DE68923135D1 - Verfahren zur Herstellung einer elektro-optischen Vorrichtung mit einem umgekehrten durchsichtigen Substrat. - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer elektro-optischen Vorrichtung mit einem umgekehrten durchsichtigen Substrat.

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Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5115286A (en) * 1988-08-26 1992-05-19 Hewlett-Packard Company Electro-optical device with inverted transparent substrate and method for making same
US5103271A (en) * 1989-09-28 1992-04-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and method of fabricating the same
DE4011145A1 (de) * 1990-04-06 1991-10-10 Telefunken Electronic Gmbh Lumineszenz-halbleiterelement
EP0516162B1 (de) * 1991-05-31 1995-12-27 Shin-Etsu Handotai Company Limited Lichtemittierende Halbleitervorrichtung
JP3164016B2 (ja) * 1996-05-31 2001-05-08 住友電気工業株式会社 発光素子および発光素子用ウエハの製造方法
TW498560B (en) * 1999-04-27 2002-08-11 Showa Denko Kk Epitaxial wafer for infrared light-emitting device and light-emitting device using the same
US6388274B1 (en) * 1999-06-18 2002-05-14 Showa Denko Kabushiki Kaisha Epitaxial wafer for infrared light-emitting device and light-emitting device using the same
DE10017336C2 (de) * 2000-04-07 2002-05-16 Vishay Semiconductor Gmbh verfahren zur Herstellung von strahlungsemittierenden Halbleiter-Wafern
DE10017337C2 (de) * 2000-04-07 2002-04-04 Vishay Semiconductor Gmbh Verfahren zum Herstellen lichtaussendender Halbleiterbauelemente
US7319247B2 (en) 2000-04-26 2008-01-15 Osram Gmbh Light emitting-diode chip and a method for producing same
DE10051465A1 (de) 2000-10-17 2002-05-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements auf GaN-Basis
CN1292494C (zh) 2000-04-26 2006-12-27 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 发光半导体元件及其制造方法
DE10026255A1 (de) * 2000-04-26 2001-11-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lumineszenzdiosdenchip auf der Basis von GaN und Verfahren zum Herstellen eines Lumineszenzdiodenbauelements mit einem Lumineszenzdiodenchip auf der Basis von GaN
TWI292227B (en) 2000-05-26 2008-01-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light-emitting-dioed-chip with a light-emitting-epitaxy-layer-series based on gan
DE10042947A1 (de) 2000-08-31 2002-03-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement auf GaN-Basis
JP2006525682A (ja) * 2003-04-30 2006-11-09 クリー　インコーポレイテッド 高出力固体発光素子パッケージ
US7332365B2 (en) * 2004-05-18 2008-02-19 Cree, Inc. Method for fabricating group-III nitride devices and devices fabricated using method
US7791061B2 (en) * 2004-05-18 2010-09-07 Cree, Inc. External extraction light emitting diode based upon crystallographic faceted surfaces
US7534633B2 (en) * 2004-07-02 2009-05-19 Cree, Inc. LED with substrate modifications for enhanced light extraction and method of making same
US7737459B2 (en) * 2004-09-22 2010-06-15 Cree, Inc. High output group III nitride light emitting diodes
US8174037B2 (en) 2004-09-22 2012-05-08 Cree, Inc. High efficiency group III nitride LED with lenticular surface
US8513686B2 (en) * 2004-09-22 2013-08-20 Cree, Inc. High output small area group III nitride LEDs
US7259402B2 (en) * 2004-09-22 2007-08-21 Cree, Inc. High efficiency group III nitride-silicon carbide light emitting diode
US8288942B2 (en) * 2004-12-28 2012-10-16 Cree, Inc. High efficacy white LED
US7932111B2 (en) * 2005-02-23 2011-04-26 Cree, Inc. Substrate removal process for high light extraction LEDs
US8674375B2 (en) * 2005-07-21 2014-03-18 Cree, Inc. Roughened high refractive index layer/LED for high light extraction
DE102005061346A1 (de) 2005-09-30 2007-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip
US8008676B2 (en) 2006-05-26 2011-08-30 Cree, Inc. Solid state light emitting device and method of making same
US8596819B2 (en) * 2006-05-31 2013-12-03 Cree, Inc. Lighting device and method of lighting
EP2060155A2 (de) * 2006-08-23 2009-05-20 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Beleuchtungsvorrichtung und beleuchtungsverfahren
US20100224890A1 (en) * 2006-09-18 2010-09-09 Cree, Inc. Light emitting diode chip with electrical insulation element
EP2095018A1 (de) * 2006-12-04 2009-09-02 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Beleuchtungsvorrichtung und beleuchtungsverfahren
WO2008070607A1 (en) 2006-12-04 2008-06-12 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting assembly and lighting method
WO2009012287A1 (en) * 2007-07-17 2009-01-22 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Optical elements with internal optical features and methods of fabricating same
US8617997B2 (en) * 2007-08-21 2013-12-31 Cree, Inc. Selective wet etching of gold-tin based solder
US11114594B2 (en) 2007-08-24 2021-09-07 Creeled, Inc. Light emitting device packages using light scattering particles of different size
US9431589B2 (en) 2007-12-14 2016-08-30 Cree, Inc. Textured encapsulant surface in LED packages
JP2011517099A (ja) * 2008-04-04 2011-05-26 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア プレーナー半極性（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）Ｎベースの発光ダイオード向けＭＯＣＶＤ成長技術
US8329482B2 (en) 2010-04-30 2012-12-11 Cree, Inc. White-emitting LED chips and method for making same
KR101944409B1 (ko) 2012-06-08 2019-04-17 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
US8896008B2 (en) 2013-04-23 2014-11-25 Cree, Inc. Light emitting diodes having group III nitride surface features defined by a mask and crystal planes

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55165688A (en) * 1979-06-11 1980-12-24 Fujitsu Ltd Preparation of light emission semiconductor device
DE3124817A1 (de) * 1981-06-24 1983-01-20 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Lumineszenzdiode mit hohem wirkungsgrad und hoher grenzfrequenz der modulierbarkeit
DE3339272A1 (de) * 1983-10-28 1985-05-09 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur herstellung von a(pfeil abwaerts)3(pfeil abwaerts)b(pfeil abwaerts)5(pfeil abwaerts)-lumineszenzdioden
US4719497A (en) * 1984-06-15 1988-01-12 Hewlett-Packard Company High efficiency light-emitting diode
US4707716A (en) * 1984-11-02 1987-11-17 Xerox Corporation High resolution, high efficiency I.R. LED printing array and fabrication method
JPS6323376A (ja) * 1986-07-16 1988-01-30 Mitsubishi Cable Ind Ltd ストツプランプ用発光ダイオ−ド
JPS63185078A (ja) * 1987-01-27 1988-07-30 Nec Corp 発光素子

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Publication number Publication date
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DE68923135T2 (de) 1995-11-09
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JP3183296B2 (ja) 2001-07-09
EP0356037A2 (de) 1990-02-28
US4912532A (en) 1990-03-27
EP0356037A3 (de) 1991-01-09

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