DE4322660C2 - Vorrichtung zum Zentrieren von Lichtwellenleitern aufeinander - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Zentrieren von Lichtwellenfasern aufeinander, gemäß den Oberbegriffen der Ansprüche 1 bis 3.

Des weiteren betrifft die Erfindung Verfahren zum Herstellen von Klemmstrukturen für das Zentrieren von Lichtleitfasern.

Bei der Kopplung der Enden faserförmiger Lichtwellenlei­ ter mit den Enden anderer Lichtwellenleiter oder mit mi­ krooptischen oder optoelektronischen Bauelementen ist die genaue Positionierung der Enden der Lichtwellenleiter bezüglich der zu koppelnden Lichtwellenleiter bzw. Bau­ elemente von großer Bedeutung, weil sie für die Übertra­ gungsqualität bestimmend ist. Eine genaue Positionierung faserförmiger Lichtwellenleiter, deren Faserdurchmesser typischerweise eine Herstellungstoleranz von ± 2 µm auf­ weist, ist jedoch gerade im Falle der für die Telekom­ munikation bevorzugt verwendeten Singlemodefasern, die sich durch sehr kleine Kernregionen mit Durchmessern von 5 bis 10 µm auszeichnen, sehr schwierig.

Bei Einzelfasersteckern mit zirkularer Geometrie des die Faser beherbergenden Teils ist es bekannt (SPIE Vol. 479 (1984) S. 36 ff.) die Faser in eine Bohrung einzuschieben, darin zu verkleben und dann den gesamten Steckkörper unter optischer Kontrolle der Zentrizität nachzuarbeiten, indem außen Material abgetragen wird.

Stecker dieser bekannten Art weisen den Nachteil auf, daß sie nur mit erheblichem Aufwand hergestellt werden kön­ nen. Des weiteren eignet sich dieses Verfahren zum nach­ träglichen Zentrieren der Faser in dem Stecker auf Grund der notwendigen Rotationssymmetrie nur für Einzelfaser­ stecker.

Des weiteren ist es bekannt, auf einem Trägersubstrat mittels anisotropen Ätzens von Silicium V-förmige Nuten auszubilden, die zur Aufnahme von Lichtwellenleitern dienen. Aus der DE-C-26 26 907, der EP-A-285 803 oder der EP-A-482 673 sind Faserhalter bekannt, in denen derartige V-Nuten dazu benutzt werden, die Lichtwellenleiter late­ ral fixiert zu positionieren. Derartige Faserhalter wei­ sen jedoch den Nachteil auf, daß die Fasern in nur einer Richtung zentriert werden, so daß eine perfekte Positio­ nierung nicht erreicht werden kann.

Fig. 8d der EP-A-482 673 zeigt eine Anordnung, bei der Schlitze zur elastischen Lagerung der Fasern auch in der Deckplatte vorgesehen sind. Diese Schlitze auch in der Deckplatte sind zur Anpassung an unterschiedliche Faserdurchmesser vorgesehen, nicht jedoch dafür, eine punktsymmetrische Halterung zu erreichen. Abgesehen davon, daß dieser Druckschrift kein Hinweis auf das Erreichen einer Lagesymmetrie der Fasern entnehmbar ist, ist mit der Anordnung gemäß Fig. 8d dieser Druckschrift eine Punktsymmetrierung auch nicht möglich, weil bei den dort verwendeten Balken zur elastischen Lagerung der Fasern keine Lagesymmetrie der Fasern erreicht werden kann, da die Auslenkung der jeweiligen Balken nicht nur von den wirkenden Reibungskoeffizienten - und zwar nicht nur von deren Differenz - sondern auch von den Winkeln der Auflageflächen der Balken - und nicht nur von deren Differenz - abhängt. Zwischen der Faser und den Balken tritt eine Relativbewegung auf, die Reibungskräfte hervorruft und die ihrerseits eine Zentrierung der Faser unmöglich machen. Eine Anordnung gemäß Fig. 8d dieser Druckschrift ist daher für die Symmetrierung der Faserlage nicht geeignet.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, Zentrie­ rungsvorrichtungen der eingangs genannten Art zu schaffen, mit der die Enden von Lichtwellenleitern sehr genau auf den Mantel zentriert werden können.

Die gestellte Aufgabe wird erfindungsgemäß mit Zentrierungsvorrichtungen gemäß der Ansprüche 1-3 gelöst.

Für das erfindungsgemäße Verfahren wird dies generell dadurch erreicht, daß die Klemmstrukturen unter Verwendung bekannter mikrotechnischer Verfahren hergestellt werden.

Im speziellen wird dies für das erfindungsgemäße Verfahren dadurch erreicht, daß die Klemmstrukturen unter Verwendung röntgenlithografischer Verfahren, insbesondere unter Verwendung des unter dem Begriff LIGA bekannten und in "W. Ehrfeld und D. Münchmeyer, Nucl. Instrum. Meth. A303, pp. 523-531, 1991" beschriebenen Verfahrens, hergestellt werden.

Alternativ wird dies für das erfindungsgemäße Verfahren im speziellen dadurch erreicht, daß die Klemmstrukturen mittels Ablation mit Hilfe eines Excimerlasers hergestellt werden (vgl. z. B. H.K. Tönshoff et al., Laser und Optoelektronik 24, pp. 64-67, 1992, oder R. Srinivasan, Science, vol. 234, pp. 559-565, 1986).

Weiter wird dies für das erfindungsgemäße Verfahren alternativ im speziellen dadurch erreicht, daß die Klemmstrukturen mittels Sputterns mit Hilfe eines fokussierten Ionenstrahls hergestellt werden (vgl. z. B. R.K. DeFreez et al., SPIE Vol. 1043, Laser Diode Technology and Applications, 1989).

Für das erfindungsgemäße Verfahren wird die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe im speziellen weiterhin dadurch gelöst, daß eine Resistschicht durch eine Arbeitsmaske bestrahlt wird, und die Klemmstrukturen anschließend galvanisch aufgewachsen werden.

Im wesentlichen wird dabei auf eine elektrisch leitfähige Grundplatte eine Resistschicht aufgebracht, durch eine Röntgentiefenlithographiemaske hindurch bestrahlt und anschließend die Klemmstrukturen galvanisch aufgewachsen.

Die so erzeugten metallischen Klemmstrukturen können als Formeinsatz zur Abformung von Kunststoff-Klemmstrukturen verwendet werden.

Vorzugsweise werden die Zentrierungsvorrichtungen für Steckverbindungen für Lichtwellenleiter verwendet, wie sie in der dieselbe Priorität aufweisenden DE-A-44 23 842 derselben Anmelderin beschrieben ist.

Bevorzugte Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.

Bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung wird erreicht, daß die Faserenden sowohl in lateraler als auch in vertikaler Richtung zentriert werden. Die laterale Zentrierung wird dabei durch die Einlagerung der Lichtwellenleiter in die V-förmigen Nuten erreicht, wobei die Lichtwellenleiter mit elastischem Druck in die V-Nuten gedrückt werden, und die Zentrierung der Lichtwellenleiter in der dazu senkrechten lateralen Richtung wird dadurch erreicht, daß jeweils zwei sich gegenüberstehende elastisch gelagerte V-Nuten gegen die Lichtwellenleiter drücken, wobei der Druck der sich gegenüberstehenden elastisch gelagerten V-Nuten auf die Lichtwellenleiter jeweils gleich groß ist, so daß die Lichtwellenleiter in der Mitte zwischen den beiden sich gegenüberstehenden elastisch gelagerten V-Nuten fixiert werden.

Gemäß der alternativen Ausführungsform nach Anspruch 2 sind die Klemmstrukturen der Zentrierungs­ vorrichtung M-förmig ausgebildet. Dadurch wird auf be­ sonders einfache Weise eine elastische Lagerung der V-förmigen Nuten erreicht.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der er­ findungsgemäßen Zentrierungsvorrichtung sind die Klemm­ strukturen als V-förmige Rinnenfedern ausgebildet. Diese Ausführungsform der Klemmstrukturen ermöglicht insbesondere die Herstellung von Klemmstrukturen, die in einem linearen Array zusammengesetzt sind.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der erfindungsgemäßen Zentrierungsvorrichtung nach Anspruch 3 sind die Klemmstrukturen als durchgehende Gitterstäbe ausgebildet, die in der Mitte mit nach außen weisenden Ausbuchtungen versehen sind. Diese erfindungsgemäßen Zentrierungsvorrichtungen haben den Vorteil, daß nicht ein Paar sich gegenüber stehender Klemmstrukturen zum Zentrieren der Lichtwellenleiter notwendig ist, sondern daß die Zentrierung mit einer einzigen Klemmstruktur erreicht wird.

Derartige Klemmstrukturen können so ausgebildet sein, daß sie vor Einbringen der Lichtwellenleiter mittels externer Kräfte elastisch verformt werden, um das Einbringen der Lichtwellenleiter zu ermöglichen, wobei die Lichtwellen­ leiter bei Zurücknahme der externen Kraft in der Klemm­ struktur elastisch gelagert sind. Eine weitere Möglich­ keit des Einbringens der Lichtwellenleiter in die Klemm­ strukturen besteht darin, die elastische Verformung der Klemmstrukturen durch das Einbringen der Lichtwellenlei­ ter selbst zu bewirken. Zur permanenten Fixierung unabhängig von den Federkräften werden die Lichtwellenleiter entsprechend einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung nach Einbringen zwischen die Gitterstäbe mit diesen mittels eines Klebers verklebt.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der er­ findungsgemäßen Zentrierungsvorrichtung sind die Klemm­ strukturen als Doppelstäbe ausgebildet, die an den Enden jeweils mit nach außen weisenden Ausbuchtungen versehen sind. Auch diese erfindungsgemäßen Klemmstrukturen weisen den Vorteil auf, daß eine einzige Klemmstruktur zur elastisch vertikalen und horizontal zentrierten Lagerung ausreicht. Auch entsprechend dieser Ausführungsform werden die Lichtwellenleiter bevorzugt mit Hilfe eines Klebstoffes mit den Doppelstäben, in die sie eingelagert sind, verklebt.

Die erfindungsgemäßen Strukturen werden nach bekannten mikrotechnischen Verfahren hergestellt. Ein bevorzugtes Verfahren ist das in "W. Ehrfeld u. D. Münchmeyer, Nucl. Instrum. Meth. A 303, pp. 523-531, 1991" beschriebene LIGA - Verfahren.

Das erfindungsgemäße Verfahren bietet den Vorteil, daß die für die Ausformung der erfindungsgemäßen Klemmstruk­ turen notwendigen Arbeitsgänge sehr präzise ausgeführt werden können, so daß Klemmstrukturen gebildet werden, die nur sehr geringe Abweichungen in den äußeren Abmes­ sungen und bezüglich ihrer vertikalen Elastizität auf­ weisen.

Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform des erfindungs­ gemäßen Verfahrens wird die Resistschicht hergestellt, indem ein planparalleles Plättchen eines Positiv-Rönt­ genresists (zum Beispiel PMMA) auf einem Metallwafer aufgebracht wird.

Entsprechend einer anderen Ausführungsform der erfin­ dungsgemäßen Verfahrens wird die Resistschicht herge­ stellt, indem eine entsprechend dicke Schicht Gießharz auf den Metallwafer aufgebracht und anschließend poly­ merisiert wird.

Bei beiden Ausführungsformen kann die Dicke der Resist­ schicht mit geeigneten feinmechanischen Werkzeugen nach­ gearbeitet werden. Die Dicke der Resistschicht und die Parallelität des Metallwafers spielen dann eine ent­ scheidende Rolle, wenn die gleichmäßige Höhe aller Klemmstrukturen erreicht werden muß. Eine chemische Behandlung der Waferoberfläche vor Auftragen des Resists kann je nach Metall und Resist als Haftvermittlung not­ wendig sein.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens wird die Arbeitsmaske er­ stellt, indem eine dünne Membran eines Materials mit kleiner Massenzahl, auf die die Absorberstrukturen aus einem Metall hoher Massenzahl aufgebracht werden, durch eine Zwischenmaske mit Röntgenstrahlung bestrahlt wird, worauf der Resist entwickelt wird, und die entwickelten Bereiche mit einem Metall galvanisch gefüllt werden, wo­ rauf die verbliebenen Resistbereiche entfernt werden, indem sie belichtet und anschließend entwickelt werden (Strippen).

Als vorteilhafte Materialien mit kleiner Massenzahl für die Herstellung einer dünnen Membran eignet sich zum Beispiel Beryllium in einer Dicke von etwa 200 µm, oder Diamant in entsprechender Dicke. Als Metall mit hoher Massenzahl, das zum Ausbilden der Absorberstrukturen geeignet ist, eignet sich insbesondere Gold in einer Dicke von etwa 10 µm. Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens wird die für die Herstellung der Arbeitsmaske notwendige Zwi­ schenmaske hergestellt, indem zuerst eine Standardchrom­ maske mittels Elektronenstrahlschreiber erstellt wird, anschließend eine mittels Temperprozeß vorbehandelte Kaptonfolie bestrahlt wird, die mit einer Haftvermitt­ lerschicht, einer Galvanikstartschicht und einer dicken Resistschicht versehen ist, worauf das Entwickeln der Maske und das galvanische Füllen der entwickelten Berei­ che mit einem Metall durchgeführt wird, woraufhin die verbliebenen Bereiche der Resistschicht gestrippt werden.

Als Haftvermittlerschicht eignet sich zum Beispiel eine 50 nm dicke Schicht aus Titan. Als Galvanikstartschicht eignet sich zum Beispiel eine 50 bis 100 nm dicke Schicht aus Kupfer, und die Resistschicht hat vorzugsweise eine Dicke von 1 bis 2 µm. Das galvanische Füllen der ent­ wickelten Maske wird vorzugsweise mittels einer 1 µm dicken Beschichtung aus Gold durchgeführt.

Alternativ kann die Arbeitsmaske auch durch Kontaktpho­ tolithographie erstellt werden. Dabei wird eine dicke Resistschicht zum Beispiel auf Kaptonfolie aufgebracht und die Chrommaske in Kontakt mit der Resistschicht ge­ bracht. Die Chrommaske muß hier im Gegensatz zu dem oben beschriebenen Verfahren zur Herstellung der Arbeitsmaske eine inverse Tönung aufweisen.

Entsprechend einer weiteren bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens wird das galvanische Aufwachsen derart durchgeführt, daß der Wafer als Elek­ trode geschaltet wird, so daß in den herausgeätzten Be­ reichen Metall aufwächst. Die Aufwachshöhe ist hierbei durch die Dauer des Galvanikprozesses steuerbar. Im Ge­ gensatz zur Maskengalvanik wird hierbei ein Überwachsen der Strukturen angestrebt. Durch Nachbearbeitung, wie etwa Fräsen, Schleifen, und/oder Läppen kann die aufge­ wachsene Metallstruktur auf die gewünschte Höhe gebracht werden. Für den Fall, daß die Mikrostruktur auf dem Wafer verbleiben soll, ist die gewünschte Höhe der Strukturen kleiner als die benutzte Resistschicht. Hierzu eignet sich Nickelgalvanik auf Kupferwafer. Soll das übergal­ vanisierte Metall als Träger der Mikrostrukturen benutzt werden, so muß stark übergalvanisiert werden und die Galvanik nach einer Planbearbeitung vom Wafer getrennt werden. Dazu eignet sich Nickelgalvanik auf Titanwafer. Der verbleibende Resist kann durch nochmalige Bestrahlung mit harter Röntgenstrahlung und nachfolgender Entwicklung entfernt werden (Strippen).

Die entstandene Metallstruktur kann als Einsatz in ein Abformwerkzeug einer Spritzgußmaschine oder auch als Prägestempel in einer Presse verwendet werden.

Nachfolgend wird die Erfindung anhand vorteilhafter Ausführungsformen erläutert, die in den Figuren der Zeichnung dargestellt sind. Es zeigt:

Fig. 1 eine bevorzugte Ausführungsform der erfindungsge­ mäßen Zentrierungsvorrichtung im Querschnitt;

Fig. 2 eine weitere bevorzugte Ausführungsform der er­ findungsgemäßen Zentrierungsvorrichtung im Quer­ schnitt;

Fig. 3 eine weitere bevorzugte Ausführungsform der er­ findungsgemäßen Zentrierungsvorrichtung im Quer­ schnitt,

Fig. 4 eine weitere bevorzugte Ausführungsform der er­ findungsgemäßen Zentrierungsvorrichtung im Quer­ schnitt.

In Fig. 1 zeigt die linke Abbildung einer erfindungsge­ mäßen Zentrierungsvorrichtung 11, 11′ im Querschnitt, wobei der untere Teil 11 der Zentrierungsvorrichtung mit dem unteren Teil 13 eines Bauteils einer Steckverbindung verbunden ist und der obere Teil 11′ der Zentrierungs­ vorrichtung mit dem oberen Bauteil 13′ einer Steckver­ bindung verbunden ist. Der jeweils untere und obere Teil 11, 11′ der Zentrierungsvorrichtung ist M-förmig ausge­ bildet und jeweils mit einer V-förmigen Klemmstruktur 12, 12′ versehen. Der untere Teil 11 und obere Teil 11′ Teil der Zentrierungsvorrichtung weisen gleiche elastische Eigenschaften sowohl in vertikale als auch in horizontale Richtung auf.

In der rechten Abbildung der Fig. 1 ist die in der linken Abbildung dargestellte Ausführungsform der erfindungsge­ mäßen Zentrierungsvorrichtung in einem Zustand gezeigt, in dem ein im Querschnitt dargestellter Lichtwellenleiter 10 zwischen dem unteren Teil 11 und dem oberen Teil 11′ der Zentrierungsvorrichtung eingelagert ist. Auf Grund der V-förmigen Ausbildung der Klemmstruktur 12 wird der Lichtwellenleiter in horizontaler Richtung mittig zwi­ schen dem unteren Teil 11 und dem oberen Teil 11′ der Zentrierungsvorrichtung fixiert. Auf Grund der gleichen Elastizität des unteren Teils 11 und des oberen Teils 11′ der jeweils M-förmig ausgebildeten unteren und oberen Teile der Zentrierungsvorrichtung wird der Lichtwellen­ leiter 10 auch in vertikaler Richtung mittig zwischen dem unteren Bauteil 13 und dem oberen Bauteil 13′ einer Steckverbindung fixiert. Die Anordnung mehrerer der ge­ zeigten Zentrierungsvorrichtungen parallel nebeneinander ermöglicht die Positionierung und Fixierung einer Mehr­ zahl parallel geführter Lichtwellenleiter.

In der in Fig. 2 dargestellten Ausführungsform der er­ findungsgemäßen Zentrierungsvorrichtung ist der jeweils obere Teil der Zentrierungsvorrichtung nicht dargestellt, da er entsprechend der in Fig. 1 dargestellten Ausfüh­ rungsform der erfindungsgemäßen Zentrierungsvorrichtung lediglich achsensymmetrisch zu dem unteren Teil ausge­ führt ist.

Der untere Teil der Zentrierungsvorrichtung be­ steht im oberen Bereich aus V-förmigen Klemmstrukturen 32, in denen, wie in der Figur dargestellt, ein Licht­ wellenleiter 10 so eingelagert wird, daß er bei entspre­ chendem Druck von oben, der von dem nicht dargestellten oberen Teil der Zentrierungsvorrichtung ausgeübt wird, fixiert ist. Der nicht dargestellte obere Teil dieser Ausführungsform der Zentrierungsvorrichtung ist spiegel­ symmetrisch zu dem dargestellten unteren Teil ausgeführt. Der untere Teil 31, 32 der Zentrierungsvorrichtung ist als V- oder M-förmige elastische Feder, beispielsweise als rinnenförmige Feder ausgebildet, deren unterer Teil zur Erhöhung der Elastizität mit Strukturen 33, 34 verbunden ist, in denen mauersteinartig versetzte, kubische Hohlräume ausgearbeitet sind. Diese Hohlräume können in einer oder mehreren Schichten angeordnet sein.

In der in Fig. 3 dargestellten Ausführungsform der er­ findungsgemäßen Zentrierungsvorrichtung sind das untere Bauteil 47 und das obere Bauteil 47′ einer Steckverbin­ dung über ein Paar von Gitterstäben 41, 42 miteinander verbunden. Die Gitterstäbe 41, 42 haben im mittleren Be­ reich zwischen dem unteren und oberen Bauteil der Steck­ verbindung eine Ausbuchtung 43, 44, die zur Aufnahme eines Lichtwellenleiters dient. Zum Zweck der Aufnahme eines Lichtwellenleiters werden die Gitterstäbe 41, 42 elastisch verformt derart, daß sich der Zwischenraum im Bereich der Ausbuchtungen 43, 44 vergrößert, so daß ein Lichtwellenleiter eingeschoben werden kann. Auf Grund der Elastizität der Gitterstäbe 41, 42 wird ein so einge­ führter Lichtwellenleiter elastisch im Bereich der Aus­ buchtungen 43, 44 gehalten und auf Grund der Form der Ausbuchtungen 43, 44, die in vertikaler Richtung einem abgerundeten V ähneln, in sowohl horizontaler als auch vertikaler Richtung fixiert gelagert. Die horizontale Fixierung wird dabei durch die jeweils gleiche Elasti­ zität der Gitterstäbe 41 und 42 erreicht und die verti­ kale Fixierung wird durch die Form der Ausbuchtungen 43, 44 erreicht, die in vertikaler Richtung die Form eines abgerundeten V's aufweisen. Vorzugsweise wird ein Licht­ wellenleiter 10 nach Einbringen in die Ausbuchtungen 43, 44 mit Hilfe eines Klebstoffs im Bereich der Ausbuchtun­ gen 43, 44 mit den Gitterstäben 41, 42 verklebt, um so eine permanente Fixierung der Lichtwellenleiter zwischen den Gitterstäben zu erreichen.

Die in Fig. 4 dargestellte Ausführungsform der erfin­ dungsgemäßen Zentrierungsvorrichtung ist ebenfalls so ausgeführt, daß ein einziges Paar 51, 52 von Gitterstäben zu sowohl horizontalen als auch vertikalen Zentrierung eines Lichtwellenleiters ausreicht. Bei der in dieser Figur dargestellten Ausführungsform ist im Gegensatz zu der in der Fig. 4 beschriebenen Ausführungsform jedoch nur das untere Ende der Gitterstäbe 51, 52 mit einem Bauteil 57 einer Steckverbindung verbunden. Die Gitter­ stäbe 51, 52 weisen Ausbuchtungen 53, 54 auf, in die ein Lichtwellenleiter 10 aufgenommen werden kann. Die oberen Enden 55, 56 der Gitterstäbe 51, 52 weisen jeweils nach außen, um das elastische Einfügen eines Lichtwellenlei­ ters in den Bereich der Ausbuchtungen 53, 54 von oben zu ermöglichen. Die Gitterstäbe 51, 52 sind derart angeord­ net, daß der Raumbereich, der durch die Ausbuchtungen 53, 54 geformt wird, kleiner ist als der Raumbereich, der von einem querverlaufenden Lichtwellenleiter eingenommen wird, wie dies in der linken Abbildung der Figur darge­ stellt ist. Wird ein Lichtwellenleiter 10 von oben in den Bereich der Ausbuchtungen 53, 54 eingebracht, so werden die Gitterstäbe 51, 52 elastisch verformt. Mit dem aus dieser elastischen Verformung resultierenden Druck wird ein so eingeführter Lichtwellenleiter 10 dann im Bereich der Ausbuchtungen 53, 54 fixiert positioniert, wobei eine horizontale Zentrierung des Lichtwellenleiters mittig zwischen den Gitterstäben 51, 52 dadurch erreicht wird, daß die Gitterstäbe 51, 52 gleiche Elastizität aufweisen.

Claims (8)

1. Vorrichtung zum Zentrieren von Lichtwellenleitern aufeinander, mit einer den Lichtwellenleiter (10) in einer ersten Richtung zentrierenden und bezüglich einer ersten Ebene symmetrischen Klemmstruktur (12, 12′; 24, 26; 32; 43, 44) die zum Zentrieren des Lichtwellenleiters (10) in einer zweiten, zur ersten Richtung senkrechten Richtung zur einer zweiten, zur ersten Ebene senkrechten Ebene symmetrisch ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Klemmstrukturen (12, 12′) M-förmig ausgebildet sind.

2. Vorrichtung zum Zentrieren von Lichtwellenleitern aufeinander, mit einer den Lichtwellenleiter (10) in einer ersten Richtung zentrierenden und bezüglich einer ersten Ebene symmetrischen Klemmstruktur (12, 12′; 24, 26; 32; 43, 44) die zum Zentrieren des Lichtwellenleiters (10) in einer zweiten, zur ersten Richtung senkrechten Richtung zu einer zweiten, zur ersten Ebene senkrechten Ebene symmetrisch ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Klemmstrukturen als V-förmige Rinnenfedern (32) ausgebildet sind.

3. Vorrichtung zum Zentrieren von Lichtwellenleitern aufeinander, mit einer den Lichtwellenleiter (10) in einer ersten Richtung zentrierenden und bezüglich einer ersten Ebene symmetrischen Klemmstruktur (12, 12′; 24, 26; 32; 43, 44) die zum Zentrieren des Lichtwellenleiters (10) in einer zweiten, zur ersten Richtung senkrechten Richtung zu einer zweiten, zur ersten Ebene senkrechten Ebene symmetrisch ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Klemmstrukturen als durchgehende Gitterstäbe (41, 42) ausgebildet sind, die in der Mitte mit nach außen weisenden Ausbuchtungen (43, 44) versehen sind.

4. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Klemmstrukturen zu Arrays zusammengesetzt sind.

5. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die in den Klemmstrukturen gelagerten Lichtwellenleiter mit diesen verklebt sind.

6. Verfahren zum Herstellen von Klemmstrukturen für das Zentrieren von Lichtwellenleitern aufeinander, dadurch gekennzeichnet, daß die Klemmstrukturen unter Verwendung röntgenlithografischer Verfahren hergestellt werden.

7. Verfahren zum Herstellen von Klemmstrukturen für das Zentrieren von Lichtwellenleitern aufeinander, dadurch gekennzeichnet, daß die Klemmstrukturen mittels Ablation mit Hilfe eines Excimerlasers hergestellt werden.

8. Verfahren zum Herstellen von Klemmstrukturen für das Zentrieren von Lichtwellenleitern aufeinander, dadurch gekennzeichnet, daß die Klemmstrukturen mittels Sputterns mit Hilfe eines fokussierten Ionenstrahls hergestellt werden.