DE9217565U1

DE9217565U1 - Steuergerät mit einer Schaltungsanordnung zum Schutz des Steuergerätes bei Unterbrechung der Steuergerätemasse

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Publication number: DE9217565U1
Application number: DE9217565U
Authority: DE
Original assignee: Hella KGaA Huek and Co
Current assignee: Hella GmbH and Co KGaA
Priority date: 1992-09-29
Filing date: 1992-09-29
Publication date: 1993-03-04
Anticipated expiration: 2002-09-30

Description

Beschreibung

Steuergerät mit einer Scha Ltungsanordnung zum Schutz des Steuergeräts bei Unterbrechung der Steuergerätemasse

Die Erfindung betrifft ein Steuergerät mit einer Sc ha Ltungsanordnung zum Schutz des Steuergeräts bei Unterbrechung der Steuergerätemasse, insbesondere in Kraftfahrzeugen, mit einem MOS-FeLdeffekttransistor in einem Ausgangskreis, mit einem Steuereingang, der mit der Gate-ELektrode des MOS-FeLdeffekttransistors verbunden ist, um diesen in den Leitenden oder sperrenden Zustand zu schaLten, mit einem bipoLaren Transistor, dessen KoLLektor mit der Gate-ELektrode, dessen Emitter mit der Source-&Egr; Lektrode und dessen Basis über einen ersten Widerstand mit der Drain-ELektrode des MOS-FeLdeffekttransistors verbunden ist, mit mindestens einer Last, die zwischen dem negativen PoL einer SpannungsqueLLe und der Source-ELektrode angeordnet ist und die über die Drain-ELektrode mit dem positiven PoL der SpannungsqueLLe eLektrisch Leitend verbindbar ist.

Aus der deutschen OffenLegungssehrift DE-OS 30 34 927 ist eine Sc ha Ltungsanordnung zum Schutz eines MOS-FeLdeffekttransistors in einem Ausgangskreis eines Steuergeräts vorbekannt. Die SchaLtungsanordnung weist einen Steuereingang auf, der mit der Gate-ELektrode des MOS-FeLdeffekttransistors verbunden ist, um diesen in den Leitenden oder sperrenden Zustand zu schaLten. Zudem weist die SchaLtungsanordnung einen bipoLaren Transistor auf, dessen KoLLektor mit der Gate-ELektrode, dessen Emitter mit der Source-ELektrode und dessen Basis über einen ersten Widerstand mit der Drain-ELektrode des MOS-FeLdeffekttransistors verbunden ist. Eine Last ist zwischen dem negativen PoL einer SpannungsqueLLe und der Source-ELektrode angeordnet und ist über die Drain-ELektrode mit dem positiven PoL der SpannungsqueLLe eLektrisch Leitend verbindbar. Um den

MOS-Feldeffekttransistor bei einer überlastung sicher und zuverlässig abschalten zu können, ist die Steuerstrecke (Basis-Emitter-Strecke) des bipolaren Transistors mit dem Abgriff eines Potentiometers verbunden, dessen einer Anschluß auf Source-Potential liegt und dessen anderer Anschluß über eine Diode mit dem Drain-Anschluß des MOS-Feldeffekttransistors verbunden ist.

Im Fall einer überlastung oder eines Kurzschlusses an der Last steigt die Restspannung an dem MOS-Feldeffekttransistor wegen seines im leitenden Zustand ohmschen Verhaltens proportional zum Strom an. Damit steigt auch die Spannung an der Basis des bipolaren Transistors an. Die Laststrecke (Kollektor-Emitter-Strecke) des bipolaren Transistors wird dadurch leitend geschaltet, so daß die Gate-Elektrode des MOS-Fe Ideffekttransistors auf das Potential der Source-E I ektrode gesetzt wird, wodurch der MOS-Feldeffekttransistor in den sperrenden Zustand geschaltet wird.

Bei einer normalen Funktion der Schaltungsanordnung wird der MOS-Feldeffekttransistor immer dann leitend geschaltet, wenn die zwischen den Punkten A und B angeordnete Verbindung, in der eine Spannungsquelle angeordnet ist, durch einen Schalter geschlossen wird. Bei einem Schließen des Schalters wird dabei der positive Pol der Spannungsquelle über den Punkt A mit der Gate-Elektrode des MOS-FeIdeffekttran si st ors verbunden.

Als nachteilig erweist sich bei dieser vorbekannten Schaltungsanordnung, daß durch einen Bruch der Masseverbindung zwischen dem Punkt B und dem negativen Pol der Spannungsquelle zwar die Gate-Elektrode des MOS-Fe I deffekttransistors derart angesteuert wird, daß der MOS-Feldeffekttransistor in den sperrenden Zustand geschaltet wird, daß aber nicht sichergestellt wird, daß das Potential der Source-Elektrode unmittelbar mit Bruch oder Fehlen der Massezuführung über den bipolaren

Transistor der Gate-ELektrode zugeführt wird, wodurch eine Schädigung des MOS-Fe L deffek11ransist &ogr;rs, der Last oder anderer Bauteile der Schaltungsanordnung erfolgen kann. Eine Entladung kann hier nur durch den Widerstand erfolgen, der die Source-Elektrode mit der Gate-Elektrode verbindet, die jedoch bei einer Auslegung dieses Widerstands, der zur Entladung der dem MOS-FeIdeffekttransist or zugehörigen Eingangskapazitat dient, zu langsam ist, um den MOS-Feldeffekttransistor schnell genug zu entladen und damit Zerstörung von Bauteilen der Schaltungsanordnung zu vermeiden.

Liegt zwischen den Punkten A und B die Ansteuerelektronik zur Ansteuerung des MOS-Fe Ideffekttransist &ogr;rs mit z. B. einem vorgegebenen oder variablen Puls-Pausen-Verhältnis, zur Regelung der Leistung der Last, so erweist sich bei der vorbekannten Schaltungsanordnung als besonders nachteilig, daß bei einem Bruch der Masseverbindung zu der Ansteuerelektronik eine Undefinierte Ansteuerung des MOS-Fe Ideffekttransistors erfolgen kann, da bei einem Fehlen der Massezuführung die Erzeugung der Ansteuersignale für den MOS-FeIdeffekttransistör gestört sein kann, wodurch insbesondere bei der Verwendung der Schaltungsanordnung in Kraftfahrzeugen die Sicherheit bei dem Betrieb des Kraftfahrzeugs herabgesetzt wird und gefährliche Situationen herbeigeführt werden können, wenn in solchen Fällen der MOS-Feldeffekttransistor nicht unmittelbar durch den bipolaren Transistor in den sperrenden Zustand geschaltet wird, was bei der vorbekannten Schaltungsanordnung nicht der Fall ist.

Aus der deutschen Patentschrift DE-PS 35 00 039 ist eine Schaltungsanordnung zum Schutz eines MOS-Fe Ideffekttransist ors gegen Stromüberlastung bekannt.

Diese Schaltungsanordnung weist einen Ausgangskreis auf, in dem die Drain-Elektrode über eine Last mit dem positiven Pol der Spannungsquelle verbunden ist und die

Source-ELektrode mit dem negativen PoL der SpannungsqueL le

verbunden ist. Um den MOS-Feldeffekttransistor in den

Leitenden oder sperrenden Zustand zu schalten, ist eine Vorspannungseinrichtung vorgesehen, die mit der Gate-ELektrode und der Sou rce-ELektrode verbunden ist. Zur

überwachung des in dem Ausgangskreis fließenden Stroms ist die Drain-ELektrode über einen Widerstand mit der Basis eines bipolaren Transistors verbunden. Der Kollektor des bipolaren Transistors ist mit der Gate-ELektrode und der

Emitter des bipolaren Transistors ist mit der Source-&Egr; Lektrode des MOS-FeLdeffekttransistors verbunden.

Tritt in dem Ausgangskreis eine StromüberLastung auf, die z. B. durch einen FehLer in der Last hervorgerufen werden kann, so daß die Ba sis-Emitter-Einscha It spannung des bipolaren Transistors überschritten wird, wird der bipolare Transistor st rom Ieitend. Die Gate-Elektrode wird somit auf das Potential der Source-Elektrode gesetzt, wodurch der MOS-FeLdeffekttransist or gesperrt wird und so vor einer Zerstörung durch einen zu hohen Strom geschützt wird. Die Abschaltung ist dabei regenerativ, so daß bei einem Wegfall des Fehlers der MOS-Feldeffekttransistor wieder leitend geschaltet wird.

Ist diese Schaltungsanordnung Teil eines Steuergeräts, das eine eigene Steuergerätemasse aufweist, so kann es bei einer Unterbrechung der Steuergerätemasse, z. B. durch ein Abziehen oder Abgleiten der Stecker des Steuergeräts oder durch einen Kabelbruch, zu Feh I funktionen des Steuergeräts und einer Undefinierten Ansteuerung des MOS-Feldeffekttransistors kommen, die eine Zerstörung von Bauteilen des Steuergeräts zur Folge haben kann, wenn in diesem FaLL der MOS-Feldeffekttransistor nicht abgeschaltet wird.

Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Steuergerät zu schaffen, bei dem auf einfache und kostengünstige Art und Weise eine Undefinierte Ansteuerung

eines MOS-Feldeffekttransistors und eine Zerstörung von Bauteilen des Steuergeräts vermieden wird, wenn die Steuergerätemasse unterbrochen wird oder auf ein positives Potential gelegt wird.

Die Aufgabe wird dadurch gelöst, daß ein zweiter Widerstand zum einen über einen Verbindungspunkt mit dem ersten Widerstand und mit der Steuergerätemasse und zum anderen mit der Basis des bipolaren Transistors verbunden ist.

Es ist von Vorteil, daß ein zweiter Widerstand zum einen über einen Verbindungspunkt mit dem ersten Widerstand und mit der Steuergerätemasse und zum anderen mit der Basis des bipolaren Transistors verbunden ist, weil somit bei einer Unterbrechung der Steuergerätemasse, die z. B. durch ein Abziehen der Stecker oder einen Kabelbruch erfolgen kann, der MOS-FeIdeffekttransist or über den bipolaren Transistor in den sperrenden Zustand geschaltet wird, wodurch eine Undefinierte Ansteuerung des MOS-Feldeffekttransistors und eine Zerstörung von Bauteilen des Steuergeräts vermieden wird, die bei einer fehlenden Steuergerätemasse nicht auszuschließen ist.

Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen des Erfindungsgegenstands gehen aus den Unteransprüchen he rvo r.

Insbesondere ist es vorteilhaft, daß die Anode einer ersten Zenerdiode mit der Source-&Egr; Iektrode des MOS-Feldeffekttransistors und die Kathode der ersten Zenerdiode mit der Basis des bipolaren Transistors verbunden ist, weil somit die Emitter-Basis-Sperrspannung des bipolaren Transistors auf einen vorgegebenen Wert begrenzt wird und bei auftretenden Störspannungen, die

z. B von der Last oder dem Steuereingang kommen, vermieden wird, daß der bipolare Transistor leitend geschaltet wird und somit den MOS-Fe Ideffekttransistör in den sperrenden Zustand schaltet oder Fehlfunktionen verursacht.

Dadurch, daß die Drain-ELektrode und der positive PoL der SpannungsqueLLe über einen Kondensator mit dem negativen PoL der SpannungsqueLLe verbunden ist, ergibt sich der VorteiL, daß von der SpannungsqueLLe dem Steuergerät zugeführte Störungen in der Spannung unterdrückt werden.

Besonders vorteiLhaft ist, daß die Steuergerätemasse über einen externen Schalter oder eine externe Schaltvorrichtung auf ein positives Potential oder potentialfrei schaltbar ist, weil somit das Steuergerät auf einfache und kostengünstige Weise manuelL oder in Abhängigkeit von externen Steuergrößen abschaltbar ist, wodurch die Sicherheit bei dem Betrieb des Geräts erhöht wird.

Ein AusführungsbeispieL des Erfindungsgegenstands ist in der Zeichnung dargestellt und wird im folgenden anhand der Zeichnung näher beschrieben.

Die einzige Zeichnung zeigt eine Schaltungsanordnung zum Schutz des Steuergeräts bei Unterbrechung der Steuergerätemasse.

Die Schaltungseinrichtung weist einen Ausgangskreis auf, der mit einer SpannungsqueL Le (B) verbunden ist. Der positive Pol der SpannungsqueL le (B) ist mit der Drain-Elektrode (D) eines MOS-Feldeffekttransistors (T1) verbunden. Die Source-ELektrode (S) des MOS-FeLdeffekttransistors (T1) ist elektrisch Leitend mit einer Last (L) verbunden. Bei einem anderen Ausführungsbeispiel kann die Source-Elektrode (S) auch mit mehreren Lasten (L) verbunden sein. Die Last (L) ist zudem elektrisch Leitend mit dem negativen Pol der Spannungsque I Le (B) verbunden.

Um die Last (L) mit dem positiven PoL der SpannungsqueLLe (B) in Verbindung zu setzen, verfügt die erfindungsgemäße Schaltungsanordnung über einen Steuereingang (E), der mit der Gate-Elektrode (G) des MOS-Feldeffekttransistors (TD

verbunden ist. Durch das Anlegen einer vorgegebenen Spannung an dem Steuereingang (E) wird der MOS-Fe Ldeffekttransist&ogr;r (T1) in den leitenden oder sperrenden Zustand geschaltet und somit die Last (L) mit dem positiven Pol der Spannungsquelle (B) verbunden oder von dem positiven Pol der Spannungsquelle (B) getrennt. Die an dem Steuereingang (E) anliegende Spannung kann dabei auch ein vorgegebenes veränderliches Puls-Periodenverhältnis aufweisen, um die Last (L) entsprechend diesem Puls-Periodenverhältnis getaktet ansteuern zu können. Bei einem anderen AusführungsbeispieL des Erfindungsgegenstands ist eine Klemme (K) elektrisch leitend mit der Sou rce-E lektrode (S) und der Last (L) verbunden, über diese Klemme (K) ist dem Ausgangskreis eine Spannung entnehmbar, die zur Kontrolle und/oder Überwachung des Ausgangskreises und/oder des Stroms, der in dem Ausgangskreis fließt, verwendet werden kann. Ein anderes Ausführungsbeispiel ergibt sich, wenn die Ansteuerung der Gate-Elektrode (G) mittels einer Boot strap-Methode erfolgt, bei der über die Klemme (K), einem Kondensator und einem Widerstand, die hier nicht gezeigt werden, dem Steuereingang (E) zur Rückkopplung und damit für eine exaktere Ansteuerung eine Spannung zuführt, die dem Strom, der in dem Ausgangskreis fließt, entspricht.

Zum Schutz des Steuergeräts weist die erfindungsgemäße Schaltungsanordnung einen bipolaren Transistor (T2) auf, dessen Kollektor elektrisch leitend mit der Gate-Elektrode (G) des MOS-Fe I deffekttransistörs (T1) verbunden ist. Der Emitter des bipolaren Transistors (T2) ist elektrisch leitend mit der Source-Elektrode (S) des MOS-Fe Ideffekttransistors (T1) verbunden. Die Basis des bipolaren Transistors (T2) ist elektrisch leitend über einen zweiten Widerstand (R2) und einen ersten Widerstand (R1) mit der Drain-Elektrode (D) des MOS-Feldeffekttransistors (T1) verbunden. Um den bipolaren Transistor (T2) in dem sperrenden Zustand zu schalten, ist der Verbindungspunkt (V) zwischen dem ersten Widerstand

(R1) und dem zweiten Widerstand (R2) mit der Steuergerätemasse CSM) elektrisch Leitend verbunden.

Um die Emitter-Basis-Sperrspannung des bipolaren Transistors (T2) auf einen vorgegebenen Wert zu begrenzen und zu vermeiden, daß bei von der Last (L) oder dem Steuereingang (E) anliegenden kurzzeitigen Stör spannungen der bipolare Transistor (T2) leitend geschaltet wird und somit der MOS-FeIdeffekttransistor (T1) in den sperrenden Zustand geschaltet wird, ist die Anode einer ersten Zenerdiode (Z1) mit der Source-&Egr; Iektrode (S) und die Kathode der ersten Zenerdiode (Z1) mit der Basis des bipolaren Transistors (T2) elektrisch leitend verbunden.

Bei einem anderen Ausführungsbeispiel des Erfindungsgegenstands kann die erste Zenerdiode (Z1) durch eine Gleichrichterdiode und einem parallel zu der 6 Ieichrichterdiode angeordneten Kondensator ersetzt sein.

Um die Spannung zwischen der Gate-Elektrode (G) und der Source-Elektrode (S) des MOS-Fe Ideffekttransistörs (T1) auf einen vorgegebenen Wert zu begrenzen und zusätzlich eine Strombegrenzung zu erreichen, ist die Anode einer zweiten Zenerdiode (Z2) elektrisch leitend mit der Source-ELektrode (S) verbunden und ist die Kathode der zweiten Zenerdiode (Z2) elektrisch leitend mit der Gate-Elektrode (G) verbunden. Zusätzlich kann die Source-Elektrode (S) elektrisch leitend über einen dritten Widerstand (R3) mit der Gate-Elektrode (G) verbunden sein, um einen Schutz bei einer Undefinierten Ansteuerung der Gate-Elektrode (G) zu erreichen und Feh I funktionen bei möglichen vorliegenden Stör spannungen zu verhindern oder zu vermeiden.

Zum Schutz des MOS-Fe Ideffekttransistörs (T1) gegen Störspannungen und insbesondere gegen Überspannungen in dem Ausgangskreis des Steuergeräts ist die Drain-Elektrode (D) elektrisch leitend über eine bidirektional wirkende

Doppe&iacgr;-Zenerdiode (Z3) mit der Source-ELektrode (S) des MOS-Feldeffekttransistors (T1) verbunden.

Um Störspannungen von der SpannungsqueL Le CB) in dem Ausgangskreis zu unterdrücken, ist der positive PoL der SpannungsqueLLe (B) und die Drain-ELektrode (D) des MOS-FeLdeffekttransist ors über einen Kondensator (C) mit dem negativen Pol der SpannungsqueL Le (B) verbunden.

Im folgenden wird kurz ein Anwendungsbeispiel des Erfindungsgegenstands beschrieben.

Um die Last (L) ein- und ausschalten zu können, d. h. mit dem positiven PoL der Spannungsquelle (B) in Verbindung zu bringen oder von ihr zu trennen, wird an dem Steuereingang (E) eine vorgegebene Spannung angelegt, die den MOS-Fe ldeffekttransist or (T1) in den leitenden oder sperrenden Zustand schaltet. Um die Last (L), die z. B. als ein Gleichstrommotor oder eine Lampe ausgebildet sein kann, mit einer geringeren Leistung betreiben zu können als die Nennleistung der Last (L), kann an dem Steuereingang (E) eine Spannung angelegt werden, die ein vorgegebenes veränderliches Pu Ls-PeriodenverhäLtnis aufweist, so daß der MOS-Feldeffekttransistor (T1) entsprechend diesem Puls-Periodenverhältnis in den leitenden und sperrenden Zustand geschaltet wird und somit die Last (L) getaktet angesteuert wird.

Das Steuergerät verfügt über eine eigene Steuergerätemasse (SM), die dem Steuergerät über eine Steckverbindung zugeführt wird.

Die Basis des bipolaren Transistors (T2) ist über den zweiten Widerstand (R2) und den Verbindungspunkt (V) mit dieser Steuergerätemasse (SM) elektrisch Leitend verbunden. Die Emi11er-KoI Iektorstrecke des bipolaren Transistors (T2) wird somit in den nichtleitenden Zustand geschaltet.

Bei einer Unterbrechung der Steuergerätemasse (SM), die B. durch ein Abziehen oder Abgleiten der Steckverbindung des Steuergeräts während des Betriebs erfolgen kann oder aber auch durch einen Kabelbruch außerhalb oder innerhalb des Geräts erfolgen kann, wird die Basis des bipolaren Transistors (T2) über den zweiten Widerstand (R2), den Verbindungspunkt (V) und den ersten Widerstand (R1) auf ein positives Potential gesetzt, das von der Größe des ersten und des zweiten Widerstands (R1, R2) abhängt und veränderlich ist. Durch dieses positive Potential an der Basis des bipolaren Transistors (T2) wird dieser über die Emitter-Kollektorstrecke in den leitenden Zustand geschaltet, so daß die Gate-Elektrode (G) des MOS-FeIdeffekttransistors (TD mit der Source-&Egr; Iektrode (S) des MOS-Fe Ideffekttransistors (T1) elektrisch leitend verbunden wird. Die Gate-Elektrode (G) wird somit auf das Potential der Source-&Egr; Iektrode (S) gesetzt, wodurch der MOS-FeIdeffekttransist or (T1) in den sperrenden Zustand geschaltet wird und die Steuergerätefunktion abgeschaltet wird.

Damit wird vermieden, daß bei einer Unterbrechung der Steuergerätemasse (SM) des Steuergeräts, oder bei einem positiven Potential an der Steuergerätemasse (SM), wodurch an dem Steuereingang (E) von einer hier nicht gezeigten Ansteuerelektronik des Steuergeräts Spannungen anliegen können, der MOS-Fe Ideffekttransistör (T1) Undefiniert angesteuert wird.

Durch dieses Abschalten des MOS-Fe Ideffekttransi stors (T1) und damit der Steuergerätefunktion bei einer Unterbrechung der Steuergerätemasse (SM) oder bei einem positiven Potential an der Steuergerätemasse (SM) wird vermieden, daß der MOS-Fe Ideffekttransistör (TD und damit die Last (L) Undefiniert angesteuert wird, wodurch die Sicherheit bei dem Betrieb des Steuergeräts erhöht wird, und daß Bauteile der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung, insbesondere der MOS-Fe I def f ekt t ransi st or (TD oder aber Bauteile der hier

nicht gezeigten mit dem Steuereingang (E) verbundenen
Ansteuerelektronik zerstört werden.

Bei einem anderen AusführungsbeispieL kann die
Steuergerätemasse (SM) über einen außerhalb des
Steuergeräts liegenden Schalter oder eine Schalteinrichtung mit einem positiven Potential verbindbar oder potentialfrei schaltbar sein, wodurch manuell oder in Abhängigkeit von
bestimmten Steuergrößen, die z. B. die Spannung von einem öldruckschalter sein kann, der MOS-Feldeffekttransistor
(T1) über den bipolaren Transistor (T2) in den sperrenden Zustand geschaltet werden kann und somit die
Steuergerätefunktion ohne einen zusätzlichen
Funktionseingang abgeschaltet werden kann.

Insbesondere erweist sich als vorteilhaft, daß die
Ruhestromaufnahme des Erfindungsgegenstands bei fehlender Steuergerätemasse (SM) oder bei einem positiven Potential an der Steuergerätemasse (SM) auf ein Minimum reduziert
wird. Die Ruhestromaufnahme ist hier kleiner gleich 1 mA.

Claims

Ansprüche:

1. Steuergerät mit einer Schaltungsanordnung zum Schutz des Steuergeräts bei Unterbrechung der Steuergerätemasse, insbesondere in Kraftfahrzeugen, mit einem MOS-FeLdeffekttransistör in einem Ausgangskreis, mit einem Steuereingang, der mit der Gate-&Egr; Lektrode des MOS-FeLdeffekttransist ors verbunden ist, um diesen in den Leitenden oder sperrenden Zustand zu schalten, mit einem bipolaren Transistor, dessen Kollektor mit der Gate-ELektrode, dessen Emitter mit der Source-ELektrode und dessen Basis über einen ersten Widerstand mit der Drain-Elektrode des MOS-Fe ldeffekttransistors verbunden ist, mit mindestens einer Last, die zwischen dem negativen Pol einer SpannungsqueLLe und der Source-&Egr;lektrode angeordnet ist und die über die Drain-ELektrode mit dem positiven Pol der Spannungsquelle elektrisch leitend verbindbar ist, dadurch gekennzeichnet, daß ein zweiter Widerstand (R2) zum einen über einen Verbindungspunkt (V) mit dem ersten Widerstand (R1) und mit der Steuergerätemasse (SM) und zum anderen mit der Basis des bipolaren Transistors (T2) verbunden ist.

2. Steuergerät nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Anode einer ersten Zenerdiode (Z1) mit der Source-Elektrode (S) des MOS-Feldeffekttransistors (T1) und die Kathode der ersten Zenerdiode (Z1) mit der Basis des bipolaren Transistors (T2) verbunden ist.

3. Steuergerät nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Drain-Elektrode (D) und der positive Pol der Spannungsquelle (B) über einen Kondensator (C) mit dem negativen Pol der Spannungsquelle (B) verbunden ist.

4. Steuergerät nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuergeräteinasse (SH) über einen externen

Schalter oder eine externe Sc haLtvorrichtung auf ein positives Potential oder potentialfrei schaltbar ist.