DE69817771T2

DE69817771T2 - Method and device for chamfering semiconductor wafers

Info

Publication number: DE69817771T2
Application number: DE69817771T
Authority: DE
Inventors: Etsuo Mitaka-shi Noguchi; Kazumi Mitaka-shi Ikeda
Original assignee: Tokyo Seimitsu Co Ltd
Current assignee: Tokyo Seimitsu Co Ltd
Priority date: 1998-06-05
Filing date: 1998-06-05
Publication date: 2004-03-11
Anticipated expiration: 2018-06-06
Also published as: EP0962282B1; EP0962282A1; DE69817771D1

Description

Die Erfindung befasst sich allgemein mit einem Waferanfasverfahren und einer Waferanfasvorrichtung, und insbesondere mit einem Waferanfasverfahren und einer Waferanfasvorrichtung zum Anfasen eines Wafers, welcher beispielsweise aus Silicium oder einem ähnlichen Material hergestellt ist, und für Halbleiterelemente eingesetzt wird, und welcher an seinem Umfang eine Orientierungsabflachung oder einer Orientierungseinkerbung hat.The invention is concerned in general with a wafer chamfering method and a wafer chamfering device, and in particular with a wafer chamfering method and a wafer chamfering device for chamfering a wafer made of silicon or a similar one Material is made, and for Semiconductor elements is used, and which on its circumference an orientation flattening or an orientation notch Has.

Eine übliche Waferanfasvorrichtung ist derart ausgelegt, dass ein Wafertisch, auf welchem ein anzufasender Wafer angebracht ist, derart gelagert ist, dass er längs einer Y-Achse bewegbar ist, und dass eine Umfangsschleifscheibe auf der Y-Achse angeordnet ist.A common wafer chamfering device is designed such that a wafer table on which a beveled Wafer is attached, is mounted such that it is along one Y axis is movable, and that a peripheral grinding wheel on the Y axis is arranged.

Zum Anfasen eines kreisförmigen Teils des Wafers wird mit der vorstehend angegebenen Anfasvorrichtung das kreisförmige Teil des Wafers gegen den sich drehenden Umfang der Schleifscheibe gedrückt. Zum Anfasen eines ebenen Orientierungsteils des Wafers wird das ebene Orientierungsteil des Wafers gegen die sich drehende Umfangsschleifscheibe gedrückt, und der Wafer wird geringfügig in Drehung versetzt, sowie geringfügig längs der Y-Achse zugestellt, so dass das ebene Orientierungsteil angefast werden kann.For chamfering a circular part of the wafer is with the chamfering device specified above the circular Part of the wafer against the rotating circumference of the grinding wheel pressed. This is used for chamfering a flat orientation part of the wafer flat orientation part of the wafer pressed against the rotating peripheral grinding wheel, and the wafer becomes insignificant set in rotation, and slightly along the Y axis, so that the plane Orientation part can be chamfered.

Ein Einkerbungsteil eines Wafers mit einer Einkerbung wird auf dieselbe Weise angefast. Das Einkerbungsteil des Wafers wird gegen ein sich drehendes Kerbschleifwerkzeug gedrückt, und der Wafer wird geringfügig in Drehung versetzt, sowie längs der Y-Achse zugestellt, so dass das Einkerbungsteil angefast werden kann.A notch part of a wafer a notch is chamfered in the same way. The notch part the wafer is pressed against a rotating notch grinding tool, and the wafer becomes insignificant rotated, as well as along the Y-axis infeed so that the notch part can be chamfered can.

Bei dem zuvor beschriebenen üblichen Anfasverfahren ist es äußerst schwierig, die Bewegung und die Drehbewegung des Wafers zu steuern, wenn das ebene Orientierungsteil oder das Einkerbungsteil angefast wird. Somit verschlechtert sich die Geradlinigkeit des ebenen Orientierungsteils oder des Einkerbungsteils.In the usual described above Chamfering it is extremely difficult to control the movement and rotational movement of the wafer if that flat orientation part or the notch part is chamfered. Thus, the straightness of the flat orientation part deteriorates or the notch part.

Die Erfindung zielt darauf ab, unter Überwindung der zuvor geschilderten Schwierigkeiten wenigstens gemäß der bevorzugten Ausführungsformen ein Waferanfasverfahren und eine Waferanfasvorrichtung bereitzustellen, welche ein genaues Anfasen eines Wafers gestatten, welcher ein ebenes Orientierungsteil oder ein Einkerbungsorientierungsteil am Umfang hat.The invention aims to overcome of the difficulties outlined above, at least according to the preferred embodiments to provide a wafer chamfering method and a wafer chamfering device, which allow an exact chamfering of a wafer, which allows a flat orientation part or has a notch orientation part on the circumference.

In DE 43 31 727 A1 ist ein Waferanfasverfahren zum Anfasen eines Umfangseines Wafers beschrieben, welcher ein kreisförmiges Teil hat, und wobei der Wafer derart gelagert ist, dass er eine Drehbewegung ausführt sowie eine Bewegung in einer Y-Achsrichtung. Dieses Waferanfasverfahren weist den folgenden Schritt auf: Anfasen des kreisförmigen Teils des Wafers dadurch, dass das kreisförmige Teil in Kontakt mit einer Umfangsschleifscheibe gebracht wird, welche eine Drehbewegung ausführt, und dass der Wafer gedreht wird.In DE 43 31 727 A1 describes a wafer chamfering method for chamfering a periphery of a wafer having a circular part, and the wafer is supported so as to rotate and move in a Y-axis direction. This wafer chamfering method has the following step: chamfering the circular part of the wafer by bringing the circular part into contact with a peripheral grinding wheel which rotates and rotating the wafer.

Gemäß einem ersten Aspekt nach der Erfindung zeichnet sich ein Waferanfasverfahren gegenüber der DE 43 31 727 A1 dadurch aus, dass
der Wafer ein ebenes Orientierungsteil und ebene Orientierungsrandteile hat;
der Wafer derart gelagert ist, daß er sich in eine X-Achsrichtung und eine Y-Achsrichtung bewegt, wobei die X- und Y-Achsen parallel zu der Ebene des Wafers verlaufen, und senkrecht zueinander stehen; und
die Umfangsschleifscheibe mit ihrer Mitte auf der Y-Achse um eine Achse drehbar angeordnet ist, welche senkrecht zu der Ebene des Wafers ist, und wobei das Verfahren ferner die folgenden Schritte aufweist:
Anfasen des ebenen Orientierungsteils des Wafers dadurch, daß das ebene Orientierungsteil in Kontakt mit der Umfangsschleifscheibe (48) gebracht wird, welche eine Drehbewegung ausführt, und daß der Wafer in X-Achsrichtung zugestellt wird; und
Anfasen einer der ebenen Orientierungsrandteile des Wafers dadurch, daß einer der ebenen Orientierungsrandteile in Kontakt mit der Umfangsschleifscheibe gebracht wird, welche eine Drehbewegung ausführt, und daß der eine Drehbewegung ausführt, und der Wafer in X-Achsrichtung und Y-Achsrichtung zugestellt wird, so daß einer der ebenen Orientierungsrandteile immer in Kontakt mit der Umfangsschleifscheibe sein kann.According to a first aspect according to the invention, a wafer chamfering method is distinguished from that DE 43 31 727 A1 from that
the wafer has a flat orientation part and flat orientation edge parts;
the wafer is supported such that it moves in an X-axis direction and a Y-axis direction, the X and Y axes being parallel to the plane of the wafer and perpendicular to each other; and
the peripheral grinding wheel is arranged with its center on the Y axis rotatable about an axis which is perpendicular to the plane of the wafer, and the method further comprises the following steps:
Chamfering the flat orientation part of the wafer in that the flat orientation part is in contact with the peripheral grinding wheel ( 48 ) is brought, which performs a rotary movement, and that the wafer is fed in the X-axis direction; and
Chamfer one of the flat orientation edge portions of the wafer by bringing one of the flat orientation edge portions into contact with the peripheral grinding wheel, which rotates, and rotates, and feeds the wafer in the X-axis direction and the Y-axis direction, so that one of the flat orientation edge parts can always be in contact with the peripheral grinding wheel.

Gemäß dieser Auslegungsform nach der Erfindung ist der Wafer derart gelagert, dass er eine Drehbewegung ausführt und sich in die X-Achsrichtung und die Y-Achsrichtung bewegt, welche senkrecht aufeinander stehen. Die Umfangsschleifscheibe ist drehbar auf der Y Achse angeordnet. Zum Anfasen des kreisförmigen Teils des Wafers wird das kreisförmige Teil gegen die sich drehende Umfangsschleifscheibe gedrückt, und dann wird der Wafer in Drehung versetzt. Zum Anfasen des ebenen Orientierungsteils des Wafers wird das ebene Orientierungsteil gegen die sich drehende Umfangschleifscheibe gedrückt, und dann wird der Wafer in die X-Achsrichtung zugestellt. Zum Anfasen der jeweiligen ebenen Orientierungsrandteile des Wafers wird das ebene Orientierungsrandteil gegen die sich drehende Umfangsschleifscheibe gedrückt, und dann wird der Wafer in Drehung versetzt und in die X-Achsrichtung und in die Y-Achsrichtung zugestellt, so dass das ebene Orientierungsrandteil immer in Kontakt mit der Umfangsschleifscheibe sein kann.According to this design According to the invention, the wafer is mounted in such a way that it rotates carries and moves in the X-axis direction and the Y-axis direction, which stand perpendicular to each other. The peripheral grinding wheel is rotatable arranged on the Y axis. For chamfering the circular part the wafer becomes circular Part pressed against the rotating peripheral grinding wheel, and then the wafer is rotated. For chamfering the flat Orientation part of the wafer becomes the flat orientation part the rotating peripheral grinding wheel is pressed, and then the wafer in the X-axis direction. For chamfering the respective levels Orientation edge parts of the wafer become the flat orientation edge part pressed against the rotating peripheral grinding wheel, and then the wafer is rotated and in the X-axis direction and in the Y-axis direction, so that the flat orientation edge part can always be in contact with the peripheral grinding wheel.

Gemäß einem zweiten Aspekt nach der Erfindung wird eine Waferanfasvorrichtung zum Anfasen des Umfangs eines Wafers bereitgestellt, welcher ein kreisförmiges Teil hat, und wobei die Waferanfasvorrichtung folgendes aufweist:
einen Wafertischträger, welcher sich in eine Y-Achsrichtung bewegen kann;
einen Wafertisch, welcher drehbar auf dem Wafertischträger vorgesehen ist und den Wafer hält;
einen Schleifwerkzeugträger, welcher in Y-Achsrichtung angeordnet ist und sich nach oben und unten bewegen kann;
eine Umfangsschleifscheibe, welche drehbar auf dem Schleifwerkzeugträger angeordnet ist;
eine Steuereinrichtung, welche die Zustellung bzw. den Vorschub des Wafertischträgers in Y-Achsrichtung, die Drehbewegung des Wafertisches, die Auf- und Abbewegung des Schleifwerkzeugträger und die Drehbewegung der Umfangsschleifscheibe steuert,
wobei die Steuereinrichtung ein kreisförmiges Teil des Wafers in Kontakt mit der Umfangsschleifscheibe bringt, welche eine Drehbewegung ausführt und den Wafer in Drehung versetzt, wodurch das kreisförmige Teil angefast wird,
welche sich dadurch auszeichnet, dass
der Wafer ein ebenes Orientierungsteil und ebene Orientierungsrandteile hat;
der Wafertischträger sich in eine X-Achsrichtung und eine Y-Achsrichtung bewegen kann, wobei die X- und Y-Achsen parallel zu der Ebene des Wafers und senkrecht zueinander verlaufen;
die Steuervorrichtung die Zustellung bzw. den Vorschub des Wafertischträgers in X-Achsrichtung steuert;
die Steuervorrichtung das ebene Orientierungsteil des Wafers in Kontakt mit der Umfangsschleifscheibe bringt, weiche eine Drehbewegung ausführt, und den Wafer in X Achsrichtung zustellt, wodurch das Anfasen des ebenen Orientierungsteils erfolgt; und
die Steuervorrichtung eines der ebenen Orientierungsrandteile des Wafers in Kontakt mit der Umfangsschleifscheibe bringt, weiche eine Drehbewegung ausführt, sowie den Wafer in Drehung versetzt, und den Wafer in X-Achsrichtung und Y-Achsrichtung zustellt, so daß eines der ebenen Orientierungsrandteile immer in Kontakt mit der Umfangsschleifscheibe sein kann, wodurch eines der ebenen Orientierungsrandteile angefast wird.According to a second aspect of the invention, there is provided a wafer chamfering device for chamfering the circumference of a wafer having a circular part, the wafer chamfering device comprising:
a wafer stage support that can move in a Y-axis direction;
a wafer table which is rotatably provided on the wafer table support and holds the wafer;
a grinding tool holder which is arranged in the Y-axis direction and can move up and down;
a peripheral grinding wheel rotatably disposed on the grinding tool carrier;
a control device which controls the infeed or the advance of the wafer table carrier in the Y-axis direction, the rotational movement of the wafer table, the up and down movement of the grinding tool carrier and the rotational movement of the peripheral grinding wheel,
wherein the control means brings a circular part of the wafer into contact with the peripheral grinding wheel, which rotates and sets the wafer in rotation, thereby chamfering the circular part,
which is characterized by the fact that
the wafer has a flat orientation part and flat orientation edge parts;
the wafer stage support can move in an X-axis direction and a Y-axis direction, the X and Y axes being parallel to the plane of the wafer and perpendicular to one another;
the control device controls the infeed or the feed of the wafer table carrier in the X-axis direction;
the control device brings the planar orientation part of the wafer into contact with the peripheral grinding wheel, which rotates, and delivers the wafer in the X-axis direction, thereby chamfering the planar orientation part; and
the control device brings one of the plane orientation edge parts of the wafer into contact with the peripheral grinding wheel, which rotates and sets the wafer in rotation, and delivers the wafer in the X-axis direction and the Y-axis direction, so that one of the plane orientation edge parts is always in contact with the peripheral grinding wheel, whereby one of the flat orientation edge parts is chamfered.

Gemäß diesem Aspekt nach der Erfindung ist der Wafer derart gelagert, dass er eine Drehbewegung ausführt und sich in X-Achsrichtung und Y-Achsrichtung bewegen kann, welche senkrecht zueinander stehen, und die Umfangsschleifscheibe und das Kerbsichleifwerkzeug sind drehbeweglich auf der X-Achse angeordnet. Zum Anfasen des kreisförmigen Teils des Wafers wird das kreisförmige Teil gegen die sich drehende Umfangsscheibe gedrückt, und dann wird der Wafer in Drehung versetzt. Zum Anfasen des Kerbteils des Wafers wird das Kerbteil gegen das sich drehende Kerbschleifzeug gedrückt, und dann wird der Wafer in die X-Achsrichtung und die Y-Achsrichtung zugestellt, so dass das Kerbteil voll in Kontakt mit dem Kerbscheifwerkzeug sein kann. Um die jeweiligen Kerbrandteile des Wafers anzufasen, wird das Kerbrandteil gegen das sich drehende Kerbschleifwerkzeug gedrückt, und dann wird der Wafer in X-Achsrichtung und Y-Achsrichtung zugesteht, so dass das Kerbrandteil immer in Kontakt mit dem Kerbschleifwerkzeug sein kann.According to this aspect, according to the invention the wafer is mounted in such a way that it carries out a rotary movement and can move in the X-axis direction and Y-axis direction, which are perpendicular stand to each other, and the peripheral grinding wheel and the notched grinding tool are rotatable on the X axis arranged. For chamfering the circular part of the wafer the circular Part pressed against the rotating peripheral disc, and then the wafer set in rotation. For chamfering the notch part of the wafer, this becomes Notch part pressed against the rotating notch grinder, and then the wafer is fed in the X-axis direction and the Y-axis direction, so that the notch part is fully in contact with the notch grinding tool can be. To chamfer the respective notch edge parts of the wafer, pressing the notch edge part against the rotating notch grinding tool, and then the wafer is allowed in the X-axis direction and Y-axis direction, so that the notch edge part is always in contact with the notch grinding tool can be.

Vorzugsweise wird bei der Anfasbearbeitung ein Einschnitt mit etwa 45° sowohl an den oberen als auch den unteren Flächen des Wafers in der Nähe des Umfangsrandes erstellt.A bevel is preferably used for the chamfering Incision at about 45 ° both on the upper and lower surfaces of the wafer near the peripheral edge created.

Gemäß einem dritten Aspekt nach der Erfindung wird ein Waferanfasverfahren zum Anfasen eines Umfangs eines Wafers bereitgestellt, welcher ein kreisförmiges Teil, ein Kerbeteil und Kerbrandteile hat, wobei der Wafer derart gelagert ist, dass er eine Drehbewegung ausführt und in eine Y-Achsrichtung bewegt wird, wobei das Waferanfasverfahren den folgenden Schritt aufweist:
Anfasen des kreisförmigen Teils des Wafers dadurch, dass das kreisförmige Teil in Kontakt mit einer Umfangsschleifscheibe gebracht wird, welche eine Drehbewegung ausführt, und dass der Wafer in Drehung versetzt wird,
welche sich dadurch auszeichnet, dass
der Wafer derart gelagert ist, daß er sich in eine X-Achsrichtung und eine Y-Achsrichtung bewegt, wobei die X- und Y-Achsen parallel zu der Ebene des Wafers senkrecht zueinander verlaufen; und
eine Umfangsschleifscheibe und ein Kerbschleifwerkzeüg mit ihren Mittelpunkten auf der Y-Achse angeordnet und um Achsen drehbar sind, welche senkrecht zu der Ebene des Wafers verlaufen, wobei das Verfahren ferner die folgenden Schritte aufweist:
Anfasen des Kerbteils des Wafers dadurch, daß das Kerbteil in Kontakt mit dem Kerbschleifwerkzeug gebracht wird, welches eine Drehbewegung ausführi, und daß der Wafer in die X-Achsrichtung und Y-Achsrichtung zugestellt wird, so daß das Kerbteil immer in Kontakt mit dem Kerbschleifwerkzeug sein kann; und
Anfasen eines der Kerbrandteile des Wafers dadurch, daß eines der Kerbrandteile in Kontakt mit dem Kerbschleifwerkzeug gebracht wird, welches eine Drehbewegung ausführt, und daß der Wafer in die X-Achsrichtung und die Y-Achsrichtung derart zugestellt wird, daß immer eines der Kerbrandteile mit dem Kerbschleifwerkzeug in Kontakt sein kann.According to a third aspect of the invention, there is provided a wafer chamfering method for chamfering a periphery of a wafer having a circular part, a notch part, and notch edge parts, the wafer being supported so as to rotate and move in a Y-axis direction, the wafer chamfering method comprising the following step:
Chamfering the circular part of the wafer by bringing the circular part into contact with a peripheral grinding wheel which rotates and by causing the wafer to rotate,
which is characterized by the fact that
the wafer is supported to move in an X-axis direction and a Y-axis direction, the X and Y axes being parallel to the plane of the wafer perpendicular to each other; and
a peripheral grinding wheel and a notch grinding tool with their centers on the Y-axis and rotatable about axes that are perpendicular to the plane of the wafer, the method further comprising the following steps:
Chamfering the notch part of the wafer by bringing the notch part into contact with the notch grinding tool which rotates and by moving the wafer in the X-axis direction and the Y-axis direction so that the notch part is always in contact with the notch grinding tool can; and
Chamfer one of the notch edge parts of the wafer by bringing one of the notch edge parts into contact with the notch grinding tool, which executes a rotary movement, and in that the wafer is fed in the X-axis direction and the Y-axis direction in such a way that one of the notch edge parts always has the Notch grinding tool can be in contact.

Gemäß einem vierten Aspekt nach der Erfindung wird eine Waferanfasvorrichtung zum Anfasen eines Umfangs eines Wafers bereitgestellt, welche ein kreisförmiges Teil, ein Kerbteil und Kerbrandteile hat, und welche folgendes aufweist:
einen Wafertischträger, welcher sich in eine Y-Achsrichtung bewegen kann;
einen Wafertisch, welcher auf dem Wafertischträger drehbar angeordnet ist und den Wafer hält;
einen Schleifwerkzeugträger, welcher auf der Y-Achse angeordnet ist und sich in Richtung nach oben und unten bewegen kann;
eine Umfangsschleifscheibe, welche drehbar auf dem Schleifwerkzeugträger eine Steuereinrichtung, welche die Zustellung des Wafertischträgers in die Y-Achsrichtung, die Drehbewegung des Wafertischs, die auf- und abgerichtete Bewegung des Schleifwerkzeugträgers und die Drehbewegung der Umfangsschleifscheibe steuert,
wobei die Steuereinrichtung das kreisförmige Teil des Wafers in Kontakt mit der Umfangsschleifscheibe bringt, welche eine Drehbewegung ausführt, und der Wafer in Drehung versetzt wird, wodurch das kreisförmige Teil angefast wird,
welche sich dadurch auszeichnet, daß vorgesehen ist;
sich in eine X-Achsrichtung und eine Y-Achsrichtung bewegen kann,
wobei die X- und Y-Achsen parallel zu der Ebene des Wafers und senkrecht zueinander verlaufen;
die Vorrichtung ferner ein Kerbschleifwerkzeug aufweist, welches auf dem Schleifwerkzeugträger drehbar vorgesehen ist;
die Steuereinrichtung die Zustellung des Wafertischträgers in die X-Achsrichtung und die Drehbewegung des Kerbschleifwerkzeugs steuert;
die Steuereinrichtung das Kerbteil des Wafers in Kontakt mit dem Kerbschleifwerkzeug bringt, welches eine Drehbewegung ausführt und den Wafer in X-Achsrichtung und Y-Achsrichtung zustellt, so daß das Kerbteil immer in Kontakt mit dem Kerbschleifwerkzeug sein kann, wodurch das Kerbteil angefast wird; und
die Steuereinrichtung eines der Kerbrandteile des Wafers in Kontakt mit dem Kerbschleifwerkzeug bringt, welches eine Drehbewegung ausführt und den Wafer in X-Achsrichtung und Y-Achsrichtung zustellt, so daß eines der Kerbrandteile immer in Kontakt mit dem Kerbschleifwerkzeug sein kann, wodurch eines der Kerbrandteile angefast wird.According to a fourth aspect of the invention, there is provided a wafer chamfering device for chamfering a periphery of a wafer, which has a circular part, a notch part and notch edge parts, and which comprises:
a wafer stage support that can move in a Y-axis direction;
a wafer table which is rotatably arranged on the wafer table carrier and holds the wafer;
a grinding tool carrier which is arranged on the Y axis and can move up and down;
a peripheral grinding wheel, which rotates on the grinding tool carrier, a control device which controls the infeed of the wafer table carrier in the Y-axis direction, the rotational movement of the wafer table, the up and down movement of the grinding tool carrier and the rotational movement of the peripheral grinding wheel,
wherein the control means the circular part of the Brings wafers into contact with the peripheral grinding wheel, which rotates and sets the wafer in rotation, thereby chamfering the circular part,
which is characterized in that is provided;
can move in an X-axis direction and a Y-axis direction,
wherein the X and Y axes are parallel to the plane of the wafer and perpendicular to each other;
the device further comprises a notch grinding tool which is rotatably provided on the grinding tool carrier;
the control device controls the infeed of the wafer table carrier in the X-axis direction and the rotational movement of the notch grinding tool;
the control means brings the notch part of the wafer into contact with the notch grinding tool, which rotates and feeds the wafer in the X-axis direction and the Y-axis direction, so that the notch part can always be in contact with the notch grinding tool, thereby chamfering the notch part; and
the control device brings one of the notch edge parts of the wafer into contact with the notch grinding tool, which rotates and delivers the wafer in the X-axis direction and the Y-axis direction, so that one of the notch edge parts can always be in contact with the notch grinding tool, whereby one of the notch edge parts is chamfered becomes.

Bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung werden nachstehend beispielhaft unter Bezugnahme auf die beigefügte Zeichnung näher erläutert. Darin gilt:Preferred embodiments of the invention are exemplified below with reference to the accompanying drawings explained in more detail. In this applies:

1 ist eine schematische Seitenansicht zur Verdeutlichung einer bevorzugten Ausführungsform einer Waferanfasvorrichtung nach der Erfindung, wobei aber die tatsächliche Gestalt der Schleifscheibe und des Schleifwerkzeugs nicht gezeigt ist; 1 is a schematic side view illustrating a preferred embodiment of a wafer chamfering device according to the invention, but the actual shape of the grinding wheel and the grinding tool is not shown;

2 ist eine Draufsicht zur Verdeutlichung einer Waferzustelleinrichtung; 2 Fig. 11 is a plan view showing a wafer delivery device;

3 ist eine Schnittansicht längs einer Linie A-A in 2; 3 Fig. 12 is a sectional view taken along a line AA in Fig 2 ;

4(a), 4(b), 4(c), 4(d), 4(e) und 4(f) sind Ansichten zur Erläuterung eines Anfasverfahrens für einen Wafer mit einem ebenen Orientierungsteil; und 4 (a) . 4 (b) . 4 (c) . 4 (d) . 4 (e) and 4 (f) FIG. 11 are views for explaining a chamfering method for a wafer with a flat orientation part; FIG. and

5(a), 5(b), 5(c), 5(d) und 5(e) sind Ansichten zur Verdeutlichung eines Anfasverfahrens für einen Wafer mit einer Einkerbung. 5 (a) . 5 (b) . 5 (c) . 5 (d) and 5 (e) are views for illustrating a chamfering method for a wafer with a notch.

1 ist eine Seitenansicht zur Verdeutlichung einer bevorzugten Ausführungsform einer Waferanfasvorrichtung nach der Erfindung. Wie in 1 gezeigt ist, weist die Waferanfasvorrichtung 10 eine Waferzustelieinrichtung 12 und eine Schleifwerkzeugeinrichtung 14 auf. 1 is a side view showing a preferred embodiment of a wafer chamfering device according to the invention. As in 1 is shown, the wafer chamfering device 10 a wafer delivery device 12 and a grinding tool device 14 on.

Nachstehend erfolgt eine Beschreibung der Waferzustelleinrichtung 12. Wie in den 1 bis 3 gezeigt ist, ist ein Paar von Führungsschienen 18 auf einer horizontal angeordneten Basis 16 vorgesehen. Ein Y-Achstisch 22 ist gleitbeweglich auf den Führungsschienen 18 mittels Gleitstücken 20 gelagert. Der Y-Achstisch 22 wird mittels einer Vorschubspindeleinrichtung angetrieben, deren näherer Aufbau nachstehend erläutert wird.A description will now be given of the wafer delivery device 12 , As in the 1 to 3 is shown is a pair of guide rails 18 on a horizontally arranged base 16 intended. A Y-axis table 22 is slidable on the guide rails 18 using sliders 20 stored. The Y-axis table 22 is driven by a feed spindle device, the detailed structure of which is explained below.

Wie in 2 gezeigt ist, ist eine Kugelumlaufspindel 24 parallel auf den Führungsschienen 18 auf der Basis 16 vorgesehen. Die Kugelumlaufspindel 24 ist in Eingriff mit einem Mutternteil 26, welches fest mit dem Y-Achstisch 22 verbunden ist. Ein Ende der Kugelumlaufspindel 24 ist mit einem Motor 28 verbunden, welcher in Vorwärts- und Rückwärtsrichtung drehbar ist und der Kugelumlaufspindel 24 eine Drehbewegung erteilt. Wenn die Kugelumlaufspindel 24 eine Drehbewegung ausführt, bewegt sich das Mutternteil 26 längs der Kugelumlaufspindel 24, und somit führt der Y-Achstisch 22, weicher mit dem Mutternteil 26 verbunden ist, eine Gleitbewegung längs der Führungsschienen 18 aus. Eine Richtung, in der der Y-Achstisch 22 eine Gleitbewegung ausführt, wird nachstehend als eine Y-Achsrichtung bezeichnet, und eine gerade Linie, welche parallel zu der Y-Achsrichtung ist und durch den Mittelpunkt des Y-Achstischs 22 geht, wird als Y-Achse bezeichnet.As in 2 is shown is a ball screw 24 parallel on the guide rails 18 on the base 16 intended. The ball screw 24 is in engagement with a nut part 26 , which is fixed to the Y-axis table 22 connected is. One end of the ball screw 24 is with an engine 28 connected, which is rotatable in the forward and backward direction and the ball screw 24 given a rotational movement. If the ball screw 24 rotates, the nut part moves 26 along the ball screw 24 , and thus the Y-axis table leads 22 , softer with the nut part 26 is connected, a sliding movement along the guide rails 18 out. A direction in which the Y-axis table 22 performs a sliding movement, hereinafter referred to as a Y-axis direction, and a straight line which is parallel to the Y-axis direction and through the center of the Y-axis table 22 is called the Y axis.

Ein Paar von Führungsschienen 13 ist auf dem Y-Achstisch 22 in einer Richtung senkrecht zu der Y-Achsrichtung vorgesehen. Ein X-Achstisch 34 ist gleitbeweglich auf den Führungsschienen 30 mit Hilfe von Gleitstücken 32 gelagert. Der X-Achstisch 34 wird mittels einer Vorschubspindeleinrichtung auf dieselbe Weise wie der Y-Achstisch 22 angetrieben, und die näheren Einzelheiten der Vorschubspindeleinrichtung werden nachstehend näher erläutert.A pair of guide rails 13 is on the Y-axis table 22 provided in a direction perpendicular to the Y-axis direction. An X-axis table 34 is slidable on the guide rails 30 with the help of sliders 32 stored. The X-axis table 34 by means of a feed spindle device in the same way as the Y-axis table 22 driven, and the further details of the feed spindle device are explained in more detail below.

Wie in 2 gezeigt ist, ist eine Kugelumlaufspindel 36 parallel zu den Führungsschienen 30 auf dem Y-Achstisch 22 vorgesehen. Die Kugelumlaufspindel 36 arbeitet mit einem Mutternteil 38 zusammen, welches fest mit dem X-Achstisch 34 verbunden ist. Ein Ende der Kugelumlaufspindel 36 ist mit einem Motor 40 verbunden, welcher in Vorwärtsrichtung und Rückwärtsrichtung eine Drehbewegung ausführt, und beim Antrieb die Kugelumlaufspindel 36 verdreht. Wenn die Kugelumlaufspindel 36 eine Drehbewegung ausführt, bewegt sich das Mutternteil 38 längs der Kugelumlaufspindel 36, und somit führt der X-Achstisch 34, welcher mit dem Mutternteil 38 verbunden ist, eine Gleitbewegung längs den Führungsschienen 30 aus. Eine Richtung, in welcher der X-Achstisch 34 eine Gleitbewegung ausführt, wird nachstehend als eine X-Achsrichtung bezeichnet, und eine gerade Linie, welche parallel zu der X- Achsrichtung ist und durch den Mittelpunkt des X-Achstisches 34 geht, wird als eine X-Achse bezeichnet.As in 2 is shown is a ball screw 36 parallel to the guide rails 30 on the Y-axis table 22 intended. The ball screw 36 works with a nut part 38 together, which is fixed to the X-axis table 34 connected is. One end of the ball screw 36 is with an engine 40 connected, which performs a rotational movement in the forward and backward directions, and the ball screw in the drive 36 twisted. If the ball screw 36 rotates, the nut part moves 38 along the ball screw 36 , and thus the X-axis table leads 34 which with the nut part 38 is connected, a sliding movement along the guide rails 30 out. A direction in which the X-axis table 34 executes a sliding movement, hereinafter referred to as an X-axis direction, and a straight line which is parallel to the X-axis direction and through the center of the X-axis table 34 is referred to as an X axis.

Ein Wafertischträger 42 ist mittig auf dem X-Achstisch 34 vorgesehen. Ein Wafertisch 44 ist drehbar auf dem Wafertischträger 42 gelagert, und der Wafertisch 44 wird mittels eines Motors (nicht gezeigt) drehangetrieben, welcher in den Wafertischträger 42 eingebaut ist. Ein anzufasender Wafer W ist mittels Vakuum auf dem Wafertisch 44 gehalten. Eine gerade Linie, welche senkrecht zu dem Wafertisch 44 verläuft und durch den Drehmittelpunkt des Wafertisches 44 geht, wird als eine θ-Achse bezeichnet.A wafer table carrier 42 is centered on the X-axis table 34 intended. A wafer table 44 is rotatable on the wafer table support 42 stored, and the wafer table 44 is rotated by means of a motor (not shown), which is in the wafer table carrier 42 is installed. A wafer to be chamfered W is on the wafer table by means of vacuum 44 held. A straight line, which is perpendicular to the wafer table 44 runs and through the center of rotation of the wafer table 44 is referred to as a θ axis.

Da die Waferzustelleinrichtung 12 entsprechend den voranstehenden Ausführungen ausgelegt ist, kann der auf dem Wafertisch 44 gehaltene Wafer W um die θ-Achse gedreht und in X-Achsrichtung und in Y-Achsrichtung zugestellt werden.Because the wafer delivery device 12 is designed according to the foregoing, can on the wafer table 44 held wafers W are rotated around the θ axis and are fed in the X-axis direction and in the Y-axis direction.

Nachstehend erfolgt eine Beschreibung der Auslegung der Schleifwerkzeugeinrichtung 14. Wie in 1 gezeigt ist, hat die Schleifwerkzeugeinrichtung 14 einen Schleifwerkzeugträger 46. Der Schleifwerkzeugträger 46 ist auf einer Säule (nicht gezeigt) gleitbeweglich gelagert, welche vertikal stehend auf der Basis 16 vorgesehen ist. Ferner ist ein Antrieb (nicht gezeigt) vorgesehen, welcher den Schleifwerkzeugträger 46 derart antreibt, dass der Schleifwerkzeugträger 46 längs der Säule nach oben und unten bewegt wird. Ein Umfangsschleifscheibe 48 und ein Kerbschleifwerkzeug 50 sind an der Bodenseite des Schleifwerkzeugträgers 46 vorgesehen. Die Umfangschleifscheibe 48 und das Kerbschleifwerkzeug 50 sind jeweils mit Hilfe von Motoren (nicht gezeigt) drehangetrieben, welche in dem Schleifwerkzeugträger 46 eingebaut sind. Die Umfangsschleifscheibe 48 und das Kerbschleifwerkzeug 50 sind auf der Y-Achse entsprechend 2 angeordnet, und das Kerbschleifwerkzeug 50 ist in einer vorbestimmten Höhe über der Umfangsschleifscheibe 48 entsprechend 1 angeordnet.The design of the grinding tool device is described below 14 , As in 1 has shown the grinding tool device 14 a grinding tool carrier 46 , The grinding tool carrier 46 is slidably supported on a column (not shown) which is standing vertically on the base 16 is provided. Furthermore, a drive (not shown) is provided, which the grinding tool carrier 46 drives such that the grinding tool carrier 46 is moved up and down along the column. A peripheral grinding wheel 48 and a notch grinding tool 50 are on the bottom side of the grinding tool holder 46 intended. The peripheral grinding wheel 48 and the notch grinding tool 50 are each rotationally driven by means of motors (not shown) which are in the grinding tool carrier 46 are installed. The peripheral grinding wheel 48 and the notch grinding tool 50 are corresponding on the Y axis 2 arranged, and the notch grinding tool 50 is at a predetermined height above the peripheral grinding wheel 48 corresponding 1 arranged.

Die Schleifwerkzeugeinrichtung 14 mit dem vorstehend beschriebenen Aufbau und der Umfang des anzufasenden Waferssind einander derart zugeordnet, dass der Umfang des Wafers W gegen die sich drehende Umfangsschleifscheibe 48 oder das sich drehende Kerbschleifwerkzeug 50 der Schleifwerkzeugeinrichtung 14 gedrückt wird.The grinding tool device 14 with the structure described above and the size of the wafer to be chamfered are associated with each other such that the size of the wafer W against the rotating peripheral grinding wheel 48 or the rotating notch grinding tool 50 the grinding tool device 14 is pressed.

Die Waferanfasvorrichtung 10 nach der Erfindung mit dem vorstehend beschriebenen Aufbau umfasst auch eine Steuereinrichtung (nicht gezeigt), welche insgesamt den Betrieb der Waferanfasvorrichtung 10 steuert.The wafer chamfering device 10 according to the invention with the structure described above also comprises a control device (not shown) which overall controls the operation of the wafer chamfering device 10 controls.

Nachstehend soll die Arbeitsweise der Waferanfasvorrichtung 10 nach der Erfindung mit dem vorstehend beschriebenen Aufbau nähere läutert werden. Da die Waferanfasvorrichtung 10 sowohl den Wafer W mit einem ebenen Orientierungsteil als auch den Wafer W mit einer Einkerbung anfasen kann, soll zuerst eine Beschreibung für eine erste Verfahrensweise zum Anfasen des Wafersmit einem ebenen Orientierungsteil erfolgen, und dann die Anfasverfahrensweise für einen Wafer mit einer Kerbe.The following is the operation of the wafer chamfering device 10 be explained in more detail according to the invention with the structure described above. Because the wafer chamfer 10 both the wafer W with a flat orientation part as well as the wafer W with a notch, a description will first be given of a first procedure for chamfering the wafer with a flat orientation part, and then the chamfering procedure for a wafer with a notch.

Nachstehend wird ein Verfahren zum Anfasen des Wafersmit einem ebenen Orientierungsteil unter Bezugnahme auf die 4(a) – 4(f) näher beschrieben.The following is a method of chamfering the wafer with a flat orientation part with reference to FIG 4 (a) - 4 (f) described in more detail.

Zuerst wird der Wafer W auf der Waferanfasvorrichtung 10 angeordnet. Insbesondere wird der Wafer W auf dem Wafertisch 44 angeordnet, und der Wafer W mittels Vakuum auf dem Wafertisch 44 gehalten.First the wafer W on the wafer chamfer 10 arranged. In particular, the wafer W on the wafer table 44 arranged, and the wafer W by means of vacuum on the wafer table 44 held.

Der Wafer W ist derart angeordnet, dass sein Mittelpunkt auf der θ-Achse des Wafertisches 44 zu liegen kommen kann, und. dass das ebene Orientierungsteil OF parallel zu der Y-Achse sein kann (siehe 4(a)). Hierbei handelt es sich um einen Anfangszustand, bei dem der Mittelpunkt des Wafers W auf der Y-Achse und in einem vorbestimmten Abstand von der Achse der Umfangsschleifscheibe 48 angeordnet ist.The wafer W is arranged so that its center is on the θ axis of the wafer table 44 can come to rest, and. that the level orientation part OF can be parallel to the Y axis (see 4 (a) ). This is an initial state where the center of the wafer W on the Y axis and at a predetermined distance from the axis of the peripheral grinding wheel 48 is arranged.

Andererseits wird an der Schleifwerkzeugeinrichtung 14 der Schleifwerkzeugträger 46 nach oben und unten derart bewegt, dass die Umfangsschleifscheibe 48 eine vorbestimmte Bearbeitungsposition einnimmt.On the other hand, on the grinding tool device 14 the grinding tool carrier 46 moved up and down so that the peripheral grinding wheel 48 assumes a predetermined machining position.

Nach Beendigung dieser vorstehend beschriebenen Umfangseinstellungen beginnt die Waferanfasvorrichtung 10 mit dem Anfasen des Wafers W.After completing these circumferential adjustments described above, the wafer chamfering device begins 10 with the chamfering of the wafer W ,

Zuerst wird die Umfangsschleifscheibe 48 in Drehung versetzt, und der Wafer W wird in die Y-Achsrichtung in Richtung auf die Umfangsschleifscheibe 48 gleichzeitig zugestellt Wenn sich der Wafer W in einem vorbestimmten Abstand bewegt, trifft ein kreisförmiges Teil C des Wafersauf die sich drehende Umfangsschleifscheibe 48, und die Bewegung des Waferswird angehalten.First, the peripheral grinding wheel 48 spun, and the wafer W is in the Y-axis direction towards the peripheral grinding wheel 48 delivered at the same time when the wafer W Moving a predetermined distance hits a circular part C of the wafer on the rotating peripheral grinding wheel 48 , and the movement of the wafer is stopped.

Wenn, wie in 4(a) gezeigt, das kreisförmige Teil C des Wafersauf die Umfangsschleifscheibe 48 trifft, beginnt sich der Wafer W in die θ-Achse um einen vorbestimmten Winkel zu drehen. Hierdurch wird das kreisförmige Teil C des Wafers W mittels der Drehbewegung der Umfangsschleifscheibe 48 angefast.If, as in 4 (a) shown the circular part C of the wafer on the peripheral grinding wheel 48 hits, the wafer begins W to rotate in the θ axis by a predetermined angle. This will make the circular part C of the wafer W by means of the rotary movement of the peripheral grinding wheel 48 chamfered.

Wenn, wie in 4(b) gezeigt ist, der Wafer W um einen vorbestimmten Winkel eine Drehbewegung ausführt, erreicht ein Kontaktpunkt zwischen dem Wafer W und der Umfangsschleifscheibe 48 ein Randteil OR des ebenen Orientierungsteils des Wafers W. In diesem Zustand kann nur durch die Drehbewegung des Wafers W das Randteil OR des ebenen Orientierungsteils nicht in Kontakt mit der Umfangsschleifscheibe 48 gebracht werden. Aus diesem Grunde wird das Randteil OR des ebenen Orientierungsteils durch eine gesteuerte Bewegung des Wafersgemäß der nachstehenden Beschreibung angefast.If, as in 4 (b) the wafer is shown W rotates by a predetermined angle reaches a contact point between the wafer W and the peripheral grinding wheel 48 an edge part OR of the flat orientation part of the wafer W , In this state, only by rotating the wafer W the edge part OR the flat orientation part is not in contact with the peripheral grinding wheel 48 to be brought. For this reason, the edge part OR chamfer the planar orientation portion by controlled movement of the wafer as described below.

Wenn der Kontaktpunkt des Randteils OF des ebenen Orientierungsteils des Wafers W, wie mit einer gebrochenen Linie in 4(c) dargestellt, erreicht ist, wird der Wafer W um die θ-Achse gedreht und in X-Achsrichtung und die Y-Achsrichtung zugestellt. Der Wafer W bewegt sich derart, dass das Randteil OR des ebenen Orientierungsteils immer in Kontakt mit der Umfangsschleifscheibe 48 sein kann. Auf diese Weise wird das Randteil OR des ebenen Orientierungsteils des Wafers W durch die Umfangsschleifscheibe 48 angefast.If the contact point of the edge part OF of the flat orientation part of the wafer W as with a broken line in 4 (c) shown, is reached, the wafer W rotated around the θ axis and fed in the X-axis direction and the Y-axis direction. The wafer W moves such that the edge part OR of the flat orientation part always in contact with the peripheral grinding wheel 48 can be. This way the edge part OR of the flat orientation part of the wafer W through the peripheral grinding wheel 48 chamfered.

Dann wird das ebene Orientierungsteil OR des Wafers W, dessen Bewegung auf die vorstehend beschriebene Weise gesteuert wird, schließlich parallel zu der X-Achse ausgerichtet, wie dies mit einer durchgezogenen Linie in 4(c) dargestellt ist, und das Anfasen des Randteils OR des ebenen Orientierungsteils ist abgeschlossen. In diesem Zustand ist die Umfangsschleifscheibe 48 in Kontakt mit dem ebenen Orientierungsteil OF des Wafers W. Anschließend wird dann das ebene Orientierungsteil OF angefast.Then the level orientation part OR of the wafer W whose movement is controlled in the manner described above, finally par allelic to the x-axis, like this with a solid line in 4 (c) is shown, and the chamfering of the edge part OR of the level orientation part is completed. The peripheral grinding wheel is in this state 48 in contact with the flat orientation part OF of the wafer W , Then the level orientation part OF chamfered.

Wie in 4(d) gezeigt ist, wird das ebene Orientierungsteil OF durch eine Zustellung des Wafers W in X-Achsrichtung angefast. Dies bedeutet, dass sich der Wafer W parallel zu dem ebenen Orientierungsteil OF bewegt, während zugleich das ebene Orientierungsteil OF in Kontakt mit der Umfangsschleifscheibe 48 ist. Hierdurch wird das ebene Orientierungsteil OF durch die Umfangsschleifscheibe 48 angefast.As in 4 (d) is shown, the flat orientation part OF by delivering the wafer W chamfered in the X-axis direction. This means that the wafer W parallel to the flat orientation part OF moves while at the same time the level orientation part OF in contact with the peripheral grinding wheel 48 is. This will make the flat orientation part OF through the peripheral grinding wheel 48 chamfered.

Der Wafer W wird in X-Achsrichtung zugestellt, bis der Kontaktpunkt zwischen dem Wafer W und der Umfangsschleifscheibe 48 das andere Ende des ebenen Orientierungsteils OF erreicht, oder das andere Randteil OR des ebenen Orientierungsteils erreicht, wie dies in 4(e) gezeigt ist. Wenn der Kontaktpunkt das Randteil OR des Orientierungsteils erreicht, wird anschließend das Eckteil OR des ebenen Orentierungsteils angefast.The wafer W is fed in the X-axis direction until the contact point between the wafer W and the peripheral grinding wheel 48 the other end of the flat orientation part OF reached, or the other edge part OR of the flat orientation part, as shown in 4 (e) is shown. If the contact point is the edge part OR of the orientation part is reached, then the corner part OR chamfered of the flat orientation part.

Insbesondere wenn der Kontaktpunkt das Randteil OR des ebenen Orientierungsteils des Waferserreicht wird, wie dies mit einer durchgezogenen Linie in 4(f) dargestellt ist, wird der Wafer W um die θ-Achse gedreht und in X-Achsrichtung und Y-Achsrichtung zugestellt. Der Wafer W bewegt sich derart, dass das Randteil OR des ebenen Orientierungsteils immer in Kontakt mit der Umfangsschleifscheibe 48 sein kann. Auf diese Weise wird das Eckteil OR des ebenen Orientierungsteils des Wafers W mittels der Umfangsschleifscheibe 48 angefast.Especially when the contact point is the edge part OR of the flat orientation part of the wafer is achieved, as with a solid line in FIG 4 (f) is shown, the wafer W rotated around the θ axis and fed in the X-axis direction and Y-axis direction. The wafer W moves such that the edge part OR of the flat orientation part always in contact with the peripheral grinding wheel 48 can be. This way the corner piece OR of the flat orientation part of the wafer W by means of the peripheral grinding wheel 48 chamfered.

Dann wird der Mittelpunkt des Wafers W, dessen Bewegung auf die vorstehend beschriebene Weise gesteuert wird, schließlich auf der Y-Achse positioniert, wie es mit einer gebrochenen Linie in 4(f) dargestellt ist, und das Anfasen des Randteils OR des ebenen Orientierungsteils ist abgeschlossen. In diesem Zustand ist die Umfangsschleifscheibe 48 in Kontakt mit dem kreisförmigen Teil C des Wafers W. Anschließend wird der Wafer W um die θ-Achse gedreht, um das kreisförmige Teil C anschließend anzufasen, und dann kehrt der Wafer W in den Zustand zurück, in welchem die Anfasbearbeitung begonnenen wurde. Hierbei handelt es sich um den in 4(a) gezeigten Zustand. Das Anfasen des gesamten Umfangs des Wafers W ist nach einem wiederholten Ausführen mehrerer Bearbeitungsgänge auf mehrmalige Weise abgeschlossen.Then the center of the wafer W , the movement of which is controlled in the manner described above, finally positioned on the Y axis as indicated by a broken line in 4 (f) is shown, and the chamfering of the edge part OR of the level orientation part is completed. The peripheral grinding wheel is in this state 48 in contact with the circular part C of the wafer W , Then the wafer W rotated around the θ axis, around the circular part C then chamfer and then the wafer returns W to the state in which the chamfering was started. This is the in 4 (a) shown condition. Chamfering the entire circumference of the wafer W is completed several times after repeated processing.

Wenn das Anfasen des Wafersabgeschlossen ist, wird der Wafer W in dem Zustand angehalten, in welchem mit der Anfasbearbeitung begonnen worden ist, d. h. in dem in 4(a) gezeigten Zustand. Dann wird der Wafer W in die Y-Achsrichtung bewegt, so dass er sich von der Umfangsschleifscheibe 48 weiter entfernt, und der Wafer W kehrt in seinen Anfangszustand zurück. Der Wafer W wird dann von dem Wafertisch 44 aufgenommen, und die Anfasbearbeitung ist abgeschlossen.When the chamfering of the wafer is complete, the wafer becomes W stopped in the state in which the chamfering has started, ie in the in 4 (a) shown condition. Then the wafer W moves in the Y-axis direction so that it moves away from the peripheral grinding wheel 48 further away, and the wafer W returns to its initial state. The wafer W is then from the wafer table 44 and the chamfering is complete.

Wenn wie zuvor nach dem Waferanfasverfahren und der Waferanfasvorrichtung gemäß dieser bevorzugten Ausführungsförm beschrieben worden ist, das ebene Orientierungsteil OF des Wafersangefast wird, wird der Wafer W parallel zu dem ebenen Orientierungsteil OF geradlinig zugestellt. Auf diese Weise ist es einfach möglich, das ebene Orientierungsteil OF mit einem hohen Grad an Geradlinigkeit anzufasen. Wenn die jeweiligen Randteile OR des ebenen Orientierungsteils des Wafers W angefast werden, wird der Wafer W derart bewegt, dass das Eckteil OR des ebenen Orientierungsteils immer in Kontakt mit der Umfangsschleifscheibe 48 sein kann. Auf diese Weise ist es möglich, auf einfache Weise die Eckteile OR des ebenen Orientierungsteils mit hoher Genauigkeit anzufasen. Ferner lässt sich die Bewegung des Wafers W auf einfache Weise steuern.If, as described above, according to the wafer chamfering method and the wafer chamfering device according to this preferred embodiment, the planar orientation part OF of the wafer is chamfered, the wafer W parallel to the flat orientation part OF delivered in a straight line. In this way it is easily possible to use the flat orientation part OF Chamfer with a high degree of straightness. If the respective marginal parts OR of the flat orientation part of the wafer W the wafer will be chamfered W moved such that the corner part OR of the flat orientation part always in contact with the peripheral grinding wheel 48 can be. In this way it is possible to easily the corner parts OR chamfer the flat orientation part with high accuracy. Furthermore, the movement of the wafer can be W control in a simple way.

Bei dieser bevorzugten Ausführungsform wird der gesamte Umfang des Wafers W aufeinanderfolgend angefast, aber jedes Teils des Umfangs des Wafers W kann auf gesonderte Weise angefasst werden. Insbesondere kann nur das kreisförmige Teil C des Waferszuerst angefast werden, dann das ebene Orientierungsteil OF und schließlich die Eckteile OR des ebenen Orientierungsteils.In this preferred embodiment, the entire circumference of the wafer W chamfered sequentially, but each part of the circumference of the wafer W can be handled separately. In particular, only the circular part C be chamfered first, then the flat orientation part OF and finally the corner pieces OR of the flat orientation part.

Die Abfolge der Bearbeitungsgänge ist nicht auf die vorstehend beschriebene Reihenfolge beschränkt. Beispielsweise kann das ebene Orientierungsteil OF zuerst, dann die Eckteile OR des ebenen Orientierungsteils und schließlich das kreisförmige Teil C angefast werden.The sequence of the processing steps is not limited to the sequence described above. For example, the flat orientation part OF first, then the corner pieces OR of the flat orientation part and finally the circular part C be chamfered.

Nachstehend erfolgt eine Beschreibung des Verfahrens zum Anfasen eines Wafersmit einer Kerbe unter Bezugnahme auf die 5(a) – 5(e), welche den schematischen Ablauf einer solchen Bearbeitungsweise verdeutlichen.The following describes the method of chamfering a wafer with a notch with reference to FIG 5 (a) - 5 (e) , which illustrate the schematic sequence of such processing.

Zuerst wird der Wafer W auf der Waferanfasvorrichtung 10 eingerichtet. Insbesondere wird der Wafer W auf dem Wafertisch 44 positioniert, und der Wafer W wird mittels Vakuum auf dem Wafertisch 44 gehalten.First the wafer W on the wafer chamfer 10 set up. In particular, the wafer W on the wafer table 44 positioned, and the wafer W is vacuumed on the wafer table 44 held.

Der Wafer W ist derart angeordnet, dass sein Zentrum auf der θ-Achse des Wafertisches 44 positioniert sein kann, und dass eine Kerbe NO desselben auf der X-Achse positioniert sein kann (siehe 5(a)). Dieser Zustand wird als ein Anfangszustand bezeichnet, in welcher das Zentrum des Wafers W auf der Y-Achse und in einem vorbestimmten Abstand von der Achse der Umfangsschleifscheibe 48 angeordnet ist.The wafer W is arranged so that its center is on the θ axis of the wafer table 44 can be positioned and that a notch NO can be positioned on the X axis (see 5 (a) ). This state is referred to as an initial state in which the center of the wafer W on the Y axis and at a predetermined distance from the axis of the peripheral grinding wheel 48 is arranged.

Andererseits wird in der Schleifwerkzeugeinrichtung 14 der Schleifwerkzeugträger 46 nach oben und unten derart bewegt, dass eine Positionierung der Umfangsschleifscheibe 48 in einer vorbestimmten Bearbeitungsposition erfolgen kann.On the other hand, in the grinding tool device 14 the grinding tool carrier 46 moved up and down in such a way that positioning of the peripheral grinding wheel 48 can take place in a predetermined processing position.

Nach Beendigung der vorstehend angegebenen Ausrichtarbeiten beginnt die Waferanfasvorrichtung 10 mit dem Anfasen des Wafers W.The wafer chamfering device begins after completion of the alignment work specified above 10 with the chamfering of the wafer W ,

Zuerst wird die Umfangsschleifscheibe 48 in Drehung versetzt, und der Wafer W wird in die Y-Achsrichtung in Richtung zu der Umfangsschleifscheibe 48 zugleich zugestellt. Wenn der Wafer W um einen vorbestimmten Abstand bewegt worden ist, trifft ein kreisförmiges Teil C des Wafers W auf die sich drehende Umfangsschleifscheibe 48, und die Bewegung des Wafers W wird angehalten.First, the peripheral grinding wheel 48 spun, and the wafer W becomes in the Y-axis direction toward the peripheral grinding wheel 48 delivered at the same time. If the wafer W has been moved by a predetermined distance, hits a circular part C of the wafer W on the rotating peripheral grinding wheel 48 , and the movement of the wafer W is stopped.

Wenn, wie in 5(a) gezeigt ist, das kreisförmige Teil C des Wafers W auf die Umfangsschleifscheibe 48 trifft, beginnt sich der Wafer W zu drehen. Hierdurch wird das kreisförmige Teil C des Wafers W durch die sich drehende Umfangsschleifscheibe 48 angefast, wie dies in 5(b) gezeigt ist.If, as in 5 (a) is shown the circular part C of the wafer W on the peripheral grinding wheel 48 hits, the wafer begins W to turn. This will make the circular part C of the wafer W through the rotating peripheral grinding wheel 48 chamfered like this in 5 (b) is shown.

Nachdem sich der Wafer W eine vorbestimmte Anzahl von Malen gedreht hat, ist die Anfasbearbeitung des kreisförmigen Teils C des Wafers W abgeschlossen. Dann wird die Drehbewegung des Wafers W angehalten, und er kehrt in seinen Anfangszustand zurück Anschließend beginnt dann die Waferanfasvorrichtung 10 mit der Anfasbearbeitung der Einkerbung NO des Wafers W.After the wafer W has rotated a predetermined number of times is the chamfering of the circular part C of the wafer W completed. Then the rotation of the wafer W stopped, and it returns to its initial state. Then, the wafer chamfering device starts 10 with chamfering the notch NO of the wafer W ,

Um die Kerbe NO anzufasen, wird der Wafer W in die X-Achsrichtung in einem vorbestimmten Abstand ausgehend von der Anfangsposition bewegt, bis er eine vorbestimmte Bearbeitungsposition erreicht (siehe 5(c)). Andererseits wird in der Schleifwerkzeugeinrichtung 14 der Schleifwerkzeugträger 45 um einen vorbestimmten Abstand nach unten bewegt, so dass das Kerbschieifwerkzeug 50 in eine vorbestimmte Bearbeitungsposition gebracht werden kann. Dann wird das Kerbschleifwerkzeug 50 in Drehung versetzt, und der Wafer W wird in X-Achsrichtung zugleich zugestellt Wenn sich der Wafer W um einen vorbestimmten Abstand bewegt hat, trifft ein Kerbenrand NO des Wafers W auf das sich drehende Kerbschleifwerkzeug 50, und die Bewegung des Wafers W wird angehalten.To the notch NO chamfering becomes the wafer W moved in the X-axis direction at a predetermined distance from the starting position until it reaches a predetermined machining position (see 5 (c) ). On the other hand, in the grinding tool device 14 the grinding tool carrier 45 moved down a predetermined distance so that the notch grinding tool 50 can be brought into a predetermined processing position. Then the notch grinding tool 50 spun, and the wafer W is simultaneously fed in the X-axis direction when the wafer W has moved a predetermined distance hits a notch edge NO of the wafer W on the rotating notch grinding tool 50 , and the movement of the wafer W is stopped.

Wenn, wie in 5(e) gezeigt, das Kerbrandteil NO des Wafersauf das Kerbschleifwerkzeug 50 trifft, wird der Wafer W in die X-Achsrichtung und die Y-Achsrichtung derart zugestellt, dass das Kerbrandteil NO angefast werden kann. In anderen Worten bedeutet dies, dass der Wafer W nach Maßgabe der Gestalt des Kerbrandteils NO derart bewegt wird, dass das Kerbrandteil NO immer in Kontakt mit dem Schleifwerkzeug 50 sein kann. Hierdurch wird das Kerbrandteil NO des Wafersdurch das Kerbschleifwerkzeug 50 angefast.If, as in 5 (e) shown the notch edge part NO the wafer onto the notch grinding tool 50 hits, the wafer W in the X-axis direction and the Y-axis direction so that the notch edge part NO can be chamfered. In other words, it means that the wafer W according to the shape of the notch edge part NO is moved such that the notch edge part NO always in contact with the grinding tool 50 can be. This will make the notch edge part NO of the wafer through the notch grinding tool 50 chamfered.

Nach dem Anfasen des Kerbrandteils NO wird der Wafer W anschließend in die X-Achsrichtung und die Y-Achsrichtung derart zugestellt, dass die Kerbe NO angefast werden kann. Wie insbesondere in 5(d) gezeigt ist, wird der Wafer W derart zugestellt, dass die Kerbe NO immer in Kontakt mit dem Kerbschleifwerkzeug 50 sein kann. In 5(d) ist die Kerbe NO V-förmig beispielsweise ausgebildet, und der Wafer W wird auf diese Weise zur Beschreibung eines V nach Maßgabe der Gestalt der Kerbe NO bewegt. Hierdurch wird die Kerbe NO des Wafers W mittels des Kerbschieifwerkzeugs 50 angefast.After chamfering the notch edge part NO becomes the wafer W then fed in the X-axis direction and the Y-axis direction such that the notch NO can be chamfered. As especially in 5 (d) is shown the wafer W so delivered that the notch NO always in contact with the notch grinding tool 50 can be. In 5 (d) is the notch NO V-shaped, for example, and the wafer W becomes a description of a V in accordance with the shape of the notch NO emotional. This will make the notch NO of the wafer W by means of the notch grinding tool 50 chamfered.

Wenn ein Kontaktpunkt zwischen dem Wafer W und dem Kerbschleifwerkzeug 50 das andere Randteil NR der Kerbe an der anderen Seite der Kerbe NO erreicht, wird anschließend das Kerbrandteil NR entsprechend 5(e) angefast. Insbesondere wird der Wafer W in die X-Achsrichtung und die Y-Achsrichtung derart zugestellt, dass das Kerbrandteil NR immer in Kontakt mit dem Kerbschleifwerkzeug 50 sein kann. Hierdurch wird das Kerbrandteil NR des Wafers W mittels des Kerbschleifwerkzeugs 50 angefast.If there is a contact point between the wafer W and the notch grinding tool 50 the other edge part NO the notch on the other side of the notch NO reached, the notch edge part is then NO corresponding 5 (e) chamfered. In particular, the wafer W in the X-axis direction and the Y-axis direction so that the notch edge part NO always in contact with the notch grinding tool 50 can be. This will make the notch edge part NO of the wafer W using the notch grinding tool 50 chamfered.

Nachdem das Kerbrandteil an der anderen Seite angefast ist, wird die Bewegung des Wafersangehalten. Dann werden die Kerbe NO und die Kerbrandteile NR in umgekehrter Richtung auf dieselbe Weise wie zuvor beschrieben angefast Insbesondere ist das Kerbschleifzeug 50 relativ zu dem Wafer W ausgehend von dem Kerbrandteil NR der anderen Seite zu der Kerbe NO relativ bewegt, und kehrt in den Zustand zurück, in welchem das Anfasen der Kerbe NO begonnen wurde, d. h. in den in 5(c) gezeigten Zustand.After the notch edge part is chamfered on the other side, the movement of the wafer is stopped. Then the notch NO and the notch edge parts NO Reverse chamfered in the same way as previously described. In particular, the notch grinder 50 relative to the wafer W starting from the notch edge part NO the other side to the notch NO relatively moved, and returns to the state in which the notch is chamfered NO was started, ie in the 5 (c) shown condition.

Das Anfasen der Kerbe NO und der Kerbrandteile NR ist durch wiederholtes Ausführen dieser Bearbeitungsgänge eine vorbestimmte Anzahl von Malen beendet.Chamfering the notch NO and the notch edge parts NO is finished a predetermined number of times by repeatedly executing these machining operations.

Wenn das Anfasen der Kerbe NO und der Kerbrandteile NR beendet ist, wird die Bewegung des Wafers W in dem Zustand angehalten, in welchem mit dem Anfasen der KerbeNObegonnen wurde, d. h. in dem in 5(c) gezeigten Zustand. Dann wird der Wafer W in die Y-Achsrichtung bewegt, so dass er von dem Kerbschleifwerkzeug 50 abgerückt wird, und der Wafer W kehrt in seinen Ausgangszustand zurück. Der Wafer W wird von dem Tisch 44 aufgenommen, und die maschinelle Bearbeitung ist abgeschlossen.When chamfering the notch NO and the notch edge parts NO is finished, the movement of the wafer W stopped in the state where the notch is chamfered NO started, ie in the 5 (c) shown condition. Then the wafer W moved in the Y-axis direction so that it is off the notch grinding tool 50 is moved away, and the wafer W returns to its original state. The wafer W is off the table 44 added and machining is complete.

Bei den Waferanfasverfahren und der Waferanfasvorrichtung gemäß der voranstehenden Beschreibung ist die Auslegung derart getroffen, dass der Wafer W derart zugestellt wird, dass das Kerbschleifwerkzeug 50 immer in Kontakt mit der Kerbe NO ist, wenn die Kerbe NO des Wafers angefast werden soll. Hierdurch ist es möglich, dass auf einfache Weise die Kerbe NO mit hoher Genauigkeit angefast werden kann. Wenn die jeweiligen Kerbrandteile NR des Wafers W angefast werden, wird der Wafer W derart zugestellt, dass das Kerbschleifwerkzeug 50 immer in Kontakt mit dem Kerbrandteil NR sein kann. Auf diese Weise ist es einfach möglich, die Kerbrandteile NR mit hoher Genauigkeit anzufasen. Ferner kann die Bewegung des Wafers W auf einfache Weise gesteuert werden.In the wafer chamfering method and the wafer chamfering device according to the above description, the design is such that the wafer W is delivered such that the notch grinding tool 50 always in contact with the notch NO is when the notch NO of the wafer is to be chamfered. This makes it possible to easily make the notch NO can be chamfered with high accuracy. If the respective notch edge parts NO of the wafer W the wafer will be chamfered W delivered such that the notch grinding tool 50 always in contact with the notch edge part NO can be. In this way it is easy to get the notch edge parts NO chamfer with high accuracy. Furthermore, the movement of the wafer W can be easily controlled.

Bei dieser bevorzugten Ausführungsform wird das Kreisteil C des Wafers W zuerst angefast, dann das Kerbteil NO und dann die Kerbrandteile NR. Diese Bearbeitungsreihenfolge ist jedoch nicht auf diese Abfolge wie zuvor beschrieben beschränkt. Beispielsweise können die Kerbe NO und die Kerbrandteile NR zuerst angefast werden, und dann kann das kreisförmige Teil C angefast werden.In this preferred embodiment, the circular part C of the wafer W first chamfered, then the notch part NO and then the notch edge parts NO , However, this processing order is not limited to this sequence as previously described. For example, the notch NO and the notch edge parts NO beveled first, and then the circular part C be chamfered.

Wie zuvor angegeben ist, wird bei der Erfindung die Bewegung des Wafers durch die Drehbewegung des Wafers um eine Drehachse gemäß einer Zustellbewegung des Wafers längs den beiden Achsen gesteuert, welche senkrecht zu der Drehachse und senkrecht zueinander sind. Auf diese Weise ist es möglich, den gesamten Umfang des Wafers auf genaue Weise anzufasen, welcher ein ebenes Orientierungsteil und ein Kerbteil am Umfang hat.As previously stated, at the invention the movement of the wafer by the rotary movement of the Wafers around an axis of rotation according to an infeed movement along the wafer controlled the two axes, which are perpendicular to the axis of rotation and are perpendicular to each other. In this way it is possible to chamfer the entire circumference of the wafer in an accurate manner, which one flat orientation part and a notch part on the circumference.

Selbstverständlich ist die Erfindung nicht auf die voranstehend beschriebenen Einzelheiten der bevorzugten Ausführungsformen beschränkt, sondern es sind zahlreiche Abänderungen und Modfikationen möglich, die der Fachmann im Bedarfsfall treffen wird, ohne den Erfindungsgedanken zu verlassen.Of course, the invention is not to the details of the preferred described above embodiments limited, there are numerous changes and modifications possible, which the expert will meet if necessary, without the inventive concept to leave.

Claims

Wafer chamfering method for chamfering a circumference of a wafer ( W ) which is a circular part ( C ), the wafer ( W ) is mounted so that it rotates and moves in a Y-axis direction, the wafer chamfering method comprising the following steps: chamfering the circular part ( C ) of the wafer ( W ) in that the circular part ( C ) in contact with a peripheral grinding wheel ( 48 ) which rotates and that the wafer is rotated, characterized in that: the wafer has a flat orientation part ( OF ) and flat orientation edge parts ( OR ) Has; the wafer is supported such that it moves in an X-axis direction and a Y-axis direction, the X and Y axes being parallel to the plane of the wafer and perpendicular to each other; and the peripheral grinding wheel ( 48 ) is arranged with its center on the Y-axis rotatable about an axis which is perpendicular to the plane of the wafer, and the method further comprises the following steps: chamfering the planar orientation part ( OF ) of the wafer ( W ) in that the flat orientation part ( OF ) in contact with the peripheral grinding wheel ( 48 ) which rotates and that the wafer ( W ) is fed in the X-axis direction; and chamfering one of the flat orientation edge parts ( OR ) of the wafer ( W ) by the fact that one of the flat orientations edge parts ( OR ) in contact with the peripheral grinding wheel ( 48 ) which rotates and that the wafer ( W ) rotates and the wafer ( W ) in the X-axis direction and Y-axis direction, so that one of the flat orientation edge parts ( OR ) always in contact with the peripheral grinding wheel ( 48 ) can be.

Wafer chamfering device ( 10 ) for chamfering a circumference of a wafer ( W ) which is a circular part ( C ), the wafer chamfering device ( 10 ) has the following: a wafer table support ( 42 ), which can move in a Y-axis direction; a wafer table ( 44 ), which rotates on the wafer table carrier ( 42 ) is provided and the wafer ( W ) holds; a grinding tool holder ( 46 ), which is arranged in the Y-axis direction and can move up and down; a peripheral grinding wheel ( 48 ) which can be rotated on the grinding tool carrier ( 46 ) is arranged; a control device which controls the infeed or the feed of the wafer table carrier ( 42 ) in the Y-axis direction, the rotary movement of the wafer table ( 44 ), the up and down movement of the grinding tool holder ( 46 ) and the rotary movement of the peripheral grinding wheel ( 48 ) controls, the control device being a circular part ( C ) of the wafer ( W ) in contact with the peripheral grinding wheel ( 48 ) which rotates and the wafer ( W ) rotates, causing the circular part ( C ) is chamfered, characterized in that the wafer ( W ) a flat orientation part ( OF ) and flat orientation edge parts ( OF ) Has; the wafer table support ( 42 ) can move in an X-axis direction and a Y-axis direction, the X and Y axes being parallel to the plane of the wafer ( W ) and run perpendicular to each other; the control device delivers or feeds the wafer table carrier ( 42 ) controls in the X-axis direction; the control device the flat orientation part ( OF) of the wafer (W ) in contact with the peripheral grinding wheel ( 48 ) which rotates and the wafer ( W ) in the X-axis direction, whereby the chamfering of the flat orientation part ( OF ) he follows; and the control device of one of the flat orientation edge parts ( OR ) of the wafer ( W ) in contact with the peripheral grinding wheel ( 48 ) which performs a rotary movement, as well as the wafer ( W ) rotated, and the wafer ( W ) in the X-axis direction and Y-axis direction, so that one of the flat orientation edge parts ( OR ) always in contact with the peripheral grinding wheel ( 48 ), which means that one of the flat orientation edge parts ( OR ) is chamfered.

Wafer chamfering method for chamfering a circumference of a wafer ( W ) which is a circular part ( C ), a notch part ( NO ) and notch edge parts ( NO ), the wafer ( W ) is mounted so that it has a Rotates and is moved in a Y-axis direction, the wafer chamfering method comprising the following steps: chamfering the circular part ( C ) of the wafer ( W ) in that the circular part ( C ) in contact with a peripheral grinding wheel ( 48 ) which rotates and that the wafer ( W ) is rotated, characterized in that: the wafer is supported so as to move in an X-axis direction and a Y-axis direction, the X and Y axes being parallel to the plane of the wafer perpendicular to each other; and a peripheral grinding wheel ( 48 ) and a notch grinding tool ( 50 ) with their centers on the Y axis and rotatable about axes that are perpendicular to the plane of the wafer, the method further comprising the following steps: chamfering the notch part ( NO ) of the wafer ( W ) in that the notch part ( NO ) in contact with the notch grinding tool ( 50 ) which rotates and that the wafer ( W ) is fed in the X-axis direction and Y-axis direction, so that the notch part ( NO ) always in contact with the notch grinding tool ( 50 ) can be; and chamfering one of the notch edge parts ( NO ) of the wafer ( W ) in that one of the notch edge parts ( NO ) in contact with the notch grinding tool ( 50 ) which rotates and that the wafer ( W ) is fed in the X-axis direction and the Y-axis direction in this way; that always one of the notch edge parts ( NO ) with the notch grinding tool ( 50 ) can be in contact.

Wafer chamfering device for chamfering a circumference of a wafer ( W ) which is a circular part ( C ), a notch part ( NO ) and notch edge parts ( NO ), the wafer chamfering device ( 10 ) has the following: a wafer table support ( 42 ), which can move in a Y-axis direction; a wafer table ( 44 ), which on the wafer table support ( 42 ) is rotatably arranged and the wafer ( W ) holds; a grinding tool holder ( 46 ), which is arranged on the Y axis and can move up and down; a peripheral grinding wheel ( 48 ) which can be rotated on the grinding tool carrier ( 46 ) is provided; a control device which enables the delivery of the wafer table carrier ( 42 ) in the Y-axis direction, the rotary movement of the wafer table ( 44 ), the up and down movement of the grinding tool holder ( 46 ) and the rotary movement of the peripheral grinding wheel ( 48 ) controls, wherein the control device the circular part ( C ) of the wafer ( W ) in contact with the peripheral grinding wheel ( 48 ) which rotates, and the wafer ( W ) is rotated, whereby the circular part ( C ) is chamfered, characterized in that: the wafer stage support can move in an X-axis direction and a Y-axis direction, the X and Y axes being parallel to the plane of the wafer and perpendicular to each other; the device further comprises a notch grinding tool ( 50 ), which on the grinding tool carrier ( 46 ) is rotatably provided; the control device delivers the wafer table support in the X-axis direction and the rotary movement of the notch grinding tool ( 50 ) controls; the control device the notch part ( NO ) of the wafer ( W ) in contact with the notch grinding tool ( 50 ) which rotates and the wafer ( W ) in the X-axis direction and Y-axis direction so that the notch part ( NO ) always in contact with the notch grinding tool ( 50 ), whereby the notch part ( NO ) is chamfered; and the control device of one of the notch edge parts ( NO ) of the wafer ( W ) in contact with the notch grinding tool ( 50 ) which rotates and the wafer ( W ) in the X-axis direction and Y-axis direction so that one of the notch edge parts ( NO ) always in contact with the notch grinding tool ( 50 ), whereby one of the notch edge parts ( NO ) is chamfered.