DE69923254T2

DE69923254T2 - Shunt-controlled push-pull circuit with a large frequency range

Info

Publication number: DE69923254T2
Application number: DE69923254T
Authority: DE
Inventors: Taiwa Shinagawa-ku Okanobu
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1998-06-01
Filing date: 1999-05-26
Publication date: 2005-12-29
Anticipated expiration: 2019-05-27
Also published as: DE69923254D1; CN1244067A; KR20000005731A; US6392454B1; EP0963038B1; EP0963038A2; JPH11346125A; CN1111946C; EP0963038A3; KR100646026B1

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine shuntgeregelte Gegentaktschaltung bzw. SRPP-Schaltung (SRPP = shunt regulated push push (shuntgeregelter Gegentakt)).The The present invention relates to a shunt-controlled push-pull circuit or SRPP (shunt regulated push push) circuit.

1 der beigefügten Zeichnungen zeigt einen Fall, bei dem ein sexinäres (sechspoliges) Tiefpassfilter als ein aktives Filter ausgebildet ist. Benutzte Verstärker A1 bis A3 sind generell aus Spannungsfolgern gebildet. Die Spannungsfolger A1 bis A3 (Verstärker A1 bis A3) können aus (1) Emitterfolgern, (2) SRPP-Schaltungen, (3) Operationsverstärkern oder dgl. gebildet sein. 1 In the accompanying drawings, there is shown a case where a sexinear (six-pole) low-pass filter is formed as an active filter. Used amplifiers A1 to A3 are generally made up of voltage followers. The voltage followers A1 to A3 (amplifiers A1 to A3) may be formed of (1) emitter followers, (2) SRPP circuits, (3) operational amplifiers, or the like.

Nebenbei bemerkt kann der Emitterfolger (1) beispielsweise wie in 2 gezeigt strukturiert sein. Das heißt, der Emitter des Transistors Q1 ist, um einen Emitterfolger zu bilden, mit einem Konstantstrom-Leistungstransistor Q2 verbunden, seiner Basis wird eine Eingangssignalspannung Vin und eine Basisvorspannung VBB zugeführt, und an seinen Kollektor ist eine Versorgungsspannung VCC angelegt. Auf diese Weise wird dem Emitter des Transistors Q1 eine Ausgangsspannung oder ein Ausgangsstrom entnommen.Incidentally, the emitter follower (1) may be, for example, as in 2 be shown structured. That is, the emitter of the transistor Q1 is connected to a constant current power transistor Q2 to form an emitter follower, an input signal voltage Vin and a base bias voltage VBB are applied to its base, and a supply voltage VCC is applied to its collector. In this way, an output voltage or an output current is taken from the emitter of the transistor Q1.

Im Fall des Emitterfolgers variiert unter der Annahme, dass, wie durch eine durchgezogene Linie in 3 angedeutet, der Wert des Kollektorstroms des Transistors Q2, gleich IC2 ist, der Emitterstrom IE1 des Transistors Q1 proportional zu einer Signalspannung Vin mit dem Wert IC2 als Zentrum. Infolgedessen wird die Größe der Variation als ein Ausgangssignal entnommen.In the case of the emitter follower, assuming that as indicated by a solid line in FIG 3 indicated, the value of the collector current of the transistor Q2, equal to IC2, the emitter current IE1 of the transistor Q1 is proportional to a signal voltage Vin with the value of IC2 as the center. As a result, the magnitude of the variation is taken as an output signal.

Folglich kann, wie durch eine gestrichelte Linie in 3 angedeutet, in einem Bereich, in welchem es die Charakteristiken des Transistors Q1 während einer positiven Halbzyklusperiode erlauben, ein Ausgangsstrom so groß wie gewünscht entnommen werden. Jedoch während einer negativen Halbzyklusperiode kann ein Ausgangsstrom größer als IC2 nicht entnommen werden.Consequently, as indicated by a dashed line in FIG 3 In a region in which the characteristics of the transistor Q1 allow during a positive half-cycle period, an output current as large as desired is indicated. However, during a negative half-cycle period, an output current greater than IC2 can not be extracted.

Die SRPP-Schaltung von (2) kann wie in 4 gezeigt strukturiert sein. Bei der SRPP-Schaltung wird eine zur Eingangssignalspannung Vin in der Phase entgegengesetzte Signalspannung an den Kollektor des Transistors Q1 abgegeben, und die Signalspannung wird durch einen Kondensator C1 der Basis eines Transistors Q2 zugeführt. Demgemäss variieren, da die Transistoren Q1 und Q2 mit zueinander entgegengesetzten Phasen betrieben werden, der Emitterstrom des Transistors Q1 und der Kollektorstrom des Transistors Q2 in zueinander entgegengesetzten Richtungen, und die Größe ihrer Differenz wird als der Ausgangsstrom entnommen. Demgemäss kann die SRPP-Schaltung auch während der negativen Halbzyklusperiode einen großen Ausgangsstrom abgeben.The SRPP circuit of (2) can be used as in 4 be shown structured. In the SRPP circuit, a signal voltage opposite in phase to the input signal voltage Vin is supplied to the collector of the transistor Q1, and the signal voltage is supplied through a capacitor C1 to the base of a transistor Q2. Accordingly, since the transistors Q1 and Q2 are operated with mutually opposite phases, the emitter current of the transistor Q1 and the collector current of the transistor Q2 vary in mutually opposite directions, and the magnitude of their difference is taken as the output current. Accordingly, the SRPP circuit can output a large output current even during the negative half-cycle period.

Jedoch ist es im Fall der SRPP-Schaltung, da das Basiseingangssignal des Transistors Q2 vom Kollektor des Transistors Q1 durch den Kondensator C1 zum Gleichsignalschneiden bzw. DC-Schneiden zugeführt wird, notwendig, den Wert des Kondensators C1 zu erhöhen, um auch bei einer niedrigeren Frequenz ein großes Ausgangssignal abzugeben. Demgemäss ist die SRPP-Schaltung nicht für eine IC geeignet.however in the case of the SRPP circuit, since the base input of the Transistor Q2 from the collector of the transistor Q1 through the capacitor C1 for DC cutting or DC cutting is supplied, necessary to increase the value of the capacitor C1, even at a lower frequency a big Output signal. Accordingly, the SRPP circuit is not for an IC suitable.

Unter dem obigen Gesichtspunkt ist die in 5 gezeigte SRPP-Schaltung vorgeschlagen worden. Das heißt, bei der SRPP-Schaltung wird das Kollektorausgangssignal des Transistors Q1 durch den Transistors Q3, der den Emitterfolger bildet, abgegeben, und von einer Konstantstromdiode D1 wird eine Gleichspannung verschoben, bevor sie der Basis des Transistors Q2 zugeführt wird.From the above point of view, the in 5 shown SRPP circuit has been proposed. That is, in the SRPP circuit, the collector output of the transistor Q1 is output through the transistor Q3 constituting the emitter follower, and a DC voltage is shifted from a constant current diode D1 before being supplied to the base of the transistor Q2.

Demgemäss ist im Fall dieser SRPP-Schaltung, da kein Element zum Begrenzen der Frequenzcharakteristik wie beim Kondensator C1 vorhanden ist, die Frequenzcharakteristik exzellent, und es kann auch bei niedriger Frequenz ein großes Ausgangssignal entnommen werden.Accordingly, in Case of this SRPP circuit, since no element for limiting the frequency characteristic as is the case with the capacitor C1, the frequency characteristic excellent, and it can output a large output even at low frequency be removed.

Jedoch im Fall dieser SRPP-Schaltung variiert, da der Gleichsignalarbeitspunkt bzw. DC-Arbeitspunkt der Schaltung entsprechend der Konstantspannungscharakteristik der Konstantspannungsdiode D1 eingestellt ist, wenn die Versorgungsspannung VCC variiert, der Arbeitsstrom des Transistors Q1 zu Q2 stark und unterbindet dadurch, dass die zufriedenstellende Charakteristik erhalten wird. Insbesondere wenn die Versorgungsspannung VCC niedrig ist, ist eine solche Tendenz stark.however in the case of this SRPP circuit, since the DC operating point or DC operating point of the circuit according to the constant voltage characteristic the constant voltage diode D1 is set when the supply voltage VCC varies, the operating current of transistor Q1 to Q2 is strong and prevents by that the satisfactory characteristic is obtained. In particular, when the supply voltage VCC is low is, such a tendency is strong.

Wenn außerdem für den Spannungsfolger wie bei (3) ein Operationsverstärker benutzt wird, nimmt die Zahl der Operationsverstärker zu, wenn der Grad höher ist, wodurch der Schaltungsmaßstab außerordentlich groß gemacht wird. Auch wenn entsprechend angewendeten Frequenzen ein Verstärker für Breitbandfrequenzen benutzt wird, wird bewirkt, dass der Stromverbrauch zunimmt.If Furthermore for the Voltage follower as in (3) using an operational amplifier takes the Number of operational amplifiers too, when the grade is higher is, which makes the circuit scale extraordinary made big becomes. Even if appropriately applied frequencies are an amplifier for broadband frequencies is used, the power consumption is increased.

Aus DE-A-19 616 443 geht eine shuntgeregelte Gegentaktschaltung mit einem ersten und zweiten Transistor der gleichen Polarität hervor, wobei der Kollektor des ersten Transistors durch einen Widerstand mit einem ersten Referenzpotential verbunden ist und der Kollektor des zweiten Transistors mit dem Emitter des ersten Transistors verbunden ist. Der Emitter des zweiten Transistors ist mit einem zweiten Referenzpotential verbunden. Die Schaltung weist außerdem einen dritten Transistor mit zu der des ersten und zweiten Transistors entgegengesetzter Polarität auf, dessen Emitter mit dem Kollektor des ersten Transistors verbunden ist, dessen Kollektor mit der Basis des zweiten Transistors verbunden ist und an dessen Basis eine Vorspannung angelegt ist. Der Basis des ersten Transistors ist ein Eingangssignal zugeführt, und einem Knoten des Emitters des ersten Transistors und des Kollektors des zweiten Transistors wird ein Ausgangssignal entnommen.DE-A-19 616 443 discloses a shunt-controlled push-pull circuit having first and second transistors of the same polarity, the collector of the first transistor being connected by a resistor to a first reference potential and the collector of the second transistor being connected to the emitter of the first transistor connected is. The emitter of the second transistor is connected to a second reference potential. The circuit also includes a third transistor having opposite poles to the first and second transistors on whose emitter is connected to the collector of the first transistor, whose collector is connected to the base of the second transistor and at the base of which a bias voltage is applied. The base of the first transistor is supplied with an input signal, and a node of the emitter of the first transistor and the collector of the second transistor, an output signal is taken.

Die vorliegende Erfindung ist zum Reduzieren oder Eliminieren der obigen Probleme bei der herkömmlichen Schaltung gemacht worden.The The present invention is for reducing or eliminating the above Problems with the conventional Circuit has been made.

Zur Lösung der obigen Aufgabe ist gemäß der vorliegenden Erfindung eine shuntgeregelte Gegentaktschaltung (SRPP-Schaltung) bereitgestellt, die aufweist:
einen ersten Transistor,
einen Widerstand, durch den der Kollektor des ersten Transistors mit einem ersten Referenzpotentialpunkt verbunden ist,
einen zweiten Transistor, der die gleiche Polarität wie die des ersten Transistors aufweist, wobei der Kollektor des zweiten Transistors mit dem Emitter des ersten Transistors verbunden ist, wobei der Emitter des zweiten Transistors mit einem zweiten Referenzpotentialpunkt verbunden ist, und
einen dritten Transistor, der die zu der des ersten Transistors entgegengesetzte Polarität aufweist, wobei der Emitter des dritten Transistors mit dem Kollektor des ersten Transistors verbunden ist und der Kollektor des dritten Transistors mit der Basis des zweiten Transistors verbunden ist, wobei an der Basis des dritten Transistors eine Vorspannung angelegt ist,
wobei der Basis des ersten Transistors ein Eingangssignal zugeführt wird und von einem Knoten des Emitters des ersten Transistors und des Kollektors des zweiten Transistors ein Ausgangssignal extrahiert bzw. entnommen wird,
dadurch gekennzeichnet, dass die SRPP-Schaltung außerdem einen Kondensator aufweist, der zwischen dem Emitter und dem Kollektor des dritten Transistors parallelgeschaltet ist.To achieve the above object, according to the present invention, there is provided a shunt controlled push-pull circuit (SRPP circuit) comprising:
a first transistor,
a resistor by which the collector of the first transistor is connected to a first reference potential point,
a second transistor having the same polarity as that of the first transistor, the collector of the second transistor being connected to the emitter of the first transistor, the emitter of the second transistor being connected to a second reference potential point, and
a third transistor having the opposite polarity to that of the first transistor, wherein the emitter of the third transistor is connected to the collector of the first transistor and the collector of the third transistor is connected to the base of the second transistor, wherein at the base of the third Transistor is applied a bias voltage
wherein an input signal is supplied to the base of the first transistor and an output signal is extracted from a node of the emitter of the first transistor and the collector of the second transistor,
characterized in that the SRPP circuit further comprises a capacitor connected in parallel between the emitter and the collector of the third transistor.

Da der dritte Transistor mit seiner Basis geerdet arbeitet, um das Kollektorausgangssignal des ersten Transistors der Basis des zweiten Transistors zuzuführen, arbeitet demgemäss die obige Schaltungsstruktur als eine SRPP-Schaltung.There the third transistor grounded with its base works to that Collector output of the first transistor of the base of the second Supply transistor, works accordingly the above circuit structure as an SRPP circuit.

Die Erfindung wird mittels eines nicht einschränkenden Beispiels unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen weiter beschrieben, in denen.The This invention is by way of non-limitative example with reference on the attached Drawings further described in which.

1 ein Schaltbild ist, das ein Beispiel eines Filters zeigt, bei dem die vorliegende Erfindung angewendet ist; 1 Fig. 10 is a circuit diagram showing an example of a filter to which the present invention is applied;

2 ein Schaltbild zur Erläuterung einer SRPP-Schaltung gemäß der vorliegenden Erfindung ist; 2 Fig. 12 is a circuit diagram for explaining an SRPP circuit according to the present invention;

3 ein Wellenformdiagramm zur Erläuterung der vorliegenden Erfindung ist; 3 Fig. 3 is a waveform diagram for explaining the present invention;

4 ein Schaltbild zur Erläuterung der SRPP-Schaltung gemäß der vorliegenden Erfindung ist; 4 Fig. 12 is a circuit diagram for explaining the SRPP circuit according to the present invention;

5 ein Schaltbild zur Erläuterung der SRPP-Schaltung gemäß der vorliegenden Erfindung ist; 5 Fig. 12 is a circuit diagram for explaining the SRPP circuit according to the present invention;

6 ein Schaltbild ist, das eine SRPP-Schaltung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt; und 6 Fig. 12 is a circuit diagram showing an SRPP circuit according to an embodiment of the present invention; and

7 ein Schaltbild ist, das eine SRPP-Schaltung gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. 7 Fig. 10 is a circuit diagram showing an SRPP circuit according to another embodiment of the present invention.

Bezugnehmend auf die 6 weist ein Transistor Q11 eine Basis, an die eine Eingangssignalspannung Vin und eine Basisvorspannung V11 angelegt sind, und einen durch einen Widerstand R11 mit einem ersten Referenzpotentialpunkt, der beispielsweise ein Energieversorgungsanschluss T13 ist, verbundenen Kollektor auf. Der Transistor Q11 weist auch einen mit dem Kollektor eines die gleiche Polarität wie die des Transistors Q11 aufweisenden Transistors Q12 verbundenen Emitter auf, und der Emitter des Transistors Q12 ist mit einem zweiten Referenzpotentialpunkt, der beispielsweise die Erde ist, verbunden. Außerdem ist der Kollektor des Transistors Q11 mit dem Emitter eines die Polarität entgegengesetzt zu der des Transistors Q11 aufweisenden Transistors Q13 verbunden, und der Kollektor des Transistors Q13 ist mit der Basis des Transistors Q12 verbunden.Referring to the 6 For example, a transistor Q11 has a base to which an input signal voltage Vin and a base bias voltage V11 are applied, and a collector connected through a resistor R11 to a first reference potential point, which is, for example, a power supply terminal T13. The transistor Q11 also has an emitter connected to the collector of a transistor Q12 having the same polarity as that of the transistor Q11, and the emitter of the transistor Q12 is connected to a second reference potential point which is, for example, the ground. In addition, the collector of the transistor Q11 is connected to the emitter of a transistor Q13 having the polarity opposite to that of the transistor Q11, and the collector of the transistor Q13 is connected to the base of the transistor Q12.

Auch ist der Emitter des Transistors Q11 mit einem Ausgangsanschluss T12 verbunden, ist ein Kondensator C11 zwischen den Emitter und den Kollektor des Transistors Q13 geschaltet, und ist eine Vorspannung V13 mit dem Energieversorgungsanschluss T13 als Referenzpotentialpunkt an die Basis des Transistors Q13 angelegt.Also is the emitter of transistor Q11 with an output terminal T12 is a capacitor C11 between the emitter and connected to the collector of transistor Q13, and is a bias voltage V13 with the power supply terminal T13 as a reference potential point applied to the base of the transistor Q13.

In der so strukturierten Schaltung nimmt beispielsweise, wenn die Eingangssignalspannung Vin zunimmt, der Emitterstrom IE11 des Transistors Q11 zu, und in dieser Situation nimmt auch der Kollektorstrom des Transistors Q11 zu, um sein Kollektorpotential zu erniedrigen. Als Resultat nimmt, da der Emitterstrom des Transistors Q13 abnimmt, sein Kollektorstrom auch ab, und der Kollektorstrom IC12 des Transistors Q12 nimmt ebenfalls ab. Deshalb fließt ein Strom, der eine Differenz zwischen einem zugenommenen Betrag des Emitterstroms IE11 und einem abgenommenen Betrag des Kollektorstroms IC12 ist, zum Anschluss T12 ab.In the circuit thus structured, for example, as the input signal voltage Vin increases, the emitter current IE11 of the transistor Q11 increases, and in this situation, the collector current of the transistor Q11 also increases to lower its collector potential. As a result, since the emitter current of the transistor Q13 decreases, its collector current also decreases, and the collector current IC12 of the transistor Q12 also decreases. Therefore, a current flowing a difference between an increased amount of the emitter current IE11 and ei The amount of collector current IC12 removed is from terminal T12.

Andererseits nimmt, wenn die Eingangssignalspannung Vin abnimmt, der Emitterstrom IE11 des Transistors Q11 ab. Jedoch in dieser Situation nimmt auch der Kollektorstrom des Transistors Q11 ab, um sein Kollektorpotential zu erhöhen. Als Resultat nimmt auch, da der Emitterstrom des Transistors Q13 zunimmt, sein Kollektorstrom zu, und der Kollektorstrom IC12 des Transistors Q12 nimmt ebenfalls zu. Deshalb fließt ein Strom, der eine Differenz zwischen einem abgenommenen Betrag des Emitterstroms IE11 und einem zugenommenen Betrag des Kollektorstroms IC12 ist, zum Anschluss T12 ab.on the other hand When the input signal voltage Vin decreases, the emitter current decreases IE11 of the transistor Q11. However, in this situation also decreases the collector current of transistor Q11 decreases to its collector potential to increase. As a result, since the emitter current of the transistor Q13 also increases increases its collector current, and the collector current IC12 of the Transistor Q12 is also increasing. Therefore, a current flows, which is a difference between a decreased amount of the emitter current IE11 and a is increased amount of the collector current IC12, to the terminal T12 off.

In anderen Worten arbeitet bei der Schaltung nach 6 der Transistor Q13 in Reaktion auf das Kollektorausgangssignal des Transistors Q11 mit seiner Basis geerdet, und das Kollektorausgangssignal wird in der gleichen Phase der Basis des Transistors Q12 zugeführt. In dieser Situation ist die Eingangssignalspannung Vin in der Phase entgegengesetzt zum Kollektorausgangssignal des Transistors Q11. Demgemäss werden die Transistoren Q11 und Q12 in Bezug auf die Signalspannung Vin mit zueinander entgegengesetzten Phasen betrieben, um dadurch die SRPP-Operation auszuführen.In other words, the circuit works 6 the transistor Q13 is grounded in its base in response to the collector output of the transistor Q11, and the collector output is supplied in the same phase to the base of the transistor Q12. In this situation, the input signal voltage Vin is in phase opposite to the collector output of the transistor Q11. Accordingly, the transistors Q11 and Q12 are operated with opposite phases with respect to the signal voltage Vin, to thereby perform the SRPP operation.

Bei der obigen Struktur kann vom Anschluss T12 in einem Bereich, in welchem das Ausgangssignal durch die Charakteristiken der Transistoren Q11 und Q12 erlaubt ist, ein großes Ausgangssignal erhalten werden, und in dieser Situation gibt es keinen Fall, bei dem, wie in 3 gezeigt, der Ausgangsstromwährend eines einzelnen Halbzyklus begrenzt ist.In the above structure, a large output can be obtained from the terminal T12 in a region in which the output signal is allowed by the characteristics of the transistors Q11 and Q12, and in this situation, there is no case in which, as in FIG 3 shown, the output current is limited during a single half-cycle.

Auch ist, da der Transistor Q13 mit seiner Basis geerdet arbeitet, die Frequenzcharakteristik exzellent, und es kann ein großes Ausgangssignal vom Gleichsignal bzw. DC bis hinauf zu einer hohen Frequenz erhalten werden. Insbesondere kann, wenn der Kondensator C11 mit dem Transistor Q13 verbunden ist, da die Verschlechterung der Charakteristiken des Transistors Q13 bei einer höheren Frequenz kompensiert werden kann, ein großes Ausgangssignal bis hinauf zu einer höheren Frequenz erhalten werden. Bei diesem Beispiel kann, da der Kondensator C11 zur Kompensation bei der hohen Frequenz vorhanden ist, sein Wert auf etwa 1 bis 3 pF eingestellt werden, und die ganze Schaltung kann ohne Probleme in eine IC gesetzt werden.Also is because the transistor Q13 is grounded with its base, the Frequency characteristic excellent, and it can produce a large output signal from DC signal or DC up to a high frequency received become. In particular, when the capacitor C11 is connected to the transistor Q13 is connected, since the deterioration of the characteristics of the transistor Q13 at a higher Frequency can be compensated, a large output signal up to to a higher one Frequency can be obtained. In this example, since the capacitor C11 is available for compensation at the high frequency Value to be set to about 1 to 3 pF, and the whole circuit can be put into an IC without any problems

Außerdem wird, selbst wenn die Versorgungsspannung Vcc des Anschlusses T13 variiert, eine solche Variation durch Änderung einer Spannung zwischen dem Kollektor und dem Emitter des Transistors Q13 absorbiert, und die Schaltung ist in einem weiten Bereich einer Versorgungsspannung VCC anwendbar. Auch wird, da die Zahl erforderlicher Elemente klein ist, selbst in dem Fall, bei dem die Schaltung bei einem hochgradig aktiven Filter angewendet wird, der Schaltungsmaßstab nicht vergrößert. Außerdem ist, da wie oben beschrieben die Frequenzcharakteristik exzellent ist, die Schaltung auch bei einem an eine hohe Frequenz angepassten aktiven Filter ohne Probleme anwendbar.In addition, even if the supply voltage Vcc of the terminal T13 varies, a such variation by change a voltage between the collector and the emitter of the transistor Q13 absorbs, and the circuit is in a wide range of Supply voltage VCC applicable. Also, as the number is required Elements is small, even in the case where the circuit is included a highly active filter is applied, the circuit scale is not increased. In addition, since the frequency characteristic is excellent as described above, the circuit even with an adapted to a high frequency active Filter applicable without problems.

Außerdem ist, da die Ausgangsimpedanz niedrig ist, und eine Änderung der Ausgangsimpedanz aufgrund der Signalfrequenz klein ist, die Schaltung beim aktiven Filter als der Spannungsfolger geeignet.In addition, because the output impedance is low, and a change in the output impedance due to the signal frequency is small, the circuit when active Filter suitable as the voltage follower.

7 zeigt eine Ausführungsform einer Vorschaltung (bias circuit), die derart ausgebildet ist, dass an die oben beschriebenen N SRPP-Schaltungen, bei denen die Bezugszeichen 11 bis 1N die oben beschriebenen jeweiligen SRPP-Schaltungen bezeichnen, eine Vorspannung V13 angelegt werden kann. Es sei darauf hingewiesen, dass diese SRPP-Schaltungen 11 bis 1N zur Vereinfachung der Figur nicht mit dem Kondensator C11 zur Verbesserung einer Hochfrequenzcharakteristik verbunden sind, aber die erstere kann mit dem letzteren verbunden sein. 7 FIG. 12 shows an embodiment of a bias circuit configured to correspond to the above-described N SRPP circuits, in which reference numerals refer to FIG 11 to 1N Denote the above-described respective SRPP circuits, a bias voltage V13 can be applied. It should be noted that these SRPP circuits 11 to 1N to simplify the figure, are not connected to the capacitor C11 for improving a high-frequency characteristic, but the former may be connected to the latter.

Ein Transistor Q21 weist eine Basis, an die eine gegebene Vorspannung V21 angelegt ist, einen über einen Widerstand 21 geerdeten Emitter und einen mit dem Kollektor und der Basis eines Transistors Q22 verbundenen Kollektor auf. Der Transistor Q22 strukturiert eine Stromspiegelschaltung 22, bei welcher der Transistor Q21 auf einer Eingangsseite angeordnet ist, und die Transistoren Q13 bis Q13 der SRPP-Schaltungen 1 bis 1N sind auf einer Ausgangsseite angeordnet. Bei der Schaltung ist die Basis des Transistors Q22 mit den Basen der Transistoren Q13 bis Q13 verbunden, und der Emitter des Transistors Q22 ist über einen Widerstand R22 mit dem Energieversorgungsanschluss T13 verbunden.A transistor Q21 has a base to which a given bias voltage V21 is applied, one via a resistor 21 grounded emitter and a collector connected to the collector and base of a transistor Q22. The transistor Q22 structures a current mirror circuit 22 in which the transistor Q21 is disposed on an input side, and the transistors Q13 to Q13 of the SRPP circuits 1 to 1N are arranged on an output side. In the circuit, the base of the transistor Q22 is connected to the bases of the transistors Q13 to Q13, and the emitter of the transistor Q22 is connected to the power supply terminal T13 via a resistor R22.

Bei der obigen Struktur ist der Kollektorstrom IC21 des Transistors Q22 durch IC21 = (V21–VBE)/R21gegeben, wobei VBE eine Spannung zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors Q21 ist.In the above structure, the collector current IC21 of the transistor Q22 is through IC21 = (V21-VBE) / R21 where VBE is a voltage between the base and emitter of transistor Q21.

Auch ist, da der Kollektorstrom des Transistors Q22 annähernd gleich dem Kollektorstrom IC21 des Transistors Q21 ist, der Basisstrom IB22 des Transistors Q22 durch IB22 = IC21/hFEgegeben, wobei hFE ein Stromverstärkungsfaktor des Transistors Q22 ist. Die Basisspannung, die dem Transistor Q22 den Basisstrom IB22 zuführt, ist auch an die Basen der Transistoren Q13 bis Q13 angelegt. Demgemäss ist die Vorspannung V13 an die Transistoren Q13 bis Q13 angelegt. Bei der so strukturierten Vorschaltung kann die Vorspannung V13 an N SRPP-Schaltungen 11 bis 1N mit einer extrem einfachen Struktur, wie sie aus der Zeichnung hervorgeht, angelegt sein. Auch kann, da die Transistoren Q13 bis Q13 mit ihren Basen geerdet arbeiten und die Basisströme der Transistoren Q13 bis Q13 extrem klein sind, selbst wenn die Basisspannung V13 an die Basen der Transistoren Q13 bis Q13 gemeinsam angelegt wird, eine Beeinflussung bzw. Störung zwischen den SRPP-Schaltungen 11 bis 1N ausreichend reduziert werden.Also, since the collector current of the transistor Q22 is approximately equal to the collector current IC21 of the transistor Q21, the base current IB22 of the transistor Q22 is passed through IB22 = IC21 / hFE where hFE is a current amplification factor of transistor Q22. The base voltage corresponding to the Transistor Q22 supplies the base current IB22 is also applied to the bases of the transistors Q13 to Q13. Accordingly, the bias voltage V13 is applied to the transistors Q13 to Q13. In the pre-circuit thus structured, the bias voltage V13 may be applied to N SRPP circuits 11 to 1N be created with an extremely simple structure, as shown in the drawing. Also, since the transistors Q13 to Q13 operate with their bases grounded and the base currents of the transistors Q13 to Q13 are extremely small, even if the base voltage V13 is commonly applied to the bases of the transistors Q13 to Q13, interference between the transistors SRPP circuits 11 to 1N be reduced sufficiently.

Gemäß der vorliegenden Erfindung kann, wie oben beschrieben, ein großes Ausgangssignal in einem Bereich, in welchem das Ausgangssignal durch die Charakteristiken der Transistoren Q11 und Q12 erlaubt ist, erhalten werden, und in dieser Situation gibt es keinen Fall, bei dem der Ausgangsstrom während eines einzelnen Halbzyklus begrenzt ist.According to the present The invention can, as described above, a large output signal in a Range in which the output signal by the characteristics the transistors Q11 and Q12 are allowed to be obtained, and in In this situation, there is no case where the output current during a single half-cycle is limited.

Auch ist die Frequenzcharakteristik exzellent, und es kann selbst bei einer hohen Frequenz ein großes Ausgangssignal aus dem Gleichsignal erhalten werden. Außerdem kann bei der Zuschaltung des Kondensators C11 ein großes Ausgangssignal bis hinauf zu einer höheren Frequenz erhalten werden. Dann kann, da der Kondensator C11 in diesem Fall zur Kompensation einer hohen Frequenz vorhanden ist, der Wert des Kondensators C11 klein sein, und selbst wenn der Kondensator C11 in die Schaltung geschaltet ist, kann die ganze Schaltung ohne Probleme in eine IC gesetzt werden.Also the frequency characteristic is excellent, and it can even at a high frequency a big one Output signal from the DC signal can be obtained. In addition, can when connecting the capacitor C11 a large output signal up to to a higher one Frequency can be obtained. Then, since the capacitor C11 in this Case exists to compensate for a high frequency, the value of the capacitor C11 be small, and even if the capacitor C11 is switched into the circuit, the whole circuit can be without Problems are put into an IC.

Außerdem kann die Schaltung in einem weiten Bereich einer Versorgungsspannung benutzt werden. Auch wird, da die Zahl erforderlicher Elemente klein ist, selbst in dem Fall, bei dem die Schaltung bei einem hochgradig aktiven Filter benutzt wird, der Schaltungsmaßstab nicht größer. Außerdem ist, da die Ausgangsimpedanz niedrig ist und eine Änderung der Ausgangsimpedanz aufgrund der Signalfrequenz klein ist, die Schaltung beispielsweise im aktiven Filter als der Spannungsfolger geeignet.In addition, can the circuit in a wide range of supply voltage to be used. Also, since the number of required elements becomes small even in the case where the circuit is at a high level active filter is used, the circuit scale is not larger. Besides that, there is the output impedance is low and a change of the output impedance due to the signal frequency is small, the circuit, for example in the active filter as the voltage follower.

Überdies kann die Vorschaltung sehr einfach strukturiert sein. Auch kann, selbst wenn die Vorspannung an mehrere SRPP-Schaltungen gemeinsam angelegt wird, eine Beeinflussung bzw. Störung zwischen den jeweiligen SRPP-Schaltungen ausreichend reduziert werden.moreover The pre-circuit can be structured very simply. Also, even if the bias voltage is applied to several SRPP circuits together, an influence or disturbance between be sufficiently reduced to the respective SRPP circuits.

Die vorhergehende Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung ist zu Illustrations- und Beschreibungszwecken gegen worden. Es ist nicht beabsichtigt, dass sie erschöpfend ist oder die Erfindung auf die offenbarte genaue Form einschränkt, sondern es sind im Licht der obigen Lehren Modifikationen und Variationen möglich oder können aus der Praktizierung der Erfindung gewonnen werden. Die Ausführungsformen wurden gewählt und beschrieben, um die Prinzipien der Erfindung und ihre praktische Anwendung zu erläutern, damit ein Fachmann die Erfindung bei verschiedenen Ausführungsformen und mit verschiedenen Modifikationen, wie sie bei der beabsichtigten besonderen Verwendung geeignet sind, benutzen kann. Der Schutzbereich der Erfindung ist durch die hier beigefügten Ansprüche und ihre Aquivalente definiert.The previous description of the preferred embodiments of the invention has been opposed for illustration and description purposes. It is not intended to be exhaustive or the invention to the revealed exact form, but it is in the light the above teachings modifications and variations possible or can obtained from the practice of the invention. The embodiments were elected and described to the principles of the invention and its practical To explain application Thus, a person skilled in the invention in various embodiments and with various modifications as they are intended are suitable for use. The protection area The invention is defined by the claims appended hereto and their equivalents.

Claims

A shunt controlled push-pull circuit (SRPP) comprising: a first transistor (Q11), a resistor (R11) through which the collector of the first transistor is connected to a first reference potential point (T13), a second transistor (Q12) the same Polarity as that of the first transistor (Q11), wherein the collector of the second transistor is connected to the emitter of the first transistor, wherein the emitter of the second transistor is connected to a second reference potential point, and a third transistor (Q13), the the opposite polarity of the first transistor (Q11), wherein the emitter of the third transistor is connected to the collector of the first transistor and the collector of the third transistor is connected to the base of the second transistor (Q12), wherein at the base of the third transistor a bias voltage is applied, the base of the first transistor (Q11) being supplied with an input signal (Vin) and an output signal is extracted from a node of the emitter of the first transistor and the collector of the second transistor (Q12), characterized in that the SRPP circuit further comprises a capacitor (C11) connected between the emitter and the collector of the third transistor (Q13) is connected in parallel.

The SRPP circuit of claim 1, wherein the whole SRPP circuit manufactured as a single chip IC.

SRPP circuit according to claim 1 or 2, wherein the Bias of a bias circuit, which is a change absorbed in the characteristics of the elements of the SRPP circuit, is created.

An SRPP circuit according to claim 3, wherein said bias circuit comprises a current mirror circuit ( 22 ) is formed.

SRPP circuit according to claim 3 or 4, wherein the whole SRPP circuit is made as in a single-chip IC.