EP1473755B1 - Device and method for controlling a dose of electrons emitted from a microemitter - Google Patents

Device and method for controlling a dose of electrons emitted from a microemitter Download PDF

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EP1473755B1
EP1473755B1 EP04101249A EP04101249A EP1473755B1 EP 1473755 B1 EP1473755 B1 EP 1473755B1 EP 04101249 A EP04101249 A EP 04101249A EP 04101249 A EP04101249 A EP 04101249A EP 1473755 B1 EP1473755 B1 EP 1473755B1
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EP
European Patent Office
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micro
current
electrons
module
emitter
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Jean-Luc Martin
Claude Bieth
Nicolas Delorme
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Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Original Assignee
Commissariat a lEnergie Atomique CEA
Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00Control of display operating conditions
    • G09G2320/02Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/0233Improving the luminance or brightness uniformity across the screen

Definitions

  • the present invention relates to a device and a method for controlling and controlling a dose of electrons emitted by a micro-transmitter, for example by a microtip.
  • micro-transmitters of the micropoint type will be considered as nonlimiting examples.
  • microtips joined today by that of nanotubes, defines a field of applications both in the field of FED ("Field Emission Display”) displays and that of micro-transmitters, in which the requirements in terms of order and control of emitted flows are very severe.
  • FED Field Emission Display
  • the electrons acquire, by thermal agitation, a sufficient energy (called "work output") to reach above the potential barrier, which holds them back. to the nuclei. They then move towards the surface of the material and, if there is an electric field that attracts, they can be extracted from this material. At ordinary temperature, the thermal stirring energy is insufficient for the electrons to leave the material.
  • a tunnel effect allows the electrons to be extracted from the emitter (cathode) in a vacuum, then to be collected on an anode.
  • Transmitters working in cold emission are considered as voltage-controlled current sources, the flow of electrons emitted obeying the Fowler-Nordheim equations.
  • FIG. 1A This is for example the case of a microtip 10 Tungsten, used in electron emitter. His electrical diagram is represented on the Figure 1A . An electron flow is established between the anode 11 and the cathode 12. A control voltage is applied between the extraction grid 13, called gate, and the cathode 12.
  • Figure 1B presents the behavioral symbol of such a microtip 10 usable with a generic electric simulator ("Spice" type).
  • the emission regime of such a microtip 10 is characterized by a strong non-linearity of the emission current I tip as a function of the voltage applied to the extraction grid 13.
  • the coefficients a fn and b fn depend on the geometric characteristics of the microtip. Such a current-voltage characteristic is illustrated on the figure 2 .
  • the ideal characteristic is referenced 14.
  • One of the drawbacks of the cold emission is therefore to reveal a certain instability in the current value, which is equivalent to a noise that is generated by fluctuations in the output work inherent in local surface contaminations. These fluctuations vary from one microtip to another and are also variable over time, for the same microtip.
  • the device of the invention is a circuit of this type, which is naturally faster and whose linearity defects noted are corrected, the HV extraction gate control circuits being independent of LV circuits for controlling the electric charge, which simplifies the implementation of the circuit and reduces the sensitivity to noise.
  • the specifications of the system must allow sequential persistence of the necessary instants to carry out the calibrations. Such an embodiment does not make it possible to correct imperfections of the electron beam whose frequency of recurrence is greater than the refreshing frequency of the calibrations.
  • the stability of the feedback port is essential and must be guaranteed most often at the cost of active compensation of the bandwidth of the looped system, and therefore to the detriment of its performance in speed.
  • a global method for conducting a low electrical charge check consists, by using a few configuration input variables, in defining the desired quantity of charge, interrupting the electron beam when such a desired dose has been reached ( "Dose control").
  • Dose control the quantity of electrical charges is defined a priori.
  • the device allowing such a control must operate on a peak current dynamics, including in particular the fluctuations of the current in time for the same microtip.
  • Such a method theoretically allows a very good linearity.
  • the use of real functional modules and the requirement of high frequency operation results in strong nonlinearities of the controlled electric charge as a function of the current regime.
  • a document of known art describes a two-dimensional array of miniature cathodes used as electron beam emitters, which are addressable numerically.
  • This network comprises an internal electronic focusing for each transmitter, a closed-loop electron dose control circuit for controlling each transmitter by precisely controlling the electron flow.
  • Such a circuit of Dose control connected to a transmitter, provides a dose, delivered during each write cycle, adapted despite transmitter-to-transmitter mismatch, temperature and aging effects.
  • This control circuit makes it possible to terminate the emission at a fixed dose and not at a fixed time. It is an integrated component and connected to the transmitter.
  • control circuit is a source of non-linearities. It also does not allow, for a linear or two-dimensional array of microtips, to compensate for the dispersion of doses emitted due to the current dispersions inherent in the microtips.
  • the object of the invention is to compensate for such nonlinearities so as to make the control device linear and usable, and to provide specific solutions for linear or two-dimensional devices.
  • the device of the invention comprises means for modulating in time the threshold voltage from the initialization signal so as to program a variable dose control over time such that the excess of electrons emitted during the initialization and extinction times is strictly compensated by a decrease over time of the programmed dose.
  • the device for controlling and controlling a dose of electrons emitted by a micro-transmitter illustrated on the figure 4 , consists of a microtip 10, with an anode 11, a cathode 12, and an extraction grid 13, capable of supplying a current when the voltage of the extraction grid 13 with respect to the cathode 12 becomes greater than the extraction voltage in the vacuum.
  • Spur capacitances 20 and 21 are inherent in the manufacture of such a microtip 10 in microtechnology.
  • This device is indeed applicable to an arrangement of several microtips either in the form of a linear arrangement (barette), or in the form of a two-dimensional arrangement (matrix). All combinations of arrangements are also possible.
  • This device can be realized in specific high-voltage technology, and can control the electron doses emitted with high rates.
  • This module 30 The role of this module 30 is to process the basic information available on the microtip 10 and to convert it into a quantity that can be compared to an input quantity, in order to take a decision on the number N of emitted electrons .
  • This module may advantageously consist of a CTIA amplifier ("capacitive transimpedance amplifier”) which performs a current-voltage conversion.
  • the input variable is then the cathode current of the microtip I c .
  • This amplifier is characterized by its conversion gain R which is expressed in Volt / e - . It consists of an amplifier 35, a feedback capacitor (C fb ) 36, and a resetting device 37.
  • This module is initialized by a start signal start at the beginning of the sequence, and obeys the data signal, as illustrated by the following table: Data Action 1 Issue of the microtip 0 No issue of the microtip
  • This module 33 is responsible for setting the extraction gate voltage necessary for the microtip to transmit the desired current synchronously with the appearance of the start signal. When the dose of electrons emitted has been reached (Vcom decision signal emitted by the comparator module 31). This module 33 cuts the flow by bringing the extraction gate voltage to a level such that the current electronics is diminished by several decades. These ignition and extinction values depend on the transconductance of the microtip and its geometric model. The control voltages can be switched from 20V to approximately 50V, which then requires the use of a specific high voltage technology (HVCMOS). The main function of this module 33 is therefore to perform the translation level [0-3v] to [20v-50v].
  • HVCMOS high voltage technology
  • the voltage V is obtained at the output of the sensor module 30 is proportional to the cathode current I c emitted by the microtip.
  • V1 the initialization voltage level
  • the overall duration of the current pulse is not linear as a function of the programmed current level. Indeed, because of parasitic capacitances 20 and 21 mentioned above, a switching of several tens of volts of the extraction grid 13 transiently disturbs the input of the sensor module 30 whose polarization must be maintained to avoid any saturation thereof. this. Such saturation would then require a significant time constant for a return to equilibrium and would not allow operation at high frequency. During this time maintaining the polarization of the 30 sensor module at the establishment of the electronic flow, electronic charges are already issued and are recorded in the overall balance of charges, although we can not measure because they depend on the level of current that is not known from the outset. Such a phenomenon is a first source of non-linearities.
  • the comparator module 31 has a delay in the decision-making inherent in any electronic module. During this delay, the microtip 10 continues to emit and there is therefore an additional extinguishing charge which is added to the overall balance of the charges emitted.
  • the figure 8 which represents a materialization of the error on the number N of programmed electrons, illustrates such a phenomenon. If one traces, as a function of time, the number of electrons emitted with respect to the number of electrons programmed, with constant delay, an error is noted on the number of electrons emitted which depends on the level of current.
  • the curve 45 corresponds to 2 * Iinom
  • the curve 46 corresponds to Iinom
  • the curve 47 corresponds to Iinom / 2
  • the curve 48 corresponds to the number of electrons emitted.
  • a first solution for compensating for such nonlinearities uses a comparison threshold that varies as a function of time. Simply send a ramp 50, or a "staircase", on the input V2 of the comparator module 31 as illustrated on the figure 9 .
  • the object of the invention is to compensate for such non-linearities by proposing other methods of compensation by controlling the cathode current I c and by feedback on the value of the threshold V 2.
  • the current reaches its nominal value I steady_state rapidly during the initialization time t start and that it is maintained during the extinction time t off , it is therefore at first constant order for the duration of the current pulse. Indeed, at the beginning, the V gate establishment time is short, and in the end, the logical gate delay and V gate delays are largely dominated by the delay of the comparator module 31 in decision making.
  • the predicted electron dose is fixed by N measure , but an excess dose is actually added because of non-zero initialization and extinction times.
  • the figure 12 illustrates a curve of the number of electrons emitted as a function of the current regime.
  • the number of electrons emitted should remain the same whatever the current I tip , as illustrated by the horizontal curve 56.
  • the curves 57 and 58 illustrate the number of electrons emitted respectively during the initialization and extinction times.
  • the sequencing can be such that the times t start and t off remain constant whatever the current, that is to say that the electrons emitted during these times t start and t off depend only on the current regime (affine function ).
  • the object of the device of the invention is to be able to accurately transmit a programmed number of electrons regardless of the current regime of the microtip and to interrupt the electron beam as soon as this value has been reached.
  • the sum of the electrons emitted during each of the times described above must therefore remain constant, ie the total number of electrons emitted is linear and constant, regardless of the peak current I tip .
  • the value of the threshold detection voltage V2 is modified during the electronic exposure.
  • the compensation is carried out on quantities of surplus electrons answering the law: I tip * t q e
  • FIGS. 13A and 13B respectively illustrate the theoretical curves 60 and measured 61 and the theoretical curves 60 and measured 61 'of the relative number of electrons as a function of the peak current I tip , respectively without compensation and with compensation as a function of the current.
  • Curve 61 ' illustrates the improvement that is desired by using such active compensation as a function of current.
  • the invention also relates to a linear or array device for controlling and controlling electron doses emitted by a set of micro-transmitters, which comprises, for each micro-transmitter, the different modules 30, 31, 32 and 33 as well as means for variations of the threshold voltage, as described above.
  • Such compensation is illustrated on the figure 14 . It does not cover all the needs. It is able to compensate for differences between microtips, but not for high frequency fluctuations on the same microtip. However, it can be used when it is certain that the frequency of recurrence of the current fluctuations is lower than the frequency of appearance of the programmed pulses.
  • the threshold voltage V2 is modulated in time from the start initialization signal so as to program a variable dose control over time such that the excess of electrons emitted during the phases t start and t off is strictly compensated. by the decrease over time of the programmed dose.
  • This temporal variation is controlled by the generator 65.
  • the figure 15 illustrates a simplified scheme of compensation according to the peak current.
  • a peak current detection module 67 is able to reproduce exactly the peak current or to introduce a gain (X) on this current, for example by means of a current mirror. It is this output current that is measured by the sensor module 30.
  • the decision on the time is always taken by the comparator module 31, but the decision threshold V2 is indexed on the instantaneous value of the emission current. This leads to an optimal compensation.
  • V2 to be programmed The capacity of the sensor block and the times ⁇ t start + t off ⁇ being known, the variation of V2 to be programmed is directly proportional to I.
  • this voltage R L * I must be added to the voltage Vref to stop, faster than in the ideal case (without Nstart and Nstop), the power of the micropoint and so his show.
  • Block 68 of the figure 15 can then for example be realized in the manner illustrated on the figure 16 .
  • the dimensions of the transistors are chosen to fulfill the specified function in a manner known to those skilled in the art.

Description

DOMAINE TECHNIQUETECHNICAL AREA

La présente invention concerne un dispositif et un procédé de commande et de contrôle d'une dose d'électrons émise par un micro-émetteur, par exemple par une micropointe.The present invention relates to a device and a method for controlling and controlling a dose of electrons emitted by a micro-transmitter, for example by a microtip.

ETAT DE LA TECHNIQUE ANTERIEURESTATE OF THE PRIOR ART

Dans la suite de la description on considérera à titre d'exemple non limitatif des micro-émetteurs de type micropointes.In the remainder of the description, micro-transmitters of the micropoint type will be considered as nonlimiting examples.

Le domaine des micropointes, rejoint aujourd'hui par celui des nanotubes, définit un champ d'applications tant dans le domaine des afficheurs FED (« Field Emission Display ») que celui des micro-émetteurs, dans lequel les exigences en terme de commande et de contrôle des flux émis sont très sévères.The field of microtips, joined today by that of nanotubes, defines a field of applications both in the field of FED ("Field Emission Display") displays and that of micro-transmitters, in which the requirements in terms of order and control of emitted flows are very severe.

Dans le cas de l'émission chaude (diodes, triodes, tubes cathodiques), les électrons acquièrent, par agitation thermique, une énergie suffisante (dénommée « travail de sortie ») pour parvenir au-dessus de la barrière de potentiel, qui les retient aux noyaux. Ils se dirigent alors vers la surface du matériau et, s'il existe un champ électrique qui les attire, ils peuvent être extraits de ce matériau. A la température ordinaire l'énergie d'agitation thermique est insuffisante pour que les électrons sortent du matériau.In the case of hot emission (diodes, triodes, cathode ray tubes), the electrons acquire, by thermal agitation, a sufficient energy (called "work output") to reach above the potential barrier, which holds them back. to the nuclei. They then move towards the surface of the material and, if there is an electric field that attracts, they can be extracted from this material. At ordinary temperature, the thermal stirring energy is insufficient for the electrons to leave the material.

Dans le cas de l'émission froide, qui est basée sur le principe d'un contrôle par effet de champ dans une enceinte sous vide, un effet tunnel permet aux électrons d'être extraits de l'émetteur (cathode) dans le vide, puis d'être collectés sur une anode. Les émetteurs travaillant en émission froide sont considérés comme des sources de courant commandées en tension, le flux d'électrons émis obéissant aux équations de Fowler-Nordheim.In the case of the cold emission, which is based on the principle of a field effect control in a vacuum chamber, a tunnel effect allows the electrons to be extracted from the emitter (cathode) in a vacuum, then to be collected on an anode. Transmitters working in cold emission are considered as voltage-controlled current sources, the flow of electrons emitted obeying the Fowler-Nordheim equations.

C'est par exemple le cas d'une micropointe 10 en Tungstène, utilisée en émetteur d'électrons. Son schéma électrique est représenté sur la figure 1A. Un flux d'électrons s'établit entre l'anode 11 et la cathode 12. Une tension de contrôle est appliquée entre la grille d'extraction 13, dénommée « gate », et la cathode 12. La figure 1B présente le symbole comportemental d'une telle micropointe 10 utilisable avec un simulateur électrique générique (type « Spice ») .This is for example the case of a microtip 10 Tungsten, used in electron emitter. His electrical diagram is represented on the Figure 1A . An electron flow is established between the anode 11 and the cathode 12. A control voltage is applied between the extraction grid 13, called gate, and the cathode 12. Figure 1B presents the behavioral symbol of such a microtip 10 usable with a generic electric simulator ("Spice" type).

Le régime d'émission d'une telle micropointe 10 se caractérise par une forte non-linéarité du courant d'émission Itip en fonction de la tension appliquée sur la grille d'extraction 13. Le courant de pointe Itip répond à la loi : I tip = a fn V 2 exp / - b fn V gc

Figure imgb0001
The emission regime of such a microtip 10 is characterized by a strong non-linearity of the emission current I tip as a function of the voltage applied to the extraction grid 13. The tip current I tip meets the law : I tip = at fn V 2 exp / - b fn V gc
Figure imgb0001

Les coefficients afn et bfn dépendent des caractéristiques géométriques de la micropointe. Une telle caractéristique courant-tension est illustrée sur la figure 2. Un exemple de point de fonctionnement (Itip=Ion pour Vgate-cathode=Von) est représenté sur cette figure. La caractéristique idéale est référencée 14.The coefficients a fn and b fn depend on the geometric characteristics of the microtip. Such a current-voltage characteristic is illustrated on the figure 2 . An example of an operating point (I tip = I on for V gate-cathode = V on ) is represented in this figure. The ideal characteristic is referenced 14.

Dans la réalité, une telle caractéristique n'est pas reproductible d'une micropointe à une autre. On obtient ainsi des courbes 15 représentées en pointillé.In reality, such a feature is not reproducible from one microtip to another. Curves 15 shown in dotted lines are thus obtained.

L'un des inconvénients de l'émission froide est donc de révéler une certaine instabilité dans la valeur du courant, ce qui équivaut à un bruit qui est engendré par des fluctuations du travail de sortie inhérentes à des contaminations de surface locales. Ces fluctuations sont variables d'une micropointe à une autre et sont également variables dans le temps, pour une même micropointe.One of the drawbacks of the cold emission is therefore to reveal a certain instability in the current value, which is equivalent to a noise that is generated by fluctuations in the output work inherent in local surface contaminations. These fluctuations vary from one microtip to another and are also variable over time, for the same microtip.

Deux types de commande de la micropointe sont possibles :

  • une commande en courant par un dispositif de régulation de courant : une telle possibilité est utilisée dans les FED (« Field émission display ») via un transistor simple ou « multigate » situé en série dans le circuit de la cathode, comme décrit dans les documents référencés [1] et [2] en fin de description. Le courant émis par chaque micropointe peut théoriquement être programmé. Il est indépendant de la qualité et des caractéristiques de chaque micropointe. D'une micropointe à une autre, ou dans le temps, c'est la tension Vgc qui est modulée. Un des défauts d'une telle commande est de mixer au niveau du circuit de commande et de contrôle du transistor une tension basse (LV) et une tension haute (HV), parce que l'électrode d'extraction doit être portée à quelques dizaines de volts. L'affichage visuel s'accommode de la précision et de la fréquence de fonctionnement limitées de ce type de commande.
  • une commande en tension : si l'on n'y prend garde, c'est le courant d'émission qui est modulé, ce qui peut être inacceptable pour certaines applications. Dans la mesure où l'excursion en courant est connue, notamment les extremums, et où la quantité à contrôler est la charge électrique, une telle solution est satisfaisante lorsqu'elle est conjuguée à une fenêtre temporelle d'observation variable, Tnom. Q = I nom * T nom = 2 I nom * T nom 2 = I nom 2 * 2 T nom
    Figure imgb0002
Two types of microtip commands are possible:
  • current control by a current regulation device: such a possibility is used in the FED ("Field emission display") via a single transistor or "multigate" located in series in the cathode circuit, as described in the documents referenced [1] and [2] at the end of the description. The current emitted by each microtip can theoretically be programmed. It is independent of the quality and features of each microtip. From one microtip to another, or in time, the voltage V gc is modulated. One of the faults of a such control is to mix at the level of the control circuit and control of the transistor a low voltage (LV) and a high voltage (HV), because the extraction electrode must be increased to a few tens of volts. The visual display accommodates the limited accuracy and operating frequency of this type of control.
  • a voltage control: if we are not careful, the emission current is modulated, which may be unacceptable for some applications. Insofar as the current excursion is known, especially the extremums, and where the quantity to be controlled is the electric charge, such a solution is satisfactory when it is combined with a variable observation time window, T nom . Q = I last name * T last name = 2 I last name * T last name 2 = I last name 2 * 2 T last name
    Figure imgb0002

Le dispositif de l'invention est un circuit de ce type, qui est naturellement plus rapide et dont les défauts de linéarité constatés sont corrigés, les circuits HV de pilotage de grille d'extraction étant indépendants des circuits LV de contrôle de la charge électrique, ce qui simplifie la mise en oeuvre du circuit et diminue la sensibilité aux bruits.The device of the invention is a circuit of this type, which is naturally faster and whose linearity defects noted are corrected, the HV extraction gate control circuits being independent of LV circuits for controlling the electric charge, which simplifies the implementation of the circuit and reduces the sensitivity to noise.

Plusieurs solutions sont donc possibles pour mesurer la quantité d'électrons émise par une micropointe. Dans certains cas, comme illustré sur les figures 3A et 3B, il est possible de travailler en régulation de courant. L'émission pendant un certain temps d'un courant calibré (générateur 16) permet de délimiter une charge électrique selon la loi Q=I.t. Un tel système de régulation de courant comprend un élément sensible de détection du courant de pointe 17, un élément de contrôle du courant de référence 18 et un élément de réglage du courant 19. Ce système peut fonctionner :

  • En boucle ouverte dans le cas d'une calibration séquentielle, puis de la programmation d'un certain nombre de mesures avec une même référence comme illustré sur la figure 3A.
  • En boucle fermée dans le cas d'un asservissement du courant en temps réel comme illustré la figure 3B, et comme décrit dans le document référencé [3].
Several solutions are therefore possible to measure the quantity of electrons emitted by a microtip. In some cases, as illustrated in the Figures 3A and 3B it is possible to work in current regulation. The emission during a certain time of a calibrated current (generator 16) makes it possible to delimit an electric charge according to the law Q = It Such a current regulation system comprises a sensing element for detecting the peak current 17, an element of control of the reference current 18 and a current adjusting element 19. This system can operate:
  • Open loop in the case of a sequential calibration, then programming a number of measurements with the same reference as shown in the figure 3A .
  • In a closed loop in the case of real-time current control as shown in FIG. figure 3B and as described in referenced document [3].

Dans la réalisation illustrée sur la figure 3A, le cahier des charges du système doit permettre de laisser persister séquentiellement des instants nécessaires pour réaliser les calibrations. Une telle réalisation ne permet pas de corriger des imperfections du faisceau électronique dont la fréquence de récurrence est supérieure à la fréquence de rafraîchissement des calibrations.In the illustrated embodiment on the figure 3A , the specifications of the system must allow sequential persistence of the necessary instants to carry out the calibrations. Such an embodiment does not make it possible to correct imperfections of the electron beam whose frequency of recurrence is greater than the refreshing frequency of the calibrations.

Dans la réalisation illustrée sur la figure 3B, la stabilité de la bouche de contre-réaction est essentielle et doit être garantie le plus souvent au prix d'une compensation active de la bande passante du système bouclé, et donc au détriment de ses performances en vitesse.In the illustrated embodiment on the figure 3B the stability of the feedback port is essential and must be guaranteed most often at the cost of active compensation of the bandwidth of the looped system, and therefore to the detriment of its performance in speed.

Les exigences en terme de vitesse, de stabilité, de bruit, et de linéarité ne permettent pas, dans de nombreuses applications d'utiliser de telles réalisations.The requirements in terms of speed, stability, noise, and linearity do not allow, in many applications to use such achievements.

Une méthode globale pour effectuer un contrôle de faibles charges électriques consiste, moyennant l'utilisation de quelques variables d'entrée de configuration, à définir la quantité de charges voulue, à interrompre le faisceau d'électrons lorsque une telle dose voulue a été atteinte (« dose control »). Dans ce cas la quantité de charges électriques est définie a priori. Le dispositif permettant un tel contrôle doit fonctionner sur une dynamique de courant de pointe, englobant notamment les fluctuations du courant dans le temps pour une même micropointe. Une telle méthode autorise théoriquement une très bonne linéarité. Toutefois, l'utilisation de modules fonctionnels réels et l'exigence d'un fonctionnement en haute fréquence se traduit par de fortes non linéarités de la charge électrique contrôlée en fonction du régime de courant.A global method for conducting a low electrical charge check consists, by using a few configuration input variables, in defining the desired quantity of charge, interrupting the electron beam when such a desired dose has been reached ( "Dose control"). In this case the quantity of electrical charges is defined a priori. The device allowing such a control must operate on a peak current dynamics, including in particular the fluctuations of the current in time for the same microtip. Such a method theoretically allows a very good linearity. However, the use of real functional modules and the requirement of high frequency operation results in strong nonlinearities of the controlled electric charge as a function of the current regime.

Un document de l'art connu, référencé [4] en fin de description, décrit un réseau bidimensionnel de cathodes miniatures utilisées comme des émetteurs de faisceaux d'électrons, qui sont adressables numériquement. Ce réseau comprend une focalisation électronique interne pour chaque émetteur, un circuit de contrôle de dose d'électrons en boucle fermée permettant de piloter chaque émetteur en contrôlant précisément le débit d'électrons. Un tel circuit de contrôle de dose, connecté à un émetteur, permet d'obtenir une dose, délivrée pendant chaque cycle d'écriture, adaptée malgré des effets de désadaptation émetteur-à-émetteur, de température et de vieillissement. Ce circuit de contrôle permet de terminer l'émission à une dose fixée et non à un temps fixé. C'est un composant intégré et connecté à l'émetteur.A document of known art, referenced [4] at the end of the description, describes a two-dimensional array of miniature cathodes used as electron beam emitters, which are addressable numerically. This network comprises an internal electronic focusing for each transmitter, a closed-loop electron dose control circuit for controlling each transmitter by precisely controlling the electron flow. Such a circuit of Dose control, connected to a transmitter, provides a dose, delivered during each write cycle, adapted despite transmitter-to-transmitter mismatch, temperature and aging effects. This control circuit makes it possible to terminate the emission at a fixed dose and not at a fixed time. It is an integrated component and connected to the transmitter.

Mais un tel circuit de contrôle est source de non-linéarités. Il ne permet pas non plus, pour un arrangement linéaire ou bidimensionnel de micropointes, de compenser les dispersions de doses émises dues aux dispersions de courant inhérentes aux micropointes.But such a control circuit is a source of non-linearities. It also does not allow, for a linear or two-dimensional array of microtips, to compensate for the dispersion of doses emitted due to the current dispersions inherent in the microtips.

L'invention a pour objet de compenser de telles non linéarités, de manière à rendre le dispositif de commande linéaire et utilisable, et d'apporter des solutions spécifiques pour des dispositifs linéaires ou bidimensionnels.The object of the invention is to compensate for such nonlinearities so as to make the control device linear and usable, and to provide specific solutions for linear or two-dimensional devices.

EXPOSÉ DE L'INVENTIONSTATEMENT OF THE INVENTION

L'invention concerne un dispositif de commande et de contrôle d'une dose d'électrons émise par un micro-émetteur, par exemple une micropointe, caractérisé en ce qu'il comporte :

  • un module senseur qui reçoit le courant fourni par le micro-émetteur ainsi qu'une tension pour ajuster le point de polarisation dudit dispositif,
  • un module comparateur qui reçoit le signal de sortie dudit module senseur ainsi qu'une tension de seuil permettant le réglage de la quantité d'électrons à émettre,
  • un module logique qui reçoit le signal de sortie du module comparateur, ainsi qu'un signal de démarrage pour initialiser l'émission électronique,et un signal logique pour définir si le micro-émetteur doit ou non émettre,
  • un module de commande qui reçoit le signal de sortie dudit module logique qui élabore les tensions nécessaires à l'initialisation et à l'extinction de l'impulsion de courant du micro-émetteur,
  • des moyens de variation de la tension de seuil tels que, pendant l'émission d'électrons, la somme S= Nstart + Nmeasure + Noff reste constante, Nstart étant le nombre d'électrons du temps d'initialisation de l'impulsion de courant, Nmeasure étant le nombre d'électrons du temps de mesure de cette impulsion de courant, Noff étant le nombre d'électrons du temps d'extinction de cette impulsion de courant.
The invention relates to a device for controlling and controlling a dose of electrons emitted by a micro-transmitter, for example a microtip, characterized in that it comprises:
  • a sensor module which receives the current supplied by the micro-transmitter and a voltage for adjusting the bias point of said device,
  • a comparator module which receives the output signal of said sensor module and a threshold voltage for adjusting the quantity of electrons to be emitted,
  • a logic module which receives the output signal of the comparator module, as well as a start signal for initializing the electronic transmission, and a logic signal for defining whether or not the micro-transmitter must transmit,
  • a control module which receives the output signal of said logic module which generates the voltages necessary for the initialization and extinction of the current pulse of the micro-transmitter,
  • means for varying the threshold voltage such that, during the emission of electrons, the sum S = N start + N measure + N off remains constant, N start being the number of electrons of the initialization time of the current pulse, N measure being the number of electrons of the measurement time of this current pulse, N off being the number of electrons of the extinction time of this current pulse.

Dans un premier exemple de réalisation, le dispositif de l'invention comprend des moyens de modulation dans le temps de la tension de seuil à partir du signal d'initialisation de manière à programmer un contrôle de dose variable dans le temps tel que l'excès d'électrons émis pendant les temps d'initialisation et d'extinction soit strictement compensé par une diminution au cours du temps de la dose programmée.In a first exemplary embodiment, the device of the invention comprises means for modulating in time the threshold voltage from the initialization signal so as to program a variable dose control over time such that the excess of electrons emitted during the initialization and extinction times is strictly compensated by a decrease over time of the programmed dose.

Dans un second mode de réalisation le dispositif de l'invention comprend, en outre :

  • un module de détection du courant de micro-émetteur, qui est capable de reproduire exactement le courant de pointe Itip ou d'introduire un gain sur le courant,
  • un module de génération de tension variable qui délivre en sortie une tension de consigne V2 = f (Itip) .
In a second embodiment, the device of the invention further comprises:
  • a micro-transmitter current detection module, which is able to reproduce exactly the tip current I tip or introduce a gain on the current,
  • a variable voltage generation module which outputs a set voltage V2 = f (I tip ).

L'invention concerne également un dispositif linéaire ou matriciel de commande et de contrôle de doses d'électrons émises par un ensemble de micro-émetteurs, caractérisé en ce qu'il comporte, pour chaque micro-émetteur :

  • un module senseur, qui reçoit le courant fourni par le micro-émetteur ainsi qu'une tension pour ajuster le point de polarisation,
  • un module comparateur qui reçoit le signal de sortie dudit module senseur ainsi qu'une tension de seuil permettant le réglage de la quantité d'électrons à émettre,
  • un module logique qui reçoit le signal de sortie du module comparateur, ainsi qu'un signal de démarrage pour initialiser l'émission électronique,et un signal logique pour définir si le micro-émetteur doit ou non émettre,
  • un module de commande qui reçoit le signal de sortie dudit module logique qui élabore les tensions nécessaires à l'initialisation et à l'extinction de l'impulsion de courant du micro-émetteur,
  • des moyens de variation de la tension de seuil tels que, pendant l'émission d'électrons, la somme S= Nstart + Nmeasure + Noff reste sensiblement constante, Nstart étant le nombre d'électrons du temps d'initialisation de l'impulsion de courant, Nmeasure étant le nombre d'électrons du temps de mesure de cette impulsion de courant, Noff étant le nombre d'électrons du temps d'extinction de cette impulsion de courant
The invention also relates to a linear or matrix device for controlling and controlling electron doses emitted by a set of micro-transmitters, characterized in that it comprises, for each micro-transmitter:
  • a sensor module, which receives the current supplied by the micro-transmitter and a voltage to adjust the bias point,
  • a comparator module which receives the output signal of said sensor module and a threshold voltage for adjusting the quantity of electrons to be emitted,
  • a logic module which receives the output signal of the comparator module, as well as a start signal for initializing the electronic transmission, and a logic signal for defining whether or not the micro-transmitter must transmit,
  • a control module which receives the output signal of said logic module which generates the voltages necessary for the initialization and extinction of the current pulse of the micro-transmitter,
  • means for varying the threshold voltage such that, during the emission of electrons, the sum S = N start + N measure + N off remains substantially constant, N start being the number of electrons of the initialization time of the current pulse, N measure being the number of electrons of the measurement time of this current pulse, N off being the number of electrons of the time extinguishing this current pulse

L'invention concerne également un procédé de commande et de contrôle d'une dose d'électrons émise par un micro-émetteur comportant

  • une étape de conversion du courant fourni par le micro-émetteur et d'ajustement du point de polarisation de fonctionnement,
  • une étape de comparaison du signal obtenu en sortie de l'étape précédente à une tension de seuil permettant le réglage de la quantité d'électrons à émettre,
  • une étape logique, pour initialiser l'émission électronique, et pour définir si le micro-émetteur doit ou non émettre,
  • une étape de commande qui élabore les tensions nécessaires à l'initialisation et à l'extinction de l'impulsion de courant du micro-émetteur,
caractérisé en ce qu'il comprend une étape de variation de la tension de seuil telle que, pendant l'émission d'électrons, la somme S= Nstart + Nmeasure + Noff reste constante, Nstart étant le nombre d'électrons du temps d'initialisation de l'impulsion de courant, Nmeasure étant le nombre d'électrons du temps de mesure de cette impulsion de courant, Noff étant le nombre d'électrons du temps d'extinction de cette impulsion de courant.The invention also relates to a method for controlling and controlling a dose of electrons emitted by a micro-transmitter comprising
  • a step of converting the current supplied by the micro-transmitter and adjusting the operating polarization point,
  • a step of comparing the signal obtained at the output of the preceding step with a threshold voltage for adjusting the quantity of electrons to be emitted,
  • a logical step, to initialize the electronic transmission, and to define whether the micro-transmitter must emit or not,
  • a control step which elaborates the voltages necessary for the initialization and extinction of the current pulse of the micro-transmitter,
characterized in that it comprises a step of varying the threshold voltage such that, during the emission of electrons, the sum S = N start + Nmeasure + Noff remains constant, N start being the number of electrons of the time of initialization of the current pulse, N measure being the number of electrons of the measurement time of this current pulse, N off being the number of electrons of the extinction time of this current pulse.

Une telle invention présente un large champ d'application :

  • émission électronique par cathode froide,
  • commande et contrôle de faibles charges électriques,
  • compensation d'erreurs de mesures de charges,
  • haute fréquence de fonctionnement,
  • solution compatible avec des circuits intégrés spécifiques (ASIC).
Such an invention has a wide field of application:
  • electronic emission by cold cathode,
  • control and control of small electrical loads,
  • compensation of load measurement errors,
  • high frequency of operation,
  • solution compatible with specific integrated circuits (ASIC).

BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINSBRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

  • Les figures 1A et 1B illustrent respectivement le schéma électrique, et le symbole comportemental d'une micropointe,The Figures 1A and 1B illustrate respectively the electrical diagram, and the behavioral symbol of a microtip,
  • la figue 2 illustre les caractéristiques courant-tension d'une micropointe.Fig. 2 illustrates current-voltage characteristics of a microtip.
  • les figures 3A et 3B illustrent respectivement un système de régulation du courant d'une micropointe en boucle ouverte et en boucle fermée,the Figures 3A and 3B respectively illustrate a system for regulating the current of a microtip in open loop and in closed loop,
  • la figure 4 illustre un dispositif de commande et de contrôle d'une dose d'électrons émise par une micropointe,the figure 4 illustrates a device for controlling and controlling an electron dose emitted by a microtip,
  • la figure 5 illustre le module senseur du dispositif de la figure 4,the figure 5 illustrates the sensor module of the device of the figure 4 ,
  • la figure 6 illustre le module comparateur du dispositif de la figure 4,the figure 6 illustrates the comparator module of the device of the figure 4 ,
  • les figures 7A et 7B sont des chronogrammes illustrant le fonctionnement du dispositif de la figure 4,the Figures 7A and 7B are chronograms illustrating the operation of the device of the figure 4 ,
  • la figure 8 illustre une matérialisation de l'erreur sur le nombre d'électrons programmés,the figure 8 illustrates a materialization of the error on the number of electrons programmed,
  • la figure 9 illustre une compensation de l'erreur sur le nombre d'électrons programmés par seuil variable,the figure 9 illustrates a compensation of the error on the number of electrons programmed by variable threshold,
  • la figure 10 illustre la décomposition d'une impulsion de courant en temps élémentaires,the figure 10 illustrates the decomposition of a current pulse into elementary time,
  • la figure 11 illustre une décomposition simplifiée par rapport à celle illustré sur la figure 10,the figure 11 illustrates a simplified decomposition compared to that illustrated on the figure 10 ,
  • la figure 12 illustre la répartition des doses pendant les différents temps élémentaires,the figure 12 illustrates the distribution of doses during the different elementary times,
  • les figures 13A et 13B illustrent des courbes donnant le nombre d'électrons relatifs par rapport au courant de pointe respectivement sans utiliser de compensation et en utilisant une compensation active sur le courant,the Figures 13A and 13B illustrate curves giving the number of electrons relative to the peak current respectively without using compensation and using active compensation on the current,
  • la figure 14 illustre un exemple de compensation temporelle selon l'invention,the figure 14 illustrates an example of time compensation according to the invention,
  • les figures 15 et 16 illustrent un schéma simplifié de compensation en fonction du courant de pointe selon l'invention.the Figures 15 and 16 illustrate a simplified scheme of compensation according to the peak current according to the invention.
EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERSDETAILED PRESENTATION OF PARTICULAR EMBODIMENTS

Le dispositif de commande et de contrôle d'une dose d'électrons émise par un micro-émetteur, illustré sur la figure 4, est constitué d'une micropointe 10, avec une anode 11, une cathode 12, et une grille d'extraction 13, capable de fournir un courant lorsque la tension de la grille d'extraction 13 par rapport à la cathode 12 devient supérieure à la tension d'extraction dans le vide. Des capacités parasites 20 et 21 sont inhérentes à la fabrication d'une telle micropointe 10 en microtechnologie.The device for controlling and controlling a dose of electrons emitted by a micro-transmitter, illustrated on the figure 4 , consists of a microtip 10, with an anode 11, a cathode 12, and an extraction grid 13, capable of supplying a current when the voltage of the extraction grid 13 with respect to the cathode 12 becomes greater than the extraction voltage in the vacuum. Spur capacitances 20 and 21 are inherent in the manufacture of such a microtip 10 in microtechnology.

Ce dispositif comporte :

  • un module senseur 30 qui réalise une conversion électrons-tension, et qui reçoit le courant Ic fourni par cette micropointe 10 ainsi qu'une tension V1 pour ajuster le point de polarisation dudit dispositif, la sensibilité d'un module
    Figure imgb0003
    pouvant s'exprimer en volts/électrons,
  • un module comparateur 31 qui reçoit le signal de sortie Vse dudit module senseur 30 ainsi qu'une tension de seuil V2 permettant le réglage de la quantité d'électrons à émettre, et qui délivre un signal de détection de charge suffisante Vcom,
  • un module logique 32 qui reçoit ce signal Vcom, ainsi qu'un signal de démarrage Start pour initialiser l'émission électronique, et un signal logique data pour définir si la micropointe doit ou non émettre,
  • un module de commande 33 qui reçoit le signal de sortie dudit module logique 32 ainsi que des signaux Vg-on et Vg-off, qui élabore les tensions nécessaires à l'initialisation et à l'extinction de l'impulsion de courant de la micropointe (plusieurs dizaines de volts).
This device comprises:
  • a sensor module 30 which performs an electron-voltage conversion, and which receives the current Ic supplied by this microtip 10 and a voltage V1 to adjust the polarization point of said device, the sensitivity of a module
    Figure imgb0003
    can express itself in volts / electrons,
  • a comparator module 31 which receives the output signal Vse of said sensor module 30 as well as a threshold voltage V2 for adjusting the quantity of electrons to be emitted, and which delivers a sufficient charge detection signal Vcom,
  • a logic module 32 which receives this signal Vcom, as well as a start signal Start to initialize the electronic emission, and a logic signal data to define whether or not the microtip must emit,
  • a control module 33 which receives the output signal of said logic module 32 as well as Vg-on and Vg-off signals, which generates the voltages necessary for initialization and extinction of the current pulse of the microtip (several tens of volts).

Ce dispositif est en effet applicable à un arrangement de plusieurs micropointes soit sous la forme d'un arrangement linéaire (barette), soit sous la forme d'un arrangement bi-dimensionnel (matrice). Toutes les combinaisons d'arrangements sont également possibles. Ce dispositif peut être réalisé en technologie spécifique haute-tension, et permettre de contrôler les doses d'électrons émis avec des cadences élevées.This device is indeed applicable to an arrangement of several microtips either in the form of a linear arrangement (barette), or in the form of a two-dimensional arrangement (matrix). All combinations of arrangements are also possible. This device can be realized in specific high-voltage technology, and can control the electron doses emitted with high rates.

On va à présent analyser chacun de ces modules 30, 31, 32 et 33.We will now analyze each of these modules 30, 31, 32 and 33.

Module senseur 30Sensor Module 30

Le rôle de ce module 30 est de traiter l'information de base disponible sur la micropointe 10 et de la convertir en une grandeur qui puisse être comparée à une grandeur d'entrée, afin de prendre une décision sur le nombre N d'électrons émis.The role of this module 30 is to process the basic information available on the microtip 10 and to convert it into a quantity that can be compared to an input quantity, in order to take a decision on the number N of emitted electrons .

Ce module peut être avantageusement constitué d'un amplificateur CTIA (« capacitive transimpédance amplifier ») qui réalise une conversion courant-tension. La variable d'entrée est alors le courant cathode de la micropointe Ic. Cet amplificateur se caractérise par son gain de conversion R qui s'exprime en Volt/e-. Il est constitué d'un amplificateur 35, d'un condensateur de contre-réaction (Cfb) 36, et d'un dispositif de remise à zéro 37. On obtient pour l'excursion de sortie ΔVs du module senseur : Δ V s = - I c * T int C fb = N * q e C fb = N

Figure imgb0004
This module may advantageously consist of a CTIA amplifier ("capacitive transimpedance amplifier") which performs a current-voltage conversion. The input variable is then the cathode current of the microtip I c . This amplifier is characterized by its conversion gain R which is expressed in Volt / e - . It consists of an amplifier 35, a feedback capacitor (C fb ) 36, and a resetting device 37. For the output excursion ΔV s of the sensor module, the following is obtained: Δ V s = - I vs * T int VS fb = NOT * q e VS fb = NOT
Figure imgb0004

Une telle solution est avantageuse par rapport à une solution réalisant une intégration directe sur la capacité de micropointe pour plusieurs raisons :

  • Elle n'est pas sensible, en ce qui concerne le signal, aux capacités parasites situées en amont.
  • Son gain de conversion peut être fixé de manière précise. Il est défini par la valeur de Cfb. Il peut être, par exemple, de 23µV/e- pour Cfb = 7fF.
  • Le point de polarisation de la cathode est fixé par la variable externe V1
Such a solution is advantageous with respect to a solution achieving a direct integration on the microtip capability for several reasons:
  • It is not sensitive, as far as the signal is concerned, to the parasitic capacitors situated upstream.
  • Its conversion gain can be set precisely. It is defined by the value of C fb . It can be, for example, 23μV / e - for C fb = 7fF.
  • The polarization point of the cathode is fixed by the external variable V1

Module comparateur 31Comparator Module 31

Ce module 31 reçoit sur ses entrées deux tensions analogiques :

  • la tension Vse de sortie du module senseur 30,
  • la tension de commande V2 qui fixe la valeur du seuil de comparaison.
This module 31 receives on its inputs two analog voltages:
  • the output voltage V se of the sensor module 30,
  • the control voltage V2 which sets the value of the comparison threshold.

Ce module comprend un amplificateur 40 en boucle ouverte dont le niveau de sortie comporte deux états (VDD et VSS) équivalents à deux états logiques en fonction des tensions d'entrée :

  • Tant que Vse>V2, la sortie logique Vcom reste à « 1 ».
  • Lorsque Vse=V2, la sortie logique Vcom commute et vient se positionner au « 0 » logique.
This module comprises an open-loop amplifier 40 whose output level comprises two states (VDD and VSS) equivalent to two logic states as a function of the input voltages:
  • As long as V is > V2, the logic output V com remains at "1".
  • When V se = V2, the logic output V com switches and is positioned at the logic "0".

Module logique 32Logic Module 32

Ce module 32 a plusieurs fonctions de séquencement et de génération de signaux internes. Il a pour rôle :

  • de maintenir (« latch ») la prise de décision Vcom obtenue en sortie du module comparateur 31 jusqu'à l'arrivée d'un signal de remise à zéro.
  • de générer des phases non-recouvrantes utiles pour la remise à zéro du module senseur 30 et du module de commande 33.
This module 32 has several functions of sequencing and of generating internal signals. Its role is:
  • to maintain ("latch") the decision V com obtained at the output of the comparator module 31 until the arrival of a reset signal.
  • generating non-overlapping phases useful for resetting the sensor module 30 and the control module 33.

Ce module est initialisé par un signal de démarrage start en début de séquence, et obéit au signal data, de la manière illustrée par la table suivante : Data Action 1 Emission de la micropointe 0 Pas d'émission de la micropointe This module is initialized by a start signal start at the beginning of the sequence, and obeys the data signal, as illustrated by the following table: Data Action 1 Issue of the microtip 0 No issue of the microtip

Module de commande 33Control module 33

Ce module 33 a la charge d'établir la tension de grille d'extraction nécessaire à l'émission par la micropointe du courant désiré de manière synchrone avec l'apparition du signal start. Lorsque la dose d'électrons émis a été atteinte (signal de décision Vcom émis par le module comparateur 31). Ce module 33 coupe le flux en amenant la tension de grille d'extraction à un niveau tel que le courant électronique est diminué de plusieurs décades. Ces valeurs d'allumage et d'extinction dépendent de la transconductance de la micropointe et de son modèle géométrique. Les tensions de pilotage peuvent être commutées de 20V à 50V environ, ce qui nécessite alors l'usage d'une technologie spécifique haute tension (HVCMOS). La principale fonction de ce module 33 est donc de réaliser la translation de niveau [0-3v] à [20v-50v].This module 33 is responsible for setting the extraction gate voltage necessary for the microtip to transmit the desired current synchronously with the appearance of the start signal. When the dose of electrons emitted has been reached (Vcom decision signal emitted by the comparator module 31). This module 33 cuts the flow by bringing the extraction gate voltage to a level such that the current electronics is diminished by several decades. These ignition and extinction values depend on the transconductance of the microtip and its geometric model. The control voltages can be switched from 20V to approximately 50V, which then requires the use of a specific high voltage technology (HVCMOS). The main function of this module 33 is therefore to perform the translation level [0-3v] to [20v-50v].

Un tel dispositif de commande et de contrôle présente de nombreuses limitations, inhérentes au principe utilisé. En effet, la tension Vse obtenue en sortie du module senseur 30 est proportionnelle au courant de cathode Ic émis par la micropointe. En considérant V1 comme le niveau de tension d'initialisation, le nombre Ne d'électrons émis par la micropointe est tel que : N e = Q e q = V se - V 1 avec = q C fb

Figure imgb0005
Such a control and control device has many limitations, inherent in the principle used. Indeed, the voltage V is obtained at the output of the sensor module 30 is proportional to the cathode current I c emitted by the microtip. Considering V1 as the initialization voltage level, the number N e of electrons emitted by the microtip is such that: NOT e = Q e q = V himself - V 1 with = q VS fb
Figure imgb0005

Qe étant la charge électrique émise et q la charge de l'électron.Qe being the electric charge emitted and q the charge of the electron.

Une charge calibrée Qc peut donc être programmée par V2 avec la relation : Nc = Q c q = V 2 - V 1

Figure imgb0006
A calibrated load Qc can therefore be programmed by V2 with the relation: Nc = Q vs q = V 2 - V 1
Figure imgb0006

La valeur du seuil de comparaison V2 fixe la charge électrique programmée. Si tous les modules étaient parfaits, le module senseur 30 transmettrait immédiatement une représentation Vse du courant cathode Ic, le module comparateur 31 ne présenterait aucun retard, et la commande de grille d'extraction actionnerait instantanément l'établissement ou l'extinction du flux électronique, selon le chronogramme de la figure 7A. Quel que soit alors le niveau du courant électronique, la charge émise serait identique et, comme illustré sur la figure 7B :

  • un courant nominal Icnom serait interrompu au bout d'un temps tnom.
  • un courant 2*Icnom serait interrompu au bout d'un temps tnom/2.
  • un courant nominal 0.5*Icnom serait interrompu au bout d'un temps 2*tnom.
Les aires représentées en grisé dans chacun des trois cas sont égales.The value of the comparison threshold V2 sets the programmed electrical load. If all the modules were perfect, the sensor module 30 would immediately transmit a representation V se of the cathode current I c , the comparator module 31 would have no delay, and the extraction gate control would instantly activate the establishment or extinction of the electronic flow, according to the chronogram of the Figure 7A . Whatever the level of the electronic current, the charge emitted would be identical and, as shown in FIG. Figure 7B :
  • a nominal current Ic name would be interrupted after a time t nom .
  • a current 2 * Ic name would be interrupted after a time t nom / 2.
  • a nominal current 0.5 * Ic name would be interrupted after a time 2 * t name .
The shaded areas in each of the three cases are equal.

Dans la réalité, la durée globale de l'impulsion de courant n'est pas linéaire en fonction du niveau de courant programmé. En effet, à cause des capacités parasites 20 et 21 évoquées précédemment, une commutation de plusieurs dizaines de volts de la grille d'extraction 13 perturbe transitoirement l'entrée du module senseur 30 dont il faut maintenir la polarisation pour éviter toute saturation de celui-ci. Une telle saturation nécessiterait alors une constante de temps importante pour un retour à l'équilibre et ne permettrait pas un fonctionnement en haute fréquence. Pendant ce temps de maintien de la polarisation du module senseur 30 à l'établissement du flux électronique, des charges électroniques sont déjà émises et sont à comptabiliser dans le bilan global des charges émises, bien qu'on ne puisse pas les mesurer car elles dépendent du niveau de courant qui n'est pas connu d'emblée. Un tel phénomène est une première source de non-linéarités.In reality, the overall duration of the current pulse is not linear as a function of the programmed current level. Indeed, because of parasitic capacitances 20 and 21 mentioned above, a switching of several tens of volts of the extraction grid 13 transiently disturbs the input of the sensor module 30 whose polarization must be maintained to avoid any saturation thereof. this. Such saturation would then require a significant time constant for a return to equilibrium and would not allow operation at high frequency. During this time maintaining the polarization of the 30 sensor module at the establishment of the electronic flow, electronic charges are already issued and are recorded in the overall balance of charges, although we can not measure because they depend on the level of current that is not known from the outset. Such a phenomenon is a first source of non-linearities.

Un autre phénomène se produit à l'extinction du faisceau électronique, lorsque Vse atteint V2. Le module comparateur 31 présente un retard à la prise de décision inhérent à tout module électronique. Pendant ce retard, la micropointe 10 continue d'émettre et il existe donc une charge d'extinction additionnelle qui s'ajoute dans le bilan global des charges émises. La figure 8, qui représente une matérialisation de l'erreur sur le nombre N d'électrons programmés, illustre un tel phénomène. Si l'on trace, en fonction du temps, le nombre d'électrons émis par rapport au nombre d'électrons programmés, à retard constant on constate une erreur sur le nombre d'électrons émis qui dépend du niveau de courant. Sur cette figure la courbe 45 correspond à 2*Iinom, la courbe 46 correspond à Iinom et la courbe 47 à Iinom/2, la courbe 48 correspond au nombre d'électrons émis. Il y a donc un dépassement (« overshoot ») sur la charge émise par rapport à la charge programmée, ce qui est une seconde source de non-linéarités.Another phenomenon occurs at the extinction of the electron beam, when V is reached V2. The comparator module 31 has a delay in the decision-making inherent in any electronic module. During this delay, the microtip 10 continues to emit and there is therefore an additional extinguishing charge which is added to the overall balance of the charges emitted. The figure 8 , which represents a materialization of the error on the number N of programmed electrons, illustrates such a phenomenon. If one traces, as a function of time, the number of electrons emitted with respect to the number of electrons programmed, with constant delay, an error is noted on the number of electrons emitted which depends on the level of current. In this figure the curve 45 corresponds to 2 * Iinom, the curve 46 corresponds to Iinom and the curve 47 to Iinom / 2, the curve 48 corresponds to the number of electrons emitted. There is therefore an overshoot on the load transmitted compared to the programmed load, which is a second source of non-linearities.

Une première solution pour compenser de telles non-linéarités utilise un seuil de comparaison qui varie en fonction du temps. Il suffit pour cela d'envoyer une rampe 50, ou un « stair-case », sur l'entrée V2 du module comparateur 31 comme illustré sur la figure 9.A first solution for compensating for such nonlinearities uses a comparison threshold that varies as a function of time. Simply send a ramp 50, or a "staircase", on the input V2 of the comparator module 31 as illustrated on the figure 9 .

L'invention a pour objet de compenser de telles non-linéarités en proposant d'autres méthodes de compensation par contrôle du courant de cathode Ic et par rétroaction sur la valeur du seuil V2.The object of the invention is to compensate for such non-linearities by proposing other methods of compensation by controlling the cathode current I c and by feedback on the value of the threshold V 2.

En analysant le profil 55 de l'impulsion du courant de la micropointe, il est possible de la décomposer en une suite de temps élémentaires t1 à t6 :

  • t1 : temps d'établissement de la tension Vgate + reset CTIA
  • t2 : temps de maintien du reset CTIA pour annuler les effets d'injection de charges et les transitoires,
  • t3 : temps de mesure,
  • t4 : temps de retard de prise de décision du comparateur,
  • t5 : temps de retard dû à la coupure de Vgate (logique),
  • t6 : délai pour éteindre le flux d'électrons.
By analyzing the profile 55 of the current pulse of the microtip, it is possible to break it up into a series of elementary times t1 to t6:
  • t1: voltage setting time Vgate + reset CTIA
  • t2: hold time of the reset CTIA to cancel the effects of charge injection and transients,
  • t3: measurement time,
  • t4: delay of decision making of the comparator,
  • t5: delay time due to Vgate cut (logic),
  • t6: delay to turn off the electron flow.

Certains de ces temps élémentaires peuvent être regroupés, pour aboutir au modèle simplifié :

  • t1+t2=tstart : temps d'initialisation qui s'étend depuis tdébut (correspondant au début de l'impulsion) jusqu'à tdébut_contrôle (correspondant au début effectif du contrôle de dose)
  • t3=tmeasure : temps de mesure réellement contrôlable qui s'étend depuis tdébut_contrôle jusqu'à tfin_contrôle (correspondant à la fin du contrôle de la dose)
  • t4+t5+t6=toff : temps d'extinction qui s'étend depuis tfin_contrôle jusqu'à tfin correspondant à la fin effective de l'émission de dose
Some of these elementary times can be grouped together, leading to the simplified model:
  • t1 + t2 = t start : initialization time that extends from t start (corresponding to the beginning of the pulse) until t start_control (corresponding to the effective start of the dose control)
  • t3 = t measure : measurement time actually controllable that extends from t start_control until t_control end (corresponding to the end of the dose control)
  • t4 + t5 + t6 = t off : extinguishing time which extends from t end_control until t end corresponding to the effective end of the dose emission

Si on considère que le courant atteint sa valeur nominale Isteady_state rapidement pendant le temps d'initialisation tstart et qu'il se maintient pendant le temps d'extinction toff, il est donc au premier ordre constant pendant toute la durée de l'impulsion de courant. En effet, au début, le temps d'établissement de Vgate est court, et à la fin, les retards logique et d'extinction de Vgate sont largement dominés par le retard du module comparateur 31 à la prise de décision.If we consider that the current reaches its nominal value I steady_state rapidly during the initialization time t start and that it is maintained during the extinction time t off , it is therefore at first constant order for the duration of the current pulse. Indeed, at the beginning, the V gate establishment time is short, and in the end, the logical gate delay and V gate delays are largely dominated by the delay of the comparator module 31 in decision making.

La dose totale émise en nombre d'électrons peut s'exprimer comme : N beam = N merasure + I steady - state * t start + t off q e

Figure imgb0007
Avec N measure = V 2 - V 1 avec = q e / Ctia
Figure imgb0008
The total dose emitted in number of electrons can be expressed as: NOT beam = NOT merasure + I steady - state * t start + t off q e
Figure imgb0007
With NOT measure = V 2 - V 1 with = q e / CTIA
Figure imgb0008

La dose d'électrons prévue est fixée par Nmeasure, mais une dose excédentaire vient s'ajouter en réalité à cause des instants d'initialisation et d'extinction non-nuls. La figure 12 illustre une courbe du nombre d'électrons émis en fonction du régime de courant.The predicted electron dose is fixed by N measure , but an excess dose is actually added because of non-zero initialization and extinction times. The figure 12 illustrates a curve of the number of electrons emitted as a function of the current regime.

En théorie, comme indiqué précédemment, le nombre d'électrons émis devrait rester le même quel que soit le courant Itip, comme illustré par la courbe horizontale 56.In theory, as indicated previously, the number of electrons emitted should remain the same whatever the current I tip , as illustrated by the horizontal curve 56.

Les courbes 57 et 58 illustrent le nombre d'électrons émis respectivement pendant les temps d'initialisation et d'extinction. Le séquencement peut être tel que les temps tstart et toff restent constants quel que soit le courant, c'est-à-dire que les électrons émis pendant ces temps tstart et toff ne dépendent que du régime de courant (fonction affine).The curves 57 and 58 illustrate the number of electrons emitted respectively during the initialization and extinction times. The sequencing can be such that the times t start and t off remain constant whatever the current, that is to say that the electrons emitted during these times t start and t off depend only on the current regime (affine function ).

Le nombre d'électrons émis apparaît sur la courbe 59, qui, pour toute valeur de l'abscisse X, représente la somme des courbes 56 + 57 + 58.The number of electrons emitted appears on curve 59, which for any value of abscissa X represents the sum of curves 56 + 57 + 58.

L'indication numérique relative obtenue à partir de ces courbes montre une erreur sur le nombre d'électrons émis par rapport à la consigne d'un facteur 1.3 à 2.6 en excès. Ceci n'est pas acceptable pour la précision de contrôle d'émission désirée.The relative numerical indication obtained from these curves shows an error on the number of electrons emitted with respect to the setpoint by a factor of 1.3 to 2.6 in excess. This is not acceptable for the desired emission control accuracy.

L'objet du dispositif de l'invention est d'être capable d'émettre avec précision un nombre d'électrons programmé quel que soit le régime de courant de la micropointe et d'interrompre le faisceau électronique dès que cette valeur a été atteinte. La somme des électrons émis pendant chacun des temps décrits précédemment doit donc rester constante, i.e que le nombre total d'électrons émis soit linéaire et constant, quelque soit le courant de pointe Itip.The object of the device of the invention is to be able to accurately transmit a programmed number of electrons regardless of the current regime of the microtip and to interrupt the electron beam as soon as this value has been reached. The sum of the electrons emitted during each of the times described above must therefore remain constant, ie the total number of electrons emitted is linear and constant, regardless of the peak current I tip .

La loi de variation du nombre d'électrons émis pendant les temps d'initialisation et d'extinction de l'impulsion de courant (fonction affine)est connue. Il est donc possible d'intervenir sur le contrôle du nombre Nmeasure d'électrons effectivement mesurés pour que la somme S= Nstart+ Nmeasure + Noff reste constante. On fait donc décroître Nmeasure lorsque Itip croît.The law of variation of the number of electrons emitted during the initialization and extinction times of the current pulse (affine function) is known. It is therefore possible to intervene on the control of number N measure of electrons actually measured so that the sum S = N start + N measure + N off remains constant. N measure decreases as I tip grows.

Pour ce faire on modifie la valeur de la tension de détection de seuil V2 au cours de l'exposition électronique. La compensation est réalisée sur des quantités d'électrons excédentaires répondant à la loi : I tip * t q e

Figure imgb0009
To do this, the value of the threshold detection voltage V2 is modified during the electronic exposure. The compensation is carried out on quantities of surplus electrons answering the law: I tip * t q e
Figure imgb0009

Deux types de compensation sont possibles : une compensation temporelle ou une compensation en fonction du courant. Les figures 13A et 13B illustrent respectivement les courbes théorique 60 et mesurés 61 et les courbes théorique 60 et mesurée 61' du nombre d'électrons relatif en fonction du courant de pointe Itip, respectivement sans compensation et avec compensation en fonction du courant. La courbe 61' illustre l'amélioration que l'on désire obtenir en utilisant une telle compensation active en fonction du courant.Two types of compensation are possible: time compensation or compensation depending on the current. The Figures 13A and 13B respectively illustrate the theoretical curves 60 and measured 61 and the theoretical curves 60 and measured 61 'of the relative number of electrons as a function of the peak current I tip , respectively without compensation and with compensation as a function of the current. Curve 61 'illustrates the improvement that is desired by using such active compensation as a function of current.

On peut constater sur la figure 13B la stabilité du nombre d'électrons émis en fonction du courant de pointe, bien qu'il subsiste un offset inhérent à la méthode utilisée. En effet le temps dénommé tmeasure ne peut pas être nul car on ne contrôlerait plus rien. Le temps minimal nécessaire au bon fonctionnement de la compensation doit être tel que le bruit ramené par le module senseur 30 reste faible devant le signal traité par ce module (typiquement Noffset=400 électrons, soit ΔVs_min=8mV) .We can see on the Figure 13B the stability of the number of electrons emitted as a function of the peak current, although there is an inherent offset to the method used. Indeed the time called t measure can not be zero because we would not control anything. The minimum time necessary for the proper operation of the compensation must be such that the noise brought back by the sensor module 30 remains low in front of the signal processed by this module (typically N offset = 400 electrons, ie ΔV s_min = 8mV).

L'invention concerne également un dispositif linéaire ou matriciel de commande et de contrôle de doses d'électrons émises par un ensemble de micro-émetteurs, qui comporte, pour chaque micro-émetteur, les différents modules 30, 31, 32 et 33 ainsi que des moyens de variations de la tension de seuil, tels que décrits ci-dessus.The invention also relates to a linear or array device for controlling and controlling electron doses emitted by a set of micro-transmitters, which comprises, for each micro-transmitter, the different modules 30, 31, 32 and 33 as well as means for variations of the threshold voltage, as described above.

Exemples de réalisationExamples of realization Compensation temporelleTime compensation

Une telle compensation est illustrée sur la figure 14. Elle ne couvre pas tous les besoins. Elle est capable de compenser des disparités entre micropointes, mais pas des fluctuations haute fréquence sur une même micropointe. Elle est cependant utilisable dès lors que l'on est sûr que la fréquence de récurrence des fluctuations de courant est inférieure à la fréquence d'apparition des impulsions programmés. La tension de seuil V2 est modulée dans le temps à partir du signal d'initialisation start de manière à programmer un contrôle de dose variable dans le temps tel que l'excès d'électrons émis pendant les phases tstart et toff soit strictement compensé par la diminution au cours du temps de la dose programmée. Dose programmée = N prog = V 2 t - V 1 avec = q e C tia

Figure imgb0010
Such compensation is illustrated on the figure 14 . It does not cover all the needs. It is able to compensate for differences between microtips, but not for high frequency fluctuations on the same microtip. However, it can be used when it is certain that the frequency of recurrence of the current fluctuations is lower than the frequency of appearance of the programmed pulses. The threshold voltage V2 is modulated in time from the start initialization signal so as to program a variable dose control over time such that the excess of electrons emitted during the phases t start and t off is strictly compensated. by the decrease over time of the programmed dose. Scheduled dose = NOT prog = V 2 t - V 1 with = q e VS tia
Figure imgb0010

Cette variation temporelle est contrôlée par le générateur 65.This temporal variation is controlled by the generator 65.

Compensation active en fonction du courantActive compensation according to the current

Lorsque la fréq-uence des fluctuations du courant est telle que celui-ci peut varier pendant un temps d'exposition élémentaire, la correction temporelle précédente n'est plus suffisante. En effet, dans l'expression de bilan du nombre d'électrons émis : N e - = I tip * T q e

Figure imgb0011
When the frequency of the fluctuations of the current is such that it may vary during an elementary exposure time, the previous time correction is no longer sufficient. Indeed, in the balance sheet expression of the number of electrons emitted: NOT e - = I tip * T q e
Figure imgb0011

Les deux variables Itip et T varient simultanément pendant le contrôle. Il n'est donc plus possible de contrôler une des variables tout en mesurant l'autre. Il faut assumer une correction active en fonction du courant.The two variables I tip and T vary simultaneously during the control. It is therefore no longer possible to control one of the variables while measuring the other. An active correction must be made according to the current.

La figure 15 illustre un schéma simplifié de compensation en fonction du courant de pointe. Un module de détection du courant de pointe 67 est capable de reproduire exactement le courant de pointe ou d'introduire un gain (X) sur ce courant, par exemple au moyen d'un miroir de courant. C'est ce courant de sortie qui est mesuré par le module senseur 30. Le courant d'entrée Itip sert également de référence pour le module de génération de tension variable 68 qui délivre en sortie une tension de consigne V2 = f (Itip) . La décision sur le temps est toujours prise par le module comparateur 31, mais le seuil de décision V2 est indexé sur la valeur instantanée du courant d'émission. On aboutit ainsi à une compensation optimale.The figure 15 illustrates a simplified scheme of compensation according to the peak current. A peak current detection module 67 is able to reproduce exactly the peak current or to introduce a gain (X) on this current, for example by means of a current mirror. It is this output current that is measured by the sensor module 30. The input current Itip also serves as a reference for the variable voltage generation module 68 which outputs a set voltage V2 = f (I tip ). . The decision on the time is always taken by the comparator module 31, but the decision threshold V2 is indexed on the instantaneous value of the emission current. This leads to an optimal compensation.

Plus précisément, en reprenant les notations de la figure 11, on peut calculer le nombre d'électrons émis dans chacune des phases :

  • Phase d'initialisation N start = I * t début_contr o ^ le - t début q
    Figure imgb0012
  • Phase de mesure N measure = I * t fin_contr o ^ le - t début_contr o ^ le q
    Figure imgb0013
  • Phase d'extinction N stop = I * t fin - t fin_contr o ^ le q
    Figure imgb0014
More precisely, by taking again the notations of the figure 11 , we can calculate the number of electrons emitted in each of the phases:
  • Initialization phase NOT start = I * t début_contr o ^ the - t beginning q
    Figure imgb0012
  • Measurement phase NOT measure = I * t fin_contr o ^ the - t début_contr o ^ the q
    Figure imgb0013
  • Extinction phase NOT stop = I * t end - t fin_contr o ^ the q
    Figure imgb0014

Le nombre d'électrons déposés en trop à compenser en modifiant la tension V2 correspond à N t start + N stop = I q t début_contr o ^ le - t début + t fin - t fin_contr o ^ le = I q t start - t off

Figure imgb0015
The number of electrons deposited in excess to compensate by modifying the voltage V2 corresponds to NOT t start + NOT stop = I q t début_contr o ^ the - t beginning + t end - t fin_contr o ^ the = I q t start - t off
Figure imgb0015

D'où en fonction de ΔV2 : N start + N stop = C * Δ V 2 q soit ΔV 2 = C t start + t off

Figure imgb0016
From where according to ΔV2: NOT start + NOT stop = VS * Δ V 2 q either ΔV 2 = VS t start + t off
Figure imgb0016

La capacité du bloc senseur et les temps └tstart + toff ┘ étant connus, la variation de V2 à programmer est directement proportionnelle à I. La différence de tension à programmer par rapport à Vref (tension à appliquer pour obtenir pendant la phase de mesure la dose souhaitée si Nstart et Nstop n'existaient pas) peut donc être mise en oeuvre, par exemple par l'intermédiaire d'une résistance RL permettant d'établir une tension RL*I avec RL= (tstart+toff) /C. Dans le cas particulier où l'amplificateur CTIA est rechargé à un état haut, cette tension RL*I doit être rajoutée à la tension Vref pour stopper, plus rapidement que dans le cas idéal (sans Nstart et Nstop), l'alimentation de la micropointe et donc son émission.The capacity of the sensor block and the times └ t start + t off ┘ being known, the variation of V2 to be programmed is directly proportional to I. The difference of voltage to be programmed with respect to Vref (voltage to be applied to obtain during the phase of measurement of the desired dose if Nstart and Nstop did not exist) can therefore be implemented, for example by means of a resistor R L making it possible to establish a voltage R L * I with R L = (t start + t off ) / C. In the particular case where the amplifier CTIA is recharged to a high state, this voltage R L * I must be added to the voltage Vref to stop, faster than in the ideal case (without Nstart and Nstop), the power of the micropoint and so his show.

Le bloc 68 de la figure 15 peut alors par exemple, être réalisé de la manière illustrée sur la figure 16.Block 68 of the figure 15 can then for example be realized in the manner illustrated on the figure 16 .

Les dimensions des transistors sont choisies pour remplir la fonction spécifiée de façon connue par l'homme du métier.The dimensions of the transistors are chosen to fulfill the specified function in a manner known to those skilled in the art.

Un tel mode de réalisation est avantageux dans le sens où il permet de réaliser l'intégralité des fonctions exigées à proximité ou dans le site d'émission des électrons ce qui a pour avantage :

  • de compenser les non-uniformités d'émission de micropointes ou de tout autre dispositif individuellement,
  • de réaliser ces différentes fonctions dans un circuit intégré spécifique (ASIC ou « Application Specific Integrated Circuit »).
  • de participer, en conséquence, à l'amélioration des rendements de fabrication des micropointes et de leur durée de vie,
  • de pouvoir accéder ainsi à des grandes tailles d'émetteurs bidimensionnels sans complexifier le nombre d'interfaces périphériques (auto-traitement du signal in-pixel).
Such an embodiment is advantageous in the sense that it makes it possible to perform all the required functions near or in the electron emission site, which has the advantage of:
  • to compensate for the non-uniformity of emission of microtips or any other device individually,
  • perform these different functions in a specific integrated circuit (ASIC or "Application Specific Integrated Circuit").
  • to participate, therefore, in the improvement of micropoint production yields and their lifetime,
  • to thus be able to access large sizes of two-dimensional emitters without complicating the number of peripheral interfaces (self-processing of the in-pixel signal).

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Claims (8)

  1. Device for switching and controlling an electron dose emitted by a micro-emitter comprising:
    - a sensor module (30) that receives the output current from the micro-emitter and a voltage to adjust the polarization point of the said device,
    - a comparator module (31) that receives the output signal from the said sensor module, and a threshold voltage to adjust the quantity of electrons to be emitted,
    - a logical module (32) that receives the output signal from the comparator module (31), and a start signal to initialize the electron remission, and a logical signal to define whether or not the micro-emitter should emit,
    - a control module (33) that receives the output signal from the said logical module that generates the voltages necessary for initialization and extinction of the micro-emitter current pulse,
    characterized in that it comprises;
    - means of varying the threshold voltage such that the sum S = Nstart + Nmeasure + Noff remains substantially constant during the electron remission, where Nstart is the number of electrons at the current pulse start time, Nmeasure is the number of electrons at the measurement time of this current pulse, and Noff is the number of electrons at the extinguishing time of this current pulse.
  2. Device according to claim 1, comprising means of modulating the threshold voltage (V2) in time starting from the initialization signal (start) so as to program an electron dose control that is variable in time such that excess electrons emitted during the start (tstart) and extinguishing (toff) times are strictly compensated by a reduction of the programmed dose in time.
  3. Device according to either claim 1 or 2, comprising:
    - a module for detecting the micro-emitter current (67), capable or reproducing the tip current Itip exactly, or adding a gain on the current,
    - a variable voltage generation module (68) that outputs a set voltage V2 = f(Itip).
  4. Linear or matrix switching and controlling device for electron doses emitted by a set of micro-emitters, comprising the following for each micro-emitter:
    - a sensor module (30) that receives the output current from the micro-emitter and a voltage to adjust the polarization point,
    - a comparator module (31) that receives the output signal from the said sensor module and a threshold voltage to adjust the quantity of electrons to be emitted,
    - a logical module (32) that receives the output signal 1 from the comparator module (31), and a start signal to initialize the electron emission, and a logical signal to define whether or not the micro-emitter should emit,
    - a control module (33) that receives the output signal from the said logical module that generates the voltages necessary for initialization and extinction of the micro-emitter current pulse,
    characterized in that it comprises the following for each micro-emitter :
    - means of varying the threshold voltage such that during the electron emission, the sum S = Nstart + Nmeasure + Noff remains substantially constant, where Nstare is the number of electrons at the current pulse start time, Nmeasure is the number of electrons at the measurement time of this current pulse, Noff is the number of electrons at the extinguishing time of this current pulse.
  5. Device according to any one of the above claims, in which each micro-emitter is a microtip.
  6. Process for switching and controlling an electron dose emitted by a micro-emitter comprising:
    - a step to convert the current output by the micro-emitter and to adjust the operating polarization point,
    - a step to compare the signal obtained at the output from the previous step with a threshold voltage for adjustment of the quantity of electron to be emitted,
    - a logical step to initialize the electron emission, and to define whether or not the micro-emitter should emit,
    - a control step that generates the voltages necessary for initialization and for extinction of the micro-emitter current pulse, characterized in that it comprises:
    - a step to vary the threshold voltage (V2) such that during the emission of electrons, the sum S = Nstart + Mmeasure + Noff remains approximately constant, Nstart being the number of electrons at the current pulse start time, Measure being the number of electrons at the measurement time of this current pulse, Noff being the number of electrons at the extinguishing time of this current pulse.
  7. Process according to claim 6, comprising a step in which the threshold voltage (V2) is modulated with time starting from the initialization signal (start) so as to program an electron dose control that is variable in time such that excess electrons emitted during the start (tstart) and extinguishing (toff) times are all or partly compensated by a reduction of the programmed dose in time
  8. Process according to claim 6, comprising:
    - a step for detecting the tip current, capable of reproducing the tip current Itip exactly, or adding a gain on the current,
    - a step to generate a variable voltage (68) that output a set voltage V2 = f(Itip).
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