EP1345706A1 - Method for making a multielement acoustic probe using a metallised and ablated polymer as ground plane - Google Patents

Method for making a multielement acoustic probe using a metallised and ablated polymer as ground plane

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EP1345706A1
EP1345706A1 EP01271261A EP01271261A EP1345706A1 EP 1345706 A1 EP1345706 A1 EP 1345706A1 EP 01271261 A EP01271261 A EP 01271261A EP 01271261 A EP01271261 A EP 01271261A EP 1345706 A1 EP1345706 A1 EP 1345706A1
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EP
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film
manufacturing
layer
acoustic probe
acoustic
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EP01271261A
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Ngoc-Tuan Thales Intellectual Property NGUYEN
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Original Assignee
Thales SA
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Publication date
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    • B06B1/02—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy
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    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base

Definitions

  • the field of the invention is that of acoustic probes in particular used for medical imaging and more specifically that of probes composed of several elements (or channels) excited independently of each other.
  • This method consists first of all in assembling: a printed circuit comprising an interconnection network / layer of piezoelectric material / acoustic adaptation blades. More precisely, the printed circuit includes conductive tracks making it possible to address different acoustic elements.
  • the ground electrode is common to all the elements and is produced by interposing between the acoustic adaptation blades and the layer of piezoelectric material, a thin metallic film or metallized polymer.
  • FIG. 1 represents transducer elements Ty (made of piezoelectric material), and acoustic adaptation elements A j i and A j2 whose impedance varies so as to ensure effective acoustic adaptation.
  • Each elementary transducer can thus be controlled between the ground plane P and a metallization Mey connected to the interconnection network 1.
  • the flexible ground plane is folded over the lateral faces of the probe, leading to because of the radius of curvature of said plane has a dimension typically of the order of 500 ⁇ m, thereby increasing the footprint of the probe.
  • this ground plane located between the piezoelectric elements and the acoustic adaptation elements introduces a disturbing element at the level of the propagation of the acoustic waves and causes a degradation of the acoustic performances of the probe.
  • the present invention proposes a new method of manufacturing an acoustic probe using an original method of manufacturing the ground plane.
  • the subject of the invention is a method for manufacturing an acoustic probe comprising unitary piezoelectric transducers, characterized in that it comprises the following steps:
  • connection network comprising primary connections and ground pads, on the surface of a dielectric film
  • the flexible film is a polyimide film
  • the conductive film is a metallic film
  • the metallic film can be produced in two stages. A first metallization is carried out on the surface of the flexible film, then a second metallization is carried out to increase the thickness of metallization.
  • the flexible film can have a thickness of the order of 10 to 25 ⁇ m, and the dielectric film can have a thickness of the order of 25 to 50 ⁇ m.
  • the first metallization step is carried out by spraying or by electroless (electroless or metallization by chemical means consists in dipping the film in a bath saturated with ions of the metal to be deposited. Saturation makes it possible to have a metallic deposit on the surface of the film).
  • the second step can be carried out by electroplating. In fact, during the first metallization step, it is typically possible to obtain a thickness of the order of a micron, while the second step makes it possible to obtain a thickness of up to ten microns.
  • the flexible film can be ablated locally by a C0 2 type laser, with the aim of locally removing the flexible film and leaving only the metal layer.
  • the metallic film can be made of copper or nickel.
  • the method according to the invention can also include a third metallization step, with a noble metal of the gold type to avoid oxidation of the metallic film obtained by the preceding steps.
  • the assembly of the flexible film on the surface of the dielectric film can also be carried out using an adhesive type liquid adhesive polymerizable at room temperature or hot.
  • the method can comprise the deposition of an adhesive conductive layer intermediate between the piezoelectric material and the dielectric film.
  • the localized ablation of the flexible film makes it possible to leave only the conductive film in an area of contact with the layer of piezoelectric material.
  • the thin thickness of the conductive film does not therefore cause a significant change in the acoustic properties of the probe.
  • this thin metallic film is easy to handle because it is supported on its device by the flexible film.
  • FIG. 3 illustrates a sectional view of a probe manufactured according to the method described in Figures 2a to 2f;
  • FIG. 4 illustrates a process step according to the invention comprising the deposition of a conductive layer intermediate between the piezoelectric material and the dielectric film;
  • FIG. 5 illustrates a sectional view of a probe fabricated using a conductive intermediate layer
  • FIG. 6 illustrates a cutting step to obtain unitary transducers, included in the method of the invention
  • FIG. 7 illustrates a step of cutting piezoelectric transducers in a second example of a probe manufacturing method according to the invention
  • FIG. 8 illustrates a sectional view of a probe manufactured according to the second example illustrated in Figure 7;
  • Figure 9 illustrates a sectional view of a probe manufactured according to Figure 7 and further comprising an intermediate conductive layer.
  • the probe comprises a set of unitary piezoelectric transducers each comprising a ground electrode and a control electrode also called "hot spot", in the field of ultrasonic sensors.
  • the dielectric film Fd comprises so-called primary connection pads Pc p intended to be opposite the piezoelectric transducers, so-called secondary connection pads Pc s offset relative to the transducers and ground pads P M intended for addressing the electrodes of mass.
  • the primary connection pads and the secondary connection pads are connected by means of via conductors and conductive tracks produced on the face of the flexible dielectric film opposite to that on which the piezoelectric transducers are connected. With this type of configuration it is possible to address all the electrodes of the transducers from the same face.
  • the primary connection pads Pc p (FIG. 2a) intended for electrically and mechanically connecting a layer of piezoelectric material intended for the manufacture of piezoelectric transducers (FIG. 2b) are deposited.
  • the layer Cr does not come to cover the areas of mass P M and the areas of secondary connection Pc s which must be able to be accessible from the face shown in FIG. 2b.
  • the layer of piezoelectric material is metallized on its two faces.
  • a conductive film is produced on the surface of a flexible film.
  • the flexible film can be a polyimide type film with a thickness of between approximately 10 and 25 ⁇ m and metallized on one side as illustrated in FIG. 2c.
  • a first metallization mi can be carried out by spraying or electroless on the flexible film F s .
  • This mid metallization can typically have a thickness of less than about 1 ⁇ m.
  • a second metallization m 2 can then be carried out on the surface of the metallization mi by electrolytic recharging of the same metal to reach a thickness of between approximately 5 and 10 ⁇ m.
  • a flash (spraying on a small thickness) of noble metal which does not oxidize can be carried out (metallization m 3 ) on the surface of the second metallization m 2 and of very small thickness of the order of 0.3 ⁇ m . All of the metallizations m ⁇ / m 2 / m 3 thus constitute the conductive film F c , with a thickness of the order of 5 to 10 ⁇ m.
  • the flexible film F s is locally etched by laser C0 2 for example, to leave the conductive film F c bare at the surface S.
  • another gold flash can be produced at the level of the surface S constituting the metallization m ′ 3 .
  • the draping can be carried out by pressing under pressure at ambient temperature or at high temperature.
  • a hot-polymerizable liquid adhesive is used to bond the assembly (piezoelectric layer / film F c interface and film F s / film Fd interface).
  • Figure 3 illustrates a sectional view along the axis AA 'shown in Figure 2f.
  • the film F s is positioned, covered with the film F c , intended to drape the entire ceramic layer on the dielectric film Fd.
  • the film F s ablated has a larger area than the piezoelectric material so as to achieve an effective layup, falling on the dielectric film ( Figure 2e).
  • Figure 3 highlights the electrical contact between the lower metallization of the ceramic and the primary connection area, and the electrical contact between the upper metallization Me s of the ceramic layer and the mass area P M by virtue of the conductive film F c supported by the film F s .
  • the electrical contacts between the different layers are made using the roughness of the surfaces.
  • the layer of very fine glue (less than one micron) is not shown, it flows in cavities due to the roughness of the different layers and allows both to assemble the surfaces, while not disturbing electrical contacts.
  • This intermediate conductive layer C1 can advantageously be of the anisotropic conductive material type, that is to say which has the property of being conductive in a preferred direction and which hot pressed makes it possible to ensure electrical contact only according to for example a direction perpendicular to the plane of the dielectric film Fd, ie along an axis Z, perpendicular to the plane (X, Y) shown in Figure 4.
  • Such a resin thus allows while ensuring continuous and uniform adhesion at the level of a layer of piezoelectric material deposited on a substrate to connect only along an axis Z and not of the axes X or Y of the piezoelectric elements to electrical connections located at the level of the dielectric film Fd.
  • this material can comprise a binder loaded with conductive particles.
  • a layer CT of piezoelectric material is then superimposed on the intermediate conductive layer Ci. It should be noted that the layers Ci and CT do not come to cover the mass areas PM and the secondary connection areas Pc s which must be able to be accessible from the face shown in Figures 2b and 4.
  • Figure 5 illustrates a sectional view of a probe according to the invention comprising the layer Ci.
  • the first layer Ca-i has a relatively high acoustic impedance and the layer Ca 2 represents an acoustic adaptation layer of lower acoustic impedance.
  • the Ca-i layer can be produced with a mixture of thermosetting or thermoplastic resin with metallic fillers, of the epoxy resin type charged with nickel.
  • the volume resistivity of such a material can typically be less than 10 "3 ⁇ .m and its acoustic impedance of the order of 9M Rayleigh, the Ca 2 layer advantageously has an impedance of the order of 3 Mega Rayleigh.
  • thickness of the film F s may advantageously be between approximately 10 and 30 microns to allow correct draping (that is to say, to conform to the shape of the layer of piezoelectric material: it is most often a blade of PZT type ceramic with a thickness of the order of 150 - 600 ⁇ m) and to keep the flexibility of the mass ranges. we can thus reduce the size of the probe by folding and gluing the mass range on the side faces of the absorber.
  • the assembly operations can be carried out under vacuum or under pressure. Typically, it is possible either to exert a pressure above the draping film F s , or to exert a vacuum below this film. It is also possible to combine the two effects by creating a depression at the level of the film F s and by enclosing the whole in an envelope on which one exerts a pressure.
  • a cutting operation T j is then carried out of the assembly so as to identify individual piezoelectric transducers TPj as illustrated in FIG. 6.
  • This cutting operation can be carried out with a diamond saw in the direction Dy illustrated in Figure 6. This defines linear transducers whose width can typically vary between 50 and 500 microns.
  • the cutting lines stop in the thickness of the dielectric film Fd.
  • the acoustic adaptation blades can be cut with a laser while the piezoelectric material, in this case ceramic, can be cut using a mechanical saw.
  • This last cutting method makes it possible to release the thermal stresses due to the bonding of materials having different coefficients of thermal expansion.
  • a conformation operation can be carried out in a conventional manner which makes it possible to produce curved probes, which are particularly sought after in the field of ultrasound.
  • the procedure is the same as in the method of manufacturing unidirectional probes for depositing a layer of piezoelectric material via a flexible film F s on a flexible dielectric film Fd ( Figure 2b).
  • FIG. 8 illustrates a sectional view along the axis BB ′, when successive depositions of the film F s / F c , of the layer Cj and of the layers Cai and Ca 2 have been carried out .
  • FIG. 9 illustrates a sectional view along the axis BB 'in the case of the use of a conductive intermediate layer Ci. The cuts Tj along the axis Y, are then made in the entire assembly

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Abstract

.The invention concerns a method for making an acoustic probe comprising single-unit piezoelectric transducers. The method comprising an original step, which consists in producing a ground plane consisting of a dielectric flexible film, covered with a conductive film. The dielectric flexible film is locally ablated to expose the conductive film. The thus ablated film serves as skin packaging and ground plane for the single-unit piezoelectric transducers. The invention is applicable to small-dimension endocardial echographic probes.

Description

PROCEDE DE FABRICATION D'UNE SONDE ACOUSTIQUE MULTIELEMENTS UTILISANT UN FILM POLYMERE METALLISE ET ABLATE COMME PLAN DE MASSE METHOD FOR MANUFACTURING A MULTI-PIECE ACOUSTIC PROBE USING A METALLIC AND ABLATE POLYMER FILM AS A MASS PLAN
Le domaine de l'invention est celui des sondes acoustiques notamment utilisées pour l'imagerie médicale et plus précisément celui des sondes composées de plusieurs éléments (ou voies) excités indépendamment les uns des autres.The field of the invention is that of acoustic probes in particular used for medical imaging and more specifically that of probes composed of several elements (or channels) excited independently of each other.
Des méthodes de réalisation de ces sondes ont été décrites dans plusieurs documents et notamment dans la demande de brevet WO 97/17145. Cette méthode consiste à réaliser dans un premier temps un assemblage : circuit imprimé comportant un réseau d'interconnexion / couche de matériau piézoélectrique / lames d'adaptation acoustique. Plus précisément le circuit imprimé comporte des pistes conductrices permettant d'adresser différents éléments acoustiques. L'électrode de masse est commune à tous les éléments et est réalisée en intercalant entre les lames d'adaptation acoustique et la couche de matériau piézoélectrique, un film mince métallique ou de polymère métallisé.Methods for producing these probes have been described in several documents and in particular in patent application WO 97/17145. This method consists first of all in assembling: a printed circuit comprising an interconnection network / layer of piezoelectric material / acoustic adaptation blades. More precisely, the printed circuit includes conductive tracks making it possible to address different acoustic elements. The ground electrode is common to all the elements and is produced by interposing between the acoustic adaptation blades and the layer of piezoelectric material, a thin metallic film or metallized polymer.
Ce film mince est alors replié sur les côtés comme l'illustre la Figure 1 qui représente des éléments transducteurs Ty (réalisés en matériau piézoélectrique), et des éléments d'adaptation acoustiques Aji et Aj2 dont l'impédance varie de manière à assurer une adaptation acoustique efficace. Chaque transducteur élémentaire peut ainsi être commandé entre le plan de masse P et une métallisation Mey connectée au réseau d'interconnexion 1. Pour satisfaire à des contraintes d'encombrement le plan de masse souple est replié sur les faces latérales de la sonde, conduisant en raison du rayon de courbure dudit plan a une dimension typiquement de l'ordre de 500 μm, augmentant par la même l'empreinte de la sonde.This thin film is then folded over the sides as illustrated in FIG. 1 which represents transducer elements Ty (made of piezoelectric material), and acoustic adaptation elements A j i and A j2 whose impedance varies so as to ensure effective acoustic adaptation. Each elementary transducer can thus be controlled between the ground plane P and a metallization Mey connected to the interconnection network 1. To satisfy space constraints, the flexible ground plane is folded over the lateral faces of the probe, leading to because of the radius of curvature of said plane has a dimension typically of the order of 500 μm, thereby increasing the footprint of the probe.
Il est à noter par ailleurs que ce plan de masse situé entre les éléments piézoélectriques et les éléments d'adaptation acoustique introduit un élément perturbateur au niveau de la propagation des ondes acoustiques et entraîne une dégradation des performances acoustiques de la sonde.It should also be noted that this ground plane located between the piezoelectric elements and the acoustic adaptation elements introduces a disturbing element at the level of the propagation of the acoustic waves and causes a degradation of the acoustic performances of the probe.
L'augmentation de la taille de l'empreinte de la sonde et/ou la dégradation des performances acoustiques constituent des facteurs limitatifs pour des applications endocavitaires ou cardiologiques qui utilisent des sondes à faible empreinte et à hautes performances acoustiques.The increase in the size of the footprint of the probe and / or the deterioration of acoustic performance are limiting factors for endocavitary or cardiological applications using probes with a small footprint and high acoustic performance.
Dans ce contexte la présente invention propose un nouveau procédé de fabrication de sonde acoustique utilisant une méthode originale de fabrication du plan de masse.In this context, the present invention proposes a new method of manufacturing an acoustic probe using an original method of manufacturing the ground plane.
Plus précisément l'invention a pour objet un procédé de fabrication de sonde acoustique comportant des transducteurs piézoélectriques unitaires, caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes :More precisely, the subject of the invention is a method for manufacturing an acoustic probe comprising unitary piezoelectric transducers, characterized in that it comprises the following steps:
- la réalisation d'un réseau de connexion comprenant des connexions primaires et des plages de masse, à la surface d'un film diélectrique ;- the production of a connection network comprising primary connections and ground pads, on the surface of a dielectric film;
- la superposition d'une couche de matériau piézoélectrique à la surface du réseau de connexion ;- the superposition of a layer of piezoelectric material on the surface of the connection network;
- la réalisation d'un film conducteur à la surface d'un film souple ;- The production of a conductive film on the surface of a flexible film;
- l'ablation sur une surface déterminée du film souple, laissant à nu le film conducteur, localement au niveau du film souple ;the ablation on a determined surface of the flexible film, leaving the conductive film bare, locally at the level of the flexible film;
- l'assemblage du film conducteur mis à nu, à la surface du matériau piézoélectrique et du film souple à la surface du film diélectrique ;- The assembly of the exposed conductive film on the surface of the piezoelectric material and the flexible film on the surface of the dielectric film;
- une opération selon un premier axe de découpe de l'ensemble constitué par le film conducteur et par le matériau piézoélectrique de manière à définir les transducteurs piézoélectriques unitaires.- An operation along a first cutting axis of the assembly constituted by the conductive film and by the piezoelectric material so as to define the unitary piezoelectric transducers.
Avantageusement le film souple est un film de Polyimide, et le film conducteur est un film métallique.Advantageously, the flexible film is a polyimide film, and the conductive film is a metallic film.
Avantageusement le film métallique peut être réalisé en deux étapes. Une première métallisation est réalisée à la surface du film souple, puis une seconde métallisation est effectuée pour venir augmenter l'épaisseur de métallisation.Advantageously, the metallic film can be produced in two stages. A first metallization is carried out on the surface of the flexible film, then a second metallization is carried out to increase the thickness of metallization.
Selon une variante de l'invention le film souple peut posséder une épaisseur de l'ordre de 10 à 25 μm, et le film diélectrique peut posséder une épaisseur de l'ordre de 25 à 50 μm. Selon une variante de l'invention la première étape de métallisation est effectuée par pulvérisation ou par électroless (F électroless ou la métallisation par voie chimique consiste à tremper le film dans un bain saturé en ions du métal à déposer. La saturation permet d'avoir un dépôt métallique à la surface du film). La seconde étape peut être réalisée par dépôt électrolytique. En effet lors de la première étape de métallisation on peut typiquement obtenir une épaisseur de l'ordre du micron, alors que la seconde étape permet d'obtenir une épaisseur pouvant atteindre une dizaine de microns. Selon une variante de l'invention le film souple peut être ablaté localement par un laser de type C02, dans le but d'enlever localement le film souple et de laisser uniquement la couche métallique.According to a variant of the invention, the flexible film can have a thickness of the order of 10 to 25 μm, and the dielectric film can have a thickness of the order of 25 to 50 μm. According to a variant of the invention, the first metallization step is carried out by spraying or by electroless (electroless or metallization by chemical means consists in dipping the film in a bath saturated with ions of the metal to be deposited. Saturation makes it possible to have a metallic deposit on the surface of the film). The second step can be carried out by electroplating. In fact, during the first metallization step, it is typically possible to obtain a thickness of the order of a micron, while the second step makes it possible to obtain a thickness of up to ten microns. According to a variant of the invention, the flexible film can be ablated locally by a C0 2 type laser, with the aim of locally removing the flexible film and leaving only the metal layer.
Avantageusement le film métallique peut être en cuivre ou en nickel. Le procédé selon l'invention peut aussi comprendre une troisième étape de métallisation, avec un métal noble de type or pour éviter l'oxydation du film métallique obtenu par les étapes précédentes.Advantageously, the metallic film can be made of copper or nickel. The method according to the invention can also include a third metallization step, with a noble metal of the gold type to avoid oxidation of the metallic film obtained by the preceding steps.
Selon une variante de l'invention, l'assemblage du film souple à la surface du film diélectrique peut également être réalisé en utilisant une colle type colle liquide polymérisable à la température ambiante ou à chaud.According to a variant of the invention, the assembly of the flexible film on the surface of the dielectric film can also be carried out using an adhesive type liquid adhesive polymerizable at room temperature or hot.
Selon une autre variante de l'invention, le procédé peut comprendre le dépôt d'une couche conductrice adhésive intermédiaire entre le matériau piézoélectrique et le film diélectrique.According to another variant of the invention, the method can comprise the deposition of an adhesive conductive layer intermediate between the piezoelectric material and the dielectric film.
Grâce au procédé de l'invention, l'ablation localisée du film souple, permet de laisser uniquement le film conducteur dans une zone de contact avec la couche de matériau piézoélectrique.Thanks to the process of the invention, the localized ablation of the flexible film makes it possible to leave only the conductive film in an area of contact with the layer of piezoelectric material.
La fine épaisseur du film conducteur n'entraîne ainsi pas de changement significatif des propriétés acoustiques de la sonde. De plus ce film métallique fin est facilement manipulable car il est supporté sur son périphérique par le film souple.The thin thickness of the conductive film does not therefore cause a significant change in the acoustic properties of the probe. In addition, this thin metallic film is easy to handle because it is supported on its device by the flexible film.
L'invention sera mieux comprise et d'autres avantages apparaîtront à la lecture de la description qui va suivre donnée à titre non limitatif et grâce aux figures annexées parmi lesquelles : - la Figure 1 illustre une configuration de sonde acoustique selon l'art connu comprenant un plan de masse compris entre les transducteurs piézoélectriques et les lames d'adaptation ;The invention will be better understood and other advantages will appear on reading the description which follows given without limitation and thanks to the appended figures among which: - Figure 1 illustrates a configuration of acoustic probe according to the prior art comprising a ground plane between the piezoelectric transducers and the adaptation blades;
- les Figures 2a à 2f illustrent les principales étapes du procédé selon l'invention ;- Figures 2a to 2f illustrate the main steps of the method according to the invention;
- la Figure 3 illustre une vue en coupe d'une sonde fabriquée selon le procédé décrit en Figures 2a à 2f ;- Figure 3 illustrates a sectional view of a probe manufactured according to the method described in Figures 2a to 2f;
- la Figure 4 illustre une étape de procédé selon l'invention comportant le dépôt d'une couche conductrice intermédiaire entre le matériau piézoélectrique et le film diélectrique ;- Figure 4 illustrates a process step according to the invention comprising the deposition of a conductive layer intermediate between the piezoelectric material and the dielectric film;
- la Figure 5 illustre une vue en coupe d'une sonde fabriquée en utilisant une couche intermédiaire conductrice ;- Figure 5 illustrates a sectional view of a probe fabricated using a conductive intermediate layer;
- la Figure 6 illustre une étape de découpe permettant d'obtenir des transducteurs unitaires, comprise dans le procédé de l'invention ;- Figure 6 illustrates a cutting step to obtain unitary transducers, included in the method of the invention;
- la Figure 7 illustre une étape de découpe de transducteurs piézoélectriques dans un second exemple de procédé de fabrication de sonde selon l'invention ;- Figure 7 illustrates a step of cutting piezoelectric transducers in a second example of a probe manufacturing method according to the invention;
- la Figure 8 illustre une vue en coupe d'une sonde fabriquée selon le second exemple illustré en Figure 7 ;- Figure 8 illustrates a sectional view of a probe manufactured according to the second example illustrated in Figure 7;
- la Figure 9 illustre une vue en coupe d'une sonde fabriquée selon la Figure 7 et comportant en outre une couche conductrice intermédiaire.- Figure 9 illustrates a sectional view of a probe manufactured according to Figure 7 and further comprising an intermediate conductive layer.
Nous allons décrire un exemple de sonde acoustique unidirectionnelle comportant des transducteurs piézoélectriques linéaires et réalisée selon le procédé de l'invention.We will describe an example of a unidirectional acoustic probe comprising linear piezoelectric transducers and produced according to the method of the invention.
De façon générale la sonde comprend un ensemble de transducteurs piézoélectriques unitaires comportant chacun une électrode de masse et une électrode de commande encore appelée "point chaud", dans le domaine des capteurs ultrasonores.In general, the probe comprises a set of unitary piezoelectric transducers each comprising a ground electrode and a control electrode also called "hot spot", in the field of ultrasonic sensors.
Pour connecter l'ensemble de ces électrodes on utilise avantageusement un film diélectrique souple sur lequel sont réalisées des connexions destinées aux points chauds et aux électrodes de masse. La Figure 2a illustre un tel circuit imprimé. Plus précisément le film diélectrique Fd comporte des plages de connexions dites primaires Pcp destinées à être en regard des transducteurs piézoélectriques, des plages de connexion dites secondaires Pcs déportées par rapport aux transducteurs et des plages de masse PM destinées à adresser les électrodes de masse.To connect all of these electrodes, a flexible dielectric film is advantageously used, on which connections are made for hot spots and ground electrodes. Figure 2a illustrates such a printed circuit. More precisely, the dielectric film Fd comprises so-called primary connection pads Pc p intended to be opposite the piezoelectric transducers, so-called secondary connection pads Pc s offset relative to the transducers and ground pads P M intended for addressing the electrodes of mass.
De manière plus précise, les plages de connexion primaires et les plages de connexion secondaires sont reliées par l'intermédiaire de via conducteurs et de pistes conductrices réalisées sur la face du film diélectrique souple opposée à celle sur laquelle sont connectés les transducteurs piézoélectriques. Avec ce type de configuration il est possible d'adresser toutes les électrodes des transducteurs depuis la même face.More specifically, the primary connection pads and the secondary connection pads are connected by means of via conductors and conductive tracks produced on the face of the flexible dielectric film opposite to that on which the piezoelectric transducers are connected. With this type of configuration it is possible to address all the electrodes of the transducers from the same face.
Nous allons ci-après décrire les étapes nécessaires à la réalisation d'une sonde acoustique selon l'invention.We will describe below the steps necessary to produce an acoustic probe according to the invention.
Selon le procédé de l'invention, on dépose au niveau des plages de connexion primaire Pcp (Figure 2a) destiné à connecter électriquement et mécaniquement une couche de matériau piézoélectrique destinée à la fabrication des transducteurs piézoélectriques (Figure 2b).According to the method of the invention, the primary connection pads Pc p (FIG. 2a) intended for electrically and mechanically connecting a layer of piezoelectric material intended for the manufacture of piezoelectric transducers (FIG. 2b) are deposited.
Il est à noter que la couche C-r ne vient pas recouvrir les plages de masse PM et les plages de connexion secondaire Pcs qui doivent pouvoir être accessibles depuis la face représentée sur la Figure 2b. La couche de matériau piézoélectrique est métallisée sur ses deux faces.It should be noted that the layer Cr does not come to cover the areas of mass P M and the areas of secondary connection Pc s which must be able to be accessible from the face shown in FIG. 2b. The layer of piezoelectric material is metallized on its two faces.
Parallèlement on réalise un film conducteur à la surface d'un film souple.In parallel, a conductive film is produced on the surface of a flexible film.
Le film souple peut être un film de type polyimide d'épaisseur comprise entre environ 10 et 25 μm et métallisé sur une face comme illustré en Figure 2c. Une première métallisation mi peut être effectuée par pulvérisation ou électroless sur le film souple Fs. Cette métallisation m-i peut typiquement avoir une épaisseur inférieure à environ 1μm.The flexible film can be a polyimide type film with a thickness of between approximately 10 and 25 μm and metallized on one side as illustrated in FIG. 2c. A first metallization mi can be carried out by spraying or electroless on the flexible film F s . This mid metallization can typically have a thickness of less than about 1 μm.
Une seconde métallisation m2 peut ensuite être effectuée à la surface de la métallisation mi par recharge electrolytique du même métal pour atteindre une épaisseur comprise entre environ 5 et 10 μm.A second metallization m 2 can then be carried out on the surface of the metallization mi by electrolytic recharging of the same metal to reach a thickness of between approximately 5 and 10 μm.
Avantageusement un flash (pulvérisation sur une faible épaisseur) de métal noble ne s'oxydant pas peut être effectué (métallisation m3) à la surface de la seconde métallisation m2 et d'épaisseur très faible de l'ordre de 0,3 μm. L'ensemble des métallisations mι/m2/m3 constitue ainsi le film conducteur Fc, d'épaisseur de l'ordre de 5 à 10 μm.Advantageously, a flash (spraying on a small thickness) of noble metal which does not oxidize can be carried out (metallization m 3 ) on the surface of the second metallization m 2 and of very small thickness of the order of 0.3 μm . All of the metallizations mι / m 2 / m 3 thus constitute the conductive film F c , with a thickness of the order of 5 to 10 μm.
Dans une seconde étape, illustrée en Figure 2d, le film souple Fs est localement gravé par laser C02 par exemple, pour laisser à nu au niveau de la surface S, le film conducteur Fc. Avantageusement un autre flash d'or peut être réalisé au niveau de la surface S constituant la métallisation m'3.In a second step, illustrated in FIG. 2d, the flexible film F s is locally etched by laser C0 2 for example, to leave the conductive film F c bare at the surface S. Advantageously, another gold flash can be produced at the level of the surface S constituting the metallization m ′ 3 .
Le drapage peut être réalisé par pressage sous pression à la température ambiante ou à haute température.The draping can be carried out by pressing under pressure at ambient temperature or at high temperature.
On utilise une colle liquide polymérisable à chaud pour coller l'ensemble (interface couche piézoélectrique/film Fc et interface film Fs/film Fd).A hot-polymerizable liquid adhesive is used to bond the assembly (piezoelectric layer / film F c interface and film F s / film Fd interface).
La Figure 3 illustre une vue en coupe selon l'axe AA' représenté en Figure 2f.Figure 3 illustrates a sectional view along the axis AA 'shown in Figure 2f.
Lorsque la couche Cj de matériau piézoélectrique métallisée en face inférieure et en face supérieure est positionnée sur les plages de connexion primaire Pcp, on vient positionner le film Fs recouvert du film Fc, destiné à draper l'ensemble de la couche céramique sur le film diélectrique Fd. Pour cela le film Fs ablaté présente une surface supérieure à celle du matériau piézoélectrique de manière à réaliser un drapage efficace, retombant sur le film diélectrique (Figure 2e).When the layer Cj of metallized piezoelectric material on the lower face and on the upper face is positioned on the primary connection pads Pc p , the film F s is positioned, covered with the film F c , intended to drape the entire ceramic layer on the dielectric film Fd. For this, the film F s ablated has a larger area than the piezoelectric material so as to achieve an effective layup, falling on the dielectric film (Figure 2e).
Plus précisément la Figure 3 met en évidence le contact électrique entre la métallisation inférieure de la céramique et la plage de connexion primaire, et la mise en contact électrique entre la métallisation supérieure Mes de la couche de céramique et la plage de masse PM grâce au film conducteur Fc supporté par le film Fs. Les contacts électriques entre les différentes couches sont réalisés la l'aide de la rugosité des surfaces. Sur la Figure 3 la couche de colle très fine (moins d'un micron) n'est pas représentée, elle flue dans des cavités dues aux rugosités des différentes couches et permet à la fois d'assembler les surfaces, tout en ne perturbant pas les contacts électriques.More precisely, Figure 3 highlights the electrical contact between the lower metallization of the ceramic and the primary connection area, and the electrical contact between the upper metallization Me s of the ceramic layer and the mass area P M by virtue of the conductive film F c supported by the film F s . The electrical contacts between the different layers are made using the roughness of the surfaces. In Figure 3 the layer of very fine glue (less than one micron) is not shown, it flows in cavities due to the roughness of the different layers and allows both to assemble the surfaces, while not disturbing electrical contacts.
Nous venons de décrire une variante dans laquelle la couche de matériau piézoélectrique est en contact avec le film diélectrique et l'assemblage est effectué par une colle liquide de fine épaisseur.We have just described a variant in which the layer of piezoelectric material is in contact with the dielectric film and the assembly is carried out with a thin liquid adhesive.
Selon une autre variante de l'invention il est également possible d'utiliser une couche intermédiaire de connexion Ci adhésive conductrice. Cette couche conductrice intermédiaire C1 peut avantageusement être de type matériau conducteur anisotrope, c'est-à-dire qui présente la propriété d'être conducteur dans une direction privilégiée et qui pressé à chaud permet d'assurer le contact électrique uniquement selon par exemple une direction perpendiculaire au plan du film diélectrique Fd, soit selon un axe Z, perpendiculaire au plan (X, Y) représenté en Figure 4. Une telle résine permet ainsi tout en assurant une adhérence continue et uniforme au niveau d'une couche de matériau piézoélectrique déposée sur un substrat de ne connecter que selon un axe Z et non des axes X ou Y des éléments piézoélectriques à des connexions électriques situées au niveau du film diélectrique Fd. Typiquement ce matériau peut comprendre un liant chargé de particules conductrices.According to another variant of the invention it is also possible to use an intermediate connection layer Ci conductive adhesive. This intermediate conductive layer C1 can advantageously be of the anisotropic conductive material type, that is to say which has the property of being conductive in a preferred direction and which hot pressed makes it possible to ensure electrical contact only according to for example a direction perpendicular to the plane of the dielectric film Fd, ie along an axis Z, perpendicular to the plane (X, Y) shown in Figure 4. Such a resin thus allows while ensuring continuous and uniform adhesion at the level of a layer of piezoelectric material deposited on a substrate to connect only along an axis Z and not of the axes X or Y of the piezoelectric elements to electrical connections located at the level of the dielectric film Fd. Typically this material can comprise a binder loaded with conductive particles.
On vient alors superposer une couche CT de matériau piézoélectrique sur la couche intermédiaire conductrice C-i. II est à noter que les couches Ci et CT ne viennent pas recouvrir les plages de masse PM et les plages de connexion secondaire Pcs qui doivent pouvoir être accessibles depuis la face représentée sur les Figures 2b et 4.A layer CT of piezoelectric material is then superimposed on the intermediate conductive layer Ci. It should be noted that the layers Ci and CT do not come to cover the mass areas PM and the secondary connection areas Pc s which must be able to be accessible from the face shown in Figures 2b and 4.
La Figure 5 illustre une vue en coupe d'une sonde selon l'invention comportant la couche Ci.Figure 5 illustrates a sectional view of a probe according to the invention comprising the layer Ci.
De manière générale la première couche Ca-i présente une impédance acoustique relativement élevée et la couche Ca2 représente une couche d'adaptation acoustique d'impédance acoustique plus faible.In general, the first layer Ca-i has a relatively high acoustic impedance and the layer Ca 2 represents an acoustic adaptation layer of lower acoustic impedance.
Typiquement la couche Ca-i peut être réalisée avec un mélange de résine thermodurcissable ou thermoplastique avec des charges métalliques, type résine époxy chargée de nickel. La résistivité volumique d'un tel matériau peut être typiquement inférieure à 10"3 Ω.m et son impédance acoustique de l'ordre de 9M Rayleigh, la couche Ca2 présente avantageusement une impédance de l'ordre de 3 Mega Rayleigh. L'épaisseur du film Fs peut avantageusement être comprise entre environ 10 et 30 microns pour permettre un drapage correct (c'est-à-dire épouser la forme de la couche de matériau piézoélectrique : il s'agit le plus souvent d'une lame de céramique de type PZT d'une épaisseur de l'ordre de 150 - 600 μm ) et pour garder la souplesse des plages de masse. En effet on peut ainsi diminuer l'encombrement de la sonde en pliant et en collant la plage de masse sur les faces latérales de l'absorbeur.Typically the Ca-i layer can be produced with a mixture of thermosetting or thermoplastic resin with metallic fillers, of the epoxy resin type charged with nickel. The volume resistivity of such a material can typically be less than 10 "3 Ω.m and its acoustic impedance of the order of 9M Rayleigh, the Ca 2 layer advantageously has an impedance of the order of 3 Mega Rayleigh. thickness of the film F s may advantageously be between approximately 10 and 30 microns to allow correct draping (that is to say, to conform to the shape of the layer of piezoelectric material: it is most often a blade of PZT type ceramic with a thickness of the order of 150 - 600 μm) and to keep the flexibility of the mass ranges. we can thus reduce the size of the probe by folding and gluing the mass range on the side faces of the absorber.
Les opérations d'assemblage peuvent être réalisées sous vide ou sous pression. Typiquement, on peut soit exercer une pression au-dessus du film de drapage Fs, soit exercer une dépression en dessous de ce film. Il est également possible de cumuler les deux effets en créant une dépression au niveau du film Fs et en enfermant le tout dans une enveloppe sur laquelle on exerce une pression.The assembly operations can be carried out under vacuum or under pressure. Typically, it is possible either to exert a pressure above the draping film F s , or to exert a vacuum below this film. It is also possible to combine the two effects by creating a depression at the level of the film F s and by enclosing the whole in an envelope on which one exerts a pressure.
Lorsque l'opération ou les opérations d'assemblage précitées sont effectuées, on procède alors à une opération de découpe Tj de l'ensemble de manière à individualiser des transducteurs piézoélectriques élémentaires TPj comme illustré en Figure 6. Cette opération de découpe peut être effectuée avec une scie diamantée selon la direction Dy illustrée en Figure 6. On définit ainsi des transducteurs linéaires dont la largeur peut typiquement varier entre 50 et 500 microns. Pour isoler électriquement les transducteurs linéaires, les traits de découpe s'arrêtent dans l'épaisseur du film diélectrique Fd.When the abovementioned operation or assembly operations are carried out, a cutting operation T j is then carried out of the assembly so as to identify individual piezoelectric transducers TPj as illustrated in FIG. 6. This cutting operation can be carried out with a diamond saw in the direction Dy illustrated in Figure 6. This defines linear transducers whose width can typically vary between 50 and 500 microns. To electrically isolate the linear transducers, the cutting lines stop in the thickness of the dielectric film Fd.
Il est également possible de procéder à une découpe laser de l'assemblage réalisé précédemment.It is also possible to carry out a laser cutting of the assembly carried out previously.
Il est enfin possible de combiner les deux types de découpe. Ainsi les lames d'adaptation acoustique peuvent être découpées au laser alors que le matériau piézoélectrique en l'occurrence la céramique peut être découpé grâce à la scie mécanique. Cette dernière méthode de découpe permet de libérer les contraintes thermiques dues au collage de matériaux possédant des coefficients de dilatation thermique différents. En découpant en premier les lames d'adaptation acoustique, on libère la céramique des contraintes thermiques et en conséquence, on évite de briser la céramique lors de la deuxième découpe.It is finally possible to combine the two types of cutting. Thus the acoustic adaptation blades can be cut with a laser while the piezoelectric material, in this case ceramic, can be cut using a mechanical saw. This last cutting method makes it possible to release the thermal stresses due to the bonding of materials having different coefficients of thermal expansion. By cutting the acoustic adaptation blades first, the ceramic is freed from thermal stresses and consequently, the ceramic is not broken during the second cutting.
Lorsque les transducteurs linéaires sont ainsi élaborés à la surface du film diélectrique, on peut procéder de manière classique à une opération de conformation qui permet de réaliser des sondes courbes, particulièrement recherchées dans le domaine de l'échographie.When the linear transducers are thus produced on the surface of the dielectric film, a conformation operation can be carried out in a conventional manner which makes it possible to produce curved probes, which are particularly sought after in the field of ultrasound.
En effet grâce au film diélectrique souple employé et à la découpe préalable de transducteurs linéaires, on obtient un degré suffisant de courbure dudit film diélectrique pour venir l'assembler à la surface d'un absorbeur (matériau absorbant les ondes acoustiques) de surface courbe. Cet assemblage se fait de manière classique par collage du film souple à la surface dudit absorbeur.In fact, thanks to the flexible dielectric film used and the prior cutting of linear transducers, a sufficient degree of curvature of said dielectric film is obtained to assemble it on the surface of an absorber (material absorbing acoustic waves) with a curved surface. This assembly is done conventionally by bonding the flexible film to the surface of said absorber.
Nous avons décrit l'invention dans le cadre d'une sonde acoustique unidirectionnelle, mais l'invention peut être tout aussi bien appliquée dans le cadre d'une sonde présentant un réseau de connexion en surface du film diélectrique souple, permettant de réaliser des sondes acoustiques comprenant des transducteurs matriciels, recouverts d'éléments d'adaptation acoustique linéaires.We have described the invention in the context of a unidirectional acoustic probe, but the invention can be just as well applied in the context of a probe having a connection network on the surface of the flexible dielectric film, making it possible to produce probes Acoustics including matrix transducers, covered with linear acoustic matching elements.
Dans ce cas on procède de la même façon que dans le procédé de fabrication des sondes unidirectionnelles pour déposer une couche de matériau piézoélectrique par l'intermédiaire d'un film souple Fs sur un film diélectrique souple Fd (Figure 2b).In this case, the procedure is the same as in the method of manufacturing unidirectional probes for depositing a layer of piezoelectric material via a flexible film F s on a flexible dielectric film Fd (Figure 2b).
On procède ensuite à une opération de découpe selon un axe Dx du matériau piézoélectrique comme illustré en Figure 7, montrant les découpes Tj dans la couche Cγ. La Figure 8 illustre une vue en coupe selon l'axe BB', lorsque l'on a procédé aux dépôts successifs du film Fs/Fc, de la couche Cj et des couches Cai et Ca2. On procède enfin de manière analogue au cas des sondes unidirectionnelles comportant des transducteurs linéaires, à une opération de découpes Tj selon l'axe Y, de l'ensemble de l'assemblage Caι/Ca2/Fc/Cτ et ce jusque dans le film diélectrique souple Fd. La Figure 9 illustre une vue en coupe selon l'axe BB' dans le cas de l'utilisation d'une couche intermédiaire conductrice C-i. Les découpes Tj selon l'axe Y, sont alors réalisées dans l'ensemble de l'assemblage Next, a piezoelectric material is cut along an axis Dx as illustrated in FIG. 7, showing the cuts Tj in the layer Cγ. FIG. 8 illustrates a sectional view along the axis BB ′, when successive depositions of the film F s / F c , of the layer Cj and of the layers Cai and Ca 2 have been carried out . Finally, we proceed analogously to the case of unidirectional probes comprising linear transducers, to a cutting operation Tj along the Y axis, of the entire assembly Caι / Ca 2 / F c / Cτ and this up to the flexible dielectric film Fd. Figure 9 illustrates a sectional view along the axis BB 'in the case of the use of a conductive intermediate layer Ci. The cuts Tj along the axis Y, are then made in the entire assembly

Claims

REVENDICATIONS
1. Procédé de fabrication de sonde acoustique comportant des transducteurs piézoélectriques unitaires, caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes :1. A method of manufacturing an acoustic probe comprising unitary piezoelectric transducers, characterized in that it comprises the following steps:
- la réalisation d'un réseau de connexion comprenant des connexions primaires (Pcp) et des plages de masse (PM), à la surface d'un film diélectrique (Fd) ;- the production of a connection network comprising primary connections (Pc p ) and ground areas (P M ), on the surface of a dielectric film (F d );
- la superposition d'une couche de matériau piézoélectrique (CT) à la surface du réseau de connexion ;- the superposition of a layer of piezoelectric material (CT) on the surface of the connection network;
- la réalisation d'un film conducteur (Fc) à la surface d'un film souple (Fs) ; - l'ablation sur une surface déterminée (S) du film souple (Fs), laissant à nu le film conducteur (Fc), localement au niveau du film souple (Fs) ;- The production of a conductive film (F c ) on the surface of a flexible film (F s ); - the ablation on a determined surface (S) of the flexible film (F s ), leaving the conductive film (F c ) bare, locally at the level of the flexible film (F s );
- l'assemblage du film conducteur mis à nu, à la surface du matériau piézoélectrique et du film souple à la surface du film diélectrique (Fd) ;- The assembly of the exposed conductive film on the surface of the piezoelectric material and the flexible film on the surface of the dielectric film (F d );
- une opération selon un premier axe de découpe (Tj) de découpe (Dx) de l'ensemble constitué par le film conducteur (Fc) et par le matériau piézoélectrique (CT) de manière à définir les transducteurs piézoélectriques unitaires (Tpi).- an operation along a first cutting axis (T j ) for cutting (D x ) the assembly formed by the conductive film (F c ) and by the piezoelectric material (CT) so as to define the unitary piezoelectric transducers (Tpi ).
2. Procédé de fabrication de sonde acoustique selon la revendication 1 , caractérisé en ce que le film conducteur (Fc) est un film métallique.2. A method of manufacturing an acoustic probe according to claim 1, characterized in that the conductive film (F c ) is a metallic film.
3. Procédé de fabrication de sonde acoustique selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'il comprend le dépôt d'une première couche métallique (tn-i) à la surface du film souple (Fs) présentant une première épaisseur suivi du dépôt d'une seconde couche métallique (m2) présentant une seconde épaisseur supérieure d'au moins un ordre de grandeur à la première épaisseur. 3. A method of manufacturing an acoustic probe according to claim 2, characterized in that it comprises the deposition of a first metallic layer (tn-i) on the surface of the flexible film (F s ) having a first thickness followed by the deposition a second metal layer (m 2 ) having a second thickness greater by at least an order of magnitude than the first thickness.
4. Procédé de fabrication de sonde acoustique selon la revendication 3, caractérisé en ce que la première couche métallique est réalisée par pulvérisation d'un métal sur le film souple (Fs).4. A method of manufacturing an acoustic probe according to claim 3, characterized in that the first metallic layer is produced by spraying a metal onto the flexible film (F s ).
5. Procédé de fabrication de sonde acoustique selon l'une des revendications 3 ou 4, caractérisé en ce que la seconde couche métallique est réalisée par dépôt electrolytique sur la première couche métallique, d'un métal identique ou différent de celui constitutif de . la première couche métallique.5. A method of manufacturing an acoustic probe according to one of claims 3 or 4, characterized in that the second metallic layer is produced by electrolytic deposition on the first metallic layer, of a metal identical or different from that constituting . the first metallic layer.
6. Procédé de fabrication de sonde acoustique selon l'une des revendications 2 à 5, caractérisé en ce qu'il comprend le dépôt d'une couche très fine de métal noble type or, lors de l'élaboration du film métallique, pour éviter l'oxydation dudit film métallique.6. A method of manufacturing an acoustic probe according to one of claims 2 to 5, characterized in that it comprises the deposition of a very thin layer of noble metal of the gold type, during the preparation of the metallic film, to avoid the oxidation of said metallic film.
7. Procédé de fabrication de sonde acoustique, selon l'une des revendications 2 à 6, caractérisé en ce que le film métallique est en cuivre ou en nickel.7. A method of manufacturing an acoustic probe, according to one of claims 2 to 6, characterized in that the metallic film is made of copper or nickel.
8. Procédé de fabrication de sonde acoustique selon l'une des revendications 2 à 7, caractérisé en ce que l'épaisseur du film conducteur est comprise entre environ 5 et 10 microns.8. A method of manufacturing an acoustic probe according to one of claims 2 to 7, characterized in that the thickness of the conductive film is between approximately 5 and 10 microns.
9. Procédé de fabrication de sonde acoustique selon l'une des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que l'ablation du film souple sur une surface déterminée, laissant à nu le film souple, est réalisée par un laser C02.9. A method of manufacturing an acoustic probe according to one of claims 1 to 8, characterized in that the ablation of the flexible film on a determined surface, leaving the flexible film bare, is carried out by a laser C0 2 .
10. Procédé de fabrication de sonde acoustique selon l'une des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que l'assemblage du film conducteur à la surface du matériau piézoélectrique et du film souple à la surface du film diélectrique est réalisé avec une colle liquide, le contact électrique entre les différentes surfaces métalliques étant réalisé par la rugosité des surfaces 10. A method of manufacturing an acoustic probe according to one of claims 1 to 9, characterized in that the assembly of the conductive film on the surface of the piezoelectric material and the flexible film on the surface of the dielectric film is carried out with a liquid adhesive. , the electrical contact between the different metal surfaces being produced by the roughness of the surfaces
11. Procédé de fabrication selon l'une des revendications 1 à 9, caractérisé en ce qu'il comprend le dépôt d'une couche adhesive conductrice (Ci) à la surface du film diélectrique, pour assurer le contact électrique entre le matériau piézoélectrique (CT) et les connexions primaires Pcp).11. The manufacturing method according to one of claims 1 to 9, characterized in that it comprises the deposition of a conductive adhesive layer (Ci) on the surface of the dielectric film, to ensure electrical contact between the piezoelectric material ( CT) and the primary connections Pc p ).
12. Procédé de fabrication selon la revendication 11 , caractérisé en ce que la couche adhesive conductrice comprend un matériau conducteur anisotrope.12. The manufacturing method according to claim 11, characterized in that the conductive adhesive layer comprises an anisotropic conductive material.
13. Procédé de fabrication de sonde acoustique selon l'une des revendications 1 à 12, caractérisé en ce qu'il comporte en outre le dépôt d'au moins une couche d'adaptation acoustique (Ca^ à la surface du film conducteur (Fc) positionné au niveau du matériau piézoélectrique.13. A method of manufacturing an acoustic probe according to one of claims 1 to 12, characterized in that it further comprises the deposition of at least one acoustic adaptation layer (Ca ^ on the surface of the conductive film (F c ) positioned at the level of the piezoelectric material.
14. Procédé de fabrication de sonde acoustique selon la revendication 13, caractérisé en ce qu'il comprend le dépôt d'une première couche d'adaptation acoustique de forte impédance (Ca-i) sur le film conducteur et le dépôt d'une seconde couche d'adaptation acoustique de faible impédance (Ca2), sur la première couche d'adaptation acoustique.14. A method of manufacturing an acoustic probe according to claim 13, characterized in that it comprises the deposition of a first acoustic impedance adaptation layer of high impedance (Ca-i) on the conductive film and the deposition of a second low impedance acoustic adaptation layer (Ca 2 ), on the first acoustic adaptation layer.
15. Procédé de fabrication de sonde acoustique selon l'une des revendications 1 à 14, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une opération préalable de découpe (Tj) selon un second axe de découpe (Dy) de la couche de matériau piézoélectrique selon une direction perpendiculaire au premier axe de découpe. 15. Method for manufacturing an acoustic probe according to one of claims 1 to 14, characterized in that it further comprises a prior cutting operation (Tj) along a second cutting axis (D y ) of the layer of material piezoelectric in a direction perpendicular to the first cutting axis.
EP01271261A 2000-12-19 2001-12-11 Method for making a multielement acoustic probe using a metallised and ablated polymer as ground plane Withdrawn EP1345706A1 (en)

Applications Claiming Priority (3)

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FR0016594 2000-12-19
PCT/FR2001/003931 WO2002049775A1 (en) 2000-12-19 2001-12-11 Method for making a multielement acoustic probe using a metallised and ablated polymer as ground plane

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WO (1) WO2002049775A1 (en)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7449821B2 (en) * 2005-03-02 2008-11-11 Research Triangle Institute Piezoelectric micromachined ultrasonic transducer with air-backed cavities
US9445211B2 (en) * 2005-04-11 2016-09-13 St. Jude Medical, Atrial Fibrillation Division, Inc. Methods for manufacturing high intensity ultrasound transducers
US8030824B2 (en) 2005-08-08 2011-10-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. Wide bandwidth matrix transducer with polyethylene third matching layer
KR101031010B1 (en) * 2008-10-29 2011-04-25 삼성메디슨 주식회사 Pcb and probe therewith
CN102736756A (en) * 2011-03-31 2012-10-17 汉王科技股份有限公司 Piezoelectric transducer and assembling method of same
US10710116B2 (en) * 2017-09-21 2020-07-14 General Electric Company Methods and systems for manufacturing an ultrasound probe
CN113011264B (en) * 2021-02-22 2024-02-02 业泓科技(成都)有限公司 Identification sensing structure, fingerprint identification component and terminal

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4385255A (en) * 1979-11-02 1983-05-24 Yokogawa Electric Works, Ltd. Linear array ultrasonic transducer
EP0040374A1 (en) * 1980-05-21 1981-11-25 Siemens Aktiengesellschaft Ultrasonic transducer and method of manufacturing the same
EP0176030B1 (en) * 1984-09-26 1992-04-29 TERUMO KABUSHIKI KAISHA trading as TERUMO CORPORATION Ultrasonic transducer and method of manufacturing same
JP3151644B2 (en) * 1993-03-08 2001-04-03 日本碍子株式会社 Piezoelectric / electrostrictive film type element
CA2139151A1 (en) * 1994-01-14 1995-07-15 Amin M. Hanafy Two-dimensional acoustic array and method for the manufacture thereof
US5497540A (en) * 1994-12-22 1996-03-12 General Electric Company Method for fabricating high density ultrasound array
FR2740933B1 (en) * 1995-11-03 1997-11-28 Thomson Csf ACOUSTIC PROBE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
FR2756447B1 (en) * 1996-11-26 1999-02-05 Thomson Csf MULTIPLE ELEMENT ACOUSTIC PROBE COMPRISING A COMMON MASS ELECTRODE
US5844349A (en) * 1997-02-11 1998-12-01 Tetrad Corporation Composite autoclavable ultrasonic transducers and methods of making
FR2779575B1 (en) * 1998-06-05 2003-05-30 Thomson Csf MULTI-PIECE ACOUSTIC PROBE COMPRISING A CONDUCTIVE COMPOSITE FILM AND MANUFACTURING METHOD
FR2789822B1 (en) * 1999-02-12 2001-06-08 Thomson Csf SURFACE WAVE DEVICE CONNECTED TO A BASE WITH A CONDUCTIVE ADHESIVE
FR2799883B1 (en) * 1999-10-15 2003-05-30 Thomson Csf METHOD OF ENCAPSULATING ELECTRONIC COMPONENTS

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See references of WO0249775A1 *

Also Published As

Publication number Publication date
FR2818170B1 (en) 2003-03-07
JP2004526345A (en) 2004-08-26
FR2818170A1 (en) 2002-06-21
CN1481284A (en) 2004-03-10
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