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BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLANDFEDERAL REPUBLIC OF GERMANY

Tag der Anmeldung: 29. Mai 1954 Bekanntgemacht am 13. Oktober 1955Registration date: May 29, 1954. Advertised on October 13, 1955

DEUTSCHES PATENTAMTGERMAN PATENT OFFICE

Die Erfindung bezieht sich allgemein auf die Xerographie raid insbesondere auf ein neues photoelektrisch empfindliches Material fürxerographische Zwecke.The invention relates generally to the xerography raid, more particularly to a new photoelectric sensitive material for xerographic purposes.

Aus der USA.-Patentschrift 2 297 691 ist ein neues elektrophotographisches Verfahren bekanntgeworden, welches die Bezeichnung Xerographie erhalten 'hat. Nach diesem Verfahren wird ein Material, bestehend aus einer p'hotoleitenden Isolierschicht auf einer leitenden Unterlage, durch Aufbringen einer elektrostatischen Ladung auf die photoleitende Isolierschicht lichtempfindlich gemacht. Ein solches lichtempfindlich gemachtes Material wird dann zur elektrophotographischen Bilderzeugung verwendet, indem es unter einer Vorlage belichtet wird. Dadurch wird eine selektive Zerstreuung der Ladung dort bewirkt, wo helles Licht auf die Platte fällt. Hierauf folgt eine Entwicklung des unsichtbaren (latenten) elektrostatischen Bildes durch Behandlung mit einem elektroskopischen Stoff. Aufgabe der Erfindung ist nunmehr die Schaffung eines neuen empfindlichen Materials, das insbesondere für xerographisehe Zwecke geeignet ist.U.S. Patent No. 2,297,691 is a new electrophotographic process has become known, which is called xerography had received. According to this process, a material consisting of a photoconductive insulating layer on a conductive base, by application an electrostatic charge on the photoconductive insulating layer is made photosensitive. Such a photosensitized material then becomes electrophotographic Imaging used by exposing it under an original. This makes it a selective one Dissipation of the charge causes where bright light falls on the plate. This is followed by a development of the invisible (latent) electrostatic image by treatment with an electroscopic Material. The object of the invention is now to create a new sensitive Material that is particularly suitable for xerographic purposes.

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Erfniduiigsgeniäl.i besteht das neu.- Material aus (■iniT leitenden Unterlage mit einer zweifachen photoleitenden Isolierschicht auf wenigstens einer Seite der Unt.-rlage. Die 1 )oppelschicht setzt sich aus einem Träger und einer auf dessen Oberseite befindlichen dünnen photoleitenden, Selen enthaltenden Schicht zusammen. Gemäß einer Ausfüll· rung.· !'inn: der Erfindung hai da:; neue Material gemäß der Erfindung eine leitende Unterlage, z. Ii. ίο aus einem Metall od. dgl., auf dessen Oberfläche eine photoleitende Schicht angeordnet ist, die aus einer I'nterschieht aus glasartigem Selen od. dgl. und einer darauf befindlichen dünnen Oberschicht aus einem Gemisch von Selen und Tellur bestellt. Gegenüber den bekannten Selenschichten zeichnet sich das neue empfindliche Gebilde durch eine höhere Lichtempfindlichkeit aus. Bewiesen wird dies durch eine bei Belichtung beträchtlich höhere Leitfähigkeit und durch eine Erhöhung der Spektraleniplindlichkeit, die sich insbesondere durch eine höhere Rotempfmdliehkeit ausdrückt.Erfniduiigsgeniäl.i consists of the neu.- material (■ iniT conductive pad with a double photoconductive insulating layer on at least one side of the support. The 1) double layer settles composed of a support and a thin photoconductive, selenium-containing layer located on its upper side. According to a fill-in tion. ·! 'inn: the invention hai da :; new material according to the invention a conductive pad, e.g. Ii. ίο made of a metal or the like. On its surface a photoconductive layer is arranged, which od from an underlay of vitreous selenium. Like. and a thin top layer made of a mixture of selenium and tellurium. Compared to the well-known selenium layers, the new sensitive structure is characterized by a higher photosensitivity. This is proven by a considerably higher one on exposure Conductivity and by increasing the spectral sensitivity, which is expressed in particular by a higher sensitivity to red.

Das neue xerographische Material besteht aus einer Unterlage, z. B. einer Grundplatte od. dgl., aus einem elektrisch leitenden Material, wie z. B. aus Metall od. dgl. Auf wenigstens einer Seite dieser Unterlage befindet sich eine Unterschicht, welche eine dünne photoleitende Oberschicht trägt. ■Die Unterlage wird entsprechend den bekannten Erfordernissen der Xerographie ausgewählt und besteht im allgemeinen aus einer metallischen I'latte, einem zylindrischen Blech, einem Gewebe od. dgl. Das die Unterlage bildende .Material kann auch anderer Art sein, sofern es nur als Baustoff \erwendbar und elektrisch leitend ist. Die elek-Irische Leitfähigkeit kann auf den natürlichen Eigenschaften des Materials an sich oder darauf beruhen, dal.t ein elektrisch leitender Stoff einem nichtleitenden Material in feinverteilter Form einverleibt ist oder auf das Material aufgetragen wird. Zweckmäßig bestellt die Unterlage aus Metall, ■/.. IS. aus Aluminium, Messing, Magnesium, Eisen, Stahl, Chrom od. dgl., oder aus einem anderen elektrisch leitenden Stoff, wie z. 15. aus elektrisch leitendem Glas, metallisiertem Papier oder Kunststoff od. dgl. oder elektrisch leitenden J larzen, plastischen Massen oder ähnlichen Materialien. Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung besteht die Unterlage aus einer Aluminiumplatte oder einem Aluminiunizylindcr mit einer darauf befindliehen dünnen Aluminiumoxydschicht.The new xerographic material consists of a base, e.g. B. od a base plate. Like., Made of an electrically conductive material, such as. B. made of metal or the like. On at least one side of this base there is a lower layer which carries a thin photoconductive upper layer. The base is selected according to the known requirements of xerography and generally consists of a metallic plate, a cylindrical sheet, a fabric or the like. The material forming the base can also be of a different type, provided it is only used as a building material is usable and electrically conductive. The electrical conductivity can be based on the natural properties of the material per se or on the fact that an electrically conductive substance is incorporated into a non-conductive material in finely divided form or is applied to the material. Appropriately ordered the base made of metal, ■ / .. IS. Made of aluminum, brass, magnesium, iron, steel, chromium or the like. Or from another electrically conductive material, such as. 15. Made of electrically conductive glass, metallized paper or plastic or the like. Or electrically conductive glass, plastic masses or similar materials. According to a preferred embodiment of the invention, the base consists of an aluminum plate or an aluminum cylinder with a thin aluminum oxide layer on it.

Wenigstens auf einer Seite der Unterlage befindet sich die Unterschicht, welche beispielsweise Selen in glasartiger Form, Schwefel, Anthrazen oder anderes ähnliches isolierendes Material enthält. welches sich durch weite Bereiche positiver Lochleitung kennzeichnet.The lower layer is located at least on one side of the base, which for example Contains selenium in vitreous form, sulfur, anthracene or other similar insulating material. which extends through wide areas of positive hole line indicates.

Auf der Unterschicht befindet sich eine dünne photoleitende Oberschicht aus einem Gemisch von Selen und Tellur, beide in glasartiger Form. Die oberste Schicht hat im allgemeinen eine Dicke etwa in der Größenordnung von 2 bis 10 Mikron und besteh! aus Selen und Tellur, wobei der Tellurgehalt etwa 2 bis 45 Gewichtsprozent und vorzugsweise 5 bis 28 Gewichtsprozent ausmacht. Im allgemeinen ist es zweckmäßig, dünnere Schichten aus einem Selen-Tcllur-G-eniisc'h mit 'höheren Selen-konzentrat ionen zu verwenden.On top of the lower layer is a thin photoconductive upper layer made of a mixture of Selenium and tellurium, both in glassy form. The top layer generally has a thickness of about on the order of 2 to 10 microns and consist! from selenium and tellurium, the tellurium content being about 2 to 45 percent by weight, and preferably 5 to 28 percent by weight. In general it is advisable to use thinner layers of a selenium-Tcllur-G-eniisc'h with 'higher selenium concentrate ions to use.

Das Material gemäß der Erfindung wird für xerographische Zwecke sensibilisiert, indem es durch Aufbringung einer elektrostatischen Ladung mit positiver Polarität empfindlich gemacht wird, woraufhin man die elektrostatische Lacking durch Exposition unter einer optischen Vorlage selektiv zum Verschwinden bringt. Unter diesen Bedingungen arbeitet die Selen-Tellur-Sc'hic'ht als photoleitende Schicht, welche bei der Belichtung positive Löcher erzeugt. Diese positiven Löcher werden durch die Unterschicht abgeleitet und an der Oberfläche der leitenden Unterlage durch Elektronen neutralisiert.The material according to the invention is sensitized for xerographic purposes by adding is made sensitive by applying an electrostatic charge with positive polarity, whereupon electrostatic painting can be done by exposure under an optical template disappears. Under these conditions, the selenium-tellurium layer works as a photoconductive layer Layer that creates positive holes during exposure. These are positive holes dissipated through the underlayer and on the surface of the conductive support by electrons neutralized.

Das neue Material wird nachfolgend als Kombination einer photoleitenden Sel'en-Tcllur-Schic'ht beschrieben, die auf einer glasartigen Selenunlcrschicht angeordnet ist. Es sei jedoch bemerkt, daß das Selen auch durch andere Stoffe der oben beschriebeiien Art ersetzt werden kann.The new material is subsequently described as a combination of a photoconductive selenium-Tcllur layer described on a vitreous selenium layer is arranged. It should be noted, however, that the selenium is also due to other substances described above Art can be replaced.

Es sind bereits für die Xerographie verwendbare Gebilde mit einer leitenden Unterlage und einer darauf befindlichen photoleitenden Schicht aus glasartigem Selen vorgeschlagen worden. Eine derartige xerographische Platte kennzeichnet sich durch viele wünschenswerte Eigenschaften. So hat sie im allgemeinen eine verhältnismäßig geringe Abnahmegeschwindigkeit der Ladung im unbelichteten Zustande, verhältnismäßig geringe Rest-Potentiale, und sie ist verhältnismäßig frei von sogenannten Ermüdungserscheinungen. Dieses bedeutet, daßThere are already usable structures for xerography with a conductive base and a thereon photoconductive layer made of vitreous selenium has been proposed. Such a one xerographic plate has many desirable properties. So had they generally have a relatively slow rate of decrease of the charge in the unexposed Conditions, relatively low residual potentials, and it is relatively free of so-called Signs of fatigue. This means that

1. solche vorbekannten Gebilde in der Lage sind, auf ihrer Oberfläche eine elektrostatische Ladung aufzunehmen und festzuhalten, ohne daß die Ladung bei fehlender Belichtung irgendwie wesentlich zerstreut wird,1. Such previously known structures are capable of an electrostatic charge on their surface to record and hold, without losing any significant amount of charge in the absence of exposure is scattered,

2. die Potentialdifferenz bei der Belichtung sich auf einen niedrigen Wert verringert und2. the potential difference in the exposure decreases to a low value and

3. die bekannten Gebilde sich dadurch auszeichnen, daß sie diese Eigenschaften auch bei Wiederholungen des xerographischen Prozesses verhältnismäßig gut beibehalten.3. the known structures are characterized by the fact that they also have these properties Maintain repetitions of the xerographic process relatively well.

Nach einer bestehenden Theorie erklären sich no diese und andere Eigenschaften xerographischer !Matten dadurch, daß glasartiges Selen in Abwesenheit von Licht eine sehr geringe Dichte an freien Stromträgern hat und daß Träger, wie z. B. positive Löcher, welche durch die Lichteinwirkung befreit werden, in der Lage sind, im wesentlichen durch die glasartige Selenschicht zu wandern, ohne abgefangen zu werden. Es ergibt sich also, daß eine glasartige Selenschicht den Durchtritt von positiven Löchern besonders begünstigt. laoAccording to one existing theory, these and other properties are no more xerographic ! Mats because vitreous selenium has a very low density of free in the absence of light Has current carriers and that carrier such. B. positive holes, which are freed by exposure to light are able to migrate essentially through the vitreous selenium layer without being intercepted to become. It follows that a vitreous selenium layer allows positive penetration Holes particularly favored. lao

Es wurde nun erkannt, daß im Gegensatz zu einer glasartigen Selenschicht ein Gemisch aus Selen und Tellur sich durch kürzere, freie Wege für die positiven Löcher und ferner durch eine größere Dichte an freien Stromträgern auszeichnet, sofern kein Licht einwirkt. Die photolcitcndenIt has now been recognized that, in contrast to a vitreous selenium layer, a mixture of Selenium and tellurium are separated by shorter, free paths for the positive holes and also by one greater density of free current carriers, as long as there is no exposure to light. The photolcitcenden

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Eigenschaften von Gemischen aus Selen und Tellur sind jedoch weit besser als diejenigen von glasartigem Selen. Insbesondere sprechen Gemische aus Selen und Tellur photoleitend auf alle sichtbaren Strahlungsbereiche an, während glasartiges Selen nur auf Blau und Grün anspricht. Weiterhin ist bei Gemischen aus Selen und Tellur die Empfindlichkeit gegenüber blauem und grünem Licht größer als bei glasartigem Selen.However, properties of mixtures of selenium and tellurium are far better than those of vitreous Selenium. In particular, mixtures of selenium and tellurium speak photoconductively to all visible ones Areas of radiation, while vitreous selenium only responds to blue and green. Furthermore is in the case of mixtures of selenium and tellurium, the sensitivity to blue and green light is greater than with vitreous selenium.

ίο Gemäß der Erfindung werden nun die günstigen Eigenschaften der glasartigen Selenschicht als Material mit geringer Dichte an freien Stromträgern im Dunkeln und als Material, welches durch Belichtung befreite, positive Löcher gut durchläßt, in Kombination mit den ausgezeichneten photoleitenden Eigenschaften eines Selen-Tellur Gemisches benutzt, um ein verbessertes xerographiisches Material zu schaffen.ίο According to the invention, the cheap Properties of the vitreous selenium layer as a material with a low density of free current carriers in the dark and as a material that freed positive holes through exposure to light lets through, in combination with the excellent photoconductive properties of a selenium-tellurium mixture used to create an improved xerographic material.

Gemäß einer Ausführungsform des Herstellungs-Verfahrens wird eine Aluminiumplatte unter ein hohes Vakuum in der Größenordnung von weniger als etwa 1 Mikron Quecksilbersäule gesetzt und dann eine Schicht von glasartigem Selen aufgedampft, wobei man die Aluminiumplatte auf einer Temperatur zwischen etwa 60 und 90⁰, vorzugsweise etwa von 75⁰C hält. Der Auftrag der Selenschicht wird beendet, wenn die Schicht die gewünschte Dicke von beispielsweise etwa 10 bis 200 Mikron erreicht hat. Alsdann wird auf die Oberfläche eine zweite Schicht aufgedampft, die aus einem Gemisch von Selen und Tellur besteht und Tellur im wesentlichen in der Anteilsmenge enthält, die in der zu erzeugenden photoleitenden Schicht gewünscht wird. Die photoleitende Schicht aus Selen und Tellur ist zweckmäßig dünner als die glasartige Selenunterschicht und kann in ihrer - Stärke nach unten hin bis z. B. 0,03 Mikron und nach oben hin bis z. B. 50 % der Dicke der Trägerschicht betragen. Für gewöhnlich ist sie jedoch nicht dünner als 0,1 Mikron und macht nicht mehr als 20 °/o der Dicke der Trägerschicht aus. So kann man beispielsweise ein xerographisches Material herstellen, welches aus einer Unterlageplatte, einer glasartigen Selenschicht in einer Stärke von etwa 20 Mikron und einem Selen-Tellur-Überzu-g mit einer Stärke von etwa 1 Mikron besteht. Dieses neue Gebilde zeichnet sich durch verhältnismäßig geringe Ladungsabnahme im Dunkeln und durch das Fehlen von Ermüdungserscheinungen in Verbindung mit erhöhter Photoleitgeschwindigkeit und wesentlich verbesserter Empfindlichkeit gegenüber rotem, gelbem und grünem Licht aus.According to one embodiment of the manufacturing process, an aluminum plate is placed under a high vacuum on the order of less than about 1 micron of mercury and then a layer of vitreous selenium is evaporated on, the aluminum plate being kept at a temperature between about 60 and 90 ⁰ , preferably about of 75 ⁰ C holds. The application of the selenium layer is ended when the layer has reached the desired thickness of, for example, about 10 to 200 microns. Then a second layer is vapor-deposited onto the surface, which consists of a mixture of selenium and tellurium and contains tellurium essentially in the proportion that is desired in the photoconductive layer to be produced. The photoconductive layer made of selenium and tellurium is expediently thinner than the vitreous selenium underlayer and can in its - thickness down to z. B. 0.03 micron and up to z. B. 50% of the thickness of the carrier layer. However, it is usually no thinner than 0.1 microns and no more than 20% of the thickness of the support layer. For example, a xerographic material can be produced which consists of a base plate, a vitreous selenium layer with a thickness of about 20 microns and a selenium-tellurium coating with a thickness of about 1 micron. This new structure is characterized by a relatively small decrease in charge in the dark and by the absence of signs of fatigue in connection with increased photoconductivity and significantly improved sensitivity to red, yellow and green light.

Gemäß der Erfindung können auch andere Verfahren zur Herstellung der neuen xerographischen Gebilde angewendet werden, doch wird die Vakuum-Aufdampfungsmethode gegenwärtig bevorzugt.According to the invention, other methods of producing the new xerographic Structures can be used, but the vacuum deposition method is currently preferred.

Die folgenden Beispiele sollen einfache und ohne Schwierigkeiten durchzuführende Verfahren zur Nutzbarmachung der Vorteile der Erfindung veranschaulichen. Das neue xerographische Materia! kann auch durch Aufpressen geschmolzener Schichten auf eine Unterlage oder durch Aufsprühen einer geschmolzenen Mischung oder Auftragen pigmentierter Bindefilme auf solche Unterlagen erzeugt werden. Es sei jedoch bemerkt, daß die Herstellung hochwertiger Gebilde, wie sie insbesondere für photographische Zwecke erwünscht sind, am besten mit Hilfe von Verfahren erfolgt, die mit Vakuumauf dampf ung arbeiten.The following examples are intended to provide simple procedures that can be carried out without difficulty Illustrate harnessing the advantages of the invention. The new xerographic materia! can also be done by pressing molten layers onto a surface or by spraying a molten mixture or the application of pigmented binding films to such substrates will. It should be noted, however, that the production of high quality structures, such as those in particular for Photographic purposes are desired, best done with the help of processes related to Vacuum evaporation work.

■ Beispiel 1■ Example 1

Eine Messingplatte mit einer glatten, ebenen Oberfläche von annähernd 4X5 Zoll wird mit Hilfe von ein Reinigungsmittel enthaltendem Wasser sauber geputzt. Die Platte wird dann abgespült und mitteliS eines Reinigungsmaterial.s poliert, welches ein Kohlemvasserstoffwachs enthält und unter der Bezeichnung »Glaswachs« im Handel erhältlich ist. Dieses Poliermittel wird gleichmäßig über die Oberfläche der Platte verteilt und unter Benutzung eines reinen, trockenen Tuches kräftig abgerieben. Man erhält auf diese Weise eine polierte Oberfläche, auf der sich wahrscheinlich noch eine außerordentlich dünne Schicht von Kohlenwasserstoffwachs befindet. Die so präparierte Platte wird in Kontakt mit einer Platte, durch welche Wasser von geregelter Temperatur zirkuliert, in eine Evakuierungskammer gebracht. Diese Kammer wird nun evakuiert und die Wassertemperatur so eingestellt, daß die Temperatur der Messingplatte 80⁰C beträgt. Alsdann bringt man Selen in Verdampfungstiegeln aus Molybdän in einen Abstand von et\va 6 Zoll von der Plattenoberfläche entfernt, dann wird das Selen durch Erhitzen mittels eines elektrischen Heizgerätes an den Molybdänverdampfungstiegeln auf die Oberfläche aufgedampft. Auf diese Weise wird eine Selenschicht von etwa 15 Mikron Dicke auf der Messingplatte niedergeschlagen. Alsdann werden ohne Aufhebung des Vakuums andere Molybdäntiegel erhitzt, welche ein Gemisch von 7% Tellur mit Selen enthalten, und es wird so auf die Oberfläche der mit Selen überzogenen Platte ein Film aus einem Selen-Tellur-Gemisch von annähernd 5 Mikron Stärke aufgebracht. Nach Beendigung der Aufdampfung werden die Platten aus der Vakuumkammer entfernt und sind dann für die Xerographie geeignet. Gegenüber vergleichbaren Platten mit einer 20 Mikron dicken Selenschicht ohne Tellurzumischung weisen die neuen Platten eine größere Lichtempfindlichkeit, insbesondere gegenüber grünem und gelbem Licht auf. Mit Hilfe dieses neuen Materials können xerographische Bilder von guter Qualität hergestellt werden.A brass plate with a smooth, flat surface approximately 4X5 inches is wiped clean with water containing a detergent. The plate is then rinsed and polished using a cleaning material which contains a carbon hydrogen wax and is commercially available under the name "glass wax". This polishing agent is evenly distributed over the surface of the plate and rubbed off vigorously using a clean, dry cloth. In this way a polished surface is obtained, on which there is probably still an extremely thin layer of hydrocarbon wax. The plate thus prepared is brought into contact with a plate through which water of controlled temperature circulates in an evacuation chamber. This chamber is then evacuated and the water temperature was adjusted so that the temperature of the brass plate is 80 ⁰ C. Selenium is then placed in evaporation crucibles made of molybdenum at a distance of about 6 inches from the plate surface, then the selenium is evaporated onto the surface by heating with an electric heater on the molybdenum evaporation crucibles. In this way a layer of selenium about 15 microns thick is deposited on the brass plate. Then, without breaking the vacuum, other molybdenum crucibles containing a mixture of 7% tellurium with selenium are heated, and a film of a selenium-tellurium mixture approximately 5 microns thick is applied to the surface of the selenium-coated plate. After the vapor deposition is complete, the plates are removed from the vacuum chamber and are then suitable for xerography. Compared to comparable plates with a 20 micron thick selenium layer without tellurium admixture, the new plates are more sensitive to light, especially to green and yellow light. With the help of this new material, xerographic images of good quality can be produced.

. Beispiel 2. Example 2

Das Verfahren nach Beispiel 1 wird wiederholt, wobei in der oberen Schicht Tellurgehalte von 2, 4, 7 und 8°/o angewendet und von dem Selen-Tellur-Gemisch Filme von 5 Mikron auf Selen-, filme von 15 Mikron aufgebracht werden, so daß · man eine Gesamtfilmstärke von 20 Mikron erhält. Die so erzeugten Platten zeichnen sich durch erhöhte xerographische Empfindlichkeit, besonders gegenüber grünem und gelbem Licht aus, wobei die Platten, deren Schichten 7 bis 8°/o Selen ent-The process according to Example 1 is repeated, with tellurium contents of in the upper layer 2, 4, 7 and 8 per cent. And films of 5 microns of the selenium-tellurium mixture on selenium, 15 micron films are applied to give a total film thickness of 20 microns. The plates produced in this way are particularly notable for their increased xerographic sensitivity against green and yellow light, the plates, the layers of which are 7 to 8% selenium

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halten, die größere Empfindlichkeit zeigen. Xerograpliische Bilder von guter Qualität werden auf allen diesen IMatten erzielt.hold that show greater sensitivity. Xerographic Good quality images are obtained on all of these IMats.

. B e i s ρ i e 1 3. B e i s ρ i e 1 3

Das Verfahren nach Heispiel ι wird wiederholt,The procedure according to Hebeispiel ι is repeated,

wobei jedoch die I'lattentemperaturen während der Aufdainpfung Go, 70, So bzw. S5⁰ betragen. Bei allen diesen Aufdampfungsfemperaturen werden Platten von vergleichbarer Qualität erhalten.However, the slat temperatures during the evaporation are Go, 70, So and S5 ^0, respectively. At all of these vapor deposition temperatures, panels of comparable quality are obtained.

B e i s ρ i e 1 4B e i s ρ i e 1 4

Das Verfahren nach Beispiel 1 wird wiederholt, und zwar zur Herstellung von Platten mit Selen- und Tellursehichteu in einer (iesamtstärke von 60 Mikron, wobei die Selen-Tellur-Schicht, welche oben auf die nur aus-Selen bestehende Unterschicht aufgebracht wird, in ihrer Stärke 10%, d. h. G Mikron beträgt. Ks wird bei einer Plattentemperalur von So" während der Aufdainpfung und einer Aufdampfungszeiit von 10.Min. für die Selenschicht und 60 Min. für die obere Seleii-Tellur-Schicht eine Keilie von Platten hergestellt. Innerhalb dieser I lerstellungsreihe wird der Tellurgehalt in der Selen'Tellur-Schicht bei den verschiedenen !Matten mit o, 7, S, 10, 12,5, 17,5, 15 bzw. 20⁰/o gewählt, während der Rest aus Selen besteht.The process according to Example 1 is repeated, specifically for the production of plates with selenium and tellurium layers in a total thickness of 60 microns, with the selenium-tellurium layer, which is applied on top of the sublayer consisting only of selenium, in its Thickness is 10%, ie G microns. With a plate temperature of So "during the vapor deposition and a vapor deposition time of 10 minutes for the selenium layer and 60 minutes for the upper seleii-tellurium layer, a wedge of plates is produced In this series of preparations, the tellurium content in the selenium tellurium layer in the various mats is ^{chosen as 0} , 7, S, 10, 12.5, 17.5, 15 or 20%, while the rest consists of selenium .

Ik'i der Prüfung der Platten nach diesem Beispiel werden zwei Versuche durchgeführt. Gemäß dem ersten Versuch wird die Platte auf etwa 600 V aufgeladen. Dann wird in Abwesenheit von Licht die Abnahme dieses Potentials als Funktion der Zeit gemessen. Die Halbzeit der Ladungsabnahme im Dunkeln, d.h. die Zeit, welche erforderlich ist, damit das Potential auf die Hälfte seines ursprünglichen Wertes abnimmt, wird bei jeder der Platten aufgezeichnet. Sie beträgt bei der Platte mit einer 7¹Vo Tellur enthaltenden Schicht 630 sek. und bei der Platte, deren Schicht 20%> Tellur enthält, 12 Sek. Die dazwischenliegenden Prozentsätze Selen ergeben entsprechende Zwischenwerte der I .adungsabnalnne-l lalbzeiten. Die in der Oberschicht kein Tellur enthaltende !Matte hat eine Schwarzabnahme-I lalbzeit von mehr als 1000 Sek.In order to test the panels according to this example, two tests are carried out. According to the first attempt, the plate is charged to about 600 volts. Then, in the absence of light, the decrease in this potential is measured as a function of time. The half-time of charge decrease in the dark, that is, the time required for the potential to decrease to half its original value, is recorded on each of the disks. In the case of the plate with a ^{layer containing 7 1} vol of tellurium, it is 630 seconds. and for the plate whose layer contains 20%> tellurium, 12 seconds. The intermediate percentages of selenium result in corresponding intermediate values for the charge absorption half times. The mat, which does not contain any tellurium in the upper layer, has a black-off half-time of more than 1000 seconds.

Heim zweiten Versuch wird die Empfindlichkeit der Platten in reziproken Werten der Sekunden aufgezeichnet, die das 1 Mattenpotential braucht, um von 200 auf 100 V abzufallen, wenn die !Matte 0,03 Mikrowatt je bestrahltem cm- ausgesetzt wird.The second attempt measures the sensitivity of the plates in reciprocal values of the seconds recorded that it takes 1 mat potential to drop from 200 to 100 V when the! mat 0.03 microwatts per cm irradiated is exposed.

Der Versuch wird bei verschiedenen Strahlungswellenlängen durchgeführt, um sowohl die spektrale Empfindlichkeit als auch die Gesamtempfmdlichkeit festzustellen. Die eine Oberschicht mit 20% Tellur aufweisende Platte hat eine Spitzenempfindlichkeit von etwa 1,4 reziproken Sekundenwerten bei etwa 500 Millimikron Wellenlänge, wobei die Empfindlichkeit über den Hereich von weniger als 400 Millimikron bis über f>oo Millimikron Wellenlänge größer als 1 ist. Eine beträchtliche EmpfindlichkeitThe experiment is carried out at different radiation wavelengths in order to reduce both the spectral To determine the sensitivity as well as the overall sensitivity. One top layer with 20% tellurium having a peak sensitivity of about 1.4 reciprocal seconds at about 500 millimicrons wavelength, with sensitivity over the range of less than 400 millimicrons up to over f> oo millimicron wavelength is greater than 1. A considerable sensitivity

fio kann ferner über den ganzen sichtbaren Spektralbereich festgestellt werden. Diejenige !Matte, welche in ihrer Oberschicht kein Tellur enthält, hat eine Spü/.encmpfmdlichkeit von etwa 0,3 reziproken Sekundenwerten bei einer Wellenlänge von etwa 400 Millimikron, und bei einer Wellenlänge von etwa 550 Millimikron ist fast keine Empfindlichkeit vorhanden. Für die Zwischenwerte ergeben sich auch mittlere Empfindlichkeiten. So hat beispielsweise die io°/o Tellur in ihrer Oberschicht enthaltende Platte eine Spitzenempfindlichkeit von etwa 0,7 reziproken Sekundenwerten bei etwa 400 Millimikron Wellenlänge und eine beträchtliche Empfindlichkeit über den Spektralbereich bis zu mehr als 650 Millimikron Wellenlänge.fio can also cover the entire visible spectral range to be established. The mat that does not contain tellurium in its upper layer has one Flushing sensitivity of about 0.3 reciprocal Seconds values at a wavelength of about 400 millimicrons, and at a wavelength of about 550 millimicrons there is almost no sensitivity. The following results for the intermediate values also medium sensitivities. Thus, for example, the upper layer contains 10% tellurium Plate has a peak sensitivity of about 0.7 reciprocal seconds at about 400 millimicron wavelength and considerable sensitivity over the spectral range up to to more than 650 millimicron wavelength.

ß e i s ρ i e 1 5ß e i s ρ i e 1 5

Eine Reihe vom xerograpliisdicn Platten wird mit einer Gesamtstärke der Selen-Tellur-Schichtcn von 50 Mikron hergestellt, wobei die Stärke der auf der unteren Selenschicht befindlichen Selen-Tellur-Schidht 2% oder 1 Mikron beträgt. Diese !Matten werden während der Aufdampfung bei einer Temperatur der Unterlage von So° gefertigt, wobei in der Selen-Tellur-Schicht 25% Tellur enthalten sind. Eine Anzahl soldier !Matten wird bei der Erzeugung von xerographischen Bildern geprüft. Hierbei können gute xcrographische Ergebnisse erzielt werden. Die !Matten kennzeichnen sich durch eine wesentlich vergrößerte Empfindlichkeit, und zwar über den ganzen sichtbaren Spcktralbcreich. Solche !Matten haben ungefähr die I2fachc Empfindlichkeit von vergleichbaren Selenplatten, welche keine Selen-Tellur-Schicht aufweisen.A number of the xerograpliisdicn plates is made with a total thickness of the selenium-tellurium layers of 50 microns, the thickness of the selenium-tellurium layer located on the lower selenium layer 2% or 1 micron. These! Mats are used during vapor deposition Temperature of the base of So ° manufactured, with 25% tellurium in the selenium-tellurium layer are. A number of soldier! Mats are examined in the creation of xerographic images. Good xcrographic results can be achieved here. The! Mats are characterized by a considerably increased sensitivity, and that over the whole visible region of the breast. Such mats have about the I2fold sensitivity of comparable selenium plates that do not have a selenium-tellurium layer.

Ein Material der beschriebenen Art ist besonders für xerographische Zwecke geeignet, wenn mit positiver Polarität auf ein Potential von etwa 50 bis etwa 500 V aufgeladen wird, woran sich dann die Exposition unter einem optischen Bild anschließt, durch die eine selektive Verminderung der elektrostatischen Ladung eintritt. Das sicli ergebende latente elektrostatische Bild kann durch Behandlung mit einem elektroskopischen Material entwickelt, d. h. sichtbar gemacht \vcrden, und das entwickelte Bild je nach Wunsch auf eine beliebige andere Fläche übertragen werden, so daß man eine xcrographische Kopie erhält.A material of the type described is particularly suitable for xerographic purposes when used with positive polarity is charged to a potential of about 50 to about 500 V, which is then the exposure is followed by an optical image, through which a selective reduction of the electrostatic Charge occurs. The resulting electrostatic latent image can be treated by treatment developed with an electroscopic material, d. H. made visible, and that developed Image can be transferred to any other surface as desired, so that one can create an xcrographic Copy received.

Es sei bemerkt, daß auch andere Verfahren zur Herstellung des Materials gemäß der Erfindung angewandt werden können. So kann man beispielsweise geschmolzenes Selen auf eine Unterlage auf- no gießen, aufpressen oder aufsprühen. Ferner kann man gewünschtenfalls die Oberfläche der Unterlage mit einem pigmentierten Harz überstreichen oder besprühen, wobei als Pigment Selen in glasartiger Form oder ein anderes photoleitendes Material der oben beschriebenen Art dient. Ferner kann man die Selen-Tellur-Schicht durc'h gleichzeitiges Aufdampfen von Selen und Tellur aus getrennten Quellen oder durch Aufdampfen eines Gemisches von Selen und Tellur herstellen. Man kann die Selen-Tellur-Schicht aber auch nadh anderen Verfahren aufbringen, wie z. B. durch Aufsprühen eines geschmolzeneu Gemisches oder durch Aufgießen oder Aufpressen eines Gemisches der Bestandteile auf die Unterlage, auf welcher sich die photoleitende Trägerschicht befindet.It should be noted that other methods of manufacturing the material according to the invention can be applied. For example, melted selenium can be placed on a base pour, press or spray on. Furthermore, you can, if desired, the surface of the pad Paint over or spray with a pigmented resin, with selenium as a pigment in vitreous Form or another photoconductive material of the type described above is used. You can also use the Selenium-tellurium layer by simultaneous vapor deposition of selenium and tellurium from separate sources or by vapor deposition of a mixture of selenium and tellurium. The selenium-tellurium layer can also be applied in other processes, such as B. by spraying on a molten mixture or by pouring or Pressing a mixture of the ingredients onto the base on which the photoconductive Carrier layer is located.

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H 20430 IVa/57 bH 20430 IVa / 57 b

Obwohl die Erfindung in Verbindung mit einer Theorie beschrieben wurde, nach der die Wanderung von Elektronen und positiven Löchern innerhalb der festen Körper eine Rolle spielt, so ist die Durchführbarkeit der Erfindung doch nicht an die Richtigkeit dieser Theorie gebunden. Im übrigen können auch die beschriebenen Ausführungsbeispiele Abänderungen erfahren, ohne daß damit der Rahmen der Erfindung verlassen wird.Although the invention has been described in connection with a theory that migration of electrons and positive holes within solid bodies plays a role, so is that The feasibility of the invention is not bound to the correctness of this theory. Furthermore can also experience changes to the embodiments described without thereby the Is left within the scope of the invention.

Claims

PATENT CLAIMS:

1. Photoelectrically sensitizable material, consisting of a conductive pad with an underlying sub-layer made of vitreous selenium, sulfur or anthracene and a thin layer of a mixture of selenium and tellurium applied to it, both in their own vitreous shape.

2. Material according to claim i, characterized in that that the selenium-terlurium layer consists of about 2 to about 45% tellurium and the remainder im consists essentially of selenium.

3. Material according to claim 1, characterized in that that the selenium-telliur layer is made up about 5 to 28% tellurium and the rest essentially consists of selenium.

4. Material according to claim 2, characterized in that the selenium-tellurium layer at least is about 0.03 microns thick but no more than about 50% of the thickness of the Makes up the carrier layer.

5. Material according to claim 4, characterized in that the thin selenium-tellurium layer contains about S to 28% tellurium and the remainder is essentially selenium.

6. Material according to claim 5, characterized in that the thin selenium-Telkir layer is at least about 0.1 micron thick, but not more than about 20% the thickness of the photoconductive one Makes up the carrier layer.