DE4406600C1 - Verfahren zur Herstellung eines Filters für elektromagnetische Strahlung - Google Patents
Verfahren zur Herstellung eines Filters für elektromagnetische StrahlungInfo
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- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0005—Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
- G03F7/0007—Filters, e.g. additive colour filters; Components for display devices
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines
Filters für elektromagnetische Strahlung gemäß dem Patent
anspruch.
Die Lochstrukturen können eine beliebige Form aufweisen. Sie
können beispielsweise als Tripole, Loche, Kreuze, Kreise,
Rechtecke etc. gestaltet sein. Die Dimension der Lochstruktu
ren wird je nach Anwendungszweck des Filters im Bereich zwi
schen einigen 100 µm bis zu einigen 100 nm gewählt. Die erfin
dungsgemäß hergestellten Filter können z. B. als Infrarot-
oder Mikrowellenfilter eingesetzt werden.
Ein Bandpaßfilter für elektromagnetische Strahlung, das aus
einer Schicht mit periodisch angeordneten, tripolförmigen Öff
nungen besteht, ist aus dem deutschen Gebrauchsmuster G 90 14 927.0
bekannt. Das Herstellungsverfahren geht von einem mehr
schichtigen oder zusammengesetzten Substrat aus.
Wird ein mehrschichtiges Substrat eingesetzt, so wird durch
ein lithographisches Verfahren mit Hilfe eines strahlen
empfindlichen Kunststoffs direkt auf dem Substrat aus dem
Kunststoff die Komplementärstruktur der Öffnungen hergestellt.
Der Raum zwischen den Komplementärstrukturen wird anschließend
galvanisch mit einem Metall aufgefüllt, wodurch die Schicht
mit den periodisch angeordneten Öffnungen entsteht. Die
Schicht wird nach Entfernen der Komplementärstruktur auf einen
Rahmenträger aufgeklebt und vom Substrat getrennt. Der Rahmen
träger läßt sich auch herstellen, indem ein zusammengesetztes
Substrat eingesetzt wird. Dieses Substrat besteht aus einem
selektiv entfernbaren Kern, der von einem Ring umgeben ist,
wobei der Ring den Rahmenträger darstellt und aus dem Metall
besteht, das galvanisch abgeschieden wird. In diesem Fall be
steht somit der Rahmenträger aus einem Teil des Substrats.
Ein weiteres Bandpaßfilter für elektromagnetische Strahlung
ist in der DE 40 34 364 A1 beschrieben. Die Herstellung er
folgt entsprechend dem im zitierten Gebrauchsmuster beschrie
benen Verfahren.
Gegenstand der DE 40 34 365 A1 ist ein Verfahren zur Herstel
lung freitragender Mikrostrukturen. Solche freitragenden Mi
krostrukturen sind z. B. Infrarotfilter oder Hochpaßfilter für
den fernen Infrarotbereich. Zur Herstellung dieser Filter wer
den mit einem lithographischen Verfahren aus einem strahlen
empfindlichen Kunststoff die Negativformen der Öffnungen her
gestellt, die Zwischenräume der Negativformen galvanisch mit
einem Metall, z. B. mit Gold, aufgefüllt und die metallische
Struktur auf einen Rahmen geklebt.
Aufgabe der Erfindung ist, ein weiteres Verfahren vorzuschla
gen, mit dessen Hilfe sich ein Filter für elektromagnetische
Strahlung herstellen läßt. Das Verfahren soll es insbesondere
ermöglichen, den Blendenring zusammen mit der periodisch
strukturierten Membran in einem Schritt herzustellen, so daß
auf das Aufkleben der Membran auf einen Rahmen oder auf den
Einsatz eines zusammengesetzten Substrats verzichtet werden
kann.
Die Aufgabe wird durch das im Patentanspruch beschriebene Ver
fahren gelöst.
In der Figur ist eine Ausführungsform eines bekannten Bandpaß
filters, das noch mit dem Substrat verbunden ist, dargestellt.
Anhand dieser Figur wird im folgenden das Herstellungsverfah
ren erläutert.
Das Verfahren geht von einem Substrat 5 mit einer ebenen,
elektrisch leitenden Oberfläche aus. Als Substrat läßt sich z. B.
eine Metallplatte oder eine Keramikplatte mit metallisier
ter Oberfläche einsetzen. Die elektrisch leitende Oberfläche
kann auch aus Kohlenstoff bestehen. Die Oberfläche muß nur
eine galvanische Abscheidung von Metall oder einer Metallegie
rung ermöglichen; weitere Anforderungen braucht das Substrat
im Prinzip nicht erfüllen. Es ist jedoch vorteilhaft, wenn die
Oberfläche des Substrats aus einer selektiv entfernbaren,
elektrisch leitenden Trennschicht, z. B. einer Titanschicht
besteht, da das Substrat im vorletzten Verfahrensschritt vom
Blendenring 4 getrennt werden muß.
Auf der Oberfläche des Substrats 5 wird nun einen Schicht ei
nes selektiv entfernbaren, elektrisch nicht leitenden Stoffs
aufgetragen. Die Dicke dieser Schicht bestimmt (zusammen mit
dem nachfolgend aufzutragenden Überzug) die Höhe des Blenden
rings und ist an sich frei wählbar. Da der Blendenring 4 dazu
dient, die Membran 2 in einer mechanisch stabilen Weise aufzu
spannen und zu stützen, soll eine entsprechend dicke Schicht
vorgesehen werden. Die selektiv entfernbare Schicht kann prin
zipiell aus einer Keramik bestehen. Im allgemeinen wird man
jedoch als selektiv entfernbaren Stoff einen Kunststoff wäh
len, der später durch Auflösen in einem Lösungsmittel vom gal
vanisch abgeschiedenen Metall abtrennbar ist.
Die freie Oberfläche der Schicht des selektiv entfernbaren Ma
terials muß anschließend mit einem Überzug eines elektrisch
leitenden Materials, z. B. mit einer Metall- oder Kohlenstoff
schicht, versehen werden. Vorzugsweise wird die freie Oberflä
che mit Hilfe der bekannten Verfahren (Aufstäuben, Aufdampfen
etc.) mit einem metallischen Überzug versehen. Der elektrisch
leitende Überzug dient ebenfalls der galvanischen Abscheidung
von Metall; auf ihm wird die dem Substrat 5 gegenüberliegende
Seite der Membran 2 aufgebaut. Es reicht aus, wenn der Überzug
dünn, z. B. wenige nm dick, ausgeführt wird. Auch der Überzug
soll sich selektiv, z. B. durch Abätzen, gegenüber dem in ei
nem späteren Verfahrensschritt galvanisch abgeschiedenen Me
tall oder der Metallegierung entfernen lassen.
Auf dem elektrisch leitenden Überzug wird nun eine Schicht ei
nes strahlenempfindlichen Kunststoffs aufgetragen. Die Dicke
dieser Schicht übersteigt vorzugsweise die vorgesehene Dicke
der Membran 2, damit für die spätere galvanische Abscheidung
von Metall eine wannenartige Form gebildet werden kann, die
eine scharfe Außenbegrenzung der Membran 2 ermöglicht. Als
strahlenempfindlicher Kunststoff können die bekannten Röntgen
resists oder Photolacke Verwendung finden.
Nun wird ein ringförmiger Graben hergestellt, der die Form des
Blendenrings 4, insbesondere dessen Außendurchmesser und des
sen Breite, aufweist und der daher ein Negativabbild des Blen
denrings 4 darstellt. Hierzu werden die Schichten des strah
lenempfindlichen Kunststoffs, des Überzugs und des selektiv
entfernbaren Stoffs kreisringförmig abgetragen, bis die elek
trisch leitende Oberfläche des Substrats 5 freiliegt. Der
ringförmige Graben wird vorzugsweise durch mechanische Bear
beitung (Drehen, Fräsen etc.) hergestellt. Besteht die Schicht
des selektiv entfernbaren Stoffes ebenfalls aus einem strah
lenempfindlichen, auf der ursprünglich freien Oberfläche mit
einem z. B. metallischen Überzug versehenen Kunststoff, können
prinzipiell auch lithographische Verfahren angewendet werden.
Hierbei kann der metallische Überzug, der in diesem Fall die
beiden Schichten des strahlenempfindlichen Kunststoffs trennt,
im Bereich des Grabens etwa durch Abätzen entfernt werden.
Innerhalb des ringförmigen Grabens wird nun die Schicht des
strahlenempfindlichen Kunststoffs durch ein Lithographiever
fahren strukturiert. Die Strukturierung erfolgt je nach Art
des strahlenempfindlichen Kunststoffs mit Röntgenlicht oder
UV-Licht z. B. über eine entsprechend gestaltete Maske. Je
nach Art des strahlenempfindlichen Kunststoffs werden die be
strahlten oder die nicht bestrahlten Teile der Schicht her
ausentwickelt. Die Strukturierung erfolgt in allen Fällen in
der Weise, daß von der Schicht des strahlenempfindlichen
Kunststoffs nur diejenigen Teile bestehen bleiben, die später
die Lochstrukturen 1 in der Membran 2 ergeben. Durch die
Strukturierung wird somit ein Negativabbild der Membran 2 ge
schaffen, wobei säulenförmige, voneinander getrennte Struktu
ren mit der Gestalt der Lochstrukturen bestehen bleiben. Der
Raum, den später der Werkstoff der Membran 2 einnimmt, wird
freigelegt.
Nun wird, beginnend auf der elektrisch leitenden Oberfläche
des Substrats 5 im Bereich des ringförmigen Grabens, galva
nisch ein Metall oder eine Metallegierung abgeschieden. Hierzu
wird die elektrisch leitende Oberfläche in einem galvanischen
Bad als Kathode geschaltet. Das galvanisch abgeschiedene Me
tall füllt schließlich den ringförmigen Graben vollständig
aus. Dabei wird der elektrisch leitende Überzug auf dem selek
tiv entfernbaren Stoff kontaktiert, wodurch dieser Überzug
ebenfalls als Kathode wirkt. Die galvanische Abscheidung des
Metalls erfolgt deshalb ab diesem Zeitpunkt sowohl oberhalb
des ringförmigen Grabens als auch innerhalb des Grabenrings im
Bereich der durch die Strukturierung freigelegten Teile des
Überzugs aus elektrisch leitendem Material. Die hier bestehen
gebliebenen säulenförmigen Strukturen aus dem strahlenempfind
lichen Kunststoff werden vom galvanisch abgeschiedenen Metall
eingehüllt, wodurch die Membran 2 gebildet wird. Die Dicke der
Membran 2 läßt sich durch die Dauer der galvanischen Abschei
dung einstellen. Im Bereich außerhalb des ringförmigen Grabens
bildet die unverändert bestehen gebliebene Schicht des strah
lenempfindlichen Kunststoffs eine Wandfläche, die ein Seiten
wachstum des galvanisch abgeschiedenen Metalls in diesem Be
reich verhindert und die Ringform des Blendenrings 4 ein
schließlich der Membran 2 sicherstellt. Wie erwähnt, wird die
Höhe der Schicht des strahlenempfindlichen Kunststoffs vor
zugsweise dicker gewählt als die Dicke der Membran 2.
Anschließend wird die strukturierte Schicht des strahlen
empfindlichen Kunststoffs, d. h. die säulenartigen Strukturen
innerhalb des ringförmigen Grabens und der (nicht struktu
rierte) Schichtbereich außerhalb des Grabens entfernt. Das
Entfernen erfolgt vorzugsweise mit einem Lösungsmittel. Gege
benenfalls kann die strukturierte Schicht des strahlenempfind
lichen Kunststoffs flutbestrahlt und in der üblichen Weise
herausentwickelt werden.
Die anschließende Abtrennung des Substrats 5 wird wie erwähnt
durch das Vorsehen einer Trennschicht auf dem Substrat 5 er
leichtert. Ohne Trennschicht kann das Substrat z. B. mecha
nisch abgetragen oder insgesamt aufgelöst werden.
Vor oder nach dem Abtrennen des Substrats 5 wird der Überzug
zumindest an den die Lochstrukturen 1 verschließenden Stellen
entfernt. Vor dem Abtrennen des Substrats 5 sind diese Stellen
durch die Lochstrukturen 1 zugänglich. In diesem Fall können
sie durch selektives Ätzen, bei dem das galvanisch abgeschie
dene Metall nicht angegriffen wird, entfernt werden, so daß
die Lochstrukturen 1 offen sind. Stört der Überzug insgesamt,
so kann er nach der Entfernung des Substrats 5 und des selek
tiv entfernbaren Stoffs von der anderen Seite aus etwa durch
Beschuß mit Argonionen (Absputtern im Argonplasma) insgesamt
entfernt werden.
Der selektiv entfernbare Stoff läßt sich durch verschiedene
Verfahren abtrennen. Kunststoffe als selektiv entfernbarer
Stoff können in einem Lösungsmittel gelöst oder auch herausge
schmolzen werden. Eine Keramik läßt sich z. B. durch Abätzen
mit einer Säure entfernen. Selbstverständlich darf die vorge
sehene Säure das galvanisch abgeschiedene Metall nicht angrei
fen.
Die Erfindung wird im folgenden durch ein Ausführungsbeispiel
näher erläutert.
Auf ein Kupfersubstrat 5 wird zunächst eine 2 µm dicke Titan
schicht als Haftschicht aufgestäubt (aufgesputtert) und
naßchemisch oxidiert. Danach wird eine 1 mm dicke, unvernetzte
Schicht aus Polymethylmethacrylat (PMMA) aufpolymerisiert.
Diese Schicht wird mit einer 3 µm dicken aufgestäubten und
naßchemisch oxidierten Wolframschicht bedeckt. Anschließend
wird die Wolframoxidschicht mit 30 µm PMMA beschichtet. Diese
PMMA-Schicht wird nunmehr über eine Maske mit Röntgenlicht be
strahlt, so daß alle Bereiche, die später von der Membran 2
eingenommen werden, vom Röntgenlicht erfaßt werden. Die Stel
len, die in der Membran 2 die Lochstrukturen 1 bilden, werden
nicht bestrahlt.
Vor dem Entwickeln der bestrahlten Bereiche der PMMA-Schicht
wird durch Fräsen ein ringförmiger Graben um die bestrahlten
Bereiche angelegt, der bis zur Oberfläche des Substrats
reicht. Anschließend erfolgt die Entwicklung der bestrahlten
Bereiche der PMMA-Schicht, so daß säulenförmige, inselartig
voneinander getrennte Strukturen aus PMMA bestehen bleiben,
die die Form der Lochstrukturen 1 aufweisen.
Ausgehend vom Substrat wird zunächst der ringförmige Graben
mit galvanisch abgeschiedenem Gold gefüllt. Erreicht der gal
vanische Niederschlag die Wolframschicht, wird diese elek
trisch kontaktiert; sie wirkt ab diesem Zeitpunkt ebenfalls
als Kathode. Der galvanische Niederschlag bedeckt daher auch
die Wolframschicht zwischen den säulenförmigen PMMA-Struktu
ren. Die galvanische Abscheidung von Gold wird fortgesetzt,
bis der Bereich über der Wolframschicht 20 µm hoch mit Gold
überdeckt ist.
Danach wird das Substrat an der Trennschicht durch selektives
Ätzen mit einer Kupfer-Carbamat-Lösung von der Goldstruktur
getrennt. Anschließend wird das gesamte PMMA in Ethylacetat
aufgelöst. Die Wolframschicht kann durch selektives Abätzen
mit H₂O₂ oder durch Absputtern im Argonplasma entfernt werden.
Reste der Titanschicht werden mit einer 2%igen Flußsäure ent
fernt. Die erzeugte Goldstruktur besteht aus dem Blendenring 4
und der mit Lochstrukturen 1 versehenen Membran 2.
Wird eine strahlenempfindliche Schicht aus PMMA verwendet, die
dicker als 50 µm ist, so ist es vorteilhaft, als selektiv ent
fernbaren Stoff statt der 1 mm dicken PMMA-Schicht eine 1 mm
dicke Schicht aus Polyamid aufzupolymerisieren oder aufzukle
ben. Das Polyamid wird durch 2,2,2-Trifluorethanol selektiv
entfernt.
Claims (1)
- Verfahren zur Herstellung eines Filters für elektromagnetische Strahlung, das eine über einen Blendenring (4) aufgespannte Membran (2) mit periodisch angeordneten Lochstrukturen (1) aufweist, bei dem man
- a) ein Substrat (5) mit einer ebenen, elektrisch leitenden Oberfläche herstellt,
- b) auf der Oberfläche des Substrats (5) eine Schicht eines se lektiv entfernbaren, elektrisch nichtleitenden Stoffs auf trägt,
- c) die freie Oberfläche des selektiv entfernbaren Stoffs mit einem Überzug aus einem elektrisch leitenden Material ver sieht,
- d) auf dem Überzug aus dem elektrisch leitenden Material eine Schicht eines strahlenempfindlichen Kunststoffs aufträgt,
- e) durch die Schichten des strahlenempfindlichen Kunststoffs, des Überzugs und des selektiv entfernbaren Stoffs einen ringförmigen Graben einbringt, der bis auf die Oberfläche des Substrats (5) reicht und ein Negativabbild des Blenden rings (4) darstellt,
- f) innerhalb des ringförmigen Grabens die Schicht des strah lenempfindlichen Kunststoffs durch ein Lithogra phieverfahren in der Weise strukturiert, daß von dem strah lenempfindlichen Kunststoff isolierte, periodisch angeord nete Strukturen bestehen bleiben, deren Form den Loch strukturen (1) entsprechen,
- g) den ringförmigen Graben und den Raum zwischen den iso lierten, periodisch angeordneten Strukturen durch galva nische Abscheidung mit einem Metall oder einer Metalle gierung auffüllt,
- h) die strukturierte Schicht des strahlenempfindlichen Kunst stoffs entfernt,
- i) das Substrat abtrennt,
- j) den Überzug zumindest an den die Lochstrukturen ver schließenden Stellen entfernt und
- k) den selektiv entfernbaren Stoff in einer Weise abtrennt, daß das galvanisch abgeschiedene Metall nicht angegriffen wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19944406600 DE4406600C1 (de) | 1994-03-01 | 1994-03-01 | Verfahren zur Herstellung eines Filters für elektromagnetische Strahlung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19944406600 DE4406600C1 (de) | 1994-03-01 | 1994-03-01 | Verfahren zur Herstellung eines Filters für elektromagnetische Strahlung |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4406600C1 true DE4406600C1 (de) | 1995-04-27 |
Family
ID=6511479
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19944406600 Expired - Fee Related DE4406600C1 (de) | 1994-03-01 | 1994-03-01 | Verfahren zur Herstellung eines Filters für elektromagnetische Strahlung |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE4406600C1 (de) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4034364C2 (de) * | 1990-10-29 | 1992-09-17 | Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh, 7500 Karlsruhe, De | |
DE4034365C2 (de) * | 1990-10-29 | 1993-03-18 | Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh, 7500 Karlsruhe, De |
-
1994
- 1994-03-01 DE DE19944406600 patent/DE4406600C1/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4034364C2 (de) * | 1990-10-29 | 1992-09-17 | Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh, 7500 Karlsruhe, De | |
DE4034365C2 (de) * | 1990-10-29 | 1993-03-18 | Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh, 7500 Karlsruhe, De |
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