EP0136317A1 - Optical structure filter and production method thereof - Google Patents

Optical structure filter and production method thereof

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Publication number
EP0136317A1
EP0136317A1 EP84900947A EP84900947A EP0136317A1 EP 0136317 A1 EP0136317 A1 EP 0136317A1 EP 84900947 A EP84900947 A EP 84900947A EP 84900947 A EP84900947 A EP 84900947A EP 0136317 A1 EP0136317 A1 EP 0136317A1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
filter layer
ions
pattern
different
filter
Prior art date
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Withdrawn
Application number
EP84900947A
Other languages
German (de)
French (fr)
Inventor
Günther Stangl
Friedrich RÜDENAUER
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
MITTERAUER Johannes
SZALMASSY Zoltan
Oesterreichisches Forschungszentrum Seibersdorf GmbH
Original Assignee
MITTERAUER Johannes
SZALMASSY Zoltan
Oesterreichisches Forschungszentrum Seibersdorf GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by MITTERAUER Johannes, SZALMASSY Zoltan, Oesterreichisches Forschungszentrum Seibersdorf GmbH filed Critical MITTERAUER Johannes
Publication of EP0136317A1 publication Critical patent/EP0136317A1/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof

Definitions

  • the invention relates to an optically structured Filter with substantially smooth surfaces, more particularly to an elaboration mask for the photolithographic production of microelectromechanical African components, with at least one pattern with differing cher transmission for the electromagnetic be filtered radia tion 'and a process for its preparation .
  • optically structured filters for electromagnetic radiation such as a work mask for the photolithographic manufacture of microelectronic components all require a large number of process steps, including both wet chemical development processes and etching processes, such as wet chemical etching, reactive plasma etching and "ion milling".
  • a radiation-transmissive carrier material primarily made of synthetic quartz glass
  • a layer of metal or metal oxide optically opaque for the desired wavelength range
  • a layer of photoresist with a thickness of applied at least 300 nm and the latter is exposed to wave radiation (ultraviolet or X-ray radiation) or a particle beam (electrons, ions) according to a given pattern.
  • wave radiation ultraviolet or X-ray radiation
  • a particle beam electros, ions
  • optically opaque layer is accessible at these points for a subsequent wet or plasma chemical etching treatment.
  • This removes the optically opaque layer locally, so that finally, after a third chemical process step (reactive plasma etching or wet chemical dissolving of the photoresist), in which the remaining, unexposed areas of the photoresist layer are removed, a work mask conforming to the original exposure pattern created from optically opaque material on an optically transparent carrier layer.
  • OMPI - * A part from the number of necessary steps ver ⁇ causes these are other adverse effects:
  • nbian ⁇ chemical etching is the undercutting, that the lateral expansion of corrosion below the etching liquid shielding patterned photoresist layer is relatively large, so that the lower limit of the thus achievable feature sizes is around 600-700 nm.
  • Plasma chemical etching methods almost do not have this disadvantage, but they cause optical diffraction effects when the mask is used in photolithographic methods as a result of an attack on the surface of the transparent carrier material which cannot be completely avoided.
  • the aim of the invention is to propose a method of the type mentioned at the outset which enables simple production of optically structured filters for electromagnetic radiation, in particular work masks, preferably with structure widths of less than 1 ⁇ m, and the disadvantages of the previously mentioned Avoids proceedings.
  • the object of the invention is to reduce the previously necessary number of process steps, in particular to avoid the previously necessary wet chemical or plasma chemical process steps with their inherent disadvantages, and on the other hand to produce optically structured filters with a largely smooth, unstructured surface in order to avoid the risk of contamination of the filter.
  • the filter layer which has a transmission that is locally homogeneous for the electromagnetic radiation to be filtered, for producing the pattern or patterns or the regions with different transmission according to the pattern to be generated, configuration (s) ions, preferably metal ions with an energy above 1keV, are implanted.
  • the ions penetrate into the filter layer based on the kinetic energy they are given, where they then remain stationary.
  • the desired permeability characteristic i.e. at those points where ions are implanted in the layer, zones / areas arise - with changed transmission for the electromagnetic radiation to be filtered de of a certain wavelength or in a certain wavelength range.
  • the inventive method there is an additional advantage that due to the short range scattered ions in solids (a few 10 n) the ions remain localized in the implanta tion in the immediate vicinity of their shooting location, so that practically no structure broadening in the ion receiving Filter layer occurs through scattering, as is the case, for example, in electron beam lithography through the formation of secondary electrons when a focused electron beam penetrates a photoresist layer. For this reason, it is possible in the method according to the invention , .... to produce structured filters, such as work masks for optical lithography, with a currently reasonable line width down to 200 nm.
  • the pattern is written with a bundled metal ion beam which is positioned or guided by electromagnetic deflection.
  • the beam of a field emission ion source can currently be bundled to a diameter of 40 nm in conventional systems. With such a beam, structures with a line width of approximately 50 nm can be produced in a simple manner.
  • Another advantage of the method in question is that by varying the implantation process, areas or patterns with different transmission can be generated for electromagnetic radiation with different wavelengths. This can be done, for example, by varying the ion dose and / or the ion energy. Another possible variation is to implant ions of different elements, molecular ions, as well as ions with different electrical solutions.
  • the filter layer come into consideration those substances which are sufficiently transparent to the radiation to be filtered and which change their transmission by ion implantation.
  • Homogeneous or easily homogeneous substances such as organic and inorganic polym (e.g. polyethyl methacrylate, silicones), organic and inorganic glasses (e.g. acrylic glass, synthetic quartz) are particularly suitable.
  • organic and inorganic polym e.g. polyethyl methacrylate, silicones
  • organic and inorganic glasses e.g. acrylic glass, synthetic quartz
  • monocrystalline or polycrystalline substances in particular oxides and nitrides (e.g. rock crystal, sapphire, silicon nitride) are suitable.
  • Metals with a low atomic number are suitable as a filter layer for filters in the low-energy X-ray range.
  • a particular advantage of the method in question is that thin work masks that adapt to the surfaces can be produced. With such work masks, contact lithographic processes can be implemented on non-flat surfaces.
  • the filter layer can be placed on a transparent base layer, e.g. for wavelengths below 400 nm on synthetic quartz.
  • a particularly suitable embodiment of the work masks according to the method in question has a filter layer with a max. 400 nm thickness ' , preferably 100 to 200 nm thick.
  • These filter layers are built up on carrier layers, for example made of synthetic quartz glass. Such filters are suitable for the UV and far UV range.
  • the surface of the filter layer is kept at a constant electrical potential during the implantation process. If the surface of the filter layer is not sufficiently electrically conductive, this can also be achieved by applying a thin electrically conductive layer, preferably a gold layer with a thickness of 3 to 20 nm, to the filter layer before the implantation process. It can be advantageous to remove this conductive layer after the implantation process.
  • FIG. 1 shows a detail of a filter produced according to the method in question.
  • the filter layer 1, made of an organic polymer (eg poly ethyl methacrylate) is built up on a carrier 2 made of synthetic quartz glass.
  • Fig. 1 shows the filter both in the top view and in section.
  • In the left part of the filter two patterns 4 with different geometrical arrangements are shown, which have different transmission from one another, but have uniform transmission in the pattern itself. On average you can see the different implantation depth.
  • In the right part of the filter two patterns 4 can be seen, each of which is composed of two areas 5 with different transmissions. Areas of different transmission differ in the iff implantation depth and particle concentration. This difference is achieved by varying the implantation parameters (eg ion type, ion energy, ion dose).
  • the ion implantation can be carried out in a manner known per se in that an ion beam 12 extracted from an ion source 11 is focused on a diameter by ion lenses 13 or a combination 13 of such lenses, which diameter is smaller than the smallest desired structure width of those mask regions 5 which are to be formed with a changed transmission.
  • This finely focused ion beam 15 is controlled by a likewise known electrical or magnetic deflection device 14 so that a pattern corresponding to the mask to be generated is implanted with the ion beam 15 in the filter layer 1.
  • the ion beam can remain fixed in its position and the pattern 4 or regions 5 can be generated by moving the filter layer 1 under the finely focused ion beam in such a way that the ions also enter the filter layer only in the pattern corresponding to the mask to be generated 1 can be implied.
  • a liquid metal field emission source is used as the ion source 11, a particularly high ion current can be focused in areas with a very small extent. As a result, masks of very small structure width can be produced in a particularly short time.
  • FIG. 3 shows another known possibility of carrying out the method according to the invention, in which, for implanting the pattern, an ion beam delivered by an ion source 11 is an unbundled or only weakly bundled, penetrating a scaled-up mask 16 12 is used.
  • This mask is projected as an image 18, enlarged or reduced, onto the polymer layer 1 using the imaging device 17.
  • a primary mask 16, usually made of metal, is first produced, which is only permeable to the ion beam 12 at the points corresponding to regions 5 or patterns 4 of the filter.
  • This primary mask 16 becomes Illuminated by an ion beam 1 of great extent, partial mask rays 19 emerging through the recesses of this mask, which are arranged in the form of the mask pattern and are focused on the filter layer 1 by known ion-optical imaging devices 17.
  • This ion-optical imaging enables the desired reduction or enlargement of the areas or patterns can be achieved in this way, the desired patterns can be produced particularly precisely on the work mask, and very thin structure widths can also be achieved.
  • FIG. 4 shows another possibility of carrying out the method according to the invention, which consists in bringing a mask 16, which carries the pattern to be inscribed on a scale of 1: 1, into contact with the filter layer 1 and then an unbundled one Ion beam 12 is exposed.
  • the filter layer 1 can be carried by a substrate 2.
  • work masks produced according to the invention are also suitable for the production of components of the integrated optics, for the production of one- and two-dimensional diffraction gratings for electromagnetic radiation and for the production of zone plates.
  • the method in question enables the production of very thin masks lying against non-flat surfaces if a very thin self-supporting, transparent film 1, e.g. up to 20 ⁇ m thick.
  • Filters of this type enable the production of structures even on non-flat surfaces according to the principle of contact lithography. It is possible to establish complete contact between the mask and the substrate coated with resist without great effort, which is not possible with the mask materials currently used. With such masks, contact lithography was carried out on cylindrical surfaces with radii of curvature less than 2 mm.

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Abstract

PCT No. PCT/AT84/00010 Sec. 371 Date Oct. 12, 1984 Sec. 102(e) Date Oct. 12, 1984 PCT Filed Feb. 27, 1984 PCT Pub. No. WO84/03571 PCT Pub. Date Sep. 13, 1984.The invention relates to an optically structured filter with predominantly smooth or planar surfaces. Such filters are used as primary masks for the photolithographically manufacturing microelectronic elements, having with at least one pattern with a different transmission in relation to an electromagnetic radiation to be filtered. A filter layer consists of a material of locally homogeneous transmission into which ions, preferably metal ions with an energy of more than 1 keV, are implanted for producing the pattern(s) with the different transmission. This makes it possible to produce filters having patterns with regions of different transmissions for various wave lengths. Suitable materials to be used for the filter layer are materials such as inorganic and organic polymers and glasses as well as mono- and polycrystalline oxides or nitrides. The ion implantation itself is carried out by means of process steps known per se.

Description

Optisch strukturiertes Filter und Verfahren zu dessen Herstellu Optically structured filter and process for its production
Die Erfindung bezieht sich auf ein optisch strukturiertes Filte mit weitgehend glatten Oberflächen, insbesondere auf eine Arbei maske für die photolithographische Herstellung von mikroelektro nischen Bauteilen, mit zumindest einem Muster mit unterschiedli cher Transmission für die zu filternde elektromagnetische Strah lung 'und ein Verfahren zu dessen Herstellung.The invention relates to an optically structured Filter with substantially smooth surfaces, more particularly to an elaboration mask for the photolithographic production of microelectromechanical African components, with at least one pattern with differing cher transmission for the electromagnetic be filtered radia tion 'and a process for its preparation .
Die bisher bekannten Verfahren zur Herstellung optisch struk¬ turierter Filter für elektromagnetische Strahlung, wie z.B. ein Arbeitsmaske zur photolithographischen Herstellung von mikro¬ elektronischen Bauteilen, erfordern allesamt eine Vielzahl von Verfahrensschritten unter Einbeziehung sowohl von naßchemischen Entwicklungsprozessen als auch von Ätzprozessen, wie etwa na߬ chemisches Ätzen, reaktives Plasmaätzen sowie "Ion-milling" .The previously known methods for producing optically structured filters for electromagnetic radiation, such as a work mask for the photolithographic manufacture of microelectronic components all require a large number of process steps, including both wet chemical development processes and etching processes, such as wet chemical etching, reactive plasma etching and "ion milling".
Bekannt sind Verfahren bei denen auf einem strahlendurchlässige Trägermaterial, vornehmlich aus synthetischem Quarzglas, zuerst eine für den gewünschten Wellenlängenbereich optisch undurch¬ lässige Schicht aus Metall bzw. Metalloxid mit einer Dicke von etwa 80-140 nm und darauf eine Schicht aus Photoresist mit eine Dicke von mindestens 300 nm aufgebracht und die letztere einer Wellenstrahlung (Ultraviolett- bzw. Röntgen- Strahlung) oder einem Teilchenstrahl (Elektronen, Ionen) entsprechend einem vor gegebenen Muster .ausgesetzt wird. Durch diesen Expositionsproze wird ein geändertes Verhalten der exponierten Bereiche des Photoresists gegenüber einem nachfolgenden naßchemischen Entwic lungsprozeß herbeigeführt, sodaß etwa im Falle eines als Positi resist bezeichneten Photoresists die vorher exponierten Bereich durch den Entwicklungsprozeß entfernt werden und die darunter-Methods are known in which, on a radiation-transmissive carrier material, primarily made of synthetic quartz glass, first a layer of metal or metal oxide, optically opaque for the desired wavelength range, with a thickness of approximately 80-140 nm and then a layer of photoresist with a thickness of applied at least 300 nm and the latter is exposed to wave radiation (ultraviolet or X-ray radiation) or a particle beam (electrons, ions) according to a given pattern. This exposure process brings about a change in the behavior of the exposed areas of the photoresist in relation to a subsequent wet-chemical development process, so that, for example in the case of a photoresist referred to as a positive resist, the previously exposed areas are removed by the development process and the areas underneath
i - Λfy- ,, W - IirPrOsj x,% ^NATlo$ liegende optisch undurchlässige Schicht an diesen Stellen für eine darauffolgende naß- oder plasmachemische Ätzbehandlung zugänglich wird. Durch diese wird die optisch undurchlässige Schicht örtlich entfernt, sodaß schließlich nach einem dritten chemischen Verfahrensschritt (reaktives Plasmaätzen bzw. naßche misches Auflösen des Photoresits) , in welchem die noch übrigge bliebenen, nicht exponierten Bereiche der Photoresistschicht entfernt werden, eine dem ursprünglichen Belichtungsmuster konforme Arbeitsmaske aus optisch undurchlässigem Material auf einer optisch transparenten Trägerschicht entsteht.i - Λ fy - ,, W - IirPrOsj x,% ^ NATl o $ lying optically opaque layer is accessible at these points for a subsequent wet or plasma chemical etching treatment. This removes the optically opaque layer locally, so that finally, after a third chemical process step (reactive plasma etching or wet chemical dissolving of the photoresist), in which the remaining, unexposed areas of the photoresist layer are removed, a work mask conforming to the original exposure pattern created from optically opaque material on an optically transparent carrier layer.
Bei einem relativ neuen Verfahren (J. Electrochem. Soc. 129, p. 827-830, 1982; B.A. Maclver) wird direkt auf einem strahlen¬ durchlässigen Trägermaterial aus Quarz eine ebenfalls trans¬ parente Schicht aus Positiv-Photoresist aufgebracht und letz¬ tere wie oben beschrieben einem Expositionsprozeß mit ültra- violett-Strahlung oder Elektronenstrahlen entsprechend einem vorgegebenen Muster ausgesetzt. In einem naßchemische.n Entwick¬ lungsprozeß werden die exponierten Bereiche des Photoresists durchgehend bis auf das transparente Trägermaterial entfernt un die übriggebliebenen, nicht exponierten'Bereiche der Photoresis schicht durch Implantation von Silizium-Ionen in einem vor alle im Ultraviolett nahezu.völlig Strahlungssperrenden Zustand übergeführt, sodaß ebenfalls eine dem ursprünglichen Belichtung muster konforme Arbeitsmaske aus optisch undurchlässigem Materi auf einer optisch transparenten Trägerschicht entsteht.In a relatively new process (J. Electrochem. Soc. 129, p. 827-830, 1982; BA Maclver), a likewise transparent layer of positive photoresist is applied directly to a radiation-permeable carrier material made of quartz, and the latter as described above exposed to an exposure process with ultraviolet radiation or electron beams according to a predetermined pattern. Un averaging process in a naßchemische.n Entwick¬ are the exposed portions of the photoresist through to the transparent substrate away the remaining, unexposed 'regions of the Photoresis layer by implantation of silicon ions in a nahezu.völlig before all the ultraviolet radiation blocking state converted , so that a work mask made of optically opaque material conforming to the original exposure is also created on an optically transparent carrier layer.
Sämtliche hier beschriebenen Herstellungsverfahren können als "lithographische Verfahren" klassifiziert werden, bei welchen eine Schicht aus Photoresist durch unterschiedliche Expositions zesse (Ultraviolett- bzw. Röntgenstrahlung, Elektronen- oder Ionenbestrahlung) örtlich in ihrem chemischen Verhalten verän¬ dert wird. Allen Verfahren ist überdies die Notwendigkeit eines oder mehrerer naßchemischer bzw. plasmachemischer Verfahrens¬ schritte gemeinsam.All of the production processes described here can be classified as "lithographic processes", in which a layer of photoresist is locally changed in its chemical behavior by different exposure processes (ultraviolet or X-rays, electron or ion radiation). In addition, all processes have in common the need for one or more wet chemical or plasma chemical process steps.
OMPI -* Abgesehen von der Anzahl der nötigen Verfahrensschritte ver¬ ursachen diese auch noch andere nachteilige Effekte: Bei na߬ chemischen Ätzverfahren ist die Unterätzung, d.h. die laterale Ausweitung der Ätzwirkung unterhalb der die Ätzflüssigkeit abschirmenden strukturierten Photoresistschicht relativ groß, sodaß die Untergrenze der somit erzielbaren Strukturbreiten bei etwa 600-700 nm liegt. Plasmachemische Ätzverfahren weisen wohl diesen Nachteil fast nicht auf, verursachen jedoch infolge eines nicht vollkommen vermeidbaren Angriffs auf die Oberfläche des transparenten Trägermaterials optische Beugungseffekte beim Einsatz der Maske in photolithographischen Verfahren.OMPI - * A part from the number of necessary steps ver¬ causes these are other adverse effects: In na߬ chemical etching is the undercutting, that the lateral expansion of corrosion below the etching liquid shielding patterned photoresist layer is relatively large, so that the lower limit of the thus achievable feature sizes is around 600-700 nm. Plasma chemical etching methods almost do not have this disadvantage, but they cause optical diffraction effects when the mask is used in photolithographic methods as a result of an attack on the surface of the transparent carrier material which cannot be completely avoided.
Ein weiterer Nachteil der hier beschriebenen Herstellungsver¬ fahren liegt darin, daß die so erzeugten Arbeitsmasken keine glatte Oberfläche besitzen; vielmehr weist die Oberfläche der' optisch undurchlässigen Schicht eben an jenen Stellen Ausneh¬ mungen von der Tiefe der Schichtdicke auf, die dem ursprüng¬ lichen Belichtungsmuster entsprechen.- Dadurch erhöht sich ge¬ genüber einer Maske mit glatter Oberfläche die Gefahr der Ver¬ schmutzung durch kleine Staubpartikel, die sich in diesen Ver¬ tiefungen ansammeln und nur äußerst schwer wieder entfernt werde können. Dies führt zu einer Erhöhung der Fehlerquote bei der Herstellung von Mikroelektronikbauteilen.Another disadvantage of the manufacturing process described here is that the work masks produced in this way do not have a smooth surface; Rather, the surface of the 'optically impermeable layer just at those points Ausneh¬ rules on the depth of the layer thickness which entsprechen.- the ursprüng¬ union exposure pattern This increases ge genüber a mask with a smooth surface, the risk of pollution by Ver¬ small dust particles that collect in these depressions and are extremely difficult to remove. This leads to an increase in the error rate in the manufacture of microelectronic components.
Ziel der Erfindung ist es, ein Verfahren der eingangs erwähn¬ ten Art vorzuschlagen, das eine einfache Herstellung von optisch strukturierten Filtern für elektromagnetische Strahlung, insbe¬ sondere von Arbeitsmasken, vorzugsweise mit Strukturbreiten von weniger als 1 μm, ermöglicht und die Nachteile der vorher erwähn Verfahren vermeidet. Aufgabe der Erfindung ist es, die bisher notwendige Anzahl der Verfahrensschritte zu reduzieren, insbeson dere die bisher notwendigen naßchemischen bzw. plasmachemischen Verfahrensschritte mit ihren inhärenten Nachteilen zu vermeiden, und andererseits optisch strukturierte Filter mit einer weitge¬ hend glatten unstrukturierten Oberfläche herzustellen, um die Verschmutzungsgefahr des Filters hintanzuhalten.The aim of the invention is to propose a method of the type mentioned at the outset which enables simple production of optically structured filters for electromagnetic radiation, in particular work masks, preferably with structure widths of less than 1 μm, and the disadvantages of the previously mentioned Avoids proceedings. The object of the invention is to reduce the previously necessary number of process steps, in particular to avoid the previously necessary wet chemical or plasma chemical process steps with their inherent disadvantages, and on the other hand to produce optically structured filters with a largely smooth, unstructured surface in order to avoid the risk of contamination of the filter.
IPO Erfindungsgemäß wird dies dadurch erreicht, daß in die Filter¬ schicht, welche eine für die zu filternde elektromagnetische Strahlung örtlich homogene Transmission aufweist, zur Erzeugun der oder des Muster(s) bzw. der (des) Bereiche(s) mit unter- schiedlicher Transmission entsprechend der zu erzeugenden Muste kon iguration(en) Ionen, vorzugsweise Metallionen mit einer Energie über 1keV, implantiert werden.*IPO This is achieved according to the invention in that the filter layer, which has a transmission that is locally homogeneous for the electromagnetic radiation to be filtered, for producing the pattern or patterns or the regions with different transmission according to the pattern to be generated, configuration (s) ions, preferably metal ions with an energy above 1keV, are implanted. *
Auf diese Weise ist es möglich , das Herstellungsverfahren wesen lich zu vereinfachen und insbesonders den bei der Herstellung strukturierter Filter nur schwer beherrschbaren Ätzprozeß zu vermeiden. Hiedurch ist eine besonders einfache Herstellung von strukturierten Filtern für elektromagnetische Strahlung möglich, wobei für die Herstellung der optischen Struktur nur ein Verfahrensschritt notwendig ist.In this way, it is possible to simplify the manufacturing process essentially and in particular to avoid the etching process which is difficult to control in the production of structured filters. This enables a particularly simple manufacture of structured filters for electromagnetic radiation, only one process step being necessary for the manufacture of the optical structure.
Bei der Ionenimplantation dringen die Ionen zufolge der ihnen erteilten kinetischen Energie in die Filterschicht ein, wo sie dann stationär verbleiben. Durch Wahl von Art und/oder Energie und/oder Dosis der implantierten Ionen ergibt sich die jeweils angestrebte Durchlässigkeitscharakteristik, d.h. an jenen Stel an denen Ionen in die Schicht implantiert werden, entstehen Zonen/ Bereiche -mit veränderter Transmission für die zu filter de elektromagnetische Strahlung einer bestimmten Wellenlänge bzw. in einem bestimmten Wellenlängenbereich.In ion implantation, the ions penetrate into the filter layer based on the kinetic energy they are given, where they then remain stationary. By choosing the type and / or energy and / or dose of the implanted ions, the desired permeability characteristic, i.e. at those points where ions are implanted in the layer, zones / areas arise - with changed transmission for the electromagnetic radiation to be filtered de of a certain wavelength or in a certain wavelength range.
Nach dem erfindungsgemäßen Verfahren ergibt sich zusätzlich de weitere Vorteil, daß infolge der geringen Reichweite gestreute Ionen in Festkörpern (wenige 10 n ) die Ionen bei der Implanta tion in der unmittelbaren Nähe ihres Einschußortes lokalisiert bleiben, so daß praktisch keine Strukturverbreiterung in der die Ionen aufnehmenden Filterschicht durch Streuung auftritt, wie dies z.B. bei der Elektronenstrahllithographie durch Bil¬ dung von Sekundärelektronen beim Eindringen eines gebündelten Elektronenstrahls in eine Photoresistschicht der Fall ist. Aus diesem Grunde ist es beim erfindungsgemäßen Verfahren möglich . . .... strukturierte Filter, wie z.B. Arbeitsmasken für die optische Lithographie, mit einer derzeit sinnvollen Strichstärke bis hinab zu 200 nm herzustellen.According to the inventive method there is an additional advantage that due to the short range scattered ions in solids (a few 10 n) the ions remain localized in the implanta tion in the immediate vicinity of their shooting location, so that practically no structure broadening in the ion receiving Filter layer occurs through scattering, as is the case, for example, in electron beam lithography through the formation of secondary electrons when a focused electron beam penetrates a photoresist layer. For this reason, it is possible in the method according to the invention , , .... to produce structured filters, such as work masks for optical lithography, with a currently reasonable line width down to 200 nm.
In diesem Zusammenhang ist es vorteilhaft, wenn das Muster mi einem gebündelten Metall-Ionenstrahl geschrieben wird, der du elektromagnetische Ablenkung positioniert bzw. geführt wird. S kann derzeit in üblichen Anlagen der Strahl einer Feldemission Ionenquelle auf einen Durchmesser von 40 nm gebündelt werden. Mit einem solchen Strahl können Strukturen mit einer Strichbre von etwa 50 nm auf einfache Weise hergestellt werden.In this context, it is advantageous if the pattern is written with a bundled metal ion beam which is positioned or guided by electromagnetic deflection. S The beam of a field emission ion source can currently be bundled to a diameter of 40 nm in conventional systems. With such a beam, structures with a line width of approximately 50 nm can be produced in a simple manner.
Ein weiterer Vorteil des gegenständlichen Verfahrens besteht darin, daß man durch Variation des Implantationsprozesses Be¬ reiche, bzw. Muster mit unterschiedlicher Transmission für elektromagnetische Strahlung mit unterschiedlicher Wellenlänge erzeugen kann. Dies kann beispielsweise dadurch erfolgen, daß Ionendosis und/oder die Ionenenergie variiert wird. Eine ander Variationsmöglichkeit besteht darin, Ionen verschi-edener Eleme Molekülionen, sowie Ionen mit unterschiedlicher elektrischer L dung zu implantieren.Another advantage of the method in question is that by varying the implantation process, areas or patterns with different transmission can be generated for electromagnetic radiation with different wavelengths. This can be done, for example, by varying the ion dose and / or the ion energy. Another possible variation is to implant ions of different elements, molecular ions, as well as ions with different electrical solutions.
Als Material für. die Filterschicht kommen solche Substanzen in Frage, die für die zu filternde Strahlung genügend trans¬ parent sind und durch Ionenimplantation ihre Transmission verä dern.As material for. the filter layer come into consideration those substances which are sufficiently transparent to the radiation to be filtered and which change their transmission by ion implantation.
Je nach verwendeter Substanz kann es vorteilhaft sein, untersc liche Ionen für die Implantation einzusetzen.Depending on the substance used, it may be advantageous to use different ions for the implantation.
Besonders geeignet sind homogen aufgebaute bzw. leicht homogen herstellbare Substanzen, wie organische und anorganische Polym (z.B. Poly ethylmethacrylat, Silikone), organische und anorgan sche Gläser (z.B. Acrylglas, synthetischer Quarz). Darüber hinaus eignen sich mono- bzw. polykristalline Substanzen, ins- besonders Oxide und Nitride (z.B. Bergkristall, Saphir, Silizi nitrid). Für Filter im niederenergetischen Röntgenbereich sind Metalle mit niedriger Ordnungszahl als Filterschicht geeignet.Homogeneous or easily homogeneous substances such as organic and inorganic polym (e.g. polyethyl methacrylate, silicones), organic and inorganic glasses (e.g. acrylic glass, synthetic quartz) are particularly suitable. In addition, monocrystalline or polycrystalline substances, in particular oxides and nitrides (e.g. rock crystal, sapphire, silicon nitride) are suitable. Metals with a low atomic number are suitable as a filter layer for filters in the low-energy X-ray range.
- Ein besonderer Vorteil des gegenständlichen Verfahrens besteht darin, daß dünne, den Oberflächen sich anpassende Arbeitsmasken herstellbar sind. Mit solchen Arbeitsmasken sind auf nichtebenen Oberflächen kontaktlithographische Prozesse realisierbar.- A particular advantage of the method in question is that thin work masks that adapt to the surfaces can be produced. With such work masks, contact lithographic processes can be implemented on non-flat surfaces.
Zur Erhöhung der mechanischen Festigkeit von Arbeitsmasken nach dem gegenständlichen Verfahren kann die Filterschicht auf einer transparenten Tägerschicht, z.B. für Wellenlängen unter 400 nm auf synthetischem Quarz, aufgebaut werden.To increase the mechanical strength of work masks according to the method in question, the filter layer can be placed on a transparent base layer, e.g. for wavelengths below 400 nm on synthetic quartz.
Eine besonders geeignete Ausführungsform der Arbeitsmasken nach dem gegenständlichen Verfahren weist eine Filterschicht mit max. 400 nm Dicke', vorzugsweise mit 100 bis 200 nm Dicke, auf. Diese Filterschichten sind auf Trägerschichten, z.B. aus synthetische Quarzglas, aufgebaut. Solche Filter eignen sich für den UV und fernen UV-Bereich.A particularly suitable embodiment of the work masks according to the method in question has a filter layer with a max. 400 nm thickness ' , preferably 100 to 200 nm thick. These filter layers are built up on carrier layers, for example made of synthetic quartz glass. Such filters are suitable for the UV and far UV range.
Zur Erzielung möglichst hoher Kantenschärfe der zu implantier¬ enden Muster ist es erforderlich,, daß die Oberfläche der Filter schicht während des Implantationsvorganges auf konstantem elek¬ trischen Potential gehalten wird. Ist die Oberfläche der Filter schicht nicht genügend elektrisch leitfähig, kann dies auch da¬ durch erreicht werden, daß vor dem Implantationsvorgang eine dünne elektrisch leitfähige Schicht, vorzugsweise eine Gold¬ schicht mit einer Dicke von 3 bis 20 nm, auf die Filterschicht aufgebracht wird. Es kann vorteilhaft sein, diese leitfähige Schicht nach dem Implantationsvorgang zu entfernen.In order to achieve the highest possible edge sharpness of the patterns to be implanted, it is necessary that the surface of the filter layer is kept at a constant electrical potential during the implantation process. If the surface of the filter layer is not sufficiently electrically conductive, this can also be achieved by applying a thin electrically conductive layer, preferably a gold layer with a thickness of 3 to 20 nm, to the filter layer before the implantation process. It can be advantageous to remove this conductive layer after the implantation process.
Nachstehend ist das erfindungsgemäße Verfahren und die nach diesem hergestellten Filter mit optischen Strukturen an Hand der Fig. 1-4 in nicht einschränkender Weise näher beschrieben.The method according to the invention and the filters with optical structures produced according to this are described in more detail in a non-restrictive manner with reference to FIGS. 1-4.
Fig. 1 zeigt ein Detail eines nach dem gegenständlichen Ver¬ fahren hergestellten Filters. Die Filterschicht 1, aus einem organischen Polymer (z.B. Poly ethylmethacrylat) ist auf einem Träger 2 aus synthetischem Quarzglas aufgebaut. Die Fig. 1 zeigt das Filter sowohl in der Aufsicht als auch im Schnitt. Es sind vier voneinander deutlich unterscheidbare Muster 4 mit Bereichen 5 unterschiedlicher Transmission erkennb Im linken Teil des Filters sind zwei in ihrer geometrischen Anordnung unterschiedliche Muster 4 dargestellt, die voneinan¬ der unterschiedliche Transmission, jedoch im Muster selbst ein¬ heitliche Transmission aufweisen. Im Schnitt erkennt man die unterschiedliche Implantationstiefe. Im rechten Teil des Filter erkennt man zwei Muster 4, die jeweils aus zwei Bereichen 5 mit unterschiedlicher Transmission zusammengesetzt sind. Bereiche verschiedener Transmission unterscheiden sich durch die Ionenar Implantationstiefe und Teilchenkonzentration. Diese Unterschied werden durch Variation der Implantationsparameter (z.B. Ionen¬ art, Ionenenergie, Ionendosis) erzielt.1 shows a detail of a filter produced according to the method in question. The filter layer 1, made of an organic polymer (eg poly ethyl methacrylate) is built up on a carrier 2 made of synthetic quartz glass. Fig. 1 shows the filter both in the top view and in section. There are four clearly distinguishable patterns 4 with regions 5 of different transmission. In the left part of the filter, two patterns 4 with different geometrical arrangements are shown, which have different transmission from one another, but have uniform transmission in the pattern itself. On average you can see the different implantation depth. In the right part of the filter two patterns 4 can be seen, each of which is composed of two areas 5 with different transmissions. Areas of different transmission differ in the ionar implantation depth and particle concentration. This difference is achieved by varying the implantation parameters (eg ion type, ion energy, ion dose).
Gemäß Fig. 2 kann die Ionenimplantation in an-und-für-sich be¬ kannter Weise dadurch erfolgen, daß ein aus einer Ionen¬ quelle 11 extrahierter Ionenstrahl 12 durch Ionenlinsen 13, bzw einer Kombination 13 solcher Linsen auf einen Durchmesser fokus wird, der kleiner ist als die kleinste gewünschte Strukturbreit jener Maskenbereiche 5, die mit veränderter Transmission aus¬ gebildet werden sollen. Dieser feinfokussierte Ionenstrahl 15 wird durch eine ebenfalls bekannte elektrische oder magnetische Ablenkeinrichtung 14 so gesteuert, daß ein der zu erzeugenden Maske entsprechendes Muster mit dem Ionenstrahl 15 in die Filte schicht 1 implantiert wird.According to FIG. 2, the ion implantation can be carried out in a manner known per se in that an ion beam 12 extracted from an ion source 11 is focused on a diameter by ion lenses 13 or a combination 13 of such lenses, which diameter is smaller than the smallest desired structure width of those mask regions 5 which are to be formed with a changed transmission. This finely focused ion beam 15 is controlled by a likewise known electrical or magnetic deflection device 14 so that a pattern corresponding to the mask to be generated is implanted with the ion beam 15 in the filter layer 1.
Alternativ hiezu kann der Ionenstrahl in seiner Position fixier bleiben und die Muster 4 bzw. Bereiche 5 dadurch erzeugt werden daß die Filterschicht 1 unter dem feinfokussierten Ionenstrahl so bewegt wird, daß ebenfalls die Ionen nur in dem der zu erzeu genden Maske entsprechenden Muster in die Filterschicht 1 impla tiert werden. Wird als Ionenquelle 11 z.B. eine Flüssigmetall- Feldemissionsquelle verwendet, so läßt sich ein besonders hoher lonenstrom in Gebiete mit sehr kleiner Ausdehnung fokussieren. Dadurch können Masken sehr kleiner Strukturbreite in besonders kurzer Zeit hergestellt werden. In Fig. 3 wird eine weitere an sich bekannte Möglichkeit der Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens gezeigt, in wel¬ chem zum Implantieren des Musters ein ungebündelter bzw. ein nur schwach gebündelter, eine maßstäblich vergrößerte Maske 16 durchdringender, von einer Ionenquelle 11 gelieferter Ionen¬ strahl 12 verwendet wird. Diese Maske wird als Bild 18 vergröße oder verkleinert auf die Polymerschicht 1 unter Verwendung der Abbildungseinrichtung 17 projiziert. Bei dieser Durchführungs- variante "wird zuerst eine Primärmäske 16, meist aus -Metall, her gestellt, die nur an den, den Bereichen 5 bzw. Mustern 4 des Filters entsprechenden Stellen, für den Ionenstrahl 12 durch¬ lässig ist. Diese Primärmaske 16 wird durch einen Ionenstrahl 1 großer Ausdehnung beleuchtet, wobei durch die Ausnehmungen dies Maske Teilioπenstrahlen 19 austreten, die in Form des Masken¬ musters angeordnet sind und durch bekannte ionenoptische Abbil- dungseinrichtungen 17 fokussiert auf die Filterschichte 1 auf¬ treffen. Durch diese ionenoptische Abbildung kann die gewünscht Verkleinerung oder Vergrößerung der Bereiche bzw. Mus-ter erziel werden. Auf diese Weise lassen sich die gewünschten Muster beso ders genau auf der Arbeitsmaske herstellen, wobei auch sehr dün ne Strukturbreiten erreichbar sind.Alternatively, the ion beam can remain fixed in its position and the pattern 4 or regions 5 can be generated by moving the filter layer 1 under the finely focused ion beam in such a way that the ions also enter the filter layer only in the pattern corresponding to the mask to be generated 1 can be implied. If, for example, a liquid metal field emission source is used as the ion source 11, a particularly high ion current can be focused in areas with a very small extent. As a result, masks of very small structure width can be produced in a particularly short time. 3 shows another known possibility of carrying out the method according to the invention, in which, for implanting the pattern, an ion beam delivered by an ion source 11 is an unbundled or only weakly bundled, penetrating a scaled-up mask 16 12 is used. This mask is projected as an image 18, enlarged or reduced, onto the polymer layer 1 using the imaging device 17. In this implementation variant " , a primary mask 16, usually made of metal, is first produced, which is only permeable to the ion beam 12 at the points corresponding to regions 5 or patterns 4 of the filter. This primary mask 16 becomes Illuminated by an ion beam 1 of great extent, partial mask rays 19 emerging through the recesses of this mask, which are arranged in the form of the mask pattern and are focused on the filter layer 1 by known ion-optical imaging devices 17. This ion-optical imaging enables the desired reduction or enlargement of the areas or patterns can be achieved in this way, the desired patterns can be produced particularly precisely on the work mask, and very thin structure widths can also be achieved.
In Fig. 4 wird eine andere Möglichkeit der Durchführung des er¬ findungsgemäßen Verfahrens gezeigt, die darin besteht, daß mit der Filterschicht 1 eine das einzuschreibende Muster im Ma߬ stab 1 :1 tragende Maske 16 in Kontakt gebracht wird und an¬ schließend einem ungebündelten Ionenstrahl 12 ausgesetzt wird. Die Filterschicht 1 kann von einem Substrat 2 getragen sein.4 shows another possibility of carrying out the method according to the invention, which consists in bringing a mask 16, which carries the pattern to be inscribed on a scale of 1: 1, into contact with the filter layer 1 and then an unbundled one Ion beam 12 is exposed. The filter layer 1 can be carried by a substrate 2.
Grundsätzlich ist zu bemerken, daß sich erfindungsgemäß her¬ gestellte Arbeitsmasken außer für die Strukturierung von Fest¬ körperoberflächen zur Erzeugung mikroelektronischer Bauteile auch zur Erzeugung von Bauteilen der integrierten Optik, zur Erzeugung von ein und zweidimensionalen Beugungsgittern für elektromagnetische Strahlung und zur Erzeugung von Zonenplatten eignen.In principle, it should be noted that, in addition to the structuring of solid surfaces for the production of microelectronic components, work masks produced according to the invention are also suitable for the production of components of the integrated optics, for the production of one- and two-dimensional diffraction gratings for electromagnetic radiation and for the production of zone plates.
v v
Developer, Verdünnung 5:1 mit deionisiertem Wasser) ergab sich in der Fotoresistschicht die durch die Maske vorgegebene Struk¬ turierung hoher Kantenschärfe.Developer, dilution 5: 1 with deionized water), the structuring of the high edge sharpness specified by the mask resulted in the photoresist layer.
Zur Zeit ist man bestrebt, für die Herstellung von mikroelektro nischen Bauteilen, intensitätsstärkere Strahlungsquellen im UV- und im Deep UV- Bereich, zum Beispiel Exci er-Laser, für die optische Belichtung einzusetzen. Wellenlängenbereiche von 170 - 350 nm finden dabei Verwendung. Die erfindungsgemäß hergestell¬ ten Masken eignen sich insbesonders für diese spezielle Belich¬ tungsart, wie entsprechende Untersuchungen mit einem Excimer- Laser ergaben. Deep UV-empfindliche Resists (z.B. Shipley AZ 24 und PBS) wurden unter Verwendung ionenimplantierter Masken strukturiert, wobei ein unfokussierter Excimer-Laser bei den Wellenlängen 248 nm(KrF) bzw. 193 nm (ArF) als Strahlungsquelle eingesetzt wurde. Die nach dem gegenständlichen Verfahren her¬ gestellten Masken erwiesen sich dabei hinsichtlich der Lebens¬ dauer als wesentlich verbessert gegenüber den üblichen Chrom- Chromoxid-Arbeitsmasken, weil sich bei oberflächenbeschichtetenAt the moment, efforts are being made to use radiation sources with higher intensity in the UV and deep UV range, for example excier lasers, for the optical exposure for the production of microelectronic components. Wavelength ranges from 170 - 350 nm are used. The masks produced according to the invention are particularly suitable for this special type of exposure, as was shown by corresponding investigations with an excimer laser. Deep UV-sensitive resists (e.g. Shipley AZ 24 and PBS) were patterned using ion-implanted masks, with an unfocused excimer laser at the wavelengths of 248 nm (KrF) and 193 nm (ArF) used as the radiation source. The masks produced according to the method in question proved to be significantly improved with respect to the service life compared to the conventional chromium-chromium oxide work masks because surface-coated ones
Masken (derzeitiger Stand der Technik) die hohe Leistungsdichte eines Excimer-Lasers (5 MW/cm 2 ) auf die* Metallschicht relativ rasch zerstörend auswirkt.Masks (current state of the art) the high power density of an excimer laser (5 MW / cm 2) has a relatively quick destructive effect on the * metal layer.
Des weiteren ermöglicht das gegenständliche Verfahren die Her¬ stellung sehr dünner, sich an nicht ebene Oberflächen anlegende Masken, wenn in eine sehr dünne selbstragende, transparente Folie 1, z.B. bis zu 20 um dick, implantiert wird. Derartige Filter ermöglichen die Herstellung von Strukturen auch auf nicht ebenen Oberflächen nach dem Prinzip der Kontaktlithogra¬ phie. Dabei besteht die Möglichkeit, ohne großen Aufwand den vollständigen Kontakt zwischen Maske und dem mit Resist be¬ schichteten Substrat herzustellen, was mit den zur Zeit verwen deten Maskenmaterialien nicht möglich ist. Mit solchen Masken wurde Kontaktlithographie auf zylindrischen Oberflächen mit Krümmungsradien kleiner als 2 mm durchgeführt. Furthermore, the method in question enables the production of very thin masks lying against non-flat surfaces if a very thin self-supporting, transparent film 1, e.g. up to 20 µm thick. Filters of this type enable the production of structures even on non-flat surfaces according to the principle of contact lithography. It is possible to establish complete contact between the mask and the substrate coated with resist without great effort, which is not possible with the mask materials currently used. With such masks, contact lithography was carried out on cylindrical surfaces with radii of curvature less than 2 mm.

Claims

Paτent'ansprucfte: Claims:
1. Verfahren zur Herstellung von optisch strukturierten Filter mit weitgehend glatten Oberflächen, insbesondere von Arbeit masken für die photolithographische Herstellung von mikroel tronischen Bauteilen, mit zumindest einem Muster mit unter¬ schiedlicher Transmission für die zu filternde elektromag¬ netische Strahlung, dadurch gekennzeichnet, daß in die Filterschicht (1 ) mit für die zu filternde elek¬ tromagnetische Strahlung örtlich homogener Transmission zur Erzeugung der (des) Muster(s) (4) bzw. der (des) Bereiche(s (5) mit unterschiedlicher Transmission entsprechend der zu erzeugenden Musterkonfiguration(en) Ionen, vorzugsweise Metallionen mit einer Energie über IkeV,implantiert werden1. Process for the production of optically structured filters with largely smooth surfaces, in particular work masks for the photolithographic production of microelectronic components, with at least one pattern with different transmission for the electromagnetic radiation to be filtered, characterized in that in the filter layer (1) with locally homogeneous transmission for the electromagnetic radiation to be filtered in order to produce the pattern (s) (4) or the regions (s (5)) with different transmission in accordance with the pattern configuration to be generated (s) ions, preferably metal ions with an energy above IkeV, are implanted
2*.. Ver ahren nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, daß durch örtlich unterschiedliche Implantation mit unter¬ schiedlichen Ionenarten (z.B. Ionen unterschiedlicher Eleme te, Molekülionen, Ionen mit unterschiedlicher elektrischer Ladung) und/oder mit Ionen unterschiedlicher Energie und/od mit zueinander unterschiedlicher Transmission für elektro¬ magnetische Strahlung mit gleicher oder unterschiedlicher Wellenlänge erzeugt v/erden.2 * .. method according to claim 1, characterized in that by locally different implantation with different types of ions (eg ions of different elements, molecular ions, ions with different electrical charges) and / or with ions of different energy and / or with each other Different transmission for electromagnetic radiation with the same or different wavelength is generated.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche der Filterschicht (1 ) während der Ionen¬ implantation auf konstantem elektrischen Potential gehalten wird.3. The method according to claim 1 or 2, characterized in that the surface of the filter layer (1) is kept at a constant electrical potential during the ion implantation.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß je nach der elektrischen Leitfähigkeit der Filterschich deren Oberfläche vor der Ionenimplantation durch Aufbringun einer dünnen, elektrisch leitenden Schicht (3), vorzugsweis4. The method according to any one of claims 1 to 3, characterized in that, depending on the electrical conductivity of the filter layer, the surface thereof prior to ion implantation by applying a thin, electrically conductive layer (3), preferably
O PIO PI
WΠΌ . _ gemacht wird und daß diese elektrisch leitende Schicht (3) während derWΠΌ. _ is made and that this electrically conductive layer (3) during the
Ionenimplantation auf konstantem elektrischen Potential gehalten wird und daß vorteilhafterweise diese elektrisch leitende Schicht (3) nach Abschluß der Erzeugung der (des) Muster(s) (4) bwz. derIon implantation is kept at a constant electrical potential and that advantageously this electrically conductive layer (3) after completion of the generation of the pattern (s) (4) or. the
(des) Bereiche(s) (5) unterschiedlicher Transmission wieder entfernt wird.(des) areas (s) (5) of different transmission is removed again.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Ionenimplantation in dem (den) Bereich(en) (5) bzw. dem (den) Muster(n) (14) mittels wenigstens eines feinfokus sierten Ionenstrahles (15) erfolgt, welcher durch elektro¬ magnetische Ablenkvorrichtungen (14) entsprechend dem (den) Bereich(en) (5) bzw. dem (den) Muster(n) (4) auf der Filter schicht (1 ) positioniert bzw. geführt wird.5. The method according to any one of claims 1 to 4, characterized in that the ion implantation in the (the) area (s) (5) or the (the) pattern (s) (14) by means of at least one finely focused ion beam (15th ), which is positioned or guided on the filter layer (1) by means of electromagnetic deflection devices (14) corresponding to the region (s) (5) or the pattern (s) (4).
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, . daß die Ionenimplantation in dem (den) Bereich(en) (5) bzw. dem (den) Muster(n) (4) mit wenigstens einem feinfokussier- ten Ionenstrahl (15) dadurch erfolgt, daß dieser ortsfest angeordnet ist und die Filterschicht (1 ) unter diesem bzw. diesen feinfokussierten Ionenstrahl(en) (15) entsprechend dem (den) Bereich(en) (5) bzw. dem (den) Muster(n) (4) me¬ chanisch positioniert bzw. geführt wird.6. The method according to any one of claims 1 to 4, characterized in that. that the ion implantation in the region (s) (5) or the pattern (s) (4) is carried out with at least one finely focused ion beam (15) in that it is arranged in a fixed position and the filter layer ( 1) is mechanically positioned or guided under this or these finely focused ion beam (s) (15) in accordance with the region (s) (5) or the pattern (s) (4).
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Ionenimplantation in dem (den) Bereich(en) (5) bzw. dem (den) Muster(n) (4) mittels eines ungebündelten bzw. ei schwach gebündelten Ionenstrahles (12) derart erfolgt, daß dieser auf eine entsprechende, insbesonders maßstäblich vergrößerte Maske (16) auftrifft, die nur an den den Berei¬ chen (5) bzw. Mustern (49 entsprechenden Stellen für den Io strahl (12) durchlässig ist und die durch die dort austrete Teilstrahlen (19) mittels einer zwischen der Maske (16) und «x ruterscnicnt ( ~ ) befindlichen ionenoptischen Abbildungs einrichtung (17) entsprechend, insbesondere verkleinert, auf die Filterschicht (1 ) abgebildet wird.7. The method according to any one of claims 1 to 4, characterized in that the ion implantation in the area (s) (5) or the (the) pattern (s) (4) by means of an unbundled or egg weakly bundled Ion beam (12) takes place in such a way that it strikes a corresponding mask (16), particularly enlarged to scale, which is permeable to the io beam (12) only at the areas (5) or patterns (49) corresponding points and through the partial rays (19) emerging there by means of a between the mask (16) and " X ruterscnicnt ( ~ ) located ion optical imaging device (17) corresponding, in particular reduced, is imaged on the filter layer (1).
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Ionenimplantation mittels eines ungebündelten Ionen¬ strahles (12) erfolgt, der durch eine direkt mit der Filter schicht (1 ) in mechanischem Kontakt befindlichen Maske (16), welche den(die) Bereich(e) (5) bzw. das(die) Muster (4) komplementär enthält, durchtritt, wodurch dieser(e) Be- reich(e) (5) bzw. diese(e) Muster (4) maßstäblich (1 :1 ), konform auf die Filterschicht (1) übertragen wird(werden) .8. The method according to any one of claims 1 to 4, characterized in that the ion implantation takes place by means of an unbundled ion beam (12) which is in mechanical contact with a mask (16) which is in direct contact with the filter layer (1), which that contains area (s) (5) or the pattern (4) in a complementary manner, thereby causing this area (s) (5) or pattern (4) to scale (1: 1), is (are) transferred to the filter layer (1) in conformity.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß in Filterschichten aus organischen Polymeren oder Gläser die Sauerstoffionen implantiert werden.9. The method according to any one of claims 1 to 8, characterized in that the oxygen ions are implanted in filter layers made of organic polymers or glasses.
10. Optisch strukturierter Filter mit weitgehend glatten Ober¬ flächen, insbesonders Arbeitsmaske für die photolithogra¬ phische Herstellung von ikroelektronischen Bauteilen, mit zumindest einem Muster mit unterschiedlicher Transmission für die zu filternde elektromagnetische Strahlung, dadurch gekennzeichnet, daß in der Filterschicht (1 ) mit für die zu filternde elek¬ tromagnetische Strahlung örtlich homogener Trasnmission Muster bzw. Bereiche mit durch Ionenimplantation veränderter Traπs isseion ausgebildet sind.10. Optically structured filter with largely smooth surfaces, in particular a work mask for the photolithographic production of microelectronic components, with at least one pattern with different transmission for the electromagnetic radiation to be filtered, characterized in that in the filter layer (1) for the electromagnetic radiation to be filtered has locally homogeneous transmission patterns or regions are formed with a traction ision changed by ion implantation.
11. Optisch strukturierter Filter nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß in der Filterschicht (1 ) Bereiche bzw. Muster mit zuei¬ nander unterschiedlicher Transmission für elektromagnetische Strahlung mit gleicher oder unterschiedlicher Wellenlänge durch Implantation von Ionen unterschiedlicher Art (z.B. Ionen unterschiedlicher Elemente, Molekülionen, Ionen unter¬ schiedlicher elektrischer Ladung) und/oder von Ionen unter¬ schiedlicher Energie und/oder mit utnerschiedlicher Ionen¬ dosis ausgebildet sind. O84/03571 PCT/AT84/0001011. Optically structured filter according to claim 10, characterized in that in the filter layer (1) areas or patterns with zuei¬ nander different transmission for electromagnetic radiation with the same or different wavelength by implantation of ions of different types (eg ions of different elements, molecular ions , Ions of different electrical charge) and / or of ions of different energy and / or with different ion dose. O84 / 03571 PCT / AT84 / 00010
12. Optisch strukturierter Filter nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Filterschicht (1 ) aus zumindest für ausgewählte Wellenlängenbereiche der zu filternden elektromagnetischen Strahlung transparenten Substanzen, z.B. organischen oder anorganischen Polymeren, organischen oder anorganischen Gläsern, mono- oder polykristallinen Oxiden, Nitriden etc., homogen aufgebaut ist.12. Optically structured filter according to claim 10 or 11, characterized in that the filter layer (1) from at least for selected wavelength ranges of the electromagnetic radiation to be filtered substances, e.g. organic or inorganic polymers, organic or inorganic glasses, mono- or polycrystalline oxides, nitrides etc., is built up homogeneously.
13. Optisch strukturierter Filter nach einem der Ansprüche 10 od dadurch gekennzeichnet, daß die Filterschicht (1 ) eines Filters für Kontaktlithogra¬ phie auf nicht ebenen Oberflächen aus einer Substanz ent¬ sprechend geringer Biegesteifigkeit, insbesonders aus organi schen bzw. anorganischen Polymeren, homogen aufgebaut ist.13. Optically structured filter according to one of claims 10 or characterized in that the filter layer (1) of a filter for contact lithography on non-flat surfaces made of a substance correspondingly low bending stiffness, in particular of organic or inorganic polymers, homogeneously constructed is.
14. Optisch strukturierter Filter nach einem der Ansprüche 10 bi dadurch gekennzeichnet, daß die Filterschicht (1) auf eine Trägerschicht (*2) mit aus reichender mechanischer Festigkeit und ausreichender Transpa renz, zumindest für ausgewählte Bereiche der zu filternden elektromagnetischen Strahlung, aufgebracht ist.14. Optically structured filter according to one of claims 10 bi characterized in that the filter layer (1) on a carrier layer ( * 2) with sufficient mechanical strength and sufficient transparency, at least for selected areas of the electromagnetic radiation to be filtered, is applied.
15. Optisch strukturierter Filter nach einem der Ansprüche 10 bis 12 und 14, dadurch gekennzeichnet, daß synthetisches Quarzglas als Material für die Filter¬ schicht (1 ) oder für die Trägerschicht (2) verwendet wird.15. Optically structured filter according to one of claims 10 to 12 and 14, characterized in that synthetic quartz glass is used as the material for the filter layer (1) or for the carrier layer (2).
16. Optisch strukturierter Filter nach Anspruch 14 oder 15, dadurch gekennzeichnet, daß für Filter in einem Wellenlängenbereich unterhalb 400 nm die Dicke der* Filterschicht (1 ) höchstens 400 nm, vorzugs¬ weise 100 bis 200 nm, beträgt und die Filterschicht (1) auf einer Trägerschicht (2) aufgebaut ist. 16. Optically structured filter according to claim 14 or 15, characterized in that for filters in a wavelength range below 400 nm, the thickness of the * filter layer (1) is at most 400 nm, preferably 100 to 200 nm, and the filter layer (1) is built up on a carrier layer (2).
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