DE4406342C1 - Sensor und Verfahren zu dessen Herstellung - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft einen Sensor nach dem Oberbegriff des ersten Patentanspruchs und ein Verfahren zu dessen Herstellung nach dem fünften Patentanspruch.

Ein solcher Sensor ist aus der DE 36 25 411 A1 bekannt. Dieser Sensor, der als Beschleunigungssensor eingesetzt werden kann, enthält als seismische Masse eine Platte, die über Stege an einem Rahmen aufgehängt ist. Der Rahmen umgibt die Platte all­ seitig. Oberhalb und unterhalb der Platte sind auf den Rahmen mit Abstand zu der Platte zwei Deckplatten aufgesetzt. Auf den der Platte gegenüberliegenden Flächen der Deckplatten ist je­ weils ein elektrisch leitender Film aufgetragen. Die beiden Filme bilden zusammen mit der Platte zwei Plattenkondensato­ ren. Die Auslenkung der Platte unter dem Einfluß einer Kraft erfolgt in Richtung auf einen der Filme, so daß sich die Ab­ stände zwischen den Filmen und der Platte und damit die Kapa­ zität der beiden Plattenkondensatoren ändern. Die Platte, die Stege und der Rahmen bestehen aus dotiertem Silicium, während für die Deckplatten, die die Filme tragen, Glas bevorzugt wird.

Die DE 37 27 142 A1 beschreibt Mikrosensoren mit integrierter Signalverarbeitung und ein Verfahren zu deren Herstellung. Die Mikrosensoren enthalten entweder eine spirale (Fig. 3) oder eine kammartige (Fig. 13) Struktur. Gemäß dem Herstellungsver­ fahren wird zuerst eine Galvanikelektrode auf einem Substrat aufgebracht. Danach wird eine Schicht eines Röntgenresists auf dem mit der Galvanikelektrode versehenen Substrat aufgetragen, wobei die Dicke der Schicht einer charakteristischen Höhe der Sensorstrukturen entspricht. Anschließend werden in dieser Schicht auf röntgenlithographischem Weg Negative der Sen­ sorstrukturen hergestellt. Die Negative der Sensorstrukturen werden dann durch galvanische Abscheidung eines Metalls oder einer Metallegierung unter Verwendung der Galvanikelektrode aufgefüllt. Schließlich wird das Substrat mit den daraufange­ brachten Sensorstrukturen in einzelne Funktionseinheiten ge­ trennt. Das beschriebene Verfahren eignet sich nicht zur Her­ stellung von Sensoren, bei denen ein bewegliches Teil in Rich­ tung auf das Substrat ausgelenkt werden kann.

Aus der DE 40 22 464 A1 ist ein Beschleunigungssensor bekannt, bei dem auf einem Träger ein feststehender Rahmen angebracht ist. Der feststehende Rahmen umgibt eine seismische Masse etwa in Form einer quadratischen Platte, die am Rahmen über Stege befestigt ist. Der Beschleunigungssensor besteht aus Silicium. Während die seismische Masse bei diesem Beschleunigungssensor sowohl parallel zur Trägerebene als auch senkrecht hierzu aus­ gelenkt werden kann, wird - offenbar aus herstellungstechni­ schen Gründen - eine Auslenkung parallel zur Trägerebene be­ vorzugt. Zur Detektion dieser Auslenkung sind parallel zu den Stegen Elektroden oder Piezowiderstände angebracht, die eine kapazitive oder piezoresistive Erfassung der Auslenkung ermög­ lichen.

Ein weiterer Beschleunigungssensor und ein Verfahren zu dessen Herstellung ist in der DE 40 03 473 C2 beschrieben. Dieser Be­ schleunigungssensor besteht aus Silicium und wird ätztechnisch hergestellt. Er enthält mindestens ein Paddel, das aus einem monokristallinen Siliciumwafer herausgeätzt ist und unter dem Einfluß einer Kraft parallel zum Wafer beweglich ist. Die De­ tektion der Bewegung des Paddels erfolgt wiederum kapazitiv oder piezoresistiv. Parallel zum Paddel können Elektroden vor­ gesehen sein, die den Abstand zum Paddel registrieren.

Aufgabe der Erfindung ist, einen mikromechanischen Sensor der eingangs genannten Art vorzuschlagen, bei dem die Platte, die Stege und die Haltevorrichtung für die Platte nicht aus do­ tiertem Silicium, sondern aus einem Metall oder einer Metalle­ gierung bestehen. Weiterhin soll ein Verfahren angegeben wer­ den, mit dem sich ein solcher Sensor herstellen läßt.

Die Aufgabe wird durch die kennzeichnenden Merkmale des ersten Patentanspruchs und durch das Verfahren nach dem fünften Pa­ tentanspruch gelöst. Die abhängigen Ansprüche geben bevorzugte Weiterbildungen des erfindungsgemäßen Sensors und Verfahrens an.

Die in den Ansprüchen beschriebenen mikromechanischen Senso­ ren, bei denen auf einem Substrat mit elektrisch nicht leiten­ der Oberfläche metallische Strukturen aufgebracht sind, lassen sich erstmalig durch das erfindungsgemäße Verfahren herstel­ len.

Die Figur zeigt eine bevorzugte Ausführungsform des erfin­ dungsgemäßen mikromechanischen Sensors. Die Erfindung wird im folgenden anhand dieser Figur erläutert.

Auf einem Substrat 5 mit elektrisch nicht leitender Oberflä­ che, das beispielsweise aus einer Keramik, insbesondere einer Oxidkeramik wie Al₂O₃, bestehen kann, ist eine elektrisch leitfähige Fläche 1 vorgesehen. Vorzugsweise ist die elek­ trisch leitfähige Fläche 1 mit einer ersten bandförmigen Lei­ terbahn 3 kontaktiert. Wie nachfolgend gezeigt wird, kann die erste Leiterbahn 3 zusammen mit der elektrisch leitfähigen Fläche 1 hergestellt werden. Vorzugsweise bestehen die Fläche 1 und die Leiterbahn 3 aus einem Metall oder einer Metallegie­ rung; nichtmetallische, elektrisch leitfähige Stoffe sind je­ doch ebenso möglich.

Auf dem Substrat 5 erheben sich in der gezeigten Ausführungs­ form zwei Säulen 2a aus einem Metall oder einer Metallegie­ rung. Der Werkstoff der Säulen 2a muß nicht notwendigerweise mit dem Werkstoff der Fläche 1 identisch sein; das nachfolgend beschriebene Herstellungsverfahren läßt auch unterschiedliche Werkstoffe zu. Die Säulen 2a stehen weder mit der Fläche 1 noch mit der ersten kontaktierenden Leiterbahn 3 in Verbin­ dung; sie sind vielmehr über einen elektrisch nicht leitenden Abstandsbereich 7 voneinander getrennt. Der Abstandsbereich besteht aus der Oberfläche des elektrisch nicht leitenden Sub­ strats 5.

Beide dargestellten Säulen 2a werden an ihren freien Enden durch eine Platte 2c aus dem Metall oder der Metallegierung der Säule überbrückt, so daß die Platte 2c die elektrisch leitfähige Fläche 1 überdacht und mit dieser zusammen einen Kondensator bildet. Der Abstand zwischen den Kondensatorflä­ chen ist in der Figur mit S bezeichnet. Zwischen den Kondensa­ torflächen kann die Spannung U abgegriffen werden.

Damit die Platte 2c unter dem Einfluß einer Kraft in Richtung auf die Fläche 1 bewegbar ist, sind zwei Ausnehmungen 8 vorge­ sehen, die jeweils zwei Stege 2b bestehen lassen. Die Platte 2c und die Stege 2b bestehen aus fertigungstechnischen Gründen vorzugsweise aus demselben Werkstoff wie die Säulen 2a, obwohl prinzipiell auch ein anderes Metall oder eine andere Metalle­ gierung vorgesehen werden kann.

Die Säulen 2a, die Stege 2b und die Platte 2c bilden in der dargestellten Ausführungsform eine metallische Brückenstruk­ tur, die auf das elektrisch nichtleitende Substrat 5 aufge­ setzt ist und die Fläche 1 überdacht. Die Brückenstruktur wird vorzugsweise durch eine zweite Leiterbahn 3 kontaktiert, die zusammen mit der Fläche 1 und der ersten Leiterbahn 3 herge­ stellt werden kann.

Prinzipiell kann der erfindungsgemäße Sensor nur eine einzige Säule 2a aufweisen, an deren freiem Ende die Platte 2c über einen oder zwei Stege angebracht ist. In diesem Fall erfolgt die Auslenkung der Platte 2c nicht parallel zu der Fläche 1. Deshalb werden zwei oder mehr Säulen bevorzugt. Das Herstel­ lungsverfahren ermöglicht es, Sensoren mit beliebig vielen Säulen 2a in beliebiger Form und Anordnung herzustellen, an denen über Stege 2b die Platte 2c angebracht ist. Auch die Stege 2b lassen sich mit dem erfindungsgemäßen Verfahren be­ liebig gestalten.

Ein wesentlicher Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung dieser Sensoren ist, daß der Abstand zwischen der elektrisch leitfähigen Fläche 1 und der Platte 2c sehr exakt und sehr klein eingestellt werden kann. Damit werden Sensoren zugänglich, die eine hohe Grundkapazität aufweisen. Der Ab­ stand beträgt daher zwischen 0,1 und 1000 µm, vorzugsweise je­ doch weniger als 100 µm; besonders bevorzugt werden Abstände zwischen 0,1 und 10 µm.

Der erfindungsgemäße mikromechanische Sensor kann als Be­ schleunigungssensor und als Temperatursensor eingesetzt wer­ den. Wird er als Temperatursensor eingesetzt, sind die Stege 2b vorzugsweise nicht linear, sondern spiralförmig ausgebil­ det. Diese Ausführungsform kann wie erwähnt nach demselben Verfahrensprinzip hergestellt werden. Eine Temperaturänderung führt zu einer thermischen Längenänderung der spiralförmigen Elemente und damit zu einer Änderung der Federkonstanten. Durch Anlegen eines elektrischen Spannungsimpulses an die Kon­ densatorplatten wird die erste Kondensatorplatte zum Schwingen angeregt. Dabei bestimmt die temperaturabhängige Federkon­ stante der spiralförmigen Elemente das Ausschwingverhalten der beweglichen Platte, das durch die Eigenfrequenz und durch die zeitabhängige Amplitude bestimmt ist. Damit kann über die Mes­ sung der Eigenfrequenz der beweglichen Platte oder über die Messung der Amplitude zu einem definierten Zeitpunkt die Tem­ peratur ermittelt werden.

Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung der mikromecha­ nischen Sensoren wird im folgenden ebenfalls anhand der Figur beschrieben. Durch eine geeignete Abwandlung des Verfahrens lassen sich jedoch auch andere, insbesondere die erwähnten Ausführungsformen des mikromechanischen Sensors herstellen.

Eine Seite eines elektrisch nichtleitenden Keramiksubstrats, z. B. aus Al₂O₃, wird zunächst vollständig mit einer ersten elektrisch leitfähigen Schicht überzogen. Die erste leitfähige Schicht kann z. B. durch Abstäuben (Sputtern) eines Metalls oder einer Metallegierung aufgebracht werden. Gute Ergebnisse werden mit zwei aufeinanderliegenden, durch Abstäuben aufge­ tragenen Schichten aus Chrom und Silber erzielt. Eine Gesamt­ schichtdicke von 0,5 µm reicht im allgemeinen völlig aus.

Danach wird die aufgetragene metallische Schicht strukturiert. Die Strukturierung erfolgt in der Weise, daß zwei verschie­ dene, miteinander nicht in elektrischem Kontakt stehende Flä­ chen entstehen. Die erste dieser Flächen bildet die elektrisch leitfähige Schicht 1 und gegebenenfalls die betreffende kon­ taktierende Leiterbahn 3. Die zweite Fläche bildet die Auf­ standsflächen 4 der Säulen 2a und gegebenenfalls die zugehö­ rige Leiterbahn 3. Wenn - wie in der dargestellten Ausfüh­ rungsform des Sensors - zwei oder mehr Säulen vorgesehen sind, müssen ihre Aufstandsflächen 4 durch eine verbindende Leiter­ fläche in Form einer Leiterbahn 6 miteinander in elektrischen Kontakt gebracht werden. Die zweite Fläche besteht daher aus einem elektrisch zusammenhängenden Verbund der Aufstandsflä­ chen 4, der verbindenden Leiterbahn 6 und gegebenenfalls der betreffenden kontaktierenden Leiterbahn 3. Die Strukturierung erfolgt beispielsweise durch lithographische und Ätzverfahren.

Damit die erste und die zweite Fläche gegeneinander elektrisch isoliert sind, werden Abstandsbereiche vorgesehen. Die Auf­ standsflächen 4 und die Fläche 1 bilden miteinander den Ab­ standsbereich 7 aus, in dem die Oberfläche des nichtleitenden Substrats freiliegt.

Die auf diese Weise strukturierte erste elektrisch leitfähige Schicht wird nachfolgend vollständig durch eine Schicht eines strahlenempfindlichen Kunststoffs überdeckt. Als strahlen­ empfindlicher Kunststoff kann entweder ein röntgenstrahlen- oder lichtempfindlicher Kunststoff eingesetzt werden. Da die Dicke dieser Schicht den Abstand zwischen der Fläche 1 und der Platte 2c bestimmt, wird man für größere Abstände einen rönt­ genstrahlenempfindlichen Kunststoff wählen, während für klei­ nere Abstände, etwa im Bereich vom 0,5 µm bis 50 µm, ein lichtempfindlicher Photolack ausreicht. Zum Auftragen des Kunststoffs eignen sich die bekannten Verfahren.

Für eine spezielle Ausführungsform des Sensors gemäß der Figur wurde ein Photolack vom Typ AZ4210 in einer Dicke von 3,3 µm aufgetragen.

Auf der Schicht des Kunststoffs wird danach eine zweite elek­ trisch leitfähige Schicht aufgetragen. Diese Schicht besteht vorzugsweise aus einem Metall oder einer Metallegierung. Die Dicke dieser Schicht ist im Prinzip frei wählbar; sie muß le­ diglich eine galvanische Abscheidung von Metall ermöglichen. Da diese Schicht nachfolgend etwa durch naßchemisches Ätzen strukturiert wird, wird man eine dünne Schicht bevorzugen. Für die Herstellung dieser Schicht sind wiederum alle bekannten Verfahren (Aufstäuben [Sputtern], Aufdampfen etc.) anwendbar.

Für die spezielle Ausführungsform wurde eine ca. 200 nm dicke Goldschicht durch Aufdampfen aufgebracht.

Die zweite elektrisch leitfähige Schicht wird anschließend strukturiert. Die Strukturierung erfolgt in der Weise, daß die Bereiche senkrecht oberhalb der Aufstandsflächen 4 entfernt und ggf. zusätzlich Vorkehrungen für zwischen zwei an der sel­ ben Säule angebrachte Ausnehmungen entsprechend den in der Fi­ gur dargestellten Ausnehmungen 8, die die Stege 2b bestehen lassen, geschaffen werden. Diese Vorkehrungen bestehen darin, die betreffenden Stellen der zweiten elektrisch leitfähigen Schicht entweder zu entfernen oder mit einem elektrisch nicht­ leitenden Material, z. B. mit Hilfe eines strahlenempfindli­ chen Kunststoffs, abzudecken. Wenn das Substrat größer ist als die vorgesehene Größe des Sensors, wird die zweite elektrisch leitfähige Schicht außerdem an denjenigen Stellen entfernt oder mit einem elektrisch nichtleitenden Material abgedeckt, die nicht senkrecht über der Brückenstruktur liegen, so daß die obere Fläche der Brückenstruktur 2a, 2b, 2c ausgeformt wird und die Platte 2c in einem der nachfolgenden Schritte die dargestellte rechteckige Form erhält.

In gleicher Weise wird gegebenenfalls die zweite elektrisch leitfähige Schicht an denjenigen Stellen entfernt, die in senkrechter Projektion nicht zwischen den Aufstandsflächen 4 liegen, sondern an die Aufstandsflächen angrenzen, so daß die der Platte abgewandten Außenflächen der später herzustellenden Säulen 2a eben sind. Wenn - wie in der dargestellten Ausfüh­ rungsform des Sensors - mehrere Aufstandsflächen 4 (und damit mehrere Säulen 2a) vorgesehen sind, wird die diese Aufstands­ flächen 4 miteinander elektrisch verbindende Leiterbahn 6 bei der Strukturierung dieser Schicht nicht berücksichtigt.

Zur Strukturierung müssen daher die angegebenen Bereiche der zweiten elektrisch leitfähigen Schicht selektiv gegenüber den übrigen Bereichen entfernt werden. Wenn die Schicht aus einem Metall oder einer Metallegierung besteht, kann dies durch naßchemisches Ätzen oder durch Trockenätzverfahren geschehen. Besteht die zweite elektrisch leitfähige Schicht etwa aus Gold, so kann das Ätzen mit einer wäßrigen Kaliumjodid-Jod-Lö­ sung erfolgen. Wird naßchemisch geätzt, muß zuvor eine Ätz­ maske hergestellt werden.

Die Ätzmaske kann hergestellt werden, indem die zweite elek­ trisch leitfähige Schicht wiederum mit einem Photolack, etwa des Typs AZ4210, in einer Dicke von wenigen µm (für die spe­ zielle Ausführungsform: 2,7 µm) beschichtet wird. Die oben ge­ nannten Bereiche des Photolacks werden über eine entsprechende Maske belichtet und die belichteten Bereiche mit einem Ent­ wickler wie beispielsweise KOH entfernt. Damit liegen diejeni­ gen Bereiche der zweiten elektrisch leitfähigen Schicht frei, die selektiv entfernt werden sollen. Um die nachfolgende völ­ lige Entfernung dieser zweiten Photolackschicht zu erleich­ tern, wird der gesamte verbleibende Photolack flutbelichtet. Durch die Flutbelichtung wird nur die zweite Photolackschicht erfaßt, weil die zu diesem Zeitpunkt noch unstrukturierte zweite elektrisch leitfähige Schicht die darunterliegende Schicht des strahlenempfindlichen Kunststoffs schützt.

Danach werden die freiliegenden Bereiche der zweiten elek­ trisch leitfähigen Schicht wie beschrieben durch Ätzen ent­ fernt, wodurch diese Schicht in der angegebenen Weise struktu­ riert wird.

Nun wird die Schicht des strahlenempfindlichen Kunststoffs strukturiert. Die Strukturierung erfolgt je nach Art des Kunststoffs durch Bestrahlen mit Röntgenstrahlung oder Licht. Bestrahlt werden ausschließlich diejenigen Bereiche des Kunst­ stoffs, die senkrecht über den Aufstandsflächen 4 liegen, so­ fern ein Positivresist verwendet wurde. Bei einem Negativ­ resist werden ausschließlich die übrigen Bereiche bestrahlt. Durch Entwickeln werden in beiden Fällen die - mit der struk­ turierten ersten leitfähigen Schicht überzogenen - Aufstands­ flächen 4 freigelegt.

Danach werden die erzeugten Hohlräume innerhalb des strahlen­ empfindlichen Kunststoffs galvanisch mit Metall aufgefüllt, wodurch die Säulen 2a geschaffen werden. Die galvanische Ab­ scheidung beginnt an den Aufstandsflächen 4. Das galvanisch abgeschiedene Metall wächst in den Hohlräumen oberhalb der Aufstandsflächen 4 auf, bis diese aufgefüllt sind. Danach be­ ginnt ein Seitenwachstum des galvanisch abgeschiedenen Me­ talls, und zwar an denjenigen Bereichen der zweiten elektrisch leitfähigen Schicht, die nach der Strukturierung bestehen geblieben sind. Durch den Galvanikschritt wird daher die Brückenstruktur 2a, 2b, 2c erzeugt. Die verbliebenen Teile des strahlenempfindlichen Kunststoffs werden nun z. B. mit dem Lö­ sungsmittel Aceton entfernt. Die Dicke der Stege 2b und der Platte 2c kann durch die Dauer des Galvanikschrittes einge­ stellt werden.

Das Seitenwachstum erfolgt gleichmäßiger, wenn gemäß dem in der nachveröffentlichten DE 42 31 742 beschriebenen Verfahren aus den bestehen gebliebenen Bereichen der zweiten leitfähigen Schicht Inselstrukturen gebildet werden.

Die Dicke der seitlich wachsenden, galvanisch abgeschiedenen Schicht bestimmt die Dicke der Stege 2b und der Platte 2c. Werden verhältnismäßig dicke Stege 2b und eine entsprechend dicke Platte 2c gewünscht, besteht die Gefahr, daß das galva­ nisch abgeschiedene Metall beim Seitenwachstum auch die vorge­ gebene Struktur der zweiten leitfähigen Schicht seitlich über­ wächst, so daß deren Struktur nicht exakt nachgebildet wird und damit keine scharfen seitlichen Begrenzungen der Brücken­ struktur erhalten werden.

Dieser Gefahr kann dadurch begegnet werden, daß man die beste­ hen bleibenden Bereiche der zweiten elektrisch leitfähigen Schicht mit senkrechten Seitenwänden der vorgesehenen Form versieht, die gleich hoch oder höher sind als die gewünschte Dicke der durch galvanische Abscheidung hergestellten Stege 2b und Platte 2c. Diese Seitenwände können in folgender Weise hergestellt werden.

Auf die strukturierte zweite elektrisch leitfähige Schicht wird nach dem vollständigen Entfernen der Ätzmaske ein weite­ rer strahlenempfindlicher Kunststoff aufgetragen. Beispiels­ weise kann eine 8 µm dicke Photolackschicht des Typs AZ4620 aufgetragen werden, die nachfolgend über eine Maske bestrahlt wird. Die offene Fläche der Maske hat in diesem Fall die Form der Aufstandsflächen 4, der Stege 2b und der Platte 2c. In den Bereichen der Stege 2b und der Platte 2c dringt das bestrah­ lende Licht nur in die Schicht des zweiten strahlenempfindli­ chen Kunststoffs ein, weil die darunter liegende erste Schicht des strahlenempfindlichen Kunststoffs durch die bestehen gebliebenen Bereiche der zweiten elektrisch leitfähigen Schicht abgeschattet werden. Im Bereich der Aufstandsfläche 4 durchdringt die Strahlung sowohl die erste als auch die zweite Kunststoffschicht. Die zweite Kunststoffschicht bildet nach der Entfernung der bestrahlten Bereiche die gewünschte wannen­ ähnliche Form, die eine scharfe Begrenzung der Brückenstruktur bei der galvanischen Abscheidung ermöglicht. Wiederum werden alle verbliebenen Teile des strahlenempfindlichen Kunststoffs nach der galvanischen Abscheidung z. B. mit Aceton entfernt.

Werden als strahlenempfindlichen Kunststoffe keine Photolacke, sondern röntgenstrahlenempfindliche Polymere verwendet, wird die Schichtdicke und/oder das Material der zweiten leitfähigen Schacht so gewählt, daß bei der Bestrahlung des zweiten, obe­ ren strahlenempfindlichen Kunststoffs die erste, untere Schicht des strahlenempfindlichen Kunststoffs nicht entwickel­ bar bestrahlt wird.

Claims (6)

1. Mikromechanischer Sensor, bei dem

• a) auf einem Substrat (5) mit elektrisch nicht leitender Oberfläche eine elektrisch leitfähige Fläche (1) vorge­ sehen ist,
• b) auf dem Substrat sich mindestens eine Säule (2a) erhebt,
• c) die elektrisch leitfähige Fläche (1) und die Säule(n) (2a) einen elektrisch nicht leitenden Abstandsbereich (7) auf dem Substrat (5) begrenzen,
• d) am freien Ende der Säule(n) (2a) eine Platte (2c) so an­ gebracht ist, daß sie die elektrisch leitfähige Fläche (1) überdacht,
• e) die Platte (2c) mit der oder den Säule(n) über minde­ stens einen Steg (2b) in der Weise verbunden ist, daß sich die Platte (2c) unter der Einwirkung einer Kraft in Richtung auf die elektrisch leitfähige Fläche (1) be­ wegt,
  dadurch gekennzeichnet, daß
• f) Säule(n) (2a), Steg(e) (2b) und Platte (2c) aus einem Metall oder einer Metallegierung bestehen und
• g) der Abstand zwischen Platte (2c) und der elektrisch leitfähigen Fläche (1) zwischen 0,1 µm und 1000 µm be­ trägt.

2. Mikromechanischer Sensor nach Anspruch 1 mit zwei im Quer­ schnitt rechteckigen Säulen (2a), mit denen die Platte (2c) über jeweils zwei Stege (2b) verbunden ist.

3. Mikromechanischer Sensor nach Anspruch 1 mit mindestens drei Säulen (2a), mit denen die Platte (2c) jeweils über einen Steg (2b) verbunden ist.

4. Mikromechanischer Sensor nach Anspruch 1, bei dem der Ab­ stand zwischen der elektrisch leitfähigen Fläche (1) und der Platte (2c) zwischen 0,1 µm und 10 µm beträgt.

5. Verfahren zur Herstellung eines Sensors gemäß einem der An­ sprüche 1 bis 4 mit den Schritten:

• a) auf ein Substrat (5) mit elektrisch nicht leitender Oberfläche wird eine erste elektrisch leitfähige Schicht aufgetragen,
• b) die erste elektrisch leitfähige Schicht wird in der Weise strukturiert, daß eine erste (1) und mindestens eine zweite (4) Fläche gebildet wird, wobei
• - die erste (1) mit der oder den zweite(n) Fläche(n) (4) jeweils einen elektrisch nichtleitenden Abstands­ bereich (7) ausbilden, und, sofern mehr als eine zweite Fläche (4) vorgesehen ist,
• - die zweiten Flächen (4) untereinander durch minde­ stens eine Leiterfläche (6) miteinander elektrisch leitend verbunden sind,
• c) die strukturierte erste, elektrisch leitfähige Schicht wird vollständig mit einer Schicht eines strahlungs­ empfindlichen Kunststoffs überdeckt,
• d) auf der Schicht des strahlungsempfindlichen Kunststoffs wird eine zweite elektrisch leitfähige Schicht aufgetra­ gen,
• e) die zweite elektrisch leitfähige Schicht wird in der Weise strukturiert, daß die Schicht
• - senkrecht über der/den zweite(n) Fläche(n) (4) mit Aus­ nahme der Leiterfläche (6) entfernt und
• - senkrecht über dem Abstandsbereich (7) mit Ausnahme der für den oder die Stege (2b) vorgesehenen Bereiche entfernt oder mit einem elektrisch nicht leitenden Material abge­ deckt ist,
• f) die zweite(n) Fläche(n) (4) mit Ausnahme der Leiterfläche (6) werden durch Bestrahlen und Entwickeln des strah­ lungsempfindlichen Kunststoffs freigelegt,
• g) auf der oder den freigelegten Fläche(n) (4) wird so lange galvanisch ein Metall oder eine Metallegierung ab­ geschieden, bis das Metall oder die Metallegierung die strukturierte zweite elektrisch leitfähige Schicht über­ deckt, wonach
• h) der strahlungsempfindliche Kunststoff vollständig ent­ fernt wird.

6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die erste elektrisch leitfähige Schicht gemäß Schritt b) so strukturiert wird, daß sowohl die erste (1) als auch die zweite(n) Fläche(n) (4) durch jeweils eine bandförmige Lei­ terbahn (3) kontaktiert wird.