EP1602122A1 - Verfahren zum ätzen einer probe sowie ätzanlage - Google Patents

Verfahren zum ätzen einer probe sowie ätzanlage

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EP1602122A1
EP1602122A1 EP04718650A EP04718650A EP1602122A1 EP 1602122 A1 EP1602122 A1 EP 1602122A1 EP 04718650 A EP04718650 A EP 04718650A EP 04718650 A EP04718650 A EP 04718650A EP 1602122 A1 EP1602122 A1 EP 1602122A1
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EP
European Patent Office
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gas
etching
reaction chamber
reactive gas
plasma
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Withdrawn
Application number
EP04718650A
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English (en)
French (fr)
Inventor
Dennis FÖH
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TDK Micronas GmbH
Original Assignee
TDK Micronas GmbH
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Publication date
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Withdrawn legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching
    • H01J2237/3341—Reactive etching

Definitions

  • the invention relates to a method for etching a sample in an etching system by means of a plasma from a reactive gas mixture which is passed through a reaction chamber with an inlet opening for gas supply and with an outlet opening for gas outflow, in which the sample to be etched is located a device for igniting and maintaining the plasma, the reactive gas mixture being passed through the reaction chamber in a first stabilization step, a control unit of the etching system regulating all process parameters to the desired values and the plasma being ignited in a second step.
  • the invention further relates to an etching system for etching a sample by means of a plasma from a reactive gas mixture which can be passed through a reaction chamber with an inlet opening for gas supply and with an outlet opening for gas outflow, in which the sample to be etched is located, with a device for ignition and Preservation of the plasma, the reactive gas mixture being able to be conducted through the reaction chamber in a first stabilization step, a control unit being provided in the etching system for regulating all process parameters to the setpoints, and the plasma being ignitable in a second step.
  • Etching processes are used, for example, in the production of semiconductor chips.
  • a mask is placed on one layer, e.g. B. made of silicon, a semiconductor.
  • the areas of the layer not protected by the mask are etched by means of a plasma, because the plasma has the ability to convert the material to be etched into the gas phase.
  • the sample for example a multilayer system consisting of several layers, is located in an etching system in a reaction chamber with an inlet opening for gas supply and with an outlet opening for gas outflow.
  • a reactive gas mixture e.g. B. a chlorine-containing gas with which silicon can be etched
  • a control unit of the etching system regulates all process parameters to the target values.
  • the plasma is ignited in the reaction chamber. Now the etching process begins.
  • Etching processes with different reactive gases. Driving temperatures, pressures and gas flows etc. The process parameters must be reset for each sub-process. With each adjustment, however, reactive gas is uselessly blown into the open through the reaction chamber.
  • a disadvantage of this method is that larger quantities of the expensive and often also environmentally harmful reactive gas are required to regulate the process parameters and are subsequently blown into the open.
  • an inert gas can be passed through the reaction chamber instead of the reactive gas mixture
  • the invention initially provides for the reactive gas to be passed through the reaction chamber in order to regulate and stabilize the process parameters to the desired values.
  • the plasma is then ignited in a second step.
  • a new feature of the known method is that, during the stabilization, all setting parameters of the etching system are stored in a memory. After the setting parameters have been stored, an inert gas is passed through the reaction chamber 5 instead of the reactive gas.
  • An inert gas is a gas that does not react with the sample in the reaction chamber.
  • the gas flow of the inert gas is changed until the reference gas flow is determined which effects the same setting parameters as the reactive gas before.
  • This reference gas flow is also stored in memory. For example, the gas flow "of the inert gas is increased starting with an initial value of 100 sccm, until the gas flow is determined that causes the same setting parameters as the reactive gas before. While maintaining these determined setting parameters, the inert gas with the determined gas flow is now passed through the reaction chamber to stabilize the process instead of the reactive gas. After switching to the reactive gas mixture while maintaining all 5 setting parameters, the plasma can be ignited immediately without a time delay.
  • the invention has the advantage that the setting parameters and thus the process are stabilized by means of an inexpensive and environmentally friendly Lier gas. For these reasons, the costs for etching in the method according to the invention are considerably reduced. In addition, the environmental impact decreases significantly.
  • Process and setting parameters for several different etching processes are preferably stored in the memory of an etching system according to the invention.
  • the associated parameters are queried in the memory in order to set the etching system correctly.
  • the sample P to be etched is located between two electrodes EL in a reaction chamber.
  • a first output of a control unit SE at which a high DC voltage can be output, is connected to one electrode EL, while the other electrode 5 EL is grounded.
  • a second output of the control unit SE at which a high-frequency high voltage HF can be emitted, is connected to the one electrode EL via a capacitance C.
  • a control output of the control unit SE is connected to a control valve V, to which the inert gas I and the reactive gas R are connected. Either the inert gas I or the reactive gas mixture R is passed from the control valve V through an inlet opening E into the reaction chamber K, which has an outlet opening A for gas removal.
  • a measuring sensor M for detecting the process parameters meters arranged in the reaction chamber K.
  • the output of the measuring sensor M is connected to a memory S for storing the process and setting parameters.
  • the control unit SE sets the control valve V such that the reactive gas mixture R flows through the reaction chamber K.
  • all process parameters that the measuring sensor M measures are regulated to the target values.
  • the plasma is ignited in the following second stabilization step. All setting parameters of the etching system are now stored in the memory S while the process is running.
  • control unit SE changes over the control valve V so that the inert gas I now flows through the reaction chamber K instead of the reactive gas R.
  • the control unit SE now increases the gas flow of the inert gas I starting with an initial value until the reference gas flow is reached which causes the same setting parameters as the reactive gas did before. This reference gas flow is also stored in memory S 5.
  • the reactive gas R is passed through the reaction chamber K with the reference gas flow determined by means of the inert gas I while maintaining the determined setting parameters instead of the inert gas I. Now the plasma is ignited to etch the sample.
  • the gas flow of the reactive gas R is regulated to the value associated with the inert gas I.
  • parameters for several different etching processes, reactive gases and samples can be stored in the memory S.
  • the 5 measurement and storage processes are only required for new etching processes.
  • the parameters stored in the memory S can be used for etching processes that have already been carried out.
  • the etching process according to the invention and the etching system according to the invention are characterized by low process costs and low environmental impact. The more stabilization steps are required, the stronger these advantages of the invention have an effect. References

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Abstract

Um teures und häufig auch umweltschädigendes Reaktivgas (R) beim Ätzen mittels eines Plasmas (PL) zu sparen, wird zur Stabilisierung zunächst das Reaktivas (R) durch eine Reaktionskammer (K) einer Ätzanlage geleitet, bis alle Prozessparameter auf die Sollwerte geregelt sind; während dieser Stabilisierung werden alle Einstellparameter der Ätzanlage in einem Speicher (S) gespeichert. Nach dem Speichern wird der Gasfluss eines anstelle des Reaktivgases (R) durch die Reaktionskammer (K) geleiteten Inertgases (I) z. B. Helium, mit einem Anfangswert beginnend vergrössert, bis derjenige Referenzgassfluss gefunden wird, der dieselben Einstellparameter verursacht wie das Reaktivgas (R). Dieser Referenzgasfluss wird ebenfalls im Speicher (S) gespeichert. Bei jedem folgenden Ätzprozess wird die Ätzanlage zuerst mittels des mit dem ermittelten Referenzgasfluss die Reaktionskammer (K) durchströmenden Inertgases (I) eingestellt, um nach vollendeter Stabilisierung das Reaktivgas (R) durch die Reaktionskammer (K) zu leiten und für den eigentlichen Ätzprozess das Plasma (PL) zu zünden.

Description

Beschreibung
Verfahren zum Ätzen einer Probe sowie Ätzanlage
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Ätzen einer Probe in einer Ätzanlage mittels eines Plasmas aus einem Reaktivgasgemisch, das durch eine Reaktionskammer mit einer Einlass- öff ung zur Gaszufuhr und mit einer Auslassöffnung zum Gasausfluss geleitet wird, in welcher sich die zu ätzende Probe befindet, mit einer Einrichtung zur Zündung und Erhaltung des Plasmas, wobei in einem ersten Stabilisierungsschritt das Reaktivgasgemisch durch die Reak- tionskammer geleitet wird, wobei eine Steuereinheit der Ätzanlage alle Prozessparameter auf die Sollwerte regelt und wobei in einem zweiten Schritt das Plasma gezündet wird.
Die Erfindung betrifft weiter eine Ätzanlage zum Ätzen einer Probe mittels eines Plasmas aus einem Reaktivgasgemisch, das durch eine Reaktionskammer mit einer Einlassöffnung zur Gaszufuhr und mit einer Auslassöffnung zum Gasabfluss leitbar ist, in welcher sich die zu ätzende Probe befindet, mit einer Einrichtung zur Zündung und Erhaltung des Plasmas, wobei in einem ersten Stabilisierungsschritt das Reaktivgasgemisch durch die Reaktionskammer leitbar ist, wobei eine Steuereinheit in der Ätzanlage zur Regelung aller Prozessparameter auf die Sollwerte vorgesehen ist und wobei in einem zweiten Schritt das Plasma zündbar ist.
Ätzverfahren werden beispielsweise bei der Herstellung von Halbleiterchips eingesetzt. Auf eine Schicht, z. B. aus Silizium, eines Halbleiters wird eine Maske gesetzt. Die nicht von der Maske geschützten Flächen der Schicht werden mittels eines Plasmas geätzt, weil das Plasma die Fähigkeit hat, das zu ätzende Material in die Gasphase umzusetzen.
In einer Ätzanlage befindet sich die Probe, beispielsweise ein Mehrschichtensystem aus mehreren Schichten, in einer Reaktionskammer mit einer Einlassöffnung zur Gaszufuhr und mit einer Auslassöffnung zum Gasabfluss. Zu Beginn des Ätzprozesses wird zunächst ein Reaktivgasgemisch, z. B. ein chlorhaltiges Gas, mit welchem sich Silizium ätzen lässt, durch die Reaktionskammer geleitet. Eine Steuereinheit der Ätzanlage regelt alle Prozessparameter auf die Sollwerte. Nach Einregelung auf die Sollwerte wird das Plasma in der Reaktionskammer gezündet. Nun beginnt der Atzprozess. Bei einem Mehrschichtensystem sind aber mehrere Ätzprozesse mit unterschiedlichen Reaktivgasen. Temperaturen, Drücken und Gasflüssen usw. zu fahren. Für jeden Teilprozess müssen die Prozessparameter neu eingeregelt werden. Bei jeder Einregelung aber wird unnütz Reaktivgas durch die Reaktionskammer ins Freie geblasen.
Ein Nachteil dieses Verfahrens liegt darin, dass größere Mengen des teueren und häufig auch umweltschädlichen Reaktivgases zur Einregelung der Prozessparameter erforderhch sind und anschließend ins Freie geblasen werden.
Es ist daher Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren und eine Ätzanlage zum Ätzen einer Probe mittels eines Plasmas so zu gestalten, dass möglichst wenig Reaktivgas verbraucht wird, um die Verfahrenskosten und die Umweltverschmutzung möglichst gering zu halten.
Verfahrensmäßig wird diese Aufgabe mit den im Anspruch 1 angegebenen Merkmalen da- durch gelöst,
- dass alle Ernstellparameter der Ätzanlage, während der Stabilisierung mit dem Reaktivgasgemisch gespeichert werden,
- dass nach dem Speichern der Einstellparameter anstelle des Reaktivgasgemisches ein
Ihertgas in die Reaktionskammer geleitet wird,
- dass durch Verändern des Gasflusses des Inertgases derjenige Inertgasfluss ermittelt und ebenfalls im Speicher gespeichert wird, der dieselben Einstellparameter bewirkt wie zuvor das Reaktivgas, und somit den eigentlichen Stäbilisierungsschritt mit Reaktivgasgemisch ersetzt.
- dass nach Stabihsierung mit diesem Inertgas wieder das ReaMvgäsge isch eingelassen wird ohne eine Änderung der Einstellparameter zur Folge zu haben,
und dass das Plasma jetzt gezündet wird. Vorrichtungsmäßig wird diese Aufgabe mit den im Anspruch 6 angegebenen Merkmalen dadurch gelöst,
- dass alle Einstellparameter der Ätzanlage, während des Prozessablaufes , in einem 5 Speicher speicherbar sind,
- dass nach dem Speichern der Einstellparameter anstelle des Reaktivgasgemisches ein Inertgas durch die Reaktionskamrner leitbar ist,
10 - dass durch Verändern des Gasflusses des Inertgases derjenige Inertgasfluss ermittelbar und speicherbar ist, der dieselben Einstellparameter bewirkt wie zuvor das Reaktivgas,
- dass nach Stabilisierung mit diesem Inertgas wieder das Reaktivgasgemisch eingelassen wird ohne eine Önderung der Einstellparameter zur Folge zu haben, 5
- und dass jetzt das Plasma zündbar ist.
Die Erfindung sieht zunächst wie beim bekannten Verfahren vor, das Reaktivgas durch die Reaktionskammer zu leiten, um die Prozessparameter auf die Sollwerte zu regeln und zu sta- o bilisieren. Anschließend wird in einem zweiten Schritt das Plasma gezündet.
Neu gegenüber dem bekannten Verfahren ist nun, dass, während der Stabilisierung, alle Einstellparameter der Ätzanlage in einem Speicher gespeichert werden. Nach dem Speichern der Einstellparameter wird anstelle des Reaktivgases ein Inertgas, durch die Reaktionskammer 5 geleitet. Ein Inertgas ist ein- Gas, das keine Reaktionen mit der in der Reaktionskammer sitzenden Probe eingeht.
Erfindungsgemäß wird nun der Gasfluss des Inertgases so lange verändert, bis derjenige Referenzgasfluss ermittelt ist, der dieselben Einstellparameter wie zuvor das Reaktivgas bewirkt. o Dieser Referenzgasfluss wird ebenfalls in Speicher gespeichert. Beispielsweise wird der Gasfluss "des Inertgäses mit einem Anfangswert von 100 sccm beginnend erhöht, bis derjenige Gasfluss ermittelt wird, der dieselben Einstellparameter bewirkt wie zuvor das Reaktivgas. Unter B eib ehaltung dieser ermittelten Einstellp arameter wird nun zum Stabilisieren des Prozesses anstelle des Reaktivgas das Inertgases mit dem ermitteltem Gasfluß durch die Reaktionskammer geleitet. Nach Umschalten auf das Reaktivgasgemisch unter Beibehaltung aller 5 Einstellparameter kann das Plasma ohne Zeitverzögerung sofort gezündet werden.
Die Erfindung hat den Vorteil, dass mittels eines preiswerten und umweltfreundlichen Liert- gases die Einstellp arameter und damit der Prozess stabilisiert werden. Aus diesen Gründen werden die Kosten zum Ätzen beim erfindungsgemäßen Verfahren erheblich verringert. Au- o ßerdem geht die Umweltbelastung erheblich zurück.
Vorzugsweise sind im Speicher einer erfindungsgemäßen Ätzanlage Prozess- und Einstellparameter für mehrere unterschiedliche Ätzprozesse gespeichert. Wie bereits erwähnt, werden bei Ätzprozessen., deren Parameter bereits gespeichert sind, die zugehörenden Parameter im s Speicher abgefragt, um die Ätzanlage korrekt einzustellen.
Die Erfindung wird anhand der Figur nun näher beschrieben und erläutert.
In der Figur ist ein Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Ätzanlage im Prinzip dar- o gestellt.
In einer Reaktionskammer befindet sich die zu ätzende Probe P zwischen zwei Elektroden EL. Ein erster Ausgang einer Steuereinheit SE, an welchem eine hohe Gleichspannung abgegeben werden kann, ist mit der einen Elektrode EL verbunden, während die andere Elektrode 5 EL auf Masse liegt. Ein zweiter Ausgang der Steuereinheit SE, an welchem eine hochfrequente Hochspannung HF abgegeben werden kann, ist über eine Kapazität C mit der einen Elektrode EL verbunden. Ein Steuerausgang der Steuereinheit SE ist mit einem Stellventil V verbunden, an welches das Inertgas I und das Reaktivgas R angeschlossen sind. Vom Stellventil V wird entweder das Inertgas I oder das Reaktivgasgemisch R durch eine Einlassöff- b nung E in die Reaktionskammer K geleitet, die eine Auslassöffnung A zur Gasabfuhr aufweist. In der Reaktionskammer K ist z.B. ein Messsensor M zur Erfassung der Prozesspara- meter angeordnet. Der Ausgang des Messsensors M ist mit einem Speicher S zum Speichern der Prozess- und Einstellparameter verbunden.
Zu Beginn eines Ätzprozesses stellt die Steuereinheit SE das Stellventil V so, dass das Reak- 5 tivgasgemisch R durch die Reaktionskammer K fließt. Es werden nun in einem ersten Stabili- sierungsschritt alle Prozessparameter, die der Messsensor M misst auf die Sollwerte geregelt. Im folgenden zweiten Stäbilisierungsschritt wird das Plasma gezündet. Es werden jetzt alle Einstellparameter der Ätzanlage im Speicher S gespeichert, während der Prozess läuft.
0 Nachdem alle Parameter gespeichert sind, stellt die Steuereinheit SE das Steuerventil V um, so dass jetzt anstelle des Reaktivgases R das Inertgas I durch die Reaktionskammer K fließt. Die Steuereinheit SE erhöht nun mit einem Anfangswert beginnend den Gasfluss des Inertga- ses I so lange, bis derjenige Referenzgasfluss erreicht wird, der dieselben Einstellparameter verursacht wie zuvor das Reaktivgas. Dieser Referenzgasfluss wird ebenfalls im Speicher S 5 gespeichert.
Zum Ätzen der Probe wird unter Beibehaltung der ermittelten Einstellparameter anstelle des Inertgases I das Reaktivgas R mit dem mittels des Liertgases I ermittelten Referenzgasfluss durch die Reaktionskammer K geleitet. Jetzt wird das Plasma gezündet, um die Probe zu ät- o zen.
Bei jedem weiteren Atzprozess der gleichen Art wird der Gasfluss des Reaktivgases R auf den mittels des Inertgases I zugehörenden Wert geregelt. Im Speicher S lassen sich beispielsweise Parameter für mehrere unterschiedliche Ätzprozesses, Reaktivgase und Proben speichern. Die 5 Mess- und Speichervorgänge sind nur für neue Ätzprozesse erforderlich. Für bereits durchgeführte Ätzprozesse kann auf die im Speicher S gespeicherten Parameter zurückgegriffen werden. Aus diesen Gründen zeichnen sich das erfindungsgemäße Ätzverfahren und die erfindungsgemäße Ätzanlage durch geringe Verfahrenskosten und geringe Umweltbelastung aus. Je mehr Stabihsierungsschritte erforderlich sind, desto stärker wirken sich diese Vorteile der o Erfindung aus. B ezugszeichenhste
A Auslassöffnung
C Kapazität
DC Gleichsp annung
E Einlassöffhung
EL Elektrode
HF Hochfrequente Hochspannun;
I Inertgas
K Reaktionskammer
M Messsensor
P Probe
PL Plasma
R Reaktivgas
S Speicher
SE Steuereinheit
V Stellventil

Claims

Patentansprüche
1. Verfahren zum Ätzen einer Probe (P) in einer Ätzanlage mittels eines Plasmas • 5 (PL) aus einem Reaktivgasgemisch (R), das durch eine Reaktionskammer (KL) mit einer Einlassöffhung (E) und mit einer Auslassöffnung (A) geleitet wird, in welcher sich die zu ätzende Probe (P) befindet, mit einer Einrichtung zur Zündung und Erhaltung des Plasmas (PL), wobei in einem ersten Verfahrensschritt das Reaktivgasgemisch (R) durch die Reaktionskammer (KL) geleitet wird und wobei eine l o Steuereinheit (SE) der Ätzanlage alle Prozessparameter auf die Sollwerte regelt und wobei in einem zweiten Verfahrensschritt das Plasma (PL) gezündet wird, dadurch gekennzeichnet,
- dass Einstellparameter der Ätzanlage zumindest, während des 1. Verfahrensschrittes, in einem Speicher (S) gespeichert werden, 5 - dass nach dem Speichern der Einstellparameter anstelle des Reaktivgasgemisches
(R) ein Inertgas (I) durch die Reaktionskammer (K) geleitet wird,
- dass durch Verändern des Gasflusses des Inertgases (I) derjenige Gasfluss ermittelt wird, der dieselben Einstellparameter verursacht wie zuvor das Reaktivgasgemisch (R). 0 1 a. — dass in die Reaktionskammer (K) solange mit ermittelten Referenzgasfluss des Inertgas es eingelassen wird, bis die Einstellparameter im Prozess stabiliesiert sind,
- dass anschließend von Inertgas auf Reaktivgasgemisch umgeschaltet wird unter Beibehaltung der Einstellparameter 5 - anschließend erfolgt eine Zündung des Plasmas.
2. Verfahren nach Anspruch 1 , dadurc gekennzeichnet, dass die Gasflüsse für mehrere unterschiedliche Reaktivgase (R) ermittelt und im Speicher (S) gespeichert werden. 0
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass zu Beginn eines Ätzprozesses das I- nertgas (I) mit dem zum vorgesehenen Reaktivgas (R) gespeicherten Referenzgasfluss durch die Reaktionskammer (K) geleitet wird, bis Stabilisierung eintritt, dass anschließend das Reaktivgas (R) unter Beibehaltung der Einstellparameter durch die Reaktionskammer (KL) geleitet wird und dass das Plasma (PL) zum Ätzen gezündet wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass als Inertgas (I) Helium, Argon oder Xenon vorgesehen wird. 0
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass der ermittelte Wert für den Referenzgasfluss in dem Speicher (S) gespeichert wird.
s
6. Ätzanlage zum Ätzen einer Probe (P) mittels eines Plasmas (PL) aus einem
Reaktivgas (R), das durch eine Reaktionskammer (K) mit einer Einlassöffnung (E) zur Gaszufuhr und mit einer Auslassöffnung (A) zum Gasabfluss leitbar ist, in welcher sich die zu ätzende Probe (P) befindet, mit Einrichtung zur Erzeugung eines elektrischen Hochspannungsfeldes zur Zündung und Erhaltung des Plasmas o (PL), wobei in einem ersten Stabilisierungsschritt das Reaktivgas (R) durch die
Reaktionskammer (K) leitbar ist, wobei eine Steuereinheit (SE) der Ätzanlage zur Regelung aller Prozessparameter auf die Sollwerte vorgesehen ist und wobei in einem zweiten Schritt das Plasma (PL) zündbar ist, dadurch gekennzeichnet, 5 - dass alle Einstellparameter der Ätzanlage, während der Prozess läuft, in einem
Speicher (S) speicherbar sind,
- dass nach dem Speichern der Einstellparameter anstelle des Reaktivgases (R) ein Inertgas (I) durch die Reaktionskammer (K) leitbar ist,
- dass durch Verändern des Gasflusses des Inertgases (I) derjenige Referenzgas- o fiuss ermittelbar und ebenfalls im Speicher (S) speicherbar ist, der dieselben Einstellparameter verursacht wie zuvor das Reaktivgas (R),
- dass zum Ätzen der Probe (P) unter Beibehaltung der ermittelten Einstellparame- ter anstelle des Inertgases (I) das Reaktivgas (R) durch die Reaktionskammer (KL) leitbar ist,
- und dass das Plasma (PL) Ohne Stabilisierung mit Reaktivgas und ohne Zeitverzögerung zündbar ist.
7. Ätzanlage nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass zu Beginn eines Ätzprozesses das I- nertgas (I) mit dem zum vorgesehenen Reaktivgas (R) gehörenden und gespeicherten Referenzgasfluss durch die Reaktionskammer (K) leitbar ist, bis Stabihsierung eintritt, dass anschließend unter Beibehaltung der Einstellparameter das vorgesehene Reaktivgas (R) durch die ReaMonskarnmer (K) leitbar ist und dass das Plasma (PL) zum Ätzen des Probe (P) zündbar ist.
8. Ätzanlage nach einem der Ansprüche 6 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass als Inertgas (I) Helium vorgesehen ist.
9. Ätzanlage nach einem der Ansprüche 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Einrichtung zur Zündung Elektroden oder eine Elektroden- / Spulenanordnung aufweist.
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