DE68917615T2

DE68917615T2 - Optimierter VLSI-Modulator.

Info

Publication number: DE68917615T2
Application number: DE68917615T
Authority: DE
Inventors: Hugh P Campbell; Abd-El-Fattah Ali Ibrahim
Original assignee: Xerox Corp
Current assignee: Xerox Corp
Priority date: 1988-02-22
Filing date: 1989-02-22
Publication date: 1995-04-27
Anticipated expiration: 2009-02-23
Also published as: DE68917615D1; EP0330437A1; JPH027574A; EP0330437B1; US4961633A; JP2788049B2

Description

Diese Erfindung betrifft eine elektrooptische Modulatorvorrichtung, wie z. B. eine Lichtsteuervorrichtung mit einer Vielzahl von Steuereinheiten für einen elektrooptischen Zeilendrucker. VLSI-Verfahren werden verwendet, um eine betriebsfähige elektrooptische Modulatorvorrichtung in einem Gehäuse für integrierte Schaltkreise herzustellen.
Es hat sich herausgestellt, daß ein elektrooptisches Element mit einer Vielzahl von einzeln adressierbaren Elektroden als eine Lichtsteuervorrichtung mit einer Vielzahl von Steuereinheiten zum Zeilendrucken verwendet werden kann. Man vergleiche in diesem Zusammenhang die US-A-43 96 252 "Proximity Coupled Electro-Optic Devices"; die US-A-43 67 925 "Integrated Electronics for Proximity Coupled Electro-Optic Devices"; und die US-A-43 80 373 "Conformable Proximity Coupled Electro-Optic Devices". Weiter vergleiche man "Laser Printing with the Linear TIR Spatial Light Modulator", von Sprague, R. A.; Turner, W. D., Johnson, R. V., Proceedings of the SPIE; 19. April 1983; 396:
44-49. Diese Fundstellen geben einen relevanten Stand der Technik an.
Diese Dokumente offenbaren alle, bei jeweils verschiedenen Verbesserungen, Versuche zum Schaffen einer Lichtsteuervorrichtung mit mehreren Steuereinheiten, die zum Ausführen des Zeilendruckens auf einem fotoempfindlichen Aufzeichnungsmedium, wie z. B. einem xerographischen Fotorezeptor, verwendet werden könnte, der in einer Abbildungsanordnung belichtet wird, wenn der sich in einer Richtung entlang einer Querlinie zu der Lichtsteuervorrichtung vorwärtsbewegt. Zum Ausführen des Belichtungsverfahrens wird insbesondere ein blattförmiger kollimierter Lichtstrahl durch die elektrooptischen Elemente der Lichtsteuervorrichtung transmittiert, entweder entlang der optischen Achse für eine gerade durchgehende Transmission oder unter einem geringen Winkel relativ zu dieser Achse für eine totale interne Reflexion. Aufeinanderfolgende Sätze von digitalen Datenbits oder analogen Signalreihen (Datenreihen), die jeweilige Ansammlungen von Bildelementen oder Bildpunkten für aufeinanderfolgende Zeilen des Bildes darstellen, werden sequentiell an den Elektroden angewendet. Als Folge davon werden lokalisierte elektronische Volumen- oder Streufelder innerhalb des elektrooptischen Elements in der unmittelbaren Nähe einer jeden Elektrode erzeugt, an der von der Bezugsgröße abweichende Niveaus der Datenreihen angewendet werden. Diese Felder bewirken ihrerseits lokalisierte Veränderungen in dem Brechungsindex des elektrooptischen Elements innerhalb eines Wechselwirkungsbereichs (das ist ein von einem Lichtstrahl beleuchteter Bereich des elektrooptischen Elements, der einer Durchdringung durch die elektrischen Felder unterworfen ist). Somit wird die Wellen-(Phasen-)Front oder die Polarisation des Lichtstrahls gemäß den auf die Elektroden angewendeten Datenreihen moduliert, wenn der Lichtstrahl durch den Wechselwirkungsbereich hindurchtritt. Eine Schlierenausleseoptik kann verwendet werden, um einen wellenfrontmodulierten Lichtstrahl in einen Lichtstrahl umzuwandeln, der ein entsprechend moduliertes Intensitätsprofil aufweist. Das heißt, daß der modulierte Lichtstrahl in ein entsprechend moduliertes Intensitätsprofil umgewandelt wird, um den Lichtstrahl auf das Aufzeichnungsmedium abzubilden oder zu projiizieren.
Ein vorangegangener Versuch mit einer verringerten Praxistauglichkeit für dieses Verfahrens führte zu der Situation gemäß den Fig. 3 und 4 der obenerwähnten US-A-43 80 373. In diesen Figuren enthält die Lichtsteuervorrichtung 12 ein elektrooptisches Element 17 und eine Vielzahl von einzeln adressierbaren Elektroden 18a-18i. Für eine Betriebsweise mit totaler interner Reflexion (TIR) ist das elektrooptische Element 17 ein geeignet geschnittener Kristall aus beispielsweise LiNbO&sub3;, Lithiumniobat, mit einer optisch polierten reflektierenden Oberfläche 21, die integral mit und zwischen jeweils optisch polierten Eingangs- und Ausgangsflächen 22 und 23 angeordnet ist. Die Elektroden 18a-18i werden letztendlich mit dem elektrooptischen Element 17, das an die reflektierende Oberfläche 21 angrenzt, gekoppelt und im wesentlichen über deren volle Breite verteilt. Falls die Elektroden parallel zur optischen Achse des elektrooptischen Elements 17 ausgerichtet sind, wird die Lichtsteuervorrichtung ein Beugungsmuster erzeugen, das symmetrisch um die Beugungskomponente nullter Ordnung ist. Falls andererseits die Elektroden unter dem Bragg-Winkel relativ zu der optischen Achse des elektrooptischen Elements 17 liegen, wird die Lichtsteuervorrichtung 12 ein unsymmetrisches Beugungsmuster erzeugen.
Die in den obenerwähnten Patenten beschriebene Ausführungsform verwendet einen integrierten Schaltkreis 41, der federnd gegen die reflektierende Oberfläche 21 des elektrooptischen Elements 17 vorgespannt ist, wodurch bewirkt wird, daß die Elektroden 18a-18i im allgemeinen sich an das Profil der dazu passenden Oberfläche 21 anpassen. Wie bei anderen unter unmittelbarer Nähe angekoppelten elektrooptischen Vorrichtungen gibt es eine Klammer oder ein ähnliches Verbindungsmittel, das schematisch durch die Pfeile 44 und 45 dargestellt ist, um die Lageroberfläche der Elektrode des integrierten Schaltkreises 41 in Druckkontakt mit der reflektierenden Oberfläche 41 aufrechtzuerhalten. Zusätzlich gibt es ein federndes Druckkissen 51 oder ähnliches zum Anwenden einer mehr oder weniger einheitlichen Vorspannung auf den die Elektrode enthaltenden Teilbereich des integrierten Schaltkreises 41, so daß er sich in der notwendigen Weise verbiegt, um zu bewirken, daß die Elektroden 18a-18i eng anliegend sich dem Profil der reflektierenden Oberfläche 41 anpassen. Die verbesserte Gleichförmigkeit der Elektroden 18a-18i mit der dazu passenden oder reflektierenden Oberfläche 21 des elektrooptischen Elements 17 erhöht die Gleichmäßigkeit, mit der die Streufelder 28 in das elektrooptische Element 17 gekoppelt werden, wodurch die räumliche Gleichmäßigkeit des elektrooptischen Antwortverhaltens der Lichtsteuervorrichtung 12 erhöht wird.
Erfindungsgemäß wird ein in einem Gehäuse für integrierte Schaltkreise aufgebauter elektrooptischer Modulator mit mehreren Steuereinheiten geschaffen mit einem Gehäuse für integrierte Schaltkreise, wenigstens einer integrierten Schaltkreisvorrichtung mit einer Vielzahl von elektrisch leitfähigen ersten Elektroden in zueinander beabstandeter Beziehung in einem vorbestimmten Muster und einer Vielzahl von elektrischen Zuleitungsverbindungen, die mit Zuleitungsverbindungen der Packungsanordnung verbunden sind, einem elektrooptischen Element mit einer Schicht aus einem optisch transparenten, elektrooptisch ansprechbaren Kristall, der eine Vielzahl von elektrisch leitfähigen zweiten Elektroden enthält, die zum Kontakt mit den ersten Elektroden der integrierten Schaltkreisvorrichtung geeignet ausgebildet sind, um so zu ermöglichen, daß elektrische Felder in dem elektrooptisch ansprechbaren Kristall erzeugt werden, und mit einer Schicht aus federndem, komprimiertem Material, um die ersten Elektroden der integrierten Schaltkreisvorrichtung und die zweiten Elektroden des elektrooptischen Elements im wesentlichen gleichmäßig in Kontakt zu pressen, dadurch gekennzeichnet, daß das Gehäuse für integrierte Schaltkreise eine flache obere Oberfläche und ein hohles ausgenommenes Gebiet in der flachen Oberfläche umfaßt, wobei die Zuleitungsverbindungen des Gehäuses aus dem hohlen Gebiet des Gehäuses für integrierte Schaltkreise heraustreten, die integrierte Schaltkreisvorrichtung in dem hohlen Gebiet angebracht ist und unter einem vorbestimmten Aspekt innerhalb des Gehäuses für integrierte Schaltkreise ausgerichtet ist, das elektrooptische Element auf der flachen Oberfläche angebracht ist und teilweise die Kanten des hohlen Gebiets in dem Gehäuse überlappt, die Schicht aus federndem Material zwischen dem Boden des hohlen Gebiets des Gehäuses und der Unterseite der integrierten Schaltungsvorrichtung zusammengedrückt ist und eine Schicht aus Glas oder eine ähnliche Schutzvorrichtung auf der oberen Oberfläche des elektrooptischen Elements zum Schutz des elektrooptischen Elements angebracht ist.
Bei dem erfindungsgemäßen Modulator werden die in dem Stand der Technik gezeigten unterschiedlichen Elemente auf einzigartige Weise in einer die Prinzipien der VLSI verwendenden Gehäusepackung kombiniert. Ein besonders entworfenes Gehäuse für integrierte Schaltkreise wird dazu verwendet, das Verbinden von einer oder zwei elektrooptischen Vorrichtungen zu einer einzigen Einheit zu ermöglichen. Da jede elektrooptische Vorrichtung ihre Kontakt-(Chip-)Pads an einem Ende der Vorrichtung aufweist, müssen besondere Abwandlungen gemacht werden, um die Kontakt-Pads mit den externen Verbindungsvorrichtungen zu verbinden. Der elektrooptische Kristall, der auf einer Glasplatte angebracht sein kann, wird mit dem integrierten Schaltungschip verbunden. Ein Ultraschallverbinden oder das Zwei-Lagen-Metallverfahren können zum Verbinden des Kristalls mit dem Chip verwendet werden.
Für ein vollständigeres Verständnis wird nun die Erfindung im folgenden ausführlich in Verbindung mit den begleitenden Zeichnungen erläutert und beschrieben. In den Zeichnungen zeigen:
Fig. 1A, 1B und 1C eine Draufsicht, eine Vorderansicht und eine Seitenansicht eines elektrooptischen Modulators mit zwei Chips, der gemäß einer erfindungsgemäßen Ausführungsform aufgebaut ist;
Fig. 2 eine Draufsicht auf das Gehäuse für einen elektrooptischen Modulator mit einem einzigen Chip;
Fig. 3 eine Draufsicht auf das Gehäuse für einen elektrooptischen Modulator mit zwei Chips;
Fig. 4 eine isometrische Ansicht des Gehäuses für einen elektrooptischen Modulator mit zwei Chips;
Fig. 5 eine vergrößerte Ansicht für das in dem in der Fig. 1 gezeigten Modulator verwendete TAB-Kabel (tap automated bonding, automatisiertes Flachbandbonden);
Fig. 6A und 6B eine Draufsicht und eine Seitenansicht der den Kristall, die Chips und das Glas unterstützenden Unteranordnung, die in dem in der Fig. 1 dargestellten Modulator verwendet wird; und
Fig. 7A, 7B und 7C Draufsichten und Seitenansichten von anderen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung, die die Anordnung und Verwendung eines Substrats zeigen.
Die Fig. 1A, 1B und 1C sind jeweils eine Draufsicht, eine Vorderansicht und eine Seitenansicht der vorliegenden Erfindung und zeigen die tatsächliche Bauweise einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen elektrooptischen optimierten VLSI-Modulators. Diese Figuren zeigen ein typisches Keramikgehäuse 140 mit Standard-Eingangs-/Ausgangsstiften 150. Chips 110 und 112 sind als innerhalb des Keramikgehäuses angebracht zu sehen, wobei jedoch die Fig. 1A zeigt, daß sie versetzt und überlappend sind. Dies hat seinen Grund darin, ein kontinuierliches Überstreichen des Ausgabemediums ohne Unterbrechungen an einer Nahtstelle zu schaffen. Andererseits würde die ausgegebene Kopie einen weißen Streifen senkrecht auf der Seite aufweisen. Die Eigenheit des Versatzes ist aufgrund der Tatsache notwendig, da sich sonst die Herstellung der integrierten Schaltungschips nicht einer Ausbeute mit zufriedenstellendem Niveau annähern würde. Somit werden anstatt eines integrierten Ausgabeschaltkreises zwei Chips verwendet. Die Chips 110 und 112 sind an ihrem Platz gezeigt und weisen entweder Drahtbondverbindungen 175 oder TAB-Verbindungen 177 auf, die die Verbindungen 90 (Fig. 2) auf den integrierten Schaltungen 110 und 112 mit Eingangs-/Ausgangsstiften 150 des Gehäuses 140 für integrierte Schaltkreise verbinden. Jede Zuleitung auf dem Gehäuse 140 für integrierte Schaltkreise würde mit einem der Eingangs-/Ausgangsstifte 150 verbunden werden. Die integrierten Schaltungschips 110 und 112 würden in dem Gehäuse angebracht werden und die Zuleitungen zu ihren Kontaktflecken würden, wie oben dargelegt ist, mit den einzelnen Kontaktflecken des integrierten Schaltkreisgehäuses 140 verbunden werden. Der Kristall 100, die Glasunterstützung 180 und die ausgerichteten integrierten Schaltkreise 110 und 112 sind als direkt auf dem Keramikgehäuse 140 für integrierte Schaltungen montiert gezeigt. Klebstoffgebiete 182 sind gezeigt, die den Kristall mit der Oberseite des Gehäuses 140 für integrierte Schaltungen verbinden. Der Kristall 100, die Glasunterstützung 180 und die ausgerichteten integrierten Schaltkreise 110 und 112 sind normalerweise als eine Unteranordnung vorgesehen, wie es in den Fig. 6A und 6b gezeigt ist. Innerhalb des Keramikgehäuses 140 für integrierte Schaltungen wäre ein elastomeres Material 190 angeordnet. Dieser Elastomer schafft ein Mittel zum Anwenden von Druck, um einen gleichmäßigen Kontakt zwischen den Elektroden der integrierten Schaltungschips 110 und 112 mit dem Kristall 100 auf eine direkte Weise sicherzustellen. Ohne den Elastomer müßte der Schlitz in dem Gehäuse wie auch die unteren Oberflächen der integrierten Schaltungen 110 und 112 äußerst genau sein. Somit dient der Elastomer 190 dazu, einen gleichmäßigen Kontakt des Chips mit dem Kristall sicherzustellen, wobei geringere Anforderungen an die Toleranzen dieser Packung ermöglicht werden. Um die Drahtverbindungen 175 oder die TAB-Verbindungen 177 zu schützen, würde eine Kapselung 130 auf und um die Verbindungsgebiete und die Kanten des Kristalls 100 gelegt werden. Diese Kapselung könnte jegliche problemlos auf dem Markt erhältliche Kapselung mit gering beweglichen Ionen für integrierte Schaltkreise sein.
Die Fig. 2 zeigt eine Draufsicht auf ein VLSI-Gehäuse mit nur einem in dem Keramikgehäuse 140 angebrachten integrierten Schaltkreis 110. In der Vergrößerungsdarstellung in der Fig. 2 ist deutlich ein Ende des integrierten Schaltkreises 110 zu sehen, das die Eingangs- und Ausgangsverbindungen 90 enthält. Das andere Ende könnte ebenfalls Eingangs- und Ausgangsverbindungen haben, was jedoch nicht notwendig wäre. Es ist vorteilhaft, sämtliche Verbindungspunkte an einem Ende zu haben, da mit den Zuleitungen an einem Ende des integrierten Schaltkreises 110 mehr Platz auf dem Chip für die Elektroden verbleibt. In der Fig. 2 sind auch die Dimensionen für die Abstände der die integrierte Schaltung verbindenden Fassung gezeigt. Die Zuleitungskontaktflecken weisen eine Größe von 25 um mal 25 um auf.
Die Fig. 3 ist eine Draufsicht auf ein VLSI-Gehäuse, das zwei integrierte Schaltungen 110 und 112 enthält. Hier sind jedoch die integrierten Schaltkreise leicht versetzt und überlappend, so daß die letzte Elektrode des integrierten Schaltkreises 110 und die erste Elektrode des integrierten Schaltkreises 112 lediglich um 10 um getrennt sind, um einen kontinuierlich gerasterten Lichtstrahl auf der fotoempfindlichen Oberfläche sicherzustellen, um jegliche vertikale Streifenbildung auf einer Ausgabeseite zu eliminieren. Die Kontaktflecken für die Elektrodenverbindungspunkte würden sich an der linken oder außenseitigen Kante der integrierten Schaltung 110 und der rechten oder außenliegenden Kante des integrierten Schaltkreises 112 befinden.
Die Fig. 4 der vorliegenden Erfindung zeigt eine isometrische Ansicht des Gehäuses für den elektrooptischen VLSI-Modulator, das schematisch in der Fig. 3 gezeigt ist. In dem Keramikgehäuse 140 sind die Kontaktverbindungsflecken angebracht, die individuell mit den Kontaktflecken auf den integrierten Schaltungen verbunden werden. Die Verbindungspunkte auf dem Kontaktfleckbereich 160 würden mit den komplementären Verbindungspunkten auf den Kontaktfleckbereich der integrierten Schaltung 112 verbunden werden. Auf ähnliche Weise würden die Verbindungspunkte auf dem Kontaktfleckbereich 162 mit den komplementären Verbindungspunkten auf dem Kontaktfleckbereich auf der integrierten Schaltung 110 verbunden werden. Das Verfahren zum Verbinden der Kontakt-Pads des Gehäuses für integrierte Schaltungen 140 mit den komplementären Punkten auf der integrierten Schaltung wäre durch die meisten der bekannten Verfahren für die Fertigung von integrierten Schaltungen zu erhalten.
Die Fig. 5 zeigt eine vergrößerte Ansicht des Verbindungskabels für das automatisierte Flachbandbonden (TAB). Dies wird bei Verwendung eines mit Höckern versehenen Bandes dadurch ausgeführt, daß zuerst das TAB-Kabel mit dem Chip verbunden wird, so daß sämtliche Kontakt-Pads des Chips mit dem Kabel 177 verbunden sind. Die Chips werden dann ausgerichtet und an die Glas-/Kristallanordnung geklebt und mit dem Klebstoff an ihren Platz geklebt, wie oben dargelegt ist. Diese Unteranordnung wird dann in das VLSI-Gehäuse 180 gelegt (vgl. Fig. 1B) und gegen das Elastomer 190 gepreßt, bis der geeignete Druck erhalten wird. Die Kristall-/Glasanordnung wird dann mit der Oberseite des VLSI-Gehäuses mit einem Klebstoff 182 verbunden. Die äußeren Verbindungen des TAB-Kabels 177 werden dann an die Verbindungsflecken auf dem VLSI-Gehäuse 140 gebondet. Eine Kapselung 130 wird dann verwendet, um das Gebiet der Kontaktflecken um das TAB-Kabel abzudichten, um die VLSI-Vorrichtung abzudichten.
Die Fig. 6A und 6B zeigen, wie der elektrooptische Kristall 100 auf eine Glasunterstützung 180 zu kleben wäre, welche einen Schutz schafft und die Ebenheit des elektrooptischen Kristalls 100 aufrechterhält. Die integrierten Schaltungen 110 und 112 werden mit einem Satz von entsprechenden Elektroden 91 ausgerichtet, die auf der Kristalloberfläche gelegen sind und so eng wie möglich an dem Kristall 100 sein sollten, um zu ermöglichen, daß durch die Elektroden 91 eingeprägte Streufelder möglichst stark das Lithiumniobat oder einen gegebenenfalls anderen Kristall beeinflussen. Die einmal ausgerichteten integrierten Schaltungen werden an Ort und Stelle mit Klebstoff 185 festgeklebt, um sicherzustellen, daß die Elektroden der integrierten Schaltung die Ausrichtung zu den Kristallelektroden 91 beibehalten. Bei dem verwendeten Klebstoff 185 könnte es sich um jeden schnell anziehenden Klebstoff mit einem Gehalt an gering beweglichen Ionen handeln, der problemlos auf dem Markt erhältlich ist. Die Drahtverbindungen oder das TAB (automatisiertes Bandbonden) 177 sind gezeigt, die die elektrischen Kontaktflecken auf den integrierten Schaltungen mit den elektrischen Kontaktflecken auf dem Gehäuse 140 für integrierte Schaltungen verbinden würden.
Noch eine weitere Verbesserung der vorliegenden Erfindung könnte ein VLSI-Gehäuse verwenden, bei dem die Bodenplatte des Gehäuses nicht vorhanden ist. Somit sind der LSI-Chip oder die Chips 110, 112 auf einem geeignet flachen Substrat 200 angebracht, wie in den Fig. 7A und 7B gezeigt ist. Dann könnte der Kristall 100 ausgerichtet werden und auf die Chips gepreßt werden, wie oben in bezug auf die anderen Ausführungsformen erläutert wurde (vgl. Fig. 7C). In den obigen Ausführungsformen wären der Kristall und die integrierten Schaltkreise vorher ausgerichtet worden und dann in ein Gehäuse für integrierten Schaltkreise auf einer Schicht aus einem Elastomer eingefügt worden, um den Kontakt sämtlicher Elektroden 91 sicherzustellen. Hier werden jedoch die integrierten Schaltkreise und das Substrat in das hohle Gehäuse eingefügt (Fig. 7B), so daß gerade die Kanten davon die Kanten des offenen Bodenbereichs des VLSI-Gehäuses berühren. Der Kristall 100 wird dann zu den integrierten Schaltkreisen ausgerichtet und gegen sie gedrückt, bis sämtliche Elektroden auf dem Kristall und dem integrierten Schaltkreis in Kontakt kommen. Die Kapselung 130 kann dann in die Packung fließen, wodurch sichergestellt wird, daß ein dauerhafter Kontakt zwischen den integrierten Schaltungen und dem Kristall nach dem Zusammenbau erhalten bleibt.
Während die Erfindung in bezug auf bestimmten Ausführungsformen beschrieben worden ist, ist es dem Fachmann offensichtlich, daß verschiedene Änderungen möglich sind und daß Elemente der Erfindung durch Äquivalente ersetzt werden können, ohne den Bereich der Erfindung zu verlassen. Zusätzlich können viele Abwandlungen ausgeführt werden, ohne die wesentliche Lehre der Erfindung zu verlassen.

Claims

1. Ein elektrooptischer Modulator mit mehreren Steuereinheiten, der in einem Gehäuse für integrierte Schaltkreise aufgebaut ist, mit:

einem Gehäuse (140) für integrierte Schaltkreise,

wenigstens einer integrierten Schaltkreisvorrichtung (110), die eine Vielzahl von elektrisch leitfähigen ersten Elektroden, die zueinander in einem Abstand und in einem vorbestimmten Muster angeordnet sind, und eine Vielzahl von elektrischen Zuleitungsverbindungen (90) enthält, die mit Zuleitungsverbindungen (177, 175) des Gehäuses verbunden sind,

einem elektrooptischen Element (100) mit einer Schicht aus einem optisch transparenten elektrooptisch ansprechbaren Kristall, der eine Vielzahl von elektrisch leitfähigen zweiten Elektroden (91) enthält, die für einen Kontakt mit den ersten Elektroden auf der integrierten Schaltkreisvorrichtung geeignet ausgebildet sind, um dadurch zu ermöglichen, daß elektrische Felder in dem elektrooptisch ansprechbaren Kristall erzeugt werden, und

einer Schicht aus federndem, zusammengepreßtem Material (190) zum Anpressen der ersten Elektroden der integrierten Schaltkreisvorrichtung an die zweiten Elektroden des elektrooptischen Elements für einen im wesentlichen gleichförmigen Kontakt, dadurch gekennzeichnet, daß das Gehäuse (140) für integrierte Schaltungen eine flache obere Oberfläche und einen hohlen, in die flache Oberfläche reichenden Bereich umfaßt, wobei die Zuleitungsverbindungen (177, 175) des Gehäuses von innen aus dem hohlen Bereich des Gehäuses für integrierte Schaltungen ausgehen,

daß die integrierte Schaltkreisvorrichtung (110) in dem hohlen Bereich angebracht ist und unter einem vorbestimmten Aspekt in dem integrierten Schaltkreisgehäuse ausgerichtet ist,

daß das elektrooptische Element (100) auf der flachen Oberfläche angebracht ist und teilweise die Kante des hohlen Bereichs des Gehäuses überlappt,

daß die Schicht aus federndem Materials (190) zwischen dem Boden des hohlen Bereichs in dem Gehäuse (140) und der Unterseite der integrierten Schaltungsvorrichtung (110) zusammengedrückt ist, und

daß eine Schicht aus Glas (180) oder eine ähnliche Schutzvorrichtung auf der oberen Oberfläche des elektrooptischen Elements zum Schutz des elektrooptischen Elements angebracht ist.

2. Der elektrooptische Modulator mit mehreren Steuereinheiten nach Anspruch 1, der weiter eine Einrichtung (130) zur Kapselung enthält, die auf und um die Zuleitungsverbindungen (175) des Gehäuses und die Kanten des elektrooptischen Elements (100) angebracht ist.

3. Der elektrooptische Modulator mit mehreren Steuereinheiten nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Oberfläche des elektrooptisch ansprechbaren Kristalls mit den zweiten Elektroden innig mit der Oberfläche der integrierten Schaltkreisvorrichtung (110), die die elektrisch leitfähigen ersten Elektroden enthält, verbunden ist und wobei das Glas oder die andere Schutzvorrichtung (1180) innig mit der Kristallschicht verbunden ist.

4. Der elektrooptische Modulator mit mehreren Steuereinheiten nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Vielzahl der elektrischen Zuleitungsverbindungen an einem Ende der integrierten Schaltkreisvorrichtung vorgesehen sind.

5. Der elektrooptische Modulator mit mehreren Steuereinheiten nach einem der Ansprüche 1 bis 4, der weiter eine zweite integrierte Schaltkreisvorrichtung (112) enthält, die in dem hohlen Ausnehmungsbereich des Gehäuses für integrierte Schaltungen angebracht ist, wobei die erste und die zweite integrierte Schaltkreisvorrichtung (110, 112) im wesentlichen in Längsrichtung in dem Gehäuse für integrierte Schaltkreise angebracht sind, so daß die integrierten Schaltkreisvorrichtungen nahezu nebeneinanderliegende Enden aufweisen, die jedoch geringfügig von der Mitte des Gehäuses für integrierte Schaltkreise versetzt sind.

6. Der elektrooptische Modulator mit mehreren Steuereinheiten nach Anspruch 5, wobei die Enden der ersten und der zweiten integrierten Schaltkreisvorrichtung (110, 112) sich in ihren versetzten Lagen in dem Gehäuse für integrierte Schaltkreise etwas überlappen.

7. Der elektrooptische Modulator mit mehreren Steuereinheiten nach Anspruch 6, wobei die elektrischen Zuleitungsverbindungen auf der ersten und zweiten integrierten Schaltkreisvorrichtung an gegenüberliegenden Enden des Gehäuses für integrierte Schaltungen vorgesehen sind.