DK2022246T3 - Anordning til elektronemission ved høj strømdensitet og høj funktionsfrekvens - Google Patents

Anordning til elektronemission ved høj strømdensitet og høj funktionsfrekvens Download PDF

Info

Publication number
DK2022246T3
DK2022246T3 DK07736322.4T DK07736322T DK2022246T3 DK 2022246 T3 DK2022246 T3 DK 2022246T3 DK 07736322 T DK07736322 T DK 07736322T DK 2022246 T3 DK2022246 T3 DK 2022246T3
Authority
DK
Denmark
Prior art keywords
photocathode
anode
electrodes
electrode
gate
Prior art date
Application number
DK07736322.4T
Other languages
English (en)
Inventor
Jeffrey Levy
Original Assignee
Novatrans Group Sa
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Novatrans Group Sa filed Critical Novatrans Group Sa
Application granted granted Critical
Publication of DK2022246T3 publication Critical patent/DK2022246T3/da

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02Main electrodes
    • H01J1/34Photo-emissive cathodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J21/00Vacuum tubes
    • H01J21/02Tubes with a single discharge path
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S1/00Masers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the microwave range
    • H01S1/02Masers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the microwave range solid
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/062Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
    • H01S5/06226Modulation at ultra-high frequencies
    • H01S5/0623Modulation at ultra-high frequencies using the beating between two closely spaced optical frequencies, i.e. heterodyne mixing

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Common Detailed Techniques For Electron Tubes Or Discharge Tubes (AREA)
  • Optical Communication System (AREA)

Claims (21)

  1. ANORDNING TIL ELEKTRONEMISSION VED HØJ STRØMDENSITET OG HØJ FUNKTIONSFREKVENS
    1. Elektrisk anordning, der kan anvendes med en THz-intervalfrekvens, hvilken anordning omfatter et elektrodearrangement, der omfatter mindst en fotokatodeelektrode (12a) og en tilhørende anodeelektrode (12b) med et rum mellem disse, og hvor fotokatoden er konfigureret til at blive eksponeret af en belysningskilde (14) med en THz-amplitudemoduleret udgangsbølge, hvorved der frembringes elektroners emission fra fotokatoden og en fotostrøm gennem anordningen; en spændingstilførselsenhed til tilførsel af et elektrisk indgangssignal på én af elektroderne af elektrodernes arrangement; og en signaltransmitter-/modtagerenhed, der omfatter et antennekredsløb, der er elektrisk forbundet med én eller flere af elektroderne, hvilket antennekredsløb derfor kan anvendes ved hjælp af et elektrisk udgangssignal ved den ene eller flere af elektroderne.
  2. 2. Anordning ifølge krav 1, hvor elektrodernes arrangement omfatter mindst én gate-elektrode, der er placeret i et plan mellem fotokatode- og anodeplanerne.
  3. 3. Anordning ifølge krav 1 eller 2, hvor elektroderne er adskilt fra hinanden med en afstand, der ikke overstiger få mikron, hvorved anvendelse af anordningen muliggøres med en spændingstilførsel på volt i få grupper på ti eller mindre til den mindst ene elektrode.
  4. 4. Anordning ifølge et hvilket som helst af de foregående krav, der omfatter en belysningskilde, der kan anvendes til at belyse fotokatoden med en lysstråle af en vis fast intensitet og det forudbestemte bølgelængdeinterval valgt i overensstemmelse med fotokatodematerialet for udledning af elektroner derfra.
  5. 5. Anordning ifølge et hvilket som helst af de foregående krav, hvor elektrodernes arrangement er konfigureret som en triodestruktur, der omfatter fotokatode-, anode- og gate-elektroderne, hvor gaten er placeret i et plan mellem fotokatode- og anodeplanerne.
  6. 6. Anordning ifølge krav 5, hvor gate-elektroden er placeret i et plan adskilt fra hvert af fotokatode-og anode-planerne med en åbning på mindre end 1 mikron.
  7. 7. Anordning ifølge krav 6, hvor åbningen mellem fotokatoden og anoden er henholdsvis ca. 0,1 mikron og 0,3 mikron.
  8. 8. Anordning ifølge krav 7, hvor gaten har en tykkelse på 0,1 mikron og en dimension over et rum mellem fotokatoden og anoden på ca. 0,1 mikron.
  9. 9. Anordning ifølge krav 5, hvor elektrodernes arrangement er konfigureret som en tetrodestruktur, der omfatter fotokatode-, anode-, gate- og skærmgitterelektroder, hvor skærmgitteret er placeret mellem gate- og anodeplanerne.
  10. 10. Anordning ifølge krav 9, hvor elektroderne er adskilt fra hinanden med en åbning på mindre end 1 mikron.
  11. 11. Anordning ifølge krav 10, hvor åbningen mellem gate-elektroden og fotokatoden er 0,1 mikron, åbningen mellem gaten og skærmgitteret er 0,3 mikron, og åbningen mellem skærmgitteret og anoden er 0,3 mikron.
  12. 12. Anordning ifølge krav 11, hvor tykkelsen af gaten og af skærmgitteret er 0,1 mikron.
  13. 13. Anordning ifølge et hvilket som helst af de foregående krav, hvor fotokatodelaget er mønstret for at danne et system af adskilte områder af fotokatodematerialet og mere elektrisk ledende materiale inde i rummene mellem fotokatodematerialeområderne.
  14. 14. Anordning ifølge krav 1, der kan anvendes med en THz-intervalfrekvens af anordningens udgang, hvor elektrodernes arrangement er konfigureret som en diodestruktur, der omfatter fotokatodeelektroden og anodeelektroden; og en belysningskilde, der er konfigureret og kan anvendes til at generere en lysstråle i form af en overlejring af to lyskomponenter af lettere forskellige frekvenser for derved at belyse fotokatoden med en THz-amplitudemodulret bølge og bevirke, at den tilsvarende fotostrøm modtages ved anodeelektroden for at anvende signal transmi tter-/modtagerenheden ved hjælp af det elektriske signal induceret af fotostrømmen ved anoden.
  15. 15. Anordning ifølge krav 14, hvor belysningskilden omfatter to lysemittere, der genererer de to lyskomponenter med henholdsvis lettere forskellige frekvenser.
  16. 16. Anordning ifølge krav 14 eller 15, hvor fotokatode- og anodeelektroderne er adskilt fra hinanden af en åbning på op til få mikron.
  17. 17. Anordning ifølge et hvilket som helst af kravene 14 til 16, hvor signaltransmitter-/modtagerenheden er elektrisk forbundet med anodeelektroden.
  18. 18. Anordning ifølge et hvilket som helst af kravene 14 til 17, hvor fotokatode- og anodelagene er placeret på adskilte mod hinanden vendende overflader af henholdsvis det første og det andet substrat.
  19. 19. Anordning ifølge krav 18, kendetegnet ved mindst én af følgende: (i) det første substrat i alt væsentligt er transparent for lysstrålen; (ii) det andet substrat er dannet med en elektrisk konnektor fra anodelaget til en ydre overflade af det andet substrat for kobling til den transmitterende/modtagende enhed; (iii) transmitter-/modtagerenheden omfatter et antennekredsløb trykt på den ydre overflade af det andet substrat.
  20. 20. Anordning ifølge et hvilket som helst af kravene 14 til 19, der er konfigureret som en THz-transmitterenhed
  21. 21. Anordning ifølge et hvilket som helst af kravene 1 til 13, der er konfigureret som en THz-transmitterenhed.
DK07736322.4T 2006-05-11 2007-05-13 Anordning til elektronemission ved høj strømdensitet og høj funktionsfrekvens DK2022246T3 (da)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US79935306P 2006-05-11 2006-05-11
PCT/IL2007/000582 WO2007132459A2 (en) 2006-05-11 2007-05-13 Electron emission device of high current density and high operational frequency

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DK2022246T3 true DK2022246T3 (da) 2019-01-14

Family

ID=38694303

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DK07736322.4T DK2022246T3 (da) 2006-05-11 2007-05-13 Anordning til elektronemission ved høj strømdensitet og høj funktionsfrekvens

Country Status (5)

Country Link
US (2) US8143566B2 (da)
EP (1) EP2022246B1 (da)
DK (1) DK2022246T3 (da)
ES (1) ES2701708T3 (da)
WO (1) WO2007132459A2 (da)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8314392B2 (en) * 2010-06-21 2012-11-20 Novatrans Group Sa Antenna for use in THz transceivers
US9279723B2 (en) 2010-08-19 2016-03-08 Novatrans Group Sa Terahertz spectroscopy system and method
US10790403B1 (en) 2013-03-14 2020-09-29 nVizix LLC Microfabricated vacuum photodiode arrays for solar power
US9406488B2 (en) * 2013-03-15 2016-08-02 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Enhanced photoelectron sources using electron bombardment
US20180191265A1 (en) * 2016-12-30 2018-07-05 John Bennett Photo-electric switch system and method
CA3070849A1 (en) 2017-07-24 2019-01-31 Terahertz Group Ltd. High frequency optical switch and fabrication methods thereof
US10615599B2 (en) 2018-07-12 2020-04-07 John Bennett Efficient low-voltage grid for a cathode
US10566168B1 (en) 2018-08-10 2020-02-18 John Bennett Low voltage electron transparent pellicle
JP6925090B1 (ja) * 2021-04-26 2021-08-25 株式会社Photo electron Soul 電子銃、電子線適用装置および照射位置移動方法
US20230395349A1 (en) * 2022-06-01 2023-12-07 Kla Corporation Creating Multiple Electron Beams with a Photocathode Film

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4464572A (en) * 1982-05-06 1984-08-07 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Infrared photoemitting diode having reduced work function
US4703228A (en) * 1985-08-28 1987-10-27 Ga Technologies Inc. Apparatus and method for providing a modulated electron beam
US5789750A (en) * 1996-09-09 1998-08-04 Lucent Technologies Inc. Optical system employing terahertz radiation
US5894125A (en) * 1997-08-18 1999-04-13 Lucent Technologies Inc. Near field terahertz imaging
RU2340032C2 (ru) * 2003-07-22 2008-11-27 Йеда Рисеч Энд Девелопмент Компани Лтд. Устройство для получения электронной эмиссии
WO2006077595A2 (en) 2005-01-21 2006-07-27 Novatrans Group Sa Device and method for signal processing

Also Published As

Publication number Publication date
WO2007132459A3 (en) 2009-04-30
US8487234B2 (en) 2013-07-16
EP2022246B1 (en) 2018-09-12
EP2022246A4 (en) 2014-10-15
ES2701708T3 (es) 2019-02-25
US20120181429A1 (en) 2012-07-19
US20090206283A1 (en) 2009-08-20
WO2007132459A2 (en) 2007-11-22
US8143566B2 (en) 2012-03-27
EP2022246A2 (en) 2009-02-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DK2022246T3 (da) Anordning til elektronemission ved høj strømdensitet og høj funktionsfrekvens
US11231318B2 (en) Photoconductive detector device with plasmonic electrodes
Yardimci et al. High power telecommunication-compatible photoconductive terahertz emitters based on plasmonic nano-antenna arrays
Yang et al. 7.5% optical-to-terahertz conversion efficiency offered by photoconductive emitters with three-dimensional plasmonic contact electrodes
US7608814B2 (en) Optical structure for localising an electromagnetic field and detector or emitter device including such a structure
JP6955337B2 (ja) 低デューティサイクル連続波光伝導性テラヘルツ撮像および分光システム
JP2002184302A (ja) 半導体光電陰極
JP6222734B2 (ja) 周波数可変フィルタ
Singh et al. Microlensless interdigitated photoconductive terahertz emitters
US9224899B2 (en) Light mixer for generating terahertz radiation
WO2001009915A1 (en) Diamond supported photocathodes for electron sources
US6005351A (en) Flat panel display device using thin diamond electron beam amplifier
US20230026900A1 (en) Three-dimensional photoconductive transducer for terahertz signals or picosecond electrical pulses
Berry et al. Plasmonic photoconductive terahertz emitters based on logarithmic spiral antenna arrays
Berry et al. Nanoscale contact electrodes for significant radiation power enhancement in photoconductive terahertz emitters
Zenchenko et al. Enhanced terahertz emission in a large-area photoconductive antenna through an array of tightly packed sapphire fibers
Yang et al. 7.5% optical-to-terahertz conversion efficiency through use of three-dimensional plasmonic electrodes
Yardimci et al. High-power, broadband terahertz radiation from large area plasmonic photoconductive emitters operating at telecommunication optical wavelengths
Mimura et al. Future concept for compact FEL using a field emission micro-cathode
Garcia-Muñoz et al. On the finite semiconductor thickness effect applied to large area emitters devices for THz radiation
Berry et al. Plasmonics-enhanced photoconductive terahertz emitters
Berry et al. Substantial radiation enhancement in photoconductive terahertz emitters by utilizing plasmonic contact electrodes
Dyer et al. High current photoelectric effects with VUV F2 laser irradiated metals
Shimawaki et al. Laser-induced electron emission from p-type silicon emitters
Berry et al. Enhancing optical-to-terahertz conversion efficiency by using plasmonic photoconductive emitters