DE63493T1 - Verfahren und vorrichtung fuer die bearbeitung von werkstuecken mittels ionen. - Google Patents
Verfahren und vorrichtung fuer die bearbeitung von werkstuecken mittels ionen.Info
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Claims (28)
1. Verfahren zur Bearbeitung eines Werkstücks mit einem
Strahl von energiereichen Ionen, umfassend
Anordnen eines schlanken rohrförmigen Elements derart, daß sein offenes Ende in evakuierter Atmosphäre dem Werkstück
mit Abstand gegenüber steht, wobei ein kleiner Spalt einer Größe zwischen 10 und 1000 ym dazwischen vorhanden ist;
Versorgen des rohrförmigen Elements mit einem ionisierbaren Gas, um dieses durch das offene Ende in den Spalt zu leiten;
Anregen des zugeführten Gases zur Ausbildung von Ionen und Anlegen eines elektrischen Potentials an die so erzeugten
Ionen, um zu bewirken, daß diese in einem Strahl durch den kleinen Spalt angetrieben werden und auf einen begrenzten
Bereich der dem besagten offenen Ende gegenüberstehenden Werkstückoberfläche
auftreffen; und
Halten des Druckes in dem kleinen Spalt über dem Druck der den kleinen Spalt umgebenden Atmosphäre.
2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Spaltgröße nicht
größer ist als 5O ym.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Drucke der Atmosphäre und innerhalb des kleinen Spalts im Bereich zwischen
1O~ und 1O~4 Torr (13,3 χ 1O~5 und 13,3 χ 10~3 Pa) bzw. im
Bereich zwischen 1O~4 und 10~1 Torr (13,3 χ 1O~3 und 13,3 Pa)
gehalten werden.
4. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3, wobei der Druck in dem kleinen Spalt um mindestens eine Größenordnung Torr
über dem Druck der besagten Atmosphäre gehalten wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die Drucke durch kontinuierliche Zuführung des Gases in
das s chlanke Rohrelement bei kontinuierlicher Evakuierung der besagten Atmosphäre aufrecht erhalten werden.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei
das besagte ionisierbare Gas Argon und/oder Stickstoff und/oder Wasserstoff und/oder Sauerstoff ist.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei das ionisierbare Gas mindestens eine Substanz ist, die aus
der Gruppe ausgewählt ist, welche aus Fluor und Chlor enthaltenden polyhalogenierten Kohlenwasserstoffen; Fluoriden;
und Chloriden besteht.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, weiterhin umfassend das Anlegen eines magnetischen Feldes einer magnetischen
Flußdichte über 500 Gauss (0,05 T) an die Ionen in dem Bereich des kleinen Spaltes, um die Streuung der auf das Werkstück
in dem kleinen Spalt auftreffenden Ionen in gesteuerter
Weise zu ermöglichen.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, weiterhin
umfassend die relative Verschiebung des Werkstücks und des schlanken rohrförmigen Elements in einer zur Längsachse
des schlanken rohrförmigen Elements im wesentlichen senkrechten Ebene längs einer vorgeschriebenen Bahn, um die besagte Oberfläche
in tastender Weise über einen vorgegebenen Bereich nach und nach zu bearbeiten.
10. Verfahren nach -einem der Ansprüche 1 bis 9, weiterhin
umfassend die Verschiebung des schlanken rohrförmigen Elements relativ zu dem Werkstück in Richtung der Längsachse des schlanken
rohrförmigen Elements, um die besagte Spaltgröße im
wesentlichen konstant zu halten.
■v
11. Verfahren nach Anspruch 10, weiterhin umfassend die
elektrische Abtastung der Spaltgröße zur Erzeugung eines Steuersignals und in Abhängigkeit von diesem Steuersignal
die axiale Verschiebung des schlanken rohrförmigen Elements in Richtung des Werkstücks, um die Spaltgröße im wesentlichen
auf einem vorgegebenen Wert zu halten.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei das schlanke rohrförmige Element mindestens teilweise aus
elektrisch leitfähigem Material aufgebaut ist, um eine Elektrode eines Elektrodenpaars bezüglich des die andere Elektrode
darstellenden Werkstücks zum Aufbau eines elektrischen Potentials dazwischen zu bilden.
13. Verfahren nach Anspruch 12, wobei das schlanke rohrförmige Element mindestens in einem Teil des offenen Endes
aus dem die besagte eine Elektrode bildenden elektrisch leitfähigen Material aufgebaut ist.
14. Verfahren nach Anspruch 13, wobei die Ionen innerhalb des kleinen Spalts unter dem besagten elektrischen Potential
gebildet werden.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 14, wobei
das elektrische Potential zwischen 1 und 10 kV liegt.
16. Vorrichtung zur Bearbeitung eines Werkstücks mit einem
Ionenstrahl, umfassend
ein mit einer Einlaßleitung in Verbindung stehendes schlankes rohrförmiges Element mit einem offenen Ende;
Mittel zur Positionierung des schlanken rohrförmigen Elements derart, daß das offene Ende in evakuierter Atmosphäre
dem Werkstück in Abstand gegenübersteht, wobei ein kleiner Spalt einer Größe zwischen 10 und 1000 pm vorhanden ist;
Q063A93
Mittel zur Zuführung von ionisierbarem Gas durch die Einlaßleitung in das schlanke rohrförmige Element und Leitung
des Gases durch das besagte offene Ende in den kleinen Spalt;
Mittel zur Anregung des zugeführten Gases zur Bildung von Ionen und Anlegen eines elektrischen Potentials an die
so gebildeten Ionen, um zu bewirken, daß diese in einem Strahl durch den schmalen Spalt angetrieben werden und auf
einen begrenzten Bereich der dem offenen Ende gegenüberstehenden Werkstückoberfläche auftreffen; und
Mittel zum Halten des Druckes in dem kleinen Spalt über dem Druck der den kleinen Spalt umgebenden Atmosphäre.
17. Vorrichtung nach Anspruch 16, wobei das zuletzt genannte
Mittel einen Behälter zur Aufnahme des Werkstücks und mindestens eines Teils des offenen Endes des schlanken rohrförmigen Elementes
sowie ein Vakuumpumpen-Mittel zum Halten des Druckes der Atmosphäre innerhalb des Behälters in einem Bereich
ζwische
umfaßt.
umfaßt.
zwischen 10 6 und 10 4 Torr (13,3 χ 10 5 und 13,3 χ 10 3 Pa)
18. Vorrichtung nach Anspruch 17, wobei das Zuführmittel
ein einen Teil des Mittels zur Druckerhaltung bildendes Ventil-Mittel umfaßt, das zwischen der Einlaßleitung und einer Quelle
des besagten Gases angeordnet ist, wobei das Ventil-Mittel derart einstellbar ist, daß der Druck innerhalb des kleinen
— 4 Spalts im Bereich zwischen 10 ι 13,3 Pa) aufrecht erhalten wird.
—4 -1 -3
Spalts im Bereich zwischen 10 und 10 Torr (13,3 χ 10 und
19. Vorrichtung nach Anspruch 18, ferner umfassend ein
auf eine Änderung des Druckes in dem kleinen Spalt ansprechendes Mittel zur Steuerung des Vakuumpumpen-Mittels und/oder
des Ventil-Mittels.
20. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 16 bis 19, ferner
umfassend ein auf eine Änderung der besagten Spaltgröße an-
sprechendes Mittel zur Relativverschiebung des schlanken rohrförmigen
Elements und des Werkstücks, um die besagte Spaltgröße im wesentlichen auf einem vorgegebenen Wert zu halten.
21. Vorrichtung nach Ansprüchen 16 bis 20, ferner umfassend
ein Mittel zur Relativverschiebung des Werkstücks und des schlanken rohrförmigen Elements in einer zur Längsachse des
schlanken rohrförmigen Elements im wesentlichen senkrechten Ebene längs einer vorgeschriebenen Bahn, um die Werkstückoberfläche
in tastender Weise über einen vorgegebenen Bereich nach und nach zu bearbeiten.
22. Vorrichtung nach Ansprüchen 16 bis 21, wobei das schlanke rohrförmige Element mindestens teilweise aus einem elektrisch
leitfähigen Material aufgebaut ist, um eine Elektrode eines Elektrodenpaares bezüglich des die andere Elektrode darstellenden
Werkstücks zur Ausbildung des besagten elektrischen Potentials dazwischen zu bilden.
23. Vorrichtung nach Anspruch 22, wobei das besagte rohrförmige Element mindestens in einem Teil des offenen Endes
aus dem die besagte eine Elektrode bildenden elektrisch leitfähigen Material aufgebaut ist. .
24. Vorrichtung nach Anspruch 22 oder 23, wobei die besagte eine Elektrode als Anode und die besagte andere Elektrode als
Kathode gepolt ist.
25. Vorrichtung nach Ansprüchen 16 bis 24, wobei das schlanke
rohrförmige Element einen Innendurchmesser im Bereich zwischen 0,1 und 0,5 mm hat.
26. Vorrichtung nach Ansprüchen 16 bis 25, ferner umfassend ein Mittel zum Anlegen eines Magnetfeldes einer Magnetflußdichte
über 500 Gauss (0,05 T) an den Ionenstrahl im Bereich des kleinen Spaltes, um eine Streuung der auf das Werkstück
auftreffenden Ionen in gesteuerter Weise zu ermöglichen.
27. Erzeugnis, hergestellt nach einem Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 15.
28. Erzeugnis, hergestellt unter Verwendung einer Vorrichtung nach einem der Ansprüche 16 bis 26.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56059992A JPS57174467A (en) | 1981-04-20 | 1981-04-20 | Ion working device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE63493T1 true DE63493T1 (de) | 1983-04-14 |
Family
ID=13129165
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE8282302006T Expired DE3265982D1 (en) | 1981-04-20 | 1982-04-20 | Ion-processing method and apparatus and a product made thereby |
DE198282302006T Pending DE63493T1 (de) | 1981-04-20 | 1982-04-20 | Verfahren und vorrichtung fuer die bearbeitung von werkstuecken mittels ionen. |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE8282302006T Expired DE3265982D1 (en) | 1981-04-20 | 1982-04-20 | Ion-processing method and apparatus and a product made thereby |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4461954A (de) |
EP (1) | EP0063493B1 (de) |
JP (1) | JPS57174467A (de) |
DE (2) | DE3265982D1 (de) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2146170B (en) * | 1983-08-18 | 1988-08-10 | Jeol Ltd | Ion source for mass spectrometer or the like |
JPS62503064A (ja) * | 1985-05-17 | 1987-12-03 | エアー・プロダクツ・アンド・ケミカルズ・インコーポレーテッド | テトラフルオロホウ酸塩を用いるイオン注入 |
US4680474A (en) * | 1985-05-22 | 1987-07-14 | Varian Associates, Inc. | Method and apparatus for improved ion dose accuracy |
JPS63119237A (ja) * | 1986-11-06 | 1988-05-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | エツチング方法 |
DE3852357T2 (de) * | 1987-08-10 | 1995-04-27 | Semiconductor Energy Lab | Dünnfilmkohlewerkstoff und Verfahren zum Aufbringen. |
US5290382A (en) * | 1991-12-13 | 1994-03-01 | Hughes Aircraft Company | Methods and apparatus for generating a plasma for "downstream" rapid shaping of surfaces of substrates and films |
US5336355A (en) * | 1991-12-13 | 1994-08-09 | Hughes Aircraft Company | Methods and apparatus for confinement of a plasma etch region for precision shaping of surfaces of substances and films |
US5449920A (en) * | 1994-04-20 | 1995-09-12 | Northeastern University | Large area ion implantation process and apparatus |
US8779322B2 (en) | 1997-06-26 | 2014-07-15 | Mks Instruments Inc. | Method and apparatus for processing metal bearing gases |
US6815633B1 (en) | 1997-06-26 | 2004-11-09 | Applied Science & Technology, Inc. | Inductively-coupled toroidal plasma source |
US6150628A (en) | 1997-06-26 | 2000-11-21 | Applied Science And Technology, Inc. | Toroidal low-field reactive gas source |
US7569790B2 (en) * | 1997-06-26 | 2009-08-04 | Mks Instruments, Inc. | Method and apparatus for processing metal bearing gases |
US6388226B1 (en) | 1997-06-26 | 2002-05-14 | Applied Science And Technology, Inc. | Toroidal low-field reactive gas source |
US7166816B1 (en) * | 1997-06-26 | 2007-01-23 | Mks Instruments, Inc. | Inductively-coupled torodial plasma source |
US6486072B1 (en) * | 2000-10-23 | 2002-11-26 | Advanced Micro Devices, Inc. | System and method to facilitate removal of defects from a substrate |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL130959C (de) * | 1965-12-17 | |||
GB1194415A (en) * | 1967-07-03 | 1970-06-10 | United States Borax Chem | High Temperature Chemical Reaction and Apparatus therefor |
US3407281A (en) * | 1967-09-20 | 1968-10-22 | Cabot Corp | Plasma producing apparatus |
US3738828A (en) * | 1970-07-31 | 1973-06-12 | K Inoue | Method of powder activation |
DE2153695C3 (de) * | 1971-10-28 | 1974-05-22 | Steigerwald Strahltechnik Gmbh, 8000 Muenchen | Verfahren und Einrichtung zur Regelung des Strahlstroms in technischen Ladungsträgerstrahlgeräten, insb. Elektronenstrahl-Materialbearbeitungsmaschinen |
US3790155A (en) * | 1972-07-17 | 1974-02-05 | Radiant Energy Systems | X-y table for vacuum systems |
US3925670A (en) * | 1974-01-16 | 1975-12-09 | Systems Science Software | Electron beam irradiation of materials using rapidly pulsed cold cathodes |
FR2294489A1 (fr) * | 1974-12-13 | 1976-07-09 | Thomson Csf | Dispositif pour le trace programme de dessins par bombardement de particules |
US4118630A (en) * | 1977-05-05 | 1978-10-03 | International Business Machines Corporation | Ion implantation apparatus with a cooled structure controlling the surface potential of a target surface |
JPS5623745A (en) * | 1979-08-01 | 1981-03-06 | Hitachi Ltd | Plasma etching device |
US4323589A (en) * | 1980-05-07 | 1982-04-06 | International Business Machines Corporation | Plasma oxidation |
JPS5751265A (en) * | 1980-09-10 | 1982-03-26 | Hitachi Ltd | Microwave plasma etching device |
EP0056899A1 (de) * | 1980-12-04 | 1982-08-04 | Dubilier Scientific Limited | Gasionenquelle |
US4374694A (en) * | 1981-06-22 | 1983-02-22 | Lord Corporation | Method for bonding elastomers to metals |
-
1981
- 1981-04-20 JP JP56059992A patent/JPS57174467A/ja active Granted
-
1982
- 1982-04-19 US US06/369,542 patent/US4461954A/en not_active Expired - Lifetime
- 1982-04-20 EP EP82302006A patent/EP0063493B1/de not_active Expired
- 1982-04-20 DE DE8282302006T patent/DE3265982D1/de not_active Expired
- 1982-04-20 DE DE198282302006T patent/DE63493T1/de active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS57174467A (en) | 1982-10-27 |
EP0063493A2 (de) | 1982-10-27 |
DE3265982D1 (en) | 1985-10-10 |
JPS6328994B2 (de) | 1988-06-10 |
US4461954A (en) | 1984-07-24 |
EP0063493A3 (en) | 1982-12-08 |
EP0063493B1 (de) | 1985-09-04 |
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