EP0539328A1 - Verfahren zur Kornfeinung von Aluminium-Gusslegierungen, insbesondere Aluminium-Silizium-Gusslegierungen - Google Patents

Verfahren zur Kornfeinung von Aluminium-Gusslegierungen, insbesondere Aluminium-Silizium-Gusslegierungen Download PDF

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Definitions

  • the invention relates to a method for grain refinement of cast aluminum alloys, in particular cast aluminum-silicon alloys, by nucleating additives of phosphorus-containing substances to the melt.
  • a coarse-grained structure can occur with aluminum alloys, which has lower strength and ductility than fine-grained structure.
  • Nucleating additives to the melt can be used to achieve a fine-grained structure with better mechanical properties and improved castability.
  • the added grain refining agents react in the melt after complex processes and act as foreign germs.
  • Grain refinement in hypereutectic aluminum-silicon alloys is achieved by adding phosphorus. This is the refinement of the primarily excreted silicon by aluminum phosphide nuclei.
  • the phosphorus is added as phosphorus pentachloride, in the form of red phosphorus and hexachloroethane-containing preparations or as copper or iron phosphide.
  • hypoeutectic and eutectic aluminum-silicon alloys a so-called refinement of the lamellar or granular eutectic structure results in a finely formed eutectic.
  • the refinement is carried out by adding sodium or strontium to the melt and finishes the eutectically excreted silicon.
  • the rate of cooling and the presence of certain elements in low concentrations are decisive for the appearance of the lamellar or granular structure.
  • a low phosphorus content is decisive for the granular structure.
  • gallium phosphide and / or indium phosphide is added to the melt.
  • the addition of gallium phosphide and / or indium phosphide is preferably carried out in an amount which corresponds to an addition of 1 to 250 ppm of phosphorus based on the melt.
  • an amount of about 1 to 30 ppm phosphorus is sufficient.
  • a higher amount is required, which also increases with increasing silicon content in accordance with the availability of a higher number of germs.
  • it is preferably between about 30 and 150 ppm phosphorus and, for piston alloys with a silicon content of about 13 to 17% by weight, is, for example, 70 to 80 ppm phosphorus.
  • Gallium phosphide and / or indium phosphide can be added to the melt in the known ways of adding grain refining agents, for example in pure form or in the form of gallium phosphide and / or indium phosphide-containing substances as tablets or as a master alloy in wire or ingot form.
  • An aluminum-gallium-phosphide and / or aluminum-indium-phosphide or an aluminum-silicon-gallium-phosphide and / or aluminum-silicon-indium-phosphide alloy can be used as the master alloy, and the master alloy can also be produced by powder metallurgy.
  • the proportion of gallium phosphide and / or indium phosphide in the master alloy is preferably between approximately 0.3 and 50% by weight, in particular between approximately 1 and 10% by weight.
  • aluminum-silicon casting alloys are understood to mean aluminum casting alloys with silicon as the main alloy element.
  • the term aluminum-silicon cast alloys therefore also includes alloys with other alloying elements, special additives and commercially available impurities and includes both primary and remelting alloys.
  • the silicon content of aluminum-silicon cast alloys is between about 2 and 25% by weight, depending on the area of application.
  • the average particle diameter was 60 ⁇ m for the alloy without GaP addition and 21 ⁇ m for the alloy with GaP addition.

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Abstract

Zur Kornfeinung von Aluminium-Gusslegierungen, insbesondere Aluminium-Silizium-Gusslegierungen, wird der Schmelze, gegebenenfalls neben weiteren Kornfeinungs- und/oder Veredelungszusätzen, Galliumphosphid und/oder Indiumphosphid zugesetzt. Die Zugabe von Galliumphosphid und/oder Indiumphosphid führt zu einer guten Kornfeinung bei geringer Lunkerneigung und hat keinen negativen Einfluss auf Veredelungsvorgänge.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Kornfeinung von Aluminium-Gusslegierungen, insbesondere Aluminium-Silizium-Gusslegierungen, durch keimbildende Zusätze phosphorhaltiger Substanzen zur Schmelze.
  • Je nach Erstarrungstyp und Erstarrungsablauf kann bei Aluminiumlegierungen ein grobkörniges Gefüge auftreten, welches geringere Festigkeit und Duktilität aufweist als feinkörniges Gefüge. Durch keimbildende Zusätze zur Schmelze kann ein feinkörniges Gefüge mit besseren mechanischen Eigenschaften und verbesserter Giessbarkeit erzielt werden. Die zugesetzten Kornfeinungsmittel reagieren in der Schmelze nach komplexen Vorgängen und wirken als Fremdkeime.
  • Die Kornfeinung bei übereutektischen Aluminium-Silizium-Legierungen erfolgt durch Phosphorzusatz. Es handelt sich hierbei um die Feinung des primär ausgeschiedenen Siliziums durch Aluminiumphosphidkeime. Der Phosphorzusatz erfolgt als Phosphorpentachlorid, in Form von roten Phosphor und Hexachlorethan enthaltenden Präparaten oder als Kupfer- bzw. Eisenphosphid.
  • Bei untereutektischen und eutektischen Aluminium-Silizium-Legierungen wird durch die sog. Veredelung des lamellaren oder körnigen eutektischen Gefüges ein fein ausgebildetes Eutektikum erreicht. Die Veredelung erfolgt durch Zusatz von Natrium oder Strontium zur Schmelze und bewirkt eine Feinung des eutektisch ausgeschiedenen Siliziums. Entscheidend für das Auftreten der lamellaren bzw. körnigen Gefügestruktur sind die Abkühlungsgeschwindigkeit und das Vorhandensein bestimmter Elemente in geringer Konzentration. So ist für das körnige Gefüge ein geringer Phosphorgehalt massgebend.
  • Die Zugabe von Phosphor zur Schmelze in Form von Phosphorpentachlorid oder roten Phosphor enthaltenden Präparaten führt nicht immer zur gewünschten Feinkörnigkeit des Siliziums. Ein Zusatz als Kupfer- oder Eisenphosphid ist dann nicht möglich, wenn Kupfer bzw. Eisen als Begleitelemente unerwünscht sind.
  • Angesichts dieser Gegebenheiten hat sich der Erfinder das Ziel gesetzt, ein Verfahren der eingangs erwähnten Art zu schaffen, welches die genannten Nachteile nicht aufweist.
  • Zur erfindungsgemässen Lösung der Aufgabe führt, dass der Schmelze Galliumphosphid und/oder Indiumphosphid zugesetzt wird.
  • Es hat sich gezeigt, dass durch die Zugabe von Galliumphosphid und/oder Indiumphosphid eine erheblich verbesserte Kornfeinungswirkung sowohl bezüglich der primär ausgeschiedenen Siliziumpartikel bei übereutektischen als auch der eutektisch ausgeschiedenen Siliziumpartikel bei untereutektischen und eutektischen Legierungen erzielt wird, was zu einer wesentlichen Verbesserung der Giessbarkeit und der mechanischen Eigenschaften der Legierungen führt.
  • Zur Sicherstellung des gewünschten Kornfeinungseffekts erfolgt der Zusatz von Galliumphosphid und/oder Indiumphosphid bevorzugt in einer Menge, die einer auf die Schmelze bezogenen Zugabe von 1 bis 250 ppm Phosphor entspricht. Hierbei genügt bei untereutektischen und eutektischen Legierungen bereits eine Menge von etwa 1 bis 30 ppm Phosphor. Bei übereutektischen Legierungen ist eine höhere Menge erforderlich, die mit steigendem Siliziumgehalt entsprechend der Verfügbarkeit einer höheren Keimzahl ebenfalls ansteigt. Sie liegt in der Praxis bevorzugt zwischen etwa 30 und 150 ppm Phosphor und beträgt bei Kolbenlegierungen mit einem Siliziumgehalt von etwa 13 bis 17 Gew.-% beispielsweise 70 bis 80 ppm Phosphor.
  • Es hat sich herausgestellt, dass der Zusatz von Galliumphosphid und/oder Indiumphosphid zu anderen Kornfeinungs- und/oder Veredelungszusätzen eine additive Wirkung zeigt und insbesondere Veredelungsvorgänge nicht störend beeinflusst.
  • Die Zugabe von Galliumphosphid und/oder Indiumphosphid zur Schmelze kann auf die bekannten Arten der Zugabe von Kornfeinungsmitteln erfolgen, also beispielsweise in reiner Form oder in Form Galliumphosphid- und/oder Indiumphosphid-haltiger Substanzen als Tabletten oder als Vorlegierung in Draht- oder Masselform. Als Vorlegierung kann eine Aluminium-Galliumphosphid- und/oder Aluminium-Indiumphosphid- oder eine Aluminium-Silizium-Galliumphosphid- und/oder Aluminium-Silizium-Indium-phosphid-Legierung eingesetzt werden, wobei die Vorlegierung auch auf pulvermetallurgischem Weg hergestellt sein kann. Der Anteil an Galliumphosphid und/oder Indiumphosphid in der Vorlegierung liegt bevorzugt zwischen etwa 0,3 und 50 Gew.-%, insbesondere zwischen etwa 1 und 10 Gew.-%.
  • Unter Aluminium-Silizium-Gusslegierungen werden im Zusammenhang mit vorliegender Erfindung Aluminium-Gusslegierungen mit Silizium als Hauptlegierungselement verstanden. Der Begriff Aluminium-Silizium-Gusslegierungen beinhaltet somit auch Legierungen mit weiteren Legierungselementen, speziellen Zusätzen sowie handelsüblichen Verunreinigungen und umfasst sowohl Primär- als auch Umschmelzlegierungen. Der Siliziumgehalt von Aluminium-Silizium-Gusslegierungen liegt je nach Anwendungsgebiet zwischen etwa 2 und 25 Gew.-%.
  • Die Erfindung wird nachstehend anhand von zwei Beispielen näher erläutert.
  • Beispiel 1
  • In einem Induktionsofen wurden 70 kg einer Legierung des Typs AlSi17Cu4Mg mit der Zusammensetzung (Gew.-%)
    Si 16,2 Fe 0,2
    Cu 4,4 Ti 0,1
    Mg 0,6 Al Rest

    bei 760 °C erschmolzen. Zu einem Teil der Schmelze erfolgte eine Zugabe von 70 ppm P als GaP in reiner Form. Nach einer Abstehzeit von 90 min wurden beide Schmelzen zu Rundbolzen von 30 mm Durchmesser vergossen. Von den erhaltenen Bolzen wurden metallographische Schliffproben angefertigt und der Partikeldurchmesser der primär ausgeschiedenen Siliziumteilchen bestimmt.
  • Der durchschnittliche Partikeldurchmesser betrug bei der Legierung ohne GaP-Zusatz 60 µm, bei der Legierung mit GaP-Zusatz 21 µm.
  • Beispiel 2
  • In einem Induktionsofen wurden 40 kg einer Legierung des Typs AlSi12Mg(Sr) mit der Zusammensetzung (Gew.-%)
    Si 10,8 Sr 0,04
    Mg 0,2 Al Rest

    bei 730 °C erschmolzen. Zu einem Teil der Schmelze erfolgte eine Zugabe von 8 ppm P als GaP in reiner Form. Nach einer Abstehzeit von 60 min wurden von beiden Schmelzen 12 mm dicke Aufgussproben der Dimension 13 cm x 13 cm hergestellt. An den erhaltenen Proben wurde auf der Oberfläche der Partikeldurchmesser der eutektischen Körner bestimmt. Die durchschnittliche Korngrösse betrug bei der Legierung ohne GaP-Zusatz 2,7 mm, bei der Legierung mit GaP-Zusatz 0,7 mm.

Claims (10)

  1. Verfahren zur Kornfeinung von Aluminium-Gusslegierungen, insbesondere Aluminium-Silizium-Gusslegierungen, durch keimbildende Zusätze phosphorhaltiger Substanzen zur Schmelze,
       dadurch gekennzeichnet,
       dass der Schmelze Galliumphosphid und/oder Indiumphosphid zugeführt wird.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Zusatz von Galliumphosphid und/oder Indiumphosphid in einer auf die Schmelze bezogenen Menge entsprechend 1 bis 250 ppm Phosphor erfolgt.
  3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Zusatz bei untereutektischen und eutektischen Legierungen einer auf die Schmelze bezogenen Menge von 1 bis 30 ppm Phosphor entspricht.
  4. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Zusatz bei übereutektischen Legierungen einer auf die Schmelze bezogenen Menge von 30 bis 150 ppm Phosphor entspricht.
  5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass neben Galliumphosphid und/oder Indiumphosphid weitere Kornfeinungs- und/oder Veredelungszusätze zugegeben werden.
  6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass Galliumphosphid und/oder Indiumphosphid der Schmelze in reiner Form oder in Form Galliumphosphid- und/oder Indiumphosphid-haltiger Substanzen zugesetzt wird.
  7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass Galliumphosphid und/oder Indiumphosphid der Schmelze in Tablettenform zugesetzt wird.
  8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass Galliumphosphid und/oder Indiumphosphid der Schmelze als Aluminium-Galliumphosphid- und/oder Aluminium-Indiumphosphid- oder Aluminium-Silizium-Galliumphosphid- und/oder Aluminium-Silizium-indiumphosphid -Vorlegierung zugesetzt wird.
  9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass der Anteil an Galliumphosphid und/oder Indiumphosphid in der Vorlegierung 0,3 bis 50 Gew.-%, vorzugsweise 1 bis 10 Gew.-%, beträgt.
  10. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, dass der Zusatz von Galliumphosphid und/oder Indiumphosphid als Vorlegierung zur Schmelze in Draht- oder Masselform erfolgt.
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