DK1346367T3 - Ferroelektrisk hukommelseskredslöb og fremgangsmåde til fremstilling deraf - Google Patents

Ferroelektrisk hukommelseskredslöb og fremgangsmåde til fremstilling deraf

Info

Publication number
DK1346367T3
DK1346367T3 DK01997814T DK01997814T DK1346367T3 DK 1346367 T3 DK1346367 T3 DK 1346367T3 DK 01997814 T DK01997814 T DK 01997814T DK 01997814 T DK01997814 T DK 01997814T DK 1346367 T3 DK1346367 T3 DK 1346367T3
Authority
DK
Denmark
Prior art keywords
making
memory circuit
ferroelectric memory
ferroelectric
circuit
Prior art date
Application number
DK01997814T
Other languages
English (en)
Inventor
Nicklas Johansson
Lichun Chen
Original Assignee
Thin Film Electronics Asa
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Thin Film Electronics Asa filed Critical Thin Film Electronics Asa
Application granted granted Critical
Publication of DK1346367T3 publication Critical patent/DK1346367T3/da

Links

DK01997814T 2000-11-27 2001-11-27 Ferroelektrisk hukommelseskredslöb og fremgangsmåde til fremstilling deraf DK1346367T3 (da)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NO200059804 2000-11-27
NO0104734 2001-11-27

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DK1346367T3 true DK1346367T3 (da) 2005-07-11

Family

ID=34709405

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DK01997814T DK1346367T3 (da) 2000-11-27 2001-11-27 Ferroelektrisk hukommelseskredslöb og fremgangsmåde til fremstilling deraf

Country Status (1)

Country Link
DK (1) DK1346367T3 (da)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DK2172938T3 (da) Anordning og fremgangsmåde til gengivelse af data
NO20020343L (no) Kaspase-inhibitorer og anvendelse derav
NO20014823D0 (no) Heterocyklus-holdige bifenyl-aP2-inhibitorer og metode
DE60105873D1 (de) Halbleiterspeicherherstellungssystem und -verfahren
NO20032668D0 (no) Gyraseinhibitorer og anvendelser derav
DK1298282T3 (da) Fremgangsmåde og indretning til syrebehandling af en underjordisk formation i borehuller
SG114617A1 (en) Integrated memory circuit and method of forming an integrated memory circuit
DK1340062T3 (da) Metode og anordning til kryolagring
DK1315881T3 (da) Metode og system til perforering
NO20025416L (no) System og fremgangsmåte ved ekspanderbar komplettering
IS6700A (is) Meðferðarblanda CETP hindra og atórvastatíns
DK200100797A (da) Metoder til indentifikation og verifikation
DE60227330D1 (de) Ferroelektrischer Halbleiterspeicher
NO20030228D0 (no) Antennestruktur og assosiert fremgangsmåte
IS6822A (is) Imidazól- og bezimidazól kaspasatálmar og notkun þeirra
DE60212272D1 (de) Leseverstärkersteuerschaltung und -verfahren für nichtflüchtige Speicheranordnung
DE60132726D1 (de) Speicherzugriffschaltung und Speicherzugriffsteuerungsschaltung
NO20025886L (no) Brönnhullsvindusfinner og fremgangsmåte for bruk av denne
NO20053443L (no) Innretning og fremgangsmate for fremstilling av isolasjonselementer
DE60216543D1 (de) Sektorschutzschaltung und -verfahren für Flash-Speicheranordnungen
DK1346367T3 (da) Ferroelektrisk hukommelseskredslöb og fremgangsmåde til fremstilling deraf
DE60140717D1 (de) Dekodierungsschaltkreis und zugehöriges Dekodierungsverfahren
NO20026234D0 (no) Bygningselement og fremgangsmåte for å fremstille slikt element
GB2342227B (en) Method of manufacturing ferroelectric memory device
NO20024974L (no) Nedihulls-pluggholder og fremgangsmåte