DE4413215A1 - Solarmodul mit Dünnschichtaufbau und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents
Solarmodul mit Dünnschichtaufbau und Verfahren zu seiner HerstellungInfo
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 title description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 42
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 40
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 38
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 18
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 10
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 9
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims description 4
- DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N chalcopyrite Chemical compound [S-2].[S-2].[Fe+2].[Cu+2] DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052951 chalcopyrite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 5
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000543 intermediate Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UZHDGDDPOPDJGM-UHFFFAOYSA-N Stigmatellin A Natural products COC1=CC(OC)=C2C(=O)C(C)=C(CCC(C)C(OC)C(C)C(C=CC=CC(C)=CC)OC)OC2=C1O UZHDGDDPOPDJGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Se].[Se].[In] Chemical compound [Cu].[Se].[Se].[In] KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 description 1
- 230000027455 binding Effects 0.000 description 1
- 238000009739 binding Methods 0.000 description 1
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000000877 morphologic effect Effects 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
- H01L31/03921—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including only elements of Group IV of the Periodic Table
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B10/00—Integration of renewable energy sources in buildings
- Y02B10/10—Photovoltaic [PV]
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Description
Dünnschichtsolarzellen können direkt auf großflächigen
Substraten erzeugt werden. Die Verwendung kostengünstiger
Substrate wie beispielsweise Fensterglas, die Erzeugung in
Plasmaabscheideanlagen mit hohem Flächendurchsatz, die in den
Herstellungsprozeß integrierte Verschaltung und nicht zuletzt
die relativ geringen Materialkosten der dünnen Halbleiter
schicht sind die wesentlichen Vorteile von Dünnschichtsolar
modulen gegenüber Solarmodulen mit kristallinen Solarzellen.
Der wesentliche Nachteil von Dünnschichtsolarmodulen und ins
besondere von solchen aus amorphem Silizium liegt in dessen
relativ geringem Wirkungsgrad. Zur Bereitstellung gleicher
elektrischer Leistung erfordert dies gegenüber Solarmodulen
mit kristallinen Solarzellen eine höhere Modulfläche und für
die Aufstellung der Module eine entsprechend höhere Grundflä
che.
Es wurde daher bereits vorgeschlagen, aus Glas bestehende
Fassadenelemente insbesondere mit Dünnschichtsolarzellen zu
beschichten, bzw. Solarmodule auf Glassubstraten als Fassa
denelemente zu verwenden. Neben dem photovoltaisch erzeugten
Strom können die Solarmodule sowohl zur dekorativen Ausge
staltung der Fassade dienen, als auch eine technische Wirkung
entfalten. Semitransparente Solarmodule können beispielsweise
als Fenster dienen, während mit entsprechenden Isolierglas
ausgestattete Solarmodule zur Wärmeisolierung von Gebäuden
dienen können. Ausgestaltungen für derart eingesetzte Solar
module sind beispielsweise aus DE 39 03 521 C2 bekannt.
Von Nachteil ist dabei, daß man bei Dünnschichtsolarmodulen
weitgehend an die Verwendung flacher Glasscheiben als
Substratmaterial gebunden ist, was deren funktionelle Ein
satzmöglichkeit als Fassadenelement stark einschränkt.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, ein Dünn
schichtsolarmodul anzugeben, welches einfach und kostengün
stig herzustellen ist und welches insbesondere zur Verwendung
als Fassadenelement geeignet ist.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Solarmodul mit
den Merkmalen nach Anspruch 1 gelöst.
Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sowie ein Verfahren zur
Herstellung einer insbesondere für das erfindungsgemäße Dünn
schichtsolarmodul geeigneten Elektrodenstruktur sind weiteren
Ansprüchen zu entnehmen.
Wesentliche Idee der Erfindung ist es, für ein Dünnschichtso
larmodul ein aus Aluminium bestehendes Substrat zu verwenden.
Da dieses jedoch elektrisch leitfähig ist, muß die in Einzel
elektroden strukturierte Rückelektrodenschicht mit Hilfe ei
ner elektrisch isolierenden Oxidschicht gegen das elektrisch
leitende Substrat isoliert werden. Nur so ist eine inte
grierte Serienverschaltung der zu den Einzelelektroden gehö
rigen Einzelsolarzellen des Solarmoduls möglich.
Das Aluminiumsubstrat kann ein herkömmliches Aluminiumfassa
denelement sein. Dabei ergibt sich der Vorteil, daß das an
sich bekannte Aluminiumfassadenelement mit seinem relativ ge
ringen Gewicht, seiner guten Verarbeitbarkeit und seiner ho
hen mechanischen Festigkeit außerdem eine vielfältige und na
hezu unbegrenzte Formbarkeit besitzt, die bei Dünnschichtso
larmodulen mit Glassubstrat nicht gegeben sind. Die Einsatz
möglichkeiten des Dünnschichtsolarmoduls mit Aluminium
substrat als Fassadenelement sind daher vielseitiger als die
entsprechenden Glasmodule. Die Formbarkeit betrifft dabei so
wohl die Oberfläche des Solarmoduls bzw. des Fassadenele
ments, als auch den beliebig geformten Randbereich. Dies ist
insbesondere für die Befestigung des Solarmoduls bzw. des
Fassadenelements von Bedeutung. Es kann flach ausgebildet
sein oder auch eine "Raumstruktur" besitzen.
Das Solarmodul kann direkt auf einem an sich bekannten Fassa
denelement erzeugt bzw. abgeschieden werden. Möglich ist es
jedoch auch, das Solarmodul auf einem gegenüber dem Fassaden
element relativ dünnen Aluminiumsubstrat, insbesondere auf
einer Aluminiumfolie zu erzeugen und erst anschließend mit
dem Fassadenelement zu verbinden. Dies kann die Erzeugung des
Solarmoduls unabhängig von der Form des Fassadenelements er
leichtern. Andererseits sind gute Verfahren bekannt, das Alu
miniumsubstrat mit dem Aluminiumfassadenelement sicher zu
verbinden.
Abgesehen von dem neuen Substrat und der elektrisch isolie
renden Schicht weist das erfindungsgemäße Solarmodul einen
herkömmlichen Aufbau auf. Entsprechend können auch herkömmli
che hinlänglich bekannte Verfahren zur Herstellung des Dünn
schichtaufbaus des Solarmoduls verwendet werden. In der ein
fachsten und dabei auch vorteilhaftesten Ausführung der Er
findung bestehen sowohl die auf dem Substrat aufgebrachte
Rückelektrode als auch die Frontelektrode aus einem dünnen
leitfähigen Oxid. Für die aktive Halbleiterschicht kann ein
beliebiges, mit dem leitfähigen Oxid kombinierbares Dünn
schichthalbleitermaterial verwendet werden. Besonders geeig
net ist dabei amorphes Silizium a-Si:H und seine Legierungen
sowie geeignete Verbindungshalbleiter mit ausreichendem Band
abstand. Gut geeignet sind die Chalkopyrite vom Verbindungs
typ I-III-VI₂, deren bekanntester Vertreter das Kupferindi
umdiselenid (CiS) ist.
Neben der Rückelektrode aus elektrisch leitfähigem Oxid sind
jedoch auch metallische Rückelektroden geeignet. Diese können
insbesondere dann von Vorteil sein, wenn die elektrisch iso
lierende Oxidschicht besonders dick ist. In diesem Fall zeigt
eine metallische Rückelektrode eine bessere Haftung. Bei ei
ner dünnen elektrisch isolierenden Oxidschicht wird jedoch
auch mit TCO-Rückelektroden eine sehr gute Haftung des Dünn
schichtaufbaus auf dem Aluminiumsubstrat bzw. auf dessen
elektrisch isolierender Oxidschicht erzielt. Möglich ist es
auch, über der elektrisch isolierenden Oxidschicht zunächst
eine haftvermittelnde Metallschicht und darüber eine Rücke
lektrodenschicht aus TCO aufzubringen.
Als elektrisch isolierende Oxidschicht ist Aluminiumoxid ge
eignet. Dies kann ein natives, durch Stehenlassen an Luft ge
wachsenes Aluminiumoxid sein. Dabei muß jedoch eine Mindest
dicke und eine ausreichende Dichte des Oxids gewährleistet
sein. Eine ausreichende Oxiddicke beginnt bei ca. 10-20 µm.
Da natives Aluminiumoxid jedoch in einer für elektrische
Isolationszwecke ungünstigen Struktur aufwächst und außerdem
verschiedene Atmosphäreneinflüsse zu nicht kontrollierbaren
und daher nicht reproduzierbaren Oxidschichten führen, ist
eine kontrolliert aufgewachsene bzw. künstlich erzeugte Oxid
schicht bevorzugt. Dazu kann die reine Aluminiumoberfläche
beispielsweise durch anodische Oxidation mit einer zum Bei
spiel 20 µm dicken Oxidschicht überzogen werden. Möglich ist
es jedoch auch, ein elektrisch isolierendes Oxid mittels ei
nes Dünnschichtabscheideverfahrens auf der Aluminiumoberflä
che aufzubringen.
In einer bevorzugten Ausführung der Erfindung besteht das
elektrisch isolierende Oxid aus dem gleichen Material wie die
TCO-Rückelektrode, jedoch in einer elektrisch isolierenden
Modifikation. Durch Beeinflussung von Verfahrensparametern
beim Aufbringen der Rückelektrode kann dabei zunächst ein
elektrisch isolierendes Oxid abgeschieden werden, beispiels
weise durch Erhöhung der Substrattemperatur und/oder durch
Weglassen des Dotierstoffs. Da diese Parameter leicht ein
stellbar sind, kann das Herstellen der elektrisch isolieren
den Oxidschicht leicht in den Herstellungsprozeß für die
Rückelektrode integriert werden und im selben Reaktor durch
geführt werden.
Im folgenden wird die Erfindung anhand von Ausführungsbei
spielen und der dazugehörigen fünf Figuren näher erläutert.
Dabei zeigen die
Fig. 1 bis 3 verschiedene erfindungsgemäße Kombinatio
nen von Aluminiumsubstrat, elektrisch isolie
render Schicht und Rückelektrode des Solarmo
duls im schematischen Querschnitt und die
Fig. 4 und 5 ein erfindungsgemäßes Solarmodul während
unterschiedlicher Verfahrensstufen im schemati
schen Querschnitt.
Als Aluminiumsubstrat 1 wird eine Aluminiumfolie, eine Alumi
niumplatte oder ein aus Aluminium bestehendes Fassadenelement
verwendet. Ohne eine spätere mechanische Verstärkung ist eine
Aluminiumschichtdicke von ca. 3 mm geeignet, um eine ausrei
chende mechanische Festigkeit für das Dünnschichtsolarmodul
bzw. für das spätere Fassadenelement zu gewährleisten. Soll
das Aluminiumsubstrat erst in einem späteren Schritt mit ei
nem aus Aluminium bestehenden Fassadenelement verbunden wer
den, kann auch ein deutlich dünneres Aluminiumsubstrat ver
wendet werden, beispielsweise eine Folie von 100 µm Dicke.
Das Aluminiumsubstrat 1 wird unmittelbar nach der Herstellung
durch anodische Oxidation mit einer Oxidschicht 2 überzogen.
Möglich ist es auch, ein bereits durch Luftoxidation entstan
denes natives Aluminiumoxid durch anodische Oxidation zu ver
stärken, oder gegebenenfalls ein solches natives Oxid vor der
anodischen Oxidation abzuätzen. Um elektrisch isolierend zu
wirken, ist eine Dicke der Oxidschicht 2 von ca. 20 µm aus
reichend.
Direkt über dem mit einer elektrisch isolierenden Oxidschicht
2 versehenen Aluminiumsubstrat 1 kann nun eine Rückelektrode
aus elektrisch leitfähigem Oxid (TCO) abgeschieden werden.
Geeignete TCO-Materialien sind beispielsweise mit Aluminium,
Bor und/oder Wasserstoff dotiertes Zinkoxid, Indiumzinnoxid
oder fluordotiertes Zinnoxid.
Zum Aufbringen der TCO-Schicht ist ein CVD-Verfahren geeig
net, bei dem beispielsweise flüchtige metallorganische Ver
bindungen in sauerstoffhaltige Atmosphäre auf dem heißen
Substrat zersetzt werden. Möglich ist es auch, die TCO-
Schicht durch Sputtern von einem entsprechenden Metalltarget
in sauerstoffhaltiger Atmosphäre oder durch Sputtern von ei
nem Metalloxidtarget in inerter Atmosphäre zu erzeugen. Wegen
seiner guten und leicht einstellbaren morphologischen Eigen
schaften ist dotiertes Zinkoxid bevorzugt, wobei eine
Schichtdicke des Zinkoxids von beispielsweise 1,5 µm ausrei
chend ist.
Über dem mit einer anodisch erzeugten Oxidschicht 2 versehe
nem Aluminiumsubstrat 1 kann auch eine Rückelektrode aus Me
tall 5 aufgebracht werden. Alternativ ist dabei auch ein aus
reichend dickes natives Aluminiumoxid als isolierende Oxid
schicht 2 geeignet.
Als Rückelektrodenmaterial sind verschiedene Metalle wie bei
spielsweise Molybdän, Silber, Aluminium oder Kombinationen
der Metalle geeignet. Die Rückelektrode 5 kann dabei durch
Sputtern, Aufdampfen oder ein CVD-Verfahren aufgebracht wer
den. In Abhängigkeit von der elektrischen Leitfähigkeit des
für die Rückelektrode 5 ausgewählten Metalles kann eine aus
reichend elektrisch leitende Rückelektrode entsprechend dün
ner ausgebildet sein als eine TCO-Rückelektrode und bei
spielsweise 500 nm dick sein.
Bei Aluminiumsubstraten 1, die eine Aluminiumoxidschicht 2
von beispielsweise mehr als 10 µm Dicke aufweisen, kann eine
metallische Zwischenschicht 4 unter einer aus TCO bestehenden
Rückelektrode 3 zu einer verbesserten Haftung des späteren
Solarmoduls auf dem Substrat beitragen. Die metallische Zwi
schenschicht 4 soll insbesondere Unterschiede im thermischen
Ausdehnungsverhalten zwischen Rückelektrode 3, Oxidschicht 2
und Aluminiumsubstrat 1 ausgleichen. Deshalb sind insbeson
dere dünne Schichten aus entsprechend weichem Metall geeignet
wie beispielsweise Silber. Die Metallschicht 4 kann ähnlich
wie die im Verfahrensschritt 3 beschriebene metallische
Rückelektrode 5 aufgebracht werden. Wirksame Schichtdicken
liegen dabei im Bereich von ca. 100 bis 1000 nm
Eine elektrisch isolierende Oxidschicht 2 kann gemeinsam mit
der aus TCO bestehenden Rückelektrode 3 durch entsprechende
Modifikation der Abscheidebedingungen für das TCO-Material
erzeugt werden. Direkt über dem Aluminiumsubstrat 1, welches
gegebenenfalls mit einer dünnen nativen Aluminiumoxidschicht
versehen ist, wird zunächst eine dünne Zinkoxidschicht 2 in
einer nicht leitenden Modifikation abgeschieden. Vorzugsweise
wird dafür ein CVD-Verfahren gewählt, bei dem die für die
elektrische Isolierung erforderliche hohe Sauerstoffsättigung
des Zinkoxids in einfacher Weise durch eine höhere Substrat
temperatur T1 während des CVD-Prozesses in sauerstoffhaltiger
Atmosphäre erreicht werden kann. Die höhere Substrattempera
tur kann selbst dann zur Erzeugung einer isolierenden Oxid
schicht 3 ausreichend sein, wenn die CVD-Atmosphäre bereits
die Zusätze enthält, die üblicherweise eine die elektrische
Leitfähigkeit erhöhende Dotierung im Zinkoxid erzeugen. Vor
zugsweise wird dieser dotierende Zusatz jedoch erst nach dem
Erzeugen der elektrisch isolierenden Zinkoxidschicht 2 zur
CVD-Atmosphäre hinzugemischt.
Wenn die elektrisch isolierende Zinkoxidschicht 2 in einer
ausreichenden Dicke von beispielsweise 500 nm entstanden ist,
wird die Substrattemperatur auf einen Wert T2 abgesenkt, und
auch die übrigen Abscheidebedingungen auf die üblichen opti
malen Werte eingestellt. Wird als einziger Parameter die
Substrattemperatur verändert, so kann die zum Erzeugen einer
Rückelektrode 3 geeignete Abscheidetemperatur T2 um bei
spielsweise 50° unter der zur Erzeugung der elektrisch iso
lierenden Zinkoxidschicht 2 liegenden Substrattemperatur T1
liegen.
Zur Erzielung einer höheren Modulspannung ist es erforder
lich, die auf dem großflächigen Substrat zu erzeugende Dünn
schichtsolarzelle in eine Reihe von Einzelsolarzellen zu un
terteilen und diese direkt während des Herstellungsverfahrens
integriert in Serie zu schalten. Dazu wird in einem ersten
Schritt bereits die Rückelektrode 3, 5 in eine Vielzahl
gleichartiger elektrisch voneinander getrennter Elektroden
flächen aufgeteilt. In der einfachsten Ausführung wird die
großflächige Rückelektrode durch streifenförmige Strukturie
rung in die entsprechenden voneinander getrennten Elektroden
flächen aufgeteilt. Dazu ist es erforderlich, die aus Metall
5 oder TCO 3 und gegebenenfalls einer metallischen Zwischen
schicht 4 bestehende Rückelektrode durch Erzeugung von Gräben
11 elektrisch voneinander zu trennen. Dazu muß die gesamte
Rückelektrode im Bereich der Gräben 11 vollständig entfernt
werden, wobei der Graben 11 entweder die Oberfläche der Oxid
schicht 2 freilegt oder teilweise noch in diese hineinreicht,
wie es etwa in der Fig. 4 dargestellt ist. Keinesfalls darf
der Graben 11 jedoch so tief sein, daß darin das Aluminium
substrat 1 freigelegt wird.
In einfacher Weise gelingt die Erzeugung der Gräben 11 durch
einen Materialabtrag mittels eines Lasers, bei dem die ge
wünschte Tiefe des zu erzeugenden Grabens über die Laserlei
stung eingestellt werden kann. Möglich ist es jedoch auch,
die Gräben mechanisch durch Fräsen, Sägen, Kratzen oder ähn
liche Schritte zu erzeugen. Die gewünschte Tiefe der Gräben
11 wird dabei durch ausreichende mechanische Präzision er
zeugt.
Fig. 5: Zur Fertigstellung des erfindungsgemäßen Solarmoduls
wird nun über der in einzelne Elektrodenflächen 6 aufgeteil
ten Rückelektrode zunächst eine aktive Halbleiterschicht mit
einer Diodenstruktur erzeugt. Dafür können die entsprechenden
bekannten Verfahren verwendet werden. Eine aktive Halb
leiterschicht 7 aus amorphem Silizium a-Si:H wird beispiels
weise mittels eines plasmaunterstützten CVD-Verfahrens
(PECVD) abgeschieden. Dies kann in einem sogenannten Einkam
merreaktor erfolgen, oder im Durchlaufverfahren durch mehrere
hintereinander geschaltete Kammern, wobei in jeder Kammer ei
ne andere Diodenschicht erzeugt wird. Möglich ist es auch,
die Diodenstruktur durch Abscheidung in mehreren voneinander
getrennten Verfahren, im sogenannten Inline-Verfahren zu er
zeugen.
Aufgrund des nicht transparenten Aluminiumsubstrats 1 wird
für die aus amorphem Silizium bestehende aktive Halbleiter
schicht 7 eine Schichtreihenfolge n-i-p gewählt. Um im Ein
kammerreaktor eine Verschleppung des n-Dotiergases Phosphin
zu vermeiden, wird während einer rampenartigen Reduzierung
der HF-Leistung auch eine rampenartige Gasspülung mit Wasser
stoff durchgeführt. Ziel ist es dabei, zu zersetzendes Silan
und Phosphin während der Rampe nahezu vollständig abzuschei
den, ohne das Plasma ausbrennen zu lassen. Ist die Reaktor
atmosphäre weitgehend an abzuscheidenden Gasen verarmt, wird
die HF-Leistung wieder auf den ursprünglichen Wert gesteigert
und dabei gleichzeitig reines Silan zur Erzeugung der i-
Schicht in den Reaktor eingelassen.
Nach der Fertigstellung der aktiven Halbleiterschicht 7 in n
i-p-Diodenstruktur folgen als weitere an sich bekannte Ver
fahrensschritte die Strukturierung der aktiven Halbleiter
schicht 7, Abscheiden der Frontelektrode 8 und Strukturierung
derselben. Die Strukturierungsschritte können ähnlich wie die
Strukturierung der Rückelektrode 6 erfolgen. Die aktive Halb
leiterschicht 7 wird vorzugsweise mit einem Laser struktu
riert, während die aus einer TCO-Schicht bestehende Front
elektrode 8 alternativ durch eine Lift-off-Technik struktu
riert werden kann.
Alternativ kann auf eine Strukturierung der aktiven Halblei
terschicht 7 verzichtet werden, wenn die zur Verschaltung er
forderlichen niederohmigen Bereiche 10 (siehe Fig. 5) auf
andere Weise erzeugt werden. Dies kann beispielsweise durch
Phasenumwandlung der aktiven Halbleiterschicht durch Ener
gieeinkopplung über einen Laser erfolgen.
Als aktive Halbleiterschicht 7 kann auch eine Chalkopyrit-
Schicht über der Rückelektrode 6 abgeschieden werden. Dazu
werden beispielsweise zunächst metallische, Kupfer und Indium
enthaltende Schichten mittels eines Dünnschichtverfahrens
abgeschieden und anschließend in einer reaktiven selen
haltigen Atmosphäre zu Kupferindiumdiselenid umgesetzt. Ein
solches Verfahren ist beispielsweise der internationalen An
meldung WO/DE 93/00 814 zu entnehmen. Durch Abscheidung einer
dünnen Fensterschicht aus Kadmiumsulfid wird die Diodenstruk
tur vervollständigt. Die Strukturierung der aktiven Halblei
terschicht 7 aus Chalkopyrit kann in gleicher Weise wie beim
a-Si:H erfolgen. Auch für die Frontelektrode wird wieder ein
TCO-Material ausgewählt, insbesondere ein dotiertes Zinkoxid.
Sofern als Aluminiumsubstrat 1 ein aus Aluminium bestehendes
Fassadenelement oder eine ausreichend dicke Aluminiumplatte
verwendet wurden, kann nun direkt eine Versiegelung des So
larmoduls gegen Umwelteinflüsse erfolgen. Dies kann mit einem
Schutzlack oder durch Auflaminieren einer Schutzfolie erfol
gen.
Wurde für das Dünnschichtsolarmodul ein ausreichend dünnes
und insbesondere flexibles Aluminiumsubstrat 1 gewählt, so
kann dieses vor der Versiegelung zu einem Aluminiumfassaden
element integriert werden. Dazu wird das beschichtete Alumi
niumsubstrat 1 mit einem Kunststoffmaterial und einer dünnen
Metallplatte so verbunden, daß daraus ein photovoltaisch ak
tives Fassadenelement entsteht.
Claims (12)
1. Solarmodul mit Dünnschichtaufbau, umfassend
- - ein Aluminiumsubstrat (1)
- - eine elektrisch isolierende Oxidschicht (2)
- - eine Rückelektrodenschicht (3, 5, 6)
- - eine aktive Halbleiterschicht (7) mit Diodenstruktur und
- - eine Frontelektrode (8) aus einem transparenten leitfähigen Oxid (TCO),
wobei das Solarmodul in integriert serienverschaltete Einzel
solarzellen strukturiert ist und als Fassadenelement ausge
bildet ist.
2. Solarmodul nach Anspruch 1,
bei dem die isolierende Oxidschicht (2) eine Aluminiumoxid
schicht ist.
3. Solarmodul nach Anspruch 1,
bei dem die Rückelektrode (3) eine TCO-Schicht ist und bei
dem die elektrisch isolierende Oxidschicht (2) aus dem glei
chen Oxid wie die Rückelektrode (3) besteht, im Unterschied
zu dieser aber in einer elektrisch isolierenden Modifikation
ausgebildet ist.
4. Solarmodul nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
bei dem die Rückelektrode (3) aus dotiertem Zinkoxid ausge
bildet ist.
5. Solarmodul nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
bei dem die elektrisch isolierende Oxidschicht (2) eine an
odisch erzeugte Aluminiumoxidschicht ist.
6. Solarmodul nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
bei dem die aktive Halbleiterschicht (7) aus amorphem Silizi
um a-Si:H ausgebildet ist und eine nip-Diodenstruktur auf
weist.
7. Solarmodul nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
bei dem die aktive Halbleiterschicht (7) aus einem Verbin
dungshalbleitermaterial des Typs I-III-VI₂ (Chalkopyrit) aus
gebildet ist.
8. Verfahren zum Erzeugen elektrisch voneinander getrennter
Elektrodenflächen (6) auf einem elektrisch leitenden Substrat
(1), welches insbesondere für Dünnschichtsolarmodule geeignet
ist, mit den Schritten
- - ganzflächiges Abscheiden einer ersten, elektrisch isolie renden Zinkoxidschicht (2) direkt auf dem Substrat (1) bei einer ersten Abscheidetemperatur (T1)
- - ganzflächiges Abscheiden einer zweiten, elektrisch leitfä hig dotierten Zinkoxidschicht (3) über der ersten, elek trisch isolierenden Zinkoxidschicht (2) bei einer zweiten Substrattemperatur (T2) und
- - Strukturieren der zweiten Zinkoxidschicht (3) in elektrisch voneinander getrennte Bereiche (6) durch Erzeugen von Trenngräben (11), welche bis auf oder in die erste Zinkoxi dschicht (2) erreichen,
wobei T1 = T2 + δT und 15° < δT < 60°.
9. Verfahren nach Anspruch 8,
bei dem erste Zinkoxidschicht (2) und zweite Zinkoxidschicht
(3) mittels eines CVD-Verfahrens abgeschieden werden und bei
dem die zweite Zinkoxidschicht (3) mit Aluminium oder Bor do
tiert abgeschieden wird.
10. Verfahren nach Anspruch 8 oder 9,
bei dem die Strukturierung der zweiten Zinkoxidschicht (3)
mit Hilfe eines Lasers vorgenommen wird.
Priority Applications (3)
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DE4413215A DE4413215C2 (de) | 1994-04-15 | 1994-04-15 | Solarmodul mit Dünnschichtaufbau und Verfahren zu seiner Herstellung |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4413215A1 true DE4413215A1 (de) | 1995-10-26 |
DE4413215C2 DE4413215C2 (de) | 1996-03-14 |
Family
ID=6515610
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4413215A Expired - Lifetime DE4413215C2 (de) | 1994-04-15 | 1994-04-15 | Solarmodul mit Dünnschichtaufbau und Verfahren zu seiner Herstellung |
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Country | Link |
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8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
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|
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: SHELL ERNEUERBARE ENERGIEN GMBH, 22335 HAMBURG, DE |
|
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
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|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: SPLANEMANN PATENTANWAELTE PARTNERSCHAFT, DE |
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R071 | Expiry of right | ||
R071 | Expiry of right |