DE4343011A1 - Einrichtung zur Spannungsversorgung für eine Prozessoreinheit - Google Patents
Einrichtung zur Spannungsversorgung für eine ProzessoreinheitInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine Einrichtung zur Spannungsversorgung für
eine Prozessoreinheit nach der Gattung des Hauptanspruchs.
Eine Prozessoreinheit setzt sich üblicherweise zusammen aus der zen
tralen Prozessoreinheit CPU sowie wenigstens einem RAM-Speicher. Im
Speicher sind gegebenenfalls auch im abgeschalteten Zustand der CPU
sowie der restlichen Peripheriebeschaltung Daten gespeichert, die
nicht verloren gehen sollen. Dazu sollte der RAM-Datenspeicher auch
bei abgeschalteter CPU. weiterhin mit Spannung versorgt werden.
Bei bekannten Prozessoren, beispielsweise bei Prozessoren, die im
Steuergerät eines Kraftfahrzeuges vorhanden sind, existiert für die
CPU und den RAM-Speicher entweder ein gemeinsamer oder zwei getrenn
te Spannungsversorgungsanschlüsse. Im Falle eines einzigen gemein
samen Spannungsanschlusses kann es vorgesehen sein, daß die CPU
durch einen extra dafür vorgesehenen Steuereingang aktiviert bzw.
inaktiviert wird. Die Versorgungsspannung am Versorgungsspannungs
anschluß liegt dabei dauernd an.
Eine solche Einrichtung zur Spannungsversorgung ist im Zusammenhang
mit der Spannungsversorgung von Steuergeräten aus der
DE-OS 40 41 620 bekannt. Bei dieser bekannten Einrichtung ist ein
Spannungsregler vorhanden, der von der Fahrzeugbatterie mit Spannung
versorgt wird und selbst eine geregelte Dauerspannung (Standby-Span
nung) sowie eine geschaltete Spannung abgibt. Beide Spannungen
stehen dem Steuergerät gegebenenfalls zur Verfügung. Über die Aus
gestaltung des Hauptreglers bzw. des Hilfs- oder Standby-Reglers ist
nichts näheres ausgesagt jedoch kann die Dauerspannungsversorgung
keinen großen Strom liefern, da anderenfalls die Batterie bei abge
schalteter CPU zu stark entladen würde.
Da der Versorgungsstrom moderner integrierter Schaltkreise sehr
gering ist, kann für die Dauerversorgung auch eine Spannungsver
sorgungsstufe mit geringer Stromkapazität verwendet werden. Eine
solche Stufe kann relativ preiswert aufgebaut werden, sie hat nur
eine geringe Bauelementeanzahl, auch entstehen keine Temperatur
probleme, da die Bauelemente nur kleine Leistungen abgeben. Selbst
verständlich ist bei einer solchen Schaltung auch eine geringe
Stromaufnahme im Standby-Betrieb erforderlich, bedingt durch einen
geringen Querstrom im Spannungsregler. Es ist demnach üblich, in
Steuergeräten einen Dauerspannungsregler mit geringem Stromvermögen
einzusetzen.
Die zentrale Prozessoreinheit CPU sowie der RAM-Speicher sind üb
licherweise Teil einer Steuergeräteschaltung, welche insgesamt sehr
umfangreich sein kann. Die gesamte Stromaufnahme von CPU, RAM und
Peripheriebeschaltung ist bei üblichen Steuergeräten bedeutend höher
als die der CPU sowie des RAM selbst. Es ist daher hierfür ein lei
stungsfähiger Spannungsregler erforderlich, der im Normalbetrieb
eingeschaltet und im Standby-Betrieb abgeschaltet wird. Die
Ein- bzw. Abschaltung wird beispielsweise über den Zündschloßschal
ter gesteuert. Der geschaltete Spannungsregler muß demnach einen
hohen Strom liefern können.
Beim Anschließen der Batteriespannung an das Steuergerät ist im all
gemeinen der Zündschloßschalter nicht eingeschaltet. Infolgedessen
ist nur der Niederstromspannungsregler für die CPU/RAM aktiviert,
nicht aber der Hochstromspannungsregler. Es kann also ein Versor
gungsstrom in die CPU/RAM fließen. Dabei tritt folgendes Problem
auf: Die Stromaufnahme beim Hochziehen der Spannung von 0 auf den
Sollwert VDD kann die Leistungsfähigkeit des Dauerspannungsreglers
mit geringem Stromvermögen weit überschreiten. Verursacht wird diese
erhöhte Stromaufnahme durch Ströme, die aus der CPU/RAM über ent
sprechende Anschlüsse in die Peripherie-Schaltung fließen, die
selbst noch nicht mit Spannung versorgt wird. Transistoren, die im
Gegentaktverschaltung innerhalb der CPU/RAM vorhanden sind, ergeben
bei Spannungen von beispielsweise zwischen 0,2 und 0,8 VDD als Folge
undefinierter Zustände der Transistorenlängsströme, die sich bei
einer komplexen CPU/RAM beträchtlich aufsummieren können.
Durch diesen erhöhten Strombedarf kann der Dauerspannungsregler mit
geringem Stromvermögen in Strombegrenzung geraten. Die Spannung
bleibt dann bei 0,6 VDD und es ergeben sich dadurch unter Umständen
undefinierte Zustände in der CPU, es wird beispielsweise kein Ini
tialreset gemacht und für den betreffenden Spannungsregler treten
Belastungsprobleme auf. Gleichzeitig ist die Stromaufnahme des Steu
ergerätes stark erhöht es besteht die Gefahr, daß die Batterie vor
zeitig entladen wird.
Für eine integrierte Kombination der beiden Spannungsregler kann es
dabei noch zu weiteren Nachteilen kommen. Für die Funktionsfähigkeit
des geschalteten Spannungsreglers mit hohem Stromvermögen sowie für
eventuell darin enthaltene Funktionsgruppen wie power-on-reset und
andere wird die Spannung des CPU/RAM-Spannungsreglers mitbenutzt.
Dies kann unter Umständen die Funktion der gesamten Reglereinheit
und des gesamten Steuergeräts in Frage stellen. Diese Nachteile der
herkömmlichen Spannungsversorgung für Prozessoren bzw. entsprechend
ergänzter Spannungsversorgungen, sollen mit der erfindungsgemäßen
Einrichtung zur Spannungsversorgung für eine Prozessoreinheit ver
mieden werden.
Die erfindungsgemäße Einrichtung zur Spannungsversorgung für eine
Prozessoreinheit hat den Vorteil, daß ein Dauerspannungsregler mit
geringem Stromvermögen zur Versorgung des RAM-Speichers verwendet
werden kann und ein geschalteter Spannungsregler mit hohem Stromver
mögen, der nach Schließen des Zündschalters die Spannungsversorgung
der übrigen Steuergeräte- bzw. Peripheriebeschaltungen übernehmen
kann ohne daß die während des Einschaltens auftretenden Probleme mit
der Überlastung des Dauerspannungsreglers auftreten. Der geschaltete
Spannungsregler ist dann der eigentliche Hauptspannungsregler.
Erzielt werden diese Vorteile, indem zwischen die beiden Ausgänge
der Spannungsregler an denen die Dauerspannung mit geringem Strom
vermögen bzw. die geschaltete Spannung mit hohem Stromvermögen ab
greifbar ist, zusätzliche Schaltungsmittel gelegt werden, die wäh
rend der Umschaltphase den Dauerspannungsregler mit geringem Strom
vermögen entsprechend unterstützen und dem Steuergerät ausgehend vom
Spannungsregler mit hohem Stromvermögen den nach dem Einschalten
hohen Spannungs- bzw. Strombedarf zuführen.
Weitere Vorteile der Erfindung sind mit Hilfe der in den Unteran
sprüchen angegebenen Maßnahmen zu erzielen. Dabei ist vorteilhaft,
daß die Schaltungsmittel zwischen den Ausgängen des Spannungsreglers
direkt als Schalter, die von der CPU oder vom Zündschloß angesteuert
werden ausgebildet sein können. Es jedoch auch möglich, diese Schal
ter durch geeignet verschaltete Dioden oder Transistoren zu ersetzen.
Besonders vorteilhaft ist, daß sich diese Schaltmittel selbst in der
gewünschten Schaltstellung halten.
Werden die Schaltmittel zwischen den beiden Reglerausgängen in
DMOS-Struktur ausgebildet, ist ein besonders guter Gleichlauf der
beiden Reglerspannungen erzielbar. Die DMOS-Struktur wird selbst
tätig abgeschaltet, sobald die Spannung am Dauerspannungsregler die
Spannung am Hauptspannungsregler überschreitet. Eine Rückspeisung
aus der Dauerspannung in den Hauptreglerausgang wird also in vor
teilhafter Weise vermieden.
Zwei Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Fig. 1 und 2
dargestellt und werden in der nachfolgenden Beschreibung näher er
läutert.
In Fig. 1 ist ein erstes Ausführungsbeispiel der Erfindung als
Blockschaltbild dargestellt. Dabei ist mit 10 die Batterie, die die
gesamte Anordnung mit Spannung versorgt, dargestellt. Der positive
Batteriepol ist mit einem ersten Eingang IN des Spannungsreglers 11
direkt und mit einem zweiten Eingang ON des Spannungsreglers 11 über
das Zündschloß 12 verbunden.
Der Spannungsregler 11 weist zwei Ausgänge SH und CL auf. Die innere
Verschaltung des Spannungsreglers soll an dieser Stelle nicht näher
erläutert werden, sie ist jedenfalls derart, daß am Ausgang SH des
Spannungsreglers 11 eine geschaltete Spannung mit hohem Stromvermögen
auftritt, während am Ausgang CL eine Dauerspannung mit geringem
Stromvermögen auftritt. Die zugehörigen Bereiche des Spannungsreglers 11
sind als Dauerspannungsregler mit geringem Stromvermögen
11a sowie als geschalteter Spannungsregler mit hohem Stromvermögen
11b bezeichnet. Letzterer stellt den eigentlichen Hauptspannungsreg
ler dar. Es können auch zwei getrennte Spannungsregler eingesetzt
werden.
Vom Ausgang SH des Spannungsreglers 11 bzw. 11a führt eine Leitung
zum positiven Anschluß eines Blockes 13, der die Peripheriebeschal
tung, die Endstufen, EPROMS usw. darstellt. Die andere Seite des
Blockes 13 liegt auf Masse. Vom Ausgang CL des Spannungsreglers 11
führt eine Verbindung zu einem Schalter S1, dessen andere Seite mit
dem zentralen Prozessor 14 verbunden ist. Der zentrale Prozessor
setzt sich dabei zusammen aus der CPU sowie einem Speicher RAM, der
dauernd mit Spannung versorgt werden sollte.
Zwischen der Verbindungsleitung vom Schalter S1 und dem Prozessor 14
ist ein weiterer Schalter H1 angeschlossen, dessen andere Seite mit
dem Ausgang SH des Spannungsreglers 11 sowie der Peripherie 13 in
Verbindung steht. Dieser Schalter kann auch in Form einer Diode oder
eines Transistors ausgeführt sein.
Der Schalter S1 wird über ein logisches Element 15 angesteuert bzw.
umgeschaltet. Dieses logische Element 15 löst eine Umschaltung in
Abhängigkeit vom Schaltzustand zweier Schaltstufen 16 und 17, die
mit zwei Eingängen des logischen Elementes 15 verbunden sind, aus.
Die beiden anderen Anschlüsse der beiden Schaltstufen 16 und 17 sind
einerseits mit dem Zündschloß 12 bzw. mit dem ON-Eingang des Span
nungsreglers 11 sowie mit dem Pluseingang des zentralen Prozessors
14, der eine CPU 14a sowie Speicher (RAM) 14b umfaßt, verbunden. Der
Eingang der Schaltstufe 16 kann nicht nur direkt am Zündschloß 12
angeschlossen sein, sondern kann auch indirekt mit dem Zündschloß 12
zusammenhängen, z. B. kann der Eingang der Schaltstufe 16 am Ausgang
SH des Spannungsreglers 11 angeschlossen sein.
Das in Fig. 1 dargestellte Ausführungsbeispiel kann beispielsweise
mit Hilfe der in Fig. 2 angegebenen Schaltungsteile realisiert wer
den. Gleiche Bauteile sind im übrigen in Fig. 2 mit denselben Be
zugszeichen versehen wie in Fig. 1.
Bei dem in Fig. 2 dargestellten Ausführungsbeispiel liegt zwischen
dem Ausgang SH des Spannungsreglers 11 und dem Ausgang CL des Span
nungsreglers 11 die Reihenschaltung einer Diode D1 und der Kollek
tor-Emitter-Strecke eines Transistors T1. Die Diode D1 sowie der
Transistor T1 übernehmen die Funktionen der Schalter H1 bzw. S1 des
Ausführungsbeispieles nach Fig. 1.
Der Transistor T1 wird durch Beeinflussung seines Basispotentials
entweder in leitendem oder in gesperrtem Zustand gehalten. Zur Be
einflussung dieses Basispotentials dient eine Schaltung, die sich
wie folgt zusammensetzt: An die Basis des Transistors T1 ist die
Reihenschaltung eines Widerstandes R1 sowie einer Diode D2 und einer
Relaisansteuerung, beispielsweise der Hauptrelaisansteuerung 18 an
geschlossen, wobei die andere Seite der Hauptrelaisansteuerung 18
mit dem Zündschloß 12 in Verbindung steht. Weiterhin ist ein Wider
stand R2 an die Basis des Transistors T1 angeschlossen, der über die
Kollektor-Emitter-Strecke eines Transistors T2 auf Masse geführt
ist. Die Basis des Transistors T2 ist über einen Widerstand R3 und
einen Widerstand R4 mit dem Prozessor 14 verbunden und über einen
weiteren Widerstand R5 mit Masse verbunden.
Der Transistor T1 dient einerseits als Schalter, andererseits wird
aber auch die Stromverstärkung des Transistors T1 ausgenutzt. Die
Einstellung der Verstärkung des Transistors T1 erfolgt mit Hilfe
einer geeigneten Dimensionierung Schaltungselemente der der Strom
pfade R1, D2, Hauptrelaisansteuerung 18, Zündschloß 12 bzw. R2, T2
sowie der Widerstände R3, R4 und R5. Je nachdem, ob die Hauptrelais
ansteuerung aus- oder eingeschaltet ist, fließt ein Strom durch den
einen oder den anderen Pfad und bewirkt eine entsprechende Beein
flussung der Verstärkung des Transistors T1. Durch das Widerstand
verhältnis wird der maximale Kurzschlußstrom eingestellt. Es wird
insgesamt eine zwischen zwei Werten umschaltbare Begrenzung des
Stromes vom Dauerspannungsregler erhalten. Beispiele für diese Be
grenzung des Standby-Stromes sind 1 mA bei ausgeschalteter Zündung,
also auch während einer Nachlaufphase und 100 mA im Normalbetrieb.
Nach dem ersten Anlegen von Batteriedauerspannung wird der Dauer
spannungsregler mit geringem Stromvermögen 11b aktiviert, am Ausgang
CL erscheint eine Spannung. Der für die CPU/RAM vorgesehene Versor
gungsausgang wird jedoch durch einen elektrischen Schalter S1 bzw.
T1 blockiert. Es ist also der Ausgang CL aktiv und auf die Spannung
VDD hochgeregelt, die CPU bzw. der RAM sind jedoch nicht versorgt,
es sind auch keine Daten zu speichern. Der Ausgang SH ist zu diesem
Zeitpunkt noch inaktiv. Bei Aktivierung des Zündschalters 12 bzw.
durch ein Schaltsignal, das als Fole einer Aktivierung des Zünd
schalters generiert wird, wird der Spannungsregler 11a aktiviert.
Diese Aktivierung bewirkt ein Hochziehen der CPU/RAM-Peripheriebe
schaltung auf die Versorgungsspannung VDD. Dadurch wird die Proble
matik des Stromabflusses über die CPU/RAM-Anschlüsse bzw. die soge
nannten Ports vermieden.
Das Durchschalten der Spannung CL über den Schalter S1 auf den
CPU/RAM-Versorgungsanschluß kann nach zwei Varianten erfolgen:
Über einen zeitweilig wirkenden Hilfsstrompfad H1, beispielsweise
eine Diode D1 vom Hochstromspannungsregler SH auf den CPU/RAM-Ver
sorgungsanschluß wird die CPU/RAM zusammen mit der Peripheriebe
schaltung vom Spannungsregler SH synchron auf Versorgungsspannungs
niveau gebracht. Durch Ansteigen der Spannung VDD für die Periphe
riebeschaltung der CPU/RAM und gleichzeitiges Hochziehen der Ver
sorgungsspannung von CPU/RAM über den Hilfsstrompfad H1 reduzieren
sich die störenden Anschluß- bzw. Portströme auf ein verschwindendes
Maß. Der Spannungsregler SH kann den durch Längsstrom in den Gegen
taktstufen innerhalb der CPU/RAM begründeten Mehrstrom aufbringen.
Durch zügiges Hochziehen der Versorgungsspannung kann ein die in
ternen Flipflops beeinflussender Power-On-Reset klare Verhältnisse
für den weiteren Betrieb schaffen.
Anstelle des Hilfsstrompfades H1 tritt eine vom Zündschloßschalter
12 angesteuerte Schaltstufe, die mit der weiter unten beschriebenen
Selbsthaltestufe ODER-verknüpft ist und auf den Schalter S1 ein
wirkt. Durch das Hochziehen der Spannung für die CPU/RAM-Peripherie
reduzieren sich die unter Variante 1 beschriebenen etwaigen Portab
flußströme auf ein Minimum, so daß lediglich die Ströme durch Gegen
taktendstufen des Steuergerätes Hochfahren der CPU/RAM-Versorgung
übrig bleiben.
Liegt dieses Stromaufkommen innerhalb der Kapazität des Spannungs
reglers CL kann auf den Hilfsstrompfad H1 verzichtet werden, das
erstmalige Einschalten des Schalters S1 erfolgt dann über die vom
Zündschloßschalter 12 angesteuerte Schaltstufe 16. In diesem Fall
kann die Schaltstufe 16, die bereits für andere Zwecke vorhanden
ist, beispielsweise als Ausgangsstufe für die Hauptrelais-Ansteue
rung oder in ähnlicher Weise als Signalstufe für den Zündschloß
schalter, mitverwendet werden. Ein zusätzlicher positiver Effekt ist
der im aktiven Zustand der CPU/RAM mögliche zusätzliche Basisstrom
für den Schalter S1, der sinnvoll ist falls S1 ein Bipolartransistor
ist, wodurch die am Schalter S1 abfallende Spannung minimiert wird.
Die auf annähernd VDD hochgezogene Versorgungsspannung an der
CPU/RAM ist die Steuerspannung zur Aktivierung des elektrischen
Schalters vom Spannungsregler CL auf den Versorgungsanschluß
CPU/RAM. Die Verschaltung zur Aktivierung des Schalters S1 ist so
ausgelegt, daß sich der Schalter S1 auch und gerade aufgrund der von
ihm selbst auf seinen Ausgang und damit auf den CPU/RAM-Versorgungs
anschluß durchgeschalteten Spannungswert VDD ab diesem Zeitpunkt im
mer im aktiven Zustand hält. Dies entspricht einer Selbsthalte
schaltung.
Die an diesem aktivierten elektrischen Schalter S1 abfallende Span
nung kann geringer sein als der Spannungsabfall am Hilfsschalter H1
von der Hauptspannungsversorgung auf den CPU-Versorgungsanschluß
wodurch der Dauerspannungsversorgungsregler die Strombelieferung
vollständig oder teilweise übernimmt, für den jetzt aufzubringenden
CPU/RAM-Strom ist der Dauerspannungsregler ausgelegt.
Ein Ausschalten des Zündschloßschalters 12 bewirkt direkt oder in
direkt oder eventuell zeitlich verzögert ein Abschalten des Haupt
spannungsreglers. Durch ein davon abgeleitetes Signal für einen
CPU/RAM-Steuereingang wird die CPU/RAM in einen Standby-Modus mit
sehr geringer Stromaufnahme versetzt. Bedingt durch die Rückkopplung
zwischen der CPU und den Versorgungsanschluß zum elektrischen Schal
ter S1 bleibt der Schalter S1 aktiviert und der RAM-Speicher ver
sorgt. Die im RAM abgelegten Daten bleiben damit gespeichert.
Die möglicherweise auftretenden Portströme werden durch definiertes
Setzen der Ports in hochohmigem Zustand vermieden. Undefinierte
Längsströme in Gegentaktstufen treten nicht mehr auf, der Stand
by-Strom ist sehr gering. Die Bauelemente, die zwischen den beiden
Spannungsreglern 11a und 11b bzw. zwischen CL und SH liegen, können
diskret aufgebaut sein, sie können auch in integrierter Bauweise
aufgebaut werden.
Zwischen dem Hauptreglerausgang und dem Standby-Ausgang kann eine
DMOS-Struktur angeordnet werden, insbesondere ist die Diode D1 in
DMOS-Struktur möglich. Eine DMOS-Struktur zwischen dem Hauptregler
ausgang SH und dem Standby-Ausgang CL unterstützt den Standby-Aus
gang bei erhöhten Stromforderungen augenblicklich. Durch diese
DMOS-Struktur ist ein Gleichlauf der Hauptregler- und Standby-Span
nung über deren Widerstand RDSon gegeben. Die DMOS-Struktur wird
abgeschaltet, sobald die Standby-Spannung die Hauptreglerspannung
überschreitet, eine Rückspeisung aus dem Dauerspannungsregler 11b in
den Hauptspannungsregler 11a bzw. dessen Ausgang ist also nicht mög
lich.
Claims (8)
1. Einrichtung zur Spannungsversorgung für eine Prozessoreinheit,
mit einer Batterie und einem oder mehreren mit der Batterie in Ver
bindung stehenden Spannungsregler der oder die wenigstens zwei, mit
der Prozessoreinheit verbindbare Ausgänge aufweisen, an denen von
einander unabhängige Spannungen auftreten, wobei eine der Spannungen
eine Dauerspannung und die andere eine schaltbare Spannung ist,
dadurch gekennzeichnet, daß an dem Ausgang, an dem die Dauerspannung
auftritt, ein kleiner Strom abgreifbar ist und am anderen Ausgang
ein höherer Strom abgreifbar ist und Schaltungsmittel zwischen den
beiden Ausgängen des Spannungsreglers liegen, die zeitweilig eine
Verbindung zwischen den beiden Ausgängen und der Prozessoreinheit
herstellen.
2. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die
Batterie ständig mit einem ersten Eingang des Spannungsreglers
verbunden ist und mit einem zweiten Eingang des Spannungsreglers
über Schaltmittel verbindbar ist.
3. Einrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die
Prozessoreinheit das Steuergerät mit der zentralen Prozessoreinheit
(CPU) und wenigstens einem RAM-Speicher und die Schaltmittel der
Zündschalter eins Kraftfahrzeuges sind.
4. Einrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß die Schaltungsmittel zwischen den beiden Aus
gängen des Spannungsreglers zwei Schalter sind, die in Abhängigkeit
von der Stellung der mit dem Eingang des Spannungsreglers verbun
denen Schaltmittel geschaltet werden.
5. Einrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltungsmittel zwischen den beiden
Ausgängen des Spannungsreglers eine Diode (D1) oder ein Transistor
und ein Transistor (T1) sind, wobei das Potential an der Basis des
Transistors (T1) in Abhängigkeit von der Stellung der mit dem Ein
gang des Spannungsreglers verbundenen Schaltmittel beeinflußbar ist.
6. Einrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die
Reihenschaltung der Diode (D1) und der Kollektor-Emitter-Strecke des
Transistors (T1) zwischen den beiden Ausgängen des Spannungsreglers
liegt.
7. Einrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß an den Ausgang des Spannungsreglers, an dem der
hohe Strom abgreifbar ist, weitere Verbraucher angeschlossen sind,
insbesonders Peripherieschaltungen, Endstufen und EPROM-Speicher.
8. Einrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß parallel zum Spannungsregler die Hauptrelais
ansteuerung oder irgendeine anderer Verschaltung, die abhängig vom
Zündschloßsignal (12) gesteuert wird, liegt, die über weitere Schal
tungselemente mit der Basis des Transistors (T1) und außerdem mit
dem Verbindungspunkt zwischen dem Kollektor des Transistors (T1) und
der Kathode der Diode (D1) verbunden ist.
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- 1993-12-16 DE DE19934343011 patent/DE4343011C2/de not_active Expired - Fee Related
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