DE891300C - Electrically asymmetrical conductive system - Google Patents

Electrically asymmetrical conductive system

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DE891300C
DE891300C DEL10757A DEL0010757A DE891300C DE 891300 C DE891300 C DE 891300C DE L10757 A DEL10757 A DE L10757A DE L0010757 A DEL0010757 A DE L0010757A DE 891300 C DE891300 C DE 891300C
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DE
Germany
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semiconductor
carbon
conductivity
group
barrier electrode
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Expired
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DEL10757A
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German (de)
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Guenther Dipl-Ing Dobke
Werner Dr Phil Koch
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Licentia Patent Verwaltungs GmbH
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Licentia Patent Verwaltungs GmbH
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed

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Description

Bei elektrisch unsymmetrisch leitenden Systemen, insbesondere solchen, die mit einem Halbleiter vom Typ des Germanium oder Silicium versehen sind, besteht die Schwierigkeit, insbesondere bei der flächenhaften Ausführungsform solcher Gleichrichter die Halbleiter an ihrer Oberfläche mit einer Schicht von entgegengesetztem Leitfähigkeitscharakter zu versehen, die sowohl eine gewisse Betriebssicherheit aufweist als auch technisch leicht darstellbar ist.In electrically asymmetrically conductive systems, especially those with a semiconductor from Type of germanium or silicon are provided, there is a difficulty, especially with the planar embodiment of such rectifier the semiconductor on its surface with a To provide a layer of opposite conductivity character, which both a certain operational reliability has as well as is technically easy to represent.

Die Erfindung bezieht sich auf ein elektrisch unsymmetrisch leitendes System, insbesondere einen Sperrschichtgleichrichter oder ein steuerbares Halbleitersystem, mit einem Halbleiter aus einem der IV. Gruppe des Periodischen Systems, vorzugsweise Germanium oder Silicium oder einer Verbindung der Elemente, das sich von den bisher bekannten dadurch unterscheidet, daß sich auf dem Halbleiter auf der der Sperrelektrode zugewandten Seite eine vorzugsweise dünne Schicht befindet, die ao den entgegengesetzten Leitfähigkeitscharakter aufweist wie der Halbleiter in seinem Innern, und daß die Sperrelektrode ganz oder teilweise aus elementarem; Kohlenstoff großer Dichte besteht.The invention relates to an electrically asymmetrically conductive system, in particular one Junction rectifier or a controllable semiconductor system, with a semiconductor from one of the IV. Group of the Periodic Table, preferably germanium or silicon or a compound of the elements, which differs from the previously known in that on the Semiconductor on the side facing the barrier electrode, a preferably thin layer is located, the ao has the opposite conductivity character as the semiconductor in its interior, and that the barrier electrode wholly or partially made of elementary; High density carbon.

Bewährt hat sich ein Verfahren zur Herstellung eines solchen elektrisch unsymmetrisch leitenden Systems, bei dem auf dem Halbleiter ein Gemisch aus elementarem Kohlenstoff großer Dichte und einer oder mehrerer Substanzen, die geeignet sind, den Leitfähigkeitscharakter des Halbleiters zu ver- 3» ändern, aufgebracht wird und das System sodann einer oder mehrerer Temperaturbehandlungen unterworfen wird.A method for producing such an electrically asymmetrically conductive one has proven itself System in which on the semiconductor a mixture of elemental carbon of high density and one or more substances that are suitable for reducing the conductivity of the semiconductor. change, is applied and the system then one or more temperature treatments is subjected.

Besonders günstig ist es, die den Leitfähigkeitscharakter des Halbleiters verändernden Substanzen und den elementaren Kohlenstoff nacheinander auf-It is particularly favorable to use the substances that change the conductivity character of the semiconductor and the elemental carbon one after the other.

zubringen und sodann einer Temperaturbehandlung zu unterwerfen.and then to subject it to a temperature treatment.

Besonders geeignet sind für dieses Verfahren als den Leitfähigkeitscharakter ändernde Substanzen für überwiegend überschußleitende Halbleitermaterialien die Elemente der HI. Gruppe des Periodischen Systems und für überwiegend defekthalbleitende Materialien die Elemente der V. Gruppe des Periodischen Systems.Substances that change the conductivity character are particularly suitable for this process for predominantly excess conductive semiconductor materials the elements of the HI. Group of Periodic system and for predominantly defect semiconducting materials the elements of the V group of the periodic table.

ίο Bei Anwendung dieses Verfahrens ist es besonders günstig, unter Benutzung einer an ihrer freien Oberfläche ganz aus Kohlenstoff bestehenden Sperrelektrode diese gleichzeitig als Trägerelektrode eines weiteren gleichartig aufgebauten Systems zu verwenden. Ganz besonders vorteilhaft ist es, das System vor dem Aufbringen des Kohlenstoffes einer oder mehrerer Temperaturbehandlungen zu unterwerfen.ίο It is special when using this procedure cheap, using one consisting entirely of carbon on its free surface Blocking electrode this at the same time as a carrier electrode of another similarly constructed System to use. It is particularly advantageous to run the system before applying the carbon subject to one or more temperature treatments.

Mit Vorteil wird der als Sperrelektrode dienende dichte Kohlenstoff aufgedampft, und zwar derart, daß aus einem unter Vakuum oder vermindertem Druck brennender Kohlenstoffbogen entstehender Kohlenstoffdampf niedergeschlagen wird.The dense carbon serving as a barrier electrode is advantageously vapor deposited in such a way that that arises from a carbon arc burning under vacuum or reduced pressure Carbon vapor is deposited.

Claims (8)

Patentansprüche:Patent claims: i. Elektrisch unsymmetrisch leitendes System, insbesondere Sperrschichtgleichrichter oder steuerbares Halbleitersystem mit einem HaIbleiter aus einem Element der IV. Gruppe des Periodischen Systems, vorzugsweise Germanium oder Silicium oder einer Verbindung der Elemente, dadurch gekennzeichnet, daß sich auf dem Halbleiter auf der der Sperrelektrode zugewandten Seite eine vorzugsweise dünne Schicht befindet, die den entgegengesetzten Leitfähigkeitscharalcter aufweist wie der Halbleiter in seinem Innern, und daß die Sperrelektrode ganz oder teilweise aus elementarem Kohlenstoff großer Dichte besteht.i. Electrically asymmetrically conductive system, in particular junction rectifier or Controllable semiconductor system with a semiconductor from an element of the IV group of the Periodic table, preferably germanium or silicon or a compound of the elements, characterized in that on the semiconductor facing the barrier electrode Side is a preferably thin layer that has the opposite conductivity charalcter like the semiconductor in its interior, and that the barrier electrode wholly or partially made of elemental carbon high density. 2. Verfahren zur Herstellung eines elektrisch unsymmetrisch leitenden Systems gemäß Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß auf dem Halbleiter ein Gemisch aus elementarem Kohlenstoff großer Dichte und einer oder mehrerer Substanzen, die geeignet sind, den Leitfähigkeitscharakter des H.albleiters zu verändern, aufgebracht wird und das System sodann einer oder mehrerer Temperaturbehandlungen unterworfen wird.2. A method for producing an electrically asymmetrically conductive system according to claim i, characterized in that a mixture of elemental carbon on the semiconductor high density and one or more substances that are suitable for the conductivity character of the semiconductor semiconductor is applied and the system then one or is subjected to several temperature treatments. 3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die den Leitfähigkeitscharakter des Halbleiters verändernden Substanzen und der elementare Kohlenstoff nacheinander aufgebracht werden.3. The method according to claim 2, characterized in that the substances changing the conductivity character of the semiconductor and the elemental carbon are applied sequentially. 4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das System vor dem Aufbringen des Kohlenstoffes einer oder mehreren4. The method according to claim 3, characterized in that that the system before applying the carbon one or more ' Temperaturbehandlungen unterworfen wird.'' Is subjected to temperature treatments. 5. Verfahren nachAnspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß der .Kohlenstoff mittels eines zwischen Graphitelektroden im Vakuum oder unter vermindertem Druck brennenden Bogens aufgedampft wird.5. The method according to claim 2 or 3, characterized in that the .carbon means one burning between graphite electrodes in a vacuum or under reduced pressure Arc is vaporized. 6. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß überwiegend überschußleitende Halbleitermaterialien durch Verwendung eines Elementes der III. Gruppe in ihrem Leitfähigkeitscharakter geändert werden.6. The method according to claim 2 or 3, characterized in that predominantly excess-conducting Semiconductor materials by using an element of III. Group can be changed in their conductivity character. 7. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß überwiegend defektleitende Halbleitermaterialien durch Verwendung eines Elementes der V. Gruppe in ihrem Leitfähigkeitscharakter geändert werden.7. The method according to claim 2 or 3, characterized in that predominantly defect-conducting Semiconductor materials by using an element of group V in their conductivity character to be changed. 8. Elektrisch unsymmetrisch leitendes System nach Anspruch 1 mit einer an ihrer freien Oberfläche ganz aus Kohlenstoff bestehenden Sperrelektrode, dadurch gekennzeichnet, daß diese gleichzeitig als Trägerelektrode eines weiteren gleichartig 'aufgebauten Systems dient.8. Electrically asymmetrically conductive system according to claim 1 with one on its free surface entirely made of carbon barrier electrode, characterized in that this at the same time serves as a carrier electrode of a further system of the same type. 15427 9.5315427 9.53
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