EP1472727A2 - Semiconductor component comprising a sensor surface or an actuator surface, and method for producing the same - Google Patents

Semiconductor component comprising a sensor surface or an actuator surface, and method for producing the same

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EP1472727A2
EP1472727A2 EP03706288A EP03706288A EP1472727A2 EP 1472727 A2 EP1472727 A2 EP 1472727A2 EP 03706288 A EP03706288 A EP 03706288A EP 03706288 A EP03706288 A EP 03706288A EP 1472727 A2 EP1472727 A2 EP 1472727A2
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EP
European Patent Office
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active
semiconductor component
chip
metal frame
area
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Withdrawn
Application number
EP03706288A
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German (de)
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Inventor
Horst Theuss
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Infineon Technologies AG
Original Assignee
Infineon Technologies AG
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Filing date
Publication date
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Withdrawn legal-status Critical Current

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    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/0032—Packages or encapsulation
    • B81B7/0077—Other packages not provided for in groups B81B7/0035 - B81B7/0074
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
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    • G01D11/00—Component parts of measuring arrangements not specially adapted for a specific variable
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    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
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    • G—PHYSICS
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    • G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
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    • H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
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    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
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    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16245—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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    • H01L2224/481—Disposition
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    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding

Definitions

  • the invention relates to a semiconductor component with a sensor or actuator surface for and a method for its production.
  • a further advantage of semiconductor sensors lies in their easy integration into a circuit periphery, which can be located on the same semiconductor substrate and with which the sensor can be connected.
  • sensors for example for temperature or for the detection of certain gases, may also require an exposed sensor surface.
  • optical sensors of all kinds which can be used as transmitters and receivers.
  • the optically effective sensor or actuator surfaces of laser components, LEDs and cameras must enable unimpeded signal coupling and decoupling. Regardless of this, high demands are placed on reliability and especially on mechanical robustness of such semiconductor devices.
  • leadframe technology in which a cavity is provided for the semiconductor chip, is suitable for the implementation of sensor housings.
  • Examples of this are so-called “pre-packaged packages with a lid or a structure made up of several parts that are joined together during assembly to form a cavity.
  • pre-packaged packages with a lid or a structure made up of several parts that are joined together during assembly to form a cavity.
  • optical housings the design of the component must allow the exact coupling of an optical signal line, for example an optical fiber line.
  • relatively complex plug connections are often provided outside the component housing or, if appropriate, also coupling / plug devices in the housing.
  • Semiconductor components with a pressure sensor are, for example, from JP 2001 004 473 A, from US 622 91 90 B1, from JP 2000 249 611 A, from DE 196 26 082 AI, from JP 2000 214 034 A and from WO 00/42405 AI known.
  • Semiconductor components with an optical sensor and with devices for coupling or decoupling optical signals are, for example, from JP 2001 083 370 A, from US 622 77 24 B1, from JP 2001 053 332 A, from JP 2001 033 666 A and known from EP 108 63 92 AI.
  • an electronic semiconductor component has a semiconductor chip which has at least one active chip area functioning as a sensor surface and / or as an actuator surface on an active front side. According to the invention, this active chip area is enclosed by a raised metal frame. Furthermore, the semiconductor chip has contact areas on its active front side, which are grouped around the metal frame. A plastic housing of the semiconductor component has a cutout for the active chip area within the metal frame and leaves it free.
  • This electronic semiconductor component enables simple signal coupling or decoupling onto a sensor or actuator surface of the semiconductor chip through the recess in the plastic housing.
  • the housing can be provided with a suitable coupling point, for example for connection to optical fibers or the like.
  • the metal frame has an annular shape with a rectangular cross section.
  • a ring can preferably be electrodeposited and can in particular be produced using the same technology that is already available for the electrodeposition of contact bumps, so-called Bu ps, for flip-chip contacting of the semiconductor chip. If the semiconductor chip is designed as a flip chip, the metal frame or the flip chip contacts (balls, bumps) can be produced simultaneously by means of a corresponding mask design.
  • An alternative method of applying the metal frame and / or the bumps is to apply them using screen printing techniques. It is also possible to first produce the metal frame and then apply it to the active front side of the semiconductor chip. Preferably, an upper side of the metal frame is flush with a surface of a plastic housing.
  • the main material used for the housing is plastic molding compound, which is processed using the transfer molding process.
  • the semiconductor component is clad with the plastic molding compound and thus shielded and encapsulated against mechanical influences and against adverse media influences.
  • a further embodiment of the electronic semiconductor component according to the invention provides that the active front of the semiconductor chip is mounted in flip-chip technology on a carrier substrate which has a coupling point for sensor signals and a coupling point for actuator signals.
  • this coupling or decoupling point can be a recess in the carrier substrate, which is located directly below the active chip area and thus enables an unimpeded signal run.
  • a galvanically applied ring or metal frame can be used directly for contacting when using flipchip technology, i.e. for example for soldering to a printed circuit board. This ensures a hermetically sealed seal to the carrier substrate or to the printed circuit board and also protects the other chip surfaces against environmental influences.
  • An alternative embodiment of the invention provides that the semiconductor chip is mounted with its passive rear side on a carrier substrate which has contact connection areas which are in electrically conductive connection with the contact areas on the active front side of the semiconductor chip by means of wire bond connections.
  • This embodiment according to the invention can be produced simply and inexpensively. provide, whereby the known wire bond technology can be used.
  • an optically sensitive area can be considered as the active chip area, so that this is an optical sensor.
  • This optically sensitive surface can either comprise a single optical component such as a phototransistor or a photodiode.
  • the active chip area can comprise an optically active surface area which can emit optical signals - for example in the form of laser beams.
  • the active chip area can comprise an area sensitive to pressure or sound vibrations. It can also include a temperature or gas sensitive surface. Such a gas sensor can react sensitively to individual specific gases or to gas mixtures.
  • a method according to the invention for producing an electronic semiconductor component with a semiconductor chip which has at least one active chip area functioning as a sensor and / or an actuator surface on the active front side comprises at least the following steps:
  • Such a method can be carried out in a simple and inexpensive manner and enables the inexpensive production of very universally usable sensor or actuator components which are based on semiconductor chips.
  • a usable package at the wafer level is available as soon as the ring coupling and the electrical contacts have been attached.
  • this can be encapsulated by a plastic covering or other housing.
  • the metal frame is applied to the active front side of the semiconductor chip by galvanic means. This procedure can be carried out easily and inexpensively and delivers reliable results.
  • the metal frame can advantageously be produced in a common process step together with contact bumps, which are likewise applied to the contact surfaces of the semiconductor chip by galvanic means. In this way, the manufacturing process for the semiconductor components can be further optimized.
  • the bumps and the metal frame are preferably approximately of the same height, so that the semiconductor chip can be easily mounted on a front side of the carrier substrate, the metal frame being firmly connected to the latter and providing a seal.
  • the electrical connections can also be produced using conventional wire bonding technology, which is easy and inexpensive to implement.
  • Figure 1 shows a semiconductor chip in a schematic perspective view.
  • FIG. 2 shows a first variant of an electronic semiconductor component according to the invention in a schematic perspective illustration.
  • FIG. 3 shows a further variant of the electronic semiconductor component according to the invention in a schematic perspective illustration.
  • FIG. 4 shows the semiconductor chip of the semiconductor component in a schematic sectional illustration.
  • FIG. 5 shows the electronic semiconductor component mounted on a carrier in a schematic sectional illustration.
  • FIG. 6 shows a further alternative embodiment of the electronic semiconductor component in a schematic perspective view.
  • FIG. 7 shows the electronic semiconductor component according to FIG. 6 in a schematic sectional illustration.
  • FIG. 1 shows a semiconductor chip 4 in a schematic perspective illustration.
  • the semiconductor chip 4 has an active front side 41 with contact areas 43, on which contact bumps AG r so-called bumps are applied in each case in the illustration shown.
  • An active chip area 47 is also provided on the active front side 41 of the semiconductor chip 4 and is arranged in a central region of the active front side 41.
  • the active chip area 47 can function as a sensor and / or as an actuator area.
  • the sensor can be an opti- shear sensor, a pressure, a sound, a temperature or a gas sensor.
  • An optical or acoustic transmitter can be used as an actuator, for example.
  • the active chip area 47 is surrounded by a metal frame 45 which, in the exemplary embodiment shown, has a ring shape and projects above the active front side 41 of the semiconductor chip 4.
  • the metal frame 45 preferably has approximately the height of the contact bumps 46, which facilitates its mounting on a carrier substrate or on a printed circuit board (see FIG. 2 ff.).
  • FIG. 2 shows a schematic perspective illustration of a first variant of an electronic semiconductor component 2 according to the invention, which comprises a semiconductor chip 4 according to FIG. 1 and a flat carrier substrate 6, on which the semiconductor chip 4 is placed and mounted.
  • the flat carrier substrate 6 has a first surface 61 on which the semiconductor chip 4 is mounted with its active front side 41 in so-called flip-chip technology.
  • the contact bumps 46 are applied to corresponding contact connection surfaces 66 (not shown) on the first surface 61 of the carrier substrate 6.
  • the metal frame 45 is placed on a correspondingly suitable ring contact 64, which frames a cutout 63 in the carrier substrate 6, which forms a coupling or decoupling point for sensor or actuator signals 12. These signals 12 are indicated by a double arrow within the recess 63, the direction of the arrow perpendicular to the active chip area 47 and the active front side 41 and the first surface 61 also defines the direction of the actuator or sensor signals 12.
  • the metal frame 45 is firmly connected to the ring contact 64, so that in the case of a finished semiconductor component 2 the entire active front side 41 of the semiconductor chip 4, with the exception of its active chip area 47, is hermetically sealed against signal and environmental influences.
  • the carrier substrate 6 can, for example. A conventional circuit board made of epoxy material or a ceramic carrier or the like. his.
  • a plastic housing 10, which encases at least the first surface 61 of the carrier substrate 6 and the semiconductor chip 4, is not shown here for the sake of clarity.
  • FIG. 3 shows an alternative embodiment of the electronic semiconductor component 2 in a perspective view, in which a deflection device 68 is provided in the carrier substrate 6 directly below the active chip surface 47 instead of a recess 63 leading vertically through the carrier substrate 6 directly below the active chip surface 47.
  • This deflection device 68 which can, for example, consist of a mirror system for reflecting optical signals, deflects the sensor or actuator signals 12 in the direction of a side surface of the carrier substrate 6.
  • This deflection can be desirable for a wide variety of reasons, for example in order to be able to implement a particularly flat semiconductor component 2 in which the coupling or decoupling point for sensor or actuator signals 12 is provided on one of its flat side edges.
  • the housing is not drawn for reasons of better clarity.
  • the remaining structure of the electronic semiconductor component 2 corresponds to that according to FIG. 2.
  • FIG. 4 shows the semiconductor chip 4 of the electronic semiconductor component according to the invention in a schematic sectional illustration.
  • a carrier substrate has not yet been applied; the finished semiconductor component is shown in FIG. 5.
  • the semiconductor chip 4 and the major parts of the contact bumps 46 are encased in a plastic housing 10.
  • Short sections of the approximately round contact bumps 46 protrude from the plastic housing 10, so that they can be placed on the contact connection surfaces of the carrier substrate using flip-chip technology and soldered to them by producing an electrically conductive connection.
  • FIG. 5 shows a schematic section of the electronic semiconductor component 2 corresponding to FIG. 4, which is applied to a carrier substrate 6.
  • the soldered connections of contact connection surfaces 66 of the carrier substrate 6 to the contact bumps 46 of the semiconductor chip 4 or to the metal frame 45, which rests on the ring contact 64 and is soldered to it, can be seen here.
  • the carrier substrate 6 has a cutout 63 which has approximately the same diameter as the inside of the metal frame 45 and enables an unimpeded coupling or uncoupling of sensor or actuator signals 12.
  • the plastic housing 10 can be manufactured before the component is placed on the carrier substrate 6. This is illustrated by the narrow distance between the underside 104 of the housing and the first surface 61 of the carrier substrate 6. However, it is also possible to produce the connection between the semiconductor chip 4 and the carrier substrate 6 and the subsequent pressing with a molding compound 101.
  • FIG. 6 shows a perspective schematic representation of an alternative embodiment of the electronic semiconductor Component 2.
  • the contact surfaces 43 of the semiconductor chip 4 are electrically conductively connected to the contact connection surfaces 66 of the carrier substrate 6 using conventional wire bonding technology.
  • the semiconductor chip 4 is applied with its passive rear side 42 to the first surface 61 of the carrier substrate 6, so that the active chip area 47 points away from the carrier substrate 6.
  • the plastic housing 10 borders to the outer edge of the metal frame 45 and leaves the active chip area 47 for unhindered coupling and uncoupling of the sensor or. Actuator signals 12 free.
  • the contact surfaces 43 of the semiconductor chip 4 are connected via wire bond connections 8 to contact connection surfaces 66 of the carrier substrate 6, which lead to external contacts 67.
  • a method according to the invention for producing an electronic semiconductor component 2 with a semiconductor chip 4 is illustrated with reference to FIGS. 1 to 7. At least the following steps are provided in the method.
  • a semiconductor chip 4 is provided with an active front side 41 and an active chip area 47 and contact areas 43 grouped around these and with a passive rear side 42.
  • Raised metal frame 45 is applied to active front 41. Electrical connections between the contact surfaces 43 of the semiconductor chip 4 and contact connection surfaces 66 of the semiconductor component 2 are produced.
  • a housing 10 of the semiconductor component 2 is applied while leaving external contacts 67 and leaving the active chip area 47 inside the metal frame 45.
  • the metal frame is preferably applied to the active front side 41 of the semiconductor chip 4 by galvanic means.
  • the metal frame 45 can be applied together with the bumps 46 in a common process step.
  • the semiconductor chip 4 can either be connected using flip-chip technology to a carrier substrate 6, in which case a recess 63 or a deflection device 68 must be provided for signal routing.
  • the semiconductor chip 4 can also be mounted using known wire bonding technology. In this case, only a corresponding sensor channel 102 must be provided in the plastic housing 10, which can be easiest produced by applying the molding compound 101 of the plastic housing 10 to the outer edge of the metal frame 45.

Abstract

The invention relates to an electronic semiconductor component comprising a semiconductor chip (4) having an active chip surface (47) which is bordered by a raised metal frame (45). A plastic housing (10) comprises a recess (63; 102) for the active chip surface (47) within the metal frame (45), leaving said chip surface free. The invention also relates to a method for producing the inventive electronic semiconductor component.

Description

Beschreibung description
Halbleiterbauteil mit Sensor- bzw. Aktoroberfläche und Verfahren zu seiner HerstellungSemiconductor component with sensor or actuator surface and method for its production
Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauteil mit einer Sensor- bzw. einer Aktoroberfläche zur und ein Verfahren zu seiner Herstellung.The invention relates to a semiconductor component with a sensor or actuator surface for and a method for its production.
Sensoren zur Umwandlung physikalischer Größen in elektrische Signale sind in den verschiedensten Ausführungen und Baugrößen bekannt. Werden besonders kleine Sensoren benötigt, bietet eine Realisierung als Halbleiterbauteil Vorteile. Ein weiterer Vorteil von Halbleitersensoren liegt in ihrer guten Integrierbarkeit in eine Schaltungsperipherie, die sich auf dem gleichen Halbleitersubstrat befinden kann und mit der eine Verschaltung des Sensors ermöglicht wird.Various types and sizes of sensors for converting physical quantities into electrical signals are known. If particularly small sensors are required, implementation as a semiconductor component offers advantages. A further advantage of semiconductor sensors lies in their easy integration into a circuit periphery, which can be located on the same semiconductor substrate and with which the sensor can be connected.
Bei Halbleitersensor'en uss die aktive Vorderseite des Halbleiterchips oftmals frei liegen, um eine fehlerfreie Funktion zu ermöglichen, sollen bspw. Druckwerte, Schallschwingungen der Luft oder andere physikalische Größen gemessen werden. So müssen insbesondere bei Drucksensoren oder bei Schallsensoren (Mikrofonen) die Schwingungsfähigkeit einer Membran gewährleistet werden, deren Schwingungen dann in elektrische Signale gewandelt werden.In semiconductor sensor 's uss the active front side of the semiconductor chips often are exposed to enable an error-free function, eg. Pressure values, sound vibrations to the air or other physical quantities to be measured. For example, in the case of pressure sensors or sound sensors (microphones), the ability of a membrane to vibrate must be ensured, the vibrations of which are then converted into electrical signals.
Auch andere Sensoren, bspw. für Temperatur oder für die De- tektion von bestimmten Gasen, erfordern unter Umständen eine freiliegende Sensoroberfläche. Gleiches gilt für optische Sensoren aller Art, die als Sender und Empfänger Verwendung finden können. So müssen die optisch wirksamen Sensor- bzw. Aktoroberflächen von Laserbauteilen, von LED's sowie von Kameras (mit CCD-Sensor o.a.) eine ungehinderte Signalein- bzw. Auskoppelung ermöglichen. Dessen ungeachtet werden hohe Anforderungen an die Zuverlässigkeit und insbesondere an die mechanische Robustheit derartiger Halbleiterbauteile gestellt .Other sensors, for example for temperature or for the detection of certain gases, may also require an exposed sensor surface. The same applies to optical sensors of all kinds, which can be used as transmitters and receivers. For example, the optically effective sensor or actuator surfaces of laser components, LEDs and cameras (with CCD sensor or the like) must enable unimpeded signal coupling and decoupling. Regardless of this, high demands are placed on reliability and especially on mechanical robustness of such semiconductor devices.
Für die Realisierung von Sensorgehäusen kommt die sog. Lead- frame-Technik in Frage, bei der für den Halbleiterchip ein Hohlraum vorgesehen ist. Beispiele hierfür sind sog. „pre ol- ded Packages mit einem Deckel oder auch ein Aufbau aus mehreren Teilen, die beim Zusammenbau unter Bildung eines Hohlraumes zusammen gefügt werden. Bei optischen Gehäusen muss die Gestaltung des Bauteils die exakte Ankoppelung einer optischen Signalleitung, bspw. einer Glasfaserleitung, ermöglichen. Hierfür sind oftmals relativ komplexe Steckverbindungen außerhalb des Bauteilgehäuses oder ggf. auch Koppel- /Steckvorrichtungen im Gehäuse vorgesehen.The so-called leadframe technology, in which a cavity is provided for the semiconductor chip, is suitable for the implementation of sensor housings. Examples of this are so-called “pre-packaged packages with a lid or a structure made up of several parts that are joined together during assembly to form a cavity. In the case of optical housings, the design of the component must allow the exact coupling of an optical signal line, for example an optical fiber line. For this purpose, relatively complex plug connections are often provided outside the component housing or, if appropriate, also coupling / plug devices in the housing.
Halbleiterbauteile mit einem Drucksensor sind bspw. aus der JP 2001 004 473 A, aus der US 622 91 90 Bl, aus der JP 2000 249 611 A, aus der DE 196 26 082 AI, aus der JP 2000 214 034 A sowie aus der WO 00/42405 AI bekannt. Halbleiterbauteile mit einem optischen Sensor sowie mit Vorrichtungen zur Ein- oder Auskoppelung von optischen Signalen sind bspw. aus der JP 2001 083 370 A, aus der US 622 77 24 Bl, aus der JP 2001 053 332 A, aus der JP 2001 033 666 A sowie aus der EP 108 63 92 AI bekannt.Semiconductor components with a pressure sensor are, for example, from JP 2001 004 473 A, from US 622 91 90 B1, from JP 2000 249 611 A, from DE 196 26 082 AI, from JP 2000 214 034 A and from WO 00/42405 AI known. Semiconductor components with an optical sensor and with devices for coupling or decoupling optical signals are, for example, from JP 2001 083 370 A, from US 622 77 24 B1, from JP 2001 053 332 A, from JP 2001 033 666 A and known from EP 108 63 92 AI.
Ein Ziel der Erfindung besteht darin, ein Halbleiterbauteil mit einer Sensor- bzw. Aktoroberfläche zur Verfügung zu stellen, das einfach aufgebaut ist und das sich einfach und kostengünstig herstellen lässt. Ein weiteres Ziel der Erfindung besteht darin, ein einfaches Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterbauteils zur Verfügung zu stellen.An object of the invention is to provide a semiconductor component with a sensor or actuator surface that is simple in construction and that can be manufactured simply and inexpensively. Another object of the invention is to provide a simple method for producing such a semiconductor component.
Diese Ziele der Erfindung werden mit den Gegenständen der unabhängigen Ansprüche erreicht. Merkmale vorteilhafter Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den jeweiligen abhängigen Ansprüchen. Demgemäß weist ein elektronisches Halbleiterbauteil einen Halbleiterchip auf, der wenigstens eine als Sensor- und/oder eine als Aktoroberfläche fungierende, aktive Chipfläche auf einer aktiven Vorderseite aufweist. Diese aktive Chipfläche ist erfindungsgemäß von einem erhabenen Metallrahmen einge- fasst. Weiterhin weist der Halbleiterchip Kontaktflächen auf seiner aktiven Vorderseite auf, die um den Metallrahmen gruppiert sind. Ein Kunststoffgehäuse des Halbleiterbauteils weist eine Aussparung für die aktive Chipfläche innerhalb des Metallrahmens auf und lässt diese frei.These objects of the invention are achieved with the subject matter of the independent claims. Features of advantageous developments of the invention result from the respective dependent claims. Accordingly, an electronic semiconductor component has a semiconductor chip which has at least one active chip area functioning as a sensor surface and / or as an actuator surface on an active front side. According to the invention, this active chip area is enclosed by a raised metal frame. Furthermore, the semiconductor chip has contact areas on its active front side, which are grouped around the metal frame. A plastic housing of the semiconductor component has a cutout for the active chip area within the metal frame and leaves it free.
Dieses erfindungsgemäße elektronische Halbleiterbauteil ermöglicht eine einfache Signalein- bzw. -auskoppelung auf eine Sensor- bzw. Aktoroberfläche des Halbleiterchips durch die Aussparung des Kunststoffgehäuses hindurch. Zu diesem Zweck kann das Gehäuse mit einer geeigneten Ankoppelstelle versehen sein, bspw. zur Verbindung mit Lichtwellenleitern oder dgl .This electronic semiconductor component according to the invention enables simple signal coupling or decoupling onto a sensor or actuator surface of the semiconductor chip through the recess in the plastic housing. For this purpose, the housing can be provided with a suitable coupling point, for example for connection to optical fibers or the like.
Eine Ausführungsform der Erfindung sieht vor, dass der Metallrahmen eine Ringform mit einem rechteckförmigen Querschnitt aufweist. Ein solcher Ring kann vorzugsweise galvanisch abgeschieden werden und kann insbesondere mittels der gleichen Technik hergestellt werden, die bereits zum galvanischen Abscheiden von Kontakthöckern, sogenannten Bu ps, zur Flipchip-Kontaktierung des Halbleiterchips zur Verfügung stehen. Bei einer Ausführung des Halbleiterchips als Flipchip kann die Herstellung des Metallrahmens bzw. der Flipchipkontakte (Balls, Bumps) simultan durch eine entsprechende Maskenausführung erfolgen.One embodiment of the invention provides that the metal frame has an annular shape with a rectangular cross section. Such a ring can preferably be electrodeposited and can in particular be produced using the same technology that is already available for the electrodeposition of contact bumps, so-called Bu ps, for flip-chip contacting of the semiconductor chip. If the semiconductor chip is designed as a flip chip, the metal frame or the flip chip contacts (balls, bumps) can be produced simultaneously by means of a corresponding mask design.
Ein alternatives Verfahren zum Aufbringen des Metallrahmens und/oder der Kontakthöcker besteht darin, diese mittels Siebdrucktechniken aufzubringen. Möglich ist auch, den Metallrahmen zunächst zur fertigen und anschließend auf die aktive Vorderseite des Halbleiterchips aufzubringen. Vorzugsweise schließt eine Oberseite des Metallrahmens bündig mit einer Oberfläche eines Kunststoffgehäuses ab. Als Material für das Gehäuse kommt in erster Linie Kunststoffpressmasse in Frage, die mittels Transfer-Molding-Verfahren verarbeitet wird. Das Halbleiterbauteil wird mit der Kunststoffpressmasse verkleidet und somit gegen mechanische Einwirkungen sowie gegen nachteilige Medieneinflüsse abgeschirmt und gekapselt.An alternative method of applying the metal frame and / or the bumps is to apply them using screen printing techniques. It is also possible to first produce the metal frame and then apply it to the active front side of the semiconductor chip. Preferably, an upper side of the metal frame is flush with a surface of a plastic housing. The main material used for the housing is plastic molding compound, which is processed using the transfer molding process. The semiconductor component is clad with the plastic molding compound and thus shielded and encapsulated against mechanical influences and against adverse media influences.
Eine weitere erfindungsgemäße Ausführungsform des elektronischen Halbleiterbauteils sieht vor, dass der Halbleiterchip mit seiner aktiven Vorderseite in Flipchip-Technik auf einem Trägersubstrat montiert ist, das eine Einkoppelstelle für Sensorsignale bzw. eine Auskoppelstelle für Aktorsignale aufweist. Diese Ein- bzw. Auskoppelstelle kann in einer ersten Ausführungsform eine Aussparung im Trägersubstrat sein, die sich direkt unterhalb der aktiven Chipfläche befindet und somit einen ungehinderten Signallauf ermöglicht.A further embodiment of the electronic semiconductor component according to the invention provides that the active front of the semiconductor chip is mounted in flip-chip technology on a carrier substrate which has a coupling point for sensor signals and a coupling point for actuator signals. In a first embodiment, this coupling or decoupling point can be a recess in the carrier substrate, which is located directly below the active chip area and thus enables an unimpeded signal run.
Bei Verwendung von bekannten Front-End-Technologien kann durch Maskentechnik eine hohe Positioniergenauigkeit erreicht werden, die auch hohe Anforderungen an die optische Präzision befriedigen kann. Entsprechende optische Ankopplungen werden dadurch ermöglicht. Ein galvanisch aufgebrachter Ring bzw. Metallrahmen kann bei Verwendung der Flipchip-Technologie direkt zum Kontaktieren, d.h. zum Beispiel zum Löten auf eine Leiterplatte verwendet werden. Damit ist ein hermetisch dichter Abschluss zum Trägersubstrat bzw. zur Leiterplatte gewährleistet und ferner ein Schutz der übrigen Chipflächen gegenüber Umwelteinflüssen.When using known front-end technologies, a high positioning accuracy can be achieved by mask technology, which can also meet high demands on optical precision. Corresponding optical couplings are made possible. A galvanically applied ring or metal frame can be used directly for contacting when using flipchip technology, i.e. for example for soldering to a printed circuit board. This ensures a hermetically sealed seal to the carrier substrate or to the printed circuit board and also protects the other chip surfaces against environmental influences.
Eine alternative Ausführungsform der Erfindung sieht vor, dass der Halbleiterchip mit seiner passiven Rückseite auf einem Trägersubstrat montiert ist, das Kontaktanschlussflächen aufweist, die mittels Drahtbondverbindungen mit den Kontaktflächen auf der aktiven Vorderseite des Halbleiterchips in elektrisch leitender Verbindung stehen. Diese erfindungsgemäße Ausführungsform lässt sich einfach und kostengünstig her- stellen, wobei hierbei die bekannte Drahtbondverbindungstech- nik angewandt werden kann.An alternative embodiment of the invention provides that the semiconductor chip is mounted with its passive rear side on a carrier substrate which has contact connection areas which are in electrically conductive connection with the contact areas on the active front side of the semiconductor chip by means of wire bond connections. This embodiment according to the invention can be produced simply and inexpensively. provide, whereby the known wire bond technology can be used.
Als aktive Chipfläche kommt beispielsweise eine optisch sensitive Fläche in Frage, so dass es sich hierbei um einen optischen Sensor handelt. Diese optisch sensitive Fläche kann entweder ein einzelnes optisches Bauelement wie bspw. einen Fototransistor oder eine Fotodiode umfassen. Ebenso möglich sind jedoch auch höher auflösende Sensoren, die eine Vielzahl von in Matrixform zusammen geschalteter Fotoelemente umfasst, wie dies bspw. bei sog. CCD-Kameras der Fall ist.For example, an optically sensitive area can be considered as the active chip area, so that this is an optical sensor. This optically sensitive surface can either comprise a single optical component such as a phototransistor or a photodiode. However, it is also possible to use higher-resolution sensors that include a large number of photo elements connected together in matrix form, as is the case, for example, with so-called CCD cameras.
Ebenso kann die aktive Chipfläche einen optisch aktiven Oberflächenbereich umfassen, der optische Signale - bspw. in Form von Laserstrahlen - aussenden kann. Alternativ kann die aktive Chipfläche eine auf Druck oder auf Schallschwingungen sensitive Fläche umfassen. Sie kann auch eine temperatur- oder gasempfindliche Fläche umfassen. Ein solcher Gassensor kann auf einzelne spezifische Gase oder auch auf Gasgemische empfindlich reagieren.Likewise, the active chip area can comprise an optically active surface area which can emit optical signals - for example in the form of laser beams. Alternatively, the active chip area can comprise an area sensitive to pressure or sound vibrations. It can also include a temperature or gas sensitive surface. Such a gas sensor can react sensitively to individual specific gases or to gas mixtures.
Ein erfindungsgemäßes Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Halbleiterbauteils mit einem Halbleiterchip, der wenigstens eine als Sensor- und/oder eine Aktoroberfläche fungierende aktive Chipfläche auf der aktiven Vorderseite aufweist, umfasst zumindest die folgenden Schritte:A method according to the invention for producing an electronic semiconductor component with a semiconductor chip which has at least one active chip area functioning as a sensor and / or an actuator surface on the active front side comprises at least the following steps:
Bereitstellen eines Halbleiterchips mit einer aktiven Vorderseite und aktiven Chipfläche und mit um diese aktive Chipfläche herum gruppierten Kontaktflächen und mit einer passiven Rückseite,Providing a semiconductor chip with an active front side and active chip area and with contact areas grouped around this active chip area and with a passive rear side,
Aufbringen eines erhabenen Metallrahmens um die aktive Chipfläche, - Herstellen von elektrischen Verbindungen zwischen den Kontaktflächen des Halbleiterchips und Kontaktanschlussflächen des Halbleiterbauteils, - Aufbringen eines Gehäuses des Halbleiterbauteils unter Freilassung von Außenkontakten und unter Freilassung der aktiven Chipfläche innerhalb des Metallrahmens.Applying a raised metal frame around the active chip area, - establishing electrical connections between the contact areas of the semiconductor chip and contact connection areas of the semiconductor component, - Application of a housing of the semiconductor component with the release of external contacts and with the release of the active chip area within the metal frame.
Ein solches Verfahren lässt sich auf einfache und kostengünstige Weise durchführen und ermöglicht die preiswerte Herstellung von sehr universell einsetzbaren Sensor- bzw. Aktorbauteilen, die auf Halbleiterchips beruhen. Bereits nach Anbringen der Ringkopplung und der elektrischen Kontakte steht ein nutzbares Package auf Wafer-Level zur Verfügung.Such a method can be carried out in a simple and inexpensive manner and enables the inexpensive production of very universally usable sensor or actuator components which are based on semiconductor chips. A usable package at the wafer level is available as soon as the ring coupling and the electrical contacts have been attached.
Bei Bedarf, wenn zum Beispiel erhöhte Zuverlässigkeitsanforderungen erfüllt werden müssen, kann dieses durch eine KunststoffUmhüllung oder andere Gehäuse gekapselt werden.If required, for example if increased reliability requirements have to be met, this can be encapsulated by a plastic covering or other housing.
Der Metallrahmen wird gemäß einer Ausführungsform des erfin- dungsgemäßeή Verfahrens auf galvanischem Wege auf die aktive Vorderseite des Halbleiterchips aufgebracht. Dieses Verfahren lässt sich einfach und kostengünstig durchführen und liefert zuverlässige Ergebnisse.According to one embodiment of the method according to the invention, the metal frame is applied to the active front side of the semiconductor chip by galvanic means. This procedure can be carried out easily and inexpensively and delivers reliable results.
Der Metallrahmen kann in vorteilhafter Weise in einem gemeinsamen Prozessschritt zusammen mit Kontakthöckern hergestellt werden, die ebenfalls auf galvanischem Wege auf die Kontaktflächen des Halbleiterchips aufgebracht werden. Auf diese Weise lässt sich das Herstellungsverfahren für die Halbleiterbauteile weiter optimieren.The metal frame can advantageously be produced in a common process step together with contact bumps, which are likewise applied to the contact surfaces of the semiconductor chip by galvanic means. In this way, the manufacturing process for the semiconductor components can be further optimized.
Vorzugsweise sind die Kontakthöcker und der Metallrahmen annähernd gleich hoch, so dass sich der Halbleiterchip gut auf eine Vorderseite des Trägersubstrats montieren lässt, wobei der Metallrahmen fest mit diesem verbunden wird und für eine Abdichtung sorgt.The bumps and the metal frame are preferably approximately of the same height, so that the semiconductor chip can be easily mounted on a front side of the carrier substrate, the metal frame being firmly connected to the latter and providing a seal.
Anstatt den Halbleiterchip in Flipchip-Technik auf dem Trägersubstrat zu montieren, können die elektrischen Verbindun- gen auch in herkömmlicher Drahtbond-Technik hergestellt werden, was sich einfach und kostengünstig realisieren lässt.Instead of mounting the semiconductor chip on the carrier substrate using flip-chip technology, the electrical connections can also be produced using conventional wire bonding technology, which is easy and inexpensive to implement.
Die Erfindung wird nun anhand von Ausführungsformen mit Bezug auf die beiliegenden Figuren näher erläutert.The invention will now be explained in more detail by means of embodiments with reference to the accompanying figures.
Figur 1 zeigt einen Halbleiterchip in schematischer Perspektivdarstellung .Figure 1 shows a semiconductor chip in a schematic perspective view.
Figur 2 zeigt eine erste Variante eines erfindungsgemäßen elektronischen Halbleiterbauteils in schematischer Perspektivdarstellung.FIG. 2 shows a first variant of an electronic semiconductor component according to the invention in a schematic perspective illustration.
Figur 3 zeigt eine weitere Variante des erfindungsgemäßen elektronischen Halbleiterbauteils in schematischer Perspektivdarstellung.FIG. 3 shows a further variant of the electronic semiconductor component according to the invention in a schematic perspective illustration.
Figur 4 zeigt den Halbleiterchip des Halbleiterbauteils in schematischer Schnittdarstellung.FIG. 4 shows the semiconductor chip of the semiconductor component in a schematic sectional illustration.
Figur 5 zeigt das auf einem Träger montierte elektronische Halbleiterbauteil in schematischer Schnittdarstellung.FIG. 5 shows the electronic semiconductor component mounted on a carrier in a schematic sectional illustration.
Figur 6 zeigt eine weitere alternative Ausgestaltung des elektronischen Halbleiterbauteils in schematischer Perspektivansicht .FIG. 6 shows a further alternative embodiment of the electronic semiconductor component in a schematic perspective view.
Figur 7 zeigt das elektronische Halbleiterbauteil gemäß Figur 6 in schematischer Schnittdarstellung.FIG. 7 shows the electronic semiconductor component according to FIG. 6 in a schematic sectional illustration.
Figur 1 zeigt einen Halbleiterchip 4 in schematischer Perspektivdarstellung. Der Halbleiterchip 4 weist eine aktive Vorderseite 41 mit Kontaktflächen 43 auf, auf denen in der gezeigten Darstellung jeweils Kontakthöcker A Gr sogenannte Bumps, aufgebracht sind. Auf der aktiven Vorderseite 41 des Halbleiterchips 4 ist weiterhin eine aktive Chipfläche 47 vorgesehen, die in einem mittleren Bereich der aktiven Vorderseite 41 angeordnet ist.FIG. 1 shows a semiconductor chip 4 in a schematic perspective illustration. The semiconductor chip 4 has an active front side 41 with contact areas 43, on which contact bumps AG r so-called bumps are applied in each case in the illustration shown. An active chip area 47 is also provided on the active front side 41 of the semiconductor chip 4 and is arranged in a central region of the active front side 41.
Die aktive Chipfläche 47 kann je nach gewünschter Ausführung des elektronischen Halbleiterbauteils als Sensor- und/oder als Aktorfläche fungieren. Der Sensor kann dabei ein opti- scher Sensor, ein Druck-, ein Schall-, ein Temperatur- oder auch ein Gassensor sein. Als Aktor kommt bspw. ein optischer oder akustischer Sender in Frage. Die aktive Chipfläche 47 ist von einem Metallrahmen 45 umgeben, der im gezeigten Ausführungsbeispiel eine Ringform aufweist und erhaben über die aktive Vorderseite 41 des Halbleiterchips 4 ragt. Der Metallrahmen 45 weist vorzugsweise in etwa die Höhe der Kontakthök- ker 46 auf, was seine Montage auf einem Trägersubstrat bzw. auf einer Leiterplatte (vgl. Figur 2 ff.) erleichtert.Depending on the desired design of the electronic semiconductor component, the active chip area 47 can function as a sensor and / or as an actuator area. The sensor can be an opti- shear sensor, a pressure, a sound, a temperature or a gas sensor. An optical or acoustic transmitter can be used as an actuator, for example. The active chip area 47 is surrounded by a metal frame 45 which, in the exemplary embodiment shown, has a ring shape and projects above the active front side 41 of the semiconductor chip 4. The metal frame 45 preferably has approximately the height of the contact bumps 46, which facilitates its mounting on a carrier substrate or on a printed circuit board (see FIG. 2 ff.).
Figur 2 zeigt eine schematische Perspektivdarstellung einer ersten Variante eines erfindungsgemäßen elektronischen Halbleiterbauteils 2, das einen Halbleiterchip 4 gemäß Figur 1 sowie ein flaches Trägersubstrat 6 umfasst, auf dem der Halbleiterchip 4 aufgesetzt und montiert ist. Das flache Trägersubstrat 6 weist eine erste Oberfläche 61 auf, auf der der Halbleiterchip 4 in sogenannter Flipchip-Technik mit seiner aktiven Vorderseite 41 montiert ist. Hierzu sind die Kontakthöcker 46 auf entsprechende Kontaktanschlussflächen 66 (nicht dargestellt) auf der ersten Oberfläche 61 des Trägersubstrats 6 aufgebracht.FIG. 2 shows a schematic perspective illustration of a first variant of an electronic semiconductor component 2 according to the invention, which comprises a semiconductor chip 4 according to FIG. 1 and a flat carrier substrate 6, on which the semiconductor chip 4 is placed and mounted. The flat carrier substrate 6 has a first surface 61 on which the semiconductor chip 4 is mounted with its active front side 41 in so-called flip-chip technology. For this purpose, the contact bumps 46 are applied to corresponding contact connection surfaces 66 (not shown) on the first surface 61 of the carrier substrate 6.
Der Metallrahmen 45 ist auf einem entsprechend passenden Ringkontakt 64 aufgesetzt, der eine Aussparung 63 im Trägersubstrat 6 umrahmt, die eine Einkoppel- bzw. Auskoppelstelle für Sensor- bzw. Aktorsignale 12 bildet. Diese Signale 12 sind durch einen Doppelpfeil innerhalb der Aussparung 63 angedeutet, dessen Pfeilrichtung senkrecht zur aktiven Chipfläche 47 sowie der aktiven Vorderseite 41 und der ersten Oberfläche 61 auch die Richtung der Aktor- bzw. Sensorsignale 12 festlegt. Der Metallrahmen 45 ist mit dem Ringkontakt 64 fest verbunden, so dass bei einem fertigen Halbleiterbauteil 2 die gesamte aktive Vorderseite 41 des Halbleiterchips 4 mit Ausnahme seiner- aktiven Chipfläche 47 hermetisch gegen Signal- und Umwelteinflüsse abgeschlossen ist. Das Trägersubstrat 6 kann bspw. eine herkömmliche Leiterplatte aus Epoxidmaterial oder auch ein Keramikträger oder dgl . sein.The metal frame 45 is placed on a correspondingly suitable ring contact 64, which frames a cutout 63 in the carrier substrate 6, which forms a coupling or decoupling point for sensor or actuator signals 12. These signals 12 are indicated by a double arrow within the recess 63, the direction of the arrow perpendicular to the active chip area 47 and the active front side 41 and the first surface 61 also defines the direction of the actuator or sensor signals 12. The metal frame 45 is firmly connected to the ring contact 64, so that in the case of a finished semiconductor component 2 the entire active front side 41 of the semiconductor chip 4, with the exception of its active chip area 47, is hermetically sealed against signal and environmental influences. The carrier substrate 6 can, for example. A conventional circuit board made of epoxy material or a ceramic carrier or the like. his.
Ein Kunststoffgehäuse 10, das zumindest die erste Oberfläche 61 des Trägersubstrats 6 sowie den Halbleiterchip 4 ummantelt, ist der besseren Übersichtlichkeit halber hier nicht dargestellt.A plastic housing 10, which encases at least the first surface 61 of the carrier substrate 6 and the semiconductor chip 4, is not shown here for the sake of clarity.
Figur 3 zeigt eine alternative Ausgestaltung des elektronischen Halbleiterbauteils 2 in perspektivischer Darstellung, bei dem anstatt einer direkt unterhalb der aktiven Chipfläche 47 vertikal durch das Trägersubstrat 6 führenden Aussparung 63 eine Umlenkvorrichtung 68 im Trägersubstrat 6 direkt unterhalb der aktiven Chipfläche 47 vorgesehen ist. Diese Umlenkvorrichtung 68, die bspw. in einem Spiegelsystem zur Reflexion von optischen Signalen bestehen kann, bewirkt eine Umlenkung der Sensor- bzw. Aktorsignale 12 in Richtung auf eine Seitenfläche des Trägersubstrats 6.FIG. 3 shows an alternative embodiment of the electronic semiconductor component 2 in a perspective view, in which a deflection device 68 is provided in the carrier substrate 6 directly below the active chip surface 47 instead of a recess 63 leading vertically through the carrier substrate 6 directly below the active chip surface 47. This deflection device 68, which can, for example, consist of a mirror system for reflecting optical signals, deflects the sensor or actuator signals 12 in the direction of a side surface of the carrier substrate 6.
Diese Umlenkung kann aus den verschiedensten Gründen wünschenswert sein, bspw. um ein besonders flaches Halbleiterbauteil 2 realisieren zu können, bei dem die Ein- bzw. Auskoppelstelle für Sensor- bzw. Aktorsignale 12 an einer seiner flachen Seitenkanten vorgesehen ist. Auch bei dem in Figur 3 gezeigten Halbleiterbauteil 2 ist das Gehäuse aus Gründen der besseren Übersichtlichkeit nicht gezeichnet. Der übrige Aufbau des elektronischen Halbleiterbauteils 2 entspricht dem gemäß Figur 2.This deflection can be desirable for a wide variety of reasons, for example in order to be able to implement a particularly flat semiconductor component 2 in which the coupling or decoupling point for sensor or actuator signals 12 is provided on one of its flat side edges. In the case of the semiconductor component 2 shown in FIG. 3, the housing is not drawn for reasons of better clarity. The remaining structure of the electronic semiconductor component 2 corresponds to that according to FIG. 2.
Figur 4 zeigt den Halbleiterchip 4 des erfindungsgemäßen elektronisches Halbleiterbauteil in schematischer Schnittdarstellung. Ein Trägersubstrat ist hierbei noch nicht aufgebracht; das fertige Halbleiterbauteil ist in Figur 5 gezeigt. Der Halbleiterchip 4 sowie die größten Teile der Kontakthök- ker 46 sind von einem Kunststoffgehäuse 10 ummantelt. Das Kunststoffgehäuse 10, das vorzugsweise aus einer Pressmasse 101 besteht und beispielsweise im Transfer-Molding-Verfahren aufgebracht sein kann, grenzt an der aktiven Vorderseite des Halbleiterchips bis an den äußeren Rand des Metallrahmens 45 und lässt einen Sensorkanal 102 innerhalb des Metallrahmens 45 frei, so dass eine ungehinderte Ein- bzw. Auskoppelung von Sensor- oder Aktorsignalen 12 auf die aktive Chipfläche 47 ermöglicht ist.FIG. 4 shows the semiconductor chip 4 of the electronic semiconductor component according to the invention in a schematic sectional illustration. A carrier substrate has not yet been applied; the finished semiconductor component is shown in FIG. 5. The semiconductor chip 4 and the major parts of the contact bumps 46 are encased in a plastic housing 10. The plastic housing 10, which is preferably made of a molding compound 101 exists and can be applied, for example, in the transfer molding process, borders on the active front side of the semiconductor chip up to the outer edge of the metal frame 45 and leaves a sensor channel 102 free within the metal frame 45, so that an unimpeded coupling in and out of Sensor or actuator signals 12 on the active chip area 47 is made possible.
Kurze Abschnitte der annähernd runden Kontakthöcker 46 ragen aus dem Kunststoffgehäuse 10, so dass sie unter Herstellung einer elektrisch leitenden Verbindung auf Kontaktanschlussflächen des Trägersubstrats in Flipchip-Technik aufgesetzt und mit diesen verlötet werden können.Short sections of the approximately round contact bumps 46 protrude from the plastic housing 10, so that they can be placed on the contact connection surfaces of the carrier substrate using flip-chip technology and soldered to them by producing an electrically conductive connection.
Figur 5 zeigt einen schematischen Schnitt des elektronischen Halbleiterbauteils 2 entsprechend Figur 4, das auf ein Trägersubstrat 6 aufgebracht ist. Erkennbar sind hierbei die Lötverbindungen von Kontaktanschlussflächen 66 des Trägersubstrats 6 mit den Kontakthöckern 46 des Halbleiterchips 4 bzw. mit dem Metallrahmen 45, der auf dem Ringkontakt 64 aufliegt und mit diesem verlötet ist. Das Trägersubstrat 6 weist eine Aussparung 63 auf, die ungefähr den gleichen Durchmesser wie die Innenseite des Metallrahmens 45 aufweist und eine ungehinderte Ein- bzw. Auskoppelung von Sensor- bzw. Aktorsignalen 12 ermöglicht.FIG. 5 shows a schematic section of the electronic semiconductor component 2 corresponding to FIG. 4, which is applied to a carrier substrate 6. The soldered connections of contact connection surfaces 66 of the carrier substrate 6 to the contact bumps 46 of the semiconductor chip 4 or to the metal frame 45, which rests on the ring contact 64 and is soldered to it, can be seen here. The carrier substrate 6 has a cutout 63 which has approximately the same diameter as the inside of the metal frame 45 and enables an unimpeded coupling or uncoupling of sensor or actuator signals 12.
Wie anhand der Figur 5 erkennbar ist, kann das KunstStoffgehäuse 10 vor dem Aufsetzen des Bauteils auf das Trägersubstrat 6 gefertigt werden. Dies ist durch den schmalen Abstand zwischen Gehäuseunterseite 104 und erster Oberfläche 61 des Trägersubstrats 6 verdeutlicht. Ebenso möglich ist jedoch auch die Herstellung der Verbindung zwischen Halbleiterchip 4 und Trägersubstrat 6 und die anschließende Verpressung mit einer Pressmasse 101.As can be seen from FIG. 5, the plastic housing 10 can be manufactured before the component is placed on the carrier substrate 6. This is illustrated by the narrow distance between the underside 104 of the housing and the first surface 61 of the carrier substrate 6. However, it is also possible to produce the connection between the semiconductor chip 4 and the carrier substrate 6 and the subsequent pressing with a molding compound 101.
Figur 6 zeigt eine perspektivische Schemadarstellung einer alternativen Ausführungsform des elektronischen Halbleiter- bauteils 2. Hierbei sind die Kontaktflächen 43 des Halbleiterchips 4 in herkömmlicher Drahtbond-Technik elektrisch leitend mit den Kontaktanschlussflächen 66 des Trägersubstrats 6 verbunden. Der Halbleiterchip 4 ist in diesem Fall mit seiner passiven Rückseite 42 auf die erste Oberfläche 61 des Trägersubstrats 6 aufgebracht, so dass die aktive Chipfläche 47 vom Trägersubstrat 6 weg weist.FIG. 6 shows a perspective schematic representation of an alternative embodiment of the electronic semiconductor Component 2. Here, the contact surfaces 43 of the semiconductor chip 4 are electrically conductively connected to the contact connection surfaces 66 of the carrier substrate 6 using conventional wire bonding technology. In this case, the semiconductor chip 4 is applied with its passive rear side 42 to the first surface 61 of the carrier substrate 6, so that the active chip area 47 points away from the carrier substrate 6.
Wie anhand der schematischen Schnittdarstellung der Figur 7 erkennbar ist, grenzt das Kunststoffgehäuse 10 bis an den äußeren Rand des Metallrahmens 45 und lässt die aktive Chipfläche 47 zur ungehinderten Ein- und Auskoppelung von Sensorbzw. Aktorsignalen 12 frei. Die Kontaktflächen 43 des Halbleiterchips 4 sind über Drahtbondverbindungen 8 mit Kontaktanschlussflächen 66 des Trägersubstrats 6 verbunden, die zu Außenkontakten 67 führen.As can be seen from the schematic sectional view in FIG. 7, the plastic housing 10 borders to the outer edge of the metal frame 45 and leaves the active chip area 47 for unhindered coupling and uncoupling of the sensor or. Actuator signals 12 free. The contact surfaces 43 of the semiconductor chip 4 are connected via wire bond connections 8 to contact connection surfaces 66 of the carrier substrate 6, which lead to external contacts 67.
Ein erfindungsgemäßes Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Halbleiterbauteils 2 mit einem Halbleiterchip 4 wird anhand der Figuren 1 bis 7 illustriert. Bei dem Verfahren sind zumindest die folgenden Schritte vorgesehen. Es wird ein Halbleiterchip 4 mit einer aktiven Vorderseite 41 und einer aktiven Chipfläche 47 und um diese gruppierte Kontaktflächen 43 und mit einer passiven Rückseite 42 bereitgestellt. Es wird erhabener Metallrahmen 45 auf die aktive Vorderseite 41 aufgebracht. Elektrische Verbindungen zwischen den Kontaktflächen 43 des Halbleiterchips 4 und Kontaktanschlussflächen 66 des Halbleiterbauteils 2 werden hergestellt. Schließlich wird ein Gehäuse 10 des Halbleiterbauteils 2 unter Freilassung von Außenkontakten 67 und unter Freilassung der aktiven Chipfläche 47 innerhalb des Metallrahmens 45 aufgebracht.A method according to the invention for producing an electronic semiconductor component 2 with a semiconductor chip 4 is illustrated with reference to FIGS. 1 to 7. At least the following steps are provided in the method. A semiconductor chip 4 is provided with an active front side 41 and an active chip area 47 and contact areas 43 grouped around these and with a passive rear side 42. Raised metal frame 45 is applied to active front 41. Electrical connections between the contact surfaces 43 of the semiconductor chip 4 and contact connection surfaces 66 of the semiconductor component 2 are produced. Finally, a housing 10 of the semiconductor component 2 is applied while leaving external contacts 67 and leaving the active chip area 47 inside the metal frame 45.
Der Metallrahmen wird vorzugsweise auf galvanischem Wege auf die aktive Vorderseite 41 des Halbleiterchips 4 aufgebracht. Der Metallrahmen 45 kann in einem gemeinsamen Prozessschritt zusammen mit den Kontakthöckern 46 aufgebracht werden. Der Halbleiterchip 4 kann entweder in Flipchip-Technik mit einem Trägersubstrat 6 verbunden werden, bei dem dann eine Aussparung 63 bzw. eine Umlenkvorrichtung 68 zur Signalführung vorgesehen sein muss. Alternativ kann der Halbleiterchip 4 auch in bekannter Drahtbondtechnik montiert sein. Hierbei muss lediglich im Kunststoffgehäuse 10 ein entsprechender Sensorkanal 102 vorgesehen sein, der sich am einfachsten dadurch herstellen lässt, das die Pressmasse 101 des Kunststoffgehäuses 10 bis an den äußeren Rand des Metallrahmens 45 aufgebracht wird. The metal frame is preferably applied to the active front side 41 of the semiconductor chip 4 by galvanic means. The metal frame 45 can be applied together with the bumps 46 in a common process step. The semiconductor chip 4 can either be connected using flip-chip technology to a carrier substrate 6, in which case a recess 63 or a deflection device 68 must be provided for signal routing. Alternatively, the semiconductor chip 4 can also be mounted using known wire bonding technology. In this case, only a corresponding sensor channel 102 must be provided in the plastic housing 10, which can be easiest produced by applying the molding compound 101 of the plastic housing 10 to the outer edge of the metal frame 45.

Claims

Patentansprüche claims
1. Elektronisches Halbleiterbauteil mit einem Halbleiterchip (4), der wenigstens eine als Sensor- und/oder eine Aktoroberfläche fungierende aktive Chipfläche (47) auf einer aktiven Vorderseite (41) aufweist, die von einem erhabenen Metallrahmen (45) eingefasst ist, und der Kontaktflächen (43) auf der aktiven Vorderseite (41) aufweist, die um den Metallrahmen (45) gruppiert sind, wobei ein Kunststoffgehäuse (10) des elektronischen Halbleiterbauteils (2) eine Aussparung (63; 102) für die aktive Chipfläche (47) innerhalb des Metallrahmens (45) aufweist und diese frei lässt.1. Electronic semiconductor component with a semiconductor chip (4) which has at least one active chip area (47) functioning as a sensor and / or an actuator surface on an active front side (41), which is bordered by a raised metal frame (45), and Has contact areas (43) on the active front side (41), which are grouped around the metal frame (45), a plastic housing (10) of the electronic semiconductor component (2) having a recess (63; 102) for the active chip area (47) inside of the metal frame (45) and leaves them free.
2. Elektronisches Halbleiterbauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Metallrahmen (45) eine Ringform mit einem rechteck- förmigen Querschnitt aufweist.2. Electronic semiconductor component according to claim 1, characterized in that the metal frame (45) has an annular shape with a rectangular cross section.
3. Elektronisches Halbleiterbauteil nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass eine Oberseite des Metallrahmens (45) bündig mit einer Oberfläche des Kunststoffgehäuses (10) abschließt.3. Electronic semiconductor component according to claim 1 or 2, characterized in that an upper side of the metal frame (45) is flush with a surface of the plastic housing (10).
4. Elektronisches Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterchip (4) mit seiner aktiven Vorderseite4. Electronic semiconductor component according to one of claims 1 to 3, characterized in that the semiconductor chip (4) with its active front side
(41) in Flip-Chip-Technik auf einem Trägersubstrat (6) montiert ist, das eine Einkoppelstelle für Sensorsignale bzw. eine Auskoppelstelle für Aktorsignale aufweist.(41) is mounted in flip-chip technology on a carrier substrate (6) which has a coupling point for sensor signals or a coupling point for actuator signals.
5. Elektronisches Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterchip (4) mit seiner passiven Rückseite5. Electronic semiconductor component according to one of claims 1 to 3, characterized in that the semiconductor chip (4) with its passive rear side
(42) auf dem Trägersubstrat (6) montiert ist, das Kon- taktanschlussflächen (66) aufweist, die mittels Drahtbondverbindungen (8) mit den Kontaktflächen (43) auf der aktiven Vorderseite (41) des Halbleiterchips (4) in elektrisch leitender Verbindung stehen.(42) is mounted on the carrier substrate (6), the contact has clock connection surfaces (66) which are in electrically conductive connection by means of wire bond connections (8) to the contact surfaces (43) on the active front side (41) of the semiconductor chip (4).
6. Elektronisches Halbleiterbauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die aktive Chipfläche (47) eine optisch sensitive Fläche umfasst .6. Electronic semiconductor component according to one of the preceding claims, characterized in that the active chip area (47) comprises an optically sensitive area.
7. Elektronisches Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die aktive Chipfläche (47) einen optisch aktiven Oberflächenbereich umfasst.7. Electronic semiconductor component according to one of claims 1 to 5, characterized in that the active chip area (47) comprises an optically active surface area.
8. Elektronisches Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die aktive Chipfläche (47) eine auf Druck sensitive Fläche umfasst.8. Electronic semiconductor component according to one of claims 1 to 5, characterized in that the active chip area (47) comprises a pressure-sensitive area.
9. Elektronisches Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die aktive Chipfläche (47) eine auf Schallschwingungen sensitive Fläche umfasst.9. Electronic semiconductor component according to one of claims 1 to 5, characterized in that the active chip surface (47) comprises a surface sensitive to sound vibrations.
10. Elektronisches Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch geke zeichnet, dass die aktive Chipfläche (47) eine temperaturempfindliche10. Electronic semiconductor component according to one of claims 1 to 5, characterized in that the active chip area (47) is a temperature sensitive
Fläche umfasst.Area.
11. Elektronisches Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die aktive Chipfläche (47) eine auf bestimmte Gase und/ oder Gasgemische sensitive Fläche umfasst.11. Electronic semiconductor component according to one of claims 1 to 5, characterized in that the active chip area (47) comprises an area sensitive to certain gases and / or gas mixtures.
12. Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Halbleiterbauteils (2) mit einem Halbleiterchip (4), der wenigstens eine als Sensor- und/oder eine als Aktoroberfläche fungierende aktive Chipfläche (47) auf der aktiven Vorderseite (41) aufweist, mit folgenden Schritten:12. A method for producing an electronic semiconductor component (2) with a semiconductor chip (4) which has at least one active chip area (47) acting as a sensor and / or an actuator surface on the active front side (41), with the following steps:
Bereitstellen eines Halbleiterchips (4) mit einer aktiven Vorderseite (41) mit einer aktiven Chipfläche (47) und um diese gruppierte Kontaktflächen (43) und mit einer passiven Rückseite (42), Aufbringen eines erhabenen Metallrahmens (45) um die aktive Chipfläche (47),Providing a semiconductor chip (4) with an active front side (41) with an active chip area (47) and contact areas (43) grouped around this and with a passive back side (42), application of a raised metal frame (45) around the active chip area (47 )
Herstellen von elektrischen Verbindungen zwischen den Kontaktflächen (43) des Halbleiterchips (4) und Kontaktanschlussflächen (66) des Halbleiterbauteils (2),Establishing electrical connections between the contact surfaces (43) of the semiconductor chip (4) and contact connection surfaces (66) of the semiconductor component (2),
Aufbringen eines Kunststoffgehäuses (10) des Halbleiterbauteils (2) unter Freilassung von Außenkontakten (67) und unter Freilassungen der aktiven Chipfläche (47) innerhalb des Metallrahmens (45).Application of a plastic housing (10) of the semiconductor component (2) leaving external contacts (67) free and leaving the active chip area (47) free within the metal frame (45).
13 . Verfahren nach Anspruch 12 , d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , d a s s der Metallrahmen (45) auf galvanischem Wege auf die aktive Vorderseite (41) des Halbleiterchips (4) aufgebracht wird.13. The method according to claim 12, wherein the metal frame (45) is applied to the active front side (41) of the semiconductor chip (4) by galvanic means.
14. Verfahren nach Anspruch 12 oder 13, dadurch gekennzeic net, dass in einem gemeinsamen Prozessschritt mit der Aufbringung des Metallrahmens (45) auf galvanischem Wege Kontakthök- ker (46) auf die Kontaktflächen (43) des Halbleiterchips (4) aufgebracht werden. 14. The method according to claim 12 or 13, characterized in that in a common process step with the application of the metal frame (45), contact bumps (46) are applied to the contact surfaces (43) of the semiconductor chip (4) in a galvanic manner.
5. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass elektrisch leitende Verbindungen zwischen den Kontaktflächen (43) des Halbleiterchips (4) und den Kontaktanschlussflächen (66) des Trägersubstrats (6) mittels Drahtbondverbindungen (8) hergestellt werden. 5. The method according to claim 12, characterized in that electrically conductive connections between the contact surfaces (43) of the semiconductor chip (4) and the contact connection surfaces (66) of the carrier substrate (6) are made by means of wire bond connections (8).
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Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999000473A1 (en) * 1997-06-27 1999-01-07 The Procter & Gamble Company Non-aqueous detergent compositions containing bleach
DE10327694A1 (en) * 2003-06-20 2005-01-05 Robert Bosch Gmbh Optical sensor arrangement and corresponding manufacturing method
DE102004003880B3 (en) * 2004-01-26 2005-07-21 Ingo Maurer Gmbh Cladding panels for outer walls of buildings and other constructions comprise electronic circuit boards
DE102004041595A1 (en) 2004-04-30 2005-12-01 Markus Gruber Measuring cell and method for producing a measuring cell and measuring device for receiving such a measuring cell
DE102004027094A1 (en) * 2004-06-02 2005-12-29 Infineon Technologies Ag Semiconductor module with a semiconductor sensor chip and a plastic housing and method for its production
TWI251886B (en) * 2004-11-03 2006-03-21 Advanced Semiconductor Eng Sensor chip for defining molding exposed region and method for manufacturing the same
DE102005025754B4 (en) 2005-06-02 2019-08-08 Infineon Technologies Ag Semiconductor sensor component with a sensor chip and method for producing semiconductor sensor components
DE102005034011B4 (en) * 2005-07-18 2009-05-20 Infineon Technologies Ag Semiconductor component for high frequencies above 10 GHz and method of making the same
DE102005048396A1 (en) * 2005-10-10 2007-04-19 Siemens Ag sensor assembly
TWI289916B (en) * 2006-03-24 2007-11-11 Advanced Semiconductor Eng Chip package and package process thereof
DE102006038302A1 (en) * 2006-08-16 2008-02-21 Atmel Germany Gmbh Optical sensor unit for optical scanning device of data drive e.g. DVD drive, has laminar contacting unit provided with opening, which is formed adjacent to surrounding on photosensitive area of semiconductor component for light incidence
US7445959B2 (en) * 2006-08-25 2008-11-04 Infineon Technologies Ag Sensor module and method of manufacturing same
ITMI20070099A1 (en) 2007-01-24 2008-07-25 St Microelectronics Srl ELECTRONIC DEVICE INCLUDING DIFFERENTIAL SENSOR DEVICES MEMS AND SUBSTRATES LAUNDRY
DE102007005630B4 (en) * 2007-02-05 2019-08-08 Infineon Technologies Ag Sensor chip module and method for producing a sensor chip module
US7696013B2 (en) * 2007-04-19 2010-04-13 Eastman Kodak Company Connecting microsized devices using ablative films
US8559139B2 (en) 2007-12-14 2013-10-15 Intel Mobile Communications GmbH Sensor module and method for manufacturing a sensor module
US8080993B2 (en) * 2008-03-27 2011-12-20 Infineon Technologies Ag Sensor module with mold encapsulation for applying a bias magnetic field
WO2009121675A1 (en) * 2008-04-03 2009-10-08 Dr. Johannes Heidenhain Gmbh Component arrangement and method for producing a component arrangement
DE102009000058A1 (en) 2009-01-07 2010-07-08 Robert Bosch Gmbh Sensor arrangement and method for producing a sensor arrangement
US8287094B2 (en) 2009-07-27 2012-10-16 Zamtec Limited Printhead integrated circuit configured for backside electrical connection
US8101438B2 (en) * 2009-07-27 2012-01-24 Silverbrook Research Pty Ltd Method of fabricating printhead integrated circuit with backside electrical connections
US8323993B2 (en) * 2009-07-27 2012-12-04 Zamtec Limited Method of fabricating inkjet printhead assembly having backside electrical connections
DE102009055718A1 (en) * 2009-11-26 2011-06-01 Continental Automotive Gmbh Sensor module, manufacturing method of a sensor module and injection molding tool for encapsulating a sensor module
DE102009060002A1 (en) * 2009-12-21 2011-06-22 Micro-Epsilon Messtechnik GmbH & Co. KG, 94496 sensor
US8574960B2 (en) 2010-02-03 2013-11-05 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of forming cavity adjacent to sensitive region of semiconductor die using wafer-level underfill material
US9324586B2 (en) 2011-08-17 2016-04-26 Infineon Technologies Ag Chip-packaging module for a chip and a method for forming a chip-packaging module
DE102012102021A1 (en) * 2012-03-09 2013-09-12 Epcos Ag Micromechanical measuring element and method for producing a micromechanical measuring element
DE102014008838B4 (en) 2014-06-20 2021-09-30 Kunststoff-Zentrum In Leipzig Gemeinnützige Gmbh Stress-reducing flexible connecting element for a microelectronic system
DE102014008839B4 (en) 2014-06-20 2021-09-30 Kunststoff-Zentrum In Leipzig Gemeinnützige Gmbh Expansion-compensating connecting element for a microelectronic system
DE102016106122B4 (en) * 2016-04-04 2019-09-05 Infineon Technologies Ag Converter package with integrated seal and method for its production
DE102016124270A1 (en) * 2016-12-13 2018-06-14 Infineon Technologies Ag SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR PACKAGE
EP3456682B1 (en) * 2017-09-15 2023-09-13 TE Connectivity Solutions GmbH Sensor system, sensor arrangement, and assembly method using solder for sealing
US20220396474A1 (en) * 2021-06-11 2022-12-15 Texas Instruments Incorporated Semiconductor package with metal column mold barrier

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0724287B2 (en) * 1987-02-12 1995-03-15 三菱電機株式会社 Semiconductor device having light transmitting window and method of manufacturing the same
JP4024335B2 (en) * 1996-01-26 2007-12-19 ハリス コーポレイション Integrated circuit device having an opening exposing die of integrated circuit and manufacturing method thereof
DE19626082C2 (en) * 1996-06-28 2000-10-26 Siemens Ag Component housing for surface mounting of a semiconductor component
FR2767389B1 (en) * 1997-08-18 1999-10-29 St Microelectronics Sa SEMICONDUCTOR DEVICE WITH REMOTE SIGNAL EXCHANGE OPTOELECTRONIC MEANS
US6015239A (en) * 1998-04-20 2000-01-18 Cielo Communications, Inc. Passively aligned opto-electronic coupling assembly
DE19826426C2 (en) * 1998-06-16 2003-08-21 Elbau Elektronik Bauelemente G Miniaturized electronic system and method for its manufacture
DE19854396C2 (en) * 1998-11-25 2002-02-07 Freudenberg Carl Kg sensor module
US6229190B1 (en) * 1998-12-18 2001-05-08 Maxim Integrated Products, Inc. Compensated semiconductor pressure sensor
US6227724B1 (en) * 1999-01-11 2001-05-08 Lightlogic, Inc. Method for constructing an optoelectronic assembly
US6255728B1 (en) * 1999-01-15 2001-07-03 Maxim Integrated Products, Inc. Rigid encapsulation package for semiconductor devices
JP2000214034A (en) * 1999-01-28 2000-08-04 Matsushita Electric Works Ltd Semiconductor pressure sensor and its manufacture
JP2000249611A (en) * 1999-02-26 2000-09-14 Matsushita Electric Works Ltd Semiconductor pressure sensor
EP1041628A3 (en) * 1999-03-29 2008-05-28 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw An image sensor ball grid array package and the fabrication thereof
JP3562390B2 (en) * 1999-06-25 2004-09-08 松下電工株式会社 Semiconductor pressure sensor and method of manufacturing the same
JP2001033666A (en) * 1999-07-15 2001-02-09 Canon Inc Integrated type optical module, integrated type optical module unit, and optical communication system
JP3502305B2 (en) * 1999-08-13 2004-03-02 Ｎｅｃ化合物デバイス株式会社 Optical semiconductor device
JP2001083370A (en) * 1999-09-13 2001-03-30 Mitsubishi Electric Corp Surface mounted optical device
JP2001227902A (en) 2000-02-16 2001-08-24 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device
US6784409B2 (en) 2000-03-28 2004-08-31 Canon Kabushiki Kaisha Electronic device with encapsulant of photo-set resin and production process of same
EP1246235A1 (en) * 2001-03-26 2002-10-02 European Semiconductor Assembly (Eurasem) B.V. Method for encapsulating a chip having a sensitive surface
JP2002340849A (en) * 2001-05-15 2002-11-27 Matsushita Electric Works Ltd Semiconductor ion sensor and manufacturing method thereof

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
None *
See also references of WO03067657A3 *

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Publication number Publication date
WO2003067657A3 (en) 2003-11-13
US20050046044A1 (en) 2005-03-03
US6987312B2 (en) 2006-01-17
DE10205127A1 (en) 2003-08-28
WO2003067657A2 (en) 2003-08-14

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