DE4438407C2 - VUV-Lampe - Google Patents
VUV-LampeInfo
- Publication number
- DE4438407C2 DE4438407C2 DE19944438407 DE4438407A DE4438407C2 DE 4438407 C2 DE4438407 C2 DE 4438407C2 DE 19944438407 DE19944438407 DE 19944438407 DE 4438407 A DE4438407 A DE 4438407A DE 4438407 C2 DE4438407 C2 DE 4438407C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- lamp according
- film
- generated
- emission
- electrons
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 23
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 20
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 13
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 12
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 7
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 claims description 2
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002835 noble gases Chemical class 0.000 description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical compound [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003679 aging effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004240 magnesium diglutamate Substances 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J63/00—Cathode-ray or electron-stream lamps
- H01J63/02—Details, e.g. electrode, gas filling, shape of vessel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J63/00—Cathode-ray or electron-stream lamps
- H01J63/08—Lamps with gas plasma excited by the ray or stream
Landscapes
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
- Discharge Lamp (AREA)
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft eine VUV-Lampe, bei der in
einem zumindest teilweise lichtdurchlässigen, gasgefüllten
Emissionsraum durch Elektronenstrahlanregung eine
Excimerstrahlung erzeugt wird und die von einer
Elektronenquelle erzeugten Elektronen durch eine dünne Folie
in den Emissionsraum eintreten.
Im vakuumultravioletten Spektralbereich benötigt man für
Laboranwendungen, wie beispielsweise zur Kalibrierung der
Empfindlichkeit von Detektoren, sowie zur Messung der
Transmission bzw. Reflexion von Materialien geeignete
Lichtquellen. Hierbei sind für diesen Spektralbereich bislang
kommerziell praktisch nur Deuteriumbogenlampen erhältlich.
Die Lichtintensität der Kontinuumstrahlung derartiger
Deuteriumlampen fällt jedoch zu kurzen Wellenlängen hin stark
ab, wobei die Strahlung von schmalbandiger Linienstrahlung
überlagert wird. Eine derartige Linienstrahlung wirkt sich
jedoch bei Kalibrier- und Transmissionsmessungen aufgrund des
dadurch erforderlichen hohen dynamischen Bereiches der
Detektorempfindlichkeit sehr störend aus. Zudem brennen
Lichtbögen nie ausreichend stabil und führen durch die großen
in der Lampe umgesetzten Leistungen zu Alterungseffekten in
diesen Lichtquellen.
Aus der GB-Zeitschrift J. Phys. B 17 (1984) 2057-2074 ist ein
Versuchsaufbau mit einem Hochleistungslaser bekannt, der zur
Grundlagenforschung mit Excimerstrahlung dient. Hierbei ist
eine Strahlenergie von 1,75 MeV angesprochen.
Aus der JP 63-16546 (A) in Patents abstracts of Japan E-625
June 23, 1988 Vol. 12/No. 221 ist eine Lichtquelle bekannt,
die eine Auslaßöffnung für einen Elektronenstrahl und ein
lichtemittierendes Element aufweist. Zur Kühlung sind eine
Kühlrippe und ein thermoelektrisches Kühlelement mit der
Elektronenstrahlquelle verbunden.
Aus der US 4,494,036 ist eine dünne auf Siliziumbasis
hergestellte Folie bekannt, die als Elektronenstrahlfenster
dient. Dieses Elektronenstrahlfenster wird bevorzugt bei
thermischen Tintenstrahldruckern eingesetzt.
Schließlich ist aus der JP 60-136157 (A) in Patents abstracts
of Japan E-360 November 21, 1985 Vol. 9/No. 295 eine
Lumineszenzelektronenröhre bekannt, bei der die Innenfläche
des Außenrohres mit einem Leuchtstoff beschichtet ist.
Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine VUV-Lampe
der eingangs genannten Art mit zeitlich stabiler
Excimerstrahlung und stabiler Emissionscharakteristik zu
schaffen.
Die Lösung dieser Aufgabe erfolgt durch die Merkmale des
Patentanspruchs 1.
Mit einer derartigen Vorrichtung ist eine Lichtquelle
geschaffen, bei der mit Hilfe von niederenergetischen
Elektronen eine breitbandige Lichtemission im
vakuumultravioletten Spektralbereich (VUV) erzeugt werden
kann. Hierbei werden Elektronen mit einer Energie im Bereich
von 5 keV-40 keV erzeugt, die auf einfache Weise und mit
einer zeitlich stabilen Stromstärke erzeugt werden können. Die
Lichtemission beruht dabei auf der Excimeremission von
Edelgasen, die bei der Abbremsung der Elektronen in dichtem
Gas entsteht. Durch die erfindungsgemäß vorgesehene dünne
Folie, die auf Siliziumbasis hergestellt ist, kann der
Emissionsraum von der Elektronenquelle räumlich getrennt
werden, wobei der Energieverlust der Elektronen (10 keV) in
der Folie nur ca. 1% der Gesamtenergie der Elektronen
beträgt.
Die auftretende Excimeremission tritt bei
Elektronenstrahlanregung von Edelgasen auf, die unter einem
Druck von 0,2 bar und mehr stehen. Hierbei tritt eine
Intensive Lichtemission im vakuumultravioletten
Spektralbereich (Wellenlänge kleiner 200 nm) durch Emission
der Excimerkontinua auf. Bei höheren Drücken, ab ca. 1 bar,
wird die Emission vom sogenannten 2. Kontinuum dominiert, bei
dem die Lichtausbeute bis zu 40% betragen kann. Bisherige
Methoden zur Produktion von Excimeremission, wie Anregung mit
hochenergetischen Elektronenstrahlen (vgl. z. B. R. Sauerbrey,
F. Emmert, H. Langhoff, "Fluorescence and absorption in
electron-beam excited argon" J. Phys. B 17 (1984) 2057-2074),
hochenergetischen Schwerionenstrahlen (vgl. z. B. A. Ulrich,
H.J. Körner, W. Krötz, G. Ribitzki, "Heavy ion excitation of
rare gas excimers", J. Appl. Phys. 62 (1987) 357-361),
Röntgenstrahlanregung (vgl. z. B. Proceedings XXI International
Conference on Phenomena in Ionized Gases, vol. III, Bochum,
19-24 September 1993, hierin besonders S. 237-244: J.M. Pouvesle et al.,
Energetic High Repetition Rate Flash X-Ray Source: Application
to UV-VUV Fluorescence Studies in High Pressure Gases) oder
nuclear gepumpte Plasmen (vgl. z. B. M.G. Anuchin, K.F.
Crebenkin, V.A. Kryzhanovskii, E.P. Magda, Sov. Tech. Phys.
Lett. (USA) 18 (1992) 164-165) sind nur unter hohem
experimentellen Aufwand realisierbar. Andere Methoden, wie
stille Entladungen (vgl. z. B. U. Kogelschatz, Silent-discharge
driven excimer UV sources and their applications, Appl. Surf.
Sci. 54 (1992) 410-423) oder Excimeremission aus einer
Düsenentladung (vgl. z. B. P. Dube, T. Eftimiopoulos, M.J.
Kiik, B.P. Stoicheff, Supersonic cooling of rare gas excimers
excited in dc discarges, Opt. Lett. 16 (1991) 1887-1889) sind
aufgrund ihrer zeitlichen und räumlichen
Emissionscharakteristik speziell für Kalibrierzwecke
ungeeignet.
Bei Excimern handelt es sich um zweiatomare Moleküle, die nur
im angeregten Zustand existieren. Wenn diese wieder zerfallen,
ist dies mit Lichtemission verbunden. Als geeignete Gase
kommen beispielsweise Edelgase in Frage. Bei einer Mischung
von Gasen können Excimerkontinua aller Komponenten auftreten,
wobei die Intensität aufgrund von Energietransferprozessen von
dem Mischungsverhältnis der Gase abhängt. Durch Zugabe von
kleinen Mengen eines schwereren Edelgases kann eine intensive
Emission der Kontinua dieser Beimengung erzielt werden. Gerade
durch eine Trennung von Elektronenerzeugung und Lichtemission
sind beliebige Gasmischungen ohne die Probleme möglich, die
eine elektrische Gasentladung in diesem Fall aufweisen würde,
wie z. B. veränderte Zündeigenschaften. Bei der hier
vorgeschlagenen Elektronenstrahlanregung ist eine stabile
Emissionscharakteristik in jedem Fall gewährleistet.
Die mit der erfindungsgemäßen Lichtquelle erzeugte Strahlung
stellt eine breitbandige Lichtemission dar, bei der aufgrund
der Excimeremissionsbänder auch bei kurzen Wellenlängen noch
eine hohe Lichtintensität vorhanden ist.
Vorteilhafte Ausführungsformen der Erfindung sind durch die
Unteransprüche gekennzeichnet.
Nach einer Ausbildung der Erfindung kann die Folie aus
Siliziumnitrid, Siliziumkarbid oder Polysilizium hergestellt
sein. Eine solche Folie läßt sich mit mikromechanischen
Methoden, beispielsweise durch chemical vapor deposition (CVD)
und selektives Ätzen oder ähnliches herstellen und ist
grundsätzlich bekannt (vgl. hierzu "Thin
film processes", J.L. Vossen and W. Kern, New York, Academic
Press, 1978, und hierin insbesondere den Beitrag "Chemical
vapor deposition of inorganic thin films" von W. Kern und V.S.
Ban).
Vorzugsweise kann die Folie eine Dicke von 100 bis 300 nm,
insbesondere 200 nm aufweisen. Hierdurch ist der
Energieverlust der durchtretenden Elektronen außerordentlich
gering.
Nach einer weiteren Ausbildung der Erfindung herrscht in dem
Emissionsraum vorzugsweise ein Druck von 2 bar. Durch einen
solchen relativ hohen Gasdruck wird die Lichtausbeute groß, da
die Bildungsrate der Excimermoleküle quadratisch mit dem Druck
ansteigt.
Nach einer weiteren Ausbildung der Erfindung kann der
Emissionsraum zumindest teilweise mit einem Szintillator
versehen sein. Hierdurch kann eine Emission bei längeren
Wellenlängen außerhalb des VUV-Bereiches erreicht werden, so
daß die erfindungsgemäße Lichtquelle auch auf vorteilhafte
Weise im sichtbaren Spektralbereich, beispielsweise als
herkömmliche Haushaltslampe, eingesetzt werden kann.
Als Elektronenquelle können herkömmliche Glühemissionskathoden
und auch Feldemissionskathoden verwendet werden.
Nach einer weiteren Ausbildung der Erfindung kann die Folie
Stützstrukturen aufweisen, die beispielsweise die Form von
Stegen besitzen, so daß in der Folie einzelne Fenster gebildet
sind. Hierdurch läßt sich insgesamt ein großer
Durchtrittsbereich für die Elektronen erzeugen, ohne daß die
Stabilität dieses Folienbereiches leidet. Die gesamte
Lichtausgangsleistung wird somit proportional zur Fläche
gesteigert. Die erfindungsgemäße Lichtquelle kann vorzugsweise
als Eichlampe eingesetzt werden, da die erzeugten
Spektralbereiche keine Linienstrahlung aufweisen.
Nachfolgend wird eine Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung rein beispielhaft unter Bezugnahme auf die
beigefügten Zeichnungen beschrieben.
Es zeigen:
Fig. 1 einen Querschnitt durch eine Lichtquelle gemäß
der Erfindung; und
Fig. 2 ein beispielhaftes Spektrum der Lichtquelle von
Fig. 1, wobei Argongas angeregt wurde.
Fig. 1 zeigt schematisch den Aufbau der Lichtquelle gemäß der
Erfindung. Die Lichtquelle besteht aus einem gasgefüllten
Gefäß 10, das ein optisches Fenster 12 aufweist, welches
lichtdurchlässig ist. Für Anwendungen der Lichtquelle im
vakuumvioletten Spektralbereich ist das Fenstermaterial
vorzugsweise Magnesiumfluorid (MgF₂), Lithiumfluorid (LiF),
oder Quarz. Die Rückseite des optischen Fensters 12 kann
gegebenenfalls mit einem Szintillator 14 beschichtet sein.
Durch jeweils einen Einlaßstutzen 16 und einen Auslaßstutzen
18 kann der Emissionsraum 10 mit Gas gefüllt werden, welches
unter Druck steht.
An dieser Stelle sei bemerkt, daß der Emissionsraum
selbstverständlich auch die Form herkömmlicher
Leuchtstofflampen oder Glühbirnen o. ä. annehmen kann.
Ein Bereich des Emissionsraumes ist mit einer dünnen Folie 20
verschlossen, die einen Eintritt von Elektronen in das
Entladungsgefäß 10 ermöglicht. Hierbei weist die Folie 20, die
stark vergrößert dargestellt ist, mehrere Stützstrukturen 22
auf, die zur erhöhten Stabilität beitragen.
Eine nicht dargestellte Elektronenquelle erzeugt Elektronen
einer Energie von ca. 10 keV unter einem Vakuum von ca.
10-7 mbar.
Hierbei ist die Elektronenquelle derart angeordnet, daß die
erzeugten Elektronen, die in Fig. 1 mit Pfeilen 24 angedeutet
sind, durch die Folie 20 in den Emissionsraum 10 eintreten
können. Hierdurch wird in dem Emissionsraum 10 ein leuchtendes
Gasvolumen 26 erzeugt.
Die verwendete Folie 20 ist ca. 300 nm dick und besteht aus
Siliziumnitrid. Die in dem dargestellten Ausführungsbeispiel
verwendete Folie ist quadratisch und besitzt eine Kantenlänge
von 2 mm. Hierbei ist die Folie Bestandteil einer ca. 5 × 5 mm
großen Siliziumscheibe. Als Anregungsgas eignen sich die
folgenden Edelgase, wobei die entsprechenden
Wellenlängenbereiche in nm angegeben sind:
Helium 60-100
Neon 80-100
Argon 105-280 (incl. 3. Kontinuum)
Krypton 125-155
Xenon 150-190.
Helium 60-100
Neon 80-100
Argon 105-280 (incl. 3. Kontinuum)
Krypton 125-155
Xenon 150-190.
Durch die Excimerkontinua der genannten Gase wird der
Spektralbereich von 120 nm bis 200 nm praktisch vollständig
abgedeckt.
Fig. 2 zeigt beispielhaft ein Spektrum von Argon, das bei der
in Fig. 1 dargestellten Vorrichtung gemessen wurde, wobei der
Gasdruck in dem Entladungsgefäß 1 bar beträgt.
Durch die Verwendung von fluoreszierenden Materialien als
Szintillator 14 läßt sich die erzeugte Strahlung in sichtbares
Licht umwandeln. Hierbei kann der Emissionsraum beispielsweise
wie eine herkömmliche Leuchtstofflampe ausgebildet sein, die
einen mit der dünnen Folie verschlossenen Eintrittsbereich für
die Elektronen aufweist.
Die Betriebsbedingungen der erfindungsgemäßen Vorrichtung
können durch die Wahl der Gase, deren Druck, beziehungsweise
Mischung, so eingestellt werden, daß über weite Bereiche des
Spektrums nur geringe Intensitätsunterschiede der
Lichtemission auftreten. Durch die externe Erzeugung des
Elektronenstrahls niedriger Leistung können zeitlich sehr
stabile Lichtausgangsleistungen erzeugt werden.
Selbstverständlich kann die Lampe durch Pulsen des
Elektronenstrahles zeitlich gepulst betrieben werden, wobei
die Leistung im Puls entsprechend dem Tastverhältnis im
Bereich der technischen Grenzen (spontane Zerstörungsschwelle
der Folie) erhöht werden kann.
Auch wenn die beschriebene Ausführungsform nur eine relativ
kleine Folienfläche aufweist, können bei höheren benötigten
Leistungen wesentlich größere Folienflächen hergestellt
werden, wobei das Ausgangsmaterial des Siliziumwafers als
Stützstruktur 22 dienen kann.
Bei dem in Fig. 2 dargestellten Spektrum wurde Argon unter
einem Druck von 1 bar mit 10 keV Elektronen unter einer
Stromdichte von 1 nA/mm² angeregt. Wie Fig. 2 deutlich zeigt,
wird ein sehr breiter spektraler Bereich der Lichtemission
erzeugt, wobei bei 128 nm das sog. 2. Excimerkontinuum und bei
155 nm der sog. linke Umkehrpunkt liegt. Oberhalb von 190 nm
überlagert sich das sog. 3. Excimerkontinuum mit einer
Fluoreszenz der verwendeten Siliziumnitridfolie in der
Lichtquelle.
Claims (12)
1. VUV-Lampe, bei der in einem zumindest teilweise
lichtdurchlässigen, gasgefüllten Emissionsraum durch
Elektronenstrahlanregung eine Excimerstrahlung erzeugt
wird und die von einer Elektronenquelle erzeugten
Elektronen durch eine dünne Folie in den Emissionsraum
eintreten, dadurch gekennzeichnet, daß
die Elektronenquelle eine Elektronenenergie von 5 bis
40 keV erzeugt und die dünne Folie (20) aus Silizium
oder einer Siliziumverbindung besteht.
2. Lampe nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die
Folie (20) aus Siliziumnitrid, Siliziumkarbid oder
Polysilizium hergestellt ist.
3. Lampe nach zumindest einem der vorstehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß in dem Emissionsraum (10)
ein Druck von 0,5 bis 30 bar, vorzugsweise 2 bar,
vorhanden ist.
4. Lampe nach zumindest einem der vorstehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß der Emissionsraum (10)
zumindest teilweise mit einem Szintillator (14) versehen
ist.
5. Lampe nach zumindest einem der vorstehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die Folie (20) eine Dicke
von 100-300 nm, vorzugsweise 200 nm, aufweist.
6. Lampe nach zumindest einem der vorstehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die Energie der erzeugten
Elektronen (24) 20 keV beträgt.
7. Lampe nach zumindest einem der vorstehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß das in dem Emissionsraum
(10) befindliche Gas zumindest eines aus der Gruppe
Helium, Neon, Argon, Krypton und Xenon ist.
8. Lampe nach zumindest einem der vorstehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß in der Elektronenquelle ein
Druck von ca. 10-7 mbar vorhanden ist.
9. Lampe nach zumindest einem der vorstehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die Stromdichte des
Elektronenstrahles in der Elektronenquelle ca. 5 nA/mm²
beträgt.
10. Lampe nach zumindest einem der vorstehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die Folie (20)
Stützstrukturen (22) aufweist.
11. Lampe nach zumindest einem der vorstehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die Elektronen durch
Feldemission erzeugbar sind.
12. Verwendung einer Lampe nach zumindest einem der
vorstehenden Ansprüche als Eichlampe.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19944438407 DE4438407C2 (de) | 1994-10-27 | 1994-10-27 | VUV-Lampe |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19944438407 DE4438407C2 (de) | 1994-10-27 | 1994-10-27 | VUV-Lampe |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4438407A1 DE4438407A1 (de) | 1996-05-02 |
DE4438407C2 true DE4438407C2 (de) | 1996-09-19 |
Family
ID=6531849
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19944438407 Expired - Fee Related DE4438407C2 (de) | 1994-10-27 | 1994-10-27 | VUV-Lampe |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE4438407C2 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6052401A (en) * | 1996-06-12 | 2000-04-18 | Rutgers, The State University | Electron beam irradiation of gases and light source using the same |
DE102013014675A1 (de) | 2013-09-04 | 2015-03-05 | Jochen Wieser | Ultraviolettlichtquelle |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10132823C2 (de) * | 2001-07-06 | 2003-05-15 | Tuilaser Ag | Verwendung einer Lichtquelle zur Behandlung einer Hautkrankheit |
DE10210045C1 (de) * | 2002-03-07 | 2003-05-08 | Philips Corp Intellectual Pty | Lichtquelle und Verfahren zur Herstellung einer Folie für die Lichtquelle |
DE102015202177A1 (de) * | 2015-02-06 | 2016-08-11 | Siemens Aktiengesellschaft | Elektronenstoß-Lichtquelle |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4494036A (en) * | 1982-11-22 | 1985-01-15 | Hewlett-Packard Company | Electron beam window |
US4591756A (en) * | 1985-02-25 | 1986-05-27 | Energy Sciences, Inc. | High power window and support structure for electron beam processors |
-
1994
- 1994-10-27 DE DE19944438407 patent/DE4438407C2/de not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6052401A (en) * | 1996-06-12 | 2000-04-18 | Rutgers, The State University | Electron beam irradiation of gases and light source using the same |
US6282222B1 (en) | 1996-06-12 | 2001-08-28 | Rutgers, The State University | Electron beam irradiation of gases and light source using the same |
DE102013014675A1 (de) | 2013-09-04 | 2015-03-05 | Jochen Wieser | Ultraviolettlichtquelle |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE4438407A1 (de) | 1996-05-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE112010000850B4 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Aufrechterhalten und Erzeugen eines Plasmas | |
Hinnov et al. | Electron-ion recombination in dense plasmas | |
DE69731136T2 (de) | Quecksilberlose Ultraviolett-Entladungsquelle | |
Camacho et al. | Optical emission studies of nitrogen plasma generated by IR CO2 laser pulses | |
Merbahi et al. | Luminescence of argon in a spatially stabilized mono-filamentary dielectric barrier micro-discharge: spectroscopic and kinetic analysis | |
Yatom et al. | Recent studies on nanosecond-timescale pressurized gas discharges | |
Penzkofer et al. | Generation of single picosecond and subpicosecond light pulses | |
DE4438407C2 (de) | VUV-Lampe | |
EP0398995B1 (de) | Plasma-röntgenröhre, insbesondere zur röntgen-vorionisierung von gaslasern, und verwendung als elektronenkanone | |
Hooker et al. | Progress in vacuum ultraviolet lasers | |
Kurunczi et al. | Measurement of rotational temperatures in high-pressure microhollow cathode (MHC) and capillary plasma electrode (CPE) discharges | |
EP1856713B1 (de) | Kaltkathoden-drucksensor | |
Yagi et al. | Lifetime of NO C2Π (υ′= 0) | |
DE2354341C3 (de) | Gaslaser | |
EP1220285B1 (de) | Ionenquelle, bei der UV/VUV-Licht zur Ionisation verwendet wird | |
DE4235743A1 (de) | Hochleistungsstrahler | |
DE3240757C2 (de) | ||
DE2657680A1 (de) | Gaslaservorrichtung | |
Powell et al. | Lasers based on selenium 1 S metastable atoms. | |
Andreić et al. | Performance of the 13.5 nm PVC capillary discharge EUV source | |
DE1230146B (de) | Optischer Sender oder Verstaerker mit gasfoermigem stimulierbarem Medium | |
Lee | Investigation of high-pressure microdischarges as sources of intense vacuum ultraviolet radiation | |
Collins et al. | Photolytic spectroscopy of simple molecules. III. The selective photolysis of CsKr and Cs2Kr at visible wavelengths | |
Delaporte et al. | Observation of triatomic ionic excimers: Emission spectra of Kr 2+ Cs | |
Hamil et al. | uv preionized thallium‐mercury discharge |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: ULRICH, ANDREAS, DR.RER.NAT., 85221 DACHAU, DE WIE |
|
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: TUILASER AG, 82110 GERMERING, DE |
|
8381 | Inventor (new situation) |
Free format text: ULRICH, ANDREAS, DR.RER.NAT., 85221 DACHAU, DE WIESER, JOCHEN, DR.RER.NAT., 81247 MUENCHEN, DE KROETZ, WERNER, DR.RER.NAT., 81371 MUENCHEN, DE |
|
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: OPTIMARE OPTISCHE MESSVERFAHREN FUER MEERESFOR, DE |
|
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |
Effective date: 20140501 |