EP1494964A1 - Method for the production of a microstructure comprising a vacuum cavity and microstructure - Google Patents

Method for the production of a microstructure comprising a vacuum cavity and microstructure

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EP1494964A1
EP1494964A1 EP03746317A EP03746317A EP1494964A1 EP 1494964 A1 EP1494964 A1 EP 1494964A1 EP 03746317 A EP03746317 A EP 03746317A EP 03746317 A EP03746317 A EP 03746317A EP 1494964 A1 EP1494964 A1 EP 1494964A1
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EP
European Patent Office
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cavity
microstructure
silicon
plate
plates
Prior art date
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Withdrawn
Application number
EP03746317A
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Inventor
Pierre-Olivier Thales Intellectual Pty LEFORT
Isabelle Thomas
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Thales SA
Original Assignee
Thales SA
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/0032—Packages or encapsulation
    • B81B7/0035—Packages or encapsulation for maintaining a controlled atmosphere inside of the chamber containing the MEMS
    • B81B7/0038—Packages or encapsulation for maintaining a controlled atmosphere inside of the chamber containing the MEMS using materials for controlling the level of pressure, contaminants or moisture inside of the package, e.g. getters
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
    • B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
    • B81C2201/0101—Shaping material; Structuring the bulk substrate or layers on the substrate; Film patterning
    • B81C2201/0111—Bulk micromachining
    • B81C2201/0115—Porous silicon

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Abstract

The invention relates to a method for the production of a microstructure comprising a vacuum cavity. The inventive method comprises the following steps: a) a porous silicon area is produced from a first silicon sheet in order to create either totally or partially a wall of a cavity and to absorb residual gases of said cavity; b) the first silicon sheet is assembled with a second silicon sheet in order to produce said cavity.

Description

Procédé de fabrication d'une microstructure comportant une cavité sous vide et microstructure Method for manufacturing a microstructure comprising a vacuum cavity and microstructure
L'invention concerne un procédé de fabrication d'une microstructure comportant une cavité sous vide.The invention relates to a method for manufacturing a microstructure comprising a vacuum cavity.
Elle a également pour objet une microstructure comportant une cavité sous vide. Le domaine de l'invention est celui des composants comprenant une microstructure comportant une cavité interne placée sous vide. Parmi ces composants on peut citer les capteurs de différentes grandeurs physiques tels que les capteurs de pression, d'accélération ou de vitesse angulaires comme les gyromètres. La cavité peut avoir pour fonction de :It also relates to a microstructure comprising a vacuum cavity. The field of the invention is that of components comprising a microstructure comprising an internal cavity placed under vacuum. Among these components, mention may be made of sensors of different physical quantities such as pressure, acceleration or angular speed sensors such as gyrometers. The cavity can have the function of:
- constituer une cavité de référence sous vide pour des capteurs de pression,- constitute a reference vacuum cavity for pressure sensors,
- permettre le conditionnement sous vide d'éléments de capteurs tels que des résonateurs utilisés couramment pour réaliser des capteurs de pression résonants, des accéléromètres résonants (« VBA » ou « Vibrating- allow vacuum packaging of sensor elements such as resonators commonly used to make resonant pressure sensors, resonant accelerometers ("VBA" or "Vibrating
Beam Accelerator » en anglais), des gyromètres vibrants ou des filtres électro-mécaniques.Beam Accelerator ”, vibrating gyros or electro-mechanical filters.
Les performances de ces composants et notamment la précision et la stabilité dépendent en particulier du vide atteint dans la cavité, c'est-à- dire de la pression interne de la cavité : de bonnes performances sont obtenues lorsque ces composants fonctionnent à très basse pression typiquement inférieure à 0.01 mbar.The performance of these components and in particular the accuracy and stability depend in particular on the vacuum reached in the cavity, that is to say on the internal pressure of the cavity: good performance is obtained when these components operate at very low pressure typically less than 0.01 mbar.
Dans le cas par exemple des composants utilisant des résonateurs, il est nécessaire d'assurer un niveau de pression autour du résonateur assez bas, entre 0.0001 et 0.01 mbar, pour éviter d'introduire un amortissement des mouvements du résonateur.In the case, for example, of components using resonators, it is necessary to ensure a fairly low pressure level around the resonator, between 0.0001 and 0.01 mbar, to avoid introducing damping of the movements of the resonator.
Dans le cas des accéléromètres, un fonctionnement à ces très basses pressions permet en outre d'éviter que, bien que la cavité soit placée sous vide, le gaz résiduel de la cavité vienne perturber le fonctionnement en modifiant la valeur de masse de référence de l'accélerometre par effet d'absorption/désorption des molécules de la surface de la masse. Différents types de technologie de mise sous vide de la cavité peuvent être utilisés.In the case of accelerometers, operation at these very low pressures also makes it possible to avoid that, although the cavity is placed under vacuum, the residual gas from the cavity disturbs the operation by modifying the reference mass value of l accelerometer by absorption / desorption effect of molecules from the surface of the mass. Different types of cavity vacuum technology can be used.
Une première technologie consiste à réaliser un boîtier métallique ou en céramique dans lequel est placée la microstructure dont la cavité est laissée ouverte. Le boîtier est ensuite mis sous vide par pompage/dégazage de la cavité au moyen d'un tube de pompage (en verre par exemple), pendant plusieurs jours ; le boîtier est alors scellé par une opération de queusotage du tube, c'est-à-dire en pinçant le tube. Les inconvénients majeurs de cette technologie sont le coût et l'encombrement du boîtier. Une seconde technologie qui ne concerne que la microstructure consiste à prévoir un petit trou dans une zone dédiée de la cavité. On a représenté figure 1 un exemple d'une telle microstructure 1 dont la cavité 2 est délimitée par trois plaques, une plaque supérieure 3, une plaque inférieure 4 et une plaque intermédiaire 5 ; un résonateur 6 logé dans la cavité 2 permet de mesurer la pression au moyen d'une membrane 7 à laquelle il est relié. La microstructure comporte de manière classique des plots de contacts 10 et éventuellement des couches isolantes 11. Après pompage/dégazage de la cavité 2, le trou 8 est obturé par fusion d'un matériau 9 approprié tel qu'un verre ou un alliage métallique, Sn/Pb par exemple.A first technology consists in producing a metallic or ceramic case in which the microstructure is placed, the cavity of which is left open. The housing is then placed under vacuum by pumping / degassing the cavity by means of a pumping tube (made of glass for example), for several days; the casing is then sealed by a tube queusotage operation, that is to say by pinching the tube. The major drawbacks of this technology are the cost and the size of the housing. A second technology which only concerns the microstructure consists in providing a small hole in a dedicated area of the cavity. FIG. 1 shows an example of such a microstructure 1, the cavity 2 of which is delimited by three plates, an upper plate 3, a lower plate 4 and an intermediate plate 5; a resonator 6 housed in the cavity 2 makes it possible to measure the pressure by means of a membrane 7 to which it is connected. The microstructure conventionally comprises contact pads 10 and possibly insulating layers 11. After pumping / degassing of the cavity 2, the hole 8 is closed by melting a suitable material 9 such as a glass or a metal alloy, Sn / Pb for example.
L'opération d'obturation est réalisée microstructure par microstructure, et nécessite une préparation des surfaces du trou pour autoriser l'adhérence du matériau d'obturation sur ces surfaces, ce qui présente un premier inconvénient d'ordre industriel. II existe également un inconvénient technique lié à la présence d'un matériau d'obturation différent du matériau de base de ces microstructures généralement en silicium voire en quartz. Cette hétérogénéité entre les matériaux introduit des contraintes importantes sur les parois du trou en raison de la dilatation différentielle entre ces matériaux : par exemple, la dilatation du silicium est de 2 à 3 ppm/°C tandis que celle d'un alliage Sn/Pb dépasse 15 ppm/°C. Les contraintes générées peuvent alors se transmettre à la partie active de la microstructure et induire des dégradations des performances de mesure.The sealing operation is carried out microstructure by microstructure, and requires preparation of the surfaces of the hole to allow adhesion of the filling material on these surfaces, which has a first drawback of an industrial order. There is also a technical drawback linked to the presence of a sealing material different from the base material of these microstructures generally made of silicon or even quartz. This heterogeneity between the materials introduces significant constraints on the walls of the hole due to the differential expansion between these materials: for example, the silicon expansion is 2 to 3 ppm / ° C while that of an Sn / Pb alloy exceeds 15 ppm / ° C. The stresses generated can then be transmitted to the active part of the microstructure and induce degradations in measurement performance.
Les technologies précédentes s'appliquent alors que la cavité est constituée. Une troisième technologie qui ne concerne également que la microstructure intervient lors de la réalisation de la cavité : elle consiste à assembler sous vide des plaques délimitant la cavité. L'assemblage est réalisé par soudure : soudure anodique verre/silicium lorsqu'une plaque est en verre et l'autre en silicium, soudure silicium/silicium lorsque les deux plaques sont en silicium.The above technologies apply while the cavity is formed. A third technology which also only concerns the microstructure intervenes during the production of the cavity: it consists in assembling vacuum plates delimiting the cavity. The assembly is carried out by welding: anodic glass / silicon welding when one plate is made of glass and the other in silicon, silicon / silicon welding when the two plates are made of silicon.
Dans le cas de la soudure verre/silicium, le processus de soudure génère la production d'oxygène par décomposition du verre utilisé pour ce type de soudure ; il peut s'agir du verre de la plaque elle-même ou d'un verre utilisé pour la soudure et identique au verre de la plaque. Cette production d'oxygène provoque une pression interne de 1 à 10 mbar, beaucoup trop forte pour les composants visés.In the case of glass / silicon welding, the welding process generates the production of oxygen by decomposition of the glass used for this type of welding; it can be the glass of the plate itself or a glass used for welding and identical to the glass of the plate. This production of oxygen causes an internal pressure of 1 to 10 mbar, much too high for the targeted components.
La soudure silicium/silicium permet de réaliser une microstructure homogène d'une excellente qualité mécanique et hermétique. Un traitement physico-chimique des substrats est réalisé pour placer les surfaces à souder dans un état chimique particulier. Par ailleurs, le processus de soudure doit être complété par un traitement thermique à haute température, typiquement 1000°C pour disposer des propriétés optimales de l'assemblage. Et pour éviter une forte remontée de pression provoquée par le traitement thermique, une opération préalable de dégazage des parois de la cavité devrait être réalisée ; mais cette opération de dégazage détruirait alors l'état chimique des surfaces à souder. Cette technologie ne permet donc pas d'obtenir une faible pression à l'intérieur de la cavité.The silicon / silicon solder makes it possible to produce a homogeneous microstructure of excellent mechanical and hermetic quality. A physico-chemical treatment of the substrates is carried out to place the surfaces to be welded in a particular chemical state. Furthermore, the welding process must be completed by a high temperature heat treatment, typically 1000 ° C to have the optimal properties of the assembly. And to avoid a strong rise in pressure caused by the heat treatment, a prior degassing operation of the walls of the cavity should be carried out; but this degassing operation would then destroy the chemical state of the surfaces to be welded. This technology therefore does not allow a low pressure to be obtained inside the cavity.
Une autre technologie consiste à prévoir dans la cavité un emplacement supplémentaire destiné à recevoir un matériau (« getter » en anglais) apte à absorber les gaz résiduels de la cavité. Elle complète par exemple la troisième technologie. Cet emplacement supplémentaire augmente le volume de la microstructure. D'autre part cela nécessite de fixer le matériau à une des parois de la cavité, ce qui introduit une étape supplémentaire dans le processus de fabrication. Enfin, l'opération de fixation du matériau à la paroi doit être compatible avec une opération de recuit lorsqu'une telle opération est nécessitée par un traitement thermique tel que décrit pour la technologie précédente, ce qui introduit une contrainte supplémentaire. Un but important de l'invention est donc de proposer un procédé de fabrication d'une microstructure comportant une cavité sous vide, ne présentant pas les inconvénients sus-mentionnés.Another technology consists in providing in the cavity an additional location intended to receive a material ("getter" in English) capable of absorbing the residual gases from the cavity. It completes for example the third technology. This additional location increases the volume of the microstructure. On the other hand, this requires fixing the material to one of the walls of the cavity, which introduces an additional step in the manufacturing process. Finally, the operation of fixing the material to the wall must be compatible with an annealing operation when such an operation is required by a heat treatment as described for the previous technology, which introduces an additional constraint. An important object of the invention is therefore to propose a method of manufacturing a microstructure comprising a vacuum cavity, not having the above-mentioned drawbacks.
Pour atteindre ces buts, l'invention propose un procédé de fabrication d'une microstructure comportant une cavité sous vide, principalement caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes consistant à : a) réaliser dans l'épaisseur d'une première plaque de silicium, une zone de silicium poreux destinée à constituer totalement ou en partie une paroi de la cavité et apte à absorber des gaz résiduels de la cavité, b) assembler la première plaque de silicium à une deuxième plaque, de manière à réaliser la cavité.To achieve these goals, the invention provides a method of manufacturing a microstructure comprising a vacuum cavity, mainly characterized in that it comprises the following steps consisting in: a) making in the thickness of a first plate of silicon, a porous silicon zone intended to completely or partially constitute a wall of the cavity and capable of absorbing residual gases from the cavity, b) assembling the first silicon plate to a second plate, so as to produce the cavity.
Selon une caractéristique de l'invention, l'assemblage de l'étape b) est réalisé sous vide, notamment par soudure à température ambiante. Le procédé selon l'invention qui consiste à réaliser directement la mise sous vide de la cavité lors de l'assemblage des plaques délimitant la cavité, est ainsi basé sur l'utilisation d'un matériau apte à absorber les gaz résiduels de la cavité, ce matériau étant constitué à partir d'une des plaques ; ce matériau présente alors les mêmes propriétés mécaniques que le reste de la microstructure.According to a characteristic of the invention, the assembly of step b) is carried out under vacuum, in particular by welding at room temperature. The method according to the invention which consists in directly carrying out the evacuation of the cavity during the assembly of the plates delimiting the cavity, is thus based on the use of a material capable of absorbing the residual gases from the cavity, this material being made from one of the plates; this material then has the same mechanical properties as the rest of the microstructure.
L'invention a également pour objet un procédé de fabrication collective de microstructures.The invention also relates to a process for the collective production of microstructures.
L'invention concerne aussi une microstructure comportant une cavité sous vide, caractérisée en ce qu'elle comporte au moins deux plaques contribuant à délimiter la cavité, l'une desdites plaques étant en silicium et comprenant une zone de silicium poreux apte à absorber des gaz résiduels de la cavité, la zone étant réalisée dans l'épaisseur de ladite plaque de silicium.The invention also relates to a microstructure comprising a vacuum cavity, characterized in that it comprises at least two plates contributing to delimit the cavity, one of said plates being made of silicon and comprising a porous silicon zone capable of absorbing gases residuals of the cavity, the zone being formed in the thickness of said silicon wafer.
L'invention concerne enfin un capteur comportant une telle microstructure.Finally, the invention relates to a sensor comprising such a microstructure.
D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront à la lecture de la description détaillée qui suit, faite à titre d'exemple non limitatif et en référence aux dessins annexés dans lesquels : la figure 1 déjà décrite représente schématiquement une microstructure utilisée pour un capteur de pression, la figure 2 représente schématiquement une microstructure selon l'invention également utilisée pour un capteur de pression.Other characteristics and advantages of the invention will appear on reading the detailed description which follows, given by way of nonlimiting example and with reference to the appended drawings in which: FIG. 1 already described diagrammatically represents a microstructure used for a pressure sensor, FIG. 2 diagrammatically represents a microstructure according to the invention also used for a pressure sensor.
On va décrire plus en détail le procédé selon l'invention en prenant comme exemple la fabrication d'une microstructure pour capteur de pression du même type que celle de la figure 1 , et dont la cavité est délimitée par trois plaques. La microstructure obtenue est représentée figure 2 : les mêmes éléments sont désignés par les mêmes références.The method according to the invention will be described in more detail, taking as an example the manufacture of a microstructure for a pressure sensor of the same type as that of FIG. 1, and the cavity of which is delimited by three plates. The microstructure obtained is shown in Figure 2: the same elements are designated by the same references.
L'une des plaques, en l'occurrence la plaque supérieure 3 est en silicium de préférence monocristallin ; selon une première étape de l'invention, une zone 31 de silicium poreux est réalisée à partir de cette plaque 3, dans l'épaisseur de celle-ci. Cette zone de silicium poreux est en général réalisée selon des méthodes connues de l'homme du métier, par attaque électrolytique dans une solution à base d'acide fluorhydrique avec ajout de H2S0 ou HNO3 ou éthanol. Selon la méthode utilisée, le silicium poreux obtenu présente un pourcentage de vide de 30 à 60%, avec des pores de 20 à 40 Angstrôm pour un substrat de silicium type n ou p- , ou de 0.1 μm pour un substrat de type p+. Ces pores sont autant de microcavités générant une surface d'absorption très importante par rapport à la surface initiale du substrat.One of the plates, in this case the upper plate 3 is preferably of monocrystalline silicon; according to a first step of the invention, a zone 31 of porous silicon is produced from this plate 3, in the thickness of the latter. This porous silicon zone is generally produced according to methods known to those skilled in the art, by electrolytic attack in a solution based on hydrofluoric acid with the addition of H 2 S0 or HNO 3 or ethanol. Depending on the method used, the porous silicon obtained has a void percentage of 30 to 60%, with pores of 20 to 40 Angstroms for an n or p- type silicon substrate, or 0.1 μm for a p + type substrate. These pores are as many microcavities generating a very large absorption surface compared to the initial surface of the substrate.
Cette zone de silicium poreux est réalisable sur des épaisseurs très importantes, typiquement comprises entre 100 et 200 μm, la plaque 3 présentant une épaisseur classiquement comprise entre 250 et 600 μm ; elle conserve le même volume et le même coefficient de dilatation thermique que le silicium monocristallin. La plaque de silicium comportant cette zone de silicium poreux reste ainsi homogène du point de vue thermique.This porous silicon zone can be produced over very large thicknesses, typically between 100 and 200 μm, the plate 3 having a thickness conventionally between 250 and 600 μm; it retains the same volume and the same coefficient of thermal expansion as monocrystalline silicon. The silicon wafer comprising this porous silicon zone thus remains homogeneous from the thermal point of view.
Cette zone fabriquée à partir de la plaque elle-même est ainsi plus solidaire de la plaque supérieure que si elle avait été rapportée à cette plaque et fixée ; elle présente de ce fait une meilleure résistance aux vibrations mécaniques auxquelles la microstructure peut être soumise en cours de fonctionnement. Cependant, selon un variante de l'invention, la zone 31 est réalisée non dans une partie de l'épaisseur de la plaque 3 comme indiqué précédemment, mais dans toute l'épaisseur de la plaque supérieure 3 sur laquelle est alors assemblée une autre plaque de silicium monocristallin par exemple, formant ainsi un capot pour la zone poreuse.This area made from the plate itself is thus more integral with the upper plate than if it had been attached to this plate and fixed; it therefore has better resistance to mechanical vibrations to which the microstructure may be subjected during operation. However, according to a variant of the invention, the zone 31 is produced not in part of the thickness of the plate 3 as indicated above, but in the entire thickness of the plate upper 3 on which is then assembled another monocrystalline silicon plate for example, thus forming a cover for the porous zone.
Plus généralement, la zone poreuse peut être réalisée sur n'importe quelle surface en contact avec la cavité. Selon une variante de l'invention, un autre matériau également apte à absorber les gaz résiduels de la cavité, est déposé par pulvérisation sur la zone de silicium poreux, dans des proportions permettant de recouvrir les pores du silicium poreux sans toutefois les boucher. La zone de silicium poreux ainsi imprégnée, est utilisée dans ce cas uniquement pour augmenter la surface d'absorption dans la cavité. Cet autre matériau choisi pour être plus actif que le silicium poreux, peut être du titane.More generally, the porous zone can be produced on any surface in contact with the cavity. According to a variant of the invention, another material also capable of absorbing residual gases from the cavity, is deposited by spraying on the porous silicon zone, in proportions making it possible to cover the pores of the porous silicon without, however, blocking them. The porous silicon zone thus impregnated is used in this case only to increase the absorption surface in the cavity. This other material chosen to be more active than porous silicon, can be titanium.
Au cours d'une deuxième étape, les plaques 3, 4 et 5 subissent une préparation physico-chimique de leur surface en vue de leur assemblage : les surfaces sont par exemple préparées au moyen d'une solution d'acide nitrique concentré qui provoque la génération de radicaux OH à la surface des plaques.During a second step, the plates 3, 4 and 5 undergo a physicochemical preparation of their surface with a view to their assembly: the surfaces are for example prepared by means of a concentrated nitric acid solution which causes the generation of OH radicals on the surface of the plates.
Les plaques 3, 4 et 5 sont ensuite dégazées ; le dégazage est néanmoins limité pour ne pas détruire l'état physico-chimique des surfaces, obtenu à l'issue de l'étape précédente. Les plaques sont alors assemblées sous vide, par soudure à température ambiante ou éventuellement par brasure à des températures variant jusqu'à environ 400°C. Dans un premier temps, la plaque inférieure est par exemple assemblée à la plaque intermédiaire et le résonateur fixé à la plaque inférieure ; la plaque supérieure est ensuite assemblée à la plaque intermédiaire. Les plaques intermédiaire, supérieure ainsi que le résonateur peuvent être également constitués de silicium voire de verre ou d'une association de silicium et de verre.The plates 3, 4 and 5 are then degassed; degassing is nevertheless limited so as not to destroy the physicochemical state of the surfaces, obtained at the end of the previous step. The plates are then assembled under vacuum, by welding at room temperature or optionally by soldering at temperatures varying up to approximately 400 ° C. Initially, the lower plate is for example assembled with the intermediate plate and the resonator fixed to the lower plate; the upper plate is then assembled to the intermediate plate. The intermediate, upper plates and the resonator can also be made of silicon or even glass or a combination of silicon and glass.
La microstructure ainsi obtenue est soumise à un recuit à haute température (entre 400 et 1000°C) pour confirmer la soudure. Le silicium poreux a également l'avantage d'être compatible avec ces températures. Pendant cette phase de recuit, il se produit un fort dégazage des surfaces internes entraînant typiquement une augmentation de pression de 10 à 100 mbar en l'absence de silicium poreux. La présence d'une surface importante de silicium poreux permet par contre, pendant cette phase de recuit, d'absorber les molécules responsables de l'augmentation de pression et de ramener la cavité à un vide poussé, inférieur ou égal à 0.01 millibar.The microstructure thus obtained is subjected to high temperature annealing (between 400 and 1000 ° C) to confirm the weld. Porous silicon also has the advantage of being compatible with these temperatures. During this annealing phase, a strong degassing of the internal surfaces occurs, typically resulting in a pressure increase of 10 to 100 mbar in the absence of porous silicon. The presence of a large surface of porous silicon on the other hand allows, during this annealing phase, absorb the molecules responsible for the pressure increase and bring the cavity back to a high vacuum, less than or equal to 0.01 millibar.
En outre pendant ce recuit, il se produit une activation du silicium poreux qui intervient en général à des températures de l'ordre de 400°C. Cette activation permet de nettoyer la surface du silicium poreux par désorption des molécules H présentes après la réalisation de la couche de silicium poreux.In addition, during this annealing, activation of the porous silicon occurs, which generally occurs at temperatures of the order of 400 ° C. This activation makes it possible to clean the surface of the porous silicon by desorption of the H molecules present after the realization of the layer of porous silicon.
Par la suite, au cours du fonctionnement de la microstructure, il se produit également un dégazage de moindre importance par rapport à celui se produisant par exemple pendant la phase de recuit, mais néanmoins non nul.Subsequently, during the operation of the microstructure, there is also a degassing of less importance compared to that occurring for example during the annealing phase, but nevertheless not zero.
La quantité de silicium poreux est en général suffisante pour absorber les molécules résultant de ce léger dégazage. Il en résulte une amélioration de la stabilité et de la fiabilité de la microstructure en cours de fonctionnement.The quantity of porous silicon is generally sufficient to absorb the molecules resulting from this slight degassing. This results in an improvement in the stability and reliability of the microstructure during operation.
La durée de vie d'une telle microstructure est couramment de 20 ans. Dans l'exemple de microstructure qui a été décrit, la cavité est délimitée par trois plaques. Selon un autre exemple, la cavité peut être délimitée par deux plaques dont l'une ou les deux présentent un renfoncement.The lifespan of such a microstructure is commonly 20 years. In the example of microstructure which has been described, the cavity is delimited by three plates. According to another example, the cavity can be delimited by two plates, one or both of which have a recess.
On a décrit une microstructure pour capteur de pression ; le procédé selon l'invention permet bien sûr de fabriquer des microstructures pour capteurs de haute précision exploitant en général des éléments résonants ou de fabriquer des microstructures pour des dispositifs autres que des capteurs.A microstructure for a pressure sensor has been described; the method according to the invention of course makes it possible to manufacture microstructures for high-precision sensors in general using resonant elements or to manufacture microstructures for devices other than sensors.
Ce procédé de fabrication permet en outre de réaliser des microstructures telles que décrites, collectivement au niveau d'un assemblage de grandes plaques (« wafer » en anglais). En effet, aucune opération d'obturation de trou réalisée microstructure par microstructure, n'est nécessaire. This manufacturing process also makes it possible to produce microstructures as described, collectively at the level of an assembly of large plates (“wafer” in English). Indeed, no hole sealing operation performed microstructure by microstructure, is necessary.

Claims

REVENDICATIONS
1. Procédé de fabrication d'une microstructure comportant une cavité sous vide, caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes consistant à : a) réaliser dans l'épaisseur d'une première plaque de silicium, une zone de silicium poreux destinée à constituer totalement ou en partie une paroi de la cavité et apte à absorber des gaz résiduels de la cavité, b) assembler la première plaque de silicium à une deuxième plaque, de manière à réaliser la cavité.1. Method for manufacturing a microstructure comprising a vacuum cavity, characterized in that it comprises the following steps consisting in: a) producing, in the thickness of a first silicon wafer, a porous silicon zone intended for completely or partially constitute a wall of the cavity and capable of absorbing residual gases from the cavity, b) assembling the first silicon plate to a second plate, so as to produce the cavity.
2. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que l'étape a) comporte en outre une étape consistant à imprégner la zone de silicium poreux, avec un autre matériau également apte à absorber des gaz résiduels de la cavité.2. Method according to the preceding claim, characterized in that step a) further comprises a step consisting in impregnating the porous silicon zone, with another material also capable of absorbing residual gases from the cavity.
3. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que, la cavité présentant une hauteur prédéterminée, l'assemblage de l'étape b) est réalisé au moyen d'une plaque intermédiaire dont l'épaisseur contribue à la hauteur de la cavité.3. Method according to any one of the preceding claims, characterized in that, the cavity having a predetermined height, the assembly of step b) is carried out by means of an intermediate plate whose thickness contributes to the height of the cavity.
4. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que préalablement à l'étape b) il comporte une étape consistant à effectuer une préparation physico-chimique des surfaces des plaques utilisées dans l'étape b).4. Method according to any one of the preceding claims, characterized in that prior to step b) it comprises a step consisting in carrying out a physico-chemical preparation of the surfaces of the plates used in step b).
5. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que préalablement à l'étape b) il comporte une étape consistant à réaliser un dégazage des plaques utilisées dans l'étape b).5. Method according to any one of the preceding claims, characterized in that prior to step b) it includes a step consisting in degassing the plates used in step b).
6. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'assemblage de l'étape b) est réalisé sous vide. 6. Method according to any one of the preceding claims, characterized in that the assembly of step b) is carried out under vacuum.
7. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que l'assemblage est réalisé par soudure à température ambiante.7. Method according to the preceding claim, characterized in that the assembly is carried out by welding at room temperature.
8. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce qu'il comporte une étape c) consistant à recuire entre 400 et 1000° C la microstructure obtenue à l'issue de l'étape b), de manière à confirmer la soudure.8. Method according to the preceding claim, characterized in that it comprises a step c) consisting in annealing between 400 and 1000 ° C the microstructure obtained at the end of step b), so as to confirm the welding.
9. Procédé selon l'une quelconque des revendications 2 à 8, caractérisé en ce que l'autre matériau également apte à absorber les gaz résiduels de la cavité est constitué de titane.9. Method according to any one of claims 2 to 8, characterized in that the other material also capable of absorbing residual gases from the cavity consists of titanium.
10. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la deuxième plaque et/ou la plaque intermédiaire sont constituées de silicium ou de verre.10. Method according to any one of the preceding claims, characterized in that the second plate and / or the intermediate plate consist of silicon or glass.
11. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il est appliqué collectivement à plusieurs microstrucure.11. Method according to any one of the preceding claims, characterized in that it is applied collectively to several microstructures.
12. Microstructure comportant une cavité sous vide, caractérisée en ce qu'elle comporte au moins deux plaques contribuant à délimiter la cavité, l'une desdites plaques dénommée première plaque étant en silicium et comprenant une zone de silicium poreux apte à absorber des gaz résiduels de la cavité, la zone étant réalisée dans l'épaisseur de ladite plaque de silicium.12. Microstructure comprising a vacuum cavity, characterized in that it comprises at least two plates contributing to delimit the cavity, one of said plates called the first plate being made of silicon and comprising a porous silicon zone capable of absorbing residual gases of the cavity, the zone being made in the thickness of said silicon wafer.
13. Microstructure selon la revendication précédente, caractérisée en ce que la zone de silicium poreux est imprégnée par un autre matériau également apte à absorber des gaz résiduels de la cavité.13. Microstructure according to the preceding claim, characterized in that the porous silicon zone is impregnated with another material also capable of absorbing residual gases from the cavity.
14. Microstructure selon la revendication précédente, caractérisée en ce que l'autre matériau également apte à absorber des gaz résiduels de la cavité est du titane. 14. Microstructure according to the preceding claim, characterized in that the other material also capable of absorbing residual gases from the cavity is titanium.
15. Microstructure selon l'une quelconque des revendications 12 à 14, caractérisée en ce que les plaques autres que la première plaque sont, constituées de silicium ou de verre, ou d'une association de silicium et de verre.15. Microstructure according to any one of claims 12 to 14, characterized in that the plates other than the first plate are made of silicon or glass, or of a combination of silicon and glass.
16. Microstructure selon l'une quelconque des revendications 12 à 15, caractérisée en ce qu'elle comporte un résonateur logé dans la cavité.16. Microstructure according to any one of claims 12 to 15, characterized in that it comprises a resonator housed in the cavity.
17. Capteur comportant une microstructure selon l'une quelconque des revendications 12 à 16.17. Sensor comprising a microstructure according to any one of claims 12 to 16.
18. Capteur selon la revendication précédente, caractérisé en ce que le capteur est un capteur de pression résonant ou un accéléromètre résonant ou un gyromètre vibrant ou un filtre électro-mécanique. 18. Sensor according to the preceding claim, characterized in that the sensor is a resonant pressure sensor or a resonant accelerometer or a vibrating gyrometer or an electro-mechanical filter.
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