DE4404077A1 - Verfahren zum plasmagestützten Bearbeiten eines Werkstücks und Anordnung dafür - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum plasmagestützten Bearbeiten eines Werkstücks nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 oder des Anspruchs 2 und eine Anordnung dafür.

Ein derartiges Verfahren ist dem Aufsatz Logan, J. S. Control of RF Sputtered Film Properties Through Substrate Tuning, IBM J. Res. Develop. März 1970 als bekannt entnehmbar.

Bei der Substratbearbeitung mittels eines durch Hochfrequenz in einem Vakuumbehälter erzeugten Plasmas ist in Abhängigkeit vom Druck und von der Art des Gases die Einkopplung von Leistung in das Plasma mit Verlusten verbunden. Diese Verluste können besonders groß sein, wenn in dem Vakuumbehälter die Substratelektrode mit einer Zusatzelektrode (Abschirmelektrode) versehen ist.

Die Abschirmelektrode soll unerwünschte parasitäre Gasentladungen verhindern; allerdings stellt eine solche Abschirmelektrode auch eine Streukapazität dar, die die Leistungsverluste erhöht. Bei einer solchen Anordnung kann es vorkommen, daß ein großer Teil des Stromes nicht in das Plasma fließt, sondern als (Blind-)Strom den Weg über die erwähnte Streukapazität nimmt.

Dieser (Blind-)Strom ruft hohe Verluste in den zwischen HF-Generator und Plasma vorhandenen ohmschen Widerständen hervor, die in Leitungswiderstände und Kontaktwiderstände einteilbar sind.

Es ist grundsätzlich möglich, zur Unterdrückung des erwähnten (Blind-)Stromes die Kapazität zwischen HF-Elektrode und Erde durch Vergrößerung des Abstandes zu verringern und auf eine Abschirmung zu verzichten.

Statt dessen können auch HF-Generatoren mit ausreichender Leistungsreserve verwendet werden, damit eine genügend hohe Leistung in die Gasentladung eingekoppelt werden kann.

Außerdem ist es denkbar, die HF-Energie induktiv einzukoppeln oder Mikrowellen zu verwenden, die eine Gasentladung mit höherer Leistungsdichte erzeugen.

Möglich ist auch eine magnetfeldgestützte Plasmaentladung oder die Erzeugung von Elektron-Zyklotron-Resonanz-Entladungen.

Ein anderer Weg besteht darin, die Spannungsüberhöhung in einem Reihenresonanzkreis für eine hohe Leistungseinkopplung auszunutzen; in diesem Falle müssen die von der HF-Elektrode und der Substratelektrode gebildete Kapazität und die durch das Plasma gebildete Randschichtkapazitäten einen Bestandteil des Reihenresonanzkreises bilden.

Nach dem Paschengesetz ist die zum Zünden erforderliche Spannung durch den geometrischen Aufbau des Elektrodensystems des Reaktors, durch den Druck und die Arbeitsgasart festgelegt.

Bei den Verfahren, die eine hohe Zündspannung erfordern, reichen die Ausgangsspannungen der verwendeten HF-Generatoren oft nicht aus, um das Plasma zu zünden.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum plasmagestützten Bearbeiten eines Werkstücks zu schaffen, mit Hilfe dessen für die Leistungseinkopplung in die Gasentladung ein hoher Wirkungsgrad erzielbar ist, die Intensität der Bearbeitung gezielt einstellbar ist und die Messung der in die Entladung eingekoppelten Leistung mit geringen Meßfehlern durchführbar ist.

Diese Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren zum plasmagestützen Bearbeiten eines Werkstücks nach Anspruch 1 oder 2.

Durch Einfügung eines LC-Resonanzkreises zwischen der Substratelektrode und Erde ist es möglich, eine Reihenresonanz zwischen den kapazitiven Randschichten der Plasmaentladung und der induktiven Komponente (Drossel) des LC-Resonanzkreises einzustellen. Bei einer derartigen Reihenresonanz verbleibt als Impedanz lediglich der ohmsche Anteil der Plasmaimpedanz. Wird die HF-Spannung an der HF-Elektrode konstant gehalten, steigt der die Plasmaentladung aufrechterhaltende HF-Strom auf einen Maximalwert an. Dabei wird - bei konstanter HF-Spannung - die maximale Leistung im Plasma umgesetzt.

Damit ist auch der Wirkungsgrad der Leistungseinkopplung besonders groß.

Vorteilhaft bei der Ausführung nach Anspruch 2 ist die Tatsache, daß die beiden signifikanten Resonanzpunkte (Reihenresonanz, Parallelresonanz) der Abstimmeinrichtung - insbesondere bei großflächigen Substraten - durch Teilung der Substratelektrode zur Homogenisierung der Aufwachsrate genutzt werden kann. Bei großflächigen Substraten (z. B. 0,5 m × 0,5 m) treten bei Anregungsfrequenzen ab 10 MHz - durch die Wirkung einer sich ausbreitenden Spannungswelle von der HF-Einkoppelstelle zu den Rändern der Substratelektrode - Spannungsinhomogenitäten auf. Diese führen zu lokal unterschiedlichen Leistungsdichten und damit zu unterschiedlichen Aufwachsraten.

Wird vor dem Zünden des Plasmas die Reihenresonanz gemäß Anspruch 3 eingestellt, dann wird durch die verbleibende niedrige Impedanz die HF-Spannung am Generator verringert. Die. HF-Spannung setzt sich aus der Spannung über den ohmschen Verlustwiderständen und aus den Spannungen der kapazitiven und induktiven Blindelemente zusammen. Die beiden Spannungen der Blindelemente sind zueinander um 180 Grad phasenverschoben und heben sich im verlustfreien Fall auf.

Durch den hohen Strom ergeben sich über den Blindelementen wesentlich höhere Spannungen im Vergleich zur Spannung an der HF-Elektrode (Spannungsüberhöhung).

Die Spannungsüberhöhung an der Reaktorkapazität wird dann zur Zündung ausgenutzt.

Vorteilhaft ist dabei, daß mit wenig Aufwand die Entladung gezündet werden kann, wenn die Generatorspannung allein dazu nicht ausreicht.

Bei einer Anordnung zweier ebener Elektroden in einem Triodensystem gemäß Anspruch 6 und Einfügung je eines LC-Resonanzkreises in die Zuleitungen zu den beiden Elektroden, ist es möglich, ein Stützplasma und ein Arbeitsplasma im Vakuumbehälter aufrechtzuerhalten.

Bei dem Verfahren nach Anspruch 7 wird zunächst der LC-Resonanzkreis der außen angebrachten Zusatzelektrode auf Reihenresonanz und der Resonanzkreis der Substratelektrode auf Parallelresonanz abgestimmt. Dadurch kann ein intensives Arbeitsplasma zwischen HF-Elektrode und Substratelektrode gezündet werden.

Nun ist durch Verstellen des LC-Resonanzkreises der Substratelektrode eine Leistungsdichte einstellbar, die der gewünschten Bearbeitungsgeschwindigkeit entspricht. Durch dieses Verfahren wird der starke Teilchenbeschuß beim Zünden und beim Abscheiden der Schicht auf dem Werkstück verhindert. Bei der Deposition von amorphen Siliziumschichten (a-Si:H) verhindert dieses Verfahren die Staubbildung auf dem Substrat im Zündmoment.

Die Aufwachsrate und der Substratbeschuß sind bei stabil brennendem Arbeitsplasma steuerbar.

Wird die der HF-Elektrode gegenüberliegende Elektrode gemäß Anspruch 10 segmentiert und werden die Segmente voneinander elektrisch isoliert, kann durch die zwischen den Elektrodensegmenten und Erde eingefügten Parallelresonanzkreise die Leistungsdichte lokal eingestellt werden. Bei einer Leistungsdichteerhöhung muß der Resonanzkreis in Richtung Reihenresonanz und bei Verminderung der Leistungsdichte in Richtung Parallelresonanz verstimmt werden.

Weitere bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung sind in den übrigen Unteransprüchen gekennzeichnet.

Anordnungen zur Durchführung der Verfahren sind in den Ansprüchen 9, 10 und 11 definiert.

Im folgenden wird ein Ausführungsbeispiel der Erfindung anhand vierer Zeichnungen näher beschrieben, aus denen sich weitere Einzelheiten und Vorteile ergeben.

Es zeigen

Fig. 1 den Aufbau eines Reaktors für die Oberflächenbehandlung von Werkstücken zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens,

Fig. 2 den Verlauf des Substratstromes, der den Strom in der Entladung repräsentiert, in Abhängigkeit von der Induktivität bei konstanter HF-Spannung,

Fig. 3 den Verlauf der vom Generator abgegebenen Spannung in Abhängigkeit von der Induktivität bei konstanter Leistung,

Fig. 4 eine andere Ausführungsform des Aufbaus eines Reaktionsraumes für die Oberflächenbehandlung von zylindrischen Werkstücken.

Fig. 1 zeigt im Querschnitt einen Reaktionsraum (1) mit einer Hochfrequenz-Elektrode (HF-Elektrode) (2), die durch einen Isolator (3) von einer den Reaktionsraum (1) gasdicht umgebenden Wand eines Vakuumbehälters (4) elektrisch isoliert ist. Die HF-Elektrode (2) ist außerhalb des Vakuumbehälters (4) über eine Anpassungsschaltung (5) mit einem HF-Generator (6) verbunden. Der HF-Generator (6) arbeitet bei einer Frequenz von 13,56 MHz. Zwischen der Anpassungsschaltung (5) und der HF-Elektrode (2) ist eine Meßeinrichtung (8) zur Erfassung der abgegebenen HF-Leistung eingefügt. Eine Meßeinrichtung (7), die zwischen HF-Elektrode (2) und Erdpotential geschaltet ist, erfaßt die an der HF-Elektrode (2) an liegende HF-Spannung. Parallel zu der Meßeinrichtung (7) ist ein Tiefpaß geschaltet, der aus einer Drossel und einem Kondensator besteht. Ausgangsseitig ist an den Tiefpaß eine Meßeinrichtung (9) zur Erfassung der an der HF-Elektrode (2) anliegenden Gleichspannung geschaltet.

Die HF-Elektrode (2) besitzt Zuführungen für Arbeitsgase, die in den Reaktionsraum (1) geleitet werden und Absaugstutzen für verbrauchte Arbeitsgase.

Im unteren Teil des Vakuumbehälters (4) befinden sich eine Substratelektrode (10) und eine konzentrisch um diese angeordnete Zusatzelektrode (11). Auf der Substratelektrode (10) liegt ein Werkstück (13), welches mit Hilfe einer Plasma-CVD beschichtet werden soll. Beide Elektroden (10, 11) sind elektrisch zum einen durch Isolatoren (12) gegeneinander und zum andern gegen die Wand des Vakuumbehälters (4) isoliert.

Außerhalb des Vakuumbehälters (4) sind die beiden Elektroden (10, 11) jeweils über eine Reihenschaltung aus einer Meßeinrichtung (14) und einem LC-Resonanzkreis (15, 16) mit der Erde elektrisch verbunden.

Die Meßeinrichtung (14) ist für die Ermittlung des durch die jeweilige Elektrode (10 oder 11) fließenden Stromes bestimmt.

Bei den LC-Resonanzkreisen (15, 16) handelt es sich jeweils um einen Parallelresonanzkreis mit verstellbarer Kapazität und verstellbarer Induktivität.

Als Arbeitsgas wird im Vakuumbehälter (4) Stickstoff (N₂) verwendet; der Gasdruck beträgt 100 Pa.

Zunächst wird der Gasdruck mit Hilfe von nicht dargestellten Vorrichtungen zur Druck- und Vakuumerzeugung eingestellt. Die HF-Elektrode (2) und die Substratelektrode (10) bilden einen Kondensator, nämlich die Reaktorkapazität.

Innerhalb der Reaktorkapazität werden durch die Leistung des HF-Generators (6) die im Arbeitsgas vorhandenen Elektronen angeregt, d. h. sie erhalten einen höheren Energiezustand; teilweise lösen sie sich von dem jeweiligen Gasatom, wodurch das Arbeitsgas mit Ionen angereichert wird. Es entsteht ein Plasma im Reaktionsraum (1). Eine Strahlungsheizung (17) unterhalb der Substratelektrode (10) begünstigt die Qualität der auf dem Werkstück (13) aufwachsenden Schicht. Die Atome, aus denen sich die Schicht zusammensetzt, stammen aus dem Arbeitsgas.

Die durch die Ionisierung des Arbeitsgases in einer Hochfrequenzentladung entstehenden Radikale kondensieren auf den Wänden des Vakuumbehälters (4) und auf dem zu beschichtenden Werkstück (13).

Die erwähnte Reaktorkapazität und die Randschichtkapazitäten liegen in Reihe mit jedem der beiden LC-Resonanzkreise (15, 16); es werden also zwei Reihenschwingkreise gebildet.

Bei einem Verzicht auf die Zusatzelektrode (11) und den daran angeschlossenen LC-Resonanzkreis (16) entsteht ein Zweielektrodensystem.

Durch Verstellen von Kapazität und/oder Induktivität des LC-Resonanzkreises (15) an der Substratelektrode (10) wird der Reihenschwingkreis (im Bereich des Resonanzpunktes für Reihenresonanz) so eingestellt, daß bei konstanter HF-Spannung des HF-Generators (6) eine maximale Spannung über der Reaktorkapazität anliegt. Bei Reihenresonanz ergibt sich bei minimaler Spannung an der HF-Elektrode (2) eine Spannungsüberhöhung an der Reaktorkapazität, die in Abhängigkeit vom ohmschen Verlustwiderstand des Reihenschwingkreises ein Vielfaches der Ausgangsspannung des HF-Generators (6) beträgt und daher als Zündhilfe geeignet ist.

Nach Zündung des Plasmas wird eine HF-Leistung von 1 W eingekoppelt; mit Hilfe des Meßgerätes (8) läßt sich der Wert einstellen.

Anschließend werden Kondensator und Drossel des LC-Resonanzkreises (15) unter Konstanthalten der HF-Spannung an der HF-Elektrode (2) so eingestellt, daß eine maximale Leistung in das Plasma eingekoppelt wird. Es hat sich gezeigt, daß dabei die Leistung von 1 W auf 10 W erhöht werden konnte.

Bei einem Triodensystem, also bei einem System mit sowohl einer Substratelektrode (10) als auch einer Zusatzelektrode (11), wird nach dem Zünden des Plasmas- der LC-Resonanzkreis (15) der Substratelektrode (10) durch Verändern der Kapazität und/oder der Induktivität so eingestellt, daß sie von einem maximalen Strom durchflossen wird. Anschließend wird der LC-Resonanzkreis (16) der Zusatzelektrode (11) so abgestimmt, daß der Strom durch diese Zusatzelektrode (11) minimal wird.

Es hat sich gezeigt, daß das Verhältnis der beiden gemessenen Stromdichten von 1 : 1 auf 9 : 1 verbessert werden kann. Auf diese Weise wird die Ausbildung eines Plasmas an der Zusatzelektrode (11) verhindert. Durch das zuvor geschilderte Abstimmen der LC-Resonanzkreise (15) wird die Impedanz der Reaktorkapazität verringert, dadurch ist dort die Stromstärke größer als im Falle einer einzigen geerdeten Substratelektrode (10) ohne LC-Resonanzkreis (15). Damit steigt der Anteil des Gesamtstromes, der durch die Reaktorkapazität in das Plasma fließt und gleichzeitig nimmt der Wirkungsgrad der Leistungseinkopplung zu. Bei Mehrelektrodensystemen, bei denen mindestens an einer Elektrode ein LC-Resonanzkreis (15) die elektrische Verbindung zum Erdpotential herstellt, läßt sich die Gasentladung (und damit die Leistungseinkopplung) dadurch lokal steuern, daß der LC-Resonanzkreis (15) an derjenigen Elektrode, an der ein intensives Plasma brennen soll, auf Reihenresonanz abgestimmt wird und der LC-Resonanzkreis (15) - bzw. die LC-Resonanzkreise (15) im Falle von vier und mehr Elektroden -, an der/denen kein Plasma brennen soll, auf Parallelresonanz abgestimmt wird/werden.

Fig. 2 zeigt den Verlauf des Stromes, der zur Substratelektrode (10) fließt und den Strom durch die Entladung repräsentiert, in Abhängigkeit von der Induktivität in dem Stromkreis bei einer Anordnung ähnlich der in Fig. 1, bei der allerdings keine Zusatzelektrode (11) vorhanden ist. Die vom Generator (6) abgegebene Spannung wird als konstant angenommen. Der Strom ist als relative Größe, nämlich bezogen auf den Maximalwert des Stromes, angegeben.

Die Induktivität (L) ist auf die Induktivität (L_Res) im Falle der Reihenresonanz bezogen. Es ist deutlich zu sehen, daß der Strom im Reihenresonanz-Punkt (L/L_Res = 1) maximal ist; damit ist auch der Wirkungsgrad für die Leistungseinkopplung maximal.

Fig. 3 zeigt - in relativen Größen - den Verlauf der vom Generator (6) abgegebenen Spannung (U_HF) und des zur Substratelektrode (10) fließenden Stromes (I_s) in Abhängigkeit von der Induktivität; die vom Generator (6) abgegebene und von der Meßeinrichtung (8) erfaßte Leistung wird als konstant angenommen. Es handelt sich um dieselbe Anordnung wie die im Zusammenhang mit der Fig. 2 beschriebene.

Bei Reihenresonanz hat die vom Generator abgegebene Spannung einen Minimalwert, der durch die Substratelektrode (10) fließende Strom erreicht dann ein Maximum. Durch den hohen Strom ergeben sich über den Blindelementen wesentlich höhere Spannungen im Vergleich zu der Spannung an der HF-Elektrode (Spannungsüberhöhung). Die Spannungsüberhöhung an der Reaktorkapazität läßt sich als Zündspannung ausnutzen.

Fig. 4 zeigt eine Anordnung für ein Verfahren zur Homogenisierung der Aufwachsrate in einem Koaxialreaktor (18).

Im Innern des gasdichten Koaxialreaktors (18) befindet sich Monosilan mit einem Gasdruck von 100 Pa. Das den Koaxialreaktor umgebende gasdichte Gehäuse ist nicht dargestellt. Ein zylindrisches Substrat bildet die HF-Elektrode (19), die von einem nicht dargestellten Generator gespeist wird und im Innern des Koaxialreaktors (18) liegt. Über ihre gesamte Länge ist die HF-Elektrode (19) koaxial von mehreren rohrförmigen, gegeneinander isolierten Wandelektroden (20) umgeben. Benachbarte Wandelektroden (20) sind jeweils durch einen Isolator (21) voneinander getrennt. Die Wandelektroden (20) und die Isolatoren (21) haben zusammen die Form einer Röhre. Die Anordnung dient dem Beschichten des zylindrischen, als Werkstück dienenden Substrats (zugleich HF-Elektrode [19]) mit Hilfe der Plasma-CVD. Zwischen jede einzelne Wandelektrode (20) und Erde (22) ist jeweils ein LC-Resonanzkreis (15′) geschaltet. Jeder Resonanzkreis (15′) besteht aus der Parallelschaltung eines verstellbaren Kondensators und einer verstellbaren Drossel.

Zwischen der HF-Elektrode (19) und den Substratelektroden (20) bildet sich während des Betriebes ein Plasma aus, wie es im Zusammenhang mit Fig. 1 in ähnlicher Weise schon beschrieben wurde.

Durch Verändern der Induktivität und/oder der Kapazität der einzelnen Resonanzkreise (15′) kann die Leistungsdichte - d. h. die in das Plasma pro Volumeneinheit eingekoppelte Leistung - lokal eingestellt werden. Zur Erhöhung der (lokalen) Leistungsdichte muß der betreffende LC-Resonanzkreis (15′) in Richtung Reihenresonanz verstellt werden und zur Verminderung der Leistungsdichte in Richtung Parallelresonanz, so daß Plasmadichteinhomogenitäten über der Substratlänge ausgeglichen werden können.

Es hat sich gezeigt, daß an ebenen Substraten mit einem Durchmesser von 200 mm eine Reduzierung der Inhomogenität der Aufwachsrate von 10% auf unter 2% erzielt werden kann.

Claims (18)

1. Verfahren zum plasmagestützten Bearbeiten eines Werkstücks, welches in einem Vakuumbehälter, einer HF-Elektrode gegenüber, auf einer Halterung angeordnet ist, wobei die Halterung eine Substratelektrode ist und zwischen der Halterung und Erde ein einstellbarer LC-Resonanzkreis geschaltet ist, dadurch gekennzeichnet, daß zunächst das Plasma gezündet wird und daß anschließend der LC-Resonanzkreis (15) so abgestimmt wird, daß bei konstanter HF-Spannung an der HF-Elektrode (2) die in das Plasma abgegebene elektrische Leistung maximal wird.

2. Verfahren zum plasmagestützten Bearbeiten eines Werkstücks, welches in einem Vakuumbehälter, einer HF-Elektrode gegenüber, in Form einer Substratelektrode in einem Vakuumbehälter angeordnet ist, wobei zwischen dem Werkstück und Erde ein einstellbarer LC-Resonanzkreis geschaltet ist, dadurch gekennzeichnet, daß zusätzlich mindestens ein weiteres Werkstück in Form einer Substratelektrode (10) im Vakuumbehälter (4) angeordnet ist, daß zwischen jeder Substratelektrode (10) und Erde jeweils ein einstellbarer LC-Resonanzkreis (15) geschaltet ist, daß der/die LC-Resonanzkreis(e) (15) an derjenigen/denjenigen Substratelektrode(n) (10), an der/denen eine intensive Bearbeitung stattfinden soll, in der Nähe der Reihenresonanz und der/die LC-Resonanzkreis(e) (15) an derjenigen/denjenigen Substratelektrode(n) (10), an der/denen eine weniger intensive Bearbeitung stattfinden soll, in der Nähe der Parallelresonanz abgestimmt wird/werden.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß vor dem Zünden des Plasmas die Reihenresonanz zwischen der von der HF-Elektrode (2) und mindestens einer der Substratelektroden (10) gebildeten Reaktorkapazität und der Induktivität des LC-Resonanzkreises (15) eingestellt wird.

4. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Bearbeiten in der Abscheidung zumindest einer Schicht auf der/den Substratelektrode(n) (10, 19) mit Hilfe der Plasma-CVD besteht.

5. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Bearbeiten in der Abscheidung zumindest einer Schicht aus amorphem Silizium besteht.

6. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß in dem Vakuumbehälter (4) mit mindestens einer elektrisch gegenüber der/den Substratelektrode(n) (10) und dem Vakuumbehälter (4) isolierten und über einen eigenen verstellbaren LC-Resonanzkreis (16) geerdeten Zusatzelektrode (11) zunächst das Plasma gezündet wird, daß anschließend der LC-Resonanzkreis (15) jeder Substratelektrode (10), bei der die Glimmentladung intensiv auftreten soll, auf Reihenresonanz abgestimmt wird und daß schließlich der/die Resonanzkreis(e) (16) der Zusatzelektrode(n) (11), bei der keine Glimmentladung auftreten soll(en), auf Parallelresonanz abgestimmt wird/werden.

7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß zum Zünden des Plasmas zunächst der/die LC-Resonanzkreis(e) (16) der Zusatzelektrode(n) (11) auf Reihenresonanz und der Resonanzkreis (15) jeder Substratelektrode (10) auf Parallelresonanz eingestellt wird und daß nach dem Zünden für jede Substratelektrode (10) der zugehörige LC-Resonanzkreis (15) so lange in Richtung der Reihenresonanz abgestimmt wird, bis die gewünschte Intensität der Bearbeitung eingestellt ist.

8. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zum Zünden des Plasmas der Reihenresonanzkreis aus der von der HF-Elektrode (2) und einer der Substratelektroden (10) gebildeten Kapazität und der Drossel des zugehörigen LC-Resonanzkreises (15, 15′) durch Einstellen des LC-Resonanzkreises (15, 15′) so abgestimmt wird, daß die Spannung an dieser Kapazität bei konstanter HF-Spannung am HF-Generator (6) maximal wird.

9. Anordnung zur Durchführung des Verfahrens nach einem der vorangehenden Ansprüche mit einem Vakuumbehälter mit einem Werkstück und einer HF-Elektrode im Innern, wobei zwischen Werkstück und Erde ein einstellbarer LC-Resonanzkreis geschaltet ist und die HF-Elektrode von einem Generator gespeist wird, dadurch gekennzeichnet, daß eine Meßeinrichtung (8) zur Messung der abgegebenen Leistung zwischen den Generator (6) und die HF-Elektrode (2) geschaltet ist und daß eine Meßeinrichtung (7) zur Messung der Spannung an der HF-Elektrode (2) zwischen die HF-Elektrode (2) und Erde geschaltet ist.

10. Anordnung zur Durchführung des Verfahrens nach einem der Anspruch 1 bis 8 mit einem Vakuumbehälter mit einer HF-Elektrode und einer gegenüberliegenden Elektrode im Innern und mit einem abstimmbaren LC-Resonanzkreis, dadurch gekennzeichnet, daß zusätzlich weitere Elektroden der HF-Elektrode (19) gegenüberliegen, daß diese Elektroden als Wandelektroden (20) ausgebildet und gegeneinander isoliert sind und daß zwischen jeder Wandelektrode (20) und Erde ein einstellbarer LC-Resonanzkreis (15′) geschaltet ist.

11. Anordnung zur Durchführung des Verfahrens nach einem der Anspruch 1 bis 8 mit einem Vakuumbehälter mit einem Werkstück und einer HF-Elektrode im Innern, wobei zwischen dem Werkstück und Erde ein einstellbarer LC-Resonanzkreis geschaltet ist und die HF-Elektrode von einem Generator gespeist wird, dadurch gekennzeichnet, daß zusätzlich mindestens ein weiteres Werkstück vorhanden ist, daß jedes Werkstück als Substratelektrode (10) dient, daß zwischen jeder Substratelektrode (10) und Erde ein einstellbarer LC-Resonanzkreis (15) geschaltet ist.

12. Anordnung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Wandelektroden (20) zusammen rohrförmig ausgebildet sind und sich in ihrer Längsachse die HF-Elektrode (19) befindet.

13. Anordnung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die HF-Elektrode (19) zylinderförmig oder rohrförmig ausgebildet ist und von den Wandelektroden (20) koaxial umgeben ist.

14. Anordnung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß in dem Vakuumbehälter (4) mindestens eine elektrisch gegenüber der Substratelektrode (10) und dem Vakuumbehälter (4) isolierte Zusatzelektrode (11) vorhanden ist, die über einen eigenen verstellbaren LC-Resonanzkreis (16) geerdet ist.

15. Anordnung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß in dem Vakuumbehälter (4) genau eine Zusatzelektrode (11) vorhanden ist, die die Substratelektrode (10) konzentrisch umgibt.

16. Anordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die LC-Resonanzkreise (15, 15′, 16) zumindest teilweise Parallelschwingkreise mit einem in seiner Kapazität verstellbaren Kondensator und einer in ihrer Induktivität verstellbaren Drossel sind.

17. Anordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die LC-Resonanzkreise (15, 15′, 16) zumindest teilweise Reihenschwingkreise mit einem in seiner Kapazität verstellbaren Kondensator und einer in ihrer Induktivität verstellbaren Drossel sind.

18. Anordnung nach einem der Ansprüche 9 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß sich im Innern des Vakuumbehälters (4) Monosilan befindet.