DK2022246T3 - Anordning til elektronemission ved høj strømdensitet og høj funktionsfrekvens - Google Patents
Anordning til elektronemission ved høj strømdensitet og høj funktionsfrekvens Download PDFInfo
- Publication number
- DK2022246T3 DK2022246T3 DK07736322.4T DK07736322T DK2022246T3 DK 2022246 T3 DK2022246 T3 DK 2022246T3 DK 07736322 T DK07736322 T DK 07736322T DK 2022246 T3 DK2022246 T3 DK 2022246T3
- Authority
- DK
- Denmark
- Prior art keywords
- photocathode
- anode
- electrodes
- electrode
- gate
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/34—Photo-emissive cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J21/00—Vacuum tubes
- H01J21/02—Tubes with a single discharge path
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S1/00—Masers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the microwave range
- H01S1/02—Masers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the microwave range solid
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/06226—Modulation at ultra-high frequencies
- H01S5/0623—Modulation at ultra-high frequencies using the beating between two closely spaced optical frequencies, i.e. heterodyne mixing
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Common Detailed Techniques For Electron Tubes Or Discharge Tubes (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Claims (21)
- ANORDNING TIL ELEKTRONEMISSION VED HØJ STRØMDENSITET OG HØJ FUNKTIONSFREKVENS1. Elektrisk anordning, der kan anvendes med en THz-intervalfrekvens, hvilken anordning omfatter et elektrodearrangement, der omfatter mindst en fotokatodeelektrode (12a) og en tilhørende anodeelektrode (12b) med et rum mellem disse, og hvor fotokatoden er konfigureret til at blive eksponeret af en belysningskilde (14) med en THz-amplitudemoduleret udgangsbølge, hvorved der frembringes elektroners emission fra fotokatoden og en fotostrøm gennem anordningen; en spændingstilførselsenhed til tilførsel af et elektrisk indgangssignal på én af elektroderne af elektrodernes arrangement; og en signaltransmitter-/modtagerenhed, der omfatter et antennekredsløb, der er elektrisk forbundet med én eller flere af elektroderne, hvilket antennekredsløb derfor kan anvendes ved hjælp af et elektrisk udgangssignal ved den ene eller flere af elektroderne.
- 2. Anordning ifølge krav 1, hvor elektrodernes arrangement omfatter mindst én gate-elektrode, der er placeret i et plan mellem fotokatode- og anodeplanerne.
- 3. Anordning ifølge krav 1 eller 2, hvor elektroderne er adskilt fra hinanden med en afstand, der ikke overstiger få mikron, hvorved anvendelse af anordningen muliggøres med en spændingstilførsel på volt i få grupper på ti eller mindre til den mindst ene elektrode.
- 4. Anordning ifølge et hvilket som helst af de foregående krav, der omfatter en belysningskilde, der kan anvendes til at belyse fotokatoden med en lysstråle af en vis fast intensitet og det forudbestemte bølgelængdeinterval valgt i overensstemmelse med fotokatodematerialet for udledning af elektroner derfra.
- 5. Anordning ifølge et hvilket som helst af de foregående krav, hvor elektrodernes arrangement er konfigureret som en triodestruktur, der omfatter fotokatode-, anode- og gate-elektroderne, hvor gaten er placeret i et plan mellem fotokatode- og anodeplanerne.
- 6. Anordning ifølge krav 5, hvor gate-elektroden er placeret i et plan adskilt fra hvert af fotokatode-og anode-planerne med en åbning på mindre end 1 mikron.
- 7. Anordning ifølge krav 6, hvor åbningen mellem fotokatoden og anoden er henholdsvis ca. 0,1 mikron og 0,3 mikron.
- 8. Anordning ifølge krav 7, hvor gaten har en tykkelse på 0,1 mikron og en dimension over et rum mellem fotokatoden og anoden på ca. 0,1 mikron.
- 9. Anordning ifølge krav 5, hvor elektrodernes arrangement er konfigureret som en tetrodestruktur, der omfatter fotokatode-, anode-, gate- og skærmgitterelektroder, hvor skærmgitteret er placeret mellem gate- og anodeplanerne.
- 10. Anordning ifølge krav 9, hvor elektroderne er adskilt fra hinanden med en åbning på mindre end 1 mikron.
- 11. Anordning ifølge krav 10, hvor åbningen mellem gate-elektroden og fotokatoden er 0,1 mikron, åbningen mellem gaten og skærmgitteret er 0,3 mikron, og åbningen mellem skærmgitteret og anoden er 0,3 mikron.
- 12. Anordning ifølge krav 11, hvor tykkelsen af gaten og af skærmgitteret er 0,1 mikron.
- 13. Anordning ifølge et hvilket som helst af de foregående krav, hvor fotokatodelaget er mønstret for at danne et system af adskilte områder af fotokatodematerialet og mere elektrisk ledende materiale inde i rummene mellem fotokatodematerialeområderne.
- 14. Anordning ifølge krav 1, der kan anvendes med en THz-intervalfrekvens af anordningens udgang, hvor elektrodernes arrangement er konfigureret som en diodestruktur, der omfatter fotokatodeelektroden og anodeelektroden; og en belysningskilde, der er konfigureret og kan anvendes til at generere en lysstråle i form af en overlejring af to lyskomponenter af lettere forskellige frekvenser for derved at belyse fotokatoden med en THz-amplitudemodulret bølge og bevirke, at den tilsvarende fotostrøm modtages ved anodeelektroden for at anvende signal transmi tter-/modtagerenheden ved hjælp af det elektriske signal induceret af fotostrømmen ved anoden.
- 15. Anordning ifølge krav 14, hvor belysningskilden omfatter to lysemittere, der genererer de to lyskomponenter med henholdsvis lettere forskellige frekvenser.
- 16. Anordning ifølge krav 14 eller 15, hvor fotokatode- og anodeelektroderne er adskilt fra hinanden af en åbning på op til få mikron.
- 17. Anordning ifølge et hvilket som helst af kravene 14 til 16, hvor signaltransmitter-/modtagerenheden er elektrisk forbundet med anodeelektroden.
- 18. Anordning ifølge et hvilket som helst af kravene 14 til 17, hvor fotokatode- og anodelagene er placeret på adskilte mod hinanden vendende overflader af henholdsvis det første og det andet substrat.
- 19. Anordning ifølge krav 18, kendetegnet ved mindst én af følgende: (i) det første substrat i alt væsentligt er transparent for lysstrålen; (ii) det andet substrat er dannet med en elektrisk konnektor fra anodelaget til en ydre overflade af det andet substrat for kobling til den transmitterende/modtagende enhed; (iii) transmitter-/modtagerenheden omfatter et antennekredsløb trykt på den ydre overflade af det andet substrat.
- 20. Anordning ifølge et hvilket som helst af kravene 14 til 19, der er konfigureret som en THz-transmitterenhed
- 21. Anordning ifølge et hvilket som helst af kravene 1 til 13, der er konfigureret som en THz-transmitterenhed.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US79935306P | 2006-05-11 | 2006-05-11 | |
PCT/IL2007/000582 WO2007132459A2 (en) | 2006-05-11 | 2007-05-13 | Electron emission device of high current density and high operational frequency |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DK2022246T3 true DK2022246T3 (da) | 2019-01-14 |
Family
ID=38694303
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DK07736322.4T DK2022246T3 (da) | 2006-05-11 | 2007-05-13 | Anordning til elektronemission ved høj strømdensitet og høj funktionsfrekvens |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8143566B2 (da) |
EP (1) | EP2022246B1 (da) |
DK (1) | DK2022246T3 (da) |
ES (1) | ES2701708T3 (da) |
WO (1) | WO2007132459A2 (da) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8314392B2 (en) * | 2010-06-21 | 2012-11-20 | Novatrans Group Sa | Antenna for use in THz transceivers |
US9279723B2 (en) | 2010-08-19 | 2016-03-08 | Novatrans Group Sa | Terahertz spectroscopy system and method |
US10790403B1 (en) | 2013-03-14 | 2020-09-29 | nVizix LLC | Microfabricated vacuum photodiode arrays for solar power |
US9406488B2 (en) * | 2013-03-15 | 2016-08-02 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Enhanced photoelectron sources using electron bombardment |
US20180191265A1 (en) * | 2016-12-30 | 2018-07-05 | John Bennett | Photo-electric switch system and method |
CA3070849A1 (en) | 2017-07-24 | 2019-01-31 | Terahertz Group Ltd. | High frequency optical switch and fabrication methods thereof |
US10615599B2 (en) | 2018-07-12 | 2020-04-07 | John Bennett | Efficient low-voltage grid for a cathode |
US10566168B1 (en) | 2018-08-10 | 2020-02-18 | John Bennett | Low voltage electron transparent pellicle |
JP6925090B1 (ja) * | 2021-04-26 | 2021-08-25 | 株式会社Photo electron Soul | 電子銃、電子線適用装置および照射位置移動方法 |
US20230395349A1 (en) * | 2022-06-01 | 2023-12-07 | Kla Corporation | Creating Multiple Electron Beams with a Photocathode Film |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4464572A (en) * | 1982-05-06 | 1984-08-07 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Infrared photoemitting diode having reduced work function |
US4703228A (en) * | 1985-08-28 | 1987-10-27 | Ga Technologies Inc. | Apparatus and method for providing a modulated electron beam |
US5789750A (en) * | 1996-09-09 | 1998-08-04 | Lucent Technologies Inc. | Optical system employing terahertz radiation |
US5894125A (en) * | 1997-08-18 | 1999-04-13 | Lucent Technologies Inc. | Near field terahertz imaging |
RU2340032C2 (ru) * | 2003-07-22 | 2008-11-27 | Йеда Рисеч Энд Девелопмент Компани Лтд. | Устройство для получения электронной эмиссии |
WO2006077595A2 (en) | 2005-01-21 | 2006-07-27 | Novatrans Group Sa | Device and method for signal processing |
-
2007
- 2007-05-13 ES ES07736322T patent/ES2701708T3/es active Active
- 2007-05-13 EP EP07736322.4A patent/EP2022246B1/en active Active
- 2007-05-13 US US12/300,192 patent/US8143566B2/en active Active
- 2007-05-13 WO PCT/IL2007/000582 patent/WO2007132459A2/en active Application Filing
- 2007-05-13 DK DK07736322.4T patent/DK2022246T3/da active
-
2012
- 2012-03-21 US US13/425,673 patent/US8487234B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2007132459A3 (en) | 2009-04-30 |
US8487234B2 (en) | 2013-07-16 |
EP2022246B1 (en) | 2018-09-12 |
EP2022246A4 (en) | 2014-10-15 |
ES2701708T3 (es) | 2019-02-25 |
US20120181429A1 (en) | 2012-07-19 |
US20090206283A1 (en) | 2009-08-20 |
WO2007132459A2 (en) | 2007-11-22 |
US8143566B2 (en) | 2012-03-27 |
EP2022246A2 (en) | 2009-02-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DK2022246T3 (da) | Anordning til elektronemission ved høj strømdensitet og høj funktionsfrekvens | |
US11231318B2 (en) | Photoconductive detector device with plasmonic electrodes | |
Yardimci et al. | High power telecommunication-compatible photoconductive terahertz emitters based on plasmonic nano-antenna arrays | |
Yang et al. | 7.5% optical-to-terahertz conversion efficiency offered by photoconductive emitters with three-dimensional plasmonic contact electrodes | |
US7608814B2 (en) | Optical structure for localising an electromagnetic field and detector or emitter device including such a structure | |
JP6955337B2 (ja) | 低デューティサイクル連続波光伝導性テラヘルツ撮像および分光システム | |
JP2002184302A (ja) | 半導体光電陰極 | |
JP6222734B2 (ja) | 周波数可変フィルタ | |
Singh et al. | Microlensless interdigitated photoconductive terahertz emitters | |
US9224899B2 (en) | Light mixer for generating terahertz radiation | |
WO2001009915A1 (en) | Diamond supported photocathodes for electron sources | |
US6005351A (en) | Flat panel display device using thin diamond electron beam amplifier | |
US20230026900A1 (en) | Three-dimensional photoconductive transducer for terahertz signals or picosecond electrical pulses | |
Berry et al. | Plasmonic photoconductive terahertz emitters based on logarithmic spiral antenna arrays | |
Berry et al. | Nanoscale contact electrodes for significant radiation power enhancement in photoconductive terahertz emitters | |
Zenchenko et al. | Enhanced terahertz emission in a large-area photoconductive antenna through an array of tightly packed sapphire fibers | |
Yang et al. | 7.5% optical-to-terahertz conversion efficiency through use of three-dimensional plasmonic electrodes | |
Yardimci et al. | High-power, broadband terahertz radiation from large area plasmonic photoconductive emitters operating at telecommunication optical wavelengths | |
Mimura et al. | Future concept for compact FEL using a field emission micro-cathode | |
Garcia-Muñoz et al. | On the finite semiconductor thickness effect applied to large area emitters devices for THz radiation | |
Berry et al. | Plasmonics-enhanced photoconductive terahertz emitters | |
Berry et al. | Substantial radiation enhancement in photoconductive terahertz emitters by utilizing plasmonic contact electrodes | |
Dyer et al. | High current photoelectric effects with VUV F2 laser irradiated metals | |
Shimawaki et al. | Laser-induced electron emission from p-type silicon emitters | |
Berry et al. | Enhancing optical-to-terahertz conversion efficiency by using plasmonic photoconductive emitters |