DE7238237U - Semiconductor diode for generating microwaves - Google Patents
Semiconductor diode for generating microwavesInfo
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Description
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT München 2, den 18. ΟΚΈ 1972SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT München 2, 18th ΟΚΈ 1972
Berlin und München Wittelsbacherplatz 2Berlin and Munich Wittelsbacherplatz 2
72/118472/1184
Diethe
Halbleiter-Diode zur Erzeugung von MikrowellenSemiconductor diode for generating microwaves
Neuerung betrifft eine Halbleiter-Diode zur Er-The innovation concerns a semiconductor diode for
zeugung von Mikrowellen, die zur Abführung der in ihrergeneration of microwaves that dissipate in their
i aktiven Zone entstehenden Wärme auf einer Bodenplatte i resulting active zone heat to a bottom plate
Iv angeordnet ist,, welche eine Wärmesenke darstellt.Iv is arranged, which represents a heat sink.
Ii In Bauteilen wie den genannten Halbleiter-Dioden ist dieIi In components such as the semiconductor diodes mentioned, the
> : Wechselwirkungszone sehr klein und somit die Energiedichte>: Interaction zone very small and thus the energy density
I.: extrem hoch. Da außerdem ein großer Anteil der zugeführtenI .: extremely high. Since also a large proportion of the supplied
I Energie in der aktiven Zone in Wärme umgesetzt wird,I energy is converted into heat in the active zone,
I 10 bildet die Abführung dieser Verlustwärme ein entscheidendesI 10, the dissipation of this heat loss is a decisive factor
;; Problem für die Lebensdauer und den Wirkungsgrad derartiger;; Problem for the service life and the efficiency of such
I Dioden.I diodes.
I . Bisher wurde die Verlustwärme über eine Wärmesenke abge-I. Previously, the heat loss was dissipated via a heat sink.
I 15 führt, die in unmittelbarer Nähe der aktiven Zone ange-I 15, which are listed in the immediate vicinity of the active zone
I ordnet war und aus gut wärmeleitenden Materialien wieI was arranged and made of materials such as good heat conductivity
I Kupfer oder Diamant bestand. Diamant hat gegenüber KupferI consisted of copper or diamond. Diamond has over copper
K zwar den wichtigen Vorteil einer sechsfach besseren Wärme- K has the important advantage of six times better heat
·, ableitung, ist aber erheblich aufwendiger zu verarbeiten.·, Derivation, however, is considerably more complex to process.
I 20I 20
fc ' Aufgabe der vorliegenden Neuerung ist es, eine Halbleiter-fc 'The task of the present innovation is to create a semiconductor
1 Diode zur Erzeugung von Mikrowellen anzugeben, bei der die1 to specify diode for generating microwaves, in which the
I Verlustwärme sehr einfach und wirksam abgeführt werden kann.I Heat loss can be dissipated very easily and effectively.
■ Zur Lösung dieser Aufgabe wird gemäß der Neuerung vorge-■ To solve this task, according to the innovation,
25 schlagen, im Bereich der aktiven Zone der Halbleiter-Diode eine Wärmesenke aus pyrolitischer Kohle anzuordnen.25 suggest arranging a heat sink made of pyrolytic carbon in the area of the active zone of the semiconductor diode.
'!· VPA 9/170/2017 Les/Fck - 2 - '! VPA 9/170/2017 Les / Fck - 2 -
Bei einer neuerungsgemäßen Halbleiter-Diode wird die entstehende Verlustwärme sehr gut abgeleitet, denn die pvrolitische Kohle hat eine anisotrope Wärmeleitfähigkeit, die in der Richtung höchstmöglicher Wärmeleitung etwa die Vierte von Diamant erreicht. Es empfiehlt sich daher, die pyrolitische Kohle so anzuordnen, daß die Richtung der höchsten Wärmeleitfähigkeit mit der Richtung des kürzesten von der aktiven Zone wegführenden Weges zusammenfällt. Die Herstellung einer neuerungsgemäß vorgeschlagenen Wärmesenke bereitet keinerlei Schwierigkeiten. So kann beispielsweise die endgültige Form der Wärmesenke einfach und ohne eine Nachbehandlung aus der Gasphase erzeugt werden. Insgesamt ist also bei einer Halbleiter-Diode der eingangs genannten Art mit sehr einfachen aufwandsparenden Mitteln eine große Lebensdauer bzw. ein hoher Wirkungsgrad erzielt.In a semiconductor diode according to the innovation resulting heat loss is dissipated very well, because the Pvrolitic coal has an anisotropic thermal conductivity, which is roughly in the direction of the highest possible thermal conductivity reached the fourth of diamond. It is therefore advisable to to arrange the pyrolytic carbon in such a way that the direction of the highest thermal conductivity corresponds to the direction of the coincides with the shortest path leading away from the active zone. The production of a proposed innovation Heat sink does not cause any problems. For example, the final shape of the heat sink can be simple and can be generated from the gas phase without post-treatment. Overall, then, is the case of a semiconductor diode initially mentioned type with very simple cost-saving means a long service life or a high degree of efficiency achieved.
Wegen der relativ hohen elektrischen Leitfähigkeit von pyrolitischer Kohle sollte zwischen diesem Material und dem Hochfrequenzraum der Halbleiter-Diode eine gut "leitende Schicht angeordnet sein. Als günstig hat sich erwiesen, der Kohle eine dünne Goldschicht aufzutragen.Because of the relatively high electrical conductivity of pyrolytic carbon, between this material and A highly conductive layer must be arranged in the high-frequency space of the semiconductor diode. The Coal to apply a thin layer of gold.
An einem Ausführungsbeispiel soll die Neuerung nachstehend . anhand der Figur der Zeichnung näher erläutert v/erden.In one embodiment, the innovation is intended below. explained in more detail with reference to the figure of the drawing.
Das schematisch in der Figur dargestellte Ausführungsbeispiel ist eine Doppeltrift-Diode. Dabei sind mit 1 die · hochdotierte N+-Schicht, mit 2 die N-Schicht - sie bilden zusammen einen ersten Triftraum - sowie mit 3 die P-Schicht und mit k die wiederum hochdotierte P -Schicht - sie bilden zusammen den zweiter· Triftraum - bezeichnet. Den Stirnflächen dieser Trifträume sind in üblicher Weise mehrere dünne LagenThe embodiment shown schematically in the figure is a double drift diode. 1 is the highly doped N + layer, 2 is the N layer - they together form a first drift space - as well as 3 the P layer and with k the again highly doped P layer - they together form the second drift space - designated. The end faces of these dream dreams are usually several thin layers
VPA 9/170/2017 - 3 -VPA 9/170/2017 - 3 -
zur Herstellung des ohmschen Kontaktes aufgebracht. Im dargestellten Ausführungsbeispiel sind es zwei ungefähr 0,035 /um dicke Chromlagen - in der Figur mit 5, 6 bezeichnet - sowie zwei ungefähr 0,1 /um dicke, mit 7, θ bezeichnete Platinlagen und in direktem Kontakt mit der P+-Schicht h eine 0,04 /um dicke, mit 9 bezeichnete Platin-Silizium-Schicht. Jeweils die äußersten, mit 10, 11 bezeichneten Lagen bestehen aus Gold und sind ungefähr 1 /um dick. Der Goldschicht 11 ist direkt die neuerungsgemäß vorgesehene Wärmesenke aus pyrolitischer Kohle, in der Figur mit 12 bezeichnet, aufgetragen. Diese Wärmesenke ist an der der Diode zugewandten Seite - in der Figur nicht dargestellt - zur Herabsetzung von Hochfrequenzveriusten vergoldet.applied to establish the ohmic contact. In the exemplary embodiment shown, there are two approximately 0.035 μm thick chromium layers - denoted by 5, 6 in the figure - and two approximately 0.1 μm thick platinum layers denoted by 7, θ and one in direct contact with the P + layer h 0.04 / µm thick, labeled 9, platinum-silicon layer. The outermost layers, labeled 10, 11, are made of gold and are approximately 1 / µm thick. The gold layer 11 is directly applied to the heat sink made of pyrolytic carbon, denoted by 12 in the figure, which is provided according to the invention. This heat sink is gold-plated on the side facing the diode - not shown in the figure - in order to reduce high-frequency deviations.
4 Schutzansprüche
1 Figur4 claims for protection
1 figure
VPA 9/170/2017 - 4 -VPA 9/170/2017 - 4 -
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Claims (1)
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE7238237U true DE7238237U (en) | 1973-08-02 |
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| DE7238237U Expired DE7238237U (en) | Semiconductor diode for generating microwaves |
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| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE7238237U (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19605302A1 (en) * | 1996-02-14 | 1997-08-21 | Fraunhofer Ges Forschung | Heatsink with a mounting surface for an electronic component |
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0
- DE DE7238237U patent/DE7238237U/en not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19605302A1 (en) * | 1996-02-14 | 1997-08-21 | Fraunhofer Ges Forschung | Heatsink with a mounting surface for an electronic component |
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