, Mo-Cu, W-Cu, Cu-Diamant und/oder Cu-CNF (Kupfer mit Kohlenstoff- Nanotubes oder Kohlenstoff-Nanofasern).In order to avoid this disadvantage, according to FIG. 5, the heat sink 11 is provided on its upper side 11.1 or cooling surface to be connected to the substrate 1 with a leveling layer 13 which consists of a material with high thermal conductivity and a thermal coefficient of thermal expansion which is reduced compared to copper and aluminum e consists, ie of a material with a thermal expansion coefficient e less than 10 x 10 ~ 6 / ° K. The leveling layer 13, which has a thermal conductivity greater than 100 W / mK and whose thickness is for example in the range between 0.05 and 2 mm, is without any intermediate layer, that is applied directly to the heat sink 11 and to the metal (for example copper) of this heat sink 11 and consists for example of Mo, W, Mo-Cu, W-Cu, Cu-diamond and / or Cu-CNF (copper with Carbon nanotubes or carbon nanofibers).
Mit der Zwischen- oder Ausgleichsschicht 13 wird insbesondere eine Angleichung der thermischen Ausdehnungskoeffizienten des Keramik-Metall-Substrates und des Kühlkörpers 1 1 im Bereich der Verbindung zwischen diesen Komponenten, d.h. beidseitig von der Lotschicht 11 erreicht. Da der thermische Ausdehnungskoeffizient e des Keramik-Metall-Substrats 2 u.a. von der Dicke der Keramikschicht 3 abhängt, ist auch die Dicke der Ausgleichsschicht 13 an die Dicke der Keramikschicht 3 bevorzugt so angepasst, dass das Verhältnis "Dicke der Ausgleichsschicht 13/Dicke der Keramikschicht 3" im Bereich zwischen 1,3 und 0,25 liegt. Bei einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung liegt die Dicke der Ausgleichsschicht 13 im Bereich zwischen 0,05 und 3 mm.In particular, with the intermediate or equalization layer 13, an approximation of the coefficients of thermal expansion of the ceramic-metal substrate and the heat sink 1 1 in the region of the connection between these components, i. reached on both sides of the solder layer 11. Since the thermal expansion coefficient e of the ceramic-metal substrate 2 i.a. is dependent on the thickness of the ceramic layer 3, the thickness of the compensating layer 13 to the thickness of the ceramic layer 3 is preferably adjusted so that the ratio "thickness of the compensation layer 13 / thickness of the ceramic layer 3" is in the range between 1.3 and 0.25 , In a preferred embodiment of the invention, the thickness of the leveling layer 13 is in the range between 0.05 and 3 mm.
Das Aufbringen der Ausgleichsschicht 3 auf die metallische Oberfläche des Kühlkörpers 1 1 erfolgt mit geeigneten Oberflächenverfahren, beispielsweise durch Plattieren, z.B. Explosionsplattieren, durch Metall-Kaltspritzen, durch thermisches Metall-Spritzen, beispielsweise Schmelzbadspritzen, Flammschockspritzen, Flammspritzen, Lichtbogenspritzen, Plasmaspritzen usw.The application of the leveling layer 3 on the metallic surface of the heat sink 1 1 is carried out by suitable surface methods, for example by plating, e.g. Explosion plating, by metal cold spraying, by thermal metal spraying, for example molten bath spraying, flame spraying, flame spraying, arc spraying, plasma spraying, etc.
Durch die Ausgleichsschicht 13 erfolgt ein Angleichen des thermischen Ausdehnungskoeffizienten beidseitig von der Lotschicht 12 vorgesehenen Komponenten und damit eine Entlastung der Lotschicht 12 insbesondere auch bei einem Stopp- und Go-Betrieb des Moduls 1 und der hieraus resultierenden ständigen Temperaturänderung des Moduls 1 sowie des Keramik- und Metallsubstrats 2. Diese Entlastung ist insbesondere wegen des hohen Temperaturgradienten bei einer aktiven Wärmesenke, d.h. bei einer Wärmesenke von besonderem Vorteil, die innerhalb ihres Kühlkörpers 11 mit von einem gasförmigen und/oder dampfförmigen und/oder flüssigen Medium durchströmte Kühlkanäle aufweist und die für eine möglichst optimale Kühlung beispielsweise so ausgebildet sind, dass die innen liegenden, mit dem Kühlmedium in Kontakt stehenden Wärmeaustausch- oder Kühlfläche wesentlich größer ist, beispielsweise um mindestens den Faktor 2 oder den Faktor 4 größer ist als die äußere, mit dem Modul 1 in Verbindung stehende Kühlfläche.By the compensation layer 13, an adjustment of the thermal expansion coefficient takes place on both sides of the solder layer 12 provided components and thus a relief of the solder layer 12 in particular during a stop and go operation of the module 1 and the resulting permanent change in temperature of the module 1 and the ceramic and metal substrate 2. This relief is particularly advantageous because of the high temperature gradient in an active heat sink, ie, in a heat sink, within its Heatsink 11 with flowed through by a gaseous and / or vaporous and / or liquid medium cooling channels and which are designed for optimum cooling as possible, for example, that the inner, with the cooling medium in contact heat exchange or cooling surface is substantially larger, for example by at least a factor of 2 or a factor of 4 is greater than the outer, with the module 1 related cooling surface.
Zur Erzielung einer symmetrischen Ausbildung, insbesondere auch einer hinsichtlich des Temperaturverhaltens symmetrischen Ausbildung ist der Kühlkörper 1 1 auch an seiner dem Modul 1 abgewandten Unterseite mit einer der Ausgleichsschicht 13 entsprechenden zusätzlichen Schicht 13a versehen, die dann bevorzugt eine im Vergleich zur Dicke der Ausgleichsschicht 13 größere Dicke aufweist.To achieve a symmetrical design, in particular a symmetrical with respect to the temperature behavior training of the heat sink 1 1 is also provided on its module 1 side facing away from the underside with a compensation layer 13 corresponding additional layer 13 a, which then preferably a larger compared to the thickness of the compensation layer 13 Thickness.
Die Figur 6 zeigt in vereinfachter Darstellung eine Anordnung 14, die wiederum aus dem Keramik-Metall-Substrat 2, welches beispielsweise Bestandteil eines in dieser Figur nicht näher dargestellten Moduls ist, sowie aus dem mit dem Keramik-Metall- Substrat 2 über eine Lötverbindung (Lotschicht 12) verbundenen Kühlkörper 11 besteht, welcher zumindest an seiner mit dem Keramik-Metall-Substrat verbundenen Oberflächenseite aus Kupfer gefertigt ist. Auf dem Kühlkörper 1 1 ist wiederum die Zwischen- oder Ausgleichsschicht 13 aufgebracht. Abweichend von der Ausführungsform der Figur 5 ist auf die Schicht 13 eine weitere Zwischenschicht 15 aus Nickel oder eine Nickellegierung, beispielsweise aus einer Nickel-Silber-Legierung oder einer anderen Legierung aufgebracht, welche zumindest ein Metall enthält, welches auch Bestandteil des Lotes der Lotschicht 12 ist, die sich an die Zwischenschicht 15 anschließt und diese Zwischenschicht und damit den Kühlkörper 1 1 mit dem Keramik-Metall-Substrat verbindet.FIG. 6 shows, in a simplified representation, an arrangement 14, which in turn is made of the ceramic-metal substrate 2, which is, for example, a component of a module (not shown in detail in this figure) and of the ceramic-metal substrate 2 via a soldered connection (FIG. Lotschicht 12) connected heat sink 11 is made, which is made at least at its surface connected to the ceramic-metal substrate surface side of copper. On the heat sink 1 1, in turn, the intermediate or compensation layer 13 is applied. Notwithstanding the embodiment of FIG. 5, a further intermediate layer 15 of nickel or a nickel alloy, for example of a nickel-silver alloy or another alloy, which contains at least one metal, which also forms part of the solder of the solder layer 12, is applied to the layer 13 is, which adjoins the intermediate layer 15 and connects this intermediate layer and thus the heat sink 1 1 with the ceramic-metal substrate.
Die Figur 7 zeigt in vergrößerter Teildarstellung den Kühlkörper 11 zusammen mit einem Laserbarren 12, der mit seiner Längserstreckung senkrecht zur Zeichenebene der Figur 7 orientiert ist und eine Vielzahl von Laser-Licht emittierenden Emittern aufweist, die in Laserbarren längsrichtung gegeneinander versetzt vorgesehen sind. Der Kühlkörper 1 1 ist wiederum platten- oder quaderförmig ausgeführt, und zwar mit der Oberseite 1 1.1 , der Unterseite 11.2, den Längsseiten 1 1.3 und den Stirnseiten 11.4 bzw. 11.5. Der Laserbarren 12 ist an der Oberseite 11.1 im Bereich einer Stirnseite 1 1.5 vorgesehen, und zwar derart, dass er mit seiner Längserstreckung parallel zu dieser Stirnseite und zur Oberseite 11.1 , d.h. senkrecht zur Zeichenebene der Figur 7 orientiert ist und mit seiner Laserlicht-Austrittsseite in etwa bündig mit der Stirnseite 11.5 liegt.FIG. 7 shows, in an enlarged partial view, the heat sink 11 together with a laser bar 12 which, with its longitudinal extension, is perpendicular to the plane of the drawing 7 is oriented and has a plurality of laser light-emitting emitters, which are provided longitudinally offset in laser bars against each other. The heat sink 1 1 is again plate or cuboid running, with the top 1.1, the bottom 11.2, the longitudinal sides 1 1.3 and the end faces 11.4 and 11.5. The laser bar 12 is provided on the upper side 11.1 in the region of an end face 1 1.5, in such a way that it is oriented with its longitudinal extent parallel to this end face and the upper side 11.1, ie perpendicular to the plane of the figure 7 and with its laser light exit side in is approximately flush with the front side 11.5.
Zumindest im Bereich der Stirnseite 11.5 ist auf die Oberseite 11.1 sowie auf die Unterseite 11.2 wiederum eine Ausgleichsschicht 13 aufgebracht. Auf die Ausgleichsschicht 13 an der Oberseite 11.1 ist der mit einem plattenförmigen Zwischenträger 17 versehene Laserbarren 16 aufgelötet, und zwar über die zwischen der Ausgleichsschicht 13 und dem Zwischenträger 17 (Submount) vorgesehene Lotschicht 18. Die Verbindung zwischen dem Laserbarren 16 und den Zwischenträger 17 ist ebenfalls von einer Lotschicht 19 gebildet, und zwar derart, dass der Laserbarren mit seiner Laserlicht-Austrittsseite bündig mit einer Längsseite oder Längskante des sich über die gesamte Länge des Laserbarrens 16 erstreckenden Zwischenträgers 17 liegt, letzterer aber mit seiner anderen Längsseite über die Rückseite des Laserbarrens 16 wegsteht.At least in the region of the end face 11.5, in turn, a compensation layer 13 is applied to the upper side 11.1 and to the lower side 11.2. On the compensation layer 13 on the upper side 11.1 of the provided with a plate-shaped intermediate carrier 17 laser bar 16 is soldered, via the provided between the leveling layer 13 and the intermediate carrier 17 (Submount) solder layer 18. The connection between the laser bar 16 and the intermediate carrier 17 is likewise formed by a solder layer 19, in such a way that the laser bar with its laser light exit side is flush with a longitudinal side or longitudinal edge of the over the entire length of the laser bar 16 extending intermediate carrier 17, the latter but with its other longitudinal side on the back of the laser bar 16 stands.
Durch die Ausgleichsschicht 13 wird auch bei dieser Ausführungsform ein Angleichen zwischen den unterschiedlichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten des aus Kupfer oder Aluminium bestehenden Kühlkörpers 1 1 und des aus Cu-Mo bestehenden Zwischenträgers 17 und damit eine Entlastung der Lotschicht 18 erreicht. Um eine insbesondere auch thermisch symmetrische Ausbildung zu erhalten, ist dem Ausgleichsschicht 13 gegenüber liegend auf der Unterseite 11.2 eine entsprechende Schicht 13a aufgebracht, und zwar derart, dass die Dicke der Schicht 13a größer ist als die Dicke der Ausgleichsschicht 13, aber kleiner ist als die Summe der Dicken der Ausgleichsschicht 13 und des Zwischenträgers 17.By means of the compensation layer 13, an alignment between the different coefficients of thermal expansion of the heat sink 1 1 made of copper or aluminum and the intermediate support 17 made of Cu-Mo is achieved in this embodiment as well, thus relieving the solder layer 18. In order to obtain a particularly thermally symmetrical design, the compensation layer 13 opposite to the underside 11.2 a corresponding layer 13a is applied, in such a way that the thickness of the layer 13a is greater than the thickness of the compensation layer 13, but is smaller than the sum of the thicknesses of the compensation layer 13 and the intermediate carrier 17th
Die Erfindung wurde voranstehend an Ausführungsbeispielen beschrieben. Es versteht sich, dass zahlreiche Änderungen sowie Abwandlungen möglich sind, ohne dass dadurch der der Erfindung zugrunde liegende Erfindungsgedanke verlassen wird.The invention has been described above by means of exemplary embodiments. It is understood that numerous changes and modifications are possible without thereby departing from the inventive concept underlying the invention.
So sind als Ausgleichsschicht 13 und/oder Gegenschicht 13a auch solche aus gesputterten Keramiken oder hochfesten Metallen möglich.Thus, as compensation layer 13 and / or counter-layer 13a, those made of sputtered ceramics or high-strength metals are also possible.
Weiterhin ist es insbesondere auch möglich, die Ausgleichsschicht 13 und/oder Gegenschicht 13a als Composite-Schichten herzustellen, und zwar ein- oder mehrschichtig oder -lagig, wobei z.B. jede Lage aus mehreren unterschiedlichen Materialien, z.B. aus unterschiedlichen Metallen oder Legierungen unterschiedlicher Metalle besteht, oder z.B. unterschiedliche Lagen aus unterschiedlichen Werstoffen oder Werkstoffgemischen (z.B. Metalllegierungen) bestehen, die dann beispielsweise auch mit unterschiedlichen Verfahren aufgebracht sind. So ist es beispielsweise möglich, eine metallische Lage (z.B. Cu-Lage) durch Kaltspritzen und eine weitere Lage (z.B. Keramik-Lage) durch Plasma-Spritzen aufzubringen.Furthermore, it is in particular also possible to produce the compensation layer 13 and / or counter-layer 13a as composite layers, in one or more layers or layers, wherein e.g. each layer of several different materials, e.g. is made of different metals or alloys of different metals, or e.g. different layers of different materials or material mixtures (for example, metal alloys) exist, which are then applied, for example, with different methods. For example, it is possible to apply a metallic layer (e.g., Cu layer) by cold spraying and another layer (e.g., ceramic layer) by plasma spraying.
Speziell Schichten oder Lagen aus Diamant, Kohlenstoff und/oder Kohlenstoff- Nanofasern können z.B. durch CVD (Chemical Vapour Deposition) aufgebracht werden, wobei diese Schichten oder Lagen anschließend mit Cu-Pulver-Kaltgas beschichtet werden können.Specifically, layers or layers of diamond, carbon, and / or carbon nanofibers may be used e.g. be applied by CVD (Chemical Vapor Deposition), these layers or layers can then be coated with Cu powder cold gas.
Der Kühlkörper 11 kann auch Bestandteil einer sogenannten Heat-Pipe sein, wobei in diesem Fall die Schichten 13 und/oder 13a auch zur Abdichtung von Risikozonen bezüglich Leckagen dienen und schon allein hierdurch zu einer Verbesserung der Lebensdauer einer Bau- oder Moduleinheit beitragen. BezugszeichenlisteThe heat sink 11 may also be part of a so-called heat pipe, in which case the layers 13 and / or 13a also serve to seal risk zones with respect to leaks and contribute to an improvement in the life of a building or modular unit alone. LIST OF REFERENCE NUMBERS
1 Modul1 module
2 Keramik-Metall-Substrat, insbesondere Keramik-Kupfer-Substrat2 ceramic-metal substrate, in particular ceramic-copper substrate
3 Keramikschicht3 ceramic layer
4, 5 Metallisierung, insbesondere Kupferschicht4, 5 metallization, in particular copper layer
6, 7 elektronisches Bauelement6, 7 electronic component
8 Modulgehäuse8 module housing
9 Innenraum des Gehäuses9 Interior of the housing
10 Anschluss10 connection
11 Kühlkörper oder Wärmesenke11 heat sink or heat sink
11.1 Oberseite11.1 top
11.2 Unterseite11.2 bottom
11.3 Längsseite 11.4, 11.5 Stirnseite11.3 Long side 11.4, 11.5 Front side
12 Lotschicht12 solder layer
13 Ausgleichsschicht 13a zusätzliche Schicht13 leveling layer 13a additional layer
14 Anordnung14 arrangement
15 Zwischenschicht15 intermediate layer
16 Laserbarren16 laser bars
17 Zwischenträger oder Submount 18, 19 Lotschicht 17 Intermediate carrier or submount 18, 19 solder layer

Claims

Patentansprüche claims
1. Wärmesenke zum Kühlen von Bauteilen (6, 7), Baugruppen, Modulen (1) oder dergleichen Komponenten, insbesondere zum Kühlen von elektrischen oder elektronischen Komponenten, mit zumindest einem Kühlkörper (1 1 ), der wenigstens eine Kühlfläche (1 1.1) zum Ankoppeln der zu kühlenden Komponente bildet und an dieser Kühlfläche aus einem metallischen Werkstoff besteht, dadurch gekennzeichnet, dass der Kühlkörper (1 1) zumindest an der wenigstens einen Kühlfläche (1 1.1 ) mit wenigstens einer unmittelbar auf diese Kühlfläche aufgebrachten zumindest einlagigen Ausgleichsschicht (13) versehen ist, die eine Wärmeleitfähigkeit größer 100 W/m°K sowie einen thermischen Wärmeausdehnungskoeffizienten kleiner 10 10"6/°K besitzt1. heat sink for cooling of components (6, 7), modules, modules (1) or the like components, in particular for cooling of electrical or electronic components, with at least one heat sink (1 1), the at least one cooling surface (1 1.1) Coupling of the component to be cooled forms and on this cooling surface consists of a metallic material, characterized in that the cooling body (1 1) at least on the at least one cooling surface (1 1.1) with at least one directly applied to this cooling surface at least one leveling compensation layer (13) is provided, which has a thermal conductivity greater than 100 W / m ° K and a thermal expansion coefficient of less than 10 10 "6 / ° K.
2. Wärmesenke nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die Ausgleichsschicht (13) aus wenigstens einer Lage aus Mo, W, Mo-Cu, W-Cu, Cu-CNF und/oder Cu-Diamant besteht.2. Heat sink according to claim 1, characterized in that the compensation layer (13) consists of at least one layer of Mo, W, Mo-Cu, W-Cu, Cu-CNF and / or Cu-diamond.
3. Wärmesenke zum Kühlen von Bauteilen (6, 7), Baugruppen, Modulen (1) oder dergleichen Komponenten, insbesondere zum Kühlen von elektrischen oder elektronischen Komponenten, mit zumindest einem Kühlkörper (1 1), der wenigstens eine Kühlfläche (1 1.1) zum Ankoppeln der zu kühlenden Komponente bildet und an dieser Kühlfläche aus einem metallischen Werkstoff besteht, dadurch gekennzeichnet, dass der Kühlkörper (1 1 ) zumindest an der wenigstens einen Kühlfläche (1 1.1) mit wenigstens einer unmittelbar auf diese Kühlfläche aufgebrachten zumindest einlagigen Ausgleichsschicht (13) versehen ist, und dass die Ausgleichsschicht (13) oder wenigstens eine Lage der Ausgleichsschicht aus Mo, W, Mo-Cu, W-Cu, Cu-CNF, Cu-Diamant, Kohlenstoff und/oder Kohlenstoff-Nanofasern besteht.3. heat sink for cooling of components (6, 7), modules, modules (1) or the like components, in particular for cooling of electrical or electronic components, with at least one heat sink (1 1), the at least one cooling surface (1 1.1) Coupling of the component to be cooled forms and on this cooling surface consists of a metallic material, characterized in that the cooling body (1 1) at least on the at least one cooling surface (1 1.1) with at least one directly applied to this cooling surface at least one leveling compensation layer (13) is provided, and that the compensation layer (13) or at least one layer of the compensation layer of Mo, W, Mo-Cu, W-Cu, Cu-CNF, Cu-diamond, carbon and / or carbon nanofibers.
4. Wärmesenke nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Ausgleichsschicht (13) oder wenigstens eine Lage der Ausgleichsschicht (13) eine Wärmeleitfähigkeit größer 100 W/m°K sowie einen thermischen Wärmeausdehnungskoeffizienten kleiner 10 10"6/°K besitzt.4. Heat sink according to claim 3, characterized in that the compensating layer (13) or at least one layer of the compensating layer (13) has a thermal conductivity greater than 100 W / m ° K and a thermal expansion coefficient of less than 10 10 "6 / ° K.
5. Wärmesenke nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Kühlkörper (1 1) zumindest an einer der wenigstens einen Kühlfläche (1 1.1 ) gegenüber liegenden Seite (11.2) mit einer der wenigstens einen Ausgleichsschicht (13) entsprechenden weiteren zumindest einlagigen Schicht (13a) versehen ist.5. Heat sink according to one of the preceding claims, characterized in that the cooling body (1 1) at least one of the at least one cooling surface (1 1.1) opposite side (11.2) with one of the at least one leveling layer (13) corresponding further at least one layer (13a) is provided.
6. Wärmesenke nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Ausgleichsschicht (13) und/oder die weitere Schicht (13a) als Composite-Schicht aus unterschiedlichen Materialien und/oder aus mehreren Einzelschichten bestehend erzeugt ist, wobei die Einzelschichten beispielsweise zumindest teilweise durch Kaltgasspritzen aufgebracht sind.6. Heat sink according to one of the preceding claims, characterized in that the compensating layer (13) and / or the further layer (13a) is produced as a composite layer of different materials and / or consists of several individual layers, wherein the individual layers, for example, at least partially are applied by cold gas spraying.
7. Wärmesenke nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Ausgleichsschicht (13) und/oder die weitere Schicht (13a) oder wenigstens eine Lage der Ausgleichsschicht (13) und/oder der weiteren Schicht (13a) durch Plattieren, insbesondere Sprengplattieren, durch Kaltspritzen, durch Metallpulver-Kaltgas-Beschichten, durch thermisches Spritzen oder Sputtern auf den Kühlkörper (11 ) oder eine dort bereits vorgesehene Lage der Ausgleichsschicht (13) und/oder der weiteren Schicht (13a) aufgebracht ist. 7. Heat sink according to one of the preceding claims, characterized in that the compensating layer (13) and / or the further layer (13a) or at least one layer of the compensating layer (13) and / or the further layer (13a) by plating, in particular explosive plating , by cold spraying, by metal powder cold gas coating, by thermal spraying or sputtering on the heat sink (11) or there already provided location of the compensation layer (13) and / or the further layer (13a) is applied.
8. Wärmesenke nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Ausgleichsschicht (13) und/oder die weitere Schicht (13a) oder wenigstens eine Lage der Ausgleichsschicht (13) und/oder der weiteren Schicht (13a) durch CVD auf den Kühlkörper (1 1 ) oder eine dort bereits vorgesehene Lage der Ausgleichsschicht (13) und/oder der weiteren Schicht (13a) aufgebracht ist.8. Heat sink according to one of the preceding claims, characterized in that the compensating layer (13) and / or the further layer (13a) or at least one layer of the compensating layer (13) and / or the further layer (13a) by CVD on the heat sink (1 1) or an already provided there layer of the compensation layer (13) and / or the further layer (13 a) is applied.
9. Wärmesenke nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Kühlkörper (11) in Bezug auf eine parallel zu der wenigstens einen Kühlfläche (1 1.1 ) verlaufenden Ebene hinsichtlich Schicht- und/oder Materialfolge symmetrisch oder im Wesentlichen symmetrisch ausgebildet ist.9. Heat sink according to one of the preceding claims, characterized in that the cooling body (11) with respect to a parallel to the at least one cooling surface (1 1.1) extending plane with respect to layer and / or material sequence is formed symmetrically or substantially symmetrically.
10. Wärmesenke nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Kühlkörper (11 ) zumindest im Bereich der wenigstens einen Kühlfläche (11.1) aus Kupfer oder Aluminium besteht.10. Heat sink according to one of the preceding claims, characterized in that the cooling body (11) at least in the region of at least one cooling surface (11.1) consists of copper or aluminum.
1 1.Wärmesenke nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass der Kühlkörper (11) durchgehend aus Kupfer oder Aluminium besteht.1 1. heat sink according to claim 10, characterized in that the cooling body (11) consists of copper or aluminum throughout.
12. Wärmesenke nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass der Kühlkörper (11) aus mehreren mit einander verbundenen Platten oder Schichten, beispielsweise aus mehreren mit dem DCB-Verfahren mit einander verbundenen Platten oder Schichten besteht.12. Heat sink according to claim 10, characterized in that the cooling body (11) consists of a plurality of interconnected plates or layers, for example of several with the DCB method with interconnected plates or layers.
13. Wärmesenke nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch wenigstens einen im Kühlkörper (1 1) ausgebildeten, von einem Kühlmedium durchströmbaren Kühlkanal. 13. Heat sink according to one of the preceding claims, characterized by at least one in the heat sink (1 1) formed by a cooling medium flow-through cooling channel.
14. Wärmesenke nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass die von dem wenigstens einen Kühlkanal gebildete innere Kühlfläche zumindest um den Faktor 2, vorzugsweise um den Faktor 4 größer ist als die wenigstens eine äußere Kühlfläche (1 1.1 ).14. Heat sink according to claim 13, characterized in that the inner cooling surface formed by the at least one cooling channel is larger by at least a factor of 2, preferably by a factor of 4 than the at least one outer cooling surface (1.1.1).
15. Wärmesenke nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch ihre Ausbildung als Heatpipe.15. Heat sink according to one of the preceding claims, characterized by its design as a heat pipe.
16. Wärmesenke nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass auf die wenigstens eine Ausgleichsschicht (13) eine weitere metallische Schicht (15) aufgebracht ist.16. Heat sink according to one of the preceding claims, characterized in that on the at least one compensating layer (13), a further metallic layer (15) is applied.
17. Wärmesenke nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass die weitere metallische Schicht (15) wenigstens ein Metall enthält, welches auch Bestandteil einer Lotschicht (12, 18) ist, über die wenigstens eine Komponente (1 , 16) mit dem Kühlkörper (1 1 ) verbunden ist.17. Heat sink according to claim 16, characterized in that the further metallic layer (15) contains at least one metal, which is also part of a solder layer (12, 18), via which at least one component (1, 16) with the heat sink (1 1) is connected.
18. Wärmesenke nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicke der wenigstens einen Ausgleichsschicht im Bereich zwischen 0,05 und 2 mm liegt.18. Heat sink according to one of the preceding claims, characterized in that the thickness of the at least one compensating layer is in the range between 0.05 and 2 mm.
19. Wärmesenke nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass bei der zumindest zweilagigen Ausgleichsschicht (13) und/oder der zumindest zweilagigen weiteren Schicht (13a) eine metallische Einzelschicht durch Metall-Kaltspritzen aufgebracht ist.19. Heat sink according to one of the preceding claims, characterized in that in the at least two-layer compensating layer (13) and / or the at least two-ply further layer (13 a) a metallic single layer is applied by metal cold spraying.
20. Wärmesenke nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, dass die Ausgleichsschicht (13) und/oder die weitere Schicht (13a) aus wenigstens einer Plasma gespritzten oder gesputterten Keramikschicht und einer Kaltgas gespritzten Metallschicht, beispielsweise Cu-Schicht besteht.20. Heat sink according to claim 19, characterized in that the compensating layer (13) and / or the further layer (13a) of at least one plasma-sprayed or sputtered ceramic layer and a cold gas sprayed metal layer, for example Cu layer consists.
21.Wärmesenke nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die wenigstens eine Ausgleichsschicht (13) und/oder die wenigstens eine weitere Schicht (13a) eine Einzelschicht aus CVD abgeschiedenem Diamant, Kohlstoff und/oder Kohlenstoff-Nanofasern sowie wenigstens eine durch Kaltspritzen und/oder durch chemische Abscheidung gebildete metallische Einzelschicht, beispielsweise CU-Einzelschicht aufweist.21. Heat sink according to one of the preceding claims, characterized in that the at least one compensating layer (13) and / or the at least one further layer (13a) a single layer of CVD deposited diamond, carbon and / or carbon nanofibers and at least one by cold spraying and / or formed by chemical deposition metallic single layer, for example CU single layer.
22. Bau- oder Moduleinheit mit wenigstens einer Wärmesenke, dadurch gekennzeichnet, dass Wärmesenke nach einem der vorhergehenden Ansprüche ausgebildet ist.22, construction or modular unit with at least one heat sink, characterized in that heat sink is formed according to one of the preceding claims.
23. Bau- oder Moduleinheit nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, dass auf der wenigstens einen zumindest einlagigen Ausgleichsschicht (13) oder der auf diese aufgebrachten weiteren Schicht (15) über eine Lotschicht (12, 18) eine Komponente, z.B. ein Bauelement (16) oder ein Modul (1) oder ein Substrat oder Träger (2, 17) befestigt ist.23. Construction or modular unit according to claim 22, characterized in that on the at least one at least single-layer compensating layer (13) or the further layer (15) applied thereto via a solder layer (12, 18) a component, e.g. a component (16) or a module (1) or a substrate or carrier (2, 17) is attached.
24. Bau- oder Moduleinheit nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicke der Lotschicht maximal 300 mμ beträgt.24. Construction or modular unit according to claim 23, characterized in that the thickness of the solder layer is at most 300 mμ.
25. Bau- oder Moduleinheit nach Anspruch 23 oder 24, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicke der Lotschicht (12) kleiner ist als die Dicke der zumindest einlagigen Ausgleichsschicht (3).25. Construction or modular unit according to claim 23 or 24, characterized in that the thickness of the solder layer (12) is smaller than the thickness of the at least single-layer compensating layer (3).
26. Bau- oder Moduleinheit nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Träger ein Keramik-Metall-Substrat (2) ist, bestehend aus einer Keramikschicht (3) und aus Metallisierungen (4, 5) an den Oberflächenseiten der Keramikschicht (2), und dass eine Metallisierung über die Lötverbindung mit der Wärmesenke bzw. mit dem Kühlkörper (1 1 ) verbunden ist.26. Construction or modular unit according to one of the preceding claims, characterized in that the carrier is a ceramic-metal substrate (2), consisting of a ceramic layer (3) and metallizations (4, 5) to the Surface sides of the ceramic layer (2), and that a metallization via the solder joint to the heat sink and the heat sink (1 1) is connected.
27. Bau- oder Moduleinheit nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, dass das Keramik-Metall-Substrat ein DCB-Substrat ist.27, construction or modular unit according to claim 24, characterized in that the ceramic-metal substrate is a DCB substrate.
28. Bau- oder Moduleinheit nach Anspruch 22 oder 23, dadurch gekennzeichnet, dass die Keramikschicht aus Aluminiumoxid- oder Aluminiumnitrid-Keramik besteht.28. Construction or modular unit according to claim 22 or 23, characterized in that the ceramic layer consists of aluminum oxide or aluminum nitride ceramic.
29. Bau- oder Moduleinheit nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Keramik-Metall-Substrat unter Anwendung des Aktivlötverfahrens hergestellt ist.29, construction or modular unit according to one of the preceding claims, characterized in that the ceramic-metal substrate is prepared using the active soldering.
30. Bau- oder Moduleinheit nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Kühlkörper (1 1) an einer den Keramik-Metall-Substrat (2) gegenüber liegenden Oberflächenseite mit einer der Ausgleichsschicht entsprechenden weiteren zumindest einlagigen Schicht (13a) versehen ist, und dass die weitere Schicht (13a) vorzugsweise eine Dicke aufweist, die größer ist als die Dicke der Ausgleichsschicht (13).30. Building or module unit according to one of the preceding claims, characterized in that the cooling body (1 1) on a ceramic-metal substrate (2) opposite surface side with a compensation layer corresponding further at least one layer (13a) is provided and that the further layer (13a) preferably has a thickness that is greater than the thickness of the compensating layer (13).
31. Bau- oder Moduleinheit nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Keramik-Metall-Substrat Bestandteil eines elektronischen Leistungsschaltkreises oder Moduls (1) ist.31, construction or modular unit according to one of the preceding claims, characterized in that the ceramic-metal substrate is part of an electronic power circuit or module (1).
32. Bau- oder Moduleinheit nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das wenigstens eine Bauteil wenigstens eine Laserdiode oder wenigstens ein Laserbarren (16) ist, die bzw. der über wenigstens eine Lötverbindung (18, 19) auf der Ausgleichsschicht (13) montiert ist.32. Building or module unit according to one of the preceding claims, characterized in that the at least one component is at least one laser diode or at least one laser bar (16), the or over at least one Solder connection (18, 19) is mounted on the compensation layer (13).
33. Bau- oder Moduleinheit nach Anspruch 32, dadurch gekennzeichnet, dass die wenigstens eine Laserdiode oder der wenigstens eine Laserbarren (16) auf einem plattenförmigen Zwischenträger (17) bzw. Submount befestigt, beispielsweise aufgelötet ist, und dass der Zwischenträger (17) über eine Lotschicht (18) mit der Ausgleichsschicht (13) am Kühlkörper (1 1) verbunden ist.33. Building or modular unit according to claim 32, characterized in that the at least one laser diode or the at least one laser bar (16) mounted on a plate-shaped intermediate carrier (17) or submount, for example, is soldered, and that the intermediate carrier (17) via a solder layer (18) is connected to the compensation layer (13) on the heat sink (1 1).
34. Bau- oder Moduleinheit nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Ausgleichsschicht (13) gegenüber liegend eine der Ausgleichsschicht entsprechende, vorzugsweise materialgleiche Gegenschicht (13a) vorgesehen ist.34. Building or modular unit according to one of the preceding claims, characterized in that the compensation layer (13) opposite to a compensation layer corresponding, preferably the same material counter-layer (13a) is provided.
35. Bau- oder Moduleinheit nach Anspruch 34, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicke der Gegenschicht (13a) größer ist als die Dicke der Ausgleichsschicht (13).35. modular unit according to claim 34, characterized in that the thickness of the counter-layer (13a) is greater than the thickness of the compensating layer (13).
36. Bau- oder Moduleinheit nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicke der Gegenschicht (13a) maximal gleich der Summe der Dicke der Ausgleichsschicht (13) und der Dicke des Zwischenträgers (17) bzw. Submounts ist. 36. Building or modular unit according to one of the preceding claims, characterized in that the thickness of the counter-layer (13a) is at most equal to the sum of the thickness of the compensating layer (13) and the thickness of the intermediate carrier (17) or submounts.
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Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8081462B2 (en) * 2007-09-13 2011-12-20 Rockwell Automation Technologies, Inc. Modular liquid cooling system
DE102009042518A1 (en) * 2009-09-16 2011-03-24 Esw Gmbh Device for cooling electronic components, has metallic base plate formed as part of holder of component and has cooling element, which is arranged adjacent to base plate
JP5191527B2 (en) 2010-11-19 2013-05-08 日本発條株式会社 LAMINATE AND METHOD FOR PRODUCING LAMINATE
JP5848874B2 (en) * 2011-01-07 2016-01-27 日本発條株式会社 Temperature control device and method of manufacturing the temperature control device
DE102011076774A1 (en) * 2011-05-31 2012-12-06 Continental Automotive Gmbh Semiconductor component for use in e.g. power electronic area, has solderable layers formed at surfaces of carrier and cooling body, respectively, where surfaces of carrier and body face body and carrier, respectively
JP2013055218A (en) * 2011-09-05 2013-03-21 Kiko Kagi Kofun Yugenkoshi Heat radiator
JP5409740B2 (en) * 2011-09-28 2014-02-05 日本発條株式会社 Heat dissipation structure, power module, method for manufacturing heat dissipation structure, and method for manufacturing power module
DE102012102611B4 (en) * 2012-02-15 2017-07-27 Rogers Germany Gmbh Metal-ceramic substrate and method for producing a metal-ceramic substrate
WO2014061178A1 (en) * 2012-10-16 2014-04-24 富士電機株式会社 Cooling structure and heat generating body
CN103779043B (en) * 2012-10-25 2017-09-26 台达电子企业管理(上海)有限公司 Great-power electromagnetic component
JP5880519B2 (en) * 2013-10-21 2016-03-09 トヨタ自動車株式会社 In-vehicle electronic device
EP2887787A3 (en) * 2013-12-13 2015-08-19 Hitachi, Ltd. Cooling structure for heating element and power converter
CN104750207A (en) * 2013-12-30 2015-07-01 鸿富锦精密工业(武汉)有限公司 Heat dissipation module
SG10201401622RA (en) 2014-04-17 2015-11-27 Delta Electronics Int’L Singapore Pte Ltd Package structure
TW201601358A (en) * 2014-06-19 2016-01-01 道康寧公司 Photopatternable silicones for wafer level Z-axis thermal interposer
DE102014116963B4 (en) * 2014-11-19 2019-12-12 Dsh Handels- Und Verwertungsgesellschaft Mbh Heatsink with an electronic component and light with such a heat sink
DE102015203587A1 (en) * 2015-02-27 2016-09-01 Siemens Aktiengesellschaft Method of manufacturing a power electronic system with integrated heat exchanger and power electronic system
EP3086365A1 (en) * 2015-04-23 2016-10-26 ABB Technology Oy Compensation of power electronic module flatness deviations
CN105304577B (en) * 2015-07-28 2017-12-08 中国电子科技集团公司第十研究所 The preparation method of multi-chip module cooling encapsulation ceramic composite substrate
KR102424402B1 (en) * 2015-08-13 2022-07-25 삼성전자주식회사 Semiconductor packages and methods for fabricating the same
EP3163611B1 (en) * 2015-11-02 2021-06-30 ABB Schweiz AG Power electronic assembly
DE102016223886A1 (en) * 2016-12-01 2018-06-07 Robert Bosch Gmbh Method for producing a metal-ceramic substrate
JP7016015B2 (en) 2017-05-09 2022-02-04 パナソニックIpマネジメント株式会社 Mounting structure
DE102017221778A1 (en) * 2017-12-04 2019-06-06 Siemens Aktiengesellschaft Heat sink for an electronic component, electronic assembly with such a heat sink and method for producing such a heat sink
DE102018104521B4 (en) * 2018-02-28 2022-11-17 Rogers Germany Gmbh metal-ceramic substrates
CN108321134A (en) * 2018-04-09 2018-07-24 黄山宝霓二维新材科技有限公司 The encapsulating structure and processing technology of the plastic sealed IPM modules of high power density
CN111326949B (en) * 2018-12-15 2023-04-11 深圳市中光工业技术研究院 Laser chip manufacturing method and laser chip
DE102019113308A1 (en) * 2019-05-20 2020-11-26 Rogers Germany Gmbh A method for producing a metal-ceramic substrate and a metal-ceramic substrate produced by such a method
US20210410331A1 (en) * 2020-06-25 2021-12-30 Intel Corporation Integrated circuit die thermal solutions with a contiguously integrated heat pipe
CN111933594A (en) * 2020-07-16 2020-11-13 杰群电子科技(东莞)有限公司 Power semiconductor structure and packaging method thereof

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2213115C3 (en) * 1972-03-17 1975-12-04 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Process for the high-strength joining of ceramics made of carbides, including diamonds, borides, nitrides or suicides, with metal by the dry soldering process
US3766634A (en) 1972-04-20 1973-10-23 Gen Electric Method of direct bonding metals to non-metallic substrates
US3744120A (en) 1972-04-20 1973-07-10 Gen Electric Direct bonding of metals with a metal-gas eutectic
JPS5550646A (en) * 1978-10-06 1980-04-12 Hitachi Ltd Integrated circuit device
JPH0810710B2 (en) 1984-02-24 1996-01-31 株式会社東芝 Method for manufacturing good thermal conductive substrate
US4757934A (en) * 1987-02-06 1988-07-19 Motorola, Inc. Low stress heat sinking for semiconductors
DE10227658B4 (en) * 2002-06-20 2012-03-08 Curamik Electronics Gmbh Metal-ceramic substrate for electrical circuits or modules, method for producing such a substrate and module with such a substrate
DE10234704A1 (en) * 2002-07-30 2004-02-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Semiconductor device comprises a semiconductor component, especially power laser diode billet, arranged on cooling element containing channel for introducing coolant and microstructures for effective heat transfer to the coolant
AT412265B (en) * 2002-11-12 2004-12-27 Electrovac HEAT EXTRACTION COMPONENT
JP2004200571A (en) 2002-12-20 2004-07-15 Mitsubishi Materials Corp Substrate for power module and its producing process, and power module
US7112472B2 (en) * 2003-06-25 2006-09-26 Intel Corporation Methods of fabricating a composite carbon nanotube thermal interface device
JP2005079580A (en) * 2003-08-29 2005-03-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Laser apparatus having multiple light emitting regions
US20060045153A1 (en) * 2004-08-31 2006-03-02 Carter Serrena M Low thermal expansion coefficient cooler for diode-laser bar
DE102004055534B4 (en) * 2004-11-17 2017-10-05 Danfoss Silicon Power Gmbh Power semiconductor module with an electrically insulating and thermally highly conductive layer

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