DE4427857C2 - Verfahren zum Herstellen eines mit Aluminium dotierten Siliciumcarbid-Einkristalls - Google Patents
Verfahren zum Herstellen eines mit Aluminium dotierten Siliciumcarbid-EinkristallsInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen
eines mit Aluminium dotierten Einkristalls aus Siliciumcarbid
gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1. Ein solches Verfahren
ist aus der japanischen Zeitschrift "Shinku", Band 30, Heft
11 (1987), Seiten 886 bis 892 bekannt.
Siliciumcarbid (SiC) ist als Halbleitermaterial wegen seiner
elektronischen und thermischen Eigenschaften besonders zum
Einsatz bei hohen Temperaturen, bei hoher Strahlenbelastung
und bei hohen elektrischen Spannungen und Strömen geeignet.
Zur breiten Anwendung von SiC in der Halbleiterelektronik
sind jedoch für eine Massenproduktion von Substraten und
Chips geeignete Herstellverfahren zum Herstellen von n-
dotierten und p-dotierten SiC-Einkristallen Voraussetzung.
Zwei unterschiedliche, bekannte Verfahren zum Herstellen von
dotierten SiC-Einkristallen beruhen auf der chemischen Ab
scheidung aus der Dampfphase (CVD = Chemical Vapour Deposi
tion) bzw. der Sublimationszüchtung.
Aus der DE-C-36 13 021 ist ein Verfahren zum Herstellen einer
mit Aluminium p-dotierten SiC-Einkristallschicht bekannt, bei
dem eine 0,5 bis 3 µm dicke SiC-Einkristallschicht auf einem
SiC-Film bei einer Temperatur von 1300°C bis 1400°C durch CVD
unter Verwendung von Wasserstoff als Trägergas aufgebracht
wird und zugleich Aluminium in fester Form erhitzt wird und
der entstehende Aluminiumdampf in die aufwachsende SiC-Ein
kristall-Schicht unter Verwendung von Chlorwasserstoff als
zusätzlichem Trägergas eingebracht wird.
Es ist ein weiteres Verfahren zum Herstellen einer mit Alumi
nium p-dotierten SiC-Epitaxieschicht auf einem Substrat durch
CVD bekannt. Bei diesem Verfahren werden in ein Reaktorsystem
Silan (SiH4) und Propan (C3H8) mit Wasserstoff (H2) als Trä
gergas eingespeist. Als Dotierstoff wird zusätzlich dem Reak
torsystem Triethylaluminium (TEA) zugeführt, indem Wasser
stoff durch flüssiges TEA geschickt ("bubbling") und der mit
TEA angereicherte Wasserstoff in das Reaktorsystem einge
speist wird. Außerdem ist auch bekannt, eine durch einen CVD-
Prozeß mit SiCl4, C3H8 und H2 aufwachsende SiC-Epitaxie
schicht durch Beigabe von Aluminiumchlorid (AlCl3) in das
Reaktorsystem mit Aluminium zu dotieren ("Journal of Applied
Physics", Band 55, Heft 1, 1. Januar 1984, Seiten 169-171).
Aus "Shinku", Band 30, Heft 11 (1987), Seiten 886 bis 892
sind Verfahren zum Herstellen eines mit Aluminium dotierten
SiC-Volumeneinkristalls vom 6H-Polytyp durch Sublimations
züchtung bekannt. Bei einem ersten Verfahren werden undotier
tes SiC-Pulver und Aluminium in fester Form gleichzeitig er
hitzt, das entstehende, sublimierte SiC in der Gasphase mit
dem entstehenden Aluminiumdampf vermischt und das Gemisch
schließlich auf einem SiC-Keimkristall als mit Aluminium p-
dotierter SiC-Einkristall aufgewachsen. Bei einem zweiten
Verfahren wird dagegen bereits mit Aluminium dotiertes SiC-
Pulver erhitzt und das dabei entstehende, sublimierte SiC in
der Gasphase auf einem SiC-Keimkristall aufgewachsen. Die
derart aufgewachsenen SiC-Einkristalle zeigen jedoch noch In
homogenitäten in ihrer Dotierung.
Weiterhin ist es allgemein bekannt, daß bei der Zuführung
eines Dotiergases in einen Reaktor die Temperatur in der
zuführenden Leitung hoch genug eingestellt wird, um eine
Kondensation in der Leitung zu vermeiden. Bekannt ist auch,
daß eine unerwünschte Reaktion im Dotiergas zu vermeiden ist.
Dies geht beispielsweise aus der US 4,279,670 hervor. Unklar
bleibt aber, wie die Temperaturverteilung in der zuführenden
Leitung genau einzustellen ist, um die gewünschten Effekte
gerade auch im Zusammenhang mit der Herstellung eines mit
Aluminium dotierten SiC-Einkristalls zu erreichen.
Der Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren
zum Herstellen homogener, mit Aluminium dotierter SiC-Einkri
stalle durch Sublimationszüchtung anzugeben.
Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung gelöst mit den Merkma
len des Anspruchs 1 oder 2. Der Erfindung liegt dabei die
Überlegung zugrunde, daß bei den aus dem Stand der Technik
bekannten Herstellverfahren wegen der Verwendung von festem
Aluminium als Ausgangsmaterial in dem aufwachsenden, mit dem
Aluminium
dotierten SiC-Kristall ein Konzentrationsgradient in Wachs
tumsrichtung entsteht. Dieser Konzentrationsgradient ist da
durch bedingt, daß Aluminium und seine Verbindungen schneller
verdampfen als SiC. Die Dotierung gemäß der Erfindung durch
Zuführen einer gasförmigen Verbindung des Aluminium ist
dagegen konstant einstellbar. Die entstehenden mit Aluminium
dotierten SiC-Einkristalle sind homogen und weisen auch in
Wachstumsrichtung keine Inhomogenitäten auf.
Vorteilhafte Weiterbildungen des Verfahrens ergeben sich aus
den vom Anspruch 1 abhängigen Ansprüchen.
Bevorzugte Aluminiumverbindungen sind demnach organische und
insbesondere Aluminiumverbindungen, insbesondere Alkyl-Alumi
nium-Verbindungen, insbesondere Tri-Methyl-Aluminium (TMA),
das durch die chemische Formel (CH3)3Al gekennzeichnet ist,
Tri-Ethyl-Aluminium mit der chemischen Formel (C2H5)3Al, Tri-
Propyl-Aluminium in allen Isomeren und Tri-Butyl-Aluminium in
allen Isomeren, insbesondere auch Tri-Isobutyl-Aluminium mit
der Formel ((CH3)3C)3Al, sowie anorganische Aluminiumverbin
dungen, insbesondere Aluminiumhalogenide wie Aluminiumchlorid
(AlCl3), Aluminiumbromid (AlBr3) oder Aluminiumjodid (AlJ3).
Zur weiteren Erläuterung der Erfindung wird auf die Zeichnung
Bezug genommen, in deren einziger Figur eine Ausführungsform
einer Vorrichtung zur Durchführung des Herstellverfahrens
schematisch dargestellt ist.
In einem Reaktor 2 sind in einem Vorratsraum 22 ein Vorrat 23
von festem SiC, beispielsweise in Pulverform, und in einem
Reaktionsraum 24 ein Keimkristall 25, der vorzugsweise aus
SiC besteht, angeordnet. Der Vorratsraum 22 und der Reak
tionsraum 24 sind durch eine Wand 21 vorzugsweise aus porösem
Graphit getrennt, durch die durch Erhitzen des SiC-Vorrats 23
sublimiertes SiC in der Gasphase hindurchtreten kann. Das SiC
in der Gasphase besteht im wesentlichen aus den drei Haupt
komponenten Si, Si2C und SiC2. Die Wand 21 zwischen Vorrats
raum 22 und Reaktionsraum 24 kann in einer anderen Ausfüh
rungsform auch entfallen. An den Reaktionsraum 24 ist eine
Gaszuführleitung 3 angeschlossen, über die eine mit AlX be
zeichnete organische oder anorganische Aluminiumverbindung
in gasförmigem Zustand in den Reaktionsraum 24 eingebracht
und dort mit dem SiC in der Gasphase vermischt werden kann.
Das Gemisch von SiC in der Gasphase und der gasförmigen
Aluminiumverbindung AlX wächst als mit Aluminium dotierter
SiC-Einkristall 4 auf dem Keimkristall 25 auf. Der Polytyp
des aufwachsenden SiC-Einkristalls 4 kann beispielsweise
durch die Wahl des Polytyps des Keimkristalls 25 eingestellt
werden. Vorzugsweise werden dotierte SiC-Einkristalle 4 vom
6H- oder 4H-Polytyp erzeugt. Mit dem angegebenen Dotier
verfahren können SiC-Einkristalle einer Länge in Wachstums
richtung von wenigstens 40 mm aufgewachsen werden, die ent
lang ihrer gesamten Länge eine wenigstens annähernd homogene
Dotierung aufweisen.
Die Gaszuführleitung 3 besteht vorzugsweise aus einem hitze
beständigen Material wie Graphit oder auch einem Metall wie
beispielsweise Molybdän oder Tantal.
In der dargestellten, besonders vorteilhaften Ausführungsform
wird die gasförmige Aluminiumverbindung AlX vor dem Einleiten
in den Reaktionsraum 24 gekühlt, um eine Zersetzung bei den
für die Sublimation des SiC-Vorrats 23 erforderlichen hohen
Temperaturen von beispielsweise wenigstens 2000°C wenigstens
bis kurz vor Einleiten in den Reaktionsraum 24 zu vermeiden.
Dazu ist die Gaszuführleitung 3 doppelwandig ausgebildet und
wird mit einem durch den von der Außenwand 31 und der Innen
wand 32 gebildeten Zwischenraum geleitetem Kühlmittel 36 ge
kühlt. Als Kühlmittel 36 können Kühlgase oder auch Wasser
verwendet werden.
In einem Bereich 33 nahe des mit 34 bezeichneten Anschlusses
der Gaszuführleitung 3 an den Reaktionsraum 24 kann die Gas
zuführleitung 3 auch nur mit einer einfachen Wand ohne Küh
lung ausgebildet sein. Dieser Bereich 33 der Gaszuführleitung
3 ist dabei so zu bemessen, daß die Temperatur dort so hoch
ist, daß die Aluminiumverbindung selbst oder bei einer ther
mischen Zersetzung der Aluminiumverbindung entstehende Alumi
niumteilverbindungen nicht an der Leitungswand kondensieren
können und eine Verstopfung der Leitung vermieden wird.
Bei Verwendung von TMA als organischer Aluminiumverbindung
beispielsweise ist eine bei der Zersetzung entstehende gas
förmige Aluminiumteilverbindung die Substanz Al4C3. Diese
Substanz Al4C3 hat schon bei Temperaturen von wenigstens etwa
1700°C einen ausreichend großen Dampfdruck, um einen Nieder
schlag an der Leitungswand zu vermeiden.
Auch die Dampfdrücke von Aluminiumhalogeniden sind bei den
für die Sublimationszüchtung typischen Temperaturen zwischen
etwa 2000°C und etwa 2500°C im Reaktionsraum 24 ausreichend
hoch.
In einer weiteren, vorteilhaften Ausführungsform wird die
Strömungsgeschwindigkeit des Gases der organischen Aluminium
verbindung in dem nicht mehr gekühlten Bereich 33 der Gaszu
führleitung 3 so hoch eingestellt, daß die Reaktionszeit des
thermischen Zerfalls der organischen Aluminiumverbindung grö
ßer ist als die Zeit, die das Gas braucht, um vom gekühlten
Bereich der Gaszuführleitung 3 in den Teil des ungekühlten
Bereichs 33 der Gaszuführleitung 3 zu gelangen, in dem die
Temperatur bereits so hoch ist, daß die Zerfallsprodukte
nicht mehr an der Leitungswand kondensieren. Dazu kann der
Leitungsquerschnitt des ungekühlten Bereichs 33 der Gaszu
führleitung 3 entsprechend klein eingestellt werden, vorzugs
weise kleiner als der Leitungsquerschnitt des gekühlten Be
reichs der Gaszuführleitung 3.
Zum Schutz der Gaszuführleitung 3 in ihrem gekühlten Bereich
ist vorzugsweise ein Hitzeschild 6 vorgesehen, das beispiels
weise mit zwei parallel zueinander angeordneten Graphitfolien
gebildet sein kann und zur Kühlung mit einem Kühlgas 61, vor
zugsweise einem Edelgas wie Argon, angeblasen werden kann.
Der Hitzeschild 6 dient dabei zur thermischen Entkopplung we
nigstens eines Teils des gekühlten Bereichs der Gaszufüh
rungsleitung 3 vom vergleichsweise heißen Reaktor 2, um die
für die Gaszuführungsleitung 3 notwendige Kühlleistung zu
reduzieren.
Claims (13)
1. Verfahren zum Herstellen eines mit Aluminium (Al)
dotierten Einkristalls (2) aus Siliciumcarbid (SiC), bei dem
- a) Siliciumcarbid in fester Form wenigstens teilweise subli miert wird,
- b) der SiC-Einkristall (2) durch Aufwachsen von sublimiertem Siliciumcarbid in der Gasphase auf einem Keimkristall (3) gebildet wird,
- c) zum Dotieren des Einkristalls (2) Aluminium zugeführt wird, wobei
- d) das Aluminium in Form einer gasförmigen Aluminiumverbin dung dem Siliciumcarbid in der Gasphase zugesetzt wird,
- 1. ein Reaktor (2) für sublimierendes Siliciumcarbid (SiC) verwendet wird, dem die gasförmige Aluminiumverbindung (AlX) über eine Leitung (3) zugeführt wird, wobei die Leitung (3) bis zu einem Bereich (33) nahe des Reaktors gekühlt wird und die Leitung (3) im Bereich (33) unge kühlt ist und wobei die Temperatur nahe am Reaktor (2) so hoch ist, daß die gasförmige Aluminiumverbindung (AlX) selbst oder bei deren thermischen Zersetzung die ent stehenden Zerfalls- oder Reaktionsprodukte nicht in der Leitung (3) kondensieren.
2. Verfahren zum Herstellen eines mit Aluminium (Al)
dotierten Einkristalls (2) aus Siliciumcarbid (SiC), bei dem
- a) Siliciumcarbid in fester Form wenigstens teilweise sublimiert wird,
- b) der SiC-Einkristall (2) durch Aufwachsen von sublimiertem Siliciumcarbid in der Gasphase auf einem Keimkristall (3) gebildet wird,
- c) zum Dotieren des Einkristalls (2) Aluminium zugeführt wird, wobei
- d) das Aluminium in Form einer gasförmigen Aluminiumverbin dung dem Siliciumcarbid in der Gasphase zugesetzt wird,
e2) ein Reaktor (2) für sublimierendes Siliciumcarbid (SiC)
verwendet wird, dem die gasförmige Aluminiumverbindung
(AlX) über eine Leitung (3) zugeführt wird, wobei
die Strömungsgeschwindigkeit der gasförmigen Aluminium
verbindung (AlX) bei Zuführung zum Reaktor (2) so hoch
eingestellt wird, daß die Reaktionszeit der thermischen
Zersetzung der Aluminiumverbindung (AlX) größer ist als
die Zeit, die das Gas braucht, um vom gekühlten Bereich
in den Teil des ungekühlten Bereiches der Leitung (3) zu
gelangen, in dem die Temperatur bereits so hoch ist, daß
die entstehenden Zerfalls- und/oder Reaktionsprodukte
nicht mehr in der Leitung (3) kondensieren.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch
gekennzeichnet, daß die Leitung (3) aus einem
hitzebeständigen Material besteht.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Leitung (3) mit Gas oder
Wasser gekühlt wird.
5. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekenn
zeichnet, daß zur thermischen Entkopplung von Lei
tung (3) und Reaktor (2) ein Hitzeschild (6) verwendet wird.
6. Verfahren nach Ansprüch 5, dadurch gekenn
zeichnet, daß die thermische Entkopplung durch
Anblasen von parallel angeordneten Graphitfolien mit einem
Kühlgas (61) erfolgt.
7. Verfähren nach Ansprüch 1 oder Anspruch 2, dadurch
gekennzeichnet, daß als Aluminiumverbindung
eine organische Aluminiumverbindung verwendet wird.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekenn
zeichnet, daß als Aluminiumverbindung eine Alkyl-
Aluminium-Verbindung verwendet wird.
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekenn
zeichnet, daß als Aluminiumverbindung Tri-Methyl-
Aluminium, Tri-Ethyl-Aluminium, Tri-Propyl-Aluminium oder
Tri-Butyl-Aluminium verwendet wird.
10. Verfahren nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, da
durch gekennzeichnet, daß als Alumi
niumverbindung eine anorganische Aluminiumverbindung ver
wendet wird.
11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch ge
kennzeichnet, daß als Aluminiumverbindung ein
Aluminiumhalogenid verwendet wird.
12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch ge
kennzeichnet, daß als Aluminiumverbindung
Aluminiumchlorid, Aluminiumbromid oder Aluminiumjodid
verwendet wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4427857A DE4427857C2 (de) | 1994-08-05 | 1994-08-05 | Verfahren zum Herstellen eines mit Aluminium dotierten Siliciumcarbid-Einkristalls |
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Publications (2)
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---|---|
DE4427857A1 DE4427857A1 (de) | 1996-02-08 |
DE4427857C2 true DE4427857C2 (de) | 2001-04-12 |
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ID=6525066
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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DE4427857A Expired - Lifetime DE4427857C2 (de) | 1994-08-05 | 1994-08-05 | Verfahren zum Herstellen eines mit Aluminium dotierten Siliciumcarbid-Einkristalls |
Country Status (1)
Country | Link |
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DE (1) | DE4427857C2 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19961208B4 (de) * | 1999-12-18 | 2008-07-17 | Air Liquide Deutschland Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Kühlen von Werkstücken mittels Gas |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2854364A (en) * | 1954-03-19 | 1958-09-30 | Philips Corp | Sublimation process for manufacturing silicon carbide crystals |
US4147572A (en) * | 1976-10-18 | 1979-04-03 | Vodakov Jury A | Method for epitaxial production of semiconductor silicon carbide utilizing a close-space sublimation deposition technique |
JPH04193799A (ja) * | 1990-11-27 | 1992-07-13 | Sharp Corp | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
DE3613021C2 (de) * | 1985-04-18 | 1993-11-18 | Sharp Kk | SiC-Einkristall-Halbleiter und Verfahren zu seiner Herstellung |
JPH0648899A (ja) * | 1992-07-23 | 1994-02-22 | Nisshin Steel Co Ltd | 炭化ケイ素単結晶の製造方法 |
-
1994
- 1994-08-05 DE DE4427857A patent/DE4427857C2/de not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2854364A (en) * | 1954-03-19 | 1958-09-30 | Philips Corp | Sublimation process for manufacturing silicon carbide crystals |
US4147572A (en) * | 1976-10-18 | 1979-04-03 | Vodakov Jury A | Method for epitaxial production of semiconductor silicon carbide utilizing a close-space sublimation deposition technique |
DE3613021C2 (de) * | 1985-04-18 | 1993-11-18 | Sharp Kk | SiC-Einkristall-Halbleiter und Verfahren zu seiner Herstellung |
JPH04193799A (ja) * | 1990-11-27 | 1992-07-13 | Sharp Corp | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
JPH0648899A (ja) * | 1992-07-23 | 1994-02-22 | Nisshin Steel Co Ltd | 炭化ケイ素単結晶の製造方法 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
J.Appl. Phys. 1984, Bd.55, H.1, S.169-171 * |
Shinku, 1987, Vol.30, No.11, S.886-892 * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19961208B4 (de) * | 1999-12-18 | 2008-07-17 | Air Liquide Deutschland Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Kühlen von Werkstücken mittels Gas |
Also Published As
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