Die Erfindung-bezieht sich auf eine Verstärkerstufe
mit einem Transistor, einer Spannungsquelle zur Lieferung der Kollektorspeisespannung, einem
parallel zur Spannungsquelle liegenden Spannungsteiler zum Gewinnen der Basisvorspannung und
einer im Emittor-Basis-Kreis des Transitors in Reihe mit der Basisvorspannung liegenden Signalquelle
mit niedrigem Gleichstromwiderstand. Sie bezweckt, eine einfache Anordnung zur Gewinnung
der Basisvorspannung zu schaffen in der Weise, daß der effektive Gleichstrom wider stand
zwischen Basiselektrode und Erde nur sehr gering ' ist, und hat das Merkmal, daß der zu dem Emittor-Basis-Kreis
des Transistors gehörende Teil des erwähnten Spannungsteilers aus einer durch die
Speisequelle in Durchlaßrichtung betriebenen Gleichrichterzelle besteht.The invention relates to an amplifier stage
with a transistor, a voltage source for supplying the collector supply voltage, a
voltage divider lying parallel to the voltage source for obtaining the base bias voltage and
a signal source in series with the base bias in the emitter-base circuit of the transistor
with low DC resistance. Its purpose is a simple arrangement for extraction
to create the base bias in such a way that the effective direct current was resisted
between the base electrode and earth is only very slight ', and has the characteristic that that of the emitter-base circle
of the transistor belonging part of the mentioned voltage divider from a through the
Supply source operated in the forward direction rectifier cell.
Die Erfindung wird an Hand der Zeichnung an Ausführungsbeispielen näher erläutert,
ao Fig. ι zeigt ein Ausführungsbeispiel der Erfindung; The invention is explained in more detail with reference to the drawing of exemplary embodiments,
ao Fig. ι shows an embodiment of the invention;
Fig. 2 zeigt Stromspannungskennlinien der benutzten Gleichrichterzellen;Fig. 2 shows current-voltage characteristics of the rectifier cells used;
Fig. 3 zeigt eine Abart der Schaltung nach Fig. i.
as Der Verstärker nach Fig. ι enthält einen Grenzschichttransistor
ι mit der Kollektorspeisequelle 2, zu der ein Spannungsteiler 3, 4 zur Gewinnung der
Basisvorspannung parallel geschaltet ist, während der Eingangskreis zwischen der Basis- und Emittorelektrode
eine Signalquelle 5 mit niedrigem Gleichstromwiderstand enthält. Über einer Belastungsimpedanz 6 werden somit verstärkte Signale erzeugt.
Fig. 3 shows a variant of the circuit according to FIG.
As the amplifier according to Fig. ι contains a boundary layer transistor
ι with the collector feed source 2, to which a voltage divider 3, 4 to obtain the
Base bias is connected in parallel, while the input circuit between the base and emitter electrode
contains a signal source 5 with a low DC resistance. Amplified signals are thus generated across a load impedance 6.
Es zeigt sich, daß die Stabilität des Transistors um so besser ist, je niedriger der im Emittor-Basis-Kreis
wirksame Gleichstromwiderstand ist. Der Spannungsteiler sollte daher niederohmig sein, in
welchem Falle jedoch der Speisequelle eine höhere Leistung entnommen wird. Gemäß der Erfindung
besteht der zum Emittor-Basis-Kreis gehörende Teil 3 dieses Spannungsteilers aus einer Sperrschichtgleichrichterzelle,
die durch die Quelle 2 in Durchlaßrichtung betrieben wird.It turns out that the stability of the transistor is the better, the lower it is in the emitter-base circle
effective DC resistance. The voltage divider should therefore have a low resistance, in
in which case, however, a higher power is taken from the supply source. According to the invention
Part 3 of this voltage divider belonging to the emitter base circle consists of a junction rectifier cell,
which is operated by the source 2 in the forward direction.
In Fig. 2 ist der Strom / durch einen Gleichrichter dieser Art als Funktion der Spannung V
über dem Gleichrichter aufgetragen. Es ergibt sich, daß Sperrschichtgleichrichterzellen, z. B. Ge-, Si-,
Se-Gleichrichter, eine Kennlinie aufweisen, die in der Nähe des Arbeitspunktes w durch die Gleichung
V — IR +V0 dargestellt werden kann, wobei R
den Differentialwiderstand im Arbeitspunkt w bezeichnet, während V0, im Gegensatz zu Gleichrichterröhren,
positiv und von der Größenordnung von 0,1 bis 0,3 V ist. Über der Gleichrichterzelle 3
tritt somit eine geringe Spannung auf, die gerade hinreichend groß ist zum Liefern der erforderlichen
Basisvorspannung, wobei der im Basiskreis wirksame Widerstand R kleiner ist, als wenn anstatt
des Gleichrichters ein Widerstand eingeschaltet wäre.In Fig. 2, the current / through a rectifier of this type is plotted as a function of the voltage V across the rectifier. It appears that junction rectifier cells, e.g. B. Ge, Si, Se rectifiers, have a characteristic that can be represented in the vicinity of the operating point w by the equation V - IR + V 0 , where R denotes the differential resistance at the operating point w , while V 0 , im In contrast to rectifier tubes, it is positive and on the order of 0.1-0.3V. A low voltage thus occurs across the rectifier cell 3, which is just large enough to provide the required base bias, the effective resistance R in the base circuit being smaller than if a resistor were switched on instead of the rectifier.
Weiter nimmt der den ■ Gleichrichter 3 durchlaufende Strom bei zunehmender Temperatur zu,
was durch die gestrichelte Kurve in Fig. 2 angegeben ist, so daß der Basisstrom des Transistors
abnimmt und eine Kompensation der Zunahme des Kollektorgleichstroms bei zunehmender Temperatur
erzielt wird. Wird diese Wirkung zu groß" so kann man zum Erzielen einer vollständigen Kompensation
einen Widerstand größer als R parallel zur Gleichrichterzelle 3 schalten (nicht dargestellt). Der
Widerstand 4 muß selbstverständlich gegenüber R groß sein.Furthermore, the current flowing through the rectifier 3 increases with increasing temperature, which is indicated by the dashed curve in FIG. 2, so that the base current of the transistor decreases and compensation for the increase in the collector direct current with increasing temperature is achieved. If this effect is too large "we can for achieving a complete compensation of a resistance greater than R in parallel to the rectifier cell 3 (not shown). The resistor 4 must face R of course be large.
Fig. 3 zeigt-eine Abwandlung der Schaltung nach Fig. ι in Gegentaktausführung und mit Basiseinspeisung
des Signals. Die Funktion des Spannungsteilers 3, 4 parallel zur Speiseqüelle 2 entspricht »der
nach- Fig. 1.FIG. 3 shows a modification of the circuit according to FIG
of the signal. The function of the voltage divider 3, 4 parallel to the feed source 2 corresponds to »the
according to Fig. 1.
Bei einem praktischen Ausführungsbeispiel wurden Transistoren des Typs OC 71 und eine Gleichrichterzelle
des Typs OA 70 verwendet, die Spannungsquelle 2 lieferte 12 V und der Widerstand 4
war 48 kOhm. Selbstverständlich kann der Spannungsteiler 3, 4 auch zur Erzeugung der Basisvorspannung
einer Anzahl z. B. in Kaskade geschalteter Transistoren dienen.In a practical embodiment transistors of the type OC 71 and a rectifier cell were used
Type OA 70 was used, voltage source 2 supplied 12 V and resistor 4
was 48 kOhm. Of course, the voltage divider 3, 4 can also be used to generate the base bias
a number z. B. used in cascade transistors.