EP0644558B2 - Structure d'isolement pour câble - Google Patents

Structure d'isolement pour câble Download PDF

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EP0644558B2
EP0644558B2 EP94402087A EP94402087A EP0644558B2 EP 0644558 B2 EP0644558 B2 EP 0644558B2 EP 94402087 A EP94402087 A EP 94402087A EP 94402087 A EP94402087 A EP 94402087A EP 0644558 B2 EP0644558 B2 EP 0644558B2
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matrix
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layer
structure according
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Madeleine Prigent
Hakim Janah
Robert Gadessaud
José Bezille
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B9/00—Power cables
    • H01B9/02—Power cables with screens or conductive layers, e.g. for avoiding large potential gradients
    • H01B9/027—Power cables with screens or conductive layers, e.g. for avoiding large potential gradients composed of semi-conducting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B9/00—Power cables
    • H01B9/02—Power cables with screens or conductive layers, e.g. for avoiding large potential gradients

Definitions

  • the present invention relates to a structure insulation for medium, high and very high cables voltage carrying direct or alternating current.
  • These cables are generally made up of a conductive core surrounded by an isolation structure which is coaxial to it.
  • This structure includes minus a first semiconductor layer placed at the contact of the cable core, itself surrounded by a second electrically insulating layer, in turn covered by a third semiconductor layer.
  • Other outer layers are used to protect the cable.
  • the insulating layer is usually based high density or low density polyethylene, polyethylene crosslinked, or even terpolymer of ethylenepropylene-diene to the main methylene chain (EPDM).
  • Semiconductor layers are generally composed of a polar matrix, most often a copolymer of ethylene and alkyl acrylate, which is charged with carbon black.
  • the amount of charge varies depending on the nature of the carbon black used.
  • the proportion of filler is generally between 28% and 40%.
  • the dielectric strength of such a cable is very linked to the quality of the interface between the semiconductor layer and the insulating layer.
  • the slightest roughness in level of this interface can cause strengthening of the electric field and lead to breakdown and the perforation of the insulating layer.
  • the matrix of semiconductor layers high voltage cables currently marketed is generally based on a polymer high melt index or melt index of around 17 (A high "melt index” is the sign of the presence of low molar masses, it is measured according to standards ASTM reference D1238 or NFT 51-016), and having a very wide distribution in molar masses. But we found in the insulating layer, near semiconductor layers, the appearance of charges of space whose accumulation leads to deterioration dielectric strength of the insulation up to breakdown.
  • Some semiconductor manufacturers use apolar matrices based on a copolymer of ethylene (EPR: thermoplastic ethylene-propylene elastomer, or EPDM: ethylene-propylene-diene terpolymer to main chain methylene), to which they add oils or plasticizers to facilitate obtaining a good surface condition of the layer semiconductor. These oils or plasticizers diffuse in the insulating layer and create at the interface between the semiconductor layer and the insulating layer, where the electric field is the highest, a region lower dielectric strength.
  • EPR thermoplastic ethylene-propylene elastomer
  • EPDM ethylene-propylene-diene terpolymer to main chain methylene
  • the object of the present invention is to provide an insulation structure for medium, high cables, and very high voltage carrying direct current or AC, having dielectric characteristics more stable over time than those known up to present.
  • the object of the present invention is a structure insulation for cable comprising at least one first contiguous and coaxial semiconductor layer at the core of the cable, surrounded by a second layer electrically insulating, itself covered by a third semiconductor layer.
  • Semiconductor layers consist exclusively of a matrix containing only apolar polymers of molar mass greater than 1000, and a conductive charge.
  • the components of the matrix have a molecular weight greater than 5000.
  • the semiconductor layers contain low molecular weight compounds or additives, like oils or plasticizers, these compounds migrate into the insulating layer. This phenomenon has as a consequence the formation of space charges which will cause electric field strengthening and can later lead to breakdowns.
  • This field reinforcement is linked to the amount of loads trained but also their mobility: a quantity of uniformly distributed charges giving no field reinforcement as important as the same amount of localized charges. This migration may occur during implementation or at during cable operation.
  • a semiconductor layer of composition according to the invention comprising only high molecular weight compounds, prevents migration of species in the insulating layer and thereby the accumulation of space charges near the interfaces.
  • the polymers are chosen from polyethylene, polypropylene, polystyrene, and their copolymers, alloys polymers chosen from polyethylene, polypropylene, polystyrene, and their copolymers, and mixtures of the compounds chosen from polyethylene, polypropylene, polystyrene, their copolymers, and the alloys previously mentioned.
  • the polymers are chosen from thermoplastic elastomers polyolefins and their mixtures.
  • the present invention has the advantage of stabilizing the dielectric characteristics of the structure isolation by suppressing compound migration of low molar mass. As a result, the quality of the interface between the different layers becomes a parameter less critical.
  • the filler is a carbon black containing the less possible impurities.
  • the pressure wave test is carried out at using the installation shown in Figure 1. This test assesses the strengthening of the electric field in an isolation structure.
  • the installation shown in Figure 1 is consists of a 10 "YAg" laser whose beam is sent on a target 11 corresponding to sample 1 of which each semiconductor constitutes an electrode (+) and (-).
  • This beam absorbed at the surface of the electrode 2 (-) decomposes this surface by pyrolysis, and the gases emitted cause a pressure wave to pass through the sample.
  • This wave modulates the image charges on the electrodes and gives access to the charge density volume in the sample.
  • a photodiode 12 makes it possible to synchronize a detector 13 with laser 10.
  • the circuit is electrically powered by a high voltage power supply 14 provided resistance 15.
  • the data recorded are transferred to be processed by a computer 16 and represented as a function of time on a graphic recorder 17.
  • the laser 10 sends a wave to the target 11 causing space charges to appear and modification of the distribution of the electric field which then is measured by the detector 13.
  • a sample similar to that described in example 4 is prepared but by adding to the matrix semiconductor layers, paraffinic oil at a rate of 5% by weight relative to the matrix.

Description

La présente invention concerne une structure d'isolement pour câble moyenne, haute, et très haute tension transportant du courant continu ou alternatif.
Ces câbles sont généralement constitués d'une âme conductrice entourée d'une structure d'isolement qui lui est coaxiale. Cette structure comporte au moins une première couche semi-conductrice placée au contact de l'âme du câble, elle-même entourée d'une deuxième couche électriquement isolante, à son tour recouverte par une troisième couche semi-conductrice. D'autres couches extérieures servent à la protection du câble.
La couche isolante est habituellement à base de polyéthylène haute densité ou basse densité, de polyéthylène réticulé, ou bien encore de terpolymère d'éthylènepropylène-diène à chaíne principale méthylène (EPDM).
Les couches semi-conductrices sont en général composées d'une matrice polaire, le plus souvent un copolymère d'éthylène et d'acrylate d'alkyl, qui est chargée par du noir de carbone. La quantité de charge varie suivant la nature du noir de carbone utilisé. Pour un noir d'acétylène ou un noir au four, la proportion de charge est généralement comprise entre 28% et 40%.
La rigidité diélectrique d'un tel câble est très liée à la qualité de l'interface entre la couche semi-conductrice et la couche isolante. La moindre aspérité au niveau de cette interface peut provoquer un renforcement du champ électrique et conduire au claquage et à la perforation de la couche isolante.
Pour obtenir lors de l'extrusion une interface aussi lisse que possible, la matrice des couches semi-conductrices des câbles haute tension actuellement commercialisés est généralement à base d'un polymère d'indice de fluidité ou "melt index" élevé de l'ordre de 17 (Un "melt index" élevé est le signe de la présence de faibles masses molaires, il est mesuré suivant les normes ASTM référence D1238 ou NFT 51-016), et possédant une distribution très large en masses molaires. Mais on a constaté dans la couche isolante, à proximité des couches semi-conductrices, l'apparition de charges d'espace dont l'accumulation entraine une détérioration de la tenue diélectrique de l'isolant pouvant aller jusqu'au claquage.
Certains fabricants de semi-conducteurs utilisent des matrices apolaires à base d'un copolymère de l'éthylène (EPR: élastomère thermoplastique d'éthylène-propylène, ou EPDM: terpolymère d'éthylène-propylène-diène à chaíne principale méthylène), auxquelles ils ajoutent des huiles ou des plastifiants pour faciliter l'obtention d'un bon état de surface de la couche semi-conductrice. Or ces huiles ou plastifiants diffusent dans la couche isolante et créent au niveau de l'interface entre la couche semi-conductrice et la couche isolante, où le champ électrique est le plus élevé, une région de plus faible rigidité diélectrique.
La présente invention a pour but de procurer une structure d'isolement pour câble moyenne, haute, et très haute tension transportant du courant continu ou alternatif, présentant des caractéristiques diélectriques plus stables au cours du temps que celles connues jusqu'à présent.
L'objet de la présente invention est une structure d'isolement pour câble comportant au moins une première couche semi-conductrice contigüe et coaxiale à l'âme du câble, entourée d'une deuxième couche électriquement isolante, elle-même recouverte par une troisième couche semi-conductrice. Les couches semi-conductrices sont composées exclusivement d'une matrice ne comportant que des polymères apolaires de masse molaire supérieure à 1000, et d'une charge conductrice.
De préférence, les composants de la matrice ont une masse moléculaire supérieure à 5000.
Si les couches semi-conductrices contiennent des composés de faibles masses molaires ou des additifs, comme des huiles ou des plastifiants, ces composés migrent dans la couche isolante. Ce phénomène a pour conséquence la formation de charges d'espaces qui vont provoquer des renforcement de champ électrique et peuvent conduire ultérieurement à des claquages. Ce renforcement de champ est lié à la quantité de charges formées mais également à leur mobilité: une quantité de charges uniformément réparties ne donnant pas de renforcement de champ aussi important que la même quantité de charges localisées. Cette migration peut se produire au cours de la mise en oeuvre ou au cours du fonctionnement du câble.
L'emploi d'une couche semi-conductrice de composition selon l'invention ne comportant que des composés de masse molaire élevée, empêche la migration d'espèces dans la couche isolante et par là même l'accumulation de charges d'espace à proximité des interfaces.
Selon une première variante de réalisation, les polymères sont choisis parmi le polyéthylène, le polypropylène, le polystyrène, et leurs copolymères, les alliages de polymères choisis parmi le polyéthylène, le polypropylène, le polystyrène, et leurs copolymères, et les mélanges des composés choisis parmi le polyéthylène, le polypropylène, le polystyrène, leurs copolymères, et les alliages précédemment cités.
Selon une deuxième variante de réalisation, les polymères sont choisis parmi les élastomères thermoplastiques polyoléfiniques et leurs mélanges.
Du choix des polymères constituants la matrice dépendra la qualité de son interface avec la couche isolante et les propriétés mécaniques de la couche semi-conductrice obtenue, sans nécessiter le recours à des additifs.
La présente invention a pour avantage de stabiliser les caractéristiques diélectriques de la structure d'isolement en supprimant la migration des composés de faible masse molaire. En conséquence, la qualité de l'interface entre les différentes couches devient un paramètre moins critique.
La charge est un noir de carbone contenant le moins possible d'impuretés. On peut utiliser un noir au four ou un noir "KETJEN", mais on choisira de préférence, un noir d'acétylène qui est beaucoup plus pur.
D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention apparaitront à la lecture des exemples suivants, donnés bien entendu à titre illustratif et non limitatif, et en référence au dessin annexé dans lequel:
  • la figure 1 montre le schéma général de l'installation d'essai de l'onde de pression,
  • la figure 2 représente une vue de dessus de l'échantillon de la structure d'isolement pour l'essai de l'onde de pression,
  • la figure 3 une coupe schématique de l'échantillon de la figure 2.
L'essai de l'onde de pression est effectué à l'aide de l'installation représentée sur la figure 1. Ce test permet d'évaluer le renforcement du champ électrique dans une structure d'isolement.
Un échantillon 1 de la structure d'isolement pour l'essai de l'onde de pression est représenté vue de dessus sur la figure 2 et en coupe sur la figure 3. Sur une surface circulaire de diamètre A 20mm, on trouve superposées:
  • une première couche 2 semi-conductrice d'épaisseur B 0,5mm,
  • une deuxième couche 3 électriquement isolante d'épaisseur C 0,8mm,
  • une troisième couche 4 semi-conductrice identique à la couche 2.
L'installation représentée sur la figure 1, se compose d'un laser 10 "YAg" dont le faisceau est envoyé sur une cible 11 correspondant à l'échantillon 1 dont chaque semiconducteur constitue une électrode (+) et (-). Ce faisceau absorbé en surface de l'électrode 2 (-) décompose cette surface par pyrolyse, et les gaz émis provoquent une onde de pression qui traverse l'échantillon. Cette onde module les charges-images sur les électrodes et donne accès à la densité de charge volumique dans l'échantillon.
Une photodiode 12 permet de synchroniser un détecteur 13 au laser 10. Le circuit est alimenté électriquement par une alimentation haute tension 14 munie d'une résistance 15. Les données enregistrées sont transférées pour être traitées par un ordinateur 16 et représentées en fonction du temps sur un enregisteur graphique 17. Le laser 10 envoie une onde sur la cible 11 provoquant l'apparition de charges d'espace et la modification de la répartition du champ électrique qui alors est mesurée par le détecteur 13.
EXEMPLE 1
On réalise un échantillon de la structure d'isolement selon l'art antérieur, analogue à l'échantillon représenté sur la figure 2, comportant:
  • une première couche semi-conductrice composée d'une matrice polaire à base d'un copolymère d'éthylène et d'acrylate d'alkyl dont le "melt index" a pour valeur 8 et dont la teneur en ester est de 20%, à laquelle est ajoutée une charge de noir d'acétylène dans une proportion de 66 parts en poids par rapport à 100 parts de la matrice,
  • une deuxième couche électriquement isolante composée d'un élastomère thermoplastique oléfinique,
  • une troisième couche semi-conductnce identique à la première couche.
Cet échantillon est alors soumis à l'essai d'onde de pression à l'aide de l'installation représentée sur la figure 1. On constate l'apparition dans des proportions importantes de chargés négatives à la cathode 2. Le renforcement du champ est alors supérieur à 20% et les charges restent piégées dans le matériau plusieurs heures après la coupure de la tension.
EXEMPLE 2
On réalise un échantillon de la structure d'isolement selon l'art antérieur, analogue à l'échantillon représenté sur la figure 2, comportant:
  • une première couche semi-conductrice composée d'une matrice polaire à base d'un copolymère d'éthylène et d'acrylate d'alkyl dont le "melt index" a pour valeur 8 et dont la teneur en ester est de 20%, à laquelle est ajoutée une charge de noir d'acétylène dans une proportion de 66 parts en poids par rapport à 100 parts de la matrice,
  • une deuxième couche électriquement isolante composée d'un polyéthylène réticulé chimiquement (PRC),
  • une troisième couche semi-conductrice identique à la première couche.
Cet échantillon est alors soumis à l'essai d'onde de pression à l'aide de l'installation représentée sur la figure 1. On constate l'apparition dans des propor-tions importantes de charges négatives à proximité de la cathode 2 et qui restent piégées dans la matrice de la couche isolante après coupure de la tension. Le renforcement du champ est supérieur à 20%.
EXEMPLE 3
On réalise un échantillon de la structure d'isolement selon l'invention, analogue à l'échantillon représenté sur la figure 2, comportant:
  • une première couche semi-conductrice composée d'une matrice apolaire à laquelle est ajoutée une charge de noir d'acétylène dans une proportion de 66 parts en poids par rapport à 100 parts de la matrice; la matrice contient d'une part 20% de polyéthylène (PE) dont le "melt index" a pour valeur 2 et dont la masse molaire est comprise entre 103 et 107 et centrée sur 1.1.106, et d'autre part 80% d'un copolymère d'éthylène et de propylène contenant environ 50% en poids d'éthylène dont la viscosité "MOONEY" (mesurée selon la norme NFT 43005) est de l'ordre de 40 et dont la masse molaire est comprise entre 103 et 107 et centrée sur 1,2.105,
  • une deuxième couche électriquement isolante composée d'un polyéthylène réticulé chimiquement (PRC),
  • une troisième couche semi-conductrice identique à la première couche.
Cet échantillon est alors soumis à l'essai d'onde de pression à l'aide de l'installation représentée sur la figure 1. Le renforcement du champ électrique est inférieur à 10%, et après coupure de la tension il ne subsiste pas de charges piégées dans le matériau isolant.
EXEMPLE 4
On réalise un échantillon de la structure d'isolement selon l'invention, analogue à l'échantillon représenté sur la figure 2, comportant:
  • une première couche semi-conductrice composée d'une matrice apolaire à laquelle est ajoutée une charge de noir d'acétylène dans une proportion de 66 parts en poids par rapport à 100 parts de la matrice; la matrice contient d'une part 20% de polyéthylène (PE) dont le "melt index" a pour valeur 2 et dont la masse molaire est centrée sur 1,1.106, et d'autre part 80% d'un copolymère d'éthylène et de propylène contenant environ 50% en poids d'éthylène dont la viscosité "MOONEY" (selon la norme NFT 43005) est de l'ordre de 40 et dont la masse molaire est comprise entre 103 et 107 et centrée sur 1,2.105,
  • une deuxième couche électriquement isolante composée d'un élastomère thermoplastique oléfinique,
  • une troisième couche semi-conductrice identique à la première couche.
Cet échantillon est alors soumis à l'essai d'onde de pression à l'aide de l'installation représentée sur la figure 1. Le renforcement du champ électrique est inférieur à 10%, et après coupure de la tension il ne subsiste pas de charges piégées dans le matériau isolant.
EXEMPLE 5 Comparaison
Un échantillon analogue à celui décrit dans l'exemple 4 est préparé mais en ajoutant à la matrice des couches semi-conductrices, une huile paraffinique à raison de 5% en poids par rapport à la matrice.
Cet échantillon est alors soumis à l'essai d'onde de pression à l'aide de l'installation représentée sur la figure 1. Le renforcement du champ dans ce cas est de 140%.

Claims (5)

  1. Structure d'isolement pour câble comportant au moins une première couche semi-conductrice contigüe et coaxiale à l'âme du câble, entourée d'une deuxième couche électriquement isolante, elle-même recouverte par une troisième couche semi-conductrice, caractérisée par le fait que lesdites couches semi-conductrices sont composées exclusivement d'une matrice ne comportant que des polymères apolaires, de masse molaire supérieure à 1000, et d'une charge conductrice.
  2. Structure selon la revendication 1, dans laquelle les composants de ladite matrice ont une masse molaire supérieure à 5000.
  3. Structure selon l'une des revendications 1 et 2, dans laquelle ladite matrice est choisie parmi le polyéthylène, le polypropylène, le polystyrène, et leurs copolymères, les alliages de polymères choisis parmi le polyéthylène, le polypropylène, le polystyrène, et leurs copolymères, et les mélanges des composés précédemment cités.
  4. Structure selon l'une des revendications 1 et 2, dans laquelle ladite matrice est choisie parmi les élastomères, thermoplastiques polyoléfiniques et leurs mélanges.
  5. Structure selon l'une des revendications précédentes, dans laquelle ladite charge est du noir d'acétylène.
EP94402087A 1993-09-21 1994-09-20 Structure d'isolement pour câble Expired - Lifetime EP0644558B2 (fr)

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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004178867A (ja) * 2002-11-25 2004-06-24 Mitsubishi Cable Ind Ltd 電力ケーブル
EP1978040B1 (fr) 2004-09-10 2015-06-17 Borealis Technology Oy Composition polymère semi-conductrice
JP4866545B2 (ja) * 2004-12-03 2012-02-01 株式会社フジクラ ケーブルおよび撚合せ型ケーブル
CH698074B1 (de) * 2005-11-11 2009-05-15 Studer Ag Draht & Kabelwerk Mehrleiterkabel für die Übertragung von rechteckig verlaufenden Wechselströmen.
EP2711934B1 (fr) * 2012-09-25 2018-07-11 Nexans Isolation multicouche de silicone pour câble électrique

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54115798A (en) † 1978-03-01 1979-09-08 Fujikura Ltd Semiconductive composition for power cable
JPS5562610A (en) † 1978-10-31 1980-05-12 Dainichi Nippon Cables Ltd Power cable
JPS57199108A (en) † 1981-06-01 1982-12-07 Showa Electric Wire & Cable Co Crosslinked polyethylene insulated power cable
WO1993004486A1 (fr) † 1991-08-15 1993-03-04 Exxon Chemical Patents Inc. Dispositifs electriques possedant des elements semi-conducteurs ou isolants polymeres
EP0389611B1 (fr) † 1988-09-30 1997-06-04 Exxon Chemical Patents Inc. Melanges lineaires d'interpolymeres ethyleniques a distribution etroite de leur poids moleculaire et de leur composition

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57126004A (en) * 1981-01-30 1982-08-05 Nippon Unicar Co Ltd Semiconductive polyolefin composition and cable using same
JP3081218B2 (ja) * 1990-06-22 2000-08-28 財団法人電力中央研究所 ポリオレフィン絶縁ケーブルの半導電層界面改良方法
JP4056009B2 (ja) * 2000-01-31 2008-03-05 東芝テック株式会社 インライン型ポンプ

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54115798A (en) † 1978-03-01 1979-09-08 Fujikura Ltd Semiconductive composition for power cable
JPS5562610A (en) † 1978-10-31 1980-05-12 Dainichi Nippon Cables Ltd Power cable
JPS57199108A (en) † 1981-06-01 1982-12-07 Showa Electric Wire & Cable Co Crosslinked polyethylene insulated power cable
EP0389611B1 (fr) † 1988-09-30 1997-06-04 Exxon Chemical Patents Inc. Melanges lineaires d'interpolymeres ethyleniques a distribution etroite de leur poids moleculaire et de leur composition
WO1993004486A1 (fr) † 1991-08-15 1993-03-04 Exxon Chemical Patents Inc. Dispositifs electriques possedant des elements semi-conducteurs ou isolants polymeres

Also Published As

Publication number Publication date
DE69418804D1 (de) 1999-07-08
JP3658018B2 (ja) 2005-06-08
CN1108789A (zh) 1995-09-20
DK0644558T3 (da) 1999-12-13
EP0644558A1 (fr) 1995-03-22
DE69418804T2 (de) 1999-12-09
JPH07169324A (ja) 1995-07-04
CN1122285C (zh) 2003-09-24
DE69418804T3 (de) 2004-04-01
KR100323179B1 (ko) 2002-06-27
EP0644558B1 (fr) 1999-06-02
DK0644558T4 (da) 2003-09-22
FR2710447B1 (fr) 1995-11-10
FR2710447A1 (fr) 1995-03-31
KR950009752A (ko) 1995-04-24

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