Transistor -Verstärker mit Arbeitsstromstabiliserung Die Erfindung
bezieht sich auf einen Verstärker mit mindestens zwei Transistoren des nicht stromverstärkenden
Typs, deren Emitter-Kollektor-Strecken in Reihe vom Speisegleichstrom durchflossen
werden, bei de mdas zu verstärkende Signal zwischen. Emitter und Basis des erstere
Transistors liegt und das über dessen Kollektorwiderstand erzeugte Signal zwischen
Emitter und Basis des zweiten Transistors angelegt wird. Derartige Verstärker sind
in Kaskaden.- und in Gegentaktverstärkeranordnung bekannt, wobei im ersten Fall
der Emitter des zweiten Transistors für die Signalfrquen.zen mit Masse und sein
Kollektor mit der Ausgangsimpedanz verbunden ist, während im zweiten Fall der Emitter
des zweiten. Transistors über die Belastungsimpedanz mit Masse verbunden ist. Zweck
der Erfindung ist die Arbeitsstromstabilisierung solcher Verstärker gegenüber Temperaturänderungen.Transistor amplifier with operating current stabilization The invention
refers to an amplifier with at least two transistors of the non-current amplifying
Type whose emitter-collector sections flowed through in series by the direct current feed
at de m the signal to be amplified between. Emitter and base of the former
Transistor is and the signal generated via its collector resistance between
Emitter and base of the second transistor is applied. Such amplifiers are
in Kaskaden.- and in push-pull amplifier arrangement known, in the first case
the emitter of the second transistor for the signal frequencies with ground and be
Collector is connected to the output impedance, while in the second case the emitter
the second. The transistor is connected to ground via the load impedance. purpose
the invention is the working current stabilization of such amplifiers against temperature changes.
Bekanntlich weisen Transistorverstärker meistens den. übelstand auf,
daß ihr Arbeitspunkt sich mit der Temperatur ändert. Dies gilt insbesondere für
mit Germaniumtransistoren, bestückten Verstärker, während solche mit Siliziumtransistoren
einen nahezu temperaturunempfindlichen Arbeitspunkt aufweisen. Germaniumtransistoren.
sind aber erheblich billiger als letztere, so daß man. im allgemeinen deren Ternperaturabhängi-gkeit
in Kauf genommen und durch zusätzliche Mittel versucht hat, eine ausreichende Stabilisierung
herbeizuführen.As is well known, transistor amplifiers usually have the. sickness on,
that their working point changes with temperature. This is especially true for
with germanium transistors, equipped amplifiers, while those with silicon transistors
have an almost temperature-insensitive working point. Germanium transistors.
but are considerably cheaper than the latter, so that one. generally their temperature dependence
accepted and tried to achieve adequate stabilization with additional funds
bring about.
So hat man z. B. vorgeschlagen, die Basisvorspannung von Transistorstufen
mittels eines Spannungsteilers aus der Speisespannung herzuleiten und im Emitterkreis
einen Stabilisierungswiderstand vorzusehen. Dieser Emitterwiderstand erniedrigt
aber die dem Transistorausgangskreis zur Verfügung stehende Nutzspeisespannung,
so. daß man mit einem möglichst geringen Emitterwiderstand auszukommen. versucht.
Um trotzdem eine gute Arbeitspunktstabilisierung zu erhalten, muß auch der erwähnte
Spannungsteiler niederohmig sein:, so daß aber ein erheblicher Strom der Speisequelle
entnommen wird.So one has z. B. proposed the base bias of transistor stages
derived from the supply voltage by means of a voltage divider and in the emitter circuit
to provide a stabilizing resistor. This emitter resistance is lowered
but the useful supply voltage available to the transistor output circuit,
so. that you can get by with the lowest possible emitter resistance. tries.
In order to still get a good working point stabilization, the one mentioned must also be used
Voltage divider to be low resistance: so that, however, a considerable current of the supply source
is removed.
Diese Nachteile werden behoben, wenn gemäß der Erfindung zur Arbeitsstromstabilis.ierung
des zweiten Transistors bz-%v. der weiteren. Transistoren. die V orspannung seiner
(ihrer) Basiselektrode(n) mittels eines verhältnismäßig hochohmigen: Spannungsteilers
erzeugt wird, dessen Widerstandswert zwischen dieser Basiselektrode und dem Emitter
des ersten. Transistors jedoch niedriger ist als der innere Widerstand des ersten
Transistors, und wenn der erste Transistor ein Typ mit stabilem Arbeitsstrom, z.
B. ein Siliziumtransistor ist. Der erste Transistor, z. B. aus Silizium, arbeitet
somit nicht nur als Verstärker, sondern dient auch zur Arbeitspunktstabilisierung
des zweiten Transistors, der z. ß. aus Germanium gefertigt ist.These disadvantages are eliminated if according to the invention for Arbeitsstromstabilis.ierung
of the second transistor or% v. the other. Transistors. the bias of his
(Your) base electrode (s) by means of a relatively high resistance: voltage divider
is generated whose resistance value between this base electrode and the emitter
of the first. However, transistor is lower than the internal resistance of the first
Transistor, and if the first transistor is of a stable operating current type, e.g.
B. is a silicon transistor. The first transistor, e.g. B. made of silicon, works
thus not only as an amplifier, but also serves to stabilize the operating point
of the second transistor, e.g. ß. is made of germanium.
Die Erfindung wird an Hand der Zeichnung näher erläutert, in. der
Fig. 1 einen, Gegentaktverstärker und Fig. 2 einen, Kaskadenverstärker veranschaulicht.
Der Verstärker nach Fig. 1 enthält zwei Schichttransistoren 1 und 2, deren Emitter-Kollektorstrecken
in Reihe vom Speisestrom durchflossen werden. Das zu verstärkende Signal einer Quelle
3 wird der Basis des Transistors 1 zugeführt, und der dadurch im Kollektorkreis
dieses Transistors erzeugte Signalstrom fließt über einen. Widerstand 4 durch eine
Belastungsimpedanz 5. Das über dem Widerstand 4 erzeugte Signal steuert außerdem
über den Blockkondensator 6 d'en Transistor 2 in Gegenphase und wird derart eingestellt,
daß die Verzerrungen der von den Transistoren 1 und 2 der Belastungsimpedanz zugeleiteten
Signalströme einander im wesentlichen ausgleichen.The invention is explained in more detail with reference to the drawing, in
Fig. 1 illustrates a push-pull amplifier and Fig. 2 illustrates a cascade amplifier.
The amplifier according to FIG. 1 contains two layer transistors 1 and 2, their emitter-collector paths
are flowed through in series by the feed current. The signal from a source to be amplified
3 is fed to the base of transistor 1, and thereby in the collector circuit
This transistor generated signal current flows through a. Resistance 4 through a
Load impedance 5. The signal generated across resistor 4 also controls
via the blocking capacitor 6 d'en transistor 2 in antiphase and is set in such a way that
that the distortion of the transistors 1 and 2 fed to the load impedance
Signal currents essentially equalize each other.
Die Basisvorspa,n:nung des Transistors 2 wird mittels eines hochohmigen
Spannungsteilers 7, 8 erzeugt. Der Widerstand 4 ist dabei möglichst gering gehalten,
um einen. zu großen Verlust des den. Transistoren 1 und 2 zur Verfügung stehenden
Speisenutzstromes zu vermeiden. Er liegt vorzugsweise in, der Größenordnung des
Emitter-Basis-Eingangswiderstandes des Transistors 2, würde aber dann infolge der
hohen Werte der Widerstände 7 und 8 zur Arbeitsstromstabili.sierung des, Transistors
2 nicht ausreichen. Da aber nach der- Erfindung der Transistor 1 von einem Typ mit
stabilem Arbeitsstrom, z. B. ein: Siliziumtransistor ist, wird eine sehr gute Arbeitspunktstabilisierung
des
Transistors 2, der z. B. ein Germaniuantransistor ist, erhalten. Der große Kollektorinnenwid:erstand
des Transistors 1 liegt nämlich in Reihe mit dem Widerstand 4 und weist den. erforderlichen
hohen Wert mit Bezug auf die Widerstände 7 und 8 sowie die erforderliche Temperaturempfindlichkeit
auf, damit ausreichende Stabilisierung erhalten wird.The Basisvorspa, n: voltage of the transistor 2 is by means of a high-resistance
Voltage divider 7, 8 generated. The resistance 4 is kept as low as possible,
about one. too great loss of the den. Transistors 1 and 2 are available
Avoid utility current. It is preferably in the order of magnitude of the
Emitter-base input resistance of transistor 2, but would then as a result of the
high values of the resistors 7 and 8 to stabilize the working current of the transistor
2 are not enough. Since, however, according to the invention, the transistor 1 is of a type with
stable working current, e.g. B. a: silicon transistor is a very good operating point stabilization
of
Transistor 2, the z. B. a Germaniuantransistor is obtained. The great collector's widow: arose
of the transistor 1 is namely in series with the resistor 4 and has the. required
high value with regard to resistors 7 and 8 as well as the required temperature sensitivity
so that sufficient stabilization is obtained.
Die Kaska,denschaltung nach Fig.2 unterscheidet sich nur dadurch von
der Gegenkontaktschaltung nach Fig. 1, daß der Emitter des zweiten Transistors 2
mittels des Kondensators 9 an Masse gelegt ist und daß das Ausgangssignal dem Kollektorkreis
dieses Transistors 2 entnommen wird. Die Bezugsziffern. bezeichnen im übrigen die
gleichen Schaltungselemente.The cascade circuit according to Fig. 2 differs only in this way from
the mating contact circuit according to FIG. 1, that the emitter of the second transistor 2
is connected to ground by means of the capacitor 9 and that the output signal is the collector circuit
this transistor 2 is removed. The reference numbers. denote the rest of the
same circuit elements.