DE69032695T2 - Herstellung von Epoxyharzen für Photohalbleiter - Google Patents

Herstellung von Epoxyharzen für Photohalbleiter

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Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Formen eines Photohalbleiters für eine Photohalbleitervorrichtung ohne optische Ungleichmäßigkeiten, wobei der Photohalbleiter eine Epoxidharzmasse umfaßt.
  • Lichtempfangende Elemente, wie Festkörper-Bilderzeugungselemente, wurden im allgemeinen in keramische Gehäuse in einer Weise eingeschlossen, daß ein gewisser Abstand zwischen den Elementen und der Umhüllung besteht, unter Herstellung einer Photohalbleitervorrichtung. Diese keramischen Umhüllungen sind jedoch insofern nachteilig, indem die Materialien der Bestandteile dafür relativ kostenaufwendig sind und eine Herstellung im großen Maßstab nicht effizient ist. Das Formen von Harzen, wobei Kunststoffumhüllungen verwendet wurde, wurde daher untersucht. Von solchen Harzformtechniken wurde Formen mit Epoxidharzmassen besonders ausgiebig untersucht. Solche Epoxidharzmassen werden durch Schmelzmischen von Epoxidharzen, Härtern, Härtungsbeschleunigern und anderen Additiven unter Erhitzen erhalten.
  • JP-A-60-137046 (Abstract) offenbart eine Epoxidharzmasse, die durch Vermischen eines Säureanhydridhärters, eines flüssigen Epoxidharzes und eines Metallsalzes von Carbonsäure/Imidazol-Härtungskatalysator erhalten wird.
  • US-A-4 732 962 offenbart eine Masse, die ein Epoxidharz vom Bisphenol-A-Typ, einen Anhydridhärter, einen Imidazolkatalysator und gegebenenfalls ein Füllstoffsystem umfaßt.
  • DE-A-30 12 523 offenbart die Verwendung von Epoxy/Anhydrid-Massen zum Einkapseln von strahlungsempfindlichen Halbleitervorrichtungen.
  • GB-A-1 350 156 offenbart ein Verfahren zur Herstellung von modifizierten, innerlich mit Weichmacher versehenen Epoxidharzen.
  • Die durch Schmelzmischen zur Verwendung beim Formen von Photohalbleitern erhaltenen Epoxidharzmassen sind jedoch nachteilig, indem die Dispersion von sowohl Epoxidharz, Härter als auch Härtungsbeschleuniger unzureichend ist, so daß diese Komponenten im molekularem Maßstab nicht gleichförmig vermischt wurden. Aus diesem Grunde tritt, wenn Spritzpreßformen (transfermolding), beispielsweise unter Verwendung einer Epoxidharzmasse zum Photohalbleiterformen ausgeführt wird, das nachstehende Problem auf. Wie Fig. 3 erläutert, wird eine Epoxidharzmasse in Tablettenform zum Photohalbleiterformen zu Angußstutzen 1 gespeist und mit Kolben 2 gepreßt, wonach die Epoxidharzmasse, wie der Pfeil zeigt, durch einen Kanal 3 in Mulde 4 fließt. Wie Fig. 4 erläutert, führt die Epoxidharzmasse zum Photohalbleiterformen durch einen Einlaß 5 und fließt in Mulde 4, worin ein Festkörper-Bilderzeugungselement 7, befestigt auf Rahmen 6 in Mulde 4 mit der Epoxidharzmasse, wie der Pfeil zeigt, geformt wird.
  • Bei der Ausführung dieser Harzformung schreitet die Härtungsreaktion in einigen Teilen mit höheren Geschwindigkeiten und in anderen Teilen mit niedrigeren Geschwindigkeiten fort, wenn die Epoxidharzmasse zum Photohalbleiterformen in der Mulde 4 gehärtet wird, weil die Dispersion jeder Komponente in der Epoxidharzmasse im molekularen Maßstab betrachtet nicht gleichförmig ist. Solche ungleichmäßigen Geschwindigkeiten der Härtungsreaktion führen zur Ungleichmäßigkeit in der Dichte des gehärteten Formharzes und dieses ruft ein Problem hervor, indem der Brechungsindex des Formharzes über einen breiten Bereich variiert und das Formharz optische Ungleichmäßigkeit aufweist, was sich durch streifenförmige Muster, die sich in Richtung des Harzstroms erstrekken, bemerkbar macht. Wenn beispielsweise ein Flächensensor eines Festkörper-Bilderzeugungselements 7 mit einer üblichen Epoxidharzmasse zum Photohalbleiterformen durch das vorstehend beschriebene Verfahren geformt wird und man intensive parallele Lichtstrahlen auf den geformten flächigen Sensor durch ein Irisblendendiaphragma F-32 auftreffen läßt, rufen solche optischen Ungleichmäßigkeiten in dem wie vorstehend beschriebenen geformten Harz streifenförmige Muster in dem erhaltenen Bild hervor.
  • Unter diesen Umständen führten die Autoren der vorliegenden Erfindung eine Reihe ausgedehnter Untersuchungen durch, um die optische Ungleichmäßigkeit des aus Epoxidharzmassen zur Verwendung bei der Photohalbleiterformung erhaltenen Harzes zu beseitigen. Im Ergebnis wurde gefunden, daß die Bildung von optischen Ungleichmäßigkeiten größtenteils durch die Brechungsindexverteilung des gehärteten Harzes beeinflußt wird. Weitere Untersuchungen wurden hinsichtlich der Brechungsindexverteilung ausgeführt und im Ergebnis wurde nun gefunden, daß ein gehärtetes Harz ohne optische Ungleichmäßigkeit durch Gestalten der Brechungsindexverteilungskurve des gehärteten Harzes mit einer Schärfe, so daß die speziellen Erfordernisse (A), (B) und (C), die nachstehend beschrieben werden, erfüllt sind. Die vorliegende Erfindung wurde auf der Grundlage der vorstehenden Erkenntnisse ausgeführt.
  • Folglich ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zum Formen von Photohalbleitern für eine Photohalbleitervorrichtung, die frei von optischen Ungleichmäßigkeiten ist, bereitzustellen. Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Formen von Photohalbleitern, umfassend die Herstellung einer Epoxidharzmasse, umfassend die Schritte:
  • (a) Auflösen eines B-Stufen-Epoxidharzes, eines Härters und eines Härtungsbeschleunigers als Bestandteile in einem organischen Lösungsmittel und anschließend Entfernen des organischen Lösungsmittels in einem Ausmaß, daß die Menge des verbliebenen, nicht entfernten Lösungsmittels 3 Gewichtsprozent oder weniger wird, bezogen auf die Gesamtmenge der Epoxidharzmasse, oder
  • (b) Auflösen eines Epoxidharzes, eines Härters und eines Härtungsbeschleunigers in einem organischen Lösungsmittel und anschließend Erhitzen der Lösung, damit die Härtungsreaktion des Epoxidharzes unter Herstellung einer Epoxidharzmasse der B-Stufe voranschreitet, und danach Entfernen des organischen Lösungsmittels in einem Ausmaß, daß die Menge des verbliebenen, nicht entfernten Lösungsmittels 3 Gewichtspro zent oder weniger wird, bezogen auf die Gesamtmenge der Epoxidharzmasse, oder
  • (c) Vermischen einer Art Epoxidharz und einer Art Härter mit einem organischen Lösungsmittel, Entfernen des organischen Lösungsmittels in einem Ausmaß, daß die Menge des verbliebenen, nicht entfernten Lösungsmittels 3 Gewichtsprozent oder weniger wird, bezogen auf die Gesamtmenge der Epoxidharzmasse, und anschließend Härtenlassen des Epoxidharzes der zurückbleibenden Epoxidharzmasse unter Herstellung einer Epoxidharzmasse der B-Stufe.
  • Die durch das Verfahren zum Formen von Photohalbleitern gemäß vorliegender Erfindung erhaltene Epoxidharzmasse kann für eine Photohalbleitervorrichtung verwendet werden, die das mit der gehärteten, durchsichtigen Epoxidharzmasse geformte Photohalbleiterelement umfaßt. Die durch das erfindungsgemäße Verfahren erhaltene gehärtete, durchsichtige Epoxidharzmasse weist eine Brechungsindexverteilungskurve, gekennzeichnet durch nachstehende Punkte (A), (B) und (C), auf:
  • (A) der Brechungsindexunterschied X zwischen den Brechungsindexwerten (b) und (c), die geringer, bzw. höher sind als der Brechungsindexwert (a) entsprechend dem maximalen Peak der Brechungsindexverteilungskurve bzw. entsprechend jenen Punkten auf der Brechungsindexverteilungskurve, die eine relative Höhe von 20 aufweisen, wobei die Höhe des maximalen Peaks mit 100 angenommen wird, ist 0,0018 oder geringer;
  • (B) der Brechungsindexunterschied Y, der der größere Unterschied zwischen den Brechungsindexwerten (a) und (b) und der Differenz zwischen dem Brechungsindex (a) und (c) ist, ist 0,0012 oder geringer; und
  • (C) im Fall, wenn die Brechungsindexverteilungskurve einen anderen Peak oder andere Peaks aufweist als der maximale Peak, der dem Brechungsindexwert (a) entspricht, ist der Brechungsindexunterschied Z, nämlich der größte der Unterschiede zwischen dem Brechungsindexwert (a) und dem Brechungsindexwert (d, ... dn), entsprechend dem anderen Peak oder den anderen Peaks, 0,0010 oder geringer.
  • Die nachstehenden Zeichnungen werden kurz beschrieben.
  • Fig. 1 ist eine Brechungsindexverteilungskurve, die nur einen maximalen Peak aufweist;
  • Fig. 2 ist eine Brechungsindexverteilungskurve, die einen maximalen Peak und einen weiteren Peak aufweist;
  • Fig. 3 ist eine schematische Ansicht, die den Strom einer üblichen Epoxidharzmasse zum Photohalbleiterformen erläutert, welche beim Spritzpreßformen verwendet wird;
  • Fig. 4 ist eine schematische Erläuterung des Harzzusammenstroms im schwenkbaren Bereich der Spritzpreßformvorrichtung, die in Fig. 3 gezeigt wird;
  • Fig. 5 ist eine vertikale Querschnittsansicht einer Photohalbleitervorrichtung, geformt in einer Epoxidharzmasse dieser Erfindung zum Photohalbleiterformen;
  • Fig. 6 ist eine schematische Ansicht, die das Prinzip einer Meßvorrichtung für den Brechungsindex zeigt; und
  • Fig. 7, 8, 9, 10, 11, 12 und 13 zeigen Brechungsindexverteilungskurven.
  • Die vorliegende Erfindung wird nachstehend genauer beschrieben.
  • In der Photohalbleitervorrichtung gemäß der Erfindung wird ein Photohalbleiterelement in einer gehärteten durchsichtigen Epoxidharzmasse, die den vorstehenden Erfordernissen (A), (B) und (C) genügt, geschmolzen.
  • Das gehärtete Harz, das den Erfordernissen (A), (B) und (C) genügt, weist eine engere Brechungsindexverteilung, d. h. eine schärfere Brechungsindexverteilungskurve als die gehärteten Harze, die aus üblichen Epoxidharzmassen erhalten wurden, auf.
  • Die Erfordernisse (A), (B) und (C) werden nachstehend mit Bezug auf die Figuren erläutert. In Fig. 1, die eine Glockenkurven-Brechungsindexverteilungskurve von einem Beispiel der gehärteten, durchsichtigen Epoxidharzmasse, die in der vorliegenden Erfindung angewendet wird, zeigt, weist K die Brechungsindexverteilungskurve aus, (a) weist den Brechungsindexwert entsprechend dem maximalen Peak der Verteilungskurve aus, (b) und (c) weisen Brechungsindexwerte aus, die in betreffender Weise jenen Punkten der Brechungsindexverteilungskurve entsprechen, die eine relative Höhe von 20 bei der Höhe des maximalen Peaks, der mit 100 angenommen wird, aufweisen und die links bzw. rechts des Maximumpeaks vorliegen, X ist die Brechungsindexdifferenz zwischen den Brechungsindexwerten (b) und (c) und Y ist die Brechungsindexdifferenz, die die größere ist von der Differenz zwischen dem Brechungsindexwert (a) entsprechend dem Maximumpeak und dem Brechungsindexwert (b) und der Differenz zwischen den Brechungsindexwerten (a) und (c) (In der Figur ist Y die Differenz zwischen (a) und (c), weil diese Differenz größer ist als die Differenz zwischen (a) und (b)).
  • Auch wenn die Brechungsindexverteilungskurve einen Peak (a') aufweist, der, wie in Fig. 2 gezeigt, von dem Maximumpeak (a) verschieden ist, ergibt sich keine optische Ungleichmäßigkeit, solange die Brechungsindexverteilungskurve den vorstehenden Erfordernissen (A) und (B) genügt. Wenn jedoch die Zahl der Bildelemente für moderne bilderzeugenden Festkörperelemente stark erhöht wird, oder eine Brechungsindexdifferenz mit Hilfe einer Mikrolinse bei den Photohalbleitervorrichtungen hervorgehoben wird, kann die Anwesenheit von einem Peak (a'), der keinen Maximumpeak (a) darstellt, ein Problem verursachen. Auch wenn eine Brechungsindexverteilungskurve zwei oder mehrere Peaks hat, kann das gehärtete Harz für bilderzeugende Elemente bei künftigen Festkörper- Bilderzeugungselementen anwendbar sein, die eine möglicherweise stark erhöhte Anzahl an Bildelementen aufweisen können, ohne Verursachen von Problemen, die optischen Ungleichmäßigkeiten zuzuschreiben sind, durch Regulieren der Brechungsindexdifferenz Z, die die größte der Differenzen zwischen dem Brechungsindexwert (a) entsprechend dem Maximumpeak und dem/ den Brechungsindexwert(en) entsprechend anderen Peak(s) ist (in Fig. 2 ist Z die Brechungsindexdifferenz zwischen (a) und (a')), auf 0,0010 oder weniger, vorzugsweise 0,0003 oder weniger.
  • Die in vorstehend angeführten Fig. 1 und 2 gezeigten Brechungsindexkurven können durch Messung mit einer Brechungsindexmeßvorrichtung unter Verwendung des in Fig. 6 gezeigten Prinzips erhalten werden. In Fig. 6 weist F einen Interferenzfilter, SL eine Spektralilluminantlampe, S&sub1; einen Einlaßschlitz, S&sub2; einen Auslaßschlitz, L&sub1; eine Kollimatorlinse, L&sub2; eine Telemeterlinse, P ein V-Block-Prisma, SM eine zu testende Probe, P. M einen Photomultiplier (Sekundärelektronenvervielfacher) und N einen Telemeterteil aus.
  • Zur Messung mit diesem Refraktometer wird eine gehärtete, durchsichtige Epoxidharzmasse beispielsweise in einer kubischen Probe SM gebildet. Zwei benachbarte Seiten der kubischen Probe werden durch Schwabbeln poliert, um eine Oberflächenrauhigkeit von 1,5 um oder weniger zu erhalten, und diese Probe wird auf das V-Block-Prisma P mit einer V-geformten Senke mit den polierten Seiten der Probe, die mit den Vgeformten Senkewänden in Kontakt sind, gesetzt. Dann wird Licht aus der SL-Lichtquelle emittiert. Das aus der SL-Lichtquelle emittierte Licht wird durch das Interferenzfilter F zu monochromatischem Licht umgewandelt und das monochromatische Licht fällt durch den Einlaßspalt S&sub1; und wird anschließend durch die Kollimatorlinse L&sub1; zu parallelen Lichtstrahlen umgewandelt. Die parallelen Lichtstrahlen fallen durch V-Block- Prisma P, Probe SM und V-Block-Prisma P in dieser Reihenfolge, während die parallelen Lichtstrahlen aufgrund der Brechungsindexdifferenz zwischen dem V-Block-Prisma P und der Probe SM aufwärts und abwärts, bezogen auf die Lichtachse, polarisiert werden. Der Telemeterteil N, ausgestattet mit den Telemeterlinsen L&sub2;, Auslaßspalt S&sub2; und Photomultiplier P. M, oszilliert, wie durch die Pfeile gezeigt, mit Hilfe eines Impulsmotors (nicht gezeigt) und empfängt das polarisierte Licht an jeder Stelle bei der oszillierenden Bewegung und die Menge des empfangenen Lichts wird auf einem Display (nicht gezeigt) als Energiemenge angezeigt. Für diese Messung wurde die Beziehung zwischen Brechungsindex und jedem Winkel in der vorstehenden Oszillationsbewegung vorher bestimmt. Deshalb bedeutet die Menge an empfangenem Licht bei einem angegebenen Winkel die Lichtmenge, die bei einem Winkel, der dem angegebenen Winkel entspricht, gebrochen wird.
  • Beispiele für diese Brechungsindex-Messungsvorrichtung schließen jene, die von Karunew Optics Company, Japan unter dem Handelsnamen Automatic Refractometer KPR-200 hergestellt und vermarktet wurden ein. Die Messung des Brechungs index in der vorliegenden Erfindung erfolgt mit Hilfe dieses Refraktometers, wobei die Natrium-D-Linie (587,6 nm), als messendes Licht verwendet wird.
  • Die gehärtete durchsichtige Epoxidharzmasse, die frei von optischer Ungleichmäßigkeit ist, ist jene, deren Brechungsindexverteilungskurve, die durch das vorstehend beschriebene Verfahren erhalten wurde, scharf ist und den vorstehend beschriebenen Erfordernissen (A), (B) und (C) genügt.
  • Eine Epoxidharzmasse, die zu einem Harz mit einer solchen scharfen Brechungsindexverteilungskurve härten kann, kann beispielsweise durch gleichförmiges Dispergieren von jedem der aufbauenden Bestandteile in der Epoxidharzmasse hergestellt werden.
  • Beispiele der Technik für das gleichförmige Dispergieren der Bestandteile zur Herstellung einer Epoxidharzmasse zur Verwendung in Photohalbleiterformen schließen ein: (1) ein Verfahren, in dem eine übliche pulverförmige Epoxidharzmasse für Formanwendung, die in der B-Stufe (halbgehärteter Zustand) hergestellt wurde, zum Lösen jeder Komponente ausreichend mit einem organischen Lösungsmittel vermischt und anschließend das organische Lösungsmittel verdampft wird; (2) ein Verfahren, in dem Rohbestandteile, wie ein Epoxidharz, ein Härter, ein Härtungsbeschleuniger und andere, damit vermischt werden und gleichförmig in einem organischen Lösungsmittel gelöst werden, die erhaltene Lösung wird zur Gewinnung einer B-Stufen-Masse erwärmt und anschließend wird das Lösungsmittel verdampft; und (3) ein Verfahren in dem die gleiche Lösung, wie vorstehend in (2) erhalten, hergestellt wird, anschließend wird das Lösungsmittel verdampft und dann wird der Rückstand mild erwärmt, um eine B-Stufen-Masse zu bilden.
  • Da in den vorstehenden Verfahren eine Epoxidharzmasse oder Rohmaterialien dafür auf einmal in einem organischen Lösungsmittel gelöst werden, ist es möglich, durch Filtration dieser Lösungen feine Fremdsubstanzen, wie Staubteilchen, leicht zu entfernen, deren Entfernung sonst unmöglich ist.
  • Auch wenn die Brechungsindexverteilungskurve eines gehärteten Harzes, das aus der sich ergebenden Epoxidharzmasse erhalten werden soll, einen Peak (a') aufweist, der keinen Maximumpeak (a) darstellt, kann der andere Peak durch Zerkleinern der Epoxidharzmasse zu einem gleichförmig gemischten feinen Pulver abgeschwächt werden, wodurch eine Verteilungskurve in Glockenform nur mit dem Maximumpeak a, wie in Fig. 1 gezeigt wird, erhalten wird. Der Begriff feines Pulver bedeutet hierin normalerweise ein Pulver, in dem Teilchen mit größten Teilchendurchmessern von 30 um oder weniger, vorzugsweise 10 um oder weniger, 90 Gewichtsprozent oder mehr des Pulvers umfassen.
  • In dem vorstehenden Verfahren (1) wird eine B-Stufen (halbgehärtete) Epoxidharzmasse durch Vermischen des vorstehend erwähnten Bestandteils hergestellt. Als Verfahren zum Vermischen der Bestandteile werden ein Teilreaktionsverfahren (Halbhärtungsverfahren) und Schmelzmischverfahren im allgemeinen verwendet. Der Reaktionsgrad der B-Stufen-Epoxidharzmasse liegt im allgemeinen in einem Ausmaß vor, daß die Gelzeit der Harzmasse bei 150ºC von 10 bis 70 Sekunden und vorzugsweise 10 bis 40 Sekunden liegt. Anschließend wird die B- Stufen-Epoxidharzmasse gleichförmig in einem organischen Lösungsmittel gelöst. Durch dieses Verfahren werden die Bestandteile der Harzmasse im molekularen Maßstab gleichförmig miteinander vermischt. Das organische Lösungsmittel wird dann durch Verdampfen aus der Lösung entfernt und der Rückstand wird auf Raumtemperatur abgekühlt und durch ein übliches Verfahren pulverisiert. Die pulverisierte Harzmasse wird, falls erwünscht, zu Tabletten verpreßt.
  • Der Reaktionsgrad der so erhaltenen fertigen Epoxidharzmasse ist im allgemeinen zu einem solchen Ausmaß, daß ein Spritzpreßformverfahren ausgeführt werden kann und daß die Gelzeit bei 150ºC 10 bis 50 Sekunden und vorzugsweise 10 bis 40 Sekunden ist. In dem vorstehenden Verfahren kann die Harzmasse nach Entfernung des organischen Lösungsmittels, beispielsweise um die Viskosität der Harzmasse einzustellen, erwärmt werden. Wenn zu dieser Zeit die Harzmasse heftig erwärmt wird, entwickelt sich der Härtungsgrad aufgrund der Ungleichmäßigkeit der Reaktionsgeschwindigkeit. Deshalb wird das Erwärmen der Harzmasse vorzugsweise allmählich bei einer niedrigen Temperatur ausgeführt, so daß die Gelzeit bei 150ºC nicht unterhalb 20 Sekunden liegt.
  • In dem vorstehenden Verfahren (2) werden die Bestandteile zunächst in einem organischen Lösungsmittel gelöst. Durch dieses Verfahren werden die Bestandteile der Harzmasse im molekularen Maßstab gleichförmig miteinander vermischt. Die erhaltene Lösung wird erwärmt, um die Härtungsreaktion zur Umwandlung der Harzmasse zu dem B-Zustand auszuführen. Das organische Lösungsmittel wird dann durch Verdampfen aus der Lösung entfernt und der Rückstand wird auf Raumtemperatur abgekühlt und durch ein übliches Verfahren pulverisiert. Die pulverisierte Harzmasse wird, falls gewünscht, zu Tabletten verpreßt.
  • Bei diesem Verfahren können die Bestandteile gleichzeitig beim Auflösen in dem organischen Lösungsmittel, jedoch nicht nachdem das Auflösen vollständig ist, erwärmt werden. Alternativ kann die B-Stufen-Harzmasse weiter erwärmt werden, um den Härtungsgrad weiter zu erhöhen. Bei diesem Verfahren wird das Erwärmen vorzugsweise allmählich bei einer niedrigen Temperatur ausgeführt, während die Harzmasse nach Entfernen des organischen Lösungsmittels zur Einstellung der Viskosität oder dergleichen erwärmt werden kann, so daß die Gelzeit aufgrund der vorstehenden Gründe bei 150ºC nicht unterhalb 20 Sekunden sinkt.
  • Der Reaktionsgrad des so erhaltenen Endprodukts ist im allgemeinen in einem solchen Ausmaß, daß die Gelzeit bei 150ºC 10 bis 70 Sekunden und vorzugsweise 10 bis 40 Sekunden ist. Zu dieser Zeit wird das Ausmaß der Gelbildung nach Beginn des Verdampfens des organischen Lösungsmittels vorzugsweise so gesteuert, daß die Gelzeit bei 150ºC nicht unterhalb 20 Sekunden sinkt.
  • In den vorstehenden Verfahren (1) und (2) können ein oder zwei oder mehrere Arten von jeden Bestandteilen verwendet werden. Der Begriff "eine Art", wie hierin verwendet, schließt im Fall von Epoxidharzen beispielsweise jene vom Bisphenol-A-Typ und Bisphenol-F-Typ, die das gleiche Gerüst aufweisen und dem Bisphenol-Typ zugeordnet werden, und im Fall der Härter Phthalsäureanhydrid und Tetrahydrophthalsäu reanhydrid, die das gleiche Gerüst aufweisen und dem Phthalsäuretyp zugeteilt werden, ein.
  • In dem vorstehenden Verfahren (3) werden eine Art des Epoxidharzes und eine Art Härter in einem organischen Lösungsmittel gelöst. Das organische Lösungsmittel wird durch Verdampfen aus der erhaltenen Lösung entfernt und der Rückstand wird Niedertemperaturerwärmen (Niedertemperaturaltern) unterzogen, um das Harz in den B-Zustand zu überführen. In diesem Verfahren, da eine Art Epoxidharz und eine Art Härter verwendet werden, wird nur eine Art des gehärteten Produkts hergestellt. Somit wird keine Ungleichförmigkeit des Härtungsgrades gebildet und keine optische Ungleichmäßigkeit wird gebildet.
  • Wenn in diesem Verfahren Niedertemperaturaltern allmählich bei einer niederen Temperatur ausgeführt wird, so daß die Gelzeit bei 150ºC nicht unterhalb 20 Sekunden liegt, wird optische Ungleichmäßigkeit im wesentlichen nicht gebildet, auch obwohl jeweils zwei oder mehrere Arten solcher Bestandteile verwendet werden.
  • Der Reaktionsgrad des so erhaltenen fertigen Produkts ist im allgemeinen so, daß die Gelzeit bei 150ºC 10 bis 70 Sekunden und vorzugsweise 10 bis 40 Sekunden ist. Zu dieser Zeit wird das Ausmaß der Gelbildung nach Beginn des Verdampfens des Lösungsmittels vorzugsweise so gesteuert, daß die Gelzeit bei 150ºC nicht unterhalb 20 Sekunden liegt.
  • Die Epoxidharzmasse zum Photohalbleiterformen, die zur Herstellung der Photohalbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet werden soll, ist jene, die durch Verwendung eines Epoxidharzes und eines Härters und eines Härtungsbeschleunigers erhalten wird und keine anorganischen Füllstoffe, wie Siliziumdioxidpulver, enthält.
  • Als Epoxidharz können üblicherweise bekannte Epoxidharze ohne eine besondere Begrenzung verwendet werden, solange das verwendete Epoxidharz und die erhaltene gehärtete Masse weniger zu Verfärbung neigen. Beispiele für solche Epoxidharze schließen Bisphenol-A-Epoxidharze, Bisphenol-F-Epoxidharze, Phenol-Novolak-Epoxidharze, alicyclische Epoxidharze, Heterocyclus-enthaltende Epoxidharze, wie Triglycidyl isocyanurat und Hydantoinepoxidharze, hydrierte Bisphenol-A- Epoxidharze, aliphatische Epoxidharze, Glycidylether-Epoxidharze und dergleichen ein. Diese können einzeln oder in Kombination verwendet werden.
  • Als Härter können bekannte Härter für Epoxidharze ohne besondere Begrenzung verwendet werden. Säureanhydride sind jedoch vorteilhaft, da sie weniger zur Verfärbung der Harzmasse während oder nach dem Härten neigen. Beispiele für solche Säureanhydride schließen Phthalsäureanhydrid, Maleinsäureanhydrid, Trimellitsäureanhydrid, Pyromellitsäureanhydrid, Hexahydrophthalsäureanhydrid, Tetrahydrophthalsäureanhydrid, Methyl-3,6-endo-methylentetra-hydrophthalsäureanhydrid [methylnadic anhydride], 5-Norbornen-2,3-dicarbonsäureanhydrid (oder 3,6-endo-Methylentetrahydrophthalsäureanhydrid [nadic anhydride]) und Glutarsäureanhydrid ein. Andere Beispiele für Härter schließen Härter vom Amintyp, wie m-Phenylendiamin, Dimethyldiphenylmethan, Diaminodiphenylsulfon, m-Xyloldiamin, Tetraethylenpentamin, Diethylamin und Propylamin ein und schließen des weiteren Härter vom Phenolharztyp ein. Jeder von diesen kann angewendet werden.
  • In der vorliegenden Erfindung ist die Kombination, in der das Epoxidharz mindestens eines vom Bisphenol-A-Epoxidharz und Bisphenol-F-Epoxidharz darstellt und der Härter mindestens einer von Phthalsäureanhydrid und Tetrahydrophthalsäureanhydrid ist, bevorzugt.
  • Beispiele für Härtungsbeschleuniger schließen tertiäre Amine, Imidazol und Derivate davon, Metallsalze von Carbonsäuren und Phosphorverbindungen ein.
  • Neben den vorstehend beschriebenen Bestandteilen können üblicherweise bekannte Additive, wie Antiverfärbungsmittel, Modifizierungsmittel, Antiverschlechterungsmittel und Formtrennmittel, falls gewünscht und erforderlich, in die Epoxidharzmasse der Erfindung zum Photohalbleiterformen eingearbeitet werden.
  • Als Antiverfärbungsmittel kann ein üblicherweise bekanntes erwähnt werden, wie Phenolverbindungen, Verbindungen vom Amintyp, Organoschwefelverbindungen und Verbindungen vom Phosphintyp.
  • Das zur Herstellung der Epoxidharzmasse verwendete organische Lösungsmittel ist nicht besonders begrenzt, solange es in der Lage ist, die B-Stufe-Epoxidharzmassen zum Photohalbleiterformen vollständig zu lösen. Beispiele für das organische Lösungsmittel schließen Kohlenwasserstoffe, wie Toluol und Xylol, halogenierte Kohlenwasserstoffe, wie Dichlormethan, 1,1,1-Trichlorethan und 1,1,2-Trichlorethan, Ether, wie Diethylether, Dioxan und Tetrahydrofuran, Ketone, wie Aceton, Methylethylketon und Diethylketon und gemischte Lösungsmittel, zusammengesetzt aus zwei oder mehreren davon, ein.
  • Weder das Mischverhältnis des organischen Lösungsmittels zu der Epoxidharzmasse für das Photohalbleiterformen noch die Temperatur zum Vermischen sind besonders eingeschränkt, solange die Epoxidharzmasse zum Photohalbleiterformen vollständig gelöst werden kann.
  • Im allgemeinen ist jedoch die Menge des verwendeten organischen Lösungsmittels vorzugsweise 1 bis 50fach auf das Gewicht, bevorzugter 1 bis 10fach auf das Gewicht der Menge der B-Stufen-Epoxidharzmasse zum Photohalbleiterformen. Die Mischtemperatur wird vorzugsweise bei 100ºC oder darunter gehalten, weil zu hohe Temperatur Gelbildung der Epoxidharzmasse zum Photohalbleiterformen ergibt.
  • Verfahren zur Entfernung des organischen Lösungsmittels in den vorstehenden Verfahren sind nicht besonders eingeschränkt. Beispielsweise kann ein Verfahren angewendet werden, bei dem das Lösungsmittel unter vermindertem Druck bei gewöhnlicher Temperatur oder unter bei Bedarf unter Erwärmen entfernt wird, oder ein Verfahren, in dem das Lösungsmittel durch Gefriertrocknen unter Vakuum entfernt wird. Gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren ist die Menge des organischen Lösungsmittels, das nicht entfernt verbleibt, 3 Gewichtsprozent oder weniger, basierend auf der gesamten Menge der Epoxidharzmasse zum Photohalbleiterformen. Der Anteil des verbleibenden organischen Lösungsmittels in der Epoxidharzmasse ist vorzugsweise 1,5 Gewichtsprozent oder weniger und insbesondere vorzugsweise 0,05 Gewichtsprozent oder weniger. Die Gründe für das vorstehende sind jene, daß, wenn der Anteil des verbleibenden organischen Lösungsmittels 3 Gewichtsprozent übersteigt, die Epoxidharzmasse zum Halbleiterformen in der Regel eine sehr kurze Lebensdauer hat und die gehärtete Masse dazu neigt, eine gesenkte Glasübergangstemperatur aufzuweisen und folglich einen erhöhten linearen Ausdehnungskoeffizienten, so daß dem geformten Harz Feuchtigkeit und Beständigkeit gegen Wärmekreislauf verliehen werden kann.
  • Die Epoxidharzmasse zum Photohalbleiterformen, die durch das vorstehend beschriebene Verfahren erhalten wird, ist in einem solchen Zustand, daß alle Komponenten im molekularen Maßstab gleichförmig miteinander vermischt wurden. Deshalb ist die Brechungsindexverteilungskurve der gehärteten Masse scharf, so daß die gehärtete Masse keine optische Ungleichmäßigkeit aufweist. Da des weiteren alle Komponenten während des Herstellungsverfahrens in einem organischen Lösungsmittel gelöst vorliegen und folglich beispielsweise durch Saugfiltration unter vermindertem Druck oder durch Filtration unter Druck unter Verwendung von beispielsweise einem gewöhnlichen Filterpapier leicht gereinigt werden können, können gelähnliche Aggregate und Fremdsubstanzen, einschließlich feiner, in der Harzmasse vorliegender Staubteilchen, leicht entfernt werden, die bis jetzt schwer zu entfernen waren.
  • Es ist bevorzugt, daß die Epoxidharzmasse zum Photohalbleiterformen optisch durchsichtig sein sollte, da es zum Harzformen von Photohalbleitern, wie Lichtempfangselementen, verwendet werden soll. Der hierin verwendete Begriff "durchsichtig" bedeutet, daß das aus der Epoxidharzmasse zum Photohalbleiterformen erhaltene gehärtete Harz eine Durchlässigkeit von im allgemeinen 90% oder höher, vorzugsweise 95% oder höher, bevorzugter 98% oder höher, gemessen bei 600 nm und bei einer Dicke des gehärteten Harzes von 1 mm, aufweist.
  • Die Bedeutung von "Bestandteile, die gleichförmig zu einem molekularen Anteil miteinander vermischt werden", ist wie nachstehend. Die Harzmasse wird bei 150ºC für 6 Minuten spritzpreßgeformt und dann bei 150ºC 3 Stunden gehärtet. Die gehärtete Harzmasse wird aus dem Kanalteil der Formdüse genommen und zu einer flachen Platte geformt (Dicke: 3,0 mm, Breite: 5 mm) mit einem Zweig senkrecht zu der flachen Platte, wobei die Oberfläche davon zu einer Oberflächenrauhigkeit von 1,5 um oder weniger poliert ist. Die Platte der gehärteten Harzmasse liegt in einem festen Zustand an dem bilderzeugenden Element an (1/2 Inch, 380000 Bildelemente). Intensive parallele Lichtstrahlen mit einer Strahlungsintensität von 10 Candela läßt man auf das bilderzeugende Element durch ein Irisblendendiaphragma von F-32 auftreffen. Wenn Streifenmuster beobachtet werden, wird es als "gemischter gleichförmiger molekularer Anteil" bezeichnet.
  • Das Formen von Lichtempfangselementen oder anderen Photohalbleitern mit der Epoxidharzmasse ist nicht besonders eingeschränkt und kann durch bekannte Formverfahren, wie beispielsweise gewöhnliches Spritzpreßformen, ausgeführt werden. Bei der Ausführung des Spritzpreßformens wird eine geschmolzene Harzmasse in einer Pulverform normalerweise, nachdem sie bei gewöhnlicher Temperatur tablettiert wurde, verwendet.
  • Weil die Bestandteile im molekularen Maßstab gleichförmig miteinander vermischt werden, werden in der spritzpreßgeformten Harzmasse der vorliegenden Erfindung Härtungsungleichmäßigkeit und optische Ungleichmäßigkeit nicht gebildet, obwohl solche Ungleichmäßigkeit in einer üblichen Harzmasse gebildet wird.
  • Die so erhaltene Photohalbleitervorrichtung weist beispielsweise eine Struktur wie in Fig. 5 gezeigt auf, in der ein Festkörperbildaufnahmeelement 13 als Lichtempfangselement an eine Haftlage 11 durch ein Haftmittel 12 angebracht wird, und ein Farbfilter 15 wird an der oberen Seite des Lichtempfangselements mit Hilfe eines durchsichtigen Klebstoffs 14 befestigt, wobei diese Anordnung in einer Epoxidharzmasse 16 zum Photohalbleiterformen harzgeformt wird. Der Farbfilter 15 wird bereitgestellt, um Farbbilder zu erhalten, und ist für monochromatische Bilder nicht erforderlich. In der Figur bedeutet die Zahl 17 eine Glasplatte, 18 einen Bindungsdraht und 19 einen Anschlußrahmen.
  • Da die Photohalbleitervorrichtung in eine Photohalbleiterform-Epoxidharzmasse harzgeformt wird, in der alle Komponenten davon gleichförmig zu einem molekularen Anteil ver mischt sind, ist die Brechungsindexverteilungskurve des geformten Harzes 16 scharf, so daß das geformte Harz 16 keine optischen Ungleichmäßigkeiten aufweist. Deshalb sind die durch Arbeiten mit dieser Vorrichtung erhaltenen Bilder frei von Streifenmustern, die optischer Ungleichmäßigkeit und schwarzen Flecken aufgrund des Einschlusses von Fremdteilchen zuzuordnen sind. Die Freiheit der optischen Ungleichmäßigkeit wurde mit Photohalbleitervorrichtungen, die durch Regulieren der Dicke 1 des geformten Harzes über den Farbfilter 15 bei gewöhnlichen Werten, d. h. 0,5 bis 2 mm, erhalten wurden, ermittelt.
  • Wie vorstehend beschrieben, ist die Photohalbleitervorrichtung der vorliegenden Erfindung frei von optischer Ungleichmäßigkeit, weil die Brechungsindexverteilungskurve der gehärteten, durchsichtigen Epoxidharzmasse durch (A), (B) und (C) charakterisiert ist, wie vorstehend beschrieben. Wenn das gehärtete, durchsichtige Epoxidharz aus einer Epoxidharzmasse erhalten wird, die in einem organischen Lösungsmittel einen gelösten Zustand eingeht, können außerdem Fremdsubstanzen aus der Harzmasse durch Filtration entfernt werden, so daß das gehärtete Harz von gelähnlichen Aggregaten und Fremdsubstanzen wie feinen Staubteilchen, die in der Harzmasse vorliegen, obwohl diese Verunreinigungen bis jetzt schwierig zu entfernen waren, befreit wird. Somit kann die Harzmasse von hoher Qualität sein. Deshalb wird eine Hochqualitäts-Epoxidharzmasse zum Harzformen eines Festkörperlichtempfangselements, wie eines bilderzeugenden Elements, zur Herstellung einer Photohalbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet, die durch die Photohalbleitervorrichtung erzeugten Bilder sind frei von Streifenmustern, die optischer Ungleichmäßigkeit des geformten Harzes zuzuschreiben sind, oder schwarzen Flecken, die Fremdsubstanzen in der vorliegenden Erfindung zuzuschreiben sind. Das heißt, die Photohalbleitervorrichtung der vorliegenden Erfindung weist, obwohl sie vom harzgeformten Typ ist, eine hohe Leistung auf, die gleich oder höher ist als jene von Keramik-ummantelten Typen.
  • Die vorliegende Erfindung wird nachstehend im einzelnen mit Bezug auf die nachstehenden Beispiele und Vergleichs beispiele erläutert, jedoch sollten die Beispiele nicht so aufgefaßt werden, daß sie den Schutzbereich der Erfindung einschränken. Nachstehend sind alle Teile auf das Gewicht bezogen.
    • BEISPIELE 1 BIS 4 UND VERGLEICHSBEISPIELE 1 BIS 3
  • Zur Verwendung in den Beispielen und Vergleichsbeispielen wurden Epoxidharzmassen A bis G vorher durch die nachstehend angegebenen Verfahren hergestellt, in denen sechs Formulierungen, wie in Tabelle 1 gezeigt, verwendet werden. In Tabelle 1 sind die Formulierungen in Gewichtsteilen ausgedrückt. Tabelle 1
  • Bemerkung:
  • *1 Hergestellt von Yuka Shell Epoxy K. K., Japan
  • *2 Hergestellt von Nissan Chemical Industries, Ltd., Japan
  • *3 Hergestellt von Hitachi Chemical Co., Ltd., Japan
  • *4 "2E4MZ", hergestellt von Shikoku Chemical Co., Ltd., Japan
    • Epoxidharzmasse A
  • Die unter Formulierung 1 in Tabelle 1 gezeigten Bestandteile wurden unter Erwärmen in den entsprechenden Anteilen, die in der Tabelle gezeigt werden, schmelzvermischt und anschließend wurde das Gemisch Härtungsreaktionen des Epoxidharzes eingehen lassen unter Herstellen einer B-Stufen-Epoxidharzmasse zum Photohalbleiterformen, wobei die Masse eine Gelzeit, gemessen bei 150ºC, von 30 Sekunden aufwies. Die B- Stufen-Epoxidharzmasse zum Photohalbleiterformen wurde vollständig in einem organischen Lösungsmittel gelöst, dessen Art und Menge nachstehend in Tabelle 2 angegeben sind, und anschließend wurde das Lösungsmittel unter vermindertem Druck entfernt, wobei die Lösung auf 45ºC erwärmt wurde. Der erhaltene Rückstand wurde zum Pulver zerkleinert unter Gewinnung von Photohalbleiter-formenden Epoxidharzmasse A in Pulverform (Beispiel 1) mit einem Anteil an organischem Restlösungsmittel, wie in Tabelle 2 gezeigt, und einer Gelzeit, gemessen bei 150ºC, von 25 Sekunden.
    • Epoxidharzmasse B
  • Zwei Massen wurden gemäß Formulierungen 1 bzw. 3, wie in Tabelle 1 gezeigt, hergestellt. Jede der zwei Massen wurde Härtungsreaktionen der Epoxidharze eingehen lassen unter Herstellen einer B-Stufen-Epoxidharzmasse zum Photohalbleiterformen von jeder Masse, wobei die Masse eine Gelzeit, gemessen bei 150ºC, von 30 Sekunden aufwies. 50 Teile von jeder der so hergestellten zwei Arten B-Stufen-Epoxidharzmassen zum Photohalbleiterformen wurden miteinander vermischt und das Gemisch wurde in dem organischen Lösungsmittel, dessen Art und Menge in Tabelle 2 gezeigt werden, vermischt und vollständig darin gelöst. Das Lösungsmittel wurde anschließend unter vermindertem Druck entfernt, wobei die Lösung auf 45ºC erwärmt wurde. Der erhaltene Rückstand wurde zum Pulver zerkleinert unter Gewinnung der Photohalbleiter-formenden Epoxidharzmasse B in Pulverform (Beispiel 2) mit einem restlichen organischen Lösungsmittelanteil, wie in Tabelle 2 gezeigt, und einer Gelzeit, gemessen bei 150ºC, von 25 Sekunden.
    • Epoxidharzmasse C
  • Die unter Formulierung 2 in Tabelle 1 gezeigten Bestandteile wurden unter Erwärmen schmelzvermischt und anschließend wurde das Gemisch Härtungsreaktionen des Epoxidharzes eingehen lassen unter Herstellen einer B-Stufen-Epoxidharzmasse zum Photohalbleiterformen, wobei die Masse eine Gelzeit, gemessen bei 150ºC, von 30 Sekunden aufwies. Diese B-Stufen-Epoxidharzmasse zum Halbleiterformen wurde in dem Lösungsmittel, dessen Art und Menge in Tabelle 2 gezeigt werden, vermischt und vollständig darin gelöst. Das Lösungsmittel wurde dann unter vermindertem Druck entfernt, während die Lösung auf 45ºC erwärmt wurde. Der erhaltene Rückstand wurde zu einem Pulver zerkleinert unter Gewinnung der Photohalbleiter-formenden Epoxidharzmasse in Pulverform mit einem Restanteil an organischem Lösungsmittel, wie in Tabelle 2 gezeigt, und einer Gelzeit, gemessen bei 150ºC, von 25 Sekunden. 40 Teile dieser Epoxidharzmasse wurden mit 60 Teilen der vorstehend beschriebenen Epoxidharzmasse A vermischt unter Gewinnung von Photohalbleiter-formender Epoxidharzmasse C (für Beispiel 3).
    • Epoxidharzmasse D
  • Die unter Formulierung 4 in Tabelle 1 gezeigten Bestandteile wurden unter Erwärmen schmelzvermischt und anschließend wurde das Gemisch Härtungsreaktionen der Epoxidharze eingehen lassen unter Herstellen der B-Stufen-Epoxidharzmasse zum Photohalbleiterformen, wobei die Masse eine Gelzeit, gemessen bei 150ºC, von 30 Sekunden aufwies. Diese B-Stufen-Epoxidharzmasse zum Photohalbleiterformen wurde in dem organischen Lösungsmittel, dessen Art und Menge in Tabelle 2 gezeigt werden, vermischt und vollständig darin gelöst. Das Lösungsmittel wurde dann unter vermindertem Druck entfernt, während die Lösung auf 45ºC erwärmt wurde. Der erhaltene Rückstand wurde zum Pulver zerkleinert unter Gewinnung von Photohalbleiter-formender Epoxidharzmasse in Pulverform mit einem Restanteil an organischem Lösungsmittel, wie in Tabelle 2 gezeigt, und einer Gelzeit, gemessen bei 150ºC, von 25 Sekunden. 40 Teile dieser Epoxidharzmasse wurden mit 60 Teilen der vorstehend beschriebenen Epoxidharzmasse A vermischt unter Gewinnung von Photohalbleiter-formender Epoxidharzmasse D (für Beispiel 4).
    • Epoxidharzmasse E
  • Die unter Formulierung 5 in Tabelle 1 gezeigten Bestandteile wurden unter Erwärmen ohne Verwendung eines organischen Lösungsmittels schmelzvermischt und anschließend wurde das Gemisch Härtungsreaktion von Epoxidharzen eingehen lassen. Das erhaltene Gemisch wurde zu dem Pulver zerkleinert unter Gewinnung von Photohalbleiter-formender Epoxidharzmasse E in Pulverform (für Vergleichsbeispiel 1) mit einer Gelzeit, gemessen bei 150ºC, von 25 Sekunden.
    • Epoxidharzmasse F
  • Die unter Formulierung 5 in Tabelle 1 gezeigten Bestandteile wurden unter Erwärmen schmelzvermischt und anschließend wurde das Gemisch Härtungsreaktionen des Epoxidharzes eingehen lassen unter Herstellung der B-Stufen-Epoxidharzmasse zum Photohalbleiterformen, wobei die Masse eine Gelzeit, gemessen bei 150ºC, von 30 Sekunden aufwies. Diese Masse wurde zu Pulver zerkleinert. 35 Teile der so erhaltenen pulverförmigen Epoxidharzmasse wurden mit 65 Teilen der vorstehend beschriebenen Masse A trockenvermischt unter Gewinnung von Epoxidharzmasse F (für Vergleichsbeispiel 2).
    • Epoxidharzmasse G
  • Die unter Formulierung 6 in Tabelle 1 gezeigten Bestandteile wurden unter Erwärmen schmelzvermischt und anschließend wurde das Gemisch Härtungsreaktionen des Epoxidharzes eingehen lassen unter Herstellung einer B-Stufen-Epoxidharzmasse zum Photohalbleiterformen, wobei die Masse eine Gelzeit, gemessen bei 150ºC, von 30 Sekunden, aufwies. Diese Masse wurde zu Pulver zerkleinert. 20 Teile der so erhaltenen pulverförmigen Epoxidharzmasse wurden mit 80 Teilen der vorstehend beschriebenen Epoxidharzmasse A trockenvermischt unter Gewinnen von Epoxidharzmasse G (für Vergleichsbeispiel 3). Tabelle 2
    • (Brechungsindexmessung)
  • Jede der sieben Arten der pulverförmigen Epoxidharzmassen (A bis G), erhalten durch das vorstehend beschriebene Verfahren, wurde in Tabletten geformt. Jede tablettierte Masse wurde Spritzpreßformen bei 150ºC für 6 Minuten unter Bildung eines Würfels unterzogen, der anschließend bei 150ºC 3 Stunden gehärtet wurde. So wurden sieben gehärtete Würfel mit den Abmessungen von jeweils 1 · 1 · 1 cm aus sieben Arten der Massen hergestellt. Bezüglich jedes dieser gehärteten Würfel wurden zwei benachbarte Seiten durch Schwabbeln poliert, so daß die polierten Oberflächen eine Oberflächenrauhigkeit von 1,5 um oder weniger aufwiesen. Die so erhaltenen Würfelproben (A bis G) wurden mit Hilfe eines Refraktometers (Automatic Refractometer KPR-200, hergestellt von Karunew Optics Company) auf die Brechungsindexverteilung untersucht.
  • Die Ergebnisse der Brechungsindexmessung an diesen Proben A bis 6 werden in Fig. 7 bis 13 gezeigt; Proben A bis D betreffen die Beispiele, während Proben E bis 6 die Vergleichsbeispiele betreffen.
  • Aus den Brechungsindexverteilungskurven für Proben A bis D, die in Fig. 7 bis 10 gezeigt werden, und aus den Werten für X, Y und Z in Tabelle 2 wird deutlich, daß Proben A bis D den Erfordernissen (A), (B) und (C), die in der vorliegenden Erfindung wesentlich sind, genügen. Insbesondere im Fall der Proben C und D weisen die Brechungsindexverteilungskurven, wie in Fig. 9 und 10 gezeigt, Peaks auf, die anders sind als die Maximumpeaks, jedoch sind die Brechungsindexdifferenzen Z zwischen dem Brechungsindexwert (a) entsprechend dem Maximumpeak und dem Brechungsindexwert (a') entsprechend dem anderen Peak innerhalb des ausgewiesenen Bereichs, d. h. 0,0010 oder weniger, wie aus Fig. 9 und 10 und den Werten für Z aus Tabelle 2 ersichtlich. Im Gegensatz dazu genügen Vergleichsbeispiele E und F nicht dem Erfordernis (A) oder (B), das vorstehend beschrieben wurde, was aus den Brechungsindexverteilungskurven, die in Fig. 11 und 12 gezeigt wurden, und aus den Werten X und Y, gezeigt in Tabelle 2, deutlich wird. Das andere Vergleichsbeispiel 6 genügt den Erfordernissen (A) und (B), wie aus der Brechungsin dexverteilungskurve in Fig. 13 und aus den Werten von X und Y in Tabelle 2 gezeigt, jedoch ist die Brechungsindexdifferenz Z zwischen dem Brechungsindexwert (a) entsprechend dem Maximumpeak und dem Brechungsindexwert (a') entsprechend dem anderen Peak oberhalb 0,0010. Das heißt, Probe G genügt nicht dem vorstehend beschriebenen Erfordernis (C).
    • (Herstellung einer Photohalbleitervorrichtung)
  • Unter Verwendung von jeweils sieben Arten von pulverförmigen Epoxidharzmassen (A bis G) wurde eine Photohalbleitervorrichtung hergestellt durch tatsächliches Unterziehen eines Flächensensors, in dem ein Festkörper-Bildaufnahmeelement vorliegt, dem direkten Schmelzen bei 150ºC für 6 Minuten, gefolgt von Nachhärten bei 150ºC für 3 Stunden. Unter Verwendung dieser Photohalbleitervorrichtung wurde eine Kamera aufgebaut. Auf diese Kamera wurden intensive parallele Lichtstrahlen (Strahlungsintensität: 10 Candela) im rechten Winkel auftreffen lassen und mit einer Irisblende von F-32 aufgenommene Bilder wurden auf ein Display projiziert. Als Ergebnis ergaben die in den Beispielen entsprechend aufgebauten vier Arten von Kameras unter Verwendung von Massen A bis D Bilder ohne optische Ungleichmäßigkeit, wie in Tabelle 2 gezeigt (optische Ungleichmäßigkeit A). Im Gegensatz dazu wurde im Fall der drei Arten von Kameras, die unter Verwendung von Massen E bzw. G aufgebaut wurden, optische Ungleichmäßigkeit an den Bildern beobachtet, wobei Teile der Bilder Streifenmuster aufwiesen.
  • Des weiteren wurde unter Verwendung von jeweils der kanalgeformten Platten (Dicke 3,0 mm, Breite 5 mm), die nach dem direkten Formen wie vorstehend beschrieben im Kanalteil der Form verblieben, das Auftreten von optischer Ungleichmäßigkeit wie nachstehend geprüft. Das heißt, die kanalgeformte Platte, die eine Oberfläche, poliert bis zu einer Oberflächenrauhigkeit von 1,5 um oder weniger und einen gekrümmten Teil von 120º aufwies, wurde auf einem geschmolzenen Oberflächensensor angeordnet, nämlich ein bilderzeugendes Festkörperelement des Typs mit 380000 Bildelementen pro 1/2 Inch das in eine Kamera eingesetzt wurde, und anschließend wurden in tensive parallele Lichtstrahlen auf die Platte in einem rechten Winkel auftreffen lassen, um die erhaltenen Bilder hinsichtlich eines Streifenmusters mit einer Irisblende von F-32 zu prüfen.
  • Im Hinblick auf die Tatsache, daß in dem Kanalteil Polymerproben gebildet wurden, war die Dicke 3,0 mm und neigte folglich mehr zur Streifenbildung. Dieser optische Ungleichmäßigkeitstest ist härter als die vorstehend beschriebene optische Ungleichmäßigkeitsbewertung und kann als Test angenommen werden, der prüft, ob die Probe zukünftig für bilderzeugende Festkörperelemente, von denen eine erhöhte Anzahl an Bildelementen aufzuweisen erwartet wird, anwendbar wäre. Als Ergebnis verursachten die aus Beispielen 1 und 3, aus den vorstehend beschriebenen Epoxidharzmassen A bzw. C erhaltenen Harzplatten kein Streifenmuster auf den Bildern, die von der Kamera genommen wurden, d. h., die zwei Harzplatten waren frei von optischer Ungleichmäßigkeit, während die Harzplatten von Beispielen 2 und 4, die aus Massen B bzw. D erhalten wurden, zu einem leichten Grad Streifenmuster verursachten, wie in Tabelle 2 (Optische Ungleichmäßigkeit B) gezeigt. Im Gegensatz dazu verursachten alle Harzplatten von Vergleichsbeispielen, die entsprechend Massen E bis 6 erhalten wurden, Streifenmuster.

Claims (5)

1. Verfahren zum Formen von Photohalbleitern, umfassend die Herstellung einer Epoxidharzmasse, umfassend die Schritte:
(a) Auflösen eines B-Stufen-Epoxidharzes, eines Härters und eines Härtungsbeschleunigers als Bestandteile in einem organischen Lösungsmittel und anschließend Entfernen des organischen Lösungsmittels in einem Ausmaß, daß die Menge des verbliebenen, nicht entfernten Lösungsmittels 3 Gewichtsprozent oder weniger wird, bezogen auf die Gesamtmenge der Epoxidharzmasse, oder
(b) Auflösen eines Epoxidharzes, eines Härters und eines Härtungsbeschleunigers in einem organischen Lösungsmittel und anschließend Erhitzen der Lösung, damit die Härtungsreaktion des Epoxidharzes unter Herstellung einer Epoxidharzmasse der B-Stufe voranschreitet, und danach Entfernen des organischen Lösungsmittels in einem Ausmaß, daß die Menge des verbliebenen, nicht entfernten Lösungsmittels 3 Gewichtsprozent oder weniger wird, bezogen auf die Gesamtmenge der Epoxidharzmasse, oder
(c) Vermischen einer Art Epoxidharz und einer Art Härter mit einem organischen Lösungsmittel, Entfernen des organischen Lösungsmittels in einem Ausmaß, daß die Menge des verbliebenen, nicht entfernten Lösungsmittels 3 Gewichtsprozent oder weniger wird, bezogen auf die Gesamtmenge der Epoxidharzmasse, und anschließend Härtenlassen des Epoxidharzes der zurückbleibenden Epoxidharzmasse unter Herstellung einer Epoxidharzmasse der B-Stufe.
2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Epoxidharz mindestens ein Mitglied, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Bisphenol-A-Epoxidharzen und Bisphenol-F-Epoxidharzen, ist und wobei der Härter mindestens ein Mitglied, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Phthalsäureanhydrid und Tetrahydrophthalsäureanhydrid, ist.
3. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Menge des verbliebenen, nicht entfernten, organischen Lösungsmittels 1,5 Gewichtsprozent oder weniger, bezogen auf die Gesamtmenge der Epoxidharzmasse, ist.
4. Verfahren nach Anspruch 3, wobei die Menge des verbliebenen, nicht entfernten, organischen Lösungsmittels 0,05 Gewichtsprozent oder weniger, bezogen auf die Gesamtmenge der Epoxidharzmasse, ist.
5. Verwendung einer Epoxidharzmasse, erhalten durch das Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, zum Formen eines Photohalbleiterelements für eine Photohalbleitervorrichtung.
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5969414A (en) * 1994-05-25 1999-10-19 Advanced Technology Interconnect Incorporated Semiconductor package with molded plastic body
MY111779A (en) * 1994-11-10 2000-12-30 Nitto Denko Corp Semiconductor device
JPH08311168A (ja) * 1995-05-16 1996-11-26 Hitachi Chem Co Ltd 光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物及び該エポキシ樹脂組成物を用いた光半導体装置
US7041771B1 (en) * 1995-08-11 2006-05-09 Kac Holdings, Inc. Encapsulant with fluxing properties and method of use in flip-chip surface mount reflow soldering
DE19812008A1 (de) 1998-03-19 1999-09-23 Heidenhain Gmbh Dr Johannes Optoelektronische Bauelementanordnung
DE10131698A1 (de) * 2001-06-29 2003-01-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US7178235B2 (en) 2003-12-03 2007-02-20 Reflex Photonics Inc. Method of manufacturing an optoelectronic package
JP2006528834A (ja) 2003-07-24 2006-12-21 リフレックス フォトニーク インコーポレイテッド／リフレックス フォトニックス インコーポレイテッド カプセル化された光パッケージ
JP4177871B2 (ja) * 2005-02-02 2008-11-05 松下電器産業株式会社 光学素子およびそれを用いた光学測定装置
US7517159B1 (en) 2007-09-27 2009-04-14 Reflex Photonics Inc. Two substrate parallel optical sub-assembly
JP6306028B2 (ja) 2012-10-09 2018-04-04 オキシナジー・リミテッド 電極組立体およびその調製のための方法
JP6791081B2 (ja) * 2017-09-26 2020-11-25 株式会社島津製作所 屈折率測定装置及び屈折率測定方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DD143839A1 (de) * 1979-07-03 1980-09-10 Friedhelm Banse Strahlungsempfindliches halbleiterbauelement und verfahren zu seiner herstellung
US4327369A (en) * 1979-08-06 1982-04-27 Hi-Tech Industries, Inc. Encapsulating moisture-proof coating
US4926239A (en) * 1983-06-07 1990-05-15 Sharp Kabushiki Kaisha Plastic encapsulant for semiconductor
US4703338A (en) * 1983-10-14 1987-10-27 Daicel Chemical Industries, Ltd. Resin composition to seal electronic device
US4663190A (en) * 1984-03-08 1987-05-05 Hitachi Chemical Company, Ltd. Process for producing semiconductor element
JPS611068A (ja) * 1984-06-12 1986-01-07 Mitsubishi Electric Corp 光半導体装置
JPS60137046A (ja) * 1984-11-02 1985-07-20 Nitto Electric Ind Co Ltd 発光素子または受光素子封止体
JPS6362363A (ja) * 1986-09-03 1988-03-18 Nitto Electric Ind Co Ltd 光半導体装置
US4732962A (en) * 1987-02-18 1988-03-22 General Motors Corporation High temperature epoxy tooling composition of bisphenol-A epoxy, trifunctional epoxy, anhydride curing agent and an imidazole catalyst

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