DE69731625D1 - Herstellungsprozess von Kreuzpunktspeicherbauelementen mit Zellen, die einen zur Bitleitung und zum Feldoxyd selbstjustierten Source-Kanal aufweisen - Google Patents

Herstellungsprozess von Kreuzpunktspeicherbauelementen mit Zellen, die einen zur Bitleitung und zum Feldoxyd selbstjustierten Source-Kanal aufweisen

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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10B41/00—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates
    • H10B41/30—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates characterised by the memory core region
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