DE4327343A1 - Halbleiterlaser, insbesondere zur Verwendung in einem Laserpointer oder Laserdioden-Modul - Google Patents
Halbleiterlaser, insbesondere zur Verwendung in einem Laserpointer oder Laserdioden-ModulInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf einen Halbleiterlaser,
insbesondere zur Verwendung in einem Laserpointer oder
Laserdioden-Modul, mit einer Laserdiode und einer zu deren
Betrieb notwendigen elektronischen Schaltung sowie einer
Monitordiode, die in Verbindung mit der elektronischen
Schaltung der Messung der emittierten Laserleistung und deren
Begrenzung auf einen Maximalwert dient.
Das von der Weltgesundheitsorganisation (WHO) zur Anwendung
empfohlene Schema zur Klassifikation von Lasergeräten wird
vorrangig von dem Aspekt getragen, die tatsächlich von dem
Laser ausgehende Gefährdung in Gefährdungsklassen
einzuteilen. Die Grundlage für die Klassifikation der Laser
bildet ihre Fähigkeit, durch primären oder reflektierten
Strahl Schäden am Auge bzw. auf der Haut des Menschen
hervorzurufen.
Laserdioden-Module und insbesondere Laserpointer sind in die
Gefährdungsklasse 2 eingereiht. Sie bedeutet niedriges Risiko
für Lasersysteme, die im sichtbaren Bereich arbeiten und
normalerweise nicht gefährdend sind.
Die emittierte Leistung darf bei einem Dauerlaser der
Klasse 2 aber maximal 1 mW betragen.
Ein Einzelfehler in der zum Betrieb des Lasers notwendigen
elektronischen Schaltung darf nicht zu einer ungewollten und
möglicherweise gefährlichen Leistungserhöhung führen.
Bei einer aus dem Firmenprospekt "TOSHIBA, Laser Diodes with
Visible Wavelength, Prospekt Nr. 3820C-A 92-09" bekannten
Vorrichtung zum Betrieb einer Laserdiode ("Visible Laser
Diode VLD") wird eine Laserdiode gemeinsam mit einer
Monitordiode in einem Gehäuse zu dem Zweck eingesetzt, daß
die Monitordiode die von der Laserdiode abgegebene
Laserleistung empfängt und in Verbindung mit einer
elektronischen Schaltung die emittierte Laserleistung
begrenzt. Bestimmte Fehlfunktionen der elektronischen
Schaltung können aber zu einer ungewollten, für die
menschliche Gesundheit dramatischen Erhöhung der
Laserleistung führen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung zu
schaffen, die unter Verwendung möglichst weniger elektrischer
bzw. elektronischer Bauteile zuverlässiger als bisher eine
Erhöhung der emittierten Laserleistung über einen
vorgegebenen Maximalwert hinaus auch dann verhindert, wenn in
der für den Betrieb des Lasers eingesetzten, elektronischen
Schaltung ein Einzelfehler auftritt.
Erfindungsgemäß wird die Aufgabe durch die im Anspruch 1
aufgeführten Merkmale gelöst.
Die Erfindung weist gegenüber dem Bekannten die Vorteile auf,
daß bei einem Ausführungsbeispiel der Erfindung die ohnehin
gemeinsam mit der Laserdiode in einem gemeinsamen Gehäuse
vorhandene Monitordiode Teil eines nichtfunktionsbeteiligten,
redundanten Schutzkreises ist, der bei einem Einzelfehler in
der zum Betrieb der Laserdiode notwendigen elektronischen
Schaltung und einer damit verbundenen Erhöhung der
emittierten Laserleistung über einen vorgegebenen Maximalwert
hinaus eine Begrenzung der emittierten Laserleistung bewirkt.
Der redundante Schutzkreis, der die im Gehäuse der Laserdiode
eingebaute Monitordiode nutzt, macht es möglich, mit weniger
Bauteilen auszukommen, als ein anderer Schutzkreis. Bei einem
weiteren Ausführungsbeispiel der Erfindung wird eine
redundante Begrenzung der emittierten Laserleistung
verwendet.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung gehen aus
den Unteransprüchen und der nachfolgenden Beschreibung
hervor.
Die Erfindung wird an Ausführungsbeispielen anhand von
Zeichnungen erläutert. Es zeigen
Fig. 1 einen Teillängsschnitt durch einen Laserpointer mit
einer Laserdiode, einer elektronischen Schaltung und einer
funktionsbeteiligten, redundanten Monitordiode,
Fig. 2 für ein Laserdioden-Modul oder einen Laserpointer
einen Stromlaufplan eines ersten Ausführungsbeispiels eines
Halbleiterlasers mit seiner Betriebselektronik, bei dem ein
redundanter Schutzkreis in Reihe mit einem die Laserdiode
treibenden Transistor liegt,
Fig. 3 für ein Laserdioden-Modul oder einen Laserpointer
einen Stromlaufplan eines zweiten Ausführungsbeispiels eines
Halbleiterlasers mit seiner Betriebselektronik, bei dem der
redundante Schutzkreis parallel zu dem die Laserdiode
treibenden Transistor liegt,
Fig. 4 für ein Laserdioden-Modul oder einen Laserpointer
einen Stromlaufplan eines dritten Ausführungsbeispiels eines
Halbleiterlasers mit seiner Betriebselektronik, bei dem der
redundante Schutzkreis eine im Treiberstromkreis liegende
Serienschaltung ist.
In Anwendung eines Halbleiterlasers auf einen Laserpointer 10
(Fig. 1) ist in an sich bekannter Weise in einem Gehäuse 18
eine Laserdiode 11 untergebracht, deren Laserstrahl eine
Bohrung 17 in einer Blende 12 und eine Optik 13 passiert, um
danach aus einer frontseitigen Öffnung 14 des Laserpointers
10 an dessen Spitze auszutreten. Hinter der Laserdiode 11
schließt-sich ein Raum 15 zur Aufnahme einer elektronischen
Schaltung 20 mit einem Taster 21 an, hinter dem sich ein
Batteriefach 16 zur Aufnahme einer Batterie 23 (Fig. 2, 3)
befindet.
Die elektronische Schaltung 20 für einen Halbleiterlaser ist
zum Betrieb der Laserdiode 11 notwendig und umfaßt auch
Bauteile, die der Begrenzung der emittierten Laserleistung
auf einen vorgegebenen Maximalwert dienen. Mit dem Taster 21
wird der Laserpointer 10 bzw. ein Laserdioden-Modul
aktiviert.
Es ist ebenfalls bekannt, daß in dem Gehäuse der Laserdiode
11 auch eine Monitordiode 22 (Fig. 2) untergebracht ist, die
als Photodiode die von der Laserdiode 11 emittierte
Laserleistung detektiert.
Räumlich außerhalb der Laserdiode 11 (Fig. 1) ist noch eine
weitere Monitordiode 24 zur Detektion von Streustrahlung
vorgesehen, die aus der Laserdiode 11 kommt und nicht die
Blende 12 im Laserpointer 10 passiert.
Bei einem ersten Ausführungsbeispiel eines Halbleiterlasers
steckt die Monitordiode 24 (Fig. 1) in einer Öffnung eines im
Gehäuse 18 des Laserpointers 10 sitzenden Trägers 19, auf dem
sich auch die Laserdiode 11 befindet. Nur ein Teil der von
der Laserdiode 11 emittierten Strahlung passiert die Öffnung
in der Blende 12. Ein erheblicher Teil der Strahlung
verbleibt als Streustrahlung in dem Raum zwischen der Blende
12 und dem Träger 19. Diese Streustrahlung eignet sich für
die Auswertung durch die Monitordiode 24.
Elektrische Energie für die elektronische Schaltung 20 (Fig.
2) kommt bei einem Ausführungsbeispiel der Erfindung von der
Batterie 23, die über den Taster 21 aufgeschaltet wird.
Ein Transistor 26 treibt die Laserdiode 11. Der Transistor 26
ist ein npn-Transistor. Die Basis des Transistors 26 ist
mittels eines Vorspannetzwerks 25 vorgespannt. Die außerhalb
des Gehäuses der Laserdiode 11 gelagerte Monitordiode 24
liegt der Basis-Emitter-Strecke des Transistors 26 parallel.
Anstatt eines npn-Transistors kann für den Transistor 26 auch
ein Feldeffekttransistor (FET-Transistor) verwendet werden.
In einer zur Batterie 23 führenden Leitung 31 liegt eine
Sicherung 27, die eine elektromechanische Sicherung, eine
Schmelzsicherung oder eine elektronische Sicherung sein kann.
Wird der Taster 21 (Fig. 2) geschlossen, wird der Transistor
26 langsam leitend. Ein Strom fließt durch die Laserdiode 11.
Erreicht der Strom den Betriebswert der Laserdiode 11 (bei
einem Ausführungsbeispiel sind dies 100 mA), so bewirkt die
die Monitordiode 24 erreichende Streustrahlung, daß die
Monitordiode 24 niederohmiger wird, was zu einer Reduktion
des Basisstrom des Transistors 26 führt. Das Vorspannetzwerk
25 ist so eingestellt, daß aus dem Laserpointer eine
Laserleistung von etwa 0,9 mW austritt.
Für den Fall, daß ein Einzelfehler in der elektronischen
Schaltung 20 eine größere Laserleistung zur Folge hat, und
die Laserdiode 11 nicht ohnehin sofort zerstört wird, tritt
ein nichtfunktionsbeteiligter, redundanter Schutzkreis in
Aktion.
Der nichtfunktionsbeteiligte, redundante Schutzkreis (Fig. 2)
umfaßt die im Gehäuse der Laserdiode 11 befindliche
Monitordiode 22, einen Transistor 29 und einen einstellbaren
Widerstand 28. Der Transistor 29 ist ein npn-Transistor.
Parallel zu seiner Basis-Kollektor-Strecke liegt die
Monitordiode 22. Parallel zu seiner Basis-Emitter-Strecke ist
der einstellbare Widerstand 28 angeschlossen. Der
Verbindungspunkt zwischen dem Emitter des Transistors 29 und
dem einstellbaren Widerstand 28 ist über eine Leitung 30
galvanisch mit dem Kollektor des Transistors 26 verbunden.
Für den Transistor 29 kann alternativ ein
Feldeffekttransistor (FET-Transistor) verwendet werden.
Steigt die vom Halbleiterlaser, also von dem Laserpointer 10
bzw. einem Laserdioden-Modul emittierte Laserleistung über
den vorgegebenen Maximalwert von 1 mW an, so steigt auch der
Strom durch die Monitordiode 22 im Gehäuse der Laserdiode 11
und überschreitet einen vorgegebenen Grenzwert. Der
Transistor 29 wird bei diesem Grenzwert leitend, der durch
die Einstellung des einstellbaren Widerstands 28 bestimmt
ist. Der leitend gewordene Transistor 29 übernimmt
überschüssigen Strom, so daß die Sicherung 27 die Leitung 31,
in die sie eingeschaltet ist, unterbricht. Der Laserpointer
10 bzw. ein Laserdioden-Modul gibt also keine unzulässig hohe
Laserleistung mehr ab.
Ein anderes Ausführungsbeispiel (Fig. 3) eines
Halbleiterlasers insbesondere für einen Laserpointer oder ein
Laserdioden-Modul weist eine elektronische Schaltung 20 auf,
die weitgehend derjenigen des Ausführungsbeispiels
entspricht, das anhand der Fig. 2 beschrieben wurde.
Bei dem Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 3 ist aber der
einstellbare Widerstand 28 über die Leitung 30 galvanisch mit
dem Emitter des Transistors 26 verbunden. Die Wirkung des
nichtfunktionsbeteiligten, redundanten Schutzkreises
(Monitordiode 22, Transistor 29, einstellbarer Widerstand 28)
ist hierbei sehr ähnlich, denn auch hierbei spricht die
Sicherung 27 bei zu hohem Strom durch den Schutzkreis an und
unterbricht die Leitung 31, die zu der Batterie 23 führt.
Bei einem weiteren Ausführungsbeispiel (Fig. 4) eines
Halbleiterlasers, insbesondere für einen Laserpointer oder
ein Laserdioden-Modul, umfaßt die elektronische Schaltung 40
des Halbleiterlasers zu ihrer Stromversorgung die Batterie 23
und zum Einschalten des Halbleiterlasers den Taster 21.
Ferner sind ein Transistor 43 und ein weiterer Transistor 44
vorgesehen, deren Emitter an der Leitung 50 angeschlossen
sind, die mit dem Minuspol der Batterie 23 galvanisch
verbunden ist.
Der Transistor 43 und der Transistor 44 sind npn-
Transistoren. Alternativ zu den npn-Transistoren können auch
Feldeffekttransistoren verwendet werden.
Parallel zur Basis-Emitter-Strecke des Transistors 43 liegt
ein einstellbarer Widerstand 45. Die Basis des Transistors 43
ist mit einer Monitordiode 42 verbunden, die sich in
gemeinsamem Gehäuse mit einer Laserdiode 51 befindet. Der
Kollektor des Transistors 43 liegt über einen Widerstand 46
an einer bei geschlossenem Taster 21 positive Spannung
führenden Leitung 49.
Der Kollektor des Transistors 43 ist an die Basis des
Transistors 44 angeschlossen. Zwischen dem Kollektor des
Transistors 43 und damit der Basis des Transistors 44 und der
Leitung 50 sind ein Kondensator 48 und parallel dazu ein
Widerstand 47 gelegt.
In an sich bekannter Weise dient die Monitordiode 42 der
Regelung der emittierten Laserleistung, deren Absolutwert
durch die Einstellung des regelbaren Widerstands 45 bestimmt
wird.
Zur Begrenzung der emittierten Laserleistung ist ein
nichtfunktionsbeteiligter, redundanter Schutzkreis
vorgesehen. Hierzu ist in den Betriebsstromkreis der
Laserdiode 51 ein Feldeffekttransistor 52 eingefügt. Das Gate
des Feldeffekttransistors 52 ist einerseits mit einem
Widerstand 53 verbunden, dessen anderer Anschluß mit der
Leitung 49 verbunden ist, und andererseits mit einer weiteren
Monitordiode 54, deren anderer Anschluß am Kollektor des
Transistors 44 angeschlossen ist. Der Widerstand 53 ist ein
einstellbarer Widerstand. Er ist so eingestellt, daß der
Feldeffekttransistor 52 bei der gewünschten Ausgangsleistung
des Halbleiterlasers von 0,9 mW leitet.
Steigt die Ausgangsleistung des Halbleiterlasers auf 1 mW an,
bewirkt der dann durch die Monitordiode 54 fließende, erhöhte
Strom einen höheren Spannungsabfall an dem Widerstand 53 und
damit eine Reduzierung der Gate-Surce-Spannung am
Feldeffekttransistor 52. Dies hat eine Reduktion des Stroms
durch die Laserdiode 51 zur Folge, was eine redundante
Leistungsbegrenzung darstellt.
Bei den elektronischen Schaltungen 20 (Fig. 2, 3) und bei der
elektronischen Schaltung 40 (Fig. 4) kann der elektrische
Strom anstatt aus der Batterie 23 auch aus einer anderen
Stromquelle stammen. Der Taster 21 ist für die Funktion der
elektronischen Schaltungen 20 (Fig. 2, 3) bzw. 40 (Fig. 4)
nicht erforderlich.
Claims (6)
1. Halbleiterlaser, insbesondere zur Verwendung in einem
Laserpointer oder Laserdioden-Modul, mit einer Laserdiode und
einer zu deren Betrieb notwendigen elektronischen Schaltung
sowie einer Monitordiode, die in Verbindung mit der
elektronischen Schaltung der Messung der emittierten
Laserleistung und deren Begrenzung auf einen Maximalwert
dient, dadurch gekennzeichnet, daß eine außerhalb der
Laserdiode (11) ihr Streulicht empfangende,
funktionsbeteiligte Monitordiode (24) vorgesehen ist, die der
vorgespannten Basis-Emitter-Strecke eines die Laserdiode (11)
treibenden Transistors (26) parallel liegt, daß die im
Gehäuse der Laserdiode (11) befindliche, emittierte
Laserleistung detektierende Monitordiode (22) Teil eines
nichtfunktionsbeteiligten, redundanten Schutzkreises
(Monitordiode 22, einstellbarer Widerstand 28, Transistor 29)
zur Begrenzung der emittierten Laserleistung ist, und daß
eine Sicherung (27) vorgesehen ist, die den Strom durch die
Laserdiode (11) unterbricht, sobald die emittierte
Laserleistung einen vorgegebenen Maximalwert übersteigt.
2. Halbleiterlaser, insbesondere zur Verwendung in einem
Laserpointer oder Laserdioden-Modul, mit einer Laserdiode und
einer zu deren Betrieb notwendigen elektronischen Schaltung
sowie einer Monitordiode, die in Verbindung mit der
elektronischen Schaltung der Messung der emittierten
Laserleistung und deren Begrenzung auf einen Maximalwert
dient, dadurch gekennzeichnet, daß eine außerhalb der
Laserdiode (51) ihr Streulicht empfangende,
nichtfunktionsbeteiligte Monitordiode (54) vorgesehen ist,
die am Gate eines Feldeffekttransistors (52) angeschlossen
ist, der im Betriebsstromkreis der Laserdiode (51) liegt und
den Strom durch die Laserdiode (51) begrenzt, erreicht die
emittierte Laserleistung einen vorgegebenen Grenzwert.
3. Halbleiterlaser nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, daß die außerhalb der Laserdiode (11) deren
Streulicht empfangende Monitordiode (24; 54) neben der
Laserdiode (11; 51) von einem Träger (19) gehalten wird, der
auch die Laserdiode (11; 51) hält.
4. Halbleiterlaser nach einem der Ansprüche 1 oder 3, dadurch
gekennzeichnet, daß der nichtfunktionsbeteiligte, redundante
Schutzkreis (Monitordiode 22, einstellbarer Widerstand 28,
Transistor 29) in Reihe zu dem die Laserdiode (11) treibenden
Transistor (26) liegt.
5. Halbleiterlaser nach einem der Ansprüche 1 oder 3, dadurch
gekennzeichnet, daß der nichtfunktionsbeteiligte, redundante
Schutzkreis (Monitordiode 22, einstellbarer Widerstand 28,
Transistor 29) parallel zu dem die Laserdiode (11) treibenden
Transistor (26) liegt.
6. Halbleiterlaser nach einem der Ansprüche 2 oder 3, dadurch
gekennzeichnet, daß der nichtfunktionsbeteiligte, redundante
Schutzkreis (Feldeffekttransistor 52 mit Monitordiode 54 und
einstellbarem Widerstand 53) in Reihe zu der Laserdiode (51)
liegt.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4327343A DE4327343A1 (de) | 1993-08-16 | 1993-08-16 | Halbleiterlaser, insbesondere zur Verwendung in einem Laserpointer oder Laserdioden-Modul |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4327343A DE4327343A1 (de) | 1993-08-16 | 1993-08-16 | Halbleiterlaser, insbesondere zur Verwendung in einem Laserpointer oder Laserdioden-Modul |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4327343A1 true DE4327343A1 (de) | 1995-02-23 |
Family
ID=6495193
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4327343A Withdrawn DE4327343A1 (de) | 1993-08-16 | 1993-08-16 | Halbleiterlaser, insbesondere zur Verwendung in einem Laserpointer oder Laserdioden-Modul |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE4327343A1 (de) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1298449A2 (de) * | 2001-09-21 | 2003-04-02 | Leuze electronic GmbH + Co. | Optischer Sensor |
DE19521034B4 (de) * | 1995-06-09 | 2005-04-21 | Raytheon Marine Gmbh | Lichttonkopf und Tonfilmprojektor damit |
DE102004056621A1 (de) * | 2004-08-21 | 2006-02-23 | Dilas Diodenlaser Gmbh | Diodenlaser mit einem einer Laserdiode elektrisch parallel geschalteten Schutzelement |
EP1879270A2 (de) | 2006-05-29 | 2008-01-16 | M.D. MICRO DETECTORS S.p.A. | Verfahren zur sicheren Steuerung der Emissionsleistung eines Lasers und entsprechende Schaltung |
US8368318B2 (en) | 2007-07-13 | 2013-02-05 | Martin Kuster | Pocket tool with a light pointer |
DE102012006774A1 (de) | 2012-04-04 | 2013-10-10 | Z-Laser Optoelektronik Gmbh | Beleuchtungseinrichtung mit mindestens einem, einen Halbleiterchip aufweisenden Halbleiterlaser |
-
1993
- 1993-08-16 DE DE4327343A patent/DE4327343A1/de not_active Withdrawn
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19521034B4 (de) * | 1995-06-09 | 2005-04-21 | Raytheon Marine Gmbh | Lichttonkopf und Tonfilmprojektor damit |
EP1298449A2 (de) * | 2001-09-21 | 2003-04-02 | Leuze electronic GmbH + Co. | Optischer Sensor |
DE102004056621A1 (de) * | 2004-08-21 | 2006-02-23 | Dilas Diodenlaser Gmbh | Diodenlaser mit einem einer Laserdiode elektrisch parallel geschalteten Schutzelement |
EP1879270A2 (de) | 2006-05-29 | 2008-01-16 | M.D. MICRO DETECTORS S.p.A. | Verfahren zur sicheren Steuerung der Emissionsleistung eines Lasers und entsprechende Schaltung |
EP1879270A3 (de) * | 2006-05-29 | 2009-07-22 | M.D. MICRO DETECTORS S.p.A. | Verfahren zur sicheren Steuerung der Emissionsleistung eines Lasers und entsprechende Schaltung |
US8368318B2 (en) | 2007-07-13 | 2013-02-05 | Martin Kuster | Pocket tool with a light pointer |
DE102012006774A1 (de) | 2012-04-04 | 2013-10-10 | Z-Laser Optoelektronik Gmbh | Beleuchtungseinrichtung mit mindestens einem, einen Halbleiterchip aufweisenden Halbleiterlaser |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |